KR101362811B1 - Apparatus for supporting substrate and apparatus for treating substrate having the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 챔버 내에 배치되는 다수의 기판척 및 고주판 전력이 공급되는 공간분할 플레이트를 각각 교번하여 적층시키고, 인접되는 공간분할 플레이트에 공급되는 고주파 전력의 주파수를 서로 다르게 하여 고주파 전력 간의 상쇄 및 보강과 같은 주파수 간섭을 최소화할 수 있는 배치식 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 챔버와; 상기 챔버 내에 상하 적층되어 기판이 안착되는 다수의 기판척이 구비되는 기판척 조립체와; 상기 기판척과 이격되어 대향 배치되고, 고주파 전력이 인가되는 전극이 각각 내장되는 다수의 공간분할 플레이트가 구비되는 공간분할 플레이트 조립체와; 상기 공간분할 플레이트 조립체에 구비되어 상기 다수의 전극에 각각 연결되는 다수의 전기연결 라인과; 상기 챔버에 반응가스를 공급하는 가스공급수단과; 상기 챔버의 외부에 구비되어 서로 인접되는 공간분할 플레이트의 전극에 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력을 제공하는 고주파 발생장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention alternately stacks a plurality of substrate chucks and a space dividing plate to which high plate power is supplied in the chamber, and offsets and reinforces between high frequency powers by varying frequencies of high frequency power supplied to adjacent space dividing plates. A batch substrate supporting apparatus capable of minimizing frequency interference, such as, and a substrate processing apparatus having the same, comprising: a chamber; A substrate chuck assembly having a plurality of substrate chucks stacked vertically in the chamber to seat the substrates; A space dividing plate assembly spaced apart from the substrate chuck and provided with a plurality of space dividing plates each having an electrode to which high frequency power is applied; A plurality of electrical connection lines provided in the space dividing plate assembly and connected to the plurality of electrodes, respectively; Gas supply means for supplying a reaction gas to the chamber; And a high frequency generator provided outside the chamber to provide high frequency power having different frequencies to the electrodes of the space dividing plate adjacent to each other.
기판, 박막 증착, 식각, 배치식, 플라즈마, 고주파, 주파수, RF Substrate, Thin Film Deposition, Etch, Batch, Plasma, High Frequency, Frequency, RF
Description
본 발명은 배치식 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 챔버 내에 배치되는 다수의 기판척 및 고주판 전력이 공급되는 공간분할 플레이트를 각각 교번하여 적층시키고, 인접되는 공간분할 플레이트에 공급되는 고주파 전력의 주파수를 서로 다르게 하여 고주파 전력 간의 상쇄 및 보강과 같은 주파수 간섭을 최소화할 수 있는 배치식 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a batch type substrate supporting apparatus and a substrate processing apparatus having the same, and more particularly, a plurality of substrate chucks and a space dividing plate to which high plate power is supplied are alternately stacked and adjacent to each other. The present invention relates to a batch substrate supporting apparatus capable of minimizing frequency interference such as cancellation and reinforcement between high frequency powers by different frequencies of high frequency power supplied to a spatial dividing plate, and a substrate processing apparatus having the same.
반도체 소자 및 평판 표시 장치는 기판 상에 다수의 박막 증착과 식각을 통해 형성된다. 즉, 기판의 소정 영역, 주로 중심부에 박막을 증착하고, 식각 마스크를 이용한 식각 공정을 통해 기판 중심부의 박막의 일부를 제거하여 소정의 박막 패턴을 갖는 소자를 제조하게 된다.Semiconductor devices and flat panel displays are formed on a substrate through a plurality of thin film deposition and etching processes. That is, a thin film is deposited on a predetermined region of a substrate, mainly a central portion thereof, and a part of the thin film at the center of the substrate is removed through an etching process using an etch mask to produce a device having a predetermined thin film pattern.
이러한 박막 증착 공정 및 식각 공정을 진행하는 기판 처리 장치는 기판을 낱장 단위로 처리하는 매엽식 기판 처리 장치와, 다수의 반도체 기판을 동시에 처리하는 배치식 기판 처리 장치로 구분된다. 매엽식 기판 처리 장치는 제품을 소량 으로 생산하면서 제품의 정밀도를 높이는 목적으로 사용되고, 배치식 기판 처리 장치는 제품의 대량생산을 목적으로 사용된다.The substrate processing apparatus for performing the thin film deposition process and the etching process is divided into a single wafer processing apparatus for processing a substrate in units of a sheet and a batch type substrate processing apparatus for simultaneously processing a plurality of semiconductor substrates. The single wafer processing system is used for the purpose of increasing the precision of the product while producing a small amount of product, and the batch type substrate processing apparatus is used for the mass production of the product.
통상적인 배치식 기판 처리 장치는 매엽식의 수배 내지 수십배의 체적을 갖는 챔버를 마련하고, 챔버 내에 다수매의 기판이 층상으로 적재되는 보트가 마련되며, 챔버 측벽의 내측 또는 외측에 가열수단이 마련되고, 챔버의 상부 또는 측벽에 반응가스를 공급하는 가스공급수단이 마련된다.A typical batch type substrate processing apparatus is provided with a chamber having a volume of several times to several tens of times that of a single wafer type, a boat in which a plurality of substrates are stacked in layers in a chamber, and a heating means is provided inside or outside the chamber side wall And gas supply means for supplying the reaction gas to the upper or side wall of the chamber is provided.
상기와 같이 구성되는 통상적인 배치식 기판 처리 장치는 다수매의 기판을 보트에 적재한 다음 가열수단을 이용하여 챔버를 반응온도까지 상승시킨 다음, 가스공급수단을 이용하여 챔버 내에 반응가스를 공급하여 박막의 증착 또는 식각 공정을 진행하게 된다.In a conventional batch type substrate processing apparatus constructed as described above, a plurality of substrates are loaded on a boat, and then the chamber is raised to a reaction temperature by using a heating means, and then a reaction gas is supplied into the chamber using a gas supply means The thin film is deposited or etched.
하지만, 챔버의 체적이 상당히 크기 때문에 가열수단을 이용하여 챔버 내부를 반응온도까지 상승시키는데 상당한 시간이 소요되고, 챔버 내의 온도구배를 균일하게 유지하기가 힘들었다.However, since the volume of the chamber is considerably large, it takes a considerable time to raise the inside of the chamber to the reaction temperature using the heating means, and it is difficult to maintain the temperature gradient in the chamber uniformly.
그래서, 기판이 적재되는 보트에 가열수단 및 전극을 내장하는 방법들이 제안되고 있지만, 세라믹 제품인 보트에 가열수단 및 전극을 내장하고 이와 연결되는 연결선을 구성하기가 쉽지 않은 문제점이 있었다. 또한, 다수개 구비되는 전극에 동일한 주파수의 고주파 전력을 인가하면 인접되는 전극에서 발생되는 고주파 전력 간에 주파수 상쇄 및 보강과 같은 간섭이 발생되어 플라즈마의 생성이 균일하지 못한 문제점이 있었다.Thus, methods for embedding heating means and electrodes in a boat on which a substrate is loaded have been proposed, but there is a problem in that it is not easy to construct a connection line in which heating means and electrodes are embedded in a boat made of ceramic products and connected thereto. In addition, when high frequency power of the same frequency is applied to a plurality of electrodes, interference, such as frequency cancellation and reinforcement, is generated between high frequency power generated from adjacent electrodes, and thus generation of plasma is not uniform.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 배치식 기판 처리 장치에서 가열부재가 내장되어 기판이 안착되는 다수의 기판척을 층상으로 조립하고, 전극이 내장되어 상기 다수의 기판척과 대향되는 공간분할 플레이트를 층상으로 구비하여 다수의 기판을 동시에 처리할 수 있고, 다수의 공간분할 플레이트에 인가되는 고주파 전력의 주파수를 다르게 하여 인접되는 전극 간의 주파수 간섭을 최소화할 수 있는 배치식 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made in order to solve the above problems, in the batch type substrate processing apparatus, a heating member is built to assemble a plurality of substrate chuck on which the substrate is seated in a layered form, the electrode is embedded to face the plurality of substrate chuck Arranged substrate support device that can be provided in a layered partition plate to be processed in a plurality of substrates at the same time, and to minimize the frequency interference between adjacent electrodes by varying the frequency of the high frequency power applied to the plurality of spatial partition plates And it is an object to provide a substrate processing apparatus having the same.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 배치식 기판 지지 장치는 상하 적층되어 기판이 안착되는 다수의 기판척과; 상기 각각의 기판척과 이격되어 대향 배치되고, 고주파 전력이 인가되는 전극이 각각 내장되는 다수의 공간분할 플레이트를 포함하고, 서로 인접되는 공간분할 플레이트의 전극에 인가되는 고주파 전력은 서로 다른 주파수를 갖는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a batch type substrate holding apparatus comprising: a plurality of substrate chucks stacked vertically to seat a substrate; And a plurality of space dividing plates spaced apart from the substrate chucks, and each having an electrode to which high frequency power is applied, and each having high frequency power applied to electrodes of adjacent space dividing plates having different frequencies. It features.
