KR102228537B1 - 백 그라인딩 테이프 - Google Patents

백 그라인딩 테이프 Download PDF

Info

Publication number
KR102228537B1
KR102228537B1 KR1020180033909A KR20180033909A KR102228537B1 KR 102228537 B1 KR102228537 B1 KR 102228537B1 KR 1020180033909 A KR1020180033909 A KR 1020180033909A KR 20180033909 A KR20180033909 A KR 20180033909A KR 102228537 B1 KR102228537 B1 KR 102228537B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
acrylate
dyne
polyurethane
intermediate layer
meth
Prior art date
Application number
KR1020180033909A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190111579A (ko
Inventor
김은영
김세라
이광주
김상환
박성찬
윤미선
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020180033909A priority Critical patent/KR102228537B1/ko
Priority to EP19772079.0A priority patent/EP3730566A4/en
Priority to CN201980010500.4A priority patent/CN111670233B/zh
Priority to JP2020537680A priority patent/JP6961288B2/ja
Priority to PCT/KR2019/002671 priority patent/WO2019182271A1/ko
Priority to US16/969,255 priority patent/US11466178B2/en
Priority to TW108108623A priority patent/TWI691578B/zh
Publication of KR20190111579A publication Critical patent/KR20190111579A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102228537B1 publication Critical patent/KR102228537B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29Laminated material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/08Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/122Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present only on one side of the carrier, e.g. single-sided adhesive tape
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/208Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00Presence of (meth)acrylic polymer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2475/00Presence of polyurethane
    • C09J2475/006Presence of polyurethane in the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2809Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer including irradiated or wave energy treated component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2848Three or more layers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852Adhesive compositions
    • Y10T428/2878Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
    • Y10T428/2891Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer including addition polymer from alpha-beta unsaturated carboxylic acid [e.g., acrylic acid, methacrylic acid, etc.] Or derivative thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 백 그라인딩 테이프는, 내수성이 뛰어나 패턴의 보호가 용이하고, 각 층간의 밀착성이 우수하여 테이프의 제거 공정에서 각 층이 분리되지 않아, Back Grinding 공정 적합하다.

Description

백 그라인딩 테이프{BACK-GRINDING TAPE}
본 발명은 백 그라인딩 테이프에 관한 것으로서, 구체적으로는, 반도체의 제조 공정 중 백 그라인딩 공정에서 반도체 웨이퍼의 표면에 부착하여 표면 보호 역할을 하는 점착성 테이프에 관한 것이다.
최근 전자기기의 소형화, 고기능화, 대용량화 추세가 확대되고 이에 따른 반도체 패키지의 고밀도화, 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커지고 있다. 이를 반영하여, 반도체 칩 크기가 점점 커지고, 동시에 칩의 두께는 얇아지며 회로의 집적도는 높아지고 있다. 그런데, 반도체 칩 자체의 모듈러스는 낮아져서 제조 공정이나 최종 제품의 신뢰성에 문제점을 야기하고 있다.
이러한, 반도체의 대형화 및 박형화의 요구에 따라, 웨이퍼 후면을 미세한 다이아몬드 입자로 구성된 연마휠로 갈아 칩의 두께를 얇게 함으로써 조립을 용이하게 하는 연삭(Back Grinding) 공정이 필수적으로 수행되는데, 상기 Back Grinding 공정 중 다량의 실리콘 잔여물(Dust) 및 파티클(Particle)에 의한 오염과 균열 발생과 같은 웨이퍼의 손상이 빈번히 발생하고 있다. 이에 따라 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(Back Grinding Tape)의 역할이 더욱 중요시되고 있다.
Back Grinding 공정이 원활하게 진행되기 위해서는, Back Grinding Tape가 효과적으로 웨이퍼의 패턴 면을 보호 하고, Grinding 공정이 끝나면 잔사 없이 용이하게 제거될 것이 요구되며, 이에 따라, Back Grinding Tape의 점착력 및 기타 물성 향상에 대한 다양한 연구가 진행되고 있다.
한편, 상기 Back Grinding Tape가 다층으로 구성되는 경우 Bake Grinding Tape의 제거 시 각층이 분리되는 문제가 발생하는 바, 패턴 면의 보호를 위한 물성 개선과 제거의 용이성을 동시에 구현할 수 있는 기술 개발이 필요하다.
한국특허 공개번호 제10-2007-0087104호
본 발명은 반도체의 제조 공정 중 백 그라인딩 공정(Back Grinding Process)에서, 웨이퍼의 표면에 부착하여 표면을 보호하기 위해 사용되는 백 그라인딩 테이프를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따르면, 하드 코팅층; 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층; 및 점착층;을 포함하고, 상기 하드 코팅층과 상기 중간층 각각이 갖는 수학식 1의 극성 에너지 값의 합이 13 dyne/cm 내지 17 dyne/cm이고, 상기 중간층의 수학식 1의 극성 에너지 값이 3.5 dyne/cm이하인, 백 그라인딩 테이프가 제공된다.
상기 백 그라인딩 테이프는 백 그라인딩 공정(Back Grinding Process)에서 웨이퍼 패턴 면의 보호를 위해 사용되는 점착성 테이프이다.
이하, 도면을 참고하여, 발명의 구현 예들에 따른 백 그라인딩 테이프에 대해 상세히 설명하기로 한다.
그에 앞서, 본 명세서에서 명시적인 언급이 없는 한, 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다.
본 명세서에서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다.
본 명세서에서 사용되는 '포함'의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
그리고, 본 명세서에서 '제 1' 및 '제 2'와 같이 서수를 포함하는 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용되며, 상기 서수에 의해 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위 내에서 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로도 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소는 제 1 구성요소로 명명될 수 있다.
또한, 본 명세서에서 기재의 “상부 (또는 하부)” 또는 기재의 “상 (또는 하)”에 임의의 구성이 형성된다는 것은, 임의의 구성이 상기 기재의 상면 (또는 하면)에 접하여 형성되는 것을 의미하는 것으로서, 상기 기재와 기재 상에(또는 하에) 형성된 임의의 구성 사이에 다른 구성을 포함하지 않는 것으로 한정하는 것은 아니다.
