KR101427995B1 - Touch sensing electrode - Google Patents

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KR101427995B1
KR101427995B1 KR1020130095203A KR20130095203A KR101427995B1 KR 101427995 B1 KR101427995 B1 KR 101427995B1 KR 1020130095203 A KR1020130095203 A KR 1020130095203A KR 20130095203 A KR20130095203 A KR 20130095203A KR 101427995 B1 KR101427995 B1 KR 101427995B1
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pattern
bridge electrode
electrode
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touch sensing
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하경수
박준하
김상수
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a touch sensing electrode. More specifically, the touch sensing electrode includes: a sensing pattern with a first pattern formed in a first direction and a second pattern formed in a second direction; a metal bridge electrode electrically connecting unit patterns of the second pattern which are spaced apart from each other; an insulation layer disposed between the sensing pattern and the metal bridge electrode; and a light blocking metal oxide layer formed on a visible side surface of the metal bridge electrode. Accordingly, the touch sensing electrode can minimize the visibility of the pattern in accordance to the location-specific differences in the reflection ratio.

Description

터치 감지 전극 {Touch sensing electrode}[0001] The present invention relates to a touch sensing electrode,

본 발명은 터치 감지 전극에 관한 것이다.
The present invention relates to a touch sensing electrode.

통상적으로 터치스크린 패널은 손으로 접촉(touch)하면 그 위치를 입력 받도록 하는 특수한 입력장치를 장착한 스크린 패널이다. 이러한 터치스크린 패널은 키보드를 사용하지 않고 스크린에 나타난 문자나 특정 위치에 사람의 손 또는 물체가 닿으면, 그 위치를 파악하여 저장된 소프트웨어에 의해 특정 처리를 할 수 있도록, 화면에서 직접 입력자료를 받을 수 있게 한 것으로 다층으로 적층되어 구성된다.Typically, the touch screen panel is a screen panel equipped with a special input device for inputting its position when touching by hand. Such a touch screen panel can receive input data directly from the screen so that the user can grasp the position of the touch screen or touch a specific position of the displayed character on the screen without using a keyboard, Which are stacked in layers.

스크린에 표시되는 영상의 시인성을 저하시키지 않으면서 터치된 부분을 인식하기 위해서는 투명한 터치 감지 전극의 사용이 필수적이며, 통상적으로 소정의 패턴으로 형성된 감지 패턴이 사용된다.In order to recognize the touched portion without lowering the visibility of the image displayed on the screen, it is necessary to use a transparent touch sensing electrode. Normally, a sensing pattern formed in a predetermined pattern is used.

이러한 감지 패턴은 통상 제1 패턴과 제2 패턴으로 형성될 수 있다. 제1 패턴과 제2 패턴은 서로 다른 방향으로 배치되어, 터치되는 지점의 X 좌표 및 Y 좌표에 대한 정보를 제공하게 된다. 구체적으로는, 사람의 손 또는 물체가 커버 윈도우 기판에 접촉되면, 제1 패턴, 제2 패턴 및 위치 검출라인을 경유하여 구동회로 측으로 접촉위치에 따른 정전용량의 변화가 전달된다. 그리고, X 및 Y 입력처리회로 등에 의해 정전용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 의해 접촉위치가 파악된다.Such a sensing pattern may be generally formed of a first pattern and a second pattern. The first and second patterns are arranged in different directions to provide information about the X and Y coordinates of the touched point. Specifically, when a human hand or an object is brought into contact with the cover window substrate, a change in capacitance according to the contact position is transmitted to the drive circuit via the first pattern, the second pattern, and the position detection line. Then, the contact position is grasped by the change of the electrostatic capacity by the X and Y input processing circuit or the like into the electrical signal.

이와 관련하여, 제1 패턴 및 제2 패턴은 동일한 기판 상에 형성되며, 터치되는 지점을 감지하기 위해서는 각 패턴들은 전기적으로 연결되어야 한다. 그런데, 제2 패턴은 서로 연결된 형태이지만 제1 패턴은 섬(island) 형태로 분리된 구조로 되어 있으므로 제1 감지 패턴을 전기적으로 연결하기 위해서는 별도의 브릿지 전극이 필요하다. In this regard, the first pattern and the second pattern are formed on the same substrate, and each pattern must be electrically connected in order to sense a touched point. However, the second patterns are connected to each other, but the first pattern has an island shape. Therefore, a separate bridge electrode is required to electrically connect the first sensing patterns.

이러한 브릿지 전극과 감지 패턴과의 반사율 차이로 인해 패턴이 시인될 수 있는 문제가 있다.There is a problem that the pattern can be visually recognized due to the difference in reflectance between the bridge electrode and the sensing pattern.

한편, 브릿지 전극을 금속으로 매우 좁은 폭으로 형성하는 경우 시인성을 개선할 수 있고 금속배선 및 위치 검출라인과 함께 형성하여 공정을 단순화 할 수 있다는 장점이 있으나, 좁은 폭으로 형성하기 위한 고정밀도의 공정 설비를 요하고, 정교한 패턴 형성을 위해 시간이 소요되는 문제가 있다.On the other hand, when the bridge electrode is formed with a very narrow width as a metal, the visibility can be improved and the process can be simplified by forming the metal electrode together with the position detecting line. However, There is a problem that it takes time for the formation of elaborate patterns.

일본공개특허 제2008-98169호에는 투명 기재와 투명 도전층 사이에 굴절률이 상이한 2 개의 층으로 이루어지는 언더코트층을 형성한 투명 도전성 필름이 제안되어 있다.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-98169 proposes a transparent conductive film in which an undercoat layer composed of two layers having different refractive indices is formed between a transparent substrate and a transparent conductive layer.

일본공개특허 제2008-98169호Japanese Patent Laid-Open No. 2008-98169

본 발명은 위치별 반사율 차이에 따른 시인성이 적은 터치 감지 전극을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a touch sensing electrode having low visibility due to a difference in reflectance at each position.

또한, 본 발명은 저정밀도의 설비로도 높은 수율로 생산이 가능한 터치 감지 전극을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a touch sensing electrode which can be produced with a high yield even with a low-precision facility.

또한, 본 발명은 상기 터치 감지 전극을 구비한 터치스크린 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
It is another object of the present invention to provide a touch screen panel having the touch sensing electrode.

1. 제1 방향으로 형성된 제1 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 패턴을 구비한 감지 패턴; 상기 제2 패턴의 이격된 단위 패턴을 전기적으로 연결하는 금속 브릿지 전극; 상기 감지 패턴과 금속 브릿지 전극 사이에 개재된 절연층; 및 상기 금속 브릿지 전극의 시인측 일면에 형성된 광차단 금속산화물층을 포함하는 터치 감지 전극.1. A sensing pattern having a first pattern formed in a first direction and a second pattern formed in a second direction; A metal bridge electrode electrically connecting the spaced apart unit patterns of the second pattern; An insulating layer interposed between the sensing pattern and the metal bridge electrode; And a light blocking metal oxide layer formed on one side of the visible side of the metal bridge electrode.

2. 위 1에 있어서, 상기 감지 패턴은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene) 및 금속와이어로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 형성되는, 터치 감지 전극.2. The method of claim 1 wherein the sensing pattern is selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO) 3,4-ethylenedioxythiophene), carbon nanotubes (CNT), graphene, and metal wires.

3. 위 1에 있어서, 상기 금속 브릿지 전극은 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 형성되는, 터치 감지 전극.3. The touch sensing electrode of 1 above, wherein the metal bridge electrode is formed of at least one metal selected from the group consisting of molybdenum, silver, aluminum, copper and chromium.

4. 위 1에 있어서, 단위 브릿지 전극의 폭은 2 내지 30㎛인, 터치 감지 전극.4. The touch sensing electrode of claim 1, wherein the width of the unit bridge electrode is 2 to 30 占 퐉.

5. 위 1에 있어서, 상기 광차단 금속산화물층은 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 크롬 또는 이들의 합금의 산화물로 형성된 것인, 터치 감지 전극.5. The touch sensing electrode according to item 1 above, wherein the light-shielding metal oxide layer is formed of an oxide of molybdenum, silver, aluminum, copper, chromium, or an alloy thereof.

6. 위 1에 있어서, 상기 광차단 금속산화물층은 투과율이 70% 이하인, 터치 감지 전극.6. The touch sensing electrode of 1 above, wherein the light-shielding metal oxide layer has a transmittance of 70% or less.

7. 위 1에 있어서, 터치스크린 패널의 커버 윈도우 기판 또는 디스플레이 패널의 일면 상에 형성되는, 터치 감지 전극.7. The touch sensing electrode of claim 1, formed on one side of a cover window substrate or display panel of the touch screen panel.

8. 이격된 단위 감지 패턴을 전기적으로 연결하는 금속 브릿지 전극을 형성하고, 상기 금속 브릿지 전극 상에 광차단 금속산화물층을 형성하는 터치 감지 전극의 제조 방법.8. A method for fabricating a touch sensing electrode, comprising: forming a metal bridge electrode electrically connecting spaced unit sensing patterns; and forming a light blocking metal oxide layer on the metal bridge electrode.

9. 커버 윈도우 기판의 일면에 광차단 금속산화물층을 형성하고, 상기 광차단 금속산화물층 상에 금속 브릿지 전극을 형성하는 터치 감지 전극의 제조 방법.9. A method of manufacturing a touch sensing electrode, comprising: forming a light blocking metal oxide layer on one side of a cover window substrate; and forming a metal bridge electrode on the light blocking metal oxide layer.

10. 위 8 또는 9에 있어서, 상기 금속 브릿지 전극은 포토리소그래피, 증착법 또는 인쇄법으로 형성되는, 터치 감지 전극의 제조 방법.10. The method of manufacturing a touch sensing electrode according to the above 8 or 9, wherein the metal bridge electrode is formed by photolithography, vapor deposition or printing.

11. 위 8 또는 9에 있어서, 상기 금속 브릿지 전극은 금속 배선 및 위치 검출라인과 함께 형성되는, 터치 감지 전극의 제조 방법.11. The method of claim 8 or 9, wherein the metal bridge electrode is formed with a metal wiring and a position detection line.

12. 위 8 또는 9에 있어서, 상기 광차단 금속산화물층은 금속 브릿지 전극과 동일한 방법으로 형성되는, 터치 감지 전극의 제조 방법.12. The method of claim 8 or 9, wherein the light-blocking metal oxide layer is formed in the same manner as the metal bridge electrode.

13. 위 8에 있어서, 상기 광차단 금속산화물층은 금속 브릿지 전극의 시인측 표면을 산화시켜 형성되는, 터치 감지 전극의 제조 방법.13. The method of claim 8, wherein the light-blocking metal oxide layer is formed by oxidizing the visible side surface of the metal bridge electrode.

14. 위 1 내지 7 중 어느 한 항의 터치 감지 전극을 포함하는 터치스크린 패널.14. A touch screen panel comprising the touch sensitive electrode of any one of claims 1 to 7.

15. 위 14의 터치스크린 패널을 포함하는 화상표시장치.
15. An image display device comprising the touch screen panel of 14 above.

본 발명은 위치별 반사율 차이에 따른 패턴의 시인성을 최소화 할 수 있다.The present invention can minimize the visibility of the pattern according to the difference in reflectance by position.

본 발명은 저정밀도의 설비로도 높은 수율로 생산이 가능하다.
The present invention can be produced at a high yield even with a low-precision facility.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 감지 전극의 개략적인 정면도이다.
도 2은 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 감지 전극의 개략적인 수직 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 감지 전극의 개략적인 수직 단면도이다.
도 4은 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 감지 전극의 개략적인 수직 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 감지 전극의 개략적인 수직 단면도이다.
1 is a schematic front view of a touch sensing electrode according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic vertical cross-sectional view of a touch sensing electrode according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic vertical cross-sectional view of a touch sensing electrode according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic vertical cross-sectional view of a touch sensing electrode according to an embodiment of the present invention.
5 is a schematic vertical cross-sectional view of a touch sensing electrode according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 제1 방향으로 형성된 제1 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 패턴을 구비한 감지 패턴; 상기 제2 패턴의 이격된 단위 패턴을 전기적으로 연결하는 금속 브릿지 전극; 상기 감지 패턴과 금속 브릿지 전극 사이에 개재된 절연층; 및 상기 금속 브릿지 전극의 시인측 일면에 형성된 광차단 금속산화물층을 포함함으로써, 위치별 반사율 차이에 따른 패턴의 시인성을 최소화 할 수 있는 터치 감지 전극에 관한 것이다.
The present invention provides a sensing device comprising: a sensing pattern having a first pattern formed in a first direction and a second pattern formed in a second direction; A metal bridge electrode electrically connecting the spaced apart unit patterns of the second pattern; An insulating layer interposed between the sensing pattern and the metal bridge electrode; And a light shielding metal oxide layer formed on one side of the metal bridge electrode on the viewing side, thereby minimizing the visibility of the pattern due to the difference in reflectance by position.

도 1 내지 5에는 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 감지 전극의 정면 또는 수직단면이 개략적으로 도시되어 있다. 이하 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
1 to 5 schematically show a front or vertical cross section of the touch sensing electrode according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

<감지 패턴><Detection pattern>

감지 패턴은 제1 방향으로 형성된 제1 패턴(10) 및 제2 방향으로 형성된 제2 패턴(20)을 구비할 수 있다.The sensing pattern may include a first pattern 10 formed in a first direction and a second pattern 20 formed in a second direction.

제1 패턴(10)과 제2 패턴(20)은 서로 다른 방향으로 배치된다. 예를 들면, 각각 동일한 행 또는 열로 배치될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The first pattern 10 and the second pattern 20 are arranged in different directions. For example, they may be arranged in the same row or column, but are not limited thereto.

제1 패턴(10)과 제2 패턴(20)은 터치되는 지점의 X 좌표 및 Y 좌표에 대한 정보를 제공하게 된다. 구체적으로는, 사람의 손 또는 물체가 커버 윈도우 기판에 접촉되면, 제1 패턴(10), 제2 패턴(20) 및 위치 검출라인(미도시)을 경유하여 구동회로(미도시) 측으로 접촉위치에 따른 정전용량의 변화가 전달된다. 그리고, X 및 Y 입력처리회로(미도시) 등에 의해 정전용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 의해 접촉위치가 파악된다.The first pattern 10 and the second pattern 20 provide information on the X and Y coordinates of the touched point. Specifically, when a human hand or an object is brought into contact with the cover window substrate, the first pattern 10, the second pattern 20, and the position detection line (not shown) The change of the electrostatic capacity is transmitted. Then, the contact position is grasped by the change of the electrostatic capacitance by the X and Y input processing circuit (not shown) or the like and converted into an electrical signal.

이와 관련하여, 제1 패턴(10) 및 제2 패턴(20)은 동일층에 형성되며, 터치되는 지점을 감지하기 위해서는 각각의 패턴들이 전기적으로 연결되어야 한다. 그런데, 제1 패턴(10)은 서로 연결된 형태이지만 제2 패턴(20)은 섬(island) 형태로 서로 분리된 구조로 되어 있으므로 제2 패턴(20)을 전기적으로 연결하기 위해서는 별도의 브릿지 전극(30)이 필요하다. 브릿지 전극(30)에 대해서는 후술하도록 한다.In this regard, the first pattern 10 and the second pattern 20 are formed on the same layer, and respective patterns must be electrically connected to detect a touched point. Since the first patterns 10 are connected to each other but the second patterns 20 are separated from each other in an island shape, a separate bridge electrode (not shown) may be used to electrically connect the second pattern 20 30) is required. The bridge electrode 30 will be described later.

감지 패턴의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 각각 20 내지 200nm일 수 있다. 감지 패턴의 두께가 20nm 미만이면 전기저항이 커져 터치 민감도가 저하될 수 있고, 200nm 초과이면 반사율이 커져 시인성의 문제가 생길 수 있다.The thickness of the detection pattern is not particularly limited, and may be, for example, 20 to 200 nm, respectively. When the thickness of the sensing pattern is less than 20 nm, the electrical resistance increases and the touch sensitivity may be deteriorated. When the sensing pattern has a thickness exceeding 200 nm, the reflectance increases and visibility may be a problem.

감지 패턴은 당 분야에 알려진 투명 전극 소재가 제한 없이 적용될 수 있다. 예를 들면, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene), 금속와이어 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 인듐주석산화물(ITO)이 사용될 수 있다. 금속와이어에 사용되는 금속은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 은(Ag), 금, 알루미늄, 구리, 철, 니켈, 티타늄, 텔레늄, 크롬 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
The sensing pattern can be applied to the transparent electrode material known in the art without limitation. For example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO), poly (3,4-ethylenedioxythiophene) , Carbon nanotubes (CNT), graphene, and metal wires. These may be used alone or in combination of two or more. Preferably, indium tin oxide (ITO) may be used. The metal used for the metal wire is not particularly limited, and examples thereof include silver (Ag), gold, aluminum, copper, iron, nickel, titanium, tellurium, chromium and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

<< 브릿지bridge 전극> Electrodes>

브릿지 전극(30)은 제2 패턴(20)의 이격된 단위 패턴을 전기적으로 연결한다.The bridge electrode 30 electrically connects the separated unit patterns of the second pattern 20.

이때, 브릿지 전극(30)은 감지 패턴 중 제1 패턴(10)과는 전기적으로 차단되어야 하므로, 이를 위해 절연층(40)이 형성된다. 이에 대해서는 후술하도록 한다.At this time, since the bridge electrode 30 is electrically disconnected from the first pattern 10 of the sensing pattern, the insulation layer 40 is formed for this purpose. This will be described later.

본 발명에 따른 브릿지 전극(30)은 금속 소재로 형성되고, 바람직하게는 금속 배선 및 위치 검출라인과 동일 소재로 형성된다. 그러한 경우에 금속 배선 및 위치 검출라인의 형성 시에 브릿지 전극(30)을 함께 형성할 수 있어 공정을 보다 단순화 할 수 있다.The bridge electrode 30 according to the present invention is formed of a metal material, and preferably formed of the same material as the metal wiring and the position detecting line. In such a case, the bridge electrode 30 can be formed at the time of forming the metal wiring and the position detecting line, so that the process can be further simplified.

상기 금속은 전기 전도도가 우수하고 저항이 낮은 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 크롬 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The metal is not particularly limited as long as it has excellent electrical conductivity and low resistance, and examples thereof include molybdenum, silver, aluminum, copper, and chromium. These may be used alone or in combination of two or more.

단위 브릿지 전극(30)의 폭은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 2 내지 30㎛일 수 있고, 바람직하게는 2 내지 20㎛일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 브릿지의 폭이 2 내지 30㎛일 경우에, 패턴의 시인성을 감소시키고 적정 전기 저항을 가질 수 있다.
The width of the unit bridge electrode 30 is not particularly limited and may be, for example, 2 to 30 탆, preferably 2 to 20 탆, but is not limited thereto. When the width of the bridge is 2 to 30 占 퐉, the visibility of the pattern can be reduced and an appropriate electrical resistance can be obtained.

<< 절연층Insulating layer >>

절연층(40)은 제1 패턴(10)과 제2 패턴(20)의 전기적 연결을 방지하기 위해서 감지 패턴과 금속 브릿지 전극(30) 사이에 형성된다.The insulating layer 40 is formed between the sensing pattern and the metal bridge electrode 30 to prevent electrical connection between the first pattern 10 and the second pattern 20.

본 발명의 터치 감지 전극이 디스플레이 패널의 일면에 형성되는 경우에(이에 대해서는 후술하도록 한다), 절연층(40)은 디스플레이 패널의 일면에 감지 패턴을 덮는 층의 구조로 형성된다.In the case where the touch sensing electrode of the present invention is formed on one side of the display panel (which will be described later), the insulating layer 40 is formed as a layer structure covering the sensing pattern on one surface of the display panel.

다만, 도 2에 도시된 바와 같이, 금속 브릿지 전극(30)이 인접한 제2 패턴(20)과 전기적으로 연결되어야 하므로, 절연층(40)이 형성되지 않은 부분이 필요하다. 이와 같이, 절연층(40) 영역에서 절연층(40)이 형성되지 않은 부분을 콘택홀(60)이라 한다. 따라서, 콘택홀(60)에서 제2 패턴(20)과 금속 브릿지 전극(30)의 전기적 접속이 이루어진다.However, since the metal bridge electrode 30 is electrically connected to the adjacent second pattern 20 as shown in FIG. 2, a portion where the insulating layer 40 is not formed is required. As described above, a portion where the insulating layer 40 is not formed in the insulating layer 40 is referred to as a contact hole 60. Therefore, electrical connection is made between the second pattern 20 and the metal bridge electrode 30 in the contact hole 60.

다른 일 구현예에 따르면, 도 4에 도시된 바와 같이 절연층(40)은 층의 구조로 형성되지 않고, 금속 브릿지 전극(30) 하부에만 형성될 수도 있다. 이러한 경우에는 콘택홀의 형성은 불필요하다. 따라서, 콘택홀을 형성하기 위한 별도의 공정이나 설비도 필요하지 않으므로 보다 간단하고 용이하게 터치 감지 전극을 형성할 수 있다.According to another embodiment, as shown in Fig. 4, the insulating layer 40 is not formed in the structure of the layer but may be formed only under the metal bridge electrode 30. Fig. In this case, the formation of the contact hole is unnecessary. Therefore, since no separate process or equipment for forming the contact hole is required, the touch sensing electrode can be formed more simply and easily.

본 발명의 터치 감지 전극이 커버 윈도우 기판의 일면에 형성되는 경우에(이에 대해서는 후술하도록 한다), 절연층(40)은 커버 윈도우 기판의 일면에 금속 브릿지 전극(30)을 덮는 층의 구조로 형성된다.In the case where the touch sensing electrode of the present invention is formed on one side of the cover window substrate (which will be described later), the insulating layer 40 is formed in a structure of a layer covering the metal bridge electrode 30 on one side of the cover window substrate do.

도 3에 도시된 바와 같이, 이러한 경우도 마찬가지로 콘택홀(60)에서 제2 패턴(20)과 금속 브릿지 전극(30)의 전기적 접속이 이루어진다.As shown in FIG. 3, the second pattern 20 and the metal bridge electrode 30 are electrically connected to each other in the contact hole 60 in this case as well.

다른 일 구현예에 따르면, 도 5에 도시된 바와 같이 절연층(40)은 층의 구조로 형성되지 않고, 금속 브릿지 전극(30)의 상부에만 형성될 수도 있다. 이러한 경우에 콘택홀의 형성은 불필요하다.According to another embodiment, the insulating layer 40 is not formed as a layer structure as shown in Fig. 5, but may be formed only on the upper portion of the metal bridge electrode 30. Fig. In this case, the formation of the contact hole is unnecessary.

본 발명에 따른 절연층(40)은 당 분야에 알려진 투명 절연 소재가 제한 없이 적용될 수 있다. 예를 들면, 유기 절연층 또는 무기 절연층이 사용될 수 있으며, 유기 절연층으로는 당분야에서 사용되는 광경화형 또는 열경화형 절연 수지가 특별한 제한 없이 사용될 수 있으며, 무기 절연층으로는 SiO2 등의 금속 산화물이 사용될 수 있다.
The insulating layer 40 according to the present invention can be applied without limitation to transparent insulating materials known in the art. For example, may be used an organic insulating layer or inorganic insulating layer, the organic insulating layer is a photo-curing or heat-curing the insulating resin used in the art may be used without particular limitation, the inorganic insulating layer is SiO 2, etc. Metal oxides may be used.

<< 광차단Block light 금속산화물층> Metal oxide layer &gt;

브릿지 전극(30)을 금속으로 형성하는 경우에, 금속은 통상적인 감지 전극 재질보다 반사율이 매우 높아 시인될 수 있으므로, 시인성 저하를 위해 단위 브릿지 전극(30)을 좁은 폭으로 형성해야 하므로 고정밀도의 생산 시설을 요하며, 정교한 패턴 형성을 위해 시간도 많이 소요되는 문제가 있다.In the case where the bridge electrode 30 is formed of a metal, the metal can be visually recognized because the reflectance is much higher than that of a typical sensing electrode material. Therefore, the unit bridge electrode 30 must be formed to have a narrow width in order to reduce visibility. It requires a production facility, and there is a time-consuming problem to form a precise pattern.

그러나, 본 발명의 터치 감지 전극은 브릿지 전극(30)의 시인측 일면에 형성된 광차단 금속산화물층(50)을 포함함으로써, 금속 브릿지 전극(30)의 시인성을 저하시키고, 보다 넓은 폭으로 브릿지 전극(30)을 형성하여도 브릿지 전극(30)이 시인되는 것을 막을 수 있다.However, since the touch sensing electrode of the present invention includes the light shielding metal oxide layer 50 formed on the viewer's side of the bridge electrode 30, the visibility of the metal bridge electrode 30 is lowered, It is possible to prevent the bridge electrode 30 from being visibly formed even if the bridge electrode 30 is formed.

광차단 금속산화물은 광을 차단하여 브릿지 전극(30)의 시인성을 저하시킬 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 크롬 또는 이들의 합금의 산화물일 수 있고, 바람직하게는 금속 브릿지 전극과 동일한 금속의 산화물일 수 있다. 그러한 경우에 금속 브릿지 전극과 동시에 형성되거나, 금속 브릿지 전극의 일부를 산화시켜 형성할 수 있다.The light-shielding metal oxide is not particularly limited as long as it can block light and reduce the visibility of the bridge electrode 30. For example, it may be an oxide of molybdenum, silver, aluminum, copper, chromium or an alloy thereof, May be an oxide of the same metal as the metal bridge electrode. In such a case, it may be formed simultaneously with the metal bridge electrode, or may be formed by oxidizing a part of the metal bridge electrode.

광차단 금속산화물층(50)의 투과율은 특별히 한정되지 않고 광을 차단하여 브릿지 전극(30)의 시인성을 저하시키면서 이후 터치스크린 패널에 적용되었을 때의 투과도 저하는 최소화 할 수 있도록 적절히 선택될 수 있으며, 예를 들면 70% 이하일 수 있고, 바람직하게는 20 내지 60%일 수 있다.
The transmittance of the light-shielding metal oxide layer 50 is not particularly limited and can be appropriately selected so as to reduce the visibility of the bridge electrode 30 by blocking light while minimizing a decrease in transmittance when applied to a touch screen panel , For example up to 70%, and preferably from 20 to 60%.

<기판><Substrate>

본 발명의 터치 감지 전극은 기판(1) 상에 형성된다.The touch sensing electrode of the present invention is formed on a substrate (1).

기판(1)은 당 분야에서 통상적으로 사용되는 소재가 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들면 유리, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethyelene terepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate,CAP) 등을 들 수 있다.The substrate 1 can be made of any material conventionally used in the art without limitation, and examples thereof include glass, polyethersulphone (PES), polyacrylate (PAR), polyether imide (PEI, polyetherimide, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetherimide, polyethylene naphthalate, PC, polycarbonate), cellulose triacetate (TAC), and cellulose acetate propionate (CAP).

상기 기판(1)은 터치스크린 패널의 최외면을 형성하는 커버 윈도우 기판 또는 디스플레이 패널일 수 있다.The substrate 1 may be a cover window substrate or a display panel which forms the outermost surface of the touch screen panel.

본 발명의 터치 감지 전극은 필요에 따라 투명 유전층을 더 포함할 수 있다.The touch sensing electrode of the present invention may further include a transparent dielectric layer as needed.

투명 유전층은 상기 기판(1)이 커버 윈도우 기판인 경우에는 기판(1)과 감지 패턴 사이에, 상기 기판(1)이 디스플레이 패널인 경우에는 커버 윈도우 기판과 감지 패턴 사이에 형성될 수 있다.The transparent dielectric layer may be formed between the substrate 1 and the sensing pattern when the substrate 1 is a cover window substrate and between the cover window substrate and the sensing pattern when the substrate 1 is a display panel.

투명 유전층은 감지 패턴 구조에 따른 위치별 구조적 차이에 의한 광학적 특성의 차이를 감소시켜 터치스크린 패널의 광학적 균일도를 개선한다. The transparent dielectric layer improves the optical uniformity of the touch screen panel by reducing the difference in optical properties due to structural differences in position according to the detection pattern structure.

투명 유전층은 SiO2, 유기절연막 등으로 형성될 수 있다. 형성 방법은 진공증착법, 스퍼터링법, 코팅법 등을 사용할 수 있으며, 상기와 같은 방법을 통해 박막 형태로 용이하게 제조될 수 있다.The transparent dielectric layer may be formed of SiO 2 , an organic insulating film, or the like. A vacuum deposition method, a sputtering method, a coating method, or the like can be used as the forming method, and the method can be easily manufactured in the form of a thin film through the above-described method.

본 발명에 있어서, 필요에 따라, 투명 유전층은 복수의 층으로 형성될 수 있다. 이 경우 각 층은 서로 다른 소재로 형성될 수 있으며, 서로 다른 굴절률 및 두께를 가질 수 있다.
In the present invention, if necessary, the transparent dielectric layer may be formed of a plurality of layers. In this case, the respective layers may be formed of different materials and may have different refractive indices and thicknesses.

<< 패시베이션층The passivation layer >>

본 발명은 감지 패턴 및 브릿지 전극(30)이 외부환경(수분, 공기 등)에 의해 오염되는 것을 방지하기 위해서, 필요에 따라 감지 패턴을 덮는 패시베이션층을 더 구비할 수 있다.The present invention may further include a passivation layer covering the sensing pattern and the sensing pattern as necessary in order to prevent the sensing pattern and the bridge electrode 30 from being contaminated by the external environment (moisture, air, etc.).

패시베이션층은 실리콘 산화물과 같은 금속 산화물, 아크릴계 수지를 포함하는 투명한 감광성 수지 조성물, 열경화성 수지 조성물 등을 사용하여 필요한 패턴으로 형성될 수 있다.The passivation layer may be formed in a necessary pattern using a metal oxide such as silicon oxide, a transparent photosensitive resin composition containing an acrylic resin, a thermosetting resin composition, or the like.

본 발명에 따른 패시베이션층은 적절한 두께를 가질 수 있으며, 예를 들면 2,000nm 이하일 수 있다. 따라서, 예를 들면 0 내지 2,000nm일 수 있다. 상기 범위에서 본 발명에 따른 터치 감지 전극의 반사율 저감 효과를 더욱 향상시킬 수 있다.The passivation layer according to the present invention may have an appropriate thickness, for example, 2,000 nm or less. Thus, for example, it can be from 0 to 2,000 nm. The effect of reducing the reflectance of the touch sensing electrode according to the present invention can be further improved.

패시베이션층은 감지 패턴과 구동회로와의 연결을 위한 콘택홀을 구비한 것일 수 있다.
The passivation layer may be provided with a contact hole for connection between the sensing pattern and the driving circuit.

<접착층><Adhesive Layer>

본 발명의 터치 감지 전극이 커버 윈도우 기판의 일면에 형성되는 경우, 접착층을 통해 터치 감지 전극을 디스플레이 패널부와 접합시킨다.When the touch sensing electrode of the present invention is formed on one side of the cover window substrate, the touch sensing electrode is bonded to the display panel unit through the adhesive layer.

또한, 디스플레이 패널의 일면에 형성되는 경우에는, 접착층을 통해 터치 감지 전극을 커버 윈도우 기판과 접합시킨다.In addition, when formed on one surface of the display panel, the touch sensing electrode is bonded to the cover window substrate through the adhesive layer.

접착층은 투명한 경화성 수지 조성물을 도포한 후 경화하여 형성되거나(OCR), 이미 필름 형태로 된 것을 압착하여 형성될 수도 있다(OCA).
The adhesive layer may be formed by applying a transparent curable resin composition and then curing (OCR), or may be formed by pressing (OCA) already in the form of a film.

<터치스크린 패널 및 화상표시장치><Touch Screen Panel and Image Display Device>

또한, 본 발명은 상기 터치 감지 전극을 포함하는 터치스크린 패널을 제공한다.Also, the present invention provides a touch screen panel including the touch sensing electrode.

본 발명의 터치스크린 패널은 상기 터치 감지 전극 외에는 당 분야에서 통상적으로 사용되는 구성을 더 포함한다.The touch screen panel of the present invention further includes a structure commonly used in the art in addition to the touch sensing electrode.

또한, 본 발명은 상기 터치스크린 패널을 포함하는 화상표시장치를 제공한다.
The present invention also provides an image display apparatus including the touch screen panel.

<터치 감지 전극의 제조 방법>&Lt; Method of manufacturing touch sensing electrode >

또한, 본 발명은 상기 터치 감지 전극의 제조 방법을 제공한다.Also, the present invention provides a method of manufacturing the touch sensing electrode.

본 발명의 일 구현예에 따라 본 발명의 터치 감지 전극이 디스플레이 패널의 일면에 형성되는 경우에는, 먼저, 이격된 단위 감지 패턴을 전기적으로 연결하는 금속 브릿지 전극(30)을 형성한다.According to an embodiment of the present invention, when the touch sensing electrode of the present invention is formed on one surface of a display panel, first, a metal bridge electrode 30 electrically connecting the unit sensing patterns is formed.

금속 브릿지 전극(30)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 포토리소그래피, 증착법 또는 인쇄법으로 형성될 수 있다.The method of manufacturing the metal bridge electrode 30 is not particularly limited and may be formed by, for example, photolithography, vapor deposition, or printing.

금속 브릿지 전극(30)은 금속 배선 및 위치 검출라인과 동시에 형성할 수 있다. 이러한 경우에, 공정을 보다 단순화하여 공정 효율을 개선할 수 있다.The metal bridge electrode 30 can be formed simultaneously with the metal wiring and the position detection line. In this case, the process can be further simplified and the process efficiency can be improved.

이후에, 상기 금속 브릿지 전극(30) 상에 광차단 금속산화물층(50)을 형성한다.Thereafter, a light-blocking metal oxide layer 50 is formed on the metal bridge electrode 30.

광차단 금속산화물층(50)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 포토리소그래피, 증착법 또는 인쇄법으로 형성될 수 있고, 바람직하게는 금속 브릿지 전극(30)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 그러한 경우에 금속 브릿지 전극(30)의 형성 이후에 순차적으로 바로 형성할 수 있어 별도의 설비를 요하지 않아 공정 효율이 개선된다.The method of forming the light-blocking metal oxide layer 50 is not particularly limited and may be formed by, for example, photolithography, vapor deposition, or printing, preferably by the same method as the metal bridge electrode 30 . In such a case, the metal bridge electrode 30 can be formed immediately after the formation of the metal bridge electrode 30, so that no additional equipment is required and the process efficiency is improved.

또한, 광차단 금속산화물층(50)은 금속 브릿지 전극의 시인측 표면을 산화시켜 형성되는 것일 수 있다.In addition, the light-blocking metal oxide layer 50 may be formed by oxidizing the visible side surface of the metal bridge electrode.

본 발명의 터치 감지 전극의 제조 방법은 상기 금속 브릿지 전극(30) 및 광차단 금속산화물층(50)의 형성 이전에, 기판 상에 감지 패턴 및 절연층(40)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a touch sensing electrode of the present invention further includes forming a sensing pattern and an insulating layer 40 on the substrate before forming the metal bridge electrode 30 and the light blocking metal oxide layer 50 .

감지 패턴의 경우, 기판 상에 제1 방향으로 형성된 제1 패턴(10) 및 제2 방향으로 형성된 제2 패턴(20)을 구비하도록 형성한다.In the case of a sensing pattern, a first pattern 10 formed in a first direction and a second pattern 20 formed in a second direction are formed on a substrate.

감지 패턴의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 패턴의 소재에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO) 등의 금속 산화물을 사용한다면 화학기상증착과 같은 증착법 또는 포토리소그래피를 사용할 수 있으며, PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene), 금속 나노 와이어 등을 사용한다면 인쇄법, 포토리소그래피 등을 사용할 수 있다. 인쇄법으로는 옵셋 인쇄, 스크린 인쇄 등을 들 수 있다.The method of forming the detection pattern is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the material of the pattern. For example, if a metal oxide such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO) A deposition method or a photolithography method can be used. If a PEDOT (poly (3,4-ethylenedioxythiophene)), a carbon nanotube (CNT), a graphene, a metal nanowire or the like is used, a printing method, a photolithography, have. Examples of printing methods include offset printing and screen printing.

이후에, 상기 기판(1)의 감지 패턴이 형성된 면에 절연층(40)을 형성한다.Thereafter, an insulating layer 40 is formed on the surface of the substrate 1 on which the sensing pattern is formed.

절연층(40)은 도 2에 예시된 바와 같이, 기판(1) 상에 감지 패턴을 덮는 층의 구조로 형성될 수 있다.The insulating layer 40 may be formed in a structure of a layer covering the sensing pattern on the substrate 1, as illustrated in Fig.

이러한 경우에, 콘택홀(60)은 절연층(40)을 전체적으로 형성한 후에 홀(hole)을 형성하는 방식으로 형성될 수도 있으며(홀 방식), 절연층(40)을 감지 패턴과 금속 브릿지 전극(30)이 전기적으로 접속되는 부분만 제외하고 형성하는 방식으로 형성될 수도 있다(섬(island) 방식).In this case, the contact hole 60 may be formed by forming the insulating layer 40 as a whole and then forming a hole (hole pattern), and the insulating layer 40 may be formed by a sensing pattern and a metal bridge electrode (Island type) may be formed in such a manner that the insulating film 30 is formed except for the portion to be electrically connected.

또한, 절연층은 도 4에 예시된 바와 같이, 후술할 금속 브릿지 전극(30)이 생성될 소정 부위의 하부에만 형성될 수 있다. 이러한 경우에는 콘택홀의 생성은 요하지 않는다.Further, the insulating layer may be formed only at a lower portion of a predetermined portion where a metal bridge electrode 30 to be described later is to be formed, as illustrated in Fig. In this case, the creation of the contact hole is not required.

상기 소정 부위는 이격된 단위 제2 패턴을 연결할 수 있는 부위라면 특별히 한정되지 않는다.The predetermined portion is not particularly limited as long as it is a portion capable of connecting the unit second patterns spaced apart.

절연층(40)의 형성 방법은 당분야에서 사용되는 방법이 특별히 제한되지 않고 적용될 수 있으며, 패턴의 소재에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 유기 절연층인 경우에는 포토리소그래피 또는 인쇄법 등을 사용할 수 있으며, 무기 절연층인 경우에는 포토리소그래피 또는 증착법을 사용할 수 있다.The method of forming the insulating layer 40 may be appropriately selected depending on the material of the pattern. For example, in the case of an organic insulating layer, photolithography or printing may be used. In the case of an inorganic insulating layer, photolithography or vapor deposition may be used.

본 발명의 다른 일 구현예에 따라 본 발명의 터치 감지 전극이 커버 윈도우 기판의 일면에 형성되는 경우에는, 먼저 커버 윈도우 기판의 일면에 광차단 금속산화물층(50)을 형성한다.According to another embodiment of the present invention, when the touch sensing electrode of the present invention is formed on one side of the cover window substrate, a light blocking metal oxide layer 50 is formed on one side of the cover window substrate.

광차단 금속산화물층(50)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 포토리소그래피, 증착법 또는 인쇄법으로 형성될 수 있다.The method of producing the light-shielding metal oxide layer 50 is not particularly limited and may be formed by, for example, photolithography, vapor deposition, or printing.

이후에, 상기 광차단 금속산화물층(50) 상에 금속 브릿지 전극(30)을 형성한다.Thereafter, a metal bridge electrode 30 is formed on the light-blocking metal oxide layer 50.

금속 브릿지 전극(30)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 포토리소그래피, 증착법 또는 인쇄법으로 형성될 수 있고, 바람직하게는 광차단 금속산화물층(50)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 그러한 경우에 광차단 금속산화물층(50)의 형성시에 함께 형성할 수 있어 별도의 공정을 요하지 않으므로 공정 효율이 개선된다.The method of manufacturing the metal bridge electrode 30 is not particularly limited and may be formed by, for example, photolithography, vapor deposition, or printing, and may be preferably formed in the same manner as the light-blocking metal oxide layer 50 . In such a case, the light-shielding metal oxide layer 50 can be formed together at the time of forming the light-shielding metal oxide layer 50, and no separate step is required, thereby improving the process efficiency.

또한, 금속 브릿지 전극(30)은 금속 배선 및 위치검출라인과 함께 형성될 수 있다. 그러한 경우에, 공정을 단순화하여 공정 효율을 개선할 수 있다.Further, the metal bridge electrode 30 may be formed together with the metal wiring and the position detection line. In such a case, the process can be simplified and the process efficiency can be improved.

본 발명의 터치 감지 전극의 제조 방법은 금속 브릿지 전극(30)의 형성 이후에는 절연층(40) 및 감지 패턴을 형성하는 단계를 더 포함한다.The method of manufacturing a touch sensing electrode of the present invention further includes forming an insulating layer (40) and a sensing pattern after formation of the metal bridge electrode (30).

절연층(40)은 금속 브릿지 전극(30)이 형성된 커버 윈도우 기판 상에, 금속 브릿지 전극(30)을 덮는 층의 구조로 형성될 수 있다.The insulating layer 40 may be formed on the cover window substrate on which the metal bridge electrode 30 is formed and a structure of a layer covering the metal bridge electrode 30. [

이러한 경우에, 콘택홀(60)은 절연층(40)을 전체적으로 형성한 후에 홀(hole)을 형성하는 방식으로 형성될 수도 있으며(홀 방식), 절연층(40)을 감지 패턴과 금속 브릿지 전극(30)이 전기적으로 접속되는 부분만 제외하고 형성하는 방식으로 형성될 수도 있다(섬(island) 방식).In this case, the contact hole 60 may be formed by forming the insulating layer 40 as a whole and then forming a hole (hole pattern), and the insulating layer 40 may be formed by a sensing pattern and a metal bridge electrode (Island type) may be formed in such a manner that the insulating film 30 is formed except for the portion to be electrically connected.

또한, 절연층은 도 5에 예시된 바와 같이, 금속 브릿지 전극(30)의 비시인측 일면에만 형성될 수 있다. 이러한 경우에는 콘택홀의 생성은 요하지 않는다.Further, the insulating layer may be formed only on one side of the unvisual side of the metal bridge electrode 30, as illustrated in Fig. In this case, the creation of the contact hole is not required.

절연층(40)은 전술한 절연층 형성 방법에 의해 형성될 수 있다.The insulating layer 40 may be formed by the insulating layer forming method described above.

이후에 제1 방향으로 형성된 제1 패턴(10) 및 제2 방향으로 형성된 제2 패턴(20)을 구비한 감지 패턴을 형성한다.Thereafter, a sensing pattern having a first pattern 10 formed in a first direction and a second pattern 20 formed in a second direction is formed.

감지 패턴은 절연층(40)이 층의 구조로 형성된 경우에는, 절연층(40) 상에 형성될 수 있다. The sensing pattern may be formed on the insulating layer 40 when the insulating layer 40 is formed in a layer structure.

절연층(40)이 금속 브릿지 전극(30)의 비시인측 일면에만 형성된 경우에는, 금속 브릿지 전극(30)이 형성된 기판의 일면에 형성될 수 있다.When the insulating layer 40 is formed only on one surface of the metal bridge electrode 30, the metal bridge electrode 30 may be formed on one surface of the substrate.

감지 패턴은 전술한 감지 패턴의 형성 방법에 의하여 형성될 수 있다.
The sensing pattern may be formed by the above-described method of forming the sensing pattern.

실시예Example  And 비교예Comparative Example

하기 소재로 터치 감지 전극을 제조하여, 실시예의 광차단 금속산화물층과 비교예의 금속 브릿지 전극의 반사율을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.The touch sensing electrodes were fabricated as follows, and the reflectance of the light-shielding metal oxide layer of the example and the metal bridge electrode of the comparative example were measured and shown in Table 1 below.

상기 반사율은 400nm~700nm에서의 반사율의 평균을 의미한다.The reflectance means an average of reflectance at 400 nm to 700 nm.

기판으로는 유리(굴절률: 1.51), As the substrate, glass (refractive index: 1.51)

제1 및 제2 패턴으로는 ITO(굴절률: 1.8), As the first and second patterns, ITO (refractive index: 1.8)

절연층으로는 아크릴계 절연물질(굴절률: 1.51)을 사용하였다.As the insulating layer, an acrylic insulating material (refractive index: 1.51) was used.

실시예의 경우, 금속 브릿지 전극으로는 크롬을 사용하고, 그 시인측 일면은 산화 크롬으로 광차단 금속산화물층을 형성하였다. 비교예 1 내지 4는 각각 금속 브릿지 전극으로 크롬, 몰리브덴, 은 및 알루미늄을 사용하였고, 광차단 금속 산화물층은 형성하지 않았다.In the case of the embodiment, chromium was used as the metal bridge electrode, and the light-shielding metal oxide layer was formed of chromium oxide on one side of the viewer side. In Comparative Examples 1 to 4, chromium, molybdenum, silver and aluminum were used as metal bridge electrodes, respectively, and no light-shielding metal oxide layer was formed.

상기 굴절률과 소멸계수는 550nm 파장의 광을 기준으로 기재하였다.The refractive index and extinction coefficient are described based on light having a wavelength of 550 nm.

구분division 금속부 반사율(%)Reflectance of metal part (%) 실시예Example 1One 비교예 1Comparative Example 1 3535 비교예 2Comparative Example 2 5656 비교예 3Comparative Example 3 9696 비교예 4Comparative Example 4 9292

상기 표 1을 참고하면, 실시예의 터치 감지 전극은 반사율이 1%에 불과한 광차단 금속 산화물층이 금속 브릿지 전극 상에 형성되어 있으므로, 금속 브릿지 전극이 시인되지 않았다.Referring to Table 1, the metal bridge electrode was not recognized since the light-shielding metal oxide layer having a reflectance of only 1% was formed on the metal bridge electrode.

그러나, 비교예 1 내지 4의 터치 감지 전극은 금속 브릿지 전극의 반사율이 35 내지 96%로 매우 높아, 해당 부위가 빛을 반사하여 시인되었다.
However, in the touch sensing electrodes of Comparative Examples 1 to 4, the reflectance of the metal bridge electrode was as high as 35 to 96%, and the corresponding region reflected the light and was recognized.

1: 기판 10: 제1 패턴
20: 제2 패턴 30: 브릿지 전극
40: 절연층 50: 광차단 금속산화물층
1: substrate 10: first pattern
20: second pattern 30: bridge electrode
40: insulating layer 50: light blocking metal oxide layer

Claims (15)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 커버 윈도우 기판의 일면에 광차단 금속산화물층을 형성하고, 상기 광차단 금속산화물층 상에 금속 브릿지 전극을 형성하며, 상기 금속 브릿지 전극은 위치 검출라인과 함께 형성하는, 터치 감지 전극의 제조 방법.
Forming a light-shielding metal oxide layer on one surface of the cover window substrate, forming a metal bridge electrode on the light-shielding metal oxide layer, and forming the metal bridge electrode together with the position detection line.
청구항 9에 있어서, 상기 금속 브릿지 전극은 포토리소그래피, 증착법 또는 인쇄법으로 형성되는, 터치 감지 전극의 제조 방법.
10. The method of claim 9, wherein the metal bridge electrode is formed by photolithography, vapor deposition, or printing.
삭제delete 청구항 9에 있어서, 상기 광차단 금속산화물층은 금속 브릿지 전극과 동일한 방법으로 형성되는, 터치 감지 전극의 제조 방법.10. The method of claim 9, wherein the light-blocking metal oxide layer is formed in the same manner as the metal bridge electrode. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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