KR102162718B1 - Solar cell module - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 반도체 기판, 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및 제1 태양 전지의 제1 전극과 제2 태양 전지의 제2 전극을 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터;를 포함하고, 인터커넥터는 서로의 일면이 접착되는 복수의 커넥터를 포함하고, 서로 접착된 복수의 커넥터 끝단 사이에 제1 전극 또는 제2 전극이 전기적으로 연결된다.
The present invention relates to a solar cell module.
An example of a solar cell module according to the present invention includes a semiconductor substrate, a first solar cell and a second solar cell including a first electrode and a second electrode formed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate; And an interconnector electrically connecting the first electrode of the first solar cell and the second electrode of the second solar cell to each other, wherein the interconnector includes a plurality of connectors to which one side of each other is adhered, and are bonded to each other. The first electrode or the second electrode is electrically connected between the plurality of connector ends.

Description

태양 전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}Solar cell module {SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell module.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.A typical solar cell includes a substrate made of semiconductors of different conductive types, such as a p-type and an n-type, and an emitter, and electrodes connected to the substrate and the emitter, respectively. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter part.

특히, 태양전지의 효율을 높이기 위해 실리콘 기판의 수광면에 전극을 형성하지 않고, 실리콘 기판의 이면 만으로 n 전극 및 p 전극을 형성한 이면 전극 형 태양 전지 셀에 대한 연구 개발이 진행되고 있다. 이와 같은 이면 전극 형 태양전지 셀을 복수개 연결하여 전기적으로 접속하는 모듈화 기술도 진행되고 있다.In particular, research and development of a back-electrode solar cell in which an electrode is not formed on the light-receiving surface of a silicon substrate and an n-electrode and a p-electrode are formed only on the back surface of the silicon substrate is being conducted to increase the efficiency of the solar cell. A modular technology for electrically connecting a plurality of such back-electrode solar cell cells is also in progress.

상기 모듈과 기술에는 복수 개의 태양전지 셀을 금속 인터커넥터로 전기적으로 연결하는 방법과, 미리 배선이 형성된 배선기판을 이용해 전기적으로 연결하는 방법이 대표적이다.Typical examples of the modules and technologies include a method of electrically connecting a plurality of solar cell cells with a metal interconnector and a method of electrically connecting a plurality of solar cells using a wiring board on which wiring is formed.

본 발명은 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell module.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 반도체 기판, 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및 제1 태양 전지의 제1 전극과 제2 태양 전지의 제2 전극을 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터;를 포함하고, 인터커넥터는 서로의 일면이 접착되는 복수의 커넥터를 포함하고, 서로 접착된 복수의 커넥터 끝단 사이에 제1 전극 또는 제2 전극이 전기적으로 연결된다.An example of a solar cell module according to the present invention includes a semiconductor substrate, a first solar cell and a second solar cell including a first electrode and a second electrode formed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate; And an interconnector electrically connecting the first electrode of the first solar cell and the second electrode of the second solar cell to each other, wherein the interconnector includes a plurality of connectors to which one side of each other is adhered, and are bonded to each other. The first electrode or the second electrode is electrically connected between the plurality of connector ends.

이와 같은 인터커넥터는 반도체 기판 사이에서 입사면 방향에 위치하는 제1 커넥터;와 제1 커넥터의 후면에 접착되는 제2 커넥터;를 포함할 수 있다.Such an interconnector may include a first connector positioned between semiconductor substrates in a direction of an incident surface, and a second connector bonded to a rear surface of the first connector.

이때, 제1 커넥터 및 제2 커넥터 중 적어도 하나에서 중앙 부분과 끝단 사이에는 단차가 형성될 수 있으며, 제1 커넥터 및 제2 커넥터 중 적어도 하나는 중앙 부분의 두께가 제1 커넥터 및 제2 커넥터 중 적어도 하나의 양끝단의 두께보다 두꺼울 수 있다.In this case, a step may be formed between the central portion and the end of at least one of the first connector and the second connector, and at least one of the first connector and the second connector has a thickness of the central portion of the first connector and the second connector. It may be thicker than the thickness of at least one end.

아울러, 제1 커넥터와 제2 커넥터 각각은 도전성 재질의 금속층과 금속층의 표면에 코팅되는 산화 방지막을 포함하고, 여기서, 금속층을 구리를 포함하고, 산화 방지막은 주석(Sn)을 포함할 수 있다.In addition, each of the first connector and the second connector may include a metal layer of a conductive material and an oxidation prevention film coated on the surface of the metal layer, wherein the metal layer may include copper, and the oxidation prevention layer may include tin (Sn).

제1 전극 및 제2 전극 각각에 접속되어, 각각의 끝단이 반도체 기판의 평면 밖으로 인출되는 제1 보조 전극과 제2 보조 전극을 더 포함하고, 반도체 기판의 평면 밖으로 인출되는 제1, 2 보조 전극의 끝단은 서로 접착되는 제1, 2 커넥터 끝단 사이에 맞물려 접속될 수 있다.First and second auxiliary electrodes connected to each of the first electrode and the second electrode, further comprising a first auxiliary electrode and a second auxiliary electrode, each end of which is drawn out of the plane of the semiconductor substrate, and the first and second auxiliary electrodes are drawn out of the plane of the semiconductor substrate The ends of may be engaged and connected between the ends of the first and second connectors bonded to each other.

이때, 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지 각각에서 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극 각각의 끝단은 반도체 기판과의 거리가 멀어지는 방향으로 벤딩(bending)될 수 있으며, 이때, 인터커넥터는 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극 각각의 벤딩된 끝단에 직접 접속될 수 있다.At this time, in each of the first solar cell and the second solar cell, ends of each of the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode may be bent in a direction that increases the distance from the semiconductor substrate, and at this time, the interconnector is the first It may be directly connected to the bent ends of the auxiliary electrode and the second auxiliary electrode.

아울러, 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지 각각에서 제1 보조 전극은 제1 전극과 접속되는 복수 개의 제1 접속부와 일단이 복수 개의 제1 접속부의 끝단에 연결되는 제1 패드부를 포함하고, 제2 보조 전극은 제2 전극과 접속되는 복수 개의 제2 접속부와 일단이 복수 개의 제2 접속부의 끝단에 연결되는 제2 패드부를 포함할 수 있다.In addition, in each of the first solar cell and the second solar cell, the first auxiliary electrode includes a plurality of first connecting portions connected to the first electrode and a first pad portion having one end connected to the ends of the plurality of first connecting portions, The second auxiliary electrode may include a plurality of second connecting portions connected to the second electrode and a second pad portion having one end connected to the ends of the plurality of second connecting portions.

이때, 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지 각각에서 제1 패드부와 제2 패드부 각각은 반도체 기판 밖으로 노출되는 노출 영역을 포함하고, 인터커넥터의 끝단은 노출 영역에 접속될 수 있다.In this case, in each of the first solar cell and the second solar cell, each of the first pad portion and the second pad portion includes an exposed area exposed outside the semiconductor substrate, and an end of the interconnector may be connected to the exposed area.

또한, 본 발명에 따른 인터커넥터에서, 제1 커넥터 및 제2 커넥터 중 어느 하나는 적어도 하나의 돌출핀을 포함하고, 제1 커넥터 및 제2 커넥터 중 나머지 하나는 적어도 하나의 돌출핀이 삽입되는 적어도 하나의 함몰홈을 포함할 수 있다.In addition, in the interconnector according to the present invention, any one of the first connector and the second connector includes at least one protruding pin, and the other of the first connector and the second connector is at least one into which at least one protruding pin is inserted. It may include one recessed groove.

아울러, 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지 각각에서 제1 패드부와 제2 패드부는 적어도 하나의 관통홀이 형성될 수 있다.In addition, in each of the first solar cell and the second solar cell, at least one through hole may be formed in the first pad portion and the second pad portion.

이때, 적어도 하나의 돌출핀은 적어도 하나의 관통홀을 통과하여 적어도 하나의 함몰홈에 삽입될 수 있다.In this case, the at least one protruding pin may pass through the at least one through hole and may be inserted into the at least one recessed groove.

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 인터커넥터를 태양 전지에 접속시킬 때에 별도의 도전성 접착제를 사용하지 않고, 인터커넥터를 태양 전지의 보조 전극에 직접 접속되도록 함으로써, 태양 전지에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있고, 제조 공정을 보다 단순화할 수 있다.As such, the solar cell module according to the present invention minimizes thermal expansion stress on the solar cell by directly connecting the interconnector to the auxiliary electrode of the solar cell without using a separate conductive adhesive when connecting the interconnector to the solar cell. Can be done, and the manufacturing process can be further simplified.

도 1a는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 1b는 도 1a에 적용된 태양 전지와 다른 구조의 태양 전지가 적용된 태양 전지 모듈의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 2은 도 1b에 도시된 태양 전지 모듈에서 인터커넥터(IC)를 접속시키는 방법을 설명하기 위한 도이다.
도 3은 도 1b에 도시된 따른 태양 전지 모듈에서 인터커넥터의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 4는 도 1a 및 도 1b에 적용 가능한 인터커넥터(IC)의 다른 예를 설명하기 위한 도이다.
도 5는 도 1b에 도시된 태양 전지 모듈에서 태양 전지의 보조 전극이 벤딩된 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 6은 도 1b에 도시된 태양 전지 모듈에서 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 형성된 경우, 인터커넥터(IC)가 접속된 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 7 및 도 8은 도 6에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 10은 도 9에 도시된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 접속된 상태를 설명하기 위한 도이다.
도 11a는 도 10에서 11a-11a 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 11b는 도 10에서 11b-11b 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 11c는 도 10에서 11c-11c 라인의 단면을 도시한 것이다.
1A is a diagram for explaining an example of a solar cell module according to the present invention.
1B is a view for explaining another example of a solar cell module to which a solar cell having a structure different from that of the solar cell applied to FIG. 1A is applied.
2 is a diagram illustrating a method of connecting an interconnector (IC) in the solar cell module shown in FIG. 1B.
3 is a diagram illustrating another example of an interconnector in the solar cell module according to FIG. 1B.
FIG. 4 is a diagram illustrating another example of an interconnector (IC) applicable to FIGS. 1A and 1B.
5 is a view for explaining an example in which the auxiliary electrode of the solar cell is bent in the solar cell module shown in FIG. 1B.
FIG. 6 is a diagram for explaining an example in which the interconnector IC is connected when the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 are formed separately in the solar cell module shown in FIG. 1B.
7 and 8 are diagrams for explaining an example of a solar cell applied to the solar cell module shown in FIG. 6.
10 is a diagram illustrating a state in which the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 shown in FIG. 9 are connected to each other.
11A is a cross-sectional view of a line 11a-11a in FIG. 10.
11B is a cross-sectional view of the line 11b-11b in FIG. 10.
11C is a cross-sectional view of the 11c-11c line in FIG. 10.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art can easily implement the embodiments of the present invention. However, the present invention may be implemented in various forms and is not limited to the embodiments described herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and similar reference numerals are given to similar parts throughout the specification.

이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면 또는 전면 유리 기판의 일면 일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판 및 전면 유리 기판의 일면의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be one surface of a semiconductor substrate or a front glass substrate to which direct sunlight is incident, and the rear surface is a semiconductor substrate and a front glass substrate in which direct sunlight is not incident or reflected light other than direct sunlight is incident. It may be the opposite side of one side of.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 대해 설명한다.Hereinafter, a solar cell module according to the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1a는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이고, 여기서, 도 1a의 (a)는 태양 전지 모듈의 일례에 따른 단면도이고, 도 1a의 (b)는 일례에 따른 태양 전지 모듈의 후면 모습이다. 1A is a diagram for explaining an example of a solar cell module according to the present invention, where (a) of FIG. 1A is a cross-sectional view according to an example of a solar cell module, and FIG. 1A(b) is a solar cell according to an example This is the back view of the module.

도 1a의 (a)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2) 및 인터커넥터(IC)를 포함한다.As shown in (a) of FIG. 1A, the solar cell module according to the present invention includes a first solar cell CE1, a second solar cell CE2, and an interconnector IC.

여기서, 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2) 각각은 반도체 기판(110), 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 포함할 수 있다.Here, each of the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 may include a semiconductor substrate 110, a first electrode C141 and a second electrode C142.

여기서, 반도체 기판(110)은 적어도 p-n 접합이 형성되어 입사되는 빛을 전기로 변환하는 웨이퍼(wafer) 형태일 수 있고, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 형성될 수 있다. Here, the semiconductor substrate 110 may be in the form of a wafer that converts incident light into electricity by forming at least a pn junction, and the first electrode C141 and the second electrode C142 are the semiconductor substrate 110 It can be formed to be spaced apart from each other on the back of the.

여기서, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 도 1a의 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면 상에 서로 이격되어 형성될 수 있다.Here, the first electrode C141 and the second electrode C142 may be formed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate 110, as shown in FIG. 1A(b).

여기서, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 각각은 도 1a의 (b)에 도시된 바와 같이, 복수 개의 핑거 부분(C141F, C142F)과 패드 부분(C141P, C142P)을 포함할 수 있다. 복수 개의 핑거 부분(C141F, C142F)은 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 있으며, 각각의 폭이 상대적으로 좁으며, 패드 부분(C141P, C142P)은 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 있어, 복수 개의 핑거 부분(C141F, C142F)에 공통으로 연결되며, 상대적으로 큰 폭을 가져 인터커넥터(IC)가 접속될 수 있다.Here, each of the first electrode C141 and the second electrode C142 may include a plurality of finger portions C141F and C142F and pad portions C141P and C142P, as shown in FIG. 1A(b). have. The plurality of finger portions C141F and C142F extend long in the first direction x, each width is relatively narrow, and the pad portions C141P and C142P extend long in the second direction y, It is connected in common to the finger portions C141F and C142F, and has a relatively large width so that the interconnector IC can be connected.

인터커넥터(IC)는 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2)를 서로 전기적으로 연결하는 역할을 한다. The interconnector IC serves to electrically connect the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 to each other.

이와 같은 인터커넥터(IC)는 서로의 일면이 접착되는 복수의 커넥터(IC1, IC2)를 포함하고, 이와 같이 서로 접착된 복수의 커넥터(IC1, IC2) 끝단 사이에 제1 전극(C141) 또는 제2 전극(C142)이 전기적으로 연결되어 형성될 수 있다.The interconnector IC includes a plurality of connectors IC1 and IC2 to which one side of each other is adhered, and the first electrode C141 or the first electrode C141 is disposed between the ends of the plurality of connectors IC1 and IC2 adhered to each other. The second electrode C142 may be electrically connected to each other.

여기서, 복수의 커넥터(IC1, IC2)는 입사면 방향에 위치하는 제1 커넥터(IC1)와 제1 커넥터(IC1)의 후면에 접착되는 제2 커넥터(IC2)를 포함할 수 있다.Here, the plurality of connectors IC1 and IC2 may include a first connector IC1 positioned in the incident surface direction and a second connector IC2 adhered to the rear surface of the first connector IC1.

여기서, 일례로, 제1 커넥터(IC1)의 일면에는 돌출부가 형성되고, 제2 커넥터(IC2)의 일면에는 함몰부가 형성될 수 있다. Here, as an example, a protrusion may be formed on one surface of the first connector IC1 and a depression may be formed on one surface of the second connector IC2.

따라서, 인터커넥터(IC)는 예를 들어, 제1 커넥터(IC1)의 일면에 형성된 돌출부가 제2 커넥터(IC2)의 일면에 형성된 함몰부에 삽입 체결되어, 복수의 커넥터(IC1, IC2) 일면이 서로 접착될 수 있다.Accordingly, the interconnector IC is, for example, the protrusion formed on one side of the first connector IC1 is inserted and fastened to the recessed portion formed on one side of the second connector IC2, so that one side of the plurality of connectors IC1 and IC2 These can be glued together.

이때, 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2)는 인터커넥터(IC)에 의해 연결되어 제1 방향(x)으로 배열될 수 있다.In this case, the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 may be connected by an interconnector IC and arranged in the first direction x.

이때, 반도체 기판(110)과 제1 전극(C141), 또는 반도체 기판(110)과 제2 전극(C142) 각각의 끝단은 인터커넥터(IC)의 끝단에 물리적으로 맞물려 접속될 수 있다. 즉 반도체 기판(110)과 제1 전극(C141), 또는 반도체 기판(110)과 제2 전극(C142) 각각의 끝단은 인터커넥터(IC)의 끝단 내부로 일부가 중첩되면서 삽입된 구조를 가질 수 있다.In this case, the ends of the semiconductor substrate 110 and the first electrode C141, or the semiconductor substrate 110 and the second electrode C142 may be physically engaged with and connected to the ends of the interconnector IC. That is, the ends of the semiconductor substrate 110 and the first electrode C141, or the end of each of the semiconductor substrate 110 and the second electrode C142 may have a structure inserted while partially overlapping the end of the interconnector IC. have.

따라서, 제1 전극(C141) 또는 제2 전극(C142) 각각의 끝단은 제2 커넥터(IC2) 끝단에 덮힐 수 있다.Accordingly, an end of each of the first electrode C141 or the second electrode C142 may be covered by the end of the second connector IC2.

아울러, 반도체 기판(110)의 전면 일부는 제2 커넥터(IC2) 끝단에 중첩되어 접속될 수 있다. In addition, a part of the front surface of the semiconductor substrate 110 may be connected by overlapping the end of the second connector IC2.

따라서, 반도체 기판(110)과 인터커넥터(IC) 사이의 단락을 방지하기 위해, 제2 커넥터(IC2)만 도전성 재질로 형성되고, 제1 커넥터(IC1)는 투명한 절연성 재질로 형성될 수 있다. Accordingly, in order to prevent a short circuit between the semiconductor substrate 110 and the interconnector IC, only the second connector IC2 may be formed of a conductive material, and the first connector IC1 may be formed of a transparent insulating material.

그러나, 이와 다르게, 제1, 2 커넥터(IC1, IC2) 모두 도전성 재질로 형성되는 것도 가능하다. 이와 같은 경우, 제1 커넥터(IC1)와 반도체 기판(110) 사이에 별도의 절연성 물질이 형성될 수 있다.However, differently, both the first and second connectors IC1 and IC2 may be formed of a conductive material. In this case, a separate insulating material may be formed between the first connector IC1 and the semiconductor substrate 110.

도 1b는 도 1a에 적용된 태양 전지와 다른 구조의 태양 전지가 적용된 태양 전지 모듈의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다. 도 1b의 (a)는 태양 전지 모듈의 다른 일례에 따른 단면도이고, 도 1b의 (b)는 도 1b의 (a)에 도시된 A 부분의 확대도이다. 도 1b의 (a)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 일례에 따른 태양 전지 모듈은 도 1a에서 전술한 바와 다르게, 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2) 각각이 반도체 기판(110), 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142) 이외에 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)을 더 포함할 수 있다.1B is a view for explaining another example of a solar cell module to which a solar cell having a structure different from that of the solar cell applied to FIG. 1A is applied. FIG. 1B(a) is a cross-sectional view according to another example of a solar cell module, and FIG. 1B(b) is an enlarged view of part A shown in FIG. 1B(a). As shown in (a) of FIG. 1B, in the solar cell module according to another example of the present invention, unlike the above-described in FIG. 1A, each of the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 is a semiconductor substrate. In addition to 110 and the plurality of first electrodes C141 and the plurality of second electrodes C142, a first auxiliary electrode P141 and a second auxiliary electrode P142 may be further included.

여기서, 제1 보조 전극(P141)은 복수의 제1 전극(C141)에 접속되며, 제2 보조 전극(P142)은 복수의 제2 전극(C142)에 접속될 수 있고, 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각의 끝단은 반도체 기판(110)의 평면 밖으로 인출될 수 있다. 이와 같은 태양 전지의 구조에 대해서는 도 7 이하에서 상세히 설명한다.Here, the first auxiliary electrode P141 may be connected to the plurality of first electrodes C141, the second auxiliary electrode P142 may be connected to the plurality of second electrodes C142, and the first auxiliary electrode P141 ) And each end of the second auxiliary electrode P142 may be drawn out of the plane of the semiconductor substrate 110. The structure of such a solar cell will be described in detail below in FIG. 7.

이때, 인터커넥터(IC)의 끝단은 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각의 끝단에 물리적으로 맞물려 접속될 수 있다. 즉 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142) 각각의 끝단은 인터커넥터(IC)의 끝단 내부로 일부가 중첩되면서 삽입된 구조를 가질 수 있다.In this case, the ends of the interconnector IC may be connected by physically engaging the ends of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142. That is, the ends of each of the first auxiliary electrode P141 or the second auxiliary electrode P142 may have a structure inserted while partially overlapping the end of the interconnector IC.

이에 따라, 인터커넥터(IC)와 제1 전극(C141)은 제1 보조 전극(P141)을 통하여 서로 전기적으로 연결되고, 인터커넥터(IC)와 제2 전극(C142)은 제1 보조 전극(P142)을 통하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다.Accordingly, the interconnector IC and the first electrode C141 are electrically connected to each other through the first auxiliary electrode P141, and the interconnector IC and the second electrode C142 are connected to the first auxiliary electrode P142. ) Can be electrically connected to each other.

따라서, 일례로, 도 1b의 (a)와 같이 태양 전지 모듈의 단면에서 보았을 때에, 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각의 끝단은 인터커넥터(IC) 끝단과 중첩될 수 있으며, 이때 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142) 각각의 끝단의 전면과 후면은 인터커넥터(IC) 끝단에 의해 덮힐 수 있다.Therefore, as an example, when viewed from the cross-section of the solar cell module as shown in (a) of FIG. 1B, the ends of each of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 may overlap the end of the interconnector IC. In this case, the front and rear surfaces of the ends of each of the first auxiliary electrode P141 or the second auxiliary electrode P142 may be covered by the ends of the interconnector IC.

이와 같은 인터커넥터(IC)는 도 1a에서 이미 설명한 바와 같이, 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)를 포함하는 복수 개의 커넥터로 형성될 수 있다. 다만, 이때, 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)는 모두 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2) 각각의 반도체 기판(110) 사이에 위치할 수 있다.As described above with reference to FIG. 1A, such an interconnector IC may be formed of a plurality of connectors including a first connector IC1 and a second connector IC2. However, in this case, both the first connector IC1 and the second connector IC2 may be positioned between the semiconductor substrate 110 of each of the first and second solar cells CE1 and CE2.

이때, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 커넥터(IC1)는 반도체 기판(110) 사이에서 입사면 방향에 위치할 수 있으며, 제2 커넥터(IC2)는 제1 커넥터(IC1)의 후면에 접착될 수 있다.In this case, as shown in (a) of FIG. 1, the first connector IC1 may be positioned between the semiconductor substrates 110 in the direction of the incident surface, and the second connector IC2 is the first connector IC1 Can be glued to the back of the

이때 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)는 반도체 기판(110)과 중첩되지 않고 이격될 수도 있다. 그러나, 도 1b의 (a)에 도시된 바와 다르게, 제2 커넥터(IC2)의 끝단은 반도체 기판(110)과 중첩될 수도 있다. 이를 위해 제2 커넥터(IC2)의 제1 방향(x)으로의 길이는 제1 커넥터(IC1)의 제1 방향(x)으로의 길이보다 길 수 있고, 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)의 반도체 기판(110) 사이의 간격보다 클 수도 있다. In this case, the first connector IC1 and the second connector IC2 may be spaced apart from each other without overlapping with the semiconductor substrate 110. However, unlike shown in (a) of FIG. 1B, the end of the second connector IC2 may overlap the semiconductor substrate 110. To this end, the length of the second connector IC2 in the first direction x may be longer than the length of the first connector IC1 in the first direction x, and the first and second solar cells CE1 and CE2 ) May be larger than the spacing between the semiconductor substrates 110.

아울러, 본 발명에 따른 인터커넥터(IC)는 제1 커넥터(IC1) 및 제2 커넥터(IC2) 중 적어도 하나에서 중앙 부분과 끝단 사이에 단차가 형성될 수 있다.In addition, in the interconnector IC according to the present invention, a step may be formed between the center portion and the end of at least one of the first connector IC1 and the second connector IC2.

구체적으로, 제1 커넥터(IC1) 및 제2 커넥터(IC2)는 끝단이 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)과 중첩될 수 있고, 상대적으로 두께가 더 큰 중앙 부분은 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)과 중첩되지 않을 수 있다. 이때, 제1 커넥터(IC1) 및 제2 커넥터(IC2) 중 적어도 하나의 중앙 부분은 제1, 2 커넥터(IC1, IC2)가 서로 마주보는 방향으로 끝단보다 더 돌출될 수 있다.Specifically, the ends of the first connector IC1 and the second connector IC2 may overlap with the first auxiliary electrode P141 or the second auxiliary electrode P142, and a central portion having a relatively larger thickness is The first auxiliary electrode P141 or the second auxiliary electrode P142 may not overlap. In this case, a central portion of at least one of the first connector IC1 and the second connector IC2 may protrude more than the end in a direction in which the first and second connectors IC1 and IC2 face each other.

즉, 일례로, 도 1b의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 커넥터(IC1)는 중앙 부분과 끝단 사이에 단차가 형성되도록, 제2 커넥터(IC2) 방향으로 제1 커넥터(IC1)의 중앙 부분이 더 돌출될 수도 있고, 제2 커넥터(IC2)도 중앙 부분과 끝단 사이에 단차가 형성되도록, 제1 커넥터(IC1) 방향으로 제2 커넥터(IC2)의 중앙 부분이 더 돌출될 수도 있다. That is, as an example, as shown in (a) and (b) of Fig. 1b, the first connector IC1 is the first connector in the direction of the second connector IC2 so that a step is formed between the central portion and the end. The central portion of the second connector IC2 may be further protruded in the direction of the first connector IC1 so that a step is formed between the central portion and the end of the second connector IC2. It may protrude.

여기서, 제1, 2 커넥터(IC1, IC2)에서 중앙 부분과 끝단 사이에 형성되는 단차의 합(TD)은 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142) 각각의 두께와 동일할 수 있으며, 일례로, 단차의 합(TD)은 20㎛ ~ 150㎛ 사이일 수 있다.Here, the sum of the steps TD formed between the center portion and the end of the first and second connectors IC1 and IC2 may be the same as the thickness of each of the first auxiliary electrode P141 or the second auxiliary electrode P142. And, as an example, the sum of the steps (TD) may be between 20 μm and 150 μm.

도 1b의 (a) 및 (b)에서는 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2) 모두 중앙 부분이 더 돌출된 경우를 일례로 도시하였지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 제1 커넥터(IC1)만 중앙 부분이 더 돌출될 수도 있고, 제2 커넥터(IC2)만 중앙 부분이 더 돌출될 수도 있다.1B (a) and (b) illustrate a case in which both the first connector IC1 and the second connector IC2 protrude further, but is not limited thereto, and the first connector IC1 ), the central portion may protrude further, and only the second connector IC2 may protrude further.

따라서, 제1 커넥터(IC1) 및 제2 커넥터(IC2) 중 적어도 하나는 중앙 부분의 두께(TC1, TC2)가 제1 커넥터(IC1) 및 제2 커넥터(IC2) 중 적어도 하나의 양 끝단의 두께(TE1, TE2)보다 두꺼울 수 있다. 그러나, 제1 커넥터(IC1) 및 제2 커넥터(IC2)에서 끝단과 중앙 부분 사이에 단차(TD)를 형성하기 위하여, 중앙 부분의 두께를 상대적으로 더 두껍게 하는 것에만 한정되는 것은 아니고, 제1 커넥터(IC1) 및 제2 커넥터(IC2) 자체를 구부려 끝단과 중앙 부분 사이에 단차를 형성할 수도 있다. 이에 대해서는 도 4에서 설명한다.Accordingly, at least one of the first connector IC1 and the second connector IC2 has the thickness of the central portion TC1 and TC2 of the thickness of both ends of at least one of the first connector IC1 and the second connector IC2 May be thicker than (TE1, TE2). However, in order to form a step TD between the end and the central portion of the first connector IC1 and the second connector IC2, the thickness of the central portion is not limited to being relatively thicker, and the first The connector IC1 and the second connector IC2 itself may be bent to form a step between the end and the central portion. This will be described in FIG. 4.

이와 같은 인터커넥터(IC)에서, 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2) 각각은 도 1b의 (b)에 도시된 바와 같이 금속층(IC1-C, IC2-C)과 산화 방지막(IC1-AO, IC2-AO)을 포함하여 형성될 수 있다.In such an interconnector IC, each of the first connector IC1 and the second connector IC2 has a metal layer IC1-C and IC2-C and an antioxidant film IC1 as shown in FIG. 1B(b). -AO, IC2-AO) can be formed.

여기서, 금속층(IC1-C, IC2-C)은 도전성 재질이면 어떠한 재질이든 상관이 없으나, 재질에 대한 비용과 저항을 고려하여, 금속층(IC1-C, IC2-C)은 일례로, 구리(Cu)를 포함하여 형성되거나 구리(Cu)만으로도 형성될 수 있다.Here, the metal layers (IC1-C, IC2-C) may be any material as long as it is a conductive material, but considering the cost and resistance of the material, the metal layers (IC1-C, IC2-C) are, for example, copper (Cu ), or may be formed only with copper (Cu).

아울러, 산화 방지막(IC1-AO, IC2-AO)은 금속층(IC1-C, IC2-C)의 표면이 산화되는 것을 방지하기 위하여 금속층(IC1-C, IC2-C)의 표면에 스퍼터링(sputtering) 방법이나 도금 방법에 의해 코팅되어 형성될 수 있다. 이와 같은 산화 방지막(IC1-AO, IC2-AO)은 녹는 점이 대략 130℃ ~ 250℃ 사이일 수 있다.In addition, anti-oxidation films (IC1-AO, IC2-AO) are sputtered on the surfaces of metal layers (IC1-C, IC2-C) to prevent oxidation of the surfaces of metal layers (IC1-C, IC2-C). It may be coated and formed by a method or a plating method. The oxidation prevention layers IC1-AO and IC2-AO may have a melting point of approximately 130°C to 250°C.

이때, 산화 방지막(IC1-AO, IC2-AO)은 주석(Sn)을 포함하여 형성될 수 있으며, 일례로, SnPb, SnBi, SnCuAg, SuCu, Sn, SnAg, SnIn 및 Ag 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. At this time, the antioxidant films (IC1-AO, IC2-AO) may be formed of tin (Sn), and for example, include at least one of SnPb, SnBi, SnCuAg, SuCu, Sn, SnAg, SnIn, and Ag. I can.

여기서, 제1, 2 커넥터(IC1, IC2) 각각의 중앙 부분에서 금속층(IC1-C, IC2-C)의 두께(TC1, TC2)는 20㎛ ~ 200㎛ 사이일 수 있으며, 금속층(IC1-C, IC2-C)의 표면에 코팅되는 산화 방지막(IC1-AO, IC2-AO)의 두께(TAO)는 2㎛ ~ 10㎛ 사이일 수 있다.Here, the thicknesses (TC1, TC2) of the metal layers (IC1-C, IC2-C) at the center portions of each of the first and second connectors (IC1, IC2) may be between 20 μm and 200 μm, and the metal layer (IC1-C) , The thickness (TAO) of the antioxidant films IC1-AO and IC2-AO coated on the surface of IC2-C) may be between 2 μm and 10 μm.

이와 같은 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)는 별도의 도전성 접착제 없이 직접 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)에 접속할 수 있다.The first connector IC1 and the second connector IC2 may be directly connected to the first auxiliary electrode P141 or the second auxiliary electrode P142 without a separate conductive adhesive.

이에 대해 간략하게 설명하면 다음과 같다.A brief description of this is as follows.

도 2은 도 1b에 도시된 태양 전지 모듈에서 인터커넥터(IC)를 접속시키는 방법을 설명하기 위한 도이다.2 is a diagram illustrating a method of connecting an interconnector (IC) in the solar cell module shown in FIG. 1B.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 인터커넥터(IC)의 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)를 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 끝단에 중첩되도록 화살표 방향으로 배치할 수 있다.2, the first connector IC1 and the second connector IC2 of the interconnector IC according to the present invention are connected to ends of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142. They can be arranged in the direction of the arrow so that they overlap.

즉, 제1 커넥터(IC1)는 끝단이 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 끝단 전면에 위치하도록 반도체 기판(110) 사이의 입사면 방향에 위치시키고, 제2 커넥터(IC2)는 끝단이 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 끝단 후면에 위치하도록 제1 커넥터(IC1)의 후면에 위치시킬 수 있다.That is, the first connector IC1 is positioned in the direction of the incident surface between the semiconductor substrates 110 so that the ends are positioned in front of the ends of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142, and the second connector IC2 is The first and second auxiliary electrodes P141 and P142 may be positioned on the rear surface of the first connector IC1 so as to be positioned on the rear ends of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142.

이에 따라, 제1 커넥터(IC1)의 끝단과 제2 커넥터(IC2)의 끝단 사이에 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 끝단이 중첩될 수 있다.Accordingly, ends of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 may overlap between the ends of the first connector IC1 and the ends of the second connector IC2.

이와 같이, 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)를 위치시킨 이후, 열과 압력을 동시에 가하여, 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)를 서로 접속시키면서, 제1 커넥터(IC1) 및 제2 커넥터(IC2)의 끝단과 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 끝단을 서로 접속시킬 수 있다.In this way, after positioning the first connector IC1 and the second connector IC2, heat and pressure are simultaneously applied to connect the first connector IC1 and the second connector IC2 to each other, and the first connector IC1 ) And the ends of the second connector IC2 and the ends of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 may be connected to each other.

여기서, 압력은 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)가 서로 압착되는 방향으로 가해질 수 있으며, 이때, 짧은 시간 동안 열처리 공정이 수행될 수 있다. 이때, 열처리 공정의 시간은 1초 ~ 10초 사이로 행해질 수 있다.Here, the pressure may be applied in a direction in which the first connector IC1 and the second connector IC2 are pressed together, and in this case, a heat treatment process may be performed for a short time. At this time, the time for the heat treatment process may be between 1 second and 10 seconds.

이때, 열처리 공정은 별도의 도전성 접착제를 이용하지 않기 때문에, 도전성 접착재를 녹이기 위해 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142) 전체 영역에 열을 가할 필요가 없고, 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142) 전체 영역에서 인터커넥터(IC)에 접속되는 끝단에만 레이저나 인덕션을 이용하여 국부적으로 열을 가함으로써, 인터커넥터(IC)와 태양 전지를 서로 연결시킬 있다. At this time, since the heat treatment process does not use a separate conductive adhesive, there is no need to apply heat to the entire area of the first auxiliary electrode P141 or the second auxiliary electrode P142 to melt the conductive adhesive, and the first auxiliary electrode ( The interconnector IC and the solar cell may be connected to each other by locally applying heat using a laser or induction to only the end connected to the interconnector IC in the entire area of the P141) or the second auxiliary electrode P142.

따라서, 본 발명과 같이, 별도의 도전성 접착제를 이용하지 않고, 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)가 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 끝단에 맞물려 접속되는 구조는 인터커넥터(IC) 접속 시에 태양 전지에 대해 가해지는 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다. 이때, 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)에는 전체적으로 열이 가해질 수도 있다. 그러나, 태양 전지에 대한 열팽창 스트레스에는 영향이 거의 없을 수 있다.Therefore, as in the present invention, without using a separate conductive adhesive, the first connector IC1 and the second connector IC2 are connected by engaging the ends of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142. It is possible to minimize the thermal expansion stress applied to the solar cell when connecting the connector (IC). In this case, heat may be applied to the first connector IC1 and the second connector IC2 as a whole. However, there may be little effect on the thermal expansion stress on the solar cell.

아울러, 별도의 도전성 접착제를 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)의 끝단에 도포하는 공정을 생략할 수 있어, 제조 공정을 보다 단순화할 수 있다.In addition, since a process of applying a separate conductive adhesive to the ends of the first auxiliary electrode P141 or the second auxiliary electrode P142 may be omitted, the manufacturing process may be further simplified.

이때, 열처리 공정의 온도는 산화 방지막(IC1-AO, IC2-AO)의 녹는점과 동일한 130℃ ~ 250℃ 사이일 수 있다. 이와 같은 열처리 공정에 의해 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)가 서로 접속하는 제1, 2 커넥터(IC1, IC2)의 중앙 부분에서는 산화 방지막(IC1-AO, IC2-AO)이 녹아 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)가 서로 접착되고, 제1, 2 커넥터(IC1, IC2)의 끝단에서도 산화 방지막(IC1-AO, IC2-AO)이 녹아 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)에 접착될 수 있다. In this case, the temperature of the heat treatment process may be between 130° C. and 250° C., which is the same as the melting point of the oxidation prevention layers IC1-AO and IC2-AO. By such a heat treatment process, the antioxidant films IC1-AO and IC2-AO are melted at the center of the first and second connectors IC1 and IC2, where the first and second connectors IC1 and IC2 are connected to each other. The first connector IC1 and the second connector IC2 are adhered to each other, and the antioxidant films IC1-AO and IC2-AO are melted at the ends of the first and second connectors IC1 and IC2, and the first auxiliary electrode P141 ) Or the second auxiliary electrode P142.

아울러, 이와 같은 열처리 공정 대신, 제1, 2 커넥터(IC1, IC2)와 제1, 2 보조 전극(P141, P142)이 접속되는 부분을 초음파 접합 공법(sonic welding)으로 접착시키는 것도 가능하다. 이와 같은 초음파 접합 공법은 열을 거의 발생시키지 않으므로 반도체 기판(110)에 대한 열손상을 더욱 줄일 수 있다.In addition, instead of the heat treatment process as described above, it is possible to bond the portions to which the first and second connectors IC1 and IC2 and the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 are connected by sonic welding. Since such an ultrasonic bonding method rarely generates heat, thermal damage to the semiconductor substrate 110 may be further reduced.

이와 같이, 본 발명에 따른 인터커넥터(IC)는 별도의 도전성 접착제 없이 직접 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)에 접속할 수 있다.In this way, the interconnector IC according to the present invention can be directly connected to the first auxiliary electrode P141 or the second auxiliary electrode P142 without a separate conductive adhesive.

도 2에서는 제1, 2 커넥터(IC1, IC2)의 중앙 부분과 끝단 사이에 단차(TD)를 형성하기 위해 중앙 부분의 두께(TC1)와 끝단의 두께(TE1)를 서로 다르게 하는 것을 일례로 설명하였지만, 이와 다르게 단차가 형성될 수도 있다.In FIG. 2, as an example, the thickness of the central part (TC1) and the thickness of the end (TE1) are different from each other in order to form a step (TD) between the central part and the end of the first and second connectors (IC1, IC2). However, a step difference may be formed differently.

도 3은 도 1b에 도시된 따른 태양 전지 모듈에서 인터커넥터의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.3 is a diagram illustrating another example of an interconnector in the solar cell module according to FIG. 1B.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 인터커넥터(IC)는 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)가 서로 물리적으로 체결되도록 하기 위해, 제1 커넥터(IC1) 및 제2 커넥터(IC2) 중 어느 하나는 제1, 2 커넥터(IC1, IC2)가 마주 보는 방향으로 적어도 하나의 돌출핀(IC-P)을 포함할 수 있고, 나머지 하나는 적어도 하나의 돌출핀(IC-P)이 삽입되는 적어도 하나의 함몰홈(IC-D)을 포함할 수 있다.The interconnector (IC) of the solar cell module according to the present invention includes the first connector (IC1) and the second connector (IC2) in order to physically connect the first connector (IC1) and the second connector (IC2) to each other. One may include at least one protruding pin IC-P in a direction in which the first and second connectors IC1 and IC2 face each other, and the other may include at least one protruding pin IC-P. It may include at least one depression (IC-D).

도 3에서는 일례로, 제1 커넥터(IC1)에 두 개의 돌출핀(IC-P)이 형성되고, 제2 커넥터(IC2)에 두 개의 함몰홈(IC-D)이 형성된 경우를 일례로 도시하였다.In FIG. 3, as an example, two protruding pins IC-P are formed in the first connector IC1 and two recessed grooves IC-D are formed in the second connector IC2 as an example. .

아울러, 이때, 도 3에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)와 태양 전지 사이의 물리적 결합을 보다 강하게 하기 위하여, 돌출핀(IC-P)은 제1 커넥터(IC1) 및 제2 커넥터(IC2) 중 어느 하나에서 제1, 2 보조 전극(P141, P142)과 중첩하는 끝단에 형성되도록 할 수 있고, 함몰홈(IC-D)도 제1 커넥터(IC1) 및 제2 커넥터(IC2) 중 나머지 하나에서 제1, 2 보조 전극(P141, P142)과 중첩하는 끝단에 형성되도록 할 수 있다.In addition, at this time, as shown in FIG. 3, in order to strengthen the physical coupling between the interconnector IC and the solar cell, the protrusion pin IC-P is the first connector IC1 and the second connector IC2. ) In any one of the ends overlapping the first and second auxiliary electrodes P141 and P142, and the recessed groove IC-D is also the rest of the first connector IC1 and the second connector IC2. One may be formed at an end overlapping the first and second auxiliary electrodes P141 and P142.

또한, 제1, 2 보조 전극(P141, P142)에서 인터커넥터(IC)와 중첩되는 끝단에는 적어도 하나의 관통홀(P141-H, P142-H)이 형성될 수 있다.In addition, at least one through hole P141-H and P142-H may be formed at an end of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 overlapping the interconnector IC.

이에 따라, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)가 서로 접속될 때, 돌출핀(IC-P)은 제1, 2 보조 전극(P141, P142)에 형성된 관통홀(P141-H, P142-H)을 통과하여 함몰홈(IC-D)에 삽입될 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 3, when the first connector IC1 and the second connector IC2 are connected to each other, the protruding pin IC-P is attached to the first and second auxiliary electrodes P141 and P142. It may pass through the formed through holes P141-H and P142-H, and may be inserted into the recessed groove IC-D.

이에 따라, 본 발명에 태양 전지 모듈은 인터커넥터(IC)와 태양 전지가 서로 물리적으로 체결되도록 할 수 있다. 이에 따라, 인터커넥터(IC)와 태양 전지 사이의 접착력을 보다 강화할 수 있다. Accordingly, in the solar cell module according to the present invention, the interconnector (IC) and the solar cell may be physically coupled to each other. Accordingly, the adhesion between the interconnector (IC) and the solar cell may be further strengthened.

도 4는 도 1a 및 도 1b에 적용 가능한 인터커넥터(IC)의 다른 예를 설명하기 위한 도이다.FIG. 4 is a diagram illustrating another example of an interconnector (IC) applicable to FIGS. 1A and 1B.

도 4에 도시된 바와 같이, 제1, 2 커넥터(IC1, IC2)의 끝단과 중앙 부분 사이에 단차가 형성되되, 중앙 부분의 두께(TC1)와 끝단의 두께(TE1)는 서로 동일할 수 있다.As shown in FIG. 4, a step is formed between the ends of the first and second connectors IC1 and IC2 and the center portion, but the thickness TC1 of the center portion and the thickness TE1 of the ends may be the same. .

따라서, 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)가 서로 접착된 후에는, 인터커넥터(IC)에서 제1, 2 보조 전극(P141, P142)과 중첩되지 않는 중앙 부분의 높이는 끝단 부분의 높이보다 더 낮을 수 있다.Therefore, after the first connector IC1 and the second connector IC2 are adhered to each other, the height of the central portion of the interconnector IC that does not overlap with the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 is May be lower than the height.

도 4에 도시된 제1, 2 커넥터(IC1, IC2)는 제1, 2 커넥터(IC1, IC2)를 형성하기 위한 금속판을 패턴을 형성할 수 있는 프레스(press) 장치로 찍어 형성할 수 있다.The first and second connectors IC1 and IC2 shown in FIG. 4 may be formed by stamping a metal plate for forming the first and second connectors IC1 and IC2 with a press device capable of forming a pattern.

다음의 도 5는 도 1b에 도시된 태양 전지 모듈에서 태양 전지의 보조 전극이 벤딩된 일례를 설명하기 위한 도이다.5 is a diagram illustrating an example in which the auxiliary electrode of the solar cell is bent in the solar cell module shown in FIG. 1B.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2) 각각에서 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각의 끝단은 반도체 기판(110)과의 거리가 멀어지는 방향으로 벤딩(bending)될 수 있고, 이때, 인터커넥터(IC)는 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각의 벤딩된 끝단에 직접 접속될 수 있다.As shown in FIG. 5, in each of the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 according to the present invention, each end of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 is a semiconductor substrate It can be bent (bending) in a direction that the distance from 110 is farther away, and at this time, the interconnector IC is directly connected to the bent ends of each of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142. I can.

즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)에서 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각은 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 부분이 반도체 기판(110)의 후면 방향으로 반도체 기판(110)과의 거리가 멀어지도록 굽어질 수 있다.That is, as shown in FIG. 5, in the first and second solar cells CE1 and CE2, each of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 has portions that do not overlap with the semiconductor substrate 110. It may be bent so that the distance from the semiconductor substrate 110 increases in the rear direction of the semiconductor substrate 110.

이에 따라서, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각에서 반도체 기판(110)과 중첩되는 부분과 벤딩된 끝단 사이에는 벤딩된 만큼의 높이 차이(BP)가 발생할 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 5, the height difference by the amount of bending between the portion overlapping the semiconductor substrate 110 and the bent end of each of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 ( BP) may occur.

제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각에서 이와 같은 높이 차이(BP)를 가지도록 함으로써, 인터커넥터(IC)를 태양 전지에 접속시키는 공정을 보다 손쉽게 수행할 수 있다.By making the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 have the same height difference BP, a process of connecting the interconnector IC to the solar cell can be more easily performed.

지금까지는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 태양 전지에 제1, 2 보조 전극(P141, P142)만 구비된 경우를 일례로 설명하였지만, 제1, 2 보조 전극(P141, P142)은 하나의 반도체 기판(110)에 접속되는 하나의 절연성 부재에 구비될 수도 있다.Until now, the case where only the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 are provided in the solar cell in the solar cell module according to the present invention has been described as an example, but the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 are one semiconductor substrate. It may be provided in one insulating member connected to (110).

도 6은 도 1b에 도시된 태양 전지 모듈에서 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 형성된 경우, 인터커넥터(IC)가 접속된 일례를 설명하기 위한 도이다.FIG. 6 is a diagram for explaining an example in which the interconnector IC is connected when the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 are formed separately in the solar cell module shown in FIG. 1B.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 태양 전지는 도 6에 도시된 바와 같이, 후면에 제1, 2 전극(C141, C142)이 형성된 반도체 기판(110)과 제1, 2 보조 전극(P141, P142)이 구비된 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속될 수 있다.In the solar cell module according to the present invention, as shown in FIG. 6, the solar cell includes a semiconductor substrate 110 having first and second electrodes C141 and C142 formed thereon, and first and second auxiliary electrodes P141 and P142. Each of the provided insulating members 200 may be individually connected.

이와 같은 경우에도, 앞선 도 1b 내지 도 4에서 설명한 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)가 절연성 부재(200)의 끝단까지 형성된 제1, 2 보조 전극(P141, P142)에 접속될 수 있다.Even in this case, the first connector IC1 and the second connector IC2 described in FIGS. 1B to 4 may be connected to the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 formed to the ends of the insulating member 200. I can.

즉, 제1 커넥터(IC1)는 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)의 끝단 전면에 접속하고, 제2 커넥터(IC2)는 중앙 부분이 제1 커넥터(IC1)에 접속되고, 끝단이 절연성 부재(200)에 접착될 수 있다.That is, the first connector IC1 is connected to the front end of the first auxiliary electrode P141 or the second auxiliary electrode P142, and the second connector IC2 has a central portion connected to the first connector IC1. , The ends may be adhered to the insulating member 200.

아울러, 도 6에서는 제1, 2 보조 전극(P141, P142)이 절연성 부재(200)의 끝단까지 형성된 경우를 일례로 도시하였으나, 이와 다르게 제1, 2 보조 전극(P141, P142)에서 제1 방향(x)으로의 끝단이 절연성 부재(200)의 끝단보다 더 돌출될 수도 있다. In addition, FIG. 6 illustrates an example in which the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 are formed to the ends of the insulating member 200, but differently from the first and second auxiliary electrodes P141 and P142, The end to (x) may protrude more than the end of the insulating member 200.

이와 같은 경우, 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)는 절연성 부재(200)의 끝단보다 더 돌출되는 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 끝단에 접속될 수도 있다.In this case, the first connector IC1 and the second connector IC2 may be connected to the ends of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 protruding more than the ends of the insulating member 200.

지금까지는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 인터커넥터(IC)와 태양 전지의 접속 관계에 대해서만 설명하였으나, 이하의 도 7 내지 도 11c는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 포함되는 태양 전지의 일례에 대해 설명하기 위한 도이다.Until now, only the connection relationship between the interconnector (IC) and the solar cell in the solar cell module according to the present invention has been described, but FIGS. 7 to 11C below are examples of solar cells included in the solar cell module according to the present invention. It is a diagram for explanation.

도 7 및 도 8은 도 6에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.7 and 8 are diagrams for explaining an example of a solar cell applied to the solar cell module shown in FIG. 6.

도 7은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지의 일부 사시도의 일례이고, 도 8은 도 7에 도시한 태양 전지를 라인 8-8을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 9는 도 7 및 도 8에서 설명한 태양 전지에서 각각 낱개로 접속될 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)의 전극 패턴에 관한 일례를 설명하기 위한 도이다. 7 is an example of a partial perspective view of a solar cell according to an example of the present invention, FIG. 8 is a cross-sectional view of the solar cell shown in FIG. 7 taken along line 8-8, and FIG. 9 is A diagram for explaining an example of an electrode pattern of the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 to be individually connected in the described solar cell.

여기서, 도 9의 (a)는 반도체 기판(110)의 후면에 배치되는 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 패턴 일례 설명하기 위한 도이고, 도 9의 (b)는 도 9의 (a)에서 8(b)-8(b) 라인에 따른 단면도이고, 도 9의 (c)는 절연성 부재(200)의 전면에 배치되는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 패턴 일례을 설명하기 위한 도이고, 도 9의 (d)는 도 9의 (c)에서 8(d)-8(d) 라인에 따른 단면도이다.Here, FIG. 9A is a diagram for explaining an example of a pattern of the first electrode C141 and the second electrode C142 disposed on the rear surface of the semiconductor substrate 110, and FIG. 9B is FIG. It is a cross-sectional view taken along the line 8(b)-8(b) from (a) of, and (c) of FIG. 9 is a first auxiliary electrode P141 and a second auxiliary electrode disposed on the front surface of the insulating member 200 ( It is a diagram for explaining an example of the pattern of P142), and FIG. 9D is a cross-sectional view taken along lines 8(d)-8(d) in FIG. 9(c).

도 7 및 도 8를 참고로 하면, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 복수의 제1 전극(C141), 복수의 제2 전극(C142), 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, an example of a solar cell according to the present invention includes a semiconductor substrate 110, an antireflection film 130, an emitter part 121, a back surface field (BSF, 172 ), A plurality of first electrodes C141, a plurality of second electrodes C142, a first auxiliary electrode P141, and a second auxiliary electrode P142 may be included.

여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략될 수도 있으며, 아울러, 반사 방지막(130)과 빛이 입사되는 반도체 기판(110) 사이에 위치하며, 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 높은 농도로 함유된 불순물부인 전면 전계부(미도시)를 더 구비하는 것도 가능하다.Here, the anti-reflection film 130 and the rear electric field part 172 may be omitted, and are located between the anti-reflection film 130 and the semiconductor substrate 110 to which light is incident, and have the same conductivity as the semiconductor substrate 110. It is also possible to further include a front electric field portion (not shown), which is an impurity portion in which type impurities are contained in a higher concentration than the semiconductor substrate 110.

이하에서는 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.Hereinafter, as illustrated in FIGS. 7 and 8, it will be described as an example that the anti-reflection film 130 and the rear electric field part 172 are included.

반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 벌크형 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 실리콘 재질로 형성되는 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다. The semiconductor substrate 110 may be a bulk semiconductor substrate 110 made of silicon of a first conductivity type, for example, an n-type conductivity type. The semiconductor substrate 110 may be formed by doping a wafer formed of a silicon material with impurities of a first conductivity type.

이러한 반도체 기판(110)의 상부 표면은 텍스처링되어 요철면인 텍스처링 표면(textured surface)을 가질 수 있다. 반사 방지막(130)은 반도체 기판(110)의 입사면 상부에 위치하며, 한층 또는 복수 층으로 이루어질 수 있으며, 수소화된 실리콘 질화막(SiNx:H) 등으로 이루어질 수 있다. 아울러, 추가적으로 반도체 기판(110)의 전면에 전면 전계부 등이 더 형성되는 것도 가능하다. The upper surface of the semiconductor substrate 110 may be textured to have a textured surface that is an uneven surface. The antireflection film 130 is positioned on the incident surface of the semiconductor substrate 110, may be formed of one or more layers, and may be formed of a hydrogenated silicon nitride film (SiNx:H). In addition, it is also possible to further form a front electric field part on the front surface of the semiconductor substrate 110.

에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 방향으로 뻗어 있다. 이와 같은 에미터부(121)는 복수 개일 수 있으며, 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입일 수 있다.The emitter unit 121 is located spaced apart from each other in the rear surface of the semiconductor substrate 110 facing the front surface, and extends in a direction parallel to each other. There may be a plurality of emitter units 121, and the plurality of emitter units 121 may be of a second conductivity type opposite to that of the semiconductor substrate 110.

이와 같은 복수의 에미터부(121)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입인 p형의 불순물이 확산 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다.The plurality of emitter units 121 may be formed by containing p-type impurities of a second conductivity type opposite to that of the crystalline silicon semiconductor substrate 110 in a high concentration through a diffusion process.

복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 위치할 수 있으며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 방향으로 이격되어 형성되며 복수의 에미터부(121)와 동일한 방향으로 뻗어 있다. 따라서, 도 7 및 도 8에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치한다.A plurality of rear electric field units 172 may be located inside the rear surface of the semiconductor substrate 110, are formed to be spaced apart in a direction parallel to the plurality of emitter units 121, and are formed in the same direction as the plurality of emitter units 121 Is stretched. Accordingly, as shown in FIGS. 7 and 8, a plurality of emitter units 121 and a plurality of rear electric field units 172 are alternately positioned on the rear surface of the semiconductor substrate 110.

복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 불순물, 예를 들어 n++ 부이다. 이와 같은 복수의 후면 전계부(172)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물(n++)이 확산 또는 증착 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다. The plurality of rear electric field portions 172 are impurities in which the same conductivity type impurity as the semiconductor substrate 110 is contained in a higher concentration than the semiconductor substrate 110, for example, n++ portions. The plurality of rear electric field units 172 may be formed by containing impurities (n++) of the same conductivity type as those of the crystalline silicon semiconductor substrate 110 in a high concentration through a diffusion or deposition process.

복수의 제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 에미터부(121)를 따라서 서로 이격되어 연장된다. 따라서, 에미터부(121)가 제1 방향(x)으로 연장된 경우, 제1 전극(C141)도 제1 방향(x)으로 연장될 수 있고, 에미터부(121)가 제2 방향(y)으로 연장된 경우, 제1 전극(C141)도 제2 방향(y)으로 연장될 수 있다.The plurality of first electrodes C141 are physically and electrically connected to the emitter unit 121, respectively, and extend apart from each other along the emitter unit 121. Therefore, when the emitter part 121 extends in the first direction (x), the first electrode C141 may also extend in the first direction (x), and the emitter part 121 is in the second direction (y) When extended to the first electrode C141 may also extend in the second direction y.

또한, 복수의 제2 전극(C142)은 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 연장된다. In addition, the plurality of second electrodes C142 are physically and electrically connected to the semiconductor substrate 110 through the rear electric field unit 172, respectively, and extend along the plurality of rear electric field units 172.

따라서, 후면 전계부(172)가 제1 방향(x)으로 연장된 경우, 제2 전극(C142)도 제1 방향(x)으로 연장될 수 있고, 후면 전계부(172)가 제2 방향(y)으로 연장된 경우, 제2 전극(C142)도 제2 방향(y)으로 연장될 수 있다.Therefore, when the rear electric field part 172 extends in the first direction (x), the second electrode C142 may also extend in the first direction (x), and the rear electric field part 172 is in the second direction ( When extending in y), the second electrode C142 may also extend in the second direction y.

여기서, 반도체 기판(110)의 후면 상에서 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 서로 물리적으로 이격되어, 전기적으로 격리되어 있다.Here, on the rear surface of the semiconductor substrate 110, the first electrode C141 and the second electrode C142 are physically spaced apart from each other and are electrically isolated.

따라서, 에미터부(121) 상에 형성된 제1 전극(C141)은 해당 에미터부(121)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 정공을 수집하고, 후면 전계부(172) 상에 형성된 제2 전극(C142)은 해당 후면 전계부(172)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다. Accordingly, the first electrode C141 formed on the emitter part 121 collects charges, for example, holes, which have moved toward the emitter part 121, and the second electrode formed on the rear electric field part 172 ( C142) may collect charges, for example, electrons that have moved toward the rear electric field unit 172.

제1 보조 전극(P141)은 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함하고, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)는 복수의 제1 전극(C141)과 연결되며, 제1 패드부(PP141)는 도 9에 도시된 바와 같이, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다. As shown in FIG. 9, the first auxiliary electrode P141 includes a first connection part PC141 and a first pad part PP141, and as shown in FIGS. 7 and 8, the first connection part PC141 ) Is connected to the plurality of first electrodes C141, and the first pad part PP141 has one end connected to the end of the first connection part PC141, and the other end is an interconnector (IC), as shown in FIG. ) Can be connected.

이와 같은 제1 접속부(PC141)는 복수 개로 형성되어 각각이 복수 개의 제1 전극(C141)에 접속될 수도 있고, 이와 다르게 하나의 통 전극으로 형성되어, 하나의 통 전극에 복수 개의 제1 전극(C141)이 접속될 수도 있다. The first connection part PC141 may be formed in plural and each may be connected to a plurality of first electrodes C141, or alternatively, it is formed as one barrel electrode, and a plurality of first electrodes ( C141) may be connected.

아울러, 제1 접속부(PC141)가 복수 개로 형성된 경우, 제1 접속부(PC141)는 복수의 제1 전극(C141)과 동일한 방향으로 형성될 수도 있고, 교차하는 방향으로 형성될 수도 있다. 이때, 이와 같은 제1 접속부(PC141)는 제1 전극(C141)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다. In addition, when a plurality of first connection parts PC141 are formed, the first connection parts PC141 may be formed in the same direction as the plurality of first electrodes C141, or may be formed in an intersecting direction. In this case, the first connection part PC141 may be electrically connected to each other at a portion overlapping the first electrode C141.

제2 보조 전극(P142)은 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함할 수 있다. 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)는 복수의 제2 전극(C142)과 연결되며, 제2 패드부(PP142)는 도 9에 도시된 바와 같이, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다. As illustrated in FIG. 9, the second auxiliary electrode P142 may include a second connection part PC142 and a second pad part PP142. 7 and 8, the second connection part PC142 is connected to the plurality of second electrodes C142, and the second pad part PP142 has a second end as shown in FIG. 9. It is connected to the end of the connection unit PC142, and the other end may be connected to the interconnector (IC).

이와 같은 제2 접속부(PC142)도 도시된 바와 같이, 복수 개로 형성되어 각각이 복수 개의 제2 전극(C142)에 접속될 수도 있고, 도시된 바와 다르게 하나의 통 전극으로 형성되어, 하나의 통 전극에 복수 개의 제2 전극(C142)이 접속될 수도 있다.As shown, the second connection part PC142 may be formed in plural and each may be connected to a plurality of second electrodes C142, or, differently from the illustration, it is formed as one tubular electrode, and one tubular electrode A plurality of second electrodes C142 may be connected to each other.

여기서, 제2 접속부(PC142)가 복수 개로 형성된 경우, 제2 접속부(PC142)는 복수의 제2 전극(C142)과 동일한 방향으로 형성될 수도 있고, 교차하는 방향으로 형성될 수도 있다. 이때, 제2 접속부(PC142)는 제2 전극(C142)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다. Here, when a plurality of second connection parts PC142 are formed, the second connection parts PC142 may be formed in the same direction as the plurality of second electrodes C142 or may be formed in an intersecting direction. In this case, the second connector PC142 may be electrically connected to each other at a portion overlapping the second electrode C142.

이와 같은 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 재질은 Cu, Au, Ag, Al 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.The material of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 may be formed of at least one of Cu, Au, Ag, and Al.

아울러, 전술한 제1 보조 전극(P141)은 도전성 재질의 전극 연결재(ECA)를 통하여 제1 전극(C141)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2 보조 전극(P142)은 도전성 재질의 전극 연결재(ECA)를 통하여 제2 전극(C142)에 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the above-described first auxiliary electrode P141 may be electrically connected to the first electrode C141 through an electrode connector ECA made of a conductive material, and the second auxiliary electrode P142 is an electrode connector made of a conductive material (ECA). ) May be electrically connected to the second electrode C142.

이와 같은 전극 연결재(ECA)의 재질은 전도성 물질이면, 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 낮은 온도인 130℃ ~ 250℃에서도 녹는점이 형성되는 도전성 물질이 더 바람직하고, 일례로, 솔더 페이스트(solder paste), 금속 입자를 포함하는 도전성 접착재, 탄소 나노 튜브(carbon nano tube, CNT), 탄소를 포함하는 전도성 입자, wire, needle 등이 이용될 수 있다. As long as the material of the electrode connector (ECA) is a conductive material, there is no particular limitation, but a conductive material having a melting point formed at a relatively low temperature of 130°C to 250°C is more preferable, for example, a solder paste , Conductive adhesive material including metal particles, carbon nanotubes (CNT), conductive particles including carbon, wire, needle, and the like may be used.

아울러, 인터커넥터(IC) 연결재(ICA)의 재질도 이와 같은 전극 연결재(ECA)의 재질과 동일할 수 있다.In addition, the material of the interconnector IC connector ICA may be the same as that of the electrode connector ECA.

또한, 전술한 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이 및 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 사이에는 단락을 방지하는 절연층(IL)이 위치할 수 있다. 이와 같은 절연층(IL)은 에폭시 수지일 수 있다.In addition, an insulating layer IL for preventing a short circuit may be positioned between the aforementioned first electrode C141 and the second electrode C142 and between the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142. . The insulating layer IL may be an epoxy resin.

아울러, 도 7 및 도 8에서는 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)의 제1 접속부(PC141)가 서로 중첩되고, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)의 제2 접속부(PC142)가 중첩되는 경우만 도시하고 있으나, 이와 다르게 제1 전극(C141)과 제2 접속부(PC142)가 서로 중첩될 수 있고, 제2 전극(C142)과 제1 접속부(PC141)가 서로 중첩될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 전극(C141)과 제2 접속부(PC142) 사이 및 제2 전극(C142)과 제1 접속부(PC141) 사이에는 단락을 방지하기 위하여 절연층(IL)이 위치할 수 있다.In addition, in FIGS. 7 and 8, the first connection portions PC141 of the first electrode C141 and the first auxiliary electrode P141 overlap each other, and the second electrode C142 and the second auxiliary electrode P142 are 2 Only the case where the connection part PC142 overlaps is shown, but differently, the first electrode C141 and the second connection part PC142 may overlap each other, and the second electrode C142 and the first connection part PC141 are They can also overlap each other. In this case, the insulating layer IL may be positioned between the first electrode C141 and the second connection part PC142 and between the second electrode C142 and the first connection part PC141 to prevent a short circuit.

이와 같은 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)은 반도체 제조 공정이 이용되지 않고, 전극 연결재(ECA)에 130℃ ~ 250℃ 사이의 열과 압력을 가하는 열처리 공정에 의해 형성될 수 있다. The first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 are formed by a heat treatment process in which heat and pressure between 130°C and 250°C are applied to the electrode connector ECA without using a semiconductor manufacturing process. have.

절연성 부재(200)는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 후면에 배치될 수 있다. The insulating member 200 may be disposed on the rear surfaces of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142.

이와 같은 절연성 부재(200)의 재질은 절연성 재질이면 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 녹는점이 전극 연결재(ECA)보다 높은 것이 바람직할 수 있으며, 일례로, 절연성 부재(200)의 녹는점은 300℃ 이상이 되는 절연성 재질로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로 일례로, 고온에 대해 내열성 있는 polyimide, epoxy-glass, polyester, BT(bismaleimide triazine) 레진 중 적어도 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있다.The material of the insulating member 200 is not particularly limited as long as it is an insulating material, but it may be preferable that the melting point is higher than that of the electrode connector (ECA). For example, the melting point of the insulating member 200 is 300°C or higher. It may be formed of an insulating material. More specifically, as an example, it may be formed by including at least one material of polyimide, epoxy-glass, polyester, and BT (bismaleimide triazine) resin having heat resistance to high temperatures.

이와 같은 절연성 부재(200)는 유연한(flexible) 필름 형태로 형성되거나 유연하지 않고 단단한 플레이트(plate) 형태로 형성될 수 있다.The insulating member 200 may be formed in the form of a flexible film or may be formed in the form of a non-flexible and rigid plate.

이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지는 절연성 부재(200)의 전면에 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 미리 형성되고, 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)이 미리 형성된 상태에서, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)이 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다. In the solar cell according to the present invention, a first auxiliary electrode P141 and a second auxiliary electrode P142 are formed in advance on the front surface of the insulating member 200, and a plurality of first electrodes are formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110. In a state in which (C141) and the plurality of second electrodes C142 are previously formed, the insulating member 200 and the semiconductor substrate 110 may be individually connected to each other to form a single individual element.

즉, 하나의 절연성 부재(200)에 부착되어 접속되는 반도체 기판(110)은 하나일 수 있고, 이와 같은 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)은 서로 부착되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성되어 하나의 태양 전지 셀을 형성할 수 있다.That is, the semiconductor substrate 110 attached to and connected to one insulating member 200 may be one, and one insulating member 200 and one semiconductor substrate 110 are attached to each other to form an integral individual It can be formed as a device to form one solar cell.

보다 구체적으로 설명하면, 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)을 서로 부착하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성하는 공정에 의해, 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142) 각각은 하나의 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)과 부착되어 전기적으로 서로 연결될 수 있다. More specifically, by a process of attaching one insulating member 200 and one semiconductor substrate 110 to each other to form a single integrated individual element, a plurality of layers formed on the rear surface of one semiconductor substrate 110 Each of the first electrode C141 and the plurality of second electrodes C142 is attached to the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 formed on the front surface of one insulating member 200 to be electrically connected to each other. I can.

이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지에서, 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각의 두께(T2)는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 두께(T1)보다 클 수 있다. In the solar cell according to the present invention, the thickness T2 of each of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 is the thickness T1 of each of the first electrode C141 and the second electrode C142 Can be greater than ).

이와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142) 각각의 두께(T2)를 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 두께(T1)보다 크게 함으로써, 태양 전지 제조 공정 시간을 보다 단축할 수 있고, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 반도체 기판(110)의 후면에 바로 형성하는 것보다 기판에 대한 열팽창 스트레스를 보다 감소시킬 수 있어, 태양 전지의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.In this way, by making the thickness (T2) of each of the first connection portion (PC141) and the second connection portion (PC142) larger than the thickness (T1) of each of the first electrode (C141) and the second electrode (C142), the solar cell manufacturing process The time can be further shortened, and the thermal expansion stress on the substrate can be further reduced than that of directly forming the first electrode C141 and the second electrode C142 on the rear surface of the semiconductor substrate 110 The efficiency can be further improved.

보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.More specifically, it is as follows.

반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 에미터부(121), 후면 전계부(172), 에미터부(172)에 연결되는 제1 전극(C141) 및 후면 전계부(172)에 연결되는 제2 전극(C142)은 반도체 공정에 의해 형성될 수 있고, 이와 같은 반도체 공정 중, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 반도체 기판(110)의 후면에 직접 접촉되거나 매우 근접하여 주로 도금, PVD 증착 또는 고온의 열처리 과정으로 형성될 수 있다.The emitter unit 121 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110, the rear electric field unit 172, a first electrode C141 connected to the emitter unit 172, and a second electrode connected to the rear electric field unit 172 (C142) may be formed by a semiconductor process, and during such a semiconductor process, the first electrode C141 and the second electrode C142 are in direct contact with or very close to the rear surface of the semiconductor substrate 110 and are mainly plated, It can be formed by PVD deposition or high-temperature heat treatment.

이와 같은 경우, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 저항을 충분히 낮게 확보하기 위해서는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께를 충분히 두껍게 형성하여야 한다.In this case, in order to ensure the resistance of the first electrode C141 and the second electrode C142 sufficiently low, the thickness of the first electrode C141 and the second electrode C142 must be sufficiently thick.

그러나, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께를 두껍게 형성하는 경우, 도전성 금속 물질을 포함하는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 열팽창 계수가 반도체 기판(110)의 열팽창 계수보다 과도하게 커질 수 있다.However, when the first electrode C141 and the second electrode C142 are formed to be thick, the coefficient of thermal expansion of the first electrode C141 and the second electrode C142 including a conductive metal material is ) Can be excessively larger than the coefficient of thermal expansion.

따라서, 반도체 기판(110)의 후면에 고온의 열처리 과정으로 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)을 형성하는 공정 중에, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 수축할 때, 반도체 기판(110)이 열팽창 스트레스를 견디지 못하여, 반도체 기판(110)에 균열(fracture)이나 크렉(crack)이 발생할 가능성이 커지고, 이로 인하여 태양 전지 제조 공정의 수율이 저하되거나, 태양 전지의 효율이 저하될 수 있다.Therefore, during the process of forming the first electrode C141 and the second electrode C142 on the rear surface of the semiconductor substrate 110 by a high-temperature heat treatment process, the first electrode C141 and the second electrode C142 may shrink. At this time, since the semiconductor substrate 110 cannot withstand the thermal expansion stress, the possibility of occurrence of a fracture or crack in the semiconductor substrate 110 increases, resulting in a decrease in the yield of the solar cell manufacturing process, or Efficiency may be reduced.

아울러, 제1 전극(C141)이나 제2 전극(C142)을 도금이나 PVD 증착으로 형성할 경우, 제1 전극(C141)이나 제2 전극(C142)의 성장 속도가 매우 작아, 태양 전지의 제조 공정 시간이 과도하게 늘어날 수 있다.In addition, when the first electrode C141 or the second electrode C142 is formed by plating or PVD deposition, the growth rate of the first electrode C141 or the second electrode C142 is very small, and the solar cell manufacturing process Time can be excessive.

그러나, 본원 발명에 따른 태양 전지는 반도체 기판(110)의 후면에 상대적으로 작은 두께(T1)로 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 형성한 상태에서, 절연성 부재(200)의 전면에 상대적으로 큰 두께(T2)로 형성된 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142)를 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)과 중첩되도록 위치시킨 이후, 전극 연결재(ECA)에 상대적으로 낮은 130℃ ~ 250℃ 사이의 열과 압력을 가하는 열처리 공정으로 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)을 서로 부착하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성할 수 있어, 반도체 기판(110)에 균열(fracture)이나 크렉(crack)이 발생되는 것을 방지할 수 있으며, 동시에 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 전극의 저항을 크게 낮출 수 있다.However, in the solar cell according to the present invention, in a state in which the first electrode C141 and the second electrode C142 are formed with a relatively small thickness T1 on the rear surface of the semiconductor substrate 110, the insulating member 200 is After positioning the first connection portion PC141 and the second connection portion PC142 formed with a relatively large thickness T2 on the front surface to overlap the first electrode C141 and the second electrode C142, the electrode connector ECA It is a heat treatment process that applies heat and pressure between 130°C and 250°C, which is relatively low in the temperature range. One insulating member 200 and one semiconductor substrate 110 can be attached to each other to form a single integrated individual device. It is possible to prevent the occurrence of cracks or cracks in the (110), and at the same time, it is possible to greatly reduce the resistance of the electrode formed on the rear surface of the semiconductor substrate (110).

아울러, 본 발명에 따른 태양 전지는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께(T1)를 상대적으로 작게 하여 상대적으로 공정 시간이 긴 반도체 제조 공정 시간을 최소로 할 수 있고, 한번의 열처리 공정으로 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)을, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)을 서로 연결시킬 수 있어, 태양 전지의 제조 공정 시간을 보다 단축할 수 있다.In addition, in the solar cell according to the present invention, the thickness T1 of the first electrode C141 and the second electrode C142 is relatively small, so that the semiconductor manufacturing process time, which has a relatively long process time, can be minimized. The first electrode C141 and the first auxiliary electrode P141, and the second electrode C142 and the second auxiliary electrode P142 can be connected to each other through the heat treatment process of, thereby further reducing the manufacturing process time of the solar cell. can do.

이때, 절연성 부재(200)는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)에 접착시킬 때에, 공정을 보다 용이하게 도와주는 역할을 한다.In this case, when the insulating member 200 adheres the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 to the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 In addition, it serves to help the process more easily.

즉, 반도체 제조 공정으로 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 형성된 반도체 기판(110)의 후면에 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 형성된 절연성 부재(200)의 전면을 부착시켜 접속시킬 때에, 절연성 부재(200)는 얼라인 공정이나 접착 공정을 보다 용이하게 도와줄 수 있다.That is, the insulating member 200 in which the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 are formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 on which the first electrode C141 and the second electrode C142 are formed in a semiconductor manufacturing process. When connecting by attaching the front surface of ), the insulating member 200 may help the alignment process or the bonding process more easily.

이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 보조 전극(P141)을 통하여 수집된 정공과 제2 보조 전극(P142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.Holes collected through the first auxiliary electrode P141 and electrons collected through the second auxiliary electrode P142 in the solar cell according to the present invention manufactured with such a structure are converted to power of the external device through the external circuit device. Can be used.

지금까지는 반도체 기판(110)이 결정질 실리콘 반도체 기판(110)이고, 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 확산 공정을 통하여 형성된 경우를 예로 설명하였다.Until now, the case where the semiconductor substrate 110 is the crystalline silicon semiconductor substrate 110 and the emitter unit 121 and the rear electric field unit 172 are formed through a diffusion process has been described as an example.

그러나, 이와 다르게 비정질 실리콘 재질로 형성된 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 결정질 반도체 기판(110)과 접합하는 이종 접합 태양 전지나, 에미터부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 반도체 기판(110)에 형성된 복수의 비아홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 연결되는 구조의 태양 전지에서도 본 발명이 동일하게 적용될 수 있다.However, differently, a heterojunction solar cell in which the emitter unit 121 and the rear electric field unit 172 formed of an amorphous silicon material are bonded to the crystalline semiconductor substrate 110, or the emitter unit 121 is on the front surface of the semiconductor substrate 110. The present invention may be applied to a solar cell having a structure connected to the first electrode C141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 through a plurality of via holes formed in the semiconductor substrate 110.

이와 같은 구조를 갖는 태양 전지는 인터커넥터(IC)에 의해 서로 인접하는 태양 전지를 연결할 수 있으며, 이에 따라 복수 개의 태양 전지가 직렬로 연결될 수 있다.A solar cell having such a structure may connect adjacent solar cells to each other by an interconnector (IC), and accordingly, a plurality of solar cells may be connected in series.

한편, 이와 같은 구조에서, 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 패턴과, 절연성 부재(200)의 전면에 형성되는 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 패턴에 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, in such a structure, a pattern of the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the first auxiliary electrode P141 formed on the front surface of the insulating member 200 ) And the pattern of the second auxiliary electrode P142 will be described in more detail as follows.

도 9의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같은 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 도 9의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같은 하나의 절연성 부재(200)의 전면이 부착되어 접속됨으로써, 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 일체형 개별 소자를 형성할 수 있다. 즉, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)은 1:1로 결합 또는 부착될 수 있다.A front surface of one insulating member 200 as shown in FIGS. 9C and 9D is on the rear surface of one semiconductor substrate 110 as shown in FIGS. 9A and 9B. By being attached and connected, the solar cell according to the present invention can form one integral individual element. That is, the insulating member 200 and the semiconductor substrate 110 may be coupled or attached 1:1.

이때, 도 9의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 도 7 및 도 8에서 설명한 태양 전지의 반도체 기판(110)의 후면에는 복수 개의 제1 전극(C141)과 복수 개의 제2 전극(C142)이 서로 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있다.At this time, as shown in FIGS. 9A and 9B, a plurality of first electrodes C141 and a plurality of second electrodes are provided on the rear surface of the semiconductor substrate 110 of the solar cell described in FIGS. 7 and 8. (C142) may be spaced apart from each other to be elongated in the first direction (x).

아울러, 도 9의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 절연성 부재(200)의 전면에는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 형성될 수 있다.In addition, as shown in (c) and (d) of FIG. 9, a first auxiliary electrode P141 and a second auxiliary electrode P142 may be formed on the front surface of the insulating member 200 according to the present invention. .

여기서, 전술한 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)은 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함하고, 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)는 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 제1 패드부(PP141)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터(IC)에 접속될 수 있다.Here, as described above, the first auxiliary electrode P141 includes the first connection part PC141 and the first pad part PP141, and as shown in FIG. 9C, the first connection part PC141 ) May be formed to be elongated in the first direction (x), the first pad portion (PP141) is formed to be elongated in the second direction (y), one end is connected to the end of the first connection (PC141), the other end It can be connected to an interconnector (IC).

아울러, 제2 보조 전극(P142)도 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함하고, 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)는 제1 접속부(PC141)와 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 제2 패드부(PP142)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터(IC)에 접속될 수 있다.In addition, the second auxiliary electrode P142 also includes a second connection part PC142 and a second pad part PP142, and as shown in FIG. 9(c), the second connection part PC142 is a first connection part. It is spaced apart from the (PC141) and may be formed to be elongated in the first direction (x), the second pad portion PP142 is formed to be elongated in the second direction (y), and one end is connected to the end of the second connection unit PC142 And the other end can be connected to the interconnector (IC).

여기서, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142)는 서로 이격되고, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141)도 서로 이격될 수 있다.Here, the first connection part PC141 and the second pad part PP142 may be spaced apart from each other, and the second connection part PC142 and the first pad part PP141 may be spaced apart from each other.

따라서, 절연성 부재(200)의 전면에서, 제1 방향(x)의 양끝단 중 일단에는 제1 패드부(PP141)가 형성되고, 타단에는 제2 패드부(PP142)가 형성될 수 있다. Accordingly, on the front surface of the insulating member 200, a first pad portion PP141 may be formed at one end of both ends in the first direction x, and a second pad portion PP142 may be formed at the other end.

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 반도체 기판(110)에 하나의 절연성 부재(200)만 결합되어, 하나의 일체형 개별 소자를 형성함으로써, 태양 전지 모듈 제조 공정을 보다 용이하게 할 수 있으며, 태양 전지 모듈 제조 공정 중에 어느 하나의 태양 전지에 포함된 반도체 기판(110)이 파손되거나 결함이 발생하더라도 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 해당 태양 전지만 교체할 수 있고, 공정 수율을 보다 향상시킬 수 있다. As described above, in the solar cell according to the present invention, only one insulating member 200 is coupled to one semiconductor substrate 110 to form one integrated individual element, thereby making the solar cell module manufacturing process easier, Even if the semiconductor substrate 110 included in any one solar cell is damaged or defective during the solar cell module manufacturing process, only the solar cell formed as an integrated individual element can be replaced, and the process yield can be further improved. have.

아울러, 이와 같이, 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 태양 전지는 제조 공정시 반도체 기판(110)에 가해지는 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.In addition, as described above, the solar cell formed of one integrated individual device may minimize thermal expansion stress applied to the semiconductor substrate 110 during a manufacturing process.

여기서, 절연성 부재(200)의 면적을 반도체 기판(110)의 면적과 동일하거나 크게 함으로써, 태양 전지와 태양 전지를 서로 연결할 때에, 절연성 부재(200)의 전면에 인터커넥터(IC)가 부착될 수 있는 영역을 충분히 확보할 수 있다. 이를 위해, 절연성 부재(200)의 면적은 반도체 기판(110)의 면적보다 클 수 있다.Here, by making the area of the insulating member 200 equal to or larger than the area of the semiconductor substrate 110, the interconnector IC may be attached to the front surface of the insulating member 200 when connecting the solar cell and the solar cell. You can secure enough area. To this end, the area of the insulating member 200 may be larger than the area of the semiconductor substrate 110.

이를 위해, 절연성 부재(200)의 제1 방향(x)으로의 길이를 반도체 기판(110)의 제1 방향(x)으로의 길이보다 길게 할 수 있다. To this end, the length of the insulating member 200 in the first direction x may be longer than the length of the semiconductor substrate 110 in the first direction x.

이와 같은 반도체 기판(110)의 후면과 절연성 부재(200)의 전면은 서로 부착되어, 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)이 서로 연결되고, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)이 서로 연결될 수 있다. The rear surface of the semiconductor substrate 110 and the front surface of the insulating member 200 are attached to each other, so that the first electrode C141 and the first auxiliary electrode P141 are connected to each other, and the second electrode C142 and the second electrode are connected to each other. The auxiliary electrodes P142 may be connected to each other.

도 10은 도 9에 도시된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 접속된 상태를 설명하기 위한 도이고, 도 11a는 도 10에서 11a-11a 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 11b는 도 10에서 11b-11b 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 11c는 도 10에서 11c-11c 라인의 단면을 도시한 것이다.FIG. 10 is a diagram illustrating a state in which the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 shown in FIG. 9 are connected to each other, and FIG. 11A is a cross-sectional view of a line 11a-11a in FIG. 10, and FIG. 11B FIG. 10 shows a cross-section of the line 11b-11b, and FIG. 11c shows a cross-section of the line 11c-11c in FIG. 10.

도 10에 도시된 바와 같이, 하나의 반도체 기판(110)이 하나의 절연성 부재(200)에 완전히 중첩되어 하나의 태양 전지 개별 소자가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 10, one semiconductor substrate 110 may be completely overlapped with one insulating member 200 to form one solar cell individual element.

예를 들어, 도 11a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 접속부(PC141)는 서로 중첩되며, 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.For example, as shown in FIG. 11A, the first electrode C141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the first connection part PC141 formed on the front surface of the insulating member 200 overlap each other, and the electrode connector They can be electrically connected to each other by (ECA).

아울러, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제2 전극(C142)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제2 접속부(PC142)도 서로 중첩되며, 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the second connection part PC142 formed on the front surface of the insulating member 200 are also overlapped with each other, and can be electrically connected to each other by an electrode connector (ECA). have.

또한, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이의 서로 이격된 공간에는 절연층(IL)이 채워질 수 있고, 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.In addition, an insulating layer IL may be filled in a space spaced apart from each other between the first electrode C141 and the second electrode C142, and a spaced apart between the first connection part PC141 and the second connection part PC142 The insulating layer IL may also be filled.

아울러, 도 11b에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있으며, 도 11c에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.In addition, as shown in FIG. 11B, the insulating layer IL may also be filled in the spaced apart space between the second connection part PC142 and the first pad part PP141. As shown in FIG. 11C, the first The insulating layer IL may also be filled in a space spaced apart between the connection part PC141 and the second pad part PP142.

아울러, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 반도체 기판(110)과 중첩되는 제1 영역(PP141-S1, PP142-S1)과, 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 노출 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 10, each of the first pad portion PP141 and the second pad portion PP142 overlaps the semiconductor substrate 110 with first regions PP141-S1 and PP142-S1, and Exposed regions PP141-S2 and PP142-S2 that do not overlap with the substrate 110 may be included.

이와 같이, 인터커넥터(IC)와 연결될 수 있는 공간을 확보하기 위하여 마련된 제1 패드부(PP141)의 노출 영역(PP141-S2) 및 제2 패드부(PP142)의 노출 영역(PP142-S2)에 인터커넥터(IC)가 연결될 수 있다. In this way, in the exposed area PP141-S2 of the first pad part PP141 and the exposed area PP142-S2 of the second pad part PP142 provided to secure a space that can be connected to the interconnector IC. An interconnector (IC) can be connected.

본 발명에 따른 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 노출 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 구비함으로써, 인터커넥터(IC)를 보다 용이하게 연결할 수 있으며, 아울러, 인터커넥터(IC)를 연결할 때에, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.Each of the first pad portion PP141 and the second pad portion PP142 according to the present invention has exposed areas PP141-S2 and PP142-S2, so that the interconnector IC can be more easily connected. , When connecting the interconnector IC, it is possible to minimize thermal expansion stress on the semiconductor substrate 110.

아울러, 전술한 바와 같이, 복수의 태양 전지를 연결하기 위해 이와 같은 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142)에 인터커넥터(IC)가 접속될 수 있다.In addition, as described above, the interconnector IC may be connected to the first pad part PP141 or the second pad part PP142 to connect a plurality of solar cells.

지금까지는 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 나란한 방향으로 중첩되어 연결되는 경우에 대해 설명하였으나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 교차하는 방향으로 중첩되어 접속할 수도 있다. Until now, the first electrode (C141) and the second electrode (C142) formed on the semiconductor substrate 110 are connected by being overlapped in a parallel direction with the first connection unit (PC141) and the second connection unit (PC142) formed on the insulating member 200. A case has been described, but differently, the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the semiconductor substrate 110 are formed on the insulating member 200. The first connection part PC141 and the second connection part PC142 are formed on the insulating member 200. You can also connect by overlapping in the direction intersecting with ).

또한, 도시된 바와 다르게 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142)가 복수 개로 형성되지 않고, 하나의 통전극으로 형성될 수 있으며, 하나의 통전극에는 복수 개의 제1 전극(C141) 또는 제2 전극(C142)이 접속될 수 있다.In addition, unlike the illustration, the first connection part PC141 and the second connection part PC142 are not formed in plural, but may be formed as a single current electrode, and a plurality of first electrodes C141 or The second electrode C142 may be connected.

지금까지는 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142)가 각각 하나로만 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142)가 각각 복수 개로 형성될 수도 있다. 복수 개로 형성된 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142) 각각에 복수 개의 제1 접속부(PC141) 또는 복수 개의 제2 접속부(PC142)가 연결될 수도 있다. Until now, a case in which only one of the first and second pad portions PP141 and PP142 is formed has been described as an example, but differently, the first pad portion PP141 and the second pad portion PP142 are each It can also be formed into dogs. A plurality of first connection parts PC141 or a plurality of second connection parts PC142 may be connected to each of the first pad part PP141 or the second pad part PP142 formed in plurality.

따라서, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부는 산화 방지막(IC1-AO, IC2-AO)이 코팅된 인터커넥터(IC)의 끝단에 직접 접속될 수 있다.Accordingly, the first pad portion PP141 and the second pad portion may be directly connected to the ends of the interconnector IC coated with the oxidation prevention layers IC1-AO and IC2-AO.

아울러, 도 7 내지 도 11c에서는 본 발명에 따른 태양 전지에서 절연성 부재(200)가 구비된 경우를 일례로 도시하고 설명하였으나, 이와 다르게, 절연성 부재(200)는 반도체 기판(110)의 후면에 절연성 부재(200)가 접속되어, 제1, 2 전극과 제1, 2 보조 전극(P141, P142)이 서로 접속된 이후 제거될 수 있고, 이와 같이, 절연성 부재(200)가 제거된 상태에서 인터커넥터(IC)가 도 1b 내지 도 5에서 설명한 바와 같이 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)에 접속될 수 있다.In addition, FIGS. 7 to 11C illustrate and describe a case where the insulating member 200 is provided in the solar cell according to the present invention as an example, but differently, the insulating member 200 has an insulating property on the rear surface of the semiconductor substrate 110. After the member 200 is connected and the first and second electrodes and the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 are connected to each other, the interconnector may be removed. In this way, in the state where the insulating member 200 is removed, the interconnector IC may be connected to the first auxiliary electrode P141 or the second auxiliary electrode P142 as described with reference to FIGS. 1B to 5.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those of ordinary skill in the technical field to which the present invention belongs can make various modifications, changes, and substitutions within the scope not departing from the essential characteristics of the present invention. will be. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings. . The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

Claims (14)

반도체 기판, 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및
상기 제1 태양 전지의 제1 전극과 상기 제2 태양 전지의 제2 전극을 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터;를 포함하고,
상기 인터커넥터는 서로 분할 형성된 제1 커넥터 및 제2 커넥터를 포함하고, 상기 제1 커넥터와 상기 제2 커넥터는 서로 이웃한 상기 반도체 기판의 사이에서 상기 반도체 기판의 상측 및 하측으로부터 상호 가까워지는 방향으로 결합되어 상호 마주하는 일면이 서로 접촉하며, 상기 서로 접촉한 제1 및 제2 커넥터 끝단 사이에 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극이 전기적으로 연결되는 태양 전지 모듈.
A first solar cell and a second solar cell including a semiconductor substrate and a first electrode and a second electrode formed to be spaced apart from each other on a rear surface of the semiconductor substrate; And
Includes; an interconnector electrically connecting the first electrode of the first solar cell and the second electrode of the second solar cell to each other,
The interconnector includes a first connector and a second connector divided from each other, and the first connector and the second connector are between the adjacent semiconductor substrates in a direction closer to each other from the upper and lower sides of the semiconductor substrate. A solar cell module in which one surface facing each other is coupled to each other, and the first electrode or the second electrode is electrically connected between ends of the first and second connectors in contact with each other.
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 제1 커넥터 및 상기 제2 커넥터 중 적어도 하나에서 중앙 부분과 끝단 사이에는 단차가 형성되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
A solar cell module in which a step is formed between a central portion and an end of at least one of the first connector and the second connector.
제3 항에 있어서,
상기 제1 커넥터 및 상기 제2 커넥터 중 적어도 하나는 중앙 부분의 두께가 상기 제1 커넥터 및 상기 제2 커넥터 중 적어도 하나의 양끝단의 두께보다 두꺼운 태양 전지 모듈.
The method of claim 3,
A solar cell module in which at least one of the first connector and the second connector has a thickness of a central portion greater than that of both ends of at least one of the first connector and the second connector.
상기 제1 항 및 제3 항 내지 제4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제1 커넥터와 상기 제2 커넥터 각각은
도전성 재질의 금속층과 상기 금속층의 표면에 코팅되는 산화 방지막을 포함하는 태양 전지 모듈.
The method of any one of claims 1 and 3 to 4,
Each of the first connector and the second connector
A solar cell module comprising a metal layer made of a conductive material and an antioxidant film coated on the surface of the metal layer.
제5 항에 있어서,
상기 금속층은 구리(Cu)를 포함하고, 상기 산화 방지막은 주석(Sn)을 포함하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 5,
The metal layer includes copper (Cu), and the anti-oxidation layer includes tin (Sn).
제1 항에 있어서,
상기 제1, 2 태양 전지 각각은
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각에 접속되어, 각각의 끝단이 상기 반도체 기판의 평면 밖으로 인출되는 제1 보조 전극과 제2 보조 전극을 더 포함하고,
상기 반도체 기판의 평면 밖으로 인출되는 제1, 2 보조 전극의 끝단은 상기 서로 접착되는 상기 제1, 2 커넥터 끝단 사이에 맞물려 접속되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
Each of the first and second solar cells
Further comprising a first auxiliary electrode and a second auxiliary electrode connected to each of the first electrode and the second electrode, each end is drawn out of the plane of the semiconductor substrate,
The ends of the first and second auxiliary electrodes, which are drawn out of the plane of the semiconductor substrate, are engaged and connected between the ends of the first and second connectors which are adhered to each other.
제7 항에 있어서,
상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지 각각에서 상기 제1 보조 전극 및 상기 제2 보조 전극 각각의 끝단은 상기 반도체 기판과의 거리가 멀어지는 방향으로 벤딩(bending)되어 있는 태양 전지 모듈.
The method of claim 7,
In each of the first solar cell and the second solar cell, ends of each of the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode are bent in a direction in which a distance from the semiconductor substrate increases.
제8 항에 있어서,
상기 제1 커넥터 및 제2 커넥터는 상기 제1 보조 전극 및 상기 제2 보조 전극 각각의 벤딩된 끝단에 직접 접속되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 8,
The first connector and the second connector are directly connected to the bent ends of each of the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode.
제9 항에 있어서,
상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지 각각에서
상기 제1 보조 전극은
상기 제1 전극과 접속되는 복수 개의 제1 접속부와
일단이 상기 복수 개의 제1 접속부의 끝단에 연결되는 제1 패드부를 포함하고,
상기 제2 보조 전극은
상기 제2 전극과 접속되는 복수 개의 제2 접속부와
일단이 상기 복수 개의 제2 접속부의 끝단에 연결되는 제2 패드부를 포함하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 9,
In each of the first solar cell and the second solar cell
The first auxiliary electrode is
A plurality of first connecting portions connected to the first electrode;
One end includes a first pad portion connected to the ends of the plurality of first connection portions,
The second auxiliary electrode is
A plurality of second connecting portions connected to the second electrode;
A solar cell module including a second pad part having one end connected to the ends of the plurality of second connection parts.
제10 항에 있어서,
상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지 각각에서
상기 제1 패드부와 상기 제2 패드부 각각은 상기 반도체 기판 밖으로 노출되는 노출 영역을 포함하고,
상기 제1 커넥터 및 제2 커넥터의 끝단은 상기 노출 영역에 접속되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 10,
In each of the first solar cell and the second solar cell
Each of the first pad part and the second pad part includes an exposed area exposed outside the semiconductor substrate,
The end of the first connector and the second connector is connected to the exposed area of the solar cell module.
제10 항에 있어서,
상기 제1 커넥터 및 상기 제2 커넥터 중 어느 하나는 적어도 하나의 돌출핀을 포함하고,
상기 제1 커넥터 및 상기 제2 커넥터 중 나머지 하나는 상기 적어도 하나의 돌출핀이 삽입되는 적어도 하나의 함몰홈을 포함하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 10,
Any one of the first connector and the second connector includes at least one protruding pin,
The other one of the first connector and the second connector includes at least one recessed groove into which the at least one protruding pin is inserted.
제12 항에 있어서,
상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지 각각에서
상기 제1 패드부와 상기 제2 패드부는 적어도 하나의 관통홀을 구비하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 12,
In each of the first solar cell and the second solar cell
The solar cell module having at least one through hole in the first pad portion and the second pad portion.
제13 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 돌출핀은 상기 적어도 하나의 관통홀을 통과하여 상기 적어도 하나의 함몰홈에 삽입되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 13,
The at least one protruding pin passes through the at least one through hole and is inserted into the at least one recess.
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