KR101395222B1 - Apparatus and method for processing substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. 기판 지지 부재의 지지판에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 유도 가열 방식으로 지지판을 가열하는 가열부와 가열부의 자기장을 변화시켜 상기 지지판의 온도를 변화시키는 온도 조절부를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.The present invention relates to an apparatus and a method for processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a heating unit for heating a support plate by an induction heating method and a temperature control unit for changing a magnetic field of the heating unit to change the temperature of the support plate by an induction heating method, And the like.

Figure R1020100140008
Figure R1020100140008

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로 더 상세하게는 기판을 가열하는 가열부재를 포함한 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method including a heating member for heating a substrate.

반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 다양한 종류의 고품질의 막을 형성시키기 위해 금속 유기 화합물을 이용하는 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD) 방법이 많이 개발되고 있다. 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD) 방법은, 액체 상태의 금속 유기 화합물을 기화시킨 후에, 생성된 금속 유기 화합물 증기 및 이와 반응하는 수소 화합물의 가스를 증착하고자 하는 기판에 공급하고 고온에 접촉시킴으로써, 가스 열분해 반응에 의해 기판상에 금속 박막을 증착하는 공정이다.BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) methods using metal organic compounds to form various kinds of high quality films in a semiconductor device manufacturing process have been developed. The metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method is a method of vaporizing a metal organic compound in a liquid state, supplying a vapor of the generated metal organic compound vapor and a reactant hydrogen compound gas to a substrate to be deposited, And a metal thin film is deposited on the substrate by a pyrolysis reaction.

그런데, 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD) 공정에 있어서, 기판상에 금속 박막을 증착하기 위해서 기판을 고온 상태로 유지하여야 한다. 일반적으로 기판을 고온 상태로 유지시키는 가열 부재로 유도 가열을 이용한 코일이 사용된다. 그러나, 유도 가열을 이용하여 기판을 가열하는 경우 기판 전체의 온도 분포가 불균일해지는 문제점이 있다. However, in the metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process, the substrate must be maintained at a high temperature in order to deposit a metal thin film on the substrate. In general, a coil using induction heating is used as a heating member for keeping the substrate at a high temperature state. However, when the substrate is heated by induction heating, there is a problem that the temperature distribution over the entire substrate becomes uneven.

본 발명은 기판 전체의 온도 분포를 균일하게 하기 위한 것이다.The present invention is intended to uniform the temperature distribution of the entire substrate.

본 발명은 기판의 온도를 균일하게 해주는 가열 부재를 간소화하기 위한 것이다.The present invention is intended to simplify the heating element which makes the temperature of the substrate uniform.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 처리실 및 상기 공정 처리실 내에 설치되어, 기판을 지지하는 지지판을 가지는 기판 지지 부재 및 상기 지지판에 의해 지지된 상기 기판을 가열하는 가열 부재를 포함하되,상기 가열 부재는 유도 가열 방식으로 상기 지지판을 가열시키는 가열부와 상기 가열부의 자기장을 변화시켜 상기 지지판의 온도를 조절하는 온도 조절부를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a processing chamber and a substrate support member provided in the process chamber and having a support plate for supporting the substrate, Wherein the heating member includes a heating unit for heating the support plate by an induction heating method and a temperature control unit for controlling a temperature of the support plate by changing a magnetic field of the heating unit.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 온도 조절부는 상기 가열부 아래에 자성체를 제공하여 상기 가열부의 자기장을 변화시키는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment of the present invention, the temperature regulating unit changes the magnetic field of the heating unit by providing a magnetic substance below the heating unit.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 온도 조절부는 상기 가열부의 자기장을 차단하는 차폐 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, the temperature control unit further includes a shielding member for shielding the magnetic field of the heating unit.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 자성체는 동일 평면상에 나선형으로 이루어진 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, the magnetic bodies are spirally formed on the same plane.

본 발명의 실시예에 따르면,상기 자성체는 복수 개로 제공되는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment of the present invention, the plurality of magnetic bodies are provided.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 복수 개의 자성체 각각은 동일 평면상에 제공되는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment of the present invention, each of the plurality of magnetic bodies is provided on the same plane.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가열부를 적어도 하나 이상의 영역으로 나누어 상기 각 영역에 대응되도록 상기 자성체를 배열하는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment of the present invention, the heating unit is divided into at least one region and the magnetic bodies are arranged so as to correspond to the respective regions.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 자성체는 상기 공정 처리실의 하부면에 인접한 것을 특징으로 한다.According to the embodiment of the present invention, the magnetic body is adjacent to the lower surface of the processing chamber.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 자성체가 페라이트인 것을 특징으로 한다.According to the embodiment of the present invention, the magnetic body is ferrite.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 차폐 부재는 높이 조절이 되는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, the shield member is adjustable in height.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 차폐 부재는 복수 개 제공되며, 상기 복수 개의 차폐 부재은 각각 높이 조절이 되는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment of the present invention, a plurality of the shielding members are provided, and the plurality of shielding members are respectively adjustable in height.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 자성체와 상기 차폐 부재가 동일 평면상에 위치하는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment of the present invention, the magnetic body and the shielding member are located on the same plane.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 차폐부재는 상기 자성체의 측면에 인접하게 위치하는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment of the present invention, the shielding member is located adjacent to the side surface of the magnetic body.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 차폐부재는 구리 또는 알루미늄 등과 같은 금속 물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, the shielding member is made of a metal material such as copper or aluminum.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가열 부재는 상기 가열부를 지지하는 지지대를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, the heating member further includes a support for supporting the heating unit.

상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 기판 지지 부재의 지지판에 기판을 위치시키고, 가열부에 의해 상기 지지판이 유도 가열시키고 상기 기판으로 가스를 공급하여 공정을 처리하되, 상기 가열부의 자기장을 변화시켜 상기 지지판의 온도를 변화시키는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method comprising: positioning a substrate on a support plate of a substrate support member; inducing heating of the support plate by a heating unit; supplying gas to the substrate; And changing the magnetic field of the heating unit to change the temperature of the support plate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가열부의 자기장의 변화는 상기 가열부의 아래에 위치한 자성체에 의해 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment of the present invention, the change of the magnetic field of the heating portion is made by the magnetic body located below the heating portion.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가열부를 적어도 하나 이상의 영역으로 나누어 상기 각 영역에 대응되도록 상기 자성체를 배열하여 상기 가열부의 각 영역마다 자기장을 변화시켜 상기 가열부의 영역에 대응되는 상기 지지판의 영역의 온도 분포를 상이하게 하는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment of the present invention, the heating portion is divided into at least one region, the magnetic bodies are arranged so as to correspond to the respective regions, and the magnetic field is changed in each region of the heating portion to change the magnetic field in the region of the support plate corresponding to the region of the heating portion And the temperature distribution is made different.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 자성체의 크기를 조절하여 상기 가열부의 자기장을 조절하는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment of the present invention, the magnetic field of the heating unit is adjusted by adjusting the size of the magnetic body.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가열부의 자기장을 차단할 수 있는 차폐 부재에 의해 상기 가열부의 자기장을 조절하는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment of the present invention, the magnetic field of the heating unit is controlled by the shielding member that can block the magnetic field of the heating unit.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 차폐 부재의 높이 조절을 통해 상기 가열부의 자기장을 조절하여 상기 지지판의 온도를 조절하는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment of the present invention, the temperature of the support plate is adjusted by controlling the magnetic field of the heating unit through the height adjustment of the shield member.

본 발명에 따르면 기판 전체의 온도 분포를 균일하게 할 수 있다.According to the present invention, the temperature distribution over the entire substrate can be made uniform.

본 발명에 따르면 기판의 온도를 균일하게 해주는 가열 부재를 간소화할 수 있다.According to the present invention, it is possible to simplify the heating member which makes the temperature of the substrate uniform.

이하에 설명된 도면들은 단지 예시의 목적을 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 가스 공급 부재를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 지지 부재와 배기 부재를 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가열 부재를 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가열 부재를 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 가열 부재를 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 가열 부재를 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 가열부와 온도 조절부를 나타낸 평면도이다.The drawings described below are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the invention.
1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a gas supply member according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view showing a substrate supporting member and an exhausting member according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing a heating member according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a heating member according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating a heating member according to another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view showing a heating member according to another embodiment of the present invention.
8 is a plan view showing a heating unit and a temperature control unit according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 가스 분사 유닛 및 이를 이용한 박막 증착 장치 및 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, a gas injection unit according to a preferred embodiment of the present invention and a thin film deposition apparatus and method using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to designate the same or similar components throughout the drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)를 보여주는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 박막 증착 장치로서 박박 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD) 방법, 즉 금속 유기 화합물과 수소 화합물의 가스 열분해 반응을 이용하여 기판상에 박막을 증착한다. 박막 증착 공정에 사용되는 기판은, 예를 들어 LED의 제조 공정 중 에피(Epi) 웨이퍼의 제조에 사용되는 사파이어(Sapphire, Al2O3) 및 실리콘카바이드(SiC) 기판, 또는 반도체 집적 회로(IC)의 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼 등일 수 있다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 deposits a thin film on a substrate using a thin metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, that is, a gas pyrolysis reaction of a metal organic compound and a hydrogen compound as a thin film deposition apparatus. The substrate used in the thin film deposition process may be, for example, sapphire (Al 2 O 3 ) and silicon carbide (SiC) substrates used in the manufacture of epi wafers during the manufacturing process of LEDs, or semiconductor integrated circuits A silicon wafer or the like used in the manufacture of a semiconductor device.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)는 공정 처리실(100), 기판 지지 부재(200), 가열 부재(300), 가스 공급 부재(400),그리고 배기 부재(500)를 포함한다.1, a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention includes a processing chamber 100, a substrate support member 200, a heating member 300, a gas supply member 400, 500).

공정 처리실(100)은 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD) 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 공정 처리실(100)은 상부벽(102), 상부벽(102)의 가장자리로부터 아래 방향으로 연장된 측벽(104), 그리고 측벽(104)의 하단에 결합된 하부벽(106)을 가진다. 상부벽(102)과 하부벽(106)은 원판 형상으로 제공될 수 있다. 공정 처리실(100)의 측벽(104)에는 기판(S)이 반입/반출되는 통로(105)가 형성된다. 통로(105)의 입구 측에는 통로(105)를 개폐하는 도어(110)가 설치된다. 도어(110)는 구동기(112)에 결합되며, 도어(110)는 구동기(112)의 작동에 의해 통로(103)의 길이 방향에 수직한 방향으로 이동하면서 통로(103)의 입구를 개폐한다. 이와 달리, 기판(S)은 공정 처리실(100)의 상부벽(102)이 제거된 상태에서 공정 처리실(100) 내로 유입될 수 있다.The process chamber 100 provides a space in which a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process is performed. The process chamber 100 has a top wall 102, a side wall 104 extending downwardly from the edge of the top wall 102 and a bottom wall 106 coupled to the bottom of the side wall 104. The upper wall 102 and the lower wall 106 may be provided in a disc shape. A passageway 105 through which the substrate S is carried in / out is formed in the side wall 104 of the process chamber 100. On the entrance side of the passage 105, a door 110 for opening and closing the passage 105 is provided. The door 110 is coupled to the driver 112 and the door 110 opens and closes the entrance of the passage 103 while moving in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the passage 103 by the operation of the actuator 112. Alternatively, the substrate S may be introduced into the processing chamber 100 with the top wall 102 of the processing chamber 100 removed.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 가스 공급 부재를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a gas supply member according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 지지 부재와 배기 부재를 나타낸 평면도이다.3 is a plan view showing a substrate supporting member and an exhausting member according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 지지 부재(200)는 공정 처리실(100)의 내부에 배치되고, 기판(S)을 지지한다. 기판 지지 부재(200)는 지지판(210)과, 회전 구동 부재(230)를 포함한다.1 to 3, the substrate supporting member 200 is disposed inside the processing chamber 100 and supports the substrate S. The substrate support member 200 includes a support plate 210 and a rotation drive member 230.

지지판(210)은 원판 형상을 가질 수 있다. 지지판(210)은 전기적 전도성이 우수한 흑연 재질로 제공될 수 있다. 지지판(220) 상면의 가장자리 영역에는 원주 방향을 따라 복수 개의 제 1 홈들(212)이 형성된다. 제 1 홈들(212)은 원 모양의 평면을 가지도록 형성될 수 있다. 본 실시 예에서는 제 1 홈들(212)이 6개 제공된 경우를 예로 들어 설명하지만, 제 1 홈들(212)은 이보다 많거나 적은 수가 제공될 수도 있다. 각각의 제 1 홈들(212)의 중심은 지지판(220)의 중심을 기준으로 동일 원주 상에 위치할 수 있다.The support plate 210 may have a disk shape. The support plate 210 may be made of a graphite material having excellent electrical conductivity. A plurality of first grooves 212 are formed along the circumferential direction in the edge region of the upper surface of the support plate 220. The first grooves 212 may be formed to have a circular plane. In this embodiment, six first grooves 212 are provided as an example, but the first grooves 212 may be provided more or less than this. The center of each of the first grooves 212 may be positioned on the same circumference with respect to the center of the support plate 220.

각각의 제 1 홈들(212)에는 기판(S)을 수용하는 기판 홀더(220)가 삽입 배치된다. 기판 홀더(220)는 원통 형상을 가질 수 있다. 기판 홀더(220)의 상면은 개방된 형태를 가질 수 있다. 기판 홀더(220)는 전기적 전도성이 우수한 흑연 재질로 제공될 수 있다. 기판 홀더(220)의 측벽의 외경은, 기판 홀더(220)와 제 1 홈(212) 사이에 틈이 제공되도록, 제 1 홈(212)의 지름보다 작다. 그리고, 기판 홀더(220)의 측벽의 내경은 기판(S)의 지름보다 크다. 기판 홀더(220)는 가스 베어링의 원리에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전되고, 기판 홀더(220)의 회전에 의해 기판(S)이 회전된다. 제 1 홈(212)의 바닥 면에는 나선 형상의 홈들(213)이 제공되고, 나선 형상의 홈들(213)에는 도시되지 않은 가스 공급 부재로부터 가스가 공급된다. 공급 가스는 나선 형상의 홈들(213)을 따라 흐르면서 기판 홀더(220)의 하면에 회전력을 제공하고, 기판 홀더(220)와 제 1 홈(212) 사이의 공간을 통해 배기된다. 상기 실시예에서는 기판 홀더(220)에 기판(S)가 하나씩 수용되는 형태를 가지나, 이와 달리, 기판 홀더(220)에 복수 개의 기판(S)를 수용할 수 있다. 또한, 상기 실시예에서는 기판 홀더(220)에 기판(S)를 수용하여 지지판(210)에 삽입 배치되느니 형태를 가지나, 이와 달리, 기판(S)이 기판 홀더(220)가 제거된 채로 지지판(210)에 제공될 수 있다.In each of the first grooves 212, a substrate holder 220 for housing a substrate S is inserted. The substrate holder 220 may have a cylindrical shape. The upper surface of the substrate holder 220 may have an open shape. The substrate holder 220 may be provided with a graphite material having excellent electrical conductivity. The outer diameter of the side wall of the substrate holder 220 is smaller than the diameter of the first groove 212 so that a gap is provided between the substrate holder 220 and the first groove 212. The inner diameter of the side wall of the substrate holder 220 is larger than the diameter of the substrate S. The substrate holder 220 is rotated about the magnetic center axis by the principle of the gas bearing, and the substrate S is rotated by the rotation of the substrate holder 220. Spiral grooves 213 are provided on the bottom surface of the first groove 212 and gas is supplied from the gas supply member not shown to the spiral grooves 213. The supply gas is supplied through the space between the substrate holder 220 and the first groove 212 while supplying the rotational force to the lower surface of the substrate holder 220 while flowing along the spiral grooves 213. In the above embodiment, the substrates S are accommodated in the substrate holder 220. Alternatively, the substrates S may be accommodated in the substrate holder 220. In this embodiment, the substrate S is received in the substrate holder 220 and inserted into the support plate 210. Alternatively, the substrate S may be mounted on the support plate 210 while the substrate holder 220 is removed, (Not shown).

회전 구동 부재(230)는 지지판(210)을 회전시킨다. 회전 구동 부재(230)는 구동축(232)과 구동기(234)를 포함한다. 구동축(232)은 처리실(100)의 하부벽(106)을 관통하여 삽입 설치될 수 있으며, 베어링(233)에 의해 회전 가능하게 지지된다. 구동축(232)의 상단은 지지판(210)의 하면에 연결되고, 구동축(232)의 하단은 구동기(234)에 연결된다. 구동축(232)은 구동기(234)에 의해 발생된 구동력을 지지판(210)에 전달한다. 구동기(234)는 지지판(210)을 회전시키기 위한 회전 구동력을 제공할 수 있으며, 또한 지지판(210)을 상승 및 하강시키기 위한 직선 구동력을 제공할 수도 있다. 이와 달리, 구동축(232)과 구동기(234)는 처리실(100)의 내부에 위치하도록 제공될 수도 있다.The rotation drive member 230 rotates the support plate 210. The rotation drive member 230 includes a drive shaft 232 and a driver 234. The drive shaft 232 can be inserted through the lower wall 106 of the processing chamber 100 and is rotatably supported by a bearing 233. The upper end of the drive shaft 232 is connected to the lower surface of the support plate 210 and the lower end of the drive shaft 232 is connected to the driver 234. The drive shaft 232 transmits the driving force generated by the driver 234 to the support plate 210. The actuator 234 may provide a rotational driving force for rotating the support plate 210 and may also provide a linear driving force for moving the support plate 210 up and down. Alternatively, the drive shaft 232 and the actuator 234 may be provided so as to be positioned inside the process chamber 100. [

가스 공급 부재(400)는 지지판(210)의 중심 영역의 상부에 이격 배치되고, 지지판(210)에 의해 지지된 기판들(S)로 반응 가스들, 즉 금속 유기 화합물 가스 및 이와 반응하는 수소 화합물의 가스를 분사한다. 금속 유기 화합물은 알루미늄, 갈륨 또는 인듐 화합물일 수 있으며, 수소 화합물은 아르센(Arsene), 포스핀(Phosphine) 또는 암모니아(Ammonia)일 수 있다. 금속 유기 화합물 및 수소 화합물은 기체 상태로 캐리어 가스와 함께 가스 분사 부재(400)로 공급된다. 캐리어 가스로는 수소 또는 질소 등이 사용될 수 있다.The gas supply member 400 is disposed on the upper portion of the central region of the support plate 210 and supports the reaction gases, that is, the metal organic compound gas and the hydrogen compound reacting therewith, with the substrates S supported by the support plate 210. [ Of the gas. The metal organic compound may be an aluminum, gallium or indium compound, and the hydrogen compound may be Arsene, Phosphine or Ammonia. The metal organic compound and the hydrogen compound are supplied to the gas injection member 400 together with the carrier gas in a gaseous state. As the carrier gas, hydrogen or nitrogen may be used.

가스 공급 부재(400)는 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 정렬되고, 지지판(210)의 중심 영역 상부에 배치된다. 가스 공급 부재(400)는 반응 가스가 유입되는 내부관(420), 내부관(420)을 감싸며 내부관(420) 내의 반응 가스를 냉각하는 냉각 유체가 흐르는 외부관(440), 그리고 내부관(420) 내의 반응 가스를 외부관(440)의 외부로 분사하는 분사관들(460)을 포함한다.The gas supply member 400 is arranged so as to be vertically oriented in the longitudinal direction and disposed above the central region of the support plate 210. The gas supply member 400 includes an inner tube 420 into which the reaction gas flows, an outer tube 440 surrounding the inner tube 420 and through which a cooling fluid for cooling the reaction gas in the inner tube 420 flows, 420 for injecting the reaction gas into the outside of the outer tube 440.

내부관(420)은 속이 빈 원통 형상을 가질 수 있다. 즉, 내부관(420)은 원판 형상의 상부벽(421), 상부벽(421)으로부터 아래 방향으로 연장된 측벽(422), 그리고 측벽(422)의 하단에 결합되는 원판 형상의 하부벽(423)을 포함할 수 있다. 상부 벽(421)에는 제 1 가스 유입 포트(424)와 제 2 가스 유입 포트(425)가 제공된다. 제 1 가스 유입 포트(424)에는 금속 유기 화합물의 가스를 공급하는 제 1 가스 공급 라인(426)이 연결되고, 제 1 가스 공급 라인(426)의 타단에는 금속 유기 화합물의 가스 공급원(427)이 연결된다. 제 2 가스 유입 포트(425)에는 수소 화합물의 가스를 공급하는 제 2 가스 공급 라인(428)이 연결되고, 제 2 가스 공급 라인(428)의 타단에는 수소 화합물의 가스 공급원(429)이 연결된다. 제 1 가스 공급 라인(426)을 통해 공급되는 금속 유기 화합물의 가스와, 제 2 가스 공급 라인(428)을 통해 공급되는 수소 화합물의 가스는 내부관(420) 내에서 서로 혼합된다.The inner tube 420 may have a hollow cylindrical shape. That is, the inner tube 420 includes a disk-shaped upper wall 421, a side wall 422 extending downward from the upper wall 421, and a disk-shaped lower wall 423 coupled to the lower end of the side wall 422 ). The upper wall 421 is provided with a first gas inlet port 424 and a second gas inlet port 425. A first gas supply line 426 for supplying a gas of a metal organic compound is connected to the first gas inlet port 424 and a gas supply source 427 for a metal organic compound is connected to the other end of the first gas supply line 426 . A second gas supply line 428 for supplying a hydrogen compound gas is connected to the second gas inlet port 425 and a gas supply source 429 for a hydrogen compound is connected to the other end of the second gas supply line 428 . The gas of the metal organic compound supplied through the first gas supply line 426 and the gas of the hydrogen compound supplied through the second gas supply line 428 are mixed with each other in the inner pipe 420.

외부관(440)은 내부관(420)을 감싸며, 외부관(440) 내에는 내부관(420) 내의 반응 가스를 냉각하는 냉각 유체가 흐른다. 외부관(440)은 속이 빈 원통 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 외부관(440)은 환형의 상부벽(441), 상부벽(441)의 가장자리로부터 아래 방향으로 연장된 측벽(442), 그리고 측벽(442)의 하단에 결합된 원판 형상의 하부벽(443)을 가질 수 있다. 상부벽(441)의 내주면은 내부관(420)의 상부벽(421) 가장자리에 결합되고, 측벽(442)과 하부벽(443)은 내부관(420)의 측벽(422)과 하부벽(423)으로부터 이격되도록 제공된다.The outer tube 440 surrounds the inner tube 420 and a cooling fluid for cooling the reaction gas in the inner tube 420 flows into the outer tube 440. The outer tube 440 may have a hollow cylindrical shape. For example, the outer tube 440 includes an annular upper wall 441, a side wall 442 extending downward from the edge of the upper wall 441, and a disc-shaped lower portion 442 coupled to the lower end of the side wall 442. [ It may have a wall 443. The inner wall of the upper wall 441 is joined to the edge of the upper wall 421 of the inner tube 420 and the side wall 442 and the lower wall 443 are connected to the side wall 422 and the lower wall 423 of the inner tube 420 ).

외부관(440)의 상부벽(441)의 일 측에는 냉각 유체 유입 포트(444)가 제공되고, 냉각 유체 유입 포트(444)에는 냉각 유체 공급관(445)이 연결된다. 외부관(440)의 상부벽(441)의 타 측에는 냉각 유체 유출 포트(446)가 제공되고, 냉각 유체 유출 포트(446)에는 냉각 유체 회수관(447)이 연결된다. 냉각 유체는 냉각 유체 공급관(445) 및 냉각 유체 유입 포트(444)를 통해 외부관(440)로 공급된다. 냉각 유체는 내부관(420)과 외부관(440) 사이의 공간을 통해 흐르면서, 내부관(420) 내로 제공되는 반응 가스들을 냉각한다. 이후, 냉각 유체는 냉각 유체 유출 포트(446) 및 냉각 유체 회수관(447)을 통해 온도 조절부(448)로 회수된다. 회수된 냉각 유체는 다시 온도가 조절된 상태로 외부관(440)에 공급된다. 냉각 유체로는 냉각수 또는 질소 가스와 같은 불활성 가스가 사용될 수 있다.A cooling fluid inflow port 444 is provided on one side of the upper wall 441 of the outer tube 440 and a cooling fluid supply pipe 445 is connected to the cooling fluid inflow port 444. A cooling fluid outflow port 446 is provided on the other side of the upper wall 441 of the outer pipe 440 and a cooling fluid return pipe 447 is connected to the cooling fluid outflow port 446. The cooling fluid is supplied to the outer pipe 440 through the cooling fluid supply pipe 445 and the cooling fluid inflow port 444. The cooling fluid flows through the space between the inner tube 420 and the outer tube 440 and cools the reaction gases supplied into the inner tube 420. Thereafter, the cooling fluid is recovered to the temperature regulator 448 through the cooling fluid outlet port 446 and the cooling fluid return pipe 447. The recovered cooling fluid is supplied to the outer tube 440 again in a temperature-controlled state. As the cooling fluid, an inert gas such as cooling water or nitrogen gas may be used.

상술한 일 예의 가스 공급 부재와 달리 기판(S) 상으로 공급되는 공정가스는 공정 처리실(100)의 측벽 형성된 분사홀 또는 상부벽에 형성된 샤워 노즐을 통해 토출될 수 있다.Unlike the gas supply member described above, the process gas supplied onto the substrate S may be discharged through a shower nozzle formed on the sidewall formed injection hole or the top wall of the process chamber 100.

배기 부재(500)는 배기링(510), 배기관(520)을 포함한다.The exhaust member 500 includes an exhaust ring 510 and an exhaust pipe 520.

배기링(510)은 기판 지지 부재(200)의 외측면을 이격된 채로 둘러싸며 제공된다. 이에, 기판 지지 부재(200)의 형상이 원기둥인 경우에는 배기링(510)은 환형으로 제공된다. 즉, 배기링(510)은 공정 처리실(100)의 측벽과 지지판(210)의 측부 사이에 배치된다. 배기링(510)의 높이는 지지판(210)의 높이와 동일하거나 이보다 낮게 제공된다. 배기링(510)의 상단에는 복수 개의 배기홀(511)이 형성된다. 공정 처리실(100) 내에 잔류된 공정 가스는 배기홀(511)을 통해 배기링(510)으로 흡기된다. The exhaust ring 510 is provided so as to surround and surround the outer surface of the substrate supporting member 200. Thus, when the shape of the substrate support member 200 is a cylinder, the exhaust ring 510 is provided in an annular shape. That is, the exhaust ring 510 is disposed between the side wall of the processing chamber 100 and the side of the support plate 210. The height of the exhaust ring 510 is equal to or less than the height of the support plate 210. A plurality of exhaust holes 511 are formed in the upper end of the exhaust ring 510. The process gas remaining in the process chamber 100 is drawn into the exhaust ring 510 through the exhaust hole 511.

배기관(520)은 배기링(510)의 하단에 연결된다. 배기관(520)은 외부의 펌프(560)와 연결되어 공기 처리실(100) 내부의 음압을 조절한다. 배기관(520)은 공정 처리실 내의 음압을 작용시키면, 공정 처리실(100) 내부의 불필요한 반응 생성물 및 캐리어 가스가 배기된다. 이를 통해 공정 처리실(100) 내부의 압력이 공정 압력으로 유지될 수 있다. 처리실(100) 내의 공정 압력은, 예를 들어, 수 Torr의 저 진공으로부터 760 Torr의 대기압에 이르는 다양한 범위의 압력일 수 있다. The exhaust pipe 520 is connected to the lower end of the exhaust ring 510. The exhaust pipe 520 is connected to an external pump 560 to regulate the sound pressure inside the air processing chamber 100. When the exhaust pipe 520 acts on the negative pressure in the processing chamber, unnecessary reaction products and carrier gas in the processing chamber 100 are exhausted. Whereby the pressure inside the process chamber 100 can be maintained at the process pressure. The process pressure in the process chamber 100 may be in a wide range of pressures ranging from, for example, a low vacuum of a few Torr to an atmospheric pressure of 760 Torr.

배기관(520)은 복수 개 제공된다. 복수 개의 배기관(520) 각각은 환형의 배기링(510)의 하단에 서로 동일하게 이격되게 배치될 수 있다. 배기링(510)의 하단에 연결된 배기관(520)은 공정 처리실(100)의 외부에서 단계별로 합쳐지면서 하나의 중심 배관으로 연결된다. 예컨대, 배기관(520) 4개가 배기링(510)의 하단에 연결되면, 근접하게 배치된 배기관이 2개씩 짝을 이루어 하나의 배관으로 합쳐지고 이후에 다시 하나의 중심배관으로 연결된다. 중심배관은 상술했던 펌프(560)가 연결된다.A plurality of exhaust pipes 520 are provided. Each of the plurality of exhaust pipes 520 may be spaced apart from each other at the lower end of the annular exhaust ring 510. The exhaust pipe 520 connected to the lower end of the exhaust ring 510 is connected to the center pipe one by one in a stepwise manner outside the process chamber 100. For example, when four exhaust pipes 520 are connected to the lower end of the exhaust ring 510, exhaust pipes arranged close to each other are paired into one pipe and then connected to one central pipe again. The central pipe is connected to the pump 560 as described above.

도 4 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 다양한 형태의 가열부재(300)를 나타낸 단면도이다.4 to 7 are sectional views showing various types of heating members 300 according to an embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 가열부(310)와 온도 조절부(330)을 나타낸 평면도이다.8 is a plan view showing a heating unit 310 and a temperature control unit 330 according to an embodiment of the present invention.

도 4 내지 도 8을 참조하면, 가열 부재(300)는 지지판(210)의 아래에 배치될 수 있으며, 지지판(210)에 의해 지지된 기판(S)을 가열한다. 4 to 8, the heating member 300 may be disposed under the support plate 210, and heats the substrate S supported by the support plate 210. As shown in FIG.

가열 부재(300)는 가열부(310), 지지대(320), 그리고 온도 조절부(330)을 포함한다.The heating member 300 includes a heating unit 310, a support base 320, and a temperature control unit 330.

가열부(310)는 유도 가열 방식으로 지지판(210)을 가열한다. 가열부(310)는 자기장을 발생시켜 지지판(210)에 유도 전류를 발생시킬 수 있는 유도 부재로 이루어진다. 가열부(310)는 RF 코일과 같은 고주파 가열 수단이 사용될 수 있다. RF 코일은 동일 평면상에서 구동축(232)을 감싸도록 배치될 수 있다. RF 코일에 전력이 공급되면, RF 코일에 의해 발생된 자기장에 의해 지지판(210)에 유도 전류가 발생된다. 이로 인해 지지판(210)은 유도 가열되고, 지지판(210)의 열이 기판 홀더(220)를 통해 기판(S)으로 전달됨으로써, 기판이 공정 온도로 가열된다. The heating unit 310 heats the support plate 210 by an induction heating method. The heating unit 310 includes an induction member that generates a magnetic field to generate an induction current in the support plate 210. The heating unit 310 may be a high-frequency heating means such as an RF coil. The RF coil may be arranged to surround the drive shaft 232 on the same plane. When power is supplied to the RF coil, an induced current is generated in the support plate 210 by the magnetic field generated by the RF coil. As a result, the support plate 210 is induction heated, and the heat of the support plate 210 is transferred to the substrate S through the substrate holder 220, so that the substrate is heated to the process temperature.

지지대(320)는 가열부(310)를 지지한다. 지지대(320)는 공정 처리실(100)에 결합되어 가열부(310)의 하부를 지지한다. 지지대(320)는 상부면과 양측벽으로 이루어질 수 있다. 지지대(320)의 양측벽은 공정 처리실(100)의 하부면에 결합된다. 공정 처리실(100)의 하부면에 지지대(320)는 가열부(310)의 자기장에 영향을 주지 않는 물질로 이루어진다. 지지대(320) 내부에 온도 조절부(330)를 포함할 수 있다.The support base 320 supports the heating unit 310. The support 320 is coupled to the process chamber 100 to support the lower portion of the heating unit 310. The support 320 may comprise an upper surface and both side walls. Both side walls of the support 320 are coupled to the lower surface of the processing chamber 100. On the lower surface of the process chamber 100, the support table 320 is made of a material that does not affect the magnetic field of the heating unit 310. The temperature control unit 330 may be included in the support table 320.

온도 조절부(330)는 가열부(310)의 자기장을 변화시켜 지지판(210)의 온도를 조절한다. 가열부(310)에서 발생하는 자기장의 세기를 변화시켜 지지판(210)에 유도되는 유도전류의 세기의 변화로 지지판(210)의 온도를 조절한다.The temperature control unit 330 controls the temperature of the support plate 210 by changing the magnetic field of the heating unit 310. The temperature of the support plate 210 is adjusted by varying the intensity of the magnetic field generated by the heating unit 310 and by changing the intensity of the induction current induced in the support plate 210.

온도 조절부(330)는 자성체(334)와 차폐 부재(332)를 포함한다.The temperature regulating section 330 includes a magnetic body 334 and a shielding member 332.

자성체(334)는 가열부(310)의 하부 영역에 제공된다. 자성체(334)는 가열부(310)의 자기장 분포를 변형시킨다. 자성체(334)는 다양한 크기를 가질 수 있다. 자성체(334)는 동일 평면상에 나선형으로 이루어질 수 있다. 예컨대, RF코일과 같은 형태로 구동축(232)를 감싸는 형태로 이루어질 수 있다. 자성체(334)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수 개의 자성체(334)는 동일 평면상에 제공될 수 있다. 동일 평면상의 복수 개의 자성체(334)는 환형의 형태를 가질 수 있으며, 각각의 자성체는 서로 인접하게 배열된다.The magnetic substance 334 is provided in a lower region of the heating section 310. [ The magnetic body 334 deforms the magnetic field distribution of the heating portion 310. [ The magnetic body 334 may have various sizes. The magnetic substance 334 may be spiral on the same plane. For example, it may be configured to wrap the drive shaft 232 in the form of an RF coil. A plurality of the magnetic bodies 334 may be provided. The plurality of magnetic bodies 334 may be provided on the same plane. The plurality of coplanar magnetic bodies 334 may have an annular shape, and the respective magnetic bodies are arranged adjacent to each other.

자성체(334)가 다양한 크기를 갖는 나선형 또는 환형의 형태를 가지는 경우, 가열부(310)에 영향을 주는 영역이 상이하게 이루어질 수 있다. 달리 말해, 가열부(310)를 적어도 하나 이상의 영역으로 나누어 각 영역에 대응되도록 자성체(334)를 배열할 수 있다. 예컨대, 지지판(210)을 중심부와 끝단부의 환형의 형태로 영역을 나눌 때, 가열부(310)를 이에 대응한 영역으로 나누어 자성체(334)가 각 영역에 개별적으로 영향을 줄 수 있도록 자성체(334)의 크기를 조절한다.When the magnetic body 334 has a helical or annular shape having various sizes, the area affecting the heating part 310 may be different. In other words, the heating unit 310 may be divided into at least one region and the magnetic bodies 334 may be arranged to correspond to the respective regions. For example, when the support plate 210 is divided into the annular shape of the central portion and the end portion, the heating portion 310 is divided into regions corresponding thereto, so that the magnetic bodies 334 ).

자성체(334)는 자성을 지닌 물질로서, 다양한 자성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 페라이트(FERRITE)일 수 있다. 자성체(334)는 공정 처리실(100)에 인접한 곳에 배치한다. 이는 자성체(334)를 이루는 물질이 고온의 상태에서 자성을 잃어버릴 수 있기 때문에 공정 처리실(100) 외부에 위치한 냉각 장치(미도시)에 인접하게 배치하기 위함이다.The magnetic substance 334 may be made of a variety of magnetic materials. For example, ferrite (FERRITE). The magnetic substance 334 is disposed adjacent to the processing chamber 100. This is because the material constituting the magnetic body 334 may be disposed adjacent to a cooling device (not shown) located outside the processing chamber 100 because the material of the magnetic body 334 may lose magnetism at a high temperature.

차폐 부재(332)는 가열부(310)의 자기장을 차단한다. 차폐 부재(332)는 자기장의 에너지를 잃게 하여 자기장의 세기를 감소시켜 유도 전류의 발생을 감소시키는 자기장의 차폐 원리를 이용한 것이다. 이에, 차폐 부재는 알루미늄이나 구리와 같은 금속 물질로 이루어진다.The shielding member 332 blocks the magnetic field of the heating unit 310. The shielding member 332 uses a shielding principle of a magnetic field which reduces the strength of the magnetic field by reducing the energy of the magnetic field to reduce the generation of the induced current. Thus, the shielding member is made of a metal material such as aluminum or copper.

차폐 부재(332)는 높이를 조절하여 차단되는 자기장을 조절하여 자기장의 세기를 조절한다. 차폐 부재(332)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수 개의 차폐 부재(332) 각각은 개별적으로 높이를 조절할 수 있다. 이에, 다양한 높이를 가진 차폐 부재(332)의 배치에 따라 가열부(310)의 자기장에 영향을 주는 영역이 달라질 수 있다. 이로 인해, 지지판(210)이 온도 분포가 상이하게 될 수 있다. 예컨대, 차폐 부재(332)의 높이가 높아지는 경우 가열부(310)의 자기장의 세기가 작아지면서 지지판(210)의 온도를 낮춘다. 이와 반대로 차폐 부재(332)의 높이가 낮거나 없는 경우 가열부(310)의 자기장의 세기의 변화가 거의 없게 되어 지지판(210)의 온도를 일정하게 맞춰준다.The shielding member 332 adjusts the intensity of the magnetic field by adjusting the magnetic field to be blocked by adjusting the height. A plurality of shield members 332 may be provided. Each of the plurality of shield members 332 can be individually height-adjustable. Accordingly, the area affecting the magnetic field of the heating unit 310 may vary depending on the arrangement of the shielding member 332 having various heights. As a result, the temperature distribution of the support plate 210 can be different. For example, when the height of the shielding member 332 is increased, the strength of the magnetic field of the heating unit 310 is reduced, and the temperature of the support plate 210 is lowered. On the contrary, when the height of the shielding member 332 is low or not, the strength of the magnetic field of the heating unit 310 hardly changes, and the temperature of the support plate 210 is constantly adjusted.

도 4 내지 도 7을 참조하면, 자성체(334)와 차폐 부재(332)는 동일 평면상에 위치할 수 있다. 차폐 부재(332)는 자성체(334)의 측면에 인접하여 배치될 수 있다. 이에, 자성체(334)의 크기와 개수에 따라 차폐 부재(332)의 개수도 달라질 수 있다. 예컨대, 자성체(334)가 나선형 또는 복수 개의 환형으로 이루어진 경우, 서로 인접하는 자성체(334) 사이에 차폐 부재(332)가 배치되며, 자성체의 양끝에도 차폐 부재(332)를 배치할 수 있다. 이 때, 자성체(334)의 폭이 큰 경우, 나선형이나 환형의 자성체(334)의 꼬임 수가 적게 되고 이에 차폐 부재(332)의 개수도 적게 된다. 이와 반대로 자성체(334)의 폭이 작은 경우, 나선형이나 환형의 자성체(334)의 꼬임 수가 크게 되고 이에 차폐 부재(332)의 개수가 많게 된다.Referring to Figs. 4 to 7, the magnetic substance 334 and the shielding member 332 may be located on the same plane. The shielding member 332 may be disposed adjacent to the side surface of the magnetic body 334. [ Accordingly, the number of the shielding members 332 may vary depending on the size and the number of the magnetic bodies 334. For example, when the magnetic substance 334 has a spiral or a plurality of annular shapes, the shielding member 332 is disposed between adjacent magnetic bodies 334, and the shielding member 332 can be disposed at both ends of the magnetic body. At this time, when the width of the magnetic body 334 is large, the twist of the helical or annular magnetic body 334 is reduced, and the number of the shielding members 332 is reduced. On the other hand, when the width of the magnetic substance 334 is small, the twist of the helical or annular magnetic substance 334 is increased and the number of the shielding members 332 is increased.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 기판 처리 장치(10)를 이용하여 기판(S)상에 금속 막을 증착하는 과정과 지지판의 가열 과정을 설명하면 다음과 같다.A process of depositing a metal film on the substrate S using the substrate processing apparatus 10 having the above-described structure and a heating process of the support plate will now be described.

어느 하나의 기판 홀더(220)에 기판(S)이 로딩된 후, 지지판(210)이 회전하면서 순차적으로 다른 기판 홀더들(220)에 기판(S)이 로딩된다. 기판(S)의 로딩이 완료되면, 지지판(210)은 자기 중심 축을 중심으로 회전하고, 기판들(S)은 기판 홀더(220)가 가스 베어링에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전하는 것에 의해 회전된다. 그리고, 가열 부재(300)가 지지판(210)을 유도 가열 방식으로 가열하고, 지지판(210)의 열이 기판 홀더(220)를 통해 기판(S)으로 전달됨으로써, 기판(S)이 공정 온도로 가열된다.After the substrate S is loaded on any one of the substrate holders 220, the substrate S is sequentially loaded on the other substrate holders 220 while the support plate 210 rotates. When the loading of the substrate S is completed, the supporting plate 210 rotates about the magnetic center axis, and the substrates S are rotated by rotating the substrate holder 220 about the magnetic center axis by the gas bearing . When the heating member 300 heats the support plate 210 by induction heating and the heat of the support plate 210 is transferred to the substrate S through the substrate holder 220, And heated.

가열된 지지판(210)에 온도 구배가 생기는 경우, 가열부(310)의 자기장을 변화시켜 지지판(210)의 온도를 조절한다. 자성체(332)는 가열부(310)의 자기장에 영향을 미치며 자성체(332)의 크기와 개수를 조절하여 가열부(310)에서 발생되는 자기장을 영역별로 조절한다. 또한, 가열부(310)의 자기장을 차단시킬 수 있는 차폐 부재(332)의 높이를 조절하여 가열부(310)의 자기장을 조절한다. 차폐 부재(332)와 자성체(334)를 이용하여 가열부(310)의 자기장을 영역별로 조절하여 지지판(210)의 온도를 영역별로 조절한다.In the case where a temperature gradient occurs in the heated support plate 210, the temperature of the support plate 210 is adjusted by changing the magnetic field of the heating unit 310. The magnetic body 332 affects the magnetic field of the heating unit 310 and adjusts the magnetic field generated in the heating unit 310 by adjusting the size and number of the magnetic body 332. Further, the height of the shielding member 332, which can block the magnetic field of the heating unit 310, is adjusted to adjust the magnetic field of the heating unit 310. The magnetic field of the heating unit 310 is adjusted for each region by using the shielding member 332 and the magnetic body 334 to adjust the temperature of the support plate 210 for each region.

이후, 금속 유기 화합물의 가스가 샤워 노즐(410)을 통해 공급된다. 기판들(S)로 분사된 금속 유기 화합물의 가스와 수소 화합물의 가스는 기판들(S)에 가해진 고온의 열에 의해 분해되면서 기판들(S)상에 금속 박막을 증착한다.Thereafter, the gas of the metal organic compound is supplied through the shower nozzle 410. The gas of the metal organic compound and the gas of the hydrogen compound injected onto the substrates S are decomposed by the high temperature heat applied to the substrates S to deposit the metal thin film on the substrates S.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas falling within the scope of the same shall be construed as falling within the scope of the present invention.

100 공정 처리실 200 기판 지지 부재
400 가스 공급 부재 500 배기 부재
300 가열 부재
310 가열부 320 지지대
330 온도 조절부
332 차폐 부재 334 자성체
100 process chamber 200 substrate supporting member
400 gas supply member 500 exhaust member
300 heating element
310 heater 320 support
330 Temperature control unit
332 shield member 334 magnetic substance

Claims (21)

공정 처리실; 및
상기 공정 처리실 내에 설치되어, 기판을 지지하는 지지판을 가지는 기판 지지 부재; 및
상기 지지판에 의해 지지된 상기 기판을 가열하는 가열 부재를 포함하되,
상기 가열 부재는
유도 가열 방식으로 상기 지지판을 가열시키는 가열부;
상기 가열부의 자기장을 변화시켜 상기 지지판의 온도를 조절하는 온도 조절부를 포함하되,
상기 온도 조절부는
상기 가열부 아래에 제공된 자성체; 및
상기 가열부의 자기장을 차단하는 차폐 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Process chamber; And
A substrate support member provided in the process chamber and having a support plate for supporting the substrate; And
And a heating member for heating the substrate supported by the support plate,
The heating member
A heating unit heating the support plate by an induction heating method;
And a temperature control unit for controlling the temperature of the support plate by changing a magnetic field of the heating unit,
The temperature controller
A magnetic body provided below the heating portion; And
And a shielding member for shielding the magnetic field of the heating unit. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 자성체는 동일 평면상에 나선형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the magnetic bodies are spirally formed on the same plane. 제 1 항에 있어서,
상기 자성체는 복수 개로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of magnetic bodies are provided. 제 5 항에 있어서,
상기 복수 개의 자성체 각각은 동일 평면상에 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
Wherein each of the plurality of magnetic bodies is provided on the same plane. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 가열부를 적어도 하나 이상의 영역으로 나누어 상기 각 영역에 대응되도록 상기 자성체를 배열하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 5 or 6,
Wherein the heating unit is divided into at least one region and the magnetic bodies are arranged so as to correspond to the respective regions. 제 7 항에 있어서,
상기 자성체는 상기 공정 처리실의 하부면에 인접한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the magnetic body is adjacent to a lower surface of the processing chamber. 제 1 항 및 제 4항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 자성체가 페라이트인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.7. The method according to any one of claims 1 and 4 to 6,
Wherein the magnetic body is ferrite. 제 1 항 및 제 4 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 차폐 부재는 높이 조절이 되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the shielding member is adjustable in height. 제 10 항에 있어서,
상기 차폐 부재는 복수 개 제공되며, 상기 복수 개의 차폐 부재은 각각 높이 조절이 되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
Wherein a plurality of the shielding members are provided, and each of the plurality of shielding members is adjustable in height. 제 11 항에 있어서,
상기 자성체와 상기 차폐 부재가 동일 평면상에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the magnetic body and the shielding member are located on the same plane. 제 12 항에 있어서,
상기 차폐부재는 상기 자성체의 측면에 인접하게 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the shielding member is located adjacent to a side surface of the magnetic body. 제 13 항에 있어서,
상기 차폐부재는 구리 또는 알루미늄 등과 같은 금속 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.14. The method of claim 13,
Wherein the shielding member is made of a metal material such as copper or aluminum. 제 1 항 및 제 4 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가열 부재는 상기 가열부를 지지하는 지지대를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the heating member further comprises a support for supporting the heating unit. 기판 지지 부재의 지지판에 기판을 위치시키고, 가열부에 의해 상기 지지판이 유도 가열시키고 상기 기판으로 가스를 공급하여 공정을 처리하되, 상기 가열부의 자기장을 변화시켜 상기 지지판의 온도를 변화시키고 상기 가열부의 자기장의 변화는 상기 가열부의 아래에 위치한 자성체에 의해 이루어지고, 상기 가열부의 자기장을 차단할 수 있는 차폐 부재에 의해 상기 가열부의 자기장을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The substrate is placed on a support plate of a substrate support member, the support plate is heated by induction heating by the heating unit, and the gas is supplied to the substrate, the temperature of the support plate is changed by changing the magnetic field of the heating unit, Wherein a change in the magnetic field is caused by a magnetic body positioned below the heating section and the magnetic field of the heating section is controlled by a shielding member capable of blocking the magnetic field of the heating section. 삭제delete 제 16 항에 있어서,
상기 가열부를 적어도 하나 이상의 영역으로 나누어 상기 각 영역에 대응되도록 상기 자성체를 배열하여 상기 가열부의 각 영역마다 자기장을 변화시켜 상기 가열부의 영역에 대응되는 상기 지지판의 영역의 온도 분포를 상이하게 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.17. The method of claim 16,
The heating unit is divided into at least one region and the magnetic bodies are arranged so as to correspond to the respective regions to change the magnetic field in each region of the heating unit to make the temperature distribution of the region of the supporting plate corresponding to the region of the heating unit different . 제 18 항에 있어서,
상기 자성체의 크기를 조절하여 상기 가열부의 자기장을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.19. The method of claim 18,
Wherein the magnetic field of the heating unit is adjusted by adjusting the size of the magnetic body. 제 18 항에 있어서,
상기 가열부의 자기장을 차단할 수 있는 차폐 부재에 의해 상기 가열부의 자기장을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.19. The method of claim 18,
Wherein the magnetic field of the heating portion is controlled by a shielding member capable of blocking the magnetic field of the heating portion. 제 20 항에 있어서,
상기 차폐 부재의 높이 조절을 통해 상기 가열부의 자기장을 조절하여 상기 지지판의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.21. The method of claim 20,
Wherein a temperature of the support plate is adjusted by controlling a magnetic field of the heating unit by adjusting a height of the shield member.
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