KR19980037990U - Transmission circuit of 900MHz wireless telephone RF module - Google Patents
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
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Abstract
본 고안은 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로에 관한 것으로, FM 변조부에 의하여 주파수 변조된 음성신호의 발진 주파수를 PLL의 제어전압에 의하여 900㎒ 대역의 주파수로 변한시키는 전압제어 발진부와, 상기 전압제어 발진부의 음성신호를 최대 증폭시켜 공중에 전파시키는 증폭부를 포함하여 이루어진 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로에 있어서, 상기 증폭부는, 상기 전압제어 발진부의 음성신호를 제 2 커패시터를 통하여 인가받음과 동시에 전원단의 전원전압을 제 1 저항에 의하여 바이어스 공급받는 베이스단 및 상기 전원단에 쵸크결합된 제 1 인덕터를 통하여 전원전압을 인가받음과 동시에 제 1 커패시터를 통하여 증폭된 음성신호를 상기 필터부에 출력시키는 컬렉터단 및 접지된 에미터단으로 구성된 고효율 증폭 가능한 트랜지스터로 이루어지기 때문에, 즉, 전압제어 발진부로부터 인가된 음성신호를 최대 10dB 이상의 출력신호로 증폭시키기 위하여 고효율의 증폭도를 갖는 트랜지스터지스터를 사용하기 때문에, 기생진동에 의한 왜곡현상이 방지되어 보다 양질의 음성신호를 출력할 수 있게 된다.The present invention relates to a transmission circuit of a 900MHz radio telephone RF module, comprising: a voltage controlled oscillator for changing an oscillation frequency of a voice signal frequency modulated by an FM modulator into a frequency of 900MHz by a control voltage of a PLL; In the transmitting circuit of the 900MHz radiotelephone RF module comprising an amplifier for amplifying the voice signal of the voltage-controlled oscillator maximum and propagates to the air, the amplifier receives the voice signal of the voltage-controlled oscillator via a second capacitor. At the same time, the filter receives the audio signal amplified through the first capacitor while receiving the power voltage through the base terminal biased by the first resistor and the first inductor choked to the power supply terminal. High efficiency amplifiable transistor composed of collector stage and grounded emitter stage In other words, since transistor transistors having a high amplification degree are used to amplify the voice signal applied from the voltage controlled oscillator to an output signal of 10 dB or more at maximum, distortion caused by parasitic vibration is prevented and a higher quality voice signal is obtained. Can be printed.
Description
본 고안은 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로에 관한 것으로, 특히 전압제어 발진부로부터 인가된 음성신호를 최대 10dB 이상의 출력신호로 증폭시키기 위하여 고효율의 증폭도를 갖는 트랜지스터지스터를 사용하므로써 기생진동에 의한 왜곡현상이 방지되는 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로에 관한 것이다.The present invention relates to a transmitting circuit of a 900MHz wireless telephone RF module. In particular, distortion by parasitic vibration is achieved by using a transistor resistor having a high efficiency amplification to amplify a voice signal applied from a voltage controlled oscillator to an output signal of 10 dB or more. The present invention relates to a transmission circuit of a 900 MHz radiotelephone RF module which is prevented from occurring.
일반적으로 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로는, 주파수 변조된 음성신호를 전압제어 발진부 및 증폭부를 경유하여 900㎒대역의 주파수로 변환 및 증폭시킨 후, 필터부 및 안테나를 통하여 공중에 전자파시키므로써 원거리에 있는 송,수화자간의 정확한 음성신호를 교류할 수 있도록 하는 기능을 수행한다.In general, a transmitting circuit of a 900MHz radiotelephone RF module converts and amplifies a frequency-modulated voice signal into a frequency of 900MHz through a voltage controlled oscillator and an amplifier, and then emits electromagnetic waves to the air through a filter and an antenna. It performs the function of exchanging accurate voice signal between far-distance transmitter and receiver.
상기 기능을 수행하는 종래 기술에 의한 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로를 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to FIG. 1, a transmission circuit of a 900 MHz radiotelephone RF module according to the related art performing the above function is as follows.
도 1은 종래 기술에 따른 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로를 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram showing a transmission circuit of a 900 MHz radiotelephone RF module according to the prior art.
종래 기술에 의한 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로는 도 1에 도시된 바와 같이, 음성신호 입력부(10)의 음성신호를 주파수 변조시키는 FM 변조부(20)와, PLL(Phase Locked Loop)(40)의 제어전압에 의하여 발진 주파수를 900㎒ 대역의 주파수로 변환시키는 전압제어 발진부(30)와, 상기 전압제어 발진부(30)의 음성신호를 10dB 이상의 신호로 증폭시키는 증폭부(50a)와, 상기 증폭부(50a)를 통하여 증폭된 음성신호 중에 포함되어 있는 잡음성분을 제거하여 안테나(70)를 경유하여 공중(空中)에 전파시키는 필터부(60)로 이루어진다.As shown in FIG. 1, the transmitting circuit of the 900 MHz radiotelephone RF module according to the prior art includes an FM modulator 20 for frequency modulating a voice signal of the voice signal input unit 10, and a phase locked loop (PLL) ( A voltage controlled oscillator 30 for converting the oscillation frequency into a frequency in the 900 MHz band by the control voltage of 40; an amplifier 50a for amplifying the audio signal of the voltage controlled oscillator 30 to a signal of 10 dB or more; The filter unit 60 removes noise components included in the voice signal amplified by the amplifying unit 50a and propagates to the air through the antenna 70.
이때, 상기 증폭부(50a)를 도 2를 참조하여 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.In this case, the amplification unit 50a will be described in more detail with reference to FIG. 2 as follows.
도 2는 종래 기술에 따른 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로에 적용되는 증폭부를 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram showing an amplifier applied to the transmission circuit of the 900MHz radiotelephone RF module according to the prior art.
도 2에 도시된 바와 같이 상기 증폭부(50a)는, 상기 PLL(40)의 제어전압에 의하여 발진 주파수를 900㎒ 대역의 주파수로 변환시키는 전압제어 발진부(30)의 음성신호를 7dB 정도 증폭시키는 제 1 증폭기(51a)와, 상기 제 1 증폭기(51a)에 의하여 증폭된 음성신호를 결합용 제 2 커패시터(C)에 통하여 인가받아 다시 3∼4dB 정도로 더 증폭시켜 결국, 10dB 정도의 증폭값으로 최대 증폭시키는 제 2 증폭기(52a)로 이루어진다.As illustrated in FIG. 2, the amplifier 50a amplifies a voice signal of the voltage controlled oscillator 30 that converts the oscillation frequency into a frequency of 900 MHz by the control voltage of the PLL 40. The first amplifier 51a and the voice signal amplified by the first amplifier 51a are applied through the coupling second capacitor C, and amplified again by about 3 to 4 dB, and eventually to an amplification value of about 10 dB. And a second amplifier 52a for maximum amplification.
이때, 상기 제 1 증폭기(51a)의 구성을 보면, 상기 전압제어 발진부(30)의 음성신호를 제 1 트랜지스터(TR1)의 베이스단에 인가시키는 제 1 커패시터(C1)와, 전원단(B+)의 전원전압을 상기 제 1 트랜지스터(TR1)의 컬렉터단에 인가시키도록 바이어스 동작되는 제 1 저항(R1) 및 특정 주파수 이상의 고주파 전류를 저지시키는 제 1 인덕터(L1)와, 에미터단이 접지된 상기 제 1 트랜지스터(TR1)의 베이스단과 컬렉터의 제 1 저항(R1) 및 제 1 인덕터(L1)사이에 접속되어 바이어스 동작되는 제 2 저항(R2)로 이루어진다.At this time, looking at the structure of the first amplifier (51a), a first capacitor (C 1) which is the audio signal of the voltage-controlled oscillation unit 30 to the base of the first transistor (TR 1) and a power stage ( a power supply voltage of B +) and a first inductor (L 1) for blocking the first transistor (a first resistor (R 1) and a high-frequency current over a certain frequency bias operable to be applied to the collector terminal of the TR 1), A second resistor R 2 is biased by being connected between the base terminal of the first transistor TR 1 having an emitter terminal grounded and the first resistor R 1 and the first inductor L 1 of the collector.
또한, 상기 제 2 증폭기(52a)는, 상기 제 1 증폭기(51a)에 의하여 1차 증폭된 음성신호를 제 2 커패시터(C2)를 통하여 베이스단에 인가받아 2차 증폭시키는 에미터단이 접지된 제 2 트랜지스터(TR2)의 컬렉터단에 상기 전원담(B+)의 전원전압이 인가되도록 바이어스 동작되는 제 3 저항(R3) 및 특정 주파수 이상의 고주파 전류를 저지시키는 제 1 인덕터(L1)와, 상기 제 2 트랜지스터(TR2)의 베이스단과 컬렉터의 제 3 저항(R3) 및 제 2 인덕터(L2) 사이에 접속되어 바이어스 동작되는 제 4 저항(R4)과, 상기 제 2 트랜지스터(TR2)에 의하여 증폭된 음성신호를 상기 필터부(60)에 출력시키는 제 3 커패시터(C3)로 이루어진다.In addition, the second amplifier 52a has an emitter stage for receiving the first amplified voice signal amplified by the first amplifier 51a to the base terminal through a second capacitor C 2 and amplifying the secondary stage. The third resistor R 3 is biased to apply the power voltage of the power fence B + to the collector terminal of the second transistor TR 2 , and the first inductor L 1 which blocks a high frequency current of a specific frequency or more. And a fourth resistor R 4 connected and biased between the base end of the second transistor TR 2 , the third resistor R 3 of the collector and the second inductor L 2 , and the second transistor. And a third capacitor C 3 for outputting the voice signal amplified by TR 2 to the filter unit 60.
상기 구성으로 이루어진 종래 기술에 의한 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로의 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the transmission circuit of the 900MHz radiotelephone RF module according to the prior art having the above configuration is as follows.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 음성신호 입력부(10)로부터 음성신호가 인가되면 FM 변조부(20)에서는 상기 음성신호를 주파수 변조시켜 전압제어 발진부(30)에 공급하게 되고, 상기 전압제어 발진부(30)에서는 PLL(40)의 제어전압에 의하여 발진 주파수를 900㎒ 대역의 주파수로 변환시켜 증폭부(50a)에 인가시키게 된다.First, as shown in FIG. 1, when a voice signal is applied from the voice signal input unit 10, the FM modulator 20 modulates the voice signal and supplies the frequency signal to the voltage controlled oscillator 30. The oscillator 30 converts the oscillation frequency into a frequency in the 900 MHz band by the control voltage of the PLL 40 and applies it to the amplifier 50a.
이때, 상기 증폭부(50a)에서는 상기 전압제어 발진부(30)로부터 인가된 음성신호를 10dB 이상의 신호로 증폭시켜 필터부(60)의 필터링 과정을 거쳐 안테나(70)를 통하여 공중에 전파시키게 된다.At this time, the amplifier 50a amplifies the voice signal applied from the voltage controlled oscillator 30 to a signal of 10dB or more and propagates to the air through the antenna 70 through the filtering process of the filter 60.
여기서, 상기 증폭부(50a)의 증폭동작을 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.Here, the amplification operation of the amplifier 50a will be described in more detail as follows.
도 2에 도시된 바와 같이, PLL(40)의 제어전압에 의하여 발진 주파수를 900㎒ 대역의 주파수로 변환시키는 전압제어 발진부(30)로부터 음성신호가 인가되면, 먼저 제 1 증폭기(51a)에서 상기 음성신호를 7dB 정도의 값으로 증폭시켜 제 2 증폭기(52a)에 출력하게 되고, 다시 제 2 증폭기(52a)에서는 상기 제 1 증폭기(51a)에서 1차 증폭된 음성신호를 3∼4dB 정도로 더 증폭시켜, 결국 10dB 정도의 원하는 증폭값으로 음성신호를 2차 증폭시켜 필터부(60) 및 안테나(70)를 경유하여 공중에 전파시키게 된다.As shown in FIG. 2, when a voice signal is applied from the voltage controlled oscillator 30 for converting the oscillation frequency into a frequency of 900 MHz by the control voltage of the PLL 40, first, the first amplifier 51a performs the above-mentioned audio signal. The audio signal is amplified to a value of about 7 dB and output to the second amplifier 52a. The second amplifier 52a further amplifies the audio signal primarily amplified by the first amplifier 51a by about 3 to 4 dB. As a result, the audio signal is secondarily amplified to a desired amplification value of about 10 dB and propagated to the air via the filter unit 60 and the antenna 70.
즉, 상기 제 1 증폭기(51a)는 제 1 저항(R1) 및 제 2 저항(R2)의 바이어스 동작에 의하여 연동되는 제 1 트랜지스터(TR1)에 의하여 상기 전압제어 발진부(30)로부터 인가된 음성신호를 7dB 정도의 증폭값으로 1차 증폭시키고, 상기 제 2 증폭기(52a)는 결합용 제 2 커패시터(C2)를 통하여 인가된 상기 제 1 증폭기(51a)를 통하여 증폭된 음성신호를 다시 제 3 저항(R3) 및 제 4 저항(R4)의 바이어스 동작에 의해 연동되는 제 2 트랜지스터(TR2)에 의하여 3∼4 정도의 증폭값으로 추가 증폭시켜, 결국 10dB 정도의 증폭값으로 필터부(60) 및 안테나(70)를 거쳐 공중에 전파시키게 되는 것이다.That is, the first amplifier 51a is applied from the voltage controlled oscillator 30 by the first transistor TR 1 interlocked by a bias operation of the first resistor R 1 and the second resistor R 2 . The amplified voice signal is first amplified to an amplification value of about 7 dB, and the second amplifier 52a receives the amplified voice signal through the first amplifier 51a applied through the coupling second capacitor C 2 . The second transistor TR 2 , which is interlocked by the biasing operation of the third resistor R 3 and the fourth resistor R 4 , further amplifies the signal to an amplification value of about 3 to 4, resulting in an amplification of about 10 dB. This is to propagate to the air through the filter unit 60 and the antenna 70.
그런데, 상기 구성 및 동작을 이루는 종래 기술에 의한 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로는, 전압제어 발진부(30)로부터 인가된 음성신호를 최대 10dB 이상의 출력신호로 증폭시키기 위하여 증폭부(50a)의 구성을 제 1 트랜지스터(TR1) 및 제 2 트랜지스터(TR2)와 같이 다단으로 구성하기 때문에, 전류 소모가 현저히 증가하고, 더불어 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터(TR1),(TR2)와 같은 증폭기의 다단 구성으로 인한 점유공간이 더욱 넓어지게 되어 제품의 소형화를 이룰 수 없게 되는 단점이 있었다.By the way, the transmission circuit of the 900MHz radiotelephone RF module according to the prior art, which achieves the above-described configuration and operation, is used in order to amplify the audio signal applied from the voltage controlled oscillator 30 to an output signal of 10dB or more at most. Since the configuration is configured in multiple stages like the first transistor TR 1 and the second transistor TR 2 , the current consumption is significantly increased, and the first and second transistors TR 1 , TR 2 and Due to the multi-stage configuration of the same amplifier, the occupied space becomes wider, which makes it impossible to achieve miniaturization of the product.
또한, 제 1 증폭기(51a) 및 제 2 증폭기(52a)에 의한 다단 증폭에 의하여 음성신호를 원하는 증폭값으로 증폭할 수는 있지만 트랜지스터의 성질상 증폭시에 왜곡현상이 발생하기 때문에 기생성분(spurious response)이 -20dB 이상으로 커지게 되는 커다란 문제점이 있었다. 여기서, 상기 기생성분의 왜곡현상은 트랜지스터의 증폭횟수가 많을수록 더욱 악화되는 것을 알 수 있다.In addition, although the audio signal can be amplified to a desired amplification value by the multi-stage amplification by the first amplifier 51a and the second amplifier 52a, the parasitic component is spurious because distortion occurs during amplification due to the nature of the transistor. There was a big problem that the response became larger than -20dB. Here, it can be seen that the distortion phenomenon of the parasitic component is worsened as the number of times of amplification of the transistor increases.
그리고, 상기 기생성분의 왜곡신호가 음성신호와 함께 증폭되어 출력되므로 인하여 결국 증폭부(50a)에 의한 음성신호의 출력 파형이 깨끗하게 출력되지 못하게 되어 송신출력의 왜곡현상이 빈번히 발생되는 문제점이 있었다.In addition, since the distortion signal of the parasitic component is amplified and output together with the voice signal, the output waveform of the voice signal by the amplifying unit 50a cannot be cleanly output, resulting in frequent distortion of the transmission output.
이에, 본 고안은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 그 목적으로 하는 바는 FM 변조부 및 전압제어 발진부로부터 인가된 음성신호를 최대의 출력신호로 증폭시키기 위하여 고효율의 증폭도를 갖는 트랜지스터지스터를 사용하므로써 최적의 음성신호를 전파할 수 있는 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and the object of the present invention is to provide a transistor resistor having a high efficiency amplification degree to amplify the voice signal applied from the FM modulator and the voltage controlled oscillator to the maximum output signal. The present invention provides a transmitting circuit of a 900MHz radio telephone RF module capable of propagating an optimal voice signal.
도 1은 종래 기술에 따른 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로를 나타내는 블록도.1 is a block diagram showing a transmission circuit of a 900 MHz radiotelephone RF module according to the prior art.
도 2는 종래 기술에 따른 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로에 적용되는 증폭부를 나타내는 회로도.Figure 2 is a circuit diagram showing an amplifier applied to the transmission circuit of the 900MHz radiotelephone RF module according to the prior art.
도 3은 본 고안에 따른 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로를 나타내는 블록도.Figure 3 is a block diagram showing a transmission circuit of the 900MHz radiotelephone RF module according to the present invention.
도 4는 본 고안에 따른 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로에 적용되는 증폭부를 나타내는 회로도.Figure 4 is a circuit diagram showing an amplifier applied to the transmission circuit of the 900MHz radiotelephone RF module according to the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10: 음성신호 입력부20: FM 변조부10: audio signal input unit 20: FM modulator
30: 전압제어 발진부40: PLL30: voltage controlled oscillator 40: PLL
50: 증폭부60: 필터부50: amplifier 60: filter
70: 안테나B+: 전원단70: antenna B + : power supply
C1: 제 1 커패시터C2: 제 2 커패시터C 1 : first capacitor C 2 : second capacitor
C3: 제 3 커패시터L1: 제 1 인덕터C 3 : third capacitor L 1 : first inductor
L2: 제 2 인덕터L3: 제 3 인덕터L 2 : second inductor L 3 : third inductor
R1: 제 1 저항TR: 트랜지스터R 1 : first resistor TR: transistor
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안에 따른 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로는, FM 변조부에 의하여 주파수 변조된 음성신호의 발진 주파수를 PLL의 제어전압에 의하여 900㎒ 대역의 주파수로 변환시키는 전압제어 발진부와, 상기 전압제어 발진부의 음성신호를 최대 증폭시켜 공중에 전파시키는 증폭부를 포함하여 이루어진 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로에 있어서, 상기 증폭부는, 상기 전압제어 발진부의 음성신호를 제 2 커패시터를 통하여 인가받음과 동시에 전원단의 전원전압을 제 1 저항에 의하여 바이어스 공급받는 베이스단 및 상기 전원단에 쵸크결합된 제 1 인덕터를 통하여 전원전압을 인가받음과 동시에 제 1 커패시터를 통하여 증폭된 음성신호를 상기 필터부에 출력시키는 컬렉터단 및 접지된 에미터단으로 구성된 고효율 증폭 가능한 트랜지스터로 이루어진다.Transmission circuit of the 900MHz radiotelephone RF module according to the present invention for achieving the above object is a voltage for converting the oscillation frequency of the voice signal frequency-modulated by the FM modulator to a frequency of 900MHz band by the control voltage of the PLL A transmitting circuit of a 900 MHz radiotelephone RF module comprising a control oscillator and an amplifying unit configured to amplify a voice signal of the voltage controlled oscillator and to propagate it in the air. A power supply voltage is amplified through the first capacitor and the power supply voltage is applied through the base terminal biased by the first resistor and the first inductor choked to the power supply terminal while being applied through the capacitor. High efficiency amplification unit consisting of a collector stage and a grounded emitter stage for outputting a voice signal to the filter unit It composed of a transistor.
따라서, 상기 구성에 의한 본 고안에 따른 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로는, 전압제어 발진부로부터 인가된 음성신호를 최대 10dB 이상의 출력신호로 증폭시키기 위하여 고효율의 증폭도를 갖는 트랜지스터지스터를 사용하므로써 기생진동에 의한 왜곡현상이 방지되어 보다 양질의 음성신호를 출력할 수 있게 된다.Therefore, the transmission circuit of the 900MHz radiotelephone RF module according to the present invention has the parasitic characteristics by using transistor transistors having a high efficiency of amplification in order to amplify the voice signal applied from the voltage controlled oscillator to an output signal of 10dB or more. Distortion caused by vibration is prevented, so that a higher quality audio signal can be output.
상기 구성에 더하여, 상기 트랜지스터의 증폭효율을 극대화시키기 위하여 임피던스를 정합시키는 상기 트랜지스터의 베이스단에 직렬 접속된 제 2 인덕터 및 병렬 접속된 제 3 커패시터를 더 포함하여 이루어진다.In addition to the above configuration, a second inductor connected in series and a third capacitor connected in parallel to the base terminal of the transistor for matching impedance are further included to maximize the amplification efficiency of the transistor.
상기 구성에 더하여, 상기 트랜지스터 컬렉터단 및 제 1 커패시터 사이에 접속되어 임피던스를 정합시키므로써 증폭효율을 극대화시켜주는 제 3 인덕터를 더 포함하여 이루어진다.In addition to the above configuration, the transistor further comprises a third inductor connected between the transistor collector stage and the first capacitor to maximize the amplification efficiency by matching impedance.
따라서, 상기 구성에 의한 본 고안에 따른 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로는, 트랜지스터의 베이스단 및 컬렉터단에 각각 접속된 제 2 인덕터 및 제 3 인덕터 그리고 제 3 커패시터에 의하여 임피던스가 상호 정합되어 증폭효율이 극대화될 수 있게 되므로써 상기 트랜지스터의 증폭값이 더욱 높아지게 된다.Therefore, in the transmission circuit of the 900MHz radiotelephone RF module according to the present invention, the impedance is matched to each other by the second inductor, the third inductor, and the third capacitor connected to the base and collector terminals of the transistor. As the amplification efficiency can be maximized, the amplification value of the transistor is further increased.
[실시예]EXAMPLE
이하, 본 고안에 따른 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로의 바람직한 실시예를 도 3 및 도 4를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of a transmission circuit of a 900 MHz radiotelephone RF module according to the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4.
도 3은 본 고안에 따른 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로를 나타내는 블록도이고, 도 4는 본 고안에 따른 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로에 적용되는 증폭부를 나타내는 회로도이다.Figure 3 is a block diagram showing a transmission circuit of the 900MHz radiotelephone RF module according to the present invention, Figure 4 is a circuit diagram showing an amplifier applied to the transmission circuit of the 900MHz radiotelephone RF module according to the present invention.
본 고안에 따른 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로는 도 3에 도시된 바와 같이, 음성신호 입력부(10)의 음성신호를 주파수 변조시키는 FM 변조부(20)와, PLL(40)의 제어전압에 의하여 발진 주파수를 900㎒ 대역의 주파수로 변환시키는 전압제어 발진부(30)와, 상기 전압제어 발진부(30)의 음성신호를 최대 증포시키는 증폭부(50)와, 상기 증폭부(50)를 통하여 증폭된 음성신호 중에 포함되어 있는 고주파 성분을 제거하여 안테나(70)를 통하여 공중에 전파시키는 필터부(60)로 이루어진다.As shown in FIG. 3, the transmitting circuit of the 900 MHz radiotelephone RF module according to the present invention includes an FM modulator 20 for frequency modulating a voice signal of the voice signal input unit 10 and a control voltage of the PLL 40. The voltage controlled oscillator 30 converts the oscillation frequency into a frequency in the 900 MHz band, an amplifier 50 for amplifying the audio signal of the voltage controlled oscillator 30, and the amplifier 50. The filter unit 60 removes high frequency components included in the amplified voice signal and propagates to the air through the antenna 70.
이때, 상기 증폭부(5)는 도 4에 도시된 바와 같이, 베이스단에 상기 전압제어 발진부(30)의 음성신호를 제 2 커패시터(C2)를 통하여 인가받아 최대 증폭시킨 후, 컬렉터단에 접속된 제 1 커패시터(C1)를 통하여 상기 필터부(60) 및 안테나(70)를 경유하게 공중에 전파시키는 고효율 증폭 가능한 트랜지스터(TR)로 이루어진다.In this case, as shown in FIG. 4, the amplifier 5 receives the voice signal of the voltage controlled oscillator 30 at the base terminal through the second capacitor C 2 , and amplifies the amplifier signal to the collector stage. A high efficiency amplifiable transistor TR propagates to the air via the filter unit 60 and the antenna 70 through the first capacitor C 1 connected thereto.
이때, 상기 트랜지스터(TR)의 베이스단에는 전원단(B+)의 전원전압을 바이어스 공급하는 제 1 저항(R1)이 접속되고, 컬렉터단에는 상기 전원단(B+)의 전원전압 중에 포함된 특정 주파수 이상의 고주파 전류를 차단시켜 전원전압을 공급하는 제 1 인덕터(L1)가 접속되어 이루어진다.In this case, a first resistor R 1 for biasing and supplying the power supply voltage of the power supply terminal B + is connected to the base terminal of the transistor TR, and the collector terminal is included in the power supply voltage of the power supply terminal B + . The first inductor (L 1 ) for supplying a power supply voltage by cutting a high frequency current of a predetermined frequency or more is connected.
또한, 임피던스를 정합시켜 증폭효율이 극대화되도록 상기 트랜지스터(TR)의 베이스단에는 제 2 인덕터(L2)가 직렬 접속됨과 동시에 제 3 커패시터(C3)가 병렬 접속되고, 상기 트랜지스터(TR)의 컬렉터단 및 제 1 커패시터(C1) 사이에는 제 3 인덕터(L3)가 직렬 접속되어 이루어진다.In addition, a second inductor L 2 is connected in series and a third capacitor C 3 is connected in parallel to the base terminal of the transistor TR to match impedance to maximize the amplification efficiency. A third inductor L 3 is connected in series between the collector stage and the first capacitor C 1 .
상기 구성으로 이루어진 본 고안에 의한 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로의 동작 및 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation and operation of the transmitting circuit of the 900MHz wireless telephone RF module according to the present invention made up of the above configuration.
먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, 음성신호 입력부(10)로부터 음성신호가 인가되면 FM 변조부(20)에서는 상기 음성신호를 주파수 변조시켜 전압제어 발진부(30)에 공급하게 되고, 그 후 상기 전압제어 발진부(30)에서는 PLL(40)의 제어전압에 의하여 발진 주파수를 900㎒ 대역의 주파수로 변환시켜 증포부(50)에 인가하게 된다.First, as shown in FIG. 3, when a voice signal is applied from the voice signal input unit 10, the FM modulator 20 modulates the voice signal and supplies the frequency signal to the voltage controlled oscillator 30. The voltage controlled oscillator 30 converts the oscillation frequency into a frequency in the 900 MHz band by the control voltage of the PLL 40 and applies it to the amplifier 50.
이때, 상기 증폭부(50)에서는 높은 증폭도를 갖는 고효율의 트랜지스터(TR)를 사용하기 때문에 전압제어 발진부(30)로부터 인가된 음성신호를 최대 10dB 이상의 신호로 증폭시켜 필터부(60) 및 안테나(70)를 경유하여 공중에 전파시킬 수 있게 된다.At this time, since the amplifier 50 uses a high-efficiency transistor TR having a high amplification degree, the amplified voice signal from the voltage controlled oscillator 30 is amplified to a signal of at least 10 dB or more, and the filter unit 60 and the antenna ( It is possible to propagate to the air via 70).
여기서, 상기 증폭부(50)의 증폭동작을 더욱 상세하게 설명하면, 도 4에 도시된 바와 같이 제 2 커패시터(C2)를 통하여 전압제어 발진부(30)의 음성신호가 인가되면, 임피던스를 정합시켜 증폭 효율을 극대화시키는 제 2 인덕터(L2) 및 제 3 인덕터(L3) 그리고 제 3 커패시터(C3)에 의해 연동되는 고효율 증폭 가능한 트랜지스터(TR)에 의하여 상기 음성신호가 최대 증폭되어, 즉 상기 음성신호의 증폭값이 10dB 이상의 값으로 증폭되어 필터부(60) 및 안테나(70)를 거쳐 공중에 전파되게 된다.Here, the amplification operation of the amplifier 50 will be described in more detail. When the audio signal of the voltage controlled oscillator 30 is applied through the second capacitor C 2 as shown in FIG. 4, the impedance is matched. The amplification efficiency is maximized by the high efficiency amplifiable transistor TR interlocked by the second inductor (L 2 ), the third inductor (L 3 ) and the third capacitor (C 3 ) to maximize the amplification efficiency, That is, the amplified value of the voice signal is amplified to a value of 10 dB or more and propagated to the air through the filter unit 60 and the antenna 70.
이상에서와 같이 본 고안에 따른 900㎒ 무선전화기 RF 모듈의 송신회로는, 전압제어 발진부(30)로부터 인가된 음성신호를 최대 10dB 이상의 출력신호로 증폭시키기 위하여 고효율의 증폭도를 갖는 트랜지스터(TR)지스터를 사용하므로써 기생진동에 의해 왜곡현상이 방지됨과 동시에 소비전류가 감소되고, 더불어 제품의 소형화에 기여할 수 있게 되는 유용한 효과가 있다.As described above, the transmitting circuit of the 900 MHz radiotelephone RF module according to the present invention is a transistor (TR) resistor having a high amplification degree in order to amplify the voice signal applied from the voltage controlled oscillator 30 to an output signal of 10 dB or more. By using, parasitic vibration prevents distortion and at the same time consumption current is reduced, and there is a useful effect that can contribute to the miniaturization of the product.
또한, 고효율의 증폭도를 갖는 트랜지스터(TR)를 사용하기 때문에 기생성분의 왜곡신호를 방지할 수 있으므로써 보다 양질의 음성신호를 출력할 수 있게 되는 탁월한 효과가 있다.In addition, since the transistor TR having a high efficiency of amplification degree is used, the distortion signal of the parasitic component can be prevented, so that an excellent sound signal can be output.
한편, 트랜지스터(TR)의 베이스단 및 커렉터단에 각각 접속된 제 2 인덕터(L2) 및 제 3 인덕터(L3) 그리고 제 3 커패시터(C3)를 이용하여 임피던스를 상호 정합시켜 증폭효율을 높일 수 있게 되므로써 상기 트랜지스터(TR)의 증폭값이 더욱 극대화될 수 있는 유용한 효과가 있다.On the other hand, amplification efficiency is achieved by matching impedances using the second inductor L 2 , the third inductor L 3 , and the third capacitor C 3 connected to the base and collector terminals of the transistor TR, respectively. As can be increased, there is a useful effect that the amplification value of the transistor TR can be further maximized.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960051042U KR19980037990U (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Transmission circuit of 900MHz wireless telephone RF module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960051042U KR19980037990U (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Transmission circuit of 900MHz wireless telephone RF module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980037990U true KR19980037990U (en) | 1998-09-15 |
Family
ID=53991413
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019960051042U KR19980037990U (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Transmission circuit of 900MHz wireless telephone RF module |
Country Status (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR19980037990U (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100514679B1 (en) * | 1998-11-18 | 2005-12-06 | 주식회사 팬택앤큐리텔 | RF terminal module structure of mobile communication terminal |
| WO2017131414A1 (en) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 주식회사 엘지화학 | Battery cell and method for manufacturing battery cell |
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