KR101659621B1 - Solid-state image capturing device, method of manufacturing solid-state image capturing device, method of driving solid-state image capturing device, and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명의 고체 촬상 장치는, 기판과, 수광 기간에 상기 기판에 제 1의 전위를 인가하고, 비수광 기간에 상기 기판에 제 2의 전위를 인가하는 기판 전압 전원과, 상기 기판의 표면측에 형성되고, 수광한 광에 응한 신호 전하를 생성하는 수광부와, 상기 수광부에 인접하여 형성되고, 상기 기판에 제 1의 전위가 인가된 때에, 상기 수광부에서 생성된 신호 전하가 전송되고, 상기 신호 전하를 축적 보존하는 축적용량부와, 상기 수광부와 상기 축적용량부에 형성된 암전류 억제부와, 상기 기판 내의 상기 수광부에 대향하는 영역으로서, 상기 축적용량부로부터 소정의 오프셋 영역만큼 떨어진 영역에 형성되고, 상기 기판에 제 2의 전위가 인가된 때에 상기 수광부에서 생성된 신호 전하가 상기 기판의 이면측으로 소출되도록 기판의 전위 분포를 조정하는 전자 셔터 조정층과, 상기 축적용량부에 축적된 신호 전하가 전송되는 플로팅 디퓨전부를 포함하여 구성되는 복수의 화소를 포함하는 것을 특징으로 한다.A solid-state imaging device of the present invention includes a substrate, a substrate voltage power source for applying a first potential to the substrate during a light receiving period and applying a second potential to the substrate during a non-light receiving period, A light receiving portion formed adjacent to the light receiving portion and transmitting a signal charge generated in the light receiving portion when a first potential is applied to the substrate, A dark current suppressing portion formed in the light receiving portion and the storage capacitor portion, and a light blocking portion formed in a region facing the light receiving portion in the substrate, the region being apart from the storage capacitor portion by a predetermined offset region, An electron emitter that adjusts the potential distribution of the substrate so that the signal charge generated in the light receiving portion when the second potential is applied to the substrate is drawn toward the back surface side of the substrate And a plurality of pixels including a shutter adjusting layer and a floating diffusion portion through which the signal charge accumulated in the storage capacitor portion is transferred.

Figure R1020100002966
Figure R1020100002966

Description

고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 전자 기기{SOLID-STATE IMAGE CAPTURING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGE CAPTURING DEVICE, METHOD OF DRIVING SOLID-STATE IMAGE CAPTURING DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a solid-state imaging device, a method of manufacturing a solid-state imaging device, a method of driving a solid-state imaging device, APPARATUS}

본 발명은 고체 촬상 장치에 관한 것으로, 특히, CMOS형의 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 구동 방법에 관한 것이다. 또한, 그 고체 촬상 장치를 이용한 전자 기기에 관한 것이다. The present invention relates to a solid-state imaging device, and more particularly to a CMOS solid-state imaging device, a manufacturing method thereof, and a driving method. The present invention also relates to an electronic apparatus using the solid-state imaging device.

종래, 일반적인 CMOS형 고체 촬상 장치에서는 2차원 매트릭스형상으로 배열된 각 화소의 수광부에서 생성·축적된 신호 전하를, 행마다 순차적으로 판독하는 방식이 채택되어 있다. 이 경우, 각 화소의 수광부에서의 노광의 타이밍은 신호 전하의 판독의 시작과 종료에 의해 정해지기 때문에, 화소마다 노광의 타이밍이 다르다. 이 때문에, 이와 같은 CMOS형 고체 촬상 장치를 이용하여 빠른 움직임의 피사체를 촬상하는 경우에는 피사체가 왜곡되어 촬상된다는 문제가 있다. Conventionally, in a general CMOS type solid-state imaging device, a method of sequentially reading signal charges generated and accumulated in a light receiving portion of each pixel arranged in a two-dimensional matrix shape is adopted for each row. In this case, since the timing of exposure in the light-receiving unit of each pixel is determined by the start and end of reading of the signal charge, the timing of exposure differs for each pixel. Therefore, when such a CMOS solid-state image pickup device is used to pick up a fast-moving subject, there is a problem that the subject is distorted and picked up.

이상과 같은 문제를 해결하기 위해, 근래, 신호 전하의 축적의 동시각성(同時刻性)을 실현하는 동시 촬상 기능(글로벌 셔터 기능)이 제안되어 있고, 또한, 글로벌 셔터 기능을 갖는 CMOS형 고체 촬상 장치의 용도도 많아져 오고 있다. In order to solve the above problems, a simultaneous imaging function (global shutter function) for realizing simultaneous awakening of signal charge accumulation (global shutter function) has been proposed. In addition, a CMOS type solid- The use of the device has also been increasing.

글로벌 셔터 기능을 갖는 CMOS형 고체 촬상 장치에서는 통상, 수광부에서 생성된 신호 전하를 판독시까지 축적하여 두기 위해, 차광성을 갖은 전하축적부를 갖는 것이 필요해진다(예를 들면 특허문헌 1 참조). 종래, 제안되어 온 글로벌 셔터 기능을 갖는 CMOS형 고체 촬상 장치의 구성례를 이하에 나타낸다. In a CMOS type solid-state image pickup device having a global shutter function, normally, it is necessary to have a charge accumulating portion having a light shielding property in order to accumulate the signal charge generated in the light receiving portion until the time of reading (see, for example, Patent Document 1). A configuration example of a CMOS type solid-state image pickup device having a global shutter function that has been proposed heretofore is shown below.

(1) FD(플로팅 디퓨전)부를 전하축적부로서도 이용하고, 전하축적부를 별도 마련하지 않는 CMOS형 고체 촬상 장치가 제안되어 있다. 이 경우, FD부와, 수광부와 FD부 사이의 전송을 행한 판독 게이트는 차광되어 있다. 이와 같은 구성의 CMOS형 고체 촬상 장치에서는 우선, 모든 수광부를 리셋한다. 수광부의 리셋은 판독 게이트와 FD부를 이용하는 방식이나, 수광부에 전용의 리셋 게이트·드레인 구조를 마련하는 방식 등에 의해 행하여진다. 그 후, 판독 게이트를 오프함으로써 수광이 시작되고, 수광 기간 종료시에, 직전에 리셋된 FD부에 전화소 동시에 판독 게이트를 온 하여 신호 전하를 수광부로부터 전송한다. 뒤이어, 신호 전하의 전송 후에 판독 게이트를 오프 한다. 그리고, FD부에 축적된 신호 전하를 라인 순차적으로 화소 앰프에서 판독하고, 신호선을 통하여 칼럼 회로측으로 출력한다. 이와 같은 판독 방법에서는 수광부는 다음의 프레임의 수광 동작을 거의 연속적으로 행할 수 있기 때문에, 특히, 동화 촬상의 경우는 이 방식이 많이 사용된다. (1) A CMOS type solid-state imaging device in which an FD (floating diffusion) portion is also used as a charge storage portion and no charge storage portion is provided. In this case, the FD portion and the read gate that has been transferred between the light-receiving portion and the FD portion are shielded from light. In the CMOS solid-state image pickup device having such a configuration, first, all the light receiving portions are reset. The reset of the light receiving portion is performed by a method using a read gate and an FD portion, or a method of providing a dedicated reset gate / drain structure in the light receiving portion. Thereafter, light reception is started by turning off the read gate, and at the end of the light receiving period, the read gate is turned on at the time of the telephone call to the FD unit reset immediately before, and the signal charge is transmitted from the light receiving unit. Subsequently, the read gate is turned off after the transfer of the signal charge. Then, the signal charges accumulated in the FD section are read out line by line from the pixel amplifier, and outputted to the column circuit side through the signal line. In this reading method, since the light receiving unit can perform the light receiving operation of the next frame almost continuously, this method is used particularly in the case of moving image pickup.

또한, 상술한 구성에서는 별도 전하축적부를 구성하지 않고, 전하축적부의 기능을 FD부에 갖게 함에 의해, 간단한 구조로 할 수 있고, 수광부의 개구면적을 크게 취할 수 있다. 그러나, 이와 같은 구조를 갖는 CMOS형 고체 촬상 장치에서는 일반적으로, FD부에서의 리크 전류가, 동 면적의 HAD(Hole-Accumulation Diode) 구조(HAD : 등록상표)에 비하면 103 내지 105정도 크다. 이 때문에, S/N비에 관해서는 과제가 많이 남는 구조라고 말할 수 있다. In addition, in the above-described configuration, the FD portion is provided with the function of the charge storage portion without forming the separate charge storage portion, so that the structure can be simplified and the aperture area of the light receiving portion can be increased. However, in a CMOS type solid-state imaging device having such a structure, the leakage current in the FD portion is generally about 10 3 to 10 5 larger than a HAD (Hole-Accumulation Diode) structure (HAD: registered trademark) . For this reason, it can be said that there are many problems with respect to the S / N ratio.

(2) 각 화소에서, 수광부와, FD부 사이에 전하축적부가 구성되는 CMOS형 고체 촬상 장치가 제안되어 있다. 이 경우, 수광부와 전하축적부 사이의 전하의 전송을 행한 전송 게이트와, 전하축적부와 FD부 사이의 전하의 전송을 행하는 판독 게이트가 구성된다. (2) A CMOS type solid-state imaging device in which a charge storage portion is formed between a light-receiving portion and an FD portion in each pixel is proposed. In this case, a transfer gate for transferring charge between the light-receiving portion and the charge storage portion, and a read gate for transferring charge between the charge storage portion and the FD portion are formed.

이와 같은 구조를 갖는 CMOS형 고체 촬상 장치에서는 우선, 전화소에서 동시적으로 수광부를 리셋한다. 다음에, 전송 게이트를 오프 한 상태에서, 수광부에서 전화소 동시에 광전변환과 신호 전하의 축적을 행한다. 다음에, 전송 게이트를 전화소에서 동시에 온 함으로써, 수광부로부터 전하축적부에 신호 전하를 전송한다. 신호 전하의 전송을 행한 후, 전송 게이트를 오프 하고, 수광 기간을 종료한다(또는 계속해서, 다음의 프레임의 수광과 신호 전하의 축적이 행하여진다). 그 후, 전하축적부에 축적된 신호 전하는 라인 순차적으로 판독 게이트의 온/오프를 행함에 의해, FD부에 판독된다. In a CMOS solid-state imaging device having such a structure, first, the light receiving unit is reset simultaneously in the telephone set. Next, in a state in which the transfer gate is turned off, photoelectric conversion and signal charge are accumulated at the photoelectric conversion portion at the light receiving portion. Next, signal charges are transferred from the light receiving section to the charge accumulation section by simultaneously turning on the transfer gate in the telephone set. After the signal charge is transferred, the transfer gate is turned off, and the light receiving period is ended (or, subsequently, the light reception of the next frame and the accumulation of the signal charge are performed). Thereafter, the signal charges accumulated in the charge accumulation portion are read out to the FD portion by turning on / off the read gate in a line sequential manner.

이상과 같은 축적, 전송 방식을 갖는 CMOS형 고체 촬상 장치에서는 판독의 자유도가 크고, 암전류의 저감이 하기 쉽다는 이점이 있다. 한편, 각 화소에서, 수광부의 축적 용량과 전하축적부의 축적 용량의 양쪽을 확보하기 위해 스페이스의 제약이 크고, 취급 전하량이 확보하기 어렵다는 결점이 있다. In the CMOS type solid-state imaging device having the above-described accumulation and transmission method, there is an advantage that the degree of freedom of reading is large and the dark current is easily reduced. On the other hand, there is a drawback in that, in each pixel, there is a large space limitation in order to secure both the storage capacity of the light-receiving portion and the storage capacity of the charge storage portion, and the amount of charge to be handled is difficult to secure.

(3) 상기 (1)과 (2)의 중간적 방식으로서, (2)의 구조를 갖는 CMOS형 고체 촬상 장치에 있어서, 신호 전하의 전송 방식을 바꾼 구성이 제안되어 있다. 이 전송 방식에서는 전송 게이트를 온 하고 있는 동안, 수광부로부터 전하축적부에 광전변환된 신호 전하를 전송하고, 전하축적부에서 신호 전하가 축적된다. 전하축적부에 축적된 신호 전하는 라인 순차적으로 판독 게이트의 온/오프를 행함에 의해, FD부에 판독된다. (3) In the CMOS type solid-state imaging device having the structure of (2) as an intermediate system between (1) and (2) above, a configuration in which the signal charge transfer method is changed is proposed. In this transfer method, signal charges photoelectrically converted from the light receiving section to the charge accumulation section are transferred while the transfer gate is turned on, and signal charges are accumulated in the charge accumulation section. The signal charge accumulated in the charge accumulation portion is read out to the FD portion by turning on / off the read gate in line.

이 방식에서는 전송 게이트가 수광중에 온으로 되기 때문에, 전송 게이트 아래의 절연막, 및 실리콘 계면으로부터의 암전류가 생성하기 쉽다는 결점이 있다. In this method, since the transfer gate is turned on during light reception, there is a drawback that an insulating film under the transfer gate and a dark current from the silicon interface are liable to be generated.

이상과 같이, 종래의 CMOS형 고체 촬상 장치를 실현하기 위해서는 전하축적부의 차광성이나, 전하축적부의 포화 전하 용량(Qs), 수광부의 개구율, 수광부의 Qs(수광부에서도 신호 전하를 축적하는 타입에서) 등, 해결하여야 할 과제가 많이 존재한다.As described above, in order to realize the conventional CMOS type solid-state image pickup device, the light shielding property of the charge storage portion, the saturated charge capacitance Qs of the charge storage portion, the aperture ratio of the light receiving portion, the Qs (in the type of accumulating the signal charge in the light- There are many problems to be solved.

특개2004-111590호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-111590

상술한 점을 감안하여, 본 발명은 암전류의 발생을 저감하고, SN비의 향상이 도모된 글로벌 셔터 기능을 갖는 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 그 고체 촬상 장치를 이용한 전자 기기, 및, 구동 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION In view of the foregoing, it is an object of the present invention to provide a solid-state imaging device having a global shutter function with reduced occurrence of dark current and improved SN ratio, a method of manufacturing the same, and an electronic device using the solid- And a method thereof.

본 발명의 고체 촬상 장치는 기판과, 수광 기간과 비수광 기간에서 다른 전위를 기판에 인가하는 기판 전압 전원을 갖는다. 또한, 기판에는 수광부, 축적용량부, 암전류 억제부, 플로팅 디퓨전부를 포함하여 구성되는 복수의 화소가 형성된다. The solid-state imaging device of the present invention has a substrate and a substrate voltage power source for applying a potential different from the light-receiving period and the non-light-receiving period to the substrate. Further, the substrate is provided with a plurality of pixels each including a light receiving portion, a storage capacitor portion, a dark current suppressing portion, and a floating diffusion portion.

수광부는 기판 표면측에 형성되는 것이고, 수광한 광에 응하여 신호 전하를 생성한다. 축적용량부는 수광부에 인접하는 영역에 형성되고, 기판에 제 1의 전위가 인가된 때에, 수광부에서 생성된 신호 전하가 전송되고, 상기 신호 전하를 축적 보존하는 것이다. The light receiving portion is formed on the substrate surface side, and generates a signal charge in response to the received light. The storage capacitor portion is formed in the region adjacent to the light receiving portion, and when the first potential is applied to the substrate, the signal charge generated in the light receiving portion is transferred, and the signal charge is accumulated and stored.

암전류 억제부는 수광부 및 축적용량부에 형성되는 것이다. The dark current suppressing portion is formed in the light receiving portion and the storage capacitor portion.

전자 셔터 조정층은 기판 내의 수광부에 대향하는 영역으로서, 축적용량부로부터 소망하는 오프셋 영역만큼 떨어진 영역에 형성된 층이다. 이 전자 셔터 조정층은 기판에 제 2의 전위가 인가된 때에 수광부에서 생성된 신호 전하가 기판의 이면측으로 소출(sweeping)되도록 기판의 전위 분포를 조정하는 층이다. The electronic shutter adjustment layer is a layer opposed to the light receiving portion in the substrate and formed in a region away from the storage capacitor portion by a desired offset region. The electronic shutter adjusting layer is a layer that adjusts the potential distribution of the substrate so that the signal charge generated in the light receiving portion when the second potential is applied to the substrate sweeps to the back side of the substrate.

본 발명의 고체 촬상 장치에서는 수광 기간과, 비수광 기간에서 기판 내의 포텐셜 분포가 변화된다. 특히, 전자 셔터 조정층의 효과에 의해, 수광부 하부의 포텐셜 분포가 변화된다. 이로써, 수광부에서 생성된 신호 전하가, 수광 기간중에는 축적용량부에 전송되고, 비수광 기간중에는 기판 이면측으로 소출된다. In the solid-state imaging device of the present invention, the potential distribution in the substrate changes in the light receiving period and the non-light receiving period. Particularly, the potential distribution under the light receiving portion is changed by the effect of the electronic shutter adjusting layer. Thus, the signal charge generated in the light receiving portion is transferred to the storage capacitor portion during the light receiving period, and is discharged to the back surface side of the substrate during the non-light receiving period.

본 발명의 고체 촬상 장치의 제조 방법은 제 1 도전형의 반도체 기판을 준비하는 공정, 반도체 기판상에 제 2 도전형의 반도체 웰층을 형성하는 공정을 갖는다. 또한, 반도체 웰층의 표면측에, 수광부, 수광부에 인접하는 축적용량부, 및 전송 게이트부를 통하여 축적용량부에 인접하는 플로팅 디퓨전부를 형성하는 공정을 갖는다. 그리고, 반도체 웰층을 형성하기 전, 또는 후에, 반도체 기판과 반도체 웰층 사이의, 수광부에 대향하는 영역으로서, 축적용량부로부터 소망하는 오프셋 영역만큼 떨어진 영역에, 제 1 도전형으로 이루어지는 전자 셔터 조정층을 형성하는 공정을 갖는다. 또한, 축적용량부 및 수광부 상부의 광 입사측에 암전류 억제부를 형성하는 공정을 갖는다. A manufacturing method of a solid-state imaging device according to the present invention includes a step of preparing a semiconductor substrate of a first conductivity type, and a step of forming a semiconductor well layer of a second conductivity type on a semiconductor substrate. A step of forming a floating diffusion portion adjacent to the storage capacitor portion via the light receiving portion, the storage capacitor portion adjacent to the light receiving portion, and the transfer gate portion is formed on the surface side of the semiconductor well layer. An electronic shutter adjustment layer made of a first conductive type is formed in a region between the semiconductor substrate and the semiconductor well layer before and after the formation of the semiconductor well layer as a region facing the light receiving portion by a desired offset region from the storage capacitor portion, . And a step of forming a dark current suppressing portion on the light incidence side above the storage capacitor portion and the light receiving portion.

또한, 본 발명의 고체 촬상 장치의 구동 방법은 상술한 본 발명의 고체 촬상 장치에 있어서, 우선, 기판 전압 전원에 의해, 기판에 제 1의 전위를 인가함에 의해, 수광부에서 생성된 신호 전하의 축적용량부로의 전송을 시작한다. 다음에, 기판 전압 전원에 의해, 기판에 제 2의 전위를 인가함에 의해, 수광부에서 생성된 신호 전하의 축적용량부로의 전송을 종료하고, 그 후에, 수광부에서 생성된 신호 전하를 기판측으로 소출한다. 수광부에서, 기판측에 신호 전하를 소출하고 있는 동안, 화소마다 신호 전하를 플로팅 디퓨전부에 전송한다. The method of driving a solid-state imaging device of the present invention is a method of driving a solid-state imaging device according to the present invention, wherein a first potential is applied to a substrate by a substrate voltage power source, And starts transmission to the capacity section. Next, the second voltage is applied to the substrate by the substrate voltage power supply to terminate the transfer of the signal charge generated in the light-receiving portion to the storage capacitor portion, and thereafter, the signal charge generated in the light-receiving portion is discharged to the substrate side . In the light-receiving unit, the signal charge is transferred to the floating diffusion unit for each pixel while the signal charge is generated on the substrate side.

본 발명의 고체 촬상 장치의 구동 방법에서는 반도체 기판에 제 1의 전위를 인가하고 있는 때에는 수광부에서 생성된 신호 전하가 전달되어 축적용량부에 축적된다. 또한, 제 2의 전위를 인가하고 있는 때에는 수광부에서 생성된 신호 전하는 축적용량부에 전송되지 않고, 반도체 기판측으로 소출된다. 즉, 반도체 기판에 인가하는 전위를 변화시킴에 의해, 신호 전하의 축적용량부로의 전송을 제어할 수 있다. In the method of driving a solid-state imaging device according to the present invention, when a first potential is applied to a semiconductor substrate, the signal charge generated in the light-receiving portion is transferred and accumulated in the storage capacitor portion. Further, when the second potential is applied, the signal charges generated in the light receiving portion are not transferred to the storage capacitor portion but are discharged to the semiconductor substrate side. That is, by changing the potential applied to the semiconductor substrate, it is possible to control the transfer of the signal charge to the storage capacitor portion.

또한, 본 발명의 전자 기기는 광학 렌즈와, 고체 촬상 장치와, 신호 처리 회로를 포함하여 구성된다. 이, 본 발명의 전자 기기에서는 상술한 본 발명의 고체 촬상 장치가 적용된다. In addition, the electronic apparatus of the present invention comprises an optical lens, a solid-state imaging device, and a signal processing circuit. In the electronic apparatus of the present invention, the above-described solid-state imaging device of the present invention is applied.

본 발명에 의하면, 글로벌 셔터 기능을 갖는 CMOS형의 고체 촬상 장치에 있어서, 암전류의 억제, 및 S/N비의 향상이 도모되고, 또한, 이로써, 화질이 향상한 전자 기기를 얻을 수 있다. According to the present invention, in the CMOS type solid-state image pickup device having the global shutter function, suppression of the dark current and improvement of the S / N ratio are achieved, and thereby an electronic device with improved image quality can be obtained.

도 1은 본 발명의 제 1의 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 개략 구성도.
도 2는 본 발명의 제 1의 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 개략 단면 구성도.
도 3은 본 발명의 제 1의 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 기판의 전위를 도시하는 도면.
도 4A 내지 C는 본 발명의 제 1의 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 제조 공정도(제1의 제조 공정도).
도 5D 내지 F는 본 발명의 제 1의 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 제조 공정도(제2의 제조 공정도).
도 6A 내지 C는 본 발명의 제 1의 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 구동시에 있어서의 신호 전하의 전송의 양상을 도시한 도면.
도 7는 본 발명의 제 2의 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 개략 단면도.
도 8은 본 발명의 제 3의 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 개략 평면도.
도 9는 본 발명의 제 4의 실시 형태에 관한 전자 기기의 개략 구성도. 1 is a schematic structural view of a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention.
3 is a diagram showing the potential of the substrate of the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present invention.
4A to 4C are diagrams showing a manufacturing process of the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present invention (first manufacturing process).
FIGS. 5D to 5F are diagrams showing a manufacturing process of the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present invention (second manufacturing process).
6A to 6C are diagrams showing the transfer of signal charges at the time of driving of the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present invention.
7 is a schematic sectional view of a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention.
8 is a schematic plan view of a solid-state imaging device according to a third embodiment of the present invention.
9 is a schematic structural view of an electronic apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

이하에, 본 발명의 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 구동 방법, 및 전자 기기의 한 예를, 도 1 내지 도 9를 참조하면서 설명한다. 본 발명의 실시 형태는 이하의 순서로 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 예로 한정되는 것이 아니다. Hereinafter, a solid-state imaging device, a manufacturing method, a driving method, and an example of an electronic device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1 to 9. Fig. Embodiments of the present invention will be described in the following order. The present invention is not limited to the following examples.

1. 제 1의 실시 형태 : 고체 촬상 장치의 예 1. First embodiment: Example of a solid-state imaging device

1. 1 고체 촬상 장치 전체의 구성 1. 1 Configuration of the entire solid-state imaging device

1. 2 고체 촬상 장치의 단면 구성 1. Sectional configuration of 2 solid state imaging device

1. 3 고체 촬상 장치의 제조 방법 1. 3 Manufacturing method of solid-state imaging device

1. 4 고체 촬상 장치의 구동 방법 1. 4 Driving method of solid-state imaging device

2. 제 2의 실시 형태 : 고체 촬상 장치의 예 2. Second embodiment: Example of solid-state imaging device

3. 제 3의 실시 형태 : 고체 촬상 장치의 예(레이아웃예) 3. Third embodiment: Example of solid-state imaging device (layout example)

4. 제 4의 실시 형태 : 전자 기기의 예
4. Fourth Embodiment: Example of Electronic Apparatus

<1. 제 1의 실시 형태><1. First Embodiment>

[1. 1 고체 촬상 장치 전체의 구성][One. 1 Solid-State Imaging Device Overall Configuration]

도 1에, 본 발명의 제 1의 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 개략 구성을 도시한다. Fig. 1 shows a schematic configuration of a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 도시하는 고체 촬상 장치(1)는 실리콘으로 이루어지는 반도체 기판(11)상에 배열된 복수의 화소(2)로 구성되는 촬상 영역(3)과, 수직 구동 회로(4)와, 칼럼 신호 처리 회로(5)와, 수평 구동 회로(6)와, 출력 회로(7)와, 제어 회로(8) 등을 갖고서 구성된다. The solid-state imaging device 1 shown in Fig. 1 includes an imaging region 3 composed of a plurality of pixels 2 arranged on a semiconductor substrate 11 made of silicon, a vertical driving circuit 4, A processing circuit 5, a horizontal drive circuit 6, an output circuit 7, a control circuit 8, and the like.

화소(2)는 포토 다이오드로 이루어지는 수광부와, 수광부에서 생성된 신호 전하를 축적하는 축적용량부와, 복수의 MOS 트랜지스터로 구성되고, 반도체 기판(11)상에, 2차원 어레이형상으로 규칙적으로 복수 배열된다. 화소(2)를 구성하는 MOS 트랜지스터는 전송 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 선택 트랜지스터, 앰프 트랜지스터로 구성되는 4개의 MOS 트랜지스터라도 좋고, 또한, 선택 트랜지스터를 제외한 3개의 트랜지스터라도 좋다. The pixel 2 is composed of a light-receiving portion made up of a photodiode, a storage capacitor portion for storing signal charges generated in the light-receiving portion, and a plurality of MOS transistors, and on the semiconductor substrate 11, . The MOS transistor constituting the pixel 2 may be four MOS transistors each including a transfer transistor, a reset transistor, a selection transistor, and an amplifier transistor, or three transistors other than the selection transistor.

촬상 영역(3)은 2차원 어레이형상으로 규칙적으로 복수 배열된 화소(2)로 구성된다. 그리고, 촬상 영역(3)은 실제로 광을 수광하고, 광전변환에 의해 생성된 신호 전하를 증폭하여 칼럼 신호 처리 회로(5)에 판독하는 유효 화소 영역과, 유효 화소 영역의 주위에 형성되고, 흑레벨의 기준이 되는 광학적 흑을 출력하기 위한 흑 기준 화소 영역으로 구성된다. The imaging region 3 is composed of a plurality of pixels 2 regularly arranged in a two-dimensional array shape. The imaging region 3 receives the light, amplifies the signal charge generated by the photoelectric conversion and reads it into the column signal processing circuit 5, and an effective pixel region formed around the effective pixel region, And a black reference pixel area for outputting optical black as a reference of the level.

제어 회로(8)는 수직 동기 신호, 수평 동기 신호 및 마스터 클록에 의거하여, 수직 구동 회로(4), 칼럼 신호 처리 회로(5), 및 수평 구동 회로(6) 등의 동작의 기준이 되는 클록 신호나 제어 신호 등을 생성한다. 그리고, 제어 회로(8)에서 생성된 클록 신호나 제어 신호 등은 수직 구동 회로(4), 칼럼 신호 처리 회로(5) 및 수평 구동 회로(6) 등에 입력된다. The control circuit 8 generates a clock signal which is a reference of operations of the vertical drive circuit 4, the column signal processing circuit 5 and the horizontal drive circuit 6 based on the vertical synchronization signal, And generates a signal or a control signal. The clock signal and the control signal generated in the control circuit 8 are input to the vertical drive circuit 4, the column signal processing circuit 5, the horizontal drive circuit 6, and the like.

수직 구동 회로(4)는 예를 들면 시프트 레지스터에 의해 구성되고, 촬상 영역(3)의 각 화소(2)를 행 단위로 순차적으로 수직 방향으로 선택 주사한다. 그리고, 각 화소(2)의 포토 다이오드에서 수광량에 응하여 생성한 신호 전하에 의거한 화소 신호를, 수직 신호선을 통하여 칼럼 신호 처리 회로(5)에 공급한다. The vertical drive circuit 4 is constituted by, for example, a shift register, and selectively scans each pixel 2 of the imaging region 3 in the vertical direction sequentially on a row-by-row basis. Then, a pixel signal based on the signal charge generated in response to the amount of light received by the photodiode of each pixel 2 is supplied to the column signal processing circuit 5 through the vertical signal line.

칼럼 신호 처리 회로(5)는 예를 들면, 화소(2)의 열마다 배치되어 있고, 1행분의 화소(2)로부터 출력된 신호를 화소열마다 흑 기준 화소 영역(도시하지 않지만, 유효 화소 영역의 주위에 형성된다)으로부터의 신호에 의해, 노이즈 제거나 신호 증폭 등의 신호 처리를 행한다. 칼럼 신호 처리 회로(5)의 출력단(段)에는 수평 선택 스위치(도시 생략)가 수평 신호선(10)과의 사이에 마련되어 있다. The column signal processing circuit 5 is arranged for each column of the pixels 2 and outputs a signal output from the pixels 2 for one row to a black reference pixel region (not shown, And the signal processing such as noise suppression, signal amplification, and the like is performed. A horizontal selection switch (not shown) is provided between the output terminal of the column signal processing circuit 5 and the horizontal signal line 10.

수평 구동 회로(6)는 예를 들면 시프트 레지스터에 의해 구성되고, 수평 주사 펄스를 순차적으로 출력함에 의해, 칼럼 신호 처리 회로(5)의 각각을 순번대로 선택하고, 칼럼 신호 처리 회로(5)의 각각으로부터 화소 신호를 수평 신호선(10)에 출력시킨다. The horizontal drive circuit 6 is constituted by, for example, a shift register and successively outputs the horizontal scan pulses to sequentially select each of the column signal processing circuits 5, And outputs the pixel signal from each of them to the horizontal signal line 10.

출력 회로(7)는 칼럼 신호 처리 회로(5)의 각각으로부터 수평 신호선(10)을 통하여, 순차적으로 공급되는 신호에 대해 신호 처리를 행하여 출력한다.
The output circuit 7 performs signal processing on the signals sequentially supplied from each of the column signal processing circuits 5 through the horizontal signal line 10 and outputs them.

[1. 2 고체 촬상 장치의 단면 구성][One. 2 Solid-state image pickup device sectional configuration]

도 2에, 본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(1)에서의 1화소분의 개략 단면 구성을 도시한다. 본 실시 형태예에서는 본 발명에서의 제 1 도전형을 n형으로 하고, 제 2 도전형을 p형으로 하여 설명한다. Fig. 2 shows a schematic sectional configuration of one pixel in the solid-state imaging device 1 of the present embodiment. In the present embodiment, the first conductivity type in the present invention is n-type, and the second conductivity type is p-type.

본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(1)는 반도체 기판(12)과 반도체 웰층(13)으로 이루어지는 기판과, 차광막(31)과, 도시하지 않은 기판 전압 전원(도시 생략)을 갖고서 구성되어 있다. 또한, 반도체 웰층(13)에는 수광부(19)와, 축적용량부(20)와, 전자 셔터 조정층(14)과, 제 1 및 제 2의 암전류 억제부(18, 23)와, FD부(25)와, 복수의 MOS 트랜지스터로 이루어지는 화소가 형성되어 있다. 또한 도 2에서는 복수의 MOS 트랜지스터중, 전송 게이트부(26)를 구성하는 전송 트랜지스터(Tr1)만을 도시하고, 앰프 트랜지스터(Tr3), 리셋 트랜지스터(Tr2), 선택 트랜지스터(Tr4)의 구성은 회로도로서 그리고 있다. The solid-state imaging device 1 of the present embodiment includes a substrate composed of a semiconductor substrate 12 and a semiconductor well layer 13, a light-shielding film 31, and a substrate voltage power source (not shown) not shown. The semiconductor well layer 13 is provided with a light receiving portion 19, a storage capacitor portion 20, an electronic shutter adjustment layer 14, first and second dark current suppressing portions 18 and 23, an FD portion 25) and a plurality of MOS transistors are formed. 2, only the transfer transistor Tr1 constituting the transfer gate portion 26 among the plurality of MOS transistors is shown, and the configuration of the amplifier transistor Tr3, the reset transistor Tr2 and the selection transistor Tr4 is a circuit diagram And then.

반도체 기판(12)은 예를 들면 실리콘으로 이루어지는 n형의 CZ 기판에 의해 구성되어 있다. 또한, 반도체 기판(12)에는 도시하지 않은 기판 전압 전원이 접속되어 있다. 기판 전압 전원은 수광부(19)에서의 수광 기간과, 축적용량부(20)로부터 FD부(25)에의 신호 전하의 전송 기간에서, 다른 기판 전압(Vsub)을 반도체 기판(12)에 공급한다. 이 기판 전압 전원은 소자의 외부에 갖을 수 있지만, 고체 촬상 장치(1) 내부에 기판 전압 발생 회로로서 갖는 구성도 가능하다. The semiconductor substrate 12 is made of, for example, an n-type CZ substrate made of silicon. A substrate voltage power source (not shown) is connected to the semiconductor substrate 12. The substrate voltage source supplies another substrate voltage Vsub to the semiconductor substrate 12 in the light receiving period in the light receiving section 19 and the transfer period of the signal charge from the accumulation capacitance section 20 to the FD section 25. [ Although this substrate voltage power source can be provided outside the device, it can be configured as a substrate voltage generating circuit in the solid-state image sensor 1.

반도체 웰층(13)은 반도체 기판(12)상에 형성된 P-형의 에피택셜층에 의해 구성되어 있다. 본 실시 형태예에서는 반도체 웰층(13)의, 반도체 기판(12)에 면하는 측과는 반대측의 면이 수광면이 된다. The semiconductor well layer 13 is constituted by a P - type epitaxial layer formed on the semiconductor substrate 12. In this embodiment, the surface of the semiconductor well layer 13 opposite to the side facing the semiconductor substrate 12 is the light receiving surface.

수광부(19)는 n형의 저농도 불순물 영역(N-영역)(17)과, p형의 저농도 불순물 영역(P-영역)(16)으로 구성되어 있다. N-영역(17)은 반도체 웰층(13)의 수광면측에 형성되어 있다. P-영역(16)은 N-영역(17)에 대해 수광면과는 반대측의 영역에, N-영역(17)에 접하도록 형성되어 있다. 즉, 본 실시 형태예의 수광부(19)는 제 1의 암전류 억제부(18)와 N-영역(17)과 P-영역(16)의 접합면을 갖고서 구성되는 포토 다이오드로 구성되어 있다. 수광부(19)에서는 수광면으로부터 입사한 광이 포토 다이오드 영역에서 광전변환하고, 광량에 응한 신호 전하가 생성된다. The light receiving portion 19 is composed of an n-type low concentration impurity region (N - region) 17 and a p-type low concentration impurity region (P - region) The N - region 17 is formed on the light receiving surface side of the semiconductor well layer 13. P-region 16 is N-region is on the opposite side, N and the light-receiving surface for the zone (17) is formed in contact with the region 17. That is, the light receiving section 19 of the present embodiment is constituted by a photodiode having a junction between the first dark current suppressing section 18 and the N - region 17 and the P - region 16. In the light receiving section 19, light incident from the light receiving surface is photoelectrically converted in the photodiode region, and signal charges corresponding to the light quantity are generated.

축적용량부(20)는 제 2의 암전류 억제부(23)와 n형의 불순물 영역(N영역)(22)과 p형의 고농도 불순물 영역(P+영역)(21)으로 구성되어 있고, 반도체 웰층(13)에 형성된 수광부(19)에 인접하여 형성되어 있다. N영역(22)은 반도체 웰층(13)의 수광면측으로서, 수광부(19)를 구성하는 N-영역(17)에 대해 수평 방향으로 인접하는 영역에 형성되어 있다. P+영역(21)은 N영역(22)에 대해 수광면과는 반대측의 영역에, N영역(22)에 접하도록 형성되어 있다. 즉, 축적용량부(20)에서는 제 2의 암전류 억제부(23)와 N영역(22), 및 N영역(22)과 P+영역(21)의 접합면에 의해 전위의 우물이 형성되고, 수광부(19)에서 생성된 신호 전하는 N영역(22)에 축적된다. 여기서, 축적용량부(20)의 정전 포텐셜은 수광부(19)의 정전 포텐셜보다도 깊어지도록 구성되어 있다. The storage capacitor portion 20 is composed of a second dark current suppressing portion 23, an n-type impurity region (N region) 22 and a p-type high concentration impurity region (P + region) Receiving portion 19 formed in the well layer 13. The light- The N region 22 is formed on the light receiving surface side of the semiconductor well layer 13 in the region adjacent to the N - region 17 constituting the light receiving portion 19 in the horizontal direction. The P + region 21 is formed so as to be in contact with the N region 22 in the region opposite to the light receiving surface with respect to the N region 22. That is, in the storage capacitor portion 20, the well of the potential is formed by the junctions of the second dark current suppressing portion 23 and the N region 22, and the N region 22 and the P + region 21, The signal charge generated in the light receiving portion 19 is accumulated in the N region 22. [ Here, the electrostatic potential of the storage capacitor portion 20 is configured to be deeper than the electrostatic potential of the light-receiving portion 19.

제 1의 암전류 억제부(18)는 반도체 웰층(13)에 형성된 수광부(19)의 수광면측의 최표면에 형성되어 있다. 또한, 제 2의 암전류 억제부(23)는 축적용량부(20)의 수광면측의 최표면에 형성되어 있다. 이 제 1 및 제 2의 암전류 억제부(18, 23)는 p형의 고농도 불순물 영역으로 이루어지고, 수광부(19)로부터 축적용량부(20)에 걸쳐서 일체로 형성되어 있다. 제 1 및 제 2의 암전류 억제부(18, 23)에서는 수광면의 계면에서 발생한 암전류를 p형의 고농도 불순물 영역의 다수 캐리어인 정공에 의해 재결합시켜서 억제한다. 즉, 본 실시 형태예의 수광부(19) 및 축적용량부(20)에서는 HAD(Hole-Accumulation Diode) 구조(HAD : 등록상표), 이른바 매입 포토 다이오드가 구성되어 있다. The first dark current suppressing portion 18 is formed on the uppermost surface of the light receiving portion 19 formed on the semiconductor well layer 13 on the light receiving surface side. The second dark current suppressing portion 23 is formed on the uppermost surface of the light-receiving surface of the storage capacitor portion 20. The first and second dark current suppressing portions 18 and 23 are p-type high-concentration impurity regions and are integrally formed from the light-receiving portion 19 to the storage capacitor portion 20. In the first and second dark current suppressing portions 18 and 23, the dark current generated at the interface of the light receiving surface is recombined by the holes, which are the majority carriers in the p-type high concentration impurity region. That is, in the light receiving section 19 and the storage capacitor section 20 of the present embodiment, a HAD (Hole-Accumulation Diode) structure (HAD: registered trademark), so-called embedded photodiode is constituted.

전자 셔터 조정층(14)은 반도체 기판(12)의, 반도체 웰층(13)에 면하는 측의 수광부(19)에 대향하는 영역에, n형의 고농도 불순물 영역에 의해 형성되어 있다. 또한, 이 전자 셔터 조정층(14)은 축적용량부(20)가 형성된 영역부터, 수광부(19)측으로, 수평 방향으로 소정의 오프셋 영역(24)만큼 떨어져서 형성되어 있다. 이 오프셋 영역(24)은 후술하는 바와 같이, 반도체 기판(12), 및 반도체 웰층(13)의 전위 분포가 최적화되도록 결정되는 것이다. The electronic shutter adjustment layer 14 is formed by an n-type high concentration impurity region in a region of the semiconductor substrate 12 facing the light receiving portion 19 on the side facing the semiconductor well layer 13. The electronic shutter adjustment layer 14 is formed so as to be offset from the region where the storage capacitor portion 20 is formed to the light receiving portion 19 side by a predetermined offset region 24 in the horizontal direction. This offset region 24 is determined so as to optimize the potential distribution of the semiconductor substrate 12 and the semiconductor well layer 13, as described later.

FD부(25)는 반도체 웰층(13)의 수광면측에, n형의 고농도 불순물 영역에 의해 형성되어 있다. 또한, FD부(25)와, 축적용량부(20) 사이에는 전송 게이트부(26)가 구성되어 있다. The FD portion 25 is formed on the light receiving surface side of the semiconductor well layer 13 by an n-type high concentration impurity region. Further, a transfer gate portion 26 is formed between the FD portion 25 and the storage capacitor portion 20.

전송 게이트부(26)는 MOS 트랜지스터로 이루어지는 전송 트랜지스터(Tr1)에 의해 구성되는 것이고, 전송 트랜지스터(Tr1)는 소스를 축적용량부(20), 드레인을 FD부(25)로 하여 구성되어 있다. 전송 게이트부(26)가 구성된 반도체 웰층(13)의 상부에는 게이트 절연막(29)을 통하여, 전송 트랜지스터(Tr1)의 전송 게이트 전극(28)이 형성되어 있다. 전송 게이트 전극(28)에 전송 펄스(φTRG)를 인가함에 의해, 전송 게이트부(26)에 채널 영역(27)이 형성되고, 축적용량부(20)에 축적된 신호 전하가, FD부(25)에 전송된다. The transfer gate section 26 is constituted by a transfer transistor Tr1 made of a MOS transistor and the transfer transistor Tr1 has a storage capacitor section 20 as a source and an FD section 25 as a drain. A transfer gate electrode 28 of the transfer transistor Tr1 is formed on the semiconductor well layer 13 constituted by the transfer gate portion 26 through the gate insulating film 29. [ A channel region 27 is formed in the transfer gate portion 26 by applying the transfer pulse? TRG to the transfer gate electrode 28 and the signal charge accumulated in the storage capacitor portion 20 is transferred to the FD portion 25 .

반도체 웰층(13)의 FD부(25)측에는 p형의 고농도 불순물 영역에 의해, 인접하는 화소를 분리하는 채널 스톱 영역(15a)이 형성되어 있다. 또한, 반도체 웰층(13)의 수광부(19)측에도, p형의 고농도 불순물 영역에 의해, 인접하는 화소를 분리하는 채널 스톱 영역(15b)이 형성되어 있다. 이 채널 스톱 영역(15a, 15b)으로 둘러싸인 영역에 의해 단위 화소가 구성된다. 또한, 도 2에서는 회로도로 도시하지만, 전송 트랜지스터(Tr1) 외에, 리셋 트랜지스터(Tr2), 앰프 트랜지스터(Tr3), 선택 트랜지스터(Tr4)(필요에 응하여)가 단위 화소 내의 반도체 웰층(13)에 형성된다. On the FD portion 25 side of the semiconductor well layer 13, a channel stop region 15a for isolating adjacent pixels is formed by the p-type high concentration impurity region. A channel stop region 15b for isolating adjacent pixels is also formed on the light receiving section 19 side of the semiconductor well layer 13 by a p-type high concentration impurity region. The unit pixel is constituted by the region surrounded by the channel stop regions 15a and 15b. 2, the reset transistor Tr2, the amplifier transistor Tr3, and the selection transistor Tr4 (if necessary) are formed in the semiconductor well layer 13 in the unit pixel in addition to the transfer transistor Tr1 do.

리셋 트랜지스터(Tr2)는 소스가 FD부(25)에 접속되어 있고, 드레인이 전원 전압(36)에 접속되어 있다. 또한, 리셋 게이트 전극(33)에는 리셋 펄스(φRSG)가 인가되는 도시하지 않은 리셋 배선이 접속되어 있다. The source of the reset transistor Tr2 is connected to the FD section 25 and the drain thereof is connected to the power supply voltage 36. [ A reset wiring (not shown) to which a reset pulse? RSG is applied is connected to the reset gate electrode 33.

앰프 트랜지스터(Tr3)는 소스가 전원 전압(36)에 접속되어 있고, 드레인이 선택 트랜지스터(Tr4)의 소스에 접속되어 있다. 또한, 앰프 게이트 전극(35)에는 FD부(25)가 접속되어 있다. The source of the amplifier transistor Tr3 is connected to the power supply voltage 36, and the drain thereof is connected to the source of the selection transistor Tr4. In addition, an FD section 25 is connected to the amplifier gate electrode 35.

선택 트랜지스터(Tr4)는 소스가 앰프 트랜지스터(Tr3)의 드레인에 접속되어 있고, 소스가 열 신호선(37)에 접속되어 있다. 또한, 선택 게이트 전극(34)에는 선택 펄스(φSEL)가 인가되는 도시하지 않은 선택 배선이 접속되어 있다. The source of the selection transistor Tr4 is connected to the drain of the amplifier transistor Tr3 and the source thereof is connected to the column signal line 37. [ A selection wiring (not shown) to which the selection pulse? SEL is applied is connected to the selection gate electrode 34. [

도 2에서는 선택 트랜지스터(Tr4)를 구성하는 예로 하였지만, 선택 트랜지스터(Tr4)는 구성하지 않는 예로 하여도 좋다. Although the selection transistor Tr4 is shown as an example in FIG. 2, the selection transistor Tr4 may be omitted.

차광막(31)은 반도체 웰층(13)상에 형성된 전송 게이트 전극(28) 등의 전극 배선 상부의, 수광부(19)를 제외한 면을, 층간 절연막(30)을 통하여 피복하도록 형성되어 있다. 이 때, 축적용량부(20) 상부의 차광막(31)의 단부는 수광부(19)측으로 소정의 영역만큼 비어져나온 장출부(31a)를 갖고서 형성되어 있다. The light shielding film 31 is formed to cover the surface of the electrode wiring such as the transfer gate electrode 28 formed on the semiconductor well layer 13 except for the light receiving portion 19 through the interlayer insulating film 30. At this time, the end portion of the light-shielding film 31 on the upper portion of the storage capacitor portion 20 is formed with the protruding portion 31a that is exposed by the predetermined region toward the light-receiving portion 19 side.

다음에, 도 3을 이용하여, 본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(1)가 갖는 포텐셜 프로파일에 관해 설명한다. 이하의 설명에서, 반도체 기판(12)과 반도체 웰층(13)을 구별하지 않고 설명하는 경우에는 「기판」이라고 총칭한다. Next, the potential profile of the solid-state imaging device 1 of this embodiment will be described with reference to Fig. In the following description, when the semiconductor substrate 12 and the semiconductor well layer 13 are described without distinguishing them, they are collectively referred to as a &quot; substrate &quot;.

도 3은 도 2의 A-A', B-B', C-C'선상에 따른 기판의 전위를 도시한 전위 분포도이다. A-A'는 수광부(19)와 전자 셔터 조정층(14)을 포함하는 기판의 수직 방향에서의 전위 분포이고, B-B'는 수광부(19)와, 오프셋 영역(24)을 포함하는 기판의 수직 방향에서의 전위 분포이다. 또한, C-C'는 축적용량부(20)를 포함하는 기판의 수직 방향에서의 전위 분포이다. 3 is a potential distribution diagram showing the potential of the substrate along line A-A ', B-B', and C-C 'in FIG. A-A 'is a potential distribution in the vertical direction of the substrate including the light receiving portion 19 and the electronic shutter adjusting layer 14, B-B' is a potential distribution of the substrate including the light receiving portion 19 and the offset region 24, In the vertical direction. C-C 'is a potential distribution in the vertical direction of the substrate including the storage capacitor portion 20. [

도 3에서 도시하는 1점쇄선은 기판 전압(Vsub)을 제 1의 전위(이하, Low)로 설정한 때의, A-A'선상에 따른 전위(Val)이다. 또한, 도 3에서 도시하는 2점쇄선은 기판 전압(Vsub)을 제 1의 전위보다도 높은 전위인 제 2의 전위(이하, High)로 설정한 때의, A-A'선상에 따른 전위(Vah)이다. 또한, 도 3에 도시하는 파선은 기판 전압(Vsub)을 High로 설정한 때의 B-B'선상에 따른 전위(Vbh)이다. 또한, 도 3에 도시하는 실선은 C-C'선상에 따른 전위(Vc)이다. The one-dot chain line shown in Fig. 3 is a potential Va along the line A-A 'when the substrate voltage Vsub is set to the first potential (hereinafter referred to as Low). 3 shows the potential Vah (Vah) along the line A-A 'when the substrate voltage Vsub is set to a second potential (hereinafter referred to as High) which is higher than the first potential )to be. 3 is a potential Vbh along the line B-B 'when the substrate voltage Vsub is set to High. In addition, the solid line shown in Fig. 3 is the potential Vc along the line C-C '.

도 3에 도시하는 바와 같이, 기판 전압(Vsub)이 Low로 설정되어 있는 경우에는 A-A'선상에 따른 전위(Val)는 수광부(19)를 구성하는 N-영역(17)에서의 전위가 P-영역(16)이나 반도체 웰층(13)보다도 깊어지도록 구성되어 있다. 즉, 수광부(19)의 N-영역(17)에서, 얕은 전위의 우물이 형성되어 있다. 이 N-영역(17)의 불순물 농도는 종래 사용되고 있는 일반적인 HAD 구조를 갖는 수광부보다도 1V 정도 얕은 포텐셜로 설정되어 있다. 3, when the substrate voltage Vsub is set low, the potential Va along the line A-A 'is equal to the potential Va in the N - region 17 constituting the light-receiving portion 19 P - region is configured to be deeper than 16 and the semiconductor well layer (13). That is, in the N - region 17 of the light receiving portion 19, a well having a shallow potential is formed. The impurity concentration of the N - region 17 is set to be shallow by about 1 V as compared with the light receiving portion having a general HAD structure which is conventionally used.

또한, 기판 전압(Vsub)이 Low인 경우, 도시하지 않지만, B-B'선상에 따른 전위도, A-A'선상에 따른 전위(Val)와 마찬가지가 된다. 도 3에서는 수광부(19)를 구성하는 P-영역(16) 하부의 반도체 웰층(13)에서, 반도체웰 영역이 일부 뉴트럴(공핍화하지 않은) 상태로 그려져 있지만, 공핍화하고 있어도 좋다. When the substrate voltage Vsub is Low, the potential on the line B-B 'is the same as the potential Va on the line A-A', although not shown. In FIG. 3, the semiconductor well region is depicted as being partially neutral (not depleted) in the semiconductor well layer 13 under the P - region 16 constituting the light receiving portion 19, but it may be depleted.

다음에, 기판 전압(Vsub)이 High로 설정되어 있는 경우에는 A-A'선상에 따른 전위(Vah)는 n형의 고농도 불순물 영역으로 이루어지는 전자 셔터 조정층(14)의 효과로, 전체적으로 깊은 쪽으로 끌려간다. 그리고, 반도체 기판(12)측을 향하여 보다 깊어지도록, 전위(Vah)가 변화된다. 또한, B-B'선상에서는 오프셋 영역(24)에 의해 전자 셔터 조정층(14)이 형성되어 있지 않기 때문에, 반도체 기판(12)측에서 약간 전위가 깊어질 뿐으로, 수광부(19) 부근에서의 전위(Vbh)는 기판 전압(Vsub)이 Low인 때와 개략 같은 값으로 유지된다. Next, when the substrate voltage Vsub is set to High, the electric potential Vah along the line A-A 'is set to the deep side as a whole due to the effect of the electronic shutter adjustment layer 14 formed of the n-type high concentration impurity region It is dragged. Then, the potential Vah is changed so as to become deeper toward the semiconductor substrate 12 side. Since the electronic shutter adjustment layer 14 is not formed by the offset region 24 on the line B-B ', only a slight electric potential is deepened on the side of the semiconductor substrate 12, The potential Vbh is maintained at about the same value as when the substrate voltage Vsub is Low.

또한, C-C'선상에 따른 전위(Vc)는 축적용량부(20)를 구성하는 N영역(22)과 P+영역(21)의 접합면의 효과에 의해, 수광부(19)보다도 깊은 전위의 우물이 형성되는 구성으로 되어 있다.
The potential Vc along the line C-C 'is higher than that of the light receiving portion 19 due to the effect of the junction surface between the N region 22 and the P + region 21 constituting the storage capacitor portion 20 Is formed.

[1. 3 고체 촬상 장치의 제조 방법][One. 3 Solid-state imaging device manufacturing method]

도 4, 도 5를 이용하여, 이상의 구성을 갖는 고체 촬상 장치(1)의 제조 방법을 설명한다. 도 4, 도 5에서, 도 2에 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙이고 중복 설명을 생략한다. A manufacturing method of the solid-state imaging device 1 having the above configuration will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. In Figs. 4 and 5, the parts corresponding to those in Fig. 2 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

우선, 도 4A에 도시하는 바와 같이, 예를 들면 CZ 기판 등의 n형의 반도체 기판(12)을 준비하고, 그 반도체 기판(12) 상부의 소정의 위치에, n형의 불순물을 고농도로 이온 주입함에 의해, 전자 셔터 조정층(14)을 형성한다. First, as shown in Fig. 4A, an n-type semiconductor substrate 12 such as a CZ substrate is prepared and an n-type impurity is ion-implanted at a predetermined position on the semiconductor substrate 12 at a high concentration The electronic shutter adjusting layer 14 is formed by injection.

다음에, 도 4B에 도시하는 바와 같이, 에피택셜 성장법을 이용하여, P-형의 에피택셜 성장층으로 이루어지는 반도체 웰층(13)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4B, a semiconductor well layer 13 composed of a P - -type epitaxially grown layer is formed by epitaxial growth.

다음에, 도 4C에 도시하는 바와 같이, 반도체 웰층(13) 표면에, n형의 불순물을 고농도로 이온 주입함에 의해, FD부(25)를 형성하고, 또한, p형의 불순물을 고농도로 이온 주입함에 의해, 채널 스톱 영역(15a, 15b)을 형성한다. 또한, FD부(25)나 도시하지 않은 각 트랜지스터의 소스·드레인 영역은 후술하는 바와 같이, 각 트랜지스터의 게이트 전극(게이트 전극(28) 등)의 형성의 후에 형성하여도 좋다. Next, as shown in Fig. 4C, an FD portion 25 is formed by ion-implanting n-type impurities at a high concentration on the surface of the semiconductor well layer 13, and a p-type impurity is ion- By the injection, the channel stop regions 15a and 15b are formed. The source / drain regions of the FD portion 25 and each transistor (not shown) may be formed after forming the gate electrode (gate electrode 28, etc.) of each transistor as described later.

다음에, 도 5D에 도시하는 바와 같이, 반도체 웰층(13) 표면의 소정에 위치에, p형의 불순물, 및 n형의 불순물을 저농도로 이온 주입함에 의해, P-영역(16) 및 N-영역(17)으로 이루어지는 수광부(19)를 형성한다. 또한, 반도체 웰층(13) 표면의 소정의 위치에, p형의 불순물을 고농도로 이온 주입하고, n형의 불순물을 이온 주입함에 의해, P+영역(21) 및 N영역(22)으로 이루어지는 축적용량부(20)를 형성한다. 그 후, 수광부(19) 및 축적용량부(20) 상부에, p형의 불순물을 고농도로 이온 주입함에 의해, 제 1 및 제 2의 암전류 억제부(18, 23)를 형성한다. Next, as shown in Figure 5D, the semiconductor well layer 13. By the position on a predetermined surface, and ion implanting impurities of a p-type impurity, and the n-type at a low concentration, P - region 16 and the N - And the light receiving portion 19 made of the region 17 is formed. In addition, a p-type impurity is ion-implanted at a predetermined concentration on the surface of the semiconductor well layer 13 at a high concentration and an n-type impurity is ion-implanted to accumulate the P + The capacitor portion 20 is formed. Thereafter, first and second dark current suppressing portions 18 and 23 are formed by implanting p-type impurities at a high concentration into the light receiving portion 19 and the storage capacitor portion 20.

다음에, 도 5E에 도시하는 바와 같이, 반도체 웰층(13) 상부에 게이트 절연막(29)을 형성하고, 게이트 절연막(29)상에, 전송 게이트 전극(28)을 형성한다. 전송 게이트 전극(28)은 FD부(25)와, 축적용량부(20)의 사이의 영역에 구성되는 전송 게이트부(26) 상부에, 패터닝에 의해 형성한다. 또한, 도시하고 있지 않지만, 이 공정에서, 다른 MOS 트랜지스터의 게이트 전극 등도 형성된다. 또한, 본 실시 형태예에서의 제조 공정의 순번과는 달리, 게이트 절연막(29)의 형성과 게이트 전극(28) 등의 형성의 후에, 소스·드레인 영역, FD 영역(25), 제 1 및 제 2 암전류 억제부(18, 23)를 형성하는 경우도 있다. 소스·드레인 영역이나 FD부(25), 제 1 및 제 2 암전류 억제부(18, 23)는 얕은 농도 프로파일이 바람직하기 때문에, 게이트 절연막(29)이나 게이트 전극(28)의 형성시의 고온 프로세스 이후에 형성하는 일이 많이 행하여지고 있다. 5E, a gate insulating film 29 is formed on the semiconductor well layer 13, and a transfer gate electrode 28 is formed on the gate insulating film 29. Next, as shown in Fig. The transfer gate electrode 28 is formed by patterning on the FD portion 25 and on the transfer gate portion 26 formed in the region between the storage capacitor portion 20. Although not shown, gate electrodes and the like of other MOS transistors are also formed in this step. Unlike the order of the manufacturing steps in the present embodiment, after the formation of the gate insulating film 29 and the formation of the gate electrode 28, the source / drain regions, the FD region 25, 2 dark current suppressing portions 18 and 23 may be formed. Temperature process at the time of forming the gate insulating film 29 and the gate electrode 28 because the source / drain region, the FD portion 25 and the first and second dark current suppressing portions 18 and 23 are preferably shallow concentration profiles. A lot of work has been done later.

그리고, 도 5F에 도시하는 바와 같이, 소망하는 전극이 형성된 후, 수광부(19)를 제외한 영역에, 층간 절연막(30)을 통하여 차광막(31)을 형성한다. 또한, 축적용량부(20) 상부에 형성되는 차광막(31)의 수광부(19)측 단부는 수광부(19)측으로 비어져 나온 장출부(31a)를 갖도록 형성한다. 이 차광막(31)은 소망하는 배선층을 겸하는 구성으로 하여도 좋다. Then, as shown in Fig. 5F, after the desired electrode is formed, the light-shielding film 31 is formed in the region except for the light-receiving portion 19 through the interlayer insulating film 30. Then, The end portion of the light shielding film 31 formed on the storage capacitor portion 20 on the side of the light receiving portion 19 is formed so as to have a protruding portion 31a that is projected toward the light receiving portion 19 side. The light-shielding film 31 may also serve as a desired wiring layer.

그 후, 상층에는 소망하는 배선층이나, 평탄화막, 컬러 필터, 온 칩 렌즈 등, 종래의 고체 촬상 장치와 같은 층이 형성되고, 또한, 반도체 기판(12)에, 가변인 기판 전압 전원을 접속함에 의해, 본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(1)가 완성된다. 또한, 기판 전압 전원은 기판 전압 발생 회로로서 고체 촬상 장치(1)의 칩 내에 내장할 수도 있다. Thereafter, a layer similar to that of a conventional solid-state imaging device such as a desired wiring layer, a planarization film, a color filter, and an on-chip lens is formed on the upper layer and a variable substrate voltage power source is connected to the semiconductor substrate 12 Thus, the solid-state imaging device 1 of the present embodiment is completed. Further, the substrate voltage power source may be incorporated in the chip of the solid-state image pickup device 1 as the substrate voltage generating circuit.

본 실시 형태예에서는 반도체 웰층(13)을, P-형의 에피택셜 성장층보다 구성하는 예로 하였지만, N-형의 에피택셜 성장층으로 구성하여도 좋다. 그 경우에는 상기 N-형의 에피택셜 성장층 내에, 매트릭스형상으로 배치된 화소 영역을 포함하도록 p형의 불순물을 이온 주입하여 P웰(반도체 웰층(13)에 상당한다)을 형성한다. 또한, 수광부(19)를 구성하는 P-영역(16)의 프로파일을 기능 실현상, 본 실시 형태예와 다르도록 할 필요가 있다. In the present embodiment, the semiconductor well layer 13 is formed of the P - type epitaxial growth layer, but it may be an N - type epitaxial growth layer. In this case, a P-type impurity is ion-implanted into the N - type epitaxial growth layer so as to include a pixel region arranged in a matrix form to form a P-well (corresponding to the semiconductor well layer 13). It is also necessary to make the profile of the P - region 16 constituting the light receiving section 19 different from that of the present embodiment in the functional room phenomenon.

또한, 전자 셔터 조정층(14)은 반도체 웰층(13)을 형성한 후, n형의 불순물을 고에너지로 고농도로 이온 주입함에 의해 형성하여도 좋다. 또한, 본 실시 형태예에서는 전자 셔터 조정층(14)은 반도체 기판(12)측에 매입하여 형성하였지만, 반도체 기판(12)에 접하도록 반도체 웰층(13)에 형성하여도 좋다. The electronic shutter adjusting layer 14 may be formed by forming the semiconductor well layer 13 and then ion-implanting n-type impurities at a high concentration with high energy. Although the electronic shutter adjustment layer 14 is embedded in the semiconductor substrate 12 side in this embodiment, it may be formed in the semiconductor well layer 13 so as to be in contact with the semiconductor substrate 12.

또한, 본 실시 형태예에서는 게이트 절연막(29)을, 반도체 웰층(13) 전면에 형성하는 예로 하였지만, 전송 게이트부(26)상의 게이트 절연막(29)과, 수광부(19)나, 축적용량부(20)상에 형성되는 다른 절연막을 제각기 형성하여도 좋다. The gate insulating film 29 is formed on the entire surface of the semiconductor well layer 13 in this embodiment mode, but the gate insulating film 29 on the transfer gate portion 26, the light receiving portion 19, 20 may be formed separately.

또한, 수광부(19)나, 축적용량부(20)는 도 5E에 도시하는 공정의 후에 형성하여도 좋고, 또한, 제 1 및 제 2의 암전류 억제부(18, 23)를, 도 5E에 도시하는 공정의 후에 형성하여도 좋다. The light receiving portion 19 and the storage capacitor portion 20 may be formed after the step shown in Fig. 5E and the first and second dark current suppressing portions 18 and 23 may be formed as shown in Fig. 5E May be formed after the step of

또한, 본 실시 형태예에서는 도시하지 않지만, 상술한 공정에 더하여, 앰프 트랜지스터, 선택 트랜지스터, 리셋 트랜지스터와 그 배선, 및 화소 에어리어 밖의 구동 회로부, 제어 회로부, 판독 회로부 등을 형성하는 공정을 포함한다.
In addition to the above-described steps, this embodiment includes a step of forming an amplifier transistor, a selection transistor, a reset transistor and its wiring, and a driving circuit portion, a control circuit portion, a reading circuit portion, and the like outside the pixel area.

[1. 4 고체 촬상 장치의 구동 방법][One. 4 Solid-state imaging device driving method]

다음에, 본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(1)의 구동 방법에 관해 설명한다. 우선, 본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(1)에서의 실제의 구동에 앞서서, 수광부(19) 및 축적용량부(20)에서의 신호 전하의 생성, 축적의 원리를, 도 3에 도시한 전위도를 이용하여 설명한다. Next, a method of driving the solid-state imaging device 1 of the present embodiment will be described. First, the principle of generation and accumulation of signal charges in the light-receiving unit 19 and the storage capacitor unit 20 is described with reference to the electric potential diagrams shown in Fig. 3 before the actual driving in the solid-state imaging device 1 of the present embodiment .

도 3에 도시하는 바와 같이, 기판 전압(Vsub)이 Low로 설정되어 있는 경우에는 A-A'선상에 따른 전위(Val)는 N-영역(17)에서의 전위가 P-영역(16)이나 반도체 웰층(13)보다도 깊게 되어 있다. 또한, 기판 전압(Vsub)이 Low인 경우, 도시하지 않지만, B-B'선상에 따른 전위도, A-A'선상에 따른 전위(Val)와 마찬가지가 된다. 또한, C-C'선상에 따른 전위(Vc)는 제 2의 암전류 억제부(23)와 축적용량부(20)를 구성하는 N영역(22)과 P+영역(21)의 접합면의 효과로, 수광부(19)보다도 깊은 전위의 우물이 형성되어 있다. As shown in FIG. 3, when the substrate voltage Vsub is set to Low, the potential at the line A-A 'is set to the potential at the N - region 17 at the P - region 16 Is deeper than the semiconductor well layer (13). When the substrate voltage Vsub is Low, the potential on the line B-B 'is the same as the potential Va on the line A-A', although not shown. The potential Vc along the line C-C 'corresponds to the effect of the junction surface between the N-type region 22 and the P + -type region 21 constituting the second dark current reducing portion 23 and the storage capacitor portion 20 A well having a potential deeper than that of the light receiving portion 19 is formed.

이 때문에, 기판 전압(Vsub)이 Low로 설정되어 있을 때 수광부(19)에서 생성된 신호 전하는 수광부(19)에 축적되는 일 없이, 방류적으로 축적용량부(20)로 전송되고, 축적용량부(20)에서 축적 보존된다. Therefore, the signal charge generated in the light-receiving portion 19 when the substrate voltage Vsub is set Low is transferred to the storage capacitor portion 20 without being accumulated in the light-receiving portion 19, (20).

다음에, 기판 전압(Vsub)이 High로 설정되어 있는 경우에는 A-A'선상에 따른 전위(Vah)는 n형의 고농도 불순물 영역에 의해 전자 셔터 조정층(14)이 형성되어 있기 때문에, 전위는 전체적으로 깊은 쪽으로 끌려간다. 또한, B-B'선상에서는 전자 셔터 조정층(14)이 형성되어 있지 않기 때문에, 반도체 기판(12)측에서 약간 전위가 깊어질 뿐으로, 수광부 부근에서의 전위(Vbh)는 기판 전압(Vsub)이 Low인 때와 변하지 않는다. Next, when the substrate voltage Vsub is set to High, since the electric shutter adjusting layer 14 is formed by the n-type high concentration impurity region at the potential Vah along the line A-A ' Is drawn toward the bottom as a whole. Since the electronic shutter adjusting layer 14 is not formed on the line B-B ', the potential Vbh in the vicinity of the light receiving portion is only slightly higher than the substrate voltage Vsub at the side of the semiconductor substrate 12, Is low and does not change.

이 때문에, 기판 전압(Vsub)이 High로 설정되어 있을 때, 수광부(19)에서 생성된 신호 전하는 A-A'선상에 따른 전위(Vah)가, B-B'선상에 따른 전위(Vbh)보다도 깊게 형성되기 때문에, 축적용량부(20)에 전송되지 않는다. 또한, A-A'선상에 따른 전위(Vah)는 전자 셔터 조정층(14)의 효과로, P-형의 반도체 웰층(13)의 배리어가 압하되고, 반도체 기판(12)측을 향하여 깊게 되어 있다. 이 때문에, 수광부(19)에서 생성된 신호 전하는 반도체 기판(12)측으로 소출된다. 즉, 기판 전압(Vsub)이 High로 설정되어 있는 경우에는 수광부(19)에서 광전변환된 신호 전하는 축적용량부(20)에 흘러 들어가지 않고, 반도체 기판(12)측으로 소출된다. Therefore, when the substrate voltage Vsub is set to High, the potential Vah along the line A-A 'of the signal charge generated in the light-receiving portion 19 is higher than the potential Vbh along the line B-B' It is not transferred to the storage capacitor portion 20 because it is formed deeply. The electric potential Vah along the line A-A 'is lowered by the effect of the electronic shutter adjustment layer 14 and the barrier of the P - -type semiconductor well layer 13 is deeper toward the semiconductor substrate 12 side have. Therefore, the signal charge generated in the light receiving portion 19 is emitted toward the semiconductor substrate 12. [ That is, when the substrate voltage Vsub is set to High, signal charges photoelectrically converted by the light receiving section 19 are discharged to the semiconductor substrate 12 side without flowing into the storage capacitor section 20. [

또한, 이 때, B-B'선상에 따른 전위(Vbh)중, 수광부(19) 부근에서의 전위가 오프셋 영역(24)의 효과에 의해, 기판 전압(Vsub)이 Low인 때와 가까운 값에 유지된다. 이로써, 축적용량부(20)에 축적 보존된 신호 전하가, 수광부(19)측에 역류하는 일이 없다. 또한, 이로써, 축적용량부(20)에 축적된 신호 전하는 기판 전압(Vsub)이 High가 되어도, 수광부(19)에서의 전위(Vc)가 얕은 위치 부근까지의 신호 전하량을 보존할 수 있다. At this time, among the potentials Vbh along the line B-B ', the potential at the vicinity of the light-receiving portion 19 is set to a value close to the time when the substrate voltage Vsub is Low due to the effect of the offset region 24 maintain. Thereby, the signal charge accumulated and stored in the storage capacitor portion 20 does not flow back to the light receiving portion 19 side. This makes it possible to save the amount of signal charge to the vicinity of the shallow position of the potential Vc in the light receiving section 19 even when the substrate voltage Vsub of the signal charge accumulated in the storage capacitor section 20 becomes High.

이상의 신호 전하의 생성, 축적의 원리에 의거하여, 본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(1)의 구동 방법을, 도 6A 내지 도 6C를 이용하여 설명한다. 도 6A 내지 도 6C는 고체 촬상 장치(1)에서, 1화소분의 리셋 트랜지스터(Tr2), 전송 트랜지스터(Tr1), 수광부(19), 축적용량부(20)에서의 전위의 우물을 개략적으로 도시하고, 신호 전하(32)의 전송의 양상을 개략적으로 도시한 것이다. 도 6A 내지 도 6C에서, 도 2에 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙이고 중복 설명을 생략한다. The driving method of the solid-state imaging device 1 of the present embodiment will be described with reference to Figs. 6A to 6C on the basis of the above-described generation and accumulation of signal charges. 6A to 6C schematically show the wells of the potentials in the reset transistor Tr2, the transfer transistor Tr1, the light receiving portion 19 and the storage capacitor portion 20 for one pixel in the solid- And schematically shows an aspect of the transfer of the signal charge 32. As shown in FIG. 6A to 6C, the parts corresponding to those in Fig. 2 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

우선, 기판 전압 전원에 의해, 기판 전압(Vsub)을 Low로 한다. 이로써, 신호 전하의 생성 및 축적이 전화소 동시에 시작된다. 이하, 이 동작이 행하여지는 기간을 「수광 기간」이라고 한다. 수광 기간시에는 전술한 바와 같이, 기판 전압(Vsub)이 Low인 경우, 도 6A에 도시하는 바와 같이, 수광부(19)에 입사한 광(L)의 광전변환에 의해 생성된 신호 전하가 방류적으로 축적용량부(20)에 축적 보존된다. 이로써, 고체 촬상 장치(1)의 전화소에서, 동시각의 광의 광전변환에 의한 신호 전하가, 축적용량부(20)에 축적 보존된다. First, the substrate voltage Vsub is set to Low by the substrate voltage power source. As a result, the generation and accumulation of the signal charge start simultaneously with the telephone call. Hereinafter, the period during which this operation is performed is referred to as &quot; light receiving period &quot;. 6A, when the substrate voltage Vsub is Low, the signal charge generated by the photoelectric conversion of the light L incident on the light-receiving portion 19 is discharged from the light- And is accumulated and stored in the storage capacitor portion 20. Thereby, in the telephone of the solid-state imaging device 1, the signal charge due to the photoelectric conversion of light at the same time is accumulated and stored in the storage capacitor portion 20. [

이 수광 기간중, 강하고 과잉한 광량의 광(L)이 수광부(19)에 입사한 경우에는 축적용량부로부터 넘치는 신호 전하가 나온다. 이 경우는 전송 게이트부의 채널 영역을 통과하여, FD부(25)나, 또한, 리셋 트랜지스터(Tr2)의 드레인에 접속되는 전원 전압(36)에 흡수되고, 리셋된다. 또한, 과잉한 광량에 의해 생성된 신호 전하의 일부는 반도체 기판(12)측으로 넘치는 경우도 있다. In the light receiving period, when light having a strong and excessive amount of light enters the light receiving section 19, signal charges overflowing from the accumulation capacitance section are generated. This case is absorbed by the FD portion 25 and the power supply voltage 36 connected to the drain of the reset transistor Tr2 and is reset by passing through the channel region of the transfer gate portion. In addition, a part of the signal charge generated by an excess amount of light may overflow to the semiconductor substrate 12 side.

다음에, 기판 전압 전원에 의해, 기판 전압(Vsub)을 High로 한다. 이로써, 고체 촬상 장치(1)의 전화소에서, 기판의 전위의 프로파일이, 도 3에서 도시한 바와 같이 변화하고, 수광부(19)에 입사하여 광전변환된 신호 전하(32)는 도 6B에 도시하는 바와 같이 반도체 기판(12)측으로 소출되어 축적용량부(20)에는 전송되지 않는다. 즉, 기판 전압(Vsub)을 High로 함에 의해, 전화소 동시각에서 수광 기간이 종료된다. 그리고, 수광 기간 종료 후, 축적용량부(20)에 축적된 신호 전하를 FD부에 판독하는 「판독 기간(비수광 기간)」이 시작된다. Next, the substrate voltage (Vsub) is set to High by the substrate voltage power source. Thus, the profile of the potential of the substrate changes in the telephone of the solid-state image pickup device 1 as shown in Fig. 3, and the signal charge 32 that has been photo- And is not transferred to the storage capacitor unit 20 as it is discharged to the semiconductor substrate 12 side. That is, by setting the substrate voltage (Vsub) to High, the light receiving period ends at the time of the telephone firing. Then, after the light receiving period ends, a &quot; reading period (non-light receiving period) &quot; for reading the signal charges accumulated in the accumulating capacitance unit 20 to the FD unit is started.

그 후, 도 6C에 도시하는 바와 같이, 화소마다 전송 게이트 전극(28)을 온 함에 의해, 축적용량부(20)에 축적 보존되어 있던 신호 전하(32)를 라인 순차적으로, FD부(25)에 판독 전송한다. 이 FD부(25)에의 신호 전하의 판독시에서도, 기판 전압(Vsub)은 High로 설정되어 있기 때문에, 수광부(19)에 계속해서 입사하는 광(L)의 광전변환에 의해 생성된 신호 전하(32)는 반도체 기판(12)측으로 소출된다. 6C, the signal charges 32 stored in the storage capacitor portion 20 are sequentially line-sequentially transferred to the FD portion 25 by turning on the transfer gate electrode 28 for each pixel, As shown in FIG. The substrate voltage Vsub is set to High even at the time of reading the signal charge to the FD unit 25 and therefore the signal charge generated by the photoelectric conversion of the light L which continues to enter the light receiving unit 19 32 are discharged toward the semiconductor substrate 12 side.

FD부(25)에 판독된 신호 전하(32)는 그 후, 도 2에 도시한 앰프 트랜지스터(Tr3)에 의해 증폭되고, 선택 트랜지스터(Tr4)에 의해 선택적으로 열 신호선(37)에 출력된다. 열 신호선(37)에 출력된 화소 신호는 도 1에 도시한 칼럼 신호 처리 회로(5)를 통하여 수평 신호선(10)에 입력되고, 또한 출력 회로(7)를 통하여 출력된다. FD부에 전송되어 온 신호 전하(32)는 그 후, 리셋 트랜지스터(Tr2)에 리셋 펄스(φRST)가 인가됨에 의해, 전원 전압으로 리셋된다. The signal charge 32 read to the FD unit 25 is thereafter amplified by the amplifier transistor Tr3 shown in Fig. 2 and is selectively outputted to the column signal line 37 by the selection transistor Tr4. The pixel signal output to the column signal line 37 is input to the horizontal signal line 10 through the column signal processing circuit 5 shown in Fig. 1, and is output through the output circuit 7 as well. The signal charge 32 transferred to the FD portion is then reset to the power supply voltage by applying the reset pulse? RST to the reset transistor Tr2.

이와 같이, 본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(1)에서는 기판 전압(Vsub)을 Low로 함에 의해, 전화소 동시각에 수광 기간이 시작되고, 수광부(19)에서 광전변환된 신호 전하(32)는 방류적으로 축적용량부(20)에 전송된다. 그리고, 기판 전압(Vsub)을 High로 하는 동시에, 수광 기간이 종료되고, 판독 기간(비수광 기간)이 시작된다. 이 판독 기간에서는 수광부(19)에서 광전변환된 신호 전하(32)는 반도체 기판(12)측으로 소출된다. As described above, in the solid-state image pickup device 1 of the present embodiment, the light receiving period starts at the time of telephone firing by setting the substrate voltage Vsub to Low, and the signal charge 32 photoelectrically converted by the light receiving unit 19 And is transferred to the storage capacitor unit 20 in an air discharge mode. Then, the substrate voltage Vsub is made High, the light receiving period is ended, and the reading period (non-light receiving period) starts. In this readout period, the signal charge 32 photoelectrically converted by the light receiving section 19 is outputted to the semiconductor substrate 12 side.

본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(1)에서는 FD부(25)에서의 신호 전하(32)의 축적을 한 구성이 아니기 때문에, FD부(25)에서의 CDS 동작이 가능해진다. 즉, FD부(25)의 리셋에 계속해서, 비(非)신호(베이스 노이즈)의 샘플링을 행하고, 계속해서 전송 게이트 전극(28)을 온/오프 하여, 신호 전하(32)의 FD부(25)에의 전송을 행한 후, 신호 레벨의 판독을 행함으로서, CDS가 가능해진다. In the solid-state imaging device 1 of the present embodiment, since the signal charge 32 in the FD unit 25 is not accumulated, the FD unit 25 can perform the CDS operation. That is, sampling of the non-signal (base noise) is performed following the reset of the FD unit 25, and then the transfer gate electrode 28 is turned on / 25, and then CDS is enabled by reading the signal level.

또한, 본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(1)에서는 기판 전압(Vsub)을 바꿈으로써, 신호 전하(32)의 축적용량부(20)에의 전송과, 반도체 기판(12)측으로의 소출을 제어할 수 있다. 즉, 전자 셔터 조정층(14), 및 오프셋 영역(24)의 효과에 의해, 기판 전압(Vsub)을 변화시킬 뿐으로, 전자 셔터의 기능을 얻을 수 있다. 이로써, 글로벌 셔터 기능을 갖는 고체 촬상 장치(1)가 구성된다. In the solid-state imaging device 1 of the present embodiment, by changing the substrate voltage Vsub, it is possible to control the transfer of the signal charge 32 to the storage capacitor portion 20 and the extraction of the signal charge 32 to the semiconductor substrate 12 side have. That is, the function of the electronic shutter can be obtained only by changing the substrate voltage Vsub by the effects of the electronic shutter adjustment layer 14 and the offset region 24. Thereby, the solid-state imaging device 1 having the global shutter function is constituted.

종래의 고체 촬상 장치에서는 수광부에서, 신호 전하의 생성과 축적이 행하여지고 있다. 본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(1)에 의하면, 수광부(19)에서 신호 전하(32)의 축적을 행하지 않기 때문에, 수광부(19)의 정전 포텐셜을, 종래와 같은 신호 전하의 생성, 축적의 양쪽을 행하는 수광부의 정전 포텐셜에 비교하여, 수볼트 얕게 형성할 수 있다. 이로써, 수광부(19)의 전계를 저감할 수 있다. 이로써, 전계 기인의 암전류 늘어남을 저감할 수 있다. In the conventional solid-state imaging device, the signal charge is generated and stored in the light-receiving unit. Since the signal charge 32 is not accumulated in the light-receiving section 19, the solid-state image pickup device 1 of the present embodiment can reduce the electrostatic potential of the light-receiving section 19 to both of the generation and accumulation of signal charges Can be formed to be several volts smaller than the electrostatic potential of the light-receiving portion for performing the above-described operation. Thus, the electric field of the light receiving section 19 can be reduced. As a result, it is possible to reduce the increase of the dark current in the electric field.

또한, 종래의 글로벌 셔터 기능을 갖는 고체 촬상 장치에서는 수광부로부터의 신호 전하의 판독을 전송 게이트 전극에 행하기 때문에, 판독의 타이밍에서 수광부에서의 판독 게이트부가 홀 피닝으로부터 원리적으로 벗어난다는 문제가 있다. 또한, 전송 게이트 전극과, 축적용량부상에 형성된 전극이 일체인 전극 구조에서는 축적용량부도, 판독의 타이밍에 원리적으로 홀 피닝으로부터 벗어난다. Further, in the conventional solid-state imaging device having a global shutter function, since the signal charge from the light-receiving portion is read to the transfer gate electrode, there is a problem that the reading gate in the light-receiving portion deviates from the hole pinning in principle at the reading timing . Further, in the electrode structure in which the transfer gate electrode and the electrode formed on the storage capacitor portion are integrated, the storage capacitor portion also deviates from the hole pinning in principle at the read timing.

본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(1)에서는 수광부(19) 및 축적용량부(20)에는 HAD 구조에 의한 암전류 억제부(18, 23)가 형성되어 있고, 표면이 항상 정공으로 채워져 있다. 이 때문에, 기판을 구성하는 실리콘이나, 게이트 절연막(29)을 구성하는 산화막 계면으로부터 발생한 암전류를 종래형의 글로벌 셔터 기능이 있는 고체 촬상 장치에 비하여, 억제할 수 있다. In the solid-state imaging device 1 of the present embodiment, dark current suppressing portions 18 and 23 formed by the HAD structure are formed in the light receiving portion 19 and the storage capacitor portion 20, and the surface is always filled with holes. Therefore, the dark current generated from the silicon constituting the substrate or the oxide film interface constituting the gate insulating film 29 can be suppressed as compared with the conventional solid-state imaging device having the global shutter function.

또한, FD부(25)는 고농도의 N+영역과, 배선의 콘택트부를 갖음으로써, 일반적으로 리크 전류(암전류)가 높은 영역이다. 그러나, 본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(1)에서는 FD부(25)에서 축적을 행하지 않기 때문에, 리크 전류를 저감하고, S/N비의 향상이 도모된다. 또한, 수광부(19)로부터 축적용량부(20)에의 신호 전하의 전송은 방류적으로 행하여지고, 수광부(19)로부터 축적용량부(20) 사이에, 전송 게이트부를 갖지 않는다. 이로써, 수광부(19)로부터 축적용량부(20)의 신호 전하 전송시에 생기는 표면 공핍화가 없고, 암전류의 저감이 가능하다. 또한, 종래의, 수광부로부터 축적용량부에 신호 전하를 전송하기 위한 전송 게이트부를 갖는 구조의 글로벌 셔터 기능을 갖는 고체 촬상 장치에 비하여, 본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(1)에서는 수광부(19)나 축적용량부(20)의 면적을 확대할 수 있다. 또한, 면적을 확대한 축적용량부(20)는 축적용량부의 전위를 비교적 얕게 구성할 수 있고, 축적용량부의 전계에 기인하는 암전류 발생을 억제하고, 또한 FD에의 판독 전압을 낮게 구성할 수 있다는 메리트도 있다. In addition, the FD portion 25 is a region having a high leakage current (dark current) by having a high concentration N + region and a contact portion of the wiring. However, in the solid-state image pickup device 1 of the present embodiment, since the accumulation is not performed in the FD unit 25, the leak current is reduced and the S / N ratio is improved. The transfer of the signal charge from the light-receiving portion 19 to the storage capacitor portion 20 is carried out in the discharge mode and does not have the transfer gate portion between the light-receiving portion 19 and the storage capacitor portion 20. Thereby, there is no surface depletion occurring when signal charge is transferred from the light-receiving portion 19 to the storage capacitor portion 20, and the dark current can be reduced. In contrast to the conventional solid-state imaging device having a global shutter function having a transfer gate portion for transferring signal charge from the light-receiving portion to the storage capacitor portion, the solid-state image pickup device 1 of the present embodiment has the light- The area of the storage capacitor portion 20 can be enlarged. The storage capacitor portion 20 having an enlarged area can be constructed so that the potential of the storage capacitor portion can be made comparatively shallow, the occurrence of dark current caused by the electric field of the storage capacitor portion can be suppressed, There is also.

또한, 종래의 고체 촬상 장치와 같이, 수광부에서 광전변환하고, 또한 수광중의 신호 전하를 수광부에서 축적하는 방식에서는 수광부의 취급 전하량에 응하여 Q=CV의 식d로주어지는 수광부의 정전 포텐셜(신호 전하가 빈 때)이 필요하다. 또한, 축적용량부에 신호 전하의 전송을 행하기 위해서는 축적용량부의 채널 전위(신호 전하가 빈 때)를 수광부의 그것보다도 충분 낮게(깊게) 설정하던지, 또는 전송 게이트부 내에, 트랜스퍼와 스토리지의 스텝 포텐셜을 구성할 필요가 있다. 전자의 경우에는 전송 펄스(φTRG)나, FD부의 동작점 진폭이 커져 버린다. 또한, 후자의 경우에는 전송 게이트 내의 스토리지 용량을 수광부와 동등하게 되는 구조로 할 필요가 있고, 화소부 전체의 취급 전하량을 감소시켜 버린다. Further, in the conventional method of photoelectric conversion in the light receiving section and the accumulation of the signal charge in the light receiving section in the light receiving section in the conventional solid-state image pickup device, the electrostatic potential of the light receiving section given by the formula d of Q = CV Is empty) is needed. In order to transfer the signal charge to the storage capacitor portion, the channel potential (when the signal charge is empty) of the storage capacitor portion is set sufficiently lower than that of the light receiving portion, or the transfer gate portion It is necessary to construct a potential. In the former case, the transmission pulse? TRG and the operating point amplitude of the FD portion become large. In the latter case, it is necessary to make the storage capacitance in the transfer gate equal to that of the light receiving portion, and the amount of charge to be handled in the entire pixel portion is reduced.

이에 대해, 본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(1)는 수광부(19)에서의 기판의 전위가 얕게 형성되고, 수광부(19)로부터 축적용량부(20)에의 방류 전송을 행한다. 이 때문에, 축적용량부(20)는 방류 전송이 가능한 깊이의 기판 전위를 갖는 구성으로 이루어지고, 또한, 축적용량부(20)를 구성하는 N영역(22)의 하부를 비교적 억셉터(정공) 농도가 높은 층으로 함으로써, 단위 면적당의 정전 용량을 높게 하고 있다. 이와 같은 구성이 가능한 이유는 수광부(19)와 축적용량부(20)를 나눔으로써, 축적용량부(20)에서 공핍층을 늘릴 필요가 없어지기 때문이다. 통상, 고체 촬상 장치에서는 수광부는 입사광에 의해 광전변환한 전하를 넓게 받아들일 필요 때문에, 수광부의 공핍층을 늘리는 것을 행하고 있다. 가시광용의 수광부에서는 실리콘의 가시광에 대한 흡수 특성 때문에 통상 3미크론 정도의 공핍층으로 되어 있다. 본 실시 형태예의 고체 촬상 장치에서는 축적용량부(20)를 신호 전하의 축적으로 특화할 수 있기 때문에, 공핍층을 늘릴 필요가 없다. 그래서, 단위 면적당의 정전 용량을 높게할 수 있기 때문에, 축적용량부(20)의 정전 포텐셜(신호 전하가 빈 때)을 얕게 형성할 수 있다. 이 때문에, 축적용량부(20)에서, 신호 전하가 쌓이는 가장 얕은 위치를, 기판 표면에서, 얕은 위치로 설정할 수 있기 때문에, 축적용량부(20)로부터 FD부(25)에 신호 전하를 판독할 때의 전송 펄스(φTRG)의 전송 진폭의 저전압화가 가능하게 된다. On the other hand, in the solid-state imaging device 1 of the present embodiment, the potential of the substrate in the light-receiving portion 19 is shallow, and the light-receiving portion 19 performs discharge transfer to the storage capacitor portion 20. Therefore, the storage capacitor portion 20 has a substrate potential having a depth capable of discharging and transferring the lower portion of the N region 22 constituting the storage capacitor portion 20 relatively to the acceptor (hole) By forming the layer with a high concentration, the electrostatic capacity per unit area is increased. This is because it is not necessary to increase the depletion layer in the storage capacitor portion 20 by dividing the light receiving portion 19 and the storage capacitor portion 20. Usually, in the solid-state imaging device, since the light-receiving unit needs to widely accept the photoelectric conversion by the incident light, the depletion layer of the light-receiving unit is increased. In the light receiving portion for visible light, a depletion layer of about 3 microns is usually used because of the absorption characteristic of silicon with respect to visible light. In the solid-state imaging device of this embodiment, since the storage capacitor portion 20 can be specialized for accumulation of signal charges, there is no need to increase the depletion layer. Therefore, since the electrostatic capacitance per unit area can be increased, the electrostatic potential (when the signal charge is empty) of the storage capacitor portion 20 can be made shallow. Therefore, the signal charge can be read from the storage capacitor portion 20 to the FD portion 25 because the shallowest position in the storage capacitor portion 20 where signal charges are accumulated can be set at a shallow position on the surface of the substrate The transmission amplitude of the transfer pulse? TRG can be lowered.

또한, 본 실시 형태예에 의하면, 축적용량부(20)는 차광막(31)에 의해 차광되어 있고, 수광 기간중, 및 수광 전후의 기간에서도, 입사광이 축적용량부(20)에 투과하고, 광전변환하는 것을 막고 있다. 본 실시 형태예에서는 FD부(25)나, 전송 게이트부(26)상에도 차광막(31)을 마련하고, FD부(25)나 전송 게이트부(26)도 차광하는 예로 하고 있지만 이 차광막(31)을 구성하지 않는 예로 하여도 좋다. 종래의, FD부에서 신호 전하의 축적을 행하는 글로벌 셔터 기능을 갖는 고체 촬상 장치에서는 FD부상에 차광막이 필요하였다. 그렇지만, 본 실시 형태예에서는 FD부(25)에서의 신호 전하의 축적은 행하지 않기 때문에, FD부(25), 및 전송 게이트부(26)에서의 차광막(31)은 반드시는 필요하지 않다. 단 하기한 바와 마찬가지로, 스미어 방지의 점에서, 전송 게이트부는 차광되어 있는 것이 바람직하다. According to this embodiment, the storage capacitor portion 20 is shielded by the light shielding film 31. In the light receiving period and before and after the light receiving period, the incident light passes through the storage capacitor portion 20, Conversion. Although the shielding film 31 is provided on the FD unit 25 and the transfer gate unit 26 and the FD unit 25 and the transfer gate unit 26 are also shielded in this embodiment, ) May not be constituted. Conventionally, in a solid-state imaging device having a global shutter function for accumulating signal charges in the FD portion, a light-shielding film is required on the FD portion. However, in this embodiment, since the accumulation of the signal charges in the FD section 25 is not performed, the shielding film 31 in the FD section 25 and the transfer gate section 26 is not necessarily required. In the same manner as described above, it is preferable that the transfer gate portion be shielded from shading.

또한, 본 실시 형태예에 의하면, 차광막(31)이, 축적용량부(20)로부터 수광부(19)측에 장출부(31a)를 갖도록 형성되어 있다. 이 때문에, 기판 전압(Vsub)이 High가 되어, 수광 기간이 종료된 후도, 입사광중, 축적용량부(20) 부근에 입사한 광이, 축적용량부(20)에 일종의 스미어로서 들어가는 것을 억제한다. 따라서, 입사광이 축적용량부(20)에 스미어로서 들어가는 것을 억제하기 위해, 전송 게이트부(26)상에 차광막(31)을 형성하고 차광성을 확보하는 것은 스미어 방지의 관점에서 바람직하다. According to the present embodiment, the light-shielding film 31 is formed to have the protruding portion 31a on the light-receiving portion 19 side from the storage capacitor portion 20. [ The substrate voltage Vsub becomes high to suppress the light incident on the storage capacitor portion 20 in the incident light to enter the storage capacitor portion 20 as a kind of smear even after the light receiving period is completed do. Therefore, it is preferable from the viewpoint of smear prevention that the light shielding film 31 is formed on the transfer gate portion 26 and the light shielding property is secured in order to suppress the incident light from entering the storage capacitor portion 20 as a smear.

이와 같이, 본 실시 형태예에 의하면, 화면 내 동시각의 광전변환이 가능한 글로벌 셔터의 기능을 갖는 CMOS형의 고체 촬상 장치에 있어서, 암전류가 억제되고, 또한, S/N비의 향상이 도모된다.
As described above, according to the present embodiment, the dark current is suppressed and the S / N ratio is improved in the CMOS type solid-state imaging device having the function of the global shutter capable of photoelectric conversion at the intra-screen synchronous time .

<2. 제 2의 실시 형태><2. Second Embodiment>

도 7에, 본 발명의 제 2의 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 개략 단면 구성을 도시한다. 본 실시 형태예의 고체 촬상 장치에서의 전체 구성은 도 1과 마찬가지이기 때문에 생략한다. 또한, 도 7에서, 도 2에 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙이고 중복 설명을 생략한다. 7 shows a schematic sectional configuration of a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention. The entire configuration of the solid-state imaging device of the present embodiment is the same as that of Fig. 1 and thus is omitted. In Fig. 7, parts corresponding to those in Fig. 2 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(51)는 제 1의 실시 형태와, 제 2의 암전류 억제부의 구성을 일부 변경한 예이다. The solid-state imaging device 51 of the present embodiment is an example in which the configuration of the first embodiment and the configuration of the second dark current suppression portion are partially changed.

본 실시 형태예에서는 축적용량부(20)에서의 제 2의 암전류 억제부(43)가, 암전류 억제 전극(41)과 직류 전압 전원(42)으로 구성되어 있다. 암전류 억제 전극(41)은 반도체 웰층(13)의 축적용량부(20) 상부에, 게이트 절연막(29)을 통하여 형성되어 있다. 직류 전압 전원(42)은 암전류 억제 전극(41)에 접속되어 있고, 항상, 암전류 억제 전극(41)에 부전압을 인가하고 있다. In the present embodiment, the second dark current suppressing section 43 in the storage capacitor section 20 is constituted by the dark current suppressing electrode 41 and the DC voltage power source 42. The dark current suppressing electrode 41 is formed on the storage capacitor portion 20 of the semiconductor well layer 13 through the gate insulating film 29. The DC voltage source 42 is connected to the dark current suppressing electrode 41 and always applies a negative voltage to the dark current suppressing electrode 41.

이 고체 촬상 장치(51)에서도, 도 7의 A-A', B-B', C-C'선상에 따른 기판의 전위는 제 1의 실시 형태로 설명한 도 3과 같은 프로파일을 갖는 것이다. In this solid-state imaging device 51, the potential of the substrate along the line A-A ', B-B', and C-C 'in FIG. 7 has the profile shown in FIG. 3 described in the first embodiment.

또한, 고체 촬상 장치(51)에서의 제 2의 암전류 억제부(43)는 제 1의 실시 형태에서 나타낸 제조 방법에서, 도 5E에 도시하는 공정에서 제 2의 암전류 억제부(23)를 형성하지 않고, 도 5F에 도시하는 공정에서, 암전류 억제 전극(41)을 형성함에 의해 형성할 수 있다. 그 밖의 제조 공정은 제 1의 실시 형태와 마찬가지이다. In the manufacturing method shown in the first embodiment, the second dark current suppressing portion 43 in the solid-state imaging device 51 is formed so that the second dark current suppressing portion 23 is not formed in the step shown in FIG. 5E , And the dark current suppressing electrode 41 is formed in the step shown in Fig. 5F. Other manufacturing steps are similar to those of the first embodiment.

본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(51)에서는 암전류 억제 전극(41)이 항상 부전압의 바이어스 전압이 인가됨으로써, 축적용량부(20)를 구성하는 N영역(22)의 표면이 반전하고, 정공으로 채워진다. 이로써, 축적용량부(20)의 계면에서 발생하는 암전류가, 항상, 정공에 흡수되기 때문에, 축적용량부(20)에서의 암전류를 억제할 수 있다. 본 실시 형태예에서는 암전류 억제 전극(41)에 부전압의 바이어스 전압을 인가하는 구성으로 하였지만, 암전류 억제 전극(42)과, 차광막(31)을 전기적으로 접속하고, 암전류 억제 전극(41)과, 차광막(31)에 부전압을 인가하는 구성으로 하여도 좋다. In the solid-state imaging device 51 of the present embodiment, the dark current is always applied to the dark current suppressing electrode 41 so that the surface of the N region 22 constituting the storage capacitor portion 20 is inverted, It is filled. As a result, the dark current generated at the interface of the storage capacitor portion 20 is always absorbed into the holes, so that the dark current in the storage capacitor portion 20 can be suppressed. The dark current suppressing electrode 41 and the dark current suppressing electrode 41 are electrically connected to each other so that the dark current suppressing electrode 42 and the light shielding film 31 are electrically connected to each other. A negative voltage may be applied to the light-shielding film 31. [

본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(51)에서도, 제 1의 실시 형태와 같은 구동 방법에 의해, 구동된다. 이 때문에, 암전류의 억제나, S/N비의 향상이 도모되는 등, 제 1의 실시 형태와 같은 효과를 얻을 수 있다.
The solid-state imaging device 51 of this embodiment is also driven by the same driving method as that of the first embodiment. Therefore, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, such as suppressing the dark current and improving the S / N ratio.

<3. 제 3의 실시 형태><3. Third Embodiment>

도 8에, 본 발명의 제 3의 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치(52)의 개략 평면 구성을 도시한다. 또한, 본 실시 형태예의 고체 촬상 장치의 전체 구성은 도 1과 마찬가지이고, 또한, 화소의 단면 구성은 도 2 또는 도 7과 마찬가지이다. 본 실시 형태예에서는 화소의 레이아웃의 한 예를 나타내는 것이고, 도 8에서, 도 2, 도 7에 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙이고 중복 설명을 생략한다. 8 shows a schematic planar configuration of a solid-state imaging device 52 according to a third embodiment of the present invention. The entire configuration of the solid-state imaging device of this embodiment is the same as that of Fig. 1, and the sectional configuration of the pixel is the same as that of Fig. 2 or Fig. In this embodiment, an example of the layout of pixels is shown. In Fig. 8, the same reference numerals are given to the parts corresponding to Fig. 2 and Fig. 7, and the redundant description is omitted.

도 8에서는 인접하는 4개의 화소(2)를 도시하고 있고, 각각의 화소(2)는 제 1의 실시 형태, 또는 제 2의 실시 형태의 고체 촬상 장치의 구성을 갖는 것이다. 8, adjacent four pixels 2 are shown, and each pixel 2 has the configuration of the solid-state imaging device of the first embodiment or the second embodiment.

본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(52)는 수직 방향 및 수평 방향으로 인접하는 4개의 화소(2)로, 하나의 FD부(25)를 공유하는 예이다. 즉, 하나의 FD부(25)에 대해, 4개의 축적용량부(20)가 인접하여 형성되어 있고, 각각의 축적용량부(20)에 접속되어 수광부(19)가 형성되어 있다. 각각의 축적용량부(20)와, FD부(25) 사이에는 전송 게이트 전극(28)이 형성되어 있다. The solid-state imaging device 52 of the present embodiment is an example in which one FD section 25 is shared by four pixels 2 adjacent in the vertical direction and the horizontal direction. That is, four storage capacitor portions 20 are formed adjacently to one FD portion 25, and the light receiving portions 19 are formed so as to be connected to the respective storage capacitor portions 20. A transfer gate electrode 28 is formed between each of the storage capacitor portions 20 and the FD portion 25.

FD부(25)를 공유하는 4개의 화소(2)에서는 기판 전압(Vsub)을 Low로 함으로써, 수광 기간이 시작되고, 수광부(19)에서 동시각에 광전변환된 신호 전하가, 각각의 축적용량부(20)에 방류적으로 전송된다. 그리고, 기판 전압(Vsub)을 High로 함과 함께, 수광 기간이 종료되고, 수광부(19)로부터의 신호 전하는 축적용량부(20)에는 전송되지 않게 되고, 제 1 및 제 2의 실시 형태와 같이, 반도체 기판(12)측으로 소출된다. 기판 전압(Vsub)을 High로 설정하고 있는 동안에, 각각의 축적용량부(20)에 축적된 신호 전하는 각각의 전송 게이트 전극(28)에의 전송 펄스(φTRG)의 인가에 의해 차례로 FD부(25)에 판독되고, 제 1의 실시 형태와 마찬가지로 하여 출력된다. 이 경우, 도시하지 않지만, FD부(25)에 접속된 앰프 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 선택 트랜지스터(필요에 응하여)도, 4화소에서 공유된다. In the four pixels 2 sharing the FD unit 25, the light receiving period is started by setting the substrate voltage Vsub to Low, and the signal charges photoelectrically converted at the same time in the light receiving unit 19, (20). &Lt; / RTI &gt; Then, the substrate voltage Vsub is set to High, the light receiving period is ended, and the signal charge from the light receiving unit 19 is not transferred to the storage capacitor unit 20, and as in the first and second embodiments , And is discharged toward the semiconductor substrate 12 side. The signal charges stored in the respective storage capacitor portions 20 are sequentially transferred to the FD portion 25 by application of the transfer pulse? TRG to each transfer gate electrode 28 while the substrate voltage Vsub is set to High. And outputted in the same manner as in the first embodiment. In this case, although not shown, an amplifier transistor, a reset transistor, and a selection transistor (if necessary) connected to the FD unit 25 are also shared by four pixels.

종래의, FD부에서 신호 전하의 축적을 행하는 글로벌 셔터 기능을 갖는 고체 촬상 장치에서는 단위 화소마다 FD부를 형성할 필요가 있다. 이 때문에, 복수의 화소에서 FD부를 공유할 수가 없었다. 본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(52)는 신호 전하의 축적은 축적용량부(20)에서 이루어지고, 축적용량부(20)에 축적된 신호 전하는 전송 게이트 전극(28)의 온/오프에 의해 FD부(25)에 판독되기 때문에, 복수 화소에서, FD부(25)를 공유할 수 있다. 이 때문에, 화소(2)마다의 축적용량부(20)의 면적이나, 수광부(19)의 면적을 크게 설정할 수 있고, 감도나 취급 전하량을 크게 할 수 있다. In a conventional solid-state imaging device having a global shutter function for accumulating signal charges in the FD section, it is necessary to form an FD section for each unit pixel. For this reason, the FD unit can not be shared by a plurality of pixels. In the solid-state imaging device 52 of this embodiment, the signal charges are accumulated in the storage capacitor portion 20, and the signal charges accumulated in the storage capacitor portion 20 are transferred to the FD (25), it is possible to share the FD unit (25) in a plurality of pixels. Therefore, the area of the storage capacitor portion 20 for each pixel 2 and the area of the light receiving portion 19 can be set large, and the sensitivity and the handling charge amount can be increased.

본 실시 형태예에서는 4개의 화소(2)로 하나의 FD부(25)를 공유하는 예로 하였지만, 2개의 화소(2)로 하나의 FD부(25)를 공유하는 예로 하여도 좋고, 복수 화소의 공유가 가능하다. In the present embodiment, one FD unit 25 is shared by four pixels 2. Alternatively, two FD units 25 may be shared by two pixels 2, Sharing is possible.

본 실시 형태예의 고체 촬상 장치(52)에서도, 제 1 및 제 2의 실시 형태에서의 고체 촬상 장치(1, 51)와 같은 효과를 얻을 수 있다. The solid-state imaging device 52 of the present embodiment can also achieve the same effects as the solid-state imaging devices 1 and 51 of the first and second embodiments.

상술한 제 1 내지 제 3의 실시 형태에서는 입사광량에 응한 신호 전하를 물리량으로서 검지하는 단위 화소가 행렬형상으로 배치되어 이루어지는 CMOS형 고체 촬상 장치에 적용한 경우를 예로 들어 설명하였다. 그렇지만, 본 발명은 CMOS형 이미지 센서에의 적용으로 한정되는 것이 아니다. 또한 화소 어레이부의 화소열마다 칼럼 회로를 배치하여 이루어지는 칼럼 방식의 고체 촬상 장치 전반으로 한정하는 것도 아니다. In the first to third embodiments described above, the present invention is applied to a CMOS solid-state image pickup device in which unit pixels for detecting signal charges corresponding to incident light quantities as physical quantities are arranged in a matrix. However, the present invention is not limited to the application to a CMOS image sensor. Further, the present invention is not limited to the whole column-type solid-state imaging device in which a column circuit is arranged for each pixel column of the pixel array portion.

또한, 본 발명은 가시광의 입사광량의 분포를 검지하여 화상으로서 촬상하는 고체 촬상 장치에의 적용으로 한하지 않고, 적외선이나 X선, 또는 입자 등의 입사량의 분포를 화상으로서 촬상하는 고체 촬상 장치에도 적용 가능하다. 또한, 광의의 의미로서, 압력이나 정전용량 등, 다른 물리량의 분포를 검지하여 화상으로서 촬상하는 지문 검출 센서 등의 고체 촬상 장치(물리량 분포 검지 장치) 전반에 대해 적용 가능하다. The present invention is not limited to a solid-state imaging device in which the distribution of the incident light amount of visible light is detected and picked up as an image, and the present invention is not limited to the solid-state imaging device in which the distribution of incident amounts of infrared rays, X- Lt; / RTI &gt; It is also broadly applicable to the entire solid-state image pickup device (physical quantity distribution detecting device) such as a fingerprint detecting sensor for detecting the distribution of other physical quantities such as pressure and electrostatic capacity and picking up an image as an image.

또한, 본 발명은 화소 어레이부의 각 단위 화소를 행 단위로 차례로 주사하여 각 단위 화소로부터 화소 신호를 판독한 고체 촬상 장치에 한정되는 것이 아니다. 화소 단위로 임의의 화소를 선택하고, 해당 선택 화소로부터 화소 단위로 신호를 판독하는 X-Y 어드레스형의 고체 촬상 장치에 대해서도 적용 가능하다. 또한, 고체 촬상 장치는 원칩으로서 형성된 형태라도 좋고, 촬상부와, 신호 처리부 또는 광학계가 통합하여 팩키징된 촬상 기능을 갖는 모듈형상의 형태라도 좋다. Further, the present invention is not limited to the solid-state imaging device in which each unit pixel of the pixel array unit is sequentially scanned row by row and the pixel signal is read out from each unit pixel. The present invention is also applicable to an X-Y address type solid-state imaging device that selects an arbitrary pixel on a pixel-by-pixel basis and reads a signal from the selected pixel on a pixel-by-pixel basis. The solid-state imaging device may be formed as a single chip, or may be a module-shaped one having an imaging section and an imaging function packaged by integrating a signal processing section or an optical system.

상술한 제 1 내지 제 3의 실시 형태에서는 제 1 도전형을 n형, 제 2 도전형을 p형으로 하여 설명하였지만, 제 1 도전형을 p형, 제 2 도전형을 n형으로서 구성하여도 좋다. 그 경우는 고체 촬상 장치에 인가되는 소망하는 펄스는 상술한 예와는 역극성의 펄스가 인가된다. In the first to third embodiments described above, the first conductivity type is n-type and the second conductivity type is p-type. However, even if the first conductivity type is p-type and the second conductivity type is n-type good. In this case, a pulse having a polarity opposite to that of the above-described example is applied to a desired pulse to be applied to the solid-state imaging device.

또한, 본 발명은 고체 촬상 장치에의 적용으로 한정되는 것이 아니고, 촬상 장치에도 적용 가능하다. 여기서, 촬상 장치란, 디지털 스틸 카메라나 비디오 카메라 등의 카메라 시스템이나, 휴대 전화기 등의 촬상 기능을 갖는 전자 기기인 것을 말한다. 또한, 전자 기기에 탑재되는 상기 모듈형상의 형태, 즉 카메라 모듈을 촬상 장치라고 하는 경우도 있다.
Further, the present invention is not limited to the application to the solid-state imaging device, but can also be applied to the imaging device. Here, the imaging device is a camera system such as a digital still camera or a video camera, or an electronic device having an imaging function such as a cellular phone. Further, the form of the module mounted on the electronic apparatus, that is, the camera module may be referred to as an imaging device.

<4. 제 4의 실시 형태> <4. Fourth Embodiment >

도 9에 본 발명의 제 3의 실시 형태에 관한 전자 기기(200)의 개략 구성을 도시한다. Fig. 9 shows a schematic configuration of an electronic device 200 according to a third embodiment of the present invention.

본 실시 형태예의 전자 기기(200)는 상술한 본 발명의 제 1의 실시 형태에서의 고체 촬상 장치(1)를 카메라에 이용한 경우의 실시 형태를 도시한다. The electronic device 200 of the present embodiment shows an embodiment in which the solid-state image pickup device 1 according to the first embodiment of the present invention described above is used in a camera.

도 9에, 본 실시 형태예에 관한 전자 기기(200)의 개략 단면 구성을 도시한다. 본 실시 형태에 관한 전자 기기(200)는 정지화 촬영이 가능한 디지털 카메라를 예로 한 것이다. Fig. 9 shows a schematic sectional configuration of an electronic device 200 according to the present embodiment. The electronic apparatus 200 according to the present embodiment is an example of a digital camera capable of still image shooting.

본 실시 형태에 관한 전자 기기(200)는 고체 촬상 장치(1)와, 광학 렌즈(210)와, 셔터 장치(211)와, 구동 회로(212)와, 신호 처리 회로(213)를 갖는다. The electronic apparatus 200 according to the present embodiment has a solid-state image pickup device 1, an optical lens 210, a shutter device 211, a drive circuit 212, and a signal processing circuit 213.

광학 렌즈(210)는 피사체로부터의 상광(像光)(입사광)을 고체 촬상 장치(1)의 촬상 면상에 결상시킨다. 이로써 고체 촬상 장치(1) 내에 일정 기간 해당 신호 전하가 축적된다. The optical lens 210 images an image light (incident light) from a subject on an image pickup surface of the solid-state image pickup device 1. [ Thereby, the corresponding signal charge is accumulated in the solid-state imaging device 1 for a certain period of time.

셔터 장치(211)는 고체 촬상 장치(1)에의 광조사 기간 및 차광 기간을 제어한다. The shutter device 211 controls the light irradiation period and the light shielding period for the solid-state image pickup device 1. [

구동 회로(212)는 고체 촬상 장치(1)의 전송 동작 및 셔터 장치(211)의 셔터 동작을 제어하는 구동 신호를 공급한다. The drive circuit 212 supplies a drive signal for controlling the transfer operation of the solid-state image pickup device 1 and the shutter operation of the shutter device 211.

구동 회로(212)로부터 공급된 구동 신호(타이밍 신호)에 의해, 고체 촬상 장치(1)의 신호 전송을 행한다. 신호 처리 회로(213)는 각종의 신호 처리를 행한다. 신호 처리가 행하여진 영상 신호는 메모리 등의 기억 매체에 기억되고, 또는 모니터에 출력된다. 셔터 장치는 강렬한 입사광을 촬상하는 용도나 스미어를 극소 레벨로 저감할 필요가 있는 용도에서 특히 필요하게 되지만, 용도에 따라서는 필요로 하지 않는다. 또한 본 예는 디지털 카메라의 예이지만, 본 구조의 촬상 소자는 화면 내 동일 시각에서 수광하는 글로벌 셔터 기능을 갖는 동화 촬상 장치로서의 이용도 가능하다. The signal transmission of the solid-state image pickup device 1 is performed by the drive signal (timing signal) supplied from the drive circuit 212. The signal processing circuit 213 performs various kinds of signal processing. The video signal subjected to signal processing is stored in a storage medium such as a memory or is output to a monitor. The shutter device is particularly required for use for capturing intense incident light and for applications in which smear is required to be reduced to a very low level, but it is not necessary depending on the use. Although this example is an example of a digital camera, the image pickup device of this structure can also be used as a moving image pickup device having a global shutter function that receives light at the same time on the screen.

본 실시 형태예의 전자 기기(200)에서는 글로벌 셔터 기능을 갖는 CMOS형의 고체 촬상 장치(1)가 이용되고 있기 때문에, 전화소에서 동시각에서 촬상된 영상 신호가 얻어진다. 이로써, 움직이는 피사체를 촬영할 때에 발생하여 버리는 왜곡을 저감할 수 있다. 또한, 고체 촬상 장치(1)에서는 암전류의 억제나, S/N비의 향상이 도모되기 때문에, 본 실시 형태예의 전자 기기(200)에서는 그들에 기인하는 화질의 향상이 도모된다. Since the CMOS type solid-state image pickup device 1 having the global shutter function is used in the electronic device 200 of the present embodiment, a video signal picked up at the same time is obtained from the telephone set. Thereby, it is possible to reduce the distortion that occurs when the moving subject is photographed. Further, in the solid-state image pickup device 1, the dark current is suppressed and the S / N ratio is improved. Therefore, in the electronic device 200 of the present embodiment, the image quality due to them can be improved.

이와 같이, 고체 촬상 장치(1)를 적용할 수 있는 전자 기기로서는 카메라로 한정되는 것이 아니고, 디지털 스틸 카메라, 나아가서는 휴대 전화기 등의 모바일 기기용 카메라 모듈 등의 촬상 장치에 적용 가능하다. As such, the electronic apparatus to which the solid-state image pickup device 1 can be applied is not limited to a camera, but can be applied to an image pickup apparatus such as a digital still camera, and a camera module for a mobile device such as a mobile phone.

본 실시 형태예에서는 고체 촬상 장치(1)를 카메라에 이용하는 구성으로 하였지만, 전술한 제 2 및 제 3의 실시 형태에서의 고체 촬상 장치를 이용할 수도 있다. In the present embodiment, the solid-state image pickup device 1 is used in a camera, but the solid-state image pickup devices in the second and third embodiments may be used.

본 출원은 일본국 특허출원 제2009-025347호(2009년 2월 5일 출원)의 우선권주장 출원이다.This application is a priority application filed by the Japanese Patent Application No. 2009-025347 (filed on February 5, 2009).

이상, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 상술하여 왔지만, 구체적인 구성은 이 실시예에 한 정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지를 일탈하지않는 범위의 설계의 변경등이 있더라도 본 발명에 포함된다. Although the embodiment of the present invention has been described above with reference to the drawings, the specific structure is not limited to this embodiment, but is included in the present invention even if there is a change in design or the like that does not depart from the gist of the present invention .

1 : 고체 촬상 장치
2 : 화소
3 : 촬상 영역
4 : 수직 구동 회로
5 : 칼럼 신호 처리 회로
6 : 수평 구동 회로
7 : 출력 회로
8 : 제어 회로
10 : 수평 신호선
12 : 반도체 기판
13 : 반도체 웰층
14 : 전자 셔터 조정층
15a : 채널 스톱 영역
15b : 채널 스톱 영역
18 : 제 1의 암전류 억제부
19 : 수광부
20 : 축적용량부
23 : 제 2의 암전류 억제부
24 : 오프셋 영역
25 : FD부
26 : 전송 게이트부
27 : 채널 영역
28 : 전송 게이트 전극
29 : 게이트 절연막1: Solid state imaging device
2: pixel
3: imaging area
4: Vertical driving circuit
5: Column signal processing circuit
6: Horizontal driving circuit
7: Output circuit
8: Control circuit
10: Horizontal signal line
12: semiconductor substrate
13: semiconductor well layer
14: Electronic shutter adjustment layer
15a: Channel stop area
15b: Channel stop area
18: First dark current suppressing unit
19:
20:
23: Second dark current suppression unit
24: Offset area
25: FD section
26:
27: Channel area
28: transfer gate electrode
29: Gate insulating film

Claims (17)

기판과,
수광 기간에 상기 기판에 제 1의 전위를 인가하고, 비수광 기간에 상기 기판에 제 2의 전위를 인가하는 기판 전압 전원과,
상기 기판의 표면측에 형성되고, 수광한 광에 응한 신호 전하를 생성하는 수광부와, 상기 수광부에 인접하여 형성되고, 상기 기판에 제 1의 전위가 인가된 때에, 상기 수광부에서 생성된 신호 전하가 전송되고, 상기 신호 전하를 축적 보존하는 축적용량부와,
상기 수광부와 상기 축적용량부에 형성된 암전류 억제부와, 상기 기판 내의 상기 수광부에 대향하는 영역으로서, 상기 축적용량부로부터 소정의 오프셋 영역만큼 떨어진 영역에 형성되고, 상기 기판에 제 2의 전위가 인가된 때에 상기 수광부에서 생성된 신호 전하가 상기 기판의 이면측으로 소출되도록 기판의 전위 분포를 조정하는 전자 셔터 조정층과, 상기 축적용량부에 축적된 신호 전하가 전송되는 플로팅 디퓨전부를 포함하여 구성되는 복수의 화소를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치. A substrate;
A substrate voltage power source for applying a first potential to the substrate during a light receiving period and applying a second potential to the substrate during a non-light receiving period,
A light receiving portion formed on a front surface side of the substrate and generating a signal charge responsive to the received light; and a signal charge generating portion formed adjacent to the light receiving portion and generating a signal charge generated in the light receiving portion when the first potential is applied to the substrate A storage capacitor portion for storing the signal charge,
A dark current suppressing portion formed in the light receiving portion and the storage capacitor portion; and a dark current suppressing portion formed in an area facing the light receiving portion in the substrate, the region being apart from the storage capacitor portion by a predetermined offset region, An electronic shutter adjustment layer that adjusts the potential distribution of the substrate so that the signal charge generated in the light receiving portion is discharged to the back surface side of the substrate when the signal charge accumulated in the storage capacitor portion is transferred to the substrate, and a floating diffusion portion And a pixel of the solid-state imaging device. 제 1항에 있어서,
상기 기판은, 제 1 도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판상에 형성된 제 2 도전형의 반도체 웰층으로 구성되고,
상기 수광부는, 제 2 도전형으로 이루어지는 암전류 억제부와 제 1 도전형의 불순물 영역으로 이루어지는 접합면과 상기 제 1 도전형의 불순물 영역과 상기 제 1 도전형의 불순물 영역 하부에 형성된 제 2 도전형의 불순물 영역의 접합면을 갖고서, 상기 반도체 웰층에 형성되고,
상기 축적용량부는, 제 1 도전형의 불순물 영역과 제 2 도전형의 불순물 영역의 접합면을 갖고서 구성되고,
상기 전자 셔터 조정층은, 상기 반도체 기판과 상기 반도체 웰층 사이에, 제 1 도전형의 불순물 영역에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치. The method according to claim 1,
Wherein the substrate comprises a semiconductor substrate of a first conductivity type and a semiconductor well layer of a second conductivity type formed on the semiconductor substrate,
The photodetector includes a dark current suppressing portion formed of a second conductivity type, a junction surface formed of an impurity region of the first conductivity type, a junction region of the first conductivity type impurity region and a second conductivity type The semiconductor well layer having a junction surface of an impurity region of the semiconductor well layer,
The storage capacitor portion has a junction surface of an impurity region of the first conductivity type and an impurity region of the second conductivity type,
Wherein the electronic shutter adjustment layer is formed by an impurity region of a first conductivity type between the semiconductor substrate and the semiconductor well layer. 제 2항에 있어서,
상기 축적용량부의 정전 포텐셜은, 상기 수광부의 정전 포텐셜보다도 깊게 형성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치. 3. The method of claim 2,
Wherein the electrostatic potential of the storage capacitor portion is formed deeper than the electrostatic potential of the light receiving portion. 제 3항에 있어서,
상기 오프셋 영역상부의, 상기 수광부와 상기 축적용량부 사이의 영역의 정전 포텐셜은, 상기 수광 기간과 상기 비수광 기간에서, 개략 동등한 값을 유지하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치. The method of claim 3,
Wherein the electrostatic potential of a region between the light receiving portion and the storage capacitor portion above the offset region maintains approximately the same value in the light receiving period and the non-light receiving period. 제 4항에 있어서,
상기 축적용량부의 광 입사측 상부에 차광막을 가지며, 상기 차광막의 단부는 상기 수광부측에 비어져 나온 장출부를 갖는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치. 5. The method of claim 4,
Wherein the light-shielding film has a light-shielding film on an upper side of the light incidence side of the storage capacitor portion, and an end portion of the light-shielding film has a protruding portion which is exposed on the light-receiving portion side. 제 5항에 있어서,
상기 수광부와 상기 플로팅 디퓨전부 사이에 전송 게이트부를 가지며,
상기 차광막은, 또한, 상기 전송 게이트부 및 상기 플로팅 디퓨전부의 광 입사측 상부에도 형성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치. 6. The method of claim 5,
And a transfer gate portion between the light receiving portion and the floating diffusion portion,
Wherein the light-shielding film is also formed on the light-incident side of the transfer gate portion and the floating diffusion portion. 제 6항에 있어서,
상기 수광부 및 상기 축적용량부의 상기 암전류 억제부는, 상기 수광부 및 상기 축적용량부의 광 입사측 표면에 형성된 제 2 도전형의 불순물 영역에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치. The method according to claim 6,
Wherein the dark current suppressing section of the light receiving section and the storage capacitor section is constituted by an impurity region of a second conductivity type formed on the light incident surface of the light receiving section and the storage capacitor section. 제 6항에 있어서,
상기 수광부의 상기 암전류 억제부는, 상기 수광부의 광 입사측 표면에 형성된 제 2 도전형의 불순물 영역에 의해 구성되고,
상기 축적용량부의 상기 암전류 억제부는, 상기 축적용량부의 광 입사측 상부에 형성된 암전류 억제 전극과, 상기 암전류 억제 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전압 전원에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.The method according to claim 6,
The dark current suppressing portion of the light receiving portion is constituted by an impurity region of the second conductivity type formed on the light incident side surface of the light receiving portion,
Wherein the dark current suppressing portion of the storage capacitor portion is constituted by a dark current suppressing electrode formed on the light incidence side of the storage capacitor portion and a DC voltage power source applying a DC voltage to the dark current suppressing electrode. 제 8항에 있어서,
상기 암전류 억제 전극은, 상기 차광막과 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the dark current suppressing electrode is electrically connected to the light shielding film. 제 1항에 있어서,
상기 플로팅 디퓨전부는, 인접하는 복수의 축적용량부에 공유되어 있고, 상기 플로팅 디퓨전부에는, 인접하는 복수의 축적용량부로부터 순차적으로 신호 전하가 전송되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치. The method according to claim 1,
Wherein the floating diffusion portion is shared by a plurality of adjacent storage capacitor portions, and signal charges are sequentially transferred from the adjacent plurality of storage capacitor portions to the floating diffusion portion. 제 1항에 있어서,
상기 플로팅 디퓨전부에 축적된 신호 전하를 리셋하는 리셋 트랜지스터와, 상기 플로팅 디퓨전부에 전송된 신호 전하를 증폭하는 증폭 트랜지스터를, 또한 갖고서 구성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치. The method according to claim 1,
A reset transistor for resetting the signal charge accumulated in the floating diffusion portion; and an amplifying transistor for amplifying a signal charge transferred to the floating diffusion portion. 제 1 도전형의 반도체 기판을 준비하는 공정,
상기 반도체 기판상에 제 2 도전형의 반도체 웰층을 형성하는 공정,
상기 반도체 웰층의 표면측에, 수광부, 수광부에 인접하는 축적용량부, 및 전송 게이트부를 통하여 상기 축적용량부에 인접하는 플로팅 디퓨전부를 형성하는 공정,
상기 반도체 웰층을 형성하기 전, 또는 후에, 상기 반도체 기판과 상기 반도체 웰층 사이의, 상기 수광부에 대향하는 영역으로서, 상기 축적용량부로부터 소망하는 오프셋 거리만큼 떨어진 영역에 제 1 도전형으로 이루어지는 전자 셔터 조정층을 형성하는 공정,
상기 축적용량부 및 수광부 상부의 광 입사측에 암전류 억제부를 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법. A step of preparing a semiconductor substrate of a first conductivity type,
A step of forming a second conductivity type semiconductor well layer on the semiconductor substrate,
A step of forming a floating diffusion portion adjacent to the storage capacitor portion through a light receiving portion, a storage capacitor portion adjacent to the light receiving portion, and a transfer gate portion on the surface side of the semiconductor well layer,
And an electronic shutter which is made of a first conductivity type and is formed in a region between the semiconductor substrate and the semiconductor well layer before and after the formation of the semiconductor well layer as a region facing the light receiving portion by a desired offset distance from the storage capacitor portion, A step of forming an adjusting layer,
And forming a dark current suppressing portion on the light incidence side of the upper portion of the storage capacitor portion and the light receiving portion. 제 12항에 있어서,
상기 반도체 웰층은, 상기 반도체 기판상에 형성된 제 2 도전형의 에피택셜 성장층에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법. 13. The method of claim 12,
Wherein the semiconductor well layer is constituted by an epitaxially grown layer of a second conductivity type formed on the semiconductor substrate. 제 12항에 있어서,
상기 반도체 웰층은, 상기 반도체 기판상에 제 1 도전형의 에피택셜 성장층을 형성한 후, 상기 에피택셜 성장층의 소망하는 영역에, 제 2 도전형의 불순물을 이온 주입하여 형성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.13. The method of claim 12,
The semiconductor well layer is formed by forming an epitaxially grown layer of a first conductivity type on the semiconductor substrate and then implanting an impurity of the second conductivity type into a desired region of the epitaxially grown layer Wherein said solid-state imaging device is a solid-state imaging device. 기판과,
수광 기간에 상기 기판에 제 1의 전위를 인가하고, 비수광 기간에 상기 기판에 제 2의 전위를 인가하는 기판 전압 전원과,
상기 기판의 표면측에 형성되고, 수광한 광에 응한 신호 전하를 생성하는 수광부와, 상기 수광부에 인접하여 형성되고, 상기 기판에 제 1의 전위가 인가된 때에, 상기 수광부에서 생성된 신호 전하가 전송되고, 상기 신호 전하를 축적 보존하는 축적용량부와,
상기 수광부와 상기 축적용량부에 형성된 암전류 억제부와, 상기 기판 내의 상기 수광부에 대향하는 영역으로서, 상기 축적용량부로부터 소정의 오프셋 영역만큼 떨어진 영역에 형성되고, 상기 기판에 제 2의 전위가 인가된 때에 상기 수광부에서 생성된 신호 전하가 상기 기판의 이면측으로 소출되도록 기판의 전위 분포를 조정한 전자 셔터 조정층과, 상기 축적용량부에 축적된 신호 전하가 전송된 플로팅 디퓨전부를 포함하여 구성되는 복수의 화소를 포함하여 구성되는 고체 촬상 장치의 구동 방법으로서,
상기 기판 전압 전원에 의해, 상기 기판에 제 1의 전위를 인가함에 의해, 전화소의 수광부에서 생성된 신호 전하의 상기 축적용량부로의 전송을 시작하고,
상기 기판 전압 전원에 의해, 상기 기판에 제 2의 전위를 인가함에 의해, 전화소의 수광부에서 생성된 신호 전하의 상기 축적용량부로의 전송을 종료하고, 상기 수광부에서 생성된 신호 전하를 상기 기판측으로 소출함과 함께, 화소마다, 상기 축적용량부에 축적된 신호 전하를 상기 플로팅 디퓨전부에 전송하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법. A substrate;
A substrate voltage power source for applying a first potential to the substrate during a light receiving period and applying a second potential to the substrate during a non-light receiving period,
A light receiving portion formed on a front surface side of the substrate and generating a signal charge responsive to the received light; and a signal charge generating portion formed adjacent to the light receiving portion and generating a signal charge generated in the light receiving portion when the first potential is applied to the substrate A storage capacitor portion for storing the signal charge,
A dark current suppressing portion formed in the light receiving portion and the storage capacitor portion; and a dark current suppressing portion formed in an area facing the light receiving portion in the substrate, the region being apart from the storage capacitor portion by a predetermined offset region, An electronic shutter adjustment layer in which an electric potential distribution of a substrate is adjusted such that a signal charge generated in the light receiving portion is discharged to the back side of the substrate when the signal charge accumulated in the storage capacitor portion is transferred to the substrate, and a floating diffusion portion And a pixel of the solid-state imaging device,
The transfer of the signal charge generated in the light receiving portion of the telephone is started to the accumulation capacitor portion by applying the first potential to the substrate by the substrate voltage source,
And a second voltage is applied to the substrate by the substrate voltage power supply to terminate the transfer of the signal charge generated in the light receiving portion of the telephone to the accumulation capacitor portion and to output the signal charge generated in the light receiving portion to the substrate side And the signal charge accumulated in the storage capacitor unit is transferred to the floating diffusion unit for each pixel. 제 15항에 있어서,
상기 신호 전하의 상기 축적용량부로의 전송의 시작 및 종료는, 전화소에서 동시각에 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법. 16. The method of claim 15,
Wherein the start and end of the transfer of the signal charge to the storage capacitor unit is made at the same time in the telephone set. 광학 렌즈와,
기판과, 수광 기간에 상기 기판에 제 1의 전위를 인가하고, 비수광 기간에 상기 기판에 제 2의 전위를 인가하는 기판 전압 전원과, 상기 기판의 표면측에 형성되고, 수광한 광에 응한 신호 전하를 생성하는 수광부와, 상기 수광부에 인접하여 형성되고, 상기 기판에 제 1의 전위가 인가된 때에, 상기 수광부에서 생성된 신호 전하가 전송되고, 상기 신호 전하를 축적 보존하는 축적용량부와, 상기 수광부와 상기 축적용량부에 형성된 암전류 억제부와, 상기 기판 내의 상기 수광부에 대향하는 영역으로서, 상기 축적용량부로부터 소정의 오프셋 영역만큼 떨어진 영역에 형성되고, 상기 기판에 제 2의 전위가 인가된 때에 상기 수광부에서 생성된 신호 전하가 상기 기판의 이면측으로 소출되도록 기판의 전위 분포를 조정하는 전자 셔터 조정층과, 상기 축적용량부에 축적된 신호 전하가 전송되는 플로팅 디퓨전부를 포함하여 구성되고, 상기 광학 렌즈에 집광된 광이 입사되는 고체 촬상 장치와 상기 고체 촬상 장치로부터 출력되는 출력 신호를 처리하는 신호 처리 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 기기. An optical lens,
A substrate voltage power supply for applying a first potential to the substrate during a light receiving period and applying a second potential to the substrate during a non-light receiving period; A storage capacitor portion which is formed adjacent to the light receiving portion and in which the signal charge generated in the light receiving portion is transferred when the first potential is applied to the substrate and which accumulates and stores the signal charge; A dark current suppressing portion formed in the light receiving portion and the storage capacitor portion; and a second light emitting portion formed in a region away from the storage capacitor portion by a predetermined offset region as a region opposed to the light receiving portion in the substrate, An electronic shutter adjustment layer that adjusts a potential distribution of the substrate such that a signal charge generated in the light receiving portion is applied to the back side of the substrate when applied, And a signal processing circuit configured to process an output signal output from the solid-state imaging device, wherein the solid-state imaging device includes a floating diffusion unit through which signal charges accumulated in the solid-state imaging device are transmitted, An electronic device characterized by.
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