KR101959040B1 - type bonding processing used in electrostatic chuck for wafer mounting of semicondutor package - Google Patents

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KR101959040B1
KR101959040B1 KR1020180075340A KR20180075340A KR101959040B1 KR 101959040 B1 KR101959040 B1 KR 101959040B1 KR 1020180075340 A KR1020180075340 A KR 1020180075340A KR 20180075340 A KR20180075340 A KR 20180075340A KR 101959040 B1 KR101959040 B1 KR 101959040B1
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문형주
이성희
이창해
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주식회사 다이나테크
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Abstract

The present invention relates to an electrostatic chuck for wafer mounting of a semiconductor package, in which chips of a wafer is electrostatic-absorbed onto a film for electrostatic adsorption which is convex upwards when bonding a tape to the wafer and a ring frame, thereby improving a yield rate of the wafer chip and satisfying protection of the wafer chip and stability of bonding.

Description

반도체 패키지의 웨이퍼 마운팅용 정전 척을 이용한 테이프 본딩 공정{type bonding processing used in electrostatic chuck for wafer mounting of semicondutor package}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an electrostatic chuck for wafer mounting of a semiconductor package,

본 발명은 웨이퍼와 링 프레임에 테이프를 본딩할 때 위로 볼록한 정전 흡착용 필름에 웨이퍼의 칩들이 정전 흡착되어 웨이퍼의 칩 수율을 높이면서 웨이퍼의 칩 보호와 본딩의 안정성도 동시에 만족시킨 반도체 패키지의 웨이퍼 마운팅용 정전 척에 관한 것이다. The present invention relates to a wafer for semiconductor wafers and semiconductor wafers which satisfy the chip protection and bonding stability of wafers while enhancing the chip yield of the wafers by electrostatically attracting the chips of the wafers to the electrostatically attracting film, To an electrostatic chuck for mounting.

종래 소잉공정 전에 웨이퍼(W)의 패턴 컷팅이 용이하도록 링 프레임(F)과 웨이퍼(W)에 테이프(T)를 접착시킨 대상물(BF)이 도 1에 도시되어 있다. 1 shows an object BF in which a ring frame F and a tape T are adhered to a wafer W so as to facilitate pattern cutting of the wafer W before the conventional sawing process.

이러한 링 프레임(F)과 웨이퍼(W)의 저면에 테이프(T)를 롤러로 본딩하기 위한 웨이퍼 척(502)으로서 특허문헌(한국등록특허공보 제10-0199823호)에 개시된 것이 제안되어 있다. There has been proposed a wafer chuck 502 for bonding a tape T to the bottom surface of the ring frame F and the wafer W by means of a roller disclosed in Patent Document 1 (Korean Patent Registration No. 10-0199823).

특허문헌(한국등록특허공보 제10-0199823호)의 척(CH)은 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼마운팅시스템의 웨이퍼 진공척(502)이 얼라인먼트과 스테이션 사이의 중앙에 구비된 척(CH)의 테이블(500)에 설치된 것에 있어서, 웨이퍼 진공척(502)의 몸체(501) 외주면 다수 위치에 진공 흡착력에 의해 웨이퍼(W)를 흡착고정시킬 수 있는 진공흡착공(503)을 형성하고, 상부 내측 중앙에는 요홈(G)을 형성하며, 요홈(G)에는 다수의 진공 토출력에 의해 웨이퍼(W)를 외부로 가압시키는 에어 토출공(504)을 형성한다. As shown in FIG. 2, the chuck CH of the patent document (Korean Patent Registration No. 10-0199823) includes a wafer chuck 502 of a wafer mounting system, a chuck CH provided at the center between the alignment and the station, A vacuum adsorption hole 503 capable of sucking and fixing the wafer W by vacuum attraction force is formed at a plurality of positions on the outer circumferential surface of the body 501 of the wafer vacuum chuck 502, And an air discharge hole 504 for pressing the wafer W to the outside is formed in the recess G by a plurality of vacuum toothed outputs.

척(CH)에 웨이퍼(W)가 공급 완료되면 웨이퍼 진공척(502)에 구비된 복수개의 공압시스템에 의해 외부로 구비된 진공흡착공(503)의 흡착력에 의해 웨이퍼(W)의 칩이 비접촉 상태에서 에지부를 흡착 고정하고, 중앙에 구비된 에어 토출공(504)에서 토출되는 압력이 박판 상의 웨이퍼(W)의 중앙부를 밀어 테이블(500)의 웨이퍼 진공척(502)에 공급 안치된 웨이퍼(W)가 수평상태로 균일하게 유지시키게 한다. When the wafer W is supplied to the chuck CH, the chips of the wafer W are brought into non-contact with each other by the attraction force of the vacuum adsorption holes 503 provided outside by the plurality of pneumatic systems provided in the wafer vacuum chuck 502 And the pressure discharged from the air discharge hole 504 provided at the center pushes the central portion of the wafer W on the thin plate to transfer the wafer W to the wafer vacuum chuck 502 of the table 500 W) in a horizontal state uniformly.

이러한 종래의 웨이퍼 진공척(502)은 다음과 같은 문제가 있다. Such a conventional wafer vacuum chuck 502 has the following problems.

첫째, 웨이퍼(W)의 에지부가 진공흡착공(503)의 흡착력에 의해 고정되기 때문에, 도 3(a)과 같은 에지부가 어느 정도 예컨대 5mm 이상 여유가 있어야 하는데, 그 이유는 에지부가 5mm 이하로 내려가면 진공 흡착면을 구성하기가 불가능하다. First, since the edge portion of the wafer W is fixed by the attraction force of the vacuum adsorption hole 503, it is necessary that the edge portion as shown in Fig. 3 (a) has a margin of 5 mm or more to some extent, It is impossible to configure the vacuum adsorption surface.

이러한 에지부의 충분한 여유가 있어야 진공 흡착이 가능하기 때문에, 도 3(b)과 같이 에지부가 거의 없는 현재의 웨이퍼가 진공 흡착되면 사선으로 표시한 칩이 접촉되어 데미지를 입어 수율이 좋지 않게 된다. Since the vacuum can be absorbed by the sufficient margin of the edge portion, if the current wafer having almost no edge portion is vacuum-adsorbed as shown in FIG. 3 (b), the chip indicated by the slash line is contacted and damaged.

둘째, 웨이퍼(W)가 수평 상태를 유지한 상태에서 본딩롤러로 테이프를 본딩할 경우 본딩되는 곳과 그렇지 않은 경우가 발생되어 불안정한 본딩이 되게 된다. 즉, 웨이퍼(W)가 아무리 정확한 수평을 유지한다고 하더라도 본딩롤러와의 접촉 면적이 불균일할 수 밖에 없기 때문에 기포(버블) 등이 생긴다. Secondly, when the tape is bonded to the bonding roller in a state where the wafer W is kept in a horizontal state, the bonding place and the case where the bonding is not performed are generated, resulting in unstable bonding. In other words, even if the wafer W maintains a correct level, the contact area with the bonding roller is uneven, and bubbles and the like are generated.

셋째, 설령 접촉 면적을 높이기 위해 웨이퍼(W)를 위로 볼록하게 에어를 토출하더라도 웨이퍼(W)의 에지부가 들떠 누수로 인한 진공 흡착률이 떨어져 불량품을 만든다. Thirdly, even if air is discharged so as to convex the wafer W upward to increase the contact area, the edge of the wafer W is deformed and the vacuum adsorption rate due to the leakage water is reduced to produce defective products.

한국등록특허공보 제10-0199823호Korean Patent Registration No. 10-0199823

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 웨이퍼의 칩 수율을 높이면서도 웨이퍼의 칩 보호 및 본딩 안정성을 모두 만족시키는 반도체 패키지의 웨이퍼 마운팅용 정전 척을 이용한 테이프 본딩 공정을 제공함에 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve the above-mentioned problems, and provides a tape bonding process using an electrostatic chuck for wafer mounting of a semiconductor package which satisfies both chip protection and bonding stability of a wafer while increasing chip yield of the wafer. .

전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 청구항 1에 기재된 반도체 패키지의 웨이퍼 마운팅용 정전 척을 이용한 테이프 본딩 공정은, 에어 토출구(17)와 벤트홀(19)이 형성된 테이블본체(11)의 상면 에지에서 위로 돌출한 돌출테두리(13)의 내부에 요홈(15)이 형성되는 테이블(10); 돌출테두리(13)의 상면에 수평 상태로 고정되는 정전 흡착용 필름(30)을 포함하는 반도체 패키지의 웨이퍼 마운팅용 정전 척(1)을 준비하는 단계;
상기 수평 상태로 있는 정전 흡착용 필름(30)에 전압을 가하고 에어 토출구(17)를 통해 정전 흡착용 필름(30)의 하면 중심으로 에어를 토출하여 정전 흡착용 필름(30)의 가운데가 위로 볼록한 원호 형상으로 부풀어 오르게 하는 단계;
상기 토출되는 에어가 요홈(15) 내의 벤트홀(19)을 통해 배기되는 사이클을 이루면, 웨이퍼(W)의 칩들이 정전 흡착용 필름(30)의 상면에 놓고 정전기를 발생시켜 정전 흡착시키는 단계;
웨이퍼(W)가 정전 흡착용 필름(30)과 같이 위로 볼록한 형태로 흡착되면, 본딩 롤러(R)가 수평방향을 따라 이동하면, 상기 위로 볼록한 정전 흡착용 필름(30)과 웨이퍼(W)를 아래로 누르면서 지나가 테이프 본딩을 행하는 단계;를 포함한다. The tape bonding process using the electrostatic chuck for wafer mounting of the semiconductor package according to claim 1 of the present invention is characterized in that the upper surface of the table main body 11 on which the air discharge port 17 and the vent hole 19 are formed A table (10) in which a groove (15) is formed in a protruding rim (13) protruding from the edge; Preparing an electrostatic chuck (1) for wafer mounting of a semiconductor package including an electrostatic adsorption film (30) horizontally fixed on an upper surface of a protruding rim (13);
A voltage is applied to the electrostatically attracting film 30 in the horizontal state and air is discharged to the center of the lower surface of the electrostatically adsorbing film 30 through the air outlet 17 so that the center of the electrostatically attracting film 30 is convex Swelling in an arc shape;
Placing the chips of the wafer W on the upper surface of the electrostatic adsorption film 30 to generate static electricity and electrostatically adsorbing the air when the discharged air is discharged through the vent hole 19 in the groove 15;
When the wafer W is attracted in a convex shape as in the case of the electrostatic adsorption film 30 and the bonding roller R moves along the horizontal direction, the upwardly convex electrostatic adsorption film 30 and the wafer W And pressing the tape down to perform tape bonding.

본 발명에 의하면 다음과 같은 효과가 있다. The present invention has the following effects.

테이블의 돌출테두리에 고정시킨 정전 흡착용 필름에 웨이퍼를 정전 흡착시킴으로써, 정전 흡착용 필름을 위로 볼록하게 에어를 가하더라도 정전 흡착용 필름의 에지부가 고정되어 있어 볼록한 형상을 안정적으로 유지시키고, 요홈으로 인한 비접촉 정전 흡착으로 인해 웨이퍼의 칩을 보호하고, 볼록한 면을 따라 본딩 롤러가 이동하며 가압하기 때문에 접촉면적이 넓어 테이프의 균일한 본딩 안정성으로 기포 등이 생기지 않는다. The wafer is electrostatically attracted to the electrostatic adsorption film fixed on the protruding edge of the table so that the edge portion of the film for electrostatic adsorption is fixed even when air is applied so as to convex the electrostatic adsorption film upwardly so as to stably maintain the convex shape, The bonding chip is protected by the non-contact electrostatic adsorption, and the bonding roller moves and presses along the convex surface, so that the contact area is widened so that the bubbles do not occur due to the uniform bonding stability of the tape.

즉, 진공 흡착을 사용한 구조가 아니라 정전 흡착을 사용한 구조이기 때문에 웨이퍼의 형상 및 두께, 칩의 크기에 거의 영향을 받지 않고 테이프를 본딩할 수 있다. That is, since the structure using electrostatic attraction is used instead of the structure using vacuum adsorption, the tape can be bonded substantially without being affected by the shape and thickness of the wafer and the size of the chip.

도 1은 테이프의 본딩이 완료된 프레임을 도시한 사시도.
도 2는 종래 웨이퍼 테이프 본딩용 진공 척의 작동 상태도.
도 3은 웨이퍼의 개발에 따른 웨이퍼 에지부의 변천을 나타낸 평면도.
도 4는 본 발명의 웨이퍼 테이프 본딩용 정전 척을 나타낸 개략 단면도.
도 5는 도 4에서 에어를 토출하여 정전 흡착용 필름을 위로 볼록하게 형성시킨 상태도.
도 6은 도 5의 위로 볼록한 정전 흡착용 필름에 웨이퍼가 정전 흡착된 상태도.
도 7은 도 6의 상태에서 본딩 롤러가 이동하면 테이프를 본딩하는 개략 단면도. 1 is a perspective view showing a frame in which bonding of a tape is completed;
Fig. 2 is an operational view of a conventional vacuum chuck for wafer tape bonding; Fig.
3 is a plan view showing a transition of a wafer edge portion according to development of a wafer.
4 is a schematic sectional view showing an electrostatic chuck for wafer tape bonding of the present invention.
Fig. 5 is a state in which air is discharged in Fig. 4 to form an electrostatic adsorption film convex upward. Fig.
6 is a state in which the wafer is electrostatically adsorbed on the film for electrostatic adsorption which is convexed upward in Fig.
7 is a schematic cross-sectional view of bonding a tape when the bonding roller moves in the state of FIG. 6;

본 발명자는 동일한 크기의 웨이퍼에 칩의 수율을 높이면서도 비접촉에 의한 칩의 보호와 테이프 본딩 공정의 안정성 모두를 만족시킬 방안을 모색하다가, 정전 흡착용 필름의 에지를 테이블의 에지에 고정하고 정전 흡착용 필름을 위로 볼록한 원호 형상으로 부풀린 상태에서 웨이퍼를 진공 흡착해서 본딩하면 ①웨이퍼의 에지부 넓이에 상관없이 흡착이 가능하여 칩 수율 높이고, ②원호 형상으로 부풀린 상태에서 본딩하기 때문에 접촉면적의 증가로 테이프의 본딩 안정성을 확보하고, ③정전 흡착으로 칩의 손상을 방지한다는 사실을 알게 되었다. The present inventors have searched for a method of satisfying both the protection of the chip by the noncontact and the stability of the tape bonding process while increasing the chip yield on the wafer of the same size. The edge of the film for electrostatic adsorption is fixed to the edge of the table, When the wafer is vacuum bonded and bonded in a state that the film is swollen in a convex circular arc shape, it can be adsorbed regardless of the edge width of the wafer, thereby increasing the chip yield. (2) Since bonding is performed in an arc- Securing the bonding stability of the tape, and (3) preventing chip damage by electrostatic adsorption.

이러한 사실을 보다 구체적으로 설명하기 위해, 이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다. In order to explain this fact in more detail, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 웨이퍼 테이프 본딩용 정전 척을 나타낸 개략 단면도이고, 도 5는 도 4에서 에어를 토출하여 정전 흡착용 필름을 위로 볼록하게 형성시킨 상태도이고, 도 6은 도 5의 위로 볼록한 정전 흡착용 필름에 웨이퍼가 정전 흡착된 상태도이고, 도 7은 도 6의 상태에서 본딩 롤러가 이동하면 테이프를 본딩하는 개략 단면도이다. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the electrostatic chuck for wafer tape bonding according to the present invention, FIG. 5 is a state in which air is ejected in FIG. 4 to form an electrostatically attracting film convex upward, FIG. 6 is a cross- Fig. 7 is a schematic cross-sectional view of bonding the tape when the bonding roller moves in the state of Fig. 6; Fig.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 반도체 패키지의 웨이퍼 마운팅용 정전 척(1)은 크게 외형을 이루는 테이블(10)과, 테이블(10)의 에지부에 고정되는 정전 흡착용 필름(30)을 포함한다. 1, the electrostatic chuck 1 for wafer mounting of a semiconductor package according to the present embodiment includes a table 10 having a largely external shape, a film for electrostatic adsorption (hereinafter referred to as " 30).

테이블(10)은 테이블본체(11)와, 테이블본체(11)의 상면 에지에서 위로 돌출한 돌출테두리(13)와, 돌출테두리(13)의 내부에 형성되는 요홈(15)을 포함한다. The table 10 includes a table body 11, a protruding frame 13 protruding upward from the upper surface edge of the table body 11 and a recess 15 formed inside the protruding frame 13.

요홈(15)은 테이블본체(11)와 정전 흡착용 필름(30)과 사이의 챔버 역할을 한다. The groove (15) serves as a chamber between the table body (11) and the electrostatic adsorption film (30).

테이블본체(11)의 중심에는 요홈(15) 내로 에어를 토출하는 에어 토출구(17)가 형성되고, 그 외곽에는 요홈(15) 내의 에어를 외부로 배기하는 벤트홀(19)이 형성되어 있다. An air discharge port 17 for discharging air into the recess 15 is formed at the center of the table body 11 and a vent hole 19 for discharging the air in the recess 15 to the outside is formed at the outer periphery thereof.

에어 토출구(17)의 상측(17a)은 깔때기 형상으로 올라갈수록 직경을 크게 형성시켜, 토출되는 에어가 정전 흡착 필름(30)의 중심 및 그 부근에 용이하고 스무스하게 압력을 가하게 해서 원호 형상인 위로 볼록하게 한다.(중심에만 집중해서 에어를 토출하면 원호 형상의 볼록이 아니라 포물선 형상의 볼록으로 되어 본딩 안정성을 해칠 우려가 있기 때문이다)The upper side 17a of the air outlet 17 is formed to have a larger diameter as it goes up into a funnel shape so that the discharged air can easily and smoothly apply pressure to the center of the electrostatic adsorption film 30 and its vicinity, (If the air is concentrated at only the center, the convex shape of the arc is not formed but the convex shape of the arc shape is formed, which may damage the bonding stability)

토출되는 에어의 압력은 에어 레귤레이터(미도시)의 조절로 정전 흡착용 필름(30)의 부푼 정도의 제어가 가능하다. The pressure of air to be discharged can be controlled by adjusting the air regulator (not shown) so that the degree of swelling of the electrostatically adsorbing film 30 is controlled.

벤트홀(19)은 테이블본체(11)에 상하로 관통한 홀로서, 에어 토출구(17)의 주변에 수직 방향으로배치 설치되는 게 좋다. The vent hole 19 may be vertically arranged around the air outlet 17 as a hole penetrating the table body 11 up and down.

또한, 벤트홀(19) 하나의 직경은 에어 토출구(17)의 직경보다 매우 작게 형성되어 있다. The diameter of one vent hole 19 is formed to be much smaller than the diameter of the air outlet 17.

따라서, 에어 토출구(17)의 중심에서 토출되는 에어보다 벤트홀(19)로 배기되는 에어보다 많아 요홈(15) 내에 에어가 충분히 충전되는 효과가 있다. Therefore, the air discharged from the center of the air discharge port 17 is larger than the air discharged into the vent hole 19, so that the air is sufficiently filled in the recess 15.

물론, 테이블(10)에는 웨이퍼(W)를 감지하는 센서(미도시)가 더 설치되어, 웨이퍼(W)의 감지에 따른 에어 토출과 정전 여부의 제어가 편리하다. Of course, a sensor (not shown) for detecting the wafer W is further provided on the table 10, so that it is convenient to control the air discharge and the power failure according to the detection of the wafer W.

정전 흡착용 필름(30)은 폴리이미드 필름과, 상기 폴리이미드 필름의 내부에 설치되는 정전기 발생용 전극(또는 회로)으로 구성되어 있다. The electrostatic adsorption film (30) comprises a polyimide film and an electrode (or circuit) for generating static electricity provided inside the polyimide film.

즉, 전극(또는 회로)은 웨이퍼(W)의 칩이 흡착되는 면과 반대되는 면의 폴리이미드 필름에 배치되어 있다. That is, the electrode (or circuit) is disposed on the polyimide film on the side opposite to the side on which the chips of the wafer W are adsorbed.

폴리이미드 필름의 정전기력은 약 15gf/cm2 이며, 이미 LCD, PCB 등 공정에서 많이 사용되며 열 전기적응로 우수한 특성을 갖는다. The electrostatic force of the polyimide film is about 15 gf / cm 2, and it is already widely used in LCD and PCB processes and has excellent properties in terms of thermoelectric adaptation.

이러한 본 실시예의 반도체 패키지의 웨이퍼 마운팅용 정전 척(1)을 이용한 테이프 본딩 공정을 도 4 내지 도 7을 참조하여 설명한다. The tape bonding process using the electrostatic chuck 1 for wafer mounting of the semiconductor package of this embodiment will be described with reference to Figs. 4 to 7. Fig.

먼저, 도 4와 같이 수평 상태로 있는 정전 흡착용 필름(30)에서 정전 흡착용 필름(30)에 전압을 가하고 에어 토출구(17)를 통해 정전 흡착용 필름(30)의 하면으로 에어를 토출하면 도 5와 같이 정전 흡착용 필름(30)이 가운데가 위로 볼록한 원호 형상으로 부풀어 오른다. First, when a voltage is applied to the electrostatic adsorption film 30 in the electrostatic adsorption film 30 in a horizontal state as shown in Fig. 4 and air is discharged to the lower surface of the electrostatic adsorption film 30 through the air outlet 17 As shown in Fig. 5, the electrostatically adsorbing film 30 swells up into a circular arc with a convex shape.

토출되는 에어는 요홈(15) 내에서 벤트홀(19)을 통해 배기되는 사이클을 이룬 상태에서 안정적 본딩을 위해 약 2mm 에서 5mm 정도 사이에서 도 6과 같이 웨이퍼(W)의 칩들이 정전 흡착용 필름(30)의 상면에 놓이면 정전기를 발생시켜 정전 흡착시킨다.As shown in FIG. 6, the chips of the wafer W are transferred to the electrostatic adsorption film 20 in the range of about 2 mm to 5 mm for stable bonding in a state where the discharged air is discharged through the vent hole 19 in the groove 15, (30), static electricity is generated and electrostatically adsorbed.

즉, 정전 흡착이란 정전 흡착용 필름(30)에 '+', '-'를 인가시키면 웨이퍼(W)에는 반대의 전위가 대전('-', '+')되고, 대전된 전위에 의하여 서로 끌어당기는 힘인 정전기력이 발생하는 원리를 이용하는 것이다. That is, electrostatic attraction is a phenomenon in which when the positive and negative charges are applied to the electrostatic adsorption film 30, the potentials opposite to the wafer W are charged ('+' and '+'), The principle of generating electrostatic force, which is a pulling force, is used.

정전기가 발생하면 웨이퍼(W)도 정전 흡착용 필름(30)과 같이 약간 부푼 형태에서 흡착되며, 이 상태에서 도 7과 같이 본딩 롤러(R)를 통해 테이프 본딩을 진행하면 된다. When static electricity is generated, the wafer W is also attracted in a slightly swollen form like the electrostatic adsorption film 30. In this state, the tape bonding may be performed through the bonding roller R as shown in FIG.

웨이퍼(W)의 두께가 200um 정도로 얇게 그라인드 된 경우로서 정전 흡착용 필름(30)과 함께 볼록하게 형상을 유지하기가 쉽니다. When the thickness of the wafer W is thinly grinded to about 200 mu m, it is easier to keep the shape of the electrostatically attracting film 30 convexly together with the film.

본딩 롤러(R)는 수평방향을 따라 이동하기 때문에, 위로 볼록한 정전 흡착용 필름(30)과 웨이퍼(W)을 아래로 누르면서 지나가게 된다. The bonding roller R moves along the horizontal direction so that it passes over the convex electrostatically attracting film 30 and the wafer W while pressing downward.

즉, 위로 볼록한 웨이퍼(W)는 요홈(15) 내의 에어가 쿠션으로 받친 상태에서 본딩 롤러(R)의 수평 이동(점선)에 따라 웨이퍼(W)가 아래로 눌리기 때문에, 위아래로 웨이퍼(W)를 가압하는 효과와, 본딩 롤러(R)와 웨이퍼(W) 간의 접촉면적을 넓혀 안정적인 테이프 본딩이 구현된다. That is, since the wafer W is convex upward, the wafer W is pushed downward along the horizontal movement (dotted line) of the bonding roller R in a state where the air in the groove 15 is supported by the cushion, And the contact area between the bonding roller R and the wafer W is widened, thereby realizing reliable tape bonding.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당기술분야의 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims .

10 : 테이블 11 : 테이블본체
13 : 돌출테두리 15 : 요홈(챔버)
17 : 에어 토출구 19 : 벤트홀
30 : 정전 흡착용 필름 R : 본딩 롤러
W : 웨이퍼10: Table 11: Table body
13: protruding rim 15: groove (chamber)
17: air outlet 19: vent hole
30: Film for electrostatic adsorption R: Bonding roller
W: Wafer

Claims (1)

에어 토출구(17)와 벤트홀(19)이 형성된 테이블본체(11)의 상면 에지에서 위로 돌출한 돌출테두리(13)의 내부에 요홈(15)이 형성되는 테이블(10); 돌출테두리(13)의 상면에 수평 상태로 고정되는 정전 흡착용 필름(30)을 포함하는 반도체 패키지의 웨이퍼 마운팅용 정전 척(1)을 준비하는 단계;
상기 수평 상태로 있는 정전 흡착용 필름(30)에 전압을 가하고 에어 토출구(17)를 통해 정전 흡착용 필름(30)의 하면 중심으로 에어를 토출하여 정전 흡착용 필름(30)의 가운데가 위로 볼록한 원호 형상으로 부풀어 오르게 하는 단계;
상기 토출되는 에어가 요홈(15) 내의 벤트홀(19)을 통해 배기되는 사이클을 이루면, 웨이퍼(W)의 칩들을 정전 흡착용 필름(30)의 상면에 놓고 정전기를 발생시켜 정전 흡착시키는 단계;
웨이퍼(W)가 정전 흡착용 필름(30)과 같이 위로 볼록한 형태로 흡착되면, 본딩 롤러(R)가 수평방향을 따라 이동하여, 상기 위로 볼록한 정전 흡착용 필름(30)과 웨이퍼(W)를 아래로 누르면서 지나가 테이프 본딩을 행하는 단계;를 포함하는 반도체 패키지의 웨이퍼 마운팅용 정전 척을 이용한 테이프 본딩 공정.
A table 10 in which a groove 15 is formed in a protruding rim 13 protruding upward from an upper surface edge of the table body 11 in which the air outlet 17 and the vent hole 19 are formed; Preparing an electrostatic chuck (1) for wafer mounting of a semiconductor package including an electrostatic adsorption film (30) horizontally fixed on an upper surface of a protruding rim (13);
A voltage is applied to the electrostatically attracting film 30 in the horizontal state and air is discharged to the center of the lower surface of the electrostatically adsorbing film 30 through the air outlet 17 so that the center of the electrostatically attracting film 30 is convex Swelling in an arc shape;
Placing the chips of the wafer W on the upper surface of the electrostatically adsorbing film 30 to generate electrostatic charges and electrostatically adsorbing the air when the discharged air is discharged through the vent holes 19 in the grooves 15;
When the wafer W is attracted in the upward convex shape like the electrostatic adsorption film 30, the bonding roller R moves along the horizontal direction to move the upwardly convex electrostatic adsorption film 30 and the wafer W And a tape bonding process using the electrostatic chuck for wafer mounting of the semiconductor package.
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