KR101942399B1 - Antenna and communication terminal including the same - Google Patents

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KR101942399B1
KR101942399B1 KR1020170142663A KR20170142663A KR101942399B1 KR 101942399 B1 KR101942399 B1 KR 101942399B1 KR 1020170142663 A KR1020170142663 A KR 1020170142663A KR 20170142663 A KR20170142663 A KR 20170142663A KR 101942399 B1 KR101942399 B1 KR 101942399B1
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김형동
궈용약
박동희
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한양대학교 산학협력단
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Abstract

Provided are an antenna which can be operated to have circularly polarized wave characteristics in a dual band of an adjacent band, and a communication terminal including the same. According to an embodiment of the present invention, the antenna comprises: a first dielectric substrate in which a metal layer receiving electricity through a single electricity feeding point is formed on a lower surface; and a second dielectric substrate arranged and separated from the first dielectric substrate. On a lower surface of the second dielectric substrate, a first radiation layer is connected with the single electricity feeding point of the metal layer to receive electricity, and is formed to operate in a first axis current mode and a second axis current mode. On an upper surface of the second dielectric substrate, a second radiation layer is connected with the single electricity feeding point of the metal layer to receive electricity, and is formed to operate in a first axis current mode and a second axis current mode.

Description

안테나 및 이를 포함하는 통신 단말{ANTENNA AND COMMUNICATION TERMINAL INCLUDING THE SAME}ANTENNA AND COMMUNICATION TERMINAL INCLUDING THE SAME [0001]

본 발명의 기술적 사상은 안테나 및 이를 포함하는 통신 단말에 관한 것으로, 보다 상세하게는 단일의 급전 지점을 통하여 급전되며 각각이 이중모드로 동작하는 적층된 방사 레이어들을 포함하여 인접한 대역의 이중대역에서 원형편파 특성을 갖도록 동작할 수 있는 안테나 및 이를 포함하는 통신 단말에 관한 것이다.The technical idea of the present invention relates to an antenna and a communication terminal including the same, and more particularly to a communication terminal including a laminated radiation layer each of which is fed through a single feeding point and which operates in a dual mode, And an antenna capable of operating with polarization characteristics and a communication terminal including the same.

모바일 기기에서 편파 특성과 방사 패턴은 안테나의 수신 성능을 좌우하는 중요한 통신 특성이다.Polarization characteristics and radiation pattern in mobile devices are important communication characteristics that determine the reception performance of the antenna.

특히, 원형 편파 특성을 가지는 안테나는 선형 편파 특성을 가지는 안테나에 비하여 편파 손실과 다중 경로에 의한 손실을 효과적으로 줄일 수 있어 많이 활용되고 있다. 하지만, 원형 편파 특성을 가지는 안테나를 설계하기 위해서는 여러 개의 급전원이 사용되며, 인접한 대역의 이중대역에서 동작하도록 안테나를 설계하는 데에는 어려움이 따른다.In particular, antennas having circularly polarized characteristics can be effectively used because they can effectively reduce polarization loss and multipath loss as compared with antennas having linearly polarized characteristics. However, in order to design an antenna having a circularly polarized characteristic, several class power sources are used, and it is difficult to design an antenna to operate in a dual band of adjacent bands.

본 발명의 기술적 사상에 따른 안테나 및 이를 포함하는 통신 단말이 이루고자 하는 기술적 과제는, 단일의 급전 지점을 통하여 급전되며 각각이 이중모드로 동작하는 적층된 방사 레이어들을 포함하여 인접한 대역의 이중대역에서 원형편파 특성을 갖도록 동작할 수 있는 안테나 및 이를 포함하는 통신 단말을 제공하는 데 있다.An antenna according to the technical idea of the present invention and a communication terminal including the antenna according to the technical idea of the present invention are characterized by including stacked radiation layers which are fed through a single feeding point and operate in a dual mode, An antenna capable of operating with polarization characteristics, and a communication terminal including the same.

본 발명의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따른 안테나는, 단일의 급전 지점을 통해 급전되는 금속 레이어가 하면에 형성된 제1유전체 기판 및 상기 제1유전체 기판과 이격되어 배치된 제2유전체 기판을 포함하고, 상기 제2유전체 기판의 하면에는 상기 금속 레이어의 상기 단일 급전 지점과 연결되어 급전되며, 제1축 전류모드와 제2축 전류모드로 동작하는 제1방사 레이어가 형성되며, 상기 제2유전체 기판의 상면에는 상기 금속 레이어의 상기 단일 급전 지점과 연결되어 급전되며, 상기 제1축 전류모드와 상기 제2축 전류모드로 동작하는 제2방사 레이어가 형성될 수 있다.An antenna according to an aspect of the present invention includes a first dielectric substrate having a metal layer fed through a single feed point and a second dielectric substrate spaced apart from the first dielectric substrate, A first radiating layer connected to the single feeding point of the metal layer and fed to the lower surface of the second dielectric substrate and operating in a first axis current mode and a second axis current mode is formed, And a second radiation layer that operates in the first axis current mode and the second axis current mode may be formed on the upper surface of the metal layer.

예시적인 실시 예에 따르면, 상기 제1방사 레이어는, 상기 단일의 급전 지점과 연결되어 상기 제1유전체 기판을 관통하는 급전핀을 통하여 급전될 수 있다.According to an exemplary embodiment, the first radiation layer may be fed through a feed pin connected to the single feed point and passing through the first dielectric substrate.

예시적인 실시 예에 따르면, 상기 제2방사 레이어는, 상기 단일의 급전 지점과 연결되어 상기 제1유전체 기판과 상기 제2유전체 기판을 관통하는 상기 급전핀을 통하여 급전될 수 있다.According to an exemplary embodiment, the second radiation layer may be fed through the feed pin connected to the single feed point and passing through the first dielectric substrate and the second dielectric substrate.

