KR19990038057A - Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof - Google Patents
Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR19990038057A KR19990038057A KR1019970057682A KR19970057682A KR19990038057A KR 19990038057 A KR19990038057 A KR 19990038057A KR 1019970057682 A KR1019970057682 A KR 1019970057682A KR 19970057682 A KR19970057682 A KR 19970057682A KR 19990038057 A KR19990038057 A KR 19990038057A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- heat dissipation
- light emitting
- organic light
- layer
- dissipation layer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
Abstract
유기전계발광소자(Organic Electroluminescence Device) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 투명기판상에 일정간격으로 다수의 제 1 전극들을 형성하고, 제 1 전극들상에 유기발광층을 형성한 다음, 유기발광층상에 제 1 전극들에 수직한 방향으로 다수의 제 2 전극들을 형성한다. 그리고, 제 2 전극상에 다이아몬드 라이크 카본, 산화물 중 어느 하나 또는 둘 이상을 적층하여 내부의 열을 방출시키고 하부와 전기적으로 절연되도록 제 1 방열층을 형성하고, 제 1 방열층상에 알루미늄 또는 동 등의 금속 또는 그 합금들 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어져 산소 및 수분을 막아주는 제 2 방열층을 형성한 후에 제 2 방열층상에 보호막을 형성함으로써, 소자의 방열특성을 향상시키고 외부의 수분 및 산소의 칩입을 방지한다.The present invention relates to an organic electroluminescence device and a method of manufacturing the same, wherein a plurality of first electrodes are formed on a transparent substrate at a predetermined interval, an organic light emitting layer is formed on the first electrodes, and then on an organic light emitting layer. A plurality of second electrodes are formed in a direction perpendicular to the first electrodes. Then, one or two or more of diamond-like carbon and oxide are laminated on the second electrode to form a first heat dissipation layer to dissipate internal heat and electrically insulate the lower portion, and to form aluminum or copper on the first heat dissipation layer. Of the metal or alloys of any one or two or more alloys thereof to form a protective film on the second heat dissipation layer after forming a second heat dissipation layer to prevent oxygen and moisture, thereby improving the heat dissipation characteristics of the device and external moisture and oxygen To prevent intrusion.
Description
본 발명은 디스플레이 소자에 관한 것으로, 특히 유기전계발광소자(Organic Electroluminescence Device) 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, and more particularly, to an organic electroluminescence device and a method of manufacturing the same.
최근 표시장치의 대형화에 따라 공간 점유가 적은 평면표시소자의 요구가 증대되고 있는데, 이러한 평면표시소자중 하나로서 전계발광소자가 주목되고 있다.Recently, as the size of the display device increases, the demand for a flat display device having less space occupancy is increasing. As one of the flat display devices, an electroluminescent device is attracting attention.
이 전계발광소자는 사용하는 재료에 따라 무기전계발광소자와 유기전계발광소자로 크게 나뉘어진다.The electroluminescent device is largely divided into an inorganic electroluminescent device and an organic electroluminescent device according to the material used.
무기전계발광소자는 일반적으로 발광부에 높은 전계를 인가하고 전자를 이 높은 전계중에서 가속하여 발광 중심으로 충돌시켜 이에 의해 발광 중심을 여기함으로써 발광하는 소자이다.In general, an inorganic electroluminescent device is a device that emits light by applying a high electric field to a light emitting part, accelerating electrons in the high electric field, and colliding with the light emitting center to thereby excite the light emitting center.
또한, 유기전계발광소자는 전자주입전극(cathode)과 정공주입전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광부내로 주입시켜 주입된 전자와 홀이 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.In addition, the organic light emitting device is based on the exciton generated by combining electrons and holes injected by injecting electrons and holes from the electron injection electrode (cathode) and the hole injection electrode (anode) into the light emitting unit, respectively. It is a device that emits light when falling into a state.
상기와 같은 동작원리를 갖는 무기전계발광소자는 높은 전계가 필요하기 때문에 구동전압으로서 100∼200V의 높은 전압을 필요로 하는 반면에 유기전계발광소자는 5∼20V정도의 낮은 전압으로 구동할 수 있다는 장점이 있어 연구가 활발하게 진행되고 있다.Since the inorganic electroluminescent device having the above operating principle requires a high electric field, a high voltage of 100 to 200 V is required as a driving voltage, whereas the organic electroluminescent device can be driven at a low voltage of about 5 to 20 V. There is an advantage, and research is being actively conducted.
