KR102522475B1 - Positive photosensitive resin composition, dry film, cured product, printed wiring board and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

우수한 현상성(해상성 및 잔막률)을 가지며, 또한 경화 후의 패턴 형성성이 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물, 해당 조성물로부터 얻어지는 수지층을 갖는 드라이 필름, 해당 조성물 또는 해당 드라이 필름의 수지층의 경화물, 해당 경화물을 갖는 프린트 배선판 및 해당 경화물을 갖는 반도체 소자를 제공한다. (A) 폴리벤조옥사졸 전구체, (B) 광 산 발생제, (C) 페놀성 수산기를 갖는 가교제, 및 (D) 페놀성 수산기를 갖지 않고 메틸올기를 2개 이상 갖는 가교제를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물 등이다.A positive photosensitive resin composition having excellent developability (resolution and remaining film rate) and excellent pattern formation after curing, a dry film having a resin layer obtained from the composition, and a cured product of the resin layer of the composition or the dry film , a printed wiring board having the cured product and a semiconductor device having the cured product. (A) a polybenzoxazole precursor, (B) a photoacid generator, (C) a crosslinking agent having a phenolic hydroxyl group, and (D) a crosslinking agent having no phenolic hydroxyl group and having two or more methylol groups. It is a positive type photosensitive resin composition etc. which are made into.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물, 드라이 필름, 경화물, 프린트 배선판 및 반도체 소자Positive photosensitive resin composition, dry film, cured product, printed wiring board and semiconductor device

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물, 드라이 필름, 경화물, 프린트 배선판 및 반도체 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, a dry film, a cured product, a printed wiring board and a semiconductor element.

알칼리 수용액으로 현상 가능한 포지티브형 감광성 수지 조성물로서, 폴리벤조옥사졸(PBO) 전구체와 나프토퀴논디아지드 화합물 등의 광 산 발생제를 배합한 조성물이 사용되고 있다. 이러한 조성물을 열경화하여 얻어지는 폴리벤조옥사졸 경화물은, 내열성 및 전기 절연성이 우수한 점에서, 전기 재료의 표면 보호막이나 층간 절연막, 예를 들어 반도체 소자의 코팅막이나, 플렉시블 프린트 배선판 재료, 내열 절연성 층간재로의 적용이 진행되고 있다.As a positive type photosensitive resin composition developable with an alkaline aqueous solution, a composition in which a polybenzoxazole (PBO) precursor and a photoacid generator such as a naphthoquinonediazide compound are blended is used. Since the polybenzoxazole cured product obtained by thermally curing such a composition is excellent in heat resistance and electrical insulation, it is a surface protective film or an interlayer insulating film of electrical materials, such as a coating film of semiconductor elements, a flexible printed wiring board material, or a heat-resistant insulating interlayer. The application of the material is in progress.

이러한 폴리벤조옥사졸 전구체를 수지 성분으로서 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 폴리벤조옥사졸 전구체의 분자량이 높은 경우에, 그의 경화물은 우수한 역학 특성을 얻을 수 있다. 그러나, 그 반면에, 수지 성분이 고분자량체이기 때문에, 이러한 조성물의 도막 현상성이 저하된다는 문제가 있었다.In the positive photosensitive resin composition containing such a polybenzoxazole precursor as a resin component, when the molecular weight of the polybenzoxazole precursor is high, the cured product thereof can obtain excellent mechanical properties. On the other hand, however, since the resin component is a high molecular weight material, there has been a problem that the coating film developability of such a composition is lowered.

이에 대해 종래, 폴리벤조옥사졸 전구체 등의 고분자량체를 수지 성분으로서 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물에서는, 도막의 현상성을 개선하기 위해 용해 촉진제를 첨가하는 것이 행해지고 있었다(예를 들어, 특허문헌 1).In contrast, conventionally, in a positive photosensitive resin composition containing a high molecular weight body such as a polybenzoxazole precursor as a resin component, a dissolution accelerator has been added in order to improve the developability of a coating film (for example, Patent Document 1 ).

확실히, 종래 기술에 의하면 용해 촉진제를 첨가함으로써 도막의 현상성은 개선되지만, 패턴 형상의 제어가 어려워진다는 새로운 문제가 있다는 것을, 본 발명자들은 알아내었다.Certainly, according to the prior art, the developability of the coating film is improved by adding a dissolution accelerator, but the present inventors have found that there is a new problem that control of the pattern shape becomes difficult.

또한 한편으로, 도막의 현상성을 개선하기 위해 수지 성분의 분자량을 낮게 하는 방법을 생각할 수 있다. 그러나, 이 방법에서는, 현상 시의 잔막률이 저하됨과 함께, 경화 후에 패턴 형상이 변형되는, 직사각형도의 제어가 곤란해지거나 하는 다양한 문제가 있다는 것을, 본 발명자들은 알아내었다.On the other hand, in order to improve the developability of the coating film, a method of lowering the molecular weight of the resin component can be considered. However, the present inventors have found that in this method, while the remaining film rate at the time of development decreases, there are various problems that the pattern shape is deformed after curing and control of the rectangularity becomes difficult.

일본 특허 공개 제2009-145900호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-145900

그래서, 본 발명의 주된 목적은, 우수한 현상성(해상성 및 잔막률)을 가지며, 또한 경화 후의 패턴 형성성이 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 당해 조성물의 수지층을 갖는 드라이 필름을 제공하는 데 있다.Therefore, the main object of the present invention is to provide a positive photosensitive resin composition having excellent developability (resolution and remaining film rate) and excellent pattern formation after curing, and a dry film having a resin layer of the composition. .

또한, 본 발명의 다른 목적은, 프린트 배선판이나 반도체 소자 등의 전자 부품에 사용하기에 적합한 상기 조성물 또는 상기 드라이 필름의 수지층의 경화물을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a cured product of the resin layer of the composition or dry film suitable for use in electronic parts such as printed wiring boards and semiconductor devices.

본 발명자들은 상기를 감안하여 예의 검토한 결과, 특정한 2종의 화합물을 가교제로서 사용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.As a result of intensive studies in view of the above, the present inventors have found that the above problems can be solved by using two specific types of compounds as a crosslinking agent, and have completed the present invention.

즉, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, (A) 폴리벤조옥사졸 전구체, (B) 광 산 발생제, (C) 페놀성 수산기를 갖는 가교제, 및 (D) 페놀성 수산기를 갖지 않고 메틸올기를 2개 이상 갖는 가교제를 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.That is, the positive photosensitive resin composition of the present invention comprises (A) a polybenzoxazole precursor, (B) a photoacid generator, (C) a crosslinking agent having a phenolic hydroxyl group, and (D) a methyl It is characterized by including a crosslinking agent having two or more all groups.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 추가로 실란 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the positive type photosensitive resin composition of this invention contains a silane coupling agent further.

본 발명의 드라이 필름은, 필름 상에, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 도포, 건조시켜 얻어지는 수지층을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.The dry film of this invention is characterized by having a resin layer obtained by apply|coating and drying the said positive type photosensitive resin composition on a film.

본 발명의 경화물은, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물 또는 상기 드라이 필름의 수지층을, 경화하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 것이다.The cured product of the present invention is obtained by curing the positive photosensitive resin composition or the resin layer of the dry film.

본 발명의 프린트 배선판은, 상기 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.The printed wiring board of the present invention is characterized by having the above cured product.

본 발명의 반도체 소자는, 상기 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.The semiconductor element of the present invention is characterized by having the above cured product.

본 발명에 따르면, 우수한 현상성(해상성 및 잔막률)을 가지며, 또한 경화 후의 패턴 형성성이 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다. 그 결과, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물이나 해당 조성물로부터 얻어지는 드라이 필름, 해당 조성물 또는 해당 드라이 필름의 수지층의 경화물은, 프린트 배선판이나 반도체 소자 등의 전자 부품에 적합하게 사용할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the positive type photosensitive resin composition which has excellent developability (resolution and remaining film rate) and is excellent in pattern formation property after hardening can be provided. As a result, the positive photosensitive resin composition of the present invention, the dry film obtained from the composition, and the cured product of the resin layer of the composition or the dry film can be suitably used for electronic parts such as printed wiring boards and semiconductor elements.

이하, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물이 함유하는 성분에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the components contained in the positive photosensitive resin composition of the present invention are explained in detail.

[(A) 폴리벤조옥사졸 전구체][(A) Polybenzoxazole Precursor]

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, (A) 폴리벤조옥사졸 전구체를 함유한다. (A) 폴리벤조옥사졸 전구체를 합성하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법으로 합성하면 된다. 예를 들어, 아민 성분으로서 디히드록시디아민류와, 산 성분으로서 디카르복실산디클로라이드 등의 디카르복실산의 디할라이드를 반응시켜 얻을 수 있다.The positive type photosensitive resin composition of this invention contains the (A) polybenzoxazole precursor. (A) The method for synthesizing the polybenzoxazole precursor is not particularly limited, and may be synthesized by a known method. For example, it can be obtained by reacting dihydroxydiamines as an amine component with dihalides of dicarboxylic acids such as dicarboxylic acid dichloride as an acid component.

(A) 폴리벤조옥사졸 전구체는, 하기 반복 구조를 갖는 폴리히드록시아미드산인 것이 바람직하다.(A) The polybenzoxazole precursor is preferably a polyhydroxyamic acid having the following repeating structure.

Figure 112019109860660-pct00001
Figure 112019109860660-pct00001

(식 중, X는 4가의 유기기를 나타내고, Y는 2가의 유기기를 나타낸다. n은 1 이상의 정수이며, 바람직하게는 10 내지 50, 보다 바람직하게는 20 내지 40이다.)(In the formula, X represents a tetravalent organic group, Y represents a divalent organic group. n is an integer greater than or equal to 1, preferably 10 to 50, more preferably 20 to 40.)

(A) 폴리벤조옥사졸 전구체를 상기 방법으로 합성하는 경우, 상기 일반식 (1) 중, X는 상기 디히드록시디아민류의 잔기이며, Y는 상기 디카르복실산의 잔기이다.(A) In the case of synthesizing the polybenzoxazole precursor by the above method, in the general formula (1), X is a residue of the dihydroxydiamines and Y is a residue of the dicarboxylic acid.

상기 디히드록시디아민류로서는, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 등을 들 수 있다. 그 중에서도 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판이 바람직하다.Examples of the dihydroxydiamines include 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, and bis(3- Amino-4-hydroxyphenyl)propane, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)propane, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)sulfone, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl) Sulfone, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis(4-amino-3-hydroxy Phenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane etc. are mentioned. Among them, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane is preferable.

상기 디카르복실산으로서는, 이소프탈산, 테레프탈산, 5-tert-부틸이소프탈산, 5-브로모이소프탈산, 5-플루오로이소프탈산, 5-클로로이소프탈산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 4,4'-디카르복시비페닐, 4,4'-디카르복시디페닐에테르, 4,4'-디카르복시테트라페닐실란, 비스(4-카르복시페닐)술폰, 2,2-비스(p-카르복시페닐)프로판, 2,2-비스(4-카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 등의 방향환을 갖는 디카르복실산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 1,2-시클로부탄디카르복실산, 1,4-시클로헥산디카르복실산, 1,3-시클로펜탄디카르복실산 등의 지방족계 디카르복실산을 들 수 있다. 그 중에서도 4,4'-디카르복시디페닐에테르가 바람직하다.As the dicarboxylic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, 5-tert-butyl isophthalic acid, 5-bromoisophthalic acid, 5-fluoroisophthalic acid, 5-chloroisophthalic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 4,4'-dicarboxybiphenyl, 4,4'-dicarboxydiphenyl ether, 4,4'-dicarboxytetraphenylsilane, bis(4-carboxyphenyl)sulfone, 2,2-bis(p-carboxy dicarboxylic acids having an aromatic ring such as phenyl) propane, 2,2-bis(4-carboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, and aliphatic dicarboxylic acids such as 1,2-cyclobutanedicarboxylic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, and 1,3-cyclopentanedicarboxylic acid. Among them, 4,4'-dicarboxydiphenyl ether is preferable.

상기 일반식 (1) 중, X가 나타내는 4가의 유기기는 지방족기여도 방향족기여도 되지만, 방향족기인 것이 바람직하고, 2개의 히드록시기와 2개의 아미노기가 오르토 위치에 방향환 상에 위치하는 것이 보다 바람직하다. 상기 4가의 방향족기의 탄소 원자수는, 6 내지 30인 것이 바람직하고, 6 내지 24인 것이 보다 바람직하다. 상기 4가의 방향족기의 구체예로서는 하기 기를 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니고, 폴리벤조옥사졸 전구체에 포함될 수 있는 공지된 방향족기를 용도에 따라서 선택하면 된다.In the general formula (1), the tetravalent organic group represented by X may be an aliphatic group or an aromatic group, but it is preferably an aromatic group, and two hydroxyl groups and two amino groups are ortho-positioned on an aromatic ring. It is more preferable. It is preferable that it is 6-30, and, as for the number of carbon atoms of the said tetravalent aromatic group, it is more preferable that it is 6-24. Although the following groups are mentioned as a specific example of the said tetravalent aromatic group, It is not limited to these, What is necessary is just to select a well-known aromatic group which can be contained in a polybenzoxazole precursor according to a use.

Figure 112019109860660-pct00002
Figure 112019109860660-pct00002

상기 4가의 방향족기는, 상기 방향족기 중에서도 하기 기인 것이 바람직하다.Among the aromatic groups, the tetravalent aromatic group is preferably one of the following groups.

Figure 112019109860660-pct00003
Figure 112019109860660-pct00003

상기 일반식 (1) 중, Y가 나타내는 2가의 유기기는 지방족기여도 방향족기여도 되지만, 방향족기인 것이 바람직하고, 방향환 상에서 상기 일반식 (1) 중의 카르보닐과 결합되어 있는 것이 보다 바람직하다. 상기 2가의 방향족기의 탄소 원자수는, 6 내지 30인 것이 바람직하고, 6 내지 24인 것이 보다 바람직하다. 상기 2가의 방향족기의 구체예로서는 하기 기를 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니고, 폴리벤조옥사졸 전구체에 포함되는 공지된 방향족기를 용도에 따라서 선택하면 된다.In the general formula (1), the divalent organic group represented by Y may be either an aliphatic group or an aromatic group, but is preferably an aromatic group, and is more preferably bonded to the carbonyl in the general formula (1) on the aromatic ring. It is preferable that it is 6-30, and, as for the number of carbon atoms of the said divalent aromatic group, it is more preferable that it is 6-24. Although the following groups are mentioned as a specific example of the said divalent aromatic group, It is not limited to these, What is necessary is just to select the well-known aromatic group contained in a polybenzoxazole precursor according to a use.

Figure 112019109860660-pct00004
Figure 112019109860660-pct00004

(식 중, A는 단결합, -CH2-, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -NHCO-, -C(CF3)2-, -C(CH3)2-로 이루어지는 군에서 선택되는 2가의 기를 나타낸다.)(Wherein, A is a single bond, -CH 2 -, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -NHCO-, -C(CF 3 ) 2 -, -C(CH 3 ) represents a divalent group selected from the group consisting of 2- .)

상기 2가의 유기기는, 상기 방향족기 중에서도 하기 기인 것이 바람직하다.Among the above aromatic groups, the divalent organic group is preferably the following group.

Figure 112019109860660-pct00005
Figure 112019109860660-pct00005

(A) 폴리벤조옥사졸 전구체는, 상기 폴리히드록시아미드산의 반복 구조를 2종 이상 포함하고 있어도 된다. 또한, 상기 폴리히드록시아미드산의 반복 구조 이외의 구조를 포함하고 있어도 되고, 예를 들어 폴리아미드산의 반복 구조를 포함하고 있어도 된다.(A) The polybenzoxazole precursor may contain 2 or more types of repeating structures of the said polyhydroxyamic acid. Further, structures other than the repeating structure of the polyhydroxyamic acid may be included, for example, the repeating structure of polyamic acid may be included.

(A) 폴리벤조옥사졸 전구체의 수 평균 분자량(Mn)은 5,000 내지 100,000인 것이 바람직하고, 8,000 내지 50,000인 것이 보다 바람직하다. 여기서 수 평균 분자량은 GPC로 측정하고, 표준 폴리스티렌으로 환산한 수치이다. 또한, (A) 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량 평균 분자량(Mw)은 10,000 내지 200,000인 것이 바람직하고, 16,000 내지 100,000인 것이 보다 바람직하다. 여기서 중량 평균 분자량은 GPC로 측정하고, 표준 폴리스티렌으로 환산한 수치이다. Mw/Mn은 1 내지 5인 것이 바람직하고, 1 내지 3인 것이 보다 바람직하다.(A) It is preferable that it is 5,000-100,000, and, as for the number average molecular weight (Mn) of a polybenzoxazole precursor, it is more preferable that it is 8,000-50,000. Here, the number average molecular weight is a numerical value measured by GPC and converted into standard polystyrene. Moreover, it is preferable that it is 10,000-200,000, and, as for the weight average molecular weight (Mw) of (A) polybenzoxazole precursor, it is more preferable that it is 16,000-100,000. Here, the weight average molecular weight is a numerical value measured by GPC and converted into standard polystyrene. It is preferable that it is 1-5, and, as for Mw/Mn, it is more preferable that it is 1-3.

(A) 폴리벤조옥사졸 전구체는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. (A) 폴리벤조옥사졸 전구체의 배합량은, 조성물 고형분 전체량 기준으로 60 내지 90질량%인 것이 바람직하다.(A) A polybenzoxazole precursor may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. (A) It is preferable that the compounding quantity of a polybenzoxazole precursor is 60-90 mass % based on the total solid content of a composition.

[(B) 광 산 발생제][(B) photoacid generator]

(B) 광 산 발생제로서는, 나프토퀴논디아지드 화합물, 디아릴술포늄염, 트리아릴술포늄염, 디알킬페나실술포늄염, 디아릴요오도늄염, 아릴디아조늄염, 방향족 테트라카르복실산에스테르, 방향족 술폰산에스테르, 니트로벤질에스테르, 방향족 N-옥시이미도술포네이트, 방향족 술파미드, 벤조퀴논디아조술폰산에스테르 등을 들 수 있다. (B) 광 산 발생제는 용해 저해제인 것이 바람직하다. 그 중에서도 나프토퀴논디아지드 화합물인 것이 바람직하다.(B) As the photoacid generator, naphthoquinonediazide compounds, diarylsulfonium salts, triarylsulfonium salts, dialkylphenacylsulfonium salts, diaryliodonium salts, aryldiazonium salts, aromatic tetracarboxylic acid esters , aromatic sulfonic acid esters, nitrobenzyl esters, aromatic N-oxyimidosulfonates, aromatic sulfamides, benzoquinone diazosulfonic acid esters, and the like. (B) The photoacid generator is preferably a dissolution inhibitor. Among them, a naphthoquinonediazide compound is preferable.

나프토퀴논디아지드 화합물로서는, 구체적으로는 예를 들어, 트리스(4-히드록시페닐)-1-에틸-4-이소프로필벤젠의 나프토퀴논디아지드 부가물(예를 들어, 산보 가가쿠 겡큐쇼사제의 TKF-520, TKF-528, TKF-420, TKF-428)이나, 테트라히드록시벤조페논의 나프토퀴논디아지드 부가물(예를 들어, 산보 가가쿠 겡큐쇼사제의 BS550, BS570, BS599) 등을 사용할 수 있다. 여기서, 나프토퀴논디아지드의 부가는, 예를 들어 o-퀴논디아지드술포닐클로라이드류를, 히드록시 화합물이나 아미노 화합물과 반응시키면 된다.As a naphthoquinonediazide compound, specifically, for example, a naphthoquinonediazide adduct of tris(4-hydroxyphenyl)-1-ethyl-4-isopropylbenzene (for example, Sanbo Chemical Co., Ltd.) TKF-520, TKF-528, TKF-420, TKF-428 manufactured by Kyusho Co., Ltd.) or naphthoquinonediazide adducts of tetrahydroxybenzophenone (e.g., BS550, BS570 manufactured by Sanbo Chemical Co., Ltd., BS570; BS599), etc. can be used. Here, what is necessary is just to add naphthoquinonediazide, for example by reacting o-quinonediazide sulfonyl chloride with a hydroxy compound or an amino compound.

(B) 광 산 발생제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. (B) 광 산 발생제의 배합량은, 조성물 고형분 전체량 기준으로 3 내지 20질량%인 것이 바람직하다.(B) The photoacid generator may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type. (B) The blending amount of the photoacid generator is preferably 3 to 20% by mass based on the total solid content of the composition.

[(C) 페놀성 수산기를 갖는 가교제][(C) Crosslinking Agent Having a Phenolic Hydroxyl Group]

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 가교제로서 (C) 페놀성 수산기를 갖는 가교제를 포함한다. (C) 페놀성 수산기를 갖는 가교제는 특별히 한정되지 않지만, 수산기(페놀성 수산기를 포함함)를 2 이상 갖는 것이 바람직하고, 페놀성 수산기를 2 이상 갖는 것이 보다 바람직하고, 하기 일반식 (2)로 표시되는 화합물인 것이 더욱 바람직하다.The positive type photosensitive resin composition of this invention contains (C) the crosslinking agent which has a phenolic hydroxyl group as a crosslinking agent. (C) The crosslinking agent having a phenolic hydroxyl group is not particularly limited, but preferably has two or more hydroxyl groups (including a phenolic hydroxyl group), more preferably has two or more phenolic hydroxyl groups, and has the following general formula (2) It is more preferable that it is a compound represented by

Figure 112019109860660-pct00006
Figure 112019109860660-pct00006

(일반식 (2) 중, R1은 2 내지 10가의 유기기를 나타낸다. R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타낸다. n은 2 내지 10의 정수를 나타낸다.)(In formula (2), R 1 represents a 2-10 valent organic group. R 2 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. n represents an integer of 2 to 10.)

