KR101659462B1 - Apparatus manufacturing conductive metal film electrode - Google Patents

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Abstract

본 발명의 목적은 유연기판에 전도성 금속 필름 전극을 형성하는 전도성 금속 필름 전극 제조장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 금속 필름 전극 제조장치는, 유연기판을 공급하는 언코일러, 상기 언코일러에서 공급되는 상기 유연기판을 촉매에 접촉시켜 표면을 처리하는 촉매 환경 챔버, 상기 촉매 환경 챔버에서 공급되는 상기 유연기판에 잉크로 전도성 금속 필름 전극을 형성하는 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버, 및 상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버를 경유하여 상기 전도성 금속 필름 전극을 형성한 상기 유연기판을 되감는 리코일러를 포함한다.It is an object of the present invention to provide an apparatus for producing a conductive metal film electrode which forms a conductive metal film electrode on a flexible substrate. An apparatus for manufacturing a conductive metal film electrode according to an embodiment of the present invention includes an uncoiler for supplying a flexible substrate, a catalyst environment chamber for treating the surface of the flexible substrate supplied from the uncoiler by contacting the catalyst, A conductive metal film electrode forming chamber for forming a conductive metal film electrode with ink on the flexible substrate supplied from the conductive metal film electrode forming chamber and a recoiler for rewinding the flexible substrate on which the conductive metal film electrode is formed via the conductive metal film electrode forming chamber .

Figure R1020140043705
Figure R1020140043705

Description

전도성 금속 필름 전극 제조장치 {APPARATUS MANUFACTURING CONDUCTIVE METAL FILM ELECTRODE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an apparatus for manufacturing a conductive metal film electrode,

본 발명은 유연기판에 전도성 금속 필름 전극을 형성하는 전도성 금속 필름 전극 제조장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for producing a conductive metal film electrode which forms a conductive metal film electrode on a flexible substrate.

일반적으로 다양한 기술 분야에서 금속 전극이 활용되고 있다. 일례를 들면, 알루미늄(Al) 전극은 전기 전도성 및 일함수와 같은 여러 가지 전기적 특성이 뛰어나고 가격도 경제적이므로 전자, 전기, 에너지, 환경 소자 등 다양한 분야에서 핵심 소재로 활용되고 있다.Generally, metal electrodes are utilized in various technical fields. For example, an aluminum (Al) electrode has been used as a core material in various fields such as electronics, electricity, energy, and environmental devices because it has excellent electrical properties such as electrical conductivity and work function and is economical in price.

보다 구체적으로, 알루미늄은 은(Ag), 구리(Cu) 및 금(Au) 다음으로 전기 전도성이 좋은 금속이나 가격 면에서는 이들 금속들보다 경제적이다. 그러나 알루미늄은 심각한 산화 문제로 인하여 활용분야가 지극히 제한적이다. 따라서 전하 전달을 목적으로 하는 전극소재에는 은(Ag)이 주로 사용된다.More specifically, aluminum is more electrically conductive than silver (Ag), copper (Cu), and gold (Au), but is more economical than these metals in terms of cost. However, due to severe oxidation problems, aluminum has a very limited application area. Therefore, silver (Ag) is mainly used as an electrode material for charge transfer.

은(Ag)과 금(Au)은 내산화 및 전기적 특성이 뛰어나므로 전극소재로 가장 많이 사용되고 있으나, 고가인 단점이 있다. 따라서 기존 소재보다 값이 싸면서 전기적 특성이 우수한 금속 전극소재에 대한 개발이 진행되고 있다.Silver (Ag) and gold (Au) are most widely used as electrode materials because they have excellent oxidation resistance and electrical characteristics, but they are expensive. Therefore, development of a metal electrode material which is cheaper than conventional materials and has excellent electrical characteristics is under development.

알루미늄은 가격이 은의 약 1/500 수준이고, 우수한 전기적 특성을 가지며, 산화제어 기술만 확보된다면 값비싼 은을 대체할 수 있는 좋은 금속 전극소재로 활용될 수 있다. 따라서 최근에는 산화제어를 통하여 알루미늄 전극을 형성하는 기술 개발이 진행 중이다.Aluminum is about 1/500 silver in price, has excellent electrical characteristics, and can be used as a good metal electrode material that can replace expensive silver if only oxidation control technology is secured. Therefore, in recent years, development of technology for forming an aluminum electrode through oxidation control is underway.

알루미늄 전극을 사용하는 대표적 소자에는 태양전지 및 유기발광소자(OLED) 등이 있다. 실리콘(Si) 태양전지의 경우, 후면 전극에 알루미늄 전극이 사용되며, 후면 전극은 1 내지 10㎛ 직경을 지닌 알루미늄 분말 페이스트를 스크린 프린팅 공정과 800℃ 이상의 고온 열처리 공정을 통해서 제조된다.Representative devices using aluminum electrodes include solar cells and organic light emitting devices (OLEDs). In the case of a silicon (Si) solar cell, an aluminum electrode is used for the back electrode, and an aluminum powder paste having a diameter of 1 to 10 mu m is manufactured through a screen printing process and a high temperature heat treatment process at 800 DEG C or more.

이때 사용된 알루미늄 분말의 표면에는 산화막이 형성되어 있다. 따라서 알루미늄 분말을 고온에서 열처리 함으로써, 산화막 안에 존재하는 알루미늄이 녹고 부피가 증가하여, 표면의 산화막을 뚫고 나와서, 인근에 있는 다른 알루미늄 분말과 소결 접촉되어, 전하가 자유롭게 이동할 수 있는 전극이 형성된다. 즉 알루미늄 분말 페이스트를 이용하여 전극을 형성하고자 하는 경우, 고온 열처리 공정이 반드시 수반되어야 한다.At this time, an oxide film is formed on the surface of the aluminum powder used. Therefore, by heat-treating the aluminum powder at a high temperature, aluminum existing in the oxide film is melted and increased in volume, so that an oxide electrode is formed which penetrates through the oxide film on the surface and is sintered with another aluminum powder in the vicinity thereof. That is, when an electrode is to be formed using an aluminum powder paste, a high-temperature heat treatment process must be accompanied.

유기발광소자와 같은 유기광전자소자의 경우에, 전하 전달층 및 발광층이 모두 유기물로 구성되어 있으므로 150℃ 이상의 분위기에서는 유기소자가 지니는 고유한 특성을 잃게 되어 소자의 특성을 전혀 발휘하지 못하게 된다. 따라서 알루미늄 전극을 형성하는 공정은 대부분 진공증착을 통하여 상온 공정으로 진행된다.In the case of an organic optoelectronic device such as an organic light emitting device, since the charge transfer layer and the light emitting layer are all made of organic materials, inherent characteristics of the organic device are lost in an atmosphere of 150 DEG C or higher, and the characteristics of the device can not be exhibited at all. Therefore, the process of forming the aluminum electrode proceeds mostly at room temperature through vacuum deposition.

진공증착 공정은 저온에서 산화문제를 효과적으로 제어하고 우수한 성능의 알루미늄 전극을 제조하지만, 진공을 유지하는 문제로 인하여 시스템 비용 및 공정비용을 많이 소요하고, 70% 이상의 원료소재의 손실을 유발한다. 또한 대면적의 알루미늄 전극이 필요한 경우, 그만큼 진공챔버가 커지고, 진공유지에 비용이 더 많이 소요된다. 즉 알루미늄 전극을 제조하는데 소요되는 공정비용이 폭발적으로 증가할 수 있다.The vacuum deposition process effectively controls oxidation problems at low temperatures and produces high quality aluminum electrodes. However, due to the problem of maintaining vacuum, it takes a lot of system cost and process cost and leads to loss of raw material of over 70%. Also, when a large-area aluminum electrode is required, the vacuum chamber becomes large accordingly, and vacuum maintenance costs more. That is, the process cost required for manufacturing the aluminum electrode may explosively increase.

이에 전술한 일 예시인 알루미늄 전극과 같이, 경제적인 대면적의 다양한 금속 전극을 효과적으로 제조할 수 있는 기술이 필요한 실정이다.Accordingly, there is a need for a technique capable of efficiently manufacturing various metal electrodes having a large area, such as an aluminum electrode, which is one example of the above-described one.