또한, 유기전계발광소자는 넓은 시야각, 고속 응답성, 고 콘트라스트(contrast) 등의 뛰어난 특징을 갖고 있으므로 그래픽 디스플레이의 픽셀(pixel), 텔레비젼 영상 디스플레이나 표면광원(surface light source)의 픽셀로서 사용될 수 있으며, 얇고 가벼우며 색감이 좋기 때문에 차세대 평면 디스플레이에 적합한 소자이다.In addition, the organic light emitting display device has excellent characteristics such as wide viewing angle, high speed response and high contrast, so it can be used as a pixel of a graphic display, a TV image display or a surface light source. They are thin, light, and have good color, making them suitable for next-generation flat panel displays.
그러나, 이러한 유기전계발광소자를 제작할 때, 유의해야 할 사항중의 하나는 방열문제이다.However, when manufacturing such an organic light emitting device, one of the issues to be noted is the heat dissipation problem.
즉, 유기전계발광소자에 주입된 전하의 일부만이 발광에 이용되며 나머지는 대부분 열로 손실된다.That is, only a part of the charge injected into the organic light emitting diode is used for light emission, and the rest is mostly lost as heat.
이처럼 대부분의 유기 물질은 무기 물질에 비해 열에 매우 약하기 때문에 소자 동작시 발생하는 열을 적절히 방출시킬 수 있는 소자의 구조 및 물질 설계가 매우 중요하다.As described above, since most organic materials are very weak to heat compared to inorganic materials, the structure and material design of the device that can properly release the heat generated during the operation of the device is very important.
이러한 문제를 해결하기 위하여 일본 공개특허공보 8-185982에서는 금속질화물(metal nitride) 또는 금속탄화물(metal carbide)을 방열층 형성에 이용하였다.In order to solve this problem, Japanese Patent Laid-Open No. 8-185982 used metal nitride or metal carbide to form a heat dissipation layer.
도 1은 종래 기술에 따른 유기전계발광소자를 보여주는 구조단면도로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 투명기판(1)위에 형성되는 양극(anode)(2)과, 양극(2)위에 형성되는 정공수송층(HTL : hole transport layer)(3)과, 정공수송층(3)위에 형성되는 유기발광층(4)과, 유기발광층(4)위에 형성되는 음극(cathode)(5), 그리고 음극(5)위에 형성되는 방열층(6)으로 이루어진다.1 is a structural cross-sectional view showing an organic light emitting display device according to the prior art, as shown in FIG. 1, an anode 2 formed on a transparent substrate 1 and a hole formed on the anode 2. On the hole transport layer (HTL) (3), the organic light emitting layer (4) formed on the hole transport layer (3), the cathode (5) formed on the organic light emitting layer (4), and on the cathode (5) It consists of the heat radiation layer 6 formed.
여기서, 방열층(6)으로는 RF 스퍼터링(sputtering)법으로 형성한 AlN박막 또는 플라즈마 CVD(chemical vapor deposition)법으로 형성한 SiC박막을 사용하였다.Here, the AlN thin film formed by the RF sputtering method or the SiC thin film formed by the plasma CVD (chemical vapor deposition) method was used as the heat dissipation layer 6.
그러나, 방열층으로 사용하는 AlN 또는 SiC는 대부분의 유기물에 비해 방열특성이 좋지만 금속이나 다이아몬드에 비해서는 열전도율이 매우 낮다.However, AlN or SiC used as a heat dissipation layer has better heat dissipation characteristics than most organic materials, but has a very low thermal conductivity than metals or diamonds.
이 열전도율(thermal conductivity)은 박막의 성장조건에 따라 달라지는데, 열전도율이 좋은 AlN 또는 SiC를 얻기 위해서는 기판을 고온으로 가열하여야 한다.This thermal conductivity depends on the growth conditions of the thin film. In order to obtain AlN or SiC having good thermal conductivity, the substrate must be heated to a high temperature.
이 AlN 또는 SiC를 유기전계발광소자의 방열층으로 사용할 경우, 유기물이 열에 약하여 상온 근처에서 AlN 또는 SiC 박막을 형성해야 하므로 AlN 또는 SiC 박막의 열전도율은 유기물에 비해서도 별로 높지 않게 된다.When the AlN or SiC is used as a heat dissipation layer of the organic light emitting device, the thermal conductivity of the AlN or SiC thin film is not much higher than that of the organic material because the organic material is weak to heat and an AlN or SiC thin film should be formed near room temperature.
그러므로, AlN 또는 SiC를 사용한 방열층은 방열효과가 좋지 않다.Therefore, the heat radiation layer using AlN or SiC does not have a good heat radiation effect.
종래 기술에 따른 유기전계발광소자에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.The organic light emitting device according to the prior art has the following problems.
AlN 또는 SiC를 이용한 방열층을 상온에서 형성해야 하므로 방열층의 열전도율이 낮아져 방열효과가 좋지 않다.Since the heat dissipation layer using AlN or SiC should be formed at room temperature, the heat conductivity of the heat dissipation layer is lowered, so that the heat dissipation effect is not good.
이와 같은 문제를 해결하기 위한 본 발명은 새로운 물질 및 새로운 구조로 방열층을 형성하여 방열 특성을 개선할 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention for solving such a problem is to provide an organic light emitting device and a method of manufacturing the same that can improve the heat dissipation characteristics by forming a heat dissipation layer with a new material and a new structure.
도 1은 종래 기술에 따른 유기전계발광소자를 보여주는 구조단면도1 is a structural cross-sectional view showing an organic light emitting display device according to the prior art
도 2a 내지 2g는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조공정을 보여주는 공정단면도Figure 2a to 2g is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic light emitting device according to the present invention
도 3은 본 발명에 따른 유기전계발광소자를 보여주는 평면도3 is a plan view showing an organic light emitting display device according to the present invention.
도 4는 도 3의 A-A'선상에 따른 구조단면도4 is a structural cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 3.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
11 : 투명기판 12 : 양극11 transparent substrate 12 anode
13 : 버퍼층 14 : 정공운송층13: buffer layer 14: hole transport layer
15 : 유기발광층 16 : 음극15 organic light emitting layer 16 cathode
17 : 제 1 방열층 18 : 제 2 방열층17: first heat dissipation layer 18: second heat dissipation layer
19 : 보호막19: protective film
본 발명에 따른 유기전계발광소자의 주요 특징은 소자상부에 다이아몬드 라이크 카본, 산화물 중 어느 하나 또는 둘 이상이 적층된 제 1 방열층과, 외부의 방열판과 연결되고 알루미늄 또는 동 등의 금속 또는 그 합금들 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어진 제 2 방열층을 적층하여 소자 내부의 열을 외부로 방출하는데 있다.The main feature of the organic light emitting device according to the present invention is a first heat dissipation layer in which any one or two or more of diamond-like carbon and oxide are laminated on the upper part of the device, and connected to an external heat sink and a metal such as aluminum or copper, or an alloy thereof. A second heat dissipating layer made of any one or two of them is stacked to dissipate heat inside the device to the outside.
본 발명에 따른 유기전계발광소자의 다른 특징은 기판상에 형성되는 제 1 전극과, 제 1 전극상에 형성되는 유기발광층과, 유기발광층상에 형성되는 제 2 전극과, 제 2 전극상에 형성되고 다이아몬드 라이크 카본, 산화물 중 어느 하나 또는 둘 이상을 적층하여 내부의 열을 방출시키고 하부와 전기적으로 절연시키는 방열층으로 구성되는데 있다.Another feature of the organic light emitting device according to the present invention is a first electrode formed on the substrate, an organic light emitting layer formed on the first electrode, a second electrode formed on the organic light emitting layer, and formed on the second electrode It is composed of a heat dissipation layer that is laminated with any one or two or more of diamond-like carbon, oxide to release the heat inside and electrically insulated from the bottom.
