KR101826048B1 - Non-silicon plastic based bonding substrate and method of manufaturing the same - Google Patents

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Abstract

비실리콘계 플라스틱 접합기판 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 구현예에 따른 접합기판은 머캅토기를 함유하는 실란화합물로 접합면이 코팅됨으로써 접합면에 알콕시기 말단이 형성된 제1 기재 및 제2 기재가 접합면에 형성되는 히드록시기(-OH기)에 의해 상호 접합된 접합기판이고, 여기에서 제1 기재 및 제2 기재는 친전자체를 함유하고 실리콘을 함유하지 않는 플라스틱 기재다.A non-silicon-based plastic bonded substrate and a manufacturing method thereof are disclosed. The bonded substrate according to one embodiment of the present invention is a silane compound containing a mercapto group and is coated with a bonding surface to form a first substrate having an alkoxy group at its bonding surface and a second substrate having a hydroxyl group ), Wherein the first substrate and the second substrate are plastic substrates containing electrophiles and not containing silicon.

Description

비실리콘계 플라스틱 접합기판 및 그 제조방법{NON-SILICON PLASTIC BASED BONDING SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFATURING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a non-silicon-based plastic bonded substrate and a method of manufacturing the same. BACKGROUND ART [0002]

본 발명은 접합기판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘을 함유하지 않는 플라스틱 기재들이 접합되어 형성되는 비실리콘계 플라스틱 접합기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a bonded substrate and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a non-silicon-based plastic bonded substrate formed by bonding plastic substrates not containing silicon and a method of manufacturing the same.

마이크로종합분석시스템(micro total analysis system)은 소형의 단일 칩상에 샘플준비, 분리, 검출시스템을 종합적으로 구현한 마이크로화된 분석 시스템으로, 의약, 화학, 생화학, 생명공학, 환경 등의 다양한 분야에서 새로운 분석수단을 제공하는 기술로 각광받고 있다. The micro total analysis system is a micro-analytical system that integrates sample preparation, separation, and detection systems on a small single chip. It is used in various fields of medicine, chemistry, biochemistry, biotechnology, It is attracting attention as a technology providing new analysis means.

마이크로종합분석시스템은 미세 유체 제어 시스템, 화학/바이오센서, 랩온어칩 등 여러 서브시스템과 요소기술의 결합으로 이루어지며, 그 중 칩 제조기술이 핵심이다. 칩 제조에 있어서, 폴리(디메틸실록산)(Poly(dimethylsiloxane), 이하 PDMS)은 가장 널리 이용되고 있는 소재다. 실리콘계 소재인 PDMS 또는 유리와 표면산화 방법에 의해 용이하게 접합 가능하기 때문이다. Microcomputer analysis system is composed of several sub-systems such as microfluidic control system, chemical / biosensor, lab-on-a-chip, and element technology, among which chip manufacturing technology is the key. In chip manufacturing, poly (dimethylsiloxane) (PDMS) is the most widely used material. Because it can be easily bonded to PDMS or glass which is a silicon base material by a surface oxidation method.

한편, 최근에는 PDMS 이외에도 다양한 소재들을 미세 유체 칩 제조에 이용하려는 시도가 있어 왔다. 예를 들어 실리콘계 기재인 PDMS 기재와 비실리콘계 기재를 보다 용이한 방법으로 접합시키거나, 비실리콘계 기재들을 보다 용이한 방법으로 접합시키려는 시도가 그것이다.In recent years, attempts have been made to utilize various materials in manufacturing microfluidic chips in addition to PDMS. For example, it is an attempt to bond a PDMS substrate, which is a silicon-based substrate, to a non-silicon-based substrate by an easier method or to bond non-silicon-based substrates by an easier method.

특허문헌 1: 한국공개특허 제10-2013-0141985호(2013.12.27 공개)Patent Document 1: Korean Patent Laid-Open No. 10-2013-0141985 (published Dec. 21, 2013)

본 발명은 실리콘을 함유하지 않는 플라스틱 기재가 상호 접합되어 형성되는 접합기판을 제공하고자 한다. The present invention is intended to provide a bonded substrate which is formed by bonding plastic substrates that do not contain silicon.

또한, 본 발명은 실리콘을 함유하지 않는 플라스틱 기재가 상호 접합되어 형성되는 접합기판의 제조방법을 제공하고자 한다.The present invention also provides a method for producing a bonded substrate in which a plastic substrate not containing silicon is formed by mutual bonding.

본 발명의 일 측면에 따르면, 머캅토기를 함유하는 실란화합물로 접합면이 코팅됨으로써 상기 접합면에 알콕시기 말단이 형성된 제1 기재 및 제2 기재가 상기 접합면에 형성되는 히드록시기(-OH기)에 의해 상호 접합된 접합기판이고, 여기에서 상기 제1 기재 및 제2 기재는 친전자체를 함유하고 실리콘을 함유하지 않는 플라스틱 기재인 접합기판이 제공될 수 있다. According to one aspect of the present invention, a first substrate and a second substrate, which are formed by coating a bonding surface with a silane compound containing a mercapto group, wherein an alkoxy group is formed on the bonding surface, a hydroxyl group (-OH group) , Wherein the first substrate and the second substrate are provided with a bonded substrate which is a plastic substrate containing an electrophile and not containing silicon.

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본 발명의 구현예들은 별도의 표면 산화 공정이 없이 비실리콘계 플라스틱 기재에 단일 화학물질인 머캅토기를 함유하는 실란화합물을 코팅하고, 이어 간단한 표면개질을 통해 상호 접합시켜 비실리콘계 접합기판을 제조할 수 있는 바, 전체 제조공정을 간소화 시킬 수 있을 뿐더러 제조비용을 절감시킬 수 있다.The embodiments of the present invention can produce a non-silicon bonded substrate by coating a silane compound containing a mercapto group as a single chemical substance on a non-silicon based plastic substrate without a separate surface oxidation process, As a result, the entire manufacturing process can be simplified and manufacturing costs can be reduced.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 접합기판의 제조방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 접촉각 측정 결과를 나타내는 도면이다.
도 3은 PET의 XPS 분석 그래프이다.
1 is a schematic view illustrating a method of manufacturing a bonded substrate according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a contact angle measurement result.
3 is an XPS analysis graph of PET.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 구체적으로 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 비실리콘계 기재와 비실리콘계 기재가 상호 접합된 접합기판을 제공할 수 있다. 그리고 본 발명은 비실리콘계 기재와 PDMS(폴리(디메틸실록산)) 기재가 상호 접합된 접합기판을 추가적으로 제공할 수 있다.The present invention can provide a bonded substrate in which a non-silicon based substrate and a non-silicon based substrate are bonded to each other. The present invention can further provide a bonded substrate in which a non-silicon based substrate and a PDMS (poly (dimethyl siloxane)) substrate are bonded to each other.

본 명세서에서 “비실리콘계 기재”는 실리콘을 함유하지 않은 플라스틱 기재, 지르코니아(3Y-ZrO2) 기재 또는 알루미나(α-Al2O3) 기재를 의미한다. In the present specification, "non-silicon base material" means a plastic base material containing no silicon, a zirconia (3Y-ZrO 2 ) base material or an alumina (α-Al 2 O 3 ) base material.

여기에서 실리콘을 함유하지 않은 플라스틱 기재는 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르술폰(PES), 폴리아크릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리에테르케톤(PEK), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리(아크릴로니트릴-코-부타디엔-코-스티렌)(ABS), 폴리아라미드, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리유산(PLA), 폴리옥시메틸렌(POM), 폴리우레탄(PU) 및 나일론으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1 이상을 포함할 수 있다. Here, the plastic substrate that does not contain silicon may be a polycarbonate (PC), a polyvinyl chloride (PVC), a polymethyl methacrylate (PMMA), a polyimide (PI), a polyethylene terephthalate (PET), a polyethersulfone ), Polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN), polyphenylene sulfide (PPS), polyarylate (PAR), polyacrylonitrile PEK), polyetheretherketone (PEEK), poly (acrylonitrile-co-butadiene-co-styrene) (ABS), polyaramid, polybutylene terephthalate (PBT), polylactic acid (POM), polyurethane (PU), and nylon.

상기에서 나열한 비실리콘계 기재(실리콘을 함유하지 않은 플라스틱 기재, 지르코니아 기재 또는 알루미나 기재)는 친전자체(electrophile)를 포함할 수 있다. 예컨대 상기에서 나열된 비실리콘계 플라스틱 기재들은 친전자체인 카보네이트기 또는 카보닐기를 함유하고 있으며, 상기 지르코니아 기재 또는 알루미나 기재는 친전자체성을 갖는 불포화된 외곽 전자 또는 전이 금속을 포함한다. 친전자체는 양으로 편극되고 전자가 부족한 원자를 가지고 있어 친핵체(nucleophile)로부터 전자를 받아들여 결합을 형성할 수 있다. The non-silicon base material (plastic base material containing no silicon, zirconia base material or alumina base material) listed above may include an electrophile. For example, the non-silicon-based plastic substrates listed above contain a carbonate group or a carbonyl group as an electrophilic group, and the zirconia-based or alumina-based substrate includes an unsaturated outer electron or transition metal having an electrophilic property. The electrophile itself is positively polarized and has atoms lacking electrons to accept electrons from the nucleophile to form bonds.

한편, 접합기판을 이루는 비실리콘계 기재는 평평한 형상을 가질 수도 있으나, 두 기판의 면들 중 적어도 일면에는 다양한 미세 패턴들이 형성될 수도 있다(음각 패턴, 양각 패턴). 예컨대 하나의 비실리콘계 기재의 일면에 미세 음각 패턴이 형성되고, 다른 비실리콘계 기재는 평평한 형상으로 형성됨으로써 상기 두 비실리콘계 기재가 접합하여 이루어지는 접합기판이 미세 채널을 가질 수 있다. 비실리콘계 기재와 PDMS 기재가 접합기판을 이루는 경우에도 마찬가지이다. On the other hand, the non-silicon base material constituting the bonded substrate may have a flat shape, but various fine patterns may be formed on at least one side of the surfaces of the two substrates (engraved pattern, relief pattern). For example, a fine indentation pattern is formed on one surface of one non-silicon based substrate and the other non-silicon based substrate is formed in a flat shape, so that the bonded substrate having the two non-silicon based substrates bonded together can have a fine channel. The same applies to the case where the non-silicon based substrate and the PDMS substrate constitute a bonded substrate.

본 발명에 따른 접합기판은 상기 비실리콘계 기재들이 상호 접합함으로써 형성되고, 상기 접합은 화학결합에 의해 이루어질 수 있다. 구체적으로는 상기 비실리콘계 기재들의 접합면을 머캅토기(mercapto group)를 함유하는 실란화합물로 코팅한 후에, 두 비실리콘계 기재들의 접합면에 히드록실기(-OH)를 형성하고 접합하면 실록산 결합(Si-O-Si)을 통해 비실리콘계 접합기판이 형성될 수 있다. 또한 비실리콘계 기재와 PDMS 기재가 상호 접합하여 이루어지는 접합 기판의 경우, 상기 비실리콘계 기재의 접합면을 머캅토기를 함유하는 실란화합물로 코팅한 후에, 상기 비실리콘계 기재 및 PDMS 기재의 접합면에 히드록실기(-OH)를 형성하고 접합함으로써 형성될 수 있다. 이에 대해서는 구체적으로 후술하기로 한다. The bonded substrate according to the present invention is formed by mutual bonding of the non-silicon based substrates, and the bonding can be performed by chemical bonding. Specifically, after the bonding surfaces of the non-silicone base materials are coated with a silane compound containing a mercapto group, a hydroxyl group (-OH) is formed on the bonding surfaces of the two non-silicone base materials and then bonded to form a siloxane bond Si-O-Si) can be formed. In addition, in the case of a bonded substrate in which a non-silicon based substrate and a PDMS substrate are bonded to each other, a bonding surface of the non-silicon based substrate is coated with a silane compound containing a mercapto group, (-OH) and bonding them to each other. This will be described later in detail.

여기에서 “머캅토기를 함유하는 실란화합물”의 예로는 3-머캅토프로필트리에톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디에톡시실란 또는 3-머캅토프로필트리메톡시실란이 있으나 이에 한정되지는 않는다. 한편, 설명의 편의를 위해 본 명세서에서는 상기 머캅토기를 함유하는 실란화합물이 3-머캅토프로필트리에톡시실란(3-mercaptopropyltriethoxysilane, 이하 3-MPTES)인 경우를 중심으로 기술한다.Examples of the "mercapto group-containing silane compound" include 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldiethoxysilane, or 3-mercaptopropyltri But are not limited to, methoxysilane. For the sake of convenience of description, in the present specification, the case where the mercapto group-containing silane compound is 3-mercaptopropyltriethoxysilane (hereinafter referred to as 3-MPTES) will be mainly described.

상술한 접합기판은 마이크로종합분석시스템에 있어 미세유체 시스템에 적용되는 멤브레인, 마이크로전극, 마이크로히터, 미세유체 칩 등에 적용될 수 있다.The bonded substrate may be applied to a membrane, a microelectrode, a micro heater, a microfluidic chip, and the like, which are applied to a microfluidic system in a micro total analysis system.

이하에서는 본 발명의 일 구현예에 따른 접합기판의 제조방법에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 접합기판의 제조방법을 개략적으로 도시하고 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 접합기판(100)을 이루는 두 비실리콘계 기재를 각각 제1 기재(110) 및 제2 기재(120)로 지칭하기로 한다. Hereinafter, a method of manufacturing a bonded substrate according to an embodiment of the present invention will be described. 1 schematically shows a method of manufacturing a bonded substrate according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, for convenience of description, the two non-silicon based substrates constituting the bonded substrate stack 100 will be referred to as a first substrate 110 and a second substrate 120, respectively.

도 1a 및 도 1b를 참조하면, 비실리콘계 기재인 제1 기재(110)는 친전자체(electrophile)를 포함한다(도 1에서 δ+는 친전자성 자리, δ-는 친핵성 자리임). 머캅토기를 함유하는 실란화합물(130)의 머캅토기(내지 티올기)는 다양한 유기 화합물 중에서도 가장 강한 친핵체(nucleophile)로 음으로 편극되고, 전자가 풍부한 원자를 가지고 있어 친전자체에 전자를 줌으로써 상기 친전자체와 용이하게 결합을 형성할 수 있다. 따라서 제1 기재(110)의 접합면(또는 전체)을 머캅토기를 함유하는 실란화합물(130)로 처리하면 상기 머캅토기의 말단과 제1 기재(110)의 친전자체 간에 화학 반응(친핵 반응, nucleophilic reaction)이 일어나 별도의 표면 산화 과정을 거치지 않아도 제1 기재(110)의 표면에 머캅토기를 함유하는 실란화합물(130)이 코팅될 수 있다(도 1에서는 실란화합물의 예로 3-MPTES를 도시하고 있으며 이하에서는 3-MPTES를 도면부호 130으로 표기한다). 친핵 반응은 탈수반응 등 보다 상대적으로 반응 속도가 매우 빠르다는 장점을 갖는다. 한편, 머캅토기를 함유하는 실란화합물(130)로 처리하는 공정은 상온에서 이루어질 수 있다. 또한 상기 코팅은 상기 머캅토기를 함유하는 실란화합물(130)을 용액화 한 후에 스핀 코팅법, 침지법, 스프레이법, 전사법 등의 용액 공정을 통해 이루어질 수 있다. 예를 들어 제1 기재(110)를 상기 머캅토기를 함유하는 실란화합물(130) 수용액에 상온에서 일정시간 담근 후에 꺼내고, 이어서 증류수로 세척한 후 건조함으로써 이루어질 수 있다. Referring to FIGS. 1A and 1B, the first substrate 110, which is a non-silicon based substrate, includes an electrophile (in FIG. 1, δ + is an electrophilic site and δ- is a nucleophilic site). The mercapto group (to thiol group) of the silane compound (130) containing a mercapto group is negatively polarized as a strongest nucleophile among various organic compounds, and has an electron-rich atom, thereby giving electrons to the electrophile, And can easily form a bond with itself. Therefore, when the bonding surface (or the entire surface) of the first base material 110 is treated with the silane compound 130 containing a mercapto group, a chemical reaction (nucleophilic reaction) occurs between the terminal of the mercapto group and the electrophile of the first base material 110, the silane compound 130 containing a mercapto group may be coated on the surface of the first substrate 110 without a separate surface oxidation process after the nucleophilic reaction occurs (in FIG. 1, 3-MPTES is shown as an example of the silane compound And 3-MPTES is denoted by reference numeral 130 in the following). The nucleophilic reaction has the advantage that the reaction rate is relatively fast compared with the dehydration reaction and the like. On the other hand, the step of treating with the silane compound (130) containing a mercapto group can be carried out at room temperature. In addition, the coating may be performed by solution processes such as spin coating, dipping, spraying, and transferring after solving the silane compound 130 containing the mercapto group. For example, the first substrate 110 may be immersed in an aqueous solution of the silane compound (130) containing the mercapto group at room temperature for a certain period of time, followed by washing with distilled water, followed by drying.

상술한 과정을 첨부 도면을 참조하여 보면 다음과 같다.The above-mentioned process will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1b를 참조하면, 3-MPTES(130)의 머캅토기와 제1 기재(110) 사이에 친핵 반응이 일어나는 동안 3-MPTES(130)의 알콕시기 말단에서는 가수분해가 일어난다.Referring to FIG. 1B, hydrolysis occurs at the alkoxy end of 3-MPTES 130 during the nucleophilic reaction between the mercapto group of 3-MPTES 130 and first substrate 110.

다음으로 도 1c를 참조하면, 3-MPTES(130)의 상기 알콕시기 말단이 가수분해 되면서 에탄올 분자들을 생성하며, 그 결과 인접한 3-MPTES 분자(130)들이 가교된다. Referring next to FIG. 1C, the alkoxy end of the 3-MPTES 130 is hydrolyzed to produce ethanol molecules, which results in the crosslinking of adjacent 3-MPTES molecules 130.

다음으로 도 1d를 참조하면, 3-MPTES(130)의 머캅토기와 제1 기재(110) 사이의 친핵 반응에 의해, 제1 기재(110) 상에는 3-MPTES 분자(130)들이 그라프팅된다. 즉, 제1 기재(110)의 접합면이 3-MPTES(130)로 코팅된다. Referring next to FIG. 1d, the 3-MPTES molecules 130 are grafted onto the first substrate 110 by a nucleophilic reaction between the mercapto group of the 3-MPTES 130 and the first substrate 110. That is, the bonding surface of the first substrate 110 is coated with the 3-MPTES 130.

상술한 과정을 거쳐 제1 기재(110)의 접합면에 3-MPTES(130)가 코팅된 결과, 제1 기재(110)의 접합면에는 도 1e에서와 같이 알콕시기 말단이 형성된다(도 1f는 도 1e를 보다 간략히 도시한 것임). As a result of coating the 3-MPTES 130 on the bonding surface of the first base material 110 through the above-described process, the alkoxy end is formed on the bonding surface of the first base material 110 as shown in FIG. 1E Fig. 1E is a more simplified view).

다음으로 도 1g를 참조하면, 3-MPTES(130)가 코팅 된 제1 기재(110)의 접합면에 -OH기(히드록실기)를 형성시켜 친수성을 갖도록 표면개질 한다. 상기 표면개질 방법으로는 예를 들어 산소 플라즈마 처리, 코로나 방전 처리, 플라즈마 방전 처리, 고주파 방전 처리, 이온 빔 조사, 전자빔 조사, UV 처리, 오존 처리 등이 이용될 수 있다. Next, referring to FIG. 1G, a -OH group (hydroxyl group) is formed on the bonding surface of the first substrate 110 coated with the 3-MPTES 130, and the surface is modified to have hydrophilicity. As the surface modification method, for example, oxygen plasma treatment, corona discharge treatment, plasma discharge treatment, high frequency discharge treatment, ion beam irradiation, electron beam irradiation, UV treatment, ozone treatment and the like can be used.

다음으로 도 1h를 참조하면, 제1 기재(110)와 접합될 비실리콘계 기재인 제2 기재(120) 역시 상술한 것과 동일한 과정을 거쳐 처리한다. 즉, 제2 기재(120)의 접합면(또는 양면 모두)을 머캅토기를 함유하는 실란화합물(130)로 코팅하고, 상기 코팅된 접합면에 -OH기(히드록실기)를 형성시켜 친수성을 갖도록 표면개질 한다. 상기 표면개질 방법으로는 예를 들어 산소 플라즈마 처리가 이용될 수 있다. Next, referring to FIG. 1 (h), the second substrate 120, which is a non-silicon substrate to be bonded to the first substrate 110, is treated in the same manner as described above. That is, the bonding surface (or both surfaces) of the second substrate 120 is coated with the silane compound 130 containing a mercapto group, and the -OH group (hydroxyl group) is formed on the coated bonding surface, . As the surface modification method, for example, an oxygen plasma treatment may be used.

이어 제1,2 기재(110,120)의 접합면을 마주보도록 배치하고 밀착시킨 후에(conformal contact) 상온에서 일정시간(예를 들어 1시간 가량) 동안 접합시키면, 비실리콘계 접합기판(100)이 제조될 수 있다. 이는 제1 기재(110) 및 제2 기재(120)의 접합면에 형성되어 있는 -OH(히드록실기)를 통해 양 기재(110,120)가 용이하게 상호 결합될 수 있기 때문이다. Next, the bonding surfaces of the first and second substrates 110 and 120 are opposed to each other and are conformed to each other for a predetermined time (for example, about 1 hour) at a normal temperature to form a non-silicon bonded substrate 100 . This is because both substrates 110 and 120 can easily be bonded to each other via -OH (hydroxyl group) formed on the bonding surfaces of the first substrate 110 and the second substrate 120.

도면에 도시되지는 않았으나, 제1 기재(110) 및 제2 기재(120)의 면들 중 적어도 일면 이상에 미세 패턴을 형성하는 공정이 추가될 수 있다. 상기 미세 패턴은 양각 패턴 또는 음각 패턴일 수 있으며, 포토리소그래피 또는 복제 몰딩(replica molding) 기술을 이용하여 이루어질 수 있다. Although not shown in the drawing, a process of forming a fine pattern on at least one side of the surfaces of the first substrate 110 and the second substrate 120 may be added. The fine pattern may be a relief pattern or a relief pattern, and may be formed using photolithography or replica molding techniques.

한편, 비실리콘계 기재와 PDMS 기재가 접합된 접합기판의 제조방법을 설명하면, 우선 비실리콘계 기재의 접합면(또는 전체)을 머캅토기를 함유하는 실란화합물로 처리하면, 상기 접합면이 상기 실란화합물로 코팅되며 알콕시기 말단이 형성된다. 이 때, 코팅 방법이나 과정은 상술한 것과 동일하므로 중복 설명은 생략한다. On the other hand, a process for producing a bonded substrate in which a non-silicon based substrate and a PDMS substrate are bonded will be described. First, when the bonded surface (or the entire surface) of a non- silicon based substrate is treated with a silane compound containing a mercapto group, And an alkoxy group end is formed. At this time, the coating method and the process are the same as those described above, and therefore, duplicate explanation is omitted.

다음으로, 상기 비실리콘계 기재의 접합면에 -OH기(히드록실기)를 형성시켜 친수성을 갖도록 표면개질 하고, PDMS 기재의 접합면에도 마찬가지로 -OH기(히드록실기)를 형성시켜 친수성을 갖도록 표면개질 한다. 상기 PDMS 기재의 경우에는 상기 머캅토기를 함유하는 실란화합물로 코팅하는 과정이 요구되지 않는다. PDMS 기재는 이미 접합면에 알콕시기 말단이 형성되어 있기 때문이다(Si-O).Subsequently, a -OH group (hydroxyl group) is formed on the bonding surface of the non-silicone base material to modify the surface to have hydrophilicity, and a -OH group (hydroxyl group) is similarly formed on the bonding surface of the PDMS substrate to have hydrophilicity Surface modification. In the case of the PDMS substrate, a process of coating with the silane compound containing the mercapto group is not required. This is because the PDMS substrate already has an alkoxy group at the bonding site (Si-O).

다음으로, 상기 비실리콘계 기재와 PDMS 기재의 접합면을 마주보도록 배치하고 밀착시킨 후에 상온에서 일정시간 동안 접합시키면, 접합기판이 제조될 수 있다. 상기 비실리콘계 기재와 PDMS 기재의 접합면에 형성된 -OH(히드록실기)를 통해 상기 두 기재가 용이하게 상호 결합할 수 있기 때문이다. Next, a bonding substrate can be produced by disposing the non-silicon base material and the PDMS base material so as to face each other, adhering them to each other, and then bonding them at room temperature for a certain period of time. And the two substrates can easily bond to each other through -OH (hydroxyl group) formed on the bonding surface of the non-silicon base material and the PDMS base material.

상술한 바와 같은 비실리콘계 접합기판 제조방법은 다음의 장점들을 갖는다. The non-silicon bonded substrate manufacturing method as described above has the following advantages.

첫째, 별도의 표면 산화 공정이 없이도 비실리콘계 기재에 머캅토기를 함유하는 실란화합물의 코팅이 가능하고 상기 코팅 과정은 상대적으로 빠른 반응에 의해 이루어지므로, 전체적으로 접합기판의 제조공정을 간소화 시킬 수 있다. First, silane compounds containing a mercapto group can be coated on a non-silicon based substrate without a separate surface oxidation step, and the coating process is performed by a relatively quick reaction, thereby making it possible to simplify the manufacturing process of the bonded substrate as a whole.

둘째, 비실리콘계 기재에 머캅토기를 함유하는 실란화합물이 코팅된 후에는, 간단한 표면개질을 통해 두 비실리콘계 기재가 상온에서 용이하게 접합이 가능하다(비실리콘계 기재-PDMS 기재의 접합 역시 마찬가지다). 즉 본 방법에서는 별도의 고온 공정이 요구되지 않는다. 따라서 고온 공정이 개입하였을 때 수반될 수 있는 칩의 변형 가능성을 최소화시킬 수 있다.Second, after a silane compound containing a mercapto group is coated on a non-silicon based substrate, it is possible to easily bond two non-silicon based substrates at room temperature through a simple surface modification (the same applies to the bonding of a non-silicon based substrate and a PDMS substrate). That is, no separate high-temperature process is required in the present method. Thus minimizing the possibility of deformation of the chip, which can be accompanied by a high temperature process intervention.

셋째, 비실리콘계인 제1,2 기재의 접합을 매개하는 실란화합물(예컨대 3-MPTES)로 단일 화학물질을 이용하므로(비실리콘계 기재-PDMS 기재의 접합 역시 마찬가지다), 동일 효과를 위해 복수의 화학물질을 이용하는 것보다 공정이 간소화되고 제조비용을 절감할 수 있다. Third, since a single chemical is used as a silane compound (for example, 3-MPTES) mediating the bonding of the first and second non-silicon based substrates (the same applies to the bonding of the non-silicon based material and the PDMS based material) It is possible to simplify the process and reduce the manufacturing cost than using the material.

넷째, 본 방법에서 이용되는 친핵반응은 상대적으로 강한 결합력을 가지며, 비실리콘계 기재끼리(또는 비실리콘계 기재와 PDMS 기재) 실록산 결합을 가능케 하는 바, 우수한 접합력을 갖는 접합기판의 제조가 가능하다.Fourth, the nucleophilic reaction used in the present method has a relatively strong bonding force, and enables bonding of non-silicon based materials (or non-silicon based materials and PDMS based) siloxane bonds, and thus it is possible to produce bonded substrates having excellent bonding strength.

이하에서는 시험예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 그러나 본 발명이 하기 시험예에 의해 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to test examples. However, the present invention is not limited by the following test examples.

시험예Test Example

가. 접촉각 측정end. Contact angle measurement

비실리콘계 기재로 PVC 기재 및 PET 기재를 준비하고 상기 비실리콘계 기재들에 대해 물접촉각을 측정하였다. 구체적으로 상기 PVC 기재 및 PET 기재에 대하여 각각 1) 어떤 처리도 하지 않은 상태(pristine substrate), 2) 산소 플라즈마 처리한 상태(1분간 처리, 95W, Cute plasma system; Femto Science, Korea), 3) 2%(v/v) 3-MPTES 수용액으로 상온에서 처리한 상태, 4) 2%(v/v) 3-MPTES 수용액으로 상온에서 처리하고 산소 플라즈마 처리한 상태(1분간 처리)의 네 가지 조건에 대하여 접촉각을 측정하였다. 접촉각 측정은 정적법(sessile drop method)을 이용하여 수행되었으며(Phoenix 300 contact angle measuring system, Surface Electro Optics, Korea), Image Pro 300 S/W를 이용하여 분석했다. A PVC base material and a PET base material were prepared with a non-silicone base material, and a water contact angle with respect to the above non-silicone base materials was measured. 2) Oxygen plasma treatment (1 minute treatment, 95W, Cute plasma system; Femto Science, Korea); 3) In the case of the PVC substrate and the PET substrate, 4) treatment with 2% (v / v) 3-MPTES solution at room temperature, 4) treatment with 2% (v / v) 3-MPTES solution at room temperature and oxygen plasma treatment And the contact angle was measured. The contact angle measurement was performed using a sessile drop method (Phoenix 300 contact angle measuring system, Surface Electro Optics, Korea) and analyzed using an Image Pro 300 S / W.

도 2는 접촉각 측정 결과를 나타내는 도면이다. 도 2를 참조하면, 산소 플라즈마 처리한 상태에서 PVC 기재 및 PET 기재의 접촉각은 각각 52.3°,36.7°으로 나타나, 어떤 처리도 하지 않은 상태보다 물접촉각이 모두 감소하였다. 산소 플라즈마 처리 후의 표면의 물접촉각 감소 현상은 기재 표면에 히드록실기가 형성되었음을 의미한다. 즉, 상기 비실리콘계 기재들의 표면에 히드록실기가 형성되었음을 확인하였으나, 접촉각이 상대적으로는 높은 값에 해당한다. 2 is a view showing a contact angle measurement result. Referring to FIG. 2, the contact angles of the PVC base material and the PET base material were 52.3 ° and 36.7 °, respectively, in the oxygen plasma treatment, and the water contact angle was lower than that in the state without any treatment. The decrease in water contact angle of the surface after the oxygen plasma treatment means that a hydroxyl group is formed on the surface of the substrate. That is, it was confirmed that a hydroxyl group was formed on the surface of the non-silicon base material, but the contact angle corresponds to a relatively high value.

한편, 상기 비실리콘계 기재들을 3-MPTES 처리하고 이어서 산소 플라즈마 처리하였을 때에는 PVC 기재 및 PET 기재의 물접촉각이 모두 10°미만으로 나타남을 확인하였다. 이를 통해 기재 표면을 3-MPTES로 처리한 경우에는 보다 산화가 용이하게 일어나 단순히 산소 플라즈마 처리하는 경우보다 접촉각을 더욱 낮출 수 있음을 알 수 있다. On the other hand, when the non-silicon based substrates were treated with 3-MPTES and then subjected to oxygen plasma treatment, it was confirmed that the water contact angle of both the PVC substrate and the PET substrate was less than 10 °. It can be seen that the treatment of the substrate surface with 3-MPTES facilitates the oxidation more easily and can further lower the contact angle than the case of simply performing the oxygen plasma treatment.

다른 방법으로 표면개질을 추가 확인하기 위하여 상기 PET 기재에 대해서는 XPS 분석(X-ray photoelectron spectroscopy, Axis-His, Kratos Analytical, UK)을 실시하였다. 도 3은 PET의 XPS 분석 그래프이다. 도 3을 참조하면, 도 3a는 3-MPTES 수용액으로 표면처리되기 전의 XPS 분석 그래프이고, 도 3b는 3-MPTES 수용액으로 표면처리된 후의 XPS 분석 그래프이다. 탄소와 산소가 순수 PET의 주요 원소인 바, C1s 및 O1s 피크가 각각 283.0 eV 및 530.0 eV에서 나타났다. 한편, 도 3b에서와 같이 3-MPTES 수용액으로 표면처리된 후에는 Si2s, Si2p, S2s, S2p 피크가 추가적으로 검출됨을 확인할 수 있는데, 이 중 Si2s, Si2p는 3-MPTES의 알콕시실란의 도입으로 실리콘 피크가 추가 검출된 것이며, S2s, S2p는 3-MPTES의 황 작용기가 검출된 것이다. Si2s, Si2p, S2s, S2p 피크는 각각 약 151.0 eV, 100.0 eV, 226.0 eV, 162.0 eV에서 나타났다. 즉, 이와 같은 추가 피크들의 검출은 PET 기재가 3-MPTES와 반응을 일으켜 표면개질이 되었음을 보여준다.XPS analysis (X-ray photoelectron spectroscopy, Axis-His, Kratos Analytical, UK) was performed on the PET substrate to further confirm the surface modification. 3 is an XPS analysis graph of PET. Referring to FIG. 3, FIG. 3A is an XPS analysis graph before surface treatment with 3-MPTES aqueous solution, and FIG. 3B is an XPS analysis graph after surface treatment with 3-MPTES aqueous solution. Carbon and oxygen are the main elements of pure PET, with C1s and O1s peaks at 283.0 eV and 530.0 eV, respectively. On the other hand, as shown in FIG. 3B, it is confirmed that Si2s, Si2p, S2s, and S2p peaks are additionally detected after surface treatment with 3-MPTES aqueous solution. Among them, Si2s and Si2p can be detected by introducing alkoxysilane of 3-MPTES And S2s and S2p are the sulfur functional groups of 3-MPTES. Si2s, Si2p, S2s, and S2p peaks were about 151.0 eV, 100.0 eV, 226.0 eV, and 162.0 eV, respectively. That is, the detection of such additional peaks shows that the PET substrate reacted with 3-MPTES to surface modification.

나. 결합강도 측정I. Bond strength measurement

비실리콘계 접합기판의 결합강도를 측정하였다(texture analyzer를 이용, QTS25, Brookfield, Middleboro, Ma, USA). 상기 비실리콘계 접합기판으로는 PVC-PDMS 접합기판과 PET-PDMS 접합기판을 준비하였다. 구체적으로 PVC 기재 및 PET 기재는 각각 2%(v/v) 3-MPTES 수용액으로 상온에서 처리되었고, 증류수로 세척되고 건조되었다. 이어 상기 PVC 기재, PET 기재 및 PDMS 기재를 각각 산소 플라즈마로 1분간 처리하였다(95W, Cute plasma system; Femto Science, Korea). 이후 PET 기재-PDMS 기재, PVC 기재-PDMS 기재를 각각 접합면을 마주보도록 배치한 후 상호 밀착시킨 후 상온에서 1시간 동안 접합함으로써 상기 비실리콘계 접합기판을 완성하였다. The bonding strength of the non-silicon bonded substrates was measured (using a texture analyzer, QTS25, Brookfield, Middleboro, Ma, USA). As the non-silicon bonded substrate, a PVC-PDMS bonded substrate and a PET-PDMS bonded substrate were prepared. Specifically, the PVC substrate and the PET substrate were each treated with 2% (v / v) 3-MPTES aqueous solution at room temperature, washed with distilled water and dried. The PVC substrate, the PET substrate, and the PDMS substrate were each treated with oxygen plasma for 1 minute (95 W, Cute plasma system; Femto Science, Korea). Subsequently, the PET substrate-PDMS substrate and the PVC substrate-PDMS substrate were placed facing each other with their bonding surfaces facing each other, and then bonded at room temperature for 1 hour to complete the non-silicon bonded substrate.

상기 결합강도의 측정은 PVC 기재, PET 기재 및 PDMS 기재에 각각 홀을 형성하고 노끈을 상기 홀에 삽입하여 묶은 후에, 상기 비실리콘계 접합기판을 양쪽에서 분당 100mm의 속도로 양쪽에서 잡아당김으로써 결합강도를 측정하였다. The bonding strength was measured by forming holes in the PVC substrate, the PET substrate, and the PDMS substrate, inserting the straps into the holes and bundling them, and pulling the non-silicon bonded substrates from both sides at a rate of 100 mm / Were measured.

측정 결과, PVC-PDMS 및 PET-PDMS의 결합강도는 각각 467.3 kPa 및 476.4 kPa로 측정되었다. 이러한 수치는 기존에 보고된 연구들에서의 수치들보다 높은 수치이며, 본 발명의 구현예에 따른 비실리콘계 접합기판의 접합력이 매우 우수함을 확인할 수 있다. As a result, the bond strengths of PVC-PDMS and PET-PDMS were measured to be 467.3 kPa and 476.4 kPa, respectively. These values are higher than those in the previously reported studies, and it can be confirmed that the bonding force of the non-silicon bonded substrate according to the embodiment of the present invention is excellent.

이상, 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였다. 그러나 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 기술의 구체적 적용에 따른 단순한 설계변경, 일부 구성요소의 생략, 단순한 용도의 변경 등 본 발명을 다양하게 변형할 수 있을 것이며, 이러한 변형 역시 본 발명의 권리범위 내에 포함됨은 자명하다.The embodiments of the present invention have been described above. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventive concept as defined by the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the scope of the present invention.

110: 제1 기재
120: 제2 기재
130: 머캅토기를 함유하는 실란 화합물
110: first substrate
120: second substrate
130: Silane compound containing mercapto group

Claims (6)

머캅토기를 함유하는 실란화합물로 접합면이 코팅됨으로써 상기 접합면에 알콕시기 말단이 형성된 제1 기재 및 제2 기재가 상기 접합면에 추가적으로 형성되는 히드록시기(-OH기)에 의해 상호 접합된 접합기판이고,
여기에서 상기 제1 기재 및 제2 기재는 친전자체를 함유하고 실리콘을 함유하지 않는 플라스틱 기재인 접합기판.
A first substrate having an alkoxy group end formed on the bonding surface by coating a bonding surface with a silane compound containing a mercapto group, and a second substrate on which a second substrate is bonded by a hydroxyl group (-OH group) additionally formed on the bonding surface ego,
Wherein the first substrate and the second substrate are plastic substrates containing electrophiles and not containing silicon.
청구항 1에 있어서,
상기 플라스틱 기재는 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르술폰(PES), 폴리아크릴레이트, 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리아릴레이트, 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리에테르케톤(PEK), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리(아크릴로니트릴-코-부타디엔-코-스티렌)(ABS), 폴리아라미드, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리유산(PLA), 폴리옥시메틸렌(POM), 폴리우레탄(PU) 및 나일론으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1 이상을 포함하고,
상기 머캅토기를 함유하는 실란화합물은 3-머캅토프로필트리에톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디에톡시실란 또는 3-머캅토프로필트리메톡시실란인 접합기판.
The method according to claim 1,
The plastic substrate may be made of a material selected from the group consisting of polycarbonate (PC), polyvinyl chloride (PVC), polymethyl methacrylate (PMMA), polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES) Polyetheretherketone (PEEK), polyetheretherketone (PEEK), polyetheretherketone (PEEK), polyethylene naphthalate (PEN), polyphenylene sulfide (PPS), polyarylate, polyacrylonitrile (ABS), polyaramid, polybutylene terephthalate (PBT), polylactic acid (PLA), polyoxymethylene (POM), polyurethane (PU) and nylon At least one selected from the group consisting of < RTI ID = 0.0 >
Wherein the mercapto group-containing silane compound is at least one compound selected from the group consisting of 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldiethoxysilane or 3-mercaptopropyltrimethoxysilane Board.
상호 접합될 두 기재의 접합면을 상온에서 머캅토기를 함유하는 실란화합물로 코팅하는 단계;
상기 실란화합물이 코팅된 상기 두 기재의 접합면에 히드록시기(-OH기)를 형성하는 단계; 및
상온에서 상기 두 기재의 접합면을 마주보도록 배치하고 밀착시켜 접합시키는 단계를 포함하고,
여기에서 상기 두 기재는 친전자체를 함유하고 실리콘을 함유하지 않는 플라스틱 기재인 접합기판의 제조방법.
Coating a joint surface of two substrates to be mutually bonded with a silane compound containing a mercapto group at room temperature;
Forming a hydroxyl group (-OH group) on the bonding surface of the two substrates coated with the silane compound; And
And bonding and bonding the two substrates so that the bonding surfaces of the two substrates are opposed to each other at room temperature,
Wherein the two substrates are plastic substrates containing electrophiles and not containing silicon.
청구항 3에 있어서,
상기 플라스틱 기재는 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르술폰(PES), 폴리아크릴레이트, 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리아릴레이트, 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리에테르케톤(PEK), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리(아크릴로니트릴-코-부타디엔-코-스티렌)(ABS), 폴리아라미드, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리유산(PLA), 폴리옥시메틸렌(POM), 폴리우레탄(PU) 및 나일론으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1 이상을 포함하고,
상기 머캅토기를 함유하는 실란화합물은 3-머캅토프로필트리에톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디에톡시실란 또는 3-머캅토프로필트리메톡시실란인 접합기판의 제조방법.
The method of claim 3,
The plastic substrate may be made of a material selected from the group consisting of polycarbonate (PC), polyvinyl chloride (PVC), polymethyl methacrylate (PMMA), polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES) Polyetheretherketone (PEEK), polyetheretherketone (PEEK), polyetheretherketone (PEEK), polyethylene naphthalate (PEN), polyphenylene sulfide (PPS), polyarylate, polyacrylonitrile (ABS), polyaramid, polybutylene terephthalate (PBT), polylactic acid (PLA), polyoxymethylene (POM), polyurethane (PU) and nylon At least one selected from the group consisting of < RTI ID = 0.0 >
Wherein the mercapto group-containing silane compound is at least one compound selected from the group consisting of 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldiethoxysilane or 3-mercaptopropyltrimethoxysilane / RTI >
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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