KR102215467B1 - Scrubber for treating harmful gas having multi chamber - Google Patents

Scrubber for treating harmful gas having multi chamber Download PDF

Info

Publication number
KR102215467B1
KR102215467B1 KR1020190102916A KR20190102916A KR102215467B1 KR 102215467 B1 KR102215467 B1 KR 102215467B1 KR 1020190102916 A KR1020190102916 A KR 1020190102916A KR 20190102916 A KR20190102916 A KR 20190102916A KR 102215467 B1 KR102215467 B1 KR 102215467B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
scrubber
hole
harmful gas
body portion
Prior art date
Application number
KR1020190102916A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김진일
Original Assignee
김진일
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김진일 filed Critical 김진일
Priority to KR1020190102916A priority Critical patent/KR102215467B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102215467B1 publication Critical patent/KR102215467B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/005—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by heat treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/66—Treatment of water, waste water, or sewage by neutralisation; pH adjustment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations

Abstract

A scrubber with a multi-chamber for treating harmful gas comprises: a first body unit combusting harmful gas; and a second body unit including a first chamber which is connected to one side of the first body unit, and into which the harmful gas combusted by the first body unit may be introduced, a second chamber surrounding the outside of the first chamber, and a third chamber surrounding the outside of the second chamber, the second body unit further comprising a discharge hole arranged at the lower side therein to discharge by-products. Here, according to the scrubber, a moving path is formed such that the harmful gas introduced into the first chamber may be moved by being introduced into the second chamber after having passed through at least one first hole formed at the first chamber, may be moved by being introduced into the third chamber after having passed through at least one second hole formed at the second chamber, and may be discharged to the lower side of the second body unit after having passed through at least one third hole formed at the second chamber. The size of the first hole is greater than the size of the discharge hole. Therefore, waste water can be recycled.

Description

멀티 챔버를 구비하는 유해가스 처리용 스크러버{SCRUBBER FOR TREATING HARMFUL GAS HAVING MULTI CHAMBER}Scrubber for treating harmful gas with multi-chamber {SCRUBBER FOR TREATING HARMFUL GAS HAVING MULTI CHAMBER}

본 발명은 스크러버에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 멀티 챔버를 구비하여 폐가스 처리 효율을 높이고 전력을 저감시키는 유해가스 처리용 스크러버에 관한 것이다. The present invention relates to a scrubber. More specifically, it relates to a scrubber for treating harmful gas, which has a multi-chamber to increase waste gas treatment efficiency and reduce power.

일반적으로, 반도체는 회로 설계, 마스크 제작, 노광, 식각, 확산, 박막, 세정, 연마 등 다양한 제조 공정을 거쳐 제조되는데, 이러한 반도체 공정에서 유독 가스 및 화학 약품 등이 사용된다. 따라서, 반도체 공정 중 배출 가스에는 유해 성분이 다량 함유될 수 있다In general, semiconductors are manufactured through various manufacturing processes such as circuit design, mask fabrication, exposure, etching, diffusion, thin film, cleaning, polishing, and the like, and toxic gases and chemicals are used in these semiconductor processes. Therefore, a large amount of harmful components may be contained in the exhaust gas during the semiconductor process.

이러한 반도체 제조 공정에서 배출되는 유해가스는 유독성, 폭발성 및 부식성이 강하기 때문에 인체에 치명적이고, 그대로 대기 중에 방출되면 심각한 환경오염을 야기할 수 있다. 이에 따라, 유해가스의 정화 처리 과정은 법적으로 의무화되어 있다. Noxious gases emitted from such semiconductor manufacturing processes are toxic, explosive, and corrosive, so they are lethal to humans, and if released into the atmosphere as they are, they can cause serious environmental pollution. Accordingly, the process of purifying harmful gas is legally mandated.

유해가스를 처리하기 위하여 후처리 공정으로 스크러버(scrubber)가 사용될 수 있는데, 반도체 산업에서 사용되는 스크러버는 공정 시 발생하는 각종 독성가스 및 산성가스, 가연성가스, 환경유해가스 등을 정제하여 배출하는 장비를 말한다. 이러한 스크러버 장비는 처리 방식에 따라 약제 필터 드라이 방식, 전기히터 방식, 버너 방식, 플라즈마 방식 등으로 분류된다. 특히, 2000년대부터 집중적으로 개발된 플라즈마 스크러버는 고온 및 높은 화학적 활성을 가진다는 장점이 있다. A scrubber can be used as a post-treatment process to treat harmful gases. The scrubber used in the semiconductor industry is an equipment that purifies and discharges various toxic gases, acid gases, combustible gases, and environmentally harmful gases generated during the process. Say. Such scrubber equipment is classified into a chemical filter drying method, an electric heater method, a burner method, and a plasma method according to the treatment method. In particular, the plasma scrubber, which has been intensively developed since the 2000s, has the advantage of having high temperature and high chemical activity.

그러나, 종래의 플라즈마 스크러버(그 외 다양한 방식의 스크러버)(10)의 반응부(12)는 원형 파이프의 단순한 구조로 되어 있어, 유해가스가 처리되는 반응 존(zone) 내지 플라즈마 불꽃(13)의 길이는 짧고, 반응 시간은 부족하다는 문제가 있다. 또한, 이러한 구조의 종래의 스크러버(10)에서는, 유해가스가 반응부(12)의 상부에서 하부로 한번에 통과하여 직접적으로 열이 방출되고 온도가 급감하게 되므로, 유해가스를 처리하는데 높은 소비 전력이 사용된다. 아울러, 스크러버의 반응 온도가 낮아지면, 유해가스의 열 분해가 제대로 이루어지지 못하므로 불완전 연소가 이루어지거나 부산물(파우더) 등이 스크러버 내부에 적체된다. 스크러버의 정상적인 작동을 위해서는 스크러버 내부에 적체되는 부산물(파우더)가 수시로 제거되어야 하므로, 부산물 등의 제거를 위해 스크러버 장치의 가동이 빈번하게 중단될 수 있으며, 더 나아가 반도체 생산라인 전체가 중단되는 문제도 발생할 수 있다. However, since the reaction part 12 of the conventional plasma scrubber (other various types of scrubbers) 10 has a simple structure of a circular pipe, the reaction zone in which harmful gas is treated or the plasma flame 13 There is a problem that the length is short and the reaction time is insufficient. In addition, in the conventional scrubber 10 having such a structure, since the harmful gas passes from the top to the bottom of the reaction unit 12 at a time, heat is directly released and the temperature decreases sharply, high power consumption is required to treat the harmful gas. Used. In addition, when the reaction temperature of the scrubber is lowered, since thermal decomposition of harmful gases is not properly performed, incomplete combustion or by-products (powder) are accumulated in the scrubber. Since by-products (powder) accumulated inside the scrubber must be removed from time to time for the normal operation of the scrubber, the operation of the scrubber device may be frequently stopped to remove by-products, and furthermore, the entire semiconductor production line is stopped. Can occur.

한편, 스크러버는 높은 온도로 열 분해를 하므로, 온도를 낮추기 위해 많은 양의 물이 사용된다. 이에 따라, 스크러버의 사용수량 증가에 따른 폐수 배출량이 증가하면서 공업용수 부족 현상이 발생한다. 또한, 수용성 가스 및 화학 반응에 의하여 일부 가스는 물과 반응하여 강한 산성을 띠게 되므로, 부식성이 강한 폐수를 재활용하는 것은 쉽지 않다. On the other hand, since the scrubber thermally decomposes at a high temperature, a large amount of water is used to lower the temperature. Accordingly, the amount of wastewater discharged according to the increase in the amount of water used by the scrubber increases, resulting in a shortage of industrial water. In addition, it is not easy to recycle wastewater with strong corrosiveness because some gases react with water and have strong acidity due to water-soluble gas and chemical reaction.

따라서, 스크러버의 전력을 저감하며, 챔버 내부의 부산물 적체를 방지하고, 폐수를 재활용할 수 있는 방안이 요구된다.Therefore, there is a need for a way to reduce the power of the scrubber, prevent accumulation of by-products inside the chamber, and recycle wastewater.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 소비 전력을 절감하고 완전연소를 유지하는 고효율 스크러버를 제공하는 것이다. 또한, 반응부 내의 부산물(파우더) 적체를 방지하고, 폐수를 재활용하는 스크러버를 제공하는 것이다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a highly efficient scrubber that reduces power consumption and maintains complete combustion. In addition, it is to provide a scrubber that prevents accumulation of by-products (powder) in the reaction section and recycles wastewater. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 유해가스 처리용 스크러버는 유해가스를 연소시키는 제1 몸체부 및 상기 제1 몸체부의 일측과 연결되며, 상기 제1 몸체부에 의해 연소된 유해가스가 유입되는 제1 챔버와, 상기 제1 챔버의 외부를 둘러싸는 제2 챔버와, 상기 제2 챔버의 외부를 둘러싸는 제3 챔버를 포함하며, 내부 하측에 배치되며 부산물을 배출하는 배출홀을 구비하는 제2 몸체부를 포함하고, 상기 제1 챔버로 유입되는 유해가스가, 상기 제1 챔버에 형성되는 적어도 하나의 제1홀을 통과하여 상기 제2 챔버로 유입되어 이동하고, 상기 제2 챔버에 형성되는 적어도 하나의 제2홀을 통과하여 상기 제3 챔버로 유입되어 이동하고, 상기 제2 챔버에 형성되는 적어도 하나의 제3홀을 통과하여 상기 제2 몸체부의 하측으로 배출되도록, 이동경로가 형성되고, 상기 제1홀의 크기는 상기 배출홀의 크기보다 클 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the scrubber for treating harmful gas is connected to the first body part for burning harmful gas and one side of the first body part, and the harmful gas burned by the first body part is introduced. A second chamber comprising a first chamber, a second chamber surrounding the outside of the first chamber, and a third chamber surrounding the outside of the second chamber, and having a discharge hole disposed below the inside and discharging by-products. Including a body portion, the harmful gas flowing into the first chamber passes through at least one first hole formed in the first chamber, flows into the second chamber, and moves at least, formed in the second chamber A movement path is formed so as to pass through one second hole and flow into the third chamber, pass through at least one third hole formed in the second chamber and discharge to the lower side of the second body, The size of the first hole may be larger than the size of the discharge hole.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유해가스 처리용 스크러버에서, 상기 제1홀은 상기 제1 챔버의 하부에 형성되며, 상기 제2홀은 상기 제2 챔버의 상부에 형성되며, 상기 제3홀은 상기 제2 챔버의 하부에 형성될 수 있다.In addition, in the scrubber for treating harmful gas according to an embodiment of the present invention, the first hole is formed below the first chamber, the second hole is formed above the second chamber, and the third The hole may be formed under the second chamber.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유해가스 처리용 스크러버에서, 상기 제2 몸체부 내부에 부산물이 적체되는 것을 방지하기 위하여, 부산물을 포집하고 포집된 부산물은 배출홀을 통해 배출되도록 하는, 테이퍼지는(tapered) 관 형상의 부재를 포함할 수 있다.In addition, in the scrubber for treating harmful gas according to an embodiment of the present invention, in order to prevent by-products from accumulating inside the second body part, by-products are collected and the collected by-products are discharged through the discharge hole. It may comprise a tapered tubular member.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유해가스 처리용 스크러버에서, 상기 제2 몸체부의 외측부와 상기 제3 챔버 사이에는, 냉각수가 흐르는 냉각챔버가 형성될 수 있다.In addition, in the scrubber for treating harmful gas according to an embodiment of the present invention, a cooling chamber through which coolant flows may be formed between the outer portion of the second body and the third chamber.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유해가스 처리용 스크러버는, 상기 제2 몸체부 하측에 연결되는 리저버탱크(reservoir tank)를 포함할 수 있다.In addition, the scrubber for treating harmful gas according to an embodiment of the present invention may include a reservoir tank connected to the lower side of the second body.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유해가스 처리용 스크러버에서, 상기 리저버탱크에는 폐수절감장치가 구비될 수 있다.In addition, in the scrubber for treating harmful gas according to an embodiment of the present invention, a wastewater reduction device may be provided in the reservoir tank.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유해가스 처리용 스크러버에서, 상기 폐수절감장치는 냉각수(PCW)와 폐수를 열교환시키는 열교환기를 포함할 수 있다.In addition, in the scrubber for treating harmful gas according to an embodiment of the present invention, the wastewater reduction device may include a heat exchanger for heat exchange between cooling water (PCW) and wastewater.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유해가스 처리용 스크러버에서, 상기 폐수절감장치는 폐수에 수산화나트륨(NaOH)을 공급하는 NaOH 공급 밸브를 포함할 수 있다. In addition, in the scrubber for treating harmful gas according to an embodiment of the present invention, the wastewater reduction device may include a NaOH supply valve for supplying sodium hydroxide (NaOH) to the wastewater.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유해가스 처리용 스크러버는, 상기 리저버탱크(140)의 상측에 연결되는 아웃렛타워(outlet tower)를 포함할 수 있다.In addition, the scrubber for treating harmful gas according to an embodiment of the present invention may include an outlet tower connected to the upper side of the reservoir tank 140.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유해가스 처리용 스크러버는, 유해가스를 연소시키는 제1 몸체부 및 상기 제1 몸체부의 일측과 연결되며, 상기 제1 몸체부에 의해 연소된 유해가스가 유입되는 제1 챔버와, 상기 제1 챔버의 외부를 둘러싸는 제2 챔버와, 상기 제2 챔버의 외부를 둘러싸는 제3 챔버를 포함하며, 내부 하측에 배치되며 부산물을 배출하는 배출홀을 구비하는 제2 몸체부를 포함하고, 상기 제1 챔버에는 제2 챔버와 연통되는 복수 개의 제1홀들이 형성되며, 상기 제1홀들은 상기 제1 챔버의 상부에서 하부로 갈수록 개수가 증가하고, 상기 제2 챔버에는 제3 챔버와 연통되는 복수 개의 제2홀들이 형성되며, 상기 제2홀들은 상기 제1 챔버의 하부와 대응되는 제2 챔버의 하부에서 상기 제1 챔버의 상부와 대응되는 제2 챔버의 상부로 갈수록 개수가 증가하고, 상기 제2 챔버의 하단부에는 제2 몸체부의 하부와 연통되는 적어도 하나의 제3홀이 형성되고, 상기 제1 챔버로 유입되는 유해가스는, 상기 제1홀들을 통하여 상기 제2 챔버로 유입되어 이동하고, 상기 제2 챔버로 유입된 유해가스는 상기 제2 홀들을 통하여 상기 제3 챔버로 유입되어 이동하고, 상기 제3 챔버로 유입된 유해가스는 상기 제3홀을 통하여 상기 제2 몸체부의 하측으로 배출될 수 있다.In addition, the scrubber for harmful gas treatment according to another embodiment of the present invention is connected to the first body portion for burning the harmful gas and one side of the first body portion, and the harmful gas burned by the first body portion is introduced. A first chamber, a second chamber surrounding the outside of the first chamber, a third chamber surrounding the outside of the second chamber, and having a discharge hole disposed below the inside and discharging by-products. A second body portion is included, and a plurality of first holes communicating with the second chamber are formed in the first chamber, and the number of the first holes increases from the top to the bottom of the first chamber, and the second A plurality of second holes communicating with a third chamber are formed in the chamber, and the second holes are formed from a lower portion of a second chamber corresponding to a lower portion of the first chamber to a second chamber corresponding to an upper portion of the first chamber. The number increases toward the top, and at least one third hole communicating with the lower portion of the second body portion is formed in the lower portion of the second chamber, and the harmful gas flowing into the first chamber passes through the first holes. Noxious gas introduced into and moved into the second chamber, and the noxious gas introduced into the second chamber is introduced into the third chamber through the second holes and moves, and the noxious gas introduced into the third chamber is the third hole Through it may be discharged to the lower side of the second body.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 멀티 챔버를 구비한 스크러버는, 챔버 내의 높은 온도를 유지할 수 있으며, 에너지를 절감시킬 수 있다. 물론, 이러한 효과들에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. According to an embodiment of the present invention made as described above, a scrubber having a multi-chamber can maintain a high temperature in the chamber and can save energy. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 종래의 유해가스 처리용 스크러버를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유해가스 처리용 스크러버의 개략적인 단면도이다.
도 3은 제2 몸체부의 개략적인 단면도이다.
도 4는 제1 챔버의 단면도이다.
도 5는 제2 몸체부의 단면도이다.
도 6은 유해가스 처리용 스크러버의 개략적인 단면도이다.
도 7은 유해가스 처리용 스크러버의 개략적인 단면도이다.
도 8은 폐수절감장치의 개략적인 단면도이다.
도 9는 폐수절감장치의 열교환기의 개략적인 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유해가스 처리용 스크러버의 개략적인 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유해가스 처리용 스크러버의 개략적인 단면도이다.
도 12는 도 11의 제1 챔버 및 제2 챔버의 개략적인 전개도이다.1 is a view showing a conventional scrubber for treating harmful gases.
2 is a schematic cross-sectional view of a scrubber for treating harmful gas according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view of a second body portion.
4 is a cross-sectional view of the first chamber.
5 is a cross-sectional view of a second body portion.
6 is a schematic cross-sectional view of a scrubber for treating harmful gases.
7 is a schematic cross-sectional view of a scrubber for treating harmful gases.
8 is a schematic cross-sectional view of a wastewater reduction device.
9 is a schematic cross-sectional view of a heat exchanger of a wastewater reduction device.
10 is a schematic cross-sectional view of a scrubber for treating harmful gas according to another embodiment of the present invention.
11 is a schematic cross-sectional view of a scrubber for treating harmful gas according to another embodiment of the present invention.
12 is a schematic exploded view of the first chamber and the second chamber of FIG. 11.

상술한 본 발명의 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 실시 예를 통하여 보다 분명해질 것이다. Objects, features, and advantages of the present invention described above will become more apparent through the following embodiments in connection with the accompanying drawings.

이하의 특정한 구조 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서 또는 출원에 설명된 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니된다.Specific structure or functional descriptions below are exemplified only for the purpose of describing embodiments according to the concept of the present invention, and embodiments according to the concept of the present invention may be implemented in various forms and described in this specification or application. It should not be construed as being limited to the examples.

본 발명의 개념에 따른 실시 예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 특정 실시 예들은 도면에 예시하고 본 명세서 또는 출원에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태에 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since embodiments according to the concept of the present invention can be modified in various ways and have various forms, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the present specification or application. However, this is not intended to limit the embodiments according to the concept of the present invention to a specific form of disclosure, it is to be understood that all changes, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention are included.

