KR101822167B1 - Light emitting diode package and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시 예는 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 도전층; 상기 도전층 상에 배치되고, 열 전도성을 갖는 절연층; 상기 절연층 상에 배치된 금속 박막층; 상기 금속 박막층 상에 배치된 도금층; 상기 도금층 상에 배치된 LED 칩; 상기 LED 칩 주위의 상기 절연층 상에 배치된 댐부; 및 상기 LED 칩 상에 배치된 수지;를 포함하고, 상기 수지의 표면은 상기 댐부의 상면보다 높다.An embodiment of the present invention relates to a light emitting diode package and a manufacturing method thereof.
A light emitting diode package according to an embodiment of the present invention includes: a conductive layer; An insulating layer disposed on the conductive layer and having thermal conductivity; A metal thin film layer disposed on the insulating layer; A plating layer disposed on the metal thin film layer; An LED chip disposed on the plating layer; A dam disposed on the insulating layer around the LED chip; And a resin disposed on the LED chip, wherein a surface of the resin is higher than an upper surface of the dam portion.

Description

발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting diode package,

본 발명의 실시 예는 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. An embodiment of the present invention relates to a light emitting diode package and a manufacturing method thereof.

발광 다이오드(Light Emitting Diode, 이하 LED)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaInP 등과 같은 화합물 반도체 재료들의 조합을 통해 다양한 색상의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.A light emitting diode (hereinafter, referred to as LED) refers to a semiconductor device capable of realizing light of various colors through a combination of compound semiconductor materials such as GaAs, AlGaAs, GaN, and InGaInP.

LED는 비약적인 반도체 기술 발전에 힘입어, 고휘도 및 고품질의 제품 생산이 가능해졌다. 또한, 청색과 백색 LED가 현실화되면서 디스플레이 및 차세대 조명원으로 활용되고 있다.LEDs have been able to produce high-brightness and high-quality products due to the rapid development of semiconductor technology. Also, as blue and white LEDs become reality, they are being used as displays and next generation lighting sources.

종래의 칩 온 보드(Chip On Board, COB) LED 패키지를 제작하기 위해서는, 기판 위의 LED 칩 주위에 별도의 댐을 쌓고, 디스펜싱 방식을 사용하여 LED 칩 위에 수지를 도포하였다.
In order to manufacture a conventional chip on board (COB) LED package, a separate dam is built around the LED chip on the substrate, and the resin is coated on the LED chip using the dispensing method.

본 발명의 실시 예는 내부 구조가 심플한 LED 패키지를 제공한다.An embodiment of the present invention provides an LED package having a simple internal structure.

또한, 본 발명의 다른 실시 예는 내부 구조가 심플한 LED 패키지의 제조 방법을 제공한다.
Further, another embodiment of the present invention provides a method of manufacturing an LED package having a simple internal structure.

본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 도전층; 상기 도전층 상에 배치되고, 열 전도성을 갖는 절연층; 상기 절연층 상에 배치된 금속 박막층; 상기 금속 박막층 상에 배치된 도금층; 상기 도금층 상에 배치된 LED 칩; 상기 LED 칩 주위의 상기 절연층 상에 배치된 댐부; 및 상기 LED 칩 상에 배치된 수지;를 포함하고, 상기 수지의 표면은 상기 댐부의 상면보다 높다. A light emitting diode package according to an embodiment of the present invention includes: a conductive layer; An insulating layer disposed on the conductive layer and having thermal conductivity; A metal thin film layer disposed on the insulating layer; A plating layer disposed on the metal thin film layer; An LED chip disposed on the plating layer; A dam disposed on the insulating layer around the LED chip; And a resin disposed on the LED chip, wherein a surface of the resin is higher than an upper surface of the dam portion.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 베이스층; 상기 베이스층 상에 배치된 LED 칩; 상기 베이스층 상에 배치되고, 상기 LED 칩 주위에 배치되고, 상면이 상기 LED 칩보다 높은 댐부; 및 상기 LED 칩 상에 배치되고, 표면이 상기 댐부의 상면에 대하여 한 측면에서 다른 한 측면으로 감소 또는 증가하는 기울기를 갖는 수지;를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode package including: a base layer; An LED chip disposed on the base layer; A dam disposed on the base layer and disposed around the LED chip and having an upper surface higher than the LED chip; And a resin disposed on the LED chip and having a slope whose surface decreases or increases from one side to the other side with respect to the upper surface of the dam portion.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 방법은, 도전층 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 금속 박막층과 도금층을 형성하는 단계; 상기 도금층 상에 LED 칩을 배치하는 단계; 상기 LED 칩 주위의 상기 절연층 상에 댐부를 형성하되, 상기 댐부의 상면이 상기 LED 칩보다 높도록 형성하는 단계; 상기 댐부의 상면 위에 마스크를 형성하는 단계; 스크린 프린팅 방식으로 상기 LED 칩 상에 수지를 형성하는 단계; 및 상기 마스크를 제거하는 단계;를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a light emitting diode package, including: forming an insulating layer on a conductive layer; Forming a metal thin film layer and a plating layer on the insulating layer; Disposing an LED chip on the plating layer; Forming a dam portion on the insulating layer around the LED chip so that an upper surface of the dam portion is higher than the LED chip; Forming a mask on an upper surface of the dam portion; Forming a resin on the LED chip by a screen printing method; And removing the mask.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 방법은, 베이스층 상에 LED 칩을 형성하는 단계; 상기 LED 칩 주위의 상기 베이스층 상에 댐부를 형성하되, 상기 댐부의 상면이 상기 LED 칩보다 높도록 형성하는 단계; 및 상기 LED 칩 상에 수지를 형성하되, 상기 수지의 표면이 상기 댐부의 상면에 대하여 한 측면에서 다른 한 측면으로 감소 또는 증가하는 기울기를 갖도록 형성하는 단계;를 포함한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting diode package, including: forming an LED chip on a base layer; Forming a dam portion on the base layer around the LED chip so that an upper surface of the dam portion is higher than the LED chip; And forming a resin on the LED chip so that the surface of the resin has a slope that decreases or increases from one side to the other side with respect to the upper surface of the dam portion.

본 발명의 실시 예에 따른 LED 패키지는 내부 구조가 심플한 이점이 있다.The LED package according to the embodiment of the present invention has an advantage that the internal structure is simple.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 LED 패키지 제조 방법을 사용하면, 구조가 심플한 LED 패키지를 제작할 수 있고, 빠르고 신속하게 대량의 LED 패키지를 제작할 수 있는 이점이 있다.
In addition, by using the LED package manufacturing method according to the embodiment of the present invention, it is possible to fabricate an LED package having a simple structure, and it is possible to manufacture a large quantity of LED packages quickly and quickly.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드(이하, LED) 패키지의 사시도.
도 2는 도 1에서 A-A’으로의 단면도.
도 3 내지 도 5는 도 2에 도시된 LED 패키지(100)의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 LED 패키지의 사시도.
도 7은 도 6에서 B-B’으로의 단면도.1 is a perspective view of a light emitting diode (LED) package according to an embodiment of the present invention;
2 is a sectional view taken along line A-A 'in Fig. 1;
Figs. 3 to 5 are views for explaining a manufacturing method of the LED package 100 shown in Fig. 2. Fig.
6 is a perspective view of an LED package according to another embodiment of the present invention;
7 is a cross-sectional view taken along line B-B 'in Fig. 6;

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
In the description of embodiments according to the present invention, it is to be understood that where an element is described as being formed "on or under" another element, On or under includes both the two elements being directly in direct contact with each other or one or more other elements being indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a light emitting diode package and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드(이하, LED) 패키지의 사시도이다. 도 1은 복수의 LED 패키지(100)들이 서로 연결된 형태이다. 도 2는 도 1에서 A-A’으로의 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting diode (LED) package according to an embodiment of the present invention. 1 shows a configuration in which a plurality of LED packages 100 are connected to each other. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A 'in Fig.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 LED 패키지(100)는 베이스층(110), LED 칩(130), 댐부(150) 및 수지(170)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, an LED package 100 according to an embodiment of the present invention may include a base layer 110, an LED chip 130, a dam 150, and a resin 170.

베이스층(110) 상에는 LED 칩(130), 댐부(150) 및 수지(170)가 배치된다. 여기서, 베이스층(110)은 도전층(111), 절연층(113), 금속 박막층(115) 및 도금층(117)을 포함할 수 있다. 이하 구체적을 살펴보도록 한다.The LED chip 130, the dam 150, and the resin 170 are disposed on the base layer 110. The base layer 110 may include a conductive layer 111, an insulating layer 113, a metal thin film layer 115, and a plating layer 117. Hereinafter, the details will be described.

도전층(111)은 알루미늄 소재의 금속판으로 구성되는 것이 바람직하다. 도전층(111)을 알루미늄 소재의 금속을 사용하는 이유는 상부에 LED 칩(130)이 바로 실장되어 부착된 조건에서 LED 칩(130)에서 발생된 열을 외부로 신속하게 전달하여 열방출을 촉진하기 위해서이다. 이러한 도전층(111)은 반드시 알루미늄 소재에 한정되는 것은 아니고 일정 이상의 높은 방열 성능을 갖는 Cu, Cu합금, SUS 소재 등을 이용하여 구성하는 것도 가능하다. The conductive layer 111 is preferably made of a metal plate made of an aluminum material. The reason why the conductive layer 111 is made of an aluminum-based metal is that the LED chip 130 is directly mounted on the upper part and the heat generated from the LED chip 130 is quickly transferred to the outside under the attached condition, . The conductive layer 111 is not necessarily made of an aluminum material, but may be made of Cu, a Cu alloy, an SUS material or the like having a high heat dissipation performance of a certain level or higher.

절연층(113)은 도전층(111) 상에 배치된다. 절연층(113)은 전기적 절연의 성질을 가지며, 열전도성을 갖는다. 따라서, 절연층(113)은 도전층(111)에서 LED 칩(130) 및 도금층(117)으로의 전류를 차단하여 내전압을 향상시킬 수 있고, LED 칩(130)으로부터의 열을 도전층(111)으로 신속하게 전달할 수 있다.The insulating layer 113 is disposed on the conductive layer 111. The insulating layer 113 is electrically insulative and has thermal conductivity. The insulating layer 113 can interrupt the current from the conductive layer 111 to the LED chip 130 and the plating layer 117 to improve the withstand voltage and prevent the heat from the LED chip 130 from reaching the conductive layer 111 ). ≪ / RTI >

금속 박막층(115)은 절연층(113) 상에 배치된다. 상기 금속 박막층(115)은 황상구리 용액을 전기 분해하여 만든 얇은 동박인 것이 바람직하다.The metal thin film layer 115 is disposed on the insulating layer 113. The metal thin film layer 115 is preferably a thin copper foil formed by electrolyzing a copper cuprous solution.

도금층(117)은 금속 박막층(115)상에 배치되고, 상기 도금층(117)을 형성하는 이유는 금속 박막층의 부식을 막기 위해서이다.The plating layer 117 is disposed on the metal thin film layer 115, and the reason for forming the plating layer 117 is to prevent corrosion of the metal thin film layer.

LED 칩(130)은 상기 도금층(117) 상에 배치되며, 상기 도금층(117)과 리드선(L)에 의해 전기적으로 연결된다.The LED chip 130 is disposed on the plating layer 117 and is electrically connected to the plating layer 117 by a lead wire L. [

한편, 베이스층(110)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 인쇄회로도금층(PCB: Printed Circuit Board)일 수 있다. 베이스층(110)은 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR4 등 중 어느 하나일 수 있다.Meanwhile, the base layer 110 may be a printed circuit board (PCB) in which a circuit pattern is printed on an insulator. The base layer 110 may be a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, FR4, or the like.

LED 칩(130)은 베이스층(110) 상에 배치된다. 구체적으로, LED 칩(130)은 베이스층(110)의 도금층(117) 상에 배치될 수 있다.The LED chip 130 is disposed on the base layer 110. Specifically, the LED chip 130 may be disposed on the plating layer 117 of the base layer 110.

LED 칩(130)은 리드선(L)에 의해 베이스층(110)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 리드선(L)은 금(Au) 등의 도전체일 수 있다.The LED chip 130 is electrically connected to the base layer 110 by a lead wire L. Here, the lead wire L may be a conductor such as gold (Au).

LED 칩(130)은 수평형 또는 수직형 LED 칩 중 어느 하나일 수 있다. The LED chip 130 may be either horizontal or vertical type LED chips.

댐부(150)는 베이스층(110) 상에 배치되고, LED 칩(130) 주위에 배치된다. The dam 150 is disposed on the base layer 110 and disposed around the LED chip 130.

댐부(150)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 링 형태로 LED 칩(130)을 덮고 있는 수지(170) 둘레에 배치될 수 있다. 구체적으로, 댐부(150)는 금속 박막층(115)과 도금층(117) 및 LED 칩(130)을 둘러싸면서 절연층(113) 상에 배치될 수 있다.The dam 150 may be disposed around the resin 170 covering the LED chip 130 in the form of a ring, as shown in Fig. Specifically, the dam 150 may be disposed on the insulating layer 113 while surrounding the metal thin film layer 115, the plating layer 117, and the LED chip 130.

댐부(150)는 솔더 마스크(Solder Mask) 혹은 솔더 레지스트(Solder Resist)일 수 있다. 좀 더 구체적으로, 댐부(150)는 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist, PSR)일 수 있다. 댐부(150)가 PSR인 경우, 백색의 PSR일 수 있다. 여기서, 댐부(150)가 PSR인 경우, 베이스층(110)과 PSR(150)은 메탈 코아 인쇄회로도금층(Metal Core PCB, 이하, MCPCB)를 구성할 수 있다.The dam 150 may be a solder mask or a solder resist. More specifically, the dam 150 may be a photo solder resist (PSR). If the dam 150 is a PSR, it may be a white PSR. Here, when the dam 150 is a PSR, the base layer 110 and the PSR 150 may form a metal core PCB (MCPCB).

댐부(150)는 실리콘(Silicon)일 수 있다. 이 경우, 댐부(150)를 구성하는 실리콘의 점성은 수지(170)의 실리콘 점성보다 클 수 있다. The dam 150 may be silicon. In this case, the viscosity of silicon constituting the dam portion 150 may be larger than the silicon viscosity of the resin 170.

댐부(150)의 높이(H1)는 금속 박막층(115), 도금층(117), LED 칩(130) 및 리드선(L)의 상면의 전체 높이(H2)보다 높다. 여기서, 댐부(150)의 높이(H1)는 금속 박막층(115), 도금층(117), LED 칩(130) 및 리드선(L)의 상면의 전체 높이(H2)에 적어도 1.5배 이상인 것이 바람직하다. 이는 리드선(L)을 고려한 것으로, 수지(170) 내에 리드선(L)을 온전히 매립하기 위함이다.The height H1 of the dam portion 150 is higher than the total height H2 of the upper surfaces of the metal thin film layer 115, the plating layer 117, the LED chip 130 and the lead wire L. [ It is preferable that the height H1 of the dam 150 is at least 1.5 times or more the total height H2 of the upper surface of the metal thin film layer 115, the plating layer 117, the LED chip 130 and the lead wire L. [ This is to take the lead wire L into consideration and to completely fill the lead wire L in the resin 170. [

혹은 댐부(150)의 상면(151)은 LED 칩(130)의 상면보다 충분히 높다. 이는 리드선(L)을 고려한 것으로, 수지(170) 내에 리드선(L)을 온전히 매립하기 위함이다.Or the upper surface 151 of the dam 150 is sufficiently higher than the upper surface of the LED chip 130. This is to take the lead wire L into consideration and to completely fill the lead wire L in the resin 170. [

수지(170)는 LED 칩(130) 상에 배치된다. 구체적으로, 수지(170)는 LED 칩(130)을 덮고, 링 형상의 댐부(150)에 포위될 수 있다. 수지(170)는 LED 칩(130)과 리드선(L)을 온전히 덮어 LED 칩(130)과 리드선(L)이 외부에 노출되지 않도록 한다.The resin 170 is disposed on the LED chip 130. Specifically, the resin 170 covers the LED chip 130 and can be surrounded by the ring-shaped dam 150. The resin 170 completely covers the LED chip 130 and the lead wire L so that the LED chip 130 and the lead wire L are not exposed to the outside.

수지(170)는 실리콘과 형광체를 포함할 수 있다. 여기서, 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체 및 적색 형광체 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 형광체는 LED 칩(130)에서 방출된 광을 여기시킨다. 예를 들어, LED 칩(130)에서 방출되는 광이 청색광인 경우, 형광체는 청색광을 여기하여 백색광으로 전환시킬 수 있다.The resin 170 may include silicon and a phosphor. Here, the phosphor may include at least one of a yellow phosphor, a green phosphor, and a red phosphor. The phosphor excites the light emitted from the LED chip 130. For example, when the light emitted from the LED chip 130 is blue light, the phosphor can excite blue light and convert it into white light.

수지(170)에 있어서, 외부에 노출되는 표면(171)은 한 측면에서 다른 한 측면으로 감소 또는 증가하는 기울기를 갖는다. 또한, 수지(170)의 표면(171)은 댐부(150)의 상면(151)보다 높게 배치된다. 수지(170)의 표면(171)이 한 측면에서 다른 한 측면으로 감소 또는 증가하는 기울기를 가지며, 댐부(150)의 상면(151)보다 높게 배치되는 것은 수지(170)의 제조 방법에 의한 것일 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 LED 패키지(100)의 수지(170)는 스크린 프린팅 기법에 의해 형성됨으로써, 수지(170)의 표면(171)은 한 측면에서 다른 한 측면으로 감소 또는 증가하는 기울기를 갖는다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 LED 패키지(100)의 수지(170)를 형성하기 전, 댐부(150) 상에는 마스크가 배치되는데, 상기 마스크에 의해 수지(170)의 표면(171)은 댐부(150)의 상면(151)보다 높게 배치된다. In the resin 170, the surface 171 exposed to the outside has a slope decreasing or increasing from one side to the other side. The surface 171 of the resin 170 is arranged higher than the upper surface 151 of the dam 150. The surface 171 of the resin 170 has a slope decreasing or increasing from one side to the other and higher than the upper surface 151 of the dam 150 may be by the method of manufacturing the resin 170 have. The resin 170 of the LED package 100 according to the embodiment of the present invention is formed by the screen printing technique so that the surface 171 of the resin 170 has a slope decreasing or increasing from one side to the other side . Before forming the resin 170 of the LED package 100 according to the embodiment of the present invention, a mask is disposed on the dam 150, and the surface 171 of the resin 170 is sandwiched by the mask 150).

이와 같은, 본 발명의 실시 예에 따른 LED 패키지는 구조가 심플하다. 왜냐하면, 본 발명의 실시 예에 따른 LED 패키지(100)의 댐부(150)가 일반적인 MCPCB의 PSR 역할을 함과 동시에 종래의 디스펜싱 기법을 사용하여 제작된 LED 패키지의 댐 역할을 하기 때문이다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 LED 패키지(100)는 종래의 디스펜싱 기법에 의해 제작된 LED 패키지의 댐이 불필요하다.
The LED package according to the embodiment of the present invention has a simple structure. This is because the dam 150 of the LED package 100 according to the embodiment of the present invention acts as a PSR of a general MCPCB and acts as a dam for an LED package manufactured using a conventional dispensing technique. Therefore, the LED package 100 according to the embodiment of the present invention does not require a dam of the LED package manufactured by the conventional dispensing technique.

도 3 내지 도 5는 도 2에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 LED 패키지(100)의 제조 방법을 설명하는 도면들이다.FIGS. 3 to 5 are views illustrating a method of manufacturing the LED package 100 according to the embodiment of the present invention shown in FIG.

도 3을 참조하면, 베이스층(110) 상에 댐부(150)를 형성한다. 구체적으로 도전층(111) 상에 절연층(113)을 형성하고, 절연층(113) 상에 금속 박막층(115)과 도금층(117)을 형성하며, 절연층(113) 상에 금속 박막층(115)과 도금층(117)을 둘러싸는 댐부(150)를 형성한다.Referring to FIG. 3, a dam 150 is formed on the base layer 110. Specifically, the insulating layer 113 is formed on the conductive layer 111, the metal thin film layer 115 and the plating layer 117 are formed on the insulating layer 113, and the metal thin film layer 115 And the plating layer 117 are formed.

여기서, 댐부(150)의 높이(H1)가 금속 박막층(115), 도금층(117), LED 칩(130) 및 리드선(L)의 상면의 전체의 높이(H2)보다 높도록 댐부(150)를 형성한다. 바람직하게는 댐부(150)의 높이(H1)를 금속 박막층(115), 도금층(117), LED 칩(130) 및 리드선(L)의 상면의 전체 높이(H2)의 1.5배 이상이 되도록 할 수 있다. 이는 추후 형성될 수지(170) 내에 LED 칩(130)과 리드선(L)이 매립되기 위함이다.The dam portion 150 is formed so that the height H1 of the dam portion 150 is higher than the entire height H2 of the upper surface of the metal thin film layer 115, the plating layer 117, the LED chip 130 and the lead wire L. . The height H1 of the dam 150 may be at least 1.5 times the overall height H2 of the upper surfaces of the metal foil layer 115, the plating layer 117, the LED chip 130 and the lead wire L. have. This is because the LED chip 130 and the lead wire L are embedded in the resin 170 to be formed later.

다음으로, 도 4를 참조하면, 베이스층(110) 상에 적어도 하나 이상의 LED 칩(130)을 배치하고, 리드선(L)으로 LED 칩(130)과 베이스층(110)을 전기적으로 연결한다. 그런 후, 댐부(150) 상에 마스크(mask, 190)를 형성한다. 여기서, 마스크(190)는 실리콘 산화막(Silicon Dioxide)일 수 있다.4, at least one LED chip 130 is disposed on the base layer 110 and the LED chip 130 and the base layer 110 are electrically connected to each other with a lead L. Referring to FIG. Then, a mask 190 is formed on the dam portion 150. Here, the mask 190 may be a silicon oxide film (Silicon Dioxide).

다음으로, 도 5를 참조하면, LED 칩(130) 위에 수지(170)를 형성한다. 여기서, 수지(170)는 스크린 프린팅(Screen Printing) 방식을 사용할 수 있다. 스크린 프린팅 방식은 종래의 공압 방식의 디스펜싱 방식에 비해 짧은 시간에 많은 면적을 도포할 수 있으며 설비 투자비용이 적다. Next, referring to FIG. 5, a resin 170 is formed on the LED chip 130. The resin 170 may be a screen printing method. The screen printing method can apply a large area in a short time compared with the conventional pneumatic dispensing method, and the facility investment cost is low.

수지(170)를 형성하기 위한 스크린 프린팅 방법을 구체적으로 설명하도록 한다. LED 칩(130)과 마스크(190) 위에 액상의 수지(170)를 충분히 도포하고, 스퀴즈(Squeeze)를 마스크(190)의 상면을 따라 미리 설정된 일 방향으로 이동시킨다. 그러면, 액상의 수지(170)는 댐부(150) 사이의 공간을 채워 LED 칩(130)과 리드선(L)을 메운다. 다음으로, 어닐링(Annealing)을 수행하여 액상의 수지(170)를 경화(Cure)시킨다. 수지(170)를 상술한 스크린 프린팅 방식으로 형성하면, 수지(170)의 표면은 평평하지 않고 한 측면에서 다른 한 측면으로 감소 또는 증가하는 기울기를 가질 수 있다.The screen printing method for forming the resin 170 will be described in detail. The liquid resin 170 is sufficiently coated on the LED chip 130 and the mask 190 and the squeeze is moved along the upper surface of the mask 190 in a predetermined direction. Then, the liquid resin 170 fills the space between the dam parts 150 to fill the LED chip 130 and the lead wire L. Next, annealing is performed to cure the liquid resin 170. When the resin 170 is formed by the above-described screen printing method, the surface of the resin 170 is not flat and may have a slope that decreases or increases from one side to the other.

마지막으로, 댐부(150) 상에 배치된 마스크(190)를 마스크 제거 물질을 사용하여 제거한다. 그러면, 도 2에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 LED 패키지(100)가 제작된다. 여기서, 마스크(190)가 제거됨에 따라, 수지(170)의 표면(171)은 댐부(150)의 상면(151)보다 더 높은 곳에 위치할 수 있다. Finally, the mask 190 disposed on the dam 150 is removed using a mask removing material. Then, the LED package 100 according to the embodiment of the present invention shown in Fig. 2 is fabricated. Here, as the mask 190 is removed, the surface 171 of the resin 170 may be located higher than the upper surface 151 of the dam 150.

이와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 LED 패키지 제조 방법은, 내부 구조가 심플한 LED 패키지를 제조할 수 있다. 이는 종래의 LED 패키지 제조 방법에서 사용되던 댐을 별도로 사용하지 않기 때문에 가능한 것이다. 따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 LED 패키지 제조 방법은 공정이 심플하다.As described above, the LED package manufacturing method according to another embodiment of the present invention can manufacture an LED package having a simple internal structure. This is possible because the dam used in the conventional LED package manufacturing method is not used separately. Accordingly, the LED package manufacturing method according to another embodiment of the present invention is simple in process.

또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 LED 패키지 제조 방법은, 스크린 프린팅 방식을 사용하므로, 종래의 LED 패키지 제조 방법에서 사용되었던 디스펜싱 기법보다 속도가 빠르다. 따라서, 신속하게 대량의 LED 패키지를 제작할 수 있는 이점이 있다.
In addition, the method of manufacturing an LED package according to another embodiment of the present invention uses a screen printing method, which is faster than the dispensing method used in a conventional LED package manufacturing method. Therefore, there is an advantage that a large amount of LED packages can be manufactured quickly.

도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 LED 패키지의 사시도이고, 도 7은 도 6에서 B-B’으로의 단면도이다.FIG. 6 is a perspective view of an LED package according to another embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a sectional view taken along line B-B 'in FIG.

도 6 및 도 7에 도시된 본 발명의 다른 실시 예에 따른 LED 패키지(200)는 도 1 및 도 2에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 LED 패키지(100)에 돔부(280)를 추가한 것이다. 따라서, 이하에서는 앞서 도 1 및 도 2에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 LED 패키지(100)에서 설명한 구성요소와 동일한 구성요소는 설명을 생략하기로 한다.The LED package 200 according to another embodiment of the present invention shown in Figs. 6 and 7 may be formed by adding a dome portion 280 to the LED package 100 according to the embodiment of the present invention shown in Figs. 1 and 2 will be. Therefore, the same components as those described in the LED package 100 according to the embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 and 2 will not be described below.

도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 LED 패키지(200)는 베이스층(110), LED 칩(130), 댐부(150), 수지(170) 및 돔부(280)를 포함할 수 있다.6 and 7, an LED package 200 according to another embodiment of the present invention includes a base layer 110, an LED chip 130, a dam 150, a resin 170, and a dome 280 .

돔부(280)는 수지(170) 상에 배치된다. The dome portion 280 is disposed on the resin 170.

돔부(280)는 수지(170)와 마찬가지로 실리콘과 형광체를 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 돔부(280)는 수지(170)를 구성하는 실리콘 및 형광체 이외의 다른 물질일 수 있다. 이러한 돔부(280)는 확산제를 포함하여 LED 칩(130)으로부터의 광을 확산시킬 수 있다. 한편, 돔부(280)의 점성은 수지(170)의 점성보다 클 수 있다.
Like the resin 170, the dome 280 may include silicon and a phosphor. However, the present invention is not limited thereto, and the dome portion 280 may be a material other than silicon and a phosphor constituting the resin 170. The dome portion 280 may include a diffusing agent to diffuse the light from the LED chip 130. On the other hand, the viscosity of the dome portion 280 may be larger than the viscosity of the resin 170.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

110: 베이스층
111: 도전층
113: 절연층
115: 금속 박막층
117: 도금층
130: LED 칩
150: 댐부
170: 수지
L: 리드선
280: 돔부110: base layer
111: conductive layer
113: insulating layer
115: metal thin film layer
117: Plating layer
130: LED chip
150:
170: Resin
L: Lead wire
280: dome portion

Claims (15)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 베이스층;
상기 베이스층 상에 배치된 LED 칩;
상기 베이스층 상에 배치되고, 상기 LED 칩 주위에 배치되고, 상면이 상기 LED 칩보다 높은 댐부;
상기 LED 칩 상에 배치되고, 표면이 상기 댐부의 상면에 대하여 한 측면에서 다른 한 측면으로 감소 또는 증가하는 기울기를 갖는 수지; 및
상기 수지 상에 배치되며, 상기 LED 칩으로부터의 광을 확산시키는 돔부;
를 포함하며,
상기 돔부는 실리콘, 형광체 및 확산제를 포함하며, 상기 수지 상에만 배치되며,
상기 수지의 표면은 상기 댐부의 상면보다 높은 LED 패키지.A base layer;
An LED chip disposed on the base layer;
A dam disposed on the base layer and disposed around the LED chip and having an upper surface higher than the LED chip;
A resin disposed on the LED chip and having a slope whose surface decreases or increases from one side to the other side with respect to the upper surface of the dam portion; And
A dome disposed on the resin for diffusing light from the LED chip;
/ RTI >
Wherein the dome portion includes silicon, a phosphor and a diffusing agent, and is disposed only on the resin,
And the surface of the resin is higher than the upper surface of the dam portion. 삭제delete 제 5 항에 있어서,
상기 댐부와 상기 수지는 실리콘을 포함하되,
상기 댐부의 실리콘 점성은 상기 수지의 실리콘 점성보다 큰 LED 패키지.6. The method of claim 5,
Wherein the dam and the resin comprise silicon,
Wherein the silicon viscosity of the dam portion is larger than the silicon viscosity of the resin. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 베이스층 상에 LED 칩을 형성하는 단계;
상기 LED 칩 주위의 상기 베이스층 상에 댐부를 형성하되, 상기 댐부의 상면이 상기 LED 칩보다 높도록 형성하는 단계; 및
상기 LED 칩 상에 수지를 형성하되, 상기 수지의 표면이 상기 댐부의 상면에 대하여 한 측면에서 다른 한 측면으로 감소 또는 증가하는 기울기를 갖고 상기 수지의 표면은 상기 댐부의 상면보다 높도록 형성하는 단계; 및
실리콘, 형광체 및 확산제를 포함하고 상기 LED 칩으로부터의 광을 확산시키는 돔부를 상기 수지 상에만 형성하는 단계;
를 포함하는 LED 패키지 제조 방법.Forming an LED chip on the base layer;
Forming a dam portion on the base layer around the LED chip so that an upper surface of the dam portion is higher than the LED chip; And
Forming a resin on the LED chip so that the surface of the resin has a slope that decreases or increases from one side to the other side with respect to the upper surface of the dam and the surface of the resin is higher than the upper surface of the dam; ; And
Forming a dome portion including silicon, a phosphor and a diffusing agent and diffusing light from the LED chip only on the resin;
≪ / RTI > 삭제delete 삭제delete
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