KR102455443B1 - Nonenzymatic glucose sensor based on transistor and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 트랜지스터 기반 비효소 당센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 트랜지스터 기반 비효소 당센서는, 소스 전극; 상기 소스 전극에서 이격되어 배치되는 드레인 전극; 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 전도 부재; 상기 전도 부재에 연결되는 금속 재질의 코어층과 상기 코어층의 일단부 표면에 형성되는 산화층을 구비하는 마이크로 니들; 및 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극으로부터 이격되어 상기 코어층의 타단부에 연결되는 게이트 전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 당센서의 제조와 관리가 용이하다.The present invention relates to a transistor-based non-enzymatic glucose sensor and a method for manufacturing the same, and the transistor-based non-enzymatic glucose sensor according to the present invention comprises: a source electrode; a drain electrode spaced apart from the source electrode; a conductive member connecting the source electrode and the drain electrode; a microneedle having a metal core layer connected to the conductive member and an oxide layer formed on a surface of one end of the core layer; and a gate electrode spaced apart from the source electrode and the drain electrode and connected to the other end of the core layer.
Accordingly, it is easy to manufacture and manage the sugar sensor.
Description
본 발명은 트랜지스터 기반 비효소 당센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제조 및 관리가 용이한 트랜지스터 기반 비효소 당센서 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a transistor-based non-enzymatic glucose sensor and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a transistor-based non-enzymatic glucose sensor that is easy to manufacture and manage, and a method for manufacturing the same.
당뇨병은 높은 혈당 수치가 오랜 기간 지속되는 대사 질환으로, 전 세계에서 5억명 이상이 앓고 있다. 당뇨병은 췌장이 충분한 인슐린을 만들어내지 못하거나 세포가 인슐린에 적절하게 반응하지 못하는 경우에 발생한다.Diabetes mellitus is a metabolic disease characterized by prolonged high blood sugar levels, affecting more than 500 million people worldwide. Diabetes occurs when the pancreas does not make enough insulin or when cells do not respond properly to insulin.
이러한 당뇨병을 효과적으로 치료하기 위해서는 혈당 수치를 측정하고 인슐린 공급을 조정해야 하는데, 이를 위해서는 혈당을 측정할 수 있는 혈당 센서가 필요하다.In order to effectively treat such diabetes, it is necessary to measure the blood sugar level and adjust the insulin supply. For this, a blood sugar sensor capable of measuring blood sugar is required.
시판중인 혈당 센서는 손가락 채혈기를 통해서 간헐적으로 채혈하여 혈당을 측정하는데, 측정 원리는 당산화효소(glucose oxidase enzyme)와 당의 전기화학적 산화-환원 반응을 이용하는 것이다.A commercially available blood sugar sensor measures blood sugar by intermittently collecting blood through a finger blood sampler. The measurement principle is to use an electrochemical oxidation-reduction reaction of glucose oxidase enzyme and sugar.
그러나 이 방법은 채혈기로 손가락을 찔러야하기 때문에 거부감이 크고, 시간이 경과함에 따라 당산화효소의 특성이 저하되는 문제점 때문에 여러 번 사용이 어려워 경제적으로 부담이 될 수 있다. 또한, 연속적으로 혈당을 측정할 수 없는 문제점을 갖는다.However, this method is difficult to use multiple times because of the problem of high rejection because it requires a finger prick with a blood sampling device, and the degradation of glycooxidase properties over time, which can be economically burdensome. In addition, there is a problem in that blood sugar cannot be continuously measured.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 마이크로 니들(micro meedle)을 이용한 침습식 연속혈당측정센서가 개발되었다. 마이크로 니들은 미세 구멍을 구비하여, 이를 배, 팔뚝 또는 허벅지 등과 같이 통증이 덜한 부위에 세포 간질액과 접촉하는 깊이까지 삽입하면 삼투압에 의해 미세 구멍을 통해 간질액을 빨아들일 수 있으며, 이렇게 빨아들여진 간질액은 당산화효소가 고정된 작업전극과 접하여 혈당을 측정할 수 있게 된다.In order to solve this problem, an invasive continuous blood glucose measurement sensor using a micro needle has been developed. The microneedle has a micro-hole, and when it is inserted to the depth of contact with the interstitial fluid in a region with less pain, such as the stomach, forearm, or thigh, the interstitial fluid can be sucked through the micro-pore by osmotic pressure. The interstitial fluid comes in contact with the working electrode to which the glycooxidase is fixed, so that blood glucose can be measured.
그러나 미세 구멍을 갖는 마이크로 니들과 작업전극 등은 복잡한 반도체 공정 기술을 이용하여 제조되기 때문에 제조가 용이하지 않고 재현성이 부족하며, 혈당의 측정에 여전히 당산화효소가 필요하기 때문에 시간 경과에 의해 당산화효소의 특성 저하에 의한 문제점을 갖는다.However, since microneedles and working electrodes with micropores are manufactured using complex semiconductor process technology, they are not easy to manufacture and lack reproducibility. There is a problem due to deterioration of the properties of the enzyme.
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 제조가 용이하고 혈당 측정을 위해 당산화효소가 필요하지 않아 관리가 용이한 트랜지스터 기반 비효소 당센서 및 이의 제조방법을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a transistor-based non-enzymatic glucose sensor and a method for manufacturing the same, which are easy to manufacture and easy to manage because glucose oxidase is not required for blood glucose measurement. have.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 위에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 소스 전극; 상기 소스 전극에서 이격되어 배치되는 드레인 전극; 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 전도 부재; 상기 전도 부재에 연결되는 금속 재질의 코어층과 상기 코어층의 일단부 표면에 형성되는 산화층을 구비하는 마이크로 니들; 및 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극으로부터 이격되어 상기 코어층의 타단부에 연결되는 게이트 전극;을 포함하는 트랜지스터 기반 비효소 당센서에 의해 달성된다.The above object, according to the present invention, a source electrode; a drain electrode spaced apart from the source electrode; a conductive member connecting the source electrode and the drain electrode; a microneedle having a metal core layer connected to the conductive member and an oxide layer formed on a surface of one end of the core layer; and a gate electrode spaced apart from the source electrode and the drain electrode and connected to the other end of the core layer.
