KR102503788B1 - Etchant and manufacturing method of display device using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 식각액 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예는, 조성물 총중량에 대하여, 8.5 중량% 내지 10 중량%의 무기산 화합물, 1 중량% 내지 10 중량%의 황산수소염 화합물, 40 중량% 내지 60 중량%의 유기산 화합물, 1 중량% 내지 5 중량%의 술폰산 화합물, 1 중량% 내지 5 중량%의 킬레이트 화합물 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 개시한다.The present invention relates to an etchant composition. One embodiment of the present invention, based on the total weight of the composition, 8.5% to 10% by weight of an inorganic acid compound, 1% to 10% by weight of a hydrogen sulfate compound, 40% to 60% by weight of an organic acid compound, 1% by weight To 5% by weight of a sulfonic acid compound, 1 to 5% by weight of a chelate compound and the balance of water are disclosed.
Description
본 발명의 실시예들은, 식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to an etchant composition and a method for manufacturing a display device using the same.
각종 전기적 신호정보를 시각적으로 표현하는 디스플레이 분야가 발전함에 따라, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 우수한 특성을 지닌 다양한 평판 디스플레이 장치들이 연구 및 개발되고 있다. 이중, 유기 발광 디스플레이 장치는 경량화 및 박형화가 가능할 뿐만 아니라, 넓은 시야각, 빠른 응답속도 등의 장점으로 인하여 차세대 디스플레이 장치로서 주목 받고 있다.As the display field for visually expressing various electrical signal information develops, various flat panel display devices having excellent characteristics such as thinning, light weight, and low power consumption are being researched and developed. Among them, the organic light emitting display device is attracting attention as a next-generation display device due to advantages such as a wide viewing angle, fast response speed, and the like, as well as being capable of light weight and thinning.
한편, 디스플레이 장치의 표시 면적이 점점 대형화됨에 따라, 디스플레이 장치에 포함되는 다양한 배선 및 전극은 최대한 낮은 비저항을 가지는 재료로 형성될 필요가 있다. 이를 위해 디스플레이 장치에 포함되는 다양한 배선 및 전극은 은을 포함할 수 있다. 그러나, 은을 포함하는 배선 또는 전극은, 배선 또는 전극의 상부 또는 하부에 위치하는 층 또는 막과의 접합력이 약하므로, 이를 보완하기 위해 배선 또는 전극은 은을 포함하는 막과, 다른 전도막이 적층된 다층막으로 구성될 수 있다. On the other hand, as the display area of the display device gradually increases, various wires and electrodes included in the display device need to be formed of a material having a specific resistance as low as possible. To this end, various wires and electrodes included in the display device may include silver. However, since the wiring or electrode containing silver has weak bonding strength with the layer or film located above or below the wiring or electrode, the wiring or electrode is laminated with a film containing silver and another conductive film to compensate for this. It can be composed of a multi-layered film.
또한, 디스플레이 장치에 포함되는 다양한 배선 및 전극은 식각 공정을 포함하는 포토 리소그래피법과 같은 패터닝 공정을 이용하여 형성될 수 있는데, 배선 또는 전극이 서로 성질이 상이한 다층막으로 구성된 경우, 동시 식각 공정에 의해 원하는 특성을 갖는 배선 또는 전극을 형성하는데 한계가 있다. 뿐만 아니라, 종래 배선을 식각하는데 사용되는 식각액은 인산이 포함하므로, 식각 과정 중 인산에 의해 디스플레이 장치 내의 다른 배선에 손상의 발생하며, 이와 같은 과정을 통해 은의 이온이 환원되어 석출됨으로써, 은의 파티클에 의한 배선 또는 전극에 불량이 발생할 수 있다. 또한, 은의 파티클의 발생을 방지하기 위하여, 다층막의 은을 포함하는 막과 다른 전도막을 각각 순차적으로 식각할 수 있으나, 제조 공정의 효율이 현저히 떨어지게 된다.In addition, various wires and electrodes included in the display device may be formed using a patterning process such as a photolithography method including an etching process. When the wires or electrodes are composed of multilayer films having different properties from each other, a simultaneous etching process may be performed. There is a limit to forming a wire or electrode having characteristics. In addition, since the etchant used to etch conventional wires contains phosphoric acid, damage occurs to other wires in the display device due to phosphoric acid during the etching process, and silver ions are reduced and precipitated through this process, resulting in silver particles Defects may occur in wiring or electrodes due to In addition, in order to prevent the generation of silver particles, the silver-containing film and the other conductive film of the multilayer film may be sequentially etched, but the efficiency of the manufacturing process is significantly reduced.
본 발명의 실시예들은, 인산을 포함하지 않으면서 은막을 포함하는 다층막을 동시 식각할 수 있는 식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to an etchant composition capable of simultaneously etching a multilayer film including a silver film without containing phosphoric acid and a method of manufacturing a display device using the same.
본 발명의 일 실시예는, 무기산 화합물, 황산수소염 화합물, 술폰산 화합물, 유기산 화합물 및 잔량의 물을 포함하며, 조성물 총중량에 대하여, 상기 유기산 화합물을 50 중량% 내지 60 중량% 포함하는 식각액 조성물을 개시한다.One embodiment of the present invention discloses an etchant composition comprising an inorganic acid compound, a hydrogen sulfate compound, a sulfonic acid compound, an organic acid compound, and a residual amount of water, and including 50% to 60% by weight of the organic acid compound based on the total weight of the composition. do.
본 실시예에 있어서, 상기 황산수소염 화합물은 황산수소암모늄, 황산수소칼륨, 및 황산수소나트륨 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In this embodiment, the hydrogen sulfate compound may include at least one of ammonium hydrogen sulfate, potassium hydrogen sulfate, and sodium hydrogen sulfate.
본 실시예에 있어서, 상기 유기산 화합물은 아세트산, 말산, 시트르산, 타타르산, 락트산, 포름산, 석신산, 및 푸마르산 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In this embodiment, the organic acid compound may include at least one of acetic acid, malic acid, citric acid, tartaric acid, lactic acid, formic acid, succinic acid, and fumaric acid.
본 실시예에 있어서, 상기 유기산 화합물은 서로 다른 제1 유기산 화합물과 제2 유기산 화합물을 포함할 수 있다.In this embodiment, the organic acid compound may include a first organic acid compound and a second organic acid compound that are different from each other.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 유기산 화합물과 상기 제2 유기산 화합물은 각각 상기 식각액 조성물 총중량에 대하여 20 중량% 내지 30 중량%로 포함될 수 있다.In this embodiment, the first organic acid compound and the second organic acid compound may each be included in an amount of 20% to 30% by weight based on the total weight of the etchant composition.
본 실시예에 있어서, 상기 술폰산 화합물은 메탄술폰산, 파라톨루엔술폰산, 벤젠술폰산, 및 아미노메틸술폰산 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In this embodiment, the sulfonic acid compound may include at least one of methanesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, and aminomethylsulfonic acid.
본 실시예에 있어서, 킬레이트 화합물을 더 포함할 수 있다.In this embodiment, a chelate compound may be further included.
본 실시예에 있어서, 상기 식각액 조성물은, 상기 조성물 총중량에 대하여, 상기 무기산 화합물을 8.5 중량% 내지 10 중량%, 황산수소염 화합물을 1 중량% 내지 10 중량%, 상기 술폰산 화합물을 1 중량% 내지 5 중량%, 및 상기 킬레이트 화합물을 1 중량% 내지 5 중량% 포함할 수 있다.In the present embodiment, the etchant composition contains 8.5% to 10% by weight of the inorganic acid compound, 1% to 10% by weight of the hydrogen sulfate compound, and 1% to 5% by weight of the sulfonic acid compound, based on the total weight of the composition. % by weight, and 1% to 5% by weight of the chelate compound.
본 발명의 일 실시예는, 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화 층을 형성하는 단계; 및 상기 평탄화 층 상에 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제1 전극은 제1 도전층, 은을 포함하는 제2 도전층 및 제3 도전층의 적층 구조를 가지고, 상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층은 투명 또는 반투명 전극층이며, 상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층, 및 상기 제3 도전층은 상기 식각액 조성물에 의해 동시에 식각되고, 상기 식각액 조성물은, 조성물 총중량에 대하여, 8.5 중량% 내지 10 중량%의 무기산 화합물, 1 중량% 내지 10 중량%의 황산수소염 화합물, 50 중량% 내지 60 중량%의 유기산 화합물, 1 중량% 내지 5 중량%의 술폰산 화합물, 1 중량% 내지 5 중량%의 킬레이트 화합물 및 잔량의 물을 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법을 개시한다.One embodiment of the present invention, forming a thin film transistor on a substrate; forming a planarization layer covering the thin film transistor; and forming a first electrode electrically connected to the thin film transistor on the planarization layer, wherein the first electrode is formed by stacking a first conductive layer, a second conductive layer containing silver, and a third conductive layer. has a structure, the first conductive layer and the third conductive layer are transparent or translucent electrode layers, the first conductive layer, the second conductive layer, and the third conductive layer are simultaneously etched by the etchant composition, The etchant composition, based on the total weight of the composition, 8.5% to 10% by weight of an inorganic acid compound, 1% to 10% by weight of a hydrogen sulfate compound, 50% to 60% by weight of an organic acid compound, 1% to 5% by weight Disclosed is a method for manufacturing a display device comprising % of a sulfonic acid compound, 1% to 5% by weight of a chelate compound and the balance of water.
본 실시예에 있어서, 상기 황산수소염 화합물은 황산수소암모늄, 황산수소칼륨, 및 황산수소나트륨 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In this embodiment, the hydrogen sulfate compound may include at least one of ammonium hydrogen sulfate, potassium hydrogen sulfate, and sodium hydrogen sulfate.
본 실시예에 있어서, 상기 유기산 화합물은 아세트산, 말산, 시트르산, 타타르산, 락트산, 포름산, 석신산, 및 푸마르산 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In this embodiment, the organic acid compound may include at least one of acetic acid, malic acid, citric acid, tartaric acid, lactic acid, formic acid, succinic acid, and fumaric acid.
본 실시예에 있어서, 상기 유기산 화합물은 서로 다른 제1 유기산 화합물과 제2 유기산 화합물을 포함할 수 있다.In this embodiment, the organic acid compound may include a first organic acid compound and a second organic acid compound that are different from each other.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 유기산 화합물과 상기 제2 유기산 화합물은 각각 상기 식각액 조성물 총중량에 대하여 20 중량% 내지 30 중량%로 포함될 수 있다.In this embodiment, the first organic acid compound and the second organic acid compound may each be included in an amount of 20% to 30% by weight based on the total weight of the etchant composition.
본 실시예에 있어서, 상기 술폰산 화합물은 메탄술폰산, 파라톨루엔술폰산, 벤젠술폰산, 및 아미노메틸술폰산 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In this embodiment, the sulfonic acid compound may include at least one of methanesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, and aminomethylsulfonic acid.
본 실시예에 있어서, 상기 킬레이트 화합물은 시트르산, 디에탄올아민, DTPA, EDTA, 에틸렌디아민, IDA, 에탄올아민, 및 말론산 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In this embodiment, the chelate compound may include at least one of citric acid, diethanolamine, DTPA, EDTA, ethylenediamine, IDA, ethanolamine, and malonic acid.
본 실시예에 있어서, 상기 평탄화층의 일부를 제거하여 분할영역을 형성하고, 상기 분할영역에는 전기적 신호를 상기 박막 트랜지스터로 인가하는 복수의 배선들이 노출되며, 상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층, 및 상기 제3 도전층은 상기 복수의 배선들이 노출된 상태로 상기 식각액 조성물에 의해 식각될 수 있다.In this embodiment, a portion of the planarization layer is removed to form a divided region, a plurality of wires for applying electrical signals to the thin film transistor are exposed in the divided region, and the first conductive layer and the second conductive layer are exposed. layer and the third conductive layer may be etched by the etchant composition in a state in which the plurality of wires are exposed.
본 실시예에 있어서, 상기 배선들은 티타늄을 포함하는 제1 층, 알루미늄을 포함하는 제2 층, 및 티타늄을 포함하는 제3 층의 적층 구조로 형성될 수 있다.In this embodiment, the wires may be formed in a stacked structure of a first layer containing titanium, a second layer containing aluminum, and a third layer containing titanium.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 전극 상에 중간층과 제2 전극을 형성하고, 상기 제2 전극 상에 박막 봉지층을 형성하고, 상기 박막 봉지층은 유기막과 상기 유기막보다 넓이가 넓은 무기막을 포함할 수 있다.In this embodiment, an intermediate layer and a second electrode are formed on the first electrode, and a thin film encapsulation layer is formed on the second electrode, and the thin film encapsulation layer is an organic film and an inorganic film having a wider width than the organic film. may contain membranes.
본 실시예에 있어서, 상기 분할영역은 상기 평탄화층을 중앙부와 외곽부로 분할하고, 상기 무기막은 상기 외곽부를 덮도록 형성될 수 있다.In this embodiment, the divided region may divide the planarization layer into a central portion and an outer portion, and the inorganic layer may be formed to cover the outer portion.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 도전층은 합금 원소를 더 포함하고, 상기 합금 원소의 원자 반경은 상기 은의 원자 반경과 동일하거나 작을 수 있다.In this embodiment, the second conductive layer may further include an alloying element, and an atomic radius of the alloying element may be equal to or smaller than that of the silver.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features and advantages other than those described above will become apparent from the following drawings, claims and detailed description of the invention.
본 발명의 실시예들에 의하면, 식각액이 인산을 포함하지 않으며, 은막을 포함하는 다층막의 동시 식각 과정에서 은의 석출 현상을 방지할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to embodiments of the present invention, the etchant does not contain phosphoric acid, and it is possible to prevent silver precipitation during simultaneous etching of a multilayer film including a silver film. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.
도 1 내지 도 3은 실시예에 따른 다층 금속막의 식각 결과를 도시한 도이다.
도 4 내지 도 6은 비교예에 따른 다층 금속막의 식각 결과를 도시한 도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 8은 도 7의 I-I’ 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 9는 도 7의 디스플레이 장치의 전압선과 평탄화층을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 10은 도 9의 III-III’ 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 11은 도 9의 제1 전극의 식각 과정 중 배선들 상에 은 입자가 재흡착된 현상을 도시하는 평면도이다.1 to 3 are diagrams illustrating an etching result of a multilayer metal film according to an embodiment.
4 to 6 are diagrams illustrating etching results of a multilayer metal film according to a comparative example.
7 is a plan view schematically illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of the II' cross section of FIG. 7 .
FIG. 9 is a plan view schematically illustrating a voltage line and a planarization layer of the display device of FIG. 7 .
FIG. 10 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a section III-III' of FIG. 9 .
FIG. 11 is a plan view illustrating a phenomenon in which silver particles are re-adsorbed on wires during the etching process of the first electrode of FIG. 9 .
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can apply various transformations and have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and methods for achieving them will become clear with reference to the embodiments described later in detail together with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.In the following embodiments, terms such as first and second are used for the purpose of distinguishing one component from another component without limiting meaning.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. In the following examples, expressions in the singular number include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have mean that features or components described in the specification exist, and do not preclude the possibility that one or more other features or components may be added.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following embodiments, when a part such as a film, region, component, etc. is said to be on or on another part, not only when it is directly above the other part, but also when another film, region, component, etc. is interposed therebetween. Including if there is
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. In the drawings, the size of components may be exaggerated or reduced for convenience of explanation. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다. When an embodiment is otherwise implementable, a specific process sequence may be performed differently from the described sequence. For example, two processes described in succession may be performed substantially simultaneously, or may be performed in an order reverse to the order described.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or corresponding components will be given the same reference numerals when described with reference to the drawings.
본 발명에 따른 식각액 조성물은 은(Ag) 또는 은합금으로 이루어진 단일막, 및 은을 포함하는 단일막과 투명전도막으로 구성된 다층막을 식각하는데 사용될 수도 있다. 투명전도막은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO), 산화갈륨아연(GZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.The etchant composition according to the present invention may be used to etch a single film made of silver (Ag) or a silver alloy, and a multilayer film composed of a single film containing silver and a transparent conductive film. The transparent conductive film includes at least one selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), gallium zinc oxide (GZO), and indium gallium zinc oxide (IGZO). can do.
본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은, 무기산 화합물, 황산수소염 화합물, 술폰산 화합물, 유기산 화합물 및 잔량의 물을 포함할 수 있다. An etchant composition according to an embodiment of the present invention may include an inorganic acid compound, a hydrogen sulfate compound, a sulfonic acid compound, an organic acid compound, and a residual amount of water.
무기산 화합물은 은(Ag)의 주산화제로써, 질산(HNO3), 염산(HCl) 등일 수 있으며, 단독 또는 2종이상 혼합하여 사용할 수 있다. 무기산 화합물은 식각액 조성물 총중량에 대하여 8.5 중량% 내지 10 중량%로 포함될 수 있다. 무기산 화합물의 함량이 10 중량%보다 크면, 식각률이 지나치게 높아 식각 정도를 제어하기 어려워 Ag를 포함하는 금속막이 과식각될 수 있다. 반면에, 무기산 화합물의 함량이 8.5 중량%보다 작으면, 식각률이 감소하여 충분한 식각이 되지 않을 수 있다.The inorganic acid compound is a main oxidizing agent for silver (Ag), and may be nitric acid (HNO 3 ), hydrochloric acid (HCl), or the like, and may be used alone or in combination of two or more. The inorganic acid compound may be included in an amount of 8.5% to 10% by weight based on the total weight of the etchant composition. If the content of the inorganic acid compound is greater than 10% by weight, the etching rate is too high and it is difficult to control the etching degree, and the metal film including Ag may be over-etched. On the other hand, if the content of the inorganic acid compound is less than 8.5% by weight, the etching rate may decrease and sufficient etching may not be performed.
황산수소염 화합물은 투명전도막의 주 식각제로, 식각액 조성물이 황산수소염 화합물을 포함하지 않으면 투명전도막의 식각이 이루어지지 않는다. 황산수소염 화합물의 함량은 1 중량% 내지 10 중량%, 바람직하게는 2 중량% 내지 9 중량%일 수 있다. 황산수소염 화합물이 10 중량%보다 크면, 투명전도막의 식각속도가 지나치게 빨라 침식 불량을 유발할 수 있으며, 1 중량% 보다 작으면 투명전도막의 식각 속도가 감소하여, 투명전도막 및 은의 잔사가 발생 할 수 있다. 황산수소염 화합물은 황산수소암모늄((NH4)HSO4), 황산수소칼륨(KHSO4), 및 황산수소나트륨(NaHSO4) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The hydrogen sulfate compound is the main etching agent for the transparent conductive film, and the transparent conductive film is not etched unless the etching liquid composition contains the hydrogen sulfate compound. The content of the hydrogen sulfate compound may be 1% to 10% by weight, preferably 2% to 9% by weight. If the hydrogen sulfate compound is greater than 10% by weight, the etching rate of the transparent conductive film is too fast, which may cause erosion defects. there is. The hydrogen sulfate compound may include at least one of ammonium hydrogen sulfate ((NH 4 )HSO 4 ), potassium hydrogen sulfate (KHSO 4 ), and sodium hydrogen sulfate (NaHSO 4 ).
한편, 은의 공정 중 무기산 화합물은 은과의 반응으로 분해되고, 이에 따라 은을 포함하는 막의 식각 성능 및 식각 속도가 저하될 수 있다. 유기산 화합물은 무기산 화합물의 보조 산화제로, 무기산의 분해 속도를 늦춰주어 은 함유 금속막의 식각 속도를 일정하게 유지시켜준다. On the other hand, during the silver process, the inorganic acid compound is decomposed by reaction with silver, and accordingly, the etching performance and etching rate of the silver-containing film may decrease. The organic acid compound is an auxiliary oxidizing agent for the inorganic acid compound, and keeps the etching rate of the silver-containing metal film constant by slowing down the decomposition rate of the inorganic acid.
유기산 화합물의 함량은 50 중량% 내지 60 중량%, 바람직하게는 52 중량% 내지 58 중량%일 수 있다. 유기산 화합물이 60 중량%보다 크면, 은막의 식각속도가 지나치게 빨라 침식불량을 유발할 수 있으며, 50 중량%보다 낮으면 무기산 화합물이 분해 억제효과가 감소하여 안정성이 저하되고, 은의 잔사가 발생 할 수 있다. 유기산 화합물은 아세트산(CH3CO2H), 말산(C4H6O5), 시트르산(C6H8O7), 타타르산(C4H6O6), 락트산(C3H6O3), 포름산(CH2O2), 석신산(C4H6O4), 및 푸마르산(C4H4O4) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. The content of the organic acid compound may be 50% to 60% by weight, preferably 52% to 58% by weight. If the organic acid compound is greater than 60% by weight, the etching rate of the silver film is too fast, which may cause erosion failure. If the content is less than 50% by weight, the inorganic acid compound has a reduced decomposition inhibitory effect, lowering stability, and may cause silver residue. . Organic acid compounds include acetic acid (CH 3 CO 2 H), malic acid (C 4 H 6 O 5 ), citric acid (C 6 H 8 O 7 ), tartaric acid (C 4 H 6 O 6 ), and lactic acid (C 3 H 6 O 3 ), formic acid (CH 2 O 2 ), succinic acid (C 4 H 6 O 4 ), and fumaric acid (C 4 H 4 O 4 ).
선택적 실시예로, 유기산 화합물은 서로 다른 제1 유기산 화합물과 제2 유기산 화합물을 포함할 수 있다. 이때, 제1 유기산 화합물의 함량은 식각액 조성물 총중량에 대하여 20 중량% 내지 30 중량%일 수 있으며, 제3 유기산 화합물의 함량은 식각액 조성물 총중량에 대하여 20 중량% 내지 30 중량%일 수 있다. 일 예로, 제1 유기산 화합물은 아세트산이며, 제2 유기산 화합물은 시트르산일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.As an optional embodiment, the organic acid compound may include a first organic acid compound and a second organic acid compound that are different from each other. In this case, the content of the first organic acid compound may be 20% to 30% by weight based on the total weight of the etchant composition, and the content of the third organic acid compound may be 20% to 30% by weight based on the total weight of the etchant composition. For example, the first organic acid compound may be acetic acid and the second organic acid compound may be citric acid, but is not limited thereto.
술폰산 화합물은 무기산의 분해 속도를 늦춰주어 은 함유 금속막의 식각 속도를 일정하게 유지시켜준다. 술폰산 화합물의 함량은 1 중량% 내지 5 중량%, 바람직하게는 2 중량% 내지 5 중량%일 수 있다. 술폰산 화합물이 5 중량%보다 크면, 은을 포함하는 막의 식각 속도가 지나치게 빨라 침식불량을 유발할 수 있으며, 1 중량% 보다 작으면 무기산 화합물이 분해 억제효과가 감소하여 안정성이 저해될 수 있으며, 은의 잔사가 발생 할 수 있다. 술폰산 화합물은 메탄술폰산(CH3SO3H), 파라톨루엔술폰산(CH3C6H4SO3H), 벤젠술폰산(C6H5SO3H), 및 아미노메틸술폰산(CH5NO3S) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The sulfonic acid compound slows down the decomposition rate of the inorganic acid, thereby maintaining a constant etching rate of the silver-containing metal film. The content of the sulfonic acid compound may be 1% to 5% by weight, preferably 2% to 5% by weight. If the content of the sulfonic acid compound is greater than 5% by weight, the etching rate of the silver-containing film is too fast, which may cause erosion defects. may occur. Sulfonic acid compounds include methanesulfonic acid (CH 3 SO 3 H), p-toluenesulfonic acid (CH 3 C 6 H 4 SO 3 H), benzenesulfonic acid (C 6 H 5 SO 3 H), and aminomethylsulfonic acid (CH 5 NO 3 S ) may include at least one of them.
본 발명의 식각액 조성물은 킬레이트 화합물을 더 포함할 수 있다.The etchant composition of the present invention may further include a chelate compound.
킬레이트 화합물은 은의 킬레이트제로, 식각시 발생하는 은 이온의 반응을 억제하며, 식각 속도를 조절하는 효과를 가지며, 식각액의 기판 처리매수를 증가시킬 수 있다. 킬레이트 화합물의 함량은 1 중량% 내지 5 중량%, 바람직하게는 2 중량% 내지 5 중량%일 수 있다. 킬레이트 화합물의 함량이 1 중량% 보다 작으면 약액 경시에서 문제가 발생 할 수 있고, 투명전도막과 은을 포함하는 막의 식각속도 차에 의한 상부 투명전도막 팁(Tip)이 발생할 수 있다. 반면에, 킬레이트 화합물의 함량이 5 중량% 보다 크면 은을 포함하는 막의 과도한 식각 속도 저하에 따른 은 잔사가 발생 할 수 있다. The chelating compound is a silver chelating agent, suppresses the reaction of silver ions generated during etching, has an effect of controlling the etching rate, and can increase the number of substrates treated with an etchant. The content of the chelating compound may be 1% to 5% by weight, preferably 2% to 5% by weight. If the content of the chelate compound is less than 1% by weight, a problem may occur in chemical aging, and a tip of the upper transparent conductive film may occur due to a difference in etching rate between the transparent conductive film and the film containing silver. On the other hand, when the content of the chelate compound is greater than 5% by weight, silver residue may be generated due to an excessive decrease in the etching rate of the silver-containing film.
킬레이트 화합물의 구체적인 예로는 시트르산(C6H8O7), 디에탄올아민(C4H11NO2), DTPA(C14H23N3O10), EDTA(C10H16N2O8), 에틸렌디아민(C2H8N2), IDA(C4H7NO4), 에탄올아민(C2H7NO), 및 말론산(C3H4O4) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. Specific examples of the chelating compound include citric acid (C 6 H 8 O 7 ), diethanolamine (C 4 H 11 NO 2 ), DTPA (C 14 H 23 N 3 O 10 ), EDTA (C 10 H 16 N 2 O 8 ), ethylenediamine (C 2 H 8 N 2 ), IDA (C 4 H 7 NO 4 ), ethanolamine (C 2 H 7 NO), and malonic acid (C 3 H 4 O 4 ), including at least one of can do.
이하에서는, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples. However, the following examples are intended to explain the present invention in more detail, and the scope of the present invention is not limited by the following examples. The following examples may be appropriately modified or changed by those skilled in the art within the scope of the present invention.
<< 식각액etchant 조성물의 제조> Preparation of Composition>
상기와 같은 식각액 조성물에 따른 실시예 1 내지 11 및 비교예 1 내지 11의 식각액을 아래 표 1과 같이 제조하였다. The etchants of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 11 according to the etchant composition as described above were prepared as shown in Table 1 below.
<< 식각액의etchant 식각etching 속도,CDspeed, cd Skew( Skew( 편측one side ), ), 잔사와residue and 석출 측정> Precipitation Measurement>
하기 표 2는 상기 표 1에 따라 제조된 식각액 조성물로 투명전도막(ITO)/은막(Ag)/투명전도막(ITO)의 적층구조를 가지는 다층 금속막 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 상태에서 식각한 경우의 결과를 나타낸다. 또한, 도 1 내지 도 3은 실시예 1 내지 실시예 11에 의한 다층 금속막의 식각 결과를 도시한 도이고, 도 4 내지 도 6은 비교예 1 내지 비교예 11에 의한 다층 금속막의 식각 결과를 도시한 도이다.Table 2 below shows the etchant composition prepared according to Table 1 in the state in which a photoresist pattern is formed on a multilayer metal film having a laminated structure of transparent conductive film (ITO) / silver film (Ag) / transparent conductive film (ITO) Shows the result of etching. In addition, FIGS. 1 to 3 are diagrams showing the etching results of the multilayer metal film according to Examples 1 to 11, and FIGS. 4 to 6 show the etching results of the multilayer metal film according to Comparative Examples 1 to 11. it is one degree
하기 표 2에서, ITO/Ag/ITO 다층 금속막의 식각 속도(E/R)는 18Å/sec 내지 20Å/sec인 경우가 적절한 식각 속도이며, CD skew(Cut dimension skew, 편측)는 포토레지스트 끝단과 ITO/Ag/ITO 끝단 사이의 거리를 의미하는 것으로, 0.2㎛ 내지 0.3㎛가 적절한 범위이다. In Table 2 below, the etching rate (E / R) of the ITO / Ag / ITO multilayer metal film is an appropriate etching rate when 18 Å / sec to 20 Å / sec, and CD skew (Cut dimension skew, one side) is the photoresist end and It refers to the distance between the ends of ITO/Ag/ITO, and an appropriate range is 0.2 μm to 0.3 μm.
상기 표 2 및 도 1 내지 도 3에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 실시예 11은, 식각 속도(E/R)가 18 ~ 20Å/sec을 만족하고, CD-Skew 편측이 0.2㎛ 내지 0.3㎛을 만족하며, 잔사 및 석출이 발생하지 않음을 알 수 있다. 이에 반해, 비교예 1, 3, 5, 7은 식각액 조성물의 각 조성이 상술한 조성의 포함량보다 적게 포함된 결과, 식각 능력이 저하되어 잔사가 발생하였으며, 석출을 제외한 모든 기준범위를 벗어난 결과를 나타내고 있다. 반대로, 각 조성의 함량이 상술한 조성의 포함량보다 큰 비교예 2, 4, 6, 8, 9는 과도한 식각에 의하여 CD-Skew(편측)의 기준인 0.2㎛ 내지 0.3㎛을 만족하지 못하는 것을 알 수 있다. 또한, 비교예 9는 킬레이트제 함량 부족으로 경시성을 충족시키지 않으며, 비교예 10의 경우는 킬레이트제가 과량 포함되어 잔사가 발생한 것을 알 수 있다. 비교예 11의 경우는 인산화합물을 포함함에 따라 식각 속도가 증가하여 CD-Skew(편측)이 큰 폭으로 증가하고, 은의 환원성 석출이 발생함을 알 수 있다.As can be seen from Table 2 and FIGS. 1 to 3, Examples 1 to 11 satisfy the etching rate (E / R) of 18 to 20 Å / sec, and the CD-Skew side is 0.2 μm to It can be seen that it satisfies 0.3 μm, and no residue or precipitation occurs. On the other hand, in Comparative Examples 1, 3, 5, and 7, as a result of each composition of the etchant composition containing less than the amount of the above-described composition, the etching ability was lowered and residue was generated, and all results outside the standard range except for precipitation represents Conversely, Comparative Examples 2, 4, 6, 8, and 9, in which the content of each composition is greater than the amount of the above-described composition, do not satisfy the CD-Skew (one side) standard of 0.2 μm to 0.3 μm due to excessive etching. Able to know. In addition, it can be seen that Comparative Example 9 did not satisfy the aging property due to insufficient content of the chelating agent, and in the case of Comparative Example 10, residue was generated due to the excessive amount of the chelating agent. In the case of Comparative Example 11, it can be seen that the etching rate increases as the phosphorus compound is included, so that the CD-Skew (one side) increases significantly, and reducible precipitation of silver occurs.
<< 식각액의etchant 처리매수 증가에 따른 신뢰성 평가> Reliability evaluation according to the increase in the number of processed sheets>
하기 표 3은 상기 표 1의 실시예 1의 식각액 조성물에 은 이온 농도를 증가시키면서 식각 테스트를 진행하였다. 구체적으로, 실시예 1의 식각액을 이용하여 레퍼런스 식각(reference etch)을 진행한 후, 은 파우더를 상기 실시예 1의 식각액조성물에 초기 300ppm 이후 200ppm씩 첨가하여 식각테스트를 진행하였다. 하기 표 3에서, ◎는 레퍼런스 대비 변화량이 10% 이내를 의미한다.In Table 3, an etching test was performed while increasing the silver ion concentration in the etchant composition of Example 1 of Table 1. Specifically, after reference etching was performed using the etchant of Example 1, silver powder was added to the etchant composition of Example 1 at an amount of 200 ppm after the initial 300 ppm to conduct an etching test. In Table 3 below, ◎ means that the amount of change compared to the reference is within 10%.
상기 표 3에 의하면, 본 발명에 의한 식각액 조성물은 은 이온 농도가 증가하더라도, 식각 속도, CD skew, 잔사 및 석출의 변화가 크지 않음을 확인할 수 있다. 즉, 식각 횟수가 증가하더라도 식각액 조성물의 식각 신뢰성이 우수한 것을 알 수 있다.According to Table 3, it can be confirmed that the etchant composition according to the present invention does not have a large change in etching rate, CD skew, residue and precipitation even when the silver ion concentration is increased. That is, it can be seen that the etching reliability of the etchant composition is excellent even if the number of etching times increases.
<< 식각액의etchant 시간 경시 증가에 따른 신뢰성 평가> Reliability evaluation over time >
하기 표 4는 상기 표 1의 실시예 1의 식각액 조성물에 대하여 시간 경시를 증가시키면서, 식각 테스트를 진행하였다. 구체적으로, 실시예 1의 식각액 조성물로 레퍼런스 식각(reference etch)을 진행한 후, 12시간 단위 식각 테스트를 추가하여 레퍼런스 식각(reference etch) 결과와 비교하였다. 하기 표 4에서, ◎는 레퍼런스 대비 변화량이 10% 이내를 의미한다.In Table 4, the etchant composition of Example 1 in Table 1 was subjected to an etching test while increasing the passage of time. Specifically, after a reference etch was performed with the etchant composition of Example 1, a 12-hour unit etch test was added to compare the results of the reference etch. In Table 4 below, ◎ means that the amount of change compared to the reference is within 10%.
상기 표 4에서 알 수 있는 바와 같이, 시간 경시가 증가하더라도, 본 발명에 따른 식각액 조성물에 의한 식각 속도, CD skew, 잔사 및 석출의 변화가 크지 않은바, 식각액 조성물은 우수한 식각 신뢰성을 유지함을 알 수 있다.As can be seen from Table 4, even when the time elapses, the change in the etching rate, CD skew, residue and precipitation by the etchant composition according to the present invention is not large, indicating that the etchant composition maintains excellent etching reliability. can
도 7은 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도, 도 8은 도 7의 I-I’ 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도, 도 9는 도 7의 디스플레이 장치의 전압선과 평탄화층을 개략적으로 도시한 평면도, 그리고 도 10은 도 9의 III-III’ 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.7 is a plan view schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing an example of the II' section of FIG. 7, and FIG. 9 is a view of the display device of FIG. A plan view schematically showing a voltage line and a planarization layer, and FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing an example of a section III-III' of FIG. 9 .
이하에서는 도 7 내지 도 10을 참조하여, 디스플레이 장치(10) 및 이의 제조 과정을 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 7 to 10 , the
도 7 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 관한 평판 디스플레이 장치(10)는 기판(101), 기판(101) 상에 위치하는 표시부(100) 및 표시부(100)를 밀봉하는 박막 봉지층(300)을 포함할 수 있다.7 to 10, a flat
기판(101)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(101)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 기판(101)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성할 수도 있다. 플라스틱 재질은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 등일 수 있다.The
한편, 화상이 기판(101)방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 기판(101)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나, 화상이 기판(101)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 기판(101)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 기판(101)을 형성할 수 있다. 금속으로 기판(101)을 형성할 경우 기판(101)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금, Kovar 합금 등을 포함할 수 있다.On the other hand, in the case of a bottom emission type in which an image is implemented in the direction of the
표시부(100)는 기판(101) 상에 형성된다. 표시부(100)는 사용자가 인식할 수 있는 화상을 구현하는 표시 영역(DA)과, 표시 영역(DA)의 외곽에 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.The
표시영역(DA)에는 복수의 화소(P)들이 배치될 수 있다. 복수의 화소(P)들은 데이터 라인(DL)과 스캔 라인(SL)의 교차영역에 위치할 수 있으며, 비표시 영역(NDA)에는 표시 소자(100b) 등으로 전원을 공급하는 전압선(200)이 배치될 수 있다. 또한, 비표시 영역(NDA)에는 전원 공급장치(미도시) 또는 신호 생성장치(미도시)로부터 전기적 신호를 표시 영역(DA)으로 전달하는 패드부(150)가 배치될 수 있다.A plurality of pixels P may be disposed in the display area DA. The plurality of pixels P may be positioned at intersections of the data line DL and the scan line SL, and the
기판(101) 상에는 버퍼층(102)이 형성될 수 있다. 버퍼층(102)은 기판(101)의 상부에 평탄면을 제공할 수 있고, 기판(101)을 통하여 침투하는 이물 또는 습기를 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(102)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.A
기판(101) 상에는 박막 트랜지스터(100a) 및 박막 트랜지스터(100a)와 전기적으로 연결된 표시 소자(100b)가 위치할 수 있다.A
박막 트랜지스터(100a)는 활성층(103), 게이트 전극(105), 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)을 포함할 수 있다. 이하에서는, 박막 트랜지스터(100a)가 활성층(103), 게이트 전극(105), 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(100a)가 채용될 수 있다.The
활성층(103)은 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon) 등과 같은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 활성층(103)은 다양한 물질을 함유할 수 있다. 선택적 실시예로서 활성층(103)은 유기 반도체 물질 등을 함유할 수 있다. 또 다른 선택적 실시예로서, 활성층(103)은 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있다. 예컨대, 활성층(103)은 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge) 등과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다. The
게이트 절연막(104:gate insulating layer)은 활성층(103) 상에 형성된다. 게이트 절연막(104)은 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(104)은 활성층(103)과 게이트 전극(105)을 절연하는 역할을 한다. 게이트 절연막(104)은 표시 영역(DA)뿐만 아니라 비표시영역의 일부에까지 연장되어 형성될 수 있다.A
게이트 전극(105)은 게이트 절연막(104)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(105)은 박막 트랜지스터(100a)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다.A
게이트 전극(105)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(105)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The
게이트 전극(105)상에는 층간 절연막(106)이 형성된다. 층간 절연막(106)은 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)과 게이트 전극(105)을 절연한다. 층간 절연막(106)은 표시 영역(DA)뿐만 아니라 비표시영역의 일부에까지 연장되어 형성될 수 있다. An interlayer insulating
층간 절연막(106)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.The
층간 절연막(106) 상에는 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)을 형성할 수 있다. 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)은 활성층(103)의 영역과 접촉하도록 형성된다. 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 및 티타늄(Ti)의 3층 적층 구조를 가질 수 있다.A
박막트랜지스터(100a) 상에는 평탄화층(109)이 형성된다. 평탄화층(109)은 박막 트랜지스터(100a)로부터 비롯된 단차를 해소하여, 하부 요철에 의해 표시 소자(100b)에 불량이 발생하는 것을 방지한다. 평탄화층(109)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화층(109)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.A
평탄화층(109)은 비표시 영역(NDA) 내에서 표시 영역(DA)을 에워싸는 분할영역(V)을 포함할 수 있다. 분할영역(V)은 평탄화층(109)의 일부가 제거되어 형성되며, 외부로부터 수분이 유기 물질로 이루어진 평탄화층(109)을 따라 표시영역(DA) 내로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 분할영역(V)에 의해 평탄화층(109)은 중앙부(109a)와 외곽부(109b)로 분할될 수 있으며, 중앙부(109a)는 표시 영역(DA)보다 큰 면적을 가질 수 있다.The
평탄화층(109)상에는 표시 소자(100b)가 형성된다. 표시 소자(100b)는 일 예로 제1 전극(111), 제1 전극(111)과 대향하는 제2 전극(113), 및 제1 전극(111)과 제2 전극(113) 사이에 개재되는 중간층(112)을 구비한 유기발광소자일 수 있다.A
제1 전극(110)은 평탄화층(109)상에 형성되고, 박막 트랜지스터(100a)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(110)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 예를 들면 포토 리소그래피법에 의해 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. The first electrode 110 may be formed on the
제1 전극(110) 일 예로, 반사 전극일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(110)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO), 산화갈륨아연(GZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. For example, the first electrode 110 may be a reflective electrode. For example, the first electrode 110 includes a reflective film formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, and compounds thereof, and a transparent or translucent electrode layer formed on the reflective film. can do. The transparent or translucent electrode layer is at least one selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), gallium zinc oxide (GZO), and indium gallium zinc oxide (IGZO). can be provided.
일 예로, 제1 전극(110)은 투명 또는 반투명 전극층인 제1 도전층, 은을 포함하는 제2 도전층 및 투명 또는 반투명 전극층인 제3 도전층의 적층 구조를 가질 수 있다. 또한, 은을 포함하는 제2 도전층은 은의 응집현상을 방지하기 위하여, 은과 동일하거나 작은 원자 반경을 가지는 합금 원소를 더 포함할 수 있다. 합금 원소는 아연(Zn), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 플래티늄(Pt), 안티모니(Sb), 망가니즈(Mn), 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. For example, the first electrode 110 may have a stacked structure of a first conductive layer that is a transparent or translucent electrode layer, a second conductive layer containing silver, and a third conductive layer that is a transparent or translucent electrode layer. In addition, the second conductive layer including silver may further include an alloy element having an atomic radius equal to or smaller than that of silver in order to prevent aggregation of silver. The alloying elements are zinc (Zn), nickel (Ni), cobalt (Co), copper (Cu), gallium (Ga), germanium (Ge), platinum (Pt), antimony (Sb), manganese (Mn), It may include at least one of tungsten (W) and molybdenum (Mo).
제2 전극(113)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극을 더 형성할 수 있다. 따라서, 제2 전극(113)은 중간층(112)에 포함된 유기 발광층에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 유기 발광층에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 제1 전극(110)에 의해 반사되어, 제2 전극(113) 측으로 방출될 수 있다.The
그러나, 본 실시예의 표시부(100)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 유기 발광층에서 방출된 광이 기판(101) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 제1 전극(110)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 제2 전극(113)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 표시부(100)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.However, the
한편, 제1 전극(110)상에는 절연물로 화소 정의막(119)이 형성된다. 화소 정의막(119)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 화소 정의막(119)은 제1 전극(110)의 소정의 영역을 노출하며, 노출된 영역에 유기 발광층을 포함하는 중간층(112)이 위치한다. 즉, 화소 정의막(119)은 유기발광소자의 화소영역을 정의한다.Meanwhile, a
중간층(112)에 포함된 유기 발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 중간층(112)은 유기 발광층 이외에 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층을 선택적으로 더 포함할 수 있다.The organic emission layer included in the
한편, 비표시 영역(NDA)에는 전압선(200)과, 평탄화층(109)을 중앙부(109a)와 외곽부(109b)로 분할하는 분할영역(V)이 배치될 수 있다. 전압선(200)은 적어도 일부가 분할영역(V)에 배치될 수 있다. 즉, 전압선(200)은 분할영역(V)에서 일부가 노출될 수 있다.Meanwhile, a
전압선(200)은 제1 전압선(210)과 제2 전압선(220)을 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 전압선(210)은 제1 전원전압(ELVDD)선일 수 있으며, 제2 전압선(220)은 제2 전원전압(ELVSS)선일 수 있다. 제2 전압선(220)은 제2 전극(113)과 연결될 수 있다. 도 8에서는, 제2 전압선(220)과 제2 전극(113)이 배선(116)을 통해 접속된 예를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않고 제2 전압선(220)과 제2 전극(113)은 직접 접할 수 있다.The
제1 전압선(210)은 표시 영역(DA)의 일측에 대응하도록 배치된 제1 메인 전압선(212)과 제1 연결부(214)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시부(DA)가 장방형인 경우, 제1 메인 전압선(212)은 표시 영역(DA)의 어느 하나의 변과 대응하도록 배치될 수 있다. 제1 전압선(212)은 어느 하나의 변과 나란하고, 어느 하나의 변 이상의 길이를 가질 수 있다. 제1 전압선(212)과 대응하는 어느 하나의 변은 패드부(150)와 인접한 변일 수 있다.The
제1 연결부(214)는 제1 메인 전압선(212)으로부터 제1 방향을 따라 돌출되어 분할영역(V)을 가로지를 수 있다. 여기서 제1 방향은 표시 영역(DA)으로부터 패드부(150)를 향하는 방향으로, 제1 연결부(214)는 패드부(150)와 연결될 수 있다. 제1 메인 전압선(212)은 중앙부(109a)에 의해 덮일 수 있으나, 제1 연결부(214)는 적어도 중간층(112)을 형성하는 과정까지 분할영역(V)에서 노출될 수 있다.The
제2 전압선(220)은 제1 메인 전압선(212)의 양단부들과 표시 영역(DA)의 나머지 영역들을 에워싸는 제2 메인 전압선(222)과 제2 메인 전압선(222)으로부터 제1 방향을 따라 돌출되어 분할영역(V)을 가로지르는 제2 연결부(224)를 포함할 수 있다. 제2 연결부(224)는 패드부(150)와 연결되며, 적어도 중간층(112)을 형성하는 과정까지 분할영역(V)에서 노출될 수 있다.The
한편, 전압선(200)은 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)과 동일한 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 전압선(200)은 티타늄(Ti)을 포함하는 제1 층, 알루미늄(Al)을 포함하는 제2 층, 및 티타늄(Ti)을 포함하는 제3 층의 적층 구조를 가질 수 있다. 이때, 알루미늄(Al)은 티타늄(Ti)보다 식각률이 크기 때문에, 전압선(200)의 측면이 분할영역(V)에서 노출된 경우는, 공정 과정 중, 예를 들어 제1 전극(111)을 패터닝하는 과정 중, 알루미늄(Al)을 포함하는 제2 층에 손상이 발생할 수 있다. 즉, 종래 인산을 포함하는 혼산계 식각액을 사용하여 제1 전극(111)을 식각하면, 알루미늄(Al)을 포함하는 제2 층이 과도하게 식각되어 티타늄(Ti)을 포함하는 제3 층에 불량이 발생함으로써, 전압선(200)의 스텝 커버리지가 저하되고, 이에 따라 분할영역(V)에서 전압선(200)과 접하는 박막 봉지층(300)에 크랙 등의 손상이 발생할 수 있다. Meanwhile, the
또한, 알루미늄(Al)을 포함하는 제2 층의 식각에 의하여 전자가 발생하고, 발생된 전자와 식각액 내에 존재하는 은 이온이 결합하여, 은 이온이 환원됨으로써 제1 연결부(214) 또는 제2 연결부(224) 상에 은 입자가 흡착될 수 있다. 흡착된 은 입자는 세정 공정 등에 의해 제1 전극(111)으로 전이될 수 있다. 따라서, 제1 전극(111)은 은 파티클에 의한 불량이 발생할 수 있다. In addition, electrons are generated by etching the second layer including aluminum (Al), the generated electrons are combined with silver ions present in the etching solution, and the silver ions are reduced, thereby forming the
한편, 제1 연결부(214)과 제2 연결부(224)가 노출되는 분할영역(V)에서는 디스플레이영역(DA)으로 전기적 신호를 인가하기 위한 배선들도 함께 노출될 수 있다. 배선들은 전기적 신호를 박막 트랜지스터(100a)로 인가할 수 있다. 예를 들어, 배선들은 패드부(150)와 데이터 라인(DL)을 연결할 수 있으며, 배선들 역시 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)과 동일한 물질을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 배선들은 티타늄(Ti)을 포함하는 제1 층, 알루미늄(Al)을 포함하는 제2 층, 및 티타늄(Ti)을 포함하는 제3 층의 적층 구조를 가질 수 있다. 따라서, 제1 전극(111)을 식각하는 과정 중에, 식각 용액에 의해 분할영역(V)에서 노출된 배선들도 손상이 발생하고, 배선들 상에 은 입자가 재흡착될 수 있다.Meanwhile, in the partition area V where the
이를 방지하기 위하여, 본 발명에 의하면, 제1 전극(111)을 식각 하기 위한 식각액 조성물이 인산을 포함하지 않는 대신, 은(Ag)을 포함하는 제2 도전층을 식각하기 위한 유기산 화합물과 술폰산 화합물을 포함하고, 투명 또는 반투명 전극층을 식각하기 위한 황산수소염 화합물을 포함함으로써, 제1 전극(111)의 제1 도전층 내지 제3 도전층을 우수한 식각 특성을 가지며 일괄적으로 식각할 수 있다.In order to prevent this, according to the present invention, the etchant composition for etching the
또한, 본 발명에 따른 식각액 조성물은 인산을 포함하지 않으므로, 제1 전극(111)의 식각 과정에서, 분할영역(V)에서 노출된 배선들에 손상이 발생하지 않으므로, 은 파티클이 재흡착되는 것을 방지할 수 있다.In addition, since the etchant composition according to the present invention does not contain phosphoric acid, during the etching process of the
도 11은 도 8의 제1 전극(111)의 식각 과정 중 배선들 상에 은 입자가 재흡착된 현상을 도시하는 평면도로써, 제1 전극(111)의 식각 과정 중 분할영역(V)에서 노출된 배선들 상에 은 입자가 재흡착된 결과를 도시한다. 구체적으로 도 11의 (a)는 종래 인산을 포함하는 식각액을 사용한 결과이고, 도 11의 (b)는 상기 표 1의 실시예 1의 식각액을 사용한 결과이다. FIG. 11 is a plan view illustrating a phenomenon in which silver particles are re-adsorbed on wires during the etching process of the
도 11에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 식각액 조성물을 사용하여 제1 전극(111)을 식각하면, 식각액 조성물에 노출된 배선들의 손상이 방지되고, 이에 따라 은의 재흡착이 감소됨으로써, 은 파티클에 의한 제1 전극의 불량을 방지할 수 있다.As can be seen in FIG. 11, when the
다시 도 8을 참조하면, 분할영역(V) 내에는 댐부(109c)가 형성될 수 있다. 댐부(109c)는 표시부(100)를 밀봉하기 위한 박막 봉지층(300)의 유기막(330)의 형성시, 유기물이 기판(101)의 가장자리 방향으로 흐르는 것을 차단하여, 유기막(330)의 에지 테일이 형성되는 것을 방지할 수 있다.Referring back to FIG. 8 , a
댐부(109c)는 제2 메인 전압선(220)의 외측 가장자리와 중첩하여 접함으로써, 제2 메인 전압선(220)의 외측면을 커버할 수 있다. 또한, 중앙부(109a)는 제2 메인 전압선(220)의 내측 가장자리와 중첩하여 접함으로써, 제2 전압선(220)의 내측면을 커버할 수 있다. 따라서, 제2 메인 전압선(220)의 양측면이 에칭 환경에 노출되는 것을 방지할 수 있다. The
댐부(109c)는 평탄화층(109)과 동일한 층에 동일한 재질로 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 댐부(109c)는 두 층 이상으로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 댐부(109c)가 이층 구조를 가지는 경우, 하부층은 평탄화층(109)과 동일한 재질로 이루어질 수 있고, 상부층은 화소 정의막(119)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 댐부(109c)는 두 개 이상의 복수 개로 구성될 수 있다. 댐부(109c)가 복수 개로 구성되는 경우, 기판(101)의 외곽으로 갈수록 댐부(109c)의 높이가 증가할 수 있다.The
박막 봉지층(300)은 표시부(100)를 밀봉하여 외부의 산소 및 수분 등이 표시부(100)로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 박막 봉지층(300)은 적어도 하나의 무기막(310, 320)과 적어도 하나의 유기막(330)을 포함할 수 있다. 도 2에서는, 박막 봉지층(300)이 서로 교번적으로 적층된 두 개의 무기막들(310, 320)과 한 개의 유기막 (330)을 포함하는 예를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않는다. 즉, 박막 봉지층(300)은 교대로 배치된 복수 개의 추가적인 무기 봉지막 및 유기 봉지막을 더 포함할 수 있으며, 무기 봉지막 및 유기 봉지막의 적층 횟수는 제한되지 않는다.The thin
유기막(330)은 예컨대, 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. The
무기막들(310, 320)은 예컨대, 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.The
한편, 댐부(109c)는 유기막(330)의 형성시, 유기물이 기판(101)의 가장자리 방향으로 흐르는 것을 차단하므로, 유기막(330)은 댐부(109c)의 내측에 위치하게 된다. 이에 반해, 무기막들(310, 320)은 유기막(330) 보다 크게 형성되며, 외곽부(109b)를 덮도록 형성될 수 있다. 따라서, 분할영역(V)은 무기막들(310, 320)에 의해 덮이게 된다. 또한, 무기막들(310, 320)은 외곽부(109b)의 외측으로 연장될 수 있고, 외곽부(109b)의 외측에서 무기막들(310, 320)은 서로 접할 수 있다. Meanwhile, when the
이상에서는 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다. Although the above has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is only exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical scope of protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.
Claims (20)
조성물 총중량에 대하여, 상기 유기산 화합물을 50 중량% 내지 60 중량%, 상기 무기산 화합물을 8.5 중량% 내지 10 중량%, 황산수소염 화합물을 1 중량% 내지 10 중량%, 상기 술폰산 화합물을 1 중량% 내지 5 중량%를 포함하는, 식각액 조성물.Including an inorganic acid compound, a hydrogen sulfate compound, a sulfonic acid compound, an organic acid compound and a residual amount of water,
Based on the total weight of the composition, 50% to 60% by weight of the organic acid compound, 8.5% to 10% by weight of the inorganic acid compound, 1% to 10% by weight of the hydrogen sulfate compound, and 1% to 5% by weight of the sulfonic acid compound An etchant composition comprising weight percent.
상기 황산수소염 화합물은 황산수소암모늄, 황산수소칼륨, 및 황산수소나트륨 중 적어도 어느 하나를 포함하는 식각액 조성물.According to claim 1,
The hydrogen sulfate compound is an etchant composition comprising at least one of ammonium hydrogen sulfate, potassium hydrogen sulfate, and sodium hydrogen sulfate.
상기 유기산 화합물은 아세트산, 말산, 시트르산, 타타르산, 락트산, 포름산, 석신산, 및 푸마르산 중 적어도 어느 하나를 포함하는 식각액 조성물.According to claim 1,
The organic acid compound is an etchant composition comprising at least one of acetic acid, malic acid, citric acid, tartaric acid, lactic acid, formic acid, succinic acid, and fumaric acid.
상기 유기산 화합물은 서로 다른 제1 유기산 화합물과 제2 유기산 화합물을 포함하는 식각액 조성물.According to claim 3,
The organic acid compound is an etchant composition comprising a first organic acid compound and a second organic acid compound that are different from each other.
상기 제1 유기산 화합물과 상기 제2 유기산 화합물은 각각 상기 식각액 조성물 총중량에 대하여 20 중량% 내지 30 중량%로 포함되는 식각액 조성물.According to claim 4,
The first organic acid compound and the second organic acid compound are each included in 20% to 30% by weight based on the total weight of the etchant composition.
상기 술폰산 화합물은 메탄술폰산, 파라톨루엔술폰산, 벤젠술폰산, 및 아미노메틸술폰산 중 적어도 어느 하나를 포함하는 식각액 조성물.According to claim 1,
The sulfonic acid compound is an etchant composition comprising at least one of methanesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, and aminomethylsulfonic acid.
킬레이트 화합물을 더 포함하는 식각액 조성물.According to claim 1,
An etchant composition further comprising a chelating compound.
상기 식각액 조성물은, 상기 조성물 총중량에 대하여, 상기 킬레이트 화합물을 1 중량% 내지 5 중량% 포함하는 식각액 조성물.According to claim 7,
The etchant composition, based on the total weight of the composition, the etchant composition containing 1% to 5% by weight of the chelate compound.
상기 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화 층을 형성하는 단계; 및
상기 평탄화 층 상에 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 제1 전극은 제1 도전층, 은을 포함하는 제2 도전층 및 제3 도전층의 적층 구조를 가지고, 상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층은 투명 또는 반투명 전극층이며,
상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층, 및 상기 제3 도전층은 상기 식각액 조성물에 의해 동시에 식각되고,
상기 식각액 조성물은, 조성물 총중량에 대하여, 8.5 중량% 내지 10 중량%의 무기산 화합물, 1 중량% 내지 10 중량%의 황산수소염 화합물, 50 중량% 내지 60 중량%의 유기산 화합물, 1 중량% 내지 5 중량%의 술폰산 화합물, 1 중량% 내지 5 중량%의 킬레이트 화합물 및 잔량의 물을 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.Forming a thin film transistor on a substrate;
forming a planarization layer covering the thin film transistor; and
Forming a first electrode electrically connected to the thin film transistor on the planarization layer; includes,
The first electrode has a laminated structure of a first conductive layer, a second conductive layer containing silver, and a third conductive layer, and the first conductive layer and the third conductive layer are transparent or translucent electrode layers,
The first conductive layer, the second conductive layer, and the third conductive layer are simultaneously etched by the etchant composition,
The etchant composition, based on the total weight of the composition, 8.5% to 10% by weight of an inorganic acid compound, 1% to 10% by weight of a hydrogen sulfate compound, 50% to 60% by weight of an organic acid compound, 1% to 5% by weight A method of manufacturing a display device comprising % of a sulfonic acid compound, 1% to 5% by weight of a chelate compound and the balance of water.
상기 황산수소염 화합물은 황산수소암모늄, 황산수소칼륨, 및 황산수소나트륨 중 적어도 어느 하나를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.According to claim 9,
The method of manufacturing a display device wherein the hydrogen sulfate compound includes at least one of ammonium hydrogen sulfate, potassium hydrogen sulfate, and sodium hydrogen sulfate.
상기 유기산 화합물은 아세트산, 말산, 시트르산, 타타르산, 락트산, 포름산, 석신산, 및 푸마르산 중 적어도 어느 하나를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.According to claim 9,
wherein the organic acid compound includes at least one of acetic acid, malic acid, citric acid, tartaric acid, lactic acid, formic acid, succinic acid, and fumaric acid.
상기 유기산 화합물은 서로 다른 제1 유기산 화합물과 제2 유기산 화합물을 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.According to claim 9,
The organic acid compound is a method of manufacturing a display device comprising a first organic acid compound and a second organic acid compound that are different from each other.
상기 제1 유기산 화합물과 상기 제2 유기산 화합물은 각각 상기 식각액 조성물 총중량에 대하여 20 중량% 내지 30 중량%로 포함되는 디스플레이 장치의 제조방법.According to claim 12,
The first organic acid compound and the second organic acid compound are each included in 20% to 30% by weight based on the total weight of the etchant composition.
상기 술폰산 화합물은 메탄술폰산, 파라톨루엔술폰산, 벤젠술폰산, 및 아미노메틸술폰산 중 적어도 어느 하나를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.According to claim 9,
The method of manufacturing a display device, wherein the sulfonic acid compound includes at least one of methanesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, and aminomethylsulfonic acid.
상기 킬레이트 화합물은 시트르산, 디에탄올아민, DTPA, EDTA, 에틸렌디아민, IDA, 에탄올아민, 및 말론산 중 적어도 어느 하나를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.According to claim 9,
The method of claim 1, wherein the chelate compound includes at least one of citric acid, diethanolamine, DTPA, EDTA, ethylenediamine, IDA, ethanolamine, and malonic acid.
상기 평탄화층의 일부를 제거하여 분할영역을 형성하고,
상기 분할영역에는 전기적 신호를 상기 박막 트랜지스터로 인가하는 복수의 배선들이 노출되며,
상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층, 및 상기 제3 도전층은 상기 복수의 배선들이 노출된 상태로 상기 식각액 조성물에 의해 식각되는 디스플레이 장치의 제조방법.According to claim 9,
Part of the planarization layer is removed to form a divided region;
A plurality of wires for applying electrical signals to the thin film transistors are exposed in the divided area;
The first conductive layer, the second conductive layer, and the third conductive layer are etched by the etchant composition in a state in which the plurality of wires are exposed.
상기 배선들은 티타늄을 포함하는 제1 층, 알루미늄을 포함하는 제2 층, 및 티타늄을 포함하는 제3 층의 적층 구조로 형성되는 디스플레이 장치의 제조방법.According to claim 16,
The wirings are formed in a stacked structure of a first layer containing titanium, a second layer containing aluminum, and a third layer containing titanium.
상기 제1 전극 상에 중간층과 제2 전극을 형성하고,
상기 제2 전극 상에 박막 봉지층을 형성하고,
상기 박막 봉지층은 유기막과 상기 유기막보다 넓이가 넓은 무기막을 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.According to claim 16,
Forming an intermediate layer and a second electrode on the first electrode,
Forming a thin film encapsulation layer on the second electrode,
The thin film encapsulation layer is a method of manufacturing a display device comprising an organic film and an inorganic film having a wider area than the organic film.
상기 분할영역은 상기 평탄화층을 중앙부와 외곽부로 분할하고,
상기 무기막은 상기 외곽부를 덮도록 형성되는 디스플레이 장치의 제조방법.According to claim 18,
The division area divides the planarization layer into a central portion and an outer portion,
The inorganic film is a method of manufacturing a display device formed to cover the outer portion.
상기 제2 도전층은 합금 원소를 더 포함하고, 상기 합금 원소의 원자 반경은 상기 은의 원자 반경과 동일하거나 작은 디스플레이 장치의 제조방법.According to claim 9,
The second conductive layer further includes an alloy element, and an atomic radius of the alloy element is equal to or smaller than an atomic radius of the silver.
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