KR101420471B1 - Photoresist remover composition - Google Patents
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Abstract
FPD 제조 공정에 있어서, Al 또는 Al합금 배선을 부식시키는 일 없이, 또한, Cu 또는 Cu합금 배선을 부식시키는 일 없이, 포토레지스트를 박리 할 수 있는 FPD 제조용 포토레지스트 박리제조성물을 제공한다. 본 발명은, 말톨, 2, 6-디메틸감마피론, 4-히드록시-6-메틸-2-피론, 4-히드록시쿠마린, 2, 4-디히드록시퀴놀린, 2-아미노-4, 6-디히드록시피리미딘, 2, 4-디아미노-6-히드록시피리미딘, 2-아미노-4-히드록시-6-메틸피리미진, 4, 6-디메틸-2-히드록시피리미딘, 우라실 및 6-메틸우라실로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 복소환식 화합물 0.05~10 중량%, 1급 혹은 2급의 알카놀 아민 또는 알킬 아민 5~45 중량%, 극성 유기용제 30~94.85 중량%, 당 알코올 0.1~10 중량%를 함유 한다.Provided is a photoresist stripper composition for FPD fabrication which can peel off photoresist without corroding Al or Al alloy wiring and without corroding Cu or Cu alloy wiring in the FPD manufacturing process. The present invention relates to a process for the preparation of 2-amino-4-methyl-2-pyrrolidone, which comprises reacting maltol, 2,6-dimethylgamapyrone, Amino-4-hydroxy-6-methylpyrimidine, 4, 6-dimethyl-2-hydroxypyrimidine, uracil, and 4,4'-dihydroxypyrimidine. 0.05 to 10% by weight of at least one heterocyclic compound selected from the group consisting of 6-methyluracil, 5 to 45% by weight of primary or secondary alkanolamine or alkylamine, 30 to 94.85% by weight of polar organic solvent, 0.1 to 10% by weight of a sugar alcohol.
포토레지스트, 박리제조성물, FPDPhotoresist, exfoliating composition, FPD
Description
본 발명은 포토레지스트 박리제조성물에 관한 것이며, 상세하게는, 액정 디스플레이(이하, LCD라고도 한다.) 등의 플랫 패널 디스플레이(이하, FPD라고도 한다.)의 Cu 또는 Cu합금 배선 기판 및 Al 또는 Al합금 배선 기판 제조에 사용되는, 방식성 및 박리성이 뛰어나는 포토레지스트 박리제조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a photoresist stripper composition, and more particularly, to a copper or Cu alloy wiring board of a flat panel display (hereinafter, also referred to as FPD) such as a liquid crystal display (hereinafter also referred to as LCD) To a photoresist stripper composition excellent in anticorrosion and peelability, which is used in wiring board production.
FPD는, 예를 들면, LCD, LED, EL, VFD, FED, SED, PDP등의 각종 표시 원리에 근거하는 것이며, 미세한 배선처리를 한 전극 구조를 가지고 있으며, 그 제조 공정에서 포토레지스트가 사용되고 있다. 예를 들면 액정 디스플레이에 있어서는, 기판상에 형성된 Al, Al합금, Cu, Cu합금등의 도전성 금속막이나 SiO2막등의 절연막상에 포토레지스트를 도포하고, 이것에 노광, 현상 처리를 하여 레지스트 패턴을 형성하고, 이 패터닝 된 레지스트를 마스크로서 상기 도전성 금속막이나 절연막등을 에칭하여, 미세 배선을 형성한 후, 불필요해진 레지스트층을 박리제로 제거하여 제조된다.The FPD is based on various display principles such as LCD, LED, EL, VFD, FED, SED and PDP, and has an electrode structure with a fine wiring process, and a photoresist is used in the manufacturing process . For example, in a liquid crystal display, a photoresist is coated on a conductive metal film such as Al, an Al alloy, Cu, or a Cu alloy formed on a substrate or an insulating film such as a SiO 2 film, And the conductive metal film, the insulating film, and the like are etched using the patterned resist as a mask to form a fine wiring, and then the unnecessary resist layer is removed with a stripping agent.
종래, 포토레지스트 박리제조성물로서는, 유기 알칼리, 무기 알칼리, 유기 산, 무기산, 극성 용제등의 단일 용제, 또는 이러한 혼합 용액이 사용되고 있다. 또한, 포토레지스트 박리성을 향상시키기 위해서, 아민과 물과의 혼합액을 사용하는 것도 잘 알려져 있어서 배선 재료로서는, 예를 들면, 액정 디스플레이에는, 종래 Al이 많이 사용되어 왔다. 특허 문헌 1에는, 알킬 아민 또는 알카놀 아민과 극성 유기용제와 환을 구성하는 원소가 질소와 탄소로 이루어진 복소환식 수산기 함유 화합물을 주성분으로 하는 포토레지스트 박리제가 Al의 부식을 저지 또는 큰폭으로 억제한다.Conventionally, as a photoresist stripper composition, a single solvent such as an organic alkali, an inorganic alkali, an organic acid, an inorganic acid, a polar solvent, or a mixed solution thereof is used. It is also well known to use a mixed solution of an amine and water in order to improve photoresist peelability. As the wiring material, for example, Al has been widely used in a liquid crystal display. Patent Document 1 discloses that a photoresist stripper containing as a main component a heterocyclic hydroxyl group-containing compound in which an alkylamine or alkanolamine, a polar organic solvent and an element constituting a ring are composed of nitrogen and carbon inhibits or greatly suppresses the corrosion of Al .
그러나 근년, 기판의 대형화에 따라, Al보다 더 저항율이 낮은 Cu, Cu합금등을 배선 재료로서 사용하는 것이 시도되고 있다. 특허 문헌 2에는, -C(OH)=N- 또는 -CONH-인 원자단을 포함한 5원내지 6원의 복소환을 가지는 복소환식 화합물과 알카놀 아민을 함유 하는 방식제가 반도체 웨이퍼상에 형성된 Cu등의 금속막을 방식한다.In recent years, however, it has been attempted to use Cu, a Cu alloy or the like having a resistivity lower than that of Al as a wiring material as the substrate becomes larger. Patent Document 2 discloses a cerium-based anticorrosion agent containing an anticorrosive agent containing a heterocyclic compound having a 5- to 6-membered heterocycle including an atomic group of -C (OH) = N- or -CONH- and an alkanolamine The metal film of the second layer is etched.
또한 특허 문헌 3에는, 유기 아민 화합물과 글리콜 에테르와 30 중량% 내지 70 중량%의 물과 푸린 화합물이나 요산등의 특정 구조를 가지는 복소환화합물과 당 알코올을 함유 하는 포토레지스트 박리액조성물이, Cu를 포함한 단일 또는 다중 접합 구조의 금속 배선의 방식성이 뛰어나다고 한다.Patent Document 3 discloses a photoresist stripper solution composition containing an organic amine compound, a glycol ether, and a heterocyclic compound having a specific structure such as 30 to 70% by weight of water, a perine compound or uric acid, and a sugar alcohol, And the metal wiring of the single or multi-junction structure is excellent in corrosion resistance.
그러나 Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정은 아직 이행기에 있으며, 예를 들면 액정 패넬 소자 제조 현장에 있어서, 한 공장 모두를 Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정만으로 하는 것은, 현실적으로 어렵다. 그래서, 종래, Al 또는 Al합금 배선 형성 공정을 실시해 온 공장내의 일부에, Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정용 제조 라인을 도입하는 것이 행해지고 있다.However, the process of forming a Cu or Cu alloy wiring is still in transition, and it is practically difficult to make all the fabrication processes of a Cu or Cu alloy wiring only in a liquid crystal panel device manufacturing site, for example. Therefore, conventionally, a manufacturing line for Cu or Cu alloy wiring forming process is introduced into a part of a factory where an Al or Al alloy wiring forming process has been carried out.
Al 또는 Al합금 배선 형성 공정에 사용되는 포토레지스트와 Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정에 사용되는 포토레지스트에서는, 포토레지스트 자체에는 거의 변화는 없다. 이 때문에, 포토레지스트의 도포, 노광, 현상에 의한 레지스트 패턴의 형성까지는, Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정은 Al 또는 Al합금 배선 형성 공정의 설비를 공용할 수 있다.In the photoresist used in the Al or Al alloy wiring forming process and the photoresist used in the Cu or Cu alloy wiring forming process, there is almost no change in the photoresist itself. Therefore, until the formation of the resist pattern by the application of the photoresist, the exposure, and the development, the Cu or Cu alloy wiring forming step can share facilities of the Al or Al alloy wiring forming step.
하지만, 다음 공정의, 패터닝 된 레지스트를 마스크로서 웨트 에칭하여 미세 배선을 형성할 단계에 있어서, Al와 Cu의 부식 거동은 완전히 다르므로, Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정은 Al 또는 Al합금 배선 형성 공정과는 다른 에칭액을 필요로 한다. 일반적으로는, Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정에는 산화제계의 에칭액이 사용된다.However, since the corrosion behavior of Al and Cu is completely different in the step of wet etching using the patterned resist as a mask in the next step to form fine wirings, the Cu or Cu alloy wiring forming step is a step of forming Al or Al alloy wiring A different etchant is required. Generally, an oxidant-based etchant is used for the Cu or Cu alloy wiring formation process.
마스크로서 사용하기 위해서 패터닝 된 레지스트는, 웨트 에칭때, 에칭액에 의한 변질을 받는다. 사용되는 에칭액이나 에칭 조건에 따라 그 변질의 정도나 변질의 방법이 다르지만, Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정에 사용되는 산화제계의 에 칭액에 의해서 변질된 레지스트층은, Al 또는 Al합금 배선 형성 공정용 에칭액에 의해서 변질된 레지스트층과 비교하여, 매우 박리하기 어려운 변질막을 형성한다. 이 때문에 Al 또는 Al합금 배선 형성 공정에 사용되는 박리제로, 배선 재료에 데미지를 주지 않고 Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정용 에칭액으로 변질된 포토레지스트를 박리 하는 것은 곤란하다. 또한, 상기와 같이, Al와 Cu와는 부식 거동이 다르다. 따라서 동일한 박리제를 각각의 배선 형성 공정에 적용하고, 박리력과 배선 재료의 방식을 양립시키는 것은 어렵다.The patterned resist for use as a mask undergoes deterioration due to an etching liquid at the time of wet etching. The degree of deterioration or the method of altering the etching is different depending on the etching solution or the etching conditions to be used. However, the resist layer modified by the oxidizing agent-based etching solution used in the Cu or Cu alloy wiring forming process is not suitable for the Al or Al alloy wiring forming process It is possible to form a denatured film which is very difficult to peel off as compared with a resist layer which is denatured by an etching solution. Therefore, it is difficult to peel the photoresist deteriorated by the etching solution for the Cu or Cu alloy wiring formation process without damaging the wiring material with the stripper used in the Al or Al alloy wiring formation process. In addition, as described above, corrosion behavior differs between Al and Cu. Therefore, it is difficult to apply the same releasing agent to each wiring forming step and to make the peeling force compatible with the wiring material method.
따라서, Al 또는 Al합금 배선 형성 공정의 제조 라인과 Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정의 제조 라인에서는 각각 다른 박리제가 필요하며, 그에 따라, 같은 공장내라도 Al 또는 Al합금 배선 형성 공정의 제조 라인과 Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정의 제조 라인에서는 각각 다른 약액 공급 라인이 필요하다. 즉, Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정을 기존의 Al 또는 Al합금 배선 형성 공정용 공장에 도입하기 위해서는, 약액 공급 라인등의 시설을 새롭게 증설할 필요가 있다. 이것을 피하기 위하여, Al 또는 Al합금 배선 형성 공정의 제조 라인과 Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정의 제조 라인에 양용 할 수 있는 박리제가 바람직하며 이러한 박리제를 이용하면 패터닝 된 레지스트를 마스크로서 웨트 에칭하여 미세 배선을 형성하는 공정에 있어서도 Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정은 Al 또는 Al합금 배선 형성 공정의 설비를 공용할 수 있어서 Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정을 기존의 Al 또는 Al합금 배선 형성 공정용 공장에 도입하기 위해서 약액 공급 라인등의 시설을 새롭게 증설할 필 요가 없어진다.Therefore, different stripping agents are required in the production line of the Al or Al alloy wire formation process and the production line of the Cu or Cu alloy wire formation process. Accordingly, even in the same factory, the production line of the Al or Al alloy wire formation process and the Cu Or a manufacturing line of a Cu alloy wiring forming process requires different chemical supply lines. That is, in order to introduce a Cu or Cu alloy wiring forming process into a factory for a conventional Al or Al alloy wiring forming process, it is necessary to newly install facilities such as a chemical liquid supply line. In order to avoid this, a releasing agent which can be used both in the production line of the Al or Al alloy wiring forming step and in the production line of the Cu or Cu alloy wiring forming step is preferable. When such a releasing agent is used, wet etching is performed using the patterned resist as a mask, The Cu or Cu alloy wire forming process can be used for the Al or Al alloy wire forming process so that the Cu or Cu alloy wire forming process can be introduced into a factory for a conventional Al or Al alloy wire forming process Therefore, it is not necessary to newly add facilities such as a chemical solution supply line.
상술한 특허 문헌 1에서는 Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정은 고려되지 않고 있으며, 이 계열에서는 Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정의 변질 레지스트를 박리 하는 것은 곤란하다. 또한, 특허 문헌 2의 방식제는, Cu방식이나 저유전율막에의 데미지에 대해서는 고려되고 있지만, 용도가 반도체 웨이퍼상에 형성된 금속막으로 한정되어 있기 때문에, 에칭 공정에 의한 변질막의 형성 방법은 반도체용의 에칭법(예를 들면 드라이 에칭이나 앗싱) 유래의 것이 되며, 따라서, FPD 제조 공정에서 필요한 포토레지스트 박리력을 갖는것은 아니며, 더우기 -C(OH)=N-인 원자단을 포함한 복소환식 화합물이라도 Cu방식 효과를 발휘하지 않는 것도 있다. 또한 상술한 특허 문헌 3의 조성물도 Al 또는 Al합금 배선 재료의 방식력은 부족하다.In the above-described Patent Document 1, a step of forming a Cu or Cu alloy wiring is not considered, and it is difficult to peel off a modified resist in the Cu or Cu alloy wiring forming step in this system. The anti-corrosive agent of Patent Document 2 is considered to damage the Cu system or the low dielectric constant film. However, since the application is limited to the metal film formed on the semiconductor wafer, the method of forming the altered film by the etching step is a semiconductor (For example, dry etching or ashing), and therefore does not have the photoresist peeling force required in the FPD manufacturing process, and furthermore, the heterocyclic compound There is also a case where the Cu type effect is not exhibited. In addition, the composition of the above-mentioned Patent Document 3 is also insufficient in the corrosion resistance of the Al or Al alloy wiring material.
[특허 문헌 1] 일본특허 공개공보 제2001-350276호[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-350276
[특허 문헌 2] 일본특허 공개공보 제2002-97584호 [Patent Document 2] JP-A-2002-97584
[특허 문헌 3] 일본특허 공개공보 제2005-43873호[Patent Document 3] Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2005-43873
발명이 해결하고자 하는 과제Problems to be solved by the invention
본 발명은 상기 여러 사정을 감안하여 이루어진 것이며, FPD를 위한 배선 기판 제조 공정에 있어서, 기판상에 형성된 Al 또는 Al합금 배선을 부식시키는 일 없이 Al 또는 Al합금 배선 형성 공정에 있어서의 포토레지스트를 박리 할 수 있으며 또한, 기판상에 형성된 Cu 또는 Cu합금 배선을 부식시키는 일 없이 Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정에 있어서의 포토레지스트를 박리 할 수 있는 FPD 제조용 포토레지스트 박리제조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a wiring board for an FPD in which a photoresist in a step of forming an Al or Al alloy wiring is peeled off without corroding an Al or Al alloy wiring formed on the substrate And it is also an object of the present invention to provide a photoresist stripper composition for FPD production which can peel off a photoresist in a Cu or Cu alloy wiring formation process without corroding a Cu or Cu alloy wiring formed on a substrate.
과제를 해결하기 위한 수단Means for solving the problem
본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토한 결과, 특정한 구조를 가지는 복소환식 화합물, 알카놀 아민 또는 알킬 아민, 극성 유기용제, 및, 당 알코올을 함유 하는 포토레지스트 박리제조성물이, Al 또는 Al합금 배선 형성 공정에 있어서도 Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정에 있어서도, 배선 재료를 부식시키는 일 없이, 또한 각 배선 형성 공정용 에칭액으로 변질된 포토레지스트층을 박리 할 수 있는 것을 발견하여 본 발명을 완성시켰다.As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that a photoresist stripper composition containing a heterocyclic compound having a specific structure, an alkanolamine or alkylamine, a polar organic solvent, and a sugar alcohol is an Al or Al alloy It has been found that the photoresist layer deteriorated by the etching solution for each wiring formation process can be peeled off without causing corrosion of the wiring material even in the wiring forming step or the Cu or Cu alloy wiring forming step.
즉, 본 발명은, FPD 제조 공정에서 사용되는 포토레지스트 박리제이며, 아래와 같은 일반식(1)의 구조를 가지는 화합물 및 아래와 같은 일반식(2)의 구조를 가지는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 복소환식 화합물(A)(이하, 간략히 복소환식 화합물(A)이라고도 한다.)를 0.05~10 중량%, 1급 또는 2급의 알카놀 아민 및 1급 또는 2급의 알킬 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 아민(B)(이하, 간략히 아민(B)이라고도 한다.)를 5~45 중량%, 극성 유기용제(C)를 30~94.85 중량% 및 당 알코올(D)을 0.1~10 중량%함유 하는 것을 특징으로 하는 Cu 또는 Cu합금 배선 형성과 Al 또는 Al합금 배선 형성을 위한 포토레지스트 박리제조성물이다.That is, the present invention relates to a photoresist stripper used in the FPD manufacturing process, which comprises a compound having a structure represented by the following general formula (1) and a compound represented by the following general formula (2) , 0.05 to 10% by weight of a heterocyclic compound (A) (hereinafter sometimes simply referred to as a heterocyclic compound (A)), a group consisting of a primary or secondary alkanolamine and a primary or secondary alkylamine , 5 to 45% by weight of at least one amine (B) (hereinafter briefly referred to as amine (B)), 30 to 94.85% by weight of polar organic solvent (C) To 10% by weight, based on the total weight of the photoresist stripper composition.
각 식중, A1 및 A2는 각각 독립하여 N, NH, O 또는 C이며, 또한 적어도 하나는 C 이외이며, A3로부터 A6는 각각 독립하여 -H, -OH, -NH2, -CH3 또는=O이며, 또한 적어도 하나는 -OH 또는=O이다.Each wherein, A1 and A2 are each independently N, NH, O or C, and also at least one is other than C, and A6 are each independently of the A3 -H, -OH, -NH 2, -CH 3 , or = O And at least one is -OH or = O.
본 발명의 한 양태에 대하여는, 복소환식 화합물(A)이, 말톨, 2, 6-디메틸 감마피론, 4-히드록시-6-메틸-2-피론, 4-히드록시쿠마린, 2, 4-디히드록시퀴놀린, 2-아미노-4, 6-디히드록시피리미딘, 2, 4-디아미노-6-히드록시피리미딘, 2-아미노- 4-히드록시-6-메틸피리미딘, 4, 6-디메틸-2-히드록시피리미딘, 우라실 및 6-메틸우라실로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.In one embodiment of the present invention, the heterocyclic compound (A) is at least one compound selected from the group consisting of maltol, 2,6-dimethylgamapyrone, 4-hydroxy- Amino-4-hydroxy-6-methylpyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2,4-diamino-6-hydroxypyrimidine, -Dimethyl-2-hydroxypyrimidine, uracil and 6-methyluracil.
본 발명의 다른 양태에 있어서는, 아민(B)이, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, N-프로판올아민, 모노이소프로판올아민, 모노에틸에탄올아민, 아미노에톡시에 탄올, 모노메틸에탄올아민, 트리에틸렌테트라민 및 테트라에틸렌펜타민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.In another embodiment of the invention, the amine (B) is selected from the group consisting of monoethanolamine, diethanolamine, N-propanolamine, monoisopropanolamine, monoethylethanolamine, aminoethoxyethanol, monomethylethanolamine, And at least one selected from the group consisting of tetraethylenepentamine.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서는, 극성 유기용제(C)가, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디메틸술폭시드, N-메틸피로리돈 및 디메틸아세트아미드로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.In another embodiment of the present invention, the polar organic solvent (C) is at least one selected from the group consisting of diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidone and dimethylacetate Amide, and the like.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서는, 당 알코올(D)이, 솔비톨 및 자일리톨로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.In another embodiment of the present invention, the sugar alcohol (D) is at least one selected from the group consisting of sorbitol and xylitol.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서는, 추가로 물을, 조성물 전량에 대해서 25 중량%이하가 되도록 함유한다.In another embodiment of the present invention, water is further added so as to be 25% by weight or less based on the total amount of the composition.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서는, 물을, 조성물 전량에 대해서 10 중량%미만이 되도록 함유한다.In another embodiment of the present invention, water is contained in an amount of less than 10% by weight based on the total amount of the composition.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서는, 아민(B)이, 1급 알카놀아민 1종 이상과 2급 알카놀아민 1종 이상이다.In another embodiment of the present invention, the amine (B) is at least one primary alkanolamine and at least one secondary alkanolamine.
발명의 효과Effects of the Invention
본 발명은, 상술한 구성에 의하여,According to the present invention,
(1) FPD를 위한 배선 기판 제조 공정에 있어서 Al 또는 Al합금 배선 형성 공정에 있어서의 포토레지스트를 박리 할 수 있으며 또한, Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정에 있어서의 포토레지스트를 박리 할 수 있는 뛰어난 레지스트 박리성을 가진다.(1) A photoresist in an Al or Al alloy wiring formation process can be peeled off in a wiring board manufacturing process for FPD, and an excellent resist which can peel off a photoresist in a Cu or Cu alloy wiring formation process And has peelability.
(2) 배선 재료인 Al 또는 Al합금, 및, Cu 또는 Cu합금의 모두에 대해서도 뛰어난 방식성을 갖는다.(2) Al or Al alloy as the wiring material, and Cu or Cu alloy.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.
발명을 실시하기Carrying out the invention 위한 최선의 형태 Best form for
본 발명의 포토레지스트 박리제조성물은, FPD의 제조 공정, 그 중에서도 배선 기판 제조 공정에 있어서, Cu 또는 Cu합금 배선 형성과 Al 또는 Al합금 배선 형성을 위해서 사용된다. 상기 FPD로서는 특히 한정되지 않으며, 상술한 각종 원리의 디스플레이를 들 수 있으며 예를 들면, LCD, PDP, EL, VFD, SED등에 매우 적합하게 적용된다.The photoresist stripper composition of the present invention is used for the formation of Cu or Cu alloy wiring and the formation of Al or Al alloy wiring in the manufacturing process of FPD, especially the wiring board production process. The FPD is not particularly limited, and may be a display of various principles as described above. For example, the FPD is suitably applied to LCD, PDP, EL, VFD, SED and the like.
상기 Cu 또는 Cu합금 배선에 있어서의 Cu합금으로서는, 예를 들면, 저산소 Cu합금, Cu-X(X는 Sn, Zr, Be, Pb, Mo, Mn, Fe등 ) 2원 합금, Cu-, Cr-, Zr- 등의 3원 합금등을 들 수 있다.Examples of the Cu alloy in the Cu or Cu alloy wiring include a low-oxygen Cu alloy, a binary alloy of Cu-X (X is Sn, Zr, Be, Pb, Mo, Mn, -, Zr-, and the like.
상기 Al 또는 Al합금 배선에 있어서의 Al합금으로서는, 예를 들면, Al-X(X는 Cu, Mn, Si, Mg, Fe, Zn, Cr, Ti등 ) 2원 합금, Al-, Mg-, Si- 등의 3원 합금등을 들 수 있다.As the Al alloy in the Al or Al alloy wiring, for example, a binary alloy such as Al-X (X is Cu, Mn, Si, Mg, Fe, Zn, And ternary alloys such as Si-.
본 발명에 있어서의 복소환식 화합물(A)로서는 일반식(1)의 구조를 가진 화합물 및/또는 일반식(2)의 구조를 가진 화합물이면 특히 한정되지 않지만, 바람직하게는, 예를 들면, 말톨, 2,6-디메틸감마피론, 4-히드록시-6-메틸-2-피론, 4-히드록시쿠마린, 2,4-디히드록시퀴놀린, 2-아미노-4, 6-디히드록시피리미딘, 2,4-디아미노-6-히드록시피리미딘, 2-아미노-4-히드록시-6-메틸피리미딘, 4,6-디메틸-2-히드록시피리미딘, 우라실, 6-메틸우라실 등을 들 수 있다. 이들중 경시 안정성등의 관점에서, 보다 바람직하게는 2,4-디히드록시퀴놀린, 2-아미노-4, 6-디히드록시피리미딘, 2,4-디아미노-6-히드록시피리미딘, 우라실이다. 본 발명에 있어서는, 이들 중 1종만을 사용해도 되고, 또는 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.The heterocyclic compound (A) in the present invention is not particularly limited as long as it is a compound having a structure represented by the general formula (1) and / or a structure represented by the general formula (2), and preferably, for example, , 2,6-dimethylgamapyrone, 4-hydroxy-6-methyl-2-pyrone, 4-hydroxycoumarin, 2,4-dihydroxyquinoline, 2-amino-4,6-dihydroxypyrimidine 2-amino-4-hydroxy-6-methylpyrimidine, 4,6-dimethyl-2-hydroxypyrimidine, uracil, 6-methyluracil, etc. . Among them, from the viewpoints of stability with time and the like, more preferred are 2,4-dihydroxyquinoline, 2-amino-4, 6-dihydroxypyrimidine, 2,4-diamino- It is uracil. In the present invention, only one of them may be used, or two or more of them may be used in combination.
상기 복소환식 화합물(A)의 첨가량으로서는, 박리제조성물중의 0.05 중량%~10 중량%이다.이 범위 미만의 양이면, 방식 효과가 충분히 발휘되지 않으며, 이 범위를 넘어 첨가하면 타성분의 첨가량이 감소되며, 또한 특히 방식성이 향상되는 것은 아니다. 바람직하게는 0.1 중량% 내지 5 중량%이다.The amount of the heterocyclic compound (A) to be added is from 0.05% by weight to 10% by weight in the exfoliant composition. If the amount is less than the above range, the effect of the system is not sufficiently exhibited. And the corrosion resistance is not particularly improved. And preferably 0.1% by weight to 5% by weight.
본 발명에 있어서의 아민(B)은, 예를 들면, 모노에탄올아민(MEA), 디에탄올 아민(DEA), N-프로판올아민(NPA), 모노이소프로판올아민(MIPA), 모노에틸에탄올아민(MEEA), 아미노에톡시에탄올(EEA) 및 모노메틸에탄올아민(MMA), 트리에틸렌테트라민(TETA), 테트라에틸렌펜타민(TEPA) 등이다. 알카놀아민 또는 알킬아민은 어느쪽이든 1종만을 사용해도 되고, 또는 알카놀아민 또는 알킬아민 중 하나 또는 양자의 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다. 이들중, 모노에탄올아민, N-프로판올아민, 모노이소프로판올아민 및 모노메틸에탄올아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하지만, 다시 말하면, 1급인 알카놀아민 1종 이상과 2급인 알카놀아민 1종 이상을 조합해서 사용하면 더욱 좋다.Examples of the amine (B) in the present invention include monoethanolamine (MEA), diethanolamine (DEA), N-propanolamine (NPA), monoisopropanolamine (MIPA), monoethylethanolamine ), Aminoethoxyethanol (EEA), and monomethylethanolamine (MMA), triethylenetetramine (TETA), and tetraethylenepentamine (TEPA). The alkanolamine or alkylamine may be used either singly or in combination of two or more of alkanolamine or alkylamine. Of these, at least one member selected from the group consisting of monoethanolamine, N-propanolamine, monoisopropanolamine and monomethylethanolamine is preferable. In other words, at least one member selected from the group consisting of one or more alkanolamines having 1 group and alkanolamine 1 It is better to use more than one species.
아민(B)의 첨가량으로서는, 박리제조성중의 5 중량%~45 중량%이다. 이 범위 미만이라면 변질된 포토레지스트 층의 박리가 충분하지 않고, 이 범위를 초과하여 첨가하면 배선 재료의 부식이 일어난다. 바람직하게는 10 중량%~30 중량%이다.The amount of the amine (B) to be added is 5 wt% to 45 wt% in the composition of the release agent. If it is less than this range, detachment of the deteriorated photoresist layer is not sufficient, and if it is added in excess of this range, corrosion of the wiring material occurs. And preferably 10% by weight to 30% by weight.
본 발명에 있어서의 극성 유기용제(C)로서는, 예를 들면, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르(MDG), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(EDG), 디에틸렌글리콜모노부틸 에테르(BDG), N-메틸르피롤리돈(NMP), 디메틸아세트아미드(DMAC), 프로필렌글리콜(PG), 디메틸술폭시드(DMSO) 등을 들 수 있다. 이것들은 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 이들중, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, N-메틸피롤리돈 및 디메틸아세트아미드로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.Examples of the polar organic solvent (C) in the present invention include diethylene glycol monomethyl ether (MDG), diethylene glycol monoethyl ether (EDG), diethylene glycol monobutyl ether (BDG), N-methyl (NMP), dimethylacetamide (DMAC), propylene glycol (PG), dimethylsulfoxide (DMSO) and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Of these, at least one selected from the group consisting of diethylene glycol monobutyl ether, N-methylpyrrolidone and dimethylacetamide is preferable.
본 발명에 있어서의 당 알코올(D)로서는, 예를 들면, 솔비톨, 자일리톨, 에리트리톨(erythritol), 만니톨, 말티톨, 락티톨, 팔라티니트등을 들 수 있다. 이들중, 솔비톨, 자일리톨이 바람직하다.Examples of the sugar alcohol (D) in the present invention include sorbitol, xylitol, erythritol, mannitol, maltitol, lactitol, palatinit and the like. Of these, sorbitol and xylitol are preferred.
당 알코올(D)의 첨가량은, 박리제조성중의 0.1~10 중량%이다. 이것 미만의 양이면, 방식 효과가 충분히 발휘되지 않고, 이 범위를 초과하여 첨가하면 타성분의 첨가량이 감소되며, 또한 특히 방식성이 향상되는 것도 아니다.바람직하게는 0.3~5 중량%이다.The amount of the sugar alcohol (D) to be added is 0.1 to 10% by weight in the composition of the release agent. If the amount is less than the above range, the effect of the corrosion is not sufficiently exhibited. If the amount exceeds the above range, the addition amount of the other component is decreased, and the corrosion resistance is not particularly improved.
본 발명에는, 필요에 따라서 물을 첨가할 수도 있다. 물의 첨가량은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 설정할 수 있으며 예를 들면, 박리제조성중의 25 중량%를 초과하는 양, 예를 들면, 30 중량% 또는 그 이상으로 할 수도 있지만, 25 중량% 이하로 하는 것이 바람직하다. 25 중량%이하로 하면, 배선 재료의 부식이 일어나기 어려워진다. 보다 바람직하게는 10 중량%미만이지만, 보다 바람직하게는, 가능한 한 적은 편이 좋다.In the present invention, water may be added if necessary. The amount of water added can be set within a range that does not impair the object of the present invention. For example, the amount of water may be more than 25% by weight, for example, 30% by weight or more, Or less. When it is 25% by weight or less, corrosion of the wiring material is less likely to occur. More preferably, it is less than 10% by weight, but more preferably, as little as possible.
상기극성 유기용제(C)의 첨가량으로서는, 박리제 조성중, 상기 복소환식 화합물(A), 아민(B), 당 알코올(D), 및, 해당되는 경우는 물, 의 합계 첨가량의 잔부이지만, 첨가량은 30~94.85 중량%이다. 이 범위 미만이면 배선 재료의 부식이 일어 나며, 이 범위를 초과하면 변질된 포토레지스트층의 박리를 충분히 할 수 없다. 바람직하게는 50~90 중량%이다.The amount of the polar organic solvent (C) to be added is the balance of the addition amount of the heterocyclic compound (A), the amine (B), the sugar alcohol (D) 30 to 94.85% by weight. If it is less than this range, corrosion of the wiring material will occur, and if it exceeds this range, the deteriorated photoresist layer can not be sufficiently peeled off. And preferably 50 to 90% by weight.
본 발명의 포토레지스트 박리제조성물은, 상기 성분의 소요량을 통상의 방법에 따라 혼합함으로써 조제할 수 있다.The photoresist stripper composition of the present invention can be prepared by mixing the required amount of the above components in accordance with an ordinary method.
본 발명의 포토레지스트 박리제조성물은, FPD의 제조 공정에 사용된다. FPD의 제조 공정의 배선 형성 공정에 있어서의 레지스트 박리 공정은, 에칭액처리 후의 포토레지스트를 박리 하는 것이며, 상기의 LCD에 있어서의 배선 형성 공정에 준하여 다른 종류의 FPD에 있어서도 당업자가 적당하게 실시할 수 있다.상기 포토레지스트 박리 공정은, Al 또는 Al합금 배선 형성 공정에 있어서의 레지스트 박리 공정 및 Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정에 있어서의 레지스트 박리 공정이며, 예를 들면, Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정에 있어서의 레지스트 박리 공정의 경우는, Cu 또는 Cu합금 배선 형성용 산화제계 에칭액처리 후의 포토레지스트를 박리 하는 것이라도 좋다. 본 발명의 포토레지스트 박리제조성물은 가열(예를 들면 30℃~80℃)하여 사용할 수 있다. 박리에 필요로 하는 시간은, 포토레지스트의 변질 정도등에 의하지만, 일반적으로는, 예를 들면 30초~10분 정도이다.The photoresist stripper composition of the present invention is used in the production process of FPD. The resist stripping process in the wiring forming process of the FPD manufacturing process is to peel off the photoresist after the etching liquid treatment. In accordance with the wiring forming process in the above-described LCD, other kinds of FPDs can be suitably performed by those skilled in the art The photoresist stripping process is a resist stripping process in the Al or Al alloy wiring formation process and a resist stripping process in the Cu or Cu alloy wiring formation process. For example, in the Cu or Cu alloy wiring formation process The photoresist after the treatment with the oxidant-based etchant for Cu or Cu alloy wiring formation may be peeled off. The photoresist stripper composition of the present invention can be used by heating (for example, 30 ° C to 80 ° C). The time required for peeling depends on the degree of deterioration of the photoresist and the like, but is generally about 30 seconds to 10 minutes, for example.
또 본 발명의 포토레지스트 박리제조성물은, 박리 처리 후, 이소프로필알코올등의 용매 린스를 필요로 하지 않고, 직접 수세 할 수 있다.In addition, the photoresist stripper composition of the present invention can be directly washed with water after the peeling treatment, without requiring a solvent rinse such as isopropyl alcohol.
이하에 실시예에 따라 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다. 또한 표중의 약호중, 이하의 것은 다음과 같다. 기타 약호에 대해서는, 상기의 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. Of the abbreviations in the table, the following are as follows. Other abbreviations are as described above.
MDEA：N-메틸-N, N＇-디에탄올아민MDEA: N-methyl-N, N'-diethanolamine
실시예Example 1~37, 1 to 37, 비교예Comparative Example 1~12 1 to 12
표 1, 2의 배합에 의해 각각 각 성분을 혼합하여, 박리제조성물을 얻었다.얻은 각 박리제조성물에 대하여, 아래와 같은 방법으로 Al 또는 Al합금 배선 형성 공정 및 Cu 또는 Cu합금 배선 형성 공정에 있어서의 레지스트 박리 공정에 있어서의 배선 재료의 부식 상황과 박리 처리 후에 직접 수세 했을 경우를 상정한 수세시의 배선 재료의 부식 상황에 대해서 평가하였다. 평가 결과를 표 3, 4에 나타냈다.Each component was mixed by the blending of Tables 1 and 2 to obtain a stripper composition. Each of the obtained stripper compositions was subjected to the following steps in the following manner to form the Al or Al alloy wiring forming step and the resist in the Cu or Cu alloy wiring forming step The corrosion conditions of the wiring material in the peeling process and the corrosion conditions of the wiring material at the time of flushing assuming the case of direct rinsing after the peeling process were evaluated. The evaluation results are shown in Tables 3 and 4.
평가evaluation
1.레지스트 박리시 Al 또는 Cu부식1. Al or Cu corrosion during resist stripping
레지스트 박리 공정에 있어서의 배선 재료의 부식 상황의 평가는, 박리제조성물이 물을 함유 하는 경우는 40℃, 물을 함유 하지 않는 경우는 70℃의 박리제에 Al 또는 Cu박막이 부착된 기판을 소정 시간 침지하여, Al 또는 Cu막의 막두께의 감소량보다 Al 또는 Cu의 에칭 레이트(Å／분 )를 구하여 아래와 같은 기준으로 평가하였다.The evaluation of the corrosion state of the wiring material in the resist stripping step is carried out by a method in which the substrate on which the Al or Cu thin film is adhered to a stripping agent at 40 占 폚 when water is contained and 70 占 폚 when water is not contained, And the etching rate (Å / min) of Al or Cu was determined from the amount of decrease in the film thickness of the Al or Cu film, and evaluated according to the following criteria.
2. 수세시 Al 또는 Cu부식2. Corrosion of Al or Cu during washing
레지스트 박리 후의 수세 공정에 있어서의 배선 재료의 부식 상황의 평가는, 각 박리제조성물을 물로 10배에 희석한 25℃의 시험액에, Al 또는 Cu박막 부착 기판을 소정 시간 침지하여, Al 또는 Cu막의 막두께의 감소량보다 Al 또는 Cu의 에칭 레이트(Å／분 )를 구하여 아래와 같은 기준으로 평가하였다. 또한 박리제를 물로 10배로 희석하는 것은, 박리제：물의 비가 1：9일때에, 배선 재료의 부식 속도가 극대치를 나타내기 때문이다.The evaluation of the corrosion condition of the wiring material in the water washing step after resist stripping is carried out by immersing the Al or Cu thin film adhered substrate in a test liquid at 25 캜 in which each stripper composition is diluted 10 times with water for a predetermined time, The etching rate (Å / min) of Al or Cu was determined with respect to the amount of decrease in thickness, and evaluated according to the following criteria. The reason for diluting the stripping agent 10 times with water is that the corrosion rate of the wiring material shows a maximum value when the ratio of stripping agent to water is 1: 9.
에칭 레이트 측정의 평가 기준은 다음과 같이 ○이상이 합격이다. 단위는Å／분.The criterion for evaluation of the etching rate is as follows. The unit is Å / min.
박리시 수세시When detached,
◎ ： 2 미만 80 미만◎: less than 2 and less than 80
○ ： 2이상 5 미만 80이상 100 미만○: 2 or more and less than 5 80 or more and less than 100
△ ： 5이상 10 미만 100이상 120 미만?: 5 or more Less than 10 Less than 100 100 or less
× ： 10이상 120이상×: 10 or more and 120 or more
3. 레지스트 박리성3. Resist peelability
본 발명에 있어서의 포토레지스트 박리제는, Al배선 형성 공정용 에칭액으로 변질된 레지스트층과 Cu배선 형성 공정용 에칭액으로 변질된 레지스트층의 어느 쪽이라도 박리 할 수 있는 박리력을 갖지 않으면 안 된다. 따라서, 대표적인 Al배선 형성 공정용 에칭액으로 변질된 레지스트층과 Cu배선 형성 공정용 에칭액으로 변질된 레지스트층에 대하여 각각 박리 시험을 실시하였다. 또한 이 박리성이 나빴던 것에 대해서는, 배선 재료 부식 상황의 평가는 실시하지 않았다.The photoresist stripper in the present invention must have a peeling force capable of peeling off either the resist layer modified by the etching solution for the Al wiring formation process and the resist layer modified by the etching solution for the Cu wiring formation process. Therefore, a peeling test was carried out for each of a typical resist layer modified by an etching solution for Al wiring formation process and a resist layer modified by an etching solution for Cu wiring formation process. In addition, the evaluation of the corrosion condition of the wiring material was not carried out with respect to the deterioration of the peelability.
(1) 평가용 변질막작성 방법(1) Method for preparing deteriorated membrane for evaluation
실리콘 웨이퍼에, 포지티브형 포토레지스트(나가세켐텍스 사제 NPR3510S1 10 mPa·s를 스핀 코터로 15000Å로 도포하여, 100℃, 2분에 프리베이크 하였다. 이에 포토마스크를 통하여 노광, 현상하고, 레지스트 패턴을 작성하였다. 이 레지스트 패턴을 작성한 실리콘 웨이퍼를, 대표적인 Al배선 형성 공정용 에칭액 또는 Cu배선 형성 공정용 산화제계열 에칭액으로, 모두 40℃에서 1분간 침지 처리하여, 평가용 변질막을 작성하였다. 수세, 질수세, 질소 블로우 한 후, 이것을 세분하여 평가용 시료편으로 하였다.A positive type photoresist (NPR3510S1, 10 mPa 占 퐏 manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.) was applied to the silicon wafer at 15000 占 with a spin coater and prebaked at 100 占 폚 for 2 minutes. Then, the resist film was exposed and developed through a photomask, The silicon wafer on which the resist pattern was formed was immersed in a typical Al wiring forming process etching solution or an oxidizing agent etching solution for Cu wiring forming process at 40 DEG C for 1 minute to prepare a deteriorating film for evaluation. After nitrogen and nitrogen blowing, it was subdivided into test pieces for evaluation.
(2) 박리성 평가방법(2) Evaluation method of peelability
박리 처리는, 박리제조성물이 물을 함유 하는 경우는 40℃, 물을 함유하지 않는 경우는 70℃의 박리제조성물에 시료편을 담그어, 1분간, 약하게 교반하여 처리를 하였다. 처리 완료 후, 시료편을 끌어올려 즉시 수세하여 질소 블로우 한 후, 광학 현미경으로 레지스트의 박리 나머지의 상황을 관찰하였다.The peeling treatment was carried out by immersing the sample piece in a releasing agent composition at 40 占 폚 when the releasing agent composition contained water and 70 占 폚 when not containing water and stirring for 1 minute with slight stirring. After the completion of the treatment, the sample piece was lifted, immediately rinsed with water and nitrogen-blanched, and then the state of remnant peeling of the resist was observed with an optical microscope.
박리성의 평가 기준은 다음과 같이 ○이상이 합격이다.Evaluation criteria of peelability are as follows.
◎：레지스트 나머지가 없다.⊚: There is no resist residue.
○：레지스트 패턴은 보이지 않지만, 약간의 레지스트 나머지가 있다.?: There is no resist pattern, but there is some resist residue.
△：레지스트 패턴이 희미하게 보인다.?: The resist pattern appears to be faint.
×：레지스트 패턴이 확실하게 보인다.X: The resist pattern is clearly seen.
표 3, 4에서 명백한 바와 같이, 실시예 1~37은 Al방식성에도 Cu방식성에도 뛰어나며 한편 Cu배선 형성 공정용 에칭액으로 변질된 레지스트층의 박리성도 양호하였다. 또한 특히, 1급 아민과 2급 아민을 혼합해서 사용한 실시예 33, 34는, 각각의 아민을 단체로 사용했을 경우(실시예 5)보다, Al, Cu에 대한 방식성이 높아지는 것을 알았다. 이에 대하여, 본 발명에서 사용하는 상기 일반식(1)의 구조 또는 일반식(2)의 구조를 가지는 화합물과 당 알코올의 어느 하나를 함유 하지 않는 비교예 1~5는 Cu나 Al에 부식을 볼 수 있었다. 이로서, 상기 일반식(1)의 구조 또는 일반식(2)의 구조를 가지는 화합물과 당 알코올을 함유 하므로서, Cu나 Al에 대한 방식 능력이 비약적으로 향상되는 것이 확인되었다. 또한 극성 유기용제량이 본 발명에서 정하는 범위 미만인 비교예 6이나 극성 유기용매(C)도 당 알코올도 함유 하지 않은 비교예 7(특허 문헌 2에 기재된 조성)도, Cu나 Al에 부식을 볼 수 있었다. 아민(B)의 함유량이 본 발명의 범위 미만인 비교예 8은 박리성이 나쁘고, 범위를 넘어 첨가한 비교예 9는 Cu부식을 볼 수 있었다. 본 발명에서 사용하는 상기 일반식(1)의 구조 또는 일반식(2)의 구조를 가지는 화합물이 아닌 -C(OH)=N-인 원자단을 가지는 복소환식 화합물을 함유 하는 비교예 10에서는, Cu방식 효과는 없고, Cu부식을 볼 수 있었다. 또한, 3급 알카놀 아민을 사용한 비교예 11(특허 문헌 1에 기재된 조성)에서는 박리성이 나빴다.비교예 12(특허 문헌 3에 기재된 조성)는, 상기 일반식(1)의 구조 또는 일반식(2)의 구조를 가지는 화합물을 사용하지 않고, 또, 수량도 상기의 범위보다 많아, Al, Cu 모두 부식을 볼 수 있었다.As is evident from Tables 3 and 4, Examples 1 to 37 are excellent in Al anticorrosion property and Cu anticorrosion property, and the peelability of the resist layer modified by the etching solution for Cu wiring formation process was also good. In particular, in Examples 33 and 34 in which a primary amine and a secondary amine were mixed, it was found that the anticorrosion properties against Al and Cu were higher than those in the case where the respective amines were used singly (Example 5). On the other hand, Comparative Examples 1 to 5, which did not contain any of the compounds having the structure of the general formula (1) or the structure of the general formula (2) used in the present invention and the sugar alcohol, I could. As a result, it was confirmed that the dietary ability for Cu and Al was remarkably improved by containing the compound having the structure of the general formula (1) or the structure of the general formula (2) and the sugar alcohol. Also, in Comparative Example 6 in which the polar organic solvent amount was less than the range defined in the present invention, and in Comparative Example 7 (the composition described in Patent Document 2) in which neither the polar organic solvent (C) nor the sugar alcohol was contained, corrosion was observed in Cu or Al . In Comparative Example 8 in which the content of the amine (B) was less than the range of the present invention, the peelability was poor, and in Comparative Example 9 added beyond the range, Cu corrosion was observed. In Comparative Example 10 containing a heterocyclic compound having an atomic group of -C (OH) = N- which is not a compound having the structure of the general formula (1) or the structure of the general formula (2) used in the present invention, Cu There was no corrosion effect and Cu corrosion was observed. In addition, in Comparative Example 11 (the composition described in Patent Document 1) using tertiary alkanolamine, the peelability was poor. Comparative Example 12 (the composition described in Patent Document 3) (2) was not used, and the yield was also larger than the above-mentioned range, and corrosion of both Al and Cu was observed.
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