KR101605722B1

KR101605722B1 - Feeder and substrate treating apparatus

Info

Publication number: KR101605722B1
Application number: KR1020140113969A
Authority: KR
Inventors: 칼리닌; 니키신
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2014-08-29
Filing date: 2014-08-29
Publication date: 2016-03-23
Also published as: KR20160028003A

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과 상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과 그리고 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되 상기 플라즈마 소스는 전력 소스와 전극과 상기 전력 소스로부터 상기 전극으로 전력을 인가하는 피더를 포함하되, 상기 피더는 서로 상이한 재질로 제공된 복수의 레이어들을 포함하며, 상기 레이어들은 어느 하나의 레이어가 다른 레이어를 감싸며 제공될 수 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus using plasma. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber having a processing space therein, a support unit for supporting the substrate in the chamber, a gas supply unit for supplying the processing gas into the chamber, Wherein the plasma source comprises a power source, an electrode, and a feeder for applying power from the power source to the electrode, wherein the feeder comprises a plurality of layers provided in different materials, One layer may be provided by surrounding another layer.

Description

FEEDER AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로 보다 구체적으로 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus using plasma.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판상에 형성된 막 중 선택된 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on a substrate to form a desired pattern on the substrate. In the etching process, wet etching and dry etching are used to remove a selected region of the film formed on the substrate.

이 중 건식식각을 위해 플라즈마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라즈마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.Among them, an etching apparatus using a plasma is used for dry etching. Generally, in order to form a plasma, an electromagnetic field is formed in an inner space of a chamber, and an electromagnetic field excites the process gas provided in the chamber into a plasma state.

플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals, and the like. Plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields, or RF electromagnetic fields. The etching process is performed by colliding the ion particles contained in the plasma with the substrate.

플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에서 플라즈마를 발생 시키기 위해 전원과 전극, 그리고 가스를 이용하여 플라즈마를 발생시킨다. 이 때 전원에서 전극으로 전력 공급은 RF 피더를 통해서 이루어진다. RF 피더는 일반적으로 금속 재질의 원통 형상으로 제공된다. 다만, 이러한 형상은 스킨 층의 전기 저항으로 RF 전력 손실이 발생한다. In a plasma processing apparatus, a plasma is generated by using a power source, an electrode, and a gas to generate a plasma. At this time, power is supplied from the power source to the electrode through the RF feeder. The RF feeder is generally provided in a cylindrical shape of metal. However, this shape causes RF power loss due to the electrical resistance of the skin layer.

본 발명은 플라즈마을 이용한 기판 처리 장치에서 기판 처리 공정의 효율을 높이는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus that improves the efficiency of a substrate processing process in a substrate processing apparatus using plasma.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과 상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과 그리고 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되 상기 플라즈마 소스는 전력 소스와 전극과 상기 전력 소스로부터 상기 전극으로 전력을 인가하는 피더를 포함하되 상기 피더는 서로 상이한 재질로 제공된 복수의 레이어들을 포함하며, 상기 레이어들은 어느 하나의 레이어가 다른 레이어를 감싸며 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus includes a chamber having a processing space therein, a support unit for supporting the substrate in the chamber, a gas supply unit for supplying the processing gas into the chamber, The plasma source including a power source, an electrode, and a feeder for applying power from the power source to the electrode, wherein the feeder comprises a plurality of layers provided in different materials, One layer may be provided by surrounding another layer.

일 실시예에 의하면, 상기 레이어들은 제1재질의 제1레이어와, 제2재질의 제2레이어를 포함하며 상기 제1레이어와 상기 제2레이어는 교대로 반복적으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the layers include a first layer of a first material and a second layer of a second material, and the first layer and the second layer may be alternately and repeatedly provided.

일 실시예에 의하면, 상기 제1재질은 금속을 포함하며 상기 제2재질은 유전체를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the first material may include a metal and the second material may include a dielectric.

일 실시예에 의하면, 상기 금속은 구리로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the metal may be provided with copper.

일 실시예에 의하면, 상기 제1레이어의 두께는 상기 제2레이어의 두께보다 얇게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the thickness of the first layer may be less than the thickness of the second layer.

일 실시예에 의하면, 상기 복수의 레이어 중 최내측의 레이어는 상기 제1레이어로 제공될 수 있다. According to an embodiment, the innermost layer among the plurality of layers may be provided as the first layer.

일 실시예에 의하면, 상기 복수의 레이어 중 최외측의 레이어는 상기 제1레이어로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the outermost layer among the plurality of layers may be provided as the first layer.

일 실시예에 의하면, 상기 복수의 레이어 중 최내측의 레이어와 최외측의 레이어는 상기 제1레이어로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the innermost layer and the outermost layer among the plurality of layers may be provided as the first layer.

일 실시예에 의하면, 상기 제1레이어와 상기 제2레이어는 동축으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the first layer and the second layer may be provided coaxially.

일 실시예에 의하면, 상기 복수의 레이어들 중 서로 인접하는 레이어는 밀착하여 제공될 수 있다.According to an embodiment, adjacent layers among the plurality of layers may be provided in close contact with each other.

본 발명은 전원에서 전극으로 고주파 전원을 인가하는 피더를 제공한다.The present invention provides a feeder for applying a high frequency power from a power source to an electrode.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 피더는 서로 상이한 재질로 제공된 복수의 레이어들을 포함하며 상기 레이어들은 어느 하나의 레이어가 다른 레이어를 감싸며 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the feeder includes a plurality of layers provided with materials different from each other, and the layers may be provided such that one layer surrounds another layer.

일 실시예에 의하면, 상기 제1재질은 금속을 포함하며, 상기 제2재질은 유전체를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the first material may include a metal, and the second material may include a dielectric.

일 실시예에 의하면, 상기 복수의 레이어 중 최내측의 레이어는 상기 제1레이어로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the innermost layer among the plurality of layers may be provided as the first layer.

일 실시예에 의하면, 상기 복수의 레이어 중 최외측의 레이어는 상기 제1레이어로 제공될 수 있다. According to an embodiment, the outermost layer among the plurality of layers may be provided as the first layer.

일 실시예에 의하면, 상기 복수의 레이어 중 최내측의 레이어와 최외측의 레이어는 상기 제1레이어로 제공될 수 있다. According to an embodiment, the innermost layer and the outermost layer among the plurality of layers may be provided as the first layer.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치에 피더를 복수의 재질로 제공하여 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치의 공정 효율을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a feeder may be provided in a plurality of materials in a substrate processing apparatus to improve the process efficiency of the substrate processing apparatus using plasma.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 피더를 복수의 재질로 제공하여 피더 내 전기 저항층을 최소화하여 전력 손실을 줄이는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, the feeder is provided in a plurality of materials to minimize the electric resistance layer in the feeder, thereby reducing power loss.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 피더를 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 1의 피더를 보여주는 평면도이다.
도 4와 도 5는 도 1의 피더의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 6과 도 7은 도 1의 기판 처리 장치의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing the feeder of FIG. 1; FIG.
3 is a plan view showing the feeder of FIG.
FIGS. 4 and 5 are views showing another embodiment of the feeder of FIG. 1. FIG.
FIGS. 6 and 7 are views showing another embodiment of the substrate processing apparatus of FIG. 1. FIG.
8 is a view illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified into various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 샤워 헤드 유닛(300), 가스 공급 유닛(400), 플라즈마 소스, 그리고 배플 유닛(500)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 processes a substrate W using plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate W. [ The substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a support unit 200, a showerhead unit 300, a gas supply unit 400, a plasma source, and a baffle unit 500.

챔버(100)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 챔버(100)는 내부의 처리 공간을 가지고, 밀폐된 형상으로 제공된다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공된다. 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 접지될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 챔버(100)의 내부는 소정 압력으로 감압된다. The chamber 100 provides a processing space in which a substrate processing process is performed. The chamber 100 has an internal processing space and is provided in a closed configuration. The chamber 100 is made of a metal material. The chamber 100 may be made of aluminum. The chamber 100 may be grounded. On the bottom surface of the chamber 100, an exhaust hole 102 is formed. The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 151. The reaction byproducts generated in the process and the gas staying in the inner space of the chamber can be discharged to the outside through the exhaust line 151. The inside of the chamber 100 is decompressed to a predetermined pressure by the exhaust process.

일 예에 의하면, 챔버(100) 내부에는 라이너(130)가 제공될 수 있다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 원통 형상을 가진다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측면과 접촉하도록 제공될 수 있다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측벽을 보호하여 챔버(100)의 내측벽이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 챔버(100)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 선택적으로, 라이너(130)는 제공되지 않을 수도 있다.According to one example, a liner 130 may be provided within the chamber 100. The liner 130 has a cylindrical shape with an upper surface and a lower surface opened. The liner 130 may be provided to contact the inner surface of the chamber 100. The liner 130 protects the inner wall of the chamber 100 and prevents the inner wall of the chamber 100 from being damaged by the arc discharge. Also, impurities generated during the substrate processing process are prevented from being deposited on the inner wall of the chamber 100. Optionally, the liner 130 may not be provided.

챔버(100)의 내부에는 지지 유닛(200)이 위치한다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.The support unit 200 is located inside the chamber 100. The support unit 200 supports the substrate W. [ The support unit 200 may include an electrostatic chuck 210 for attracting the substrate W using an electrostatic force. Alternatively, the support unit 200 may support the substrate W in various manners, such as mechanical clamping. Hereinafter, the supporting unit 200 including the electrostatic chuck 210 will be described.

지지 유닛(200)는 정전 척(210), 하부 커버(250) 그리고 플레이트(270)를 포함한다. 지지 유닛(200)는 챔버(100) 내부에서 챔버(100)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. The support unit 200 includes an electrostatic chuck 210, a lower cover 250, and a plate 270. The support unit 200 is spaced upwardly from the bottom surface of the chamber 100 within the chamber 100.

정전 척(210)은 유전판(220), 몸체(230),그리고 포커스 링(240)을 포함한다. 정전 척(210)은 기판(W)을 지지한다.The electrostatic chuck 210 includes a dielectric plate 220, a body 230, and a focus ring 240. The electrostatic chuck 210 supports the substrate W.

유전판(220)은 정전 척(210)의 상단에 위치한다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리 영역은 유전판(220)의 외측에 위치한다. The dielectric plate 220 is located at the top of the electrostatic chuck 210. The dielectric plate 220 is provided as a disk-shaped dielectric substance. A substrate W is placed on the upper surface of the dielectric plate 220. The upper surface of the dielectric plate 220 has a smaller radius than the substrate W. [ Therefore, the edge region of the substrate W is located outside the dielectric plate 220.

