KR102403200B1

KR102403200B1 - Unit for supporting substrate, Apparatus for treating substrate, and Method for treating substrate

Info

Publication number: KR102403200B1
Application number: KR1020170123097A
Authority: KR
Inventors: 이보희
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2017-09-25
Filing date: 2017-09-25
Publication date: 2022-05-27
Also published as: KR20190034725A

Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 열 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에 위치되며, 상면에 기판이 지지되는 지지면을 가지는 지지 플레이트, 상기 지지면에 놓인 기판을 감싸도록 상기 상면에 제공되는 돌기,상기 플레이트에 제공되어 상기 지지면에 놓인 기판의 저면을 가열하는 제1가열 부재, 그리고 상기 돌기에 제공되어 상기 지지면에 놓인 기판의 측부를 가열하는 제2가열 부재를 포함한다. 이로 인해 기판의 중앙 영역과 가장자리 영역이 가열되는 온도차를 최소화할 수 있다.Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for thermally treating a substrate. The substrate processing apparatus includes a chamber having a processing space therein, a support plate positioned in the processing space and having a support surface on which a substrate is supported, a protrusion provided on the upper surface to surround the substrate placed on the support surface, the plate It includes a first heating member provided to heat a bottom surface of the substrate placed on the support surface, and a second heating member provided on the protrusion to heat a side portion of the substrate placed on the support surface. As a result, the temperature difference between the central region and the edge region of the substrate can be minimized.

Description

A substrate supporting unit, a substrate processing apparatus, a substrate processing method TECHNICAL FIELD [0002]

본 발명은 기판을 열 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus and method for thermally treating a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 기판 상에 액막을 형성하는 공정으로 도포 공정이 사용된다. 일반적으로 도포 공정은 처리액을 기판 상에 도포하여 액막을 형성하는 공정이다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, a coating process is used as a process for forming a liquid film on a substrate. In general, the coating process is a process of forming a liquid film by applying a treatment liquid on a substrate.

기판 상에 액막을 형성하기 전후에는 기판을 베이크하는 베이크 처리 공정이 진행된다. 베이크 처리 공정은 밀폐된 공간에서 기판을 공정 온도 또는 그 이상으로 가열 처리하는 과정으로, 액막 상에 유기물을 날려 액막을 안정화시킨다. 이러한 베이크 처리 공정은 기판의 전체 영역을 균일한 온도로 가열해야 한다. Before and after forming the liquid film on the substrate, a bake treatment process of baking the substrate is performed. The baking process is a process in which a substrate is heated to a process temperature or higher in a closed space, and an organic material is blown onto the liquid film to stabilize the liquid film. This baking process requires heating the entire area of the substrate to a uniform temperature.

그러나 액막이 형성된 기판은 중심에서 멀어질수록 휘어지는 워페이지(Warpage)가 발생된다. 워페이지는 고집적화에 의해 기판 상에 다단의 전극층들이 많아질수록 그 정도가 심해진다. 예컨대, 기판은 중앙 영역이 아래로 볼록한 형상을 가질 수 있다.However, warpage occurs in the substrate on which the liquid film is formed, which is warped as it moves away from the center. The degree of warpage increases as the number of multi-stage electrode layers increases on the substrate due to high integration. For example, the substrate may have a shape in which a central region is convex downward.

도 1은 일반적인 베이크 장치로 휘어짐을 가지는 기판을 열 처리하는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 베이크 장치는 지지 플레이트(2) 및 히터(4)를 포함한다. 지지 플레이트(2)의 상면은 기판(W)이 놓여지는 지지면으로 제공되고, 히터(4)는 지지 플레이트(2)에 제공된다. 히터(4)는 지지 플레이트(2)에서 동일 평면 상에 복수 개가 위치된다. 1 is a cross-sectional view of heat-treating a substrate having warpage in a general baking apparatus. Referring to FIG. 1 , the baking apparatus includes a support plate 2 and a heater 4 . The upper surface of the support plate 2 is provided as a support surface on which the substrate W is placed, and the heater 4 is provided on the support plate 2 . A plurality of heaters 4 are located on the same plane in the support plate 2 .

그러나 워페이지가 발생된 기판(W)은 중앙 영역과 가장자리 영역이 서로 상이한 높이를 가지고, 기판(W)의 각 영역은 히터(4)와의 거리 차가 상이해진다. 이에 따라 기판(W)의 중앙 영역과 가장자리 영역은 상이한 온도로 가열되며, 이는 베이크 불량을 발생시키며, 베이크 처리된 액막의 두께는 영역 별로 상이해진다.However, in the substrate W on which the warpage has been generated, the central region and the edge region have different heights, and each region of the substrate W has a different distance from the heater 4 . Accordingly, the central region and the edge region of the substrate W are heated to different temperatures, which causes a baking defect, and the thickness of the baked liquid film is different for each region.

한국 공개 특허 2010-0053138Korean Patent Publication 2010-0053138

본 발명은 기판의 전체 영역을 균일하게 가열 처리할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of uniformly heat-treating the entire area of a substrate.

또한 본 발명은 휘어짐을 가지는 기판을 균일하게 가열 처리할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus capable of uniformly heat-processing a substrate having warpage.

본 발명의 실시예는 기판을 열 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에 위치되며, 상면에 기판이 지지되는 지지면을 가지는 지지 플레이트, 상기 지지면에 놓인 기판을 감싸도록 상기 상면에 제공되는 돌기,상기 플레이트에 제공되어 상기 지지면에 놓인 기판의 저면을 가열하는 제1가열 부재, 그리고 상기 돌기에 제공되어 상기 지지면에 놓인 기판의 측부를 가열하는 제2가열 부재를 포함한다. Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for thermally treating a substrate. The substrate processing apparatus includes a chamber having a processing space therein, a support plate positioned in the processing space and having a support surface on which a substrate is supported, a protrusion provided on the upper surface to surround the substrate placed on the support surface, the plate It includes a first heating member provided to heat a bottom surface of the substrate placed on the support surface, and a second heating member provided on the protrusion to heat a side portion of the substrate placed on the support surface.

상기 제1가열 부재 및 상기 제2가열 부재는 서로 분리되게 제공되며, 서로 독립적으로 제어될 수 있다. The first heating member and the second heating member are provided to be separated from each other, and may be controlled independently of each other.

선택적으로 상기 제2가열 부재는 상기 제1가열부재로부터 연장되게 제공될 수 있다. Optionally, the second heating member may be provided to extend from the first heating member.

상기 돌기는 환형의 링 형상을 가질 수 있다.The protrusion may have an annular ring shape.

상기 제2가열 부재의 상단은 상기 지지면에 높인 기판의 상단보다 높을 수 있다. The upper end of the second heating member may be higher than the upper end of the substrate raised to the support surface.

상기 장치는 상기 제1가열 부재 및 상기 제2가열 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 제1가열 부재를 제1온도로 조절하고, 상기 제2가열 부재를 제2온도로 조절하되, 상기 제1온도 및 상기 제2온도는 서로 상이할 수 있다. 상기 제어기는 상기 제1온도가 상기 제2온도보다 높도록 상기 제2가열 부재를 제어할 수 있다. The apparatus further includes a controller for controlling the first heating member and the second heating member, wherein the controller adjusts the first heating member to a first temperature and adjusts the second heating member to a second temperature However, the first temperature and the second temperature may be different from each other. The controller may control the second heating member so that the first temperature is higher than the second temperature.

