KR101496718B1 - Phosphor and light emitting device - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 가넷계 형광체는 하기의 화학식으로 표시된다.
[화학식]
(A,B,C)8- xO12:Ce
(여기서, 상기 A는 Y, Lu, Tb, Gd, La, Sm 중 적어도 하나의 원소를 포함하고, 상기 C는 Al, Si, Ga, In 중 적어도 하나의 원소를 포함하며, 상기 B는 A 또는 C의 원소 중 하나이며, B는 A 또는 C와 동일한 원소일 수 있다. 또한, 상기 B가 상기 C 원소 중 하나일 때, 5<B와 C의 몰수 합<7이고, 상기 B가 상기 A 원소 중 하나 일 때 1<A와 B의 몰수 합<5 이다.)The garnet fluorescent material according to the embodiment is represented by the following formula.
[Chemical Formula]
(A, B, C) 8- x O 12 : Ce
Wherein A comprises at least one element selected from the group consisting of Y, Lu, Tb, Gd, La and Sm, and C comprises at least one element selected from the group consisting of Al, Si, Ga and In; And B may be the same element as A or C. When B is one of the C elements, 5 < the molar sum of B and C is < 7, and B is the element A 1 <the number of moles of A and B <5.)
Description
실시예는 형광체 및 발광소자에 관한 것이다.An embodiment relates to a phosphor and a light emitting element.
최근에 전 세계적으로 활발하게 진행되고 있는 질화갈륨(GaN)계 발광다이오드의 제조방법은 하기와 같이 다양한 방법이 있다.[0003] Recently, a variety of methods for fabricating gallium nitride (GaN) -based light emitting diodes have been actively carried out in the world.
일례로, 청색, 녹색, 적색 발광다이오드 칩을 동시에 점등하여 발광다이오드의 밝기를 조정함으로써 가변 혼색이 이루어져 백색을 나타내는 방법이 있고, 또한, 청색과 황색 또는 주황색의 발광다이오드 칩의 밝기를 적절하게 조절하여 동시에 점등하는 방법 등이 있다.For example, there is a method in which the blue, green, and red light emitting diode chips are turned on at the same time to adjust the brightness of the light emitting diode so that variable color mixing is performed to show white color. In addition, And a method of lighting simultaneously.
그러나, 상기와 같은 멀티 칩 형태의 방법들은 각각의 칩마다 동작 전압의 불균일성과 주변 온도에 따라 각각의 칩의 출력이 변해 색 좌표가 달라지는 등의 문제점을 보이고 있다.However, in the above-described multi-chip type methods, the output of each chip changes according to the non-uniformity of the operating voltage and the ambient temperature for each chip, and the color coordinates are changed.
이러한 문제점에 따라, 현재는 형광체를 이용한 방법으로서, 청색 또는 근자외선(Ultra Violet, UV) 발광다이오드 칩 상에 형광체를 도포하는 방법이 있다. 이러한 방법은 앞서 설명한 멀티 칩 형태의 방법에 비해 공정이 단순하고 경제적이라는 장점이 있다. 또한, 상기 형광체를 이용하는 방법은 청색, 녹색 및 적색을 발광하는 형광체를 사용하여 삼색의 가변 혼색을 통해 원하는 색의 광원을 좀 더 단순하게 제조할 수 있다.According to such a problem, currently, there is a method of applying a phosphor on a blue or near ultraviolet (UV) light emitting diode chip as a method using a phosphor. This method is advantageous in that the process is simpler and more economical than the multichip type method described above. In addition, in the method using the phosphor, a light source of a desired color can be manufactured more simply through variable color mixture of three colors by using a phosphor that emits blue, green, and red light.
그러나, 상기 형광체를 이용하는 방법은 발광소자로부터의 1차 광원을 형광체의 2차 광원으로 변화시키는 것이기 때문에, 상기 형광체의 성능과 적용 방법에 따라 밝기(Brightness), 상관 색온도(Correlated Color Temperature, CCT) 및 연색성 지수(Color Rendering Index, CRI) 등이 달라질 수 있다.However, since the method using the phosphor changes the primary light source from the light emitting element to the secondary light source of the phosphor, the brightness, the correlated color temperature (CCT) And Color Rendering Index (CRI).
현재는 주로 약 460㎚로 청색 발광하는 Ga(In)N 발광다이오드와, 황색 발광하는 YAG:Ce3 + 형광체와의 조합에 의해 광원이 실현되고 있다.At present, a light source is realized by a combination of a Ga (In) N light emitting diode which emits blue light mainly at about 460 nm and a YAG: Ce 3 + fluorescent substance which emits yellow light.
또한, 상기 청색 발광다이오드 칩 상에 유로피움을 활성제로 이용한 알칼리토류 실리케이트계 형광체가 있으나, 이러한 형광체는 YAG:Ce3 + 형광체에 비해 신뢰성이 낮다는 문제점이 있다.In addition, although there are alkaline earth silicate phosphors using europium as an activator on the blue light emitting diode chip, these phosphors have a lower reliability than YAG: Ce 3 + phosphors.
이에 따라, 최근에는, 상기 YAG:Ce3 + 형광체에 비해 높은 신뢰성을 확보하기 위해 나이트라이드 형광체를 이용한 방법에 개발되고 있다. 일례로, 종래의 나이트라이드계 형광체로는 MAlSiN3, M2Si5N8, MSi2O2N2의 화학식을 갖는 형광체가 있다.Accordingly, in recent years, a method using nitride phosphors has been developed to ensure higher reliability than the YAG: Ce 3 + phosphor. For example, as a conventional nitride-based phosphor, there is a phosphor having a chemical formula of MAlSiN 3 , M 2 Si 5 N 8 , and MSi 2 O 2 N 2 .
그러나, 종래의 나이트라이드 형광체는 고온 고압의 합성 공정을 요하기 때문에, 공정이 복잡하고, 고가의 질화물을 원료로 사용한다는 문제점이 있다.However, conventional nitride phosphors require a high-temperature and high-pressure synthesis process, which complicates the process and uses expensive nitride as a raw material.
이에 따라, 실시예에서는 열정 특성 및 신뢰성이 우수하고 제조방법이 용이한 가넷계 형광체를 제공하고자 한다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a garnet fluorescent material having excellent passivity characteristics and reliability and being easy to manufacture.
실시예는 열적 특성이 우수하고 신뢰성이 우수한 가넷계 형광체, 이의 제조방법 및 상기 가넷계 형광체를 포함하는 발광소자를 제공하고자 한다.The embodiments are to provide a garnet fluorescent material having excellent thermal characteristics and excellent reliability, a method for producing the same, and a light emitting device including the garnet fluorescent material.
실시예에 따른 가넷계 형광체는 하기의 화학식으로 표시된다.The garnet fluorescent material according to the embodiment is represented by the following formula.
[화학식][Chemical Formula]
(A,B,C)8-xO12:Cex (A, B, C) 8-x O 12 : Ce x
(여기서, 상기 A는 Y, Lu, Tb, Gd, La, Sm 중 적어도 하나의 원소를 포함하고, 상기 C는 Al, Si, Ga, In 중 적어도 하나의 원소를 포함하며, 상기 B는 A 또는 C의 원소 중 하나이며, B는 A 또는 C와 동일한 원소일 수 있다. 또한, 상기 B가 상기 C 원소 중 하나일 때, 5<B와 C의 몰수 합<7이고, 상기 B가 상기 A 원소 중 하나 일 때 1<A와 B의 몰수 합<5 이다.)Wherein A comprises at least one element selected from the group consisting of Y, Lu, Tb, Gd, La and Sm, and C comprises at least one element selected from the group consisting of Al, Si, Ga and In; And B may be the same element as A or C. When B is one of the C elements, 5 < the molar sum of B and C is < 7, and B is the element A 1 <the number of moles of A and B <5.)
실시예에 따른, 발광소자는 380㎚ 내지 500㎚의 파장범위에서 발광 피크를 갖는 광을 방출하는 발광다이오드 칩; 상기 발광다이오드 칩을 지지하고 전기적으로 연결하는 기판; 상기 발광다이오드 칩을 몰딩하는 몰딩부재; 및 상기 몰딩 부재에 분산되고, (A,B,C)8- xO12:Ce의 화학식으로 표시되는 형광체를 포함하는 발광소자.(여기서, 상기 A는 Y, Lu, Tb, Gd, La, Sm 중 적어도 하나의 원소를 포함하고, 상기 C는 Al, Si, Ga, In 중 적어도 하나의 원소를 포함하며, 상기 B는 A 또는 C의 원소 중 하나이며, B는 A 또는 C와 동일한 원소일 수 있다. 또한, 상기 B가 상기 C 원소 중 하나일 때, 5<B와 C의 몰수 합<7이고, 상기 B가 상기 A 원소 중 하나 일 때 1<A와 B의 몰수 합<5이다.)According to an embodiment, a light emitting device includes a light emitting diode chip emitting light having an emission peak in a wavelength range of 380 nm to 500 nm; A substrate for supporting and electrically connecting the light emitting diode chip; A molding member for molding the light emitting diode chip; And a fluorescent material dispersed in the molding member and represented by the formula (A, B, C) 8- x O 12 : Ce wherein A is Y, Lu, Tb, Gd, La, Sm, C contains at least one element of Al, Si, Ga, In, B is one of the elements of A or C, B is an element the same as A or C When the B is one of the C elements, 5 <the number of moles of B and C is 7, and 1 <A and the number of moles of B is 5 when B is one of the A elements. )
실시예는 신규한 형광체 및 이를 포함하는 발광소자를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a novel phosphor and a light emitting device including the same.
실시예는 저렴한 가격으로 제조할 수 있는 형광체 및 이를 포함하는 발광소자를 제공할 수 있다.Embodiments can provide a phosphor that can be manufactured at a low cost and a light emitting device including the same.
실시예는 백색 광을 방출할 수 있는 발광 소자를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting element capable of emitting white light.
도 1은 실시예에 따른 발광소자의 구조를 예시한 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자의 다른 구조를 예시한 도면이다.
도 3은 실시예 1에 따른 녹색 형광체의 발광스펙트럼이다.
도 4는 실시예 1에 따른 녹색 형광체의 X선 회절기를 이용한 X선 회절패턴을 도시한 것이다.
도 5는 실시예 2에 따른 황색 형광체의 발광스펙트럼이다.
도 6은 실시예 2에 따른 황색 형광체의 X선 회절기를 이용한 X선 회절패턴을 도시한 것이다.
도 7은 실시예 3의 녹색 형광체 발광스펙트럼이다.
도 8은 실시예 3에 따른 녹색 형광체의 X선 회절기를 이용한 X선 회절패턴을 도시한 것이다.
도 9는 실시예 4에 따른 황색 형광체의 발광스펙트럼이다.
도 10은 실시예 4에 따른 황색 형광체의 X선 회절기를 이용한 X선 회절패턴을 도시한 것이다.
도 11은 실시예 5의 활성제 농도에 따른 녹색 형광체의 발광스펙트럼이다. 1 is a view illustrating a structure of a light emitting device according to an embodiment.
2 is a view illustrating another structure of a light emitting device according to an embodiment.
3 is an emission spectrum of the green phosphor according to Example 1. Fig.
Fig. 4 shows an X-ray diffraction pattern using the X-ray diffractometer of the green phosphor according to Example 1. Fig.
5 is an emission spectrum of the yellow phosphor according to Example 2. Fig.
Fig. 6 shows an X-ray diffraction pattern of the yellow phosphor according to Example 2 using an X-ray diffractometer. Fig.
7 is a luminescence spectrum of the green phosphor of Example 3. Fig.
FIG. 8 shows an X-ray diffraction pattern of the green phosphor according to Example 3 using an X-ray diffractometer. FIG.
9 is an emission spectrum of the yellow phosphor according to Example 4. Fig.
10 shows an X-ray diffraction pattern of the yellow phosphor according to Example 4 using an X-ray diffractometer.
11 is an emission spectrum of a green phosphor according to the activator concentration in Example 5. Fig.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.
도 1은 발광소자의 구조를 예시한 도면이다.1 is a view illustrating the structure of a light emitting device.
도 1을 참조하면, 발광소자는 380㎚ 내지 500㎚의 파장범위, 바람직하게는 450㎚ 내지 460㎚의 파장범위에서 발광 피크를 갖는 광을 방출하는 InGaN계의 발광다이오드 칩(110)과, 상기 발광다이오드 칩(110)을 지지하고 상기 발광다이오드 칩(110)에서 방출된 광을 상측 방향으로 반사시키는 기판(120)과, 상기 발광다이오드 칩(110)에 전원을 제공하는 전기적으로 절연된 두개의 리드프레임(130)과, 상기 발광 다이오드 칩(110)과 상기 두개의 리드 프레임(130)을 전기적으로 연결하는 와이어(140)와, 상기 발광다이오드 칩(110)을 몰딩하는 무색 또는 착색된 광투과수지로 이루어진 몰딩부재(150)와, 상기 몰딩부재(150)에 전체 또는 부분적으로 분산되는 형광체(151)가 포함된다.1, the light emitting device includes an InGaN-based light
도 2는 발광소자의 다른 구조를 예시한 도면이다.2 is a view illustrating another structure of the light emitting device.
도 2를 참조하면, 발광소자는 380nm 내지 500nm의 파장범위, 바람직하게는 450㎚ 내지 460㎚의에서 발광 피크를 갖는 광을 방출하는 InGaN계의 발광다이오드 칩(110)과, 상기 발광다이오드 칩(110)을 지지하고 상기 발광다이오드 칩(110)에서 방출된 광을 상측 방향으로 반사시키는 기판(120)과, 상기 발광다이오드 칩(110)에 전원을 제공하는 전기적으로 절연된 두개의 전극층(131)과, 상기 발광 다이오드 칩(110)과 상기 전극층(131)을 전기적으로 연결하는 와이어(140)와, 상기 발광다이오드 칩(110)을 몰딩하는 무색 또는 착색된 광투과수지로 이루어진 몰딩부재(150)와, 상기 몰딩부재(150)에 전체 또는 부분적으로 분산되는 형광체(151)가 포함된다.2, the light emitting device includes an InGaN light
도 2에 도시된 발광소자는 하나의 와이어(140)가 상기 발광다이오드 칩(110)과 하나의 전극층(131)을 전기적으로 연결한다. 상기 발광다이오드 칩(110)은 다른 하나의 전극층(131)에 실장됨으로써 직접 전기적으로 연결된다.In the light emitting device shown in FIG. 2, one
도 1과 도 2에 도시된 바와 같이, 발광소자는 전원이 제공되는 발광다이오드 칩(110)과 상기 발광다이오드 칩(110)을 포위하는 형광체(151)가 포함되어 구성되며, 상기 발광다이오드 칩(110)에서 방출된 광이 상기 형광체(151)에 의해 여기되어 2차 광이 발생하게 된다.1 and 2, the light emitting device includes a light
즉, 본 발명의 실시예에 따른 발광소자는 광을 방출하는 광원과, 상기 광원을 지지하는 기판, 상기 광원 주위에 몰딩되는 몰딩부재를 포함한다.That is, the light emitting device according to the embodiment of the present invention includes a light source that emits light, a substrate that supports the light source, and a molding member that is molded around the light source.
상기 몰딩부재는 광투과 수지로서, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 요소수지, 아크릴 수지 중 적어도 어느 하나가 사용될 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재는 단일 구조 또는 다중 구조로 형성될 수 있다.The molding member may be at least one of an epoxy resin, a silicone resin, a urea resin, and an acrylic resin as the light transmitting resin. Further, the molding member may be formed as a single structure or a multiple structure.
이하, 상기 발광소자에 포함되는 상기 형광체에 대해 상세하게 설명한다.
Hereinafter, the phosphor included in the light emitting device will be described in detail.
가넷계Garnet system 형광체, Phosphors, 가넷계Garnet system 형광체의 제조방법 및 A method of manufacturing a phosphor and 가넷계Garnet system 형광체를 이용한 발광소자의 제조 Fabrication of Light Emitting Device Using Phosphor
가넷계Garnet system 형광체 Phosphor
도 1과 도 2에서 상기 발광 다이오드 칩(110)을 포위하는 형광체(151)는 다음과 같은 형광체가 사용될 수 있다.1 and 2, the following phosphors may be used for the
상기 형광체는 하기와 같은 화학식으로 표시되는 가넷계 형광체이다.The phosphor is a garnet fluorescent material represented by the following formula.
[화학식][Chemical Formula]
(A,B,C)8-xO12:Cex (A, B, C) 8-x O 12 : Ce x
여기서, 상기 A는 Y, Lu, Tb, Gd, La, Sm 중 적어도 하나의 원소를 포함하고, 상기 C는 Al, Si, Ga, In 중 적어도 하나의 원소를 포함하며, 상기 B는 A 또는 C의 원소 중 하나이며, B는 A 또는 C와 동일한 원소일 수 있다. 또한, 상기 B가 상기 C 원소 중 하나일 때, 상기 B와 상기 C의 몰수 합은 5를 초과하고, 7 미만일 수 있다. 또한,상기 B가 상기 A 원소 중 하나 일 때 상기 A와 상기 B의 몰수 합은 1을 초과하고 5 미만일 수 있다.Wherein A comprises at least one element selected from the group consisting of Y, Lu, Tb, Gd, La and Sm, C contains at least one element selected from the group consisting of Al, Si, Ga and In, And B may be the same element as A or C. Further, when B is one of the C elements, the sum of the molar amounts of B and C may be more than 5 and less than 7. When the B is one of the A elements, the molar sum of A and B may be more than 1 and less than 5.
일례로, 상기 화학식에서 상기 A는 Lu이고, 상기 B 및 상기 C는 Al일 수 있으며, 이때, B와 C의 몰수 합은 6 내지 7 일 수 있다. 즉, 상기 화학식은 Lu2 -xAl6O12:Cex 또는 Lu1 - xAl7O12:Cex을 포함할 수 있다.For example, in the above formula, A is Lu and B and C may be Al, wherein the molar sum of B and C may be 6 to 7. That is, the above formula may include Lu 2 -x Al 6 O 12 : Ce x or Lu 1 - x Al 7 O 12 : Ce x .
또한, 상기 X는 약 0.001<X≤0.5일 수 있다. 상기 X가 0.001 이하이거나, 0.5를 초과하는 경우에는 광효율이 저하될 수 있다.In addition, X may be about 0.001 < X < 0.5. When X is 0.001 or less or more than 0.5, light efficiency may be lowered.
상기 화학식에서, 상기 형광체(151)는 광원에서 방출된 광에 의해 여기되어 상기 광원에서 방출된 광의 중심 파장에 따라 약 490㎚ 내지 590㎚의 파장범위에서 발광 피크를 가지는 2차 광을 방출한다. 즉, 실시예에 따른 형광체는 약 490㎚ 내지 590㎚의 파장범위에서 발광 피크를 가지는 녹색 형광체 또는 황색 형광체일 수 있다.
In the above formula, the
가넷계Garnet system 형광체의 제조방법 Method of manufacturing phosphor
가넷계 형광체는 다음과 같은 공정이 포함되어 제조된다.The garnet fluorescent material is manufactured by the following process.
상기 가넷계 형광체를 제조하는 공정은, In the step of producing the garnet fluorescent material,
(a) Y, Lu, Tb, Gd, La, Sm로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 희토류 산화물 및/또는 질화물; Al, Si, Ga, In로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 금속 산화물 및/또는 질화물; 활성제로서 Ce의 산화물 및/또는 질화물 및/또는 할로겐화물; 및 플럭스로서 할로겐 원소를 용매하에서 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계; (a) at least one rare earth oxide and / or nitride selected from the group consisting of Y, Lu, Tb, Gd, La and Sm; At least one metal oxide and / or nitride selected from the group consisting of Al, Si, Ga and In; Oxides and / or nitrides and / or halides of Ce as an activator; And mixing the halogen element as a flux under a solvent to form a mixture;
(b) (a)단계에서 얻어진 혼합물을 건조 및 소성하여 형광체를 제조하는 단계;(b) drying and firing the mixture obtained in step (a) to prepare a phosphor;
(c) 상기 형광체를 분쇄 및 분급하는 단계; 및 (c) pulverizing and classifying the phosphor; And
(d) 상기 분급을 거친 형광체를 용매로 세척하여 미반응 물질을 제거하는 단계를 포함한다.
(d) washing the fluorescent substance that has undergone classification with a solvent to remove unreacted material.
이때, 상기 (a) 단계에서 각각의 물질의 사용량은 상기 화학식 1 또는 상기 화학식 2의 조건을 만족하는 화학양론비로 적절하게 조절될 수 있다. 또한, 혼합은 습식 혼합일 수 있고, 습식 혼합을 위한 용매로는 에탄올, 아세톤 및 증류수 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 또한, 상기 플럭스의 종류는 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는, 상기 플럭스는 NH4F, NH4Cl, BaF2, AlF3, LaF3, 등의 할로겐족 화합물이며, 플럭스의 사용량은 혼합물 전체에 대하여 약 0.1 중량% 내지 약 20 중량% 일 수 있다.At this time, the amount of each substance used in the step (a) may be suitably adjusted to the stoichiometric ratio satisfying the conditions of the formula (1) or the formula (2). In addition, the mixing may be a wet mixing, and at least one of ethanol, acetone, and distilled water may be used as a solvent for wet mixing. Although the kind of the flux is not particularly limited, preferably, the flux is a halogen compound such as NH 4 F, NH 4 Cl, BaF 2 , AlF 3 , LaF 3 , etc., From about 0.1% to about 20% by weight.
또한, 상기 (b) 단계에서의 건조는 약 30℃ 내지 약 100℃의 온도에서 약 30분 내지 약 48분 동안 진행될 수 있고, 소성은 약 1000℃ 내지 1700℃의 환원분위기에서 약 1시간 내지 약 488시간 동안 열처리할 수 있다. 이때 환원 분위기는 수소 및 질소의 혼합가스나 암모니아 및 질소의 혼합가스를 사용할 수 있으며, 수소 및 질소의 혼합가스를 합성분위기로 채택할 시에는 수소가 약 2 부피% 내지 약 30 부피%로 혼합된 질소가스를 사용하는 것이 바람직하다. The drying in the step (b) may be carried out at a temperature of about 30 ° C. to about 100 ° C. for about 30 minutes to about 48 minutes, and the firing may be performed in a reducing atmosphere of about 1000 ° C. to 1700 ° C. for about 1 hour to about It can be heat treated for 488 hours. The reducing atmosphere may be a mixed gas of hydrogen and nitrogen or a mixed gas of ammonia and nitrogen. When a mixed gas of hydrogen and nitrogen is employed as the synthesis atmosphere, hydrogen is mixed at about 2 vol% to about 30 vol% It is preferable to use nitrogen gas.
또한, 상기 (c) 단계는 환원분위기에서 열처리하여 얻어진 형광체를 분쇄 및 분급하여 일정한 크기의 형광체 분말을 얻는 단계이다. 상기 (b) 단계에서 얻어진 형광체는 높은 열처리 온도로 인하여 응집되어 있으므로, 바람직한 휘도와 크기를 가진 분말을 얻기 위해서 상기 분쇄 및 분급 공정이 필요하다. 이러한 경우 상기 분쇄 및 분급 공정의 통상적으로 약 25㎛ 내지 약 32㎛ 분체를 이용하여 분급할 수 있다.In the step (c), the phosphor obtained by heat treatment in a reducing atmosphere is pulverized and classified to obtain a phosphor powder of a predetermined size. Since the phosphor obtained in the step (b) is aggregated due to a high heat treatment temperature, the pulverization and classification step is required to obtain a powder having a desired brightness and size. In this case, the pulverization and classification may be performed by using a powder of about 25 탆 to about 32 탆.
또한, 상기 환원분위기에서 열처리하여 얻어진 형광체는 미량의 할로겐화 물 및 미반응물질이 포함된다. 이 할로겐화물 및 미반응 물질을 제거하지 않았을 경우, 상기 형광체를 이용하여 발광소자로 제조시 발광 광도 및 내습성이 떨어지는 문제가 발생한다. 따라서 상기 (d) 단계에서는 상기(c) 단계에서 얻어진 형광체를 세척하여 미반응 물질을 제거할 수 있다.Further, the phosphor obtained by heat treatment in the reducing atmosphere includes trace amounts of halogenated compounds and unreacted materials. When the halide and the unreacted material are not removed, there arises a problem that the luminous intensity and the moisture resistance are inferior when the phosphor is manufactured using the phosphor. Therefore, in the step (d), the phosphor obtained in the step (c) may be washed to remove unreacted material.
상기 미반응 물질을 제거하는 단계는 에탄올, 아세톤 또는 증류수 등의 용매를 사용하여 초음파 세척 후 건조하는 방법이 제시될 수 있지만, 특별히 이것에 한정되는 것은 아니다.
The step of removing the unreacted material may include ultrasonic cleaning using a solvent such as ethanol, acetone, or distilled water, followed by drying, but the present invention is not limited thereto.
가넷Garnet 형광체 제조방법의 구체적인 예 1 Specific example 1 of the method for producing a phosphor
Lu2O3, Al2O3, CeO2를 각각 약 2.71g, 약 2.18g, 약 0.11g 칭량하고, BaF2를 적량 칭량하여 아세톤을 가한 후 적량의 지르코니아 볼을 이용하여 습식혼합을 약 1시간 동안 하였다. About 2.71 g, about 2.18 g, and about 0.11 g each of Lu 2 O 3 , Al 2 O 3 and CeO 2 were weighed, and BaF 2 was weighed in an appropriate amount. After acetone was added, wet mixing was carried out using an appropriate amount of zirconia balls Hour.
이어서, 혼합이 완료된 혼합물을 약 4시간 동안 약 80℃의 오븐에서 건조시키고, 건조가 완료된 혼합물을 알루미나 도가니에 충진하여 약 1500℃에서 약 3시간 동안 소성하였다. 이때, 혼합가스는 약 5% 수소와 약 95% 질소를 사용하였으며, 분당 약 100L의 혼합가스를 흘려주었다. Then, the mixed mixture was dried in an oven at about 80 DEG C for about 4 hours, and the dried mixture was filled in an alumina crucible and fired at about 1500 DEG C for about 3 hours. At this time, about 5% hydrogen and about 95% nitrogen were used as a mixed gas, and a mixed gas of about 100 L per minute was flowed.
이어서, 열처리가 완료되면 형광체를 분쇄하였다. 분쇄가 완료된 형광체는 미반응물이 함유되어 있으므로, 증류수에 넣어 30분간 초음파세척을 한 후 건조하였다. Subsequently, the phosphor was pulverized when the heat treatment was completed. Since the pulverized phosphor contained unreacted material, it was ultrasonically washed in distilled water for 30 minutes and then dried.
건조가 완료되면 분체를 이용한 일정한 크기의 형광체를 분급하여 Lu2Al6O12:Ce3+ 녹색 형광체를 제조하였다.After drying, the phosphor of a certain size using powders was classified to prepare a Lu 2 Al 6 O 12 : Ce 3+ green phosphor.
이에 의해 제조된 형광체에 대한 발광 스펙트럼을 분석하였고, X선 회절기를 이용하여 상기 형광체의 X선 회절패턴을 분석하였다.The luminescence spectrum of the phosphor thus prepared was analyzed, and the X-ray diffraction pattern of the phosphor was analyzed using an X-ray diffractometer.
도 3은 실시예 1에 따른 형광체를 포함하는 발광소자의 발광 스펙트럼을 도시한 도면이고, 도 4는 실시예 1에 따른 X선 회절 패턴을 도시한 도면이다.FIG. 3 is a view showing an emission spectrum of a light emitting device including a phosphor according to Example 1, and FIG. 4 is a diagram showing an X-ray diffraction pattern according to Example 1. FIG.
도 3을 참조하면, 실시예 1에 따른 형광체는 450㎚의 여기 파장을 가진 발광다이오드 칩에 의해 여기되어 490㎚ 내지 590㎚의 파장 범위에서 발광 피크를 가지는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 3, it can be seen that the phosphor according to Example 1 is excited by a light emitting diode chip having an excitation wavelength of 450 nm and has an emission peak in a wavelength range of 490 nm to 590 nm.
또한, 도 4를 참조하면, 실시예 1에 따른 형광체는 가넷(garnet) 결정 구조를 가지는 것을 알 수 있다.
Referring to FIG. 4, it can be seen that the phosphor according to Example 1 has a garnet crystal structure.
가넷Garnet 형광체 제조방법의 구체적인 예 2 Specific example 2 of the method for producing a phosphor
Y2O3, Al2O3, CeO2를 각각 약 2.01g, 약 2.85g, 약 0.14g 칭량하고, BaF2를 적량 칭량하여 아세톤을 가한 후 적량의 지르코니아 볼을 이용하여 습식혼합을 약 1시간 동안 하였다. Approximately 2.01 g, about 2.85 g and about 0.14 g each of Y 2 O 3 , Al 2 O 3 and CeO 2 were weighed, and BaF 2 was weighed in an appropriate amount. After acetone was added, wet mixing was carried out using an appropriate amount of zirconia balls at about 1 Hour.
이어서, 혼합이 완료된 혼합물을 약 4시간 동안 약 80℃의 오븐에서 건조시키고, 건조가 완료된 혼합물을 알루미나 도가니에 충진하여 약 1500℃에서 약 3시간 동안 소성하였다. 이때, 혼합가스는 약 5% 수소와 약 95% 질소를 사용하였으며, 분당 약 100L의 혼합가스를 흘려주었다. Then, the mixed mixture was dried in an oven at about 80 DEG C for about 4 hours, and the dried mixture was filled in an alumina crucible and fired at about 1500 DEG C for about 3 hours. At this time, about 5% hydrogen and about 95% nitrogen were used as a mixed gas, and a mixed gas of about 100 L per minute was flowed.
이어서, 열처리가 완료되면 형광체를 분쇄하였다. 분쇄가 완료된 형광체는 미반응물이 함유되어 있으므로, 증류수에 넣어 약 30분간 초음파세척을 한 후 건조하였다. Subsequently, the phosphor was pulverized when the heat treatment was completed. Since the pulverized phosphor contained unreacted material, it was ultrasonically washed in distilled water for about 30 minutes and then dried.
건조가 완료되면 분체를 이용한 일정한 크기의 형광체를 분급하여 Y2Al6O12:Ce3+ 녹색 형광체를 제조하였다. After drying, the Y 2 Al 6 O 12 : Ce 3+ green phosphor was prepared by classifying the phosphor of a certain size using powder.
이에 의해 제조된 형광체에 대한 발광 스펙트럼을 분석하였고, X선 회절기를 이용하여 상기 형광체의 X선 회절패턴을 분석하였다.The luminescence spectrum of the phosphor thus prepared was analyzed, and the X-ray diffraction pattern of the phosphor was analyzed using an X-ray diffractometer.
도 5는 실시예 2에 따른 형광체를 포함하는 발광소자의 발광 스펙트럼을 도시한 도면이고, 도 6은 실시예 2에 따른 X선 회절 패턴을 도시한 도면이다.FIG. 5 is a diagram showing the emission spectrum of the light emitting device including the phosphor according to the second embodiment, and FIG. 6 is an X-ray diffraction pattern according to the second embodiment.
도 5를 참조하면, 실시예 2에 따른 형광체는 450㎚의 여기 파장을 가진 발광다이오드 칩에 의해 여기되어 490㎚ 내지 590㎚의 파장 범위에서 발광 피크를 가지는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 5, it can be seen that the phosphor according to Example 2 is excited by a light emitting diode chip having an excitation wavelength of 450 nm and has an emission peak in a wavelength range of 490 nm to 590 nm.
또한, 도 6을 참조하면, 실시예 2에 따른 형광체는 가넷(garnet) 결정 구조를 가지는 것을 알 수 있다.
Referring to FIG. 6, it can be seen that the phosphor according to Example 2 has a garnet crystal structure.
가넷Garnet 형광체 제조방법의 구체적인 예 3 Specific example 3 of the method for producing a phosphor
Lu2O3, Al2O3, CeO2를 각각 약 3.90g, 약 1.02g, 약 0.07g 칭량하고, BaF2를 적량 칭량하여 아세톤을 가한 후 적량의 지르코니아 볼을 이용하여 습식혼합을 약 1시간 동안 하였다. Approximately 3.90 g, about 1.02 g, and about 0.07 g of Lu 2 O 3 , Al 2 O 3 and CeO 2 were respectively weighed and BaF 2 was weighed in an appropriate amount. After acetone was added, wet mixing was carried out using an appropriate amount of zirconia balls Hour.
이어서, 혼합이 완료된 혼합물을 약 4시간 동안 약 80℃의 오븐에서 건조시키고, 건조가 완료된 혼합물을 알루미나 도가니에 충진하여 약 1500℃에서 약 3시간 동안 소성하였다. 이때, 혼합가스는 약 5% 수소와 약 95% 질소를 사용하였으며, 분당 약 100L의 혼합가스를 흘려주었다. Then, the mixed mixture was dried in an oven at about 80 DEG C for about 4 hours, and the dried mixture was filled in an alumina crucible and fired at about 1500 DEG C for about 3 hours. At this time, about 5% hydrogen and about 95% nitrogen were used as a mixed gas, and a mixed gas of about 100 L per minute was flowed.
이어서, 열처리가 완료되면 형광체를 분쇄하였다. 분쇄가 완료된 형광체는 미반응물이 함유되어 있으므로, 증류수에 넣어 약 30분간 초음파세척을 한 후 건조하였다. Subsequently, the phosphor was pulverized when the heat treatment was completed. Since the pulverized phosphor contained unreacted material, it was ultrasonically washed in distilled water for about 30 minutes and then dried.
건조가 완료되면 분체를 이용한 일정한 크기의 형광체를 분급하여 Lu4Al4O12:Ce3+ 녹색 형광체를 제조하였다.After drying, the phosphor particles of a certain size were classified to prepare a Lu 4 Al 4 O 12 : Ce 3+ green phosphor.
이에 의해 제조된 형광체에 대한 발광 스펙트럼을 분석하였고, X선 회절기를 이용하여 상기 형광체의 X선 회절패턴을 분석하였다.The luminescence spectrum of the phosphor thus prepared was analyzed, and the X-ray diffraction pattern of the phosphor was analyzed using an X-ray diffractometer.
도 7은 실시예 3에 따른 형광체를 포함하는 발광소자의 발광 스펙트럼을 도시한 도면이고, 도 8은 실시예 3에 따른 X선 회절 패턴을 도시한 도면이다.FIG. 7 is a view showing an emission spectrum of a light emitting device including a phosphor according to Example 3, and FIG. 8 is a diagram showing an X-ray diffraction pattern according to Example 3. FIG.
도 7을 참조하면, 실시예 3에 따른 형광체는 450㎚의 여기 파장을 가진 발광다이오드 칩에 의해 여기되어 490㎚ 내지 590㎚의 파장 범위에서 발광 피크를 가지는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 7, it can be seen that the phosphor according to Example 3 is excited by a light emitting diode chip having an excitation wavelength of 450 nm and has an emission peak in a wavelength range of 490 nm to 590 nm.
또한, 도 8을 참조하면, 실시예 3에 따른 형광체는 가넷(garnet) 결정 구조를 가지는 것을 알 수 있다.
Referring to FIG. 8, it can be seen that the phosphor according to Example 3 has a garnet crystal structure.
가넷Garnet 형광체 제조방법의 구체적인 예 4 Specific example 4 of the method for producing the phosphor
Lu2O3, Tb4O7, Al2O3, CeO2를 각각 약 2.95g, 약 0.95g, 약 1.04g, 약 0.08g 칭량하고, BaF2를 적량 칭량하여 아세톤을 가한 후 적량의 지르코니아 볼을 이용하여 습식혼합을 약 1시간 동안 하였다. About 2.95 g, about 0.95 g, about 1.04 g, about 0.08 g each of Lu 2 O 3 , Tb 4 O 7 , Al 2 O 3 and CeO 2 were respectively weighed and BaF 2 was weighed in an appropriate amount. After adding acetone, The wet mixing was performed using a ball for about 1 hour.
이어서, 혼합이 완료된 혼합물을 약 4시간 동안 약 80℃의 오븐에서 건조시키고, 건조가 완료된 혼합물을 알루미나 도가니에 충진하여 약 1500℃에서 약 3시간 동안 소성하였다. 이때, 혼합가스는 약 5% 수소와 약 95% 질소를 사용하였으며, 분당 약 100L의 혼합가스를 흘려주었다. Then, the mixed mixture was dried in an oven at about 80 DEG C for about 4 hours, and the dried mixture was filled in an alumina crucible and fired at about 1500 DEG C for about 3 hours. At this time, about 5% hydrogen and about 95% nitrogen were used as a mixed gas, and a mixed gas of about 100 L per minute was flowed.
이어서, 열처리가 완료되면 형광체를 분쇄하였다. 분쇄가 완료된 형광체는 미반응물이 함유되어 있으므로, 증류수에 넣어 약 30분간 초음파세척을 한 후 건조하였다. Subsequently, the phosphor was pulverized when the heat treatment was completed. Since the pulverized phosphor contained unreacted material, it was ultrasonically washed in distilled water for about 30 minutes and then dried.
건조가 완료되면 분체를 이용한 일정한 크기의 형광체를 분급하여 Lu3Tb1Al4O12:Ce3+ 황색 형광체를 제조하였다.After drying, the phosphor particles of a certain size were classified to prepare a Lu 3 Tb 1 Al 4 O 12 : Ce 3+ yellow phosphor.
이에 의해 제조된 형광체에 대한 발광 스펙트럼을 분석하였고, X선 회절기를 이용하여 상기 형광체의 X선 회절패턴을 분석하였다.The luminescence spectrum of the phosphor thus prepared was analyzed, and the X-ray diffraction pattern of the phosphor was analyzed using an X-ray diffractometer.
도 9는 실시예 4에 따른 형광체를 포함하는 발광소자의 발광 스펙트럼을 도시한 도면이고, 도 10은 실시예 4에 따른 X선 회절 패턴을 도시한 도면이다.FIG. 9 is a diagram showing the emission spectrum of the light emitting device including the phosphor according to the fourth embodiment, and FIG. 10 is a diagram showing the X-ray diffraction pattern according to the fourth embodiment.
도 9를 참조하면, 실시예 4에 따른 형광체는 450㎚의 여기 파장을 가진 발광다이오드 칩에 의해 여기되어 490㎚ 내지 590㎚의 파장 범위에서 발광 피크를 가지는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 9, it can be seen that the phosphor according to Example 4 is excited by a light emitting diode chip having an excitation wavelength of 450 nm and has an emission peak in a wavelength range of 490 nm to 590 nm.
또한, 도 10을 참조하면, 실시예 4에 따른 형광체는 가넷(garnet) 결정 구조를 가지는 것을 알 수 있다.
Referring to FIG. 10, it can be seen that the phosphor according to Example 4 has a garnet crystal structure.
가넷Garnet 형광체 제조방법의 구체적인 예 5 Specific Example 5 of Phosphor Production Method
Lu2O3, Al2O3, CeO2 및 BaF2를 다음과 같이,Lu 2 O 3 , Al 2 O 3 , CeO 2, and BaF 2 ,
(1) 약 2.83g, 약 2.18g, 약 0.001g, 약 0.2g(1) about 2.83 g, about 2.18 g, about 0.001 g, about 0.2 g
(2) 약 2.82g, 약 2.17g, 약 0.01g, 약 0.2g(2) about 2.82 g, about 2.17 g, about 0.01 g, about 0.2 g
(3) 약 1.08g, 약 0.88g, 약 0.05g, 약 0.08g(3) about 1.08 g, about 0.88 g, about 0.05 g, about 0.08 g
(4) 약 0.86g, 약 0.89g, 약 0.25g, 약 0.08g(4) about 0.86 g, about 0.89 g, about 0.25 g, about 0.08 g
각각 적량하여 아세톤을 가한 후 적량의 지르코니아 볼을 이용하여 습식혼합을 약 1시간 동안 하였다. After the addition of acetone, the mixture was wet-mixed using an appropriate amount of zirconia balls for about 1 hour.
이어서, 혼합이 완료된 혼합물을 약 4시간 동안 약 80℃의 오븐에서 건조시키고, 건조가 완료된 혼합물을 알루미나 도가니에 충진하여 약 1500℃에서 약 3시간 소성하였다. 이때, 혼합가스는 약 5% 수소와 약 95% 질소를 사용하였으며, 분당 약 100L의 혼합가스를 흘려주었다. Then, the mixed mixture was dried in an oven at about 80 DEG C for about 4 hours, and the dried mixture was filled in an alumina crucible and fired at about 1500 DEG C for about 3 hours. At this time, about 5% hydrogen and about 95% nitrogen were used as a mixed gas, and a mixed gas of about 100 L per minute was flowed.
이어서, 열처리가 완료되면 형광체를 분쇄하였다. 분쇄가 완료된 형광체는 미반응물이 함유되어 있으므로, 증류수에 넣어 약 30분간 초음파세척을 한 후 건조하였다. Subsequently, the phosphor was pulverized when the heat treatment was completed. Since the pulverized phosphor contained unreacted material, it was ultrasonically washed in distilled water for about 30 minutes and then dried.
건조가 완료되면 분체를 이용한 일정한 크기의 형광체를 분급하여 Lu2-xAl6O12:Ce3+ x 황색 형광체를 제조하였다. 이때, 활성제 x의 범위는 0.001<x≤0.5였다. 상세하게는 (1)은 x=0.001, (2)는 x=0.01, (3)은 x=0.1, (4)는 x=0.5였다. After drying, the phosphor particles of a certain size were classified to prepare a Lu 2-x Al 6 O 12 : Ce 3+ x yellow phosphor. At this time, the range of the active agent x was 0.001 < x &le; 0.5. Specifically, (1) is x = 0.001, (2) is x = 0.01, (3) is x = 0.1 and (4) is x = 0.5.
이에 의해 제조된 각각의 형광체에 대한 발광 스펙트럼을 분석하였다.
The emission spectra of each of the phosphors thus prepared were analyzed.
도 11은 상기에서 제조한 형광체의 광 방출 스펙트럼을 도시한 것이다. 도 11을 참고하면, 활성제 x의 몰농도에 따른 광 특성 변화를 도시한 것이다. x가 0.001 이하이거나 0.5를 초과할 때는 도 11에서 보는 바와 같이 광 효율이 저하되어 형광체로 사용할 수 없는 것을 알 수 있다.
FIG. 11 shows the light emission spectrum of the phosphor prepared above. Referring to FIG. 11, the optical characteristic changes according to the molar concentration of the activator x. When x is less than 0.001 or more than 0.5, the light efficiency is decreased as shown in FIG. 11, and it can be seen that the phosphor can not be used as a phosphor.
실시예에 따른 가넷계 형광체는 제조과정에서 사용되는 물질의 조성을 변경함으로써, 황색광 또는 녹색광에 이르는 넓은 영역의 광을 방출할 수 있다.The garnet fluorescent material according to the embodiment can emit light in a wide range ranging from yellow light to green light by changing the composition of materials used in the manufacturing process.
또한, 본 발명에서 새로운 형광체는 낮은 온도 및 압력에서 합성이 가능하며, 저렴한 출발 물질(starting material)을 사용하기 때문에 보다 저렴한 가격으로 형광체를 합성할 수 있는 장점이 있다.In addition, since the novel phosphor can be synthesized at low temperature and pressure and uses an inexpensive starting material, the phosphor can be synthesized at a lower cost.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 형광체는 높은 연색성 지수를 나타내어 휴대 전화의 컬러 LCD용 백라이트, LED 램프, 열차 및 버스의 차내 표시용 LED나 형광등을 대신하는 조명 광원으로 사용할 수 있는 실용성을 제공한다.
In addition, the phosphor according to the embodiment of the present invention exhibits a high color rendering index and provides practical utility as an illumination light source in place of a backlight for a color LCD for a cellular phone, an LED lamp, an in-vehicle display LED for a train and a bus, or a fluorescent lamp .
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
Claims (11)
[화학식]
(A,B,C)8-xO12:Cex
(여기서, 상기 A는 Y, Lu, Tb, Gd, La, Sm 중 적어도 하나의 원소를 포함하고, 상기 C는 Al, Si, Ga, In 중 적어도 하나의 원소를 포함하며, 상기 B는 A 또는 C의 원소 중 하나이며, B는 A 또는 C와 동일한 원소일 수 있다. 또한, 상기 B가 상기 C 원소 중 하나일 때, 5<B와 C의 몰수 합<7이고, 상기 B가 상기 A 원소 중 하나 일 때 1<A와 B의 몰수 합<5 이다. 또한, 상기 X는 0.001<X≤0.5이다.)A garnet fluorescent material represented by the following formula
[Chemical Formula]
(A, B, C) 8-x O 12 : Ce x
Wherein A comprises at least one element selected from the group consisting of Y, Lu, Tb, Gd, La and Sm, and C comprises at least one element selected from the group consisting of Al, Si, Ga and In; And B may be the same element as A or C. When B is one of the C elements, 5 < the molar sum of B and C is < 7, and B is the element A 1 < the molar sum of A and B < 5, and X is 0.001 < X <
상기 가넷계 형광체는 녹색 형광체 또는 황색 형광체인 가넷계 형광체.The method according to claim 1,
Wherein the garnet fluorescent material is a green fluorescent material or a yellow fluorescent material.
상기 가넷계 형광체는 490㎚ 내지 590㎚의 파장범위에서 발광 피크를 갖는 광을 방출하는 가넷게 형광체.The method according to claim 1,
The garnet fluorescent material emits light having an emission peak in a wavelength range of 490 nm to 590 nm.
상기 화학식에서 상기 A는 Lu이고, 상기 B 및 상기 C는 Al인 가넷계 형광체(여기서, B와 C의 몰수 합은 6 내지 7)The method according to claim 1,
Wherein A is Lu, B and C are Al, wherein the molar sum of B and C is 6 to 7,
상기 화학식은 Lu2 - xAl6O12:Cex 또는 Lu1 - xAl7O12:Cex을 포함하는 가넷계 형광체.6. The method of claim 5,
Wherein the above formula includes Lu 2 - x Al 6 O 12 : Ce x or Lu 1 - x Al 7 O 12 : Ce x .
상기 화학식은 Lu2Al6O12:Ce3+, Y2Al6O12:Ce3+ 또는 Lu4Al4O12:Ce3+를 포함하고,
상기 가넷계 형광체는 Lu2Al6O12:Ce3+, Y2Al6O12:Ce3+ 및 Lu4Al4O12:Ce3+중 적어도 하나를 포함하는 가넷계 형광체.The method according to claim 1,
The above formula includes Lu 2 Al 6 O 12 : Ce 3+ , Y 2 Al 6 O 12 : Ce 3+ or Lu 4 Al 4 O 12 : Ce 3+ ,
Wherein the garnet fluorescent material comprises at least one of Lu 2 Al 6 O 12 : Ce 3+ , Y 2 Al 6 O 12 : Ce 3+, and Lu 4 Al 4 O 12 : Ce 3+ .
상기 발광다이오드 칩을 지지하고 전기적으로 연결하는 기판;
상기 발광다이오드 칩을 몰딩하는 몰딩부재; 및
상기 몰딩 부재에 분산되고, (A,B,C)8-xO12:Cex의 화학식으로 표시되는 형광체를 포함하는 발광소자.
(여기서, 상기 A는 Y, Lu, Tb, Gd, La, Sm 중 적어도 하나의 원소를 포함하고, 상기 C는 Al, Si, Ga, In 중 적어도 하나의 원소를 포함하며, 상기 B는 A 또는 C의 원소 중 하나이며, B는 A 또는 C와 동일한 원소일 수 있다. 또한, 상기 B가 상기 C 원소 중 하나일 때, 5<B와 C의 몰수 합<7이고, 상기 B가 상기 A 원소 중 하나 일 때 1<A와 B의 몰수 합<5이다. 또한, 상기 X는 0.001<X≤0.5이다.)A light emitting diode chip emitting light having an emission peak in a wavelength range of 380 nm to 500 nm;
A substrate for supporting and electrically connecting the light emitting diode chip;
A molding member for molding the light emitting diode chip; And
And a phosphor dispersed in the molding member and represented by the formula (A, B, C) 8-x O 12 : Ce x .
Wherein A comprises at least one element selected from the group consisting of Y, Lu, Tb, Gd, La and Sm, and C comprises at least one element selected from the group consisting of Al, Si, Ga and In; And B may be the same element as A or C. When B is one of the C elements, 5 < the molar sum of B and C is < 7, and B is the element A 1 < the molar sum of A and B < 5, and X is 0.001 < X <
상기 형광체는 녹색 형광체 또는 황색 형광체인 발광소자.9. The method of claim 8,
Wherein the phosphor is a green phosphor or a yellow phosphor.
상기 형광체는 490㎚ 내지 590㎚의 파장범위에서 발광 피크를 갖는 광을 방출하는 발광소자.9. The method of claim 8,
Wherein the phosphor emits light having an emission peak in a wavelength range of 490 nm to 590 nm.
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