예시적인 실시 예에 따르면, 상기 제1방사 레이어는, 제1방사 레이어 본체부 및 상기 제1방사 레이어 본체부의 장변들 중에서 어느 하나의 장변에 연결된 제1루프 패턴부 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the first radiation layer may include a first radiation layer body portion and a first loop pattern portion connected to a long side of any one of long sides of the first radiation layer body portion.

예시적인 실시 예에 따르면, 상기 제1루프 패턴부는, ㄷ자 형상으로 형성되어, 상기 ㄷ자 형상의 양쪽 말단이 상기 제1방사 레이어 본체부의 상기 어느 하나의 장변에 연결될 수 있다.According to an exemplary embodiment, the first loop pattern portion may be formed in a U-shape, and both ends of the U-shaped pattern may be connected to any one of the long sides of the first radiation layer body portion.

예시적인 실시 예에 따르면, 상기 제1방사 레이어는, 상기 제1방사 레이어 본체부의 단변들 중에서 어느 하나의 단변에 형성된 제2루프 패턴부를 더 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the first radiation layer may further include a second loop pattern portion formed on one of the short sides of the first radiation layer body portion.

예시적인 실시 예에 따르면, 상기 제2루프 패턴부는, ㄷ자 형상으로 형성되어, 상기 ㄷ자 형상의 양쪽 말단이 상기 제1방사 레이어 본체부의 상기 어느 하나의 단변에 연결될 수 있다.According to an exemplary embodiment, the second loop pattern portion may be formed in a U-shape, and both ends of the U-shaped pattern may be connected to any one of the short sides of the first radiation layer body portion.

예시적인 실시 예에 따르면, 상기 제1루프 패턴부 및 상기 제2루프 패턴부 각각에는, 용량성 소자 또는 유도성 소자가 형성될 수 있다.According to an exemplary embodiment, a capacitive element or an inductive element may be formed in each of the first loop pattern portion and the second loop pattern portion.

예시적인 실시 예에 따르면, 상기 제2방사 레이어는, 제2방사 레이어 본체부 및 상기 제2방사 레이어 본체부의 장변들 중에서 상기 제1루프 패턴부와 같은 측 장변에 연결된 제3루프 패턴부 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the second radiation layer includes a second radiation layer body portion and a third loop pattern portion connected to the same lateral side as the first loop pattern portion among long sides of the second radiation layer body portion .

예시적인 실시 예에 따르면, 상기 제2방사 레이어는, 상기 제2방사 레이어 본체부의 단변들 중에서 상기 제2루프 패턴부와 같은 측 단변에 형성된 제4루프 패턴부를 더 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the second radiation layer may further include a fourth loop pattern portion formed on the side of the second side of the second radiation layer body portion, such as the second loop pattern portion.

예시적인 실시 예에 따르면, 상기 제3루프 패턴부 및 상기 제4루프 패턴부 각각에는, 용량성 소자 또는 유도성 소자가 형성될 수 있다.According to an exemplary embodiment, a capacitive element or an inductive element may be formed in each of the third loop pattern portion and the fourth loop pattern portion.

예시적인 실시 예에 따르면, 상기 안테나는 원형 편파 특성을 가질 수 있다.According to an exemplary embodiment, the antenna may have a circular polarization characteristic.

예시적인 실시 예에 따르면, 상기 안테나는, 상기 제1방사 레이어 본체부의 상기 장변 방향의 제1축과 상기 급전 핀 방향의 제2축이 이루는 제1축-제2축 평면에서, 음의 상기 제2축 방향으로 방사패턴이 형성될 수 있다.According to an exemplary embodiment, the antenna is arranged such that in a first axis-second axis plane formed by a first axis in the long-side direction of the first radiation layer body portion and a second axis in the direction of the feed pin, A radiation pattern can be formed in the biaxial direction.

예시적인 실시 예에 따르면, 상기 안테나는, LHCP(Left-Hand Circular Polarization) 방사 특성을 가질 수 있다.According to an exemplary embodiment, the antenna may have Left-Hand Circular Polarization (LHCP) radiation characteristics.

본 발명의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따른 이중 대역에서 동작할 수 있는 안테나를 포함하는 통신 단말에 있어서, 상기 안테나는, 단일의 급전 지점이 형성된 금속 레이어가 하면에 형성된 제1유전체 기판 및 상기 제1유전체 기판과 이격되어 배치된 제2유전체 기판을 포함하고, 상기 제2유전체 기판의 하면에는, 상기 금속 레이어의 상기 단일 급전 지점과 연결되어 급전되며, 제1축 전류모드와 제2축 전류모드로 동작하는 제1방사 레이어가 형성되며, 상기 제2유전체 기판의 상면에는, 상기 금속 레이어의 상기 단일 급전 지점과 연결되어 급전되며, 상기 제1축 전류모드와 상기 제2축 전류모드로 동작하는 제2방사 레이어가 형성될 수 있다.A communication terminal including an antenna capable of operating in a dual band according to an aspect of the present invention is characterized in that the antenna includes a first dielectric substrate having a metal layer on which a single feeding point is formed, And a second dielectric substrate disposed spaced apart from the first dielectric substrate and connected to the single feed point of the metal layer and fed to a lower surface of the second dielectric substrate, Wherein the first radiation layer is formed on the upper surface of the second dielectric substrate in connection with the single feed point of the metal layer and is operated in the first axis current mode and the second axis current mode A second radiation layer may be formed.

본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예들에 따른 안테나 및 이를 포함하는 통신 단말은, 단일의 급전 지점을 통하여 급전되며 각각이 이중모드로 동작하는 적층된 방사 레이어들을 포함하여 인접한 대역의 이중대역에서 원형편파 특성을 갖도록 동작할 수 있어 GPS 통신 등에 유리한 통신특성을 가지는 효과가 있다.The antenna according to the technical idea of the present invention and the communication terminal including the antenna according to the technical idea of the present invention include stacked radiation layers which are fed through a single feeding point and each operates in a dual mode, And it has an advantageous effect of communication characteristics such as GPS communication.

본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시 예에 따른 안테나의 입체도이다.
도 2는 도 1에 도시된 안테나의 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 제1방사 레이어의 일 실시 예에 따른 구조를 나타낸 도면이다.
도 4는 도 1에 도시된 제2방사 레이어의 일 실시 예에 따른 구조를 나타낸 도면이다.
도 5는 도 1에 도시된 안테나의 일 실시 예에 따른 반사계수를 나타낸 그래프이다.
도 6은 도 1에 도시된 안테나의 일 실시 예에 따른 축비를 나타낸 그래프이다.
도 7과 도 8은 도 1에 도시된 안테나의 x-z 평면의 방사 패턴을 나타낸 그래프이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS A brief description of each drawing is provided to more fully understand the drawings recited in the description of the invention.
1 is a perspective view of an antenna according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the antenna shown in Fig.
FIG. 3 is a diagram illustrating a structure according to an embodiment of the first radiation layer shown in FIG.
4 is a view illustrating a structure of the second radiation layer shown in FIG. 1 according to an embodiment of the present invention.
5 is a graph illustrating reflection coefficients according to an embodiment of the antenna shown in FIG.
6 is a graph illustrating an axial ratio according to an embodiment of the antenna shown in FIG.
FIGS. 7 and 8 are graphs showing radiation patterns of the antenna shown in FIG. 1 in the xz plane.

본 발명의 기술적 사상은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 이를 상세한 설명을 통해 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 기술적 사상을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. However, it should be understood that the technical idea of the present invention is not limited to the specific embodiments but includes all changes, equivalents, and alternatives included in the technical idea of the present invention.

본 발명의 기술적 사상을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 기술적 사상의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 본 명세서의 설명 과정에서 이용되는 숫자(예를 들어, 제1, 제2 등)는 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위한 식별기호에 불과하다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0027] In the following description of the present invention, a detailed description of known technologies will be omitted when it is determined that the technical idea of the present invention may be unnecessarily obscured. In addition, numerals (e.g., first, second, etc.) used in the description of the present invention are merely an identifier for distinguishing one component from another.

또한, 본 명세서에서, 일 구성요소가 다른 구성요소와 "연결된다" 거나 "접속된다" 등으로 언급된 때에는, 상기 일 구성요소가 상기 다른 구성요소와 직접 연결되거나 또는 직접 접속될 수도 있지만, 특별히 반대되는 기재가 존재하지 않는 이상, 중간에 또 다른 구성요소를 매개하여 연결되거나 또는 접속될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Also, in this specification, when an element is referred to as being "connected" or "connected" with another element, the element may be directly connected or directly connected to the other element, It should be understood that, unless an opposite description is present, it may be connected or connected via another element in the middle.

또한, 본 명세서에 기재된 "~부", "~기", "~자", "~모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다. Also, the terms "to", "to", "to", "to" and "module" in the present specification mean a unit for processing at least one function or operation, Software. ≪ / RTI >

그리고 본 명세서에서의 구성부들에 대한 구분은 각 구성부가 담당하는 주기능 별로 구분한 것에 불과함을 명확히 하고자 한다. 즉, 이하에서 설명할 2개 이상의 구성부가 하나의 구성부로 합쳐지거나 또는 하나의 구성부가 보다 세분화된 기능별로 2개 이상으로 분화되어 구비될 수도 있다. 그리고 이하에서 설명할 구성부 각각은 자신이 담당하는 주기능 이외에도 다른 구성부가 담당하는 기능 중 일부 또는 전부의 기능을 추가적으로 수행할 수도 있으며, 구성부 각각이 담당하는 주기능 중 일부 기능이 다른 구성부에 의해 전담되어 수행될 수도 있음은 물론이다.It is to be clarified that the division of constituent parts in this specification is merely a division by each main function of each constituent part. That is, two or more constituent parts to be described below may be combined into one constituent part, or one constituent part may be divided into two or more functions according to functions that are more subdivided. In addition, each of the constituent units described below may additionally perform some or all of the functions of other constituent units in addition to the main functions of the constituent units themselves, and that some of the main functions, And may be carried out in a dedicated manner.

이하, 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들을 차례로 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail.

도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시 예에 따른 안테나의 입체도이다. 도 2는 도 1에 도시된 안테나의 단면도이다.1 is a perspective view of an antenna according to an embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view of the antenna shown in Fig.

도 1과 도 2를 참조하면, 안테나(antenna; 10)는 제1유전체 기판(100), 제2유전체 기판(200), 급전핀(300), 금속 레이어(BL), 제1방사 레이어(ML), 및 제2방사 레이어(TL)를 포함할 수 있다.1 and 2, an antenna 10 includes a first dielectric substrate 100, a second dielectric substrate 200, a feed pin 300, a metal layer BL, a first radiation layer ML ), And a second radiation layer (TL).

실시 예에 따라, 안테나(100)는 통신 단말의 내장 안테나 또는 일체형 안테나로 구현되어 통신 단말의 신호 송수신에 사용될 수 있다. 예컨대, 이동 전화기(cellular phone), 스마트폰(smart phone), 태블릿(tablet) PC, 또는 패블릿(phablet) 등의 다양한 형태로 구현될 수 있다.According to an embodiment, the antenna 100 may be implemented as a built-in antenna or a monolithic antenna of a communication terminal, and may be used for signal transmission / reception of a communication terminal. For example, it may be implemented in various forms such as a cellular phone, a smart phone, a tablet PC, or a phablet.

제1유전체 기판(100)의 하면에는 단일의 급전 지점(FD)을 통해 급전되는 금속 레이어(BL)가 형성될 수 있다.A metal layer BL may be formed on the lower surface of the first dielectric substrate 100 through a single feed point FD.

제2유전체 기판(200)은 제1유전체 기판(100)과 이격되어 배치될 수 있으며, z축 방향으로 적층된 구조로 구성될 수 있다. The second dielectric substrate 200 may be spaced apart from the first dielectric substrate 100 and may have a stacked structure in the z-axis direction.

실시 예에 따라, 제1유전체 기판(100)과 제2유전체 기판(200)의 모양과 크기는 동일하게 구성될 수 있다.According to the embodiment, the first dielectric substrate 100 and the second dielectric substrate 200 may have the same shape and size.

제2유전체 기판(200)의 하면에는 금속 레이어(BL)의 단일의 급전 지점(FD)과 연결되어 급전되는 제1방사 레이어(ML)가 형성될 수 있다.A first radiation layer ML connected to a single feed point FD of the metal layer BL and fed with power may be formed on the lower surface of the second dielectric substrate 200.

실시 예에 따라, 제1방사 레이어(ML)는 단일의 급전 지점(FD)과 연결되어 제1유전체 기판(100)을 관통하는 급전핀(300)을 통하여 급전될 수 있다.According to an embodiment, the first radiation layer ML may be connected to a single feed point FD and fed through a feed pin 300 passing through the first dielectric substrate 100.

제1방사 레이어(ML)는 급전됨에 따라 제1축(예컨대, x축) 전류모드(M1)와 제2축(예컨대, y축) 전류모드(M2)의 이중모드로 동작할 수 있다.The first emission layer ML may operate in a dual mode of a first axis (e.g., x-axis) current mode M1 and a second axis (e.g., y-axis) current mode M2 as power is supplied.

제2유전체 기판(200)의 상면에는 금속 레이어(BL)의 단일의 급전 지점(FD)과 연결되어 급전되는 제2방사 레이어(TL)가 형성될 수 있다.A second radiation layer TL connected to a single power supply point FD of the metal layer BL and fed with power may be formed on the upper surface of the second dielectric substrate 200.

실시 예에 따라, 제2방사 레이어(TL)는 단일의 급전 지점(FD)과 연결되어 제1유전체 기판(100)과 제2유전체 기판(200)을 관통하는 급전핀(300)을 통하여 급전될 수 있다.The second radiation layer TL is connected to the single feed point FD and is fed through the feed pin 300 passing through the first dielectric substrate 100 and the second dielectric substrate 200, .

즉, 제1방사 레이어(ML)와 제2방사 레이어(TL)는 모두 단일의 급전 지점(FD)과 연결되어 단일의 급전원으로부터 급전될 수 있다.That is, both the first radiation layer ML and the second radiation layer TL can be connected to a single feed point FD and can be fed from a single class power source.

제2방사 레이어(TL)는 급전됨에 따라 제1축(M1) 전류모드와 제2축(M2) 전류모드의 이중모드로 동작할 수 있다.The second radiation layer TL can operate in a dual mode of a first axis M1 current mode and a second axis M2 current mode as power is supplied.

실시 예에 따라, 제1방사 레이어(ML)와 제2방사 레이어(TL)는 단일의 급전 지점(FD)의 수직방향(예컨대, z축 방향)으로 형성된 급전 핀(300)과 연결되며, 단일의 급전 지점(FD)이 수평면(예컨대, x-y 평면)에서 위치한 위치에 따라 제1축(예컨대, x축) 전류모드(M1)와 제2축(예컨대, y축) 전류모드(M2)의 공진주파수, 임피던스 대역폭, 또는 축비(axial ratio)가 조정될 수 있다.The first radiation layer ML and the second radiation layer TL are connected to the feed pin 300 formed in the vertical direction (e.g., z-axis direction) of the single feed point FD, (E.g., x-axis) current mode M1 and the second axis (e.g., y-axis) current mode M2 according to the position where the feed point FD of the first axis The frequency, impedance bandwidth, or axial ratio can be adjusted.

실시 예에 따라, 제1방사 레이어(ML)과 제2방사 레이어(TL)의 모양과 크기는 동일하게 구성될 수 있다.According to the embodiment, the shapes and sizes of the first radiation layer ML and the second radiation layer TL may be the same.

실시 예에 따라, 안테나(10)는 LHCP(Left-Hand Circular Polarization) 방사 특성을 가질 수 있다.According to an embodiment, the antenna 10 may have Left-Hand Circular Polarization (LHCP) radiation characteristics.

도 3은 도 1에 도시된 제1방사 레이어의 일 실시 예에 따른 구조를 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a diagram illustrating a structure according to an embodiment of the first radiation layer shown in FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 도 1의 제1방사 레이어(ML)의 일 실시 예에 따른 도 3의 제1방사 레이어(ML')는 제1방사 레이어 본체부(PT1), 제1루프 패턴부(ML1), 및 제2루프 패턴부(ML2)를 포함할 수 있다.1 to 3, the first radiation layer ML 'of FIG. 3 according to an embodiment of the first radiation layer ML of FIG. 1 includes a first radiation layer body PT1, A pattern portion ML1, and a second loop pattern portion ML2.

실시 예에 따라, 제1방사 레이어 본체부(PT1), 제1루프 패턴부(ML1), 및 제2루프 패턴부(ML2)는 도전성 물질로 구현될 수 있다.According to an embodiment, the first radiation layer body PT1, the first loop pattern portion ML1, and the second loop pattern portion ML2 may be formed of a conductive material.

제1루프 패턴부(ML1)는 제1방사 레이어 본체부(PT1)의 장변들(MD11, MD12) 중에서 어느 하나의 장변(예컨대, MD11)에 연결될 수 있다.The first loop pattern portion ML1 may be connected to one of the long sides MD11 and MD12 of the first radiation layer body PT1.

본 명세서에서 '장변'은 해당 구성, 예컨대 제1방사 레이어 본체부(PT1)를 구성하는 변들(MD11, MD12, MD21, MD22) 중에서 적어도 다른 어느 하나의 변(예컨대, MD21 또는 MD22)보다 상대적으로 길이가 긴 변(예컨대, MD11 또는 MD12)을 폭넓게 의미할 수 있다.In this specification, the "long side" is referred to as a "long side", which is relatively larger than any other side (for example, MD21 or MD22) among the sides MD11, MD12, MD21, MD22 constituting the first radiation layer body PT1 (E.g., MD11 or MD12).

실시 예에 따라, 제1루프 패턴부(ML1)는 ㄷ자 형상으로 형성되어, ㄷ자 형상의 양쪽 말단이 제1방사 레이어 본체부(PT1)의 어느 하나의 장변(예컨대, MD11)에 연결될 수 있다.According to the embodiment, the first loop pattern portion ML1 may be formed in a C shape such that both ends of the C shape are connected to one long side (e.g., MD11) of the first radiation layer body PT1.

실시 예에 따라, 제1루프 패턴부(ML1)에는 용량성 소자 또는 유도성 소자가 형성될 수 있다. According to the embodiment, the first loop pattern portion ML1 may be formed with a capacitive element or an inductive element.

예컨대, 제1루프 패턴부(ML1)의 일측에는 제1유도성 소자(L11)가 구성되고, 제1루프 패턴부(ML1)의 타측에는 제2유도성 소자(L21)가 구성될 수 있으며, 제1유도성 소자(L11)와 제2유도성 소자(L21)에 의해서 제2축(예컨대, y축) 전류모드(M2)의 공진주파수가 미세조정될 수 있다.For example, a first inductive element L11 may be formed on one side of the first loop pattern portion ML1, a second inductive element L21 may be formed on the other side of the first loop pattern portion ML1, The resonance frequency of the second axis (e.g., y-axis) current mode M2 can be finely adjusted by the first inductive element L11 and the second inductive element L21.

제2루프 패턴부(ML2)는 제1방사 레이어 본체부(PT1)의 단변들(MD21, MD22) 중에서 어느 하나의 단변(예컨대, MD22)에 연결될 수 있다.The second loop pattern portion ML2 may be connected to any one of the short sides MD21 and MD22 of the first radiation layer body PT1 (e.g., MD22).

본 명세서에서 '단변'은 해당 구성, 예컨대 제1방사 레이어 본체부(PT1)를 구성하는 변들(MD11, MD12, MD21, MD22) 중에서 적어도 다른 어느 하나의 변(예컨대, MD11 또는 MD12)보다 상대적으로 길이가 짧은 변(예컨대, MD21 또는 MD22)을 폭넓게 의미할 수 있다.In this specification, the term "short side" is a relative short side of at least one other side (for example, MD11 or MD12) among the sides MD11, MD12, MD21, MD22 constituting the first radiation layer body PT1 (E.g., MD21 or MD22).

실시 예에 따라, 제2루프 패턴부(ML2)는 ㄷ자 형상으로 형성되어, ㄷ자 형상의 양쪽 말단이 제1방사 레이어 본체부(PT1)의 어느 하나의 단변(예컨대, MD22)에 연결될 수 있다.According to the embodiment, the second loop pattern portion ML2 may be formed in a C shape such that both ends of the C shape are connected to one short side (e.g., MD22) of the first radiation layer body PT1.

실시 예에 따라, 제2루프 패턴부(ML2)에는 용량성 소자 또는 유도성 소자가 형성될 수 있다.According to the embodiment, the second loop pattern portion ML2 may be formed with a capacitive element or an inductive element.

예컨대, 제2루프 패턴부(ML2)의 일측에는 제3유도성 소자(L21)가 구성되고, 제2루프 패턴부(ML2)의 타측에는 제4유도성 소자(L22)가 구성될 수 있으며, 제3유도성 소자(L21)와 제4유도성 소자(L22)에 의해서 제1축(예컨대, x축) 전류모드(M1)의 공진주파수가 미세조정 될 수 있다.For example, the third inductive element L21 may be formed on one side of the second loop pattern portion ML2, the fourth inductive element L22 may be formed on the other side of the second loop pattern portion ML2, The resonance frequency of the first axis (e.g., x-axis) current mode M1 can be finely adjusted by the third inductive element L21 and the fourth inductive element L22.

도 4는 도 1에 도시된 제2방사 레이어의 일 실시 예에 따른 구조를 나타낸 도면이다.4 is a view illustrating a structure of the second radiation layer shown in FIG. 1 according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 도 1의 제2방사 레이어(TL)의 일 실시 예에 따른 도 4의 제2방사 레이어(TL')는 제2방사 레이어 본체부(PT2), 제3루프 패턴부(ML3), 및 제4루프 패턴부(ML4)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 4, the second radiation layer TL 'of FIG. 4 according to an embodiment of the second radiation layer TL of FIG. 1 includes a second radiation layer body PT2, A pattern portion ML3, and a fourth loop pattern portion ML4.

실시 예에 따라, 제2방사 레이어 본체부(PT2), 제3루프 패턴부(ML3), 및 제4루프 패턴부(ML4)는 도전성 물질로 구현될 수 있다.According to an embodiment, the second radiation layer body PT2, the third loop pattern portion ML3, and the fourth loop pattern portion ML4 may be formed of a conductive material.

제3루프 패턴부(ML3)는 제2방사 레이어 본체부(PT2)의 장변들(TD11, TD12) 중에서 어느 하나의 장변(예컨대, TD11)에 연결될 수 있다.The third loop pattern portion ML3 may be connected to any one of the long sides TD11 and TD12 of the second radiation layer body PT2.

실시 예에 따라, 제3루프 패턴부(ML3)는 제1루프 패턴부(ML1)와 같은 측, 예컨대 y축을 따라 상측 장변(예컨대, TD11)에 연결될 수 있다.According to the embodiment, the third loop pattern portion ML3 may be connected to the same side as the first loop pattern portion ML1, for example, to the upper long side (e.g., TD11) along the y-axis.

실시 예에 따라, 제3루프 패턴부(ML3)는 ㄷ자 형상으로 형성되어, ㄷ자 형상의 양쪽 말단이 제2방사 레이어 본체부(PT2)의 어느 하나의 장변(예컨대, TD11)에 연결될 수 있다.According to the embodiment, the third loop pattern ML3 may be formed in a C shape such that both ends of the C shape are connected to one long side (e.g., TD11) of the second radiation layer body PT2.

실시 예에 따라, 제3루프 패부(ML3)에는 용량성 소자 또는 유도성 소자가 형성될 수 있다. According to the embodiment, the third loop block ML3 may be formed with a capacitive element or an inductive element.

예컨대, 제3루프 패턴부(ML3)의 일측에는 제5유도성 소자(L31)가 구성되고, 제3루프 패턴부(ML3)의 타측에는 제6유도성 소자(L32)가 구성될 수 있으며, 제5유도성 소자(L31)와 제6유도성 소자(L32)에 의해서 제2축(예컨대, y축) 전류모드(M2)의 공진주파수가 미세조정될 수 있다.For example, a fifth inductive element L31 may be formed on one side of the third loop pattern portion ML3, a sixth inductive element L32 may be formed on the other side of the third loop pattern portion ML3, The resonance frequency of the second axis (e.g., y-axis) current mode M2 can be finely adjusted by the fifth inductive element L31 and the sixth inductive element L32.

제4루프 패턴부(ML4)는 제2방사 레이어 본체부(PT2)의 단변들(TD21, TD22) 중에서 어느 하나의 단변(예컨대, TD22)에 연결될 수 있다.The fourth loop pattern portion ML4 may be connected to any one short side (e.g., TD22) of the short sides TD21 and TD22 of the second radiation layer body PT2.

실시 예에 따라, 제4루프 패턴부(ML4)는 제2루프 패턴부(ML2)와 같은 측, 예컨대 x축을 따라 우측 단변(예컨대, TD22)에 연결될 수 있다.According to the embodiment, the fourth loop pattern portion ML4 may be connected to the same side as the second loop pattern portion ML2, for example, to the right short side (e.g., TD22) along the x-axis.

실시 예에 따라, 제4루프 패턴부(ML4)는 ㄷ자 형상으로 형성되어, ㄷ자 형상의 양쪽 말단이 제2방사 레이어 본체부(PT2)의 어느 하나의 단변(예컨대, TD22)에 연결될 수 있다.According to an embodiment, the fourth loop pattern portion ML4 may be formed in a C shape such that both ends of the C shape are connected to one short side (e.g., TD22) of the second radiation layer body PT2.

실시 예에 따라, 제4루프 패턴부(ML4)에는 용량성 소자 또는 유도성 소자가 형성될 수 있다.According to the embodiment, a capacitive element or an inductive element may be formed in the fourth loop pattern portion ML4.

예컨대, 제4루프 패턴부(ML4)의 일측에는 제7유도성 소자(L41)가 구성되고, 제4루프 패턴부(ML4)의 타측에는 제8유도성 소자(L42)가 구성될 수 있으며, 제7유도성 소자(L41)와 제8유도성 소자(L42)에 의해서 제1축(예컨대, x축) 전류모드(M1)의 공진주파수가 미세조정 될 수 있다.For example, a seventh inductive element L41 may be formed on one side of the fourth loop pattern portion ML4, an eighth inductive element L42 may be formed on the other side of the fourth loop pattern portion ML4, The seventh inductive element L41 and the eighth inductive element L42 can finely adjust the resonance frequency of the first axis (e.g., x axis) current mode M1.

도 5는 도 1에 도시된 안테나의 일 실시 예에 따른 반사계수를 나타낸 그래프이다. 도 6은 도 1에 도시된 안테나의 일 실시 예에 따른 축비를 나타낸 그래프이다.5 is a graph illustrating reflection coefficients according to an embodiment of the antenna shown in FIG. 6 is a graph illustrating an axial ratio according to an embodiment of the antenna shown in FIG.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 안테나(10)의 반사계수 특성을 보면, 임피던스 대역폭은 130MHz(1.51 ~ 1.64GHz)임을 확인할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 5, it can be seen that the impedance bandwidth of the antenna 10 according to the embodiment of the present invention is 130 MHz (1.51 to 1.64 GHz).

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 안테나(10)는 제1유도성 소자(L11) 내지 제8유도성 소자(L42)의 인덕터 값과 단일의 급전 지점(FD)의 위치에 따라 동작 주파수에서의 축비가 조절될 수 있다.The antenna 10 according to the embodiment of the present invention may be configured such that the inductance value of the first inductive element L11 to the eighth inductive element L42 and the inductance value of the eighth inductive element L42, Axis ratio can be adjusted.

도 6을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 안테나(10)는 6dB의 축비를 기준으,로 1.44GHz 내지 1.45GHz의 동작주파수에서 10MHz의 대역폭을 가지며, 1.56GHz 내지 1.59GHz의 동작주파수에서 30MHz의 대역폭을 가질 수 있다.Referring to FIG. 6, the antenna 10 according to the embodiment of the present invention has a bandwidth of 10 MHz at an operating frequency of 1.44 GHz to 1.45 GHz and a frequency of 1.56 GHz to 1.59 GHz based on an axial ratio of 6 dB. It can have a bandwidth of 30 MHz.

본 발명의 실시 예에 따른 안테나(10)는 도 6에서 확인할 수 있듯이 동작하는 상당히 인접한 이중 대역에서 원형편파 특성을 가질 수 있다.The antenna 10 according to the embodiment of the present invention may have circularly polarized characteristics in a substantially adjacent dual band operating as shown in FIG.

도 7과 도 8은 도 1에 도시된 안테나의 x-z 평면의 방사 패턴을 나타낸 그래프이다.7 and 8 are graphs showing radiation patterns in the x-z plane of the antenna shown in Fig.

도 1 내지 도 8을 참조하면, 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 안테나(10)가 1.44GHz의 주파수에서 동작할 때 제1방사 레이어 본체부(PT1)의 장변(MD11 또는 MD12) 방향의 제1축(예컨대, x축)과 급전 핀(300) 방향의 제2축(예컨대, z축)이 이루는 제1축-제2축 평면(예컨대, xz 평면)에서의 방사 패턴을 나타낸다.7, when the antenna 10 according to the embodiment of the present invention is operated at a frequency of 1.44 GHz, Represents a radiation pattern in a first axis-second axis plane (e.g., xz plane) formed by a first axis (e.g., x axis) and a second axis (e.g., z axis) in the direction of the feed pin 300.

도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 안테나(10)가 1.58GHz의 주파수에서 동작할 때 제1방사 레이어 본체부(PT1)의 장변(MD11 또는 MD12) 방향의 제1축(예컨대, x축)과 급전 핀(300) 방향의 제2축(예컨대, z축)이 이루는 제1축-제2축 평면(예컨대, xz 평면)에서의 방사 패턴을 나타낸다.8 is a diagram illustrating a first axis (e.g., x axis) in the long side MD11 or MD12 direction of the first radiation layer body PT1 when the antenna 10 according to the embodiment of the present invention operates at a frequency of 1.58 GHz. And a second axis (e.g., the z axis) in the direction of the feed pin 300. The first axis-second axis plane (e.g., the xz plane)

도 7과 도 8을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 안테나(10)는 음의 z축(-z축, 180도) 방향으로 주 방사패턴이 형성될 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, the antenna 10 according to the embodiment of the present invention may be formed with a main radiation pattern in the negative z-axis (-z axis, 180 degrees) direction.

이상, 본 발명의 기술적 사상을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형 및 변경이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the technical scope of the present invention is not limited to the above embodiments but may be modified within the scope of the technical idea of the present invention. Various modifications and variations are possible.

10 : 안테나
100, 200 : 유전체 기판
300 : 급전 핀
BL : 금속 레이어
ML, TL : 방사 레이어10: Antenna
100, 200: dielectric substrate
300: Feed pin
BL: metal layer
ML, TL: Radiation layer

Claims (15)

단일의 급전 지점을 통해 급전되는 금속 레이어가 하면에 형성된 제1유전체 기판; 및
상기 제1유전체 기판과 이격되어 배치된 제2유전체 기판을 포함하고,
상기 제2유전체 기판의 하면에는,
상기 금속 레이어의 상기 단일 급전 지점과 연결되어 급전되며, 제1축 전류모드와 제2축 전류모드로 동작하는 제1방사 레이어가 형성되며,
상기 제2유전체 기판의 상면에는,
상기 금속 레이어의 상기 단일 급전 지점과 연결되어 급전되며, 상기 제1축 전류모드와 상기 제2축 전류모드로 동작하는 제2방사 레이어가 형성되며,
상기 제1방사 레이어는,
제1방사 레이어 본체부;
상기 제1방사 레이어 본체부의 장변들 중에서 어느 하나의 장변에 연결된 제1루프 패턴부; 및
상기 제1방사 레이어 본체부의 단변들 중에서 어느 하나의 단변에 형성된 제2루프 패턴부를 포함하는, 안테나.
A first dielectric substrate formed on a lower surface thereof with a metal layer fed through a single feeding point; And
And a second dielectric substrate spaced apart from the first dielectric substrate,
On the lower surface of the second dielectric substrate,
A first radiation layer connected to the single feed point of the metal layer and being fed and operating in a first axis current mode and a second axis current mode,
On the upper surface of the second dielectric substrate,
A second radiation layer connected to the single feed point of the metal layer and configured to operate in the first axis current mode and the second axis current mode,
The first radiation layer
A first radiation layer body portion;
A first loop pattern portion connected to one of the long sides of the first radiation layer body portion; And
And a second loop pattern portion formed on one of the short sides of the first radiation layer body portion.
제1항에 있어서,
상기 제1방사 레이어는,
상기 단일의 급전 지점과 연결되어 상기 제1유전체 기판을 관통하는 급전핀을 통하여 급전되는, 안테나.
The method according to claim 1,
The first radiation layer
And a feeder pin connected to the single feed point and passing through the first dielectric substrate.
제2항에 있어서,
상기 제2방사 레이어는,
상기 단일의 급전 지점과 연결되어 상기 제1유전체 기판과 상기 제2유전체 기판을 관통하는 상기 급전핀을 통하여 급전되는, 안테나.
3. The method of claim 2,
The second radiation layer
And the feeder pin is connected to the single feed point and is fed through the feed pin passing through the first dielectric substrate and the second dielectric substrate.
삭제delete 제3항에 있어서,
상기 제1루프 패턴부는,
ㄷ자 형상으로 형성되어, 상기 ㄷ자 형상의 양쪽 말단이 상기 제1방사 레이어 본체부의 상기 어느 하나의 장변에 연결되는, 안테나.
The method of claim 3,
Wherein the first loop pattern unit comprises:
Like shape so that both ends of the C-shape are connected to any one of the long sides of the first radiation layer body portion.
삭제delete 제5항에 있어서,
상기 제2루프 패턴부는,
ㄷ자 형상으로 형성되어, 상기 ㄷ자 형상의 양쪽 말단이 상기 제1방사 레이어 본체부의 상기 어느 하나의 단변에 연결되는, 안테나.
6. The method of claim 5,
Wherein the second loop pattern portion comprises:
Like shape so that both ends of the C-shape are connected to either one of the short sides of the first radiation layer body portion.
제7항에 있어서,
상기 제1루프 패턴부 및 상기 제2루프 패턴부 각각에는,
용량성 소자 또는 유도성 소자가 형성되는, 안테나.
8. The method of claim 7,
Wherein each of the first loop pattern portion and the second loop pattern portion includes:
A capacitive element or an inductive element is formed.
제8항에 있어서,
상기 제2방사 레이어는,
제2방사 레이어 본체부; 및
상기 제2방사 레이어 본체부의 장변들 중에서 상기 제1루프 패턴부와 같은 측 장변에 연결된 제3루프 패턴부 포함하는, 안테나.
9. The method of claim 8,
The second radiation layer
A second radiation layer body portion; And
And a third loop pattern portion connected to the same lateral side as the first loop pattern portion among long sides of the second radiation layer body portion.
제9항에 있어서,
상기 제2방사 레이어는,
상기 제2방사 레이어 본체부의 단변들 중에서 상기 제2루프 패턴부와 같은 측 단변에 형성된 제4루프 패턴부를 더 포함하는, 안테나.
10. The method of claim 9,
The second radiation layer
And a fourth loop pattern portion formed on the side of the second side of the second radiation layer body portion, the side of the second loop pattern portion being shorter than the side of the second loop pattern portion.
제10항에 있어서,
상기 제3루프 패턴부 및 상기 제4루프 패턴부 각각에는,
용량성 소자 또는 유도성 소자가 형성되는, 안테나.
11. The method of claim 10,
Wherein each of the third loop pattern portion and the fourth loop pattern portion includes:
A capacitive element or an inductive element is formed.
제11항에 있어서,
상기 안테나는,
원형 편파 특성을 가지는, 안테나.
12. The method of claim 11,
The antenna includes:
Wherein the antenna has circularly polarized characteristics.
제12항에 있어서,
상기 안테나는,
상기 제1방사 레이어 본체부의 상기 장변들이 형성된 방향의 제1축과 상기 급전 핀이 형성된 방향의 제2축이 이루는 제1축-제2축 평면에서, 상기 제2축의 음의 방향으로 방사패턴이 형성되는, 안테나.
13. The method of claim 12,
The antenna includes:
A radiation pattern is formed in a first axis-second axis plane formed by a first axis in a direction in which the long sides of the first radiation layer body portion are formed and a second axis in a direction in which the feed pins are formed, The antenna being formed.
제13항에 있어서,
상기 안테나는,
LHCP(Left-Hand Circular Polarization) 방사 특성을 가지는, 안테나.
14. The method of claim 13,
The antenna includes:
An antenna having LHCP (Left-Hand Circular Polarization) radiation characteristics.
이중 대역에서 동작할 수 있는 안테나를 포함하는 통신 단말에 있어서,
상기 안테나는,
단일의 급전 지점이 형성된 금속 레이어가 하면에 형성된 제1유전체 기판; 및
상기 제1유전체 기판과 이격되어 배치된 제2유전체 기판을 포함하고,
상기 제2유전체 기판의 하면에는,
상기 금속 레이어의 상기 단일 급전 지점과 연결되어 급전되며, 제1축 전류모드와 제2축 전류모드로 동작하는 제1방사 레이어가 형성되며,
상기 제2유전체 기판의 상면에는,
상기 금속 레이어의 상기 단일 급전 지점과 연결되어 급전되며, 상기 제1축 전류모드와 상기 제2축 전류모드로 동작하는 제2방사 레이어가 형성되는,
상기 제1방사 레이어는,
제1방사 레이어 본체부;
상기 제1방사 레이어 본체부의 장변들 중에서 어느 하나의 장변에 연결된 제1루프 패턴부; 및
상기 제1방사 레이어 본체부의 단변들 중에서 어느 하나의 단변에 형성된 제2루프 패턴부를 포함하는, 통신 단말.A communication terminal comprising an antenna operable in a dual band,
The antenna includes:
A first dielectric substrate on a lower surface of which a metal layer having a single feed point is formed; And
And a second dielectric substrate spaced apart from the first dielectric substrate,
On the lower surface of the second dielectric substrate,
A first radiation layer connected to the single feed point of the metal layer and being fed and operating in a first axis current mode and a second axis current mode,
On the upper surface of the second dielectric substrate,
And a second radiation layer connected to the single feed point of the metal layer and configured to operate in the first axis current mode and the second axis current mode,
The first radiation layer
A first radiation layer body portion;
A first loop pattern portion connected to one of the long sides of the first radiation layer body portion; And
And a second loop pattern portion formed at a short side of the short side of the first radiation layer body portion.
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