유전판(220)은 내부에 제1 공급 유로(221), 제1 전극(223) 그리고 히터(225)를 포함한다. 제1 공급 유로(221)는 유전판(220)의 상면으로부터 저면으로 제공된다. 제1 공급 유로(221)는 서로 이격되며 복수개가 형성된다. 제1 공급 유로는(221)는 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다.The dielectric plate 220 includes a first supply passage 221, a first electrode 223, and a heater 225 therein. The first supply passage 221 is provided from the upper surface to the lower surface of the dielectric plate 220. The first supply flow paths 221 are spaced from each other and a plurality of the first supply flow paths 221 are formed. The first supply passage 221 is provided as a passage through which the heat transfer medium is supplied to the bottom surface of the substrate W. [

제1 전극(223)은 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 제1 전원(223a)은 직류 전원을 포함한다. 제1 전극(223)과 제1 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치된다. 제1 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON) 되면, 제1 전극(223)에는 직류 전류가 인가된다. 제1 전극(223)에 인가된 전류에 의해 제1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(220)에 흡착된다.The first electrode 223 is electrically connected to the first power source 223a. The first power source 223a includes a DC power source. A switch 223b is provided between the first electrode 223 and the first power source 223a. The first electrode 223 may be electrically connected to the first power source 223a by turning on / off the switch 223b. When the switch 223b is turned on, a direct current is applied to the first electrode 223. An electrostatic force is applied between the first electrode 223 and the substrate W by the current applied to the first electrode 223 and the substrate W is attracted to the dielectric plate 220 by the electrostatic force.

히터(225)는 제1 전극(223)의 하부에 위치한다. 히터(225)는 제2 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다. The heater 225 is located below the first electrode 223. The heater 225 is electrically connected to the second power source 225a. The heater 225 generates heat by resisting the current applied from the second power source 225a. The generated heat is transferred to the substrate W through the dielectric plate 220. The substrate W is maintained at a predetermined temperature by the heat generated in the heater 225. The heater 225 includes a helical coil.

몸체(230)는 유전판(220)의 하부에 위치한다. 몸체(230)의 상면과 유전판(220)의 저면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 몸체(230)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 몸체(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(220)의 저면과 접착된다. 몸체(230)는 내부에 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232) 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다.The body 230 is located below the dielectric plate 220. The upper surface of the body 230 and the bottom surface of the dielectric plate 220 may be adhered by an adhesive 236. [ The body 230 may be made of aluminum. The upper surface of the body 230 may be stepped so that the central region is located higher than the edge region. The upper surface central region of the body 230 has an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 220 and is bonded to the bottom surface of the dielectric plate 220. The body 230 has a first circulation channel 231, a second circulation channel 232, and a second supply channel 233 formed therein.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.The first circulation channel 231 is provided as a passage through which the heat transfer medium circulates. The first circulation flow path 231 may be formed in a spiral shape inside the body 230. Alternatively, the first circulation flow path 231 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the first circulation flow paths 231 can communicate with each other. The first circulation flow paths 231 are formed at the same height.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2 순환 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성된다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.The second circulation flow passage 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The second circulation flow path 232 may be formed in a spiral shape inside the body 230. Alternatively, the second circulation flow path 232 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. And each of the second circulation flow paths 232 can communicate with each other. The second circulation channel 232 may have a larger cross-sectional area than the first circulation channel 231. The second circulation flow paths 232 are formed at the same height. The second circulation flow passage 232 may be positioned below the first circulation flow passage 231.

제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 몸체(230)의 상면으로 제공된다. 제2 공급 유로(243)는 제1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다.The second supply passage 233 extends upward from the first circulation passage 231 and is provided on the upper surface of the body 230. The second supply passage 243 is provided in a number corresponding to the first supply passage 221 and connects the first circulation passage 231 to the first supply passage 221.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 한다.The first circulation channel 231 is connected to the heat transfer medium storage unit 231a through the heat transfer medium supply line 231b. The heat transfer medium is stored in the heat transfer medium storage unit 231a. The heat transfer medium includes an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium comprises helium (He) gas. The helium gas is supplied to the first circulation channel 231 through the supply line 231b and is supplied to the bottom surface of the substrate W through the second supply channel 233 and the first supply channel 221 in sequence. The helium gas serves as a medium through which the heat transferred from the plasma to the substrate W is transferred to the electrostatic chuck 210.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 몸체(230)를 냉각한다. 몸체(230)는 냉각되면서 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다. The second circulation channel 232 is connected to the cooling fluid storage 232a through the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid is stored in the cooling fluid storage part 232a. A cooler 232b may be provided in the cooling fluid storage portion 232a. The cooler 232b cools the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 232b may be installed on the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid supplied to the second circulation channel 232 through the cooling fluid supply line 232c is circulated along the second circulation channel 232 to cool the body 230. The body 230 is cooled while the dielectric plate 220 and the substrate W are cooled together to maintain the substrate W at a predetermined temperature.

몸체(230)는 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 몸체(230) 전체가 금속판으로 제공될 수 있다. 몸체(230)는 제3 전원(235a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 전원(235a)은 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 고주파 전원은 RF 전원으로 제공될 수 있다. 몸체(230)는 제3 전원(235a)으로부터 고주파 전력을 인가받는다. 이로 인해 몸체(230)는 전극으로서 기능할 수 있다. 이와는 달리 도 7과 같이 몸체(230)는 접지되어 제공될 수 있다. The body 230 may include a metal plate. According to one example, the entire body 230 may be provided as a metal plate. The body 230 may be electrically connected to the third power source 235a. The third power source 235a may be provided as a high frequency power source for generating high frequency power. The high frequency power source can be provided by an RF power source. The body 230 receives the high frequency power from the third power source 235a. This allows the body 230 to function as an electrode. Alternatively, as shown in FIG. 7, the body 230 may be grounded.

도 2는 도 1의 피더를 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 1의 피더를 보여주는 평면도이다. 이하 도 1 내지 도 3을 참조하면, 피더(700)는 제3 전원(235a)에 전력을 몸체(230)로 인가한다. 또한, 피더(700)는 후술할 샤워 헤드(310)와 제4 전원(351)에 연결되어 제공된다. 피더(700)는 복수의 레이어(710,720)를 포함한다. 복수의 레이어(710,720)들 중 일부는 상이한 재질로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 복수의 레이어(710,720)은 제1레이어(710)와 제2레이어(720)을 포함한다. FIG. 2 is a perspective view of the feeder of FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view of the feeder of FIG. 1; 1 to 3, the feeder 700 applies electric power to the third power source 235a to the body 230. [ The feeder 700 is connected to the showerhead 310 and the fourth power source 351, which will be described later. The feeder 700 includes a plurality of layers 710 and 720. Some of the plurality of layers 710 and 720 may be provided in different materials. According to an example, the plurality of layers 710 and 720 include a first layer 710 and a second layer 720.

제1레이어(710)은 제1재질로 제공된다. 제1재질은 금속으로 제공될 수 있다. 일 실시예로 금속은 구리로 제공될 수 있다. 제2레이어(720)은 제2재질로 제공된다. 제2재질은 유전체를 포함할 수 있다. The first layer 710 is provided as a first material. The first material may be provided as a metal. In one embodiment, the metal may be provided with copper. The second layer 720 is provided as a second material. The second material may comprise a dielectric.

제1레이어(710)과 제2레이어(720)은 서로 상이한 두께로 제공된다. 제1레이어(710)의 두께는 제2레이어(720)의 두께보다 얇게 제공될 수 있다. 제1레이어(710)들은 서로 동일하게 제공된다. 제2레이어(720)들은 서로 동일하게 제공된다. 제1레이어(710)와 제2레이어(720)들은 모두 동축으로 제공된다.The first layer 710 and the second layer 720 are provided with different thicknesses from each other. The thickness of the first layer 710 may be less than the thickness of the second layer 720. The first layers 710 are provided equally to each other. The second layers 720 are provided equally to each other. Both the first layer 710 and the second layer 720 are provided coaxially.

복수의 레이어(710,720)들은 어느 하나의 레이어가 다른 레이어를 감싸며 제공될 수 있다. 인접하는 레이어들(710,720)은 서로 밀착하여 제공된다. 제1레이어(710)과 제2레이어(720)은 교대로 반복적으로 제공될 수 있다. 일 실시예로 최내측에는 제1레이어(710)이 제공되고, 제2레이어(720)가 제1레이어(710)을 감싸며 제공되고, 다른 제1레이어(710)가 제2레이어(720)를 감싸며 제공된다.복수의 레이어(710,720)의 최외측에는 제1레이어(710)가 제공된다. 본 발명의 실시예에서는 복수의 레이어(710,720)들은 5개의 레이어로 제공된다. 제1레이어(710)는 3개가 제공된다. 제2레이어(720)는 2개가 제공된다. 제1레이어(710)는 최내측에 제공된다. 순차적으로 내측에서 외측으로 제1레이어(710), 제2레이어(720), 제1레이어(710), 제2레이어(720) 그리고 제1레이어(710)가 제공된다. 최외측에는 제1레이어(710)가 제공된다. 이와는 달리 복수의 레이어(710,720)들은 위와 달리 상이하게 제공될 수 있다.The plurality of layers 710 and 720 may be provided in such a manner that one layer covers another layer. Adjacent layers 710 and 720 are provided in close contact with each other. The first layer 710 and the second layer 720 may be alternately and repeatedly provided. In one embodiment, a first layer 710 is provided on the innermost side, a second layer 720 is provided on the first layer 710, and another first layer 710 is provided on the second layer 720 The first layer 710 is provided on the outermost sides of the plurality of layers 710 and 720. In the embodiment of the present invention, the plurality of layers 710 and 720 are provided in five layers. Three of the first layers 710 are provided. The second layer 720 is provided in two. The first layer 710 is provided on the innermost side. A first layer 710, a second layer 720, a first layer 710, a second layer 720 and a first layer 710 are sequentially provided from the inside to the outside. A first layer 710 is provided on the outermost side. Alternatively, the plurality of layers 710 and 720 may be provided differently from the above.

피더(700)는 서로 상이한 재질로 제공되는 복수의 레이어(710,720)로 제공되어, 피더(700) 내부에 전기 저항을 감소시킨다. 전기 저항의 감소는 플라즈마를 발생시키는 전력 손실량을 줄이는 효과가 있다.The feeder 700 is provided with a plurality of layers 710 and 720 provided in mutually different materials to reduce electrical resistance inside the feeder 700. The reduction of the electrical resistance has the effect of reducing the amount of power loss that generates the plasma.

포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 포커스 링(240)의 외측부(240a)는 기판(W) 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(240)은 기판(W)의 전체 영역에서 플라즈마의 밀도가 균일하게 분포하도록 전자기장을 제어한다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라즈마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.The focus ring 240 is disposed in the edge region of the electrostatic chuck 210. The focus ring 240 has a ring shape and is disposed along the periphery of the dielectric plate 220. The upper surface of the focus ring 240 may be stepped so that the outer portion 240a is higher than the inner portion 240b. The upper surface inner side portion 240b of the focus ring 240 is positioned at the same height as the upper surface of the dielectric plate 220. [ The upper surface inner side portion 240b of the focus ring 240 supports an edge region of the substrate W positioned outside the dielectric plate 220. [ The outer side portion 240a of the focus ring 240 is provided so as to surround the edge region of the substrate W. [ The focus ring 240 controls the electromagnetic field so that the density of the plasma is uniformly distributed over the entire area of the substrate W. Thereby, plasma is uniformly formed over the entire region of the substrate W, so that each region of the substrate W can be uniformly etched.

하부 커버(250)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(250)는 챔버(100)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(250)는 상면이 개방된 공간(255)이 내부에 형성된다. 하부 커버(250)의 외부 반경은 몸체(230)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간(255)에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다. 리프트 핀 모듈(미도시)은 하부 커버(250)로부터 일정간격 이격되어 위치한다. 하부 커버(250)의 저면은 금속 재질로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간(255)은 공기가 제공된다. 공기는 절연체보다 유전율이 낮으므로 지지 유닛(200) 내부의 전자기장을 감소시키는 역할을 할 수 있다.The lower cover 250 is located at the lower end of the support unit 200. The lower cover 250 is spaced upwardly from the bottom surface of the chamber 100. The lower cover 250 has a space 255 in which an upper surface is opened. The outer radius of the lower cover 250 may be provided with a length equal to the outer radius of the body 230. A lift pin module (not shown) for moving the substrate W to be transferred from an external carrying member to the electrostatic chuck 210 may be positioned in the inner space 255 of the lower cover 250. The lift pin module (not shown) is spaced apart from the lower cover 250 by a predetermined distance. The bottom surface of the lower cover 250 may be made of a metal material. The inner space 255 of the lower cover 250 is provided with air. Since the air has a lower dielectric constant than the insulator, it can reduce the electromagnetic field inside the support unit 200.

하부 커버(250)는 연결 부재(253)를 갖는다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면과 챔버(100)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(253)는 지지 유닛(200)를 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(253)는 챔버(100)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(250)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 제3 전원(235a)과 연결되는 피더(700), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(253)의 내부 공간(255)을 통해 하부 커버(250) 내부로 연장된다.The lower cover 250 has a connecting member 253. The connecting member 253 connects the outer surface of the lower cover 250 and the inner wall of the chamber 100. The connection members 253 may be provided on the outer surface of the lower cover 250 at a predetermined interval. The connecting member 253 supports the support unit 200 inside the chamber 100. Further, the connection member 253 is connected to the inner wall of the chamber 100, so that the lower cover 250 is electrically grounded. A first power supply line 223c connected to the first power supply 223a, a second power supply line 225c connected to the second power supply 225a, a feeder 700 connected to the third power supply 235a, A heat transfer medium supply line 231b connected to the storage unit 231a and a cooling fluid supply line 232c connected to the cooling fluid storage unit 232a are connected to the lower cover 250 .

정전 척(210)과 하부 커버(250)의 사이에는 플레이트(270)가 위치한다. 플레이트(270)는 하부 커버(250)의 상면을 덮는다. 플레이트(270)는 몸체(230)에 상응하는 단면적으로 제공된다. 플레이트(270)는 절연체를 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 플레이트(270)는 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)와 하부 커버(250)의 전기적 거리를 증가시키는 역할을 한다.A plate 270 is positioned between the electrostatic chuck 210 and the lower cover 250. The plate 270 covers the upper surface of the lower cover 250. The plate 270 is provided with a cross-sectional area corresponding to the body 230. The plate 270 may comprise an insulator. According to one example, one or a plurality of plates 270 may be provided. The plate 270 serves to increase the electrical distance between the body 230 and the lower cover 250.

샤워 헤드 유닛(300)은 챔버(100) 내부에서 지지 유닛(200)의 상부에 위치한다. 샤워 헤드 유닛(300)은 지지 유닛(200)과 대향하도록 위치한다.The showerhead unit 300 is located in the upper part of the support unit 200 inside the chamber 100. The showerhead unit 300 is positioned to face the support unit 200.

샤워 헤드 유닛(300)은 샤워 헤드(310), 가스 분사판(320) 그리고 지지부(330)를 포함한다. 샤워 헤드(310)는 챔버(100)의 상면에서 하부로 일정거리 이격되어 위치한다. 가스 분사판(310)과 챔버(100)의 상면은 그 사이에 일정한 공간이 형성된다. 샤워 헤드(310)는 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 샤워 헤드(310)의 저면은 플라즈마에 의한 아크 발생을 방지하기 위하여 그 표면이 양극화 처리될 수 있다. 샤워 헤드(310)의 단면은 지지 유닛(200)와 동일한 형상과 단면적을 가지도록 제공될 수 있다. 샤워 헤드(310)는 복수개의 분사홀(311)을 포함한다. 분사홀(311)은 샤워 헤드(310)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통한다. 샤워 헤드(310)는 금속 재질을 포함한다. The shower head unit 300 includes a shower head 310, a gas injection plate 320, and a support portion 330. The showerhead 310 is spaced apart from the upper surface of the chamber 100 by a predetermined distance. A predetermined space is formed between the gas injection plate 310 and the upper surface of the chamber 100. The shower head 310 may be provided in a plate shape having a constant thickness. The bottom surface of the showerhead 310 may be polarized on its surface to prevent arcing by plasma. The cross section of the showerhead 310 may be provided so as to have the same shape and cross-sectional area as the support unit 200. The shower head 310 includes a plurality of injection holes 311. The spray hole 311 penetrates the upper surface and the lower surface of the shower head 310 in the vertical direction. The shower head 310 includes a metal material.

가스 분사판(320)은 샤워 헤드(310)의 상면에 위치한다. 가스 분사판(320)은 챔버(100)의 상면에서 일정거리 이격되어 위치한다. 가스 분사판(320)은 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 가스 분사판(320)에는 분사홀(321)이 제공된다. 분사홀(321)은 가스 분사판(320)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통한다. 분사홀(321)은 샤워헤드(310)의 분사홀(311)과 대향되게 위치한다. 가스 분사판(320)은 금속 재질을 포함할 수 있다. The gas injection plate 320 is positioned on the upper surface of the shower head 310. The gas injection plate 320 is spaced apart from the upper surface of the chamber 100 by a predetermined distance. The gas injection plate 320 may be provided in a plate shape having a constant thickness. The gas injection plate 320 is provided with an injection hole 321. The injection hole 321 penetrates the upper surface and the lower surface of the gas injection plate 320 in the vertical direction. The injection hole 321 is located opposite to the injection hole 311 of the shower head 310. The gas injection plate 320 may include a metal material.

샤워 헤드(310)는 제4 전원(351)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 전원(351)은 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 샤워 헤드(310)은 전기적으로 접지될 수도 있다. 샤워 헤드(310)은 제4 전원(351)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이와는 달리 샤워 헤드(310) 접지되어 전극으로서 기능할 수 있다. 도 6은 샤워 헤드(310)가 접지되어 제공되는 기판 처리 장치의 일 실시예를 보여주는 도면이다. 피더(700)는 샤워 헤드(310)와 제4 전원(351)에 연결되어 제공된다. 피더(700)는 상술한 제3 전원(235a)에 연결되어 제공되는 피더(700)와 대체로 동일하게 제공된다.The showerhead 310 may be electrically connected to the fourth power source 351. The fourth power source 351 may be provided as a high frequency power source. Alternatively, the showerhead 310 may be electrically grounded. The showerhead 310 may be electrically connected to the fourth power source 351. Alternatively, the showerhead 310 may be grounded to function as an electrode. 6 is a view showing an embodiment of the substrate processing apparatus in which the showerhead 310 is provided as being grounded. The feeder 700 is connected to the showerhead 310 and the fourth power source 351. The feeder 700 is provided substantially the same as the feeder 700 provided in connection with the above-described third power source 235a.

지지부(330)는 샤워 헤드(310)와 가스 분사판(320)의 측부를 지지한다. 지지부(330)는 상단은 챔버(100)의 상면과 연결되고, 하단은 샤워 헤드(310)와 가스 분사판(320)의 측부와 연결된다. 지지부(330)는 비금속 재질을 포함할 수 있다.The support portion 330 supports the side of the shower head 310 and the gas injection plate 320. The upper end of the supporter 330 is connected to the upper surface of the chamber 100 and the lower end of the supporter 330 is connected to the side of the shower head 310 and the gas injection plate 320. The support portion 330 may include a non-metallic material.

가스 공급 유닛(400)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(400)은 가스 공급 노즐(410), 가스 공급 라인(420), 그리고 가스 저장부(430)를 포함한다. 가스 공급 노즐(410)은 챔버(100)의 상면 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(410)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(420)은 가스 공급 노즐(410)과 가스 저장부(430)를 연결한다. 가스 공급 라인(420)은 가스 저장부(430)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(410)에 공급한다. 가스 공급 라인(420)에는 밸브(421)가 설치된다. 밸브(421)는 가스 공급 라인(420)을 개폐하며, 가스 공급 라인(420)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.A gas supply unit (400) supplies a process gas into the chamber (100). The gas supply unit 400 includes a gas supply nozzle 410, a gas supply line 420, and a gas storage unit 430. The gas supply nozzle 410 is installed at the center of the upper surface of the chamber 100. An injection port is formed on the bottom surface of the gas supply nozzle 410. The injection port supplies the process gas into the chamber 100. The gas supply line 420 connects the gas supply nozzle 410 and the gas storage unit 430. The gas supply line 420 supplies the process gas stored in the gas storage unit 430 to the gas supply nozzle 410. The gas supply line 420 is provided with a valve 421. The valve 421 opens and closes the gas supply line 420 and regulates the flow rate of the process gas supplied through the gas supply line 420.

플라즈마 소스는 챔버(100) 내에 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 본 발명의 실시예에서는, 플라즈마 소스로 용량 결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma)가 사용된다. 용량 결합형 플라즈마는 챔버(100)의 내부에 상부 전극 및 하부 전극을 포함할 수 있다. 상부 전극 및 하부 전극은 챔버(100)의 내부에서 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파 전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 이 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정이 수행된다. 일 예에 의하면, 상부 전극은 샤워 헤드 유닛(300)로 제공되고, 하부 전극은 몸체(230)로 제공될 수 있다. 하부 전극에는 고주파 전력이 인가되고, 상부 전극은 접지될 수 있다. 이와 달리, 상부 전극과 하부 전극에 모두 고주파 전력이 인가될 수 있다. 이로 인하여 상부 전극과 하부 전극 사이에 전자기장이 발생된다. 발생된 전자기장은 챔버(100) 내부로 제공된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기 시킨다.The plasma source excites the process gas into the plasma state within the chamber 100. In an embodiment of the present invention, a capacitively coupled plasma (CCP) is used as a plasma source. The capacitively coupled plasma may include an upper electrode and a lower electrode inside the chamber 100. The upper electrode and the lower electrode may be arranged vertically in parallel with each other in the chamber 100. Either one of the electrodes can apply high-frequency power and the other electrode can be grounded. An electromagnetic field is formed in a space between both electrodes, and a process gas supplied to this space can be excited into a plasma state. A substrate processing process is performed using this plasma. According to an example, the upper electrode may be provided to the showerhead unit 300, and the lower electrode may be provided to the body 230. High-frequency power may be applied to the lower electrode, and the upper electrode may be grounded. Alternatively, high-frequency power may be applied to both the upper electrode and the lower electrode. As a result, an electromagnetic field is generated between the upper electrode and the lower electrode. The generated electromagnetic field excites the process gas provided inside the chamber 100 into a plasma state.

배플 유닛(500)은 챔버(100)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배플(미도시)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(미도시)에는 복수의 관통홀(미도시)들이 형성된다. 챔버(100) 내에 제공된 공정 가스는 배플(미도시)의 관통홀(미도시)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배플(미도시)의 형상 및 관통홀(미도시)들의 형상에 따라 공정 가스의 흐름이 제어될 수 있다.The baffle unit 500 is positioned between the inner wall of the chamber 100 and the support unit 200. The baffle (not shown) is provided in an annular ring shape. A plurality of through holes (not shown) are formed in the baffle (not shown). The process gas provided in the chamber 100 is exhausted to the exhaust hole 102 through the through holes (not shown) of the baffle (not shown). The flow of the process gas can be controlled according to the shape of the baffle (not shown) and the shape of the through holes (not shown).

이하, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명하도록 한다. Hereinafter, a process of processing a substrate using the above-described substrate processing apparatus will be described.

지지 유닛(200)에 기판(W)이 놓이면, 제1 전원(223a)으로부터 제1 전극(223)에 직류 전류가 인가된다. 제1 전극(223)에 인가된 직류 전류에 의해 제1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 정전 척(210)에 흡착된다.When the substrate W is placed in the support unit 200, a direct current is applied to the first electrode 223 from the first power source 223a. An electrostatic force is applied between the first electrode 223 and the substrate W by the DC current applied to the first electrode 223 and the substrate W is attracted to the electrostatic chuck 210 by the electrostatic force.

기판(W)이 정전 척(210)에 흡착되면, 가스 공급 유닛(400)을 통하여 챔버(100) 내부에 공정 가스가 공급된다. 공정 가스는 샤워 헤드 유닛(300)의 분사홀(311)을 통하여 챔버(100)의 내부 영역으로 균일하게 분사된다. 제3 전원(235a)에서 생성된 고주파 전력은 하부 전극으로 제공되는 몸체(230)에 인가된다. 상부 전극으로 제공되는 샤워 헤드의 분사판(310)은 접지된다. 상부 전극과 하부 전극 사이에는 전자기력이 발생한다. 전자기력은 지지 유닛(200)와 샤워 헤드 유닛(300) 사이의 공정 가스를 플라즈마로 여기시킨다. 플라즈마는 기판(W)으로 제공되어 기판(W)을 처리한다. 플라즈마는 식각 공정을 수행할 수 있다.When the substrate W is attracted to the electrostatic chuck 210, the process gas is supplied into the chamber 100 through the gas supply unit 400. The process gas is uniformly injected into the interior region of the chamber 100 through the injection hole 311 of the shower head unit 300. The high frequency power generated by the third power supply 235a is applied to the body 230 provided as a lower electrode. The injection plate 310 of the showerhead provided as the upper electrode is grounded. Electromagnetic force is generated between the upper electrode and the lower electrode. The electromagnetic force excites the process gas between the support unit 200 and the showerhead unit 300 into the plasma. The plasma is provided to the substrate W to process the substrate W. [ The plasma may be subjected to an etching process.

본 발명의 실시예에서는 용량 결합형 플라즈마에 제공되는 피더를 예로 들었으나, 이와는 달리 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 적용가능하다. In the embodiment of the present invention, the feeder provided in the capacitively coupled plasma is taken as an example, but the present invention is applicable to a substrate processing apparatus using plasma.

도 8은 본 발명의 다른 실시예를 보여주는 도면이다. 이하 도 8을 참조하면,8 is a view showing another embodiment of the present invention. 8,

기판 처리 장치(20)는 챔버(1000), 지지 부재(2000), 가스 공급 유닛(3000), 플라즈마 소스(4000) 그리고 배플 유닛(5000)을 포함한다. The substrate processing apparatus 20 includes a chamber 1000, a support member 2000, a gas supply unit 3000, a plasma source 4000, and a baffle unit 5000.

챔버(1000)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(1000)는 하우징(1100), 밀폐 커버(1200), 그리고 라이너(1300)를 포함한다. The chamber 1000 provides a space in which the substrate processing process is performed. The chamber 1000 includes a housing 1100, a seal cover 1200, and a liner 1300.

하우징(1100), 라이너(1300)는 도 1의 하우징(110), 라이너와(130) 대체로 동일하게 제공된다. The housing 1100 and liner 1300 are provided substantially identically to the housing 110, liner 130 of FIG.

밀폐 커버(1200)는 하우징(1100)의 개방된 상면을 덮는다. 밀폐 커버(1200)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(1100)의 내부공간을 밀폐시킨다. 밀폐 커버(1200)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.The sealing cover 1200 covers the open upper surface of the housing 1100. The sealing cover 1200 is provided in a plate shape to seal the inner space of the housing 1100. Closure cover 1200 may include a dielectric substance window.

지지 부재(2000), 가스 공급 유닛(4000) 그리고 배플 유닛(5000)은 도 1의 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(400), 배플 유닛(500)과 대체로 동일하게 제공된다. The support member 2000, the gas supply unit 4000 and the baffle unit 5000 are provided substantially the same as the support unit 200, the gas supply unit 400, and the baffle unit 500 of FIG.

플라즈마 소스(4000)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(4000)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(4000)는 안테나 실(4100), 안테나(4200), 피더(7000) 그리고 플라즈마 전원(430)을 포함한다. 안테나 실(4100)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 안테나 실(4100)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(4100)은 챔버(1000)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(4100)의 하단은 밀폐 커버(1200)에 탈착 가능하도록 제공된다. 안테나(4200)는 안테나 실(4100)의 내부에 배치된다. 안테나(4200)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 플라즈마 전원(4300)과 연결된다. 안테나(4200)는 플라즈마 전원(4300)으로부터 전력을 인가받는다. The plasma source 4000 excites the process gas into the plasma state in the chamber 100. As the plasma source 4000, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 4000 includes an antenna chamber 4100, an antenna 4200, a feeder 7000, and a plasma power source 430. The antenna chamber 4100 is provided in a cylindrical shape with its bottom opened. The antenna chamber 4100 is provided with a space therein. The antenna chamber 4100 is provided so as to have a diameter corresponding to the chamber 1000. The lower end of the antenna chamber 4100 is detachably provided to the sealing cover 1200. The antenna 4200 is disposed inside the antenna chamber 4100. The antenna 4200 is provided with a helical coil having a plurality of turns, and is connected to the plasma power source 4300. The antenna 4200 receives electric power from the plasma power source 4300.

피더(7000)는 플라즈마 전원을 안테나로 전력을 인가한다. 피더(7000)는 도 1의 피더(700)와 대체로 동일하게 제공된다. 플라즈마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(420)는 챔버(100)의 처리공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라즈마 상태로 여기된다.The feeder 7000 applies power to the plasma power source through the antenna. The feeder 7000 is provided substantially the same as the feeder 700 of FIG. The plasma power source 430 may be located outside the chamber 100. The powered antenna 420 may form an electromagnetic field in the processing space of the chamber 100. The process gas is excited into a plasma state by an electromagnetic field.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

10 : 기판 처리 장치 100: 챔버
200: 지지 유닛 300: 샤워 헤드 유닛
400: 가그 공급 유닛 700: 피더
710: 제1레이어 720: 제2레이어
500: 배플 유닛10: substrate processing apparatus 100: chamber
200: support unit 300: shower head unit
400: egg feeder unit 700: feeder
710: first layer 720: second layer
500: Baffle unit

Claims

An apparatus for processing a substrate,
A chamber having a processing space therein;
A support unit for supporting the substrate in the chamber;
A gas supply unit for supplying a process gas into the chamber; And
And a plasma source for generating a plasma from the process gas,
Wherein the plasma source comprises:
A power source;
An electrode;
And a feeder connected at both ends to the power source and the electrode, respectively, for applying power from the power source to the electrode,
Wherein the feeder includes a plurality of layers provided with materials different from each other, the layers being provided so that one of the layers surrounds another layer,
The layers including a plurality of first layers of a first material and a plurality of second layers of a second material,
The innermost layer among the plurality of layers is provided as the first layer,
Wherein the first material comprises a metal and the second material comprises a dielectric.

The method according to claim 1,
Wherein the first layer and the second layer are alternately and repeatedly provided.

delete

3. The method of claim 2,
Wherein the metal is provided as copper.

The method according to claim 2 or 4,
Wherein the thickness of the first layer is less than the thickness of the second layer.

delete

3. The method of claim 2,
Wherein the outermost layer among the plurality of layers is provided as the first layer.

delete

3. The method of claim 2,
Wherein the first layer and the second layer are provided coaxially.

10. The method of claim 9,
Wherein adjacent layers among the plurality of layers are provided in close contact with each other.

A feeder for applying a high frequency power from an electric power source to an electrode,
Both ends of the feeder being respectively connected to the power source and the electrode,
Wherein the feeder includes a plurality of layers provided with materials different from each other, wherein the layers are provided while one of the layers surrounds another layer,
The layers including a plurality of first layers of a first material and a plurality of second layers of a second material,
The innermost layer among the plurality of layers is provided as the first layer,
Wherein the first material comprises a metal and the second material comprises a dielectric.

12. The method of claim 11,
Wherein the first layer and the second layer are alternately and repeatedly provided.

delete

13. The method of claim 12,
Wherein the metal is provided with copper.

15. The method according to claim 12 or 14,
Wherein the thickness of the first layer is less than the thickness of the second layer.

delete

13. The method of claim 12,
Wherein the outermost layer among the plurality of layers is provided as the first layer.

delete