KR102053614B1 - Quantum dot led lighting and manufacturing equipment - Google Patents

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Abstract

Disclosed are a quantum dot LED lighting and a manufacturing device thereof. The quantum dot LED lighting comprises: an LED (220) mounted on a PCB board (210); a silicone (230) spread onto the LED (220) and UV cured to diffuse LED (220) heat; and a quantum dot (240) spread onto the silicone (230) and UV cured to change characteristics of LED (220) light. Therefore, deformation of the quantum dot (240) is prevented by diffusing the LED (220) heat. The characteristics of the LED (220) light can be changed by the quantum dot (240). Color of the LED (220) light can be adjusted by adding a quantum dot sheet (250). Moreover, a thickness of the silicone (230) can be adjusted in accordance with heat diffusion characteristics for the LED (220) and a thickness of the quantum dot (240) can be adjusted in accordance with a characteristic change of the LED (220) light.

Description

퀀텀닷 LED 조명 및 제조 장치{QUANTUM DOT LED LIGHTING AND MANUFACTURING EQUIPMENT}QUANTUM DOT LED LIGHTING AND MANUFACTURING EQUIPMENT

본 발명은 퀀텀닷 LED 조명 및 제조 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 LED(220) 조명을 퀀텀닷(240)을 이용하여 광 특성을 변환하는 퀀텀닷 LED 조명 및 제조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a quantum dot LED lighting and manufacturing apparatus, and more particularly to a quantum dot LED lighting and manufacturing apparatus for converting the light characteristics using the quantum dot 240 LED 220 light.

퀀텀닷(240)은 실리콘(230) 위에 도포되고 UV 경화되어 LED(220) 광의 특성을 변화시킨다. 퀀텀닷(240)은 지름 수십 나노미터(㎚, 1㎚는 10억분의 1m) 이하의 반도체 결정물질로 특이한 전기적·광학적 성질을 지니는 입자를 말한다.　워낙 작다 보니 양자역학적인 독특한 특성을 가진다. 예를 들어 태양전지에서는 입자(양자점)의 크기에 따라 단파장부터 장파장에 이르는 태양광을 흡수할 수 있어 기존 태양전지보다 더 넓은 영역의 태양광을 받아들일 수 있다. 또한 이 결정에 전기를 통하게 하면 입자 크기에 따라 다른 길이의 빛 파장을 발생시켜 다양한 색을 낼 수 있으며 색 순도와 광 안정성도 높아 차세대 발광 소자로 주목받고 있다. 그러나 퀀텀닷(240)은 열에 약하여 LED(220) 조명에 사용된 퀀텀닷(240)이 열화로 광 변환 특성이 없어지는 문제점이 있다.Quantum dot 240 is applied over silicon 230 and UV cured to change the properties of LED 220 light. The quantum dot 240 is a semiconductor crystalline material having a diameter of several tens of nanometers (nm, 1 nm is one billionth of a meter) or less, and refers to particles having specific electrical and optical properties. It is so small that it has unique quantum mechanical properties. For example, solar cells can absorb sunlight from shorter wavelengths to longer wavelengths, depending on the size of the particles (quantum dots), and thus can receive sunlight in a wider area than conventional solar cells. In addition, when the crystal is electrically applied, light wavelengths of different lengths can be generated depending on the particle size, thereby producing various colors, and the color purity and light stability are high. However, since the quantum dot 240 is weak in heat, the quantum dot 240 used for the LED 220 illumination is deteriorated, and thus there is a problem in that the light conversion characteristic is lost.

등록번호: 10-1524726, LED 디스플레이 장치Registration Number: 10-1524726, LED display device

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, LED(220) 열에 의한 열화에 강하고 LED(220) 광의 연속성을 증가시키면서 다양한 색상의 광을 출력하는 퀀텀닷 LED 조명 및 제조 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a quantum dot LED lighting and manufacturing apparatus that is resistant to degradation due to LED 220 heat and outputs light of various colors while increasing the continuity of the LED 220 light. .

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, PCB 기판(210)에 실장된 LED(220); LED(220) 위에 도포되고 UV 경화되어 LED(220) 열을 확산하는 실리콘(230); 및 실리콘(230) 위에 도포되고 UV 경화되어 LED(220) 광의 특성을 변화시키는 퀀텀닷(240)을 포함한다.The present invention for achieving the above object, LED 220 mounted on the PCB substrate 210; Silicon 230 applied over LED 220 and UV cured to diffuse LED 220 heat; And a quantum dot 240 applied on the silicon 230 and UV cured to change the properties of the LED 220 light.

또한, LED(220) 광의 색상을 조절하는 퀀텀닷 시트(250)를 더 포함하고, 실리콘(230)은 테두리에 퀀텀닷 시트(250)가 끼워지는 삽입홈을 가진다.In addition, the LED 220 further includes a quantum dot sheet 250 for adjusting the color of light, and the silicon 230 has an insertion groove into which the quantum dot sheet 250 is fitted to the edge.

또한, 실리콘(230) 대신 에폭시를 사용한다.In addition, an epoxy is used instead of the silicon 230.

또한, 실리콘(230) 액상을 저장하는 제1저장탱크(310); 퀀텀닷(240) 액상을 저장하는 제2저장탱크(320); PCB 기판(210)에 실장된 LED(220) 위에 제1저장탱크(310)의 실리콘(230)을 도포하고 UV 경화시키는 제1도포부(330); 및 실리콘(230) 위에 제2저장탱크(320)의 퀀텀닷(240)을 도포하고 UV 경화시키는 제2도포부(340)를 포함한다.In addition, the first storage tank 310 for storing the silicon 230 liquid phase; A second storage tank 320 storing the quantum dot 240 liquid phase; A first coating part 330 for coating and UV curing the silicon 230 of the first storage tank 310 on the LED 220 mounted on the PCB substrate 210; And a second coating part 340 for coating and UV curing the quantum dot 240 of the second storage tank 320 on the silicon 230.

