KR102221447B1 - Method and apparatus for detecting defects of plate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 웨이퍼 등의 판재의 결함을 검출하는 방법 및 장치에 대한 발명이다. The present invention relates to a method and apparatus for detecting defects in a plate material such as a wafer.
특허발명 001은 반응이온 에칭을 이용한 웨이퍼의 결함 검출방법 및 이를 위한 웨이퍼 구조에 대한 발명이며, 반응이온에칭(RIE: Reactive Ion Etching)을 이용한 웨이퍼의 결함 검출방법에 관한 것으로서, 실리콘웨이퍼 위에 에치 마스크(Etch Mask) 박막을 형성하는 단계; 상기 에치 마스크 박막을 패터닝(Patterning)하는 단계; 챔버 내부에서 상기 실리콘 웨이퍼에 대하여 반응이온에칭(RIE) 공정을 수행하여 상기 에치 마스크 패턴의 투과창에 의해 노출된 웨이퍼 표면을 식각하는 단계; 및 상기 반응이온에칭(RIE)에 의해 드러난 웨이퍼 결함을 관측하는 단계;를 포함하는 것을 제시한다.Patent Invention 001 is an invention of a method for detecting defects on a wafer using reactive ion etching and a wafer structure therefor, and relates to a method for detecting defects on a wafer using reactive ion etching (RIE), and an etch mask on a silicon wafer. (Etch Mask) forming a thin film; Patterning the etch mask thin film; Etching the wafer surface exposed by the transmission window of the etch mask pattern by performing a reactive ion etching (RIE) process on the silicon wafer inside the chamber; And observing wafer defects revealed by the reactive ion etching (RIE).
특허발명 002는 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법에 대한 것이며, 실리콘 웨이퍼가 가지고 있는 미세한 결함 요인을 검출하기 위한 방법으로서, 분위기 가스 내에서 실리콘 웨이퍼를 500 - 1300 ℃까지 온도범위 내에서 미소 결함 요소를 측정 가능한 크기로 성장시키기 위하여 실시하는 열처리단계, 웨이퍼 표면을 경면 폴리싱하는 단계, 폴리싱된 웨이퍼를 세정하는 단계, 및 성장된 결함을 파티클 카운터로 검사하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법을 제시한다. Patent Invention 002 relates to a method for detecting defects on a semiconductor wafer, and is a method for detecting microscopic defect factors of a silicon wafer. It is possible to measure micro defects within a temperature range of 500-1300 ℃ in a silicon wafer in an atmospheric gas. A method for detecting defects in a semiconductor wafer comprising a heat treatment step performed to grow to size, a step of mirror polishing a wafer surface, a step of cleaning the polished wafer, and a step of inspecting the grown defect with a particle counter is provided.
특허발명 003은 실리콘 웨이퍼의 결함을 검출하는 방법에 대한 것이며, 실리콘 웨이퍼의 결함을 검출하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 실리콘 단결정 웨이퍼를 산소 분위기에서 열처리하여 상기 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 단계; 상기 웨이퍼를 질소 분위기에서 열처리하여 상기 산화막상부에 질화막을 형성하는 단계; 상기 웨이퍼를 가스 분위기에서 단계적으로 열처리하여 웨이퍼 내부 결함을 핵화시키는 단계; 상기 내부 결함이 핵화된 웨이퍼를 산소 분위기에서 열처리하여 핵화된 내부 결함을 성장시키는 단계; 및 상기 웨이퍼의 결함을 검사하는 단계를 포함하는 실리콘 웨이퍼의 결함을 검출하는 방법에 관한 것을 제시한다.Patent Invention 003 relates to a method for detecting defects in a silicon wafer, and relates to a method for detecting defects in a silicon wafer, and more particularly, forming an oxide film on the surface of the wafer by heat-treating a silicon single crystal wafer in an oxygen atmosphere. ; Heat-treating the wafer in a nitrogen atmosphere to form a nitride film on the oxide film; Heat-treating the wafer in stages in a gas atmosphere to nucleate defects inside the wafer; Heat-treating the wafer in which the internal defects are nucleated in an oxygen atmosphere to grow nucleated internal defects; And it provides a method for detecting a defect of a silicon wafer comprising the step of inspecting the defect of the wafer.
