KR102200412B1 - adhesive composition and semiconductor wafer processing method using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 점착제 조성물 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 가공방법에 관한 것으로서, 본 발명에서 제공되는 점착제 조성물은 웨이퍼 기판과 점착필름 사이에 액상의 형태로 도포되어 전자회로상에 형성되는 미시적 구조까지 침투되며, 이에 웨이퍼 또는 반도체 칩을 충분히 고정시킬 수 있으며, 경화 시 탄성을 갖는 형태로 변화되어 박리가 용이하며 웨이퍼 표면 또는 반도체 칩에 점착제의 잔사를 남기지 않아, 전자회로 등의 손상을 방지할 수 있다.The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive composition and a method for processing a semiconductor wafer using the same, wherein the pressure-sensitive adhesive composition provided in the present invention is applied in a liquid form between a wafer substrate and an adhesive film and penetrates to a microscopic structure formed on an electronic circuit. The wafer or semiconductor chip can be sufficiently fixed, and when cured, it is changed into a form having elasticity, so that peeling is easy, and the adhesive residue is not left on the wafer surface or the semiconductor chip, thereby preventing damage to electronic circuits.

Description

점착제 조성물 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 가공방법{adhesive composition and semiconductor wafer processing method using the same}Adhesive composition and semiconductor wafer processing method using the same {adhesive composition and semiconductor wafer processing method using the same}

본 발명은 점착제 조성물 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 가공방법에 관한 것으로서, 좀 더 자세하게는 점착 필름 부착 적 점착성, 박리성 및 공정 핸들링의 용이성을 향상시키기 위해 도포되는 점착제 조성물 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 가공방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive composition and a method for processing a semiconductor wafer using the same, and in more detail, to a pressure-sensitive adhesive composition applied to improve adhesion of an adhesive film, peelability, and ease of process handling, and a semiconductor wafer processing method using the same. will be.

최근 전자 제품의 소형화 및 경량화 등이 급격히 진행되면서, 반도체 웨이퍼의 박막화에 대한 요구 역시 증가하고 있다. 이에 웨이퍼의 두께가 50 ~ 100㎛ 또는 50㎛ 이하로 얇아짐에 따라 반도체 웨이퍼의 가공방법도 웨이퍼로부터 개개의 칩을 절단해서 분리하는 다이싱 공정 먼저 수행한 후 웨이퍼 두께를 얇게 연마하는 그라인딩 공정을 수행하던 기존의 DAG(Dicing After Grinding) 공법에서 그라인딩 공정을 먼저 수행하는 DBG(Dicing Before Grinding) 공법으로 전향되고 있다.Recently, as electronic products have been rapidly reduced in size and weight, the demand for thinner semiconductor wafers is also increasing. Accordingly, as the thickness of the wafer is reduced to 50 ~ 100㎛ or less than 50㎛, the processing method of the semiconductor wafer also performs a dicing process that cuts and separates individual chips from the wafer, and then performs a grinding process to thin the wafer thickness. It is shifting from the existing DAG (Dicing After Grinding) method to the DBG (Dicing Before Grinding) method, which performs the grinding process first.

한편, 웨이퍼의 박막화로 인해 그라인딩 또는 다이싱 시 오염 및 균열 등과 같은 웨이퍼의 손상이 빈번히 발생하고 있으며, 이에 반도체 웨이퍼를 연삭 또는 절단하는 과정에서 반도체 칩이 튀어나가거나 흔들리는 것을 방지하기 위해 웨이퍼를 임시적으로 고정하고 가공 공정이 종료된 후에 웨이퍼로부터 박리 제거되는 점착필름이 사용되고 있다. 점착필름은 그라인딩 또는 다이싱 공정에서는 웨이퍼를 보호하고 부착력을 유지하도록 점착력을 가져야 하며, 점착필름에서 칩을 박리하는 픽업 공정에서는 각각의 칩이 쉽게 박리될 수 있도록 점착력을 상실하여야 한다.On the other hand, due to the thinning of the wafer, damage to the wafer such as contamination and cracking occurs frequently during grinding or dicing.Therefore, in order to prevent the semiconductor chip from sticking out or shaking in the process of grinding or cutting the semiconductor wafer, the wafer is temporarily An adhesive film that is fixed to and removed from the wafer after the processing process is finished is used. The adhesive film must have adhesive force to protect the wafer and maintain adhesive force in the grinding or dicing process, and must lose the adhesive force so that each chip can be easily peeled off in the pick-up process for peeling the chips from the adhesive film.

통상 이러한 공정에서 사용되는 점착 필름은 자외선의 조사에 의해 박리력이 감소하는 자외선 경화형 점착제가 주로 사용된다. 일반적인 자외선 경화형 점착제는 아크릴 수지 점착제 및 올리고머, 반응모노머, 광개시제, 첨가제 등을 사용하고, 경화제로 이소시아네이트 경화제, 아미노 경화제 등을 사용하여 제조하는 방법이 알려져 있으며, 이와 관련하여 대한민국 등록특허 제10-1547378호에 아크릴 수지를 포함하는 자외선 경화형 점착시트가 개시되어 있다. In general, the pressure-sensitive adhesive film used in this process is mainly used as an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive whose peel strength is reduced by irradiation with ultraviolet light. A general ultraviolet-curable adhesive is known to be prepared by using an acrylic resin adhesive and oligomer, reactive monomer, photoinitiator, additive, etc., and using an isocyanate curing agent, an amino curing agent, etc. as a curing agent. In this regard, Korean Patent Registration No. 10-1547378 A UV-curable adhesive sheet comprising an acrylic resin is disclosed in the issue.

그러나, 종래의 점착필름을 이용하여 반도체 웨이퍼를 가공하는 경우, 점착물질이 반도체 웨이퍼의 미시적 구조까지 침투되기 어려워 웨이퍼 또는 반도체 칩 등을 충분히 고정하지 못하는 문제가 발생하였다. 또한, 점착필름 박리시 가열하는 등의 열처리를 진행하여 점착필름에 포함된 점착층을 열화시킴으로써 밀착성을 저감시키고 있기에 공정이 복잡하며, 박리가 용이하지 않아 박리과정에서 웨이퍼 표면 또는 반도체 칩에 점착제의 잔사가 남는 문제가 발생하였다.However, when a semiconductor wafer is processed using a conventional adhesive film, the adhesive material is difficult to penetrate to the microscopic structure of the semiconductor wafer, so that the wafer or the semiconductor chip cannot be sufficiently fixed. In addition, since the adhesion is reduced by deteriorating the adhesive layer included in the adhesive film by performing heat treatment such as heating when peeling the adhesive film, the process is complicated, and since peeling is not easy, the adhesive is applied to the wafer surface or semiconductor chip during the peeling process. There was a problem that a residue remained.

이에 본 발명자들은 웨이퍼 기판과 점착필름 사이에 도포되어 전자회로상에 존재하는 미시적 구조까지 수지를 침투시켜 더욱 강한 점착력을 발생시키며, 경화 시 탄성을 가져 박리가 용이하며, 웨이퍼 표면 또는 반도체 칩에 점착제의 잔사를 남기지 않는 UV/열경화성 점착제 조성물 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 가공방법을 개발하게 되었다.Therefore, the inventors of the present invention are applied between the wafer substrate and the adhesive film to infiltrate the resin to the microscopic structure existing on the electronic circuit to generate a stronger adhesive force, have elasticity during curing, and are easy to peel off, and the adhesive to the wafer surface or semiconductor chip A UV/thermosetting pressure-sensitive adhesive composition that does not leave a residue of and a semiconductor wafer processing method using the same was developed.

대한민국 등록특허 제10-1547378호 (발명의 명칭 : 자외선 경화형 재박리성 점착제 조성물 및 이것을 사용한 점착 시트, 출원인 : 쇼와 덴코 가부시키가이샤, 등록일 : 2015년08월19일)Republic of Korea Patent Registration No. 10-1547378 (Name of invention: UV-curable re-peelable adhesive composition and adhesive sheet using the same, Applicant: Showa Denko Co., Ltd., registration date: August 19, 2015) 대한민국 등록특허 제10-0942363호 (발명의 명칭 : 플루오르를 포함하는 자외선(광)경화형 점착제 조성물 및 이를 이용한 점착필름, 출원인 : 제일모직주식회사, 등록일 : 2010년02월05일)Korean Patent Registration No. 10-0942363 (Name of invention: UV (light) curable adhesive composition containing fluorine and adhesive film using the same, Applicant: Cheil Industries, Ltd., registration date: February 5, 2010)

본 발명의 목적은 그라인딩 또는 다이싱 공정 진행 시 반도체 칩 등을 보호하기 위해 부착된 점착필름을 용이하게 제거하기 위하여 웨이퍼의 기판과 점착필름 사이에 도포될 수 있는 점착제 조성물을 제공하는데에 있다. 보다 상세하게는 본 발명은 메르캅토 화합물을 포함함으로써, 경화 시 탄성을 갖는 형태로 변화되어 점착층 박리 시 점착층을 열화시키기 위한 열처리 등의 공정을 필요로 하지 않는 점착제 조성물을 제공하는 데에 있다. An object of the present invention is to provide an adhesive composition that can be applied between a substrate of a wafer and an adhesive film in order to easily remove an adhesive film attached to protect a semiconductor chip or the like during a grinding or dicing process. More specifically, the present invention is to provide a pressure-sensitive adhesive composition that does not require a process such as heat treatment to deteriorate the pressure-sensitive adhesive layer when the pressure-sensitive adhesive layer is peeled off by being changed into a form having elasticity upon curing by including a mercapto compound. .

본 발명의 다른 목적은 상기 점착제 조성물을 이용한 반도체 웨이퍼 가공방법을 제공하는 데에 있다. Another object of the present invention is to provide a semiconductor wafer processing method using the pressure-sensitive adhesive composition.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 (1단계) 반도체 기판 위에 범프를 형성하는 단계;In order to achieve the above object, the present invention includes (step 1) forming a bump on a semiconductor substrate;

(2단계) 범프가 형성된 기판 위에 점착제 조성물을 도포하는 단계;(Step 2) applying a pressure-sensitive adhesive composition on the substrate on which the bumps are formed;

(3단계) 도포된 점착제 조성물 위에 점착 필름을 대고 가압하는 단계;(Step 3) pressing the adhesive film on the applied adhesive composition;

(4단계) 점착제 조성물과 점착 필름을 평탄화한 후 경화시키는 단계;(Step 4) curing the pressure-sensitive adhesive composition and the pressure-sensitive adhesive film after flattening;

(5단계) 반도체 기판의 이면을 얇게 그라인딩 하는 단계;(Step 5) thinly grinding the back surface of the semiconductor substrate;

(6단계) 반도체 기판 표면에서 경화된 점착필름 및 점착제 조성물 층을 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공방법을 제공한다.(Step 6) Separating the cured adhesive film and the adhesive composition layer from the surface of the semiconductor substrate; It provides a semiconductor wafer processing method comprising a.

이때, 상기 2단계에서 점착제 조성물은 메르캅토 화합물 및 폴리우레탄계 복합수지를 포함하며, 바람직하게는 메르캅토 화합물 10 ~ 20 중량% 및 폴리우레탄계 복합수지 80 ~ 90 중량%가 혼합되어 있는 것을 특징으로 한다.At this time, the pressure-sensitive adhesive composition in step 2 comprises a mercapto compound and a polyurethane-based composite resin, preferably a mercapto compound 10 to 20% by weight and a polyurethane-based composite resin 80 to 90% by weight are mixed. .

이때, 상기 메르캅토 화합물은 3-mercapto-3-methylbutan-1-ol 또는 2-mercaptoethanol인 것이 바람직하다.In this case, the mercapto compound is preferably 3-mercapto-3-methylbutan-1-ol or 2-mercaptoethanol.

상기 폴리우레탄계 복합수지는 NCO기를 말단에 갖는 폴리우레탄 예비중합체 및 폴리아크릴레이트 수지가 9 : 2 ~ 10 : 1의 중량비로 혼합되어 있는 것이 바람직하다. The polyurethane-based composite resin is preferably a polyurethane prepolymer and a polyacrylate resin having an NCO group at the terminal are mixed in a weight ratio of 9:2 to 10:1.

상기 NCO기를 말단에 갖는 폴리우레탄 예비중합체는 폴리올, 디이소시아네이트, 저분자 디올 화합물을 포함하여 제조되는 것이 더욱 바람직하며, 상기 폴리아크릴레이트 수지는 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA; Polymethyl methacrylate), 폴리 메틸아크릴레이트(poly methylacrylate), 폴리스타일렌(Polystyrene) 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것이 더욱 바람직하다.The polyurethane prepolymer having the NCO group at the terminal is more preferably prepared including a polyol, a diisocyanate, and a low molecular diol compound, and the polyacrylate resin is polymethyl methacrylate (PMMA; Polymethyl methacrylate), polymethylacrylic It is more preferable that it is at least one selected from the group consisting of poly methylacrylate, polystyrene, and copolymers thereof.

또한, 2단계의 점착제 조성물은 광개시제 및 가교제를 더 포함하며, 메르캅토 화합물 및 폴리우레탄계 복합수지 총 100 중량부를 기준으로 상기 광개시제 0.01 ~ 10 중량부 및 가교제 0.01 ~ 10 중량부가 포함될 수 있다.In addition, the pressure-sensitive adhesive composition of step 2 further includes a photoinitiator and a crosslinking agent, and 0.01 to 10 parts by weight of the photoinitiator and 0.01 to 10 parts by weight of a crosslinking agent may be included based on a total of 100 parts by weight of the mercapto compound and the polyurethane-based composite resin.

이때 상기 광개시제는 바람직하게는 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀 옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티옥산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물, 아민 및 퀴논으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있으며, 예를 들어 1-히드록시시클로헥실 페닐 케톤, 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤질 디페닐 술피드, 테트라메틸티우람 모노술피드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸 및 β-클로로안트라퀴논 등일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.At this time, the photoinitiator may be preferably at least one selected from the group consisting of a benzoin compound, an acetophenone compound, an acylphosphine oxide compound, a titanocene compound, a thioxanthone compound, a peroxide compound, an amine and a quinone, for example For example 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, Dibenzyl, diacetyl, β-chloroanthraquinone, and the like, but are not limited thereto.

상기 가교제는 다관능성 아크릴레이트인 것이 바람직하며, 상기 다관능성 아크릴레이트는 예를 들어 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜아디페이트 디(메타)아크릴레이트, 히드록시피발산 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐 디(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐 디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성 디(메타)아크릴레이트, 디(메타)아크릴록시 에틸 이소시아누레이트, 알릴화 시클로헥실디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올(메타)아크릴레이트, 디메틸롤 디시클로펜탄 디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성 헥사히드로프탈산 디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸 디메탄올(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 변성 트리메틸프로판 디(메타)아크릴레이트, 아다만탄 디(메타)아크릴레이트 또는 9,9-비스[4-(2-아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌(fluorine) 등과 같은 2관능성 아크릴레이트; 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨트리(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥시드 변성 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 3 관능형 우레탄 (메타)아크릴레이트 또는 트리스(메타)아크릴록시에틸이소시아누레이트 등의 3관능형 아크릴레이트; 디글리세린 테트라(메타)아크릴레이트 또는 펜타에리쓰리톨 테트라(메타)아크릴레이트 등의 4관능형 아크릴레이트; 프로피온산 변성 디펜타에리쓰리톨 펜타(메타)아크릴레이트 등의 5관능형 아크릴레이트; 및 디펜타에리쓰리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리쓰리톨 헥사(메타)아크릴레이트 또는 우레탄 (메타)아크릴레이트 등의 6관능형 아크릴레이트;로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The crosslinking agent is preferably a polyfunctional acrylate, and the polyfunctional acrylate is, for example, 1,4-butanediol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, neopentylglycol di (Meth)acrylate, polyethylene glycol di(meth)acrylate, neopentyl glycol adipate di(meth)acrylate, hydroxypivalic acid neopentyl glycol di(meth)acrylate, dicyclopentanyl di(meth)acrylate , Caprolactone modified dicyclopentenyl di(meth)acrylate, ethylene oxide modified di(meth)acrylate, di(meth)acryloxy ethyl isocyanurate, allylated cyclohexyldi(meth)acrylate, tri Cyclodecane dimethanol (meth)acrylate, dimethylol dicyclopentane di(meth)acrylate, ethylene oxide-modified hexahydrophthalic acid di(meth)acrylate, tricyclodecane dimethanol (meth)acrylate, neopentyl glycol Bifunctionality such as modified trimethylpropane di(meth)acrylate, adamantane di(meth)acrylate or 9,9-bis[4-(2-acryloyloxyethoxy)phenyl]fluorene, etc. Acrylate; Trimethylolpropane tri(meth)acrylate, dipentaerythritol tri(meth)acrylate, propionic acid-modified dipentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, propylene oxide Trifunctional acrylates such as modified trimethylolpropane tri(meth)acrylate, trifunctional urethane (meth)acrylate, or tris(meth)acryloxyethyl isocyanurate; Tetrafunctional acrylates such as diglycerin tetra(meth)acrylate or pentaerythritol tetra(meth)acrylate; 5-functional acrylates, such as propionic acid-modified dipentaerythritol penta (meth)acrylate; And dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, caprolactone modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate or a six-functional acrylate such as urethane (meth) acrylate; at least one selected from the group consisting of However, it is not limited thereto.

상기 3단계에서 점착 필름은 폴리올레핀 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리비닐클로라이드 필름, 폴리에스테르 엘라스토머 및 우레탄계 필름으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것이 바람직하다.In the third step, the adhesive film is preferably one selected from the group consisting of a polyolefin film, a polyester film, a polyvinyl chloride film, a polyester elastomer, and a urethane-based film.

본 발명에서 제공하는 점착제 조성물은 웨이퍼 기판과 점착필름 사이에 액상의 형태로 도포되어 전자회로상에 형성되는 미시적 구조까지 침투될 수 있으며, 이에 웨이퍼 또는 반도체 칩을 충분히 고정시켜 그라인딩 또는 다이싱 공정 중 반도체 칩 또는 전자회로 등을 효과적으로 보호할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive composition provided in the present invention is applied in a liquid form between the wafer substrate and the pressure-sensitive adhesive film and can penetrate to the microscopic structure formed on the electronic circuit. Accordingly, during the grinding or dicing process, the wafer or semiconductor chip is sufficiently fixed. It is possible to effectively protect semiconductor chips or electronic circuits.

또한, 본 발명에서 제공하는 점착제 조성물은 경화 시 탄성을 갖는 형태로 변화되어 점착층 박리 시 점착층을 열화시키기 위한 열처리 등의 공정을 필요로 하지 않으며, 이러한 공정 없이도 박리가 용이하며 웨이퍼 표면 또는 반도체 칩에 점착제의 잔사를 남기지 않아, 전자회로 등의 손상을 방지할 수 있다.In addition, the pressure-sensitive adhesive composition provided in the present invention is changed to a form having elasticity upon curing, and does not require a process such as heat treatment to deteriorate the pressure-sensitive adhesive layer when the pressure-sensitive adhesive layer is peeled off, and it is easy to peel without such a process, and the wafer surface or semiconductor It does not leave adhesive residue on the chip, so it is possible to prevent damage to electronic circuits.

또한, 본 발명에서 제공하는 점착제 조성물을 통해, 종래의 점착필름만을 사용하는 경우 발생하는 인장력의 한계 문제를 개선할 수 있으며, 이에 디본딩시의 표면크랙 및 이송의 문제를 해결하여 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, through the pressure-sensitive adhesive composition provided in the present invention, it is possible to improve the problem of the limitation of tensile force that occurs when only the conventional pressure-sensitive adhesive film is used, and thereby improve productivity by solving the problem of surface crack and transport during debonding. I can.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따라 반도체 웨이퍼를 가공하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 2는 범프 형상의 일실시예를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따라 반도체 웨이퍼를 가공하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따라 반도체 웨이퍼를 가공하는 과정을 나타낸 도면이다.1 is a diagram showing a process of processing a semiconductor wafer according to a first embodiment of the present invention.
2 is a view showing an embodiment of a bump shape.
3 is a diagram showing a process of processing a semiconductor wafer according to a second embodiment of the present invention.
4 is a diagram showing a process of processing a semiconductor wafer according to a third embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 기술적 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 본 명세서에서 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. 나아가, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되지 않는다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the technical idea of the present invention to those of ordinary skill in the art, and the following examples may be modified in various other forms, and The scope of the technical idea is not limited to the following examples. Rather, these embodiments are provided to make the present disclosure more faithful and complete, and to completely convey the technical idea of the present invention to those skilled in the art. In this specification, the same reference numerals mean the same elements. Furthermore, various elements and areas in the drawings are schematically drawn. Therefore, the technical idea of the present invention is not limited by the relative size or spacing drawn in the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따라 반도체 웨이퍼를 가공하는 과정을 나타낸 도면이다. 1 is a diagram showing a process of processing a semiconductor wafer according to a first embodiment of the present invention.

먼저 도 1a에 도시한 바와 같이 반도체 기판 위에 범프를 형성한다. 이때, 상기 범프는 원형 또는 요철 모양 등의 새로운 형상을 가질 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.First, bumps are formed on the semiconductor substrate as shown in FIG. 1A. In this case, the bump may have a new shape such as a circular shape or an uneven shape, but is not limited thereto.

이어서, 도 1b에 도시한 바와 같이 범프가 형성된 기판 위에 용액 상태의 점착제 조성물을 도포한다. 여기에서 점착제 조성물은 메르캅토 화합물 및 폴리우레탄계 복합수지를 포함하는 것을 특징으로 한다.Next, as shown in FIG. 1B, a pressure-sensitive adhesive composition in a solution state is applied on the substrate on which the bumps are formed. Here, the pressure-sensitive adhesive composition is characterized by comprising a mercapto compound and a polyurethane-based composite resin.

이때 상기, 메르캅토 화합물은 3-mercapto-3-methylbutan-1-ol 또는 2-mercaptoethanol인 것이 바람직하다.At this time, the mercapto compound is preferably 3-mercapto-3-methylbutan-1-ol or 2-mercaptoethanol.

상기 폴리우레탄계 복합수지는 NCO기를 말단에 갖는 폴리우레탄 예비 중합체 및 폴리아크릴레이트 수지가 혼합되어 제조되는 것을 특징으로 하며, 바람직하게는 NCO기를 말단에 갖는 폴리우레탄 예비 중합체 및 폴리아크릴레이트 수지가 9 : 2 ~ 10 : 1의 중량비로 혼합되어 있는 것일 수 있다.The polyurethane-based composite resin is characterized in that it is prepared by mixing a polyurethane prepolymer having an NCO group at the terminal and a polyacrylate resin, and preferably, a polyurethane prepolymer having an NCO group at the terminal and a polyacrylate resin is 9: It may be mixed at a weight ratio of 2 to 10:1.

이때, 상기 NCO기를 말단에 갖는 폴리우레탄 예비중합체는 폴리올, 디이소시아네이트, 저분자 디올 화합물을 포함하여 제조되는 것을 특징으로 한다.At this time, the polyurethane prepolymer having the NCO group at the terminal is characterized in that it is prepared by including a polyol, a diisocyanate, and a low molecular weight diol compound.

여기서 상기 폴리올은 수백 내지 수천의 평균 분자량을 갖는 올리고머로서 양쪽 말단에 히드록시기(-OH기)를 가진 화합물이라면 특별한 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들어, 폴리헥사메틸렌카보네이드 디올(poly(hexamethylenecarbonate) diol)과 같은 폴리카보네이트 디올 류, 폴리에틸렌아디페이트 디올(poly(ethyleneadipate) diol) 또는 폴리카프로락톤 디올(poly(caprolactone) diol) 등과 같은 폴리에스테르 디올 류, 폴리테트라메틸렌글리콜(poly(tetramethylene glycol)) 또는 폴리프로필렌글리콜(poly(propyleneglycol)) 등과 같은 폴리에테르 디올 류로 이루어진 군에서 선택된 1종일 수 있다.Here, the polyol is an oligomer having an average molecular weight of hundreds to thousands and may be used without particular limitation as long as it is a compound having a hydroxy group (-OH group) at both ends. For example, poly(hexamethylenecarbonate) diol ) Polycarbonate diols, polyester diols such as poly(ethyleneadipate) diol or poly(caprolactone) diol, poly(tetramethylene glycol)) or It may be one selected from the group consisting of polyether diols such as polypropylene glycol (poly(propyleneglycol)).

상기 디이소시아네이트는 분자 내에 두 개의 이소시아네이트를 가진 것이라면 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들어 이소포론디이소시아네이트(isophorone diisocyanate), 메틸렌비스사이클로헥산디이소시아네이트(methylenebiscyclohexane diisocyanate) 등과 같은 지환족 화합물, 헥사메틸렌디이소시아네이트(hexamethylene diisocyanate)와 같은 지방족 화합물, 톨루엔디이소시아네이트(toluene diisocyanate, TDI), 메틸렌디페닐디이소시아네이트(methylenediphenyl diisocyanate, MDI), 메타-테트라메틸자일렌디이소시아네이트(m-tetramethylxylylene diisocyanate, TMXDI) 등과 같은 방향족 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.The diisocyanate may be used without limitation as long as it has two isocyanates in the molecule, and for example, an alicyclic compound such as isophorone diisocyanate, methylenebiscyclohexane diisocyanate, or hexamethylene diisocyanate Aliphatic compounds such as (hexamethylene diisocyanate), aromatic compounds such as toluene diisocyanate (TDI), methylenediphenyl diisocyanate (MDI), meta-tetramethylxylylene diisocyanate (m-tetramethylxylylene diisocyanate, TMXDI), etc. It may be one or more selected from the group consisting of.

상기 저분자 디올 화합물은 수십 내지 수백의 평균 분자량을 가지고, 양쪽 말단에 히드록시기(-OH기)를 포함하는 화합물로서, 에틸렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,6-헥산디올 등과 같은 지방족 디올 화합물과 방향족 환을 가진 방향족 디올 화합물을 단독으로 사용하거나, 혼합하여 사용할 수 있다.The low molecular weight diol compound is a compound having an average molecular weight of several tens to several hundred and containing a hydroxyl group (-OH group) at both ends, ethylene glycol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,6-hexane An aliphatic diol compound such as a diol and an aromatic diol compound having an aromatic ring may be used alone or in combination.

상기 폴리아크릴레이트 수지는 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA; Polymethyl methacrylate), 폴리 메틸아크릴레이트(poly methylacrylate), 폴리스타일렌(Polystyrene) 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것이 바람직하다.The polyacrylate resin is preferably at least one selected from the group consisting of polymethyl methacrylate (PMMA), poly methylacrylate, polystyrene, and copolymers thereof.

더욱 바람직하게는 본 발명의 점착제 조성물은 메르캅토 화합물 10 ~ 20 중량% 및 폴리우레탄계 복합수지 80 ~ 90중량%가 혼합되어있는 것을 특징으로 한다.More preferably, the pressure-sensitive adhesive composition of the present invention is characterized in that 10 to 20% by weight of a mercapto compound and 80 to 90% by weight of a polyurethane-based composite resin are mixed.

또한, 상기 점착제 조성물은 광개시제 및 가교제를 더 포함할 수 있다. 이때 상기 광개시제는 바람직하게는 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀 옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티옥산톤 화합물, 아민 및 퀴논으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있으며, 예를 들어 1-히드록시시클로헥실 페닐 케톤, 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤질 디페닐 술피드, 테트라메틸티우람 모노술피드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸 및 β-클로로안트라퀴논 등일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 광개시제는 메르캅토 화합물 및 폴리우레탄계 복합수지 총 100 중량부를 기준으로 0.01 ~ 10 중량부가 포함되는 것이 바람직하다. 광개시제의 함량이 메르캅토 화합물 및 폴리우레탄계 복합수지 총 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 미만일 경우 본딩 이형력 및 수축률 강도 개선 효과가 미미하며, 10 중량부를 초과하는 경우 중량에 따른 개선 효과가 미미하므로 바람직하지 않다.In addition, the pressure-sensitive adhesive composition may further include a photoinitiator and a crosslinking agent. At this time, the photoinitiator may be preferably at least one selected from the group consisting of a benzoin compound, an acetophenone compound, an acylphosphine oxide compound, a titanocene compound, a thioxanthone compound, an amine and a quinone, for example, 1-hydro Roxycyclohexyl phenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, di It may be acetyl and β-chloroanthraquinone, but is not limited thereto. The photoinitiator is preferably contained in an amount of 0.01 to 10 parts by weight based on a total of 100 parts by weight of the mercapto compound and the polyurethane-based composite resin. When the content of the photoinitiator is less than 0.01 parts by weight based on the total 100 parts by weight of the mercapto compound and the polyurethane-based composite resin, the effect of improving the strength of bonding release and shrinkage is insignificant, and when it exceeds 10 parts by weight, the improvement effect according to the weight is insignificant. Not.

상기 가교제는 다관능성 아크릴레이트인 것이 바람직하며, 상기 다관능성 아크릴레이트는 예를 들어 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜아디페이트 디(메타)아크릴레이트, 히드록시피발산 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐 디(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐 디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성 디(메타)아크릴레이트, 디(메타)아크릴록시 에틸 이소시아누레이트, 알릴화 시클로헥실디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올(메타)아크릴레이트, 디메틸롤 디시클로펜탄 디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성 헥사히드로프탈산 디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸 디메탄올(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 변성 트리메틸프로판 디(메타)아크릴레이트, 아다만탄 디(메타)아크릴레이트 또는 9,9-비스[4-(2-아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌(fluorine) 등과 같은 2관능성 아크릴레이트; 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨트리(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥시드 변성 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 3 관능형 우레탄 (메타)아크릴레이트 또는 트리스(메타)아크릴록시에틸이소시아누레이트 등의 3관능형 아크릴레이트; 디글리세린 테트라(메타)아크릴레이트 또는 펜타에리쓰리톨 테트라(메타)아크릴레이트 등의 4관능형 아크릴레이트; 프로피온산 변성 디펜타에리쓰리톨 펜타(메타)아크릴레이트 등의 5관능형 아크릴레이트; 및 디펜타에리쓰리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리쓰리톨 헥사(메타)아크릴레이트 또는 우레탄 (메타)아크릴레이트 등의 6관능형 아크릴레이트;로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한 상기 가교제는 메르캅토 화합물 및 폴리우레탄계 복합수지 총 100 중량부를 기준으로 0.01 ~ 10 중량부가 포함되는 것이 바람직하다. 가교제의 함량이 메르캅토 화합물 및 폴리우레탄계 복합수지 총 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 미만일 경우 인장 특성 개선 효과가 미미하며, 10 중량부를 초과하는 경우 중량에 따른 개선 효과가 미미하므로 바람직하지 않다. The crosslinking agent is preferably a polyfunctional acrylate, and the polyfunctional acrylate is, for example, 1,4-butanediol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, neopentylglycol di (Meth)acrylate, polyethylene glycol di(meth)acrylate, neopentyl glycol adipate di(meth)acrylate, hydroxypivalic acid neopentyl glycol di(meth)acrylate, dicyclopentanyl di(meth)acrylate , Caprolactone modified dicyclopentenyl di(meth)acrylate, ethylene oxide modified di(meth)acrylate, di(meth)acryloxy ethyl isocyanurate, allylated cyclohexyldi(meth)acrylate, tri Cyclodecane dimethanol (meth)acrylate, dimethylol dicyclopentane di(meth)acrylate, ethylene oxide-modified hexahydrophthalic acid di(meth)acrylate, tricyclodecane dimethanol (meth)acrylate, neopentyl glycol Bifunctionality such as modified trimethylpropane di(meth)acrylate, adamantane di(meth)acrylate or 9,9-bis[4-(2-acryloyloxyethoxy)phenyl]fluorene, etc. Acrylate; Trimethylolpropane tri(meth)acrylate, dipentaerythritol tri(meth)acrylate, propionic acid-modified dipentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, propylene oxide Trifunctional acrylates such as modified trimethylolpropane tri(meth)acrylate, trifunctional urethane (meth)acrylate, or tris(meth)acryloxyethyl isocyanurate; Tetrafunctional acrylates such as diglycerin tetra(meth)acrylate or pentaerythritol tetra(meth)acrylate; 5-functional acrylates, such as propionic acid-modified dipentaerythritol penta (meth)acrylate; And dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, caprolactone modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate or a six-functional acrylate such as urethane (meth) acrylate; at least one selected from the group consisting of However, it is not limited thereto. In addition, it is preferable that the crosslinking agent contains 0.01 to 10 parts by weight based on a total of 100 parts by weight of the mercapto compound and the polyurethane-based composite resin. When the content of the crosslinking agent is less than 0.01 parts by weight based on the total 100 parts by weight of the mercapto compound and the polyurethane-based composite resin, the effect of improving tensile properties is insignificant, and when it exceeds 10 parts by weight, the improvement effect according to the weight is insignificant.

또한, 상기 자외선 경화형 점착제 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 기타 첨가제는 난연제, 안료, 산화방지제, 자외선 안정제, 분산제, 소포제, 증점제, 가소제 및 실란커플링제 등일 수 있다.In addition, the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive composition may further include other additives. At this time, the other additives may be flame retardants, pigments, antioxidants, ultraviolet stabilizers, dispersants, defoaming agents, thickeners, plasticizers and silane coupling agents.

이후 도 1c 및 도 1d에 도시한 바와 같이 도포된 점착제 조성물 위로 점착필름을 대고 가압한 후, 점착제 조성물과 점착필름을 평탄화하고 경화시킨다. 가압은 롤링, 탁본(rubbing), 면 프레싱 또는 압착(squeezeing)일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 점착제 조성물 및 점착필름은 열 또는 자외선을 가하여 경화시킬 수 있다. 여기서 상기 점착 필름은 폴리올레핀 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리비닐클로라이드 필름, 폴리에스테르 엘라스토머, 및 우레탄계 필름으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-초산 비닐 공중합체, 에틸렌-알킬(메타)아크릴레이트 공중합체(상기에서, 알킬은 탄소수 1 내지 4의 알킬기일 수 있다.), 에틸렌-α-올레핀 공중합체 또는 프로필렌-α-올레핀 공중합체 등의 폴리올레핀; 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르; 폴리비닐클로라이드; 폴리에스테르 엘라스토머; 또는 우레탄계 등의 고분자로 이루어지는 점착필름을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Thereafter, as shown in FIGS. 1C and 1D, the pressure-sensitive adhesive film is pressed onto the applied pressure-sensitive adhesive composition, and then the pressure-sensitive adhesive composition and the pressure-sensitive adhesive film are flattened and cured. The pressing may be rolling, rubbing, surface pressing or squeezing, but is not limited thereto. In addition, the adhesive composition and the adhesive film may be cured by applying heat or ultraviolet rays. Here, the adhesive film is preferably one selected from the group consisting of a polyolefin film, a polyester film, a polyvinyl chloride film, a polyester elastomer, and a urethane-based film. More preferably, for example, polyethylene, polypropylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-alkyl (meth)acrylate copolymer (in the above, alkyl may be an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms), ethylene- polyolefins such as α-olefin copolymer or propylene-α-olefin copolymer; Polyesters such as polyethylene terephthalate or polybutylene terephthalate; Polyvinyl chloride; Polyester elastomer; Alternatively, an adhesive film made of a polymer such as urethane may be used, but is not limited thereto.

이때 점착제 조성물은 메르캅토 화합물을 포함함으로써, 경화 시 탄성이 있는 필름 형태로 변하게 되며, 경화된 점착제 조성물은 인장접착강도가 11N/cm2 이상, 바람직하게는 11~20N/cm2이고, 인장강도가 20MPa 이상, 바람직하게는 20~40MPa이며, 탄성력이 0.3 ~ 1N을 갖는 것을 특징으로 한다.At this time, since the adhesive composition contains a mercapto compound, it changes into an elastic film when cured, and the cured adhesive composition has a tensile adhesive strength of 11N/cm 2 or more, preferably 11-20N/cm 2 , and tensile strength Is 20 MPa or more, preferably 20 to 40 MPa, and an elastic force of 0.3 to 1N.

이에, 반도체 웨이퍼 표면에서 경화된 점착필름 및 점착제 조성물 층을 분리할 때 반도체 웨이퍼 표면에 점착제 조성물 및 점착필름의 잔사를 남기지 않고 박리될 수 있다. 특히, 상기에서 형성된 범프의 형상이 도 2에 나타낸 바와 같이 하면으로 갈수록 면적이 점점 좁아지는 네거티브 슬로프(negative slope)를 가지더라도 용이하게 박리되어, 역경사면에 의해 하부에 잔여물이 남는 것을 방지할 수 있는 것을 특징으로 한다.Accordingly, when separating the cured adhesive film and the adhesive composition layer from the surface of the semiconductor wafer, the adhesive composition and the adhesive film may be peeled off without leaving residues of the adhesive composition and the adhesive film on the surface of the semiconductor wafer. In particular, even if the shape of the bump formed above has a negative slope that gradually narrows toward the lower surface as shown in FIG. 2, it is easily peeled off, preventing residue from being left underneath by the reverse slope. It is characterized by being able to.

다음으로 도 1e에 도시한 바와 같이 경화된 반도체 기판의 이면을 원하는 두께로 얇게 그라인딩하고, 도 1f에 도시한 바와 같이 반도체 기판 표면에서 경화된 점착필름 및 점착제 조성물 층을 분리한다. 이때, 상기 경화된 점착제 조성물은 탄성을 가지고 있는 상태이기에 종래 점착필름 박리 시 수반되는 점착층의 열화공정을 수행할 필요 없이 박리가 가능하며, 이에 반도체 웨이퍼 또는 전자회로 등의 손상 없이 반도체 웨이퍼를 가공할 수 있다.Next, as shown in FIG. 1E, the back surface of the cured semiconductor substrate is thinly ground to a desired thickness, and the cured adhesive film and the adhesive composition layer are separated from the semiconductor substrate surface as shown in FIG. 1F. At this time, since the cured pressure-sensitive adhesive composition has elasticity, it can be peeled without performing the deterioration process of the pressure-sensitive adhesive layer accompanying the conventional peeling of the pressure-sensitive adhesive film, thereby processing the semiconductor wafer without damage to the semiconductor wafer or electronic circuit. can do.

즉 본원발명은 반도체 웨이퍼 기판과 점착필름 사이에 액상의 점착제 조성물을 도포함으로써, 전자회로상에 존재하는 미시적 구조까지 세부적으로 수지를 침투시켜 웨이퍼 또는 반도체 칩을 충분히 고정할 수 있으며, 이에 그라인딩 또는 다이싱 공정 중 반도체 칩 또는 전자회로 등을 더욱 효과적으로 보호할 수 있다. 또한, 경화된 점착제 조성물은 탄성을 갖는 필름 형태로 변화되어, 공정 후 양력 방향으로 아주 적은 힘만을 가해주어도 손쉽게 점착필름 및 점착제 조성물 층이 서로 붙어있는 상태에서 반도체 웨이퍼 상부로부터 박리될 수 있기에 반도체 웨이퍼 표면에 점착필름 잔사를 남기지 않을 수 있다.That is, in the present invention, by applying a liquid pressure-sensitive adhesive composition between the semiconductor wafer substrate and the pressure-sensitive adhesive film, it is possible to sufficiently fix the wafer or semiconductor chip by infiltrating the resin into the microscopic structure existing on the electronic circuit. During the sinking process, semiconductor chips or electronic circuits can be more effectively protected. In addition, the cured pressure-sensitive adhesive composition is changed into a film having elasticity, so even if a very small force is applied in the lift direction after the process, the pressure-sensitive adhesive film and the pressure-sensitive adhesive composition layer can be easily peeled off from the top of the semiconductor wafer while they are attached to each other. May not leave adhesive film residue on the surface.

다음에, 상술한 바와 같은 제1 실시예와는 달리 반도체 웨이퍼를 단일칩 형태로 가공하는 제2 실시예에 대해 설명한다.Next, a description will be given of a second embodiment in which a semiconductor wafer is processed into a single chip, unlike the first embodiment described above.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따라 반도체 웨이퍼를 가공하는 과정을 나타낸 도면이다.3 is a diagram showing a process of processing a semiconductor wafer according to a second embodiment of the present invention.

먼저 도 3a에 도시한 바와 같이 반도체 기판 위에 범프를 형성한다. 이때, 상기 범프는 원형 또는 요철 모양 등의 새로운 형상을 가질 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.First, bumps are formed on the semiconductor substrate as shown in FIG. 3A. In this case, the bump may have a new shape such as a circular shape or an uneven shape, but is not limited thereto.

이어서, 도 3b에 도시한 바와 같이 범프가 형성된 기판 위에 점착제 조성물을 도포한다. 여기에서 점착제 조성물은 메르캅토 화합물, 폴리우레탄계 복합수지를 포함하며, 바람직하게는 메르캅토 화합물 10 ~ 20 중량% 및 폴리우레탄계 복합수지 80 ~ 90 중량%가 혼합되어 있는 것을 특징으로 한다.Next, as shown in FIG. 3B, the pressure-sensitive adhesive composition is applied on the substrate on which the bumps are formed. Here, the pressure-sensitive adhesive composition includes a mercapto compound and a polyurethane-based composite resin, and preferably 10 to 20% by weight of a mercapto compound and 80 to 90% by weight of a polyurethane-based composite resin are mixed.

이후 도 3c 및 도 3d에 도시한 바와 같이 도포된 점착제 조성물 위로 점착필름을 대고 가압한 후, 점착제 조성물과 점착필름을 평탄화하고 경화시킨다. 가압은 롤링, 탁본(rubbing), 면 프레싱 또는 압착(squeezeing)일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 점착제 조성물 및 점착필름은 열 또는 자외선을 가하여 경화시킬 수 있다. 여기서 상기 점착 필름은 폴리올레핀 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리비닐클로라이드 필름, 폴리에스테르 엘라스토머 및 우레탄계 필름으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것이 바람직하다.Thereafter, as shown in FIGS. 3C and 3D, the pressure-sensitive adhesive film is pressed against the applied pressure-sensitive adhesive composition, and then the pressure-sensitive adhesive composition and the pressure-sensitive adhesive film are flattened and cured. The pressing may be rolling, rubbing, surface pressing or squeezing, but is not limited thereto. In addition, the adhesive composition and the adhesive film may be cured by applying heat or ultraviolet rays. Here, the adhesive film is preferably one selected from the group consisting of a polyolefin film, a polyester film, a polyvinyl chloride film, a polyester elastomer, and a urethane-based film.

다음으로 도 3e에 도시한 바와 같이 경화된 반도체 기판의 이면에 보호용 다이싱 테이프를 부착한 후 도 3f에 도시한 바와 같이 다이싱 테이프가 부착된 반도체 기판을 단일 칩 형태로 어셈블리한다. 반도체 기판은 레이저 또는 블레이드를 사용하여 단일 칩 형태로 어셈블리될 수 있다.Next, after attaching the protective dicing tape to the back surface of the cured semiconductor substrate as shown in FIG. 3E, the semiconductor substrate to which the dicing tape is attached as shown in FIG. 3F is assembled in a single chip form. The semiconductor substrate can be assembled in the form of a single chip using a laser or blade.

이어서, 도 3g에 도시한 바와 같이 분리된 단일 칩 표면에서 경화된 점착 필름 및 점착제 조성물을 분리함으로써, 반도체 웨이퍼를 가공할 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 3G, by separating the cured adhesive film and the adhesive composition from the separated single chip surface, the semiconductor wafer can be processed.

다음에, 상술한 바와 같이 제2 실시예와는 달리 다이싱 테이프를 포함하지 않으면서 반도체 웨이퍼를 단일칩 형태로 가공하는 제3 실시예에 대해 설명한다.Next, as described above, unlike the second embodiment, a description will be given of a third embodiment in which a semiconductor wafer is processed into a single chip without including a dicing tape.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따라 반도체 웨이퍼를 가공하는 과정을 나타낸 도면이다.4 is a diagram showing a process of processing a semiconductor wafer according to a third embodiment of the present invention.

먼저 도 4a에 도시한 바와 같이 반도체 기판 위에 범프를 형성한다. 이때, 상기 범프는 원형 또는 요철 모양 등의 새로운 형상을 가질 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.First, bumps are formed on a semiconductor substrate as shown in FIG. 4A. In this case, the bump may have a new shape such as a circular shape or an uneven shape, but is not limited thereto.

이어서 도 4b에 도시한 바와 같이 범프가 형성된 기판 위에 점착제 조성물을 도포한다. 여기에서 점착제 조성물은 메르캅토 화합물, 폴리우레탄계 복합수지를 포함하며, 바람직하게는 메르캅토 화합물 10 ~ 20 중량% 및 폴리우레탄계 복합수지 80 ~ 90 중량%가 혼합되어 있는 것을 특징으로 한다.Subsequently, as shown in FIG. 4B, a pressure-sensitive adhesive composition is applied on the substrate on which the bumps are formed. Here, the pressure-sensitive adhesive composition includes a mercapto compound and a polyurethane-based composite resin, and preferably 10 to 20% by weight of a mercapto compound and 80 to 90% by weight of a polyurethane-based composite resin are mixed.

이후 도 4c 및 도 4d에 도시한 바와 같이 도포된 점착제 조성물 위로 점착필름을 대고 가압한 후, 점착제 조성물과 점착필름을 평탄화하고 경화시킨다. 가압은 롤링, 탁본(rubbing), 면 프레싱 또는 압착(squeezeing)일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 점착제 조성물 및 점착필름은 열 또는 자외선을 가하여 경화시킬 수 있다. 여기서 상기 점착 필름은 폴리올레핀 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리비닐클로라이드 필름, 폴리에스테르 엘라스토머, 및 우레탄계 필름으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것이 바람직하다.Thereafter, as shown in FIGS. 4C and 4D, the pressure-sensitive adhesive film is pressed onto the applied pressure-sensitive adhesive composition, and then the pressure-sensitive adhesive composition and the pressure-sensitive adhesive film are flattened and cured. The pressing may be rolling, rubbing, surface pressing or squeezing, but is not limited thereto. In addition, the adhesive composition and the adhesive film may be cured by applying heat or ultraviolet rays. Here, the adhesive film is preferably one selected from the group consisting of a polyolefin film, a polyester film, a polyvinyl chloride film, a polyester elastomer, and a urethane-based film.

다음으로 도 4e에 도시한 바와 같이 경화된 반도체 기판의 상부면을 아래 방향으로 향하게 한 후 반도체 기판을 단일 칩 형태로 어셈블리한다. 즉, 상기에서 경화된 점착제 조성물 및 점착필름 그 자체를 다이싱 테이프 형태로 사용할 수 있으며, 반도체 기판은 레이저 또는 블레이드를 사용하여 단일 칩 형태로 어셈블리될 수 있다.Next, as shown in FIG. 4E, the semiconductor substrate is assembled into a single chip shape after the upper surface of the cured semiconductor substrate is directed downward. That is, the cured pressure-sensitive adhesive composition and the pressure-sensitive adhesive film itself may be used in the form of a dicing tape, and the semiconductor substrate may be assembled in the form of a single chip using a laser or a blade.

이어서 도 4f에 도시한 바와 같이 분리된 단일 칩 표면에서 경화된 점착 필름 및 점착제 조성물을 분리함으로써, 반도체 웨이퍼를 가공할 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 4F, by separating the cured adhesive film and the adhesive composition from the separated single chip surface, the semiconductor wafer can be processed.

상기 본 발명의 점착제 조성물을 이용한 가공방법은 반도체 웨이퍼 가공방법에 제한되지 않으며, 예를 들어 마이크로 일렉트로 메커니컬 시스템(MEMS)를 포함하는 장치의 제조 등 표면 보호를 필요로 하는 다양한 분야에 응용하여 적용될 수 있다.The processing method using the pressure-sensitive adhesive composition of the present invention is not limited to the semiconductor wafer processing method, and can be applied to various fields requiring surface protection, such as manufacturing a device including a microelectromechanical system (MEMS). have.

Claims (11)

(1단계) 반도체 기판 위에 범프를 형성하는 단계;
(2단계) 범프가 형성된 기판 위에 점착제 조성물을 도포하는 단계;
(3단계) 도포된 점착제 조성물 위에 점착 필름을 대고 가압하는 단계;
(4단계) 상기 점착제 조성물과 점착 필름을 평탄화한 후 경화시키는 단계;
(5단계) 반도체 기판의 이면을 얇게 그라인딩 하는 단계;
(6단계) 반도체 기판 표면에서 경화된 점착 필름 및 점착제 조성물 층을 분리하는 단계;를 포함하며,
2단계의 점착제 조성물은 메르캅토 화합물 및 폴리우레탄계 복합수지를 포함하고,
상기 폴리우레탄계 복합수지는 NCO기를 말단에 갖는 폴리우레탄 예비 중합체 및 폴리아크릴레이트 수지가 9 : 2 ~ 10 : 1의 중량비로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공방법.(Step 1) forming a bump on the semiconductor substrate;
(Step 2) applying a pressure-sensitive adhesive composition on the substrate on which the bumps are formed;
(Step 3) pressing the adhesive film on the applied adhesive composition;
(Step 4) flattening and curing the pressure-sensitive adhesive composition and the pressure-sensitive adhesive film;
(Step 5) thinly grinding the back surface of the semiconductor substrate;
(Step 6) separating the cured adhesive film and the adhesive composition layer from the surface of the semiconductor substrate; and,
The pressure-sensitive adhesive composition of step 2 includes a mercapto compound and a polyurethane-based composite resin,
The polyurethane-based composite resin is a method of processing a semiconductor wafer, characterized in that a polyurethane prepolymer having an NCO group at the terminal and a polyacrylate resin are mixed in a weight ratio of 9:2 to 10:1. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 메르캅토 화합물은 3-메르캅토-3-메틸부탄-1-올 또는 2-메르캅토에탄올인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공방법.The method of claim 1,
The mercapto compound is 3-mercapto-3-methylbutan-1-ol or 2-mercaptoethanol. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 NCO기를 말단에 갖는 폴리우레탄 예비 중합체는 폴리올, 디이소시아네이트, 저분자 디올 화합물을 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공방법.The method of claim 1,
The polyurethane prepolymer having the NCO group at the terminal is a method of processing a semiconductor wafer, characterized in that it is prepared by including a polyol, a diisocyanate, and a low molecular weight diol compound. 제1에 있어서,
상기 폴리아크릴레이트 수지는 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA; Polymethyl methacrylate), 폴리 메틸아크릴레이트(poly methylacrylate), 폴리스타일렌(Polystyrene) 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공방법.According to 1,
The polyacrylate resin is a semiconductor, characterized in that at least one selected from the group consisting of polymethyl methacrylate (PMMA), poly methylacrylate, polystyrene, and copolymers thereof Wafer processing method. 제1항에 있어서,
상기 점착제 조성물은 메르캅토 화합물 10 ~ 20 중량% 및 폴리우레탄계 복합수지 80 ~ 90중량%가 혼합되어있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공방법.The method of claim 1,
The pressure-sensitive adhesive composition is a method of processing a semiconductor wafer, characterized in that 10 to 20% by weight of a mercapto compound and 80 to 90% by weight of a polyurethane-based composite resin are mixed. 제1항에 있어서,
상기 점착제 조성물은 광개시제 및 가교제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공방법.The method of claim 1,
The pressure-sensitive adhesive composition further comprises a photoinitiator and a crosslinking agent. 제1항에 있어서,
상기 3단계의 점착 필름은 폴리올레핀 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리비닐클로라이드 필름, 폴리에스테르 엘라스토머, 및 우레탄계 필름으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공방법. The method of claim 1,
The adhesive film of the third step is a semiconductor wafer processing method, characterized in that one selected from the group consisting of a polyolefin film, a polyester film, a polyvinyl chloride film, a polyester elastomer, and a urethane-based film. 삭제delete 삭제delete
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