상기 일반식 (2) 중, R1은 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 내지 3의 알킬렌기인 것이 바람직하다.In the said General formula (2), it is preferable that R <1> is a C1-C3 alkylene group which may have a substituent.

상기 일반식 (2) 중, R2는 수소 원자인 것이 바람직하다.In the above general formula (2), it is preferable that R 2 is a hydrogen atom.

상기 일반식 (2) 중, n은 2 내지 4의 정수인 것이 바람직하고, 2인 것이 보다 바람직하다.In the said general formula (2), it is preferable that n is an integer of 2-4, and it is more preferable that it is 2.

또한, (C) 페놀성 수산기를 갖는 가교제는, 불소 원자를 갖는 것이 바람직하고, 트리플루오로메틸기를 갖는 것이 보다 바람직하다. 상기 불소 원자 또는 상기 트리플루오로메틸기는, 상기 일반식 (2) 중의 R1이 나타내는 2 내지 10가의 유기기가 갖는 것이 바람직하고, R1은 디(트리플루오로메틸)메틸렌기인 것이 바람직하다. 또한, (C) 페놀성 수산기를 갖는 가교제는, 비스페놀 구조를 갖는 것이 바람직하고, 비스페놀 AF 구조를 갖는 것이 보다 바람직하다.Moreover, (C) the crosslinking agent having a phenolic hydroxyl group preferably has a fluorine atom, and more preferably has a trifluoromethyl group. The fluorine atom or the trifluoromethyl group preferably has a 2- to 10-valent organic group represented by R 1 in the general formula (2), and R 1 is preferably a di(trifluoromethyl)methylene group. Further, (C) the crosslinking agent having a phenolic hydroxyl group preferably has a bisphenol structure, and more preferably has a bisphenol AF structure.

(C) 페놀성 수산기를 갖는 가교제의 구체예로서는 하기 화합물인 것이 바람직하다.(C) It is preferable that it is the following compound as a specific example of the crosslinking agent which has a phenolic hydroxyl group.

Figure 112019109860660-pct00007
Figure 112019109860660-pct00007

(C) 페놀성 수산기를 갖는 가교제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. (C) 페놀성 수산기를 갖는 가교제의 배합량은, 조성물 고형분 전체량 기준으로 1 내지 20질량%인 것이 바람직하고, 3 내지 10질량%인 것이 보다 바람직하다. 이러한 배합 비율에 있으면, 보다 우수한 현상성을 가지며, 또한 경화 후의 패턴 형성성이 보다 우수한 조성물이 얻어진다.(C) The crosslinking agent having a phenolic hydroxyl group may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type. (C) It is preferable that it is 1-20 mass %, and, as for the compounding quantity of the crosslinking agent which has a phenolic hydroxyl group, it is more preferable that it is 3-10 mass % based on the total solid content of a composition. In such a blending ratio, a composition having more excellent developability and better pattern formation after curing can be obtained.

[(D) 페놀성 수산기를 갖지 않고 메틸올기를 2개 이상 갖는 가교제][(D) A crosslinking agent having no phenolic hydroxyl group and two or more methylol groups]

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 가교제로서 (D) 페놀성 수산기를 갖지 않고 메틸올기를 2개 이상 갖는 가교제를 포함한다. 이 (D) 페놀성 수산기를 갖지 않고 메틸올기를 2개 이상 갖는 가교제는, 분자량이 100 이상인 것이 바람직하다.The positive type photosensitive resin composition of this invention contains (D) the crosslinking agent which does not have a phenolic hydroxyl group but has two or more methylol groups as a crosslinking agent. It is preferable that the molecular weight of this (D) crosslinking agent which does not have a phenolic hydroxyl group but has two or more methylol groups is 100 or more.

(D) 페놀성 수산기를 갖지 않고 메틸올기를 2개 이상 갖는 가교제는, 하기 일반식 (3)으로 표시되는 화합물인 것이 더욱 바람직하다.(D) It is more preferable that the crosslinking agent which does not have a phenolic hydroxyl group and has two or more methylol groups is a compound represented by the following general formula (3).

Figure 112019109860660-pct00008
Figure 112019109860660-pct00008

(일반식 (3) 중, n은 1 내지 10의 정수를 나타내고, n이 1일 때, R3은 메틸올기(즉 「-CH2OH」)를 나타내고, n이 2 내지 10의 정수일 때, R3은 2 내지 10가의 유기기를 나타낸다. R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 유기기를 나타낸다. m1은 1 내지 5의 정수를 나타내고, m2는 0 내지 4의 정수를 나타낸다.)(In formula (3), n represents an integer of 1 to 10, when n is 1, R 3 represents a methylol group (ie, “-CH 2 OH”), and when n is an integer of 2 to 10, R 3 represents an organic group of 2 to 10. R 4 each independently represents an organic group of 1 to 4 carbon atoms. m1 represents an integer of 1 to 5, and m2 represents an integer of 0 to 4.)

상기 일반식 (3) 중, n은 1인 것이 바람직하다.In the general formula (3), n is preferably 1.

상기 일반식 (3) 중, R4는 탄소수 1 내지 4의 알킬기인 것이 바람직하고, 메틸기인 것이 보다 바람직하다.In the said general formula (3), it is preferable that it is a C1-C4 alkyl group, and, as for R <4> , it is more preferable that it is a methyl group.

(D) 페놀성 수산기를 갖지 않고 메틸올기를 2개 이상 갖는 가교제의 구체예로서는 하기 화합물인 것이 바람직하다.(D) It is preferable that it is the following compound as a specific example of the crosslinking agent which does not have a phenolic hydroxyl group but has two or more methylol groups.

Figure 112019109860660-pct00009
Figure 112019109860660-pct00009

(D) 페놀성 수산기를 갖지 않고 메틸올기를 2개 이상 갖는 가교제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이 (D) 페놀성 수산기를 갖지 않고 메틸올기를 2개 이상 갖는 가교제의 배합량은, 조성물 고형분 전체량 기준으로 1 내지 20질량%인 것이 바람직하고, 3 내지 10질량%인 것이 보다 바람직하다. 이러한 배합 비율에 있으면, 보다 우수한 현상성을 가지며, 또한 경화 후의 패턴 형성성이 보다 우수한 조성물이 얻어진다.(D) The crosslinking agent which does not have a phenolic hydroxyl group and has two or more methylol groups may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. The blending amount of the (D) crosslinking agent having no phenolic hydroxyl group and two or more methylol groups is preferably 1 to 20% by mass, more preferably 3 to 10% by mass, based on the total solid content of the composition. In such a blending ratio, a composition having more excellent developability and better pattern formation after curing can be obtained.

상술한 2종의 가교제는, (C) 페놀성 수산기를 갖는 가교제가, 용해 촉진의 기능을 가지고, (D) 페놀성 수산기를 갖지 않고 메틸올기를 2개 이상 갖는 가교제가, 용해 저해의 기능을 갖는다. 이 때문에, 보다 우수한 현상성(해상성과 잔막률)을 얻기 위해서, 그의 배합 비율은 (C):(D)=0.3 내지 1:1 내지 0.3인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 4:6 내지 6:4이며, 더욱 바람직하게는 (C):(D)=1:1이다.The two types of crosslinking agents described above are (C) a crosslinking agent having a phenolic hydroxyl group has a function of promoting dissolution, and (D) a crosslinking agent having no phenolic hydroxyl group and having two or more methylol groups has a function of inhibiting dissolution. have For this reason, in order to obtain better developability (resolution and remaining film ratio), the blending ratio thereof is preferably (C):(D) = 0.3 to 1:1 to 0.3, more preferably 4:6 to 6 :4, more preferably (C):(D) = 1:1.

(실란 커플링제)(Silane coupling agent)

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 실란 커플링제를 포함해도 된다. 실란 커플링제를 포함함으로써, 기재와의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 실란 커플링제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 알콕시기를 갖는 실란 커플링제, 아미노기를 갖는 실란 커플링제, 머캅토기를 갖는 실란 커플링제, 에폭시기를 갖는 실란 커플링제, 에틸렌성 불포화기를 갖는 실란 커플링제, 아릴아미노기를 갖는 실란 커플링제 등을 들 수 있다.The positive photosensitive resin composition of the present invention may also contain a silane coupling agent. Adhesion with a base material can be improved by including a silane coupling agent. The silane coupling agent is not particularly limited, and examples thereof include a silane coupling agent having an alkoxy group, a silane coupling agent having an amino group, a silane coupling agent having a mercapto group, a silane coupling agent having an epoxy group, a silane coupling agent having an ethylenically unsaturated group, The silane coupling agent etc. which have an arylamino group are mentioned.

이러한 실란 커플링제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이 실란 커플링제의 배합량은, 조성물 고형분 전체량 기준으로 1 내지 15질량%인 것이 바람직하다. 1 내지 15질량%이면 기판과의 밀착성을 확보하면서 노광부의 현상 잔여물을 방지할 수 있다.These silane coupling agents may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. It is preferable that the compounding quantity of this silane coupling agent is 1-15 mass % based on the total solid content of a composition. If it is 1 to 15% by mass, it is possible to prevent development residues in the exposed portion while ensuring adhesion to the substrate.

이하에, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 배합 가능한 다른 성분을 설명한다.Other components which can be incorporated into the positive photosensitive resin composition of the present invention will be described below.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에는, 용매를 배합할 수 있다. 용매로서는, (A) 폴리벤조옥사졸 전구체, (B) 광 산 발생제, (C) 페놀성 수산기를 갖는 가교제, (D) 페놀성 수산기를 갖지 않고 메틸올기를 2개 이상 갖는 가교제, 및 다른 첨가제를 용해시키는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 일례로서는, N,N'-디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N,N'-디메틸아세트아미드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 시클로펜타논, γ-부티로락톤, α-아세틸-γ-부티로락톤, 테트라메틸요소, 1,3-디메틸-2-이미다졸리논, N-시클로헥실-2-피롤리돈, 디메틸술폭시드, 헥사메틸포스포르아미드, 피리딘, γ-부티로락톤, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르를 들 수 있다.A solvent can be mix|blended with the positive type photosensitive resin composition of this invention. As the solvent, (A) a polybenzoxazole precursor, (B) a photoacid generator, (C) a crosslinking agent having a phenolic hydroxyl group, (D) a crosslinking agent having two or more methylol groups without having a phenolic hydroxyl group, and others It will not specifically limit if it dissolves an additive. As an example, N,N'-dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N,N'-dimethylacetamide, diethylene glycol dimethyl ether, cyclopentanone, γ- Butyrolactone, α-acetyl-γ-butyrolactone, tetramethylurea, 1,3-dimethyl-2-imidazolinone, N-cyclohexyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphorus Amide, pyridine, (gamma)-butyrolactone, and diethylene glycol monomethyl ether are mentioned.

이러한 용매는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 상관없다. 이 용매의 배합량은, 도포 막 두께나 점도에 따라서, (A) 폴리벤조옥사졸 전구체 100질량부에 대하여 50 내지 9000질량부의 범위에서 사용할 수 있다.These solvents may be used individually by 1 type, or may be used in mixture of 2 or more types. The compounding amount of this solvent can be used in the range of 50 to 9000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polybenzoxazole precursor (A) depending on the coating film thickness and viscosity.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에는, 추가로 광 감도를 향상시키기 위해 공지된 증감제를 배합할 수도 있다.A known sensitizer may be incorporated into the positive photosensitive resin composition of the present invention in order to further improve photosensitivity.

또한, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에는, 기재와의 접착성 향상을 위해 공지된 접착 보조제를 첨가할 수도 있다.In addition, a known adhesion adjuvant may be added to the positive photosensitive resin composition of the present invention to improve adhesion to a substrate.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 가공 특성이나 각종 기능성을 부여하기 위해서, 그 밖에 다양한 유기 또는 무기의 저분자 또는 고분자 화합물을 배합해도 된다. 예를 들어, 계면 활성제, 레벨링제, 가소제, 미립자 등을 사용할 수 있다. 미립자에는, 폴리스티렌, 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 유기 미립자, 콜로이달 실리카, 카본, 층상 규산염 등의 무기 미립자가 포함된다. 또한, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 각종 착색제 및 섬유 등을 배합해도 된다.In order to impart processing characteristics and various functionalities to the positive photosensitive resin composition of the present invention, various other organic or inorganic low-molecular or high-molecular compounds may be blended. For example, surfactants, leveling agents, plasticizers, fine particles and the like can be used. The fine particles include organic fine particles such as polystyrene and polytetrafluoroethylene, and inorganic fine particles such as colloidal silica, carbon, and layered silicate. Further, various colorants and fibers may be blended with the positive photosensitive resin composition of the present invention.

[드라이 필름][Dry Film]

본 발명의 드라이 필름은, 필름 상에, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 도포, 건조시켜 얻어지는 수지층을 갖는다. 본 발명의 드라이 필름은, 수지층을, 기재에 접하도록 라미네이트하여 사용된다.The dry film of this invention has a resin layer obtained by apply|coating and drying the positive photosensitive resin composition of this invention on a film. The dry film of the present invention is used by laminating a resin layer so as to be in contact with a substrate.

본 발명의 드라이 필름은, 예를 들어 캐리어 필름에 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 블레이드 코터, 립 코터, 콤마 코터, 필름 코터 등의 적절한 방법에 의해 균일하게 도포하고, 건조시켜, 상기한 수지층을 형성하고, 바람직하게는 그 위에 커버 필름을 적층함으로써 제조할 수 있다. 커버 필름과 캐리어 필름은 동일한 필름 재료여도, 다른 필름을 사용해도 된다.The dry film of the present invention is obtained by uniformly applying the positive photosensitive resin composition of the present invention to a carrier film by an appropriate method such as a blade coater, lip coater, comma coater, or film coater, and drying the It can be manufactured by forming a stratum and preferably laminating a cover film thereon. The cover film and the carrier film may be of the same film material or may use different films.

본 발명의 드라이 필름에 있어서, 캐리어 필름 및 커버 필름의 필름 재료는, 드라이 필름에 사용되는 것으로서 공지된 것을 모두 사용할 수 있다.In the dry film of the present invention, as the film material of the carrier film and the cover film, those known as those used for dry films can all be used.

캐리어 필름으로서는, 예를 들어 2 내지 150㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름 등의 열가소성 필름이 사용된다.As the carrier film, thermoplastic films such as polyester films such as polyethylene terephthalate having a thickness of 2 to 150 µm are used, for example.

커버 필름으로서는, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름 등을 사용할 수 있지만, 수지층과의 접착력이 캐리어 필름보다도 작은 것이 좋다.Although a polyethylene film, a polypropylene film, etc. can be used as a cover film, the adhesive force with a resin layer is smaller than a carrier film is preferable.

본 발명의 드라이 필름 상의 수지층의 막 두께는, 100㎛ 이하가 바람직하고, 5 내지 50㎛의 범위가 보다 바람직하다.The film thickness of the resin layer on the dry film of the present invention is preferably 100 µm or less, and more preferably in the range of 5 to 50 µm.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여, 그의 경화물인 패턴막은, 예를 들어 하기와 같이 제조한다.Using the positive photosensitive resin composition of the present invention, a pattern film that is a cured product thereof is prepared, for example, as follows.

먼저, 스텝 1로서, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기재 상에 도포, 건조시키거나, 또는 드라이 필름으로부터 수지층을 기재 상에 전사함으로써 도막을 얻는다.First, as step 1, a coating film is obtained by applying a positive photosensitive resin composition onto a substrate, drying it, or transferring a resin layer from a dry film onto a substrate.

포지티브형 감광성 수지 조성물을 기재 상에 도포하는 방법으로서는, 종래부터 감광성 수지 조성물의 도포에 사용되고 있던 방법, 예를 들어 스핀 코터, 바 코터, 블레이드 코터, 커튼 코터, 스크린 인쇄기 등으로 도포하는 방법, 스프레이 코터로 분무 도포하는 방법, 나아가 잉크젯법 등을 사용할 수 있다.As a method of applying a positive photosensitive resin composition onto a substrate, a method that has conventionally been used for application of a photosensitive resin composition, for example, a method of applying with a spin coater, bar coater, blade coater, curtain coater, screen printer, etc., spray A method of spray coating with a coater, furthermore, an inkjet method or the like can be used.

도막의 건조 방법으로서는, 풍건, 오븐 또는 핫 플레이트에 의한 가열 건조, 진공 건조 등의 방법이 사용된다. 이 도막의 건조는, 감광성 수지 조성물 중의 (A) 폴리벤조옥사졸 전구체의 폐환이 일어나지 않는 조건 하에서 행하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 자연 건조, 송풍 건조, 또는 가열 건조를 70 내지 140℃에서 1 내지 30분의 조건으로 행할 수 있다. 바람직하게는, 핫 플레이트 상에서 1 내지 20분 건조를 행한다. 또한, 진공 건조도 가능하고, 이 경우에는 실온에서 20분 내지 1시간의 조건으로 행할 수 있다.As a method of drying the coating film, methods such as air drying, heat drying by an oven or hot plate, and vacuum drying are used. Drying of this coating film is preferably performed under conditions in which ring closure of the (A) polybenzoxazole precursor in the photosensitive resin composition does not occur. Specifically, natural drying, blowing drying, or heat drying can be performed under conditions of 1 to 30 minutes at 70 to 140°C. Preferably, drying is performed for 1 to 20 minutes on a hot plate. Further, vacuum drying is also possible, and in this case, it can be performed at room temperature for 20 minutes to 1 hour.

기재에 특별히 제한은 없고, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기재, 배선 기판, 각종 수지, 금속 등에 널리 적용할 수 있다.The substrate is not particularly limited, and it can be widely applied to semiconductor substrates such as silicon wafers, wiring boards, various resins, metals, and the like.

이어서, 스텝 2로서, 상기 도막을, 패턴을 갖는 포토마스크를 개재하거나 또는 직접 노광한다.Then, as step 2, the coating film is exposed through a photomask having a pattern or directly.

노광 광선은, (B) 광 산 발생제를 활성화시켜, 산을 발생시킬 수 있는 파장의 것을 사용한다. 구체적으로는, 노광 광선은, 최대 파장이 350 내지 450nm의 범위에 있는 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이, 적절히 증감제를 사용하면, 광 감도를 조정할 수 있다.As the exposure light beam, (B) a light having a wavelength capable of activating the photo-acid generator and generating an acid is used. Specifically, the maximum wavelength of the exposure light beam is preferably in the range of 350 to 450 nm. As described above, if a sensitizer is appropriately used, the photosensitivity can be adjusted.

노광 장치로서는, 컨택트 얼라이너, 미러 프로젝션, 스테퍼, 레이저 다이렉트 노광 장치 등을 사용할 수 있다.As an exposure apparatus, a contact aligner, a mirror projection, a stepper, a laser direct exposure apparatus, etc. can be used.

계속해서, 스텝 3으로서, 가열하여 미노광부의 (A) 폴리벤조옥사졸의 일부를 폐환해도 된다.Then, as step 3, you may heat and ring-close a part of (A) polybenzoxazole of an unexposed part.

여기서, 폐환율은 30% 정도이다. 가열 시간 및 가열 온도는, (A) 폴리벤조옥사졸, 도포 막 두께, (B) 광 산 발생제의 종류에 의해 적절히 변경한다.Here, the exchange rate is about 30%. The heating time and heating temperature are appropriately changed depending on the type of (A) polybenzoxazole, coating film thickness, and (B) photoacid generator.

이어서, 스텝 4로서, 도막을 현상액으로 처리한다.Next, as step 4, the coating film is treated with a developing solution.

이에 의해, 도막 중의 노광 부분을 제거하여, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물의 패턴막을 형성할 수 있다.Thereby, the exposed part in the coating film can be removed, and the pattern film of the positive type photosensitive resin composition of this invention can be formed.

현상에 사용하는 방법으로서는, 종래 알려져 있는 포토레지스트의 현상 방법, 예를 들어 회전 스프레이법, 패들법, 초음파 처리를 수반하는 침지법 등 중에서 임의의 방법을 선택할 수 있다.As a method used for development, any method can be selected from conventionally known photoresist developing methods, such as a rotary spray method, a paddle method, an immersion method involving ultrasonic treatment, and the like.

현상액으로서는, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 암모니아수 등의 무기 알칼리류, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 트리에탄올아민 등의 유기 아민류, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라부틸암모늄히드록시드 등의 4급 암모늄염류 등의 수용액을 들 수 있다. 또한, 필요에 따라서, 이들에 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 등의 수용성 유기 용매나 계면 활성제를 적당량 첨가해도 된다. 또한, 현상액으로서 상기 용매를 사용해도 된다.Examples of the developing solution include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate and aqueous ammonia; organic amines such as ethylamine, diethylamine, triethylamine and triethanolamine; tetramethylammonium hydroxide and tetrabutylammonium hydroxide; Aqueous solutions, such as a quaternary ammonium salt of , are mentioned. Moreover, you may add an appropriate amount of water-soluble organic solvents, such as methanol, ethanol, and isopropyl alcohol, and surfactant to these as needed. Moreover, you may use the said solvent as a developing solution.

그 후, 필요에 따라서 도막을 린스액에 의해 세정하여 패턴막을 얻는다.Thereafter, the coated film is washed with a rinse liquid as needed to obtain a patterned film.

린스액으로서는, 증류수, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 등을 단독 또는 조합하여 사용할 수 있다.As a rinse liquid, distilled water, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, etc. can be used individually or in combination.

그 후, 스텝 5로서, 패턴막을 가열하여 경화 도막(경화물)을 얻는다.After that, as step 5, the patterned film is heated to obtain a cured coating film (cured product).

이 때, (A) 폴리벤조옥사졸 전구체를 폐환하여, 폴리벤조옥사졸을 얻으면 된다.At this time, (A) What is necessary is just to ring-close the polybenzoxazole precursor and obtain polybenzoxazole.

가열 온도는, 폴리벤조옥사졸의 패턴막을 경화 가능하도록 적절히 설정한다. 예를 들어, 불활성 가스 중에서 150 내지 350℃에서 5 내지 120분 정도의 가열을 행한다. 가열 온도의 보다 바람직한 범위는 200 내지 320℃이다.The heating temperature is appropriately set so that the patterned film of polybenzoxazole can be cured. For example, heating is performed at 150 to 350°C for about 5 to 120 minutes in an inert gas. A more preferable range of the heating temperature is 200 to 320°C.

이 가열은, 예를 들어 핫 플레이트, 오븐, 온도 프로그램을 설정할 수 있는 승온식 오븐을 사용함으로써 행한다. 이 때의 분위기(기체)로서는 공기를 사용해도 되고, 질소, 아르곤 등의 불활성 가스를 사용해도 된다.This heating is performed by using, for example, a hot plate, an oven, or a heating oven capable of setting a temperature program. As the atmosphere (gas) at this time, air may be used, or an inert gas such as nitrogen or argon may be used.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물의 용도는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 인쇄 잉크, 접착제, 충전제, 전자 재료, 광 회로 부품, 성형 재료, 레지스트 재료, 건축 재료, 3차원 조형, 광학 부재 등, 수지 재료가 사용되는 공지된 각종 분야·제품 등을 들 수 있다. 특히 폴리벤조옥사졸막의 내열성, 치수 안정성, 절연성 등의 특성이 유효해지는 광범위한 분야·제품, 예를 들어 도료 또는 인쇄 잉크, 또는 컬러 필터, 플렉시블 디스플레이용 필름, 반도체 소자의 피복막, 전자 부품, 층간 절연막, 솔더 레지스트 등의 프린트 배선판의 피복막, 광 회로, 광 회로 부품, 반사 방지막, 홀로그램, 광학 부재 또는 건축 재료의 형성 재료로서 적합하게 사용된다.The use of the positive photosensitive resin composition of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include printing inks, adhesives, fillers, electronic materials, optical circuit parts, molding materials, resist materials, building materials, three-dimensional modeling, optical members, etc. , various well-known fields and products in which resin materials are used. In particular, a wide range of fields and products in which properties such as heat resistance, dimensional stability, and insulation of polybenzoxazole films are effective, such as paints or printing inks, color filters, films for flexible displays, coatings of semiconductor devices, electronic parts, and interlayers. It is suitably used as a forming material for coating films of printed wiring boards such as insulating films and solder resists, optical circuits, optical circuit components, antireflection films, holograms, optical members, or building materials.

특히, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 주로 패턴 형성 재료(레지스트)로서 사용되고, 그것에 의하여 형성된 패턴막은, 폴리벤조옥사졸을 포함하는 영구막으로서 내열성이나 절연성을 부여하는 성분으로서 기능하여, 예를 들어 컬러 필터, 플렉시블 디스플레이용 필름, 수동 부품용 절연 재료, 반도체 소자의 피복막, 층간 절연막, 솔더 레지스트나 커버 레이막 등의 프린트 배선판의 피복막, 솔더댐, 광 회로, 광 회로 부품, 반사 방지막, 기타 광학 부재 또는 전자 부재를 형성하는 데 적합하다.In particular, the positive photosensitive resin composition of the present invention is mainly used as a pattern formation material (resist), and the pattern film formed thereby functions as a component that imparts heat resistance and insulation as a permanent film containing polybenzoxazole. For example, color filters, films for flexible displays, insulating materials for passive components, coatings of semiconductor devices, interlayer insulation films, coatings of printed wiring boards such as solder resists and cover coatings, solder dams, optical circuits, optical circuit components, and reflections. It is suitable for forming a protective film, other optical members or electronic members.

실시예Example

이하, 본 발명을, 실시예를 사용하여 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 있어서 「부」 및 「%」라는 것은, 특별히 언급하지 않는 한 모두 질량 기준이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail using examples, but the present invention is not limited to the following examples. In the following, "part" and "%" are all based on mass unless otherwise specified.

(폴리벤조옥사졸(PBO) 전구체의 합성)(Synthesis of polybenzoxazole (PBO) precursor)

교반기, 온도계를 구비한 0.5리터의 플라스크 중에 N-메틸피롤리돈 212g 투입하고, 비스(3-아미노-4-히드록시아미도페닐)헥사플루오로프로판 17.55g(47.93mmol)을 교반 용해시켰다. 그 후, 플라스크를 빙욕에 침지하고, 플라스크 내를 0 내지 5℃로 유지하면서, 4,4'-디페닐에테르디카르복실산클로라이드 15.00g(50.83mmol)을 고체인 채로 5g씩 30분간에 걸쳐서 첨가하고, 빙욕 중에서 30분간 교반하였다. 그 후, 실온에서 5시간 교반을 계속하였다. 교반한 용액을 1L의 이온 교환수(비저항값 18.2MΩ·cm)에 투입하고, 석출물을 회수하였다. 그 후, 얻어진 고체를 아세톤 420mL에 용해시키고, 1L의 이온 교환수에 투입하였다. 석출된 개체를 회수 후, 감압 건조시켜 카르복실기 말단의 하기 반복 구조를 갖는 폴리벤조옥사졸(PBO) 전구체 A-1을 얻었다. 폴리벤조옥사졸 전구체 A-1의 수 평균 분자량(Mn)은 17,300, 중량 평균 분자량(Mw)은 42,100, Mw/Mn은 2.45였다.Into a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 212 g of N-methylpyrrolidone was charged, and 17.55 g (47.93 mmol) of bis(3-amino-4-hydroxyamidophenyl)hexafluoropropane was stirred and dissolved. Thereafter, the flask was immersed in an ice bath, and 15.00 g (50.83 mmol) of 4,4'-diphenyl ether dicarboxylic acid chloride was added as a solid at 5 g each for 30 minutes while maintaining the inside of the flask at 0 to 5 ° C. It was added and stirred for 30 minutes in an ice bath. After that, stirring was continued at room temperature for 5 hours. The stirred solution was poured into 1 L of ion-exchanged water (resistivity value: 18.2 MΩ·cm), and precipitates were recovered. Then, the obtained solid was dissolved in 420 mL of acetone, and injected into 1 L of ion-exchanged water. After recovering the precipitated object, it was dried under reduced pressure to obtain a polybenzoxazole (PBO) precursor A-1 having the following repeating structure at the carboxyl group terminal. The number average molecular weight (Mn) of the polybenzoxazole precursor A-1 was 17,300, the weight average molecular weight (Mw) was 42,100, and Mw/Mn was 2.45.

Figure 112019109860660-pct00010
Figure 112019109860660-pct00010

(실시예 1 내지 7, 비교예 1 내지 3)(Examples 1 to 7, Comparative Examples 1 to 3)

상기에서 합성한 벤조옥사졸 전구체 (A-1) 100질량부에 대하여, 나프토퀴논디아지드(DNQ) 화합물 (B-1) 10질량부와 하기 표 1에 기재된 가교제, 실란 커플링제 (E-1) 7질량부를 배합한 후, 벤조옥사졸 전구체가 30질량%가 되도록 N-메틸피롤리돈(NMP)을 첨가하여 바니시로 하고, 스핀 코터를 사용하여 실리콘 기판 상에 도포하였다. 핫 플레이트에서 120℃ 3분 건조시켜, 감광성 수지 조성물의 건조막을 얻었다. 얻어진 건조 도막에 고압 수은 램프를 사용하여 1 내지 30㎛까지의 패턴이 새겨진 마스크를 통해 300mJ/cm2의 브로드 광을 조사하였다. 노광 후 2.38% 테트라메틸암모늄히드록시드(TMAH) 수용액으로 60초 현상하고, 물로 린스하여, 포지티브형 패턴을 얻었다.Based on 100 parts by mass of the benzoxazole precursor (A-1) synthesized above, 10 parts by mass of the naphthoquinonediazide (DNQ) compound (B-1), the crosslinking agent shown in Table 1 below, and the silane coupling agent (E- 1) After blending 7 parts by mass, N-methylpyrrolidone (NMP) was added so that the benzoxazole precursor was 30% by mass to obtain a varnish, which was applied on a silicon substrate using a spin coater. It was made to dry on a hot plate at 120 degreeC for 3 minutes, and the dried film of the photosensitive resin composition was obtained. The obtained dry film was irradiated with broad light of 300 mJ/cm 2 through a mask having a pattern of 1 to 30 μm using a high-pressure mercury lamp. After exposure, it was developed for 60 seconds with a 2.38% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution, rinsed with water, and a positive pattern was obtained.

(B-1), (C-1), (C-2), (C-3), (D-1), (D-2), (D-3), (E-1)은 하기 화합물이다.(B-1), (C-1), (C-2), (C-3), (D-1), (D-2), (D-3), (E-1) are the following compounds am.

Figure 112019109860660-pct00011
Figure 112019109860660-pct00011

Figure 112019109860660-pct00012
Figure 112019109860660-pct00012

Figure 112019109860660-pct00013
Figure 112019109860660-pct00013

Figure 112019109860660-pct00014
Figure 112019109860660-pct00014

(미노광부 잔막률의 평가)(Evaluation of remaining film rate of unexposed area)

현상 후의 감광 막에 있어서 막 두께를 측정하고, 현상 전의 막 두께와의 비를 취함으로써 미노광부 잔막률을 각각 구하였다.The film thickness of the photosensitive film after development was measured, and the remaining film ratio of the unexposed area was determined by taking a ratio with the film thickness before development.

Figure 112019109860660-pct00015
Figure 112019109860660-pct00015

(해상도의 평가)(Evaluation of Resolution)

현상 후 패턴을 전자 현미경(SEM "JSM-6010")으로 관찰하여 노광부를 스컴없이 패터닝할 수 있는 최소 패턴의 크기를 해상도(L(㎛)/S(㎛))로 하였다.After development, the pattern was observed with an electron microscope (SEM "JSM-6010"), and the resolution (L (μm) / S (μm)) was the size of the minimum pattern capable of patterning the exposed portion without scum.

(경화 후의 패턴 형성성)(pattern formation after curing)

포지티브형 패턴에 대하여, 150℃에서 30분/320℃로 1시간의 열처리를 실시하여 경화시킨 후, 전자 현미경(SEM "JSM-6010")으로 패턴 형상을 관찰하여, 이하의 기준으로 평가하였다.The positive pattern was cured by heat treatment at 150°C for 30 minutes/320°C for 1 hour, and then the pattern shape was observed with an electron microscope (SEM "JSM-6010") and evaluated according to the following criteria.

○: 패턴 형상이 직사각형 또는 직사각형에 가까운 형상이었을 경우○: When the pattern shape is a rectangle or a shape close to a rectangle

×: 패턴 형상이 각이 없고 원형에 가까운 형상이었을 경우×: When the pattern shape has no angles and is close to a circular shape

Figure 112019109860660-pct00016
Figure 112019109860660-pct00016

표 중의 괄호 내의 수치는, 각 성분의 배합량(질량부)을 나타낸다.Numerical values in parentheses in the table indicate the blending amount (parts by mass) of each component.

표 1에 나타내는 결과로부터, 상기 특정한 2종의 가교제를 함유하는 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 해상성 및 잔막률이 우수하고, 또한 우수한 형상의 포지티브형 패턴을 형성 가능한 것을 알 수 있다. 특히 실시예 1의 (C-1)과 (D-1)의 배합 비율을 1:1로 한 것이, 미노광부 잔막률, 해상도 및 패턴 형상에 관한 평가 결과의 밸런스가 가장 우수한 것을 알 수 있다.From the results shown in Table 1, it can be seen that the positive photosensitive resin composition of the present invention containing the above specific two types of crosslinking agents is excellent in resolution and film remaining rate, and can form positive patterns with excellent shapes. In particular, it can be seen that the balance of the evaluation results regarding the remaining film ratio, resolution and pattern shape of the unexposed area is the best when the blending ratio of (C-1) and (D-1) in Example 1 is 1:1.

Claims (6)

(A) 폴리벤조옥사졸 전구체,
(B) 광 산 발생제,
(C) 페놀성 수산기를 갖는 가교제, 및
(D) 페놀성 수산기를 갖지 않고 메틸올기를 2개 이상 갖는 가교제
를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물이며,
상기 (C) 페놀성 수산기를 갖는 가교제가 이하의 화합물 중 어느 것임을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112023006469813-pct00017
(A) a polybenzoxazole precursor;
(B) a photoacid generator;
(C) a crosslinking agent having a phenolic hydroxyl group, and
(D) A crosslinking agent having two or more methylol groups without a phenolic hydroxyl group
A positive photosensitive resin composition comprising a,
A positive photosensitive resin composition, characterized in that the (C) crosslinking agent having a phenolic hydroxyl group is any of the following compounds.
Figure 112023006469813-pct00017
제1항에 있어서, 추가로 실란 커플링제를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.The positive photosensitive resin composition according to claim 1, further comprising a silane coupling agent. 제1항에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을, 필름에 도포, 건조시켜 얻어지는 수지층을 갖는 것을 특징으로 하는 드라이 필름.A dry film characterized by having a resin layer obtained by applying the positive photosensitive resin composition according to claim 1 to a film and drying it. 제1항 또는 제2항에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물 또는 제3항에 기재된 드라이 필름의 수지층을, 경화하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 경화물.A cured product obtained by curing the resin layer of the positive photosensitive resin composition according to claim 1 or 2 or the dry film according to claim 3. 제4항에 기재된 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판.A printed wiring board comprising the cured product according to claim 4. 제4항에 기재된 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.A semiconductor device comprising the cured product according to claim 4.
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