KR20040003124A - Delay control circuit controlling the delay of the clock signal outputting from clock buffer in semiconductor memory device - Google Patents

Delay control circuit controlling the delay of the clock signal outputting from clock buffer in semiconductor memory device Download PDF

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KR20040003124A
KR20040003124A KR1020020037484A KR20020037484A KR20040003124A KR 20040003124 A KR20040003124 A KR 20040003124A KR 1020020037484 A KR1020020037484 A KR 1020020037484A KR 20020037484 A KR20020037484 A KR 20020037484A KR 20040003124 A KR20040003124 A KR 20040003124A
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Abstract

PURPOSE: A delay control circuit controlling delay of an output signal being output to an output port of a clock buffer in a semiconductor memory device is provided to give a positive delay and also a negative delay, by referring to a reference signal related with an output port signal. CONSTITUTION: According to the delay control circuit(300) controlling a delay of an output signal being output from an output port of a clock buffer, the first delay circuit(310) is connected to the output port and generates the first delay in the output signal in response to a delay control signal and a number of control signals. A logic circuit(320) outputs a logic signal in response to the delay control signal and the control signals. And the second delay circuit(330) is connected to the output port and generates the second delay in the output signal in response to the logic signal. The first delay circuit is enabled in response to the logic signal of the delay control signal.

Description

반도체 메모리 장치에서 클럭버퍼의 출력단으로 출력되는 출력신호의 지연을 조절하는 지연조절회로{Delay control circuit controlling the delay of the clock signal outputting from clock buffer in semiconductor memory device}Delay control circuit controlling the delay of the clock signal outputting from clock buffer in semiconductor memory device}

본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 반도체 메모리 장치에서 클럭버퍼의 출력신호의 지연량을 조절하는 지연제어회로에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor memory device, and more particularly, to a delay control circuit for adjusting a delay amount of an output signal of a clock buffer in a semiconductor memory device.

반도체 메모리 장치는 입력되는 외부클럭신호를 내부클럭신호로 동기시키기 위하여 지연동기루프(Delayed Locked Loop;DLL)를 구비한다. 이러한 지연동기루프에 의하여 동기된 클럭신호는 소정의 클럭버퍼를 거쳐서 클럭신호가 필요한 소정의 회로로 입력된다.The semiconductor memory device includes a delayed locked loop (DLL) for synchronizing an inputted external clock signal with an internal clock signal. The clock signal synchronized by this delay synchronization loop is input to a predetermined circuit through which a clock signal is required through a predetermined clock buffer.

이러한 클럭버퍼는 클럭신호가 여러 과정을 거치면서 나타나는 신호의 감쇠를 극복하기 위하여 신호가 전달되는 경로의 필요한 곳곳에 위치시킴으로써 감쇠된 신호를 증폭시키는 역할을 한다.The clock buffer amplifies the attenuated signal by placing the clock signal in a necessary part of a path through which the signal is transmitted in order to overcome the attenuation of the signal that is generated through various processes.

도 1은 반도체 메모리 장치에 있어서 데이터 클럭버퍼(100) 및 버퍼링된 클럭들(CLK1, CLK2, CLK3)을 수신하는 수신회로(회로 1 내지 회로 3)를 개략적으로 나타낸 그림이다. 클럭버퍼(100)는 소정의 버퍼(101, 102, 103, 104)를 구비하며, 클럭버퍼(100)로 입력되는 클럭신호(CLK_IN)는 클럭버퍼(100) 및 소정의 로컬버퍼(local buffer;110)를 거쳐서 회로 1 내지 회로 3에서 수신된다.FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a receiving circuit (circuits 1 to 3) that receives a data clock buffer 100 and buffered clocks CLK1, CLK2, and CLK3 in a semiconductor memory device. The clock buffer 100 includes predetermined buffers 101, 102, 103, 104, and the clock signal CLK_IN input to the clock buffer 100 includes a clock buffer 100 and a predetermined local buffer; Received at circuit 1 through circuit 3 via 110.

여기에서 반도체 메모리 장치의 올바른 동작을 보장하기 위해서는 회로 1 내지 회로 3에 입력되는 클럭(CLK1, CLK2, CLK3)의 동기가 맞춰져야 한다. 실제 반도체 메모리를 설계할 때에는 이러한 클럭들을 동기시켜 설계하지만, 실제 칩(chip)을 제작할 때 공정, 전압 및 온도(process, voltage, temperature; PVT)의 변화에 의하여 실제 신호들이 동기되지 않고 수십에서 수백 ps씩 차이가 나게 된다.Here, in order to ensure correct operation of the semiconductor memory device, the clocks CLK1, CLK2, and CLK3 input to the circuits 1 to 3 must be synchronized. When designing a real semiconductor memory, these clocks are designed to be synchronized.However, when manufacturing a real chip, actual signals are not synchronized due to changes in process, voltage, and temperature (PVT). ps will be different.

칩을 제작한 이후에 이러한 문제를 해결하기 위하여 지연제어회로(delaycontrol circuit)를 사용한다. 도 2는 종래의 클럭버퍼 출력신호의 지연량을 제어하는 지연제어회로(200)를 나타낸 회로도이다.After the chip is fabricated, a delay control circuit is used to solve this problem. 2 is a circuit diagram illustrating a delay control circuit 200 controlling a delay amount of a conventional clock buffer output signal.

도 2의 지연제어회로(200)는 클럭버퍼(20)의 출력단(N2) 신호의 지연을 제어하며, 지연제어회로(200)는 복수의 트랜지스터(TR21, TR22, TR23, TR24), 지연소자(C21, C22)를 구비한다. 지연소자(C21, C22)는 소정의 커패시턴스를 가지는 커패시터를 사용한다.The delay control circuit 200 of FIG. 2 controls the delay of the output terminal N2 signal of the clock buffer 20, and the delay control circuit 200 includes a plurality of transistors TR21, TR22, TR23, TR24, and a delay element ( C21, C22). The delay elements C21 and C22 use capacitors having a predetermined capacitance.

도 2를 참조하여 종래의 지연제어회로(200)의 동작을 개략적으로 설명하면 다음과 같다. 클럭버퍼(20)의 출력단(N2)에서의 신호를 단자 A, B, C, D의 온/오프 여부에 따라서 출력단(N2)이 바라보는 커패시턴스의 양으로 지연량을 조절하게 된다. 즉, 신호에서 지연량을 나타내는 척도인 시정수(time constant)값의 변화로 지연량을 조절한다.Referring to FIG. 2, the operation of the conventional delay control circuit 200 will be described below. The delay amount is adjusted by the amount of capacitance that the output terminal N2 sees, depending on whether the signals at the output terminal N2 of the clock buffer 20 are on / off of terminals A, B, C, and D. That is, the delay amount is adjusted by changing a time constant value, which is a measure of the delay amount in the signal.

예컨대, A단자와 B단자가 모두 온(on)상태인 경우에는 트랜지스터(TR21, TR22)가 모두 활성화되어 출력단(N2)이 커패시터(C21)를 바라보게 되어 신호는 그만큼 지연된다.For example, when both A and B terminals are on, the transistors TR21 and TR22 are both activated so that the output terminal N2 faces the capacitor C21 and the signal is delayed by that amount.

또한 A단자가 오프(off)상태인 경우에는 트랜지스터(TR21)가 동작하지 않게 되어 이 경우에는 출력단(N2)이 트랜지스터(TR21)의 게이트-드레인의 작은 등가 커패시턴스를 바라보게 되어 A, B단자가 모두 온(on)인 경우보다 더 적은 지연량을 가지게 된다.When the terminal A is in an off state, the transistor TR21 does not operate. In this case, the output terminal N2 looks at the small equivalent capacitance of the gate-drain of the transistor TR21. All will have less delay than if they were on.

마찬가지로, C와 D단자도 같은 방법으로 설명할 수 있으며, A, B, C, D가 모두 온(on)상태인 경우에는 출력단(N2)은 커패시터(C21, C22)를 모두 바라보고, 이들은 서로 병렬연결되어 있으므로 등가 커패시턴스인 C21+C22에 상응하는 지연량을 가지게 된다.Similarly, the C and D terminals can be described in the same way, and when A, B, C, and D are all on, the output terminal N2 looks at both capacitors C21 and C22, and they Since they are connected in parallel, they have a delay corresponding to the equivalent capacitance, C21 + C22.

이와 같이 도 2에 나타난 종래의 지연제어회로(200)는 단자 A, B, C, D를 조절하여 지연량을 조절할 수 있었다. 그러나, 종래의 지연제어회로(200)는 출력단(N2)의 신호를 지연시키는 양의 지연(positive delay)을 줄 수는 있으나, 신호를 앞서가도록 하는 음의 지연(negative delay)은 줄 수 없다는 문제점이 있었다.As described above, the conventional delay control circuit 200 shown in FIG. 2 can adjust the delay amount by adjusting terminals A, B, C, and D. However, the conventional delay control circuit 200 can give a positive delay for delaying the signal of the output terminal N2, but cannot provide a negative delay for leading the signal. There was this.

따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 클럭버퍼의 출력신호의 지연량을 제어하는 지연제어회로에 있어서, 출력단(N2) 신호와 관련된 소정의 기준신호를 기준으로 양의 지연뿐만 아니라 음의 지연도 줄 수 있는 지연제어회로를 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention provides a delay control circuit for controlling a delay amount of an output signal of a clock buffer, in which a negative delay as well as a positive delay is based on a predetermined reference signal associated with an output terminal N2 signal. To provide a delay control circuit that can be given.

본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS In order to better understand the drawings cited in the detailed description of the invention, a brief description of each drawing is provided.

도 1은 반도체 메모리 장치에 있어서 데이터 클럭버퍼 및 버퍼링된 클럭을 수신하는 수신회로를 개략적으로 나타낸 그림이다.FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a reception circuit for receiving a data clock buffer and a buffered clock in a semiconductor memory device.

도 2는 종래의 클럭버퍼 출력신호의 지연량을 제어하는 지연제어회로를 나타낸 회로도이다.2 is a circuit diagram illustrating a delay control circuit for controlling a delay amount of a conventional clock buffer output signal.