상기 마이크로 니들은, 상기 전도 부재를 관통하여 상기 전도 부재와 교차하도록 배치될 수 있다.The microneedle may pass through the conductive member and be disposed to cross the conductive member.
상기 마이크로 니들의 일단부는, 뾰족하게 형성될 수 있다.One end of the microneedle may be sharply formed.
상기 코어층은, 금속 와이어로 이루어질 수 있다.The core layer may be formed of a metal wire.
상기 마이크로 니들은, 다수 개가 구비될 수 있다.A plurality of the microneedles may be provided.
상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 전도 부재는, 평평한 기판 상에 형성될 수 있다.The source electrode, the drain electrode, and the conductive member may be formed on a flat substrate.
상기 기판은, 폴리머 재질로 이루어질 수 있다.The substrate may be made of a polymer material.
본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서는, 상기 전도 부재 상에 형성되는 절연층을 더 포함할 수 있다.The transistor-based non-enzyme glucose sensor according to the present invention may further include an insulating layer formed on the conductive member.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 금속 재질의 코어층과 상기 코어층의 일단부 표면에 형성된 산화층을 구비하는 마이크로 니들을 준비하는 마이크로 니들 준비단계; 및 상기 코어층에 연결되는 전도 부재, 상기 전도 부재의 일단부에 연결되는 소스 전극, 상기 전도 부재의 타단부에 연결되는 드레인 전극, 및 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극으로부터 이격되어 상기 코어층의 타단부에 연결되는 게이트 전극을 형성하는 전극 형성단계;를 포함하는 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법이 제공된다.According to another embodiment of the present invention, a microneedle preparation step of preparing a microneedle having a metal core layer and an oxide layer formed on the surface of one end of the core layer; and a conductive member connected to the core layer, a source electrode connected to one end of the conductive member, a drain electrode connected to the other end of the conductive member, and the other portion of the core layer spaced apart from the source electrode and the drain electrode. An electrode forming step of forming a gate electrode connected to an end thereof is provided.
상기 마이크로 니들 준비단계는, 상기 코어층으로서의 금속 와이어를 준비하는 금속 와이어 준비단계, 및 상기 금속 와이어의 일단부 표면에 산화층을 형성하는 산화층 형성단계를 포함할 수 있다.The microneedle preparation step may include a metal wire preparation step of preparing a metal wire as the core layer, and an oxide layer forming step of forming an oxide layer on the surface of one end of the metal wire.
상기 마이크로 니들 준비단계는, 상기 산화층 형성단계 후에 진행되는 것으로서, 상기 금속 와이어의 일단부를 비스듬하게 절단하는 금속 와이어 절단단계를 더 포함할 수 있다.The microneedle preparation step, which is performed after the oxide layer forming step, may further include a metal wire cutting step of obliquely cutting one end of the metal wire.
상기 전극 형성단계는, 상기 마이크로 니들과 교차하도록 상기 전도 부재를 형성하는 전도 부재 형성단계, 상기 전도 부재의 일단부에 상기 소스 전극을 형성하고 상기 전도 부재의 타단부에 상기 드레인 전극을 형성하는 소스-드레인 전극 형성단계, 상기 전도 부재 상에 절연층을 형성하는 절연층 형성단계, 및 상기 절연층 상에 상기 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극 형성단계를 포함할 수 있다.The electrode forming step includes a conductive member forming step of forming the conductive member to intersect the microneedle, a source forming the source electrode at one end of the conductive member and the drain electrode at the other end of the conductive member - It may include a drain electrode forming step, an insulating layer forming step of forming an insulating layer on the conductive member, and a gate electrode forming step of forming the gate electrode on the insulating layer.
본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법은, 상기 마이크로 니들 준비단계와 상기 전극 형성단계 사이에 진행되는 것으로서, 상기 마이크로 니들과 교차하도록 배치되는 기판을 형성하는 기판 형성단계를 더 포함하고, 상기 전극 형성단계에서는, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 전도 부재를 상기 기판 상에 형성할 수 있다.The method for manufacturing a transistor-based non-enzyme glucose sensor according to the present invention, which proceeds between the microneedle preparation step and the electrode formation step, further comprises a substrate forming step of forming a substrate disposed to intersect the microneedle, In the electrode forming step, the source electrode, the drain electrode, and the conductive member may be formed on the substrate.
상기 기판 형성단계는, 상기 기판에 구멍을 형성하는 구멍 형성단계, 및 상기 구멍에 상기 마이크로 니들을 삽입하는 마이크로 니들 삽입단계를 포함할 수 있다.The substrate forming step may include a hole forming step of forming a hole in the substrate, and a microneedle insertion step of inserting the microneedle into the hole.
상기 전극 형성단계에서, 상기 전도 부재, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극은 프린팅 방법, 열증발법 또는 스퍼터링법에 의해 형성될 수 있다.In the electrode forming step, the conductive member, the source electrode, the drain electrode, and the gate electrode may be formed by a printing method, a thermal evaporation method, or a sputtering method.
본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서는 당산화효소 없이도 마이크로 니들 표면의 산화층과 당의 반응에 의해 당의 농도를 측정하는 것이 가능하여, 당의 농도를 지속적으로 정확하게 측정하는 것이 가능하다.The transistor-based non-enzymatic sugar sensor according to the present invention can measure the sugar concentration by the reaction of the oxidized layer on the surface of the microneedle with the sugar without a glycooxidase, so that it is possible to continuously and accurately measure the sugar concentration.
또한, 마이크로 니들이 직접 작업전극과 같은 역할을 할 수 있으므로, 당센서를 간단하게 구성하는 것이 가능하다. 이에 따라, 당센서의 제조가 용이하며, 당센서에 고장이 발생할 염려가 적다.In addition, since the microneedle can directly act as a working electrode, it is possible to configure the sugar sensor simply. Accordingly, it is easy to manufacture the sugar sensor, and there is little risk of malfunction of the sugar sensor.
본 발명의 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법에 의하면, 금속 와이어를 이용하여 마이크로 니들을 형성할 수 있고, 전도 부재 등을 반도체 제조 공정과 같은 복잡한 공정을 통해 형성할 필요가 없으므로, 매우 쉽게 당센서를 제조하는 것이 가능하다.According to the transistor-based non-enzyme sugar sensor manufacturing method of the present invention, microneedles can be formed using a metal wire, and there is no need to form a conductive member through a complicated process such as a semiconductor manufacturing process, so it is very easy It is possible to manufacture
그리고 균질한 품질을 가지는 기성의 금속 와이어를 이용하고, 프린팅 방법 등을 통해 전도 부재를 설계한 규격으로 정확하게 형성하는 것이 가능하므로, 제조되는 당센서의 성능이 우수할 뿐만 아니라 재현성 또한 우수하다.And since it is possible to use a ready-made metal wire having a homogeneous quality, and to accurately form the conductive member according to the designed standard through a printing method, etc., not only the performance of the manufactured sugar sensor is excellent, but also the reproducibility is excellent.
도 1은 본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서의 개략적인 단면도,
도 2는 본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서의 사용 상태도,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서의 개략적인 단면도,
도 4는 본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법의 순서도,
도 5는 본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법의 단계별 설명도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a transistor-based non-enzymatic glucose sensor according to the present invention;
2 is a state diagram of a transistor-based non-enzymatic glucose sensor according to the present invention;
3 is a schematic cross-sectional view of a transistor-based non-enzymatic glucose sensor according to another embodiment of the present invention;
4 is a flowchart of a method for manufacturing a transistor-based non-enzyme sugar sensor according to the present invention;
5 is a step-by-step explanatory diagram of a method for manufacturing a transistor-based non-enzyme sugar sensor according to the present invention.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예에 대하여 도면을 참고하여 자세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1에는 본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서(1)의 개략적인 단면도가 도시되어 있다.1 is a schematic cross-sectional view of a transistor-based
본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서(1)는 소스 전극(10), 드레인 전극(20), 전도 부재(30), 마이크로 니들(40) 및 게이트 전극(50)을 포함하여 이루어진다.The transistor-based
소스 전극(10)과 드레인 전극(20)은 서로 이격되어 배치되며, 예를 들어 Ag, Al, Cu, Pt, Au 또는 카본 등과 같은 전도성 재질로 이루어질 수 있다.The
전도 부재(30)는 서로 이격된 소스 전극(10)과 드레인 전극(20)을 연결하는 역할을 하는 것으로서, 예를 들어 Ag, Al, Cu, Pt, Au, ZnO, TiO2 또는 카본 등과 같은 전도성 재질로 이루어질 수 있다. 소스 전극(10), 드레인 전극(20) 및 전도 부재(30)는, 소스 전극(10)과 드레인 전극(20)을 연결하는 전선에 의해, 폐쇄 회로를 형성할 수 있다.The
마이크로 니들(40)은 바늘 형상의 부재로서, 횡단면 중심에 위치하는 금속 재질의 코어층(41), 그리고 코어층(41)의 일단부 표면에 형성되는 산화층(42)으로 이루어진다. 코어층(41)은 전도 부재(30)와 전기적으로 연결될 수 있다. 코어층(41)은 예를 들어, 직경 0.01 ~ 1mm, 길이 0.5 ~ 2.0mm로 형성될 수 있으며, Cu, Ni, Fe, Al, Ag, Au, Pt 또는 W 등의 재질로 이루어질 수 있다. 산화층(42)은 예를 들어, CuO, NiO, Fe2O3 또는 WO3 등의 재질로 이루어질 수 있다.The
게이트 전극(50)은 마이크로 니들(40)의 코어층(41) 타단부에 연결되되, 소스 전극(10) 및 드레인 전극(20)으로부터는 이격되어 배치된다. 게이트 전극(50)과 소스 전극(10)은 전선에 의해 연결될 수 있고 전선 중간에는 전원이 위치하여, 전원에 의해 게이트 전극(50)에 연결된 코어층(41)에 전압이 가해질 수 있다.The
이러한 본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서(1)는 도 2의 (a)에 도시되어 있는 바와 같이, 마이크로 니들(40)을 세포 간질액과 접촉하는 깊이까지 삽입하여 사용할 수 있으며, 전계효과 트랜지스터와 유사하게 동작하여 혈당을 측정하는 것이 가능하다. 참고로, 도 2의 (b)는 본 발명에 의한 당센서(1) 동작시의 배선도와 상기 배선도 내에서의 전기 흐름을 나타내고, 도 2의 (c)는 도 2의 (b)에 도시된 배선도의 등가회로도를 나타낸다.The transistor-based
구체적으로, 마이크로 니들(40)이 간질액과 접촉하면 마이크로 니들(40) 표면의 산화층(42)에서 간질액 중의 당과 산화-환원 반응이 일어나는데, 이때 당은 산화되어 글루코노락톤(Gluconolactone)이 되고 반응 부산물로서 과산화수소(H2O2)가 생성된다. 그리고 게이트 전극(50)에 연결된 전원에 의해 코어층(41)에 예를 들어 0.4 ~ 0.6V의 전압이 가해지면 과산화수소가 환원되면서 전자가 발생하고, 발생한 전자는 코어층(41)을 따라 전도 부재(30)로 이동하여 소스 전극(10)과 드레인 전극(20) 사이에서 전류를 발생시킨다.Specifically, when the
간질액 내 당의 농도가 높은 경우, 당의 산화시 생성되는 과산화수소의 양이 많아지고, 이에 따라 과산화수소의 분해시 발생하는 전자의 양이 많아져 소스 전극(10)과 드레인 전극(20) 사이에서 강한 전류가 발생하게 된다. 반대로, 간질액 내 당의 농도가 낮은 경우에는 당의 산화시 생성되는 과산화수소의 양이 적어지고, 이에 따라 과산화수소의 분해시 발생하는 전자의 양이 적어져 소스 전극(10)과 드레인 전극(20) 사이에서 약한 전류가 발생하게 된다.When the concentration of sugar in the interstitial fluid is high, the amount of hydrogen peroxide generated during the oxidation of sugar increases, and accordingly, the amount of electrons generated during the decomposition of hydrogen peroxide increases, resulting in a strong current between the
결과적으로, 간질액 내 당의 농도에 의해 소스 전극(10)과 드레인 전극(20) 사이에서 발생하는 전류의 세기가 달라지게 되므로, 전류의 세기를 통해 당의 농도를 측정하는 것이 가능하다.As a result, since the intensity of the current generated between the
이러한 본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서(1)는 당산화효소 없이도 마이크로 니들(40) 표면의 산화층(42)과 당의 반응에 의해 당의 농도를 측정하는 것이 가능한데, 당산화효소와 달리 산화층(42)은 환경이나 시간 경과에 의해 특성이 저하되지 않으므로 당의 농도를 지속적으로 정확하게 측정하는 것이 가능하다.The transistor-based
또한, 기존의 마이크로 니들을 이용한 당센서가 마이크로 니들 단면 중앙의 미세 구멍을 통해 간질액을 빨아들여 간질액이 작업전극 등과 접하도록 하였던 것과는 달리, 본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서(1)에서는 마이크로 니들(40)이 직접 작업전극과 같은 역할을 할 수 있으므로, 당센서(1)를 간단하게 구성하는 것이 가능하다. 이에 따라, 당센서(1)의 제조가 용이하며, 마이크로 니들의 단면 중앙에 미세 구멍이 막히어 당센서가 제대로 작동하지 못하게 되는 문제를 방지할 수 있다.Also, unlike the existing glucose sensor using a microneedle, which sucked the interstitial fluid through a micro hole in the center of the cross section of the microneedle so that the interstitial fluid came into contact with the working electrode, etc., the transistor-based non-enzyme glucose sensor according to the present invention (1) In this case, since the microneedle 40 can directly act as a working electrode, it is possible to configure the
마이크로 니들(40)은 전도 부재(30)를 관통하여 전도 부재(30)와 교차하도록 배치될 수 있다.The microneedle 40 may pass through the
이 경우, 마이크로 니들(40)이 전도 부재(30)와 수직을 이루면서 전도 부재(30)로부터 돌출되는 형상으로 위치하기 때문에, 마이크로 니들(40)을 피부 내로 용이하게 삽입할 수 있을 뿐만 아니라, 전도 부재(30) 부분이 피부 외측 표면에 걸쳐지게 되어 마이크로 니들(40)이 너무 깊숙이 피부 내로 삽입되는 것을 방지할 수 있다.In this case, since the microneedle 40 is positioned in a shape that protrudes from the
마이크로 니들(40)의 일단부는 뾰족하게 형성되어, 마이크로 니들(40)을 피부 내로 보다 용이하게 삽입할 수 있고, 삽입시 통증을 줄일 수 있다.One end of the micro-needle 40 is formed to be sharp, so that the micro-needle 40 can be more easily inserted into the skin, and pain can be reduced during insertion.
마이크로 니들(40)의 코어층(41)은 금속 와이어로 이루어질 수 있다. 즉, 기성의 금속 와이어를 마이크로 니들(40)로 하여 본 발명에 의한 당센서(1)를 제조하는 것이 가능하다.The
상기했던 바와 같이, 본 발명의 당센서(1)에서 마이크로 니들(40)은 단면 중앙에 미세한 구멍이 없기 때문에 기성의 금속 와이어를 마이크로 니들(40)로 사용하는 것이 가능하며, 이에 따라 기존에 미세 구멍을 구비한 마이크로 니들을 복잡한 반도체 제조 공정을 통해 제조하였던 것과는 달리, 마이크로 니들(40)을 매우 쉽게 형성하는 것이 가능하다.As described above, since the microneedle 40 in the
도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서(1)는 마이크로 니들(40)을 다수 개 구비할 수 있다. 다수 개의 마이크로 니들(40)은 서로 나란하게 위치할 수 있다.As shown in FIG. 3 , the transistor-based
이 경우, 보다 넓은 면적에서 당의 산화가 이루어지면서 소스 전극(10)과 드레인 전극(20) 사이의 전류가 증폭되는 효과가 발휘되기 때문에, 당의 농도를 보다 정확하게 측정하는 것이 가능하다.In this case, since the effect of amplifying the current between the
소스 전극(10), 드레인 전극(20) 및 전도 부재(30)는 평평한 기판(60) 상에 형성될 수 있다.The
기판(60)은 전도 부재(30) 등을 지지하여 전도 부재(30) 등이 안정적인 연결 상태를 유지할 수 있도록 하고, 본 발명에 의한 당센서(1)의 제조시 기판(60) 상에 전도 부재(30) 등을 형성할 수 있으므로 전도 부재(30) 등의 배치 관계를 쉽게 형성할 수 있도록 한다.The
기판(60)은 예를 들어, 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 나프타할레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르술폰(PES) 또는 폴리카보네이트(PC) 등과 같은 폴리머 재질로 이루어질 수 있다.The
마이크로 니들(40)이 전도 부재(30)를 관통하여 전도 부재(30)와 교차하도록 배치되는 경우, 마이크로 니들(40)의 일단부가 당센서(1) 본체의 외측으로 돌출되기 위해서는 전도 부재(30) 등을 지지하는 기판(60) 또한 관통하도록 형성되어야 할 것인데, 기판(60)이 폴리머 재질로 이루어지면 쉽게 마이크로 니들(40)이 기판(60)을 관통하도록 형성하는 것이 가능하다. 즉, 기판(60)에 구멍을 뚫은 상태에서 마이크로 니들(40)을 기판(60)의 구멍에 삽입하거나 기판(60)이 경화되지 않은 상태에서 마이크로 니들(40)을 통과시키는 방법 등을 통해 마이크로 니들(40)이 기판(60)을 관통하는 상태로 형성할 수 있다.When the microneedle 40 penetrates the
본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서(1)는 절연층(70)을 더 포함할 수 있다. The transistor-based
절연층(70)은 전도 부재(30) 상에 전도 부재(30)를 덮는 형태로 형성된다. 마이크로 니들(40)의 코어층(41) 타단부가 게이트 전극(50)과 연결될 수 있도록 마이크로 니들(40)의 타단부는 절연층(70)을 관통하여 절연층(70) 상에서 돌출된 상태로 형성된다.The insulating
이러한 절연층(70)은 전도 부재(30)를 보호할 뿐만 아니라, 코어층(41)의 타단부에 연결되는 게이트 전극(50)이 소스 전극(10)과 드레인 전극(20)으로부터 이격된 상태에서 안정적으로 지지될 수 있도록 한다.The insulating
절연층(70)은 예를 들어, 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리비닐알콜(PVA), 폴리스티렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 또는 폴리우레탄(PU) 등의 재질로 이루어질 수 있다.The insulating
이하에서는 본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법에 대하여 설명하도록 한다. 본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법에 대해 설명하면서 본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서(1)의 설명시 언급한 부분에 대해서는 자세한 설명을 생략할 수 있다.Hereinafter, a method for manufacturing a transistor-based non-enzymatic glucose sensor according to the present invention will be described. While describing the method for manufacturing the transistor-based non-enzymatic glucose sensor according to the present invention, detailed descriptions of the parts mentioned in the description of the transistor-based
도 4에는 본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법의 순서도가 도시되어 있고, 도 5에는 본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법의 단계별 설명도가 도시되어 있다.4 is a flowchart of a method for manufacturing a transistor-based non-enzymatic glucose sensor according to the present invention, and FIG. 5 is a step-by-step explanatory diagram of a method for manufacturing a transistor-based non-enzymatic glucose sensor according to the present invention.
본 발명에 의한 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법은 크게, 마이크로 니들 준비단계(S10)와 전극 형성단계(S30)로 이루어진다.The transistor-based non-enzyme sugar sensor manufacturing method according to the present invention largely consists of a microneedle preparation step (S10) and an electrode formation step (S30).
마이크로 니들 준비단계(S10)에서는 금속 재질의 코어층(41), 및 코어층(41)의 일단부 표면에 형성된 산화층(42)을 구비하는 마이크로 니들(40)을 준비한다.In the microneedle preparation step (S10), a microneedle 40 having a
마이크로 니들 준비단계(S10)는 보다 구체적으로, 금속 와이어 준비단계(S11) 및 산화층 형성단계(S12)를 포함할 수 있다.More specifically, the microneedle preparation step (S10) may include a metal wire preparation step (S11) and an oxide layer forming step (S12).
금속 와이어 준비단계(S11)에서는 도 5의 (a)에 도시되어 있는 바와 같이, 코어층(41)으로서의 금속 와이어(W)를 준비한다. 금속 와이어(W)는 0.01 ~ 1mm 직경의 기성품 금속 와이어를 0.5 ~ 2.0mm의 길이로 절단하여 만들어질 수 있다. 이처럼 기성의 금속 와이어를 이용하면, 마이크로 니들(40)을 쉽게 제조하는 것이 가능하다.In the metal wire preparation step ( S11 ), as shown in FIG. 5 ( a ), the metal wire W as the
산화층 형성단계(S12)에서는 도 5의 (b)에 도시되어 있는 바와 같이, 금속 와이어의 일단부 표면에 산화층(42)을 형성한다. 산화층(42)은 예를 들어, 산소 분위기 하의 열산화법, 졸-겔법, 양극산화법, 화학 증착법, 원자 증착법 또는 스퍼터링법 등을 통해 형성될 수 있다.In the oxide layer forming step (S12), as shown in Fig. 5 (b), an
마이크로 니들 준비단계(S10)는 금속 와이어 절단단계(S13)를 더 포함할 수 있다.The microneedle preparation step (S10) may further include a metal wire cutting step (S13).
금속 와이어 절단단계(S13)는 산화층 형성단계(S12) 후에 진행되는 것으로서, 금속 와이어의 일단부를 비스듬하게 절단하는 과정이다. 이에 의해, 마이크로 니들(40)의 일단부는 뾰족하게 형성되어 당 농도 측정시 피부 내로 쉽게 삽입될 수 있다.The metal wire cutting step (S13) is performed after the oxide layer forming step (S12), and is a process of obliquely cutting one end of the metal wire. Accordingly, one end of the microneedle 40 is formed to be sharp, so that it can be easily inserted into the skin when measuring the sugar concentration.
금속 와이어 절단단계(S13)는 금속 와이어 준비단계(S11)와 산화층 형성단계(S12) 사이에 형성되는 것도 가능하다. 이 경우, 금속 와이어의 일단부가 절단된 후에 산화층(42)이 형성되기 때문에 마이크로 니들(40) 일단부에서 코어층(41)이 노출되지 않는다.The metal wire cutting step (S13) may be formed between the metal wire preparation step (S11) and the oxide layer forming step (S12). In this case, since the
전극 형성단계(S30)에서는, 전도 부재(30), 소스 전극(10), 드레인 전극(20) 및 게이트 전극(50)을 형성한다.In the electrode forming step S30 , the
전도 부재(30)는 코어층(41)과 전기적으로 연결되도록 형성되고, 소스 전극(10)은 전도 부재(30)의 일단부에 연결되며 드레인 전극(20)은 전도 부재(30)의 타단부에 연결되도록 형성된다. 그리고 게이트 전극(50)은 소스 전극(10)과 드레인 전극(20)으로부터 이격된 상태에서 코어층(41)의 타단부에 전기적으로 연결되도록 형성된다.The
게이트 전극(50)과 전기적으로 연결되는 마이크로 니들(40)의 코어층(41)에는 게이트 전극(50)과 연결되는 전원에 의해 전압이 가해질 수 있고, 이에 따라 산화층(42)에서 당이 산화되면서 생성된 과산화수소는 전압에 의해 환원되어 전자를 발생시키며, 이렇게 발생한 전자는 코어층(41)을 따라 이동하여 전도 부재(30)를 통해 코어층(41)과 전기적으로 연결된 소스 전극(10)과 드레인 전극(20) 사이에서 전류를 발생시킬 수 있다.A voltage may be applied to the
마이크로 니들 준비단계(S10)와 전극 형성단계(S30) 사이에는 기판 형성단계(S20)가 더 진행될 수 있다.Between the microneedle preparation step ( S10 ) and the electrode forming step ( S30 ), the substrate forming step ( S20 ) may further proceed.
기판 형성단계(S20)에서는 기판(60)을 마이크로 니들(40)과 교차하도록 배치한다. 이에 의해, 마이크로 니들(40)의 일단부는 기판(60)의 하부로 돌출되고 타단부는 기판(60)의 상부로 돌출되게 위치하게 된다.In the substrate forming step (S20), the
기판 형성단계(S20)가 더 포함되는 경우, 전극 형성단계(S30)에서는 소스 전극(10), 드레인 전극(20) 및 전도 부재(30)를 기판(60) 상에 형성한다. 이에 따라, 전도 부재(30) 등의 형성시 전도 부재(30) 등을 형성하는 재료가 기판(60)에 의해 지지될 수 있어 전도 부재(30) 등을 서로 연결된 상태로 쉽게 형성하는 것이 가능하다. 그리고 전도 부재(30) 등을 형성하면서 전도 부재(30) 등의 재료가 마이크로 니들(40)의 일단부로 접근하게 되는 것을 방지할 수 있다.When the substrate forming step S20 is further included, in the electrode forming step S30 , the
기판 형성단계(S20)는 보다 구체적으로, 구멍 형성단계(S21)와 마이크로 니들 삽입단계(S22)를 포함할 수 있다.The substrate forming step (S20) may include, more specifically, a hole forming step (S21) and a microneedle insertion step (S22).
구멍 형성단계(S21)에서는 도 5의 (c)에 도시되어 있는 바와 같이, 평평한 판 형상으로 이루어진 기판(60)의 중간에 구멍을 형성한다. 구멍은 마이크로 니들(40)의 직경에 대응되는 직경을 갖도록 형성된다.In the hole forming step (S21), as shown in Fig. 5 (c), a hole is formed in the middle of the
마이크로 니들 삽입단계(S22)에서는 도 5의 (d)에 도시되어 있는 바와 같이, 기판(60)의 중간에 형성된 구멍에 마이크로 니들(40)을 삽입한다. 이에 의해, 마이크로 니들(40)은 기판(60)을 통과하는 형태로 기판(60)에 고정되며, 기판(60)에 의해 마이크로 니들(40)의 일단부가 위치하는 공간과 타단부가 위치하는 공간이 구분되게 된다.In the microneedle insertion step (S22), the
전극 형성단계(S30)는 보다 구체적으로, 전도 부재 형성단계(S31), 소스-드레인 전극 형성단계(S32), 절연층 형성단계(S33) 및 게이트 전극 형성단계(S34)를 포함할 수 있다.More specifically, the electrode forming step S30 may include a conductive member forming step S31 , a source-drain electrode forming step S32 , an insulating layer forming step S33 , and a gate electrode forming step S34 .
전도 부재 형성단계(S31)에서는 도 5의 (e)에 도시되어 있는 바와 같이, 마이크로 니들(40)과 교차하도록 전도 부재(30)를 형성한다. 전도 부재(30)는 마이크로 니들(40)의 코어층(41)을 둘러싸는 부분을 갖는 판 형상으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 프린팅 방법, 열증발법 또는 스퍼터링법 등 박막을 형성할 수 있는 모든 방법에 의해 형성될 수 있다.In the conducting member forming step (S31), the conducting
전도 부재 형성단계(S31) 전에 기판 형성단계(S20)가 진행된 경우, 기판(60) 위에 전도 부재(30)를 형성한다.When the substrate forming step S20 is performed before the conducting member forming step S31 , the conducting
소스-드레인 전극 형성단계(S32)에서는 도 5의 (f)에 도시되어 있는 바와 같이, 전도 부재(30)의 일단부에 소스 전극(10)을 형성하고 타단부에는 드레인 전극(20)을 형성한다. 소스 전극(10)과 드레인 전극(20)은 각각 전도 부재(30)와 전기적으로 연결된다. 소스 전극(10)과 드레인 전극(20)은 전도 부재(30)와 마찬가지로 프린팅 방법, 열증발법 또는 스퍼터링법 등 박막을 형성할 수 있는 모든 방법에 의해 형성될 수 있다.In the source-drain electrode forming step S32, as shown in FIG. 5(f) , the
소스 전극(10)과 드레인 전극(20)은 전도 부재(30)는 서로 동일한 재질로 한 번의 공정을 통해 형성되되, 소스 전극(10)과 드레인 전극(20) 부분을 전도 부재(30) 부분보다 더 두껍게 형성되어 전도 부재(30) 부분과 구분되게 할 수 있다.The
절연층 형성단계(S33)에서는 도 5의 (g)에 도시되어 있는 바와 같이, 전도 부재(30) 상에 절연층(70)을 형성한다. 절연층(70)은 전도 부재(30)는 덮고, 소스 전극(10)과 드레인 전극(20)은 덮지 않도록 형성된다. 그리고 마이크로 니들(40)의 코어층(41)의 둘레부를 둘러싸되 코어층(41)의 타단의 최단부는 둘러싸지 않도록 형성되어, 전연층 상으로 코어층(41)의 타단부가 돌출된 부분을 갖도록 한다. 절연층(70)은 예를 들어, 프린팅 방법 또는 코팅 방법 등에 의해 형성될 수 있다.In the insulating layer forming step ( S33 ), the insulating
게이트 전극 형성단계(S34)에서는 도 5의 (h)에 도시되어 있는 바와 같이, 절연층(70) 상에 마이크로 니들(40)의 코어층(41) 타단부에 연결되는 게이트 전극(50)을 형성한다. 절연층(70)에 의해 게이트 전극(50)은 소스 전극(10), 드레인 전극(20) 및 전도 부재(30)와 이격된 상태로 위치할 수 있다. 게이트 전극(50)은 예를 들어, 프린팅 방법, 열증발법 또는 스퍼터링법 등 박막을 형성할 수 있는 모든 방법에 의해 형성될 수 있다.In the gate electrode forming step S34, as shown in FIG. 5(h), the
위와 같은 본 발명의 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법에 의하면, 금속 와이어를 이용하여 마이크로 니들(40)을 형성할 수 있고, 전도 부재(30), 소스 전극(10), 드레인 전극(20), 게이트 전극(50), 절연층(70)을 반도체 제조 공정과 같은 복잡한 공정을 통해 형성할 필요가 없으므로, 매우 쉽게 당센서(1)를 제조하는 것이 가능하다.According to the transistor-based non-enzyme sugar sensor manufacturing method of the present invention as described above, the microneedle 40 can be formed using a metal wire, and the
그리고 균질한 품질을 가지는 기성의 금속 와이어를 이용하고, 프린팅 방법 등을 통해 전도 부재(30)를 설계한 규격으로 정확하게 형성하는 것이 가능하므로, 제조되는 당센서(1)의 성능이 우수할 뿐만 아니라 재현성 또한 우수하다.And since it is possible to precisely form the
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be implemented in various forms within the scope of the appended claims. Without departing from the gist of the present invention claimed in the claims, it is considered to be within the scope of the claims of the present invention to the extent that various modifications can be made by anyone skilled in the art to which the invention pertains.
1 : 트랜지스터 기반 비효소 당센서
10 : 소스 전극 20 : 드레인 전극
30 : 전도 부재 40 : 마이크로 니들
41 : 코어층 42 : 산화층
50 : 게이트 전극 60 : 기판
70 : 절연층1: Transistor-based non-enzymatic glucose sensor
10: source electrode 20: drain electrode
30: conductive member 40: microneedle
41: core layer 42: oxide layer
50: gate electrode 60: substrate
70: insulating layer
Claims (15)
상기 소스 전극에서 이격되어 배치되는 드레인 전극;
상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 전도 부재;
상기 전도 부재에 연결되는 금속 재질의 코어층과, 당의 산화-환원 반응을 위해 상기 코어층의 일단부 표면에 형성되는 산화층을 구비하는 마이크로 니들;
상기 소스 전극과 상기 드레인 전극으로부터 이격되어 상기 코어층의 타단부에 연결되는 게이트 전극; 및
폴리머 재질로 이루어지고, 상기 소스 전극, 드레인 전극, 및 전도 부재의 하부면에 형성되며, 상기 마이크로 니들과 교차하도록 배치되는 기판을 포함하고,
상기 마이크로 니들은, 상기 전도 부재를 관통하여 상기 전도 부재와 수직을 이루면서 교차하도록 배치되며, 위로는 상기 전도 부재로부터 돌출되고, 아래로는 상기 기판으로부터 돌출되는 형상으로 형성되고,
상기 마이크로 니들은 피부 내로 삽입되어 상기 산화층을 이용하여 당의 농도를 측정하며, 상기 전도 부재 및 상기 기판은 피부 외측 표면에 걸쳐짐에 따라 상기 마이크로 니들이 정해진 피부 내 깊이만큼만 삽입되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기반 비효소 당센서.
source electrode;
a drain electrode spaced apart from the source electrode;
a conductive member connecting the source electrode and the drain electrode;
a microneedle having a metal core layer connected to the conductive member and an oxide layer formed on one end surface of the core layer for oxidation-reduction reaction of sugar;
a gate electrode spaced apart from the source electrode and the drain electrode and connected to the other end of the core layer; and
and a substrate made of a polymer material, formed on the lower surface of the source electrode, the drain electrode, and the conductive member, and disposed to cross the microneedle,
The microneedles pass through the conductive member and are disposed to cross the conductive member while forming a vertical shape, protruding from the conductive member upward and protruding from the substrate downward,
The microneedle is inserted into the skin to measure the concentration of sugar using the oxide layer, and as the conductive member and the substrate span the outer surface of the skin, the microneedle is inserted into the skin only by a predetermined depth. Non-enzymatic glucose sensor.
상기 마이크로 니들의 일단부는, 뾰족하게 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기반 비효소 당센서.
According to claim 1,
Transistor-based non-enzyme sugar sensor, characterized in that one end of the microneedle is sharply formed.
상기 코어층은, 금속 와이어인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기반 비효소 당센서.
According to claim 1,
The core layer is a transistor-based non-enzyme sugar sensor, characterized in that the metal wire.
상기 마이크로 니들은, 다수 개가 구비되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기반 비효소 당센서.
According to claim 1,
The microneedle, a transistor-based non-enzyme sugar sensor, characterized in that provided with a plurality.
상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 전도 부재는, 평평한 상기 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기반 비효소 당센서.
According to claim 1,
The source electrode, the drain electrode, and the conductive member are transistor-based non-enzyme glucose sensor, characterized in that formed on the flat substrate.
상기 전도 부재 상에 형성되는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기반 비효소 당센서.
According to claim 1,
Transistor-based non-enzyme glucose sensor, characterized in that it further comprises an insulating layer formed on the conductive member.
폴리머 재질로 이루어지고, 소스 전극, 드레인 전극, 및 전도 부재의 하부면에 형성되며, 상기 마이크로 니들과 교차하도록 배치되는 기판을 형성하는 기판 형성단계; 및
상기 코어층에 연결되는 상기 전도 부재, 상기 전도 부재의 일단부에 연결되는 상기 소스 전극, 상기 전도 부재의 타단부에 연결되는 상기 드레인 전극, 및 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극으로부터 이격되어 상기 코어층의 타단부에 연결되는 게이트 전극을 형성하는 전극 형성단계;를 포함하고,
상기 마이크로 니들은, 상기 전도 부재를 관통하여 상기 전도 부재와 수직을 이루면서 교차하도록 배치되며, 위로는 상기 전도 부재로부터 돌출되고, 아래로는 상기 기판으로부터 돌출되는 형상으로 형성되고,
상기 마이크로 니들은 피부 내로 삽입되어 상기 산화층을 이용하여 당의 농도를 측정하며, 상기 전도 부재 및 상기 기판은 피부 외측 표면에 걸쳐짐에 따라 상기 마이크로 니들이 정해진 피부 내 깊이만큼만 삽입되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법.
A microneedle preparation step of preparing a microneedle having an oxide layer formed on the surface of one end of the core layer for oxidation-reduction reaction of a metal core layer and sugar;
A substrate forming step of forming a substrate made of a polymer material, formed on the lower surface of the source electrode, the drain electrode, and the conductive member, and disposed to intersect the microneedles; and
The conductive member connected to the core layer, the source electrode connected to one end of the conductive member, the drain electrode connected to the other end of the conductive member, and the core layer spaced apart from the source electrode and the drain electrode An electrode forming step of forming a gate electrode connected to the other end of the
The microneedles pass through the conductive member and are disposed to cross the conductive member while forming a vertical shape, protruding from the conductive member upward and protruding from the substrate downward,
The microneedle is inserted into the skin to measure the concentration of sugar using the oxide layer, and as the conductive member and the substrate span the outer surface of the skin, the microneedle is inserted into the skin only by a predetermined depth. Method for manufacturing non-enzymatic glucose sensor.
상기 마이크로 니들 준비단계는,
상기 코어층으로서의 금속 와이어를 준비하는 금속 와이어 준비단계, 및
상기 금속 와이어의 일단부 표면에 산화층을 형성하는 산화층 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법.
10. The method of claim 9,
The microneedle preparation step is,
A metal wire preparation step of preparing a metal wire as the core layer, and
Transistor-based non-enzyme sugar sensor manufacturing method comprising the step of forming an oxide layer on the surface of one end of the metal wire.
상기 마이크로 니들 준비단계는,
상기 산화층 형성단계 후에 진행되는 것으로서, 상기 금속 와이어의 일단부를 비스듬하게 절단하는 금속 와이어 절단단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법.
11. The method of claim 10,
The microneedle preparation step is,
Transistor-based non-enzyme sugar sensor manufacturing method, which proceeds after the oxide layer forming step, further comprising a metal wire cutting step of cutting one end of the metal wire obliquely.
상기 전극 형성단계는,
상기 마이크로 니들과 교차하도록 상기 전도 부재를 형성하는 전도 부재 형성단계,
상기 전도 부재의 일단부에 상기 소스 전극을 형성하고 상기 전도 부재의 타단부에 상기 드레인 전극을 형성하는 소스-드레인 전극 형성단계,
상기 전도 부재 상에 절연층을 형성하는 절연층 형성단계, 및
상기 절연층 상에 상기 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법.
10. The method of claim 9,
The electrode forming step is
A conductive member forming step of forming the conductive member to cross the microneedle;
A source-drain electrode forming step of forming the source electrode on one end of the conductive member and forming the drain electrode on the other end of the conductive member;
an insulating layer forming step of forming an insulating layer on the conductive member; and
and a gate electrode forming step of forming the gate electrode on the insulating layer.
상기 기판 형성단계는,
상기 기판에 구멍을 형성하는 구멍 형성단계, 및
상기 구멍에 상기 마이크로 니들을 삽입하는 마이크로 니들 삽입단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법.
10. The method of claim 9,
The substrate forming step is
A hole forming step of forming a hole in the substrate, and
Transistor-based non-enzyme sugar sensor manufacturing method comprising the step of inserting the micro-needle into the hole.
상기 전극 형성단계에서,
상기 전도 부재, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극은 프린팅 방법, 열증발법 또는 스퍼터링법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기반 비효소 당센서 제조방법.
10. The method of claim 9,
In the electrode forming step,
The conductive member, the source electrode, the drain electrode and the gate electrode are a transistor-based non-enzyme sugar sensor manufacturing method, characterized in that formed by a printing method, thermal evaporation method or sputtering method.
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