본 발명에 따른 유기전계발광소자의 또 다른 특징은 투명기판상에 일정간격으로 형성되는 다수의 제 1 전극들과, 제 1 전극들상에 형성되는 유기발광층과, 유기발광층상에 제 1 전극들에 수직한 방향으로 형성되는 다수의 제 2 전극들과, 제 2 전극상에 형성되고 다이아몬드 라이크 카본, 산화물 중 어느 하나 또는 둘 이상을 적층하여 내부의 열을 방출시키고 하부와 전기적으로 절연시키는 제 1 방열층과, 제 1 방열층상에 형성되고 알루미늄 또는 동 등의 금속 또는 그 합금들 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어져 산소 및 수분을 막아주는 제 2 방열층과, 제 2 방열층상에 형성되는 보호막으로 구성되는데 있다.Another feature of the organic light emitting device according to the present invention is a plurality of first electrodes formed on the transparent substrate at a predetermined interval, the organic light emitting layer formed on the first electrodes, and the first electrode on the organic light emitting layer A plurality of second electrodes formed in a direction perpendicular to the first layer and a first electrode formed on the second electrode and laminating any one or two or more of diamond-like carbon and an oxide to release internal heat and electrically insulate the lower part; A heat dissipation layer, a second heat dissipation layer formed on the first heat dissipation layer and made of any one or two of metals such as aluminum or copper or alloys thereof to prevent oxygen and moisture, and a protective film formed on the second heat dissipation layer. It is composed.
본 발명에 따른 유기전계발광소자 제조방법의 특징은 투명기판상에 제 1 전극, 유기발광층, 제 2 전극을 순차적으로 형성하는 스텝과, 제 2 전극상에 다이아몬드 라이크 카본, 산화물 중 어느 하나 또는 둘 이상을 성장시켜 제 1 방열층을 형성하는 스텝과, 제 1 방열층상에 알루미늄 또는 동 등의 금속 또는 그 합금들 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 성장시켜 제 2 방열층을 형성하는 스텝과, 제 2 방열층상에 보호막을 형성하고, 제 2 방열층을 외부의 방열판에 연결하는 스텝으로 이루어지는데 있다.The organic electroluminescent device manufacturing method according to the present invention is characterized in that the step of sequentially forming a first electrode, an organic light emitting layer, a second electrode on a transparent substrate, any one or two of diamond-like carbon, oxide on the second electrode Growing the above to form a first heat dissipation layer; growing on any one or two of metals such as aluminum or copper or alloys thereof on the first heat dissipation layer to form a second heat dissipation layer; and It comprises a step of forming a protective film on the heat dissipation layer and connecting the second heat dissipation layer to an external heat sink.
상기와 같은 특징을 갖는 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.An organic light emitting display device having the above characteristics and a method of manufacturing the same will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2a 내지 2g는 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조공정을 보여주는 공정단면도로서, 도 2a에 도시된 바와 같이, 투명기판(11)상에 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 다수의 양극(12)을 일정간격으로 형성하고, 도 2b에 도시된 바와 같이, 양극(12)상에 CuPc(copper phthalocyanide)로 이루어진 버퍼층(13)을 형성한다.2A to 2G are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display device according to the present invention. As shown in FIG. 2A, a plurality of anodes 12 formed of indium tin oxide (ITO) on a transparent substrate 11 are shown. ) Is formed at regular intervals, and as shown in FIG. 2B, a buffer layer 13 made of copper phthalocyanide (CuPc) is formed on the anode 12.
이어, 도 2c에 도시된 바와 같이, 버퍼층(13)상에 TPD(N,N'-diphenyl-N-N' -bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)로 이루어진 정공운송층(14)을 형성한 후, 계속하여 정공운송층(14)상에 Alq3(tris(8-hydroxy-quinolate)aluminum)로 이루어진 유기발광층(15)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 2C, TPD (N, N'-diphenyl-NN'-bis (3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine) is used on the buffer layer 13. After the hole transport layer 14 is formed, the organic light emitting layer 15 made of Alq 3 (tris (8-hydroxy-quinolate) aluminum) is subsequently formed on the hole transport layer 14.
그리고, 도 2d에 도시된 바와 같이, 유기발광층(15)상에 알루미늄 또는 알루미늄합금으로 이루어진 다수의 음극(16)들을 양극(12)들에 수직한 방향으로 형성한다음, 도 2e에 도시된 바와 같이, 음극(16)상에 다이아몬드 라이크 카본(diamond-like carbon), 산화알루미늄, 산화규소(SiO2) 중 어느 하나 또는 둘 이상을 적층하여 제 1 방열층(17)을 약 50∼1000nm의 두께로 형성한다.As shown in FIG. 2D, a plurality of cathodes 16 made of aluminum or aluminum alloy are formed on the organic light emitting layer 15 in a direction perpendicular to the anodes 12, and as shown in FIG. 2E. Similarly, one or two or more of diamond-like carbon, aluminum oxide, and silicon oxide (SiO 2 ) are laminated on the cathode 16 to form the first heat dissipation layer 17 having a thickness of about 50 to 1000 nm. To form.
