KR19980052471A

KR19980052471A - Manufacturing Method of Semiconductor Device

Info

Publication number: KR19980052471A
Application number: KR1019960071460A
Authority: KR
Inventors: 박종오
Original assignee: 문정환; 엘지반도체 주식회사
Priority date: 1996-12-24
Filing date: 1996-12-24
Publication date: 1998-09-25

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 유기의 BARC (Bottom Anti Reflection Coating)형성시 소자의 단차에 의해 발생하는 불량을 해소하는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method for manufacturing a semiconductor device that eliminates defects caused by step differences in the formation of organic BARC (Bottom Anti Reflection Coating).

이를 위한 본 발명의 반도체 소자의 제조 방법은 단차가 큰 기판상에 제 1 감광막을 형성하는 단계, 상기 제 1 감광막상에 유기의 BARC를 형성하는 단계와 상기 유기의 BARC상에 제 2 감광막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.The method of manufacturing a semiconductor device of the present invention for this purpose is to form a first photosensitive film on a substrate having a large step, forming an organic BARC on the first photosensitive film and forming a second photosensitive film on the organic BARC Characterized in that it comprises a step.

Description

Manufacturing Method of Semiconductor Device

이하 첨부된 도면을 참조하여 반도체 소자의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing a semiconductor device will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1a 내지 도 1b 는 종래 기술에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.1A to 1B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to the prior art.

반도체 소자의 제조 공정에서 유기의 BARC 형성 및 패턴 공정시 도 1a 에서와 같이, 단차가 큰 반도체 기판(11)상에 유기의 BRAC층(12)과 감광막(13)을 차례로 형성한 다음, 상기 감광막(13)을 소정 부위에만 제거되도록 선택적으로 노광 및 현상 한다.In the process of forming an organic BARC and a patterning process in a semiconductor device manufacturing process, as shown in FIG. 1A, an organic BRAC layer 12 and a photoresist layer 13 are sequentially formed on a semiconductor substrate 11 having a large step, and then the photoresist layer is formed. (13) is selectively exposed and developed so as to be removed only at a predetermined site.

도 1b 에서와 같이, 상기 선택적으로 노광 및 현상된 감광막(13)을 마스크로 이용하여 상기 유기의 BARC층(12)을 선택적으로 식각한다.As shown in FIG. 1B, the BARC layer 12 of the organic material is selectively etched using the selectively exposed and developed photosensitive film 13 as a mask.

종래 반도체 소자의 제조 방법은 단차가 큰 소자에 의해 유기의 BARC 형성 공정시 불량이 발생하는 문제점이 있었다.The conventional method of manufacturing a semiconductor device has a problem that a defect occurs in the organic BARC formation process by a device having a large step.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 유기의 BARC 형성전에 버텀(Bottom)감광막을 형성하여 유기의 BARC 형성 공정시 소자의 단차에 의해 발생하는 불량을 해소하고, 얇은 톱 감광막으로 포토(Photo) 공정 마진(Margin)을 크게 하거나 또 유기의 BARC층 대신에 무기의 BARC층을 형성하여 소자의 단차에 의해 발생하는 불량을 해소하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems. A bottom photoresist film is formed before the formation of organic BARC to eliminate defects caused by the step difference of the organic BARC formation process. Photo) It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device which increases the process margin or forms an inorganic BARC layer instead of an organic BARC layer, thereby eliminating defects caused by the step difference of the device.

도 1a 내지 도 1b 는 종래 기술에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도1A to 1B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to the prior art.

도 2a 내지 도 2b 는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도2A through 2B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor device in accordance with an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3b 는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도3A to 3B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor device in accordance with an embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

31 : 반도체 기판32 : 버팀 감광막31 semiconductor substrate 32 support photoresist

33 : 유기의 BARC 층34 : 톱 감광막33: organic BARC layer 34: top photosensitive film

35 : 무기의 BARC 층36 : 감광막35 BARC layer of weapon 36 photosensitive film

본 발명의 반도체 소자의 제조 방법은 단차가 큰 기판상에 제 1 감광막을 형성하는 단계, 상기 제 1 감광막에 유기의 BARC를 형성하는 단계와 상기 유기의 BARC상에 제 2 감광막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.The method of manufacturing a semiconductor device of the present invention includes the steps of forming a first photosensitive film on a substrate having a large step, forming an organic BARC on the first photosensitive film, and forming a second photosensitive film on the organic BARC. It is characterized by including the.

상기와 같은 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, preferred embodiments of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention as described above in detail as follows.

도 2a 내지 도 2b 는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.2A to 2B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor device in accordance with a first embodiment of the present invention.

반도체 소자의 제조 공정에서 유기의 BARC 형성 및 패턴 공정시 도 2 에서와 같이, 단차가 큰 반도체 기판(31)상에 버텀(Bottom)감광막(32), 유기의 BARC층(33)과 상기 버텀 감광막(32)에 비해 두께가 얇은 톱(Top) 감광막(34)을 차례로 형성한 다음, 상기 톱 감광막(13)을 소정 부위에만 제거되도록 선택적으로 노광 및 현상한다. 여기서 상기 버텀 감광막(32)을 고온의 하드 베이크(Hard Bake) 공정을 통하여 딱딱하게 형성하며, 상기 버텀 감광막(32)에 의해 단차가 없는 평탄한 유기의 BARC층(33)을 형성한다.As shown in FIG. 2, the bottom photoresist film 32, the organic BARC layer 33, and the bottom photoresist film are formed on the semiconductor substrate 31 having a large step as shown in FIG. 2. A top photosensitive film 34 having a thickness thinner than that of (32) is sequentially formed, and then the top photosensitive film 13 is selectively exposed and developed so as to be removed only at a predetermined portion. Here, the bottom photoresist layer 32 is hardly formed through a high temperature hard bake process, and the bottom photoresist layer 32 forms a flat organic BARC layer 33 having no step difference.

도 2b 에서와 같이, 상기 선택적으로 노광 및 현상된 톱 감광막(34)을 마스크로 이용하여 상기 유기의 BARC층(33)과 버텀 감광막(32)을 선택적으로 식각한다.As shown in FIG. 2B, the BARC layer 33 and the bottom photoresist 32 are selectively etched using the selectively exposed and developed top photoresist 34 as a mask.

도 3a 내지 도 3b 는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.3A to 3B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor device in accordance with a second embodiment of the present invention.

도 3a 에서와 같이, 단차가 큰 반도체 기판(31)상에 무기의 BARC층(35)과 감광막(36)을 차례로 형성한 다음, 상기 감광막(36)을 소정 부위에만 제거되도록 선택적으로 노광 및 현상한다.As shown in FIG. 3A, an inorganic BARC layer 35 and a photoresist film 36 are sequentially formed on the semiconductor substrate 31 having a large step, and then selectively exposed and developed so that the photoresist film 36 is removed only at a predetermined portion. do.

도 3b 에서와 같이, 상기 선택적으로 노광 및 현상된 감광막(36)을 마스크로 이용하여 상기 무기의 BARC층(35)을 선택적으로 식각한다.As shown in FIG. 3B, the BARC layer 35 of the inorganic material is selectively etched using the selectively exposed and developed photosensitive film 36 as a mask.

본 발명의 반도체 소자의 제조 방법은 유기의 BARC층 대신에 무기의 BARC층을 형성하거나 유기의 BARC 형성전에 버텀 감광막을 형성하여 유기의 BARC 형성 공정시 소자의 단차에 의해 발생하는 불량을 해소하고, 얇은 톱 감광막으로 포토 공정 마진을 크게 하는 효과가 있다.In the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, an inorganic BARC layer is formed in place of the organic BARC layer or a bottom photosensitive film is formed before the organic BARC is formed, thereby eliminating defects caused by the step difference in the organic BARC forming process. The thin top photoresist has the effect of increasing the photo process margin.

Claims

Forming a first photosensitive film on a substrate having a large step;

Forming BARC on the first photoresist film;

And forming a second photoresist film on the BARC and exposing the second photoresist film.

The method of claim 1,

The BARC is a method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that the organic BARC.

The method of claim 1,

The first photosensitive film is a manufacturing method of a semiconductor device, characterized in that formed by the hard bake process at a high temperature.

The method of claim 1,

The second photoresist film is formed thinner than the first photoresist film.

Forming an inorganic BARC on a substrate having a large step;

And forming a photoresist film on the inorganic BARC and exposing the photoresist film.