기판을 가열 처리하는 방법은 상기 제1가열 부재는 상기 지지면에 놓인 상기 기판의 저면을 제1온도로 가열하고, 상기 제2가열 부재는 상기 지지면에 놓인 상기 기판의 측부를 제2온도로 가열하되, 상기 제1온도는 상기 제2온도와 상이하다.In the method of heating a substrate, the first heating member heats a bottom surface of the substrate placed on the support surface to a first temperature, and the second heating member heats a side surface of the substrate placed on the support surface to a second temperature. However, the first temperature is different from the second temperature.

상기 제1온도는 상기 제2온도보다 높을 수 있다. 상기 제2온도는 상기 기판의 휨 정도에 따라 제어될 수 있다. 상기 기판은 중앙 영역이 아래로 볼록한 휨 정도를 가지며, 상기 휨 정도가 클수록 상기 제2온도를 높일 수 있다. The first temperature may be higher than the second temperature. The second temperature may be controlled according to the degree of warpage of the substrate. The substrate has a bending degree in which a central region is convex downward, and the second temperature may be increased as the degree of bending is greater.

또한 기판을 지지하는 장치는 상면에 기판이 지지되는 지지면을 가지는 지지 플레이트, 상기 지지면에 놓인 기판을 감싸도록 상기 상면에 제공되는 돌기, 상기 플레이트에 제공되어 상기 지지면에 놓인 기판의 저면을 가열하는 제1가열 부재, 그리고 상기 돌기에 제공되어 상기 지지면에 놓인 기판의 측부를 가열하는 제2가열 부재를 포함한다. In addition, the apparatus for supporting the substrate includes a support plate having a support surface on which the substrate is supported, a protrusion provided on the upper surface to surround the substrate placed on the support surface, and a bottom surface of the substrate placed on the support surface provided on the plate It includes a first heating member for heating, and a second heating member provided on the protrusion to heat a side of the substrate placed on the support surface.

상기 제1가열 부재 및 상기 제2가열 부재는 서로 분리되게 제공되며, 서로 독립적으로 제어될 수 있다. 상기 돌기는 환형의 링 형상을 가질 수 있다. The first heating member and the second heating member are provided to be separated from each other, and may be controlled independently of each other. The protrusion may have an annular ring shape.

상기 제1가열 부재를 기판의 저면을 제1온도로 가열하고, 상기 제2가열 부재는 기판의 측부를 제2온도로 가열하되, 상기 제2온도는 상기 제1온도보다 낮을 수 있다.The first heating member may heat a bottom surface of the substrate to a first temperature, and the second heating member may heat a side of the substrate to a second temperature, wherein the second temperature is lower than the first temperature.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판은 그 하부 및 측부 각각에서 위치되는 가열 부재에 의해 가열된다. 이로 인해 기판의 중앙 영역과 가장자리 영역이 가열되는 온도차를 최소화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate is heated by heating elements positioned at the bottom and the sides respectively. As a result, the temperature difference between the central region and the edge region of the substrate can be minimized.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 휘어짐으로 인해 그 가장자리 영역이 제1가열 부재로부터 열 전달이 제대로 이루어지지 않더라도, 측부에 위치된 제2가열 부재에 의해 열 보상될 수 있다.Also, according to the embodiment of the present invention, even if heat transfer from the first heating member to the edge region of the substrate is not properly performed due to the bending of the substrate, heat compensation may be achieved by the second heating member located on the side thereof.

도 1은 일반적인 베이크 장치로 휘어짐을 가지는 기판을 열 처리하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 지지 플레이트를 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 6의 돌기를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 8의 돌기 및 제2가열 부재를 보여주는 절단 사시도이다.
도 10은 휨 정도가 다른 제1기판과 제2기판에 대한 제2온도를 보여주는 그래프이다.
도 11은 도 8의 돌기의 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 12는 도 9의 돌기 및 제2가열 부재의 또 다른 실시예를 보여주는 절단 사시도이다.1 is a cross-sectional view of heat-treating a substrate having warpage in a general baking apparatus.
2 is a plan view illustrating a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a view of the facility of FIG. 2 viewed from the direction AA.
4 is a view of the facility of FIG. 2 viewed from the BB direction.
5 is a view of the facility of FIG. 2 viewed from the CC direction.
6 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 2 .
FIG. 7 is a plan view showing the support plate of FIG. 6 .
FIG. 8 is a plan view showing the protrusion of FIG. 6 .
9 is a cut-away perspective view illustrating the protrusion and the second heating member of FIG. 8 .
10 is a graph showing a second temperature of a first substrate and a second substrate having different degrees of warpage.
11 is a plan view showing another embodiment of the projection of FIG.
12 is a cut-away perspective view showing another embodiment of the protrusion and the second heating member of FIG. 9 .

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 그러나 본 실시예는 밀폐된 기판 처리 공간에 기류가 형성되는 장치라면 다양하게 적용 가능하다. 아래에서는 기판으로 원형의 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment may be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment may be connected to an exposure apparatus and used to perform a coating process and a developing process on a substrate. However, the present embodiment can be variously applied as long as an airflow is formed in a closed substrate processing space. Hereinafter, a case in which a circular wafer is used as a substrate will be described as an example.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이며, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 도 2 내지 도 5를을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a view of the facility of FIG. 2 as viewed from the A-A direction, FIG. 4 is a view of the facility of FIG. 2 from the B-B direction, and FIG. 5 is a view viewed from the C-C direction of the facility of FIG. 2 . 2 to 5 , the substrate processing facility 1 includes a load port 100 , an index module 200 , a first buffer module 300 , a coating and developing module 400 , and a second buffer module ( 500 ), a pre-exposure processing module 600 , and an interface module 700 . Load port 100, index module 200, first buffer module 300, coating and developing module 400, second buffer module 500, pre-exposure processing module 600, and interface module 700 are sequentially arranged in a line in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( A direction in which 700 is arranged is referred to as a first direction 12 , a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from above is referred to as a second direction 14 , and the first direction 12 and the second direction A direction each perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16 .

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved while being accommodated in the cassette 20 . At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a Front Open Unified Pod (FOUP) having a door at the front may be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( 700) will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 in which the substrates W are accommodated is placed. A plurality of mounting tables 120 are provided, and the mounting tables 200 are arranged in a line along the second direction 14 . In FIG. 2, four mounting tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300 . The index module 200 includes a frame 210 , an index robot 220 , and a guide rail 230 . The frame 210 is provided in the shape of a substantially hollow rectangular parallelepiped, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300 . The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 to be described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210 . The index robot 220 is a 4-axis drive so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12 , the second direction 14 , and the third direction 16 . It has this possible structure. The index robot 220 has a hand 221 , an arm 222 , a support 223 , and a pedestal 224 . The hand 221 is fixedly installed on the arm 222 . The arm 222 is provided in a telescoping structure and a rotatable structure. The support 223 is disposed along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223 . The support 223 is fixedly coupled to the support 224 . The guide rail 230 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14 . The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230 . Also, although not shown, a door opener for opening and closing the door of the cassette 20 is further provided in the frame 210 .

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 includes a frame 310 , a first buffer 320 , a second buffer 330 , a cooling chamber 350 , and a first buffer robot 360 . The frame 310 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty interior, and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400 . The first buffer 320 , the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer robot 360 are positioned in the frame 310 . The cooling chamber 350 , the second buffer 330 , and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from the bottom. The first buffer 320 is positioned at a height corresponding to the application module 401 of the coating and developing module 400 to be described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are provided in the coating and developing module (to be described later) ( It is located at a height corresponding to the developing module 402 of the 400). The first buffer robot 360 is positioned to be spaced apart from the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store the plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332 . The supports 332 are disposed in the housing 331 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 332 . In the housing 331 , the index robot 220 , the first buffer robot 360 , and the developing unit robot 482 of the developing module 402 to be described later apply the substrate W to the support 332 in the housing 331 . An opening (not shown) is provided in a direction in which the index robot 220 is provided, a direction in which the first buffer robot 360 is provided, and a direction in which the developing unit robot 482 is provided so as to be carried in or taken out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330 . However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and in the direction in which the applicator robot 432 positioned in the application module 401 is provided, which will be described later. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320 .

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330 . The first buffer robot 360 has a hand 361 , an arm 362 , and a support 363 . The hand 361 is fixedly installed on the arm 362 . The arm 362 is provided in a telescoping structure such that the hand 361 is movable along the second direction 14 . The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 363 . The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320 . The support 363 may be provided longer than this in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may simply be provided such that the hand 361 is only biaxially driven along the second direction 14 and the third direction 16 .

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352 . The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and cooling means 353 for cooling the substrate W. As the cooling means 353, various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. Also, a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352 may be provided in the cooling chamber 350 . The housing 351 includes the index robot 220 and the index robot 220 so that the developing unit robot 482 provided in the developing module 402 to be described later can load or unload the substrate W into or out of the cooling plate 352 . The provided direction and the developing unit robot 482 have an opening (not shown) in the provided direction. In addition, doors (not shown) for opening and closing the above-described opening may be provided in the cooling chamber 350 .

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 generally has a rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 includes an application module 401 and a development module 402 . The application module 401 and the developing module 402 are arranged to be partitioned between each other in layers. According to an example, the application module 401 is located above the developing module 402 .

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 유닛(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 유닛(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 유닛(410)과 베이크 유닛(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 유닛(410)은 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 유닛(410)이 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(420)는 더 많거나 더 적은 수로 제공될 수 있다.The coating module 401 includes a process of applying a photoresist such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling on the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application unit 410 , a bake unit 420 , and a transfer chamber 430 . The resist application unit 410 , the bake unit 420 , and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the resist application unit 410 and the bake unit 420 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist application units 410 are provided, and a plurality of resist application units 410 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six resist application units 410 are provided is shown. A plurality of bake units 420 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six bake units 420 are provided is shown. However, alternatively, more or fewer bake units 420 may be provided.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 유닛들(420), 레지스트 도포 유닛들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . An applicator robot 432 and a guide rail 433 are positioned in the transfer chamber 430 . The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 includes the bake units 420 , the resist application units 400 , the first buffer 320 of the first buffer module 300 , and the first of the second buffer module 500 to be described later. The substrate W is transferred between the cooling chambers 520 . The guide rail 433 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to move linearly in the first direction 12 . The applicator robot 432 has a hand 434 , an arm 435 , a support 436 , and a pedestal 437 . The hand 434 is fixedly installed on the arm 435 . The arm 435 is provided in a telescoping structure so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . Arm 435 is coupled to support 436 so as to be movable linearly in third direction 16 along support 436 . The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 , and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 to be movable along the guide rail 433 .

레지스트 도포 유닛들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 유닛(410)에서 사용되는 감광액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 감광액으로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 유닛(410)은 기판(W) 상에 감광액을 도포한다. 레지스트 도포 유닛(410)은 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 감광액을 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 감광액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 유닛(410)에는 감광액이 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist application units 410 all have the same structure. However, the type of the photoresist used in each resist application unit 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist application unit 410 applies a photoresist on the substrate W. The resist application unit 410 has a housing 411 , a support plate 412 , and a nozzle 413 . The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is positioned in the housing 411 and supports the substrate W. The support plate 412 is provided rotatably. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412 . The nozzle 413 has a circular tubular shape, and may supply a photoresist to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the outlet of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist application unit 410 may further include a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W on which the photosensitive liquid is applied.

베이크 유닛(800)은 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(800)는 감광액을 도포하기 전후 각각에 기판(W)을 열 처리한다. 베이크 유닛(800)은 감광액을 도포하기 전의 기판(W)의 표면 성질이 변화시키도록 기판(W)을 소정의 온도로 가열하고, 그 기판(W) 상에 점착제와 같은 처리액막을 형성할 수 있다. 베이크 유닛(800)은 감광액이 도포된 기판(W)을 감압 분위기에서 감광액막을 열 처리할 수 있다. 감광액막에 포함된 휘발성 물질을 휘발시킬 수 있다. 본 실시예에는 베이크 유닛(800)이 감광액막을 열 처리하는 유닛으로 설명한다.The bake unit 800 heat-treats the substrate W. The bake unit 800 heat-treats the substrate W before and after applying the photoresist. The bake unit 800 heats the substrate W to a predetermined temperature to change the surface properties of the substrate W before applying the photoresist, and forms a film of a treatment liquid such as an adhesive on the substrate W. have. The bake unit 800 may heat-treat the photoresist film on the substrate W on which the photoresist is applied in a reduced pressure atmosphere. Volatile materials included in the photoresist film may be volatilized. In this embodiment, the baking unit 800 is described as a unit for heat-processing the photoresist film.

베이크 유닛(800)은 냉각 플레이트(820) 및 가열 유닛(1000)을 포함한다. 냉각 플레이트(820)는 가열 유닛(1000)에 의해 가열 처리된 기판(W)을 냉각 처리한다. 냉각 플레이트(820)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 냉각 플레이트(820)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다. 예컨대, 냉각 플레이트(820)에 놓여진 기판(W)은 상온과 동일하거나 이와 인접한 온도로 냉각 처리될 수 있다. The bake unit 800 includes a cooling plate 820 and a heating unit 1000 . The cooling plate 820 cools the substrate W heat-treated by the heating unit 1000 . The cooling plate 820 is provided in a circular plate shape. A cooling means such as cooling water or a thermoelectric element is provided inside the cooling plate 820 . For example, the substrate W placed on the cooling plate 820 may be cooled to a temperature equal to or adjacent to room temperature.

가열 유닛(1000)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 가열 유닛(1000)은 기판(W)을 가열 처리하는 기판 처리 장치(1000)로 제공된다. 도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1200), 배기 유닛(1500), 그리고 제어기(1900) 포함한다. The heating unit 1000 heats the substrate W in a reduced pressure atmosphere at or lower than normal pressure. The heating unit 1000 is provided to the substrate processing apparatus 1000 for heat-processing the substrate W. As shown in FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 2 . Referring to FIG. 6 , the substrate processing apparatus 1000 includes a chamber 1100 , a substrate support unit 1200 , an exhaust unit 1500 , and a controller 1900 .

챔버(1100)는 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The chamber 1100 provides a processing space 1110 for heat-processing the substrate W therein. The processing space 1110 is provided as a space blocked from the outside. The chamber 1100 includes an upper body 1120 , a lower body 1140 , and a sealing member 1160 .

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 중심홀(1122) 및 주변홀(1124)이 형성된다. 중심홀(1122)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 중심홀(1122)은 처리 공간(1110)의 분위기가 배기되는 배기홀(1122)로 기능한다. 주변홀(1124)은 복수 개로 제공되며, 상부 바디(1120)의 중심을 벗어난 위치에 형성된다. 주변홀들(1124)은 처리 공간(1110)에 외부의 기류가 유입되는 유입홀(1124)로 기능한다. 주변홀들(1124)은 중심홀(1122)을 감싸도록 위치된다. 주변홀들(1124)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 위치된다. 일 예에 의하면, 주변홀(1124)은 4 개일 수 있다. 외부의 기류는 에어일 수 있다.The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with an open lower portion. A center hole 1122 and a peripheral hole 1124 are formed on the upper surface of the upper body 1120 . The center hole 1122 is formed in the center of the upper body 1120 . The central hole 1122 functions as an exhaust hole 1122 through which the atmosphere of the processing space 1110 is exhausted. The peripheral hole 1124 is provided in plurality, and is formed at a position off-center of the upper body 1120 . The peripheral holes 1124 function as inflow holes 1124 through which an external air flow flows into the processing space 1110 . The peripheral holes 1124 are positioned to surround the central hole 1122 . The peripheral holes 1124 are positioned to be spaced apart from each other along the circumferential direction. According to an example, the number of peripheral holes 1124 may be four. The external airflow may be air.

선택적으로, 주변홀들(1124)은 3 개 또는 5 개 이상으로 제공될 수 있다. 또한 외부의 기류는 비활성 가스일 수 있다.Optionally, 3 or 5 or more of the peripheral holes 1124 may be provided. Also, the external airflow may be an inert gas.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with an open top. The lower body 1140 is located below the upper body 1120 . The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are combined with each other to form a processing space 1110 therein. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned so that their central axes coincide with each other in the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120 . That is, the upper end of the lower body 1140 may be positioned to face the lower end of the upper body 1120 .

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 하부 바디(1140)의 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치 및 차단 위치 간에 이동되는 것으로 설명한다. 여기서 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 is moved to the open position and the closed position by the lifting member 1130 , and the other one is fixed. In this embodiment, it will be described that the position of the lower body 1140 is fixed, and the upper body 1120 is moved between the open position and the blocked position by the lifting member 1130 . Here, the open position is a position where the upper body 1120 and the lower body 1140 are spaced apart from each other and the processing space 1110 is opened. The blocking position is a position where the processing space 1110 is sealed from the outside by the lower body 1140 and the upper body 1120 .

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 간에 틈을 실링한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상을 가지는 오링 부재(1160)일 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. The sealing member 1160 is positioned between the upper body 1120 and the lower body 1140 . The sealing member 1160 seals a gap between the upper body 1120 and the lower body 1140 . The sealing member 1160 may be an O-ring member 1160 having an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper end of the lower body 1140 .

기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 지지 플레이트(1320), 리프트 핀(1340), 돌기(1700), 제1가열 부재(1600), 그리고 제2가열 부재(1720)를 포함한다. 도 7은 도 6의 지지 플레이트를 보여주는 평면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 지지 플레이트(1320)는 제1가열 부재(1600)로부터 발생된 열을 기판(W)으로 전달한다. 지지 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면에는 지지면면이 제공된다. 지지면은 기판을 지지하는 영역으로 기능한다. 지지면은 지지 플레이트(1320)의 상면의 중앙 영역을 포함한다. 지지면에는 복수의 흡착홀들(미도시) 및 복수의 지지핀들(미도시)이 형성될 수 있다. 흡착홀들에는 진공이 제공되어 기판을 진공 흡착할 수 있다. 지지핀들은 기판과 지지면면을 소정 간격으로 이격시킨다. 지지핀들은 지지면으로부터 위로 돌출되게 제공된다. 지지핀들의 상단은 라운드지도록 제공된다. 기판은 지지핀들의 상단에 놓여진다. 이에 따라 지지핀과 기판 간에 접촉 면적을 최소화시키며, 기판의 전체 영역에 대한 열 전달을 균일하게 할 수 있다. The substrate support unit 1300 supports the substrate W in the processing space 1110 . The substrate support unit 1300 is fixedly coupled to the lower body 1140 . The substrate support unit 1300 includes a support plate 1320 , a lift pin 1340 , a protrusion 1700 , a first heating member 1600 , and a second heating member 1720 . FIG. 7 is a plan view showing the support plate of FIG. 6 . 6 and 7 , the support plate 1320 transfers heat generated from the first heating member 1600 to the substrate W. The support plate 1320 is provided in a circular plate shape. A support surface is provided on the upper surface of the support plate 1320 . The support surface functions as an area for supporting the substrate. The support surface includes a central region of the upper surface of the support plate 1320 . A plurality of adsorption holes (not shown) and a plurality of support pins (not shown) may be formed on the support surface. A vacuum may be provided to the adsorption holes to vacuum adsorb the substrate. The support pins separate the substrate and the support surface by a predetermined distance. Support pins are provided to protrude upward from the support surface. The upper ends of the support pins are provided to be rounded. A substrate is placed on top of the support pins. Accordingly, the contact area between the support pin and the substrate is minimized, and heat transfer to the entire area of the substrate can be uniform.

지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 지지 플레이트(1320)의 상면에는 복수의 핀 홀들(1322)이 형성된다. 핀 홀들(1322)은 서로 상이한 영역에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 핀 홀들(1322)은 지지 플레이트(1320)의 상면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 핀 홀(1322)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 핀 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 각각의 핀 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 제공된다. 리프트 핀(1340)은 상단이 핀 홀(1322)로부터 돌출되거나 삽입되도록 상하 이동이 가능하다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(1340)은 승강 위치 또는 하강 위치로 이동될 수 있다. 승강 위치는 리프트 핀(1340)의 상단이 핀 홀(1322)로부터 돌출되는 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(1340)이 핀 홀(1322) 내에 삽입되는 위치일 수 있다. 핀 홀들(1322)은 3 개로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(1320)는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.The upper surface of the support plate 1320 has a larger diameter than the substrate W. As shown in FIG. A plurality of pin holes 1322 are formed on the upper surface of the support plate 1320 . The pin holes 1322 are located in different regions. When viewed from the top, the pin holes 1322 are arranged to surround the center of the upper surface of the support plate 1320 . Each of the pin holes 1322 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. The pin holes 1322 are positioned to be spaced apart from each other at equal intervals. Each pin hole 1322 is provided with a lift pin 1340 . The lift pin 1340 is movable up and down so that the upper end protrudes or is inserted from the pin hole 1322 . According to an example, the lift pin 1340 may be moved to an elevating position or a lowering position. The lifting position may be a position where the upper end of the lift pin 1340 protrudes from the pin hole 1322 , and the lowering position may be a position where the lift pin 1340 is inserted into the pin hole 1322 . Three pin holes 1322 may be provided. The support plate 1320 may be made of a material including aluminum nitride (AlN).

도 8은 도 6의 돌기를 보여주는 평면도이고, 도 9는 도 8의 돌기 및 제2가열 부재를 보여주는 절단 사시도이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 돌기(1700)는 지지 플레이트(1320)의 상면에 제공된다. 돌기(1700)는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 돌기(1700)는 지지면을 감싸는 직경을 가지도록 제공된다. 돌기(1700)의 상단은 지지면에 놓인 기판(W)보다 높게 제공된다. 일 예에 의하면, 돌기(1700)는 기판(W)의 위치를 정 위치로 안내하는 가이드일 수 있다. 돌기(1700)의 내측면은 위에서 아래로 갈수록 중심축에 가까워지는 방향을 따라 하향 경사지게 제공될 수 있다. 또한 돌기(1700)는 기판(W)과 지지면 사이에 형성된 가열 분위기가 기판(W)의 외측으로 유출되는 것을 방지할 수 있다.FIG. 8 is a plan view showing the protrusion of FIG. 6 , and FIG. 9 is a cut-away perspective view showing the protrusion and the second heating member of FIG. 8 . 8 and 9 , the protrusion 1700 is provided on the upper surface of the support plate 1320 . The protrusion 1700 is provided to have an annular ring shape. When viewed from the top, the projection 1700 is provided to have a diameter surrounding the support surface. The upper end of the protrusion 1700 is provided higher than the substrate W placed on the support surface. According to an example, the protrusion 1700 may be a guide for guiding the position of the substrate W to the normal position. The inner surface of the protrusion 1700 may be provided to be inclined downward in a direction closer to the central axis from top to bottom. In addition, the protrusion 1700 may prevent the heating atmosphere formed between the substrate W and the support surface from flowing out of the substrate W.

제1가열 부재(1600)는 지지면에 놓인 기판(W)을 제1온도로 가열 처리한다. 기판(W)은 제1가열 부재(1600)에 의해 제1영역이 가열 처리된다. 제1가열 부재(1600)는 지지면에 놓인 기판(W)보다 아래에 위치된다. 제1가열 부재(1600)은 지지 플레이트(1320) 내에 위치된다. 제1가열 부재는 제1히터(1620) 및 제2히터(1640)를 포함한다. 상부에서 바라볼 때 제1히터(1620)는 지지면의 중앙 영역에 중첩되게 위치되고, 제2히터(1640)는 지지면의 가장자리 영역에 중첩되게 위치된다. 제1히터(1620) 및 제2히터(1640) 각각은 동일 평면 상에 위치된다. 예컨대, 제1히터(1620) 및 제2히터(1640) 각각은 열선일 수 있다. 상부에서 바라볼 때 제1히터(1620) 및 제2히터(1640) 각각은 나선 형상을 가질 수 있다. 제1영역은 기판(W)의 저면일 수 있다. The first heating member 1600 heats the substrate W placed on the support surface to a first temperature. A first area of the substrate W is heat-treated by the first heating member 1600 . The first heating member 1600 is positioned below the substrate W placed on the support surface. The first heating member 1600 is located in the support plate 1320 . The first heating member includes a first heater 1620 and a second heater 1640 . When viewed from the top, the first heater 1620 is positioned to overlap the central region of the support surface, and the second heater 1640 is positioned to overlap the edge region of the support surface. Each of the first heater 1620 and the second heater 1640 is positioned on the same plane. For example, each of the first heater 1620 and the second heater 1640 may be a hot wire. When viewed from the top, each of the first heater 1620 and the second heater 1640 may have a spiral shape. The first region may be a bottom surface of the substrate W.

제2가열 부재(1720)는 지지면에 놓인 기판(W)을 제2온도로 가열 처리한다. 기판(W)은 제2가열 부재(1720)에 의해 제2영역이 가열 처리된다. 제2가열 부재(1720)는 제1가열 부재(1600)로부터 분리되게 제공되며, 제1가열 부재(1600)로부터 독립적으로 제어 가능하다. 제2가열 부재(1720)는 환형의 링 형상을 가지며, 돌기(1700) 내에 위치된다. 예컨대, 제2영역은 기판(W)의 측부일 수 있다. 일 예에 의하면, 제2온도는 제1온도와 동일하거나 이보다 낮은 온도일 수 있다.The second heating member 1720 heats the substrate W placed on the support surface to a second temperature. The second area of the substrate W is heat-treated by the second heating member 1720 . The second heating member 1720 is provided separately from the first heating member 1600 , and is independently controllable from the first heating member 1600 . The second heating member 1720 has an annular ring shape and is located in the protrusion 1700 . For example, the second region may be a side of the substrate W. According to an example, the second temperature may be the same as or lower than the first temperature.

다시 도 6을 참조하면, 배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110)에 유입된 기류의 흐름을 안내한다. 또한 배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1530) 및 안내판(1540)을 포함한다. 배기관(1530)는 길이 방향이 수직한 상하 방향을 향하는 관 형상을 가진다. 배기관(1530)는 상부 바디(1120)의 상벽을 관통하도록 위치된다. 일 예에 의하면, 배기관(1530)는 중심홀(1122)에 삽입되게 위치될 수 있다. 즉, 배기관(1530)의 하단은 처리 공간(1110) 내에 위치되고, 배기관(1530)의 상단은 처리 공간(1110)의 외부에 위치된다. 배기관(1530)의 상단에는 감압 부재(1560)가 연결된다. 감압 부재(1560)는 배기관(1530)를 감압한다. 이에 따라 처리 공간(1110)의 분위기는 통공(1542) 및 배기관(1530)를 순차적으러 거쳐 배기된다.Referring back to FIG. 6 , the exhaust unit 1500 guides the flow of the airflow introduced into the processing space 1110 . Also, the exhaust unit 1500 exhausts the atmosphere of the processing space 1110 . The exhaust unit 1500 includes an exhaust pipe 1530 and a guide plate 1540 . The exhaust pipe 1530 has a tubular shape in which the longitudinal direction is perpendicular to the vertical direction. The exhaust pipe 1530 is positioned to pass through the upper wall of the upper body 1120 . According to an example, the exhaust pipe 1530 may be positioned to be inserted into the center hole 1122 . That is, the lower end of the exhaust pipe 1530 is located in the processing space 1110 , and the upper end of the exhaust pipe 1530 is located outside the processing space 1110 . A pressure reducing member 1560 is connected to the upper end of the exhaust pipe 1530 . The pressure reducing member 1560 depressurizes the exhaust pipe 1530 . Accordingly, the atmosphere of the processing space 1110 is exhausted sequentially through the through hole 1542 and the exhaust pipe 1530 .

안내판(1540)는 중심에 통공(1542)을 가지는 판 형상을 가진다. 안내판(1540)는 배기관(1530)의 하단으로부터 연장된 원형의 판 형상을 가진다. 안내판(1540)는 통공(1542)과 배기관(1530)의 내부가 서로 통하도록 배기관(1530)에 고정 결합된다. 안내판(1540)는 지지 플레이트(1320)의 상부에서 지지 플레이트(1320)의 지지면과 마주하게 위치된다. 안내판(1540)는 하부 바디(1140)보다 높게 위치된다. 일 예에 의하면, 안내판(1540)는 상부 바디(1120)와 마주하는 높이에 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 안내판(1540)는 주변홀(1124)과 중첩되게 위치되고, 상부 바디(1120)의 내측면과 이격되는 직경을 가진다. 이에 따라 안내판(1540)의 측단과 상부 바디(1120)의 내측면 간에는 틈이 발생되며, 이 틈은 주변홀(1124)을 통해 유입된 기류가 기판(W)으로 공급되는 흐름 경로로 제공된다.The guide plate 1540 has a plate shape having a through hole 1542 in the center. The guide plate 1540 has a circular plate shape extending from the lower end of the exhaust pipe 1530 . The guide plate 1540 is fixedly coupled to the exhaust pipe 1530 so that the through hole 1542 and the inside of the exhaust pipe 1530 communicate with each other. The guide plate 1540 is positioned on the upper portion of the support plate 1320 to face the support surface of the support plate 1320 . The guide plate 1540 is positioned higher than the lower body 1140 . According to an example, the guide plate 1540 may be positioned at a height facing the upper body 1120 . When viewed from the top, the guide plate 1540 is positioned to overlap the peripheral hole 1124 and has a diameter spaced apart from the inner surface of the upper body 1120 . Accordingly, a gap is generated between the side end of the guide plate 1540 and the inner surface of the upper body 1120 , and the gap is provided as a flow path through which the air flow introduced through the peripheral hole 1124 is supplied to the substrate W.

제어기(1900)는 제1가열 부재(1600) 및 제2가열 부재(1720)를 제어한다. 제어기(1900)는 제2온도가 제1온도보다 낮거나 동일하도록 각 가열 부재(1600,1720)를 제어한다. 일 예에 의하면, 제어기(1900)는 제1온도가 고정값을 가지도록 제1가열 부재(1600)를 제어하고, 제2온도가 가변 가능한 조절값을 가지도록 제2가열 부재(1720)를 제어할 수 있다. 또한 제어기(1900)는 기판(W)의 휨 정도를 근거로 제2온도를 조절한다. 일 예에 의하면, 기판(W)은 중앙 영역이 아래로 볼록한 휨 정도를 가지며, 제2온도를 휨 정도에 비례되게 조절할 수 있다. 제어기(1900)는 휨 정도가 클수록 제2온도를 높이고, 휨 정도가 적을수록 제2온도를 낮출 수 있다. 이러한 휨 정도 측정은 기판(W)이 처리 공간(1110에 반입되기 전에 측정되거나, 반입되는 중에 센서(미도시)에 의해 측정될 수 있다.The controller 1900 controls the first heating member 1600 and the second heating member 1720 . The controller 1900 controls each of the heating members 1600 and 1720 so that the second temperature is lower than or equal to the first temperature. According to an example, the controller 1900 controls the first heating member 1600 so that the first temperature has a fixed value, and controls the second heating member 1720 so that the second temperature has a variable control value. can do. In addition, the controller 1900 adjusts the second temperature based on the degree of warpage of the substrate (W). According to an example, the substrate W has a degree of bending in which the central region is convex downward, and the second temperature may be adjusted in proportion to the degree of bending. The controller 1900 may increase the second temperature as the degree of bending increases, and decrease the second temperature as the degree of bending decreases. Such a degree of warpage may be measured before the substrate W is loaded into the processing space 1110 or may be measured by a sensor (not shown) while being loaded.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 열 처리하는 방법에 대해 설명한다. 챔버(1100)는 개방 위치로 이동되고, 도포부 로봇(432)에 지지된 기판(W)은 처리 공간(1110)으로 반입된다. 기판(W)은 반입되는 중에 센서(미도시)에 의해 휨 정도가 측정될 수 있다. 리프트 핀(1340)은 승강 위치로 이동되어 도포부 로봇(432)으로부터 기판(W)을 인수받는다. 리프트 핀(1340)에 기판(W)이 놓이면, 리프트 핀(1340)은 하강 위치로 이동되고, 기판(W)은 지지핀에 놓인다. 제2가열 부재(1720)는 휨 정도에 따라 제2온도가 조절된다. 도 10은 휨 정도가 다른 제1기판과 제2기판에 대한 제2온도를 보여주는 그래프이다. 도 10을 참조하면, 제1기판(W₁)은 제2기판(W₂)에 비해 그 휨 정도가 크다. 즉 제1기판(W₁)은 제2기판(W₂)의 비해 가장자리 영역의 상단 높이가 높다. 이에 따라 제1기판(W₁)에 대한 제2온도(T₁)는 제2기판(W₂)에 대한 제2온도(T₂)보다 높게 제공될 수 있다.Next, a method of heat-treating the substrate W using the above-described substrate processing apparatus will be described. The chamber 1100 is moved to the open position, and the substrate W supported by the applicator robot 432 is loaded into the processing space 1110 . The degree of warpage of the substrate W may be measured by a sensor (not shown) while being carried in. The lift pin 1340 is moved to the lifting position to receive the substrate W from the applicator robot 432 . When the substrate W is placed on the lift pins 1340 , the lift pins 1340 are moved to the lowered position, and the substrate W is placed on the support pins. The second temperature of the second heating member 1720 is adjusted according to the degree of bending. 10 is a graph showing a second temperature of a first substrate and a second substrate having different degrees of warpage. Referring to FIG. 10 , the degree of bending of the first substrate W ₁ is greater than that of the second substrate W ₂ . That is, the first substrate W ₁ has a higher upper end of the edge region than that of the second substrate W ₂ . Accordingly, the second temperature T ₁ for the first substrate W ₁ may be provided higher than the second temperature T ₂ for the second substrate W ₂ .

상술한 실시예에 의하면, 기판(W)은 휨 정도를 가지며, 이는 지지면에 대한 기판(W)의 영역 별 밀착도가 상이하다. 이에 따라 기판(W)의 영역 별 온도는 상이하게 진행될 수 있다. 본 실시예에는 제2가열 부재(1720)가 기판(W)의 측부를 가열함에 따라 제1가열 부재(1600)에 대한 기판(W)의 측부를 열 보상할 수 있으며, 제2온도는 제1온도에 대한 열 보상 온도이므로, 제2온도는 제1온도에 비해 낮다.According to the above-described embodiment, the substrate W has a degree of warpage, which is different in the degree of adhesion of the substrate W to the support surface for each region. Accordingly, the temperature for each region of the substrate W may be different. In this embodiment, as the second heating member 1720 heats the side of the substrate W, the side of the substrate W with respect to the first heating member 1600 may be thermally compensated, and the second temperature is the first Since it is a thermal compensation temperature for temperature, the second temperature is lower than the first temperature.

상술한 실시예에는 돌기(1700)가 단일 개로 제공되며, 환형의 링 형상을 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 도 11과 같이, 돌기(1700a 내지 1700f)는 복수 개로 제공되며, 각각은 호 형상으로 제공될 수 있다. 돌기들(1700a 내지 1700f)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열될 수 있다. 돌기들(1700a 내지 1700f) 각각의 내에는 제2가열 부재(1720)가 제공될 수 있다.In the above-described embodiment, a single projection 1700 is provided and has been described as having an annular ring shape. However, as shown in FIG. 11 , a plurality of protrusions 1700a to 1700f are provided, and each of the protrusions 1700a to 1700f may be provided in an arc shape. The protrusions 1700a to 1700f may be combined with each other to have an annular ring shape. A second heating member 1720 may be provided in each of the protrusions 1700a to 1700f.

또한 도 12와 같이, 제2가열 부재(1720)는 제1가열 부재(1600)로부터 연장되게 제공될 수 있다. 제2가열 부재(1720)는 제1가열 부재(1600)로부터 연장되는 열선일 수 있다. 제2가열 부재(1720)는 제2히터로부터 연장될 수 있다. 이에 따라 제1가열 부재(1600)와 제2가열 부재(1720)를 동시에 제어할 수 있다.Also, as shown in FIG. 12 , the second heating member 1720 may be provided to extend from the first heating member 1600 . The second heating member 1720 may be a heating wire extending from the first heating member 1600 . The second heating member 1720 may extend from the second heater. Accordingly, the first heating member 1600 and the second heating member 1720 may be simultaneously controlled.

또한 상술한 실시예와 달리, 제1가열 부재들(1600)은 지지 플레이트(1320)의 저면에 위치될 수 있다. 제1가열 부재들(1600)은 지지면의 서로 상이한 영역을 가열한다. 상부에서 바라볼 때 각 제1가열 부재(1600)에 대응되는 지지 플레이트(1320)의 영역은 히팅존들로 제공될 수 있다. 각각의 제1가열 부재(1600)는 온도가 독립 조절 가능하다. 예컨대, 히팅존은 15 개일 수 있다. 각 히팅존은 측정 부재(미도시)에 의해 온도가 측정된다. 제1가열 부재(1600)는 프린팅에 의한 패턴일 수 있다.Also, unlike the above-described embodiment, the first heating members 1600 may be located on the bottom surface of the support plate 1320 . The first heating members 1600 heat different regions of the support surface. When viewed from the top, the area of the support plate 1320 corresponding to each of the first heating members 1600 may be provided as heating zones. The temperature of each of the first heating members 1600 is independently adjustable. For example, the number of heating zones may be 15. The temperature of each heating zone is measured by a measuring member (not shown). The first heating member 1600 may be a pattern by printing.

다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 유닛(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 유닛(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 유닛(460)과 베이크 유닛(470)은 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 유닛(460)은 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 유닛(460)이 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(470)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(470)이 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(470)은 더 많은 수로 제공될 수 있다.Referring back to FIGS. 2 to 5 , the developing module 402 supplies a developer solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist, and applies the developing process to the substrate W before and after the developing process. It includes heat treatment processes such as heating and cooling performed on the The developing module 402 includes a developing unit 460 , a baking unit 470 , and a transfer chamber 480 . The developing unit 460 , the baking unit 470 , and the transfer chamber 480 are sequentially arranged along the second direction 14 . Accordingly, the developing unit 460 and the baking unit 470 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 interposed therebetween. A plurality of developing units 460 are provided, and a plurality of developing units 460 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six developing units 460 are provided is shown. A plurality of bake units 470 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six bake units 470 are provided is shown. However, alternatively, a larger number of bake units 470 may be provided.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 유닛들(470), 현상 유닛들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . A developing unit robot 482 and a guide rail 483 are positioned in the transfer chamber 480 . The transfer chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing unit robot 482 includes the bake units 470 , the developing units 460 , the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 , and the second buffer module 500 . The substrate W is transferred between the second cooling chambers 540 of the The guide rail 483 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 483 guides the developing unit robot 482 to move linearly in the first direction 12 . The developing unit robot 482 has a hand 484 , an arm 485 , a support 486 , and a pedestal 487 . The hand 484 is fixedly installed on the arm 485 . The arm 485 is provided in a telescoping structure so that the hand 484 is movable in the horizontal direction. The support 486 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . Arm 485 is coupled to support 486 to be linearly movable in third direction 16 along support 486 . The support 486 is fixedly coupled to the support 487 . The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483 .

현상 유닛들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 유닛(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 유닛(460)은 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The developing units 460 all have the same structure. However, the type of developer used in each developing unit 460 may be different from each other. The developing unit 460 removes a region irradiated with light from the photoresist on the substrate W. At this time, the region irradiated with light among the protective film is also removed. Only a region to which light is not irradiated among regions of the photoresist and the passivation layer may be removed according to the type of the selectively used photoresist.

현상 유닛(460)은 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 유닛(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The developing unit 460 has a housing 461 , a support plate 462 , and a nozzle 463 . The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is positioned in the housing 461 and supports the substrate W. The support plate 462 is provided rotatably. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462 . The nozzle 463 has a circular tubular shape, and may supply a developer to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the outlet of the nozzle 463 may be provided as a slit. In addition, a nozzle 464 for supplying a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is additionally supplied may be further provided in the developing unit 460 .

현상모듈(402)의 베이크 유닛(470)은 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 유닛들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 유닛(470)은 냉각 플레이트(471) 또는 가열 유닛(472)을 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 유닛(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 유닛(472)는 하나의 베이크 유닛(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 유닛(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 유닛(472)만을 구비할 수 있다. 현상 모듈(402)의 베이크 유닛(470)은 도포 모듈(401)의 베이크 유닛(800)과 동일한 구성을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. The bake unit 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. For example, the bake units 470 include a post-bake process of heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process of heating the substrate W after the development process is performed, and heating after each bake process. A cooling process of cooling the processed substrate W is performed. The bake unit 470 has a cooling plate 471 or a heating unit 472 . The cooling plate 471 is provided with cooling means 473 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating unit 472 is provided with heating means 474 such as a heating wire or thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating unit 472 may be respectively provided in one baking unit 470 . Optionally, some of the bake units 470 may include only the cooling plate 471 , and some may include only the heating unit 472 . Since the bake unit 470 of the developing module 402 has the same configuration as the bake unit 800 of the application module 401, a detailed description thereof will be omitted.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a passage through which the substrate W is transported between the application and development module 400 and the pre-exposure processing module 600 . In addition, the second buffer module 500 performs a predetermined process, such as a cooling process or an edge exposure process, on the substrate W. The second buffer module 500 includes a frame 510 , a buffer 520 , a first cooling chamber 530 , a second cooling chamber 540 , an edge exposure chamber 550 , and a second buffer robot 560 . have The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , the second cooling chamber 540 , the edge exposure chamber 550 , and the second buffer robot 560 are positioned in the frame 510 . The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401 . The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the developing module 402 . The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a line along the third direction 16 . When viewed from above, the buffer 520 is disposed along the transfer chamber 430 and the first direction 12 of the application module 401 . The edge exposure chamber 550 is disposed to be spaced apart from the buffer 520 or the first cooling chamber 530 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 transfers the substrate W between the buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the edge exposure chamber 550 . The second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520 . The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360 . The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W on which the process is performed in the application module 401 . The first cooling chamber 530 cools the substrate W on which the process is performed in the application module 401 . The first cooling chamber 530 has a structure similar to that of the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 . The edge exposure chamber 550 exposes edges of the substrates W on which the cooling process has been performed in the first cooling chamber 530 . The buffer 520 temporarily stores the substrates W before the substrates W, which have been processed in the edge exposure chamber 550 , are transferred to the pre-processing module 601 , which will be described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W, which have been processed in the post-processing module 602 to be described later, before being transferred to the developing module 402 . The second buffer module 500 may further include a buffer added to a height corresponding to that of the developing module 402 . In this case, the substrates W that have been processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then transferred to the developing module 402 .

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. When the exposure apparatus 900 performs an immersion exposure process, the pre-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film protecting the photoresist film applied to the substrate W during immersion exposure. In addition, the pre-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre-exposure processing module 600 may perform a post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 유닛(610), 베이크 유닛(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 유닛(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 유닛(620)은 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 유닛(610)과 베이크 유닛(620)은 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 유닛(610)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 유닛(610)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 유닛(620)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 유닛(620)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure processing module 600 includes a pre-processing module 601 and a post-processing module 602 . The pre-processing module 601 performs a process of treating the substrate W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of treating the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged to be partitioned between each other in layers. According to an example, the pre-processing module 601 is located above the post-processing module 602 . The pretreatment module 601 is provided at the same height as the application module 401 . The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402 . The pretreatment module 601 includes a protective film application unit 610 , a bake unit 620 , and a transfer chamber 630 . The protective film application unit 610 , the transfer chamber 630 , and the bake unit 620 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the protective film application unit 610 and the bake unit 620 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 interposed therebetween. A plurality of protective film application units 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of protective film application units 610 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of bake units 620 are provided and are arranged along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of bake units 620 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 유닛들(610), 베이크 유닛들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12 . A pre-processing robot 632 is located in the transfer chamber 630 . The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The pre-processing robot 632 is between the protective film application units 610 , the bake units 620 , the buffer 520 of the second buffer module 500 , and the first buffer 720 of the interface module 700 to be described later. The substrate W is transferred. The pretreatment robot 632 has a hand 633 , an arm 634 , and a support 635 . The hand 633 is fixedly installed on the arm 634 . The arm 634 is provided in a telescoping structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 635 .

보호막 도포 유닛(610)은 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 유닛(610)은 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 유닛(610)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film application unit 610 applies a protective film that protects the resist film on the substrate W during immersion exposure. The protective film application unit 610 has a housing 611 , a support plate 612 , and a nozzle 613 . The housing 611 has a cup shape with an open top. The support plate 612 is positioned in the housing 611 and supports the substrate W. The support plate 612 is provided rotatably. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film on the substrate W placed on the support plate 612 . The nozzle 613 has a circular tubular shape, and may supply the protective liquid to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the outlet of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid comprises a foaming material. As the protective liquid, a material having a low affinity for photoresist and water may be used. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application unit 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612 .

베이크 유닛(620)은 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(620)은 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 유닛(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 유닛들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake unit 620 heat-treats the substrate W on which the protective film is applied. The bake unit 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622 . The cooling plate 621 is provided with cooling means 623 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 622 is provided with heating means 624 such as a heating wire or thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in one baking unit 620 , respectively. Optionally, some of the bake units 620 may include only a heating plate 622 , and some may include only a cooling plate 621 .

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 유닛(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 유닛(670)은 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 유닛(670)은 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 유닛(670)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660 , a post-exposure bake unit 670 , and a transfer chamber 680 . The cleaning chamber 660 , the transfer chamber 680 , and the post-exposure bake unit 670 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake unit 670 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 interposed therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 may be provided and may be disposed along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of post-exposure bake units 670 may be provided, and may be disposed along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of post-exposure bake units 670 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 유닛들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 when viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post-processing robot 682 is located within the transfer chamber 680 . The post-processing robot 682 includes the cleaning chambers 660 , the post-exposure bake units 670 , the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 , and the second of the interface module 700 to be described later. The substrate W is transferred between the buffers 730 . The post-processing robot 682 provided in the post-processing module 602 may be provided in the same structure as the pre-processing robot 632 provided in the pre-processing module 601 .

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661 , a support plate 662 , and a nozzle 663 . The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is positioned in the housing 661 and supports the substrate W. The support plate 662 is provided rotatably. The nozzle 663 supplies a cleaning solution onto the substrate W placed on the support plate 662 . As the cleaning solution, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662 . Optionally, while the substrate W is rotated, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the center region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 유닛(670)은 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 유닛이 더 제공될 수 있다. After exposure, the bake unit 670 heats the substrate W on which the exposure process has been performed using far ultraviolet rays. In the post-exposure bake process, the substrate W is heated to amplify the acid generated in the photoresist by exposure to complete the change in the properties of the photoresist. The post-exposure bake unit 670 has a heating plate 672 . The heating plate 672 is provided with heating means 674 such as a hot wire or thermoelectric element. The post-exposure bake unit 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with cooling means 673 such as cooling water or a thermoelectric element. In addition, optionally, a baking unit having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 유닛(610)과 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 유닛(620)와 노광 후 베이크 유닛(670)은 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, in the pre-exposure processing module 600 , the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are provided to be completely separated from each other. In addition, the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 and the transfer chamber 680 of the post-processing module 602 may be provided to have the same size, so that they completely overlap each other when viewed from the top. In addition, the protective film application unit 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size and to completely overlap each other when viewed from the top. In addition, the bake unit 620 and the post-exposure bake unit 670 may be provided to have the same size and may be provided to completely overlap each other when viewed from the top.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the pre-exposure processing module 600 and the exposure apparatus 900 . The interface module 700 includes a frame 710 , a first buffer 720 , a second buffer 730 , and an interface robot 740 . The first buffer 720 , the second buffer 730 , and the interface robot 740 are positioned in the frame 710 . The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance, and are arranged to be stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730 . The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the pre-processing module 601 , and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the post-processing module 602 . When viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 , and the second buffer 730 is the post-processing module 602 . The transfer chamber 630 and the first direction 12 are positioned to be arranged in a line.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14 . The interface robot 740 transfers the substrate W between the first buffer 720 , the second buffer 730 , and the exposure apparatus 900 . The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560 .

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W, which have been processed in the pre-processing module 601 , before they are moved to the exposure apparatus 900 . In addition, the second buffer 730 temporarily stores the substrates W that have been processed in the exposure apparatus 900 before they are moved to the post-processing module 602 . The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722 . The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 722 . The housing 721 includes the interface robot 740 and the pre-processing robot 632 in the direction and pre-processing robot ( 632 has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720 . However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and the direction in which the post-processing robot 682 is provided. As described above, only the buffers and the robot may be provided in the interface module without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate.

1300: 기판 지지 유닛 1320: 지지 플레이트
1340: 리프트 핀 1600: 제1가열 부재
1700: 돌기 1720: 제2가열 부재1300: substrate support unit 1320: support plate
1340: lift pin 1600: first heating member
1700: protrusion 1720: second heating member

Claims

A substrate processing apparatus for performing a bake process on a substrate, the substrate processing apparatus comprising:
a chamber having a processing space therein;
a support plate positioned in the processing space and having a support surface on which a substrate is supported;
a protrusion for guiding the substrate to an upper portion of the support plate and enclosing the substrate placed on the support surface;
a first heating member provided on the support plate to heat a bottom surface of the substrate placed on the support surface;
and a second heating member provided on the protrusion to heat a side of the substrate placed on the support surface,
An inner surface of the protrusion is positioned to surround a side of the substrate when the substrate is positioned in the proper position.

According to claim 1,
The first heating member and the second heating member are provided to be separated from each other, and can be controlled independently of each other.

According to claim 1,
The second heating member is provided to extend from the first heating member.

The method of claim 1,
The protrusion has an annular ring shape.

5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The upper end of the second heating member is higher than the upper end of the substrate raised to the support surface.

5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The device is
Further comprising a controller for controlling the first heating member and the second heating member,
The controller adjusts the first heating member to a first temperature, and adjusts the second heating member to a second temperature,
The first temperature and the second temperature are different from each other.

7. The method of claim 6,
and the controller controls the second heating member so that the first temperature is higher than the second temperature.

A method for heat-treating a substrate using the apparatus of claim 1, comprising:
The first heating member heats the bottom surface of the substrate placed on the support surface to a first temperature,
The second heating member heats the side of the substrate placed on the support surface to a second temperature,
The first temperature is different from the second temperature.

9. The method of claim 8,
The first temperature is higher than the second temperature.

9. The method of claim 8,
The second temperature is a substrate processing method that is controlled according to the degree of warpage of the substrate.

11. The method of claim 10,
The substrate has a degree of bending in which the central region is convex downward,
A substrate processing method of increasing the second temperature as the degree of warpage increases.

A device for supporting a substrate, comprising:
a support plate having a support surface on which the substrate is supported;
a protrusion for guiding the substrate to an upper portion of the support plate and enclosing the substrate placed on the support surface;
a first heating member provided on the support plate to heat a bottom surface of the substrate placed on the support surface;
and a second heating member provided on the protrusion to heat a side of the substrate placed on the support surface,
The substrate supporting unit is positioned such that the inner surface of the protrusion surrounds the side of the substrate when the substrate is positioned in the correct position.

13. The method of claim 12,
The first heating member and the second heating member are provided to be separated from each other, and the substrate support unit can be controlled independently of each other.

14. The method of claim 13,
The protrusion is a substrate support unit having an annular ring shape.

15. The method according to any one of claims 12 to 14,
The first heating member heats the bottom surface of the substrate to a first temperature, and the second heating member heats the side of the substrate to a second temperature,
The second temperature is lower than the first temperature of the substrate support unit.