본 명세서에서, (메타)아크릴레이트는 아크릴레이트[acrylate] 및 (메타)크릴레이트[(meth)acrylate]를 모두 포함하는 의미이다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른, 백 그라인딩 테이프(10)의 단면 구조를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 1에 따르면, 상기 백 그라인딩 테이프(10)는 하드 코팅층(100), 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200) 및 점착층(300)을 포함할 수 있다. 상기 하드 코팅층(100), 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200) 및 점착층(300)은 순차적으로 적층될 수 있으며, 또한, 이들 하드 코팅층(100), 중간층(200) 및 점착층(300)들 어느 일면 또는 이들 중 2개층 사이에 소정의 기능층이 추가로 형성될 수도 있다.
또한, 백 그라인딩 테이프(10)가 백 그라인딩 공정에 사용되는 경우, 상기 점착층(300)이 웨이퍼 패턴에 인접하도록 부착될 수 있다.
본 발명에서는, 하드 코팅층(100)이 하부에 배치되는 것으로 보고, 그 상부에 중간층(200) 및 점착층(300)이 적층된 구조를 의미할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 백 그라인딩 테이프(10)는, 반도체의 제조 공정 중 백 그라인딩 공정(Back Grinding Process)에서, 웨이퍼 패턴 면의 보호를 위해 사용될 수 있다.
백 그라인딩 공정에 사용되는 테이프은 다층으로 구성될 수 있는데, 이 경우 테이프의 제거 단계에서 각층이 분리되는 문제점이 있어 각 층간의 충분한 밀착성이 요구된다. 또한, 상기 테이프가 백 그라인딩 공정에서 사용되는 물이나 용매 등을 흡수하여 패턴의 불량을 야기하는 문제점이 있었다. 그런데, 이러한 점착 테이프의 내수성과 밀착력은 서로 트레이드 오프 관계에 있어, 이들의 물성을 동시에 확보하기 어려운 문제점이 있었다.
이에, 본 발명자들은, 하드 코팅층(100) 및 폴리우레탄 수지를 포함한 중간층(200)에서 각각 측정된 접촉각으로부터 특정 파라미터를 도출하여, 테이프의 내수성 향상과 층 간의 밀착력을 동시에 우수한 수준으로 구현하였다.
본 발명의 일 구현 예에 따른 백 그라인딩 테이프(10)는, 하드 코팅층(100) 및 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200) 각각의 극성 에너지(Polar Energy) 값의 합이 13 dyne/cm 내지 17 dyne/cm을 만족하고, 상기 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200)의 극성 에너지(Polar Energy) 값이 3.5 dyne/cm이하를 동시에 만족함으로써, 우수한 내수성 및 층간 밀착성을 확보할 수 있다. 이에 따라, 백 그라인딩 공정이 원활하게 수행되고, 공정 완료 후 필름의 제거가 용이하여 반도체 칩의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 백 그라인딩 테이프(10)에서, 상기 하드 코팅층(100) 및 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200) 각각의 극성 에너지(Polar Energy) 값의 합이 13 dyne/cm 미만인 경우, 층 사이의 밀착력이 저하되어 백 그라인딩 공정이 원활하게 수행되기 어렵고, 백 그라인딩 공정 완료 후 필름의 제거 단계에서 각 층이 분리되는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 상기 두 층의 극성 에너지값의 합이 17 dyne/cm을 초과하는 경우, 흡습성이 증가하여 패턴에 영향을 줄 수 있으며, 필름의 두께 변화로 공정이 균일하게 수행되기 어려울 수 있다.
본 발명에 따른 백 그라인딩 테이프(10)에서, 상기 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200)의 극성 에너지(Polar Energy) 값이 3.5dyne/cm 초과인 경우, 내수성이 현저히 저하될 수 있으며, 이에 따라 백 그라인딩 공정에서 패턴 불량을 유발할 수 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 극성 에너지(Polar Energy) 값의 합은 13.3 dyne/cm 내지 16 dyne/cm이고, 상기 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200)의 극성 에너지(Polar Energy) 값이 3.0 dyne/cm이하를 동시에 만족할 수 있으며, 이 경우, 전술한 효과가 극대화될 수 있다.
본 발명에서, 상기 극성 에너지(Polar Energy)는, 하기 수학식 1에 따라 하드 코팅층(100) 및 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200)의 표면에서 각각 측정된 값이다. 고분자 재료의 표면 에너지는 특성상 점성과 탄성을 가지고 있어 직접적으로 측정할 수 없으며, 따라서, 접촉각 측정을 통한 간접적인 방법으로 표면 에너지를 계산하게 된다. 본 발명에서는, Wu-Harmonic 방법에 따라, 두 개의 측정 용액(물과 다이아이오도메탄(diiodomethane(CH2I2)) 용액)을 사용하여 각 측정 대상 면에서의 접촉각을 측정하고, 이를 Wu-Harmonic Equation에 도입하여 표면 에너지와 분산도를 계산하고 이로부터 극성 에너지를 도출하였다.
[수학식 1]
극성 에너지(Polar Energy, dyne/cm) = 표면 자유 에너지(Surface free energy, dyne/cm) - 분산도(Disperse, dyne/cm)
식 중에서, 상기 표면 자유 에너지와 분산도는 Wu-harmonic 방법에 따라 물과 다이아이오도메탄(diiodomethane(CH2I2)) 용액을 사용하여 측정된다.
본 발명에서, Wu-Harmonic Equation은 당 분야에서 통상적으로 사용되는 식으로서, Wu-Harmonic Equation에 극성 용매인 물과 비극성 용매인 다이아이오도메탄을 사용한 접촉각, 이들의 고유의 표면 장력 값을 도입하여 2개의 방정식을 각각 설계하고, 이들의 산술 평균으로부터 본원발명의 표면 자유 에너지와 분산도 값이 계산될 수 있다.
이러한, Wu-Harmonic Equation에 따른 표면 자유 에너지과 분산도의 측정은, 참고문헌 1(S. Wu, Calculation of Interfacial Tensions in Polymer Systems. In: J. Polym. Sci. 43 (1971), P.19-30.)과 참고문헌 2( S. Wu, Polar and Nonpolar Interaction in Adhesion. In: J. Adhesion 5 (1973), P. 39-55.)에 개시된 내용이 적용될 수 있다. 또한, 상업적으로 사용되는 KRUSS사의 ADVANCE의 프로그램으로부터 계산될 수 있다.
예를 들어, 본원발명의 수학식 1에서 표면 자유 에너지와 분산도는, 하기 수학식 1-1과 수학식 1-2의 방정식을 연립함으로써 도출될 수 있다.
본원의 수학식 1의 표면 자유 에너지는 하기 수학식 1-1 내지 1-2에서 σs을 의미하고, 극성 에너지는 σs D(고체의 표면 에너지의 극성 부분), 분산도는 σs ND(고체의 표면 에너지의 비극성 부분)을 의미할 수 있다. 즉, σs = σs D + σs ND(혹은 σs D = σs - σs ND)을 만족하는 것이다.
하기 수학식 1-1은 영의 방정식(Young's Equation)이다.
[수학식 1-1]
Figure 112018029341170-pat00001
상기 수학식 1-1에서,
σs는 고체의 표면 자유 에너지, θ는 대상 표면에서 측정된 접촉각, σl 액체(liquid)의 표면 장력, σsl은 액체와 고체 사이의 계면 장력이다. 여기서, 접촉각은 실험을 통해 얻어진 값이며, 액체의 표면장력은 물과 아이오도메탄이 가지는 고유의 값이다.
또한, σsl은 액체와 고체 사이의 계면 장력은 하기 수학식 2의 Fowkes method로부터 도출될 수 있다.
[수학식 1-2]
Figure 112018029341170-pat00002
상기 수학식 1-2에서, σs는 고체의 표면 자유 에너지, σl 액체(liquid)의 표면 장력이고, σs D는 고체의 표면 에너지의 극성 부분, σs ND는 고체의 표면 에너지의 비극성 부분이고, σl D는 액체의 표면 장력의 극성 부분, σl ND는 액체의 표면 장력의 비극성 부분이다.
상기 수학식 1과 수학식 2의 연립을 통해, 각 용매에 대한 고분자층의 표면 자유 에너지 값과 분산도 값이 도출될 수 있으며, 이들의 산술 평균 값을 통해 본원발명의 표면 자유 에너지 값과 분산도 값이 도출될 수 있다.
하드 코팅층(100)
본 발명의 일 구현예에 따른 백 그라인딩 테이프(10)에서, 상기 하드 코팅층(100)은 백 그라인딩 공정에서 외부의 이물(그라인딩 공정에 사용되는 연마제, 용매 등) 및 물리적 충격 등으로부터 패턴을 보호하기 위한 최외곽층이며, 적정 강도를 구현하는 소재가 선택될 수 있다.
본 발명에서, 상기 하드 코팅층(100)은 전술한 특정 극성 에너지 파라미터 값을 만족함으로써, 우수한 내수성을 나타내며, 하부 층과의 밀착력이 뛰어나, 백 그라인딩 공정용 필름으로 사용되기 적합하다.
상기 하드 코팅층(100)은 두께가 0.1㎛ 내지 10㎛일 수 있으며, 바람직하게는, 1㎛ 내지 5㎛일 수 있고, 상기 두께 범위를 만족하는 경우, 적정 강도를 구현하면서도 핸들링이 용이하며, 백 그라인딩 공정에서 불필요한 단차 발생을 막아 공정에 영향을 미치지 않아 바람직하다.
상기 하드 코팅층의 두께가 0.1㎛ 미만이면 블로킹 방지 효과가 미미할 수 있고, 10㎛ 초과이면 웨이퍼 부착시 기포 발생이 증가할 수 있고, 필름의 응력 완화율이 저하될 수 있다.
상기 하드 코팅층(100)은 전술한 극성 파라미터를 만족시킬 수 있는 소재가 적절히 선택될 수 있으며, 구체적으로는, 폴리에스테르계 화합물, 아크릴계 화합물, 변성우레탄계 화합물, 셀룰로오스 아세테이트계 화합물 및 폴리카프로락톤계 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 하드 코팅층(100)은 압출 공정, 캐스팅 공정, 캘린더링 공정, 열경화 공정, 광경화 공정에 의해 제조될 수 있으며, 상기 하드 코팅층이 광경화 공정에 의해 형성되는 경우, 전술한 성분 외에 경화성 모노머, 광경화 개시제 및 추가 첨가제를 포함하는 하드 코팅층 형성용 조성물을 기재 필름 상부에 도포하고, 이를 광경화하여 형성될 수 있다.
기재 필름은 이형성을 가진 소재로 형성될 수 있으며, 상부에 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200) 및 점착층(300)이 형성된 후에 제거될 수 있다.
폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200)
본 발명의 일 구현예에 따른 백 그라인딩 테이프(10)에서, 상기 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200)은 상기 하드 코팅층(100)의 상부에 형성되며, 백 그라인딩 공정에서 외부의 이물(그라인딩 공정에 사용되는 연마제나 용매 등) 및 물리적 충격 등으로부터 패턴을 보호하기 위한 층으로서, 응력 완화성이 뛰어난 소재가 선택될 수 있다.
본 발명에서, 상기 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200)은 전술한 특정 극성 에너지 파라미터 값을 만족함으로써, 우수한 내수성을 나타내며, 하부 하드 코팅층(100)과의 밀착력이 뛰어나, 백 그라인딩 공정용 필름으로 사용되기 적합하다.
상기 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200)은, 두께가 50㎛ 내지 500㎛일 수 있으며, 바람직하게는, 100㎛ 내지 300㎛일 수 있고, 상기 두께 범위를 만족하는 경우, 적정 응력 완화성을 구현하여 외부의 물리적 충격으로부터 패턴을 보호하기 적합하고, 특히, 외부 수분을 흡수하더라도 패턴 면에 영향을 최소화할 수 있다. 상기 중간층의 두께가 50㎛ 미만이면 필름의 내구성이 다소 부족하여 지지체로서의 역할을 수행하기 어려울 수 있다.
상기 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200)은 폴리우레탄계 수지, 아크릴레이트계 단량체, 경화제 및 광개시제를 포함하는 중간층 형성용 조성물로 형성될 수 있다.
상기 폴리우레탄계 수지는, 주사슬의 반복 단위 중에 우레탄 결합(-NHCOO-)을 가지는 고분자 수지로서, 디올계 화합물과 디이소이아네이트 화합물의 축합 중합 반응에 의해 형성될 수 있다.
상기 폴리우레탄계 수지를 합성하는데 사용되는 디올계 화합물의 구체적인 예로는, 에틸렌 글리콜, 1,4-부탄 디올, 디에틸렌 글리콜, 폴리카보네이트 다이올 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 폴리우레탄계 수지를 합성하는데 사용되는 이소시아네이트의 구체적인 예로는, 4 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 이소시아네이트로서, 예를 들면, 테트라메틸렌 1,4-다이이소시아네이트, 펜타메틸렌 1,5-메틸렌다이이소시아네이트, 헥사메틸렌 1,6-다이이소시아네이트, 2-메틸-1,5-다이이소시아네이토펜탄, 옥타메틸렌-1,8-다이이소시아네이트, 데카메틸렌 1,10-다이이소시아네이트, 도데카메틸렌 1,12-다이이소시아네이트, 테트라데카메틸렌 1,14-다이이소시아네이트, 2,2,4- 및 2,4,4-트라이메틸헥산 이소시아네이트, 1,3-비스(1-이소시아네이토-1-메틸에틸)벤젠 (m-TMXDI), 리신 다이이소시아네이트의 유도체 등을 들 수 있고, 상기 이소시아네이트의 혼합물도 사용될 수 있다. 또한, 이소보론 디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'디이소시아네이트, 이소포론 디이소시아네이트, 톨루엔 디이소시아네이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 폴리우레탄계 수지를 합성에는 희석 모노머로서 (메타)아크릴레이트계 단량체 및 말단 캡핑제로 히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트로가 더 포함될 수 있다. 다만, 희석 모노머는 반응에는 참여하지 않아 잔류할 수 있다. 이들은 후술하는, (메타)아크릴레이트계 단량체의 성분이 동일하게 적용될 수 있다.
상기 폴리우레탄계 수지의 함량은 조성물 총 중량에 대하여 10 내지 40중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는, 15 내지 35중량% 또는 20 내지 30중량%로 포함될 수 있으며, 상기 함량 범위로 사용되는 것이 최종 다층 필름의 내수성과 층간의 밀착성을 동시에 향상시킬 수 있어 바람직하다.
상기 아크릴레이트계 단량체의 구체적인 예로는, 지방족 (메타)아크릴레이트, 지환족 (메타)아크릴레이트, 방향족 (메타)아크릴레이트, 히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트, 카르복실기 함유(메타)아크릴레이트 등을 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 혼합되어 사용될 수 있다. 이중, 히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트를 포함하는 것이 본원발명이 한정한 극성 에너지 파라미터를 만족시키기에 적합하다.
상기 지방족 알킬(메타)아크릴레이트로는, 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트를 들 수 있고, 구체적으로는, 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, n-프로필 (메타)아크릴레이트, 이소프로필 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸 (메타)아크릴레이트, sec-부틸 (메타)아크릴레이트, 펜틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 2-에틸부틸 (메타)아크릴레이트, n-옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소노닐 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 지환족 알킬(메타)아크릴레이트로는, 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기를 갖는 사이클로알킬(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 이소보닐아크릴레이트(IBOA), 트리메틸사이클로헥실 아크릴레이트, 싸이클로펜실(메타)아크릴레이트, 싸이클로헥실(메타)아크릴레이트, 디사이클로펜타닐메타아크릴레이트, 디사이클로펜테닐옥시메타아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 방향족 알킬(메타)아크릴레이트로는, 탄소수 6 내지 30의 방향족기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 페닐히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, o-페닐페놀 EO (메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페닐페녹시프로필 (메타)아크릴레이트, 페놀 EO (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트로는, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 상기 카르복실기 함유(메타)아크릴레이트로는, (메타)아크릴산(acrylic acid), 크로톤산(crotonic acid), 말레산(maleic acid), 푸마르산(fumaric acid) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 아크릴레이트계 단량체의 함량은 조성물 총 중량에 대하여 50 내지 85중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는, 65 내지 80중량%로 포함될 수 있으며, 상기 함량 범위로 사용되는 것이 최적의 경화 효율을 구현하면서 경제성이 뛰어나 바람직하다. 상기 아크릴레이트계 단량체에는 폴리우레탄계 수지 합성 중 사용된 희석 모노머도 포함될 수 있다.
또한, 상기 아크릴레이트계 단량체에 히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트를 포함하는 경우, 상기 히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트는 상기 히드록시기는 중간층 형성의 광경화 반응에 참여하지 않으며, 이에 따라, 중간층으로 형성된 후, 본원발명이 목적하는 극성 에너지 파라미터에 영향을 주게 된다. 이에 따라, 상기 히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트는, 조성물 총 함량에 대하여 1 내지 25중량%, 바람직하게는 5 내지 15중량%로 포함될 수 있으며, 상기 함량 범위로 포함되어, 본원발명이 한정한 극성 에너지 파라미터를 만족시키기에 적합하며, 이에 따라, 최종 다층 필름의 내수성과 층간의 밀착성을 동시에 향상시킬 수 있다. 한편, 히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트 외에 다른 아크릴레이트계 단량체는 전술한 범위(40 내지 90중량%)를 만족하도록 잔량으로 포함될 수 있다.
상기 경화제의 구체적인 예로는, 다관능성 아크릴레이트 등의 극성 단량체일 수 있고, 구체적으로는, 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,2-에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,12-도데칸디올 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 아디페이트 디(메타)아크릴레이트, 히드록시피발산 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐 디(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐 디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성 디(메타)아크릴레이트, 디(메타)아크릴록시 에틸 이소시아누레이트, 알릴화 시클로헥실 디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올 (메타)아크릴레이트, 디메틸롤 디시클로펜탄 디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성 헥사히드로프탈산 디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸 디메탄올(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 변성 트리메틸프로판 디(메타)아크릴레이트, 아다만탄 디(메타)아크릴레이트, 9,9-비스[4-(2-아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌, 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥시드 변성 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 트리스(메타)아크릴록시에틸이소시아누레이트, 디글리세린 테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리쓰리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리쓰리톨 헥사(메타)아크릴레이트 및 이소시아네이트 단량체와 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트의 반응물인 우레탄 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 경화제의 함량은 중간층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는, 0.5 내지 2중량%로 포함될 수 있으며, 상기 함량 범위로 사용되는 것이 최적의 경화 효율을 구현하면서 경제성이 뛰어나 바람직하다.
상기 광개시제는 광조사에 의해 광경화 반응을 개시하는 것이면 특별히 제한되지 않고 사용될 수 있으며, 구체적인 예로는, 벤조인메틸에테르, 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일) 페닐포스핀옥사이드, α,α-메톡시-α-하이드록시아세토페논, 2-벤조일-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-몰포닐)페닐]-1-부타논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2, 2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 1-하이드록시-사이클로헥실-페닐케톤, 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 광개시제는 중간층 형성용 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 5중량%, 0.3 내지 1.5중량%로 포함될 수 있으며, 상기 함량 범위로 사용되는 것이 최적의 광경화 효율을 구현하면서 경제성이 뛰어나 바람직하다.
상기 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200)은 광경화 공정에 의해 제조될 수 있으며, 전술한 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층 형성용 조성물을 하드 코팅층(100) 상부에 도포하고, 이를 광경화하여 형성될 수 있다.
점착층 (300)
본 발명의 일 구현예에 따른 백 그라인딩 테이프(10)에서, 상기 점착층(300)은 상기 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200)의 상부에 형성되며, 웨이퍼 패턴에 인접하여 부착되는 층이며, 광경화성 감압성 점착제 소재가 선택될 수 있다.
본 발명에서, 상기 점착층(300)은 반도체 웨이퍼 등의 제품을 가공할 때에는 적절한 점착력을 가져 공정 중 상기 반도체 웨이퍼에 확실히 부착되어 있고, 가공 후에는 제품 등에 부하를 걸지 않으면서 용이하게 박리할 수 있어야 한다. 따라서, 열경화제 및 광개시제를 일정 함량 함유하는 소재가 적용되는 것이 바람직하다.
상기 점착층(300)은 열경화에 의해 상기 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200)의 상부에 성막하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제조하고, 백 그라인딩 공정이 완료된 후에는 추가적인 광조사에 의해 상기 점착층(300)을 웨이퍼 표면으로부터 박리할 수 있는 소재가 적용되는 것이 바람직하다.
상기 점착층(300)은, 두께가 0.5㎛ 내지 60㎛일 수 있으며, 바람직하게는, 1㎛ 내지 50㎛ 또는 5㎛ 내지 40㎛일 수 있고, 상기 두께 범위를 만족하는 경우, 웨이퍼 표면에 점착 및 박리가 용이하고, 점착제층의 두께가 상기 범위를 벗어나는 경우 균일한 점착제층을 얻기 어렵고 필름의 물성이 불균일해 질 수 있다. 두께가 0.5㎛ 미만일 경우, 층의 두께가 너무 얇아 점착력이 저하될 수 있고, 반대로 두께가 60㎛를 초과하는 경우, 과도한 두께로 인해 점착 필름 제거시 웨이퍼 표면에 잔사가 잔존할 문제점이 있다.
상기 점착층(300)은 아크릴레이트계 열경화성 수지를 포함할 수 있으며, 용매, 열경화제 및 광개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 아크릴레이트계 열경화성 수지는, 아크릴레이트계 단량체, 중합 개시제 및 용매를 혼합하여 중합 반응을 수행하고, 중합된 아크릴레이트계 중합체를 경화제와 반응시켜 제조될 수 있다.
상기 점착층(300)은 전술한 성분에 추가 첨가제 및 용매를 포함하는 점착층 형성용 조성물을 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층(200) 상부에 도포하고 이를 열경화함으로써 형성할 수 있으며, 또는 별도의 이형성 기재 필름에 형성하고 나서 이를 폴리우레탄계 필름층(200)에 접합하여 형성할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 백 그라인딩 테이프(10)는 하드 코팅층; 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층; 및 점착층;을 포함하고, 전술한 극성 에너지에 대한 특정 파라미터를 만족함으로써, 반도체 웨이퍼를 정밀 가공하는 공정에서, 표면에 존재하는 회로 패턴 등이 손상되거나, 공정 중에 발생한 이물질, 수분 또는 화학 물질 등에 의해 반도체 웨이퍼가 오염되는 것을 용이하게 방지할 수 있다. 또한, 상기 백 그라인딩 테이프(10)는 전술한 물성을 만족하여, 반도체 웨이퍼의 정밀가공이 완료된 이후에 박리 잔사 없이 제거될 수 있다.
본 발명에 따른 백 그라인딩 테이프는, 내수성이 뛰어나 패턴의 보호가 용이하고, 각 층간의 밀착성이 우수하여 필름의 제거 공정에서 각 층이 분리되지 않아, Back Grinding 공정에 적합한 테이프의 제공을 가능케 한다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른, 백 그라인딩 테이프(10)의 단면 구조를 개략적으로 나타낸 것이다.
이하, 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예들을 제시한다. 그러나 하기의 실시예들은 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 발명을 이들만으로 한정하는 것은 아니다.
제조예 1: 하드 코팅층 형성용 조성물
제조예 1-1: 하드 코팅층 형성용 조성물
조광페인트의 PS1000(폴리카프로락톤계 화합물 포함) 40g, PS1000 blue 8g, 희석용제로 메틸에틸케톤(MEK) 7g를 혼합하여 하드코팅층 형성용 조성물(1-1)을 제조하였다.
제조예 1-2: 하드 코팅층 형성용 조성물
삼영잉크의 CAP varnish(셀룰로오스 아세테이트계 화합물 포함) 50g, 희석용제로 메틸에틸케톤(MEK) 50g 혼합하여 하드코팅층 형성용 조성물(1-2)제조하였다.
제조예 1-3: 하드 코팅층 형성용 조성물
삼영잉크의 A-PET 328 varnish(폴리에스테르계 화합물 포함) 30g, Acrylic blue(T-6) 10g, 메틸에틸케톤(MEK) 20g, 삼영잉크의 LP.SUPER 경화제 0.15g를 혼합하여 하드코팅층 형성용 조성물(1-3)을 제조하였다.
제조예 1-4: 하드 코팅층 형성용 조성물
고분자 실리콘 수지인 신에츠실리콘의 KS-3650 6g, 백금촉매 PL-50T 0.1g, 용매로 톨루엔 50g, 메틸에틸케톤(MEK) 50g을 혼합하여, 하드코팅층 형성용 조성물(1-4)을 제조하였다.
제조예 2: 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층 형성용 조성물
제조예 2-1: 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층 형성용 조성물
폴리카보네이트 다이올 21g, 아이소포론 디이소시아네이트(IPDI) 3g, 희석 모노머로서 사이클로헥실메타아크릴레이트(CHMA) 21g를 혼합하여 중합 반응을 진행한 뒤, 1-하이드록시에틸메타아크릴레이트(1-HEMA) 1g를 사용하여 말단을 캡핑하여, 중량 평균 분자량이 30,000g/mol인 폴리우레탄 올리고머를 합성하였다.
다음으로, 상기 제조된 폴리우레탄 올리고머 25g, 잔존하는 희석 모노머 사이클로헥실메타아크릴레이트(CHMA) 21g, o-페닐페놀 EO 아크릴레이트(OPPEA) 22g, 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 32g, 경화제인 1,6-헥산다이올 디아크릴레이트(HDDA) 2g, 광개시제로 Irgacure 651 0.5g을 혼합하여 중간층 형성용 조성물 조성물(2-1)을 제조하였다.
제조예 2-2: 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층 형성용 조성물
폴리카보네이트 다이올 21g, 아이소포론 디이소시아네이트(IPDI) 3g, 희석 모노머로서 트리메틸사이클로헥실 아크릴레이트(TMCHA) 21g를 혼합하여 중합 반응을 진행한 뒤, 1-하이드록시에틸메타아크릴레이트(1-HEMA) 1g를 사용하여 말단을 캡핑하여, 중량 평균 분자량이 30,000g/mol인 폴리우레탄 올리고머를 합성하였다.
다음으로, 상기 제조된 폴리우레탄 올리고머 25g, 잔존하는 희석 트리메틸사이클로헥실 아크릴레이트(TMCHA) 21g, o-페닐페놀 EO 아크릴레이트(OPPEA) 29g, 아이소보닐 아크릴레이트(IBOA) 10g, 하이드록시에틸아크릴레이트(HEA) 10g, 2-하이드록시-3-페닐페녹시프로필아크릴레이트 5g, 경화제인 1,6-헥산다이올 디아크릴레이트(HDDA) 2g, 광개시제로 Irgacure 651 0.5g을 혼합하여 중간층 형성용 조성물(2-2)을 제조하였다.
제조예 2-3: 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층 형성용 조성물
폴리카보네이트 다이올 21g, 아이소포론 디이소시아네이트(IPDI) 3g, 희석 모노머로서 아이소보닐 아크릴레이트(IBOA) 33g를 혼합하여 중합 반응을 진행한 뒤, 1-하이드록시에틸메타아크릴레이트(1-HEMA) 1g를 사용하여 말단을 캡핑하여, 중량 평균 분자량이 30,000g/mol인 폴리우레탄 올리고머를 합성하였다.
다음으로, 상기 제조된 폴리우레탄 올리고머 25g, 잔존하는 희석 트리메틸사이클로헥실 아크릴레이트(TMCHA) 33g, o-페닐페놀 EO 아크릴레이트(OPPEA) 22g, 하이드록시에틸아크릴레이트(HEA) 15g, 에틸헥실아크릴레이트(EHA) 5g, 경화제인 1,6-헥산다이올 디아크릴레이트(HDDA) 2g, 광개시제로 Irgacure 651 0.5g을 혼합하여 중간층 형성용 조성물(2-3)을 제조하였다.
제조예 3: 점착층 형성용 조성물
2-에틸헥실아크릴레이트(2-EHA) 72g, 2-하이드록시에틸아크릴레이트(2-HEA) 13g를 중합 개시제로는 벤조일 퍼옥사이드 0.1g, 메틸에틸케톤(MEK) 100g를 사용하여 아크릴계 중합체 185g를 제조하였다.
상기 제조된 아크릴계 중합체 100g와 메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트(MOI) 15g와 반응시켜 아크릴계 열경화성 수지를 제조하였다.
제조된 열경화성 수지 30g과 메틸에틸케톤(MEK) 70g을 혼합하여 열경화성 점착층 형성용 조성물을 제조하였다.
실시예 1
이형성 필름(L02, 율촌화학) 상부에 제조예 1-2에 따른 하드 코팅층 형성용 조성물을 도포하고, 110℃에서 2분간 열경화시켜 두께가 1.0㎛인 하드 코팅층을 형성하였다.
다음으로, 상기 하드 코팅층의 상부에 제조예 2-2에 따른 폴리 우레탄 필름층 형성용 조성물을 도포하고, 산소를 차단하기 위해 상기 코팅층 위에 투명한 이형성 기재 필름을 접합하고, 이를 주파장이 365nm인 UV램프를 사용하여 경화시켜 두께가 160㎛인 폴리우레탄계 중간층을 형성하였다. 이후, 상기 투명한 이형성 기재 필름을 제거하였다.
이형성 필름의 상부에 상기 제조예 3에 따른 점착층 형성용 조성물을 도포하고, 110℃ 온도의 오븐에서 3분 동안 방치하여 두께가 20㎛인 점착층을 형성하였다. 다음으로, 상기 폴리우레탄 중간층과 합지하고, 최종적으로, (이형성 필름)하드코팅층, 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층 및 점착층(이형성 필름)이 순차로 적층된 반도체 공정용 점착 필름을 제조하였다. 점착층에 형성된 이형성 필름은 백 그라인딩 공정 직전 제거될 수 있다.
실시예 2 내지 4 및 비교예 1 내지 8
하기 표 1에 사용된 성분을 조합하여 사용하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 백 그라인딩 테이프를 제조하였다.
단, 하드 코팅층의 형성 시에 제조예 1-1의 하드 코팅층 형성용 조성물을 사용하는 경우, 조성물을 도포한 후, 70℃에서 1분간 열 건조하고, 메탈할라이드램프 UV 800 mJ/cm2 UV-A 조사하여 하드 코팅층을 형성하였다.
구분 하드 코팅층 폴리우레탄계 중간층 극성 에너지 합
(①+②)
성분 극성 에너지(①) 성분 극성 에너지(②)
실시예 1 제조예 1-2 13.0 제조예 2-2 2.2 15.2
실시예 2 제조예 1-3 12.3 제조예 2-2 2.2 14.5
실시예 3 제조예 1-2 13.0 제조예 2-3 1.1 14.1
실시예 4 제조예 1-3 12.3 제조예 2-3 1.1 13.4
비교예 1 제조예 1-1 10.3 제조예 2-1 4.0 14.3
비교예 2 제조예 1-1 10.3 제조예 2-2 2.2 12.5
비교예 3 제조예 1-1 10.3 제조예 2-3 1.1 11.4
비교예 4 제조예 1-2 13.0 제조예 2-1 4.0 17.0
비교예 5 제조예 1-3 12.3 제조예 2-1 4.0 16.3
비교예 6 제조예 1-4 3.0 제조예 2-1 4.0 7.0
비교예 7 제조예 1-4 3.0 제조예 2-2 2.2 5.2
비교예 8 제조예 1-4 3.0 제조예 2-3 1.1 4.1
시험예
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 백 그라인딩 테이프에 대하여 하기의 방법으로 물성을 평가하였고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
1) 극성 에너지 파라미터
실시예 및 비교예의 제조 공정 중 하드 코팅층 형성용 조성물을 이형성 기재 필름에 별도로 도포하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 하드 코팅층을 1.0㎛ 두께로 형성하고, 이를 20x50mm의 샘플로 제조하였다.
실시예 및 비교예의 제조 공정 중 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층 형성용 조성물을 기재 필름에 별도로 도포하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층을 160㎛ 두께로 형성하고, 이를 20x50mm의 샘플로 제조하였다.
상기 제조된 각각의 샘플에 대하여, 하기 수학식 1에 따라 극성 에너지 값을 측정하였으며, 그 결과는 표 1에 기재하였다.
[수학식 1]
극성 에너지(Polar Energy, dyne/cm) = 표면 자유 너지(Surface energy, dyne/cm) - 분산도(Disperse, dyne/cm)
2) 내수성 평가
실시예 및 비교예의 제조 공정 중 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층 형성용 조성물을 이형성 기재 필름에 별도로 도포하고, 동일한 방법으로 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층을 160㎛ 두께(①)로 형성하고, 이를 20x50mm의 샘플로 제조하였다.
상기 샘플을 약 25℃의 증류수에 60분간 침지한 후, 샘플의 두께(②)를 측정하고, 침지 전후의 두께 변화율(②-①/①)*100(%))를 측정하였으며, 하기 기준에 따라 내수성을 평가하여 그 결과를 표 2에 기재하였다.
<내수성 평가 기준>
◎: 0% 내지 1% 미만
○: 1% 이상 내지 2% 미만
△: 2% 이상 내지 4% 미만
Ⅹ: 4% 이상
3) 부착성 평가
실시예 및 비교예에서 제조한 반도체 공정용 점착 필름에 대하여, Cross-Cut Test를 실시하였으며, 샘플에 1 mm 간격으로 선을 그어 바둑판 모양을 만든 후 3M 매직테이프를 부착 후 수직방향으로 당겨 tape 탈착 과장에서 하드코팅 필름이 전사되는 정도를 측정하였으며, 하기 기준에 따라 부착성을 평가하고 그 결과를 표 2에 기재하였다.
<부착성 평가 기준>
◎: 전사 없음
○: 5% 이하 전사됨
△: 5% 초과 25% 이하 전사됨
Ⅹ: 25% 이상 전사됨
구분 내수성 부착성
실시예 1
실시예 2
실시예 3
실시예 4
비교예 1 X
비교예 2 X
비교예 3 X
비교예 4 X
비교예 5 X
비교예 6 X
비교예 7 X
비교예 8 X
상기 표 2에서 확인할 수 있듯이, 본 발명이 한정한 극성 에너지에 대한 파라미터를 벗어나는 비교예들의 경우, 필름의 내수성과 부착성을 동시에 확보할 수 없음을 확인하였다.
본 발명의 실시예들은 우수한 내수성과 부착성을 구현하며, 이에 따라, 반도체 공정, 특히 백 그라인딩 공정에 사용되는 경우, 수분이나 외부 이물로부터 웨이터 패턴을 충분히 보호하고, 공정이 완료된 후 박리 잔사 및 필름의 층 분리 없이 제거가 용이함을 확인할 수 있었다.
10: 백 그라인딩 테이프
100: 하드 코팅층
200: 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층
300: 점착층

Claims (11)

  1. 하드 코팅층; 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층; 및 점착층;을 포함하고,
    상기 하드 코팅층과 상기 중간층 각각이 갖는 하기 수학식 1의 극성 에너지 값의 합이 13 dyne/cm 내지 17 dyne/cm이고,
    상기 중간층의 하기 수학식 1의 극성 에너지 값이 0 dyne/cm 초과 3.5 dyne/cm이하인, 백 그라인딩 테이프:
    [수학식 1]
    극성 에너지(Polar Energy, dyne/cm) = 표면 자유 에너지(Surface free energy, dyne/cm) - 분산도(Disperse, dyne/cm)
    식 중에서, 상기 표면 자유 에너지와 분산도는 Wu-harmonic 방법에 따라 물과 다이아이오도메탄(diiodomethane(CH2I2)) 용액을 사용하여 측정된다.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 하드 코팅층 및 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층 각각의 극성 에너지 값의 합이 13.3 dyne/cm 내지 16 dyne/cm이고, 상기 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층의 극성 에너지 값이 0 dyne/cm 초과 3.0 dyne/cm이하인, 백 그라인딩 테이프.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 하드 코팅층의 두께는 0.1㎛ 내지 10㎛인, 백 그라인딩 테이프.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층의 두께는 50㎛ 내지 500㎛인, 백 그라인딩 테이프.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 점착층의 두께는 0.5㎛ 내지 60㎛인, 백 그라인딩 테이프.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 하드 코팅층은, 폴리에스테르계 화합물, 아크릴계 화합물, 변성 폴리우레탄계 화합물, 셀룰로오스 아세테이트계 화합물 및 폴리카프로락톤계 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는, 백 그라인딩 테이프.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 폴리우레탄계 수지를 포함한 중간층은, 폴리우레탄계 수지, 아크릴레이트계 단량체, 경화제 및 광개시제를 포함하는 중간층 형성용 조성물로 형성되는, 백 그라인딩 테이프.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 아크릴레이트계 단량체는, 히드록시기 함유 아크릴레이트계 단량체를 포함하는, 백 그라인딩 테이프.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 히드록시기 함유 아크릴레이트계 단량체는, 조성물 총 함량에 대하여 1 내지 25중량%로 포함되는, 백 그라인딩 테이프.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 점착층은, 아크릴레이트계 열경화성 수지, 경화제, 광개시제 및 용매를 포함하는 점착층 형성용 조성물로 형성되는, 백 그라인딩 테이프.
  11. 제 1항에 있어서,
    백 그라인딩 공정(Back Grinding Process)에 사용되는, 백 그라인딩 테이프.
KR1020180033909A 2018-03-23 2018-03-23 백 그라인딩 테이프 KR102228537B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180033909A KR102228537B1 (ko) 2018-03-23 2018-03-23 백 그라인딩 테이프
EP19772079.0A EP3730566A4 (en) 2018-03-23 2019-03-07 BACK SIDE SANDING TAPE
CN201980010500.4A CN111670233B (zh) 2018-03-23 2019-03-07 背面研磨带
JP2020537680A JP6961288B2 (ja) 2018-03-23 2019-03-07 バックグラインディングテープ
PCT/KR2019/002671 WO2019182271A1 (ko) 2018-03-23 2019-03-07 백 그라인딩 테이프
US16/969,255 US11466178B2 (en) 2018-03-23 2019-03-07 Back-grinding tape
TW108108623A TWI691578B (zh) 2018-03-23 2019-03-14 背面研磨膠帶

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180033909A KR102228537B1 (ko) 2018-03-23 2018-03-23 백 그라인딩 테이프

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190111579A KR20190111579A (ko) 2019-10-02
KR102228537B1 true KR102228537B1 (ko) 2021-03-15

Family

ID=67987397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180033909A KR102228537B1 (ko) 2018-03-23 2018-03-23 백 그라인딩 테이프

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11466178B2 (ko)
EP (1) EP3730566A4 (ko)
JP (1) JP6961288B2 (ko)
KR (1) KR102228537B1 (ko)
CN (1) CN111670233B (ko)
TW (1) TWI691578B (ko)
WO (1) WO2019182271A1 (ko)

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08311412A (ja) * 1995-05-24 1996-11-26 Sekisui Chem Co Ltd 多層型粘着テープの製造方法
DE10050788A1 (de) 2000-10-13 2002-04-18 Basf Ag Zusammensetzung zur Herstellung schwerbenetzbarer Oberflächen
JP4493296B2 (ja) 2002-07-26 2010-06-30 日東電工株式会社 加工用粘着シートとその製造方法
JP4726405B2 (ja) 2002-07-26 2011-07-20 日東電工株式会社 加工用粘着シートとその製造方法
JP4666565B2 (ja) * 2003-10-06 2011-04-06 日東電工株式会社 半導体ウエハ加工用保護シート及び半導体ウエハの裏面研削方法
JP4603578B2 (ja) 2005-02-18 2010-12-22 三井化学株式会社 半導体ウェハ表面保護シート及び該保護シートを用いる半導体ウェハの保護方法
JP2007084722A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Nitto Denko Corp 粘着シートとその製造方法、及び、製品の加工方法
JP5049620B2 (ja) * 2007-03-20 2012-10-17 リンテック株式会社 粘着シート
WO2010138724A1 (en) 2009-05-27 2010-12-02 Rogers Corporation Polishing pad, polyurethane layer therefor, and method of polishing a silicon wafer
US9263314B2 (en) 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
KR101985049B1 (ko) * 2012-02-17 2019-05-31 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프
CN104781912A (zh) * 2012-11-20 2015-07-15 古河电气工业株式会社 半导体芯片的制造方法及使用于该方法的薄膜研磨用表面保护带
KR101470467B1 (ko) 2013-03-15 2014-12-08 주식회사 엘지화학 코팅 조성물
KR101584895B1 (ko) * 2013-09-30 2016-01-13 주식회사 엘지화학 편광판
KR101671431B1 (ko) * 2013-11-19 2016-11-01 주식회사 엘지화학 플라스틱 필름
JP5718515B1 (ja) * 2014-01-23 2015-05-13 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法
KR102098114B1 (ko) 2014-03-20 2020-04-07 동우 화인켐 주식회사 광학 필름
WO2015148366A1 (en) 2014-03-26 2015-10-01 3M Innovative Properties Company Polyurethane compositions, films, and methods thereof
US10388556B2 (en) 2014-04-11 2019-08-20 Lintec Corporation Base for back grind tapes, and back grind tape
DE102014219095A1 (de) 2014-09-22 2016-03-24 Nissan Chemical Industries, Ltd. Wafer-Träger-Anordnung
JP6566365B2 (ja) 2015-01-30 2019-08-28 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シート
KR101596664B1 (ko) 2015-11-18 2016-03-07 정찬수 보호필름
KR102112359B1 (ko) * 2016-02-24 2020-05-18 주식회사 엘지화학 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름
KR102040252B1 (ko) * 2016-04-06 2019-11-04 주식회사 엘지화학 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름
US11183416B2 (en) * 2016-10-03 2021-11-23 Lintec Corporation Adhesive tape for semiconductor processing, and semiconductor device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP6961288B2 (ja) 2021-11-05
US11466178B2 (en) 2022-10-11
JP2021510456A (ja) 2021-04-22
US20210002518A1 (en) 2021-01-07
CN111670233A (zh) 2020-09-15
EP3730566A1 (en) 2020-10-28
CN111670233B (zh) 2022-12-09
TW201940626A (zh) 2019-10-16
TWI691578B (zh) 2020-04-21
EP3730566A4 (en) 2021-03-17
KR20190111579A (ko) 2019-10-02
WO2019182271A1 (ko) 2019-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102152605B1 (ko) 보호막 형성용 필름
JP3383227B2 (ja) 半導体ウエハの裏面研削方法
KR101708909B1 (ko) 점착시트 및 반도체 웨이퍼의 가공방법, 반도체 칩의 제조방법
JP6573282B2 (ja) バックグラインドテープ用基材、及びバックグラインドテープ
JP4519409B2 (ja) 粘着シートおよびその使用方法
JP5184161B2 (ja) 半導体加工用テープ
JP5282113B2 (ja) 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート
WO2012128311A1 (ja) 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート
US11492520B2 (en) Reinforcing film
JPWO2009001732A1 (ja) 半導体ウエハ研削方法とそれに用いる樹脂組成物及び保護シート
KR101483076B1 (ko) 웨이퍼 가공용 시트 및 시트를 이용한 웨이퍼 가공방법
JP5089358B2 (ja) ウエハ加工用テープ
WO2019181730A1 (ja) 粘着テープおよび半導体装置の製造方法
KR102228537B1 (ko) 백 그라인딩 테이프
JP5367996B2 (ja) 粘着シートの基材フィルムおよび粘着シート
JP5184685B1 (ja) 半導体ウエハ加工用テープ
TWI796513B (zh) 積層體
KR20200024591A (ko) 백 그라인딩 테이프
KR101174854B1 (ko) 방사선 박리형 점착제 조성물 및 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트
JP5898445B2 (ja) 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート
JP2024034672A (ja) 仮固定用粘接着材及び仮固定用粘接着材を用いたウエハの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant