KR101976438B1 - Light emitting module and lighting apparatus - Google Patents

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Abstract

실시 예에 따른 발광 장치는, 복수의 리드 프레임 및 상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 발광 칩이 배치된 발광 소자; 상기 복수의 리드 프레임에 대응되는 제1 및 제2전극 패드, 상기 제1전극 패드에 연결된 제1접속 패드, 상기 제2전극 패드에 연결된 제2접속 패드, 및 상기 제1 및 제2접속 패드로부터 전기적으로 분리되며 서로 연결된 제3 및 제4접속 패드를 포함하는 회로 기판; 상기 제1내지 제4접속 패드 중 적어도 하나에 연결된 와이어; 및 상기 발광 소자의 복수의 리드 프레임과 상기 회로 기판의 제1 및 제2전극 패드를 연결하는 접합 부재를 포함하며, 상기 회로기판에는 상기 발광 소자가 배치된다. A light emitting device according to an embodiment includes: a light emitting element having a plurality of lead frames and a light emitting chip disposed on at least one of the plurality of lead frames; First and second electrode pads corresponding to the plurality of lead frames, a first connection pad connected to the first electrode pad, a second connection pad connected to the second electrode pad, and a second connection pad connected to the first and second connection pads A circuit board including third and fourth connection pads electrically disconnected and connected to each other; A wire connected to at least one of the first to fourth connection pads; And a bonding member connecting the plurality of lead frames of the light emitting device and the first and second electrode pads of the circuit board, wherein the light emitting device is disposed on the circuit board.

Description

발광모듈 및 이를 구비한 발광 장치{LIGHT EMITTING MODULE AND LIGHTING APPARATUS}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting module and a light emitting device having the light emitting module.

실시 예는 발광모듈 및 이를 구비한 발광장치에 관한 것이다. Embodiments relate to a light emitting module and a light emitting device having the same.

일반적으로, 회로기판이란 전기 절연성 기판에 구리와 같은 전도성 재료로 회로 패턴을 형성시킨 것으로 전자부품 관련 발열소자를 탑재하기 직전의 기판을 말한다. 상기와 같은 회로기판 상에는 복수의 발광다이오드 (LED: Light Emitting Diode)가 배열된다. Generally, a circuit board refers to a substrate which is formed by forming a circuit pattern of a conductive material such as copper on an electrically insulating substrate and immediately before mounting a heating element related to an electronic component. A plurality of light emitting diodes (LEDs) are arranged on the circuit board.

발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.A light emitting diode (LED) is a type of semiconductor device that converts electric energy into light. It is being used as a next generation light source in place of conventional fluorescent lamps and incandescent lamps.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor element, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten, or a fluorescent lamp that generates ultraviolet light by impinging ultraviolet rays generated through high-pressure discharge on a phosphor .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode. The light emitting diode has been increasingly used as a light source for various lamps used in indoor and outdoor, lighting devices such as a liquid crystal display, have.

회로기판에 발광 다이오드를 복술 배열하고 있으나, 회로 기판에 발광 다이오드가 탑재되지 않는 영역은 단순히 회로 패턴을 연결하기 위한 선로로 사용되고 있어, 불필요한 공간을 차지하는 문제가 있다. 이러한 불필요한 공간은 발광 다이오드의 개수가 증가할수록 증가하게 된다.
The area where the light emitting diode is not mounted on the circuit board is simply used as a line for connecting the circuit pattern, which causes a problem of occupying an unnecessary space. This unnecessary space increases as the number of light emitting diodes increases.

실시예는 새로운 구조의 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module of a new structure.

실시예는 각 발광소자별 회로기판을 갖는 발광모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module having a circuit board for each light emitting device.

실시예는 각 발광소자가 탑재된 인접한 회로기판을 와이어로 연결한 발광장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device in which adjacent circuit boards on which light emitting elements are mounted are connected by wires.

실시 예에 따른 발광 장치는, 복수의 리드 프레임 및 상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 발광 칩이 배치된 발광 소자; 상기 복수의 리드 프레임에 대응되는 제1 및 제2전극 패드, 상기 제1전극 패드에 연결된 제1접속 패드, 상기 제2전극 패드에 연결된 제2접속 패드, 및 상기 제1 및 제2접속 패드로부터 전기적으로 분리되며 서로 연결된 제3 및 제4접속 패드를 포함하는 회로 기판; 상기 제1내지 제4접속 패드 중 적어도 하나에 연결된 와이어; 및 상기 발광 소자의 복수의 리드 프레임과 상기 회로 기판의 제1 및 제2전극 패드를 연결하는 접합 부재를 포함하며, 상기 회로기판에는 상기 발광 소자가 배치된다. A light emitting device according to an embodiment includes: a light emitting element having a plurality of lead frames and a light emitting chip disposed on at least one of the plurality of lead frames; First and second electrode pads corresponding to the plurality of lead frames, a first connection pad connected to the first electrode pad, a second connection pad connected to the second electrode pad, and a second connection pad connected to the first and second connection pads A circuit board including third and fourth connection pads electrically disconnected and connected to each other; A wire connected to at least one of the first to fourth connection pads; And a bonding member connecting the plurality of lead frames of the light emitting device and the first and second electrode pads of the circuit board, wherein the light emitting device is disposed on the circuit board.

실시 예에 따른 발광 장치는, 적어도 하나의 발광 칩을 갖는 발광 소자; 상기 발광 소자에 연결된 제1 및 제2접속 패드; 상기 제1 및 제2접속 패드로부터 전기적으로 분리되며, 서로 연결된 제3 및 제4접속 패드를 포함하는 회로 기판, 상기 회로 기판과 상기 발광 소자를 접합시켜 주는 접합 부재를 포함하는 복수의 발광 모듈; 및 상기 복수의 발광 모듈 중 제1발광 모듈의 제1접속 패드와 상기 제1발광 모듈에 인접한 제2발광 모듈의 제2접속 패드를 연결해 주는 제1와이어를 포함하며, 상기 복수의 발광 모듈은 서로 이격되고, 상기 각 발광 모듈은 상기 각 회로 기판을 갖는다.A light emitting device according to an embodiment includes: a light emitting element having at least one light emitting chip; First and second connection pads connected to the light emitting element; A plurality of light emitting modules including a circuit board electrically connected to the first and second connection pads and including third and fourth connection pads connected to each other, and a bonding member for bonding the circuit board and the light emitting device; And a first wire connecting the first connection pad of the first light emitting module and the second connection pad of the second light emitting module adjacent to the first light emitting module among the plurality of light emitting modules, And each of the light emitting modules has the respective circuit boards.

실시 예는 각 발광소자당 회로기판의 면적을 최소화할 수 있다.The embodiment can minimize the area of the circuit board per each light emitting element.

실시 예는 인접한 발광 모듈들을 자유롭게 배열할 수 있다.Embodiments can freely arrange adjacent light emitting modules.

실시 예는 각 발광 모듈의 설치 자유도를 개선시켜 줄 수 있다.Embodiments can improve the degree of freedom of installation of each light emitting module.

실시 예는 라이트 유닛과 같은 발광 장치를 갖는 세트에서의 회로기판의 면적을 최소화할 수 있다.The embodiment can minimize the area of the circuit board in the set having the light emitting device such as the light unit.

도 1은 실시 예에 따른 발광모듈의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광모듈의 결합 평면도이다.
도 3은 도 2의 발광모듈을 A-A로 절단한 단면도이다.
도 4는 도 2의 발광모듈을 B-B로 절단한 단면도이다.
도 5는 도 1의 모듈 기판에서의 배선층의 예를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 2의 발광 모듈의 배선층의 패턴의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 도 2의 발광 모듈의 배선층의 패턴의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 1의 발광소자의 예를 나타낸 도면이다.
도 9 및 도 10은 제2실시 예에 따른 복수의 발광 모듈이 배열된 발광 장치의예를 나타낸 도면이다.
도 11은 제2실시 예에 따른 복수의 발광 모듈을 갖는 발광 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 12은 제2실시 예에 따른 복수의 발광 모듈의 다른 연결 방식을 나타낸 도면이다.
도 13은 제3실시 예에 따른 복수의 발광 모듈을 갖는 발광 장치를 나타낸 도면이다.
도 14 및 도 15은 제4실시 예에 따른 복수의 발광 모듈을 갖는 발광 장치의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 16은 실시 예에 따른 복수의 발광 모듈의 연결 형태를 나타낸 도면이다.
도 17 내지 도 19는 제4실시 예에 따른 접착 시트를 갖는 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 20은 제5실시 예에 따른 발광 모듈을 갖는 라이트 장치를 나타낸 도면이다.
도 21은 도 18의 발광 장치의 변형 예이다.
도 22는 제6실시 예에 따른 발광 모듈을 갖는 발광 장치를 나타낸 도면이다.1 is an exploded perspective view of a light emitting module according to an embodiment.
FIG. 2 is a plan view of the light emitting module of FIG. 1; FIG.
3 is a cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 2 taken along line AA.
4 is a cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 2 taken along line BB.
5 is a view showing an example of a wiring layer in the module substrate of Fig.
Fig. 6 is a view showing another example of the pattern of the wiring layer of the light emitting module of Fig. 2;
7 is a view showing another example of the pattern of the wiring layer of the light emitting module of Fig.
8 is a view showing an example of the light emitting device of FIG.
9 and 10 are views showing an example of a light emitting device in which a plurality of light emitting modules according to the second embodiment are arranged.
11 is a view showing another example of a light emitting device having a plurality of light emitting modules according to the second embodiment.
12 is a view illustrating another connection method of a plurality of light emitting modules according to the second embodiment.
13 is a view showing a light emitting device having a plurality of light emitting modules according to the third embodiment.
14 and 15 are views showing a modification of the light emitting device having a plurality of light emitting modules according to the fourth embodiment.
16 is a view showing a connection mode of a plurality of light emitting modules according to the embodiment.
17 to 19 are views showing a light emitting module having an adhesive sheet according to the fourth embodiment.
20 is a view showing a light device having a light emitting module according to the fifth embodiment.
21 is a modification of the light emitting device of Fig.
22 is a view showing a light emitting device having a light emitting module according to the sixth embodiment.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when an element is referred to as " comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.

그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, thicknesses are enlarged in order to clearly illustrate various layers and regions, and parts not related to the description are omitted, and like parts are denoted by similar reference numerals throughout the specification .

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 간접(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer Quot; on " and " under " include both those that are "directly" or "indirectly" formed through another layer. In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

이하에서는 도 1 내지 도 6을 참고하여 실시 예에 따른 발광모듈을 설명한다. 도 1은 본 발명의 발광모듈의 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 발광모듈의 결합 평면도이며, 도 3은 도 2의 발광모듈을 A-A로 절단한 단면도이고, 도 4는 도 2의 발광모듈을 B-B로 절단한 단면도이며, 도 5는 도 1의 모듈 기판에서의 배선층의 예를 나타낸 도면이며, 도 6은 도 1의 발광소자의 예를 나타낸 도면이다.Hereinafter, a light emitting module according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 6. FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 2 taken along line AA, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the light emitting module of FIG. FIG. 5 is a view showing an example of a wiring layer in the module substrate of FIG. 1, and FIG. 6 is a view showing an example of the light emitting device of FIG.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 발광모듈(10)은 회로기판(11) 및 상기 회로기판(11) 상에 배치된 발광소자(21)를 포함한다.Referring to Figs. 1 to 6, a light emitting module 10 includes a circuit board 11 and a light emitting element 21 disposed on the circuit board 11.

상기 회로기판(11)은 가로 길이(D2) 및 세로 길이(D1)가 동일하거나 서로 다를 수 있으며, 예컨대 가로 길이(D2)와 세로 길이(D1)가 1.5cm 내지 3cm 범위 예컨대, 1.8~2.5cm 범위에 있을 수 있다. 상기 회로기판(11)의 상면 면적은 상기 발광소자(21)의 하면 면적보다 1.5배 이상 넓을 수 있으며, 예컨대 2~4배 범위로 형성될 수 있다. 상기 회로 기판(11)의 상면 면적은 9cm2 이하일 수 있다.The transverse length D2 and the longitudinal length D1 of the circuit board 11 may be the same or different from each other. For example, the transverse length D2 and the longitudinal length D1 may be in the range of 1.5 cm to 3 cm, Lt; / RTI > The upper surface area of the circuit board 11 may be 1.5 times wider than the lower surface area of the light emitting device 21, for example, 2 to 4 times. The upper surface area of the circuit board 11 may be 9 cm 2 or less.

상기 발광소자(21)는 상기 회로기판(11) 상에 일대일로 연결되며, 상기 회로기판(11)으로부터 전원을 공급받아 동작하게 된다. 상기 회로 기판(11) 및 하나의 발광소자(21)는 발광 모듈(10)로 정의될 수 있다. 상기 발광 모듈(10)은 복수의 발광소자가 배열된 길이가 긴 회로기판에 비해, 회로기판(11)의 면적을 줄일 수 있다. 예를 들면, 하나의 회로기판(11) 상에 복수의 발광소자가 배치된 경우, 복수의 발광소자 간의 피치(pitch)로 인해 인접한 발광소자 사이의 회로기판의 영역이 불필요하게 낭비될 수 있다. 실시 예는 개별 발광 모듈(10) 사이를 와이어(61,62)와 같은 연결 부재로 연결하고, 각 발광소자(21)에 할당되는 회로기판(11)의 면적을 최소화할 수 있다.
The light emitting devices 21 are connected to the circuit board 11 on a one-to-one basis and are operated by receiving power from the circuit board 11. [ The circuit board 11 and the light emitting device 21 may be defined as a light emitting module 10. The light emitting module 10 can reduce the area of the circuit board 11 as compared with a long circuit board having a plurality of light emitting elements arranged therein. For example, when a plurality of light emitting elements are disposed on one circuit board 11, a region of a circuit board between adjacent light emitting elements may be unnecessarily wasted due to a pitch between the plurality of light emitting elements. Embodiments can minimize the area of the circuit board 11 allocated to each light emitting device 21 by connecting the individual light emitting modules 10 with connecting members such as wires 61 and 62. [

도 1, 도 3 내지 도 5와 같이, 상기 회로기판(11)은 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB), 수지 재질의 PCB, 세라믹 PCB 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 회로기판(11)은 금속 플레이트(12), 절연층(13), 배선층(14), 및 보호층(15)을 포함하며, 상기 금속 플레이트(12)는 열전도성이 높은 방열 플레이트로서, 구리, 알루미늄, 은 또는 금 또는 이들 중 하나 이상을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다. 1, 3 to 5, the circuit board 11 includes at least one of a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), a resin PCB, and a ceramic PCB can do. The circuit board 11 includes a metal plate 12, an insulating layer 13, a wiring layer 14 and a protective layer 15. The metal plate 12 is a heat radiating plate having high thermal conductivity, , Aluminum, silver or gold, or an alloy comprising at least one of these.

상기 금속 플레이트(12)는 사각형 또는 원형의 평면상을 가지며, 사각형 또는 원형의 단면을 가지는 직육면체 또는 원기둥의 형상을 가질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 이때, 상기 금속 플레이트(12)의 두께는 약 300㎛ 이상, 예컨대 500㎛ 이상일 수 있으며, 상기 절연층(13)은 상기 금속 플레이트(12) 상에 형성될 수 있으며, 상기 배선층(14)은 상기 절연층(13) 상에 소정의 회로 패턴으로 형성된다. 상기 배선층(14) 상에는 보호층(15)이 형성된다. The metal plate 12 may have a rectangular or circular planar shape and may have a rectangular or cylindrical shape having a rectangular or circular cross section, but is not limited thereto. The insulating layer 13 may be formed on the metal plate 12 and the wiring layer 14 may be formed on the metal plate 12. The metal plate 12 may have a thickness of about 300 탆 or more, And is formed on the insulating layer 13 in a predetermined circuit pattern. On the wiring layer 14, a protective layer 15 is formed.

상기 절연층(13)은 상기 금속 플레이트(12)와 상기 배선층(14) 사이를 절연시켜 주게 되며, 에폭시계 또는 폴리 이미드계 수지를 포함하며, 내부에 고형 성분, 예를 들어, 필러 또는 유리 섬유 등이 분산되어 있을 수 있으며, 이와 달리 산화물 또는 질화물 등의 무기물일 수 있다. 상기 절연층(13)의 두께는 5㎛~7㎛ 범위를 포함한다.The insulating layer 13 provides insulation between the metal plate 12 and the wiring layer 14 and includes an epoxy or polyimide resin and has a solid component such as a filler or glass fiber Or may be dispersed. Otherwise, it may be an inorganic substance such as an oxide or a nitride. The thickness of the insulating layer 13 is in the range of 5 mu m to 7 mu m.

상기 배선층(14)은 미리 설정된 회로 패턴으로 식각될 수 있으며, 상기 회로 패턴의 상면 중 일부 영역은 상기 보호층(15)이 노출되어 패드로 기능하게 된다. 상기 배선층(14)은 구리, 또는 구리를 포함하는 합금이 될 수 있으며, 상기 배선층(14)의 표면에는 니켈, 은, 금 또는 팔라듐 또는 이들 중 하나 이상을 포함하는 합금을 이용하여 표면 처리될 수 있다. 상기 배선층(14)의 두께는 100㎛ 이상을 포함한다.The wiring layer 14 may be etched with a predetermined circuit pattern, and a part of the upper surface of the circuit pattern is exposed to the protective layer 15 to function as a pad. The wiring layer 14 may be made of copper or an alloy including copper. The surface of the wiring layer 14 may be surface-treated with nickel, silver, gold, or palladium or an alloy containing at least one of the metals. have. The thickness of the wiring layer 14 may be 100 占 퐉 or more.

상기 배선층(14) 상에는 보호층(15)이 형성되며, 상기 보호층(15)은 패드를 제외한 영역이 노출되는 것을 차단하기 위한 층으로서, 절연 재질 예컨대, 솔더 레지스트를 포함한다. A protection layer 15 is formed on the wiring layer 14 and the protection layer 15 is a layer for preventing exposure of a region except the pads and includes an insulating material such as a solder resist.

상기 보호층(15)은 상기 회로기판(11)의 전면에 도포되며, 산란되는 빛을 흡수함으로써 빛의 집진성을 향상시키기 위하여 광투과성이 낮고, 반사도가 낮은 어두운 색으로 착색되어 있다. 예를 들어, 상기 보호층(15)은 백색, 녹색 또는 검은색일 수 있다.The protective layer 15 is applied to the entire surface of the circuit board 11 and is colored with a low light transmittance and a low reflectivity in order to improve light collection by absorbing scattered light. For example, the protective layer 15 may be white, green or black.

상기 배선층(14)은 복수의 패턴(Pattern)을 포함하며, 예컨대 2개 또는 3개 이상의 패턴을 포함할 수 있다. 상기 패턴들은 상기 보호층(15)에 의해 전기적으로 분리되어 있다. 상기 배선층(14)은 도 3내지 도 5와 같이, 제1 내지 제3패턴(P1,P2,P3)을 포함하며, 상기 제1 내지 제3패턴(P1,P2,P3)은 전기적 및 물리적으로 서로 분리된다.The wiring layer 14 includes a plurality of patterns, and may include, for example, two or three or more patterns. The patterns are electrically separated by the protective layer 15. The wiring layer 14 includes first to third patterns P1 to P3 as shown in FIGS. 3 to 5, and the first to third patterns P1, P2, and P3 are electrically and physically Are separated from each other.

상기 제1패턴(P1)과 상기 제2패턴(P2)은 상기 발광소자(21)와 전기적으로 연결되며, 상기 제3패턴(P3)은 상기 제1 및 제2패턴(P1,P2)과 인접하게 배치된다. 상기 제1패턴(P1)과 상기 제2패턴(P2)의 면적을 비교하면, 발광 소자(21)가 탑재되는 제1패턴(P1)의 면적이 상기 제2패턴(P2)의 면적보다 더 넓을 수 있다. 이에 따라 방열 효율은 개선될 수 있다. 상기 제3패턴(P3)는 상기 회로 기판(11)의 너비와 같은 길이로 형성될 수 있다.The first pattern P1 and the second pattern P2 are electrically connected to the light emitting device 21 and the third pattern P3 is adjacent to the first and second patterns P1 and P2 Respectively. The area of the first pattern P1 on which the light emitting device 21 is mounted is larger than the area of the second pattern P2 by comparing the area of the first pattern P1 with the area of the second pattern P2. . Accordingly, the heat radiation efficiency can be improved. The third pattern P3 may be formed to have the same length as the width of the circuit board 11.

상기 제1패턴(P1)에는 제1접속패드(41)와 제1전극패드(45)를 포함하고, 상기 제2패턴(P2)에는 제2접속패드(42)와 제2전극 패드(46)를 포함하고, 상기 제3패턴(P3)에는 제3 및 제4접속패드(43,44)를 포함한다. The first pattern P1 includes a first connection pad 41 and a first electrode pad 45. The second pattern P2 includes a second connection pad 42 and a second electrode pad 46, , And the third pattern (P3) includes third and fourth connection pads (43, 44).

상기 보호층(15)은 상기 제1접속패드(41), 제2접속패드(42), 제3 및 제4접속패드(43,44), 그리고 제1 및 제2전극패드(45,46)를 개방하는 오픈 영역(51~55)을 포함한다. 상기의 오픈 영역(51~55)은 상기 보호층(15)이 오픈된 영역으로서, 원 형상, 반구형 형상, 다각형 형상, 비 정형 형상 중에서 선택적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 제1 내지 제4접속패드(44)를 노출하는 오픈 영역의 면적은 와이어(61,62)의 볼(Ball) 면적보다 클 수 있으며, 상기 제1 및 제2전극패드(45,46)를 노출하는 오픈 영역의 면적은 상기 발광소자(21)의 하면 면적보다 크게 형성될 수 있다.The protective layer 15 is formed on the first connection pad 41, the second connection pad 42, the third and fourth connection pads 43 and 44 and the first and second electrode pads 45 and 46, And open regions 51 to 55 for opening the open regions 51 to 55. The open areas 51 to 55 may be selectively formed in a circle, a hemisphere shape, a polygonal shape, or an irregular shape as an area where the protective layer 15 is opened, but the present invention is not limited thereto. The area of the open region that exposes the first to fourth connection pads 44 may be larger than that of the wires 61 and 62. The first and second electrode pads 45 and 46, The area of the open region that exposes the light emitting element 21 may be larger than the area of the bottom surface of the light emitting element 21. [

상기 제1 및 제2접속패드(41,42)는 상기 회로기판(11)의 서로 반대측에 배치되거나, 상기 발광소자(21)의 어느 한 변의 너비보다 더 넓은 간격으로 배치될 수 있다. 상기 제3 및 제4접속패드(43,44)는 상기 회로기판(11)의 서로 반대측에 배치되거나 상기 발광소자(21)의 어느 한 변의 너비보다 더 넓은 간격으로 배치될 수 있다. 상기의 제1 및 제3접속패드(41,43)는 상기 발광소자(21)의 제1측면에 인접하게 배치되며, 상기 제2 및 제4접속패드(42,44)는 상기 발광소자(21)의 제1측면의 반대측 제2측면에 인접하게 배치될 수 있다.The first and second connection pads 41 and 42 may be disposed on opposite sides of the circuit board 11 or may be disposed at a larger interval than the width of either side of the light emitting device 21. [ The third and fourth connection pads 43 and 44 may be disposed on opposite sides of the circuit board 11 or may be disposed at a larger interval than the width of either side of the light emitting device 21. [ The first and third connection pads 41 and 43 are disposed adjacent to the first side of the light emitting element 21 and the second and fourth connection pads 42 and 44 are connected to the light emitting element 21 The second side of the first side of the first portion (e.g.

또한 상기 제1 및 제3접속패드(41,43) 사이의 간격은 상기 제2 및 제4접속패드(42,44) 사이의 간격과 동일하거나 다를 수 있으며, 상기 발광소자(21)의 변들 중 짧은 변의 너비보다 넓을 수 있다. The distance between the first and third connection pads 41 and 43 may be the same as or different from the distance between the second and fourth connection pads 42 and 44, It can be wider than the width of the short side.

상기 회로기판(11)의 제1 및 제2전극패드(45,46) 상에는 발광소자(21)가 배치되고, 상기 발광소자(21)는 상기 제1 및 제2전극패드(45,46)에 솔더와 같은 접합 부재(31,32)로 접합된다.A light emitting device 21 is disposed on the first and second electrode pads 45 and 46 of the circuit board 11 and the light emitting device 21 is connected to the first and second electrode pads 45 and 46 And are joined together by bonding members 31 and 32 such as solder.

상기 회로기판(11)의 제1 내지 제4접속패드(41~44) 중 적어도 하나는 와이어 또는 커넥터와 같은 전기적 연결 부재가 연결될 수 있다. 상기 전기적 연결 부재는 인접한 발광 모듈(10) 또는/및 커넥터와 전기적으로 연결된다.At least one of the first to fourth connection pads 41 to 44 of the circuit board 11 may be connected to an electrical connection member such as a wire or a connector. The electrical connecting member is electrically connected to the adjacent light emitting module 10 and / or the connector.

상기 제1 및 제2패턴(P1,P2)은 전원 공급용 패턴이며, 상기 제1 및 제2패턴(P1,P2)의 제1 및 제2접속패드(41,42)는 와이어로 연결될 수 있으며 상기 발광소자(21)의 제1 및 제2극성에 전기적으로 연결된다. 상기 제3패턴(P3)은 피드백용 패턴 또는 루프용 패턴으로서, 라인 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 제3패턴(P3)의 제3 및 제4접속패드(43,44)는 와이어가 각각 연결된다.
The first and second patterns P1 and P2 are power supply patterns and the first and second connection pads 41 and 42 of the first and second patterns P1 and P2 may be connected by wires And are electrically connected to the first and second polarities of the light emitting element 21. The third pattern P3 may be formed as a line pattern, as a pattern for feedback or a pattern for a loop. The wires of the third and fourth connection pads 43 and 44 of the third pattern P3 are connected to each other.

도 6은 도 2의 발광모듈의 회로기판의 패턴 변형 예를 나타낸 도면이다.Fig. 6 is a view showing a modification of the pattern of the circuit board of the light emitting module of Fig. 2;

도 6을 참조하면, 회로기판(11)의 제1 내지 제4접속패드(41~44)는 상기 회로기판(11)의 모서리 영역에 각각 배치될 수 있으며, 상기 보호층(15)의 오픈 영역에 의해 오픈된다. 즉, 회로기판(11)의 패턴 설계에 따라 상기 제1 내지 제4접속패드(41~44)의 위치는 다양하게 변경될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
6, the first to fourth connection pads 41 to 44 of the circuit board 11 may be respectively disposed in the edge regions of the circuit board 11, Lt; / RTI > That is, the positions of the first to fourth connection pads 41 to 44 may be variously changed according to the pattern design of the circuit board 11, but the present invention is not limited thereto.

도 7은 도 2의 발광모듈의 회로기판에서의 패턴 변형 예를 나타낸 도면이다.7 is a view showing an example of pattern modification in the circuit board of the light emitting module of Fig.

도 7을 참조하면, 회로기판(11)에는 제1 및 제2패턴(P1,P2)이 배치되며, 제1패턴(P1)에 제1접속패드(41)가 오픈되고, 제2패턴(P2)에 제2접속패드(42)가 오픈된다. 상기 회로기판(11)은 상기 발광소자(21)를 직렬로 연결하기 위한 제1 및 제2패턴(P1,P2)을 구비하고, 와이어와 같은 연결 부재로 제1 및 제2접속패드(41,42)에 연결될 수 있다.
7, the first and second patterns P1 and P2 are arranged on the circuit board 11, the first connection pad 41 is opened on the first pattern P1, the second pattern P2 The second connection pad 42 is opened. The circuit board 11 has first and second patterns P1 and P2 for connecting the light emitting device 21 in series and is connected to the first and second connection pads 41, 42, respectively.

도 8은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 측 단면도이다. 8 is a side sectional view showing a light emitting device according to an embodiment.

도 8을 참조하면, 발광소자(21)는 상부가 개방된 캐비티(22A)를 갖는 몸체(22)와, 상기 몸체(22) 내에 배치된 복수의 리드 프레임(23,24), 상기 복수의 리드 프레임(23,24) 중 적어도 하나의 위에 배치된 적어도 하나의 발광 칩(325) 및, 상기 캐비티(22A) 내에 몰딩 부재(27)를 포함한다.8, the light emitting device 21 includes a body 22 having an upper opened cavity 22A, a plurality of lead frames 23 and 24 disposed in the body 22, At least one light emitting chip (325) disposed on at least one of the frames (23,24), and a molding member (27) in the cavity (22A).

상기 몸체(22)는 절연 재질, 투광성 재질, 전도성 재질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC), 폴리머 계열, 플라스틱 계열과 같은 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(22)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘 또는 에폭시 재질 중에서 선택될 수 있다. The body 22 may be made of an insulating material, a light transmitting material, or a conductive material. The body 22 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), a silicon (Si), a metal material, a PSG (PCB) such as Al 2 O 3 , silicon, an epoxy molding compound (EMC), a polymer series, a plastic series, and the like. For example, the body 22 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicone or an epoxy material.

상기 몸체(22)의 형상은 위에서 볼 때, 다각형, 원형, 또는 곡면을 갖는 형상을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The shape of the body 22 may include a shape having a polygonal shape, a circular shape, or a curved shape when viewed from above, but is not limited thereto.

상기 몸체(22)는 상부가 개방된 캐비티(22A)를 포함하며, 상기 몸체(22) 내에는 복수의 리드 프레임(23,24) 예컨대, 2개 또는 3개 이상이 배치될 수 있으며, 상기 복수의 리드 프레임(22,23)의 일부는 상기 캐비티(22A)의 바닥에 배치될 수 있다. The body 22 includes a cavity 22A having an open top and a plurality of lead frames 23 and 24, for example, two or three or more, may be disposed in the body 22, A part of the lead frames 22 and 23 of the cavity 22A may be disposed at the bottom of the cavity 22A.

상기 리드 프레임(23,24)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 리드 프레임(23,24)의 두께는 0.2mm~0.8mm 범위 예컨대, 0.2mm~0.4mm 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The lead frames 23 and 24 are made of a metal material such as titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta) ), Tin (Sn), silver (Ag), and phosphorous (P), and may be formed of a single metal layer or a multilayer metal layer. The thickness of the lead frames 23 and 24 may be in a range of 0.2 mm to 0.8 mm, for example, in a range of 0.2 mm to 0.4 mm, but is not limited thereto.

상기 발광 칩(25)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩, UV LED 칩, 화이트(white) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 발광 칩(25)은 III족-V족 또는/및 II족-VI족 원소의 화합물 반도체를 포함한다. 상기 발광 칩(25)은 수평형 전극 구조를 갖는 칩 구조로 배치하였으나, 두 전극이 상/하로 배치된 수직형 전극 구조를 갖는 칩 구조로 배치할 수 있다. 상기 발광 칩(25)은 와이어(26)에 의해 복수의 리드 프레임(23,24)과 전기적으로 연결된다. The light emitting chip 25 can selectively emit light in the range of the visible light band to the ultraviolet light band. For example, a red LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, a yellow green LED chip, and white LED chips. The light emitting chip 25 includes compound semiconductors of Group III-V or / and Group II-VII elements. Although the light emitting chip 25 is arranged in a chip structure having a horizontal electrode structure, the light emitting chip 25 may be arranged in a chip structure having a vertical electrode structure in which two electrodes are arranged up and down. The light emitting chip 25 is electrically connected to the plurality of lead frames 23 and 24 by wires 26.

상기의 발광 칩(25)는 상기 캐비티(22A) 내에 하나 또는 2개 이상이 배치될 수 있으며, 2개 이상의 발광 칩은 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. One or two or more light emitting chips 25 may be disposed in the cavity 22A, and two or more light emitting chips may be connected in series or in parallel. However, the present invention is not limited thereto.

상기 캐비티(22A)에는 몰딩부재(27)가 형성될 수 있다. 상기 몰딩부재(27)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩부재(27)는 상기 발광 칩(25) 상으로 방출되는 빛의 파장을 변환하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩부재(27)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예를 들면 상기 몰딩부재(27)의 표면은 오목한 곡면으로 형성될 수 있으며, 상기 오목한 곡면은 광 출사면이 될 수 있다.A molding member 27 may be formed in the cavity 22A. The molding member 27 includes a light-transmitting resin layer such as silicon or epoxy, and may be formed as a single layer or a multi-layer. The molding member 27 may include a phosphor for converting the wavelength of light emitted onto the light emitting chip 25. The phosphor may be selected from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy- . The phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, and a green phosphor, but the present invention is not limited thereto. The surface of the molding member 27 may include at least one of a flat shape, a concave shape, and a convex shape. For example, the surface of the molding member 27 may be formed as a concave curved surface, May be a light emitting surface.

상기 몰딩 부재(27) 또는 상기 발광 소자(21) 상에는 렌즈가 배치될 수 있으며, 상기 렌즈는 반구형 형상을 포함하며, 상기 반구형 형상은 반구형 형상이거나, 반구형 형상 중 상측 중심부가 오목한 전 반사면을 갖는 형상일 수 있다. 상기 렌즈는 프레넬 렌즈일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 렌즈는 상기 각 발광 소자에 일대일로 결합되어, 입사되는 광을 지향각 분포를 변화시켜 줄 수 있다.
A lens may be disposed on the molding member 27 or the light emitting element 21. The lens may have a hemispherical shape and the hemispherical shape may be hemispherical or may have a hemispherical shape having an overall reflecting surface with a concave upper central portion Lt; / RTI > The lens may be a Fresnel lens, but is not limited thereto. The lens may be coupled to each of the light emitting devices in a one-to-one manner to change the directional angle distribution of incident light.

도 9 및 도 10은 실시 예에 따른 복수의 발광 모듈을 나타낸 도면이다. 상기 발광 모듈은 도 1내지 도 5의 구조를 참조하기로 한다. 9 and 10 are views showing a plurality of light emitting modules according to the embodiment. The light emitting module will be described with reference to FIGS. 1 to 5. FIG.

도 9 및 도 10을 참조하면, 발광 장치는 제1발광 모듈(10-1)과 제2발광 모듈(10-2)이 소정 간격(G1)을 갖고 물리적으로 분리되어 배치된다. 9 and 10, the first light emitting module 10-1 and the second light emitting module 10-2 are physically separated from each other with a predetermined gap G1 between the first light emitting module 10-1 and the second light emitting module 10-2.

제1발광 모듈(10-1)과 제2발광 모듈(10-2) 사이의 간격(G1)은 회로기판(11)이 존재하지 않는 공간으로서, 넓을 경우 와이어(61,62)의 길이는 길어지게 되지만 단일 기판을 사용하는 경우에 비해 기판의 사용 면적 비율이 크게 줄일 수 있다. 또한 상기 간격(G1)이 좁을 경우 와이어(61,62)의 길이는 짧아지는 효과가 있지만, 단일 기판을 사용하는 경우에 비해 회로기판의 사용 면적 비율이 미미하게 감소될 수 있다. 따라서, 와이어(61,62)의 길이는 장력을 고려하여 설정할 수 있으며, 예컨대, 상기 간격(G1)이 1cm 이상 이격될 수 있다. 또한 상기 간격(G1)은 상기 회로기판(11)의 너비와 동일하거나 더 클 수 있으며, 이에 따라 세트 내에서 회로기판(11)의 사용 면적 비율을 줄일 수 있다.The gap G1 between the first light emitting module 10-1 and the second light emitting module 10-2 is a space in which the circuit board 11 does not exist and the length of the wires 61 and 62 is long However, the use area ratio of the substrate can be greatly reduced as compared with the case of using a single substrate. In addition, when the gap G1 is narrow, the length of the wires 61 and 62 is shortened, but the use area ratio of the circuit board can be reduced to a small extent as compared with the case of using a single substrate. Therefore, the lengths of the wires 61 and 62 can be set in consideration of the tension. For example, the gap G1 can be separated by 1 cm or more. Also, the gap G1 may be equal to or larger than the width of the circuit board 11, thereby reducing the use area ratio of the circuit board 11 in the set.

상기 제1발광 모듈(10-1) 상에는 발광 칩을 갖는 제1발광소자(21)가 배치되고, 상기 제2발광 모듈(10-2)에는 발광 칩을 갖는 제2발광소자(21A)가 배치된다. A first light emitting device 21 having a light emitting chip is disposed on the first light emitting module 10-1 and a second light emitting device 21A having a light emitting chip is disposed on the second light emitting module 10-2. do.

상기 제1발광 모듈(10-1) 상에 배치된 제1접속패드(41)와 제2접속패드(42)는 제1발광소자(21)에 연결되고, 상기 제2발광 모듈(10-2) 상에 배치된 제1접속패드(41) 및 제2접속패드(42)는 발광소자(21A)에 연결된다.The first connection pad 41 and the second connection pad 42 disposed on the first light emitting module 10-1 are connected to the first light emitting device 21 and the second light emitting module 10-2 The first connection pad 41 and the second connection pad 42 disposed on the light emitting element 21A are connected to the light emitting element 21A.

상기 제1발광 모듈(10-1)과 제2발광 모듈(10-2)은 제1와이어(61)에 의해 제1 및 제2발광소자(21,21A)들을 전기적으로 연결시켜 준다. 이에 따라 상기 제1 및 제2발광 모듈(10-1,10-2)의 발광소자(21,21A)는 직렬로 연결될 수 있다.The first light emitting module 10-1 and the second light emitting module 10-2 electrically connect the first and second light emitting devices 21 and 21A with the first wire 61. [ Accordingly, the light emitting devices 21 and 21A of the first and second light emitting modules 10-1 and 10-2 can be connected in series.

또한 상기 제1 및 제2발광 모듈(10-1,10-2)은 상기 제1발광 모듈의 제4접속 패드(44)와 제2발광 모듈(10-1,10-2)의 제3접속패드(43)에 연결된 제2와이어(62)에 의해 서로 연결되며, 상기 제2와이어(62)는 제1 및 제2발광 모듈(10-1,10-2)을 갖는 모듈의 피드백 회로를 형성할 수 있다. 상기 제2와이어(62)는 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The first and second light emitting modules 10-1 and 10-2 are connected to the fourth connection pad 44 of the first light emitting module and the third connection Are connected to each other by a second wire (62) connected to the pad (43), and the second wire (62) forms a feedback circuit of the module having the first and second light emitting modules (10-1, 10-2) can do. The second wire 62 may be removed, but is not limited thereto.

도 11 및 도 12는 제2실시 예에 따른 발광 모듈의 어레이를 나타낸 도면이다. 11 and 12 are views showing an array of light emitting modules according to the second embodiment.

도 11을 참조하면, 복수의 발광 모듈(10-1~10-n) 중 제1발광 모듈(10-1)과 커넥터(71) 사이, 상기와 인접한 발광 모듈(10-1~10-n) 사이에는 제1 및 제2와이어(61,62)가 연결된다. 그리고 마지막 제n발광 모듈(10-n)은 다른 커넥터(72) 또는 다른 기판에 제1 및 제2와이어(61,62)에 의해 연결될 수 있다. 상기 복수의 발광 모듈(10-1~10-n)은 직렬로 연결될 수 있고, 상기 제2와이어(62)는 피드백 회로로 사용되거나 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.11, between the first light emitting module 10-1 and the connector 71 of the plurality of light emitting modules 10-1 to 10-n, the adjacent light emitting modules 10-1 to 10-n, The first and second wires 61 and 62 are connected. And the last n-th light emitting module 10-n may be connected to the other connector 72 or another substrate by the first and second wires 61 and 62. [ The plurality of light emitting modules 10-1 to 10-n may be connected in series, and the second wire 62 may be used or removed as a feedback circuit, but the present invention is not limited thereto.

상기 복수의 발광 모듈(10-1~10-n)의 길이(D3)는 TV, 모니터와 같은 조명 시스템 내의 세트의 길이보다 짧은 길이이거나 2/5~5/4의 길이를 가질 수 있으며, 이러한 길이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 n은 2 이상의 자연수로서, 예컨대 2~100 범위로 형성될 수 있다.
The length D3 of the plurality of light emitting modules 10-1 to 10-n may be shorter than the length of the set in the lighting system such as a TV or a monitor or may have a length of 2/5 to 5/4, But is not limited to the length. The n may be a natural number of 2 or more, for example, in a range of 2 to 100.

도 12를 참조하면, 복수의 발광 모듈(10-1~10-n) 중 마지막 제n발광 모듈(10-n)은 제3와이어(63)에 의해 제2접속패드(42)와 제4접속패드(44)가 연결될 수 있다. 이에 따라 마지막 제n발광 모듈(10-n)은 직렬 연결된 복수의 발광소자(21)를 루프 회로로 구현하고, 제2와이어(62)를 통해 피드백시켜 줄 수 있다. 다른 예로서, 마지막 제n 발광 모듈(10-n)은 도 7과 같은 배선층의 패턴을 갖거나, 별도의 와이어 연결이 없도록 제2패턴과 제3패턴이 서로 연결된 구조일 수 있다.
12, the last nth light emitting module 10-n among the plurality of light emitting modules 10-1 to 10-n is connected to the second connection pad 42 and the fourth connection The pad 44 can be connected. Accordingly, the last n-th light emitting module 10-n may implement a plurality of light emitting devices 21 connected in series as a loop circuit, and feed back the light through the second wire 62. As another example, the last nth light emitting module 10-n may have a pattern of a wiring layer as shown in FIG. 7, or may have a structure in which a second pattern and a third pattern are connected to each other so that there is no separate wire connection.

도 13은 제3실시 예에 따른 복수의 발광 모듈을 갖는 발광 장치를 나타낸 도면이다.13 is a view showing a light emitting device having a plurality of light emitting modules according to the third embodiment.

도 13을 참조하면, 발광 장치는 지지 플레이트(75)와, 상기 지지 플레이트(75) 내에 복수의 발광 모듈(10-1~10-n)이 각각 연결된 복수의 발광부(10A,10B,10C,10D)를 포함한다. 상기 복수의 발광부(10A,10B,10C,10D)는 직렬로 연결된다.13, the light emitting device includes a support plate 75 and a plurality of light emitting units 10A, 10B, 10C, and 10C connected to the plurality of light emitting modules 10-1 to 10- 10D. The plurality of light emitting units 10A, 10B, 10C and 10D are connected in series.

상기 지지 플레이트(75)는 금속 재질이거나 비 금속 재질일 수 있으며, 내부에 수납 영역(75A)을 구비하며, 상기 수납 영역(75A)의 바닥에 상기의 복수의 발광부(10A,10B,10C,10D)가 배열될 수 있다. 상기 복수의 발광부(10A,10B,10C,10D)는 상기 지지 플레이트(75) 내에 2열 이상으로 배열될 수 있다. 상기 수납 영역(75A)이 바닥 면적(B1*B2)은 내부에 실장되는 복수의 발광부(10A~10D)와 세트 크기에 따라 다를 수 있다.The support plate 75 may be made of a metal or a nonmetal material and has a storage area 75A therein and a plurality of the light emitting units 10A, 10B, 10C, 10D may be arranged. The plurality of light emitting units 10A, 10B, 10C, and 10D may be arranged in two or more rows in the support plate 75. [ The floor area B1 * B2 of the storage area 75A may be different depending on the set size of the plurality of light emitting units 10A to 10D mounted therein.

상기 각 발광부(10A,10B,10C,10D)는 2개 이상의 발광 모듈(10-1~10-n)이 서로 연결되며, 인접한 발광 모듈(10)들이 소정 간격(G1)을 갖고 이격된다. 이에 따라 기존과 같이 하나의 회로 기판을 하나의 바로 하는 구조 즉, 하나의 회로기판 상에 복수의 발광소자가 배열되는 구조에 비해 회로기판(11)의 사용 면적 비율을 줄일 수 있다. Two or more light emitting modules 10-1 to 10-n are connected to each other and adjacent light emitting modules 10 are spaced apart with a predetermined gap G1. As a result, the use area ratio of the circuit board 11 can be reduced compared to a conventional structure in which one circuit board is arranged in a single structure, that is, a structure in which a plurality of light emitting elements are arranged on one circuit board.

구체적으로, 하나의 발광부를 1바(Bar)로 할 경우, TV 또는 모니터와 같은 세트에는 2개 이상의 바가 배치될 수 있다. 이러한 바들의 개수가 증가될 수록 상기 회로기판(11)의 소모를 효과적으로 줄일 수 있다. Specifically, when one light emitting portion is a bar, two or more bars may be disposed in a set such as a TV or a monitor. As the number of the bars increases, the consumption of the circuit board 11 can be effectively reduced.

또한 기존에는 복수의 발광소자를 하나의 회로기판 상에 탑재함으로써, 회로기판의 금속층을 방열 판으로 공용으로 사용하고 있다. 실시 예는 각 발광소자(21)에 개별 회로기판(11)을 배치함으로써, 회로기판(11)의 금속층은 개별 발광소자(21)의 방열 판으로 사용되고 있다.Further, in the past, a plurality of light emitting elements are mounted on one circuit board, so that the metal layer of the circuit board is commonly used as a heat radiating board. The metal layer of the circuit board 11 is used as a heat radiating plate of the individual light emitting elements 21 by disposing the individual circuit boards 11 in the respective light emitting elements 21. [

표 1과 같이 32인치 또는 42인치의 세트를 예로 들면 다음과 같이 줄일 수 있다.
As shown in Table 1, for example, a set of 32 inches or 42 inches can be reduced as follows.

구분division 32inch32inch 42inch42inch Set 면적Set area 3525 ㎠3525 cm2 4710 ㎠4710 cm2 4 Bar4 Bar 기존existing 발광소자의
개수The light-
Count 36 ea36 ea 72 ea72 ea PCB 면적PCB area 307.2 ㎠307.2 cm 2 633.6 ㎠633.6 cm2 실
시
예room
city
Yes 발광소자의
개수The light-
Count 36 ea36 ea 72 ea72 ea PCB 면적PCB area 144 ㎠144 cm 2 288 ㎠288 ㎠ 3 Bar3 Bar 기존existing 발광소자의
개수The light-
Count 27 ea27 ea 54 ea54 ea PCB 면적PCB area 230.4 ㎠230.4 cm 2 475.2 ㎠475.2 cm 2 실
시
예room
city
Yes 발광소자의
개수The light-
Count 27 ea27 ea 54 ea54 ea PCB 면적PCB area 108 ㎠108 ㎠ 216 ㎠216 ㎠ 2 Bar2 Bar 기존existing 발광소자의
개수The light-
Count 18 ea18 ea 36 ea36 ea PCB 면적PCB area 153.6 ㎠153.6 ㎠ 316.8 ㎠316.8 cm 2 실
시
예room
city
Yes 발광소자의
개수The light-
Count 18 ea18 ea 36 ea36 ea PCB 면적PCB area 72 ㎠72 ㎠ 144 ㎠144 cm 2

상기 세트(Set)의 면적은 실제 회로기판의 수납이 가능한 면적으로서, 32인치 또는 42인치에서의 지지 플레이트의 수납 영역의 바닥 면적이며, 상기 회로 기판(PCB)을 배치할 수 있는 공간이 된다. 상기 회로 기판(PCB)(11)의 면적은 상기 회로기판(11)의 상면 또는 하면의 표 면적을 나타낸 것이다. The area of the set is an area where the actual circuit board can be stored and is the bottom area of the storage area of the support plate at 32 inches or 42 inches and becomes a space where the circuit board PCB can be placed. The area of the circuit board (PCB) 11 indicates the surface area of the upper surface or the lower surface of the circuit board 11.

상기 32인치의 세트에서, 4개의 바(Bar)에는 총 36개(ea), 3개의 바에는 총 27개, 2개의 바에는 총 18개의 발광 소자가 배치될 수 있다. 또한 42인치의 세트에서, 4개의 바에는 총 72개, 3개의 바에는 총 54개, 2개의 바에는 총 36개의 발광 소자가 배치될 수 있다. 실시 예는 상기의 발광 소자에 개수에 대응되는 회로 기판의 개수가 사용되며, 예컨대 4개의 바에서 36개의 발광 소자가 배치되면 36개의 회로 기판이 사용되고, 72개의 발광 소자가 배치도면 72개의 회로 기판이 사용된다. 그러나, 기존에는 각 바에 하나의 회로 기판을 사용하게 되며, 예컨대 4개의 바에서 9개의 발광 소자가 하나의 회로 기판에 배치되거나, 18개의 발광 소자가 하나의 회로 기판 상에 배치될 수 있다. In the set of 32 inches, a total of 36 light emitting elements (ea) are arranged in four bars, a total of 27 light emitting elements are arranged in three bars, and a total of 18 light emitting elements are arranged in two bars. In a set of 42 inches, a total of 72 light emitting elements can be arranged in four bars, a total of 54 light emitting elements in three bars, and a total of 36 light emitting elements in two bars. In the embodiment, the number of circuit boards corresponding to the number of the light emitting devices is used. For example, when 36 light emitting devices are arranged in four bars, 36 circuit substrates are used, Is used. However, conventionally, one circuit board is used for each bar. For example, nine light emitting elements in four bars may be disposed on one circuit board, or eighteen light emitting elements may be disposed on one circuit board.

실시 예는 4개의 바를 사용한 경우, 32인치의 세트에서는 세트 면적 대비 회로기판(PCB)의 비율은 4% 정도이고, 42인치의 세트에서는 세트 면적 대비 회로기판의 비율은 6% 정도가 된다. 3개의 바를 사용한 경우, 32인치의 세트에서는 세트 면적 대비 회로기판의 비율은 3%정도이고, 42인치의 세트에서는 세트 면적 대비 회로기판의 비율은 4%정도이다. 2개의 바를 사용한 경우, 32인치 세트에서는 세트 면적 대비 회로기판의 비율은 2%정도이고, 42인치 세트에서는 세트 면적 대비 회로기판의 비율은 3%정도이다. In the embodiment, when four bars are used, the ratio of the circuit board (PCB) to the set area is about 4% in the set of 32 inches, and the ratio of the circuit board to the set area is about 6% in the case of the set of 42 inches. When three bars are used, the ratio of the circuit board to the set area is about 3% in the set of 32 inches, and the ratio of the circuit board to the set area is about 4% in the set of 42 inches. When two bars are used, the ratio of the circuit board to the set area is about 2% in the 32-inch set, and the ratio of the circuit board to the set area is about 3% in the 42-inch set.

따라서, 실시 예는 지지 플레이트와 같은 수납 영역의 바닥 면적(즉, 세트에서의 실장 면적)과 대비하여 회로기판의 면적 비율을 8% 미만 예컨대, 7% 이하의 범위 예컨대, 2~6% 범위로 이용할 수 있다. 또한 각 바가 차지하는 회로 기판의 면적은 지지 플레이트의 바닥 면적에 비해 1~2% 범위가 될 수 있다. Therefore, in the embodiment, the ratio of the area of the circuit board to the bottom area (i.e., the mounting area in the set) of the storage area such as the support plate is less than 8%, for example, 7% Can be used. Also, the area of the circuit board occupied by each bar may be in the range of 1 to 2% relative to the bottom area of the support plate.

상기와 같이, 복수의 발광 모듈(10)이 어레이된 발광부를 하나의 바(bar)라고 할 때, 기존의 회로기판 면적과 비교할 때 50% 이상의 기판 면적을 줄일 수 있다. 상기의 회로기판(11)의 면적이 감소됨으로써, 자원의 낭비를 줄일 수 있다. 또한 TV와 모니터와 같은 세트의 사이즈가 점차 대형화됨에 따라 세트 내에 배치된 회로기판(11)의 낭비를 더욱 줄일 수 있다.As described above, when the light emitting portion in which the plurality of light emitting modules 10 are arrayed is referred to as a bar, a substrate area of 50% or more can be reduced as compared with the conventional circuit substrate area. By reducing the area of the circuit board 11, waste of resources can be reduced. In addition, as the size of a set such as a TV and a monitor is gradually increased, the waste of the circuit board 11 disposed in the set can be further reduced.

또한 3cm 이상의 회로기판(11)을 사용하지 않기 때문에, 발광 모듈(10)들의 배치에 대한 자유도가 증가될 수 있다. 예컨대, 발광 모듈(10)들을 라인 형태로 배열하거나, 소정 각도로 어긋나게 배열하거나, 단차지게 배열하거나, 또는 경사지게 배치할 수도 있다.
Further, since the circuit board 11 of 3 cm or more is not used, the degree of freedom in arrangement of the light emitting modules 10 can be increased. For example, the light emitting modules 10 may be arranged in a line, a predetermined angle, a step, or an inclination.

도 14 및 도 15는 제4실시 예에 따른 복수의 발광 모듈의 변형 예를 나타낸 도면이다.FIGS. 14 and 15 are views showing a modification of the plurality of light emitting modules according to the fourth embodiment.

도 14를 참조하면, 제1발광 모듈(10-1)과 제2발광 모듈(10-2) 중 적어도 하나는 다른 모듈(10)에 비해 틀어져 배치될 수 있다. 예를 들면, 제2발광 모듈(10-2)이 제1발광 모듈(10-1)의 어느 한 측면에 대해 틀어지게 배치되며, 상기 제1 및 제2발광 모듈(10-1,10-2)의 측면들 간의 간격(A1,A2)이 위치에 따라 다를 수 있다. 또한 제1와이어(61)과 제2와이어(62)의 길이는 어느 한쪽이 더 길게 형성될 수 있다. 또한 2개 이상의 발광 모듈을 서로 틀어지게 배치하여, 다양한 형상으로 연결시켜 줄 수 있다.
Referring to FIG. 14, at least one of the first light emitting module 10-1 and the second light emitting module 10-2 may be disposed in a different position from the other modules 10. For example, the second light emitting module 10-2 may be disposed on one side of the first light emitting module 10-1 so that the first and second light emitting modules 10-1 and 10-2 May be different depending on the position. In addition, either one of the lengths of the first wire 61 and the second wire 62 may be longer. In addition, two or more light emitting modules may be arranged to be mutually twisted and connected in various shapes.

도 15를 참조하면, 제1발광 모듈(10-1)과 제2발광 모듈(10-2)은 소정의 각도(θ1)로 배치될 수 있다. 상기 제1발광 모듈(10-1)과 상기 제2발광 모듈(10-2) 사이의 각도(θ1)는 10도 내지 180도의 범위로 배치될 수 있다. 예컨대 제1발광 모듈(10-1)의 제4접속패드(44)와 상기 제2발광 모듈(10-2)의 제3접속패드(43) 간의 간격보다는 제1발광 모듈(10-1)의 제2접속패드(42)와 상기 제2발광 모듈(10-2)의 제4접속패드(44) 간의 간격이 더 좁을 수 있다. 즉, 제1와이어(61)의 길이가 제2와이어(62)의 길이보다 더 길게 배치될 수 있다. 도 15의 제1 및 제2발광 모듈(10-1,10-2)의 배치는 반대로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 2개 이상의 발광 모듈을 상기의 각도로 배치하여, 다양한 형상으로 연결시켜 줄 수 있다.
Referring to FIG. 15, the first light emitting module 10-1 and the second light emitting module 10-2 may be disposed at a predetermined angle? 1. The angle? 1 between the first light emitting module 10-1 and the second light emitting module 10-2 may be in a range of 10 degrees to 180 degrees. The distance between the fourth connection pad 44 of the first light emitting module 10-1 and the third connection pad 43 of the second light emitting module 10-2 is larger than the distance between the fourth connection pad 44 of the first light emitting module 10-1 and the third connection pad 43 of the second light emitting module 10-2 The interval between the second connection pad 42 and the fourth connection pad 44 of the second light emitting module 10-2 may be narrower. That is, the length of the first wire 61 may be longer than the length of the second wire 62. The arrangement of the first and second light emitting modules 10-1 and 10-2 in Fig. 15 can be reversely arranged, but is not limited thereto. Further, two or more light emitting modules may be arranged at the above-mentioned angles and connected in various shapes.

도 16은 실시 예에 따른 복수의 발광 모듈의 연결 형태를 변형한 예이다.16 is a modification of the connection mode of a plurality of light emitting modules according to the embodiment.

도 16을 참조하면, 복수의 발광 모듈(10-1~10-n)이 연결된 제1발광부(10E)와 제2발광부(10F)를 인접하게 배열하고, 상기 제1발광부(10E)와 제2발광부(10F)를 직렬로 연결하게 된다. 16, a first light emitting portion 10E and a second light emitting portion 10F, which are connected to a plurality of light emitting modules 10-1 to 10-n, are arranged adjacently, and the first light emitting portion 10E, And the second light emitting portion 10F are connected in series.

상기 제1발광부(10E)에서 마지막 제n발광 모듈(10-n)의 제2접속패드(42)와 제4접속패드(44)를 제3와이어(63)로 연결하고, 제2발광부(10-n)에서 마지막 제n발광 모듈(10-n)의 제2접속패드(42)와 제4접속패드(44)는 제3와이어(63)로 연결된다. 이는 마지막 제n발광 모듈(10-n)은 다른 발광 모듈의 회로 패턴과 동일한 회로 패턴을 구비할 수 있는 경우이며, 다른 예로서 마지막 제n발광 모듈(10-n)의 회로기판(11)은 도 7과 같이 제2패턴과 제3패턴을 연결된 경우 별도의 와이어를 이용하여 서로 연결하지 않을 수 있다. 여기서, n은 2~100 범위일 수 있다.The second connection pad 42 and the fourth connection pad 44 of the last nth light emitting module 10-n in the first light emitting portion 10E are connected by the third wire 63, The second connection pad 42 and the fourth connection pad 44 of the last nth light emitting module 10-n are connected to each other by the third wire 63 in the first ninth light emitting module 10-n. In this case, the circuit board 11 of the last n-th light emitting module 10-n may have a circuit pattern similar to that of the other n-th light emitting module 10-n. As shown in FIG. 7, when the second pattern and the third pattern are connected, they may not be connected to each other by using a separate wire. Here, n may range from 2 to 100.

상기 제1발광부(10E)의 제1발광 모듈(10-1)의 제3접속패드(43)와 제2발광부(10F)의 제1발광 모듈(10-1)의 제1접속패드(41)를 제4와이어(64)로 연결하게 된다. 이에 따라 제1발광부(10E)와 상기 제2발광부(10F)는 직렬로 연결될 수 있으며, 또한 제1발광부(10E)의 피드백 회로에 제2발광부(10F)가 연결된 구조로 제공할 수 있다.
The third connection pad 43 of the first light emitting module 10-1 of the first light emitting portion 10E and the first connection pad 43 of the first light emitting module 10-1 of the second light emitting portion 10F 41 are connected by the fourth wire 64. The first light emitting portion 10E and the second light emitting portion 10F may be connected in series and the second light emitting portion 10F may be connected to the feedback circuit of the first light emitting portion 10E .

도 17 내지 제19는 제4실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.17 to 19 are views showing a light emitting module according to a fourth embodiment.

도 17을 참조하면, 발광 모듈은 회로기판(11), 상기 회로기판(11) 위에 배치된 발광소자(21), 및 상기 회로기판(11) 아래에 배치된 접착 부재(76)를 포함한다. 상기 접착 부재(76)는 방열 플레이트나 지지 플레이트와 같은 부재에 직접 부착될 수 있다. 상기 접착 부재(76)는 양면 접착 테이프 또는 접착 시트일 수 있으며, 상기 회로기판(11)을 간편하게 부착할 수 있기 때문에, 사용이 편리할 수 있다. 상기 접착 부재(76)의 너비는 상기 발광 모듈의 회로기판(11)의 너비와 동일하거나 더 넓을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.17, the light emitting module includes a circuit board 11, a light emitting element 21 disposed on the circuit board 11, and an adhesive member 76 disposed under the circuit board 11. As shown in Fig. The adhesive member 76 may be directly attached to a member such as a heat dissipation plate or a support plate. The adhesive member 76 may be a double-sided adhesive tape or an adhesive sheet. Since the circuit board 11 can be easily attached, it can be used conveniently. The width of the adhesive member 76 may be equal to or wider than the width of the circuit board 11 of the light emitting module, but is not limited thereto.

도 18을 참조하면, 복수의 발광 모듈(10-1,10-2)의 아래에 접착 부재(77)가 배치될 수 있으며, 상기 접착 부재(77)는 복수의 발광 모듈(10-1,10-2) 간은 와이어(61,62)로 연결될 수 있다. 상기 복수의 발광 모듈(10-1,10-2)은 라인 형태로 배열될 수 있으며, 상기 접착 부재(77)의 너비는 상기 복수의 발광 모듈(10-1,10-2)의 너비의 합보다 넓을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
18, an adhesive member 77 may be disposed below the plurality of light emitting modules 10-1 and 10-2, and the adhesive member 77 may be disposed between the plurality of light emitting modules 10-1 and 10 -2) can be connected by wires 61, 62. The plurality of light emitting modules (10-1, 10-2) may be arranged in a line shape, and the width of the adhesive member (77) is a sum of the widths of the plurality of light emitting modules (10-1, 10-2) But it is not limited thereto.

도 19를 참조하면, 복수의 발광 모듈(10-1,10-2, 10-3)은 삼각형과 같은 다각형 형태이거나, 원 또는 타원 형태로 배치되거나 지그 재그의 형태로 배치될 수 있다. 상기 복수의 발광 모듈(10-1,10-2,10-3)은 직렬로 연결될 수 있고, 접착 부재(78) 상에 부착된다.Referring to FIG. 19, the plurality of light emitting modules 10-1, 10-2, and 10-3 may have a polygonal shape such as a triangle, a circle, an ellipse, or a jig. The plurality of light emitting modules (10-1, 10-2, 10-3) can be connected in series and attached on the adhesive member (78).

도 1 내지 도 19에 개시된 발광 모듈들은 광 출사측에 도광판 및 렌즈와 같은 광학 부재가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 복수의 발광 모듈의 광 경로 상에 파장을 변환하기 위한 파장 변환 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
In the light emitting modules shown in Figs. 1 to 19, optical members such as a light guide plate and a lens may be disposed on the light output side, but the invention is not limited thereto. A wavelength conversion sheet for converting wavelengths may be disposed on the optical path of the plurality of light emitting modules, but the present invention is not limited thereto.

도 20은 제5실시 예에 따른 발광 모듈을 갖는 발광 장치를 나타낸 도면이다.20 is a view illustrating a light emitting device having a light emitting module according to the fifth embodiment.

도 20을 참조하면, 발광 장치는 지지 플레이트(80)와, 복수의 발광 모듈(10-1,10-2)와, 광학 부재(83)를 포함한다.Referring to Fig. 20, the light emitting device includes a support plate 80, a plurality of light emitting modules 10-1 and 10-2, and an optical member 83. Fig.

상기 지지 플레이트(80)에는 복수의 리세스부(81)가 형성되며, 상기 리세스부(81)에는 발광 모듈(10-1,10-2)이 각각 배치될 수 있도록 상기 지지 플레이트(80)의 상면으로부터 오목하게 리세스된 구조를 포함한다. 상기 발광 모듈(10-1,10-2)들은 각 리세스부(81)에 접착 부재(82)로 접착될 수 있다. 인접한 발광 모듈(10-1,10-2)들은 도 10과 같이 와이어(61,62)로 연결될 수 있다.A plurality of recesses 81 are formed in the support plate 80 and the support plate 80 is disposed in the recess 81 so that the light emitting modules 10-1 and 10-2 can be disposed, As shown in FIG. The light emitting modules 10-1 and 10-2 may be bonded to the respective recess portions 81 with an adhesive member 82. [ The adjacent light emitting modules 10-1 and 10-2 may be connected by wires 61 and 62 as shown in FIG.

상기 리세스부(81)의 깊이는 상기 각 발광 모듈(10-1,10-2)의 회로기판(11)의 두께에 대응되는 깊이로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The depth of the recessed portion 81 may be a depth corresponding to the thickness of the circuit board 11 of each of the light emitting modules 10-1 and 10-2, but is not limited thereto.

상기 발광 모듈(10-1,10-2) 위에는 광학 부재(83)가 배치되며, 상기 광학 부재는 도광판 또는 파장 변환 시트를 포함한다. 또한 상기 리세스부(81)를 제외한 상기 지지 플레이트(80) 상에는 반사 시트가 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광학 부재(83)는 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. An optical member 83 is disposed on the light emitting modules 10-1 and 10-2, and the optical member includes a light guide plate or a wavelength conversion sheet. Further, a reflective sheet may be further disposed on the support plate 80 except for the recessed portion 81, but the present invention is not limited thereto. The optical member 83 may be made of a transparent material such as acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PMMA), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC) naphthalate resin.

상기의 지지 플레이트(80)는 금속 또는 비 금속 재질일 수 있으며, 상기 금속 재질인 경우 발광 모듈(10)들의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있으며, 비 금속 재질이더라도 회로기판(11)의 자체 방열 판에 의해 방열될 수 있고 습기에 의한 손해를 방지할 수 있다.
The support plate 80 may be made of a metal or a non-metal material. The metal plate may improve the heat radiation efficiency of the light emitting modules 10, So that damage due to moisture can be prevented.

도 21을 참조하면, 발광 장치는 발광 모듈(10-1,10-2)의 위치를 다른 높이로 배치하기 위해 단차진 구조를 갖는 지지 플레이트(85)를 포함하며, 상기 지지 플레이트(85)의 제1바텀부(85A)는 제2바텀부(85B)에 비해 소정 높이 차이(T1)를 갖고 이격될 수 있다. 상기의 높이 차이(T1)는 상기 발광 모듈(10-1,10-2)의 두께보다 두껍거나 얇을 수 있다. 이에 따라 발광 모듈(10-1,10-2)들은 상기 지지 플레이트(85) 상에 서로 다른 높이로 배치되고, 와이어(61,62)로 서로 연결될 수 있다.
21, the light emitting device includes a support plate 85 having a stepped structure to arrange the positions of the light emitting modules 10-1 and 10-2 at different heights, The first bottom portion 85A may be spaced apart from the second bottom portion 85B by a predetermined height difference T1. The height difference T1 may be thicker or thinner than the thickness of the light emitting modules 10-1 and 10-2. Accordingly, the light emitting modules 10-1 and 10-2 may be disposed at different heights on the support plate 85, and they may be connected to each other by the wires 61 and 62.

도 22는 제6실시 예에 따른 발광 모듈을 갖는 발광 장치를 나타낸 도면이다.22 is a view showing a light emitting device having a light emitting module according to the sixth embodiment.

도 22를 참조하면, 발광 장치는 서로 다른 방향으로 절곡된 지지부(86A,86B,86C)을 갖는 지지 플레이트(86) 상에 복수의 발광 모듈(10)이 배치된다. 상기 지지 플레이트(86)는 금속 재질을 포함하며, 제1 내지 제3지지부(86A,86B,86C)을 포함한다. 상기 제2 및 제3지지부(86B,86C)는 상기 제1지지부(86A)로부터 소정 각도로 절곡되며, 경사지게 배치된다. 또한 상기 제2 및 제3지지부(86B,86C)는 상기 제1지지부(86A)의 상면보다 낮게 위치하게 된다. 22, a plurality of light emitting modules 10 are disposed on a support plate 86 having support portions 86A, 86B, and 86C bent in different directions. The support plate 86 includes a metal material and includes first to third support portions 86A, 86B, and 86C. The second and third support portions 86B and 86C are bent at a predetermined angle from the first support portion 86A and are disposed obliquely. Also, the second and third support portions 86B and 86C are positioned lower than the upper surface of the first support portion 86A.

따라서, 제1절곡편 내지 제3지지부(86A,86B,86C) 상에 제1 내지 제3발광 모듈(10-1,10-2,10-3)이 배치되며, 상기 제1내지 제3발광 모듈(10-1,10-2,10-3)은 와이어(61,62)에 의해 전기적으로 서로 연결된다.Therefore, the first to third light emitting modules 10-1, 10-2, 10-3 are disposed on the first bent portion to the third support portions 86A, 86B, 86C, The modules 10-1, 10-2, and 10-3 are electrically connected to each other by wires 61 and 62.

실시 예는 각 회로 기판에 적어도 하나의 발광 칩이 패키징된 하나의 발광 소자를 탑재하여, 개별 발광 모듈로 제공할 수 있다. 이러한 발광 모듈들을 어레이로 와이어와 같은 연결부재로 연결해 주어 사용함으로써, 회로기판이 차지하는 면적을 줄일 수 있고, 발광 모듈 간의 연결에 대한 자유도를 개선시켜 줄 수 있다.
In the embodiment, one light emitting element packaged with at least one light emitting chip may be mounted on each circuit board, and the light emitting module may be provided as an individual light emitting module. By connecting these light emitting modules to an array with connection members such as wires, it is possible to reduce the area occupied by the circuit board and improve the degree of freedom in connection between the light emitting modules.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

10,10-1~10-n: 발광 모듈
11: 회로기판
12: 금속 플레이트
13: 절연층
14: 배선층
15: 보호층
21,21A: 발광 소자
31,32: 접합 부재
41-44: 접속 패드
45,46: 전극 패드
61,62,64,64: 와이어
76,77,78: 접착 부재
75, 80,85,86: 지지 플레이트10, 10-1 to 10-n: light emitting module
11: Circuit board
12: metal plate
13: Insulation layer
14:
15: Protective layer
21, 21A:
31, 32:
41-44: connection pad
45, 46: Electrode pad
61, 62, 64, 64:
76, 77, 78:
75, 80, 85, 86:

Claims (16)

삭제delete 서로 이격되는 제1 및 제2발광 모듈을 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 발광 모듈 각각은,
제1 및 제2프레임을 포함하며 상기 제1 및 제2프레임 상에 배치되는 발광 칩을 갖는 발광소자;
배선층을 포함하며 상기 발광소자와 전기적으로 연결되는 회로기판;
상기 발광소자와 상기 회로기판을 접합시켜주는 접합 부재를 포함하고,
하나의 상기 회로기판 상에는 하나의 상기 발광소자가 배치되고,
상기 회로기판의 상면 면적은 9cm2 이하이며, 상기 발광소자의 하면 면적의 2배 내지 4배이고,
상기 제 1 및 제 2 발광 모듈 각각의 회로기판은, 금속 플레이트; 상기 금속 플레이트 및 상기 배선층 사이에 배치되는 절연층; 및 상기 배선층 상에 배치되는 보호층;을 포함하고,
상기 배선층은, 서로 이격되는 제1 내지 제3배선층을 포함하고,
상기 제1배선층은, 상기 접합 부재가 배치되며 상기 제1프레임과 수직 방향으로 중첩되는 제1전극 패드; 및 상기 제1전극 패드와 연결된 제1접속 패드를 포함하고,
상기 제2배선층은, 상기 접합 부재가 배치되며 상기 제2프레임과 수직 방향으로 중첩되는 제2전극 패드; 및 상기 제2전극 패드와 연결된 제2접속 패드를 포함하고,
상기 제3배선층은, 제3접속 패드, 상기 제3접속 패드와 연결되며 상기 제3접속 패드로부터 제1방향으로 연장되는 제3연장 패드 및 상기 제3연장 패드와 연결된 제4접속 패드를 포함하고,
상기 보호층은 상기 제1 내지 제3배선층 각각의 상면 일부를 노출하는 오픈 영역을 포함하고,
상기 오픈 영역은 상기 제1 및 제2 전극 패드, 상기 제1 내지 제4접속 패드와 수직 방향으로 중첩되고,
상기 제1발광 모듈의 제1접속 패드와 상기 제1발광 모듈에 인접한 제2발광 모듈의 제2접속 패드를 연결해 주는 제1와이어를 포함하며,
상기 제1배선층의 상면 면적은 상기 제2배선층의 상면 면적보다 크고,
상기 제3배선층의 제1방향 길이는, 상기 회로 기판의 제1방향 길이와 대응되고, 상기 제1및 제2배선층 각각의 제1방향 길이보다 길고,
상기 제1 및 제2발광 모듈 각각에서, 상기 제1 및 제3접속 패드의 측면은 상기 회로기판의 일측면과 동일 평면 상에 배치되고, 상기 제 2 및 제4 접속 패드의 측면은 상기 회로기판의 타측면과 동일 평면 상에 배치되고,
상기 제1 및 제2발광 모듈 각각에서, 상기 오픈 영역에 의해 노출되는 제1전극 패드의 면적은 상기 오픈 영역에 의해 노출되는 제2전극 패드의 면적보다 큰 발광 장치.And first and second light emitting modules spaced apart from each other,
Wherein each of the first and second light emitting modules includes:
A light emitting element having a light emitting chip including first and second frames and disposed on the first and second frames;
A circuit board including a wiring layer and electrically connected to the light emitting device;
And a bonding member for bonding the light emitting device to the circuit board,
One light emitting element is disposed on one of the circuit boards,
The upper surface area of the circuit board is equal to or smaller than 9 cm 2 , is 2 to 4 times the lower surface area of the light emitting device,
The circuit board of each of the first and second light emitting modules includes: a metal plate; An insulating layer disposed between the metal plate and the wiring layer; And a protective layer disposed on the wiring layer,
Wherein the wiring layer includes first to third wiring layers which are spaced apart from each other,
The first wiring layer may include a first electrode pad on which the bonding member is disposed and which is overlapped with the first frame in a vertical direction; And a first connection pad connected to the first electrode pad,
The second wiring layer includes a second electrode pad on which the bonding member is disposed and which is overlapped with the second frame in the vertical direction; And a second connection pad connected to the second electrode pad,
The third wiring layer includes a third connection pad, a third extension pad connected to the third connection pad, extending from the third connection pad in a first direction, and a fourth connection pad connected to the third extension pad ,
Wherein the protection layer includes an open region that exposes a part of a top surface of each of the first to third wiring layers,
Wherein the open region overlaps with the first and second electrode pads and the first to fourth connection pads in a vertical direction,
And a first wire connecting a first connection pad of the first light emitting module and a second connection pad of a second light emitting module adjacent to the first light emitting module,
The upper surface area of the first wiring layer is larger than the upper surface area of the second wiring layer,
The first directional length of the third wiring layer corresponds to the first directional length of the circuit board and is longer than the first directional length of each of the first and second wiring layers,
In each of the first and second light emitting modules, the side surfaces of the first and third connection pads are disposed on the same plane as one side of the circuit board, and the side surfaces of the second and fourth connection pads are connected to the circuit board Is disposed on the same plane as the other side face
Wherein an area of the first electrode pad exposed by the open region in each of the first and second light emitting modules is larger than an area of the second electrode pad exposed by the open region. 삭제delete 제2항에 있어서,
상기 회로 기판의 적어도 한 변의 길이는 3cm 이하인 발광 장치.3. The method of claim 2,
Wherein a length of at least one side of the circuit board is 3 cm or less. 제2항에 있어서,
상기 제1 및 제2발광 모듈 아래에 배치된 지지 플레이트를 포함하며,
상기 지지 플레이트는 상기 제1 및 제2발광 모듈을 수납하는 수납 영역을 포함하는 발광 장치.3. The method of claim 2,
And a support plate disposed below the first and second light emitting modules,
Wherein the support plate includes a storage area for storing the first and second light emitting modules. 제5항에 있어서,
상기 지지 플레이트의 수납 영역의 바닥 면적 대비 상기 제1 및 제2발광 모듈 각각의 회로 기판의 상면 면적은 7% 이하인 발광 장치.6. The method of claim 5,
Wherein a top surface area of the circuit board of each of the first and second light emitting modules is 7% or less of a bottom area of the receiving area of the support plate. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제2항에 있어서,
상기 제1발광 모듈의 제3접속 패드와 제2발광 모듈의 제4접속 패드를 연결해 주는 제2와이어를 포함하는 발광 장치.3. The method of claim 2,
And a second wire connecting the third connection pad of the first light emitting module and the fourth connection pad of the second light emitting module. 제12항에 있어서,
상기 제1 및 제2발광 모듈에는 복수의 제1와이어 및 복수의 제2와이어가 연결되는 발광 장치.13. The method of claim 12,
And a plurality of first wires and a plurality of second wires are connected to the first and second light emitting modules. 삭제delete 삭제delete 제2항에 있어서,
상기 제1 및 제2전극 패드를 노출하는 상기 오픈 영역의 면적은 상기 발광소자의 하면 면적보다 큰 발광 장치.3. The method of claim 2,
Wherein an area of the open region that exposes the first and second electrode pads is larger than a bottom area of the light emitting element.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002162626A (en) * 2000-11-22 2002-06-07 Sony Corp Heat radiating device of light source for liquid crystal display and its manufacturing method
JP2011119771A (en) * 2011-03-11 2011-06-16 Sharp Corp Led module and led light source device

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