KR102378913B1 - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing method and substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR102378913B1
KR102378913B1 KR1020207015183A KR20207015183A KR102378913B1 KR 102378913 B1 KR102378913 B1 KR 102378913B1 KR 1020207015183 A KR1020207015183 A KR 1020207015183A KR 20207015183 A KR20207015183 A KR 20207015183A KR 102378913 B1 KR102378913 B1 KR 102378913B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flow path
discharge valve
treatment liquid
valve
substrate
Prior art date
Application number
KR1020207015183A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200070388A (en
Inventor
다카요시 다나카
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20200070388A publication Critical patent/KR20200070388A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102378913B1 publication Critical patent/KR102378913B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • F26B5/005—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by dipping them into or mixing them with a chemical liquid, e.g. organic; chemical, e.g. organic, dewatering aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

용제 밸브를 폐쇄함으로써, 용제 밸브를 통과한 IPA 중 용제 밸브를 최초로 통과한 IPA 이외의 IPA 를 선단 유로 내에 유지한다. 용제 밸브를 개방함으로써, 용제 밸브를 통과한 IPA 로, 미리 선단 유로 내에 유지된 IPA 를 하류로 흘러가게 함으로써, 이 IPA 만을 기판을 향하여 토출구에 토출시킨다. 용제 밸브를 폐쇄함으로써, 이때 용제 밸브를 통과한 IPA 의 모두를 선단 유로 내에 유지한다.By closing the solvent valve, IPAs other than the IPA that first passed through the solvent valve among the IPAs that have passed through the solvent valve are maintained in the tip flow path. By opening the solvent valve, the IPA that has passed through the solvent valve flows downstream, the IPA previously held in the tip flow path, so that only this IPA is discharged to the discharge port toward the substrate. By closing the solvent valve, all of the IPA that has passed through the solvent valve at this time is maintained in the tip flow path.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치Substrate processing method and substrate processing apparatus

본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다. 처리 대상의 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양전지용 기판, 유기 EL (electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD (Flat Panel Display) 용 기판 등이 포함된다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for processing a substrate. The substrate to be processed includes, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display device, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, a substrate for a photomask, a ceramic substrate, a substrate for a solar cell, an organic EL ( and substrates for FPD (Flat Panel Display) such as electroluminescence) display devices.

특허문헌 1 에는, 기판을 1 장씩 처리하는 매엽식의 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 이 기판 처리 장치는, 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 스핀 척과, 스핀 척에 유지되어 있는 기판의 상면을 향하여 처리액을 토출하는 처리액 노즐과, 처리액 노즐에 처리액을 공급하는 처리액 배관과, 처리액 배관에 개재된 처리액 밸브를 포함한다. 처리액 밸브가 개방되면, 처리액 배관 내의 처리액이 처리액 노즐에 공급되고, 처리액 노즐이 폐쇄되면, 처리액 노즐에의 처리액의 공급이 정지된다.Patent Document 1 discloses a single-wafer substrate processing apparatus that processes substrates one by one. The substrate processing apparatus includes a spin chuck for rotating and holding a substrate horizontally, a processing liquid nozzle for discharging a processing liquid toward an upper surface of the substrate held by the spin chuck, and a processing liquid pipe supplying the processing liquid to the processing liquid nozzle and a treatment liquid valve interposed in the treatment liquid pipe. When the processing liquid valve is opened, the processing liquid in the processing liquid pipe is supplied to the processing liquid nozzle, and when the processing liquid nozzle is closed, the supply of the processing liquid to the processing liquid nozzle is stopped.

일본 공개특허공보 2012-026476호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-026476

처리액 밸브가 개방될 때, 밸브체가 밸브 시트로부터 떨어진다. 이때, 밸브체가 밸브 시트에 스치므로, 파티클이 처리액 밸브의 내부에 발생한다. 이 파티클은, 처리액과 함께 처리액 노즐에 공급되고, 처리액 노즐로부터 토출된다. 그 때문에, 처리액 밸브 내에서 발생한 파티클이 기판에 부착되는 경우가 있다.When the treatment liquid valve is opened, the valve body is released from the valve seat. At this time, since the valve body rubs against the valve seat, particles are generated inside the processing liquid valve. These particles are supplied to the processing liquid nozzle together with the processing liquid and discharged from the processing liquid nozzle. Therefore, particles generated in the processing liquid valve may adhere to the substrate.

처리액 밸브가 폐쇄될 때도 동일하게, 파티클이 처리액 밸브의 내부에 발생한다. 처리액 밸브가 완전하게 폐쇄되기 전에 발생한 파티클은, 처리액과 함께 처리액 노즐에 공급되는 경우가 있다. 또, 파티클이, 처리액 밸브 내에 잔류하고, 처리액 밸브가 다시 개방되었을 때에 처리액과 함께 처리액 노즐에 공급되는 경우가 있다.Similarly, when the treatment liquid valve is closed, particles are generated inside the treatment liquid valve. Particles generated before the processing liquid valve is completely closed may be supplied to the processing liquid nozzle together with the processing liquid. In addition, particles may remain in the processing liquid valve and be supplied to the processing liquid nozzle together with the processing liquid when the processing liquid valve is reopened.

그래서, 본 발명의 목적의 하나는, 처리액 노즐에의 처리액의 공급 및 공급 정지를 전환하는 밸브 내에서 발생한 파티클이 기판에 공급되는 것을 억제 또는 방지할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, one object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of suppressing or preventing particles generated in a valve for switching between supply and stop supply of a processing liquid to a processing liquid nozzle from being supplied to a substrate. will provide

본 발명의 일 실시형태는, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판을 처리하는 처리액을 토출하는 토출구와, 상기 토출구쪽으로 처리액을 통과시키는 개방 상태와, 상기 토출구쪽으로 흐르는 처리액을 막는 폐쇄 상태 사이에서 개폐하는 토출 밸브와, 상기 토출 밸브에 접속된 상류단 (上流端) 과 상기 토출구에 접속된 하류단 (下流端) 을 포함하고, 상기 토출 밸브로부터 상기 토출구로 연장되는 선단 유로를 구비하는 기판 처리 장치에 의해 실행되는 기판 처리 방법으로서, 상기 토출 밸브를 개방함으로써, 상기 처리액에 상기 토출 밸브를 통과시키고, 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액을 상기 선단 유로에 유입시키는 처리액 유입 공정과, 상기 토출 밸브를 폐쇄함으로써, 상기 처리액 유입 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 중 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액을 상기 선단 유로 내에 유지하는 처리액 유지 공정과, 상기 토출 밸브를 개방함으로써, 상기 처리액에 상기 토출 밸브를 통과시키고, 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액으로, 상기 처리액 유지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액을 하류로 흘러가게 함으로써, 상기 처리액 유지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액만을 상기 기판 유지 유닛에 수평으로 유지되고 있는 상기 기판을 향하여 상기 토출구에 토출시키는 공급 실행 공정과, 상기 토출 밸브를 폐쇄함으로써, 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 전부를 상기 선단 유로 내에 유지하는 공급 정지 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.An embodiment of the present invention provides a substrate holding unit for holding a substrate horizontally, a discharge port for discharging a processing liquid for processing the substrate, an open state through which a processing liquid passes toward the discharge port, and a processing liquid flowing toward the discharge port a discharge valve that opens and closes between a closed state to block A substrate processing method performed by a substrate processing apparatus having a flow path, wherein the discharge valve is opened to allow the processing liquid to pass through the discharge valve, and the processing liquid passing through the discharge valve to flow into the front end flow path. In the treatment liquid inflow step and closing the discharge valve, the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the treatment liquids that passed through the discharge valve in the treatment liquid inflow step is introduced into the tip flow path. a treatment liquid holding step of holding the treatment liquid, and opening the discharge valve so that the treatment liquid passes through the discharge valve, and the treatment liquid that has passed through the discharge valve is maintained in the tip flow path in the treatment liquid holding step a supply execution step of discharging only the treatment liquid held in the tip flow path in the treatment liquid holding step to the outlet toward the substrate held horizontally by the substrate holding unit by flowing the treatment liquid downstream; and a supply stop step of closing the discharge valve to hold all of the processing liquid that has passed through the discharge valve in the tip flow path in the supply execution step.

토출 밸브에 공급되는 처리액은, 기판 처리 장치에 구비된 탱크로부터 공급되는 것이어도 되고, 기판 처리 장치가 설치되는 제조 공장 (예를 들어, 반도체 제조 공정) 으로부터 공급되는 것이어도 된다.The processing liquid supplied to the discharge valve may be supplied from a tank provided in the substrate processing apparatus, or may be supplied from a manufacturing plant (eg, semiconductor manufacturing process) in which the substrate processing apparatus is installed.

이 방법에 의하면, 처리액을 기판에 공급하기 전에 토출 밸브가 개방된다. 이로써, 토출 밸브 내에서 발생한 파티클로 오염된 처리액이, 토출 밸브로부터 선단 유로로 유입된다. 이것에 계속해서, 함유 파티클이 적은 청정한 처리액이, 토출 밸브로부터 선단 유로로 유입된다. 요컨대, 오염된 처리액이 토출 밸브를 최초로 통과하고, 이것에 계속해서, 청정한 처리액이 토출 밸브를 통과한다.According to this method, the discharge valve is opened before the processing liquid is supplied to the substrate. As a result, the processing liquid contaminated with particles generated in the discharge valve flows from the discharge valve into the front end flow path. Subsequently, a clean processing liquid containing few particles flows from the discharge valve into the front end flow path. In other words, the contaminated treatment liquid passes through the discharge valve first, and then the clean treatment liquid passes through the discharge valve.

오염된 처리액은, 청정한 처리액에 의해 하류로 흘러가게 된다. 선단 유로 내를 흐르는 처리액이 선단 유로의 하류단에 도달하면, 선단 유로 내의 처리액이 토출구로부터 토출된다. 이로써, 토출 밸브를 개방했을 때에 선단 유로에 유입된 오염된 처리액이, 선단 유로로부터 배출된다. 오염된 처리액이 토출구로부터 토출된 후에는, 토출 밸브가 폐쇄된다. 이로써, 청정한 처리액이 선단 유로 내에 유지되고, 선단 유로 내에서 정지한다.The contaminated treatment liquid flows downstream by the clean treatment liquid. When the processing liquid flowing in the tip flow path reaches the downstream end of the tip flow path, the processing liquid in the tip flow path is discharged from the discharge port. Accordingly, the contaminated treatment liquid flowing into the distal flow path when the discharge valve is opened is discharged from the distal end flow path. After the contaminated treatment liquid is discharged from the discharge port, the discharge valve is closed. Thereby, the clean processing liquid is maintained in the front-end|tip flow path, and it stops in the front-end|tip flow path.

그 후, 토출 밸브가 다시 개방된다. 선단 유로 내에 유지되고 있는 청정한 처리액은, 새롭게 유입된 처리액에 의해 하류로 흘러가게 되고, 토출구로부터 기판을 향하여 토출된다. 이로써, 청정한 처리액이 기판에 공급된다. 그 후, 토출 밸브가 폐쇄되고, 토출구로부터의 처리액의 토출이 정지된다. 그것과 동시에, 새롭게 유입된 처리액 모두가 선단 유로 내에 유지된다.After that, the discharge valve is opened again. The clean processing liquid held in the front end flow path flows downstream by the newly introduced processing liquid, and is discharged from the discharge port toward the substrate. Thereby, the clean processing liquid is supplied to the board|substrate. After that, the discharge valve is closed, and the discharge of the processing liquid from the discharge port is stopped. At the same time, all of the newly introduced treatment liquid is held in the front end flow path.

이와 같이, 깨끗한 처리액이 선단 유로 내에 유지된 상태에서 토출 밸브를 개방하고, 이 처리액을 기판을 향하여 토출한다. 그 후, 토출 밸브를 통과한 모든 처리액을 선단 유로 내에 유지한다. 토출 밸브를 통과한 처리액에는, 오염된 처리액도 포함되어 있다. 따라서, 오염된 처리액이 토출구로부터 토출되는 것을 회피하면서, 청정한 처리액만을 토출구로부터 토출시킬 수 있다. 이로써, 기판에 공급되는 처리액에 포함되는 파티클이 감소하므로, 건조 후의 기판의 청정도를 높일 수 있다.In this way, the discharge valve is opened while the clean processing liquid is maintained in the front end flow path, and the processing liquid is discharged toward the substrate. After that, all the processing liquids that have passed through the discharge valve are held in the tip flow path. The treatment liquid that has passed through the discharge valve also contains the contaminated treatment liquid. Accordingly, it is possible to discharge only the clean treatment liquid from the discharge port while avoiding the contaminated treatment liquid being discharged from the discharge port. Accordingly, since particles contained in the processing liquid supplied to the substrate are reduced, the cleanliness of the substrate after drying can be increased.

본 실시형태에 있어서, 이하의 적어도 하나의 특징이, 상기 기판 처리 방법에 더해져도 된다.In this embodiment, the following at least 1 characteristic may be added to the said substrate processing method.

상기 기판 처리 방법은, 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출구로부터 토출된 상기 처리액이 부착되어 있는 상기 기판을 건조시키는 건조 공정을 추가로 포함한다.The substrate processing method further includes a drying step of drying the substrate to which the processing liquid discharged from the discharge port in the supply execution step is adhered.

이 방법에 의하면, 토출구로부터 토출된 처리액이 부착되어 있는 기판을 건조시킨다. 토출구로부터 토출된 처리액은, 함유 파티클이 적은 청정한 처리액이다. 따라서, 기판에 유지되고 있는 파티클이 적은 상태로 기판을 건조시킬 수 있다. 이로써, 건조 후의 기판에 잔류하는 파티클을 줄일 수 있어, 건조 후의 기판의 청정도를 높일 수 있다.According to this method, the substrate to which the processing liquid discharged from the discharge port is adhered is dried. The processing liquid discharged from the discharge port is a clean processing liquid containing few particles. Accordingly, the substrate can be dried in a state in which there are few particles held on the substrate. Thereby, the particle remaining on the board|substrate after drying can be reduced, and the cleanliness of the board|substrate after drying can be raised.

상기 기판 처리 방법은, 상기 공급 정지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액 중 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액을 상기 선단 유로로부터 배출하고, 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액을 상기 선단 유로 내에 유지하는 배출 공정을 추가로 포함한다. The substrate processing method includes discharging the treatment liquid that first passed through the discharge valve in the supply execution step from among the treatment liquid held in the front end flow path in the supply stopping step from the front end flow path, and in the supply execution step further comprising a discharging step of retaining the treatment liquid other than the treatment liquid that has first passed through the discharge valve in the tip flow path.

상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액은, 상기 토출 밸브를 개재하여 상기 선단 유로에 새롭게 유입된 상기 처리액이어도 되고, 상기 공급 정지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액의 일부여도 된다.In the supply execution step, the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve may be the treatment liquid newly introduced into the tip flow path through the discharge valve, and in the supply stop step, the treatment liquid may be the front end. It may be part of the said processing liquid hold|maintained in the flow path.

이 방법에 의하면, 기판을 향하여 처리액을 토출할 때에 토출 밸브를 최초로 통과하고, 처리액의 토출을 정지했을 때에 선단 유로 내에 유지된 처리액이, 선단 유로로부터 배출된다. 요컨대, 오염된 처리액이 선단 유로로부터 배출된다. 따라서, 선단 유로 내에 유지되고 있는 처리액을 다음의 기판에 공급할 때에, 오염된 처리액이 기판을 향하여 토출되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 복수 장의 기판을 처리할 때에, 각 기판의 청정도를 높일 수 있다.According to this method, when the processing liquid is discharged toward the substrate, it passes through the discharge valve first, and when the discharge of the processing liquid is stopped, the processing liquid held in the tip flow path is discharged from the front end flow path. In other words, the contaminated treatment liquid is discharged from the front end flow path. Accordingly, when the processing liquid held in the tip flow path is supplied to the next substrate, it is possible to prevent the contaminated processing liquid from being discharged toward the substrate. Thereby, when processing a plurality of board|substrates, the cleanliness of each board|substrate can be raised.

상기 기판 처리 방법은, 상기 배출 공정 후에, 동일한 상기 처리액이 상기 선단 유로 내에 유지되고 있는 시간을 나타내는 체재 시간이 소정 시간을 초과했는지 여부를 판정하는 체재 시간 판정 공정과, 상기 체재 시간 판정 공정에서 상기 체재 시간이 상기 소정 시간을 초과했다고 판정된 경우에, 상기 선단 유로 내에 상기 처리액이 유지되고 있는 상태에서 상기 토출 밸브를 개방함으로써, 상기 처리액에 상기 토출 밸브를 통과시키고, 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 중 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액으로, 상기 선단 유로 내에 유지되고 있는 상기 처리액 모두를 치환하는 처리액 치환 공정을 추가로 포함한다.In the substrate processing method, after the discharging step, a residence time determination step of determining whether a residence time indicating a time for which the same treatment liquid is maintained in the tip flow path exceeds a predetermined time; When it is determined that the residence time exceeds the predetermined time, the discharge valve is opened while the processing liquid is being held in the tip flow path, so that the processing liquid passes through the discharge valve, and the discharge valve is closed. The method further includes a treatment liquid replacement step of replacing all of the treatment liquids held in the tip flow path with the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the passed treatment liquids.

선단 유로 내에 유지되고 있는 처리액 (오래된 처리액) 은, 토출구를 통해서 선단 유로의 밖으로 배출되어도 되고, 후술하는 분기 유로로 배출되어도 된다. 혹은, 오래된 처리액의 일부가 토출구를 통해서 선단 유로의 밖으로 배출되고, 오래된 처리액의 나머지가 분기 유로로 배출되어도 된다.The processing liquid (old processing liquid) held in the front-end|tip flow path may be discharged to the outside of the front-end|tip flow path through the discharge port, and may be discharged to the branch flow path mentioned later. Alternatively, a part of the old treatment liquid may be discharged to the outside of the front end flow path through the discharge port, and the remainder of the old treatment liquid may be discharged to the branch flow path.

이 방법에 의하면, 동일한 처리액이 선단 유로 내에 장시간 유지된 경우, 토출 밸브가 개방되고, 새로운 처리액이 선단 유로 내로 공급된다. 이로써, 오래된 처리액이 새로운 처리액에 의해 하류로 밀리고, 선단 유로로부터 배출된다. 그 후, 토출 밸브를 최초로 통과한 처리액 이외의 처리액, 요컨대, 깨끗한 처리액이 선단 유로 내에 유지된다.According to this method, when the same treatment liquid is kept in the front-end flow path for a long time, the discharge valve is opened, and a new treatment liquid is supplied into the front-end flow passage. As a result, the old treatment liquid is pushed downstream by the new treatment liquid and discharged from the front end flow path. After that, a treatment liquid other than the treatment liquid that has passed through the discharge valve first, that is, a clean treatment liquid, is held in the tip flow path.

처리액의 성질은, 시간의 경과에 수반하여 변화하는 경우가 있다. 선단 유로 내에 체재하고 있는 시간이 짧으면 무시할 수 있는 정도의 변화밖에 발생하지 않지만, 선단 유로 내에 체재하고 있는 시간이 길면, 처리의 결과에 영향을 미칠 수 있는 성질의 변화가 발생할지도 모른다. 따라서, 오래된 처리액을 새로운 깨끗한 처리액으로 치환함으로써, 복수 장의 기판에 있어서의 품질의 편차를 억제할 수 있다.The properties of the treatment liquid may change with the passage of time. If the time spent in the tip flow path is short, only a negligible change occurs. However, if the time spent in the tip flow path is long, a change in properties that may affect the processing result may occur. Accordingly, by replacing the old processing liquid with a new, clean processing liquid, it is possible to suppress variations in quality among a plurality of substrates.

상기 배출 공정은, 상기 토출 밸브를 개방함으로써, 상기 처리액에 상기 토출 밸브를 통과시키고, 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액으로, 상기 공급 정지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액을 하류로 흘러가게 함으로써, 상기 공급 정지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액 모두를 상기 토출구에 토출시키는 토출 실행 공정과, 상기 토출 밸브를 폐쇄함으로써, 상기 토출 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 중 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액을 상기 선단 유로 내에 유지하는 토출 정지 공정을 포함한다.In the discharging step, by opening the discharge valve, the treatment liquid is passed through the discharge valve, and the treatment liquid that has passed through the discharge valve is discharged from the treatment liquid held in the tip flow path in the supply stop step. a discharge execution step of discharging all of the treatment liquid held in the tip flow path to the discharge port in the supply stop step by allowing it to flow downstream; and closing the discharge valve to close the discharge valve in the discharge execution step and a discharge stopping step of holding the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the passed treatment liquids in the tip flow path.

이 방법에 의하면, 선단 유로 내에 유지되고 있는 처리액을 배출하기 위해서, 기판에의 처리액의 공급이 정지된 후에, 토출 밸브가 개방되고, 새로운 처리액이 선단 유로에 공급된다. 기판에의 처리액의 공급을 정지했을 때에 선단 유로 내에 유지된 모든 처리액은, 새로운 처리액에 의해 하류로 흘러가게 되고, 토출구로부터 토출된다. 이로써, 기판에의 처리액의 공급을 정지했을 때에 선단 유로 내에 유지된 오염된 처리액을 선단 유로로부터 배출할 수 있다. According to this method, in order to discharge the processing liquid held in the front-end flow path, after the supply of the processing liquid to the substrate is stopped, the discharge valve is opened and a new processing liquid is supplied to the front-end flow path. When the supply of the processing liquid to the substrate is stopped, all the processing liquids held in the tip flow path flow downstream by the new processing liquid, and are discharged from the discharge port. Accordingly, when the supply of the processing liquid to the substrate is stopped, the contaminated processing liquid held in the tip flow path can be discharged from the front end flow path.

또한, 토출 밸브를 개방했을 때에 선단 유로에 유입한 오염된 처리액도, 토출구로부터 토출된다. 그 후, 토출 밸브가 폐쇄되고, 깨끗한 처리액이 선단 유로 내에 유지된다. 따라서, 다음의 기판에 깨끗한 처리액을 공급할 수 있다. 또한, 선단 유로의 각 부에 처리액이 유지되므로, 선단 유로의 일부에만 처리액을 유지하는 경우와 비교해, 다음의 기판에 공급할 수 있는 처리액의 양을 늘릴 수 있다.In addition, the contaminated treatment liquid flowing into the distal flow path when the discharge valve is opened is also discharged from the discharge port. After that, the discharge valve is closed, and a clean treatment liquid is maintained in the tip flow path. Accordingly, a clean processing liquid can be supplied to the next substrate. In addition, since the processing liquid is held in each part of the front end flow path, the amount of the processing liquid that can be supplied to the next substrate can be increased compared to the case where the processing liquid is held only in a part of the front end flow path.