여기서, 제 1 방열층(17) 형성시 다이아몬드 라이크 카본을 사용하는 이유는 다음과 같다.Here, the reason for using diamond-like carbon when forming the first heat dissipation layer 17 is as follows.
일반적으로 다이아몬드는 상온에서 열전도율이 동이나 알루미늄보다 더 우수한데, 다이아몬드 라이크 카본의 경우는 다이아몬드보다는 열전도율이 다소 떨어지지만 유기물이나 대부분의 세라믹보다는 월등한 열전도율을 가지고 있다.In general, diamond has a higher thermal conductivity than copper or aluminum at room temperature. Diamond-like carbon has a lower thermal conductivity than diamond, but has a superior thermal conductivity than organic materials and most ceramics.
다이아몬드 라이크 카본이란 sp3전자구조를 갖는 다이아몬드와 sp2전자구조를 갖는 흑연의 중간 형태의 물질로 제작방법에 따라 다이아몬드와 유사한 특성을 갖도록 만들 수 있다.Diamond-like carbon is an intermediate form of diamond having sp 3 electronic structure and graphite having sp 2 electronic structure. The diamond-like carbon may be made to have diamond-like properties according to the manufacturing method.
다이아몬드 라이크 카본 박막 제조방법은 다이아몬드 박막 제조방법과 기본적으로 유사하며 대부분 화학기상증착법(chemical vapor deposition ; CVD)법을 사용한다.The diamond-like carbon thin film manufacturing method is basically similar to the diamond thin film manufacturing method, and most of them use chemical vapor deposition (CVD).
다이아몬드의 경우는 기판을 고온으로 가열하면서 박막을 형성해야 하므로 유기전계발광소자의 제작에는 사용될 수 없다.In the case of diamond, since a thin film must be formed while heating the substrate at a high temperature, it can not be used for fabricating an organic light emitting display device.
그리고, 다이아몬드 라이크 카본도 일반적으로 기판을 가열하지만은 본 발명에서는 마이크로웨이브 플라즈마 어시스티드 화학기상증착법(microwave plasma assisted CVD), 일렉트론 사이클로트론 리소난스 인헨스드 마이크로웨이브 플라즈마 어시스티드 화학기상증착법(electron cyclotron resonance enhanced microwave plasma assisted CVD), 인덕티브리 커플드 플라즈마 어시스티드 화학기상증착법(inductively coupled plasma assisted CVD) 등과 같이 외부에너지의 주입을 통해 반응성을 높여 기판의 가열없이 다이아몬드 라이크 카본 박막을 성장시켜 제 1 방열층(17)을 제작한다.Diamond-like carbon also generally heats the substrate, but in the present invention, microwave plasma assisted CVD, electron cyclotron-reduced microwave plasma assisted chemical vapor deposition (electron cyclotron resonance enhanced) First heat dissipation layer by growing diamond-like carbon thin film without heating the substrate by increasing reactivity through injection of external energy such as microwave plasma assisted CVD and inductively coupled plasma assisted CVD. Produce 17.
여기서, 반응가스로는 수소를 1∼5% 함유한 메탄가스를 사용하고, 압력은 0.1∼10 Torr, 유속은 10∼1000 sccm이다.Here, as the reaction gas, methane gas containing 1 to 5% of hydrogen is used, the pressure is 0.1 to 10 Torr, and the flow rate is 10 to 1000 sccm.
한편, 금속산화물 중 대표적인 산화알루미늄과 산화규소로 제 1 방열층(17)을 제작하는 경우에는 산소분위기에서 일렉트론 빔 이베포레이션(electron beam evaporation), 알에프 스퍼터 디포지션(RF sputter deposition), 화학기상증착법 등의 방법을 사용한다.On the other hand, when the first heat dissipation layer 17 is made of representative aluminum oxide and silicon oxide among metal oxides, electron beam evaporation, RF sputter deposition, chemical vapor phase in an oxygen atmosphere. A method such as a vapor deposition method is used.
이와 같이 형성되는 제 1 방열층(17)은 열을 방출하는 역할 이외에도 그 하부에 형성된 소자들을 전기적으로 절연시켜주는 역할을 한다.The first heat dissipation layer 17 formed as described above serves to electrically insulate the elements formed below the heat dissipation layer.
이어, 도 2f에 도시된 바와 같이, 서멀 이베포레이션(thermal evaporation), 일렉트론 빔 이베포레이션(electron beam evaporation), 알에프 스퍼터 디포지션(RF sputter deposition) 등의 방법 중 어느 한 방법으로 제 1 방열층(17)상에 알루미늄 또는 동 등의 금속 또는 그 합금들 중 어느 하나 또는 둘 이상을 증착하여 약 50∼1000nm의 두께로 제 2 방열층(18)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 2F, the first heat dissipation may be performed by any one of thermal evaporation, electron beam evaporation, RF sputter deposition, and the like. Any one or two or more of metals such as aluminum or copper or alloys thereof are deposited on the layer 17 to form the second heat dissipation layer 18 to a thickness of about 50 to 1000 nm.
여기서, 제 2 방열층(18)의 역할은 초기에 칩입하는 산소나 수분을 산화반응으로 제거하고 강력한 산화막을 형성하여 새로운 산소 및 수분의 칩입을 막아주는 역할을 한다.Here, the role of the second heat dissipation layer 18 serves to remove oxygen or moisture initially broken by an oxidation reaction and to form a strong oxide film to prevent new oxygen and moisture from entering.
그런데 이 제 2 방열층(18)은 반드시 필요한 것은 아니다.However, this second heat dissipation layer 18 is not necessarily required.
즉, 제 1 방열층(17)의 물질이 어느 것이냐에 따라 제 2 방열층(18)이 필요할 수도 있고 필요하지 않을 수도 있는 것이다.That is, the second heat dissipation layer 18 may or may not be necessary depending on the material of the first heat dissipation layer 17.
그리고, 도 2g에 도시된 바와 같이, 제 2 방열층(18)상에 산소 및 수분의 칩입을 막을 수 있는 고분자 물질로 이루어진 보호막(19)을 형성하고, 제 2 방열층(18)을 소자 외부의 방열판에 연결시켜 소자의 열을 외부로 방출되도록 함으로써, 유기전계발광소자를 제작한다.As shown in FIG. 2G, a protective film 19 made of a polymer material capable of preventing the incorporation of oxygen and moisture on the second heat dissipation layer 18 is formed, and the second heat dissipation layer 18 is formed outside the device. The organic light emitting device is manufactured by connecting the heat sink of the device to radiate heat to the outside.
이때, 제 2 방열층에서 소자 외부의 방열판에 연결되는 부분은 도 3 및 도 4와 같다.At this time, the portion of the second heat dissipation layer connected to the heat sink outside the device is the same as in FIGS. 3 and 4.
도 3은 본 발명에 따른 유기전계발광소자를 보여주는 평면도이고, 도 4는 도 3의 A-A'선상에 따른 단면도로서, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제 2 방열층은 "가"부분을 통해서 패키지에 있는 별도 방열판에 연결되어 소자 내부의 열을 외부로 방출한다.3 is a plan view illustrating an organic light emitting display device according to the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 3, and as shown in FIGS. "Through the part, it connects to a separate heat sink in the package, dissipating heat inside the device to the outside.
여기서, "가"부분은 소자의 방열층과 외부 방열판을 연결해 주는 기능을 갖는 금속판이다.Here, the "a" portion is a metal plate having a function of connecting the heat dissipation layer of the device and the external heat sink.
본 발명에 따른 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.The organic light emitting display device and its manufacturing method according to the present invention have the following effects.
우수한 열전도율을 갖는 물질로 이루어진 방열층을 소자 상부에 형성하고, 이 방열층을 통해 내부의 열을 외부로 방출함으로써, 소자의 방열특성을 향상시키고 외부의 수분 및 산소의 칩입을 방지할 수 있다.By forming a heat dissipation layer made of a material having excellent thermal conductivity on the upper part of the device and dissipating heat inside to the outside through the heat dissipation layer, it is possible to improve the heat dissipation characteristics of the device and to prevent external moisture and oxygen from chipping.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970057682A KR100236011B1 (en) | 1997-11-03 | 1997-11-03 | Organic electroluminescence device and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970057682A KR100236011B1 (en) | 1997-11-03 | 1997-11-03 | Organic electroluminescence device and method for fabricating the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990038057A true KR19990038057A (en) | 1999-06-05 |
| KR100236011B1 KR100236011B1 (en) | 1999-12-15 |
Family
ID=19524034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970057682A KR100236011B1 (en) | 1997-11-03 | 1997-11-03 | Organic electroluminescence device and method for fabricating the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100236011B1 (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020053463A (en) * | 2000-12-27 | 2002-07-05 | 구본준, 론 위라하디락사 | Electroluminescence device |
| KR100437478B1 (en) * | 2000-08-22 | 2004-06-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic Electroluminescence Device with an Improved Heat Radiation Structure |
| KR100617174B1 (en) * | 2001-04-17 | 2006-08-31 | 엘지전자 주식회사 | Organic Electro Luminescence Device |
| KR100765535B1 (en) * | 2000-12-23 | 2007-10-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Electro Luminescence Element |
| KR100832847B1 (en) * | 2007-12-21 | 2008-05-28 | (주)누리셀 | Multi layer for encapsulation comprising a planarizing organic thin layer and a comformal organic thin layer |
| CN112420638A (en) * | 2019-08-22 | 2021-02-26 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | Diamond film copper-clad heat sink and preparation method thereof |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7495390B2 (en) | 2000-12-23 | 2009-02-24 | Lg Display Co., Ltd. | Electro-luminescence device with improved thermal conductivity |
| KR100932523B1 (en) * | 2008-04-23 | 2009-12-17 | 한국전자통신연구원 | Organic electroluminescent device with heat dissipation layer and manufacturing method |
-
1997
- 1997-11-03 KR KR1019970057682A patent/KR100236011B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100437478B1 (en) * | 2000-08-22 | 2004-06-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic Electroluminescence Device with an Improved Heat Radiation Structure |
| KR100765535B1 (en) * | 2000-12-23 | 2007-10-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Electro Luminescence Element |
| KR20020053463A (en) * | 2000-12-27 | 2002-07-05 | 구본준, 론 위라하디락사 | Electroluminescence device |
| KR100617174B1 (en) * | 2001-04-17 | 2006-08-31 | 엘지전자 주식회사 | Organic Electro Luminescence Device |
| KR100832847B1 (en) * | 2007-12-21 | 2008-05-28 | (주)누리셀 | Multi layer for encapsulation comprising a planarizing organic thin layer and a comformal organic thin layer |
| CN112420638A (en) * | 2019-08-22 | 2021-02-26 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | Diamond film copper-clad heat sink and preparation method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100236011B1 (en) | 1999-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7141924B2 (en) | Multi-layer cathode in organic light-emitting devices | |
| RU2672102C2 (en) | Organic electroluminescent device | |
| EP1804308A1 (en) | An organic light emitting device with a plurality of organic electroluminescent units stacked upon each other | |
| JP2003115387A (en) | Organic light emitting element and its manufacturing method | |
| JP2002063985A (en) | Organic electroluminescence element | |
| JP3524711B2 (en) | Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same | |
| EP1978575A2 (en) | Organic light-emitting device including transparent conducting oxide layer as cathode and method of manufacturing the same | |
| KR100236011B1 (en) | Organic electroluminescence device and method for fabricating the same | |
| JP5079967B2 (en) | Plasma encapsulation for electronic and microelectronic structural elements such as OLEDs | |
| JPH10214683A (en) | Organic electroluminescent element | |
| US20120319553A1 (en) | Organic light emitting device with conducting cover | |
| US20040142098A1 (en) | Using compacted organic materials in making white light emitting oleds | |
| JPH08185982A (en) | Organic electroluminescent element | |
| JP3847496B2 (en) | Electronic device and manufacturing method thereof | |
| JP2000012237A (en) | Manufacture of organic electroluminescent display element | |
| JPH10340787A (en) | Organic electroluminescent element and its manufacture | |
| JP4337567B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence element | |
| JPH11242994A (en) | Light emitting element and its manufacture | |
| JP2000208253A (en) | Organic electroluminescent element and manufacture thereof | |
| JPH11329746A (en) | Organic el element | |
| JPH08288068A (en) | Organic electroluminescent element | |
| JP4507305B2 (en) | Organic EL device and method for manufacturing the same | |
| JP2001118675A (en) | Organic electroluminescent element | |
| US20040012025A1 (en) | Anode for organic light emitting diodes | |
| JP2003109753A (en) | Manufacturing method of electroluminescent element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080618 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |