KR102262502B1 - Photosensitive resin composition and cured layer - Google Patents

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Abstract

본 발명은 특정 구조의 폴리이미드 수지 2종 이상을 포함하는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다. The present invention relates to a photosensitive resin composition comprising two or more types of polyimide resins having a specific structure.

Description

감광성 수지 조성물 및 경화막{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND CURED LAYER}A photosensitive resin composition and a cured film TECHNICAL FIELD

본 발명은 감광성 수지 조성물 및 경화막에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition and a cured film.

감광성 수지는 각종 정밀 전자ㆍ정보 산업 제품의 생산에 실용화된 대표적인 기능성 고분자 재료로서, 현재 첨단 기술 산업, 특히 반도체 및 디스플레이의 생산에 중요하게 이용되고 있다.Photosensitive resin is a representative functional polymer material that has been put to practical use in the production of various precision electronic/information industry products, and is currently being used importantly in the high-tech industry, especially in the production of semiconductors and displays.

일반적으로 감광성 수지는 광 조사에 의하여 단시간 내에 분자 구조의 화학적 변화가 일어나 특정 용매에 대한 용해도, 착색, 경화 등의 물성의 변화가 생기는 고분자 화합물을 의미한다. 감광성 수지를 이용하면 미세정밀 가공이 가능하고, 열반응 공정에 비하여 에너지 및 원료를 크게 절감할 수 있으며, 작은 설치 공간에서 신속하고 정확하게 작업을 수행할 수 있어서, 첨단 인쇄 분야, 반도체 생산, 디스플레이 생산, 광경화 표면 코팅 재료 등의 각종 정밀 전자ㆍ정보 산업 분야에서 다양하게 사용되고 있다.In general, a photosensitive resin refers to a polymer compound in which a change in physical properties such as solubility in a specific solvent, coloration, and curing occurs due to chemical change in molecular structure within a short time by irradiation with light. By using photosensitive resin, micro-precision processing is possible, energy and raw materials can be greatly reduced compared to thermal reaction processes, and work can be performed quickly and accurately in a small installation space, leading to advanced printing, semiconductor production, and display production. , photocurable surface coating materials, etc., are widely used in various precision electronic and information industries.

한편, 최근 전자 기기가 고집적화 및 미세패턴화 되면서, 불량률을 극소화할 수 있고 처리 효율과 해상도를 높일 수 있는 감광성 수지가 요구되고 있다. 이에 따라, 폴리아미드 산 또는 폴리아믹산 등을 감광성 수지로 사용하는 방법이 소개되었다. On the other hand, as electronic devices are recently highly integrated and finely patterned, a photosensitive resin capable of minimizing a defect rate and increasing processing efficiency and resolution is required. Accordingly, a method of using polyamic acid or polyamic acid as a photosensitive resin has been introduced.

그러나, 폴리아미드산은 공기 중의 물 등에 의하여 쉽게 가수 분해되어 보존성 및 안정성이 충분하지 않았으며, 폴리아믹산은 적용되는 기판 등에 대한 밀착성이 낮고 고온의 적용에 따라 전기 배선이나 기판의 물성을 저하시키는 문제점이 있었다. 또한, 다른 형태의 감광성 수지들도 최종적으로 경화된 상태에서의 내약품성, 내열성, 전기적 특성이 충분하지 않거나, 금속 기판에 대한 밀착성이 충분하지 않아서 현상 또는 경화 과정에서 기판으로부터 박리되는 문제점이 있었다.However, polyamic acid is easily hydrolyzed by water in the air, so storage and stability are not sufficient. Polyamic acid has low adhesion to the applied substrate, etc., and has a problem of lowering the physical properties of electrical wiring or substrate according to high temperature application. there was. In addition, other types of photosensitive resins do not have sufficient chemical resistance, heat resistance, and electrical properties in a finally cured state, or have insufficient adhesion to a metal substrate, so that they are peeled off from the substrate during development or curing.

특히, 초미세화된 패턴을 형성할 수 있으면서도 감광성 수지 조성물의 경화를 위한 열처리 과정에서 반도체 디바이스의 열적 손상을 방지할 수 있는 감광성 수지 재료의 개발이 요구되고 있다.In particular, the development of a photosensitive resin material capable of forming an ultra-fine pattern and preventing thermal damage to a semiconductor device during a heat treatment process for curing the photosensitive resin composition is required.

본 발명은, 낮은 온도에서 높은 효율로 경화가 되면서도 우수한 접착력 및 내화학성을 가질 수 있으며, 또한 최종 얻어지는 경화막의 인장 강도 및 모듈러스를 높은 수준으로 유지하면서 높은 신장율 또한 확보할 수 있는 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다. The present invention provides a photosensitive resin composition that can have excellent adhesion and chemical resistance while being cured with high efficiency at a low temperature, and can also secure a high elongation while maintaining the tensile strength and modulus of the finally obtained cured film at a high level it is to do

또한, 본 발명은 상기 감광성 수지 조성물로부터 형성된 경화막을 제공하기 위한 것이다.Moreover, this invention is for providing the cured film formed from the said photosensitive resin composition.

또한, 본 발명은 낮은 온도에서 높은 효율로 경화가 되면서도 우수한 접착력 및 내화학성을 가질 수 있고 높은 수준의 인장 강도 및 모듈러스와 함께 높은 신장율 또한 확보할 수 있는 경화 재료를 제공할 수 있는 경화막 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is a cured film manufacturing method that can provide a cured material that can have excellent adhesion and chemical resistance while curing with high efficiency at low temperature and can also secure high elongation with high level of tensile strength and modulus is to provide

본 명세서에서는, 에폭시기가 치환된 이미드 반복 단위를 포함하는 제1 폴리아미드-이미드 수지; 및 (메트)아크릴레이트기가 치환된 이미드 반복 단위를 포함하는 제2 폴리아미드-이미드 수지; 를 포함하는 감광성 수지 조성물이 제공될 수 있다. In the present specification, the first polyamide-imide resin comprising an imide repeating unit substituted with an epoxy group; and a second polyamide-imide resin comprising an imide repeating unit substituted with a (meth)acrylate group; A photosensitive resin composition comprising a may be provided.

또한, 본 명세서에서는, 상기 감광성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 경화막이 제공될 수 있다. In addition, in the present specification, a cured film including a cured product of the photosensitive resin composition may be provided.

또한, 본 명세서에서는, 상기 감광성 수지 조성물을 250℃ 이하의 온도에서 경화시키는 단계를 포함하는 경화막의 제조 방법이 제공될 수 있다.In addition, in the present specification, there may be provided a method of manufacturing a cured film comprising the step of curing the photosensitive resin composition at a temperature of 250 ℃ or less.

또한, 본 명세서에서는, 감광성 수지 조성물을 이용하여 기판 상에 레지스트막을 형성하는 단계; 고에너지선을 이용하여 상기 레지스트막에 패턴을 조사하는 단계; 알칼리 현상액을 이용하여 상기 레지스트막을 현상하는 단계;를 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법이 제공될 수 있다. In addition, in the present specification, using the photosensitive resin composition to form a resist film on the substrate; irradiating a pattern on the resist film using a high energy ray; A method of forming a resist pattern including; developing the resist film using an alkali developer may be provided.

이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 감광성 수지 조성물, 경화막, 경화막의 제조 방법, 및 레지스트 패턴 형성 방법에 대하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다. Hereinafter, a photosensitive resin composition, a cured film, a method of manufacturing a cured film, and a method of forming a resist pattern according to specific embodiments of the present invention will be described in more detail.

본 명세서에서 명시적인 언급이 없는 한, 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다.Unless explicitly stated herein, terminology is for the purpose of referring to specific embodiments only, and is not intended to limit the present invention.

본 명세서에서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다.As used herein, the singular forms also include the plural forms unless the phrases clearly indicate the opposite.

본 명세서에서 사용되는 "포함"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.As used herein, the meaning of “comprising” specifies a particular characteristic, region, integer, step, operation, element and/or component, and other specific characteristic, region, integer, step, operation, element, component, and/or group. It does not exclude the existence or addition of

또한, 본 명세서에서, 중량 평균 분자량은 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(단위: g/mol)을 의미한다. 상기 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 측정하는 과정에서는, 통상적으로 알려진 분석 장치와 시차 굴절 검출기(Refractive Index Detector) 등의 검출기 및 분석용 컬럼을 사용할 수 있으며, 통상적으로 적용되는 온도 조건, 용매, flow rate를 적용할 수 있다. 상기 측정 조건의 구체적인 예로, 30 ℃의 온도, 클로로포름 용매(Chloroform) 및 1 mL/min의 flow rate를 들 수 있다.In addition, in this specification, a weight average molecular weight means the weight average molecular weight (unit: g/mol) of polystyrene conversion measured by the GPC method. In the process of measuring the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by the GPC method, a commonly known analyzer and a detector such as a differential refraction detector and a column for analysis may be used, and the temperature at which it is normally applied Conditions, solvents, and flow rates can be applied. Specific examples of the measurement conditions include a temperature of 30° C., a chloroform solvent (Chloroform), and a flow rate of 1 mL/min.

또한, 본 명세서에서, (메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴~은 각각 "아크릴레이트와 메타크릴레이트" 또는 "아크릴~와 메타크릴~"을 의미한다. In addition, in this specification, (meth)acrylate or (meth)acryl- means "acrylate and methacrylate" or "acryl- and methacryl-", respectively.

발명의 일 예에 따르면, 에폭시기가 치환된 이미드 반복 단위를 포함하는 제1 폴리아미드-이미드 수지; 및 (메트)아크릴레이트기가 치환된 이미드 반복 단위를 포함하는 제2 폴리아미드-이미드 수지; 를 포함하는 감광성 수지 조성물 이 제공될 수 있다. According to an embodiment of the invention, the first polyamide-imide resin comprising an imide repeating unit substituted with an epoxy group; and a second polyamide-imide resin comprising an imide repeating unit substituted with a (meth)acrylate group; A photosensitive resin composition comprising a may be provided.

본 발명자들의 계속적인 연구 결과, 에폭시기가 치환된 이미드 반복 단위를 포함하는 제1 폴리아미드-이미드 수지;(메트)아크릴레이트기가 치환된 이미드 반복 단위를 포함하는 제2 폴리이미드 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물은 낮은 온도에서 높은 효율로 경화가 되면서도 우수한 접착력 및 내화학성을 가질 수 있으며, 또한 최종 얻어지는 경화막의 인장 강도 및 모듈러스를 높은 수준으로 유지하면서 높은 신장율 또한 확보할 수 있다는 점을 실험을 통해서 확인하고 확인하고 발명을 완성하였다. As a result of continuous research by the present inventors, a first polyamide-imide resin comprising an imide repeating unit substituted with an epoxy group; a second polyimide resin comprising an imide repeating unit substituted with a (meth)acrylate group The photosensitive resin composition can have excellent adhesion and chemical resistance while being cured with high efficiency at low temperatures, and also can secure high elongation while maintaining the tensile strength and modulus of the finally obtained cured film at high levels. Through confirmation and confirmation, the invention was completed.

상기 구현예의 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 제2 폴리아미드-이미드 수지 각각은 90% 이상 고리화 반응이 완료된 이미드 결합을 갖고 있어서, 이미드 결합을 형성하기 위해 300℃ 이상의 높은 경화 온도가 필요한 PAA 또는 PAE 전구체 수지와 달리 높은 공정 온도가 필요하지 않다. 예를 들어 250℃ 이하의 온도에서도 보다 효율적으로 경화물을 형성할 수 있다. Each of the first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin of the above embodiment has an imide bond in which 90% or more of the cyclization reaction is completed, so that a high curing temperature of 300° C. or more to form an imide bond Unlike PAA or PAE precursor resins that require For example, a cured product can be formed more efficiently even at a temperature of 250° C. or lower.

또한, 상기 구현예의 감광성 수지 조성물은 상기 에폭시기가 치환된 이미드 반복 단위를 포함하는 제1 폴리아미드-이미드 수지를 포함하여, 광경화가 진행된 후 에폭시기를 추가적으로 열경화 가능하다는 특징을 가질 수 있으며, 이에 따라 상기 감광성 수지 조성물로부터 형성되는 경화물이 접착성 및 기계적 강도가 우수한 물성을 가질 수 있다. In addition, the photosensitive resin composition of the embodiment may include the first polyamide-imide resin including the imide repeating unit substituted with the epoxy group, and may have a feature that the epoxy group can be additionally thermally cured after photocuring, Accordingly, a cured product formed from the photosensitive resin composition may have excellent physical properties in adhesiveness and mechanical strength.

보다 구체적으로, 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지는 에폭시기가 치환된 이미드 반복 단위를 30 내지 80몰%, 또는 40 내지 70몰%를 포함할 수 있다. 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 중 에폭시기가 치환된 이미드 반복 단위의 함량이 너무 낮은 경우, 경화 후 기판과의 접착력이 부족하거나 기계적 강도가 부족하여 기술적으로 불리할 수 있다. More specifically, the first polyamide-imide resin may include 30 to 80 mol%, or 40 to 70 mol% of the imide repeating unit substituted with an epoxy group. When the content of the imide repeating unit substituted with an epoxy group in the first polyamide-imide resin is too low, it may be technically disadvantageous due to insufficient adhesion to the substrate after curing or insufficient mechanical strength.

또한, 상기 구현예의 감광성 수지 조성물은 (메트)아크릴레이트기가 치환된 이미드 반복 단위를 포함하는 제2 폴리이미드를 포함하여 광경화가 가능한 특징을 가질 수 있으며, 이에 따라 상기 감광성 수지 조성물로부터 형성되는 경화물은 광중합 개시제를 통해 감도와 열 경화 후 막의 기계적 특성을 조절할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition of the embodiment may include a second polyimide including an imide repeating unit substituted with a (meth)acrylate group, and may have a photocurable feature, and thus the photosensitive resin composition formed from the photosensitive resin composition The cargo can control the sensitivity and mechanical properties of the film after thermal curing through a photopolymerization initiator.

보다 구체적으로, 상기 제2 폴리아미드-이미드 수지는 (메트)아크릴레이트기가 치환된 이미드 반복 단위를 5 내지 50중량%, 또는 10 내지 45몰%를 포함할 수 있다. 상기 제2 폴리아미드-이미드 수지 중 메트)아크릴레이트기가 치환된 이미드 반복 단위의 함량이 너무 낮은 경우, 광경화시 경화도가 부족할 수 있다. 상기 제2 폴리아미드-이미드 수지 중 메트)아크릴레이트기가 치환된 이미드 반복 단위의 함량이 너무 높은 경우, 노광 후 과경화가 발생하여 미세 패턴 구현이 어렵고 현상성이 떨어질 수 있다. More specifically, the second polyamide-imide resin may include 5 to 50 wt%, or 10 to 45 mol% of the imide repeating unit substituted with a (meth)acrylate group. When the content of the imide repeating unit substituted with the meth)acrylate group in the second polyamide-imide resin is too low, the degree of curing during photocuring may be insufficient. If the content of the imide repeating unit substituted with the meth)acrylate group in the second polyamide-imide resin is too high, overcuring may occur after exposure, making it difficult to implement a fine pattern and poor developability.

한편, 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 상기 제2 폴리아미드-이미드 수지 각각은 5,000 내지 200,000 g/mol, 혹은 7,000 내지 150,000 g/mol, 혹은 10,000 내지 120,000 g/mol의 중량 평균 분자량을 갖는 것이 우수한 기계적 물성의 경화막 형성을 위해 바람직하다.On the other hand, each of the first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin has a weight average molecular weight of 5,000 to 200,000 g/mol, or 7,000 to 150,000 g/mol, or 10,000 to 120,000 g/mol. It is preferable to have a cured film having excellent mechanical properties.

상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 상기 제2 폴리아미드-이미드 수지 각각의 구조가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 상기 제2 폴리아미드-이미드 수지 각각은 하기 화학식1의 반복 단위를 포함할 수 있다. The structures of the first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin are not particularly limited, for example, the first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin. Each of the resins may include a repeating unit of Formula 1 below.

[화학식1] [Formula 1]

Figure 112018021062756-pat00001
Figure 112018021062756-pat00001

상기 화학식1에서, In Formula 1,

상기 Q1 은 지방족, 지환족 또는 방향족의 2가 작용기 또는 N, O 및 S로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 2가의 유기기이며, X는 지방족, 지환족 또는 방향족의 4가의 유기기 또는 N, O 및 S로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 4가의 유기기이며, n 은 1이상의 정수 이다.Wherein Q 1 is an aliphatic, alicyclic or aromatic divalent functional group or a divalent organic group containing at least one heteroatom selected from the group consisting of N, O and S, and X is an aliphatic, alicyclic or aromatic tetravalent An organic group or a tetravalent organic group including any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S, and n is an integer of 1 or more.

상기 제1 폴리아미드-이미드 수지는 상기 Q1 이 에폭시기를 포함한 2가 유기기인 반복 단위를 적어도 하나 포함할 수 있다. The first polyamide-imide resin may include at least one repeating unit in which Q 1 is a divalent organic group including an epoxy group.

상기 제2 폴리아미드-이미드 수지는 상기 Q1 이 (메트)아크릴레이트기를 포함한 2가 유기기인 반복 단위를 적어도 하나 포함할 수 있다. The second polyamide-imide resin may include at least one repeating unit in which Q 1 is a divalent organic group including a (meth)acrylate group.

상기 화학식1에서, 상기 X는 하기 화학식 21 내지 27로 이루어진 군에서 선택된 4가의 작용기를 포함할 수 있다. In Formula 1, X may include a tetravalent functional group selected from the group consisting of Formulas 21 to 27 below.

[화학식21] [Formula 21]

Figure 112018021062756-pat00002
Figure 112018021062756-pat00002

[화학식22][Formula 22]

Figure 112018021062756-pat00003
Figure 112018021062756-pat00003

상기 화학식22에서, Y1 은 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이다.In Formula 22, Y 1 is a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -C(CF 3 ) 2 -, -CONH-, -COO-, -(CH 2 ) n1 -, -O(CH 2 ) n2 O-, or -OCO(CH 2 ) n3 OCO-, wherein n1, n2 and n3 are each an integer of 1 to 10.

[화학식23] [Formula 23]

Figure 112018021062756-pat00004
Figure 112018021062756-pat00004

상기 화학식23에서, Y2 및 Y3는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이다. In Formula 23, Y 2 and Y 3 may be the same as or different from each other, respectively, a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -C (CF 3 ) 2 -, -CONH-, -COO-, -(CH 2 ) n1 -, -O(CH 2 ) n2 O-, or -OCO(CH 2 ) n3 OCO-, wherein n1, n2 and n3 is an integer from 1 to 10, respectively.

[화학식24][Formula 24]

Figure 112018021062756-pat00005
Figure 112018021062756-pat00005

상기 화학식24에서, Y4, Y5 및 Y6는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이다. In Formula 24, Y 4 , Y 5 and Y 6 may be the same as or different from each other, and each may be a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C(CH 3 ) 2 - , -C(CF 3 ) 2 -, -CONH-, -COO-, -(CH 2 ) n1 -, -O(CH 2 ) n2 O-, or -OCO(CH 2 ) n3 OCO-, wherein n1 , n2 and n3 are each an integer from 1 to 10.

[화학식25][Formula 25]

Figure 112018021062756-pat00006
Figure 112018021062756-pat00006

[화학식26][Formula 26]

Figure 112018021062756-pat00007
Figure 112018021062756-pat00007

[화학식27][Formula 27]

Figure 112018021062756-pat00008
Figure 112018021062756-pat00008

상기 화학식 21 내지 27에서, '*'은 결합점(bonding point)을 의미한다.In Formulas 21 to 27, '*' means a bonding point.

상기 Q1는 하기 화학식 31 내지 34로 이루어진 군에서 선택된 2가 작용기일 수 있다. Q1 may be a divalent functional group selected from the group consisting of the following Chemical Formulas 31 to 34.

[화학식31][Formula 31]

Figure 112018021062756-pat00009
Figure 112018021062756-pat00009

상기 화학식31에서, R1은 에폭시기를 포함한 작용기, 수소, -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 일 수 있다. In Formula 31, R 1 is a functional group including an epoxy group, hydrogen, -CH 3 , -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , or —CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 .

[화학식32] [Formula 32]

Figure 112018021062756-pat00010
Figure 112018021062756-pat00010

상기 화학식32에서, L1 은 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, -OCH2-C(CH3)2-CH2O- 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고, R1및 R2 는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 수소, 에폭시기를 포함한 작용기, -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 일 수 있다.In Formula 32, L 1 is a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -C(CF 3 ) 2 -, -CONH-, -COO-, -(CH 2 ) n1 -, -O(CH 2 ) n2 O-, -OCH 2 -C(CH 3 ) 2 -CH 2 O- or -OCO(CH 2 ) n3 OCO-, wherein n1, n2 and n3 are each an integer of 1 to 10, R 1 and R 2 may be the same as or different from each other, and hydrogen, a functional group including an epoxy group, -CH 3 , -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , —CF 3 , —CF 2 CF 3 , —CF 2 CF 2 CF 3 , or —CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 .

[화학식33][Formula 33]

Figure 112018021062756-pat00011
Figure 112018021062756-pat00011

상기 화학식33에서, L2 및 L3는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, -OCH2-C(CH3)2-CH2O- 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고, R1, R2 및 R3 는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 수소, 에폭시기를 포함한 작용기, -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 일 수 있다.In Formula 33, L 2 and L 3 may be the same as or different from each other, respectively, a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -C (CF 3 ) 2 -, -CONH-, -COO-, -(CH 2 ) n1 -, -O(CH 2 ) n2 O-, -OCH 2 -C(CH 3 ) 2 -CH 2 O- or - OCO(CH 2 ) n3 OCO-, wherein n1, n2 and n3 are each an integer of 1 to 10, R 1 , R 2 and R 3 may be the same as or different from each other, respectively hydrogen, a functional group including an epoxy group, - CH 3 , -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , or -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 . .

[화학식34][Formula 34]

Figure 112018021062756-pat00012
Figure 112018021062756-pat00012

상기 화학식34에서, L4, L5 및 L6는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, -OCH2-C(CH3)2-CH2O- 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고, R1, R2, R3 및 R4는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 수소, 에폭시기를 포함한 작용기, -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 일 수 있다.In Formula 34, L 4 , L 5 and L 6 may be the same as or different from each other, each of which is a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C(CH 3 ) 2 - , -C(CF 3 ) 2 -, -CONH-, -COO-, -(CH 2 ) n1 -, -O(CH 2 ) n2 O-, -OCH 2 -C(CH 3 ) 2 -CH 2 O - or -OCO(CH 2 ) n3 OCO-, wherein n1, n2 and n3 are each an integer of 1 to 10, and R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same as or different from each other, and each hydrogen, functional group including an epoxy group, -CH 3 , -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , or -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 .

상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 상기 제2 폴리아미드-이미드 수지는 각각 말단에 이미드기, 카르복실기 또는 이의 유도 작용기를 포함할 수 있다. 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 상기 제2 폴리아미드-이미드 수지는 각각 말단에 이미드기, 카르복실기 또는 이의 유도 작용기를 포함함에 따라서, 수용성 알카리 용액, 예를 들어 수산화칼륨 또는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH; tetramethylammonium hydroxide) 등에 대한 높은 용해도를 가질 수 있으며, 이에 따라 상기 감광성 수지 조성물은 높은 현상성을 가질 수 있다. Each of the first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin may include an imide group, a carboxyl group, or a derivative thereof at a terminal thereof. Since the first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin each contain an imide group, a carboxyl group or a derivative thereof at the terminal, an aqueous alkaline solution, for example, potassium hydroxide or tetramethylammonium hydride It may have high solubility in tetramethylammonium hydroxide (TMAH) and the like, and thus the photosensitive resin composition may have high developability.

상기 구현예의 감광성 수지 조성물 중, 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 대비 제2 폴리아미드-이미드 수지의 중량비는 0.5 내지 5, 또는 1 내지 4, 또는 1.5 내지 3 일 수 있다. 상기 구현예의 감광성 수지 조성물 중, 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 대비 제2 폴리아미드-이미드 수지의 중량비는 0.5 내지 5, 또는 1 내지 4, 또는 1.5 내지 3 임에 따라서, 광경화를 통한 미세 패턴 구현이 가능한 점 및 열경화 후 접착성과 필름 강도가 높을 수 있다. In the photosensitive resin composition of the embodiment, a weight ratio of the first polyamide-imide resin to the second polyamide-imide resin may be 0.5 to 5, or 1 to 4, or 1.5 to 3. In the photosensitive resin composition of the embodiment, the weight ratio of the first polyamide-imide resin to the second polyamide-imide resin is 0.5 to 5, or 1 to 4, or 1.5 to 3, The point where a fine pattern can be realized and the adhesiveness and film strength after heat curing may be high.

보다 구체적으로, 상기 구현예의 감광성 수지 조성물 중, 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 대비 제2 폴리아미드-이미드 수지의 중량비가 0.5 미만이면, 광경화 후 내현상성이 저하되고, 노광 부위의 경화도가 저하되어 현상 중 녹아나갈 수 있다. 상기 구현예의 감광성 수지 조성물 중, 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 대비 제2 폴리아미드-이미드 수지의 중량비가 5 초과이면, 열경화 후 기판과의 접착력과 기계적 강도가 저하되는 점에서 기술적으로 불리하다.More specifically, in the photosensitive resin composition of the embodiment, when the weight ratio of the second polyamide-imide resin to the second polyamide-imide resin is less than 0.5, the development resistance after photocuring is reduced, and the The degree of hardening may be lowered and it may melt during development. In the photosensitive resin composition of the embodiment, if the weight ratio of the second polyamide-imide resin to the first polyamide-imide resin is greater than 5, it is technically disadvantageous

한편, 상기 감광성 수지 조성물은 네가티브형 감광성 수지 조성물이고, 광개시제를 더 포함할 수 있다. Meanwhile, the photosensitive resin composition is a negative photosensitive resin composition, and may further include a photoinitiator.

상기 광 개시제로는 본 발명이 속하는 기술분야에서 가교 반응 유도 효과를 갖는 것으로 알려진 화합물이 특별한 제한 없이 적용될 수 있다.As the photoinitiator, a compound known to have a crosslinking reaction inducing effect in the art to which the present invention pertains may be applied without particular limitation.

비 제한적인 예로, 상기 광 개시제로는 1,3,5,6-테트라키스(메톡시메틸)테트라히드로이미다조[4,5-d]이미다졸-2,5 (1H, 3H)-디온(1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)tetrahydroimidazo[4,5-d]imidazole-2,5(1H,3H)-dione), 1,3,5,6-테트라키스(부톡시메틸)테트라히드로이미다조[4,5-d]이미다졸-2,5(1H,3H)-디온(1,3,4,6-tetrakis(butoxymethyl)tetrahydroimidazo[4,5-d]imidazole-2,5(1H,3H)-dione), 2,6-비스(히드록시메틸)벤젠-1,4-디올(2,6-bis(hydroxymethyl)benzene-1,4-diol), 헥사키스(메톡시메틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6-트리아민(hexakis(methoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine), (프로판-2,2-디일비스(2-히드록시벤젠-5,3,1-트리일))테트라메탄올((propane-2,2-diylbis(2-hydroxybenzene-5,3,1-triyl))tetramethanol), 4,4'-(프로판-2,2-디일)비스(2,6-비스(메톡시메틸)페놀)(4,4'-(propane-2,2-diyl)bis(2,6-bis(methoxymethyl)phenol)), 3,3',5,5'-테트라키스(히드록시메틸)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디올(3,3',5,5'-tetrakis(hydroxymethyl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diol), 3,3',5,5'-테트라키스(메톡시메틸)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디올(3,3',5,5'-tetrakis(methoxymethyl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diol) 과 같은 화합물이 적용될 수 있다.As a non-limiting example, the photoinitiator includes 1,3,5,6-tetrakis(methoxymethyl)tetrahydroimidazo[4,5-d]imidazole-2,5(1H,3H)-dione ( 1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)tetrahydroimidazo[4,5- d ]imidazole-2,5(1 H ,3 H )-dione), 1,3,5,6-tetrakis(butoxymethyl ) tetrahydroimidazo[4,5- d ]imidazole-2,5( 1H , 3H )-dione (1,3,4,6-tetrakis(butoxymethyl)tetrahydroimidazo[4,5- d ]imidazole- 2,5( 1H , 3H )-dione), 2,6-bis(hydroxymethyl)benzene-1,4-diol (2,6-bis(hydroxymethyl)benzene-1,4-diol), hexa Kis(methoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine (hexakis(methoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine), (propane- 2,2-diylbis(2-hydroxybenzene-5,3,1-triyl))tetramethanol ((propane-2,2-diylbis(2-hydroxybenzene-5,3,1-triyl))tetramethanol) , 4,4'-(propane-2,2-diyl)bis(2,6-bis(methoxymethyl)phenol)(4,4'-(propane-2,2-diyl)bis(2,6- bis(methoxymethyl)phenol)), 3,3',5,5'-tetrakis(hydroxymethyl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diol (3,3',5, 5'-tetrakis(hydroxymethyl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diol), 3,3',5,5'-tetrakis(methoxymethyl)-[1,1'-bi A compound such as phenyl]-4,4'-diol (3,3',5,5'-tetrakis(methoxymethyl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diol) may be applied.

상기 광 개시제는 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 상기 제2 폴리아미드-이미드 수지의 총합 100중량부 대비 0.5 내지 50중량부, 또는 1 내지 40 중량부로 포함될 수 있다.The photoinitiator may be included in an amount of 0.5 to 50 parts by weight, or 1 to 40 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total of the first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin.

즉, 충분한 광 개시 효과의 발현을 위하여, 상기 광 개시제는 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 상기 제2 폴리아미드-이미드 수지의 총합 100중량부 대비 0.5 중량부 이상으로 포함되는 것이 바람직하다. 다만, 상기 감광성 수지 조성물에 과량의 광 개시제가 적용될 경우 잔존하는 광 개시제에 의해 경화막의 안정성이 저하될 수 있다. 그러므로, 상기 광 개시제는 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 상기 제2 폴리아미드-이미드 수지의 총합 100중량부 대비 50 중량부 이하로 포함되는 것이 바람직하다.That is, for sufficient expression of the photoinitiation effect, the photoinitiator is preferably included in an amount of 0.5 parts by weight or more based on 100 parts by weight of the total of the first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin. . However, when an excessive amount of the photoinitiator is applied to the photosensitive resin composition, the stability of the cured film may be reduced due to the remaining photoinitiator. Therefore, the photoinitiator is preferably included in an amount of 50 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the total of the first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin.

또한, 상기 감광성 수지 조성물은 네가티브형 감광성 수지 조성물이고, 광 경화형 다관능 아크릴 화합물을 포함하는 감광성 화합물을 더 포함할 수 있다. In addition, the photosensitive resin composition is a negative photosensitive resin composition, and may further include a photosensitive compound including a photocurable polyfunctional acrylic compound.

상기 감광성 화합물의 구체적인 예로는 광 경화형 다관능 (메트)아크릴 화합물 (Tetraethyleneglycol dimethacrylate 등)을 들 수 있다. A specific example of the photosensitive compound may include a photocurable polyfunctional (meth)acrylic compound (such as Tetraethyleneglycol dimethacrylate).

상기 광 경화형 다관능 아크릴 화합물은 분자 내에 광경화가 가능한 아크릴 구조가 적어도 2 이상 존재하는 화합물로, 구체적으로는 아크릴레이트계 화합물, 폴리에스테르아크릴레이트계 화합물, 폴리우레탄아크릴레이트계 화합물, 에폭시아크릴레이트계 화합물 및 카프로락톤 변성 아크릴레이트계 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 아크릴 화합물을 포함할 수 있다.The photo-curable polyfunctional acrylic compound is a compound having at least two photocurable acrylic structures in its molecule, and specifically, an acrylate-based compound, a polyester acrylate-based compound, a polyurethane acrylate-based compound, and an epoxy acrylate-based compound. It may include one or more acrylic compounds selected from the group consisting of compounds and caprolactone-modified acrylate-based compounds.

예컨대, 상기 아크릴레이트계 화합물로는 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 또는 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트 등의 히드록시기 함유 아크릴레이트계 화합물; 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 또는 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트 등의 수용성 아크릴레이트계 화합물을 들 수 있고, 상기 폴리에스테르아크릴레이트계 화합물로는 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 또는 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또, 상기 폴리우레탄아크릴레이트계 화합물로는 상기 히드록시기 함유 아크릴레이트계 화합물의 이소시아네이트 변성물 등을 들 수 있으며, 상기 에폭시아크릴레이트계 화합물로는 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 A 디글리시딜에테르 또는 페놀 노볼락 에폭시 수지의 (메트)아크릴산 부가물 등을 들 수 있고, 상기 카프로락톤 변성 아크릴레이트계 화합물로는 카프로락톤 변성 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트, 엡실론-카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨의 아크릴레이트, 또는 카프로락톤 변성 히드록시피발산네오펜틸글리콜에스테르디아크릴레이트 등을 들 수 있다.For example, as the acrylate-based compound, a hydroxyl group-containing acrylate-based compound such as pentaerythritol triacrylate or dipentaerythritol pentaacrylate; and a water-soluble acrylate compound such as polyethylene glycol diacrylate or polypropylene glycol diacrylate, and examples of the polyester acrylate compound include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, or di Pentaerythritol hexaacrylate etc. are mentioned. In addition, examples of the polyurethane acrylate compound include isocyanate-modified products of the hydroxyl group-containing acrylate compound. Examples of the epoxy acrylate compound include bisphenol A diglycidyl ether and hydrogenated bisphenol A diglyceride. (meth)acrylic acid adduct of cydyl ether or phenol novolak epoxy resin, etc. are mentioned, The caprolactone-modified acrylate-based compound includes caprolactone-modified ditrimethylolpropane tetraacrylate, epsilon-caprolactone-modified dipenta The acrylate of erythritol, caprolactone-modified hydroxypivalic acid neopentyl glycol ester diacrylate, etc. are mentioned.

상기 광 경화형 다관능 아크릴 화합물은 상기 폴리아미드-이미드 수지 100중량부 대비 1 내지 50 중량부, 혹은 5 내지 40 중량부, 혹은 10 내지 30 중량부로 포함될 수 있다.The photo-curable polyfunctional acrylic compound may be included in an amount of 1 to 50 parts by weight, or 5 to 40 parts by weight, or 10 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polyamide-imide resin.

즉, 충분한 가교 효과의 발현을 위하여, 상기 광 경화형 다관능 아크릴 화합물은 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 제2 폴리아미드-이미드 수지의 총합 100중량부 대비 1 중량부 이상으로 포함되는 것이 바람직하다. 다만, 상기 감광성 수지 조성물에 과량의 광 경화형 다관능 아크릴 화합물이 적용될 경우 상기 폴리아미드-이미드 수지에 의한 저온 경화성이 저하될 수 있다. 그러므로, 상기 광 경화형 다관능 아크릴 화합물은 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 상기 제2 폴리아미드-이미드 수지의 총합 100중량부 대비 50 중량부 이하로 포함되는 것이 바람직하다.That is, in order to achieve a sufficient crosslinking effect, the light-curable polyfunctional acrylic compound is included in an amount of 1 part by weight or more based on 100 parts by weight of the total of the first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin. desirable. However, when an excessive amount of the photocurable polyfunctional acrylic compound is applied to the photosensitive resin composition, low-temperature curability by the polyamide-imide resin may be reduced. Therefore, the light-curable polyfunctional acrylic compound is preferably included in an amount of 50 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the total of the first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin.

선택적으로, 상기 감광성 수지 조성물에는 에폭시 수지가 포함될 수 있다.Optionally, the photosensitive resin composition may include an epoxy resin.

상기 에폭시 수지는 반도체 장치 또는 디스플레이 장치에 사용 되는 기판에 대하여 높은 밀착성, 접착성을 나타내도록 도와주는 역할을 할 수 있다.The epoxy resin may serve to help exhibit high adhesion and adhesion to a substrate used in a semiconductor device or a display device.

이러한 에폭시 수지로는 예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, N-글리시딜형 에폭시 수지, 비스페놀 A의 노볼락형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지, 킬레이트형 에폭시 수지, 글리옥살형 에폭시 수지, 아미노기 함유 에폭시 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 페놀릭형 에폭시 수지, 디글리시딜프탈레이트 수지, 헤테로시클릭 에폭시 수지, 테트라글리시딜크실레노일에탄 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지 및 엡실론-카프로락톤 변성 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 액상형 N-글리시딜 에폭시 수지를 포함할 수 있다.Examples of the epoxy resin include bisphenol A epoxy resin, hydrogenated bisphenol A epoxy resin, brominated bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, novolak epoxy resin, phenol furnace Volak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, N-glycidyl type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, bixylenol type epoxy resin, biphenol type epoxy resin, chelate type epoxy resin, glyoxal type epoxy Resin, amino group-containing epoxy resin, rubber-modified epoxy resin, dicyclopentadiene phenolic type epoxy resin, diglycidyl phthalate resin, heterocyclic epoxy resin, tetraglycidyl xylenoylethane resin, silicone-modified epoxy resin and epsilon- It may include at least one selected from the group consisting of caprolactone-modified epoxy resins, and preferably may include a liquid N-glycidyl epoxy resin.

상기 에폭시 수지는 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 상기 제2 폴리아미드-이미드 수지의 총합 100중량부 대비 5 내지 100 중량부, 혹은 10 내지 100 중량부, 혹은 10 내지 75 중량부로 포함될 수 있다.The epoxy resin may be included in an amount of 5 to 100 parts by weight, or 10 to 100 parts by weight, or 10 to 75 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total of the first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin. have.

상기 에폭시 수지가 사용되는 경우, 열산 발생제 사용할 수 있다. 상기 열산 발생제의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 열산 발생제로 사용될 수 있는 것으로 통상적으로 알려진 화합물을 사용할 수 있다. When the above epoxy resin is used, a thermal acid generator may be used. Examples of the thermal acid generator are not particularly limited, and compounds commonly known to be used as the thermal acid generator may be used.

한편, 상기 감광성 수지 조성물에는 이미다졸계 화합물, 포스핀계 화합물 및 3급 아민 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 경화 촉진제가 더 포함될 수 있다.Meanwhile, the photosensitive resin composition may further include one or more curing accelerators selected from the group consisting of an imidazole-based compound, a phosphine-based compound, and a tertiary amine compound.

상기 이미다졸계 화합물은 예를 들어, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸일 수 있으며, 포스핀계 화합물은 예를 들어, 트리페닐포스핀, 디페닐포스핀, 페닐포스핀, 테트라페닐포스포니움 테트라페닐보레이트 일 수 있고, 상기 3급 아민 화합물은 예를 들어, 디시안디아미드, 벤질디메틸아민, 4-(디메틸아미노)-N,N-디메틸벤질아민, 4-메톡시-N,N-디메틸벤질아민, 4-메틸-N,N-디메틸벤질아민 일 수 있다.The imidazole-based compound may be, for example, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, or 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, and a phosphine-based compound. may be, for example, triphenylphosphine, diphenylphosphine, phenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, and the tertiary amine compound is, for example, dicyandiamide, benzyldimethylamine, 4 -(dimethylamino)-N,N-dimethylbenzylamine, 4-methoxy-N,N-dimethylbenzylamine, 4-methyl-N,N-dimethylbenzylamine.

이러한 경화 촉진제는 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 상기 제2 폴리아미드-이미드 수지의 총합 100중량부 대비 0.1 내지 10 중량부로 포함될 수 있다.The curing accelerator may be included in an amount of 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the total of the first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin.

상기 감광성 수지 조성물에는 용매가 포함될 수 있다.The photosensitive resin composition may contain a solvent.

상기 용매로는 본 발명이 속하는 기술분야에서 감광성 수지 조성물층의 형성을 가능하게 하는 것으로 알려진 화합물이 특별한 제한 없이 적용될 수 있다.As the solvent, a compound known to enable the formation of the photosensitive resin composition layer in the art to which the present invention pertains may be applied without particular limitation.

비 제한적인 예로, 상기 용매는 에스터류, 에터류, 케톤류, 방향족 탄화수소류, 및 설폭사이드류로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종 이상의 화합물일 수 있다.As a non-limiting example, the solvent may be at least one compound selected from the group consisting of esters, ethers, ketones, aromatic hydrocarbons, and sulfoxides.

상기 에스터류 용매는 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 아세트산 아이소뷰틸, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 감마-뷰티로락톤, 엡실론-카프로락톤, 델타-발레로락톤, 옥시아세트산 알킬(예: 옥시아세트산 메틸, 옥시아세트산 에틸, 옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-옥시프로피온산 메틸, 3-옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-옥시프로피온산 메틸, 2-옥시프로피온산 에틸, 2-옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸 등일 수 있다.The ester solvent is ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate , gamma-butyrolactone, epsilon-caprolactone, delta-valerolactone, alkyl oxyacetate (e.g., methyl oxyacetate, ethyl oxyacetate, butyl oxyacetate (e.g., methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, etc.)), 3-oxypropionic acid alkyl esters (eg, methyl 3-oxypropionate, ethyl 3-oxypropionate, etc. (eg, 3-methoxypropionic acid) methyl, 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, 3-ethoxypropionate ethyl, etc.), 2-oxypropionate alkyl esters (eg, 2-oxypropionate methyl, 2-oxypropionate ethyl, 2- Propyl oxypropionate and the like (eg, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate)), 2-oxy- 2-methylpropionate and 2-oxy-2-methylpropionate ethyl (eg, 2-methoxy-2-methylpropionate, 2-ethoxy-2-methylpropionate ethyl, etc.), methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl 2-oxobutanoate, ethyl 2-oxobutanoate, and the like.

상기 에터류 용매는 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등일 수 있다.The ether solvent is diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, di Ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol It may be lycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, and the like.

상기 케톤류 용매는 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈 등일 수 있다.The ketone solvent may be methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, 3-heptanone, N-methyl-2-pyrrolidone, or the like.

상기 방향족 탄화수소류 용매는 톨루엔, 자일렌, 아니솔, 리모넨 등일 수 있다.The aromatic hydrocarbon solvent may be toluene, xylene, anisole, limonene, or the like.

상기 설폭사이드류 용매는 다이메틸설폭사이드 등일 수 있다.The sulfoxide solvent may be dimethyl sulfoxide or the like.

상기 용매는 상기 감광성 수지 조성물이 나타내는 도포성의 관점에서 상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 상기 제2 폴리아미드-이미드 수지의 총합 100중량부 대비 50 내지 500 중량부, 혹은 100 내지 500 중량부, 혹은 100 내지 300 중량부, 혹은 100 내지 250 중량부, 혹은 100 내지 150 중량부로 포함될 수 있다.The solvent is used in an amount of 50 to 500 parts by weight, or 100 to 500 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total of the first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin from the viewpoint of the applicability of the photosensitive resin composition. , or 100 to 300 parts by weight, or 100 to 250 parts by weight, or 100 to 150 parts by weight.

그리고, 상기 감광성 수지 조성물은, 상술한 효과를 저해하지 않는 범위에서, 필요에 따라 계면활성제, 커플링제, 충전제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 응집 방지제, 부식 방지제, 소포제, 겔화 방지제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition, in the range that does not impair the above-described effects, as needed, additives such as surfactants, coupling agents, fillers, antioxidants, ultraviolet absorbers, aggregation inhibitors, corrosion inhibitors, defoamers, and anti-gelling agents. may include

예를 들어, 상기 접착력 증진제로는 에폭시, 카르복실기 또는 이소시아네이트 등의 작용기를 갖는 실란 커플링제를 사용할 수 있으며, 이의 구체적인 예로는 트리메톡시실릴 벤조산(trimethoxysilyl benzoic acid), 트리에톡시실릴벤조산(triethoxysilyl benzoic acid), 감마-이소시아네이토프로필트리메톡시실란(gamma-isocyanatopropyltrimethoxysilane), 감마-이소시아네이토프로필트리에톡시실란(gamma-isocyanatopropyltriethoxysilane), 감마-글리시독시프로필트리메톡시실란(gamma-glycidoxypropyltrimethoxysilane), 감마-글리시독시프로필트리에톡시실란(gamma-glycidoxypropyltriethoxysilane) 또는 이들의 혼합물 등이 있다. 이러한 접착력 증진제는 상기 폴리아미드-이미드 수지 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부로 포함될 수 있다.For example, as the adhesion promoter, a silane coupling agent having a functional group such as epoxy, carboxyl group, or isocyanate may be used, and specific examples thereof include trimethoxysilyl benzoic acid, triethoxysilyl benzoic acid, and the like. acid), gamma-isocyanatopropyltrimethoxysilane, gamma-isocyanatopropyltriethoxysilane, gamma-glycidoxypropyltrimethoxysilane glycidoxypropyltrimethoxysilane), gamma-glycidoxypropyltriethoxysilane, or a mixture thereof. The adhesion promoter may be included in an amount of 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyamide-imide resin.

그리고, 상기 계면활성제로는 감광성 수지 조성물에 사용될 수 있는 것으로 알려진 것이면 별 다른 제한 없이 사용 가능하나, 불소계 계면활성제 또는 실리콘계 계면활성제를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 계면활성제는 상기 폴리아미드-이미드 수지 100 중량부에 대하여 0.1 내지 5 중량부로 포함될 수 있다.In addition, the surfactant can be used without any particular limitation as long as it is known to be usable in the photosensitive resin composition, but it is preferable to use a fluorine-based surfactant or a silicone-based surfactant. The surfactant may be included in an amount of 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyamide-imide resin.

발명의 다른 일 구현 예에 따르면, 상기 감광성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 경화막이 제공된다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a cured film including a cured product of the photosensitive resin composition.

상기 감광성 수지 조성물은 상술한 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 제2 폴리아미드-이미드 수지를 포함함에 따라 250 ℃ 이하, 200 ℃이하 또는 150 ℃ 내지 250 ℃의 온도에서도 높은 효율로 경화가 가능하며, 이러한 경화 조건하에서도 우수한 기계적 물성을 갖는 경화막의 제공을 가능하게 한다.As the photosensitive resin composition includes the above-described first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin, it can be cured with high efficiency even at a temperature of 250° C. or less, 200° C. or less, or 150° C. to 250° C. And it is possible to provide a cured film having excellent mechanical properties even under such curing conditions.

특히, 상기 경화막은 낮은 온도에서 높은 효율로 경화가 되면서도 우수한 접착력 및 내화학성을 가질 수 있고 높은 수준의 인장 강도 및 모듈러스와 함께 높은 신장율 또한 확보할 수 있다. In particular, the cured film can have excellent adhesion and chemical resistance while being cured with high efficiency at a low temperature, and can also secure a high elongation with a high level of tensile strength and modulus.

또한, 상기 경화막은 포토레지스트, 에칭 레지스트, 솔더 톱 레지스트 등에 적용될 수 있다.In addition, the cured film may be applied to a photoresist, an etching resist, a solder top resist, or the like.

또한, 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 감광성 수지 조성물을 250℃ 이하의 온도에서 경화시키는 단계를 포함하는 경화막의 제조 방법이 제공될 수 있다. In addition, according to another embodiment of the present invention, there may be provided a method for producing a cured film comprising the step of curing the photosensitive resin composition at a temperature of 250 ℃ or less.

상술한 바와 같이, 상기 감광성 수지 조성물은 250 ℃ 이하, 200 ℃이하 또는 150 ℃ 내지 250 ℃의 온도에서도 높은 효율로 경화될 수 있다. As described above, the photosensitive resin composition can be cured with high efficiency even at a temperature of 250 °C or less, 200 °C or less, or 150 °C to 250 °C.

상기 경화막은, 상기 감광성 수지 조성물을 기판에 적용하는 공정, 기판에 적용된 상기 감광성 수지 조성물에 대해 활성 광선 또는 방사선을 조사하여 노광하는 공정, 노광된 감광성 수지 조성물에 대하여 현상 처리하는 공정, 및 상기 현상 처리된 감광성 수지 조성물을 가열하는 공정 등을 통해 형성될 수 있다.The cured film is a step of applying the photosensitive resin composition to a substrate, a step of exposing the photosensitive resin composition applied to the substrate by irradiating actinic light or radiation, a step of developing the exposed photosensitive resin composition, and the development It may be formed through a process of heating the treated photosensitive resin composition or the like.

상기 감광성 수지 조성물을 기판에 적용하는 공정은 스피닝, 침지, 닥터 블레이드 도포, 현탁 캐스팅, 도포, 분무, 정전 분무, 리버스롤 도포 등의 방법으로 수행될 수 있다. 이때 상기 감광성 수지 조성물을 적용하는 양과 기판의 종류는 경화막의 용도와 적용 분야에 의존한다. 상기 감광성 수지 조성물을 기판에 적용한 후 적절한 조건 하에서 건조하는 것이 바람직하다.The process of applying the photosensitive resin composition to the substrate may be performed by spinning, dipping, doctor blade application, suspension casting, application, spraying, electrostatic spraying, reverse roll application, and the like. In this case, the amount of the photosensitive resin composition applied and the type of substrate depend on the use and application field of the cured film. After applying the photosensitive resin composition to the substrate, it is preferable to dry it under suitable conditions.

상기 노광 공정에서는 기판에 적용된 감광성 수지 조성물에 대해 소정의 패턴의 활성 광선 또는 방사선을 조사한다. 상기 노광 공정에는 200 내지 600 nm 파장의 활성 광선 또는 방사선이 적용될 수 있다. 노광 장치로는 미러 프로젝션 얼라이너, 스캐너, 스테퍼, 프록시미티, 콘택트, 마이크로 렌즈 어레이, 레이저 노광, 렌즈 스캐너 등 각종 방식의 노광기가 이용될 수 있다.In the exposure process, a predetermined pattern of actinic light or radiation is irradiated to the photosensitive resin composition applied to the substrate. In the exposure process, actinic light or radiation having a wavelength of 200 to 600 nm may be applied. As the exposure apparatus, various types of exposure machines such as a mirror projection aligner, a scanner, a stepper, proximity, contact, micro lens array, laser exposure, and lens scanner may be used.

상기 현상 공정에서는 감광성 수지 조성물의 미노광 부분을 현상액을 이용하여 현상한다. 이때 현상액으로는 수성 알칼리성 현상액, 유기 용제 등이 이용될 수 있다.In the said developing process, the unexposed part of the photosensitive resin composition is developed using a developing solution. In this case, an aqueous alkaline developer, an organic solvent, or the like may be used as the developer.

발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상술한 감광성 수지 조성물을 이용하여 기판 상에 레지스트막을 형성하는 단계; 고에너지선을 이용하여 상기 레지스트막에 패턴을 조사하는 단계; 및 알칼리 현상액을 이용하여 상기 레지스트막을 현상하는 단계;를 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법이 제공될 수 있다. According to another embodiment of the invention, forming a resist film on a substrate using the above-described photosensitive resin composition; irradiating a pattern on the resist film using a high energy ray; and developing the resist film using an alkali developer.

상기 구현예의 레지스트 패턴 형성 방법에서는 통상적으로 알려진 경화막 제조 방법 및 레지스트 패턴 형성 방법과 장치를 별 제한 없이 사용할 수 있다.In the resist pattern forming method of the above embodiment, a conventionally known cured film manufacturing method and resist pattern forming method and apparatus may be used without particular limitation.

본 발명에 따르면, 낮은 온도에서 높은 효율로 경화가 되면서도 우수한 접착력 및 내화학성을 가질 수 있으며, 또한 최종 얻어지는 경화막의 인장 강도 및 모듈러스를 높은 수준으로 유지하면서 높은 신장율 또한 확보할 수 있는 감광성 수지 조성물과, 상기 감광성 수지 조성물로부터 형성된 경화막과, 낮은 온도에서 높은 효율로 경화가 되면서도 우수한 접착력 및 내화학성을 가질 수 있고 높은 수준의 인장 강도 및 모듈러스와 함께 높은 신장율 또한 확보할 수 있는 경화 재료를 제공할 수 있는 경화막 제조 방법을 제공하기 위한 것이다. According to the present invention, a photosensitive resin composition that can have excellent adhesion and chemical resistance while being cured with high efficiency at a low temperature, and can also secure a high elongation while maintaining the tensile strength and modulus of the finally obtained cured film at a high level; , a cured film formed from the photosensitive resin composition, and a cured material that can have excellent adhesion and chemical resistance while being cured with high efficiency at a low temperature and that can also secure a high elongation with a high level of tensile strength and modulus. It is intended to provide a method for manufacturing a cured film that can be

발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. The invention is described in more detail in the following examples. However, the following examples only illustrate the present invention, and the content of the present invention is not limited by the following examples.

[제조예][Production Example]

제조예1:폴리아미드-이미드 수지의 합성(A1)Preparation Example 1: Synthesis of polyamide-imide resin (A1)

딘-스탁(dean-stark) 장치와 콘덴서가 장착된 250 mL의 둥근 플라스크에 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 (2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine) 5 g (0.0156 mol); 2,2’-비스(3-아미노-4-히드록실페닐)헥사플루오르프로판 (2,2’-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane) 1.904 g (0.0052 mol) ; 4,4’-옥시디프탈릭 안하이드라이드 (4,4’-oxydiphthalic anhydride) 3.226 g (0.0104 mol) ; 아이소프탈로일 디클로라이드 (isophthaloyl dichloride) 2.111 g (0.0104 mol); 및 N,N-디메틸아세트아미드 (N,N-dimethylacetamide) 30 g을 넣고, 질소 분위기에서 3시간 동안 교반하여 중합 반응을 진행하였다. 5 g (0.0156 mol) of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine) in a 250 mL round flask equipped with a dean-stark apparatus and condenser ); 1.904 g (0.0052 mol) of 2,2'-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane (2,2'-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane); 3.226 g (0.0104 mol) of 4,4'-oxydiphthalic anhydride; 2.111 g (0.0104 mol) of isophthaloyl dichloride; And 30 g of N,N-dimethylacetamide (N,N-dimethylacetamide) was added, and the polymerization reaction was carried out by stirring in a nitrogen atmosphere for 3 hours.

상기 중합 반응에 의해 얻어진 폴리아믹산 용액에 아세틱 안하이드라이드 (acetic anhydride) 2.34 g 및 피리딘 (pyridine) 0.32 g 을 첨가하고, 60 ℃의 온도의 오일 배쓰 (oil bath)에서 18 시간 동안 교반하여 화학적 이미드화 반응을 진행하였다.2.34 g of acetic anhydride and 0.32 g of pyridine were added to the polyamic acid solution obtained by the polymerization reaction, and stirred for 18 hours in an oil bath at a temperature of 60 ° C. The imidization reaction was carried out.

반응 종료 후, 물과 에탄올을 사용하여 고형분을 침전시키고, 침전된 고형분을 여과한 후 40 ℃에서 진공으로 24 시간 이상 건조하여 아래 반복 단위들을 갖는 폴리아미드이미드 블록 공중합체를 얻었다 (중량 평균 분자량 120,000 g/mol).After completion of the reaction, the solid content was precipitated using water and ethanol, the precipitated solid content was filtered, and then dried at 40° C. under vacuum for 24 hours or more to obtain a polyamideimide block copolymer having the following repeating units (weight average molecular weight 120,000). g/mol).

제조예2:폴리아미드-이미드 수지의 합성(A2)Preparation Example 2: Synthesis of polyamide-imide resin (A2)

딘-스탁(dean-stark) 장치와 콘덴서가 장착된 250 mL의 둥근 플라스크에 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 (2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine) 5 g (0.0156 mol); 3,3'-디히드록시-4,4'-디아미노비페닐 (3,3'-dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl) 1.124 g (0.0052 mol) ; 4,4'-옥시디프탈릭 안하이드라이드 (4,4'-oxydiphthalic anhydride) 3.226 g (0.0104 mol) ; 아이소프탈로일 디클로라이드 (isophthaloyl dichloride) 2.111 g (0.0104 mol) ; 및 N,N-디메틸아세트아미드 (N,N-dimethylacetamide) 30g을 넣고, 질소 분위기에서 3시간 동안 교반하여 중합 반응을 진행하였다. 5 g (0.0156 mol) of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine) in a 250 mL round flask equipped with a dean-stark apparatus and condenser ); 1.124 g (0.0052 mol) of 3,3'-dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl (3,3'-dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl); 3.226 g (0.0104 mol) of 4,4'-oxydiphthalic anhydride; 2.111 g (0.0104 mol) of isophthaloyl dichloride; And 30 g of N,N-dimethylacetamide (N,N-dimethylacetamide) was added, and the polymerization reaction was performed by stirring in a nitrogen atmosphere for 3 hours.

상기 중합 반응에 의해 얻어진 폴리아믹산 용액에 아세틱 안하이드라이드 (acetic anhydride) 2.34 g 및 피리딘 (pyridine) 0.32 g을 첨가하고, 60 ℃의 온도의 오일 배쓰 (oil bath)에서 18 시간 동안 교반하여 화학적 이미드화 반응을 진행하였다.2.34 g of acetic anhydride and 0.32 g of pyridine were added to the polyamic acid solution obtained by the polymerization reaction, and stirred for 18 hours in an oil bath at a temperature of 60 ° C. The imidization reaction was carried out.

반응 종료 후, 물과 에탄올을 사용하여 고형분을 침전시키고, 침전된 고형분을 여과한 후 40 ℃에서 진공으로 24 시간 이상 건조하여 아래 반복 단위들을 갖는 폴리아미드이미드 블록 공중합체를 얻었다 (중량 평균 분자량 93,000 g/mol)After completion of the reaction, the solid content was precipitated using water and ethanol, and the precipitated solid content was filtered and dried under vacuum at 40° C. for at least 24 hours to obtain a polyamideimide block copolymer having the following repeating units (weight average molecular weight 93,000) g/mol)

제조예3 내지 제조예5:폴리아미드-이미드 수지의 합성(B1 내지 B3)Preparation Examples 3 to 5: Synthesis of polyamide-imide resin (B1 to B3)

제조예1 에서 얻어진 수지에 에폭시기를 도입하여 네거티브형 감광성 수지 조성물에 적용할 수 있는 수지를 제조했다. 250ml 둥근 플라스크에 수지 A1 4g을 N,N-디메틸아세트아미드 (N,N-dimethylacetamide) 16 g에 넣고 교반하여 완전히 녹인다. 여기에 2-이소시아네이토메틸 옥시란 (2-isocyanatomethyl oxirane) 을 표 1에 기재된 양을 넣고 50 ℃에서 4시간 동안 교반하여 네거티브형 감광성 수지 용액 B1 내지 수지 용액 B4를 얻는다.An epoxy group was introduced into the resin obtained in Production Example 1 to prepare a resin applicable to a negative photosensitive resin composition. In a 250 ml round flask, add 4 g of Resin A1 to 16 g of N,N-dimethylacetamide and stir to dissolve it completely. To this, 2-isocyanatomethyl oxirane (2-isocyanatomethyl oxirane) was added in the amount shown in Table 1 and stirred at 50° C. for 4 hours to obtain a negative photosensitive resin solution B1 to a resin solution B4.

제조예6 :폴리아미드-이미드 수지의 합성(C1)Preparation Example 6: Synthesis of polyamide-imide resin (C1)

제조예4에서 얻어진 수지에 광경화기를 도입하여 네거티브형 감광성 수지 조성물에 적용할 수 있는 수지를 제조했다. 250ml 둥근 플라스크에 수지 A1 내지 수지A4 4g을 N,N-디메틸아세트아미드 (N,N-dimethylacetamide) 16 g에 넣고 교반하여 완전히 녹인다. 여기에 2-이소시아네이토에틸 메타크릴레이트 (2-isocyanatoethyl methacrylate) 을 1.29g (0.0083몰) 양을 넣고 을 넣고 50 ℃에서 4시간 동안 교반하여 네거티브형 감광성 수지 용액 B1 내지 수지 용액 B4를 얻는다.A photocuring group was introduced into the resin obtained in Production Example 4 to prepare a resin applicable to a negative photosensitive resin composition. In a 250ml round flask, put 4 g of Resin A1 to Resin A4 into 16 g of N,N-dimethylacetamide and stir to dissolve it completely. To this, add 1.29 g (0.0083 mol) of 2-isocyanatoethyl methacrylate, add , and stir at 50° C. for 4 hours to obtain negative photosensitive resin solution B1 to resin solution B4. .

비교제조예1: 폴리이미드 수지의 합성(D1)Comparative Preparation Example 1: Synthesis of polyimide resin (D1)

딘-스탁(dean-stark) 장치와 콘덴서가 장착된 250 mL의 둥근 플라스크에 2,2'-비스(3-아미노-4-히드록실페닐)헥사플루오르프로판 (2,2'-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane) 7.618 g (0.0208 mol) ; 4,4'-(헥사플루오르이소프로필리덴)디프탈릭 안하이드라이드 (4,4'-(hexafluoropropylidene)diphthalic anhydride) 9.24 g (0.0208 mol); 나딕 언하이드라이드 (Nadic anhydride) 0.13g (0.0008 mol); 및 N,N-디메틸아세트아미드 (N,N-dimethylacetamide) 40g을 넣고, 질소 분위기에서 4 시간 동안 교반하여 중합 반응을 진행하였다. 2,2'-bis(3-amino-4-hydroxylphenyl)hexafluoropropane (2,2'-bis(3- amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane) 7.618 g (0.0208 mol); 4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride (4,4'-(hexafluoropropylidene)diphthalic anhydride) 9.24 g (0.0208 mol); 0.13 g (0.0008 mol) of Nadic anhydride; And 40 g of N,N-dimethylacetamide (N,N-dimethylacetamide) was added, and the polymerization reaction was carried out by stirring in a nitrogen atmosphere for 4 hours.

상기 중합 반응에 의해 얻어진 폴리아믹산 용액에 아세틱 안하이드라이드 (acetic anhydride) 2.34 g 및 피리딘 (pyridine) 0.32 g을 첨가하고, 60 ℃의 온도의 오일 배쓰 (oil bath)에서 18 시간 동안 교반하여 화학적 이미드화 반응을 진행하였다.2.34 g of acetic anhydride and 0.32 g of pyridine were added to the polyamic acid solution obtained by the polymerization reaction, and stirred for 18 hours in an oil bath at a temperature of 60 ° C. The imidization reaction was carried out.

반응 종료 후, 물과 에탄올을 사용하여 고형분을 침전시키고, 침전된 고형분을 여과한 후 40 ℃에서 진공으로 24 시간 이상 건조하여 아래 반복 단위들을 갖는 폴리아미드이미드 블록 공중합체를 얻었다 (중량 평균 분자량 55,000 g/mol)After completion of the reaction, the solid content was precipitated using water and ethanol, and the precipitated solid content was filtered and dried under vacuum at 40° C. for at least 24 hours to obtain a polyamideimide block copolymer having the following repeating units (weight average molecular weight 55,000). g/mol)

비교제조예2: 폴리이미드 수지의 합성(D2)Comparative Preparation Example 2: Synthesis of polyimide resin (D2)

모노머의 종류 및 사용 비율은 표 1에 나타난 것을 제외하고, 제조예 1의 방법대로 진행하여 폴리아미드-이미드 수지를 얻은 후에 제조예 5의 방법대로 광경합기를 도입한 폴리이미드 수지를 얻었다.Except for the types and usage ratios of monomers shown in Table 1, the method of Preparation Example 1 was followed to obtain a polyamide-imide resin, and then a polyimide resin having a photocuring group was introduced according to the method of Preparation Example 5.

제조예 수지Production Example Resin 아민 성분 ①Amine component ① 아민 성분 ②Amine component ② 산 이무수물 성분 ①Acid dianhydride component ① 산 이무수물 성분 ②Acid dianhydride component ② 말단 밀봉재end sealant 에폭시기
치환체
epoxy group
substitute
아크릴기치환체Acrylic Substituent
A1A1 TFMB
(0.0156몰)
TFMB
(0.0156 moles)
BisAPAF
(0.0052몰)
BisAPAF
(0.0052 moles)
ODPA
(0.0104몰)
ODPA
(0.0104 moles)
IPDC
(0.0104몰)
IPDC
(0.0104 moles)
-- --
A1A1 TFMB(0.0156몰)TFMB (0.0156 moles) HAB
(0.0052몰)
HAB
(0.0052 moles)
ODPA
(0.0104몰)
ODPA
(0.0104 moles)
IPDC
(0.0104몰)
IPDC
(0.0104 moles)
-- --
B1B1 TFMB
(0.0156몰)
TFMB
(0.0156 moles)
BisAPAF
(0.0052몰)
BisAPAF
(0.0052 moles)
ODPA
(0.0104몰)
ODPA
(0.0104 moles)
IPDC
(0.0104몰)
IPDC
(0.0104 moles)
-- Isocyanato methyl oxirane (0.0083몰)Isocyanato methyl oxirane (0.0083 moles)
B2B2 TFMB(0.0156몰)TFMB (0.0156 moles) BisAPAF
(0.0052몰)
BisAPAF
(0.0052 moles)
ODPA
(0.0104몰)
ODPA
(0.0104 moles)
IPDC
(0.0104몰)
IPDC
(0.0104 moles)
-- Isocyanato methyl oxirane (0.0104몰)Isocyanato methyl oxirane (0.0104 moles)
B3B3 TFMB(0.0156몰)TFMB (0.0156 moles) BisAPAF
(0.0052몰)
BisAPAF
(0.0052 moles)
ODPA
(0.0104몰)
ODPA
(0.0104 moles)
IPDC
(0.0104몰)
IPDC
(0.0104 moles)
-- Isocyanato methyl oxirane (0.0125몰)Isocyanato methyl oxirane (0.0125 mol)
C1C1 TFMB
(0.0156몰)
TFMB
(0.0156 moles)
HAB
(0.0052몰)
HAB
(0.0052 moles)
ODPA
(0.0104몰)
ODPA
(0.0104 moles)
IPDC
(0.0104몰)
IPDC
(0.0104 moles)
-- MOI(0.0083몰)MOI (0.0083 moles)
D1D1 -- BisAPAF
(0.0208몰)
BisAPAF
(0.0208 moles)
6FDA
(0.0208몰)
6FDA
(0.0208 moles)
-- NDA
(0.0008몰)
NDA
(0.0008 mole)
--
D2D2 -- BisAPAF(0.0208몰)BisAPAF (0.0208 moles) 6FDA
(0.0208몰)
6FDA
(0.0208 moles)
-- NDA
(0.0008몰)
NDA
(0.0008 mole)
MOI(0.0021몰)MOI (0.0021 moles)

TFMB: 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidineBisAPAF: 2,2'-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropaneTFMB: 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidineBisAPAF: 2,2'-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane

ODPA: 4,4'-oxydiphthalic anhydrideODPA: 4,4'-oxydiphthalic anhydride

IPDC: isophthaloyl dichlorideIPDC: isophthaloyl dichloride

MOI: Karenz MOI??MOI: Karenz MOI??

NDA:Nadic anhydrideNDA: Nadic anhydride

[실시예 및 비교예: 감광성 수지 조성물의 제조][Examples and Comparative Examples: Preparation of photosensitive resin composition]

하기 표 2에 나타낸 성분들을 혼합하여 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을 각각 제조하였다. 하기 표 2에서, 각 성분의 함량은 상기 제조예에 따른 100 중량부의 고분자 수지를 기준으로 한 값이다.By mixing the components shown in Table 2 below, the photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples were prepared, respectively. In Table 2 below, the content of each component is a value based on 100 parts by weight of the polymer resin according to Preparation Example.

실시예1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 비교예1Comparative Example 1 제조예의 고분자 수지Polymer resin of production example B1B1 5050 B2B2 -- 5050 2525 B3B3 5050 C1C1 5050 5050 7575 5050 D2D2 100100 광 경화형 다관능 아크릴 화합물Light-curable polyfunctional acrylic compound TEGDMTEGDM 5050 5050 5050 5050 5050 개시제initiator OXE-01OXE-01 22 22 22 22 22 첨가제additive KBM-503KBM-503 1One 1One 1One 1One 1One

광 경화형 다관능 아크릴 화합물: Tetraethyleneglycol Dimethacrylate / Sigma-Aldrich/ 개시제 화합물: OXE-01 (Basf 제품)Light-curable polyfunctional acrylic compound: Tetraethyleneglycol Dimethacrylate / Sigma-Aldrich/ Initiator compound: OXE-01 (product of Basf)

첨가제: KBM-503 (Shin-Etsu 제품)Additive: KBM-503 (from Shin-Etsu)

[실험예: 경화막의 제조 및 물성 측정 결과][Experimental Example: Preparation of cured film and measurement result of physical properties]

시험예 1: 경화막의 접착력Test Example 1: Adhesion of cured film

상기 실시예 및 비교예에 따른 각각의 감광성 수지 조성물을 스핀 코팅 방식으로 4인치 실리콘 웨이퍼 및 Cu가 300 nm두께로 도포된 실리콘 웨이퍼 기판에 도포한 후, 120 ℃의 온도에서 2 분간 건조하고, 브로드밴드 얼라이너(broadband aligner) 노광 장치에서 200 mJ/㎠의 에너지로 노광하였다. 그리고, 다시 200 ℃의 온도에서 2 시간 경화하여 약 10 내지 11 ㎛ 두께의 경화막이 형성된 기판을 얻었다.Each of the photosensitive resin compositions according to the Examples and Comparative Examples was coated on a 4-inch silicon wafer and a silicon wafer substrate coated with Cu to a thickness of 300 nm by spin coating, dried at a temperature of 120 ° C. for 2 minutes, and broadband Exposure was carried out with an energy of 200 mJ/cm 2 in an aligner exposure apparatus. Then, the substrate was cured at a temperature of 200° C. for 2 hours to obtain a substrate on which a cured film having a thickness of about 10 to 11 μm was formed.

그리고, 상기 경화막이 형성된 기판은 TPC-TM-650 방법에 따른 테이핑 테스트를 통하여 상기 경화막의 접착력(기판에 대한 밀착력)을 평가하였다. 구체적으로, 테이핑 테스트 전용칼(Cross Hatch Cutter,YCC-230/1)을 이용하여 하부의 웨이퍼에는 손상이 가지 않게 하면서 상부의 경화막에만 10 X 10 격자 모양의 칼집을 낸 후(각각 격자의 크기는 100 ㎛, 격자의 수는 총 100 개), 니찌방(Nichibang) 테이프를 경화막의 표면에 단단히 접착시켰다. 접착 60 초 후에 테이프의 끝면을 180도 꺽어서 동일한 힘으로 떼어내었다. 이때, 테이프와 함께 박리된 경화막의 격자수를 세어서 기판에 대한 밀착성을 평가하였고, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.In addition, the substrate on which the cured film was formed was evaluated for adhesion (adhesion to the substrate) of the cured film through a taping test according to the TPC-TM-650 method. Specifically, using a dedicated taping test knife (Cross Hatch Cutter, YCC-230/1), make 10 X 10 grid-shaped cuts only on the upper cured film without damaging the lower wafer (the size of each grid) is 100 μm, the number of grids is 100 in total), and Nichibang tape was firmly adhered to the surface of the cured film. After 60 seconds of adhesion, the end face of the tape was bent 180 degrees and peeled off with the same force. At this time, adhesion to the substrate was evaluated by counting the number of grids of the cured film peeled off together with the tape, and the results are shown in Table 3 below.

실시예1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 비교예1Comparative Example 1 박리된
격자수
peeled off
grid number
0/1000/100 0/1000/100 0/1000/100 0/1000/100 10/10010/100

시험예test example 2: 2: 경화막의of cured film 내화학성 chemical resistance

상기 제조예들에 따른 각각의 감광성 수지 조성물을 800 내지 1200 rpm의 스핀 코팅 방식을 이용하여 4 인치 실리콘 웨이퍼 위에 도포한 후, 120 ℃온도에서 2 분간 건조하고, 브로드밴드 얼라이너(broadband aligner) 노광 장치에서 200 mJ/㎠의 에너지로 노광하여 10.0 ㎛ 두께의 감광성 수지막이 형성된 기판을 얻었다. 그리고, 다시 200 ℃ 온도에서 2 시간 경화하여 경화막이 형성된 기판을 얻었다.Each of the photosensitive resin compositions according to the above Preparation Examples was coated on a 4-inch silicon wafer using a spin coating method at 800 to 1200 rpm, dried at 120° C. for 2 minutes, and a broadband aligner exposure apparatus was exposed with an energy of 200 mJ/cm 2 to obtain a substrate on which a photosensitive resin film having a thickness of 10.0 μm was formed. And it hardened again at 200 degreeC temperature for 2 hours, and obtained the board|substrate with a cured film.

얻어진 기판을 아세톤(AC), 디메틸포름아미드(DMF) 또는 감마-부티로락톤(GBL)에 30 분간 담궈둔 후, 이소프로필 알코올로 세척하고 질소 하에서 건조한 후 현미경을 통해 표면의 상태를 관찰하였다. 관찰 결과, 경화막에 녹은 자국이나 크랙과 같은 손상의 유무에 따라 ○ 또는 X로 평가하였고, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.The obtained substrate was immersed in acetone (AC), dimethylformamide (DMF) or gamma-butyrolactone (GBL) for 30 minutes, washed with isopropyl alcohol, dried under nitrogen, and then the state of the surface was observed through a microscope. As a result of observation, it was evaluated as ○ or X depending on the presence or absence of damage such as melt marks or cracks on the cured film, and the results are shown in Table 4 below.

실시예1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 비교예1Comparative Example 1 ACAC OO OO OO OO OO DMFDMF OO OO OO OO XX GBLGBL OO OO OO OO xx

시험예test example 3: 저온 경화 특성 3: Low temperature curing properties

상기 제조예들에 따른 각각의 감광성 수지 조성물의 저온 경화 가능성을 평가하기 위하여, 상기 시험예 2와 동일한 방법으로 진행하되, 상기 경화 온도를 140 ℃, 160 ℃, 180 ℃, 200 ℃, 220 ℃로 달리하여, 경화막이 형성된 기판을 얻었다.In order to evaluate the low-temperature curing possibility of each photosensitive resin composition according to the preparation examples, proceed in the same manner as in Test Example 2, but the curing temperature was increased to 140 ℃, 160 ℃, 180 ℃, 200 ℃, 220 ℃ In another way, a substrate on which a cured film was formed was obtained.

얻어진 기판을 감마-부티로락톤(GBL)에 30 분간 담궈둔 후, 이소프로필 알코올로 세척하고 질소 하에서 건조한 후 현미경을 통해 표면의 상태를 관찰하였다. 관찰 결과, 경화막에 녹은 자국이나 크랙과 같은 손상의 유무에 따라 ○ 또는 X로 평가하였고, 그 결과를 하기 표 5에 나타내었다.The obtained substrate was immersed in gamma-butyrolactone (GBL) for 30 minutes, washed with isopropyl alcohol, dried under nitrogen, and then the state of the surface was observed through a microscope. As a result of observation, it was evaluated as ○ or X depending on the presence or absence of damage such as melt marks or cracks on the cured film, and the results are shown in Table 5 below.

실시예1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 비교예1Comparative Example 1 160 ℃160 ℃ XX OO XX OO XX 180 ℃180 ℃ XX OO OO OO XX 200 ℃200 ℃ OO OO OO OO XX 220 ℃220 ℃ OO OO OO OO XX 300 ℃300 ℃ OO OO OO OO OO

시험예test example 4: 필름 강도 4: film strength

상기 제조예들에 따른 각각의 감광성 수지 조성물을 800 내지 1200 rpm의 스핀 코팅 방식을 이용하여 4 인치 실리콘 웨이퍼 위에 도포한 후, 120 ℃온도에서 2 분간 건조하고, 브로드밴드 얼라이너(broadband aligner) 노광 장치에서 200 mJ/㎠의 에너지로 노광하여 10.0 ㎛ 두께의 감광성 수지막이 형성된 기판을 얻었다. 그리고, 200 ℃ 온도에서 2 시간 경화하여 경화막이 형성된 기판을 얻었다.Each of the photosensitive resin compositions according to the above Preparation Examples was coated on a 4-inch silicon wafer using a spin coating method at 800 to 1200 rpm, dried at 120° C. for 2 minutes, and a broadband aligner exposure apparatus was exposed with an energy of 200 mJ/cm 2 to obtain a substrate on which a photosensitive resin film having a thickness of 10.0 μm was formed. And it hardened at 200 degreeC temperature for 2 hours, and obtained the board|substrate with a cured film.

얻어진 기판은 4.8wt% HF 수용액에 10분간 담궈둔 후 필름을 박리시킨다. 박리된 필름은 증류수로 세척 후 상온에서 30분간 말린다. 건조된 필름은 10m*40mm 크기로 잘라 UTM (Zwich/Roell Z0.5)로 평가한다. 구체적으로 load cell 0.5kN, Pre-load 0.01kgh, 1mm/min, Strain rate 12.5mm/min의 조건으로 측정한다. The obtained substrate is immersed in 4.8 wt% HF aqueous solution for 10 minutes, and then the film is peeled off. The peeled film is washed with distilled water and dried at room temperature for 30 minutes. The dried film is cut into 10m*40mm size and evaluated by UTM (Zwich/Roell Z0.5). Specifically, it is measured under the conditions of load cell 0.5kN, pre-load 0.01kgh, 1mm/min, and strain rate 12.5mm/min.

실시예1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 비교예1Comparative Example 1 인장강도(MPa)Tensile strength (MPa) 120120 130130 126126 143143 120120 신장율(%)Elongation (%) 1010 99 1212 99 66 모듈러스(GPa)Modulus (GPa) 3.63.6 4.04.0 3.93.9 4.54.5 3.13.1

상기 표 3 내지 6에 나타난 바와 같이, 실시예의 조성물은 상대적으로 낮은 온도에서 높은 효율로 경화가 되면서도 우수한 접착력 및 내화학성을 가질 수 있으며, 또한 최종 얻어지는 경화막의 인장 강도 및 모듈러스를 높은 수준으로 유지하면서 높은 신장율 또한 확보할 수 있는 것을 확인되었다.As shown in Tables 3 to 6, the compositions of Examples can have excellent adhesion and chemical resistance while being cured with high efficiency at a relatively low temperature, and while maintaining the tensile strength and modulus of the finally obtained cured film at a high level It was confirmed that a high elongation rate could also be secured.

Claims (12)

에폭시기가 치환된 이미드 반복 단위를 포함하는 제1 폴리아미드-이미드 수지; 및 (메트)아크릴레이트기가 치환된 이미드 반복 단위 5 내지 50중량%를 포함하는 제2 폴리아미드-이미드 수지; 를 포함하고,
상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 대비 제2 폴리아미드-이미드 수지의 중량비는 0.5 내지 5인, 감광성 수지 조성물.
a first polyamide-imide resin including an imide repeating unit substituted with an epoxy group; and (meth) a second polyamide-imide resin comprising 5 to 50 wt% of an imide repeating unit substituted with an acrylate group; including,
The weight ratio of the first polyamide-imide resin to the second polyamide-imide resin is 0.5 to 5, the photosensitive resin composition.
제1항에 있어서,
상기 제1 폴리아미드-이미드 수지는 에폭시기가 치환된 이미드 반복 단위를 30 내지 80몰% 를 포함하는, 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The first polyamide-imide resin comprises 30 to 80 mol% of an imide repeating unit substituted with an epoxy group, the photosensitive resin composition.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 제2 폴리아미드-이미드 수지는 각각 5,000 내지 200,000 g/mol의 중량평균분자량을 갖는, 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin each have a weight average molecular weight of 5,000 to 200,000 g/mol, the photosensitive resin composition.
제1항에 있어서,
상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 상기 제2 폴리아미드-이미드 수지는 각각 말단에 이미드기, 카르복실기 또는 이의 유도 작용기를 포함하는, 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The photosensitive resin composition, wherein the first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin each include an imide group, a carboxyl group, or a derivative thereof at a terminal thereof.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은 네가티브형 감광성 수지 조성물이고,
광개시제를 더 포함하는,
감광성 수지 조성물
According to claim 1,
The photosensitive resin composition is a negative photosensitive resin composition,
further comprising a photoinitiator,
photosensitive resin composition
제7항에 있어서,
광 경화형 다관능 아크릴 화합물을 포함하는 감광성 화합물을 더 포함하는, 감광성 수지 조성물.
8. The method of claim 7,
The photosensitive resin composition further comprising the photosensitive compound containing the photocurable polyfunctional acrylic compound.
제8항에 있어서,
상기 제1 폴리아미드-이미드 수지 및 제2 폴리아미드-이미드 수지의 총합 100중량부 대비 상기 감광성 화합물 1내지 50중량부 및 상기 광개시제 0.5내지 50중량부를 포함하는, 감광성 수지 조성물.
9. The method of claim 8,
A photosensitive resin composition comprising 1 to 50 parts by weight of the photosensitive compound and 0.5 to 50 parts by weight of the photoinitiator based on 100 parts by weight of the total of the first polyamide-imide resin and the second polyamide-imide resin.
제1항의 감광성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 경화막.
The cured film containing the hardened|cured material of the photosensitive resin composition of Claim 1.
제1항의 감광성 수지 조성물을 250℃ 이하의 온도에서 경화시키는 단계를 포함하는, 경화막의 제조 방법.
A method for producing a cured film, comprising the step of curing the photosensitive resin composition of claim 1 at a temperature of 250° C. or less.
제1항 감광성 수지 조성물을 이용하여 기판 상에 레지스트막을 형성하는 단계;
고에너지선을 이용하여 상기 레지스트막에 패턴을 조사하는 단계; 및
알칼리 현상액을 이용하여 상기 레지스트막을 현상하는 단계;를 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법.
forming a resist film on a substrate using the photosensitive resin composition of claim 1;
irradiating a pattern on the resist film using a high energy ray; and
A resist pattern forming method comprising a; developing the resist film using an alkali developer.
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