상기 토출 실행 공정은, 상기 토출 밸브가 개방된 상태에서 상기 토출 밸브의 개방도를 변경함으로써, 상기 토출 밸브를 통과하는 상기 처리액의 유량을 변화시키는 유량 변경 공정을 포함한다. The discharge execution step includes a flow rate changing step of changing a flow rate of the processing liquid passing through the discharge valve by changing an opening degree of the discharge valve while the discharge valve is open.

이 방법에 의하면, 선단 유로 내에 유지되고 있는 처리액을 배출하기 위해서, 토출 밸브가 개방되고, 새로운 처리액이 선단 유로에 공급된다. 또한, 토출 밸브가 개방된 상태에서 토출 밸브의 개방도가 변경된다. 그것에 따라, 토출 밸브를 통과하는 처리액의 유량이 변화하고, 토출 밸브에 부착되어 있는 파티클에 가해지는 액압이 변화한다. 이로써, 토출 밸브로부터 파티클을 효과적으로 떼어 낼 수 있어, 토출 밸브를 통과하는 처리액의 청정도를 높일 수 있다. According to this method, in order to discharge the processing liquid held in the front-end|tip flow path, the discharge valve is opened, and new processing liquid is supplied to the front-end|tip flow path. Also, the opening degree of the discharge valve is changed in the state in which the discharge valve is opened. Accordingly, the flow rate of the processing liquid passing through the discharge valve changes, and the hydraulic pressure applied to the particles adhering to the discharge valve changes. Thereby, particles can be effectively removed from the discharge valve, and the cleanliness of the processing liquid passing through the discharge valve can be increased.

상기 기판 처리 장치는, 상기 토출 밸브의 하류이고 또한 상기 토출구의 상류의 분기 위치에서 상기 선단 유로에 접속된 분기 유로와, 상기 선단 유로 내의 처리액을 상기 분기 위치를 개재하여 상기 분기 유로에 흡인하는 흡인력이 상기 선단 유로에 가해지는 개방 상태와, 상기 선단 유로에의 상기 흡인력의 전달이 차단되는 폐쇄 상태 사이에서 개폐하는 흡인 밸브를 추가로 구비한다.The substrate processing apparatus includes a branch flow path downstream of the discharge valve and connected to the tip flow path at a branch position upstream of the discharge port, and sucking the processing liquid in the tip flow path into the branch flow path via the branch position and a suction valve that opens and closes between an open state in which a suction force is applied to the tip flow path and a closed state in which transmission of the suction force to the tip flow path is blocked.

상기 배출 공정은, 상기 토출 밸브가 폐쇄된 상태에서 상기 흡인 밸브를 개방함으로써, 상기 선단 유로에 있어서의 상기 토출 밸브와 상기 분기 위치 사이의 부분에 상기 처리액을 남기면서, 상기 선단 유로에 있어서의 상기 분기 위치로부터 상기 토출구까지의 부분에 유지되고 있는 상기 처리액을 상기 분기 위치를 개재하여 상기 분기 유로에 흡인하고, 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 중 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액을 상기 선단 유로로부터 배출하는 흡인 실행 공정과, 상기 토출 밸브가 폐쇄된 상태에서 상기 흡인 밸브를 폐쇄함으로써, 상기 선단 유로에 있어서의 상기 토출 밸브와 상기 분기 위치 사이의 부분에 상기 처리액을 남기면서, 상기 선단 유로로부터 상기 분기 유로로의 상기 처리액의 흡인을 정지시키는 흡인 정지 공정을 포함한다.In the discharging step, by opening the suction valve in a state in which the discharge valve is closed, the treatment liquid is left in a portion between the discharge valve and the branching position in the distal flow path in the distal flow path. The processing liquid held in a portion from the branching position to the discharge port is sucked into the branching flow path through the branching position, and the discharge valve among the processing liquids that have passed through the discharge valve in the supply execution step; A suction execution step of discharging the treatment liquid that has passed first from the distal flow path, and closing the suction valve in the closed state of the discharging valve, so that a portion in the distal flow path between the discharge valve and the branching position and a suction stop step of stopping the suction of the processing liquid from the front end flow path to the branch flow path while leaving the processing liquid.

이 방법에 의하면, 선단 유로 내에 유지되고 있는 처리액을 배출하기 위해서, 기판에의 처리액의 공급이 정지된 후에, 토출 밸브가 폐쇄된 상태에서 흡인 밸브가 개방된다. 이로써, 흡인력이 분기 유로를 개재하여 선단 유로로 전달되고, 선단 유로의 하류 부분으로부터 분기 유로로 처리액이 흡인된다. 그 한편으로, 토출 밸브가 폐쇄되어 있으므로, 선단 유로의 상류 부분에 유지되고 있는 처리액은 그 자리 (상류 부분) 에 남는다.According to this method, in order to discharge the processing liquid held in the tip flow path, after the supply of the processing liquid to the substrate is stopped, the suction valve is opened while the discharge valve is closed. Thereby, the suction force is transmitted to the front-end|tip flow path via the branch flow path, and the processing liquid is sucked into the branch flow path from the downstream part of the front-end|tip flow path. On the other hand, since the discharge valve is closed, the processing liquid held in the upstream portion of the tip flow path remains in its place (upstream portion).

기판을 향하여 처리액을 토출할 때에 선단 유로에 유입된 오염된 처리액은, 선단 유로의 하류 부분에 유지되고 있다. 따라서, 선단 유로의 하류 부분으로부터 분기 유로로 처리액을 흡인함으로써, 깨끗한 처리액을 선단 유로에 남기면서, 오염된 처리액을 선단 유로로부터 배출할 수 있다. 이로써, 다음의 기판에 깨끗한 처리액을 공급할 수 있다. 또한, 선단 유로의 하류 부분으로부터 분기 유로로 처리액을 역류시키면, 토출구 상류의 위치로부터 토출구까지의 범위가 비므로, 처리액이 의도치 않게 토출구로부터 낙하하는 현상 (이른바, 쏟아짐) 을 방지할 수 있다.The contaminated processing liquid flowing into the tip flow path when the processing liquid is discharged toward the substrate is held in a downstream portion of the tip flow path. Accordingly, by sucking the treatment liquid from the downstream portion of the tip flow path to the branch flow path, it is possible to discharge the contaminated treatment liquid from the front end flow path while leaving the clean treatment liquid in the front end flow path. Thereby, a clean processing liquid can be supplied to the next substrate. In addition, when the treatment liquid flows backward from the downstream portion of the front end flow path to the branch passage, the range from the upstream position of the discharge port to the discharge port is empty, so that the phenomenon of unintentional dropping of the treatment liquid from the discharge port (so-called pouring) can be prevented. there is.

본 발명의 다른 실시형태는, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판을 처리하는 처리액을 토출하는 토출구와, 상기 토출구쪽으로 처리액을 통과시키는 개방 상태와, 상기 토출구쪽으로 흐르는 처리액을 막는 폐쇄 상태 사이에서 개폐하는 토출 밸브와, 상기 토출 밸브에 접속된 상류단과 상기 토출구에 접속된 하류단을 포함하고, 상기 토출 밸브로부터 상기 토출구로 연장되어 있고, 상기 토출구로부터 상기 기판 유지 유닛에 유지되고 있는 상기 기판을 향하여 토출되는 상기 처리액의 양보다 큰 용적을 갖는 선단 유로와, 상기 토출 밸브를 제어하는 제어 장치를 구비하는, 기판 처리 장치를 제공한다. 이 구성에 의하면, 후술하는 각 공정을 실행할 수 있어, 건조 후의 기판의 청정도를 높일 수 있다.Another embodiment of the present invention provides a substrate holding unit for holding a substrate horizontally, a discharge port for discharging a processing liquid for processing the substrate, an open state through which a processing liquid passes toward the discharge port, and a processing liquid flowing toward the discharge port a discharge valve that opens and closes between a closed state to prevent A substrate processing apparatus is provided, comprising: a front end flow path having a volume greater than an amount of the processing liquid discharged toward the held substrate; and a control device for controlling the discharge valve. According to this structure, each process mentioned later can be performed, and the cleanliness of the board|substrate after drying can be improved.

본 실시형태에 있어서, 이하의 적어도 하나의 특징이, 상기 기판 처리 장치에 더해져도 된다. In this embodiment, the following at least 1 characteristic may be added to the said substrate processing apparatus.

상기 제어 장치는, 상기 토출 밸브를 개방함으로써, 상기 처리액에 상기 토출 밸브를 통과시키고, 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액을 상기 선단 유로에 유입시키는 처리액 유입 공정과, 상기 토출 밸브를 폐쇄함으로써, 상기 처리액 유입 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 중 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액을 상기 선단 유로 내에 유지하는 처리액 유지 공정과, 상기 토출 밸브를 개방함으로써, 상기 처리액에 상기 토출 밸브를 통과시키고, 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액으로, 상기 처리액 유지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액을 하류로 흘러가게 함으로써, 상기 처리액 유지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액만을 상기 기판 유지 유닛에 수평으로 유지되고 있는 상기 기판을 향하여 상기 토출구에 토출시키는 공급 실행 공정과, 상기 토출 밸브를 폐쇄함으로써, 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 모두를 상기 선단 유로 내에 유지하는 공급 정지 공정을 실행한다. 이 구성에 의하면, 전술한 기판 처리 방법에 관해서 서술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.The control device includes: a processing liquid inflow step of allowing the processing liquid to pass through the discharge valve by opening the discharge valve, and flowing the processing liquid passing through the discharge valve into the distal flow path; and closing the discharge valve. a treatment liquid holding step of holding in the tip flow path the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the treatment liquids that have passed through the discharge valve in the treatment liquid inflow step; by opening the process liquid through the discharge valve, and the treatment liquid passing through the discharge valve flows downstream the treatment liquid held in the tip flow path in the treatment liquid holding step, a supply execution step of discharging only the processing liquid held in the tip flow path in the processing liquid holding step to the discharge port toward the substrate held horizontally by the substrate holding unit, and closing the discharge valve to execute the supply In the step, a supply stop step of holding all of the treatment liquid that has passed through the discharge valve in the tip flow path is performed. According to this structure, the effect similar to the effect described with respect to the above-mentioned substrate processing method can be exhibited.

상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 유지 유닛에 유지되고 있는 상기 기판을 건조시키는 건조 유닛을 추가로 구비하고, 상기 제어 장치는, 상기 건조 유닛을 제어함으로써, 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출구로부터 토출된 상기 처리액이 부착되어 있는 상기 기판을 건조시키는 건조 공정을 추가로 실행한다. 이 구성에 의하면, 전술한 기판 처리 방법에 관해서 서술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.The substrate processing apparatus further includes a drying unit that dries the substrate held by the substrate holding unit, wherein the control apparatus controls the drying unit, so as to be discharged from the discharge port in the supply execution step. A drying process of drying the substrate to which the processing liquid is adhered is further performed. According to this structure, the effect similar to the effect described with respect to the above-mentioned substrate processing method can be exhibited.

상기 제어 장치는, 상기 공급 정지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액 중 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액을 상기 선단 유로로부터 배출하고, 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액을 상기 선단 유로 내에 유지하는 배출 공정을 추가로 실행한다. 이 구성에 의하면, 전술한 기판 처리 방법에 관해서 서술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다. The control device is configured to discharge the treatment liquid, which first passed through the discharge valve in the supply execution step, from among the treatment liquid held in the front end flow path in the supply stop step, from the front end flow path, and to the supply execution step. and a discharging step of holding the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve in the tip flow path is further performed. According to this structure, the effect similar to the effect described with respect to the above-mentioned substrate processing method can be exhibited.

상기 제어 장치는, 상기 배출 공정 후에, 동일한 상기 처리액이 상기 선단 유로 내에 유지되고 있는 시간을 나타내는 체재 시간이 소정 시간을 초과했는지 여부를 판정하는 체재 시간 판정 공정과, 상기 체재 시간 판정 공정에서 상기 체재 시간이 상기 소정 시간을 초과했다고 판정된 경우에, 상기 선단 유로 내에 상기 처리액이 유지되고 있는 상태에서 상기 토출 밸브를 개방함으로써, 상기 처리액에 상기 토출 밸브를 통과시키고, 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 중 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액으로, 상기 선단 유로 내에 유지되고 있는 상기 처리액 모두를 치환하는 처리액 치환 공정을 추가로 실행한다. 이 구성에 의하면, 전술한 기판 처리 방법에 관해서 서술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.The control device includes: a residence time determination step of determining whether a residence time indicating a time for which the same treatment liquid is maintained in the tip flow path exceeds a predetermined time after the discharging step; When it is determined that the residence time exceeds the predetermined time, by opening the discharge valve while the processing liquid is being held in the tip flow path, the processing liquid passes through the discharge valve and passes through the discharge valve A treatment liquid replacement step of replacing all of the treatment liquids held in the tip flow path with the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the treatment liquids is further performed. According to this structure, the effect similar to the effect described with respect to the above-mentioned substrate processing method can be exhibited.

상기 배출 공정은, 상기 토출 밸브를 개방함으로써, 상기 처리액에 상기 토출 밸브를 통과시키고, 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액으로, 상기 공급 정지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액을 하류로 흘러가게 함으로써, 상기 공급 정지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액 모두를 상기 토출구에 토출시키는 토출 실행 공정과, 상기 토출 밸브를 폐쇄함으로써, 상기 토출 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 중 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액을 상기 선단 유로 내에 유지하는 토출 정지 공정을 포함한다. 이 구성에 의하면, 전술한 기판 처리 방법에 관해서 서술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.In the discharging step, by opening the discharge valve, the treatment liquid is passed through the discharge valve, and the treatment liquid that has passed through the discharge valve is discharged from the treatment liquid held in the tip flow path in the supply stop step. a discharge execution step of discharging all of the treatment liquid held in the tip flow path to the discharge port in the supply stop step by allowing it to flow downstream; and closing the discharge valve to close the discharge valve in the discharge execution step and a discharge stopping step of holding the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the passed treatment liquids in the tip flow path. According to this structure, the effect similar to the effect described with respect to the above-mentioned substrate processing method can be exhibited.

상기 토출 밸브는, 상기 처리액이 흐르는 내부 유로와 상기 내부 유로를 둘러싸는 환상의 밸브 시트가 형성된 밸브 보디와, 상기 밸브 시트에 대해 이동 가능한 밸브체와, 상기 밸브체를 임의의 위치에서 정지시키는 전동 액추에이터를 포함하고, 상기 토출 실행 공정은, 상기 토출 밸브가 개방된 상태에서 상기 토출 밸브의 개방도를 변경함으로써, 상기 토출 밸브를 통과하는 상기 처리액의 유량을 변화시키는 유량 변경 공정을 포함한다. 이 구성에 의하면, 전술한 기판 처리 방법에 관해서 서술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다. The discharge valve includes a valve body including an internal flow path through which the processing liquid flows, a valve body having an annular valve seat surrounding the internal flow path, a valve body movable with respect to the valve seat, and stopping the valve body at an arbitrary position and an electric actuator, wherein the discharge execution step includes a flow rate changing step of changing the flow rate of the processing liquid passing through the discharge valve by changing an opening degree of the discharge valve in an open state . According to this structure, the effect similar to the effect described with respect to the above-mentioned substrate processing method can be exhibited.

상기 기판 처리 장치는, 상기 토출 밸브의 하류이고 또한 상기 토출구 상류의 분기 위치에서 상기 선단 유로에 접속된 분기 유로와, 상기 선단 유로 내의 처리액을 상기 분기 위치를 개재하여 상기 분기 유로에 흡인하는 흡인력이 상기 선단 유로에 가해지는 개방 상태와, 상기 선단 유로에의 상기 흡인력의 전달이 차단되는 폐쇄 상태 사이에서 개폐하는 흡인 밸브를 추가로 구비한다.The substrate processing apparatus includes a branch flow path downstream of the discharge valve and connected to the tip flow path at a branch position upstream of the discharge port, and a suction force for sucking the processing liquid in the tip flow path into the branch flow path via the branch position and a suction valve that opens and closes between an open state applied to the tip flow path and a closed state in which transmission of the suction force to the tip flow path is blocked.

상기 제어 장치는, 상기 흡인 밸브를 또한 제어한다. 상기 배출 공정은, 상기 토출 밸브가 폐쇄된 상태에서 상기 흡인 밸브를 개방함으로써, 상기 선단 유로에 있어서의 상기 토출 밸브와 상기 분기 위치 사이의 부분에 상기 처리액을 남기면서, 상기 선단 유로에 있어서의 상기 분기 위치로부터 상기 토출구까지의 부분에 유지되고 있는 상기 처리액을 상기 분기 위치를 개재하여 상기 분기 유로에 흡인하고, 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 중 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액을 상기 선단 유로로부터 배출하는 흡인 실행 공정과, 상기 토출 밸브가 폐쇄된 상태에서 상기 흡인 밸브를 폐쇄함으로써, 상기 선단 유로에 있어서의 상기 토출 밸브와 상기 분기 위치 사이의 부분에 상기 처리액을 남기면서, 상기 선단 유로로부터 상기 분기 유로로의 상기 처리액의 흡인을 정지시키는 흡인 정지 공정을 포함한다. 이 구성에 의하면, 전술한 기판 처리 방법에 관해서 서술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.The control device also controls the suction valve. In the discharging step, by opening the suction valve in a state in which the discharge valve is closed, the treatment liquid is left in a portion between the discharge valve and the branching position in the distal flow path in the distal flow path. The processing liquid held in a portion from the branching position to the discharge port is sucked into the branching flow path through the branching position, and the discharge valve among the processing liquids that have passed through the discharge valve in the supply execution step; A suction execution step of discharging the treatment liquid that has passed first from the distal flow path, and closing the suction valve in the closed state of the discharging valve, so that a portion in the distal flow path between the discharge valve and the branching position and a suction stop step of stopping the suction of the processing liquid from the front end flow path to the branch flow path while leaving the processing liquid. According to this structure, the effect similar to the effect described with respect to the above-mentioned substrate processing method can be exhibited.

상기 선단 유로에 있어서의 상기 토출 밸브와 상기 분기 위치 사이의 부분의 용적은, 상기 선단 유로에 있어서의 상기 분기 위치부터 상기 토출구까지 부분의 용적보다 크다.A volume of a portion in the tip flow path between the discharge valve and the branching position is larger than a volume of a portion in the tip flow passage from the branching position to the discharge port.

이 구성에 의하면, 선단 유로에 있어서의 토출 밸브와 분기 위치 사이의 부분, 요컨대, 선단 유로의 상류 부분의 용적이, 선단 유로에 있어서의 분기 위치부터 토출구까지 부분의 용적, 요컨대, 선단 유로의 하류 부분의 용적보다 크다. 따라서, 보다 많은 처리액을 선단 유로의 상류 부분에 유지할 수 있다. 전술한 바와 같이, 기판에 처리액이 공급된 후에는, 선단 유로의 하류 부분으로부터 분기 유로로 처리액이 흡인된다. 그리고, 선단 유로의 상류 부분에 남은 처리액이 다음의 기판에 공급된다. 선단 유로의 상류 부분의 용적이 선단 유로의 하류 부분의 용적보다 크기 때문에, 다음의 기판에 공급할 수 있는 처리액의 양을 늘릴 수 있다. According to this configuration, the volume of the portion between the discharge valve and the branching position in the tip flow path, that is, the upstream portion of the tip flow path, is the volume of the portion from the branching position to the discharge port in the tip flow path, that is, downstream of the tip flow path. greater than the volume of the part. Therefore, more processing liquid can be held in the upstream part of the front-end|tip flow path. As described above, after the processing liquid is supplied to the substrate, the processing liquid is sucked from the downstream portion of the tip flow path to the branch flow passage. Then, the processing liquid remaining in the upstream portion of the tip flow path is supplied to the next substrate. Since the volume of the upstream portion of the tip flow path is larger than the volume of the downstream portion of the tip flow path, the amount of the processing liquid that can be supplied to the next substrate can be increased.

본 발명에 있어서의 전술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시형태의 설명에 의해 분명하게 된다.The above-mentioned or another object, characteristic, and effect in this invention become clear by description of embodiment described next with reference to an accompanying drawing.

도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 내부를 수평으로 본 모식도이다.
도 2 는 스핀 척 및 처리 컵을 상측으로부터 본 모식도이다.
도 3 은 용제 밸브의 연직 단면을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 4 는 용제 노즐에 이르는 IPA 의 유로와 흡인 장치에 이르는 IPA 의 유로에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
도 5 는 기판 처리 장치에 의해 실시되는 기판 처리의 일례에 대해 설명하기 위한 공정도이다.
도 6 은 도 5 에 나타내는 기판 처리의 일례에 있어서, 기판에 IPA 를 공급하기 전부터, 기판에 IPA 를 공급한 후까지의 흐름의 일례 (제 1 처리예) 에 대해 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 7A 는 도 6 에 나타내는 제 1 처리예가 실시되고 있을 때의 유로 내 상태를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 7B 는 도 6 에 나타내는 제 1 처리예가 실시되고 있을 때의 유로 내 상태를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 7C 는 도 6 에 나타내는 제 1 처리예가 실시되고 있을 때의 유로 내 상태를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 7D 는 도 6 에 나타내는 제 1 처리예가 실시되고 있을 때의 유로 내 상태를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 7E 는 도 6 에 나타내는 제 1 처리예가 실시되고 있을 때의 유로 내 상태를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 7F 는 도 6 에 나타내는 제 1 처리예가 실시되고 있을 때의 유로 내 상태를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 7G 는 도 6 에 나타내는 제 1 처리예가 실시되고 있을 때의 유로 내 상태를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 7H 는 도 6 에 나타내는 제 1 처리예가 실시되고 있을 때의 유로 내 상태를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 7I 는 도 6 에 나타내는 제 1 처리예가 실시되고 있을 때의 유로 내 상태를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 8 은 도 5 에 나타내는 기판의 처리의 일례에 있어서, 기판에 IPA 를 공급하기 전부터, 기판에 IPA 를 공급한 후까지의 흐름의 일례 (제 2 처리예) 에 대해 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 9A 는 도 8 에 나타내는 제 2 처리예가 실시되고 있을 때의 유로 내 상태를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 9B 는 도 8 에 나타내는 제 2 처리예가 실시되고 있을 때의 유로 내 상태를 나타내는 모식적인 단면도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is the schematic diagram which looked horizontally inside the processing unit with which the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention was equipped.
2 is a schematic view of the spin chuck and the processing cup viewed from above.
It is a schematic sectional drawing which shows the vertical cross section of a solvent valve.
It is a schematic diagram for demonstrating the flow path of the IPA which leads to a solvent nozzle, and the flow path of the IPA which leads to a suction device.
5 is a process chart for explaining an example of substrate processing performed by the substrate processing apparatus.
FIG. 6 is a flowchart for explaining an example of the flow from before supplying IPA to the substrate until after supplying IPA to the substrate (first processing example) in an example of the substrate processing shown in FIG. 5 .
Fig. 7A is a schematic cross-sectional view showing the state in the flow passage when the first processing example shown in Fig. 6 is being performed.
Fig. 7B is a schematic cross-sectional view showing the state in the flow passage when the first processing example shown in Fig. 6 is being performed.
Fig. 7C is a schematic cross-sectional view showing the state in the flow passage when the first processing example shown in Fig. 6 is being performed.
Fig. 7D is a schematic cross-sectional view showing the state in the flow passage when the first processing example shown in Fig. 6 is being performed.
Fig. 7E is a schematic cross-sectional view showing the state in the flow passage when the first processing example shown in Fig. 6 is being performed.
Fig. 7F is a schematic cross-sectional view showing the state in the flow passage when the first processing example shown in Fig. 6 is being implemented.
Fig. 7G is a schematic cross-sectional view showing the state in the flow passage when the first processing example shown in Fig. 6 is being performed.
Fig. 7H is a schematic cross-sectional view showing the state in the flow passage when the first processing example shown in Fig. 6 is being performed.
Fig. 7I is a schematic cross-sectional view showing the state in the flow passage when the first processing example shown in Fig. 6 is being performed.
FIG. 8 is a flowchart for explaining an example of the flow from before supplying IPA to the substrate until after supplying IPA to the substrate (second processing example) in an example of the processing of the substrate shown in FIG. 5 .
Fig. 9A is a schematic cross-sectional view showing the state in the flow passage when the second processing example shown in Fig. 8 is being performed.
Fig. 9B is a schematic cross-sectional view showing the state in the flow passage when the second processing example shown in Fig. 8 is being performed.

