KR101589107B1 - Method of Cleaning Process Chamber - Google Patents

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Abstract

본 발명은 금속질화물 박막을 증착하는 공정챔버를 세정하는 공정챔버의 세정방법에 관한 것으로, 공정챔버의 세정방법은, 내벽을 가지는 공정챔버를 준비하는 단계; 상기 공정챔버의 내부에 기판을 안치시키는 단계; 소스가스로써 전이금속을 포함한 금속 유기물의 전구체와 반응가스로써 질소를 포함한 물질이 반응하여 금속질화물을 형성할 수 있도록, 상기 기판은 제 1 온도를 유지하고, 상기 공정챔버의 상기 내벽은 상기 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도를 유지시키는 단계; 상기 소스가스와 상기 반응가스를 공급하여, 상기 금속질화물을 상기 기판 상에 제 1 두께로 형성하고, 상기 내벽에 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께로 형성하는 단계; 상기 공정챔버의 외부로 상기 기판을 반출시키는 단계; 상기 공정챔버에 식각가스를 공급하여, 상기 내벽의 상기 금속질화물을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to a cleaning method of a process chamber for cleaning a process chamber for depositing a metal nitride thin film, the cleaning method comprising: preparing a process chamber having an inner wall; Placing a substrate within the process chamber; The substrate maintains a first temperature such that a precursor of a metal organic material including a transition metal as a source gas reacts with a substance including nitrogen as a reactive gas to form a metal nitride, and the inner wall of the process chamber Maintaining a second temperature lower than the temperature; Supplying the source gas and the reactive gas to form the metal nitride to a first thickness on the substrate and a second thickness to be less than the first thickness on the inner wall; Moving the substrate out of the process chamber; And etching the metal nitride on the inner wall by supplying an etching gas to the process chamber.

공정챔버, 세정, 박막 Process chamber, cleaning, thin film

Description

공정챔버의 세정방법{Method of Cleaning Process Chamber}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method of cleaning a process chamber,

본 발명은 금속질화물 박막을 증착하는 공정챔버를 세정하는 공정챔버의 세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning method of a process chamber for cleaning a process chamber for depositing a metal nitride thin film.

일반적으로, 반도체 소자, 표시장치 및 박막 태양전지를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각공정 등을 거치게 된다. Generally, in order to manufacture a semiconductor device, a display device, and a thin film solar cell, a thin film deposition process for depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photolithography process for exposing or concealing a selected one of the thin films using a photosensitive material, And an etching process in which the thin film is removed and patterned.

박막증착공정에서 금속 유기물의 전구체를 이용하여 금속질화물의 박막을 기판 상에 증착하는 경우, 금속 유기물의 전구체가 다량의 탄소를 포함하고 있어, 탄소를 포함하는 반응 부산물이 생성되어 공정챔버의 내벽에 흡착된다. 공정챔버의 내벽에 흡착된 탄소를 포함한 부산물은 원활하게 분해되어 배출되기 어렵고, 탄소를 포함한 부산물이 축적되면, 박리현상 등에 의해 미립자 형태로 기판 상에 적하되어 기판 상에 증착되는 박막의 특성을 저하시키는 문제를 야기할 수 있다. When a metal nitride thin film is deposited on a substrate using a precursor of a metal organic material in a thin film deposition process, a precursor of the metal organic material contains a large amount of carbon, so that a reaction by-product containing carbon is generated, And is adsorbed. By-products containing carbon adsorbed on the inner wall of the process chamber are difficult to be decomposed smoothly, and when carbon-containing by-products are accumulated, they are dropped on the substrate in the form of fine particles by peeling or the like to lower the characteristics of the thin film deposited on the substrate Can cause problems.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 공정챔버의 내벽에 탄소를 포함한 반응 부산물의 흡착을 방지하기 위하여, 소스가스 및 반응가스의 반응에 의해 금속질화물이 형성될 수 있도록 기판과 공정챔버의 내벽을 각각 제 1 온도와 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도로 유지한 상태에서 금속질화물을 형성하고, 세정가스에 의해 공정챔버의 내벽에 부착된 금속질화물을 제거하는 공정챔버의 세정방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. In order to prevent the adsorption of reaction byproducts containing carbon on the inner wall of the process chamber, the present invention provides a process chamber and a process chamber, in which a metal nitride can be formed by reaction of a source gas and a reaction gas. There is provided a cleaning method of a process chamber for forming a metal nitride while maintaining the inner wall at a first temperature and a second temperature lower than the first temperature and removing the metal nitride adhered to the inner wall of the process chamber by the cleaning gas .

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 공정챔버의 세정방법은, 내벽을 가지는 공정챔버를 준비하는 단계; 상기 공정챔버의 내부에 기판을 안치시키는 단계; 소스가스로써 전이금속을 포함한 금속 유기물의 전구체와 반응가스로써 질소를 포함한 물질이 반응하여 금속질화물을 형성할 수 있도록, 상기 기판은 제 1 온도를 유지하고, 상기 공정챔버의 상기 내벽은 상기 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도를 유지시키는 단계; 상기 소스가스와 상기 반응가스를 공급하여, 상기 금속질화물을 상기 기판 상에 제 1 두께로 형성하고, 상기 내벽에 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께로 형성하는 단계; 상기 공정챔버의 외부로 상기 기판을 반출시키는 단계; 상기 공정챔버에 식각가스를 공급하여, 상기 내벽의 상기 금속질화물을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a cleaning method of a process chamber, comprising: preparing a process chamber having an inner wall; Placing a substrate within the process chamber; The substrate maintains a first temperature such that a precursor of a metal organic material including a transition metal as a source gas reacts with a substance including nitrogen as a reactive gas to form a metal nitride, and the inner wall of the process chamber Maintaining a second temperature lower than the temperature; Supplying the source gas and the reactive gas to form the metal nitride to a first thickness on the substrate and a second thickness to be less than the first thickness on the inner wall; Moving the substrate out of the process chamber; And etching the metal nitride on the inner wall by supplying an etching gas to the process chamber.

상기와 같은 공정챔버의 세정방법에 있어서, 상기 전이금속은 Ti, Ta 및 Hf 중 하나을 선택하여 사용하는 것을 특징으로 한다.In the cleaning method of the process chamber, the transition metal may be selected from one of Ti, Ta, and Hf.

상기와 같은 공정챔버의 세정방법에 있어서, 상기 금속질화물은 TiN인 것을 특징으로 한다.In the method of cleaning a process chamber as described above, the metal nitride is TiN.

상기와 같은 공정챔버의 세정방법에 있어서, 상기 금속 유기물의 전구체는 TDMAT(tetrakis-(dimethylamido) titanium: Ti[N(CH3)2]4), TDEAT(tetrakis-(diethylamido) titanium: Ti[N(C2H5)2]4), TTIP(Titanium Tetra IsoPropoxide: Ti(OCH3H7)4), 및 TEMAT(tetrakis-(ethylmethylamino) titanium: Ti[N(CH3)(CH2CH3)]4) 중 하나를 선택하여 사용하고, 상기 반응가스는 해리된 질소 혹은 NH3를 사용하는 것을 특징으로 한다.In the process chamber cleaning method, the precursor of the metal organic material may be a tetrakis- (dimethylamido) titanium: Ti [N (CH 3 ) 2 ] 4 ), a tetrakis- (diethylamido) (C 2 H 5) 2] 4), TTIP (titanium Tetra IsoPropoxide: Ti (OCH 3 H 7) 4), and TEMAT (tetrakis- (ethylmethylamino) titanium: Ti [N (CH 3) (CH 2 CH 3) ] 4 ) is selected and used, and the reaction gas is characterized by using dissociated nitrogen or NH 3 .

상기와 같은 공정챔버의 세정방법에 있어서, 상기 제 1 온도는 240도 내지 300도이고, 상기 제 2 온도는 160도 내지 200도인 것을 특징으로 한다.In the cleaning method of the process chamber, the first temperature is 240 to 300 degrees and the second temperature is 160 to 200 degrees.

상기와 같은 공정챔버의 세정방법에 있어서, 상기 식각가스는 ClF3인 것을 특징으로 한다. In the cleaning method of the process chamber, the etching gas is ClF 3 .

본 발명에 따른 공정챔버의 세정방법은 다음과 같은 효과가 있다.The cleaning method of the process chamber according to the present invention has the following effects.

금속 유기물의 전구체를 사용하는 소스가스와 질소를 포함한 반응가스의 반응에 의해 금속질화물이 증착될 수 있도록, 기판과 공정챔버의 내벽을 각각 제 1 온도와 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도로 유지시키고, 소스가스와 반응가스의 공급에 의해 금속질화물을 기판 상에 제 1 두께로 형성하고 공정챔버의 내벽에 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께로 형성한다. 금속질화물의 증착공정 동안, 소스가스와 반응가스의 반응에 의해 금속질화물이 형성되는 온도는 금속 유기물의 전구체에 의해 발생되는 탄소를 함유한 반응 부산물이 잔류하기에는 너무 높은 온도이므로, 반응 부산물은 공정챔버의 내벽에 흡착되지 않고 공정챔버의 외부로 배출된다. The substrate and the inner wall of the process chamber are respectively maintained at a first temperature and a second temperature lower than the first temperature so that the metal nitride can be deposited by the reaction of the source gas using the precursor of the metal organic substance and the reaction gas including nitrogen , A metal nitride is formed on the substrate to a first thickness by supplying a source gas and a reactive gas, and is formed on an inner wall of the process chamber to a second thickness that is thinner than the first thickness. During the deposition of the metal nitride, the temperature at which the metal nitride is formed by the reaction of the source gas and the reaction gas is too high for the reaction byproducts containing carbon generated by the precursor of the metal organic to remain, And is discharged to the outside of the process chamber without being adsorbed on the inner wall of the process chamber.

따라서, 금속질화물의 증착공정 동안, 탄소를 함유한 반응 부산물은 공정챔버의 외부로 배출되어, 실질적으로 공정챔버의 내벽에 흡착되지 않는다. 세정가스에 의해 분해되기 어려운 탄소를 함유한 반응 부산물이 공정챔버의 내벽에 흡착되지 않으므로, 공정챔버의 세정이 용이하고, 반응 부산물에 의해 기판 상에 증착되는 박막이 오염되지 않으므로 박막의 특성을 개선할 수 있다.Thus, during the deposition process of the metal nitride, the carbon-containing reaction by-products are discharged outside the process chamber and are not substantially adsorbed on the inner wall of the process chamber. Since reaction byproducts containing carbon which are difficult to be decomposed by the cleaning gas are not adsorbed on the inner wall of the process chamber, cleaning of the process chamber is easy, and the thin film deposited on the substrate by the reaction by- can do.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 내부 구성도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 TiN 박막의 증착률을 도시한 그래프이다. 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하면 다음과 같다.FIG. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an internal structural view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross- Fig. An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG.

도 1과 같이 박막증착을 위한 기판처리장치(10)는, 밀폐된 반응공간을 제공하는 공정챔버(12), 공정챔버(12)의 내부에 설치되고, 소스가스, 반응가스 및 퍼지가스를 분사하기 위한 가스분사장치(14), 가스분사장치(14)의 하부에 설치되고 기판(16)이 안치되는 기판 안치대(18), 가스분사장치(14)에 소스가스, 반응가스 및 퍼지가스를 공급하는 가스공급관(20) 및 반응공간의 가스를 배기시키는 배기구(22)를 포함한다. As shown in FIG. 1, a substrate processing apparatus 10 for thin film deposition includes a process chamber 12 for providing a closed reaction space, a processing chamber 12 installed inside the process chamber 12, A reaction gas and a purge gas are supplied to the gas injection device 14 and the substrate stand 18 provided below the gas injection device 14 and on which the substrate 16 is placed, A gas supply pipe 20 for supplying gas and an exhaust port 22 for exhausting gas in the reaction space.

기판안치수단(18)은 공정챔버(12)에서 저면의 중심을 관통하여, 공정챔버(12) 외부의 구동장치(도시하지 않음)와 연결되어 승강 또는 하강이 가능한 샤프트(32), 샤프트(32)와 연결되는 메인 서셉터(34) 및 메인 서셉터(34)에 설치되어 기판(16)이 안치되는 다수의 서브 서셉터(36)으로 구성된다. 도 1과 같은 기판처리장치(10)는 가스분사장치(14) 및 기판안치수단(18) 중에 하나가 회전하거나, 또는 가스분사장치(14) 및 기판안치수단(18)가 서로 반대방향 또는 동일방향으로 모두 회전할 수 있다. The substrate holding means 18 includes a shaft 32 which passes through the center of the bottom surface of the process chamber 12 and is connected to a driving device (not shown) outside the process chamber 12 and is capable of moving up and down, a shaft 32 A main susceptor 34 connected to the main susceptor 34 and a plurality of sub-susceptors 36 mounted on the main susceptor 34 and on which the substrate 16 is placed. The substrate processing apparatus 10 as shown in Fig. 1 is configured such that one of the gas injecting apparatus 14 and the substrate placing means 18 rotates or the gas injecting apparatus 14 and the substrate placing means 18 are rotated in the opposite direction Direction.

도 1에서 기판안치수단(18)은 샤프트(32), 메인 서셉터(34) 및 다수의 서브 서셉터(36)로 구성되어 있으나, 도면으로 도시하지 않았지만, 필요에 따라, 메인 서셉터(34) 상에 기판(16)이 안치되는 기판안치영역을 정의하고, 기판안치영역에 메인 서셉터(34)를 관통하고 수직으로 승하강 가능한 다수의 핀을 설치하여, 다수 의 핀의 승하강에 의해 기판(16)을 안치 또는 반출할 수 있는 기판안치수단(18)을 설치할 수 있다. 1, the substrate seating means 18 includes a shaft 32, a main susceptor 34, and a plurality of sub-susceptors 36. However, if necessary, the main susceptor 34 A plurality of pins that vertically move up and down through the main susceptor 34 are provided in the substrate retreat area, and a plurality of pins are formed by ascending and descending of a plurality of pins It is possible to provide the substrate holding means 18 capable of holding or unloading the substrate 16.

도 2와 같이, 가스분사장치(14)는 소스가스, 반응가스 및 퍼지가스를 공급하기 위한 다수의 공급관을 포함하는 가스공급관(20), 가스공급관(20)과 연결되는 제 1 내지 제 4 가스분사기(22, 24, 26, 28)로 구성된다. 제 1 내지 제 4 가스 분사기(22, 24, 26, 28)의 하면에는 가스를 분사하기 위한 다수의 가스분사홀(30)이 설치된다. 도 2에서는 4 개의 가스분사기를 도시하였지만, 필요에 따라 8 개의 가스분사기를 설치할 수 있다. 제 1 및 제 3 가스 분사기(22, 26)는 서로 180°를 이루고, 제 2 및 제 4 가스 분사기(24, 28)는 각각 제 1 및 제 3 가스 분사기(22, 26)의 사이에 설치되고, 제 1 및 제 3 가스 분사기(22, 26)와 90°를 이룬다. 제 1 내지 제 4 가스 분사기(22, 24, 26, 28)는 파이프 형태이다. 2, the gas injection device 14 includes a gas supply pipe 20 including a plurality of supply pipes for supplying source gas, reactive gas and purge gas, first to fourth gases And the injectors 22, 24, 26, and 28. A plurality of gas injection holes 30 for injecting gas are provided on the lower surfaces of the first to fourth gas injectors 22, 24, 26 and 28. Although FIG. 2 shows four gas injectors, eight gas injectors may be provided as needed. The first and third gas injectors 22 and 26 are at 180 ° to each other and the second and fourth gas injectors 24 and 28 are installed between the first and third gas injectors 22 and 26 And 90 degrees with the first and third gas injectors 22 and 26, respectively. The first to fourth gas injectors 22, 24, 26, 28 are in the form of pipes.

기판안치수단(18) 상에 다수의 기판(16)을 안치시키고, 제 1 내지 제 4 가스분사기(22, 24, 26, 28)를 통하여, 소스가스, 반응가스 및 퍼지가스를 분사하면, 가스분사장치(14)에 의해, 기판(16) 상에 소스가스, 퍼지가스 및 반응가스가 순차적으로 공급되면서 원하는 박막이 형성된다. 도 1 및 도 2에서는 회전가능한 가스분사장치(14)를 도시하였지만, 가스분사장치(14)가 고정되고 기판안치수단(18)이 회전할 수 있다. 그리고, 다수의 가스분사기를 가진 가스분사장치(14) 대신 샤워헤드를 사용하고, 반응가스는 별도의 가스관을 통하여 공급할 수 있다.When a plurality of substrates 16 are placed on the substrate placing means 18 and the source gas, the reactive gas and the purge gas are injected through the first to fourth gas injectors 22, 24, 26 and 28, A desired thin film is formed with the source gas, the purge gas, and the reaction gas being sequentially supplied onto the substrate 16 by the injector 14. Although the rotatable gas injector 14 is shown in Figs. 1 and 2, the gas injector 14 can be fixed and the substrate seating means 18 can be rotated. A showerhead may be used instead of the gas injector 14 having a plurality of gas injectors, and the reaction gas may be supplied through a separate gas pipe.

도 1 및 도 2와 같은 기판처리장치(10)에서, 소스가스로써 금속 유기물(metal organic)의 전구체(precursor)와 반응가스로써 질소를 포함한 가스를 사용하여 전이금속질화물의 박막을 기판(16) 상에 증착한다. 전이금속은 Ta, Ti, 및 Hf 중 하나를 선택하여 사용한다. 전이금속질화물로써 TiN의 박막을 기판(16) 상에 증착하는 경우, 소스가스인 금속 유기물의 전구체는 제 1 가스분사기(22)를 통하여 분사되고, 반응가스는 제 2 가스분사기(24)를 통하여 분사되고, 퍼지가스는 제 3 및 제 4 가스분사기(26, 28)를 통하여 분사된다. 반응가스로 해리된 질소를 사용하는 경우, 외부에서 플라즈마화 되어 여기된 질소를 별도의 도파관을 통하여 공정챔버(12)의 부로 공급하거나 제 2 가스분사기(24)를 통하여 분사되는 질소를 포함한 가스를 플라즈마화하여 공급할 수 있다.In the substrate processing apparatus 10 as shown in FIGS. 1 and 2, a thin film of the transition metal nitride is deposited on the substrate 16 by using a precursor of a metal organic as a source gas and a gas containing nitrogen as a reactive gas. Lt; / RTI > The transition metal is selected from one of Ta, Ti, and Hf. When a thin film of TiN is deposited on the substrate 16 as the transition metal nitride, the precursor of the metal organic material as the source gas is injected through the first gas injector 22 and the reactive gas is injected through the second gas injector 24 And the purge gas is injected through the third and fourth gas injectors 26, 28. When nitrogen dissociated into a reaction gas is used, nitrogen externally plasma-excited is supplied to the portion of the process chamber 12 through a separate wave guide or a gas containing nitrogen injected through the second gas injector 24 It can be supplied in plasma form.

전이금속화합물로써 TiN 박막을 기판(16) 상에 증착하는 경우, 소스가스로써, 금속 유기물의 전구체는 TDMAT(tetrakis-(dimethylamido) titanium: Ti[N(CH3)2]4), TDEAT(tetrakis-(diethylamido) titanium: Ti[N(C2H5)2]4), TTIP(Titanium Tetra IsoPropoxide: Ti(OCH3H7)4), 및 TEMAT(tetrakis-(ethylmethylamino) titanium: Ti[N(CH3)(CH2CH3)]4) 중 하나를 선택하여 사용하고, 반응가스는 질소를 포함한 N2, HCN, 혹은 NH3를 사용하고, 퍼지가스는 Ar과 같은 불활성 가스를 사용한다. When the TiN thin film is deposited on the substrate 16 as the transition metal compound, the precursor of the metal organic material as the source gas is tetrakis- (dimethylamido) titanium: Ti [N (CH 3 ) 2 ] 4 ), TDEAT - (diethylamido) titanium: Ti [N (C 2 H 5 ) 2 ] 4 ), TTIP (Titanium Tetra IsoPropoxide: Ti (OCH 3 H 7 ) 4 ), and TEMAT CH 3 ) (CH 2 CH 3 )] 4 ). The reaction gas is N 2 , HCN or NH 3 containing nitrogen, and the purge gas is an inert gas such as Ar.

TiN 박막은 도 1 및 도 2의 기판처리장치(10)를 사용하여 원자층 증착방법으로 형성한다. 가스분사장치(14)를 이용하여 기판(16) 상에 제 1 단계로, 제 1 가스분사기(22)를 통하여 소스가스가 분사되고, 제 2 단계로, 제 1 내지 제 4 가스분사기(22, 24, 26, 28)를 통하여 퍼지가스가 분사되고, 제 3 단계로, 제 2 가스분사기(24)를 통하여 반응가스가 분사되고, 제 4 단계로, 제 1 내지 제 4 가스분사기(22, 24, 26, 28)를 통하여 퍼지가스를 분사시켜 TiN 박막을 형성한다. 제 2 및 제 4 단계에서 반응에 참여하지 않은 소스가스와 반응가스는 퍼지가스에 의해 퍼지된다. 그리고, 제 1 내지 제 4 단계를 일회의 증착주기로 정의하고, 증착주기를 수 회 내지 수 백 회 반복하여 원하는 두께의 TiN 박막을 형성한다. The TiN thin film is formed by an atomic layer deposition method using the substrate processing apparatus 10 of FIGS. 1 and 2. The source gas is injected through the first gas injector 22 into the first stage on the substrate 16 using the gas injection device 14 and the first to fourth gas injectors 22, Purge gas is injected through the first gas injector 24, the second gas injector 24, the second gas injector 24 and the second gas injector 24. In the fourth step, , 26, 28) to form a TiN thin film. In the second and fourth steps, the source gas and the reactive gas not participating in the reaction are purged by the purge gas. Then, the first to fourth steps are defined as one deposition cycle, and the deposition cycle is repeated several times to several hundred times to form a TiN thin film having a desired thickness.

기판(16) 상에 Ti를 포함한 금속 유기물의 전구체와 해리된 질소 혹은 NH3를 반응시킨 TiN 박막을 증착하기 위해서, 기판(16)은 240도 내지 300도의 온도를 유지하여야 한다. 통상의 공정장치는 공정챔버(12)는 기판(16)이 안치되는 기판안치대(18)가 240도 내지 300도의 온도를 유지하지만, 공정챔버(12)의 내벽은 Ti를 포함한 금속 유기물의 전구체와 해리된 질소 혹은 NH3가 반응되지 않도록 하기 위하여, 100도 이하의 온도로 설정된다. 따라서, 공정챔버(12)의 내벽에 완전하게 반응한 TiN 박막이 형성되는 대신, 탄소와 TiN이 불완전하게 결합한 반응 부산물이 흡착 혹은 일부 증착된다.In order to deposit the TiN thin film by reacting a precursor with the disassociated nitrogen or NH 3 in the organic metal including Ti on the substrate 16, the substrate 16 is to be kept at the same temperature 240 degrees to 300 degrees. Conventional processing equipment is such that the process chamber 12 maintains the temperature of the substrate platform 18 at which the substrate 16 is placed at a temperature of between 240 and 300 degrees while the inner wall of the process chamber 12 is a precursor of the metal organic material And dissociated nitrogen or NH 3 is not reacted. Thus, instead of forming a TiN thin film that completely reacts with the inner wall of the process chamber 12, reaction by-products in which carbon and TiN are incompletely bonded are adsorbed or partially deposited.

100도 이하의 온도로 설정된 공정챔버(12)의 내벽에 흡착된 다량의 탄소를 함유하는 반응 부산물은 식각가스, 예를 들면 ClF3와 같은 식각가스에 의해 분해되지 않는다. 따라서, 공정챔버(12)의 내벽에 흡착된 탄소를 함유하는 반응 부산물이 식각가스에 의해 분해되어 원활하게 공정챔버(12)의 외부로 배출하는 것이 어렵고, 반응 부산물이 박리현상 등에 의해 미립자 형태로 기판(16) 상에 적하되어 기판(16) 상에 증착되는 박막의 특성을 저하시키는 문제를 야기할 수 있다. The reaction by-products containing a large amount of carbon adsorbed on the inner wall of the process chamber 12 set at a temperature of 100 degrees or less are not decomposed by an etching gas such as an etching gas such as ClF 3 . Accordingly, it is difficult for the reaction by-products containing carbon adsorbed on the inner wall of the process chamber 12 to be decomposed by the etching gas and smoothly discharged to the outside of the process chamber 12, and by- It may cause a problem of dropping the characteristics of the thin film deposited on the substrate 16 and deposited on the substrate 16. [

공정챔버(12)의 내벽에 흡착된 탄소를 함유한 반응 부산물로 인한, 박막증착공정에서 TiN 박막의 특성저하를 방지하기 위하여, 공정챔버(12)의 내벽에 흡착된 탄소를 포함하고 불완전하게 결합한 TiN의 반응 부산물에서 탄소를 제거하여, TiN을 고밀도화(densification)시키는 방법을 사용할 수 있다. TiN의 고밀도화는 공정챔버(12)의 내부에 플라즈마 상태의 질소를 공급하여 질소와 탄소의 화합물(CNx)을 생성시켜 공정챔버(12)의 외부로 배출시키면, 공정챔버(12)의 내벽에는 표면에 흡착된 탄소가 제거된 TiN 박막이 고밀도화되어 흡착된 상태를 유지하게 된다. 그러나, 여전히 공정챔버(12)의 내벽에 탄소가 다량 함유된 불안정한 TiN 박막이 증착되어 있고, 이로 인해 박막증착공정을 장기간 지속할 경우 TiN 박막의 박리현상 등에 의해 미립자 형태로 기판(16) 상에 적하되어 기판(16) 상에 증착되는 TiN 박막의 특성을 저하시키는 문제를 야기할 수 있다. In order to prevent degradation of the TiN film in the thin film deposition process due to reaction byproducts containing carbon adsorbed on the inner wall of the process chamber 12, the carbon contained in the inner wall of the process chamber 12 is adsorbed and incompletely bonded A method of densifying TiN by removing carbon from the reaction by-products of TiN can be used. The high density of TiN is achieved by supplying nitrogen in a plasma state into the process chamber 12 to generate a compound CNx of nitrogen and carbon and discharging the CNX to the outside of the process chamber 12, The TiN thin film having the carbon adsorbed therein is densified and maintained in the adsorbed state. However, when an unstable TiN thin film containing a large amount of carbon is deposited on the inner wall of the process chamber 12, if the thin film deposition process is continued for a long time, the TiN thin film is peeled off, And may cause a problem of deteriorating the characteristics of the TiN thin film deposited on the substrate 16.

공정챔버(12)의 내벽에 탄소를 함유한 반응 부산물이 흡착되는 이유는, 공정챔버(12)의 내벽이 기판안치대(18)과 다르게 Ti을 포함한 금속 유기물의 전구체인 소스가스와 질소를 포함한 반응가스가 정상적으로 반응하여 TiN 박막을 형성하기 어려운 환경하에 있기 때문이다. 따라서, 본 발명은 공정챔버(12)의 내벽을 TiN 박막이 완전하게 증착될 수 온도를 유지시키고, TiN 박막을 증착하는 공정 동안에 생성된 탄소를 함유한 반응 부산물을 공정챔버(12)의 외부로 배출하여, 공정챔버(12)의 내벽에 탄소를 함유한 반응부산물의 흡착을 방지하는 방법을 사용한다.The reason for the reaction byproduct containing carbon to be adsorbed on the inner wall of the process chamber 12 is that the inner wall of the process chamber 12 contains a source gas which is a precursor of a metal organic substance including Ti and nitrogen This is because the reaction gas is normally in an environment where it is difficult to form a TiN thin film. Accordingly, the present invention provides a method and system for depositing a TiN thin film on the inner wall of a process chamber 12 by maintaining a temperature at which the TiN film can be completely deposited, To prevent the adsorption of the reaction by-products containing carbon to the inner wall of the process chamber 12.

기판(16)은 Ti를 포함한 금속 유기물의 전구체의 소스가스와 질소를 포함한 반응가스가 최적으로 반응하여 TiN 박막이 증착될 수 있는 제 1 온도를 유지하고, 공정챔버(12)의 내벽은 제 1 온도보다 낮지만, 최소한 Ti을 포함한 금속 유기물의 전구체의 소스가스와 질소를 포함한 반응가스가 반응하여 TiN 박막이 증착될 수 있는 제 2 온도로 설정한다. The substrate 16 maintains a first temperature at which the source gas of the precursor of the metal organic material including Ti and the reactive gas including nitrogen react optimally so that the TiN thin film can be deposited and the inner wall of the process chamber 12 is maintained at the first Temperature is set to a second temperature at which a source gas of a precursor of a metal organic material containing at least Ti and a reaction gas containing nitrogen can be reacted to deposit a TiN thin film.

도 3은 원자층 증착방법으로 TiN 박막을 형성할 때, 증착온도에 따른 증착율을 도시한 그래프이다. 도 3에서, Ti을 포함한 금속 유기물의 전구체는 300 내지 800 mg/min, 질소를 포함한 반응가스는 1 내지 5slm, 및 퍼지가스로써 Ar을 1 내지 3 slm을 공급하여 TiN 박막을 형성한다. 도 3을 참조하면, TiN 박막은 온도가 증가함에 따라 증착률이 증가함을 알 수 있다. 또한 240도 미만의 온도구간에서는 온도 에 따른 증착율의 변화가 비선형적 특징을 나타냄을 알 수 있다.3 is a graph showing the deposition rate according to the deposition temperature when the TiN thin film is formed by the atomic layer deposition method. In FIG. 3, a TiN thin film is formed by supplying 300 to 800 mg / min of a precursor of a metal organic compound containing Ti, 1 to 5 slm of a reaction gas containing nitrogen, and 1 to 3 slm of Ar as a purge gas. Referring to FIG. 3, the deposition rate of the TiN thin film increases as the temperature increases. Also, it can be seen that the variation of the deposition rate according to the temperature exhibits a nonlinear characteristic at a temperature interval of less than 240 degrees.

공정챔버(12)의 환경 및 생산성을 고려하여, 소스가스인 Ti을 포함한 금속유기물의 전구체와 반응가스인 NH3의 최적의 반응온도인 제 1 온도는 240도 내지 300도이고, 최소한 소스가스인 Ti을 포함한 금속 유기물의 전구체와 반응가스인 해리된 질소 혹은 NH3가 반응하여 TiN이 증착될 수 있는 제 2 온도는 160도 내지 200도를 유지한다. 공정챔버(12)의 내벽이 제 2 온도인 160도 내지 200도를 유지하기 위해서, 공정챔버(12) 내부에 위치한 열원의 복사열을 감안하여 공정챔버(12)의 외벽을 130도 내지 180도 정도로 가열한다. In consideration of the environment and productivity of the process chamber 12, the source gas in the most suitable reaction temperature of the first temperature of the NH 3 precursor and a reactive gas of metal organic materials including Ti is 240 degrees to 300 degrees, at least the source gas The second temperature at which the precursor of the metal organic material including Ti reacts with the dissociated nitrogen or NH 3 which is a reactive gas to deposit TiN is maintained at 160 to 200 degrees. The outer wall of the process chamber 12 is heated to about 130 to 180 degrees in consideration of the radiant heat of the heat source located inside the process chamber 12 to maintain the inner wall of the process chamber 12 at a second temperature of 160 to 200 degrees Heat it.

제 1 온도를 유지하는 기판(16) 상에 적층되는 TiN 박막의 제 1 증착률은 제 2 온도를 유지하는 공정챔버(12)의 내벽 상에 적층되는 TiN 박막의 제 2 증착률 보다 높다. 제 1 온도와 제 2 온도를 동일하게 유지하면, 기판(16)과 공정챔버(12)의 내벽 상에 동일한 두께의 TiN 박막이 증착되어, 공정챔버(12)의 세정주기가 단축되어 공정챔버(12)의 생산성이 저하된다. 따라서, 공정챔버(12)의 내벽에 증착되는 TiN 박막의 증착률을 기판(16) 상에 증착되는 TiN 박막의 증착률보다 낮게 유지시켜, 공정챔버(12)의 세정주기를 연장시킨다. 또한, 공정챔버(12)의 내벽온도를 기판(16)온도보다 낮게 함으로써 공정챔버로 유입된 반응가스의 대부분이 기판(16)상에서 반응하여 공정챔버(12)의 내벽에는 증착되는 TiN박막의 증착율이 더욱 낮게 할 수 있다.The first deposition rate of the TiN thin film deposited on the substrate 16 maintaining the first temperature is higher than the second deposition rate of the TiN thin film deposited on the inner wall of the process chamber 12 maintaining the second temperature. A TiN thin film of the same thickness is deposited on the substrate 16 and the inner wall of the process chamber 12 to shorten the cleaning cycle of the process chamber 12, 12) is reduced. Therefore, the deposition rate of the TiN thin film deposited on the inner wall of the process chamber 12 is maintained lower than the deposition rate of the TiN thin film deposited on the substrate 16, thereby extending the cleaning cycle of the process chamber 12. The temperature of the inner wall of the process chamber 12 is lower than the temperature of the substrate 16 so that most of the reaction gas introduced into the process chamber reacts on the substrate 16 and is deposited on the inner wall of the process chamber 12, Can be made even lower.

기판처리의 생산성을 높이기 위해 도 1 및 도 2와 같이, 다수의 기판(16)을 기판안치대(34) 상에 안치하여 동시에 박막증착공정을 진행한다. 물론 기판안치대(34) 상에 하나의 기판(16)을 안치하고 원자층 증착공정을 진행할 수 있다. 기판안치대(34) 상에 하나의 기판(16)을 안치하고 공정을 진행하는 것을 매엽식(single type)이라고 하고, 다수의 기판(16)을 기판안치대(34) 상에 안치하여 공정을 진행하는 방법을 배치방식(batch type)이라 한다. In order to increase the productivity of the substrate processing, as shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of substrates 16 are placed on the substrate platform 34 and the thin film deposition process is performed at the same time. Of course, one substrate 16 can be placed on the substrate table 34 and the atomic layer deposition process can be performed. A single substrate 16 is placed on the substrate table 34 and a process is performed on the substrate table 34. A plurality of substrates 16 are placed on the substrate table 34, The way to proceed is called the batch type.

공정챔버(12) 내벽의 증착된 박막은 공정챔버(12)로부터 기판(16)을 반출시킨 후에, 세정가스로 염소와 불소를 포함한 ClF3를 공급하여 식각하면, 반응식은 다음과 같다. After depositing the substrate 16 from the process chamber 12, the deposited thin film on the inner wall of the process chamber 12 is supplied with ClF 3 containing chlorine and fluorine as a cleaning gas to be etched.

ClF3(기체) + TiN(고체) -> TiF4(기체) + Cl2(기체) + N2(기체)ClF 3 (gas) + TiN (solid) -> TiF 4 (gas) + Cl 2 (gas) + N 2 (gas)

TiN과 ClF3의 반응에 의한 생성물인 TiF4, Cl2 및 N2는 모두 가스상태로 공정챔버(12)의 배기구(22)를 통하여 배출된다. 따라서, 공정챔버(12)의 내벽에서 TiN 박막은 완전히 제거된다.TiF 4 , Cl 2, and N 2, which are products of the reaction of TiN and ClF 3 , are exhausted through the exhaust port 22 of the process chamber 12 in a gaseous state. Thus, the TiN thin film is completely removed from the inner wall of the process chamber 12.

본 발명의 공정챔버를 세정하는 단계는, 공정챔버(12)의 내부로 기판(16)을 반입하여 기판안치대(18) 상에 기판(16)을 안치시키는 단계, 소스가스로써 전이금속을 포함하는 금속 유기물의 전구체와 반응가스로써 질소를 포함하는 물질이 반응하여 금속 질화물이 형성될 수 있도록, 기판(16)을 240도 내지 300도를 유지하고, 공정챔버(12)의 내벽을 160도 내지 200도로 유지시키는 단계, 가스분사기(14)를 통하여, 소스가스, 반응가스 및 퍼지가스로써 Ar을 공급하고, 소스가스와 반응가스의 반응에 의해, 금속 질화물을 기판(16) 상에 제 1 두께로 형성하고, 공정챔버(12)의 내벽에 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께로 형성하고, 소스가스와 반응가스의 반응에 의해 생성되는 탄소를 포함하는 반응 부산물을 공정챔버(12)의 외부로 배출시키는 단계, 공정챔버(12)의 외부로 기판(16)을 반출시키는 단계, 및 공정챔버(12)에 식각가스로써 ClF3을 공급하여, 공정챔버(12)의 내벽에 부착되어 있는 TiN과 같은 금속질화물을 식각하는 단계를 포함한다.The cleaning of the process chamber of the present invention includes the steps of bringing the substrate 16 into the process chamber 12 and laying the substrate 16 on the substrate platform 18, The substrate 16 is held at a temperature of 240 to 300 degrees and the inner wall of the process chamber 12 is maintained at a temperature of 160 to 150 degrees Celsius so that the precursor of the metal organic material reacted with the nitrogen- 200 degrees, supplying Ar as a source gas, a reactive gas, and a purge gas through the gas injector 14, and causing the metal nitride to react on the substrate 16 with a first thickness Is formed on the inner wall of the process chamber 12 to have a second thickness that is thinner than the first thickness and a reaction byproduct containing carbon generated by the reaction of the source gas and the reaction gas is supplied to the outside of the process chamber 12 A process chamber 12, (16), and supplying ClF 3 as an etching gas to the process chamber (12) to etch the metal nitride, such as TiN, attached to the inner wall of the process chamber (12).

본 발명에서, 기판(16)과 공정챔버(12)의 내벽에 TiN과 같은 금속질화물이 증착될 때, 기판(16)과 공정챔버(12)의 내벽이 각각 240도 내지 300도 및 160도 내지 200도를 유지하여, 소스가스와 반응가스의 반응에 의해 금속질화물이 형성될 수 있는 온도이지만, 금속 유기물의 전구체에 의해 발생되는 탄소를 함유한 반응 부산물이 잔류하기에는 너무 높은 온도를 사용한다. 금속질화물의 증착공정 동안, 탄소를 함유한 반응 부산물은 공정챔버(12)의 외부로 배출되어, 실질적으로 공정챔 버(12)의 내벽에 흡착되지 않는다. 따라서, 세정가스에 의해 분해되기 어려운 탄소를 다량 함유한 반응 부산물이 공정챔버(12)의 내벽에 흡착되지 않으므로, 공정챔버(12)의 세정이 용이하고, 반응 부산물에 의해 기판(16) 상에 증착되는 박막이 오염되지 않으므로 박막의 특성을 개선할 수 있다.In the present invention, when a substrate 16 and a metal nitride, such as TiN, are deposited on the inner walls of the process chamber 12, the inner walls of the substrate 16 and the process chamber 12 are maintained at a temperature of between 240 degrees and 300 degrees, Temperature is maintained at a temperature at which the metal nitride can be formed by the reaction of the source gas and the reaction gas but is too high to allow the reaction byproducts containing carbon generated by the precursor of the metal organic material to remain. During the deposition process of the metal nitride, the reaction byproducts containing carbon are discharged outside the process chamber 12 and are not substantially adsorbed on the inner wall of the process chamber 12. Thus, reaction byproducts containing a large amount of carbon, which are difficult to be decomposed by the cleaning gas, are not adsorbed on the inner wall of the process chamber 12, so that the process chamber 12 can be cleaned easily, The thin film to be deposited is not contaminated, and the characteristics of the thin film can be improved.

본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 내부 구성도Fig. 2 is an internal configuration diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 TiN 박막의 증착률을 도시한 그래프3 is a graph showing a deposition rate of a TiN thin film according to an embodiment of the present invention

Claims (6)

챔버를 준비하는 단계;Preparing a chamber; 상기 챔버의 내부에 기판을 안치시키는 단계;Placing a substrate within the chamber; 소스가스로서 전이금속을 포함한 금속 유기물의 전구체와 반응가스로서 질소를 포함한 물질이 반응하여 금속질화물을 형성할 수 있도록, 상기 기판은 제 1 온도를 유지하고, 상기 챔버의 내벽은 상기 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도를 유지시키는 단계;The substrate maintains a first temperature such that a precursor of a metal organic material including a transition metal as a source gas reacts with a substance including nitrogen as a reactive gas to form a metal nitride, Maintaining a low second temperature; 상기 소스가스와 상기 반응가스를 공급하여, 상기 금속질화물을 상기 기판 상에 제 1 두께로 형성하고 상기 내벽에 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께로 형성하는 단계;Supplying the source gas and the reactive gas to form the metal nitride to a first thickness on the substrate and a second thickness on the inner wall that is thinner than the first thickness; 상기 챔버의 외부로 상기 기판을 반출시키는 단계;Moving the substrate out of the chamber; 상기 챔버에 식각가스를 공급하여, 상기 내벽의 상기 금속질화물을 식각하는 단계;Etching the metal nitride of the inner wall by supplying an etching gas to the chamber; 를 포함하고,Lt; / RTI > 상기 제 1 온도 및 제 2 온도는 탄소를 함유하지 않는 상기 금속질화물이 형성되는 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 챔버의 세정방법.Wherein the first temperature and the second temperature are set in a range in which the metal nitride not containing carbon is formed. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 전이금속은 Ti, Ta 및 Hf 중 하나을 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 챔버의 세정방법.Wherein the transition metal is selected from one of Ti, Ta and Hf. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 금속질화물은 TiN인 것을 특징으로 하는 챔버의 세정방법.Wherein the metal nitride is TiN. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, 상기 금속 유기물의 전구체는 TDMAT(tetrakis-(dimethylamido) titanium: Ti[N(CH3)2]4), TDEAT(tetrakis-(diethylamido) titanium: Ti[N(C2H5)2]4), TTIP(Titanium Tetra IsoPropoxide: Ti(OCH3H7)4), 및 TEMAT(tetrakis-(ethylmethylamino) titanium: Ti[N(CH3)(CH2CH3)]4) 중 하나를 선택하여 사용하고, 상기 반응가스는 해리된 질소 또는 NH3를 사용하는 것을 특징으로 하는 챔버의 세정방법.The precursor of the metal-organic material is TDMAT (tetrakis- (dimethylamido) titanium: Ti [N (CH 3) 2] 4), TDEAT (tetrakis- (diethylamido) titanium: Ti [N (C 2 H 5) 2] 4), TTIP (Titanium Tetra IsoPropoxide: Ti (OCH 3 H 7 ) 4 ), and TEMAT (tetrakis- (ethylmethylamino) titanium: Ti [N (CH 3 ) (CH 2 CH 3 )] 4 ) Wherein the reaction gas uses dissociated nitrogen or NH 3 . 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, 상기 제 1 온도는 240도 내지 300도이고, 상기 제 2 온도는 160도 내지 200도인 것을 특징으로 하는 챔버의 세정방법.Wherein the first temperature is between 240 and 300 degrees and the second temperature is between 160 and 200 degrees. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, 상기 식각가스는 ClF3인 것을 특징으로 하는 챔버의 세정방법.Wherein the etching gas is ClF 3 .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101376956B1 (en) * 2012-05-16 2014-03-21 주식회사 유니텍스 Reactor for vapor phase deposition and method of forming organic film
KR102172753B1 (en) 2014-03-05 2020-11-02 삼성전자주식회사 Operating method of a semiconductor manufacturing equipment
KR101540718B1 (en) * 2014-03-11 2015-07-31 국제엘렉트릭코리아 주식회사 substrate processing apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100706810B1 (en) 2006-02-07 2007-04-12 삼성전자주식회사 Cleaning of a thin film deposition apparatus forming of a thin film using the cleaning
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100272311B1 (en) * 1998-12-04 2000-12-01 황철주 Semiconductor device making method
US6364954B2 (en) * 1998-12-14 2002-04-02 Applied Materials, Inc. High temperature chemical vapor deposition chamber

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100706810B1 (en) 2006-02-07 2007-04-12 삼성전자주식회사 Cleaning of a thin film deposition apparatus forming of a thin film using the cleaning
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