KR101411385B1 - Substrate supporting plate and apparatus for depositing thin film having the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 챔버의 내부에 위치하여 기판을 지지하는 기판 지지대에 있어서, 플레이트와, 플레이트의 상부에 마련되어 기판을 플레이트와 이격시키는 지지부재와, 플레이트의 상면에 오목하게 형성된 홈을 포함하고, 지지부재는 플레이트와 별도로 제작되어 적어도 일부가 상기 홈에 결합되는 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치를 제시한다.The present invention provides a substrate support for supporting a substrate placed inside a chamber, comprising: a plate; a support member provided on the top of the plate to separate the substrate from the plate; and a groove recessed from the top surface of the plate, A substrate support and a thin film deposition apparatus having the same, wherein at least a part of the substrate support is coupled to the groove.

Description

기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치{SUBSTRATE SUPPORTING PLATE AND APPARATUS FOR DEPOSITING THIN FILM HAVING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate support and a thin film deposition apparatus having the same,

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 균일한 박막을 형성시키기 위한 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate support for forming a uniform thin film on a substrate and a thin film deposition apparatus having the same.

반도체 소자 또는 평판 표시 장치(FPD; Flat Panel Display)는 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판(이하에서는 "기판" 이라 칭함) 상에 박막을 형성하고 이를 패터닝하는 공정을 반복 수행함으로써 제조할 수 있다.A semiconductor device or a flat panel display (FPD) can be manufactured by repeating a process of forming a thin film on a semiconductor wafer or a glass substrate (hereinafter referred to as a " substrate ") and patterning the thin film.

상기 반도체 제조 공정 중 박막 증착 공정은 기판에 원하는 막을 원하는 두께로 증착하는 공정을 말하고, 이러한 증착 장치는 챔버와, 기판이 안착되는 기판 지지대와, 상기 기판을 향해 반응 가스를 분사하는 가스 분사부를 구비한다. 여기서, 기판 지지대에는 기판을 소정 온도로 가열하기 위한 히터가 내장된다. 박막 증착 공정이 시작되면, 기판은 기판 지지대에 의해 소정 온도로 가열되고, 소정 온도로 가열된 상태에서 반응 가스를 기판의 상부면에 분사함으로써 공정이 진행된다.The thin film deposition process during the semiconductor manufacturing process refers to a process for depositing a desired film to a desired thickness on a substrate. The deposition apparatus includes a chamber, a substrate support on which the substrate is mounted, and a gas injection unit for spraying a reaction gas toward the substrate do. Here, a heater for heating the substrate to a predetermined temperature is built in the substrate support. When the thin film deposition process is started, the substrate is heated to a predetermined temperature by the substrate support, and the process proceeds by spraying the reactive gas onto the upper surface of the substrate while being heated to the predetermined temperature.

종래의 기판 지지대는 기판의 전면에 증착되는 증착 물질의 증착 균일도를 향상시키기 위해 기판 지지대 상부면의 중심 영역에 홈을 형성하고, 홈에 기판을 안착시킨 상태에서 기판에 소정 온도를 가하여 공정을 진행하거나, 기판 지지대의 상부면에 돌출부를 형성하고, 돌출부의 상부에 기판의 가장자리를 안착시킨 상태에서 기판에 소정 온도를 가하여 공정을 진행한다.In the conventional substrate support, grooves are formed in the central region of the upper surface of the substrate support to improve deposition uniformity of the deposition material deposited on the entire surface of the substrate, and a predetermined temperature is applied to the substrate in a state where the substrate is placed in the groove Alternatively, a protrusion is formed on the upper surface of the substrate support, and a predetermined temperature is applied to the substrate in a state where the edge of the substrate is seated on the protrusion.

하지만, 기판 지지대의 상부면에 형성된 홈에 기판을 안착시킨 후 공정을 진행할 경우, 기판의 중심부와 가장자리의 열 방출 면적 차이에 의해 기판의 중심부의 온도는 기판의 가장자리의 온도보다 높게 나타나고, 이에 의해 기판의 중심부에 형성되는 박막의 두께가 두껍게 형성되어 기판 전면에 균일한 두께를 가지는 박막을 증착하기 어려운 문제점이 발생된다.However, when the substrate is placed in the groove formed in the upper surface of the substrate support, the temperature of the central portion of the substrate is higher than the temperature of the edge of the substrate due to the difference in heat release area between the central portion and the edge of the substrate. The thickness of the thin film formed at the central portion of the substrate is increased and it is difficult to deposit a thin film having a uniform thickness over the entire surface of the substrate.

또한, 기판 지지대의 상부면에 형성된 돌출부에 기판의 가장자리를 안착시킨 후 공정을 진행할 경우, 기판의 중심부는 기판 지지대와 소정 간격 이격되고, 기판의 가장자리 하부면은 기판 지지대의 상부면과 맞닿아 있기 때문에 기판 지지대에서 발생된 열이 기판에 전달되는 방법적인 차이에 의해 기판의 중심부와 기판의 가장자리에 많은 양이 전달되고, 이는 기판의 중심부 및 가장자리의 온도는 높아지고, 상대적으로 기판의 중심부와 가장자리 사이의 영역의 온도는 기판의 중심부 및 가장자리보다 낮게 나타난다. 따라서, 기판의 중심부와 가장자리 영역에 형성되는 박막의 두께는 기판의 중심부와 가장자리 영역의 사이에 형성되는 박막의 두께보다 두꺼워지기 때문에, 기판 전면에 균일한 두께를 가지는 박막을 증착하기 어려운 문제점을 야기시킨다. 특히, 폴리실리콘(Poly-Si)과 같이 박막의 두께가 온도에 크게 영향을 받는 물질의 경우에는 기판에 균일한 박막을 형성시키기는 더욱 어렵다.When the edge of the substrate is mounted on the protrusion formed on the upper surface of the substrate support, the center of the substrate is separated from the substrate support by a predetermined distance, and the lower edge of the substrate abuts on the upper surface of the substrate support Therefore, a large amount of heat is transferred to the center of the substrate and the edge of the substrate due to the difference in the method of transferring the heat generated in the substrate support to the substrate. This increases the temperature of the central portion and the edge of the substrate, Is lower than the center and the edge of the substrate. Therefore, since the thickness of the thin film formed in the central portion and the edge region of the substrate becomes thicker than the thickness of the thin film formed between the central portion and the edge region of the substrate, it is difficult to deposit a thin film having a uniform thickness over the entire substrate . Particularly, in the case of a material such as poly-Si, in which the thickness of the thin film is greatly affected by temperature, it is more difficult to form a uniform thin film on the substrate.

또한, 최근에는 이러한 문제점을 해결하기 위해 기판 지지대 내부에 기판의 중심 영역과 가장자리 영역의 온도를 조절하기 위해 다수의 히터를 구비하지만, 이는 다수의 히터에 부수적인 부품이 연결되기 때문에 장비의 복잡성과 제조비용의 상승 등의 문제점을 야기시킨다.
In order to solve this problem, in recent years, a plurality of heaters have been provided in the substrate support to control the temperature of the central region and the edge region of the substrate. However, since the additional components are connected to the plurality of heaters, Resulting in problems such as an increase in manufacturing cost.

본 발명은 기판에 균일한 온도를 제공하기 위한 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate support for providing a uniform temperature to a substrate and a thin film deposition apparatus having the substrate support.

본 발명은 기판에 균일한 박막을 형성시키기 위한 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치를 제공한다.
The present invention provides a substrate support for forming a uniform thin film on a substrate and a thin film deposition apparatus having the substrate support.

본 발명의 일 양태에 따른 챔버의 내부에 위치하여 기판을 지지하는 기판 지지대는 플레이트와, 상기 플레이트의 상부에 마련되어 상기 기판을 플레이트와 이격시키는 지지부재와, 상기 플레이트의 상면에 오목하게 형성된 홈을 포함하고, 상기 지지부재는 상기 플레이트와 별도로 제작되어 적어도 일부가 상기 홈에 결합된다.A substrate support for supporting a substrate positioned inside the chamber according to an embodiment of the present invention includes a plate, a support member provided on the plate to separate the substrate from the plate, a groove formed on the upper surface of the plate, Wherein the support member is fabricated separately from the plate so that at least a portion thereof is coupled to the groove.

상기 홈은 외측면 사이의 지름이 상기 기판의 직경과 동일하거나 더 크게 형성된다.The grooves are formed to have a diameter between the outer side surfaces equal to or larger than the diameter of the substrate.

상기 지지부재는 상기 플레이트의 수평면과 수직한 방향으로 형성되며 상기 홈과 이격된 수직부와, 상기 수직부로부터 상기 플레이트의 상부면과 평행하도록 연장되며 상기 플레이트의 상부면에 안착되는 평면부를 포함한다.The support member includes a vertical portion formed in a direction perpendicular to the horizontal plane of the plate and spaced apart from the groove and a flat portion extending parallel to the upper surface of the plate from the vertical portion and seated on the upper surface of the plate .

상기 수직부는 상기 홈의 바닥과 이격되어 상기 홈에 삽입된다.The vertical portion is spaced apart from the bottom of the groove and inserted into the groove.

상기 평면부의 상부면에는 상기 평면부로부터 수직으로 돌출 형성된 제 2 수직부가 형성된다.And a second vertical portion protruding vertically from the planar portion is formed on an upper surface of the planar portion.

상기 지지부재의 상면에는 기판의 이탈을 방지하기 위한 돌출부가 형성된다.A projection for preventing the substrate from being separated is formed on the upper surface of the support member.

상기 수직부의 하부면과 상기 홈이 형성된 상기 플레이트의 상부면과의 거리는 상기 기판이 안착되는 상기 평면부의 상부면 수평면과 상기 홈이 형성되지 않은 상기 플레이트의 상부면의 거리와 동일하다.The distance between the lower surface of the vertical portion and the upper surface of the plate formed with the groove is equal to the distance between the horizontal surface of the upper surface of the plane portion on which the substrate is mounted and the upper surface of the plate on which the groove is not formed.

상기 플레이트의 내부에는 가열 부재가 마련된다.
A heating member is provided inside the plate.

본 발명의 다른 양태에 따른 박막 증착 장치는 챔버와, 상기 챔버 내의 상부에 마련되어 반응 가스를 분사하는 가스 분사부와, 상기 가스 분사부의 하부에 마련되어 기판이 안착되는 기판 지지대를 포함하고, 상기 기판 지지대는 내측으로 소정의 홈이 형성된 플레이트와, 상기 플레이트 상부에 마련되어 상기 플레이트로부터 기판을 이격시키는 지지부재를 포함하며, 상기 지지부재는 상기 플레이트와 별도로 제작되어 적어도 일부가 상기 홈에 결합된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a thin film deposition apparatus including a chamber, a gas injection unit provided at an upper portion of the chamber to inject a reaction gas, and a substrate support provided below the gas injection unit, Includes a plate having a predetermined inward groove and a support member provided on the plate to separate the plate from the plate, and the support member is separately manufactured from the plate and at least a part thereof is coupled to the groove.

상기 지지부재는 상기 플레이트의 수평면과 수직한 방향으로 형성되며 상기 홈과 이격된 수직부와, 상기 수직부로부터 상기 플레이트의 상부면과 평행하도록 연장되며 상기 플레이트의 상부면에 안착되는 평면부를 포함한다.The support member includes a vertical portion formed in a direction perpendicular to the horizontal plane of the plate and spaced apart from the groove and a flat portion extending parallel to the upper surface of the plate from the vertical portion and seated on the upper surface of the plate .

상기 수직부는 상기 홈의 바닥과 이격되어 상기 홈에 삽입된다.The vertical portion is spaced apart from the bottom of the groove and inserted into the groove.

상기 수직부의 하부면과 상기 홈이 형성된 상기 플레이트의 상부면과의 거리는 상기 기판이 안착되는 상기 평면부의 상부면 수평면과 상기 홈이 형성되지 않은 상기 플레이트의 상부면의 거리와 동일하다.
The distance between the lower surface of the vertical portion and the upper surface of the plate formed with the groove is equal to the distance between the horizontal surface of the upper surface of the plane portion on which the substrate is mounted and the upper surface of the plate on which the groove is not formed.

본 발명은 기판 지지대의 형상을 변경함으로써, 기판에 제공되는 온도를 제어할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of controlling the temperature provided to the substrate by changing the shape of the substrate support.

또한, 본 발명은 하나의 히터를 구비하더라도 기판에 균일한 온도를 제공할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of providing a uniform temperature to the substrate even if one heater is provided.

그리고, 본 발명은 기판을 균일한 온도로 제어함으로써, 기판의 전면에 균일한 박막을 형성할 수 있는 효과가 있다.
The present invention has the effect of forming a uniform thin film on the entire surface of the substrate by controlling the substrate at a uniform temperature.

도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 지지대가 구비된 박막 증착 장치를 나타낸 개략 단면도.
도 2 및 도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 지지대를 나타낸 사시도 및 단면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 지지대의 변형 예를 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 지지대를 나타낸 개략 단면도.
도 6은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 지지대의 변형 예를 나타낸 개략 단면도.1 is a schematic cross-sectional view of a thin film deposition apparatus having a substrate support according to a first embodiment of the present invention;
2 and 3 are a perspective view and a cross-sectional view of a substrate support according to a first embodiment of the present invention;
4 is a sectional view showing a modified example of the substrate support according to the first embodiment of the present invention.
5 is a schematic cross-sectional view of a substrate support according to a second embodiment of the present invention.
6 is a schematic sectional view showing a modified example of the substrate support according to the second embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 지지대가 구비된 박막 증착 장치를 나타낸 개략 단면도이고, 도 2 및 도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 지지대를 나타낸 사시도 및 단면도이고, 도 4는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 지지대의 변형 예를 나타낸 단면도이다.FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a thin film deposition apparatus having a substrate support according to a first embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are a perspective view and a sectional view showing a substrate support according to a first embodiment of the present invention, 4 is a cross-sectional view showing a modification of the substrate support according to the first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 지지대가 구비된 박막 증착 장치는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내의 하부에 마련되어 기판(S)이 안착되는 지지부재(220)가 구비된 기판 지지대(200)와, 상기 기판 지지대(200)의 상부에 마련되어 기판(S)의 상부면에 반응 가스를 분사하는 가스 분사부(400)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a thin film deposition apparatus equipped with a substrate support of the present invention includes a chamber 100, a substrate support 120 provided below the chamber 100 and having a support member 220 on which the substrate S is placed, And a gas spraying unit 400 provided on the substrate support 200 for spraying a reactive gas onto the upper surface of the substrate S. [

챔버(100)는 원통형 또는 사각 박스 형상으로 형성되고, 내부에는 기판(S)을 처리할 수 있도록 소정 공간이 마련된다. 챔버(100)의 형상은 한정되지 않으며, 기판(S)의 형상에 대응되는 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 챔버(100)의 일측벽에는 기판(S)이 인입 및 인출되는 기판 출입구(110)가 형성되며, 챔버(100)의 하부면에는 챔버(100) 내의 가스를 배기하기 위한 배기 장치(120)가 마련된다. 상기에서는 챔버(100)를 일체형으로 설명하였지만, 챔버를 상부가 개방된 하부 챔버와, 상기 하부 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드로 분리하여 구성할 수 있음은 물론이다.The chamber 100 is formed in a cylindrical or rectangular box shape, and a predetermined space is provided therein so as to process the substrate S. The shape of the chamber 100 is not limited, and is preferably formed in a shape corresponding to the shape of the substrate S. A substrate inlet 110 through which the substrate S is drawn and drawn is formed on one side wall of the chamber 100. An exhaust device 120 for exhausting gas in the chamber 100 is provided on the lower surface of the chamber 100 ). Although the chamber 100 has been described as an integral type, the chamber may be formed by separating the lower chamber having the upper portion opened and the chamber lid covering the upper portion of the lower chamber.

기판 지지대(200)는 챔버(100) 내의 하부에 마련되고, 챔버(100) 내로 인입된 기판(S)을 안착시키는 역할을 한다. 통상적으로 기판 지지대(200)의 형상은 기판(S)의 형상과 대응되는 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 기판 지지대(200)의 하부에는 기판 지지대(200)를 승하강 또는 회전시키기 위한 구동 부재(300)가 연결된다. 또한, 챔버(100) 내로 인입되는 기판(S)을 지지하기 위해 기판 지지대(200)의 내부에는 리프트 핀(미도시)이 이동할 수 있는 관통홀이 형성될 수 있다. 또한, 기판 지지대(200)의 내부에는 기판 지지대(200)에 안착된 기판(S)을 소정 온도로 가열하기 위한 가열 부재(230)가 설치되고, 이러한 가열 부재(230)로는 예를 들어, 저항 발열식 히터가 사용된다. A substrate support 200 is provided below the chamber 100 and serves to seat the substrate S that is drawn into the chamber 100. The shape of the substrate support 200 is preferably formed in a shape corresponding to the shape of the substrate S. [ A driving member 300 for moving up and down or rotating the substrate support 200 is connected to a lower portion of the substrate support 200. In addition, a through hole through which a lift pin (not shown) can move may be formed in the interior of the substrate support 200 to support the substrate S that is drawn into the chamber 100. A heating member 230 for heating the substrate S mounted on the substrate support 200 to a predetermined temperature is provided in the substrate support 200. The heating member 230 may be, An exothermic heater is used.

기판 지지대(200)의 상부면에는 기판(S)의 하부면 가장자리 영역을 지지하기 위한 지지부재(220)가 형성되어 있으며, 지지부재(220)는 기판(S)의 하부면이 기판 지지대(200)의 상부면과 소정 간격 이격되도록 기판(S)의 하부면 가장자리 영역을 지지한다. 즉, 지지부재(220)는 기판(S)을 기판 지지대와 소정 간격 이격된 상태로 배치시켜 기판(S)에 열전달 효율을 높도록 도와주는 역할을 한다. 여기서, 기판 지지대(200)와 기판(S)과의 거리는 어느 곳에서나 동일하며, 이에 의해 가열 부재(230)와 기판(S) 사이의 거리도 어느 곳에서나 동일한 것이 바람직하다. 상기 지지부재(220)가 형성된 기판 지지대(200)에 대해서는 이후 도면을 통해 상세히 설명한다.A support member 220 is formed on an upper surface of the substrate support 200 to support a bottom edge region of the substrate S and a support member 220 is disposed on a lower surface of the substrate support 200 200 And the lower surface edge region of the substrate S is spaced apart from the upper surface of the substrate S by a predetermined distance. That is, the support member 220 serves to improve the heat transfer efficiency of the substrate S by disposing the substrate S at a predetermined distance from the substrate supporter. Here, the distance between the substrate support 200 and the substrate S is the same, so that the distance between the heating member 230 and the substrate S is preferably the same everywhere. The substrate support 200 on which the support member 220 is formed will be described later in detail.

가스 분사부(400)는 챔버(100) 내의 상부에 마련되어 있으며, 기판(S)의 상부에서 기판(S)을 향해 반응 가스를 공급하는 역할을 한다. 가스 분사부(400)는 중심축(410)과, 중심축(410)을 중심으로 방사상으로 배열되어 하부에 다수의 분사홀(422)이 형성된 분사부(420)로 구성된다. 중심축(410)은 챔버(100) 상부 하부면에 연결되어 중심축(410)에 연결된 다수의 분사부(420)를 승하강 및 회전시키는 역할을 하고, 분사부(420)는 가스 분사부(400)로 인입된 반응 가스를 기판(S)을 향해 분사시키는 역할을 한다. 또한, 도시되지는 않았지만, 중심축(410)의 상부에는 가스 공급원(미도시)이 연결되어 있으며, 가스 공급원으로부터 공급된 반응 가스는 가스 분사부(400)의 중심축(410)과 분사부(420)의 하부에 형성된 분사홀(422)을 거쳐 기판(S)을 향하여 분사하게 된다. The gas injection unit 400 is provided in an upper part of the chamber 100 and serves to supply the reaction gas from the upper part of the substrate S toward the substrate S. The gas injection unit 400 includes a center axis 410 and a jetting unit 420 having a plurality of jetting holes 422 arranged radially around the central axis 410. The center axis 410 is connected to the lower surface of the upper portion of the chamber 100 to move up and down the plurality of jetting portions 420 connected to the central axis 410, 400 to the substrate S. The reaction gas injected into the reaction chamber 400 is injected toward the substrate S. Although not shown, a gas supply source (not shown) is connected to the upper portion of the central axis 410. The reaction gas supplied from the gas supply source is supplied to the central axis 410 of the gas injection unit 400 and the jetting unit 420 toward the substrate S through the injection hole 422 formed in the lower portion of the substrate S.

상기에서는 인젝터 방식의 가스 분사부(400)에 대해서 설명하였지만, 이에 한정되지 않고 샤워 헤드 방식의 가스 분사부를 사용할 수 있으며, 반응 가스를 챔버 내에 제공할 수 있는 가스 분사부는 어떠한 구성이라도 적용이 가능함은 물론이다.Although the gas injector 400 of the injector type has been described above, the gas injector of the showerhead type is not limited thereto. The gas injector capable of providing the reaction gas in the chamber can be applied to any configuration Of course.

한편, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 지지대(200)는 상부면에 소정의 홈(212)이 형성된 플레이트(210)와, 상기 플레이트(210)의 상부면에 형성되어 기판(S)을 안착시키는 지지부재(220)를 포함한다.2 and 3, the substrate support 200 according to the first embodiment of the present invention includes a plate 210 having a predetermined groove 212 formed on an upper surface thereof, And a support member 220 formed on the upper surface of the substrate S for seating the substrate S.

플레이트(210)는 기판(S)의 형상에 대응되는 형상인 원형의 판 형상으로 형성되고, 플레이트(210)의 상부면에는 플레이트(210)의 내측을 따라 폐곡선을 이루는 소정의 홈(212)이 형성된다. 여기서, 플레이트(210)의 내부에는 플레이트(210)에 소정 온도를 가지는 열을 제공하기 위한 가열 부재(230) 예를 들어 히터가 마련된다. 또한, 플레이트(210)에는 상하 관통 형성된 관통홀(270)이 다수개 형성되어 있으며, 관통홀(270)을 통해 리프트 핀(미도시)이 이동할 수 있다. 물론, 상기 관통홀(270)은 플레이트(210)의 내부에 형성된 가열 부재(230)와 간섭되지 않도록 형성하는 것이 바람직하다.The plate 210 is formed in a circular plate shape corresponding to the shape of the substrate S and a predetermined groove 212 forming a closed curve along the inside of the plate 210 is formed on the upper surface of the plate 210 . Here, a heater 230 is provided inside the plate 210 for providing heat having a predetermined temperature to the plate 210, for example, a heater. A plurality of through holes 270 are formed in the plate 210 so that the lift pins (not shown) can be moved through the through holes 270. Of course, it is preferable that the through hole 270 is formed so as not to interfere with the heating member 230 formed inside the plate 210.

지지부재(220)는 플레이트(210)의 상부면에 링 형상으로 형성되고, 플레이트(210)의 상부면으로부터 상부로 돌출 형성된 수직부(222)와, 상기 수직부(222)의 끝단으로부터 플레이트(210)의 내측 방향으로 연장 형성된 평면부(224)를 포함한다. 수직부(222)는 플레이트(210)의 상부면에 폐곡선을 이루도록 형성되며, 평면부(224)는 수직부(222)의 상부 끝단으로부터 플레이트(210)의 상부면과 평행하도록 플레이트(210)의 중심부를 향해 소정 거리 돌출되도록 형성된다. The support member 220 is formed in a ring shape on the upper surface of the plate 210 and includes a vertical part 222 protruding upward from the upper surface of the plate 210 and a vertical part 222 projecting from the end of the vertical part 222 210 extending in the inward direction. The vertical portion 222 is formed to form a closed curve on the upper surface of the plate 210. The flat portion 224 is formed to extend from the upper end of the vertical portion 222 to the upper surface of the plate 210, And is formed so as to protrude a predetermined distance toward the center.

평면부(224)는 플레이트(210)의 상부면에 형성된 홈(212)의 상부에 배치되는 것이 바람직하고, 평면부(224)의 하부면과 홈(212)이 형성된 영역의 플레이트(210)의 상부면과의 거리(B)는 기판(S)이 안착되는 평면부(224)의 상부면 수평면과 홈(212)이 형성되지 않은 플레이트(210)의 상부면과 거리(A)와 동일하게 형성되는 것이 바람직하고, 평면부(224)의 하부면과 홈(212)이 형성된 영역의 플레이트(210)의 상부면과의 거리(B)는 공정 조건에 따라 변경할 수 있음은 물론이다. 여기서, 평면부(224)의 하부면과 홈(212)이 형성된 영역의 플레이트(210)의 상부면과의 거리(B)는 0.3 내지 20mm로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 홈(212)이 형성된 플레이트(210)에서 발생된 열을 평면부(224)의 하부에 효과적으로 전달하기 위해 홈(212)의 직경(C)은 기판(S)의 직경과 동일하거나 더 큰 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 플레이트(210)의 내부에 마련된 가열 부재(230)의 직경과 동일하거나 더 큰 것이 바람직하다.The flat portion 224 is preferably disposed on the upper portion of the groove 212 formed on the upper surface of the plate 210 and the lower portion of the plate 210 in the region where the lower surface of the flat portion 224 and the groove 212 are formed The distance B from the upper surface is formed to be equal to the distance A between the horizontal surface of the upper surface of the flat portion 224 on which the substrate S is placed and the upper surface of the plate 210 where the groove 212 is not formed The distance B between the lower surface of the flat surface portion 224 and the upper surface of the plate 210 in the region where the grooves 212 are formed can be changed according to process conditions. The distance B between the lower surface of the flat surface portion 224 and the upper surface of the plate 210 in the region where the grooves 212 are formed is preferably 0.3 to 20 mm. The diameter C of the groove 212 may be equal to or greater than the diameter of the substrate S to efficiently transfer the heat generated in the plate 210 on which the groove 212 is formed to the lower portion of the plane portion 224. [ And more preferably equal to or larger than the diameter of the heating member 230 provided inside the plate 210 is preferable.

기판(S)이 챔버(100) 내로 인입되어 기판(S)의 가장자리 영역이 플레이트(210)의 상부에 형성된 지지부재(220)의 평면부(224) 상부에 안착되면, 플레이트(210) 내부에 마련된 가열 부재(230)에 의해 플레이트(210)는 소정 온도로 가열된다. 이후, 플레이트(210)의 중심부에서 발생된 열은 기판(S)의 중심 영역에 복사 및 대류에 의해 기판(S)의 하부면에 전달되고, 플레이트(210)의 가장자리 영역에서 발생된 열 즉, 플레이트(210)와 상부면과 수평을 이루는 평면부(224)의 하부에 위치된 플레이트(210) 상부면에서 발생된 열은 복사 및 대류에 의해 평면부(224)에 전달되고, 평면부(224)에 전달된 열은 전도에 의해 기판(S)의 하부 가장자리 영역에 상기 열을 제공하게 된다. 또한, 평면부(224)의 하부에 마련된 플레이트(210)로부터 복사 및 대류에 의해 발생된 열은 기판(S)의 가장자리로부터 기판(S)의 중심부 쪽으로 이동하게 되고, 이에 의해 기판(S)의 하부 중심과 가장자리 사이의 영역은 기판(S)의 하부 중심 및 가장자리와 동일한 온도를 유지할 수 있다. When the substrate S is drawn into the chamber 100 and the edge region of the substrate S is placed on the upper surface portion 224 of the support member 220 formed on the upper portion of the plate 210, The plate 210 is heated to a predetermined temperature by the provided heating member 230. The heat generated at the central portion of the plate 210 is then transferred to the lower surface of the substrate S by radiation and convection in the central region of the substrate S and the heat generated in the edge region of the plate 210, Heat generated from the plate 210 and the upper surface of the plate 210 located below the plane portion 224 that is parallel to the upper surface is transferred to the plane portion 224 by radiation and convection, Is conducted by conduction to provide the heat to the lower edge region of the substrate S. [ The heat generated by radiation and convection from the plate 210 provided at the lower portion of the plane portion 224 is moved toward the central portion of the substrate S from the edge of the substrate S, The region between the lower center and the edge can maintain the same temperature as the lower center and the edge of the substrate S. [

상기와 같은 구성은 평면부(224)의 하부면과 홈(212)이 형성된 영역의 플레이트(210)의 상부면의 거리(B)와 기판(S)이 안착되는 평면부(224)의 상부면 수평면과 홈(212)이 형성되지 않은 플레이트(210)의 상부면의 거리(A)를 동일하도록 형성함으로써, 플레이트(210)로부터 발생된 열을 기판(S)의 하부면에 균일하게 제공하여 기판(S) 전체의 온도를 균일하게 유지시키고, 이에 의해 기판(S)에 증착되는 박막의 두께를 균일하게 형성할 수 있는 효과가 있다.The distance between the lower surface of the flat surface portion 224 and the upper surface of the plate 210 in the region where the groove 212 is formed and the distance between the upper surface of the flat surface portion 224 on which the substrate S is placed The heat generated from the plate 210 is uniformly provided to the lower surface of the substrate S by forming the horizontal surface and the upper surface of the plate 210 on which the grooves 212 are not formed to have the same distance A, The thickness of the thin film deposited on the substrate S can be uniformly formed by maintaining the temperature of the entire substrate S uniformly.

상기에서는 지지부재(220)를 플레이트(210)의 상부에 일체로 형성되는 것으로 도시하였으나, 지지부재(220)를 별도로 제작하여 플레이트(210)의 상부에 결합시켜 구성할 수 있음은 물론이다. 또한, 상기에서는 하나의 기판(S)을 처리하도록 기판(S)이 안착되는 하나의 지지부재(220)를 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 다수의 기판(S)을 처리할 경우 그에 대응하는 다수개의 지지부재(220)를 플레이트(210)의 상부면에 형성할 수 있음은 물론이다.Although the support member 220 is shown integrally formed on the upper portion of the plate 210 in the above description, the support member 220 may be formed separately and coupled to the upper portion of the plate 210. [ In the above description, one support member 220 on which the substrate S is mounted to process one substrate S has been shown. However, the present invention is not limited thereto. When a plurality of substrates S are processed, It is needless to say that the support members 220 can be formed on the upper surface of the plate 210.

또한, 지지부재(220)의 상부 즉, 평면부(224)의 상부에는 기판(S)이 안착되거나, 기판(S)이 안착되어 증착 공정이 진행될 때, 기판(S)이 정위치에서 이탈되지 않도록 평면부(224)의 상부로 돌출 형성된 돌출부를 더 형성할 수 있다.When the substrate S is seated on the upper portion of the support member 220 or the upper surface of the flat portion 224 or the substrate S is seated to perform the deposition process, A protruding portion protruding upward from the upper surface of the flat surface portion 224 may be formed.

도 4에 도시된 바와 같이, 지지부재(220)의 상부면 즉, 평면부(224)의 상부면에는 평면부(224)의 상부로 돌출 형성된 돌출부(240)가 형성되고, 돌출부(240)는 평면부(224)의 상부면에 안착되는 기판(S)의 측면과 소정 간격 이격되도록 평면부(224) 상부면 일측에 형성된다. 여기서, 돌출부(240)는 도 4a에 도시된 바와 같이, 사각 형상으로 형성할 수 있으며, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상부가 뾰족한 산 형상으로 형성될 수 있다. 물론, 돌출부(240)의 형상은 이에 한정되지 않고 다 양한 형상으로 형성될 수 있음은 물론이다. 또한, 돌출부(240)는 평면부(224)의 상부면을 따라 폐곡선을 이루도록 형성할 수 있으며, 폐곡선을 따라 분할하여 형성할 수 있음은 물론이다.4, a protrusion 240 protruding from the upper surface of the flat portion 224 is formed on the upper surface of the support member 220, that is, the upper surface of the flat portion 224, Is formed on one side of the upper surface of the planar portion 224 so as to be spaced apart from the side surface of the substrate S which is seated on the upper surface of the planar portion 224. 4A, the protrusion 240 may be formed in a rectangular shape, and the protrusion 240 may be formed in a sharp mountain shape, as shown in FIG. 4B. Of course, the shape of the protrusion 240 is not limited to this, but may be formed in various shapes. In addition, the protrusion 240 may be formed to form a closed curve along the upper surface of the flat portion 224, and may be formed by being divided along the closed curve.

상기와 같은 구성은 기판(S)이 챔버(100) 내로 인입되어 기판 지지대(200)의 상부 즉, 지지부재(220)의 상부면에 안착될 때, 기판(S)을 기판 지지대(200)에 센터링하는 역할을 하고, 공정 진행 중에 기판(S)이 기판 지지대(220)로부터 슬라이딩되어 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 여기서, 상기 돌출부(240)는 평면부(224)의 상부에 일체로 형성할 수도 있고, 별도로 제작하여 지지부재(220)에 결합하여 형성할 수도 있음은 물론이다.
Such a configuration is advantageous in that when the substrate S is drawn into the chamber 100 and rests on the upper surface of the substrate support 200 or the upper surface of the support member 220, And serves to prevent the substrate S from sliding off the substrate support 220 during the process. Here, the protrusion 240 may be integrally formed on the upper surface of the flat portion 224, or may be separately formed and coupled to the support member 220.

도 5는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 지지대를 나타낸 개략 단면도이고, 도 6은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 지지대의 변형 예를 나타낸 개략 단면도이다.FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a substrate support according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating a modification of the substrate support according to the second embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 지지대(200)는 상부면에 소정의 홈(212)이 형성된 플레이트(210)와, 상기 플레이트(210)의 상부면에 마련되어 홈(212)의 상부면과 소정 간격 이격되어 마련된 지지부재(500)를 포함한다. 여기서, 플레이트(210)의 내부에는 플레이트(210)에 열을 제공하기 위한 가열 부재(230)가 마련된다.Referring to FIG. 5, a substrate support 200 according to a second embodiment of the present invention includes a plate 210 having a predetermined groove 212 formed on an upper surface thereof, a groove 210 formed on an upper surface of the plate 210, And a support member 500 spaced apart from the upper surface of the support member 500 by a predetermined distance. Inside the plate 210, a heating member 230 for providing heat to the plate 210 is provided.

플레이트(210)는 원형의 판 형상으로 형성되고, 플레이트(210)의 상부면에는 플레이트(210)의 내측을 따라 폐곡선을 이루는 소정의 홈(212)이 형성된다. 지지부재(500)는 수직부(510)와, 상기 수직부(510)의 상부 끝단으로부터 플레이트(210)와 평행하도록 연장 형성된 평면부(520)를 포함한다. 수직부(510)는 플레이트(210)의 상부면에 형성된 소정의 홈(212)의 상부와 이격되어 마련되어 있으며, 평면부(520)는 수직부(510)의 하부면이 홈(212)이 형성된 플레이트(210)의 상부면과 소정 간격 이격되도록 수직부(510)를 지지하는 역할을 한다. 이때, 평면부(520)는 홈(212)이 형성되지 않은 플레이트(210)의 상부면에 안착되고, 평면부(224)의 상부에는 챔버(100) 내로 인입된 기판(S)의 가장자리 영역이 안착된다.The plate 210 is formed in a circular plate shape and a predetermined groove 212 forming a closed curve along the inner side of the plate 210 is formed on the upper surface of the plate 210. The support member 500 includes a vertical portion 510 and a flat portion 520 extending from the upper end of the vertical portion 510 in parallel with the plate 210. The vertical part 510 is spaced apart from the upper part of the predetermined groove 212 formed on the upper surface of the plate 210. The flat part 520 is formed by the lower surface of the vertical part 510, And supports the vertical part 510 so as to be spaced apart from the upper surface of the plate 210 by a predetermined distance. At this time, the flat portion 520 is seated on the upper surface of the plate 210 on which the groove 212 is not formed, and the edge region of the substrate S, which is drawn into the chamber 100, Lt; / RTI >

지지부재(500)의 수직부(510) 하부면과 홈(212)이 형성된 플레이트(210)의 상부면과 이격된 거리(D)는 기판(S)이 안착되는 평면부(520)의 상부면 수평면과 홈(212)이 형성되지 않은 플레이트(210)의 상부면의 거리(A)와 거의 동일한 것이 바람직하며, 수직부(510)의 하부면과 홈(212)이 형성된 플레이트(210)의 상부면과 이격된 거리(D)는 0.3 내지 20mm로 형성하는 것이 바람직하다.The distance D between the lower surface of the vertical portion 510 of the support member 500 and the upper surface of the plate 210 on which the groove 212 is formed is smaller than the distance D between the upper surface of the planar portion 520 on which the substrate S is mounted It is preferable that the horizontal plane is substantially equal to the distance A between the upper surface of the plate 210 on which the grooves 212 are not formed and the lower surface of the plate 210 on which the lower surface of the vertical portion 510 and the grooves 212 are formed. It is preferable that the distance D from the surface is 0.3 to 20 mm.

상기와 같은 구성은 플레이트(210)의 상부에 형성되는 지지부재(220)를 별도로 제작함으로써, 플레이트(210)에 지지부재(220)를 일체로 형성하는 것에 비해 그 제작이 용이한 효과를 지닌다. 또한, 수직부(510)의 하부면과 홈(212)이 형성된 플레이트(210)의 상부면과 이격된 거리(D)를 기판(S)이 안착되는 평면부(520)의 상부면과 홈(212)이 형성되지 않은 플레이트(210)의 상부면의 거리(A)와 동일하도록 구성함으로써, 기판(S)의 하부 전면에 동일한 열전달 방법으로 열을 전달할 수 있다. 따라서, 플레이트(210)에서 발생된 열을 기판(S)의 하부면 전체에 균일하게 제공할 수 있으며, 이에 의해 기판(S)을 균일하게 가열할 수 있다. 이는 기판(S)의 상부면에 형성되는 박막을 균일하게 형성할 수 있는 효과가 있다.
The above-described structure is advantageous in that the support member 220 formed on the upper portion of the plate 210 is separately manufactured, thereby making it easy to manufacture the support member 220 as a whole. The distance D between the lower surface of the vertical part 510 and the upper surface of the plate 210 on which the groove 212 is formed is set to be greater than the distance D between the upper surface of the flat surface part 520 The heat can be transmitted to the lower entire surface of the substrate S by the same heat transfer method by configuring the substrate S so as to have the same distance A as the upper surface of the plate 210 on which the heat sinks 212 are not formed. Therefore, the heat generated in the plate 210 can uniformly be provided over the entire lower surface of the substrate S, thereby heating the substrate S uniformly. This has the effect of uniformly forming a thin film formed on the upper surface of the substrate S.

본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 지지대(200)는 다음과 같이 변경하여 구성될 수 있다.The substrate support 200 according to the second embodiment of the present invention may be modified as follows.

도 6에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(200)는 내측에 홈(212)이 형성된 플레이트(210)와. 상기 홈(212)의 상부에 마련된 지지부재(500)를 포함하고, 상기 지지부재(500)는 제 1 수직부(510)와, 상기 제 1 수직부(510)의 상부 끝단으로부터 플레이트(210)와 평행하도록 연장 형성된 평면부(520)와, 상기 평면부(520)의 상부로 수직으로 돌출 형성된 제 2 수직부(530)를 포함한다. 여기서, 지지부재(500)를 제외하고는 도 6의 구성과 동일하므로 중복되는 설명은 생략한다.As shown in FIG. 6, the substrate support 200 includes a plate 210 having a groove 212 formed therein. The support member 500 includes a first vertical portion 510 and a plate 210 extending from an upper end of the first vertical portion 510. The support member 500 includes a first vertical portion 510, And a second vertical portion 530 protruding vertically from the upper surface of the flat surface portion 520. The second vertical portion 530 is formed to extend vertically to the upper surface of the flat surface portion 520. [ Here, except for the support member 500, the configuration is the same as that of FIG. 6, so that duplicate descriptions are omitted.

제 1 수직부(510)는 플레이트(210)의 상부면에 형성된 소정의 홈(212)의 상부에 마련되어 있으며, 평면부(520)는 제 1 수직부(510)의 하부면이 홈(212)이 형성된 플레이트(210)의 상부면과 소정 간격 이격 배치되도록 홈(212)이 형성되지 않은 플레이트(210)의 상부면에 안착된다. 제 2 수직부(530)는 평면부(520)의 상부면으로부터 수직으로 돌출 형성되고, 제 2 수직부(530)의 상부면에는 기판(S)의 가장지리가 안착된다. 여기서, 지지부재(500)의 제 1 수직부(510)의 하부면과 홈(212)이 형성된 플레이트(210)의 상부면과 이격된 거리(D)는 기판(S)이 안착되는 제 2 수직부(530)의 상부면 수평면과 홈(212)이 형성되지 않은 플레이트(210)의 상부면의 거리(A)와 거의 동일한 것이 바람직하다.The first vertical portion 510 is provided on an upper portion of a predetermined groove 212 formed on the upper surface of the plate 210. The lower surface of the first vertical portion 510 is formed on the upper surface of the groove 212, And is positioned on the upper surface of the plate 210 where the grooves 212 are not formed so as to be spaced apart from the upper surface of the formed plate 210 by a predetermined distance. The second vertical portion 530 protrudes vertically from the upper surface of the planar portion 520 and the uppermost surface of the second vertical portion 530 seats the edge of the substrate S. The distance D between the lower surface of the first vertical portion 510 of the support member 500 and the upper surface of the plate 210 on which the groove 212 is formed is a distance It is preferable that the distance between the horizontal plane of the upper surface of the portion 530 and the upper surface of the plate 210 on which the grooves 212 are not formed is substantially equal to the distance A between the flat surface.

상기와 같은 구성은 제 2 수직부(530)를 평면부(520)의 상부면에 형성함으로써, 기판(S)과 플레이트(210) 사이의 거리(A)를 효율적으로 공정이 진행될 수 있는 거리로 변경할 수 있으며, 이와 동시에 기판(S)의 하부면에 균일한 온도를 제공할 수 있는 효과가 있다.The second vertical portion 530 is formed on the upper surface of the planar portion 520 so that the distance A between the substrate S and the plate 210 can be effectively reduced to a distance And at the same time, a uniform temperature can be provided on the lower surface of the substrate S.

이하에서는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 지지대가 구비된 박막 증착 장치의 동작을 살펴본다. 먼저, 기판(S)이 챔버(100)의 측벽에 형성된 기판 출입구(110)를 통해 인입되면, 기판 지지대(200)에 형성된 관통홀(270)을 통해 리프트 핀(미도시)이 상승하여 기판(S)을 지지하고, 기판(S)을 지지된 상태에서 리프트 핀은 하강하여 기판(S)을 기판 지지대(200)의 상부 즉, 플레이트(210)의 상부에 형성되어 플레이트(210)와 평행하도록 형성된 평면부(224)에 안착시킨다. Hereinafter, the operation of the thin film deposition apparatus having the substrate support according to the first embodiment of the present invention will be described. First, when the substrate S is drawn through the substrate entrance 110 formed in the side wall of the chamber 100, the lift pins (not shown) are raised through the through holes 270 formed in the substrate support 200, The lift pins are lowered to support the substrate S on the upper side of the substrate support 200 or on the upper side of the plate 210 so as to be parallel to the plate 210 (224).

이어서, 플레이트(210) 내부에 마련된 가열 부재(230)는 플레이트(210)에 열을 제공하고, 플레이트(210)에 발생된 열은 플레이트(210)와 이격 형성된 기판(S)에 전달한다. 플레이트(210)의 중심부에서 발생된 열은 기판(S)의 중심 영역에 복사 및 대류에 의해 기판(S)의 하부면에 전달되고, 플레이트(210)의 가장자리 영역에서 발생된 열 즉, 플레이트(210)와 상부면과 수평을 이루는 평면부(224)의 하부에 위치된 플레이트(210) 상부면에서 발생된 열은 복사 및 대류에 의해 평면부(224)에 열을 전달하고, 평면부(224)에 전달된 열은 전도에 의해 기판(S)의 하부 가장자리 영역에 열을 제공하게 된다. 또한, 평면부(224)의 하부에 마련된 플레이트(210)로부터 복사 및 대류에 의해 발생된 열은 기판(S)의 가장자리로부터 기판(S)의 중심부 쪽으로 이동하게 되고, 이에 의해 기판(S)의 하부 중심과 가장자리 사이의 영역은 기판(S)의 하부 중심 및 가장자리와 동일한 온도를 유지할 수 있다.The heating member 230 provided in the plate 210 provides heat to the plate 210 and the heat generated in the plate 210 is transferred to the substrate S spaced apart from the plate 210. The heat generated in the central region of the plate 210 is transferred to the lower surface of the substrate S by radiation and convection in the central region of the substrate S and the heat generated in the edge region of the plate 210, 210 and the upper surface of the plate 210 positioned below the flat surface portion 224 that is horizontal to the upper surface conveys heat to the flat surface portion 224 by radiation and convection, Is conducted by conduction to provide heat to the lower edge region of the substrate S. [ The heat generated by radiation and convection from the plate 210 provided at the lower portion of the plane portion 224 is moved toward the central portion of the substrate S from the edge of the substrate S, The region between the lower center and the edge can maintain the same temperature as the lower center and the edge of the substrate S. [

이어서, 챔버(100)의 하부에 마련된 배기 수단(120)에 의해 챔버(100) 내에 진공을 형성하여 공정 분위기를 조성하고, 가스 분사부(400)는 가스 분사부(400)에 공급된 반응 가스를 기판(S)을 향해 분사함으로써, 기판(S)에 소정의 박막을 형성하게 된다. A gas atmosphere is generated in the chamber 100 by the evacuation means 120 provided in the lower part of the chamber 100 to form a process atmosphere. To form a predetermined thin film on the substrate (S).

여기서, 기판(S)에는 본 발명에 따른 기판 지지대(200)의 구조에 의해 균일한 온도가 유지되기 때문에, 기판(S)의 상부면에 증착된 박막은 균일한 두께를 가진다.
Here, since the substrate S maintains a uniform temperature by the structure of the substrate support 200 according to the present invention, the thin film deposited on the upper surface of the substrate S has a uniform thickness.

상기에서는 도면 및 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. You will understand.

100 : 챔버 200 : 기판 지지대
210 : 플레이트 220, 500 : 지지부재
230 : 가열 부재 300 : 구동부
400 : 가스 분사부 S : 기판100: chamber 200: substrate support
210: plate 220, 500: support member
230: heating member 300:
400: gas injection part S: substrate

Claims (12)

챔버의 내부에 위치하여 기판을 지지하는 기판 지지대에 있어서,
플레이트와,
상기 플레이트의 상부에 마련되어 상기 기판을 플레이트와 이격시키는 지지부재와,
상기 플레이트의 상면에 오목하게 형성된 홈을 포함하고,
상기 지지부재는 상기 플레이트와 별도로 제작되어 적어도 일부가 상기 홈의 바닥과 이격되어 상기 홈에 결합되는 기판 지지대.
A substrate support for supporting a substrate positioned inside a chamber,
Plate,
A support member provided on the plate to separate the substrate from the plate,
And a groove recessed on the upper surface of the plate,
Wherein the support member is fabricated separately from the plate and at least a portion of the support member is spaced apart from the bottom of the groove and coupled to the groove.
청구항 1에 있어서, 상기 홈은 외측면 사이의 지름이 상기 기판의 직경과 동일하거나 더 크게 형성되는 기판 지지대.
The substrate support of claim 1, wherein the groove has a diameter between the outer side surfaces equal to or larger than a diameter of the substrate.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 지지부재는 상기 플레이트의 수평면과 수직한 방향으로 형성되며 상기 홈과 이격된 수직부와, 상기 수직부로부터 상기 플레이트의 상부면과 평행하도록 연장되며 상기 플레이트의 상부면에 안착되는 평면부를 포함하는 기판 지지대.
[3] The apparatus according to claim 1 or 2, wherein the support member comprises: a vertical part formed in a direction perpendicular to the horizontal plane of the plate and spaced apart from the groove; And a flat portion that rests on the surface.
청구항 3에 있어서, 상기 수직부는 상기 홈의 바닥과 이격되어 상기 홈에 삽입되는 기판 지지대.
4. The substrate support of claim 3, wherein the vertical portion is spaced apart from the bottom of the groove and inserted into the groove.
청구항 4에 있어서, 상기 평면부의 상부면에는 상기 평면부로부터 수직으로 돌출 형성된 제 2 수직부가 형성된 기판 지지대.
5. The substrate support of claim 4, wherein the upper surface of the planar portion is provided with a second vertical portion protruding vertically from the planar portion.
청구항 4에 있어서, 상기 지지부재의 상면에는 기판의 이탈을 방지하기 위한 돌출부가 형성된 기판 지지대.
5. The substrate support according to claim 4, wherein protrusions for preventing the substrate from being separated are formed on the upper surface of the support member.
청구항 4에 있어서, 상기 수직부의 하부면과 상기 홈이 형성된 상기 플레이트의 상부면과의 거리는 상기 기판이 안착되는 상기 평면부의 상부면 수평면과 상기 홈이 형성되지 않은 상기 플레이트의 상부면의 거리와 동일한 기판 지지대.
[6] The method of claim 4, wherein the distance between the lower surface of the vertical portion and the upper surface of the plate formed with the grooves is equal to the distance between the horizontal surface of the upper surface of the planar portion on which the substrate is mounted and the upper surface of the plate Substrate support.
청구항 1에 있어서, 상기 플레이트의 내부에는 가열 부재가 마련된 기판 지지대.The substrate support according to claim 1, wherein a heating member is provided inside the plate. 챔버와, 상기 챔버 내의 상부에 마련되어 반응 가스를 분사하는 가스 분사부와, 상기 가스 분사부의 하부에 마련되어 기판이 안착되는 기판 지지대를 포함하고,
상기 기판 지지대는 내측으로 소정의 홈이 형성된 플레이트와, 상기 플레이트 상부에 마련되어 상기 플레이트로부터 기판을 이격시키는 지지부재를 포함하며,
상기 지지부재는 상기 플레이트와 별도로 제작되어 적어도 일부가 상기 홈의 바닥과 이격되어 상기 홈에 결합되는 박막 증착 장치.
A gas injection unit provided at an upper portion of the chamber to inject a reaction gas; and a substrate support provided at a lower portion of the gas injection unit and on which the substrate is mounted,
Wherein the substrate support includes a plate having a predetermined groove formed inwardly and a support member provided on the plate to separate the substrate from the plate,
Wherein the support member is separately formed from the plate, and at least a part of the support member is spaced apart from the bottom of the groove and coupled to the groove.
청구항 9에 있어서, 상기 지지부재는 상기 플레이트의 수평면과 수직한 방향으로 형성되며 상기 홈과 이격된 수직부와, 상기 수직부로부터 상기 플레이트의 상부면과 평행하도록 연장되며 상기 플레이트의 상부면에 안착되는 평면부를 포함하는 박막 증착 장치.
[12] The apparatus of claim 9, wherein the support member comprises: a vertical portion formed in a direction perpendicular to a horizontal plane of the plate and spaced apart from the groove; and a support member extending from the vertical portion in parallel with an upper surface of the plate, Wherein the thin film deposition apparatus comprises:
청구항 10에 있어서, 상기 수직부는 상기 홈의 바닥과 이격되어 상기 홈에 삽입되는 박막 증착 장치.
[Claim 11] The thin film deposition apparatus of claim 10, wherein the vertical portion is spaced apart from the bottom of the groove and inserted into the groove.
청구항 11에 있어서, 상기 수직부의 하부면과 상기 홈이 형성된 상기 플레이트의 상부면과의 거리는 상기 기판이 안착되는 상기 평면부의 상부면 수평면과 상기 홈이 형성되지 않은 상기 플레이트의 상부면의 거리와 동일한 박막 증착 장치.[12] The method of claim 11, wherein the distance between the lower surface of the vertical portion and the upper surface of the plate formed with the grooves is equal to the distance between the horizontal surface of the upper surface of the flat portion on which the substrate is mounted and the upper surface of the plate Film deposition apparatus.
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