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 에 구비된 처리 유닛 (2) 의 내부를 수평으로 본 모식도이다. 도 2 는, 스핀 척 (8) 및 처리 컵 (21) 을 상측으로부터 본 모식도이다.FIG. 1 is a schematic diagram horizontally viewed inside a processing unit 2 provided in a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic view of the spin chuck 8 and the processing cup 21 viewed from above.

도 1 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (1) 는, 반도체 웨이퍼 등의 원판상의 기판 (W) 을 1 장씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 기판 (W) 을 수용하는 박스형의 캐리어가 놓이는 로드 포트 (도시 생략) 와, 로드 포트 상의 캐리어로부터 반송된 기판 (W) 을 처리액이나 처리 가스 등의 처리 유체로 처리하는 처리 유닛 (2) 과, 로드 포트와 처리 유닛 (2) 사이에서 기판 (W) 을 반송하는 반송 로봇 (도시 생략) 과, 기판 처리 장치 (1) 를 제어하는 제어 장치 (3) 를 포함한다.As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus which processes disk-shaped board|substrates W, such as a semiconductor wafer, one by one. The substrate processing apparatus 1 includes a load port (not shown) on which a box-shaped carrier accommodating a substrate W is placed, and a substrate W conveyed from the carrier on the load port into a processing fluid such as a processing liquid or a processing gas. a processing unit 2 that processes, a transfer robot (not shown) that transports the substrate W between the load port and the processing unit 2 , and a control device 3 that controls the substrate processing apparatus 1 . do.

처리 유닛 (2) 은, 내부 공간을 갖는 박스형의 챔버 (4) 와, 챔버 (4) 내에서 기판 (W) 을 수평으로 유지하면서 기판 (W) 의 중앙부를 지나는 연직인 회전 축선 A1 둘레로 회전시키는 스핀 척 (8) 과, 기판 (W) 및 스핀 척 (8) 으로부터 외방으로 배출된 처리액을 받아들이는 통상의 처리 컵 (21) 을 포함한다.The processing unit 2 rotates around a box-shaped chamber 4 having an interior space and a vertical rotation axis A1 passing through a central portion of the substrate W while maintaining the substrate W horizontally within the chamber 4 . The device includes a spin chuck 8 , and a normal processing cup 21 for receiving the substrate W and the processing liquid discharged to the outside from the spin chuck 8 .

챔버 (4) 는, 기판 (W) 이 통과하는 반입반출구 (5b) 가 형성된 박스형의 격벽 (5) 과, 반입반출구 (5b) 를 개폐하는 셔터 (6) 를 포함한다. 필터에 의해 여과된 공기인 클린 에어는, 격벽 (5) 의 상부에 형성된 송풍구 (5a) 로부터 챔버 (4) 내에 항상 공급된다. 챔버 (4) 내의 기체는, 처리 컵 (21) 의 저부에 접속된 배기 덕트 (7) 를 통해서 챔버 (4) 로부터 배출된다. 이로써, 클린 에어의 다운 플로우가 챔버 (4) 내에 항상 형성된다.The chamber 4 contains the box-shaped partition 5 in which the carry-in/out port 5b through which the board|substrate W passes was formed, and the shutter 6 which opens and closes the carry-in/out port 5b. Clean air, which is air filtered by the filter, is always supplied into the chamber 4 from the tuyeres 5a formed on the upper part of the partition wall 5 . The gas in the chamber 4 is discharged from the chamber 4 through an exhaust duct 7 connected to the bottom of the processing cup 21 . Thereby, a down flow of clean air is always formed in the chamber 4 .

스핀 척 (8) 은, 수평인 자세로 유지된 원판상의 스핀 베이스 (10) 와, 스핀 베이스 (10) 의 상방에서 기판 (W) 을 수평인 자세로 유지하는 복수의 척핀 (9) 과, 스핀 베이스 (10) 의 중앙부로부터 하방으로 연장되는 스핀축 (11) 과, 스핀축 (11) 을 회전시킴으로써 스핀 베이스 (10) 및 복수의 척핀 (9) 을 회전시키는 스핀 모터 (12) 를 포함한다. 스핀 척 (8) 은, 복수의 척핀 (9) 을 기판 (W) 의 외주면에 접촉시키는 협지식의 척으로 한정하지 않고, 비디바이스 형성면인 기판 (W) 의 이면 (하면) 을 스핀 베이스 (10) 의 상면에 흡착시킴으로써 기판 (W) 을 수평으로 유지하는 베큠식의 척이어도 된다.The spin chuck 8 includes a disk-shaped spin base 10 held in a horizontal posture, a plurality of chuck pins 9 for holding the substrate W in a horizontal posture above the spin base 10, and a spin A spin shaft 11 extending downward from the central portion of the base 10, and a spin motor 12 for rotating the spin base 10 and the plurality of chuck pins 9 by rotating the spin shaft 11 are included. The spin chuck 8 is not limited to a clamping chuck in which a plurality of chuck pins 9 are brought into contact with the outer circumferential surface of the substrate W, and the back surface (lower surface) of the substrate W, which is a non-device forming surface, is used as a spin base ( 10) A vacuum chuck that holds the substrate W horizontally by adsorbing it to the upper surface may be used.

처리 컵 (21) 은, 기판 (W) 으로부터 외방으로 배출된 액체를 받아들이는 복수의 가드 (23) 와, 복수의 가드 (23) 에 의해 하방으로 안내된 액체를 받아들이는 복수의 컵 (26) 과, 복수의 가드 (23) 와 복수의 컵 (26) 을 둘러싸는 원통상의 외벽 부재 (22) 를 포함한다. 도 1 은, 4 개의 가드 (23) 와 3 개의 컵 (26) 이 형성되어 있는 예를 나타내고 있다. The processing cup 21 includes a plurality of guards 23 for receiving the liquid discharged outward from the substrate W, and a plurality of cups 26 for receiving the liquid guided downward by the plurality of guards 23 . and a cylindrical outer wall member 22 surrounding the plurality of guards 23 and the plurality of cups 26 . 1 shows an example in which four guards 23 and three cups 26 are formed.

가드 (23) 는, 스핀 척 (8) 을 둘러싸는 원통상의 통상부 (25) 와, 통상부 (25) 의 상단부로부터 회전 축선 A1 을 향해 비스듬하게 상방으로 연장되는 원환상의 천정부 (24) 를 포함한다. 복수의 천정부 (24) 는, 상하로 겹쳐져 있고, 복수의 통상부 (25) 는, 동심원상으로 배치되어 있다. 복수의 컵 (26) 은, 각각, 복수의 통상부 (25) 의 하방에 배치되어 있다. 컵 (26) 은, 상향으로 개방된 환상의 수액구 (受液溝) 를 형성하고 있다.The guard 23 includes a cylindrical cylindrical portion 25 surrounding the spin chuck 8, and an annular ceiling portion 24 extending obliquely upward from the upper end of the cylindrical portion 25 toward the rotation axis A1. do. The plurality of ceiling portions 24 are vertically overlapped, and the plurality of cylindrical portions 25 are arranged concentrically. The some cup 26 is arrange|positioned below the some cylindrical part 25, respectively. The cup 26 forms an annular infusion port opened upward.

처리 유닛 (2) 은, 복수의 가드 (23) 를 개별적으로 승강시키는 가드 승강 유닛 (27) 을 포함한다. 가드 승강 유닛 (27) 은, 상 위치와 하 위치 사이에서 가드 (23) 를 연직으로 승강시킨다. 상 위치는, 가드 (23) 의 상단 (23a) 이 스핀 척 (8) 에 유지되고 있는 기판 (W) 이 배치되는 유지 위치보다 상방에 배치되는 위치이다. 하 위치는, 가드 (23) 의 상단 (23a) 이 유지 위치보다 하방에 배치되는 위치이다. 천정부 (24) 의 원환상의 상단은, 가드 (23) 의 상단 (23a) 에 상당한다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 가드 (23) 의 상단 (23a) 은, 평면에서 볼 때 기판 (W) 및 스핀 베이스 (10) 를 둘러싸고 있다.The processing unit 2 includes a guard raising/lowering unit 27 for individually raising/lowering the plurality of guards 23 . The guard raising/lowering unit 27 vertically raises and lowers the guard 23 between an upper position and a lower position. The upper position is a position in which the upper end 23a of the guard 23 is arranged above the holding position in which the substrate W held by the spin chuck 8 is arranged. The lower position is a position where the upper end 23a of the guard 23 is disposed below the holding position. The annular upper end of the ceiling portion 24 corresponds to the upper end 23a of the guard 23 . As shown in FIG. 2 , the upper end 23a of the guard 23 surrounds the substrate W and the spin base 10 in a plan view.

스핀 척 (8) 이 기판 (W) 을 회전시키고 있는 상태에서, 처리액이 기판 (W) 에 공급되면, 기판 (W) 에 공급된 처리액이 기판 (W) 의 주위로 떨쳐내어진다. 처리액이 기판 (W) 에 공급될 때, 적어도 하나의 가드 (23) 의 상단 (23a) 이, 기판 (W) 보다 상방에 배치된다. 따라서, 기판 (W) 의 주위로 배출된 약액이나 린스액 등의 처리액은, 어느 가드 (23) 에 받아들여지고, 이 가드 (23) 에 대응하는 컵 (26) 으로 안내된다.When the processing liquid is supplied to the substrate W while the spin chuck 8 is rotating the substrate W, the processing liquid supplied to the substrate W is shaken off around the substrate W. When the processing liquid is supplied to the substrate W, the upper end 23a of the at least one guard 23 is disposed above the substrate W. Therefore, the processing liquid, such as a chemical|medical solution, a rinse liquid, etc. discharged to the periphery of the board|substrate W is accommodated in a certain guard 23 and is guided to the cup 26 corresponding to this guard 23 .

도 1 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 은, 기판 (W) 의 상면을 향하여 약액을 하방으로 토출하는 약액 노즐 (31) 을 포함한다. 약액 노즐 (31) 은, 약액 노즐 (31) 로 약액을 안내하는 약액 배관 (32) 에 접속되어 있다. 약액 배관 (32) 에 개재된 약액 밸브 (33) 가 개방되면, 약액이, 약액 노즐 (31) 의 토출구로부터 하방으로 연속적으로 토출된다. 약액 노즐 (31) 로부터 토출되는 약액은, 황산, 질산, 염산, 불산, 인산, 아세트산, 암모니아수, 과산화수소수, 유기산 (예를 들어 시트르산, 옥살산 등), 유기 알칼리 (예를 들어, TMAH : 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 등), 계면 활성제, 및 부식 방지제의 적어도 1 개를 포함하는 액이어도 되고, 이것 이외의 액체여도 된다.As shown in FIG. 1 , the processing unit 2 includes a chemical liquid nozzle 31 that discharges the chemical downward toward the upper surface of the substrate W . The chemical liquid nozzle 31 is connected to a chemical liquid pipe 32 that guides the chemical liquid to the chemical liquid nozzle 31 . When the chemical liquid valve 33 interposed in the chemical liquid pipe 32 is opened, the chemical liquid is continuously discharged downward from the discharge port of the chemical liquid nozzle 31 . The chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle 31 is sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, acetic acid, aqueous ammonia, hydrogen peroxide, organic acids (eg, citric acid, oxalic acid, etc.), organic alkalis (eg, TMAH: tetramethyl Ammonium hydroxide etc.), surfactant, and the liquid containing at least 1 of a corrosion inhibitor may be sufficient, and liquids other than this may be sufficient.

도시는 하지 않지만, 약액 밸브 (33) 는, 약액이 흐르는 내부 유로와 내부 유로를 둘러싸는 환상의 밸브 시트가 형성된 밸브 보디와, 밸브 시트에 대해 이동 가능한 밸브체와, 밸브체가 밸브 시트에 접촉하는 폐쇄 위치와 밸브체가 밸브 시트로부터 떨어진 개방 위치 사이에서 밸브체를 이동시키는 액추에이터를 포함한다. 다른 밸브에 대해서도 동일하다. 액추에이터는, 공압 액추에이터 또는 전동 액추에이터여도 되고, 이들 이외의 액추에이터여도 된다. 제어 장치 (3) 는, 액추에이터를 제어함으로써, 약액 밸브 (33) 를 개폐시킨다. 액추에이터가 전동 액추에이터인 경우, 제어 장치 (3) 는, 전동 액추에이터를 제어함으로써, 폐쇄 위치로부터 개방 위치 (전개 (全開) 위치) 까지의 임의의 위치에 밸브체를 위치시킨다.Although not shown, the chemical liquid valve 33 has an internal flow path through which the chemical solution flows, a valve body having an annular valve seat surrounding the internal flow path, a valve body movable with respect to the valve seat, and the valve body contacting the valve seat. and an actuator that moves the valve body between a closed position and an open position away from the valve seat. The same is true for other valves. A pneumatic actuator or an electric actuator may be sufficient as an actuator, and actuators other than these may be sufficient as it. The control device 3 opens and closes the chemical liquid valve 33 by controlling the actuator. When an actuator is an electric actuator, the control apparatus 3 makes a valve body position in arbitrary positions from a closed position to an open position (full position) by controlling an electric actuator.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 은, 약액 노즐 (31) 을 유지하는 노즐 아암 (34) 과, 노즐 아암 (34) 을 이동시킴으로써, 연직 방향 및 수평 방향의 적어도 일방으로 약액 노즐 (31) 을 이동시키는 노즐 이동 유닛 (35) 을 포함한다. 노즐 이동 유닛 (35) 은, 약액 노즐 (31) 로부터 토출된 처리액이 기판 (W) 의 상면에 착액하는 처리 위치와, 약액 노즐 (31) 이 평면에서 볼 때 처리 컵 (21) 의 둘레에 위치하는 대기 위치 (도 2 에 나타내는 위치) 사이에서 약액 노즐 (31) 을 수평으로 이동시킨다. 노즐 이동 유닛 (35) 은, 예를 들어, 처리 컵 (21) 의 둘레에서 연직으로 연장되는 노즐 회동 축선 A2 둘레로 약액 노즐 (31) 을 수평으로 이동시킴으로써, 평면에서 볼 때 기판 (W) 을 지나는 원호상의 경로를 따라 약액 노즐 (31) 을 이동시키는 선회 유닛이다.As shown in FIG. 2 , the processing unit 2 includes a nozzle arm 34 holding the chemical liquid nozzle 31 , and by moving the nozzle arm 34 , the chemical liquid nozzle ( and a nozzle moving unit 35 for moving 31 ). The nozzle moving unit 35 includes a processing position at which the processing liquid discharged from the chemical liquid nozzle 31 lands on the upper surface of the substrate W, and the chemical liquid nozzle 31 around the processing cup 21 in plan view. The chemical liquid nozzle 31 is horizontally moved between the positioned standby positions (positions shown in FIG. 2 ). The nozzle moving unit 35 moves the substrate W in plan view by, for example, horizontally moving the chemical liquid nozzle 31 around the nozzle rotation axis A2 extending vertically around the processing cup 21 . It is a turning unit which moves the chemical|medical solution nozzle 31 along the arc-shaped path|route passed.

도 1 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 은, 기판 (W) 의 상면을 향하여 린스액을 하방으로 토출하는 린스액 노즐 (36) 을 포함한다. 린스액 노즐 (36) 은, 챔버 (4) 의 저부에 대해 고정되어 있다. 린스액 노즐 (36) 로부터 토출된 린스액은, 기판 (W) 의 상면 중앙부에 착액한다. 린스액 노즐 (36) 은, 린스액 노즐 (36) 로 린스액을 안내하는 린스액 배관 (37) 에 접속되어 있다. 린스액 배관 (37) 에 개재된 린스액 밸브 (38) 가 개방되면, 린스액이, 린스액 노즐 (36) 의 토출구로부터 하방으로 연속적으로 토출된다. 린스액 노즐 (36) 로부터 토출되는 린스액은, 예를 들어, 순수 (탈이온수 : DIW (Deionized Water)) 이다. 린스액은, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 및 희석 농도 (예를 들어, 10 ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수 중 어느 것이어도 된다.As shown in FIG. 1 , the processing unit 2 includes a rinse liquid nozzle 36 that discharges the rinse liquid downward toward the upper surface of the substrate W . The rinse liquid nozzle 36 is fixed to the bottom of the chamber 4 . The rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle 36 lands on the central part of the upper surface of the substrate W. The rinse liquid nozzle 36 is connected to a rinse liquid pipe 37 that guides the rinse liquid to the rinse liquid nozzle 36 . When the rinse liquid valve 38 interposed in the rinse liquid pipe 37 is opened, the rinse liquid is continuously discharged downward from the discharge port of the rinse liquid nozzle 36 . The rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle 36 is, for example, pure water (deionized water: DIW (Deionized Water)). The rinsing liquid may be any of carbonated water, electrolytic ionized water, hydrogenated water, ozone water, and hydrochloric acid water having a dilution concentration (eg, about 10 to 100 ppm).

처리 유닛 (2) 은, 기판 (W) 의 상면을 향하여 용제를 하방으로 토출하는 용제 노즐 (41) 을 포함한다. 용제 노즐 (41) 은, 용제 노즐 (41) 로 용제를 안내하는 용제 배관 (42) 에 접속되어 있다. 용제 배관 (42) 에 개재된 용제 밸브 (43) 가 개방되면, 용제가, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 하방으로 연속적으로 토출된다. 용제 노즐 (41) 로부터 토출되는 용제는, 예를 들어, IPA (이소프로필알코올) 이다. 특별히 기재가 없는 한, 용제 및 IPA 는, 액체를 의미하고 있다. IPA 는, 물보다 비점이 낮고, 물보다 표면장력이 낮다. 용제 노즐 (41) 로부터 토출되는 용제는, HFE (하이드로플루오로에테르) 등의 불소계 유기 용제여도 된다.The processing unit 2 includes a solvent nozzle 41 that discharges the solvent downward toward the upper surface of the substrate W. The solvent nozzle 41 is connected to the solvent pipe 42 which guides the solvent to the solvent nozzle 41 . When the solvent valve 43 interposed in the solvent pipe 42 is opened, the solvent is continuously discharged downward from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 . The solvent discharged from the solvent nozzle 41 is IPA (isopropyl alcohol), for example. Unless otherwise specified, a solvent and IPA mean a liquid. IPA has a lower boiling point than water and a lower surface tension than water. The solvent discharged from the solvent nozzle 41 may be a fluorine-based organic solvent such as HFE (hydrofluoroether).

기판 처리 장치 (1) 는, 용제 밸브 (43) 보다 하류의 위치에서 용제 배관 (42) 에 접속된 흡인 배관 (44) 과, 흡인 배관 (44) 에 개재된 흡인 밸브 (45) 와, 용제 밸브 (43) 를 통과한 용제를 흡인 배관 (44) 을 개재하여 흡인하는 흡인력을 발생하는 흡인 장치 (46) 를 포함한다. 흡인 배관 (44) 의 상류단은, 용제 배관 (42) 에 접속되어 있고, 흡인 배관 (44) 의 하류단은, 흡인 장치 (46) 에 접속되어 있다. 흡인 밸브 (45) 는, 흡인 장치 (46) 의 상류에 배치되어 있다.The substrate processing apparatus 1 includes a suction pipe 44 connected to the solvent pipe 42 at a position downstream from the solvent valve 43 , a suction valve 45 interposed in the suction pipe 44 , and a solvent valve and a suction device (46) that generates a suction force for sucking the solvent passing through (43) via a suction pipe (44). The upstream end of the suction pipe 44 is connected to the solvent pipe 42 , and the downstream end of the suction pipe 44 is connected to the suction device 46 . The suction valve 45 is disposed upstream of the suction device 46 .

흡인 장치 (46) 는, 예를 들어, 흡인력을 발생하는 이젝터와, 이젝터에의 기체의 공급 및 공급 정지를 전환하는 기체 밸브를 포함한다. 흡인 장치 (46) 는, 흡인 펌프여도 된다. 흡인 장치 (46) 는, 필요한 때에만 구동되어도 되고, 항상 구동되고 있어도 된다. 흡인 밸브 (45) 가 개방되어 있고, 흡인 장치 (46) 가 구동되고 있을 때는, 흡인 장치 (46) 의 흡인력이, 흡인 배관 (44) 을 개재하여 용제 배관 (42) 의 내부로 전달된다.The suction device 46 includes, for example, an ejector that generates a suction force, and a gas valve that switches supply and stop of supply of gas to the ejector. The suction device 46 may be a suction pump. The suction device 46 may be driven only when necessary, and may be driven all the time. When the suction valve 45 is open and the suction device 46 is being driven, the suction force of the suction device 46 is transmitted to the inside of the solvent pipe 42 via the suction pipe 44 .

