KR101579623B1 - Semiconductor package for image sensor and fabricatingmethod thereof - Google Patents
Semiconductor package for image sensor and fabricatingmethod thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR101579623B1 KR101579623B1 KR1020080119376A KR20080119376A KR101579623B1 KR 101579623 B1 KR101579623 B1 KR 101579623B1 KR 1020080119376 A KR1020080119376 A KR 1020080119376A KR 20080119376 A KR20080119376 A KR 20080119376A KR 101579623 B1 KR101579623 B1 KR 101579623B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- molding
- semiconductor die
- lead frame
- transparent glass
- connecting member
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 226
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 230
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims abstract description 58
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 22
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 11
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 10
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 55
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 14
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- -1 for example Polymers 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 댐 또는 프리 몰딩 블럭을 이용하여 반도체 다이와 도전성 연결 부재를 감싸는 인캡슐런트의 형성시 필요한 절연성 수지의 양을 줄임으로써 제조 비용을 줄일 있으며, 인캡슐런트를 이용하여 외력으로부터 도전성 연결 부재를 보호함으로써 휴대용 전자 기기에 사용되는 경우 회로 동작의 신뢰성을 높일 수 있는 이미지 센서용 반도체 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention reduces the manufacturing cost by reducing the amount of insulating resin necessary for forming an encapsulant that encapsulates a semiconductor die and a conductive connecting member by using a dam or a pre-molding block, and by using an encapsulant, And more particularly, to a semiconductor package for an image sensor that can improve the reliability of a circuit operation when used in a portable electronic device, and a method of manufacturing the same.
본 발명에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지는 내부에 회로 패턴이 형성된 회로 기판; 상기 회로 기판의 상부에 부착되는 반도체 다이; 상기 반도체 다이의 상부에 부착되는 투명 유리; 상기 반도체 다이와 상기 회로 패턴을 전기적으로 연결하는 도전성 연결 부재; 상기 회로 기판의 상면 중 상기 도전성 연결 부재와 상기 회로 기판의 단부 사이에 상기 반도체 다이를 둘러싸는 형태로 형성된 댐; 및 상기 도전성 연결 부재와 상기 반도체 다이를 감싸도록, 상기 회로 기판의 상부에서 상기 투명 유리와 상기 댐 사이에 형성된 인캡슐런트를 포함하는 것을 특징으로 한다.A semiconductor package for an image sensor according to the present invention includes: a circuit board having a circuit pattern formed therein; A semiconductor die attached to the top of the circuit board; A transparent glass attached to the top of the semiconductor die; A conductive connecting member electrically connecting the semiconductor die and the circuit pattern; A dam formed on the upper surface of the circuit board to surround the semiconductor die between the conductive connecting member and the end of the circuit board; And an encapsulant formed between the transparent glass and the dam at an upper portion of the circuit board so as to surround the conductive connecting member and the semiconductor die.
반도체 패키지, 도전성 연결 부재, 인캡슐런트, 댐, 프리 몰딩 블럭 A semiconductor package, a conductive connecting member, an encapsulant, a dam, a pre-molding block
Description
본 발명은 댐 또는 프리 몰딩 블럭을 이용하여 반도체 다이와 도전성 연결 부재를 감싸는 인캡슐런트의 형성시 필요한 절연성 수지의 양을 줄임으로써 제조 비용을 줄일 있으며, 인캡슐런트를 이용하여 외력으로부터 도전성 연결 부재를 보호함으로써 휴대용 전자 기기에 사용되는 경우 회로 동작의 신뢰성을 높일 수 있는 이미지 센서용 반도체 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention reduces the manufacturing cost by reducing the amount of insulating resin necessary for forming an encapsulant that encapsulates a semiconductor die and a conductive connecting member by using a dam or a pre-molding block, and by using an encapsulant, And more particularly, to a semiconductor package for an image sensor that can improve the reliability of a circuit operation when used in a portable electronic device, and a method of manufacturing the same.
일반적으로 이미지 센서용 반도체 패키지는 고체 촬상 소자(CCD; charge coupled device) 또는 씨모스이미지센서(CIS; CMOS Image Sensor)라고 불리는 것으로서, 관전 변화 소자와 전하 결합 소자를 사용하여 피사체를 촬상하여 전기적인 신호로 출력하는 장치를 말한다.BACKGROUND ART A semiconductor package for an image sensor is generally called a charge coupled device (CCD) or a CMOS image sensor (CIS). The semiconductor package for image sensor captures an image of a subject by using a change- And outputs it as a signal.
이러한 이미지 센서용 반도체 패키지는 민생용, 산업용, 방송용, 군사용 등 매우 다양한 응용 분야를 가지고 있다. 예컨데, 카메라, 캠코더, 멀티미디어, 퍼스 널 컴퓨, 감시 카메라 등에 응용되고 있으며, 그 수요가 폭발적으로 증가하고 있다.The semiconductor package for image sensor has a wide variety of application fields such as consumer, industrial, broadcasting, and military applications. For example, it is applied to cameras, camcorders, multimedia, personal computers, surveillance cameras, and the demand is increasing explosively.
종래의 이미지 센서용 반도체 패키지는 외부 리드에 전기적으로 신호가 연결되도록 구성된 세라믹 패키지 바디에 이미지 센서칩을 실장한 후, 이미지 센서칩을 와이어를 이용하여 외부 리드와 전기적으로 연결하고, 이미지의 촬상부를 위해 세라믹 패키지 바디를 투명 유리 덮개로 밀폐하여 제조되고 있다. In a conventional semiconductor package for an image sensor, an image sensor chip is mounted on a ceramic package body electrically connected to an external lead, and then the image sensor chip is electrically connected to an external lead using a wire. For the ceramic package is manufactured by sealing the body with a transparent glass cover.
그런데, 이와 같은 종래의 이미지 센서용 반도체 패키지는 외부 리드와 세라믹을 성형하여 완성되는 세라믹 패키지 바디와, 세라믹 패키지 바디를 커버하는 투명 유리 덮개가 복잡한 형상을 가지므로 제조하는데 어려움이 있으며, 세라믹 패키지 바디와 투명 유리 덮개의 결합을 위해 별도의 몰딩 프레임 또는 홀더 등의 기타 부품의 사용을 요구한다. 이에 따라, 종래의 이미지 센서 패키지는 제조 공정이 복잡하고, 제조 비용을 상승시키는 문제점이 있다.However, such a conventional semiconductor package for an image sensor is difficult to manufacture because the ceramic package body, which is completed by molding an outer lead and ceramics, and the transparent glass cover, which covers the ceramic package body, have complicated shapes, And the use of other components such as a separate molding frame or holder for the joining of the clear glass cover. Accordingly, the conventional image sensor package has a problem in that the manufacturing process is complicated and the manufacturing cost is increased.
또한, 종래의 이미지 센서용 반도체 패키지는 이미지 센서칩과 외부 리드를 전기적으로 연결하는 도전성 와이어를 보호하는 보호 부재를 구비하지 않아, 휴대용 전자 기기에 이용되는 경우 외부 충격에 영향을 받기 쉬운 문제점이 있다. 이에 따라, 이미지 센서용 반도체 패키지의 회로 동작에 있어서 신뢰성이 떨어지는 문제점이 있다.In addition, the conventional semiconductor package for an image sensor does not have a protective member for protecting a conductive wire electrically connecting an image sensor chip to an external lead, and is easily affected by an external impact when used in a portable electronic device . As a result, there is a problem that the reliability of the circuit operation of the semiconductor package for an image sensor is low.
본 발명의 댐 또는 프리 몰딩 블럭을 이용하여 반도체 다이와 도전성 연결 부재를 감싸는 인캡슐런트의 형성시 필요한 절연성 수지의 양을 줄임으로써 제조 비용을 줄일 있으며, 인캡슐런트를 이용하여 외력으로부터 도전성 연결 부재를 보호함으로써 휴대용 전자 기기에 사용되는 경우 회로 동작의 신뢰성을 높일 수 있는 이미지 센서용 반도체 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.By using the dam or the pre-molding block of the present invention, it is possible to reduce the manufacturing cost by reducing the amount of the insulating resin required for forming the encapsulant for encapsulating the semiconductor die and the conductive connecting member, and the encapsulant is used to remove the conductive connecting member And to provide a semiconductor package for an image sensor and a method of manufacturing the same that can improve the reliability of a circuit operation when used in a portable electronic device.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지는 내부에 회로 패턴이 형성된 회로 기판; 상기 회로 기판의 상부에 부착되는 반도체 다이; 상기 반도체 다이의 상부에 부착되는 투명 유리; 상기 반도체 다이와 상기 회로 패턴을 전기적으로 연결하는 도전성 연결 부재; 상기 회로 기판의 상면 중 상기 도전성 연결 부재와 상기 회로 기판의 단부 사이에 상기 반도체 다이를 둘러싸는 형태로 형성된 댐; 및 상기 도전성 연결 부재와 상기 반도체 다이를 감싸도록, 상기 회로 기판의 상부에서 상기 투명 유리와 상기 댐 사이에 형성된 인캡슐런트를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor package for an image sensor, including: a circuit board having a circuit pattern formed therein; A semiconductor die attached to the top of the circuit board; A transparent glass attached to the top of the semiconductor die; A conductive connecting member electrically connecting the semiconductor die and the circuit pattern; A dam formed on the upper surface of the circuit board to surround the semiconductor die between the conductive connecting member and the end of the circuit board; And an encapsulant formed between the transparent glass and the dam at an upper portion of the circuit board so as to surround the conductive connecting member and the semiconductor die.
상기 반도체 다이는 상기 투명 유리와 중첩하는 영역에 형성된 포토 다이오드를 포함할 수 있다.The semiconductor die may include a photodiode formed in a region overlapping the transparent glass.
상기 도전성 연결부재는 도전성 와이어일 수 있다.The conductive connecting member may be a conductive wire.
상기 댐 및 상기 인캡슐런트는 에폭시 수지, 실리콘 수지 또는 그 등가물 중 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다.The dam and the encapsulant may be formed of any one selected from epoxy resin, silicone resin, and the like.
본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지는 내부에 회로 패턴이 형성된 프리 몰딩(premolding)용 리드 프레임; 상기 프리 몰딩용 리드 프레임의 상부에 부착되는 반도체 다이; 상기 프리 몰딩용 리드 프레임을 관통하여 형성된 프리 몰딩 관통체와, 상기 프리 몰딩용 리드 프레임의 단부에 형성된 프리 몰딩 블럭을 포함하는 프리 몰딩부; 상기 반도체 다이의 상부에 부착되는 투명 유리; 상기 반도체 다이와 상기 회로 패턴을 전기적으로 연결하는 도전성 연결 부재; 및 상기 도전성 연결 부재와 상기 반도체 다이를 감싸도록, 상기 프리 몰딩용 리드 프레임의 상부에서 상기 투명 유리와 상기 프리 몰딩 블럭 사이에 형성된 인캡슐런트를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor package for an image sensor, comprising: a lead frame for premolding in which a circuit pattern is formed; A semiconductor die attached to an upper portion of the pre-molding lead frame; A pre-molding unit including a pre-molding penetrator formed through the pre-molding lead frame, and a pre-molding block formed at an end of the pre-molding lead frame; A transparent glass attached to the top of the semiconductor die; A conductive connecting member electrically connecting the semiconductor die and the circuit pattern; And an encapsulant formed between the transparent glass and the pre-molding block at an upper portion of the lead frame for pre-molding so as to surround the conductive connecting member and the semiconductor die.
상기 반도체 다이는 상기 투명 유리와 중첩하는 영역에 형성된 포토 다이오드를 포함할 수 있다. The semiconductor die may include a photodiode formed in a region overlapping the transparent glass.
상기 도전성 연결부재는 도전성 와이어일 수 있다. The conductive connecting member may be a conductive wire.
상기 프리 몰딩 블럭은 상기 투명 유리가 상기 프리 몰딩용 리드 프레임에 배치된 높이보다 낮게 이루어질 수 있다. The pre-molding block may have a height lower than a height of the transparent glass disposed on the pre-molding lead frame.
상기 프리 몰딩 블럭은 상기 투명 유리가 상기 프리 몰딩 리드 프레임에 배치된 높이보다 높게 형성될 수 있다. The pre-molding block may be formed to have a height higher than a height of the transparent glass disposed on the pre-molding lead frame.
상기 프리 몰딩 블럭 및 상기 인캡슐런트는 에폭시 수지, 실리콘 수지 또는 그 등가물 중 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다. The pre-molding block and the encapsulant may be formed of any one selected from epoxy resin, silicone resin, and the like.
상기 프리 몰딩 블럭 상부에 투명 유리 덮개가 더 형성될 수 있다.A transparent glass cover may be further formed on the pre-molding block.
상기 프리 몰딩 관통체는 상기 프리 몰딩용 리드 프레임 중 상기 반도체 다이가 위치하는 영역의 외측에 형성될 수 있다.The pre-molding penetrator may be formed outside a region of the pre-molding lead frame where the semiconductor die is located.
상기 프리 몰딩부는 상기 프리 몰딩용 리드 프레임의 상부 중 상기 프리 몰딩 관통체와 대응하는 영역에 돌출된 형태로 형성되는 스페이서를 더 포함할 수 있다.The pre-molding unit may further include a spacer formed on the upper portion of the pre-molding lead frame so as to protrude from a region corresponding to the pre-molding penetration body.
또한, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지는 상기 프리 몰딩용 리드 프레임과 상기 반도체 다이 사이에 개재되는 컨트롤러를 더 포함하며, 상기 스페이서는 상기 컨트롤러가 상기 프리 몰딩용 리드 프레임에 배치된 높이보다 높게 형성될 수 있다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor package for an image sensor, further comprising a controller interposed between the preforming lead frame and the semiconductor die, wherein the spacer is mounted on the preforming lead frame And may be formed to be higher than the arranged height.
상기 컨트롤러는 ASIC(application specific integrated circuit)으로 형성될 수 있다.The controller may be formed as an application specific integrated circuit (ASIC).
상기 도전성 연결부재는 상기 회로 패턴과 상기 컨트롤러를 전기적으로 연결하며, 상기 컨트롤러와 상기 반도체 다이를 전기적으로 연결하는 것일 수 있다.The conductive connecting member electrically connects the circuit pattern and the controller, and electrically connects the controller and the semiconductor die.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법은 내부에 회로 패턴이 형성된 회로 기판 스트립을 준비하는 회로 기판 스트립 준비 단계; 상기 회로 기판 스트립의 상부에서 소잉 라인에 의해 구분되는 복수의 회로 기판 각각에 반도체 다이와 투명 유리를 부착하는 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계; 상기 회로 기판 상에 상기 반도체 다이와 상기 회로 패턴을 전기적으로 연결하는 도전성 연결 부재를 형성하는 도전성 연결 부재 형성 단계; 상기 회로 기판 스트립 상에서 상기 도전성 연결 부재와 상기 회로 기판의 단부 사이에 상기 반도체 다이를 둘러싸는 형태로 댐을 형성하는 댐 형성 단계; 및 상기 도전성 연결 부재와 상기 반도체 다이를 감싸도록, 상기 회로 기판의 상부에서 상기 투명 유리와 상기 댐 사이에 인캡슐런트를 형성하는 인캡슐런트 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor package for an image sensor, comprising: preparing a circuit board strip having a circuit pattern formed therein; Attaching a semiconductor die and a transparent glass to each of a plurality of circuit boards separated by a sawing line at an upper portion of the circuit board strip; Forming a conductive connecting member on the circuit board, the conductive connecting member electrically connecting the semiconductor die and the circuit pattern; Forming a dam between the conductive connecting member and the end of the circuit board on the circuit board strip to surround the semiconductor die; And forming an encapsulant between the transparent glass and the dam at an upper portion of the circuit board so as to surround the conductive connecting member and the semiconductor die.
상기 댐 형성 단계는 상기 회로 기판 스트립 상에서 상기 반도체 다이 각각의 외곽 전체를 둘러싸도록 절연성 수지를 디스펜싱(dispensing)하는 것일 수 있다.The dam forming step may be to dispense an insulating resin on the circuit board strip so as to surround the entire outer periphery of each of the semiconductor dies.
또한, 상기 댐 형성 단계는 상기 회로 기판 스트립 상에서 상기 반도체 다이 각각을 일정한 수로 묶어 형성된 그룹 단위의 외곽 전체를 둘러싸도록 절연성 수지를 디스펜싱(dispensing)하는 것일 수 있다.Also, the dam forming step may be to dispense the insulating resin so as to surround the entirety of the group unit formed by bundling each of the semiconductor dies on the circuit board strip with a predetermined number.
상기 댐 형성 단계는 상기 회로 기판 스트립 상에서 상기 반도체 다이 각각 중 상기 도전성 연결 부재가 형성된 측면을 둘러싸도록 절연성 수지를 디스펜싱(dispensing)하는 것일 수 있다.The dam forming step may be to dispense an insulating resin on the circuit board strip so as to surround the side of the each of the semiconductor dies on which the conductive connecting member is formed.
상기 인캡슐레이션 형성 단계는 절연성 수지를 이용한 몰딩 공정 또는 겔 상태의 절연성 수지를 이용한 디스펜싱(dispensing) 공정에 의해 이루어지는 것일 수 있다.The encapsulation may be performed by a molding process using an insulating resin or a dispensing process using a gel insulating resin.
본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법은 내부에 회로 패턴이 형성된 프리 몰딩용 리드 프레임을 준비하는 프리 몰딩요 리드 프레임 준비 단계; 절연성 수지를 이용하여 상기 프리 몰딩용 리드 프레임의 관통홈에 프리 몰딩 관통체와, 상기 프리 몰딩용 리드 프레임의 단부에 프리 몰딩 블럭을 형성하는 프리 몰딩부 형성 단계; 상기 프리 몰딩용 리드 프레임의 상부에 반도체 다이와 투명 유리를 부착하는 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계; 상기 반도체 다이와 상기 회로 패턴을 전기적으로 연결하는 도전성 연결 부재 형성 단계; 및 상기 도전성 연결 부재와 상기 반도체 다이를 감싸도록, 상기 프리 몰딩용 리드 프레임의 상부에서 상기 투명 유리와 상기 프리 몰딩 블럭 사이에 인캡슐런트를 형성하는 인캡슐레이션 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor package for an image sensor, comprising: preparing a pre-molding lead frame having a circuit pattern formed therein; Forming a pre-molding block in a through-hole of the lead frame using an insulating resin, and forming a pre-molding block at an end of the lead frame for pre-molding; A semiconductor die and a transparent glass adhering step for attaching a semiconductor die and a transparent glass to an upper portion of the pre-molding lead frame; Forming a conductive connecting member electrically connecting the semiconductor die and the circuit pattern; And an encapsulation forming step of forming an encapsulant between the transparent glass and the pre-molding block on the top of the pre-molding lead frame so as to surround the conductive connecting member and the semiconductor die .
상기 프리 몰딩부 형성 단계는 상기 프리 몰딩 블럭을 상기 투명 유리가 상기 프리 몰딩용 리드 프레임에 배치된 높이보다 높게 되도록 형성하는 것일 수 있다.The pre-molding part forming step may be performed such that the pre-molding block is formed to be higher than the height of the transparent glass disposed on the pre-molding lead frame.
상기 프리 몰딩 블럭의 상부에 투명 유리 덮개를 결합하는 투명 유리 덮개 결합 단계를 더 포함하는 것일 수 있다. And a transparent glass cover joining the transparent glass cover to the upper portion of the pre-molding block.
상기 프리 몰딩부 형성 단계는 상기 프리 몰딩 관통체를 상기 프리 몰딩용 리드 프레임 중 상기 반도체 다이가 위치하는 영역의 외측에 형성하는 것일 수 있다.The pre-molding part forming step may be to form the pre-molding penetrator outside the region of the pre-molding lead frame where the semiconductor die is located.
상기 프리 몰딩부 형성 단계는 상기 프리 몰딩용 리드 프레임의 상부 중 상기 프리 몰딩 관통체와 대응하는 영역에 돌출된 형태로 프리 몰딩 스페이서를, 상기 프리 몰딩 관통체와 상기 프리 몰딩 블럭과 함께 형성하는 것일 수 있다.Wherein the pre-molding part forming step includes forming a pre-molding spacer in the upper part of the pre-molding lead frame in a region corresponding to the pre-molding penetrating body together with the pre-molding penetrating body and the pre-molding block .
또한, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법은 상기 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계 이전에 상기 반도체 다이와 상기 프리 몰딩용 리드 프레임 사이에 컨트롤러가 개재되도록 상기 컨트롤러를 상기 프리 몰딩용 리드 프레임의 상부에 부착하는 컨트롤러 부착 단계를 더 포함하며, 상기 프리 몰딩부 형성 단계는 상기 프리 몰딩 스페이서를 상기 컨트롤러가 상기 프리 몰딩용 리드 프레임의 상부에 배치되는 높이보다 높게 되도록 형성하는 것일 수 있다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor package for an image sensor, wherein the controller is disposed between the semiconductor die and the lead frame for pre- Molding preforming step is carried out by forming a preforming spacer on the upper surface of the leadframe so as to be higher than a height of the preforming spacer on the top of the preforming leadframe .
상기 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계는 상기 반도체 다이를 상기 프리 몰딩 스페이서의 상부에 부착하는 과정을 포함하는 것일 수 있다.The step of attaching the semiconductor die and the transparent glass may include attaching the semiconductor die to the top of the pre-molding spacer.
상기 도전성 연결 부재 형성 단계는 도전성 와이어를 이용하여 상기 컨트롤러와 상기 회로 패턴을 전기적으로 연결하고, 상기 컨트롤러와 상기 반도체 다이를 전기적으로 연결하는 것일 수 있다.The conductive connection member forming step may electrically connect the controller and the circuit pattern using a conductive wire, and electrically connect the controller and the semiconductor die.
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지 및 그 제조 방법은 회로 기판의 상부에서 도전성 와이어와 단부 사이에 위치하는 댐을 형성함으로써, 반도체 다이와 도전성 연결 부재를 감싸 보호하는 인캡슐런트의 형성시 필요한 절연성 수지의 양을 줄일 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지 및 그 제조 방법은 패키지의 제조 비용을 줄일 수 있다.A semiconductor package for an image sensor and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention can be used for forming a dam positioned between a conductive wire and an end portion of an upper portion of a circuit board to form an encapsulant for encapsulating and protecting the semiconductor die and the conductive connecting member The amount of the necessary insulating resin can be reduced. Accordingly, the semiconductor package for an image sensor and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention can reduce the manufacturing cost of the package.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지 및 그 제조 방법은 도전성 연결 부재를 감싸 보호하는 인캡슐런트를 이용하여, 외력에 의한 도전성 연결 부재의 손상 및 변형을 방지하여 휴대용 전자 기기에 사용되는 경우에 있 어서 회로 동작의 신뢰성을 높일 수 있다. Also, the semiconductor package for an image sensor and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention can prevent damages and deformation of the conductive connecting member due to external force by using an encapsulant for covering and protecting the conductive connecting member, If used, the reliability of the circuit operation can be increased.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지 및 그 제조 방법은 프리 몰딩용 리드 프레임의 프리 몰딩 관통체를 이용하여, 프리 몰딩용 리드 프레임과 인캡슐런트의 연결성(interlocking)을 향상시킬 수 있다.In addition, the semiconductor package for an image sensor and the method of manufacturing the same according to the embodiment of the present invention can improve the interlocking between the lead frame for pre-molding and the encapsulant by using the pre-molding penetrator of the lead frame for pre- .
또한, 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지 및 그 제조 방법은 프리 몰딩용 리드 프레임에 프리 몰딩 블럭을 이용하여, 인캡슐런트의 형성시 필요한 절연성 수지의 양을 줄일 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지 및 그 제조 방법은 패키지의 제조 비용을 줄일 수 있다. In addition, the semiconductor package for an image sensor and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention can reduce the amount of insulating resin required for forming an encapsulant by using a pre-molding block in a lead frame for pre-molding. Accordingly, the semiconductor package for an image sensor and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention can reduce the manufacturing cost of the package.
이하에서 첨부된 도면과 실시예를 참조하여 본 발명에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지 및 그 제조 방법에 대해 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, a semiconductor package for an image sensor and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and embodiments.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package for an image sensor according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(100)는 회로 기판(10), 반도체 다이(20), 투명 유리(30), 도전성 연결 부재(40), 댐(50) 및 인캡슐런트(60)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a
상기 회로 기판(10)은 대략 플레이트 형상을 가진다. 이러한 회로 기판(10)은 내부에 형성된 회로 패턴을 포함한다. 그리고, 상기 회로 기판(10)은 상부에 형 성된 도전성 패턴(미도시)과, 하부에 형성된 랜드(미도시)와, 상기 도전성 패턴과 랜드를 전기적으로 연결하는 도전성 비아(미도시)를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 회로 기판(10)은 본딩 패드(10a)를 가질 수 있다.The
상기 반도체 다이(20)는 접착부재(11)를 통해 상기 회로 기판(10)의 상부에 부착되며, 후술될 도전성 연결 부재(40)를 통해 상기 도전성 패턴과 전기적으로 연결된다. 이러한 반도체 다이(20)는 상부 중 후술될 투명 유리(30)와 중첩하는 영역에 형성된 수광 소자인 포토 다이오드를 포함하여 영상 센서 기능을 할 수 있다. 여기서, 상기 반도체 다이(20)는 본딩 패드(20a)를 가질 수 있다.The
상기 투명 유리(30)는 접착부재(미도시)를 통해 상기 반도체 다이(30)의 상부에 부착된다. 여기서, 접착부재는 빛이 투명 유리(30)를 통과하는 면적을 넓히도록 투명 유리(30)의 하단 테두리를 따라 배열될 수 있다. 이러한 투명 유리(30)는 특정파장대의 광선, 예를 들어 적외선 혹은 자외선 등을 선택적으로 필터링할 수 있는 필터를 더 포함하여 이루어질 수 있다.The
상기 도전성 연결 부재(40)는 반도체 다이(20)의 본딩 패드(20a)와 회로 기판(10)의 본딩 패드(10a)를 연결하는 도전성 와이어로 형성되어, 반도체 다이(20)와 회로 기판(10)의 회로 패턴을 전기적으로 연결할 수 있다.The conductive connecting
상기 댐(50)은 회로 기판(10)의 상면 중 도전성 연결 부재(40)와 회로 기판(10)의 단부 사이에 반도체 다이(20)를 둘러싸는 형태로 형성된다. 이러한 댐(50)은 후술되는 인캡슐런트(60)의 형성시 이용되는 절연성 수지가 회로 기판(10)의 전체에 형성되지 않도록 하여, 인캡슐런트(60)의 형성시 소요되는 제조 비용을 줄일 수 있도록 한다. 상기 댐(50)은 절연성 수지, 예를 들어 에폭시 수지, 실리콘 수지 또는 그 등가물 중 선택된 어느 하나를 디스펜싱(dispensing)하여 형성될 수 있다.The
상기 인캡슐런트(60)는 도전성 연결 부재(40)와 반도체 다이(20)를 감싸도록, 회로 기판(10)의 상부에서 투명 유리(30)와 댐(50) 사이에 형성되어, 도전성 연결 부재(40)와 반도체 다이(20) 등을 보호한다. 이러한 인캡슐런트(60)는 절연성 수지, 예를 들어 에폭시 수지, 실리콘 수지 또는 그 등가물 중 선택된 어느 하나를 이용한 몰딩 공정 또는 디스펜싱 공정에 의해 형성될 수 있다. The
상기와 같이 하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(100)는 댐(50)을 이용하여 반도체 다이(20)와 도전성 연결 부재(40)를 감싸 보호하는 인캡슐런트(60)의 제조 비용을 줄일 수 있으며, 더불어 인캡슐런트(60)를 이용하여 외력에 의한 도전성 연결 부재(40)의 손상 및 변형을 방지하여 휴대용 전자 기기에 사용되는 경우에 있어서 회로 동작의 신뢰성을 높일 수 있다. The
다음은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(100)의 제조 방법에 대해 설명하기로 한다. Hereinafter, a method of manufacturing the
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이고, 도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 다른 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도이고, 도 4는 도 3d에 도시된 댐 형성 단계의 다른 형태를 보여주는 평면도이고, 도 5는 도 3d에 도시된 댐 형성 단계의 또다른 형태를 보여주는 평면도이다.FIG. 2 is a flow chart for explaining a method of manufacturing a semiconductor package for an image sensor according to an embodiment of the present invention. FIGS. 3A to 3D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a plan view showing another form of the dam forming step shown in FIG. 3d, and FIG. 5 is a plan view showing another form of the dam forming step shown in FIG. 3d.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(100)의 제조 방법은 회로 기판 스트립 준비 단계(S1), 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계(S2), 도전성 연결 부재 형성 단계(S3), 댐 형성 단계(S4) 및 인캡슐런트 형성 단계(S5)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(100)의 제조 방법에서는, 회로 기판 스트립 상태에서 이미지 센서용 반도체 패키지가 제조되는 것으로 설명하기로 한다.Referring to FIG. 2, a method of manufacturing a
도 3a를 참조하면, 상기 회로 기판 스트립 준비 단계(S1)는 내부에 회로 패턴(미도시)이 형성된 회로 기판 스트립(10')을 준비하는 단계이다.Referring to FIG. 3A, the circuit board strip preparation step S1 is a step of preparing a circuit board strip 10 'in which a circuit pattern (not shown) is formed.
상기 회로 기판 스트립(10')은 도 1에 도시된 회로 기판(10) 각각이 독립적으로 절단되기 전 상태의 회로 기판 스트립이다. The circuit board strip 10 'is a circuit board strip in a state before each of the
도 3b를 참조하면, 상기 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계(S2)는 회로 기판 스트립(10')의 상부에서 소잉 라인(SL)에 의해 구분되는 복수의 회로 기판(10) 각각에 반도체 다이(20)와 투명 유리(30)를 부착하는 단계이다.3B, the step of attaching the semiconductor die and the transparent glass S2 includes the step of attaching the semiconductor die 20 (FIG. 3B) to each of the plurality of
구체적으로, 상기 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계(S2)는 접착부재(도 1의 11)를 이용하여 상기 반도체 다이(20)를 회로 기판 스트립(10')의 상부에서 회로 기판(10) 각각에 부착하며, 또한 투명 유리(30)의 하단 테두리를 따라 배열되는 접착부재(미도시)를 통해 상기 투명 유리(30)를 상기 반도체 다이(20)의 상부에 부착한다. Specifically, the step of attaching the semiconductor die and the transparent glass (S2) is performed by using an adhesive member (11 in Fig. 1) to attach the semiconductor die 20 to each of the
도 3c를 참조하면, 상기 도전성 연결 부재 형성 단계(S3)는 상기 회로 기판(10) 상에 반도체 다이(20)와 회로 패턴을 전기적으로 연결하는 단계이다. Referring to FIG. 3C, the conductive connection member forming step S3 is a step of electrically connecting the semiconductor die 20 and the circuit pattern on the
구체적으로, 상기 도전성 연결 부재 형성 단계(S3)는 도전성 연결 부재(40)를 이용하여 회로 기판(10)의 본드 패드(10a)와 상기 반도체 다이(20)의 본드 패드(20a)를 전기적으로 연결한다. 여기서, 도전성 연결 부재(40)는 도전성 와이어일 수 있다.More specifically, the conductive connection member forming step S3 electrically connects the
도 3d를 참조하면, 상기 댐 형성 단계(S4)는 상기 회로 기판 스트립(10') 상에서 상기 도전성 연결 부재(40)와 상기 회로 기판(10)의 단부 사이에 상기 반도체 다이(20)를 둘러싸는 형태로 댐(50)을 형성하는 단계이다.Referring to FIG. 3D, the dam forming step S4 includes forming a dam surrounding the semiconductor die 20 between the conductive connecting
상기 댐 형성 단계(S4)는 상기 회로 기판 스트립(10') 상에서 반도체 다이(20) 각각의 외곽 전체를 둘러싸도록 절연성 수지를 디스펜싱(dispensing)하여 상기 댐(50)을 형성할 수 있다.In the dam forming step S4, the
한편, 도 4를 참조하면, 상기 댐 형성 단계(S4)는 상기 회로 기판 스트립(10') 상에서 반도체 다이(20) 각각을 일정한 수로 묶어 형성된 그룹 단위(G)의 외곽 전체를 둘러싸도록 절연성 수지를 디스펜싱(dispensing)하여 댐을 형성할 수 있다. 이경우, 도 3d에 도시된 댐 형성 단계(S4)의 경우 보다 댐 형성을 위한 절연성 수지의 양을 줄여 제조 비용을 줄일 수 있다.Referring to FIG. 4, the dam forming step S4 includes forming a plurality of semiconductor dies 20 on the circuit board strip 10 'with an insulating resin so as to surround the whole outer periphery of the group unit G, The dam can be formed by dispensing. In this case, it is possible to reduce the manufacturing cost by reducing the amount of the insulating resin for dam formation, as compared with the dam forming step S4 shown in FIG. 3D.
또한, 도 5를 참조하면, 상기 댐 형성 단계(S4)는 상기 회로 기판 스트립(10') 상에서 반도체 다이(20) 각각 중 도전성 연결 부재(40)가 형성된 측면을 둘러싸도록 절연성 수지를 디스펜싱(dispensing)하여 댐을 형성할 수 있다. 이경우, 도 3d 및 도 4에 도시된 댐 형성 단계(S4)의 경우 보다 댐 형성을 위한 절연성 수지의 양을 더욱 줄여 제조 비용을 줄일 수 있다.5, the dam forming step S4 may be performed by disposing an insulating resin on the circuit board strip 10 'so as to surround the side of the semiconductor die 20 on which the conductive connecting
도시하진 않았지만, 상기 인캡슐런트 형성 단계(S5)는 도전성 연결 부재(40)와 반도체 다이(20)를 감싸도록, 회로 기판(10)의 상부에서 투명 유리(30)와 댐(50) 사이에 인캡슐런트(도 1의 60)를 형성하는 단계이다. 여기서, 상기 인캡슐런트 형성 단계(S5)는 인캡슐런트(60)의 형성시 절연성 수지를 이용한 몰딩 공정 또는 겔 상태의 절연성 수지를 이용한 디스펜싱 공정에 의해 실시될 수 있다. Although not shown, the encapsulant forming step S5 is performed between the
다음은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(200)에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a
본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(200)는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(100)와 비교하여 프리 몰딩(premolding)용 리드 프레임(110), 프리 몰딩부(118), 인캡슐런트(160) 및 투명 유리 덮개(170)에 있어서 다를 뿐, 동일한 구성 요소를 가지며 동일한 작용을 한다. 이에 따라, 동일한 구성에 대해 동일한 도면 부호를 붙이기로 하고 중복된 설명은 생략하기로 하며, 프리 몰딩용 리드 프레임(110), 프리 몰딩부(118), 인캡슐런트(160) 및 투명 유리 덮개(170)에 대해서 중점적으로 설명하기로 한다.The
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package for an image sensor according to another embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(200)는 프리 몰딩용 리드 프레임(110), 프리 몰딩부(118), 반도체 다이(20), 투명 유리(30), 도전성 연결 부재(40), 인캡슐런트(160), 투명 유리 덮개(170)를 포 함할 수 있다. 6, a
상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)은 회로 패턴(미도시)이 형성된 금속판으로 이루어질 수 있으며, 회로 패턴에 의해 금속판에 형성된 관통홀(110a)을 포함할 수 있다. 상기 관통홀(110a)은 반도체 다이(20)가 프리 몰딩용 리드 프레임(110)에 부착되는 영역 외측에 위치할 수 있다. 이는 상기 관통홀(110a)의 내부에 형성되는 후술될 프리 몰딩 관통체(115)를, 반도체 다이(20)와 프리 몰딩용 리드 프레임(110)을 전기적으로 연결하는 도전성 연결부재(40)를 감싸는 인캡슐런트(160)와 연결되게 하기 위함이다. 이와 같은 프리 몰딩용 리드 프레임(110)은 반도체 다이(20)와 외부 회로를 연결해주는 전선(lead) 역할을 할 수 있다. The preforming
상기 프리 몰딩부(118)는 프리 몰딩용 리드 프레임(110)을 절연성 수지, 예를 들어 에폭시 수지, 실리콘 수지 또는 그 등가물 중 선택된 어느 하나를 이용한 몰딩 공정에 의해 몰딩하여 형성될 수 있으며, 프리 몰딩 관통체(115)와 프리 몰딩 블럭(116)을 포함할 수 있다.The
상기 프리 몰딩 관통체(115)는 상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 상부와 하부를 관통하여 형성된다. 이러한 프리 몰딩 관통체(115)는 상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 평평도를 유지하게 할 수 있으며, 상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 하부로 노출되는 입출력 단자들이 전기적으로 절연될 수 있도록 하여 많은 수의 입출력 단자의 형성을 실현시킬 수 있도록 할 수 있다. 여기서, 상기 프리 몰딩 관통체(115)는 상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 평면 상에서 반도체 다이(20)와 도전성 연결 부재(40) 사이에 위치하여, 도전성 연결 부재(40)를 감싸도 록 형성되는 인캡슐런트(160)와의 연결성(interlocking)을 향상되게 할 수 있다.The
상기 프리 몰딩 블럭(116)은 상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 상면 중 단부에 형성된다. 이러한 프리 몰딩 블럭(116)은 후술되는 인캡슐런트(160)의 형성시 이용되는 절연성 수지가 상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 전체에 형성되지 않고 필요한 부부에만 형성 되도록 하여, 인캡슐런트(160)의 형성시 소요되는 제조 비용을 줄일 수 있도록 할 수 있다. 여기서, 상기 프리 몰딩 블럭(116)은 투명 유리(30)가 프리 몰딩 리드 프레임(110)에 배치되는 높이 보다 높게 형성되며, 단부가 단차진 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 이는 후술될 투명 유리 덮개(170)가 투명 유리(130)보다 높은 위치에서 결합 되도록 하기 위함이다.The
상기 인캡슐런트(160)는 도전성 연결 부재(40)와 반도체 다이(20)를 감싸도록, 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 상부에서 투명 유리(30)와 프리 몰딩 블럭(116) 사이에 형성되어, 도전성 연결 부재(40)와 반도체 다이(20) 등을 보호한다. 이러한 인캡슐런트(160)는 절연성 수지, 예를 들어 에폭시 수지, 실리콘 수지 또는 그 등가물 중 선택된 어느 하나를 이용한 몰딩 공정 또는 겔 상태의 절연성 수지를 이용하여 디스펜싱 공정에 의해 형성될 수 있다. The
상기 투명 유리 덮개(170)는 상기 프리 몰딩 블럭(116)의 상부, 즉 단차진 단부에 결합된다. 이러한 투명 유리 덮개(170)는 반도체 다이(20), 투명 유리(30) 및 도전성 연결부재(40) 등을 밀봉하여, 이미지 센서용 반도체 패키지(200)를 외부로부터 안정적으로 보호하는 역할을 한다. The
상기와 같이 하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패 키지(200)는 프리 몰딩 관통체(115)를 이용하여, 프리 몰딩용 리드 프레임(110)과 인캡슐런트(160)의 연결성(interlocking)을 향상시킬 수 있다.As described above, the
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(200)는 프리 몰딩 블럭(116)을 이용하여 반도체 다이(20)와 도전성 연결 부재(40)를 감싸 보호하는 인캡슐런트(160)의 제조 비용을 줄일 수 있으며, 더불어 인캡슐런트(160)를 이용하여 외력에 의한 도전성 연결 부재(40)의 손상 및 변형을 방지하여 휴대용 전자 기기에 사용되는 경우에 있어서 회로 동작의 신뢰성을 높일 수 있다. The
다음은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(200)의 제조 방법에 대해 설명하기로 한다. Next, a method of manufacturing the
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이고, 도 8a 내지 도 8f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.FIG. 7 is a flow chart for explaining a method of manufacturing a semiconductor package for an image sensor according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 8A to 8F illustrate a method of manufacturing a semiconductor package for an image sensor according to another embodiment of the present invention. Fig.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(200)의 제조 방법은 프리 몰딩용 리드 프레임 준비 단계(S11), 프리 몰딩부 형성 단계(S12), 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계(S13), 도전성 연결 부재 형성 단계(S14), 인캡슐런트 형성 단계(S15) 및 투명 유리 덮개 결합 단계(S16)를 포함할 수 있다. 7, a method of manufacturing a
도 8a를 참조하면, 상기 프리 몰딩용 리드 프레임 준비 단계(S11)는 회로 패턴(미도시)이 형성된 프리 몰딩용 리드 프레임(110)을 준비하는 단계이다.Referring to FIG. 8A, the preforming lead frame preparation step S11 is a step of preparing a preforming
상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)은 회로 패턴의 형성에 의해 형성된 관통홈(110a)을 가진다. 여기서, 상기 관통홈(110a)은 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계(S13)에서 반도체 다이(20)가 상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)에 부착될 영역의 외측에 위치하도록 형성될 수 있다. 이러한 프리 몰딩용 리드 프레임(110)에 대해서는 앞에서 설명하였으므로, 상세한 설명은 생략하기로 한다.The pre-molding
도 8b를 참조하면, 상기 프리 몰딩부 형성 단계(S12)는 절연성 수지를 이용한 몰딩 공정에 의해 상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)에 프리 몰딩 관통체(115)와, 프리 몰딩 블럭(116)을 포함하는 프리 몰딩부(118)를 형성한다.Referring to FIG. 8B, in the pre-molding part formation step S12, a
구체적으로, 상기 프리 몰딩부 형성 단계(S12)는 상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 관통홈(110a)을 절연성 수지로 채워 상기 프리 몰딩 관통체(115)를 형성하며, 동시에 상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 상면 중 단부에 돌출된 형태의 상기 프리 몰딩 블럭(116)을 형성한다. 여기서, 상기 프리 몰딩 블럭(116)은 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계(S13)에서 투명 유리(30)가 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 상부에 배치되는 높이보다 높게 되도록 형성되며, 단부가 단차질 수 있도록 형성된다. 이는 앞에서 설명하였으므로 중복된 설명은 생략하기로 한다.Specifically, in the pre-molding part forming step S12, the through-
도 8c를 참조하면, 상기 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계(S13)는 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 상부에 반도체 다이(20)와 투명 유리(30)를 부착하는 단계이다. Referring to FIG. 8C, the step of attaching the semiconductor die and the transparent glass S13 is a step of attaching the semiconductor die 20 and the
구체적으로, 상기 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계(S13)는 접착부재(도 2의 11)를 이용하여 상기 반도체 다이(20)를 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 상부 에 부착하며, 또한 투명 유리(30)의 하단 테두리를 따라 배열되는 접착부재(미도시)를 통해 상기 투명 유리(30)를 상기 반도체 다이(20)의 상부에 부착한다. Specifically, the step of attaching the semiconductor die and the transparent glass (S13) attaches the semiconductor die 20 to an upper portion of the pre-molding
도 8d를 참조하면, 상기 도전성 연결 부재 형성 단계(S14)는 반도체 다이(20)와 프리 몰딩용 리드 프레임(10)의 회로 패턴을 전기적으로 연결하는 단계이다. Referring to FIG. 8D, the conductive connecting member forming step S14 is a step of electrically connecting the circuit patterns of the semiconductor die 20 and the
구체적으로, 상기 도전성 연결 부재 형성 단계(S14)는 도전성 연결 부재(40)를 이용하여 프리 몰딩용 리드 프레임(10)의 본드 패드(미도시)와 상기 반도체 다이(20)의 본드 패드(미도시)를 연결한다. 여기서, 도전성 연결 부재(40)는 도전성 와이어일 수 있다.The conductive connecting member forming step S14 may be performed by using a conductive connecting
도 8e를 참조하면, 상기 인캡슐런트 형성 단계(S15)는 도전성 연결 부재(40)와 반도체 다이(20)를 감싸도록, 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 상부에서 투명 유리(30)와 프리 몰딩 블럭(116) 사이에 인캡슐런트(160)를 형성하는 단계이다. Referring to FIG. 8E, the encapsulant forming step S15 is performed to cover the conductive connecting
상기 인캡슐런트 형성 단계(S15)는 절연성 수지를 이용한 몰딩 공정에 의해 이루어지거나, 겔 상태의 절연성 수지를 이용하여 디스펜싱 공정에 의해 이루어질 수 있다. The encapsulant forming step (S15) may be performed by a molding process using an insulating resin, or may be performed by a dispensing process using an insulating resin in a gel state.
도 8f를 참조하면, 상기 투명 유리 덮개 결합 단계(S16)는 상기 프리 몰딩 블럭(116)의 상부에 투명 유리 덮개(170)를 결합시키는 단계이다. Referring to FIG. 8F, the step of joining the transparent glass cover (S16) is a step of joining the
구체적으로, 상기 투명 유리 덮개 결합 단계(S16)는 상기 투명 유리 덮개(170)를 상기 프리 몰딩 블럭(116)의 단차진 단부에 결합되도록 부착시킨다.Specifically, the step of joining the transparent glass cover (S16) attaches the
다음은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(300)에 대해 설명하기로 한다.Next, a
본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(300)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지(200)와 비교하여 프리 몰딩부(218)의 프리 몰딩 블럭(216)의 구성이 다르고 투명 유리 덮개(170)의 구성이 생략되는 것만 다를 뿐, 동일한 구성 요소를 가지며 동일한 작용을 한다. 이에 따라, 동일한 구성에 대해 동일한 도면 부호를 붙이기로 하고 중복된 설명은 생략하기로 하며, 프리 몰딩부(218)의 프리 몰딩 블럭(216) 구성에 대해서 중점적으로 설명하기로 한다.The
도 9는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package for an image sensor according to another embodiment of the present invention.
도 9를 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(300)는 프리 몰딩용 리드 프레임(110), 프리 몰딩부(218), 반도체 다이(20), 투명 유리(30), 도전성 연결 부재(40) 및 인캡슐런트(160)를 포함할 수 있다. 9, a
상기 프리 몰딩부(218)는 프리 몰딩용 리드 프레임(110)을 절연성 수지, 에를 들어 에폭시 수지, 실리콘 수지 또는 그 등가물 중 선택된 어느 하나를 이용한 몰딩 공정에 의해 몰딩하여 형성될 수 있으며, 프리 몰딩 관통체(115)와 프리 몰딩 블럭(216)을 포함할 수 있다.The
상기 프리 몰딩 블럭(216)은 도 8에 도시된 프리 몰딩 블럭(116)과 동일한 역할을 한다. 다만, 상기 프리 몰딩 블럭(216)은 투명 유리(30)가 프리 몰딩용 리드 프레임(110)에 배치되는 높이보다 낮은 높이를 가지도록 형성된다. 이는 상기 프리 몰딩 블럭(216)이, 인캡슐런트(160)의 형성시 사용되는 절연성 수지가 프리 몰딩용 리드 프레임(110) 중 정해진 영역 이외의 영역으로만 유출되지 않게 하는 높이만 가지면 되기 때문이다. 이에 따라, 상기 프리 몰딩 블럭(216)은 도 6에 도시된 프리 몰딩 블럭(216)을 형성하는 경우보다 재료 비용을 줄일 수 있다. 한편, 상기 프리 몰딩 블럭(216)이 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 상부에 낮게 형성되기 때문에 도 6에 도시된 투명 유리 덮개(170)는 형성되지 않는다. The
상기와 같이, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(300)는 낮은 높이의 프리 몰딩 블럭(216)을 형성함으로써, 도 6에 도시된 이미지 센서용 반도체 패키지(200)에서 높은 높이의 프리 몰딩 블럭(116)을 형성하는 경우 보다 제조 비용을 더욱 줄일 수 있다. As described above, the
다음은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(300)의 제조 방법에 대해 설명하기로 한다. Next, a method of manufacturing the
본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(300)의 제조 방법은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(200)의 제조 방법과 비교하여 프리 몰딩부 형성 단계(S22)가 다르고 투명 유리 덮개 결합 단계(S16)가 생략되는 것만 다를 뿐, 동일한 단계를 가진다. 이에 따라, 동일한 단계에 대한 중복된 설명은 생략하기로 하며, 프리 몰딩부 단계(S22)에 대해서 중점적으로 설명하기로 한다.The manufacturing method of the
도 10은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지의 제 조 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이고, 도 11은 도 10의 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법 중 프리 몰딩부 형성 단계를 설명하기 위한 단면도이다.10 is a flow chart for explaining a manufacturing method of a semiconductor package for an image sensor according to another embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a semiconductor package for an image sensor of FIG. Fig.
도 10을 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(300)의 제조 방법은 프리 몰딩용 리드 프레임 준비 단계(S11), 프리 몰딩부 형성 단계(S22), 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계(S13), 도전성 연결 부재 형성 단계(S14) 및 인캡슐런트 형성 단계(S15)를 포함할 수 있다.10, a method of manufacturing a
도 11을 참조하면, 상기 프리 몰딩부 형성 단계(S22)는 절연성 수지를 이용한 몰딩 공정에 의해 상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)에 프리 몰딩 관통체(115)와, 프리 몰딩 블럭(216)을 포함하는 프리 몰딩부(218)를 형성한다.Referring to FIG. 11, in the pre-molding part formation step S22, a
구체적으로, 상기 프리 몰딩부 형성 단계(S22)는 상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 관통홈(110a)를 수지로 채워 상기 프리 몰딩 관통체(115)를 형성하며, 동시에 상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 상면 중 단부에 돌출된 형태의 상기 프리 몰딩 블럭(216)을 형성한다. 여기서, 상기 프리 몰딩 블럭(216)은 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계(S13)에서 투명 유리(30)가 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 상부에 배치되는 높이보다 낮게 되도록 형성된다. 이는 앞에서 설명하였으므로 중복된 설명은 생략하기로 한다.In the pre-molding part forming step S22, the pre-molding through-
다음은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(400)에 대해 설명하기로 한다.Next, a
본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(400)는 본 발 명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지(200)와 비교하여 프리 몰딩부(318)의 구성이 다르고, 컨트롤러(319)가 추가되고, 반도체 다이(320)와 투명 유리(330)와 도전성 연결 부재(340)의 구성이 다르고, 인캡슐런트(160)의 구성이 생략될 뿐, 동일한 구성 요소를 가지며 동일한 작용을 한다. 이에 따라, 동일한 구성에 대해 동일한 도면 부호를 붙이기로 하고 중복된 설명은 생략하기로 하며, 프리 몰딩부(318), 컨트롤러(319), 반도체 다이(320), 투명 유리(330) 및 도전성 연결 부재(340)의 구성에 대해서 중점적으로 설명하기로 한다.The
도 12는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지를 도시한 단면도이고, 도 13은 도 12에 도시된 이미지 센서용 반도체 패키지에서 도전성 연결 부재의 형성을 보여주기 위한 프리 몰딩용 리드 프레임의 개략적인 평면도이다.12 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package for an image sensor according to another embodiment of the present invention. FIG. 13 is a cross- Figure 2 is a schematic plan view of the frame.
도 12 및 도 13을 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용반도체 패키지(400)는 프리몰딩용 리드 프레임(110), 프리 몰딩부(318), 컨트롤러(319), 반도체 다이(320), 투명 유리(330) 및 도전성 연결부재(340)를 포함할 수 있다. 12 and 13, a
상기 프리 몰딩부(318)는 프리 몰딩용 리드 프레임(110)을 절연성 수지, 예를 들어 에폭시 수지, 실리콘 수지 또는 그 등가물 중 선택된 어느 하나를 이용한 몰딩 공정에 의해 몰딩하여 형성될 수 있으며, 프리 몰딩 관통체(115), 프리 몰딩 블럭(116) 및 프리 몰딩 스페이서(317)를 포함할 수 있다.The
상기 프리 몰딩 스페이서(317)는 상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 상부 중 프리 몰딩 관통체(115)와 대응하는 영역에 돌출된 형태로 형성된다. 이러한 프리 몰딩 스페이서(317)는 후술될 컨트롤러(319)가 프리 몰딩용 리드 프레임(110)에 배치되는 높이보다 높게 되도록 형성되어, 컨트롤러(320)의 상부에 후술될 반도체 다이(320)가 배치될 수 있도록 하면서 반도체 다이(320)를 지지하는 역할을 한다. 상기 프리 몰딩 스페이서(317)는 프리 몰딩 관통체(115)와 프리 몰딩 블럭(116)을 형성하기 위한 몰딩 공정시 함께 형성된다. The
상기 컨트롤러(319)는 접착 부재(11)를 이용하여 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 상부에 부착되어, 후술되는 도전성 연결 부재(340)를 통해 프리 몰딩용 리드 프레임(110) 및 반도체 다이(320) 각각과 전기적으로 연결된다. 이러한 컨트롤러(319)는 상기 반도체 다이(320)의 회로 동작을 제어하는 역할을 하며, ASIC(application specfic integrated circuit)으로 형성될 수 있다. The
상기 반도체 다이(320)는 접착부재(11)를 통해 상기 프리 몰딩 스페이서(317)의 상부에 부착된다. 이러한 반도체 다이(320)는 상부 중 후술될 투명 유리(330)와 중첩하는 영역에 형성된 수광 소자인 포토 다이오드를 포함하여 영상 센서 기능을 한다.The semiconductor die 320 is attached to the top of the
상기 투명 유리(330)는 접착부재(미도시)를 통해 상기 반도체 다이(320)의 상부에 부착된다. 여기서, 접착부재는 빛이 투명 유리(330)를 넓은 면적으로 통과하도록 투명 유리(330)의 하단 테두리를 따라 배열될 수 있다. 이러한 투명 유리(330)는 특정파장대의 광선, 예를 들어 적외선 혹은 자외선 등을 선택적으로 필터링할 수 있는 필터를 더 포함하여 이루어질 수 있다.The
상기 도전성 연결 부재(340)는 앞에서 언급한 바와 같이 상기 컨트롤러(319)와 프리 몰딩용 리드 프레임(110)을 전기적으로 연결하며, 상기 컨트롤러(319)와 반도체 다이(320)를 전기적으로 연결하고, 도전성 와이어로 형성될 수 있다. The conductive connecting
상기와 같이, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(400)는 프리 몰딩 관통체(115)를 이용하여, 프리 몰딩용 리드 프레임(110)과 프리 몰딩 스페이서(317)의 연결성(interlocking)을 향상시킬 수 있다. As described above, the
또한, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(400)는 프리 몰딩 스페이서(317)를 이용하여 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 상부에 컨트롤러(319)와 반도체 다이(320)를 형성함으로써, 도 6 및 도 9에 도시된 이미지 센서용 반도체 패키지(200,300)에 비해 고성능화된 이미지 센서용 반도체를 구현할 수 있다. The
다음은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지(400)의 제조 방법에 대해 설명하기로 한다. Next, a method of manufacturing the
도 14는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이고, 도 15는 도 14의 반도체 패키지의 제조 방법 중 프리 몰딩부 형성 단계를 설명하기 위한 단면도이고, 도 16은 도 14의 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법 중 컨트롤러 부착 단계를 설명하기 위한 단면도이고, 도 17은 도 14의 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법 중 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계를 설명하기 위한 단면도이다.FIG. 14 is a flow chart for explaining a manufacturing method of a semiconductor package according to still another embodiment of the present invention, FIG. 15 is a cross-sectional view for explaining a preforming portion forming step in the manufacturing method of the semiconductor package of FIG. 14, 14 is a cross-sectional view for explaining a step of attaching a controller in the manufacturing method of the semiconductor package for an image sensor of Fig. 14, Fig. 17 is a cross- Sectional view.
도 14를 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 반도체 패키지(400)의 제조 방법은 프리 몰딩용 리드 프레임 준비 단계(S31), 프리 몰딩부 형성 단계(S32), 컨트롤러 부착 단계(S33), 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계(S34), 도전성 연결 부재(S35) 및 투명 유리 덮개 결합 단계(S36)를 포함할 수 있다.14, a method of manufacturing a
상기 프리 몰딩용 리드 프레임 준비 단계(S31)는 도 8a에 도시된 프리 몰딩용 리드 프레임 준비 단계(S11)와 동일하므로, 중복된 설명은 생략하기로 한다.Since the preforming lead frame preparation step S31 is the same as the preforming lead frame preparation step S11 shown in FIG. 8A, a duplicated description will be omitted.
도 15를 참조하면, 상기 프리 몰딩부 형성 단계(S32)는 절연성 수지를 이용한 몰딩 공정에 의해 상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)에 프리 몰딩 관통체(115)와, 프리 몰딩 블럭(116)과, 프리 몰딩용 스페이서(317)를 포함하는 프리 몰딩부(318)를 형성한다.15, the pre-molding part formation step S32 is a step of forming a pre-molding through-
상기 프리 몰딩부 형성 단계(S32)는 도 8b에 도시된 프리 몰딩부 형성 단계(S12)와 동일하다. 다만, 상기 프리 몰딩부 형성 단계(S32)는 상기 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 상부 중 프리 몰딩 관통체(115)와 대응하는 영역에 돌출된 형태의 프리 몰딩 스페이서(317)를 더 형성한다. 여기서, 상기 프리 몰딩 스페이서(317)는, 도 14의 컨트롤러(319)가 프리 몰딩용 리드 프레임(110)에 배치되는 높이보다 높게 되도록 형성된다. 이는 앞에서 설명하였으므로 중복된 설명은 생략하기로 한다.The pre-molding portion forming step S32 is the same as the pre-molding portion forming step S12 shown in FIG. 8B. However, the pre-molding part formation step S32 may further include a
도 16을 참조하면, 상기 컨트롤러 부착 단계(S33)는 접착 부재(11)를 통해 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 상부에 컨트롤러(319)를 부착하는 단계이다 .Referring to FIG. 16, the controller attaching step S33 is a step of attaching the
도 17를 참조하면, 상기 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계(S34)는 상기 컨트롤러(319)의 상부에 반도체 다이(320)와 투명 유리(330)를 부착하는 단계이다.Referring to FIG. 17, the step of attaching the semiconductor die and the transparent glass S34 is a step of attaching the semiconductor die 320 and the
구체적으로, 상기 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계(S34)는 접착 부재(11)를 이용하여 반도체 다이(320)를 프리 몰딩 스페이서(317)에 부착하며, 또한 투명 유리(330)의 하단 테두리를 따라 배열되는 접착부재(미도시)를 통해 상기 투명 유리(330)를 상기 반도체 다이(320)의 상부에 부착한다.Specifically, the step of attaching the semiconductor die and the transparent glass (S34) attaches the semiconductor die 320 to the
상기 도전성 연결 부재 형성 단계(S35)는 도전성 연결 부재(도 13의 340)를 이용하여 컨트롤러(319)와 프리 몰딩용 리드 프레임(110)의 회로 패턴을 전기적으로 연결하고, 컨트롤러(319)와 반도체 다이(320)를 전기적으로 연결한다. 여기서, 상기 도전성 연결 부재(340)는 도전성 와이어로 형성될 수 있다. The conductive connecting member forming step S35 electrically connects the
도시하진 않았지만, 상기 투명 유리 덮개 결합 단계(S36)는 도 8f에 도시된 투명 유리 덮개 결합 단계(S16)와 동일한 방식으로 이루어지므로, 상세한 설명은 생략하기로 한다. Although not shown, the joining step (S36) of the transparent glass cover is performed in the same manner as the joining step (S16) of the transparent glass cover shown in FIG. 8F, and thus a detailed description thereof will be omitted.
본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형의 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 특허청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims and their equivalents. It is to be understood that such changes are within the scope of the claims.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package for an image sensor according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a semiconductor package for an image sensor according to an embodiment of the present invention.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도이다.3A to 3D are plan views illustrating a method of manufacturing a semiconductor package for an image sensor according to an embodiment of the present invention.
도 4는 도 3d에 도시된 댐 형성 단계의 다른 형태를 보여주는 평면도이다.Fig. 4 is a plan view showing another form of the dam forming step shown in Fig. 3d.
도 5는 도 3d에 도시된 댐 형성 단계의 또다른 형태를 보여주는 평면도이다.Fig. 5 is a plan view showing another embodiment of the dam forming step shown in Fig. 3d.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package for an image sensor according to another embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a semiconductor package for an image sensor according to another embodiment of the present invention.
도 8a 내지 도 8f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.8A to 8F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor package for an image sensor according to another embodiment of the present invention.
도 9는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package for an image sensor according to another embodiment of the present invention.
도 10은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.10 is a flow chart for explaining a method of manufacturing a semiconductor package for an image sensor according to another embodiment of the present invention.
도 11은 도 10의 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법 중 프리 몰딩부 형성 단계를 설명하기 위한 단면도이다.11 is a cross-sectional view for explaining a preforming part forming step in the method of manufacturing the semiconductor package for an image sensor of FIG.
도 12는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.12 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package for an image sensor according to another embodiment of the present invention.
도 13은 도 12에 도시된 이미지 센서용 반도체 패키지에서 도전성 연결 부재의 형성을 보여주기 위한 프리 몰딩용 리드 프레임의 개략적인 평면도이다.13 is a schematic plan view of a lead frame for pre-molding to show the formation of a conductive connecting member in the semiconductor package for an image sensor shown in Fig.
도 14는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.14 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a semiconductor package for an image sensor according to another embodiment of the present invention.
도 15는 도 14의 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법 중 프리 몰딩부 형성 단계를 설명하기 위한 단면도이다.FIG. 15 is a cross-sectional view for explaining a preforming portion forming step in the manufacturing method of the semiconductor package for an image sensor of FIG.
도 16은 도 14의 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법 중 컨트롤러 부착 단계를 설명하기 위한 단면도이다. FIG. 16 is a cross-sectional view for explaining the step of attaching a controller in the manufacturing method of the semiconductor package for an image sensor of FIG. 14;
도 17은 도 14의 이미지 센서용 반도체 패키지의 제조 방법 중 반도체 다이 및 투명 유리 부착 단계를 설명하기 위한 단면도이다.17 is a cross-sectional view for explaining a semiconductor die and a step of adhering a transparent glass in the manufacturing method of the semiconductor package for an image sensor of Fig.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 > Description of the Related Art
10: 회로 기판 20, 320: 반도체 기판10:
30, 330: 투명 유리 40, 340: 도전성 연결 부재30, 330:
50: 댐 60, 160: 인캡슐런트50:
70, 170: 투명 유리 덮개 70, 170: Transparent glass cover
100, 200, 300, 400: 이미지센서용 반도체 패키지100, 200, 300, 400: Semiconductor package for image sensor
110: 프리 몰딩용 리드 프레임 118, 218, 318: 프리 몰딩부110: lead frame for
319: 컨트롤러319: Controller
Claims (29)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080119376A KR101579623B1 (en) | 2008-11-28 | 2008-11-28 | Semiconductor package for image sensor and fabricatingmethod thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080119376A KR101579623B1 (en) | 2008-11-28 | 2008-11-28 | Semiconductor package for image sensor and fabricatingmethod thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100060681A KR20100060681A (en) | 2010-06-07 |
| KR101579623B1 true KR101579623B1 (en) | 2015-12-23 |
Family
ID=42361567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080119376A KR101579623B1 (en) | 2008-11-28 | 2008-11-28 | Semiconductor package for image sensor and fabricatingmethod thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101579623B1 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170325365A1 (en) | 2016-05-04 | 2017-11-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hollow shielding structure for different types of circuit elements and manufacturing method thereof |
| US10201072B2 (en) | 2016-12-12 | 2019-02-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | EMI shielding structure and manufacturing method thereof |
| US10531599B2 (en) | 2017-09-08 | 2020-01-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electromagnetic interference shielding structure |
| US10566293B2 (en) | 2015-03-06 | 2020-02-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Circuit element package, manufacturing method thereof, and manufacturing apparatus thereof |
| US10594020B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic device having antenna element and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101366418B1 (en) * | 2012-04-25 | 2014-02-25 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Semiconductor device |
| DE102018130510A1 (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | Vishay Semiconductor Gmbh | Radiation sensor and manufacturing process therefor |
| KR102081612B1 (en) * | 2019-11-25 | 2020-05-15 | 테라셈 주식회사 | Semiconductor package and method for manufacturing the same |
| KR20220009738A (en) * | 2020-07-16 | 2022-01-25 | 엘지이노텍 주식회사 | Image sensor package and camera device comprising the same |
| DE102021100530A1 (en) * | 2021-01-13 | 2022-07-14 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100346297B1 (en) * | 2000-09-22 | 2002-07-26 | 삼성테크윈 주식회사 | Semiconductor package for memory card and method for manufacturing the same |
| KR101133117B1 (en) * | 2004-06-18 | 2012-04-06 | 삼성테크윈 주식회사 | Electronic-circuit module package |
| KR100713347B1 (en) * | 2004-11-05 | 2007-05-04 | 삼성전자주식회사 | Image sensor assembly and fabrication methdo thereof |
| KR100990637B1 (en) * | 2007-04-23 | 2010-10-29 | 삼성엘이디 주식회사 | Light emitting device and fabrication method of the same |
-
2008
- 2008-11-28 KR KR1020080119376A patent/KR101579623B1/en active IP Right Grant
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10566293B2 (en) | 2015-03-06 | 2020-02-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Circuit element package, manufacturing method thereof, and manufacturing apparatus thereof |
| US20170325365A1 (en) | 2016-05-04 | 2017-11-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hollow shielding structure for different types of circuit elements and manufacturing method thereof |
| US10477737B2 (en) | 2016-05-04 | 2019-11-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Manufacturing method of a hollow shielding structure for circuit elements |
| US11445645B2 (en) | 2016-05-04 | 2022-09-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hollow shielding structure for different types of circuit elements and manufacturing method thereof |
| US10201072B2 (en) | 2016-12-12 | 2019-02-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | EMI shielding structure and manufacturing method thereof |
| US10594020B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic device having antenna element and method for manufacturing the same |
| US10531599B2 (en) | 2017-09-08 | 2020-01-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electromagnetic interference shielding structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20100060681A (en) | 2010-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101579623B1 (en) | Semiconductor package for image sensor and fabricatingmethod thereof | |
| US8969120B2 (en) | Two-stage packaging method of image sensors | |
| CN100590821C (en) | Methods for packaging an image sensor and a packaged image sensor | |
| US7494292B2 (en) | Image sensor module structure comprising wire bonding package and method of manufacturing the image sensor module structure | |
| TWI540315B (en) | Pressure sensor and method of assembling same | |
| US20090045476A1 (en) | Image sensor package and method for forming the same | |
| US20060256222A1 (en) | CIS Package and Method Thereof | |
| US20170110416A1 (en) | Chip package having a protection piece compliantly attached on a chip sensing surface | |
| US20080105941A1 (en) | Sensor-type semiconductor package and fabrication | |
| US20080079105A1 (en) | Sensor-type package and fabrication method thereof | |
| US20090256222A1 (en) | Packaging method of image sensing device | |
| CN101159279A (en) | Semiconductor image sensor die and production method thereof, semiconductor image sensor module, image sensor device, optical device element, and optical device module | |
| JPH07221278A (en) | Solid-state image pickup element and its preparation | |
| WO2018113356A1 (en) | Chip package structure and manufacturing method therefor | |
| US11355423B2 (en) | Bottom package exposed die MEMS pressure sensor integrated circuit package design | |
| US8003426B2 (en) | Method for manufacturing package structure of optical device | |
| KR100818546B1 (en) | Image Sensor Package And Fabricating Method Thereof | |
| US6630661B1 (en) | Sensor module with integrated discrete components mounted on a window | |
| KR20170073796A (en) | Semiconductor package and Method of manufacturing package | |
| JP4925832B2 (en) | Method for mounting an optical sensor | |
| US20090166831A1 (en) | Sensor semiconductor package and method for fabricating the same | |
| US7592197B2 (en) | Image sensor chip package fabrication method | |
| US20060255253A1 (en) | Method for packaging an image sensor die and a package thereof | |
| US11515220B2 (en) | Semiconductor package structures and methods of manufacturing the same | |
| US6703700B2 (en) | Semiconductor packaging structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181213 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191216 Year of fee payment: 5 |