KR101736237B1 - Radiation-sensitive composition, protective film and inter layer insulating film, and process for forming the same - Google Patents

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Abstract

(과제) 투명성, 내열성 등이 우수함과 함께, ITO 기판 밀착성 및 내크랙성이 높은 보호막 및 층간 절연막을 형성 가능하고, 또한 충분한 해상성을 갖는 감방사선성 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
(해결 수단) 본 발명은 [A]실록산 폴리머, [B]식(1) 및 (3)으로 각각 표시되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 실란 화합물 및, [C]감방사선성 산 발생제 또는 감방사선성 염기 발생제를 함유하는 감방사선성 조성물이다.
<화학식 1>

Figure 112010031810165-pat00014

<화학식 2>
Figure 112010031810165-pat00015
It is an object of the present invention to provide a radiation-sensitive composition capable of forming a protective film and an interlayer insulating film which are excellent in transparency, heat resistance and the like, and which have high ITO substrate adhesion and crack resistance, and have sufficient resolution.
The present invention relates to a silicone composition comprising at least one silane compound selected from the group consisting of [A] siloxane polymer, [B] compounds represented by formulas (1) and (3) A radiation-sensitive composition containing an emissive agent or a radiation-sensitive base generator.
&Lt; Formula 1 >
Figure 112010031810165-pat00014

(2)
Figure 112010031810165-pat00015

Description

감방사선성 조성물, 보호막 및 층간 절연막 및, 그들의 형성 방법{RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PROTECTIVE FILM AND INTER LAYER INSULATING FILM, AND PROCESS FOR FORMING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a radiation-sensitive composition, a protective film and an interlayer insulating film, and a method of forming the same.

본 발명은 액정 표시 소자(LCD)의 보호막 및 층간 절연막을 형성하기 위한 재료로서 적합한 감방사선성 조성물, 그 조성물로 형성된 보호막 및 층간 절연막 과, 그 보호막 및 층간 절연막의 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a radiation-sensitive composition suitable as a material for forming a protective film and an interlayer insulating film of a liquid crystal display device (LCD), a protective film formed by the composition, an interlayer insulating film, and a method for forming the protective film and the interlayer insulating film.

액정 표시 소자 등은 그 제조 공정 중에, 용제, 산 또는 알칼리 용액 등에 의한 침지 처리가 행해진다. 또한, 이러한 액정 표시 소자는 스퍼터링에 의해 배선 전극층을 형성할 때에는, 소자 표면이 국부적으로 고온에 노출된다. 따라서, 이러한 용제 등에 의한 침지 처리나 고온 처리에 의해 액정 표시 소자가 열화 또는 손상되는 것을 방지하기 위해, 이들 처리에 대하여 내성을 갖는 보호막을 소자의 표면에 형성하는 것이 이루어지고 있다.The liquid crystal display element or the like is immersed in a solvent, an acid or an alkali solution or the like during its production process. In addition, when the wiring electrode layer is formed by sputtering in such a liquid crystal display element, the element surface is locally exposed to a high temperature. Therefore, in order to prevent the liquid crystal display element from being deteriorated or damaged by the immersion treatment or the high-temperature treatment using such a solvent or the like, a protective film having resistance to these treatments is formed on the surface of the element.

이러한 보호막은 당해 보호막을 형성해야 할 기판 또는 하층, 또한 보호막상에 형성되는 층에 대하여 밀착성이 높은 것일 것, 막 자체가 평활하고 강인할 것, 투명성을 갖는 것일 것, 고온 조건하에 있어서도 변색되지 않고 투명성을 유지할 수 있는 것일 것, 표면 경도가 충분할 것, 내찰상성이 우수할 것 등의 성능이 요구된다. 이들 제 특성을 충족하는 보호막을 형성하기 위한 재료로서는, 예를 들면 글리시딜기를 갖는 중합체를 함유하는 네거티브형 감방사선성 조성물이 알려져 있다(일본공개특허공보 평5-78453호 참조). 일반적으로, 보호막 형성용의 감방사선성 조성물로서는, 포지티브형보다 비용적으로 유리한 점에서, 네거티브형의 감방사선 특성을 갖는 것이 널리 사용되고 있다.Such a protective film should have high adhesion to the substrate or lower layer on which the protective film should be formed and also to the layer formed on the protective film, that the film itself be smooth and strong, have transparency, It is required to have properties that transparency can be maintained, surface hardness is sufficient, scratch resistance is excellent, and the like. As a material for forming a protective film satisfying these properties, for example, a negative radiation-sensitive composition containing a polymer having a glycidyl group is known (see JP-A-5-78453). In general, as a radiation sensitive composition for forming a protective film, a negative radiation sensitive property is widely used because it is more cost effective than a positive type radiation sensitive composition.

또한, 보호막 형성용 감방사선성 조성물의 성분으로서 아크릴계 수지가 주로 사용되고 있다. 이에 대하여, 아크릴계 수지보다도 내열성 및 투명성이 우수한 폴리실록산계 재료를, 감방사선성 조성물의 성분으로서 사용하는 시도가 이루어지고 있다(일본공개특허공보 2000-1648호, 일본공개특허공보 2006-178436호 참조). 그러나, 폴리실록산계 재료는 ITO(인듐 주석 산화물) 투명 도전막과의 밀착성이 충분하지 않고, 경화막에 크랙(균열, crack)이 발생되기 쉽기 때문에, 보호막으로서 적절하지 않다는 문제가 있다. 또한, 액정 표시 소자 중의 배선인 몰리브덴 배선상에서의 밀착성이 불충분한 경우, 몰리브덴 배선상을 기점으로 하여, 보호막의 크랙이나 벗겨짐이 발생하는 경우가 있다. 따라서, 내열성 및 투명성이 우수함과 함께, ITO 투명 도전막이나 몰리브덴 배선과의 밀착성이 개선된 폴리실록산계 감방사선성 조성물의 개발이 요망되고 있다.In addition, an acrylic resin is mainly used as a component of the radiation-sensitive composition for forming a protective film. On the other hand, attempts have been made to use a polysiloxane-based material superior in heat resistance and transparency to an acryl-based resin as a component of a radiation-sensitive composition (see Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2000-1648 and Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2006-178436) . However, the polysiloxane-based material has a problem that it is not suitable as a protective film because the adhesion of the polysiloxane-based material to the ITO (indium tin oxide) transparent conductive film is insufficient and cracks are easily generated in the cured film. Further, when the adhesion on the molybdenum wiring as the wiring in the liquid crystal display element is insufficient, the protective film may crack or peel off from the molybdenum wiring as a starting point. Accordingly, development of a polysiloxane-based radiation-sensitive composition having improved heat resistance and transparency as well as improved adhesion to an ITO transparent conductive film or a molybdenum wiring has been desired.

한편, 층간 절연막은 액정 표시 소자 등에 있어서, 일반적으로 층 형상으로 배치되는 배선 사이를 절연하기 위해 형성되어 있다. 이 액정 표시 소자의 층간 절연막은, 배선용의 콘택트홀의 패턴 형성이 필요하다. 액정 표시 소자의 층간 절연막 형성용 재료로서, 비용적으로 유리한 네거티브형 감방사선성 조성물의 개발이 이루어지고 있지만(일본공개특허공보 2000-162769호 참조), 이러한 네거티브형 조성물에서는, 실용상 사용할 수 있는 레벨의 홀 지름을 가진 콘택트홀을 형성하는 것은 곤란하다. 따라서, 현재로서는 콘택트홀 형성의 우위성의 관점에서, 액정 표시 소자의 층간 절연막을 형성하기 위해 포지티브형 감방사선성 경화성 조성물이 폭넓게 사용되고 있다(일본공개특허공보 2001-354822호 참조).On the other hand, the interlayer insulating film is formed in a liquid crystal display element or the like so as to insulate between wirings arranged in a generally layered form. The interlayer insulating film of this liquid crystal display element needs to form a pattern of contact holes for wiring. As a material for forming an interlayer insulating film of a liquid crystal display element, a negative radiation-sensitive composition having a favorable cost has been developed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-162769). In such a negative composition, It is difficult to form the contact hole having the hole diameter of the level. Therefore, at present, from the viewpoint of superiority of forming a contact hole, a positive-type radiation-sensitive curable composition is widely used to form an interlayer insulating film of a liquid crystal display element (see JP-A-2001-354822).

이와 같이 액정 표시 소자 등의 제조에는, 그 목적 및 공정에 따라, 여러종의 감방사선성 조성물이 사용되고 있다. 최근, 비용 삭감의 관점에서, 감방사선성 조성물의 종류의 통일화가 시도되고 있으며, 내열성, 투명성, 평탄성 등의 요구 특성이 중복되는 보호막 및 층간 절연막을 1 종류의 감방사선성 조성물로 형성할 수 있을 것이 요망되고 있다. 따라서, 보호막의 형성 재료로서 일반적으로 사용되는 네거티브형의 감방사선 특성을 갖고, 상기의 요구 특성을 모두 충족시킴과 동시에, 층간 절연막의 형성 재료로서 필요한 콘택트홀 형성능을 구비한 감방사선성 조성물의 개발이 요구되고 있다.As described above, various types of radiation-sensitive compositions are used in the production of liquid crystal display devices and the like depending on the purpose and the process. In recent years, from the viewpoint of cost reduction, attempts have been made to unify kinds of radiation-sensitive compositions and to form a protective film and an interlayer insulating film, which have required properties such as heat resistance, transparency and flatness, Is desired. Therefore, development of a radiation-sensitive composition having a negative-type radiation-sensitive characteristic generally used as a material for forming a protective film, satisfying all of the above-mentioned required characteristics, and having a contact hole forming ability required as a material for forming an interlayer insulating film .

구체적으로는, 평탄성, 투명성, 내열성, 밀착성, 내크랙성, 표면 경도 및 내찰상성이 우수한 보호막 및 층간 절연막을 간단하고 쉽게 형성할 수 있음과 함께, 실용상 사용 가능한 콘택트홀을 형성 가능한 해상성을 발현하고, 또한 높은 보존 안정성을 갖는 폴리실록산계의 네거티브형 감방사선성 조성물의 개발이 강하게 요망되고 있다.Specifically, a protective film and an interlayer insulating film which are excellent in flatness, transparency, heat resistance, adhesion, crack resistance, surface hardness and scratch resistance can be easily and easily formed, and a resolution capable of forming a practically usable contact hole can be obtained And has a high storage stability, there is a strong demand for the development of a polysiloxane-based negative radiation radiation-sensitive composition.

일본공개특허공보 평5-78453호Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-78453 일본공개특허공보 2000-001648호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-001648 일본공개특허공보 2006-178436호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-178436 일본공개특허공보 2000-162769호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-162769 일본공개특허공보 2001-354822호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-354822

본 발명은 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것으로, 그의 목적은 평탄성, 투명성, 내열성(내열 투명성), 표면 경도 및 내찰상성이 우수함과 함께, ITO 투명 도전막에 대한 밀착성 및 내크랙성이 높은 보호막 및 층간 절연막을 형성하기 위해 적합하게 사용되고, 또한 충분한 해상성 및 보존 안정성을 갖는 폴리실록산계 네거티브형 감방사선성 조성물, 그 조성물로 형성된 보호막 및 층간 절연막과, 그 보호막 및 층간 절연막의 형성 방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made based on the above-described circumstances, and its object is to provide a protective film which is excellent in flatness, transparency, heat resistance (heat-resistant transparency), surface hardness and scratch resistance, A polysiloxane-based negative-tone radiation-sensitive composition suitably used for forming an interlayer insulating film and having sufficient resolution and storage stability, a protective film and an interlayer insulating film formed from the composition, and a method for forming the protective film and interlayer insulating film will be.

상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 발명은,According to an aspect of the present invention,

[A]실록산 폴리머,[A] Siloxane polymer,

[B]하기식(1) 및 (3)으로 각각 표시되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 실란 화합물, 및[B] at least one silane compound selected from the group consisting of the compounds represented by the following formulas (1) and (3), and

[C]감방사선성 산 발생제 또는 감방사선성 염기 발생제[C] Radiation-sensitive acid generator or radiation-sensitive base generator

를 함유하는 감방사선성 조성물이다.By weight of the composition.

Figure 112010031810165-pat00001
Figure 112010031810165-pat00001

Figure 112010031810165-pat00002
Figure 112010031810165-pat00002

(식(1) 중, R1 및 R3는 각각 독립적으로 탄소수 1∼4의 알킬기이며, R2는 탄소수 1∼6의 알킬렌기, 페닐렌기 또는 하기 식(2)로 표시되는 기이며, 식(3) 중, R4, R5 및 R6는 각각 독립적으로 탄소수 1∼4의 알킬기이며, b, c 및 d는 각각 독립적으로 1∼6의 정수이다.(Wherein R 1 and R 3 are each independently an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 2 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, a phenylene group or a group represented by the following formula (2) (3), R 4 , R 5 and R 6 are each independently an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and b, c and d are each independently an integer of 1 to 6.

Figure 112010031810165-pat00003
Figure 112010031810165-pat00003

(식(2) 중, a는 1∼4의 정수이다.) )(In the formula (2), a is an integer of 1 to 4)

당해 감방사선성 조성물은 네거티브형 감방사선 특성을 가지며, 상기 [A] 및 [C]성분에 더하여, 특정 구조를 갖는 실란 화합물의 [B]성분을 함유하고 있음으로써, 평탄성, 투명성, 내열성(내열 투명성), 표면 경도 및 내찰상성이라고 하는 일반적인 요구 특성을 밸런스 좋게 충족시킴과 동시에, ITO 투명 도전막에 대한 밀착성 및 내크랙성이 개선된 액정 표시 소자용 보호막 및 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 당해 감방사선성 조성물은, 콘택트홀을 형성 가능한 해상성을 발현시킴과 함께, 우수한 보존 안정성을 갖는다. 당해 감방사선성 조성물로부터 얻어진 보호막 또는 층간 절연막은, 이와 같이 제 특성이 우수하기 때문에, 특히 액정 표시 소자용으로서 적합하게 사용된다.Since the radiation sensitive composition has a negative radiation sensitive property and contains the component [B] of the silane compound having a specific structure in addition to the components [A] and [C], the radiation sensitive composition is excellent in flatness, transparency, Transparency), surface hardness and scratch resistance, and at the same time, a protective film for a liquid crystal display element and an interlayer insulating film having improved adhesion and crack resistance to the ITO transparent conductive film can be formed. Furthermore, the radiation sensitive composition exhibits resolution capable of forming a contact hole, and has excellent storage stability. The protective film or interlayer insulating film obtained from the radiation sensitive composition of the present invention is preferably used for a liquid crystal display device because of its excellent properties.

당해 감방사선성 조성물의 [A]실록산 폴리머는, 하기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물의 가수분해 축합물인 것이 바람직하다.The [A] siloxane polymer of the radiation sensitive composition is preferably a hydrolyzed condensate of a hydrolyzable silane compound represented by the following formula (4).

Figure 112010031810165-pat00004
Figure 112010031810165-pat00004

(식(4) 중, R7는 탄소수 1∼20의 비(非)가수분해성의 유기기이며, R8는 탄소수 1∼4의 알킬기이며, q는 0∼3의 정수이다.)(In the formula (4), R 7 is a non-hydrolyzable organic group having 1 to 20 carbon atoms, R 8 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and q is an integer of 0 to 3)

당해 감방사선성 조성물에 있어서, 상기 [B]성분과 함께, [A]실록산 폴리머로서 상기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물의 가수분해 축합물을 사용함으로써, 형성되는 보호막 및 층간 절연막의 ITO 투명 도전막에 대한 밀착성 및 내크랙성이 더욱 개선됨과 함께, 보다 높은 해상성을 얻을 수 있다.(4) is used as the [A] siloxane polymer together with the above-mentioned component (B) in the radiation-sensitive composition of the present invention, the protective film and the interlayer insulating film formed by the hydrolytic condensation of the hydrolyzable silane compound The adhesion and crack resistance of the ITO transparent conductive film are further improved and higher resolution can be obtained.

당해 감방사선성 조성물은 [D]탈수제를 추가로 함유하는 것이 바람직하다. 이와 같이 탈수제를 추가로 함유함으로써, 당해 감방사선성 조성물의 보존 안정성을 보다 높이는 것이 가능해진다.It is preferable that the radiation sensitive composition further contains [D] dehydrating agent. By further containing the dehydrating agent in this way, it becomes possible to further enhance the storage stability of the radiation sensitive composition.

당해 감방사선성 조성물의 [C]감방사선성 산 발생제는, 트리페닐 술포늄염 및 테트라하이드로 티오페늄염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 또한, 당해 감방사선성 조성물의 [C]감방사선성 염기 발생제는, 2-니트로벤질 사이클로헥실 카바메이트 및 O-카바모일 하이드록시 아미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 감방사선성 산 발생제 또는 감방사선성 염기 발생제로서 이들 화합물을 사용함으로써, 감방사선성 조성물의 해상성을 더욱 향상시킬 수 있다.The [C] radiation-sensitive acid generator of the radiation sensitive composition is preferably at least one selected from the group consisting of a triphenylsulfonium salt and a tetrahydrothiophenium salt. The [C] radiation-sensitive base generator of the radiation sensitive composition is preferably at least one selected from the group consisting of 2-nitrobenzylcyclohexylcarbamate and O-carbamoylhydroxyamide. By using these compounds as a radiation-sensitive acid generator or a radiation-sensitive base generator, the resolution of the radiation-sensitive composition can be further improved.