또한, 제1도포부(330)는 LED(220)에 대한 열 확산 특성에 따라 실리콘(230)의 두께를 조절하고, 제2도포부(340)는 LED(220) 광의 특성 변화에 따라 퀀텀닷(240)의 두께를 조절한다.In addition, the first coating unit 330 adjusts the thickness of the silicon 230 according to the heat diffusion characteristics of the LED 220, the second coating unit 340 is quantum dot according to the change in the characteristics of the LED 220 light Adjust the thickness of 240.

또한, 제2도포부(340)는 LED(220) 광의 색상을 조절하는 퀀텀닷 시트(250)를 부가한다.In addition, the second coating unit 340 adds a quantum dot sheet 250 to adjust the color of the LED 220 light.

또한, 제1도포부(330)는 실리콘(230)의 두께를 설정하는 제1설정부(350)를 포함하고, 제2도포부(340)는 퀀텀닷(240)의 두께를 설정하는 제2설정부(360)를 포함한다.In addition, the first coating unit 330 includes a first setting unit 350 for setting the thickness of the silicon 230, the second coating unit 340 is a second for setting the thickness of the quantum dot 240 It includes a setting unit 360.

또한, 에폭시를 저장하는 제3저장탱크(370)를 더 포함하고, 제1도포부(330)는 PCB 기판(210)에 실장된 LED(220) 위에 실리콘(230) 대신 제3저장탱크(370)의 에폭시를 도포하고 UV 경화시킨다.In addition, further comprising a third storage tank 370 for storing the epoxy, the first coating unit 330 is a third storage tank 370 instead of the silicon 230 on the LED 220 mounted on the PCB substrate 210. ) Epoxy is applied and UV cured.

상기와 같은 본 발명에 따른 퀀텀닷 LED 조명 및 제조 장치를 이용할 경우에는 LED(220) 열을 확산시켜 퀀텀닷(240)의 변형을 막고, 퀀텀닷(240)으로 LED(220) 광의 특성을 변화시킬 수 있다.In the case of using the quantum dot LED lighting and manufacturing apparatus according to the present invention as described above to prevent the deformation of the quantum dot 240 by diffusing the LED 220 heat, change the characteristics of the LED 220 light to the quantum dot 240 You can.

또한, 퀀텀닷 시트(250)를 부가하여 LED(220) 광의 색상을 조절하는 장점이 있다.In addition, the quantum dot sheet 250 is added to control the color of the LED 220 light.

또한, LED(220)에 대한 열 확산 특성에 따라 실리콘(230)의 두께를 조절하고, LED(220) 광의 특성 변화에 따라 퀀텀닷(240)의 두께를 조절할 수 있다.In addition, the thickness of the silicon 230 may be adjusted according to the heat diffusion characteristic of the LED 220, and the thickness of the quantum dot 240 may be adjusted according to the change of the characteristics of the light of the LED 220.

도 1은 퀀텀닷 LED 조명의 구조를 보인 예시도이다.
도 2는 퀀텀닷 LED 조명의 다른 실시예를 보인 예시도이다.
도 3은 퀀텀닷 LED 조명의 제조 방법을 보인 공정도이다.
도 4는 퀀텀닷 LED 조명 제조 장치의 구성을 보인 블록도이다.
도 5는 퀀텀닷 LED 조명 제조 장치의 다른 실시예를 보인 블록도이다.
도 6은 퀀텀닷 LED 조명의 디밍 회로를 보인 예시도이다.1 is an exemplary view showing the structure of a quantum dot LED light.
Figure 2 is an exemplary view showing another embodiment of the quantum dot LED lighting.
3 is a process chart showing a method of manufacturing a quantum dot LED light.
4 is a block diagram showing the configuration of a quantum dot LED lighting manufacturing apparatus.
Figure 5 is a block diagram showing another embodiment of a quantum dot LED lighting manufacturing apparatus.
6 is an exemplary view illustrating a dimming circuit of a quantum dot LED light.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 퀀텀닷 LED 조명의 구조를 보인 예시도이다.1 is an exemplary view showing the structure of a quantum dot LED light.

LED(220)가 PCB 기판(210)에 실장된다. 청색 LED(220)가 실장된다. 청색 LED(220)는 다른 색상의 LED(220)에 비해 원가가 저렴해서 퀀텀닷 LED 조명을 제조하는데 적합하다. 청색 LED(220)가 사용되더라도, 퀀텀닷 LED 조명은 퀀텀닷(240)에 사용되는 입자 크기를 다르게 해서 백색광 또는 다른 색상의 광을 출력할 수 있다.The LED 220 is mounted on the PCB substrate 210. The blue LED 220 is mounted. The blue LED 220 is inexpensive compared to other colored LEDs 220 and is suitable for manufacturing quantum dot LED lighting. Although the blue LED 220 is used, the quantum dot LED light may output white light or light of a different color by varying the particle size used for the quantum dot 240.

실리콘(230)은 LED(220) 위에 도포되고 UV 경화되어 LED(220) 열을 확산한다. 실리콘(230) 대신 에폭시가 사용될 수 있다. 실리콘(230) 두께는 LED(220) 열을 확산시키는 정도에 따라 선택된다. LED(220) 열이 강할 경우 실리콘(230) 두께도 증가한다. 사용되는 실리콘(230)은 열 확산 소재를 포함해서 열 확산 특성을 좋게 할 수 있다.Silicon 230 is applied over LED 220 and UV cured to diffuse the LED 220 heat. Epoxy may be used instead of silicon 230. The silicon 230 thickness is selected depending on the extent to which the LED 220 heat is diffused. If the heat of the LED 220 is strong, the thickness of the silicon 230 also increases. The silicon 230 used may include a heat spreading material to improve heat spreading characteristics.

퀀텀닷(240)은 실리콘(230) 위에 도포되고 UV 경화되어 LED(220) 광의 특성을 변화시킨다. 퀀텀닷(240)은 지름 수십 나노미터(㎚, 1㎚는 10억분의 1m) 이하의 반도체 결정물질로 특이한 전기적·광학적 성질을 지니는 입자를 말한다.　워낙 작다 보니 양자역학적인 독특한 특성을 가진다. 예를 들어 태양전지에서는 입자(양자점)의 크기에 따라 단파장부터 장파장에 이르는 태양광을 흡수할 수 있어 기존 태양전지보다 더 넓은 영역의 태양광을 받아들일 수 있다. 또한 이 결정에 전기를 통하게 하면 입자 크기에 따라 다른 길이의 빛 파장을 발생시켜 다양한 색을 낼 수 있으며 색 순도와 광 안정성도 높아 차세대 발광 소자로 주목받고 있다.Quantum dot 240 is applied over silicon 230 and UV cured to change the properties of LED 220 light. The quantum dot 240 is a semiconductor crystalline material having a diameter of several tens of nanometers (nm, 1 nm is one billionth of a meter) or less, and refers to particles having specific electrical and optical properties. It is so small that it has unique quantum mechanical properties. For example, solar cells can absorb sunlight from shorter wavelengths to longer wavelengths, depending on the size of the particles (quantum dots), and thus can receive sunlight in a wider area than conventional solar cells. In addition, when the crystal is electrically applied, light wavelengths of different lengths can be generated depending on the particle size, thereby producing various colors, and the color purity and light stability are high.

도 2는 퀀텀닷 LED 조명의 다른 실시예를 보인 예시도이다.Figure 2 is an exemplary view showing another embodiment of the quantum dot LED lighting.

LED(220)가 PCB 기판(210)에 실장된다. 청색 LED(220)가 실장된다. 청색 LED(220)는 다른 색상의 LED(220)에 비해 원가가 저렴해서 퀀텀닷 LED 조명을 제조하는데 적합하다.The LED 220 is mounted on the PCB substrate 210. The blue LED 220 is mounted. The blue LED 220 is inexpensive compared to other colored LEDs 220 and is suitable for manufacturing quantum dot LED lighting.

실리콘(230)은 LED(220) 위에 도포되고 UV 경화되어 LED(220) 열을 확산한다. 실리콘(230) 대신 에폭시가 사용될 수 있다. 실리콘(230) 두께는 LED(220) 열을 확산시키는 정도에 따라 선택된다. LED(220) 열이 강할 경우 실리콘(230) 두께도 증가한다.Silicon 230 is applied over LED 220 and UV cured to diffuse the LED 220 heat. Epoxy may be used instead of silicon 230. The silicon 230 thickness is selected depending on the extent to which the LED 220 heat is diffused. If the heat of the LED 220 is strong, the thickness of the silicon 230 also increases.

퀀텀닷(240)은 실리콘(230) 위에 도포되고 UV 경화되어 LED(220) 광의 특성을 변화시킨다.Quantum dot 240 is applied over silicon 230 and UV cured to change the properties of LED 220 light.

퀀텀닷 시트(250)는 LED(220) 광의 색상을 조절한다. 퀀텀닷 시트(250)는 실리콘(230) 위에 도포된 퀀텀닷(240)에 부가로 장착되어 LED(220) 광의 색상을 조절할 수 있다. 퀀텀닷(240)에 사용되는 입자 크기에 따라 LED(220) 광의 색상을 조절할 수 있는데 퀀텀닷 시트(250)는 다른 색상이 요구될 때 부가 장착된다.The quantum dot sheet 250 adjusts the color of the LED 220 light. The quantum dot sheet 250 may be additionally mounted on the quantum dot 240 coated on the silicon 230 to adjust the color of the LED 220 light. The color of the LED 220 light can be adjusted according to the particle size used for the quantum dot 240. The quantum dot sheet 250 is additionally mounted when other colors are required.

실리콘(230)은 테두리에 퀀텀닷 시트(250)가 끼워지는 삽입홈을 가진다. 삽입홈은 퀀텀닷 시트(250)를 끼워 결합하는 역할을 한다. 삽입홈이 다수개 배열되어 여러 개의 퀀텀닷 시트(250)가 적층 끼워질 수 있다.The silicon 230 has an insertion groove into which the quantum dot sheet 250 is fitted to the edge. The insertion groove serves to fit the quantum dot sheet 250 by fitting. A plurality of insertion grooves may be arranged to stack a plurality of quantum dot sheets 250.

퀀텀닷 LED 조명은 실리콘(230) 대신 에폭시를 사용한다. 에폭시가 LED(220) 열을 확산하는 역할을 한다. 사용되는 에폭시로 투명과 열확산 특성이 좋은 소재가 사용될 수 있다.Quantum dot LED lighting uses epoxy instead of silicon 230. Epoxy serves to diffuse the heat of LED 220. As the epoxy used, a material having good transparency and thermal diffusion properties can be used.

도 3은 퀀텀닷 LED 조명의 제조 방법을 보인 공정도이다.3 is a process chart showing a method of manufacturing a quantum dot LED light.

LED(220)가 PCB 기판(210)에 실장된다. 제조 장치는 PCB 기판(210)에 실장된 LED(220)를 준비한다.The LED 220 is mounted on the PCB substrate 210. The manufacturing apparatus prepares the LED 220 mounted on the PCB substrate 210.

실리콘(230)은 LED(220) 위에 도포되고 UV 경화되어 LED(220) 열을 확산한다. 제조 장치는 LED(220) 위에 실리콘(230)을 도포하고 UV를 쬐어 경화시킨다.Silicon 230 is applied over LED 220 and UV cured to diffuse the LED 220 heat. The manufacturing apparatus applies silicon 230 over the LED 220 and cures by UV.

퀀텀닷(240)은 실리콘(230) 위에 도포되고 UV 경화되어 LED(220) 광의 특성을 변화시킨다. 제조 장치는 실리콘(230) 위에 퀀텀닷(240)을 도포하고 UV를 쬐어 경화시킨다.Quantum dot 240 is applied over silicon 230 and UV cured to change the properties of LED 220 light. The manufacturing apparatus applies the quantum dot 240 on the silicon 230 and cures by applying UV.

퀀텀닷 시트(250)는 LED(220) 광의 색상을 조절한다.The quantum dot sheet 250 adjusts the color of the LED 220 light.

실리콘(230)은 테두리에 퀀텀닷 시트(250)가 끼워지는 삽입홈을 가진다. 제조 장치는 경화된 실리콘(230)에 삽입홈을 가공할 수 있다. 제조 장치는 가공된 삽입홈에 퀀텀닷 시트(250)를 끼울 수 있다.The silicon 230 has an insertion groove into which the quantum dot sheet 250 is fitted to the edge. The manufacturing apparatus may process the insertion groove in the cured silicon (230). The manufacturing apparatus may fit the quantum dot sheet 250 into the processed insertion groove.

퀀텀닷 LED 조명은 실리콘(230) 대신 에폭시를 사용한다. 제조 장치는 실리콘(230) 대신 에폭시를 도포할 수 있다.Quantum dot LED lighting uses epoxy instead of silicon 230. The manufacturing apparatus may apply epoxy instead of silicon 230.

도 4는 퀀텀닷 LED 조명 제조 장치의 구성을 보인 블록도이다.4 is a block diagram showing the configuration of a quantum dot LED lighting manufacturing apparatus.

제1저장탱크(310)는 실리콘(230) 액상을 저장한다. 제1저장탱크(310)는 UV 경화되는 실리콘(230) 액상을 저장 보관한다. 제1저장탱크(310)는 실리콘(230) 액상을 제1도포부(330)에 제공한다.The first storage tank 310 stores the liquid silicon (230). The first storage tank 310 stores and stores the UV 230 liquid silicone cured. The first storage tank 310 provides the silicon 230 liquid phase to the first coating part 330.

제2저장탱크(320)는 퀀텀닷(240) 액상을 저장한다. 제2저장탱크(320)는 UV 경화되는 퀀텀닷(240) 액상을 저장 보관한다. 제2저장탱크(320)는 퀀텀닷(240) 액상을 제2도포부(340)에 제공한다.The second storage tank 320 stores the quantum dot 240 liquid phase. The second storage tank 320 stores and stores the liquid quantum dot 240 is UV cured. The second storage tank 320 provides the quantum dot 240 liquid phase to the second coating unit 340.

제1도포부(330)는 PCB 기판(210)에 실장된 LED(220) 위에 제1저장탱크(310)의 실리콘(230)을 도포하고 UV 경화시킨다. 제1도포부(330)는 LED(220) 위에 일정 두께로 실리콘(230)을 도포하고 UV를 쬐어 경화시킨다.The first coating unit 330 coats and UV-cures the silicon 230 of the first storage tank 310 on the LED 220 mounted on the PCB substrate 210. The first coating part 330 applies the silicon 230 to a predetermined thickness on the LED 220 and cures by UV.

제2도포부(340)는 실리콘(230) 위에 제2저장탱크(320)의 퀀텀닷(240)을 도포하고 UV 경화시킨다. 제2도포부(340)는 실리콘(230) 위에 일정 두께로 퀀텀닷(240)을 도포하고 UV를 쬐어 경화시킨다.The second coating part 340 coats the UV quantum dot 240 of the second storage tank 320 on the silicon 230 and UV cures it. The second coating part 340 applies the quantum dot 240 to a predetermined thickness on the silicon 230 and hardens by applying UV.

제1도포부(330)는 LED(220)에 대한 열 확산 특성에 따라 실리콘(230)의 두께를 조절한다.The first coating unit 330 adjusts the thickness of the silicon 230 according to the heat diffusion characteristics for the LED 220.

제2도포부(340)는 LED(220) 광의 특성 변화에 따라 퀀텀닷(240)의 두께를 조절한다.The second coating unit 340 adjusts the thickness of the quantum dot 240 according to the change in the characteristics of the light of the LED 220.

도 5는 퀀텀닷 LED 조명 제조 장치의 다른 실시예를 보인 블록도이다.Figure 5 is a block diagram showing another embodiment of a quantum dot LED lighting manufacturing apparatus.

제1저장탱크(310)는 실리콘(230) 액상을 저장한다. 제1저장탱크(310)는 UV 경화되는 실리콘(230) 액상을 저장 보관한다. 제1저장탱크(310)는 실리콘(230) 액상을 제1도포부(330)에 제공한다.The first storage tank 310 stores the liquid silicon (230). The first storage tank 310 stores and stores the UV 230 liquid silicone cured. The first storage tank 310 provides the silicon 230 liquid phase to the first coating part 330.

제2저장탱크(320)는 퀀텀닷(240) 액상을 저장한다. 제2저장탱크(320)는 UV 경화되는 퀀텀닷(240) 액상을 저장 보관한다. 제2저장탱크(320)는 퀀텀닷(240) 액상을 제2도포부(340)에 제공한다.The second storage tank 320 stores the quantum dot 240 liquid phase. The second storage tank 320 stores and stores the liquid quantum dot 240 is UV cured. The second storage tank 320 provides the quantum dot 240 liquid phase to the second coating unit 340.

제1도포부(330)는 PCB 기판(210)에 실장된 LED(220) 위에 제1저장탱크(310)의 실리콘(230)을 도포하고 UV 경화시킨다. 제1도포부(330)는 LED(220) 위에 일정 두께로 실리콘(230)을 도포하고 UV를 쬐어 경화시킨다.The first coating unit 330 coats and UV-cures the silicon 230 of the first storage tank 310 on the LED 220 mounted on the PCB substrate 210. The first coating part 330 applies the silicon 230 to a predetermined thickness on the LED 220 and cures by UV.

제2도포부(340)는 실리콘(230) 위에 제2저장탱크(320)의 퀀텀닷(240)을 도포하고 UV 경화시킨다. 제2도포부(340)는 실리콘(230) 위에 일정 두께로 퀀텀닷(240)을 도포하고 UV를 쬐어 경화시킨다.The second coating part 340 coats the UV quantum dot 240 of the second storage tank 320 on the silicon 230 and UV cures it. The second coating part 340 applies the quantum dot 240 to a predetermined thickness on the silicon 230 and hardens by applying UV.

제3저장탱크(370)는 에폭시를 저장한다. 제3저장탱크(370)는 UV 경화되는 에폭시 액상을 저장 보관한다. 제3저장탱크(370)는 에폭시 액상을 제3도포부(380)에 제공한다.The third storage tank 370 stores the epoxy. The third storage tank 370 stores the epoxy liquid that is UV cured. The third storage tank 370 provides the epoxy liquid to the third coating part 380.

제3도포부(380)는 PCB 기판(210)에 실장된 LED(220) 위에 실리콘(230) 대신 제3저장탱크(370)의 에폭시를 도포하고 UV 경화시킨다. 제3도포부(380)는 LED(220) 위에 일정 두께로 에폭시를 도포하고 UV를 쬐어 경화시킨다.The third coating part 380 applies and UV-cures the epoxy of the third storage tank 370 instead of the silicon 230 on the LED 220 mounted on the PCB substrate 210. The third coating part 380 applies an epoxy to a predetermined thickness on the LED 220 and cures by applying UV.

제1도포부(330)는 제1설정부(350)의 두께 설정에 의해 LED(220)에 대한 열 확산 특성에 따라 실리콘(230)의 두께를 조절하고, 제2도포부(340)는 제2설정부(360)의 두께 설정에 의해 LED(220) 광의 특성 변화에 따라 퀀텀닷(240)의 두께를 조절한다.The first coating unit 330 adjusts the thickness of the silicon 230 according to the heat diffusion characteristic of the LED 220 by setting the thickness of the first setting unit 350, the second coating unit 340 is The thickness of the quantum dot 240 is adjusted according to the characteristic change of the light of the LED 220 by setting the thickness of the second setting unit 360.

제1설정부(350)는 실리콘(230)의 두께를 설정하고, 제1도포부(330)의 도포 동작을 제어한다. 제1설정부(350)는 LED(220)의 열 특성에 따라 적절한 실리콘(230)의 두께를 설정할 수 있다.The first setting unit 350 sets the thickness of the silicon 230 and controls the coating operation of the first coating unit 330. The first setter 350 may set the thickness of the silicon 230 appropriately according to the thermal characteristics of the LED 220.

제2설정부(360)는 퀀텀닷(240)의 두께를 설정하고, 제2도포부(340)의 도포 동작을 제어한다. 제2설정부(360)는 사용된 LED(220)와 출력될 광 특성에 따라 퀀텀닷(240)의 두께를 설정할 수 있다. 예를 들어, 청색 LED(220)가 사용되고 출력될 광 특성이 백색광일 경우 청색광을 백색광으로 변환시킬 퀀텀닷(240)이 사용된다.The second setting unit 360 sets the thickness of the quantum dot 240 and controls the coating operation of the second coating unit 340. The second setting unit 360 may set the thickness of the quantum dot 240 according to the LED 220 used and the light characteristics to be output. For example, when the blue LED 220 is used and the light characteristic to be output is white light, a quantum dot 240 for converting blue light into white light is used.

제2도포부(340)는 LED(220) 광의 색상을 조절하는 퀀텀닷 시트(250)를 부가할 수 있다. 제2도포부(340)는 실리콘(230)에 삽입홈을 가공하고, 가공된 삽입홈에 퀀텀닷 시트(250)를 끼울 수 있다. 예를 들어, 사용된 LED(220) 가 청색 LED(220)이고, 퀀텀닷(240)에 의해 백색광이 출력될 때 최종 광이 적색이면 퀀텀닷 시트(250)는 백색광을 적색광으로 변환시킬 수 있다.The second coating unit 340 may add a quantum dot sheet 250 to adjust the color of the LED 220 light. The second coating part 340 may process the insertion groove in the silicon 230, and insert the quantum dot sheet 250 into the processed insertion groove. For example, when the LED 220 used is the blue LED 220 and the final light is red when the white light is output by the quantum dot 240, the quantum dot sheet 250 may convert the white light into red light. .

도 6은 퀀텀닷 LED 조명의 디밍 회로를 보인 예시도이다.6 is an exemplary view illustrating a dimming circuit of a quantum dot LED light.

퀀텀닷 LED 조명에 전원을 공급하는 SMPS(10)는 디밍 단자(11)를 가지고 디밍 단자(11)의 전압 변화에 따라 출력 전류를 조정한다. SMPS(10)는 30볼트 내지 40볼트를 출력한다. SMPS(10)는 상용 전원을 입력받아 전력 변환하여 상용 전원보다 낮은 전압을 출력한다. SMPS(10)는 디밍 단자(11)의 전압이 낮거나 높음에 따라 출력 전류의 세기를 조정할 수 있다. 디밍 단자(11)의 전압을 조정함으로써 SMPS(10)는 출력 전류를 조정하는 것이다.The SMPS 10, which supplies power to the quantum dot LED light, has a dimming terminal 11 and adjusts an output current according to a voltage change of the dimming terminal 11. The SMPS 10 outputs 30 to 40 volts. The SMPS 10 receives the commercial power and converts the power to output a voltage lower than the commercial power. The SMPS 10 may adjust the intensity of the output current as the voltage of the dimming terminal 11 is low or high. The SMPS 10 adjusts the output current by adjusting the voltage of the dimming terminal 11.

LED(220)는 출력 전류에 의해 구동한다. SMPS(10)에 의해 조정되는 출력 전류에 따라 LED(220) 밝기가 달라진다. LED(220)는 직류 전류에 의해 구동되면 직류 전류의 세기에 따라 LED(220) 밝기가 달라진다. SMPS(10)의 출력 전류가 달라지면 LED(220) 밝기가 달라지는 것이다. SMPS(10)의 출력 전류를 조정함으로써 디밍 효과를 낼 수 있다. 디밍 효과는 LED(220) 밝기를 서서히 변화시키는 것이므로 SMPS(10)의 출력 전류를 조정함으로써 달성된다.LED 220 is driven by the output current. The brightness of the LED 220 varies depending on the output current regulated by the SMPS 10. When the LED 220 is driven by the direct current, the brightness of the LED 220 varies according to the intensity of the direct current. When the output current of the SMPS 10 is changed, the brightness of the LED 220 is changed. The dimming effect can be achieved by adjusting the output current of the SMPS 10. The dimming effect is achieved by slowly changing the brightness of the LED 220 and thus is achieved by adjusting the output current of the SMPS 10.

디밍 회로(100)는 SMPS(10)의 출력 전류를 조정하도록 SMPS(10)의 디밍 단자(11)에 전압 변화를 제공한다. 디밍 회로(100)가 디밍 단자(11)에 전압 변화를 제공하기 위해서는 SMPS(10)의 출력 전압을 입력받아 전기 처리하여 전압 변화를 출력하는 동작이 필요하다. 이러한 전압 변화를 출력하도록 하는 디밍 회로(100)의 상세 구성에 대해 설명한다.The dimming circuit 100 provides a voltage change to the dimming terminal 11 of the SMPS 10 to adjust the output current of the SMPS 10. In order for the dimming circuit 100 to provide a voltage change to the dimming terminal 11, an operation of receiving the output voltage of the SMPS 10 and performing electrical processing to output the voltage change is required. The detailed structure of the dimming circuit 100 which outputs such a voltage change is demonstrated.

디밍 회로(100)는 SMPS(10)의 출력 전압을 입력받아 전기 처리하고 디밍 단자(11)에 전압 변화를 제공한다.The dimming circuit 100 receives the output voltage of the SMPS 10, performs electrical processing, and provides a voltage change to the dimming terminal 11.

디밍 회로(100)는 전압변환부(110), 리셋부(120), 클럭 발진부(130), 타임 발생부(140), 타임 선택부(150), 출력클럭 유지부(160), 슬로우 디밍부(170), 연결부(180)를 포함한다. 디밍 회로(100)를 구성하는 구성 요소를 구성 요소가 가지는 주요 동작에 따라 구분하여 나타내었으나, 구성 요소간에 통합 또는 분리하여 구성하는 것도 가능하다.The dimming circuit 100 includes a voltage converter 110, a reset unit 120, a clock oscillator 130, a time generator 140, a time selector 150, an output clock holding unit 160, and a slow dimming unit. 170, the connector 180 is included. Although the components constituting the dimming circuit 100 are shown separately according to the main operations of the components, the components may be integrated or separated between the components.

전압변환부(110)는 출력 전압을 입력받아 정전압 변환하고 정전압을 출력한다. 전압변환부(110)는 10볼트 정전압을 출력한다. 전압변환부(110)는 출력 전압이 변화하지만 디밍기기(100)의 안정된 동작을 위해 정전압을 만들어 디밍기기(100)가 사용하도록 한다.The voltage converter 110 receives the output voltage, converts the constant voltage, and outputs the constant voltage. The voltage converter 110 outputs a 10 volt constant voltage. The voltage converting unit 110 changes the output voltage but makes a constant voltage for the stable operation of the dimming device 100 so that the dimming device 100 uses it.

리셋부(120)는 정전압 입력시 디밍 동작을 시작하는 초기 상태로 변환한다. 리셋부(120)는 정전압이 입력되면 초기 상태로 변환하도록 리셋 신호를 발생한다.The reset unit 120 converts the initial state to start the dimming operation when the constant voltage is input. The reset unit 120 generates a reset signal to convert to a initial state when a constant voltage is input.

클럭 발진부(130)는 구형파를 발생한다. 클럭 발진부(130)는 36초 구형파를 발생한다. 클럭 발진부(130)는 사각 형태의 구형파를 발생하며 구형파는 36초의 주기를 가진다.The clock oscillator 130 generates a square wave. The clock oscillator 130 generates a 36 second square wave. The clock oscillator 130 generates a square wave having a square shape, and the square wave has a period of 36 seconds.

타임 발생부(140)는 리셋부(120)의 리셋 신호와 구형파를 입력받아 단자마다 각기 다른 시간 간격을 가지는 구형파를 발생한다. 예를 들어, 타임 발생부(140)는 1시간 간격을 가지는 구형파를 발생할 수 있다. 타임 발생부(140)는 클럭 발진부(130)의 구형파를 처리하여 각기 다른 시간 간격을 가지는 구형파를 발생한다.The time generator 140 receives the reset signal and the square wave of the reset unit 120 and generates a square wave having a different time interval for each terminal. For example, the time generator 140 may generate a square wave having a one hour interval. The time generator 140 processes square waves of the clock oscillator 130 to generate square waves having different time intervals.

타임 선택부(150)는 타임 발생부(140)의 구형파를 입력받아 단자에서 원하는 시간 간격을 선택한다. 타임 선택부(150)는 1시간 내지 8시간의 일정 시간 간격에서 원하는 시간 간격을 선택한다. 타임 선택부(150)는 출력 전압의 변화 시간을 설정할 수 있다. 타임 선택부(150)는 일정 구간을 설정함으로써 SMPS(10)의 출력 전류가 일정 구간내에서 변화하도록 설정하는 것이다.The time selector 150 receives a square wave of the time generator 140 and selects a desired time interval from the terminal. The time selector 150 selects a desired time interval from a predetermined time interval of 1 hour to 8 hours. The time selector 150 may set a change time of the output voltage. The time selector 150 sets the output current of the SMPS 10 to change within a certain section by setting a certain section.

출력클럭 유지부(160)는 타임 선택부(150)의 타임 선택에 따라 구형파가 사라지더라도 전원 오프될 때까지 유지한다. 출력클럭 유지부(160)는 전원 오프시까지 선택된 구형파를 유지한다. 출력클럭 유지부(160)는 타임 선택에 따라 구형파 유지 시간을 다르게 변화시킴으로써 슬로우 디밍부(170)가 전압 변화를 출력하도록 전기 신호 환경을 만든다.The output clock holding unit 160 maintains the power until the power is turned off even if the square wave disappears according to the time selection of the time selecting unit 150. The output clock holding unit 160 maintains the selected square wave until the power is turned off. The output clock holding unit 160 changes the square wave holding time differently according to time selection, thereby making the slow dimming unit 170 output an electric voltage change.

슬로우 디밍부(170)는 출력클럭 유지부(160)의 구형파를 입력받아 조도가 천천히 낮아지도록 전압 변화를 출력한다. 슬로우 디밍부(170)는 구형파를 적분하여 전압 변화를 출력할 수 있다. 슬로우 디밍부(170)가 전압 변화를 출력함으로써 디밍 회로(100)가 서로 다른 전압 변화를 출력하도록 만든다.The slow dimming unit 170 receives a square wave of the output clock holding unit 160 and outputs a voltage change so that the illuminance is gradually lowered. The slow dimming unit 170 may output a voltage change by integrating a square wave. The slow dimming unit 170 outputs a voltage change to cause the dimming circuit 100 to output different voltage changes.

연결부(180)는 슬로우 디밍부(170)의 전압 변화를 전압, 전류 및 저항 특성에 맞게 디밍 단자(11)에 매칭 연결한다.The connection unit 180 matches and connects the voltage change of the slow dimming unit 170 to the dimming terminal 11 according to voltage, current, and resistance characteristics.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

10: SMPS 11: 디밍 단자
20: LED 100: 디밍기기
110: 전압변환부 120: 리셋부
130: 클럭 발진부 140: 타임 발생부
150: 타임 선택부 160: 출력클럭 유지부
170: 슬로우 디밍부 180: 연결부
210: PCB 기판 220: LED
230: 실리콘 240: 퀀텀닷
310: 제1저장탱크 320: 제2저장탱크
330: 제1도포부 340: 제2도포부
350: 제1설정부 360: 제2설정부
370: 제3저장탱크 380: 제3도포부10: SMPS 11: Dimming terminal
20: LED 100: dimming device
110: voltage conversion unit 120: reset unit
130: clock oscillator 140: time generator
150: time selector 160: output clock holding unit
170: slow dimming unit 180: connecting portion
210: PCB substrate 220: LED
230: silicon 240: quantum dot
310: first storage tank 320: second storage tank
330: first coating part 340: second coating part
350: first setting unit 360: second setting unit
370: third storage tank 380: third coating

Claims (8)

PCB 기판(210)에 실장된 LED(220);
상기 LED(220) 위에 도포되고 UV 경화되어 LED(220) 열을 확산하는 실리콘(230);
상기 실리콘(230) 위에 도포되고 UV 경화되어 LED(220) 광의 특성을 변화시키는 퀀텀닷(240);
상기 LED(220) 밝기를 달라지게 하는 출력 전류를 조정하는 SMPS(10); 및
상기 SMPS(10)의 출력 전류를 조정하는 디밍 회로(100)를 포함하고,
상기 디밍 회로(100)는 상기 SMPS(10)의 출력 전류를 조정하도록 상기 SMPS(10)의 디밍 단자(11)에 전압 변화를 제공하고, 전압변환부(110), 리셋부(120), 클럭 발진부(130), 타임 발생부(140), 타임 선택부(150), 출력클럭 유지부(160), 슬로우 디밍부(170), 연결부(180)를 포함하고,
상기 전압변환부(110)는 출력 전압을 입력받아 정전압 변환하고 정전압을 출력하고,
상기 리셋부(120)는 정전압이 입력되면 초기 상태로 변환하도록 리셋 신호를 발생하고,
상기 클럭 발진부(130)는 구형파를 발생하고, 상기 클럭 발진부(130)의 구형파는 36초의 주기를 가지는 사각 형태의 구형파이며,
상기 타임 발생부(140)는 상기 리셋부(120)의 상기 리셋 신호와 상기 클럭 발진부(130)에서 발생한 구형파를 입력받아 단자마다 각기 다른 시간 간격을 가지는 구형파를 발생하고,
상기 타임 선택부(150)는 상기 타임 발생부(140)의 구형파를 입력받아 단자에서 원하는 시간 간격을 선택하고,
상기 출력클럭 유지부(160)는 상기 타임 선택부(150)의 타임 선택에 따라 구형파가 사라지더라도 전원 오프될 때까지 유지하고,
상기 슬로우 디밍부(170)는 상기 출력클럭 유지부(160)의 구형파를 입력받아 조도가 천천히 낮아지도록 전압 변화를 출력하고,
상기 연결부(180)는 상기 슬로우 디밍부(170)의 전압 변화를 전압, 전류 및 저항 특성에 맞게 상기 디밍 단자(11)에 매칭 연결하고,
상기 슬로우 디밍부(170)는 상기 출력클럭 유지부(160)의 구형파를 적분하여 상기 전압 변화를 출력하고, 상기 전압 변화를 출력함으로써 상기 디밍 회로(100)가 서로 다른 전압 변화를 출력하도록 만드는 퀀텀닷 LED 조명.An LED 220 mounted on the PCB substrate 210;
Silicon 230 applied over the LED 220 and UV cured to diffuse the LED 220 heat;
A quantum dot 240 coated on the silicon 230 and UV cured to change the characteristics of the LED 220 light;
SMPS (10) for adjusting the output current to change the brightness of the LED (220); And
Dimming circuit 100 for adjusting the output current of the SMPS 10,
The dimming circuit 100 provides a voltage change to the dimming terminal 11 of the SMPS 10 to adjust the output current of the SMPS 10, the voltage converting unit 110, the reset unit 120, and the clock. It includes an oscillator 130, a time generator 140, a time selector 150, an output clock holding unit 160, a slow dimming unit 170, a connection unit 180,
The voltage conversion unit 110 receives the output voltage and converts the constant voltage and outputs a constant voltage,
The reset unit 120 generates a reset signal to convert to the initial state when a constant voltage is input,
The clock oscillator 130 generates a square wave, and the square wave of the clock oscillator 130 is a square wave having a period of 36 seconds.
The time generator 140 receives the reset signal of the reset unit 120 and the square wave generated by the clock oscillator 130 to generate square waves having different time intervals for each terminal.
The time selector 150 receives a square wave of the time generator 140 and selects a desired time interval from a terminal.
The output clock holding unit 160 is maintained until the power off even if the square wave disappears according to the time selection of the time selector 150,
The slow dimming unit 170 receives a square wave of the output clock holding unit 160 and outputs a voltage change so that the illuminance is slowly lowered,
The connection unit 180 matches and connects the voltage change of the slow dimming unit 170 to the dimming terminal 11 according to voltage, current, and resistance characteristics.
The slow dimming unit 170 integrates the square wave of the output clock holding unit 160 to output the voltage change, and outputs the voltage change to the dimming circuit 100 to output different voltage changes. Dot LED lights. 제1항에 있어서,
LED(220) 광의 색상을 조절하는 퀀텀닷 시트(250)를 더 포함하고,
상기 실리콘(230)은 테두리에 상기 퀀텀닷 시트(250)가 끼워지는 삽입홈을 가지는 퀀텀닷 LED 조명.The method of claim 1,
Further comprising a quantum dot sheet 250 for adjusting the color of the LED 220 light,
The silicon 230 has a quantum dot LED lighting having an insertion groove in which the quantum dot sheet 250 is fitted to the edge. 제1항에 있어서,
상기 실리콘(230) 대신 에폭시를 사용하는 퀀텀닷 LED 조명.The method of claim 1,
Quantum dot LED lighting using an epoxy instead of the silicon (230). 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007518243A (en) * 2004-01-07 2007-07-05 ルトロン エレクトロニクス シーオー．，インク． Lighting control device with improved long fade-off
JP2012129195A (en) * 2010-12-15 2012-07-05 Korea Institute Of Science And Technology Color conversion luminescent sheet and method for fabricating the same
KR20130028148A (en) * 2010-08-17 2013-03-18 코니카 미놀타 어드밴스드 레이어즈 인코포레이티드 Method of manufacturing light-emitting device
KR20130043294A (en) * 2011-10-20 2013-04-30 엘지디스플레이 주식회사 Led pakage and method of fabricating the same
KR101510846B1 (en) * 2013-09-10 2015-04-10 주식회사 아이엔티 Apparatus for controling consumption of electrical power and method for controling the same
KR101524726B1 (en) 2014-06-20 2015-06-10 실리콘 디스플레이 (주) Led display device
KR101650039B1 (en) * 2015-03-27 2016-08-22 주식회사 대양계기 LED light apparatus and operating method thereof

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007518243A (en) * 2004-01-07 2007-07-05 ルトロン エレクトロニクス シーオー．，インク． Lighting control device with improved long fade-off
KR20130028148A (en) * 2010-08-17 2013-03-18 코니카 미놀타 어드밴스드 레이어즈 인코포레이티드 Method of manufacturing light-emitting device
JP2012129195A (en) * 2010-12-15 2012-07-05 Korea Institute Of Science And Technology Color conversion luminescent sheet and method for fabricating the same
KR20130043294A (en) * 2011-10-20 2013-04-30 엘지디스플레이 주식회사 Led pakage and method of fabricating the same
KR101510846B1 (en) * 2013-09-10 2015-04-10 주식회사 아이엔티 Apparatus for controling consumption of electrical power and method for controling the same
KR101524726B1 (en) 2014-06-20 2015-06-10 실리콘 디스플레이 (주) Led display device
KR101650039B1 (en) * 2015-03-27 2016-08-22 주식회사 대양계기 LED light apparatus and operating method thereof

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