KR102438832B1 - How to form a resist pattern - Google Patents

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Abstract

지지체 상에, 레지스트 조성물을 사용하여 막두께 7 ㎛ 이상의 레지스트막을 형성하는 공정, 레지스트막을 노광하는 공정 및 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 갖고, 상기 레지스트 조성물은, 일반식 (a10-1) 로 나타내는 구성 단위와, 산 비해리성의 지방족 고리형기를 포함하는 구성 단위와, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위를 갖는 수지 성분을 함유하는, 레지스트 패턴 형성 방법

Figure 112020065141654-pct00069

(식 (a10-1) 중, R 은 수소 원자, 알킬기 또는 할로겐화알킬기이다. Yax1 은 단결합 또는 2 가의 연결기이다. Wax1 은 (nax1 + 1) 가의 방향족 탄화수소기이다. nax1 은 1 ∼ 3 의 정수이다).A step of forming a resist film having a thickness of 7 μm or more on a support by using a resist composition, a step of exposing the resist film, and a step of developing the resist film after exposure to form a resist pattern, wherein the resist composition has the general formula (a10) Formation of a resist pattern comprising a resin component having a structural unit represented by -1), a structural unit containing an acid-non-dissociable aliphatic cyclic group, and a structural unit containing an acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid Way
Figure 112020065141654-pct00069

(In formula (a10-1), R is a hydrogen atom, an alkyl group, or a halogenated alkyl group. Ya x1 is a single bond or a divalent linking group. Wa x1 is a (n ax1 + 1) valent aromatic hydrocarbon group. n ax1 is 1 to 3).

Description

레지스트 패턴 형성 방법How to form a resist pattern

본 발명은, 레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for forming a resist pattern.

본원은, 2017년 12월 28일에 일본에 출원된, 일본 특허출원 2017-254871호에 근거하여 우선권 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2017-254871 for which it applied to Japan on December 28, 2017, and uses the content here.

리소그래피 기술에 있어서는, 예를 들어 기판 상에 레지스트 재료로 이루어지는 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대해 선택적 노광을 실시하고, 현상 처리를 실시함으로써, 상기 레지스트막에 소정 형상의 레지스트 패턴을 형성하는 공정이 실시된다. 레지스트막의 노광부가 현상액에 용해하는 특성으로 변화하는 레지스트 재료를 포지티브형, 레지스트막의 노광부가 현상액에 용해하지 않는 특성으로 변화하는 레지스트 재료를 네거티브형이라고 한다.In the lithography technique, for example, a step of forming a resist film made of a resist material on a substrate, selectively exposing the resist film, and performing a development treatment to form a resist pattern having a predetermined shape on the resist film This is carried out A resist material in which the exposed portion of the resist film changes in a characteristic which dissolves in a developer is called a positive type, and a resist material in which the exposed portion of the resist film changes in a characteristic in which the characteristic does not dissolve in a developer is referred to as a negative type.

최근, 반도체 소자나 액정 표시 소자의 제조에 있어서는, 리소그래피 기술의 진보에 의해 패턴의 미세화가 진행되고 있다. 미세화의 수법으로는, 일반적으로, 노광 광원의 단파장화 (고에너지화) 가 실시되고 있다. 구체적으로는, 종래는, g 선, i 선으로 대표되는 자외선이 이용되고 있었지만, 현재는, KrF 엑시머 레이저나, ArF 엑시머 레이저를 사용한 반도체 소자의 양산이 실시되고 있다. 또, 이들 엑시머 레이저보다 단파장 (고에너지) 의 EUV (극단자외선) 나, EB (전자선), X 선 등에 대해서도 검토가 실시되고 있다.In recent years, in manufacture of a semiconductor element and a liquid crystal display element, the refinement|miniaturization of a pattern is advancing with the progress of lithography technology. As a method of miniaturization, the wavelength reduction (higher energy) of an exposure light source is generally implemented. Specifically, conventionally, ultraviolet rays typified by g-rays and i-rays have been used. Currently, semiconductor devices using KrF excimer lasers and ArF excimer lasers are being mass-produced. Moreover, EUV (extreme ultraviolet rays), EB (electron beam), X-rays, etc. which have a shorter wavelength (high energy) than these excimer lasers are also being investigated.

레지스트 재료에는, 이들 노광 광원에 대한 감도, 미세한 치수의 패턴을 재현할 수 있는 해상성 등의 리소그래피 특성이 요구된다.The resist material is required to have lithographic properties such as sensitivity to these exposure light sources and resolution capable of reproducing patterns with fine dimensions.

이와 같은 요구를 만족하는 레지스트 재료로서, 종래, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분과, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분을 함유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물이 이용되고 있다.As a resist material that satisfies these requirements, conventionally, a chemically amplified resist composition containing a base component whose solubility in a developer changes due to the action of an acid and an acid generator component that generates an acid upon exposure has been used. have.

예를 들어 상기 현상액이 알칼리 현상액 (알칼리 현상 프로세스) 인 경우, 포지티브형의 화학 증폭형 레지스트 조성물로는, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대하는 수지 성분 (베이스 수지) 과 산 발생제 성분을 함유하는 것이 일반적으로 사용되고 있다. 이러한 레지스트 조성물을 사용하여 형성되는 레지스트막은, 레지스트 패턴 형성 시에 선택적 노광을 실시하면, 노광부에 있어서, 산 발생제 성분으로부터 산이 발생하고, 그 산의 작용에 의해 베이스 수지의 극성이 증대하여, 레지스트막의 노광부가 알칼리 현상액에 대해 가용이 된다. 그 때문에 알칼리 현상함으로써, 레지스트막의 미노광부가 패턴으로서 남는 포지티브형 패턴이 형성된다.For example, when the developer is an alkali developer (alkali developing process), the positive chemically amplified resist composition includes a resin component (base resin) whose solubility in an alkali developer increases due to the action of an acid (base resin) and an acid generator Those containing ingredients are generally used. When a resist film formed using such a resist composition is selectively exposed during resist pattern formation, an acid is generated from the acid generator component in the exposed portion, and the polarity of the base resin is increased by the action of the acid, The exposed portion of the resist film becomes soluble to the alkali developer. Therefore, by performing alkali development, a positive pattern in which the unexposed portion of the resist film remains as a pattern is formed.

한편으로, 이와 같은 화학 증폭형 레지스트 조성물을, 유기 용제를 포함하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용한 용제 현상 프로세스에 적용한 경우, 베이스 수지의 극성이 증대하면 상대적으로 유기계 현상액에 대한 용해성이 저하하기 때문에, 레지스트막의 미노광부가 유기계 현상액에 의해 용해, 제거되어, 레지스트막의 노광부가 패턴으로서 남는 네거티브형의 레지스트 패턴이 형성된다. 이와 같이 네거티브형의 레지스트 패턴을 형성하는 용제 현상 프로세스를 네거티브형 현상 프로세스라고 하는 경우가 있다.On the other hand, when such a chemically amplified resist composition is applied to a solvent development process using a developer containing an organic solvent (organic developer), as the polarity of the base resin increases, the solubility in the organic developer decreases relatively. The unexposed portion of the resist film is dissolved and removed by the organic developer to form a negative resist pattern in which the exposed portion of the resist film remains as a pattern. The solvent developing process for forming a negative resist pattern in this way is sometimes referred to as a negative developing process.

지금까지, 화학 증폭형 레지스트 조성물의 베이스 수지로는, 예를 들어 KrF 엑시머 레이저 (248 nm) 에 대해, 투명성이 높은 폴리하이드록시스티렌 (PHS) 이나 그 수산기를 산 해리성의 용해 억제기로 보호한 수지 (PHS 계 수지) 가 사용되어 왔다. 또, 예를 들어 ArF 엑시머 레이저 (193 nm) 에 대해, (메트)아크릴산의 카르복시기에 있어서의 수산기를 산 해리성의 용해 억제기로 보호한 수지 ((메트)아크릴계 수지) 가 사용되어 왔다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).Up to now, as the base resin for chemically amplified resist compositions, for example, polyhydroxystyrene (PHS) with high transparency to KrF excimer laser (248 nm), or a resin in which the hydroxyl group is protected with an acid dissociable dissolution inhibitor. (PHS-based resin) has been used. Also, for example, for an ArF excimer laser (193 nm), a resin ((meth)acrylic resin) in which a hydroxyl group in the carboxy group of (meth)acrylic acid is protected with an acid dissociable dissolution inhibitor has been used (for example, , see Patent Document 1).

상기 산 해리성의 용해 억제기로는, 1-에톡시에틸기로 대표되는 사슬형 에테르기 혹은 테트라하이드로피라닐기로 대표되는 고리형 에테르기 등의 이른바 아세탈기, tert-부틸기로 대표되는 제 3 급 알킬기, tert-부톡시카르보닐기로 대표되는 제 3 급 알콕시카르보닐기 등이 주로 사용되고 있다.Examples of the acid dissociable dissolution inhibiting group include a so-called acetal group such as a chain ether group represented by a 1-ethoxyethyl group or a cyclic ether group represented by a tetrahydropyranyl group, a tertiary alkyl group represented by a tert-butyl group, A tertiary alkoxycarbonyl group represented by a tert-butoxycarbonyl group is mainly used.

또, 화학 증폭형 레지스트 조성물에 있어서 사용되는 산 발생제 성분으로는, 지금까지 다종다양의 것이 제안되어 있고, 예를 들어, 요오드늄염이나 술포늄염 등의 오늄염계 산 발생제, 옥심술포네이트계 산 발생제, 디아조메탄계 산 발생제, 니트로벤질술포네이트계 산 발생제, 이미노술포네이트계 산 발생제, 디술폰계 산 발생제 등이 알려져 있다.In addition, various types of acid generator components used in chemically amplified resist compositions have been proposed so far, for example, onium salt-based acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate-based acid generators Acid generators, diazomethane-based acid generators, nitrobenzylsulfonate-based acid generators, iminosulfonate-based acid generators, disulfone-based acid generators, and the like are known.

이들 중에서도, 오늄염계 산 발생제가 범용되고, 주로, 카티온부에 트리페닐술포늄 등의 오늄 이온을 갖는 것이 사용되고 있다. 이 오늄염계 산 발생제의 아니온부에는, 일반적으로, 알킬술폰산 이온이나 그 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 불소화알킬술폰산 이온 등이 사용되고 있다.Among these, onium salt-based acid generators are widely used, and those having an onium ion such as triphenylsulfonium in the cation moiety are mainly used. For the anion moiety of the onium salt-based acid generator, generally, an alkylsulfonic acid ion or a fluorinated alkylsulfonate ion in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms are used.

그런데, 현재, LSI 의 고집적화와 통신의 고속도화에 수반하여, 메모리 용량의 증대화가 요구되어, 패턴의 추가적인 미세화가 급속히 진행되고 있다. 그러나, 전자선이나 EUV 에 의한 리소그래피에서는, 수십 nm 의 미세한 패턴 형성을 목표로 하지만, 여전히 생산성이 낮다는 등의 과제가 많아, 미세 가공에 의한 기술에는 한계가 있다.However, at present, along with higher integration of LSI and higher speed of communication, an increase in memory capacity is required, and further miniaturization of patterns is rapidly progressing. However, although electron beam or EUV lithography aims to form a fine pattern of several tens of nm, there are still many problems such as low productivity, and there is a limit to the technique by micromachining.

이것에 대해, 미세화에 더하여, 셀을 쌓아올려 가는 적층화에 의해 메모리의 대용량화를 도모하는, 3 차원 구조 디바이스의 개발이 진행되고 있다.On the other hand, in addition to miniaturization, development of a three-dimensional structure device is progressing for increasing the capacity of a memory by stacking cells by stacking them.

일본 공개특허공보 2003-241385호Japanese Patent Laid-Open No. 2003-241385

상기 3 차원 구조 디바이스의 제조에 있어서는, 피가공물 표면에, 종래보다 고막두께의, 예를 들어 막두께를 7 ㎛ 이상으로 하는 후막 레지스트막을 성막하고, 레지스트 패턴을 형성하여 에칭 등을 실시하는 공정을 갖는다. 여기에 화학 증폭형 레지스트 조성물을 사용하는 경우, 레지스트의 막두께가 두꺼워질수록, 노광 시의 감도를 유지하는 것이 어려워진다. 종래의 화학 증폭형 레지스트 조성물을 사용하여 후막 레지스트막을 성막하려고 했을 때에는, 노광량이 많이 필요해져 감도가 낮아지는 문제가 있다. 또, 현상에 대한 해상성이 저하하여, 원하는 레지스트 패턴 형상이 얻어지기 어려운 문제도 있다.In the production of the three-dimensional structure device, a process of forming a thick resist film having a higher film thickness, for example, a film thickness of 7 µm or more, on the surface of the workpiece, forming a resist pattern, and performing etching, etc. have When a chemically amplified resist composition is used here, as the film thickness of the resist increases, it becomes more difficult to maintain the sensitivity during exposure. When a thick resist film is to be formed using a conventional chemically amplified resist composition, there is a problem in that a large amount of exposure is required and the sensitivity is lowered. In addition, there is also a problem in that the resolution for development is lowered and a desired resist pattern shape is difficult to be obtained.

본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 막두께를 7 ㎛ 이상으로 하는 후막 레지스트막을 성막할 때여도, 높은 감도를 나타내고, 또한, 양호한 형상의 패턴을 형성할 수 있는 레지스트 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a resist pattern forming method capable of forming a pattern with high sensitivity and good shape even when forming a thick resist film having a film thickness of 7 µm or more. make it a task

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 이하의 구성을 채용하였다. In order to solve the said subject, this invention employ|adopted the following structure.

즉, 본 발명의 하나의 양태 (aspect) 에 관련된 레지스트 패턴 형성 방법은, 지지체 상에, 레지스트 조성물을 사용하여 막두께 7 ㎛ 이상의 레지스트막을 형성하는 공정 (i), 상기 레지스트막을 노광하는 공정 (ii) 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정 (iii) 을 갖는 레지스트 패턴 형성 방법으로서, 상기 레지스트 조성물은, 노광에 의해 산을 발생하고, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 것이고, 하기 일반식 (a10-1) 로 나타내는 구성 단위 (a10) 과, 산 비해리성의 지방족 고리형기를 포함하는 구성 단위 (a4) 와, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위 (a1) 을 갖는 수지 성분 (A1) 을 함유하는 것을 특징으로 한다.That is, the resist pattern forming method according to one aspect of the present invention comprises a step (i) of forming a resist film having a thickness of 7 µm or more on a support by using a resist composition, a step of exposing the resist film (ii) ) and a step (iii) of developing the resist film after exposure to form a resist pattern, wherein the resist composition generates an acid upon exposure, and solubility in a developer is changed by the action of the acid and a structural unit (a10) represented by the following general formula (a10-1), a structural unit (a4) containing an acid non-dissociable aliphatic cyclic group, and an acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid It is characterized by containing the resin component (A1) which has the structural unit (a1) which says.

[화학식 1] [Formula 1]

Figure 112020065141654-pct00001
Figure 112020065141654-pct00001

[식 중, R 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다. Yax1 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다. Wax1 은, (nax1 + 1) 가의 방향족 탄화수소기이다. nax1 은, 1 ∼ 3 의 정수이다.][In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Ya x1 is a single bond or a divalent linking group. Wa x1 is a (n ax1 +1) valent aromatic hydrocarbon group. n ax1 is an integer of 1 to 3.]

본 발명에 의하면, 막두께를 7 ㎛ 이상으로 하는 후막 레지스트막을 성막할 때여도, 높은 감도를 나타내고, 또한, 양호한 형상의 패턴을 형성할 수 있는 레지스트 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even when forming a thick-film resist film with a film thickness of 7 micrometers or more into a film, it shows high sensitivity and can provide the resist pattern formation method which can form a pattern of a favorable shape.

본 명세서 및 본 특허 청구 범위에 있어서 「지방족」이란, 방향족에 대한 상대적인 개념으로서, 방향족성을 가지지 않는 기, 화합물 등을 의미하는 것이라고 정의한다.In this specification and claims, "aliphatic" is a concept relative to aromatic, and is defined as meaning a group, compound, or the like having no aromaticity.

「알킬기」는, 특별히 기재가 없는 한, 직사슬형, 분기 사슬형 및 고리형의 1 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다. 알콕시기 중의 알킬기도 동일하다. Unless otherwise specified, "alkyl group" includes linear, branched and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups. The alkyl group in the alkoxy group is the same.

「알킬렌기」는, 특별히 기재가 없는 한, 직사슬형, 분기 사슬형 및 고리형의 2 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다.The "alkylene group" shall include divalent saturated hydrocarbon groups of linear, branched and cyclic unless otherwise specified.

「할로겐화알킬기」는, 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이며, 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.The "halogenated alkyl group" is a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with halogen atoms, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

「불소화알킬기」 또는 「불소화알킬렌기」는, 알킬기 또는 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 말한다.A "fluorinated alkyl group" or "fluorinated alkylene group" refers to a group in which part or all of the hydrogen atoms of an alkyl group or an alkylene group are substituted with fluorine atoms.

「구성 단위」란, 고분자 화합물 (수지, 중합체, 공중합체) 을 구성하는 모노머 단위 (단량체 단위) 를 의미한다. A "structural unit" means a monomer unit (monomer unit) constituting a high molecular compound (resin, polymer, copolymer).

「치환기를 가지고 있어도 된다」라고 기재하는 경우, 수소 원자 (-H) 를 1 가의 기로 치환하는 경우와, 메틸렌기 (-CH2-) 를 2 가의 기로 치환하는 경우의 양방을 포함한다.When describing "you may have a substituent", both a case where a hydrogen atom (-H) is substituted with a monovalent group and a case where a methylene group (-CH 2 -) is substituted with a divalent group is included.

「노광」은, 방사선의 조사 전반을 포함하는 개념으로 한다."Exposure" is a concept including the overall irradiation of radiation.

「아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위」란, 아크릴산에스테르의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다. "Structural unit derived from acrylic acid ester" means a structural unit constituted by cleavage of the ethylenic double bond of acrylic acid ester.

「아크릴산에스테르」는, 아크릴산 (CH2=CH-COOH) 의 카르복시기 말단의 수소 원자가 유기기로 치환된 화합물이다."Acrylic acid ester" is a compound in which the hydrogen atom of the carboxyl group terminal of acrylic acid (CH2=CH - COOH) was substituted with the organic group.

아크릴산에스테르는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자를 치환하는 치환기 (Rα0) 는, 수소 원자 이외의 원자 또는 기이며, 예를 들어 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기 등을 들 수 있다. 또, 치환기 (Rα0) 가 에스테르 결합을 포함하는 치환기로 치환된 이타콘산디에스테르나, 치환기 (Rα0) 가 하이드록시알킬기나 그 수산기를 수식한 기로 치환된 α 하이드록시아크릴에스테르도 포함하는 것으로 한다. 또한, 아크릴산에스테르의 α 위치의 탄소 원자란, 특별히 기재가 없는 한, 아크릴산의 카르보닐기가 결합하고 있는 탄소 원자이다.In the acrylic acid ester, the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent. The substituent (R α0 ) for substituting a hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position is an atom or group other than a hydrogen atom, and examples include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. have. In addition, diesters of itaconic acid in which the substituent (R α 0 ) is substituted with a substituent containing an ester bond, and α hydroxyacrylic esters in which the substituent (R α 0 ) is substituted with a hydroxyalkyl group or a group modified with a hydroxyl group thereof are also included. do. In addition, unless otherwise stated, the carbon atom at the alpha-position of acrylic acid ester is a carbon atom to which the carbonyl group of acrylic acid is couple|bonded.

이하, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환된 아크릴산에스테르를 α 치환 아크릴산에스테르라고 하는 경우가 있다. 또, 아크릴산에스테르와 α 치환 아크릴산에스테르를 포괄하여 「(α 치환)아크릴산에스테르」라고 하는 경우가 있다. 또, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환된 아크릴산을 α 치환 아크릴산이라고 하는 경우가 있다. 또, 아크릴산과 α 치환 아크릴산을 포괄하여 「(α 치환)아크릴산」이라고 하는 경우가 있다.Hereinafter, an acrylic acid ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position is substituted with a substituent may be referred to as an α-substituted acrylic acid ester. Moreover, acrylic acid ester and (alpha)-substituted acrylic acid ester may be collectively referred to as "(alpha)-substituted) acrylic acid ester." Also, acrylic acid in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position is substituted with a substituent is sometimes referred to as α-substituted acrylic acid. In addition, acrylic acid and α-substituted acrylic acid are sometimes referred to as “(α-substituted) acrylic acid”.

「아크릴아미드로부터 유도되는 구성 단위」란, 아크릴아미드의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The "structural unit derived from acrylamide" means a structural unit constituted by cleavage of the ethylenic double bond of acrylamide.

아크릴아미드는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되고, 아크릴아미드의 아미노기의 수소 원자의 일방 또는 양방이 치환기로 치환되어 있어도 된다. 또한, 아크릴아미드의 α 위치의 탄소 원자란, 특별히 기재가 없는 한, 아크릴아미드의 카르보닐기가 결합하고 있는 탄소 원자이다.In acrylamide, the hydrogen atom couple|bonded with the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and one or both of the hydrogen atoms of the amino group of acrylamide may be substituted with a substituent. Note that, unless otherwise specified, the carbon atom at the α-position of acrylamide is a carbon atom to which the carbonyl group of acrylamide is bonded.

아크릴아미드의 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자를 치환하는 치환기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 있어서, α 위치의 치환기로서 든 것 (치환기 (Rα0)) 과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the substituent for substituting the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position of acrylamide include those same as those listed as the substituent at the α-position in the above-mentioned α-substituted acrylic acid ester (substituent (R α0 )).

「하이드록시스티렌으로부터 유도되는 구성 단위」란, 하이드록시스티렌의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다. 「하이드록시스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」란, 하이드록시스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The "structural unit derived from hydroxystyrene" means a structural unit constituted by cleavage of the ethylenic double bond of hydroxystyrene. The "structural unit derived from a hydroxystyrene derivative" means a structural unit constituted by cleavage of the ethylenic double bond of the hydroxystyrene derivative.

「하이드록시스티렌 유도체」란, 하이드록시스티렌의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 그리고 그들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 그들의 유도체로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 하이드록시스티렌의 수산기의 수소 원자를 유기기로 치환한 것 ; α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 하이드록시스티렌의 벤젠 고리에, 수산기 이외의 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 기재가 없는 한, 벤젠 고리가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.The "hydroxystyrene derivative" is a concept including those in which the hydrogen atom at the α-position of hydroxystyrene is substituted with another substituent such as an alkyl group or a halogenated alkyl group, and derivatives thereof. As those derivatives, the hydrogen atom of the hydroxyl group of the hydroxystyrene which the hydrogen atom at the alpha-position may be substituted with the substituent is substituted by the organic group; The thing in which the substituent other than a hydroxyl group couple|bonded with the benzene ring of hydroxystyrene which the hydrogen atom at the alpha-position may be substituted with the substituent, etc. are mentioned. In addition, the α-position (a carbon atom at the α-position) refers to a carbon atom to which the benzene ring is bonded, unless otherwise specified.

하이드록시스티렌의 α 위치의 수소 원자를 치환하는 치환기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 있어서, α 위치의 치환기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the substituent for substituting the hydrogen atom at the α-position of hydroxystyrene include the same as the substituent at the α-position in the α-substituted acrylic acid ester.

「비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체로부터 유도되는 구성 단위」란, 비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다."Structural unit derived from vinylbenzoic acid or a vinylbenzoic acid derivative" means a structural unit constituted by cleavage of an ethylenic double bond of vinylbenzoic acid or a vinylbenzoic acid derivative.

「비닐벤조산 유도체」란, 비닐벤조산의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 그리고 그들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 그들의 유도체로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 비닐벤조산의 카르복시기의 수소 원자를 유기기로 치환한 것 ; α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 비닐벤조산의 벤젠 고리에, 수산기 및 카르복시기 이외의 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 기재가 없는 한, 벤젠 고리가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다."Vinyl benzoic acid derivative" is a concept including those in which the hydrogen atom at the α-position of vinyl benzoic acid is substituted with another substituent such as an alkyl group or a halogenated alkyl group, and derivatives thereof. What substituted the hydrogen atom of the carboxy group of vinylbenzoic acid by which the hydrogen atom at the α-position may be substituted with a substituent as those derivatives with an organic group; and those in which a substituent other than a hydroxyl group and a carboxy group couple|bonded with the benzene ring of vinylbenzoic acid which the hydrogen atom at the alpha-position may be substituted with the substituent, etc. are mentioned. In addition, the α-position (a carbon atom at the α-position) refers to a carbon atom to which the benzene ring is bonded, unless otherwise specified.

상기 α 위치의 치환기로서의 알킬기는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 (메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기) 등을 들 수 있다.The alkyl group as the substituent at the α-position is preferably a linear or branched alkyl group, specifically, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, iso butyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group) and the like.

또, α 위치의 치환기로서의 할로겐화알킬기는, 구체적으로는, 상기 「α 위치의 치환기로서의 알킬기」의 수소 원자의 일부 또는 전부를, 할로겐 원자로 치환한 기를 들 수 있다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. Specific examples of the halogenated alkyl group as the substituent at the α-position include a group in which some or all of the hydrogen atoms of the “alkyl group as a substituent at the α-position” are substituted with halogen atoms. A fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom etc. are mentioned as this halogen atom, A fluorine atom is especially preferable.

또, α 위치의 치환기로서의 하이드록시알킬기는, 구체적으로는, 상기 「α 위치의 치환기로서의 알킬기」의 수소 원자의 일부 또는 전부를, 수산기로 치환한 기를 들 수 있다. 그 하이드록시알킬기에 있어서의 수산기의 수는, 1 ∼ 5 가 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다.Further, specific examples of the hydroxyalkyl group as a substituent at the α-position include a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the “alkyl group as a substituent at the α-position” are substituted with a hydroxyl group. 1-5 are preferable and, as for the number of the hydroxyl groups in this hydroxyalkyl group, 1 is the most preferable.

본 명세서 및 본 특허 청구 범위에 있어서, 화학식으로 나타내는 구조에 따라서는 부제 탄소가 존재하고, 에난티오 이성체 (enantiomer) 나 디아스테레오 이성체 (diastereomer) 가 존재할 수 있는 것이 있지만, 그 경우는 하나의 식으로 그것들 이성체를 대표하여 나타낸다. 그것들 이성체는 단독으로 사용해도 되고, 혼합물로서 사용해도 된다.In the present specification and claims, depending on the structure represented by the chemical formula, an asymmetric carbon may exist, and enantiomers and diastereomers may exist, but in that case, one formula They represent isomers. These isomers may be used independently and may be used as a mixture.

(레지스트 패턴 형성 방법) (Resist pattern formation method)

본 실시형태의 레지스트 패턴 형성 방법은, 지지체 상에, 레지스트 조성물을 사용하여 막두께 7 ㎛ 이상의 레지스트막을 형성하는 공정 (i), 상기 레지스트막을 노광하는 공정 (ii) 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정 (iii) 을 갖는다. 이러한 양태의 레지스트 패턴 형성 방법에 있어서는, 공정 (i) 에서, 특정 레지스트 조성물을 선택한다.The resist pattern formation method of this embodiment comprises a step (i) of forming a resist film with a film thickness of 7 μm or more on a support using a resist composition, a step (ii) of exposing the resist film, and developing the resist film after the exposure. It has a process (iii) of forming a resist pattern. In the resist pattern formation method of this aspect, in the process (i), a specific resist composition is selected.

본 양태에 관련된 레지스트 패턴 형성 방법은, 예를 들어 이하와 같이 하여 실시할 수 있다.The resist pattern formation method according to this aspect can be implemented, for example, as follows.

공정 (i) : Process (i):

먼저, 지지체 상에, 후술하는 특정 레지스트 조성물을, 스피너 등으로 도포하고, 베이크 (포스트 어플라이 베이크 (PAB)) 처리를, 예를 들어 80 ∼ 150 ℃, 바람직하게는 100 ∼ 150 ℃ (보다 바람직하게는 100 ℃ 초과 150 ℃ 이하) 의 온도 조건에서 40 ∼ 120 초간, 바람직하게는 60 ∼ 120 초간 (보다 바람직하게는 80 ∼ 100 초간) 실시하여, 막두께 7 ㎛ 이상의 레지스트막을 형성한다. First, on a support, a specific resist composition described later is applied with a spinner or the like, and a bake (post-apply bake (PAB)) treatment is performed, for example, at 80 to 150°C, preferably at 100 to 150°C (more preferably Preferably, it is carried out for 40 to 120 seconds, preferably 60 to 120 seconds (more preferably 80 to 100 seconds) under temperature conditions of more than 100°C and 150°C or less) to form a resist film having a thickness of 7 µm or more.

공정 (ii) : Process (ii):

다음으로, 그 레지스트막에 대해, 예를 들어 노광 장치 등을 사용하여, 소정의 패턴이 형성된 마스크 (마스크 패턴) 를 통한 노광 등에 의한 선택적 노광을 실시한 후, 베이크 (포스트 익스포저 베이크 (PEB)) 처리를, 예를 들어 80 ∼ 150 ℃, 바람직하게는 90 ∼ 130 ℃ 의 온도 조건에서 40 ∼ 120 초간, 바람직하게는 60 ∼ 100 초간 실시한다.Next, the resist film is subjected to selective exposure by exposure or the like through a mask (mask pattern) having a predetermined pattern formed thereon using, for example, an exposure apparatus, followed by a bake (post-exposure bake (PEB)) process. For example, 80 to 150°C, preferably 90 to 130°C, for 40 to 120 seconds, preferably 60 to 100 seconds.

공정 (iii) : Process (iii):

다음으로, 상기 노광 후의 레지스트막을 현상 처리한다. 현상 처리는, 알칼리 현상 프로세스의 경우는, 알칼리 현상액을 사용하고, 용제 현상 프로세스의 경우는, 유기 용제를 함유하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용하여 실시한다.Next, the resist film after the exposure is developed. In the case of an alkali developing process, the developing treatment is performed using an alkali developing solution, and in the case of a solvent developing process, using the developing solution (organic type developing solution) containing an organic solvent.

현상 처리 후, 바람직하게는 린스 처리를 실시한다. 린스 처리는, 알칼리 현상 프로세스의 경우는, 순수를 사용한 물린스가 바람직하고, 용제 현상 프로세스의 경우는, 유기 용제를 함유하는 린스액을 사용하는 것이 바람직하다.After the developing treatment, preferably a rinse treatment is performed. As for the rinse treatment, in the case of an alkali developing process, a water rinse using pure water is preferable, and in the case of a solvent developing process, it is preferable to use the rinse liquid containing an organic solvent.

용제 현상 프로세스의 경우, 상기 현상 처리 또는 린스 처리 후에, 패턴 상에 부착되어 있는 현상액 또는 린스액을, 초임계 유체에 의해 제거하는 처리를 실시해도 된다.In the case of a solvent developing process, after the said developing process or a rinse process, you may perform the process which removes the developing solution or rinse liquid adhering on the pattern with a supercritical fluid.

현상 처리 후 또는 린스 처리 후, 건조를 실시한다. 또, 경우에 따라서는, 상기 현상 처리 후에 베이크 처리 (포스트 베이크) 를 실시해도 된다.Drying is performed after developing or rinsing. Moreover, you may implement a baking process (post-baking) after the said developing process depending on a case.

이와 같이 하여, 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.In this way, a resist pattern can be formed.

지지체로는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있고, 예를 들어, 전자 부품용의 기판이나, 이것에 소정의 배선 패턴이 형성된 것 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼, 구리, 크롬, 철, 알루미늄 등의 금속제의 기판이나, 유리 기판 등을 들 수 있다. 배선 패턴의 재료로는, 예를 들어 구리, 알루미늄, 니켈, 금 등이 사용 가능하다.It does not specifically limit as a support body, A conventionally well-known thing can be used, For example, the board|substrate for electronic components, the thing in which the predetermined|prescribed wiring pattern was formed, etc. are mentioned. More specifically, a silicon wafer, a metal substrate, such as copper, chromium, iron, and aluminum, a glass substrate, etc. are mentioned. As a material of a wiring pattern, copper, aluminum, nickel, gold|metal|money, etc. can be used, for example.

또, 지지체로는, 상기 서술한 바와 같은 기판 상에, 무기계 및/또는 유기계의 막이 형성된 것이어도 된다. 무기계의 막으로는, 무기 반사 방지막 (무기 BARC) 을 들 수 있다. 유기계의 막으로는, 유기 반사 방지막 (유기 BARC) 이나, 다층 레지스트법에 있어서의 하층 유기막 등의 유기막을 들 수 있다.Moreover, as a support body, the thing in which the film|membrane of the inorganic type and/or organic type was formed on the above-mentioned board|substrate may be sufficient. Examples of the inorganic film include an inorganic antireflection film (inorganic BARC). As an organic film|membrane, organic films, such as an organic antireflection film (organic BARC) and the lower layer organic film in a multilayer resist method, are mentioned.

여기서, 다층 레지스트법이란, 기판 상에, 적어도 1 층의 유기막 (하층 유기막) 과, 적어도 1 층의 레지스트막 (상층 레지스트막) 을 형성하고, 상층 레지스트막에 형성한 레지스트 패턴을 마스크로 하여 하층 유기막의 패터닝을 실시하는 방법이며, 고어스펙트비의 패턴을 형성할 수 있다고 되어 있다. 즉, 다층 레지스트법에 의하면, 하층 유기막에 의해 필요한 두께를 확보할 수 있기 때문에, 레지스트막을 박막화할 수 있어, 고어스펙트비의 미세 패턴 형성이 가능해진다.Here, in the multilayer resist method, at least one organic film (lower organic film) and at least one resist film (upper resist film) are formed on a substrate, and the resist pattern formed on the upper resist film is used as a mask. This is a method of patterning the lower organic film, and it is said that a pattern with a high aspect ratio can be formed. That is, according to the multilayer resist method, since the required thickness can be ensured by the lower layer organic film, the resist film can be thinned, and a fine pattern with a high aspect ratio can be formed.

다층 레지스트법에는, 기본적으로, 상층 레지스트막과, 하층 유기막의 2 층 구조로 하는 방법 (2 층 레지스트법) 과, 상층 레지스트막과 하층 유기막 사이에 1 층 이상의 중간층 (금속 박막 등) 을 형성한 3 층 이상의 다층 구조로 하는 방법 (3 층 레지스트법) 으로 나누어진다.In the multilayer resist method, basically, the upper resist film and the lower organic film have a two-layer structure (two-layer resist method), and one or more intermediate layers (such as a metal thin film) are formed between the upper resist film and the lower organic film. It is divided into a method of forming a multilayer structure of three or more layers (three-layer resist method).

본 양태의 레지스트 패턴 형성 방법은, 고막두께의 레지스트막을 형성할 때에 유용한 방법이며, 상기 공정 (i) 에서 형성하는 레지스트막의 막두께는, 7 ㎛ 이상이다.The resist pattern formation method of this aspect is a method useful when forming a high-thickness resist film, and the film thickness of the resist film formed in the said process (i) is 7 micrometers or more.

상기 공정 (i) 에서 형성하는 레지스트막의 막두께는, 더욱 바람직하게는 8 ㎛ 이상, 특히 바람직하게는 10 ㎛ 이상이 되고, 막두께의 상한값은 실질적으로 30 ㎛ 이하가 된다.The film thickness of the resist film formed in the step (i) is more preferably 8 µm or more, particularly preferably 10 µm or more, and the upper limit of the film thickness is substantially 30 µm or less.

노광에 사용하는 파장은, 특별히 한정되지 않고, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, F2 엑시머 레이저, EUV (극단자외선), VUV (진공 자외선), EB (전자선), X 선, 연 X 선 등의 방사선을 사용하여 실시할 수 있다.The wavelength used for exposure is not particularly limited, ArF excimer laser, KrF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet), EB (electron beam), X-ray, soft X-ray, etc. This can be done using radiation.

본 양태에 관련된 레지스트 패턴 형성 방법은, 상기 공정 (ii) 에 있어서, 상기 레지스트막에, KrF 엑시머 레이저광을 조사하는 경우에 특히 바람직한 방법이다.The resist pattern forming method according to this aspect is particularly preferable when, in the step (ii), the resist film is irradiated with a KrF excimer laser beam.

레지스트막의 노광 방법은, 공기나 질소 등의 불활성 가스 중에서 실시하는 통상적인 노광 (드라이 노광) 이어도 되고, 액침 노광 (Liquid Immersion Lithography) 이어도 된다.The exposure method of the resist film may be ordinary exposure (dry exposure) performed in an inert gas such as air or nitrogen, or liquid immersion lithography.

액침 노광은, 미리 레지스트막과 노광 장치의 최하 위치의 렌즈 사이를, 공기의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 용매 (액침 매체) 로 채우고, 그 상태에서 노광 (침지 노광) 을 실시하는 노광 방법이다.Liquid immersion exposure is an exposure method in which a space between a resist film and a lens at the lowest position of the exposure apparatus is previously filled with a solvent (immersion medium) having a refractive index greater than that of air, and exposure (immersion exposure) is performed in that state.

액침 매체로는, 공기의 굴절률보다 크고, 또한, 노광되는 레지스트막의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매가 바람직하다. 이러한 용매의 굴절률로는, 상기 범위 내이면 특별히 제한되지 않는다.As the immersion medium, a solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film to be exposed is preferable. The refractive index of the solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.

공기의 굴절률보다 크고, 또한, 상기 레지스트막의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매로는, 예를 들어, 물, 불소계 불활성 액체, 실리콘계 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다. Examples of the solvent having a refractive index greater than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film include water, a fluorine-based inert liquid, a silicone-based solvent, and a hydrocarbon-based solvent.

불소계 불활성 액체의 구체예로는, C3HCl2F5, C4F9OCH3, C4F9OC2H5, C5H3F7 등의 불소계 화합물을 주성분으로 하는 액체 등을 들 수 있고, 비점이 70 ∼ 180 ℃ 의 것이 바람직하고, 80 ∼ 160 ℃ 의 것이 보다 바람직하다. 불소계 불활성 액체가 상기 범위의 비점을 갖는 것이면, 노광 종료 후에, 액침에 사용한 매체의 제거를, 간편한 방법으로 실시할 수 있는 점에서 바람직하다.Specific examples of the fluorine-based inert liquid include a liquid containing a fluorine-based compound such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , and C 5 H 3 F 7 as a main component. It can be, and the thing of 70-180 degreeC is preferable and the thing of 80-160 degreeC is more preferable with a boiling point. If the fluorine-based inert liquid has a boiling point within the above range, it is preferable that the medium used for immersion can be removed by a simple method after exposure is complete.

불소계 불활성 액체로는, 특히, 알킬기의 수소 원자가 모두 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬 화합물이 바람직하다. 퍼플루오로알킬 화합물로는, 구체적으로는, 퍼플루오로알킬에테르 화합물, 퍼플루오로알킬아민 화합물을 들 수 있다.As the fluorine-based inert liquid, in particular, a perfluoroalkyl compound in which all hydrogen atoms in the alkyl group are substituted with fluorine atoms is preferable. Specific examples of the perfluoroalkyl compound include a perfluoroalkyl ether compound and a perfluoroalkylamine compound.

또한, 구체적으로는, 상기 퍼플루오로알킬에테르 화합물로는, 퍼플루오로(2-부틸-테트라하이드로푸란) (비점 102 ℃) 을 들 수 있고, 상기 퍼플루오로알킬아민 화합물로는, 퍼플루오로트리부틸아민 (비점 174 ℃) 을 들 수 있다.Further, specifically, as the perfluoroalkyl ether compound, perfluoro(2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point 102° C.) is exemplified. As the perfluoroalkylamine compound, perfluoro and lotributylamine (boiling point 174°C).

액침 매체로는, 비용, 안전성, 환경 문제, 범용성 등의 관점에서, 물이 바람직하게 사용된다.As the immersion medium, water is preferably used from the viewpoints of cost, safety, environmental problems, versatility, and the like.

알칼리 현상 프로세스에서 현상 처리에 사용하는 알칼리 현상액으로는, 예를 들어 0.1 ∼ 10 질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 (TMAH) 수용액을 들 수 있다.As an alkali developing solution used for developing in an alkali developing process, 0.1-10 mass % tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution is mentioned, for example.

용제 현상 프로세스에서 현상 처리에 사용하는 유기계 현상액이 함유하는 유기 용제로는, (A) 성분 (노광 전의 (A) 성분) 을 용해할 수 있는 것이면 되고, 공지된 유기 용제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 니트릴계 용제, 아미드계 용제, 에테르계 용제 등의 극성 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다.The organic solvent contained in the organic developer used for the developing treatment in the solvent development process should just be one that can dissolve the component (A) (component (A) before exposure), and can be appropriately selected from known organic solvents. Specific examples thereof include polar solvents such as ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, nitrile solvents, amide solvents and ether solvents, and hydrocarbon solvents.

케톤계 용제는, 구조 중에 C-C(=O)-C 를 포함하는 유기 용제이다. 에스테르계 용제는, 구조 중에 C-C(=O)-O-C 를 포함하는 유기 용제이다. 알코올계 용제는, 구조 중에 알코올성 수산기를 포함하는 유기 용제이다. 「알코올성 수산기」는, 지방족 탄화수소기의 탄소 원자에 결합한 수산기를 의미한다. 니트릴계 용제는, 구조 중에 니트릴기를 포함하는 유기 용제이다. 아미드계 용제는, 구조 중에 아미드기를 포함하는 유기 용제이다. 에테르계 용제는, 구조 중에 C-O-C 를 포함하는 유기 용제이다.A ketone-based solvent is an organic solvent containing C-C(=O)-C in its structure. The ester solvent is an organic solvent containing C-C(=O)-O-C in its structure. The alcohol-based solvent is an organic solvent containing an alcoholic hydroxyl group in its structure. "Alcoholic hydroxyl group" means the hydroxyl group couple|bonded with the carbon atom of the aliphatic hydrocarbon group. The nitrile-based solvent is an organic solvent containing a nitrile group in its structure. The amide-based solvent is an organic solvent containing an amide group in its structure. The etheric solvent is an organic solvent containing C-O-C in its structure.

유기 용제 중에는, 구조 중에 상기 각 용제를 특징짓는 관능기를 복수종 포함하는 유기 용제도 존재하지만, 그 경우는, 당해 유기 용제가 갖는 관능기를 포함하는 어느 용제종에도 해당하는 것으로 한다. 예를 들어, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르는, 상기 분류 중의 알코올계 용제, 에테르계 용제의 어느 것에도 해당하는 것으로 한다.In the organic solvent, there is also an organic solvent containing a plurality of types of functional groups that characterize each of the solvents in the structure. For example, diethylene glycol monomethyl ether shall correspond to any of the alcohol solvents and ether solvents in the said classification|category.

탄화수소계 용제는, 할로겐화되어 있어도 되는 탄화수소로 이루어지고, 할로겐 원자 이외의 치환기를 갖지 않는 탄화수소 용제이다. 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.A hydrocarbon solvent is a hydrocarbon solvent which consists of hydrocarbons which may be halogenated and does not have substituents other than a halogen atom. As a halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.

유기계 현상액이 함유하는 유기 용제로는, 상기 중에서도, 극성 용제가 바람직하고, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 니트릴계 용제 등이 바람직하다. As the organic solvent contained in the organic developer, among the above, a polar solvent is preferable, and a ketone solvent, an ester solvent, a nitrile solvent, and the like are preferable.

케톤계 용제로는, 예를 들어, 1-옥탄온, 2-옥탄온, 1-노난온, 2-노난온, 아세톤, 4-헵탄온, 1-헥산온, 2-헥산온, 디이소부틸케톤, 시클로헥산온, 메틸시클로헥산온, 페닐아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 아세틸아세톤, 아세토닐아세톤, 이오논, 디아세토닐알코올, 아세틸카르비놀, 아세토페논, 메틸나프틸케톤, 이소포론, 프로필렌카보네이트, γ-부티로락톤, 메틸아밀케톤(2-헵탄온) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 케톤계 용제로는, 메틸아밀케톤(2-헵탄온) 이 바람직하다.Examples of the ketone solvent include 1-octanone, 2-octanone, 1-nonanone, 2-nonanone, acetone, 4-heptanone, 1-hexanone, 2-hexanone, and diisobutyl. Ketone, cyclohexanone, methylcyclohexanone, phenylacetone, methylethylketone, methylisobutylketone, acetylacetone, acetonylacetone, ionone, diacetonyl alcohol, acetylcarbinol, acetophenone, methylnaphthylketone, isophorone, propylene carbonate, γ-butyrolactone, methyl amyl ketone (2-heptanone), and the like. Among these, as the ketone solvent, methyl amyl ketone (2-heptanone) is preferable.

에스테르계 용제로는, 예를 들어, 아세트산메틸, 아세트산부틸, 아세트산에틸, 아세트산이소프로필, 아세트산아밀, 아세트산이소아밀, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 2-메톡시부틸아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 4-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-에틸-3-메톡시부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 2-에톡시부틸아세테이트, 4-에톡시부틸아세테이트, 4-프로폭시부틸아세테이트, 2-메톡시펜틸아세테이트, 3-메톡시펜틸아세테이트, 4-메톡시펜틸아세테이트, 2-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 4-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 포름산메틸, 포름산에틸, 포름산부틸, 포름산프로필, 락트산에틸, 락트산부틸, 락트산프로필, 탄산에틸, 탄산프로필, 탄산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산프로필, 피루브산부틸, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, 프로피온산프로필, 프로피온산이소프로필, 2-하이드록시프로피온산메틸, 2-하이드록시프로피온산에틸, 메틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 프로필-3-메톡시프로피오네이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 에스테르계 용제로는, 아세트산부틸이 바람직하다.As an ester solvent, for example, methyl acetate, butyl acetate, ethyl acetate, isopropyl acetate, amyl acetate, isoamyl acetate, methoxy ethyl acetate, ethoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol Monopropyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate, diethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate , Diethylene glycol monoethyl ether acetate, 2-methoxybutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 4-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-ethyl-3-methoxybutyl Acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, 2-ethoxybutyl acetate, 4-ethoxybutyl acetate, 4-propoxybutyl acetate, 2-methoxypentyl acetate , 3-methoxypentyl acetate, 4-methoxypentyl acetate, 2-methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-4-methoxypentyl acetate, 4- Methyl-4-methoxypentyl acetate, propylene glycol diacetate, methyl formate, ethyl formate, butyl formate, propyl formate, ethyl lactate, butyl lactate, propyl lactate, ethyl carbonate, propyl carbonate, butyl carbonate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, Propyl pyruvate, butyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl propionate, ethyl propionate, propyl propionate, isopropyl propionate, methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl-3-methoxypropionate , ethyl-3-methoxypropionate, ethyl-3-ethoxypropionate, propyl-3-methoxypropionate, and the like. Among these, as an ester solvent, butyl acetate is preferable.

니트릴계 용제로는, 예를 들어, 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 발레로니트릴, 부티로니트릴 등을 들 수 있다.As a nitrile-type solvent, acetonitrile, propionitrile, valeronitrile, butyronitrile, etc. are mentioned, for example.

유기계 현상액에는, 필요에 따라 공지된 첨가제를 배합할 수 있다. 그 첨가제로는, 예를 들어 계면 활성제를 들 수 있다. 계면 활성제로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 이온성이나 비이온성의 불소계 및/또는 실리콘계 계면 활성제 등을 사용할 수 있다. 계면 활성제로는, 비이온성의 계면 활성제가 바람직하고, 비이온성의 불소계 계면 활성제, 또는 비이온성의 실리콘계 계면 활성제가 보다 바람직하다.A well-known additive can be mix|blended with an organic type developing solution as needed. As the additive, surfactant is mentioned, for example. Although it does not specifically limit as surfactant, For example, ionic or nonionic fluorine type and/or silicone type surfactant etc. can be used. As surfactant, a nonionic surfactant is preferable, and a nonionic fluorochemical surfactant or a nonionic silicone type surfactant is more preferable.

계면 활성제를 배합하는 경우, 그 배합량은, 유기계 현상액의 전체량에 대해, 통상 0.001 ∼ 5 질량% 이며, 0.005 ∼ 2 질량% 가 바람직하고, 0.01 ∼ 0.5 질량% 가 보다 바람직하다.When mix|blending surfactant, the compounding quantity is 0.001-5 mass % normally with respect to the whole quantity of an organic type developing solution, 0.005-2 mass % is preferable, and its 0.01-0.5 mass % is more preferable.

현상 처리는, 공지된 현상 방법에 의해 실시하는 것이 가능하고, 예를 들어 현상액 중에 지지체를 일정 시간 침지하는 방법 (딥법), 지지체 표면에 현상액을 표면장력에 의해 융기시켜 일정 시간 정지하는 방법 (퍼들법), 지지체 표면에 현상액을 분무하는 방법 (스프레이법), 일정 속도로 회전하고 있는 지지체 상에 일정 속도로 현상액 도출 노즐을 스캔하면서 현상액을 계속 도출하는 방법 (다이나믹 디스펜스법) 등을 들 수 있다.The developing treatment can be carried out by a known developing method, for example, a method in which the support is immersed in a developer for a certain time (dip method), a method in which the developer is raised on the surface of the support by surface tension and stopped for a certain time (puddle) method), a method of spraying a developer on the surface of a support (spray method), a method of continuously drawing out a developer while scanning a developer extraction nozzle at a constant speed on a support rotating at a constant speed (dynamic dispensing method), etc. are mentioned. .

용제 현상 프로세스에서 현상 처리 후의 린스 처리에 사용하는 린스액이 함유하는 유기 용제로는, 예를 들어 상기 유기계 현상액에 사용하는 유기 용제로서 든 유기 용제 중, 레지스트 패턴을 용해하기 어려운 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 통상, 탄화수소계 용제, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 아미드계 용제 및 에테르계 용제에서 선택되는 적어도 1 종의 용제를 사용한다. 이들 중에서도, 탄화수소계 용제, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제 및 아미드계 용제에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 알코올계 용제 및 에스테르계 용제에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, 알코올계 용제가 특히 바람직하다.As an organic solvent contained in the rinsing solution used for the rinsing treatment after the development in the solvent developing process, for example, from among the organic solvents used for the above organic developer, an organic solvent that is difficult to dissolve the resist pattern is appropriately selected and used. can Usually, at least one solvent selected from hydrocarbon solvents, ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, amide solvents and ether solvents is used. Among these, at least one selected from hydrocarbon-based solvents, ketone-based solvents, ester-based solvents, alcohol-based solvents and amide-based solvents is preferable, and at least one selected from alcohol-based solvents and ester-based solvents is more preferable, and alcohol-based solvents Solvents are particularly preferred.

린스액에 사용하는 알코올계 용제는, 탄소수 6 ∼ 8 의 1 가 알코올이 바람직하고, 그 1 가 알코올은 직사슬형, 분기형 또는 고리형 중 어느 것이어도 된다. 구체적으로는, 1-헥산올, 1-헵탄올, 1-옥탄올, 2-헥산올, 2-헵탄올, 2-옥탄올, 3-헥산올, 3-헵탄올, 3-옥탄올, 4-옥탄올, 벤질알코올 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 1-헥산올, 2-헵탄올, 2-헥산올이 바람직하고, 1-헥산올, 2-헥산올이 보다 바람직하다.The alcohol solvent used for the rinse liquid is preferably a monohydric alcohol having 6 to 8 carbon atoms, and the monohydric alcohol may be linear, branched or cyclic. Specifically, 1-hexanol, 1-heptanol, 1-octanol, 2-hexanol, 2-heptanol, 2-octanol, 3-hexanol, 3-heptanol, 3-octanol, 4 - octanol, benzyl alcohol, etc. are mentioned. Among these, 1-hexanol, 2-heptanol, and 2-hexanol are preferable, and 1-hexanol and 2-hexanol are more preferable.

이들 유기 용제는, 어느 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 또, 상기 이외의 유기 용제나 물과 혼합하여 사용해도 된다. 단, 현상 특성을 고려하면, 린스액 중의 물의 배합량은, 린스액의 전체량에 대해, 30 질량% 이하가 바람직하고, 10 질량% 이하가 보다 바람직하고, 5 질량% 이하가 더욱 바람직하고, 3 질량% 이하가 특히 바람직하다.These organic solvents may be used individually by any 1 type, and may use 2 or more types together. Moreover, you may use it, mixing with organic solvents and water other than the above. However, in consideration of the development characteristics, the amount of water in the rinse liquid is preferably 30 mass% or less, more preferably 10 mass% or less, still more preferably 5 mass% or less, with respect to the total amount of the rinse liquid, 3 % by mass or less is particularly preferred.

린스액에는, 필요에 따라 공지된 첨가제를 배합할 수 있다. 그 첨가제로는, 예를 들어 계면 활성제를 들 수 있다. 계면 활성제는, 상기와 동일한 것을 들 수 있고, 비이온성의 계면 활성제가 바람직하고, 비이온성의 불소계 계면 활성제, 또는 비이온성의 실리콘계 계면 활성제가 보다 바람직하다. A well-known additive can be mix|blended with a rinse liquid as needed. As the additive, surfactant is mentioned, for example. As for surfactant, the thing similar to the above is mentioned, A nonionic surfactant is preferable, and a nonionic fluorochemical surfactant or a nonionic silicone type surfactant is more preferable.

계면 활성제를 배합하는 경우, 그 배합량은, 린스액의 전체량에 대해, 통상 0.001 ∼ 5 질량% 이며, 0.005 ∼ 2 질량% 가 바람직하고, 0.01 ∼ 0.5 질량% 가 보다 바람직하다.When mix|blending surfactant, the compounding quantity is 0.001-5 mass % normally with respect to the whole quantity of a rinse liquid, 0.005-2 mass % is preferable, and its 0.01-0.5 mass % is more preferable.

린스액을 사용한 린스 처리 (세정 처리) 는, 공지된 린스 방법에 의해 실시할 수 있다. 그 린스 처리의 방법으로는, 예를 들어 일정 속도로 회전하고 있는 지지체 상에 린스액을 계속 도출하는 방법 (회전 도포법), 린스액 중에 지지체를 일정 시간 침지하는 방법 (딥법), 지지체 표면에 린스액을 분무하는 방법 (스프레이법) 등을 들 수 있다. The rinsing process (washing process) using a rinsing liquid can be performed by a well-known rinsing method. As a method of the rinsing treatment, for example, a method of continuously drawing out a rinse solution on a support rotating at a constant speed (rotary coating method), a method of immersing the support in a rinse liquid for a certain period of time (dip method), on the surface of the support The method of spraying a rinse liquid (spray method), etc. are mentioned.

<레지스트 조성물> <resist composition>

상기 서술한 본 실시형태의 레지스트 패턴 형성 방법에 있어서는, 공정 (i) 에서, 특정 레지스트 조성물을 사용한다.In the resist pattern formation method of the present embodiment described above, a specific resist composition is used in the step (i).

이러한 특정 레지스트 조성물은, 노광에 의해 산을 발생하고, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 것이다. 이 레지스트 조성물로는, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) (이하 「(A) 성분」이라고도 한다) 를 함유하는 실시형태를 들 수 있다.Such a specific resist composition generates an acid upon exposure, and its solubility in a developer changes due to the action of the acid. Examples of the resist composition include an embodiment containing a base component (A) (hereinafter also referred to as “component (A)”) whose solubility in a developer changes due to the action of an acid.

본 실시형태의 레지스트 조성물은, KrF 엑시머 레이저광의 노광을 실시하는 레지스트 패턴 형성에 바람직한 것이다.The resist composition of the present embodiment is suitable for forming a resist pattern subjected to exposure to KrF excimer laser light.

또, 본 실시형태의 레지스트 조성물은, 지지체 상에, 고막두께의 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트제로서 유용하고, 막두께 7 ㎛ 이상의 레지스트막을 형성하는 데에 적합한 것이다.Moreover, the resist composition of this embodiment is useful as a resist agent for forming a high-thickness resist film on a support body, and is suitable for forming a resist film with a film thickness of 7 micrometers or more.

본 실시형태의 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대해 선택적 노광을 실시하면, 그 레지스트막의 노광부에서는 산이 발생하고, 그 산의 작용에 의해 (A) 성분의 현상액에 대한 용해성이 변화하는 한편으로, 그 레지스트막의 미노광부에서는 (A) 성분의 현상액에 대한 용해성이 변화하지 않기 때문에, 그 레지스트막의 노광부와 미노광부 간에서 현상액에 대한 용해성의 차가 생긴다. 그 때문에, 그 레지스트막을 현상하면, 그 레지스트 조성물이 포지티브형인 경우는 레지스트막 노광부가 용해 제거되어 포지티브형의 레지스트 패턴이 형성되고, 그 레지스트 조성물이 네거티브형인 경우는 레지스트막 미노광부가 용해 제거되어 네거티브형의 레지스트 패턴이 형성된다.When a resist film is formed using the resist composition of the present embodiment and the resist film is selectively exposed, an acid is generated in the exposed portion of the resist film, and by the action of the acid, the solubility of component (A) in a developer solution is performed. On the other hand, since the solubility of component (A) in the developer does not change in the unexposed portion of the resist film, a difference in solubility in the developer occurs between the exposed portion and the unexposed portion of the resist film. Therefore, when the resist film is developed, when the resist composition is of a positive type, the exposed portion of the resist film is dissolved and removed to form a positive resist pattern. type resist pattern is formed.

본 명세서에 있어서는, 레지스트막 노광부가 용해 제거되어 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 조성물을, 포지티브형 레지스트 조성물이라고 하고, 레지스트막 미노광부가 용해 제거되어 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 조성물을, 네거티브형 레지스트 조성물이라고 한다.In the present specification, the resist composition in which the resist film exposed portion is dissolved and removed to form a positive resist pattern is referred to as a positive resist composition, and the resist composition in which the unexposed portion of the resist film is dissolved and removed to form a negative resist pattern is referred to as negative. It is called a resist composition.

본 실시형태의 레지스트 조성물은, 포지티브형 레지스트 조성물이어도 되고, 네거티브형 레지스트 조성물이어도 된다.The resist composition of the present embodiment may be a positive resist composition or a negative resist composition.

또, 본 실시형태의 레지스트 조성물은, 레지스트 패턴 형성 시의 현상 처리에 알칼리 현상액을 사용하는 알칼리 현상 프로세스용이어도 되고, 그 현상 처리에 유기 용제를 포함하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용하는 용제 현상 프로세스용이어도 된다.In addition, the resist composition of this embodiment may be for an alkali developing process using an alkali developer for the developing process at the time of forming a resist pattern, and a solvent developing process using a developing solution containing an organic solvent (organic developer) for the developing process. It could be a dragon.

요컨대, 본 실시형태의 레지스트 조성물은, 알칼리 현상 프로세스에 있어서 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「알칼리 현상 프로세스용 포지티브형 레지스트 조성물」이며, 용제 현상 프로세스에 있어서 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「용제 현상 프로세스용 네거티브형 레지스트 조성물」이다.In short, the resist composition of the present embodiment is a "positive resist composition for an alkali developing process" that forms a positive resist pattern in an alkali developing process, and a "solvent developing process" that forms a negative resist pattern in a solvent developing process negative resist composition".

본 실시형태의 레지스트 조성물은, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생능을 갖는 것이며, (A) 성분이 노광에 의해 산을 발생해도 되고, (A) 성분과는 별도로 배합된 첨가제 성분이 노광에 의해 산을 발생해도 된다.The resist composition of the present embodiment has an acid-generating ability to generate an acid upon exposure, the component (A) may generate an acid upon exposure, and an additive component blended separately from the component (A) is subjected to exposure. acid may be generated by

구체적으로는, 실시형태의 레지스트 조성물은, (1) 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 (B) (이하 「(B) 성분」이라고 한다.) 를 함유하는 것이어도 되고 ; (2) (A) 성분이 노광에 의해 산을 발생하는 성분이어도 되고 ; (3) (A) 성분이 노광에 의해 산을 발생하는 성분이며, 또한, 추가로 (B) 성분을 함유하는 것이어도 된다.Specifically, the resist composition of the embodiment may contain (1) an acid generator component (B) that generates an acid upon exposure (hereinafter referred to as “component (B)”); (2) (A) The component which generate|occur|produces an acid by exposure may be sufficient; (3) (A) component is a component which generate|occur|produces an acid by exposure, and may contain (B) component further.

즉, 상기 (2) 또는 (3) 의 경우, (A) 성분은, 「노광에 의해 산을 발생하고, 또한, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분」이 된다. (A) 성분이 노광에 의해 산을 발생하고, 또한, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분인 경우, 후술하는 (A1) 성분이, 노광에 의해 산을 발생하고, 또한, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 고분자 화합물인 것이 바람직하다. 이와 같은 고분자 화합물로는, 노광에 의해 산을 발생하는 구성 단위를 갖는 공중합체를 사용할 수 있다. That is, in the case of the above (2) or (3), the component (A) becomes "a base component that generates an acid upon exposure and whose solubility in a developer changes due to the action of the acid". When component (A) is a base component that generates an acid upon exposure and changes solubility in a developer by the action of an acid, component (A1) to be described later generates an acid upon exposure, and It is preferable that it is a high molecular compound whose solubility with respect to a developing solution changes by the action of an acid. As such a high molecular compound, the copolymer which has a structural unit which generate|occur|produces an acid by exposure can be used.

노광에 의해 산을 발생하는 구성 단위로는, 예를 들어 공지된 것을 들 수 있다.As a structural unit which generate|occur|produces an acid by exposure, a well-known thing is mentioned, for example.

본 실시형태의 레지스트 조성은, 상기 (1) 의 경우인 것이 특히 바람직하다.It is especially preferable that the resist composition of this embodiment is the case of said (1).

≪(A) 성분≫ ≪(A) ingredient≫

(A) 성분은, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분이다.Component (A) is a base component whose solubility in a developing solution changes by the action of an acid.

본 실시형태에 있어서 「기재 성분」이란, 막 형성능을 갖는 유기 화합물이며, 바람직하게는 분자량이 500 이상의 유기 화합물이 사용된다. 그 유기 화합물의 분자량이 500 이상임으로써, 막 형성능이 향상되고, 또한, 나노 레벨의 레지스트 패턴을 형성하기 쉬워진다.In the present embodiment, the "base component" is an organic compound having film-forming ability, and preferably an organic compound having a molecular weight of 500 or more is used. When the molecular weight of the organic compound is 500 or more, the film-forming ability is improved, and it is easy to form a nano-level resist pattern.

기재 성분으로서 사용되는 유기 화합물은, 비중합체와 중합체로 크게 나누어진다.Organic compounds used as the base component are broadly classified into non-polymers and polymers.

비중합체로는, 통상, 분자량이 500 이상 4000 미만의 것이 사용된다. 이하 「저분자 화합물」이라고 하는 경우에는, 분자량이 500 이상 4000 미만의 비중합체를 나타낸다.As a non-polymer, the thing of molecular weight 500 or more and less than 4000 is used normally. Hereinafter, when "low molecular weight compound", molecular weight shows the non-polymer of 500 or more and less than 4000.

중합체로는, 통상, 분자량이 1000 이상의 것이 사용된다. 이하 「수지」, 「고분자 화합물」 또는 「폴리머」라고 하는 경우에는, 분자량이 1000 이상의 중합체를 나타낸다.As a polymer, the thing of molecular weight 1000 or more is used normally. Hereinafter, when "resin", "polymer compound", or "polymer", molecular weight shows the polymer of 1000 or more.

중합체의 분자량으로는, GPC (겔 퍼미에이션 크로마토그래피) 에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 사용하는 것으로 한다.As molecular weight of a polymer, the weight average molecular weight of polystyrene conversion by GPC (gel permeation chromatography) shall be used.

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서의 (A) 성분은, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 수지 성분 (A1) (이하 「(A1) 성분」이라고도 한다) 을 포함한다.The component (A) in the resist composition of the present embodiment includes a resin component (A1) (hereinafter also referred to as “component (A1)”) whose solubility in a developer changes due to the action of an acid.

(A) 성분으로는, 적어도 (A1) 성분이 사용되고, 그 (A1) 성분과 함께 다른 고분자 화합물 및/또는 저분자 화합물을 병용해도 된다. As (A) component, (A1) component is used at least, and you may use together another high molecular compound and/or a low molecular compound with the (A1) component.

본 실시형태에 있어서의 (A1) 성분은, 후술하는 일반식 (a10-1) 로 나타내는 구성 단위 (a10) 과, 산 비해리성의 지방족 고리형기를 포함하는 구성 단위 (a4) 와, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위 (a1) 을 갖는다. 이러한 (A1) 성분은, 구성 단위 (a10), 구성 단위 (a4) 및 구성 단위 (a1) 에 더하여, 필요에 따라 기타 구성 단위를 갖는 것이어도 된다. In the present embodiment, component (A1) includes a structural unit (a10) represented by general formula (a10-1) described later, a structural unit (a4) containing an acid non-dissociable aliphatic cyclic group, and an acid It has a structural unit (a1) containing an acid-decomposable group whose polarity increases by this. In addition to the structural unit (a10), the structural unit (a4), and the structural unit (a1), such component (A1) may have another structural unit as needed.

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서는, 구성 단위 (a1) 이 산 해리성기를 포함하므로, 당해 (A1) 성분을 사용함으로써, 노광 전후에 수지 성분의 극성이 변화하여, 알칼리 현상 프로세스뿐만 아니라, 용제 현상 프로세스에 있어서도, 레지스트막의 노광부와 미노광부 간에서 양호한 현상 콘트라스트를 얻을 수 있다. In the resist composition of the present embodiment, since the structural unit (a1) contains an acid dissociable group, the polarity of the resin component changes before and after exposure by using the component (A1), so that not only the alkali development process but also the solvent development process Also in the process, good development contrast can be obtained between the exposed portion and the unexposed portion of the resist film.

알칼리 현상 프로세스를 적용하는 경우, 그 (A1) 성분은, 노광 전에는 알칼리 현상액에 대해 난용성이며, 예를 들어, 노광에 의해 (B) 성분으로부터 산이 발생하면, 그 산의 작용에 의해 극성이 증대하여 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대한다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 그 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막에 대해 선택적으로 노광하면, 레지스트막 노광부는 알칼리 현상액에 대해 난용성으로부터 가용성으로 변화하는 한편으로, 레지스트막 미노광부는 알칼리 난용성인 채 변화하지 않기 때문에, 알칼리 현상함으로써 포지티브형 레지스트 패턴이 형성된다.When an alkali developing process is applied, the component (A1) is poorly soluble in an alkali developing solution before exposure. For example, when an acid is generated from component (B) by exposure, the polarity increases due to the action of the acid. Thus, solubility in an alkali developer is increased. Therefore, in the formation of a resist pattern, when a resist film obtained by applying the resist composition onto a support is selectively exposed to light, the exposed portion of the resist film changes from poorly soluble to soluble in an alkali developer, while the resist film is not exposed. Since the miner is hardly soluble in alkali and does not change, a positive resist pattern is formed by alkali development.

한편, 용제 현상 프로세스를 적용하는 경우, 그 (A1) 성분은, 노광 전에는 유기계 현상액에 대해 용해성이 높고, 예를 들어, 노광에 의해 (B) 성분으로부터 산이 발생하면, 그 산의 작용에 의해 극성이 높아져, 유기계 현상액에 대한 용해성이 감소한다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 당해 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막에 대해 선택적으로 노광하면, 레지스트막 노광부는 유기계 현상액에 대해 가용성으로부터 난용성으로 변화하는 한편으로, 레지스트막 미노광부는 가용성인 채 변화하지 않기 때문에, 유기계 현상액으로 현상함으로써 네거티브형 레지스트 패턴이 형성된다. On the other hand, when a solvent development process is applied, the component (A1) has high solubility in an organic developer before exposure. This increases, and the solubility in an organic developer decreases. Therefore, in the formation of a resist pattern, when the resist film obtained by coating the resist composition on a support is selectively exposed to light, the exposed portion of the resist film changes from soluble to poorly soluble in an organic developer, while the resist film is not coated with the resist film. Since the miner remains soluble and does not change, a negative resist pattern is formed by developing with an organic developer.

·구성 단위 (a10) 에 대해 : ・About the structural unit (a10):

구성 단위 (a10) 은, 하기 일반식 (a10-1) 로 나타내는 구성 단위이다.The structural unit (a10) is a structural unit represented by the following general formula (a10-1).

[화학식 2] [Formula 2]

Figure 112020065141654-pct00002
Figure 112020065141654-pct00002

[식 중, R 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다. Yax1 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다. Wax1 은, (nax1 + 1) 가의 방향족 탄화수소기이다. nax1 은, 1 ∼ 3 의 정수이다.][In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Ya x1 is a single bond or a divalent linking group. Wa x1 is a (n ax1 +1) valent aromatic hydrocarbon group. n ax1 is an integer of 1 to 3.]

상기 식 (a10-1) 중, R 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다. In said formula (a10-1), R is a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 halogenated alkyl group.

R 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. R 의 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기는, 상기 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.The C1-C5 alkyl group of R is preferably a C1-C5 linear or branched alkyl group, Specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, and the like. The halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for R is a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with halogen atoms. A fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom etc. are mentioned as this halogen atom, A fluorine atom is especially preferable.

R 로는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기가 바람직하고, 공업상의 입수의 용이함으로부터, 수소 원자 또는 메틸기가 가장 바람직하다.As R, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and from the viewpoint of industrial availability, a hydrogen atom or a methyl group is most preferable.

상기 식 (a10-1) 중, Yax1 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다.In the formula (a10-1), Ya x1 is a single bond or a divalent linking group.

Yax1 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 예를 들어, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기를 바람직한 것으로서 들 수 있다.Preferable examples of the divalent linking group for Ya x1 include a divalent hydrocarbon group which may have a substituent and a divalent linking group containing a hetero atom.

·치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기 : · A divalent hydrocarbon group which may have a substituent:

Yax1 이 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기인 경우, 그 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다.When Ya x 1 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

··Yax1 에 있어서의 지방족 탄화수소기 ... aliphatic hydrocarbon group for Ya x1

그 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 가지지 않는 탄화수소기를 의미한다. 그 지방족 탄화수소기는, 포화여도 되고 불포화여도 되고, 통상은 포화인 것이 바람직하다.The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and it is usually preferable that it is saturated.

상기 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기, 또는 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group having a ring in its structure.

···직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기 ... linear or branched aliphatic hydrocarbon group

그 직사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다.The linear aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, still more preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms.

직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], a trimethylene group [-( CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -], and the like.

그 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 탄소수 3 또는 4 가 더욱 바람직하고, 탄소수 3 이 가장 바람직하다.The branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms, still more preferably 3 or 4 carbon atoms, and most preferably 3 carbon atoms.

분기 사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기 사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는 -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.The branched chain aliphatic hydrocarbon group is preferably a branched chain alkylene group, specifically -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, - alkylmethylene groups such as C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, —C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, —C(CH 2 CH 3 ) 2 —; -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 -, -C(CH 2 CH 3 ) alkylethylene groups such as 2 -CH 2 -; Alkyltrimethylene groups, such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -; Alkylalkylene groups, such as alkyltetramethylene groups, such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, etc. are mentioned. As the alkyl group in the alkylalkylene group, a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable.

상기 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and a carbonyl group.

···구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기... an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in its structure

그 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 고리 구조 중에 헤테로 원자를 포함하는 치환기를 포함해도 되는 고리형의 지방족 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자 2 개를 제거한 기), 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기로는 상기와 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the aliphatic hydrocarbon group having a ring in its structure include a cyclic aliphatic hydrocarbon group (a group in which two hydrogen atoms have been removed from an aliphatic hydrocarbon ring) which may contain a substituent containing a hetero atom in the ring structure, and the cyclic aliphatic group described above. and a group in which a hydrocarbon group is bonded to a terminal of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and a group in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include the same as those described above.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 다고리형기여도 되고, 단고리형기여도 된다. 단고리형의 지환형 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환형 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다. The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane is preferably a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane, and the polycycloalkane is preferably a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms, specifically adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, and the like.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and a carbonyl group.

상기 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, or a tert-butoxy group, and a methoxy group time, the ethoxy group is most preferred.

상기 치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.A fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom etc. are mentioned as a halogen atom as said substituent, A fluorine atom is preferable.

상기 치환기로서의 할로겐화알킬기로는, 상기 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with the halogen atoms.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 그 고리 구조를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자를 포함하는 치환기로 치환되어도 된다. 그 헤테로 원자를 포함하는 치환기로는, -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O- 가 바람직하다.In the cyclic aliphatic hydrocarbon group, a part of carbon atoms constituting the ring structure may be substituted with a substituent containing a hetero atom. As a substituent containing the hetero atom, -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O) 2 -, -S(=O) 2 -O- are preferable. .

··Yax1 에 있어서의 방향족 탄화수소기 ··Aromatic hydrocarbon group for Ya x1

그 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 탄화수소기이다. The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.

이 방향 고리는, 4n + 2 개의 π 전자를 가지는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않고, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 20 이 보다 바람직하고, 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하고, 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다. 단, 그 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다. 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. It is preferable that carbon number of an aromatic ring is 5-30, 5-20 are more preferable, 6-15 are still more preferable, 6-12 are especially preferable. However, carbon number in a substituent shall not be included in the carbon number. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; and aromatic heterocyclic rings in which some of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring are substituted with hetero atoms. As a hetero atom in an aromatic heterocyclic ring, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned.

방향족 복소 고리로서 구체적으로는, 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다.Specific examples of the aromatic heterocyclic ring include a pyridine ring and a thiophene ring.

방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자 2 개를 제거한 기 (아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기) ; 2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어 비페닐, 플루오렌 등) 로부터 수소 원자 2 개를 제거한 기 ; 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자 1 개를 제거한 기 (아릴기 또는 헤테로아릴기) 의 수소 원자의 하나가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기에 있어서의 아릴기로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 기) 등을 들 수 있다. 상기 아릴기 또는 헤테로아릴기에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 인 것이 특히 바람직하다.Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include groups in which two hydrogen atoms have been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (arylene group or heteroarylene group); a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aromatic compound containing two or more aromatic rings (eg, biphenyl, fluorene, etc.); A group in which one hydrogen atom of the group (aryl group or heteroaryl group) in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is substituted with an alkylene group (eg, benzyl group, phenethyl group, 1-naph group in which one hydrogen atom is further removed from the aryl group in an arylalkyl group such as a tylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, and a 2-naphthylethyl group). It is preferable that carbon number of the alkylene group couple|bonded with the said aryl group or heteroaryl group is 1-4, It is more preferable that it is C1-C2, It is especially preferable that it is C1.

상기 방향족 탄화수소기는, 당해 방향족 탄화수소기가 갖는 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 예를 들어, 당해 방향족 탄화수소기 중의 방향 고리에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기 등을 들 수 있다.As for the said aromatic hydrocarbon group, the hydrogen atom which the said aromatic hydrocarbon group has may be substituted by the substituent. For example, the hydrogen atom couple|bonded with the aromatic ring in the said aromatic hydrocarbon group may be substituted by the substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, and a hydroxyl group.

상기 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기, 할로겐 원자 및 할로겐화알킬기로는, 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 갖는 수소 원자를 치환하는 치환기로서 예시한 것을 들 수 있다.Examples of the alkoxy group, halogen atom and halogenated alkyl group as the substituent include those exemplified as substituents for substituting a hydrogen atom in the cyclic aliphatic hydrocarbon group.

·헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 : · A divalent linking group containing a hetero atom:

Yax1 이 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 그 연결기로서 바람직한 것으로서, -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다.), -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-, 일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22-, -Y21-O-C(=O)-Y22- 또는 -Y21-S(=O)2-O-Y22- 로 나타내는 기 [식 중, Y21 및 Y22 는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이며, O 는 산소 원자이며, m" 는 0 ∼ 3 의 정수이다.] 등을 들 수 있다.When Ya x1 is a divalent linking group containing a hetero atom, preferred examples of the linking group include -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -OC(=O)-O -, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group.), -S-, -S( =O) 2 -, -S(=O) 2 -O-, general formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(=O)-O-, -C( =O)-OY 21 -, -[Y 21 -C(=O)-O] m" -Y 22 -, -Y 21 -OC(=O)-Y 22 - or -Y 21 -S(=O ) a group represented by 2 -OY 22 - [wherein Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, O is an oxygen atom, and m" is an integer of 0 to 3.] and the like.

상기 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기가 -C(=O)-NH-, -C(=O)-NH-C(=O)-, -NH-, -NH-C(=NH)- 인 경우, 그 H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기 (알킬기, 아실기 등) 는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 8 인 것이 더욱 바람직하고, 1 ∼ 5 인 것이 특히 바람직하다.The divalent linking group containing the hetero atom is -C(=O)-NH-, -C(=O)-NH-C(=O)-, -NH-, -NH-C(=NH)- In this case, H may be substituted with substituents, such as an alkyl group and an acyl group. It is preferable that carbon number is 1-10, as for the substituent (an alkyl group, an acyl group, etc.), it is more preferable that it is 1-8, It is especially preferable that it is 1-5.

일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22-, -Y21-O-C(=O)-Y22- 또는 -Y21-S(=O)2-O-Y22- 중, Y21 및 Y22 는, 각각 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다. 그 2 가의 탄화수소기로는, 상기 2 가의 연결기로서의 설명에서 든 (치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기) 와 동일한 것을 들 수 있다.Formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(=O)-O-, -C(=O)-OY 21 -, -[Y 21 -C(=O )-O] m" -Y 22 -, -Y 21 -OC(=O)-Y 22 - or -Y 21 -S(=O) 2 -OY 22 -, wherein Y 21 and Y 22 are each independently and may have a substituent, is a divalent hydrocarbon group.The divalent hydrocarbon group includes the same as (divalent hydrocarbon group which may have a substituent) in the description of the divalent linking group.

Y21 로는, 직사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 직사슬형의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬렌기가 더욱 바람직하고, 메틸렌기 또는 에틸렌기가 특히 바람직하다.As Y 21 , a linear aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is still more preferable, and a methylene group or an ethylene group is particularly preferable.

Y22 로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기 또는 알킬메틸렌기가 보다 바람직하다. 그 알킬메틸렌기에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 의 직사슬형의 알킬기가 보다 바람직하고, 메틸기가 가장 바람직하다.As Y 22 , a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable, and a methylene group, an ethylene group, or an alkylmethylene group is more preferable. A C1-C5 linear alkyl group is preferable, as for the alkyl group in this alkylmethylene group, a C1-C3 linear alkyl group is more preferable, A methyl group is the most preferable.

식 -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22- 로 나타내는 기에 있어서, m" 는, 0 ∼ 3 의 정수이며, 0 ∼ 2 의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1 이 보다 바람직하고, 1 이 특히 바람직하다. 요컨대, 식 -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22- 로 나타내는 기로는, 식 -Y21-C(=O)-O-Y22- 로 나타내는 기가 특히 바람직하다. 그 중에서도, 식 -(CH2)a'-C(=O)-O-(CH2)b'- 로 나타내는 기가 바람직하다. 그 식 중, a' 는, 1 ∼ 10 의 정수이며, 1 ∼ 8 의 정수가 바람직하고, 1 ∼ 5 의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다. b' 는, 1 ∼ 10 의 정수이며, 1 ∼ 8 의 정수가 바람직하고, 1 ∼ 5 의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다.In the group represented by the formula -[Y 21 -C(=O)-O] m" -Y 22 -, m" is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1 preferred, and 1 is particularly preferred. That is, the group represented by the formula -[Y 21 -C(=O)-O] m" -Y 22 - is particularly preferably a group represented by the formula -Y 21 -C(=O)-OY 22 -. Among these, the group represented by the formula -Y 21 -C(=O)-OY 22 - , a group represented by the formula -(CH 2 ) a' -C(=O)-O-(CH 2 ) b' - is preferable, wherein a' is an integer of 1 to 10, and 1 to 8 An integer is preferable, an integer of 1 to 5 is more preferable, 1 or 2 is still more preferable, and most preferably 1. b' is an integer of 1-10, preferably an integer of 1-8, 1 The integer of -5 is more preferable, 1 or 2 is still more preferable, and 1 is the most preferable.

Yax1 로는, 단결합, 에스테르 결합 [-C(=O)-O-], 에테르 결합 (-O-), -C(=O)-NH-, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬렌기, 또는 이들의 조합인 것이 바람직하고, 그 중에서도 단결합이 특히 보다 바람직하다.As Ya x1 , a single bond, an ester bond [-C(=O)-O-], an ether bond (-O-), -C(=O)-NH-, a linear or branched alkylene group; Or it is preferable that it is a combination thereof, and a single bond is especially more preferable especially.

상기 식 (a10-1) 중, Wax1 은, (nax1 + 1) 가의 방향족 탄화수소기이다.In the formula (a10-1), Wa x1 is a (n ax1 +1) valent aromatic hydrocarbon group.

Wax1 에 있어서의 방향족 탄화수소기로는, 방향 고리로부터 (nax1 + 1) 개의 수소 원자를 제거한 기를 들 수 있다. 여기서의 방향 고리는, 4n + 2 개의 π 전자를 가지는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않고, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 20 이 보다 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다. 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서 구체적으로는, 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic hydrocarbon group for Wa x1 include a group in which (n ax1 +1) hydrogen atoms have been removed from an aromatic ring. The aromatic ring here is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n+2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. It is preferable that carbon number of an aromatic ring is 5-30, C5-C20 is more preferable, C6-C15 is still more preferable, C6-C12 is especially preferable. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; and aromatic heterocyclic rings in which some of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring are substituted with hetero atoms. As a hetero atom in an aromatic heterocyclic ring, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned. Specific examples of the aromatic heterocyclic ring include a pyridine ring and a thiophene ring.

상기 식 (a10-1) 중, nax1 은, 1 ∼ 3 의 정수이며, 1 또는 2 가 바람직하고, 1 이 보다 바람직하다.In said formula (a10-1), n ax1 is an integer of 1-3, 1 or 2 is preferable and 1 is more preferable.

이하에, 상기 일반식 (a10-1) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다.Specific examples of the structural unit represented by the general formula (a10-1) are shown below.

하기 식 중, Rα 는, 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.In the following formula, R α represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.

[화학식 3] [Formula 3]

Figure 112020065141654-pct00003
Figure 112020065141654-pct00003

[화학식 4] [Formula 4]

Figure 112020065141654-pct00004
Figure 112020065141654-pct00004

[화학식 5] [Formula 5]

Figure 112020065141654-pct00005
Figure 112020065141654-pct00005

[화학식 6] [Formula 6]

Figure 112020065141654-pct00006
Figure 112020065141654-pct00006

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a10) 은, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.(A1) The number of structural units (a10) which a component has may be 1 type, or 2 or more types may be sufficient as it.

구성 단위 (a10) 은, 상기 중에서도, 하이드록시스티렌 골격을 포함하는 구성 단위가 바람직하고, 하기 일반식 (a10-1-0) 으로 나타내는 구성 단위가 특히 바람직하다.Among the above, the structural unit (a10) is preferably a structural unit containing a hydroxystyrene skeleton, and particularly preferably a structural unit represented by the following general formula (a10-1-0).

[화학식 7] [Formula 7]

Figure 112020065141654-pct00007
Figure 112020065141654-pct00007

[식 중, Rst 는, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. m01 은 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.][In the formula, R st represents a hydrogen atom or a methyl group. m 01 represents an integer of 1 to 3.]

(A1) 성분 중, 구성 단위 (a10) 의 비율은, 그 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰%) 에 대해, 40 ∼ 80 몰% 가 바람직하고, 45 ∼ 75 몰% 가 보다 바람직하고, 50 ∼ 70 몰% 가 특히 바람직하다.In the component (A1), the proportion of the structural unit (a10) is preferably 40 to 80 mol%, preferably 45 to 75 mol%, with respect to the total (100 mol%) of all structural units constituting the component (A1). is more preferable, and 50 to 70 mol% is particularly preferable.

구성 단위 (a10) 의 비율을, 상기 바람직한 범위의 하한값 이상으로 함으로써, 감도, 현상 특성, 디펙트 발생의 억제 효과 등이 보다 향상되고, 한편, 상기 바람직한 범위의 상한값 이하로 함으로써, 치수 균일성 등의 리소그래피 특성이 보다 향상된다.By setting the proportion of the structural unit (a10) to be equal to or higher than the lower limit of the preferred range, the sensitivity, developing characteristics, and the effect of suppressing the occurrence of defects are further improved. lithographic properties are further improved.

·구성 단위 (a4) 에 대해 : ・About the structural unit (a4):

구성 단위 (a4) 는, 산 비해리성의 지방족 고리형기를 포함하는 구성 단위이다.The structural unit (a4) is a structural unit containing an acid non-dissociable aliphatic cyclic group.

(A1) 성분이 구성 단위 (a4) 를 가짐으로써, 방향족 고리형기를 포함하는 구성 단위를 갖는 경우에 비해, 레지스트막의 광 투과성이 높아진다. 또, 형성되는 레지스트 패턴의 드라이 에칭 내성이 향상되고, 또한 (A) 성분의 소수성이 높아진다. 소수성의 향상은, 특히 용제 현상 프로세스에 의한 레지스트 패턴 형성의 경우에, 해상성, 레지스트 패턴 형상 등의 향상에 기여한다.When the component (A1) has the structural unit (a4), the light transmittance of the resist film is increased compared to the case where the component has a structural unit containing an aromatic cyclic group. Moreover, dry etching resistance of the resist pattern to be formed improves, and the hydrophobicity of (A) component becomes high. The improvement of hydrophobicity contributes to improvement of resolution, resist pattern shape, and the like, particularly in the case of resist pattern formation by a solvent development process.

구성 단위 (a4) 에 있어서의 「산 비해리성 고리형기」는, 노광에 의해 당해 레지스트 조성물 중에 산이 발생했을 때 (예를 들어, 후술하는 (B) 성분으로부터 산이 발생했을 때) 에, 그 산이 작용해도 해리하는 일없이 그대로 당해 구성 단위 중에 남는 고리형기이다.The "acid non-dissociable cyclic group" in the structural unit (a4) acts when an acid is generated in the resist composition upon exposure (for example, when an acid is generated from component (B), which will be described later). It is a cyclic group which remains in the structural unit as it is without dissociation.

구성 단위 (a4) 에 있어서의, 산 비해리성의 지방족 고리형기는, 단고리형기여도 되고, 다고리형기여도 되고, 바람직하게는 단고리형기이다. The acid non-dissociable aliphatic cyclic group in the structural unit (a4) may be a monocyclic group or a polycyclic group, preferably a monocyclic group.

여기서의 단고리형기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 8 의 것이 보다 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 8 의 것이 더욱 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로옥탄 등을 들 수 있다. 여기서의 다고리형기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The monocyclic group here is preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane. As this monocycloalkane, a C3-C8 thing is more preferable, A C5-C8 thing is still more preferable, cyclopentane, cyclohexane, cyclooctane, etc. are mentioned specifically,. The polycyclic group here is preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from the polycycloalkane, and the polycycloalkane is preferably a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms, specifically adamantane, norbornane, iso Bornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc. are mentioned.

상기 단고리형기 및 다고리형기는, 각각, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기를 치환기로서 가지고 있어도 된다.The monocyclic group and the polycyclic group may each have, for example, a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.

구성 단위 (a4) 로는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위, 아크릴아미드로부터 유도되는 구성 단위 등을 들 수 있고, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.Examples of the structural unit (a4) include a structural unit derived from an acrylic acid ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, a structural unit derived from acrylamide, etc., which are bonded to the carbon atom at the α-position A structural unit derived from an acrylic acid ester in which a hydrogen atom may be substituted with a substituent is preferable.

이하에, 구성 단위 (a4) 의 구체예를 나타낸다.Specific examples of the structural unit (a4) are shown below.

하기 식 중, Rα 는, 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다. In the following formula, R α represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.

[화학식 8] [Formula 8]

Figure 112020065141654-pct00008
Figure 112020065141654-pct00008

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a4) 는, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.(A1) The number of structural units (a4) which a component has may be 1 type, or 2 or more types may be sufficient as it.

구성 단위 (a4) 는, 상기 중에서도, 산 비해리성이고 단고리형의 지방족 고리형기를 포함하는 구성 단위가 바람직하고, 상기 화학식 (a4-7) ∼ (a4-10) 중 어느 것으로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하다.The structural unit (a4), among the above, is preferably an acid non-dissociable structural unit containing a monocyclic aliphatic cyclic group, and is composed of a structural unit represented by any of the above formulas (a4-7) to (a4-10). At least one selected from the group is more preferred.

(A1) 성분 중, 구성 단위 (a4) 의 비율은, 그 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰%) 에 대해, 1 ∼ 50 몰% 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 50 몰% 가 보다 바람직하고, 5 ∼ 45 몰% 가 더욱 바람직하다. It is preferable that the ratio of the structural unit (a4) in the component (A1) is 1-50 mol% with respect to the sum total (100 mol%) of all the structural units which comprise the (A1) component, and it is 2-50 mol % is more preferable, and 5-45 mol% is still more preferable.

구성 단위 (a4) 의 비율을, 상기 바람직한 범위의 하한값 이상으로 함으로써, 레지스트막의 광 투과성이 보다 높아져, 고감도화, 해상성 향상이 보다 도모된다. 한편, 상기 바람직한 범위의 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡기 쉬워진다.By setting the ratio of the structural unit (a4) to be equal to or higher than the lower limit of the preferred range, the light transmittance of the resist film becomes higher, and the sensitivity and resolution are further improved. On the other hand, by setting it as below the upper limit of the said preferable range, it becomes easy to balance with another structural unit.

·구성 단위 (a1) 에 대해 : ・About the structural unit (a1):

구성 단위 (a1) 은, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위이다. A structural unit (a1) is a structural unit containing the acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid.

「산 분해성기」는, 산의 작용에 의해, 당해 산 분해성기의 구조 중의 적어도 일부의 결합이 개열할 수 있는 산 분해성을 갖는 기이다. The "acid-decomposable group" is a group having acid-decomposable properties capable of cleaving at least some bonds in the structure of the acid-decomposable group by the action of an acid.

산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기로는, 예를 들어, 산의 작용에 의해 분해되어 극성기를 생기게 하는 기를 들 수 있다.As an acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid, for example, a group which is decomposed by the action of an acid to produce a polar group is exemplified.

극성기로는, 예를 들어, 카르복시기, 수산기, 아미노기, 술포기 (-SO3H) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 구조 중에 -OH 를 함유하는 극성기 (이하 「OH 함유 극성기」라고 하는 경우가 있다.) 가 바람직하고, 카르복시기 또는 수산기가 보다 바람직하고, 카르복시기가 특히 바람직하다.As a polar group, a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, a sulfo group (-SO 3 H), etc. are mentioned, for example. Among these, a polar group containing -OH in the structure (hereinafter sometimes referred to as "OH-containing polar group") is preferable, a carboxy group or a hydroxyl group is more preferable, and a carboxy group is particularly preferable.

산 분해성기로서 보다 구체적으로는, 상기 극성기가 산 해리성기로 보호된 기 (예를 들어, OH 함유 극성기의 수소 원자를, 산 해리성기로 보호한 기) 를 들 수 있다.More specific examples of the acid-decomposable group include a group in which the polar group is protected by an acid-dissociable group (eg, a group in which a hydrogen atom of an OH-containing polar group is protected by an acid-dissociable group).

여기서 「산 해리성기」란, (i) 산의 작용에 의해, 당해 산 해리성기와 그 산 해리성기에 인접하는 원자 간의 결합이 개열할 수 있는 산 해리성을 갖는 기, 또는, (ii) 산의 작용에 의해 일부의 결합이 개열한 후, 추가로 탈탄산 반응이 발생함으로써, 당해 산 해리성기와 그 산 해리성기에 인접하는 원자 간의 결합이 개열할 수 있는 기의 쌍방을 말한다.Here, the term "acid dissociable group" refers to (i) a group having acid dissociation in which the bond between the acid dissociable group and an atom adjacent to the acid dissociable group can be cleaved by the action of an acid, or (ii) an acid It refers to both groups in which the bond between the acid dissociable group and the atom adjacent to the acid dissociable group can be cleaved by further decarboxylation reaction after cleavage of some bonds by the action of .

산 분해성기를 구성하는 산 해리성기는, 당해 산 해리성기의 해리에 의해 생성되는 극성기보다 극성이 낮은 기일 필요가 있고, 이로써, 산의 작용에 의해 그 산 해리성기가 해리되었을 때에, 그 산 해리성기보다 극성이 높은 극성기가 생겨 극성이 증대한다. 그 결과, (A1) 성분 전체의 극성이 증대한다. 극성이 증대함으로써, 상대적으로, 현상액에 대한 용해성이 변화하고, 현상액이 알칼리 현상액인 경우에는 용해성이 증대하고, 현상액이 유기계 현상액인 경우에는 용해성이 감소한다.The acid-dissociable group constituting the acid-dissociable group must be a group having a lower polarity than the polar group generated by dissociation of the acid-dissociable group, and thus, when the acid-dissociable group is dissociated by the action of an acid, the acid-dissociable group A polar group with a higher polarity is formed and the polarity is increased. As a result, the polarity of the whole component (A1) increases. As the polarity increases, the solubility with respect to the developer is relatively changed, the solubility increases when the developer is an alkaline developer, and the solubility decreases when the developer is an organic developer.

산 해리성기로는, 지금까지, 화학 증폭형 레지스트 조성물용의 베이스 수지의 산 해리성기로서 제안되어 있는 것을 들 수 있다.Examples of the acid dissociable group include those that have been proposed as an acid dissociable group in base resins for chemically amplified resist compositions.

화학 증폭형 레지스트 조성물용의 베이스 수지의 산 해리성기로서 제안되어 있는 것으로서 구체적으로는, 이하에 설명하는 「아세탈형 산 해리성기」, 「제 3 급 알킬에스테르형 산 해리성기」, 「제 3 급 알킬옥시카르보닐 산 해리성기」를 들 수 있다.As acid-dissociable groups for base resins for chemically amplified resist compositions, specifically, "acetal-type acid-dissociable groups", "tertiary alkyl ester-type acid-dissociable groups", and "tertiary-type acid-dissociable groups" are described below. alkyloxycarbonyl acid dissociable group".

·아세탈형 산 해리성기 : · Acetal-type acid dissociative group:

상기 극성기 중 카르복시기 또는 수산기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-1) 로 나타내는 산 해리성기 (이하 「아세탈형 산 해리성기」라고 하는 경우가 있다.) 를 들 수 있다. Among the polar groups, the acid-dissociable group that protects the carboxyl group or the hydroxyl group is, for example, an acid-dissociable group represented by the following general formula (a1-r-1) (hereinafter referred to as “acetal-type acid-dissociable group” in some cases). can be heard

[화학식 9] [Formula 9]

Figure 112020065141654-pct00009
Figure 112020065141654-pct00009

[식 중, Ra'1, Ra'2 는 수소 원자 또는 알킬기이며, Ra'3 은 탄화수소기이고, Ra'3 은, Ra'1, Ra'2 중 어느 것과 결합하여 고리를 형성해도 된다.] [Wherein, Ra' 1 and Ra' 2 are a hydrogen atom or an alkyl group, Ra' 3 is a hydrocarbon group, and Ra' 3 may be bonded to any of Ra' 1 and Ra' 2 to form a ring.]

식 (a1-r-1) 중, Ra'1 및 Ra'2 중, 적어도 일방이 수소 원자인 것이 바람직하고, 양방이 수소 원자인 것이 보다 바람직하다. In formula (a1-r-1), it is preferable that at least one is a hydrogen atom among Ra' 1 and Ra' 2 , and it is more preferable that both are a hydrogen atom.

Ra'1 또는 Ra'2 가 알킬기인 경우, 그 알킬기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 대한 설명에서, α 위치의 탄소 원자에 결합해도 되는 치환기로서 든 알킬기와 동일한 것을 들 수 있고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하다. 구체적으로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기를 바람직하게 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.When Ra' 1 or Ra' 2 is an alkyl group, examples of the alkyl group include the same alkyl groups as the substituents that may be bonded to the carbon atom at the α-position in the description of the α-substituted acrylic acid ester, and have 1 to The alkyl group of 5 is preferable. Specifically, a linear or branched alkyl group is preferably mentioned. More specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, etc. are mentioned, A methyl group or an ethyl group is more preferably, a methyl group is particularly preferable.

식 (a1-r-1) 중, Ra'3 의 탄화수소기로는, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기, 또는 고리형의 탄화수소기를 들 수 있다.In the formula (a1-r-1), examples of the hydrocarbon group for Ra' 3 include a linear or branched alkyl group or a cyclic hydrocarbon group.

그 직사슬형의 알킬기는, 탄소수가 1 ∼ 5 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 4 가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기 또는 n-부틸기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다.It is preferable that carbon number is 1-5, as for this linear alkyl group, 1-4 are more preferable, and 1 or 2 is still more preferable. Specifically, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, etc. are mentioned. Among these, a methyl group, an ethyl group, or n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.

그 분기 사슬형의 알킬기는, 탄소수가 3 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 5 가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1,1-디에틸프로필기, 2,2-디메틸부틸기 등을 들 수 있고, 이소프로필기인 것이 바람직하다.It is preferable that carbon number is 3-10, and, as for this branched alkyl group, 3-5 are more preferable. Specific examples thereof include isopropyl group, isobutyl group, tert-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1,1-diethylpropyl group, 2,2-dimethylbutyl group, etc., which are isopropyl group it is preferable

Ra'3 이 고리형의 탄화수소기가 되는 경우, 그 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고 방향족 탄화수소기여도 되고, 또, 다고리형기여도 되고 단고리형기여도 된다.When Ra' 3 is a cyclic hydrocarbon group, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, or may be a polycyclic group or a monocyclic group.

단고리형기인 지방족 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. As the aliphatic hydrocarbon group which is a monocyclic group, a group obtained by removing one hydrogen atom from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane is preferably a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane.

다고리형기인 지방족 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다. As the polycyclic group, the aliphatic hydrocarbon group is preferably a group in which one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane, and the polycycloalkane is preferably a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms, specifically adamantane, norbornane, iso Bornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc. are mentioned.

Ra'3 의 고리형의 탄화수소기가 방향족 탄화수소기가 되는 경우, 그 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 탄화수소기이다.When the cyclic hydrocarbon group of Ra' 3 becomes an aromatic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.

이 방향 고리는, 4n + 2 개의 π 전자를 가지는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않고, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 20 이 보다 바람직하고, 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하고, 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다.The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. It is preferable that carbon number of an aromatic ring is 5-30, 5-20 are more preferable, 6-15 are still more preferable, 6-12 are especially preferable.

방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서 구체적으로는, 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다.Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; and aromatic heterocyclic rings in which some of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring are substituted with hetero atoms. As a hetero atom in an aromatic heterocyclic ring, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned. Specific examples of the aromatic heterocyclic ring include a pyridine ring and a thiophene ring.

Ra'3 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기 또는 헤테로아릴기) ; 2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어 비페닐, 플루오렌 등) 로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 ; 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리의 수소 원자의 하나가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기 등) 등을 들 수 있다. 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하고, 1 인 것이 특히 바람직하다.Specific examples of the aromatic hydrocarbon group for Ra' 3 include a group in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring (aryl group or heteroaryl group); a group in which one hydrogen atom is removed from an aromatic compound containing two or more aromatic rings (eg, biphenyl, fluorene, etc.); A group in which one of the hydrogen atoms of the aromatic hydrocarbon ring or the aromatic heterocyclic ring is substituted with an alkylene group (eg, a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, 2 -arylalkyl groups, such as a naphthylethyl group, etc.) etc. are mentioned. It is preferable that carbon number of the alkylene group couple|bonded with the said aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is 1-4, It is more preferable that it is 1-2, It is especially preferable that it is 1.

Ra'3 이, Ra'1, Ra'2 중 어느 것과 결합하여 고리를 형성하는 경우, 그 고리형기로는, 4 ∼ 7 원 고리가 바람직하고, 4 ∼ 6 원 고리가 보다 바람직하다. 그 고리형기의 구체예로는, 테트라하이드로피라닐기, 테트라하이드로푸라닐기 등을 들 수 있다.When Ra' 3 combines with any of Ra' 1 and Ra' 2 to form a ring, the cyclic group is preferably a 4 to 7 membered ring, more preferably a 4 to 6 membered ring. Specific examples of the cyclic group include a tetrahydropyranyl group and a tetrahydrofuranyl group.

·제 3 급 알킬에스테르형 산 해리성기 : A tertiary alkyl ester type acid dissociable group:

상기 극성기 중, 카르복시기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기를 들 수 있다. Among the polar groups, examples of the acid dissociable group that protects the carboxy group include an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-2).

또한, 하기 식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기 중, 알킬기에 의해 구성되는 것을, 이하, 편의상 「제 3 급 알킬에스테르형 산 해리성기」라고 하는 경우가 있다.In addition, among the acid dissociable groups represented by the following formula (a1-r-2), what is comprised by an alkyl group may be hereinafter referred to as a "tertiary alkyl ester type acid dissociable group" for convenience.

[화학식 10] [Formula 10]

Figure 112020065141654-pct00010
Figure 112020065141654-pct00010

[식 중, Ra'4 ∼ Ra'6 은 각각 탄화수소기이고, Ra'5, Ra'6 은 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.] [Wherein, Ra' 4 to Ra' 6 are each a hydrocarbon group, and Ra' 5 and Ra' 6 may be bonded to each other to form a ring.]

Ra'4 ∼ Ra'6 의 탄화수소기로는, 상기 Ra'3 과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon group for Ra' 4 to Ra' 6 include the same as those for Ra' 3 above.

Ra'4 는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기인 것이 바람직하다. Ra'5 와 Ra'6 이 서로 결합하여 고리를 형성하는 경우, 하기 일반식 (a1-r2-1) 로 나타내는 기를 들 수 있다. 한편, Ra'4 ∼ Ra'6 이 서로 결합하지 않고, 독립된 탄화수소기인 경우, 하기 일반식 (a1-r2-2) 로 나타내는 기를 들 수 있다.It is preferable that Ra' 4 is a C1-C5 alkyl group. When Ra'5 and Ra'6 combine with each other to form a ring, the group represented by the following general formula (a1-r2-1) is mentioned. On the other hand, when Ra' 4 to Ra' 6 are not mutually bonded and are independent hydrocarbon groups, a group represented by the following general formula (a1-r2-2) is exemplified.

[화학식 11] [Formula 11]

Figure 112020065141654-pct00011
Figure 112020065141654-pct00011

[식 중, Ra'10 은 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기, Ra'11 은 Ra'10 이 결합한 탄소 원자와 함께 지방족 고리형기를 형성하는 기, Ra'12 ∼ Ra'14 는, 각각 독립적으로 탄화수소기를 나타낸다.] [Wherein, Ra' 10 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, Ra' 11 is a group forming an aliphatic cyclic group together with the carbon atom to which Ra' 10 is bonded, and Ra' 12 to Ra' 14 are each independently a hydrocarbon group. indicate.]

식 (a1-r2-1) 중, Ra'10 의 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기로서 든 기가 바람직하다.In the formula (a1-r2-1), the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms for Ra' 10 is preferably a group mentioned as the linear or branched alkyl group for Ra' 3 in the formula (a1-r-1). do.

식 (a1-r2-1) 중, Ra'11 과, Ra'10 이 결합한 탄소 원자와 함께 형성하는 지방족 고리형기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기로서 든 기가 바람직하고, 단고리형기인 지방족 탄화수소기로서 든 기가 보다 바람직하다.In formula (a1-r2-1), the aliphatic cyclic group formed together with the carbon atom to which Ra' 11 and Ra' 10 are bonded is a monocyclic group or polyvalent group of Ra' 3 in formula (a1-r-1). The group mentioned as an aliphatic hydrocarbon group which is a cyclic group is preferable, and the group mentioned as an aliphatic hydrocarbon group which is a monocyclic group is more preferable.

식 (a1-r2-2) 중, Ra'12 및 Ra'14 는, 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기인 것이 바람직하고, 그 알킬기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기로서 든 기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기인 것이 특히 바람직하다.In the formula (a1-r2-2), Ra' 12 and Ra' 14 are each independently preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and the alkyl group is Ra' in the formula (a1-r-1). The group mentioned as a linear or branched alkyl group of 3 is more preferable, It is more preferable that it is a C1-C5 linear alkyl group, It is especially preferable that it is a methyl group or an ethyl group.

식 (a1-r2-2) 중, Ra'13 은, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 탄화수소기로서 예시된 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기, 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, Ra'3 의 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기로서 든 기인 것이 보다 바람직하다.In the formula (a1-r2-2), Ra' 13 is a linear or branched alkyl group, a monocyclic group or a polycyclic group exemplified as the hydrocarbon group of Ra' 3 in the formula (a1-r-1). It is preferable that it is an aliphatic hydrocarbon group which is a group. Among these, the group mentioned as an aliphatic hydrocarbon group which is a monocyclic group or a polycyclic group of Ra'3 is more preferable.

상기 식 (a1-r2-1) 로 나타내는 기의 구체예를 이하에 든다. * 는 결합손을 나타낸다 (이하 본 명세서에 있어서 동일).Specific examples of the group represented by the formula (a1-r2-1) are given below. * represents a bond (the same in the present specification).

[화학식 12] [Formula 12]

Figure 112020065141654-pct00012
Figure 112020065141654-pct00012

[화학식 13] [Formula 13]

Figure 112020065141654-pct00013
Figure 112020065141654-pct00013

상기 식 (a1-r2-2) 로 나타내는 기의 구체예를 이하에 든다.Specific examples of the group represented by the formula (a1-r2-2) are given below.

[화학식 14] [Formula 14]

Figure 112020065141654-pct00014
Figure 112020065141654-pct00014

·제 3 급 알킬옥시카르보닐 산 해리성기 : · Tertiary alkyloxycarbonyl acid dissociable group:

상기 극성기 중 수산기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-3) 으로 나타내는 산 해리성기 (이하 편의상 「제 3 급 알킬옥시카르보닐 산 해리성기」라고 하는 경우가 있다) 를 들 수 있다.Among the polar groups, the acid dissociable group for protecting the hydroxyl group is, for example, an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-3) (hereinafter referred to as “tertiary alkyloxycarbonyl acid dissociable group” for convenience) There is) can be mentioned.

[화학식 15] [Formula 15]

Figure 112020065141654-pct00015
Figure 112020065141654-pct00015

[식 중, Ra'7 ∼ Ra'9 는 각각 알킬기이다.] [Wherein, Ra' 7 to Ra' 9 are each an alkyl group.]

식 (a1-r-3) 중, Ra'7 ∼ Ra'9 는, 각각 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 1 ∼ 3 이 보다 바람직하다.In formula (a1-r-3), a C1-C5 alkyl group is preferable, respectively, and, as for Ra'7 - Ra'9 , 1-3 are more preferable.

또, 각 알킬기의 합계의 탄소수는, 3 ∼ 7 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 5 인 것이 보다 바람직하고, 3 ∼ 4 인 것이 가장 바람직하다.Moreover, it is preferable that it is 3-7, as for carbon number of the sum total of each alkyl group, it is more preferable that it is 3-5, It is most preferable that it is 3-4.

상기 중에서도, 구성 단위 (a1) 에 있어서의 산 분해성기는, 산의 작용에 의한 분해성이 보다 높은 점에서, 지방족 고리형기를 포함하는 기가 바람직하고, 지방족 고리형기를 포함하는 산 해리성기로 극성기 (카르복시기, 수산기, 아미노기, 술포기 등) 가 보호된 기가 보다 바람직하다. 이 중에서도, 구성 단위 (a1) 에 있어서의 산 분해성기는, 해상성이 향상되어, 보다 양호한 형상의 패턴이 형성되기 쉬운 점에서, 상기 일반식 (a1-r2-1) 로 나타내는 산 해리성기를 포함하는 기가 바람직하고, 하기 일반식 (a1-r2-11) 로 나타내는 산 해리성기를 포함하는 기가 보다 바람직하다.Among the above, the acid-decomposable group in the structural unit (a1) is preferably a group containing an aliphatic cyclic group from the viewpoint of higher degradability by the action of an acid, and a polar group (carboxy group) as an acid-dissociable group containing an aliphatic cyclic group. , a hydroxyl group, an amino group, a sulfo group, etc.) is more preferably a protected group. Among these, the acid-decomposable group in the structural unit (a1) includes an acid-dissociable group represented by the above general formula (a1-r2-1) from the viewpoint that the resolution is improved and a pattern having a better shape is easily formed. The following group is preferable, and the group containing an acid-dissociable group represented by the following general formula (a1-r2-11) is more preferable.

[화학식 16] [Formula 16]

Figure 112020065141654-pct00016
Figure 112020065141654-pct00016

[식 중, Ra'10 은, 탄소수 1 ∼ 10 의 탄화수소기이다. Ra"11 은, Ra'10 이 결합한 탄소 원자와 함께 단고리형의 지방족 고리형기를 형성하는 기이다. * 는 결합손이다.] [In the formula, Ra' 10 is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. Ra" 11 is a group forming a monocyclic aliphatic cyclic group together with the carbon atom to which Ra' 10 is bonded. * is a bond.]

식 (a1-r2-11) 중, Ra'10 의 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기로서 든 기가 바람직하다.In the formula (a1-r2-11), the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms for Ra' 10 is preferably a group mentioned as the linear or branched alkyl group for Ra' 3 in the formula (a1-r-1). do.

그 직사슬형의 알킬기는, 탄소수가 1 ∼ 5 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 4 가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기 또는 n-부틸기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다.It is preferable that carbon number is 1-5, as for this linear alkyl group, 1-4 are more preferable, and 1 or 2 is still more preferable. Specifically, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, etc. are mentioned. Among these, a methyl group, an ethyl group, or n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.

그 분기 사슬형의 알킬기는, 탄소수가 3 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 5 가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1,1-디에틸프로필기, 2,2-디메틸부틸기 등을 들 수 있고, 이소프로필기인 것이 바람직하다.It is preferable that carbon number is 3-10, and, as for this branched alkyl group, 3-5 are more preferable. Specific examples thereof include isopropyl group, isobutyl group, tert-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1,1-diethylpropyl group, 2,2-dimethylbutyl group, etc., which are isopropyl group it is preferable

식 (a1-r2-11) 중, Ra"11 과 Ra'10 이 결합한 탄소 원자와 함께 형성하는 지방족 고리형기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 단고리형기인 지방족 탄화수소기로서 든 기가 바람직하다.In the formula (a1-r2-11), the aliphatic cyclic group formed together with the carbon atom to which Ra" 11 and Ra' 10 are bonded is an aliphatic hydrocarbon which is a monocyclic group of Ra' 3 in the formula (a1-r-1). The group mentioned as a group is preferable.

단고리형기인 지방족 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 8 의 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 보다 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다.As the aliphatic hydrocarbon group which is a monocyclic group, a group obtained by removing one hydrogen atom from a monocycloalkane is preferable. As this monocycloalkane, a C3-C8 thing is preferable, A C3-C6 thing is more preferable, cyclopentane, cyclohexane, etc. are mentioned specifically,.

구성 단위 (a1) 로는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위, 아크릴아미드로부터 유도되는 구성 단위, 하이드록시스티렌 혹은 하이드록시스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위의 수산기에 있어서의 수소 원자의 적어도 일부가 산 해리성기에 의해 보호된 구성 단위, 비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체로부터 유도되는 구성 단위의 -C(=O)-OH 에 있어서의 수소 원자의 적어도 일부가 산 해리성기에 의해 보호된 구성 단위 등을 들 수 있다.As the structural unit (a1), a structural unit derived from an acrylic acid ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, a structural unit derived from acrylamide, a structural unit derived from hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative At least a part of hydrogen atoms in -C(=O)-OH in a structural unit in which at least a part of hydrogen atoms in the hydroxyl group of the unit is protected by an acid dissociable group, or in a structural unit derived from vinylbenzoic acid or a vinylbenzoic acid derivative and structural units protected by an acid dissociable group.

구성 단위 (a1) 로는, 상기 중에서도, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.As the structural unit (a1), among the above, a structural unit derived from an acrylic acid ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent is preferable.

이러한 구성 단위 (a1) 의 바람직한 구체예로는, 하기 일반식 (a1-1) 또는 일반식 (a1-2) 로 나타내는 구성 단위를 들 수 있다.As a preferable specific example of such a structural unit (a1), the structural unit represented by the following general formula (a1-1) or general formula (a1-2) is mentioned.

[화학식 17] [Formula 17]

Figure 112020065141654-pct00017
Figure 112020065141654-pct00017

[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다. Va1 은 에테르 결합을 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이며, na1 은 0 ∼ 2 이며, Ra1 은 상기 식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기이다. Wa1 은 na2 + 1 가의 탄화수소기이며, na2 는 1 ∼ 3 이며, Ra2 는 상기 식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-3) 으로 나타내는 산 해리성기이다.] [Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Va 1 is a divalent hydrocarbon group which may have an ether bond, n a1 is 0 to 2, and Ra 1 is an acid dissociable group represented by the above formula (a1-r-1) or (a1-r-2). Wa 1 is n a2 + monovalent hydrocarbon group, n a2 is 1-3, and Ra 2 is an acid dissociable group represented by the above formula (a1-r-1) or (a1-r-3)]

상기 식 (a1-1) 중, R 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기는, 상기 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.In the formula (a1-1), the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for R is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or isopropyl group. group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, and the like. The halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with halogen atoms. A fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom etc. are mentioned as this halogen atom, A fluorine atom is especially preferable.

R 로는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기가 바람직하고, 공업상의 입수의 용이함으로부터, 수소 원자 또는 메틸기가 가장 바람직하다.As R, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and from the viewpoint of industrial availability, a hydrogen atom or a methyl group is most preferable.

상기 식 (a1-1) 중, Va1 에 있어서의 2 가의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다.In the formula (a1-1), the divalent hydrocarbon group for Va 1 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

Va1 에 있어서의 2 가의 탄화수소기로서의 지방족 탄화수소기는, 포화여도 되고, 불포화여도 되고, 통상은 포화인 것이 바람직하다.The aliphatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Va 1 may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.

그 지방족 탄화수소기로서, 보다 구체적으로는, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기, 또는, 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.More specifically, examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, or an aliphatic hydrocarbon group having a ring in its structure.

상기 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다.It is preferable that carbon number is 1-10, as for the said linear or branched aliphatic hydrocarbon group, 1-6 are more preferable, 1-4 are still more preferable, and 1-3 are the most preferable.

직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], a trimethylene group [-( CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -], and the like.

분기 사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기 사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.The branched chain aliphatic hydrocarbon group is preferably a branched chain alkylene group, specifically, -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, Alkylmethylene groups, such as -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, -C(CH 2 CH 3 ) 2 -; -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 -, -C(CH 2 CH 3 ) alkylethylene groups such as 2 -CH 2 -; Alkyltrimethylene groups, such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -; Alkylalkylene groups, such as alkyltetramethylene groups, such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, etc. are mentioned. As the alkyl group in the alkylalkylene group, a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable.

상기 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 지환형 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기), 지환형 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 지환형 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 상기 직사슬형의 지방족 탄화수소기 또는 상기 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기와 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure include an alicyclic hydrocarbon group (a group in which two hydrogen atoms have been removed from an aliphatic hydrocarbon ring), a group in which an alicyclic hydrocarbon group is bonded to the terminus of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group and a group in which the alicyclic hydrocarbon group is interposed in the middle of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include the same as the linear or branched aliphatic hydrocarbon group.

상기 지환형 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that carbon number is 3-20, and, as for the said alicyclic hydrocarbon group, it is more preferable that it is 3-12.

상기 지환형 탄화수소기는, 다고리형이어도 되고, 단고리형이어도 된다. 단고리형의 지환형 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환형 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.Polycyclic type may be sufficient as the said alicyclic hydrocarbon group, and monocyclic type may be sufficient as it. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane is preferably a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane, and the polycycloalkane is preferably a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms, specifically adamantane, norbornane, iso Bornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc. are mentioned.

Va1 에 있어서의 2 가의 탄화수소기로서의 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 갖는 탄화수소기이다.The aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Va 1 is a hydrocarbon group having an aromatic ring.

이러한 방향족 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 30 인 것이 보다 바람직하고, 5 ∼ 20 이 더욱 바람직하고, 6 ∼ 15 가 특히 바람직하고, 6 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 단, 그 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다.It is preferable that carbon number of this aromatic hydrocarbon group is 3-30, It is more preferable that it is 5-30, 5-20 are still more preferable, 6-15 are especially preferable, and 6-10 are the most preferable. However, carbon number in a substituent shall not be included in the carbon number.

방향족 탄화수소기가 갖는 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 비페닐, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.Specific examples of the aromatic ring included in the aromatic hydrocarbon group include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; and aromatic heterocyclic rings in which some of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring are substituted with hetero atoms. As a hetero atom in an aromatic heterocyclic ring, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned.

그 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기 (아릴렌기) ; 상기 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기) 의 수소 원자의 하나가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기에 있어서의 아릴기로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 기) 등을 들 수 있다. 상기 알킬렌기 (아릴알킬기 중의 알킬 사슬) 의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하고, 1 인 것이 특히 바람직하다.Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include groups in which two hydrogen atoms have been removed from the aromatic hydrocarbon ring (arylene group); A group in which one hydrogen atom of the group (aryl group) in which one hydrogen atom is removed from the aromatic hydrocarbon ring is substituted with an alkylene group (eg, benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group) , a group in which one hydrogen atom is further removed from an aryl group in an arylalkyl group such as 1-naphthylethyl group and 2-naphthylethyl group). It is preferable that carbon number of the said alkylene group (alkyl chain in an arylalkyl group) is 1-4, It is more preferable that it is 1-2, It is especially preferable that it is 1.

상기 식 (a1-2) 중, Wa1 에 있어서의 na2 + 1 가의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다. 그 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 가지지 않는 탄화수소기를 의미하고, 포화여도 되고, 불포화여도 되고, 통상은 포화인 것이 바람직하다. 상기 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기, 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기, 혹은 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기와 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기를 조합한 기를 들 수 있다.In the formula (a1-2), the n a2 + monovalent hydrocarbon group in Wa 1 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group that does not have aromaticity, and may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated. The aliphatic hydrocarbon group is a combination of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group including a ring in the structure, or a linear or branched aliphatic hydrocarbon group and an aliphatic hydrocarbon group including a ring in the structure. You can pick up one.

상기 na2 + 1 가는, 2 ∼ 4 가가 바람직하고, 2 또는 3 가가 보다 바람직하다. 2-4 valence is preferable and, as for said n a2 +1 value, 2 or 3 valence is more preferable.

이하에 상기 식 (a1-1) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다. 이하의 각 식 중, Rα 는, 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-1) are shown below. In each of the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.

[화학식 18] [Formula 18]

Figure 112020065141654-pct00018
Figure 112020065141654-pct00018

[화학식 19] [Formula 19]

Figure 112020065141654-pct00019
Figure 112020065141654-pct00019

[화학식 20] [Formula 20]

Figure 112020065141654-pct00020
Figure 112020065141654-pct00020

[화학식 21] [Formula 21]

Figure 112020065141654-pct00021
Figure 112020065141654-pct00021

[화학식 22] [Formula 22]

Figure 112020065141654-pct00022
Figure 112020065141654-pct00022

이하에 상기 식 (a1-2) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다.Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-2) are shown below.

[화학식 23] [Formula 23]

Figure 112020065141654-pct00023
Figure 112020065141654-pct00023

구성 단위 (a1) 로는, 그 중에서도, 상기 일반식 (a1-1) 로 나타내는 구성 단위가 보다 바람직하고, 이 중에서도, 일반식 (a1-1) 로 나타내는 구성 단위이고, Ra1 이 상기 식 (a1-r2-11) 로 나타내는 산 해리성기인 구성 단위가 특히 바람직하다.As the structural unit (a1), among them, a structural unit represented by the general formula (a1-1) is more preferable, and among these, a structural unit represented by the general formula (a1-1), wherein Ra 1 is the above formula (a1) A structural unit which is an acid dissociable group represented by -r2-11) is particularly preferable.

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a1) 은, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.(A1) The number of structural units (a1) which a component has may be one, or 2 or more types may be sufficient as it.

(A1) 성분 중의 구성 단위 (a1) 의 비율은, (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위 (100 몰%) 에 대해 5 ∼ 20 몰% 가 바람직하고, 7 ∼ 20 몰% 가 보다 바람직하고, 10 ∼ 20 몰% 가 더욱 바람직하다.(A1) The proportion of the structural unit (a1) in the component is preferably 5 to 20 mol%, more preferably 7 to 20 mol%, based on all the structural units (100 mol%) constituting the component (A1), 10-20 mol% is more preferable.

구성 단위 (a1) 의 비율을, 상기 바람직한 범위의 하한값 이상으로 함으로써, 용이하게 레지스트 패턴을 얻을 수 있고, 해상성이 보다 향상되어, 양호한 형상의 패턴이 형성되기 쉬워진다. 또, 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡을 수 있다.By setting the proportion of the structural unit (a1) to be equal to or higher than the lower limit of the preferred range, a resist pattern can be easily obtained, resolution is further improved, and a pattern having a favorable shape is easily formed. Moreover, by setting it as below an upper limit, a balance with another structural unit can be achieved.

·기타 구성 단위에 대해 : ・About other structural units:

이러한 (A1) 성분은, 구성 단위 (a10), 구성 단위 (a4) 및 구성 단위 (a1) 에 더하여, 필요에 따라 기타 구성 단위를 갖는 것이어도 된다. In addition to the structural unit (a10), the structural unit (a4), and the structural unit (a1), such component (A1) may have another structural unit as needed.

기타 구성 단위로는, 예를 들어, 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기를 포함하는 구성 단위 (a2) ; 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 구성 단위 (a3) (단, 구성 단위 (a1) 또는 구성 단위 (a2) 에 해당하는 것을 제외한다) ; 스티렌 또는 그 유도체로부터 유도되는 구성 단위 등을 들 수 있다.Examples of the other structural unit include a structural unit (a2) including a lactone-containing cyclic group, -SO 2 --containing cyclic group, or carbonate-containing cyclic group; Structural unit (a3) containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group (however, the thing corresponding to structural unit (a1) or structural unit (a2) is excluded); and structural units derived from styrene or derivatives thereof.

··구성 단위 (a2) ··Constituting unit (a2)

(A1) 성분은, 구성 단위 (a10), 구성 단위 (a4) 및 구성 단위 (a1) 에 더하여, 필요에 따라, 추가로, 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기를 포함하는 구성 단위 (a2) 를 가져도 된다.(A1) In addition to the structural unit (a10), the structural unit (a4), and the structural unit (a1), the component (A1) is, if necessary, further a lactone-containing cyclic group, a -SO 2 - containing cyclic group, or a carbonate-containing cyclic group. You may have a structural unit (a2) containing

구성 단위 (a2) 의 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기는, (A1) 성분을 레지스트막의 형성에 사용한 경우에, 레지스트막의 기판에 대한 밀착성을 높이는 데에 있어서 유효한 것이다. 또, 구성 단위 (a2) 를 가짐으로써, 알칼리 현상 프로세스에 있어서는, 현상 시에, 레지스트막의 알칼리 현상액에 대한 용해성이 높아진다. The lactone-containing cyclic group, -SO 2 --containing cyclic group, or carbonate-containing cyclic group of the structural unit (a2) is effective in enhancing the adhesion of the resist film to the substrate when the component (A1) is used to form the resist film. will be. Moreover, by having a structural unit (a2), in the alkali developing process, the solubility with respect to the alkali developing solution of a resist film becomes high at the time of image development.

「락톤 함유 고리형기」란, 그 고리 골격 중에 -O-C(=O)- 를 포함하는 고리 (락톤 고리) 를 함유하는 고리형기를 나타낸다. 락톤 고리를 첫 번째의 고리로서 세고, 락톤 고리만인 경우에는 단고리형기, 또 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 관계없이 다고리형기라고 칭한다. 락톤 함유 고리형기는, 단고리형기여도 되고, 다고리형기여도 된다.The "lactone-containing cyclic group" refers to a cyclic group containing a ring (lactone ring) containing -O-C(=O)- in its cyclic skeleton. The lactone ring is counted as the first ring, and when it is only a lactone ring, it is called a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of its structure. The lactone-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.

구성 단위 (a2) 에 있어서의 락톤 함유 고리형기로는, 특별히 한정되는 일 없이 임의의 것이 사용 가능하다. 구체적으로는, 하기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.The lactone-containing cyclic group in the structural unit (a2) is not particularly limited, and any arbitrary group can be used. Specific examples thereof include groups represented by the following general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7).

[화학식 24] [Formula 24]

Figure 112020065141654-pct00024
Figure 112020065141654-pct00024

[식 중, Ra'21 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고 ; R" 는 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이다. A" 는 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이다. n' 는 0 ∼ 2 의 정수이며, m' 는 0 또는 1 이다.] [wherein, Ra' 21 is each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR", -OC(=O)R", a hydroxyalkyl group, or a cyano group; R" is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone containing cyclic group, a carbonate containing cyclic group, or a -SO 2 - containing cyclic group. A" may contain an oxygen atom (-O-) or a sulfur atom (-S-) an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, an oxygen atom, or a sulfur atom. n' is an integer of 0 to 2, and m' is 0 or 1.]

상기 식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 중, Ra'21 에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기가 바람직하다. 그 알킬기는, 직사슬형 또는 분기 사슬형인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다. In the formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), the alkyl group for Ra′ 21 is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. The alkyl group is preferably linear or branched. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, and a hexyl group. Among these, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is especially preferable.

Ra'21 에 있어서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기가 바람직하다.The alkoxy group for Ra' 21 is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms.

그 알콕시기는, 직사슬형 또는 분기 사슬형인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기로서 든 알킬기와 산소 원자 (-O-) 가 연결된 기를 들 수 있다.It is preferable that the alkoxy group is linear or branched. Specific examples include a group in which an oxygen atom (-O-) is linked to the alkyl group mentioned as the alkyl group in Ra' 21 .

Ra'21 에 있어서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.As a halogen atom in Ra' 21 , a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.

Ra'21 에 있어서의 할로겐화알킬기로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 할로겐화알킬기로는, 불소화알킬기가 바람직하고, 퍼플루오로알킬기가 특히 바람직하다.Examples of the halogenated alkyl group for Ra' 21 include a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group for Ra' 21 are substituted with the halogen atoms. As the halogenated alkyl group, a fluorinated alkyl group is preferable, and a perfluoroalkyl group is particularly preferable.

Ra'21 에 있어서의 -COOR", -OC(=O)R" 에 있어서, R" 는 모두 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이다.In -COOR" and -OC(=O)R" for Ra' 21 , R" is all a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or a -SO 2 - containing cyclic group.

R" 에 있어서의 알킬기로는, 직사슬형, 분기 사슬형 또는 고리형 중 어느 것이어도 되고, 탄소수는 1 ∼ 15 가 바람직하다.The alkyl group for R" may be linear, branched or cyclic, and preferably has 1 to 15 carbon atoms.

R" 가 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기인 경우에는, 탄소수 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 인 것이 더욱 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기인 것이 특히 바람직하다.When R" is a linear or branched alkyl group, it is preferably from 1 to 10 carbon atoms, more preferably from 1 to 5 carbon atoms, particularly preferably a methyl group or an ethyl group.

R" 가 고리형의 알킬기인 경우에는, 탄소수 3 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 탄소수 4 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 10 이 더욱 바람직하다. 구체적으로는, 불소 원자 또는 불소화알킬기로 치환되어 있어도 되고, 되어 있지 않아도 되는 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 ; 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 보다 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 ; 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다.When R" is a cyclic alkyl group, it preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and still more preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group A group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane which may or may not be present; a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, etc. More specifically, a group in which one or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane; and a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane.

R" 에 있어서의 락톤 함유 고리형기로는, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the lactone-containing cyclic group for R" include the same groups as the groups represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7).

R" 에 있어서의 카보네이트 함유 고리형기로는, 후술하는 카보네이트 함유 고리형기와 동일하고, 구체적으로는 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.Examples of the carbonate-containing cyclic group for R" are the same as the carbonate-containing cyclic groups described later, and specific examples thereof include groups represented by the general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3).

R" 에 있어서의 -SO2- 함유 고리형기로는, 후술하는 -SO2- 함유 고리형기와 동일하고, 구체적으로는 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.The -SO 2 - containing cyclic group for R" is the same as the -SO 2 - containing cyclic group described later, specifically, each of the formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) and the group that represents it.

Ra'21 에 있어서의 하이드록시알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 6 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기의 수소 원자의 적어도 하나가 수산기로 치환된 기를 들 수 있다.The hydroxyalkyl group for Ra' 21 preferably has 1 to 6 carbon atoms, and specific examples include groups in which at least one hydrogen atom of the alkyl group for Ra' 21 is substituted with a hydroxyl group.

상기 일반식 (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) 중, A" 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 이소프로필렌기 등을 들 수 있다. 그 알킬렌기가 산소 원자 또는 황 원자를 포함하는 경우, 그 구체예로는, 상기 알킬렌기의 말단 또는 탄소 원자 사이에 -O- 또는 -S- 가 개재하는 기를 들 수 있고, 예를 들어 -O-CH2-, -CH2-O-CH2-, -S-CH2-, -CH2-S-CH2- 등을 들 수 있다. A" 로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기 또는 -O- 가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 메틸렌기가 가장 바람직하다. In the general formulas (a2-r-2), (a2-r-3) and (a2-r-5), the alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in A” is linear or branched. An alkylene group is preferable, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, an isopropylene group, etc. When the alkylene group contains an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include the alkylene group and a group in which -O- or -S- is interposed between the terminals or carbon atoms of, for example, -O-CH 2 -, -CH 2 -O-CH 2 -, -S-CH 2 -, - CH 2 -S-CH 2 -, etc. A" is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or -O-, more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methylene group. .

하기에 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다.Specific examples of groups each represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) below are given.

[화학식 25] [Formula 25]

Figure 112020065141654-pct00025
Figure 112020065141654-pct00025

[화학식 26] [Formula 26]

Figure 112020065141654-pct00026
Figure 112020065141654-pct00026

「-SO2- 함유 고리형기」란, 그 고리 골격 중에 -SO2- 를 포함하는 고리를 함유하는 고리형기를 나타내고, 구체적으로는, -SO2- 에 있어서의 황 원자 (S) 가 고리형기의 고리 골격의 일부를 형성하는 고리형기이다. 그 고리 골격 중에 -SO2- 를 포함하는 고리를 첫 번째의 고리로서 세고, 그 고리만인 경우에는 단고리형기, 또 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 관계없이 다고리형기라고 칭한다. -SO2- 함유 고리형기는, 단고리형기여도 되고 다고리형기여도 된다."-SO 2 - containing cyclic group" refers to a cyclic group containing a ring containing -SO 2 - in its cyclic skeleton, specifically, the sulfur atom (S) in -SO 2 - is a cyclic group It is a cyclic group that forms part of the ring skeleton of -SO 2 - in the ring skeleton The ring containing the ring is counted as the first ring, and when it is only the ring, it is called a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of its structure. The -SO 2 - containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.

-SO2- 함유 고리형기는, 특히, 그 고리 골격 중에 -O-SO2- 를 포함하는 고리형기, 즉, -O-SO2- 중의 -O-S- 가 고리 골격의 일부를 형성하는 술톤 (sultone) 고리를 함유하는 고리형기인 것이 바람직하다.The -SO 2 - containing cyclic group is, in particular, a cyclic group containing -O-SO 2 - in its ring backbone, that is, a sultone in which -OS- in -O-SO 2 - forms part of the ring backbone. ) is preferably a cyclic group containing a ring.

-SO2- 함유 고리형기로서, 보다 구체적으로는, 하기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.More specifically, examples of the -SO 2 - containing cyclic group include groups represented by the following general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4).

[화학식 27] [Formula 27]

Figure 112020065141654-pct00027
Figure 112020065141654-pct00027

[식 중, Ra'51 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기 또는 시아노기이다. R" 는 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이다. A" 는 산소 원자 혹은 황 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이다.[wherein, Ra' 51 is each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR", -OC(=O)R", a hydroxyalkyl group or a cyano group. R" is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone containing cyclic group, a carbonate containing cyclic group, or a -SO 2 - containing cyclic group. A" is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, oxygen atom or sulfur atom.

n' 는 0 ∼ 2 의 정수이다.] n' is an integer of 0 to 2.]

상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-2) 중, A" 는, 상기 일반식 (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) 중의 A" 와 동일하다.In the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-2), A" is the general formulas (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) Same as "A" in

Ra'51 에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기로는, 각각 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 중의 Ra'21 에 대한 설명에서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다.The alkyl group, alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group, -COOR", -OC(=O)R", and hydroxyalkyl group for Ra' 51 are, respectively, from the above general formulas (a2-r-1) to (a2). -r-7), the same as those mentioned in the description for Ra' 21 can be mentioned.

하기에 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다. 식 중의 「Ac」는, 아세틸기를 나타낸다.Specific examples of groups each represented by the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) below are given. "Ac" in a formula represents an acetyl group.

[화학식 28] [Formula 28]

Figure 112020065141654-pct00028
Figure 112020065141654-pct00028

[화학식 29] [Formula 29]

Figure 112020065141654-pct00029
Figure 112020065141654-pct00029

[화학식 30] [Formula 30]

Figure 112020065141654-pct00030
Figure 112020065141654-pct00030

「카보네이트 함유 고리형기」란, 그 고리 골격 중에 -O-C(=O)-O- 를 포함하는 고리 (카보네이트 고리) 를 함유하는 고리형기를 나타낸다. 카보네이트 고리를 첫 번째의 고리로서 세고, 카보네이트 고리만인 경우에는 단고리형기, 또 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 관계없이 다고리형기라고 칭한다. 카보네이트 함유 고리형기는, 단고리형기여도 되고, 다고리형기여도 된다.The "carbonate-containing cyclic group" refers to a cyclic group containing a ring (carbonate ring) containing -O-C(=O)-O- in its cyclic skeleton. The carbonate ring is counted as the first ring, and when it is only a carbonate ring, it is called a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of its structure. The carbonate-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.

카보네이트 고리 함유 고리형기로는, 특별히 한정되는 일 없이 임의의 것이 사용 가능하다. 구체적으로는, 하기 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.The carbonate ring-containing cyclic group is not particularly limited, and any one can be used. Specific examples thereof include groups represented by the following general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3).

[화학식 31] [Formula 31]

Figure 112020065141654-pct00031
Figure 112020065141654-pct00031

[식 중, Ra'x31 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기 또는 시아노기이다. R" 는, 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이다. A" 는 산소 원자 혹은 황 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이다. p' 는 0 ∼ 3 의 정수이며, q' 는 0 또는 1 이다.] [wherein, Ra' x 31 is each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR", -OC(=O)R", a hydroxyalkyl group or a cyano group. R" is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone containing cyclic group, a carbonate containing cyclic group, or a -SO 2 - containing cyclic group. A" is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom; an oxygen atom or a sulfur atom. p' is an integer from 0 to 3, and q' is 0 or 1.]

상기 일반식 (ax3-r-2) ∼ (ax3-r-3) 중, A" 는, 상기 일반식 (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) 중의 A" 와 동일하다.In the general formulas (ax3-r-2) to (ax3-r-3), A" is the general formulas (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) Same as "A" in

Ra'31 에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기로는, 각각 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 중의 Ra'21 에 대한 설명에서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다. The alkyl group, alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group, -COOR", -OC(=O)R", and hydroxyalkyl group for Ra' 31 are, respectively, from the above general formulas (a2-r-1) to (a2). -r-7), the same as those mentioned in the description for Ra' 21 can be mentioned.

하기에 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다.Specific examples of groups each represented by the general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3) below are given.

[화학식 32] [Formula 32]

Figure 112020065141654-pct00032
Figure 112020065141654-pct00032

구성 단위 (a2) 로는, 그 중에서도, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.As the structural unit (a2), a structural unit derived from an acrylic acid ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent is preferable.

이러한 구성 단위 (a2) 의 바람직한 구체예로는, 하기 일반식 (a2-1) 로 나타내는 구성 단위를 들 수 있다.As a preferable specific example of such a structural unit (a2), the structural unit represented by the following general formula (a2-1) is mentioned.

[화학식 33] [Formula 33]

Figure 112020065141654-pct00033
Figure 112020065141654-pct00033

[식 중, R 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다. Ya21 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다. La21 은 -O-, -COO-, -CON(R')-, -OCO-, -CONHCO- 또는 -CONHCS- 이며, R' 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 단, La21 이 -O- 인 경우, Ya21 은 -CO- 로는 되지 않는다. Ra21 은, 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기이다.] [In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Ya 21 is a single bond or a divalent linking group. La 21 is -O-, -COO-, -CON(R')-, -OCO-, -CONHCO- or -CONHCS-, and R' represents a hydrogen atom or a methyl group. However, when La 21 is -O-, Ya 21 does not become -CO-. Ra 21 is a lactone-containing cyclic group, —SO 2 ——containing cyclic group, or carbonate-containing cyclic group.]

상기 식 (a2-1) 중, R 은 상기와 동일하다.In the formula (a2-1), R is the same as above.

R 로는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기가 바람직하고, 공업상의 입수의 용이함으로부터, 수소 원자 또는 메틸기가 특히 바람직하다.As R, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and from the viewpoint of industrial availability, a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable.

상기 식 (a2-1) 중, Ya21 의 2 가의 연결기로는, 특별히 한정되지 않지만, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.In the formula (a2-1), the divalent linking group for Ya 21 is not particularly limited, and preferable examples include a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom, and the like.

Ya21 에 있어서의 2 가의 탄화수소기로는, 상기 서술한 식 (a1-1) 중의 Va1 에 있어서의 2 가의 탄화수소기에 대한 설명에서 든 기와 동일한 것을 들 수 있다. Ya21 에 있어서의 2 가의 탄화수소기가 가지고 있어도 되는 치환기로는, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기, 수산기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.Examples of the divalent hydrocarbon group for Ya 21 include the same groups as described for the divalent hydrocarbon group for Va 1 in formula (a1-1) described above. As a substituent which the divalent hydrocarbon group in Ya 21 may have, a C1-C5 alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a C1-C5 halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, etc. are mentioned, for example.

Ya21 에 있어서의, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기의 바람직한 것으로는, 예를 들어, -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다.), -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-, 일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22-, -Y21-O-C(=O)-Y22- 또는 -Y21-S(=O)2-O-Y22- 로 나타내는 기 [식 중, Y21 및 Y22 는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이며, O 는 산소 원자이며, m" 는 0 ∼ 3 의 정수이다.] 등을 들 수 있다.Preferred examples of the divalent linking group containing a hetero atom for Ya 21 include -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -OC(=O). )-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group.), -S-, -S(=O) 2 -, -S(=O) 2 -O-, general formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(=O)-O-, -C(=O)-OY 21 -, -[Y 21 -C(=O)-O] m" -Y 22 -, -Y 21 -OC(=O)-Y 22 - or -Y 21 -S (=O) a group represented by 2 -OY 22 - [wherein Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, O is an oxygen atom, and m" is an integer of 0 to 3 is.] and the like.

상기 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기가 -C(=O)-NH-, -C(=O)-NH-C(=O)-, -NH-, -NH-C(=NH)- 인 경우, 그 H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기 (알킬기, 아실기 등) 는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 8 인 것이 더욱 바람직하고, 1 ∼ 5 인 것이 특히 바람직하다.The divalent linking group containing the hetero atom is -C(=O)-NH-, -C(=O)-NH-C(=O)-, -NH-, -NH-C(=NH)- In this case, H may be substituted with substituents, such as an alkyl group and an acyl group. It is preferable that carbon number is 1-10, as for the substituent (an alkyl group, an acyl group, etc.), it is more preferable that it is 1-8, It is especially preferable that it is 1-5.

일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22-, -Y21-O-C(=O)-Y22- 또는 -Y21-S(=O)2-O-Y22- 중, Y21 및 Y22 는, 각각 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다. 그 2 가의 탄화수소기로는, 상기 2 가의 연결기로서의 설명에서 든 (치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기) 와 동일한 것을 들 수 있다.Formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(=O)-O-, -C(=O)-OY 21 -, -[Y 21 -C(=O )-O] m" -Y 22 -, -Y 21 -OC(=O)-Y 22 - or -Y 21 -S(=O) 2 -OY 22 -, wherein Y 21 and Y 22 are each independently and may have a substituent, is a divalent hydrocarbon group.The divalent hydrocarbon group includes the same as (divalent hydrocarbon group which may have a substituent) in the description of the divalent linking group.

Y21 로는, 직사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 직사슬형의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬렌기가 더욱 바람직하고, 메틸렌기 또는 에틸렌기가 특히 바람직하다. As Y 21 , a linear aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is still more preferable, and a methylene group or an ethylene group is particularly preferable.

Y22 로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기 또는 알킬메틸렌기가 보다 바람직하다. 그 알킬메틸렌기에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 의 직사슬형의 알킬기가 보다 바람직하고, 메틸기가 가장 바람직하다.As Y 22 , a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable, and a methylene group, an ethylene group, or an alkylmethylene group is more preferable. A C1-C5 linear alkyl group is preferable, as for the alkyl group in this alkylmethylene group, a C1-C3 linear alkyl group is more preferable, A methyl group is the most preferable.

식 -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22- 로 나타내는 기에 있어서, m" 는 0 ∼ 3 의 정수이며, 0 ∼ 2 의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1 이 보다 바람직하고, 1 이 특히 바람직하다. 요컨대, 식 -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22- 로 나타내는 기로는, 식 -Y21-C(=O)-O-Y22- 로 나타내는 기가 특히 바람직하다. 그 중에서도, 식 -(CH2)a'-C(=O)-O-(CH2)b'- 로 나타내는 기가 바람직하다. 그 식 중, a' 는, 1 ∼ 10 의 정수이며, 1 ∼ 8 의 정수가 바람직하고, 1 ∼ 5 의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다. b' 는, 1 ∼ 10 의 정수이며, 1 ∼ 8 의 정수가 바람직하고, 1 ∼ 5 의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다.In the group represented by the formula -[Y 21 -C(=O)-O] m" -Y 22 -, m" is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1 and 1 is particularly preferred. That is, the group represented by the formula -[Y 21 -C(=O)-O] m" -Y 22 - is particularly preferably a group represented by the formula -Y 21 -C(=O)-OY 22 -. Among these, the group represented by the formula -Y 21 -C(=O)-OY 22 - , a group represented by the formula -(CH 2 ) a' -C(=O)-O-(CH 2 ) b' - is preferable, wherein a' is an integer of 1 to 10, and 1 to 8 An integer is preferable, an integer of 1 to 5 is more preferable, 1 or 2 is still more preferable, and most preferably 1. b' is an integer of 1-10, preferably an integer of 1-8, 1 The integer of -5 is more preferable, 1 or 2 is still more preferable, and 1 is the most preferable.

Ya21 로는, 단결합, 에스테르 결합 [-C(=O)-O-], 에테르 결합 (-O-), 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬렌기, 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다.Ya 21 is preferably a single bond, an ester bond [-C(=O)-O-], an ether bond (-O-), a linear or branched alkylene group, or a combination thereof.

상기 식 (a2-1) 중, La21 은, -O-, -COO-, -CON(R')-, -OCO-, -CONHCO- 또는 -CONHCS- 이다.In said formula (a2-1), La 21 is -O-, -COO-, -CON(R')-, -OCO-, -CONHCO-, or -CONHCS-.

R' 는, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.R' represents a hydrogen atom or a methyl group.

단, La21 이 -O- 인 경우, Ya21 은 -CO- 로는 되지 않는다.However, when La 21 is -O-, Ya 21 does not become -CO-.

상기 식 (a2-1) 중, Ra21 은, 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기이다.In the formula (a2-1), Ra 21 is a lactone-containing cyclic group, —SO 2 ——containing cyclic group, or carbonate-containing cyclic group.

Ra21 에 있어서의 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기로는, 각각, 상기 서술한 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기, 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기, 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기를 바람직하게 들 수 있다.The lactone-containing cyclic group, -SO 2 --containing cyclic group, and carbonate-containing cyclic group for Ra 21 are each represented by the above general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), respectively. group, a group each represented by the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), and a group each represented by the general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3) are preferably mentioned. .

그 중에서도, Ra21 은, 락톤 함유 고리형기 또는 -SO2- 함유 고리형기가 바람직하고, 상기 일반식 (a2-r-1), (a2-r-2), (a2-r-6) 또는 (a5-r-1) 로 각각 나타내는 기가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 상기 화학식 (r-lc-1-1) ∼ (r-lc-1-7), (r-lc-2-1) ∼ (r-lc-2-18), (r-lc-6-1), (r-sl-1-1), (r-sl-1-18) 로 각각 나타내는, 어느 기가 보다 바람직하다.Among them, Ra 21 is preferably a lactone-containing cyclic group or a -SO 2 --containing cyclic group, and is represented by the general formulas (a2-r-1), (a2-r-2), (a2-r-6), or The groups each represented by (a5-r-1) are more preferable. Specifically, the above formulas (r-lc-1-1) to (r-lc-1-7), (r-lc-2-1) to (r-lc-2-18), (r-lc Any group represented by -6-1), (r-sl-1-1) and (r-sl-1-18) is more preferable.

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a2) 는, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.(A1) The number of structural units (a2) which a component has may be 1 type, or 2 or more types may be sufficient as it.

(A1) 성분이 구성 단위 (a2) 를 갖는 경우, 구성 단위 (a2) 의 비율은, 그 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰%) 에 대해, 1 ∼ 80 몰% 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 70 몰% 인 것이 보다 바람직하고, 5 ∼ 60 몰% 인 것이 더욱 바람직하고, 10 ∼ 50 몰% 인 것이 더욱 바람직하다.When the component (A1) has a structural unit (a2), the proportion of the structural unit (a2) is 1-80 mol% with respect to the total (100 mol%) of all structural units constituting the component (A1). It is preferable, and it is more preferable that it is 3-70 mol%, It is still more preferable that it is 5-60 mol%, It is still more preferable that it is 10-50 mol%.

구성 단위 (a2) 의 비율이, 상기 바람직한 범위의 하한값 이상이면, 구성 단위 (a2) 를 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 한편, 상기 바람직한 범위의 상한값 이하이면, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡을 수 있어, 여러 가지 리소그래피 특성 및 패턴 형상이 양호해진다.When the ratio of the structural unit (a2) is equal to or greater than the lower limit of the preferred range, the effect of containing the constituent unit (a2) is sufficiently obtained. can be grasped, and various lithographic properties and pattern shapes are improved.

··구성 단위 (a3) ··Constituting unit (a3)

(A1) 성분은, 구성 단위 (a10), 구성 단위 (a4) 및 구성 단위 (a1) 에 더하여, 필요에 따라, 추가로, 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 구성 단위 (a3) 을 가져도 된다 (단, 상기 서술한 구성 단위 (a0), 구성 단위 (a1), 구성 단위 (a2) 중 어느 것에 해당하는 것을 제외한다).(A1) component, in addition to the structural unit (a10), the structural unit (a4) and the structural unit (a1), if necessary, may further have a structural unit (a3) containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group ( However, the thing corresponding to any of the structural unit (a0), structural unit (a1), and structural unit (a2) mentioned above is excluded).

(A1) 성분이 구성 단위 (a3) 을 가짐으로써, (A) 성분의 친수성이 높아지고, 해상성의 향상에 기여한다.(A1) When component has a structural unit (a3), the hydrophilicity of (A) component becomes high, and it contributes to the improvement of resolution.

극성기로는, 수산기, 시아노기, 카르복시기, 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기 등을 들 수 있고, 특히 수산기가 바람직하다.Examples of the polar group include a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, and a hydroxyalkyl group in which a part of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms, and a hydroxyl group is particularly preferable.

지방족 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 탄화수소기 (바람직하게는 알킬렌기) 나, 고리형의 지방족 탄화수소기 (고리형기) 를 들 수 있다. 그 고리형기로는, 단고리형기여도 되고 다고리형기여도 되고, 예를 들어 ArF 엑시머 레이저용 레지스트 조성물용의 수지에 있어서 다수 제안되어 있는 것 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 그 고리형기로는 다고리형기가 바람직하고, 탄소수는 7 ∼ 30 인 것이 보다 바람직하다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (preferably an alkylene group) and a cyclic aliphatic hydrocarbon group (cyclic group). The cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group, and may be appropriately selected from among many proposed resins for resist compositions for ArF excimer lasers, for example. The cyclic group is preferably a polycyclic group, more preferably 7 to 30 carbon atoms.

그 중에서도, 수산기, 시아노기, 카르복시기, 또는 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기를 함유하는 지방족 다고리형기를 포함하는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 보다 바람직하다. 그 다고리형기로는, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 구체적으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다. 이들 다고리형기 중에서도, 아다만탄으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 노르보르난으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 테트라시클로도데칸으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 공업상 바람직하다.Among them, a structural unit derived from an acrylic acid ester containing an aliphatic polycyclic group containing a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, or a hydroxyalkyl group in which a part of the hydrogen atoms of the alkyl group is substituted with a fluorine atom is more preferable. Examples of the polycyclic group include a group obtained by removing two or more hydrogen atoms from a bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, or the like. Specific examples thereof include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane and tetracyclododecane. Among these polycyclic groups, a group obtained by removing two or more hydrogen atoms from adamantane, a group obtained by removing two or more hydrogen atoms from norbornane, and a group obtained by removing two or more hydrogen atoms from tetracyclododecane are industrially preferable.

구성 단위 (a3) 으로는, 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 것이면 특별히 한정되는 일없이 임의의 것이 사용 가능하다.As a structural unit (a3), if it contains a polar group containing aliphatic hydrocarbon group, it will not specifically limit, Any arbitrary thing can be used.

구성 단위 (a3) 으로는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위이고, 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 구성 단위가 바람직하다. The structural unit (a3) is a structural unit derived from an acrylic acid ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and a structural unit containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group is preferable.

구성 단위 (a3) 으로는, 극성기 함유 지방족 탄화수소기에 있어서의 탄화수소기가 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 탄화수소기일 때는, 아크릴산의 하이드록시에틸에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하고, 그 탄화수소기가 다고리형기일 때는, 하기 식 (a3-1) 로 나타내는 구성 단위, 식 (a3-2) 로 나타내는 구성 단위, 식 (a3-3) 으로 나타내는 구성 단위를 바람직한 것으로서 들 수 있다.As the structural unit (a3), when the hydrocarbon group in the polar group-containing aliphatic hydrocarbon group is a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a structural unit derived from hydroxyethyl ester of acrylic acid is preferable, When the hydrocarbon group is a polycyclic group, preferred examples include a structural unit represented by the following formula (a3-1), a structural unit represented by the formula (a3-2), and a structural unit represented by the formula (a3-3).

[화학식 34] [Formula 34]

Figure 112020065141654-pct00034
Figure 112020065141654-pct00034

[식 중, R 은 상기와 동일하고, j 는 1 ∼ 3 의 정수이며, k 는 1 ∼ 3 의 정수이며, t' 는 1 ∼ 3 의 정수이며, l 은 1 ∼ 5 의 정수이며, s 는 1 ∼ 3 의 정수이다.] [wherein, R is the same as above, j is an integer of 1 to 3, k is an integer of 1 to 3, t' is an integer of 1 to 3, l is an integer of 1 to 5, and s is It is an integer from 1 to 3.]

식 (a3-1) 중, j 는, 1 또는 2 인 것이 바람직하고, 1 인 것이 더욱 바람직하다. j 가 2 인 경우, 수산기가, 아다만틸기의 3 위치와 5 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다. j 가 1 인 경우, 수산기가, 아다만틸기의 3 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-1), it is preferable that it is 1 or 2, and, as for j, it is more preferable that it is 1. When j is 2, it is preferable that the hydroxyl group is couple|bonded with the 3-position and 5-position of an adamantyl group. When j is 1, it is preferable that the hydroxyl group is couple|bonded with the 3-position of an adamantyl group.

j 는 1 인 것이 바람직하고, 수산기가, 아다만틸기의 3 위치에 결합하고 있는 것이 특히 바람직하다.It is preferable that j is 1, and it is especially preferable that the hydroxyl group is couple|bonded at the 3-position of an adamantyl group.

식 (a3-2) 중, k 는 1 인 것이 바람직하다. 시아노기는, 노르보르닐기의 5 위치 또는 6 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-2), it is preferable that k is 1. It is preferable that the cyano group is couple|bonded with the 5-position or 6-position of a norbornyl group.

식 (a3-3) 중, t' 는 1 인 것이 바람직하다. l 은 1 인 것이 바람직하다. s 는 1 인 것이 바람직하다. 이들은, 아크릴산의 카르복시기의 말단에, 2-노르보르닐기 또는 3-노르보르닐기가 결합하고 있는 것이 바람직하다. 불소화알킬알코올은, 노르보르닐기의 5 또는 6 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-3), it is preferable that t' is 1. l is preferably 1. s is preferably 1. As for these, it is preferable that the 2-norbornyl group or 3-norbornyl group couple|bonded with the terminal of the carboxy group of acrylic acid. The fluorinated alkyl alcohol is preferably bonded to the 5 or 6 position of the norbornyl group.

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a3) 은, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다. (A1) The number of structural units (a3) which a component has may be 1 type, or 2 or more types may be sufficient as it.

(A1) 성분이 구성 단위 (a3) 을 갖는 경우, 구성 단위 (a3) 의 비율은, 당해 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰%) 에 대해, 1 ∼ 50 몰% 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 40 몰% 인 것이 보다 바람직하고, 5 ∼ 30 몰% 인 것이 더욱 바람직하고, 10 ∼ 30 몰% 가 특히 바람직하다.When the component (A1) has a structural unit (a3), the proportion of the structural unit (a3) is 1 to 50 mol% with respect to the total (100 mol%) of all structural units constituting the component (A1). It is preferable that it is 3-40 mol%, It is more preferable that it is 5-30 mol%, It is still more preferable, 10-30 mol% is especially preferable.

구성 단위 (a3) 의 비율을, 바람직한 하한값 이상으로 함으로써, 레지스트 패턴 형성에 있어서 해상성이 보다 높아진다. 한편, 바람직한 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡기 쉬워진다.When the ratio of the structural unit (a3) is equal to or more than a preferable lower limit, resolution becomes higher in resist pattern formation. On the other hand, by setting it as below a preferable upper limit, it becomes easy to balance with another structural unit.

··스티렌 또는 그 유도체로부터 유도되는 구성 단위 (구성 단위 (st)) -Structural unit derived from styrene or its derivative (structural unit (st))

「스티렌」이란, 스티렌 및 스티렌의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화알킬기 등의 치환기로 치환된 것도 포함하는 개념으로 한다. 여기서의 치환기로서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 들 수 있고, 그 치환기로서의 할로겐화알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기를 들 수 있다. "Styrene" is a concept including those in which the hydrogen atom at the α-position of styrene and styrene is substituted with a substituent such as an alkyl group or a halogenated alkyl group. Examples of the alkyl group as the substituent here include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and the halogenated alkyl group as the substituent includes a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

「스티렌 유도체」로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 스티렌의 벤젠 고리에 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다.Examples of the "styrene derivative" include those in which a substituent is bonded to a benzene ring of styrene in which the hydrogen atom at the α-position may be substituted with a substituent.

또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 기재가 없는 한, 벤젠 고리가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.In addition, the α-position (a carbon atom at the α-position) refers to a carbon atom to which the benzene ring is bonded, unless otherwise specified.

「스티렌으로부터 유도되는 구성 단위」, 「스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」란, 스티렌 또는 스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다."Structural unit derived from styrene" and "structural unit derived from a styrene derivative" mean a structural unit constituted by cleavage of an ethylenic double bond of styrene or a styrene derivative.

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (st) 는, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.(A1) The number of structural units (st) which a component has may be 1 type, or 2 or more types may be sufficient as it.

(A1) 성분이 구성 단위 (st) 를 갖는 경우, 구성 단위 (st) 의 비율은, 그 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰%) 에 대해, 1 ∼ 30 몰% 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 20 몰% 인 것이 보다 바람직하다.When the component (A1) has a structural unit (st), the proportion of the structural unit (st) is 1 to 30 mol% with respect to the total (100 mol%) of all structural units constituting the component (A1). It is preferable, and it is more preferable that it is 3-20 mol%.

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (A1) 성분인 수지 성분은, 구성 단위 (a10) 과 구성 단위 (a4) 와 구성 단위 (a1) 을 갖는 것이며, 중합체의 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.In the resist composition of the present embodiment, the resin component as the component (A1) has a structural unit (a10), a structural unit (a4), and a structural unit (a1), and one type of polymer may be used alone, You may use 2 or more types together.

바람직한 (A1) 성분으로는, 구성 단위 (a10) 과 구성 단위 (a4) 와 구성 단위 (a1) 을 갖는 공중합체를 들 수 있고, 이 중에서도 구성 단위 (a10) 과 구성 단위 (a4) 와 구성 단위 (a1) 로 이루어지는 공중합체가 특히 바람직하다.As a preferable component (A1), the copolymer which has a structural unit (a10), a structural unit (a4), and a structural unit (a1) is mentioned, Among these, a structural unit (a10), a structural unit (a4), and a structural unit A copolymer consisting of (a1) is particularly preferred.

(A1) 성분의 중량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은, 5000 ∼ 30000 이 바람직하고, 6000 ∼ 25000 이 보다 바람직하고, 10000 ∼ 20000 이 더욱 바람직하다.(A1) 5000-30000 are preferable, as for the weight average molecular weight (Mw) (based on polystyrene conversion by gel permeation chromatography (GPC)) of component, 6000-25000 are more preferable, 10000-20000 are still more preferable .

(A1) 성분의 Mw 가 상기 바람직한 범위의 상한값 이하이면, 레지스트 조성물의 점도가 지나치게 높아지는 것을 억제하기 쉬워진다. 또한, 레지스트로서 사용하는 데에 충분한 레지스트 용제에의 용해성이 있고, 상기 바람직한 범위의 하한값 이상이면, 고막두께의 레지스트막이 용이하게 형성된다. 또한, 내드라이 에칭성이나 레지스트 패턴 단면 형상이 보다 양호해진다.When the Mw of the component (A1) is equal to or less than the upper limit of the above preferred range, it is easy to suppress excessively high viscosity of the resist composition. In addition, if there is sufficient solubility in a resist solvent for use as a resist, and it is more than the lower limit of the said preferable range, a high-thickness resist film is easily formed. Moreover, dry etching resistance and resist pattern cross-sectional shape become more favorable.

(A1) 성분의 분산도 (Mw/Mn) 는, 특별히 한정되지 않고, 1.0 ∼ 4.0 이 바람직하고, 1.0 ∼ 3.0 이 보다 바람직하고, 1.5 ∼ 2.5 가 특히 바람직하다. 또한, Mn 은 수평균 분자량을 나타낸다.(A1) The dispersion degree (Mw/Mn) of a component is not specifically limited, 1.0-4.0 are preferable, 1.0-3.0 are more preferable, 1.5-2.5 are especially preferable. In addition, Mn represents a number average molecular weight.

(A1) 성분은, 예를 들어, 구성 단위 (a10) 을 유도하는 모노머 (벤젠 고리에 결합한 수산기에 있어서의 수소 원자의 적어도 일부가 보호된 모노머) 와, 구성 단위 (a4) 를 유도하는 모노머와, 구성 단위 (a1) 을 유도하는 모노머와, 필요에 따라 기타 구성 단위를 유도하는 모노머를 중합 용매에 용해하고, 여기에, 예를 들어 아조비스이소부티로니트릴 (AIBN), 아조비스이소부티르산디메틸 (예를 들어 V-601 등) 등의 라디칼 중합 개시제를 첨가하여 중합하고, 그 후, 탈보호 반응을 실시함으로써 제조할 수 있다.The component (A1) is, for example, a monomer that induces the structural unit (a10) (a monomer in which at least a part of the hydrogen atoms in the hydroxyl group bonded to the benzene ring is protected), and a monomer that induces the structural unit (a4); , A monomer for deriving the structural unit (a1) and, if necessary, a monomer for deriving other structural units are dissolved in a polymerization solvent, and thereto, for example, azobisisobutyronitrile (AIBN), dimethyl azobisisobutyrate It can manufacture by adding radical polymerization initiators, such as (For example, V-601 etc.), superposing|polymerizing, and performing a deprotection reaction after that.

또한, 중합 시에, 예를 들어, HS-CH2-CH2-CH2-C(CF3)2-OH 와 같은 연쇄 이동제를 병용하여 사용함으로써, 말단에 -C(CF3)2-OH 기를 도입해도 된다. 이와 같이, 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기가 도입된 공중합체는, 현상 결함의 저감이나 LER (라인 에지 러프니스 : 라인 측벽의 불균일한 요철) 의 저감에 유효하다.Further, at the time of polymerization, for example, by using in combination with a chain transfer agent such as HS-CH 2 -CH 2 -CH 2 -C(CF 3 ) 2 -OH, -C(CF 3 ) 2 -OH at the terminal may be introduced. As described above, the copolymer introduced with a hydroxyalkyl group in which a part of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms is effective in reducing development defects and LER (line edge roughness: unevenness of line sidewalls).

레지스트 조성물이 함유하는 (A1) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. The component (A1) contained in the resist composition may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

(A) 성분 중의 (A1) 성분의 비율은, (A) 성분의 총질량에 대해, 25 질량% 이상이 바람직하고, 50 질량% 이상이 보다 바람직하고, 75 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 100 질량% 여도 된다. (A1) 성분의 비율이 상기 바람직한 범위의 하한값 이상이면, 고감도화나, 해상성, 지지체면 (Shot) 내의 치수 균일성 (CDU), 기타 리소그래피 특성이 우수한, 양호한 형상의 레지스트 패턴이 형성되기 쉬워진다.25 mass % or more is preferable with respect to the total mass of (A) component, as for the ratio of (A1) component in (A) component, 50 mass % or more is more preferable, 75 mass % or more is still more preferable, 100 It may be mass %. When the ratio of the component (A1) is equal to or greater than the lower limit of the preferred range, a resist pattern having a good shape with excellent resolution, resolution, dimensional uniformity (CDU) within the support surface (Shot), and other lithography characteristics is easily formed. .

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서의 (A) 성분은, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 수지 성분이고, (A1) 성분 이외의 수지 성분을 포함해도 된다.The component (A) in the resist composition of the present embodiment is a resin component whose solubility in a developer changes due to the action of an acid, and may contain a resin component other than component (A1).

본 실시형태의 레지스트 조성물 중, (A) 성분의 함유량은, 형성하고자 하는 레지스트막 두께 등에 따라 적절히 조정하면 된다.In the resist composition of the present embodiment, the content of component (A) may be appropriately adjusted according to the thickness of the resist film to be formed or the like.

≪기타 성분≫ ≪Other Ingredients≫

본 실시형태의 레지스트 조성물은, 상기 서술한 (A) 성분에 더하여, 그 (A) 성분 이외의 기타 성분을 추가로 함유해도 된다. 기타 성분으로는, 예를 들어, 이하에 나타내는 (B) 성분, (D) 성분, (E) 성분, (F) 성분, (S) 성분 등을 들 수 있다.The resist composition of the present embodiment may further contain components other than the component (A) in addition to the component (A) described above. As other components, (B) component, (D) component, (E) component, (F) component, (S) component etc. which are shown below are mentioned, for example.

·산 발생제 성분 (B) 에 대해 ・About the acid generator component (B)

본 실시형태의 레지스트 조성물은, (A) 성분에 더하여, 추가로, 산 발생제 성분 (이하 「(B) 성분」이라고 한다.) 을 함유해도 된다.The resist composition of the present embodiment may contain, in addition to the component (A), an acid generator component (hereinafter referred to as “component (B)”).

(B) 성분으로는, 특별히 한정되지 않고, 지금까지 화학 증폭형 레지스트용의 산 발생제로서 제안되어 있는 것을 사용할 수 있다.The component (B) is not particularly limited, and those previously proposed as acid generators for chemically amplified resists can be used.

이와 같은 산 발생제로는, 요오드늄염이나 술포늄염 등의 오늄염계 산 발생제, 옥심술포네이트계 산 발생제 ; 비스알킬 또는 비스아릴술포닐디아조메탄류, 폴리(비스술포닐)디아조메탄류 등의 디아조메탄계 산 발생제 ; 니트로벤질술포네이트계 산 발생제, 이미노술포네이트계 산 발생제, 디술폰계 산 발생제 등 다종의 것을 들 수 있다. 그 중에서도, 오늄염계 산 발생제를 사용하는 것이 바람직하다.As such an acid generator, Onium salt-type acid generators, such as an iodonium salt and a sulfonium salt, an oxime sulfonate-type acid generator; diazomethane-based acid generators such as bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes and poly(bissulfonyl)diazomethanes; and various kinds of nitrobenzylsulfonate-based acid generators, iminosulfonate-based acid generators, and disulfone-based acid generators. Especially, it is preferable to use an onium salt type acid generator.

오늄염계 산 발생제로는, 예를 들어, 하기 일반식 (b-1) 로 나타내는 화합물 (이하 「(b-1) 성분」이라고도 한다), 일반식 (b-2) 로 나타내는 화합물 (이하 「(b-2) 성분」이라고도 한다) 또는 일반식 (b-3) 으로 나타내는 화합물 (이하 「(b-3) 성분」이라고도 한다) 을 사용할 수 있다.Examples of the onium salt-based acid generator include a compound represented by the following general formula (b-1) (hereinafter also referred to as “component (b-1)”), a compound represented by general formula (b-2) (hereinafter referred to as “( b-2) component") or a compound represented by the general formula (b-3) (hereinafter also referred to as "(b-3) component") can be used.

[화학식 35] [Formula 35]

Figure 112020065141654-pct00035
Figure 112020065141654-pct00035

[식 중, R101, R104 ∼ R108 은 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. R104, R105 는, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.[Wherein, R 101 , R 104 to R 108 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring.

R102 는 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. Y101 은 단결합 또는 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기이다. V101 ∼ V103 은 각각 독립적으로 단결합, 알킬렌기 또는 불소화 알킬렌기이다. L101 ∼ L102 는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다. L103 ∼ L105 는 각각 독립적으로 단결합, -CO- 또는 -SO2- 이다. m 은 1 이상의 정수이고, M'm+ 는 m 가의 오늄 카티온이다.] R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Y 101 is a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom. V 101 to V 103 each independently represent a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. L 101 to L 102 are each independently a single bond or an oxygen atom. L 103 to L 105 each independently represent a single bond, -CO-, or -SO 2 -. m is an integer greater than or equal to 1, and M' m+ is an m-valent onium cation.]

{아니온부} {Anion part}

·(b-1) 성분의 아니온부 -(b-1) anion part of component

식 (b-1) 중, R101 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다.In formula (b-1), R 101 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent.

치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기 : Cyclic group which may have a substituent:

그 고리형기는, 고리형의 탄화수소기인 것이 바람직하고, 그 고리형의 탄화수소기는, 방향족 탄화수소기여도 되고, 지방족 탄화수소기여도 된다. 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 가지지 않는 탄화수소기를 의미한다. 또, 지방족 탄화수소기는, 포화여도 되고, 불포화여도 되고, 통상은 포화인 것이 바람직하다. The cyclic group is preferably a cyclic hydrocarbon group, and the cyclic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group. An aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group which does not have aromaticity. Moreover, saturated or unsaturated may be sufficient as an aliphatic hydrocarbon group, and it is preferable that it is usually saturated.

R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 갖는 탄화수소기이다. 그 방향족 탄화수소기의 탄소수는 3 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 30 이 보다 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 20 이 더욱 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 15 가 특히 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 단, 그 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다.The aromatic hydrocarbon group for R 101 is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The aromatic hydrocarbon group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30 carbon atoms, still more preferably 5 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 15 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms. . However, carbon number in a substituent shall not be included in the carbon number.

R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기가 갖는 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 비페닐, 또는 이들 방향 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.Specifically, as the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group for R 101 , benzene, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, biphenyl, or an aromatic heterocyclic ring in which a part of carbon atoms constituting these aromatic rings is substituted with a hetero atom. and the like. As a hetero atom in an aromatic heterocyclic ring, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned.

R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향 고리로부터 수소 원자를 하나 제거한 기 (아릴기 : 예를 들어 페닐기, 나프틸기 등), 상기 방향 고리의 수소 원자의 하나가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기 등) 등을 들 수 있다. 상기 알킬렌기 (아릴알킬기 중의 알킬 사슬) 의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 2 가 보다 바람직하고, 탄소수 1 이 특히 바람직하다.Specifically, the aromatic hydrocarbon group for R 101 is a group in which one hydrogen atom is removed from the aromatic ring (aryl group: for example, a phenyl group, a naphthyl group, etc.), and one hydrogen atom in the aromatic ring is substituted with an alkylene group groups (for example, arylalkyl groups such as benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc.) and the like. It is preferable that carbon number of the said alkylene group (the alkyl chain in an arylalkyl group) is 1-4, C1-C2 is more preferable, C1 is especially preferable.

R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기는, 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기를 들 수 있다.Examples of the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 include an aliphatic hydrocarbon group having a ring in its structure.

이 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 지환형 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기), 지환형 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 지환형 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in this structure include an alicyclic hydrocarbon group (a group in which one hydrogen atom has been removed from an aliphatic hydrocarbon ring), a group in which an alicyclic hydrocarbon group is bonded to the terminus of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. and a group in which the alicyclic hydrocarbon group is interposed in the middle of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group.

상기 지환형 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that carbon number is 3-20, and, as for the said alicyclic hydrocarbon group, it is more preferable that it is 3-12.

상기 지환형 탄화수소기는, 다고리형기여도 되고, 단고리형기여도 된다. 단고리형의 지환형 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환형 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 30 의 것이 바람직하다. 그 중에서도, 그 폴리시클로알칸으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 가교 고리계의 다고리형 골격을 갖는 폴리시클로알칸 ; 스테로이드 골격을 갖는 고리형기 등의 축합 고리계의 다고리형 골격을 갖는 폴리시클로알칸이 보다 바람직하다.The alicyclic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane is preferably a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from the polycycloalkane, and the polycycloalkane preferably has 7 to 30 carbon atoms. Among them, examples of the polycycloalkane include polycycloalkanes having a polycyclic skeleton of a bridged ring system such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane and tetracyclododecane; A polycycloalkane having a polycyclic skeleton of a condensed ring system such as a cyclic group having a steroid skeleton is more preferable.

그 중에서도, R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기로는, 모노시클로알칸 또는 폴리시클로알칸으로부터 수소 원자를 하나 이상 제거한 기가 바람직하고, 폴리시클로알칸으로부터 수소 원자를 하나 제거한 기가 보다 바람직하고, 아다만틸기, 노르보르닐기가 특히 바람직하고, 아다만틸기가 가장 바람직하다.Among them, the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 is preferably a group in which one or more hydrogen atoms are removed from monocycloalkane or polycycloalkane, more preferably a group in which one hydrogen atom is removed from polycycloalkane, and adamant A tyl group and a norbornyl group are especially preferable, and an adamantyl group is most preferable.

지환형 탄화수소기에 결합해도 되는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 이 특히 바람직하다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group which may be bonded to the alicyclic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, still more preferably 1 to 4 carbon atoms, and still more preferably has 1 carbon atom. to 3 are particularly preferred.

직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], a trimethylene group [-( CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -], and the like.

분기 사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기 사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.The branched chain aliphatic hydrocarbon group is preferably a branched chain alkylene group, specifically, -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, Alkylmethylene groups, such as -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, -C(CH 2 CH 3 ) 2 -; -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 -, -C(CH 2 CH 3 ) alkylethylene groups such as 2 -CH 2 -; Alkyltrimethylene groups, such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -; Alkylalkylene groups, such as alkyltetramethylene groups, such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, etc. are mentioned. As the alkyl group in the alkylalkylene group, a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable.

또, R101 에 있어서의 고리형의 탄화수소기는, 복소 고리 등과 같이 헤테로 원자를 포함해도 된다. 구체적으로는, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기, 그 외 하기 화학식 (r-hr-1) ∼ (r-hr-16) 으로 각각 나타내는 복소 고리형기를 들 수 있다.Moreover, the cyclic hydrocarbon group for R 101 may contain a hetero atom like a heterocyclic ring. Specifically, the lactone-containing cyclic groups represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), and the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), respectively -SO 2 - containing cyclic group shown, and a heterocyclic group respectively represented by the following formulas (r-hr-1) to (r-hr-16) are mentioned.

[화학식 36] [Formula 36]

Figure 112020065141654-pct00036
Figure 112020065141654-pct00036

R101 의 고리형기에 있어서의 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, 카르보닐기, 니트로기 등을 들 수 있다. Examples of the substituent in the cyclic group of R 101 include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, and a nitro group.

치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기가 가장 바람직하다.As the alkyl group as the substituent, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group and tert-butyl group are most preferable.

치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group or tert-butoxy group, and a methoxy group , an ethoxy group is most preferred.

치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.As a halogen atom as a substituent, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.

치환기로서의 할로겐화알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기 등의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, for example, a group in which part or all of hydrogen atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group are substituted with the above halogen atoms. have.

치환기로서의 카르보닐기는, 고리형의 탄화수소기를 구성하는 메틸렌기 (-CH2-) 를 치환하는 기이다.The carbonyl group as a substituent is a group that substitutes for the methylene group (-CH 2 -) constituting the cyclic hydrocarbon group.

치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기 : A chain alkyl group which may have a substituent:

R101 의 사슬형의 알킬기로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형 중 어느 것이어도 된다.The linear alkyl group for R 101 may be either linear or branched.

직사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데카닐기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 이소트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 이소헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 이코실기, 헨이코실기, 도코실기 등을 들 수 있다.The linear alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decanyl group, an undecyl group, a dodecyl group, a tridecyl group, an isotridecyl group , tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, henicosyl group, docosyl group and the like.

분기 사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등을 들 수 있다.The branched alkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2 -Ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group, etc. are mentioned.

치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기 : A chain alkenyl group which may have a substituent:

R101 의 사슬형의 알케닐기로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형 중 어느 것이어도 되고, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 5 가 보다 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 탄소수 3 이 특히 바람직하다. 직사슬형의 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 부티닐기 등을 들 수 있다. 분기 사슬형의 알케닐기로는, 예를 들어, 1-메틸비닐기, 2-메틸비닐기, 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기 등을 들 수 있다.The chain alkenyl group for R 101 may be either linear or branched, preferably having 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 5 carbon atoms, still more preferably 2 to 4 carbon atoms. and having 3 carbon atoms is particularly preferable. As a linear alkenyl group, a vinyl group, a propenyl group (allyl group), a butynyl group etc. are mentioned, for example. As a branched alkenyl group, 1-methylvinyl group, 2-methylvinyl group, 1-methylpropenyl group, 2-methylpropenyl group etc. are mentioned, for example.

사슬형의 알케닐기로는, 상기 중에서도, 직사슬형의 알케닐기가 바람직하고, 비닐기, 프로페닐기가 보다 바람직하고, 비닐기가 특히 바람직하다.As the chain alkenyl group, among the above, a linear alkenyl group is preferable, a vinyl group and a propenyl group are more preferable, and a vinyl group is particularly preferable.

R101 의 사슬형의 알킬기 또는 알케닐기에 있어서의 치환기로는, 예를 들어, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, 카르보닐기, 니트로기, 아미노기, 상기 R101 에 있어서의 고리형기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent in the chain alkyl or alkenyl group for R 101 include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group, an amino group, and a cyclic group for R 101 . can

그 중에서도, R101 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기가 바람직하고, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형의 탄화수소기인 것이 보다 바람직하다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 페닐기, 나프틸기, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 ; 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기 ; 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기 등이 바람직하다.Among them, R 101 is preferably a cyclic group which may have a substituent, and more preferably a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. More specifically, for example, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a phenyl group, a naphthyl group, or a polycycloalkane; lactone-containing cyclic groups each represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7); -SO 2 - containing cyclic groups each represented by the above general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) are preferable.

식 (b-1) 중, Y101 은, 단결합 또는 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기이다.In formula (b-1), Y 101 is a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom.

Y101 이 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 그 Y101 은, 산소 원자 이외의 원자를 함유해도 된다. 산소 원자 이외의 원자로는, 예를 들어 탄소 원자, 수소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.When Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, Y 101 may contain atoms other than an oxygen atom. As atoms other than an oxygen atom, a carbon atom, a hydrogen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned, for example.

산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기로는, 예를 들어, 산소 원자 (에테르 결합 : -O-), 에스테르 결합 (-C(=O)-O-), 옥시카르보닐기 (-O-C(=O)-), 아미드 결합 (-C(=O)-NH-), 카르보닐기 (-C(=O)-), 카보네이트 결합 (-O-C(=O)-O-) 등의 비탄화수소계의 산소 원자 함유 연결기 ; 그 비탄화수소계의 산소 원자 함유 연결기와 알킬렌기의 조합 등을 들 수 있다. 이 조합에, 추가로 술포닐기 (-SO2-) 가 연결되어 있어도 된다. 이러한 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기로는, 예를 들어 하기 일반식 (y-al-1) ∼ (y-al-7) 로 각각 나타내는 연결기를 들 수 있다.As a divalent linking group containing an oxygen atom, for example, an oxygen atom (ether bond: -O-), ester bond (-C(=O)-O-), oxycarbonyl group (-OC(=O)-) ), amide bond (-C(=O)-NH-), carbonyl group (-C(=O)-), carbonate bond (-OC(=O)-O-), non-hydrocarbon type oxygen atom-containing linking group ; The combination of the non-hydrocarbon type oxygen atom containing coupling group and an alkylene group, etc. are mentioned. A sulfonyl group (-SO 2 -) may be further linked to this combination. Examples of the divalent linking group containing such an oxygen atom include linking groups represented by the following general formulas (y-al-1) to (y-al-7).

[화학식 37] [Formula 37]

Figure 112020065141654-pct00037
Figure 112020065141654-pct00037

[식 중, V'101 은 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기이며, V'102 는 탄소수 1 ∼ 30 의 2 가의 포화 탄화수소기이다.] [Wherein, V' 101 is a single bond or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and V' 102 is a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms.]

V'102 에 있어서의 2 가의 포화 탄화수소기는, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬렌기인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬렌기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that the divalent saturated hydrocarbon group in V'102 is a C1-C30 alkylene group, It is more preferable that it is a C1-C10 alkylene group, It is still more preferable that it is a C1-C5 alkylene group.

V'101 및 V'102 에 있어서의 알킬렌기로는, 직사슬형의 알킬렌기여도 되고 분기 사슬형의 알킬렌기여도 되고, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하다.The alkylene group for V' 101 and V' 102 may be a linear alkylene group or a branched alkylene group, and a linear alkylene group is preferable.

V'101 및 V'102 에 있어서의 알킬렌기로서, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-] ; -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기 ; 에틸렌기 [-CH2CH2-] ; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2- 등의 알킬에틸렌기 ; 트리메틸렌기 (n-프로필렌기) [-CH2CH2CH2-] ; -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기 ; 테트라메틸렌기 [-CH2CH2CH2CH2-] ; -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 ; 펜타메틸렌기 [-CH2CH2CH2CH2CH2-] 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkylene group for V' 101 and V' 102 include a methylene group [-CH 2 -]; -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 an alkylmethylene group such as CH 2 CH 3 )-, —C(CH 2 CH 3 ) 2 —; ethylene group [-CH 2 CH 2 -] ; Alkylethylene groups such as -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 - ; trimethylene group (n-propylene group) [-CH 2 CH 2 CH 2 -] ; Alkyltrimethylene groups, such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -; tetramethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -] ; alkyltetramethylene groups, such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -; and a pentamethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -].

또, V'101 또는 V'102 에 있어서의 상기 알킬렌기에 있어서의 일부의 메틸렌기가, 탄소수 5 ∼ 10 의 2 가의 지방족 고리형기로 치환되어 있어도 된다. 당해 지방족 고리형기는, 상기 식 (b-1) 중의 R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기 (단고리형의 지환형 탄화수소기, 다고리형의 지환형 탄화수소기) 로부터 수소 원자를 추가로 하나 제거한 2 가의 기가 바람직하고, 시클로헥실렌기, 1,5-아다만틸렌기 또는 2,6-아다만틸렌기가 보다 바람직하다.Moreover, a part of the methylene group in the said alkylene group in V'101 or V'102 may be substituted by the C5-C10 divalent aliphatic cyclic group. The aliphatic cyclic group is obtained by removing an additional hydrogen atom from the cyclic aliphatic hydrocarbon group (monocyclic alicyclic hydrocarbon group, polycyclic alicyclic hydrocarbon group) for R 101 in the formula (b-1). A bivalent group is preferable, and a cyclohexylene group, a 1, 5- adamantylene group, or a 2, 6- adamantylene group is more preferable.

Y101 로는, 에스테르 결합을 포함하는 2 가의 연결기, 또는 에테르 결합을 포함하는 2 가의 연결기가 바람직하고, 상기 식 (y-al-1) ∼ (y-al-5) 로 각각 나타내는 연결기가 보다 바람직하다.Y 101 is preferably a divalent linking group containing an ester bond or a divalent linking group containing an ether bond, more preferably a linking group each represented by the formulas (y-al-1) to (y-al-5) do.

식 (b-1) 중, V101 은, 단결합, 알킬렌기 또는 불소화알킬렌기이다. V101 에 있어서의 알킬렌기, 불소화알킬렌기는, 탄소수 1 ∼ 4 인 것이 바람직하다. V101 에 있어서의 불소화알킬렌기로는, V101 에 있어서의 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 중에서도, V101 은, 단결합, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 불소화알킬렌기인 것이 바람직하다.In formula (b-1), V 101 is a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. The alkylene group and the fluorinated alkylene group for V 101 preferably have 1 to 4 carbon atoms. Examples of the fluorinated alkylene group for V 101 include a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkylene group for V 101 are substituted with fluorine atoms. Among them, V 101 is preferably a single bond or a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.

식 (b-1) 중, R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하고, 불소 원자인 것이 보다 바람직하다. In formula (b-1), R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. It is preferable that it is a fluorine atom or a C1-C5 perfluoroalkyl group, and, as for R 102 , it is more preferable that it is a fluorine atom.

(b-1) 성분의 아니온부의 구체예로는, 예를 들어, Y101 이 단결합이 되는 경우, 트리플루오로메탄술포네이트 아니온이나 퍼플루오로부탄술포네이트 아니온 등의 불소화알킬술포네이트 아니온을 들 수 있고 ; Y101 이 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 하기 식 (an-1) ∼ (an-3) 중 어느 것으로 나타내는 아니온을 들 수 있다.Specific examples of the anion moiety of the component (b-1) include, for example, when Y 101 is a single bond, fluorinated alkylsulfo such as trifluoromethanesulfonate anion or perfluorobutanesulfonate anion nate anions; When Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, an anion represented by any of the following formulas (an-1) to (an-3) is exemplified.

[화학식 38] [Formula 38]

Figure 112020065141654-pct00038
Figure 112020065141654-pct00038

[식 중, R"101 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 고리형기, 상기 식 (r-hr-1) ∼ (r-hr-6) 으로 각각 나타내는 기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기이며 ; R"102 는, 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 고리형기, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 또는 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기이며 ; R"103 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 방향족 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 고리형기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며 ; v" 는 각각 독립적으로 0 ∼ 3 의 정수이며, q" 는 각각 독립적으로 1 ∼ 20 의 정수이며, t" 는 1 ∼ 3 의 정수이며, n" 는 0 또는 1 이다.] [Wherein, R" 101 is an aliphatic cyclic group which may have a substituent, a group each represented by the formulas (r-hr-1) to (r-hr-6), or a chain alkyl group which may have a substituent. R" 102 is an aliphatic cyclic group which may have a substituent, a lactone-containing cyclic group each represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), or the general formula (a5-r) -1) -SO 2 - containing cyclic groups each represented by to (a5-r-4); R" 103 is an aromatic cyclic group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent; v" is each independently an integer of 0 to 3, q " are each independently an integer of 1 to 20, t" is an integer of 1 to 3, and n" is 0 or 1.]

R"101, R"102 및 R"103 의 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 고리형기는, 상기 R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. 상기 치환기로는, R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기를 치환해도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다. The aliphatic cyclic group which may have a substituent for R" 101 , R" 102 and R" 103 is preferably the group exemplified as the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101. As the substituent, R 101 The same thing as the substituent which may substitute the cyclic aliphatic hydrocarbon group in this is mentioned.

R"103 에 있어서의 치환기를 가지고 있어도 되는 방향족 고리형기는, 상기 R101 에 있어서의 고리형의 탄화수소기에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. 상기 치환기로는, R101 에 있어서의 그 방향족 탄화수소기를 치환해도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The aromatic cyclic group which may have a substituent in R" 103 is preferably the group exemplified as the aromatic hydrocarbon group in the cyclic hydrocarbon group in R 101. As the substituent, the substituent in R 101 is The same thing as the substituent which may substitute the aromatic hydrocarbon group is mentioned.

R"101 에 있어서의 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기는, 상기 R101 에 있어서의 사슬형의 알킬기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. R"103 에 있어서의 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기는, 상기 R101 에 있어서의 사슬형의 알케닐기로서 예시한 기인 것이 바람직하다.The chain alkyl group which may have a substituent for R" 101 is preferably the group exemplified as the chain alkyl group for R 101 above. The chain alkyl group which may have a substituent for R" 103 is preferable. The kenyl group is preferably the group exemplified as the chain alkenyl group for R 101 .

·(b-2) 성분의 아니온부 -(b-2) anion part of component

식 (b-2) 중, R104, R105 는, 각각 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 각각, 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다. 단, R104, R105 는, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.In formula (b-2), R 104 and R 105 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, The same thing as R 101 in Formula (b-1) is mentioned, respectively. However, R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring.

R104, R105 는, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기, 또는 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 불소화알킬기인 것이 보다 바람직하다.R 104 and R 105 are preferably a linear alkyl group which may have a substituent, and more preferably a linear or branched alkyl group, or a linear or branched fluorinated alkyl group.

그 사슬형의 알킬기의 탄소수는, 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 7, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 3 이다. R104, R105 의 사슬형의 알킬기의 탄소수는, 상기 탄소수의 범위 내에 있어서, 레지스트용 용제에의 용해성도 양호하다는 등의 이유에 의해, 작을수록 바람직하다. 또, R104, R105 의 사슬형의 알킬기에 있어서는, 불소 원자로 치환되어 있는 수소 원자의 수가 많을수록, 산의 강도가 강해지고, 또, 200 nm 이하의 고에너지광이나 전자선에 대한 투명성이 향상되므로 바람직하다. The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 7 carbon atoms, and still more preferably 1 to 3 carbon atoms. The carbon number of the chain alkyl group of R 104 , R 105 is preferably smaller within the above carbon number range for reasons such as good solubility in the resist solvent. In addition, in the chain alkyl group of R 104 and R 105 , the greater the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms, the stronger the acid strength, and the higher the transparency to high energy light of 200 nm or less or electron beam. desirable.

상기 사슬형의 알킬기 중의 불소 원자의 비율, 즉 불소화율은, 바람직하게는 70 ∼ 100 %, 더욱 바람직하게는 90 ∼ 100 % 이며, 가장 바람직하게는, 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬기이다. The proportion of fluorine atoms in the chain alkyl group, that is, the fluorination rate, is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably, a perfluoroalkyl group in which all hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms. to be.

식 (b-2) 중, V102, V103 은, 각각 독립적으로, 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화알킬렌기이며, 각각, 식 (b-1) 중의 V101 과 동일한 것을 들 수 있다. In formula (b-2), V 102 and V 103 are each independently a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group, and the same as those of V 101 in formula (b-1) can be mentioned.

식 (b-2) 중, L101, L102 는, 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다.In formula (b-2), L 101 and L 102 are each independently a single bond or an oxygen atom.

·(b-3) 성분의 아니온부 -(b-3) anion part of component

식 (b-3) 중, R106 ∼ R108 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 각각, 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (b-3), R 106 to R 108 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, The same thing as R 101 in Formula (b-1) is mentioned, respectively.

L103 ∼ L105 는, 각각 독립적으로, 단결합, -CO- 또는 -SO2- 이다.L 103 to L 105 are each independently a single bond, -CO-, or -SO 2 -.

{카티온부} {Cathion part}

식 (b-1), (b-2) 및 (b-3) 중, m 은 1 이상의 정수이고, M'm+ 는 m 가의 오늄 카티온이며, 술포늄 카티온, 요오드늄 카티온을 바람직하게 들 수 있다. 예를 들어, M'm+ 는, 하기 일반식 (ca-1) ∼ (ca-5) 로 각각 나타내는 유기 카티온인 것이 특히 바람직하다. In formulas (b-1), (b-2) and (b-3), m is an integer of 1 or more, M' m+ is an m-valent onium cation, preferably a sulfonium cation or an iodonium cation can be heard For example, it is especially preferable that M' m+ is an organic cation each represented by the following general formula (ca-1) - (ca-5).

[화학식 39] [Formula 39]

Figure 112020065141654-pct00039
Figure 112020065141654-pct00039

[식 중, R201 ∼ R207, 및 R211 ∼ R212 는, 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기, 알킬기 또는 알케닐기를 나타내고, R201 ∼ R203, R206 ∼ R207, R211 ∼ R212 는, 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성해도 된다. R208 ∼ R209 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, R210 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 알케닐기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 -SO2- 함유 고리형기이며, L201 은 -C(=O)- 또는 -C(=O)-O- 를 나타내고, Y201 은, 각각 독립적으로, 아릴렌기, 알킬렌기 또는 알케닐렌기를 나타내고, x 는 1 또는 2 이며, W201 은 (x + 1) 가의 연결기를 나타낸다.] [wherein, R 201 to R 207 and R 211 to R 212 each independently represent an optionally substituted aryl group, an alkyl group or an alkenyl group, R 201 to R 203 , R 206 to R 207 , R 211 to R 212 may combine with each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula. R 208 to R 209 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R 210 is an alkyl group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a substituent, or —SO 2 - which may have a substituent. an containing cyclic group, L 201 represents -C(=O)- or -C(=O)-O-, Y 201 each independently represents an arylene group, an alkylene group, or an alkenylene group, and x is 1 or 2, and W 201 represents a (x+1) valent linking group.]

R201 ∼ R207, 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 20 의 무치환의 아릴기를 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다. Examples of the aryl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 include an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a phenyl group and a naphthyl group are preferable.

R201 ∼ R207, 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 알킬기로는, 사슬형 또는 고리형의 알킬기이고, 탄소수 1 ∼ 30 의 것이 바람직하다.The alkyl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 is a chain or cyclic alkyl group, and preferably has 1 to 30 carbon atoms.

R201 ∼ R207, 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 알케닐기로는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하다.The alkenyl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 preferably has 2 to 10 carbon atoms.

R201 ∼ R207, 및 R210 ∼ R212 가 가지고 있어도 되는 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 카르보닐기, 시아노기, 아미노기, 아릴기, 하기 식 (ca-r-1) ∼ (ca-r-8) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.Examples of the substituent which R 201 to R 207 , and R 210 to R 212 may have include an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group, a cyano group, an amino group, an aryl group, and a formula (ca-r-1 ) to (ca-r-8).

[화학식 40] [Formula 40]

Figure 112020065141654-pct00040
Figure 112020065141654-pct00040

[식 중, R'201 은 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다.] [Wherein, R'201 is each independently a hydrogen atom, a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent.]

R'201 의 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기는, 전술한 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있는 외에, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기로서, 상기 서술한 식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기와 동일한 것도 들 수 있다.The cyclic group which may have a substituent for R' 201 , the chain-type alkyl group which may have a substituent, or the chain-type alkenyl group which may have a substituent include the same ones as those for R 101 in the above formula (b-1). In addition to these, examples of the cyclic group which may have a substituent or the chain-like alkyl group which may have a substituent include those similar to the acid dissociable group represented by the above formula (a1-r-2).

R201 ∼ R203, R206 ∼ R207, R211 ∼ R212 는, 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하는 경우, 황 원자, 산소 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자나, 카르보닐기, -SO-, -SO2-, -SO3-, -COO-, -CONH- 또는 -N(RN)- (그 RN 은 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이다.) 등의 관능기를 개재하여 결합해도 된다. 형성되는 고리로는, 식 중의 황 원자를 그 고리 골격에 포함하는 하나의 고리가, 황 원자를 포함하여, 3 ∼ 10 원 고리인 것이 바람직하고, 5 ∼ 7 원 고리인 것이 특히 바람직하다. 형성되는 고리의 구체예로는, 예를 들어 티오펜 고리, 티아졸 고리, 벤조티오펜 고리, 티안트렌 고리, 벤조티오펜 고리, 디벤조티오펜 고리, 9H-티오크산텐 고리, 티오크산톤 고리, 티안트렌 고리, 페녹사티인 고리, 테트라하이드로티오페늄 고리, 테트라하이드로티오피라늄 고리 등을 들 수 있다.When R 201 to R 203 , R 206 to R 207 , R 211 to R 212 are combined with each other to form a ring together with a sulfur atom in the formula, a hetero atom such as a sulfur atom, an oxygen atom, a nitrogen atom, or a carbonyl group; -SO-, -SO 2 -, -SO 3 -, -COO-, -CONH-, or -N(R N )- (R N is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.) It bonds through a functional group You can do it. As the ring to be formed, one ring including a sulfur atom in the ring skeleton in the formula is preferably a 3- to 10-membered ring including a sulfur atom, particularly preferably a 5- to 7-membered ring. Specific examples of the ring to be formed include, for example, a thiophene ring, a thiazole ring, a benzothiophene ring, a thianthrene ring, a benzothiophene ring, a dibenzothiophene ring, a 9H-thioxanthene ring, a thioxanthone ring a ring, a thianthrene ring, a phenoxatiin ring, a tetrahydrothiophenium ring, a tetrahydrothiopyranium ring, etc. are mentioned.

R208 ∼ R209 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기가 바람직하고, 알킬기가 되는 경우, 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.R 208 to R 209 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and in the case of an alkyl group, they may combine with each other to form a ring.

R210 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 알케닐기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 -SO2- 함유 고리형기이다.R 210 is an alkyl group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a substituent, or an —SO 2 - containing cyclic group which may have a substituent.

R210 에 있어서의 알킬기로는, 사슬형 또는 고리형의 알킬기이고, 탄소수 1 ∼ 30 의 것이 바람직하다.The alkyl group for R 210 is a chain or cyclic alkyl group, and preferably has 1 to 30 carbon atoms.

R210 에 있어서의 알케닐기로는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하다.The alkenyl group for R 210 preferably has 2 to 10 carbon atoms.

R210 에 있어서의, 치환기를 가지고 있어도 되는 -SO2- 함유 고리형기로는, 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기와 동일한 것을 들 수 있고, 이 중에서도 「-SO2- 함유 다고리형기」가 바람직하고, 일반식 (a5-r-1) 로 나타내는 기가 보다 바람직하다.Examples of the -SO 2 -containing cyclic group which may have a substituent for R 210 include -SO 2 -containing cyclic groups represented by the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), respectively. The same can be mentioned, Among these, "-SO2 - containing polycyclic group" is preferable, and the group represented by general formula (a5-r-1) is more preferable.

상기 식 (ca-4), 식 (ca-5) 중, Y201 은, 각각 독립적으로, 아릴렌기, 알킬렌기 또는 알케닐렌기를 나타낸다.In the formulas (ca-4) and (ca-5), Y 201 each independently represents an arylene group, an alkylene group, or an alkenylene group.

Y201 에 있어서의 아릴렌기는, 전술한 식 (b-1) 중의 R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 예시한 아릴기로부터 수소 원자를 하나 제거한 기를 들 수 있다.Examples of the arylene group for Y 201 include a group in which one hydrogen atom has been removed from the aryl group exemplified as the aromatic hydrocarbon group for R 101 in the above formula (b-1).

Y201 에 있어서의 알킬렌기, 알케닐렌기는, 전술한 식 (b-1) 중의 R101 에 있어서의 사슬형의 알킬기, 사슬형의 알케닐기로서 예시한 기로부터 수소 원자를 하나 제거한 기를 들 수 있다.Examples of the alkylene group and alkenylene group for Y 201 include groups in which one hydrogen atom has been removed from the groups exemplified as the chain alkyl group and chain alkenyl group for R 101 in the above formula (b-1). .

상기 식 (ca-4), 식 (ca-5) 중, x 는, 1 또는 2 이다.In the formulas (ca-4) and (ca-5), x is 1 or 2.

W201 은, (x + 1) 가, 즉 2 가 또는 3 가의 연결기이다.W 201 is a (x+1) valent, that is, a divalent or trivalent linking group.

W201 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기가 바람직하고, 상기 서술한 일반식 (a2-1) 중의 Ya21 과 동일한, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기를 예시할 수 있다. W201 에 있어서의 2 가의 연결기는, 직사슬형, 분기 사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 되고, 고리형인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 아릴렌기의 양단에 2 개의 카르보닐기가 조합된 기가 바람직하다. 아릴렌기로는, 페닐렌기, 나프틸렌기 등을 들 수 있고, 페닐렌기가 특히 바람직하다.As the divalent linking group for W 201 , a divalent hydrocarbon group which may have a substituent is preferable, and the same divalent hydrocarbon group which may have a substituent as for Ya 21 in the above-mentioned general formula (a2-1) is exemplified. can The divalent linking group for W 201 may be linear, branched or cyclic, and is preferably cyclic. Among them, a group in which two carbonyl groups are combined at both ends of the arylene group is preferable. As an arylene group, a phenylene group, a naphthylene group, etc. are mentioned, A phenylene group is especially preferable.

W201 에 있어서의 3 가의 연결기로는, 상기 W201 에 있어서의 2 가의 연결기로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기, 상기 2 가의 연결기에 추가로 상기 2 가의 연결기가 결합한 기 등을 들 수 있다. W201 에 있어서의 3 가의 연결기로는, 아릴렌기에 2 개의 카르보닐기가 결합한 기가 바람직하다.Examples of the trivalent linking group for W 201 include a group in which one hydrogen atom has been removed from the divalent linking group for W 201 , and a group in which the divalent linking group is further bonded to the divalent linking group. As the trivalent linking group for W 201 , a group in which two carbonyl groups are bonded to an arylene group is preferable.

상기 식 (ca-1) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-129) 로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.Specific examples of preferred cations represented by the formula (ca-1) include cations represented by the following formulas (ca-1-1) to (ca-1-129).

[화학식 41] [Formula 41]

Figure 112020065141654-pct00041
Figure 112020065141654-pct00041

[화학식 42][Formula 42]

Figure 112020065141654-pct00042
Figure 112020065141654-pct00042

[화학식 43][Formula 43]

Figure 112020065141654-pct00043
Figure 112020065141654-pct00043

[식 중, g1, g2, g3 은 반복수를 나타내고, g1 은 1 ∼ 5 의 정수이며, g2 는 0 ∼ 20 의 정수이며, g3 은 0 ∼ 20 의 정수이다.] [Wherein, g1, g2, and g3 represent the number of repetitions, g1 is an integer from 1 to 5, g2 is an integer from 0 to 20, and g3 is an integer from 0 to 20.]

[화학식 44] [Formula 44]

Figure 112020065141654-pct00044
Figure 112020065141654-pct00044

[화학식 45][Formula 45]

Figure 112020065141654-pct00045
Figure 112020065141654-pct00045

[화학식 46] [Formula 46]

Figure 112020065141654-pct00046
Figure 112020065141654-pct00046

[화학식 47][Formula 47]

Figure 112020065141654-pct00047
Figure 112020065141654-pct00047

[식 중, R"201 은 수소 원자 또는 치환기이고, 그 치환기로는 상기 R201 ∼ R207, 및 R210 ∼ R212 가 가지고 있어도 되는 치환기로서 든 것과 동일하다.] [Wherein, R" 201 is a hydrogen atom or a substituent, and the substituent is the same as the substituents mentioned above as the substituents R 201 to R 207 and R 210 to R 212 may have.]

[화학식 48] [Formula 48]

Figure 112020065141654-pct00048
Figure 112020065141654-pct00048

[화학식 49] [Formula 49]

Figure 112020065141654-pct00049
Figure 112020065141654-pct00049

상기 식 (ca-2) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서 구체적으로는, 디페닐요오드늄 카티온, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄 카티온 등을 들 수 있다.Specific examples of the preferable cation represented by the formula (ca-2) include diphenyliodonium cation, bis(4-tert-butylphenyl)iodonium cation, and the like.

상기 식 (ca-3) 으로 나타내는 바람직한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 식 (ca-3-1) ∼ (ca-3-5) 로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.Specific examples of preferred cations represented by the formula (ca-3) include cations represented by the following formulas (ca-3-1) to (ca-3-5).

[화학식 50] [Formula 50]

Figure 112020065141654-pct00050
Figure 112020065141654-pct00050

상기 식 (ca-4) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 식 (ca-4-1) ∼ (ca-4-2) 로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다. Specific examples of preferred cations represented by the formula (ca-4) include cations represented by the following formulas (ca-4-1) to (ca-4-2).

[화학식 51] [Formula 51]

Figure 112020065141654-pct00051
Figure 112020065141654-pct00051

또, 상기 식 (ca-5) 로 나타내는 카티온으로는, 하기 일반식 (ca-5-1) ∼ (ca-5-3) 으로 각각 나타내는 카티온도 바람직하다.Moreover, as a cation represented by the said formula (ca-5), the cation respectively represented by the following general formula (ca-5-1) - (ca-5-3) is preferable.

[화학식 52] [Formula 52]

Figure 112020065141654-pct00052
Figure 112020065141654-pct00052

상기 중에서도, 카티온부 [(M'm+)1/m] 는, 일반식 (ca-1) 로 나타내는 카티온이 바람직하고, 모노페닐형의 카티온이 보다 바람직하다.Among the above, the cation represented by general formula (ca-1) is preferable, and, as for the cation moiety [(M' m+ ) 1/m ], the cation of a monophenyl type is more preferable.

또한, 바람직한 카티온부 [(M'm+)1/m] 로서, 하기 일반식 (ca-1-0) 으로 나타내는, 모노페닐형의 카티온을 들 수 있다.Moreover, as a preferable cation moiety [(M' m+ ) 1/m ], the monophenyl type cation represented by the following general formula (ca-1-0) is mentioned.

[화학식 53] [Formula 53]

Figure 112020065141654-pct00053
Figure 112020065141654-pct00053

[식 중, Rb1 은, 치환기를 가져도 되는 아릴기이다. Rb2 및 Rb3 은, 각각 독립적으로, 지방족 탄화수소기이다. Rb2 와 Rb3 은 서로 결합하여 고리 구조를 형성하고 있어도 된다. Lb1, Lb2 및 Lb3 은, 각각 독립적으로, 2 가의 연결기 또는 단결합이다.] [In the formula, R b1 is an aryl group which may have a substituent. R b2 and R b3 are each independently an aliphatic hydrocarbon group. R b2 and R b3 may be bonded to each other to form a ring structure. L b1 , L b2 and L b3 are each independently a divalent linking group or a single bond.]

상기 식 (ca-1-0) 중, Rb1 은, 치환기를 가져도 되는 아릴기이며, R201 ∼ R203 에 있어서의, 치환기를 가져도 되는 아릴기와 동일하다. 즉, Rb1 에 있어서의 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기를 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다. Rb1 이 가지고 있어도 되는 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 카르보닐기, 시아노기, 아미노기, 아릴기, 상기 식 (ca-r-1) ∼ (ca-r-8) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.In the formula (ca-1-0), R b1 is an aryl group which may have a substituent, and is the same as the aryl group which may have a substituent for R 201 to R 203 . That is, as an aryl group in Rb1 , a C6-C20 aryl group is mentioned, A phenyl group and a naphthyl group are preferable. Examples of the substituent R b1 may have include an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group, a cyano group, an amino group, an aryl group, and the formulas (ca-r-1) to (ca-r-8) and groups each represented.

상기 식 (ca-1-0) 중, Rb2 및 Rb3 은, 각각 독립적으로, 지방족 탄화수소기이다. Rb2 및 Rb3 에 있어서의 지방족 탄화수소기는, 사슬형이어도 되고, 고리형이어도 되고, 사슬형 또는 고리형의 알킬기, 알케닐기를 들 수 있다.In the formula (ca-1-0), R b2 and R b3 are each independently an aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group for R b2 and R b3 may be linear or cyclic, and examples of the aliphatic hydrocarbon group include a chain or cyclic alkyl group and alkenyl group.

여기서의 사슬형 또는 고리형의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 30 의 것이 바람직하다.The chain or cyclic alkyl group here preferably has 1 to 30 carbon atoms.

여기서의 알케닐기로는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하다.As an alkenyl group here, a C2-C10 thing is preferable.

Rb2 와 Rb3 은 서로 결합하여 고리 구조를 형성하고 있어도 된다. 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하는 경우, 황 원자, 산소 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자나, 카르보닐기, -SO-, -SO2-, -SO3-, -COO-, -CONH- 또는 -N(RN)- (그 RN 은 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이다.) 등의 관능기를 개재하여 결합해도 된다. 형성되는 고리로는, 식 중의 황 원자를 그 고리 골격에 포함하는 하나의 고리가, 황 원자를 포함하여, 3 ∼ 10 원 고리인 것이 바람직하고, 5 ∼ 7 원 고리인 것이 특히 바람직하다. 형성되는 고리의 구체예로는, 예를 들어 티오펜 고리, 티아졸 고리, 벤조티오펜 고리, 티안트렌 고리, 벤조티오펜 고리, 디벤조티오펜 고리, 9H-티오크산텐 고리, 티오크산톤 고리, 티안트렌 고리, 페녹사티인 고리, 테트라하이드로티오페늄 고리, 테트라하이드로티오피라늄 고리 등을 들 수 있다. R b2 and R b3 may be bonded to each other to form a ring structure. When combining with each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula, hetero atoms such as sulfur atom, oxygen atom, nitrogen atom, or carbonyl group, -SO-, -SO 2 -, -SO 3 -, -COO-, - You may couple|bond through functional groups, such as CONH- or -N(R N )- (where R N is a C1-C5 alkyl group.). As the ring to be formed, one ring including a sulfur atom in the ring skeleton in the formula is preferably a 3- to 10-membered ring including a sulfur atom, particularly preferably a 5- to 7-membered ring. Specific examples of the ring to be formed include, for example, a thiophene ring, a thiazole ring, a benzothiophene ring, a thianthrene ring, a benzothiophene ring, a dibenzothiophene ring, a 9H-thioxanthene ring, a thioxanthone ring a ring, a thianthrene ring, a phenoxatiin ring, a tetrahydrothiophenium ring, a tetrahydrothiopyranium ring, etc. are mentioned.

상기 식 (ca-1-0) 중, Lb1, Lb2 및 Lb3 은, 각각 독립적으로, 2 가의 연결기 또는 단결합이다.In the formula (ca-1-0), L b1 , L b2 and L b3 each independently represent a divalent linking group or a single bond.

Lb1, Lb2 및 Lb3 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 각각 독립적으로, -C(=O)-, -C(=O)-O-, -O-C(=O)-, 아릴렌기, 알킬렌기 또는 알케닐렌기 등을 들 수 있다.The divalent linking group for L b1 , L b2 and L b3 is each independently -C(=O)-, -C(=O)-O-, -OC(=O)-, an arylene group; and an alkylene group or an alkenylene group.

Lb1, Lb2 및 Lb3 에 있어서의 아릴렌기는, 전술한 식 (b-1) 중의 R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 예시한 아릴기로부터 수소 원자를 추가로 하나 제거한 기를 들 수 있다. 즉, 방향 고리 (벤젠, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 비페닐, 또는 이들 방향 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등) 로부터 수소 원자 2 개를 제거한 기를 들 수 있다.Examples of the arylene group for L b1 , L b2 , and L b3 include groups in which one hydrogen atom has been removed from the aryl group exemplified as the aromatic hydrocarbon group for R 101 in the above formula (b-1). That is, groups in which two hydrogen atoms have been removed from an aromatic ring (benzene, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, biphenyl, or an aromatic heterocyclic ring in which some of the carbon atoms constituting these aromatic rings are substituted with hetero atoms) are mentioned. can

Lb1, Lb2 및 Lb3 에 있어서의 알킬렌기 또는 알케닐렌기는, 전술한 식 (b-1) 중의 R101 에 있어서의 사슬형의 알킬기, 사슬형의 알케닐기로서 예시한 기로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 기를 들 수 있다. 즉, 탄소수가 1 ∼ 20 인 직사슬형의 알킬기로부터 수소 원자를 추가로 하나 제거한 기, 탄소수가 3 ∼ 20 인 분기 사슬형의 알킬기로부터 수소 원자를 추가로 하나 제거한 기를 들 수 있다.The alkylene group or alkenylene group in L b1 , L b2 and L b3 is a hydrogen atom from the groups exemplified as the chain alkyl group and chain alkenyl group for R 101 in the above formula (b-1). The group from which one additionally was removed is mentioned. That is, a group in which one hydrogen atom is further removed from a linear alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and a group in which an additional hydrogen atom is removed from a branched alkyl group having 3 to 20 carbon atoms are mentioned.

Lb1 은, 노광에 의한 산 발생 효율이 보다 높아지는 점에서, 단결합인 것이 바람직하다.L b1 is preferably a single bond from the viewpoint of higher acid generation efficiency by exposure.

(B) 성분의 카티온부로서, 보다 바람직하게는, 하기 일반식 (ca-1-01) 로 나타내는 카티온, 또는 일반식 (ca-1-02) 로 나타내는 카티온을 들 수 있다. 특히 바람직하게는, 일반식 (ca-1-01) 로 나타내는 카티온이다.(B) As a cation moiety of component, More preferably, the cation represented by the following general formula (ca-1-01) or the cation represented by general formula (ca-1-02) is mentioned. Especially preferably, it is a cation represented by general formula (ca-1-01).

[화학식 54] [Formula 54]

Figure 112020065141654-pct00054
Figure 112020065141654-pct00054

[식 중, Rb11 및 Rb12 는, 각각 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기이다. Lb11 은, -C(=O)- 또는 -C(=O)-O- 이다. Rb121 및 Rb122 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이다. nb1 은, 1 ∼ 3 의 정수이다. nb2 는, 1 ∼ 3 의 정수이다.] [Wherein, R b11 and R b12 are each independently an aryl group which may have a substituent. L b11 is -C(=O)- or -C(=O)-O-. R b121 and R b122 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. nb1 is an integer of 1-3. nb2 is an integer of 1 to 3.]

상기 식 중, Rb11 및 Rb12 는, 각각, 상기 식 (ca-1-0) 중의 Rb1 과 동일하다. 그 중에서도, 바람직하게는, 무치환의 아릴기이다. 바람직한 아릴기로는, 페닐기, 나프틸기를 들 수 있다.In the above formula, R b11 and R b12 are each the same as R b1 in the above formula (ca-1-0). Especially, Preferably, it is an unsubstituted aryl group. A phenyl group and a naphthyl group are mentioned as a preferable aryl group.

Rb121 및 Rb122 는, 각각, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이며, 수소 원자, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하고, 수소 원자가 보다 바람직하다.R b121 and R b122 are each a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, and more preferably a hydrogen atom.

nb1 은, 1 ∼ 3 의 정수이며, 바람직하게는 1 또는 2, 보다 바람직하게는 2 이다.nb1 is an integer of 1-3, Preferably it is 1 or 2, More preferably, it is 2.

nb2 는, 1 ∼ 3 의 정수이며, 바람직하게는 1 또는 2, 보다 바람직하게는 1 이다. nb2 is an integer of 1-3, Preferably it is 1 or 2, More preferably, it is 1.

일반식 (ca-1-01) 로 나타내는 카티온으로는, 상기 화학식 (ca-1-104) ∼ (ca-1-129) 로 각각 나타내는 카티온이 바람직하고, 이들 중에서도, 화학식 (ca-1-104) 로 나타내는 카티온, 화학식 (ca-1-105) 로 나타내는 카티온 (R"201 은 수소 원자의 경우) 이 보다 바람직하다.The cation represented by the general formula (ca-1-01) is preferably a cation represented by the above formulas (ca-1-104) to (ca-1-129), and among these, the cations represented by the general formula (ca-1) -104) and a cation represented by the general formula (ca-1-105) (R" 201 is a hydrogen atom) are more preferable.

일반식 (ca-1-02) 으로 나타내는 카티온으로는, 상기 화학식 (ca-1-102) 로 나타내는 카티온, 화학식 (ca-1-103) 으로 나타내는 카티온이 바람직하다.As the cation represented by the general formula (ca-1-02), a cation represented by the general formula (ca-1-102) and a cation represented by the general formula (ca-1-103) are preferable.

(B) 성분은, 상기 서술한 산 발생제를 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(B) A component may use the above-mentioned acid generator individually by 1 type, and may use it in combination of 2 or more type.

본 실시형태에 있어서의 (B) 성분으로는, 하기 일반식 (b-1-0) 으로 나타내는 화합물이 특히 바람직하다.As component (B) in this embodiment, the compound represented by the following general formula (b-1-0) is especially preferable.

[화학식 55][Formula 55]

Figure 112020065141654-pct00055
Figure 112020065141654-pct00055

[식 중, R101, Y101, V101 및 R102 는, 상기 식 (b-1) 중의 R101, Y101, V101 및 R102 와 각각 동일하다. Rb11 및 nb1 은, 상기 식 (ca-1-01) 중의 Rb11 및 nb1 과 각각 동일하다.] [wherein, R 101 , Y 101 , V 101 and R 102 are the same as R 101 , Y 101 , V 101 and R 102 in the formula (b-1), respectively. R b11 and nb1 are the same as R b11 and nb1 in the above formula (ca-1-01), respectively.]

레지스트 조성물이 (B) 성분을 함유하는 경우, (B) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해 0.5 ∼ 7 질량부가 바람직하고, 1 ∼ 4 질량부가 보다 바람직하고, 1 ∼ 3 질량부가 더욱 바람직하다. When the resist composition contains the component (B), the content of the component (B) is preferably from 0.5 to 7 parts by mass, more preferably from 1 to 4 parts by mass, and from 1 to 3 parts by mass relative to 100 parts by mass of the component (A). Addition is more preferable.

(B) 성분의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 패턴 형성이 충분히 실시된다. 또, 레지스트 조성물의 각 성분을 유기 용제에 용해했을 때, 균일한 용액이 얻어지기 쉽고, 레지스트 조성물로서의 보존 안정성이 양호해지기 때문에 바람직하다. 또, (B) 성분의 함유량을, 상기 바람직한 범위의 하한값 이상으로 함으로써, 레지스트막의 광 투과성이 높아지기 쉽고, 고감도화가 도모되기 쉽다. (B) By making content of a component into the said range, pattern formation is fully performed. Moreover, when each component of a resist composition is melt|dissolved in the organic solvent, since it is easy to obtain a uniform solution and the storage stability as a resist composition becomes favorable, it is preferable. Moreover, by making content of (B) component more than the lower limit of the said preferable range, the light transmittance of a resist film tends to become high, and high sensitivity is easy to be achieved.

·산 확산 제어제 성분 (D) 에 대해 ・About the acid diffusion control agent component (D)

본 실시형태의 레지스트 조성물은, (A) 성분에 더하여, 또는, (A) 성분 및 (B) 성분에 더하여, 추가로, 산 확산 제어제 성분 (이하 「(D) 성분」이라고 한다.) 을 함유해도 된다. (D) 성분은, 레지스트 조성물에 있어서 노광에 의해 발생하는 산을 트랩하는 ??처 (산 확산 제어제) 로서 작용하는 것이다.In the resist composition of the present embodiment, in addition to component (A), or in addition to component (A) and component (B), an acid diffusion control agent component (hereinafter referred to as “component (D)”) is added. may contain. Component (D) acts as an agent (acid diffusion controlling agent) that traps acids generated by exposure in the resist composition.

(D) 성분은, 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 잃는 광 붕괴성 염기 (D1) (이하 「(D1) 성분」이라고 한다.) 이어도 되고, 그 (D1) 성분에 해당하지 않는 함질소 유기 화합물 (D2) (이하 「(D2) 성분」이라고 한다.) 여도 된다.The component (D) may be a photodegradable base (D1) (hereinafter referred to as “component (D1)”) which decomposes upon exposure and loses acid diffusion controllability (hereinafter referred to as “component (D1)”.) Organic compound (D2) (hereinafter referred to as "component (D2)") may be sufficient.

··(D1) 성분에 대해 ・・(D1) About component

(D1) 성분을 함유하는 레지스트 조성물로 함으로써, 레지스트 패턴을 형성할 때에, 레지스트막의 노광부와 미노광부의 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.By setting it as the resist composition containing component (D1), when forming a resist pattern, the contrast of the exposed part and unexposed part of a resist film can be improved.

(D1) 성분으로는, 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 잃는 것이면 특별히 한정되지 않고, 하기 일반식 (d1-1) 로 나타내는 화합물 (이하 「(d1-1) 성분」이라고 한다.), 하기 일반식 (d1-2) 로 나타내는 화합물 (이하 「(d1-2) 성분」이라고 한다.) 및 하기 일반식 (d1-3) 으로 나타내는 화합물 (이하 「(d1-3) 성분」이라고 한다.) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물이 바람직하다.The component (D1) is not particularly limited as long as it decomposes upon exposure and loses acid diffusion controllability, and a compound represented by the following general formula (d1-1) (hereinafter referred to as “component (d1-1)”); A compound represented by the following general formula (d1-2) (hereinafter referred to as “component (d1-2)”) and a compound represented by the following general formula (d1-3) (hereinafter referred to as “component (d1-3)”). ) at least one compound selected from the group consisting of

(d1-1) ∼ (d1-3) 성분은, 레지스트막의 노광부에 있어서는 분해되어 산 확산 제어성 (염기성) 을 잃기 때문에 ??처로서 작용하지 않고, 미노광부에 있어서 ??처로서 작용한다.Since components (d1-1) to (d1-3) are decomposed in the exposed part of the resist film and lose the acid diffusion controllability (basic property), they do not act as a target, but act as a target in the unexposed part. .

[화학식 56] [Formula 56]

Figure 112020065141654-pct00056
Figure 112020065141654-pct00056

[식 중, Rd1 ∼ Rd4 는 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. 단, 식 (d1-2) 중의 Rd2 에 있어서의, S 원자에 인접하는 탄소 원자에는 불소 원자는 결합하고 있지 않는 것으로 한다. Yd1 은 단결합 또는 2 가의 연결기이다. m 은 1 이상의 정수이고, Mm+ 는 각각 독립적으로 m 가의 유기 카티온이다.] [Wherein, Rd 1 to Rd 4 are a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. However, the fluorine atom shall not be couple|bonded with the carbon atom adjacent to the S atom in Rd2 in Formula (d1-2). Yd 1 is a single bond or a divalent linking group. m is an integer greater than or equal to 1, and M m+ is each independently an organic cation having a valence of m.]

{(d1-1) 성분} {(d1-1) component}

···아니온부 ···Anion section

식 (d1-1) 중, Rd1 은 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 각각 상기 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다. In the formula (d1-1), Rd 1 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, respectively, in the formula (b-1) The same thing as R101 in R <101 > is mentioned.

이들 중에서도, Rd1 로는, 치환기를 가지고 있어도 되는 방향족 탄화수소기, 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 고리형기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기가 바람직하다. 이들 기가 가지고 있어도 되는 치환기로는, 수산기, 옥소기, 알킬기, 아릴기, 불소 원자, 불소화알킬기, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 에테르 결합, 에스테르 결합, 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 에테르 결합이나 에스테르 결합을 치환기로서 포함하는 경우, 알킬렌기를 개재하고 있어도 되고, 이 경우의 치환기로는, 상기 식 (y-al-1) ∼ (y-al-5) 로 각각 나타내는 연결기가 바람직하다.Among these, as Rd 1 , an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a chain alkyl group which may have a substituent is preferable. Examples of the substituent which these groups may have include a hydroxyl group, an oxo group, an alkyl group, an aryl group, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group, and a lactone-containing cyclic group each represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7). , an ether bond, an ester bond, or a combination thereof. When an ether bond or an ester bond is included as a substituent, an alkylene group may be interposed, and as a substituent in this case, the linking group each represented by said formula (y-al-1) - (y-al-5) is preferable. do.

상기 방향족 탄화수소기로는, 페닐기 혹은 나프틸기가 보다 바람직하다. As said aromatic hydrocarbon group, a phenyl group or a naphthyl group is more preferable.

상기 지방족 고리형기로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.The aliphatic cyclic group is more preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane and tetracyclododecane.

상기 사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 직사슬형의 알킬기 ; 1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등의 분기 사슬형의 알킬기를 들 수 있다.The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, etc. A linear alkyl group of ; 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-methyl group Branched alkyl groups, such as a pentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, and 4-methylpentyl group, are mentioned.

상기 사슬형의 알킬기가 치환기로서 불소 원자 또는 불소화알킬기를 갖는 불소화알킬기인 경우, 불소화알킬기의 탄소수는, 1 ∼ 11 이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 8 이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하다. 그 불소화알킬기는, 불소 원자 이외의 원자를 함유해도 된다. 불소 원자 이외의 원자로는, 예를 들어 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.When the chain alkyl group is a fluorinated alkyl group having a fluorine atom or a fluorinated alkyl group as a substituent, the fluorinated alkyl group preferably has 1 to 11 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and still more preferably 1 to 4 carbon atoms. . The fluorinated alkyl group may contain atoms other than a fluorine atom. As atoms other than a fluorine atom, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned, for example.

Rd1 로는, 직사슬형의 알킬기를 구성하는 일부 또는 전부의 수소 원자가 불소 원자에 의해 치환된 불소화알킬기인 것이 바람직하고, 직사슬형의 알킬기를 구성하는 수소 원자의 모두가 불소 원자로 치환된 불소화알킬기 (직사슬형의 퍼플루오로알킬기) 인 것이 특히 바람직하다.Rd 1 is preferably a fluorinated alkyl group in which some or all of the hydrogen atoms constituting the linear alkyl group are substituted with fluorine atoms, and a fluorinated alkyl group in which all of the hydrogen atoms constituting the linear alkyl group are substituted with fluorine atoms. (a linear perfluoroalkyl group) is particularly preferable.

이하에 (d1-1) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.Preferred specific examples of the anion moiety of the component (d1-1) are shown below.

[화학식 57] [Formula 57]

Figure 112020065141654-pct00057
Figure 112020065141654-pct00057

···카티온부 ... cation part

식 (d1-1) 중, Mm+ 는, m 가의 유기 카티온이다.In formula (d1-1), M m+ is an m-valent organic cation.

Mm+ 의 유기 카티온으로는, 상기 일반식 (ca-1) ∼ (ca-5) 로 각각 나타내는 카티온과 동일한 것을 바람직하게 들 수 있고, 상기 일반식 (ca-1) 로 나타내는 카티온이 보다 바람직하고, 상기 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-129) 로 각각 나타내는 카티온이 더욱 바람직하다.As an organic cation of M m+ , the same thing as the cation respectively represented by the said general formula (ca-1) - (ca-5) is mentioned preferably, The cation represented by the said general formula (ca-1) is More preferably, the cations respectively represented by the formulas (ca-1-1) to (ca-1-129) are still more preferable.

(d1-1) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(d1-1) A component may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

{(d1-2) 성분} {(d1-2) component}

···아니온부 ···Anion section

식 (d1-2) 중, Rd2 는, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 상기 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.In the formula (d1-2), Rd 2 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, wherein the formula (b-1) The same thing as R101 in R <101 > is mentioned.

단, Rd2 에 있어서의, S 원자에 인접하는 탄소 원자에는 불소 원자는 결합하고 있지 않는 (불소 치환되어 있지 않는) 것으로 한다. 이로써, (d1-2) 성분의 아니온이 적당한 약산 아니온이 되어, (D) 성분으로서의 ??칭능이 향상된다.However, in Rd 2 , a fluorine atom is not bonded to a carbon atom adjacent to the S atom (not substituted with fluorine). Thereby, the anion of (d1-2) component becomes a suitable weak acid anion, and the quenching ability as (D)component improves.

Rd2 로는, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 고리형기인 것이 바람직하다. 사슬형의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 10 인 것이 보다 바람직하다. 지방족 고리형기로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 (치환기를 가지고 있어도 된다) ; 캠퍼 등으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.Rd 2 is preferably a chain alkyl group which may have a substituent or an aliphatic cyclic group which may have a substituent. As a chain|strand-type alkyl group, it is preferable that it is C1-C10, and it is more preferable that it is 3-10. Examples of the aliphatic cyclic group include a group (which may have a substituent) in which one or more hydrogen atoms have been removed from adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, or the like; It is more preferable that it is a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from camphor or the like.

Rd2 의 탄화수소기는 치환기를 가지고 있어도 되고, 그 치환기로는, 상기 식 (d1-1) 의 Rd1 에 있어서의 탄화수소기 (방향족 탄화수소기, 지방족 고리형기, 사슬형의 알킬기) 가 가지고 있어도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The hydrocarbon group of Rd 2 may have a substituent, and as the substituent, the substituent which the hydrocarbon group (aromatic hydrocarbon group, aliphatic cyclic group, chain alkyl group) in Rd 1 of the above formula (d1-1) may have. can be the same as

이하에 (d1-2) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.Preferred specific examples of the anion moiety of the component (d1-2) are shown below.

[화학식 58] [Formula 58]

Figure 112020065141654-pct00058
Figure 112020065141654-pct00058

···카티온부 ... cation part

식 (d1-2) 중, Mm+ 는, m 가의 유기 카티온이며, 상기 식 (d1-1) 중의 Mm+ 와 동일하다.In formula (d1-2), M m+ is an m-valent organic cation, and is the same as M m+ in said formula (d1-1).

(d1-2) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(d1-2) A component may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

{(d1-3) 성분} {(d1-3) component}

···아니온부 ···Anion section

식 (d1-3) 중, Rd3 은 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 상기 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있고, 불소 원자를 포함하는 고리형기, 사슬형의 알킬기, 또는 사슬형의 알케닐기인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 불소화알킬기가 바람직하고, 상기 Rd1 의 불소화알킬기와 동일한 것이 보다 바람직하다.In formula (d1-3), Rd 3 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and in the formula (b-1) The same thing as R 101 is mentioned, It is preferable that it is a cyclic group containing a fluorine atom, a chain|strand-type alkyl group, or a chain|strand-type alkenyl group. Among these, a fluorinated alkyl group is preferable, and the same group as the fluorinated alkyl group for Rd 1 is more preferable.

식 (d1-3) 중, Rd4 는, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 상기 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.In the formula (d1-3), Rd 4 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, wherein the formula (b-1) The same thing as R 101 in R<101> is mentioned.

그 중에서도, 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 고리형기인 것이 바람직하다. Especially, it is preferable that they are an alkyl group which may have a substituent, an alkoxy group, an alkenyl group, and a cyclic group.

Rd4 에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. Rd4 의 알킬기의 수소 원자의 일부가 수산기, 시아노기 등으로 치환되어 있어도 된다.The alkyl group for Rd 4 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, etc. are mentioned. A part of the hydrogen atoms of the alkyl group of Rd 4 may be substituted with a hydroxyl group, a cyano group, or the like.

Rd4 에 있어서의 알콕시기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기로서 구체적으로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기를 들 수 있다. 그 중에서도, 메톡시기, 에톡시기가 바람직하다.The alkoxy group for Rd 4 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and specifically as an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n- butoxy group and tert-butoxy group. Especially, a methoxy group and an ethoxy group are preferable.

Rd4 에 있어서의 알케닐기는, 상기 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있고, 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기가 바람직하다. 이들 기는 또한 치환기로서, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기를 가지고 있어도 된다.Examples of the alkenyl group for Rd 4 include the same ones as those for R 101 in the formula (b-1), and a vinyl group, a propenyl group (allyl group), a 1-methylpropenyl group, and a 2-methylpropenyl group are preferable. . These groups may further have a C1-C5 alkyl group or a C1-C5 halogenated alkyl group as a substituent.

Rd4 에 있어서의 고리형기는, 상기 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있고, 시클로펜탄, 시클로헥산, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 지환형기, 또는, 페닐기, 나프틸기 등의 방향족기가 바람직하다. Rd4 가 지환형기인 경우, 레지스트 조성물이 유기 용제에 양호하게 용해함으로써, 리소그래피 특성이 양호해진다. 또, Rd4 가 방향족기인 경우, 그 레지스트 조성물이 광 흡수 효율이 우수하고, 감도나 리소그래피 특성이 양호해진다.Examples of the cyclic group for Rd 4 include the same groups as those for R 101 in the formula (b-1), cyclopentane, cyclohexane, adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclo. An alicyclic group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a cycloalkane such as dodecane, or an aromatic group such as a phenyl group or a naphthyl group is preferable. When Rd 4 is an alicyclic group, when the resist composition dissolves favorably in the organic solvent, the lithographic properties are improved. Moreover, when Rd4 is an aromatic group, the resist composition is excellent in light absorption efficiency, and a sensitivity and a lithographic characteristic become favorable.

식 (d1-3) 중, Yd1 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다.In formula (d1-3), Yd 1 is a single bond or a divalent linking group.

Yd1 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 특별히 한정되지 않지만, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기 (지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기), 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 등을 들 수 있다. 이들은 각각, 상기 식 (a2-1) 중의 Ya21 에 있어서의 2 가의 연결기에 대한 설명 중에서 든, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기와 동일한 것을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a divalent linking group in Yd 1 , A divalent hydrocarbon group (aliphatic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group) which may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom, etc. are mentioned. Examples of these are the same as the divalent hydrocarbon group which may have a substituent and the divalent linking group containing a hetero atom, which are mentioned in the description of the divalent linking group for Ya 21 in the formula (a2-1), respectively.

Yd1 로는, 카르보닐기, 에스테르 결합, 아미드 결합, 알킬렌기 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다. 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬렌기인 것이 보다 바람직하고, 메틸렌기 또는 에틸렌기인 것이 더욱 바람직하다.Yd 1 is preferably a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, an alkylene group, or a combination thereof. As an alkylene group, it is more preferable that it is a linear or branched alkylene group, and it is still more preferable that it is a methylene group or an ethylene group.

이하에 (d1-3) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.Preferred specific examples of the anion moiety of the component (d1-3) are shown below.

[화학식 59] [Formula 59]

Figure 112020065141654-pct00059
Figure 112020065141654-pct00059

[화학식 60][Formula 60]

Figure 112020065141654-pct00060
Figure 112020065141654-pct00060

···카티온부 ... cation part

식 (d1-3) 중, Mm+ 는, m 가의 유기 카티온이며, 상기 식 (d1-1) 중의 Mm+ 와 동일하다.In formula (d1-3), M m+ is an organic cation of m valence, and is the same as M m+ in said formula (d1-1).

(d1-3) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(d1-3) A component may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(D1) 성분은, 상기 (d1-1) ∼ (d1-3) 성분 중 어느 1 종만을 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(D1) component may use only 1 type in any one of said (d1-1)-(d1-3) component, and may use it in combination of 2 or more type.

레지스트 조성물이 (D1) 성분을 함유하는 경우, (D1) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 0.5 ∼ 10 질량부인 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 8 질량부인 것이 보다 바람직하고, 1 ∼ 8 질량부인 것이 더욱 바람직하다.When the resist composition contains component (D1), the content of component (D1) is preferably 0.5 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 8 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of component (A), 1 It is more preferable that it is -8 mass parts.

(D1) 성분의 함유량이 바람직한 하한값 이상이면, 특히 양호한 리소그래피 특성 및 레지스트 패턴 형상이 얻어지기 쉽다. 한편, 상한값 이하이면, 감도를 양호하게 유지할 수 있고, 스루풋도 우수하다.When the content of the component (D1) is equal to or more than the preferred lower limit, particularly favorable lithography characteristics and resist pattern shape can be easily obtained. On the other hand, if it is below an upper limit, a sensitivity can be maintained favorably and it is excellent also in throughput.

(D1) 성분의 제조 방법 : (D1) Method of Preparation of Component:

상기 (d1-1) 성분, (d1-2) 성분의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다. The manufacturing method of the said (d1-1) component and (d1-2) component is not specifically limited, It can manufacture by a well-known method.

또, (d1-3) 성분의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, US2012-0149916호에 기재된 방법과 동일하게 하여 제조된다.Moreover, the manufacturing method of (d1-3) component is not specifically limited, For example, it carries out similarly to the method of US2012-0149916, and manufactures.

·(D2) 성분에 대해 ・(D2) About component

산 확산 제어제 성분으로는, 상기 (D1) 성분에 해당하지 않는 함질소 유기 화합물 성분 (이하 「(D2) 성분」이라고 한다.) 을 함유해도 된다.As an acid diffusion controlling agent component, you may contain the nitrogen-containing organic compound component (henceforth "(D2) component") which does not correspond to the said (D1) component.

(D2) 성분으로는, 산 확산 제어제로서 작용하는 것이고, 또한, (D1) 성분에 해당하지 않는 것이면 특별히 한정되지 않고, 공지된 것으로부터 임의로 사용하면 된다. 그 중에서도, 지방족 아민이 바람직하고, 이 중에서도 특히 제 2 급 지방족 아민이나 제 3 급 지방족 아민이 보다 바람직하다.The component (D2) is not particularly limited as long as it acts as an acid diffusion controlling agent and does not correspond to the component (D1), and any known component may be used arbitrarily. Especially, an aliphatic amine is preferable, and especially a secondary aliphatic amine and a tertiary aliphatic amine are more preferable among these.

지방족 아민이란, 하나 이상의 지방족기를 갖는 아민이며, 그 지방족기는 탄소수가 1 ∼ 12 인 것이 바람직하다. The aliphatic amine is an amine having at least one aliphatic group, and the aliphatic group preferably has 1 to 12 carbon atoms.

지방족 아민으로는, 암모니아 NH3 의 수소 원자의 적어도 하나를, 탄소수 12 이하의 알킬기 혹은 하이드록시알킬기로 치환한 아민 (알킬아민 혹은 알킬알코올아민) 또는 고리형 아민을 들 수 있다. Examples of the aliphatic amine include amines (alkylamines or alkylalcoholamines) or cyclic amines in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is substituted with an alkyl group having 12 or less carbon atoms or a hydroxyalkyl group.

알킬아민 및 알킬알코올아민의 구체예로는, n-헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, n-노닐아민, n-데실아민 등의 모노알킬아민 ; 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디-n-헵틸아민, 디-n-옥틸아민, 디시클로헥실아민 등의 디알킬아민 ; 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-헥실아민, 트리-n-헵틸아민, 트리-n-옥틸아민, 트리-n-노닐아민, 트리-n-데실아민, 트리-n-도데실아민 등의 트리알킬아민 ; 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민, 디-n-옥탄올아민, 트리-n-옥탄올아민 등의 알킬알코올아민을 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 5 ∼ 10 의 트리알킬아민이 더욱 바람직하고, 트리-n-펜틸아민 또는 트리-n-옥틸아민이 특히 바람직하다. Specific examples of the alkylamine and the alkyl alcoholamine include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, and n-decylamine; dialkylamines such as diethylamine, di-n-propylamine, di-n-heptylamine, di-n-octylamine, and dicyclohexylamine; Trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri trialkylamines such as -n-nonylamine, tri-n-decylamine, and tri-n-dodecylamine; and alkyl alcoholamines such as diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, di-n-octanolamine and tri-n-octanolamine. Among these, a C5-C10 trialkylamine is more preferable, and tri-n-pentylamine or tri-n-octylamine is especially preferable.

고리형 아민으로는, 예를 들어, 헤테로 원자로서 질소 원자를 포함하는 복소 고리 화합물을 들 수 있다. 그 복소 고리 화합물로는, 단고리형의 것 (지방족 단고리형 아민) 이어도 되고 다고리형의 것 (지방족 다고리형 아민) 이어도 된다.As a cyclic amine, the heterocyclic compound which contains a nitrogen atom as a hetero atom is mentioned, for example. The heterocyclic compound may be a monocyclic compound (aliphatic monocyclic amine) or a polycyclic compound (aliphatic polycyclic amine).

지방족 단고리형 아민으로서, 구체적으로는, 피페리딘, 피페라진 등을 들 수 있다.Specific examples of the aliphatic monocyclic amine include piperidine and piperazine.

지방족 다고리형 아민으로는, 탄소수가 6 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 헥사메틸렌테트라민, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄 등을 들 수 있다.The aliphatic polycyclic amine preferably has 6 to 10 carbon atoms, and specifically, 1,5-diazabicyclo[4.3.0]-5-nonene, 1,8-diazabicyclo[5.4.0] -7-undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane, etc. are mentioned.

기타 지방족 아민으로는, 트리스(2-메톡시메톡시에틸)아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시메톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시프로폭시)에틸}아민, 트리스[2-{2-(2-하이드록시에톡시)에톡시}에틸]아민, 트리에탄올아민트리아세테이트 등을 들 수 있고, 트리에탄올아민트리아세테이트가 바람직하다.Examples of other aliphatic amines include tris(2-methoxymethoxyethyl)amine, tris{2-(2-methoxyethoxy)ethyl}amine, tris{2-(2-methoxyethoxymethoxy)ethyl} amine, tris{2-(1-methoxyethoxy)ethyl}amine, tris{2-(1-ethoxyethoxy)ethyl}amine, tris{2-(1-ethoxypropoxy)ethyl}amine; tris[2-{2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy}ethyl]amine, triethanolamine triacetate, etc. are mentioned, Triethanolamine triacetate is preferable.

또, (D2) 성분으로는, 방향족 아민을 사용해도 된다.Moreover, you may use an aromatic amine as (D2) component.

방향족 아민으로는, 4-디메틸아미노피리딘, 피롤, 인돌, 피라졸, 이미다졸 또는 이들의 유도체, 트리벤질아민, 2,6-디이소프로필아닐린, N-tert-부톡시카르보닐피롤리딘 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include 4-dimethylaminopyridine, pyrrole, indole, pyrazole, imidazole or derivatives thereof, tribenzylamine, 2,6-diisopropylaniline, N-tert-butoxycarbonylpyrrolidine, and the like. can be heard

(D2) 성분은, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. (D2) A component may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.

레지스트 조성물이 (D2) 성분을 함유하는 경우, (D2) 성분은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 통상, 0.01 ∼ 5 질량부의 범위에서 사용된다. 상기 범위로 함으로써, 레지스트 패턴 형상, 지연 방치 시간 경과 안정성 등이 향상된다.When the resist composition contains the component (D2), the component (D2) is usually used in an amount of 0.01 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the component (A). By setting it as the said range, a resist pattern shape, delayed-standing time-lapse|temporal stability, etc. improve.

·유기 카르복실산, 그리고 인의 옥소산 및 그 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물 (E) 에 대해 With respect to at least one compound (E) selected from the group consisting of organic carboxylic acids and phosphorus oxo acids and derivatives thereof

본 실시형태의 레지스트 조성물에는, 감도 열화의 방지나, 레지스트 패턴 형상, 지연 방치 시간 경과 안정성 등의 향상의 목적으로, 임의의 성분으로서, 유기 카르복실산, 그리고 인의 옥소산 및 그 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물 (E) (이하 「(E) 성분」이라고 한다.) 를 함유시킬 수 있다.In the resist composition of the present embodiment, for the purpose of preventing sensitivity deterioration, improving resist pattern shape, stability with delayed standing, and the like, as optional components, the group consisting of organic carboxylic acids, phosphorus oxo acids and derivatives thereof. At least one compound (E) selected from (hereinafter referred to as "component (E)") can be contained.

유기 카르복실산으로는, 예를 들어, 아세트산, 말론산, 시트르산, 말산, 숙신산, 벤조산, 살리실산 등이 바람직하다.As organic carboxylic acid, acetic acid, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid, etc. are preferable, for example.

인의 옥소산으로는, 인산, 포스폰산, 포스핀산 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 특히 포스폰산이 바람직하다.Phosphoric acid, phosphonic acid, phosphinic acid etc. are mentioned as an oxo acid of phosphorus, Among these, phosphonic acid is especially preferable.

인의 옥소산의 유도체로는, 예를 들어, 상기 옥소산의 수소 원자를 탄화수소기로 치환한 에스테르 등을 들 수 있고, 상기 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 15 의 아릴기 등을 들 수 있다.Examples of the derivative of phosphorus oxo acid include esters in which a hydrogen atom of the oxo acid is substituted with a hydrocarbon group. Examples of the hydrocarbon group include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, and the like. can be heard

인산의 유도체로는, 인산디-n-부틸에스테르, 인산디페닐에스테르 등의 인산에스테르 등을 들 수 있다.Phosphoric acid esters, such as phosphoric acid di-n-butyl ester and phosphoric acid diphenyl ester, etc. are mentioned as a derivative of phosphoric acid.

포스폰산의 유도체로는, 포스폰산디메틸에스테르, 포스폰산-디-n-부틸에스테르, 페닐포스폰산, 포스폰산디페닐에스테르, 포스폰산디벤질에스테르 등의 포스폰산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the derivative of phosphonic acid include phosphonic acid esters such as dimethyl phosphonic acid, phosphonic acid-di-n-butyl ester, phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl ester, and phosphonic acid dibenzyl ester.

포스핀산의 유도체로는, 포스핀산에스테르나 페닐포스핀산 등을 들 수 있다.As a derivative of a phosphinic acid, a phosphinic acid ester, phenylphosphinic acid, etc. are mentioned.

(E) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.(E) A component may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

레지스트 조성물이 (E) 성분을 함유하는 경우, (E) 성분은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 통상, 0.01 ∼ 5 질량부의 범위에서 사용된다.When the resist composition contains the component (E), the component (E) is usually used in an amount of 0.01 to 5 parts by mass relative to 100 parts by mass of the component (A).

·불소 첨가제 성분 (F) 에 대해 ・About the fluorine additive component (F)

본 실시형태의 레지스트 조성물은, 레지스트막에 발수성을 부여하기 위해서, 불소 첨가제 성분 (이하 「(F) 성분」이라고 한다.) 을 함유해도 된다. The resist composition of the present embodiment may contain a fluorine additive component (hereinafter referred to as "component (F)") in order to impart water repellency to the resist film.

(F) 성분으로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2010-002870호, 일본 공개특허공보 2010-032994호, 일본 공개특허공보 2010-277043호, 일본 공개특허공보 2011-13569호, 일본 공개특허공보 2011-128226호에 기재된 함불소 고분자 화합물을 사용할 수 있다.(F) As a component, Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-002870, Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-032994, Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-277043, Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-13569, Unexamined-Japanese-Patent No. The fluorinated polymer compound described in Publication No. 2011-128226 can be used.

(F) 성분으로서 보다 구체적으로는, 하기 식 (f1-1) 로 나타내는 구성 단위 (f1) 을 갖는 중합체를 들 수 있다. 상기 중합체로는, 하기 식 (f1-1) 로 나타내는 구성 단위 (f1) 만으로 이루어지는 중합체 (호모폴리머) ; 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위 (a1) 과 그 구성 단위 (f1) 의 공중합체 ; 그 구성 단위 (f1) 과, 아크릴산 또는 메타크릴산으로부터 유도되는 구성 단위와, 상기 구성 단위 (a1) 의 공중합체가 바람직하다. 여기서, 그 구성 단위 (f1) 과 공중합되는 상기 구성 단위 (a1) 의 바람직한 것으로는, 예를 들어, 1-에틸-1-시클로옥틸(메트)아크릴레이트로부터 유도되는 구성 단위, 1-메틸-1-아다만틸(메트)아크릴레이트로부터 유도되는 구성 단위를 들 수 있다.(F) The polymer which has a structural unit (f1) represented by a following formula (f1-1) more specifically as a component is mentioned. Examples of the polymer include a polymer (homopolymer) comprising only the structural unit (f1) represented by the following formula (f1-1); A copolymer of the structural unit (a1) containing an acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid, and the structural unit (f1); A copolymer of the structural unit (f1), a structural unit derived from acrylic acid or methacrylic acid, and the structural unit (a1) is preferable. Here, as preferable examples of the structural unit (a1) copolymerized with the structural unit (f1), for example, a structural unit derived from 1-ethyl-1-cyclooctyl (meth)acrylate, 1-methyl-1 - A structural unit derived from adamantyl (meth)acrylate is mentioned.

[화학식 61] [Formula 61]

Figure 112020065141654-pct00061
Figure 112020065141654-pct00061

[식 중, R 은 상기와 동일하고, Rf102 및 Rf103 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기를 나타내고, Rf102 및 Rf103 은 동일해도 되고 상이해도 된다. nf1 은 1 ∼ 5 의 정수이며, Rf101 은 불소 원자를 포함하는 유기기이다.] [Wherein, R is the same as above, Rf 102 and Rf 103 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and Rf 102 and Rf 103 are the same It may or may not be different. nf 1 is an integer of 1 to 5, and Rf 101 is an organic group containing a fluorine atom.]

식 (f1-1) 중, α 위치의 탄소 원자에 결합한 R 은, 상기와 동일하다. R 로는, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.In the formula (f1-1), R bonded to the carbon atom at the α-position is the same as described above. As R, a hydrogen atom or a methyl group is preferable.

식 (f1-1) 중, Rf102 및 Rf103 의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. Rf102 및 Rf103 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기로는, 상기 R 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있고, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다. Rf102 및 Rf103 의 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기로서, 구체적으로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가, 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.In the formula (f1-1), examples of the halogen atom for Rf 102 and Rf 103 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for Rf 102 and Rf 103 include the same groups as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for R, and a methyl group or an ethyl group is preferable. Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for Rf 102 and Rf 103 include a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with halogen atoms.

그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. 그 중에서도 Rf102 및 Rf103 으로는, 수소 원자, 불소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 수소 원자, 불소 원자, 메틸기, 또는 에틸기가 바람직하다. A fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom etc. are mentioned as this halogen atom, A fluorine atom is especially preferable. Especially, as Rf 102 and Rf 103 , a hydrogen atom, a fluorine atom, or a C1-C5 alkyl group is preferable, and a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or an ethyl group is preferable.

식 (f1-1) 중, nf1 은 1 ∼ 5 의 정수이며, 1 ∼ 3 의 정수가 바람직하고, 1 또는 2 인 것이 보다 바람직하다.In formula (f1-1), nf 1 is an integer of 1-5, the integer of 1-3 is preferable, and it is more preferable that it is 1 or 2.

식 (f1-1) 중, Rf101 은, 불소 원자를 포함하는 유기기이며, 불소 원자를 포함하는 탄화수소기인 것이 바람직하다. In formula (f1-1), Rf 101 is an organic group containing a fluorine atom, and is preferably a hydrocarbon group containing a fluorine atom.

불소 원자를 포함하는 탄화수소기로는, 직사슬형, 분기 사슬형 또는 고리형 중 어느 것이어도 되고, 탄소수는 1 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 10 이 특히 바람직하다.The hydrocarbon group containing a fluorine atom may be any of linear, branched or cyclic, preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms. Especially preferred.

또, 불소 원자를 포함하는 탄화수소기는, 당해 탄화수소기에 있어서의 수소 원자의 25 % 이상이 불소화되어 있는 것이 바람직하고, 50 % 이상이 불소화되어 있는 것이 보다 바람직하고, 60 % 이상이 불소화되어 있는 것이, 침지 노광 시의 레지스트막의 소수성이 높아지는 점에서 특히 바람직하다.Moreover, as for the hydrocarbon group containing a fluorine atom, it is preferable that 25% or more of the hydrogen atoms in the said hydrocarbon group are fluorinated, it is more preferable that 50% or more is fluorinated, that 60% or more is fluorinated, It is especially preferable at the point which the hydrophobicity of the resist film at the time of immersion exposure becomes high.

그 중에서도, Rf101 로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 불소화탄화수소기가 보다 바람직하고, 트리플루오로메틸기, -CH2-CF3, -CH2-CF2-CF3, -CH(CF3)2, -CH2-CH2-CF3, -CH2-CH2-CF2-CF2-CF2-CF3 이 특히 바람직하다.Especially, as Rf 101 , a C1-C6 fluorohydrocarbon group is more preferable, and a trifluoromethyl group, -CH 2 -CF 3 , -CH 2 -CF 2 -CF 3 , -CH(CF 3 ) 2 , - CH 2 -CH 2 -CF 3 , -CH 2 -CH 2 -CF 2 -CF 2 -CF 2 -CF 3 are particularly preferred.

(F) 성분의 중량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은, 1000 ∼ 50000 이 바람직하고, 5000 ∼ 40000 이 보다 바람직하고, 10000 ∼ 30000 이 가장 바람직하다. 이 범위의 상한값 이하이면, 레지스트로서 사용하는 데에 레지스트용 용제에의 충분한 용해성이 있고, 이 범위의 하한값 이상이면, 드라이 에칭 내성이나 레지스트 패턴 단면 형상이 양호하다.(F) 1000-50000 are preferable, as for the weight average molecular weight (Mw) (based on polystyrene conversion by gel permeation chromatography) of component, 5000-40000 are more preferable, and 10000-30000 are the most preferable. If it is below the upper limit of this range, there exists sufficient solubility to the solvent for resists for using as a resist, and if it is more than the lower limit of this range, dry etching resistance and resist pattern cross-sectional shape are favorable.

(F) 성분의 분산도 (Mw/Mn) 는, 1.0 ∼ 5.0 이 바람직하고, 1.0 ∼ 3.0 이 보다 바람직하고, 1.2 ∼ 2.5 가 가장 바람직하다.(F) 1.0-5.0 are preferable, as for the dispersion degree (Mw/Mn) of component, 1.0-3.0 are more preferable, 1.2-2.5 are the most preferable.

(F) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.(F) A component may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

레지스트 조성물이 (F) 성분을 함유하는 경우, (F) 성분은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 통상, 0.5 ∼ 10 질량부의 비율로 사용된다.When the resist composition contains the component (F), the component (F) is usually used in an amount of 0.5 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A).

·유기 용제 성분 (S) 에 대해 ・About the organic solvent component (S)

본 실시형태의 레지스트 조성물은, 레지스트 재료를 유기 용제 성분 (이하 「(S) 성분」이라고 하는 경우가 있다) 에 용해시켜 제조할 수 있다.The resist composition of the present embodiment can be produced by dissolving a resist material in an organic solvent component (hereinafter sometimes referred to as "(S) component").

(S) 성분으로는, 사용하는 각 성분을 용해하여, 균일한 용액으로 할 수 있는 것이면 되고, 종래, 화학 증폭형 레지스트 조성물의 용제로서 공지된 것 중에서 임의의 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다.As the component (S), each component to be used can be dissolved to form a uniform solution, and any solvent can be appropriately selected and used from conventionally known solvents for chemically amplified resist compositions.

예를 들어, (S) 성분으로서, γ-부티로락톤 등의 락톤류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵탄온 등의 케톤류 ; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류 ; 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 [이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다] ; 디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류 ; 아니솔, 에틸벤질에테르, 크레실메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르, 에틸벤젠, 디에틸벤젠, 펜틸벤젠, 이소프로필벤젠, 톨루엔, 크실렌, 시멘, 메시틸렌 등의 방향족계 유기 용제, 디메틸술폭사이드 (DMSO) 등을 들 수 있다.For example, as (S) component, Lactones, such as (gamma)-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone; polyhydric alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, and dipropylene glycol; A compound having an ester bond, such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol monoacetate, monomethyl ether, monoethyl ether of the polyhydric alcohol or compound having an ester bond, Derivatives of polyhydric alcohols such as monoalkyl ethers such as monopropyl ether and monobutyl ether, or compounds having ether bonds such as monophenyl ether [among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME) is preferable]; cyclic ethers such as dioxane, esters such as methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, and ethyl ethoxypropionate; Anisole, ethylbenzyl ether, cresylmethyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetol, butylphenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene, mesitylene, etc. of aromatic organic solvents, dimethyl sulfoxide (DMSO), and the like.

(S) 성분은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상의 혼합 용제로서 사용해도 된다.(S) A component may be used independently and may be used as 2 or more types of mixed solvent.

그 중에서도, PGMEA, PGME, γ-부티로락톤, EL, 시클로헥산온이 바람직하다.Especially, PGMEA, PGME, (gamma)-butyrolactone, EL, and cyclohexanone are preferable.

또, PGMEA 와 극성 용제를 혼합한 혼합 용제도 바람직하다. 그 배합비 (질량비) 는, PGMEA 와 극성 용제의 상용성 등을 고려하여 적절히 결정하면 되지만, 바람직하게는 1 : 9 ∼ 9 : 1, 보다 바람직하게는 2 : 8 ∼ 8 : 2 의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.Moreover, the mixed solvent which mixed PGMEA and the polar solvent is also preferable. The compounding ratio (mass ratio) may be appropriately determined in consideration of the compatibility of PGMEA and the polar solvent, etc., but preferably within the range of 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. desirable.

보다 구체적으로는, 극성 용제로서 EL 또는 시클로헥산온을 배합하는 경우에는, PGMEA : EL 또는 시클로헥산온의 질량비는, 바람직하게는 1 : 9 ∼ 9 : 1, 보다 바람직하게는 2 : 8 ∼ 8 : 2 이다. 또, 극성 용제로서 PGME 를 배합하는 경우에는, PGMEA : PGME 의 질량비는, 바람직하게는 1 : 9 ∼ 9 : 1, 보다 바람직하게는 2 : 8 ∼ 8 : 2, 더욱 바람직하게는 3 : 7 ∼ 7 : 3 이다. 또한 PGMEA 와 PGME 와 시클로헥산온의 혼합 용제도 바람직하다.More specifically, when EL or cyclohexanone is blended as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA:EL or cyclohexanone is preferably 1:9 to 9:1, more preferably 2:8 to 8. : is 2. Moreover, when mix|blending PGME as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA:PGME becomes like this. Preferably it is 1:9-9:1, More preferably, it is 2:8-8:2, More preferably, it is 3:7- It is 7:3. A mixed solvent of PGMEA, PGME, and cyclohexanone is also preferable.

또, (S) 성분으로서, 그 외에는, PGMEA 및 EL 중에서 선택되는 적어도 1 종과 γ-부티로락톤의 혼합 용제도 바람직하다. 이 경우, 혼합 비율로는, 전자와 후자의 질량비가 바람직하게는 70 : 30 ∼ 95 : 5 가 된다.In addition, as the component (S), a mixed solvent of at least one selected from PGMEA and EL and γ-butyrolactone is also preferable. In this case, as the mixing ratio, the mass ratio of the former to the latter is preferably 70:30 to 95:5.

(S) 성분의 사용량은, 특별히 한정되지 않고, 기판 등에 도포 가능한 농도로, 도포막 두께에 따라 적절히 설정된다. 일반적으로는 레지스트 조성물의 고형분 농도가 20 ∼ 55 질량%, 바람직하게는 30 ∼ 45 질량% 의 범위 내가 되도록 (S) 성분은 사용된다.(S) The usage-amount of component is not specifically limited, It is a density|concentration which can be apply|coated to a board|substrate etc., and it sets suitably according to the coating film thickness. Generally, component (S) is used so that the solid content concentration of the resist composition is in the range of 20 to 55 mass%, preferably 30 to 45 mass%.

본 실시형태의 레지스트 조성물에는, 추가로 원하는 바에 따라 혼화성이 있는 첨가제, 예를 들어, 레지스트막의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 계면 활성제 (예를 들어, 불소계 계면 활성제 등), 용해 억제제, 가소제, 안정제, 착색제, 할레이션 방지제, 염료 등을 적절히, 첨가 함유시킬 수 있다.The resist composition of the present embodiment may further contain miscible additives as desired, for example, additional resins for improving the performance of the resist film, surfactants (eg, fluorine-based surfactants, etc.), dissolution inhibitors, A plasticizer, a stabilizer, a coloring agent, an antihalation agent, dye, etc. can be added and contained suitably.

이상 설명한 본 양태에 관련된 레지스트 패턴 형성 방법은, 막두께가 7 ㎛ 이상인 고막두께의 레지스트막을 형성하는 데에 유용한 방법이며, 특정의 레지스트 조성물을 사용하여 실시한다.The resist pattern forming method according to this aspect described above is a method useful for forming a high-thickness resist film having a film thickness of 7 µm or more, and is carried out using a specific resist composition.

특정의 레지스트 조성물, 즉, 구성 단위 (a10) 과 구성 단위 (a4) 와 구성 단위 (a1) 을 갖는 수지 성분 (A1) 을 함유하는 레지스트 조성물을 사용함으로써, 고막두께의 레지스트막의 광 투과성이 높아진다. 이로써, 막두께를 7 ㎛ 이상으로 하는 고막두께의 레지스트막을 성막할 때여도, 고감도화가 도모됨과 함께 해상성이 향상되어, 양호한 형상의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.By using a specific resist composition, that is, a resist composition containing a structural unit (a10) and a resin component (A1) having a structural unit (a4) and a structural unit (a1), the light transmittance of the high-thickness resist film is increased. Thereby, even when forming a high-thickness resist film having a film thickness of 7 mu m or more, high sensitivity is achieved, resolution is improved, and a resist pattern having a good shape can be formed.

또한, 이러한 레지스트 패턴 형성 방법에 의하면, 상기 특정 레지스트 조성물을 사용함으로써, 현상액에 대한 용해성이 향상된다. 이로써, 디펙트의 발생을 억제할 수 있고, 또, 패턴 치수의 안정성을 높일 수 있다. 또한, 이러한 레지스트 패턴 형성 방법에 의하면, 충분한 에칭 내성이 유지된다.Moreover, according to such a resist pattern formation method, the solubility with respect to a developing solution improves by using the said specific resist composition. Thereby, generation|occurrence|production of a defect can be suppressed and stability of a pattern dimension can be improved. Moreover, according to such a resist pattern formation method, sufficient etching resistance is maintained.

이러한 레지스트 패턴 형성 방법은, 3 차원 구조 디바이스의 제조용으로서 유용하고, 복수단의 계단 구조를 가공 하는 용도 (중첩 등) 에 바람직한 방법이다. 본 실시형태의 레지스트 패턴 형성 방법을 적용함으로써, 메모리막의 적층화 (3 차원화, 대용량 메모리의 제조) 를 고정밀도로 실현할 수 있다.Such a resist pattern formation method is useful for the manufacture of a three-dimensional structure device, and is a preferable method for the use (superposition etc.) of processing a multi-stage step structure. By applying the resist pattern forming method of the present embodiment, it is possible to achieve stacking of memory films (three-dimensionalization, manufacture of large-capacity memory) with high precision.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited by these examples.

<레지스트 조성물의 조제> <Preparation of resist composition>

표 1 에 나타내는 각 성분을 혼합하여 용해해, 레지스트 조성물 (1) ∼ (6) (모두 고형분 농도 40 질량%) 을 각각 조제하였다.Each component shown in Table 1 was mixed and dissolved to prepare resist compositions (1) to (6) (all of which had a solid content concentration of 40% by mass).

Figure 112020065141654-pct00062
Figure 112020065141654-pct00062

표 1 중, 각 약호는 각각 이하의 의미를 갖는다. [] 안의 수치는 배합량 (질량부) 이다.In Table 1, each symbol has the following meaning, respectively. Numerical values in [] are compounding amounts (parts by mass).

(A)-1 : 하기 화학식 (A1)-1 로 나타내는 고분자 화합물. GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 10000, 분자량 분산도 (Mw/Mn) 는 2.5. 13C-NMR 에 의해 구해진 공중합 조성비 (구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 는, 구성 단위 (a101)/구성 단위 (a41)/구성 단위 (a11) = 50/35/15.(A)-1: A high molecular compound represented by the following formula (A1)-1. The weight average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene calculated|required by GPC measurement is 10000, and molecular weight dispersion degree (Mw/Mn) is 2.5. The copolymer composition ratio (ratio (molar ratio) of each structural unit in the structural formula) determined by 13 C-NMR is structural unit (a101)/structural unit (a41)/structural unit (a11) = 50/35/15.

(A)-2 : 하기 화학식 (A1)-1 로 나타내는 고분자 화합물. GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 10000, 분자량 분산도 (Mw/Mn) 는 2.5. 13C-NMR 에 의해 구해진 공중합 조성비 (구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 는, 구성 단위 (a101)/구성 단위 (a41)/구성 단위 (a11) = 65/20/15.(A)-2: A high molecular compound represented by the following formula (A1)-1. The weight average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene calculated|required by GPC measurement is 10000, and molecular weight dispersion degree (Mw/Mn) is 2.5. The copolymer composition ratio (ratio (molar ratio) of each structural unit in the structural formula) determined by 13 C-NMR is: structural unit (a101)/structural unit (a41)/structural unit (a11)=65/20/15.

(A)-3 : 하기 화학식 (A1)-1 로 나타내는 고분자 화합물. GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 10000, 분자량 분산도 (Mw/Mn) 는 2.5. 13C-NMR 에 의해 구해진 공중합 조성비 (구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 는, 구성 단위 (a101)/구성 단위 (a41)/구성 단위 (a11) = 70/15/15.(A)-3: A high molecular compound represented by the following formula (A1)-1. The weight average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene calculated|required by GPC measurement is 10000, and molecular weight dispersion degree (Mw/Mn) is 2.5. The copolymer composition ratio (ratio (molar ratio) of each structural unit in the structural formula) determined by 13 C-NMR is: structural unit (a101)/structural unit (a41)/structural unit (a11)=70/15/15.

(A)-4 : 하기 화학식 (A1)-1 로 나타내는 고분자 화합물. GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 10000, 분자량 분산도 (Mw/Mn) 는 2.5. 13C-NMR 에 의해 구해진 공중합 조성비 (구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 는, 구성 단위 (a101)/구성 단위 (a41)/구성 단위 (a11) = 40/45/15.(A)-4: A high molecular compound represented by the following formula (A1)-1. The weight average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene calculated|required by GPC measurement is 10000, and molecular weight dispersion degree (Mw/Mn) is 2.5. The copolymer composition ratio (ratio (molar ratio) of each structural unit in the structural formula) determined by 13 C-NMR is: structural unit (a101)/structural unit (a41)/structural unit (a11) = 40/45/15.

(A)-5 : 하기 화학식 (A1)-1 로 나타내는 고분자 화합물. GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 10000, 분자량 분산도 (Mw/Mn) 는 2.5. 13C-NMR 에 의해 구해진 공중합 조성비 (구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 는, 구성 단위 (a101)/구성 단위 (a41)/구성 단위 (a11) = 80/5/15.(A)-5: A high molecular compound represented by the following formula (A1)-1. The weight average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene calculated|required by GPC measurement is 10000, and molecular weight dispersion degree (Mw/Mn) is 2.5. The copolymer composition ratio (ratio (molar ratio) of each structural unit in the structural formula) determined by 13 C-NMR is: structural unit (a101)/structural unit (a41)/structural unit (a11) = 80/5/15.

(A)-6 : 하기 화학식 (A2)-1 로 나타내는 고분자 화합물. GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 10000, 분자량 분산도 (Mw/Mn) 는 2.5. 13C-NMR 에 의해 구해진 공중합 조성비 (구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 는, 구성 단위 (a101)/구성 단위 (st1)/구성 단위 (a12) = 65/20/15.(A)-6: A high molecular compound represented by the following formula (A2)-1. The weight average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene calculated|required by GPC measurement is 10000, and molecular weight dispersion degree (Mw/Mn) is 2.5. The copolymer composition ratio (ratio (molar ratio) of each structural unit in the structural formula) determined by 13 C-NMR is: structural unit (a101)/structural unit (st1)/structural unit (a12)=65/20/15.

[화학식 62] [Formula 62]

Figure 112020065141654-pct00063
Figure 112020065141654-pct00063

(B)-1 : 하기 화학식 (B)-1 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 발생제.(B)-1: An acid generator comprising a compound represented by the following formula (B)-1.

[화학식 63] [Formula 63]

Figure 112020065141654-pct00064
Figure 112020065141654-pct00064

(D)-1 : 트리-n-펜틸아민. (D)-1: tri-n-pentylamine.

(E)-1 : 페닐포스폰산. (E)-1: Phenylphosphonic acid.

(Add)-1 : 불소계 계면 활성제, DIC 주식회사 제조의 상품명 「R-40」.(Add)-1: Fluorine-based surfactant, DIC Co., Ltd. brand name "R-40".

(S)-1 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트/프로필렌글리콜모노메틸에테르 = 5/5 (질량비).(S)-1: propylene glycol monomethyl ether acetate/propylene glycol monomethyl ether = 5/5 (mass ratio).

<레지스트 패턴의 형성 (I)> <Formation of resist pattern (I)>

(실시예 1 ∼ 3) (Examples 1 to 3)

공정 (i) : Process (i):

8 인치의 실리콘 웨이퍼 상에, 레지스트 조성물 (1) ∼ (3) 을 각각, 코터를 사용하여 도포하고, 핫 플레이트 상에서, 130 ℃ 에서 90 초간의 프리베이크 (PAB) 처리를 실시하고, 건조함으로써, 막두께 15 ㎛ 의 레지스트막을 형성하였다.On an 8-inch silicon wafer, each of the resist compositions (1) to (3) is applied using a coater, and a prebaking (PAB) treatment is performed at 130° C. for 90 seconds on a hot plate, followed by drying. A resist film having a thickness of 15 µm was formed.

공정 (ii) : Process (ii):

이어서, 상기 레지스트막에 대해, KrF 노광 장치 NSR-S203B (니콘사 제조 ; NA (개구수) = 0.68, σ = 0.40) 에 의해, KrF 엑시머 레이저 (248 nm) 를, 마스크 패턴 (6 % 하프톤) 을 통하여 선택적으로 조사하였다. Next, a KrF excimer laser (248 nm) was applied to the resist film with a KrF exposure apparatus NSR-S203B (manufactured by Nikon Corporation; NA (numerical aperture) = 0.68, σ = 0.40) with a mask pattern (6% halftone). ) was selectively investigated.

이어서, 110 ℃ 에서 90 초간의 노광 후 가열 (PEB) 처리를 실시하였다.Subsequently, post-exposure heating (PEB) treatment was performed at 110°C for 90 seconds.

공정 (iii) : Process (iii):

이어서, 현상액으로서 2.38 질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 (TMAH) 수용액 「NMD-3」(상품명, 토쿄 오카 공업 주식회사 제조) 을 사용하고, 23 ℃ 에서 60 초간의 조건에 의해 알칼리 현상을 실시하였다.Next, alkali development was performed under the conditions for 60 second at 23 degreeC using 2.38 mass % tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution "NMD-3" (trade name, Tokyo Oka Kogyo Co., Ltd. make) as a developing solution.

그 후, 순수를 사용하여, 30 초간의 물린스를 실시하고, 떨쳐내어 건조를 실시하였다.Then, using pure water, the water was rinsed for 30 seconds, and it was shaken off and dried.

(비교예 1) (Comparative Example 1)

레지스트 조성물 (6) 을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 ∼ 3 과 동일하게 하여, 레지스트 패턴의 형성을 실시하였다.Except having used the resist composition (6), it carried out similarly to Examples 1-3, and formed the resist pattern.

상기 서술한 레지스트 패턴의 형성 (I) 의 결과, 어느 예에 있어서도, 상기 레지스트막에, 스페이스폭 5 ㎛ 의 고립 라인의 패턴 (이하 「IS 패턴」이라고 한다.) 이 형성되었다. As a result of the formation (I) of the resist pattern described above, in any of the examples, a pattern of isolated lines having a space width of 5 µm (hereinafter referred to as an "IS pattern") was formed in the resist film.

[감도] [Sensitivity]

상기 서술한 레지스트 패턴의 형성 (I) 에 의해 타겟 사이즈의 IS 패턴이 형성되었을 때의 최적 노광량 Eop (mJ/㎠) 를 구하고, 감도로 하였다. 이것을 「Eop (mJ/㎠)」로서 표 2 에 나타냈다.The optimal exposure dose Eop (mJ/cm<2>) when the IS pattern of the target size was formed by formation (I) of the resist pattern mentioned above was calculated|required, and it was set as the sensitivity. This was shown in Table 2 as "Eop (mJ/cm<2>).

[레지스트 패턴의 형상] [Shape of resist pattern]

상기 서술한 레지스트 패턴의 형성 (I) 에 의해 형성된 IS 패턴의 형상을, 측장 SEM (주사형 전자현미경, 가속 전압 800 V, 상품명 : SU-8000, 히타치 하이테크놀로지즈사 제조) 에 의해 관찰하고, 하기 평가 기준에 따라, 그 평가 결과를 「형상」으로서 표 2 에 나타냈다.The shape of the IS pattern formed by the formation (I) of the resist pattern described above was observed with a length-length SEM (scanning electron microscope, accelerating voltage 800 V, trade name: SU-8000, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), and the following According to the evaluation criteria, the evaluation result was shown in Table 2 as "shape".

평가 기준 A : 테이퍼 형상 B : top-round 상Evaluation criteria A: Tapered shape B: Top-round top

Figure 112020065141654-pct00065
Figure 112020065141654-pct00065

표 2 에 나타내는 결과로부터, 실시예 1 ∼ 3 의 레지스트 패턴 형성 방법에 의하면, 막두께가 15 ㎛ 인 레지스트막을 성막할 때여도, 높은 감도를 나타내고, 또한, 양호한 형상의 패턴을 형성할 수 있는 것이 인정된다. From the results shown in Table 2, according to the resist pattern forming methods of Examples 1 to 3, even when a resist film having a thickness of 15 µm is formed into a film, it is possible to show high sensitivity and form a pattern of a good shape. It is acknowledged.

한편, 비교예 1 의 레지스트 패턴 형성 방법에서는, 감도가 낮고, 형상도 불량이었다.On the other hand, in the resist pattern formation method of Comparative Example 1, the sensitivity was low and the shape was also poor.

<레지스트 패턴의 형성 (II)> <Formation of resist pattern (II)>

(실시예 4 ∼ 8) (Examples 4 to 8)

공정 (i) : Process (i):

8 인치의 실리콘 웨이퍼 상에, 레지스트 조성물 (1) ∼ (5) 를 각각, 코터를 사용하여 도포하고, 핫 플레이트 상에서, 130 ℃ 에서 90 초간의 프리베이크 (PAB) 처리를 실시하고, 건조함으로써, 막두께 15 ㎛ 의 레지스트막을 형성하였다.On an 8-inch silicon wafer, each of the resist compositions (1) to (5) is applied using a coater, and a prebaking (PAB) treatment is performed at 130° C. for 90 seconds on a hot plate, followed by drying. A resist film having a thickness of 15 µm was formed.

공정 (ii) : Process (ii):

이어서, 상기 레지스트막에 대해, KrF 노광 장치 NSR-S203B (니콘사 제조 ; NA (개구수) = 0.68, σ = 0.40) 에 의해, KrF 엑시머 레이저 (248 nm) 를, 마스크 패턴 (6 % 하프톤) 을 통하여 선택적으로 조사하였다.Next, a KrF excimer laser (248 nm) was applied to the resist film with a KrF exposure apparatus NSR-S203B (manufactured by Nikon Corporation; NA (numerical aperture) = 0.68, σ = 0.40) with a mask pattern (6% halftone). ) was selectively investigated.

이어서, 110 ℃ 에서 90 초간의 노광 후 가열 (PEB) 처리를 실시하였다. Subsequently, post-exposure heating (PEB) treatment was performed at 110°C for 90 seconds.

공정 (iii) : process (iii):

이어서, 현상액으로서 2.38 질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 (TMAH) 수용액 「NMD-3」(상품명, 토쿄 오카 공업 주식회사 제조) 을 사용하고, 23 ℃ 에서 60 초간의 조건에 의해 알칼리 현상을 실시하였다.Then, alkali development was performed at 23 degreeC for 60 second conditions using 2.38 mass % tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution "NMD-3" (trade name, Tokyo Oka Kogyo Co., Ltd. make) as a developing solution.

그 후, 순수를 사용하여, 30 초간의 물린스를 실시하고, 떨쳐내어 건조를 실시하였다.Then, using pure water, the water was rinsed for 30 seconds, and it was shaken off and dried.

상기 서술한 레지스트 패턴의 형성 (II) 의 결과, 어느 예에 있어서도, 상기 레지스트막에, 스페이스폭 3 ㎛ 의 고립 라인의 패턴 (이하 「IS 패턴」이라고 한다.) 이 형성되었다.As a result of formation (II) of the resist pattern described above, in any of the examples, a pattern of isolated lines having a space width of 3 µm (hereinafter referred to as an "IS pattern") was formed in the resist film.

[디펙트 (결함수)] [defect (defective function)]

상기 서술한 레지스트 패턴의 형성 (II) 에 의해 형성된 IS 패턴에 대해, 표면 결함 관찰 장치 (KLA 텐코르사 제조, 제품명 : KLA2371) 를 이용하고, 웨이퍼 내 토탈의 결함수 (전체 결함수) 를 측정하였다.For the IS pattern formed by the formation (II) of the resist pattern described above, the total number of defects in the wafer (the total number of defects) was measured using a surface defect observation apparatus (manufactured by KLA Tencor, product name: KLA2371). .

이러한 측정에 제공한 웨이퍼는, 각 예에 대해 각각 2 장으로 하고, 웨이퍼 내 토탈의 결함수 (전체 결함수) 는 그 평균값을 채용하였다. 그리고, 하기 평가 기준에 따라, 그 평가 결과를 「결함 (Defect)」으로서 표 3 에 나타냈다.Two wafers were used for these measurements, respectively, and the average value was adopted for the total number of defects in the wafer (total number of defects). And according to the following evaluation criteria, the evaluation result was shown in Table 3 as "defect (Defect)."

평가 기준 Evaluation standard

A : 결함수 200 개 이하 A: 200 defects or less

B : 결함수 200 개 초과 300 개 미만 B: More than 200 defects and less than 300 defects

C : 결함수 300 개 이상C: more than 300 defects

[웨이퍼면 (Shot) 내의 치수 균일성 (CDU)] [Dimensional Uniformity (CDU) in Wafer Surface (Shot)]

상기 서술한 레지스트 패턴의 형성 (II) 에 의해 형성된 IS 패턴에 대해, 측장 SEM (주사형 전자현미경, 가속 전압 300 V, 상품명 : S-9380, 주식회사 히타치 하이테크놀로지즈 제조) 에 의해, 그 IS 패턴 (7 × 15 shot) 을 상공으로부터 관찰하고, 그 IS 패턴 중 (상기 shot 내 38 점) 의 스페이스폭을 측정하였다. 그 측정 결과로부터 산출한 표준 편차 (σ) 의 3 배치 (3σ) 를 구하였다. 이와 같이 하여 구해지는 3σ 의 값이 작을수록, 레지스트막에 형성된 스페이스폭의 치수 (CD) 균일성이 높은 것을 의미한다.With respect to the IS pattern formed by the formation (II) of the resist pattern described above, the IS pattern was measured by a length measurement SEM (scanning electron microscope, accelerating voltage 300 V, trade name: S-9380, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). (7×15 shot) was observed from above, and the space width of the IS pattern (38 points in the shot) was measured. Three batches (3σ) of the calculated standard deviation (σ) were obtained from the measurement results. The smaller the value of 3σ obtained in this way, the higher the dimensional (CD) uniformity of the space width formed in the resist film.

그리고, 하기 평가 기준에 따라, 그 평가 결과를 「CDU」로서 표 3 에 나타냈다.And according to the following evaluation criteria, the evaluation result was shown in Table 3 as "CDU".

평가 기준 Evaluation standard

A : 3σ 의 값이 60 nm 이하 A: The value of 3σ is 60 nm or less

B : 3σ 의 값이 60 nm 초과 70 nm 미만 B: The value of 3σ is greater than 60 nm and less than 70 nm

C : 3σ 의 값이 70 nm 이상C: The value of 3σ is 70 nm or more

Figure 112020065141654-pct00066
Figure 112020065141654-pct00066

표 3 에 나타내는 결과로부터, 실시예 4 ∼ 8 의 레지스트 패턴 형성 방법에 의하면, 디펙트의 발생이 저감되고, 또, 치수 (CD) 균일성도 높은 것이 인정된다. 특히, 레지스트 조성물 (1), (2), (3) 을 사용한 경우 (특히 바람직하게는 레지스트 조성물 (2) 를 사용한 경우) 에 이들 효과가 보다 높아지는 것이 인정된다.From the result shown in Table 3, according to the resist pattern formation method of Examples 4-8, it is recognized that generation|occurrence|production of a defect is reduced and the dimensional (CD) uniformity is also high. In particular, it is recognized that these effects become higher when the resist compositions (1), (2) and (3) are used (especially preferably the resist composition (2) is used).

이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명했지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 일은 없다. 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 구성의 부가, 생략, 치환, 및 그 밖의 변경이 가능하다. 본 발명은 전술한 설명에 의해 한정되는 일은 없고, 첨부의 클레임의 범위에 의해서만 한정된다. As mentioned above, although the preferred Example of this invention was described, this invention is not limited to these Examples. In the range which does not deviate from the meaning of this invention, addition, omission, substitution, and other changes of a structure are possible. The present invention is not limited by the above description, but is limited only by the scope of the appended claims.

Claims (8)

지지체 상에, 레지스트 조성물을 사용하여 막두께 7 ㎛ 이상의 레지스트막을 형성하는 공정 (i), 상기 레지스트막을 노광하는 공정 (ii) 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정 (iii) 을 갖는 레지스트 패턴 형성 방법으로서,
상기 레지스트 조성물은, 노광에 의해 산을 발생하고, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 것이고, 하기 일반식 (a10-1) 로 나타내는 구성 단위 (a10) 과, 산 비해리성의 지방족 고리형기를 포함하는 구성 단위 (a4) 와, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위 (a1) 을 갖는 수지 성분 (A1), 및,
하기 일반식 (b-10) 으로 나타내는 화합물, 하기 일반식 (b-20) 으로 나타내는 화합물, 또는, 하기 일반식 (b-30) 으로 나타내는 화합물을 함유하는, 레지스트 패턴 형성 방법.
Figure 112022046263874-pct00067

[식 중, R 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다. Yax1 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다. Wax1 은, (nax1 + 1) 가의 방향족 탄화수소기이다. nax1 은, 1 ∼ 3 의 정수이다.]
Figure 112022046263874-pct00070

[식 중, R101, R104 ∼ R108 은 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. R104, R105 는, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다. R102 는 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. Y101 은 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기이다. V101 ∼ V103 은 각각 독립적으로 단결합, 알킬렌기 또는 불소화 알킬렌기이다. L101 ∼ L102 는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다. L103 ∼ L105 는 각각 독립적으로 단결합, -CO- 또는 -SO2- 이다. R201 은, 아릴기이다. 상기 아릴기가 갖는 수소 원자는, 치환기로 치환되어 있어도 된다. R202 ∼ R203 은, 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기, 알킬기 또는 알케닐기를 나타내고, R201 ∼ R203 은, 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성해도 된다.]
Step (i) of forming a resist film with a thickness of 7 µm or more on a support by using a resist composition, (ii) exposing the resist film, and developing the resist film after exposure (iii) to form a resist pattern; As a method of forming a resist pattern having,
The resist composition generates an acid upon exposure, and its solubility in a developer changes due to the action of the acid. A resin component (A1) having a structural unit (a4) containing a type group and a structural unit (a1) containing an acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid (A1);
A resist pattern forming method comprising a compound represented by the following general formula (b-10), a compound represented by the following general formula (b-20), or a compound represented by the following general formula (b-30).
Figure 112022046263874-pct00067

[In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Ya x1 is a single bond or a divalent linking group. Wa x1 is a (n ax1 +1) valent aromatic hydrocarbon group. n ax1 is an integer of 1 to 3.]
Figure 112022046263874-pct00070

[Wherein, R 101 , R 104 to R 108 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring. R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom. V 101 to V 103 each independently represent a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. L 101 to L 102 are each independently a single bond or an oxygen atom. L 103 to L 105 each independently represent a single bond, -CO-, or -SO 2 -. R 201 is an aryl group. The hydrogen atom which the said aryl group has may be substituted by the substituent. R 202 to R 203 each independently represent an optionally substituted aryl group, alkyl group or alkenyl group, and R 201 to R 203 may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula.]
제 1 항에 있어서,
상기 구성 단위 (a1) 에 있어서의 산 분해성기는, 지방족 고리형기를 포함하는, 레지스트 패턴 형성 방법.
The method of claim 1,
The acid-decomposable group in the structural unit (a1) includes an aliphatic cyclic group.
제 2 항에 있어서,
상기 구성 단위 (a1) 에 있어서의 산 분해성기는, 하기 일반식 (a1-r2-11) 로 나타내는 산 해리성기를 포함하는, 레지스트 패턴 형성 방법.
Figure 112020065141654-pct00068

[식 중, Ra'10 은, 탄소수 1 ∼ 10 의 탄화수소기이다. Ra"11 은, Ra'10 이 결합한 탄소 원자와 함께 단고리형의 지방족 고리형기를 형성하는 기이다. * 는 결합손이다.]
3. The method of claim 2,
The acid-decomposable group in the structural unit (a1) includes an acid-decomposable group represented by the following general formula (a1-r2-11).
Figure 112020065141654-pct00068

[In the formula, Ra' 10 is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. Ra" 11 is a group forming a monocyclic aliphatic cyclic group together with the carbon atom to which Ra' 10 is bonded. * is a bond.]
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구성 단위 (a10) 의 함유 비율은, 상기 수지 성분 (A1) 을 구성하는 전체 구성 단위 (100 몰%) 에 대해 45 ∼ 75 몰% 인, 레지스트 패턴 형성 방법.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The content rate of the said structural unit (a10) is 45-75 mol% with respect to all the structural units (100 mol%) which comprise the said resin component (A1), The resist pattern formation method.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구성 단위 (a1) 의 함유 비율은, 상기 수지 성분 (A1) 을 구성하는 전체 구성 단위 (100 몰%) 에 대해 5 ∼ 20 몰% 인, 레지스트 패턴 형성 방법.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The content rate of the said structural unit (a1) is 5-20 mol% with respect to all the structural units (100 mol%) which comprise the said resin component (A1), The resist pattern formation method.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 공정 (ii) 에 있어서, 상기 레지스트막에 KrF 엑시머 레이저광을 조사하는, 레지스트 패턴 형성 방법.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
In the step (ii), the resist film is irradiated with a KrF excimer laser beam.
제 1 항에 있어서,
상기 공정 (i) 은, 레지스트 조성물을 사용하여 막두께 15 ㎛ 이상의 레지스트막을 형성하는 공정인, 레지스트 패턴 형성 방법.
The method of claim 1,
The said process (i) is a process of forming a resist film with a film thickness of 15 micrometers or more using a resist composition, The resist pattern formation method.
제 1 항에 있어서,
상기 일반식 (b-10) 으로 나타내는 화합물을 함유하는, 레지스트 패턴 형성 방법.
The method of claim 1,
A resist pattern formation method comprising a compound represented by the general formula (b-10).
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