또한, 본 발명의 액정 표시 소자용 보호막 또는 층간 절연막의 형성 방법은,Further, in the method for forming a protective film or interlayer insulating film for a liquid crystal display element of the present invention,

(1) 당해 감방사선성 조성물의 도막을 기판상에 형성하는 공정,(1) a step of forming a coating film of the radiation sensitive composition on a substrate,

(2) 공정(1)에서 형성된 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) a step of irradiating at least a part of the coating film formed in the step (1)

(3) 공정(2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,(3) a step of developing the coated film irradiated with the radiation in the step (2)

(4) 공정(3)에서 현상된 도막을 가열하는 공정(4) a step of heating the developed coating film in the step (3)

을 포함하고 있다..

당해 방법에 있어서는, 우수한 해상성을 발현하는 상기 감방사선성 조성물을 사용하여, 감방사선성을 사용한 노광·현상에 의해 패턴을 형성함으로써, 용이하게 미세하고 또한 정교한 패턴을 갖는 액정 표시 소자용 보호막 또는 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 이렇게 하여 형성된 보호막 및 층간 절연막은, 이들 막에 요구되는 일반적인 특성, 즉, 평탄성, 투명성, 내열성(내열 투명성), 표면 경도 및 내찰상성과, ITO 투명 도전막에 대한 밀착성 및 내크랙성 모두가 밸런스 좋게 우수하다.In this method, a protective film for a liquid crystal display element which has a fine and precise pattern easily can be obtained by forming the pattern by exposure and development using radiation-sensitive properties using the radiation sensitive composition exhibiting excellent resolution An interlayer insulating film can be formed. The protective film and the interlayer insulating film formed in this way are excellent in general characteristics required for these films, namely, flatness, transparency, heat resistance (heat resistance transparency), surface hardness and scratch resistance, adhesion to ITO transparent conductive film, Is excellent in balance.

이상 설명한 한 바와 같이, 본 발명의 감방사선성 조성물은, 상기 [A], [B] 및 [C]성분을 함유하고 있음으로써, 평탄성, 투명성, 내열성, 내열 투명성, 표면 경도 및 내찰상성이라고 하는 일반적인 요구 특성을 밸런스 좋게 충족시키며, 또한 ITO 투명 도전막에 대한 밀착성 및 내크랙성이 개선된 액정 표시 소자용 보호막 및 층간 절연막을 형성 가능하다. 이와 같이 형성된 보호막 또는 층간 절연막은, 특히 액정 표시 소자용으로서 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 당해 감방사선성 조성물은, 콘택트홀을 형성 가능한 정도의 충분한 해상성을 발현시킴과 함께, 보존 안정성이 우수하다. 또한, 당해 감방사선성 조성물은 네거티브형 감방사선 특성을 갖는 것으로, 기존의 포지티브형 감방사선 특성을 갖는 조성물과 비교하여 비용면에서도 유리하다.As described above, the radiation sensitive composition of the present invention contains the above components [A], [B] and [C] It is possible to form a protective film for a liquid crystal display element and an interlayer insulating film which satisfies general requirements in a well-balanced manner and which has improved adhesion and crack resistance to the ITO transparent conductive film. The protective film or interlayer insulating film thus formed can be suitably used particularly for a liquid crystal display device. Further, the radiation sensitive composition exhibits sufficient resolution to such an extent that a contact hole can be formed, and is excellent in storage stability. Further, the radiation sensitive composition has negative radiation sensitivity characteristics, and is advantageous in terms of cost as compared with a conventional composition having positive radiation sensitivity characteristics.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)

본 발명의 감방사선성 조성물은, [A]실록산 폴리머, [B]상기식(1) 및 (3)으로 각각 표시되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 실란 화합물, [C]감방사선성 산 발생제 또는 감방사선성 염기 발생제와, 그 외의 임의 성분([D]탈수제 등)을 함유한다.The radiation sensitive composition of the present invention comprises at least one silane compound selected from the group consisting of [A] siloxane polymer, [B] compounds represented by the above formulas (1) and (3), [C] Acid generators or radiation-sensitive base generators, and other optional components ([D] dehydrating agents, etc.).

[A]성분: [A] Ingredients: 실록산Siloxane 폴리머Polymer

[A]성분의 실록산 폴리머는 실록산 결합을 갖는 화합물의 폴리머인 한은 특별히 한정되는 것은 아니다. 이 [A]성분은 당해 성분을 포함하는 감방사선성 조성물에 방사선을 조사함으로써, 후술하는 [C]감방사선성 산 발생제 또는 감방사선성 염기로부터 발생한 산(산성 활성종) 또는 염기(염기 활성종)를 촉매로 하여, [B]성분의 실란 화합물과 함께 축합하여, 경화물을 형성한다.The siloxane polymer of the component [A] is not particularly limited as long as it is a polymer of a compound having a siloxane bond. The component [A] can be obtained by irradiating the radiation-sensitive composition containing the component with radiation to form an acid (acidic active species) or a base (basic activity) generated from a radiation-sensitive acid generator or a radiation- Type) as a catalyst and condensation with the silane compound of the component [B] to form a cured product.

[A]성분의 실록산 폴리머로서는, 하기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물의 가수분해 축합물인 것이 바람직하다.The siloxane polymer of the component [A] is preferably a hydrolyzed condensate of the hydrolyzable silane compound represented by the following formula (4).

(화학식 3)(Formula 3)

Figure 112010031810165-pat00005
Figure 112010031810165-pat00005

(식(4) 중, R7는 탄소수 1∼20의 비가수분해성의 유기기이며, R8는 탄소수 1∼4의 알킬기이며, q는 0∼3의 정수이다.)(In the formula (4), R 7 is a non-hydrolyzable organic group having 1 to 20 carbon atoms, R 8 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and q is an integer of 0 to 3)

본원에 있어서의 가수분해성 실란 화합물의 「가수분해성의 기」란, 통상, 무촉매, 과잉의 물의 공존하, 실온(약 25℃)∼약 100℃의 온도 범위 내에서 가열함으로써, 가수분해하여 실란올기를 생성할 수 있는 기, 또는, 실록산 축합물을 형성할 수 있는 기를 가리킨다. 그에 대하여, 「비가수분해성의 기」란, 그러한 가수분해 조건하에서, 가수분해 또는 축합을 일으키지 않고, 안정하게 존재하는 기를 가리킨다. 상기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물의 가수분해 반응에 있어서는, 생성되는 실록산 폴리머에 있어서 일부의 가수분해성 기가 미가수분해 상태로 남아 있어도 좋다. 또한, 당해 조성물 중에는 일부의 가수분해성 실란 화합물은, 그의 분자 중의 일부 또는 전부의 가수분해성 기가 미가수분해 상태이고, 다른 가수분해성 실란 화합물과 축합하지 않고 단량체의 상태로 남아 있어도 좋다. 여기에서 말하는 「가수분해성 실란 화합물의 가수분해 축합물」은, 가수분해된 실란 화합물의 일부인 실란올기끼리 반응·축합된 가수분해 축합물을 의미한다.The "hydrolyzable group" of the hydrolyzable silane compound in the present invention refers to a compound which is hydrolyzed by heating in the temperature range of room temperature (about 25 ° C) to about 100 ° C in the presence of a non-catalyst and excess water, A group capable of forming an ortho group, or a group capable of forming a siloxane condensate. On the other hand, the term &quot; non-hydrolyzable group &quot; refers to a group that stably exists without causing hydrolysis or condensation under such hydrolysis conditions. In the hydrolysis reaction of the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (4), some of the hydrolyzable groups in the resulting siloxane polymer may remain in an unhydrolyzed state. Further, in some of the hydrolyzable silane compounds of the composition, the hydrolyzable groups of some or all of the molecules of the hydrolyzable silane compounds may be in an unmodified state and may remain in the form of a monomer without condensation with other hydrolyzable silane compounds. As used herein, the term "hydrolyzable condensate of a hydrolyzable silane compound" means a hydrolyzed condensate in which a silanol group, which is a part of a hydrolyzed silane compound, is reacted and condensed with each other.

상기 R7로 표시되는 탄소수 1∼20인 비가수분해성의 유기기로서는, 탄소수 1∼12의 치환되지 않았거나, 또는 비닐기, (메타)아크릴로일기 또는 에폭시기로 1개 이상 치환된 알킬기, 탄소수 6∼12의 아릴기, 탄소수 7∼12의 아르알킬기 등을 들 수 있다. 이들은, 직쇄상, 분지상, 또는 환상일 수 있고, 동일 분자 내에 복수의 R7가 존재할 때는 이들의 조합일 수도 있다. 또한, R7는, 헤테로 원자를 갖는 구조 단위를 함유할 수도 있다. 그러한 구조 단위로서는, 예를 들면 에테르, 에스테르, 설파이드 등을 들 수 있다.Examples of the non-hydrolytic organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 7 include an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms which is unsubstituted or substituted with at least one of a vinyl group, a (meth) acryloyl group or an epoxy group, An aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms. These may be linear, branched, or cyclic, and may be a combination thereof when there are a plurality of R 7 present in the same molecule. Further, R7 may contain a structural unit having a hetero atom. Examples of such a structural unit include an ether, an ester, and a sulfide.

상기 R8로 표시되는 탄소수 1∼4의 알킬기의 예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, 부틸기 등을 들 수 있다. 이들 R8 중에서도, 가수분해 용이성의 관점에서, 메틸기 및 에틸기가 바람직하다. 또한, 첨자 q는 0∼3의 정수이지만, 보다 바람직하게는 0∼2의 정수이며, 특히 바람직하게는 0 또는 1이고, 가장 바람직하게는 1이다. q가 0∼2의 정수인 경우에는, 가수분해·축합 반응의 진행이 보다 용이해지고, 그 결과, [A]성분과 [B]성분과의 경화 반응의 속도가 더욱 커지고, 나아가서는 당해 조성물의 해상성 및 형성되는 보호막의 기판에 대한 밀착성을 향상시킬 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 8 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group and a butyl group. Among these R 8 , methyl group and ethyl group are preferable from the viewpoint of ease of hydrolysis. The subscript q is an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 0 to 2, particularly preferably 0 or 1, and most preferably 1. When q is an integer of 0 to 2, the progress of the hydrolysis / condensation reaction becomes easier, and as a result, the rate of the curing reaction between the component [A] and the component [B] becomes greater, And adhesion of the formed protective film to the substrate can be improved.

상기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물은, 4개의 가수분해성 기로 치환된 실란 화합물, 1개의 비가수분해성 기와 3개의 가수분해성 기로 치환된 실란 화합물, 2개의 비가수분해성 기와 2개의 가수분해성 기로 치환된 실란 화합물, 3개의 비가수분해성 기와 1개의 가수분해성 기로 치환된 실란 화합물, 또는 그들의 혼합물을 들 수 있다.The hydrolyzable silane compound represented by the above formula (4) is a silane compound substituted with four hydrolyzable groups, a silane compound substituted with one nonhydrolyzable group and three hydrolyzable groups, two nonhydrolyzable groups and two hydrolyzable groups Group-substituted silane compounds, silane compounds substituted with three non-hydrolyzable groups and one hydrolyzable group, or mixtures thereof.

이러한 상기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물의 구체예로서는,As specific examples of the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (4)

4개의 가수분해성 기로 치환된 실란 화합물로서, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라부톡시실란, 테트라페녹시실란, 테트라벤질옥시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라-i-프로폭시실란 등; As the silane compound substituted with four hydrolyzable groups, tetramethoxy silane, tetraethoxy silane, tetrabutoxy silane, tetraphenoxysilane, tetrabenzyloxy silane, tetra-n-propoxy silane, tetra-i-propoxy Silane and the like;

1개의 비가수분해성 기와 3개의 가수분해성 기로 치환된 실란 화합물로서, 메틸 트리메톡시실란, 메틸 트리에톡시실란, 메틸 트리-i-프로폭시실란, 메틸 트리부톡시실란, 에틸 트리메톡시실란, 에틸 트리에톡시실란, 에틸 트리-i-프로폭시실란, 에틸 트리부톡시실란, 부틸 트리메톡시실란, 페닐 트리메톡시실란, 페닐 트리에톡시실란, 비닐 트리메톡시실란, 비닐 트리에톡시실란, 비닐 트리-n-프로폭시실란, 3-메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필 트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필 트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필 트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸 트리메톡시실란 등; As the silane compound substituted with one nonhydrolyzable group and three hydrolyzable groups, there may be mentioned methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-i-propoxysilane, methyltributoxysilane, ethyltrimethoxysilane, Ethyl triethoxy silane, ethyl tri-butoxy silane, butyl trimethoxy silane, phenyl trimethoxy silane, phenyl triethoxy silane, vinyl trimethoxy silane, vinyl triethoxy silane , Vinyltri-n-propoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltriethoxy Silane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltriethoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane and the like;

2개의 비가수분해성 기와 2개의 가수분해성 기로 치환된 실란 화합물로서, 디메틸 디메톡시실란, 디페닐 디메톡시실란, 디부틸 디메톡시실란 등; As the silane compound substituted with two nonhydrolyzable groups and two hydrolyzable groups, dimethyldimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, dibutyldimethoxysilane and the like;

3개의 비가수분해성 기와 1개의 가수분해성 기로 치환된 실란 화합물로서, 트리부틸 메톡시실란, 트리메틸 메톡시실란, 트리메틸 에톡시실란, 트리부틸 에톡시실란 등을 각각 들 수 있다.As the silane compound substituted with three nonhydrolyzable groups and one hydrolyzable group, tributylmethoxysilane, trimethylmethoxysilane, trimethylethoxysilane, tributylethoxysilane, and the like can be given.

이들 상기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물 중, 4개의 가수분해성 기로 치환된 실란 화합물 및, 1개의 비가수분해성 기와 3개의 가수분해성 기로 치환된 실란 화합물이 바람직하고, 1개의 비가수분해성 기와 3개의 가수분해성 기로 치환된 실란 화합물이 특히 바람직하다. 바람직한 가수분해성 실란 화합물의 구체예로서는, 테트라에톡시 실란, 메틸 트리메톡시 실란, 메틸 트리에톡시 실란, 메틸 트리-i-프로폭시 실란, 메틸 트리부톡시 실란, 페닐 트리메톡시 실란, 에틸 트리메톡시 실란, 에틸 트리에톡시 실란, 에틸 트리이소프로폭시 실란, 에틸 트리부톡시 실란, 부틸 트리메톡시 실란, γ-글리시독시프로필 트리메톡시 실란, 3-메타크릴옥시프로필 트리메톡시 실란, 3-메타크릴옥시프로필 트리에톡시 실란을 들 수 있다. 이러한 가수분해성 실란 화합물은 1종 단독으로 사용할 수 있거나, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.Among the hydrolyzable silane compounds represented by the above formula (4), silane compounds substituted with four hydrolysable groups and silane compounds substituted with one nonhydrolyzable group and three hydrolyzable groups are preferred, and one nonhydrolyzable group Particularly preferred are silane compounds substituted with tris and three hydrolysable groups. Specific examples of preferred hydrolyzable silane compounds include tetraethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-i-propoxysilane, methyltributoxysilane, phenyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, Ethyl triethoxy silane, ethyl triisopropoxy silane, ethyl tri butoxy silane, butyl trimethoxy silane,? -Glycidoxypropyl trimethoxy silane, 3-methacryloxypropyl trimethoxy silane, And 3-methacryloxypropyltriethoxysilane. These hydrolyzable silane compounds may be used alone or in combination of two or more.

상기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물을 가수분해·축합시키는 조건은, 상기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물의 적어도 일부를 가수분해하고, 가수분해성 기를 실란올기로 변환시켜, 축합 반응을 일으키게 하는 것인 한, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 일 예로서 이하와 같이 실시할 수 있다.The condition for hydrolyzing and condensing the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (4) is a condition for hydrolyzing at least a part of the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (4), converting the hydrolyzable group into a silanol group, Is not particularly limited as long as it causes a condensation reaction, but it can be carried out, for example, as follows.

상기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물의 가수분해·축합에 사용되는 물은 역침투막 처리, 이온 교환 처리, 증류 등의 방법에 의해 정제된 물을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 정제수를 사용함으로써, 부반응을 억제하여, 가수분해의 반응성을 향상시킬 수 있다. 물의 사용량은, 상기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물의 가수분해성 기(-OR8)의 합계량 1몰에 대하여, 바람직하게는 0.1∼3몰, 보다 바람직하게는 0.3∼2몰, 더욱 바람직하게는 0.5∼1.5몰의 양이다. 이러한 양의 물을 사용함으로써, 가수분해·축합의 반응속도를 최적화할 수 있다.The water used for the hydrolysis and condensation of the hydrolyzable silane compound represented by the formula (4) is preferably water purified by a method such as reverse osmosis membrane treatment, ion exchange treatment, distillation or the like. By using such purified water, the side reaction can be suppressed and the reactivity of hydrolysis can be improved. The amount of water to be used is preferably 0.1 to 3 moles, more preferably 0.3 to 2 moles, more preferably 0.3 to 2 moles, more preferably 0.1 to 3 moles, more preferably 0.1 to 3 moles, per 1 mole of the total amount of the hydrolyzable group (-OR 8 ) of the hydrolyzable silane compound represented by the formula (4) Preferably 0.5 to 1.5 moles. By using such an amount of water, the reaction rate of hydrolysis and condensation can be optimized.

상기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물의 가수분해·축합에 사용할 수 있는 용제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상, 후술하는 감방사선성 조성물의 조제에 사용되는 용제와 동일한 것을 사용할 수 있다. 이러한 용제의 바람직한 예로서는, 에틸렌글리콜 모노알킬에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 디알킬에테르, 프로필렌글리콜 모노알킬에테르, 프로필렌글리콜 모노알킬에테르 아세테이트, 프로피온산 에스테르류를 들 수 있다. 이들 용제 중에서도, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 또는 3-메톡시 프로피온산 메틸이, 특히 바람직하다. The solvent which can be used for the hydrolysis and condensation of the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (4) is not particularly limited, but usually the same solvent as used for preparing the radiation-sensitive composition described later can be used . Preferable examples of such a solvent include ethylene glycol monoalkyl ether acetate, diethylene glycol dialkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate and propionic acid esters. Among these solvents, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate or methyl 3-methoxypropionate are particularly preferable.

상기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물의 가수분해·축합 반응은, 바람직하게는 산 촉매(예를 들면, 염산, 황산, 질산, 포름산, 옥살산, 아세트산, 트리플루오로아세트산, 트리플루오로메탄술폰산, 인산, 산성 이온 교환 수지, 각종 루이스산), 염기 촉매(예를 들면, 암모니아, 1급 아민류, 2급 아민류, 3급 아민류, 피리딘 등의 질소 함유 화합물; 알칼리성 이온 교환 수지; 수산화 나트륨 등의 수산화물; 탄산 칼륨 등의 탄산염; 아세트산 나트륨 등의 카본산염; 각종 루이스 염기), 또는, 알콕사이드(예를 들면, 지르코늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드, 알루미늄 알콕사이드) 등의 촉매의 존재하에서 행해진다. 예를 들면, 알루미늄 알콕사이드로서는, 트리-i-프로폭시 알루미늄을 사용할 수 있다. 촉매의 사용량으로서는, 가수분해·축합 반응의 촉진의 관점에서, 가수분해성 실란 화합물의 모노머 1몰에 대하여, 바람직하게는 0.2몰 이하이며, 보다 바람직하게는 0.00001∼0.1몰이다.The hydrolysis-condensation reaction of the hydrolyzable silane compound represented by the formula (4) is preferably carried out in the presence of an acid catalyst (for example, hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, formic acid, oxalic acid, acetic acid, trifluoroacetic acid, (For example, ammonia, primary amines, secondary amines, tertiary amines, nitrogen-containing compounds such as pyridine, alkaline ion exchange resins, sodium hydroxide In the presence of a catalyst such as a hydroxide such as sodium hydroxide, a carbonate such as potassium carbonate, a carbonic acid salt such as sodium acetate, various Lewis bases, or an alkoxide such as zirconium alkoxide, titanium alkoxide or aluminum alkoxide. For example, as the aluminum alkoxide, tri-i-propoxy aluminum can be used. The amount of the catalyst to be used is preferably 0.2 mol or less, and more preferably 0.00001 to 0.1 mol, per 1 mol of the monomer of the hydrolyzable silane compound from the viewpoint of promoting the hydrolysis / condensation reaction.

상기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물의 가수분해·축합에 있어서의 반응 온도 및 반응 시간은 적절하게 설정된다. 예를 들면, 하기 조건을 채용할 수 있다. 반응 온도는, 바람직하게는 40∼200℃, 보다 바람직하게는 50∼150℃이다. 반응 시간은, 바람직하게는 30분∼24시간, 보다 바람직하게는 1∼12시간이다. 이러한 반응 온도 및 반응 시간으로 함으로써, 가수분해·축합 반응을 가장 효율적으로 행할 수 있다. 이 가수분해·축합에 있어서는, 반응계 내에 가수분해성 실란 화합물, 물 및 촉매를 한 번에 첨가하여 반응을 일단계로 행해도 좋고, 혹은, 가수분해성 실란 화합물, 물 및 촉매를, 수 회로 나누어 반응계 내에 첨가함으로써, 가수분해 및 축합 반응을 다단계로 행할 수도 있다. 또한, 가수분해·축합 반응의 후에는, 탈수제를 가하고, 이어서 이배퍼레이션에 적용함으로써, 물 및 생성된 알코올을 반응계로부터 제거할 수 있다. 이 단계에서 사용되는 탈수제는, 일반적으로, 과잉의 물을 흡착 또는 포접(抱接)하여 탈수능이 완전하게 소비되거나, 또는 이배퍼레이션에 의해 제거되기 때문에, 감방사선성 조성물에 첨가되는 후술의 [D]성분의 탈수제의 범주에는 들어가지 않는 것으로 한다.The reaction temperature and the reaction time in the hydrolysis and condensation of the hydrolyzable silane compound represented by the formula (4) are suitably set. For example, the following conditions can be employed. The reaction temperature is preferably 40 to 200 占 폚, more preferably 50 to 150 占 폚. The reaction time is preferably 30 minutes to 24 hours, more preferably 1 to 12 hours. By using the reaction temperature and the reaction time, the hydrolysis-condensation reaction can be performed most efficiently. In the hydrolysis and condensation, a hydrolyzable silane compound, water and a catalyst may be added at once to carry out the reaction in one step, or the hydrolyzable silane compound, water and catalyst may be divided into several reaction stages By the addition, the hydrolysis and condensation reaction can be carried out in multiple steps. In addition, after the hydrolysis / condensation reaction, water and the generated alcohol can be removed from the reaction system by adding a dehydrating agent and then applying the dehydrating agent to the condensation. Since the dehydrating agent used in this step is generally completely consumed by dehydrating or dehydrating excess water to be removed or removed by this condensation, the dehydrating agent to be added to the radiation sensitive composition It is not included in the category of the dehydrating agent of the [D] component.

상기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물의 가수분해 축합물의 분자량은, 이동상(移動相)에 테트라하이드로푸란을 사용한 GPC(겔 투과 크로마토그래피)를 사용하여, 폴리스티렌 환산의 수평균 분자량으로서 측정할 수 있다. 그리고, 가수분해 축합물의 수평균 분자량은, 통상 500∼10000의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하며, 1000∼5000의 범위 내의 값으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 가수분해 축합물의 수평균 분자량의 값을 500 이상으로 함으로써, 감방사선성 조성물의 도막의 성막성을 개선할 수 있다. 한편, 가수분해 축합물의 수평균 분자량의 값을 10000 이하로 함으로써, 감방사선성 조성물의 감방사선성의 저하를 방지할 수 있다.The molecular weight of the hydrolyzed condensate of the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (4) can be measured as a number average molecular weight in terms of polystyrene using GPC (gel permeation chromatography) using tetrahydrofuran as the mobile phase (mobile phase) can do. The number average molecular weight of the hydrolysis-condensation product is preferably in the range of usually 500 to 10,000, more preferably in the range of 1,000 to 5,000. When the value of the number average molecular weight of the hydrolyzed condensate is 500 or more, the film forming property of the coating film of the radiation sensitive composition can be improved. On the other hand, when the value of the number average molecular weight of the hydrolyzed condensate is 10000 or less, deterioration of the radiation sensitivity of the radiation sensitive composition can be prevented.

[B]성분: [B] Ingredients: 실란Silane 화합물 compound

[B]성분은, 하기식(1) 및 (3)으로 각각 표시되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 실란 화합물이다. 이 [B]성분은, 당해 성분을 함유하는 감방사선성 조성물에 방사선을 조사함으로써, 후술하는 [C]감방사선성 산 발생제 또는 감방사선성 염기로부터 발생한 산(산성 활성종) 또는 염기(염기 활성종)를 촉매로서, [A]성분의 실록산 폴리머(바람직하게는 상기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물의 가수분해 축합물)과 함께 축합하여、경화물을 형성한다.The component [B] is at least one silane compound selected from the group consisting of the compounds represented by the following formulas (1) and (3), respectively. The component [B] can be obtained by irradiating the radiation-sensitive composition containing the component with radiation to form an acid (acidic active species) or a base (a base [C]) generated from a radiation- (Preferably a hydrolyzable condensate of a hydrolyzable silane compound represented by the formula (4)) of the component [A] is used as a catalyst to form a cured product.

(화학식 1)(Formula 1)

Figure 112010031810165-pat00006
Figure 112010031810165-pat00006

(식(1) 중, R1 및 R3는 각각 독립적으로 탄소수 1∼4의 알킬기이며, R2는 탄소수 1∼6의 알킬렌기, 페닐렌기 또는 하기 식(2)로 표시되는 기이다.(In the formula (1), R 1 and R 3 are each independently an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R 2 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, a phenylene group or a group represented by the following formula (2).

Figure 112010031810165-pat00007
Figure 112010031810165-pat00007

(식(2) 중, a는 1∼4의 정수이다.))(In the formula (2), a is an integer of 1 to 4)

(화학식 2)(2)

Figure 112010031810165-pat00008
Figure 112010031810165-pat00008

(식(3) 중, R4, R5 및 R6는 각각 독립적으로 탄소수 1∼4의 알킬기이며, b, c 및 d는 각각 독립적으로 1∼6의 정수이다.)(In the formula (3), R 4 , R 5 and R 6 are each independently an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and b, c and d are each independently an integer of 1 to 6)

식(1)의 R1 및 R3의 바람직한 구체예로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기를 들 수 있다. 이들 알킬기 중에서도, 메틸기, 에틸기가 보다 바람직하다. 식(1)의 R2의 바람직한 구체예로서는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 페닐렌기를 들 수 있다. 이들 기 중에서도, 메틸렌기, 에틸렌기, 페닐렌기가 보다 바람직하다. 또한, R2가 식(2)로 표시되는 기인 경우, 식(2) 중의 a로서는 1 또는 2가 바람직하다. [B]성분으로서, 이러한 바람직한 구조의 식(1)의 실란 화합물을 사용함으로써, [A]성분과의 반응성이 향상한다.Preferable specific examples of R 1 and R 3 in the formula (1) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group and a butyl group. Of these alkyl groups, a methyl group and an ethyl group are more preferable. Preferred examples of R 2 in the formula (1) include methylene, ethylene, propylene, trimethylene, tetramethylene, pentamethylene, hexamethylene and phenylene. Among these groups, a methylene group, an ethylene group and a phenylene group are more preferable. When R 2 is a group represented by formula (2), a in formula (2) is preferably 1 or 2. By using the silane compound of the formula (1) having such a preferable structure as the [B] component, the reactivity with the component [A] improves.

식(3)의 R4, R5 및 R6의 바람직한 구체예로서는, [A]성분과의 반응성의 관점에서, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기를 들 수 있다. 이들 알킬기 중에서도, 메틸기가 보다 바람직하다. 또한, 식(3) 중의 b, c 및 d는, [A]성분과의 반응성이나 상용성(相溶性)의 관점에서, 1∼3의 정수인 것이 바람직하다.Preferable specific examples of R 4 , R 5 and R 6 in the formula (3) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group and a butyl group from the viewpoint of reactivity with the component [A]. Among these alkyl groups, a methyl group is more preferable. It is preferable that b, c and d in the formula (3) are an integer of 1 to 3 from the viewpoints of reactivity with the component [A] and compatibility.

당해 감방사선성 조성물에 있어서, [B]성분은 1종 단독으로 사용하거나, 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다. 식(1) 및 (3)의 실란 화합물 중, 식(3)으로 표시되는 이소시아누르 환을 갖는 실란 화합물이 보다 바람직하다. 이와 같이 1분자 중에 3개의 트리알콕시실릴기가 결합한 이소시아누르 환을 갖는 실란 화합물을 사용함으로써 높은 방사선 감도를 나타내는 감방사선성 조성물이 얻어짐과 함께, 그 조성물로 형성되는 보호막 및 층간 절연막의 가교도를 향상시킬 수 있다. 또한, 이러한 이소시아누르 환 함유 실란 화합물을 함유하는 감방사선성 조성물로부터는, 평탄성이 높고 또한 밀착성이 우수하여, 액정 표시 소자에 적합하게 사용되는 보호막 및 층간 절연막을 형성하는 것이 가능해진다.In the radiation sensitive composition, the [B] component may be used singly or in combination of two or more. Of the silane compounds of the formulas (1) and (3), a silane compound having an isocyanuric ring represented by the formula (3) is more preferable. The use of the silane compound having an isocyanuric ring in which three trialkoxysilyl groups are bonded in one molecule as described above provides a radiation sensitive composition exhibiting a high radiation sensitivity and a crosslinking degree of a protective film and an interlayer insulating film formed from the composition Can be improved. In addition, from the radiation sensitive composition containing such an isocyanuric ring-containing silane compound, it is possible to form a protective film and an interlayer insulating film which are suitably used for a liquid crystal display element because of high flatness and excellent adhesiveness.

식(1) 및 (3)으로 표시되는 실란 화합물의 구체예로서는, 비스(트리에톡시실릴)에탄, 비스(트리메톡시실릴)메탄, 비스(트리에톡시실릴)메탄, 비스-1,2-(트리메톡시실릴)에탄, 비스-1,6-(트리메톡시실릴)헥산, 비스-1,6-(트리에톡시실릴)헥산, 비스-1,4-(트리메톡시실릴)벤젠, 비스-1,4-(트리에톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리메톡시실릴메틸)벤젠, 1,4-비스(트리메톡시실릴에틸)벤젠, 1,4-비스(트리에톡시실릴메틸)벤젠, 1,4-비스(트리에톡시실릴에틸)벤젠, 트리스(트리메톡시실릴메틸)이소시아누레이트, 트리스(트리에톡시실릴메틸)이소시아누레이트, 트리스(2-트리메톡시실릴에틸)이소시아누레이트, 트리스(2-트리에톡시실릴에틸)이소시아누레이트, 트리스(3-트리메톡시실릴프로필)이소시아누레이트, 트리스(3-트리에톡시실릴프로필)이소시아누레이트, [비스(2-트리메톡시실릴에틸)-(3-트리에톡시실릴프로필)]이소시아누레이트, [트리메톡시실릴메틸-(2-트리메톡시실릴에틸)-(3-트리메톡시실릴프로필)]이소시아누레이트 등을 들 수 있다. 이들 중, 방사선 감도, 얻어지는 보호막 및 층간 절연막의 평탄성 향상의 관점에서, 1,4-비스(트리메톡시실릴메틸)벤젠, 비스(트리에톡시실릴)에탄, 트리스(2-트리메톡시실릴에틸)이소시아누레이트, 트리스(3-트리메톡시실릴프로필)이소시아누레이트, 트리스(3-트리에톡시실릴프로필)이소시아누레이트가 특히 바람직하다.Specific examples of the silane compounds represented by the formulas (1) and (3) include bis (triethoxysilyl) ethane, bis (trimethoxysilyl) methane, bis (triethoxysilyl) (Trimethoxysilyl) ethane, bis-1,6- (trimethoxysilyl) hexane, bis-1,6- (triethoxysilyl) hexane, bis- Bis (trimethoxysilylethyl) benzene, 1,4-bis (trimethoxysilylmethyl) benzene, 1,4-bis (Trimethoxysilylmethyl) isocyanurate, tris (triethoxysilylmethyl) isocyanurate, tris (2- (trimethoxysilylmethyl) isocyanurate) (3-trimethoxysilylethyl) isocyanurate, tris (2-triethoxysilylethyl) isocyanurate, tris (3-trimethoxysilylpropyl) isocyanurate, tris ) Isoshi (2-trimethoxysilylethyl) - (3-triethoxysilylpropyl)] isocyanurate, [trimethoxysilylmethyl- (2-trimethoxysilylethyl) Trimethoxysilylpropyl)] isocyanurate, and the like. Among these, from the viewpoints of radiation sensitivity, the resulting protective film and the improvement of the flatness of the interlayer insulating film, it is preferable to use a silane coupling agent such as 1,4-bis (trimethoxysilylmethyl) benzene, bis (triethoxysilyl) ) Isocyanurate, tris (3-trimethoxysilylpropyl) isocyanurate, and tris (3-triethoxysilylpropyl) isocyanurate are particularly preferable.

당해 감방사선성 조성물 중의 [B]성분의 사용량은, [A]성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 5질량부∼70질량부, 더욱 바람직하게는 10질량부∼50질량부이다. [B]성분의 사용량을 5질량부∼70질량부로 함으로써, 방사선 감도 및, 얻어지는 보호막 및 층간 절연막의 평탄성이 밸런스 좋게 우수한 감방사선성 조성물을 얻을 수 있다.The amount of the component [B] in the radiation sensitive composition is preferably 5 parts by mass to 70 parts by mass, more preferably 10 parts by mass to 50 parts by mass, per 100 parts by mass of the component [A]. When the amount of the component [B] is 5 parts by mass to 70 parts by mass, a radiation sensitive composition having excellent radiation sensitivity and excellent balance of flatness of the obtained protective film and interlayer insulating film can be obtained.

[C]성분: [C] Ingredients: 감방사선성Sensitizing radiation property  mountain 발생제Generator , , 감방사선성Sensitizing radiation property 염기  base 발생제Generator

[C]성분의 감방사선성 산 발생제 또는 감방사선성 염기 발생제는, 방사선을 조사함으로써, [A]성분의 실록산 폴리머(바람직하게는 상기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물의 가수분해 축합물)과, [B]성분의 실란 화합물을 축합·경화 반응시킬 때의 촉매로서 작용하는 산성 활성 물질 또는 염기성 활성 물질을 방출할 수 있는 화합물로 정의된다. 또한, [C]성분을 분해하여, 산성 활성 물질 또는 염기성 활성 물질의 양이온 또는 음이온 등을 발생하기 위해 조사하는 방사선으로서는, 가시광, 자외선, 적외선, X선, α선, β선, γ선 등을 들 수 있다. 이들 방사선 중에서도, 일정한 에너지 레벨을 가져, 큰 경화 속도를 달성 가능하고, 게다가 조사 장치가 비교적 염가이고 그리고 소형인 점에서, 자외선을 사용하는 것이 바람직하다.The radiation-sensitive acid generators or the radiation-sensitive base generators of the component [C] can be produced by irradiating a radiation to a siloxane polymer of the component [A] (preferably the siloxane polymer of the hydrolyzable silane compound represented by the formula Is a compound capable of releasing an acidic or basic active material which acts as a catalyst for condensation and curing reaction of a silane compound of the component [B]. As the radiation to be decomposed to generate the cation or anion of the acidic active substance or the basic active substance, visible rays, ultraviolet rays, infrared rays, X rays,? Rays,? Rays, . Among these radiation sources, ultraviolet rays are preferably used because they have a constant energy level and can attain a large curing rate, and furthermore, the irradiation apparatus is relatively inexpensive and compact.

또한, [C]성분의 감방사선성 산 발생제 또는 감방사선성 염기 발생제와 함께, 후술하는 라디칼 중합 개시제를 병용하는 것도 바람직하다. 라디칼 중합 개시제로부터 발생되는 중성의 활성 물질인 라디칼은, 가수분해성 실란 화합물의 축합 반응을 촉진하는 일은 없지만, [A]성분이 라디칼 중합성의 관능기를 갖는 경우에, 이러한 관능기의 중합을 촉진할 수 있다.It is also preferable to use a radical polymerization initiator described later together with the radiation-sensitive acid generator or the radiation-sensitive base generator of the component [C]. The radical as the neutral active substance generated from the radical polymerization initiator does not promote the condensation reaction of the hydrolyzable silane compound but can accelerate the polymerization of such a functional group when the component [A] has a radically polymerizable functional group .

[C]성분의 감방사선성 산 발생제로서는, 디페닐요오도늄염, 트리페닐술포늄염 및 테트라하이드로티오페늄염이 바람직하고, 특히 트리페닐술포늄염 및 테트라하이드로티오페늄염이 바람직하다. 디페닐요오도늄염의 구체예로서는, 디페닐요오도늄 테트라플루오로 보레이트, 디페닐요오도늄 헥사플루오로 포스포네이트, 디페닐요오도늄 헥사플루오로 아르세네이트, 디페닐요오도늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 디페닐요오도늄 트리플루오로 아세테이트, 디페닐요오도늄-p-톨루엔 술포네이트, 디페닐요오도늄 부틸 트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 4-메톡시페닐 페닐요오도늄 테트라플루오로 보레이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 테트라플루오로 보레이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 헥사플루오로 아르세네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 트리플루오로 아세테이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄-p-톨루엔 술포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 캄포술포네이트 등을 들 수 있다. As the radiation-sensitive acid generator of the component [C], a diphenyliodonium salt, a triphenylsulfonium salt and a tetrahydrothiophenium salt are preferable, and a triphenylsulfonium salt and a tetrahydrothiophenium salt are particularly preferable. Specific examples of the diphenyl iodonium salt include diphenyl iodonium tetrafluoroborate, diphenyl iodonium hexafluorophosphate, diphenyl iodonium hexafluoroarsenate, diphenyl iodonium trifluoro Diphenyl iodonium trifluoroacetate, diphenyl iodonium-p-toluenesulfonate, diphenyl iodonium butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate, 4-methoxy Bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluoroarsenate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis t-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium- , Bis (4-t-butylphenyl) iodonium camphor Po may be a carbonate or the like.

트리페닐술포늄염의 구체예로서는, 트리페닐술포늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 트리페닐술포늄 캄포술포네이트, 트리페닐술포늄 테트라플루오로 보레이트, 트리페닐술포늄 트리플루오로 아세테이트, 트리페닐술포늄-p-톨루엔 술포네이트, 트리페닐술포늄 부틸 트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.Specific examples of the triphenylsulfonium salt include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonate, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium- p-toluenesulfonate, triphenylsulfonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, and the like.

테트라하이드로티오페늄염의 구체예로서는, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄 노나플루오로-n-부탄 술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄-1,1,2,2-테트라플루오로-2-(노르보난-2-일)에탄 술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로 티오페늄-2-(5-t-부톡시카보닐옥시비사이클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄 술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄-2-(6-t-부톡시카보닐옥시비사이클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄술포네이트, 1-(4,7-디부톡시-1-나프탈레닐)테트라하이드로티오페늄 트리플루오로메탄 술포네이트 등을 들 수 있다. Specific examples of the tetrahydrothiophenium salt include 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen- ) Tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-1,1,2,2-tetrafluoro- 2- (5-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2- (4-n-butoxynaphthalen-1 -yl) 1] heptan-2-yl) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- -T-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4,7-dibutoxy- Trenyl) Tetrahydrothiophenium Triple And the like Romero burnt sulfonate.

이들 감방사선성 산 발생제 중에서도, 감방사선성 조성물의 방사선 감도 향상의 관점에서 트리페닐술포늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 트리페닐술포늄 캄포술포네이트, 1-(4,7-디부톡시-1-나프탈레닐)테트라하이드로티오페늄 트리플루오로메탄 술포네이트가 특히 바람직하다.Among these radiation-sensitive acid generators, from the viewpoint of improving the radiation sensitivity of the radiation-sensitive composition, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonate, 1- (4,7-dibutoxy- -Naphthalenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate is particularly preferred.

[C]성분의 감방사선성 염기 발생제의 예로서는, 2-니트로벤질 사이클로헥실 카바메이트, [〔(2,6-디니트로벤질)옥시〕카보닐]사이클로헥실아민, N-(2-니트로벤질옥시카보닐)피롤리딘, 비스[〔(2-니트로벤질)옥시〕카보닐]헥산-1,6-디아민, 트리페닐메탄올, O-카바모일 하이드록시아미드, O-카바모일 옥심, 4-(메틸티오벤조일)-1-메틸-1-모폴리노에탄, (4-모폴리노벤조일)-1-벤질-1-디메틸아미노프로판, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-부타논, 헥사아민 코발트(III) 트리스(트리페닐메틸 보레이트) 등을 들 수 있다. 이들 [C]성분의 감방사선성 염기 발생제 중에서도, 감방사선성 조성물의 방사선 감도 향상의 관점에서, 2-니트로벤질 사이클로헥실 카바메이트 및 O-카바모일 하이드록시 아미드가 특히 바람직하다.Examples of the radiation-sensitive base generator of the [C] component include 2-nitrobenzylcyclohexylcarbamate, [[(2,6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl] cyclohexylamine, N- Oxycarbonyl) pyrrolidine, bis [[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] hexane-1,6-diamine, triphenylmethanol, O-carbamoylhydroxyamide, O- (Methylthiobenzoyl) -1-methyl-1 -morpholinoethane, (4-morpholinobenzoyl) -1-benzyl- (Morpholinophenyl) -butanone, hexamine cobalt (III) tris (triphenylmethyl borate), and the like. Among these radiation-sensitive base generators of the [C] component, 2-nitrobenzylcyclohexylcarbamate and O-carbamoylhydroxyamide are particularly preferable from the viewpoint of improving the radiation sensitivity of the radiation-sensitive composition.

[C]성분의 감방사선성 산 발생제 또는 감방사선성 염기 발생제는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. [C]성분의 사용량은, [A]성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1질량부∼20질량부, 더욱 바람직하게는 1질량부∼10질량부이다. [C]성분의 사용량을 0.1질량부∼20질량부로 함으로써, 방사선 감도, 형성되는 보호막 및 층간 절연막의 연필 경도 및, 내열성(내열 투명성)이 밸런스 좋게 우수한 감방사선성 조성물을 얻을 수 있다.The radiation-sensitive acid generators or radiation-sensitive base generators of the component [C] may be used singly or in combination of two or more. The amount of the [C] component is preferably 0.1 part by mass to 20 parts by mass, more preferably 1 part by mass to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the [A] component. When the amount of the component [C] used is from 0.1 part by mass to 20 parts by mass, a radiation sensitive composition having excellent radiation sensitivity, excellent pencil hardness of the formed protective film and interlayer insulating film, and excellent heat resistance (heat resistance transparency) can be obtained.

[D]성분: [D] Ingredients: 탈수제Dehydrating agent

[D]성분의 탈수제는, 물을 화학 반응에 의해 물 이외의 물질로 변환할 수 있거나, 또는 물을 물리 흡착 혹은 포접(包接)에 의해 트랩할 수 있는 물질로서 정의된다. 당해 감방사선성 조성물에, 임의로 [D]탈수제를 함유시킴으로써, 환경으로부터 침입하는 수분, 또는 후술하는 노광 공정에서의 방사선 조사에 의한 [A] 및 [B]성분의 축합의 결과 발생하는 수분을 저감할 수 있다. 따라서, [D]탈수제를 사용함으로써, 조성물 중의 수분을 저감하는 것이 가능하고, 그 결과, 조성물의 보존 안정성을 향상시킬 수 있다. 또한, [A] 및 [B]성분의 축합의 반응성을 높여, 감방사선성 조성물의 방사선 감도를 향상시킬 수 있다고 생각된다. 이러한 [D]탈수제로서는, 카본산 에스테르, 아세탈류(케탈류를 포함함) 및, 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.The dehydrating agent of the component [D] is defined as a substance capable of converting water into a substance other than water by a chemical reaction, or trapping the water by physical adsorption or inclusion. By containing the [D] dehydrating agent optionally in the radiation sensitive composition, the water intruding from the environment or moisture resulting from condensation of the [A] and [B] components by irradiation in the exposure step to be described later is reduced can do. Therefore, by using the [D] dehydrating agent, water content in the composition can be reduced, and as a result, the storage stability of the composition can be improved. It is also believed that the reactivity of the condensation of the components [A] and [B] can be enhanced and the radiation sensitivity of the radiation sensitive composition can be improved. As such [D] dehydrating agent, at least one kind of compound selected from the group consisting of carbonic acid ester, acetal (including ketal) and carbonic anhydride can be preferably used.

카본산 에스테르의 바람직한 예로서는, 오르토카본산 에스테르, 카본산 실릴에스테르 등을 들 수 있다. 오르토카본산 에스테르의 구체예로서는, 오르토포름산 메틸, 오르토포름산 에틸, 오르토포름산 프로필, 오르토포름산 부틸, 오르토아세트산 메틸, 오르토아세트산 에틸, 오르토아세트산 프로필, 오르토아세트산 부틸, 오르토프로피온산 메틸, 오르토프로피온산 에틸 등을 들 수 있다. 또한, 이러한 오르토카본산 에스테르 중, 오르토포름산 메틸 등의 오르토포름산 에스테르가 특히 바람직하다. 카본산 실릴에스테르의 구체예로서는, 아세트산 트리메틸실릴, 아세트산 트리부틸실릴, 포름산 트리메틸실릴, 옥살산 트리메틸실릴 등을 들 수 있다.Preferable examples of the carbonic acid ester include an orthocarbonic acid ester and a carbonic acid silyl ester. Specific examples of the orthocarboxylic acid ester include methyl orthoformate, ethyl orthoformate, ethyl orthoformate, butyl orthoformate, methyl orthoacetate, ethyl orthoacetate, propyl orthoacetate, butyl orthoacetate, methyl ortho propionate and ethyl ortho propionate. . Of these orthocarbonic acid esters, orthoformic acid esters such as methyl orthoformate are particularly preferable. Specific examples of the carbonic acid silyl ester include trimethylsilyl acetate, tributylsilyl acetate, trimethylsilyl formate, trimethylsilyl oxalate, and the like.

아세탈류의 바람직한 예로서는, 케톤류와 알코올과의 반응물, 케톤류와 디알코올과의 반응물, 케텐실릴 아세탈류를 들 수 있다. 케톤류와 알코올과의 반응물의 구체예로서는, 디메틸 아세탈, 디에틸 아세탈, 디프로필 아세탈 등을 들 수 있다.Preferable examples of the acetals include a reaction product of a ketone and an alcohol, a reaction product of a ketone and a dialcohol, and a ketenesilyl acetal. Specific examples of the reaction product of the ketone and the alcohol include dimethylacetal, diethyl acetal, dipropylacetal and the like.

카본산 무수물의 바람직한 예로서는, 무수 포름산, 무수 아세트산, 무수 숙신산, 무수 말레산, 무수 프탈산, 무수 벤조산, 아세트산 벤조산 무수물 등을 들 수 있다. 이러한 카본산 무수물 중에서도, 탈수 효과의 점에서, 무수 아세트산 및 무수 숙신산이 바람직하다.Preferred examples of the carbonic acid anhydride include anhydrous formic acid, acetic anhydride, succinic anhydride, maleic anhydride, phthalic anhydride, benzoic anhydride, and acetic acid benzoic anhydride. Of these carbonic anhydrides, acetic anhydride and succinic anhydride are preferable from the viewpoint of dehydration effect.

[D]탈수제를 사용하는 경우의 양은, [A]성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1∼50질량부이며, 더욱 바람직하게는 0.5∼30질량부이며, 특히 바람직하게는 1∼10질량부이다. [D]탈수제의 사용량을 0.1∼50질량부로 함으로써 감방사선성 조성물의 보존 안정성을 최적화할 수 있다.The amount when the [D] dehydrating agent is used is preferably 0.1 to 50 parts by mass, more preferably 0.5 to 30 parts by mass, and particularly preferably 1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component [A] Wealth. When the amount of the dehydrating agent [D] is 0.1 to 50 parts by mass, the storage stability of the radiation-sensitive composition can be optimized.

그 외의 임의 성분Other optional components

본 발명의 감방사선성 조성물은 상기의 [A]∼[C]성분 및 [D]성분(임의 성분)에 더하여, 소기의 효과를 해치지 않는 범위에서, 필요에 따라서, [E]산 확산 제어제, [F]라디칼 중합 개시제, [G]계면활성제 등의 다른 임의 성분을 함유할 수 있다.The radiation sensitive composition of the present invention may contain, in addition to the [A] to [C] components and the [D] component (optional components) , [F] radical polymerization initiator, [G] surfactant, and the like.

[E]성분의 산 확산 제어제는, 감방사선성 조성물의 [C]성분으로서 감방사선성 산 발생제를 사용하는 경우에, 방사선을 조사함으로써 발생된 산성 활성 물질의 조성물 도막 중에 있어서의 확산을 제어하고, 비노광 영역에서의 경화 반응을 억제하는 작용을 갖는다. [C]성분의 감방사선성 산 발생제와 함께, 이러한 산 확산 제어제를 사용함으로써, 감방사선성 조성물의 해상성(층간 절연막의 콘택트홀을 포함한 소망하는 패턴을 정밀도 좋게 형성 가능한 감방사선 특성)을 보다 향상시킬 수 있다.When the radiation-sensitive acid generator is used as the [C] component of the radiation-sensitive composition, the acid diffusion control agent of the component [E] is preferably at least one selected from the group consisting of And has a function of suppressing the curing reaction in the non-exposed region. By using such an acid diffusion controller together with the radiation-sensitive acid generator of the component [C], the resolution of the radiation-sensitive composition (radiation-sensitive characteristics capable of precisely forming a desired pattern including the contact hole of the interlayer insulating film) Can be further improved.

[E]산 확산 제어제의 예로서는, 모노알킬아민류, 디알킬아민류, 트리알킬아민류, 방향족 아민류, 알칸올 아민류, 지방족 아민류, 아미드기 함유 화합물, 우레아 화합물, 이미다졸류, 피리딘류, 그 외의 질소 함유 복소환 화합물 등의 질소 함유 화합물을 들 수 있다.[E] Examples of the acid diffusion controlling agent include monoalkylamines, dialkylamines, trialkylamines, aromatic amines, alkanolamines, aliphatic amines, amide group-containing compounds, urea compounds, imidazoles, pyridines, Containing heterocyclic compound, and the like.

이러한 [E]산 확산 제어제의 구체예로서는, 예를 들면Specific examples of such [E] acid diffusion control agents include, for example,

모노알킬아민류로서, n-헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, n-노닐아민, n-데실아민 등; As the monoalkyl amines, n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine and the like;

디알킬 아민류로서, 디-n-부틸아민, 디-n-펜틸아민, 디-n-헥실아민, 디-n-헵틸아민, 디-n-옥틸아민, 디-n-노닐아민, 디-n-데실아민 등; Examples of the dialkylamines include di-n-butylamine, di-n-pentylamine, di-n-hexylamine, di-n-heptylamine, di- - decylamine;

트리알킬 아민류로서, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-헥실아민, 트리-n-헵틸아민, 트리-n-옥틸아민, 트리-n-노닐아민, 트리-n-데실아민 등; Examples of the trialkylamines include triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, , Tri-n-nonylamine, tri-n-decylamine and the like;

방향족 아민류로서, 아닐린, N-메틸아닐린, N,N-디메틸아닐린, 2-메틸아닐린, 3-메틸아닐린, 4-메틸아닐린, 4-니트로아닐린, 디페닐아민, 트리페닐아민, 1-나프틸아민, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노디페닐아민, 2,2'-비스(4-아미노페닐)프로판, 2-(3-아미노페닐)-2-(4-아미노페닐)프로판, 2-(4-아미노페닐)-2-(3-하이드록시페닐)프로판, 2-(4-아미노페닐)-2-(4-하이드록시페닐)프로판, 1,4-비스[1-(4-아미노페닐)-1-메틸에틸]벤젠, 1,3-비스[1-(4-아미노페닐)-1-메틸에틸]벤젠 등; Examples of the aromatic amines include aromatic amines such as aniline, N-methylaniline, N, N-dimethylaniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4-methylaniline, Amine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylamine, 2,2'- 2- (3-hydroxyphenyl) propane, 2- (3-aminophenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzene, 1,3-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -Aminophenyl) -1-methylethyl] benzene;

알칸올 아민류로서, 에탄올 아민, 디에탄올 아민, 트리에탄올 아민 등; As the alkanolamines, ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine and the like;

지방족 아민류로서, 에틸렌 디아민, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌 디아민, 테트라메틸렌 디아민, 헥사메틸렌 디아민, N,N,N',N'-테트라키스(2-하이드록시에틸)에틸렌 디아민, N,N,N',N'-테트라키스(2-하이드록시프로필)에틸렌 디아민, 폴리에틸렌 아민, 폴리알릴 아민, 디메틸아미노에틸 아크릴아미드 등; Examples of the aliphatic amines include aliphatic amines such as ethylenediamine, N, N, N ', N'-tetramethylethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, N, N, N', N'-tetrakis (2- Diamine, N, N, N ', N'-tetrakis (2-hydroxypropyl) ethylenediamine, polyethyleneamine, polyallylamine, dimethylaminoethyl acrylamide and the like;

아미드기 함유 화합물로서, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 프로피온아미드, 벤즈아미드, 2-피롤리돈, N-메틸피롤리돈 등; As the amide group-containing compound, there can be used an amide group-containing compound such as formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, Money, N-methylpyrrolidone and the like;

우레아 화합물로서, 요소, 메틸 우레아, 1,1-디메틸 우레아, 1,3-디메틸 우레아, 1,1,3,3-테트라메틸 우레아, 1,3-디페닐 우레아, 트리부틸 티오우레아 등; As the urea compound, urea, methylurea, 1,1-dimethylurea, 1,3-dimethylurea, 1,1,3,3-tetramethylurea, 1,3-diphenylurea, tributylthiourea and the like;

이미다졸류로서, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 2-메틸이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 4-페닐이미다졸, 4-메틸-2-페닐이미다졸 등; As imidazoles, there may be mentioned imidazole, benzimidazole, 2-methylimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4-phenylimidazole, Etc;

피리딘류로서, 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, 3-메틸-4-페닐피리딘, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산 아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 아크리딘 등; Examples of the pyridine include pyridine such as pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, Amide, quinoline, 8-oxyquinoline, acridine and the like;

그 외의 질소 함유 복소환 화합물로서, 피라진, 피라졸, 피리다진, 퀴녹살린, 모폴린, 4-메틸모폴린, 피페라진, 1,4-디메틸피페라진, 1,4-디아자비사이클로[2.2.2]옥탄, 2,4,6-트리(2-피리딜)-1,3,5-트리아진 등을 각각 들 수 있다.Other nitrogen-containing heterocyclic compounds include pyrazine, pyrazole, pyridazine, quinoxaline, morpholine, 4-methylmorpholine, piperazine, 1,4-dimethylpiperazine, 1,4-diazabicyclo [2.2. 2] octane, 2,4,6-tri (2-pyridyl) -1,3,5-triazine and the like.

이들 질소 함유 화합물 중에서도, 트리알킬 아민류 및 피리딘류가 바람직하다. 특히 바람직한 트리알킬 아민류로서는, 트리에틸아민, 트리-n-부틸아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-헥실아민, 트리-n-헵틸아민, 트리-n-옥틸아민을 들 수 있다. 또한, 특히 바람직한 피리딘류로서는, 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, 3-메틸-4-페닐피리딘, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산 아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 아크리딘을 들 수 있다. 이러한 [E]산 확산 제어제는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 혹은 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.Among these nitrogen-containing compounds, trialkylamines and pyridines are preferable. Particularly preferred trialkylamines include triethylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-heptylamine and tri-n-octylamine. Particularly preferred pyridines are pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, 3-methyl- , Nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, 8-oxyquinoline, and acridine. These [E] acid diffusion control agents may be used singly or in combination of two or more.

[E]산 확산 제어제를 사용하는 경우의 양은, [A]성분 100질량부에 대하여, 통상 15질량부 이하이며, 바람직하게는 0.001∼15질량부이고, 더욱 바람직하게는 0.005∼5질량부이다. [E]산 확산 제어제의 사용량을 0.001∼15질량부로 함으로써, 감방사선성 조성물의 방사선 감도의 저하를 억제하면서, 양호한 정밀도의 패턴을 갖는 보호막 또는 층간 절연막을 형성하는 것이 가능해진다.The amount when the [E] acid diffusion controlling agent is used is usually 15 parts by mass or less, preferably 0.001 to 15 parts by mass, more preferably 0.005 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the [A] to be. When the amount of the [E] acid diffusion control agent used is 0.001 to 15 parts by mass, it is possible to form a protective film or an interlayer insulating film having a pattern with good precision while suppressing a decrease in radiation sensitivity of the radiation sensitive composition.

당해 감방사선성 조성물에 있어서, [C]성분의 감방사선성 산 발생제 또는 감방사선성 염기 발생제와 병용하여, [F]라디칼 중합 개시제(라디칼 발생제)를 배합해도 좋다. 라디칼 중합 개시제는, 방사선을 받음으로써 분해되어 라디칼을 발생시키고, 이 라디칼에 의해 라디칼 중합성 관능기의 중합 반응을 개시시키는 기능을 갖는 화합물이다. 예를 들면, [A]성분이 식(4)에 있어서 (메타)아크릴로일기를 함유하는 화합물인 경우, [F]라디칼 중합 개시제를 사용함으로써, [A]성분끼리의 중합 반응을 촉진하여, 경화막 전체로서의 가교도를 향상시킬 수 있다.In the radiation sensitive composition, the [F] radical polymerization initiator (radical generator) may be used in combination with the radiation-sensitive acid generators of the component [C] or the radiation-sensitive base generator. The radical polymerization initiator is a compound having a function of decomposing upon receiving radiation to generate a radical and initiating polymerization reaction of the radical polymerizable functional group by the radical. For example, when the component [A] is a compound containing a (meth) acryloyl group in the formula (4), the polymerization reaction between the components [A] is promoted by using the [F] radical polymerization initiator, The degree of crosslinking as a whole of the cured film can be improved.

이러한 라디칼 중합 개시제로서는, 예를 들면 아세토페논, 아세토페논벤질케탈, 안트라퀴논, 1-(4-i-프로필페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 카바졸, 크산톤, 4-클로로벤조페논, 4,4'-디아미노벤조페논, 1,1-디메톡시데옥시벤조인, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논, 티옥산톤계 화합물, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모폴리노프로판-2-온, 2-(4-메틸벤질)-2-디메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-부탄-1-온, 트리페닐아민, 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐 포스핀옥사이드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리-메틸펜틸 포스핀옥사이드, 벤질디메틸 케탈, 1-하이드록시 사이클로헥실페닐 케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 플루오레논, 플루오렌, 벤즈알데히드, 벤조인에틸에테르, 벤조인프로필에테르, 벤조페논, 벤조페논 유도체, 미힐러케톤, 3-메틸아세토페논, 3,3',4,4'-테트라(t-부틸퍼옥시카보닐)벤조페논, 에타논-1-〔9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카바졸 3-일〕-1-(O-아세틸옥심) 등을 들 수 있다. 이러한 라디칼 발생제는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 혹은 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of such a radical polymerization initiator include acetophenone, acetophenone benzyl ketal, anthraquinone, 1- (4-i-propylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan- , 4-chlorobenzophenone, 4,4'-diaminobenzophenone, 1,1-dimethoxydioxybenzoin, 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone, thioxanthone compounds, 2- 2- (4-methylbenzyl) -2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butane 2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, triphenylamine, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-tri-methylpentylphosphine oxide, benzyldimethylketal, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2-hydroxy- -1-one, fluoroure (3-aminophenone), 3,3 ', 4,4'-tetra (t-butylperoxy) benzene, Oxacarbonyl) benzophenone, ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazole 3-yl] -1- (O-acetyloxime). These radical generators may be used singly or in combination of two or more.

[F]라디칼 중합 개시제를 사용하는 경우의 양은, [A]성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1∼30질량부, 보다 바람직하게는 1∼20중량부이다. 감방사선성 조성물에 있어서의 [F]라디칼 중합 개시제의 사용량을 0.1∼30질량부로 함으로써 표면 경도, 밀착성 및 내열성이 높은 레벨로 밸런스 좋게 우수한 보호막 및 층간 절연막을 형성할 수 있다.The amount when the [F] radical polymerization initiator is used is preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 1 to 20 parts by mass, per 100 parts by mass of the [A] component. When the amount of the [F] radical polymerization initiator used in the radiation-sensitive composition is from 0.1 to 30 parts by mass, a protective film and an interlayer insulating film excellent in balance can be formed at a high level of surface hardness, adhesion and heat resistance.

[G]성분의 계면활성제는, 감방사선성 조성물의 도포성의 개선, 도포 불균일의 저감, 방사선 조사부의 현상성을 개량하기 위해 첨가할 수 있다. 바람직한 계면활성제의 예로서는, 비이온계 계면활성제, 불소계 계면활성제 및 실리콘계 계면활성제를 들 수 있다.The surfactant of the [G] component may be added in order to improve the applicability of the radiation sensitive composition, to reduce uneven application, and to improve the developability of the irradiated portion. Examples of preferred surfactants include nonionic surfactants, fluorinated surfactants and silicone surfactants.

비이온계 계면활성제로서는, 예를 들면, 폴리옥시에틸렌 라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌 스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌 올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌 알킬에테르류; 폴리옥시에틸렌 옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌 노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌 아릴에테르류; 폴리에틸렌글리콜 디라우레이트, 폴리에틸렌글리콜 디스테아레이트 등의 폴리에틸렌글리콜 디알킬에스테르류; (메타)아크릴산계 공중합체류 등을 들 수 있다. (메타)아크릴산계 공중합체류의 예로서는, 시판되고 있는 상품명으로, 폴리플로우(Polyflow) No.57, 동 No.95(쿄에이샤카가쿠 가부시키가이샤 제조) 등을 들 수 있다.Examples of the nonionic surfactant include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether and polyoxyethylene oleyl ether; Polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene octylphenyl ether and polyoxyethylene nonylphenyl ether; Polyethylene glycol dialkyl esters such as polyethylene glycol dilaurate and polyethylene glycol distearate; (Meth) acrylic acid-based copolymer. Examples of the (meth) acrylic acid-based copolymer are commercially available trade names such as Polyflow No. 57 and No. 95 (manufactured by Kyowa Shikagaku Kogyo Co., Ltd.).

불소계 계면활성제로서는, 예를 들면 1,1,2,2-테트라플루오로 옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로프로필)에테르, 1,1,2,2-테트라플루오로옥틸헥실에테르, 옥타에틸렌글리콜 디(1,1,2,2-테트라플루오로부틸)에테르, 헥사에틸렌글리콜 (1,1,2,2,3,3-헥사플루오로펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜 디(1,1,2,2-테트라플루오로부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜 디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로펜틸)에테르 등의 플루오로에테르류; 퍼플루오로 도데실술폰산 나트륨; 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-데카플루오로도데칸, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로데칸 등의 플루오로알칸류; 플루오로알킬벤젠 술폰산 나트륨류; 플루오로알킬옥시에틸렌 에테르류; 플루오로알킬 암모늄 요다이드류; 플루오로알킬 폴리옥시에틸렌 에테르류; 퍼플루오로알킬 폴리옥시 에탄올류; 퍼플루오로알킬 알콕실레이트류; 불소계 알킬 에스테르류 등을 들 수 있다.Examples of the fluorine-based surfactant include 1,1,2,2-tetrafluorooctyl (1,1,2,2-tetrafluoropropyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluorooctylhexyl ether , Octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexaethylene glycol (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, octapropylene glycol di , 1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, and other fluoroethers; Sodium perfluorododecylsulfonate; Fluoroalkanes such as 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-decafluorododecane and 1,1,2,2,3,3-hexafluorodecane; Sodium fluoroalkylbenzenesulfonate; Fluoroalkyloxyethylene ethers; Fluoroalkylammonium iodides; Fluoroalkyl polyoxyethylene ethers; Perfluoroalkyl polyoxyethanols; Perfluoroalkyl alkoxylates; Fluorine-based alkyl esters and the like.

이들 불소계 계면활성제의 시판품으로서는, 에프톱(Eftop) EF301, 303, 352(신아키타카세이 가부시키가이샤 제조), 메가팩(Megaface) F171, 172, 173(다이닛폰잉키카가쿠코교 가부시키가이샤 제조), 플루오라드(Fluorad) FC430, 431(스미토모 쓰리엠 가부시키가이샤 제조), 아사히가드 AG710, 서플론(Surflon) S-382, SC-101, 102, 103, 104, 105, 106(아사히가라스 가부시키가이샤 제조), FTX-218 가부시키가이샤 네오스 제조) 등을 들 수 있다.As commercially available products of these fluorinated surfactants, Eftop EF301, 303, 352 (manufactured by Shin-Aikakase Seiki Seisakusho), Megaface F171, 172, 173 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Incorporated) Surflon S-382, SC-101, 102, 103, 104, 105, 106 (manufactured by Asahi Kasei Kogyo Co., Ltd.), Fluorad FC430, 431 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG710, Surflon S- Ltd., FTX-218 manufactured by Neos Co., Ltd.).

실리콘계 계면활성제의 예로서는, 시판되고 있는 상품명으로, SH200-100cs, SH28PA, SH30PA, ST89PA, SH190(토레·다우코닝·실리콘 가부시키가이샤), 오가노실록산 폴리머 KP341(신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤 제조) 등을 들 수 있다.Examples of the silicone surfactants include SH200-100cs, SH28PA, SH30PA, ST89PA, SH190 (Toray-Dow Corning Silicone Co., Ltd.), organosiloxane polymer KP341 (Shinetsu Kagakukogyo K.K.) And the like.

[G]계면활성제를 사용하는 경우의 양은, [A]성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01∼10질량부, 보다 바람직하게는 0.05∼5질량부이다. [G]계면활성제의 사용량을 0.01∼10질량부로 함으로써, 감방사선성 조성물의 도포성을 최적화할 수 있다.The amount when the [G] surfactant is used is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.05 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the component [A]. When the amount of the [G] surfactant used is 0.01 to 10 parts by mass, the applicability of the radiation sensitive composition can be optimized.

감방사선성Sensitizing radiation property 조성물 Composition

본 발명의 감방사선성 조성물은, 상기의 [A]성분의 실록산 폴리머, [B]성분의 실란 화합물 및, [C]성분의 감방사선성 산 발생제 또는 감방사선성 염기 발생제 및, 임의 성분([D]성분의 탈수제 등)을 혼합함으로써 조제된다. 통상, 감방사선성 조성물은, 바람직하게는 적당한 용제에 용해 또는 분산시킨 상태로 조제되어 사용된다. 예를 들면, 용제 중에서, [A], [B] 및 [C]성분 및, 임의 성분을 소정의 비율로 혼합함으로써, 용액 또는 분산액 상태의 감방사선성 조성물을 조제할 수 있다.The radiation sensitive composition of the present invention comprises the above siloxane polymer of the component [A], the silane compound of the component [B], and the radiation-sensitive acid generators or radiation-sensitive base generators of the component [C] (A dehydrating agent of the [D] component and the like). Usually, the radiation-sensitive composition is preferably prepared by dissolving or dispersing in a suitable solvent. For example, a radiation-sensitive composition in the form of a solution or dispersion can be prepared by mixing the components [A], [B] and [C] and optional components in a predetermined ratio in a solvent.

당해 감방사선성 조성물의 조제에 사용할 수 있는 용제로서는, 각 성분을 균일하게 용해 또는 분산시키고, 각 성분과 반응하지 않는 것이 적합하게 사용된다. 이러한 용제로서는, 예를 들면 에테르류, 디에틸렌글리콜 알킬에테르류, 에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트류, 프로필렌글리콜 모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜 모노알킬에테르 아세테이트류, 프로필렌글리콜 모노알킬에테르 프로피오네이트류, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 에스테르류 등을 들 수 있다.As the solvent which can be used for preparing the radiation sensitive composition, it is preferable to use a solvent which uniformly dissolves or disperses the components and does not react with the respective components. Examples of such a solvent include ethers, diethylene glycol alkyl ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionates, aromatic Hydrocarbons, ketones, and esters.

이들 용제로서는,As these solvents,

에테르류로서, 예를 들면 테트라하이드로푸란 등; As the ethers, for example, tetrahydrofuran and the like;

디에틸렌글리콜 알킬에테르류로서, 예를 들면 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르 등; Examples of diethylene glycol alkyl ethers include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol ethyl methyl ether;

에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트류로서, 예를 들면 메틸셀로솔브 아세테이트, 에틸셀로솔브 아세테이트, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트 등; As the ethylene glycol alkyl ether acetates, for example, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate and the like;

프로필렌글리콜 모노알킬에테르류로서, 예를 들면 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르 등; Examples of the propylene glycol monoalkyl ethers include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether and the like;

프로필렌글리콜 모노알킬에테르 아세테이트류로서, 예를 들면 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르 아세테이트 등; Examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetates include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate and the like;

프로필렌글리콜 모노알킬에테르 프로피오네이트류로서, 예를 들면 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 프로피오네이트, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 프로피오네이트, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르 프로피오네이트, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르 프로피오네이트 등; Examples of the propylene glycol monoalkyl ether propionate include propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate and the like ;

방향족 탄화수소류로서, 예를 들면 톨루엔, 크실렌 등; As the aromatic hydrocarbons, for example, toluene, xylene and the like;

케톤류로서, 예를 들면 메틸에틸 케톤, 메틸이소부틸 케톤, 사이클로헥사논, 2-헵타논, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜타논 등; As the ketone, for example, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone and the like;

에스테르류로서, 예를 들면, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 부틸, 2-하이드록시 프로피온산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸 프로피온산 메틸, 2-하이드록시-2-메틸 프로피온산 에틸, 하이드록시 아세트산 메틸, 하이드록시 아세트산 에틸, 하이드록시 아세트산 부틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 프로필, 락트산 부틸, 3-하이드록시 프로피온산 메틸, 3-하이드록시 프로피온산 에틸, 3-하이드록시 프로피온산 프로필, 3-하이드록시 프로피온산 부틸, 2-하이드록시-3-메틸 부탄산 메틸, 메톡시 아세트산 메틸, 메톡시 아세트산 에틸, 메톡시 아세트산 프로필, 메톡시 아세트산 부틸, 에톡시 아세트산 메틸, 에톡시 아세트산 에틸, 에톡시 아세트산 프로필, 에톡시 아세트산 부틸, 프로폭시 아세트산 메틸, 프로폭시 아세트산 에틸, 프로폭시 아세트산 프로필, 프로폭시 아세트산 부틸, 부톡시 아세트산 메틸, 부톡시 아세트산 에틸, 부톡시 아세트산 프로필, 부톡시 아세트산 부틸, 2-메톡시 프로피온산 메틸, 2-메톡시 프로피온산 에틸, 2-메톡시 프로피온산 프로필, 2-메톡시 프로피온산 부틸, 2-에톡시 프로피온산 메틸, 2-에톡시 프로피온산 에틸 등을 각각 들 수 있다.Examples of esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, i-propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy- Hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, Propyl methoxyacetate, propyl 3-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, ethoxyacetate, ethoxyacetate , Propyl ethoxyacetate, butyl ethoxyacetate, propoxyacetate Propoxyacetic acid, propoxyacetic acid, propoxyacetic acid, propoxyacetic acid, propoxyacetic acid, propoxyacetic acid, propoxyacetic acid, butoxyacetic acid, butoxyacetic acid ethyl, butoxyacetic acid propyl, butoxyacetic acid butyl, methyl 2-methoxypropionate, Ethyl, propyl 2-methoxypropionate, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate and the like.

이들 용제 중에서도, 용해성 혹은 분산성이 우수한 것, 각 성분과 비반응성인 것 및, 도막 형성의 용이성의 관점에서, 디에틸렌글리콜 알킬에테르류, 에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트류, 프로필렌글리콜 모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜 모노알킬에테르 아세테이트류, 케톤류 및 에스테르류가 바람직하고, 특히, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르, 메틸셀로솔브 아세테이트, 에틸셀로솔브 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 사이클로헥사논, 아세트산 프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 부틸, 2-하이드록시 프로피온산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸 프로피온산 메틸, 2-하이드록시-2-메틸 프로피온산 에틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 프로필, 락트산 부틸, 2-메톡시 프로피온산 메틸, 2-메톡시 프로피온산 에틸이 바람직하다. 이러한 용제는 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다.Of these solvents, diethylene glycol alkyl ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, polyoxypropylene glycol monoalkyl ethers, and the like are preferable from the viewpoints of excellent solubility or dispersibility, nonreactive with each component, Propylene glycol monoalkyl ether acetates, ketones and esters are preferable, and diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether, Propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, cyclohexanone, propyl acetate, i-propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, Methyl propionate, 2- The de-hydroxy-2-methylpropionic acid ethyl, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl, 2-methoxy-propionic acid methyl, 2-methoxy-propionic acid ethyl are preferred. These solvents may be used alone or in combination.

상기한 용제에 더하여, 추가로 필요에 따라서, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 아세토닐 아세톤, 이소포론, 카프론산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 페닐셀로솔브 아세테이트, 카비톨 아세테이트 등의 고비점 용제를 병용할 수도 있다.In addition to the above-mentioned solvents, it is also possible to use, if necessary, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, acetonyl acetone, isophorone, , Benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate,? -Butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenyl cellosolve acetate , Or a high boiling solvent such as carbitol acetate may be used in combination.

감방사선성 조성물을 용액 또는 분산액 상태로서 조제하는 경우, 액 중에서 차지하는 용제 이외의 성분(즉 [A], [B] 및 [C]성분 및, 그 외의 임의 성분의 합계량)의 비율은, 사용 목적이나 소망하는 막두께 등에 따라 임의로 설정할 수 있지만, 바람직하게는 5∼50질량%, 보다 바람직하게는 10∼40질량%, 더욱 바람직하게는 15∼35질량%이다.When the radiation sensitive composition is prepared in the form of a solution or dispersion, the ratio of the components other than the solvent in the liquid (i.e., the total amount of the components [A], [B] and [C] Or the desired film thickness. The content is preferably 5 to 50 mass%, more preferably 10 to 40 mass%, and still more preferably 15 to 35 mass%.

보호막 또는 층간 절연막의 형성Formation of a protective film or an interlayer insulating film

다음으로, 상기의 감방사선성 조성물을 사용하여, 기판상에 보호막 또는 층간 절연막의 경화막을 형성하는 방법에 대해서 설명한다. 당해 방법은, 이하의 공정을 이하의 기재 순서로 포함한다.Next, a method of forming a protective film or a cured film of an interlayer insulating film on a substrate using the above radiation sensitive composition will be described. The method includes the following steps in the sequence described below.

(1) 본 발명의 감방사선성 조성물의 도막을 기판상에 형성하는 공정,(1) a step of forming a coating film of the radiation sensitive composition of the present invention on a substrate,

(2) 공정(1)에서 형성된 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) a step of irradiating at least a part of the coating film formed in the step (1)

(3) 공정(2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,(3) a step of developing the coated film irradiated with the radiation in the step (2)

(4) 공정(3)에서 현상된 도막을 가열하는 공정.(4) A step of heating the developed coating film in the step (3).

(1) (One) 감방사선성Sensitizing radiation property 조성물의 도막을 기판상에 형성하는 공정 A step of forming a coating film of the composition on a substrate

상기(1)의 공정에 있어서, 기판상에 본 발명의 감방사선성 조성물의 용액 또는 분산액을 도포한 후, 바람직하게는 도포면을 가열(프리베이킹)함으로써 용제를 제거하고, 도막을 형성한다. 사용할 수 있는 기판의 예로서는, 유리, 석영, 실리콘, 수지 등을 들 수 있다. 수지의 구체예로서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 환상 올레핀의 개환 중합체 및 그의 수소 첨가물 등을 들 수 있다.In the step (1), the solution or dispersion of the radiation-sensitive composition of the present invention is coated on the substrate, and then the coated surface is preferably heated (prebaked) to remove the solvent to form a coated film. Examples of the substrate that can be used include glass, quartz, silicon, resin and the like. Specific examples of the resin include a ring-opening polymer of polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, polyimide, cyclic olefin, and hydrogenated products thereof.

조성물 용액 또는 분산액의 도포 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법), 슬릿 다이 도포법, 바 도포법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 이들 도포 방법 중에서도, 특히 스핀 코팅법 또는 슬릿 다이 도포법이 바람직하다. 프리베이킹의 조건은, 각 성분의 종류, 배합 비율 등에 따라서 다르지만, 바람직하게는 70∼120℃에서 1∼10분간 정도로 할 수 있다.The method of applying the composition solution or dispersion is not particularly limited, and suitable methods such as a spray method, a roll coating method, a spin coating method, a slit die coating method, and a bar coating method can be employed. Among these coating methods, a spin coating method or a slit die coating method is particularly preferable. The conditions of the prebaking vary depending on the kind of each component, the mixing ratio, etc., but it is preferably about 70 to 120 DEG C for about 1 to 10 minutes.

(2) 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정(2) a step of irradiating at least a part of the coating film with radiation

상기(2)의 공정에서는, 형성된 도막의 적어도 일부에 노광한다. 이 경우, 도막의 일부에 노광할 때에는 통상, 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 개입시켜 노광한다. 노광에 사용되는 방사선으로서는, 예를 들면 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등을 사용할 수 있다. 이들 방사선 중에서도, 파장이 190∼450nm의 범위에 있는 방사선이 바람직하고, 특히 365nm의 자외선을 포함하는 방사선이 바람직하다.In the step (2), at least a part of the formed coating film is exposed. In this case, when a part of the coated film is exposed, usually a photomask having a predetermined pattern is exposed to expose. As the radiation used for exposure, for example, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray, or the like can be used. Of these radiation, radiation having a wavelength in the range of 190 to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet radiation of 365 nm in particular is preferable.

당해 공정에 있어서의 노광량은, 방사선의 파장 365nm에 있어서의 강도를 조도계(OAI model356, OAI Optical Associates Inc. 제조)에 의해 측정한 값으로서, 바람직하게는 100∼10,000J/㎡, 보다 바람직하게는 500∼6,000J/㎡이다.The exposure dose in this process is a value measured by a light meter (OAI model 356, manufactured by OAI Optical Associates Inc.) at a wavelength of 365 nm of radiation, preferably 100 to 10,000 J / m 2, 500 to 6,000 J / m 2.

(3) 현상 공정(3) Development process

상기 (3)의 공정에서는, 노광 후의 도막을 현상함으로써, 불필요한 부분(방사선의 비조사 부분)을 제거하여, 소정의 패턴을 형성한다. 현상 공정에 사용되는 현상액으로서는, 알칼리(염기성 화합물) 수용액이 바람직하다. 알칼리의 예로서는, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아 등의 무기 알칼리; 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸암모늄 하이드록사이드 등의 4급 암모늄염 등을 들 수 있다.In the step (3), unnecessary portions (non-irradiated portions of the radiation) are removed by developing the coated film after exposure to form a predetermined pattern. As the developer used in the development process, an aqueous solution of an alkali (basic compound) is preferable. Examples of the alkali include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate and ammonia; Quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, and the like.

또한, 이러한 알칼리 수용액에는, 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. 현상 방법으로서는, 예를 들면, 퍼들법, 딥핑법, 요동 침지법, 샤워법 등의 적절한 방법을 사용할 수 있다. 현상 시간은, 감방사선성 조성물의 조성에 따라 다르지만, 바람직하게는 10∼180초간 정도이다. 이러한 현상 처리에 이어서, 예를 들면 유수 세정을 30∼90초간 행한 후, 예를 들면 압축 공기나 압축 질소로 풍건시킴으로써, 소망하는 패턴을 형성할 수 있다.To such an aqueous alkali solution, a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant may be added in an appropriate amount. As the developing method, for example, a suitable method such as a puddle method, a dipping method, a swing dipping method, or a shower method can be used. The developing time varies depending on the composition of the radiation sensitive composition, but is preferably about 10 to 180 seconds. Following this developing treatment, for example, water washing is carried out for 30 to 90 seconds, and then air is blown with, for example, compressed air or compressed nitrogen, whereby a desired pattern can be formed.

(4) 가열 공정(4) Heating process

상기(4)의 공정에서는, 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치를 사용하여, 패터닝된 박막을 가열함으로써, 상기 [A] 및 [B]성분의 축합 반응을 촉진하여, 확실하게 경화물을 얻을 수 있다. 가열 온도는, 예를 들면 120∼250℃이다. 가열 시간은, 가열 기기의 종류에 따라 다르지만, 예를 들면, 핫 플레이트상에서 가열 공정을 행하는 경우에는 5∼30분간, 오븐 안에서 가열 공정을 행하는 경우에는 30∼90분간으로 할 수 있다. 2회 이상의 가열 공정을 행하는 스텝 베이크법 등을 사용할 수도 있다. 이와 같이 하여, 목적으로 하는 보호막 또는 층간 절연막에 대응하는 패턴 형상 박막을 기판의 표면상에 형성할 수 있다.In the step (4), the condensation reaction of the components [A] and [B] is promoted by heating the patterned thin film using a heating apparatus such as a hot plate or an oven to obtain a cured product have. The heating temperature is, for example, 120 to 250 占 폚. The heating time varies depending on the type of the heating apparatus. For example, the heating time may be 5 to 30 minutes in the case of performing the heating process on the hot plate, and 30 to 90 minutes in the case of performing the heating process in the oven. A step bake method in which two or more heating steps are performed, or the like may be used. In this manner, a patterned thin film corresponding to a target protective film or interlayer insulating film can be formed on the surface of the substrate.

보호막 또는 층간 절연막The protective film or interlayer insulating film

이와 같이 형성된 보호막 또는 층간 절연막의 막두께는, 바람직하게는 0.1∼8㎛, 보다 바람직하게는 0.1∼6㎛, 더욱 바람직하게는 0.1∼4㎛이다.The thickness of the protective film or the interlayer insulating film thus formed is preferably 0.1 to 8 占 퐉, more preferably 0.1 to 6 占 퐉, and still more preferably 0.1 to 4 占 퐉.

본 발명의 감방사선성 조성물로 형성된 보호막 또는 층간 절연막은, 하기 실시예로부터도 분명한 바와 같이, 기판에 대한 ITO 밀착성, 표면 경도, 투명성, 내열 투명성, 내찰상성, 크랙 내성 및 평탄성의 제 특성이 우수함과 함께, 높은 해상성을 갖는 감방사선성 조성물로 형성된 정밀도가 좋은 패턴을 갖는다. 그 때문에, 당해 보호막 또는 층간 절연막은 액정 표시 소자용으로서 적합하게 사용된다.The protective film or interlayer insulating film formed of the radiation sensitive composition of the present invention is excellent in ITO adhesion, surface hardness, transparency, heat resistance transparency, scratch resistance, crack resistance and flatness property of the substrate And a fine pattern formed of the radiation sensitive composition having high resolution. Therefore, the protective film or interlayer insulating film is suitably used for a liquid crystal display element.

(실시예)(Example)

이하에 합성예, 실시예를 나타내어, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Synthesis Examples and Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

이하의 각 합성예로부터 얻어진 가수분해성 실란 화합물의 가수분해 축합물의 수평균 분자량(Mn) 및 중량 평균 분자량(Mw)은, 하기의 사양에 따른 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정했다.The number average molecular weight (Mn) and the weight average molecular weight (Mw) of the hydrolyzed condensate of the hydrolyzable silane compound obtained from each of the following synthesis examples were measured by gel permeation chromatography (GPC) according to the following specifications.

장치: GPC-101(쇼와덴코 가부시키가이샤 제조)Apparatus: GPC-101 (manufactured by Showa Denko K.K.)

컬럼: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 및 GPC-KF-804(쇼와덴코 가부시키가이샤 제조)를 결합한 것Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 (manufactured by Showa Denko Kogyo Co., Ltd.)

이동상: 테트라하이드로푸란Mobile phase: tetrahydrofuran

[A]성분의 Of component [A] 가수분해성Hydrolytic 실란Silane 화합물의 가수분해  Hydrolysis of compounds 축합물의Condensation 합성예Synthetic example

[합성예 1][Synthesis Example 1]

교반기가 부착된 용기 내에, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 25질량부를 넣고, 계속해서, 메틸 트리메톡시 실란 30질량부, 페닐 트리메톡시 실란 23질량부 및 트리-i-프로폭시 알루미늄 0.1질량부를 넣고, 용액 온도가 60℃가 되기까지 가열했다. 용액 온도가 60℃에 도달한 후, 이온 교환수 18질량부를 넣고, 75℃가 되기까지 가열하여, 3시간 유지했다. 이어서 탈수제로서 오르토포름산 메틸 28질량부를 가하여 1시간 교반했다. 또한 용액 온도를 40℃로 하여, 온도를 유지하면서 이배퍼레이션함으로써, 이온 교환수 및 가수분해 축합으로 발생된 메탄올을 제거했다. 이상에 의해, 가수분해 축합물(A-1)을 얻었다. 가수분해 축합물(A-1)의 고형분 농도는 40.5질량%이며, 얻어진 가수분해 축합물의 수평균 분자량(Mn)은 1,500이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2였다.In a vessel equipped with a stirrer, 25 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether was added, and then 30 parts by mass of methyltrimethoxysilane, 23 parts by mass of phenyltrimethoxysilane and 0.1 part by mass of tri-i-propoxyaluminum were added, The solution was heated until the solution temperature reached 60 占 폚. After the solution temperature reached 60 占 폚, 18 parts by mass of ion-exchanged water was added and the mixture was heated to 75 占 폚 and maintained for 3 hours. Subsequently, 28 parts by mass of methyl orthoformate was added as a dehydrating agent, and the mixture was stirred for 1 hour. The temperature of the solution was adjusted to 40 占 폚 while the temperature was maintained, thereby removing ion-exchanged water and methanol generated by hydrolysis and condensation. Thus, a hydrolysis-condensation product (A-1) was obtained. The solid content concentration of the hydrolysis-condensation product (A-1) was 40.5% by mass, the number-average molecular weight (Mn) of the obtained hydrolyzed condensate was 1,500, and the molecular weight distribution (Mw / Mn)

[합성예 2][Synthesis Example 2]

교반기가 부착된 용기 내에, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 25질량부를 넣고, 계속해서, 메틸 트리메톡시 실란 18질량부, 테트라에톡시 실란 15질량부, 페닐 트리메톡시 실란 20질량부 및, 트리-i-프로폭시 알루미늄 0.1질량부를 넣고, 합성예 1과 동일한 방법에 의해, 가수분해 축합물(A-2)을 얻었다. 가수분해 축합물(A-2)의 고형분 농도는 40.8질량%이며, 얻어진 가수분해 축합물의 수평균 분자량(Mn)은 1,200이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2였다.In a vessel equipped with a stirrer, 25 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether was added, and then 18 parts by mass of methyltrimethoxysilane, 15 parts by mass of tetraethoxysilane, 20 parts by mass of phenyltrimethoxysilane, (A-2) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 0.1 part by mass of propoxy aluminum was added. The solid content concentration of the hydrolyzed condensate (A-2) was 40.8% by mass. The number-average molecular weight (Mn) of the obtained hydrolyzed condensate was 1,200 and the molecular weight distribution (Mw / Mn)

[합성예 3][Synthesis Example 3]

교반기가 부착된 용기 내에, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 25질량부를 넣고, 계속해서, 메틸 트리메톡시 실란 22질량부, γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란 12질량부, 페닐 트리메톡시 실란 20질량부 및, 트리-i-프로폭시 알루미늄 0.1질량부를 넣고, 합성예 1과 동일한 방법에 의해, 가수분해 축합물(A-3)을 얻었다. 가수분해 축합물(A-3)의 고형분 농도는 39.8질량%이며, 얻어진 가수분해 축합물의 수평균 분자량(Mn)은 1,600이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2였다.In a vessel equipped with a stirrer, 25 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether was added, and then 22 parts by mass of methyltrimethoxysilane, 12 parts by mass of? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane, 20 parts by mass of phenyltrimethoxysilane (A-3) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 0.1 part by mass of tri-i-propoxy aluminum was added. The solid content concentration of the hydrolysis-condensation product (A-3) was 39.8 mass%, the number average molecular weight (Mn) of the obtained hydrolyzed condensate was 1,600, and the molecular weight distribution (Mw / Mn)

[합성예 4][Synthesis Example 4]

교반기가 부착된 용기 내에, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 25질량부를 넣고, 계속해서, 메틸 트리메톡시 실란 22질량부, 3-메타크릴옥시프로필 트리메톡시 실란 12질량부, 페닐 트리메톡시 실란 20질량부 및, 트리-i-프로폭시 알루미늄 0.1질량부를 넣고, 합성예 1과 동일한 방법에 의해 가수분해 축합물(A-4)을 얻었다. 가수분해 축합물(A-4)의 고형분 농도는 39.8질량%이며, 얻어진 가수분해 축합물의 수평균 분자량(Mn)은 1,200이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2였다.25 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether was placed in a container equipped with a stirrer, and then 22 parts by mass of methyltrimethoxysilane, 12 parts by mass of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 20 parts by mass of phenyltrimethoxysilane , And 0.1 part by mass of tri-i-propoxy aluminum, to obtain a hydrolyzed condensate (A-4). The solid content concentration of the hydrolyzed condensate (A-4) was 39.8% by mass. The number-average molecular weight (Mn) of the obtained hydrolyzed condensate was 1,200 and the molecular weight distribution (Mw / Mn)

[합성예 5][Synthesis Example 5]

교반기가 부착된 용기 내에, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 25질량부를 넣고, 계속해서, 메틸 트리메톡시 실란 17질량부, 테트라에톡시 실란 15질량부, γ-글리시독시프로필 트리메톡시 실란 12질량부, 페닐 트리메톡시 실란 15질량부 및, 트리-i-프로폭시 알루미늄 0.1질량부를 넣고, 합성예 1과 동일한 방법에 의해, 가수분해 축합물(A-5)을 얻었다. 가수분해 축합물(A-5)의 고형분 농도는 40.8 질량%이며, 얻어진 가수분해 축합물의 수평균 분자량(Mn)은 1,600이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2였다.In a container equipped with a stirrer, 25 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether was added, and then 17 parts by mass of methyltrimethoxysilane, 15 parts by mass of tetraethoxysilane, 12 parts by mass of? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane , 15 parts by mass of phenyltrimethoxysilane and 0.1 part by mass of tri-i-propoxy aluminum were obtained in the same manner as in Synthesis Example 1, to give a hydrolysis-condensation product (A-5). The solid content concentration of the hydrolysis-condensation product (A-5) was 40.8% by mass. The number-average molecular weight (Mn) of the obtained hydrolyzed condensate was 1,600 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.

[합성예 6][Synthesis Example 6]

교반기가 부착된 용기 내에, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 25질량부를 넣고, 계속해서, 메틸 트리메톡시 실란 17질량부, 테트라에톡시 실란 15질량부, 3-메타크릴옥시프로필 트리메톡시 실란 12질량부, 페닐 트리메톡시 실란 15질량부 및, 트리-i-프로폭시 알루미늄 0.1질량부를 넣고, 합성예 1과 동일한 방법에 의해, 가수분해 축합물(A-6)을 얻었다. 가수분해 축합물(A-6)의 고형분 농도는 40.8질량%이며, 얻어진 가수분해 축합물의 수평균 분자량(Mn)은 1,600이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2였다.In a vessel equipped with a stirrer, 25 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether was added, and then 17 parts by mass of methyltrimethoxysilane, 15 parts by mass of tetraethoxysilane, 12 parts by mass of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane , 15 parts by mass of phenyltrimethoxysilane and 0.1 part by mass of tri-i-propoxyaluminum were obtained in the same manner as in Synthesis Example 1, to give a hydrolysis-condensation product (A-6). The solid content concentration of the hydrolyzed condensate (A-6) was 40.8% by mass. The number-average molecular weight (Mn) of the obtained hydrolyzed condensate was 1,600 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.

감방사선성Sensitizing radiation property 조성물의 조제 및 보호막, 층간 절연막의 형성 Preparation of composition and protective film, formation of interlayer insulating film

[실시예 1][Example 1]

합성예 1에서 얻어진 가수분해 축합물(A-1)을 함유하는 용액(가수분해 축합물(A-1) 100질량부(고형분)에 상당하는 양)에, [B]성분으로서 (B-1) 1,4-비스(트리메톡시실릴메틸)벤젠 15질량부, [C]성분으로서 (C-1) 1-(4,7-디부톡시-1-나프탈레닐)테트라하이드로티오페늄 트리플루오로메탄 술포네이트 2질량부, [D]성분으로서 (D-1) 오르토포름산 메틸 3질량부, [E]성분으로서 (E-1) 트리에틸아민 0.05질량부, [G]성분으로서 (G-1) 불소계 계면활성제(가부시키가이샤 네오스 제조의 「FTX-218」) 0.1질량부를 가하고, 고형분 농도가 25질량%가 되도록 프로필렌글리콜 모노메틸에테르를 첨가하여, 감방사선성 조성물을 조제했다. 이 감방사선성 조성물을, 스피너를 사용하여 SiO2 딥 유리 기판에 도포한 후, 핫 플레이트상에서 90℃, 2분간 프리베이킹하여 도막을 형성했다(후술의 ITO 밀착성 평가에 있어서는 ITO 부착 기판을 사용하고, 평탄화능 평가에서는 컬러 필터가 형성된 SiO2 딥 유리 기판을 사용했다). 이어서, 얻어진 도막에 5,000J/㎡의 노광량으로 자외선을 노광했다. 계속해서, 2.38질량%의 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 수용액에 의해, 25℃로 80초 현상한 후, 순수로 1분간 세정하고, 추가로 230℃의 오븐 안에서 60분간 가열함으로써, 막두께 2.0㎛의 보호막을 형성했다. 또한, 가열 후의 막두께가 3.0㎛가 되도록 도막 형성시의 스피너의 회전수를 조절하여, 20㎛, 30㎛, 40㎛, 50㎛의 사이즈의 콘택트홀 패턴을 갖는 포토마스크를 개입시켜, 노광 갭(기판과 포토마스크의 간격)을 150㎛로 노광한 것 이외는, 상기의 보호막 형성과 동일하게 하여, 층간 절연막을 형성했다.(B-1) was used as the [B] component in a solution (amount equivalent to 100 parts by mass (solid content) of the hydrolyzed condensate (A-1)) containing the hydrolyzed condensate (A- ) 15 parts by mass of 1,4-bis (trimethoxysilylmethyl) benzene as a component [C], 1- (4,7-dibutoxy-1-naphthalenyl) tetrahydrothiophenium tri (E-1) triethylamine (0.05 parts by mass) as the [E] component, and 2 parts by mass of [G] as the component [D] -1) fluoric surfactant ("FTX-218" manufactured by NEOS Co., Ltd.) was added thereto, and propylene glycol monomethyl ether was added thereto so as to have a solid content concentration of 25 mass% to prepare a radiation-sensitive composition. This radiation-sensitive composition was applied to a SiO 2 dip glass substrate using a spinner and then pre-baked on a hot plate at 90 ° C for 2 minutes to form a coating film (in the later-described ITO adhesion evaluation, an ITO- , And SiO 2 deep glass substrate on which a color filter was formed was used for planarization performance evaluation). Subsequently, the resulting coating film was exposed to ultraviolet light at an exposure dose of 5,000 J / m &lt; 2 &gt;. Subsequently, the resist film was developed with a 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide for 80 seconds at 25 占 폚, washed with pure water for 1 minute and further heated in an oven at 230 占 폚 for 60 minutes to obtain a resist film having a thickness of 2.0 占 퐉 Thereby forming a protective film. Further, the number of revolutions of the spinner at the time of formation of the coating film was adjusted so that the film thickness after heating was 3.0 占 퐉, and a photomask having a contact hole pattern of 20 占 퐉, 30 占 퐉, 40 占 퐉, (The interval between the substrate and the photomask) was 150 [micro] m, the interlayer insulating film was formed in the same manner as the above-mentioned protective film formation.

[실시예 2∼17 및 비교예 1∼6][Examples 2 to 17 and Comparative Examples 1 to 6]

각 성분의 종류 및 양을 표 1에 기재한 대로 한 것 외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 감방사선성 조성물을 조제했다. 이어서, 이와 같이 조제한 감방사선성 조성물을 사용하여, 실시예 1과 동일하게 하여 보호막 및 층간 절연막을 형성했다.A radiation-sensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the kinds and amounts of the respective components were changed as described in Table 1. [ Then, a protective film and an interlayer insulating film were formed in the same manner as in Example 1, using the radiation sensitive composition thus prepared.

물성 평가Property evaluation

실시예 1∼17, 비교예 1∼6에서 형성된 보호막의 투명성, 내열 투명성, 표면 경도, 내찰상성, 내크랙성, ITO 밀착성 및 평탄성 및, 감방사선성 조성물의 해상성(층간 절연막의 해상도) 및 보존 안정성의 평가 방법을 이하에 설명한다. 감방사선성 조성물의 「해상성」은, 조성물이 층간 절연막의 정밀한 콘택트홀을 형성 가능한 성능의 평가를 부여함과 함께, 층간 절연막의 「해상도」로서의 평가를 부여하는 것이다. The transparency, heat-resistant transparency, surface hardness, scratch resistance, crack resistance, ITO adhesion and flatness of the protective film formed in Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 6 and the resolution (resolution of the interlayer insulating film) and A method for evaluating the storage stability will be described below. The "resolution" of the radiation sensitive composition gives an evaluation of the ability of the composition to form a precise contact hole of the interlayer insulating film and gives an evaluation as the "resolution" of the interlayer insulating film.

(1) 보호막의 투명성의 평가(1) Evaluation of transparency of protective film

각 실시예 및 비교예에서 상기와 같이 형성한 보호막을 갖는 기판에 대해서, 분광 광도계(가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 제조의 150-20형 더블빔)를 사용하여, 파장 400∼800nm의 광선 투과율(%)을 측정했다. 파장 400∼800nm의 광선 투과율(%)의 최소치를 투명성의 평가로서 표 1에 나타냈다. 이 값이 95% 이상일 때, 보호막의 투명성은 양호하다고 할 수 있다. 층간 절연막의 경우, 막두께(3.0㎛)가 보호막과 다를 뿐이기 때문에, 층간 절연막의 투명성의 평가는 보호막의 투명성의 평가와 동일하다고 판단했다.With respect to the substrate having the protective film formed as described above in each of the examples and the comparative examples, a light transmittance of 400 to 800 nm (manufactured by Hitachi, Ltd.) was measured using a spectrophotometer (150-20 type double beam manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.) %) Was measured. The minimum value of the light transmittance (%) at a wavelength of 400 to 800 nm is shown in Table 1 as an evaluation of transparency. When the value is 95% or more, the transparency of the protective film is good. In the case of the interlayer insulating film, it was judged that the evaluation of the transparency of the interlayer insulating film was the same as the evaluation of the transparency of the protective film, because the film thickness (3.0 탆) was different from the protective film.

(2) 보호막의 내열 투명성의 평가(2) Evaluation of heat-resistant transparency of protective film

각 실시예 및 비교예에서 상기와 같이 형성한 보호막을 갖는 기판에 대해서, 클린 오븐 안에서 250℃로 1시간 가열하여, 가열 전후의 광선 투과율을, 상기(1) 「보호막의 투명성의 평가」에 기재한 방법으로 측정했다. 하기식에 따라서 산출한 내열 투명성(%)을 표 1에 나타냈다. 이 값이 4% 이하일 때, 보호막의 내열 투명성은 양호하다고 할 수 있다.The substrate having the protective film formed as described above in each of the examples and the comparative examples was heated in a clean oven at 250 DEG C for 1 hour to measure the light transmittance before and after the heating in the evaluation of the transparency of the protective film (1) One way. The heat-resistant transparency (%) calculated according to the following formula is shown in Table 1. When this value is 4% or less, it can be said that the heat-resistant transparency of the protective film is good.

내열 투명성(%)=가열 전의 광선 투과율(%)-가열 후의 광선 투과율(%)Heat resistance transparency (%) = Light transmittance before heating (%) - Light transmittance (%) after heating

(3) 보호막의 연필 경도(표면 경도)의 측정(3) Measurement of the pencil hardness (surface hardness) of the protective film

각 실시예 및 비교예에서 상기와 같이 형성한 보호막을 갖는 기판에 대해서, JIS K-5400-1990의 8.4.1 연필 긁기 시험에 의해 보호막의 연필 경도(표면 경도)를 측정하여, 결과를 표 1에 나타냈다. 이 값이 4H 또는 그보다 클 때, 보호막의 표면 경도는 양호하다고 할 수 있다. 층간 절연막의 경우, 막두께(3.0㎛)가 보호막과 다를 뿐이기 때문에, 층간 절연막의 연필 경도의 평가는 보호막의 연필 경도의 평가와 동일하다고 판단했다.The pencil hardness (surface hardness) of the protective film was measured according to 8.4.1 pencil scratching test of JIS K-5400-1990 with respect to the substrate having the protective film formed as described above in each of the Examples and Comparative Examples, Respectively. When this value is 4H or larger, it can be said that the surface hardness of the protective film is good. Since the film thickness (3.0 탆) of the interlayer insulating film is different from that of the protective film, the evaluation of the pencil hardness of the interlayer insulating film was judged to be the same as that of the protective film.

(4) 보호막의 내찰상성의 평가(4) Evaluation of scratch resistance of the protective film

각 실시예 및 비교예에서 상기와 같이 형성한 보호막을 갖는 기판에 대해서, 학진형(學振型) 마모 시험기를 사용하여, 스틸울 #0000 위에 200g의 하중을 걸어 10회 왕복시켰다. 찰상의 상황을 육안으로 이하의 판정 기준으로 평가하여, 결과를 표 1에 나타냈다.In each of the examples and comparative examples, the substrate having the protective film formed as described above was subjected to a load of 200 g on a steel wool # 0000 using a gauge type abrasion tester, and then reciprocated 10 times. The state of scratches was visually evaluated based on the following criteria, and the results are shown in Table 1.

판정 기준Criteria

◎: 전혀 흠집이 나지 않는다◎: No scratches at all

○: 1∼3개의 흠집이 난다○: 1 to 3 scratches

△: 4∼10개의 흠집이 난다△: 4 to 10 scratches

×: 10개 이상의 흠집이 난다X: More than 10 scratches

◎ 또는 ○이면, 양호한 내찰상성을 갖는다고 할 수 있다. 층간 절연막의 경우, 막두께(3.0㎛)가 보호막과 다를 뿐이기 때문에, 층간 절연막의 내찰상성의 평가는 보호막의 내찰상성의 평가와 동일하다고 판단했다.If? Or?, It can be said that good scratch resistance is obtained. In the case of the interlayer insulating film, since the film thickness (3.0 탆) is different from the protective film, it was judged that the evaluation of scratch resistance of the interlayer insulating film was the same as that of the protective film.

(5) 크랙 발생 유무의 확인(내크랙성의 평가)(5) Confirmation of crack occurrence (evaluation of crack resistance)

각 실시예 및 비교예에서 상기와 같이 형성한 보호막을 갖는 기판에 대해서, 23℃에서 24시간 방치하여, 그의 보호막 표면에 크랙이 발생하고 있는지, 레이저 현미경(키엔스 제조 VK-8500)을 사용하여 확인했다. 이하의 판정 기준으로 평가하여, 결과를 표 1에 나타냈다.The substrate having the protective film formed as described above in each of the Examples and Comparative Examples was allowed to stand at 23 占 폚 for 24 hours to confirm whether or not cracks were formed on the surface of the protective film and confirmed using a laser microscope (VK-8500 manufactured by Keyence Corporation) did. The results are shown in Table 1. &lt; tb &gt; &lt; TABLE &gt;

판정 기준Criteria

◎: 전혀 크랙이 없다◎: There is no crack at all

○: 1∼3개의 크랙이 있다○: There are 1 to 3 cracks

△: 4∼10개의 크랙이 있다?: There are 4 to 10 cracks

×: 10개 이상의 크랙이 있다X: There are more than 10 cracks

◎ 또는 ○이면, 크랙 발생 유무의 확인 결과는 양호하다고 할 수 있다.If? Or?, It is said that the check result of the crack occurrence is satisfactory.

(6) 보호막의 ITO(인듐 주석 산화물) 밀착성의 평가(6) Evaluation of ITO (indium tin oxide) adhesion property of protective film

ITO 부착 기판을 사용한 것 이외에는 각 실시예 및 비교예에서 상기와 같이 보호막을 형성하여, 프레셔 쿠커 시험(120℃, 습도 100%, 4시간)을 행했다. 그 후, JIS K-5400-1990의 8.5.3 부착성 크로스 컷 테이프법을 행하여, 크로스 컷 100개 중에서 남은 크로스 컷의 수를 구하여 보호막의 ITO 밀착성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타냈다. 크로스 컷 100개 중에서 남은 크로스 컷의 수가 80개 이하인 경우에, ITO 밀착성은 불량하다고 할 수 있다. 층간 절연막의 경우, 막두께(3.0㎛)가 보호막과 다를 뿐이기 때문에, 층간 절연막의 ITO 밀착성의 평가는, 보호막의 ITO 밀착성의 평가와 동일하다고 판단했다.A protective film was formed as described above in each of Examples and Comparative Examples except that ITO-attached substrate was used, and a pressure cooker test (120 ° C, 100% humidity, 4 hours) was performed. Thereafter, the number of crosscuts remaining in 100 cross-cuts was measured by 8.5.3 adhesive cross-cut tape method of JIS K-5400-1990 to evaluate the ITO adhesion of the protective film. The results are shown in Table 1. When the number of the remaining crosscuts among the 100 crosscuts is 80 or less, it can be said that the ITO adhesion is poor. In the case of the interlayer insulating film, it was judged that the evaluation of the ITO adhesion of the interlayer insulating film was the same as that of the ITO adhesion of the protective film, since the film thickness (3.0 탆) was different from that of the protective film.

(7) 보호막의 평탄화능(평탄성)의 평가(7) Evaluation of planarization ability (flatness) of the protective film

SiO2 딥 유리 기판상에, 안료계 컬러 레지스트(제이에스알 가부시키가이샤 제조 「JCR RED 689」, 「JCR GREEN 706」 및 「CR 8200 B」)를 사용하여, 이하와 같이, 적, 녹 및 청의 3색 스트라이프 형상 컬러 필터를 형성했다. 즉, 스피너를 사용하여 상기 컬러 레지스트의 1색을 SiO2 딥 유리 기판에 도포하고, 핫 플레이트상에서 90℃, 150초간 프리베이킹하여 도막을 형성했다. 그 후, 노광기 Canon PLA501F(캐논 가부시키가이샤 제조)를 사용하여, 소정의 패턴 마스크를 개입시켜, ghi선(파장 436nm, 405nm, 365nm의 강도비=2.7:2.5:4.8)을 i선 환산으로 2,000J/㎡의 노광량으로 조사하고, 이어서 0.05질량% 수산화 칼륨 수용액을 사용하여 현상하여, 초순수로 60초간 린스했다. 계속해서, 추가로 오븐 안에서 230℃로 30분간 가열 처리함으로써, 단색의 스트라이프 형상 컬러 필터를 형성했다. 이 조작을 3색에 대해 반복함으로써, 적, 녹 및 청의 3색 스트라이프 형상 컬러 필터(스트라이프 폭 200㎛)를 형성했다.Green, and blue (hereinafter, referred to as &quot; green color &quot;) were formed on a SiO 2 -dipped glass substrate using a pigment-based color resist ("JCR RED 689", "JCR GREEN 706", and "CR 8200 B" A three-color stripe shape color filter was formed. That is, one color of the color resist was coated on a SiO 2 dip glass substrate using a spinner and prebaked on a hot plate at 90 캜 for 150 seconds to form a coating film. Thereafter, a ghi line (intensity ratio of wavelengths of 436 nm, 405 nm, and 365 nm = 2.7: 2.5: 4.8) was irradiated in an i-line conversion to 2,000 J / m &lt; 2 &gt;, followed by development using a 0.05 mass% aqueous solution of potassium hydroxide and rinsing with ultrapure water for 60 seconds. Subsequently, the substrate was further subjected to heat treatment in an oven at 230 DEG C for 30 minutes to form a monochromatic stripe-shaped color filter. This operation was repeated for three colors to form a three-color stripe shape color filter (stripe width 200 mu m) of red, green and blue.

측정 길이 2,000㎛, 측정 범위 2,000㎛ 각(角), 측정 방향을 적, 녹, 청 방향의 스트라이프 라인 단축 방향 및 적·적, 녹·녹, 청·청의 동일색의 스트라이프 라인 장축 방향의 2방향으로 하여, 각 방향에 대해 측정 점수 n=5(합계의 n수는 10)에서, 컬러 필터가 형성된 기판 표면의 요철을, 접촉식 막두께 측정 장치(케이엘에이·텐코르사 제조의 「α-스텝」)로 측정한 바, 1.0㎛였다. 이 컬러 필터가 형성된 기판에, 각각의 감방사선성 조성물을 스피너에서 도포한 후, 핫 플레이트상에 있어서 90℃에서 5분간 프리베이킹하여 도막을 형성한 후, 추가로 클린 오븐 안에 있어서 230℃에서 60분간 포스트베이킹함으로써, 컬러 필터의 상면으로부터의 막두께가 약 2.0㎛인 보호막을 형성했다.Measuring length 2,000 ㎛, measuring range 2,000 ㎛ square, stripe line in red, green, blue direction in the direction of measurement Striped line of the same color in red, green, blue, green and blue in two directions , The irregularities of the surface of the substrate on which the color filter was formed were measured with a contact type film thickness measuring apparatus (&quot; alpha-step &quot;, manufactured by Keeley Tencor Co., Ltd.) Quot;), and it was 1.0 탆. Each of the radiation sensitive compositions was coated on a substrate having the color filter formed thereon by a spinner and prebaked on a hot plate at 90 DEG C for 5 minutes to form a coating film. Minute post-baking to form a protective film having a film thickness of about 2.0 mu m from the upper surface of the color filter.

이와 같이 형성한 컬러 필터상에 보호막을 갖는 기판에 대해서, 접촉식 막두께 측정 장치(케이엘에이·텐코르사 제조의 「α-스텝」)에서, 보호막의 표면의 요철을 측정했다. 이 측정은, 측정 길이 2,000㎛, 측정 범위 2,000㎛ 각(角), 측정 방향을 적, 녹, 청 방향의 스트라이프 라인 단축 방향 및 적·적, 녹·녹, 청·청의 동일색의 스트라이프 라인 장축 방향의 2 방향으로 하여, 각 방향에 대해 측정 점수 n=5(합계의 n수는 10)로 행하여, 각 측정마다의 최고부와 최저부의 고저 차(nm)의 10회의 평균치를 구하여, 보호막의 평탄화능(평탄성)의 평가로서 표 1에 나타냈다. 이 값이 200nm이하일 때, 보호막의 평탄화능은 양호하다고 할 수 있다.The unevenness of the surface of the protective film was measured for a substrate having a protective film on the thus formed color filter in a contact type film thickness measuring apparatus ("α-step" manufactured by KL-Tencor Corporation). This measurement was made by measuring the length of the stripe of 2,000 탆 and the measuring range of 2,000 탆 and measuring the direction of the stripes in the red, (The total number of n is 10) with respect to each direction in each of the two directions, and an average value of ten times of the difference in height between the highest part and the lowest part in each measurement (nm) is obtained, The evaluation of the planarizing ability (flatness) is shown in Table 1. When the value is 200 nm or less, the planarizing ability of the protective film is good.

(8) 감방사선성 조성물의 해상성(층간 절연막의 해상도)의 평가(8) Evaluation of resolution (resolution of interlayer insulating film) of the radiation sensitive composition

각 실시예 및 비교예에 있어서의 상기의 층간 절연막의 형성에 있어서, 30㎛ 이하의 콘택트홀 패턴을 해상할 수 있다면, 해상성은 양호하다고 할 수 있다. 해상 가능했던 콘택트홀 패턴 사이즈를 표 1에 나타낸다.In the formation of the above-described interlayer insulating film in each of the examples and the comparative example, if the contact hole pattern of 30 탆 or less can be resolved, the resolution can be said to be good. Table 1 shows the contact hole pattern sizes that could be resolved.

(9) 감방사선성 조성물의 보존 안정성의 평가(9) Evaluation of storage stability of radiation sensitive composition

점도계(도쿄케이키 가부시키가이샤 제조의 「ELD형 점도계」)를 사용하여, 25℃에 있어서의 감방사선성 조성물의 점도를 측정했다. 그 후, 이 조성물을 25℃에서 정치하면서, 25℃에 있어서의 점도를 24시간마다 측정했다. 조제 직후의 감방사선성 조성물의 점도를 기준으로 5% 증점하는 데에 필요로 하는 일수를 구하여, 이 일수를 보존 안정성의 평가로서 표 1에 나타냈다. 이 일수가 15일 이상일 때, 감방사선성 조성물의 보존 안정성은 양호하다고 할 수 있다.The viscosity of the radiation sensitive composition at 25 占 폚 was measured using a viscometer ("ELD Viscometer" manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.). Thereafter, the viscosity of the composition at 25 캜 was measured every 24 hours while the composition was kept at 25 캜. The number of days required for 5% increase in viscosity based on the viscosity of the radiation sensitive composition immediately after the preparation was determined, and this number of days is shown in Table 1 as an evaluation of storage stability. When the number of days is more than 15 days, the storage stability of the radiation sensitive composition is said to be good.

또한, 표 1에 있어서, [B]실란 화합물, [C]감방사선성 산 발생제 또는 감방사선성 염기 발생제, [D]탈수제, [E]산 확산 제어제, [F]라디칼 중합 개시제 및, [G]계면활성제의 약칭은, 각각 이하의 것을 나타낸다.Further, in Table 1, it is preferable that the ratio of the [B] silane compound, the [C] radiation-sensitive acid generator or the radiation-sensitive base generator, the [D] dehydrating agent, the [E] acid diffusion controlling agent, , And [G] abbreviations of the surfactants indicate the following respectively.

B-1: 1,4-비스(트리메톡시실릴메틸)벤젠B-1: 1,4-bis (trimethoxysilylmethyl) benzene

B-2: 비스(트리에톡시실릴)에탄B-2: Bis (triethoxysilyl) ethane

B-3: 트리스(3-트리메톡시실릴프로필)이소시아누레이트B-3: Tris (3-trimethoxysilylpropyl) isocyanurate

C-1: 1-(4,7-디부톡시-1-나프탈레닐)테트라하이드로티오페늄 트리플루오로메탄 술포네이트C-1: 1- (4,7-dibutoxy-1-naphthalenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate

C-2: 트리페닐술포늄 트리플루오로메탄 술포네이트C-2: Triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate

C-3: 2-니트로벤질 사이클로헥실 카바메이트C-3: 2-Nitrobenzyl cyclohexylcarbamate

C-4: O-카바모일 하이드록시아미드C-4: O-carbamoyl hydroxyamide

D-1: 오르토포름산 메틸D-1: methyl orthoformate

E-1: 트리에틸아민E-1: Triethylamine

E-2: 2,4,6-트리(2-피리딜)-1,3,5-트리아진E-2: 2,4,6-Tri (2-pyridyl) -1,3,5-triazine

F-1: 2-메틸-1-[4-(메틸티오) 페닐]-2-모폴리노프로판-2-온F-1: 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-

F-2: 에타논-1-〔9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심)F-2: Ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-

G-1: 불소계 계면활성제(가부시키가이샤 네오스 제조의 「FTX-218」)G-1: Fluorine-based surfactant ("FTX-218" manufactured by NEOS Corporation)

Figure 112010031810165-pat00009
Figure 112010031810165-pat00009

표 1의 결과로부터 분명한 바와 같이, [A], [B] 및 [C]성분을 포함하는 실시예 1∼17의 감방사선성 조성물로 형성된 보호막은, 이들 성분 중 어느 하나가 결여된 비교예 1∼6의 감방사선성 조성물로 형성된 보호막과 비교하여, 투명성, 내열 투명성, 연필 경도, 내찰상성, 내크랙성, ITO 밀착성 및 평탄 성능에 있어서, 밸런스 좋게 우수했다. 또한, 실시예 1∼17의 감방사선성 조성물은, 비교예 1∼6의 감방사선성 조성물과 비교하여, 층간 절연막에 있어서의 콘택트홀을 형성하기 위한 해상성이 높은 것(즉, 층간 절연막의 해상도가 우수한 것)을 알 수 있었다. 또한, 실시예 1∼17의 감방사선성 조성물은, 충분한 보존 안정성을 갖고 있었다.As is clear from the results of Table 1, the protective film formed of the radiation sensitive compositions of Examples 1 to 17 including the components [A], [B] and [C] Resistance to transparency, pencil hardness, scratch resistance, crack resistance, ITO adhesion, and flatness performance in comparison with a protective film formed of the radiation sensitive composition of Examples 1 to 6. In addition, the radiation sensitive compositions of Examples 1 to 17 had higher resolution for forming the contact holes in the interlayer insulating film (that is, the interlayer insulating film And excellent resolution). In addition, the radiation sensitive compositions of Examples 1 to 17 had sufficient storage stability.

<산업상 이용가능성>&Lt; Industrial applicability >

본 발명의 감방사선성 조성물은, 전술한 바와 같이, 평탄성, 투명성, 내열성, 내열 투명성, 표면 경도 및 내찰상성이 밸런스 좋게 우수하고, 또한 ITO 기판에 대한 밀착성 및 내크랙성이 개선된 보호막 및 층간 절연막을 형성 가능하다. 또한, 당해 감방사선성 조성물은, 콘택트홀을 형성 가능할 정도의 충분한 해상성을 발현함과 함께, 보존 안정성이 우수하다. 따라서, 당해 감방사선성 조성물은, 액정 표시 소자용의 보호막 및 층간 절연막을 형성하기 위해 적합하게 사용된다.As described above, the radiation sensitive composition of the present invention is excellent in balance among flatness, transparency, heat resistance, heat-resistant transparency, surface hardness and scratch resistance, and has excellent adhesion to the ITO substrate and crack resistance, An insulating film can be formed. In addition, the radiation sensitive composition exhibits sufficient resolution to such an extent that a contact hole can be formed, and is excellent in storage stability. Accordingly, the radiation sensitive composition is suitably used for forming a protective film for a liquid crystal display element and an interlayer insulating film.

Claims (9)

[A]실록산 폴리머,
[B]하기식(1) 및 (3)으로 각각 표시되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 실란 화합물,
[C]감방사선성 산 발생제 또는 감방사선성 염기 발생제, 및
[D]탈수제
를 함유하는 감방사선성 조성물.
<화학식 1>
Figure 112016056402222-pat00010

<화학식 2>
Figure 112016056402222-pat00011

(식(1) 중, R1 및 R3는 각각 독립적으로 탄소수 1∼4의 알킬기이며, R2는 탄소수 1∼6의 알킬렌기 또는 하기 식(2)로 표시되는 기이며, 식(3) 중, R4, R5 및 R6는 각각 독립적으로 탄소수 1∼4의 알킬기이며, b, c 및 d는 각각 독립적으로 1∼6의 정수이다.
Figure 112016056402222-pat00012

(식(2) 중, a는 1∼4의 정수이다. ))
[A] Siloxane polymer,
[B] at least one silane compound selected from the group consisting of the compounds represented by the following formulas (1) and (3)
[C] a radiation-sensitive acid generator or a radiation-sensitive base generator, and
[D] Dehydrating agent
Wherein the radiation-sensitive composition further comprises a radiation-sensitive composition.
&Lt; Formula 1 >
Figure 112016056402222-pat00010

(2)
Figure 112016056402222-pat00011

Wherein R 1 and R 3 are each independently an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 2 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms or a group represented by the following formula (2) , R 4 , R 5 and R 6 are each independently an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and b, c and d are each independently an integer of 1 to 6.
Figure 112016056402222-pat00012

(In the formula (2), a is an integer of 1 to 4)
제1항에 있어서,
[A]실록산 폴리머가, 하기식(4)로 표시되는 가수분해성 실란 화합물의 가수분해 축합물인 감방사선성 조성물.
<화학식 3>
Figure 112010031810165-pat00013

(식(4) 중, R7는 탄소수 1∼20의 비가수분해성의 유기기이며, R8는 탄소수 1∼4의 알킬기이며, q는 0∼3의 정수이다.)
The method according to claim 1,
The radiation-sensitive composition of [A], wherein the siloxane polymer is a hydrolyzed condensate of a hydrolyzable silane compound represented by the following formula (4).
(3)
Figure 112010031810165-pat00013

(In the formula (4), R 7 is a non-hydrolyzable organic group having 1 to 20 carbon atoms, R 8 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and q is an integer of 0 to 3)
삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서,
[C]감방사선성 산 발생제로서, 트리페닐술포늄염 및 테트라하이드로티오페늄염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 사용되는 감방사선성 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
As the [C] radiation-sensitive acid generator, at least one member selected from the group consisting of a triphenylsulfonium salt and a tetrahydrothiophenium salt is used.
제1항 또는 제2항에 있어서,
[C]감방사선성 염기 발생제로서, 2-니트로벤질 사이클로헥실 카바메이트 및 O-카바모일 하이드록시아미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 사용되는 감방사선성 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
As the [C] radiation-sensitive base generator, at least one member selected from the group consisting of 2-nitrobenzylcyclohexylcarbamate and O-carbamoylhydroxyamide is used.
제1항 또는 제2항에 있어서,
액정 표시 소자의 보호막 또는 층간 절연막을 형성하기 위해 사용되는 감방사선성 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
A radiation-sensitive composition for forming a protective film or an interlayer insulating film of a liquid crystal display element.
(1) 제6항에 기재된 감방사선성 조성물의 도막을 기판상에 형성하는 공정,
(2) 공정(1)에서 형성된 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,
(3) 공정(2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,
(4) 공정(3)에서 현상된 도막을 가열하는 공정
을 포함하는 액정 표시 소자용 보호막 또는 층간 절연막의 형성 방법.
(1) a step of forming a coating film of the radiation sensitive composition of claim 6 on a substrate,
(2) a step of irradiating at least a part of the coating film formed in the step (1)
(3) a step of developing the coated film irradiated with the radiation in the step (2)
(4) a step of heating the developed coating film in the step (3)
And forming a protective film for the liquid crystal display element or an interlayer insulating film.
제6항에 기재된 감방사선성 조성물로 형성된 액정 표시 소자의 보호막.A protective film for a liquid crystal display element formed of the radiation sensitive composition according to claim 6. 제6항에 기재된 감방사선성 조성물로 형성된 액정 표시 소자의 층간 절연막.An interlayer insulating film of a liquid crystal display element formed of the radiation sensitive composition of claim 6.
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