KR20000020878A - Apparatus exhausting chemical solution for semiconductor device fabrication facility of semiconductor device - Google Patents

Apparatus exhausting chemical solution for semiconductor device fabrication facility of semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
KR20000020878A
KR20000020878A KR1019980039669A KR19980039669A KR20000020878A KR 20000020878 A KR20000020878 A KR 20000020878A KR 1019980039669 A KR1019980039669 A KR 1019980039669A KR 19980039669 A KR19980039669 A KR 19980039669A KR 20000020878 A KR20000020878 A KR 20000020878A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
purge gas
semiconductor device
pipe
chemical liquid
discharge
Prior art date
Application number
KR1019980039669A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이정석
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019980039669A priority Critical patent/KR20000020878A/en
Publication of KR20000020878A publication Critical patent/KR20000020878A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PURPOSE: An apparatus which exhaust a chemical solution remained in the apparatus using a purge gas pressure as well as reduce the usage of utilities comprised in the exhaust apparatus, is provided. CONSTITUTION: An apparatus comprises a purge gas supply source(23) to a circulation tube(3) through a purge gas supply tube(21). The circulation tube circulates a chemical solution by connecting an inner bath(1) with an outer bath(2) each other in a bath containing the chemical solution and comprising the inner bath and the outer bath, and the purge gas supply source for exhausting the chemical solution through an exhaust tube(9) by pushing the chemical gas in the inside compulsorily by applying the pressure of the purge gas. The apparatus simplifies the maintenance such as exchanging a filter by exhausting the chemical gas completely with the pressure of the purge gas.

Description

반도체장치 제조설비용 약액배출장치Chemical liquid discharge device for semiconductor device manufacturing equipment

본 발명은 반도체장치 제조설비용 약액배출장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 약액배출장치를 구성하는 유틸리티들의 사용을 줄이고, 약액배출장치 중에 잔류하는 약액을 퍼지가스압을 이용하여 완전히 배출시킬 수 있도록 한 반도체장치 제조설비용 약액배출장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical liquid discharge device for a semiconductor device manufacturing facility. More specifically, the present invention relates to a chemical liquid ejecting apparatus for a semiconductor device manufacturing facility which reduces the use of utilities constituting the chemical liquid ejecting apparatus and allows the chemical liquid remaining in the chemical liquid ejecting apparatus to be completely discharged using the purge gas pressure.

반도체장치를 제조함에 있어 포토레지스트의 사용 및 노광에 의하여 웨이퍼 상에 형성된 포토레지스트의 패턴을 식각공정을 통해 웨이퍼의 최상단층을 선택적으로 제거하고, 이온주입이나 에피택샬층의 형성 등 후속공정들에 의하여 적절한 전기적 특성을 갖는 물리적인 소자를 형성하는 기술의 적용이 필수적이다.In manufacturing a semiconductor device, the pattern of the photoresist formed on the wafer by the use and exposure of the photoresist is selectively removed through the etching process, and the subsequent processes such as ion implantation or epitaxial layer formation are performed. Therefore, the application of a technique for forming a physical device having appropriate electrical characteristics is essential.

이러한 반도체장치의 제조 중에는 상기한 식각공정 및 여러 공정들 간에 수행되는 세정공정들에서 배쓰(Bath)를 이용하여 약액으로 처리하는 공정들이 다수 요구되고 있으며, 이때에 도 1에 도시한 바와 같은 반도체장치 제조설비용 약액배출장치가 사용된다.During fabrication of such a semiconductor device, a number of processes for treating with a chemical liquid using a bath are required in the above-described etching process and cleaning processes performed between various processes. At this time, the semiconductor device as shown in FIG. 1 is required. A chemical liquid dispensing apparatus for manufacturing equipment is used.

도 1에 도시한 바와 같은 종래의 반도체장치 제조설비용 약액배출장치는 반도체장치의 제조에 사용되는 웨이퍼가 투입되어 처리되는 내조(1), 상기 내조(1)로부터 오버플로우되는 약액을 수용하는 외조(2), 상기 외조(2)에서 내조(1)로 연결되는 순환관(3), 상기 순환관(3)에 취부되는 프리필터(4), 펌프(5), 댐퍼(6), 히터(7)와 메인필터(8), 상기 순환관(3)과 내조(1) 등에 직접 연결되는 배출관(9)들과, 이들 배출관(9)들 각각에 취부되는 배출단속밸브(10)들 및 상기 배출관(9)들에 연결되는 아스피레이터(16)를 포함하여 이루어지며, 상기 아스피레이트는 유수단속밸브(15)가 취부된 유수관(14)을 경유하여 유수공급원(13)에 연결되어 있다.The conventional chemical liquid discharge apparatus for semiconductor device manufacturing equipment as shown in FIG. 1 includes an inner tank 1 into which a wafer used for manufacturing a semiconductor device is inserted and processed, and an outer tank containing a chemical liquid overflowed from the inner tank 1. (2), a circulation pipe (3) connected from the outer tank (2) to the inner tank (1), a prefilter (4), a pump (5), a damper (6), and a heater (attached to the circulation pipe (3) 7) and discharge pipes 9 directly connected to the main filter 8, the circulation pipe 3 and the inner tank 1, discharge control valves 10 mounted to each of these discharge pipes 9 and the It comprises an aspirator 16 connected to the discharge pipe (9), the aspirate is connected to the water supply source (13) via the oil supply pipe (14) in which the oil supply valve (15) have.

따라서, 상기 유수공급원(13)으로부터 공급되는 유수의 흐름에 의하여 상기 아스피레이터(16)에 감압력이 발생하고, 이 감압력에 의하여 상기 아스피레이터(16)에 연결된 배출관(9)들 내에 감압을 적용시켜 배출관(9) 내부 및 이들에 연결된 순환관(3)이나 순환관(3)에 연결된 각종 부품들 및 상기 순환관(3) 및 배출관(9)에 연결된 내조(1) 및 외조(2)내의 약액을 효과적으로 배출시켜 유수와 함께 완충탱크(17)로 도입시켜 후처리에 의하여 폐기한다.Therefore, the depressurizing force is generated in the aspirator 16 by the flow of the flowing water supplied from the oil supply source 13, and the depressurizing force is generated in the discharge pipes 9 connected to the aspirator 16. Pressure relief is applied to the inside of the discharge pipe (9) and the circulation pipe (3) connected to them or various parts connected to the circulation pipe (3) and the inner tank (1) and the outer tank connected to the circulation pipe (3) and the discharge pipe (9) 2) Effectively discharge the chemical liquid in the buffer tank 17 along with the running water and discarded by post-treatment.

그러나, 상기한 바와 같은 구성을 갖는 종래의 반도체장치 제조설비의 약액배출장치는 비록 아스피레이터(16)에 의한 감압력으로 약액의 배출을 촉진시킬 수 있도록 구성되어 있기는 하나, 이러한 아스피레이터(16)의 감압력으로는 프리필터(4)와 메인필터(8) 등 순환관(3)에 연결된 각종 부품들 내부에 들어있는 약액까지 완전히 제거하지는 못한다는 단점이 있었으며, 또한 순환관(3) 및 이 순환관(3)에 취부된 프리필터(4), 펌프(5), 댐퍼(6), 히터(7)와 메인필터(8) 등의 전, 후에서 배출관(9)과 연결되는 연결관 등으로 인하여 약액배출장치를 구성하는 유티리티들이 과다하게 소요되어 유틸리티를 복잡하게 하여 이들의 유지, 보수에 많은 시간과 비용 및 노력이 요구되는 단점이 있었다.However, although the chemical liquid discharge device of the conventional semiconductor device manufacturing equipment having the configuration as described above is configured to promote the discharge of the chemical liquid by the depressurization force by the aspirator 16, such an aspirator The depressurization force of (16) has a disadvantage in that it does not completely remove the chemical liquid contained in various components connected to the circulation pipe 3 such as the prefilter 4 and the main filter 8, and also the circulation pipe 3 And before and after the pre-filter (4), pump (5), damper (6), heater (7) and main filter (8) attached to the circulation pipe (3). Due to the connection pipes, the utilities constituting the liquid discharge device are excessively consumed, which complicates the utility and requires a lot of time, cost, and effort for their maintenance and repair.

본 발명의 목적은 약액배출장치를 구성하는 유틸리티들의 사용을 줄이고, 약액배출장치 중에 잔류하는 약액을 퍼지가스압을 이용하여 완전히 배출시킬 수 있도록 한 반도체장치 제조설비용 약액배출장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a chemical liquid ejecting apparatus for a semiconductor device manufacturing facility which reduces the use of utilities constituting the chemical liquid ejecting apparatus and allows the chemical liquid remaining in the chemical liquid ejecting apparatus to be completely discharged using the purge gas pressure.

도 1은 종래의 반도체장치 제조설비용 약액배출장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.1 is a configuration diagram schematically showing a conventional chemical liquid discharge device for a semiconductor device manufacturing facility.

도 2는 본 발명에 따른 반도체장치 제조설비용 약액배출장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.Figure 2 is a schematic diagram showing a chemical liquid discharge device for semiconductor device manufacturing equipment according to the present invention.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of code for main part of drawing

1 : 내조 2 : 외조1: inner bird 2: outer bird

3 : 순환관 4 : 프리필터3: circulation pipe 4: pre-filter

5 : 펌프 6 : 댐퍼5: pump 6: damper

7 : 히터 8 : 메인필터7: heater 8: main filter

9 : 배출관 10 : 배출단속밸브9: discharge pipe 10: discharge check valve

11 : 제2배출관 12 : 제2배출단속밸브11: 2nd discharge pipe 12: 2nd discharge control valve

13 : 유수공급원 14 : 유수관13: flowing water source 14: flowing water pipe

15 : 유수단속밸브 16 : 아스피레이터15 flow valve 16 aspirator

17 : 완충탱크 21 : 퍼지가스공급관17: buffer tank 21: purge gas supply pipe

22 : 퍼지가스단속밸브 23 : 퍼지가스공급원22: purge gas control valve 23: purge gas supply source

24 : 유로변경밸브24: flow path change valve

본 발명에 따른 반도체장치 제조용 약액배출장치는, 내조, 상기 내조의 가장자리에 위치하는 외조, 상기 내조와 외조를 연결하는 순환관 및 퍼지가스단속밸브가 취부된 퍼지가스공급관을 경유하여 상기 순환관에 연결되는 퍼지가스공급원을 포함하여 이루어진다.The chemical liquid discharge apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes an inner tank, an outer tank positioned at an edge of the inner tank, a circulation pipe connecting the inner tank and the outer tank, and a purge gas supply pipe equipped with a purge gas control valve. It comprises a connected purge gas supply source.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2에 개략적으로 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 약액배출장치는 내조(1)와 외조(2)로 이루어진 배쓰에서 이들 내조(1)와 외조(2) 사이를 연결하여 배쓰내의 약액을 순환시키기 위한 순환관(3)에 퍼지가스의 공급을 위한 퍼지가스공급원(23)을 더 연결시켜 퍼지가스의 압력으로 순환관(3) 및 그에 취부된 부품들의 내부의 약액들을 강제로 배출관(9)을 통하여 배출되도록 함을 특징으로 한다.As schematically shown in Fig. 2, the chemical liquid discharge apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention connects between the inner tank 1 and the outer tank 2 in a bath made of the inner tank 1 and the outer tank 2, Further connecting the purge gas supply source 23 for supplying the purge gas to the circulation pipe 3 for circulating the chemical liquid to force the chemical liquids inside the circulation pipe 3 and the parts attached thereto by the pressure of the purge gas. (9) characterized in that the discharge through.

상기 순환관(3)은 종래의 약액배출장치에서의 순환관(3)과 동일 또는 유사한 것으로서, 그에 취부되는 부품들 역시 프리필터(4), 펌프(5), 댐퍼(6), 히터(7)와 메인필터(8)들로서 종래의 그것들과 동일 또는 유사한 것으로 이해될 수 있다.The circulation pipe 3 is the same as or similar to the circulation pipe 3 in the conventional chemical liquid discharge device, and the parts mounted thereon are also prefilter 4, pump 5, damper 6, heater 7 ) And main filters 8 may be understood as being the same as or similar to those of the prior art.

상기한 바의 구성에 의하여 약액의 배출은 내조(1)로부터 오버플로우된 약액이 수용되는 외조(2)의 저면에 연결된 순환관(3)에서 배출관(9)으로 연결되어 배출관(9)을 경유하여 아스피레이터(16)가 취부된 유수관(14)에 다다르게 되며, 계속해서 상기 유수관(14)을 경유하여 완충탱크(17)에 까지 연결되어 완충탱크(17)로 유입되게 된다. 한편, 상기 배출관(9)과 연결되는 지점 이후의 순환관(3) 및 그에 취부된 부품들 내에 들어있는 약액들은 상기 순환관(3)에 연결된 퍼지가스공급관(21)에 의하여 공급되는 퍼지가스의 가스압과 또한 상기 배출관(9)과 연결되는 아스피레이터(16)에 의하여 적용되는 감압력의 작용에 의해 순환관(3)을 따라 흐르면서 일부는 내조(1)로 그리고 나머지 일부는 제2배출관(11)을 경유하여 외조(2)로 공급되어 역시 순환관(3)에 연결된 배출관(9)을 경유하여 상기와 같이 완충탱크(17)로 배출되게 된다. 상기 제2배출관(11)에는 제2배출단속밸브(12)가 취부되어 있어 그의 개폐작용에 의하여 순환기능과 배출기능을 역시 선택적으로 수행될 수 있도록 할 수 있다.The discharge of the chemical liquid by the configuration of the bar is connected to the discharge pipe (9) from the circulation pipe (3) connected to the bottom of the outer tank (2) in which the chemical liquid overflowed from the inner tank (1) via the discharge pipe (9) Thus, the aspirator 16 reaches the water flow pipe 14 to which the aspirator 16 is mounted, and is continuously connected to the buffer tank 17 via the water flow pipe 14 to flow into the buffer tank 17. On the other hand, the chemical liquid contained in the circulation pipe 3 and the parts attached thereto after the point connected with the discharge pipe (9) of the purge gas supplied by the purge gas supply pipe 21 connected to the circulation pipe (3) Under the action of the gas pressure and the depressurization force applied by the aspirator 16 connected to the discharge pipe 9, it flows along the circulation pipe 3, partly to the inner tank 1 and partly to the second discharge pipe ( It is supplied to the outer tank (2) via 11) and is discharged to the buffer tank (17) as described above via the discharge pipe (9) connected to the circulation pipe (3). The second discharge pipe 11 is provided with a second discharge control valve 12 may be able to selectively perform the circulation function and the discharge function by the opening and closing action thereof.

따라서, 상기 배출관(9)에 연결되는 퍼지가스공급관(21)을 통하여 유입되는 퍼지가스의 가스압에 의하여 상기 배출관(9)과 그에 취부된 각종 부품들, 즉 프리필터(4), 펌프(5), 댐퍼(6), 히터(7)와 메인필터(8) 등의 내부에 들어있는 약액들을 강제로 배출할 수 있게 된다. 이는 종래의 약액배출장치에 연결된 아스피레이터(16)에 의하여 적용되는 감압력과 함께 약액의 배출을 용이하게 그리고 확실하게 할 수 있다. 특히, 상기 퍼지가스공급관(21)을 경유하는 퍼지가스의 가스압에 의한 약액의 배출효과는 프리필터(4) 및 메인필터(8)와 같은 필터내의 약액의 배출에 있어서 효과적이다.Therefore, the discharge pipe 9 and various components attached thereto, that is, the prefilter 4 and the pump 5 by the gas pressure of the purge gas flowing through the purge gas supply pipe 21 connected to the discharge pipe 9. In addition, it is possible to forcibly discharge the chemicals contained in the damper (6), the heater (7) and the main filter (8). This can easily and surely discharge the chemical liquid with the decompression force applied by the aspirator 16 connected to the conventional chemical liquid discharge device. In particular, the effect of discharging the chemical liquid by the gas pressure of the purge gas passing through the purge gas supply pipe 21 is effective in discharging the chemical liquid in the filter such as the prefilter 4 and the main filter 8.

상기 퍼지가스공급관(21)의 순환관(3)에의 연결은 상기 순환관(3)의 어느 부분에서나 적용이 가능함은 당연히 이해될 수 있으며, 특히 바람직하게는 전, 후에 있어서의 차압이 큰 펌프(5)와 약액의 배출이 가장 곤란한 메인필터(8) 사이에서 이루어질 수 있다.It can be understood, of course, that the connection of the purge gas supply pipe 21 to the circulation pipe 3 can be applied to any part of the circulation pipe 3, and particularly preferably a pump having a large differential pressure before and after ( 5) and the main filter 8 which is most difficult to discharge the chemical liquid.

상기 퍼지가스공급관(21)을 경유하여 공급되는 퍼지가스로는 가압된 기체가 사용될 수 있으며, 바람직하게는 약액에 대하여 불활성인 공기, 질소 또는 헬륨 등이 사용될 수 있다.Pressurized gas may be used as the purge gas supplied through the purge gas supply pipe 21, and preferably air, nitrogen, or helium, which is inert to the chemical liquid, may be used.

상기 퍼지가스의 가스압은 1 내지 3kgf/cm2의 범위 이내가 될 수 있다. 상기 가스압이 1kgf/cm2미만인 경우, 퍼지가스에 의한 퍼지효과가 낮아 상기 배출관(9)과 그에 취부된 각종 부품들, 즉 프리필터(4), 펌프(5), 댐퍼(6), 히터(7)와 메인필터(8) 등의 내부에 들어있는 약액들을 강제로 배출시키는 효과가 낮아질 수 있으며, 특히 필터내의 약액을 완전히 배출시키지 못하는 문제점이 있을 수 있으며, 반대로 상기 가스압이 3kgf/cm2을 초과하는 경우, 가스압이 너무 고압이 되어 필터와 관의 연결부 및 밸브 등에 무리한 압력을 가하여 손상을 줄 위험이 있을 수 있으며, 그에 따라 순환관(3)과 이에 연결되는 배출관(9) 및 이들 관들의 연결부 등을 고압용 배관 및 부품들로 적용시켜야 하는 문제점이 있을 수 있다.The gas pressure of the purge gas may be in the range of 1 to 3 kgf / cm 2 . When the gas pressure is less than 1 kgf / cm 2 , the purge effect by the purge gas is low, so that the discharge pipe 9 and various components mounted thereon, that is, the prefilter 4, the pump 5, the damper 6, and the heater ( 7) and the effect of forcibly discharging the chemicals contained in the interior of the main filter (8) may be low, in particular, there may be a problem that does not completely discharge the chemicals in the filter, on the contrary, the gas pressure is 3kgf / cm 2 If exceeded, the gas pressure may be so high that there is a risk of damaging it by exerting excessive pressure on the connection between the filter and the pipe and the valve, and thus the circulation pipe 3 and the discharge pipe 9 and the pipes connected thereto. There may be a problem in that the connection to the high pressure piping and parts to be applied.

또한, 본 발명에 따른 약액배출장치에서는 순환관(3)과 배출관(9)을 연결하는 연결부에 유로변경밸브(24)를 취부시켜 상기 내조(1)와 외조(2)로 이루어지는 배쓰에서 배출되는 약액을 상기 유로변경밸브(24)를 경유하여 바로 배출관(9)을 통하여 배출될 수 있도록 하는 배출기능과 상기 배출관(9)을 통하는 배출없이 직접 외조(2)로부터 다시 내조(1)로 순환시키는 순환기능을 선택적으로 수행할 수 있도록 할 수 있다. 상기 유로변경밸브(24)로는 통상의 3-웨이밸브(3-way valve)와 같이 상용적으로 공급되는 밸브가 사용될 수 있다.In addition, in the chemical liquid discharge device according to the present invention by installing a flow path change valve 24 to the connection portion connecting the circulation pipe (3) and the discharge pipe (9) is discharged from the bath consisting of the inner tank (1) and the outer tank (2) The circulating fluid from the outer tank (2) directly back to the inner tank (1) without the discharge function and discharge through the discharge pipe (9) to be immediately discharged through the discharge pipe (9) via the flow path change valve (24) It may be possible to selectively perform the circulation function. As the flow path change valve 24, a valve commercially supplied, such as a conventional 3-way valve, may be used.

따라서, 본 발명에 의하면 약액배출장치 내의 약액을 충분히 그리고 완전하게 배출할 수 있으며, 특히 종래의 아스피레이터(16)에 의한 감압력으로 충분히 약액의 제거가 이루어지지 않는 필터내의 약액을 완전히 배출할 수 있도록 하므로써 필터의 유지, 보수 등을 위한 교환작업시 약액에 의한 작업자의 상해 및 작업공간의 오염 등을 원인적으로 예방하는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, the chemical liquid in the chemical liquid discharging device can be discharged sufficiently and completely, and in particular, the chemical liquid in the filter which is not sufficiently removed by the depressurization force by the conventional aspirator 16 can be completely discharged. By doing so, it is possible to prevent the injuries of workers and contamination of the work space due to chemicals during replacement work for filter maintenance and repair.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.

Claims (5)

내조, 상기 내조의 가장자리에 위치하는 외조, 상기 내조와 외조를 연결하는 순환관 및 퍼지가스단속밸브가 취부된 퍼지가스공급관을 경유하여 상기 순환관에 연결되는 퍼지가스공급원을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 약액배출장치.An inner tank, an outer tank positioned at the edge of the inner tank, a circulation pipe connecting the inner tank and the outer tank and a purge gas supply source connected to the circulation pipe via a purge gas supply pipe in which the purge gas control valve is mounted. A chemical liquid discharge device for manufacturing a semiconductor device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 퍼지가스공급관의 순환관에의 연결이 상기 순환관에 취부된 펌프와 메인필터 사이에서 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 약액배출장치.And the connection of the purge gas supply pipe to the circulation pipe is made between the pump and the main filter attached to the circulation pipe. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 퍼지가스공급관을 경유하여 공급되는 퍼지가스가 공기, 질소 또는 헬륨 등으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 약액배출장치.And a purge gas supplied through the purge gas supply pipe is selected from the group consisting of air, nitrogen, and helium. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 퍼지가스의 가스압이 1 내지 3kgf/cm2의 범위 이내임을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 약액배출장치.And a gas pressure of the purge gas is within a range of 1 to 3 kgf / cm 2 . 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 순환관과 배출관을 연결하는 연결부에 유로변경밸브를 취부시킴을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 약액배출장치.The chemical liquid discharge device for manufacturing the semiconductor device, characterized in that a flow path change valve is attached to a connection portion connecting the circulation pipe and the discharge pipe.
KR1019980039669A 1998-09-24 1998-09-24 Apparatus exhausting chemical solution for semiconductor device fabrication facility of semiconductor device KR20000020878A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980039669A KR20000020878A (en) 1998-09-24 1998-09-24 Apparatus exhausting chemical solution for semiconductor device fabrication facility of semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980039669A KR20000020878A (en) 1998-09-24 1998-09-24 Apparatus exhausting chemical solution for semiconductor device fabrication facility of semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000020878A true KR20000020878A (en) 2000-04-15

Family

ID=19551786

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980039669A KR20000020878A (en) 1998-09-24 1998-09-24 Apparatus exhausting chemical solution for semiconductor device fabrication facility of semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20000020878A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010035011A (en) * 2000-10-07 2001-05-07 김동관 a discharge system and a device of removing a chemical
KR100502739B1 (en) * 2002-02-12 2005-07-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Method for replacing the air of chamber apparatus, chamber apparatus, electric optical apparatus with the same and organic electro luminescence apparatus
KR20100082069A (en) * 2009-01-08 2010-07-16 주식회사 실트론 Drain apparatus and method for cleaning bath

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010035011A (en) * 2000-10-07 2001-05-07 김동관 a discharge system and a device of removing a chemical
KR100502739B1 (en) * 2002-02-12 2005-07-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Method for replacing the air of chamber apparatus, chamber apparatus, electric optical apparatus with the same and organic electro luminescence apparatus
KR20100082069A (en) * 2009-01-08 2010-07-16 주식회사 실트론 Drain apparatus and method for cleaning bath

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102382902B1 (en) Substrate processing apparatus, cleaning method of substrate processing apparatus
KR20130097650A (en) Processing liquid exchanging method and substrate processing device
KR19980052484A (en) Wafer Wet Processing Equipment
KR20190008939A (en) Substrate processing apparatus
JP2007123393A (en) Substrate-treating device
TWI615186B (en) Cleaning solution of photoresist stripping liquid filter, washing device and washing method
KR20040071853A (en) Apparatus for sampling a chemical
KR100625320B1 (en) Apparatus for supplying functional water of substrate cleaning equipment
KR20000020878A (en) Apparatus exhausting chemical solution for semiconductor device fabrication facility of semiconductor device
US6648982B1 (en) Steam cleaning system and method for semiconductor process equipment
KR100780936B1 (en) Bubble removing device for removing bubbles in chemicals and bubble removing method using the same
KR100801656B1 (en) Method for supplying treating liquid
JP2005243814A (en) Substrate processing apparatus
JP3686239B2 (en) Chemical solution substrate processing equipment
KR100737757B1 (en) Member and method for discharging treating-liquid in the line
JP2001137625A (en) Filtering device
KR0174986B1 (en) Liquid Circulation System of Semiconductor Process
JPH05217988A (en) Washing device
KR0129924Y1 (en) Etching apparatus of semiconductor process
JP2994113B2 (en) Parts cleaning equipment
KR100872887B1 (en) Substrate processing apparatus being capable of using multiple chemicals
US6048112A (en) Apparatus and method for processing photographic emulsion carriers
KR100558539B1 (en) Tool for cleaning a cover of a etching bath
KR19990081141A (en) Parts cleaning device of semiconductor cleaning equipment
KR19990039681A (en) Wet etching equipment for semiconductor device manufacturing

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination