KR102527739B1 - Etching liquid composition and etching method - Google Patents
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Abstract
[과제]
본 발명의 과제는 Qz 기판에 손상을 주지 않고 MoSi 막을 선택적으로 에칭할 수 있는 에칭액 조성물 및 상기 에칭액 조성물을 이용한 에칭 방법을 제공하는 것이다.
[해결수단]
불소 화합물을 3.5 중량% 미만, 물 및 요오드 함유 산화제를 포함하는, MoSi 막을 에칭처리하기 위한 에칭액 조성물.[assignment]
An object of the present invention is to provide an etchant composition capable of selectively etching a MoSi film without damaging a Qz substrate and an etching method using the etchant composition.
[Solution]
An etchant composition for etching a MoSi film, comprising less than 3.5% by weight of a fluorine compound, water and an oxidizing agent containing iodine.
Description
본 발명은 MoSi 막을 에칭 처리하기 위한 에칭 조성물, 및 상기 에칭 조성물을 이용한 에칭 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an etching composition for etching a MoSi film, and an etching method using the etching composition.
MoSi 막은 FPD 포토 마스크(photomask)에 사용되는 투과막 재료이다. MoSi 막의 패터닝에서는, 도 1에 기재된 대로 MoSi 층의 차광막인 Cr 층에 손상을 주지 않도록 MoSi 막을 에칭할 필요가 있다.A MoSi film is a transmissive film material used in FPD photomasks. In patterning the MoSi film, it is necessary to etch the MoSi film so as not to damage the Cr layer, which is the light-shielding film of the MoSi layer, as shown in FIG.
MoSi 막의 패터닝에 있어서 고해상도 패턴은 성막(film formation) 불량, 패터닝 불량의 발생률이 높다. Qz 기판은 고가이기 때문에, MoSi 에칭액을 이용한 기판의 재작업(rework)이 이루어진다. 그러나 이러한 재작업시 기존의 약액을 이용한 처리는 도 2에 기재된 대로 Qz 기판에 손상이 크다는 문제가 있다.In the patterning of the MoSi film, the high-resolution pattern has a high incidence of film formation defects and patterning defects. Since the Qz substrate is expensive, rework of the substrate using a MoSi etchant is done. However, in the case of such rework, the treatment using the conventional chemical solution has a problem in that the Qz substrate is greatly damaged as described in FIG. 2 .
상기 과제를 해결하기 위해, Qz 기판에 손상이 적고, MoSi 막을 선택적으로 제거할 수 있는 에칭액 조성물이 요구되고 있다.In order to solve the above problems, there is a need for an etchant composition capable of selectively removing the MoSi film with little damage to the Qz substrate.
특허문헌 1에는 포토 레지스트 마스크(photo resist mask)로 사용할 수 있는 실리콘 식각제(silicon etchants)가 개시되어 있다. 상기 식각제는, 불화물(fluoride ion) 및 산소 원자 소스를 갖는, pH가 6~8.2의 수용액이다.Patent Document 1 discloses silicon etchants that can be used as a photo resist mask. The etchant is an aqueous solution having a fluoride ion and an oxygen atom source and having a pH of 6 to 8.2.
특허문헌 2에는 옥소산(oxo acid)을 포함하고 pH가 2.5 이상의 수용액으로 이루어진 에칭액이 개시되어 있다. 상기 에칭액은, 몰리브덴(molybdenum), 실리콘, 알루미늄을 에칭하는데 적합하다. 또한 옥소산으로써 과요오드산(periodic acid)을 이용한 경우에 있어서, 암모니아수를 첨가하지 않은 경우, 부산물인 요오드가 생성되는 문제가 발생하는 반면, 암모니아수를 첨가하여 pH를 2.7 이상으로 함으로써 요오드의 생성을 억제할 수 있다는 것이 기재되어 있다.Patent Document 2 discloses an etchant comprising an aqueous solution containing oxo acid and having a pH of 2.5 or more. The etchant is suitable for etching molybdenum, silicon, and aluminum. In addition, in the case of using periodic acid as the iodine acid, if ammonia water is not added, a problem of iodine as a by-product is generated, whereas by adding ammonia water to set the pH to 2.7 or higher, the production of iodine is prevented. It has been reported that it can be inhibited.
또한, 특허문헌 3에는 오르토 과요오드산(Orthoperiodic acid) 및 물을 포함하는, 반도체 기판상의 텅스텐(tungsten) 금속 제거액이 개시되어 있다. 상기 제거액은 오르토 과요오드산에 불화 수소산(hydrofluoric acid)의 함량을 조절하여 첨가함으로써, Si 및 산화 규소(silicon oxide), 질화 티타늄(titanium nitride)에 대한 용해를 억제하고 텅스텐만을 선택적으로 제거한다는 것이 기재되어 있다.In addition, Patent Document 3 discloses a tungsten metal removal solution on a semiconductor substrate containing orthoperiodic acid and water. The removal liquid suppresses the dissolution of Si, silicon oxide, and titanium nitride and selectively removes only tungsten by adding the content of hydrofluoric acid to ortho periodic acid by adjusting the content. are listed.
특허문헌 4에는 MoSi 막을 습식 에칭하기 위해 사용되는 에칭액이 기재되어 있으며, 상기 에칭액으로는 불화 수소산, 불화 규소 수소산(H2SiF6= silicofluoric acid= hydrofluorsilicic acid= hexafluorosilicic acid), 불화 수소 암모늄(NH4HF2= ammonium hydrogen fluoride= ammonium bifluoride)으로부터 선택되는 적어도 하나의 불소 화합물과, 과산화수소, 질산, 황산으로부터 선택되는 적어도 하나의 산화제를 포함하는 에칭액을 이용하는 것이 기재되어 있다.Patent Document 4 describes an etchant used for wet etching a MoSi film, and the etchant includes hydrofluoric acid, hydrofluoric silicon hydrofluoric acid (H 2 SiF 6 = silicofluoric acid = hydrofluorsilicic acid = hexafluorosilicic acid), ammonium hydrogen fluoride (NH 4 It is described that an etching solution containing at least one fluorine compound selected from HF 2 = ammonium hydrogen fluoride = ammonium bifluoride and at least one oxidizing agent selected from hydrogen peroxide, nitric acid, and sulfuric acid is used.
본 발명의 과제는 Qz 기판에 손상을 주지 않고 MoSi 막을 에칭할 수 있는 에칭액 조성물을 제공하는 것, 즉 바람직하게는 MoSi 막의 실온에서 에칭 속도가 1.5 nm/min 이상이며, Qz 기판의 실온에서 에칭 속도가 0.5 nm/분 이하이며, MoSi 막:Qz 기판의 에칭 선택비(etching selectivity)가 10:1 이상인 에칭액 조성물을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 다른 과제는 에칭이 균일하고, 또한 차광막인 Cr에의 손상이 없는 에칭액 조성물을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an etchant composition capable of etching a MoSi film without damaging the Qz substrate, that is, the etching rate of the MoSi film at room temperature is preferably 1.5 nm/min or more, and the etching rate of the Qz substrate at room temperature is 0.5 nm/min or less, and the etching selectivity of the MoSi film:Qz substrate is 10:1 or more. Another object of the present invention is to provide an etchant composition in which etching is uniform and there is no damage to Cr, which is a light-shielding film.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위한 검토를 실시하는 가운데, 종래의 약액에 의한 처리는 Qz 기판에의 손상이 크다는 문제에 직면했다. 이러한 문제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 산화제로써 요오드 함유 산화제를 이용한 에칭액을 이용한 경우, Qz 기판에 손상이 적고 MoSi 막을 선택적으로 에칭할 수 있는 것을 발견하고 더욱 연구를 진행한 결과, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.While the inventors of the present invention conducted examinations to solve the above problems, they encountered a problem that damage to the Qz substrate was great in the conventional treatment with a chemical liquid. As a result of repeated studies to solve this problem, it was found that when an etchant using an iodine-containing oxidant as an oxidizing agent was used, the MoSi film could be selectively etched with little damage to the Qz substrate, and as a result of further research, this came to complete the invention.
즉, 본 발명은 다음에 관한 것이다.That is, the present invention relates to the following.
[1] 불소 화합물을 3.5 중량% 미만, 물 및 요오드 함유 산화제를 포함하는, MoSi 막을 에칭 처리하기 위한 에칭액 조성물.[1] An etchant composition for etching a MoSi film, containing less than 3.5% by weight of a fluorine compound, water and an oxidizing agent containing iodine.
[2] pH가 2.5 미만인, [1]에 기재된 에칭액 조성물.[2] The etchant composition according to [1], wherein the pH is less than 2.5.
[3] 불소 화합물이 불화 수소(hydrogen fluoride), 불화 암모늄(ammonium fluoride), 이불화수소암모늄(ammonium hydrogen difluoride, NH4HF2) 인, [1] 또는 [2]에 기재된 에칭액 조성물.[3] The etchant composition according to [1] or [2], wherein the fluorine compound is hydrogen fluoride, ammonium fluoride, or ammonium hydrogen difluoride (NH 4 HF 2 ).
[4] 산을 더 포함하는, [1]~[3] 중 어느 한 항에 기재된 에칭액 조성물.[4] The etchant composition according to any one of [1] to [3], further containing an acid.
[5] 산이, 황산, 인산, 메탄 술폰산(methanesulfonic acid) 또는 질산인, [4]에 기재된 에칭액 조성물.[5] The etchant composition according to [4], wherein the acid is sulfuric acid, phosphoric acid, methanesulfonic acid, or nitric acid.
[6] 요오드 함유 산화제가 요오드산 또는 과요오드산(periodic acid)인, [1]~[5] 중 어느 한 항에 기재된 에칭액 조성물.[6] The etchant composition according to any one of [1] to [5], wherein the iodine-containing oxidizing agent is iodic acid or periodic acid.
[7] 요오드 함유 산화제가 오르토 과요오드산 (orthoperiodic acid)인, [1]~[6] 중 어느 한 항에 기재된 에칭액 조성물.[7] The etchant composition according to any one of [1] to [6], wherein the iodine-containing oxidizing agent is orthoperiodic acid.
[8] 요오드 함유 산화제의 함량이 0.2~25 중량%인, [1]~[7] 중 어느 한 항에 기재된 에칭액 조성물.[8] The etchant composition according to any one of [1] to [7], wherein the content of the iodine-containing oxidizing agent is 0.2 to 25% by weight.
[9] 요오드 함유 산화제의 함량이 5 중량% 미만인, [1]~[8] 중 어느 한 항에 기재된 에칭액 조성물.[9] The etchant composition according to any one of [1] to [8], wherein the content of the iodine-containing oxidizing agent is less than 5% by weight.
[10] MoSi 막이 Qz 기판 상에 형성되어 있는, [1]~[9] 중 어느 한 항에 기재된 에칭액 조성물.[10] The etchant composition according to any one of [1] to [9], wherein the MoSi film is formed on the Qz substrate.
[11] [1]~[10] 중 어느 한 항에 기재된 에칭액 조성물을 이용하여 MoSi 막을 에칭하는 에칭 방법.[11] An etching method for etching a MoSi film using the etchant composition according to any one of [1] to [10].
본 발명에 의해, Qz 기판에 손상이 적고 MoSi 막을 선택적으로 에칭할 수 있는 에칭액을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide an etchant capable of selectively etching the MoSi film with little damage to the Qz substrate.
[도 1] 도 1은 MoSi 막의 패터닝을 나타내는 도면이다.
[도 2] 도 2는 MoSi 막의 기판의 재작업(rework)을 나타내는 도면이다.
[도 3] 도 3은 이불화수소암모늄(ammonium hydrogen bifluoride) 과 과산화수소로 이루어진 에칭액(비교예 2) 및 불화 수소, 요오드산 및 물로 이루어진 에칭액(실시예 5)으로 처리했을 때 MoSi 막의 에칭 속도의 비교를 나타낸 도면이다.
[도 4] 도 4는 이불화수소암모늄과 과산화수소로 이루어진 에칭액(비교예 2) 및 불화 수소, 요오드산 및 물로 이루어진 에칭액(실시예 5)으로 처리했을 때 Qz 기판의 에칭 속도의 비교를 나타낸 도면이다.[Fig. 1] Fig. 1 is a diagram showing patterning of a MoSi film.
[Fig. 2] Fig. 2 is a diagram showing rework of a substrate of MoSi film.
[Figure 3] Figure 3 is a comparison of the etching rate of the MoSi film when treated with an etchant composed of ammonium hydrogen bifluoride and hydrogen peroxide (Comparative Example 2) and an etchant composed of hydrogen fluoride, iodic acid and water (Example 5) is a drawing showing
[Figure 4] Figure 4 is a diagram showing a comparison of the etching rates of Qz substrates when treated with an etchant composed of ammonium bifluoride and hydrogen peroxide (Comparative Example 2) and an etchant composed of hydrogen fluoride, iodic acid and water (Example 5) .
이하, 본 발명에 대하여 본 발명의 바람직한 실시양태에 기초하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail based on preferred embodiments of the present invention.
본 발명의 에칭액 조성물은 MoSi 막의 에칭을 위해 사용되는 에칭액 조성물이다.The etchant composition of the present invention is an etchant composition used for etching a MoSi film.
본 발명의 Qz 기판은 SiO2 결정으로 이루어진 기판이다.The Qz substrate of the present invention is a substrate made of SiO 2 crystals.
본 발명의 에칭액 조성물은 불소 화합물을 3.5 중량% 미만, 물 및 요오드 함유 산화제를 포함한다.The etchant composition of the present invention contains less than 3.5% by weight of a fluorine compound, water and an iodine-containing oxidizing agent.
본 발명의 불소 화합물로는, 한정되지 않지만, 불화 수소(hydrogen fluoride), 불화 암모늄(ammonium fluoride), 이불화수소암모늄(ammonium hydrogen bifluoride), 헥사플루오로규산(hexafluorosilicic acid)을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 불화 수소, 불화 암모늄, 이불화수소암모늄을 사용할 수 있으며, 가장 바람직하게는 불화 수소를 사용할 수 있다.As the fluorine compound of the present invention, although not limited, hydrogen fluoride, ammonium fluoride, ammonium hydrogen bifluoride, and hexafluorosilicic acid may be used, preferably Hydrogen fluoride, ammonium fluoride, and ammonium hydrogen difluoride may be used, and hydrogen fluoride may be most preferably used.
또한, 본 발명의 에칭 조성물에 있어서 불소 화합물의 함량은 3.5 중량% 미만, 바람직하게는 1.0 중량% 미만이다.In addition, in the etching composition of the present invention, the content of the fluorine compound is less than 3.5% by weight, preferably less than 1.0% by weight.
본 발명의 요오드 함유 산화제로는, 한정되지 않지만, 요오드산 또는 과요오드산, 요오드산 칼륨(potassium iodate), 요오드산 나트륨(sodium iodate), 과요오드산 칼륨, 과요오드산 나트륨을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 요오드산, 오르토 과요오드산을 사용할 수 있다.The iodine-containing oxidizing agent of the present invention is not limited, but iodic acid or periodic acid, potassium iodate, sodium iodate, potassium periodate, sodium periodate can be used, Preferably, iodic acid or ortho periodic acid can be used.
또한, 본 발명의 에칭액 조성물에 있어서, 요오드 함유 산화제의 함량은 0.1~25.0%이며, 바람직하게는 0.1~15.0%, 더욱 바람직하게는 0.2~10.0%이다.In addition, in the etchant composition of the present invention, the content of the iodine-containing oxidizing agent is 0.1 to 25.0%, preferably 0.1 to 15.0%, more preferably 0.2 to 10.0%.
본 발명의 산으로는, 한정되지 않지만, 황산, 인산, 지방족 술폰산, 질산, 염산, 초산 또는 과염소산 사용할 수 있으며, 바람직하게는 질산, 황산, 인산 또는 메탄 술폰산을 이용할 수 있으며, 특히 바람직하게는, 질산, 황산을 사용할 수 있다. 질산, 황산을 이용함으로써 Qz 막과의 높은 선택성을 유지하면서 MoSi 막의 에칭 속도를 향상시킬 수 있다.The acid of the present invention is not limited, but sulfuric acid, phosphoric acid, aliphatic sulfonic acid, nitric acid, hydrochloric acid, acetic acid or perchloric acid can be used, preferably nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid or methane sulfonic acid can be used, particularly preferably, Nitric acid and sulfuric acid can be used. By using nitric acid or sulfuric acid, the etching rate of the MoSi film can be improved while maintaining high selectivity with the Qz film.
또한, 본 발명의 에칭액 조성물에서 산의 함량은 0.5~40 중량%이며, 바람직하게는 1 내지 10 중량%이다.In addition, the acid content in the etchant composition of the present invention is 0.5 to 40% by weight, preferably 1 to 10% by weight.
또한, 본 발명의 에칭액 조성물에서 물을 용매로 사용할 수 있다. 에칭액 조성물 중에서 물의 함량은, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 60.0~99.6 중량%이며, 보다 바람직하게는 80.0~99.6 중량%이다.In addition, water may be used as a solvent in the etchant composition of the present invention. The content of water in the etchant composition is not particularly limited, but is preferably 60.0 to 99.6% by weight, more preferably 80.0 to 99.6% by weight.
본 명세서에서 에칭액 조성물의 에칭 속도(nm/min)는, 처리 시간(분) 당 막의 에칭량(nm)으로 정의된다. 막의 에칭량은 에칭의 대상이 되는 막의 두께를 에칭 처리 전 및 처리 후 각각에 대하여 측정하여, 이들의 차이로써 구할 수 있다.In this specification, the etching rate (nm/min) of the etchant composition is defined as the etching amount (nm) of the film per treatment time (minutes). The etching amount of the film can be obtained by measuring the thickness of the film to be etched before and after the etching process, respectively, and determining the difference between these.
본 발명의 에칭액 조성물의 에칭 속도는, 특별히 한정되지 않지만, MoSi 막에 대해 1.5 nm/분 이상인 것이 바람직하다. 또한, Qz 기판의 에칭 속도가 0.5 nm/min 이하인 것이 바람직하다. 또한, MoSi:Qz의 에칭 선택비는 10:1 이상인 것이 바람직하다. 또한 차광막인 Cr에 손상을 주지 않는 것이 바람직하다.The etching rate of the etchant composition of the present invention is not particularly limited, but is preferably 1.5 nm/min or more with respect to the MoSi film. Further, it is preferable that the etching rate of the Qz substrate is 0.5 nm/min or less. In addition, it is preferable that the etching selectivity of MoSi:Qz is 10:1 or more. Moreover, it is preferable not to damage Cr which is a light shielding film.
또한, 본 명세서에서 MoSi 에칭 속도의 측정 평가 조건은, MoSi의 에칭 속도에 대해서는 실온(25℃), 3~90분, 무교반 침지처리하고, 린스는 DIW(deionized water), 건조는 질소 분사(N2 blow) 조건이며, Qz의 손상 여부 확인에 있어서는 상온(25℃), 10~120분, 무교반 침지처리하고, 린스는 DIW, 건조는 질소 분사(N2 blow) 조건이다.In addition, the measurement and evaluation conditions of the MoSi etching rate in the present specification are room temperature (25 ° C.), 3 to 90 minutes, non-stirring immersion treatment for the etching rate of MoSi, rinsing is DIW (deionized water), and drying is nitrogen spray ( N 2 blow) conditions, and to check whether Qz is damaged, room temperature (25 ℃), 10 to 120 minutes, non-agitation immersion treatment, rinse is DIW, and drying is nitrogen blowing (N 2 blow) conditions.
또한, 본 명세서에서 사용된 평가 기판은 MoSi/Qz 기판에 대해서는 MoSi이 150 nm인 기판이다.In addition, the evaluation substrate used in this specification is a substrate in which MoSi is 150 nm for the MoSi/Qz substrate.
또한, 본 발명의 에칭액 조성물의 pH는, 바람직하게는 2.5 미만이며, 보다 바람직하게는 2.0 이하이다.In addition, the pH of the etching liquid composition of the present invention is preferably less than 2.5, and more preferably 2.0 or less.
이상, 본 발명에 대하여 바람직한 실시양태에 기초하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 각 구성은 동일한 기능을 발휘할 수 있는 임의의 것으로 대체할 수 있고, 또는 임의의 구성을 추가할 수 있다.In the above, the present invention has been described in detail based on preferred embodiments, but the present invention is not limited thereto, and each element can be replaced with an arbitrary element capable of exhibiting the same function, or an arbitrary element can be added. there is.
비교예comparative example
표 1에 산화제로서 각종 과산화산, 황산, 인산, 질산 또는 요오드산을 이용한 비교예 1~22의, MoSi 막 또는 Qz 기판의 에칭 속도(E.R)의 값을 나타낸다.Table 1 shows the values of the etching rate (E.R) of the MoSi film or Qz substrate of Comparative Examples 1 to 22 using various peroxide acids, sulfuric acid, phosphoric acid, nitric acid or iodic acid as an oxidizing agent.
비교예 1~22의 에칭에서, MoSi 막을 에칭할 때 Qz 기판이 손상을 받는 것, 즉 선택적으로 MoSi 막을 에칭할 수 없다는 것을 확인했다.In the etching of Comparative Examples 1 to 22, it was confirmed that the Qz substrate was damaged when the MoSi film was etched, that is, the MoSi film could not be selectively etched.
[실시예][Example]
표 2는 불소 화합물, 물 및 요오드 함유 산화제를 포함하는 에칭액 조성물에 의한 MoSi 막, Qz 기판 각각의 에칭 속도(E.R.), 및 그 에칭 속도의 선택 비율을 나타낸다.Table 2 shows the etching rate (E.R.) of each of the MoSi film and the Qz substrate by the etchant composition containing a fluorine compound, water, and an iodine-containing oxidizing agent, and the selectivity of the etching rate.
산화제로써 요오드 함유 산화제를 이용하여 다른 산을 함유하지 않는 실시예 1~10에서, MoSi 막을 에칭할 때 Qz 기판이 손상을 받지 않고, 즉 충분히 선택적으로 MoSi 막을 에칭할 수 있는 것을 확인했다. 또한, 산을 추가적으로 포함하는 실시예 11~20에서, 특히 요오드산(HIO3)을 사용한 경우에는 그 산화제의 양을 줄여도 MoSi 막이 충분히 에칭되는 것을 확인했다.In Examples 1 to 10 using an iodine-containing oxidizing agent as an oxidizing agent and containing no other acid, it was confirmed that the Qz substrate was not damaged when etching the MoSi film, that is, the MoSi film could be sufficiently selectively etched. In addition, in Examples 11 to 20 including additional acid, especially when iodic acid (HIO 3 ) was used, it was confirmed that the MoSi film was sufficiently etched even when the amount of the oxidizing agent was reduced.
또한, 도 3은 이불화수소암모늄과 과산화수소로 이루어진 에칭액(비교예 2) 및 불화 수소, 요오드산 및 물로 이루어진 에칭액(실시예 5)으로 처리했을 때의 MoSi 막의 에칭 속도의 비교를 나타낸 도면이다. 이로 인해, 어떤 용액도 실온에서 MoSi 막을 충분히 에칭할 수 있다는 것을 확인했다.3 is a diagram showing a comparison of etching rates of MoSi films when treated with an etchant composed of ammonium bifluoride and hydrogen peroxide (Comparative Example 2) and an etchant composed of hydrogen fluoride, iodic acid and water (Example 5). This confirms that any solution can sufficiently etch the MoSi film at room temperature.
또한, 도 4는 이불화수소암모늄과 과산화수소로 이루어진 에칭액(비교예 2) 및 불화 수소, 요오드산 및 물로 이루어진 에칭액(실시예 5)으로 처리했을 때의 Qz 기판의 에칭 속도의 비교를 나타낸 도면이다. 여기서, 비교예 2의 에칭액은 Qz 기판에 대한 에칭 속도가 높은 반면, 실시예 5의 에칭액은 에칭 속도가 낮고, 따라서 MoSi 막은 Qz 기판에 대해 충분히 선택적으로 에칭 처리할 수 있음을 확인하였다.4 is a diagram showing a comparison of etching rates of Qz substrates when treated with an etchant composed of ammonium bifluoride and hydrogen peroxide (Comparative Example 2) and an etchant composed of hydrogen fluoride, iodic acid and water (Example 5). Here, it was confirmed that the etching solution of Comparative Example 2 had a high etching rate with respect to the Qz substrate, whereas the etching solution of Example 5 had a low etching rate, and thus the MoSi film could be etched sufficiently selectively with respect to the Qz substrate.
본 발명의 요오드 함유 산화제를 포함하는 에칭액을 이용함으로써, Qz 기판에 손상을 주지 않고 MoSi 막을 선택적으로 에칭하는 것이 가능하게 된다.By using the etchant containing the iodine-containing oxidizing agent of the present invention, it becomes possible to selectively etch the MoSi film without damaging the Qz substrate.
Claims (11)
An etchant composition for selectively etching a MoSi film on a Qz substrate comprising less than 3.5% by weight of a fluorine compound, water and orthoperiodic acid.
The etchant composition according to claim 1, wherein the pH is less than 2.5.
The etchant composition according to claim 1 or 2, wherein the fluorine compound is hydrogen fluoride, ammonium fluoride, or ammonium hydrogen difluoride.
The etchant composition according to claim 1 or 2, further comprising an acid.
5. The etchant composition according to claim 4, wherein the acid is sulfuric acid, phosphoric acid, methanesulfonic acid or nitric acid.
The etchant composition according to claim 1 or 2, wherein the content of orthoperiodic acid is 0.2 to 25% by weight.
The etchant composition according to claim 1 or 2, wherein the content of orthoperiodic acid is less than 5% by weight.
An etching method for selectively etching a MoSi film on a Qz substrate using the etchant composition according to claim 1 or 2.
Applications Claiming Priority (2)
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