KR102199964B1 - 근접 노광을 위한 기판 변형 장치 및 이를 이용한 근접 노광을 위한 기판 변형 방법 - Google Patents

근접 노광을 위한 기판 변형 장치 및 이를 이용한 근접 노광을 위한 기판 변형 방법 Download PDF

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Abstract

노광 마스크가 거치되는 마스크 홀더, 상기 노광 마스크로부터 소정 방향으로 이격하며, 노광 대상 기판이 거치되는 제1 플레이트, 상기 노광 마스크의 위치를 조절하는 위치 조절부, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 이격 간격을 조절하는 이격 간격 조절부, 상기 노광 마스크 및 상기 노광 대상 기판 중 적어도 하나의 위치를 측정하는 제1 센서, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격을 측정하는 제2 센서, 및 상기 제1 센서로부터의 측정 결과에 따라, 상기 위치 조절부를 통하여 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 상대적인 거리를 줄이는 제1 제어와, 상기 제1 제어 후에 상기 제2 센서로부터의 측정 결과에 따라, 상기 이격 간격 조절부를 통하여 상기 노광 마스크의 처짐에 따라 상기 노광 대상 기판을 변형시키는 제2 제어를 수행하는 제어부를 포함하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치가 제공된다.

Description

근접 노광을 위한 기판 변형 장치 및 이를 이용한 근접 노광을 위한 기판 변형 방법{Substrate deformation apparatus for proximity exposure and substrate deformation method for proximity exposure using the same}
본 발명은 근접 노광을 위한 기판 변형 장치 및 이를 이용한 근접 노광을 위한 기판 변형 방법에 관련된 것으로, 상세하게는, 노광 마스크와 노광 대상 기판 간의 간격이 상기 노광 마스크의 면 방향을 따라 일정해지도록 상기 노광 대상 기판을 변형시키는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치 및 이를 이용한 근접 노광을 위한 기판 변형 방법에 관련된 것이다.
포토리소그래피(Photolithography) 공정은 반도체 소자, 인쇄전자회로, 및 디스플레이 패널 등의 제작에 널리 이용되고 있는 미세 패턴 형성 기술이다. 상기 미세 패턴을 형성하기 위해, 포토리소그래피 공정은 코팅 단계, 노광 단계, 현상 단계, 및 에칭 단계 등의 일련의 과정을 포함할 수 있다.
포토리소그래피 공정 중 노광 단계에서, 포토레지스트(photo resist)가 코팅된 기판 또는 웨이퍼 상에, 미세 패턴이 형성된 마스크를 제공하고 광을 조사하여, 상기 마스크의 미세 패턴을 상기 포토레지스트가 코팅된 기판 또는 웨이퍼에 전사시킬 수 있다.
상기 노광 단계에서 광을 조사함으로써, 상기 기판 또는 웨이퍼의 포토레지스트가 광화학 반응을 일으킬 수 있고, 이로써, 상기 포토레지스트의 물성이 변화할 수 있다.
이후, 현상 단계 및 에칭 단계를 수행하여, 상기 물성이 변화한 포토레지스트의 부분만 남기거나 또는 제거하여, 상기 기판 또는 웨이퍼 상에 상기 미세 패턴을 형성할 수 있는 것이다.
상기 노광 단계는, 상기 기판 또는 웨이퍼와, 상기 마스크 간의 이격 거리에 따라, 접촉식, 투영식, 및 근접식으로 분류될 수 있다.
접촉식 노광은, 상기 기판 또는 웨이퍼와, 상기 마스크를 접촉시킨 상태에서, 평행광을 조사하는 방법으로 수행될 수 있다. 상기 접촉식 노광은, 구조가 단순하며, 높은 패턴 정밀도를 구현할 수 있지만, 접촉에 의해 부식되거나 파손되는 단점이 있다.
투영식 노광은, 상기 기판 또는 웨이퍼와, 상기 마스크 간의 이격에 투영 렌즈를 제공하여, 상기 마스크를 통과한 광이 상기 투영 렌즈를 거쳐, 상기 웨이퍼로 조사되는 방법으로 수행될 수 있다. 상기 투영식 노광은, 상기 투영 렌즈를 통해, 상기 마스크의 패턴을 축소하여 상기 기판 또는 웨이퍼 상에 전사하는 것이 가능하기 때문에, 상술된 접촉식 노광보다 더 미세한 패턴을 형성할 수 있는 장점이 있다. 하지만, 상기 투영식 노광을 위한 장치는, 투영 렌즈를 포함한 복잡한 광학계 시스템을 요구하기 때문에, ~수백억에 달하는 고가이며, 축소된 노광 영역으로 인해 생산성이 저하되는 단점이 있다.
근접식 노광은, 상기 기판 또는 웨이퍼와, 상기 마스크 간의 이격 거리를 ~수백 μm로 유지한 상태에서, 평행광을 조사하는 방법으로 수행될 수 있다. 상기 근접식 노광은, 상술된 접촉식 노광 및 투영식 노광과 달리, 접촉에 따른 문제가 발생하지 않고, 생산성 및 비용 측면의 장점으로 인해, 디스플레이, PCB, 및 MEMS 등 다양한 분야에 사용되고 있다.
예를 들어, 대한민국특허 등록공보 KR101432888B1에는, 광원으로부터 발사된 노광광을 광학계를 개재해서 광을 투과하는 패턴이 형성된 마스크에 조사하고, 그 마스크에 조사된 노광광 중 상기 패턴을 투과한 노광광을 상기 마스크와 근접해서 배치된 기판의 제1 영역에 도포된 레지스트 상에 투사해서 그 레지스트를 노광하는 것을 상기 기판의 전체면에 걸쳐서 반복함으로써, 상기 마스크에 형성된 패턴으로 상기 기판의 전면을 노광하는 방법으로서, 상기 노광광을 상기 마스크에 조사하는 것을, 상기 광원으로부터 발사된 노광광을 광 인티그레이터를 투과시켜서 복수의 점광원으로 변환하고, 그 광 인티그레이터를 투과해서 복수의 점광원으로 변환된 노광광을 콜리메이트 미러에서 평행광으로 변환하고, 그 평행광으로 변환된 노광광을 이면에 액튜에이터를 2차원 형상으로 배열해서 장비한 평면 거울에서 반사해서 상기 마스크에 조사함으로써 행하고, 상기 평면 거울의 이면에 2차원 형상으로 배열한 액튜에이터를, 상기 노광하는 기판의 표면에 상당하는 위치에 핀홀이 배치되고 목시용 눈금 가이드와 촬상 카메라를 구비하는 핀홀 카메라의 상기 핀홀을 통과해서 상기 목시용 눈금 가이드 상에 투영된 상을 상기 촬상 카메라로 촬상해 얻은 화상으로부터 얻어지는 상기 광 인티그레이터의 점광원에 관한 정보에 기초해서 상기 2차원 형상으로 배열된 액튜에이터의 개개의 액튜에이터를 제어하는 노광 방법이 개시되어 있다.
최근 디스플레이 분야에서, 전체 화면의 크기는 대형화되는 동시에, 개별 화소의 패턴 크기는 작아지는 기술이 요구되고 있다. 하지만, 종래의 근접식 노광 방법으로써는, 이에 대응할 수 있는 기술적 한계에 다다르고 있다.
이러한 기술적 한계가 발생하는 것은, 근접식 노광의 경우, 기판 또는 웨이퍼와, 마스크 간의 이격 거리가 멀어질수록 회절 현상이 발생하여 패터닝 분해능이 저하되는데, 마스크가 대면적일 경우에, 자중에 의한 처짐량이 커지면서, 전체 노광 영역에 대해, 마스크와, 기판 또는 웨이퍼 간의 이격 거리 편차가 커지기 때문이다. 따라서, 이러한 이격 거리 편차에 의해 패터닝 분해능이 저하될 수 있다.
또한, 기판 또는 웨이퍼와, 마스크의 이격에 제공되는 광 경로 상에는, 어떠한 요소도 존재해서는 안되기 때문에, 대면적 마스크의 자중에 의한 처짐을 직접적으로 제어하기 어려운 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 노광 마스크의 자중에 의한 처짐을 고려하여, 노광 대상 기판을 변형시키는, 근접 노광을 위한 기판 변형 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 노광 대상 기판의 위치를 측정하고, 노광 마스크의 위치를 측정하여, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 상대적인 거리가 미리 정해진 거리가 되도록 상기 노광 마스크 및 상기 노광 대상 기판 중 적어도 하나의 위치를 조절하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 노광 마스크와 노광 대상 기판의 이격 간격 균일도가 증가하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 패터닝 분해능이 향상된, 근접 노광을 위한 기판 변형 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 노광 마스크와 동일한 재질로 이루어진 제1 플레이트를 포함하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 이격 간격 조절부의 높이를 조절하여 제1 플레이트의 면 방향 변형을 제어하고, 상기 제1 플레이트의 면 방향 변형 제어에 따라, 상기 제1 플레이트 상의 노광 대상 기판이 변형되는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 제1 플레이트의 면 방향을 따라 복수 개 마련되는 이격 간격 조절부를 포함하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 근접 노광을 위한 기판 변형 장치를 제공한다.
상기 근접 노광을 위한 기판 변형 장치는, 노광 마스크가 거치되는 마스크 홀더, 상기 노광 마스크로부터 소정 방향으로 이격하며, 노광 대상 기판이 거치되는 제1 플레이트, 상기 노광 마스크의 위치를 조절하는 위치 조절부, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 이격 간격을 조절하는 이격 간격 조절부, 상기 노광 마스크 및 상기 노광 대상 기판 중 적어도 하나의 위치를 측정하는 제1 센서, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격을 측정하는 제2 센서, 및 상기 제1 센서로부터의 측정 결과에 따라, 상기 위치 조절부를 통하여 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 상대적인 거리를 줄이는 제1 제어와, 상기 제1 제어 후에 상기 제2 센서로부터의 측정 결과에 따라, 상기 이격 간격 조절부를 통하여 상기 노광 마스크의 처짐에 따라 상기 노광 대상 기판을 변형시키는 제2 제어를 수행하는 제어부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 제어는, 상기 노광 마스크를 상기 마스크 홀더에 비-거치하고, 상기 제1 플레이트 상에 노광 대상 기판을 거치한 상태에서, 상기 제1 센서를 통하여 상기 노광 대상 기판의 위치를 획득하고, 상기 노광 마스크를 상기 마스크 홀더에 거치하고, 상기 제1 센서를 통하여 상기 노광 마스크의 위치를 획득한 후, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 거리가 미리 정해진 거리에 이르도록 상기 위치 조절부를 통하여 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 방향 간의 거리를 줄일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 미리 정해진 거리는, 상기 제2 센서의 측정 가능 거리 이내일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 제어 전에 비하여 상기 제2 제어 후에, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격 균일도가 증가할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 이격 간격 조절부가 위치하는 제2 플레이트를 더 포함하며, 상기 이격 간격 조절부는, 상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트 사이에 마련되되, 상기 제1 플레이트의 면 방향을 따라 복수 개 마련될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 제어는, 상기 이격 간격 조절부의 높이를 조절하여 상기 제1 플레이트의 면 방향 변형을 제어하고, 상기 제1 플레이트의 면 방향 변형 제어에 따라, 상기 제1 플레이트 상의 노광 대상 기판이 변형될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 센서는 변위 센서이고, 상기 제2 센서는 간격 측정 센서로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 플레이트는 상기 노광 마스크와 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 플레이트는, 상기 제1 플레이트의 면 방향을 따라 오목부와 볼록부를 교번하여 가지고, 상기 이격 간격 조절부는, 상기 불록부와 직접 접촉할 수 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 근접 노광을 위한 기판 변형 방법을 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 근접 노광을 위한 기판 변형 방법은, 제1 플레이트 상에 노광 대상 기판을 준비하는 단계, 상기 노광 대상 기판의 위치를 측정하는 제1 측정 단계, 상기 노광 대상 기판과 대향하는 노광 마스크를 준비하는 단계, 상기 노광 마스크의 위치를 측정하는 제2 측정 단계, 상기 제1 및 제2 측정 단계의 측정 결과에 따라, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 상대적인 거리가 미리 정해진 거리가 되도록 상기 노광 마스크 및 상기 노광 대상 기판 중 적어도 하나의 위치를 조절하는 위치 조절 단계, 상기 위치 조절 단계 후에, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 간격을 측정하는 제3 측정 단계, 및 상기 제3 측정 단계의 측정 결과에 따라, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 간격이 상기 노광 마스크의 면 방향을 따라 일정해지도록 상기 노광 대상 기판을 변형시키는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 측정 단계 및 상기 제2 측정 단계는, 변위 센서에 의해 수행되고, 상기 제3 측정 단계는, 간격 측정 센서에 의해 수행될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 미리 정해진 거리는, 상기 간격 측정 센서의 측정 가능 거리 이내일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제3 측정 단계 전에 비하여 상기 제3 측정 단계 후에, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격 균일도가 증가할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 노광 대상 기판을 변형시키는 단계는, 상기 노광 마스크의 처짐에 따라 상기 노광 대상 기판을 변형시킬 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 노광 마스크가 거치되는 마스크 홀더, 상기 노광 마스크로부터 소정 방향으로 이격하며, 노광 대상 기판이 거치되는 제1 플레이트, 상기 노광 마스크의 위치를 조절하는 위치 조절부, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 이격 간격을 조절하는 이격 간격 조절부, 상기 노광 마스크 및 상기 노광 대상 기판 중 적어도 하나의 위치를 측정하는 제1 센서, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격을 측정하는 제2 센서, 및 상기 제1 센서로부터의 측정 결과에 따라, 상기 위치 조절부를 통하여 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 상대적인 거리를 줄이는 제1 제어와, 상기 제1 제어 후에 상기 제2 센서로부터의 측정 결과에 따라, 상기 이격 간격 조절부를 통하여 상기 노광 마스크의 처짐에 따라 상기 노광 대상 기판을 변형시키는 제2 제어를 수행하는 제어부를 포함하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치가 제공될 수 있다,
이에 따라, 상기 노광 마스크의 자중에 의한 처짐에 따라, 상기 노광 대상 기판을 변형시켜, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격 균일도가 증가할 수 있다. 따라서, 근접 노광에 있어서, 패터닝 분해능이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 근접 노광을 위한 기판 변형 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 이격 간격 조절부를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 근접 노광을 위한 기판 변형 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5는 본 발명의 단계 S110 및 S120을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 단계 S130 및 S140을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 단계 S150을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 단계 S160을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 단계 S170을 설명하기 위한 도면이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 게재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 형상 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 명세서에 기재된 "…부", "…기", "모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
최근 디스플레이 분야에서, 전체 화면의 크기는 대형화되는 동시에, 개별 화소의 패턴 크기는 작아지는 기술이 요구되고 있다.
이러한 시대의 흐름에 맞춰, 미세 패턴이 형성된 대면적 마스크를 이용해, 기판 상에 상기 대면적 마스크의 미세 패턴을 전사하는 근접 노광 방법이 이용되고 있다.
하지만, 상기 대면적 마스크의 경우, 자중에 의한 처짐량이 큰 것으로 인해, 전체 노광 영역에 대해, 상기 대면적 마스크와 상기 기판 간의 이격 거리 편차가 커지는 현상이 발생한다. 이에 따라, 상기 이격 거리 편차에 의해 패터닝 분해능이 저하될 수 있다.
또한, 상기 대면적 마스크와 상기 기판의 이격에 제공되는 광 경로 상에는, 어떠한 요소도 존재해서는 안되기 때문에, 상기 대면적 마스크의 자중에 의한 처짐을 직접적으로 제어하기 어려운 실정이다.
따라서, 본 발명에서는, 근접 노광에 있어서, 마스크 특히, 대면적의 마스크의 자중에 의한 처짐에 따른 패터닝 분해능 저하에, 효과적으로 대응할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 목표로 한다.
상기 목표를 달성하기 위해, 이하 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 근접 노광을 위한 기판 변형 장치가 설명된다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 근접 노광을 위한 기판 변형 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 2 및 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 이격 간격 조절부를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 상기 근접 노광을 위한 기판 변형 장치는, 마스크 홀더(10), 위치 조절부(20), 제1 플레이트(30), 이격 간격 조절부(40), 제2 플레이트(50), 및 제어부(60)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 마스크 홀더(10)는, 노광 마스크(EM)를 거치할 수 있다. 구체적으로, 상기 마스크 홀더는(10), 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 노광 마스크(EM)의 양측 부를 파지하여 거치할 수 있다.
이에 따라, 상기 마스크 홀더(10)는, 상기 마스크 홀더(10)에 거치된 상기 노광 마스크(EM)가 위치 조절을 위해 상하로 이동되는 경우에도, 초기에 설정된 상기 노광 마스크(EM)의 2차원 상의 위치를 안정적으로 유지시킬 수 있다.
상기 위치 조절부(20)는, 상기 노광 마스크(EM)의 위치를 조절할 수 있다. 구체적으로, 상기 위치 조절부(20)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 마스크 홀더(10)에 상기 노광 마스크(EM)가 거치되면, 상기 노광 마스크(EM)가 거치된 상기 마스크 홀더(10)를 이동시킬 수 있다.
즉, 상기 위치 조절부(20)는, 상기 마스크 홀더(10)의 위치를 상·하로 이동시킬 수 있고, 상기 마스크 홀더(10)가 상·하로 이동함에 따라, 상기 마스크 홀더(10)에 거치된 노광 마스크(EM)가 상·하로 이동할 수 있는 것이다.
상기 제1 플레이트(30)는, 노광 대상 기판(ES)을 거치할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 플레이트(30)는, 상기 노광 마스크(EM)로부터 소정 방향으로 이격하여, 상기 노광 대상 기판(ES)을 거치할 수 있다. 여기에서, 상기 소정 방향은, 상기 노광 마스크(EM)의 하방일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 플레이트(30)는, 상기 노광 마스크(EM)와 동일한 재료로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 플레이트(30)는, 상기 노광 마스크(EM)와 동일한 두께로 형성될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 플레이트(30)는, 상기 노광 마스크(EM)의 자중에 의한 처짐량과 동일한 처짐량을 가질 수 있다.
상술된 바와 같이, 대면적 마스크의 경우, 자중에 의한 처짐량이 큰 것에 의해, 전체 노광 영역에 대해 상기 대면적 마스크와 기판 간의 이격 거리 편차가 커지는 바, 상기 이격 거리 편차에 의해 패터닝 분해능이 저하될 수 있다.
하지만, 이와는 달리, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1 플레이트(30)는 상기 노광 마스크(EM)와 동일한 재료 및 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1 플레이트(30)는 상기 노광 마스크(EM)의 자중에 의한 처짐량과 동일한 처짐량을 가지는 바, 상기 제1 플레이트(30) 상에 거치된 노광 대상 기판(ES)과 상기 노광 마스크(EM)의 이격 거리 편차가 최소화될 수 있는 것이다.
이에 따라, 패터닝 분해능이 향상될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1 플레이트(30)가 상기 노광 마스크(EM)과 동일한 재료 및 두께로 형성됨에도 불구하고, 상기 제1 플레이트(30) 상에 거치된 노광 대상 기판(ES)과 상기 노광 마스크(EM)의 이격 거리 편차가 발생하는 경우에도, 이를 최소화할 수 있다.
상술된 이격 거리 편차의 최소화를 위해, 상기 이격 간격 조절부(40)가 제공될 수 있다.
상기 이격 간격 조절부(40)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제2 플레이트(50) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 상기 이격 간격 조절부(40)는, 상기 제1 플레이트(30)와 상기 제2 플레이트(50) 사이에 마련되되, 상기 제1 플레이트(30)의 면 방향을 따라, 복수 개로 마련될 수 있다.
보다 구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 이격 간격 조절부(40)는, 상기 제1 플레이트(30)의 면 방향을 따라, 상기 제2 플레이트(50) 상에 복수 개로 마련될 수 있다
도 3을 참조하면, 상기 이격 간격 조절부(40)는, 본체(41), 제1 고정부(43), 제2 고정부(45), 및 조절부(47)로 구성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 이격 간격 조절부(40)의 본체(41)는, 상기 제2 플레이트(50)의 일 면에 결합되고, 상기 제2 고정부(45)는 제1 플레이트(30)의 일 면에 결합될 수 있다.
상기 제1 고정부(43), 상기 제2 고정부(45), 및 상기 조절부(47)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 고정부(43), 상기 조절부(47), 상기 제2 고정부(45)의 순서로 상기 본체(41) 상에 제공될 수 있다.
상기 본체(41)가 상기 제2 플레이트(50)의 일 면과 결합한 후에, 상기 제1 및 제2 고정부(43, 45)를 고정할 수 있다.
상기 제1 및 제2 고정부(43, 45)를 고정한 후에, 상기 조절부(47)를 조작하여(①), 상기 이격 간격 조절부(40)의 높이를 조절할 수 있다(②). 예를 들어, 상기 조절부(47)가 시계 방향으로 회전하는 경우, 상기 제1 및 제2 고정부(43, 45) 사이의 거리가 멀어져, 상기 이격 간격 조절부(40)가 길어질 수 있고, 반대로 상기 조절부(47)가 반 시계 방향으로 회전하는 경우, 상기 제1 및 제2 고정부(43, 45) 사이의 거리가 가까워져, 상기 이격 간격 조절부(40)가 짧아질 수 있다.
상기 이격 간격 조절부(40)의 높이를 조절하는 것에 의해, 상기 제1 플레이트(30)의 면 방향 변형을 제어할 수 있다. 상기 제1 플레이트(30)의 면 방향 변형 제어에 따라, 상기 제1 플레이트(30) 상의 노광 대상 기판(ES)이 변형될 수 있다.
이에 따라, 상술된 바와 같이, 상기 제1 플레이트(30)가 상기 노광 마스크(EM)과 동일한 재료 및 두께로 형성됨에도 불구하고, 발생할 수 있는 편차를 최소화할 수 있는 것이다.
또한, 상술된 바와 같이, 상기 이격 간격 조절부(40)는, 복수 개로 마련되는 바, 상기 제1 플레이트(30)의 면 방향 변형을 정밀하게 제어할 수 있다.
따라서, 상기 제1 플레이트(30) 상에 거치된 노광 대상 기판(ES)과 상기 노광 마스크(EM)의 이격 거리를 정밀 조절할 수 있다.
즉, 상기 이격 간격 조절부(40)를 통해, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 이격 간격(G) 균일도가 증가할 수 있는 것이다.
한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 이격 간격 조절부(40)는, 상기 본체(41), 제1 고정부(43), 제2 고정부(45), 및 조절부(47)로 구성되는 것과는 달리, 서보 모터(Servo motro) 기반의 액추에이터(actuator) 전자석 흡입 시스템, 피에조 액추에이터(PZT actuator), 또는 보이스 코일 모터(Voice coil motor) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수도 있다.
상기 제어부(60)는, 제1 제어 및 제2 제어를 수행할 수 있다.
구체적으로, 상기 제어부(60)는, 상기 위치 조절부(20)를 통하여, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 상대적인 거리를 줄이는 제1 제어를 수행할 수 있다.
또한, 상기 제어부(60)는, 상기 이격 간격 조절부(40)를 통하여 상기 노광 마스크(EM)의 처짐에 따라 상기 노광 대상 기판(ES)을 변형시키는 제2 제어를 수행활 수 있다.
이를 위해, 본 발명의 실시 예에 따른 근접 노광을 위한 기판 변형 장치는, 제1 센서(S1) 및 제2 센서(S2)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 제1 센서(S1)는, 상기 노광 마스크(EM) 및 상기 노광 대상 기판(ES) 중 적어도 하나의 위치를 측정할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 센서(S1)는 변위 센서일 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 센서(S1)는, 상기 노광 마스크(EM) 및 상기 노광 대상 기판(ES) 중 적어도 하나가 상기 제1 센서(S1)로부터 먼 거리에 위치하는 경우에도, 상기 노광 마스크(EM) 및 상기 노광 대상 기판(ES) 중 적어도 하나의 위치를 빠르게 측정할 수 있다.
상기 제2 센서(S2)는, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 이격 간격(G)을 측정할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 센서(S2)는 간격 측정 센서일 수 있다.
이에 따라, 상기 제2 센서(S2)는, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 이격 간격(G)을 정밀하게 측정하는 고분해능을 가질 수 있다.
상기 근접 노광을 위한 기판 변형 장치가, 상기 제1 및 제2 센서(S1, S2)를 더 포함하는 것에 의해, 상기 제어부(60)는, 상기 제1 센서(S1)로부터의 측정 결과에 따라, 상기 위치 조절부(20)를 통하여 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 상대적인 거리를 줄이는 즉, 제1 제어를 수행할 수 있는 것이다.
또한, 상기 제1 제어 후에 상기 제2 센서(S32)로부터의 측정 결과에 따라, 상기 이격 간격 조절부(40)를 통하여 상기 노광 마스크(EM)의 처짐에 따라 상기 노광 대상 기판(ES)을 변형시키는 제2 제어를 수행할 수 있는 것이다.
이하, 상기 제어부(60)를 통해 상기 근접 노광을 위한 기판 변형 장치를 제어함으로써, 근접 노광을 위한 기판을 변형하는 방법이 설명된다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 근접 노광을 위한 기판 변형 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 5는 본 발명의 단계 S110 및 S120을 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 본 발명의 단계 S130 및 S140을 설명하기 위한 도면이고, 도 7은 본 발명의 단계 S150을 설명하기 위한 도면이고, 도 8은 본 발명의 단계 S160을 설명하기 위한 도면이고, 도 9는 본 발명의 단계 S170을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 상기 근접 노광을 위한 기판 변형 방법은, 노광 대상 기판 준비 단계(S110), 제1 측정 단계(S120), 노광 마스크 준비 단계(S130), 제2 측정 단계(S140), 위치 조절 단계(S150), 제3 측정 단계(S160), 및 노광 대상 기판 변형 단계(S170)를 포함할 수 있다. 이하, 각 단계에 대해 상세히 설명하기로 한다.
단계 S110
단계 S110에서, 노광 대상 기판(ES)을 준비할 수 있다. 구체적으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 플레이트(30) 상에 노광 대상 기판(ES)을 준비할 수 있다. 도시하지는 않았으나, 상기 노광 대상 기판(ES) 상에는 패터닝 될 소재와 감광막이 적층될 수 있음은 물론이다. 또한 상기 노광 대상 기판(ES)은 제1 플레이트(30)의 변형에 따라 같이 변형될 수 있도록 플렉서블한 소재로 이루어질 수 있다.
상술된 바와 같이, 상기 제1 플레이트(30)는, 상기 노광 마스크(EM)와 동일한 재료 및 두께로 형성되는 바, 상기 제1 플레이트(30)는, 상기 노광 마스크(EM)의 자중에 의한 처짐량과 동일한 처짐량을 가질 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 플레이트(30) 상에 거치된 노광 대상 기판(ES)과 상기 노광 마스크(EM)의 이격 거리 편차가 최소화될 수 있다.
단계 S120
단계 S120에서, 제1 측정을 수행할 수 있다. 구체적으로, 상기 제어부(60)는, 상기 제1 측정을 수행하도록 제어신호를 생성할 수 있다. 상기 제1 측정은, 상기 노광 대상 기판(ES)의 위치를 측정하는 것을 포함할 수 있다. 여기서 위치라 함은, 상기 노광 대상 기판(ES)의 높이를 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 제1 측정은, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1 플레이트(30) 상에 노광 대상 기판(ES)을 거치한 상태에서, 상기 제1 센서(S1)를 통하여 상기 노광 대상 기판(ES)의 위치를 획득하는 것을 포함할 수 있다.
상기 제어부(60)는 상기 제1 센서(S1)를 통하여 상기 노광 대상 기판(ES)의 면 방향을 따라 소정 포인트 예를 들어, 20 내지 30 포인트의 위치를 획득할 수 있다.
상술된 바와 같이, 상기 제1 센서(S1)는, 변위 센서일 수 있다. 예를 들어, 상기 변위 센서는, 레이저식, 백색 간섭식, 접촉식(CMM), 및 와전류식 센서 중에서 적어도 어느 하나일 수 있다.
상기 제1 센서(S1)가, 레이저 센서인 경우, 상기 레이저 센서(S1)의 레이저가 상기 노광 대상 기판(ES)에 직접 조사되어, 상기 노광 대상 기판(ES)이 상기 제1 센서(S1)로부터 먼 거리에 위치하는 경우에도, 상기 노광 대상 기판(ES)의 위치를 빠르게 측정할 수 있다.
이때, 상기 노광 마스크(EM)는, 상기 마스크 홀더(10)에 비-거치될 수 있다.
단계 S130
단계 S130에서, 노광 마스크(EM)를 준비할 수 있다. 구체적으로, 상기 노광 마스크(EM)는, 상기 노광 대상 기판(ES)과 대향하도록, 상기 마스크 홀더(10)에 거치하여 준비할 수 있다.
이 때 노광 마스크(EM)와 노광 대상 기판(ES) 간의 충돌을 방지할 수 있도록 노광 마스크(EM)와 노광 대상 기판(ES) 간에 충분한 안전거리가 확보될 수 있도록 노광 마스크(EM)는 노광 대상 기판(ES)으로부터 이격되어 거치될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 마스크 홀더는(10), 상기 노광 마스크(EM)의 양측 부를 파지하여 거치하는 바, 상기 마스크 홀더(10)에 거치된 상기 노광 마스크(EM)가 위치 조절을 위해 상·하로 이동되는 경우에도, 초기에 설정된 상기 노광 마스크(EM)의 2차원 상의 위치를 안정적으로 유지시킬 수 있다.
단계 S140
단계 S140에서, 제2 측정을 수행할 수 있다. 구체적으로, 상기 제어부(60)는, 상기 제2 측정을 수행하도록 제어신호를 생성할 수 있다. 상기 제2 측정은, 상기 노광 마스크(EM)의 위치를 측정하는 것을 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 제2 측정은, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제1 센서(S1)를 통하여 상기 노광 마스크(EM)의 위치를 획득하는 것을 포함할 수 있다.
상기 제어부(60)는 상기 제1 센서(S1)를 통하여 상기 노광 마스크(EM)의 면 방향을 따라 소정 포인트 예를 들어, 20 내지 30 포인트의 위치를 획득할 수 있다. 단계 S140의 포인트는 단계 120의 포인트와 대응 즉, 면 방향을 기준으로 동일한 포인트 일 수 있다.
상술된 바와 같이, 상기 제1 센서(S1)는, 레이저 센서일 수 있다.
이에 따라, 상기 레이저 센서(S1)의 레이저가 상기 노광 마스크(EM)에 직접 조사되어, 상기 노광 마스크(EM)의 위치를 빠르게 측정할 수 있다.
단계 S150
단계 S150에서, 상기 노광 마스크(EM) 및 상기 노광 대상 기판(ES) 중 적어도 하나의 위치를 조절할 수 있다. 구체적으로, 상기 제어부(60)는, 상기 위치를 조절하도록 제어신호를 생성할 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 측정 단계의 측정 결과에 따라, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 상대적인 거리가 미리 정해진 거리가 되도록, 상기 노광 마스크(EM)의 위치를 조절할 수 있다. 예를 들어, 상기 노광 마스크(EM)의 위치를 상기 노광 대상 기판(ES) 방향으로 이동시킬 수 있다. 즉, 상기 제어부(60)는 상기 위치 조절부(20)를 통하여 노광 마스크(EM)의 위치를 조절할 수 있다.
이 때, 상기 미리 정해진 거리가 되도록, 상기 노광 대상 기판(ES)의 위치를 조절할 수 있다(미도시).
여기에서, 상기 미리 정해진 거리란, 상기 제2 센서(S2)의 측정 가능 거리 이내를 의미할 수 있다. 예를 들어, 미리 정해진 거리는 50 μm 이내일 수 있다.
이를 위하여, 상기 제어부(60)는 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 거리가 미리 정해진 거리 이내가 되도록 위치 조절부(20)를 제어할 수 있다. 보다 구체적으로 상기 제어부(60)는 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 거리가 가장 먼 지점에서의 거리가 미리 정해진 거리 이내가 되도록 상기 위치 조절부(20)를 제어할 수 있다.
상술된 바와 같이 상기 제2 센서(S2)는 간격 측정 센서일 수 있다. 예를 들어, 전계식, 및 비전(Vision)식 센서 중에서 적어도 어느 하나일 수 있다.
상기 제2 센서(S2)가 전계 센서인 경우, 전계 센서의 특성 상, 측정 대상이 상기 전계 센서와 먼 거리에 위치하는 경우, 상기 측정 대상의 위치를 정확하게 측정하기 어려울 수 있다.
하지만, 본 발명의 실시 예에 따르면, 제1 측정 단계(S120) 및 제2 측정 단계(S140)가 먼저 수행될 수 있고, 이후, 단계 S120 및 단계 S140에 따라 위치 조절 단계(S150)가 수행되는 것에 의해, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 상대적인 거리가 상기 미리 정해진 거리가 되도록, 상기 노광 마스크(EM)의 위치를 조절할 수 있다.
이에 따라, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 상대적인 거리가, 상기 먼 거리 측정이 용이하지 않은 제2 센서(S2) 예를 들어, 전계 센서의 측정 가능 거리 이내로 조절될 수 있는 것이다.
단계 S160
단계 S160에서, 제3 측정을 수행할 수 있다. 구체적으로, 상기 제어부(60)는, 상기 제3 측정을 수행하도록 제어신호를 생성할 수 있다. 상기 제3 측정은, 상기 위치 조절 단계(S150) 후에, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES) 간의 간격(G)을 측정하는 것을 포함할 수 있다.
단계 S150에서 상술된 바와 같이, 상기 미리 정해진 거리가 되도록 상기 노광 마스크(EM)의 위치를 조절한 바, 이후 단계 S160 즉, 상기 제2 센서를 이용해, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES) 간의 간격(G)을 측정하는 단계가 용이하게 수행될 수 있다.
이때, 상기 제3 측정을 통해 측정된 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES) 간의 간격(G)은, 도 8에 Ga1~ Ga7로 도시된 것과 같이, 상기 노광 대상 기판(EM)의 면 방향을 따라 서로 상이할 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES) 간의 간격(G)이 상기 노광 마스크(EM)의 면 방향을 따라 일정해지도록 제어할 수 있다.
이하, 후술되는 단계에서, 상기 제어 방법을 설명하기로 한다.
단계 S170
단계 S170에서, 노광 대상 기판(ES)을 변형시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 제어부(60)는, 상기 노광 대상 기판(ES)을 변형시키도록 제어신호를 생성할 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 상기 제어부(60)는 상기 제3 측정 단계의 측정 결과에 따라, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES) 간의 간격(G)이 상기 노광 대상 기판(EM)의 면 방향을 따라 일정해지도록, 상기 노광 대상 기판(ES)을 변형시킬 수 있다.
상기 노광 대상 기판(ES)의 변형은, 상기 이격 간격 조절부(40)에 의해 수행될 수 있다.
구체적으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES) 간의 이격 간격(Gb1~ G7)이 상기 노광 대상 기판(EM)의 면 방향을 따라 일정해지도록, 상기 복수 개로 마련된 이격 간격 조절부(40b1~ 40b8)의 높이를 조절할 수 있다.
이에 따라, 단계 S170 전과 비교하여, 단계 S170 후에 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 이격 간격(G) 균일도가 증가할 수 있다.
이상, 상술된 S110~단계 S170에서, 각 단계의 제어는, 상기 근접 노광을 위한 기판 변형 장치의 제어부(60)를 통해 수행될 수 있음은 물론이다.
이하, 도 10 및 도 11을 참조하여, 본 발명의 변형 예가 설명된다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 변형 예에 따른 제1 플레이트(30)는, 상기 제1 플레이트(30)의 면 방향을 따라 볼록부(30a)와 오목부(30b)를 교번하여 가질 수 있다.
또한, 상기 제1 플레이트(30)의 불록부(30a)는, 상기 이격 간격 조절부(40)와 직접 접촉할 수 있다.
본 발명의 변형 예에 따르면, 상기 제1 플레이트(30)가 상기 볼록부(30a)와 상기 오목부(30b)를 교번하여 가지며, 상기 불록부(30a)가 상기 이격 간격 조절부(40)와 직접 접촉하는 것에 의해, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 이격 간격(G) 균일도가 증가할 수 있다.
이는, 상기 제1 플레이트(30)가 상기 볼록부(30a)와 상기 오목부(30b)를 교번하여 가지는 것에 의해, 상기 제1 플레이트(30)의 변형이 용이하기 때문일 수 있다. 이는 오목부(30b)의 두께가 얇기 때문에 변형 저항이 적어, 제1 플레이트(30)가 이격 간격 조절부(40)에 의하여 쉽게 변형될 수 있음을 의미한다.
구체적으로, 상기 노광 마스크(EM)의 자중에 의한 처짐과 동일한 형상으로, 상기 제1 플레이트(30)의 변형이 용이하다는 것을 의미한다.
본 발명의 변형 예에 따르면, 상기 제1 플레이트(30)가 상기 볼록부(30a)와 상기 오목부(30b)를 교번하여 가지며, 상기 불록부(30a)가 상기 이격 간격 조절부(40)와 직접 접촉하는 것에 의해, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 복수 개로 마련된 이격 간격 조절부(40a1~ 40a8)가 구동되기 전과 비교하여, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 복수 개로 마련된 이격 간격 조절부(40b1~ 40 b 8)가 구동된 후에, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 이격 간격(Gb1~ Gb7) 균일도가 증가할 수 있다.
이상, 상술된 본 발명의 실시 예 및 변형 예에 따르면, 근접 노광에 있어서, 상기 노광 마스크의 자중에 의한 처짐에 따른 패터닝 분해능 저하에, 효과적으로 대응할 수 있다.
즉, 상기 노광 마스크의 자중에 의한 처짐에 따라, 상기 노광 대상 기판을 변형시켜, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격 균일도가 증가할 수 있다. 따라서, 근접 노광에 있어서, 패터닝 분해능이 향상될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
100: 근접 노광을 위한 기판 변형 장치
10: 마스크 홀더
20: 위치 조절부
30: 제1 플레이트
30a: 볼록부
30b: 오목부
40: 이격 간격 조절부
41: 본체
43: 제1 고정부
45: 제2 고정부
47: 조절부
50: 제2 플레이트
60: 제어부
EM: 노광 마스크
ES: 노광 대상 기판
S1: 제1 센서
S2: 제2 센서
G: 노광 마스크와 노광 대상 기판의 이격 간격

Claims (14)

  1. 노광 마스크가 거치되는 마스크 홀더;
    상기 노광 마스크로부터 소정 방향으로 이격하며, 노광 대상 기판이 거치되되, 상기 노광 마스크와 동일한 재질 및 동일한 두께로 이루어진 제1 플레이트;
    상기 노광 마스크의 상기 노광 대상 기판을 향한 위치를 조절하는 위치 조절부;
    상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 이격 간격을 조절하는 이격 간격 조절부;
    상기 노광 마스크 및 상기 노광 대상 기판 중 적어도 하나의 위치를 측정하는 제1 센서;
    상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격을 측정하는 제2 센서; 및
    상기 제1 센서로부터의 측정 결과에 따라, 상기 위치 조절부를 통하여 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 상대적인 거리를 줄이는 제1 제어와, 상기 제1 제어 후에 상기 제2 센서로부터의 측정 결과에 따라, 상기 이격 간격 조절부를 통하여 상기 노광 마스크의 처짐에 따라 상기 노광 대상 기판을 변형시키는 제2 제어를 수행하는 제어부를 포함하되,
    상기 제1 플레이트와 상기 노광 마스크는 동일한 재질 및 동일한 두께로 이루어진 것에 의해, 상기 제1 플레이트와 상기 노광 마스크는 자중에 의해 동일하게 처지는 동일 처짐량을 가지고,
    상기 제2 제어는, 상기 이격 간격 조절부를 통하여 상기 동일 처짐량을 제외한 상기 노광 마스크의 처짐에 따라 상기 노광 대상 기판을 변형시키는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 제어는,
    상기 노광 마스크를 상기 마스크 홀더에 비-거치하고, 상기 제1 플레이트 상에 노광 대상 기판을 거치한 상태에서, 상기 제1 센서를 통하여 상기 노광 대상 기판의 위치를 획득하고,
    상기 노광 마스크를 상기 마스크 홀더에 거치하고, 상기 제1 센서를 통하여 상기 노광 마스크의 위치를 획득한 후,
    상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 거리가 미리 정해진 거리에 이르도록 상기 위치 조절부를 통하여 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 방향 간의 거리를 줄이는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 미리 정해진 거리는,
    상기 제2 센서의 측정 가능 거리 이내인, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 제어 전에 비하여 상기 제2 제어 후에, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격 균일도가 증가하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 이격 간격 조절부가 위치하는 제2 플레이트를 더 포함하며,
    상기 이격 간격 조절부는, 상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트 사이에 마련되되, 상기 제1 플레이트의 면 방향을 따라 복수 개 마련되는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 제어는,
    상기 이격 간격 조절부의 높이를 조절하여 상기 제1 플레이트의 면 방향 변형을 제어하고, 상기 제1 플레이트의 면 방향 변형 제어에 따라, 상기 제1 플레이트 상의 노광 대상 기판이 변형되는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 센서는 변위 센서이고,
    상기 제2 센서는 간격 측정 센서로 이루어진, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  8. 삭제
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 플레이트는, 상기 제1 플레이트의 면 방향을 따라 오목부와 볼록부를 교번하여 가지고,
    상기 이격 간격 조절부는, 상기 볼록부와 직접 접촉하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  10. 제1 플레이트 상에 노광 대상 기판을 준비하는 단계;
    상기 노광 대상 기판의 위치를 측정하는 제1 측정 단계;
    상기 노광 대상 기판과 대향하되, 상기 제1 플레이트와 동일한 재질 및 동일한 두께로 이루어진 노광 마스크를 준비하는 단계;
    상기 노광 마스크의 위치를 측정하는 제2 측정 단계;
    상기 제1 및 제2 측정 단계의 측정 결과에 따라, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 상대적인 거리가 미리 정해진 거리가 되도록, 상기 노광 마스크의 상기 노광 대상 기판을 향한 위치 또는 상기 노광 대상 기판의 상기 노광 마스크를 향한 위치를 조절하는 위치 조절 단계;
    상기 위치 조절 단계 후에, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 간격을 측정하는 제3 측정 단계; 및
    상기 제3 측정 단계의 측정 결과에 따라, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 간격이 상기 노광 마스크의 면 방향을 따라 일정해지도록 상기 노광 대상 기판을 변형시키는 단계;를 포함하되,
    상기 제1 플레이트와 상기 노광 마스크는 동일한 재질 및 동일한 두께로 이루어진 것에 의해, 상기 제1 플레이트와 상기 노광 마스크는 자중에 의해 동일하게 처지는 동일 처짐량을 가지고,
    상기 노광 대상 기판을 변형시키는 단계는, 상기 동일 처짐량을 제외한 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 간격이 상기 노광 마스크의 면 방향을 따라 일정해지도록 상기 노광 대상 기판을 변형시키는 것을 포함하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 측정 단계 및 상기 제2 측정 단계는, 변위 센서에 의해 수행되고,
    상기 제3 측정 단계는, 간격 측정 센서에 의해 수행되는, 근접 노광을 위한 기판 변형 방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 미리 정해진 거리는, 상기 간격 측정 센서의 측정 가능 거리 이내인, 근접 노광을 위한 기판 변형 방법.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 노광 대상 기판을 변형시키는 단계에 의하여, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격 균일도가 증가하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 방법.
  14. 삭제
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Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63172148A (ja) 1987-01-12 1988-07-15 Hitachi Ltd 基板表面変形装置
NL8901032A (nl) * 1988-11-10 1990-06-01 Philips Nv Coder om extra informatie op te nemen in een digitaal audiosignaal met een tevoren bepaald formaat, een decoder om deze extra informatie uit dit digitale signaal af te leiden, een inrichting voor het opnemen van een digitaal signaal op een registratiedrager, voorzien van de coder, en een registratiedrager verkregen met deze inrichting.
JP2879709B2 (ja) 1990-10-15 1999-04-05 日立電子エンジニアリング株式会社 大型基板露光装置
KR0157279B1 (ko) * 1994-03-15 1999-05-01 모리시타 요이찌 노광방법
JP3940823B2 (ja) 1994-12-26 2007-07-04 株式会社ニコン ステージ装置及びその制御方法
JPH09129548A (ja) 1995-11-02 1997-05-16 Hitachi Electron Eng Co Ltd 基板露光装置
KR19990054768A (ko) * 1997-12-26 1999-07-15 구자홍 노광기에서 마스크와 기판 사이의 갭 측정장치 및 그 방법
KR100520305B1 (ko) * 2003-04-04 2005-10-13 한국전자통신연구원 레이저 변위 센서를 이용하여 마스크와 기판 사이의간격을 측정하는 간격 측정 장치 및 그 방법
FR3014212B1 (fr) * 2013-12-04 2017-05-26 Fogale Nanotech Dispositif et procede de positionnement de masque de photolithographie par methode optique sans contact
KR101652985B1 (ko) * 2014-09-18 2016-09-02 주식회사 필옵틱스 노광장치와 이것의 워크 테이블
CN107315322B (zh) * 2017-07-20 2018-09-07 京东方科技集团股份有限公司 一种曝光距离调整方法及装置
KR102003468B1 (ko) * 2017-07-28 2019-07-24 주식회사 필옵틱스 기판 갭 유지 장치

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