도 3은 본 발명에 따른 지연제어회로를 나타낸 실시예이다.3 is an embodiment showing a delay control circuit according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 지연제어회로에서 각각의 제어신호의 조합에 따른 양의 지연량과 음의 지연량을 나타낸 테이블이다.4 is a table showing a positive delay amount and a negative delay amount according to combinations of respective control signals in the delay control circuit according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 지연제어회로에서 각각의 제어신호의 조합에 따른 시뮬레이션(simulation) 결과를 나타낸 그래프이다.5 is a graph illustrating a simulation result according to a combination of each control signal in the delay control circuit according to the present invention.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 클럭버퍼의 출력단으로 출력되는 출력신호의 지연을 제어하는 지연제어회로에 관한 것이다. 본 발명에 따르는 지연제어회로는 상기 출력단과 접속되며 소정의 지연제어신호 및 다수의 제어신호들에 응답하여 상기 출력신호에 제 1지연량을 발생시키는 제 1지연회로; 상기 지연제어신호 및 다수의 제어신호에 응답하여 소정의 논리신호를 출력하는 논리회로; 및, 상기 출력단과 접속되며 상기 논리신호에 응답하여 상기 출력신호에 제 2지연량을 발생시키는 제 2지연회로를 구비하며, 상기 제 1지연회로는 상기 지연제어신호의 논리신호에 응답하여 활성화되는 것을 특징으로 한다.One aspect of the present invention for achieving the above technical problem relates to a delay control circuit for controlling the delay of the output signal output to the output terminal of the clock buffer. A delay control circuit according to the present invention includes: a first delay circuit connected to the output terminal and generating a first delay amount in the output signal in response to a predetermined delay control signal and a plurality of control signals; A logic circuit outputting a predetermined logic signal in response to the delay control signal and a plurality of control signals; And a second delay circuit connected to the output terminal and generating a second delay amount in the output signal in response to the logic signal, wherein the first delay circuit is activated in response to a logic signal of the delay control signal. It is characterized by.

바람직하게는, 상기 제 1지연회로는 상기 지연제어신호를 수신하여 상기 제 1지연회로의 동작여부를 결정하는 스위칭회로; 상기 스위칭회로와 직렬로 연결되며 상기 다수의 제어신호들에 응답하여 상기 제 1지연량을 조절하는 제 1지연조절회로; 및, 상기 제 1지연조절회로와 직렬로 연결되는 제 1지연소자를 구비하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the first delay circuit includes a switching circuit for receiving the delay control signal to determine whether the first delay circuit operation; A first delay control circuit connected in series with the switching circuit and adjusting the first delay amount in response to the plurality of control signals; And a first delay element connected in series with the first delay control circuit.

또한 바람직하게는, 상기 논리회로는 상기 지연제어신호 및 제 1제어신호를 수신하여 제 1논리상태를 출력하는 제 1논리소자; 및, 상기 지연제어신호 및 제 2제어신호를 수신하여 제 2논리상태를 출력하는 제 2논리소자를 구비하며, 상기 제 1논리소자 및 제 2논리소자는 NAND 게이트인 것을 특징으로 한다.Also preferably, the logic circuit may include: a first logic element configured to receive the delay control signal and the first control signal and output a first logic state; And a second logic element configured to receive the delay control signal and the second control signal and output a second logic state, wherein the first logic element and the second logic element are NAND gates.

또한 바람직하게는, 상기 제 2지연회로는 상기 제 1논리상태 및 상기 제 2논리상태에 응답하여 상기 제 2지연량을 조절하는 제 2지연조절회로; 및, 상기 제 2지연조절회로와 직렬로 연결되는 제 2지연소자를 구비하는 것을 특징으로 한다.Also preferably, the second delay circuit may include: a second delay control circuit configured to adjust the second delay amount in response to the first logic state and the second logic state; And a second delay element connected in series with the second delay control circuit.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 일면도 신호전송선을 통하여 전송되는 신호의 지연을 제어하기 위한 지연제어회로에 관한 것이다. 본 발명에 따른 지연제어회로는 제1제어신호에 응답하여 상기 신호전송선에 접속되고, 상기 신호전송선을 통하여 전송되는 신호를 소정시간 지연시키기 위한 제1지연회로;및, 제2제어신호에 응답하여 상기 신호전송선에 접속되고, 상기 신호전송선을 통하여 전송되는 신호를 소정시간 지연시키기 위한 제2지연회로를 구비하며, 상기 신호전송선을 통하여 전송되는 신호의 지연량은 상기 제1제어신호와 제2제어신호의 조합에 의하여 조절되는 것을 특징으로 한다.Another aspect of the present invention for achieving the above technical problem relates to a delay control circuit for controlling a delay of a signal transmitted through a signal transmission line. A delay control circuit according to the present invention is connected to the signal transmission line in response to a first control signal, the first delay circuit for delaying a signal transmitted through the signal transmission line for a predetermined time; and, in response to the second control signal A second delay circuit connected to the signal transmission line and delaying a signal transmitted through the signal transmission line for a predetermined time, wherein a delay amount of a signal transmitted through the signal transmission line is controlled by the first control signal and the second control; It is characterized by the combination of the signal.

바람직하게는, 상기 제1지연회로 및 상기 제2지연회로 각각은 소정의 커패시턴스를 각각 갖는 커패시터인 것을 특징으로 한다.Preferably, each of the first delay circuit and the second delay circuit is a capacitor having a predetermined capacitance.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 또다른 일면도 지연제어회로에 관한 것이다. 본 발명에 따른 지연제어회로는 신호를 전송하기 위한 신호전송선; 제1노드와 접지전원사이에 접속되는 제1지연회로; 제2노드와 상기 접지전원사이에 접속되는 제2지연회로; 및, 제어신호에 응답하여 상기 신호전송선과 상기 제1노드 및/또는 상기 제2노드를 접속시키기 위한 스위칭회로를 구비하며, 상기 신호전송선을 통하여 전송되는 신호의 지연량은 상기 제1지연회로 및/또는 상기 제2지연회로에 의하여 조절되는 것을 특징으로 한다.Another aspect of the present invention for solving the technical problem relates to a delay control circuit. A delay control circuit according to the present invention includes a signal transmission line for transmitting a signal; A first delay circuit connected between the first node and a ground power source; A second delay circuit connected between a second node and the ground power source; And a switching circuit for connecting the signal transmission line with the first node and / or the second node in response to a control signal, wherein a delay amount of a signal transmitted through the signal transmission line is determined by the first delay circuit; And / or controlled by the second delay circuit.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 또다른 일면도 지연제어회로에 관한 것이다. 본 발명에 따른 지연제어회로는 신호를 전송하기 위한 신호전송선; 제1노드와 접지전원사이에 접속되는 제1지연회로; 제2노드와 상기 접지전원사이에 접속되는 제2지연회로; 상기 제1노드와 상기 신호전송선사이에 직렬로 접속되는 제1 및 제2트랜지스터; 및, 상기 제2노드와 상기 신호전송선사이에 직렬로 접속되는 제3 내지 제5트랜지스터를 구비하며, 상기 제1트랜지스터는 상기 제3트랜지스터를 게이팅하기 위한 제1게이팅신호와 상기 제4트랜지스터를 게이팅하기 위한 제2게이팅신호의 조합에 의하여 게이팅되고, 상기 제2트랜지스터는 상기 제1게이팅신호와 상기 제5트랜지스터를 게이팅하기 위한 제3게이팅신호의 조합에 의하여 게이팅되는 것을 특징으로 한다.Another aspect of the present invention for solving the technical problem relates to a delay control circuit. A delay control circuit according to the present invention includes a signal transmission line for transmitting a signal; A first delay circuit connected between the first node and a ground power source; A second delay circuit connected between a second node and the ground power source; First and second transistors connected in series between the first node and the signal transmission line; And third to fifth transistors connected in series between the second node and the signal transmission line, wherein the first transistor is configured to gate a first gating signal and the fourth transistor to gate the third transistor. And a second gating signal, wherein the second transistor is gated by a combination of the first gating signal and the third gating signal for gating the fifth transistor.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다.DETAILED DESCRIPTION In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the drawings.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements.

도 3은 본 발명에 따른 양의 지연량과 음의 지연량을 제어하는 지연제어회로(300)를 나타낸 실시예이다. 도 3에 따른 지연제어회로(300)는 제 1지연회로(310), 논리회로(320) 및 제 2지연회로(330)를 구비한다.3 is an embodiment showing a delay control circuit 300 for controlling a positive delay amount and a negative delay amount according to the present invention. The delay control circuit 300 according to FIG. 3 includes a first delay circuit 310, a logic circuit 320, and a second delay circuit 330.

제 1지연회로(310)는 클럭버퍼(30)의 출력단(N3)과 접속되고, 제 1지연회로(310)는 스위칭회로(311), 제 1지연조절회로(312) 및 제 1지연소자(C32)를 구비한다.The first delay circuit 310 is connected to the output terminal N3 of the clock buffer 30, the first delay circuit 310 is the switching circuit 311, the first delay control circuit 312 and the first delay element ( C32).

스위칭회로(311)는 지연제어신호(CONT)에 응답하여 제 1지연회로(310)의 동작여부를 결정한다. 도 3에서는 스위칭회로(311)는 지연제어신호(CONT)를 게이트의 입력으로 하는 NMOS 트랜지스터(TR33)로 구현하였다. 제 1지연조절회로(312)는 다수의 제어신호들(A, B)에 응답하여 제 1지연량을 조절하며, 도 3에서는 직렬 연결된 트랜지스터(TR34, TR35)로 구현하였다.The switching circuit 311 determines whether the first delay circuit 310 operates in response to the delay control signal CONT. In FIG. 3, the switching circuit 311 is implemented with an NMOS transistor TR33 having a delay control signal CONT as a gate input. The first delay control circuit 312 adjusts the first delay amount in response to the plurality of control signals A and B, and is implemented with transistors TR34 and TR35 connected in series in FIG. 3.

제 1지연소자(C32)는 제 1지연조절회로(312)와 직렬로 연결되며, 도 3에서는 소정의 커패시턴스를 가지는 커패시터로 구현될 수 있다. 제 1지연조절회로(312)에 의하여 조절될 수 있는 제 1지연량은 클럭버퍼(30)의 출력단(N3)에서 바라본 커패시턴스의 크기에 의하여 좌우된다.The first delay element C32 is connected in series with the first delay control circuit 312, and may be implemented as a capacitor having a predetermined capacitance in FIG. 3. The first delay amount that can be adjusted by the first delay control circuit 312 depends on the magnitude of the capacitance viewed from the output terminal N3 of the clock buffer 30.

논리회로(320)는 제 1논리소자(321) 및 제 2논리소자(322)를 구비한다. 제 1논리소자(321) 및 제 2논리소자(322)는 NAND 게이트로 구현될 수 있다. 제 1논리소자(321)는 지연제어신호(CONT)와 제어신호(A)를 수신하여 소정의 논리상태(예컨대, 논리 '하이' 또는 논리 '로우')를 가지는 제 1논리신호(X)를 출력하고, 제 2논리소자(322)는 지연제어신호(CONT)와 제어신호(B)를 수신하여 소정의 논리상태를 가지는 제 2논리신호(Y)를 출력한다.The logic circuit 320 includes a first logic element 321 and a second logic element 322. The first logic element 321 and the second logic element 322 may be implemented with a NAND gate. The first logic element 321 receives the delay control signal CONT and the control signal A to receive the first logic signal X having a predetermined logic state (eg, logic 'high' or logic 'low'). The second logic element 322 receives the delay control signal CONT and the control signal B and outputs a second logic signal Y having a predetermined logic state.

제 2지연회로(330)는 클럭버퍼(30)의 출력단(N3)과 접속되며, 제 1논리신호(X) 및 제 2논리신호(Y)에 응답하여 제 2지연량을 발생시키는 제 2지연조절회로(331) 및 제 2지연소자(C31)를 구비한다.The second delay circuit 330 is connected to the output terminal N3 of the clock buffer 30 and generates a second delay amount in response to the first logic signal X and the second logic signal Y. An adjusting circuit 331 and a second delay element C31 are provided.

제 2지연조절회로(331)는 복수의 직렬연결된 트랜지스터(TR31, TR32)로 구현할 수 있고, 제 2지연소자(C31)는 소정의 커패시턴스를 가지는 커패시터로 구현할 수 있다.The second delay control circuit 331 may be implemented with a plurality of series connected transistors TR31 and TR32, and the second delay device C31 may be implemented with a capacitor having a predetermined capacitance.

도 3을 참조하여 본 발명에 따른 지연제어회로(300)의 동작을 설명하면 다음과 같다. 먼저 지연제어신호(CONT)가 논리 '로우'인 경우에는 트랜지스터(TR33)가 활성화되어 스위칭회로(311)가 연결되고, 논리회로(320)의 출력신호인 제 1논리신호(X), 제 2논리신호(Y)의 논리상태가 제어신호들(A, B)의 논리상태에 관계없이 논리 '하이'가 되어 트랜지스터들(TR31, TR32)을 활성화시킨다. 이 경우에는 클럭버퍼(30)의 출력단(N3)은 제 2지연소자(C32)를 바라보게 된다.Referring to Figure 3 describes the operation of the delay control circuit 300 according to the present invention. First, when the delay control signal CONT is logic 'low', the transistor TR33 is activated so that the switching circuit 311 is connected, and the first logic signal X and the second output signal of the logic circuit 320 are the first. The logic state of the logic signal Y becomes logic 'high' regardless of the logic states of the control signals A and B, thereby activating the transistors TR31 and TR32. In this case, the output terminal N3 of the clock buffer 30 faces the second delay element C32.

지연제어신호(CONT) 및 제어신호들(A, B)이 모두 논리 '로우'인 경우가 기준신호로 본다면, 제어신호들(A, B) 각각의 논리상태를 조절하여 상기 기준신호를 소정 시간동안 지연시키는 양의 지연량을 제어할 수 있다. 즉, 지연제어신호(CONT)가 논리 '로우'인 경우에는 상기 기준신호에 대하여 양의 지연량을 가지는 경우에 해당된다.When the delay control signal CONT and the control signals A and B are both logic 'low' as the reference signal, the logic state of each of the control signals A and B is adjusted to adjust the reference signal for a predetermined time. You can control the amount of delay to delay. That is, when the delay control signal CONT is logic 'low', it corresponds to a case where the delay control signal CONT has a positive delay with respect to the reference signal.

다음으로, 지연제어신호(CONT)가 논리 '하이'인 경우에는 트랜지스터(TR33)가 비활성화되고 이에 따라 스위칭회로(311)가 연결이 끊겨서 제 1지연회로(310)가 작동하지 않는다. 또한, 지연제어신호(CONT)가 논리 '하이'인 경우이기 때문에, 제어신호들(A, B)의 논리상태에 따라서 논리회로(320)의 출력신호인 제 1논리신호(X) 및 제 2논리신호(Y)의 논리상태가 좌우되게 되어, 제 2지연회로(330)의 트랜지스터들(TR31, TR32)의 활성화여부를 결정짓게 된다.Next, when the delay control signal CONT is logic 'high', the transistor TR33 is inactivated, and thus the switching circuit 311 is disconnected, so that the first delay circuit 310 does not operate. In addition, since the delay control signal CONT is a logic 'high', the first logic signal X and the second logic signal, which are output signals of the logic circuit 320, in accordance with the logic states of the control signals A and B. The logic state of the logic signal Y is determined to determine whether to activate the transistors TR31 and TR32 of the second delay circuit 330.

즉, 이 경우, 제어신호(A)가 논리 '로우'이고, 제어신호(B)가 논리 '하이'인 경우에는 논리회로(320)의 출력신호인 제 1논리신호(X)는 논리 '하이'이고 논리회로(320)의 출력신호인 제 2논리신호(Y)는 논리 '로우'가 된다. 따라서 트랜지스터(TR31)는 활성화되고 트랜지스터(TR32)는 비활성화된다. 이 때에는 클럭버퍼(30)의 출력단(N3)에서 바라본 커패시턴스는 트랜지스터(TR32)의 게이트-드레인 커패시턴스가 되므로, 상기 기준신호를 소정시간 앞당기는 음의 지연량을 가지게 된다.That is, in this case, when the control signal A is logic 'low' and the control signal B is logic 'high', the first logic signal X, which is an output signal of the logic circuit 320, is logic 'high'. And the second logic signal Y, which is an output signal of the logic circuit 320, becomes a logic 'low'. Thus, transistor TR31 is activated and transistor TR32 is deactivated. At this time, the capacitance seen from the output terminal N3 of the clock buffer 30 becomes the gate-drain capacitance of the transistor TR32, and thus has a negative delay amount that advances the reference signal by a predetermined time.

또한, 제어신호(A)가 논리 '하이'인 경우에는 제어신호(B)의 논리상태에 관계없이 논리회로(320)의 출력신호(X)가 논리 '로우'가 되어 트랜지스터(TR31)가 비활성화된다. 따라서, 이 경우에는 클럭버퍼(30)의 출력단(N3)에서 바라본 커패시턴스는 트랜지스터(TR31)의 게이트-드레인 커패시턴스가 되므로, 역시 상기 기준신호에 소정시간의 음의 지연량을 부여한다.In addition, when the control signal A is logic 'high', the output signal X of the logic circuit 320 becomes logic 'low' regardless of the logic state of the control signal B, so that the transistor TR31 is inactivated. do. In this case, therefore, the capacitance seen from the output terminal N3 of the clock buffer 30 becomes the gate-drain capacitance of the transistor TR31, and thus a negative delay amount of a predetermined time is also given to the reference signal.

상기 기준신호에 대한 양의 지연량 및 음의 지연량은 지연소자들(C31, C32) 및 트랜지스터들(TR31, TR32, TR34, TR35)의 크기로 조정할 수 있다.The positive delay amount and the negative delay amount with respect to the reference signal may be adjusted by the sizes of the delay elements C31 and C32 and the transistors TR31, TR32, TR34, and TR35.

즉, 본 발명에서는 지연제어신호(CONT)의 논리상태에 대응하여 클럭버퍼(30)의 출력신호에 상응하는 상기 기준신호에 양의 지연량 뿐만 아니라 음의 지연량을 부여할 수 있다.That is, according to the present invention, a negative delay amount as well as a positive delay amount can be given to the reference signal corresponding to the output signal of the clock buffer 30 corresponding to the logic state of the delay control signal CONT.

도 3에 도시된 본 발명의 실시예에서, 논리신호에 응답하여 활성화되는 각 구성요소에 있어서, 도 3의 실시예에서 설명된 논리 '하이'에 활성화되거나 논리 '로우'에 활성화되는지 여부는 본 발명을 제약하는 요소로 작용하지 않는다. 즉, 각 구성요소들은 본 발명의 실시예에 나타난 바와 다른 논리상태에서 활성화되도록 구현할 수 있음은 물론이다.In the embodiment of the present invention shown in Fig. 3, for each component that is activated in response to a logic signal, whether it is activated to logic 'high' or to logic 'low' described in the embodiment of Fig. 3 is seen. It does not act as a constraint on the invention. In other words, each component can be implemented to be activated in a different logic state than shown in the embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 지연제어회로에서 각각의 제어신호의 조합에 따른 양의 지연량과 음의 지연량을 나타낸 테이블이다. 도 4에서는 지연제어신호(CONT) 및 제어신호들(A, B)의 논리상태에 대응하여 지연량을 나타내었다. 여기에서 지연제어신호(CONT) 및 제어신호들(A, B)이 논리 '로우'인 경우를 지연이 없는 기준신호로 하여 이를 기준으로 양/음의 지연량을 가지는 신호를 나타내었다.4 is a table showing a positive delay amount and a negative delay amount according to combinations of respective control signals in the delay control circuit according to the present invention. In FIG. 4, the delay amount is shown in response to the logic state of the delay control signal CONT and the control signals A and B. In FIG. Herein, a case in which the delay control signal CONT and the control signals A and B are logic 'low' is referred to as a reference signal without delay, and a signal having a positive / negative delay amount is shown as a reference signal.

도 5는 본 발명에 따른 지연제어회로에서 각각의 제어신호의 조합에 따른 시뮬레이션(simulation) 결과를 나타낸 그래프이다. 도 5는 도 4의 테이블에 나타난 결과에 응답하여 신호의 지연을 그래프로 나타낸 것이다.5 is a graph illustrating a simulation result according to a combination of each control signal in the delay control circuit according to the present invention. FIG. 5 graphically illustrates the delay of the signal in response to the results shown in the table of FIG. 4.

도 4의 테이블을 참조하면, 도 5의 a, b는 지연제어신호(CONT)가 논리 '로우'인 경우에 상기 기준신호에 비해 양의 지연량을 가지는 경우이며, 도 5의 c 및 d는 지연제어신호(CONT)가 논리 '하이'인 경우에 상기 기준신호에 비해 음의 지연량을 가지는 경우를 도시한 것이다.Referring to the table of FIG. 4, a and b of FIG. 5 are cases where the delay control signal CONT has a positive delay amount when the delay control signal CONT is logic 'low', and c and d of FIG. The case where the delay control signal CONT is logic 'high' has a negative delay compared to the reference signal.

이상에서와 같이 도면과 명세서에 최적 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, optimal embodiments have been disclosed in the drawings and the specification. Although specific terms have been used herein, they are used only for the purpose of describing the present invention and are not intended to limit the scope of the invention as defined in the claims or the claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible from this. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르는 지연제어회로는 지연제어신호(CONT)를 사용하여 클럭버퍼의 출력신호에게 양의 지연 및 음의 지연을 가능하게 하는 지연제어회로를 제공함으로써, 클럭버퍼에서 출력되는 클럭신호들의 동기를 맞출 수 있는 효과가 있다.As described above, the delay control circuit according to the present invention uses a delay control signal CONT to provide a delay control circuit that enables a positive delay and a negative delay to the output signal of the clock buffer, thereby outputting from the clock buffer. The clock signals can be synchronized.

Claims (12)

클럭버퍼의 출력단으로부터 출력되는 출력신호의 지연을 제어하는 지연제어회로에 있어서,In the delay control circuit for controlling the delay of the output signal output from the output terminal of the clock buffer, 상기 출력단과 접속되며 소정의 지연제어신호 및 다수의 제어신호들에 응답하여 상기 출력신호에 제 1지연량을 발생시키는 제 1지연회로;A first delay circuit connected to the output terminal and generating a first delay amount in the output signal in response to a predetermined delay control signal and a plurality of control signals; 상기 지연제어신호 및 다수의 제어신호에 응답하여 소정의 논리신호를 출력하는 논리회로; 및,A logic circuit outputting a predetermined logic signal in response to the delay control signal and a plurality of control signals; And, 상기 출력단과 접속되며 상기 논리신호에 응답하여 상기 출력신호에 제 2지연량을 발생시키는 제 2지연회로를 구비하며,A second delay circuit connected to the output terminal and generating a second delay amount in the output signal in response to the logic signal, 상기 제 1지연회로는 상기 지연제어신호의 논리신호에 응답하여 활성화되는 것을 특징으로 하는 지연제어회로.And the first delay circuit is activated in response to a logic signal of the delay control signal. 제 1항에 있어서, 상기 제 1지연회로는The method of claim 1, wherein the first delay circuit 상기 지연제어신호를 수신하여 상기 제 1지연회로의 동작여부를 결정하는 스위칭회로;A switching circuit configured to receive the delay control signal and determine whether to operate the first delay circuit; 상기 스위칭회로와 직렬로 연결되며 상기 다수의 제어신호들에 응답하여 상기 제 1지연량을 조절하는 제 1지연조절회로; 및,A first delay control circuit connected in series with the switching circuit and adjusting the first delay amount in response to the plurality of control signals; And, 상기 제 1지연조절회로와 직렬로 연결되는 제 1지연소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 지연제어회로.And a first delay element connected in series with the first delay control circuit. 제 2항에 있어서, 상기 제 1지연소자는The method of claim 2, wherein the first delay element 소정의 커패시턴스를 가지는 커패시터인 것을 특징으로 하는 지연제어회로.A delay control circuit, characterized in that the capacitor having a predetermined capacitance. 제 1항에 있어서, 상기 제 1지연회로는The method of claim 1, wherein the first delay circuit 상기 지연제어신호의 논리상태가 논리 '로우'인 경우에 활성화되는 것을 특징으로 하는 지연제어회로.And a delay control circuit activated when the logic state of the delay control signal is logic 'low'. 제 1항에 있어서, 상기 논리회로는The logic circuit of claim 1, wherein the logic circuit 상기 지연제어신호 및 제 1제어신호를 수신하여 제 1논리상태를 출력하는 제 1논리소자; 및,A first logic element receiving the delay control signal and the first control signal and outputting a first logic state; And, 상기 지연제어신호 및 제 2제어신호를 수신하여 제 2논리상태를 출력하는 제 2논리소자를 구비하며,A second logic element configured to receive the delay control signal and the second control signal and output a second logic state; 상기 제 1논리소자 및 제 2논리소자는 NAND 게이트인 것을 특징으로 하는 지연제어회로.And the first logic element and the second logic element are NAND gates. 제 1항에 있어서, 상기 제 2지연회로는The method of claim 1, wherein the second delay circuit 상기 제 1논리상태 및 상기 제 2논리상태에 응답하여 상기 제 2지연량을 조절하는 제 2지연조절회로; 및,A second delay control circuit for adjusting the second delay amount in response to the first logic state and the second logic state; And, 상기 제 2지연조절회로와 직렬로 연결되는 제 2지연소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 지연제어회로.And a second delay element connected in series with the second delay control circuit. 제 6항에 있어서, 상기 제 2지연소자는The method of claim 6, wherein the second delay element 소정의 커패시턴스를 가지는 커패시터인 것을 특징으로 하는 지연제어회로.A delay control circuit, characterized in that the capacitor having a predetermined capacitance. 신호전송선을 통하여 전송되는 신호의 지연을 제어하기 위한 지연제어회로에 있어서,A delay control circuit for controlling a delay of a signal transmitted through a signal transmission line, 제1제어신호에 응답하여 상기 신호전송선에 접속되고, 상기 신호전송선을 통하여 전송되는 신호를 소정시간 지연시키기 위한 제1지연회로; 및A first delay circuit connected to the signal transmission line in response to a first control signal, for delaying a signal transmitted through the signal transmission line for a predetermined time; And 제2제어신호에 응답하여 상기 신호전송선에 접속되고, 상기 신호전송선을 통하여 전송되는 신호를 소정시간 지연시키기 위한 제2지연회로를 구비하며,A second delay circuit connected to the signal transmission line in response to a second control signal, for delaying a signal transmitted through the signal transmission line for a predetermined time; 상기 신호전송선을 통하여 전송되는 신호의 지연량은 상기 제1제어신호와 제2제어신호의 조합에 의하여 조절되는 것을 특징으로 하는 지연 제어회로.And a delay amount of a signal transmitted through the signal transmission line is adjusted by a combination of the first control signal and the second control signal. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제1지연회로 및 상기 제2지연회로 각각은 소정의 커패시턴스를 각각 갖는 커패시터인 것을 특징으로 하는 지연제어회로.And each of the first delay circuit and the second delay circuit is a capacitor having a predetermined capacitance. 신호를 전송하기 위한 신호전송선;A signal transmission line for transmitting a signal; 제1노드와 접지전원사이에 접속되는 제1지연회로;A first delay circuit connected between the first node and a ground power source; 제2노드와 상기 접지전원사이에 접속되는 제2지연회로; 및A second delay circuit connected between a second node and the ground power source; And 제어신호에 응답하여 상기 신호전송선과 상기 제1노드 및/또는 상기 제2노드를 접속시키기 위한 스위칭회로를 구비하며,And a switching circuit for connecting the signal transmission line with the first node and / or the second node in response to a control signal. 상기 신호전송선을 통하여 전송되는 신호의 지연량은 상기 제1지연회로 및/또는 상기 제2지연회로에 의하여 조절되는 것을 특징으로 하는 지연제어회로.And a delay amount of a signal transmitted through the signal transmission line is controlled by the first delay circuit and / or the second delay circuit. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제1지연회로 및 상기 제2지연회로 각각은 소정의 커패시턴스를 각각 갖는 커패시터인 것을 특징으로 하는 지연제어회로.And each of the first delay circuit and the second delay circuit is a capacitor having a predetermined capacitance. 신호를 전송하기 위한 신호전송선;A signal transmission line for transmitting a signal; 제1노드와 접지전원사이에 접속되는 제1지연회로;A first delay circuit connected between the first node and a ground power source; 제2노드와 상기 접지전원사이에 접속되는 제2지연회로;A second delay circuit connected between a second node and the ground power source; 상기 제1노드와 상기 신호전송선사이에 직렬로 접속되는 제1 및 제2트랜지스터; 및First and second transistors connected in series between the first node and the signal transmission line; And 상기 제2노드와 상기 신호전송선사이에 직렬로 접속되는 제3 내지 제5트랜지스터를 구비하며,And third through fifth transistors connected in series between the second node and the signal transmission line, 상기 제1트랜지스터는 상기 제3트랜지스터를 게이팅하기 위한 제1게이팅신호와 상기 제4트랜지스터를 게이팅하기 위한 제2게이팅신호의 조합에 의하여 게이팅되고,The first transistor is gated by a combination of a first gating signal for gating the third transistor and a second gating signal for gating the fourth transistor, 상기 제2트랜지스터는 상기 제1게이팅신호와 상기 제5트랜지스터를 게이팅하기 위한 제3게이팅신호의 조합에 의하여 게이팅되는 것을 특징으로 하는 지연제어회로.And the second transistor is gated by a combination of the first gating signal and a third gating signal for gating the fifth transistor.
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