본 발명의 목적은 유연기판에 전도성 금속 필름 전극을 형성하는 전도성 금속 필름 전극 제조장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide an apparatus for producing a conductive metal film electrode which forms a conductive metal film electrode on a flexible substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 금속 필름 전극 제조장치는, 유연기판을 공급하는 언코일러, 상기 언코일러에서 공급되는 상기 유연기판을 촉매에 접촉시켜 표면을 처리하는 촉매 환경 챔버, 상기 촉매 환경 챔버에서 공급되는 상기 유연기판에 잉크로 전도성 금속 필름 전극을 형성하는 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버, 및 상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버를 경유하여 상기 전도성 금속 필름 전극을 형성한 상기 유연기판을 되감는 리코일러를 포함한다.An apparatus for manufacturing a conductive metal film electrode according to an embodiment of the present invention includes an uncoiler for supplying a flexible substrate, a catalyst environment chamber for treating the surface of the flexible substrate supplied from the uncoiler by contacting the catalyst, A conductive metal film electrode forming chamber for forming a conductive metal film electrode with ink on the flexible substrate supplied from the conductive metal film electrode forming chamber and a recoiler for rewinding the flexible substrate on which the conductive metal film electrode is formed via the conductive metal film electrode forming chamber .

본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 금속 필름 전극 제조장치는, 상기 언코일러를 수용하여 상기 유연기판에 함유된 수분과 산소를 제거하는 제1건조 챔버를 더 포함할 수 있다.The apparatus for manufacturing a conductive metal film electrode according to an embodiment of the present invention may further include a first drying chamber for receiving the uncoiler and removing moisture and oxygen contained in the flexible substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 금속 필름 전극 제조장치는, 상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버와 상기 리코일러 사이에 구비되어, 상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버에서 공급되는 상기 전도성 금속 필름 전극 및 상기 유연기판을 세척액으로 세척하는 세척 챔버를 더 포함할 수 있다.The apparatus for manufacturing a conductive metal film electrode according to an embodiment of the present invention includes a conductive metal film electrode forming chamber provided between the conductive metal film electrode forming chamber and the recoil, And a cleaning chamber for cleaning the substrate with a cleaning solution.

본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 금속 필름 전극 제조장치는, 상기 리코일러를 수용하여 상기 전도성 금속 필름 전극 및 상기 유연기판에 잔류하는 세척액을 제거하는 제2건조 챔버를 더 포함할 수 있다.The apparatus for manufacturing a conductive metal film electrode according to an embodiment of the present invention may further include a second drying chamber for receiving the recoiler and removing the conductive metal film electrode and the cleaning liquid remaining on the flexible substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 금속 필름 전극 제조장치는, 상기 세척 챔버와 상기 제2건조 챔버 사이에 설치되어 상기 전도성 금속 필름 전극 및 상기 유연기판에 잔류하는 세척액을 열풍 건조하는 열풍 건조 챔버를 더 포함할 수 있다.The apparatus for manufacturing a conductive metal film electrode according to an embodiment of the present invention includes a hot air drying chamber provided between the cleaning chamber and the second drying chamber for hot air drying the conductive metal film electrode and the cleaning liquid remaining on the flexible substrate .

본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 금속 필름 전극 제조장치는, 상기 촉매 환경 챔버, 상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버, 상기 세척 챔버 및 열풍 건조 챔버를 수용하여, 불활성 가스 분위기를 형성하는 분위기 제어 챔버를 더 포함할 수 있다.The apparatus for manufacturing a conductive metal film electrode according to an embodiment of the present invention includes an atmosphere control chamber for accommodating the catalyst environment chamber, the conductive metal film electrode forming chamber, the cleaning chamber and the hot air drying chamber, .

상기 분위기 제어 챔버는, 상기 불활성 가스를 공급하는 공급구에 구비되어 공급을 제어하는 제1솔레노이드 밸브, 및 상기 불활성 가스를 배출하는 배출구에 구비되어 배출을 제어하는 제2솔레노이드 밸브를 더 포함할 수 있다.The atmosphere control chamber may further include a first solenoid valve provided in a supply port for supplying the inert gas and controlling supply of the inert gas, and a second solenoid valve provided in an outlet for discharging the inert gas to control the discharge have.

본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 금속 필름 전극 제조장치는, 상기 분위기 제어 챔버의 일측에 연결되어 상기 불활성 가스를 순환시키면서 불활성 가스에 포함된 산소를 제거하는 산소 제거 촉매, 및 상기 분위기 제어 챔버의 다른 일측에 연결되어 상기 불활성 가스를 순환시키면서 불활성 가스에 포함된 수분을 제거하는 수분 제거 촉매를 더 포함할 수 있다.The apparatus for manufacturing a conductive metal film electrode according to an embodiment of the present invention includes an oxygen removing catalyst connected to one side of the atmosphere control chamber to remove oxygen contained in an inert gas while circulating the inert gas, And a moisture removing catalyst connected to the other side to circulate the inert gas to remove moisture contained in the inert gas.

상기 촉매는 흄(fume) 상태 또는 용액 상태의 금속 전구체 분해활성화 촉매로 이루어지고, 상기 촉매 환경 챔버는, 상기 촉매로 상기 유연기판의 표면을 처리할 수 있다.The catalyst comprises a metal precursor decomposition activating catalyst in a fume or solution state, and the catalyst environment chamber can treat the surface of the flexible substrate with the catalyst.

상기 잉크의 조성물은 금속 전구체를 포함하고, 상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버는, 상기 잉크의 조성물에 상기 유연기판을 함침(impregnation)시킬 수 있다.The composition of the ink includes a metal precursor, and the conductive metal film electrode forming chamber can impregnate the flexible substrate with the composition of the ink.

상기 촉매 환경 챔버는 상기 유연기판을 지지하는 지지롤을 구비하며, 상기 지지롤은 발열 기능을 가질 수 있다.The catalyst environment chamber has a support roll for supporting the flexible substrate, and the support roll may have a heat generating function.

상기 촉매 환경 챔버, 상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버 및 상기 세척 챔버는 촉매, 잉크 및 세척액의 수위를 각각 감지하며 내화학성을 가지는 제1, 제2, 제3수위센서를 각각 더 포함한다.The catalytic environmental chamber, the conductive metal film electrode forming chamber, and the cleaning chamber each further include first, second, and third level sensors each having a chemical resistance to detect the level of the catalyst, the ink, and the cleaning liquid.

상기 촉매 환경 챔버, 상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버 및 상기 세척 챔버는, 제11, 제12, 제13 솔레노이드 밸브를 각각 개재하여, 상기 촉매, 상기 잉크 및 상기 세척액을 각각 공급하는 제1, 제2, 제3 화학용펌프에 각각 연결될 수 있다.Wherein the catalyst environment chamber, the conductive metal film electrode forming chamber, and the cleaning chamber are respectively connected to the first, second and third solenoid valves, respectively, through the eleventh, twelfth, and thirteenth solenoid valves, , And a third chemical pump, respectively.

본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 금속 필름 전극 제조장치는, 상기 촉매 환경 챔버, 상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버 사이에 설치되어, 언코일링되어 상기 촉매 환경 챔버를 경유한 상기 유연기판을 예열하는 프리 히터 챔버를 더 포함할 수 있다.An apparatus for manufacturing a conductive metal film electrode according to an embodiment of the present invention includes an electrode for forming a conductive metal film and a conductive metal film electrode disposed between the catalytic environmental chamber and the conductive metal film electrode forming chamber to uncoil and preheat the flexible substrate, And may further include a preheater chamber.

상기 촉매 환경 챔버는 언코일링된 유연기판의 전극 형성 부분에 미량의 촉매를 분사하는 촉매 분사 노즐을 더 포함할 수 있다.The catalyst environment chamber may further include a catalyst injection nozzle for injecting a small amount of catalyst into an electrode forming portion of the uncoiled flexible substrate.

이와 같이 본 발명의 일 실시예는, 언코일러에서 공급되는 유연기판을 촉매 환경 챔버에서 촉매로 표면 처리하고, 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버에서 유연기판에 전도성 금속 필름 전극을 형성하며, 리코일러에서 전도성 금속 필름 전극 및 유연기판을 권취할 수 있다.As described above, in one embodiment of the present invention, a flexible substrate supplied from an uncoiler is surface-treated with a catalyst in a catalytic environmental chamber, a conductive metal film electrode is formed on a flexible substrate in a conductive metal film electrode- The metal film electrode and the flexible substrate can be wound.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전도성 금속 필름 전극 제조장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전도성 금속 필름 전극 제조장치의 구성도이다.
1 is a schematic diagram of an apparatus for manufacturing a conductive metal film electrode according to a first embodiment of the present invention.
2 is a configuration diagram of an apparatus for manufacturing a conductive metal film electrode according to a second embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals throughout the specification.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전도성 금속 필름 전극 제조장치(1)의 구성도이다. 일 실시예에 따른 전도성 금속 필름 전극 제조장치(1)는 유연기판(S)에 전도성 금속 필름 전극(예를 들면, "알루미늄 필름 전극(AE)")을 제조하도록 구성된다.1 is a configuration diagram of an apparatus 1 for manufacturing a conductive metal film electrode according to a first embodiment of the present invention. An apparatus 1 for manufacturing a conductive metal film electrode according to one embodiment is configured to produce a conductive metal film electrode (e.g., "aluminum film electrode AE") on a flexible substrate S.

도 1을 참조하면, 전도성 금속 필름 전극 제조장치(1)는, 언코일러(10), 촉매 환경 챔버(20), 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30), 세척 챔버(40) 및 리코일러(50)를 포함한다.1, a conductive metal film electrode manufacturing apparatus 1 includes an uncoiler 10, a catalytic environmental chamber 20, a conductive metal film electrode forming chamber 30, a cleaning chamber 40, and a recoiler 50 ).

예를 들면, 유연기판(S)은 종이, 폴리머 시트, 섬유 및 직물지로 형성될 수 있다. 전도성 금속 필름 전극 제조장치(1)는 이와 같은 유연기판(S)에 전도성 금속 필름 전극, 즉 알루미늄 필름 전극(AE)을 형성한다.For example, the flexible substrate S may be formed of paper, polymer sheet, fiber, and fabric. The conductive metal film electrode manufacturing apparatus 1 forms a conductive metal film electrode, that is, an aluminum film electrode AE, on the flexible substrate S as described above.

언코일러(10)는 권취되어 있는 유연기판(S)을 연속적으로 공급하도록 구성되며, 제조장치(1)의 유입 측에 배치된다. 리코일어(50)는 전도성 금속 필름 전극을 형성한 유연기판(S)을 연속적으로 되감도록 구성되며, 제조장치(1)의 배출 측에 배치된다.The uncoiler 10 is configured to continuously supply the wound flexible substrate S and is disposed on the inflow side of the production apparatus 1. [ Ricoh 50 is configured to continuously rewind the flexible substrate S forming the conductive metal film electrode and is disposed on the discharge side of the manufacturing apparatus 1. [

언코일러(10)는 제1건조 챔버(11)에 수용되며, 제1건조 챔버(11)는 수용된 언코일러(10)에서 연속적으로 공급되는 유연기판(S)에 함유된 수분과 산소를 건조하여 제거한다.The uncoiler 10 is accommodated in the first drying chamber 11 and the first drying chamber 11 dries moisture and oxygen contained in the flexible substrate S continuously supplied from the accommodated uncoiler 10 Remove.

세척 챔버(40)는 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30)와 리코일러(50) 사이에 구비되어, 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30)에서 공급되는 유연기판(S) 및 전도성 금속 필름 전극을 세척액으로 세척한다.The cleaning chamber 40 is provided between the conductive metal film electrode forming chamber 30 and the recoiler 50 so that the flexible substrate S and the conductive metal film electrode supplied from the conductive metal film electrode forming chamber 30 are cleaned Lt; / RTI >

리코일러(50)는 제2건조 챔버(51)에 수용되며, 제2건조 챔버(51)는 수용된 리코일러(50)에 연속적으로 되감기는 전도성 금속 필름 전극 및 유연기판(S)에 잔류하는 세척액을 건조하여 제거한다.The recoiler 50 is accommodated in the second drying chamber 51 and the second drying chamber 51 is provided with a conductive metal film electrode which continuously rewinds to the recoiler 50 accommodated therein, Is dried and removed.

편의상, 이하에서는 유연기판(S)에 알루미늄 필름 전극(AE)을 형성하는 실시예의 전도성 금속 필름 전극 제조장치(1)로 설명한다.For convenience, the following description will be made on the conductive metal film electrode manufacturing apparatus 1 of the embodiment in which the aluminum film electrode (AE) is formed on the flexible substrate (S).

제1건조 챔버(11)는 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30)에서 알루미늄 필름 전극(AE)을 화학적 습식 공정으로 형성하기 위하여, 산소와 수분을 건조하여 제거한다. 따라서 알루미늄 필름 전극(AE)을 형성할 유연기판(S)에 함유되어 있는 수분과 산소가 제거된다.The first drying chamber 11 dries and removes oxygen and moisture to form the aluminum film electrode AE in the conductive metal film electrode forming chamber 30 by a chemical wet process. Therefore, moisture and oxygen contained in the flexible substrate S to be formed with the aluminum film electrode AE are removed.

또한, 제1건조 챔버(11)는 불활성 가스(예를 들면, 질소 또는 아르곤)로 채워진 150℃ 미만의 건조 분위기를 형성한다. 따라서 언코일러(10)에서 공급되는 유연기판(S)은 수분과 산소가 제거된 건조 상태로 촉매 환경 챔버(20)로 이송된다.Further, the first drying chamber 11 forms a drying atmosphere of less than 150 캜, which is filled with an inert gas (for example, nitrogen or argon). Therefore, the flexible substrate S supplied from the uncoiler 10 is transferred to the catalyst environment chamber 20 in a dry state in which moisture and oxygen are removed.

이를 위하여, 제1건조 챔버(11)에 제1공급롤(12)이 구비된다. 제1공급롤(12)은 유연기판(S)의 양면을 가압하여 회전함으로써 언코일러(10)로부터 유연기판(S)을 풀어서 촉매 환경 챔버(20)로 이송한다.To this end, a first supply roll 12 is provided in the first drying chamber 11. The first supply roll 12 uncovers the flexible substrate S from the uncoiler 10 and transfers it to the catalyst environment chamber 20 by pressing both sides of the flexible substrate S and rotating the same.

제1공급롤(12)에는 장력 센서(TS)가 구비되며, 장력 센서(TS)는 유연기판(S)의 장력을 피드백 받아서, 언코일러(10)와 리코일러(50)에 구비되는 모터(미도시)가 유연기판(S)의 장력을 제어할 수 있게 한다.The tension sensor TS is provided on the first supply roll 12 and receives the tension of the flexible substrate S so as to feed the tensile force of the flexible substrate S to the uncoiler 10 and the motor (Not shown) can control the tension of the flexible substrate S.

촉매 환경 챔버(20)는 화학적 습식 공정을 이용하여 저온에서 알루미늄 필름 전극(AE)을 형성할 수 있도록 촉매 작용하여, 유연기판(S)의 표면을 일 부분 또는 패턴 상태로 처리할 수 있다. 촉매 환경 챔버(20)는 흄(fume) 상태 또는 용액 상태의 금속 전구체 분해활성화 촉매로 유연기판(S)의 표면을 처리한다.The catalytic environmental chamber 20 can be catalyzed to form an aluminum film electrode (AE) at a low temperature using a chemical wet process to treat the surface of the flexible substrate S in a part or patterned state. The catalytic environmental chamber 20 processes the surface of the flexible substrate S with a metal precursor decomposition activating catalyst in a fume or solution state.

촉매는 AlH3로 구성된 알루미늄 전구체 잉크에서 낮은 온도의 수소를 떼어내고 알루미늄을 형성할 수 있게 한다. 예를 들면, 흄 상태의 금속 전구체 분해활성화 촉매는 티타늄이소프로폭사이드(Ti(O-i-Pr)4), 티타늄 클로라이드(TiCl4), 백금(Pt)계 촉매, 코발트(Co)계 촉매, 니켈(Ni)계 촉매, 망간(Mn)계 촉매, 아연(Zn)계 촉매 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.The catalyst removes low temperature hydrogen from aluminum precursor inks composed of AlH 3 and allows the formation of aluminum. For example, the metal precursor decomposition activation catalyst in the fumed state may be at least one selected from the group consisting of titanium isopropoxide (Ti (Oi - Pr) 4 ), titanium chloride (TiCl 4 ), platinum (Pt), cobalt (Ni) based catalyst, a manganese (Mn) based catalyst, a zinc (Zn) based catalyst, or a combination thereof.

촉매 환경 챔버(20)로 공급되는 유연기판(S)을 촉매에 접촉시키는 방법에 세 가지가 있다. 그 중 한 방법은 촉매인 티타늄이소프로폭사이드(Ti(O-i-Pr)4)를 흄(fume) 상태로 만들어 촉매 환경 챔버(20)에 가득 채운 후, 유연기판(S)을 촉매 환경 챔버(20)에 통과시키면서 유연기판(S)의 표면을 처리하는 것이다.There are three methods for bringing the flexible substrate S supplied to the catalyst environment chamber 20 into contact with the catalyst. One of the methods is to make the catalyst environment chamber 20 filled with titanium isopropoxide (Ti (O- i- Pr) 4 ) in a fume state, And the surface of the flexible substrate S is processed while passing through the chamber 20.

다른 한 방법은 촉매인 티타늄이소프로폭사이드(Ti(O-i-Pr)4)의 농도를 조절하여 용액 상태로 만든 후, 촉매 환경 챔버(20)에 채운 후, 건조된 유연기판(S)을 촉매 환경 챔버(20)에 채워져 있는 용액 상태의 촉매를 통과시키면서 유연기판(S)의 표면을 처리하는 것이다.Another method is to adjust the concentration of titanium isopropoxide (Ti (O- i- Pr) 4 ) as a catalyst to a solution state, fill the catalyst environment chamber 20, The surface of the flexible substrate S is processed while passing through the catalyst in a solution state filled in the catalyst environment chamber 20. [

또 다른 한 방법은 제2 실시예에 적용되며, 아래의 제2 실시예에 설명되어 있다.Another method is applied to the second embodiment and is described in the second embodiment below.

촉매 환경 챔버(20)는 유연기판(S)을 지지하는 지지롤(21)을 구비하며, 지지롤(21)은 발열 기능을 가질 수 있다. 예를 들면, 발열 기능은 봉 상태의 히터(미도시)를 지지롤(21) 내부에 구비함으로써 구현될 수 있다.The catalytic environment chamber 20 has a support roll 21 for supporting the flexible substrate S and the support roll 21 may have a heat generating function. For example, the heat generating function can be realized by providing a bar heater (not shown) inside the support roll 21.

발열 기능을 가지는 지지롤(21)은 공급되는 유연기판(S)의 표면 온도를 상승시켜 잉크와의 반응 시간을 단축시킴으로써 빠르고 균일하게 유연기판(S)에 전도성 금속 필름 전극을 형성할 수 있게 한다.The supporting roll 21 having a heating function raises the surface temperature of the flexible substrate S to shorten the reaction time with the ink so that the conductive metal film electrode can be formed quickly and uniformly on the flexible substrate S .

전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30)는 촉매 환경 챔버(20)에서 공급되어, 표면 처리된 유연기판(S)에 알루미늄 필름 전극(AE)을 형성한다. 예를 들면, 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30)는 금속 전구체를 포함하는 잉크 조성물에 유연기판(S)을 함침(impregnation)시킴으로써 알루미늄 층 또는 패턴을 형성한다.The conductive metal film electrode forming chamber 30 is supplied from the catalytic environmental chamber 20 to form an aluminum film electrode AE on the surface-treated flexible substrate S. For example, the conductive metal film electrode forming chamber 30 forms an aluminum layer or pattern by impregnating the flexible substrate S with the ink composition containing the metal precursor.

전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30)는 제1건조 챔버(11)에서 건조되고 촉매 환경 챔버(20)에서 표면 처리된 상태에 따라 유연기판(S)에 알루미늄 필름 전극(AE)을 형성한다.The conductive metal film electrode forming chamber 30 is dried in the first drying chamber 11 and forms an aluminum film electrode AE on the flexible substrate S according to the surface treated in the catalytic environmental chamber 20. [

전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30)에서의 기본적인 반응은 The basic reaction in the conductive metal film electrode forming chamber 30 is

AlH3·[R] → Al + 1.5H2 (g) ↑ + [R] (L)AlH 3? [R]? Al + 1.5H 2 (g)? + [R] (L)

와 같다. 따라서 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30)에는 AlH3·[R] 잉크가 채워지며, 건조 및 촉매 처리된 유연기판(S)이 잉크를 통과하면서 상기와 같은 화학반응을 통하여 유연기판(S)의 표면에 알루미늄 필름 전극(AE)이 형성된다.. Thus, the conductive metal film electrode forming chamber 30 is filled with AlH 3 [R] ink, and the dried and catalyzed flexible substrate S passes through the ink, An aluminum film electrode (AE) is formed on the surface.

이때 AlH3·[R] 잉크 내에 유연기판(S)이 존재하는 시간에 따라 형성되는 알루미늄 필름 전극(AE)의 두께 및 구조가 변하게 됩니다. 그래서 AlH3·[R] 잉크 내에 유연기판(S)이 존재하는 시간은 유연기판(S)의 이동속도를 제어하거나 지지롤(31)의 개수를 조절하여 제어할 수 있다.At this time, the thickness and structure of the aluminum film electrode (AE) formed according to the time of the flexible substrate (S) in the AlH 3 · [R] ink are changed. Thus, the time during which the flexible substrate S is present in the AlH 3 [R] ink can be controlled by controlling the movement speed of the flexible substrate S or adjusting the number of the support rolls 31.

예를 들면, 금속 전구체는 금속 수소화물(metal hydride), 금속 수소화물과 에테르 또는 아민 계열 물질의 복합체, 또는 이들의 조합일 수 있다.For example, the metal precursor may be a metal hydride, a complex of a metal hydride and an ether or amine-based material, or a combination thereof.

보다 구체적으로 보면, 금속 전구체는 AlH3, LiH, NaH, KH, RbH, CsH, BeH2, MgH2, CaH2, SrH2, OAlH3(C2H5)2, OAlH3(C3H7)2, OAlH3(C4H9)2, AlH3·NMe3, AlH3·NEt3, AlH3·NEt2Me, AlH3·NMe2Et, AlH3·다이옥세인(dioxane), AlH3{S(C2H5)2}, AlH3{S(C4H9)2}, AlH3{S(C4H9)2}, AlH3C9H12, OLiH(C2H5)2, OLiH(C3H7)2, OLiH(C4H9)2, LiH·NMe3, LiH·NEt3, LiH·NEt2Me, LiH·NMe2Et, LiH·다이옥세인(dioxane), LiH{S(C2H5)2}, LiH{S(C4H9)2}, LiH{S(C4H9)2}, LiHC9H12, ONaH(C2H5)2, ONaH(C3H7)2, ONaH(C4H9)2, NaH·NMe3, NaH·NEt3, NaH·NEt2Me, NaH·NMe2Et, NaH·다이옥세인(dioxane), NaH{S(C2H5)2}, NaH{S(C4H9)2}, NaH{S(C4H9)2}, NaHC9H12, OKH(C2H5)2, OKH(C3H7)2, OKH(C4H9)2, KH·NMe3, KH·NEt3, KH·NEt2Me, KH·NMe2Et, KH·다이옥세인(dioxane), KH{S(C2H5)2}, KH{S(C4H9)2}, KH{S(C4H9)2}, KHC9H12, ORbH(C2H5)2, ORbH(C3H7)2, ORbH(C4H9)2, RbH·NMe3, RbH·NEt3, RbH·NEt2Me, RbH·NMe2Et, RbH·다이옥세인(dioxane), RbH{S(C2H5)2}, RbH{S(C4H9)2}, RbH{S(C4H9)2}, RbHC9H12, OCsH(C2H5)2, OCsH(C3H7)2, OCsH(C4H9)2, CsH·NMe3, CsH·NEt3, CsH·NEt2Me, CsH·NMe2Et, CsH·다이옥세인(dioxane), CsH{S(C2H5)2}, CsH{S(C4H9)2}, CsH{S(C4H9)2}, CsHC9H12, OBeH2(C2H5)2, OBeH2(C3H7)2, OBeH2(C4H9)2, BeH2·NMe3, BeH2·NEt3, BeH2·NEt2Me, BeH2·NMe2Et, BeH2·다이옥세인(dioxane), BeH2{S(C2H5)2}, BeH2{S(C4H9)2}, BeH2{S(C4H9)2}, BeH2C9H12, OMgH2(C2H5)2, OMgH2(C3H7)2, OMgH2(C4H9)2, MgH2·NMe3, MgH2·NEt3, MgH2·NEt2Me, MgH2·NMe2Et, MgH2·다이옥세인(dioxane), MgH2{S(C2H5)2}, MgH2{S(C4H9)2}, MgH2{S(C4H9)2}, MgH2C9H12, OCaH2(C2H5)2, OCaH2(C3H7)2, OCaH2(C4H9)2, CaH2·NMe3, CaH2·NEt3, CaH2·NEt2Me, CaH2·NMe2Et, CaH2·다이옥세인(dioxane), CaH2{S(C2H5)2}, CaH2{S(C4H9)2}, CaH2{S(C4H9)2}, CaH2C9H12, OSrH2(C2H5)2, OSrH2(C3H7)2, OSrH2(C4H9)2, SrH2·NMe3, SrH2·NEt3, SrH2·NEt2Me, SrH2·NMe2Et, SrH2·다이옥세인(dioxane), SrH2{S(C2H5)2}, SrH2{S(C4H9)2}, SrH2{S(C4H9)2}, SrH2C9H12, 또는 이들의 조합일 수 있다.Looking in more detail, the metal precursor is AlH 3, LiH, NaH, KH , RbH, CsH, BeH 2, MgH 2, CaH 2, SrH 2, OAlH 3 (C 2 H 5) 2, OAlH 3 (C 3 H 7 ) 2, OAlH 3 (C 4 H 9) 2, AlH 3 · NMe 3, AlH 3 · NEt 3, AlH 3 · NEt 2 Me, AlH 3 · NMe 2 Et, AlH 3 · dioxane (dioxane), AlH 3 {S (C 2 H 5) 2}, AlH 3 {S (C 4 H 9) 2}, AlH 3 {S (C 4 H 9) 2}, AlH 3 C 9 H 12, OLiH (C 2 H 5 ) 2, OLiH (C 3 H 7) 2, OLiH (C 4 H 9) 2, LiH · NMe 3, LiH · NEt 3, LiH · NEt 2 Me, LiH · NMe 2 Et, LiH · dioxan (dioxane) , LiH {S (C 2 H 5) 2}, LiH {S (C 4 H 9) 2}, LiH {S (C 4 H 9) 2}, LiHC 9 H 12, ONaH (C 2 H 5) 2 , ONaH (C 3 H 7) 2, ONaH (C 4 H 9) 2, NaH · NMe 3, NaH · NEt 3, NaH · NEt 2 Me, NaH · NMe 2 Et, NaH , Dioxane, NaH {S (C 2 H 5 ) 2 }, NaH {S (C 4 H 9 ) 2 }, NaH {S (C 4 H 9 ) 2 }, NaHC 9 H 12 , C 2 H 5) 2, OKH (C 3 H 7) 2, OKH (C 4 H 9) 2, KH · NMe 3, KH · NEt 3, KH · NEt 2 Me, KH · NMe 2 Et, KH · dioxane hexanes (dioxane), KH {S ( C 2 H 5) 2}, KH {S (C 4 H 9) 2}, KH {S (C 4 H 9) 2}, KHC 9 H 12, ORbH (C 2 H 5) 2, ORbH (C 3 H 7) 2, ORbH (C 4 H 9) 2, RbH · NMe 3, RbH · NEt 3, RbH · NEt 2 Me, RbH · NMe 2 Et, RbH · dioxane ( dioxane), RbH {S (C 2 H 5) 2}, RbH {S (C 4 H 9) 2}, RbH {S (C 4 H 9) 2}, RbHC 9 H 12, OCsH (C 2 H 5 2 , OCsH (C 3 H 7 ) 2 , OCsH (C 4 H 9 ) 2 , CsH NMe 3 , CsH NEt 3 , CsH NEt 2 Me, CsH NMe 2 Et, CsH dioxane, , CsH {S (C 2 H 5) 2}, CsH {S (C 4 H 9) 2}, CsH {S (C 4 H 9) 2}, CsHC 9 H 12, OBeH 2 (C 2 H 5) 2 , OBheH 2 (C 3 H 7 ) 2 , OBeH 2 (C 4 H 9 ) 2 , BeH 2揃 NMe 3 , BeH 2揃 NEt 3 , BeH 2揃 NEt 2 Me, BeH 2揃 NMe 2 Et, BeH 2 · dioxane (dioxane), BeH 2 {S (C 2 H 5) 2}, BeH 2 {S (C 4 H 9) 2}, BeH 2 {S (C 4 H 9) 2} , BeH 2 C 9 H 12, OMgH 2 (C 2 H 5) 2, OMgH 2 (C 3 H 7) 2, OMgH 2 (C 4 H 9) 2, MgH 2 · NMe 3, MgH 2 · NEt 3, MgH 2 · NEt 2 Me, MgH 2 · NMe 2 Et, MgH 2 · dioxane (dioxane), MgH 2 {S (C 2 H 5) 2}, MgH 2 {S (C 4 H 9) 2}, MgH 2 {S (C 4 H 9 ) 2}, MgH 2 C 9 H 12, OCaH 2 (C 2 H 5) 2, OCaH 2 (C 3 H 7) 2, OCaH 2 (C 4 H 9) 2, CaH 2 · NMe 3, CaH 2 · NEt 3, CaH 2 · NEt 2 Me, CaH 2 · NMe 2 Et, CaH 2 · dioxane (dioxane), CaH 2 {S (C 2 H 5) 2}, CaH 2 { S (C 4 H 9) 2 }, CaH 2 {S (C 4 H 9) 2}, CaH 2 C 9 H 12, OSrH 2 (C 2 H 5) 2, OSrH 2 (C 3 H 7) 2, OSrH 2 (C 4 H 9) 2, SrH 2 · NMe 3, SrH 2 · NEt 3, SrH 2 · NEt 2 Me, SrH 2 · NMe 2 Et, SrH 2 · dioxane (dioxane), SrH 2 {S ( C 2 H 5 ) 2 }, SrH 2 {S (C 4 H 9 ) 2 }, SrH 2 {S (C 4 H 9 ) 2 }, SrH 2 C 9 H 12 or a combination thereof.

금속 전구체의 금속은 알루미늄(Al), 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 또는 이들의 조합일 수 있다.The metal of the metal precursor is selected from the group consisting of Al, Li, Na, K, Rb, Cs, Ber, Mg, Or a combination thereof.

잉크 조성물은 용매 및 금속 전구체를 포함할 수 있다. 예를 들면, 용매는 물, 테트라히드로퓨란(THF), 알코올(alcohol)계 용매, 에테르(ether)계 용매, 설파이드(sulfide)계 용매, 톨루엔(toluene)계 용매, 크실렌(xylene계)계 용매, 벤젠(benzene)계 용매, 알칸(alkane)계 용매, 옥세인(oxane)계 용매, 아민(amine)계 용매, 폴리올(polyol)계 용매 또는 이들의 조합일 수 있다.The ink composition may comprise a solvent and a metal precursor. For example, the solvent may be water, tetrahydrofuran (THF), alcohol solvent, ether solvent, sulfide solvent, toluene solvent, xylene solvent Based solvent, an alkane-based solvent, an oxane-based solvent, an amine-based solvent, a polyol-based solvent, or a combination thereof.

잉크 조성물은 용액 안정제를 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 용액 안정제는 다이케톤(diketone), 아미노 알코올(amino alcohol), 폴리아민(polyamine), 에탄올 아민(ethanol amine), 다이에탄올 아민(diethylnol amine), 에탄 티올 (ethane thiol), 프로판 티올(propane thiol), 부탄 티올(butane thiol), 펜탄 티올(pentane thiol), 헥산 티올(hexane thiol), 헵탄 티올 (heptanes thiol), 옥탄 티올(octane thiol), 노난 티올 (nonane thiol), 데칸 티올(decane thiol), 운데칸 티올(undecane thiol) 또는 이들의 조합일 수 있다.The ink composition may further comprise a solution stabilizer. For example, the solution stabilizer may be selected from diketones, amino alcohols, polyamines, ethanol amines, diethylnol amines, ethane thiols, propanethiol, propane thiol, butane thiol, pentane thiol, hexane thiol, heptanes thiol, octane thiol, nonane thiol, decane thiol, undecane thiol, or a combination thereof.

세척 챔버(40)는 세척액을 수용하여, 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30)에서 공급되는 유연기판(S)을 세척액에 통과시킴으로써, 유연기판(S) 및 알루미늄 필름 전극(AE) 위에 완결되지 않고 잔류하는 AlH3·[R] 잉크를 세척한다.The cleaning chamber 40 receives the cleaning liquid and is not finished on the flexible substrate S and the aluminum film electrode AE by passing the flexible substrate S supplied from the conductive metal film electrode forming chamber 30 through the cleaning liquid The remaining AlH 3 · [R] ink is washed.

따라서 유연기판(S)이 세척 챔버(40)를 경유하면, 유연기판(S) 및 알루미늄 필름 전극(AE)에 잔류하는 AlH3·[R] 잉크가 세척되어, 추가 반응이 방지된다. 따라서 유연기판(S)의 표면에 형성된 및 알루미늄 필름 전극(AE)의 표면이 고르게 된다.Therefore, when the flexible substrate S passes through the cleaning chamber 40, the AlH 3 · [R] ink remaining on the flexible substrate S and the aluminum film electrode AE is washed, and further reaction is prevented. Therefore, the surface of the aluminum film electrode (AE) formed on the surface of the flexible substrate (S) becomes even.

예를 들면, 세척에 사용되는 세척 용액은 AlH3 ·[R] 잉크의 용매와 같은 종류의 용액일 수 있고, 또한 AlH3·[R] 잉크의 용매를 제거할 수 있으며 유연기판(S) 위에 형성된 및 알루미늄 필름 전극(AE)을 손상시키지 않고, 제조장치(1)를 구성하는 다른 챔버들의 분위기를 손상시키지 않는 용액일 수 있다.For example, the cleaning solution used for cleaning is AlH 3 · [R] may be a kind of solution, such as a solvent of the ink, it can also remove the AlH 3 · [R] solvent of the ink can be found on the flexible substrate (S) Can be a solution which does not damage the formed and aluminum film electrode (AE), and does not deteriorate the atmosphere of the other chambers constituting the manufacturing apparatus (1).

제1 실시예의 전도성 금속 필름 전극 제조장치(1)는 세척 챔버(40)와 제2건조 챔버(51) 사이에 설치되는 열풍 건조 챔버(53)를 더 포함한다. 열풍 건조 챔버(53)는 전도성 금속 필름 전극(예를 들면, 알루미늄 필름 전극(AE)) 및 유연기판(S)에 잔류하는 세척액을 열풍 건조한다.The conductive metal film electrode manufacturing apparatus 1 of the first embodiment further includes a hot air drying chamber 53 installed between the cleaning chamber 40 and the second drying chamber 51. The hot air drying chamber 53 performs hot air drying on the conductive metal film electrode (for example, the aluminum film electrode AE) and the cleaning liquid remaining on the flexible substrate S.

한편, 제1 실시예의 전도성 금속 필름 전극 제조장치(1)는 촉매 환경 챔버(20), 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30), 세척 챔버(40) 및 열풍 건조 챔버(53)를 수용하여, 불활성 가스 분위기를 형성하는 분위기 제어 챔버(60)를 더 포함할 수 있다.On the other hand, the conductive metal film electrode manufacturing apparatus 1 of the first embodiment accommodates the catalytic environmental chamber 20, the conductive metal film electrode forming chamber 30, the cleaning chamber 40 and the hot air drying chamber 53, And an atmosphere control chamber 60 for forming a gas atmosphere.

분위기 제어 챔버(60)는 그 일측에 산소 제거 촉매(63)를 구비하고, 다른 일측에 수분 제거 촉매(64)를 구비하여, 산소와 수분을 제거하는 제1건조 챔버(11)의 작용에 더 한다. 산소 제거 촉매(63)는 분위기 제어 챔버(60)에 연결되어 순환되는 불활성 가스에 포함된 산소를 제거한다. 또한 수분 제거 촉매(64)는 분위기 제어 챔버(60)에 연결되어 순환하는 불활성 가스에 포함된 수분을 제거한다.The atmosphere control chamber 60 is provided with an oxygen removal catalyst 63 on one side thereof and a moisture removal catalyst 64 on the other side thereof for further operation of the first drying chamber 11 for removing oxygen and moisture do. The oxygen removal catalyst 63 is connected to the atmosphere control chamber 60 to remove oxygen contained in the inert gas to be circulated. The moisture removal catalyst 64 is connected to the atmosphere control chamber 60 to remove moisture contained in the circulating inert gas.

즉 수분 제거 촉매(64)와 산소 제거 촉매(63)는 분위기 제어 챔버(60) 내부의 수분 및 산소를 수 ppm 미만으로 유지시킨다. 이를 위하여, 수분 제거 촉매(64)(예를 들면, 몰레큘러시브(molecular sieve))와 산소 제거 촉매(63)(예를 들면, Cu 볼)를 중심으로 분위기 가스를 순환시키므로 분위기 가스에 포함된 수분과 산소가 제거되어 안정된 분위기가 유지된다.That is, the moisture removal catalyst 64 and the oxygen removal catalyst 63 maintain the moisture and oxygen in the atmosphere control chamber 60 at less than several ppm. For this purpose, the atmosphere gas is circulated around the moisture removing catalyst 64 (for example, a molecular sieve) and the oxygen removing catalyst 63 (for example, a Cu ball) Moisture and oxygen are removed and a stable atmosphere is maintained.

또한, 분위기 제어 챔버(60)는 공급구(61)에 제1솔레노이드 밸브(V1)를 구비하고, 배출구(62)에 제2솔레노이드 밸브(V2)를 구비한다. 제1솔레노이드 밸브(V1)는 신선한 불활성 가스를 공급하는 공급구(61)에 구비되어 공급구(61)를 단속 및 개도를 조절하여 불활성 가스의 공급을 단속 및 공급량을 제어한다. 이와 동시에, 제2솔레노이드 밸브(V2)는 오염된 불활성 가스를 배출하는 배출구(62)에 구비되어 배출구(62)를 단속 및 개도를 조절하여 불활성 가스의 배출을 단속 및 배출량을 제어한다.The atmosphere control chamber 60 is provided with a first solenoid valve V1 in the supply port 61 and a second solenoid valve V2 in the discharge port 62. [ The first solenoid valve (V1) is provided in a supply port (61) for supplying a fresh inert gas to control intermittent supply of the inert gas and supply amount by regulating intermittent opening and opening of the supply port (61). At the same time, the second solenoid valve V2 is provided in the discharge port 62 for discharging the contaminated inert gas to regulate the intermittent opening and opening of the discharge port 62 to control the intermittent discharge and the discharge amount of the inert gas.

분위기 제어 챔버(60)는 화학적 습식공정을 이용하여 유연기판(S)의 표면에 알루미늄 필름 전극(AE)을 형성할 때 수분과 산소를 제거하기 위하여, 고순도 아르곤 또는 질소 분위기로 유지한다.The atmosphere control chamber 60 is maintained in a high-purity argon or nitrogen atmosphere in order to remove moisture and oxygen when the aluminum film electrode (AE) is formed on the surface of the flexible substrate S using a chemical wet process.

화학식 AlH3·[R] → Al + 1.5H2 (g) ↑ + [R] (L)을 보면, 유연기판(S)에 알루미늄 필름 전극(AE)이 형성되는 과정 중에 수소가 계속해서 발생하므로 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30) 내의 압력이 계속해서 증가하고, 수소로 인해 위험한 상황이 발생될 수 있다.Hydrogen is continuously generated during the process of forming the aluminum film electrode (AE) on the flexible substrate (S) by looking at the formula AlH 3揃 R! Al + 1.5H 2 (g) The pressure in the conductive metal film electrode forming chamber 30 continuously increases, and a dangerous situation may occur due to hydrogen.

제1솔레노이드 밸브(V1)와 제2솔레노이드 밸브(V2)는 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30)의 내부 압력이 설정된 수준 이상이 될 경우, 내부 가스를 강제로 배출하고, 다시 안정한 불활성 가스인 질소 또는 아르곤을 유입한다.The first solenoid valve V1 and the second solenoid valve V2 forcibly discharge the internal gas when the internal pressure of the conductive metal film electrode forming chamber 30 becomes equal to or higher than a predetermined level, Or argon.

제2건조 챔버(51)는 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30)에서 알루미늄 필름 전극(AE)을 화학적 습식 공정으로 형성하여, 세척 챔버(40)를 통과하여 나온 알루미늄 필름 전극(AE) 및 유연기판(S)에 잔류하는 세척액을 건조시킨다.The second drying chamber 51 forms an aluminum film electrode AE in the conductive metal film electrode forming chamber 30 by a chemical wet process so that the aluminum film electrode AE, (S) is dried.

또한, 제2건조 챔버(51)는 불활성 가스(예를 들면, 질소 또는 아르곤)로 채워진 150℃ 미만의 건조 분위기를 형성한다. 따라서 알루미늄 필름 전극(AE) 및 유연기판(S)은 세척액이 제거된 건조 상태로 리코일러(50)에 되감긴다.Further, the second drying chamber 51 forms a drying atmosphere of less than 150 캜 filled with an inert gas (for example, nitrogen or argon). Accordingly, the aluminum film electrode (AE) and the flexible substrate (S) are rewound to the recoiler (50) in a dry state in which the cleaning liquid is removed.

이를 위하여, 제2건조 챔버(51)에 제2공급롤(52)이 구비된다. 제2공급롤(52)은 알루미늄 필름 전극(AE)이 형성된 유연기판(S)의 양면을 가압하여 회전함으로써 리코일러(50)로 이송한다. 따라서 리코일러(50)에서 완성된 알루미늄 필름 전극(AE)을 얻을 수 있다.To this end, a second supply roll 52 is provided in the second drying chamber 51. The second supply roll 52 pushes both sides of the flexible substrate S on which the aluminum film electrode AE is formed and rotates to transport it to the recoiler 50. [ Thus, the aluminum film electrode (AE) completed in the recoiler (50) can be obtained.

또한, 촉매 환경 챔버(20), 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30) 및 세척 챔버(40)는 촉매, 잉크 및 세척액의 수위를 각각 감지하며 내화학성을 가지는 제1, 제2, 제3수위센서(S1, S2, S3)를 각각 더 포함한다.The catalytic environmental chamber 20, the conductive metal film electrode forming chamber 30 and the cleaning chamber 40 respectively sense the level of the catalyst, the ink, and the cleaning liquid. The first, second, and third water level sensors (S1, S2, S3).

촉매, 잉크 및 세척액을 각각 공급하는 제1, 제2, 제3화학용펌프(P1, P2, P3)와 촉매 환경 챔버(20), 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30) 및 세척 챔버(40) 각각의 사이에 제11, 제12, 제13솔레노이드 밸브(V11, V12, V13)가 각각 배치된다.Second, and third chemical pumps P1, P2, and P3 and a catalytic environmental chamber 20, a conductive metal film electrode forming chamber 30, and a cleaning chamber 40, And the eleventh, twelfth, and thirteenth solenoid valves V11, V12, and V13, respectively, are disposed between each of them.

제1, 제2, 제3수위센서(S1, S2, S3)의 감지신호를 받은 제어부(미도시)는 제1, 제2, 제3화학용펌프(P1, P2, P3)와 제11, 제12, 제13솔레노이드 밸브(V11, V12, V13)를 각각 제어하여, 각 수위에 따라 촉매, 잉크 및 세척액을 각각 자동으로 공급할 수 있다.The control unit (not shown) receiving the sensing signals of the first, second and third water level sensors S1, S2 and S3 receives the first, second and third chemical pumps P1, P2, P3, The twelfth and thirteenth solenoid valves V11, V12, and V13, respectively, so that the catalyst, the ink, and the cleaning liquid can be automatically supplied according to the respective levels.

이하에서는 제2 실시예에 대하여 설명한다. 제1 실시예와 동일한 구성에 대하여 설명을 생략하고 서로 다른 구성에 대하여 설명한다.The second embodiment will be described below. The description of the same configuration as that of the first embodiment will be omitted and different configurations will be described.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전도성 금속 필름 전극 제조장치의 구성도이다. 도 2를 참조하면, 제2 실시예에 따른 전도성 금속 필름 전극 제조장치(2)는, 촉매 환경 챔버(220)와 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30) 사이에 프리 히터 챔버(70)를 더 포함한다.2 is a configuration diagram of an apparatus for manufacturing a conductive metal film electrode according to a second embodiment of the present invention. 2, the apparatus 2 for manufacturing a conductive metal film electrode according to the second embodiment further includes a preheater chamber 70 between the catalyst environment chamber 220 and the conductive metal film electrode forming chamber 30 do.

프리 히터 챔버(70)는 주행하는 유연기판(S)의 상면과 하면에 대향 배치되는 1쌍의 플레이트 히터(71, 72)를 구비할 수 있다.The preheater chamber 70 may include a pair of plate heaters 71 and 72 disposed to face the upper and lower surfaces of the flexible substrate S running.

프리 히터 챔버(70)는 언코일링되어 촉매 환경 챔버(220)를 경유한 유연기판(S)을 플레이트 히터(71, 72)로 예열하여 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30)에서 전도성 금속 필름 전극의 원활한 형성을 가능하게 한다.The preheater chamber 70 is uncoiled to preheat the flexible substrate S via the catalytic environmental chamber 220 to the plate heaters 71 and 72 so that the conductive metal film electrode Thereby facilitating the formation of a smooth surface.

즉 프리 히터 챔버(70)는 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버(30)의 전방에 구비되어 유연기판(S)을 예열하여, 유연기판(S)의 표면 온도를 상승시킴으로써 유연기판(S)과 잉크의 반응 시간을 단축시켜 전도성 금속 필름 전극 형성을 빠르게 한다.The preheater chamber 70 is provided in front of the conductive metal film electrode forming chamber 30 to preheat the flexible substrate S to raise the surface temperature of the flexible substrate S, Thereby shortening the reaction time and accelerating the formation of the conductive metal film electrode.

촉매 환경 챔버(220)로 공급되는 유연기판(S)을 촉매에 접촉시키는 방법 중 그 세 번째이다. 그 예로써, 촉매 환경 챔버(220)는 순환 펌프(Pc)에 의하여 공급되는 촉매를 분사하도록 촉매 분사 노즐(22)을 구비한다. 촉매 분사 노즐(22)은 언코일링된 유연기판(S)에서 전극 형성 부분에 미량의 촉매를 집중적으로 분사하여 유연기판(S)의 표면을 처리하므로 제1 실시예에 비하여 촉매를 절약할 수 있다.And a third method of contacting the flexible substrate S supplied to the catalyst environmental chamber 220 with the catalyst. As an example, the catalyst environment chamber 220 has a catalyst injection nozzle 22 for injecting a catalyst supplied by a circulation pump Pc. The catalyst injection nozzle 22 treats the surface of the flexible substrate S by intensively injecting a small amount of catalyst to the electrode formation portion in the uncoiled flexible substrate S, so that the catalyst can be saved in comparison with the first embodiment have.

또한 제2 실시예에 따른 전도성 금속 필름 전극 제조장치(2)는 촉매 환경 챔버(220)와 프리 히터 챔버(70) 사이에 지지롤(81)과 블레이드(82)를 구비한다. 촉매가 분사된 유연기판(S)은 지지롤(81)과 블레이드(82) 사이로 진행된다. 이때, 블레이드(82)는 유연기판(S)에 분사된 촉매를 균일하게 펴서 프리 히터 챔버(70) 내에서 균일한 두께로 건조될 수 있게 한다.The apparatus for manufacturing a conductive metal film electrode 2 according to the second embodiment also includes a support roll 81 and a blade 82 between the catalyst environment chamber 220 and the preheater chamber 70. The flexible substrate S onto which the catalyst is sprayed is advanced between the support roll 81 and the blade 82. At this time, the blade 82 uniformly spreads the catalyst sprayed on the flexible substrate S, thereby allowing the pre-heater chamber 70 to be dried to a uniform thickness.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And it goes without saying that the invention belongs to the scope of the invention.

1, 2: 전도성 금속 필름 전극 제조장치
10: 언코일러 11: 제1건조 챔버
12: 제1공급롤 20, 220: 촉매 환경 챔버
21, 31, 81: 지지롤 30: 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버
40: 세척 챔버 50: 리코일러
51: 제2건조 챔버 52: 제2공급롤
53: 열풍 건조 챔버 60: 분위기 제어 챔버
61: 공급구 62: 배출구
63: 산소 제거 촉매 64: 수분 제거 촉매
70: 프리 히터 챔버 71, 72: 플레이트 히터
82: 블레이드 AE: 알루미늄 필름 전극
P1, P2, P3: 제1, 제2, 제3화학용펌프 Pc: 순환 펌프
S1, S2, S3: 제1, 제2, 제3수위센서 S: 유연기판
TS: 장력 센서 V1, V2: 제1, 제2솔레노이드 밸브
V11, V12, V13: 제11, 제12, 제13솔레노이드 밸브
1, 2: Conductive metal film electrode manufacturing apparatus
10: Uncoiler 11: 1st drying chamber
12: first feed roll 20, 220: catalytic environment chamber
21, 31, 81: Support roll 30: Conductive metal film electrode forming chamber
40: Cleaning chamber 50: Recoiler
51: second drying chamber 52: second supply roll
53: hot air drying chamber 60: atmosphere control chamber
61: supply port 62:
63: oxygen removal catalyst 64: water removal catalyst
70: preheater chamber 71, 72: plate heater
82: Blade AE: Aluminum film electrode
P1, P2, P3: first, second and third chemical pumps Pc: circulating pump
S1, S2, S3: first, second and third level sensors S: flexible substrate
TS: tension sensor V1, V2: first and second solenoid valves
V11, V12, V13: Eleventh, twelfth, thirteenth solenoid valve

Claims (15)

유연기판을 공급하는 언코일러;
상기 언코일러에서 공급되는 상기 유연기판을 흄(fume) 상태 또는 용액 상태의 금속 전구체 분해 활성화 촉매에 접촉시켜 화학적 습식공정으로 상기 유연기판의 표면을 일 부분 또는 패턴 상태로 처리하는 촉매 환경 챔버;
상기 촉매 환경 챔버에서 공급되는 상기 유연기판에 잉크로 전도성 금속 필름 전극을 형성하는 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버; 및
상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버를 경유하여 상기 전도성 금속 필름 전극을 형성한 상기 유연기판을 되감는 리코일러
를 포함하며,
상기 잉크의 조성물은 금속 전구체를 포함하고,
상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버는,
상기 잉크의 조성물에 상기 유연기판을 함침시켜(impregnation), 상기 촉매 환경 챔버에서 표면 처리된 상태에 따라 상기 유연기판에 상기 전도성 금속 필름 전극을 형성하는 전도성 금속 필름 전극 제조장치.
An uncoiler for supplying a flexible substrate;
A catalyst environment chamber for contacting the flexible substrate supplied from the uncoiler with a metal precursor decomposition activating catalyst in a fume state or a solution state to treat the surface of the flexible substrate in a partial or patterned state by a chemical wet process;
A conductive metal film electrode forming chamber for forming a conductive metal film electrode with ink on the flexible substrate supplied from the catalytic environmental chamber; And
And a re-coiler for rewinding the flexible substrate formed with the conductive metal film electrode via the conductive metal film electrode forming chamber
/ RTI >
Wherein the composition of the ink comprises a metal precursor,
The conductive metal film electrode forming chamber includes:
Impregnating the flexible substrate with the composition of the ink and forming the conductive metal film electrode on the flexible substrate according to a surface treated condition in the catalytic environmental chamber.
제1항에 있어서,
상기 언코일러를 수용하여 상기 유연기판에 함유된 수분과 산소를 제거하는 제1건조 챔버
를 더 포함하는 전도성 금속 필름 전극 제조장치.
The method according to claim 1,
A first drying chamber for accommodating the uncoiler and removing moisture and oxygen contained in the flexible substrate,
Further comprising: a conductive metal film;
제1항에 있어서,
상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버와 상기 리코일러 사이에 구비되어, 상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버에서 공급되는 상기 전도성 금속 필름 전극 및 상기 유연기판을 세척액으로 세척하는 세척 챔버
를 더 포함하는 전도성 금속 필름 전극 제조장치.
The method according to claim 1,
And a cleaning chamber provided between the conductive metal film electrode forming chamber and the recoiler for cleaning the conductive metal film electrode and the flexible substrate supplied from the conductive metal film electrode forming chamber,
Further comprising: a conductive metal film;
제3항에 있어서,
상기 리코일러를 수용하여 상기 전도성 금속 필름 전극 및 상기 유연기판에 잔류하는 세척액을 제거하는 제2건조 챔버
를 더 포함하는 전도성 금속 필름 전극 제조장치.
The method of claim 3,
And a second drying chamber for receiving the recoiler and removing the cleaning metal liquid remaining on the conductive metal film electrode and the flexible substrate,
Further comprising: a conductive metal film;
제4항에 있어서,
상기 세척 챔버와 상기 제2건조 챔버 사이에 설치되어 상기 전도성 금속 필름 전극 및 상기 유연기판에 잔류하는 세척액을 열풍 건조하는 열풍 건조 챔버
를 더 포함하는 전도성 금속 필름 전극 제조장치.
5. The method of claim 4,
A hot air drying chamber provided between the cleaning chamber and the second drying chamber for hot air drying the conductive metal film electrode and the cleaning liquid remaining on the flexible substrate,
Further comprising: a conductive metal film;
제3항에 있어서,
상기 촉매 환경 챔버, 상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버, 상기 세척 챔버, 및 열풍 건조 챔버를 수용하여, 불활성 가스 분위기를 형성하는 분위기 제어 챔버
를 더 포함하는 전도성 금속 필름 전극 제조장치.
The method of claim 3,
An atmosphere control chamber for accommodating the catalytic environmental chamber, the conductive metal film electrode forming chamber, the cleaning chamber, and the hot air drying chamber,
Further comprising: a conductive metal film;
제6항에 있어서,
상기 분위기 제어 챔버는,
상기 불활성 가스를 공급하는 공급구에 구비되어 공급을 제어하는 제1솔레노이드 밸브, 및
상기 불활성 가스를 배출하는 배출구에 구비되어 배출을 제어하는 제2솔레노이드 밸브
를 더 포함하는 전도성 금속 필름 전극 제조장치.
The method according to claim 6,
The atmosphere control chamber includes:
A first solenoid valve provided in a supply port for supplying the inert gas and controlling supply of the inert gas,
A second solenoid valve provided at an outlet for discharging the inert gas to control the discharge,
Further comprising: a conductive metal film;
제6항에 있어서,
상기 분위기 제어 챔버의 일측에 연결되어 상기 불활성 가스를 순환시키면서 불활성 가스에 포함된 산소를 제거하는 산소 제거 촉매, 및
상기 분위기 제어 챔버의 다른 일측에 연결되어 상기 불활성 가스를 순환시키면서 불활성 가스에 포함된 수분을 제거하는 수분 제거 촉매
를 더 포함하는 전도성 금속 필름 전극 제조장치.
The method according to claim 6,
An oxygen removal catalyst connected to one side of the atmosphere control chamber for removing oxygen contained in the inert gas while circulating the inert gas,
And a moisture removal catalyst connected to the other side of the atmosphere control chamber to remove water contained in the inert gas while circulating the inert gas,
Further comprising: a conductive metal film;
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 촉매 환경 챔버는,
상기 유연기판을 지지하는 지지롤을 구비하며,
상기 지지롤은 발열 기능을 가지는 전도성 금속 필름 전극 제조장치.
The method according to claim 1,
The catalytic environmental chamber may comprise:
And a support roll for supporting the flexible substrate,
Wherein the supporting roll has a heat generating function.
제3항에 있어서,
상기 촉매 환경 챔버, 상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버 및 상기 세척 챔버는,
촉매, 잉크 및 세척액의 수위를 각각 감지하며 내화학성을 가지는 수위센서를 각각 더 포함하는 전도성 금속 필름 전극 제조장치.
The method of claim 3,
The catalytic environmental chamber, the conductive metal film electrode forming chamber,
Further comprising a water level sensor which detects the level of the catalyst, the ink, and the cleaning liquid, respectively, and has chemical resistance.
제12항에 있어서,
상기 촉매 환경 챔버, 상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버 및 상기 세척 챔버는,
제11, 제12, 제13 솔레노이드 밸브를 각각 개재하여,
상기 촉매, 상기 잉크 및 상기 세척액을 각각 공급하는 제1, 제2, 제3 화학용펌프에 각각 연결되는 전도성 금속 필름 전극 제조장치.
13. The method of claim 12,
The catalytic environmental chamber, the conductive metal film electrode forming chamber,
Through the eleventh, twelfth, and thirteenth solenoid valves, respectively,
And the first, second, and third chemical pumps supplying the catalyst, the ink, and the cleaning liquid, respectively.
제1항에 있어서,
상기 촉매 환경 챔버, 상기 전도성 금속 필름 전극 형성 챔버 사이에 설치되어, 언코일링되어 상기 촉매 환경 챔버를 경유한 상기 유연기판을 예열하는 프리 히터 챔버를 더 포함하는 전도성 금속 필름 전극 제조장치.
The method according to claim 1,
And a preheater chamber disposed between the catalytic environmental chamber and the conductive metal film electrode forming chamber and uncoiled to preheat the flexible substrate via the catalytic environmental chamber.
제14항에 있어서,
상기 촉매 환경 챔버는,
언코일링된 상기 유연기판의 전극 형성 부분에 미량의 촉매을 분사하는 촉매 분사 노즐을 더 포함하는 전도성 금속 필름 전극 제조장치.
15. The method of claim 14,
The catalytic environmental chamber may comprise:
Further comprising a catalyst injection nozzle for injecting a small amount of catalyst to an electrode formation portion of the uncoiled flexible substrate.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220297154A1 (en) * 2020-01-06 2022-09-22 Nihon Spindle Manufacturing Co., Ltd. Coating device, partition member, and coating method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101641285B1 (en) 2015-11-30 2016-07-20 한국기계연구원 Apparatus for coating conductive film
JP6600079B2 (en) * 2015-11-27 2019-10-30 韓国機械研究院 Substrate coating apparatus and conductive film coating apparatus including the same
JP7301809B2 (en) * 2020-11-30 2023-07-03 Apb株式会社 Manufacturing equipment for battery electrodes

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007270322A (en) 2006-03-31 2007-10-18 Fujifilm Corp Washing device and equipment for manufacturing film with plated coating

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080015191A (en) * 2006-08-14 2008-02-19 삼성에스디아이 주식회사 Method for manufacturing membrane-electrode assembly for fuel cell system and apparatus using the same method
WO2010011974A1 (en) * 2008-07-24 2010-01-28 Kovio, Inc. Aluminum inks and methods of making the same, methods for depositing aluminum inks, and films formed by printing and/or depositing an aluminum ink
KR101581362B1 (en) * 2012-04-09 2015-12-30 엘지전자 주식회사 Apparatus for growing graphene using Joule heating

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007270322A (en) 2006-03-31 2007-10-18 Fujifilm Corp Washing device and equipment for manufacturing film with plated coating

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220297154A1 (en) * 2020-01-06 2022-09-22 Nihon Spindle Manufacturing Co., Ltd. Coating device, partition member, and coating method

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