특허발명 004는 실리콘 단결정 웨이퍼의 결함 검출 방법이며, 실리콘 단결정 웨이퍼의 결함 검출 방법은 실리콘 단결정 웨이퍼에 Ni을 오염시키고, 실리콘 단결정 웨이퍼에 금속 석출물의 핵을 형성하기 위해 제1 단계 열처리를 수행하고, 금속 석출물의 핵을 성장시키기 위해 제2 단계 열처리를 수행하며, 실리콘 단결정 웨이퍼의 결함을 확인하는 것을 제시한다. Patent Invention 004 is a defect detection method of a silicon single crystal wafer, and the defect detection method of a silicon single crystal wafer contaminates Ni on a silicon single crystal wafer, and performs a first-stage heat treatment to form nuclei of metal precipitates on the silicon single crystal wafer, It is proposed to perform a second step heat treatment to grow the nuclei of the metal precipitate, and to confirm the defect of the silicon single crystal wafer.
본 발명은 웨이퍼 등의 판재의 결함을 검출하는 방법 및 장치에 대한 발명이다. The present invention relates to a method and apparatus for detecting defects in a plate material such as a wafer.
본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 발명이며, 구체적으로 판재(200)를 검사장비(10)에 장착하는 장착단계(S100);, 상기 장착단계 후, 판재 표면(210) 및 내부(220)를 검사하는 검사단계(S200); 상기 검사단계 후, 결함의 위치, 크기 및 형태를 제어부(400)에서 판단하는 판단단계(S300);를 포함하는 시계열적 단계로 이루어진다. The present invention is an invention of a plate defect detection method, specifically, mounting step (S100) of mounting the
본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 단계에 있어서, 상기 검사단계는 판재(200)에 존재하는 결함위치를 확인하는 제1검사단계(S210);를 포함하는 절차로 이루어진다. The present invention is an invention of a method for detecting a defect in a plate, and in the steps presented above, the inspection step consists of a procedure including a first inspection step (S210) of confirming a location of a defect in the
본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 단계에 있어서, 상기 검사단계는 결함의 크기 및 종류를 확인하는 제2검사단계(S220);를 포함하는 절차로 이루어진다. The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in the steps presented above, the inspection step comprises a procedure including a second inspection step (S220) of checking the size and type of the defect.
본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 단계에 있어서, 상기 판단단계(S300)는 상기 제1검사단계 후, 복수의 결함위치를 좌표데이터로 확정하는 제1판단단계(S310);를 포함하는 절차로 이루어진다. The present invention is an invention of a method for detecting plate defects, and in the steps presented above, the determination step (S300) is a first determination step (S310) of determining a plurality of defect positions as coordinate data after the first inspection step. It consists of a procedure including;
본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 단계에 있어서, 상기 판단단계(S300)는 상기 제2검사단계 후, 결점의 크기 및 종류를 확정하는 제2판단단계(S320);를 포함하는 절차로 이루어진다.The present invention is an invention of a method for detecting plate defects, and in the steps presented above, the determination step (S300) is a second determination step (S320) of determining the size and type of the defect after the second inspection step; It consists of an inclusive procedure.
본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 단계에 있어서, 상기 장착단계 전, 검사장비(10)를 보정하는 보정단계(S500);를 포함하는 절차로 이루어진다.The present invention is an invention of a plate defect detection method, in the steps presented above, before the mounting step, a correction step (S500) of calibrating the
본 발명은 판재결함 검출장치에 대한 발명이며, 구체적으로 패널을 고정하는 복수의 클램프가 형성되는 패널안착부(100);, 상기 패널안착부 일측에 위치하며, 패널의 표면(210)을 촬영하는 촬영부(600); 상기 촬영부 영상을 입력받으며, 결점을 판단하는 제어부(400);를 포함하는 구성의 조합으로 이루어진다. The present invention is an invention for a plate defect detection device, specifically, a
본 발명은 반도체 웨이퍼와 같은 판재의 결함을 자동으로 측정할 수 있는 효과를 가진다. The present invention has the effect of being able to automatically measure defects in a plate material such as a semiconductor wafer.
본 발명은 빛의 조도를 조절하여 카메라영상의 정확성을 향상시키는 효과를 가진다. The present invention has an effect of improving the accuracy of a camera image by adjusting the illuminance of light.
본 발명은 제1검사단계에서 일정수량의 결함수 및 결함밀도를 판단하여 웨이퍼 불량을 사전판단하며, 불량한도 이내의 웨이퍼에 대하여 제2검사단계를 진행하는 효과를 가진다. The present invention has the effect of determining a wafer defect in advance by determining the number of defects and defect density in a predetermined amount in the first inspection step, and performing a second inspection step for wafers within the defective limit.
본 발명은 웨이퍼 장착단계의 안전성을 판단하며, 안정적인 장착단계에서 제1검사 및 제2검사단계를 진행할 수 있다. 안정적인 장착단계가 이루어지지 않을 경우, 재장착단계를 반복적으로 수행하는 효과를 가진다. In the present invention, the safety of the wafer mounting step is determined, and the first and second inspection steps can be performed in a stable mounting step. If the stable mounting step is not made, it has the effect of repeatedly performing the re-mounting step.
본 발명은 웨이퍼의 검사에 앞서서 보정판재에 의해 수시로 장비의 정확성을 보정하는 효과를 가진다. The present invention has the effect of correcting the accuracy of the equipment from time to time by the correction plate material prior to the inspection of the wafer.
도 1 및 2는 본 발명의 판재결함 검출방법 순서도.
도 3은 본 발명의 판재, 발광장치 및 촬영부의 배치 개념도.
도 4는 본 발명의 검사장치 배치도.
도 5는 본 발명의 판재결함 검출장치 사시도.1 and 2 are flow charts of a method for detecting plate defects according to the present invention.
3 is a conceptual diagram of the arrangement of a plate, a light emitting device, and a photographing unit of the present invention.
Figure 4 is a layout view of the inspection device of the present invention.
Figure 5 is a perspective view of the plate defect detection device of the present invention.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, in order to describe in detail enough that a person of ordinary skill in the art can easily implement the present invention, the most preferred embodiment of the present invention will be described in detail.
아래의 실시예에서 인용하는 번호는 인용대상에만 한정되지 않으며, 모든 실시예에 적용될 수 있다. 실시예에서 제시한 구성과 동일한 목적 및 효과를 발휘하는 대상은 균등한 치환대상에 해당된다. 실시예에서 제시한 상위개념은 기재하지 않은 하위개념 대상을 포함한다. The numbers cited in the following examples are not limited only to the object of reference, and may be applied to all examples. Objects that exhibit the same purpose and effect as the configuration presented in the examples correspond to equivalent substitutional objects. The upper concept presented in the examples includes the object of the lower concept that is not described.
[실시예 1-1] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 구체적으로 판재(200)를 검사장비(10)에 장착하는 장착단계(S100);, 상기 장착단계 후, 판재 표면(210) 및 내부(220)를 검사하는 검사단계(S200); 상기 검사단계 후, 결함의 위치, 크기 및 형태를 제어부(400)에서 판단하는 판단단계(S300);를 포함하는 시계열적 단계로 이루어진다. [Embodiment 1-1] The present invention relates to a method for detecting defects in a plate, and specifically, a mounting step (S100) of mounting the
[실시예 1-2] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 1-1에 있어서, 상기 판재(200)는 실리콘웨이퍼로 형성되는 것;을 포함한다. [Embodiment 1-2] The present invention relates to a method for detecting defects in a plate material, and in Example 1-1, the
반도체 제조공정은 완성된 웨이퍼 표면(210)에 반도체 패턴을 생성하며, 복수의 칩으로 절단하여 각각의 반도체를 생산하는 공정으로 이루어진다. 박판형상의 웨이퍼 내부(220)에는 결함을 포함해서는 안된다. 이는 최종생산품 불량으로 이어지기 때문이다. 웨이퍼 결함은 절단, 연마과정에서 발생될 수 있으며 또는 잉곳 결정화 과정에서 발생될 수 있다. The semiconductor manufacturing process comprises a process of producing a semiconductor pattern on the finished wafer surface 210 and cutting it into a plurality of chips to produce each semiconductor. The inside 220 of the thin-plate-shaped wafer should not contain any defects. This is because it leads to defects in the final product. Wafer defects may occur during cutting, polishing, or ingot crystallization.
본 발명은 완성된 웨이퍼의 결함을 판별하기 위한 것이다. 원판형상의 웨이퍼는 검사장비(10)에 안정적으로 정착되어야 하며, 이후, 웨이퍼 내부(220) 및 표면(210)을 검사하며, 검사에 의해 결함위치 및 종류 등으로 판별한다. The present invention is for discriminating defects in a finished wafer. The disk-shaped wafer must be stably fixed to the
[실시예 1-3] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 1-1에 있어서, 상기 검사단계는 발광장치(500)에 의해 판재 일면 및/또는 타면에서 빛을 투영하는 투영단계(S201);를 포함한다. [Example 1-3] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Example 1-1, the inspection step is a projection step of projecting light from one side and/or the other side of the plate material by the light emitting device 500 (S201); includes.
[실시예 1-4] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 1-3에 있어서, 상기 빛은 자외선, 적외선, 가시광선, 엑스레이, 레이저광선 중 선택된 어느 하나로 형성되는 것;을 포함한다.[Example 1-4] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Example 1-3, the light is formed of any one selected from ultraviolet rays, infrared rays, visible rays, X-ray rays, and laser rays; including do.
[실시예 1-5] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 1-1에 있어서, 상기 검사단계는 촬영부(하나 또는 복수의 카메라)(600)에 의해 판재 일면 영상을 촬영하는 촬영단계(S203);를 포함한다.[Example 1-5] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Example 1-1, the inspection step is to take an image of one side of a plate by a photographing unit (one or a plurality of cameras) 600 It includes; photographing step (S203).
실시예 1-3 내지 실시예 1-5는 실시예 1-1의 구체적으로 한정한 것이며, 웨이퍼 검사단계를 구체화 한다. 구체적으로 반도체 일면에 빛을 투영하며, 반도체 타면에서 빛을 촬영한다. 빛은 웨이퍼를 투과하며 균일하게 발산된다. Examples 1-3 to 1-5 are specifically limited to Example 1-1, and specify the wafer inspection step. Specifically, light is projected on one side of the semiconductor, and light is photographed on the other side of the semiconductor. Light passes through the wafer and radiates evenly.
웨이퍼 표면(210) 결함(홈, 돌기 등) 및 내부(220) 결함(기공, 관통공)이 존재하면, 빛이 산란되며, 산란된 빛의 위치를 판단하여, 결함위치를 확인할 수 있다. 또한 산란종류를 판별하여 웨이퍼의 결함종류를 검출할 수 있다. When defects (grooves, protrusions, etc.) of the wafer surface 210 and defects (pores, through holes) of the inner 220 are present, light is scattered, and the location of the scattered light is determined to determine the location of the defect. In addition, the type of scattering can be discriminated and the defect type of the wafer can be detected.
투시되는 빛은 실시예 1-4에 제시된 바와 같이 자외선, 적외선, 가시광선, 엑스레이 레이저가 투시될 수 있다, 바람직하게는 적외선 빛을 투시하는게 좋다. As for the transmitted light, as shown in Example 1-4, ultraviolet, infrared, visible, and X-ray lasers may be transmitted, and it is preferable to transmit infrared light.
상기 촬영단계는 하나 또는 복수의 카메라에 의해 촬영하며, 이는 카메라의 손상에 따른 오류를 방지하기 위함이다. The photographing step is taken by one or a plurality of cameras, and this is to prevent errors due to damage to the cameras.
다른 실시예로서, 빛은 웨이퍼 일면 또는 타면에서 투영될 수 있다. 또는 동시에 투영될 수 있다. 다른 실시예로서, 상기 투영단계는 발광장치(500)의 조도를 조절하는 조도조절단계(S202)를 포함할 수 있다. As another embodiment, light may be projected from one side or the other side of the wafer. Or it can be projected at the same time. As another embodiment, the projection step may include an illuminance adjustment step (S202) of adjusting illuminance of the
[실시예 1-6] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 1-1에 있어서, 상기 장착단계 후, 정상장착여부를 판단하는 장착판단단계(S110);를 포함한다.[Embodiment 1-6] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Embodiment 1-1, after the mounting step, a mounting determination step (S110) of determining whether or not normal mounting is performed; includes.
[실시예 1-7] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 1-6에 있어서, 상기 장착판단단계 후, 오류 확인시 이후 절차를 정지시키는 장착정지단계(S120);를 포함한다. 상기 장착판단단계 후, 오류 확인시 알람을 발생시키는 제1알람단계(S130);를 포함한다. [Example 1-7] The present invention relates to a plate defect detection method, and in Example 1-6, after the mounting determination step, a mounting stop step (S120) of stopping a subsequent procedure when an error is confirmed; includes. . After the mounting determination step, a first alarm step (S130) of generating an alarm when checking an error; includes.
[실시예 1-8] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 1-7에 있어서, 상기 장착판단단계 후, 오류 확인시 판재(200)를 재장착하는 재장착단계(S120);를 포함한다. [Example 1-8] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Example 1-7, after the mounting determination step, a re-mounting step (S120) of re-mounting the
실시예 1-6 내지 실시예 1-8은 검사장비(10)에 장착된 판재(200)의 정확한 장착여부를 판단하는 단계이다. 검사장비(10)에 안착된 판재(200)는 장착판단단계에 의해 정상장착여부를 확인한다. 정상장착의 경우, 이후 단계인 검사단계로 진행되나, 비정상적 장착인 경우, 판재(200)를 다시 장착하는 재장착단계로 이루어진다. 비정상적인 경우, 검사장비(10)는 장착정지단계로 진입되며, 사용자에게 상태를 제시하기 위해 알람을 발생한다. 상기 장착판단단계는 판재(200)의 수평장착여부를 확인하는 수평장착 판단단계(S111);, 및 복수의 그립에 의해 동일한 체결력이 부여되는지를 확인하는 체결력 판단단계(S112);로 구분된다.Examples 1-6 to 1-8 are a step of determining whether or not the
[실시예 2-1] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 1-1에 있어서, 상기 검사단계는 판재(200)에 존재하는 결함위치를 확인하는 제1검사단계(S210);를 포함하는 시계열적 단계로 이루어진다. [Embodiment 2-1] The present invention relates to a method for detecting defects in plate material, and in Embodiment 1-1, the inspection step includes: a first inspection step (S210) of checking a defect location in the
[실시예 2-2] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 2-1에 있어서, 상기 제1검사단계는 제1카메라(610)에 의해 검사하는 것;을 포함한다.[Embodiment 2-2] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Embodiment 2-1, the first inspection step includes inspection by a
[실시예 2-3] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 2-2에 있어서, 상기 제1카메라는 복수로 나열되는 것;을 포함한다.[Embodiment 2-3] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Embodiment 2-2, the first camera is arranged in plural.
[실시예 3-1] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 1-1에 있어서, 상기 검사단계는 결함의 크기 및 종류를 확인하는 제2검사단계(S220);를 포함하는 시계열적 단계로 이루어진다. [Embodiment 3-1] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Embodiment 1-1, the inspection step includes a second inspection step (S220) of checking the size and type of the defect; It consists of a thermal step.
[실시예 3-2] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 3-1에 있어서, 상기 제2검사단계는 제2카메라(620)를 결합위치에 고정하며, 초점조절로 검사하는 것;을 포함한다.[Embodiment 3-2] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Embodiment 3-1, in the second inspection step, the
[실시예 3-3] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 3-1에 있어서, 제2카메라는 상하이동엑츄에이터(630a)에 결합되는 것;을 포함한다.[Embodiment 3-3] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in the embodiment 3-1, the second camera is coupled to a moving
실시예 2-1, 3-1은 본 발명은 검사단계를 구체화한 것이다. 2단계에 거쳐 검사단계가 이루어진다. 1단계(제1검사단계)는 판재 결함위치를 판별하는 단계이며, 2단계(제2검사단계)는 결함 크기 및 종류 등을 판별하는 단계로 구분된다. In Examples 2-1 and 3-1, the present invention embodied the inspection step. The inspection step takes place through two steps. The first step (the first inspection step) is a step of determining the defect location of the plate, and the second step (the second inspection step) is divided into a step of determining the size and type of the defect.
1단계이후 2단계가 순차적으로 진행된다. 1단계는 카메라에서 측정된 결함위치(좌표)를 제어부(400)에 저장하며, 2단계는 좌표로 제2카메라를 위치시켜, 초점조절로 결함의 크기 및 종류를 판단한다. 상기 초점조절은 상하이동엑츄에이터에 의해 구현되거나, 카메라 렌지작동엑츄에이터(630b)에 의해 구현 가능하다. 제1검사단계는 복수의 제1카메라(라인스캔카메라)를 이용하며, 제2검사단계는 1개의 제2카메라(리뷰카메라)를 이용한다. 제1검사단계 및 제2검사단계는 카메라를 고정하며 판재(200)를 이동하거나, 또는 판재(200)를 고정하며, 카메라를 이동시켜 구현할 수 있다. After step 1, step 2 proceeds sequentially. In the first step, the defect location (coordinate) measured by the camera is stored in the
[실시예 4-1] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 2-1에 있어서, 상기 판단단계(S300)는 상기 제1검사단계 후, 복수의 결함위치를 좌표데이터로 확정하는 제1판단단계(S310);를 포함하는 시계열적 단계로 이루어진다. [Embodiment 4-1] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Embodiment 2-1, the determination step (S300) determines a plurality of defect positions as coordinate data after the first inspection step. It consists of a time series step including; a first determination step (S310).
[실시예 4-2] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 4-1에 있어서, 상기 제1판단단계 후, 결함위치를 제어부(400)에 저장하는 위치데이터저장단계(S311);를 포함한다.[Embodiment 4-2] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Embodiment 4-1, after the first determination step, a location data storage step of storing the defect location in the control unit 400 (S311) Includes;
[실시예 4-3] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 4-1에 있어서, 상기 제1판단단계는 결함밀도를 판단하는 결함밀도 판단단계(S312);를 포함한다. 상기 제1판단단계는 결함수량을 판단하는 결함수량 판단단계(S313);를 포함한다.[Embodiment 4-3] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Embodiment 4-1, the first determination step includes a defect density determination step (S312) of determining the defect density. The first determination step includes a defect quantity determination step (S313) of determining the defect quantity.
[실시예 4-4] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 4-1에 있어서, 상기 제1판단단계 후, 기준수치 이상의 결점수량 발생시 검사장비(10)를 정지시키는 검사정지단계(S314);를 포함한다.[Example 4-4] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Example 4-1, after the first determination step, an inspection stop step of stopping the
[실시예 4-5] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 4-4에 있어서, 상기 제1판단단계 후, 기준수치 이상의 결점수량 발생시 알람을 발생시키는 제2알람단계(S410);를 포함한다. 상기 검사정지단계 후, 판재(200)를 교체하는 교체단계(S420);를 포함한다.[Example 4-5] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Example 4-4, after the first determination step, a second alarm step of generating an alarm when the number of defects equal to or greater than a reference value occurs (S410) Includes; After the inspection stop step, a replacement step (S420) of replacing the
실시예 4-1 내지 실시예 4-5는 제1판단단계를 구체적으로 제시한다. 제1판단단계는 결함의 위치, 수량, 밀도를 판단한다. (후술되는 제2판단단계는 결함의 크기 및 종류를 판단한다.) 제1판단단계 결과에 따라 후술되는 제2검사단계로 진행될 것인지, 폐기될 것인지를 결정하게 된다. 하나의 웨이퍼에 지나치게 많은 결함이 포함될 경우, 웨이퍼는 폐기될 것이다. 반면, 적정수준 이하의 결함이 존재하면, 후술되는 제2검사단계로 진행된다. 제1판단단계에서 확정된 결함은 고유코드가 발급되며, 상기 고유코드는 좌표와 함께 데이터를 생성하여 제어부(400) 저장장치에 저장된다. 상기 데이터는 후술되는 제2검사단계 및 제2판단단계에서 활용된다. Examples 4-1 to 4-5 specifically present the first judgment step. The first judgment step is to determine the location, quantity, and density of defects. (The second judgment step to be described later determines the size and type of the defect.) It is determined whether to proceed to the second inspection step to be described later or to be discarded according to the result of the first judgment step. If one wafer contains too many defects, the wafer will be discarded. On the other hand, if there is a defect below the appropriate level, the process proceeds to the second inspection step described later. A unique code is issued to the defect determined in the first determination step, and the unique code generates data along with coordinates and is stored in the storage device of the
[실시예 5-1] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 2-1에 있어서, 상기 판단단계(S300)는 상기 제2검사단계 후, 결점의 크기 및 종류를 확정하는 제2판단단계(S320);를 포함하는 시계열적 단계로 이루어진다. [Example 5-1] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Example 2-1, the determination step (S300) is a second method of determining the size and type of defects after the second inspection step. It consists of a time series step including; determining step (S320).
[실시예 5-2] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 5-1에 있어서, 상기 제2판단단계는 결점 영상의 초점을 조절하는 초점조절단계(S321);를 포함한다.[Embodiment 5-2] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Embodiment 5-1, the second determination step includes a focus adjustment step (S321) of adjusting the focus of the defect image.
[실시예 5-3] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 5-2에 있어서, 상기 초점조절단계 후, 결점의 종류를 확인하는 종류판별단계(S322);를 포함한다. 상기 초점조절단계 후, 결점의 크기를 확인하는 크기판별단계(S323);를 포함한다.[Embodiment 5-3] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Example 5-2, after the focus adjustment step, a type discrimination step (S322) of confirming the type of the defect; includes. And a size determination step (S323) of checking the size of the defect after the focus adjustment step.
[실시예 5-4] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 5-1에 있어서, 상기 제2판단단계 후, 결함종류 및 결점크기를 저장하는 결점데이터저장단계(S311);를 포함한다.[Embodiment 5-4] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Embodiment 5-1, after the second determination step, a defect data storage step (S311) of storing defect types and defect sizes; Includes.
실시예 5-1 내지 실시예 5-4는 제2판단단계를 구체적으로 제시한다. 제2판단단계는 결함의 크기 및 종류를 판단한다. 제1판단단계의 데이터를 인식하며, 리뷰카메라(제2카메라)에 의해 결함을 촬영한다. 촬영영상의 선명도를 확보하기 위해 초점조절단계가 부여된다. 상기 초점은 카메라의 상하위치를 이동하여 조절하거나, 렌즈 위치를 조절하여 조정할 수 있다. 초점이 확정된 후에는 리뷰카메라에 의해 정밀하게 촬영된다. 촬영된 영상은 제어부(400)로 전송되며, 제어부(400)는 켈리브레이션 데이터와 비교하여, 결함의 실제크기를 판단한다. 또한 결함은 다양한 형태로 이루어지며, 영상정보를 비교하여 결함의 종류를 자동으로 판단한다. 판단된 데이터는 웨이퍼 고유번호와 함께 반도체 제조장비에 제공된다. Examples 5-1 to 5-4 specifically present the second judgment step. The second judgment step is to determine the size and type of defects. Recognizes the data in the first judgment stage, and photographs the defect by a review camera (second camera). In order to secure the sharpness of the photographed image, a focus adjustment step is given. The focus can be adjusted by moving the vertical position of the camera or by adjusting the lens position. After the focus is determined, it is accurately photographed by the review camera. The captured image is transmitted to the
[실시예 6-1] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 1-1에 있어서, 상기 장착단계 전, 검사장비(10)를 보정하는 보정단계(S500);를 포함하는 시계열적 단계로 이루어진다. [Embodiment 6-1] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Embodiment 1-1, before the mounting step, a correction step (S500) of calibrating the
[실시예 6-2] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 6-1에 있어서, 상기 보정단계는 보정판재(300)의 피듀셜마크를 인식하여 좌표 및 길이를 보정하는 좌표 및 길이보정단계(S510);를 포함한다.[Example 6-2] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Example 6-1, in the correction step, the coordinates and lengths are corrected by recognizing the fiducial mark of the
[실시예 6-3] 본 발명은 판재결함 검출방법에 대한 것이며, 실시예 6-2에 있어서, 상기 좌표 및 길이 보정단계 후, 검사장비(10)를 초기화 하는 오프셋단계(S520);를 포함한다.[Example 6-3] The present invention relates to a method for detecting plate defects, and in Example 6-2, after the coordinate and length correction step, an offset step (S520) of initializing the
본 발명의 실시예 6-1 내지 6-3은 판재결함 검사장비(10)의 보정에 대한 것이다. 장비 정확성을 확보하기 위해, 주기적인 보정이 요구된다. 본 발명의 보정은 보정판재(300)를 검사장비(10)에 투입한 후, 보정판재(300)에 형성된 피듀셜마크를 인식하여, 좌표 및 길이를 보정한다. 피듀셜마크는 레퍼런스 마크를 형성하며, 상기 레퍼런스 마크의 위치 및 길이에 의해 화상인식된 데이터의 길이 및 위치를 확인하기 위함이다. 보정단계는 주기적으로 이루어지며, 보정단계 후, 장비를 오프셋하여 검사장비(10)의 정확성을 향상시킬 수 있다. Embodiments 6-1 to 6-3 of the present invention are for the correction of the plate defect inspection equipment (10). Periodic calibration is required to ensure equipment accuracy. In the correction of the present invention, after inserting the
[실시예 7-1] 본 발명은 판재결함 검출장치에 대한 발명이며, 구체적으로 패널을 고정하는 복수의 클램프가 형성되는 패널안착부(100);, 상기 패널안착부 일측에 위치하며, 패널의 표면(210)을 촬영하는 촬영부(600); 상기 촬영부 영상을 입력받으며, 결점을 판단하는 제어부(400);를 포함하는 구성으로 이루어진다. [Embodiment 7-1] The present invention is an invention for a plate defect detection device, specifically, a
[실시예 7-2] 본 발명은 판재결함 검출장치에 대한 것이며, 실시예 7-1에 있어서, 상기 패널안착부 타측에 위치하며, 패녈의 표면(210)에 빛을 투영하는 발광장치 (500);를 포함한다.[Example 7-2] The present invention relates to a plate defect detection device, and in Example 7-1, a
[실시예 7-3] 본 발명은 판재결함 검출장치에 대한 것이며, 실시예 7-1에 있어서, 상기 촬영부는 복수의 카메라로 형성되는 것;을 포함한다.[Embodiment 7-3] The present invention relates to an apparatus for detecting plate defects, and in Embodiment 7-1, the photographing unit includes a plurality of cameras.
[실시예 7-4] 본 발명은 판재결함 검출장치에 대한 것이며, 실시예 7-3에 있어서, 상기 촬영부는 패널전체를 촬영하며, 결점의 위치를 확인하는 제1카메라(610);를 포함한다.[Embodiment 7-4] The present invention relates to a plate defect detection apparatus, and in the embodiment 7-3, the photographing unit photographs the entire panel and includes a
[실시예 7-5] 본 발명은 판재결함 검출장치에 대한 것이며, 실시예 7-3에 있어서, 상기 촬영부는 각각의 결점을 촬영하며, 결점의 크기 및 종류를 확인하는 제2카메라(620);를 포함한다. [Example 7-5] The present invention relates to a plate defect detection apparatus, and in Example 7-3, the photographing unit photographs each defect, and a
[실시예 7-6] 본 발명은 판재결함 검출장치에 대한 것이며, 실시예 7-1에 있어서, 상기 제2카메라에 장착되며, 카메라의 초점을 가변시키는 초점조절장치(630);를 포함한다. [Embodiment 7-6] The present invention relates to an apparatus for detecting plate defects, and in Embodiment 7-1, a focus control apparatus 630 mounted on the second camera and for varying the focus of the camera; includes .
[실시예 7-7] 본 발명은 판재결함 검출장치에 대한 것이며, 실시예 7-1에 있어서, 상기 패널안착부에 장착되며, 패널을 이동시키는 이송장치(700);를 포함한다.[Embodiment 7-7] The present invention relates to an apparatus for detecting plate defects, and in Embodiment 7-1, a
[실시예 7-8] 본 발명은 판재결함 검출장치에 대한 것이며, 실시예 7-7에 있어서, 상기 이송장치는 직교좌표로 구동하는 엑츄에이터(800);를 포함한다.[Embodiment 7-8] The present invention relates to an apparatus for detecting plate defects, and in Embodiment 7-7, the conveying apparatus includes an actuator 800 driven in orthogonal coordinates.
10 : 검사장비 100 : 패널안착부
200 : 판재 210 : 판재표면
220 : 판재내부 300 : 보정판재
400 : 제어부 500 : 발광장치
600 : 촬영부 610 : 제1카메라
620 : 제2카메라 630 : 초점조절장치
630a : 상하이동 엑츄에이터 630b : 렌지작동 엑츄에이터
700 : 이송장치 800 : 엑츄에이터10: inspection equipment 100: panel seat
200: plate 210: plate surface
220: plate inside 300: correction plate
400: control unit 500: light emitting device
600: photographing unit 610: first camera
620: second camera 630: focusing device
630a: Shanghai-dong actuator 630b: Range operated actuator
700: transfer device 800: actuator
Claims (7)
검사장비(10)를 보정하는 보정단계(S500);
판재(200)를 검사장비(10)에 장착하는 장착단계(S100);
상기 장착단계 후, 판재 표면(210) 및 내부(220)을 검사하는 검사단계(S200);
상기 검사단계 후, 결함의 위치, 크기 및 형태를 제어부(400)에서 판단하는 판단단계(S300);을 포함하고,
상기 검사단계(S200)는 상기 판재(200)에 존재하는 결함위치를 확인하는 제1검사단계(S210);를 포함하며,
상기 판단단계(S300)는 상기 제1검사단계 후, 복수의 결함위치를 좌표데이터로 확정하고, 결함수량을 판단하는 결함수량 판단단계(S313)를 포함하는 제1판단단계(S310);
상기 제1판단단계 후, 기준수치 이상의 상기 결함수량 발생시 상기 검사장비(10)를 정지시키는 검사정지단계(S314);를 포함하고,
상기 보정단계(S500)는 보정판재(300)의 피듀셜마크를 인식하여 좌표 및 길이를 보정하는 좌표 및 길이보정단계(S510); 및
상기 좌표 및 길이보정단계(S510) 후, 상기 검사장비(10)를 초기화하는 오프셋단계(S520);를 포함하는 판재결함 검출방법.
In the plate defect detection method,
Correction step of correcting the inspection equipment 10 (S500);
Mounting step of mounting the plate 200 to the inspection equipment 10 (S100);
After the mounting step, an inspection step of inspecting the plate surface 210 and the interior 220 (S200);
After the inspection step, a determination step (S300) of determining the location, size, and shape of the defect by the control unit 400; includes,
The inspection step (S200) includes a first inspection step (S210) of checking the location of the defects present in the plate material 200; and,
The determination step (S300) includes a first determination step (S310) including a determination step (S313) of determining the number of defects as coordinate data and determining the number of defects after the first inspection step;
After the first determination step, an inspection stop step (S314) of stopping the inspection equipment 10 when the number of defects equal to or greater than a reference value occurs (S314); and,
The correction step (S500) includes a coordinate and length correction step (S510) of recognizing the fiducial mark of the correction plate 300 to correct the coordinates and length; And
After the coordinate and length correction step (S510), an offset step (S520) of initializing the inspection equipment (10); plate defect detection method comprising a.
상기 검사단계는 결함의 크기 및 종류를 확인하는 제2검사단계(S220);를 포함하는 판재결함 검출방법.
The method according to claim 1,
The inspection step includes a second inspection step (S220) of checking the size and type of the defect.
상기 판단단계(S300)는 상기 제2검사단계 후, 결점의 크기 및 종류를 확정하는 제2판단단계(S320);를 포함하는 판재결함 검출방법.The method of claim 3,
The determination step (S300) includes a second determination step (S320) of determining the size and type of the defect after the second inspection step.
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