KR102010189B1

KR102010189B1 - Detection device and display device

Info

Publication number: KR102010189B1
Application number: KR1020180117537A
Authority: KR
Inventors: 고지 이시자끼; 하야또 구라사와
Original assignee: 가부시키가이샤 재팬 디스프레이
Priority date: 2016-04-04
Filing date: 2018-10-02
Publication date: 2019-08-12
Also published as: KR101906446B1; TW201737042A; CN107272941B; JP6744169B2; TWI617960B; KR20180114524A; JP2017188060A; CN107272941A; KR20170114938A

Abstract

금속 재료 등의 도전성 재료의 검출 전극을 사용하면서, 복수의 산재하는 광의 점이 시인될 가능성을 저감할 수 있는, 외부 근접 물체를 검출 가능한 검출 장치 및 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 검출 장치는, 기판과, 기판과 평행인 면 상에 형성되며, 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 도전성 세선과, 제1 도전성 세선과 동일층 상에 형성되며, 제1 방향과 각도를 이루는 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 도전성 세선과, 제1 폭의 제1 띠 형상 영역에 배치되고, 또한, 적어도 제2 방향으로 서로 어긋난 2개의 제1 도전성 세선을 포함하는 제1 그룹과, 제2 폭의 제2 띠 형상 영역에 배치되고, 또한, 적어도 제1 방향으로 서로 어긋난 2개의 제2 도전성 세선을 포함하는 제2 그룹을 구비한다. 제1 띠 형상 영역과 제2 띠 형상 영역의 교차 영역에서는, 제1 도전성 세선과 제2 도전성 세선이 접한다.It is an object of the present invention to provide a detection device and a display device capable of detecting an external proximity object capable of reducing the possibility of visual recognition of a plurality of scattered light points while using a detection electrode of a conductive material such as a metal material. The detection device is formed on a substrate, a plurality of first conductive thin wires extending in a first direction, and formed on the same layer as the first conductive thin wire, formed on a surface parallel to the substrate, and forming an angle with the first direction. A first group comprising a plurality of second conductive thin wires extending in the second direction, and two first conductive thin wires disposed in the first band-shaped region of the first width and shifted from each other in at least the second direction; It is provided with the 2nd group which is arrange | positioned in the 2nd strip | belt-shaped area | region of a 2nd width, and contains the 2nd electroconductive fine wire which mutually shifted | deviated at least in the 1st direction. In the cross | intersection area | region of a 1st strip | belt-shaped area | region and a 2nd strip | belt-shaped area | region, a 1st electroconductive thin wire and a 2nd electroconductive thin wire contact | connect.

Description

DETECTION DEVICE AND DISPLAY DEVICE}

본 개시는 외부 근접 물체를 검출 가능한 검출 장치에 관한 것이며, 특히 정전 용량의 변화에 기초하여 외부 근접 물체를 검출 가능한 검출 장치 및 표시 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a detection device capable of detecting an external proximity object, and more particularly, to a detection device and a display device capable of detecting an external proximity object based on a change in capacitance.

최근, 소위 터치 패널이라 불리는, 외부 근접 물체를 검출 가능한 검출 장치가 주목받고 있다. 터치 패널은, 액정 표시 장치 등의 표시 장치 상에 장착 또는 일체화되는, 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치에 사용되고 있다. 그리고, 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치는, 표시 장치에 각종 버튼 화상 등을 표시시킴으로써, 터치 패널을 통상의 기계식 버튼의 대체로서 정보 입력을 가능하게 하고 있다. 이와 같은 터치 패널을 갖는 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치는, 키보드나 마우스, 키패드와 같은 입력 장치를 필요로 하지 않기 때문에, 컴퓨터 외에, 휴대 전화와 같은 휴대 정보 단말기 등에서도, 사용이 확대되는 경향이 있다.In recent years, the detection apparatus which can detect an external proximity object called a touch panel attracts attention. The touch panel is used for the display apparatus with a touch detection function attached or integrated on display apparatuses, such as a liquid crystal display device. And the display apparatus provided with a touch detection function makes it possible to input information as a substitute of a normal mechanical button by displaying a various button image etc. on a display apparatus. Since a display device having a touch detection function having such a touch panel does not require an input device such as a keyboard, a mouse, or a keypad, the use tends to be expanded in not only computers but also portable information terminals such as mobile phones. There is this.

터치 검출 장치의 방식으로서, 광학식, 저항식, 정전 용량식 등 몇 가지의 방식이 존재한다. 정전 용량식의 터치 검출 장치는, 휴대 단말기 등에 사용하며, 비교적 단순한 구조를 갖고, 또한 저소비 전력을 실현할 수 있다. 예를 들어, 일본 공개공보 특개2010-197576호 공보에는, 투광성 전극 패턴의 불가시화 대책이 이루어진 터치 패널이 기재되어 있다.As a method of the touch detection device, there are several methods such as optical, resistive, and capacitive. The capacitive touch detection device is used in a portable terminal and the like, and has a relatively simple structure and can realize low power consumption. For example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2010-197576 discloses a touch panel in which countermeasures against a translucent electrode pattern are made.

또한, 외부 근접 물체를 검출 가능한 검출 장치에서는, 박형화, 대화면화 또는 고정밀화를 위해, 검출 전극의 저저항화가 요구되고 있다. 검출 전극은, 투광성 전극의 재료로서 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투광성 도전 산화물이 사용되고 있다. 검출 전극을 저저항으로 하기 위해서는, 금속 재료 등의 도전성 재료를 사용하는 것이 유효하다. 그러나, 금속 재료 등의 도전성 재료를 사용하면, 표시 장치의 화소와 금속 재료 등의 도전성 재료의 간섭에 의해 므와레가 시인될 가능성이 있다.In addition, in a detection apparatus capable of detecting an external proximity object, a reduction in resistance of the detection electrode is required for thinning, large screen, or high precision. As the detection electrode, a light transmitting conductive oxide such as indium tin oxide (ITO) is used as a material of the light transmitting electrode. In order to make a detection electrode low resistance, it is effective to use conductive materials, such as a metal material. However, when a conductive material such as a metal material is used, the moire may be visually recognized by the interference of the pixel of the display device and the conductive material such as the metal material.

따라서, 일본 공개공보 특개2014-041589호 공보에는, 검출 전극이 금속 재료 등의 도전성 재료의 검출 전극을 사용해도, 므와레가 시인될 가능성을 저감할 수 있는 검출 장치가 기재되어 있다. 일본 공개공보 특개2014-041589호 공보에 기재된 검출 장치에서는, 므와레가 시인될 가능성을 저감할 수 있지만, 가시광이 입사하면 복수의 검출 전극에서 회절 또는 산란하는 광강도 패턴이 복수의 산재하는 광의 점에 가까워져, 광의 점이 시인될 가능성이 있다.Therefore, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2014-041589 discloses a detection apparatus that can reduce the possibility of moire being visualized even when the detection electrode uses a detection electrode made of a conductive material such as a metal material. In the detection apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-041589, the possibility of seeing a moire can be reduced. However, when visible light enters, the points of light interspersed with a plurality of light intensity patterns diffracted or scattered by a plurality of detection electrodes. It may be near, and the point of light may be visually recognized.

본 발명은, 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 금속 재료 등의 도전성 재료의 검출 전극을 사용하면서, 복수의 산재하는 광의 점이 시인될 가능성을 저감할 수 있는, 외부 근접 물체를 검출 가능한 검출 장치 및 표시 장치를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to detect an external proximity object capable of reducing the likelihood that a plurality of scattered light points are visualized while using a detection electrode of a conductive material such as a metal material. It is providing a detection apparatus and a display apparatus.

제1 형태에 따르면, 검출 장치는, 기판과, 상기 기판과 평행인 면 상에 형성되며, 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 도전성 세선과, 상기 제1 도전성 세선과 동일층 상에 형성되며, 상기 제1 방향과 각도를 이루는 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 도전성 세선과, 제1 폭의 제1 띠 형상 영역에 배치되고, 또한, 적어도 상기 제2 방향으로 서로 어긋난 2개의 상기 제1 도전성 세선을 포함하는 제1 그룹과, 제2 폭의 제2 띠 형상 영역에 배치되고, 또한, 적어도 상기 제1 방향으로 서로 어긋난 2개의 상기 제2 도전성 세선을 포함하는 제2 그룹을 구비하고, 상기 제1 띠 형상 영역과 상기 제2 띠 형상 영역의 교차 영역에서는, 상기 제1 도전성 세선과 상기 제2 도전성 세선이 접한다.According to a first aspect, the detection device is formed on a substrate, a plurality of first conductive thin wires formed in a plane parallel to the substrate, extending in a first direction, and on the same layer as the first conductive thin wires. And a plurality of second conductive thin wires extending in a second direction forming an angle with the first direction, and the two second agents arranged in a first band-shaped region having a first width and shifted from each other in at least the second direction. And a second group including two first conductive thin wires arranged in a second band-shaped region having a second conductive width and shifted from each other in at least the first direction. The first conductive thin wire and the second conductive thin wire are in contact with each other in the intersection region of the first band-shaped region and the second band-shaped region.

제2 형태에 따르면, 표시 장치는, 검출 장치와, 표시 영역을 구비하고, 상기 표시 영역과 중첩되는 영역에, 상기 제1 도전성 세선과 상기 제2 도전성 세선이 형성되어 있다.According to a second aspect, the display device includes a detection device and a display area, and the first conductive thin wire and the second conductive thin wire are formed in an area overlapping the display area.

도 1은 실시 형태 1에 따른 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치의 일 구성예를 도시하는 블록도.
도 2는 정전 용량형 터치 검출 방식의 기본 원리를 설명하기 위해, 손가락이 접촉 또는 근접하고 있지 않은 상태를 도시하는 설명도.
도 3은 도 2에 도시한 손가락이 접촉 또는 근접하고 있지 않은 상태의 등가 회로의 예를 도시하는 설명도.
도 4는 정전 용량형 터치 검출 방식의 기본 원리를 설명하기 위해, 손가락이 접촉 또는 근접한 상태를 도시하는 설명도.
도 5는 도 4에 도시한 손가락이 접촉 또는 근접한 상태의 등가 회로의 예를 도시하는 설명도.
도 6은 구동 신호 및 검출 신호의 파형의 일례를 도시하는 도면.
도 7은 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치를 실장한 모듈의 일례를 도시하는 도면.
도 8은 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치를 실장한 모듈의 일례를 도시하는 도면.
도 9는 실시 형태 1에 따른 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치의 개략 단면 구조를 도시하는 단면도.
도 10은 실시 형태 1에 따른 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치의 화소 배치를 도시하는 회로도.
도 11은 실시 형태 1에 따른 검출 전극의 평면도.
도 12는 실시 형태 1에 따른 검출 전극의 배치 방법을 설명하기 위한 공정도.
도 13은 실시 형태 2에 따른 검출 전극의 평면도.
도 14는 실시 형태 2의 변형예 1에 따른 검출 전극의 평면도.
도 15는 실시 형태 2의 변형예 2에 따른 검출 전극의 평면도.
도 16은 실시 형태 3에 따른 검출 전극의 평면도.
도 17은 실시 형태 4에 따른 검출 전극의 평면도.
도 18은 실시 형태 5에 따른 검출 전극의 평면도.
도 19는 실시 형태 6에 따른 검출 전극의 평면도.
도 20은 자기 정전 용량 방식의 터치 검출의 등가 회로의 일례를 도시하는 설명도.1 is a block diagram showing a configuration example of a display device with a touch detection function according to the first embodiment;
2 is an explanatory diagram showing a state in which a finger is not in contact with or in proximity to explain the basic principle of the capacitive touch detection method;
FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of an equivalent circuit in a state where the fingers shown in FIG. 2 are not in contact or in proximity. FIG.
4 is an explanatory diagram showing a state in which a finger touches or approaches to explain the basic principle of the capacitive touch detection method;
FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of an equivalent circuit in a state where the fingers shown in FIG. 4 are in contact or in proximity.
6 is a diagram illustrating an example of waveforms of a drive signal and a detection signal;
7 illustrates an example of a module in which a display device with a touch detection function is mounted.
8 is a diagram illustrating an example of a module in which a display device with a touch detection function is mounted.
9 is a sectional view showing a schematic cross-sectional structure of a display device with a touch detection function according to the first embodiment.
10 is a circuit diagram showing a pixel arrangement of a display device with a touch detection function according to the first embodiment.
11 is a plan view of a detection electrode according to the first embodiment.
12 is a flowchart for explaining a method of arranging the detection electrodes according to the first embodiment.
13 is a plan view of a detection electrode according to the second embodiment.
14 is a plan view of a detection electrode according to Modification Example 1 of Embodiment 2. FIG.
15 is a plan view of a detection electrode according to Modification Example 2 of the second embodiment.
16 is a plan view of a detection electrode according to the third embodiment.
17 is a plan view of a detection electrode according to the fourth embodiment.
18 is a plan view of a detection electrode according to the fifth embodiment;
19 is a plan view of a detection electrode according to the sixth embodiment;
20 is an explanatory diagram showing an example of an equivalent circuit of touch detection of a self capacitance method.

이하, 발명을 실시하기 위한 형태(실시 형태)에 대하여, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하의 실시 형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소는 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 개시는 어디까지나 일례에 지나지 않고, 당업자에게 있어서, 발명의 주지를 유지한 적의 변경에 대하여 용이하게 상도할 수 있는 것에 대해서는, 당연히 본 발명의 범위에 함유되는 것이다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확하게 하기 위해, 실제의 형태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대하여 모식적으로 도시되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다. 또한, 본 명세서와 각 도면에 있어서, 기출의 도면에 관하여 전술한 것과 마찬가지의 요소에는, 동일한 부호를 붙이고, 상세한 설명을 적절히 생략하는 경우가 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form (embodiment) for implementing invention is demonstrated in detail, referring drawings. This invention is not limited by the content described in the following embodiment. In addition, the component described below includes the thing which a person skilled in the art can easily assume, and the substantially same thing. In addition, the component described below can be combined suitably. In addition, the disclosure is only an example to the last, and it can be easily included in the scope of the present invention for the person skilled in the art to easily conceive about the ever-changing change which kept the main knowledge of the invention. In addition, although drawing may show typically about the width | variety, thickness, shape, etc. of each part compared with an actual form in order to make description clearer, it is an example to the last and does not limit the interpretation of this invention. . In addition, in this specification and each drawing, the same code | symbol may be attached | subjected to the element similar to what was mentioned above regarding previous drawing, and detailed description may be abbreviate | omitted suitably.

(실시 형태 1)(Embodiment 1)

도 1은 실시 형태 1에 따른 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치의 일 구성예를 도시하는 블록도이다. 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치(1)는 터치 검출 기능을 구비한 표시부(10)와, 제어부(11)와, 게이트 드라이버(12)와, 소스 드라이버(13)와, 구동 전극 드라이버(14)와, 터치 검출부(간단히, 검출부라고도 함)(40)를 구비하고 있다. 터치 검출 기능을 구비한 표시부(10)는 소위 액정 표시 장치로 불리는 표시 장치(20)와 정전 용량형의 검출 장치(30)를 일체화한 장치이다. 또한, 터치 검출 기능을 구비한 표시부(10)는 표시 장치(20) 상에 정전 용량형의 검출 장치(30)를 장착한 장치이어도 된다. 또한, 표시 장치(20)는, 예를 들어 유기 EL 표시 장치이어도 된다. 또한, 게이트 드라이버(12), 소스 드라이버(13), 또는, 구동 전극 드라이버(14)는 표시부(10)에 설치되어 있어도 된다.1 is a block diagram showing an example of the configuration of a display device with a touch detection function according to the first embodiment. The display device 1 having a touch detection function includes a display unit 10 having a touch detection function, a control unit 11, a gate driver 12, a source driver 13, and a driving electrode driver 14. And a touch detector (simply referred to as a detector) 40. The display unit 10 with a touch detection function is a device in which a display device 20 called a liquid crystal display device and a capacitive detection device 30 are integrated. In addition, the display part 10 with a touch detection function may be a device in which the capacitive detection device 30 is mounted on the display device 20. In addition, the display device 20 may be an organic EL display device, for example. In addition, the gate driver 12, the source driver 13, or the drive electrode driver 14 may be provided in the display unit 10.

표시 장치(20)는, 후술하는 바와 같이, 게이트 드라이버(12)로부터 공급되는 주사 신호 Vscan에 따라서, 1수평 라인씩 순차적으로 주사하여 표시를 행하는 장치이다. 제어부(11)는 외부로부터 공급된 영상 신호 Vdisp에 기초하여, 게이트 드라이버(12), 소스 드라이버(13), 구동 전극 드라이버(14) 및 터치 검출부(40)에 대하여 각각 제어 신호를 공급하고, 이들이 서로 동기하여 동작하도록 제어하는 회로(제어 장치)이다.As described later, the display device 20 is a device that sequentially scans one horizontal line for display according to the scan signal Vscan supplied from the gate driver 12. The control unit 11 supplies control signals to the gate driver 12, the source driver 13, the driving electrode driver 14, and the touch detector 40, respectively, based on the image signal Vdisp supplied from the outside. A circuit (control device) which controls to operate in synchronization with each other.

게이트 드라이버(12)는 제어부(11)로부터 공급되는 제어 신호에 기초하여, 터치 검출 기능을 구비한 표시부(10)의 표시 구동의 대상으로 되는 1수평 라인을 순차적으로 선택하는 기능을 갖고 있다.The gate driver 12 has a function of sequentially selecting one horizontal line as a target of display driving of the display unit 10 having a touch detection function, based on a control signal supplied from the control unit 11.

소스 드라이버(13)는 제어부(11)로부터 공급되는 제어 신호에 기초하여, 터치 검출 기능을 구비한 표시부(10)의, 후술하는 각 부화소 SPix에 화소 신호 Vpix를 공급하는 회로이다.The source driver 13 is a circuit for supplying the pixel signal Vpix to each of the subpixels SPix described later on the display unit 10 with a touch detection function based on the control signal supplied from the control unit 11.

구동 전극 드라이버(14)는 제어부(11)로부터 공급되는 제어 신호에 기초하여, 터치 검출 기능을 구비한 표시부(10)의, 후술하는 구동 전극 COML에 구동 신호 Vcom을 공급하는 회로이다.The drive electrode driver 14 is a circuit which supplies the drive signal Vcom to the drive electrode COML mentioned later of the display part 10 with a touch detection function based on the control signal supplied from the control part 11.

터치 검출부(40)는 제어부(11)로부터 공급되는 제어 신호와, 터치 검출 기능을 구비한 표시부(10)의 검출 장치(30)로부터 공급된 검출 신호 Vdet에 기초하여, 검출 장치(30)에 대한 터치(후술하는 접촉 또는 근접의 상태)의 유무를 검출하고, 터치가 있는 경우에 있어서 터치 검출 영역에 있어서의 그 좌표 등을 구하는 회로이다. 이 터치 검출부(40)는 검출 신호 증폭부(42)와, A/D 변환부(43)와, 신호 처리부(44)와, 좌표 추출부(45)와, 검출 타이밍 제어부(46)를 구비하고 있다.The touch detector 40 controls the detection device 30 based on the control signal supplied from the controller 11 and the detection signal Vdet supplied from the detection device 30 of the display unit 10 having the touch detection function. It is a circuit which detects the presence or absence of a touch (state of contact or proximity described later) and obtains the coordinates and the like in the touch detection area when there is a touch. The touch detector 40 includes a detection signal amplifier 42, an A / D converter 43, a signal processor 44, a coordinate extractor 45, and a detection timing controller 46. have.

검출 신호 증폭부(42)는 검출 장치(30)로부터 공급되는 검출 신호 Vdet를 증폭한다. 검출 신호 증폭부(42)는 검출 신호 Vdet에 포함되는 높은 주파수 성분(노이즈 성분)을 제거하고, 터치 성분을 취출하여 각각 출력하는 저역 통과 아날로그 필터를 구비하고 있어도 된다.The detection signal amplifier 42 amplifies the detection signal Vdet supplied from the detection device 30. The detection signal amplifier 42 may be provided with a low pass analog filter which removes high frequency components (noise components) included in the detection signal Vdet, and extracts and outputs touch components.

(정전 용량형 터치 검출의 기본 원리)(Basic principle of capacitive touch detection)

검출 장치(30)는 정전 용량형 근접 검출의 기본 원리에 기초하여 동작하고, 검출 신호 Vdet를 출력한다. 도 1∼도 6을 참조하여, 실시 형태 1의 터치 검출 기능을 구비한 표시부(10)에 있어서의 터치 검출의 기본 원리에 대하여 설명한다. 도 2는 정전 용량형 터치 검출 방식의 기본 원리를 설명하기 위해, 외부 물체, 예를 들어 손가락이 접촉 또는 근접하고 있지 않은 상태를 도시하는 설명도이다. 도 3은 도 2에 도시한 손가락이 접촉 또는 근접하고 있지 않은 상태의 등가 회로의 예를 도시하는 설명도이다. 도 4는 정전 용량형 터치 검출 방식의 기본 원리를 설명하기 위해, 손가락이 접촉 또는 근접한 상태를 도시하는 설명도이다. 도 5는 도 4에 도시한 손가락이 접촉 또는 근접한 상태의 등가 회로의 예를 도시하는 설명도이다. 도 6은 구동 신호 및 검출 신호의 파형의 일례를 도시하는 도면이다. 또한, 외부 물체란, 후술하는 정전 용량을 발생시키는 물체이면 되고, 예를 들어 상술한 손가락이나, 스타일러스를 들 수 있다. 본 실시 형태에서는, 외부 물체로서, 손가락을 예로 들어 설명한다.The detection device 30 operates on the basis of the basic principle of capacitive proximity detection, and outputs a detection signal Vdet. With reference to FIGS. 1-6, the basic principle of touch detection in the display part 10 with a touch detection function of Embodiment 1 is demonstrated. FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating a state in which an external object, for example, a finger is not in contact or in proximity, to explain the basic principle of the capacitive touch detection method. FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of an equivalent circuit in a state where the fingers shown in FIG. 2 are not in contact or in proximity. 4 is an explanatory diagram showing a state where a finger is in contact with or in proximity to explain the basic principle of the capacitive touch detection method. FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of an equivalent circuit in a state where the finger shown in FIG. 4 is in contact or in proximity. 6 is a diagram illustrating an example of waveforms of a drive signal and a detection signal. In addition, the external object may be an object that generates an electrostatic capacitance, which will be described later. Examples thereof include a finger and a stylus described above. In this embodiment, a finger is taken as an example of an external object.

예를 들어, 도 3 및 도 5에 도시한 바와 같이, 용량 소자 C1 및 용량 소자 C1'는, 유전체 D를 사이에 두고 서로 대향 배치된 한 쌍의 전극으로서 구동 전극 E1 및 검출 전극 E2를 구비하고 있다. 도 3에 도시한 바와 같이, 용량 소자 C1은, 그 일단이 교류 신호원(구동 신호원) S에 접속되고, 타단은 전압 검출기(터치 검출부) DET에 접속된다. 전압 검출기 DET는, 예를 들어 도 1에 도시한 검출 신호 증폭부(42)에 포함되는 적분 회로이다.For example, as shown in FIGS. 3 and 5, the capacitor C1 and the capacitor C1 ′ are a pair of electrodes disposed to face each other with the dielectric D interposed therebetween, including the driving electrode E1 and the detection electrode E2. have. As shown in FIG. 3, one end of the capacitor C1 is connected to an AC signal source (drive signal source) S, and the other end is connected to a voltage detector (touch detector) DET. The voltage detector DET is an integration circuit included in, for example, the detection signal amplifier 42 shown in FIG. 1.

교류 신호원 S로부터 구동 전극 E1(용량 소자 C1의 일단)에 소정의 주파수(예를 들어 수㎑ 내지 수백㎑ 정도)의 교류 구형파 Sg를 인가하면, 검출 전극 E2(용량 소자 C1의 타단)측에 접속된 전압 검출기 DET를 통해, 출력 파형(검출 신호 Vdet1)이 나타난다.When an AC square wave Sg of a predetermined frequency (for example, several hundreds to several hundreds of frequencies) is applied from the AC signal source S to the driving electrode E1 (one end of the capacitor C1), the detection electrode E2 (the other end of the capacitor C1) is applied. Through the connected voltage detector DET, the output waveform (detection signal Vdet1) appears.

손가락이 접촉(또는 근접)하고 있지 않은 상태(비접촉 상태)에서는, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 용량 소자 C1에 대한 충방전에 수반하여, 용량 소자 C1의 용량값에 따른 전류 I₀이 흐른다. 도 6에 도시한 바와 같이 전압 검출기 DET는, 교류 구형파 Sg에 따른 전류 I₀의 변동을 전압의 변동(실선의 파형 V₀)으로 변환한다.In a state where the finger is not in contact (or in proximity) (non-contact state), as shown in FIGS. 2 and 3, the current I ₀ corresponding to the capacitance value of the capacitor C1 is accompanied by charge and discharge to the capacitor C1. This flows. As shown in FIG. 6, the voltage detector DET converts the variation of the current I ₀ according to the AC square wave Sg into the variation of the voltage (solid waveform V ₀ ).

한편, 손가락이 접촉(또는 근접)한 상태(접촉 상태)에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 손가락에 의해 형성되는 정전 용량 C2가 검출 전극 E2와 접하고 있거나 또는 근방에 있음으로써, 구동 전극 E1 및 검출 전극 E2 사이에 있는 프린지분의 정전 용량이 차단된다. 이 때문에, 용량 소자 C1'의 용량값은, 용량 소자 C1의 용량값보다도 작아진다. 그리고, 도 5에 도시한 등가 회로에서 보면, 용량 소자 C1'에 전류 I₁이 흐른다. 도 6에 도시한 바와 같이, 전압 검출기 DET는, 교류 구형파 Sg에 따른 전류 I₁의 변동을 전압의 변동(점선의 파형 V₁)으로 변환한다. 이 경우, 파형 V₁은, 상술한 파형 V₀과 비교하여 진폭이 작아진다. 이에 의해, 파형 V₀과 파형 V₁의 전압 차분의 절댓값 |ΔV|는, 손가락 등의 외부로부터 근접하는 물체의 영향에 따라서 변화되게 된다. 또한, 전압 검출기 DET는, 파형 V₀과 파형 V₁의 전압 차분의 절댓값 |ΔV|를 고정밀도로 검출하는 것이 바람직하다. 이 때문에, 회로 내의 스위칭에 의해, 교류 구형파 Sg의 주파수에 맞추어, 콘덴서의 충방전을 리셋하는 기간 Reset가 설정되는 것이 보다 바람직하다.On the other hand, in the state where the finger is in contact (or proximity) (contact state), as shown in FIG. 4, the capacitance C2 formed by the finger is in contact with or near the detection electrode E2, whereby the driving electrode E1 and The capacitance of the fringes between the detection electrodes E2 is cut off. For this reason, the capacitance value of the capacitor C1 'becomes smaller than that of the capacitor C1. In the equivalent circuit shown in FIG. 5, the current I ₁ flows through the capacitor C1 ′. As shown in FIG. 6, the voltage detector DET converts the fluctuation of the current I ₁ according to the AC square wave Sg into the fluctuation of the voltage (dotted waveform V ₁ ). In this case, the waveform V ₁ is smaller in amplitude than the above-described waveform V ₀ . As a result, the absolute value | ΔV | of the voltage difference between the waveform V ₀ and the waveform V ₁ changes according to the influence of an object approaching from the outside such as a finger. In addition, the voltage detector DET preferably detects the absolute value | ΔV | of the voltage difference between the waveform V ₀ and the waveform V ₁ with high accuracy. For this reason, it is more preferable that the period Reset which resets charge / discharge of a capacitor is set according to the frequency of AC square wave Sg by switching in a circuit.

도 1에 도시한 검출 장치(30)는 구동 전극 드라이버(14)로부터 공급되는 구동 신호 Vcom에 따라서, 1검출 블록씩 순차적으로 주사하여 터치 검출을 행한다.The detection device 30 shown in FIG. 1 sequentially scans one detection block one by one in accordance with the drive signal Vcom supplied from the drive electrode driver 14 to perform touch detection.

검출 장치(30)는 복수의 후술하는 검출 전극 TDL로부터, 도 3 또는 도 5에 도시한 전압 검출기 DET를 통해, 검출 블록마다 검출 신호 Vdet1을 출력하고, 터치 검출부(40)의 A/D 변환부(43)에 공급한다.The detection device 30 outputs the detection signal Vdet1 for each detection block from the plurality of detection electrodes TDL described later through the voltage detector DET shown in FIG. 3 or 5, and the A / D conversion unit of the touch detection unit 40. It supplies to 43.

A/D 변환부(43)는 구동 신호 Vcom에 동기한 타이밍에서, 검출 신호 증폭부(42)로부터 출력되는 아날로그 신호를 각각 샘플링하여 디지털 신호로 변환하는 회로이다.The A / D converter 43 is a circuit for sampling and converting the analog signals output from the detection signal amplifier 42 into digital signals at timings synchronized with the drive signals Vcom.

신호 처리부(44)는 A/D 변환부(43)의 출력 신호에 포함되는, 구동 신호 Vcom을 샘플링한 주파수 이외의 주파수 성분(노이즈 성분)을 저감하는 디지털 필터를 구비하고 있다. 신호 처리부(44)는 A/D 변환부(43)의 출력 신호에 기초하여, 검출 장치(30)에 대한 터치의 유무를 검출하는 논리 회로이다. 신호 처리부(44)는 손가락에 의한 차분의 전압만 취출하는 처리를 행한다. 이 손가락에 의한 차분의 전압은, 상술한 파형 V₀과 파형 V₁의 차분의 절댓값 |ΔV|이다. 신호 처리부(44)는 1 검출 블록당의 절댓값 |ΔV|를 평균화하는 연산을 행하여, 절댓값 |ΔV|의 평균값을 구해도 된다. 이에 의해, 신호 처리부(44)는 노이즈에 의한 영향을 저감할 수 있다. 신호 처리부(44)는 검출한 손가락에 의한 차분의 전압을 소정의 역치 전압과 비교하여, 이 역치 전압 이상이면, 외부로부터 근접하는 손가락의 접촉 상태로 판단하고, 역치 전압 미만이면 손가락의 비접촉 상태로 판단한다. 이와 같이 하여, 터치 검출부(40)는 터치 검출이 가능해진다.The signal processing unit 44 includes a digital filter that reduces frequency components (noise components) other than the frequencies at which the drive signal Vcom is included in the output signal of the A / D converter 43. The signal processor 44 is a logic circuit that detects the presence or absence of touch on the detection device 30 based on the output signal of the A / D converter 43. The signal processor 44 performs a process of extracting only the difference voltage by the finger. The difference voltage by this finger is the absolute value | ΔV | of the difference between the waveform V ₀ and the waveform V ₁ described above. The signal processing unit 44 may calculate an average of the absolute value | ΔV | per one detection block, and may calculate the average value of the absolute value | ΔV |. Thereby, the signal processing part 44 can reduce the influence by noise. The signal processor 44 compares the detected voltage by the detected finger with a predetermined threshold voltage, and if the threshold voltage is higher than or equal to the threshold voltage, determines that the finger is in contact with the external device. To judge. In this way, the touch detection unit 40 can detect the touch.

좌표 추출부(45)는 신호 처리부(44)에 있어서 터치가 검출되었을 때에, 그 터치 패널 좌표를 구하는 논리 회로이다. 검출 타이밍 제어부(46)는 A/D 변환부(43)와, 신호 처리부(44)와, 좌표 추출부(45)가 동기하여 동작하도록 제어한다. 좌표 추출부(45)는 터치 패널 좌표를 신호 출력 Vout로서 출력한다.The coordinate extraction unit 45 is a logic circuit that obtains the touch panel coordinates when a touch is detected in the signal processing unit 44. The detection timing controller 46 controls the A / D converter 43, the signal processor 44, and the coordinate extractor 45 to operate in synchronization. The coordinate extraction unit 45 outputs the touch panel coordinates as the signal output Vout.

도 7 및 도 8은 실시 형태 1에 따른 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치를 실장한 모듈의 일례를 도시하는 평면도이다. 도 7은 구동 전극의 일례를 도시하는 평면도이고, 도 8은 검출 전극의 일례를 도시하는 평면도이다.7 and 8 are plan views illustrating an example of a module in which the display device with a touch detection function according to the first embodiment is mounted. 7 is a plan view illustrating an example of a drive electrode, and FIG. 8 is a plan view illustrating an example of a detection electrode.

도 7에 도시한 바와 같이, 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치(1)는 TFT(Thin Film Transistor) 기판(21)과, 플렉시블 프린트 기판(72)을 구비하고 있다. TFT 기판(21)은 COG(Chip On Glass)(19)를 탑재하고, 표시 장치(20)(도 1 참조)의 표시 영역(10a)과, 표시 영역(10a)을 둘러싸는 프레임 영역(10b)에 대응하는 영역이 형성되어 있다. COG(19)는, TFT 기판(21)에 실장된 IC 드라이버의 칩이며, 도 1에 도시한 제어부(11), 게이트 드라이버(12), 소스 드라이버(13) 등, 표시 동작에 필요한 각 회로를 내장한 것이다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 게이트 드라이버(12), 소스 드라이버(13), 또는, 구동 전극 드라이버(14)는 유리 기판인 TFT 기판(21)에 형성해도 된다. COG(19) 및 구동 전극 드라이버(14)는 프레임 영역(10b)에 설치된다. 또한, COG(19)는, 구동 전극 드라이버(14)를 내장하고 있어도 된다. 이 경우, 프레임 영역(10b)을 좁게 하는 것이 가능하다. 플렉시블 프린트 기판(72)은 COG(19)와 접속되어 있고, 플렉시블 프린트 기판(72)을 통해, 외부로부터 영상 신호 Vdisp나, 전원 전압이 COG(19)에 공급된다.As shown in FIG. 7, the display device 1 with a touch detection function includes a TFT (Thin Film Transistor) substrate 21 and a flexible printed circuit board 72. The TFT substrate 21 is equipped with a chip on glass (COG) 19 and includes a display area 10a of the display device 20 (see FIG. 1) and a frame area 10b surrounding the display area 10a. The area | region corresponding to this is formed. The COG 19 is a chip of the IC driver mounted on the TFT substrate 21, and each circuit necessary for display operation such as the control unit 11, the gate driver 12, the source driver 13 shown in FIG. It is built. In addition, in this embodiment, the gate driver 12, the source driver 13, or the drive electrode driver 14 may be formed in the TFT substrate 21 which is a glass substrate. The COG 19 and the drive electrode driver 14 are provided in the frame region 10b. In addition, the COG 19 may incorporate the drive electrode driver 14. In this case, it is possible to narrow the frame region 10b. The flexible printed circuit board 72 is connected to the COG 19, and the video signal Vdisp and a power supply voltage are supplied to the COG 19 from the outside via the flexible printed circuit board 72.

도 7에 도시한 바와 같이, 터치 검출 기능을 구비한 표시부(10)는 표시 영역(10a)에 중첩되는 영역에 복수의 구동 전극 COML이 형성되어 있다. 복수의 구동 전극 COML은, 각각, 표시 영역(10a)의 일변을 따른 방향으로 연장되어 있고, 표시 영역(10a)의 일변과 교차하는 타변을 따른 방향에 있어서, 간격을 두고 배열되어 있다. 복수의 구동 전극 COML은 구동 전극 드라이버(14)에 각각 접속되어 있다.As shown in FIG. 7, in the display unit 10 having the touch detection function, a plurality of driving electrodes COML are formed in an area overlapping the display area 10a. Each of the plurality of driving electrodes COML extends in the direction along one side of the display area 10a and is arranged at intervals in the direction along the other side crossing the one side of the display area 10a. The plurality of drive electrodes COML are connected to the drive electrode driver 14, respectively.

도 8에 도시한 바와 같이, 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치(1)는, 기판(31)과, 플렉시블 프린트 기판(71)을 더 구비한다. 플렉시블 프린트 기판(71)에는, 상술한 터치 검출부(40)가 탑재되어 있다. 또한, 터치 검출부(40)는 플렉시블 프린트 기판(71)에 탑재되어 있지 않아도 되고, 플렉시블 프린트 기판(71)이 접속하는 다른 기판에 탑재되어 있어도 된다. 기판(31)은, 예를 들어 투광성의 유리 기판이며, 도 7에 도시한 TFT 기판(21)의 표면의 수직 방향에 있어서 TFT 기판(21)과 대향한다. 도 8에 도시한 바와 같이, 터치 검출 기능을 구비한 표시부(10)는 표시 영역(10a)과 중첩되는 영역에 복수의 검출 전극 TDL이 형성되어 있다. 복수의 검출 전극 TDL은, 각각, 도 7에 도시한 구동 전극 COML의 연장 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있다. 도 8에 도시한 바와 같이, 인접하는 검출 전극 TDL의 사이에는 간격 SP가 있다. 또한, 복수의 검출 전극 TDL은, 구동 전극 COML의 연장 방향에 있어서 간격을 두고 배열되어 있다. 즉, 복수의 구동 전극 COML과, 복수의 검출 전극 TDL은 입체 교차하도록 배치되어 있고, 서로 중첩되는 부분에서 정전 용량이 형성된다.As shown in FIG. 8, the display device 1 with a touch detection function further includes a substrate 31 and a flexible printed circuit board 71. The touch detection unit 40 described above is mounted on the flexible printed circuit board 71. In addition, the touch detection part 40 may not be mounted in the flexible printed circuit board 71, but may be mounted in the other board | substrate which the flexible printed circuit board 71 connects. The board | substrate 31 is a translucent glass substrate, for example, and opposes the TFT board | substrate 21 in the perpendicular direction of the surface of the TFT board | substrate 21 shown in FIG. As illustrated in FIG. 8, in the display unit 10 having the touch detection function, a plurality of detection electrodes TDL are formed in an area overlapping the display area 10a. Each of the plurality of detection electrodes TDL extends in a direction crossing the extending direction of the driving electrode COML shown in FIG. 7. As shown in Fig. 8, there is an interval SP between adjacent detection electrodes TDL. The plurality of detection electrodes TDL are arranged at intervals in the extending direction of the drive electrode COML. That is, the plurality of drive electrodes COML and the plurality of detection electrodes TDL are arranged so as to intersect with each other, and capacitance is formed at portions overlapping each other.

터치 검출 기능을 구비한 표시 장치(1)는, 후술하는 바와 같이, 표시 동작 시에, 1수평 라인씩 순차적으로 주사를 행한다. 즉, 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치(1)는 표시 주사를, 터치 검출 기능을 구비한 표시부(10)의 1변을 따르는 방향과 평행으로 행한다(도 8 참조). 한편 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치(1)는 터치 검출 동작 시에, 구동 전극 드라이버(14)로부터 구동 전극 COML에 구동 신호 Vcom을 순차적으로 인가함으로써, 1검출 라인씩 순차적으로 주사를 행한다. 즉, 터치 검출 기능을 구비한 표시부(10)는, 방향 SCAN으로 주사를, 터치 검출 기능을 구비한 표시부(10)의 일변과 교차하는 타변을 따른 방향과 평행으로 행한다(도 7 참조).As described later, the display device 1 with a touch detection function sequentially scans one horizontal line at the time of display operation. That is, the display apparatus 1 with a touch detection function performs display scanning in parallel with the direction along one side of the display part 10 with a touch detection function (refer FIG. 8). On the other hand, the display device 1 with a touch detection function sequentially scans one detection line by applying the drive signal Vcom sequentially from the drive electrode driver 14 to the drive electrode COML during the touch detection operation. In other words, the display unit 10 with the touch detection function scans in the direction SCAN in parallel with the direction along the other side intersecting with one side of the display unit 10 with the touch detection function (see FIG. 7).

도 8에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 검출 전극 TDL은, 복수의 제1 도전성 세선(33U) 및 복수의 제2 도전성 세선(33V)을 갖고 있다. 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)은, 각각, 표시 영역(10a)의 일변과 평행인 방향에 대하여 서로 역방향으로 경사져 있다.As shown in FIG. 8, the detection electrode TDL of this embodiment has some 1st conductive thin wire 33U, and some 2nd conductive thin wire 33V. The first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V are inclined in opposite directions with respect to the direction parallel to one side of the display region 10a, respectively.

복수의 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)은 각각 세폭이며, 표시 영역(10a)에 있어서, 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)의 연장 방향과 교차하는 방향(표시 영역(10a)의 짧은 변 방향)으로 서로 간격을 두고 배치되어 있다. 복수의 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)의 연장 방향의 양단은, 프레임 영역(10b)에 배치된 접속 배선(34a, 34b)에 접속되어 있다. 이에 의해, 복수의 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)은 서로 전기적으로 접속되어, 1개의 검출 전극 TDL로서 기능한다. 복수의 접속 배선(34a)에는 각각 배선(37)이 접속되어 있고, 검출 전극 TDL과 플렉시블 프린트 기판(71)이 배선(37)에 의해 접속된다. 또한, 검출 전극 TDL의 일부는 표시 영역(10a) 외(프레임 영역(10b))에 배치되어도 된다. 또한, 접속 배선(34a) 및 접속 배선(34b)도 프레임 영역(10b)이 아니라, 표시 영역(10a) 내에 배치되어도 된다. 복수의 접속 배선(34a) 및 접속 배선(34b)은 배선(37)을 통해, 터치 검출부(40)와 접속되어 있고, 복수의 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)과 터치 검출부(40)를 접속하기 위한 배선으로 되어도 된다.The plurality of first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V each have a narrow width, and intersect with the extending directions of the first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V in the display region 10a. It is arrange | positioned at intervals from each other in the direction (short side direction of the display area 10a) to make. Both ends in the extending direction of the plurality of first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wire 33V are connected to connection wirings 34a and 34b arranged in the frame region 10b. As a result, the plurality of first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V are electrically connected to each other to function as one detection electrode TDL. A wiring 37 is connected to each of the plurality of connection wirings 34a, and the detection electrode TDL and the flexible printed circuit board 71 are connected by the wiring 37. In addition, a part of detection electrode TDL may be arrange | positioned outside the display area 10a (frame area 10b). In addition, the connection wiring 34a and the connection wiring 34b may also be disposed within the display region 10a instead of the frame region 10b. The plurality of connection wirings 34a and 34b are connected to the touch detection unit 40 through the wiring 37, and touch the plurality of first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V. It may be a wiring for connecting the detection unit 40.

도 9는 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치의 개략 단면 구조를 도시하는 단면도이다. 도 9에 도시한 바와 같이, 터치 검출 기능을 구비한 표시부(10)는 화소 기판(2)과, 이 화소 기판(2)의 표면에 수직인 방향으로 대향하여 배치된 대향 기판(3)과, 화소 기판(2)과 대향 기판(3) 사이에 형성된 액정층(6)을 구비하고 있다.9 is a cross-sectional view illustrating a schematic cross-sectional structure of a display device with a touch detection function. As shown in FIG. 9, the display unit 10 having a touch detection function includes a pixel substrate 2, an opposing substrate 3 disposed to face each other in a direction perpendicular to the surface of the pixel substrate 2, and The liquid crystal layer 6 formed between the pixel substrate 2 and the opposing substrate 3 is provided.

화소 기판(2)은 회로 기판으로서의 TFT 기판(21)과, 이 TFT 기판(21)의 상방에 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 화소 전극(22)과, TFT 기판(21)과 화소 전극(22) 사이에 형성된 복수의 구동 전극 COML과, 화소 전극(22)과 구동 전극 COML을 절연하는 절연층(24)을 포함한다. TFT 기판(21)의 하측에는, 접착층(66)을 개재하여 편광판(65)이 설치되어 있다.The pixel substrate 2 includes a TFT substrate 21 as a circuit board, a plurality of pixel electrodes 22 arranged in a matrix form above the TFT substrate 21, a TFT substrate 21, and a pixel electrode 22. A plurality of drive electrodes COML formed therebetween, and an insulating layer 24 for insulating the pixel electrode 22 and the drive electrode COML. The polarizing plate 65 is provided below the TFT substrate 21 via the adhesive layer 66.

대향 기판(3)은 기판(31)과, 이 기판(31)의 한쪽의 면에 형성된 컬러 필터(32)를 포함한다. 기판(31)의 다른 쪽의 면에는, 검출 장치(30)의 검출 전극 TDL이 형성된다. 도 9에 도시한 바와 같이, 기판(31)의 상방에 검출 전극 TDL이 형성된다. 또한, 이 검출 전극 TDL 상에는, 검출 전극 TDL의 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)을 보호하기 위한 보호층(38)이 형성되어 있다. 보호층(38)은 아크릴계 수지 등의 투광성 수지를 사용할 수 있다. 보호층(38) 상에 접착층(39)을 개재하여 편광판(35)이 설치되어 있다.The opposing substrate 3 includes a substrate 31 and a color filter 32 formed on one surface of the substrate 31. The detection electrode TDL of the detection apparatus 30 is formed on the other surface of the substrate 31. As shown in FIG. 9, the detection electrode TDL is formed above the substrate 31. Further, on the detection electrode TDL, a protective layer 38 for protecting the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V of the detection electrode TDL is formed. The protective layer 38 can use translucent resin, such as acrylic resin. The polarizing plate 35 is provided on the protective layer 38 via the adhesive layer 39.

TFT 기판(21)과 기판(31)은, 스페이서(61)에 의해 소정의 간격을 두고 대향하여 배치된다. TFT 기판(21), 기판(31) 및 스페이서(61)에 의해 둘러싸인 공간에 액정층(6)이 형성된다. 액정층(6)은 전계의 상태에 따라서 그곳을 통과하는 광을 변조하는 것이며, 예를 들어 FFS(프린지 필드 스위칭)를 포함하는 IPS(인플레인 스위칭) 등의 횡전계 모드의 액정을 사용한 표시 패널이 사용된다. 또한, 도 9에 도시한 액정층(6)과 화소 기판(2) 사이, 및 액정층(6)과 대향 기판(3) 사이에는 각각 배향막이 배설되어도 된다.The TFT substrate 21 and the substrate 31 are disposed to face each other at a predetermined interval by the spacer 61. The liquid crystal layer 6 is formed in a space surrounded by the TFT substrate 21, the substrate 31, and the spacer 61. The liquid crystal layer 6 modulates the light passing therein according to the state of the electric field, for example, a display panel using a liquid crystal in a transverse electric field mode such as IPS (in-plane switching) including fringe field switching (FFS). This is used. In addition, an alignment film may be provided between the liquid crystal layer 6 and the pixel substrate 2 shown in FIG. 9, and between the liquid crystal layer 6 and the counter substrate 3, respectively.

도 10은 실시 형태 1에 따른 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치의 화소 배치를 도시하는 회로도이다. 도 9에 도시한 TFT 기판(21)에는, 도 10에 도시한 각 부화소 SPix의 박막 트랜지스터 소자(이하, TFT 소자) Tr, 각 화소 전극(22)에 화소 신호 Vpix를 공급하는 화소 신호선 SGL, 각 TFT 소자 Tr을 구동하는 주사 신호선 GCL 등의 배선이 형성되어 있다. 화소 신호선 SGL 및 주사 신호선 GCL은, TFT 기판(21)의 표면과 평행인 평면으로 연장된다. 도 10에 도시한 부화소 SPix의 배열 방향과 직교하는 방향(주사 신호선 GCL의 연장 방향)을 방향 Dx로 하고, 부화소 SPix의 배열 방향(화소 신호선 SGL의 연장 방향)을 방향 Dy로 하여 나타내고 있다. 본 실시 형태에서는, 방향 Dy는, 인간의 시감도가 가장 높은 색 영역(후술)이 배열되는 방향이다. 방향 Dx는, 대향 기판(3)의 표면과 평행인 평면 상에 있어서 방향 Dy에 대하여 직교하는 방향이다.10 is a circuit diagram showing a pixel arrangement of a display device with a touch detection function according to the first embodiment. In the TFT substrate 21 shown in FIG. 9, a thin film transistor element Tr of each sub-pixel SPix (hereinafter referred to as TFT element) shown in FIG. 10, a pixel signal line SGL for supplying a pixel signal Vpix to each pixel electrode 22, Wiring such as a scan signal line GCL for driving each TFT element Tr is formed. The pixel signal line SGL and the scan signal line GCL extend in a plane parallel to the surface of the TFT substrate 21. The direction orthogonal to the arrangement direction of the subpixel SPix shown in FIG. 10 (the extension direction of the scan signal line GCL) is indicated by the direction Dx, and the arrangement direction (the extension direction of the pixel signal line SGL) of the subpixel SPix is indicated by the direction Dy. . In this embodiment, the direction Dy is a direction in which the color gamut (described later) with the highest visibility of humans is arranged. The direction Dx is a direction orthogonal to the direction Dy on a plane parallel to the surface of the opposing substrate 3.

도 10에 도시한 표시 장치(20)는 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 부화소 SPix를 갖고 있다. 부화소 SPix는, 각각 TFT 소자 Tr 및 액정 소자 LC를 구비하고 있다. TFT 소자 Tr은, 박막 트랜지스터를 포함하는 것이며, 이 예에서는, n채널의 MOS(Metal Oxide Semiconductor)형의 TFT를 포함하고 있다. TFT 소자 Tr의 소스 또는 드레인 중 한쪽은 화소 신호선 SGL에 접속되고, 게이트는 주사 신호선 GCL에 접속되고, 소스 또는 드레인 중 다른 쪽은 액정 소자 LC의 일단에 접속되어 있다. 액정 소자 LC는, 일단이 TFT 소자 Tr의 소스 또는 드레인 중 다른 쪽에 접속되고, 타단이 구동 전극 COML에 접속되어 있다.The display device 20 shown in FIG. 10 has a plurality of subpixels SPix arranged in a matrix. The subpixel SPix is provided with TFT element Tr and liquid crystal element LC, respectively. The TFT element Tr includes a thin film transistor. In this example, an n-channel MOS (Metal Oxide Semiconductor) type TFT is included. One of the source or the drain of the TFT element Tr is connected to the pixel signal line SGL, the gate is connected to the scan signal line GCL, and the other of the source or the drain is connected to one end of the liquid crystal element LC. One end of the liquid crystal element LC is connected to the other of the source or the drain of the TFT element Tr, and the other end thereof is connected to the driving electrode COML.

부화소 SPix는, 주사 신호선 GCL에 의해, 표시 장치(20)의 동일한 행에 속하는 다른 부화소 SPix와 서로 접속되어 있다. 주사 신호선 GCL은, 게이트 드라이버(12)(도 1 참조)와 접속되어, 게이트 드라이버(12)로부터 주사 신호 Vscan이 공급된다. 또한, 부화소 SPix는, 화소 신호선 SGL에 의해, 표시 장치(20)의 동일한 열에 속하는 다른 부화소 SPix와 서로 접속되어 있다. 화소 신호선 SGL은, 소스 드라이버(13)(도 1 참조)와 접속되어, 소스 드라이버(13)로부터 화소 신호 Vpix가 공급된다. 또한, 부화소 SPix는, 구동 전극 COML에 의해, 동일한 행에 속하는 다른 부화소 SPix와 서로 접속되어 있다. 구동 전극 COML은, 구동 전극 드라이버(14)(도 1 참조)와 접속되어, 구동 전극 드라이버(14)로부터 구동 신호 Vcom이 공급된다. 즉, 이 예에서는, 동일한 1행에 속하는 복수의 부화소 SPix가 1개의 구동 전극 COML을 공유한다. 본 실시 형태의 구동 전극 COML의 연장되는 방향은, 주사 신호선 GCL의 연장되는 방향과 평행이다. 본 실시 형태의 구동 전극 COML의 연장되는 방향은, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 구동 전극 COML의 연장되는 방향은, 화소 신호선 SGL의 연장되는 방향과 평행인 방향이어도 된다.The subpixel SPix is connected to another subpixel SPix belonging to the same row of the display device 20 by the scanning signal line GCL. The scan signal line GCL is connected to the gate driver 12 (refer to FIG. 1), and the scan signal Vscan is supplied from the gate driver 12. Further, the subpixel SPix is connected to each other with the subpixel SPix belonging to the same column of the display device 20 by the pixel signal line SGL. The pixel signal line SGL is connected to the source driver 13 (see FIG. 1), and the pixel signal Vpix is supplied from the source driver 13. Further, the subpixels SPix are connected to each other with the other subpixels SPix belonging to the same row by the driving electrode COML. The drive electrode COML is connected to the drive electrode driver 14 (see FIG. 1), and the drive signal Vcom is supplied from the drive electrode driver 14. That is, in this example, the plurality of subpixels SPix belonging to the same one row share one drive electrode COML. The extending direction of the drive electrode COML of the present embodiment is parallel to the extending direction of the scan signal line GCL. The extending direction of the drive electrode COML of the present embodiment is not limited to this. For example, the extending direction of the driving electrode COML may be a direction parallel to the extending direction of the pixel signal line SGL.

도 1에 도시한 게이트 드라이버(12)는 주사 신호선 GCL을 순차적으로 주사하도록 구동한다. 주사 신호 Vscan(도 1 참조)이 주사 신호선 GCL을 통해, 부화소 SPix의 TFT 소자 Tr의 게이트에 인가되어, 부화소 SPix 중의 1수평 라인이 표시 구동의 대상으로서 순차적으로 선택된다. 또한, 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치(1)는, 1수평 라인에 속하는 부화소 SPix에 대하여, 소스 드라이버(13)가 화소 신호 Vpix를 공급함으로써, 1수평 라인씩 표시가 행해진다. 이 표시 동작을 행할 때, 구동 전극 드라이버(14)는 그 1수평 라인에 대응하는 구동 전극 COML에 대하여 구동 신호 Vcom을 인가한다.The gate driver 12 shown in Fig. 1 is driven to sequentially scan the scan signal line GCL. The scanning signal Vscan (see Fig. 1) is applied to the gate of the TFT element Tr of the subpixel SPix via the scanning signal line GCL, so that one horizontal line in the subpixel SPix is sequentially selected as the object of display driving. In addition, in the display device 1 with a touch detection function, the source driver 13 supplies the pixel signal Vpix to the subpixel SPix belonging to one horizontal line, so that display is performed one horizontal line by one. When performing this display operation, the drive electrode driver 14 applies the drive signal Vcom to the drive electrode COML corresponding to the one horizontal line.

도 9에 도시한 컬러 필터(32)는, 예를 들어 적(R), 녹(G), 청(B)의 3색으로 착색된 컬러 필터의 색 영역(32R), 색 영역(32G) 및 색 영역(32B)이 주기적으로 배열되어 있다. 상술한 도 10에 도시한 각 부화소 SPix에, R, G, B의 3색의 색 영역(32R), 색 영역(32G) 및 색 영역(32B)이 1조로서 대응지어지고, 색 영역(32R), 색 영역(32G) 및 색 영역(32B)을 1조로 하여 화소 Pix가 구성된다. 도 9에 도시한 바와 같이, 컬러 필터(32)는 TFT 기판(21)과 수직인 방향에 있어서, 액정층(6)과 대향한다. 또한, 컬러 필터(32)는 상이한 색으로 착색되어 있으면, 다른 색의 조합이어도 된다. 또한, 컬러 필터(32)는 3색의 조합에 한정되지 않고, 4색 이상의 조합이어도 된다.The color filter 32 shown in FIG. 9 is, for example, the color gamut 32R, the color gamut 32G, and the color gamut of the color filter colored in three colors of red (R), green (G), and blue (B). The color gamut 32B is periodically arranged. Each of the sub-pixels SPix shown in FIG. 10 described above corresponds to a color gamut 32R, a color gamut 32G, and a color gamut 32B of R, G, and B as a pair, and a color gamut ( The pixel Pix is comprised of 32R), the color gamut 32G, and the color gamut 32B as a set. As shown in FIG. 9, the color filter 32 opposes the liquid crystal layer 6 in a direction perpendicular to the TFT substrate 21. In addition, as long as the color filter 32 is colored by a different color, the combination of a different color may be sufficient. In addition, the color filter 32 is not limited to the combination of three colors, The combination of four or more colors may be sufficient.

도 11은 실시 형태 1에 따른 검출 전극의 평면도이다. 도 11에 도시한 검출 전극 TDL은, 도 8에 도시한 검출 전극 TDL의 부분 확대도이다. 도 8에 도시한 검출 전극 TDL에 있어서는, 평행사변형이 균등하게 보이지만, 실제의 검출 전극 TDL의 형상은 도 11에 도시한 형상이다.11 is a plan view of a detection electrode according to the first embodiment. The detection electrode TDL shown in FIG. 11 is a partial enlarged view of the detection electrode TDL shown in FIG. In the detection electrode TDL shown in FIG. 8, the parallelogram is seen evenly, but the shape of the actual detection electrode TDL is the shape shown in FIG. 11.

제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)은, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr) 및 텅스텐(W)으로부터 선택된 1종 이상의 금속층으로 형성된다. 또는, 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)은, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr) 및 텅스텐(W)으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 금속 재료의 합금으로 형성된다. 또한, 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)은, 이들 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr) 및 텅스텐(W)으로부터 선택된 1종 이상의 금속 재료 또는 이들 재료의 1종 이상을 포함하는 합금의 도전층이 복수 적층된 적층체로 해도 된다. 또한, 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)은, 상술한 금속 재료 또는 금속 재료의 합금의 도전층 외에, ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투광성 도전 산화물의 도전층이 적층되어 있어도 된다. 또한, 상술한 금속 재료 및 도전층을 조합한 흑색화막, 흑색 유기막 또는 흑색 도전 유기막이 적층되어 있어도 된다.The first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V are one selected from aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), and tungsten (W). It is formed of the above metal layer. Alternatively, the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V are selected from aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), and tungsten (W). It is formed from an alloy of a metal material containing at least one kind. The first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V are formed from these aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), and tungsten (W). It is good also as a laminated body in which the conductive layer of the alloy containing one or more selected metal materials or one or more of these materials is laminated. The first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V are laminated with a conductive layer of a light-transmitting conductive oxide such as indium tin oxide (ITO) in addition to the conductive layer of the metal material or the alloy of the metal material described above. You may be. Moreover, the blackening film, the black organic film, or the black conductive organic film which combined the above-mentioned metal material and conductive layer may be laminated | stacked.

상술한 금속 재료는, 투명 전극의 재료로서 ITO 등의 투광성 도전 산화물보다도 저저항이다. 상술한 금속 재료는, 투광성 도전 산화물과 비교하여 차광성이 있기 때문에, 투과율이 저하될 가능성 또는 검출 전극 TDL의 패턴이 시인되어 버릴 가능성이 있다. 본 실시 형태에 있어서, 1개의 검출 전극 TDL이, 복수의 폭이 좁은 제1 도전성 세선(33U) 및 복수의 제2 도전성 세선(33V)을 갖고 있고, 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)이, 선폭보다도 큰 간격을 두고 배치됨으로써, 저저항화와, 불가시화를 실현할 수 있다. 그 결과, 검출 전극 TDL이 저저항화되어, 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치(1)는 박형화, 대화면화 또는 고정밀화할 수 있다.The metal material mentioned above is lower resistance than translucent conductive oxides, such as ITO, as a material of a transparent electrode. Since the metal material mentioned above has light shielding property compared with a translucent conductive oxide, there exists a possibility that the transmittance | permeability may fall or the pattern of the detection electrode TDL may be visually recognized. In the present embodiment, one detection electrode TDL has a plurality of narrow first conductive thin wires 33U and a plurality of second conductive thin wires 33V, and the first conductive thin wire 33U and the second conductive By arranging the thin lines 33V at intervals larger than the line width, the resistance can be reduced and the invisibility can be realized. As a result, the detection electrode TDL is made low in resistance, and the display device 1 with a touch detection function can be made thin, large, or high definition.

제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)의 폭은 1㎛ 이상 10㎛ 이하인 것이 바람직하고, 또한 1㎛ 이상 5㎛ 이하의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다. 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)의 폭이 10㎛ 이하이면, 표시 영역(10a) 중 블랙 매트릭스 또는 후술하는 주사 신호선 GCL 및 화소 신호선 SGL에 의해 광의 투과가 억제되지 않는 영역인 개구부를 덮는 면적이 작아져, 개구율을 손상시킬 가능성이 낮아지기 때문이다. 또한, 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)의 폭이 1㎛ 이상이면 형상이 안정되어, 단선될 가능성이 낮아지기 때문이다.It is preferable that they are 1 micrometer or more and 10 micrometers or less, and, as for the width | variety of 33U of 1st electroconductive thin wires and 33V, it is more preferable to exist in the range of 1 micrometer or more and 5 micrometers or less. When the width of the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V is 10 μm or less, a region in which light transmission is not suppressed by the black matrix or the scanning signal line GCL and the pixel signal line SGL described later in the display area 10a. It is because the area which covers a phosphorus opening becomes small, and the possibility of damaging an opening ratio becomes low. Moreover, when the width | variety of 33U of 1st electroconductive thin wires and 33V of 2nd electroconductive thin wires is 1 micrometer or more, a shape is stabilized and the possibility of disconnection becomes low.

도 8, 도 10 및 도 11을 참조하여 설명하면, 검출 전극 TDL은, 복수의 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)이 소정의 피치로 배치되어 있고, 검출 전극 TDL은, 전체로서, 컬러 필터(32)의 각 색 영역(32R), 색 영역(32G) 및 색 영역(32B)의 연장 방향과 평행인 방향으로 연장되어 있다. 즉, 검출 전극 TDL은, 도 10에 도시한 화소 신호선 SGL이 연장되는 방향 Dy와 평행인 방향으로 연장된다. 각 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)이 컬러 필터(32)의 특정한 색 영역을 차광해 버리지 않도록, 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)은, 서로 역방향으로 경사지는 세선편이 교차하여 접속된 메쉬 형상으로 되어 있다. 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)은, 색 영역(32R), 색 영역(32G) 및 색 영역(32B)의 연장 방향(방향 Dy)과 평행인 방향에 대하여, 각도 θ를 갖고 서로 역방향의 방향 Du 및 방향 Dv로 경사진다. 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)이 전기적으로 접속된 개소에서 전기적 접속부(33x)가 형성된다. 예를 들어, 각도 θ는 5도 이상 75도 이하이고, 바람직하게는 25도 이상 40도 이하, 더욱 바람직하게는 50도 이상 65도 이하이다.8, 10, and 11, in the detection electrode TDL, a plurality of first conductive thin wires 33U and second conductive thin wires 33V are arranged at a predetermined pitch, and the detection electrode TDL is As a whole, it extends in the direction parallel to the extension direction of each color gamut 32R, the color gamut 32G, and the color gamut 32B of the color filter 32. That is, the detection electrode TDL extends in a direction parallel to the direction Dy in which the pixel signal line SGL shown in FIG. 10 extends. The first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V are mutually different so that each of the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V does not block a specific color region of the color filter 32. The thin wire pieces inclined in the reverse direction cross each other to form a mesh shape. The first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V are angles θ with respect to a direction parallel to the extension direction (direction Dy) of the color gamut 32R, the color gamut 32G, and the color gamut 32B. And inclined in directions Du and Dv opposite to each other. The electrical connection part 33x is formed in the location where 33 U of 1st electroconductive thin wires and 33V of 2nd electroconductive thin wires are electrically connected. For example, angle (theta) is 5 degrees or more and 75 degrees or less, Preferably they are 25 degrees or more and 40 degrees or less, More preferably, they are 50 degrees or more and 65 degrees or less.

이와 같이, 검출 전극 TDL은, 방향 Du로 연장되는 적어도 하나의 제1 도전성 세선(33U)과, 제1 도전성 세선(33U)과 교차하여 방향 Dv로 연장되는 적어도 하나의 제2 도전성 세선(33V)을 포함한다. 복수의 제1 도전성 세선(33U)과, 복수의 제2 도전성 세선(33V)이 각각 복수 교차하면, 검출 전극 TDL의 1개의 메쉬의 형상이 평행사변형으로 된다.In this way, the detection electrode TDL crosses at least one first conductive thin wire 33U extending in the direction Du and at least one second conductive thin wire 33V extending in the direction Dv crossing the first conductive thin wire 33U. It includes. When a plurality of first conductive thin wires 33U and a plurality of second conductive thin wires 33V intersect each other, the shape of one mesh of the detection electrode TDL becomes parallelogram.

본 실시 형태에 있어서, 접속 배선(34a)에 가장 가까운 전기적 접속부(33x)를 경계로 한 경우, 접속 배선(34a)에 가장 가까운 전기적 접속부(33x)보다도 접속 배선(34a)에 가까운 측으로서, 접속 배선(34a)에 가장 가까운 전기적 접속부(33x)로부터 접속 배선(34a)까지의 영역이 검출 전극 TDL의 단부 영역(10c)이다(도 11 참조). 마찬가지로, 접속 배선(34a)에 가장 가까운 전기적 접속부(33x)보다도 접속 배선(34a)으로부터 먼 측의 영역이 검출 전극 TDL의 주 검출 영역(10d)이다.In this embodiment, when the electrical connection part 33x closest to the connection wiring 34a is made into a boundary, it connects as a side closer to the connection wiring 34a than the electrical connection part 33x closest to the connection wiring 34a. The region from the electrical connection portion 33x closest to the wiring 34a to the connection wiring 34a is the end region 10c of the detection electrode TDL (see FIG. 11). Similarly, the area on the side farther from the connection wiring 34a than the electrical connection portion 33x closest to the connection wiring 34a is the main detection region 10d of the detection electrode TDL.

접속 배선(34a)의 주위에 있어서의 검출 전극 TDL의 패턴과, 접속 배선(34b)의 주위에 있어서의 검출 전극의 패턴은, 도 8에 도시한 바와 같이 선 대칭 또는 점대칭으로 된다. 이 때문에, 접속 배선(34b)에 가장 가까운 전기적 접속부(33x)를 경계로 하여, 접속 배선(34b)에 가장 가까운 전기적 접속부(33x)보다도 접속 배선(34b)에 가까운 측 또한 접속 배선(34b)까지의 영역이 검출 전극 TDL의 단부 영역이다. 마찬가지로, 접속 배선(34b)에 가장 가까운 전기적 접속부(33x)보다도 접속 배선(34b)으로부터 먼 측의 영역이 검출 전극 TDL의 주 검출 영역이다.The pattern of the detection electrode TDL around the connection wiring 34a and the pattern of the detection electrode around the connection wiring 34b become line symmetry or point symmetry as shown in FIG. 8. For this reason, the electrical connection part 33x closest to the connection wiring 34b is used as a boundary, and the side closer to the connection wiring 34b and the connection wiring 34b than the electrical connection part 33x closest to the connection wiring 34b. The region of is the end region of the detection electrode TDL. Similarly, an area farther from the connection wiring 34b than the electrical connection portion 33x closest to the connection wiring 34b is the main detection region of the detection electrode TDL.

도 11에 도시한 바와 같이, 검출 전극 TDL의 단부 영역(10c)에 있어서, 제1 도전성 세선(33U)이 연장된 위치에 도전성 세선(33a)이 배치되고, 접속 배선(34a)과 주 검출 영역(10d)의 제1 도전성 세선(33U)이 도전성 세선(33a)을 통해 전기적으로 접속되어 있다.As shown in FIG. 11, in the end region 10c of the detection electrode TDL, the conductive thin wire 33a is disposed at the position where the first conductive thin wire 33U extends, and the connection wiring 34a and the main detection region are located. 33U of 1st electroconductive thin wires of 10d are electrically connected through the electroconductive thin wire 33a.

도 7 및 도 9에 도시한 구동 전극 COML은, 표시 장치(20)의 복수의 화소 전극(22)에 공통의 전위를 인가하는 공통 전극으로서 기능함과 함께, 검출 장치(30)의 상호 정전 용량 방식에 의한 터치 검출을 행할 때의 구동 전극으로서도 기능한다. 검출 장치(30)는 화소 기판(2)에 형성된 구동 전극 COML과, 대향 기판(3)에 형성된 검출 전극 TDL을 포함하고 있다.The drive electrode COML illustrated in FIGS. 7 and 9 functions as a common electrode for applying a common potential to the plurality of pixel electrodes 22 of the display device 20, and the mutual capacitance of the detection device 30. It also functions as a drive electrode when performing touch detection by the system. The detection apparatus 30 includes the drive electrode COML formed on the pixel substrate 2 and the detection electrode TDL formed on the opposing substrate 3.

구동 전극 COML은, 도 7에 도시한 표시 영역(10a)의 타변과 평행인 방향으로 연장되는 복수의 전극 패턴으로 분할되어 있다. 검출 전극 TDL은, 구동 전극 COML의 전극 패턴의 연장 방향과 교차하는 방향으로 연장되는 복수의 금속 배선을 갖는 전극 패턴을 포함하고 있다. 그리고, 검출 전극 TDL은, TFT 기판(21)(도 9 참조)의 표면에 대한 수직인 방향에 있어서, 구동 전극 COML과 대향하고 있다. 검출 전극 TDL의 각 전극 패턴은, 터치 검출부(40)의 검출 신호 증폭부(42)의 입력에 각각 접속된다(도 1 참조). 구동 전극 COML과 검출 전극 TDL에 의해 서로 교차한 전극 패턴은, 그 교차 부분에 정전 용량을 발생시키고 있다.The drive electrode COML is divided into a plurality of electrode patterns extending in a direction parallel to the other side of the display region 10a shown in FIG. 7. The detection electrode TDL includes an electrode pattern having a plurality of metal wires extending in a direction crossing the extending direction of the electrode pattern of the drive electrode COML. The detection electrode TDL faces the drive electrode COML in a direction perpendicular to the surface of the TFT substrate 21 (see FIG. 9). Each electrode pattern of the detection electrode TDL is connected to an input of the detection signal amplifier 42 of the touch detector 40 (see FIG. 1). The electrode pattern which mutually crossed by the drive electrode COML and the detection electrode TDL has generate | occur | produces the capacitance in the intersection part.

구동 전극 COML은, 예를 들어 ITO 등의 투광성을 갖는 도전성 재료가 사용된다. 또한, 검출 전극 TDL 및 구동 전극 COML(구동 전극 블록)은 스트라이프 형상으로 복수로 분할되는 형상에 한정되지 않는다. 예를 들어, 검출 전극 TDL 및 구동 전극 COML은 빗살 형상이어도 된다. 또는 검출 전극 TDL 및 구동 전극 COML은, 복수로 분할되어 있으면 되고, 구동 전극 COML을 분할하는 슬릿의 형상은 직선이어도, 곡선이어도 된다.As the drive electrode COML, a conductive material having light transmissivity, such as ITO, is used. In addition, the detection electrode TDL and the drive electrode COML (drive electrode block) are not limited to the shape divided into stripe shape in multiple numbers. For example, the detection electrode TDL and the drive electrode COML may have a comb tooth shape. Alternatively, the detection electrode TDL and the drive electrode COML may be divided into plural, and the shape of the slit dividing the drive electrode COML may be a straight line or a curve.

이 구성에 의해, 검출 장치(30)에서는, 상호 정전 용량 방식의 터치 검출 동작을 행할 때, 구동 전극 드라이버(14)가 구동 전극 블록으로서 시분할적으로 순차적으로 주사하도록 구동함으로써, 구동 전극 COML의 1검출 블록이 순차적으로 선택된다. 그리고, 검출 전극 TDL로부터 검출 신호 Vdet1이 출력됨으로써, 1검출 블록의 터치 검출이 행해진다. 즉, 구동 전극 블록은, 상술한 상호 정전 용량 방식의 터치 검출의 기본 원리에 있어서의 구동 전극 E1에 대응하고, 검출 전극 TDL은 검출 전극 E2에 대응하는 것이다. 검출 장치(30)는 이 기본 원리에 따라서 터치 입력을 검출한다. 서로 입체 교차한 검출 전극 TDL 및 구동 전극 COML은, 정전 용량식 터치 센서를 매트릭스 형상으로 구성하고 있다. 따라서, 검출 장치(30)의 터치 검출면 전체에 걸쳐 주사함으로써, 외부로부터의 도체의 접촉 또는 근접이 발생한 위치의 검출이 가능해지고 있다.With this configuration, in the detection device 30, when the mutual capacitance type touch detection operation is performed, the drive electrode driver 14 is driven to sequentially scan time-divisionally as a drive electrode block, thereby driving one of the drive electrodes COML. The detection blocks are selected sequentially. And the detection signal Vdet1 is output from the detection electrode TDL, and touch detection of one detection block is performed. That is, the drive electrode block corresponds to the drive electrode E1 in the above-described basic principle of mutual capacitance touch detection, and the detection electrode TDL corresponds to the detection electrode E2. The detection device 30 detects a touch input according to this basic principle. The detection electrode TDL and the drive electrode COML three-dimensionally intersecting with each other comprise the capacitive touch sensor in a matrix form. Therefore, by scanning over the whole touch detection surface of the detection apparatus 30, the detection of the position which the contact or proximity of the conductor from the exterior generate | occur | produced becomes possible.

터치 검출 기능을 구비한 표시 장치(1)의 동작 방법의 일례로서, 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치(1)는 터치 검출 동작(검출 기간)과 표시 동작(표시 동작 기간)을 시분할로 행한다. 터치 검출 동작과 표시 동작은 어떻게 나누어 행해도 된다.As an example of the operation method of the display device 1 with a touch detection function, the display device 1 with a touch detection function performs time-division between the touch detection operation (detection period) and the display operation (display operation period). The touch detection operation and the display operation may be divided in how.

또한, 본 실시 형태에 있어서, 구동 전극 COML은 표시 장치(20)의 공통 전극을 겸용하므로, 표시 동작 기간에 있어서는, 구동 전극 드라이버(14)를 통해 선택되는 구동 전극 COML에, 제어부(11)가 표시용의 공통 전극 전위인 구동 신호 Vcom을 공급한다.In addition, in this embodiment, since the drive electrode COML also serves as the common electrode of the display apparatus 20, in the display operation period, the control unit 11 is connected to the drive electrode COML selected through the drive electrode driver 14. The drive signal Vcom which is a common electrode potential for display is supplied.

검출 기간에 구동 전극 COML을 사용하지 않고, 검출 전극 TDL만으로 검출 동작을 행하는 경우, 예를 들어 후술하는 자기 정전 용량 방식의 터치 검출 원리에 기초하여 터치 검출을 행하는 경우, 구동 전극 드라이버(14)는 검출 전극 TDL에 터치 검출용의 구동 신호 Vcom을 공급해도 된다.When the detection operation is performed only by the detection electrode TDL without using the drive electrode COML in the detection period, for example, when the touch detection is performed based on the touch detection principle of the self capacitance method described later, the drive electrode driver 14 The drive signal Vcom for touch detection may be supplied to the detection electrode TDL.

이와 같이, 검출 전극 TDL의 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)의 연장 방향이 컬러 필터(32)의 각 색 영역(32R), 색 영역(32G) 및 색 영역(32B)의 연장 방향(방향 Dy)에 대하여 각도 θ를 이룬다. 그 결과, 검출 전극 TDL의 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)은, 컬러 필터(32)의 각 색 영역(32R), 색 영역(32G) 및 색 영역(32B)을 순서대로 차광하기 때문에, 컬러 필터(32)의 특정 색 영역에서의 투과율의 저하를 억제할 수 있다. 이 결과, 실시 형태 1에 따른 검출 장치는, 명암 모양이 일정한 주기를 갖기 어려워져, 므와레가 시인될 가능성을 저감할 수 있다.As described above, the extending directions of the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V of the detection electrode TDL are each of the color gamut 32R, the color gamut 32G, and the color gamut 32B of the color filter 32. The angle θ is made with respect to the extending direction (direction Dy) of. As a result, the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V of the detection electrode TDL sequentially order each color gamut 32R, color gamut 32G, and color gamut 32B of the color filter 32. Since light-shielding is carried out as it is, the fall of the transmittance | permeability in the specific color area | region of the color filter 32 can be suppressed. As a result, the detection apparatus according to the first embodiment is less likely to have a constant cycle of contrast, and can reduce the possibility that the moire is visually recognized.

JP-A-2014-041589에 기재된 기술에서는, 가시광이 입사하면 복수의 검출 전극에서 회절 또는 산란하는 광강도 패턴이 복수의 산재하는 광의 점에 가까워진다. 시인자가 검출 장치 자체를 기울어지게 함으로써, 산재하는 복수의 광강도 패턴의 광의 점의 위치 또는 수를 변화시킬 수 있지만, 복수의 광강도 패턴의 광의 점의 시인을 저감시키는 것이 어렵다. JP-A-2014-041589에 기재된 기술에서는, 인접하는 세선편 a 및 세선편 b가 이루는 각도가 랜덤이다. 이 때문에, 시인자가 검출 장치 자체를 기울어지게 함으로써, 새로운 회절 또는 산란이 발생하기 쉬워, 산재하는 복수의 광강도 패턴의 광의 점이 발현되기 쉽다고 생각된다.In the technique described in JP-A-2014-041589, when visible light enters, the light intensity pattern diffracted or scattered by the plurality of detection electrodes approaches the point of the plurality of scattered light. By tilting the detection device itself, the viewer can change the position or the number of points of the light of the plurality of light intensity patterns scattered, but it is difficult to reduce the visibility of the points of the light of the plurality of light intensity patterns. In the technique of JP-A-2014-041589, the angle which the adjacent thin wire piece a and the thin wire piece b make is random. For this reason, when a viewer inclines the detection apparatus itself, new diffraction or scattering is easy to generate | occur | produce, and it is thought that the point of the light of the several light intensity pattern which scatters is easy to be expressed.

이에 반해, 실시 형태 1의 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)의 방향 Dy에 대하여 이루는 각도 θ가 일정하다. 이 때문에, 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)에, 가시광이 입사하면, 각각의 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)에서 회절 또는 산란하는 광강도 패턴이 확산되기 어려워진다. 또한, 각각의 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)에서 회절 또는 산란하는 광강도 패턴이 4방향으로 모이기 쉬워, 일정한 지향성이 발현되기 쉽다. 그리고, 시인자가 실시 형태 1에 따른 검출 장치(30) 자체를 기울어지게 함으로써, 광강도 패턴이 발현되기 쉬운 각도를 회피하기 쉬워진다.In contrast, the angle θ formed with respect to the direction Dy of the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V of the first embodiment is constant. For this reason, when visible light enters the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V, the light intensity pattern diffracted or scattered in each of the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V. This becomes difficult to spread. In addition, the light intensity patterns diffracted or scattered in each of the first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V tend to be collected in four directions, and a constant directivity is likely to be expressed. And the viewer tilts the detection apparatus 30 itself concerning Embodiment 1, and it becomes easy to avoid the angle which a light intensity pattern tends to express.

따라서, 실시 형태 1의 복수의 제1 도전성 세선(33U)이 소정 폭 WU의 제1 띠 형상 영역 UA에 배치되고, 또한, 적어도 방향 Dv로 서로 어긋난 2개의 제1 도전성 세선(33U)을 포함하는 복수의 제1 그룹 GU가 형성되어 있다(도 11 참조).Accordingly, the plurality of first conductive thin wires 33U of the first embodiment are disposed in the first strip region UA having a predetermined width WU and further include two first conductive thin wires 33U that are shifted from each other in at least the direction Dv. A plurality of first group GUs are formed (see FIG. 11).

마찬가지로, 실시 형태 1의 복수의 제2 도전성 세선(33V)이 소정 폭 WV의 제2 띠 형상 영역 VA에 배치되고, 또한, 적어도 방향 Du로 서로 어긋난 2개의 제2 도전성 세선(33V)을 포함하는 복수의 제2 그룹 GV가 형성되어 있다(도 11 참조). 또한, 본 실시의 형태에 있어서, 소정 폭 WU를 제1 폭, 소정 폭 WV를 제2 폭이라고도 한다.Similarly, the plurality of second conductive thin wires 33V of the first embodiment are disposed in the second strip region VA having a predetermined width WV and further include two second conductive thin wires 33V that are shifted from each other in at least the direction Du. A plurality of second group GVs are formed (see FIG. 11). In addition, in this embodiment, predetermined width WU is also called 1st width, and predetermined width WV is also called 2nd width.

도 12는 실시 형태 1에 따른 검출 전극의 배치 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 도 11 및 도 12에 도시한 복수의 제1 기준선(33SU)은, 방향 Dv로 등피치로 배치되며, 방향 Du로 연장되는 가상선이다. 제1 기준선(33SU)은, 제1 띠 형상 영역 UA를 폭 방향(방향 Dv)으로 이등분하는 직선이다. 마찬가지로, 복수의 제2 기준선(33SV)은, 방향 Du로 등피치로 배치되며, 방향 Dv로 연장되는 가상선이다. 제2 기준선(33SV)은, 제2 띠 형상 영역 VA를 폭 방향(방향 Du)으로 이등분하는 직선이다. 소정 폭 WU는, 제1 기준선(33SU)을 중심으로 한 경우에, 제1 도전성 세선(33U)을 제1 기준선(33SU)으로부터 어긋나게 해도 되는 폭이다. 방향 Dv로 인접하는 2개의 제1 기준선(33SU) 간의 길이를 제1 기준 길이 SW1로 하면, 소정 폭 WU는 제1 기준 길이 SW1의 1/20 이상 1/5 이하이다. 예를 들어 소정 폭 WU는 10㎛ 이상 30㎛ 이하이다. 소정 폭 WV는, 제2 기준선(33SV)을 중심으로 한 경우에, 제2 도전성 세선(33V)을 제2 기준선(33SV)로부터 어긋나게 해도 되는 폭이다. 방향 Du로 인접하는 2개의 제2 기준선(33SV) 간의 길이를 제2 기준 길이 SW2로 하면, 소정 폭 WV는 제2 기준 길이 SW2의 1/20 이상 1/5 이하이다. 예를 들어 소정 폭 WV는 10㎛ 이상 30㎛ 이하이다.12 is a flowchart for explaining a method of arranging the detection electrodes according to the first embodiment. The plurality of first reference lines 33SU shown in FIGS. 11 and 12 are arranged at equal pitches in the direction Dv and are virtual lines extending in the direction Du. The first reference line 33SU is a straight line bisecting the first strip region UA in the width direction (direction Dv). Similarly, the plurality of second reference lines 33SV are arranged at equal pitch in the direction Du and are virtual lines extending in the direction Dv. The second reference line 33SV is a straight line that bisects the second strip region VA in the width direction (direction Du). The predetermined width WU is a width in which the first conductive thin wire 33U may be shifted from the first reference line 33SU when the first reference line 33SU is centered. When the length between two first reference lines 33SU adjacent in the direction Dv is set to the first reference length SW1, the predetermined width WU is 1/20 or more and 1/5 or less of the first reference length SW1. For example, the predetermined width WU is 10 µm or more and 30 µm or less. The predetermined width WV is a width which may shift the second conductive thin wire 33V from the second reference line 33SV when the second reference line 33SV is centered. When the length between two second reference lines 33SV adjacent in the direction Du is set to the second reference length SW2, the predetermined width WV is 1/20 or more and 1/5 or less of the second reference length SW2. For example, predetermined width WV is 10 micrometers or more and 30 micrometers or less.

즉, 제1 도전성 세선(33U)의 길이는, 인접하는 상기 제2 기준선(33SV) 간의 길이(제2 기준 길이 SW2)의 2배와 제2 띠 형상 영역 VA의 소정 폭 WV의 차 이상이다. 또한, 제1 도전성 세선(33U)의 길이는, 인접하는 제2 기준선(33SV) 간의 길이(제2 기준 길이 SW2)의 2배와 제2 띠 형상 영역 VA의 소정 폭 WV의 합 이하이다. 제2 도전성 세선(33V)의 길이는, 인접하는 상기 제1 기준선(33SU) 간의 길이(제1 기준 길이 SW1)의 2배와 제1 띠 형상 영역 UA의 소정 폭 WU의 차 이상이다. 또한, 제2 도전성 세선(33V)의 길이는, 인접하는 제1 기준선(33SU) 간의 길이(제1 기준 길이 SW1)의 2배와 제1 띠 형상 영역 UA의 소정 폭 WU의 합 이하이다.That is, the length of the first conductive thin wire 33U is equal to or more than the difference between twice the length (the second reference length SW2) between the adjacent second reference lines 33SV and the predetermined width WV of the second strip region VA. The length of the first conductive thin wire 33U is equal to or less than the sum of twice the length (second reference length SW2) between the adjacent second reference lines 33SV and the predetermined width WV of the second strip region VA. The length of the second conductive thin wire 33V is equal to or more than the difference between twice the length (first reference length SW1) between the adjacent first reference lines 33SU and the predetermined width WU of the first strip-shaped region UA. The length of the second conductive thin wire 33V is equal to or less than the sum of twice the length (first reference length SW1) between the adjacent first reference lines 33SU and the predetermined width WU of the first strip-shaped region UA.

도 12에 도시한 바와 같이, 1개의 제1 도전성 세선(33U)의 제1 단부 U11을 기준점에 배치한다. 기준점에 있어서, 방향 Dx에 대하여 제1 도전성 세선(33U)이 이루는 각도를 각도 α라 한다. 제1 도전성 세선(33U)의 제1 단부 U11로부터 방향 Du로 제2 기준 길이 SW2의 2배±길이 β의 위치에, 제1 도전성 세선(33U)의 제2 단부 U12를 배치한다. 여기서, 길이 β는 소정 폭 WV/2 이내로서, 랜덤하게 선택되는 길이이다. 제1 도전성 세선(33U)의 제2 단부 U12의 위치가 결정되면, 제1 도전성 세선(33U)의 제2 단부 U12의 위치로부터 방향 Dx에 대하여 (90°-α)의 각도를 이루는 방향으로, 소정 폭 WU/2 이내의 길이로서, 랜덤하게 선택되는 길이 γ분 어긋난 위치에, 다음의 제1 도전성 세선(33U)의 제1 단부 U11을 배치한다. 상술한 검출 전극 TDL의 배치 방법을 반복함으로써, 방향 Du를 따라서 연장되는 1개의 제1 띠 형상 영역 UA 내에, 복수의 제1 도전성 세선(33U)이 방향 Dv로 서로 어긋나는 것을 허용하면서 배치된다. 제2 도전성 세선(33V)도 마찬가지로 배치할 수 있다.As shown in FIG. 12, the 1st edge part U11 of one 1st conductive fine wire 33U is arrange | positioned at a reference point. At the reference point, the angle formed by the first conductive thin wire 33U with respect to the direction Dx is referred to as angle α. The second end portion U12 of the first conductive fine wire 33U is disposed at a position of twice the length ± 2 of the second reference length SW2 in the direction Du from the first end U11 of the first conductive fine wire 33U. Here, the length β is within a predetermined width WV / 2 and is a length that is randomly selected. When the position of the second end U12 of the first conductive thin wire 33U is determined, in the direction of forming an angle of (90 ° -α) with respect to the direction Dx from the position of the second end U12 of the first conductive thin wire 33U, As the length within predetermined width WU / 2, the 1st edge part U11 of the following 1st electroconductive thin wire 33U is arrange | positioned in the position which shifted the length (gamma) minute chosen at random. By repeating the above-described method for arranging the detection electrodes TDL, the plurality of first conductive thin wires 33U are disposed in the first band region UA extending along the direction Du while allowing the plurality of first conductive thin wires 33U to shift in the direction Dv. The second conductive thin wire 33V can also be arranged in the same manner.

도 11에 도시한 바와 같이, 제1 띠 형상 영역 UA와, 제2 띠 형상 영역 VA가 교차하는 교차 영역 AX에 있어서, 제1 도전성 세선(33U)과, 제2 도전성 세선(33V)이 접하는 전기적 접속부(33x)가 생긴다. 방향 Dv로 서로 어긋난 2개의 제1 도전성 세선(33U)을 포함하는 교차 영역 AX에는, 2개의 제1 도전성 세선(33U)과, 1개의 제2 도전성 세선(33V)이 접하여 2개의 전기적 접속부(33x)가 있다. 방향 Du로 서로 어긋난 2개의 제2 도전성 세선(33V)을 포함하는 교차 영역 AX에는, 2개의 제2 도전성 세선(33V)과, 1개의 제1 도전성 세선(33U)이 접하여 2개의 전기적 접속부(33x)가 있다. 그 결과, 제1 도전성 세선(33U)과, 제2 도전성 세선(33V)이 십자 교차하는 개소가 억제된다.As shown in FIG. 11, in the cross | intersection area | region AX where the 1st strip | belt-shaped area | region UA and the 2nd strip | belt-shaped area | region VA intersect, the electrical contact which 33U of 1st electroconductive thin wires and 33V of 2nd electroconductive thin wires contact | connects. The connection part 33x is produced. Two first conductive thin wires 33U and one second conductive thin wire 33V are in contact with each other in the intersecting region AX including two first conductive thin wires 33U displaced from each other in the direction Dv, and two electrical connections 33x are provided. There is). Two second conductive thin wires 33V and one first conductive thin wire 33U are in contact with each other in the intersecting region AX including two second conductive thin wires 33V displaced from each other in the direction Du, and two electrical connection portions 33x are provided. There is). As a result, the location where the 1st conductive fine wire 33U and the 2nd electroconductive fine wire 33V cross cross is suppressed.

즉, 1개의 제1 도전성 세선(33U)에 있어서 4개의 전기적 접속부(33x)가 생긴다. 즉, 1개의 제1 도전성 세선(33U)에 접하는 제2 도전성 세선(33V)의 수는 4개이다. 1개의 제1 도전성 세선(33U)이, 일단과, 타단과, 중간의 2개소에 있어서 제2 도전성 세선(33V)에 접하고 있다.In other words, four electrical connecting portions 33x are formed in one first conductive fine wire 33U. In other words, the number of second conductive thin wires 33V in contact with one first conductive thin wire 33U is four. One first conductive thin wire 33U is in contact with the second conductive thin wire 33V at one end, the other end, and two intermediate positions.

또한, 1개의 제2 도전성 세선(33V)에 있어서 4개의 전기적 접속부(33x)가 생긴다. 즉, 1개의 제2 도전성 세선(33V)에 접하는 제1 도전성 세선(33U)의 수는 4개이다. 1개의 제2 도전성 세선(33V)이, 일단과, 타단과, 중간의 2개소에 있어서 제1 도전성 세선(33U)에 접하고 있다.In addition, four electrical connecting portions 33x are formed in one second conductive fine wire 33V. That is, the number of the first conductive fine wires 33U in contact with one second conductive fine wire 33V is four. One second conductive thin wire 33V is in contact with the first conductive thin wire 33U at two ends of one end, the other end, and the middle.

(실시 형태 2)(Embodiment 2)

다음에, 실시 형태 2에 따른 검출 장치에 대하여 설명한다. 도 13은 실시 형태 2에 따른 검출 전극의 평면도이다. 또한, 상술한 실시 형태 1에서 설명한 것과 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고 중복되는 설명은 생략한다.Next, a detection apparatus according to the second embodiment will be described. 13 is a plan view of a detection electrode according to the second embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same component as what was demonstrated in Embodiment 1 mentioned above, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

도 8에 도시한 바와 같이, 인접하는 검출 전극 TDL의 사이에는 간격 SP가 있다. 시인자에 의해 간격 SP가 시인되어 버리는 것을 억제하기 위해, 도 13에 도시한 바와 같이, 더미 전극 TDD가 배치되어 있다.As shown in Fig. 8, there is an interval SP between adjacent detection electrodes TDL. In order to suppress that the space | interval SP is visually recognized by the viewer, as shown in FIG. 13, the dummy electrode TDD is arrange | positioned.

더미 전극 TDD에 있어서, 복수의 제1 도전성 세선(33U)이 소정 폭 WU의 제1 띠 형상 영역 UA에 배치되고, 또한, 적어도 방향 Dv로 서로 어긋난 2개의 제1 도전성 세선(33U)을 포함하는 복수의 제1 그룹 GU가 형성되어 있다.In the dummy electrode TDD, the plurality of first conductive thin wires 33U are disposed in the first strip-shaped region UA having a predetermined width WU and further include two first conductive thin wires 33U which are shifted from each other in at least the direction Dv. A plurality of first groups GU are formed.

마찬가지로, 더미 전극 TDD에 있어서, 복수의 제2 도전성 세선(33V)이 소정 폭 WV의 제2 띠 형상 영역 VA에 배치되고, 또한, 적어도 방향 Du로 서로 어긋난 2개의 제2 도전성 세선(33V)을 포함하는 복수의 제2 그룹 GV가 형성되어 있다.Similarly, in the dummy electrode TDD, the plurality of second conductive thin wires 33V are disposed in the second band-shaped region VA having a predetermined width WV, and at least two second conductive thin wires 33V that are shifted from each other in the direction Du are formed. A plurality of second group GVs are formed.

더미 전극 TDD에 있어서, 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)의 각각에, 슬릿 SL이 형성되어 있다. 슬릿 SL은, 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)을 구성하는 재료가 형성되어 있지 않거나, 에칭 등에 의해 제거되어 있어, 절연성 재료만이 있는 부분으로 되어 있다. 슬릿 SL은, 인접하는 전기적 접속부(33x)의 사이에 형성되어 있다. 전기적 접속부(33x)로부터 슬릿 SL까지의 거리가 일정함으로써, 슬릿 SL 자체를 시인하기 어렵게 할 수 있다.In the dummy electrode TDD, a slit SL is formed in each of the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V. In the slit SL, the materials constituting the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V are not formed or are removed by etching or the like, and the slit SL is a portion having only an insulating material. The slit SL is formed between the adjacent electrical connection parts 33x. Since the distance from the electrical connection part 33x to the slit SL is constant, it is difficult to visually recognize the slit SL itself.

더미 전극 TDD는, 검출 전극 TDL을 구성하는 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)과 동일한 방향으로 연장되는 구성 요소를 구비하고 있으므로, 간격 SP를 불가시화 할 수 있음과 함께, 검출 전극 TDL이 시인될 가능성을 저감할 수 있다.Since the dummy electrode TDD includes components extending in the same direction as the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V constituting the detection electrode TDL, the spacing SP can be made invisible, The possibility that the detection electrode TDL is visually recognized can be reduced.

(실시 형태 2의 변형예 1)(Modification 1 of Embodiment 2)

도 14는 실시 형태 2의 변형예 1에 따른 검출 전극의 평면도이다. 도 14에 도시한 바와 같이, 더미 전극 TDD는, 슬릿 SL을 사이에 두는 제1 도전성 세선(33U)이 방향 Dv로 어긋나 있다. 마찬가지로, 더미 전극 TDD는, 슬릿 SL을 사이에 두는 제2 도전성 세선(33V)이 방향 Du로 어긋나 있다.14 is a plan view of a detection electrode according to Modification Example 1 of the second embodiment. As shown in FIG. 14, in the dummy electrode TDD, the first conductive thin wire 33U between the slits SL is shifted in the direction Dv. Similarly, in the dummy electrode TDD, the second conductive thin wire 33V sandwiching the slit SL is shifted in the direction Du.

(실시 형태 2의 변형예 2)(Modification 2 of Embodiment 2)

도 15는 실시 형태 2의 변형예 2에 따른 검출 전극의 평면도이다. 도 15에 도시한 바와 같이, 실시 형태 2의 변형예 2에 있어서 복수의 슬릿 SL은, 방향 Dy에 평행인 직선 LY1 상, 직선 LY2 상 또는 직선 LY3 상에 배치되어 있다. 직선 LY1은, 1개의 검출 전극 TDL의 방향 Dx에서의 일단에 위치하는 가상 직선이고, 직선 LY2는, 1개의 검출 전극 TDL의 방향 Dx에서의 타단에 위치하는 가상 직선이다. 직선 LY3은 직선 LY1과 직선 LY2 사이에 배치된다. 예를 들어, 직선 LY1로부터 직선 LY2까지의 폭 WTDL은 일정하다. 이에 의해, 더미 전극 TDD를 사이에 두고 인접하는 2개의 검출 전극 TDL의 기생 용량이 개략 동등하게 된다. 또한, 직선 LY1과 직선 LY2 사이에 복수의 직선 LY3이 있어도 된다. 즉, 직선 LY1과 직선 LY2 사이의 영역에 있어서, 동일 직선 상에 배치된 복수의 슬릿 SL을 포함하는 열이 복수 있어도 된다.15 is a plan view of a detection electrode according to Modification Example 2 of the second embodiment. As shown in FIG. 15, in the modification 2 of Embodiment 2, some slit SL is arrange | positioned on the straight line LY1 phase, the straight line LY2 phase, or the straight line LY3 parallel to direction Dy. The straight line LY1 is an imaginary straight line located at one end in the direction Dx of one detection electrode TDL, and the straight line LY2 is an imaginary straight line located at the other end in the direction Dx of one detection electrode TDL. The straight line LY3 is disposed between the straight line LY1 and the straight line LY2. For example, the width WTDL from straight line LY1 to straight line LY2 is constant. As a result, the parasitic capacitances of two adjacent detection electrodes TDL with the dummy electrode TDD therebetween are approximately equal. In addition, there may be a plurality of straight lines LY3 between the straight lines LY1 and LY2. That is, in the area | region between the straight line LY1 and the straight line LY2, there may exist several rows containing several slit SL arrange | positioned on the same straight line.

(실시 형태 3)(Embodiment 3)

다음에, 실시 형태 3에 따른 검출 장치에 대하여 설명한다. 도 16은 실시 형태 3에 따른 검출 전극의 평면도이다. 도 16에 도시한 바와 같이, 실시 형태 3에 있어서, 제1 도전성 세선(33U)은, 제1 주 세선(331U)과, 제1 보조 세선(332U)을 포함한다. 제2 도전성 세선(33V)은, 제2 주 세선(331V)과, 제2 보조 세선(332V)을 포함한다. 또한, 상술한 실시 형태 1에서 설명한 것과 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고 중복되는 설명은 생략한다.Next, a detection apparatus according to the third embodiment will be described. 16 is a plan view of a detection electrode according to the third embodiment. As shown in FIG. 16, in the third embodiment, the first conductive thin wire 33U includes the first main thin wire 331U and the first auxiliary thin wire 332U. The second conductive thin wire 33V includes a second main thin wire 331V and a second auxiliary thin wire 332V. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same component as what was demonstrated in Embodiment 1 mentioned above, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

도 16에 도시한 바와 같이, 복수의 제1 주 세선(331U)은, 소정 폭 WU의 제1 주 띠 형상 영역 UAa에 배치되어 있다. 적어도 방향 Dv로 서로 어긋난 2개의 제1 주 세선(331U)을 포함하는 복수의 제1 주 그룹 GU1이 형성되어 있다. 복수의 제1 보조 세선(332U)은, 소정 폭 WU의 제1 보조 띠 형상 영역 UAb에 배치되어 있다. 적어도 방향 Dv로 서로 어긋난 2개의 제1 보조 세선(332U)을 포함하는 복수의 제1 보조 그룹 GU2가 형성되어 있다. 제1 주 띠 형상 영역 UAa 및 제1 보조 띠 형상 영역 UAb는, 방향 Dv로 교대로 등피치로 배치되어 있다. 인접하는 제1 주 띠 형상 영역 UAa와 제1 보조 띠 형상 영역 UAb 사이의 길이가 제1 기준 길이 SW1이다.As shown in FIG. 16, the some 1st main fine wire 331U is arrange | positioned in the 1st main strip | belt-shaped area | region UAa of predetermined width WU. A plurality of first main groups GU1 including two first main fine lines 331U shifted at least in the direction Dv are formed. The plurality of first auxiliary thin lines 332U are disposed in the first auxiliary strip-shaped region UAb having a predetermined width WU. A plurality of first auxiliary groups GU2 including two first auxiliary thin lines 332U that are shifted from each other at least in the direction Dv are formed. The 1st main strip | belt-shaped area | region UAa and the 1st auxiliary strip | belt-shaped area | region UAb are arrange | positioned at equal pitch alternately in the direction Dv. The length between the adjacent 1st main strip | belt-shaped area | region UAa and 1st auxiliary strip | belt-shaped area | region UAb is 1st reference length SW1.

도 16에 도시한 바와 같이, 복수의 제2 주 세선(331V)은, 소정 폭 WV의 제2 주 띠 형상 영역 VAa에 배치되어 있다. 적어도 방향 Du로 서로 어긋난 2개의 제2 주 세선(331V)을 포함하는 복수의 제2 주 그룹 GV1이 형성되어 있다. 복수의 제2 보조 세선(332V)은, 소정 폭 WV의 제2 보조 띠 형상 영역 VAb에 배치되어 있다. 적어도 방향 Du로 서로 어긋난 2개의 제2 보조 세선(332V)을 포함하는 복수의 제2 보조 그룹 GV2가 형성되어 있다. 제2 주 띠 형상 영역 VAa 및 제2 보조 띠 형상 영역 VAb는, 방향 Du로 교대로 등피치로 배치되어 있다. 인접하는 제2 주 띠 형상 영역 VAa와 제2 보조 띠 형상 영역 VAb 사이의 길이가 제2 기준 길이 SW2이다.As shown in FIG. 16, the some 2nd main fine wire 331V is arrange | positioned in the 2nd main strip | belt-shaped area | region VAa of predetermined width WV. A plurality of second main groups GV1 including two second main fine lines 331V which are shifted from each other at least in the direction Du are formed. The plurality of second auxiliary thin lines 332V is disposed in the second auxiliary strip region VAb having a predetermined width WV. A plurality of second auxiliary groups GV2 including two second auxiliary thin wires 332V, which are shifted from each other at least in the direction Du, are formed. The 2nd main strip | belt-shaped area | region VAa and the 2nd auxiliary strip | belt-shaped area | region VAb are arrange | positioned at equal pitch alternately in the direction Du. The length between adjacent 2nd main strip | belt-shaped area | region VAa and 2nd auxiliary strip | belt-shaped area | region VAb is 2nd reference length SW2.

제1 주 세선(331U)의 길이는, 제2 기준 길이 SW2의 2배와 소정 폭 WV의 차 이상이며 제2 기준 길이 SW2의 2배와 소정 폭 WV의 합 이하이다. 1개의 제1 주 세선(331U)에는 2개의 전기적 접속부(33x)가 생겨 있다. 제1 주 세선(331U)의 일단에 1개의 제2 보조 세선(332V)이 접하고 있고, 제1 주 세선(331U)의 타단에 다른 제2 보조 세선(332V)이 접하고 있다. 또한, 제1 주 세선(331U)의 중간에서, 2개의 제2 주 세선(331V)이 접하고 있다. 즉, 1개의 제1 주 세선(331U)에 대하여, 2개의 제2 주 세선(331V) 및 2개의 제2 보조 세선(332V)(4개의 제2 도전성 세선(33V))이 접하고 있다.The length of the 1st main thin wire 331U is more than the difference of 2 times of 2nd reference length SW2, and predetermined width WV, and is less than the sum of 2 times of 2nd reference length SW2, and predetermined width WV. Two electrical connection portions 33x are formed in one first main fine wire 331U. One second auxiliary thin wire 332V is in contact with one end of the first main fine wire 331U, and the other second auxiliary fine wire 332V is in contact with the other end of the first main fine wire 331U. In addition, two second main thin wires 331V are in contact with each other in the middle of the first main thin wire 331U. That is, two second main thin wires 331V and two second auxiliary thin wires 332V (four second conductive thin wires 33V) are in contact with one first main thin wire 331U.

제1 보조 세선(332U)의 길이는 소정 폭 WV 이하이다. 1개의 제1 보조 세선(332U)에는 2개의 전기적 접속부(33x)가 생겨 있다. 제1 보조 세선(332U)의 일단에 1개의 제2 주 세선(331V)이 접하고 있고, 제1 보조 세선(332U)의 타단에 다른 제2 주 세선(331V)이 접하고 있다. 즉, 1개의 제1 보조 세선(332U)에 대하여, 2개의 제2 주 세선(331V)(2개의 제2 도전성 세선(33V))이 접하고 있다.The length of the first auxiliary thin wire 332U is equal to or less than the predetermined width WV. Two electrical connections 33x are formed in one first auxiliary thin wire 332U. One second main thin wire 331V is in contact with one end of the first auxiliary fine wire 332U, and the other second main fine wire 331V is in contact with the other end of the first auxiliary fine wire 332U. That is, two second main thin wires 331V (two second conductive thin wires 33V) are in contact with one first auxiliary thin wire 332U.

제2 주 세선(331V)의 길이는, 제1 기준 길이 SW1과 소정 폭 WU의 차 이상이며 제1 기준 길이 SW1과 소정 폭 WU의 합 이하이다. 1개의 제2 주 세선(331V)에는 2개의 전기적 접속부(33x)가 생겨 있다. 제2 주 세선(331V)의 일단에 1개의 제1 주 세선(331U)이 접하고 있고, 제2 주 세선(331V)의 타단에 1개의 제1 보조 세선(332U)이 접하고 있다. 즉, 1개의 제2 주 세선(331V)에 대하여 1개의 제1 주 세선(331U) 및 1개의 제1 보조 세선(332U)(2개의 제1 도전성 세선(33U))이 접하고 있다.The length of the 2nd main thin wire 331V is more than the difference of 1st reference length SW1, and predetermined width WU, and is less than or equal to the sum of 1st reference length SW1 and predetermined width WU. Two electrical connecting portions 33x are formed in one second main fine wire 331V. One first main thin wire 331U is in contact with one end of the second main fine wire 331V, and one first auxiliary thin wire 332U is in contact with the other end of the second main fine wire 331V. That is, one first main thin wire 331U and one first auxiliary thin wire 332U (two first conductive thin wires 33U) are in contact with one second main thin wire 331V.

제2 보조 세선(332V)의 길이는 소정 폭 WU 이하이다. 1개의 제2 보조 세선(332V)에는 2개의 전기적 접속부(33x)가 생겨 있다. 제2 보조 세선(332V)의 일단에 1개의 제1 주 세선(331U)이 접하고 있고, 제2 보조 세선(332V)의 타단에 다른 제1 주 세선(331U)이 접하고 있다. 즉, 1개의 제2 보조 세선(332V)에 대하여, 2개의 제1 주 세선(331U)(2개의 제1 도전성 세선(33U))이 접하고 있다.The length of the second auxiliary thin wire 332V is equal to or less than the predetermined width WU. Two electrical connecting portions 33x are formed in one second auxiliary thin wire 332V. One first main thin wire 331U is in contact with one end of the second auxiliary fine wire 332V, and the other first main fine wire 331U is in contact with the other end of the second auxiliary fine wire 332V. That is, two first main thin wires 331U (two first conductive thin wires 33U) are in contact with one second auxiliary thin wire 332V.

도 16에 도시한 바와 같이, 일부의 교차 영역 AX(교차 영역 AX1)에 있어서는, 2개의 전기적 접속부(33x)가 생겨 있다. 한편, 그 밖의 교차 영역 AX(교차 영역 AX2)에 있어서는 전기적 접속부(33x)가 발생하지 않는다.As shown in FIG. 16, in some crossing area | region AX (intersection area | region AX1), two electrical connection parts 33x are formed. On the other hand, in the other crossing area | region AX (intersection area | region AX2), the electrical connection part 33x does not generate | occur | produce.

실시 형태 3에 있어서는, 실시 형태 1과 비교하여, 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)에 의해 형성되는 다각형의 면적이 변동되기 어렵다. 이 때문에, 표시 영역(10a)에 있어서 개구율이 균일해지기 쉽다.In Embodiment 3, compared with Embodiment 1, the area of the polygon formed by 33U of 1st electroconductive thin wires and 33V of 2nd electroconductive thin wires does not fluctuate easily. For this reason, the aperture ratio tends to be uniform in the display region 10a.

(실시 형태 4)(Embodiment 4)

다음에, 실시 형태 4에 따른 검출 장치에 대하여 설명한다. 도 17은 실시 형태 4에 따른 검출 전극의 평면도이다. 도 17에 도시한 바와 같이, 실시 형태 4에 있어서, 검출 전극 TDL은, 제1 도전성 세선(33U)과, 제2 도전성 세선(33V)과, 제3 도전성 세선(33Y)을 포함한다. 또한, 상술한 실시 형태 1에서 설명한 것과 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고 중복되는 설명은 생략한다.Next, a detection apparatus according to the fourth embodiment will be described. 17 is a plan view of a detection electrode according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 17, in Embodiment 4, the detection electrode TDL contains 33U of 1st electroconductive thin wires, 33V of 2nd electroconductive thin wires, and 3rd electroconductive thin wires 33Y. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same component as what was demonstrated in Embodiment 1 mentioned above, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

도 17에 도시한 바와 같이, 복수의 제1 도전성 세선(33U)은, 소정 폭 WU의 제1 띠 형상 영역 UA에 배치되어 있다. 적어도 방향 Dv로 서로 어긋난 2개의 제1 도전성 세선(33U)을 포함하는 복수의 제1 그룹 GU가 형성되어 있다.As illustrated in FIG. 17, the plurality of first conductive thin wires 33U are disposed in the first strip region UA having a predetermined width WU. A plurality of first group GUs including two first conductive thin wires 33U which are shifted from each other at least in the direction Dv are formed.

복수의 제2 도전성 세선(33V)은, 소정 폭 WV의 제2 띠 형상 영역 VA에 배치되어 있다. 적어도 방향 Du로 서로 어긋난 2개의 제2 도전성 세선(33V)을 포함하는 복수의 제2 그룹 GV가 형성되어 있다.The plurality of second conductive thin wires 33V are disposed in the second strip region VA having a predetermined width WV. A plurality of second group GVs including two second conductive thin wires 33V which are shifted from each other at least in the direction Du are formed.

복수의 제3 도전성 세선(33Y)은, 소정 폭 WY의 제3 띠 형상 영역 YA에 배치되어 있다. 적어도 방향 Dx로 서로 어긋난 2개의 제3 도전성 세선(33Y)을 포함하는 복수의 제3 그룹 GY가 형성되어 있다. 또한, 실시 형태 4에서는, 소정 폭 WY를 제3 폭이라고도 한다.The plurality of third conductive thin wires 33Y are disposed in the third strip region YA having a predetermined width WY. A plurality of third groups GY including two third conductive thin wires 33Y shifted from each other at least in the direction Dx are formed. In addition, in Embodiment 4, predetermined width WY is also called 3rd width.

복수의 기준선(33SY)은, 방향 Dx로 등피치로 배치되며, 방향 Dy로 연장되는 가상선이다. 소정 폭 WY는, 기준선(33SY)을 중심으로 한 경우에, 제3 도전성 세선(33Y)을 기준선(33SY)으로부터 어긋나게 해도 되는 폭이다. 소정 폭 WY는, 방향 Dx로 인접하는 2개의 기준선(33SY) 간의 길이를 제3 기준 길이 SW3으로 하면 제3 기준 길이 SW3의 1/20 이상 1/5 이하이다. 예를 들어 소정 폭 WY는 10㎛ 이상 30㎛ 이하이다.The plurality of reference lines 33SY are arranged at equal pitches in the direction Dx and are virtual lines extending in the direction Dy. The predetermined width WY is a width which may shift the third conductive thin wire 33Y from the reference line 33SY when the reference line 33SY is centered. The predetermined width WY is 1/20 to 1/5 of the third reference length SW3 when the length between two reference lines 33SY adjacent to the direction Dx is set to the third reference length SW3. For example, predetermined width WY is 10 micrometers or more and 30 micrometers or less.

검출 전극 TDL의 1개의 메쉬의 형상은 육각형이다. 즉, 2개의 제1 도전성 세선(33U)과, 2개의 제2 도전성 세선(33V)과, 2개의 제3 도전성 세선(33Y)에 의해 육각형이 형성되어 있다.The shape of one mesh of the detection electrodes TDL is hexagonal. That is, a hexagon is formed by two first conductive thin wires 33U, two second conductive thin wires 33V, and two third conductive thin wires 33Y.

제1 띠 형상 영역 UA와, 제2 띠 형상 영역 VA와, 제3 띠 형상 영역 YA가 교차하는 교차 영역 AXX에 있어서, 1개의 제1 도전성 세선(33U)과, 1개의 제2 도전성 세선(33V)과, 1개의 제3 도전성 세선(33Y)이 접하고 있다. 즉, 제1 도전성 세선(33U)과 제2 도전성 세선(33V)의 교점인 전기적 접속부(33xx)에 제3 도전성 세선(33Y)이 접하고 있다. 교차 영역 AXX는 육각형의 영역이다. 일부의 교차 영역 AXX에 있어서는, 1개의 전기적 접속부(33xx)가 생겨 있다. 한편, 그 밖의 교차 영역 AXX에 있어서는 전기적 접속부(33xx)가 생기지 않는다.In the intersecting area AXX where the first stripe region UA, the second stripe region VA, and the third stripe region YA intersect, one first conductive thin wire 33U and one second conductive thin wire 33V. ) And one third conductive thin wire 33Y are in contact with each other. That is, the third conductive thin wire 33Y is in contact with the electrical connection portion 33xx that is the intersection of the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V. The intersecting area AXX is the area of the hexagon. In some intersection area | region AXX, one electrical connection part 33xx is formed. On the other hand, in the other crossing area | region AXX, the electrical connection part 33xx does not arise.

이와 같이, 검출 전극 TDL은, 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V) 외에, 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)과는 상이한 방향으로 연장되는 제3 도전성 세선(33Y)을 구비하고 있어도 된다.As described above, the detection electrode TDL extends in a direction different from the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V, in addition to the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V. The thin wire 33Y may be provided.

(실시 형태 5)(Embodiment 5)

도 18은 실시 형태 5에 따른 검출 전극의 평면도이다. 또한, 상술한 실시 형태 1에서 설명한 것과 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고 중복되는 설명은 생략한다.18 is a plan view of a detection electrode according to the fifth embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same component as what was demonstrated in Embodiment 1 mentioned above, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

도 18에 도시한 바와 같이, 제1 띠 형상 영역 UA는, 제1 기준선(33SU)에 의해 분리된 제1 우측 영역 UAa와, 제1 좌측 영역 UAb를 포함한다. 실시 형태 5에서는, 복수의 제1 도전성 세선(33U)은, 각각 제1 우측 영역 UAa 및 제1 좌측 영역 UAb 중 어느 하나에 배치되어 있다. 제1 기준선(33SU)에 대한 제1 도전성 세선(33U)의 어긋남량인 길이 γ는, 0을 포함하지 않는 소정 범위 내의 값으로부터 랜덤하게 선택된 값이다. 즉, 길이 γ로서 선택되는 값의 출현 빈도는 일정하다. 예를 들어, 길이 γ는 5㎛ 이상 15㎛의 범위에 있는 값으로부터 선택된다.As shown in FIG. 18, the first strip region UA includes a first right region UAa separated by a first reference line 33SU, and a first left region UAb. In Embodiment 5, 33 U of 1st some electroconductive thin wires are arrange | positioned in either one of 1st right side area | region UAa and 1st left side area | region UAb, respectively. The length γ, which is an amount of deviation of the first conductive thin wire 33U with respect to the first reference line 33SU, is a value randomly selected from a value within a predetermined range not containing zero. That is, the frequency of appearance of the value selected as the length γ is constant. For example, length (gamma) is selected from the value in the range of 5 micrometers or more and 15 micrometers.

1개의 제1 띠 형상 영역 UA에 있어서, 제1 우측 영역 UAa에 배치되는 제1 도전성 세선(33U)과, 제1 좌측 영역 UAb에 배치되는 제1 도전성 세선(33U)이, 방향 Du를 따라서 교대로 배열되어 있다. 즉, 1개의 제1 띠 형상 영역 UA에 있어서, 제1 우측 영역 UAa에 배치되는 제1 도전성 세선(33U)의 인접하는 제1 도전성 세선(33U)은 제1 좌측 영역 UAb에 배치되고, 또한 제1 좌측 영역 UAb에 배치되는 제1 도전성 세선(33U)의 인접하는 제1 도전성 세선(33U)은 제1 우측 영역 UAa에 배치된다. 예를 들어, 제1 기준선(33SU)에 대하여 제1 도전성 세선(33U)이 어긋나는 방향은 난수에 의해 결정된다. 당해 난수는 컴퓨터에 의해 생성된다. 1개의 제1 띠 형상 영역 UA에 포함되는 제1 도전성 세선(33U)의 설계 시에 있어서, 컴퓨터는 양의 값과 음의 값이 방향 Du를 따라서 교대로 나타나도록 난수를 제어한다.In one first strip region UA, the first conductive thin wire 33U disposed in the first right region UAa and the first conductive thin wire 33U disposed in the first left region UAb alternate along the direction Du. Is arranged. That is, in one first strip region UA, the first conductive thin wire 33U adjacent to the first conductive thin wire 33U disposed in the first right region UAa is disposed in the first left region UAb, The first conductive thin wire 33U adjacent to the first conductive thin wire 33U disposed in the first left region UAb is disposed in the first right region UAa. For example, the direction in which the first conductive thin wire 33U is shifted with respect to the first reference line 33SU is determined by the random number. The random number is generated by a computer. In the design of the first conductive fine wire 33U included in one first strip-shaped area UA, the computer controls the random number so that the positive value and the negative value alternately appear along the direction Du.

도 18에 도시한 바와 같이, 제2 띠 형상 영역 VA는, 제2 기준선(33SV)에 의해 분리된 제2 우측 영역 VAa와, 제2 좌측 영역 VAb를 포함한다. 실시 형태 5에서는, 복수의 제2 도전성 세선(33V)은, 각각 제2 우측 영역 VAa 및 제2 좌측 영역 VAb 중 어느 하나에 배치되어 있다. 제2 기준선(33SV)에 대한 제2 도전성 세선(33V)의 어긋남량인 길이 β는, 0을 포함하지 않는 소정 범위 내의 값으로부터 랜덤하게 선택된 값이다. 즉, 길이 β로서 선택되는 값의 출현 빈도는 일정하다. 예를 들어, 길이 β는 5㎛ 이상 15㎛의 범위에 있는 값으로부터 선택된다.As shown in FIG. 18, the 2nd strip | belt-shaped area | region VA contains the 2nd right side area | region VAa separated by the 2nd reference line 33SV, and the 2nd left side area | region VAb. In Embodiment 5, some 2nd electroconductive thin wire 33V is arrange | positioned in any one of 2nd right side area | region VAa and 2nd left side area | region VAb, respectively. The length β, which is the shift amount of the second conductive thin wire 33V with respect to the second reference line 33SV, is a value randomly selected from a value within a predetermined range not containing zero. That is, the frequency of appearance of the value selected as the length β is constant. For example, the length β is selected from values in the range of 5 µm or more and 15 µm.

1개의 제2 띠 형상 영역 VA에 있어서, 제2 우측 영역 VAa에 배치되는 제2 도전성 세선(33V)과, 제2 좌측 영역 VAb에 배치되는 제2 도전성 세선(33V)이, 방향 Dv를 따라서 교대로 배열되어 있다. 즉, 1개의 제2 띠 형상 영역 VA에 있어서, 제2 우측 영역 VAa에 배치되는 제2 도전성 세선(33V)의 인접하는 제2 도전성 세선(33V)은 제2 좌측 영역 VAb에 배치되고, 또한 제2 좌측 영역 VAb에 배치되는 제2 도전성 세선(33V)의 인접하는 제2 도전성 세선(33V)은 제2 우측 영역 VAa에 배치된다. 예를 들어, 제2 기준선(33SV)에 대하여 제2 도전성 세선(33V)이 어긋나는 방향은 난수에 의해 결정된다. 당해 난수는 컴퓨터에 의해 생성된다. 1개의 제2 띠 형상 영역 VA에 포함되는 제2 도전성 세선(33V)의 설계 시에 있어서, 컴퓨터는 양의 값과 음의 값이 방향 Dv를 따라서 교대로 나타나도록 난수를 제어한다.In one second strip region VA, the second conductive thin wire 33V disposed in the second right region VAa and the second conductive thin wire 33V disposed in the second left region VAb alternate along the direction Dv. Is arranged. That is, in one second strip region VA, the second conductive thin wire 33V adjacent to the second conductive thin wire 33V disposed in the second right region VAa is disposed in the second left region VAb, The second conductive thin wire 33V adjacent to the second conductive thin wire 33V disposed in the second left region VAb is disposed in the second right region VAa. For example, the direction in which the second conductive thin wires 33V shift with respect to the second reference line 33SV is determined by the random number. The random number is generated by a computer. In the design of the second conductive thin wire 33V included in one second band-shaped region VA, the computer controls the random number so that the positive value and the negative value alternately appear along the direction Dv.

상술한 구성에 의해, 도 18에 도시한 바와 같이 제1 도전성 세선(33U) 및 제2 도전성 세선(33V)이 십자로 교차하지 않게 된다. 이 때문에, 전기적 접속부(33x)의 주변 영역에서의 개구율과 그 밖의 영역에서의 개구율 사이의 차가 작아지므로, 시인성이 향상된다.By the above-described configuration, as shown in FIG. 18, the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V do not cross each other. For this reason, since the difference between the aperture ratio in the peripheral region of the electrical connection part 33x and the aperture ratio in the other region becomes small, visibility is improved.

(실시 형태 6)(Embodiment 6)

도 19는 실시 형태 6에 따른 검출 전극의 평면도이다. 도 19에 도시한 바와 같이, 실시 형태 6에 따른 검출 전극 TDL은, 복수의 제1 도전성 세선(33U) 및 복수의 제2 도전성 세선(33V)을 포함하는 복수의 검출 블록 TDLB를 갖는다. 예를 들어, 복수의 검출 블록 TDLB는, 기판(31)과 평행인 평면 상에 매트릭스 형상으로 배열되어 있다. 복수의 검출 블록 TDLB는, 각각 배선(37)에 의해 플렉시블 프린트 기판(71)(도 8 참조)에 접속되어 있다. 실시 형태 6에 따른 검출 장치(30)는 상호 정전 용량 방식이 아니라, 자기 정전 용량 방식의 터치 검출 동작을 행한다.19 is a plan view of a detection electrode according to the sixth embodiment. As illustrated in FIG. 19, the detection electrode TDL according to the sixth embodiment has a plurality of detection blocks TDLB including a plurality of first conductive thin wires 33U and a plurality of second conductive thin wires 33V. For example, the plurality of detection blocks TDLB are arranged in a matrix on a plane parallel to the substrate 31. The plurality of detection blocks TDLB are connected to the flexible printed circuit board 71 (see FIG. 8) by the wiring 37, respectively. The detection device 30 according to the sixth embodiment performs the touch detection operation of the self capacitance method rather than the mutual capacitance method.

다음에, 도 20을 참조하여, 자기 정전 용량 방식의 터치 검출의 기본 원리에 대하여 설명한다. 도 20은 자기 정전 용량 방식의 터치 검출의 등가 회로의 일례를 도시하는 설명도이다.Next, with reference to FIG. 20, the basic principle of the self-capacitance touch detection is demonstrated. It is explanatory drawing which shows an example of the equivalent circuit of the touch detection of a self capacitance method.

도 20에 도시한 바와 같이, 검출 전극 E2에 전압 검출기 DET가 접속되어 있다. 전압 검출기 DET는 이매지너리 쇼트된 오피 앰프를 포함하는 검출 회로이다. 비반전 입력부(+)에 소정의 주파수(예를 들어 수㎑ 내지 수백㎑ 정도)의 교류 구형파 Sg가 인가되면, 검출 전극 E2에 동전위의 교류 구형파 Sg가 인가된다.As shown in FIG. 20, the voltage detector DET is connected to the detection electrode E2. The voltage detector DET is a detection circuit that includes an energy shorted op amp. When an AC square wave Sg of a predetermined frequency (for example, several hundreds to several hundreds of kHz) is applied to the non-inverting input unit +, AC square wave Sg on the coin is applied to the detection electrode E2.

손가락 등의 도체가 접촉 또는 근접하고 있지 않은 상태(비접촉 상태)에서는, 검출 전극 E2가 갖는 용량 Cx1에 따른 전류가 흐른다. 전압 검출기 DET는, 교류 구형파 Sg에 따른 전류의 변동을 전압의 변동(파형)으로 변환한다. 손가락 등의 도체가 접촉 또는 근접한 상태(접촉 상태)에서는, 검출 전극 E2가 갖는 용량 Cx1에, 검출 전극 E2에 근접하고 있는 손가락에 의해 발생하는 용량 Cx2가 더해져, 비접촉 상태의 용량보다도 증가한 용량(Cx1+Cx2)에 따른 전류가 흐른다. 전압 검출기 DET는, 교류 구형파 Sg에 따른 전류의 변동을 전압의 변동(파형)으로 변환한다. 접촉 상태에서의 파형의 진폭은, 비접촉 상태에서의 파형의 진폭과 비교하여 커진다. 이에 의해, 접촉 상태에서의 파형과 비접촉 상태에서의 파형의 전압 차분의 절댓값은, 손가락 등의 외부로부터 접촉 또는 근접하는 도체의 영향에 따라서 변화되게 된다. 스위치 SW는, 터치 검출을 행할 때에 온(개방) 상태로 되고, 터치 검출을 행하지 않을 때는 오프(폐쇄) 상태로 되어, 전압 검출기 DET의 리셋 동작을 행한다.In a state where a conductor such as a finger is not in contact with or in proximity (non-contact state), the current according to the capacitor Cx1 of the detection electrode E2 flows. The voltage detector DET converts the fluctuation of the current according to the AC square wave Sg into the fluctuation (waveform) of the voltage. In a state in which a conductor such as a finger is in contact with or in proximity (contact state), the capacitance Cx2 generated by the finger proximate to the detection electrode E2 is added to the capacitance Cx1 of the detection electrode E2, and the capacitance (Cx1) increased from the capacity in the non-contact state. Current flows according to + Cx2). The voltage detector DET converts the fluctuation of the current according to the AC square wave Sg into the fluctuation (waveform) of the voltage. The amplitude of the waveform in the contact state is large compared with the amplitude of the waveform in the non-contact state. Thereby, the absolute value of the voltage difference of the waveform in a contact state and the waveform in a non-contact state changes with the influence of the conductor which touches or approaches from the exterior, such as a finger. The switch SW is turned on (opened) when touch detection is performed, and turned off (closed) when touch detection is not performed, and the reset operation of the voltage detector DET is performed.

또한, 상술한 실시 형태에 있어서 설명한 형태에 의해 생성되는 다른 적의 효과에 대하여 본 명세서 기재로부터 명백한 것, 또는 당업자에게 있어서 적절히 상도할 수 있는 것에 대해서는, 당연히 본 발명에 의해 생성되는 것으로 이해된다.In addition, it is understood that it is naturally generated by this invention about what is apparent from the description of this specification about the other enemy effect produced | generated by the aspect demonstrated in the above-mentioned embodiment, or what can be appropriately coated by those skilled in the art.

본 발명은 이하의 형태에 따른 검출 장치 및 표시 장치에 널리 적용 가능하다.The present invention can be widely applied to detection devices and display devices of the following aspects.

(1) 기판과,(1) a substrate;

상기 기판과 평행인 면 상에 형성되며, 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 도전성 세선과,A plurality of first conductive fine wires formed on a surface parallel to the substrate and extending in a first direction;

상기 제1 도전성 세선과 동일층 상에 형성되며, 상기 제1 방향과 각도를 이루는 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 도전성 세선과,A plurality of second conductive thin wires formed on the same layer as the first conductive thin wires and extending in a second direction forming an angle with the first direction;

제1 폭의 제1 띠 형상 영역에 배치되고, 또한, 적어도 상기 제2 방향으로 서로 어긋난 2개의 상기 제1 도전성 세선을 포함하는 제1 그룹과,A first group disposed in the first band-shaped region having a first width and further comprising two first conductive fine wires which are shifted from each other in at least the second direction;

제2 폭의 제2 띠 형상 영역에 배치되고, 또한, 적어도 상기 제1 방향으로 서로 어긋난 2개의 상기 제2 도전성 세선을 포함하는 제2 그룹을 구비하고,A second group disposed in a second band-shaped region of a second width and further comprising at least two second conductive fine wires that are shifted from each other in at least the first direction,

상기 제1 띠 형상 영역과 상기 제2 띠 형상 영역의 교차 영역에서는, 상기 제1 도전성 세선과 상기 제2 도전성 세선이 접하는 검출 장치.The detection device in which the first conductive thin wire and the second conductive thin wire are in contact with each other in the intersection region of the first band-shaped region and the second band-shaped region.

(2) 상기 제1 띠 형상 영역과 상기 제2 띠 형상 영역의 교차 영역에 있어서, 상기 제1 도전성 세선과 상기 제2 도전성 세선이 접하는 접속부가 2개 있는 (1)에 기재된 검출 장치.(2) The detection apparatus according to (1), wherein in the cross region of the first band region and the second band region, there are two connecting portions in which the first conductive thin wire and the second conductive thin wire are in contact with each other.

(3) 상기 제1 도전성 세선과 상기 제2 도전성 세선이 접하는 복수의 접속부를 갖고, 2개의 접속부 간에 있는 상기 제1 도전성 세선 또는 상기 제2 도전성 세선에는 슬릿이 있는 (1) 또는 (2)에 기재된 검출 장치.(3) The first conductive thin wire or the second conductive thin wire between the first conductive thin wire and the second conductive thin wire has a slit in (1) or (2). The detection apparatus described.

(4) 상기 제1 도전성 세선과 상기 제2 도전성 세선이 둘러싸는 1개의 메쉬가 평행사변형인 (1) 내지 (3) 중 어느 한 항에 기재된 검출 장치.(4) The detection device according to any one of (1) to (3), wherein one mesh surrounded by the first conductive thin wire and the second conductive thin wire is a parallelogram.

(5) 상기 제1 띠 형상 영역을 폭 방향으로 이등분하는 직선을 제1 기준선이라 하고, 상기 제2 띠 형상 영역을 폭 방향으로 이등분하는 직선을 제2 기준선이라 하였을 때,(5) A straight line that bisects the first band region in the width direction is called a first reference line, and a straight line that bisects the second band region in the width direction is called a second reference line,

상기 제1 도전성 세선의 길이는, 인접하는 상기 제2 기준선 간의 길이의 2배와 상기 제2 띠 형상 영역의 제2 폭의 차 이상이며, 또한 인접하는 상기 제2 기준선 간의 길이의 2배와 상기 제2 띠 형상 영역의 제2 폭의 합 이하이고,The length of the first conductive thin wire is equal to or greater than the difference between two times the length between the adjacent second reference lines and the second width of the second band-shaped region, and twice the length between the adjacent second reference lines and the Is equal to or less than the sum of the second widths of the second band-shaped regions,

상기 제2 도전성 세선의 길이는, 인접하는 상기 제1 기준선 간의 길이의 2배와 상기 제1 띠 형상 영역의 제1 폭의 차 이상이며, 또한 인접하는 상기 제1 기준선 간의 길이의 2배와 상기 제1 띠 형상 영역의 제1 폭의 합 이하인 (1) 내지 (4) 중 어느 한 항에 기재된 검출 장치.The length of the second conductive thin wire is equal to or more than a difference between two times the length between the adjacent first reference lines and the first width of the first band-shaped region, and twice the length between the adjacent first reference lines and the The detection apparatus in any one of (1)-(4) which is below the sum of the 1st width | variety of a 1st strip | belt-shaped area | region.

(6) 상기 제1 도전성 세선은, 제1 폭의 제1 주 띠 형상 영역에 배치되는 제1 주 세선과, 제1 폭의 제1 보조 띠 형상 영역에 배치되는 제1 보조 세선을 포함하고,(6) The first conductive thin wire includes a first main thin wire disposed in a first main band-shaped area of a first width, and a first auxiliary thin wire disposed in a first auxiliary band-shaped area of a first width,

상기 제2 도전성 세선은, 제2 폭의 제2 주 띠 형상 영역에 배치되는 제2 주 세선과, 제2 폭의 제2 보조 띠 형상 영역에 배치되는 제2 보조 세선을 포함하고,The second conductive thin wire includes a second main thin wire disposed in a second main strip shape region having a second width, and a second auxiliary thin wire disposed in a second auxiliary strip shape region having a second width,

1개의 상기 제1 주 세선은, 2개의 상기 제2 주 세선과, 2개의 상기 제2 보조 세선에 접하고,One said 1st main fine wire is in contact with two said 2nd main fine wire, and 2 said 2nd auxiliary fine wire,

1개의 상기 제1 보조 세선은, 2개의 상기 제2 주 세선에 접하고,One said 1st auxiliary thin wire is in contact with two said 2nd main thin wires,

1개의 상기 제2 주 세선은, 1개의 상기 제1 주 세선과, 1개의 상기 제1 보조 세선에 접하고,One said 2nd main fine wire is in contact with one said 1st main fine wire, and 1 said 1st auxiliary fine wire,

1개의 상기 제2 보조 세선은, 2개의 상기 제1 주 세선에 접하는 (1)에 기재된 검출 장치.The detection apparatus according to (1), wherein one second auxiliary thin wire contacts the two first primary thin wires.

(7) 상기 제1 도전성 세선과 동일층 상에 형성되며, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 각도를 이루는 제3 방향으로 연장되는 복수의 제3 도전성 세선과,(7) a plurality of third conductive thin wires formed on the same layer as the first conductive thin wires and extending in a third direction forming an angle with the first direction and the second direction;

제3 폭의 제3 띠 형상 영역에 배치되고, 또한, 적어도 상기 제3 방향에 대하여 직교하는 방향으로 서로 어긋난 2개의 상기 제3 도전성 세선을 포함하는 제3 그룹을 구비하고,A third group disposed in a third strip-shaped region of a third width and comprising two third conductive thin wires that are shifted from each other in a direction orthogonal to at least the third direction;

상기 제1 띠 형상 영역과 상기 제2 띠 형상 영역과 상기 제3 띠 형상 영역의 교차 영역에서는, 상기 제1 도전성 세선과 상기 제2 도전성 세선과 상기 제3 도전성 세선이 접하는 (1)에 기재된 검출 장치.The detection according to (1), wherein the first conductive thin wire, the second conductive thin wire, and the third conductive thin wire are in contact with each other in the intersection region of the first band-shaped region, the second band-shaped region, and the third band-shaped region. Device.

(8) 상기 제1 띠 형상 영역은, 제1 띠 형상 영역을 상기 제2 방향으로 이등분하는 제1 기준선에 의해 분리된 제1 우측 영역과, 제1 좌측 영역을 포함하고,(8) The first band region includes a first right region separated by a first reference line that bisects the first band region in the second direction, and a first left region,

1개의 상기 제1 띠 형상 영역에 있어서, 상기 제1 우측 영역에 배치되는 상기 제1 도전성 세선과, 상기 제1 좌측 영역에 배치되는 상기 제1 도전성 세선이 상기 제1 방향을 따라서 교대로 배열되고,In one said 1st strip | belt-shaped area | region, the said 1st conductive fine wire arrange | positioned in the said 1st right side area | region and the said 1st conductive fine wire arrange | positioned in the 1st left side area | region are alternately arranged along the said 1st direction, ,

상기 제2 띠 형상 영역은, 제2 띠 형상 영역을 상기 제1 방향으로 이등분하는 제2 기준선에 의해 분리된 제2 우측 영역과, 제2 좌측 영역을 포함하고,The second band region includes a second right region separated by a second reference line that bisects the second band region in the first direction, and a second left region,

1개의 상기 제2 띠 형상 영역에 있어서, 상기 제2 우측 영역에 배치되는 상기 제2 도전성 세선과, 상기 제2 좌측 영역에 배치되는 상기 제2 도전성 세선이 상기 제2 방향을 따라서 교대로 배열되는 (1)에 기재된 검출 장치.In one said 2nd strip | belt-shaped area | region, the said 2nd conductive fine wire arrange | positioned at the said 2nd right area | region and the said 2nd conductive fine wire arrange | positioned at the said 2nd left area | region are alternately arranged along the said 2nd direction. The detection apparatus as described in (1).

(9) 검출 장치와, 표시 영역을 구비하고,(9) provided with a detection apparatus and a display area,

상기 검출 장치는,The detection device,

기판과,Substrate,

상기 제1 띠 형상 영역과 상기 제2 띠 형상 영역의 교차 영역에서는, 상기 제1 도전성 세선과 상기 제2 도전성 세선이 접하고, 상기 표시 영역과 중첩되는 영역에, 상기 제1 도전성 세선과 상기 제2 도전성 세선이 형성되는 표시 장치.In an intersection region of the first band region and the second band region, the first conductive thin line and the second conductive thin line are in contact with each other and overlap the display region. A display device in which conductive thin wires are formed.

(10) 상기 제1 띠 형상 영역과 상기 제2 띠 형상 영역의 교차 영역에 있어서, 상기 제1 도전성 세선과 상기 제2 도전성 세선이 접하는 접속부가 2개 있는 (9)에 기재된 표시 장치.(10) The display device according to (9), wherein in the cross region of the first band region and the second band region, there are two connecting portions where the first conductive thin wire and the second conductive thin wire are in contact with each other.

(11) 상기 제1 도전성 세선과 상기 제2 도전성 세선이 접하는 복수의 접속부를 갖고, 2개의 접속부 간에 있는 상기 제1 도전성 세선 또는 상기 제2 도전성 세선에는 슬릿이 있는 (9) 또는 (10)에 기재된 표시 장치.(11) (9) or (10) having a slit in the first conductive thin wire or the second conductive thin wire between the first conductive thin wire and the second conductive thin wire, wherein the first conductive thin wire The display device described.

(12) 상기 제1 도전성 세선과 상기 제2 도전성 세선이 둘러싸는 1개의 메쉬가 평행사변형인 (9) 내지 (11) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.(12) The display device according to any one of (9) to (11), wherein one mesh surrounded by the first conductive thin wire and the second conductive thin wire is a parallelogram.

(13) 상기 제1 띠 형상 영역을 폭 방향으로 이등분하는 직선을 제1 기준선이라 하고, 상기 제2 띠 형상 영역을 폭 방향으로 이등분하는 직선을 제2 기준선이라 하였을 때,(13) When a straight line that bisects the first band region in the width direction is called a first reference line, and a straight line that bisects the second band region in the width direction is called a second reference line,

상기 제2 도전성 세선의 길이는, 인접하는 상기 제1 기준선 간의 길이의 2배와 상기 제1 띠 형상 영역의 제1 폭의 차 이상이며, 또한 인접하는 상기 제1 기준선 간의 길이의 2배와 상기 제1 띠 형상 영역의 제1 폭의 합 이하인 (9) 내지 (12) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.The length of the second conductive thin wire is equal to or more than a difference between two times the length between the adjacent first reference lines and the first width of the first band-shaped region, and twice the length between the adjacent first reference lines and the The display device according to any one of (9) to (12), which is equal to or less than the sum of the first widths of the first band-shaped regions.

(14) 상기 제1 도전성 세선은, 제1 폭의 제1 주 띠 형상 영역에 배치되는 제1 주 세선과, 제1 폭의 제1 보조 띠 형상 영역에 배치되는 제1 보조 세선을 포함하고,(14) The first conductive thin wire includes a first main thin wire disposed in a first main band-shaped area of a first width, and a first auxiliary thin wire disposed in a first auxiliary band-shaped area of a first width,

1개의 상기 제2 보조 세선은, 2개의 상기 제1 주 세선에 접하는 (9)에 기재된 표시 장치.The display device according to (9), wherein one second auxiliary thin wire contacts the two first primary thin wires.

(15) 상기 제1 도전성 세선과 동일층 상에 형성되며, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 각도를 이루는 제3 방향으로 연장되는 복수의 제3 도전성 세선과,(15) a plurality of third conductive thin wires formed on the same layer as the first conductive thin wires and extending in a third direction forming an angle with the first direction and the second direction;

상기 제1 띠 형상 영역과 상기 제2 띠 형상 영역과 상기 제3 띠 형상 영역의 교차 영역에서는, 상기 제1 도전성 세선과 상기 제2 도전성 세선과 상기 제3 도전성 세선이 접하는 (9)에 기재된 표시 장치.The display according to (9) in which the first conductive thin wire, the second conductive thin wire and the third conductive thin wire are in contact with each other in the intersection region of the first band region, the second band region, and the third band region. Device.

(16) 상기 제1 띠 형상 영역은, 제1 띠 형상 영역을 상기 제2 방향으로 이등분하는 제1 기준선에 의해 분리된 제1 우측 영역과, 제1 좌측 영역을 포함하고,(16) The first band region includes a first right region separated by a first reference line that bisects the first band region in the second direction, and a first left region,

1개의 상기 제2 띠 형상 영역에 있어서, 상기 제2 우측 영역에 배치되는 상기 제2 도전성 세선과, 상기 제2 좌측 영역에 배치되는 상기 제2 도전성 세선이 상기 제2 방향을 따라서 교대로 배열되는 (9)에 기재된 표시 장치.In one said 2nd strip | belt-shaped area | region, the said 2nd conductive fine wire arrange | positioned at the said 2nd right area | region and the said 2nd conductive fine wire arrange | positioned at the said 2nd left area | region are alternately arranged along the said 2nd direction. The display device as described in (9).

1 : 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치
2 : 화소 기판
3 : 대향 기판
6 : 액정층
10 : 터치 검출 기능을 구비한 표시부
10a : 표시 영역
10b : 프레임 영역
11 : 제어부
12 : 게이트 드라이버
13 : 소스 드라이버
14 : 구동 전극 드라이버
20 : 표시 장치
21 : TFT 기판
22 : 화소 전극
30 : 검출 장치
31 : 기판
32 : 컬러 필터
33a : 도전성 세선
33U : 제1 도전성 세선
33V : 제2 도전성 세선
33Y : 제3 도전성 세선
33x, 33xx : 전기적 접속부
331U : 제1 주 세선
331V : 제2 주 세선
332U : 제1 보조 세선
332V : 제2 보조 세선
37 : 배선
38 : 보호층
40 : 터치 검출부(검출부)
42 : 검출 신호 증폭부
43 : A/D 변환부
44 : 신호 처리부
45 : 좌표 추출부
46 : 검출 타이밍 제어부
AX, AXX : 교차 영역
COML : 구동 전극
GCL : 주사 신호선
Pix : 화소
SGL : 화소 신호선
SPix : 부화소
SL : 슬릿
TDL : 검출 전극
TDLB : 검출 블록
Tr : TFT 소자
UA : 제1 띠 형상 영역
UAa : 제1 주 띠 형상 영역
UAb : 제1 보조 띠 형상 영역
VA : 제2 띠 형상 영역
VAa : 제2 주 띠 형상 영역
VAb : 제2 보조 띠 형상 영역
Vcom : 구동 신호
Vdet : 검출 신호
Vdisp : 영상 신호
Vpix : 화소 신호
Vscan : 주사 신호
YA : 제3 띠 형상 영역1: Display device with a touch detection function
2: pixel substrate
3: opposing substrate
6: liquid crystal layer
10: display unit with a touch detection function
10a: display area
10b: frame area
11: control unit
12: gate driver
13: source driver
14: drive electrode driver
20: display device
21: TFT substrate
22: pixel electrode
30: detection device
31: Substrate
32: color filter
33a: thin conductive wire
33U: first conductive thin wire
33V: second conductive thin wire
33Y: third conductive thin wire
33x, 33xx: Electrical connection
331U: Main Line
331V: 2nd week thin wire
332U: first auxiliary thin wire
332V: second auxiliary thin wire
37: wiring
38: protective layer
40: touch detector (detector)
42: detection signal amplifier
43: A / D converter
44: signal processing unit
45: coordinate extraction unit
46: detection timing control unit
AX, AXX: intersection area
COML: drive electrode
GCL: scan signal line
Pix: Pixel
SGL: Pixel Signal Line
SPix: Subpixel
SL: Slit
TDL: Detection Electrode
TDLB: Detection Block
Tr: TFT element
UA: first strip shape region
UAa: 1st main strip | belt-shaped area
UAb: first auxiliary strip shape region
VA: second strip-shaped area
VAa: 2nd main strip | belt-shaped area
VAb: second auxiliary band shape region
Vcom: drive signal
Vdet: Detection signal
Vdisp: Video signal
Vpix: Pixel Signal
Vscan: Scanning Signal
YA: third strip shape region

Claims

Substrate,
A plurality of first conductive fine wires formed on a surface parallel to the substrate and extending in a first direction;
A plurality of second conductive thin wires formed on the same layer as the first conductive thin wires and extending in a second direction forming an angle with the first direction;
A first region surrounded by the two first conductive thin wires and the two second conductive thin wires,
A second region surrounded by the two first conductive thin wires and the two second conductive thin wires,
A third region surrounded by the two first conductive thin wires and the two second conductive thin wires,
A fourth region surrounded by the two first conductive thin wires and the two second conductive thin wires,
A fifth region surrounded by two said first conductive thin wires and two said second conductive thin wires,
One of the second conductive thin wires surrounding the second area is one of the second conductive thin wires surrounding the first area,
One of the second conductive thin wires surrounding the fourth area is the other of the second conductive thin wires surrounding the first area,
One of the first conductive thin wires surrounding the third region is one of the first conductive thin wires surrounding the first region,
One of the said 1st conductive fine wires surrounding the said 5th area | region is the other of the said 1st conductive fine wires surrounding the said 1st area | region,
The length of the first direction of the first region is a first length,
The length of the second direction of the first region is a fourth length,
The length in the first direction of the second region is a second length different from the first length,
The length in the first direction of the fourth region is a third length different from the first length,
The length in the second direction of the third region is a fifth length different from the fourth length,
The length in the second direction of the fifth region is a sixth length different from the fourth length,
The plurality of first conductive thin wires are disposed in the first strip-shaped area of the first width and further include two first conductive thin wires that are shifted from each other in at least the second direction,
The plurality of second conductive thin wires are disposed in a second band-shaped region of a second width and further include two second conductive thin wires that are shifted from each other in at least the first direction,
The length in the second direction of the second region is a seventh length different from the fourth length,
The length in the first direction of the third region is an eighth length different from the first length,
A straight line that bisects the first band region in the width direction is a first reference line, and a straight line that bisects the second band region in the width direction is a second reference line,
When the length between the adjacent first reference lines is a first reference length and the length between the adjacent second reference lines is a second reference length,
The difference between the fourth length and the seventh length is 1/20 or more and 1/5 or less of the first reference length,
The difference between the first length and the eighth length is 1/20 or more and 1/5 or less of the second reference length,
Detection device.

delete

Detection device,
A display area,
The detection device,
Substrate,
A plurality of first conductive fine wires formed on a surface parallel to the substrate and extending in a first direction;
A plurality of second conductive thin wires formed on the same layer as the first conductive thin wires and extending in a second direction forming an angle with the first direction;
A first region surrounded by the two first conductive thin wires and the two second conductive thin wires,
A second region surrounded by the two first conductive thin wires and the two second conductive thin wires,
A third region surrounded by the two first conductive thin wires and the two second conductive thin wires,
A fourth region surrounded by the two first conductive thin wires and the two second conductive thin wires,
A fifth region surrounded by two said first conductive thin wires and two said second conductive thin wires,
One of the second conductive thin wires surrounding the second area is one of the second conductive thin wires surrounding the first area,
One of the second conductive thin wires surrounding the fourth area is the other of the second conductive thin wires surrounding the first area,
One of the first conductive thin wires surrounding the third region is one of the first conductive thin wires surrounding the first region,
One of the said 1st conductive fine wires surrounding the said 5th area | region is the other of the said 1st conductive fine wires surrounding the said 1st area | region,
The length of the first direction of the first region is a first length,
The length of the second direction of the first region is a fourth length,
The length in the first direction of the second region is a second length different from the first length,
The length in the first direction of the fourth region is a third length different from the first length,
The length in the second direction of the third region is a fifth length different from the fourth length,
The length in the second direction of the fifth region is a sixth length different from the fourth length,
The plurality of first conductive thin wires are disposed in the first strip-shaped area of the first width and further include two first conductive thin wires that are shifted from each other in at least the second direction,
The plurality of second conductive thin wires are disposed in a second band-shaped region of a second width and further include two second conductive thin wires that are shifted from each other in at least the first direction,
The length in the second direction of the second region is a seventh length different from the fourth length,
The length in the first direction of the third region is an eighth length different from the first length,
A straight line that bisects the first band region in the width direction is a first reference line, and a straight line that bisects the second band region in the width direction is a second reference line,
When the length between the adjacent first reference lines is a first reference length and the length between the adjacent second reference lines is a second reference length,
The difference between the fourth length and the seventh length is 1/20 or more and 1/5 or less of the first reference length,
The difference between the first length and the eighth length is 1/20 or more and 1/5 or less of the second reference length,
Display device.

delete

Substrate,
A plurality of first conductive fine wires formed on a surface parallel to the substrate and extending in a first direction;
A plurality of second conductive thin wires formed on the same layer as the first conductive thin wires and extending in a second direction forming an angle with the first direction;
A first region surrounded by the two first conductive thin wires and the two second conductive thin wires,
A second region surrounded by the two first conductive thin wires and the two second conductive thin wires,
A third region surrounded by two said first conductive thin wires and two said second conductive thin wires,
The plurality of first conductive thin wires are disposed in the first strip-shaped area of the first width and further include two first conductive thin wires that are shifted from each other in at least the second direction,
The plurality of second conductive thin wires are disposed in a second band-shaped region of a second width and further include two second conductive thin wires that are shifted from each other in at least the first direction,
One of the second conductive thin wires surrounding the second area is one of the second conductive thin wires surrounding the first area,
One of the first conductive thin wires surrounding the third region is one of the first conductive thin wires surrounding the first region,
A straight line that bisects the first band region in the width direction is a first reference line, and a straight line that bisects the second band region in the width direction is a second reference line,
When the length between the adjacent first reference lines is a first reference length and the length between the adjacent second reference lines is a second reference length,
The difference between the length in the second direction of the first region and the length in the second direction of the second region is 1/20 or more and 1/5 or less of the first reference length,
The difference between the length in the first direction of the first region and the length in the first direction of the third region is 1/20 or more and 1/5 or less of the second reference length.
Detection device.

The method of claim 5,
A fourth region surrounded by the two first conductive thin wires and the two second conductive thin wires,
A fifth region surrounded by the two first conductive thin wires and the two second conductive thin wires,
One of the second conductive thin wires surrounding the fourth area is the other of the second conductive thin wires surrounding the first area,
One of the said 1st conductive fine wires surrounding the said 5th area | region is the other of the said 1st conductive fine wires surrounding the said 1st area | region,
The difference between the length in the second direction of the first region and the length in the second direction of the fifth region is 1/20 or more and 1/5 or less of the first reference length,
The difference between the length in the first direction of the first region and the length in the first direction of the fourth region is 1/20 or more and 1/5 or less of the second reference length.
Detection device.

Detection device,
A display area,
The detection device,
Substrate,
A plurality of first conductive fine wires formed on a surface parallel to the substrate and extending in a first direction;
A plurality of second conductive thin wires formed on the same layer as the first conductive thin wires and extending in a second direction forming an angle with the first direction;
A first region surrounded by the two first conductive thin wires and the two second conductive thin wires,
A second region surrounded by the two first conductive thin wires and the two second conductive thin wires,
A third region surrounded by two said first conductive thin wires and two said second conductive thin wires,
The plurality of first conductive thin wires are disposed in the first strip-shaped area of the first width and further include two first conductive thin wires that are shifted from each other in at least the second direction,
The plurality of second conductive thin wires are disposed in a second band-shaped region of a second width and further include two second conductive thin wires that are shifted from each other in at least the first direction,
One of the second conductive thin wires surrounding the second area is one of the second conductive thin wires surrounding the first area,
One of the first conductive thin wires surrounding the third region is one of the first conductive thin wires surrounding the first region,
A straight line that bisects the first band region in the width direction is a first reference line, and a straight line that bisects the second band region in the width direction is a second reference line,
When the length between the adjacent first reference lines is a first reference length and the length between the adjacent second reference lines is a second reference length,
The difference between the length in the second direction of the first region and the length in the second direction of the second region is 1/20 or more and 1/5 or less of the first reference length,
The difference between the length in the first direction of the first region and the length in the first direction of the third region is 1/20 or more and 1/5 or less of the second reference length.
Display device.

The method of claim 7, wherein
A fourth region surrounded by the two first conductive thin wires and the two second conductive thin wires,
A fifth region surrounded by the two first conductive thin wires and the two second conductive thin wires,
One of the second conductive thin wires surrounding the fourth area is the other of the second conductive thin wires surrounding the first area,
One of the said 1st conductive fine wires surrounding the said 5th area | region is the other of the said 1st conductive fine wires surrounding the said 1st area | region,
The difference between the length in the second direction of the first region and the length in the second direction of the fifth region is 1/20 or more and 1/5 or less of the first reference length,
The difference between the length in the first direction of the first region and the length in the first direction of the fourth region is 1/20 or more and 1/5 or less of the second reference length.
Display device.