제1 및/또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소는 제1 구성 요소로도 명명될 수 있다. Terms such as first and/or second may be used to describe various elements, but the elements are not limited to the terms. The terms are only for the purpose of distinguishing one component from other components, for example, without departing from the scope of rights according to the concept of the present invention, the first component can be named as the second component, and is similar. Thus, the second component may also be referred to as a first component.

어떠한 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어 있다"거나 "접속되어 있다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떠한 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어 있다"거나 또는 "직접 접속되어 있다"고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하기 위한 다른 표현들, 즉 "∼사이에"와 "바로 ∼사이에" 또는 "∼에 인접하는"과 "∼에 직접 인접하는" 등의 표현도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected to or connected to the other component, but other components may exist in the middle. It should be understood. On the other hand, when a component is referred to as "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that no other component exists in the middle. Other expressions for describing the relationship between the constituent elements, namely, "between" and "directly between" or "adjacent to" and "directly adjacent to" should be interpreted as well.

본 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설명된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in the present specification are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In the present specification, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate the existence of the described feature, number, step, action, component, part, or combination thereof, but one or more other features or numbers, It is to be understood that the possibility of addition or presence of steps, actions, components, parts, or combinations thereof is not preliminarily excluded.

다르게 정의되지 않는 한, 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless otherwise defined, all terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms as defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and should not be interpreted as an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in this specification. Does not.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명하도록 한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by describing a preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals in each drawing indicate the same member.

이하, 본 발명의 실시예들을 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유해가스 처리용 스크러버의 개략적인 단면도이며; 도 3은 유해가스 처리용 스크러버의 제2 몸체부의 개략적인 단면도이며; 도 4는 유해가스 처리용 스크러버의 제1 챔버의 단면도이며; 도 5는 유해가스 처리용 스크러버의 제2 몸체부의 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of a scrubber for treating harmful gas according to an embodiment of the present invention; 3 is a schematic cross-sectional view of a second body portion of a scrubber for treating harmful gases; 4 is a cross-sectional view of a first chamber of a scrubber for treating harmful gases; 5 is a cross-sectional view of a second body portion of a scrubber for treating harmful gases.

본 발명의 일 실시예에 따른 유해가스 처리용 스크러버(100)는 유해가스를 연소시키는 제1 몸체부(110) 및 멀티 챔버(121, 122, 123)를 구비하는 제2 몸체부(120)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유해가스 처리용 스크러버는 전기히터 방식, 연료를 사용하는 버너 방식, 플라즈마 방식 등 다양한 방식의 스크러버로 이용될 수 있으며, 특정한 방식으로 한정하지 않는다. 다만, 설명의 편의를 위해, 이하 플라즈마 방식의 스크러버로 설명하기로 한다.The scrubber 100 for treating harmful gas according to an embodiment of the present invention includes a first body part 110 for burning harmful gas and a second body part 120 having a multi-chamber 121, 122, 123 Can include. The scrubber for treating harmful gas according to an embodiment of the present invention may be used as a scrubber of various types, such as an electric heater method, a burner method using fuel, and a plasma method, and is not limited to a specific method. However, for convenience of explanation, it will be described below with a plasma type scrubber.

도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 몸체부(110)는 유해가스 유입관(111), 플라즈마 토치(112), 캐소드 전극체(113), 애노드 전극체(114) 및 티그세트(115)를 포함할 수 있다. 반도체 공정 중 웨이퍼를 가공하여 칩을 제조하는 과정에서 사용되는 가스인 실란(Silane), 아르신(Arsine), 염화 붕소와, 회로를 이루는 텅스텐, 구리, 알루미늄과 NF3, CF4 등 부식성 가스 및 이물질이 프로세스 챔버와 진공 펌프에서 질소와 혼합되고, 이 과정에서 수많은 부산물과 분지 파우더 등이 생성되는데, 이러한 부산물 및 분지 파우더를 함유하는 유해가스는 메인 장비에서 공정 진행 후 진공 펌프를 지나 유해가스 유입관(111)을 통해 스크러버(100)로 유입된다. 상기 유해가스 유입관(111)은 상기 제1 몸체부(110)의 측면에 연결될 수 있다. 상기 유입관(111)은 나선형(spiral)으로 형성되어 유해가스 자체에 와류를 형성할 수 있으며, 복수 개로 구비될 수 있다. 또한, 상기 제1 몸체부(110)에는 상하 방향으로 길이조정이 가능한 캐소드 전극체(113)가 구비된 티그세트(115)가 구비된다. 상기 티그세트(115)는 외부로부터 공급되는 전력에 의해 캐소드 전극체(113)와 애노드 전극체(114)를 서로 반응시키는 역할을 할 수 있다. 한편, 상기 제1 몸체부(110) 내부에는 플라즈마 형성가스가 내부로 인입되기 위한 통로인 플라즈마 형성가스 유로가 형성될 수 있으며, 상기 플라즈마 형성가스와 상기 캐소드 전극체(113) 및 애노드 전극체(114)의 반응에 의해 화염이 발생하고, 상기 화염에 의해 유해가스가 연소될 수 있다.As shown in FIG. 2, the first body part 110 includes a harmful gas inlet pipe 111, a plasma torch 112, a cathode electrode body 113, an anode electrode body 114, and a teag set 115. It may include. During the semiconductor process, corrosive gases such as silane, arsine, boron chloride, and tungsten, copper, aluminum and NF3, CF4, which are the gases used in the process of manufacturing a chip by processing a wafer, It is mixed with nitrogen in the process chamber and vacuum pump, and in this process, numerous by-products and branch powders are generated.The harmful gas containing these by-products and branch powder goes through the vacuum pump after the process in the main equipment, and then the harmful gas inlet pipe ( It is introduced into the scrubber 100 through 111). The harmful gas inlet pipe 111 may be connected to a side surface of the first body part 110. The inlet pipe 111 may be formed in a spiral shape to form a vortex in the harmful gas itself, and may be provided in plural. In addition, the first body portion 110 is provided with a teag set 115 including a cathode electrode body 113 capable of adjusting the length in the vertical direction. The teag set 115 may serve to react the cathode electrode body 113 and the anode electrode body 114 with each other by power supplied from the outside. Meanwhile, a plasma forming gas flow path, which is a passage through which plasma forming gas is introduced into, may be formed inside the first body part 110, and the plasma forming gas, the cathode electrode body 113, and the anode electrode body ( A flame is generated by the reaction of 114), and harmful gases may be burned by the flame.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제2 몸체부(120)는 상기 제1 몸체부(110)의 일측과 연결될 수 있으며, 제1 챔버(121), 제2 챔버(122), 제3 챔버(123) 및 배출홀(126a)을 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체부(120)는 상기 제1 몸체부(110)에서 연소된 유해가스 내의 유해물질을 제거할 수 있다. 또한, 상기 제2 몸체부(120)는 멀티 챔버(121, 122, 123)를 구비함으로써, 내부에 유해가스의 이동경로(1281, 1282, 1283, 1284)가 형성될 수 있다. 2 and 3, the second body portion 120 may be connected to one side of the first body portion 110, and the first chamber 121, the second chamber 122, and It may include a three-chamber 123 and a discharge hole (126a). The second body part 120 may remove harmful substances in the harmful gas burned in the first body part 110. In addition, since the second body part 120 includes the multi-chambers 121, 122, 123, movement paths 1281, 1282, 1283, and 1284 of harmful gases may be formed therein.

또한, 상기 유해가스 처리용 스크러버(100)는 상기 배출홀(126a)과 상기 제2 몸체부(120)의 하측 사이에 형성되는 공간부(130)를 선택적으로 포함할 수 있다. 즉, 멀티 챔버를 통과한 유해가스는 제2 몸체부(120)의 하측으로 바로 배출될 수 있으며, 또는 상기 공간부(130)를 지나 제2 몸체부(120)의 하측으로 배출될 수도 있다. 상기 공간부(130)는 유해가스가 지나가는 통로 역할을 할 수 있다. 도 2 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 공간부(130)는, 제2 챔버(122) 내부를 구획하는 막(122c)에 의해, 제2 챔버(122)의 내부 하측에 형성될 수 있다. 상기 막(122c)을 기준으로 상기 제2 챔버(122)의 상측의 내부에는 제1 챔버(121)가 수납될 수 있다. 상기 제2 챔버(122) 내부에 형성된 막(122c)은 상기 공간부(130)의 상측에 배치되는 제1 챔버(121)를 지지할 수 있다. In addition, the toxic gas treatment scrubber 100 may selectively include a space 130 formed between the discharge hole 126a and the lower side of the second body 120. That is, the harmful gas that has passed through the multi-chamber may be discharged directly to the lower side of the second body part 120, or may be discharged to the lower side of the second body part 120 through the space part 130. The space 130 may serve as a passage through which noxious gas passes. As shown in FIGS. 2 and 5, the space 130 may be formed below the inside of the second chamber 122 by a film 122c that partitions the inside of the second chamber 122. . The first chamber 121 may be accommodated in the upper side of the second chamber 122 based on the film 122c. The film 122c formed inside the second chamber 122 may support the first chamber 121 disposed above the space 130.

상기 제1 챔버(121)는 상기 제2 몸체부(120) 내부에 구비되는 챔버로서, 상기 제1 몸체부(110)에서 연소된 유해가스가 제2 몸체부(120)에서 완전 연소되도록 보조하는 역할을 한다. 상기 제1 챔버(121)는 플라즈마 불꽃(127)이 하부로 이동할 수 있도록 한다. 또한, 상기 제1 챔버(121)에는 적어도 하나의 제1홀(121a)이 구비될 수 있으며, 상기 제1홀(121a)은 타원형일 수 있다. 상기 제1홀(121a)은 상기 제1 챔버(121)의 하부에 형성될 수 있고, 상기 제1 챔버(121)의 하부와 대응되는 제2 챔버(122)의 하부와 연통될 수 있다. 또한, 상기 제1 챔버(121)는 상기 공간부(130)의 상측, 즉 제2 챔버(122)의 내부에 형성되는 막(122c)을 기준으로 제2 챔버(122)의 상측 내부에 수납될 수 있는데, 이때 상기 제1 챔버(121) 하측에 형성되는 판(121c)에 의해 안정적으로 안착될 수 있다. 상기 판(121c)의 직경은 상기 제2 챔버(122)의 내부 직경과 같거나 작을 수 있다.The first chamber 121 is a chamber provided inside the second body part 120, and assists the harmful gas burned in the first body part 110 to be completely burned in the second body part 120. Plays a role. The first chamber 121 allows the plasma flame 127 to move downward. In addition, at least one first hole 121a may be provided in the first chamber 121, and the first hole 121a may have an elliptical shape. The first hole 121a may be formed under the first chamber 121 and may communicate with a lower portion of the second chamber 122 corresponding to the lower portion of the first chamber 121. In addition, the first chamber 121 may be accommodated in the upper side of the second chamber 122 based on the film 122c formed on the upper side of the space unit 130, that is, the inside of the second chamber 122. In this case, it can be stably seated by the plate 121c formed under the first chamber 121. The diameter of the plate 121c may be equal to or smaller than the inner diameter of the second chamber 122.

한편, 상기 제1홀(121a)의 크기는 상기 배출홀(126a)의 크기보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제1홀(121a)의 면적은 상기 배출홀(126a)의 면적의 약 3배 이상 클 수 있다. 이는 유해가스가 상기 이동경로(1281, 1282, 1283, 1284)를 거치지 않고 바로 배출홀(126a)을 통해 외부로 빠져나가는 경우 반응이 충분히 이루어지지 않아 불완전 연소되거나 완전 연소를 위해 많은 전력이 소비되는 등의 문제를 방지하며, 부산물(파우더)이 제1홀(121a)을 통해 이동경로를 거치는 경우 멀티 챔버(121, 122, 123) 사이에 적체되어 제거(청소) 작업 등이 수반되는 번거로움을 방지하기 위함이다. 즉, 상기 제1홀(121a)과 배출홀(126a)의 크기 간 상관 관계에 따르면, 유해가스가 빠져나가는 이동경로(1281, 1282, 1283, 1284)에서 제1홀(121a)의 면적이 배출홀(126a)의 면적보다 크기 때문에, 제1홀(121a)로 통과하는 유체의 유동저항이 배출홀(126a)을 통과하는 유동저항보다 작으므로, 대부분의 유해가스가 제1홀(121a)을 통과하여 제2 챔버(122) 측으로 유동할 수 있게 된다. 따라서, 유해가스는 배출홀(126a)을 통해 바로 배출되는 것이 아니라 이동경로(1281, 1282, 1283, 1284)를 거쳐 배출되므로 충분한 반응시간 및 반응길이를 확보할 수 있다. 또한, 가스보다 무거운 부산물(파우더)은 제1홀(121a)을 통해 상기 이동경로(1281, 1282, 1283, 1284)를 거치지 않고 챔버의 내부 하측으로 자유 낙하되므로, 별도의 제거(청소) 작업 등 없이도 배출홀(126a)을 통해 외부로 빠져나갈 수 있다. Meanwhile, the size of the first hole 121a may be larger than the size of the discharge hole 126a. For example, the area of the first hole 121a may be about three times or more larger than the area of the discharge hole 126a. This is because when the harmful gas exits directly to the outside through the discharge hole 126a without passing through the movement paths 1281, 1282, 1283, 1284, the reaction is not sufficiently performed, so that incomplete combustion or a lot of power is consumed for complete combustion. It prevents problems such as, and when the by-product (powder) passes through the movement path through the first hole 121a, it is accumulated between the multi-chambers 121, 122, and 123, thereby eliminating the hassle of removing (cleaning). This is to prevent. That is, according to the correlation between the sizes of the first hole 121a and the discharge hole 126a, the area of the first hole 121a is discharged from the movement paths 1281, 1282, 1283, and 1284 through which the harmful gas escapes. Since it is larger than the area of the hole 126a, since the flow resistance of the fluid passing through the first hole 121a is smaller than the flow resistance passing through the discharge hole 126a, most of the harmful gases pass through the first hole 121a. It can pass through and flow toward the second chamber 122. Therefore, since the harmful gas is not discharged directly through the discharge hole 126a but through the movement paths 1281, 1282, 1283, 1284, sufficient reaction time and reaction length can be ensured. In addition, since by-products (powder) heavier than gas fall freely to the lower side of the chamber without passing through the movement paths 1281, 1282, 1283, 1284 through the first hole 121a, separate removal (cleaning) work, etc. Without it, it can be escaped to the outside through the discharge hole (126a).

상기 제2 챔버(122)는 상기 제1 챔버(121)의 외부를 둘러싸며 상기 제2 몸체부(120) 내부에 구비되는 챔버이다. 상기 제1 챔버(121)를 통과한 유해가스는 상기 제2 챔버(122)를 지나 상기 제3 챔버(123)로 유입될 수 있다. 상기 제2 챔버(122)에는 적어도 하나의 제2홀(122a) 및 제3홀(122b)이 구비될 수 있으며, 상기 제2홀(122a) 및 제3홀(122b)은 타원형일 수 있다. 상기 제2홀(122a)은 상기 제2 챔버(122)의 상부에 형성될 수 있고, 상기 제3 챔버(123)의 상부와 연통될 수 있다. 상기 제3홀(122b)은 상기 제2 챔버(122)의 하부에 형성될 수 있고, 상기 제2 몸체부(120)의 하부와 연통될 수 있다. 또한, 상기 제3홀(122b)은 상기 공간부(130)와 연통될 수 있다. The second chamber 122 surrounds the outside of the first chamber 121 and is a chamber provided inside the second body part 120. The harmful gas that has passed through the first chamber 121 may pass through the second chamber 122 and flow into the third chamber 123. At least one second hole 122a and a third hole 122b may be provided in the second chamber 122, and the second hole 122a and the third hole 122b may have an elliptical shape. The second hole 122a may be formed above the second chamber 122 and may communicate with the upper portion of the third chamber 123. The third hole 122b may be formed under the second chamber 122 and may communicate with the lower part of the second body part 120. In addition, the third hole 122b may communicate with the space 130.

상기 제3 챔버(123)는 상기 제2 챔버(122)의 외부를 둘러싸며 상기 제2 몸체부(120) 내부에 구비되는 챔버이다. 상기 제1 챔버(121) 및 제2 챔버(122)를 통과한 유해가스는 상기 제3 챔버(123)를 지나 외부로 배출될 수 있다. 또한, 상기 제3 챔버(123)를 통과한 유해가스는 공간부(130)를 지나 외부로 배출될 수도 있다. The third chamber 123 surrounds the outside of the second chamber 122 and is a chamber provided inside the second body part 120. The harmful gas that has passed through the first and second chambers 121 and 122 may pass through the third chamber 123 and be discharged to the outside. In addition, the harmful gas that has passed through the third chamber 123 may be discharged to the outside through the space unit 130.

또한, 상기 멀티 챔버(121, 122, 123)의 직경은, 제1 챔버(121), 제2 챔버(122) 및 제 3 챔버(123)의 순으로 직경이 크다. 한편, 상기 멀티 챔버(121, 122, 123)의 재질은 높은 온도와 부식에 강한 인코넬 625 또는 STS310S 금속을 사용하는 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니고 고온에 의한 변형에 강한 재질이면 충분하다. 또한, 상기 제1 챔버(121), 제2 챔버(122) 및 제3 챔버(123)는 일체로 형성될 수 있으며, 분해 조립 가능하도록 별도로 형성될 수도 있다. In addition, the diameters of the multi-chambers 121, 122, and 123 are larger in the order of the first chamber 121, the second chamber 122, and the third chamber 123. Meanwhile, it is preferable to use Inconel 625 or STS310S metal, which is resistant to high temperature and corrosion, as the material of the multi-chambers 121, 122, 123, but is not limited thereto, and a material resistant to deformation by high temperature is sufficient. In addition, the first chamber 121, the second chamber 122, and the third chamber 123 may be integrally formed, or may be separately formed so as to be disassembled and assembled.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 챔버를 구비하는 스크러버(100)에서, 유해가스가 이동하는 경로에 대하여 설명한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 챔버(121)로 유입되는 유해가스는 제1 경로(1281)를 따라 제1 챔버(121)의 하측을 향하여 이동하고, 제1 챔버(121)의 하부에 형성되는 적어도 하나의 제1홀(121a)을 통과하여 제2 챔버(122)로 유입된다. 상기 제2 챔버(122)로 유입된 유해가스는 제2 경로(1282)를 따라 제2 챔버(121)의 상측을 향하여 이동하고, 제2 챔버(122)의 상부에 형성되는 적어도 하나의 제2홀(122a)을 통과하여 제3 챔버(122)로 유입된다. 상기 제3 챔버(123)로 유입된 유해가스는 제3 경로(1283)를 따라 제3 챔버(123)의 하측을 향하여 이동하고, 제2 챔버(122)의 하부에 형성되는 적어도 하나의 제3홀(122b)을 통과하여 제4 경로(1284)를 따라 제2 몸체부(120)의 하측으로 배출될 수 있다. 또한, 공간부(130)를 거쳐 제2 몸체부(120)의 하측으로 배출될 수 있다.In addition, in the scrubber 100 having a multi-chamber according to an embodiment of the present invention, a path through which noxious gas moves will be described. As shown in FIG. 3, the noxious gas flowing into the first chamber 121 moves toward the lower side of the first chamber 121 along the first path 1281, and is located under the first chamber 121. It is introduced into the second chamber 122 through at least one formed first hole 121a. The noxious gas introduced into the second chamber 122 moves toward the upper side of the second chamber 121 along the second path 1282, and at least one second formed on the second chamber 122 It is introduced into the third chamber 122 through the hole 122a. The noxious gas introduced into the third chamber 123 moves toward the lower side of the third chamber 123 along the third path 1283, and at least one third formed under the second chamber 122 It may pass through the hole 122b and be discharged to the lower side of the second body portion 120 along the fourth path 1284. In addition, it may be discharged to the lower side of the second body portion 120 through the space portion 130.

이와 같은 제2 몸체부(120) 내부에 형성되는 이동경로(1281, 1282, 1283, 1284)를 구비함으로써, 본 발명에 따른 스크러버는 전력 소비를 절감하고, 처리 효율을 높일 수 있다. 구체적으로, 종래의 스크러버(10)에서는 유해가스가 반응부(12)의 상부에서 하부로 한번에 통과하면서 약 1400℃의 플라즈마 열이 직접적으로 방출되는 반면, 본 발명의 스크러버(100)에서는 유해가스가 제2 몸체부(120) 내부에 형성된 이동경로(1281, 1282, 1283, 1284)를 따라 멀티 챔버를 통과하면서 플라즈마 열이 간접적으로 방출될 수 있다. 본 발명에 따른 스크러버에서, 상기 제1 챔버(121)로 유입되는 약 1400℃의 온도를 가지는 유해가스는, 제2 챔버(122)를 통과하면서 약 1200℃로 냉각되며, 제3 챔버(123)를 통과하면서 약 600℃로 냉각될 수 있다. 다만, 상기 온도에 한정되는 것은 아니다. 즉, 멀티 챔버의 구조로 인해 챔버의 내부 온도는 점진적으로 낮아지게 되어, 완전 연소가 가능하게 되며, 고온을 유지하기 위해 많은 전력을 소비하지 않게 된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 스크러버(100)는 종래 기술보다 에너지 효율을 약 20% 정도 절감할 수 있다. 예를 들어, 농도 약 10000PPM의 CF4가스 약 100LPM을 처리하는 경우, 기존 단일 챔버를 가지는 종래의 스크러버(10)는 기준효율 약 90% 이상을 만족하기 위해 약 14kwh의 전력을 소모할 수 있다. 이때 처리효율은 약 91.1% 정도일 수 있다. 반면, 본 발명에 따른 멀티 챔버를 구비하는 유해가스 처리용 스크러버(100)는 기준효율 약 90% 이상을 만족하기 위해 약 9.6kwh의 전력을 소모할 수 있다. 이때 처리효율은 약 91.4% 정도일 수 있다. 아울러, 본 발명에 따른 스크러버(100)의 전력을 약 10.5kwh, 11.4kwh로 높이는 경우, 처리효율은 각각 약 93.2%, 97.2%로 증대될 수 있다. 다만, 상기 수치는 예시적인 것으로, 이에 한정되지 않는다. By providing the movement paths 1281, 1282, 1283, and 1284 formed inside the second body part 120 as described above, the scrubber according to the present invention can reduce power consumption and increase processing efficiency. Specifically, in the conventional scrubber 10, while the harmful gas passes from the top to the bottom of the reaction unit 12 at a time, plasma heat of about 1400°C is directly released, whereas the harmful gas is released in the scrubber 100 of the present invention. Plasma heat may be indirectly emitted while passing through the multi-chamber along the movement paths 1281, 1282, 1283, and 1284 formed inside the second body 120. In the scrubber according to the present invention, the harmful gas having a temperature of about 1400° C. introduced into the first chamber 121 is cooled to about 1200° C. while passing through the second chamber 122, and the third chamber 123 It can be cooled to about 600°C while passing through. However, it is not limited to the above temperature. That is, due to the structure of the multi-chamber, the internal temperature of the chamber is gradually lowered, so that complete combustion is possible, and a lot of power is not consumed to maintain the high temperature. Accordingly, the scrubber 100 according to the present invention can reduce energy efficiency by about 20% compared to the prior art. For example, when processing about 100 LPM of CF4 gas having a concentration of about 10000 PPM, the conventional scrubber 10 having a conventional single chamber may consume about 14 kwh of power to satisfy a reference efficiency of about 90% or more. At this time, the treatment efficiency may be about 91.1%. On the other hand, the scrubber 100 for treating harmful gas having a multi-chamber according to the present invention may consume about 9.6 kwh of power to satisfy a reference efficiency of about 90% or more. At this time, the treatment efficiency may be about 91.4%. In addition, when the power of the scrubber 100 according to the present invention is increased to about 10.5kwh and 11.4kwh, the treatment efficiency can be increased to about 93.2% and 97.2%, respectively. However, the above figures are illustrative and are not limited thereto.

또한, 종래의 스크러버(10)의 반응 존의 길이는 예를 들어 약 643mm이며 플라즈마 불꽃(13)의 길이는 약 150 내지 200mm인데 반해, 본 발명에 따른 스크러버(100)의 반응 존의 길이는 예를 들어 약 1380mm이며 플라즈마 불꽃(127)의 길이는 약 250 내지 300mm 이므로, 유해가스가 통과하는 배관의 길이를 확보해 줄 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 유해가스의 열 분해 온도와 시간을 충분히 제공할 수 있으므로 처리효율이 크게 향상될 수 있다. In addition, the length of the reaction zone of the conventional scrubber 10 is, for example, about 643 mm and the length of the plasma flame 13 is about 150 to 200 mm, whereas the length of the reaction zone of the scrubber 100 according to the present invention is For example, it is about 1380 mm and the length of the plasma flame 127 is about 250 to 300 mm, so it is possible to secure the length of the pipe through which the harmful gas passes. Accordingly, according to the present invention, since the thermal decomposition temperature and time of the harmful gas can be sufficiently provided, the treatment efficiency can be greatly improved.

본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 챔버를 구비하는 스크러버(100)에서, 상기 제2 몸체부(120)의 외측부(125)와 상기 제3 챔버(123) 사이에는, 냉각수(PCW)가 흐르는 냉각 챔버(124)가 형성될 수 있다. 또한, 상기 제3 챔버(123)를 이중관으로 구성하여, 그 사이에 냉각수(PCW)가 흐르도록 할 수도 있다. 상기 냉각수(PCW)는 계속 순환되는 물이며, 별도로 구비되는 냉동기를 사용하여 상기 냉각수의 온도를 일정하게 유지할 수 있다. 예를 들어, 상기 냉각수의 온도는 약 18℃일 수 있다. 상기 냉각챔버(124)는 내부에 냉각수가 흐르도록 하여 배관 외부의 과열을 방지하며, 외부 온도를 낮추는데 기여할 수 있다.In the scrubber 100 having a multi-chamber according to an embodiment of the present invention, cooling water (PCW) flows between the outer portion 125 of the second body portion 120 and the third chamber 123 The chamber 124 may be formed. In addition, the third chamber 123 may be configured as a double tube so that the cooling water PCW flows therebetween. The cooling water (PCW) is water that is continuously circulated, and the temperature of the cooling water may be kept constant using a separately provided refrigerator. For example, the temperature of the cooling water may be about 18°C. The cooling chamber 124 prevents overheating outside the pipe by allowing cooling water to flow therein, and may contribute to lowering the external temperature.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 챔버를 구비하는 스크러버(100)는, 상기 제2 몸체부(120)의 내부 하측에 배치되며 부산물(파우더)을 배출하는 배출홀(126a)을 구비할 수 있다. 특히, 상기 배출홀(126a)은 상기 제1 챔버(121)의 내부 하측에 형성되는 것이 바람직하나, 상기 배출홀(126a)의 위치는 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제2 몸체부(120) 내부의 부산물을 상기 제2 몸체부(120)의 외부로 배출할 수 있는 위치면 충분하다. 또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 스크러버(100)는 부산물을 포집하고 포집된 부산물을 배출홀(126a)을 통해 배출되도록 하는 부재(126)를 포함할 수 있다. 상기 부재(126)는 직경이 하측으로 감소하는, 즉 테이퍼지는(tapered) 관 형상일 수 있는데, 이러한 형상은 제2 몸체부(120) 내부에 부산물이 적체되는 것을 방지하는데 큰 도움을 줄 수 있다. 또한, 상기 배출홀(126a)은 상기 부재(126) 하측에 일체로 형성될 수 있으며, 배출홀(126a)이 형성된 부재(126)는 제2 몸체부(120)와 별도로 형성되어 분해조립 가능하거나 제2 몸체부(120)와 일체로 형성될 수 있다. 상기 스크러버(100)가 배출홀(126a) 또는 테이퍼지는 관 형상의 부재(126)를 구비함으로써, 챔버 내부에 적체되는 부산물(파우더)을 청소하기 위해 챔버를 분해하고 조립하는데 드는 시간 및 비용은 크게 줄어들 수 있다. 아울러, 부산물을 제거하기 위해, 스크러버의 가동을 중단시켜 분해 및 조립을 하지 않아도 되므로, 스크러버를 가동시키면서 부산물 청소가 가능하게 된다.In addition, the scrubber 100 having a multi-chamber according to an embodiment of the present invention is disposed below the inside of the second body 120 and has a discharge hole 126a for discharging a by-product (powder). I can. In particular, the discharge hole (126a) is preferably formed in the lower inner side of the first chamber 121, but the location of the discharge hole (126a) is not limited to this, the inside of the second body portion 120 A position capable of discharging the by-products of the second body 120 to the outside is sufficient. In addition, as shown in FIG. 4, the scrubber 100 may include a member 126 that collects by-products and discharges the collected by-products through the discharge hole 126a. The member 126 may have a tubular shape whose diameter decreases downward, that is, tapered, and this shape can greatly help prevent by-products from accumulating inside the second body part 120. . In addition, the discharge hole 126a may be integrally formed under the member 126, and the member 126 in which the discharge hole 126a is formed is formed separately from the second body part 120 to be disassembled or assembled. It may be formed integrally with the second body portion 120. Since the scrubber 100 has a discharge hole 126a or a tapered tubular member 126, the time and cost required to disassemble and assemble the chamber to clean by-products (powder) accumulated in the chamber are large Can be reduced. In addition, in order to remove by-products, it is not necessary to disassemble and assemble by stopping the operation of the scrubber, so that by-product cleaning is possible while operating the scrubber.

또한, 상기 스크러버(100)는 상기 제2 몸체부(120)의 하측에 연결되는 리저버탱크(reservoir tank)(140)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체부(120)를 통과한 가스 및 상기 제2 몸체부(120)의 챔버 내의 부산물(파우더)가 상기 리저버탱크(140)로 유입되어 물과 접촉할 수 있다. 상기 리저버탱크(140)는 물을 분사하는 스프레이를 구비할 수 있는데, 이로 인해 플라즈마와 반응한 고온의 가스가 리저버 탱크(140) 내부에서 냉각될 수 있다. In addition, the scrubber 100 may include a reservoir tank 140 connected to the lower side of the second body portion 120. Gas that has passed through the second body portion 120 and by-products (powder) in the chamber of the second body portion 120 may flow into the reservoir tank 140 to contact water. The reservoir tank 140 may be provided with a spray for spraying water, whereby the high-temperature gas reacted with the plasma may be cooled inside the reservoir tank 140.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 리저버탱크(140)에는 폐수절감장치(160)가 구비될 수 있다. 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 폐수절감장치(160)는 열교환기(161), 수산화나트륨(NaOH) 공급밸브(162), PH센서(163), 수위감지용 레버센서(164), 오버플로워(over flower) 장치(165), 폐수 드레인 펌프배관(166) 및 폐수 순환펌프(167)를 포함할 수 있다. 상기 PH센서(163)는 산성도를 측정하여 NaOH 공급밸브(162)로 신호를 보낼 수 있다. 상기 레버센서(164)는 리저버탱크(140) 내의 수위를 감지할 수 있다. 상기 오버플로워 장치(165)는 배관이 터지거나, 센서가 고장나거나, 정전이 되는 등의 상황에서 물이 넘치지 않게 자동으로 배수되도록 할 수 있다. 상기 리저버탱크(140) 내의 급격한 온도 상승 시 공업 용수를 보충하게 되는데, 이때 수위가 상승하면 상기 드레인 펌프배관(166)을 통해 물이 배출될 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, the reservoir tank 140 may be provided with a wastewater reduction device 160. 6 to 8, the wastewater reduction device 160 includes a heat exchanger 161, a sodium hydroxide (NaOH) supply valve 162, a PH sensor 163, and a water level sensing lever sensor 164 , An overflow (over flower) device 165, a wastewater drain pump pipe 166 and a wastewater circulation pump 167 may be included. The PH sensor 163 may measure the acidity and transmit a signal to the NaOH supply valve 162. The lever sensor 164 may detect the water level in the reservoir tank 140. The overflow device 165 may be automatically drained so that water does not overflow in situations such as a pipe burst, a sensor failure, or a power outage. When the temperature in the reservoir tank 140 rises rapidly, industrial water is replenished, and when the water level rises, water may be discharged through the drain pump pipe 166.

또한, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 열교환기(161)는 냉각수(PCW) 인렛(161a), 냉각수(PCW) 아웃렛(161b), 폐수 인렛(161c) 및 폐수 아웃렛(161d)을 포함할 수 있다. 상기 열교환기(161)는 냉각수(PCW)와 리저버탱크(140)의 따뜻한 물(폐수)을 열교환하여 폐수의 온도를 냉각시킬 수 있다. 즉, 상기 리저버탱크(140)에 모인 물은 순환펌프를 통해 열교환기(161)를 지나 노즐로 분사되며 다시 리저버탱크(140)에 회수 될 수 있다. 상기 노즐은 나사선을 따라 물을 분사하여 노즐 막힘 현상을 방지하는 스파이얼 노즐인 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버(100)는 상기 열교환기(161)를 구비함으로써 폐수를 재활용하여 폐수 사용량을 줄일 수 있으므로, 공업용수 절감 및 환경보호에 이바지할 수 있다. 또한, 상기 열교환기(161)는 테프론 코팅이 된 판형 열교환기인 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 열교환기는 오염물질 발생 시 청소가 용이한 분해 가능한 열교환기일 수 있다. In addition, as shown in FIG. 9, the heat exchanger 161 may include a cooling water (PCW) inlet 161a, a cooling water (PCW) outlet 161b, a wastewater inlet 161c, and a wastewater outlet 161d. have. The heat exchanger 161 may heat-exchange cooling water (PCW) with warm water (wastewater) of the reservoir tank 140 to cool the temperature of the wastewater. That is, the water collected in the reservoir tank 140 passes through the heat exchanger 161 through a circulation pump and is sprayed to the nozzle, and can be recovered to the reservoir tank 140 again. The nozzle is preferably a spiral nozzle that prevents nozzle clogging by spraying water along a screw line, but is not limited thereto. Accordingly, the scrubber 100 according to an embodiment of the present invention can reduce the amount of wastewater by recycling wastewater by having the heat exchanger 161, thereby contributing to industrial water reduction and environmental protection. In addition, the heat exchanger 161 is preferably a plate-type heat exchanger coated with Teflon, but is not limited thereto. The heat exchanger may be a decomposable heat exchanger that is easy to clean when pollutants are generated.

또한, 상기 NaOH 공급밸브(162)는 PH센서(163)로부터 신호를 받아 리저버탱크(140)의 산성도에 따라 NaOH를 공급할 수 있다. 따라서, 강한 산성을 띠는 폐수는 NaOH 공급밸브(162)로부터 강한 알칼리성을 띠는 NaOH를 공급받아 중성화되므로, 폐수는 약 6 내지 8 PH로 유지될 수 있다. 또한, 스크러버(100)는 NaOH 공급밸브(162)를 구비함으로써, 중성화된 폐수를 재활용하므로, 금속의 부식 문제를 해결할 수 있다. 한편, 상기 NaOH 공급밸브(162)는 솔레노이드 밸브인 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the NaOH supply valve 162 may receive a signal from the PH sensor 163 and supply NaOH according to the acidity of the reservoir tank 140. Therefore, since the wastewater having strong acidity is neutralized by receiving strong alkaline NaOH from the NaOH supply valve 162, the wastewater can be maintained at about 6 to 8 PH. In addition, the scrubber 100 is provided with the NaOH supply valve 162, so that the neutralized wastewater is recycled, so that the metal corrosion problem can be solved. Meanwhile, the NaOH supply valve 162 is preferably a solenoid valve, but is not limited thereto.

본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버(100)는, 상기 리저버탱크(140)의 상측에 연결되는 아웃렛타워(outlet tower)(150)를 포함할 수 있다. 상기 아웃렛타워(150)는 상기 리저버탱크(140)로부터 상승하는 가스에 포함되어 있는 이물질을 제거할 수 있다. 또한, 상기 아웃렛타워(150)는 적어도 하나의 수분 응축용 호퍼 장치(151)를 포함할 수 있다. 따라서, 상기 아웃렛타워(150)를 통과한 가스는 무해한 가스로서 외부에 배출될 수 있다. 리저버탱크(140) 및 아웃렛타워(150)를 통과한 가스는 약 35℃일 수 있다.The scrubber 100 according to an embodiment of the present invention may include an outlet tower 150 connected to the upper side of the reservoir tank 140. The outlet tower 150 may remove foreign substances included in the gas rising from the reservoir tank 140. In addition, the outlet tower 150 may include at least one hopper device 151 for condensing moisture. Accordingly, the gas that has passed through the outlet tower 150 may be discharged to the outside as a harmless gas. The gas passing through the reservoir tank 140 and the outlet tower 150 may be about 35°C.

본 발명의 다른 실시예에 따른 배출구(129)를 포함하는 유해가스 처리용 스크러버(100)에 대하여 설명한다. 본 실시예의 구성요소에 대한 설명에 있어서, 앞서 설명한 실시예의 구성요소와 공통되는 부분에 대하여는 그 설명을 생략한다. 도 10에 도시된 바와 같이, 반도체 공정 후 배출되는 유해가스는 제1 몸체부(110)를 거쳐 제2 몸체부(120)의 제1 챔버(121)로 유입된다. 상기 제1 챔버(121)로 유입된 유해가스는 제1 챔버(121)의 하측을 향하여 이동하고, 상기 제2 챔버(122)로 유입된다. 상기 제2 챔버(122)로 유입된 유해가스는 제2 챔버(122)의 상측을 향하여 이동하고, 상기 제3 챔버(123)로 유입된다. 상기 제3 챔버(123)로 유입된 유해가스는 배출구(129)를 통해 외부로 배출될 수 있다. 상기 제3 챔버(123)에는 제2 몸체부의 하단부의 측면으로 가스가 방출되도록 통로가 형성될 수 있다. 상기 배출구(129)를 통해 방출되는 가스는, 판형 열교환기(도시되지 않음)를 통해 냉각되고, 냉각된 가스는 배관을 통해 이동하여 외부로 배출될 수 있다. 또는, 별도의 수처리부를 거쳐 외부로 배출될 수도 있다.It will be described with respect to the scrubber 100 for treating harmful gas including an outlet 129 according to another embodiment of the present invention. In the description of the constituent elements of the present embodiment, the description of the parts common to the constituent elements of the above-described exemplary embodiment will be omitted. As shown in FIG. 10, the harmful gas discharged after the semiconductor process flows into the first chamber 121 of the second body part 120 through the first body part 110. The noxious gas introduced into the first chamber 121 moves toward the lower side of the first chamber 121 and is introduced into the second chamber 122. The noxious gas introduced into the second chamber 122 moves toward the upper side of the second chamber 122 and is introduced into the third chamber 123. The noxious gas introduced into the third chamber 123 may be discharged to the outside through an outlet 129. A passage may be formed in the third chamber 123 so that gas is discharged to the side of the lower end of the second body. The gas discharged through the outlet 129 may be cooled through a plate heat exchanger (not shown), and the cooled gas may be discharged to the outside by moving through a pipe. Alternatively, it may be discharged to the outside through a separate water treatment unit.

이어서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 멀티 챔버를 구비하는 스크러버(200)에 대하여 설명한다. 본 실시예의 구성요소에 대한 설명에 있어서, 앞서 설명한 실시예의 구성요소와 공통되는 부분에 대하여는 그 설명을 생략한다.Next, a scrubber 200 having a multi-chamber according to another embodiment of the present invention will be described. In the description of the constituent elements of the present embodiment, the description of the parts common to the constituent elements of the above-described exemplary embodiment will be omitted.

도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 스크러버(200)는 유해가스를 연소시키는 제1 몸체부 및 상기 제1 몸체부의 일측과 연결되며, 상기 제1 몸체부에 의해 연소된 유해가스가 유입되는 제1 챔버(221)와, 상기 제1 챔버의 외부를 둘러싸는 제2 챔버(222)와, 상기 제2 챔버의 외부를 둘러싸는 제3 챔버(223)를 포함하는 제2 몸체부(220)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체부(220)는 내부 하측에 배치되며 부산물을 배출하는 배출홀(226a)을 구비할 수 있다. As shown in Figs. 11 and 12, the scrubber 200 is connected to a first body part for burning harmful gas and one side of the first body part, and the harmful gas burned by the first body part flows in. A second body portion 220 including a first chamber 221 to be formed, a second chamber 222 surrounding the outside of the first chamber, and a third chamber 223 surrounding the outside of the second chamber. ) Can be included. The second body part 220 may be disposed below the inner side and may have a discharge hole 226a for discharging by-products.

상기 제1 챔버(221)에는 제2 챔버와 연통되는 복수 개의 제1홀들(221a)이 형성되며, 상기 제1홀들(221a)은 상기 제1 챔버의 상부에서 하부로 갈수록 개수가 증가할 수 있다. 상기 제1홀들(221a)의 크기는 상기 배출홀(226a)의 크기보다 클 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 유해가스가 유동저항이 작은 제1홀들(221a)을 통해 멀티 챔버(221, 222, 223)의 배관을 따라 유동하도록 하기 위함이다. 상기 제2 챔버(222)에는 제3 챔버와 연통되는 복수 개의 제2홀들(222a)이 형성되며, 상기 제2홀들(222a)은 상기 제1 챔버의 하부와 대응되는 제2 챔버의 하부에서 상기 제1 챔버의 상부와 대응되는 제2 챔버의 상부로 갈수록 개수가 증가할 수 있다. 즉, 도 12(a)에 도시된 바와 같이, 상기 제1홀들(221a)의 개수는, 예를 들면 피라미드의 형태와 같이, 상기 제1 챔버(221)의 상부에서 상기 제1 챔버(221)의 하부로 갈수록 점진적으로 증가할 수 있다. 도 12(b)에 도시된 바와 같이, 상기 제2홀들(222a)의 개수는, 예를 들면 역피라미드의 형태와 같이, 상기 제2 챔버(222)의 막(222c)을 기준으로 상측의 상부에서 하부로 갈수록 점진적으로 감소할 수 있다. 상기 제2 챔버(222)의 하단부에는 제2 몸체부의 하부와 연통되는 적어도 하나의 제3홀(222b)이 형성될 수 있다. 즉, 상기 막(222c)을 기준으로 하측에 적어도 하나의 제3홀(222b)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제3홀(222b)은 상기 배출홀(126a)과 상기 제2 몸체부(220)의 하측 사이에 선택적으로 형성되는 공간부(230)와 연통될 수 있다. A plurality of first holes 221a communicating with a second chamber are formed in the first chamber 221, and the number of the first holes 221a may increase from the top to the bottom of the first chamber. . The size of the first holes 221a may be larger than the size of the discharge hole 226a. As described above, the purpose is to allow the harmful gas to flow along the pipes of the multi-chambers 221, 222, and 223 through the first holes 221a having small flow resistance. A plurality of second holes 222a communicating with a third chamber are formed in the second chamber 222, and the second holes 222a are formed in the lower portion of the second chamber corresponding to the lower portion of the first chamber. The number may increase toward the upper portion of the second chamber corresponding to the upper portion of the first chamber. That is, as shown in FIG. 12(a), the number of the first holes 221a is, for example, in the form of a pyramid, from the top of the first chamber 221 to the first chamber 221 It can increase gradually toward the lower part of. As shown in Fig. 12(b), the number of the second holes 222a is, for example, in the form of an inverted pyramid, in the upper part of the second chamber 222 with respect to the film 222c. It can gradually decrease from to to the bottom. At least one third hole 222b communicating with a lower portion of the second body portion may be formed at a lower end of the second chamber 222. That is, at least one third hole 222b may be formed below the film 222c. In addition, the third hole 222b may communicate with a space 230 selectively formed between the discharge hole 126a and the lower side of the second body 220.

한편, 상기 제1 챔버(221)로 유입되는 유해가스는, 상기 제1홀들(221a)을 통하여 상기 제2 챔버(222)로 유입되어 이동하고, 상기 제2 챔버(222)로 유입된 유해가스는 상기 제2 홀들(222a)을 통하여 상기 제3 챔버(223)로 유입되어 이동하고, 상기 제3챔버(223)로 유입된 유해가스는 상기 적어도 하나의 제3홀(222b)을 통하여 상기 제2 몸체부(220)의 하측으로 배출될 수 있다. 또는, 상기 공간부(230)를 거쳐 상기 제2 몸체부(220)의 하측으로 배출될 수 있다.Meanwhile, the noxious gas flowing into the first chamber 221 is introduced into the second chamber 222 through the first holes 221a and moved, and the noxious gas introduced into the second chamber 222 Is introduced into the third chamber 223 through the second holes 222a and moves, and the noxious gas introduced into the third chamber 223 passes through the at least one third hole 222b. 2 It may be discharged to the lower side of the body portion 220. Alternatively, it may be discharged to the lower side of the second body part 220 through the space part 230.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are only exemplary, and those of ordinary skill in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. will be. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

100, 200 : 스크러버
110 : 제1 몸체부
120, 220 : 제2 몸체부
121, 221 : 제1 챔버
122, 222 : 제2 챔버
123, 223 : 제3 챔버
130, 230 : 공간부
140 : 리저버탱크
150 : 아웃렛타워
126a, 226a : 배출홀100, 200: scrubber
110: first body part
120, 220: second body part
121, 221: first chamber
122, 222: second chamber
123, 223: third chamber
130, 230: space
140: reservoir tank
150: Outlet Tower
126a, 226a: discharge hole

Claims (10)

유해가스를 연소시키는 제1 몸체부(110); 및
상기 제1 몸체부(110)의 일측과 연결되며, 상기 제1 몸체부에 의해 연소된 유해가스가 유입되는 제1 챔버(121)와, 상기 제1 챔버의 외부를 둘러싸는 제2 챔버(122)와, 상기 제2 챔버의 외부를 둘러싸는 제3 챔버(123)를 포함하며, 내부 하측에 배치되며 부산물을 배출하는 배출홀(126a)을 구비하는 제2 몸체부(120)를 포함하고,
상기 제1 챔버(121)로 유입되는 유해가스가, 상기 제1 챔버에 형성되는 적어도 하나의 제1홀(121a)을 통과하여 상기 제2 챔버(122)로 유입되어 이동하고, 상기 제2 챔버에 형성되는 적어도 하나의 제2홀(122a)을 통과하여 상기 제3 챔버(123)로 유입되어 이동하고, 상기 제2 챔버에 형성되는 적어도 하나의 제3홀(122b)을 통과하여 상기 제2 몸체부의 하측으로 배출되도록, 이동경로가 형성되고,
상기 제1홀(121a)의 크기는 상기 배출홀(126a)의 크기보다 크며,
상기 제1홀(121a)은 상기 제1 챔버(121)의 하부에 형성되며,
상기 제2홀(122a)은 상기 제2 챔버(122)의 상부에 형성되며,
상기 제3홀(122b)은 상기 제2 챔버(122)의 하부에 형성되는
유해가스 처리용 스크러버.
A first body portion 110 for burning harmful gas; And
A first chamber 121 connected to one side of the first body portion 110 and into which noxious gas burned by the first body portion is introduced, and a second chamber 122 surrounding the outside of the first chamber. ), and a third chamber 123 surrounding the outside of the second chamber, and a second body part 120 disposed below the inside and having a discharge hole 126a for discharging by-products,
Noxious gas flowing into the first chamber 121 passes through at least one first hole 121a formed in the first chamber, flows into the second chamber 122, and moves, and the second chamber Passes through at least one second hole (122a) formed in the inflow and moves into the third chamber 123, and passes through at least one third hole (122b) formed in the second chamber A movement path is formed so as to be discharged to the lower side of the body,
The size of the first hole 121a is larger than the size of the discharge hole 126a,
The first hole 121a is formed under the first chamber 121,
The second hole 122a is formed above the second chamber 122,
The third hole 122b is formed under the second chamber 122
Scrubber for hazardous gas treatment.
 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2 몸체부(120) 하측에 연결되는 리저버탱크(reservoir tank)(140)를 포함하는
유해가스 처리용 스크러버.
The method of claim 1,
Including a reservoir tank (140) connected to the lower side of the second body portion 120
Scrubber for hazardous gas treatment.
 제5항에 있어서,
상기 리저버탱크(140)에는 폐수절감장치(160)가 구비되는
유해가스 처리용 스크러버.
The method of claim 5,
The reservoir tank 140 is provided with a wastewater reduction device 160
Scrubber for hazardous gas treatment.
 제6항에 있어서,
상기 폐수절감장치(160)는
냉각수(PCW)와 폐수를 열교환시키는 열교환기(161)를 포함하는
유해가스 처리용 스크러버.
The method of claim 6,
The wastewater reduction device 160
Including a heat exchanger 161 for heat exchange between cooling water (PCW) and wastewater
Scrubber for hazardous gas treatment.
 제6항에 있어서,
상기 폐수절감장치(160)는
폐수에 수산화나트륨(NaOH)을 공급하는 NaOH 공급 밸브(162)를 포함하는
유해가스 처리용 스크러버.
The method of claim 6,
The wastewater reduction device 160
Including a NaOH supply valve 162 for supplying sodium hydroxide (NaOH) to wastewater
Scrubber for hazardous gas treatment.
 삭제delete 유해가스를 연소시키는 제1 몸체부; 및
상기 제1 몸체부의 일측과 연결되며, 상기 제1 몸체부에 의해 연소된 유해가스가 유입되는 제1 챔버(221)와, 상기 제1 챔버의 외부를 둘러싸는 제2 챔버(222)와, 상기 제2 챔버의 외부를 둘러싸는 제3 챔버(223)를 포함하며, 내부 하측에 배치되며 부산물을 배출하는 배출홀(226a)을 구비하는 제2 몸체부(220)를 포함하고,
상기 제1 챔버(221)에는 제2 챔버와 연통되는 복수 개의 제1홀들(221a)이 형성되며, 상기 제1홀들(221a)은 상기 제1 챔버의 상부에서 하부로 갈수록 개수가 증가하고,
상기 제2 챔버(222)에는 제3 챔버와 연통되는 복수 개의 제2홀들(222a)이 형성되며, 상기 제2홀들(222a)은 상기 제1 챔버의 하부와 대응되는 제2 챔버의 하부에서 상기 제1 챔버의 상부와 대응되는 제2 챔버의 상부로 갈수록 개수가 증가하고,
상기 제2 챔버(222)의 하단부에는 제2 몸체부의 하부와 연통되는 적어도 하나의 제3홀(222b)이 형성되고,
상기 제1 챔버(221)로 유입되는 유해가스는, 상기 제1홀들(221a)을 통하여 상기 제2 챔버(222)로 유입되어 이동하고, 상기 제2 챔버(222)로 유입된 유해가스는 상기 제2 홀들(222a)을 통하여 상기 제3 챔버(223)로 유입되어 이동하고, 상기 제3 챔버(223)로 유입된 유해가스는 상기 제3홀(222b)을 통하여 상기 제2 몸체부(220)의 하측으로 배출되는
유해가스 처리용 스크러버.
A first body to burn harmful gas; And
A first chamber (221) connected to one side of the first body portion and into which the harmful gas burned by the first body portion is introduced, a second chamber (222) surrounding the outside of the first chamber, and the It includes a third chamber 223 surrounding the outside of the second chamber, and includes a second body portion 220 disposed at the inner lower side and having a discharge hole 226a for discharging by-products,
A plurality of first holes 221a communicating with the second chamber are formed in the first chamber 221, and the number of the first holes 221a increases from the top to the bottom of the first chamber,
A plurality of second holes 222a communicating with a third chamber are formed in the second chamber 222, and the second holes 222a are formed in the lower portion of the second chamber corresponding to the lower portion of the first chamber. The number increases toward the top of the second chamber corresponding to the top of the first chamber,
At least one third hole 222b communicating with the lower portion of the second body portion is formed at the lower end of the second chamber 222,
Noxious gas flowing into the first chamber 221 flows into the second chamber 222 through the first holes 221a and moves, and the noxious gas introduced into the second chamber 222 is The harmful gas introduced into the third chamber 223 through the second holes 222a and moves, and the harmful gas introduced into the third chamber 223 is transferred to the second body part 220 through the third hole 222b. ) Discharged to the lower side of
Scrubber for hazardous gas treatment.
KR1020190102916A 2019-08-22 2019-08-22 Scrubber for treating harmful gas having multi chamber KR102215467B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190102916A KR102215467B1 (en) 2019-08-22 2019-08-22 Scrubber for treating harmful gas having multi chamber

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190102916A KR102215467B1 (en) 2019-08-22 2019-08-22 Scrubber for treating harmful gas having multi chamber

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102215467B1 true KR102215467B1 (en) 2021-02-16

Family

ID=74687013

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190102916A KR102215467B1 (en) 2019-08-22 2019-08-22 Scrubber for treating harmful gas having multi chamber

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102215467B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100683805B1 (en) * 2006-02-06 2007-02-16 크린시스템스코리아(주) Powder drain device of scrubber for processing semiconductor by-product gas
KR20100048213A (en) * 2008-10-30 2010-05-11 김재용 Gas scrubber
KR101166070B1 (en) * 2012-05-21 2012-07-19 김진일 Plasma scrubber using electrolysis method
KR101435143B1 (en) * 2012-03-29 2014-09-01 현대제철 주식회사 Cyclone separator

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100683805B1 (en) * 2006-02-06 2007-02-16 크린시스템스코리아(주) Powder drain device of scrubber for processing semiconductor by-product gas
KR20100048213A (en) * 2008-10-30 2010-05-11 김재용 Gas scrubber
KR101435143B1 (en) * 2012-03-29 2014-09-01 현대제철 주식회사 Cyclone separator
KR101166070B1 (en) * 2012-05-21 2012-07-19 김진일 Plasma scrubber using electrolysis method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100644994B1 (en) Exhaust gas treating device
KR100919619B1 (en) Plasma scrubber and method for abating toxic gas
JP2006170603A (en) Waste gas treating device
JP6336059B2 (en) Heat exchanger and exhaust gas treatment apparatus using the heat exchanger
KR100717730B1 (en) Multiple apparatus for disposing a polluted gas
TWI429477B (en) A gas treatment device, a gas treatment system using the apparatus, and a gas treatment method
KR102215467B1 (en) Scrubber for treating harmful gas having multi chamber
KR20110030037A (en) Scrubber sysyem for high temperature gas with air cooling system
KR102335845B1 (en) Heat exchanger and heat exchange method for cooling hot gas
KR102471366B1 (en) Plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas to save water and method thereof
KR100998853B1 (en) The waste gas scrubber
WO2022009313A1 (en) Gas processing furnace and exhaust gas processing device in which same is used
KR100967747B1 (en) Process and system for processing liquid waste
KR101747695B1 (en) A chemical cleaning liquid waste processing system for processing the chemical cleaning liquid waste caused by chemical cleaning process for the internal of steam generator secondary side in the nuclear power plant and thereof control method
KR101019635B1 (en) Scrubber having detachable burning wall
KR101773824B1 (en) Scrubber System
KR20160046989A (en) Scrubber System
JP7325478B2 (en) Exhaust gas treatment device
KR100290706B1 (en) Apparatus for treating aqueous waste gas and method therefor
KR102599407B1 (en) Scrubber apparatus for reducing energy with high efficiency and operating method thereof
KR100992752B1 (en) Scrubber of semiconductor manufacturing apparatus
KR102495499B1 (en) Catalytic horizontal plasma scrubber having distributor and method for treating waste gas using the same
KR20100009228A (en) Waste gas processing
KR200448987Y1 (en) Scruber
KR20090075091A (en) Scruber

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant