KR19990051380A - Source chamber of ion implanter with internal residual gas outflow prevention means - Google Patents
Source chamber of ion implanter with internal residual gas outflow prevention meansInfo
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Abstract
소스 쳄버 내의 잔류 가스 유출 방지 수단이 구비된 이온주입장치의 소스 쳄버에 관하여 개시한다. 소스 쳄버의 개폐부쪽에 구비되어 소스 쳄버의 개방시, 소스 쳄버 내부의 잔류 가스 이온이 배출되는 것을 방지할 수 있는 수단이 구비된 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 소스 쳄버 내부의 잔류 가스 이온이 배출되는 것을 방지할 수 있는 수단은 상기 소스 쳄버의 개폐부쪽의 외부 상단부에, 그 직하부로 에어를 분사하여 에어 장막을 형성할 수 있는 에어 플레이트 및 상기 에어 플레이트에서 분사된 에어 라인이 배기될 수 있도록 상기 소스 쳄버의 개폐부쪽의 외부 하단부에 배기 플레이트를 구비하는 것이 바람직하다. 한편, 상기 배기 플레이트는 벤츄리 현상을 유발할 수 있는 형상을 갖는 배기관에 연결되면 더욱 바람직하다.The source chamber of the ion implantation apparatus provided with the residual gas outflow prevention means in a source chamber is disclosed. It is provided on the opening and closing portion of the source chamber, characterized in that provided with means for preventing the residual gas ions inside the source chamber from being discharged when the source chamber is opened. In this case, the means for preventing the residual gas ions inside the source chamber is discharged to the outer upper end of the opening and closing portion of the source chamber, the air plate that can form an air curtain by spraying air directly below the air plate and the air Preferably, the exhaust plate is provided at the outer lower end side of the opening and closing portion of the source chamber so that the air line injected from the plate can be exhausted. On the other hand, the exhaust plate is more preferably connected to the exhaust pipe having a shape that can cause venturi phenomenon.
Description
본 발명은 반도체 제조 장치인 이온주입장치의 소스 쳄버에 관한 것으로서, 특히 이온주입장치의 소스 쳄버 내의 잔류 가스가 외부로 유출되지 않도록 에어 플레이트, 배기 플레이트 및 소정 형상의 배기관이 구비된 소스 쳄버 내의 잔류 가스 유출 방지 수단이 구비된 이온주입장치의 소스 쳄버에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a source chamber of an ion implantation apparatus, which is a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to remaining in a source chamber provided with an air plate, an exhaust plate, and an exhaust pipe having a predetermined shape so that residual gas in the source chamber of the ion implantation apparatus does not flow out. A source chamber of an ion implantation apparatus provided with gas outflow prevention means.
반도체 기판에 불순물을 주입하기 위하여 이온주입장치가 이용되고 있다. 이온주입장치는 이온 소스 쳄버, 질량분석기, 가속관, 이온 편향계, 이온 주입실로 구분되며, 전체가 고진공계 중에서 조작된다. 이온 주입 소스로는 화합물의 형태 또는 단체로서 증발시킬 수 있는 것이 사용되고, 붕소, 인, 비소 등에서는 할로겐화물, 수소화물이나 그것들과 수소 등의 혼합 가스가 사용된다. 이러한 이온 소스의 누출은 작업자의 안정성의 측면에서 취급상의 각별한 주의를 요하고 있다.An ion implantation apparatus is used to inject impurities into a semiconductor substrate. Ion implanter is divided into ion source chamber, mass spectrometer, accelerator, ion deflector, ion implantation chamber and the whole is operated in high vacuum system. As the ion implantation source, one that can be evaporated in the form of a compound or as a single substance is used. In boron, phosphorus, arsenic, and the like, halides, hydrides, and mixed gases such as hydrogen are used. This leakage of ion source requires special care in terms of operator safety.
목적하는 불순물을 이온주입장치의 소정의 경로를 통하여 반도체 기판에 주입하는 첫 번째 단계는 소스 쳄버 내에 구비된 필라멘트의 열전자에 의하여 소스 쳄버 내의 가스를 이온화하는 것이다. 따라서, 이온주입장치가 가동된 이후에는 소스 쳄버 내에는 소정량의 가스 이온들이 잔류하게 된다. 즉, 소스 쳄버 내에서 이온화된 이온들이 전부 반도체 기판으로 전달되는 것이 아니며, 일부는 반도체 기판에 도달하여 반도체 기판 내부로 이온주입되지만, 일부는 소스 쳄버 내부에 잔류하게 된다. 이러한 잔류 이온들은 소스 쳄버를 열고 그 내부의 부품을 교환하는 작업을 수행할 때 진공계로 구성된 이온주입경로에서 진공이 해제됨에 따라 외부로 급격하게 유출되며, 유출된 가스 이온이 작업자에 접촉하게되면 작업자의 안전을 위협하는 요인이 되고 있는 바, 이에 대한 문제 해결 방안이 필요하게 되었다.The first step of injecting a desired impurity into the semiconductor substrate through a predetermined path of the ion implantation device is to ionize the gas in the source chamber by the hot electrons of the filament provided in the source chamber. Therefore, after the ion implantation apparatus is operated, a predetermined amount of gas ions remain in the source chamber. That is, not all of the ions ionized in the source chamber are transferred to the semiconductor substrate, some reach the semiconductor substrate and ion implant into the semiconductor substrate, but some remain in the source chamber. These residual ions are suddenly leaked out as the vacuum is released from the ion implantation path composed of the vacuum system when opening the source chamber and exchanging the components inside. When the leaked gas ions come into contact with the worker, As a threat to the safety of the company, a solution for this problem is needed.
이하에서 종래의 이온주입장치의 소스 쳄버에 관하여 첨부도면을 참조하여 설명하고 그 문제점을 살펴보기로 한다.Hereinafter, the source chamber of the conventional ion implantation apparatus will be described with reference to the accompanying drawings and the problems thereof will be described.
첨부도면 도 1은 종래의 이온주입장치의 소스 쳄버에 관한 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a source chamber of a conventional ion implantation apparatus.
도 1에 따르면, 소스 쳄버(10)는 진공계를 구성하고 있으며, 참조 부호를 붙여 설명하고 있지는 않지만, 소스 쳄버(10) 내부에는 소스 가스의 이온화를 위한 필라멘트 및 다른 부재들이 구비되어 있으며, 공정 상 교체의 필요성이 있을 때, 소스 쳄버(10)를 개방하여 원하는 부재를 교체하게 된다. 이때, 소스 쳄버(10) 내부는 진공도가 높기 때문에 그 내부의 이온주입공정 진행 후에 잔류하는 가스 이온이 외부로 유출된다. 이렇게 유출된 가스 이온은 작업자의 안전을 위협하는 요인이므로 이에 대한 대책이 요구되고 있다.According to FIG. 1, the source chamber 10 constitutes a vacuum gauge and is not described with reference numerals. However, the source chamber 10 is provided with filaments and other members for ionizing the source gas. When there is a need for replacement, the source chamber 10 is opened to replace the desired member. At this time, since the inside of the source chamber 10 has a high degree of vacuum, the gas ions remaining after the ion implantation process therein flows out. Since the leaked gas ions are a threat to the safety of workers, countermeasures are required.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이온주입장치의 소스 쳄버를 개방했을 때, 그 내부에 잔류하는 가스 이온의 유출로 작업자의 안전이 위협되는 문제를 해결하는 것으로서, 이를 위하여 소정의 소스 쳄버 내부의 잔류 가스 이온의 배출을 방지할 수 있는 수단이 구비된 이온주입장치의 소스쳄버를 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.The technical problem to be solved by the present invention is to solve the problem that the safety of the operator is threatened by the outflow of gas ions remaining therein when the source chamber of the ion implantation device is opened. It is an object of the present invention to provide a source chamber of an ion implantation apparatus equipped with means for preventing the release of gas ions.
도 1은 종래의 이온주입장치의 소스 쳄버에 관한 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a source chamber of a conventional ion implantation apparatus.
도 2는 본 발명에 따른 소스 쳄버 내 잔류 가스 유출을 방지할 수 있는 수단이 구비된 이온주입장치의 소스 쳄버에 관한 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a source chamber of an ion implantation apparatus equipped with means for preventing the outflow of residual gas in the source chamber according to the present invention.
도 3은 소스 쳄버 내 잔류 가스 유출을 방지할 수 있는 에어 플레이트의 상세도이다.3 is a detailed view of an air plate capable of preventing the outflow of residual gas in the source chamber.
도 4는 소스 쳄버 내 잔류 가스 유출을 방지할 수 있는 배기 플레이트의 상세도이다.4 is a detailed view of an exhaust plate capable of preventing the outflow of residual gas in the source chamber.
도 5는 소스 쳄버 내 잔류 가스 유출을 방지할 수 있는 배기관의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of the exhaust pipe that can prevent the outflow of residual gas in the source chamber.
전술한 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제를 달성하기 위한 이온주입장치의 소스 쳄버는 소스 쳄버의 개폐부쪽에 구비되어 소스 쳄버의 개방시, 소스 쳄버 내부의 잔류 가스 이온이 배출되는 것을 방지할 수 있는 수단이 구비된 것을 특징으로 한다.The source chamber of the ion implantation apparatus for achieving the technical problem to be achieved by the present invention described above is provided in the opening and closing portion of the source chamber is a means for preventing the residual gas ions in the source chamber from being discharged when the source chamber is opened. Characterized in that provided.
이때, 상기 소스 쳄버 내부의 잔류 가스 이온이 배출되는 것을 방지할 수 있는 수단은 상기 소스 쳄버의 개폐부쪽의 외부 상단부에, 그 직하부로 에어를 분사하여 에어 장막을 형성할 수 있는 에어 플레이트 및 상기 에어 플레이트에서 분사된 에어 라인이 배기될 수 있도록 상기 소스 쳄버의 개폐부쪽의 외부 하단부에 배기 플레이트를 구비하는 것이 바람직하다. 한편, 상기 배기 플레이트는 벤츄리 현상을 유발할 수 있는 형상을 갖는 배기관에 연결되면 더욱 바람직하다.In this case, the means for preventing the residual gas ions inside the source chamber is discharged to the outer upper end of the opening and closing portion of the source chamber, the air plate that can form an air curtain by spraying air directly below the air plate and the air Preferably, the exhaust plate is provided at the outer lower end side of the opening and closing portion of the source chamber so that the air line ejected from the plate can be exhausted. On the other hand, the exhaust plate is more preferably connected to the exhaust pipe having a shape that can cause venturi phenomenon.
이하, 본 발명의 실시예들을 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어져서는 안된다. 이하의 도면을 참조한 설명은 본 발명의 실시예들은 본 발명과 관련한 산업기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 도면 상에서 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어진 것이다. 도면상에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 또한 어떤 층이 다른 층 또는 기판의 "상부"에 있다라고 기재된 경우, 상기 어떤 층이 상기 다른 층 또는 기판의 상부에 직접 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 층이 개재되어질 수도 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art related to the present invention. In the drawings, the thicknesses of layers or regions are exaggerated for clarity. In the drawings like reference numerals refer to like elements. In addition, where a layer is described as being "on top" of another layer or substrate, the layer may be present directly on top of the other layer or substrate, with a third layer intervening therebetween.
첨부도면 도 2 내지 도 5는 본 발명에 따른 이온주입장치의 소스 쳄버에 구비된 소스 쳄버 내 잔류 가스 유출을 방지할 수 있는 수단을 설명하기 위한 도면들이다.2 to 5 are views for explaining a means for preventing the residual gas outflow in the source chamber provided in the source chamber of the ion implantation apparatus according to the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 소스 쳄버 내 잔류 가스 유출을 방지할 수 있는 수단이 구비된 이온주입장치의 소스 쳄버에 관한 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a source chamber of an ion implantation apparatus equipped with means for preventing the outflow of residual gas in the source chamber according to the present invention.
도 2에 따르면, 소스 쳄버(20)의 개폐부의 외부 상단부에 에어 플레이트(25)가 구비되며, 외부 하단부에는 배기 플레이트(30)가 구비되어 있다. 에어 플레이트(25)는 외부에서 연결된 에어 라인(미도시)을 통하여 전달된 에어가 높은 압력으로 그 직하부로 분사된다. 에어 플레이트(25)는 다수 개의 구멍을 구비하여 소스 쳄버(20) 개폐부 외부에 에어 장벽을 형성할 수 있다. 에어 플레이트(25)를 통하여 분사된 고압력의 에어 흐름은 그 하부에 구비된 배기 플레이트(30)를 통하여 배기된다. 한편, 배기 플레이트(30)가 에어를 배기하면서, 소스 쳄버(20) 내부의 잔류 가스 이온도 함께 흡입되어 배기된다. 따라서, 소스 쳄버(20)가 개방되더라도 에어 플레이트(25)와 배기 플레이트(30) 사이에 형성된 에어 장벽이 잔류 가스 이온의 유출을 막으면서, 배기 플레이트(30)를 통하여 배출함으로써 외부에 유출되지 않도록 하며, 특히 외부에서 작업하는 작업자는 잔류 가스에 노출되는 위험이 감소된다. 한편, 배기 플레이트(30)에 연결되는 배기관(미도시)은 벤츄리 효과를 발생할 수 있는 형상을 갖도록 함으로써 배기를 위한 별도의 펌프를 구비하지 않고도 목적하는 바를 실현할 수 있다. 이로써, 이온주입장치의 소스 쳄버를 개방하여 그 내부를 보수하거나 내부 부품을 교체하는 작업자의 안전을 확보할 수 있다.According to FIG. 2, an air plate 25 is provided at an outer upper end of the opening and closing portion of the source chamber 20, and an exhaust plate 30 is provided at the outer lower end of the source chamber 20. The air plate 25 is injected under the high pressure of the air delivered through the air line (not shown) connected from the outside. The air plate 25 may have a plurality of holes to form an air barrier outside the opening and closing portion of the source chamber 20. The high pressure air flow injected through the air plate 25 is exhausted through the exhaust plate 30 provided below. On the other hand, while the exhaust plate 30 exhausts air, the residual gas ions inside the source chamber 20 are also sucked out and exhausted. Therefore, even when the source chamber 20 is opened, the air barrier formed between the air plate 25 and the exhaust plate 30 prevents the outflow of residual gas ions, and discharges through the exhaust plate 30 so as not to flow out. In particular, the external worker is reduced the risk of exposure to residual gas. On the other hand, the exhaust pipe (not shown) connected to the exhaust plate 30 has a shape that can cause the venturi effect can be achieved without having a separate pump for exhaust. As a result, it is possible to secure the safety of the operator who opens the source chamber of the ion implantation device to repair the inside or replace the internal parts.
도 3은 소스 쳄버 내 잔류 가스 유출을 방지할 수 있는 에어 플레이트의 상세도이다. 도 3에 따르면, 에어 플레이트(도 2의 25)의 하방에 에어가 분사될 수 있는 분사구가 형성되어 있음을 알 수 있다.3 is a detailed view of an air plate capable of preventing the outflow of residual gas in the source chamber. According to FIG. 3, it can be seen that an injection hole through which air can be injected is formed below the air plate 25 of FIG. 2.
도 4는 소스 쳄버 내 잔류 가스 유출을 방지할 수 있는 배기 플레이트의 상세도이다. 도 4에 따르면, 에어 플레이트(도 2의 25)에서 그 직하부로 분사된 에어가 소스 쳄버(20) 개폐부의 외부에 에어 장벽이 형성되도록 구비된 배기 플레이트(도 2의 30)의 상방에 에어를 흡입할 수 있는 배기구가 형성되어 있음을 알 수 있다. 한편, 상기 배기구는 소스 쳄버(도 2의 20)의 내부를 향하도록 소정의 각도로 구비되어 있다. 이는 소스 쳄버 내부의 잔류 가스가 에어 장벽의 에어 흐름의 배기시, 함께 배출될 수 있도록 하기 위한 것이므로 각도의 조절도 본 발명의 중요한 요인이 될 수 있으며, 이를 굳이 한정하자면, 수직 방향을 기준하여 0。 내지 45。 정도의 범위에서 조절하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 배기구는 에어 장벽의 에어 흐름에 대한 배기 목적 외에도 소스 쳄버 내의 잔류 가스 이온의 배기구로도 작용하기 때문에 두 가지 목적을 위한 적절한 조절이 필요하다.4 is a detailed view of an exhaust plate capable of preventing the outflow of residual gas in the source chamber. According to FIG. 4, the air injected from the air plate (25 of FIG. 2) directly below the air plate (30 of FIG. 2) is provided above the exhaust plate (30 of FIG. 2) provided such that an air barrier is formed outside the opening and closing of the source chamber 20. It can be seen that an intake vent is formed. On the other hand, the exhaust port is provided at a predetermined angle to face the inside of the source chamber (20 in Fig. 2). This is to allow the residual gas inside the source chamber to be discharged together when the air flow of the air barrier is exhausted, so the adjustment of the angle may also be an important factor of the present invention. It is preferable to adjust in the range of about. Because the exhaust port also serves as the exhaust port of the residual gas ions in the source chamber in addition to the exhaust purpose for the air flow of the air barrier, appropriate adjustment is required for both purposes.
도 5는 소스 쳄버 내 잔류 가스 유출을 방지할 수 있는 배기관의 단면도이다. 도 5에 따르면, 벤츄리 현상을 일으킬 수 있는 형상을 갖는 배기관으로서, 이는 배기 플레이트(도 2의 30)에 연결되는 부재이다. 상기 배기관은 배기 효과를 발생시키기 위하여 별도의 펌프를 사용하지 않고도 벤츄리 효과를 이용함으로써 배기 효과를 달성할 수 있는 이점이 있으므로 장비의 단순화를 이룰 수 있는 장점이 있다.5 is a cross-sectional view of the exhaust pipe that can prevent the outflow of residual gas in the source chamber. According to FIG. 5, an exhaust pipe having a shape capable of causing a venturi phenomenon, which is a member connected to the exhaust plate 30 of FIG. 2. The exhaust pipe has the advantage of achieving the exhaust effect by using the venturi effect without using a separate pump to generate the exhaust effect, there is an advantage that can simplify the equipment.
이상의 첨부 도면을 참조하여 설명한 본 발명의 실시예들은 최적의 실시예들이다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 상세하게 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용한 것이 아니다.Embodiments of the present invention described with reference to the accompanying drawings are optimal embodiments. Although specific terms have been used herein, they are used only for the purpose of describing the present invention in detail and are not used to limit the scope of the present invention as defined in the meaning or claims.
전술한 본 발명은 이온주입공정이 진행된 후, 이온주입장치의 소스 쳄버에 잔류된 가스 이온이 외부로 유출되어 작업자의 안전을 위협하는 요소를 제거한 것으로서, 소스 쳄버 개폐부의 외부 상단부와 하단부에 에어 플레이트와 배기 플레이트를 구비하여 에어 장벽을 형성함으로써, 소스 쳄버 개방시 압력차에 의하여 외부로 잔류 가스 이온이 유출되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 작업자의 안전이 보호되면서, 반도체 제조 장치의 효율적인 보수를 진행할 수 있어 공정 효율을 향상할 수 있다.According to the present invention, after the ion implantation process is performed, the gas ions remaining in the source chamber of the ion implanter are leaked to the outside to remove the threat to the safety of the operator. By forming an air barrier with an exhaust plate, it is possible to prevent residual gas ions from flowing out due to a pressure difference when the source chamber is opened. Therefore, while the safety of the worker is protected, efficient maintenance of the semiconductor manufacturing apparatus can be performed, and process efficiency can be improved.
Claims (3)
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970070697A KR19990051380A (en) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | Source chamber of ion implanter with internal residual gas outflow prevention means |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970070697A KR19990051380A (en) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | Source chamber of ion implanter with internal residual gas outflow prevention means |
Publications (1)
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|---|---|
| KR19990051380A true KR19990051380A (en) | 1999-07-05 |
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ID=66165855
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| KR1019970070697A KR19990051380A (en) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | Source chamber of ion implanter with internal residual gas outflow prevention means |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR19990051380A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100388873B1 (en) * | 1998-12-24 | 2003-06-25 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | Cdma receiver operable in a time division fashion and method for controlling the same |
-
1997
- 1997-12-19 KR KR1019970070697A patent/KR19990051380A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100388873B1 (en) * | 1998-12-24 | 2003-06-25 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | Cdma receiver operable in a time division fashion and method for controlling the same |
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