KR101890633B1 - Resin composition, method for producing cured product, method for producing resin pattern, cured product and optical member - Google Patents

Resin composition, method for producing cured product, method for producing resin pattern, cured product and optical member Download PDF

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Abstract

본 발명의 수지 조성물은, (성분A) (a-1) 산 및/또는 열에 의해 탈리하는 기를 갖는 모노머 단위와 (a-2) 가교성기를 갖는 모노머 단위를 갖는 중합체, (성분B) 입자, 및, (성분C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 경화물은, 상기 수지 조성물을 경화하여 얻어진 경화물이며, 본 발명의 광학 부재는, 상기 수지 조성물을 경화하여 얻어진 광학 부재이다.(A) a polymer having (a-1) an acid and / or a monomer unit having a group capable of leaving by heat, and (a-2) a monomer unit having a crosslinkable group, (component B) And (C) a solvent. The cured product of the present invention is a cured product obtained by curing the resin composition, and the optical member of the present invention is an optical member obtained by curing the resin composition.

Description

수지 조성물, 경화물의 제조 방법, 수지 패턴 제조 방법, 경화물 및 광학 부재{RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING CURED PRODUCT, METHOD FOR PRODUCING RESIN PATTERN, CURED PRODUCT AND OPTICAL MEMBER}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a resin composition, a method of producing a cured product, a method of producing a resin pattern, a cured product and an optical member.

본 발명은, 수지 조성물, 경화물의 제조 방법, 수지 패턴 제조 방법, 경화물 및 광학 부재에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition, a method for producing a cured product, a method for producing a resin pattern, a cured product and an optical member.

고체 촬상 소자나 액정 표시 장치의 발달에 의해, 유기 소재(수지)에 의해 마이크로 렌즈, 광도파로(光導波路), 반사 방지막 등의 광학 부재를 제작하는 것이 널리 행해지도록 되어 있다.BACKGROUND ART With the development of solid-state image pickup devices and liquid crystal display devices, optical members such as microlenses, optical waveguides, and antireflection films have been widely made by organic materials (resins).

이들 광학 부재는, 고굴절율로 하기 위해, 산화티탄 등의 입자를 첨가하는 것이 검토되어 있다(하기 일본 특개2006-98985호 공보, 일본 특개2001-154181호 공보, 일본 특개2001-117114호 공보, 일본 특개2011-29474호 공보 및 일본 특개2003-96400호 공보 참조).In order to obtain a high refractive index of these optical members, it has been studied to add particles of titanium oxide or the like (JP-A-2006-98985, JP-A-2001-154181, JP-A-2001-117114, See Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-29474 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-96400).

일본 특개2006-98985호 공보, 일본 특개2001-154181호 공보, 일본 특개2001-117114호 공보, 일본 특개2011-29474호 공보 및 일본 특개2003-96400호 공보에 기재되어 있는 것과 같이, 수지 조성물 중에 있어서의 입자의 첨가량을 늘릴수록 고굴절율로 할 수 있다. 그러나, 입자의 분산 안정성 관점에서, 입자를 수지 조성물 중에 첨가할 수 있는 양은 한정되어 있기 때문에, 이 방법에서는 충분하게는 고굴절율로 할 수 없었다.As described in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2006-98985, 2001-154181, 2001-117114, 2011-29474, and 2003-96400, it is preferable that in the resin composition, The larger the amount of particles added, the higher the refractive index can be obtained. However, from the viewpoint of dispersion stability of the particles, since the amount of the particles that can be added to the resin composition is limited, this method can not sufficiently achieve a high refractive index.

한편, 충분히 고굴절율(예를 들면, 굴절율 1.7 이상)인 수지 성분으로서는, 안경 렌즈 등의 분야에서 함황 수지를 사용해 왔다(예를 들면, 일본 특개2004-310001호 공보).On the other hand, as a resin component having a sufficiently high refractive index (for example, a refractive index of 1.7 or more), a sulfur resin has been used in the field of spectacle lenses and the like (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-310001).

그러나, 고체 촬상 소자나 액정 표시 장치의 분야에서는, 프로세스 적성의 관점에서 함황 수지는 사용할 수 없다.However, in the field of solid-state image pickup devices and liquid crystal display devices, a sulfur resin can not be used from the viewpoint of processability.

본 발명은, 고굴절율을 갖는 경화물을 얻을 수 있는 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a resin composition capable of obtaining a cured product having a high refractive index.

또한, 본 발명은, 상기 수지 조성물을 경화하여 얻어진, 고굴절율을 갖고, 기계 강도가 뛰어난 광학 부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide an optical member having a high refractive index and excellent mechanical strength obtained by curing the resin composition.

본 발명의 상기 과제는, 이하의 <1> 또는 <16>∼<19>에 기재된 수단에 의해 해결되었다. 바람직한 실시 태양인 <2>∼<15>와 함께 이하에 기재한다.The above problem of the present invention is solved by the means described in the following <1> or <16> - <19>. Are described below together with the preferred embodiments < 2 > to < 15 >.

<1> (성분A) (a-1) 산 및/또는 열에 의해 탈리하는 기를 갖는 모노머 단위와 (a-2) 가교성기를 갖는 모노머 단위를 갖는 중합체, (성분B) 입자, 및, (성분C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물,(Component A) a polymer having (a-1) a monomer unit having an acid and / or a heat-releasing monomer unit and (a-2) a monomer unit having a crosslinking group, (component B) C) a solvent,

<2> (성분D) 광산(光酸) 발생제를 더 함유하는, 상기 <1> 또는 <2>에 기재된 수지 조성물,<2> (Component D) The resin composition according to the above <1> or <2>, further containing a photo acid generator,

<3> (성분E) 열가교제를 더 함유하는, 상기 <1>∼<3>의 어느 한 항에 기재된 수지 조성물,<3> (Component E) The resin composition according to any one of <1> to <3>, further containing a heat crosslinking agent,

<4> (성분F) 알칼리 불용성 수지를 더 함유하는, 상기 <1>∼<4>의 어느 한 항에 기재된 수지 조성물,<4> (Component F) The resin composition according to any one of <1> to <4>, further containing an alkali-insoluble resin,

<5> 성분F가, 가교성기를 갖는 알칼리 불용성 수지인, 상기 <4>에 기재된 수지 조성물,<5> The resin composition according to <4>, wherein the component F is an alkali-insoluble resin having a crosslinkable group,

<6> 성분F가, 가교성기로서 에폭시기를 갖는, 상기 <5>에 기재된 수지 조성물,<6> The resin composition according to <5>, wherein the component F has an epoxy group as a crosslinkable group,

<7> 성분F가, 에폭시 수지 또는 아크릴 수지인, 상기 <4>∼<6>의 어느 한 항에 기재된 수지 조성물,<7> The resin composition according to any one of <4> to <6>, wherein the component F is an epoxy resin or an acrylic resin,

<8> 상기 (a-1) 산 및/또는 열에 의해 탈리하는 기를 갖는 모노머 단위가, (a-1-1) 카르복시기 또는 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위인, 상기 <1>∼<7>의 어느 한 항에 기재된 수지 조성물,<8> The resin composition according to any one of <1> to <8>, wherein the monomer unit having an acid and / or a thermal desorbing group as the component (a-1) is a monomer unit having a carboxyl- The resin composition according to any one of &lt; 1 &gt; to &lt; 7 &

<9> 상기 (a-2) 가교성기를 갖는 모노머 단위가, (a-2-1) 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위인, 상기 <1>∼<8>의 어느 한 항에 기재된 수지 조성물,<9> The resin composition according to any one of <1> to <8>, wherein the monomer unit having a crosslinking group (a-2) is a monomer unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group The resin composition,

<10> 성분B가, 무기 입자인, 상기 <1>∼<9>의 어느 한 항에 기재된 수지 조성물,<10> The resin composition according to any one of <1> to <9>, wherein the component B is an inorganic particle,

<11> 상기 무기 입자가, 금속 산화물 입자인, 상기 <10>에 기재된 수지 조성물,<11> The resin composition according to <10>, wherein the inorganic particles are metal oxide particles,

<12> 상기 무기 입자가, 산화티탄 입자인, 상기 <11>에 기재된 수지 조성물,<12> The resin composition according to <11>, wherein the inorganic particles are titanium oxide particles,

<13> 감광성 수지 조성물인, 상기 <1>∼<12>의 어느 한 항에 기재된 수지 조성물,<13> The resin composition according to any one of <1> to <12>, which is a photosensitive resin composition,

<14> 포지티브형 감광성 수지 조성물인, 상기 <1>∼<13>의 어느 한 항에 기재된 수지 조성물,<14> The resin composition according to any one of <1> to <13> which is a positive-working photosensitive resin composition,

<15> 광학 부재용 수지 조성물인, 상기 <1>∼<14>의 어느 한 항에 기재된 수지 조성물,<15> The resin composition according to any one of <1> to <14>, which is a resin composition for an optical member,

<16> 적어도 공정(a)∼(c)을 이 순서로 포함하는 것을 특징으로 하는 경화물의 제조 방법,<16> A process for producing a cured product, which comprises at least the steps (a) to (c)

(a) 상기 <1>∼<15>의 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정(a) a coating step of applying the resin composition described in any one of < 1 > to < 15 >

(b) 도포된 수지 조성물에서 용제를 제거하는 용제 제거 공정(b) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition

(c) 용제가 제거된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정(c) a heat treatment step of heat-treating the resin composition from which the solvent has been removed

<17> 적어도 공정(1)∼(5)을 이 순서로 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 패턴 제조 방법,<17> A resin pattern manufacturing method comprising at least steps (1) to (5) in this order,

(1) 상기 <1>∼<15>의 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정(1) a coating step of applying the resin composition described in any one of < 1 > to < 15 >

(2) 도포된 수지 조성물에서 용제를 제거하는 용제 제거 공정(2) a solvent removing step for removing the solvent from the applied resin composition

(3) 용제가 제거된 수지 조성물을 활성 광선에 의해 패턴상으로 노광하는 노광 공정(3) an exposure step of exposing the resin composition from which the solvent has been removed to a patterned image by an actinic ray

(4) 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정(4) a developing step of developing the exposed resin composition with an aqueous developing solution

(5) 현상된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정(5) Heat treatment process for heat-treating the developed resin composition

<18> 상기 <16>에 기재된 경화물의 제조 방법, 또는, 상기 <17>에 기재된 수지 패턴 제조 방법에 의해 얻어진 경화물,<18> A method for producing a cured product according to <16> or a cured product obtained by the method for producing a resin pattern described in <17>

<19> 상기 <16>에 기재된 경화물의 제조 방법, 또는, 상기 <17>에 기재된 수지 패턴 제조 방법에 의해 얻어진 광학 부재.<19> An optical member obtained by the method for producing a cured product described in <16> above, or the method for producing a resin pattern described in <17>.

본 발명에 의하면, 고굴절율을 갖는 경화물을 얻을 수 있는 수지 조성물을 제공할 수 있었다.According to the present invention, a resin composition capable of obtaining a cured product having a high refractive index can be provided.

또한, 본 발명에 의하면, 상기 수지 조성물을 경화하여 얻어진, 고굴절율을 갖고, 기계 강도가 뛰어난 광학 부재를 제공할 수 있었다.Further, according to the present invention, it is possible to provide an optical member having a high refractive index and excellent mechanical strength, obtained by curing the resin composition.

이하, 본 발명의 수지 조성물에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the resin composition of the present invention will be described in detail.

또, 본 발명에 있어서, 수치 범위를 나타내는 「하한∼상한」의 기재는, 「하한 이상, 상한 이하」를 나타내고, 「상한∼하한」의 기재는, 「상한 이하, 하한 이상」을 나타낸다. 즉, 상한 및 하한을 포함하는 수치 범위를 나타낸다.In the present invention, the description of "lower limit to upper limit" indicating the numerical value range indicates "lower limit and upper limit" and the description of "upper limit to lower limit" indicates "upper limit or lower limit. That is, a numerical range including an upper limit and a lower limit.

또한, 본 발명에 있어서, 「(성분A) (a-1) 산 또는 열에 의해 탈리하는 기를 갖는 모노머 단위와 (a-2) 가교성기를 갖는 모노머 단위를 갖는 중합체」 등을, 단순히 「성분A」 등이라고도 하고, 「(a-1) 산 또는 열에 의해 탈리하는 기를 갖는 모노머 단위」 등을, 단순히 「모노머 단위(a-1)」 등이라고도 한다.In the present invention, the term "(Component A) a polymer having (a-1) acid or a monomer unit having a group capable of leaving by heat and (a-2) a monomer unit having a crosslinkable group" (A-1) a monomer unit having a group which is cleaved by an acid or heat &quot;, and the like may be simply referred to as a &quot; monomer unit (a-1) &quot;

또한, 본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 적고 있지 않은 표기는 치환기를 갖지 않은 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면 「알킬기」란, 치환기를 갖지 않은 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In the notation of the group (atomic group) in the present specification, the notation which does not include substitution and non-substitution includes those having a substituent and having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

(수지 조성물)(Resin composition)

이하, 수지 조성물을 구성하는 각 성분에 대하여 설명한다.Hereinafter, each component constituting the resin composition will be described.

본 발명의 수지 조성물은, (성분A) (a-1) 산 및/또는 열에 의해 탈리하는 기를 갖는 모노머 단위와 (a-2) 가교성기를 갖는 모노머 단위를 갖는 중합체, (성분B) 입자, 및, (성분C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 한다.(A) a polymer having (a-1) an acid and / or a monomer unit having a group capable of leaving by heat, and (a-2) a monomer unit having a crosslinkable group, (component B) And (C) a solvent.

본 발명의 수지 조성물은, 감광성 수지 조성물인 것이 바람직하다. 본 발명의 수지 조성물이 감광성 수지 조성물인 경우, (성분D) 광산 발생제를 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention is preferably a photosensitive resin composition. When the resin composition of the present invention is a photosensitive resin composition, it is preferable to contain (Component D) a photoacid generator.

또한, 본 발명의 수지 조성물은, 열에서 경화하는 성질을 갖는 수지 조성물인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 수지 조성물은, 열경화성 및 감광성 수지 조성물인 것이 특히 바람직하다.In addition, the resin composition of the present invention is preferably a resin composition having a property of curing in heat. The resin composition of the present invention is particularly preferably a thermosetting or photosensitive resin composition.

본 발명의 수지 조성물은, 포지티브형 감광성 수지 조성물인 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention is preferably a positive photosensitive resin composition.

또한, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 화학 증폭형의 포지티브형 감광성 수지 조성물(화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물)인 것이 바람직하다.The positive photosensitive resin composition of the present invention is preferably a chemically amplified positive photosensitive resin composition (chemically amplified positive photosensitive resin composition).

본 발명의 수지 조성물은, 활성 광선에 감응하는 광산 발생제로서 1,2-퀴논디아지드 화합물을 포함하지 않는 편이 바람직하다. 1,2-퀴논디아지드 화합물은, 순차형 광화학 반응에 의해 카르복시기를 생성하지만, 그 양자 수율은 반드시 1 이하이다.The resin composition of the present invention preferably does not contain a 1,2-quinonediazide compound as a photoacid generator which is sensitive to an actinic ray. The 1,2-quinonediazide compound generates a carboxy group by a sequential photochemical reaction, but its quantum yield is necessarily 1 or less.

이에 대하여 본 발명에서 사용하는 (성분D) 광산 발생제는, 활성 광선에 감응하여 생성하는 산이 보호된 산성기의 탈보호에 대하여 촉매로서 작용하므로, 1개의 광량자의 작용에서 생성한 산이, 다수의 탈보호 반응에 기여하고, 양자 수율은 1을 초과하고, 예를 들면, 10의 수승과 같은 큰 값이 되어, 소위 화학 증폭의 결과로서, 고감도가 얻어진다.On the other hand, the (D) photoacid generator used in the present invention acts as a catalyst against the deprotection of an acidic group protected by an acid generated in response to an actinic ray, Contributes to the deprotection reaction, and the quantum yield exceeds 1, for example, becomes a large value such as 10, and a high sensitivity is obtained as a result of so-called chemical amplification.

또한, 본 발명의 수지 조성물은, 마이크로 렌즈, 광도파로, 반사 방지막, LED용 밀봉재 및 LED용 팁 코팅재 등의 광학 부재, 또는, 터치 패널에 사용되는 배선 전극의 시인성 저감용 수지 조성물인 것이 바람직하고, 마이크로 렌즈용 수지 조성물인 것이 보다 바람직하다. 또, 터치 패널에 사용되는 배선 전극의 시인성 저감용 조성물이란, 터치 패널에 사용되는 배선 전극의 시인성을 저감하는, 즉, 배선 전극을 보기 어렵게 하는 부재용 조성물이며, 예를 들면, ITO(산화인듐주석) 전극 간의 층간 절연막 등을 들 수 있고, 본 발명의 수지 조성물은, 당해 용도에 호적(好適)하게 사용할 수 있다.The resin composition of the present invention is preferably a resin composition for reducing visibility of an optical member such as a microlens, an optical waveguide, an antireflection film, a sealing material for LED and a tip coating material for LED, or a wiring electrode used for a touch panel , And more preferably a resin composition for a micro lens. The composition for reducing the visibility of the wiring electrode used in the touch panel is a composition for a member that reduces the visibility of the wiring electrode used in the touch panel, that is, makes the wiring electrode difficult to see. For example, ITO Tin) electrodes, and the like. The resin composition of the present invention can be suitably used for such applications.

본 발명의 수지 조성물은, 포스트 베이크 등에 의해 성분A 중에 있어서의 산 및/또는 열에 의해 탈리하는 기를 탈리시킴으로써, 얻어지는 경화물 중에 차지하는 입자의 비율을 증가시킬 수 있어, 통상 도달하기 어려운 고굴절의 경화물을 얻을 수 있다고 추정된다.The resin composition of the present invention can increase the proportion of the particles occupied in the obtained cured product by desorbing the acid and / or heat-releasing groups in the component A by post-baking or the like, Is expected to be obtained.

(성분A) (a-1) 산 및/또는 열에 의해 탈리하는 기를 갖는 모노머 단위와 (a-2) 가교성기를 갖는 모노머 단위를 갖는 중합체(Component A) A polymer having (a-1) a monomer unit having an acid and / or a thermal-leaving group and (a-2) a monomer unit having a crosslinkable group

본 발명의 수지 조성물은, (성분A) (a-1) 산 및/또는 열에 의해 탈리하는 기(단순히, 「탈리기」라고도 한다)를 갖는 모노머 단위와 (a-2) 가교성기를 갖는 모노머 단위를 갖는 중합체를 함유한다.The resin composition of the present invention is a resin composition comprising (A) a monomer unit having a (a-1) acid and / or a thermal elimination group (also simply referred to as a " Units. &Lt; / RTI &gt;

또한, 성분A는, 고체 촬상 소자나 액정 표시 장치의 분야에 있어서의 프로세스 적성의 관점에서, 황 원자를 갖지 않는 중합체인 것이 바람직하다.The component A is preferably a polymer having no sulfur atom from the viewpoint of processability in the field of solid-state image pickup devices and liquid crystal display devices.

성분A는, 상기 모노머 단위(a-1) 및 (a-2) 이외에, (a-3) 알칼리 가용성기를 갖는 모노머 단위, 및/또는, (a-4) 방향환을 갖는 모노머 단위를 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 성분A는, 상기 모노머 단위(a-1)∼(a-4) 이외의 모노머 단위(a-5)를 함유해도 된다.The component A is a polymer comprising a monomer unit having (a-3) an alkali-soluble group and / or a monomer unit having an aromatic ring (a-4) in addition to the monomer units (a- . The component A may contain monomer units (a-5) other than the monomer units (a-1) to (a-4).

또, 본 발명에 있어서의 「모노머 단위」는, 모노머 1분자로 형성되는 구성 단위뿐만 아니라, 모노머 1분자로 형성되는 구성 단위를 고분자 반응 등에 의해 변성한 구성 단위도 포함하는 것으로 한다.The "monomer unit" in the present invention includes not only a constituent unit formed by one molecule of a monomer but also a constituent unit formed by one molecule of a monomer, which is modified by a polymer reaction or the like.

성분A의 중량 평균 분자량(Mw)은, 3,000 이상인 것이 바람직하고, 5,000 이상인 것이 보다 바람직하고, 10,000 이상인 것이 더 바람직하고, 또한, 1,000,000 이하인 것이 바람직하고, 80,000 이하인 것이 보다 바람직하고, 60,000 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 범위이면, 양호한 해상성을 얻을 수 있다.The weight average molecular weight (Mw) of the component A is preferably 3,000 or more, more preferably 5,000 or more, more preferably 10,000 or more, further preferably 1,000,000 or less, more preferably 80,000 or less, desirable. Within the above range, good resolution can be obtained.

또, 중량 평균 분자량은, GPC(겔 투과 크로마토그래피)에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 값이다. 용제는 THF를 사용하고, 칼럼에는 TSKgel SuperHZ3000 및 TSKgel SuperHZM-M(모두 토소(주)제)을 사용하여 측정하는 것이 바람직하다.The weight average molecular weight is a polystyrene reduced value measured by GPC (gel permeation chromatography). It is preferable to use THF as the solvent and TSKgel SuperHZ3000 and TSKgel SuperHZM-M (all manufactured by Tosoh Corporation) as the column.

성분A는, 아크릴계 중합체인 것이 바람직하다.The component A is preferably an acrylic polymer.

본 발명에 있어서의 「아크릴계 중합체」는, 부가 중합형의 수지이며, (메타)아크릴산 또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위를 포함하는 중합체이며, (메타)아크릴산 또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위 이외의 모노머 단위, 예를 들면, 스티렌류에 유래하는 모노머 단위나 비닐 화합물에 유래하는 모노머 단위 등을 갖고 있어도 된다. 또한, 성분A는, (메타)아크릴산에 유래하는 모노머 단위 및 (메타)아크릴산에스테르에 유래하는 모노머 단위를 함께 포함해도 된다.The "acrylic polymer" in the present invention is a polymer of addition polymerization type and is a polymer containing a monomer unit derived from (meth) acrylic acid or an ester thereof, and is a polymer other than a monomer unit derived from (meth) acrylic acid or an ester thereof And may have a monomer unit, for example, a monomer unit derived from a styrene or a monomer unit derived from a vinyl compound. The component A may also contain a monomer unit derived from (meth) acrylic acid and a monomer unit derived from a (meth) acrylic acid ester.

또, 본 명세서에서는, 「(메타)아크릴산 또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위」를 「아크릴계 모노머 단위」라고도 한다. 또한, (메타)아크릴산은, 메타크릴산 및 아크릴산를 총칭하는 것으로 한다.In the present specification, the "monomer unit derived from (meth) acrylic acid or an ester thereof" is also referred to as "acrylic monomer unit". Further, (meth) acrylic acid is collectively referred to as methacrylic acid and acrylic acid.

이하, 모노머 단위(a-1), 모노머 단위(a-2) 등의 각 모노머 단위에 대하여 설명한다.Hereinafter, each monomer unit such as the monomer unit (a-1) and the monomer unit (a-2) will be described.

(a-1) 산 및/또는 열에 의해 탈리하는 기를 갖는 모노머 단위(a-1) a monomer unit having a group which is cleaved by an acid and /

성분A는, (a-1) 산 및/또는 열에 의해 탈리하는 기를 갖는 모노머 단위를 적어도 갖는다.Component A has at least (a-1) an acid unit and / or a monomer unit having a group which is desorbed by heat.

상기 산 및/또는 열에 의해 탈리하는 기는, 산에 의해 탈리하는 기여도, 열에 의해 탈리하는 기여도, 산 및 열에 의해 탈리하는 기여도 되지만, 적어도 산에 의해 탈리하는 기, 즉, 산에 의해 탈리하는 기 또는 산 및 열에 의해 탈리하는 기인 것이 바람직하다.The group which is cleaved by the acid and / or the heat may be a group which desorbs by an acid, contributes to desorption by heat, contributes to desorption by an acid and heat, but may be a group which is desorbed by an acid, It is preferable that the acid is removed by heat and heat.

적어도 산에 의해 탈리하는 기로서는, 예를 들면, 산분해성기로 보호된 잔기를 들 수 있다.At least the group which is cleaved by an acid includes, for example, a residue protected by an acid-decomposable group.

감도와 해상도의 관점에서, 상기 모노머 단위(a-1)는, 카르복시기 또는 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(a-1-1)인 것이 바람직하다.From the viewpoints of sensitivity and resolution, it is preferable that the monomer unit (a-1) is a monomer unit (a-1-1) having a carboxyl group or a residue in which the phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group.

성분A는, 모노머 단위(a-1-1)를 포함하는 경우에는, 알칼리 불용성이며, 상기 모노머 단위(a-1-1)에 있어서의 산분해성기가 분해했을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지인 것이 바람직하다.When the monomer unit (a-1-1) is contained, the component A is preferably an alkali-insoluble resin which becomes alkali-soluble when the acid-decomposable group in the monomer unit (a-1-1) Do.

또한, 본 발명에 있어서, 후술하는 성분F 이외에 있어서의 「알칼리 가용성」이란, 당해 화합물(수지)의 용액을 기판 위에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열하는 것에 의해 형성되는 당해 화합물(수지)의 도막(두께 4㎛)의, 23℃에 있어서의 0.4중량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가, 0.01㎛/초 이상인 것을 말하며, 후술하는 성분F 이외에 있어서의 「알칼리 불용성」이란, 당해 화합물(수지)의 용액을 기판 위에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열하는 것에 의해 형성되는 당해 화합물(수지)의 도막(두께 4㎛)의, 23℃에 있어서의 0.4중량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가 0.01㎛/초 미만, 바람직하게는 0.005㎛/초 미만인 것을 말한다.In the present invention, &quot; alkali solubility &quot; other than the component F to be described later means that a solution of the compound (resin) is applied on a substrate and heated at 90 DEG C for 2 minutes to form a solution of the compound Means that the dissolution rate of the coating film (thickness 4 占 퐉) with respect to 0.4 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 占 폚 is 0.01 占 퐉 / second or more, and "alkali insoluble" A coating solution (thickness: 4 占 퐉) of the compound (resin) formed by applying the solution of the compound (resin) onto the substrate and heating the mixture at 90 占 폚 for 2 minutes was coated with 0.4 wt% tetramethylammonium hydroxide Refers to a dissolution rate with respect to the aqueous solution of the lockside of less than 0.01 mu m / second, preferably less than 0.005 mu m / second.

[카르복시기 또는 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(a-1-1)][Monomer unit (a-1-1) having a carboxyl group or a residue whose phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group]

성분A는, 카르복시기 또는 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(a-1-1)를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the component A has a monomer unit (a-1-1) having a carboxyl group or a residue in which the phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group.

성분A가 모노머 단위(a-1-1)를 갖는 것에 의해, 극히 고감도한 수지 조성물로 할 수 있다. 카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위는, 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위에 비하면, 현상이 빠르다는 특징이 있다. 따라서, 빠르게 현상하고 싶은 경우에는 카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위가 바람직하다. 반대로 현상을 느리게 하고 싶은 경우에는 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위를 사용하는 것이 바람직하다.When the component A has the monomer unit (a-1-1), a highly sensitive resin composition can be obtained. The monomer unit in which the carboxyl group has a residue protected by an acid-decomposable group is characterized in that the phenolic hydroxyl group is faster than the monomer unit having a residue protected by an acid-decomposable group. Therefore, when a rapid development is desired, a monomer unit having a residue whose carboxyl group is protected with an acid-decomposable group is preferable. On the contrary, when it is desired to slow the development, it is preferable to use a monomer unit having a residue in which the phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group.

또한, 상기 산분해성기로서는, 1-에톡시에틸기 또는 테트라히드로푸라닐기가 특히 바람직하고, 테트라히드로푸라닐기가 가장 바람직하다.As the acid decomposable group, a 1-ethoxyethyl group or a tetrahydrofuranyl group is particularly preferable, and a tetrahydrofuranyl group is most preferable.

[카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(a-1-2)][Monomer unit (a-1-2) having a residue whose carboxyl group is protected with an acid-decomposable group]

-카르복시기를 갖는 모노머 단위-- monomer unit having a carboxyl group -

카르복시기를 갖는 모노머 단위로는, 예를 들면, 불포화 모노카르복시산, 불포화 디카르복시산, 불포화 트리카르복시산 등의, 분자 중에 적어도 1개의 카르복시기를 갖는 불포화 카르복시산 등에 유래하는 모노머 단위를 들 수 있다.Examples of the monomer unit having a carboxyl group include a monomer unit derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in a molecule such as an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid and an unsaturated tricarboxylic acid.

카르복시기를 갖는 모노머 단위를 얻기 위해 사용할 수 있는 불포화 카르복시산으로서는 이하에 드는 것을 사용할 수 있다. 즉, 불포화 모노카르복시산으로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 신남산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 디카르복시산으로서는, 예를 들면, 말레산, 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 등을 들 수 있다. 또한, 카르복시기를 갖는 모노머 단위를 얻기 위해 사용할 수 있는 불포화 다가 카르복시산은, 그 산무수물이여도 된다. 구체적으로는, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복시산은, 다가 카르복시산의 모노(2-메타크릴로일옥시알킬)에스테르이여도 되며, 예를 들면, 숙신산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 숙신산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸) 등을 들 수 있다.As the unsaturated carboxylic acid which can be used for obtaining a monomer unit having a carboxyl group, the following can be used. That is, examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid,? -Chloroacrylic acid, cinnamic acid, and the like. Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, and mesaconic acid. The unsaturated polycarboxylic acid which can be used for obtaining a monomer unit having a carboxyl group may be an acid anhydride thereof. Specific examples thereof include maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride. Also, the unsaturated polycarboxylic acid may be mono (2-methacryloyloxyalkyl) ester of a polyvalent carboxylic acid, and examples thereof include monosaccharide mono (2-acryloyloxyethyl), succinic acid mono Mono (2-acryloyloxyethyl) phthalate mono (2-methacryloyloxyethyl), and the like.

또한, 불포화 다가 카르복시산은, 그 양말단 디카르복시 폴리머의 모노(메타)아크릴레이트여도 되며, 예를 들면, ω-카르복시폴리카프로락톤 모노아크릴레이트, ω-카르복시폴리카프로락톤 모노메타크릴레이트 등을 들 수 있다.Also, the unsaturated polycarboxylic acid may be mono (meth) acrylate of the dicarboxylic polymer of both ends thereof, and examples include ω-carboxypolycaprolactone monoacrylate, ω-carboxypolycaprolactone monomethacrylate, .

또한, 불포화 카르복시산으로서는, 아크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 메타크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 말레산 모노알킬에스테르, 푸마르산 모노알킬에스테르, 4-카르복시스티렌 등도 사용할 수 있다.Examples of the unsaturated carboxylic acid include acrylic acid-2-carboxyethyl ester, methacrylic acid-2-carboxyethyl ester, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester and 4-carboxystyrene.

중에서도, 현상성의 관점에서, 카르복시기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서는, 아크릴산, 메타크릴산, 또는 불포화 다가 카르복시산의 무수물 등을 사용하는 것이 바람직하고, 아크릴산 또는 메타크릴산을 사용하는 것이 보다 바람직하다.Among them, from the viewpoint of developability, it is preferable to use acrylic acid, methacrylic acid, anhydride of unsaturated polycarboxylic acid or the like in order to form a monomer unit having a carboxyl group, and acrylic acid or methacrylic acid is more preferably used.

카르복시기를 갖는 모노머 단위는, 1종 단독으로 구성되어 있어도 되고, 2종 이상으로 구성되어 있어도 된다.The monomer unit having a carboxyl group may be composed of one kind alone, or may be composed of two or more kinds.

또한, 카르복시기를 갖는 모노머 단위는, 수산기를 갖는 모노머 단위와 산무수물을 반응시켜서 얻어진 모노머 단위여도 된다.The monomer unit having a carboxyl group may be a monomer unit obtained by reacting a monomer unit having a hydroxyl group with an acid anhydride.

산무수물로서는, 공지의 것을 사용할 수 있고, 구체적으로는, 무수 말레산, 무수 숙신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 무수 클로렌드산 등의 이염기산무수물; 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복시산무수물, 비페닐테트라카르복시산무수물 등의 산무수물을 들 수 있다. 이들 중에서는, 현상성의 관점에서, 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 또는, 무수 숙신산이 바람직하다.As the acid anhydride, known dicarboxylic acid anhydrides such as maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride and anhydrous chloric anhydride; Acid anhydrides such as trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic anhydride and biphenyltetracarboxylic anhydride. Of these, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, or succinic anhydride are preferable from the viewpoint of developability.

산무수물의 상기 수산기에 대한 반응율은, 현상성의 관점에서, 10∼100몰%인 것이 바람직하고, 30∼100몰%인 것이 보다 바람직하다.The reaction ratio of the acid anhydride to the hydroxyl group is preferably 10 to 100 mol%, more preferably 30 to 100 mol%, from the viewpoint of developability.

-카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(a-1-2)-- monomer unit (a-1-2) having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group -

카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(a-1-2)란, 바람직하게는 상기 카르복시기를 갖는 모노머 단위의 카르복시기가, 이하에서 상세하게 설명하는 산분해성기에 의해 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위이다.The monomer unit (a-1-2) in which the carboxyl group has a moiety protected with an acid-decomposable group is preferably a monomer unit in which the carboxyl group of the monomer unit having a carboxyl group is a monomer having a moiety protected by an acid- Unit.

산분해성기로서는, 지금까지 KrF용 포지티브형 레지스트, ArF용 포지티브형 레지스트에 있어서의 산분해성기로서 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 종래, 산분해성기로서는, 산에 의해 비교적 분해하기 쉬운 기로서, 테트라히드로피라닐기 등의 아세탈계 관능기나, 산에 의해 비교적 분해하기 어려운 기로서 t-부틸에스테르기, t-부틸카보네이트기 등의 t-부틸계 관능기가 알려져 있으며, 이들을 사용할 수 있다.As the acid decomposable group, there can be used any known acid decomposable group in the positive resist for KrF and the positive resist for ArF, and there is no particular limitation. Conventionally, as the acid decomposable group, a group which is relatively easily decomposed by an acid, such as an acetal functional group such as a tetrahydropyranyl group, and a group which is relatively difficult to decompose by an acid, such as a t-butyl ester group and a t-butylcarbonate group t-butyl functional groups are known, and they can be used.

또한, 이러한 아세탈계 관능기나 t-부틸계 관능기, 하기의 케탈계 관능기는, 열에 의해서도 탈리가 생길 수 있는 관능기이다.These acetal-based functional groups, t-butyl-based functional groups, and ketal based functional groups described below are functional groups capable of causing desorption even by heat.

이들의 산분해성기 중에서도, 카르복시기가 아세탈로 보호된 잔기, 또는, 카르복시기가 케탈로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위인 것이, 감도와 해상도의 관점에서 바람직하다. 또한 산분해성기 중에서도 카르복시기가 하기 식(a1-1)으로 표시되는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 것이, 보다 바람직하다. 또, 카르복시기가 하기 식(a1-1)으로 표시되는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 경우, 잔기의 전체로서는, -C(=O)-O-CR1R2(OR3)의 구조로 되어 있다.Among these acid decomposable groups, from the viewpoints of sensitivity and resolution, it is preferable that the carboxyl group is a monomer unit having an acetal-protected residue or a carboxyl group-retained moiety. Among the acid decomposable groups, it is more preferable that the carboxyl group is an acetal or ketal-protected residue represented by the following formula (a1-1). When the carboxy group is an acetal or ketal-protected residue represented by the following formula (a1-1), the moiety has a structure of -C (= O) -O-CR 1 R 2 (OR 3 ) have.

Figure 112012033313774-pat00001
Figure 112012033313774-pat00001

(식(a1-1) 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. 단, R1과 R2가 함께 수소 원자인 경우를 제외한다. R3은, 알킬기를 나타낸다. R1 또는 R2와, R3이 연결하여 환상 에테르를 형성해도 된다. 또한, 파선 부분은, 다른 구조와의 결합 위치를 나타낸다)(In the formula (a1-1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, provided that when R 1 and R 2 together are a hydrogen atom, R 3 represents an alkyl group R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether, and the broken line indicates the bonding position with other structures)

식(a1-1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, R3은, 알킬기를 나타내고, 상기 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 된다. 여기에서, R1 및 R2의 쌍방이 수소 원자를 나타내는 일은 없고, R1 및 R2의 적어도 한쪽은 알킬기를 나타낸다.In formula (a1-1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, R 3 represents an alkyl group, and the alkyl group may be any of linear, branched and cyclic. Here, both of R 1 and R 2 do not represent a hydrogen atom, and at least one of R 1 and R 2 represents an alkyl group.

식(a1-1)에 있어서, R1, R2 및 R3이 알킬기를 나타내는 경우, 상기 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상의 어느 것이어도 된다.In the formula (a1-1), when R 1 , R 2 and R 3 represent an alkyl group, the alkyl group may be any of linear, branched or cyclic.

직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서는, 탄소 원자수 1∼12인 것이 바람직하고, 탄소 원자수 1∼6인 것이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1∼4인 것이 더 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기(2,3-디메틸-2-부틸기), n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.The straight-chain or branched-chain alkyl group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, a sec- Butyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group and n-decyl group.

환상 알킬기로서는, 탄소 원자수 3∼12인 것이 바람직하고, 탄소 원자수 4∼8인 것이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 4∼6인 것이 더 바람직하다. 환상 알킬기로서는, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노르보닐기, 이소보르닐기 등을 들 수 있다.The cyclic alkyl group preferably has 3 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms, and more preferably 4 to 6 carbon atoms. Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a norbornyl group and an isobornyl group.

상기 알킬기는, 치환기를 갖고 있어도 되며, 치환기로서는, 할로겐 원자, 아릴기, 알콕시기를 예시할 수 있다. 치환기로서 할로겐 원자를 갖는 경우, R1, R2, R3은 할로알킬기가 되고, 치환기로서 아릴기를 갖는 경우, R1, R2, R3은 아랄킬기가 된다.The alkyl group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, an aryl group, and an alkoxy group. When R 1 , R 2 and R 3 are a haloalkyl group and have an aryl group as a substituent, R 1 , R 2 and R 3 are an aralkyl group when they have a halogen atom as a substituent.

할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자가 예시되며, 이들 중에서도 불소 원자 또는 염소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and among these, a fluorine atom or a chlorine atom is preferable.

또한, 상기 아릴기로서는, 탄소 원자수 6∼20의 아릴기가 바람직하고, 탄소 원자수 6∼12의 아릴기가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 페닐기, α-메틸페닐기, 나프틸기 등을 예시할 수 있다.The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms. Specific examples thereof include a phenyl group, an? -Methylphenyl group, and a naphthyl group.

상기 아랄킬기로서는, 탄소 원자수 7∼32의 아랄킬기가 바람직하고, 탄소 원자수 7∼20의 아랄킬기가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 벤질기, α-메틸벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기 등을 예시할 수 있다.The aralkyl group is preferably an aralkyl group having 7 to 32 carbon atoms and more preferably an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms. Specifically, benzyl group,? -Methylbenzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl group and the like can be exemplified.

상기 알콕시기로서는, 탄소 원자수 1∼6의 알콕시기가 바람직하고, 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기가 보다 바람직하고, 메톡시기 또는 에톡시기가 더 바람직하다.The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, and more preferably a methoxy group or an ethoxy group.

또한, 알킬기가 시클로알킬기인 경우, 상기 시클로알킬기는 치환기로서 탄소 원자수 1∼10의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기를 갖고 있어도 되며, 알킬기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기인 경우에는, 치환기로서 탄소 원자수 3∼12의 시클로알킬기를 갖고 있어도 된다.When the alkyl group is a cycloalkyl group, the cycloalkyl group may have a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms as a substituent. When the alkyl group is a straight chain or branched chain alkyl group, the cycloalkyl group may have a carbon And may have a cycloalkyl group having 3 to 12 atoms.

이들의 치환기는, 상기 치환기로 더 치환되어 있어도 된다.These substituents may be further substituted by the above substituents.

식(a1-1)에 있어서, R1, R2 및 R3이 아릴기를 나타내는 경우, 상기 아릴기는 탄소 원자수 6∼12인 것이 바람직하고, 탄소 원자수 6∼10인 것이 보다 바람직하다. 상기 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되며, 상기 치환기로서는 탄소 원자수 1∼6의 알킬기가 바람직하게 예시할 수 있다. 아릴기로서는, 페닐기, 톨릴기, 실릴기, 큐메닐기, 1-나프틸기 등을 예시할 수 있다.In the formula (a1-1), when R 1 , R 2 and R 3 represent an aryl group, the aryl group preferably has 6 to 12 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms. The aryl group may have a substituent, and as the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferably exemplified. Examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group, a silyl group, a cumenyl group, and a 1-naphthyl group.

또한, R1, R2 및 R3은 서로 결합하여, 그들이 결합하고 있는 탄소 원자와 함께 환을 형성할 수 있다. R1과 R2, R1과 R3 또는 R2와 R3이 결합했을 경우의 환구조로서는, 예를 들면, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 테트라히드로푸라닐기, 아다만틸기 및 테트라히드로피라닐기 등을 들 수 있다. 중에서도, 테트라히드로푸라닐기가 바람직하다.Further, R 1 , R 2 and R 3 may combine with each other to form a ring together with the carbon atoms to which they are bonded. Examples of the ring structure when R 1 and R 2 , R 1 and R 3 or R 2 and R 3 are bonded include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a tetrahydrofuranyl group , An adamantyl group, and a tetrahydropyranyl group. Among them, a tetrahydrofuranyl group is preferable.

또, 식(a1-1)에 있어서, R1 및 R2의 어느 한쪽이, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하다.In formula (a1-1), it is preferable that either R 1 or R 2 is a hydrogen atom or a methyl group.

식(a1-1)으로 표시되는 잔기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용할 수 있는 라디칼 중합성 단량체는, 시판의 것을 사용하여도 되고, 공지의 방법에서 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 하기에 나타나 있는 바와 같이 (메타)아크릴산을 산촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시키는 것에 의해 합성할 수 있다.The radically polymerizable monomer which can be used for forming the monomer unit having a moiety represented by the formula (a1-1) may be a commercially available one, or a compound synthesized by a known method may be used. For example, it can be synthesized by reacting (meth) acrylic acid with vinyl ether in the presence of an acid catalyst as shown below.

Figure 112012033313774-pat00002
Figure 112012033313774-pat00002

R11은, 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.R 11 represents a hydrogen atom or an alkyl group, preferably a hydrogen atom or a methyl group.

R12 및 R13은, -CH(R12)(R13)으로서, 식(a1-1)에 있어서의 R2와 동의이며, R14는 식(a1-1)에 있어서의 R1과 동의이며, R15는 식(a1-1)에 있어서의 R3과 동의이며, 또한, 이들은 바람직한 범위도 같다.R 12 and R 13 are the same as R 2 in formula (a1-1) as -CH (R 12 ) (R 13 ), and R 14 is the same as R 1 in formula (a1-1) , R 15 is the same as R 3 in formula (a1-1), and the preferable ranges thereof are also the same.

상기의 합성은 (메타)아크릴산을 그 외의 모노머와 미리 공중합시켜 두고, 그 후에 산촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시켜도 된다.The above-mentioned synthesis may be carried out by previously copolymerizing (meth) acrylic acid with other monomers and then reacting with vinyl ether in the presence of an acid catalyst.

카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(a-1-2)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있다. 또, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Specific preferred examples of the monomer unit (a-1-2) having a carboxyl group-protected residue by an acid-decomposable group include the following monomer units. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 112012033313774-pat00003
Figure 112012033313774-pat00003

[페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(a-1-3)][Monomer unit (a-1-3) having a residue whose phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group]

-페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위-- monomer unit having a phenolic hydroxyl group -

페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위로서는, 히드록시스티렌계 모노머 단위나 노볼락계의 수지에 있어서의 모노머 단위를 들 수 있다. 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위 중에서도, 식(a1-2)으로 표시되는 모노머 단위가 투명성, 감도의 관점에서 바람직하다.Examples of the monomer unit having a phenolic hydroxyl group include a monomer unit in a hydroxystyrene-based monomer unit or a novolak-based resin. Among the monomer units having a phenolic hydroxyl group, the monomer units represented by the formula (a1-2) are preferred from the viewpoints of transparency and sensitivity.

Figure 112012033313774-pat00004
Figure 112012033313774-pat00004

(식(a1-2) 중, R20은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R21은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, R22는 할로겐 원자 또는 알킬기를 나타내고, a는 1∼5의 정수를 나타내고, b는 0∼4의 정수를 나타내고, a+b는 5 이하이다. 또, R22가 2 이상 존재하는 경우, 이들의 R22는 서로 달라도 되며 같아도 된다)(In the formula (a1-2), R 20 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 21 represents a single bond or a divalent linking group, R 22 represents a halogen atom or an alkyl group, a represents an integer of 1 to 5 , b represents an integer of 0 to 4, and a + b is not more than 5. When two or more R 22 are present, these R 22 may be the same or different and may be the same)

식(a1-2) 중, R20은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 메틸기인 것이 바람직하다.In formula (a1-2), R 20 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a methyl group.

또한, 식(a1-2)에 있어서의 R21은, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 단결합인 경우에는, 감도를 향상시킬 수 있고, 또한 경화막의 투명성을 향상시킬 수 있으므로 바람직하다. R21의 2가의 연결기로서는 알킬렌기를 예시할 수 있고, R21이 알킬렌기인 구체예로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, 이소부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 이소펜틸렌기, 네오펜틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있다. 중에서도, R21이 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기인 것이 바람직하다. 또한, 상기 2가의 연결기는, 치환기를 갖고 있어도 되며, 치환기로서는, 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기 등을 들 수 있다.R 21 in the formula (a1-2) represents a single bond or a divalent linking group. In the case of a single bond, it is preferable since the sensitivity can be improved and the transparency of the cured film can be improved. Examples of the divalent linking group of R 21 include an alkylene group and specific examples of R 21 is an alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, an n-butylene group, an isobutylene group, , Pentylene group, isopentylene group, neopentylene group, hexylene group and the like. , It is preferable that R 21 is a single bond, a methylene group, or an ethylene group. The divalent linking group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, and an alkoxy group.

또한, 식(a1-2)에 있어서의 a는, 1∼5의 정수를 나타내지만, 본 발명의 효과의 관점이나, 제조가 용이하다고 하는 점에서, a는 1 또는 2인 것이 바람직하고, a가 1인 것이 보다 바람직하다.In the formula (a1-2), a represents an integer of 1 to 5, but from the viewpoint of the effects of the present invention and from the standpoint of ease of production, a is preferably 1 or 2, and a 1 is more preferable.

또한, 벤젠환에 있어서의 수산기의 결합 위치는, R21과 결합하고 있는 탄소 원자를 기준(1위치)으로 했을 때, 4위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the bonding position of the hydroxyl group in the benzene ring is bonded to the 4-position when the carbon atom bonded to R 21 is the reference (1-position).

식(a1-2)에 있어서의 R22는, 할로겐 원자 또는 탄소 원자수 1∼5의 직쇄 혹은 분기쇄상의 알킬기이다. 구체적으로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 중에서도, 제조가 용이하다고 하는 점에서, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다.R 22 in the formula (a1-2) is a halogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specific examples thereof include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a n-butyl group, an isobutyl group, a tert- butyl group, a pentyl group, an isopentyl group and a neopentyl group . Is preferably a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group or an ethyl group in view of easiness of production.

또한, b는 0 또는 1∼4의 정수를 나타낸다.B represents 0 or an integer of 1 to 4;

-페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위-A monomer unit having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group,

페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위는, 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위의 페놀성 수산기가, 이하에서 상세하게 설명하는 산분해성기에 의해 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위이다.The monomer unit having a residue in which the phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group is a monomer unit having a residue in which the phenolic hydroxyl group of the monomer unit having a phenolic hydroxyl group is protected by an acid-decomposable group described in detail below.

산분해성기로서는, 상술한 바와 같이, 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 산분해성기 중에서도 페놀성 수산기가 아세탈로 보호된 잔기, 또는, 페놀성 수산기가 케탈로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위인 것이, 특히 감도나 수지 조성물의 보존 안정성의 관점에서 바람직하다. 또한, 산분해성기 중에서도 페놀성 수산기가 상기 식(a1-1)으로 표시되는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 것이, 감도의 관점에서 보다 바람직하다. 또, 페놀성 수산기가 상기 식(a1-1)으로 표시되는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 경우, 잔기의 전체로서는, -Ar-O-CR1R2(OR3)의 구조로 되어 있다. 또, Ar은 아릴렌기를 나타낸다.As the acid decomposable group, known ones can be used as described above, and there is no particular limitation. Of the acid-decomposable groups, those in which the phenolic hydroxyl group is protected with an acetal, or a monomer unit having a phenolic hydroxyl group-keto protected residue are particularly preferable from the viewpoints of sensitivity and storage stability of the resin composition. Among the acid decomposable groups, from the viewpoint of sensitivity, it is more preferable that the phenolic hydroxyl group is an acetal or ketal-protected residue represented by the above formula (a1-1). When the phenolic hydroxyl group is an acetal or ketal protected residue represented by the above formula (a1-1), the residue has a structure of -Ar-O-CR 1 R 2 (OR 3 ) as a whole. Ar represents an arylene group.

페놀성 수산기를 보호하는 아세탈에스테르 구조의 바람직한 예는, R1=R2=R3=메틸기나 R1=R2=메틸기이며 R3=벤질기의 조합을 예시할 수 있다.Preferable examples of the acetal ester structure for protecting the phenolic hydroxyl group include a combination of R 1 = R 2 = R 3 = methyl group, R 1 = R 2 = methyl group and R 3 = benzyl group.

또한, 페놀성 수산기가 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용할 수 있는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면, 히드록시스티렌의 1-알콕시알킬 보호체, 히드록시스티렌의 테트라히드로피라닐 보호체, α-메틸히드록시스티렌의 1-알콕시알킬 보호체, α-메틸-히드록시스티렌의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 테트라히드로피라닐 보호체 등을 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomer that can be used for forming a monomer unit having a phenolic hydroxyl group having an acetal or ketal protected moiety include a 1-alkoxyalkyl protected product of hydroxystyrene, a tetra A 1-alkoxyalkyl protected form of? -Methylhydroxystyrene, a tetrahydropyranyl protected form of? -Methyl-hydroxystyrene, a 1-alkoxyalkyl protected form of 4-hydroxyphenyl methacrylate , Tetrahydropyranyl protected form of 4-hydroxyphenyl methacrylate, and the like.

페놀성 수산기의 아세탈 보호기 및 케탈 보호기로서는, 식(a1-1)이 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As the acetal protecting group and ketal protecting group of the phenolic hydroxyl group, the formula (a1-1) is preferable. These may be used alone or in combination of two or more.

모노머 단위(a-1-3)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것이 아니다. 또, 하기 모노머 단위에 있어서의 R은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Specific preferred examples of the monomer unit (a-1-3) include the following monomer units, but the present invention is not limited thereto. In the following monomer unit, R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 112012033313774-pat00005
Figure 112012033313774-pat00005

Figure 112012033313774-pat00006
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또한, 모노머 단위(a-1)는, 카르복시기 또는 페놀성 수산기가 1-에톡시에틸기 또는 테트라히드로푸라닐기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위인 것이 바람직하다.Further, it is preferable that the monomer unit (a-1) is a monomer unit having a carboxyl group or a residue in which the phenolic hydroxyl group is protected with a 1-ethoxyethyl group or a tetrahydrofuranyl group.

성분A에 있어서의 모노머 단위(a-1)의 함유량은, 감도의 관점에서, 성분A의 전 모노머 단위에 대하여, 3∼70몰%가 바람직하고, 10∼65몰%가 보다 바람직하고, 20∼60몰%가 더 바람직하다.The content of the monomer unit (a-1) in the component A is preferably from 3 to 70 mol%, more preferably from 10 to 65 mol%, and most preferably from 20 to 20 mol%, based on all monomer units of the component A, To 60 mol% is more preferable.

(a-2) 가교성기를 갖는 모노머 단위(a-2) a monomer unit having a crosslinkable group

성분A는, (a-2) 가교성기를 갖는 모노머 단위를 적어도 갖는다.Component A has at least (a-2) a monomer unit having a crosslinkable group.

상기 가교성기는, 가열 처리에서 경화 반응을 일으키는 기이면 특별히 한정은 되지 않는다. 바람직한 가교성기를 갖는 모노머 단위의 태양으로서는, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위, 및, 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1개를 포함하는 모노머 단위를 들 수 있다. 보다 상세하게는, 이하의 것을 들 수 있다.The crosslinkable group is not particularly limited as long as it is a group that causes a curing reaction in the heat treatment. Examples of the monomer unit having a preferable crosslinkable group include a monomer unit containing at least one selected from the group consisting of a monomer unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group and a monomer unit having an ethylenic unsaturated group. More specifically, the following can be mentioned.

보존 안정성이나 경화막 특성의 관점에서, 모노머 단위(a-2)는, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a-2-1)인 것이 바람직하다.The monomer unit (a-2) is preferably a monomer unit (a-2-1) having an epoxy group and / or oxetanyl group from the viewpoints of storage stability and cured film characteristics.

<에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a-2-1)><Monomer Unit (a-2-1) Having an Epoxy Group and / or an Oxetanyl Group>

성분A는, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a-2-1)를 갖는 것이 바람직하다. 성분A는, 에폭시기를 갖는 모노머 단위 및 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위의 양쪽을 갖고 있어도 된다. 또한, 경화물의 투명성의 관점에서는, 성분A는, 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 갖고 있는 것이 바람직하다.The component A preferably has a monomer unit (a-2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group. Component A may have both a monomer unit having an epoxy group and a monomer unit having an oxetanyl group. From the viewpoint of transparency of the cured product, the component A preferably has a monomer unit having an oxetanyl group.

에폭시기를 갖는 기로서는, 에폭시환을 갖고 있으면, 특별히 제한은 없지만, 글리시딜기, 3,4-에폭시시클로헥실메틸기가 바람직하게 예시할 수 있다.As the group having an epoxy group, a glycidyl group and a 3,4-epoxycyclohexylmethyl group are preferably exemplified, as long as they have an epoxy ring, though there is no particular limitation.

옥세타닐기를 갖는 기로서는, 옥세탄환을 갖고 있으면, 특별히 제한은 없지만, (3-에틸옥세탄-3-일)메틸기가 바람직하게 예시할 수 있다.The group having an oxetanyl group is not particularly limited as long as it has an oxetanyl ring, but a (3-ethyloxetan-3-yl) methyl group can be preferably exemplified.

모노머 단위(a-2-1)는, 1개의 모노머 단위 중에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 적어도 1개 갖고 있으면 되며, 1개 이상의 에폭시기 및 1개 이상의 옥세타닐기, 2개 이상의 에폭시기, 또는, 2개 이상의 옥세타닐기를 갖고 있어도 되며, 특별히 한정되지 않지만, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1∼3개 갖는 것이 바람직하고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1 또는 2개 갖는 것이 보다 바람직하고, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 1개 갖는 것이 더 바람직하다.The monomer unit (a-2-1) may have at least one epoxy group or oxetanyl group in one monomer unit, and may contain at least one epoxy group and at least one oxetanyl group, at least two epoxy groups, or two Or more oxetanyl group, and it is preferably, but not limited to, a total of 1 to 3 epoxy groups and / or oxetanyl groups, more preferably 1 or 2 epoxy groups and / or oxetanyl groups in total , An epoxy group or an oxetanyl group.

에폭시기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용할 수 있는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 예를 들면, 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, α-에틸아크릴산글리시딜, α-n-프로필아크릴산글리시딜, α-n-부틸아크릴산글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 특허 제4168443호 공보의 단락 0031∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있다.Specific examples of the radically polymerizable monomer that can be used for forming the monomer unit having an epoxy group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl alpha -ethyl acrylate, alpha -n-propyl acrylate Glycidyl,? -N-butyl acrylate glycidyl, acrylate-3,4-epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7 -Epoxyheptyl,? -Ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzylglycidyl ether, m-vinylbenzylglycidyl ether, p-vinylbenzylglycidylether, the paragraph of Patent No. 4168443 Compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in Nos. 0031 to 0035, and the like.

옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용할 수 있는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는, 예를 들면, 일본 특개2001-330953호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomers that can be used for forming the monomer unit having an oxetanyl group include (meth) acrylic esters having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-330953 .

모노머 단위(a-2-1)를 형성하기 위해 사용할 수 있는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는, 메타크릴산에스테르 구조를 함유하는 모노머, 아크릴산에스테르 구조를 함유하는 모노머인 것이 바람직하다.Examples of the radically polymerizable monomer which can be used for forming the monomer unit (a-2-1) are a monomer containing a methacrylic acid ester structure and a monomer containing an acrylic ester structure.

이들의 모노머 중에서, 더 바람직한 것으로서는, 메타크릴산글리시딜, 아크릴산글리시딜, 특허 제4168443호 공보의 단락 0034∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 및 일본 특개2001-330953호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르를 들 수 있다.Among these monomers, glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs 0034 to 0035 of Japanese Patent No. 4168443, and compounds disclosed in JP-A-2001-330953 (Meta) acrylic acid esters having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-

내열 투명성의 관점에서, 특히 바람직한 것으로서는, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및, 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸 중 어딘가에 유래하는 모노머 단위이다.Particularly preferred from the viewpoint of heat-resistant transparency are monomer units derived from somewhere among acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl and methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl.

이들의 모노머 단위(a-2-1)는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These monomer units (a-2-1) may be used alone or in combination of two or more.

모노머 단위(a-2-1)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있다.Specific preferred examples of the monomer unit (a-2-1) include the following monomer units.

Figure 112012033313774-pat00007
Figure 112012033313774-pat00007

<에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위(a-2-2)><Monomer unit having an ethylenically unsaturated group (a-2-2)>

가교성기를 갖는 모노머 단위(a-2)의 하나로서, 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위(a-2-2)를 들 수 있다.As a monomer unit (a-2) having a crosslinkable group, a monomer unit having an ethylenic unsaturated group (a-2-2) can be mentioned.

상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위(a-2-2)로서는, 측쇄에 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위가 바람직하고, 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖고, 탄소수 3∼16의 측쇄를 갖는 모노머 단위가 보다 바람직하고, 식(a2-2-2)으로 표시되는 측쇄를 갖는 모노머 단위가 더 바람직하다.The monomer unit (a-2-2) having an ethylenically unsaturated group is preferably a monomer unit having an ethylenically unsaturated group in the side chain, a monomer unit having an ethylenic unsaturated group at the end and having a side chain of 3 to 16 carbon atoms And more preferably a monomer unit having a side chain represented by the formula (a2-2-2).

Figure 112012033313774-pat00008
Figure 112012033313774-pat00008

(식(a2-2-2) 중, R1은 탄소수 1∼13의 2가의 연결기를 나타내고, R2 및 R3은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)(In the formula (a2-2-2), R 1 represents a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms, and R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group)

R1은, 탄소수 1∼13의 2가의 연결기이면 되지만, 알케닐기, 시클로알케닐기, 아릴렌기 또는 이들을 조합한 기를 포함하는 것이 바람직하고, 또한, 에스테르 결합, 에테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합 등의 결합을 포함하고 있어도 된다. 또한, 2가의 연결기는, 임의의 위치에 히드록시기, 카르복시기 등의 치환기를 갖고 있어도 된다.R 1 may be a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms, but preferably includes an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an arylene group, or a group formed by combining these groups, and further preferably an ester bond, an ether bond, an amide bond, Or a combination thereof. The divalent linking group may have a substituent such as a hydroxy group or a carboxy group at an arbitrary position.

성분A에 있어서의 모노머 단위(a-2)의 함유량은, 성분A의 전 모노머 단위에 대하여, 5∼60몰%가 바람직하고, 10∼55몰%가 더 바람직하고, 20∼50몰%가 특히 바람직하다. 모노머 단위(a-2)를 상기의 비율로 함유시키는 것에 의해, 경화막의 물성이 양호하게 된다.The content of the monomer unit (a-2) in the component A is preferably from 5 to 60 mol%, more preferably from 10 to 55 mol%, still more preferably from 20 to 50 mol%, based on the total monomer units of the component A Particularly preferred. By containing the monomer unit (a-2) in the above ratio, the physical properties of the cured film become good.

(a-3) 알칼리 가용성기를 갖는 모노머 단위(a-3) a monomer unit having an alkali-soluble group

성분A는, 알칼리 가용성기를 갖는 모노머 단위(a-3)를 갖는 것이 바람직하다.The component A preferably has a monomer unit (a-3) having an alkali-soluble group.

알칼리 가용성기를 갖는 모노머 단위(a-3)는, 성분A에 알칼리 가용성을 부여하는 기능을 갖는다. 이에 의해, 성분A는 현상시에 알칼리 용액(현상액)에 용해하므로, 모노머 단위(a-3)를 포함하는 성분A는 현상액에 의해 용이하게 현상할 수 있다. 또한, 알칼리 가용성기 함유 모노머는, 가교제를 사용한 가교에 의해, 혹은 성분A 분자 내에 있는 에폭시기 혹은 옥세탄기(예를 들면, 상기 모노머 단위(a-2-1)에 유래하는 기 등)와의 반응에 의해 경화시켜, 얻어진 경화물에 경도를 부여한다.The monomer unit (a-3) having an alkali-soluble group has a function of imparting alkali solubility to the component A. As a result, the component A dissolves in an alkali solution (developer) at the time of development, so that the component A containing the monomer unit (a-3) can be easily developed by a developer. Further, the alkali-soluble group-containing monomer can be obtained by crosslinking using a crosslinking agent, or by reaction with an epoxy group or an oxetane group (for example, a group derived from the monomer unit (a-2-1) To give hardness to the obtained cured product.

알칼리 가용성기를 갖는 모노머 단위(a-3)에 있어서의 알칼리 가용성기로서는, 레지스트의 분야에서 통상 사용할 수 있는 기이면 되며, 예를 들면, 카르복시기, 페놀성 수산기 등을 들 수 있다. 알칼리 가용성기를 갖는 모노머 단위(a-3)의 대표적인 예로서, 불포화 카르복시산 또는 그 산무수물, 히드록시스티렌 또는 그 유도체 유래의 모노머 단위 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.The alkali-soluble group in the monomer unit (a-3) having an alkali-soluble group may be any group that can be usually used in the field of resists, and examples thereof include a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group. Representative examples of the monomer unit (a-3) having an alkali-soluble group include monomer units derived from an unsaturated carboxylic acid or an acid anhydride thereof, hydroxystyrene or a derivative thereof, and the like.

모노머 단위(a-3)로서는, 상기 카르복시기를 갖는 모노머 단위나, 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위를 호적하게 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 특히 불포화 카르복시산 또는 그 산무수물 유래의 모노머 단위가 바람직하다.As the monomer unit (a-3), a monomer unit having a carboxyl group or a monomer unit having a phenolic hydroxyl group can be used suitably. Among these, a monomer unit derived from an unsaturated carboxylic acid or an acid anhydride thereof is particularly preferable.

불포화 카르복시산 또는 그 산무수물로서, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 말레산, 푸마르산 등의 α,β-불포화 카르복시산 및 그 산무수물(무수 말레산, 무수 이타콘산 등)이 예시된다. 이들 중에서도, 아크릴산, 메타크릴산이 특히 바람직하다. 알칼리 가용성기를 갖는 모노머 단위(a-3)는 단독으로 또는 2 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the unsaturated carboxylic acid or its acid anhydride include an?,? - unsaturated carboxylic acid such as acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid and fumaric acid and an acid anhydride (maleic anhydride, itaconic anhydride, . Of these, acrylic acid and methacrylic acid are particularly preferable. The monomer unit (a-3) having an alkali-soluble group may be used singly or in combination of two or more thereof.

(a-4) 방향환을 갖는 모노머 단위(a-4) a monomer unit having an aromatic ring

성분A는, 상기 모노머 단위(a-1)∼(a-3) 이외의 모노머 단위로서, 굴절율의 관점에서, 방향환을 갖는 모노머 단위(a-4)를 갖는 것이 바람직하다.The component A is preferably a monomer unit other than the monomer units (a-1) to (a-3) and has a monomer unit (a-4) having an aromatic ring from the viewpoint of refractive index.

상기 모노머 단위(a-4)를 형성하는 모노머로서는, 예를 들면, 스티렌류, 방향환을 갖는 (메타)아크릴산에스테르류 등을 들 수 있다.Examples of the monomer forming the monomer unit (a-4) include styrenes and (meth) acrylic acid esters having an aromatic ring.

이들 중에서도, 스티렌 유래의 모노머 단위를 바람직하게 들 수 있다.Of these, monomer units derived from styrene are preferable.

(a-5) 그 외의 모노머 단위(a-5) Other monomer units

성분A는, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에서, 상기 모노머 단위(a-1)∼(a-4) 이외의 모노머 단위(a-5)를 갖고 있어도 된다.The component A may have monomer units (a-5) other than the monomer units (a-1) to (a-4) within the range that does not impair the effect of the present invention.

모노머 단위(a-5)를 형성하기 위해 사용할 수 있는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면, 일본 특개2004-264623호 공보의 단락 0021∼0024에 기재된 화합물을 들 수 있다(단, 상술의 모노머 단위(a-1)∼(a-4)를 형성하는 모노머를 제외한다).Examples of the radically polymerizable monomer that can be used to form the monomer unit (a-5) include the compounds described in paragraphs 0021 to 0024 of JP-A-2004-264623 (provided that the monomer units (a-1) to (a-4).

또한, 이하에 기재하는 화합물 등도 들 수 있다.Further, the compounds described below and the like are also exemplified.

폴리옥시알킬렌쇄 함유 (메타)아크릴레이트 모노머로서는, 예를 들면, 에틸렌옥사이드 변성 크레졸아크릴레이트(상품명 : 아로닉스TO-901), 에틸렌옥사이드 변성 도데실아크릴레이트(상품명 : 아로닉스TO-950), 에틸렌옥사이드 변성 트리데실아크릴레이트(상품명 : 아로닉스TO-951), 2-에틸헥실폴리에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명 : 아로닉스TO-946), 2-에틸헥실폴리에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명 : 아로닉스TO-947), 2-에틸헥실폴리에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명 : 아로닉스TO-948), 2-에틸헥실폴리에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명 : 아로닉스TO-949), 이상 도아고세이(주)제; Examples of the polyoxyalkylene chain-containing (meth) acrylate monomer include ethylene oxide-modified cresol acrylate (Aronix TO-901), ethylene oxide modified dodecyl acrylate (Aronix TO-950) Ethylhexyl polyethylene glycol acrylate (trade name: Aronix TO-946), 2-ethylhexyl polyethylene glycol acrylate (trade name: ARONIX TO- 947), 2-ethylhexylpolyethylene glycol acrylate (Aronix TO-948), 2-ethylhexyl polyethylene glycol acrylate (Aronix TO-949), manufactured by Soko Dojo Kosei;

에톡시-디에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명 : 라이트아크릴레이트EC-A), 메톡시-트리에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명 : 라이트아크릴레이트MTG-A), 메톡시-폴리에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명 : 라이트아크릴레이트130A), 페녹시기-폴리에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명 : 라이트아크릴레이트P-200A), 노닐페닐-폴리옥시에틸렌쇄 부가물 아크릴레이트(상품명 : 라이트아크릴레이트NP-4EA), 노닐페닐-폴리옥시에틸렌쇄 부가물 아크릴레이트(상품명 : 라이트아크릴레이트NP-8EA), 이상 교에이샤가가쿠(주)제; (Trade name: LIGHT ACRYLATE EC-A), methoxy-triethylene glycol acrylate (trade name: light acrylate MTG-A), methoxy-polyethylene glycol acrylate (Trade name: LIGHT ACRYLATE NP-4EA), nonylphenyl-polyoxyethylene (trade name: LIGHT ACRYLATE P-200A), nonylphenyl-polyoxyethylene chain adduct acrylate Chain adduct acrylate (trade name: LIGHT ACRYLATE NP-8EA), manufactured by Ishigakagaku Corporation;

폴리에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명 : 블렘머AE-350), 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명 : 블렘머PE-90), 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명 : 블렘머PE-200), 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명 : 블렘머PE-350), 메톡시폴리에틸렌글리콜 모노아크릴레이트(상품명 : 블렘머AME-400), 메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명 : 블렘머PME-100), 메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명 : 블렘머PME-200), 메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명 : 블렘머PME-400), 폴리프로필렌글리콜메타크릴레이트(상품명 : 블렘머PP-500), 폴리프로필렌글리콜메타크릴레이트(상품명 : 블렘머PP-800), 폴리에틸렌글리콜폴리프로필렌글리콜메타크릴레이트(상품명 : 블렘머70PEP-370B), 폴리에틸렌글리콜폴리테트라메틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명 : 블렘머50PET-800), 옥톡시폴리에틸렌글리콜폴리프로필렌글리콜 모노메타크릴레이트(상품명 : 블렘머50POEP-800B), 옥톡시폴리에틸렌글리콜폴리옥시프로필렌글리콜 모노메타크릴레이트(상품명 : 블렘머50AOEP-800B), 이상, 니혼유시(주)제; (Trade name: Blemmer PE-200), polyethylene glycol methacrylate (trade name: Blemmer PE-90), polyethylene glycol methacrylate (trade name: Blemmer AE-350), polyethylene glycol methacrylate (Trade name: Blemmer PE-350), methoxypolyethylene glycol monoacrylate (trade name: Blemmer AME-400), methoxypolyethylene glycol methacrylate (trade name: Blemmer PME-100), methoxypolyethylene glycol methacrylate (Trade name: Blemmer PME-200), methoxypolyethylene glycol methacrylate (trade name: Blemmer PME-400), polypropylene glycol methacrylate (trade name: Blemmer PP-500), polypropylene glycol methacrylate (Blemmer PP-800), polyethylene glycol polypropylene glycol methacrylate (Blemmer 70PEP-370B), polyethylene glycol polytetramethylene glycol methacrylate (trade name: : Blemmer 50PET-800), octoxypolyethylene glycol polypropylene glycol monomethacrylate (Blemmer 50POEP-800B), octoxypolyethylene glycol polyoxypropylene glycol monomethacrylate (trade name: Blemmer 50AOEP-800B) , Manufactured by Nippon Oil &amp;

메톡시디에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명 : NK에스테르M-20G), 메톡시디에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명 : NK에스테르M-40G), 메톡시디에틸렌글리콜메타크릴레이트(상품명 : NK에스테르M-90G), 페녹시디에틸렌글리콜아크릴레이트(상품명 : NK에스테르AMP-20G), 이상 신나카무라가가쿠고교(주)제, 등을 들 수 있다.(Trade name: NK Ester M-90G), methoxyethyleneglycol methacrylate (trade name: NK Ester M-20G), methoxydiethylene glycol methacrylate (trade name: NK Ester M- , Phenoxyethylene glycol acrylate (trade name: NK ester AMP-20G), and Shin-Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd., and the like.

중에서도, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트가 바람직하다. 성분A는, 모노머 단위(a-5)를 1종 단독으로 갖고 있어도, 2종류 이상을 갖고 있어도 된다.Of these, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and dicyclopentanyl (meth) acrylate are preferable. The component A may have one monomer unit (a-5) alone or two or more different monomer units (a-5).

성분A에 있어서의 모노머 단위(a-5)의 함유량은, 성분A의 전 모노머 단위에 대하여, 0∼40몰%인 것이 바람직하다.The content of the monomer unit (a-5) in the component A is preferably 0 to 40 mol% based on the total monomer units of the component A.

또한, 성분A가 모노머 단위(a-5)를 포함하는 경우에는, 성분A에 있어서의 모노머 단위(a5)의 함유량은, 성분A의 전 모노머 단위에 대하여, 1∼40몰%가 바람직하고, 5∼30몰%가 보다 바람직하고, 5∼25몰%가 특히 바람직하다.When the component A contains the monomer unit (a-5), the content of the monomer unit (a5) in the component A is preferably from 1 to 40 mol% based on the total monomer units of the component A, , More preferably from 5 to 30 mol%, and particularly preferably from 5 to 25 mol%.

또한, 성분A가 갖는 각 모노머 단위를 도입하는 방법은, 중합법이어도 되며, 고분자 반응법이어도 되며, 이들의 2방법을 병용해도 된다. 성분A는, 상기 수지 조성물에 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The method of introducing each monomer unit of the component A may be either a polymerization method or a polymer reaction method, and these two methods may be used in combination. The component A may be used alone or in combination of two or more kinds in the resin composition.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 성분A의 함유량은, 수지 조성물의 전 고형분에 대하여, 20∼99중량%인 것이 바람직하고, 40∼97중량%인 것이 보다 바람직하고, 60∼95중량%인 것이 더 바람직하다. 함유량이 이 범위이면, 현상했을 때의 패턴 형성성이 양호하게 되고, 또한, 보다 고굴절율의 경화물을 얻을 수 있다. 또, 수지 조성물의 고형분량이란, 용제 등의 휘발성 성분을 제외한 양을 나타낸다.The content of the component A in the resin composition of the present invention is preferably 20 to 99% by weight, more preferably 40 to 97% by weight, and more preferably 60 to 95% by weight, based on the total solid content of the resin composition More preferable. When the content is within this range, pattern formation property upon development can be improved, and a cured product having a higher refractive index can be obtained. The solid content of the resin composition means an amount excluding volatile components such as a solvent.

또, 본 발명의 수지 조성물 중에서는, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에서 성분A 이외의 수지를 병용해도 된다. 단, 성분A 이외의 수지의 함유량은, 성분A의 함유량보다 적은 편이 바람직하다.In the resin composition of the present invention, a resin other than the component A may be used in combination within the range not impairing the effect of the present invention. However, the content of the resin other than the component A is preferably smaller than the content of the component A.

(성분B) 입자(Component B) particles

본 발명의 수지 조성물은, 굴절율을 조절하는 것을 목적으로서, 입자를 포함한다.The resin composition of the present invention includes particles for the purpose of controlling the refractive index.

이 입자는, 당해 입자를 제외한 재료로 이루어지는 수지 조성물의 굴절율보다 굴절율이 높은 것이 바람직하고, 구체적으로는, 400∼750㎚의 파장을 갖는 광에 있어서의 굴절율이 1.50 이상의 입자가 보다 바람직하고, 굴절율이 1.70 이상의 입자가 더 바람직하고, 1.90 이상의 입자가 특히 바람직하다.The particles preferably have a higher refractive index than the refractive index of the resin composition made of a material excluding the particles. More specifically, particles having a refractive index of 1.50 or more in light having a wavelength of 400 to 750 nm are more preferable, More preferably 1.70 or more, and particularly preferably 1.90 or more.

여기에서, 400∼750㎚의 파장을 갖는 광에 있어서의 굴절율이 1.50 이상이다란, 상기 범위의 파장을 갖는 광에 있어서의 평균 굴절율이 1.50 이상인 것을 의미하고, 상기 범위의 파장을 갖는 모든 광에 있어서의 굴절율이 1.50 이상인 것을 요하지 않는다. 또한, 평균 굴절율은, 상기 범위의 파장을 갖는 각 광에 대한 굴절율의 측정값의 총합을, 측정점의 수로 나눈 값이다.Here, the refractive index in the light having a wavelength of 400 to 750 nm is 1.50 or more, which means that the average refractive index in the light having the wavelength in the above range is 1.50 or more. Refractive index of 1.50 or more is not required. The average refractive index is a value obtained by dividing the sum of measured values of the refractive index for each light having the wavelength in the above range by the number of measurement points.

이러한 높은 굴절율을 갖는 입자로서는, 예를 들면, 무기 산화물 입자 등의 무기 입자나 유기 입자, 유기 재료와 무기 재료의 하이브리드 입자 등을 예시할 수 있다. 중에서도, 투명성이 높고 광투과성을 갖으므로 무기 산화물 입자가 바람직하다.Examples of the particles having such a high refractive index include inorganic particles such as inorganic oxide particles, organic particles, and hybrid particles of an organic material and an inorganic material. Among them, inorganic oxide particles are preferable because of high transparency and light transmittance.

광투과성이며 굴절율이 높은 무기 산화물 입자로서는, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, Ce, Gd, Tb, Dy, Yb, Lu, Ti, Zr, Hf, Nb, Mo, W, Zn, B, Al, Si, Ge, Sn, Pb, Bi, Te 등의 원자를 포함하는 산화물 입자가 바람직하고, 산화티탄, 산화아연, 산화지르코늄, 인듐/주석산화물, 안티몬/주석산화물이 보다 바람직하고, 산화티탄이 특히 바람직하다. 산화티탄으로서는, 특히 굴절율이 높은 루틸형이 바람직하다. 이들 무기 입자는, 분산 안정성 부여를 위해 표면을 유기 재료로 처리할 수도 있다.As the inorganic oxide particles having high light transmittance and high refractive index, particles of Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, Ce, Gd, Tb, Dy, Yb, Lu, Ti, Zr, Hf, Oxide particles containing atoms such as Zn, B, Al, Si, Ge, Sn, Pb, Bi and Te are preferable and titanium oxide, zinc oxide, zirconium oxide, indium / tin oxide and antimony / And titanium oxide is particularly preferable. As the titanium oxide, a rutile type having a high refractive index is particularly preferable. These inorganic particles may be treated with an organic material to impart dispersion stability.

수지 조성물의 투명성을 저하시키지 않기 위해서는, 이들 입자의 1차 입자경은, 1∼350㎚가 바람직하고, 3∼100㎚가 특히 바람직하다. 여기에서 입자의 1차 입자경은, 전자 현미경에 의해 임의의 입자 200개의 입자경을 측정하고, 그 산술 평균을 말한다. 또한, 입자의 형상이 구형이 아닌 경우에는, 가장 긴 변을 경(徑)으로 한다.In order not to lower the transparency of the resin composition, the primary particle size of these particles is preferably from 1 to 350 nm, particularly preferably from 3 to 100 nm. Here, the primary particle size of the particles refers to the arithmetic mean of 200 particle diameters of arbitrary particles measured by an electron microscope. When the shape of the particle is not spherical, the longest side is a diameter.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 상기 범위의 파장을 갖는 광에 있어서 1.50 이상의 굴절율을 갖는 입자의 함유량은, 수지 조성물에 의해 얻어지는 광학 부재에 요구되는 굴절율이나, 광투과성 등을 고려하여, 적의 결정하면 되지만, 수지 조성물의 전 고형분에 대하여, 5∼80중량%로 하는 것이 바람직하고, 20∼70중량%로 하는 것이 보다 바람직하다.In the resin composition of the present invention, the content of the particles having the refractive index of 1.50 or more in the light having the wavelength in the above-mentioned range is preferably determined in consideration of the refractive index, light transmittance and the like required for the optical member obtained by the resin composition However, it is preferably 5 to 80% by weight, more preferably 20 to 70% by weight, based on the total solid content of the resin composition.

본 발명에 있어서, 입자는, 적당한 분산제 및 용매 중에서 볼밀, 로드밀 등의 혼합 장치를 사용하여 혼합·분산하는 것에 의해 조제된 분산액으로서 사용에 제공할 수도 있다.In the present invention, the particles may be provided for use as a dispersion prepared by mixing and dispersing a suitable dispersant and a solvent in a mixing device such as a ball mill or a rod mill.

상기 분산액의 조제에 사용되는 용매로서는, 예를 들면, 후술하는 (성분C) 용제의 외, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, 2-메틸-2-프로판올, 1-펜탄올, 2-펜탄올, 3-펜탄올, 3-메틸-1-부탄올, 2-메틸-2-부탄올, 네오펜탄올, 시클로펜탄올, 1-헥산올, 시클로헥산올 등의 알코올류 등을 들 수 있다.Examples of the solvent used in the preparation of the dispersion include, in addition to the solvent (Component C) described below, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2- Alcohols such as pentanol, 2-pentanol, 3-pentanol, 3-methyl-1-butanol, 2-methyl-2-butanol, neopentanol, cyclopentanol, 1-hexanol and cyclohexanol .

분산제로서는, 후술하는 (성분G) 분산제에 기재된 것이 바람직하게 예시할 수 있다.As the dispersing agent, those described in the following (component G) dispersing agent can be preferably exemplified.

이들의 용매는, 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These solvents may be used singly or in combination of two or more.

(성분C) 용제(Component C) Solvent

본 발명의 수지 조성물은, (성분C) 용제를 함유한다.The resin composition of the present invention contains (Component C) a solvent.

본 발명의 수지 조성물은, 성분A 및 성분B, 및, 그 외의 후술의 각종 첨가제의 임의 성분을, (성분C) 용제에 용해 또는 분산된 용액으로서 조제되는 것이 바람직하다.It is preferable that the resin composition of the present invention is prepared as a solution in which the component A and the component B and any other components of the various additives described below are dissolved or dispersed in the (Component C) solvent.

본 발명의 수지 조성물에 사용되는 (성분C) 용제로서는, 공지의 용제를 사용할 수 있고, 에틸렌글리콜 모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜 모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜 모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜 모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜 모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜 모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜 모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다.As the solvent (component C) used in the resin composition of the present invention, known solvents can be used, and examples thereof include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers Propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, Dipropylene glycol monoalkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, and the like.

상기한 용제 중, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 및/또는, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트가 바람직하고, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트가 특히 바람직하다.Of these solvents, diethylene glycol ethyl methyl ether and / or propylene glycol monomethyl ether acetate are preferable, and propylene glycol monomethyl ether acetate is particularly preferable.

본 발명에 사용할 수 있는 용제는, 1종 단독으로 사용해도, 2종을 병용해도 된다.The solvent which can be used in the present invention may be used singly or in combination.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (성분C) 용제의 함유량은, 성분A의 함유량 100중량부당, 50∼3,000중량부인 것이 바람직하고, 100∼2,000중량부인 것이 보다 바람직하고, 150∼1,500중량부인 것이 더 바람직하다.The content of the (component C) solvent in the resin composition of the present invention is preferably 50 to 3,000 parts by weight, more preferably 100 to 2,000 parts by weight, and most preferably 150 to 1,500 parts by weight per 100 parts by weight of the content of the component A More preferable.

(성분D) 광산 발생제(Component D) Photoacid generator

본 발명의 수지 조성물을 감광성 수지 조성물로서 사용하는 경우, 본 발명의 수지 조성물은, (성분D) 광산 발생제를 함유하는 것이 바람직하다.When the resin composition of the present invention is used as a photosensitive resin composition, the resin composition of the present invention preferably contains (Component D) a photoacid generator.

성분D로서는, 파장 300㎚ 이상, 바람직하게는 파장 300∼450㎚의 활성 광선에 감응하고, 산을 발생하는 화합물이 바람직하지만, 그 화학 구조에 제한되는 것은 아니다. 또한, 파장 300㎚ 이상의 활성 광선에 직접 감응하지 않는 광산 발생제에 대하여도, 증감제와 병용하는 것에 의해 파장 300㎚ 이상의 활성 광선에 감응하고, 산을 발생하는 화합물이면, 증감제와 조합하여 바람직하게 사용할 수 있다.As the component D, a compound which responds to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, preferably a wavelength of 300 to 450 nm and generates an acid is preferable, but it is not limited to the chemical structure. In the case of a photoacid generator which does not directly react with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, it is preferably used in combination with a sensitizer in combination with a sensitizer so long as it is sensitive to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more and generates an acid Can be used.

성분D로서는, pKa가 4 이하의 산을 발생하는 광산 발생제가 바람직하고, pKa가 3 이하의 산을 발생하는 광산 발생제가 보다 바람직하다.As the component D, a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 4 or less is preferable, and a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 3 or less is more preferable.

광산 발생제의 예로서, 트리클로로메틸-s-트리아진류, 설포늄염이나 요오드늄염, 제4급 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미드설포네이트 화합물, 및, 옥심설포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 고감도인 관점에서, 옥심설포네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광산 발생제는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the photoacid generator include trichloromethyl-s-triazine, sulfonium salts and iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imide sulfonate compounds and oxime sulfonate compounds . Of these, oxime sulfonate compounds are preferably used from the viewpoint of high sensitivity. These photoacid generators may be used alone or in combination of two or more.

이들의 구체예로서는, 이하를 예시할 수 있다.Specific examples thereof include the following.

트리클로로메틸-s-트리아진류로서, 2-(3-클로로페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메틸티오페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시-β-스티릴)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-피페로닐-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 또는, 2-(4-메톡시나프틸)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진 등.As trichloromethyl-s-triazines, 2- (3-chlorophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -S-triazine, 2- (4-methylthiophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) Triazine, 2-piperonyl-bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (furan- (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethenyl] -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, or 2- (4-methylphenyl) ethenyl] -bis Naphthyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine and the like.

디아릴요오드늄염류로서, 디페닐요오드늄트리플루오로아세테이트, 디페닐요오드늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄트리플루오로아세테이트, 페닐-4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오드늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오드늄헥사플루오로안티모네이트, 또는, 페닐-4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오드늄p-톨루엔설포네이트 등.As the diaryliodonium salts, diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium trifluoromethane sulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoromethane sulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium (2'-hydroxy-1'-tetradecarboxy) phenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, phenyl 4- (2'-hydroxy-1'- Iodonium hexafluoroantimonate, or phenyl-4- (2'-hydroxy-1'-tetradecarboxy) phenyliodonium p-toluenesulfonate.

트리아릴설포늄염류로서, 트리페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 트리페닐설포늄트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄트리플루오로아세테이트, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 또는, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄트리플루오로아세테이트 등.As the triarylsulfonium salts, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenyl Sulfonium trifluoroacetate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethane sulfonate, or 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate.

제4급 암모늄염류로서, 테트라메틸암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)보레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)보레이트 등.Examples of the quaternary ammonium salts include tetramethylammonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (p-chlorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) (P-chlorophenyl) borate, benzyldimethylphenylammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) borate, and the like can be used. .

디아조메탄 유도체로서, 비스(시클로헥실설포닐)디아조메탄, 비스(t-부틸설포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔설포닐)디아조메탄 등.Diazomethane derivatives such as bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (t-butylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane and the like.

이미드설포네이트 유도체로서, 트리플루오로메틸설포닐옥시비시클로 [2.2.1]헵트-5-엔-디카르복시이미드, 숙신이미드트리플루오로메틸설포네이트, 프탈이미드트리플루오로메틸설포네이트, N-히드록시나프탈이미드메탄설포네이트, N-히드록시-5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드프로판설포네이트 등.As the imide sulfonate derivative, trifluoromethylsulfonyloxybicyclo [2.2.1] hept-5-ene-dicarboxyimide, succinimide trifluoromethylsulfonate, phthalimide trifluoromethylsulfonate , N-hydroxynaphthalimide methanesulfonate, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboxyimidopropane sulfonate, and the like.

본 발명의 수지 조성물은, 감도의 관점에서, 성분D로서, 하기 식(1)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기의 적어도 1개를 갖는 옥심설포네이트 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 또, 파선 부분은, 다른 화학 구조와의 결합 위치를 나타낸다.The resin composition of the present invention preferably contains, as the component D, an oxime sulfonate compound having at least one oxime sulfonate moiety represented by the following formula (1) from the viewpoint of sensitivity. The broken line indicates the bonding position with other chemical structures.

Figure 112012033313774-pat00009
Figure 112012033313774-pat00009

상기 식(1)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기의 적어도 1개를 갖는 옥심설포네이트 화합물은, 하기 식(2)으로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.The oxime sulfonate compound having at least one of the oxime sulfonate moieties represented by the above formula (1) is preferably a compound represented by the following formula (2).

R1A-C(R2A)=N-O-SO2-R3A (2) R 1A -C (R 2A) = NO-SO 2 -R 3A (2)

식(2) 중, R1A는, 탄소 원자수 1∼6의 알킬기, 탄소 원자수 1∼4의 할로겐화알킬기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 2-푸릴기, 2-티에닐기, 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기 또는 시아노기를 나타낸다. R1A가, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기인 경우, 이들의 기는, 할로겐 원자, 수산기, 탄소 원자수 1∼4의 알킬기, 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기 및 니트로기로 이루어지는 군에서 선택된 치환기에 의해 치환되어 있어도 된다.In formula (2), R 1A represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a 2-furyl group, An alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or a cyano group. When R 1A is a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group, these groups may be the same or different from the group consisting of a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, And may be substituted by a selected substituent.

식(2) 중, R2A는, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시기, W로 치환되어 있어도 되는 페닐기, W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기, 디알킬아미노기, 모르폴리노기, 또는 시아노기를 나타낸다. R2A와 R1A는 서로 결합하여 5원환 또는 6원환을 형성해도 되며, 상기 5원환 또는 6원환은 1개 또는 2개의 임의의 치환기를 가져도 되는 벤젠환과 결합하고 있어도 된다.In formula (2), R 2A represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, A phenylene group which may be substituted with W, a naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl, dialkylamino, morpholino or cyano group which may be substituted with W, R 2A and R 1A may be bonded to each other to form a 5-membered ring or a 6-membered ring, and the 5-membered ring or 6-membered ring may be bonded to a benzene ring which may have 1 or 2 arbitrary substituents.

식(2) 중, R3A는, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시기, W로 치환되어 있어도 되는 페닐기, W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기를 나타낸다. W는, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시기를 나타낸다.In formula (2), R 3A represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, A phenyl group which may be substituted with W, a naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl group which may be substituted with W, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms Lt; / RTI &gt;

R1A로 나타내는 탄소 원자수 1∼6의 알킬기는, 직쇄 또는 분기쇄 알킬기여도 되며, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소아밀기, n-헥실기, 또는 2-에틸부틸기를 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 1A may be a linear or branched alkyl group and includes, for example, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, sec- An n-pentyl group, an isoamyl group, an n-hexyl group, or a 2-ethylbutyl group.

R1A로 나타내는 탄소 원자수 1∼4의 할로겐화알킬기로서는, 예를 들면, 클로로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리플루오로메틸기, 또는 2-브로모프로필기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1A include a chloromethyl group, a trichloromethyl group, a trifluoromethyl group, and a 2-bromopropyl group.

R1A로 나타내는 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기로서는, 메톡시기 또는 에톡시기를 들 수 있다.Examples of the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1A include methoxy group and ethoxy group.

R1A가, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기를 나타내는 경우, 이들의 기는, 할로겐 원자(예를 들면, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 등), 수산기, 탄소 원자수 1∼4의 알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기), 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기(예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기) 및 니트로기로 이루어지는 군에서 선택된 치환기에 의해 치환되어 있어도 된다.When R 1 A represents a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group, these groups may be substituted with a halogen atom (e.g., a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc.), a hydroxyl group, Butyl group, a tert-butyl group), an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms (for example, a methoxy group, an isopropoxy group, an isopropoxy group, Ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group) and nitro group.

R2A로 나타내는 탄소 원자수 1∼10의 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-아밀기, i-아밀기, s-아밀기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 2A include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i- an n-hexyl group, an n-heptyl group, an n-octyl group, an n-nonyl group, a n-decyl group and the like.

R2A로 나타내는 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기의 구체예로서는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, n-아밀옥시기, n-옥틸옥시기, n-데실옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 2A include methoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propoxy, n-butoxy, A n-decyloxy group, and the like.

R2A로 나타내는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기의 구체예로서는, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, 퍼플루오로-n-아밀기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 2A include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoro-n-propyl group, a perfluoro-n-butyl group, - Amyl group.

R2A로 나타내는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시기의 구체예로서는, 트리플루오로메톡시기, 펜타플루오로에톡시기, 퍼플루오로-n-프로폭시기, 퍼플루오로-n-부톡시기, 퍼플루오로-n-아밀옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 2A include a trifluoromethoxy group, a pentafluoroethoxy group, a perfluoro-n-propoxy group, a perfluoro-n-butoxy group, Perfluoro-n-amyloxy group, and the like.

R2A로 나타내는 W로 치환되어 있어도 되는 페닐기의 구체예로서는, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, o-에틸페닐기, m-에틸페닐기, p-에틸페닐기, p-(n-프로필)페닐기, p-(i-프로필)페닐기, p-(n-부틸)페닐기, p-(i-부틸)페닐기, p-(s-부틸)페닐기, p-(t-부틸)페닐기, p-(n-아밀)페닐기, p-(i-아밀)페닐기, p-(t-아밀)페닐기, o-메톡시페닐기, m-메톡시페닐기, p-메톡시페닐기, o-에톡시페닐기, m-에톡시페닐기, p-에톡시페닐기, p-(n-프로폭시)페닐기, p-(i-프로폭시)페닐기, p-(n-부톡시)페닐기, p-(i-부톡시)페닐기, p-(s-부톡시)페닐기, p-(t-부톡시)페닐기, p-(n-아밀옥시)페닐기, p-(i-아밀옥시)페닐기, p-(t-아밀옥시)페닐기, p-클로로페닐기, p-브로모페닐기, p-플루오로페닐기, 2,4-디클로로페닐기, 2,4-디브로모페닐기, 2,4-디플루오로페닐기, 2,4,6-디클로로페닐기, 2,4,6-트리브로모페닐기, 2,4,6-트리플루오로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타브로모페닐기, 펜타플루오로페닐기, p-비페니릴기 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenyl group which may be substituted with W represented by R 2A include o-tolyl, m-tolyl, p-tolyl, o-ethylphenyl, m- Propyl) phenyl group, p- (n-butyl) phenyl group, p- (i- butyl) phenyl group, (o-amyl) phenyl group, o- methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, o-ethoxyphenyl group, (n-butoxy) phenyl group, p- (i-butoxy) phenyl group, p- (T-amyloxy) phenyl group, p- (i-amyloxy) phenyl group, p- (t-butoxy) phenyl group, Phenyl group, p-chlorophenyl group, p-bromophenyl group, p-fluorophenyl group, 2,4-dichlorophenyl group, 2,4-dibromophenyl group, 2,4-difluorophenyl group, Dichlorophenyl group, 2,4,6-tribromophenyl group, 2,4,6- A trifluorophenyl group, a pentachlorophenyl group, a pentabromophenyl group, a pentafluorophenyl group, and a p-biphenylyl group.

R2A로 나타내는 W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기의 구체예로서는, 2-메틸-1-나프틸기, 3-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 5-메틸-1-나프틸기, 6-메틸-1-나프틸기, 7-메틸-1-나프틸기, 8-메틸-1-나프틸기, 1-메틸-2-나프틸기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-2-나프틸기, 5-메틸-2-나프틸기, 6-메틸-2-나프틸기, 7-메틸-2-나프틸기, 8-메틸-2-나프틸기 등을 들 수 있다.Specific examples of the naphthyl group which may be substituted with W represented by R 2A include a 2-methyl-1-naphthyl group, a 3-methyl-1-naphthyl group, Methyl-1-naphthyl group, 1-methyl-2-naphthyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl Methyl-2-naphthyl group, 6-methyl-2-naphthyl group, 7-methyl-2-naphthyl group and 8-methyl-2-naphthyl group.

R2A로 나타내는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기의 구체예로서는, 2-메틸-1-안트라닐기, 3-메틸-1-안트라닐기, 4-메틸-1-안트라닐기, 5-메틸-1-안트라닐기, 6-메틸-1-안트라닐기, 7-메틸-1-안트라닐기, 8-메틸-1-안트라닐기, 9-메틸-1-안트라닐기, 10-메틸-1-안트라닐기, 1-메틸-2-안트라닐기, 3-메틸-2-안트라닐기, 4-메틸-2-안트라닐기, 5-메틸-2-안트라닐기, 6-메틸-2-안트라닐기, 7-메틸-2-안트라닐기, 8-메틸-2-안트라닐기, 9-메틸-2-안트라닐기, 10-메틸-2-안트라닐기 등을 들 수 있다.Specific examples of the anthranyl group optionally substituted by W represented by R 2A include a 2-methyl-1-anthranyl group, a 3-methyl-1-anthranyl group, a 4-methyl- Methyl-1-anthranyl, 7-methyl-1-anthranyl, 8-methyl-1-anthranyl, Anthranyl group, 6-methyl-2-anthranyl group, 7-methyl-2-anthranyl group, , 8-methyl-2-anthranyl group, 9-methyl-2-anthranyl group and 10-methyl-2-anthranyl group.

R2A로 나타내는 디알킬아미노기로서는, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디프로필아미노기, 디부틸아미노기, 디페닐아미노기 등을 들 수 있다. Examples of the dialkylamino group represented by R 2A include a dimethylamino group, a diethylamino group, a dipropylamino group, a dibutylamino group, and a diphenylamino group.

R3A로 나타내는 탄소 원자수 1∼10의 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-아밀기, i-아밀기, s-아밀기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 3A include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i- an n-hexyl group, an n-heptyl group, an n-octyl group, an n-nonyl group, a n-decyl group and the like.

R3A로 나타내는 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기의 구체예로서는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, n-아밀옥시기, n-옥틸옥시기, n-데실옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 3A include methoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propoxy, n-butoxy, A n-decyloxy group, and the like.

R3A로 나타내는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기의 구체예로서는, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, 퍼플루오로-n-아밀기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 3A include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoro-n-propyl group, a perfluoro-n-butyl group, a perfluoro-n - Amyl group.

R3A로 나타내는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시기의 구체예로서는, 트리플루오로메톡시기, 펜타플루오로에톡시기, 퍼플루오로-n-프로폭시기, 퍼플루오로-n-부톡시기, 퍼플루오로-n-아밀옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 3A include a trifluoromethoxy group, a pentafluoroethoxy group, a perfluoro-n-propoxy group, a perfluoro-n-butoxy group, Perfluoro-n-amyloxy group, and the like.

R3A로 나타내는 W로 치환되어 있어도 되는 페닐기의 구체예로서는, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, o-에틸페닐기, m-에틸페닐기, p-에틸페닐기, p-(n-프로필)페닐기, p-(i-프로필)페닐기, p-(n-부틸)페닐기, p-(i-부틸)페닐기, p-(s-부틸)페닐기, p-(t-부틸)페닐기, p-(n-아밀)페닐기, p-(i-아밀)페닐기, p-(t-아밀)페닐기, o-메톡시페닐기, m-메톡시페닐기, p-메톡시페닐기, o-에톡시페닐기, m-에톡시페닐기, p-에톡시페닐기, p-(n-프로폭시)페닐기, p-(i-프로폭시)페닐기, p-(n-부톡시)페닐기, p-(i-부톡시)페닐기, p-(s-부톡시)페닐기, p-(t-부톡시)페닐기, p-(n-아밀옥시)페닐기, p-(i-아밀옥시)페닐기, p-(t-아밀옥시)페닐기, p-클로로페닐기, p-브로모페닐기, p-플루오로페닐기, 2,4-디클로로페닐기, 2,4-디브로모페닐기, 2,4-디플루오로페닐기, 2,4,6-디클로로페닐기, 2,4,6-트리브로모페닐기, 2,4,6-트리플루오로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타브로모페닐기, 펜타플루오로페닐기, p-비페니릴기 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenyl group which may be substituted with W represented by R 3A include an o-tolyl group, an m-tolyl group, a p-tolyl group, an o-ethylphenyl group, a m-ethylphenyl group, Propyl) phenyl group, p- (n-butyl) phenyl group, p- (i- butyl) phenyl group, (o-amyl) phenyl group, o- methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, o-ethoxyphenyl group, (n-butoxy) phenyl group, p- (i-butoxy) phenyl group, p- (T-amyloxy) phenyl group, p- (i-amyloxy) phenyl group, p- (t-butoxy) phenyl group, Phenyl group, p-chlorophenyl group, p-bromophenyl group, p-fluorophenyl group, 2,4-dichlorophenyl group, 2,4-dibromophenyl group, 2,4-difluorophenyl group, Dichlorophenyl group, 2,4,6-tribromophenyl group, 2,4,6- A trifluorophenyl group, a pentachlorophenyl group, a pentabromophenyl group, a pentafluorophenyl group, and a p-biphenylyl group.

R3A로 나타내는 W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기의 구체예로서는, 2-메틸-1-나프틸기, 3-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 5-메틸-1-나프틸기, 6-메틸-1-나프틸기, 7-메틸-1-나프틸기, 8-메틸-1-나프틸기, 1-메틸-2-나프틸기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-2-나프틸기, 5-메틸-2-나프틸기, 6-메틸-2-나프틸기, 7-메틸-2-나프틸기, 8-메틸-2-나프틸기 등을 들 수 있다.Specific examples of the naphthyl group which may be substituted with W represented by R 3A include a 2-methyl-1-naphthyl group, a 3-methyl-1-naphthyl group, a 4-methyl- Methyl-1-naphthyl group, 1-methyl-2-naphthyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl Methyl-2-naphthyl group, 6-methyl-2-naphthyl group, 7-methyl-2-naphthyl group and 8-methyl-2-naphthyl group.

R3A로 나타내는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기의 구체예로서는, 2-메틸-1-안트라닐기, 3-메틸-1-안트라닐기, 4-메틸-1-안트라닐기, 5-메틸-1-안트라닐기, 6-메틸-1-안트라닐기, 7-메틸-1-안트라닐기, 8-메틸-1-안트라닐기, 9-메틸-1-안트라닐기, 10-메틸-1-안트라닐기, 1-메틸-2-안트라닐기, 3-메틸-2-안트라닐기, 4-메틸-2-안트라닐기, 5-메틸-2-안트라닐기, 6-메틸-2-안트라닐기, 7-메틸-2-안트라닐기, 8-메틸-2-안트라닐기, 9-메틸-2-안트라닐기, 10-메틸-2-안트라닐기 등을 들 수 있다.Specific examples of the anthranyl group optionally substituted by W represented by R 3A include a 2-methyl-1-anthranyl group, a 3-methyl-1-anthranyl group, a 4-methyl- Methyl-1-anthranyl, 7-methyl-1-anthranyl, 8-methyl-1-anthranyl, Anthranyl group, 6-methyl-2-anthranyl group, 7-methyl-2-anthranyl group, , 8-methyl-2-anthranyl group, 9-methyl-2-anthranyl group and 10-methyl-2-anthranyl group.

W로 나타내는 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기, 및, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시의 구체예로서는, R2A 또는 R3A로 나타내는 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기, 및 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시기의 구체예로서 든 것과 같은 것을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by W, the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and the alkoxy halide having 1 to 5 carbon atoms include R 2A or Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 3A , the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms The same can be said.

R2A와 R1A는 서로 결합하여 5원환 또는 6원환을 형성해도 된다.R 2A and R 1A may combine with each other to form a 5-membered or 6-membered ring.

R2A와 R1A가 서로 결합하여 5원환 또는 6원환을 형성하는 경우, 상기 5원환 또는 6원환으로서는, 탄소환식기 및 복소환식 환기를 들 수 있고, 예를 들면, 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로헵탄, 피롤, 푸란, 티오펜, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 피란, 피리딘, 피라진, 모르폴린, 피페리딘 또는 피페라진환이면 된다. 상기 5원환 또는 6원환은, 임의의 치환기를 가져도 되는 벤젠환과 결합하고 있어도 되며, 그 예로서는, 테트라히드로나프탈렌, 디히드로안트라센, 인덴, 크로만, 플루오렌, 크산텐 또는 티오크산텐환계를 들 수 있다. 상기 5원환 또는 6원환은, 카르보닐기를 포함해도 되며, 그 예로서는, 시클로헥사디에논, 나프탈레논 및 안트론환계를 들 수 있다.When R 2A and R 1A are bonded to each other to form a 5-membered ring or a 6-membered ring, examples of the 5-membered ring or 6-membered ring include a carbocyclic group and a heterocyclic ring. Examples thereof include cyclopentane, cyclohexane, For example, heptane, pyrrole, furan, thiophene, imidazole, oxazole, thiazole, pyran, pyridine, pyrazine, morpholine, piperidine or piperazine ring. The 5-membered or 6-membered ring may be bonded to a benzene ring which may have an arbitrary substituent. Examples thereof include tetrahydronaphthalene, dihydroanthracene, indene, chromane, fluorene, xanthene or thioxanthene ring systems. . The 5-membered or 6-membered ring may contain a carbonyl group, and examples thereof include cyclohexadieneone, naphthalenone and anthrone ring systems.

상기 식(2)으로 표시되는 화합물의 호적한 태양의 하나는, 하기 식(2-1)으로 표시되는 화합물이다. 식(2-1)으로 표시되는 화합물은, 식(2)에 있어서의 R2A와 R1A가 결합하여 5원환을 형성하고 있는 화합물이다.One of the favorable aspects of the compound represented by the formula (2) is a compound represented by the following formula (2-1). The compound represented by the formula (2-1) is a compound in which R 2A and R 1A in the formula (2) combine to form a 5-membered ring.

Figure 112012033313774-pat00010
Figure 112012033313774-pat00010

(식(2-1) 중, R3A는, 식(2)에 있어서의 R3A와 동의이며, X는, 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고, t는, 0∼3의 정수를 나타내고, t가 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 달라도 된다)(In formula (2-1) of, R 3A is, and R 3A and consent of the formula (2), X is an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, t is an integer of 0 to 3, when t is 2 or 3, plural Xs may be the same or different)

X로 나타내는 알킬기로서는, 탄소 원자수 1∼4의, 직쇄상 또는 분기쇄상 알킬기가 바람직하다. X로 나타내는 알콕시기로서는, 탄소 원자수 1∼4의 직쇄상 또는 분기쇄상 알콕시기가 바람직하다. X로 나타내는 할로겐 원자로서는, 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.As the alkyl group represented by X, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable. As the alkoxy group represented by X, a straight chain or branched chain alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable. The halogen atom represented by X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.

t로서는, 0 또는 1이 바람직하다. 식(2-1) 중, t가 1이며, X가 메틸기이며, X의 치환 위치가 오르토 정도이며, R3A가 탄소 원자수 1∼10의 직쇄상 알킬기, 7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐메틸기, 또는, p-톨루일기인 화합물이 특히 바람직하다.As t, 0 or 1 is preferable. In the formula (2-1), t is 1, X is a methyl group, the substitution position of X is about ortho, R 3A is a straight-chain alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, 7,7-dimethyl- A norbornylmethyl group, or a p-toluyl group is particularly preferable.

식(2-1)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 하기 화합물(ⅰ), 화합물(ⅱ), 화합물(ⅲ), 화합물(ⅳ) 등을 들 수 있고, 이들의 화합물은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용할 수도 있다. 화합물(ⅰ)∼(ⅳ)는, 시판품으로서, 입수할 수 있다.Specific examples of the oxime sulfonate compound represented by the formula (2-1) include the following compounds (i), (ii), (iii) and (iv) They may be used alone or in combination of two or more. The compounds (i) to (iv) are commercially available.

또한, 다른 종류의 광산 발생제와 조합하여 사용할 수도 있다.It may also be used in combination with other types of photoacid generators.

Figure 112012033313774-pat00011
Figure 112012033313774-pat00011

식(2)으로 표시되는 화합물의 바람직한 태양의 하나로서는,As a preferred embodiment of the compound represented by the formula (2)

R1A가, 탄소 원자수 1∼4의 알킬기, 트리플루오로메틸기, 페닐기, 클로로페닐기, 디클로로페닐기, 메톡시페닐기, 4-비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기를 나타내고; R 1A represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a trifluoromethyl group, a phenyl group, a chlorophenyl group, a dichlorophenyl group, a methoxyphenyl group, a 4-biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group;

R2A가, 시아노기를 나타내고; R 2A represents cyano group;

R3A가, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시기, W로 치환되어 있어도 되는 페닐기, W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기를 나타내고, W는, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시기를 나타내는 것이다.R 3A is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, An alkoxy group, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.

식(2)으로 표시되는 화합물로서는, 하기 식(2-2)으로 표시되는 화합물인 것도 바람직하다.The compound represented by the formula (2) is preferably a compound represented by the following formula (2-2).

Figure 112012033313774-pat00012
Figure 112012033313774-pat00012

식(2-2) 중, R4A는, 할로겐 원자, 수산기, 탄소 원자수 1∼4의 알킬기, 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기 또는 니트로기를 나타내고, L은 0∼5의 정수를 나타낸다. R3A는, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시기, W로 치환되어 있어도 되는 페닐기, W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기를 표시하고, W는, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시기를 나타낸다.In formula (2-2), R 4A represents a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or a nitro group, and L represents an integer of 0 to 5. R 3A is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, A halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.

식(2-2)에 있어서의 R3A로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-톨릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 p-톨릴기인 것이 특히 바람직하다.Examples of R 3A in the formula (2-2) include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-octyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, , A perfluoro-n-butyl group, a p-tolyl group, a 4-chlorophenyl group or a pentafluorophenyl group is preferable, and a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group or a p- .

R4A로 나타내는 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자 또는 브롬 원자가 바람직하다.As the halogen atom represented by R 4A , a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom is preferable.

R4A로 나타내는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기로서는, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.The alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 4A is preferably a methyl group or an ethyl group.

R4A로 나타내는 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기로서는, 메톡시기 또는 에톡시기가 바람직하다.As the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 4A , a methoxy group or an ethoxy group is preferable.

L로서는, 0∼2가 바람직하고, 0∼1이 특히 바람직하다.L is preferably 0 to 2, and particularly preferably 0 to 1.

식(2)으로 표시되는 화합물 중, 식(2-2)으로 표시되는 화합물에 포함되는 화합물의 바람직한 태양으로서는, 식(2) 중, R1A가, 페닐기 또는 4-메톡시페닐기를 나타내고, R2A가 시아노기를 나타내고, R3A가, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 4-톨릴기를 나타내는 태양이다.Among the compounds represented by the formula (2), preferable examples of the compound included in the compound represented by the formula (2-2) include a compound wherein R 1A represents a phenyl group or a 4-methoxyphenyl group, R 2A is a cyano group, and R 3A is a methyl group, an ethyl group, a n-propyl group, an n-butyl group or a 4-tolyl group.

상기 식(1)으로 표시되는 화합물로서는, 하기 식(1-2)으로 표시되는 화합물인 것도 바람직하다.The compound represented by the above formula (1) is preferably a compound represented by the following formula (1-2).

Figure 112012033313774-pat00013
Figure 112012033313774-pat00013

(식(1-2) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다)(In formula (1-2) of, R 1 is an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 2 are, each independently, a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 6 are, each independently, a halogen An alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, and m represents an integer of 0 to 6)

본 발명의 수지 조성물에 있어서, (성분D) 광산 발생제는, 성분A의 함유량 100중량부에 대하여, 0.1∼10중량부 사용하는 것이 바람직하고, 0.5∼10중량부 사용하는 것이 보다 바람직하다.In the resin composition of the present invention, the (Component D) photoacid generator is preferably used in an amount of 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the content of the component A.

(성분E) 열가교제(Component E) Heat crosslinking agent

본 발명의 수지 조성물은, (성분E) 열가교제를 함유하는 것이 바람직하다. (성분E) 열가교제를 첨가하는 것에 의해, 강고한 경화막으로 할 수 있다. 또, 본 발명에 있어서의 성분E는, 성분A 이외의 것으로 한다. 또한, 성분E는, 후술하는 (성분F) 알칼리 불용성 수지 이외의 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention preferably contains (Component E) a heat crosslinking agent. (Component E) By adding a heat crosslinking agent, a hardened cured film can be obtained. Component E in the present invention is a component other than component A. It is preferable that the component E is other than the (F) alkali-insoluble resin described later.

열가교제로서는, 블록이소시아네이트계 가교제, 알콕시메틸기 함유 가교제, 에폭시기를 갖는 에폭시 수지나 카르복시기를 갖는 (메타)아크릴 수지 등을 바람직하게 예시할 수 있다. 이들 중에서도, 에폭시기를 갖는 에폭시 수지가 특히 바람직하다.As the thermal cross-linking agent, a block isocyanate-based cross-linking agent, an alkoxymethyl group-containing cross-linking agent, a (meth) acrylic resin having an epoxy group or a carboxyl group having an epoxy group, and the like can be preferably exemplified. Among them, an epoxy resin having an epoxy group is particularly preferable.

성분E의 첨가량은, 성분A의 함유량 100중량부에 대하여, 0.05∼50중량부인 것이 바람직하고, 0.5∼10중량부인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼5중량부인 것이 더 바람직하다.The amount of the component E to be added is preferably 0.05 to 50 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, and still more preferably 0.5 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the content of the component A. [

(성분F) 알칼리 불용성 수지(Component F) The alkali-insoluble resin

본 발명의 수지 조성물은, (성분F) 알칼리 불용성 수지를 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention preferably contains (Component F) an alkali-insoluble resin.

성분F는, 하기 정의를 따르는 알칼리 불용성 수지이며, 또한 성분A 이외의 화합물이다. 성분F로서는, 본 발명의 수지 조성물에 첨가했을 때에 다른 성분과의 상분리에 의한 백탁이나 면상 거칠기, 석출 등의 문제가 발생하지 않는 수지가 사용 가능하다.Component F is an alkali-insoluble resin according to the following definition and is also a compound other than component A. As the component F, a resin which does not cause problems such as cloudiness, surface roughness and precipitation due to phase separation with other components when added to the resin composition of the present invention can be used.

본 발명에 있어서, 성분F에 있어서의 「알칼리 불용성」이란, 당해 화합물(수지)의 용액을 기판 위에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열하는 것에 의해 형성되는 당해 화합물(수지)의 도막(두께 4㎛)의, 23℃에 있어서의 2.38중량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가 0.01㎛/초 미만인 것으로 한다.In the present invention, the term &quot; alkali insoluble &quot; in the component F means that the solution of the compound (resin) is applied on a substrate and heated at 90 DEG C for 2 minutes to form a coating film (thickness 4 탆) in a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 캜 is less than 0.01 탆 / second.

성분F로서는, 알칼리 불용성의, 에폭시 수지나 아크릴 수지, 스티렌 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아크릴로니트릴 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리아미드 수지, 폴리우레탄 수지, 파라히드록시스티렌 수지, 노볼락 수지 등을 들 수 있다.Examples of the component F include an epoxy resin, an acrylic resin, a styrene resin, a polyester resin, a polyacrylonitrile resin, a polycarbonate resin, a polyamide resin, a polyurethane resin, a parahydroxystyrene resin, .

또, 에폭시 수지 등의 열가교성을 갖는 (성분F) 알칼리 불용성 수지는, (성분E) 열가교제로서도 사용할 수 있다. 단, 열가교성을 갖는 (성분F) 알칼리 불용성 수지의 함유량은, 성분E가 아니라, 성분F 취급으로 한다.The alkali-insoluble resin (component F) having thermal crosslinkability such as an epoxy resin can also be used as the component (E) thermal crosslinking agent. However, the content of the alkali-insoluble resin having the thermoplasticity (component F) is determined not to be the component E but to the component F treatment.

또한, 본 발명의 수지 조성물은, 최종적으로 가열 처리에 의해 경화막을 얻기 때문에, 성분F로서는, 가열에 의해 경화 가능한 관능기를 갖고 있는 것, 즉, (성분E) 열가교제로서도 기능하는 것이 바람직하다. 가열에 의한 경화는, 성분F 단독으로 경화해도 되며, 성분A 중의 에폭시기 및/또는 옥세타닐기와 반응하여 가교해도 된다. 또한, 성분A가 카르복시기 또는 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 경우는, 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 반응하여 가교해도 된다.Further, since the resin composition of the present invention finally obtains a cured film by heat treatment, it is preferable that the component F has a functional group which can be cured by heating, that is, (Component E) also functions as a heat crosslinking agent. The curing by heating may be cured by the component F alone or may be crosslinked by reacting with the epoxy group and / or oxetanyl group in the component A. When the carboxyl group or the phenolic hydroxyl group of the component A has a residue protected by an acid-decomposable group, the carboxyl group or the phenolic hydroxyl group may be reacted and crosslinked.

이러한 화합물로서는 에폭시 수지나 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 아크릴 수지를 들 수 있다.Examples of such a compound include an epoxy resin, an acrylic resin having an epoxy group and / or an oxetanyl group.

에폭시 수지로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 지환식 구조 함유 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, alicyclic structure containing epoxy resin, Resins and the like.

비스페놀A형 에폭시 수지로서는, JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010(이상, 미츠비시가가쿠(주)제), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055(이상, DIC(주)제) 등이, 비스페놀F형 에폭시 수지로서는, JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER4010(이상, C), EPICLON830, EPICLON835(이상, DIC(주)제), LCE-21, RE-602S(이상, 니혼가야쿠(주)제) 등이, 페놀노볼락형 에폭시 수지로서는, JER152, JER154, JER157S65, JER157S70(이상, 미츠비시가가쿠(주)제), EPICLON N-740, EPICLON N-740, EPICLON N-770, EPICLON N-775(이상, DIC(주)제) 등이, 크레졸노볼락형 에폭시 수지로서는, EPICLON N-660, EPICLON N-665, EPICLON N-670, EPICLON N-673, EPICLON N-680, EPICLON N-690, EPICLON N-695(이상, DIC(주)제), EOCN-1020(이상, 니혼가야쿠(주)제) 등이, 비페닐형 에폭시 수지로서는, YX-4000, YX-4000H, YL6121H, YL-6640, YL-6677, YX-7399(이상, 미츠비시가가쿠(주)제) 등이, 나프탈렌형 에폭시 수지로서는, EPICLON HP-4032D, EPICLON HP-4700(이상, DIC(주)제) 등이, 지환식 구조 함유 에폭시 수지로서는, EPICLON HP-7200(DIC(주)제), XD-1000(니혼가야쿠(제)) 등이, 지방족 에폭시 수지로서는, ADEKA RESIN EP-4080S, 동(同)EP-4085S, 동EP-4088S(이상, (주)ADEKA제), 셀록사이드2021P, 셀록사이드2081, 셀록사이드2083, 셀록사이드2085, EHPE3150, EPOLEAD PB 3600, 동PB 4700(이상, 다이세루가가쿠고교(주)제) 등을 들 수 있다.Examples of the bisphenol A type epoxy resin include epoxy resins such as JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010 (manufactured by Mitsubishi Kagaku K.K.), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055 JER 807, JER 4004, JER 4005, JER 4007, JER 4010 (C), EPICLON 830, EPICLON 835 (manufactured by DIC Corporation), LCE-21, RE- EPICLON N-740, EPICLON N-740 (trade name, manufactured by Mitsubishi Kagaku K.K.), and the like, 660, EPICLON N-665, EPICLON N-670, EPICLON N-673 (manufactured by DIC Corporation), and the like, , EPICLON N-680, EPICLON N-690, EPICLON N-695 (manufactured by DIC Corporation) and EOCN-1020 (manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd.) -4000, YX-4000H, YL6121H, YL-6640, YL-6677, YX-7399 EPICLON HP-4032D, and EPICLON HP-4700 (manufactured by DIC Corporation), and the like, as the naphthalene type epoxy resin, EPICLON HP- Examples of the aliphatic epoxy resin include ADEKA RESIN EP-4080S, EP-4085S and EP-4088S (above, ( (Manufactured by ADEKA), Celloxide 2021P, Celloxide 2081, Celloxide 2083, Celloxide 2085, EHPE 3150, EPOLEAD PB 3600 and PB 4700 (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.).

그 외에도, ADEKA RESIN EP-4000S, 동EP-4003S, 동EP-4010S, 동EP-4011S(이상, (주)ADEKA제), NC-2000, NC-3000, NC-7300, EPPN-501, EPPN-502(이상, (주)ADEKA제), JER1031S(미츠비시가가쿠(주)제) 등을 들 수 있다.In addition, ADEKA RESIN EP-4000S, EP-4003S, EP-4010S and EP-4011S (manufactured by ADEKA), NC-2000, NC-3000, NC-7300, EPPN- -502 (manufactured by ADEKA Corporation) and JER1031S (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).

이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These may be used alone or in combination of two or more.

아크릴 수지로서는, (메타)아크릴산에스테르류의 단량체의 중합체 및 공중합체를 사용할 수 있다. 이러한 단량체의 예로서는, (메타)아크릴산에스테르류로서는, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, 이소프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, tert-부틸(메타)아크릴레이트, n-헥실(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 아세톡시에틸(메타)아크릴레이트, 페닐(메타)아크릴레이트, 2-메톡시에틸(메타)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메타)아크릴레이트, 2-(2-메톡시에톡시)에틸(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 모노메틸에테르(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들의 단량체는, 1종 단독으로 중합해도 되며, 복수를 공중합한 것을 사용하여도 된다.As the acrylic resin, polymers and copolymers of monomers of (meth) acrylic acid esters can be used. Examples of such a monomer include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n- (Meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, n-hexyl (Meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2- (Meth) acrylate, polypropylene glycol monomethyl ether (meth) acrylate, and the like. These monomers may be used singly or in combination.

또한, 상기의 알칼리 불용성을 유지할 수 있는 범위이면, 상기의 (메타)아크릴산에스테르류의 단량체에, 소량의 카르복시기, 수산기, 에틸렌옥사이드의 반복 단위, 프로필렌옥사이드의 반복 단위를 가지는 단량체를 공중합한 중합체를 사용할 수 있다. 이러한 단량체로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 신남산, 말레산, 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, ω-카르복시폴리카프로락톤 모노아크릴레이트, ω-카르복시폴리카프로락톤 모노메타크릴레이트, 아크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 메타크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 말레산 모노알킬에스테르, 푸마르산 모노알킬에스테르, 4-카르복시스티렌, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 모노페닐에테르(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르(메타)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸에테르(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.In the range where the above-mentioned alkali insolubility can be maintained, a polymer obtained by copolymerizing a monomer having a repeating unit of a carboxyl group, a hydroxyl group, an ethylene oxide, and a repeating unit of propylene oxide with a small amount of a monomer of the (meth) Can be used. Examples of such monomers include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid,? -Chloroacrylic acid, cinnamic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid,? -Carboxypolycaprolactone monoacrylate, Caprolactone monomethacrylate, acrylic acid-2-carboxyethyl ester, methacrylic acid-2-carboxyethyl ester, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester, 4- carboxystyrene, 2- (Meth) acrylate, diethylene glycol monomethyl ether (meth) acrylate, diethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, diethylene glycol mono (Meth) acrylate, triethylene glycol monomethyl ether (meth) acrylate, triethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, And the like Relate, dipropylene glycol monomethyl ether (meth) acrylate, polyethylene glycol monomethyl ether (meth) acrylate.

상기 (메타)아크릴산에스테르류의 중합체나, 이에 소량의 카르복시기, 수산기, 에틸렌옥사이드의 반복 단위, 프로필렌옥사이드의 반복 단위를 가지는 단량체를 공중합한 중합체에, 더 에폭시기나 옥세타닐기 등의 가교성의 기를 가지는 단량체를 공중합한 중합체를 바람직하게 사용할 수 있다. 이러한 단량체로서는, 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, α-에틸아크릴산글리시딜, α-n-프로필아크릴산글리시딜, α-n-부틸아크릴산글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 특허 제4168443호 공보의 단락 0031∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있다.A polymer obtained by copolymerizing a polymer of the (meth) acrylate ester or a monomer having a repeating unit of propylene oxide with a small amount of a carboxyl group, a hydroxyl group, an ethylene oxide repeating unit and a monomer having a crosslinkable group such as an epoxy group or an oxetanyl group Polymers obtained by copolymerizing monomers can be preferably used. Examples of such monomers include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl? -Ethyl acrylate, glycidyl? -N-propyl acrylate, glycidyl? -N-butyl acrylate, Epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl,? -Ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, Glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs 0031 to 0035 of Japanese Patent No. 4168443, and the like.

옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용할 수 있는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는, 예를 들면, 일본 특개2001-330953호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomers that can be used for forming the monomer unit having an oxetanyl group include (meth) acrylic esters having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-330953 .

이들의 모노머 중에서, 더 바람직한 것으로서는, 메타크릴산글리시딜, 아크릴산글리시딜, 특허 제4168443호 공보의 단락 0034∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 및 일본 특개2001-330953호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르를 들 수 있다.Among these monomers, glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs 0034 to 0035 of Japanese Patent No. 4168443, and compounds disclosed in JP-A-2001-330953 (Meta) acrylic acid esters having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-

내열 투명성의 관점에서, 특히 바람직한 것으로서는, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및, 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸 중 어딘가에 유래하는 모노머 단위이다. 이들의 모노머 단위는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Particularly preferred from the viewpoint of heat-resistant transparency are monomer units derived from somewhere among acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl and methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl. These monomer units may be used singly or in combination of two or more.

성분F의 첨가량은, 수지 조성물의 전 고형분량 100중량부에 대하여, 3∼40중량부가 바람직하고, 5∼35중량부인 것이 보다 바람직하고, 8∼30중량부인 것이 더 바람직하다.The amount of the component F to be added is preferably 3 to 40 parts by weight, more preferably 5 to 35 parts by weight, and even more preferably 8 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the total solid content of the resin composition.

(성분G) 분산제(Component G) Dispersant

본 발명의 수지 조성물은, (성분G) 분산제를 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention preferably contains (Component G) a dispersant.

분산제로서는, (성분B) 입자의 분산성을 향상할 수 있는 것이면, 어느 분산제도 사용 가능하다.As the dispersant, any dispersing system can be used as long as it can improve the dispersibility of the (Component B) particles.

이러한 시판의 분산제로서는, 디스퍼빅101, 디스퍼빅102, 디스퍼빅103, 디스퍼빅108, 디스퍼빅109, 디스퍼빅100, 디스퍼빅111, 디스퍼빅112, 디스퍼빅116, 디스퍼빅130, 디스퍼빅140, 디스퍼빅142, 디스퍼빅145, 디스퍼빅161, 디스퍼빅162, 디스퍼빅163, 디스퍼빅164, 디스퍼빅166, 디스퍼빅167, 디스퍼빅168, 디스퍼빅170, 디스퍼빅174, 디스퍼빅180, 디스퍼빅182, 디스퍼빅183, 디스퍼빅185, 디스퍼빅190, 디스퍼빅191, 디스퍼빅193, 디스퍼빅194, 디스퍼빅198, 디스퍼빅2000, 디스퍼빅2001, 디스퍼빅2008, 디스퍼빅2009, 디스퍼빅2010, 디스퍼빅2012, 디스퍼빅2015, 디스퍼빅2022, 디스퍼빅2025, 디스퍼빅2050, 디스퍼빅2070, 디스퍼빅2096, 디스퍼빅2150, 디스퍼빅2155, 디스퍼빅2163, 디스퍼빅2164, 디스퍼빅-P104, 디스퍼빅-P104S, 디스퍼빅105(이상, 빅케미사제), EFKA 4008, EFKA 4009, EFKA 4010, EFKA 4015, EFKA 4020, EFKA 4046, EFKA 4047, EFKA 4050, EFKA 4055, EFKA 4060, EFKA 4080, EFKA 4400, EFKA 4401, EFKA 4402, EFKA 4403, EFKA 4406, EFKA 4408, EFKA 4300, EFKA 4330, EFKA 4340, EFKA 4015, EFKA 4800, EFKA 5010, EFKA 5065, EFKA 5066, EFKA 5070, EFKA 7500, EFKA 7554(이상, 치바스페샤리티사제); 솔스퍼스3000, 솔스퍼스9000, 솔스퍼스13000, 솔스퍼스16000, 솔스퍼스17000, 솔스퍼스18000, 솔스퍼스20000, 솔스퍼스21000, 솔스퍼스24000, 솔스퍼스26000, 솔스퍼스27000, 솔스퍼스28000, 솔스퍼스32000, 솔스퍼스32500, 솔스퍼스32550, 솔스퍼스33500, 솔스퍼스35100, 솔스퍼스35200, 솔스퍼스36000, 솔스퍼스36600, 솔스퍼스38500, 솔스퍼스41000, 솔스퍼스41090, 솔스퍼스20000, 솔스퍼스D540(이상, 루부리졸사제); 아지스퍼PA111, 아지스퍼PB711, 아지스퍼PB821, 아지스퍼PB822, 아지스퍼PB824(이상, 아지노모토파인테크노(주)제); 디스퍼론1850, 디스퍼론1860, 디스퍼론2150, 디스퍼론7004, 디스퍼론DA-100, 디스퍼론DA-234, 디스퍼론DA-325, 디스퍼론DA-375, 디스퍼론DA-705, 디스퍼론DA-725, 디스퍼론PW-36(이상, 구스모토가세이(주)제); 및, 플로렌 DOPA-14, 플로렌 DOPA-15B, 플로렌 DOPA-17, 플로렌 DOPA-22, 플로렌 DOPA-44, 플로렌 TG-710, 플로렌 D-90(이상, 교에이가가쿠고교(주)제), ANTI-TERRA-205(빅케미사제) 등을 들 수 있다.Examples of such commercial dispersants include Dispersive 101, Dispersive 102, Dispersive 103, Dispersive 108, Dispersive 109, Dispersive 100, Dispersive 111, Dispersive 112, Dispersive 116, Dispersive 130, Dispersive 140, Dispersive 142, Dispersive 145, Dispersive 161, Dispersive 162, Dispersive 163, Dispersive 164, Dispersive 166, Dispersive 167, Dispersive 168, Dispersive 170, Dispersive 174, Dispersive 180, Dispervic 183, Dispervik 185, Dispervik 190, Dispervik 191, Dispervik 193, Dispervik 194, Dispervik 198, Dispervik 2000, Dispervik 2001, Dispervik 2008, Dispervik 2009, Dispervik 2010, Dispersive 2014, Dispersive 2015, Dispersive 2022, Dispersive 2025, Dispersive 2050, Dispersive 2070, Dispersive 2096, Dispersive 2150, Dispersive 2155, Dispersive 2163, Dispersive 2164, Dispersive- EFKA 4010, EFKA 4010, EFKA 4020, EFKA 4046, EFKA 4010, EFKA 4010, EFKA 4010, , EFKA 4047, EFKA 4050, EFKA 4055, EFKA 4060, EFKA 4080, EFKA 4400, EFKA 4401, EFKA 4402, EFKA 4403, EFKA 4406, EFKA 4408, EFKA 4300, EFKA 4330, EFKA 4340, EFKA 4015, EFKA 4800, EFKA 5010, EFKA 5065, EFKA 5066, EFKA 5070, EFKA 7500, EFKA 7554 (all manufactured by Chiba Specialty); Sol Spurs 3000, Sol Spurs 9000, Sol Spurs 13000, Sol Spurs 16000, Sol Spurs 17000, Sol Spurs 18000, Sol Spurs 20000, Sol Spurs 21000, Sol Spurs 26000, Sol Spurs 27000, Sol Spurs 28000, Sol Spurs Sol Spurs 32500, Sol Spurs 32550, Sol Spurs 33500, Sol Spurs 35100, Sol Spurs 35200, Sol Spurs 36000, Sol Spurs 36600, Sol Spurs 38500, Sol Spurs 41000, Sol Spurs 41090, Sol Spurs 20000, Sol Spurs D540 Or more, manufactured by Lubrizol Corporation); Agisper PA111, Agisper PB711, Agisper PB821, Agisper PB822, Agisper PB824 (manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.); Disperon DA-375, Disperon DA-705, Disperon DA-325, Disperon DA-325, Disperon DA- 725, Disperon PW-36 (manufactured by Kusumoto Chemical Co., Ltd.); And fluorene DOPA-14, fluorene DOPA-15B, fluorene DOPA-17, fluorene DOPA-22, fluorene DOPA-44, fluorene TG-710, , And ANTI-TERRA-205 (manufactured by BICKEMI Co., Ltd.).

분산제로서는, 1종 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The dispersant may be used alone or in combination of two or more.

특히, 본 발명에 있어서는, 분산제로서, 소정의 산가를 갖는 분산제(이하, 「산가 분산제」라고도 한다)를 사용하는 것이 바람직하다. 산가 분산제는, 무기 입자에의 흡착성이 양호하여, 결과로서 양호한 분산성을 얻을 수 있고, 또한 안료 분산체의 저점도시킬 수 있다. 산가 분산제의 구체예로서는, 디스퍼빅P104, 디스퍼빅P104S, 디스퍼빅220S, 디스퍼빅110, 디스퍼빅111, 디스퍼빅170, 디스퍼빅171, 디스퍼빅174, 디스퍼빅2095(이상, 빅케미사제); EFKA 5010, EFKA 5065, EFKA 5066, EFKA 5070, EFKA 7500, EFKA 7554(이상, 치바스페샤리티사제); 솔스퍼스3000, 솔스퍼스16000, 솔스퍼스17000, 솔스퍼스18000, 솔스퍼스36000, 솔스퍼스36600, 솔스퍼스41000(이상, 루부리졸사제) 등을 들 수 있다.Particularly, in the present invention, it is preferable to use a dispersant having a predetermined acid value (hereinafter also referred to as &quot; acid dispersant &quot;) as a dispersant. The acidic dispersant has good adsorptivity to the inorganic particles, and as a result, good dispersibility can be obtained and the pigment dispersion can be made to have a low viscosity. Specific examples of the acidic dispersant include Dispersive P104, Dispersive P104S, Dispersive 220S, Dispersive 110, Dispersive 111, Dispersive 170, Dispersive 171, Dispersive 174 and Dispersive 2095 (manufactured by Big Chemie); EFKA 5010, EFKA 5065, EFKA 5066, EFKA 5070, EFKA 7500, EFKA 7554 (all manufactured by Chiba Specialty); Sol Spurs 3000, Sol Spurs 16000, Sol Spurs 17000, Sol Spurs 18000, Sol Spurs 36000, Sol Spurs 36600 and Sol Spurs 41000 (manufactured by Lubrizol Corporation).

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 분산제의 함유량은, 성분B의 함유량 100중량부당, 50∼3,000중량부인 것이 바람직하고, 100∼2,000중량부인 것이 보다 바람직하고, 150∼1,500중량부인 것이 더 바람직하다.The content of the dispersant in the resin composition of the present invention is preferably from 50 to 3,000 parts by weight, more preferably from 100 to 2,000 parts by weight, and further preferably from 150 to 1,500 parts by weight, per 100 parts by weight of the component B content.

<그 외의 성분><Other components>

본 발명의 수지 조성물은, 상기 성분A∼성분G 이외의 그 외의 성분을 함유해도 된다.The resin composition of the present invention may contain other components other than the above-mentioned components A to G.

그 외의 성분으로서는, 감도의 관점에서, (성분H) 증감제나 (성분I) 현상 촉진제를 첨가하는 것이 바람직하다.As other components, it is preferable to add a sensitizer (component H) or a development accelerator (component I) from the viewpoint of sensitivity.

또한, 본 발명의 수지 조성물은, 기판 밀착성의 관점에서 (성분J) 밀착 개량제를 함유하는 것이 바람직하고, 액보존 안정성의 관점에서 (성분K) 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하고, 도포성의 관점에서 (성분L) 계면 활성제(불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제 등)를 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention preferably contains an adhesion improver (component J) from the viewpoint of substrate adhesion, and preferably contains a basic compound (component K) from the viewpoint of liquid storage stability, (Component L), a surfactant (a fluorine-based surfactant, a silicone-based surfactant, etc.).

또한, 필요에 따라, 본 발명의 수지 조성물에는, (성분M) 산화 방지제, (성분N) 가소제, (성분O) 열라디칼 발생제, (성분P) 열산 발생제, (성분Q) 산증식제, 자외선 흡수제, 증점제, 및, 유기 또는 무기의 침전 방지제 등의, 공지의 첨가제를 가할 수 있다.If necessary, the resin composition of the present invention may further contain an antioxidant, (component N) plasticizer, (component O) thermal radical generator, (component P) thermal acid generator, (component Q) , An ultraviolet absorber, a thickener, and an organic or inorganic precipitation inhibitor.

이하, 본 발명의 수지 조성물이 포함할 수 있는 그 외의 성분을 설명한다.Hereinafter, other components that the resin composition of the present invention can include will be described.

(성분H) 증감제(Component H) sensitizer

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 상술의 (성분D) 광산 발생제와의 조합에 있어서, 그 분해를 촉진시키기 위해 (성분H) 증감제를 첨가할 수 있다.In the resin composition of the present invention, a sensitizer (Component H) may be added in combination with the aforementioned (Component D) photoacid generator in order to accelerate the decomposition thereof.

증감제는, 활성 광선 또는 방사선을 흡수하여 여기(勵起) 상태가 된다. 여기 상태가 된 증감제는, 광산 발생제와 접촉하여, 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 생긴다. 이에 따라 광산 발생제는 화학 변화를 일으켜서 분해하고, 산을 생성한다.The sensitizer absorbs the actinic ray or radiation and becomes excited. The sensitizer brought into the excited state comes into contact with the photoacid generator to generate an effect such as electron movement, energy transfer, heat generation and the like. As a result, the photoacid generator decomposes by causing a chemical change to generate an acid.

바람직한 증감제의 예로서는, 이하의 화합물류에 속해 있으며, 또한 350㎚부터 450㎚역에 흡수 파장을 갖는 화합물을 들 수 있다.Examples of preferred sensitizers include compounds having an absorption wavelength in the range of 350 nm to 450 nm belonging to the following compounds.

다핵 방향족류(예를 들면, 피렌, 페릴렌, 트리페닐렌, 안트라센), 크산텐류(예를 들면, 플루오레세인, 에오신, 에리트로신, 로다민B, 로즈벵갈), 크산톤류(예를 들면, 크산톤, 티옥산톤, 디메틸티옥산톤, 디에틸티옥산톤), 시아닌류(예를 들면, 티아카르보시아닌, 옥사카르보시아닌), 멜로시아닌류(예를 들면, 멜로시아닌, 카르보멜로시아닌), 로더시아닌류, 옥소놀류, 티아진류(예를 들면, 티오닌, 메틸렌블루, 톨루이딘블루), 아크리딘류(예를 들면, 아크리딘오렌지, 클로로플라빈, 아쿠리플라빈), 아크리돈류(예를 들면, 아크리돈, 10-부틸-2-클로로아크리돈), 안트라퀴논류(예를 들면, 안트라퀴논), 스쿠알륨류(예를 들면, 스쿠알륨), 스티릴류, 베이스스티릴류, 쿠마린류(예를 들면, 7-디에틸아미노4-메틸쿠마린). 이들 증감제 중에서도, 안트라센류, 아크리돈류, 쿠마린류, 베이스스티릴류가 특히 바람직하다.Polycyclic aromatic compounds (e.g., pyrene, perylene, triphenylene, anthracene), xanthines (for example, fluorescein, eosin, erythrosine, rhodamine B and rose bengal), xanthones , Xanthone, thioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone), cyanines (e.g., thiacarbocyanine, oxacarbocyanine), melothiocyanates (e. (E.g., thiophene, methylene blue, toluidine blue), acridines (for example, acridine orange, chloroflavin, Acrolein), acridine (for example, acridone, 10-butyl-2-chloroacridone), anthraquinones (for example, anthraquinone), squarylium Alumium), styryls, basestyryls, coumarins (for example, 7-diethylamino-4-methylcoumarin). Among these sensitizers, anthracene, acridone, coumarin and base styryl are particularly preferable.

증감제는, 시판의 것을 사용하여도 되고, 공지의 합성 방법에 의해 합성해도 된다.The sensitizer may be a commercially available one or may be synthesized by a known synthesis method.

증감제의 첨가량은, 감도, 투명성의 양립의 관점에서, (성분D) 광산 발생제 100중량부에 대하여, 20∼300중량부가 바람직하고, 30∼200중량부가 특히 바람직하다.The addition amount of the sensitizer is preferably from 20 to 300 parts by weight, particularly preferably from 30 to 200 parts by weight, per 100 parts by weight of the (D) photoacid generator from the viewpoints of both sensitivity and transparency.

(성분I) 현상 촉진제(Component I)

본 발명의 수지 조성물은, (성분I) 현상 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention preferably contains (component I) a development accelerator.

(성분I) 현상 촉진제로서는, 현상 촉진 효과가 있는 임의의 화합물을 사용할 수 있지만, 카르복시기, 페놀성 수산기, 및, 알킬렌옥시기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종의 구조를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 화합물이 보다 바람직하다. 산해리성기로 보호된 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 화합물도 특히 바람직하다.(Component I) As the development accelerator, any compound having a phenomenon of promoting development can be used, but it is preferably a compound having at least one structure selected from the group consisting of a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, and an alkyleneoxy group, A compound having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group is more preferable. A compound having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group protected by an acid-dissociable group is also particularly preferable.

또한, (성분I) 현상 촉진제의 분자량으로서는, 100∼2,000이 바람직하고, 150∼1,500이 더 바람직하고, 150∼1,000이 특히 바람직하다.The molecular weight of the component (I) is preferably 100 to 2,000, more preferably 150 to 1,500, and particularly preferably 150 to 1,000.

현상 촉진제의 예로서, 알킬렌옥시기를 갖는 것으로서는, 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜의 메틸에테르, 및, 일본 특개평9-222724호 공보에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.As examples of the development accelerator, those having an alkyleneoxy group include polyethylene glycol, methyl ether of polyethylene glycol, and compounds described in JP-A No. 9-222724.

카르복시기를 갖는 것으로서는, 일본 특개2000-66406호 공보, 일본 특개평9-6001호 공보, 일본 특개평10-20501호 공보, 일본 특개평11-338150호 공보 등에 기재된 화합물을 들 수 있다.Examples of compounds having a carboxyl group include compounds described in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2000-66406, 9-6001, 10-20501, 11-338150, and the like.

페놀성 수산기를 갖는 것으로서는, 일본 특개2005-346024호 공보, 일본 특개평10-133366호 공보, 일본 특개평9-194415호 공보, 일본 특개평9-222724호 공보, 일본 특개평11-171810호 공보, 일본 특개2007-121766호 공보, 일본 특개평9-297396호 공보, 일본 특개2003-43679호 공보 등에 기재된 화합물을 들 수 있다. 이들 중에서도, 벤젠환수가 2∼10개의 페놀 화합물이 호적하며, 벤젠환수가 2∼5개의 페놀 화합물이 더 호적하다. 특히 바람직한 것으로서는, 일본 특개평10-133366호 공보에 용해 촉진제로서 개시되어 있는 페놀성 화합물을 들 수 있다.Examples of those having a phenolic hydroxyl group include those disclosed in JP-A Nos. 2005-346024, 10-133366, 9-194415, 9-222724, 11-171810 Compounds described in JP-A-2007-121766, JP-A-9-297396, JP-A-2003-43679 and the like can be enumerated. Among these, phenol compounds having 2 to 10 benzene ring numbers are preferred, and phenol compounds having 2 to 5 benzene ring numbers are more favorable. Particularly preferred examples include phenolic compounds disclosed as dissolution accelerators in JP-A-10-133366.

(성분I) 현상 촉진제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.(Component I) One type of the phenomenon promoting agent may be used alone, or two or more types may be used in combination.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (성분I) 현상 촉진제의 첨가량은, 감도와 잔막율의 관점에서, 성분A의 함유량 100중량부에 대하여, 0.1∼30중량부가 바람직하고, 0.2∼20중량부가 보다 바람직하고, 0.5∼10중량부인 것이 가장 바람직하다.In the resin composition of the present invention, the addition amount of (component I) the phenomenon promoter is preferably from 0.1 to 30 parts by weight, more preferably from 0.2 to 20 parts by weight per 100 parts by weight of the content of the component A from the viewpoints of sensitivity and residual film ratio And most preferably 0.5 to 10 parts by weight.

(성분J) 밀착 개량제(Component J) Adhesion improving agent

본 발명의 수지 조성물은, (성분J) 밀착 개량제를 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention preferably contains (Component J) an adhesion improver.

본 발명의 수지 조성물에 사용할 수 있는 (성분J) 밀착 개량제는, 기판이 되는 무기물, 예를 들면, 실리콘, 산화실리콘, 질화실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 알루미늄 등의 금속과 절연막의 밀착성을 향상시키는 화합물이다. 구체적으로는, 실란 커플링제, 티올계 화합물 등을 들 수 있다. 본 발명에서 사용되는 (성분J) 밀착 개량제로서의 실란 커플링제는, 계면의 개질을 목적으로 하는 것이며, 특별히 한정하지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다.The adhesion improver (component J) that can be used in the resin composition of the present invention is a compound that improves the adhesiveness of an inorganic substance to be a substrate such as a silicon compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride, a metal such as gold, &Lt; / RTI &gt; Specific examples thereof include silane coupling agents and thiol compounds. The silane coupling agent as the (J) adhesion improver used in the present invention is intended to modify the interface and is not particularly limited, and known ones can be used.

바람직한 실란 커플링제로서는, 예를 들면, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란을 들 수 있다.Preferable silane coupling agents include, for example,? -Aminopropyltrimethoxysilane,? -Aminopropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? -Methacryloxypropylalkyldialkoxysilane,? -Chloropropyltrialkoxysilane,? -Mercaptopropyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl tri Alkoxysilane, and vinyltrialkoxysilane.

이들 중, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, 및, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란이 보다 바람직하고, γ -글리시독시프로필트리알콕시실란이 더 바람직하다.Among these,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane and? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable, and? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane is more preferable.

이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (성분J) 밀착 개량제의 함유량은, 성분A의 함유량 100중량부에 대하여, 0.1∼20중량부가 바람직하고, 0.5∼10중량부가 보다 바람직하다.The content of the (J) adhesion improver in the resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the content of the component A. [

(성분K) 염기성 화합물(Component K) Basic compound

본 발명의 수지 조성물은, (성분K) 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention preferably contains (Component K) a basic compound.

(성분K) 염기성 화합물로서는, 화학 증폭 레지스터로 사용되는 것 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제4급 암모늄히드록시드, 및, 카르복시산의 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다.(Component K) As the basic compound, any of those used as a chemical amplification resistor can be selected and used. Examples thereof include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, and quaternary ammonium salts of carboxylic acids.

지방족 아민으로서는, 예를 들면, 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민, 디시클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include aliphatic amines such as trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di- , Triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.

방향족 아민으로서는, 예를 들면, 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, and diphenylamine.

복소환식 아민으로서는, 예를 들면, 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.3.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Examples of heterocyclic amines include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, Benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 8- 4-methyl morpholine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 1,8-diazabicyclo [5.3.0] -7-undecene and the like.

제4급 암모늄히드록시드로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄히드록시드, 테트라-n-헥실암모늄히드록시드 등을 들 수 있다.Examples of quaternary ammonium hydroxides include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide and tetra-n-hexylammonium hydroxide. have.

카르복시산의 제4급 암모늄염으로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.Examples of the quaternary ammonium salt of carboxylic acid include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate and tetra-n-butylammonium benzoate.

본 발명에 사용할 수 있는 염기성 화합물은, 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 된다.The basic compounds usable in the present invention may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (성분K) 염기성 화합물의 함유량은, 성분A의 함유량 100중량부에 대하여, 0.001∼1중량부인 것이 바람직하고, 0.002∼0.2중량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the (basic K) basic compound in the resin composition of the present invention is preferably 0.001 to 1 part by weight, more preferably 0.002 to 0.2 part by weight, per 100 parts by weight of the content of the component A.

(성분L) 계면 활성제(불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제 등)(Component L) Surfactants (fluorine surfactants, silicone surfactants, etc.)

본 발명의 수지 조성물은, (성분L) 계면 활성제(불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제 등)를 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention preferably contains (Component L) a surfactant (a fluorine-based surfactant, a silicone-based surfactant, etc.).

계면 활성제로서는, 하기에 나타내는 구성 단위A와 구성 단위B를 포함하는 공중합체(3)를 바람직한 예로서 들 수 있다. 당해 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 1,000 이상 10,000 이하인 것이 바람직하고, 1,500 이상 5,000 이하인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에서 측정되는 폴리스티렌 환산의 값이다.As the surfactant, a copolymer (3) containing the constituent unit A and the constituent unit B shown below may be mentioned as a preferable example. The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is preferably 1,000 or more and 10,000 or less, and more preferably 1,500 or more and 5,000 or less. The weight average molecular weight is a value in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

Figure 112012033313774-pat00014
Figure 112012033313774-pat00014

공중합체(3) 중, R21 및 R23은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R22는 탄소수 1 이상 4 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내고, R24는 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, p 및 q는 중합비를 나타내는 중량 백분률이며, p는 10중량% 이상 80중량% 이하의 수치를 나타내고, q는 20중량% 이상 90중량% 이하의 수치를 나타내고, r은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, n은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다.In the copolymer (3), R 21 and R 23 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, R 22 represents a straight chain alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and R 24 represents a hydrogen atom or a C1- P represents an integer of not less than 10% by weight and not more than 80% by weight, q represents an amount of not more than 20% by weight, and L represents an alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, Or more and 90% by weight or less, r is an integer of 1 or more and 18 or less, and n is an integer of 1 or more and 10 or less.

구성 단위B 중에 있어서의 L은, 하기 식(4)으로 표시되는 알킬렌기인 것이 바람직하다.L in the constituent unit B is preferably an alkylene group represented by the following formula (4).

Figure 112012033313774-pat00015
Figure 112012033313774-pat00015

식(4) 중, R25는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 젖음성의 점에서, 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2 또는 3의 알킬기가 보다 바람직하다.In the formula (4), R 25 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and from the viewpoint of compatibility and wettability to the surface to be coated, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferable, and an alkyl group having 2 or 3 carbon atoms is more preferable Do.

또한, p와 q의 합(p+q)은, p+q=100, 즉, 100중량%인 것이 바람직하다.It is also preferable that the sum (p + q) of p and q is p + q = 100, that is, 100% by weight.

불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제의 예로서 구체적으로는, 일본 특개소62-36663호, 일본 특개소61-226746호, 일본 특개소61-226745호, 일본 특개소62-170950호, 일본 특개소63-34540호, 일본 특개평7-230165호, 일본 특개평8-62834호, 일본 특개평9-54432호, 일본 특개평9-5988호, 일본 특개2001-330953호 등의 각 공보 기재의 계면 활성제를 들 수 있고, 시판의 계면 활성제를 사용할 수도 있다. 사용할 수 있는 시판의 계면 활성제로서, 예를 들면, 에프톱EF301, EF303, (이상, 미츠비시마테리아루덴시가세이(주)제), 플루오라드FC430, 431(이상, 스미토모쓰리에무(주)제), 메가페이스F171F780F, F173, F176, F189, R08(이상, DIC(주)제), 서프론S-382, SC01, 102, 103, 104, 105, 106(이상, 아사히가라스(주)제), PolyFox시리즈(OMNOVA사제) 등의 불소계 계면 활성제 또는 실리콘계 계면 활성제를 들 수 있다. 또한, 폴리실록산폴리머KP-341(신에츠가가쿠고교(주)제)도 실리콘계 계면 활성제로서 사용할 수 있다.Specific examples of the fluorine-based surfactant and the silicon-based surfactant are described in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 62-36663, 61-226746, 61-226745, 62-170950, 63 Surfactants disclosed in the respective publications such as Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-24454, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 7-230165, 8-62834, 9-54432, 9-5988, and 2001-330953 And a commercially available surfactant may be used. Examples of commercially available surfactants that can be used include surfactants EF301 and EF303 (manufactured by Mitsubishi Materials Corporation, Mitsubishi Materials Corporation), Fluorad FC430 and 431 (manufactured by Sumitomo 3 Electronics Co., Ltd.) , Megaface F171F780F, F173, F176, F189 and R08 (manufactured by DIC Corporation), Surflon S-382, SC01, 102, 103, 104, 105 and 106 (manufactured by Asahi Glass Co., , A fluorine surfactant such as PolyFox series (manufactured by OMNOVA), or a silicone surfactant. The polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicone surfactant.

이들 계면 활성제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 불소계 계면 활성제와 실리콘계 계면 활성제를 병용해도 된다.These surfactants may be used singly or in combination of two or more. Further, a fluorine-based surfactant and a silicon-based surfactant may be used in combination.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (성분L) 계면 활성제(불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제 등)의 첨가량은, 성분A의 함유량 100중량부에 대하여, 10중량부 이하인 것이 바람직하고, 0.01∼10중량부인 것이 보다 바람직하고, 0.01∼1중량부인 것이 더 바람직하다.The addition amount of the (component L) surfactant (fluoric surfactant, silicone surfactant, etc.) in the resin composition of the present invention is preferably 10 parts by weight or less, more preferably 0.01 to 10 parts by weight More preferably 0.01 to 1 part by weight.

(성분M) 산화 방지제(Component M) Antioxidant

본 발명의 수지 조성물은, (성분M) 산화 방지제를 함유해도 된다. (성분M) 산화 방지제를 첨가하는 것에 의해, 경화막의 착색을 방지할 수 있는, 또는, 분해에 의한 막두께 감소를 저감할 수 있다.The resin composition of the present invention may contain an antioxidant (component M). (Component M) By adding an antioxidant, coloring of the cured film can be prevented or reduction in film thickness due to decomposition can be reduced.

(성분M) 산화 방지제로서는, 공지의 산화 방지제를 함유하는 것을 할 수 있다. 이러한 산화 방지제로서는, 예를 들면, 인계 산화 방지제, 히드라지드류, 힌더드아민계 산화 방지제, 황계 산화 방지제, 페놀계 산화 방지제, 아스코르브산류, 황산아연, 당류, 아질산염, 아황산염, 티오황산염, 히드록실아민 유도체 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 경화막의 착색, 막두께 감소의 관점에서 특히 페놀계 산화 방지제가 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.(Component M) As the antioxidant, those containing a known antioxidant can be used. Examples of such antioxidants include phosphorus antioxidants, hydrazides, hindered amine antioxidants, sulfur-based antioxidants, phenol-based antioxidants, ascorbic acids, zinc sulfate, sugars, nitrite, sulfite, thiosulfate, hydroxyl Amine derivatives and the like. Among them, a phenol-based antioxidant is particularly preferable from the viewpoint of coloring of the cured film and reduction of the film thickness. These may be used alone or in combination of two or more.

페놀계 산화 방지제의 시판품으로서는, 예를 들면, 아데카스태브AO-60, 아데카스태브AO-80(이상, (주)ADEKA제), 이르가녹스1098(치바쟈판(주)제)을 들 수 있다.Examples of commercially available products of phenolic antioxidants include Adekustab AO-60, Adekustab AO-80 (manufactured by ADEKA), Irganox 1098 (manufactured by Ciba Japan Co., Ltd.) have.

(성분M) 산화 방지제의 함유량은, 수지 조성물의 전 고형분에 대하여, 0.1∼6중량%인 것이 바람직하고, 0.2∼5중량%인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼4중량%인 것이 특히 바람직하다. 이 범위로 함으로써, 형성된 막의 충분한 투명성을 얻을 수 있으며, 또한, 패턴 형성시의 감도도 양호하게 된다.(Component M) The content of the antioxidant is preferably 0.1 to 6% by weight, more preferably 0.2 to 5% by weight, and particularly preferably 0.5 to 4% by weight, based on the total solid content of the resin composition. When the content is in this range, sufficient transparency of the formed film can be obtained and the sensitivity at the time of pattern formation becomes good.

또한, 산화 방지제 이외의 첨가제로서, “고분자 첨가제의 신전개((주)닛칸고교신분샤)”에 기재된 각종 자외선 흡수제나, 금속 불활성화제 등을 본 발명의 수지 조성물에 첨가해도 된다.As the additives other than the antioxidant, various ultraviolet absorbers, metal deactivators, and the like described in "New Development of Polymer Additives (Nikkan Kogyo Shinbashi Co., Ltd.") may be added to the resin composition of the present invention.

(성분N) 가소제(Component N) Plasticizer

본 발명의 수지 조성물은, (성분N) 가소제를 함유해도 된다.The resin composition of the present invention may contain (component N) plasticizer.

(성분N) 가소제로서는, 예를 들면, 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 디도데실프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린, 디메틸글리세린프탈레이트, 타르타르산디부틸, 아디프산디옥틸, 트리아세틸글리세린 등을 들 수 있다.(Component N) Examples of the plasticizer include dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, didodecyl phthalate, polyethylene glycol, glycerin, dimethyl glycerin phthalate, dibutyl tartrate, dioctyl adipate, triacetyl glycerin and the like.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (성분N) 가소제의 함유량은, 성분A의 함유량 100중량부에 대하여, 0.1∼30중량부인 것이 바람직하고, 1∼10중량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the plasticizer (component N) in the resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 30 parts by weight, more preferably 1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the content of the component A. [

(성분O) 열라디칼 발생제(Component O) thermal radical generator

본 발명의 수지 조성물은, (성분O) 열라디칼 발생제를 포함하고 있어도 되며, 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과 같은 에틸렌성 불포화 화합물을 함유하는 경우, (성분O) 열라디칼 발생제를 함유하는 것이 바람직하다. 열라디칼 발생제로서는, 공지의 열라디칼 발생제를 사용할 수 있다.The resin composition of the present invention may contain (component O) a thermal radical generator, and when it contains an ethylenically unsaturated compound such as a compound having an ethylenically unsaturated double bond, the component (O) . As the thermal radical generator, a known thermal radical generator may be used.

열라디칼 발생제는, 열의 에너지에 의해 라디칼을 발생하고, 중합성 화합물의 중합 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물이다. 열라디칼 발생제를 첨가하는 것에 의해, 얻어진 경화막이 보다 강인하게 되어, 내열성, 내용제성이 향상하는 경우가 있다.The thermal radical generator is a compound which generates radicals by the energy of heat and initiates or promotes the polymerization reaction of the polymerizable compound. By adding a thermal radical generator, the resulting cured film becomes more rigid and heat resistance and solvent resistance may be improved in some cases.

바람직한 열라디칼 발생제로서는, 방향족 케톤류, 오늄염 화합물, 유기 과산화물, 티오 화합물, 헥사아릴비이미다졸 화합물, 케토옥심에스테르 화합물, 보레이트 화합물, 아지니움 화합물, 메탈로센 화합물, 활성 에스테르 화합물, 탄소할로겐 결합을 갖는 화합물, 아조계 화합물, 비벤질 화합물 등을 들 수 있다.Preferred thermal radical generators include aromatic ketones, onium salt compounds, organic peroxides, thio compounds, hexaarylbimidazole compounds, ketooxime ester compounds, borate compounds, azinium compounds, metallocene compounds, active ester compounds, carbon A halogen-bonded compound, an azo-based compound, and a non-benzyl compound.

(성분O) 열라디칼 발생제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.(Component O) One kind of thermal radical generator may be used alone, or two or more kinds thereof may be used in combination.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (성분O) 열라디칼 발생제의 함유량은, 막물성 향상의 관점에서, 성분A의 함유량을 100중량부로 했을 때, 0.01∼50중량부가 바람직하고, 0.1∼20중량부가 보다 바람직하고, 0.5∼10중량부가 가장 바람직하다.The content of the heat radical generator (component O) in the resin composition of the present invention is preferably from 0.01 to 50 parts by weight, more preferably from 0.1 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the content of the component A, More preferably 0.5 to 10 parts by weight.

(성분P) 열산 발생제(Component P) Thermal acid generator

본 발명의 수지 조성물은, (성분P) 열산 발생제를 함유해도 된다.The resin composition of the present invention may contain (Component P) thermal acid generator.

열산 발생제란, 열에 의해 산이 발생하는 화합물이며, 열분해점이, 바람직하게는 130℃∼250℃, 보다 바람직하게는 150℃∼220℃의 범위의 화합물이며, 예를 들면, 가열에 의해 설폰산, 카르복시산, 디설포닐이미드 등의 저구핵성의 산을 발생하는 화합물이다.The thermal acid generator is a compound which generates acid by heat and has a thermal decomposition point of preferably from 130 to 250 캜, more preferably from 150 to 220 캜, for example, by heating, Is a compound which generates a low nucleophilic acid such as carboxylic acid, disulfonylimide and the like.

발생산으로서는 pKa가 2 이하로 강한, 설폰산이나 전자 구인성기의 치환한 알킬카르복시산 또는 아릴카르복시산, 같은 전자 구인성기의 치환한 디설포닐이미드 등이 바람직하다. 전자 구인성기로서는 불소 원자 등의 할로겐 원자, 트리플루오로메틸기 등의 할로알킬기, 니트로기, 시아노기를 들 수 있다.As the generated acid, preferred is a disulfonylimide substituted with an electron-attracting group such as a sulfonic acid or a substituted alkylcarboxylic acid or an arylcarboxylic acid substituted with an electron-withdrawing group having a pKa of 2 or less, and the like. Examples of the electron-attracting group include a halogen atom such as a fluorine atom, a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group, a nitro group, and a cyano group.

또한, 본 발명에 있어서는 노광 광의 조사에 의해 실질적으로 산을 발생하지 않고, 열에 의해 산을 발생하는 설폰산에스테르를 사용하는 것도 바람직하다. 열산 발생제의 분자량은, 230∼1,000이 바람직하고, 230∼800이 보다 바람직하다.In the present invention, it is also preferable to use a sulfonic acid ester which does not generate an acid substantially by irradiation with exposure light and generates an acid by heat. The molecular weight of the thermal acid generator is preferably from 230 to 1,000, more preferably from 230 to 800.

열산 발생제의 수지 조성물에의 함유량은, 성분A의 함유량 100중량부에 대하여, 0.5∼20중량부가 바람직하고, 1∼15중량부가 특히 바람직하다.The content of the thermal acid generator in the resin composition is preferably 0.5 to 20 parts by weight, particularly preferably 1 to 15 parts by weight, per 100 parts by weight of the content of the component A. [

(성분Q) 산증식제(Component Q)

본 발명의 수지 조성물은, 감도 향상을 목적으로, (성분Q) 산증식제를 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서 사용하는 산증식제는, 산촉매 반응에 의해 더 산을 발생하여 반응계 내의 산농도를 상승시킬 수 있는 화합물이며, 산이 존재하지 않는 상태에서는 안정하게 존재하는 화합물이다. 이러한 화합물은, 1회의 반응으로 1개 이상의 산이 늘어나기 때문에, 반응의 진행에 따라 가속적으로 반응이 진행하지만, 발생한 산자체가 자기 분해를 유기하기 위해, 여기에서 발생하는 산의 강도는, 산해리 정수, pKa로서 3 이하인 것이 바람직하고, 특히 2 이하인 것이 바람직하다.For the purpose of improving the sensitivity, the resin composition of the present invention can use (component Q) an acid growth agent. The acid-proliferating agent used in the present invention is a compound capable of generating a further acid by an acid catalytic reaction to increase the concentration of an acid in the reaction system, and is a compound stably present in the absence of acid. Such a compound accelerates the reaction in accordance with the progress of the reaction because one or more acids are elongated in a single reaction. However, since the resulting acid itself undergoes self-decomposition, the strength of the acid generated here is, It is preferable that the integer pKa is 3 or less, particularly 2 or less.

산증식제의 구체예로서는, 일본 특개평10-1508호 공보의 단락 0203∼0223, 일본 특개평10-282642호 공보의 단락 0016∼0055, 및, 일본 특표평9-512498호 공보 제39페이지 12행째∼제47페이지 2행째에 기재된 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the acid proliferating agent include those described in paragraphs 0203 to 023 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-1508, paragraphs 0016 to 555 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-282642, and Japanese Patent Publication No. 9-512498, page 39, line 12 To page 47, page 2, and the like.

본 발명에서 사용할 수 있는 산증식제로서는, 산발생제로부터 발생한 산에 의해 분해하고, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 메탄설폰산, 벤젠설폰산, 트리플루오로메탄설폰산, 페닐포스폰산 등의 pKa가 3 이하의 산을 발생시키는 화합물을 들 수 있다.Examples of the acidic proliferative agent that can be used in the present invention include acids decomposed by acids generated from an acid generator and decomposed with pKa such as dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid and phenylphosphonic acid Is 3 or less.

산증식제의 수지 조성물에의 함유량은, (성분D) 광산 발생제 100중량부에 대하여, 10∼1,000중량부로 하는 것이, 노광부와 미노광부의 용해 콘트라스트의 관점에서 바람직하고, 20∼500중량부로 하는 것이 더 바람직하다.The content of the acid proliferating agent in the resin composition is preferably from 10 to 1,000 parts by weight based on 100 parts by weight of the (D) photoacid generator from the viewpoint of dissolution contrast between the exposed portion and the unexposed portion, It is more preferable to make the portion.

(경화물의 제조 방법)(Production method of cured product)

본 발명의 경화물의 제조 방법은, 본 발명의 수지 조성물을 사용한 경화물의 제조 방법이면 특별히 제한은 없지만, 적어도 공정(a)∼(c)을 이 순서로 포함하는 방법인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 경화물의 제조 방법에 의해 얻어지는 경화물의 형상은, 특별히 제한은 없고, 하기 공정(a)∼(c)을 포함하는 방법과 같이 막상의 경화물이여도, 임의의 형상이여도, 후술하는 바와 같이 패턴상의 경화물이여도 된다.The method for producing a cured product of the present invention is not particularly limited as long as it is a method for producing a cured product using the resin composition of the present invention, but it is preferable that the method includes at least steps (a) to (c) in this order. The shape of the cured product obtained by the method for producing a cured product of the present invention is not particularly limited and may be a film-like cured product or any shape, such as a method including the following steps (a) to (c) And may be a cured product in a pattern as described later.

(a) 본 발명의 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정(a) a coating step of applying the resin composition of the present invention on a substrate

(b) 도포된 수지 조성물에서 용제를 제거하는 용제 제거 공정(b) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition

(c) 용제가 제거된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정(c) a heat treatment step of heat-treating the resin composition from which the solvent has been removed

이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.Each step will be described below in order.

<도포 공정(공정(a))><Coating Process (Process (a))>

본 발명의 경화물의 제조 방법은, (a) 본 발명의 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The method for producing the cured product of the present invention preferably includes (a) a coating step of coating the resin composition of the present invention on a substrate.

공정(a)에 있어서는, 본 발명의 수지 조성물을, 소정의 기판에 도포하고, 감압 및/또는 가열(프리 베이크)에 의해 용제를 제거하는 것에 의해, 소망의 건조 도막을 형성하는 것이 바람직하다.In the step (a), it is preferable to form a desired dry film by applying the resin composition of the present invention to a predetermined substrate and removing the solvent by reduced pressure and / or heating (prebaking).

본 발명에 있어서 사용할 수 있는 기판 재료로서는, 실리콘, 이산화규소, 질화규소, 알루미나, 유리, 유리-세라믹스, 비소화갈륨, 인화인듐, 구리, 알루미늄, 니켈, 철, 강, 구리-실리콘 합금, 인듐-주석 산화물 피복 유리; 폴리이미드 및 폴리에스테르 등의 유기 필름; 금속, 반도체 및 절연 재료의 패터닝 영역을 함유하는 임의의 기판 등을 들 수 있지만, 그들에 한정되지 않는다. 경우에 따라, 수지 조성물을 도포하기 전에, 흡수된 습분을 제거하기 위해 기판 상에서 베이크 스텝을 실시할 수 있다. 기판에의 도포 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 슬릿 코팅법, 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법, 유연 도포법 등의 방법을 사용할 수 있다. 대형 기판의 경우에는, 중에서도 슬릿 코팅법이 바람직하다. 여기에서 대형 기판이란, 각 변이 1m 이상 5m 이하의 크기의 기판을 말한다.Examples of the substrate material that can be used in the present invention include silicon, silicon dioxide, silicon nitride, alumina, glass, glass-ceramics, gallium arsenide, indium phosphide, copper, aluminum, nickel, iron, Tin oxide coated glass; Organic films such as polyimide and polyester; A metal, a semiconductor, and any substrate containing a patterning region of an insulating material, but are not limited thereto. Optionally, a baking step may be performed on the substrate to remove absorbed moisture prior to application of the resin composition. The coating method on the substrate is not particularly limited, and for example, slit coating method, spraying method, roll coating method, spin coating method, and flexible coating method can be used. In the case of a large substrate, a slit coating method is preferable. Here, a large substrate refers to a substrate having a size of 1 m or more and 5 m or less in each side.

<용제 제거 공정(공정(b))><Solvent removal step (step (b))>

본 발명의 경화물의 제조 방법은, (b) 도포된 수지 조성물에서 용제를 제거하는 용제 제거 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The method for producing the cured product of the present invention preferably includes (b) a solvent removing step for removing the solvent from the applied resin composition.

공정(b)에서는, 도포된 상기의 막으로부터, 감압(배큠) 및/또는 가열에 의해, 용제를 제거하여 기판 위에 건조 도막을 형성시키는 것이 바람직하다. 가열 조건은, 바람직하게는 70∼120℃에서 30∼300초간 정도이다.In the step (b), it is preferable that the solvent is removed from the applied film by reduced pressure (baking) and / or heating to form a dry film on the substrate. The heating conditions are preferably about 70 to 120 DEG C for about 30 to 300 seconds.

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은, 형상 제어성이 좋기 때문에, 용제 제거 후의 막두께가 4㎛ 이상의 후막 패턴 제조에 적합하게 사용할 수 있다. 용제 제거 후의 막두께로서는 4∼500㎛가 바람직하고, 4∼100㎛가 특히 바람직하다.The method for producing a resin pattern of the present invention can be suitably used for producing a thick film having a thickness of 4 占 퐉 or more after removal of a solvent since the shape controllability is good. The film thickness after removing the solvent is preferably 4 to 500 mu m, more preferably 4 to 100 mu m.

<열처리 공정(공정(c))>&Lt; Heat treatment step (step (c)) >

본 발명의 경화물의 제조 방법은, 용제가 제거된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정(베이크 공정)을 포함하는 것이 바람직하다. 열처리하는 것에 의해, 경화막을 형성할 수 있다.The method for producing a cured product of the present invention preferably includes a heat treatment step (baking step) for heat-treating the resin composition from which the solvent has been removed. The cured film can be formed by heat treatment.

열처리 온도(베이크 온도)는, 180∼250℃가 바람직하고, 열처리 시간은 30∼150분이 바람직하다.The heat treatment temperature (baking temperature) is preferably 180 to 250 캜, and the heat treatment time is preferably 30 to 150 minutes.

예를 들면, 성분A로서, (a-1-1) 카르복시기 또는 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위와 (a-2-1) 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 갖는 중합체를 사용했을 경우, 상기 열처리 공정에 있어서, 모노머 단위(a-1-1) 중의 산분해성기를 열분해하고 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 생성시켜, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기와 가교시키는 것에 의해, 경화막을 형성할 수 있다.(A-1-1) a monomer unit having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group and (a-2-1) a monomer unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group , The acid decomposable group in the monomer unit (a-1-1) is thermally decomposed to produce a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group, which is then cross-linked with an epoxy group and / or an oxetanyl group , And a cured film can be formed.

또한, (성분E) 열가교제를 사용한 경우에는, 상기 열처리 공정에 있어서 (성분E) 열가교제도 열가교시키는 것이 바람직하다.When (Component E) a heat crosslinking agent is used, it is preferable that the (E) thermal crosslinking agent is also thermally crosslinked in the heat treatment step.

(수지 패턴 제조 방법)(Resin pattern production method)

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은, 본 발명의 수지 조성물을 사용한 수지 패턴 제조 방법이면 특별히 제한은 없지만, 적어도 공정(1)∼(5)을 이 순서로 포함하는 방법인 것이 바람직하다.The method for producing a resin pattern of the present invention is not particularly limited as long as it is a method for producing a resin pattern using the resin composition of the present invention, but it is preferable that the method includes at least steps (1) to (5) in this order.

(1) 본 발명의 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정(1) a coating step of applying the resin composition of the present invention on a substrate

(2) 도포된 수지 조성물에서 용제를 제거하는 용제 제거 공정(2) a solvent removing step for removing the solvent from the applied resin composition

(3) 용제가 제거된 수지 조성물을 활성 광선에 의해 패턴상으로 노광하는 노광 공정(3) an exposure step of exposing the resin composition from which the solvent has been removed to a patterned image by an actinic ray

(4) 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정(4) a developing step of developing the exposed resin composition with an aqueous developing solution

(5) 현상된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정(5) Heat treatment process for heat-treating the developed resin composition

이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.Each step will be described below in order.

<도포 공정(공정(1))><Coating Process (Step (1))>

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은, (1) 본 발명의 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The resin pattern production method of the present invention preferably includes (1) a coating step of coating the resin composition of the present invention on a substrate.

공정(1)은, 상기 공정(a)과 같은 공정이며, 바람직한 태양도 같다.Step (1) is the same step as step (a), and preferred embodiments are also the same.

<용제 제거 공정(공정(2))><Solvent removal step (step (2))>

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은, (2) 도포된 수지 조성물에서 용제를 제거하는 용제 제거 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The resin pattern production method of the present invention preferably includes a solvent removal step of (2) removing the solvent from the applied resin composition.

공정(2)은, 상기 공정(b)과 같은 공정이며, 바람직한 태양도 같다.The step (2) is the same as the step (b), and the preferred embodiment is also the same.

<노광 공정(공정(3))>&Lt; Exposure step (step (3)) >

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은, (3) 용제가 제거된 수지 조성물을 활성 광선에 의해 패턴상으로 노광하는 노광 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The resin pattern production method of the present invention preferably includes (3) an exposure step of exposing the resin composition from which the solvent has been removed to a pattern image by an actinic ray.

공정(3)에서는, 건조 도막을 마련한 기판에 소정의 패턴의 활성 광선을 조사한다. 노광은 마스크를 통하여 행해도 되며, 소정의 패턴을 직접 묘화해도 된다.In the step (3), the substrate provided with the dry coating film is irradiated with an actinic ray of a predetermined pattern. The exposure may be performed through a mask, or a predetermined pattern may be directly drawn.

활성 광선으로서는, 파장 300㎚ 이상 450㎚ 이하의 파장을 갖는 활성 광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 활성 광선에 의한 노광에는, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, 레이저 발생 장치, LED 광원 등을 사용할 수 있다.As the active ray, an active ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less can be preferably used. A low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a chemical lamp, a laser generator, an LED light source, or the like can be used for exposure by an actinic ray.

수은등을 사용하는 경우에는, g선(436㎚), i선(365㎚), h선(405㎚) 등의 파장을 갖는 활성 광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 수은등은 레이저에 비하면, 대면적의 노광에 적합하다고 하는 점에서 바람직하다.When a mercury lamp is used, an actinic ray having a wavelength such as g-line (436 nm), i-line (365 nm), and h-line (405 nm) can be preferably used. The mercury lamp is preferable in that it is suitable for exposure of a large area as compared with a laser.

레이저를 사용하는 경우에는, 파장을 적의(適宜) 선택하여 각종 레이저를 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들면, 고체(YAG) 레이저로는, 343㎚, 355㎚를 사용할 수 있고, 엑시머 레이저로는 351㎚(XeF)를 사용할 수 있으며, 또한 반도체 레이저로는 375㎚, 405㎚를 사용할 수 있다. 이 중에서도 안정성, 비용 등의 점에서 355㎚, 또는, 405㎚가 보다 바람직하다. 레이저는 1회 혹은 복수 회로 나눠, 도막에 조사할 수 있다.In the case of using a laser, various lasers can be used without any particular limitation by appropriately selecting a wavelength. For example, as the solid-state (YAG) laser, 343 nm and 355 nm can be used. As the excimer laser, 351 nm (XeF) can be used, and as the semiconductor laser, 375 nm and 405 nm can be used . Of these, 355 nm or 405 nm is more preferable in terms of stability and cost. The laser can be applied to the coating film once or several times.

레이저는 수은등에 비하면, 초점을 조이는 것이 용이하고, 노광 공정에서의 패턴 형성의 마스크가 불필요하여 비용 다운할 수 있다는 점에서 바람직하다.The laser is preferable to a mercury lamp because it is easy to tighten the focus and a mask for forming a pattern in the exposure process is unnecessary and cost can be reduced.

본 발명에 사용 가능한 노광 장치로서는, 특별히 제한은 없지만 시판되어 있는 것으로서는, Callisto((주)브이·테크놀로지제)나 AEGIS((주)브이·테크놀로지제)나 DF2200G(다이니폰스크린세이조(주)제) 등이 사용 가능하다. 또한 상기 이외의 장치도 호적하게 사용할 수 있다.Examples of the exposure apparatus that can be used in the present invention include, but are not limited to, those available from Callisto (manufactured by V Technology), AEGIS (manufactured by V Technology) and DF2200G (manufactured by Dainippon Screen Co., ) Can be used. Also, devices other than those described above can be used suitably.

또한, 필요에 따라 장파장 컷필터, 단파장 컷필터, 밴드 패스 필터와 같은 분광 필터를 통하여 조사광을 조정할 수도 있다.If necessary, the irradiation light can be adjusted through a spectral filter such as a long wavelength cut filter, a short wavelength cut filter, or a band pass filter.

또한, 상기 노광 공정 후, 현상 공정보다 전에 필요에 따라, PEB(노광 후 가열 처리)를 행할 수 있다. PEB를 행하는 경우의 온도는, 30℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이상 110℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 50℃ 이상 90℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.After the exposure process, PEB (post exposure baking process) can be performed before the developing process, if necessary. The temperature for PEB is preferably 30 ° C or higher and 130 ° C or lower, more preferably 40 ° C or higher and 110 ° C or lower, and particularly preferably 50 ° C or higher and 90 ° C or lower.

<현상 공정(공정(4))><Development Process (Step (4))>

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은, (4) 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The resin pattern manufacturing method of the present invention preferably includes (4) a developing step of developing the exposed resin composition by an aqueous developing solution.

공정(4)에서는, 수성 현상액을 사용하여 현상한다.In step (4), development is carried out using an aqueous developer.

수성 현상액으로서는, 알칼리성 현상액이 바람직하고, 알칼리성 현상액으로 사용할 수 있는 염기성 화합물로서는, 예를 들면, 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산나트륨, 중탄산칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 코린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산나트륨, 메타규산나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.As the aqueous developing solution, an alkaline developing solution is preferable. Examples of the basic compound usable as an alkaline developing solution include alkali metal hydroxide such as lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide and the like; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; Ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and corinhydroxide; An aqueous solution of sodium silicate, sodium metasilicate or the like can be used. An aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous alkaline solution may be used as a developer.

현상액의 pH는, 10.0∼14.0인 것이 바람직하다.The pH of the developing solution is preferably 10.0 to 14.0.

현상 시간은, 30∼180초간인 것이 바람직하고, 또한, 현상의 수법은 액성법(液盛法), 딥법, 샤워법 등의 어느 것이어도 된다. 현상 후는, 유수 세정을 10∼90초간 행하고, 소망의 패턴을 형성시키는 것이 바람직하다.The development time is preferably 30 to 180 seconds, and the developing method may be any of a liquid method, a dipping method, and a shower method. After the development, it is preferable to carry out the water washing for 10 to 90 seconds to form a desired pattern.

또한, 본 발명의 수지 패턴 제조 방법은, 공정(4)과 공정(5)의 사이에, 패턴을 형성한 기판을 활성 광선에 의해 재노광하는 재노광 공정을 포함하고 있어도 되지만, 포함하지 않는 것이 바람직하다.The method for producing a resin pattern of the present invention may include a re-exposure step of re-exposing a substrate on which a pattern is formed by an actinic ray between steps (4) and (5) desirable.

재노광 공정에 있어서의 노광은, 상기 노광 공정과 같은 수단에 의해 행하면 되지만, 상기 재노광 공정에서는, 기판의 수지 조성물의 막이 형성된 측에 대하여, 전면 노광을 행하는 것이 바람직하다.The exposure in the re-exposure step may be performed by the same means as the exposure step, but in the re-exposure step, it is preferable to perform the entire exposure on the side where the resin composition film of the substrate is formed.

재노광 공정의 바람직한 노광량은, 100∼1,000mJ/㎠이다.The preferable exposure amount of the re-exposure step is 100 to 1,000 mJ / cm &lt; 2 &gt;.

<열처리 공정(공정(5))><Heat Treatment Process (Step (5))>

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은, 현상된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정(베이크 공정)을 포함하는 것이 바람직하다. 열처리하는 것에 의해, 경화막을 형성할 수 있다.The resin pattern production method of the present invention preferably includes a heat treatment step (baking step) for heat-treating the developed resin composition. The cured film can be formed by heat treatment.

공정(5)은, 용제가 제거된 수지 조성물 대신에 상기 공정(4)을 거친 현상된 수지 조성물을 사용하는 것 이외는, 상기 공정(c)과 같은 공정이며, 바람직한 태양도 같다.The step (5) is the same as the step (c) except that the resin composition from which the solvent has been removed is subjected to the step (4) and the developed resin composition is used.

(전사 재료)(Transfer material)

본 발명의 수지 조성물은, 전사 재료로서 호적하게 사용할 수 있다. 구체적으로는 예를 들면, 가(假)지지체 위에 마련한 수지 조성물을 표시 장치의 기판 상이나 반도체 기판 상으로 전사하여 사용하는 전사 재료로서 호적하게 사용할 수 있다.The resin composition of the present invention can be suitably used as a transferring material. Concretely, for example, the resin composition provided on the temporary support can be used as a transfer material to be transferred onto a substrate of a display device or onto a semiconductor substrate.

본 발명의 수지 조성물을 전사 재료로서 사용하여 수지 패턴을 형성하는 경우, 본 발명의 수지 패턴 제조 방법은, 이하의 공정(1')∼(6')을 이 순서로 포함하는 것이 바람직하다.When the resin composition of the present invention is used as a transfer material to form a resin pattern, the resin pattern production method of the present invention preferably includes the following steps (1 ') to (6') in this order.

(1') 본 발명의 수지 조성물을 가지지체 위에 도포하는 도포 공정(1 ') A coating process of applying the resin composition of the present invention onto a support

(2') 도포된 수지 조성물에서 용제를 제거하는 용제 제거 공정(2 ') a solvent removing step of removing the solvent in the applied resin composition

(3') 용제가 제거된 수지 조성물을 기판(영구 지지체)에 전사하는 공정(3 ') Step of transferring the resin composition from which the solvent has been removed to a substrate (permanent support)

(4') 전사된 수지 조성물을 활성 광선에 의해 패턴상으로 노광하는 노광 공정(4 ') an exposure process for exposing the transferred resin composition to a patterned image with an actinic ray

(5') 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정(5 ') a developing step of developing the exposed resin composition with an aqueous developing solution

(6') 현상된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정(6 ') Heat treatment process for heat-treating the developed resin composition

<도포 공정(공정(1'))><Coating Process (Step (1 '))>

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은, (1') 본 발명의 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The method for producing a resin pattern of the present invention preferably comprises (1 ') an application step of applying the resin composition of the present invention onto a substrate.

공정(1')은, 기판 대신에 하기에 나타내는 가지지체를 사용한 이외는, 상기 공정(a)과 같은 공정이며, 바람직한 태양도 같다.The process (1 ') is the same as the process (a) except that the substrate shown below is used in place of the substrate.

가지지체로서는, 폴리에스테르, 폴리스티렌 등의 공지의 재료를 사용할 수 있다. 중에서도, 2축 연신한 폴리에틸렌테레프탈레이트는 비용, 내열성, 치수 안정성의 관점에서 바람직하다.As the branching material, known materials such as polyester and polystyrene can be used. Among them, biaxially stretched polyethylene terephthalate is preferable from the viewpoints of cost, heat resistance and dimensional stability.

상기 가지지체의 두께는, 15∼200㎛인 것이 바람직하고, 30∼150㎛인 것이 보다 바람직하다.The thickness of the branched body is preferably 15 to 200 mu m, more preferably 30 to 150 mu m.

<용제 제거 공정(공정(2'))><Solvent removal step (step (2 '))>

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은, (2') 도포된 수지 조성물에서 용제를 제거하는 용제 제거 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The resin pattern manufacturing method of the present invention preferably includes a solvent removing step of removing the solvent in the resin composition (2 ').

공정(2')은, 상기 공정(b)과 같은 공정이며, 바람직한 태양도 같다.The step (2 ') is the same as the step (b), and the preferred embodiment is also the same.

<전사 공정(공정(3'))>&Lt; Transcription step (step (3 '))

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은, (3') 용제가 제거된 수지 조성물을 기판(영구 지지체)에 전사하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The resin pattern production method of the present invention preferably includes a step of transferring the resin composition from which (3 ') the solvent has been removed to a substrate (permanent support).

상기 전사 공정은, 용제가 제거된 수지 조성물을 기판(영구 지지체)에 첩합(貼合)하는 공정, 및, 기판에 첩합한 수지 조성물에서 가지지체를 제거하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The transferring step preferably includes a step of bonding the resin composition from which the solvent has been removed to a substrate (permanent support), and a step of removing the branching agent from the resin composition adhered to the substrate.

용제가 제거된 수지 조성물과 기판의 첩합은, 예를 들면, 가열 및/또는 가압한 롤러 또는 평판에서, 압착 또는 가열 압착하는 것에 의해 행할 수 있다.The bonding of the resin composition from which the solvent has been removed and the substrate can be carried out by, for example, compression bonding or heat pressing in a heated and / or pressurized roller or flat plate.

구체적으로는, 일본 특개평7-110575호 공보, 일본 특개평11-77942호 공보, 일본 특개2000-334836호 공보, 일본 특개2002-148794호 공보에 기재된 라미네이터 및 라미네이트 방법을 들 수 있지만, 저(低)이물의 관점에서, 일본 특개평7-110575호 공보에 기재된 방법을 사용하는 것이 바람직하다.Specifically, the laminator and the lamination method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-110575, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-77942, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-334836, and Japanese Patent Laid-Open No. 2002-148794, Low) From the viewpoint of foreign matter, it is preferable to use the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-110575.

가지지체의 제거 방법은, 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, 점착층을 갖는 점착 롤러 등을 가지지체에 접촉시켜, 기판에 첩합한 수지 조성물에서 가지지체를 박리하는 것에 의해 제거할 수 있다. 가지지체의 박리는, 구체적으로, 가지지체를 연속 권취식으로 박리하는 연속 박리 혹은 매엽식(枚葉式)으로 분리된 기판으로부터 돌출하는 가지지체의 단부를 파지하여 박리할 수도 있다.The method of removing branch lags is not particularly limited. For example, an adhesive roller having a pressure-sensitive adhesive layer or the like may be brought into contact with a branch support and removed by peeling the branch support from the resin composition which is attached to the substrate. Specifically, the separation of the branches may be carried out by grasping and peeling the end portions of the branches separated from the substrate separated by the continuous separation or the single-wafer separation in which the branches are separated in a continuous winding manner.

상기 가지지체의 박리 방법은, 연속 박리로서는 일본 특개2006-297879호 공보, 매엽 박리로서는 일본 특개2007-320678호 공보에 기재된 방법이 바람직하게 들 수 있다.The method of peeling the branched body is preferably a method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-297879 for continuous peeling, and a method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-320678 for sheet laminating.

<노광 공정(공정(4'))>&Lt; Exposure Step (Step (4 ')) &gt;

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은, (4') 전사된 수지 조성물을 활성 광선에 의해 패턴상으로 노광하는 노광 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The resin pattern production method of the present invention preferably includes an exposure step of exposing the resin composition transferred (4 ') to a patterned image by an actinic ray.

공정(4')은, 용제가 제거된 수지 조성물 대신에 상기 공정(3')을 거친 전사된 수지 조성물을 사용하는 것 이외는, 상기 공정(3)과 같은 공정이며, 바람직한 태양도 같다.The step (4 ') is the same as the step (3), except that the transferred resin composition obtained through the step (3') is used instead of the resin composition from which the solvent has been removed.

<현상 공정(공정(5'))>&Lt; Development step (step (5 '))

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은, (5') 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The resin pattern manufacturing method of the present invention preferably includes a developing step of developing the exposed resin composition with an aqueous developing solution (5 ').

공정(5')은, 상기 공정(4)과 같은 공정이며, 바람직한 태양도 같다.Step (5 ') is the same as step (4), and preferred embodiments are also the same.

<열처리 공정(공정(6'))>&Lt; Heat treatment step (step (6 '))

본 발명의 수지 패턴 제조 방법은, (6') 현상된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 열처리하는 것에 의해, 경화막을 형성할 수 있다.The resin pattern manufacturing method of the present invention preferably includes a heat treatment step of heat-treating the resin composition (6 '). The cured film can be formed by heat treatment.

공정(6')은, 상기 공정(5)과 같은 공정이며, 바람직한 태양도 같다.Step (6 ') is the same as step (5), and preferred embodiments are also the same.

본 발명의 수지 조성물을 전사 재료로서 사용하여 수지 패턴을 형성하는 경우의 수지 패턴 제조 방법으로서는, 일본 특개2010-72589호 공보 등도 참조할 수 있다.As a method of producing a resin pattern in the case of forming a resin pattern by using the resin composition of the present invention as a transfer material, Japanese Patent Laid-Open No. 2010-72589 can also be referred to.

또한, 본 발명의 수지 조성물을 전사 재료로서 사용하며, 또한, 본 발명의 수지 조성물에 (성분D) 광산 발생제를 포함하지 않는 경우에는, 본 발명의 수지 패턴 제조 방법은, 상기 공정(1'), (2'), (3') 및 (6')을 이 순서로 포함하는 것이 바람직하다.When the resin composition of the present invention is used as a transfer material and the resin composition of the present invention does not contain a photoacid generator (Component D), the resin pattern production method of the present invention is characterized in that the step (1 ' ), (2 '), (3') and (6 ') in this order.

(경화물, 광학 부재)(Cured product, optical member)

본 발명의 경화물은, 본 발명의 수지 조성물을 경화한 것이면, 특별히 제한은 없지만, 본 발명의 경화물의 제조 방법, 또는, 수지 패턴 제조 방법에 의해 제조된 경화물인 것이 바람직하다.The cured product of the present invention is not particularly limited as long as the resin composition of the present invention is cured, but is preferably a cured product produced by the method of producing a cured product of the present invention or the method of producing a resin pattern.

또한, 본 발명의 경화물은, 마이크로 렌즈, 광도파로, 반사 방지막 등의 광학 부재로서 호적하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 경화물은, 터치 패널에 사용되는 배선 전극의 시인성 저감용 부재로서도 적합하게 사용할 수 있다. 중에서도, 마이크로 렌즈로서 특히 호적하게 사용할 수 있다.Further, the cured product of the present invention can be suitably used as an optical member such as a microlens, an optical waveguide, or an antireflection film. The cured product of the present invention can also be suitably used as a member for reducing visibility of a wiring electrode used in a touch panel. In particular, it can be suitably used as a microlens.

[실시예][Example]

다음으로, 실시예에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은, 이들의 실시예에 의해 한정되는 것이 아니다. 또, 특별히 언급이 없는 한, 「부」, 「%」는 중량 기준이다.Next, the present invention will be described more specifically with reference to Examples. However, the present invention is not limited by these examples. Unless otherwise noted, "parts" and "%" are by weight.

이하의 합성예에 있어서, 이하의 약호는 각각 이하의 화합물을 나타낸다.In the following Synthesis Examples, the following abbreviations respectively represent the following compounds.

V-601 : 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)V-601: Dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate)

GMA : 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

PGMEA : 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate

<중합체A1의 합성>&Lt; Synthesis of Polymer A1 >

메타크릴산테트라히드로푸란-2-일(63.2부(0.405몰당량)),63.2 parts (0.405 molar equivalents) of methacrylic acid tetrahydrofuran-2-yl,

메타크릴산(8.2부(0.095몰당량)),Methacrylic acid (8.2 parts (0.095 molar equivalents)),

메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸(69부(0.375몰당량)),69 parts (0.375 molar equivalents) of methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl,

메타크릴산2-히드록시에틸(16.3부, (0.125몰당량)), 및,2-hydroxyethyl methacrylate (16.3 parts, (0.125 molar equivalents)),

프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)(120부)의 혼합 용액을 질소 기류하, 70℃로 가열했다. 이 혼합 용액을 교반하면서, 라디칼 중합 개시제V-601 : 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트), 와코쥰야쿠고교(주)제, 12.0부) 및 PGMEA(80부)의 혼합 용액을 3.5시간 걸쳐서 적하했다. 적하가 종료하고 나서, 70℃에서 2시간 반응시키는 것에 의해 중합체A1의 PGMEA 용액을 얻었다. 또한 PGMEA를 첨가하여 고형분 농도 40중량%로 조정했다.And a mixed solution of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) (120 parts) was heated to 70 占 폚 under a nitrogen stream. Azobis (2-methylpropionate), Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (12.0 parts) and PGMEA (80 parts) were mixed while stirring the mixture solution, Was added dropwise over 3.5 hours. After completion of the dropwise addition, the reaction was carried out at 70 DEG C for 2 hours to obtain a PGMEA solution of the polymer A1. Further, PGMEA was added to adjust the solid concentration to 40% by weight.

얻어진 중합체A1의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 중량 평균 분자량(Mw)은, 15,000이었다.The polymer A1 thus obtained had a weight average molecular weight (Mw) measured by gel permeation chromatography (GPC) of 15,000.

<중합체A2∼A7, A'1, A'2, 및, B1∼B5의 합성><Synthesis of Polymers A2 to A7, A'1, A'2, and B1 to B5>

중합체A1의 합성에서 사용한 각 모노머를 표 1에 기재된 각 모노머 단위를 형성하는 모노머로 변경하고, 각 모노머 단위를 형성하는 모노머의 사용량을 표 1에 기재된 것으로 변경한 이외는, 중합체A1의 합성과 같이 하여, 중합체A2∼A7, A'1, A'2, 및, B1∼B5를 각각 합성했다. 라디칼 중합 개시제V-601의 첨가량은, 표 1에 기재된 분자량이 되도록 각각 조정했다.The synthesis of the polymer A1 was carried out in the same manner as in the synthesis of the polymer A1 except that the respective monomers used in the synthesis of the polymer A1 were changed to the monomers forming the respective monomer units shown in Table 1 and the amounts of the monomers forming the respective monomer units were changed to those shown in Table 1 To thereby synthesize Polymers A2 to A7, A'1, A'2, and B1 to B5, respectively. The addition amount of the radical polymerization initiator V-601 was adjusted so as to have the molecular weights shown in Table 1, respectively.

[표 1][Table 1]

Figure 112012033313774-pat00016
Figure 112012033313774-pat00016

또, 표 1에 기재된 양은, 몰비이며, 종류란에 기재된 각 모노머 유래의 모노머 단위의 공중합비를 나타낸다. 또한, 표 1 중 「-」은 그 모노머 단위를 사용하고 있지 않은 것을 나타낸다.The amounts shown in Table 1 are molar ratios and represent the copolymerization ratios of the monomer units derived from the respective monomers described in the column of the type. In Table 1, "-" indicates that the monomer unit is not used.

또한, 표 1 중의 약호는 이하와 같다.The abbreviations in Table 1 are as follows.

MAEVE : 메타크릴산1-에톡시에틸MAEVE: 1-ethoxyethyl methacrylate

MATHF : 메타크릴산테트라히드로푸란-2-일MATHF: tetrahydrofuran-2-yl methacrylate

GMA : 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

OXE-30 : 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸(오사카유키가가쿠고교(주)제)OXE-30: Methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl (Osaka Yuki Kagaku Kogyo Co., Ltd.)

St : 스티렌St: Styrene

HEMA : 메타크릴산2-히드록시에틸HEMA: 2-hydroxyethyl methacrylate

MAA : 메타크릴산MAA: methacrylic acid

MMA : 메타크릴산메틸MMA: methyl methacrylate

t-BuMA : t-부틸메타크릴레이트t-BuMA: t-butyl methacrylate

HS-EVE : 하기 화합물(4-(1-에톡시)에톡시스티렌)HS-EVE: The following compound (4- (1-ethoxy) ethoxystyrene)

AllylMA : 알릴메타크릴레이트AllylMA: Allyl methacrylate

A : 노닐페닐-폴리옥시에틸렌쇄 부가물 아크릴레이트A: Nonyl phenyl-polyoxyethylene chain adduct acrylate

(교에이샤가가쿠(주)제/상품명 : 라이트아크릴레이트NP-4EA)(Trade name: light acrylate NP-4EA manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)

B : 메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트B: methoxypolyethylene glycol methacrylate

(니혼유시(주)제/상품명 : 블렘머PME-400)(Trade name: BLEMMER PME-400 manufactured by Nippon Oil Co., Ltd.)

C : 옥톡시폴리에틸렌글리콜폴리옥시프로필렌글리콜 모노메타크릴레이트(니혼유시(주)제/상품명 : 블렘머50AOEP-800B)C: Octoxypolyethylene glycol Polyoxypropylene glycol monomethacrylate (trade name: Blemmer 50AOEP-800B manufactured by Nippon Oil Co., Ltd.)

Figure 112012033313774-pat00017
Figure 112012033313774-pat00017

(분산액의 조정)(Adjustment of dispersion liquid)

표 2 조성의 분산액을 조합하고, 이를 지르코니아 비드(0.3㎜φ) 150중량부와 혼합하고, 페인트 쉐이커를 사용하여 9시간 분산을 행했다. 지르코니아 비드(0.3㎜φ)를 여별(濾別)하여, 분산액Q1 및 Q2를 각각 얻었다.The dispersions of the compositions in Table 2 were combined, mixed with 150 parts by weight of zirconia beads (0.3 mm?), And dispersed for 9 hours using a paint shaker. The zirconia beads (0.3 mm?) Were separated by filtration to obtain dispersions Q1 and Q2, respectively.

또, 분산액Q2에 대하여는, 분산은 행하지 않고, 표 2에 기재된 성분을 혼합하여 교반만 했다.With respect to the dispersion liquid Q2, the components described in Table 2 were mixed and stirred without performing dispersion.

또한, 사용한 TTO-51C(이시하라산교(주)제)의 평균 1차 입경은, 11㎚이며, 또한, 나노유즈OZ-S30K-AC(닛산가가쿠고교(주)제)의 평균 1차 입경은, 18㎚이었다.The average primary particle diameter of the used TTO-51C (manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) was 11 nm and the average primary particle diameter of the nano-used OZ-S30K-AC (manufactured by Nissan Chemical Industries, 18 nm.

[표 2][Table 2]

Figure 112012033313774-pat00018
Figure 112012033313774-pat00018

(감광성 재료액의 조정)(Adjustment of the Photosensitive Material Liquid)

하기 표 3 및 표 4에 나타내는 각 성분을 혼합하여 균일한 용액으로 한 후, 0.2㎛의 포어 사이즈를 갖는 폴리에틸렌제 필터를 사용하여 여과하고, 감광성 재료액(감광액)을 각각 조제했다.The components shown in Tables 3 and 4 were mixed to prepare a homogeneous solution, which was then filtered using a polyethylene filter having a pore size of 0.2 mu m to prepare a photosensitive material solution (sensitizing solution).

[표 3][Table 3]

Figure 112012033313774-pat00019
Figure 112012033313774-pat00019

[표 4][Table 4]

Figure 112012033313774-pat00020
Figure 112012033313774-pat00020

또, 표 3 및 표 4 중의 양의 단위는, 중량부이다.The units of amounts in Tables 3 and 4 are parts by weight.

또한, 표 3 및 표 4 중의 약호는 이하와 같다.The abbreviations in Tables 3 and 4 are as follows.

C1 : 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트C1: Propylene glycol monomethyl ether acetate

D1 : 하기 합성 방법에 의해 합성한 옥심설포네이트 화합물D1: Oxime sulfonate compound synthesized by the following synthesis method

D2 : α-(p-톨루엔설포닐옥시이미노)페닐아세토니트릴(합성 방법은, 하기에 나타낸 대로이다)D2:? - (p-toluenesulfonyloxyimino) phenylacetonitrile (synthesis method is as shown below)

D3 : CGI1397(하기 화합물, 치바·스페샤리티·케미컬사제)D3: CGI1397 (the following compound, manufactured by Chiba Specialty Chemicals)

D4 : 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄설포네이트D4: 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate

E1 : JER157S65(미츠비시가가쿠(주)제, 에폭시 당량 : 200∼220g/eq)E1: JER157S65 (manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd., epoxy equivalent: 200 to 220 g / eq)

H1 : 9,10-디부톡시안트라센(DBA)H1: 9,10-dibutoxyanthracene (DBA)

J1 : 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(KBM-403, 신에츠가가쿠고교(주)제)J1: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

K1 : 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨K1: 1,5-Diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene

K2 : 트리페닐이미다졸K2: Triphenylimidazole

L1 : 하기에 나타내는 화합물W-3L1: Compound W-3 shown below

Figure 112012033313774-pat00021
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Figure 112012033313774-pat00022
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Figure 112012033313774-pat00023
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<D1의 합성법>&Lt; Synthesis method of D1 >

2-나프톨(10g), 클로로벤젠(30㎖)의 현탁 용액에 염화알루미늄(10.6g), 2-클로로프로피오닐클로리드(10.1g)를 첨가하고, 혼합액을 40℃로 가열하여 2시간 반응시켰다. 빙냉하, 반응액에 4NHCl 수용액(60㎖)을 적하하고, 아세트산에틸(50㎖)을 첨가하여 분액했다. 유기층에 탄산칼륨(19.2g)을 가하고, 40℃에서 1시간 반응시킨 후, 2NHCl 수용액(60㎖)을 첨가하여 분액하고, 유기층을 농축 후, 결정을 디이소프로필에테르(10㎖)로 리슬러리하고, 여과, 건조하여 케톤 화합물(6.5g)을 얻었다.Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a suspension of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 ml), and the mixture was heated to 40 ° C for reaction for 2 hours . A 4N HCl aqueous solution (60 ml) was added dropwise to the reaction solution under ice cooling, and ethyl acetate (50 ml) was added thereto to separate the layers. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer, and the mixture was reacted at 40 占 폚 for 1 hour. 2N HCl aqueous solution (60 ml) was added thereto to separate the layers. The organic layer was concentrated, and crystals were dissolved in diisopropyl ether Filtered, and dried to obtain a ketone compound (6.5 g).

얻어진 케톤 화합물(3.0g), 메탄올(30㎖)의 현탁 용액에 아세트산(7.3g), 50% 히드록실아민 수용액(8.0g)을 첨가하고, 가열 환류했다. 방냉 후, 물(50㎖)을 가하고, 석출한 결정을 여과, 냉 메탄올 세정 후, 건조하여 옥심 화합물(2.4g)을 얻었다.Acetic acid (7.3 g) and a 50% hydroxylamine aqueous solution (8.0 g) were added to the suspension of the obtained ketone compound (3.0 g) and methanol (30 ml), and the mixture was heated to reflux. After allowing to cool, water (50 ml) was added, and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol, and dried to obtain an oxime compound (2.4 g).

얻어진 옥심 화합물(1.8g)을 아세톤(20㎖)에 용해시켜, 빙냉하 트리에틸아민(1.5g), p-톨루엔설포닐클로리드(2.4g)를 첨가하고, 실온으로 승온하여 1시간 반응시켰다. 반응액에 물(50㎖)을 첨가하고, 석출한 결정을 여과 후, 메탄올(20㎖)로 리슬러리하고, 여과, 건조하여 D1(2.3g)을 얻었다.The obtained oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 ml), triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice cooling, the temperature was raised to room temperature, . Water (50 ml) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered and then slurry was rinsed with methanol (20 ml), filtered and dried to obtain D1 (2.3 g).

또, D1의 1H-NMR 스펙트럼(300MHz, CDCl3)은, δ=8.3(d, 1H), 8.0(d, 2H), 7.9(d, 1H), 7.8(d, 1H), 7.6(dd, 1H), 7.4(dd, 1H), 7.3(d, 2H), 7.1(d. 1H), 5.6(q, 1H), 2.4(s, 3H), 1.7(d, 3H)이었다.In addition, 1 H-NMR spectrum of D1 (300MHz, CDCl 3) is, δ = 8.3 (d, 1H ), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (dd 1H), 7.4 (dd, 1H), 7.3 (d, 2H), 7.1 (d, 1H), 5.6 (q,

<D2의 합성법>&Lt; Synthesis method of D2 &

일본 특표2002-528451호 공보의 단락 0108에 기재된 방법을 따라, α-(p-톨루엔설포닐옥시이미노)페닐아세토니트릴을 합성했다.Α- (p-toluenesulfonyloxyimino) phenylacetonitrile was synthesized according to the method described in paragraph 0108 of Japanese Patent Laid-Open No. 2002-528451.

[표 5][Table 5]

Figure 112012033313774-pat00024
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Figure 112012033313774-pat00025
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또, 상기 F4, F5, F'1 및 F'2에 있어서의 괄호 오른쪽 아래의 숫자는, 몰비를 나타낸다.The numbers on the lower right of the brackets in F4, F5, F'1 and F'2 indicate the molar ratio.

<성분F의 알칼리 용해성의 평가><Evaluation of Alkali Solubility of Component F>

표 5에 기재된 사용한 성분F에 대하여, 각각 PGMEA 용액을 제작했다. 각 용액을 기판 위에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열하는 것에 의해 형성되는 성분F의 도막(두께 4㎛)의, 23℃에 있어서의 2.38중량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도를 조사했다. 용해 속도가 0.01㎛/초 미만일 때 「알칼리 불용성」, 0.01㎛/초 이상일 때 「알칼리 용해성」이라고 판단했다. 결과는 표 5에 나타냈다.PGMEA solutions were prepared for each of the components F listed in Table 5 below. The dissolution rate of the coating film (thickness 4 占 퐉) of the component F formed by applying each solution onto the substrate and heating at 90 占 폚 for 2 minutes to an aqueous solution of 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide at 23 占 폚 was measured I investigated. "Alkali insoluble" when the dissolution rate was less than 0.01 탆 / second and "alkali solubility" when it was 0.01 탆 / second or more. The results are shown in Table 5.

(감광성 수지 조성물의 조제)(Preparation of photosensitive resin composition)

표 6에 따라, 감광성 재료액(감광액)과 분산액을 혼합하여 균일한 용액으로 한 후, 0.2㎛의 포어 사이즈를 갖는 폴리에틸렌제 필터를 사용하고 여과하여, 감광성 수지 조성물을 각각 조제했다. 얻어진 감광성 수지 조성물을 각각 사용하고, 이하의 평가를 각각 행했다. 또, 표 6 중의 양의 단위는, 중량부이다. 단, 실시예15에 있어서 사용하는 R11에 대해서는, 감광성의 것이 아니라, 열경화형의 수지 조성물이다.According to Table 6, a photosensitive resin solution (photosensitive solution) and a dispersion were mixed to prepare a homogeneous solution, and then a polyethylene filter having a pore size of 0.2 mu m was used and filtered to prepare photosensitive resin compositions. Each of the obtained photosensitive resin compositions was subjected to the following evaluations. The units of the amounts in Table 6 are parts by weight. However, R11 used in Example 15 is not a photosensitive, but a thermosetting resin composition.

결과를 표 7에 나타낸다.The results are shown in Table 7.

[표 6][Table 6]

Figure 112012033313774-pat00026
Figure 112012033313774-pat00026

(1) 감도의 평가(1) Evaluation of sensitivity

실리콘 산화막을 갖는 실리콘 웨이퍼 위에 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90℃에서 120초간 핫플레이트 상에 있어서 프리 베이크하여 막두께 15㎛의 도막을 형성했다.A photosensitive resin composition was coated on a silicon wafer having a silicon oxide film by a slit and prebaked on a hot plate at 90 캜 for 120 seconds to form a coating film having a thickness of 15 탆.

다음으로, i선 스테퍼(캐논(주)제FPA-3000i5+)를 사용하여, 20㎛의 라인 앤드 스페이스의 마스크를 통하여 노광했다. 핫플레이트에서 50℃ 60초 가열한 후, 2.38%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 60초간 액성법에 의해 현상하고, 또한 초순수로 45초간 린스했다. 이들의 조작에 의해 20㎛의 라인 앤드 스페이스를 1:1로 해상할 때의 노광량(Eopt, 최적 노광량)을 감도로 했다.Next, using an i-line stepper (FPA-3000i5 + manufactured by Canon Inc.), exposure was carried out through a 20 μm line-and-space mask. Heated on a hot plate at 50 DEG C for 60 seconds, developed with a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 DEG C for 60 seconds by the liquid method, and further rinsed with ultrapure water for 45 seconds. The exposure amount (Eopt, optimum exposure amount) when resolving the line-and-space of 20 mu m to 1: 1 by these operations was taken as sensitivity.

1 : Eopt가 50mJ/㎠ 미만1: Eopt is less than 50 mJ / cm 2

2 : Eopt가 50mJ/㎠ 이상 150mJ/㎠ 미만2: Eopt less than 50mJ / cm2 and less than 150mJ / cm2

3 : Eopt가 150mJ/㎠ 이상3: Eopt more than 150mJ / ㎠

고감도인 편이 바람직하고, 1 또는 2가 실용 범위이다.High sensitivity is preferable, and 1 or 2 is a practical range.

(2) 해상도의 평가(2) Evaluation of resolution

실리콘 산화막을 갖는 실리콘 웨이퍼 위에, 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포했다. 다음으로 90℃에서 120초간 핫플레이트 상에 있어서 용매 제거하여 막두께 10㎛의 도막을 형성했다.A photosensitive resin composition was slit-coated on a silicon wafer having a silicon oxide film. Next, the solvent was removed on a hot plate at 90 DEG C for 120 seconds to form a coating film having a thickness of 10 mu m.

다음으로, i선 스테퍼(캐논(주)제FPA-3000i5+)를 사용하여, 라인 앤드 스페이스 1:1의 마스크를 통하여 최적 노광량 노광했다. 핫플레이트에서 50℃ 60초 가열했다.Next, an i-line stepper (FPA-3000i5 + manufactured by Canon Inc.) was used to expose an optimum exposure amount through a 1: 1 line-and-space mask. And heated at 50 캜 for 60 seconds on a hot plate.

다음으로 2.38중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 60초간 액성법에 의해 현상하고, 또한 초순수로 45초간 린스했다. 초고압 수은등을 사용하여 300mJ/㎠(i선으로 측정)로 노광하고, 다음으로 오븐에서 140℃ 30분 가열, 이어서 220℃ 30분 가열하여 패턴을 얻었다. 이 패턴을 광학 현미경으로 관찰했다.Next, the resist film was developed by a liquid method at 23 DEG C for 60 seconds with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, and further rinsed with ultrapure water for 45 seconds. Cm 2 (measured by i-line) using an ultra-high pressure mercury lamp, and then heated in an oven at 140 캜 for 30 minutes and then heated at 220 캜 for 30 minutes to obtain a pattern. This pattern was observed with an optical microscope.

이 조작을 마스크의 라인 앤드 스페이스의 폭 10㎛부터 개시하고, 폭을 1㎛씩 좁혀가면서, 깨끗하게 패턴 제작할 수 있었던 최소폭을 해상도로 했다.This operation was started from the width of the line and space of the mask of 10 mu m, and the minimum width at which the pattern was clearly formed was defined as the resolution while narrowing the width by 1 mu m.

1 : 해상도 5㎛ 미만1: resolution less than 5 탆

2 : 해상도 5㎛ 이상 10㎛ 미만2: resolution 5 탆 or more and less than 10 탆

3 : 해상도 10㎛ 이상3: Resolution 10 μm or more

(3) 패턴의 형상 평가(3) Evaluation of shape of pattern

유리 기판 위에, 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포했다. 다음으로 90℃에서 120초간 핫플레이트 상에 있어서 용매 제거하여 막두께 20㎛의 도막을 형성했다.A photosensitive resin composition was slit-coated on a glass substrate. Next, the solvent was removed on a hot plate at 90 DEG C for 120 seconds to form a coating film having a thickness of 20 mu m.

다음으로, 수은등 노광기(캐논(주)제MPAsp-H750)를 사용하여, 라인 앤드 스페이스 1:1의, 스페이스 폭 40㎛의 마스크를 통하여 최적 노광량 노광했다. 핫플레이트에서 50℃ 60초 가열했다. 다음으로 2.38중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 60초간 액성법에 의해 현상하고, 또한 초순수로 45초간 린스했다.Next, using a mercury lamp exposing machine (MPAsp-H750, manufactured by Canon Inc.), exposure was performed at an optimum exposure amount through a mask having a space width of 40 탆 and a line-and-space 1: 1. And heated at 50 캜 for 60 seconds on a hot plate. Next, the resist film was developed by a liquid method at 23 DEG C for 60 seconds with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, and further rinsed with ultrapure water for 45 seconds.

오븐에서 230℃ 60분 가열하여 패턴의 형상을, 전자 현미경에 의해 관찰했다.The shape of the pattern was observed with an electron microscope by heating in an oven at 230 DEG C for 60 minutes.

또, 패턴의 형상이, 각이 깎여서 둥그스름한 형상이 되는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the shape of the pattern be a rounded shape by cutting off the angle.

(4) 연필 경도의 평가(기계 강도 평가)(4) Evaluation of pencil hardness (mechanical strength evaluation)

유리 기판 위에, 수지 조성물을 슬릿 도포했다. 다음으로 90℃에서 120초간 핫플레이트 상에 있어서 용매 제거하여 막두께 20㎛의 도막을 형성했다. 초고압 수은을 사용하여 300mJ/㎠(i선으로 측정)로 노광하고, 다음으로 오븐에서 230℃ 60분 가열하여 솔리드막의 경화막을 얻었다.The resin composition was slit-coated on a glass substrate. Next, the solvent was removed on a hot plate at 90 DEG C for 120 seconds to form a coating film having a thickness of 20 mu m. Cm 2 (measured by i-line) using ultrahigh pressure mercury, and then heated in an oven at 230 캜 for 60 minutes to obtain a cured film of a solid film.

얻어진 경화막에 대하여, JIS K5600-5-4를 따라서 연필 경도를 측정했다. 딱딱한 편이 바람직하다.The pencil hardness of the obtained cured film was measured according to JIS K5600-5-4. Stiffness is preferred.

1 : 5H 이상(딱딱함)1: 5H or more (hard)

2 : 3H∼4H2: 3H to 4H

3 : 2H 이하(부드러움)3: 2H or less (softness)

(5) 굴절율의 평가(5) Evaluation of refractive index

표 6의 수지 조성물을, 스피너를 사용하여 실리콘 웨이퍼 기판 위에 도포하고, 80℃에서 120초 건조하는 것에 의해 두께 0.5㎛의 막을 형성했다. 이 기판을, 초고압 수은을 사용하여 300mJ/㎠(i선으로 측정)로 노광하고, 그 후 오븐에서 220℃분에서 60분 가열했다.The resin composition of Table 6 was coated on a silicon wafer substrate using a spinner and dried at 80 DEG C for 120 seconds to form a film having a thickness of 0.5 mu m. This substrate was exposed at 300 mJ / cm 2 (measured by i-line) using ultrahigh pressure mercury, and then heated in an oven at 220 ° C for 60 minutes.

엘립소메터VUV-VASE(제이·에이·우라무·쟈판(주)제)를 사용하여, 589㎚에서의 경화막의 굴절율을 측정했다. 측정 결과를 표 7에 나타낸다. 굴절율이 높은 편이 바람직하고, 1.7 이상이 보다 바람직하다.The refractive index of the cured film at 589 nm was measured using an ellipsometer VUV-VASE (manufactured by JAE URUMU Co., Ltd.). The measurement results are shown in Table 7. The refractive index is preferably high, more preferably at least 1.7.

<미노광부의 잔막율의 평가>&Lt; Evaluation of residual film ratio of unexposed portion &

표 6의 감광성 수지 조성물을 100㎜×100㎜의 유리 기판(상품명 : XG, 코닝사제) 위에 막두께 1.0㎛가 되도록 스핀 코터로 도포하고, 90℃의 핫플레이트 상에서 120초 건조(프리 베이크)했다. 이어서, 이 샘플을 2.38%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 60초간 침액성법으로 현상하고, 또한 초순수로 10초간 린스했다. 그 후, 또한 막두께를 측정하는 것에 의해, 원래의 막두께(1.0㎛)를 100%로 했을 때의 현상 후의 잔막율을 구했다. 평가 기준을 이하에 나타낸다.The photosensitive resin composition of Table 6 was coated on a 100 mm x 100 mm glass substrate (trade name: XG, made by Corning) with a spin coater so as to have a film thickness of 1.0 m and dried (prebaked) for 120 seconds on a hot plate at 90 deg. . Subsequently, this sample was developed with a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 23 DEG C for 60 seconds by an immersion method, and further rinsed with ultrapure water for 10 seconds. Thereafter, the film thickness was also measured to determine the residual film ratio after development when the original film thickness (1.0 mu m) was taken as 100%. Evaluation criteria are shown below.

1 : 잔막율이 90% 이상1: 90% or more of residual film ratio

2 : 잔막율이 80% 이상 90% 미만2: Residual film ratio is 80% or more and less than 90%

3 : 잔막율이 80% 미만3: residual film ratio less than 80%

결과를 표 7에 나타낸다.The results are shown in Table 7.

알칼리 불용성의 성분F를 첨가하는 것에 의해, 미노광부의 잔막율이 향상하고 있는 것을 알 수 있다.It can be seen that the residual film ratio of the unexposed portion is improved by adding the alkali-insoluble component F.

<내용제성의 평가>&Lt; Evaluation of solvent resistance &

표 6의 감광성 수지 조성물을 100㎜×100㎜의 유리 기판(상품명 : XG, 코닝사제) 위에 막두께 4㎛가 되도록 스핀 코터로 도포하고, 90℃의 핫플레이트 상에서 120초 건조(프리 베이크)했다. 이 기판을, 초고압 수은을 사용하여 300mJ/㎠(i선으로 측정)로 노광하고, 그 후 오븐으로 220℃분에서 60분 가열했다.The photosensitive resin composition of Table 6 was coated on a 100 mm x 100 mm glass substrate (trade name: XG, made by Corning) with a spin coater so as to have a film thickness of 4 μm and dried (prebaked) on a hot plate at 90 ° C for 120 seconds . This substrate was exposed to light at 300 mJ / cm 2 (measured by i-line) using ultrahigh pressure mercury, and then heated in an oven at 220 ° C for 60 minutes.

이어서, 이 기판을 NMP(N-메틸피롤리돈) 용제에 40℃에서 3분간 침지하고, 그 후, 초순수로 10초간 린스했다. 그 후, 눈으로 보아 막감소나 막면상을 평가했다. 평가 기준을 이하에 나타낸다.Subsequently, this substrate was immersed in NMP (N-methylpyrrolidone) solvent at 40 DEG C for 3 minutes, and then rinsed with ultra-pure water for 10 seconds. After that, the film was evaluated for film thickness reduction and film surface appearance. Evaluation criteria are shown below.

1 : 막감소가 전혀 보이지 않음1: No film reduction at all

2 : 막감소가 약간 보임2: slight decrease in film thickness

3 : 막감소가 크고, 표면 거칠음도 보임3: Film reduction is large, surface roughness is also visible

[표 7][Table 7]

Figure 112012033313774-pat00027
Figure 112012033313774-pat00027

또, 표 7에 있어서의 「×」는, 패턴을 형성할 수 없었기 때문에, 평가 불가능했던 것을 나타낸다. 또한, 표 7에 있어서의 「-」은, 수지 조성물이 열경화형의 수지 조성물이기 때문에, 평가를 행하지 않은 것을 나타낸다.In Table 7, &quot; x &quot; indicates that evaluation was impossible because the pattern could not be formed. In Table 7, &quot; - &quot; indicates that the resin composition was not evaluated because it is a thermosetting resin composition.

표 7에 나타낸 평가 결과에서, 광산 발생제로서, 옥심설포네이트 화합물을 사용한 경우에는, 보다 고감도인 것을 알 수 있었다.From the evaluation results shown in Table 7, it was found that the sensitivity was higher when the oxime sulfonate compound was used as the photoacid generator.

또한, 탈리기로서, 카르복시기 또는 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위를 사용한 경우에는, 보다 고감도인 것을 알 수 있었다.In addition, when the monomer unit having a residue in which a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group is used as a leaving group, it is found that the sensitivity is higher.

또한, 입자를 함유하는 수지 조성물인 편이, 얻어지는 경화물이 딱딱한 것을 알 수 있었다. 또한, 가교성기를 갖는 성분A인 편이, 얻어지는 경화물이 딱딱한 것을 알 수 있었다.Further, it was found that the obtained cured product was hard as compared with the resin composition containing the particles. Further, it was found that the component A having a crosslinkable group had a hardened product.

또한, 실시예로부터, 탈리기를 갖는 중합체와 입자를 포함하는 본 발명의 수지 조성물은, 굴절율이 높은 것을 알 수 있었다. 한편, 비교예1 및 3으로부터, 탈리기와 입자 어느 한쪽이 없는 경우에는, 굴절율은 그다지 향상하지 않는 것을 알 수 있었다.Further, from the examples, it was found that the resin composition of the present invention comprising a polymer having a releasing group and particles has a high refractive index. On the other hand, from Comparative Examples 1 and 3, it was found that the refractive index did not improve so much when either of the separator and the particle were absent.

Claims (19)

(성분A) (a-1) 산 및/또는 열에 의해 탈리하는 기를 갖는 모노머 단위와 (a-2) 가교성기를 갖는 모노머 단위를 갖는 중합체,
(성분B) 입자, 및,
(성분C) 용제를 함유하며,
성분B가, 400∼750nm의 파장을 갖는 광에서의 굴절률이 1.70 이상의 금속 산화물 입자인 것을 특징으로 하는, 수지 조성물.
(Component A) A polymer having (a-1) a monomer unit having an acid and / or a thermal-leaving group and (a-2) a monomer unit having a crosslinkable group,
(Component B) particles,
(Component C) solvent,
Wherein the component B is a metal oxide particle having a refractive index of 1.70 or more in light having a wavelength of 400 to 750 nm.
제1항에 있어서,
(성분D) 광산(光酸) 발생제를 더 함유하는, 수지 조성물.
The method according to claim 1,
(Component D) a photoacid generator.
제1항에 있어서,
(성분E) 열가교제를 더 함유하는, 수지 조성물.
The method according to claim 1,
(Component E) A thermosetting agent.
제1항에 있어서,
(성분F) 알칼리 불용성 수지를 더 함유하는, 수지 조성물.
The method according to claim 1,
(Component F) An alkali-insoluble resin.
제4항에 있어서,
성분F가, 가교성기를 갖는 알칼리 불용성 수지인, 수지 조성물.
5. The method of claim 4,
Wherein the component F is an alkali-insoluble resin having a crosslinkable group.
제5항에 있어서,
성분F가, 가교성기로서 에폭시기를 갖는, 수지 조성물.
6. The method of claim 5,
Component F has an epoxy group as a crosslinkable group.
제4항에 있어서,
성분F가, 에폭시 수지 또는 아크릴 수지인, 수지 조성물.
5. The method of claim 4,
Wherein component F is an epoxy resin or an acrylic resin.
제1항에 있어서,
상기 (a-1) 산 및/또는 열에 의해 탈리하는 기를 갖는 모노머 단위가, (a-1-1) 카르복시기 또는 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위인, 수지 조성물.
The method according to claim 1,
The resin composition according to any one of (a-1) to (a-1), wherein the monomer unit having an acid and / or a thermal desorbing group is a monomer unit having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group.
제1항에 있어서,
상기 (a-2) 가교성기를 갖는 모노머 단위가, (a-2-1) 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위인, 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the (a-2) monomer unit having a crosslinkable group is (a-2-1) a monomer unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 금속 산화물 입자가, 산화티탄 입자 또는 산화지르코늄 입자인, 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the metal oxide particles are titanium oxide particles or zirconium oxide particles.
제1항에 있어서,
감광성 수지 조성물인, 수지 조성물.
The method according to claim 1,
A resin composition, which is a photosensitive resin composition.
제1항에 있어서,
포지티브형 감광성 수지 조성물인, 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the positive photosensitive resin composition is a positive photosensitive resin composition.
제1항에 있어서,
광학 부재용 수지 조성물인, 수지 조성물.
The method according to claim 1,
A resin composition for an optical member.
적어도 공정(a)∼(c)을 이 순서로 포함하는 것을 특징으로 하는
경화물의 제조 방법.
(a) 제1항에 기재된 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정
(b) 도포된 수지 조성물에서 용제를 제거하는 용제 제거 공정
(c) 용제가 제거된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정
Characterized in that it comprises at least the steps (a) to (c) in this order
(2).
(a) a coating step of applying the resin composition according to claim 1 onto a substrate
(b) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition
(c) a heat treatment step of heat-treating the resin composition from which the solvent has been removed
적어도 공정(1)∼(5)을 이 순서로 포함하는 것을 특징으로 하는
수지 패턴 제조 방법.
(1) 제1항에 기재된 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정
(2) 도포된 수지 조성물에서 용제를 제거하는 용제 제거 공정
(3) 용제가 제거된 수지 조성물을 활성 광선에 의해 패턴상으로 노광하는 노광 공정
(4) 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정
(5) 현상된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정
Characterized in that at least the steps (1) to (5) are included in this order
Method of manufacturing resin pattern.
(1) a coating step of applying the resin composition according to claim 1 onto a substrate
(2) a solvent removing step for removing the solvent from the applied resin composition
(3) an exposure step of exposing the resin composition from which the solvent has been removed to a patterned image by an actinic ray
(4) a developing step of developing the exposed resin composition with an aqueous developing solution
(5) Heat treatment process for heat-treating the developed resin composition
제16항에 기재된 경화물의 제조 방법, 또는, 제17항에 기재된 수지 패턴 제조 방법에 의해 얻어진 경화물.A cured product obtained by the process for producing a cured product according to claim 16 or the process for producing a resin pattern according to claim 17. 제16항에 기재된 경화물의 제조 방법, 또는, 제17항에 기재된 수지 패턴 제조 방법에 의해 얻어진 광학 부재.An optical member obtained by the method for producing a cured product according to claim 16 or the resin pattern production method according to claim 17.
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