도 2 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 은, 용제 노즐 (41) 을 유지하는 노즐 아암 (47) 과, 노즐 아암 (47) 을 이동시킴으로써, 연직 방향 및 수평 방향의 적어도 일방으로 용제 노즐 (41) 을 이동시키는 노즐 이동 유닛 (48) 을 포함한다. 노즐 이동 유닛 (48) 은, 용제 노즐 (41) 로부터 토출된 용제가 기판 (W) 의 상면에 착액하는 처리 위치와, 용제 노즐 (41) 이 평면에서 볼 때 처리 컵 (21) 의 둘레에 위치하는 대기 위치 (도 2 에 나타내는 위치) 사이에서 용제 노즐 (41) 을 수평으로 이동시킨다. 노즐 이동 유닛 (48) 은, 예를 들어, 처리 컵 (21) 의 둘레에서 연직으로 연장되는 노즐 회동 축선 A3 둘레로 용제 노즐 (41) 을 수평으로 이동시킴으로써, 평면에서 볼 때 기판 (W) 을 지나는 원호상의 경로를 따라 용제 노즐 (41) 을 이동시키는 선회 유닛이다. As shown in FIG. 2 , the processing unit 2 includes a nozzle arm 47 holding the solvent nozzle 41 , and by moving the nozzle arm 47 , the solvent nozzle ( and a nozzle moving unit 48 for moving 41 ). The nozzle moving unit 48 is located at a processing position where the solvent discharged from the solvent nozzle 41 lands on the upper surface of the substrate W, and the solvent nozzle 41 is located around the processing cup 21 in plan view. The solvent nozzle 41 is horizontally moved between the standby positions (positions shown in FIG. 2) to be carried out. The nozzle moving unit 48 moves the substrate W in plan view by horizontally moving the solvent nozzle 41 around the nozzle rotation axis A3 extending vertically around the processing cup 21 , for example. It is a turning unit which moves the solvent nozzle 41 along the arc-shaped path|route passed.

처리 유닛 (2) 은, 대기 위치에 위치하는 용제 노즐 (41) 로부터 토출된 용제를 받아들이는 통상의 대기 포트 (49) 를 포함한다. 대기 포트 (49) 는, 용제 노즐 (41) 의 대기 위치의 하방에 배치되어 있다. 대기 포트 (49) 는, 평면에서 볼 때 처리 컵 (21) 의 둘레에 배치되어 있다. 대기 포트 (49) 는, 상하 방향으로 연장되는 통상의 둘레벽을 포함한다. 대기 포트 (49) 의 둘레벽의 상단은, 상향으로 개방된 개구를 형성하고 있다. 대기 위치에 위치하는 용제 노즐 (41) 로부터 토출된 용제는, 대기 포트 (49) 에 받아들여지고, 회수 장치 또는 배액 장치로 안내된다.The processing unit 2 includes a normal standby port 49 which receives the solvent discharged from the solvent nozzle 41 located in the standby position. The standby port 49 is arrange|positioned below the standby position of the solvent nozzle 41. As shown in FIG. The standby port 49 is arranged on the periphery of the processing cup 21 in plan view. The atmospheric port 49 includes a normal peripheral wall extending in the vertical direction. The upper end of the circumferential wall of the atmospheric|standby pot 49 forms the opening opened upward. The solvent discharged from the solvent nozzle 41 located in a standby position is taken in by the standby port 49, and is guided to a collection|recovery apparatus or a drainage apparatus.

다음으로, 용제 밸브 (43) 의 구조에 대해 구체적으로 설명한다.Next, the structure of the solvent valve 43 is demonstrated concretely.

도 3 은, 용제 밸브 (43) 의 연직 단면을 나타내는 모식적인 단면도이다.3 : is a schematic sectional drawing which shows the vertical cross section of the solvent valve 43. As shown in FIG.

용제 밸브 (43) 는, 예를 들어, 다이어프램 밸브이다. 용제 밸브 (43) 는, 니들 밸브 등의 다이어프램 밸브 이외의 밸브여도 된다. 용제 밸브 (43) 는, 액체가 흐르는 내부 유로 (52) 와 내부 유로 (52) 를 둘러싸는 환상의 밸브 시트 (53) 가 형성된 밸브 보디 (51) 와, 밸브 시트 (53) 에 대해 이동 가능한 밸브체 (54) 를 포함한다. 밸브체 (54) 는, 고무나 수지 등의 탄성 재료로 형성된 다이어프램이다. 밸브 시트 (53) 는, 수지제이다. 용제 배관 (42) 은, 용제를 내부 유로 (52) 로 안내하는 상류 배관 (42u) 과, 내부 유로 (52) 로부터 배출된 용제를 안내하는 하류 배관 (42d) 을 포함한다.The solvent valve 43 is, for example, a diaphragm valve. The solvent valve 43 may be a valve other than a diaphragm valve such as a needle valve. The solvent valve 43 includes an internal flow path 52 through which a liquid flows, a valve body 51 having an annular valve seat 53 surrounding the internal flow path 52 , and a valve movable with respect to the valve seat 53 . a sieve 54 . The valve body 54 is a diaphragm formed of an elastic material such as rubber or resin. The valve seat 53 is made of resin. The solvent pipe 42 includes an upstream pipe 42u for guiding the solvent to the internal flow path 52 , and a downstream pipe 42d for guiding the solvent discharged from the internal flow path 52 .

용제 밸브 (43) 는, 밸브체 (54) 가 밸브 시트 (53) 로부터 떨어진 개방 위치와 밸브체 (54) 와 밸브 시트 (53) 의 접촉에 의해 내부 유로 (52) 가 막히는 폐쇄 위치 사이에서 밸브체 (54) 를 동작시키는 밸브 액추에이터 (55) 를 포함한다. 밸브 액추에이터 (55) 는, 예를 들어, 전동 액추에이터이다. 따라서, 용제 밸브 (43) 는, 전동 밸브이다. 밸브 액추에이터 (55) 는, 밸브체 (54) 와 일체적으로 이동하는 로드 (58) 와, 로드 (58) 를 축 방향으로 이동시키는 동력을 발생하는 전동 모터 (56) 와, 전동 모터 (56) 의 회전을 로드 (58) 의 직선 운동으로 변환하는 운동 변환 기구 (57) 를 포함한다.The solvent valve 43 is a valve between an open position in which the valve body 54 is separated from the valve seat 53 and a closed position in which the internal flow path 52 is blocked by contact between the valve body 54 and the valve seat 53 . and a valve actuator 55 that operates the sieve 54 . The valve actuator 55 is an electric actuator, for example. Therefore, the solvent valve 43 is an electric valve. The valve actuator 55 includes a rod 58 that moves integrally with the valve body 54 , an electric motor 56 that generates power to move the rod 58 in the axial direction, and an electric motor 56 . and a motion conversion mechanism 57 for converting the rotation of the rod 58 into a linear motion of the rod 58 .

밸브 액추에이터 (55) 의 로드 (58) 는, 밸브체 (54) 가 밸브 시트 (53) 로부터 떨어지는 개방 위치 (도 3 에 나타내는 위치) 와, 밸브체 (54) 가 밸브 시트 (53) 에 가압되는 폐쇄 위치 사이에서 로드 (58) 의 축 방향으로 이동 가능하다. 밸브 액추에이터 (55) 의 전동 모터 (56) 가 회전하면, 전동 모터 (56) 의 회전 각도에 따른 이동량으로 로드 (58) 가 로드 (58) 의 축 방향으로 이동한다. 제어 장치 (3) 는, 전동 모터 (56) 의 회전 각도를 제어함으로써, 개방 위치부터 폐쇄 위치까지의 임의의 위치에 밸브체 (54) 를 위치시킨다. The rod 58 of the valve actuator 55 has an open position in which the valve body 54 separates from the valve seat 53 (a position shown in FIG. 3 ), and the valve body 54 is pressed against the valve seat 53 . It is movable in the axial direction of the rod 58 between the closed positions. When the electric motor 56 of the valve actuator 55 rotates, the rod 58 moves in the axial direction of the rod 58 by the movement amount corresponding to the rotation angle of the electric motor 56. As shown in FIG. The control device 3 positions the valve body 54 at any position from the open position to the closed position by controlling the rotation angle of the electric motor 56 .

밸브체 (54) 가 밸브 시트 (53) 로부터 떨어져 있는 상태에서 로드 (58) 가 폐쇄 위치 측으로 이동하면, 밸브체 (54) 의 일부가 밸브 시트 (53) 에 접근한다. 로드 (58) 가 폐쇄 위치에 도달하면, 밸브체 (54) 가 밸브 시트 (53) 에 접촉하고, 내부 유로 (52) 가 폐쇄된다. 이로써, 용제가 밸브체 (54) 에 의해 막힌다. 그 한편으로, 밸브체 (54) 가 밸브 시트 (53) 에 가압되고 있는 상태에서, 로드 (58) 가 개방 위치 측으로 이동하면, 밸브체 (54) 가 밸브 시트 (53) 로부터 떨어지고, 내부 유로 (52) 가 개방된다. 이로써, 용제가 밸브 시트 (53) 를 통과하고, 내부 유로 (52) 로부터 배출된다.When the rod 58 moves to the closed position side in the state where the valve body 54 is separated from the valve seat 53 , a part of the valve body 54 approaches the valve seat 53 . When the rod 58 reaches the closed position, the valve body 54 comes into contact with the valve seat 53 , and the internal flow path 52 is closed. Thereby, the solvent is blocked by the valve body 54 . On the other hand, when the rod 58 is moved to the open position side while the valve body 54 is being pressed against the valve seat 53, the valve body 54 is separated from the valve seat 53, and the internal flow path ( 52) is opened. Thereby, the solvent passes through the valve seat 53 and is discharged from the internal flow path 52 .

다음으로, IPA 의 유로에 대해 설명한다.Next, the flow path of the IPA will be described.

도 4 는, 용제 노즐 (41) 에 이르는 IPA 의 유로와 흡인 장치 (46) 에 이르는 IPA 의 유로에 대해 설명하기 위한 모식도이다.FIG. 4 : is a schematic diagram for demonstrating the flow path of the IPA which leads to the solvent nozzle 41, and the flow path of the IPA which leads to the suction device 46. As shown in FIG.

기판 처리 장치 (1) 는, 용제 밸브 (43) 로부터 상류로 연장되는 공급 유로 (61) 와, 용제 밸브 (43) 로부터 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로 연장되는 선단 유로 (62) 를 구비하고 있다. 기판 처리 장치 (1) 는, 또한 선단 유로 (62) 로부터 흡인 밸브 (45) 로 연장되는 분기 유로 (63) 와, 흡인 밸브 (45) 로부터 흡인 장치 (46) 로 연장되는 흡인 유로 (64) 를 구비하고 있다.The substrate processing apparatus 1 includes a supply flow path 61 extending upstream from the solvent valve 43 , and a tip flow path 62 extending from the solvent valve 43 to a discharge port 41p of the solvent nozzle 41 . are being prepared The substrate processing apparatus 1 further includes a branch flow path 63 extending from the tip flow path 62 to the suction valve 45 , and a suction flow path 64 extending from the suction valve 45 to the suction device 46 . are being prepared

선단 유로 (62) 는, 용제 밸브 (43) 로부터 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로 연장되는 유로이다. 요컨대, 용제 노즐 (41) 내의 유로도 선단 유로 (62) 에 포함된다. 선단 유로 (62) 는, 용제 배관 (42) 과 용제 노즐 (41) 에 의해 형성되어 있다. 선단 유로 (62) 의 상류단 (62u) 은, 용제 밸브 (43) 에 접속되어 있고, 선단 유로 (62) 의 하류단 (62d) 은, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 에 접속되어 있다.The tip flow path 62 is a flow path extending from the solvent valve 43 to the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 . That is, the flow path in the solvent nozzle 41 is also included in the front-end|tip flow path 62. The tip flow path 62 is formed by the solvent pipe 42 and the solvent nozzle 41 . The upstream end 62u of the tip flow path 62 is connected to the solvent valve 43 , and the downstream end 62d of the tip flow path 62 is connected to the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 . .

분기 유로 (63) 는, 흡인 배관 (44) 의 일부에 의해 형성되어 있다. 분기 유로 (63) 는, 용제 밸브 (43) 의 하류이고 또한 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 의 상류의 분기 위치 (P1) 에서 선단 유로 (62) 에 접속되어 있다. 분기 유로 (63) 의 상류단 (63u) 은, 선단 유로 (62) 에 접속되어 있고, 분기 유로 (63) 의 하류단 (63d) 은, 흡인 밸브 (45) 에 접속되어 있다. 분기 유로 (63) 의 하류단 (63d) 은, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 와 동등한 높이에 배치되어 있어도 되고, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 보다 높은 또는 낮은 위치에 배치되어 있어도 된다.The branch flow path 63 is formed by a part of the suction pipe 44 . The branch flow path 63 is connected to the tip flow path 62 at a branch position P1 downstream of the solvent valve 43 and upstream of the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 . The upstream end 63u of the branch flow path 63 is connected to the tip flow path 62 , and the downstream end 63d of the branch flow path 63 is connected to the suction valve 45 . The downstream end 63d of the branch flow path 63 may be disposed at the same height as the discharge port 41p of the solvent nozzle 41, or may be disposed at a higher or lower position than the discharge port 41p of the solvent nozzle 41, there may be

도 4 에서는, 선단 유로 (62) 의 상류부 (62a) 에 해칭을 실시하고 있고, 선단 유로 (62) 의 하류부 (62b) 에 크로스 해칭을 실시하고 있다. 선단 유로 (62) 의 상류부 (62a) 는, 선단 유로 (62) 에 있어서의 용제 밸브 (43) 와 분기 위치 (P1) 사이의 부분이며, 선단 유로 (62) 의 하류부 (62b) 는, 선단 유로 (62) 에 있어서의 분기 위치 (P1) 로부터 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 까지의 부분 (분기 위치 (P1) 를 포함한다) 이다. 상류부 (62a) 의 용적은, 하류부 (62b) 의 용적과 동일해도 되고, 하류부 (62b) 의 용적보다 크거나 또는 작아도 된다.In FIG. 4 , the upstream part 62a of the tip flow path 62 is hatched, and the downstream part 62b of the tip flow path 62 is cross-hatched. The upstream part 62a of the tip flow path 62 is a part between the solvent valve 43 and the branching position P1 in the tip flow path 62, and the downstream part 62b of the tip flow path 62 has a tip It is a part (including the branching position P1) from the branch position P1 in the flow path 62 to the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. The volume of the upstream part 62a may be the same as the volume of the downstream part 62b, and may be larger or smaller than the volume of the downstream part 62b.

다음으로, 기판 처리 장치 (1) 에 의해 실시되는 기판 (W) 처리의 일례에 대해 설명한다.Next, an example of the processing of the substrate W performed by the substrate processing apparatus 1 will be described.

도 5 는, 기판 처리 장치 (1) 에 의해 실시되는 기판 (W) 처리의 일례에 대해 설명하기 위한 공정도이다.FIG. 5 is a process chart for explaining an example of the processing of the substrate W performed by the substrate processing apparatus 1 .

이하에서는, 도 1 및 도 2 를 참조한다. 도 5 에 대해서는 적절히 참조한다. 이하의 동작은, 제어 장치 (3) 가 기판 처리 장치 (1) 를 제어함으로써 실행된다. 바꾸어 말하면, 제어 장치 (3) 는, 이하의 동작을 실행하도록 프로그램되어 있다. 제어 장치 (3) 는, 프로그램을 실행하는 컴퓨터이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (3) 는, 프로그램 등의 정보를 기억하는 메모리 (3m) 와, 메모리 (3m) 에 기억된 정보에 따라 기판 처리 장치 (1) 를 제어하는 프로세서 (3p) 와, 시간을 측정하는 타이머 (3t) 를 포함한다.In the following, reference is made to FIGS. 1 and 2 . Reference is made appropriately to FIG. 5 . The following operations are performed when the control apparatus 3 controls the substrate processing apparatus 1 . In other words, the control device 3 is programmed to perform the following operations. The control device 3 is a computer that executes a program. As shown in FIG. 1 , the control device 3 includes a memory 3m that stores information such as a program, and a processor 3p that controls the substrate processing apparatus 1 according to the information stored in the memory 3m. and a timer 3t for measuring time.

기판 처리 장치 (1) 에 의해 기판 (W) 이 처리될 때는, 챔버 (4) 내에 기판 (W) 을 반입하는 반입 공정이 실시된다 (도 5 의 스텝 S1).When the board|substrate W is processed by the substrate processing apparatus 1, the carrying-in process of carrying in the board|substrate W into the chamber 4 is implemented (step S1 of FIG. 5).

구체적으로는, 약액 노즐 (31) 및 용제 노즐 (41) 을 포함하는 모든 스캔 노즐을 대기 위치에 위치시키고, 모든 가드 (23) 를 하 위치에 위치시킨다. 이 상태에서, 반송 로봇이, 기판 (W) 을 핸드로 지지하면서, 핸드를 챔버 (4) 내에 진입시킨다. 그 후, 반송 로봇은, 기판 (W) 의 표면이 상방으로 향해진 상태에서 핸드 상의 기판 (W) 을 스핀 척 (8) 상에 둔다. 반송 로봇은, 기판 (W) 을 스핀 척 (8) 상에 둔 후, 핸드를 챔버 (4) 의 내부로부터 퇴피시킨다.Specifically, all the scan nozzles including the chemical liquid nozzle 31 and the solvent nozzle 41 are positioned at the standby position, and all the guards 23 are positioned at the lower positions. In this state, the transfer robot moves the hand into the chamber 4 while supporting the substrate W by the hand. Thereafter, the transfer robot places the substrate W on the hand on the spin chuck 8 with the surface of the substrate W facing upward. The transfer robot puts the substrate W on the spin chuck 8 and then withdraws the hand from the inside of the chamber 4 .

다음으로, 약액을 기판 (W) 에 공급하는 약액 공급 공정 (도 5 의 스텝 S2) 이 실시된다. Next, a chemical solution supply step (step S2 in FIG. 5 ) of supplying a chemical solution to the substrate W is performed.

구체적으로는, 가드 승강 유닛 (27) 은, 복수의 가드 (23) 의 적어도 하나를 상승시켜, 어느 가드 (23) 의 내면을 기판 (W) 의 외주면에 수평으로 대향시킨다. 노즐 이동 유닛 (35) 은, 노즐 아암 (34) 을 이동시킴으로써, 약액 노즐 (31) 의 토출구를 기판 (W) 의 상방에 위치시킨다. 스핀 모터 (12) 는, 기판 (W) 이 척핀 (9) 에 의해 파지되고 있는 상태에서 기판 (W) 의 회전을 개시한다. 이 상태에서, 약액 밸브 (33) 가 개방되고, 약액 노즐 (31) 이 약액의 토출을 개시한다.Specifically, the guard raising/lowering unit 27 raises at least one of the plurality of guards 23 so that the inner surface of a certain guard 23 faces the outer peripheral surface of the substrate W horizontally. The nozzle moving unit 35 moves the nozzle arm 34 to position the discharge port of the chemical liquid nozzle 31 above the substrate W. The spin motor 12 starts rotation of the substrate W while the substrate W is being held by the chuck pin 9 . In this state, the chemical liquid valve 33 is opened, and the chemical liquid nozzle 31 starts discharging the chemical liquid.

약액 노즐 (31) 로부터 토출된 약액은, 기판 (W) 의 상면 중앙부에 착액한 후, 회전하고 있는 기판 (W) 의 상면을 따라 외방으로 흐른다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 전역을 덮는 약액의 액막이 기판 (W) 상에 형성된다. 약액 밸브 (33) 가 개방되고 나서 소정 시간이 경과하면, 약액 밸브 (33) 가 폐쇄되고, 약액 노즐 (31) 로부터의 약액의 토출이 정지된다. 그 후, 노즐 이동 유닛 (35) 이 약액 노즐 (31) 을 기판 (W) 의 상방으로부터 퇴피시킨다.The chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle 31 lands on the central portion of the upper surface of the substrate W, and then flows outward along the upper surface of the rotating substrate W. Thereby, the liquid film of the chemical|medical solution which covers the whole upper surface of the board|substrate W is formed on the board|substrate W. When a predetermined time elapses after the chemical liquid valve 33 is opened, the chemical liquid valve 33 is closed, and discharge of the chemical liquid from the chemical liquid nozzle 31 is stopped. Thereafter, the nozzle moving unit 35 retracts the chemical liquid nozzle 31 from above the substrate W.

다음으로, 린스액의 일례인 순수를 기판 (W) 에 공급하는 린스액 공급 공정 (도 5 의 스텝 S3) 이 실시된다. Next, the rinse liquid supply process (step S3 in FIG. 5) of supplying the pure water which is an example of a rinse liquid to the board|substrate W is performed.

구체적으로는, 린스액 밸브 (38) 가 개방되고, 린스액 노즐 (36) 이 순수의 토출을 개시한다. 가드 승강 유닛 (27) 은, 순수의 토출이 개시되기 전 또는 후에, 복수의 가드 (23) 의 적어도 하나를 상하로 이동시킴으로써, 기판 (W) 의 외주면에 대향하는 가드 (23) 를 전환해도 된다. 린스액 노즐 (36) 로부터 토출된 순수는, 기판 (W) 의 상면 중앙부에 착액한 후, 회전하고 있는 기판 (W) 의 상면을 따라 외방으로 흐른다. 이로써, 기판 (W) 상의 약액이 순수로 치환되고, 기판 (W) 의 상면 전역을 덮는 순수의 액막이 형성된다. 그 후, 린스액 밸브 (38) 가 폐쇄되고, 린스액 노즐 (36) 로부터의 순수의 토출이 정지된다.Specifically, the rinse liquid valve 38 is opened, and the rinse liquid nozzle 36 starts discharging pure water. The guard raising/lowering unit 27 may switch the guard 23 opposing the outer peripheral surface of the substrate W by moving at least one of the plurality of guards 23 up and down before or after the discharge of pure water is started. . The pure water discharged from the rinse liquid nozzle 36 lands on the central portion of the upper surface of the substrate W, and then flows outward along the upper surface of the rotating substrate W. Thereby, the chemical|medical solution on the board|substrate W is replaced with pure water, and the liquid film of the pure water which covers the whole upper surface of the board|substrate W is formed. After that, the rinse liquid valve 38 is closed, and the discharge of pure water from the rinse liquid nozzle 36 is stopped.

다음으로, 물보다 표면장력이 낮은 용제의 일례인 IPA 를 기판 (W) 에 공급하는 IPA 공급 공정 (도 5 의 스텝 S4) 이 실시된다.Next, an IPA supply step (step S4 in FIG. 5 ) of supplying IPA, which is an example of a solvent having a lower surface tension than water, to the substrate W is performed.

구체적으로는, 노즐 이동 유닛 (48) 은, 노즐 아암 (47) 을 이동시킴으로써, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 를 기판 (W) 의 상방에 위치시킨다. 그 후, 용제 밸브 (43) 가 개방되고, 용제 노즐 (41) 이 IPA 의 토출을 개시한다. 가드 승강 유닛 (27) 은, IPA 의 토출이 개시되기 전 또는 후에, 복수의 가드 (23) 의 적어도 하나를 상하로 이동시킴으로써, 기판 (W) 의 외주면에 대향하는 가드 (23) 를 전환해도 된다.Specifically, the nozzle moving unit 48 moves the nozzle arm 47 to position the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 above the substrate W. After that, the solvent valve 43 is opened, and the solvent nozzle 41 starts discharging the IPA. The guard raising/lowering unit 27 may switch the guard 23 facing the outer peripheral surface of the substrate W by moving at least one of the plurality of guards 23 up and down before or after the IPA discharge is started. .

용제 노즐 (41) 로부터 토출된 IPA 는, 기판 (W) 의 상면 중앙부에 착액한 후, 회전하고 있는 기판 (W) 의 상면을 따라 외방으로 흐른다. 이로써, 기판 (W) 상의 순수가 IPA 로 치환되고, 기판 (W) 의 상면 전역을 덮는 IPA 의 액막이 형성된다. 용제 밸브 (43) 가 개방되고 나서 소정 시간이 경과하면, 용제 밸브 (43) 가 폐쇄되고, 용제 노즐 (41) 로부터의 IPA 의 토출이 정지된다. 그 후, 노즐 이동 유닛 (48) 이 용제 노즐 (41) 을 기판 (W) 의 상방으로부터 퇴피시킨다.After the IPA discharged from the solvent nozzle 41 lands on the central portion of the upper surface of the substrate W, it flows outward along the upper surface of the rotating substrate W. Thereby, the pure water on the board|substrate W is replaced with IPA, and the liquid film of IPA which covers the whole upper surface of the board|substrate W is formed. When a predetermined time elapses after the solvent valve 43 is opened, the solvent valve 43 is closed and discharge of the IPA from the solvent nozzle 41 is stopped. Thereafter, the nozzle moving unit 48 retracts the solvent nozzle 41 from above the substrate W.

다음으로, 기판 (W) 의 고속 회전에 의해 기판 (W) 을 건조시키는 건조 공정이 실시된다 (도 5 의 스텝 S5).Next, the drying process of drying the board|substrate W by high-speed rotation of the board|substrate W is implemented (step S5 of FIG. 5).

구체적으로는, 용제 노즐 (41) 로부터의 IPA 의 토출이 정지된 후, 스핀 모터 (12) 가 기판 (W) 을 회전 방향으로 가속시켜, 지금까지의 기판 (W) 의 회전 속도보다 큰 고회전 속도 (예를 들어 수천 rpm) 로 기판 (W) 을 회전시킨다. 기판 (W) 에 부착되어 있는 IPA 는, 기판 (W) 의 고속 회전에 의해 기판 (W) 의 둘레로 비산한다. 이로써, IPA 가 기판 (W) 으로부터 제거되고, 기판 (W) 이 건조된다. 기판 (W) 의 고속 회전이 개시되고 나서 소정 시간이 경과하면, 스핀 모터 (12) 가 회전을 정지한다. 이로써, 기판 (W) 의 회전이 정지된다.Specifically, after the discharging of the IPA from the solvent nozzle 41 is stopped, the spin motor 12 accelerates the substrate W in the rotational direction to a high rotational speed greater than the previous rotational speed of the substrate W. The substrate W is rotated at (for example, several thousand rpm). IPA adhering to the substrate W is scattered around the substrate W due to the high-speed rotation of the substrate W. Thereby, IPA is removed from the board|substrate W, and the board|substrate W is dried. When a predetermined time elapses after the high-speed rotation of the substrate W is started, the spin motor 12 stops rotating. Thereby, rotation of the board|substrate W is stopped.

다음으로, 기판 (W) 을 챔버 (4) 로부터 반출하는 반출 공정이 실시된다 (도 5 의 스텝 S6).Next, the carrying-out process of carrying out the board|substrate W from the chamber 4 is implemented (step S6 of FIG. 5).

구체적으로는, 가드 승강 유닛 (27) 이, 모든 가드 (23) 를 하 위치까지 하강시킨다. 반송 로봇은, 복수의 척핀 (9) 이 기판 (W) 의 파지를 해제한 후, 스핀 척 (8) 상의 기판 (W) 을 핸드로 지지한다. 그 후, 반송 로봇은, 기판 (W) 을 핸드로 지지하면서, 핸드를 챔버 (4) 의 내부로부터 퇴피시킨다. 이로써, 처리가 완료된 기판 (W) 이 챔버 (4) 로부터 반출된다.Specifically, the guard raising/lowering unit 27 lowers all the guards 23 to the lower position. The transfer robot supports the substrate W on the spin chuck 8 by hand after the plurality of chuck pins 9 release the grip of the substrate W. Thereafter, the transfer robot retracts the hand from the inside of the chamber 4 while supporting the substrate W by the hand. Thereby, the processed board|substrate W is carried out from the chamber 4 .

제 1 처리예 1st processing example

다음으로, 기판 (W) 에 IPA 를 공급하기 전부터, 기판 (W) 에 IPA 를 공급한 후까지의 흐름의 일례 (제 1 처리예) 에 대해 설명한다.Next, an example of the flow from before supplying IPA to the substrate W to after supplying IPA to the substrate W (first processing example) will be described.

도 6 은, 제 1 처리예에 대해 설명하기 위한 플로우 차트이다. 도 7A ∼ 도 7I 는, 도 6 에 나타내는 제 1 처리예가 실시되고 있을 때의 유로 내의 상태를 나타내는 모식적인 단면도이다.6 is a flowchart for explaining the first processing example. 7A to 7I are schematic cross-sectional views showing the state in the flow passage when the first processing example shown in FIG. 6 is being performed.

도 7A ∼ 도 7I 에서는, 개방되어 있는 밸브를 흑색으로 나타내고 있고, 폐쇄되어 있는 밸브를 백색으로 나타내고 있다. 도 7A 에 있어서 액체의 모양이 그려진 영역은, 깨끗한 IPA 가 존재하는 영역을 나타내고 있고, 도 7A 에 있어서 크로스 해칭된 영역은, 오염된 IPA 가 존재하는 영역을 나타내고 있다. 이것은 다른 도면에서도 동일하다.7A to 7I, the open valve is shown in black, and the closed valve is shown in white. In Fig. 7A, the region where the liquid pattern is drawn indicates the region in which clean IPA exists, and the cross-hatched region in Fig. 7A indicates the region in which the contaminated IPA exists. This is the same in the other drawings.

이하에서는, 도 1 및 도 2 를 참조한다. 도 6 및 도 7A ∼ 도 7I 에 대해서는 적절히 참조한다. 이하의 동작은, 제어 장치 (3) 가 기판 처리 장치 (1) 를 제어함으로써 실행된다.In the following, reference is made to FIGS. 1 and 2 . Reference is made as appropriate to Figs. 6 and 7A to 7I. The following operations are performed when the control apparatus 3 controls the substrate processing apparatus 1 .

용제 밸브 (43) 가 개방될 때는, 밸브체 (54) 가 밸브 시트 (53) 에 스쳐 (도 3 참조), 용제 밸브 (43) 내에 파티클이 발생한다. 용제 밸브 (43) 가 폐쇄될 때도, 밸브체 (54) 가 밸브 시트 (53) 에 스쳐, 용제 밸브 (43) 내에 파티클이 발생한다. 용제 밸브 (43) 가 폐쇄될 때에 발생한 파티클은, 용제 밸브 (43) 의 내부에 머무른다. 이 파티클은, 용제 밸브 (43) 가 개방되었을 때에, 용제 밸브 (43) 를 통과하는 IPA 와 함께 용제 밸브 (43) 로부터 배출된다. 용제 밸브 (43) 가 개방될 때에 발생한 파티클도, 용제 밸브 (43) 를 통과하는 IPA 와 함께 용제 밸브 (43) 로부터 배출된다.When the solvent valve 43 is opened, the valve body 54 rubs against the valve seat 53 (refer to FIG. 3 ), and particles are generated in the solvent valve 43 . Also when the solvent valve 43 is closed, the valve body 54 rubs against the valve seat 53 , and particles are generated in the solvent valve 43 . Particles generated when the solvent valve 43 is closed remain inside the solvent valve 43 . These particles are discharged from the solvent valve 43 together with the IPA passing through the solvent valve 43 when the solvent valve 43 is opened. Particles generated when the solvent valve 43 is opened are also discharged from the solvent valve 43 together with the IPA passing through the solvent valve 43 .

도 7A 에 나타내는 바와 같이, 용제 밸브 (43) 가 개방된 직후는, 용제 밸브 (43) 내의 파티클이 IPA 와 함께 용제 밸브 (43) 로부터 배출된다. 그 때문에, 오염된 IPA, 요컨대, 단위 체적당의 함유 파티클수가 많은 IPA 가 용제 밸브 (43) 로부터 선단 유로 (62) 로 흐른다. 그 이후는, 청정한 IPA, 요컨대, 단위 체적당의 함유 파티클수가 적은 IPA 가 용제 밸브 (43) 로부터 선단 유로 (62) 로 흐른다. 따라서, 용제 밸브 (43) 가 개방되면, 오염된 IPA 가, 선단 유로 (62) 내에 유입되고, 이것에 계속해서, 청정한 IPA 가, 선단 유로 (62) 내에 유입된다. 오염된 IPA 는, 후속의 IPA (청정한 IPA) 에 의해 하류로 흘러가게 된다.As shown in FIG. 7A , immediately after the solvent valve 43 is opened, the particles in the solvent valve 43 are discharged from the solvent valve 43 together with the IPA. Therefore, contaminated IPA, that is, IPA containing a large number of particles per unit volume, flows from the solvent valve 43 to the tip flow path 62 . After that, clean IPA, that is, IPA with a small number of particles per unit volume, flows from the solvent valve 43 to the tip flow path 62 . Therefore, when the solvent valve 43 is opened, contaminated IPA flows into the tip flow path 62 , and then clean IPA flows into the tip flow path 62 . Contaminated IPA is flowed downstream by subsequent IPA (clean IPA).

기판 (W) 에 IPA 를 공급할 때는, 깨끗한 IPA 를 선단 유로 (62) 내에 유지하는 초회 준비 공정 (도 6 의 스텝 S11) 이 실시된다.When supplying IPA to the board|substrate W, the initial preparation process (step S11 in FIG. 6) which hold|maintains clean IPA in the front-end|tip flow path 62 is performed.

구체적으로는, 도 7A 에 나타내는 바와 같이, 용제 노즐 (41) 이 대기 위치에 위치하고 있고, 흡인 밸브 (45) 가 폐쇄된 상태에서, 용제 밸브 (43) 가 개방된다. 이로써, 공급 유로 (61) 내의 IPA 가 용제 밸브 (43) 를 통과하고, 선단 유로 (62) 에 유입된다. 용제 밸브 (43) 가 개방되어 있는 동안은, 용제 밸브 (43) 를 개재하여 공급 유로 (61) 로부터 선단 유로 (62) 로 IPA 가 계속 흐른다.As specifically, shown to FIG. 7A, the solvent nozzle 41 is located in a standby position, and in the state in which the suction valve 45 was closed, the solvent valve 43 is opened. Thereby, IPA in the supply flow path 61 passes through the solvent valve 43, and flows into the front-end|tip flow path 62. While the solvent valve 43 is open, IPA continues to flow from the supply flow path 61 to the tip flow path 62 via the solvent valve 43 .

도 7A 에 나타내는 바와 같이, 용제 밸브 (43) 가 개방되면, 단위 체적당의 함유 파티클수가 많은 오염된 IPA 가, 용제 밸브 (43) 로부터 선단 유로 (62) 로 유입된다. 이것에 계속해서, 단위 체적당의 함유 파티클수가 적은 청정한 IPA 가, 용제 밸브 (43) 로부터 선단 유로 (62) 로 유입된다. 오염된 IPA 는, 청정한 IPA 에 의해 하류로 흘러가게 된다. 그 때문에, 선단 유로 (62) 에 있어서 IPA 로 채워진 영역이, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 쪽으로 퍼진다. 이때, 흡인 밸브 (45) 가 폐쇄되어 있으므로, 선단 유로 (62) 내의 IPA 는, 분기 유로 (63) 에 유입되지 않거나, 혹은, 극히 미소한 양의 IPA 밖에 분기 유로 (63) 에 유입되지 않는다.As shown in FIG. 7A , when the solvent valve 43 is opened, contaminated IPA with a large number of particles contained per unit volume flows into the tip flow path 62 from the solvent valve 43 . Following this, clean IPA with a small number of particles contained per unit volume flows into the tip flow path 62 from the solvent valve 43 . Contaminated IPA flows downstream by clean IPA. Therefore, the area filled with IPA in the tip flow path 62 spreads toward the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 . At this time, since the suction valve 45 is closed, IPA in the tip flow path 62 does not flow into the branch flow path 63 or only a very minute amount of IPA flows into the branch flow path 63 .

도 7B 에 나타내는 바와 같이, 선단 유로 (62) 내를 흐르는 IPA 가 선단 유로 (62) 의 하류단 (62d) 에 도달하면, 선단 유로 (62) 내의 IPA 가 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출되고, 대기 포트 (49) 에 받아들여진다. 이로써, 용제 밸브 (43) 를 개방했을 때에 선단 유로 (62) 에 유입된 오염된 IPA 가, 선단 유로 (62) 로부터 배출된다.As shown in Fig. 7B, when IPA flowing in the tip flow path 62 reaches the downstream end 62d of the tip flow path 62, the IPA in the tip flow path 62 is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. is discharged from and is received in the standby port (49). Thereby, the contaminated IPA flowing into the tip flow path 62 when the solvent valve 43 is opened is discharged from the tip flow path 62 .

도 7C 에 나타내는 바와 같이, 오염된 IPA 모두가 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출되면, 용제 밸브 (43) 가 폐쇄된다. 이로써, 청정한 IPA 만이 선단 유로 (62) 내에 유지되고, 선단 유로 (62) 내에서 정지한다. 오염된 IPA 모두가 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출되었는지 여부는, 용제 밸브 (43) 를 개방하고 있는 시간에 기초하여 제어 장치 (3) 가 판단해도 되고, 용제 밸브 (43) 를 통과한 IPA 의 유량을 검출하는 유량계의 검출값에 기초하여 제어 장치 (3) 가 판단해도 된다.As shown in FIG. 7C, when all of the contaminated IPA is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41, the solvent valve 43 is closed. Thereby, only the clean IPA is held in the tip flow path 62 and stops in the tip flow path 62 . Whether or not all of the contaminated IPA has been discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 may be determined by the control device 3 based on the time the solvent valve 43 is opened, or the solvent valve 43 The control apparatus 3 may judge based on the detection value of the flowmeter which detects the flow volume of the passed IPA.

청정한 IPA 가 선단 유로 (62) 내에 유지된 후에는, 이 IPA 를 기판 (W) 에 공급하는 IPA 공급 공정 (도 6 의 스텝 S12) 이 실시된다. 도 6 에 나타내는 IPA 공급 공정 (도 6 의 스텝 S12) 은, 도 5 에 나타내는 IPA 공급 공정 (도 5 의 스텝 S4) 에 대응하는 것이다.After the clean IPA is held in the tip flow path 62 , an IPA supply step (step S12 in FIG. 6 ) of supplying the IPA to the substrate W is performed. The IPA supply process shown in FIG. 6 (step S12 in FIG. 6 ) corresponds to the IPA supply process shown in FIG. 5 (step S4 in FIG. 5 ).

구체적으로는, 전의 공정 (여기서는, 초회 준비 공정) 에서 선단 유로 (62) 에 유입된 청정한 IPA 가 선단 유로 (62) 내에 유지되고 있는 상태에서, 노즐 이동 유닛 (48) 이 용제 노즐 (41) 을 처리 위치로 이동시킨다. 도 7D 에 나타내는 바와 같이, 그 후, 용제 밸브 (43) 가 개방된다. 이로써, 오염된 IPA 가 용제 밸브 (43) 로부터 선단 유로 (62) 에 유입되고, 이것에 계속해서, 청정한 IPA 가 용제 밸브 (43) 로부터 선단 유로 (62) 에 유입된다. 미리 선단 유로 (62) 내에 유지되고 있는 청정한 IPA 는, 새롭게 유입된 IPA 에 의해 하류로 흘러가게 된다. 이로써, 미리 선단 유로 (62) 내에 유지되고 있는 청정한 IPA 의 일부가, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 기판 (W) 을 향하여 토출된다.Specifically, the nozzle moving unit 48 moves the solvent nozzle 41 while the clean IPA that has flowed into the tip flow path 62 in the previous step (here, the initial preparation step) is maintained in the tip flow path 62 . move to the processing position. As shown in FIG. 7D, the solvent valve 43 is opened after that. Thereby, contaminated IPA flows into the front-end|tip flow path 62 from the solvent valve 43, and, following this, clean IPA flows into the front-end|tip flow path 62 from the solvent valve 43. FIG. The clean IPA previously held in the tip flow path 62 flows downstream by the newly introduced IPA. Thereby, a part of the clean IPA previously hold|maintained in the front-end|tip flow path 62 is discharged toward the board|substrate W from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. As shown in FIG.

IPA 공급 공정에 있어서 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출되는 IPA 의 양, 요컨대, 1 장의 기판 (W) 에 공급되는 IPA 의 양은, 미리 선단 유로 (62) 내에 유지되고 있는 청정한 IPA 의 양보다 적다. 따라서, 도 7E 에 나타내는 바와 같이, 용제 밸브 (43) 는, 선단 유로 (62) 내에 유지된 청정한 IPA 의 일부가 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출되고, 그 나머지가 선단 유로 (62) 에 잔류하고 있는 상태에서 폐쇄된다. 이와 같은 상태인지 여부는, 용제 밸브 (43) 를 개방하고 있는 시간에 기초하여 제어 장치 (3) 가 판단해도 되고, 용제 밸브 (43) 를 통과한 IPA 의 유량을 검출하는 유량계의 검출값에 기초하여 제어 장치 (3) 가 판단해도 된다.The amount of IPA discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 in the IPA supply step, that is, the amount of IPA supplied to one substrate W, is the amount of clean IPA previously held in the tip flow path 62 . less than the amount Therefore, as shown in FIG. 7E , in the solvent valve 43 , a part of the clean IPA held in the tip flow path 62 is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 , and the remainder is discharged from the tip flow path 62 . ) is closed while remaining in Whether or not it is in such a state may be judged by the control device 3 based on the time during which the solvent valve 43 is opened, and is based on a detection value of a flow meter that detects the flow rate of IPA that has passed through the solvent valve 43 . Thus, the control device 3 may determine.

도 7E 에 나타내는 바와 같이, 용제 밸브 (43) 가 폐쇄되면, 전의 공정에서 선단 유로 (62) 에 유입되고 IPA 공급 공정에서 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출되지 않았던 IPA 가 선단 유로 (62) 내에 유지된다. 또한, IPA 공급 공정에서 선단 유로 (62) 에 유입된 모든 IPA 가 선단 유로 (62) 내에 유지된다. IPA 공급 공정에서 선단 유로 (62) 에 유입된 IPA 에는, 오염된 IPA 가 포함되어 있다. 따라서, 청정한 IPA 만이 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출되고, 오염된 IPA 는, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출되지 않고 선단 유로 (62) 내에 유지된다. 용제 밸브 (43) 가 폐쇄된 후에는, 선단 유로 (62) 의 각 부에 IPA 가 유지되고 있는 상태에서, 노즐 이동 유닛 (48) 이 용제 노즐 (41) 을 대기 위치로 이동시킨다.As shown in FIG. 7E , when the solvent valve 43 is closed, the IPA that flows into the tip flow path 62 in the previous step and was not discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 in the IPA supply step is discharged into the tip flow path ( 62) is maintained. In addition, all IPAs flowing into the tip flow path 62 in the IPA supply process are held in the tip flow path 62 . Contaminated IPA is contained in the IPA flowing into the tip flow path 62 in the IPA supply process. Accordingly, only the clean IPA is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 , and the contaminated IPA is not discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 and is held in the tip flow path 62 . After the solvent valve 43 is closed, the nozzle moving unit 48 moves the solvent nozzle 41 to the standby position in a state where the IPA is held in each part of the tip flow path 62 .

IPA 공급 공정 (도 6 의 스텝 S12) 에서 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터의 IPA 의 토출이 정지된 후에, 계속해 동일한 처리 유닛 (2) 에서 다음의 기판 (W) 에 IPA 를 공급하는 경우 (도 6 의 스텝 S13 에서 Yes) 는, 오염된 IPA 를 선단 유로 (62) 로부터 배출하고, 깨끗한 IPA 를 선단 유로 (62) 내에 유지하는 배출 공정 (도 6 의 스텝 S14) 이 실시된다.After the discharging of IPA from the discharging port 41p of the solvent nozzle 41 is stopped in the IPA supply step (step S12 in FIG. 6 ), the same processing unit 2 continues to supply IPA to the next substrate W In the case (Yes in step S13 in FIG. 6 ), a discharging process (step S14 in FIG. 6 ) of discharging contaminated IPA from the tip flow path 62 and maintaining clean IPA in the tip flow path 62 is performed.

구체적으로는, 용제 밸브 (43) 가 폐쇄된 후, 선단 유로 (62) 의 각 부에 IPA 가 유지되고 있는 상태에서, 용제 밸브 (43) 가 개방된다. 이로써, 도 7F 에 나타내는 바와 같이, 오염된 IPA 가 용제 밸브 (43) 로부터 선단 유로 (62) 에 유입되고, 이것에 계속해서, 청정한 IPA 가 용제 밸브 (43) 로부터 선단 유로 (62) 에 유입된다. 미리 선단 유로 (62) 내에 유지되고 있는 IPA, 즉, 전의 공정 (여기서는, 초회 준비 공정) 에서 선단 유로 (62) 에 유입되고 IPA 공급 공정에서 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출되지 않고 선단 유로 (62) 에 남은 IPA 와, IPA 공급 공정에서 선단 유로 (62) 에 유입된 모든 IPA 가, 새롭게 유입된 IPA 에 의해 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 쪽으로 흘러가게 된다.Specifically, after the solvent valve 43 is closed, the solvent valve 43 is opened in a state where the IPA is held in each part of the tip flow path 62 . Thereby, as shown in FIG. 7F, contaminated IPA flows into the front-end|tip flow path 62 from the solvent valve 43, and, following this, clean IPA flows into the front-end|tip flow path 62 from the solvent valve 43. . IPA previously held in the tip flow path 62, that is, flows into the tip flow path 62 in the previous step (here, the initial preparation step) and is not discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 in the IPA supply step The IPA remaining in the tip flow path 62 and all IPA flowing into the tip flow path 62 in the IPA supply process flow toward the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 by the newly flowed IPA.

미리 선단 유로 (62) 내에 유지되고 있는 모든 IPA 는, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 대기 포트 (49) 를 향하여 토출된다. 또한, 배출 공정에서 선단 유로 (62) 에 유입된 오염된 IPA 도, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 대기 포트 (49) 를 향하여 토출된다. 따라서, 선단 유로 (62) 는 청정한 IPA 만으로 채워진다. 그 후, 이 상태에서 용제 밸브 (43) 가 폐쇄된다. 이로써, 도 7G 에 나타내는 바와 같이, 청정한 IPA 만이 선단 유로 (62) 내에 유지되고, 선단 유로 (62) 내에서 정지한다.All of the IPA previously held in the tip flow path 62 is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 toward the standby port 49 . In addition, the contaminated IPA flowing into the tip flow path 62 in the discharge step is also discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 toward the standby port 49 . Accordingly, the tip flow path 62 is filled only with clean IPA. Then, the solvent valve 43 is closed in this state. As a result, as shown in FIG. 7G , only the clean IPA is held in the tip flow path 62 and stops in the tip flow path 62 .

오염된 IPA 를 선단 유로 (62) 로부터 배출한 후에, 다음의 기판 (W) 에 IPA 를 공급할 때, 요컨대, 다음의 기판 (W) 에 대한 IPA 공급 공정을 실시할 때는, 배출 공정이 종료되고 나서 다음의 기판 (W) 에 대한 IPA 공급 공정이 개시될 때까지의 시간 (체재 시간) 이 소정 시간을 초과했는지 여부를 판정하는 체재 시간 판정 공정이 실시된다 (도 6 의 스텝 S15).After discharging the contaminated IPA from the tip flow path 62, when supplying IPA to the next substrate W, that is, when performing the IPA supply process to the next substrate W, after the discharging process is completed A stay time determination step of determining whether or not the time (residence time) until the start of the next IPA supply step to the substrate W exceeds a predetermined time is performed (step S15 in FIG. 6 ).

체재 시간이 소정 시간을 초과하고 있지 않는 경우 (도 6 의 스텝 S15 에서 No) 는, 다음의 기판 (W) 에 대한 IPA 공급 공정이 실행된다 (도 6 의 스텝 S12 로 돌아간다). 그 후, 계속해 동일한 처리 유닛 (2) 에서 다음의 기판 (W) 에 IPA 를 공급하는 경우 (도 6 의 스텝 S13 에서 Yes) 는, 다시, 배출 공정 (도 6 의 스텝 S14) 및 IPA 공급 공정 (도 6 의 스텝 S12) 이 실행된다. 요컨대, 초회 준비 공정을 실시한 후는, IPA 공급 공정부터 배출 공정까지의 하나의 사이클을 기판 (W) 의 장수분만큼 반복한다. 이로써, 청정한 IPA 가 복수 장의 기판 (W) 에 공급되고, 이들 기판 (W) 이 처리된다.If the residence time does not exceed the predetermined time (No in step S15 in FIG. 6 ), the next IPA supply process for the substrate W is executed (return to step S12 in FIG. 6 ). After that, in the case where IPA is subsequently supplied to the next substrate W in the same processing unit 2 (Yes in step S13 in FIG. 6 ), the discharging process (step S14 in FIG. 6 ) and the IPA supply process ( Step S12) in Fig. 6 is executed. That is, after performing the initial preparation process, one cycle from the IPA supply process to the discharge process is repeated for the length of the substrate W. Thereby, clean IPA is supplied to the plurality of substrates W, and these substrates W are processed.

그 한편으로, 체재 시간이 소정 시간을 초과하고 있는 경우, 요컨대, 배출 공정이 종료되고 나서 다음의 기판 (W) 에 대한 IPA 공급 공정이 개시될 때까지의 시간이 긴 경우 (도 6 의 스텝 S15 에서 Yes) 는, 초회 준비 공정과 동일한 처리액치환 공정이 실시된다 (도 6 의 스텝 S16). 이로써, 선단 유로 (62) 내에 유지되고 있는 모든 IPA 가, 청정한 새로운 IPA 로 치환된다. 그 후, 다음의 기판 (W) 에 대한 IPA 공급 공정이 실행된다 (도 6 의 스텝 S12 로 돌아간다). 이로써, 안정적인 품질의 IPA 를 다음의 기판 (W) 에 공급할 수 있다.On the other hand, when the residence time exceeds the predetermined time, that is, when the time from the end of the discharging process until the start of the IPA supply process for the next substrate W is long (step S15 in FIG. 6 ) In Yes), the same processing liquid replacement process as the initial preparation process is performed (step S16 in FIG. 6 ). Thereby, all the IPAs held in the tip flow path 62 are replaced with clean new IPAs. After that, the next IPA supply process for the substrate W is executed (return to step S12 in FIG. 6). Thereby, IPA of stable quality can be supplied to the next board|substrate W.

또, 계속해 동일한 처리 유닛 (2) 에서 다음의 기판 (W) 에 IPA 를 공급하지 않는 경우, 요컨대, 동일한 처리 유닛 (2) 에서의 기판 (W) 의 처리를 종료하는 경우 (도 6 의 스텝 S13 에서 No) 는, 선단 유로 (62) 내에 유지되고 있는 IPA 를 분기 유로 (63) 에 흡인함으로써, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 및 그 근방을 비우는 석백 공정 (도 6 의 스텝 S17) 이 실시된다.In the case where IPA is not continuously supplied to the next substrate W in the same processing unit 2, that is, when the processing of the substrate W in the same processing unit 2 is ended (step S13 in FIG. 6 ) In No), the evacuation step (step S17 in FIG. 6 ) of evacuating the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 and its vicinity by sucking the IPA held in the tip flow path 62 to the branch flow path 63 is performed is carried out

구체적으로는, 도 7H 에 나타내는 바와 같이, 용제 밸브 (43) 가 폐쇄된 상태에서 흡인 밸브 (45) 가 개방된다. 흡인 밸브 (45) 가 개방되면, 흡인 장치 (46) 의 흡인력이 분기 유로 (63) 및 분기 위치 (P1) 를 통해서 선단 유로 (62) 에 전달된다. 이로써, 공기가 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 를 통해서 하류부 (62b) 에 흡인되면서, IPA 가 분기 위치 (P1) 를 통해서 하류부 (62b) 로부터 분기 유로 (63) 에 흡인된다. 그 한편으로, 용제 밸브 (43) 가 폐쇄되어 있으므로, 상류부 (62a) 에 유지되고 있는 모든 또는 거의 모든 IPA 는, 분기 유로 (63) 에 흡인되지 않고 그 자리 (상류부 (62a)) 에 남는다.Specifically, as shown in FIG. 7H , the suction valve 45 is opened in the state in which the solvent valve 43 is closed. When the suction valve 45 is opened, the suction force of the suction device 46 is transmitted to the tip flow path 62 through the branch flow path 63 and the branch position P1. Thereby, while air is sucked into the downstream part 62b through the discharge port 41p of the solvent nozzle 41, IPA is sucked into the branch flow path 63 from the downstream part 62b via the branch position P1. On the other hand, since the solvent valve 43 is closed, all or almost all of the IPA held in the upstream part 62a is not sucked by the branch flow path 63 but remains in its place (upstream part 62a). .

도 7I 에 나타내는 바와 같이, 하류부 (62b) 내의 IPA 가 분기 유로 (63) 에 흡인되고, 하류부 (62b) 가 비면, 흡인 밸브 (45) 가 폐쇄된다. 하류부 (62b) 가 비었는지 여부는, 흡인 밸브 (45) 를 개방하고 있는 시간에 기초하여 제어 장치 (3) 가 판단해도 되고, 흡인 밸브 (45) 를 통과한 IPA 의 유량을 검출하는 유량계의 검출값에 기초하여 제어 장치 (3) 가 판단해도 된다. 흡인 밸브 (45) 가 폐쇄된 후에는, 다음의 기판 (W) 에 대한 초회 준비 공정을 개시할 때까지 이 상태가 유지된다.As shown in FIG. 7I, IPA in the downstream part 62b is sucked by the branch flow path 63, and when the downstream part 62b becomes empty, the suction valve 45 is closed. Whether or not the downstream part 62b is empty may be judged by the control device 3 based on the time during which the suction valve 45 is opened, and detection of a flow meter that detects the flow rate of the IPA that has passed through the suction valve 45 . The control device 3 may judge based on the value. After the suction valve 45 is closed, this state is maintained until the next initial preparation process for the substrate W is started.

제 2 처리예 Second processing example

다음으로, 기판 (W) 에 IPA 를 공급하기 전부터, 기판 (W) 에 IPA 를 공급한 후까지의 흐름의 일례 (제 2 처리예) 에 대해 설명한다.Next, an example of the flow from before supplying IPA to the substrate W to after supplying IPA to the substrate W (second processing example) will be described.

도 8 은, 제 2 처리예에 대해 설명하기 위한 플로우 차트이다. 도 9A ∼ 도 9B 는, 도 8 에 나타내는 제 2 처리예가 실시되고 있을 때의 유로 내의 상태를 나타내는 모식적인 단면도이다. 도 9A ∼ 도 9B 에서는, 개방되어 있는 밸브를 흑색으로 나타내고 있고, 폐쇄되어 있는 밸브를 백색으로 나타내고 있다.8 is a flowchart for explaining a second processing example. 9A to 9B are schematic cross-sectional views showing the state in the flow passage when the second processing example shown in FIG. 8 is being performed. 9A to 9B, an open valve is shown in black, and a closed valve is shown in white.

이하에서는, 도 1 및 도 2 를 참조한다. 도 8 및 도 9A ∼ 도 9B 에 대해서는 적절히 참조한다. 이하의 동작은, 제어 장치 (3) 가 기판 처리 장치 (1) 를 제어함으로써 실행된다.In the following, reference is made to FIGS. 1 and 2 . Reference is made appropriately to Figs. 8 and Figs. 9A to 9B. The following operations are performed when the control apparatus 3 controls the substrate processing apparatus 1 .

제 2 처리예에 있어서의 초회 준비 공정 (도 8 의 스텝 S21) 부터 IPA 공급 공정 (도 8 의 스텝 S22) 까지의 흐름은, 제 1 처리예와 동일하므로, 이하에서는, 초회 준비 공정 및 IPA 공급 공정이 실시된 후의 흐름에 대해 설명한다. The flow from the initial preparation process (step S21 in FIG. 8 ) to the IPA supply process (step S22 in FIG. 8 ) in the second processing example is the same as in the first processing example, therefore, the initial preparation process and the IPA supply will be described below. The flow after the process is performed will be described.

IPA 공급 공정 (도 8 의 스텝 S22) 에서 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터의 IPA 의 토출이 정지된 후에, 계속해 동일한 처리 유닛 (2) 에서 다음의 기판 (W) 에 IPA 를 공급하는 경우 (도 8 의 스텝 S23 에서 Yes) 는, 오염된 IPA 를 선단 유로 (62) 로부터 배출하고, 깨끗한 IPA 를 선단 유로 (62) 내에 유지하는 배출 공정 (도 8 의 스텝 S24) 이 실시된다.After the IPA discharge from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 is stopped in the IPA supply step (step S22 in FIG. 8 ), the same processing unit 2 continues to supply IPA to the next substrate W In the case (Yes in step S23 in FIG. 8 ), a discharging process (step S24 in FIG. 8 ) of discharging contaminated IPA from the tip flow path 62 and maintaining clean IPA in the tip flow path 62 is performed.

구체적으로는, 용제 밸브 (43) 가 폐쇄되어 있고, 선단 유로 (62) 의 각 부에 IPA 가 유지되고 있는 상태에서, 흡인 밸브 (45) 가 개방된다. 흡인 밸브 (45) 는, 용제 노즐 (41) 이 대기 위치 또는 처리 위치에 위치하고 있을 때에 개방되어도 되고, 대기 위치와 처리 위치 사이에 위치하고 있을 때에 개방되어도 된다. 흡인 밸브 (45) 가 개방되면, 흡인 장치 (46) 의 흡인력이 분기 유로 (63) 및 분기 위치 (P1) 를 통해서 선단 유로 (62) 에 전달된다. 이로써, 도 9A 에 나타내는 바와 같이, 공기가 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 를 통해서 하류부 (62b) 에 흡인되면서, IPA 가 분기 위치 (P1) 를 통해서 하류부 (62b) 로부터 분기 유로 (63) 에 흡인된다. 그 한편으로, 용제 밸브 (43) 가 폐쇄되어 있으므로, 상류부 (62a) 에 유지되고 있는 모든 또는 거의 모든 IPA 는, 분기 유로 (63) 에 흡인되지 않고 그 자리 (상류부 (62a)) 에 남는다.Specifically, the solvent valve 43 is closed and the suction valve 45 is opened in a state in which the IPA is held in each part of the tip flow path 62 . The suction valve 45 may be opened when the solvent nozzle 41 is located in a standby position or a process position, and may be opened when it is located between a standby position and a process position. When the suction valve 45 is opened, the suction force of the suction device 46 is transmitted to the tip flow path 62 through the branch flow path 63 and the branch position P1. As a result, as shown in Fig. 9A, while air is sucked into the downstream portion 62b through the discharge port 41p of the solvent nozzle 41, the IPA flows from the downstream portion 62b through the branching position P1 to the branch flow path 63. is sucked into On the other hand, since the solvent valve 43 is closed, all or almost all of the IPA held in the upstream part 62a is not sucked by the branch flow path 63 but remains in its place (upstream part 62a). .

IPA 공급 공정 (도 8 의 스텝 S22) 에서 선단 유로 (62) 에 유입된 오염된 IPA 는, 선단 유로 (62) 의 상류부 (62a) 가 아니고, 선단 유로 (62) 의 하류부 (62b) 에 유지된다 (도 7E 참조). 바꾸어 말하면, IPA 공급 공정에서 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출되는 IPA 의 양과, 선단 유로 (62) 및 분기 유로 (63) 가 접속된 분기 위치 (P1) 는, 오염된 IPA 가 선단 유로 (62) 의 하류부 (62b) 에 유지되도록 설정되어 있다. 따라서, 도 9A 에 나타내는 바와 같이, 흡인 밸브 (45) 가 개방되면, 하류부 (62b) 에 유지되고 있는 오염된 IPA 가 분기 유로 (63) 에 배출된다. 그 한편으로, 청정한 IPA 만이, 상류부 (62a) 에 유지된다.Contaminated IPA flowing into the tip flow path 62 in the IPA supply process (step S22 in FIG. 8 ) is held in the downstream part 62b of the tip flow path 62 instead of the upstream part 62a of the tip flow path 62 . (see Figure 7E). In other words, in the IPA supply step, the amount of IPA discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 and the branching position P1 where the tip flow path 62 and the branch flow path 63 are connected are determined by the amount of IPA at the tip. It is set so that it may hold|maintain in the downstream part 62b of the flow path 62. As shown in FIG. Accordingly, as shown in FIG. 9A , when the suction valve 45 is opened, the contaminated IPA held in the downstream portion 62b is discharged to the branch flow path 63 . On the other hand, only the clean IPA is held in the upstream portion 62a.

도 9B 에 나타내는 바와 같이, 흡인 밸브 (45) 는, 하류부 (62b) 에 유지되고 있는 오염된 IPA 의 모두가 분기 유로 (63) 에 배출된 후에 폐쇄된다. 오염된 IPA 의 모두가 분기 유로 (63) 에 배출된다면, 흡인 밸브 (45) 는, 하류부 (62b) 의 전체가 비기 전에 폐쇄되어도 된다. 오염된 IPA 의 모두가 분기 유로 (63) 에 배출되었는지 여부는, 흡인 밸브 (45) 를 개방하고 있는 시간에 기초하여 제어 장치 (3) 가 판단해도 되고, 흡인 밸브 (45) 를 통과한 IPA 의 유량을 검출하는 유량계의 검출값에 기초하여 제어 장치 (3) 가 판단해도 된다.As shown in FIG. 9B , the suction valve 45 is closed after all of the contaminated IPA held in the downstream portion 62b is discharged to the branch flow path 63 . If all of the contaminated IPA is discharged to the branch flow path 63, the suction valve 45 may be closed before the entire downstream portion 62b is emptied. Whether or not all of the contaminated IPA has been discharged to the branch flow path 63 may be determined by the control device 3 based on the time during which the suction valve 45 is opened, The control apparatus 3 may judge based on the detection value of the flow meter which detects a flow volume.

오염된 IPA 를 선단 유로 (62) 로부터 배출한 후에, 다음의 기판 (W) 에 IPA 를 공급할 때, 요컨대, 다음의 기판 (W) 에 대한 IPA 공급 공정을 실시할 때는, 배출 공정 (도 8 의 스텝 S24) 이 종료되고 나서 다음의 기판 (W) 에 대한 IPA 공급 공정 (도 8 의 스텝 S22) 이 개시될 때까지의 시간 (체재 시간) 이 소정 시간을 초과했는지 여부를 판정하는 체재 시간 판정 공정이 실시된다 (도 8 의 스텝 S25). After discharging the contaminated IPA from the tip flow path 62, when supplying IPA to the next substrate W, that is, when performing the IPA supply process to the next substrate W, the discharging step (shown in FIG. 8 ) A residence time determination step of determining whether or not the time (residence time) from the end of step S24) until the start of the next IPA supply step (step S22 in FIG. 8 ) for the substrate W exceeds a predetermined time This is carried out (step S25 in Fig. 8).

체재 시간이 소정 시간을 초과하고 있지 않은 경우 (도 8 의 스텝 S25 에서 No) 는, 다음의 기판 (W) 에 대한 IPA 공급 공정이 실행된다 (도 8 의 스텝 S22 로 돌아간다). 체재 시간이 소정 시간을 초과하고 있는 경우 (도 8 의 스텝 S25 에서 Yes) 는, 제 1 처리예와 동일한 처리액 치환 공정이 실시된다 (도 8 의 스텝 S26). 그 후, 다음의 기판 (W) 에 대한 IPA 공급 공정이 실행된다 (도 8 의 스텝 S22 로 돌아간다).If the residence time does not exceed the predetermined time (No in step S25 in FIG. 8 ), the next IPA supply step for the substrate W is executed (return to step S22 in FIG. 8 ). If the residence time exceeds the predetermined time (Yes in step S25 in FIG. 8 ), the same processing liquid replacement process as in the first processing example is performed (step S26 in FIG. 8 ). After that, the next IPA supply process for the substrate W is executed (return to step S22 in FIG. 8).

또, 계속해 동일한 처리 유닛 (2) 에서 다음의 기판 (W) 에 IPA 를 공급하지 않는 경우, 요컨대, 동일한 처리 유닛 (2) 에서의 기판 (W) 의 처리를 종료하는 경우 (도 8 의 스텝 S23 에서 No) 는, 제 1 처리예와 동일한 석백 공정이 실시된다 (도 8 의 스텝 S27). 그 후, 다음의 기판 (W) 에 대한 초회 준비 공정 (도 8 의 스텝 S21) 을 개시할 때까지 이 상태가 유지된다.In the case where IPA is not continuously supplied to the next substrate W in the same processing unit 2, that is, when the processing of the substrate W in the same processing unit 2 is ended (step S23 in FIG. 8 ) In the case of No), the same stone-whitening process as in the first processing example is performed (step S27 in FIG. 8 ). After that, this state is maintained until the initial preparation process (step S21 of FIG. 8) with respect to the next board|substrate W is started.

이상과 같이 본 실시형태에서는, IPA 를 기판 (W) 에 공급하기 전에 용제 밸브 (43) 가 개방된다. 이로써, 용제 밸브 (43) 내에서 발생한 파티클로 오염된 IPA 가, 용제 밸브 (43) 로부터 선단 유로 (62) 에 유입된다. 이것에 계속해서, 함유 파티클이 적은 청정한 IPA 가, 용제 밸브 (43) 로부터 선단 유로 (62) 에 유입된다. 요컨대, 오염된 IPA 가 용제 밸브 (43) 를 최초로 통과하고, 이것에 계속해서, 청정한 IPA 가 용제 밸브 (43) 를 통과한다.As described above, in the present embodiment, the solvent valve 43 is opened before IPA is supplied to the substrate W. As a result, IPA contaminated with particles generated in the solvent valve 43 flows into the tip flow path 62 from the solvent valve 43 . Following this, clean IPA with few contained particles flows into the tip flow path 62 from the solvent valve 43 . In other words, the contaminated IPA passes through the solvent valve 43 first, followed by the clean IPA passes through the solvent valve 43 .

오염된 IPA 는, 청정한 IPA 에 의해 하류로 흘러가게 된다. 선단 유로 (62) 내를 흐르는 IPA 가 선단 유로 (62) 의 하류단 (62d) 에 도달하면, 선단 유로 (62) 내의 IPA 가 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출된다. 이로써, 용제 밸브 (43) 를 개방했을 때에 선단 유로 (62) 에 유입된 오염된 IPA 가, 선단 유로 (62) 로부터 배출된다. 오염된 IPA 가 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출된 후에는, 용제 밸브 (43) 가 폐쇄된다. 이로써, 청정한 IPA 가 선단 유로 (62) 내에 유지되고, 선단 유로 (62) 내에서 정지한다.Contaminated IPA flows downstream by clean IPA. When the IPA flowing in the tip flow path 62 reaches the downstream end 62d of the tip flow path 62 , the IPA in the tip flow path 62 is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 . Thereby, the contaminated IPA flowing into the tip flow path 62 when the solvent valve 43 is opened is discharged from the tip flow path 62 . After the contaminated IPA is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 , the solvent valve 43 is closed. Thereby, the clean IPA is held in the tip flow path 62 and stops in the tip flow path 62 .

그 후, 용제 밸브 (43) 가 다시 개방된다. 선단 유로 (62) 내에 유지되고 있는 청정한 IPA 는, 새롭게 유입된 IPA 에 의해 하류로 흘러가게 되고, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 기판 (W) 을 향하여 토출된다. 이로써, 청정한 IPA 가 기판 (W) 에 공급된다. 그 후, 용제 밸브 (43) 가 폐쇄되고, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터의 IPA 의 토출이 정지된다. 그것과 동시에, 새롭게 유입된 IPA 의 모두가 선단 유로 (62) 내에 유지된다.After that, the solvent valve 43 is opened again. The clean IPA held in the tip flow path 62 flows downstream by the newly introduced IPA, and is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 toward the substrate W. Thereby, clean IPA is supplied to the board|substrate W. Then, the solvent valve 43 is closed, and discharge of the IPA from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 is stopped. At the same time, all of the newly introduced IPA is held in the tip flow path 62 .

이와 같이, 깨끗한 IPA 가 선단 유로 (62) 내에 유지된 상태에서 용제 밸브 (43) 를 개방하고, 이 IPA 를 기판 (W) 을 향하여 토출한다. 그 후, 용제 밸브 (43) 를 통과한 모든 IPA 를 선단 유로 (62) 내에 유지한다. 용제 밸브 (43) 를 통과한 IPA 에는, 오염된 IPA 도 포함되어 있다. 따라서, 오염된 IPA 가 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출되는 것을 회피하면서, 청정한 IPA 만을 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출시킬 수 있다. 이로써, 기판 (W) 에 공급되는 IPA 에 포함되는 파티클이 감소하므로, 건조 후의 기판 (W) 의 청정도를 높일 수 있다.In this way, the solvent valve 43 is opened while the clean IPA is held in the tip flow path 62, and this IPA is discharged toward the substrate W. Thereafter, all IPAs that have passed through the solvent valve 43 are held in the tip flow path 62 . IPA that has passed through the solvent valve 43 also contains contaminated IPA. Accordingly, only clean IPA can be discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 while avoiding that the contaminated IPA is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 . Thereby, since the particle contained in the IPA supplied to the board|substrate W decreases, the cleanliness of the board|substrate W after drying can be raised.

본 실시형태에서는, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출된 IPA 가 부착되어 있는 기판 (W) 을 건조시킨다. 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출된 IPA 는, 함유 파티클이 적은 청정한 IPA 이다. 따라서, 기판 (W) 에 유지되고 있는 파티클이 적은 상태에서 기판 (W) 을 건조시킬 수 있다. 이로써, 건조 후의 기판 (W) 에 잔류하는 파티클을 줄일 수 있어, 건조 후의 기판 (W) 의 청정도를 높일 수 있다.In this embodiment, the board|substrate W to which the IPA discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 adhered is dried. The IPA discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 is a clean IPA containing few particles. Therefore, the board|substrate W can be dried in the state with few particles hold|maintained by the board|substrate W. Thereby, the particle remaining on the board|substrate W after drying can be reduced, and the cleanliness of the board|substrate W after drying can be raised.

본 실시형태에서는, 기판 (W) 을 향하여 IPA 를 토출할 때에 용제 밸브 (43) 를 최초로 통과하고, IPA 의 토출을 정지했을 때에 선단 유로 (62) 내에 유지된 IPA 가, 선단 유로 (62) 로부터 배출된다. 요컨대, 오염된 IPA 가 선단 유로 (62) 로부터 배출된다. 따라서, 선단 유로 (62) 내에 유지되고 있는 IPA 를 다음의 기판 (W) 에 공급할 때에, 오염된 IPA 가 기판 (W) 을 향하여 토출되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 복수 장의 기판 (W) 을 처리할 때에, 각 기판 (W) 의 청정도를 높일 수 있다.In this embodiment, when discharging the IPA toward the substrate W, it passes through the solvent valve 43 first, and when the discharging of IPA is stopped, the IPA held in the distal flow path 62 is released from the distal flow path 62 . is emitted In other words, the contaminated IPA is discharged from the tip flow path 62 . Accordingly, when the IPA held in the tip flow path 62 is supplied to the next substrate W, it is possible to prevent the contaminated IPA from being discharged toward the substrate W. Thereby, when processing the board|substrate W of several sheets, the cleanliness of each board|substrate W can be raised.

본 실시형태에서는, 동일한 IPA 가 선단 유로 (62) 내에 장시간 유지된 경우, 용제 밸브 (43) 가 개방되고, 새로운 IPA 가 선단 유로 (62) 내에 공급된다. 이로써, 오래된 IPA 가 새로운 IPA 에 의해 하류로 흘러가게 되고, 선단 유로 (62) 로부터 배출된다. 그 후, 용제 밸브 (43) 를 최초로 통과한 IPA 이외의 IPA, 요컨대, 깨끗한 IPA 가 선단 유로 (62) 내에 유지된다.In the present embodiment, when the same IPA is maintained in the tip flow path 62 for a long time, the solvent valve 43 is opened, and new IPA is supplied into the tip flow path 62 . Thereby, the old IPA flows downstream by the new IPA, and is discharged from the tip flow path 62 . Thereafter, IPA other than the IPA that first passed through the solvent valve 43 , that is, clean IPA is maintained in the tip flow path 62 .

IPA 의 성질은, 시간의 경과에 수반하여 변화하는 경우가 있다. 선단 유로 (62) 내에 체재하고 있는 시간이 짧으면 무시할 수 있는 정도의 변화밖에 발생하지 않지만, 선단 유로 (62) 내에 체재하고 있는 시간이 길면, 처리의 결과에 영향을 미칠 수 있는 성질의 변화가 발생할지도 모른다. 따라서, 오래된 IPA 를 새로운 깨끗한 IPA 로 치환함으로써, 복수 장의 기판 (W) 에 있어서의 품질의 편차를 억제할 수 있다.The properties of IPA may change with the passage of time. If the time spent in the tip flow path 62 is short, only a negligible change occurs. However, if the time spent in the tip flow path 62 is long, a change in properties that may affect the processing result may occur. may be Accordingly, by replacing the old IPA with a new, clean IPA, it is possible to suppress variations in quality in the plurality of substrates W.

본 실시형태의 제 1 처리예에서는, 선단 유로 (62) 내에 유지되고 있는 IPA 를 배출하기 위해서, 기판 (W) 에 대한 IPA 의 공급이 정지된 후에, 용제 밸브 (43) 가 개방되고, 새로운 IPA 가 선단 유로 (62) 에 공급된다. 기판 (W) 에 대한 IPA 의 공급을 정지했을 때에 선단 유로 (62) 내에 유지된 모든 IPA 는, 새로운 IPA 에 의해 하류로 흘러가게 되고, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출된다. 이로써, 기판 (W) 에 대한 IPA 의 공급을 정지했을 때에 선단 유로 (62) 내에 유지된 오염된 IPA 를 선단 유로 (62) 로부터 배출할 수 있다.In the first processing example of the present embodiment, in order to discharge the IPA held in the tip flow path 62 , after the supply of IPA to the substrate W is stopped, the solvent valve 43 is opened and a new IPA is supplied to the tip flow path 62 . When the supply of IPA to the substrate W is stopped, all of the IPA held in the tip flow path 62 flows downstream by the new IPA, and is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 . Thereby, when the supply of IPA to the substrate W is stopped, the contaminated IPA held in the tip flow path 62 can be discharged from the tip flow path 62 .

또한, 용제 밸브 (43) 를 개방했을 때에 선단 유로 (62) 에 유입된 오염된 IPA 도, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 토출된다. 그 후, 용제 밸브 (43) 가 폐쇄되고, 깨끗한 IPA 가 선단 유로 (62) 내에 유지된다. 따라서, 다음의 기판 (W) 에 깨끗한 IPA 를 공급할 수 있다. 또한, 선단 유로 (62) 의 각 부에 IPA 가 유지되므로, 선단 유로 (62) 의 일부에만 IPA 를 유지하는 경우와 비교해, 다음의 기판 (W) 에 공급할 수 있는 IPA 의 양을 늘릴 수 있다.In addition, the contaminated IPA flowing into the tip flow path 62 when the solvent valve 43 is opened is also discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 . Thereafter, the solvent valve 43 is closed, and clean IPA is maintained in the tip flow path 62 . Therefore, clean IPA can be supplied to the next substrate W. In addition, since IPA is held in each portion of the tip flow path 62 , the amount of IPA that can be supplied to the next substrate W can be increased compared to the case where the IPA is held only in a part of the tip flow path 62 .

본 실시형태의 제 2 처리예에서는, 선단 유로 (62) 내에 유지되고 있는 IPA 를 배출하기 위해서, 기판 (W) 에 대한 IPA 의 공급이 정지된 후에, 용제 밸브 (43) 가 폐쇄된 상태에서 흡인 밸브 (45) 가 개방된다. 이로써, 흡인력이 분기 유로 (63) 를 개재하여 선단 유로 (62) 에 전달되고, 선단 유로 (62) 의 하류부 (62b) 로부터 분기 유로 (63) 로 IPA 가 흡인된다. 그 한편으로, 용제 밸브 (43) 가 폐쇄되어 있으므로, 선단 유로 (62) 의 상류부 (62a) 에 유지되고 있는 IPA 는 그 자리 (상류부 (62a)) 에 남는다.In the second processing example of the present embodiment, in order to discharge the IPA held in the tip flow path 62 , after the supply of IPA to the substrate W is stopped, the solvent valve 43 is closed and suction is performed. The valve 45 is opened. Thereby, the suction force is transmitted to the tip flow path 62 via the branch flow path 63 , and the IPA is sucked from the downstream part 62b of the tip flow path 62 to the branch flow path 63 . On the other hand, since the solvent valve 43 is closed, IPA held in the upstream part 62a of the tip flow path 62 remains in its place (upstream part 62a).

기판 (W) 을 향하여 IPA 를 토출할 때에 선단 유로 (62) 에 유입된 오염된 IPA 는, 선단 유로 (62) 의 하류부 (62b) 에 유지되고 있다. 따라서, 선단 유로 (62) 의 하류부 (62b) 로부터 분기 유로 (63) 로 IPA 를 흡인함으로써, 깨끗한 IPA 를 선단 유로 (62) 를 남기면서, 오염된 IPA 를 선단 유로 (62) 로부터 배출할 수 있다. 이로써, 다음의 기판 (W) 에 깨끗한 IPA 를 공급할 수 있다. 또한, 선단 유로 (62) 의 하류부 (62b) 로부터 분기 유로 (63) 로 IPA 를 역류시키면, 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 의 상류의 위치부터 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 까지의 범위가 비므로, IPA 가 의도치 않게 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 로부터 낙하하는 현상 (이른바, 쏟아짐) 을 방지할 수 있다.Contaminated IPA flowing into the tip flow path 62 when the IPA is discharged toward the substrate W is held in the downstream portion 62b of the tip flow path 62 . Therefore, by sucking the IPA from the downstream portion 62b of the tip flow path 62 to the branch flow path 63 , the contaminated IPA can be discharged from the tip flow path 62 while leaving clean IPA in the tip flow path 62 . . Thereby, clean IPA can be supplied to the next board|substrate W. Further, when IPA flows backward from the downstream part 62b of the tip flow path 62 to the branch flow path 63, from the position upstream of the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 to the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 Since the range of is empty, a phenomenon in which IPA unintentionally falls from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 (so-called pouring) can be prevented.

다른 실시형태 another embodiment

본 발명은, 전술한 실시형태의 내용으로 한정되는 것이 아니고, 여러 가지 변경이 가능하다.This invention is not limited to the content of embodiment mentioned above, A various change is possible.

예를 들어, 제어 장치 (3) 는, 약액이나 린스액 등의 IPA 이외의 처리액을 기판 (W) 에 공급할 때에, 제 1 처리예 또는 제 2 처리예를 실시해도 된다. 요컨대, 제 1 처리예 및 제 2 처리예가 실시되 처리액은, 기판 (W) 을 건조시킬 때에 기판 (W) 에 부착되어 있는 처리액 이외의 처리액이어도 된다.For example, when supplying a processing liquid other than IPA, such as a chemical|medical solution and a rinse liquid, to the board|substrate W, the control apparatus 3 may implement the 1st process example or the 2nd process example. In other words, although the first processing example and the second processing example are performed, the processing liquid may be a processing liquid other than the processing liquid adhered to the substrate W when the substrate W is dried.

IPA 의 시간 경과에 따른 변화가 기판 (W) 의 품질에 주는 영향을 무시할 수 있는 정도이면, 제어 장치 (3) 는, 제 1 처리예 및 제 2 처리예에 있어서, 처리액 치환 공정 (도 6 의 스텝 S16 및 도 8 의 스텝 S26) 을 생략해도 된다.If the effect of the time-dependent change of the IPA on the quality of the substrate W is negligible, the control device 3 performs the processing liquid replacement step (FIG. 6) in the first processing example and the second processing example. Step S16 of FIG. 8 and step S26 of FIG. 8) may be omitted.

제어 장치 (3) 는, 제 1 처리예의 배출 공정 (도 6 의 스텝 S14) 을 실시한 후에, 제 1 처리예의 IPA 공급 공정 (도 6 의 스텝 S12) 과 제 2 처리예의 배출 공정 (도 8 의 스텝 S24) 을 실시해도 된다. 이것과는 반대로, 제어 장치 (3) 는, 제 2 처리예의 배출 공정 (도 8 의 스텝 S24) 을 실시한 후에, 제 2 처리예의 IPA 공급 공정 (도 8 의 스텝 S22) 과 제 1 처리예의 배출 공정 (도 6 의 스텝 S14) 을 실시해도 된다.After performing the discharging process of the first processing example (step S14 in FIG. 6 ), the control device 3 performs the IPA supply process (step S12 in FIG. 6 ) of the first processing example and the discharging process of the second processing example (step S14 in FIG. 8 ) S24) may be performed. Contrary to this, the control device 3 performs the discharging step (step S24 in FIG. 8 ) of the second processing example, and then the IPA supply step (step S22 in FIG. 8 ) of the second processing example and the discharging step of the first processing example. (Step S14 of FIG. 6) may be implemented.

제 1 처리예의 초회 준비 공정 (도 6 의 스텝 S11) 및 제 2 처리예의 초회 준비 공정 (도 8 의 스텝 S21) 에 있어서, IPA 는, 선단 유로 (62) 만이 아니고, 선단 유로 (62) 및 분기 유로 (63) 의 양방에 유지되어도 된다. 이 경우, 용제 밸브 (43) 및 흡인 밸브 (45) 의 양방을 개방하면 된다.In the initial preparation step of the first processing example (step S11 in FIG. 6 ) and the initial preparation step (step S21 in FIG. 8 ) of the second processing example, the IPA is not only the tip flow path 62 , but also the tip flow path 62 and branching. It may be held on both sides of the flow path 63 . In this case, both the solvent valve 43 and the suction valve 45 may be opened.

용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 부터 분기 유로 (63) 의 하류단 (63d) 까지가 IPA 로 채워져 있고, 분기 유로 (63) 의 하류단 (63d) 이 용제 노즐 (41) 의 토출구 (41p) 보다 하방에 배치되어 있는 경우, 흡인 밸브 (45) 를 개방하면, 선단 유로 (62) 의 하류부 (62b) 내의 IPA 가, 사이펀의 원리에 의해 분기 유로 (63) 쪽으로 흡인된다. 따라서, 선단 유로 (62) 및 분기 유로 (63) 의 양방에 IPA 를 유지시키는 경우에는, 흡인 장치 (46) 를 이용하지 않고 하류부 (62b) 내의 IPA 를 분기 유로 (63) 쪽으로 흡인해도 된다.From the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 to the downstream end 63d of the branch flow path 63 is filled with IPA, the downstream end 63d of the branch flow path 63 is the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 ), when the suction valve 45 is opened, the IPA in the downstream part 62b of the tip flow path 62 is sucked toward the branch flow path 63 by the principle of a siphon. Therefore, in the case where the IPA is held in both the tip flow path 62 and the branch flow path 63 , the IPA in the downstream portion 62b may be sucked toward the branch flow path 63 without using the suction device 46 .

제어 장치 (3) 는, 제 1 처리예의 배출 공정 (도 6 의 스텝 S14) 에 있어서, 용제 밸브 (43) 가 개방된 상태에서 용제 밸브 (43) 의 개방도의 증가 및 감소를 복수회 실시함으로써, 용제 밸브 (43) 를 통과하는 IPA 의 유량을 변화시키는 유량 변경 공정을 실시해도 된다. 이 경우, 용제 밸브 (43) 를 통과하는 IPA 의 유량이 변화하고, 용제 밸브 (43) 에 부착되어 있는 파티클에 가해지는 액압이 변화한다. 이로써, 용제 밸브 (43) 로부터 파티클을 효과적으로 벗길 수 있어, 용제 밸브 (43) 를 통과하는 IPA 의 청정도를 높일 수 있다. In the discharge step (step S14 of FIG. 6 ) of the first processing example, the control device 3 increases and decreases the opening degree of the solvent valve 43 in a state in which the solvent valve 43 is opened a plurality of times. , a flow rate change step of changing the flow rate of IPA passing through the solvent valve 43 may be performed. In this case, the flow rate of IPA passing through the solvent valve 43 changes, and the hydraulic pressure applied to the particles adhering to the solvent valve 43 changes. Thereby, particles can be removed from the solvent valve 43 effectively, and the cleanliness of the IPA passing through the solvent valve 43 can be raised.

IPA 공급 공정 (도 6 의 스텝 S12 및 도 8 의 스텝 S22) 을 실시하기 전에, 선단 유로 (62) 내에 유지되는 청정한 IPA 의 양은, 1 장의 기판 (W) 에 공급되는 IPA 의 양을 초과하고, 2 장의 기판 (W) 에 공급되는 IPA 의 양 이하의 양이어도 되고, 2 장의 기판 (W) 에 공급되는 IPA 의 양을 초과하는 양이어도 된다. 후자의 경우, IPA 공급 공정을 실시할 때마다 배출 공정 (도 6 의 스텝 S14 및 도 8 의 스텝 S24) 을 실시하지 않아도 된다.Before performing the IPA supply process (step S12 in FIG. 6 and step S22 in FIG. 8), the amount of clean IPA maintained in the tip flow path 62 exceeds the amount of IPA supplied to one substrate W; The quantity may be less than the quantity of IPA supplied to the board|substrate W of 2 sheets, and the quantity exceeding the quantity of IPA supplied to the board|substrate W of 2 sheets may be sufficient. In the latter case, it is not necessary to perform the discharging process (step S14 in FIG. 6 and step S24 in FIG. 8) every time the IPA supply process is performed.

1 장의 기판 (W) 에 공급되는 IPA 의 양은, 1 장의 기판 (W) 에 공급되는 약액의 양보다 적어도 된다. 기판 (W) 의 직경이 300 mm 인 경우, 1 장의 기판 (W) 에 공급되는 IPA 의 양은, 0 을 초과하는 10 ml 미만의 양 (예를 들어, 8 ml) 이어도 된다. 물론, 이 이상의 IPA 가 기판 (W) 에 공급되어도 된다. The amount of IPA supplied to the one substrate W is smaller than the amount of the chemical supplied to the one substrate W. When the diameter of the substrate W is 300 mm, the amount of IPA supplied to one substrate W may exceed 0 and be less than 10 ml (eg, 8 ml). Of course, more than this IPA may be supplied to the board|substrate W.

용제 노즐 (41) 은, 수평으로 이동 가능한 스캔 노즐로 한정하지 않고, 챔버 (4) 의 격벽 (5) 에 대해 고정된 고정 노즐이어도 되고, 기판 (W) 의 상방에 배치되어 있어도 된다.The solvent nozzle 41 is not limited to a horizontally movable scan nozzle, The fixed nozzle fixed with respect to the partition 5 of the chamber 4 may be sufficient, and it may be arrange|positioned above the board|substrate W.

기판 처리 장치 (1) 는, 원판상의 기판 (W) 을 처리하는 장치로 한정하지 않고, 다각형의 기판 (W) 을 처리하는 장치여도 된다.The substrate processing apparatus 1 is not limited to the apparatus which processes the disk-shaped board|substrate W, The apparatus which processes the polygonal board|substrate W may be sufficient.

전술한 모든 구성의 2 개 이상이 조합되어도 된다. 전술한 모든 공정의 2 개 이상이 조합되어도 된다.Two or more of all the above-described configurations may be combined. Two or more of all the above-mentioned steps may be combined.

스핀 척 (8) 은, 기판 유지 유닛의 일례이다. 스핀 모터 (12) 는, 건조 유닛의 일례이다. 용제 밸브 (43) 는, 토출 밸브의 일례이다. 밸브 액추에이터 (55) 는, 전동 액추에이터의 일례이다.The spin chuck 8 is an example of a substrate holding unit. The spin motor 12 is an example of a drying unit. The solvent valve 43 is an example of a discharge valve. The valve actuator 55 is an example of an electric actuator.

본 출원은, 2017년 11월 8일에 일본 특허청에 제출된 일본 특허출원 2017-215295호에 대응하고 있고, 이 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 도입되는 것으로 한다.This application corresponds to Japanese Patent Application No. 2017-215295 filed with the Japan Patent Office on November 8, 2017, and the entire disclosure of this application is incorporated herein by reference.

본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명해 왔지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해서 이용된 구체예에 지나지 않고, 본 발명은 이들 구체예로 한정해 해석되어야 하는 것이 아니고, 본 발명의 정신 및 범위는 첨부의 청구 범위에 의해서만 한정된다.Although embodiment of this invention has been described in detail, these are only specific examples used in order to clarify the technical content of this invention, this invention is not limited to these specific examples and should not be interpreted, The spirit and scope of this invention is limited only by the appended claims.

1 : 기판 처리 장치
2 : 처리 유닛
3 : 제어 장치
8 : 스핀 척 (기판 유지 유닛)
12 : 스핀 모터 (건조 유닛)
41 : 용제 노즐
41p : 토출구
42 : 용제 배관
43 : 용제 밸브 (토출 밸브)
44 : 흡인 배관
45 : 흡인 밸브
46 : 흡인 장치
49 : 대기 포트
51 : 밸브 보디
52 : 내부 유로
53 : 밸브 시트
54 : 밸브체
55 : 밸브 액추에이터 (전동 액추에이터)
61 : 공급 유로
62 : 선단 유로
62a : 상류부
62b : 하류부
62u : 상류단
62d : 하류단
63 : 분기 유로
64 : 흡인 유로
P1 : 분기 위치
W : 기판1: Substrate processing device
2: processing unit
3: control unit
8: spin chuck (substrate holding unit)
12: spin motor (drying unit)
41: solvent nozzle
41p: outlet
42: solvent piping
43: solvent valve (discharge valve)
44: suction pipe
45: suction valve
46: suction device
49: standby port
51: valve body
52: inner euro
53: valve seat
54: valve body
55: valve actuator (electric actuator)
61: supply euro
62: front end euro
62a: upstream
62b: downstream
62u: upstream
62d: downstream
63: quarter euro
64: suction flow path
P1: branch position
W: substrate

Claims (16)

기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판을 처리하는 처리액을 토출하는 토출구와, 상기 토출구쪽으로 처리액을 통과시키는 개방 상태와, 상기 토출구쪽으로 흐르는 처리액을 막는 폐쇄 상태 사이에서 개폐하는 토출 밸브와, 상기 토출 밸브에 접속된 상류단과 상기 토출구에 접속된 하류단을 포함하고, 상기 토출 밸브로부터 상기 토출구로 연장되는 선단 유로를 구비하는 기판 처리 장치에 의해 실행되는 기판 처리 방법으로서,
상기 토출 밸브를 개방함으로써, 상기 처리액으로 상기 토출 밸브를 통과시키고, 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액을 상기 선단 유로에 유입시키는 처리액 유입 공정과,
상기 토출 밸브를 폐쇄함으로써, 상기 처리액 유입 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 중 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액을 상기 선단 유로 내에 유지하는 처리액 유지 공정과,
상기 토출 밸브를 개방함으로써, 상기 처리액으로 상기 토출 밸브를 통과시키고, 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액으로, 상기 처리액 유지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액을 하류로 흘러가게 함으로써, 상기 처리액 유지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액만을 상기 기판 유지 유닛에 수평으로 유지되고 있는 상기 기판을 향하여 상기 토출구에 토출시키는 공급 실행 공정과,
상기 토출 밸브를 폐쇄함으로써, 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 모두를 상기 선단 유로 내에 유지하는 공급 정지 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.A substrate holding unit for holding a substrate horizontally, a discharge port for discharging a processing liquid for processing the substrate, and opening and closing between an open state in which the processing liquid passes toward the discharge port and a closed state in which the processing liquid flowing toward the discharge port is blocked A substrate processing method performed by a substrate processing apparatus comprising: a discharge valve; an upstream end connected to the discharge valve; and a downstream end connected to the discharge port; and having a tip flow path extending from the discharge valve to the discharge port,
a treatment liquid inflow step of opening the discharge valve, allowing the treatment liquid to pass through the discharge valve, and flowing the treatment liquid passing through the discharge valve into the distal flow path;
a treatment liquid holding step of closing the discharge valve to hold the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the treatment liquids that have passed through the discharge valve in the treatment liquid inflow step in the front end flow path by closing the discharge valve class,
By opening the discharge valve, the treatment liquid passes through the discharge valve, and the treatment liquid, which has passed through the discharge valve, flows downstream the treatment liquid held in the tip flow path in the treatment liquid holding step. a supply execution step of discharging only the processing liquid held in the tip flow path in the processing liquid holding step toward the substrate held horizontally by the substrate holding unit to the discharge port;
and a supply stop step of holding in the tip flow path all of the processing liquid that has passed through the discharge valve in the supply execution step by closing the discharge valve. 제 1 항에 있어서,
상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출구로부터 토출된 상기 처리액이 부착되어 있는 상기 기판을 건조시키는 건조 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법. The method of claim 1,
and a drying step of drying the substrate to which the treatment liquid discharged from the discharge port in the supply execution step is adhered. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 공급 정지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액 중 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액을 상기 선단 유로로부터 배출하고, 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액을 상기 선단 유로 내에 유지하는 배출 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.3. The method of claim 1 or 2,
In the supply stopping step, the treatment liquid that first passed through the discharge valve in the supply execution step among the treatment liquids held in the front end flow path in the supply stopping step is discharged from the front end flow path, and the discharge valve in the supply execution step is discharged and a discharging step of retaining the treatment liquid other than the treatment liquid that has passed initially in the tip flow path. 제 3 항에 있어서,
상기 배출 공정 후에, 동일한 상기 처리액이 상기 선단 유로 내에 유지되고 있는 시간을 나타내는 체재 시간이 소정 시간을 초과했는지 여부를 판정하는 체재 시간 판정 공정과,
상기 체재 시간 판정 공정에서 상기 체재 시간이 상기 소정 시간을 초과했다고 판정된 경우에, 상기 선단 유로 내에 상기 처리액이 유지되고 있는 상태에서 상기 토출 밸브를 개방함으로써, 상기 처리액으로 상기 토출 밸브를 통과시키고, 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 중 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액으로, 상기 선단 유로 내에 유지되고 있는 상기 처리액 모두를 치환하는 처리액 치환 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.4. The method of claim 3,
a residence time determination step of judging whether a residence time indicating a time for which the same treatment liquid is maintained in the tip flow path after the discharging step exceeds a predetermined time;
When it is determined in the residence time determination step that the residence time exceeds the predetermined time, the treatment liquid passes through the discharge valve by opening the discharge valve while the treatment liquid is being held in the tip flow path. and replacing all of the treatment liquid held in the tip flow path with the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the treatment liquid that has passed through the discharge valve. A method for processing a substrate, comprising: 제 3 항에 있어서,
상기 배출 공정은,
상기 토출 밸브를 개방함으로써, 상기 처리액으로 상기 토출 밸브를 통과시키고, 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액으로, 상기 공급 정지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액을 하류로 흘러가게 함으로써, 상기 공급 정지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액 모두를 상기 토출구에 토출시키는 토출 실행 공정과,
상기 토출 밸브를 폐쇄함으로써, 상기 토출 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 중 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액을 상기 선단 유로 내에 유지하는 토출 정지 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.4. The method of claim 3,
The discharge process is
By opening the discharge valve, the treatment liquid passes through the discharge valve, and the treatment liquid that has passed through the discharge valve flows downstream the treatment liquid held in the tip flow path in the supply stop step. a discharge execution step of discharging all of the treatment liquid held in the tip flow path in the supply stop step to the discharge port;
and a discharge stop step of holding the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the treatment liquids that passed through the discharge valve in the discharge execution step in the distal flow path by closing the discharge valve; which is a substrate processing method. 제 5 항에 있어서,
상기 토출 실행 공정은, 상기 토출 밸브가 개방된 상태에서 상기 토출 밸브의 개방도를 변경함으로써, 상기 토출 밸브를 통과하는 상기 처리액의 유량을 변화시키는 유량 변경 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.6. The method of claim 5,
The discharging execution step includes a flow rate changing step of changing a flow rate of the processing liquid passing through the discharge valve by changing an opening degree of the discharge valve while the discharge valve is open. 제 3 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 토출 밸브의 하류이고 또한 상기 토출구의 상류의 분기 위치에서 상기 선단 유로에 접속된 분기 유로와, 상기 선단 유로 내의 처리액을 상기 분기 위치를 개재하여 상기 분기 유로에 흡인하는 흡인력이 상기 선단 유로에 가해지는 개방 상태와, 상기 선단 유로에의 상기 흡인력의 전달이 차단되는 폐쇄 상태 사이에서 개폐하는 흡인 밸브를 추가로 구비하고 있고,
상기 배출 공정은,
상기 토출 밸브가 폐쇄된 상태에서 상기 흡인 밸브를 개방함으로써, 상기 선단 유로에 있어서의 상기 토출 밸브와 상기 분기 위치 사이의 부분에 상기 처리액을 남기면서, 상기 선단 유로에 있어서의 상기 분기 위치부터 상기 토출구까지의 부분에 유지되고 있는 상기 처리액을 상기 분기 위치를 개재하여 상기 분기 유로에 흡인하고, 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 중 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액을 상기 선단 유로로부터 배출하는 흡인 실행 공정과,
상기 토출 밸브가 폐쇄된 상태에서 상기 흡인 밸브를 폐쇄함으로써, 상기 선단 유로에 있어서의 상기 토출 밸브와 상기 분기 위치 사이의 부분에 상기 처리액을 남기면서, 상기 선단 유로로부터 상기 분기 유로로의 상기 처리액의 흡인을 정지시키는 흡인 정지 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.4. The method of claim 3,
The substrate processing apparatus includes a branch flow path downstream of the discharge valve and connected to the tip flow path at a branch position upstream of the discharge port, and sucking the processing liquid in the tip flow path into the branch flow path via the branch position and a suction valve that opens and closes between an open state in which a suction force is applied to the tip flow path and a closed state in which transmission of the suction force to the tip flow path is blocked,
The discharge process is
By opening the suction valve while the discharge valve is closed, the processing liquid is left in a portion between the discharge valve and the branching position in the tip flow path from the branching position in the tip flow path. The treatment liquid held in the portion up to the discharge port is sucked into the branch flow path through the branch position, and in the supply execution step, the treatment liquid that has passed through the discharge valve first among the treatment liquids that have passed through the discharge valve a suction execution step of discharging the liquid from the tip flow path;
By closing the suction valve in the state in which the discharge valve is closed, the treatment from the tip flow path to the branch flow path while leaving the processing liquid in a portion between the discharge valve and the branch position in the tip flow path A substrate processing method comprising a suction stop step of stopping suction of the liquid. 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과,
상기 기판을 처리하는 처리액을 토출하는 토출구와,
상기 토출구쪽으로 처리액을 통과시키는 개방 상태와, 상기 토출구쪽으로 흐르는 처리액을 막는 폐쇄 상태 사이에서 개폐하는 토출 밸브와,
상기 토출 밸브에 접속된 상류단과 상기 토출구에 접속된 하류단을 포함하고, 상기 토출 밸브로부터 상기 토출구로 연장되어 있고, 상기 토출구로부터 상기 기판 유지 유닛에 유지되고 있는 상기 기판을 향하여 토출되는 상기 처리액의 양보다 큰 용적을 갖는 선단 유로와,
상기 토출 밸브를 제어하는 제어 장치를 구비하고,
상기 제어 장치는,
상기 토출 밸브를 개방함으로써, 상기 처리액으로 상기 토출 밸브를 통과시키고, 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액을 상기 선단 유로에 유입시키는 처리액 유입 공정과,
상기 토출 밸브를 폐쇄함으로써, 상기 처리액 유입 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 중 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액을 상기 선단 유로 내에 유지하는 처리액 유지 공정과,
상기 토출 밸브를 개방함으로써, 상기 처리액으로 상기 토출 밸브를 통과시키고, 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액으로, 상기 처리액 유지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액을 하류로 흘러가게 함으로써, 상기 처리액 유지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액만을 상기 기판 유지 유닛에 수평으로 유지되고 있는 상기 기판을 향하여 상기 토출구에 토출시키는 공급 실행 공정과,
상기 토출 밸브를 폐쇄함으로써, 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 모두를 상기 선단 유로 내에 유지하는 공급 정지 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.a substrate holding unit for holding the substrate horizontally;
a discharge port for discharging the processing liquid for processing the substrate;
a discharge valve that opens and closes between an open state allowing the processing liquid to pass toward the discharge port and a closed state blocking the processing liquid flowing toward the discharge port;
the processing liquid including an upstream end connected to the discharge valve and a downstream end connected to the discharge port, extending from the discharge valve to the discharge port, and discharged from the discharge port toward the substrate held in the substrate holding unit a tip flow path having a volume greater than the amount of
a control device for controlling the discharge valve;
The control device is
a treatment liquid inflow step of opening the discharge valve, allowing the treatment liquid to pass through the discharge valve, and flowing the treatment liquid passing through the discharge valve into the distal flow path;
a treatment liquid holding step of closing the discharge valve to hold the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the treatment liquids that have passed through the discharge valve in the treatment liquid inflow step in the front end flow path by closing the discharge valve class,
By opening the discharge valve, the treatment liquid passes through the discharge valve, and the treatment liquid, which has passed through the discharge valve, flows downstream the treatment liquid held in the tip flow path in the treatment liquid holding step. a supply execution step of discharging only the processing liquid held in the tip flow path in the processing liquid holding step toward the substrate held horizontally by the substrate holding unit to the discharge port;
and closing the discharge valve to execute a supply stop step of holding all of the processing liquid that has passed through the discharge valve in the tip flow path in the supply execution step. 삭제delete 제 8 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 유지 유닛에 유지되고 있는 상기 기판을 건조시키는 건조 유닛을 추가로 구비하고,
상기 제어 장치는, 상기 건조 유닛을 제어함으로써, 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출구로부터 토출된 상기 처리액이 부착되어 있는 상기 기판을 건조시키는 건조 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The substrate processing apparatus further includes a drying unit for drying the substrate held by the substrate holding unit;
The control device further executes a drying step of drying the substrate to which the treatment liquid discharged from the discharge port in the supply execution step has adhered by controlling the drying unit. 제 8 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 공급 정지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액 중 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액을 상기 선단 유로로부터 배출하고, 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액을 상기 선단 유로 내에 유지하는 배출 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The control device is configured to discharge the treatment liquid, which first passed through the discharge valve in the supply execution step, from among the treatment liquid held in the front end flow path in the supply stop step, from the front end flow path, and to the supply execution step. and further performing a discharging step of holding the processing liquid other than the processing liquid that has first passed through the discharge valve in the tip flow path. 제 11 항에 있어서,
상기 제어 장치는,
상기 배출 공정 후에, 동일한 상기 처리액이 상기 선단 유로 내에 유지되고 있는 시간을 나타내는 체재 시간이 소정 시간을 초과하였는지 여부를 판정하는 체재 시간 판정 공정과,
상기 체재 시간 판정 공정에서 상기 체재 시간이 상기 소정 시간을 초과하였다고 판정된 경우에, 상기 선단 유로 내에 상기 처리액이 유지되고 있는 상태에서 상기 토출 밸브를 개방함으로써, 상기 처리액으로 상기 토출 밸브를 통과시키고, 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 중 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액으로, 상기 선단 유로 내에 유지되고 있는 상기 처리액 모두를 치환하는 처리액 치환 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
The control device is
a residence time determination step of determining whether, after the discharging step, a residence time indicating a time for which the same treatment liquid is maintained in the tip flow path exceeds a predetermined time;
When it is determined in the residence time determination step that the residence time exceeds the predetermined time, the treatment liquid passes through the discharge valve by opening the discharge valve while the treatment liquid is being held in the tip flow path. and replacing all of the treatment liquid held in the tip flow path with the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the treatment liquid that has passed through the discharge valve. Executed, substrate processing apparatus. 제 11 항에 있어서,
상기 배출 공정은,
상기 토출 밸브를 개방함으로써, 상기 처리액으로 상기 토출 밸브를 통과시키고, 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액으로, 상기 공급 정지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액을 하류로 흘러가게 함으로써, 상기 공급 정지 공정에 있어서 상기 선단 유로 내에 유지된 상기 처리액 모두를 상기 토출구에 토출시키는 토출 실행 공정과,
상기 토출 밸브를 폐쇄함으로써, 상기 토출 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 중 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액 이외의 상기 처리액을 상기 선단 유로 내에 유지하는 토출 정지 공정을 포함하는, 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
The discharge process is
By opening the discharge valve, the treatment liquid passes through the discharge valve, and the treatment liquid that has passed through the discharge valve flows downstream the treatment liquid held in the tip flow path in the supply stop step. a discharge execution step of discharging all of the treatment liquid held in the tip flow path in the supply stop step to the discharge port;
and a discharge stop step of holding the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the treatment liquids that passed through the discharge valve in the discharge execution step in the distal flow path by closing the discharge valve; which is a substrate processing apparatus. 제 13 항에 있어서,
상기 토출 밸브는, 상기 처리액이 흐르는 내부 유로와 상기 내부 유로를 둘러싸는 환상의 밸브 시트가 형성된 밸브 보디와, 상기 밸브 시트에 대해 이동 가능한 밸브체와, 상기 밸브체를 임의의 위치에서 정지시키는 전동 액추에이터를 포함하고,
상기 토출 실행 공정은, 상기 토출 밸브가 개방된 상태에서 상기 토출 밸브의 개방도를 변경함으로써, 상기 토출 밸브를 통과하는 상기 처리액의 유량을 변화시키는 유량 변경 공정을 포함하는, 기판 처리 장치. 14. The method of claim 13,
The discharge valve includes a valve body including an internal flow path through which the processing liquid flows, a valve body having an annular valve seat surrounding the internal flow path, a valve body movable with respect to the valve seat, and stopping the valve body at an arbitrary position comprising an electric actuator;
The discharging execution step includes a flow rate changing step of changing a flow rate of the processing liquid passing through the discharge valve by changing an opening degree of the discharge valve in a state in which the discharge valve is opened. 제 11 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 토출 밸브의 하류이고 또한 상기 토출구의 상류의 분기 위치에서 상기 선단 유로에 접속된 분기 유로와, 상기 선단 유로 내의 처리액을 상기 분기 위치를 개재하여 상기 분기 유로에 흡인하는 흡인력이 상기 선단 유로에 가해지는 개방 상태와, 상기 선단 유로에의 상기 흡인력의 전달이 차단되는 폐쇄 상태 사이에서 개폐하는 흡인 밸브를 추가로 구비하고 있고,
상기 제어 장치는, 상기 흡인 밸브를 추가로 제어하고,
상기 배출 공정은,
상기 토출 밸브가 폐쇄된 상태에서 상기 흡인 밸브를 개방함으로써, 상기 선단 유로에 있어서의 상기 토출 밸브와 상기 분기 위치 사이의 부분에 상기 처리액을 남기면서, 상기 선단 유로에 있어서의 상기 분기 위치로부터 상기 토출구까지의 부분에 유지되고 있는 상기 처리액을 상기 분기 위치를 개재하여 상기 분기 유로에 흡인하고, 상기 공급 실행 공정에 있어서 상기 토출 밸브를 통과한 상기 처리액 중 상기 토출 밸브를 최초로 통과한 상기 처리액을 상기 선단 유로로부터 배출하는 흡인 실행 공정과,
상기 토출 밸브가 폐쇄된 상태에서 상기 흡인 밸브를 폐쇄함으로써, 상기 선단 유로에 있어서의 상기 토출 밸브와 상기 분기 위치 사이의 부분에 상기 처리액을 남기면서, 상기 선단 유로로부터 상기 분기 유로로의 상기 처리액의 흡인을 정지시키는 흡인 정지 공정을 포함하는, 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
The substrate processing apparatus includes a branch flow path downstream of the discharge valve and connected to the tip flow path at a branch position upstream of the discharge port, and sucking the processing liquid in the tip flow path into the branch flow path via the branch position and a suction valve that opens and closes between an open state in which a suction force is applied to the tip flow path and a closed state in which transmission of the suction force to the tip flow path is blocked,
The control device further controls the suction valve,
The discharge process is
By opening the suction valve in a state in which the discharge valve is closed, the processing liquid is left in a portion between the discharge valve and the branching position in the distal flow path from the branching position in the distal flow path. The treatment liquid held in the portion up to the discharge port is sucked into the branch flow path through the branch position, and in the supply execution step, the treatment liquid that has passed through the discharge valve first among the treatment liquids that have passed through the discharge valve a suction execution step of discharging the liquid from the tip flow path;
By closing the suction valve in the state in which the discharge valve is closed, the treatment from the tip flow path to the branch flow path while leaving the processing liquid in a portion between the discharge valve and the branch position in the tip flow path A substrate processing apparatus including a suction stop step of stopping suction of the liquid. 제 15 항에 있어서,
상기 선단 유로에 있어서의 상기 토출 밸브와 상기 분기 위치 사이의 부분의 용적은, 상기 선단 유로에 있어서의 상기 분기 위치부터 상기 토출구까지 부분의 용적보다 큰, 기판 처리 장치.16. The method of claim 15,
A volume of a portion in the tip flow path between the discharge valve and the branching position is larger than a volume of a portion in the tip flow path from the branching position to the discharge port.
KR1020207015183A 2017-11-08 2018-10-30 Substrate processing method and substrate processing apparatus KR102378913B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017215295A JP6986933B2 (en) 2017-11-08 2017-11-08 Board processing method and board processing equipment
JPJP-P-2017-215295 2017-11-08
PCT/JP2018/040403 WO2019093200A1 (en) 2017-11-08 2018-10-30 Substrate processing method and substrate processing device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200070388A KR20200070388A (en) 2020-06-17
KR102378913B1 true KR102378913B1 (en) 2022-03-24

Family

ID=66437746

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207015183A KR102378913B1 (en) 2017-11-08 2018-10-30 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6986933B2 (en)
KR (1) KR102378913B1 (en)
CN (1) CN111316402A (en)
TW (1) TWI704966B (en)
WO (1) WO2019093200A1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102346529B1 (en) 2019-06-24 2021-12-31 세메스 주식회사 Unit for supplying liquid, Apparatus and Method for treating substrate with the unit
JP7384658B2 (en) * 2019-12-24 2023-11-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Piping cleaning method
KR20230009921A (en) * 2020-05-14 2023-01-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Liquid supply mechanism, substrate processing apparatus, and substrate processing method
TWI811028B (en) * 2022-07-19 2023-08-01 凱爾迪科技股份有限公司 Self-priming recovery system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012026476A (en) 2010-07-20 2012-02-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Diaphragm valve and substrate processing apparatus with the same
JP2016063035A (en) 2014-09-17 2016-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus
JP2017034188A (en) * 2015-08-05 2017-02-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and process liquid discharge method
JP2017183568A (en) 2016-03-31 2017-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Wafer processing apparatus and wafer processing method

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5891065B2 (en) * 2012-02-22 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and processing liquid suction method
JP6512554B2 (en) * 2014-09-29 2019-05-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012026476A (en) 2010-07-20 2012-02-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Diaphragm valve and substrate processing apparatus with the same
JP2016063035A (en) 2014-09-17 2016-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus
JP2017034188A (en) * 2015-08-05 2017-02-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and process liquid discharge method
JP2017183568A (en) 2016-03-31 2017-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Wafer processing apparatus and wafer processing method

Also Published As

Publication number Publication date
TWI704966B (en) 2020-09-21
KR20200070388A (en) 2020-06-17
JP2019087652A (en) 2019-06-06
WO2019093200A1 (en) 2019-05-16
TW201936272A (en) 2019-09-16
CN111316402A (en) 2020-06-19
JP6986933B2 (en) 2021-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102378913B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102106199B1 (en) Substrate processing apparatus
JP6722532B2 (en) Substrate processing apparatus and processing cup cleaning method
US11260436B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102391794B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102328464B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20190018727A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10717117B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7042704B2 (en) Board processing equipment and board processing method
JP2007123393A (en) Substrate-treating device
JP6624599B2 (en) Substrate processing apparatus and processing liquid discharge method
KR20190003357A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6216200B2 (en) Substrate processing equipment
KR20190100368A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2007214447A (en) Substrate processing apparatus
WO2018155054A1 (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP7302997B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PIPE CLEANING METHOD OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
JP2016157811A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2019004390A1 (en) Substrate processing device and substrate processing method

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant