KR102104979B1 - Shift register and display device using the same - Google Patents

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KR102104979B1 KR1020130157495A KR20130157495A KR102104979B1 KR 102104979 B1 KR102104979 B1 KR 102104979B1 KR 1020130157495 A KR1020130157495 A KR 1020130157495A KR 20130157495 A KR20130157495 A KR 20130157495A KR 102104979 B1 KR102104979 B1 KR 102104979B1
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Abstract

본 발명은 캐리 신호가 안정적인 게이트 오프 전압을 유지함으로써 캐리 신호의 멀티 출력을 방지할 수 있는 쉬프트 레지스터 및 그를 이용한 표시 장치에 관한 것으로, 본 발명의 쉬프트 레지스터에서 QB 노드를 서로 공유하는 전단 스테이지와 후단 스테이지 각각은 캐리 출력부; 스캔 출력부; Q 노드 충전부; Q 노드 방전부를 구비한다. 전단 및 후단 스테이지 중 하나의 스테이지는 전단 및 후단 스테이지의 Q 노드의 제어에 응답하여 QB_ODD 노드를 충전시키는 QB_ODD 충전부 및 QB_ODD 노드를 방전시키는 QB_ODD 방전부를 더 구비하고; 다른 스테이지는 전단 및 후단 스테이지의 Q 노드의 제어에 응답하여 QB_EVEN 노드를 충전시키는 QB_EVEN 충전부 및 QB_EVEN 노드를 방전시키는 QB_EVEN 방전부를 더 구비한다. 후단 스테이지는 안정화 스위치를 추가로 구비하고, 안정화 스위치는 전단 스테이지의 Q 노드 충전부에 인가되는 충전 제어 신호에 의해 제어되고, 후단 스테이지의 Q 노드가 프리차징될 때 후단 스테이지의 캐리 신호로 제1 게이트 오프 전압을 공급한다.The present invention relates to a shift register capable of preventing multi-output of a carry signal by maintaining a stable gate-off voltage for the carry signal, and a display device using the same, wherein a front end stage and a rear end portion sharing the QB nodes with each other in the shift register of the present invention Each stage includes a carry output unit; A scan output unit; Q node charging unit; It has a Q node discharge section. One of the front and rear stages further includes a QB_ODD charging unit for charging the QB_ODD node and a QB_ODD discharge unit for discharging the QB_ODD node in response to control of the Q node of the front and rear stages; The other stage further includes a QB_EVEN charging unit for charging the QB_EVEN node and a QB_EVEN discharge unit for discharging the QB_EVEN node in response to control of the Q node of the front and rear stages. The rear stage further includes a stabilization switch, and the stabilization switch is controlled by a charge control signal applied to the Q node charging section of the front stage, and when the Q node of the rear stage is precharged, the first gate is used as the carry signal of the rear stage. Supply off voltage.

Figure R1020130157495
Figure R1020130157495

Description

쉬프트 레지스터 및 그를 이용한 표시 장치{SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME

본 발명은 쉬프트 레지스터에 관한 것으로, 특히 캐리 신호의 멀티 출력을 방지할 수 있는 쉬프트 레지스터 및 그를 이용한 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a shift register, and more particularly, to a shift register capable of preventing multiple outputs of carry signals and a display device using the same.

액정 표시 장치는 액정의 전기적 및 광학적 특성을 이용하여 영상을 표시한다. 액정은 굴절율, 유전율 등이 분자 장축 방향과 단축 방향에 따라 서로 다른 이방성 성질을 갖고 분자 배열과 광학적 성질을 쉽게 조절할 수 있다. 이를 이용한 액정 표시 장치는 전계의 크기에 따라 액정 분자들의 배열 방향을 가변시켜서 편광판을 투과하는 광 투과율을 조절함으로써 영상을 표시한다.The liquid crystal display device displays an image using electrical and optical characteristics of the liquid crystal. The liquid crystal has different anisotropy properties, such as refractive index and dielectric constant, depending on the major and minor axis directions of the molecule, and can easily adjust the molecular arrangement and optical properties. A liquid crystal display using the same displays an image by controlling the light transmittance through the polarizing plate by changing the arrangement direction of the liquid crystal molecules according to the size of the electric field.

액정 표시 장치는 다수의 화소들이 매트릭스 형태로 배열된 액정 패널과, 액정 패널에 광을 공급하는 백라이트 유닛과, 액정 패널의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버와, 액정 패널의 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버와, 백라이트 유닛을 구동하는 백라이트 드라이버와, 상기 드라이버들의 구동을 제어하는 타이밍 컨트롤러와, 액정 표시 장치에서 필요한 모든 전원을 공급하는 전원공급부 등을 포함한다.The liquid crystal display device includes a liquid crystal panel in which a plurality of pixels are arranged in a matrix, a backlight unit that supplies light to the liquid crystal panel, a gate driver that drives the gate line of the liquid crystal panel, and a data driver that drives the data line of the liquid crystal panel. And a backlight driver for driving the backlight unit, a timing controller for controlling the driving of the drivers, and a power supply for supplying all the power required by the liquid crystal display.

게이트 드라이버는 액정 패널의 게이트 라인들을 순차적으로 구동하기 위한 스캔 펄스들을 출력하는 쉬프트 레지스터를 기본 구성으로 구비한다. 최근 게이트 드라이버는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT) 어레이와 함께 형성됨으로써 액정 패널에 내장된 게이트-인-패널(Gate In Panel; GIP) 방식을 주로 이용하고 있다.The gate driver has a shift register that outputs scan pulses for sequentially driving the gate lines of the liquid crystal panel as a basic configuration. Recently, the gate driver is mainly formed using a thin film transistor (TFT) array, and thus a gate-in-panel (GIP) method embedded in a liquid crystal panel is mainly used.

게이트 드라이버의 쉬프트 레지스터는 서로 종속적으로 연결된 다수의 스테이지들을 구비한다. 각 스테이지의 출력은 각 게이트 라인에 스캔 펄스로 공급됨과 아울러 다른 스테이지에 캐리 신호로 공급된다.The shift register of the gate driver has a plurality of stages connected to each other. The output of each stage is supplied as a scan pulse to each gate line, as well as a carry signal to other stages.

최근 각 스테이지에는 출력 노드를 스캔용과 캐리용으로 분리하여 캐리 신호의 지연 시간(즉, 라이징 타임)을 감소시키는 기술과, 인접한 2개의 스테이지가 풀-다운 트랜지스터를 제어하는 QB 노드를 서로 공유하는 기술이 적용되고 있다.In each of the recent stages, the output node is separated for scanning and carry, thereby reducing the delay time (ie, rising time) of the carry signal, and the technique in which two adjacent stages share the QB node controlling the pull-down transistor with each other. Is being applied.

그러나, QB 노드를 공유하는 스테이지 중 한 스테이지에서 캐리 신호가 플로팅 상태의 게이트 오프(게이트 로우) 전압일 때, Q 노드가 프리차징되면서 풀-업 트랜지스터의 기생 커패시턴스에 의해 캐리 신호가 비정상적으로 상승하여 캐리 신호의 멀티 출력이 발생되는 문제점이 있다.However, in one of the stages sharing the QB node, when the carry signal is a floating gate-off (gate low) voltage, the Q node is precharged and the carry signal is abnormally raised due to the parasitic capacitance of the pull-up transistor. There is a problem in that multi-output of a carry signal is generated.

이에 따라, QB 노드를 공유하는 한 쌍의 스테이지 중 한 스테이지에서 발생되는 캐리 신호의 멀티 출력은 그 캐리 신호를 방전용 제어 신호로 이용하는 다른 스테이지에서의 Q 노드와, 충전용 제어 신호로 인용하는 다른 스테이지에서의 QB 노드의 전압 손실을 발생시킴으로써 게이트 라인간의 전압 편차가 발생되어 플리커 등과 같은 화질 저하가 발생되는 문제점이 있다.Accordingly, the multi-output of a carry signal generated in one stage of a pair of stages sharing a QB node is different from the Q node in another stage that uses the carry signal as a discharge control signal and the other referred to as a charging control signal. By generating the voltage loss of the QB node on the stage, there is a problem in that a voltage deviation between gate lines occurs, resulting in deterioration of image quality such as flicker.

한편, 전술한 쉬프트 레지스터의 문제점은 액정 표시 장치 뿐만 아니라, 쉬프트 레지스터를 이용하는 다른 표시 장치, 예를 들면 유기 발광 다이오드(OLED) 표시 장치, 전기영동 표시 장치(EPD) 등에서도 동일하게 발생할 수 있다.On the other hand, the above-described problems of the shift register may occur in the same way as other liquid crystal display devices, as well as other display devices using shift registers, for example, organic light emitting diode (OLED) display devices and electrophoretic display devices (EPDs).

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 캐리 신호가 안정적인 게이트 오프 전압을 유지함으로써 캐리 신호의 멀티 출력을 방지할 수 있는 쉬프트 레지스터 및 그를 이용한 표시 장치를 제공하는 것이다.The present invention has been devised to solve the above-described problems, and a problem to be solved by the present invention is to provide a shift register capable of preventing multi-output of a carry signal by maintaining a stable gate-off voltage and a display device using the same. Is to provide.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는 다수의 스캔 신호 및 캐리 신호를 순차적으로 출력하는 다수의 스테이지를 구비하고; 다수의 스테이지는 QB 노드를 서로 공유하는 2개 단위로 그룹핑되고; QB 노드를 서로 공유하는 한 쌍의 스테이지는 전단 스테이지와 후단 스테이지를 구비한다.In order to solve the above problems, the shift register according to an embodiment of the present invention includes a plurality of stages sequentially outputting a plurality of scan signals and carry signals; Multiple stages are grouped into two units that share QB nodes with each other; A pair of stages sharing a QB node with each other has a front stage and a rear stage.

전단 및 후단 스테이지 각각은, Q 노드의 제어에 응답하여 입력 클럭 신호를 캐리 신호로 출력하고, QB 노드의 제어에 응답하여 제1 게이트 오프 전압을 캐리 신호로 출력하는 캐리 출력부와; Q 노드의 제어에 응답하여 입력 클럭 신호를 스캔 신호로 출력하고, QB 노드의 제어에 응답하여 제2 게이트 오프 전압을 스캔 신호로 출력하는 스캔 출력부와; 이전단 스테이지들 중 하나로부터 출력되는 캐리 신호를 이용한 충전 제어 신호에 응답하여 Q 노드를 충전시키는 Q 노드 충전부와; 다음단 스테이지들 중 하나로부터 출력되는 캐리 신호를 이용한 방전 제어 신호의 제어에 응답하여 Q 노드를 방전시키는 Q 노드 방전부를 구비한다. 전단 및 후단 스테이지가 공유하는 QB 노드는 프레임마다 교번적으로 구동되는 QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드를 포함하고; 전단 및 후단 스테이지 중 하나의 스테이지는 전단 및 후단 스테이지의 Q 노드의 제어에 응답하여 QB_ODD 노드를 충전시키는 QB_ODD 충전부 및 QB_ODD 노드를 방전시키는 QB_ODD 방전부를 더 구비하고; 다른 스테이지는 전단 및 후단 스테이지의 Q 노드의 제어에 응답하여 QB_EVEN 노드를 충전시키는 QB_EVEN 충전부 및 QB_EVEN 노드를 방전시키는 QB_EVEN 방전부를 더 구비한다. 후단 스테이지는 안정화 스위치를 추가로 구비하고, 안정화 스위치는 전단 스테이지의 Q 노드 충전부에 인가되는 충전 제어 신호에 의해 제어되고, 후단 스테이지의 Q 노드가 프리차징될 때 후단 스테이지의 캐리 신호로 제1 게이트 오프 전압을 공급한다.Each of the front and rear stages includes: a carry output unit that outputs an input clock signal as a carry signal in response to control of the Q node, and outputs a first gate-off voltage as a carry signal in response to control of the QB node; A scan output unit outputting an input clock signal as a scan signal in response to control of the Q node, and outputting a second gate-off voltage as a scan signal in response to control of the QB node; A Q node charging unit charging the Q node in response to a charge control signal using a carry signal output from one of the previous stages; And a Q node discharge unit for discharging the Q node in response to control of a discharge control signal using a carry signal output from one of the next stages. The QB nodes shared by the front and rear stages include QB_ODD nodes and QB_EVEN nodes that are alternately driven for each frame; One of the front and rear stages further includes a QB_ODD charging unit for charging the QB_ODD node and a QB_ODD discharge unit for discharging the QB_ODD node in response to control of the Q node of the front and rear stages; The other stage further includes a QB_EVEN charging unit for charging the QB_EVEN node and a QB_EVEN discharge unit for discharging the QB_EVEN node in response to control of the Q node of the front and rear stages. The rear stage further includes a stabilization switch, and the stabilization switch is controlled by a charge control signal applied to the Q node charging section of the front stage, and when the Q node of the rear stage is precharged, the first gate is used as the carry signal of the rear stage. Supply off voltage.

스캔 출력부는 해당 스테이지의 Q 노드의 제어에 의해 해당 스테이지의 입력 클럭 신호를 해당 스테이지의 스캔 신호로 출력하는 제1 풀업 트랜지스터와; QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드 각각의 제어에 의해 제2 게이트 오프 전압을 해당 스테이지의 스캔 신호로 출력하는 제1-1 및 제1-2 풀다운 트랜지스터를 구비한다.The scan output unit includes: a first pull-up transistor configured to output an input clock signal of the corresponding stage as a scan signal of the corresponding stage under control of a Q node of the corresponding stage; The first-first and first-second pull-down transistors output the second gate-off voltage as a scan signal of a corresponding stage under the control of each of the QB_ODD node and the QB_EVEN node.

캐리 출력부는 해당 스테이지의 Q 노드의 제어에 의해 해당 스테이지의 입력 클럭 신호를 해당 스테이지의 캐리 신호로 출력하는 제2 풀업 트랜지스터와; QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드 각각의 제어에 의해 제1 게이트 오프 전압을 해당 스테이지의 캐리 신호로 출력하는 제2-1 및 제2-2 풀다운 트랜지스터를 구비한다.A second pull-up transistor for outputting an input clock signal of the corresponding stage as a carry signal of the corresponding stage under control of a Q node of the corresponding stage; It is provided with 2-1 and 2-2 pull-down transistors that output the first gate-off voltage as a carry signal of the corresponding stage under the control of each of the QB_ODD node and the QB_EVEN node.

후단 스테이지의 안정화 스위치는 후단 스테이지의 제2-1 및 제2-2 풀다운 트랜지스터의 출력 노드에 제1 게이트 오프 전압을 공급한다.The stabilization switch of the rear stage supplies the first gate-off voltage to the output nodes of the 2-1 and 2-2 pull-down transistors of the rear stage.

Q 노드 충전부는 충전 제어 신호의 제어에 의해 게이트 온 전압을 Q 노드로 공급하는 제1 트랜지스터를 구비한다.The Q node charging unit includes a first transistor that supplies the gate-on voltage to the Q node by controlling the charge control signal.

Q 노드 방전부는 방전 제어 신호의 제어에 의해 제1 게이트 오프 전압을 Q 노드로 공급하는 제3-1 트랜지스터와; QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드 각각의 제어에 의해 제1 게이트 오프 전압을 Q 노드로 공급하는 제3-2 및 제3-3 트랜지스터를 구비하고; 외부의 리셋 신호에 응답하여 제1 게이트 오프 전압을 Q 노드로 공급하는 제3-4 트랜지스터를 더 구비할 수 있다.The Q-node discharge section includes a 3-1 transistor that supplies a first gate-off voltage to the Q node under control of a discharge control signal; 3-3 and 3-3 transistors for supplying the first gate-off voltage to the Q node under the control of the QB_ODD node and the QB_EVEN node respectively; A third to fourth transistor may be further provided to supply the first gate-off voltage to the Q node in response to an external reset signal.

QB_ODD 충전부 및 QB_EVEN 충전부 각각은 교류 게이트 온 전압을 QB_ODD 또는 QB_EVEN 노드로 공급하는 제4-1 트랜지스터와; 교류 게이트 온 전압을 공급하는 공급 라인과 제4-1 트랜지스터의 제어 노드 사이에 다이오드 타입으로 접속된 제4-2 트랜지스터와; 해당 스테이지의 Q 노드의 제어에 의해 제1 게이트 오프 전압을 상기 제어 노드로 공급하는 제4-3 트랜지스터와; 한 쌍의 스테이지 중 해당 스테이지를 제외한 다른 스테이지의 Q 노드의 제어에 의해 제1 게이트 오프 전압을 제어 노드로 공급하는 제4-4 트랜지스터를 구비한다.Each of the QB_ODD charging unit and the QB_EVEN charging unit includes a 4-1 transistor that supplies an AC gate-on voltage to a QB_ODD or QB_EVEN node; A 4-2 transistor connected in a diode type between the supply line supplying the AC gate-on voltage and the control node of the 4-1 transistor; A 4-3 transistor supplying a first gate-off voltage to the control node under control of a Q node of the corresponding stage; A fourth to fourth transistor is provided to supply the first gate-off voltage to the control node by controlling the Q node of the other stage except the corresponding stage among the pair of stages.

QB_ODD 방전부 및 QB_EVEN 방전부 각각은 전단 스테이지에 인가되는 충전 제어 신호에 응답하여 제1 게이트 오프 전압을 QB_ODD 또는 QB_EVEN 노드로 공급하는 제5-1 트랜지스터와; 해당 스테이지의 Q 노드의 제어에 의해 제1 게이트 오프 전압을 QB_ODD 또는 QB_EVEN 노드로 공급하는 제5-2 트랜지스터를 구비한다.
후단 스테이지의 안정화 스위치의 턴-온 기간은, 후단 스테이지의 캐리 신호가 게이트 온 전압을 출력하기 이전에, 후단 스테이지의 Q 노드 충전부가 전단 스테이지의 캐리 신호에 응답하여 후단 스테이지의 Q 노드를 프리차징하는 기간과 오버랩한다.
Each of the QB_ODD discharge unit and the QB_EVEN discharge unit includes a 5-1 transistor that supplies a first gate-off voltage to a QB_ODD or QB_EVEN node in response to a charge control signal applied to a front stage; And a 5-2 transistor for supplying the first gate-off voltage to the QB_ODD or QB_EVEN node under the control of the Q node of the corresponding stage.
In the turn-on period of the stabilization switch of the rear stage, before the carry signal of the rear stage outputs the gate-on voltage, the Q node charging section of the rear stage responds to the carry signal of the front stage to precharge the Q node of the rear stage. Overlaps with the period.

본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 상기 쉬프트 레지지스터를 이용하여 표시 패널의 게이트 라인을 구동한다.The display device according to the exemplary embodiment of the present invention drives the gate line of the display panel using the shift register.

본 발명에 따른 쉬프트 레지스터 및 그를 이용한 표시 장치는 QB 노드를 공유하는 스테이지 중 후단 스테이지에 Q2 노드가 프리차징될 때 캐리 신호에 게이트 오프 전압을 인가하는 안정화 트랜지스터를 추가함으로써 캐리 신호가 안정적인 게이트 오프 전압을 유지하므로 캐리 신호의 멀티 출력을 방지할 수 있다.The shift register according to the present invention and the display device using the same include a stable gate-off voltage for which a carry signal is stable by adding a stabilizing transistor that applies a gate-off voltage to a carry signal when the Q2 node is precharged to a rear stage of a stage sharing a QB node. By maintaining, it is possible to prevent the multi-output of the carry signal.

이에 따라, 본 발명은 캐리 신호를 제어 신호로 이용하는 다른 스테이지에서 비정상적인 캐리 신호로 인한 전압 손실을 방지함으로써 전단 및 후단 스테이지에 의해 구동되는 게이트 라인간의 전압 편차를 방지하고 그로 인한 플리커 등을 방지하여 화질을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the present invention prevents voltage deviation due to abnormal carry signals in other stages using a carry signal as a control signal, thereby preventing voltage deviation between the gate lines driven by the front and rear stages, and preventing flicker and the like, thereby improving image quality. Improve it.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타낸 블록도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 게이트 드라이버의 쉬프트 레지스터를 나타낸 블록도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 대표하는 한 쌍의 스테이지를 나타낸 회로도이다.
도 4는 도 3에 도시된 한 쌍 스테이지의 구동 파형도이다.
도 5a 및 도 5b는 도 3에 나타낸 후단 스테이지에 안정화 트랜지스터(T6)가 적용되기 이전과 이후의 캐리 신호를 비교하여 나타낸 파형도이다.
도 6은 도 3에 나타낸 후단 스테이지에 안정화 트랜지스터(T6)가 적용되기 이전과 이후의 Q 노드 전위를 비교하여 나타낸 파형도이다.
도 7은 도 3에 나타낸 후단 스테이지에 안정화 트랜지스터(T6)가 적용되기 이전과 이후의 QB 노드 전위를 비교하여 나타낸 파형도이다.
도 8은 도 3에 나타낸 후단 스테이지에서 제2 풀업 트랜지스터의 채널폭 크기에 따른 Q2 노드의 전위를 나타낸 도면이다.
1 is a block diagram showing a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram showing a shift register of the gate driver shown in FIG. 1.
3 is a circuit diagram showing a pair of stages representing a shift register according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a driving waveform diagram of the pair stage shown in FIG. 3.
5A and 5B are waveform diagrams comparing and comparing carry signals before and after the stabilization transistor T6 is applied to the rear stage shown in FIG. 3.
FIG. 6 is a waveform diagram showing the comparison of Q node potentials before and after the stabilization transistor T6 is applied to the rear stage shown in FIG. 3.
7 is a waveform diagram showing a comparison of QB node potentials before and after the stabilization transistor T6 is applied to the rear stage shown in FIG. 3.
8 is a diagram showing the potential of the Q2 node according to the channel width size of the second pull-up transistor in the rear stage shown in FIG. 3.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1에 나타낸 표시 장치는 표시 패널(100), 게이트 드라이버(120), 데이터 드라이버(130), 타이밍 컨트롤러(140) 등을 구비한다.The display device shown in FIG. 1 includes a display panel 100, a gate driver 120, a data driver 130, a timing controller 140, and the like.

표시 패널(100)은 서로 교차되는 게이트 라인들(GL) 및 데이터 라인들(DL)과, 매트릭스 형태의 픽셀 어레이를 포함한다. 표시 패널(100)은 픽셀 어레이를 통해 영상을 표시하는 표시 영역(110)과, 그 표시 영역(110) 주변의 비표시 영역을 포함한다. 표시 영역(110)의 각 픽셀은 통상 R(Red), G(Green), B(Blue) 서브픽셀의 조합으로 원하는 색을 구현하고, 휘도 향상을 위한 W(White) 서브픽셀을 추가로 구비하기도 한다.The display panel 100 includes gate lines GL and data lines DL intersecting each other, and a matrix pixel array. The display panel 100 includes a display area 110 displaying an image through a pixel array and a non-display area around the display area 110. Each pixel of the display area 110 usually implements a desired color with a combination of R (Red), G (Green), and B (Blue) subpixels, and additionally includes a W (White) subpixel for luminance enhancement. do.

표시 패널(100)로는 액정 표시 장치(LCD), 유기 발광 다이오드(OLED) 표시 장치, 전기영동 표시 장치(EPD) 등이 이용될 수 있다. 이하에서는 편의상 표시 패널(100)로 LCD가 적용된 경우를 예를 들어 설명한다.A liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode (OLED) display, an electrophoretic display (EPD), or the like may be used as the display panel 100. Hereinafter, for convenience, the case where the LCD is applied to the display panel 100 will be described as an example.

표시 패널(100)이 LCD인 경우, 상부 기판 및 하부 기판이 액정층을 사이에 두고 합착되어 형성된다. 상하부 기판 중 어느 하나의 기판에는 컬러 필터 어레이가 형성되고, 다른 하나의 기판에는 박막 트랜지스터 어레이가 형성된다. 상하부 기판의 외측면에는 각각 편광판이 부착된다. 상하부 기판에서 액정과 접촉하는 내측면 각각에는 액정의 프리틸트각을 설정하기 위한 배향막이 형성된다. 표시 영역(100A)의 각 서브픽셀은 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 접속된 TFT, TFT에 병렬로 접속된 액정 커패시터 및 스토리지 커패시터를 구비한다. 액정 커패시터는 TFT를 통해 픽셀 전극에 공급된 데이터 신호와, 공통 전극에 공급된 공통 전압과의 차전압을 충전하고 충전된 전압에 따라 액정을 구동하여 광투과율을 조절한다. 스토리지 커패시터는 액정 커패시터에 충전된 전압을 안정적으로 유지시킨다. 액정층은 TN(Twisted Nematic) 모드 또는 VA(Vertical Alignment) 모드와 같이 수직 전계에 의해 구동되거나, IPS(In-Plane Switching) 모드 또는 FFS(Fringe Field Switching) 모드와 같이 수평 전계에 의해 구동된다.When the display panel 100 is an LCD, the upper substrate and the lower substrate are formed by bonding the liquid crystal layer therebetween. A color filter array is formed on one of the upper and lower substrates, and a thin film transistor array is formed on the other substrate. Polarizing plates are attached to the outer surfaces of the upper and lower substrates, respectively. An alignment film for setting a pretilt angle of the liquid crystal is formed on each of the inner surfaces of the upper and lower substrates that are in contact with the liquid crystal. Each sub-pixel of the display area 100A includes a TFT connected to the gate line GL and the data line DL, a liquid crystal capacitor connected to the TFT in parallel, and a storage capacitor. The liquid crystal capacitor charges a difference voltage between the data signal supplied to the pixel electrode through the TFT and the common voltage supplied to the common electrode, and drives the liquid crystal according to the charged voltage to adjust the light transmittance. The storage capacitor keeps the voltage charged in the liquid crystal capacitor stable. The liquid crystal layer is driven by a vertical electric field such as a twisted nematic (TN) mode or a vertical alignment (VA) mode, or a horizontal electric field such as an in-plane switching (IPS) mode or a fringe field switching (FSF) mode.

타이밍 컨트롤러(140)는 외부 호스트 세트로부터 공급된 영상 데이터와 함께 다수의 동기 신호를 입력한다. 다수의 동기 신호는 도트 클럭 및 데이터 이네이블 신호를 포함하거나, 수평 동기 신호 및 수직 동기 신호를 더 포함할 수 있다. 타이밍 컨트롤러(140)는 화질 향상이나 소비 전력 감소를 위한 다양한 데이터 처리 방법을 이용하여 호스트 세트로부터 입력된 데이터를 보정하여 데이터 드라이버(130)로 출력한다.The timing controller 140 inputs a plurality of synchronization signals together with image data supplied from an external host set. The plurality of synchronization signals may include a dot clock and data enable signal, or may further include a horizontal synchronization signal and a vertical synchronization signal. The timing controller 140 corrects the data input from the host set using various data processing methods for improving image quality or reducing power consumption, and outputs the data to the data driver 130.

타이밍 컨트롤러(140)는 동기 신호들을 이용하여 데이터 드라이버(130)의 구동 타이밍을 제어하는 데이터 제어 신호와, 게이트 드라이버(120)의 구동 타이밍을 제어하는 게이트 제어 신호를 생성한다. 데이터 제어 신호는 데이터 신호의 래치를 제어하는 소스 스타트 펄스 및 소스 샘플링 클럭과, 데이터 신호의 극성을 제어하는 극성 제어 신호와, 데이터 신호의 출력 기간을 제어하는 소스 출력 이네이블 신호 등을 포함한다. 게이트 제어 신호는 게이트 신호의 스캐닝을 제어하는 게이트 스타트 펄스 및 게이트 쉬프트 클럭을 포함하고, 게이트 신호의 출력 기간을 제어하는 게이트 출력 이네이블 신호 등을 더 포함할 수 있다.The timing controller 140 generates a data control signal for controlling the driving timing of the data driver 130 and a gate control signal for controlling the driving timing of the gate driver 120 using the synchronization signals. The data control signal includes a source start pulse and a source sampling clock that control the latch of the data signal, a polarity control signal that controls the polarity of the data signal, and a source output enable signal that controls the output period of the data signal. The gate control signal may include a gate start pulse and a gate shift clock to control scanning of the gate signal, and may further include a gate output enable signal to control the output period of the gate signal.

데이터 드라이버(130)는 타이밍 컨트롤러(140)로부터의 데이터 제어 신호에 응답하여 타이밍 컨트롤러(140)로부터의 영상 데이터를 액정 패널(100)의 다수의 데이터 라인(DL)에 공급한다. 데이터 드라이버(130)는 타이밍 컨트롤러(140)로부터의 데이터를 감마 전압 생성부(미도시)로부터의 감마 전압을 이용하여 아날로그 데이터 신호로 변환하고, 각 게이트 라인(GL)이 구동될 때마다 데이터 신호를 데이터 라인(DL)으로 공급한다. 데이터 드라이버(130)는 적어도 하나의 데이터 IC로 구성되어 TCP(Tape Carrier Package), COF(Chip On Film), FPC(Flexible Print Circuit) 등과 같은 회로 필름에 실장되어 액정 패널(100)에 TAB(Tape Automatic Bonding) 방식으로 부착되거나, COG(Chip On Glass) 방식으로 액정 패널(100) 상에 실장될 수 있다.The data driver 130 supplies image data from the timing controller 140 to a plurality of data lines DL of the liquid crystal panel 100 in response to a data control signal from the timing controller 140. The data driver 130 converts data from the timing controller 140 to an analog data signal using a gamma voltage from a gamma voltage generator (not shown), and data signals each time each gate line GL is driven. To the data line DL. The data driver 130 is composed of at least one data IC, and is mounted on a circuit film such as a tape carrier package (TCP), a chip on film (COF), or a flexible print circuit (FPC), and the TAB (tape) is applied to the liquid crystal panel 100 It may be attached by an Automatic Bonding (COG) method, or may be mounted on the liquid crystal panel 100 by a COG (Chip On Glass) method.

게이트 드라이버(120)는 타이밍 컨트롤러(140)로부터의 게이트 제어 신호에 응답하여 액정 패널(100)의 게이트 라인들(GL)을 순차 구동한다. 게이트 드라이버(120)는 각 게이트 라인(GL)의 스캔 기간에 게이트 온 전압(게이트 하이 전압)의 스캔 펄스를 공급하여 게이트 라인(GL)을 이네이블시키고, 나머지 기간에는 게이트 오프 전압(게이트 로우 전압)을 공급하여 게이트 라인(GL)을 디세이블시킨다. 각 게이트 라인(GL)에 공급되는 스캔 펄스는 인접 스캔 펄스와 펄스폭의 일부가 서로 중첩될 수 있다.The gate driver 120 sequentially drives the gate lines GL of the liquid crystal panel 100 in response to the gate control signal from the timing controller 140. The gate driver 120 enables a scan pulse of the gate-on voltage (gate high voltage) in the scan period of each gate line GL to enable the gate line GL, and the gate-off voltage (gate low voltage) in the remaining periods. ) To disable the gate line GL. In the scan pulse supplied to each gate line GL, adjacent scan pulses and a portion of the pulse width may overlap each other.

게이트 드라이버(120)는 표시 패널(100)의 표시 영역(110)에 형성되는 TFT 어레이와 함께 TFT 기판의 비표시 영역에 형성됨으로써 표시 패널(100)에 내장된 GIP 타입으로 형성될 수 있다. GIP 타입의 게이트 드라이버(120)는 표시 영역(110)의 일측부에 형성되거나, 도 1과 같이 표시 영역(110)의 양측부에 각각 형성될 수 있다. 표시 영역(100)의 양측부에 형성된 GIP 타입의 게이트 드라이버(120) 각각은 게이트 라인들(GL)을 오드 게이트 라인들과 이븐 게이트 라인들로 분리하여 각각 스캐닝하거나, 게이트 라인들(GL)을 양측에서 동일하게 스캐닝할 수 있다.The gate driver 120 may be formed in a GIP type embedded in the display panel 100 by being formed in a non-display region of the TFT substrate together with a TFT array formed in the display region 110 of the display panel 100. The GIP type gate driver 120 may be formed on one side of the display area 110 or may be formed on both sides of the display area 110 as shown in FIG. 1. Each of the GIP type gate drivers 120 formed on both sides of the display area 100 scans the gate lines GL by separating them into odd gate lines and even gate lines, or scanning the gate lines GL. You can scan the same on both sides.

GIP 타입의 게이트 드라이버(120)는 쉬프트 레지스터를 포함하고, 타이밍 컨트롤러(140)와 게이트 드라이버(120) 사이에 레벨 쉬프터(150)가 추가로 구비될 수 있다. 레벨 쉬프터(150)는 타이밍 컨트롤러(140)로부터의 게이트 제어 신호, 즉 스타트 펄스 및 다수 클럭의 TTL(Transistor Transistor Logic) 전압을 표시 패널(100)의 TFT 구동을 위한 게이트 하이 전압(Vgh) 및 게이트 로우 전압(Vgl)으로 레벨 쉬프팅하여 게이트 드라이버(120)인 쉬프트 레지스터로 공급한다. 레벨 쉬프터(150)는 전원 IC에 내장될 수 있다.The GIP type gate driver 120 includes a shift register, and a level shifter 150 may be additionally provided between the timing controller 140 and the gate driver 120. The level shifter 150 displays a gate control signal from the timing controller 140, that is, a start pulse and a TTL (Transistor Transistor Logic) voltage of multiple clocks, a gate high voltage (Vgh) and a gate for driving a TFT of the display panel 100 Level shifting is performed with a low voltage Vgl to supply a shift resistor that is the gate driver 120. The level shifter 150 may be built in the power supply IC.

이와 달리, 게이트 드라이버(120)는 쉬프트 레지스터 및 레벨 쉬프터를 포함하는 적어도 하나의 게이트 IC로 구성되고 TCP, COF, FPC 등과 같은 회로 필름에 실장되어 액정 패널(100)에 TAB 방식으로 부착되거나, COG 방식으로 액정 패널(100) 상에 실장될 수도 있다.Alternatively, the gate driver 120 is composed of at least one gate IC including a shift register and a level shifter, and is mounted on a circuit film such as TCP, COF, FPC, etc. to be attached to the liquid crystal panel 100 in a TAB method, or COG It may be mounted on the liquid crystal panel 100 in a manner.

도 2는 도 1에 나타낸 게이트 드라이버에 적용되는 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 블록도이다.2 is a block diagram illustrating a shift register according to an embodiment of the present invention applied to the gate driver shown in FIG. 1.

도 1에서 양측 게이트 드라이버(120)가 게이트 라인들을 오드 게이트 라인들과 이븐 게이트 라인들로 분리하여 구동하는 경우, 일측 게이트 드라이버(120)에 구성된 쉬프트 레지스터(SR)는 오드 게이트 라인들 또는 이븐 게이트 라인들을 순차적으로 스캐닝하기 위한 다수의 스테이지들(..., STn-4, STn-2, STn, STn+2, ...; n은 자연수)로 구성될 수 있다. 이와 달리, 쉬프트 레지스터(SR)는 모든 게이트 라인들을 순차적으로 스캐닝하기 위한 다수의 스테이지들(..., STn-2, STn-1, STn, STn+1, ...)로 구성될 수 있다.In FIG. 1, when both gate drivers 120 drive the gate lines by separating them into odd gate lines and even gate lines, the shift register SR configured in one side gate driver 120 may be odd gate lines or even gates. It may be composed of a plurality of stages (..., STn-4, STn-2, STn, STn + 2, ...; n is a natural number) for sequentially scanning lines. Alternatively, the shift register SR may be composed of a plurality of stages (..., STn-2, STn-1, STn, STn + 1, ...) for sequentially scanning all gate lines. .

쉬프트 레지스터(SR)에는 위상차를 갖는 적어도 2상 클럭 신호(CLKn, CLKn+2)가 공급된다. 2상 클럭 펄스(CLKn, CLKn+2)가 교번하면서 스테이지마다 1개의 클럭 신호가 공급된다. 이와 달리, 4상 클럭 신호가 교번하면서 스테이지마다 1개의 클럭 신호가 공급될 수 있다.At least two phase clock signals CLKn and CLKn + 2 having a phase difference are supplied to the shift register SR. As the two-phase clock pulses CLKn and CLKn + 2 alternate, one clock signal is supplied to each stage. Alternatively, one clock signal may be supplied for each stage while the four-phase clock signals alternate.

도 2에 나타낸 쉬프트 레지스터(SR)는 임의의 스테이지(STn)가 이전단 스테이지(STn-2)로부터의 캐리 신호(Cn-2)에 따라 세트(set)되고, 다다음단 스테이지(STn+4; 도시하지 않음)로부터의 캐리 신호(Cn+2)에 따라 리셋(reset)된다. 그러나, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 임의의 스테이지가 이전단 스테이지들 중 어느 하나의 캐리 신호에 의해 세트되고, 다음단 스테이지들 중 어느 하나의 캐리 신호에 응답하여 리셋되는 경우에도 적용될 수 있다.The shift register SR shown in FIG. 2 is set in accordance with the carry signal Cn-2 from the previous stage STn-2 in which the stage STn is set, and the next stage STn + 4 ; Not shown), it is reset according to the carry signal Cn + 2. However, the shift register according to the present invention can be applied even when an arbitrary stage is set by a carry signal of one of the previous stages and reset in response to a carry signal of any of the next stages.

본 발명에 따른 쉬프트 레지스터(SR)는 다수의 스테이지들이 2개씩 단위로 풀다운 트랜지스터를 제어하는 QB 노드(QB_ODD, QB_EVEN 노드)를 서로 공유하는 구조를 갖는다. 예를 들면, 제n-4 스테이지(STn-4)와 제n-2 스테이지(STn-4, STn-2)가 QB 노드를 서로 공유하고, 제n 스테이지(STn)와 제n+2 스테이지(STn, STn+2)가 QB 노드를 서로 공유한다.The shift register SR according to the present invention has a structure in which a plurality of stages share QB nodes (QB_ODD and QB_EVEN nodes) that control a pull-down transistor in units of two. For example, the n-th stage STn-4 and the n-th stage STn-4 and STn-2 share the QB nodes with each other, and the n-th stage STn and the n + 2 stage ( STn, STn + 2) share QB nodes with each other.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 스테이지의 상세 구성을 나타낸 회로도이고, 도 2에 나타낸 다수의 스테이지 중 QB 노드를 공유하는 한 쌍의 스테이지(STn, STn+2)의 상세 구성을 나타낸 회로도이다.3 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a stage according to an embodiment of the present invention, and is a circuit diagram showing a detailed configuration of a pair of stages STn and STn + 2 sharing a QB node among a plurality of stages shown in FIG. 2. .

인접한 한 쌍의 스테이지(STn, STn+2)는 2개의 게이트 라인(GLn, GLn+2)에 스캔 신호(Vout(n), Vout(n+2))를 각각 출력함과 아울러 다른 스테이지의 제어 신호로 이용되는 캐리 신호(Cn, Cn+2)를 각각 출력한다.A pair of adjacent stages STn and STn + 2 output scan signals Vout (n) and Vout (n + 2) to two gate lines GLn and GLn + 2, respectively, and control other stages. The carry signals Cn and Cn + 2 used as signals are respectively output.

2개 스테이지(STn, STn+2) 각각은 Q 노드(Q1, Q2), QB 노드(QB_ODD, QB_EVEN)를 제어하는 제어부(10)와, 제어부(10)의 제어에 의해 제1 출력 노드(N1)를 통해 스캔 신호(Vout)를 출력하는 스캔 출력부(30)와, 제어부(10)의 제어에 의해 제2 출력 노드(N2)를 통해 캐리 신호(C)를 출력하는 캐리 출력부(20)를 구비한다. 인접한 한 쌍의 스테이지(STn, STn+2)는 QB_ODD 노드를 서로 공유하고, QB_EVEN 노드를 서로 공유한다.Each of the two stages STn and STn + 2 includes a control unit 10 that controls the Q nodes Q1 and Q2, and a QB node (QB_ODD and QB_EVEN), and a first output node N1 under control of the control unit 10 ), The scan output unit 30 for outputting the scan signal Vout, and the carry output unit 20 for outputting the carry signal C through the second output node N2 under the control of the control unit 10 It is provided. The adjacent pair of stages STn and STn + 2 share the QB_ODD nodes with each other and the QB_EVEN nodes with each other.

스캔 출력부(30)는 Q 노드(Q1, Q2), QB 노드(QB_ODD, QB_EVEN)의 제어에 응답하여 제1 출력 노드(N1)에 스캔 신호(Vout(n))를 출력하고, 그 스캔 신호(Vout(n))는 제1 출력 노드(N1)를 경유하여 게이트 라인에 공급된다. 스캔 출력부(30)는 Q 노드(Q1, Q2)의 제어에 의해 클럭 신호(CLKn)를 제1 출력 노드(N1)로 공급하는 제1 풀업 트랜지스터(Tup1)와, QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드 각각의 제어에 의해 제2 저전위 전원(VSS2)을 제1 출력 노드(N1)로 공급하는 제1-1 풀다운 트랜지스터(Tpd11) 및 제1-2 풀다운 트랜지스터(Tpd12)를 구비한다. QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드의 제어에 의해 제1-1 풀다운 트랜지스터(Tpd11) 및 제1-2 풀다운 트랜지스터(Tpd12)는 프레임마다 교번적으로 구동된다.The scan output unit 30 outputs a scan signal Vout (n) to the first output node N1 in response to control of the Q nodes Q1 and Q2 and the QB nodes QB_ODD and QB_EVEN, and the scan signal (Vout (n)) is supplied to the gate line via the first output node N1. The scan output unit 30 includes a first pull-up transistor Tup1 that supplies a clock signal CLKn to the first output node N1 under the control of the Q nodes Q1 and Q2, and each of the QB_ODD node and QB_EVEN node. A 1-1 pull-down transistor Tpd11 and a 1-2 pull-down transistor Tpd12 are provided to supply the second low potential power supply VSS2 to the first output node N1 by control. Under the control of the QB_ODD node and the QB_EVEN node, the 1-1 pull-down transistor Tpd11 and the 1-2 pull-down transistor Tpd12 are alternately driven for each frame.

캐리 출력부(20)는 Q 노드(Q1, Q2), QB 노드(QB_ODD, QB_EVEN)의 제어에 응답하여 제2 출력 노드(N2)에 캐리 신호(Cn)를 출력하고, 캐리 신호(Cn)는 제2 출력 노드(N2)를 경유하여 다른 스테이지의 제어 신호로 공급된다. 예를 들면, 한 스테이지(STn)로부터 출력된 캐리 신호(Cn)는 다음단 스테이지(STn+2)의 Q 노드 충전을 제어하는 제어 신호로 공급되고, 전전단 스테이지(STn-4; 도시하지 않음)의 Q 노드 방전을 제어하는 제어 신호로 공급된다. 캐리 출력부(20)는 Q 노드(Q1, Q2)의 제어에 의해 클럭 신호(CLKn)를 제2 출력 노드(N2)로 공급하는 제2 풀업 트랜지스터(Tup2)와, QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드 각각의 제어에 의해 제1 저전위 전원(VSS1)을 제2 출력 노드(N2)로 공급하는 제2-1 풀다운 트랜지스터(Tpd21) 및 제2-2 풀다운 트랜지스터(Tpd22)를 구비한다. QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드의 제어에 의해 제2-1 풀다운 트랜지스터(Tpd21) 및 제2-2 풀다운 트랜지스터(Tpd22)는 프레임마다 교번적으로 구동된다. The carry output unit 20 outputs a carry signal Cn to the second output node N2 in response to the control of the Q nodes Q1 and Q2 and the QB nodes QB_ODD and QB_EVEN, and the carry signal Cn is It is supplied as a control signal of another stage via the second output node N2. For example, the carry signal Cn output from one stage STn is supplied as a control signal for controlling the charging of the Q node of the next stage STn + 2, and the preceding stage STn-4 (not shown) ) Is supplied as a control signal to control the Q node discharge. The carry output unit 20 includes a second pull-up transistor Tup2 that supplies the clock signal CLKn to the second output node N2 under the control of the Q nodes Q1 and Q2, and each of the QB_ODD node and QB_EVEN node. A 2-1 pull-down transistor Tpd21 and a 2-2 pull-down transistor Tpd22 that supply the first low potential power supply VSS1 to the second output node N2 by control are provided. Under the control of the QB_ODD node and the QB_EVEN node, the 2-1 pull-down transistor Tpd21 and the 2-2 pull-down transistor Tpd22 are alternately driven for each frame.

제어부(10)는 Q 노드(Q1, Q2), QB 노드(QB_ODD, QB_EVEN)를 제어하기 위하여 Q 노드 충전부(12), Q 노드 방전부(14), QB 노드 충전부(16), QB 노드 방전부(18)를 구비한다.The control unit 10 controls the Q node Q1, Q2, QB node (QB_ODD, QB_EVEN), the Q node charging unit 12, the Q node discharging unit 14, the QB node charging unit 16, and the QB node discharging unit (18).

Q 노드 충전부(12)는 제1 트랜지스터(T1)를 포함하고, 제1 트랜지스터(T1)는 이전단 스테이지의 캐리 신호(Cn-2)의 제어에 의해 고전위 전원(VDD)을 Q 노드(Q1, Q2)에 공급함으로써 Q 노드(Q1, Q2)를 온 전압로 충전한다. 제1 트랜지스터(T1)를 제어하는 캐리 신호는 이전단 스테이지의 캐리 신호(Cn-2)로 한정되지 않으며, 이전 스테이지들 중 어느 하나로부터 출력되는 캐리 신호가 이용될 수 있다. 제1 스테이지(도시하지 않음)의 제1 트랜지스터(T1)는 스타트 펄스에 의해 제어된다.The Q node charging unit 12 includes a first transistor T1, and the first transistor T1 supplies the high potential power supply VDD to the Q node Q1 by controlling the carry signal Cn-2 of the previous stage. , Q2) to charge the Q nodes Q1 and Q2 with the on voltage. The carry signal controlling the first transistor T1 is not limited to the carry signal Cn-2 of the previous stage, and a carry signal output from any one of the previous stages may be used. The first transistor T1 of the first stage (not shown) is controlled by a start pulse.

Q 노드 방전부(14)는 Q 노드 충전부(12)와 반대로, Q 노드(Q1, Q2)에 제1 저전위 전압(VSS1)을 공급하여 Q 노드(Q1, Q2)를 오프 전압으로 방전시킨다. 제Q 노드 방전부(14)는 제3-1 트랜지스터(T31), 제3-2 트랜지스터(T32), 제3-3 트랜지스터(T33)를 구비하고, 제3-4 트랜지스터(T34)를 추가로 구비할 수 있다.In contrast to the Q node charging unit 12, the Q node discharging unit 14 supplies the first low potential voltage VSS1 to the Q nodes Q1 and Q2 to discharge the Q nodes Q1 and Q2 to an off voltage. The Q-node discharge unit 14 includes a 3-1 transistor T31, a 3-2 transistor T32, a 3-3 transistor T33, and a 3-4 transistor T34 additionally. It can be provided.

제3-1 트랜지스터(T31)는 다다음단 스테이지의 캐리 신호(Cn+4)에 응답하여 제1 저전위 전압(VSS1)을 Q 노드(Q1, Q2)에 공급한다. 제3-1 트랜지스터(T31)를 제어하는 캐리 신호는 다다음단 스테이지의 캐리 신호(Cn+4)로 한정되지 않으며, 다음 스테이지들 중 어느 하나로부터 출력되는 캐리 신호가 이용될 수 있다. 제3-2 트랜지스터(T32) 및 제3-3 트랜지스터(T33)는 QB_ODD 및 QB_EVEN 노드 각각의 제어에 의해 제1 저전위 전압(VSS1)을 Q 노드(Q1, Q2)에 공급한다. 제3-4 트랜지스터(T34)는 외부로부터 프레임마다 공급되는 리셋 신호(RST)의 제어에 의해 제1 저전위 전압(VSS1)을 Q 노드(Q1, Q2)에 공급한다.The 3-1 transistor T31 supplies the first low potential voltage VSS1 to the Q nodes Q1 and Q2 in response to the carry signal Cn + 4 of the next stage. The carry signal controlling the 3-1 transistor T31 is not limited to the carry signal Cn + 4 of the multi-stage stage, and a carry signal output from any one of the following stages may be used. The 3-2 transistor T32 and the 3-3 transistor T33 supply the first low potential voltage VSS1 to the Q nodes Q1 and Q2 under the control of the QB_ODD and QB_EVEN nodes, respectively. The 3-4 transistor T34 supplies the first low potential voltage VSS1 to the Q nodes Q1 and Q2 by controlling the reset signal RST supplied from frame to frame.

QB 노드 충전부(16)는 오드 프레임에서 오드 교류 전원(VDD_O)을 QB_ODD 노드로 공급하는 QB_ODD 노드 충전부(16_O)와, 이븐 프레임에서 이븐 교류 전원(VDD_E)을 QB_EVEN 노드로 공급하는 QB_EVEN 노드 충전부(16_E)를 구비한다. 한 쌍의 스테이지(STn, STn+2)가 QB_ODD 노드를 공유하고, QB_EVEN 노드를 공유하므로, QB_ODD 노드 충전부(16_O)는 한 쌍의 스테이지(STn, STn+2) 중 하나의 스테이지에 형성되고, QB_EVEN 노드 충전부(16_E)는 다른 스테이지에 형성된다. 다시 말하여, 한 스테이지(STn)에 구비된 QB_ODD 노드 충전부(16_O)가 2개 스테이지(STn, STn+2)의 QB_ODD 노드에 공통 접속되고, 다른 스테이지(STn+2)에 구비된 QB_EVEN 노드 충전부(16_E)가 2개 스테이지(STn, STn+2)의 QB_EVEN 노드에 공통 접속된다.The QB node charging unit 16 is a QB_ODD node charging unit 16_O that supplies the odd AC power (VDD_O) to the QB_ODD node in the odd frame, and a QB_EVEN node charging unit (16_E) that supplies the even AC power (VDD_E) in the even frame to the QB_EVEN node. ). Since the pair of stages STn and STn + 2 share the QB_ODD node and the QB_EVEN node, the QB_ODD node charging unit 16_O is formed on one of the pair of stages STn and STn + 2, The QB_EVEN node charging section 16_E is formed on another stage. In other words, the QB_ODD node charging unit 16_O provided in one stage STn is commonly connected to the QB_ODD nodes of the two stages STn, STn + 2, and the QB_EVEN node charging unit provided in the other stage STn + 2. (16_E) is commonly connected to the QB_EVEN nodes of the two stages STn and STn + 2.

QB_ODD 노드 충전부(16_O)는 오드 교류 전원(VDD_O)을 2개 스테이지(STn, STn+2)의 QB_ODD 노드로 공급하는 제4-1 트랜지스터(T41_0)와, 제4-1 트랜지스터(T41_0)를 제어하기 위한 제4-2 트랜지스터(T42_O), 제4-3 트랜지스터(T43_O), 제4-4 오드 트랜지스터(T44_O)를 구비한다.The QB_ODD node charging unit 16_O controls the 4-1 transistor T41_0 and the 4-1 transistor T41_0 supplying the odd AC power supply VDD_O to the QB_ODD nodes of the two stages STn, STn + 2. 4-2 transistors (T42_O), 4-3 transistors (T43_O), and 4-4 odd transistors (T44_O) are provided.

제4-1 트랜지스터(T41_O)는 제어 노드(N_O)의 제어에 의해 오드 교류 전원(VDD_O)을 2개 스테이지(STn, STn+2)의 QB_ODD 노드에 공급한다.The 4-1 transistor T41_O supplies the odd AC power supply VDD_O to the QB_ODD nodes of the two stages STn and STn + 2 under the control of the control node N_O.

제4-2 트랜지스터(T42_O)는 오드 교류 전원(VDD_O)의 공급 라인과 제어 노드(N_O) 사이에 다이오드 타입으로 접속되어 오드 교류 전원(VDD_O)을 제어 노드(N_O)로 공급한다.The 4-2 transistor T42_O is connected in a diode type between the supply line of the odd AC power supply VDD_O and the control node N_O to supply the odd AC power supply VDD_O to the control node N_O.

제4-3 트랜지스터(T43_O)는 전단 스테이지(STn)의 Q1 노드의 제어에 의해 제1 저전위 전원(VSS1)을 제어 노드(N_O)로 공급한다.The 4-3 transistor T43_O supplies the first low potential power source VSS1 to the control node N_O under the control of the Q1 node of the front end stage STn.

제4-4 트랜지스터(T44_O)는 후단 스테이지(STn+2)의 Q2 노드의 제어에 의해 제1 저전위 전원(VSS1)을 제어 노드(N_O)로 공급한다.The 4-4th transistor T44_O supplies the first low potential power source VSS1 to the control node N_O under the control of the Q2 node of the rear stage STn + 2.

QB_EVEN 노드 충전부(16_E)는 이븐 교류 전원(VDD_E)을 2개 스테이지(STn, STn+2)의 QB_EVEN 노드로 공급하는 제4-1 트랜지스터(T41_E)와, 제4-1 트랜지스터(T41_E)를 제어하기 위한 제4-2 트랜지스터(T42_E), 제4-3 트랜지스터(T43_E), 제4-4 트랜지스터(T44_E)를 구비한다.The QB_EVEN node charging unit 16_E controls the 4-1 transistor T41_E and the 4-1 transistor T41_E that supply the even AC power supply VDD_E to the QB_EVEN node of the two stages STn, STn + 2. 4-4 transistors (T42_E), 4-3 transistors (T43_E), and 4-4 transistors (T44_E) are provided.

제4-1 트랜지스터(T41_E)는 이븐 제어 노드(N_E)의 제어에 의해 이븐 교류 전원(VDD_E)을 2개 스테이지(STn, STn+2)의 QB_EVEN 노드에 공급한다.The 4-1 transistor T41_E supplies the even AC power supply VDD_E to the QB_EVEN nodes of the two stages STn and STn + 2 under the control of the even control node N_E.

제4-2 트랜지스터(T42_E)는 이븐 교류 전원(VDD_E)의 공급 라인과 제어 노드(N_E) 사이에 다이오드 타입으로 접속되어 이븐 교류 전원(VDD_E)을 제어 노드(N_E)로 공급한다.The 4-2 transistor T42_E is connected in a diode type between the supply line of the even AC power supply VDD_E and the control node N_E to supply the even AC power supply VDD_E to the control node N_E.

제4-3 트랜지스터(T43_E)는 후단 스테이지(STn+2)의 Q2 노드의 제어에 의해 제1 저전위 전원(VSS1)을 제어 노드(N_E)로 공급한다.The 4-3 transistor T43_E supplies the first low potential power source VSS1 to the control node N_E by controlling the Q2 node of the rear stage STn + 2.

제4-4 트랜지스터(T44_E)는 전단 스테이지(STn)의 Q1 노드의 제어에 의해 제1 저전위 전원(VSS1)을 제어 노드(N_E)로 공급한다.The 4-4 transistor T44_E supplies the first low potential power source VSS1 to the control node N_E by controlling the Q1 node of the front end stage STn.

QB 노드 방전부(18)는 제1 저전위 전원(VSS1)을 QB_ODD 노드로 공급하는 QB_ODD 노드 방전부(18_O)와, 제1 저전위 전원(VSS1)을 QB_EVEN 노드로 공급하는 QB_EVEN 노드 방전부(18_E)를 구비한다. 한 쌍의 스테이지(STn, STn+2)가 QB_ODD 노드를 공유하고, QB_EVEN 노드를 공유하므로, QB_ODD 노드 방전부(18_O)는 2개 스테이지(STn, STn+2) 중 하나의 스테이지에 형성되고, QB_EVEN 노드 방전부(18_E)는 다른 스테이지에 형성된다. 다시 말하여, 한 스테이지(STn)에 구비된 QB_ODD 노드 방전부(18_O)가 2개 스테이지(STn, STn+2)의 QB_ODD 노드에 공통 접속되고, 다른 스테이지(STn+2)에 구비된 QB_EVEN 노드 방전부(18_E)가 2개 스테이지(STn, STn+2)의 QB_EVEN 노드에 공통 접속된다.The QB node discharge unit 18 includes a QB_ODD node discharge unit 18_O that supplies the first low potential power VSS1 to the QB_ODD node, and a QB_EVEN node discharge unit that supplies the first low potential power VSS1 to the QB_EVEN node. 18_E). Since the pair of stages STn and STn + 2 share the QB_ODD node and the QB_EVEN node, the QB_ODD node discharge unit 18_O is formed on one of the two stages STn and STn + 2, The QB_EVEN node discharge section 18_E is formed on another stage. In other words, the QB_ODD node discharge unit 18_O provided in one stage STn is commonly connected to the QB_ODD nodes of the two stages STn, STn + 2, and the QB_EVEN node provided in the other stage STn + 2. The discharge section 18_E is commonly connected to the QB_EVEN nodes of the two stages STn, STn + 2.

QB_ODD 노드 방전부(18_O)는 Q1 노드의 제어에 의해 제1 저전위 전원(VSS1)을 2개 스테이지(STn, STn+2)의 QB_ODD 노드로 공급하는 제5-1 트랜지스터(T51_0)와, 2개 스테이지(STn, STn+2) 중 선행 스테이지(STn)의 제1 트랜지스터(T1)를 제어하는 캐리 신호(Cn-2)의 제어에 의해 제1 저전위 전원(VSS1)을 2개 스테이지(STn, STn+2)의 QB_ODD 노드로 공급하는 제5-2 트랜지스터(T52_0)를 구비한다.The QB_ODD node discharge unit 18_O includes a 5-1 transistor T51_0 that supplies the first low potential power supply VSS1 to the QB_ODD nodes of the two stages STn and STn + 2 under the control of the Q1 node, and 2 Among the stages STn and STn + 2, the first low potential power supply VSS1 is divided into two stages STn by the control of the carry signal Cn-2 which controls the first transistor T1 of the preceding stage STn. , 5th transistor T52_0 to be supplied to the QB_ODD node of STn + 2).

QB_EVEN 노드 방전부(18_E)는 Q2 노드의 제어에 의해 제1 저전위 전원(VSS1)을 2개 스테이지(STn, STn+2)의 QB_ODD 노드로 공급하는 제5-1 트랜지스터(T51_E)와, 2개 스테이지(STn, STn+2) 중 선행 스테이지(STn)의 제1 트랜지스터(T1)를 제어하는 캐리 신호(Cn-2)의 제어에 의해 제1 저전위 전원(VSS1)을 2개 스테이지(STn, STn+2)의 QB_EVEN 노드로 공급하는 제5-2 트랜지스터(T52_E)를 구비한다.The QB_EVEN node discharge unit 18_E includes a 5-1 transistor T51_E that supplies the first low potential power supply VSS1 to the QB_ODD nodes of the two stages STn, STn + 2 under the control of the Q2 node, and 2 Among the stages STn and STn + 2, the first low potential power supply VSS1 is divided into two stages STn by the control of the carry signal Cn-2 which controls the first transistor T1 of the preceding stage STn. , 5th transistor T52_E to be supplied to the QB_EVEN node of STn + 2).

특히, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 한 쌍의 스테이지(STn, STn+2) 중 후단 스테이지(STn+2)는 Q2 노드가 프리차징될 때 캐리 신호(Cn-2)가 플로팅 상태의 게이트 오프 전압이 되는 것을 방지하기 위하여, 전단 스테이지(STn)의 제1 트랜지스터(T1)를 제어하는 캐리 신호(Cn-2)의 제어에 의해 제2 출력 노드(N2)에 제1 저전위 전원(VSS1)을 공급하는 안정화 트랜지스터(T6)를 구비한다. 이에 따라, 후단 스테이지(STn+2)에서는 Q2 노드가 프리차징되는 구간에서 안정화 트랜지스터(T6)에 의해 제2 출력 노드(N2)가 플로팅되지 않고 안정적인 제1 저전위 전원(VSS1)을 캐리 신호(Cn-1)의 게이트 오프 전압로 출력함으로써 캐리 신호(Cn-1)의 멀티 출력을 방지할 수 있다.Particularly, the shift register according to the present invention has a pair of stages STn, STn + 2, and a rear stage STn + 2 has a gate-off voltage when the carry signal Cn-2 is floating when the Q2 node is precharged. In order to prevent this, the first low potential power supply VSS1 is applied to the second output node N2 by the control of the carry signal Cn-2 that controls the first transistor T1 of the front end stage STn. A stabilizing transistor T6 to be supplied is provided. Accordingly, the second output node N2 is not floated by the stabilizing transistor T6 in the period in which the Q2 node is precharged in the rear stage STn + 2 and the stable first low potential power source VSS1 is carried by the carry signal ( With the gate-off voltage of Cn-1) By outputting, it is possible to prevent multiple outputs of the carry signal Cn-1.

도 4는 도 3에 나타낸 2개 스테이지(STn, STn+3)의 구동 파형을 나타낸 도면이다.4 is a diagram showing driving waveforms of the two stages STn and STn + 3 shown in FIG. 3.

2개 스테이지(STn, STn+3)에는 2상 클럭 신호(CLKn, CLKn+2)가 각각 공급된다. 예를 들면, 2상 클럭 신호(CLKn, CLKn+2)는 6H 주기를 갖고, 3H 기간의 게이트 온 전압(Von)과, 3H 기간의 게이트 오프 전압(Voff1)이 교번하면서 반복되는 형태를 갖는다. 2상 클럭 신호(CLKn, CLKn+2)는 게이트 온 전압(Von)의 1H 기간이 서로 중첩되고, 게이트 오프 전압(Voff)도 1H 기간이 서로 중첩된다.Two-phase clock signals CLKn and CLKn + 2 are supplied to the two stages STn and STn + 3, respectively. For example, the two-phase clock signals CLKn and CLKn + 2 have a period of 6H, and the gate-on voltage Von of the 3H period and the gate-off voltage Voff1 of the 3H period are alternately repeated. In the two-phase clock signals CLKn and CLKn + 2, the 1H period of the gate-on voltage Von overlaps each other, and the 1H period of the gate-off voltage Voff also overlaps each other.

도 3에서 고전위 전원(VDD)과, 교류 전원(VDD_O, VDD_E)의 고전위는 게이트 온 전압(Von)에 대응할 수 있다. 제1 및 제2 저전위 전원(VSS1, VSS2)은 제1 및 제2 게이트 오프 전압(Voff1, Voff2)에 각각 대응할 수 있고, 제2 저전위 전원(VSS2)이 제1 저전위 전원(VSS1) 보다 낮은 전압일 수 있다.In FIG. 3, the high potential power VDD and the high potentials of the AC power sources VDD_O and VDD_E may correspond to the gate-on voltage Von. The first and second low potential power sources VSS1 and VSS2 may correspond to the first and second gate off voltages Voff1 and Voff2, respectively, and the second low potential power source VSS2 is the first low potential power source VSS1. It may be a lower voltage.

2개 스테이지(STn, STn+3)에서 전단 스테이지(STn)는 이전단 스테이지(STn-2)로부터의 캐리 신호(Cn-2)에 의해 Q1 노드가 온 전압로 충전되어 클럭 신호(CLKn) 중 1개의 펄스를 스캔 신호(Vout(n)) 및 캐리 신호(Cn)로 출력한다. 후단 스테이지(STn+2)는 전단 스테이지(STn)로부터의 캐리 신호(Cn)에 의해 Q2 노드가 온 전압로 충전되어 클럭 신호(CLKn+1) 중 1개의 펄스를 스캔 신호(Vout(n+2)) 및 캐리 신호(Cn+2)로 출력한다. 후단 스테이지(STn+2)로부터 출력되는 스캔 신호(Vout(n+2)) 및 캐리 신호(Cn+2)의 게이트 온 전압(Von)이 전단 스테이지(STn)로부터 출력되는 스캔 신호(Vout(n)) 및 캐리 신호(Cn)의 게이트 온 전압(Von)과 1H 구간동안 중첩한다.In the two stages STn, STn + 3, the front stage STn is charged with the ON voltage by the carry signal Cn-2 from the previous stage STn-2, and the clock signal CLKn is charged. One pulse is output as the scan signal Vout (n) and the carry signal Cn. In the rear stage STn + 2, the Q2 node is charged with the on voltage by the carry signal Cn from the front stage STn, and scans one pulse of the clock signal CLKn + 1 (Vout (n + 2) )) And carry signal (Cn + 2). The scan signal Vout (n + 2) output from the rear stage STn + 2 and the scan signal Vout (n) from which the gate-on voltage Von of the carry signal Cn + 2 is output from the previous stage STn + 2 )) And the gate-on voltage Von of the carry signal Cn overlap with the 1H period.

이하, 도 3 및 도 4를 참조하여 2개 스테이지(STn, STn+3)의 동작 과정을 상세히 설명하기로 한다. 도 4를 참조하면, 2개 스테이지(STn, STn+3)의 Q1 및 Q2 노드가 온 전압로 충전되는 이네이블 구간(EN)에서만 QB 노드(QB_ODD, QB_EVEN)가 오프 전압이 되고, 나머지 구간에서는 온 전압이 됨을 알 수 있다.Hereinafter, an operation process of the two stages STn and STn + 3 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4. Referring to FIG. 4, the QB nodes QB_ODD and QB_EVEN are turned off only in the enable period EN in which the Q1 and Q2 nodes of the two stages STn and STn + 3 are charged with the on voltage, and in the remaining periods It can be seen that the voltage is on.

제1 기간( t1 ) 에 있어서, 이전단 캐리 신호(Cn-2)의 게이트 온 전압(Von)에 의해 2개 스테이지(STn, STn+2) 중 전단 스테이지(STn)의 제1 트랜지스터(T1), 제5-1 오드 트랜지스터(T51_O)와, 후단 스테이지(STn+2)의 제5-1 이븐 트랜지스터(T51_E)가 턴-온된다. 이에 따라, Q1 노드는 온 전압로 프리차징되고, QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드는 이전의 온 전압에서 오프 전압으로 방전된다.In the first period (t1), the previous-stage carry signal the first transistor (T1) of the front end stage (STn) of the two stages (STn, STn + 2) by a gate-on voltage (Von) in the (Cn-2) , The 5-1 odd transistor T51_O and the 5-1 even transistor T51_E of the rear stage STn + 2 are turned on. Accordingly, the Q1 node is precharged with the on voltage, and the QB_ODD node and the QB_EVEN node are discharged from the previous on voltage to the off voltage.

프리차징되는 Q1 노드의 제어에 의해 전단 스테이지(STn)의 제1 및 제2 풀업 트랜지스터(Tup1, Tup2)가 턴-온됨으로써 클럭 신호(CLKn)의 게이트 오프 전압(Voff1)이 제1 및 제2 출력 노드(N1, N2)를 통해 전단 스테이지(STn)의 스캔 신호(Vout(n)) 및 캐리 신호(Cn)로 각각 출력된다.The first and second pull-up transistors Tup1 and Tup2 of the front end stage STn are turned on by the control of the precharged Q1 node, so that the gate-off voltage Voff1 of the clock signal CLKn is first and second. The output signals N1 and N2 are output to the scan signal Vout (n) and the carry signal Cn of the front end stage STn, respectively.

프리차징되는 Q1 노드의 제어에 의해 제4-3 오드 트랜지스터(T43_0) 및 제4-3 이븐 트랜지스터(T43_E)가 턴-온되어, 제4-1 오드 트랜지스터(T41_0) 및 제4-1 이븐 트랜지스터(T41_E)는 오프되고, 제5-1 오드 트랜지스터(T51_O) 및 제5-1 이븐 트랜지스터(T51_E)가 턴-온됨으로써, QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드가 이전의 온 전압에서 오프 전압로 방전되므로 풀-다운 트랜지스터들(Tpd11, Tpd12, Tpd21, Tpd22)은 턴-오프된다.The 4-3 odd transistor T43_0 and the 4-3 even transistor T43_E are turned on by the control of the precharged Q1 node, so that the 4-1 odd transistor T41_0 and the 4-1 even transistor (T41_E) is turned off, and the 5-1 odd transistor T51_O and the 5-1 even transistor T51_E are turned on, so that the QB_ODD node and the QB_EVEN node are discharged from the previous on voltage to the off voltage, so that the full- The down transistors Tpd11, Tpd12, Tpd21, Tpd22 are turned off.

후단 스테이지(STn+2)는 이전과 동일하게 게이트 오프 전압(Voff2, Voff1)의 스캔 신호(Vout(n+2)) 및 캐리 신호(Cn+2)를 출력하고 있다.The rear stage STn + 2 outputs the scan signals Vout (n + 2) and the carry signals Cn + 2 of the gate-off voltages Voff2 and Voff1 as before.

제2 기간( t2 ) 에 있어서, 이전단 캐리 신호(Cn-2)의 게이트 온 전압(Von)을 유지하고 있으므로, 전단 스테이지(STn)는 상기 제1 기간(t1)과 동일하게 동작하여 게이트 오프 전압(Voff1)의 스캔 신호(Vout(n)) 및 캐리 신호(Cn)를 출력한다. In the second period t2 , since the gate-on voltage Von of the previous carry signal Cn-2 is maintained, the front-end stage STn operates in the same manner as the first period t1 to gate off. The scan signal Vout (n) and the carry signal Cn of the voltage Voff1 are output.

후단 스테이지(STn+2)는 이전과 동일하게 게이트 오프 전압(Voff2, Voff1)의 스캔 신호(Vout(n+2)) 및 캐리 신호(Cn+2)를 출력하고 있다.The rear stage STn + 2 outputs the scan signals Vout (n + 2) and the carry signals Cn + 2 of the gate-off voltages Voff2 and Voff1 as before.

제3 기간( t3 ) 에 있어서, 이전단 캐리 신호(Cn-2)가 게이트 온 전압(Von)을 유지하고 있고, 전단 스테이지(STn)에 공급되는 클럭 신호(CLKn)의 게이트 온 전압(Von)에 의해 Q1 노드의 온 전압이 부트스트랩핑되어 증폭됨으로써 안정적으로 턴-온된 제1 및 제2 풀업 트랜지스터(Tup1, Tup2)를 통해 클럭 신호(CLKn)의 게이트 온 전압(Von)이 전단 스테이지(STn)의 스캔 신호(Vout(n)) 및 캐리 신호(Cn)로 각각 출력된다. In the third period ( t3 ) , the previous-stage carry signal Cn-2 maintains the gate-on voltage Von, and the gate-on voltage Von of the clock signal CLKn supplied to the previous stage STn. The on-voltage of the Q1 node is amplified by bootstrapping, so that the gate-on voltage Von of the clock signal CLKn is stably turned on through the first and second pull-up transistors Tup1 and Tup2 that are stably turned on. ) Are output as scan signals Vout (n) and carry signals Cn, respectively.

이 제3 기간(t3)에서 후단 스테이지(STn-2)에는 전단 캐리 신호(Cn)의 게이트 온 전압(Von)과, 클럭 신호(CLKn+2)의 게이트 로우 전압(Voff1)이 공급되므로, 상기 제1 기간(t1)에서의 전단 스테이지(STn)의 동작과 동일하게 Q2 노드가 온 전압로 프리차징된다. QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드는 오프 전압 상태이므로 후단 스테이지(STn-2)의 풀-다운 트랜지스터들(Tpd11, Tpd12, Tpd21, Tpd22)가 턴-오프되어 있다. 이로 인하여, 후단 스테이지(STn-2)의 캐리 신호(Cn+2)는 게이트 오프 전압(Voff1)에서 플로팅된 상태이다.In the third period t3, since the gate-on voltage Von of the front-end carry signal Cn and the gate-low voltage Voff1 of the clock signal CLKn + 2 are supplied to the rear stage STn-2, the above In the same manner as the operation of the front end stage STn in the first period t1, the Q2 node is precharged with the on voltage. Since the QB_ODD node and the QB_EVEN node are in an off voltage state, the pull-down transistors Tpd11, Tpd12, Tpd21, Tpd22 of the rear stage STn-2 are turned off. For this reason, the carry signal Cn + 2 of the rear stage STn-2 is floating at the gate-off voltage Voff1.

이때, 후단 스테이지(STn-2)의 Q2 노드가 프리차징되면서 제2 풀-업 트랜지스터(Tpd21)의 기생 커패시턴스(Cgs)에 의해 플로팅 상태인 캐리 신호(Cn+2)의 게이트 로우 전압(Voff1)인 비정상적으로 상승함으로써 도 5a에 나타낸 바와 같이 캐리 신호(Cn+2)의 멀티 출력이 발생할 수 있다.At this time, the gate low voltage Voff1 of the carry signal Cn + 2 floating by the parasitic capacitance Cgs of the second pull-up transistor Tpd21 while the Q2 node of the rear stage STn-2 is precharged. When the phosphorus rises abnormally, a multi-output of the carry signal Cn + 2 may occur as shown in FIG. 5A.

그러나, 본 발명에서는 후단 스테이지(STn-2)에 안정화 트랜지스터(T6)를 추가로 구비하여, Q2 노드가 프리차징되는 제3 기간(t3)에서 전단 스테이지(STn)에 공급되는 이전단 캐리 신호(Cn)에 의해 안정화 트랜지스터(T6)가 턴-온됨으로써, 제2 출력 노드(N2)의 캐리 신호(Cn+2)로 도 5b에 나타낸 바와 같이 제1 저전위 전원(VSS1)가 안정적으로 공급된다. 이 결과, 후단 스테이지(STn-2)는 Q2 노드가 프리차징되더라도 안정화 스위치(T6)에 의해 도 5b와 같이 캐리 신호(Cn+2)의 게이트 로우 전압(Voff1)을 안정적으로 유지할 수 있으므로 캐리 신호의 멀티출력을 개선할 수 있다.However, in the present invention, the stabilizing transistor T6 is additionally provided in the rear stage STn-2, so that the previous stage carry signal supplied to the front stage STn in the third period t3 when the Q2 node is precharged ( When the stabilization transistor T6 is turned on by Cn), the first low potential power supply VSS1 is stably supplied as the carry signal Cn + 2 of the second output node N2 as shown in FIG. 5B. . As a result, the rear stage STn-2 is able to stably maintain the gate low voltage Voff1 of the carry signal Cn + 2 as shown in FIG. 5B by the stabilization switch T6 even when the Q2 node is precharged. Can improve the multi output of.

제4 기간( t4 ) 에 있어서, 이전단 캐리 신호(Cn-2)가 게이트 오프 전압(Voff1)로 공급되어 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프되고, 이 결과 Q1 노드는 클럭 신호(CLKn)의 게이트 온 전압(Von)에 따라 증폭된 온 전압 상태로 플로팅됨으로써, 턴-온 상태를 유지하는 전단 스테이지(STn)의 제1 및 제2 풀업 트랜지스터(Tup1, Tup2)를 통해 스캔 신호(Vout(n)) 및 캐리 신호(Cn)는 클럭 신호(CLKn)의 게이트 온 전압(Von)을 유지한다.In the fourth time period (t4), the previous stage is a carry signal (Cn-2) supplied to the gate-off voltage (Voff1) the first transistor (T1) is turned off, the result Q1 node clock signal (CLKn) Floating by the amplified on-voltage state according to the gate-on voltage Von of the scan signal Vout () through the first and second pull-up transistors Tup1 and Tup2 of the front stage STn maintaining the turn-on state. n)) and the carry signal Cn maintain the gate-on voltage Von of the clock signal CLKn.

QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드의 오프 전압에 의해 풀-다운 트랜지스터들(Tpd11, Tpd12, Tpd21, Tpd22)은 턴-오프를 유지한다.The pull-down transistors Tpd11, Tpd12, Tpd21, Tpd22 are turned off by the off voltages of the QB_ODD node and the QB_EVEN node.

제4 기간(t4)에서 후단 스테이지(STn-2)에는 전단 캐리 신호(Cn)의 게이트 온 전압(Von)과, 클럭 신호(CLKn+2)의 게이트 로우 전압(Voff1)이 공급되므로, 후단 스테이지(STn-2)는 상기 제2 기간(t2)에서의 전단 스테이지(STn)과 동일하게 동작하여 게이트 오프 전압(Voff1)의 스캔 신호(Vout(n+2) 및 캐리 신호(Cn+2)를 출력한다.In the fourth period t4, since the gate-on voltage Von of the front-end carry signal Cn and the gate low voltage Voff1 of the clock signal CLKn + 2 are supplied to the rear-stage STn-2, the rear-stage stage (STn-2) operates in the same manner as the front end stage STn in the second period t2 to scan the scan signal Vout (n + 2) and the carry signal Cn + 2 of the gate-off voltage Voff1. Output.

제5 기간( t5 ) 에 있어서, 전단 스테이지(STn)의 Q1 노드는 상기 제4 기간(t4)과 동일하게 증폭된 온 전압의 플로팅 상태를 유지함으로써, 전단 스테이지(STn)의 스캔 신호(Vout(n)) 및 캐리 신호(Cn)는 상기 제4 기간(t4)과 동일하게 클럭 신호(CLKn)의 게이트 온 전압(Von)을 유지한다. In the fifth period ( t5 ) , the Q1 node of the front stage STn maintains a floating state of the amplified on voltage in the same manner as the fourth period t4, so that the scan signal Vout () of the front stage STn is maintained. n)) and the carry signal Cn maintain the gate-on voltage Von of the clock signal CLKn as in the fourth period t4.

제5 기간(t5)에서 후단 스테이지(STn-2)는 상기 제3 기간(t3)에서의 전단 스테이지(STn)와 동일하게 동작하여 클럭 신호(CLKn+2)의 게이트 온 전압(Von)을 갖는 스캔 신호(Vout(n+2) 및 캐리 신호(Cn+2)를 출력한다.In the fifth period t5, the rear stage STn-2 operates in the same manner as the previous stage STn in the third period t3 and has a gate-on voltage Von of the clock signal CLKn + 2. The scan signal Vout (n + 2) and the carry signal Cn + 2 are output.

제6 기간( t6 ) 에 있어서, 전단 스테이지(STn)의 Q1 노드가 온 전압의 플로팅 상태이고, 클럭 신호(CLKn)에는 게이트 오프 전압(Voff1)이 공급됨으로써, 제1 및 제2 풀업 트랜지스터(Tup1, Tup2)를 통해 클럭 신호(CLKn)의 게이트 오프 전압(Voff1)이 스캔 신호(Vout(n)) 및 캐리 신호(Cn)로 각각 출력된다. 그리고, 플로팅 상태인 Q1 노드는 클럭 신호(CLKn)의 게이트 오프 전압(Voff1)을 따라 방전되어간다. In the sixth period t6 , the Q1 node of the front end stage STn is in a floating state of the on voltage, and the gate off voltage Voff1 is supplied to the clock signal CLKn, so that the first and second pull-up transistors Tup1 , The gate-off voltage Voff1 of the clock signal CLKn is output to the scan signal Vout (n) and the carry signal Cn through Tup2, respectively. Then, the floating Q1 node is discharged along the gate-off voltage Voff1 of the clock signal CLKn.

제6 기간(t6)에서 후단 스테이지(STn-2)는 상기 제4 기간(t4)에서의 전단 스테이지(STn)와 동일하게 동작하여 게이트 온 전압(Von)의 스캔 신호(Vout(n+2)) 및 캐리 신호(Cn+2)를 출력한다.In the sixth period t6, the rear stage STn-2 operates in the same manner as the previous stage STn in the fourth period t4, and thus the scan signal Vout (n + 2) of the gate-on voltage Von. ) And carry signal (Cn + 2).

제7 기간( t7 ) 에 있어서, 다다음단 스테이지로부터의 캐리 신호(Cn+4)에 의해 전단 스테이지(STn)는 리셋되어 게이트 오프 전압(Voff1)의 스캔 신호(Vout(n)) 및 캐리 신호(Cn)를 각각 출력하고, 후단 스테이지(STn-2)는 상기 제5 기간(t5)에서의 전단 스테이지(STn)와 동일하게 동작하여 게이트 온 전압(Von)의 스캔 신호(Vout(n+2)) 및 캐리 신호(Cn+2)를 출력한다.In the seventh period (t7), the next scan signal (Vout (n)) of the front end stage (STn) is reset gate-off voltage (Voff1) by the carry signals (Cn + 4) from the single stage and a carry signal Each of (Cn) is output, and the rear stage STn-2 operates in the same manner as the previous stage STn in the fifth period t5 to scan signal Vout (n + 2) of the gate-on voltage Von. )) And carry signal (Cn + 2).

제7 기간(t7) 이후에 Q1, Q2 노드가 모두 오프 전압로 방전되므로 제4-3 트랜지스터(T43_O, T43_E), 제4-4 트랜지스터(T44_O, T44_E)가 오프되고, 이에 따라 턴-온된 제4-1 트랜지스터(T41_O, T41_E)를 통해 QB 노드(QB_ODD, QB_EVEN)가 온 전압로 충전되므로, 턴-온된 풀다운 트랜지스터들(Tpd11, Tpd12, Tpd21, Tpd22)을 통해 전단 스테이지(STn)의 스캔 신호(Vout(n)) 및 캐리 신호(Cn)와, 후단 스테이지(STn+2)의 스캔 신호(Vout(n+2)) 및 캐리 신호(Cn+2)는 게이트 오프 전압(Voff1, Voff2)을 유지한다.Since the Q1 and Q2 nodes are discharged to the off voltage after the seventh period t7, the fourth-3 transistors T43_O, T43_E and the fourth-4 transistors T44_O, T44_E are turned off, and accordingly, the turned-on node Since the QB node (QB_ODD, QB_EVEN) is charged to the on voltage through the 4-1 transistors (T41_O, T41_E), the scan signal of the front end stage (STn) through the turned-on pull-down transistors (Tpd11, Tpd12, Tpd21, Tpd22) (Vout (n)) and the carry signal Cn, and the scan signal Vout (n + 2) and the carry signal Cn + 2 of the rear stage STn + 2 determine the gate-off voltages Voff1 and Voff2. To maintain.

이때, 프레임 단위로 고전위를 교번하는 오드 교류 전원(VDD_O) 및 이븐 교류 전원(VDD_E)에 의해 QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드가 프레임마다 교번하면서 온 전압이 되므로 제1-1, 2-1 풀다운 트랜지스터(Tpd11, Tpd21)와, 제1-2, 2-2 풀다운 트랜지스터(Tpd12, Tpd22)는 프레임마다 교번적으로 구동됨으로써 풀다운 트랜지스터들(Tpd11, Tpd12, Tpd21, Tpd22)의 스트레스로 인한 특성 변화를 최소화할 수 있다.At this time, since the QB_ODD node and the QB_EVEN node alternately for each frame by the alternating current alternating power (VDD_O) and even alternating power (VDD_E) alternating high potentials in units of frames, the 1-1, 2-1 pulldown transistor ( Tpd11, Tpd21, and the 1-2, 2-2 pull-down transistors Tpd12, Tpd22 are alternately driven for each frame to minimize characteristic changes due to stress of the pull-down transistors Tpd11, Tpd12, Tpd21, Tpd22. You can.

도 5a 및 도 5b는 도 3에 나타낸 후단 스테이지(STn+2)에 안정화 트랜지스터(T6)가 적용되기 이전과 이후의 캐리 신호(Cn+2)를 비교하여 나타낸 파형도이다.5A and 5B are waveform diagrams comparing and comparing carry signals Cn + 2 before and after the stabilization transistor T6 is applied to the rear stage STn + 2 shown in FIG. 3.

도 5a를 참조하면, 후단 스테이지(STn+2)에 안정화 트랜지스터(T6)가 적용되지 않은 경우, t3 기간에서 후단 스테이지(STn-2)의 캐리 신호(Cn+2)는 게이트 오프 전압(Voff1)에서 플로팅된 상태이므로, Q2 노드가 프리차징 및 풀-업 트랜지스터(Tpd21)의 기생 커패시턴스(Cgs)에 의해 캐리 신호(Cn+2)의 게이트 로우 전압(Voff1)이 비정상적으로 상승하여 캐리 신호(Cn+2)의 멀티 출력이 발생함을 알 수 있다.Referring to FIG. 5A, when the stabilization transistor T6 is not applied to the rear stage STn + 2, the carry signal Cn + 2 of the rear stage STn-2 in the period t3 is the gate-off voltage Voff1. In the floating state, the gate low voltage Voff1 of the carry signal Cn + 2 is abnormally raised by the Q2 node due to the parasitic capacitance Cgs of the precharging and pull-up transistor Tpd21, and thus the carry signal Cn It can be seen that multi-output of +2) occurs.

도 5b를 참조하면, 본 발명에서 후단 스테이지(STn-2)에 안정화 트랜지스터(T6)가 적용된 경우, t3 기간에서 이전단 캐리 신호(Cn)에 의해 턴-온된 안정화 트랜지스터(T6)에 의해 제2 출력 노드(N2)에 제1 저전위 전원(VSS1)이 안정적으로 공급됨으로써, Q2 노드가 프리차징되더라도 캐리 신호(Cn+2)는 게이트 로우 전압(Voff1)을 안정적으로 유지하여 캐리 신호의 멀티출력이 개선되었음을 알 수 있다.Referring to FIG. 5B, when the stabilization transistor T6 is applied to the rear stage STn-2 in the present invention, the second is performed by the stabilization transistor T6 turned on by the previous stage carry signal Cn in a period t3. Since the first low potential power supply VSS1 is stably supplied to the output node N2, even if the Q2 node is precharged, the carry signal Cn + 2 maintains the gate low voltage Voff1 stably to multi-output the carry signal. It can be seen that this has been improved.

도 6은 도 3에 나타낸 후단 스테이지(STn+2)에 안정화 트랜지스터(T6)가 적용되기 이전과 이후의 Q 노드 전위를 비교하여 나타낸 파형도이다.FIG. 6 is a waveform diagram showing a comparison of Q node potentials before and after the stabilization transistor T6 is applied to the rear stage STn + 2 shown in FIG. 3.

구체적으로, 도 6은 후단 스테이지(STn+2)에서 출력된 캐리 신호(Cn+2)가 방전 제어 신호로 인가되는 전전단 스테이지(STn-2)의 Q2 노드 전위와, 그 전전단 스테이지(STn-2)와 QB 노드를 공유하는 스테이지(STn-4)의 Q1 노드 전위를 나타낸 것이다.Specifically, FIG. 6 shows the Q2 node potential of the preceding stage STn-2 to which the carry signal Cn + 2 output from the rear stage STn + 2 is applied as a discharge control signal, and the preceding stage STn. -2) shows the Q1 node potential of the stage (STn-4) sharing the QB node.

도 6을 참조하면, 후단 스테이지(STn+2)에 안정화 트랜지스터(T6)가 적용되지 않은 경우, 전술한 바와 같이 그 후단 스테이지(STn+2)의 Q2 노드가 프리차징할 때 후단 스테이지(STn+2)에서 출력되는 캐리 신호(Cn+2)에 멀티 출력이 발생하고, 그 캐리 신호(Cn+2)의 멀티 출력은 그 캐리 신호(Cn+2)가 방전용 제어 신호로 인가되는 전전단 스테이지(STn-2)의 Q2 노드에 영향을 줌으로써 그 전전단 스테이지(STn-2)의 Q2 노드 전위가 손실되었음을 알 수 있다.Referring to FIG. 6, when the stabilization transistor T6 is not applied to the rear stage STn + 2, as described above, when the Q2 node of the subsequent stage STn + 2 precharges, the rear stage STn + A multi-output occurs in the carry signal Cn + 2 output from 2), and the multi-output of the carry signal Cn + 2 is a front-end stage in which the carry signal Cn + 2 is applied as a discharge control signal. By influencing the Q2 node of (STn-2), it can be seen that the potential of the Q2 node of the preceding stage STn-2 is lost.

그러나, 본 발명에서 후단 스테이지(STn-2)에 안정화 트랜지스터(T6)가 적용된 경우, 후단 스테이지(STn+2)에서 출력되는 캐리 신호(Cn+2)가 멀티 출력없이 게이트 오프 전압로 안정화됨으로써 그 캐리 신호(Cn+2)가 인가되는 전전단 스테이지(STn-2)에서는 Q2 노드 전위가 전압 손실없이 안정화됨을 알 수 있다. 따라서, 전전단 스테이지(STn-2)의 Q2 노드와, 그 전전단 스테이지(STn-2)와 QB 노드를 공유하는 스테이지(STn-4)의 Q1 노드 사이의 전압 편차를 방지할 수 있음을 알 수 있다.However, when the stabilization transistor T6 is applied to the rear stage STn-2 in the present invention, the carry signal Cn + 2 output from the rear stage STn + 2 is stabilized by the gate-off voltage without multi-output, thereby In the front-end stage STn-2 to which the carry signal Cn + 2 is applied, it can be seen that the Q2 node potential is stabilized without voltage loss. Therefore, it is understood that the voltage deviation between the Q2 node of the front-end stage STn-2 and the Q1 node of the stage STn-4 sharing the front-end stage STn-2 and the QB node can be prevented. You can.

도 7은 도 3에 나타낸 후단 스테이지(STn+2)에 안정화 트랜지스터(T6)가 적용되기 이전과 이후의 QB 노드 전위를 비교하여 나타낸 파형도이다.7 is a waveform diagram showing a comparison of QB node potentials before and after the stabilization transistor T6 is applied to the rear stage STn + 2 shown in FIG. 3.

구체적으로, 구체적으로, 도 6은 후단 스테이지(STn+2)에서 출력된 캐리 신호(Cn+2)가 충전용 제어 신호로 인가되는 다음단 스테이지(STn+4)의 QB 노드 전위를 나타낸 것이다.Specifically, specifically, FIG. 6 shows the potential of the QB node of the next stage STn + 4 to which the carry signal Cn + 2 output from the rear stage STn + 2 is applied as a control signal for charging.

도 7을 참조하면, 후단 스테이지(STn+2)에 안정화 트랜지스터(T6)가 적용되지 않은 경우, 전술한 바와 같이 그 후단 스테이지(STn+2)의 Q2 노드가 프리차징할 때 후단 스테이지(STn+2)에서 출력되는 캐리 신호(Cn+2)에 멀티 출력이 발생하고, 그 캐리 신호(Cn+2)의 멀티 출력은 그 캐리 신호(Cn+2)가 충전용 제어 신호로 인가되는 다음단 스테이지(STn+4)에 영향을 줌으로써 그 다음단 스테이지(STn+4)에서 QB 노드의 전위가 손실됨을 알 수 있다.Referring to FIG. 7, when the stabilizing transistor T6 is not applied to the rear stage STn + 2, as described above, when the Q2 node of the subsequent stage STn + 2 precharges, the rear stage STn + Multi-output occurs in the carry signal (Cn + 2) output from 2), and the multi-output of the carry signal (Cn + 2) is the next stage where the carry signal (Cn + 2) is applied as a charging control signal. By influencing (STn + 4), it can be seen that the potential of the QB node is lost in the next stage STn + 4.

그러나, 본 발명에서 후단 스테이지(STn-2)에 안정화 트랜지스터(T6)가 적용된 경우, 후단 스테이지(STn+2)에서 출력되는 캐리 신호(Cn+2)가 멀티 출력없이 게이트 오프 전압로 안정화됨으로써 그 캐리 신호(Cn+2)가 충전용 제어 신호로 인가되는 다음단 스테이지(STn+4)에서는 QB 노드 전위가 전압 손실없이 안정화됨을 알 수 있다.However, when the stabilization transistor T6 is applied to the rear stage STn-2 in the present invention, the carry signal Cn + 2 output from the rear stage STn + 2 is stabilized by the gate-off voltage without multi-output, thereby It can be seen that the QB node potential is stabilized without voltage loss in the next stage stage STn + 4 where the carry signal Cn + 2 is applied as a charging control signal.

도 8은 도 3에 나타낸 후단 스테이지(STn+2)에서 제2 풀업 트랜지스터(Tup2)의 채널폭 크기에 따른 Q2 노드의 전위를 나타낸 도면이다.FIG. 8 is a diagram showing the potential of the Q2 node according to the channel width size of the second pull-up transistor Tup2 in the rear stage STn + 2 shown in FIG. 3.

도 8을 참조하면, 후단 스테이지(STn-2)에 안정화 트랜지스터(T6)가 적용된 경우, 후단 스테이지(STn+2)에서 제2 풀업 트랜지스터(Tup2)의 채널폭의 크기가 350㎛ 이상일 때 Q2 노드의 고전위(52.1V)가 전단 스테이지(STn)의 Q1 노드의 고전위(52.3V)와 유사해짐을 알 수 있다.Referring to FIG. 8, when the stabilizing transistor T6 is applied to the rear stage STn-2, the Q2 node when the channel width of the second pull-up transistor Tup2 in the rear stage STn + 2 is 350 μm or more It can be seen that the high potential (52.1V) of is similar to the high potential (52.3V) of the Q1 node of the front end stage (STn).

이와 같이, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터 및 그를 이용한 표시 장치는 QB 노드를 공유하는 스테이지 중 후단 스테이지에 Q2 노드가 프리차징될 때 캐리 신호에 게이트 오프 전압을 인가하는 안정화 트랜지스터를 추가함으로써 캐리 신호가 안정적인 게이트 오프 전압을 유지하므로 캐리 신호의 멀티 출력을 방지할 수 있다.In this way, the shift register according to the present invention and the display device using the same are stable in the carry signal by adding a stabilizing transistor that applies a gate-off voltage to the carry signal when the Q2 node is precharged to the rear stage among the stages sharing the QB node. Since the gate-off voltage is maintained, multiple outputs of the carry signal can be prevented.

이에 따라, 본 발명은 캐리 신호를 제어 신호로 이용하는 다른 스테이지에서 비정상적인 캐리 신호로 인한 전압 손실을 방지함으로써 전단 및 후단 스테이지에 의해 구동되는 게이트 라인간의 전압 편차를 방지하고 그로 인한 플리커 등을 방지하여 화질을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the present invention prevents voltage deviation due to abnormal carry signals in other stages using a carry signal as a control signal, thereby preventing voltage deviation between the gate lines driven by the front and rear stages, and preventing flicker and the like, thereby improving image quality. Improve it.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Through the above description, those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications are possible without departing from the technical idea of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be determined by the claims.

100: 표시 패널 110: 표시 영역
120: 게이트 드라이버 130: 데이터 드라이버
140: 타이밍 컨트롤러 150: 레벨 쉬프터
DL: 데이터 라인 GL#: 게이트 라인
SR: 쉬프트 레지스터 ST#: 스테이지
C#: 캐리 신호 Vout(#): 스캔 신호
10: 제어부 20: 캐리 출력부
30: 스캔 출력부 12: Q 노드 충전부
14: Q 노드 방전부 16_O, 16_E: QB 노드 충전부
18_O, 18_E: QB 노드 방전부
100: display panel 110: display area
120: gate driver 130: data driver
140: timing controller 150: level shifter
DL: Data line GL #: Gate line
SR: Shift register ST #: Stage
C #: Carry signal Vout (#): Scan signal
10: control unit 20: carry output unit
30: scan output 12: Q node charging
14: Q node discharge unit 16_O, 16_E: QB node charging unit
18_O, 18_E: QB node discharge

Claims (7)

다수의 스캔 신호 및 캐리 신호를 순차적으로 출력하는 다수의 스테이지를 구비하고;
상기 다수의 스테이지는 QB 노드를 서로 공유하는 2개 단위로 그룹핑되고;
상기 QB 노드를 서로 공유하는 한 쌍의 스테이지는 전단 스테이지와 후단 스테이지를 구비하고;
상기 전단 및 후단 스테이지 각각은
Q 노드의 제어에 응답하여 입력 클럭 신호를 캐리 신호로 출력하고, QB 노드의 제어에 응답하여 제1 게이트 오프 전압을 상기 캐리 신호로 출력하는 캐리 출력부와;
상기 Q 노드의 제어에 응답하여 상기 입력 클럭 신호를 스캔 신호로 출력하고, 상기 QB 노드의 제어에 응답하여 제2 게이트 오프 전압을 상기 스캔 신호로 출력하는 스캔 출력부와;
이전단 스테이지들 중 하나로부터 출력되는 캐리 신호를 이용한 충전 제어 신호에 응답하여 상기 Q 노드를 충전시키는 Q 노드 충전부와;
다음단 스테이지들 중 하나로부터 출력되는 캐리 신호를 이용한 방전 제어 신호의 제어에 응답하여 상기 Q 노드를 방전시키는 Q 노드 방전부를 구비하고;
상기 전단 및 후단 스테이지가 공유하는 QB 노드는 프레임마다 교번적으로 구동되는 QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드를 포함하고;
상기 전단 및 후단 스테이지 중 하나의 스테이지는 상기 전단 및 후단 스테이지의 Q 노드의 제어에 응답하여 상기 QB_ODD 노드를 충전시키는 QB_ODD 충전부 및 상기 QB_ODD 노드를 방전시키는 QB_ODD 방전부를 더 구비하고;
상기 전단 및 후단 스테이지 중 다른 스테이지는 상기 전단 및 후단 스테이지의 Q 노드의 제어에 응답하여 상기 QB_EVEN 노드를 충전시키는 QB_EVEN 충전부 및 상기 QB_EVEN 노드를 방전시키는 QB_EVEN 방전부를 더 구비하며;
상기 후단 스테이지는 안정화 스위치를 추가로 구비하고, 상기 안정화 스위치는 상기 전단 스테이지의 Q 노드 충전부에 인가되는 상기 충전 제어 신호에 의해 제어되고, 상기 후단 스테이지의 Q 노드가 프리차징될 때 상기 후단 스테이지의 캐리 신호로 상기 제1 게이트 오프 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
A plurality of stages sequentially outputting a plurality of scan signals and carry signals;
The multiple stages are grouped into two units that share QB nodes with each other;
The pair of stages sharing the QB nodes with each other has a front stage and a rear stage;
Each of the front and rear stages is
A carry output unit outputting an input clock signal as a carry signal in response to control of the Q node, and outputting a first gate-off voltage as the carry signal in response to control of the QB node;
A scan output unit outputting the input clock signal as a scan signal in response to control of the Q node, and outputting a second gate-off voltage as the scan signal in response to control of the QB node;
A Q node charging unit charging the Q node in response to a charge control signal using a carry signal output from one of the previous stages;
A Q node discharge unit for discharging the Q node in response to control of a discharge control signal using a carry signal output from one of the next stage stages;
The QB nodes shared by the front and rear stages include QB_ODD nodes and QB_EVEN nodes that are alternately driven for each frame;
One of the front and rear stages further includes a QB_ODD charging unit for charging the QB_ODD node and a QB_ODD discharge unit for discharging the QB_ODD node in response to control of the Q node of the front and rear stages;
The other stages of the front and rear stages further include a QB_EVEN charging unit for charging the QB_EVEN node and a QB_EVEN discharge unit for discharging the QB_EVEN node in response to control of the Q node of the front and rear stages;
The rear stage further includes a stabilization switch, and the stabilization switch is controlled by the charging control signal applied to the Q node charging portion of the front stage, and when the Q node of the rear stage is precharged, A shift register, characterized in that the first gate-off voltage is supplied with a carry signal.
청구항 1에 있어서,
상기 스캔 출력부는
해당 스테이지의 Q 노드의 제어에 의해 해당 스테이지의 입력 클럭 신호를 해당 스테이지의 스캔 신호로 출력하는 제1 풀업 트랜지스터와;
상기 QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드 각각의 제어에 의해 상기 제2 게이트 오프 전압을 해당 스테이지의 스캔 신호로 출력하는 제1-1 및 제1-2 풀다운 트랜지스터를 구비하고;
상기 캐리 출력부는
해당 스테이지의 Q 노드의 제어에 의해 해당 스테이지의 입력 클럭 신호를 해당 스테이지의 캐리 신호로 출력하는 제2 풀업 트랜지스터와;
상기 QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드 각각의 제어에 의해 상기 제1 게이트 오프 전압을 해당 스테이지의 캐리 신호로 출력하는 제2-1 및 제2-2 풀다운 트랜지스터를 구비하고;
상기 후단 스테이지의 안정화 스위치는 상기 후단 스테이지의 제2-1 및 제2-2 풀다운 트랜지스터의 출력 노드에 상기 제1 게이트 오프 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
The scan output unit
A first pull-up transistor that outputs an input clock signal of the corresponding stage as a scan signal of the corresponding stage under control of a Q node of the corresponding stage;
And a 1-1 and 1-2 pull-down transistor configured to output the second gate-off voltage as a scan signal of a corresponding stage under control of each of the QB_ODD node and QB_EVEN node;
The carry output unit
A second pull-up transistor that outputs an input clock signal of the corresponding stage as a carry signal of the corresponding stage under control of a Q node of the corresponding stage;
And 2-1 and 2-2 pull-down transistors outputting the first gate-off voltage as a carry signal of a corresponding stage under control of each of the QB_ODD node and the QB_EVEN node;
The shift register of the post-stage stabilization switch is characterized in that it supplies the first gate-off voltage to the output node of the 2-1 and 2-2 pull-down transistors of the rear stage.
청구항 1에 있어서,
상기 Q 노드 충전부는
상기 충전 제어 신호의 제어에 의해 게이트 온 전압을 상기 Q 노드로 공급하는 제1 트랜지스터를 구비하고;
상기 Q 노드 방전부는
상기 방전 제어 신호의 제어에 의해 상기 제1 게이트 오프 전압을 상기 Q 노드로 공급하는 제3-1 트랜지스터와;
상기 QB_ODD 노드 및 QB_EVEN 노드 각각의 제어에 의해 상기 제1 게이트 오프 전압을 상기 Q 노드로 공급하는 제3-2 및 제3-3 트랜지스터를 구비하거나;
외부의 리셋 신호에 응답하여 상기 제1 게이트 오프 전압을 상기 Q 노드로 공급하는 제3-4 트랜지스터를 상기 제3-1, 제3-2, 제3-3 트랜지스터와 함께 구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
The Q node charging unit
A first transistor supplying a gate-on voltage to the Q node under control of the charge control signal;
The Q node discharge unit
A 3-1 transistor supplying the first gate-off voltage to the Q node under control of the discharge control signal;
3-3 and 3-3 transistors for supplying the first gate-off voltage to the Q node under control of each of the QB_ODD node and the QB_EVEN node;
And a 3-4 transistor for supplying the first gate-off voltage to the Q node in response to an external reset signal together with the 3-1, 3-2, and 3-3 transistors. Shift register.
청구항 1에 있어서,
상기 QB_ODD 충전부 및 상기 QB_EVEN 충전부 각각은
교류 게이트 온 전압을 QB_ODD 또는 QB_EVEN 노드로 공급하는 제4-1 트랜지스터와;
상기 교류 게이트 온 전압을 공급하는 공급 라인과 상기 제4-1 트랜지스터의 제어 노드 사이에 다이오드 타입으로 접속된 제4-2 트랜지스터와;
해당 스테이지의 Q 노드의 제어에 의해 상기 제1 게이트 오프 전압을 상기 제어 노드로 공급하는 제4-3 트랜지스터와;
상기 한 쌍의 스테이지 중 해당 스테이지를 제외한 다른 스테이지의 Q 노드의 제어에 의해 상기 제1 게이트 오프 전압을 상기 제어 노드로 공급하는 제4-4 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
Each of the QB_ODD charging unit and the QB_EVEN charging unit
A 4-1 transistor supplying an AC gate-on voltage to the QB_ODD or QB_EVEN node;
A 4-2 transistor connected in a diode type between a supply line supplying the AC gate-on voltage and a control node of the 4-1 transistor;
A 4-3 transistor supplying the first gate-off voltage to the control node under the control of the Q node of the corresponding stage;
And a 4-4 transistor for supplying the first gate-off voltage to the control node under the control of a Q node of a stage other than the corresponding stage among the pair of stages.
청구항 1에 있어서,
상기 QB_ODD 방전부 및 상기 QB_EVEN 방전부 각각은
상기 전단 스테이지에 인가되는 충전 제어 신호에 응답하여 상기 제1 게이트 오프 전압을 상기 QB_ODD 또는 QB_EVEN 노드로 공급하는 제5-1 트랜지스터와;
해당 스테이지의 Q 노드의 제어에 의해 상기 제1 게이트 오프 전압을 상기 QB_ODD 또는 QB_EVEN 노드로 공급하는 제5-2 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
Each of the QB_ODD discharge section and the QB_EVEN discharge section
A 5-1 transistor supplying the first gate-off voltage to the QB_ODD or QB_EVEN node in response to a charge control signal applied to the front stage;
And a 5-2 transistor for supplying the first gate-off voltage to the QB_ODD or QB_EVEN node under the control of the Q node of the corresponding stage.
청구항 1에 있어서,
상기 안정화 스위치의 턴-온 기간은, 상기 후단 스테이지의 캐리 신호가 게이트 온 전압을 출력하기 이전에, 상기 후단 스테이지의 Q 노드 충전부가 상기 전단 스테이지의 캐리 신호에 응답하여 상기 후단 스테이지의 Q 노드를 프리차징하는 기간과 오버랩하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
In the turn-on period of the stabilization switch, before the carry signal of the rear stage outputs the gate-on voltage, the Q node charging unit of the rear stage responds to the carry signal of the front stage to set the Q node of the rear stage. A shift register characterized by overlapping with a precharging period.
청구항 1 내지 6 중 어느 한 청구항에 있어서,
상기 쉬프트 레지스터를 이용하여 표시 패널의 게이트 라인을 구동하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
The method according to claim 1,
A display device driving the gate line of the display panel using the shift register.
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