상기 다수의 공간분할 플레이트는 적층되는 순서에 따라 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력이 교번되어 인가되는 것을 특징으로 하거나, 적층되는 순서에 따라 순차적으로 증가 또는 감소되는 주파수를 갖는 고주파 전력이 공급되는 것을 특징으로 한다.The plurality of spatially divided plates are characterized in that high frequency power having different frequencies are alternately applied according to the stacking order, or high frequency power having a frequency that is sequentially increased or decreased according to the stacking order is supplied. It is done.
상기 다수의 공간분할 플레이트 가장자리에 각각 연장 형성되는 플레이트 연 장부와; 상기 다수의 플레이트 연장부를 일체로 지지하는 다수의 플레이트 지지부재와; 상기 플레이트 지지부재에 연결되어 상기 공간분할 플레이트와 플레이트 지지부재를 일체로 지지하면서 승하강시키는 플레이트 승강봉을 더 포함하고, 상기 플레이트 연장부, 지지부재 및 승강봉에는 상기 다수의 전극에 각각 연결되는 다수의 전기연결 라인이 내장되고, 상기 전기연결 라인들은 고주파 발생장치에 연결되는 것을 특징으로 한다.Plate extensions extending from the edges of the plurality of space dividing plates, respectively; A plurality of plate support members for integrally supporting the plurality of plate extensions; It is connected to the plate support member further includes a plate elevating rod for raising and lowering while supporting the space partitioning plate and the plate support member integrally, and the plate extension, the support member and the elevating rod are respectively connected to the plurality of electrodes A plurality of electrical connection lines are built in, and the electrical connection lines are connected to a high frequency generator.
상기 다수의 기판척은 접지 연결되는 것을 특징으로 한다.The plurality of substrate chucks are characterized in that the ground connection.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 챔버와; 상기 챔버 내에 상하 적층되어 기판이 안착되는 다수의 기판척이 구비되는 기판척 조립체와; 상기 기판척과 이격되어 대향 배치되고, 고주파 전력이 인가되는 전극이 각각 내장되는 다수의 공간분할 플레이트가 구비되는 공간분할 플레이트 조립체와; 상기 공간분할 플레이트 조립체에 구비되어 상기 다수의 전극에 각각 연결되는 다수의 전기연결 라인과; 상기 챔버에 반응가스를 공급하는 가스공급수단과; 상기 챔버의 외부에 구비되어 서로 인접되는 공간분할 플레이트의 전극에 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력을 제공하는 고주파 발생장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, a substrate processing apparatus according to the present invention includes: a chamber; A substrate chuck assembly having a plurality of substrate chucks stacked vertically in the chamber to seat the substrates; A space dividing plate assembly spaced apart from the substrate chuck and provided with a plurality of space dividing plates each having an electrode to which high frequency power is applied; A plurality of electrical connection lines provided in the space dividing plate assembly and connected to the plurality of electrodes, respectively; Gas supply means for supplying a reaction gas to the chamber; And a high frequency generator provided outside the chamber to provide high frequency power having different frequencies to the electrodes of the space dividing plate adjacent to each other.
이때 상기 다수의 공간분할 플레이트는 적층되는 순서에 따라 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력이 교번되도록 공급되는 것을 특징으로 하거나, 상기 다수의 공간분할 플레이트는 적층되는 순서에 따라 순차적으로 증가 또는 감소되는 주파수를 갖는 고주파 전력이 공급되는 것을 특징으로 한다.In this case, the plurality of space dividing plates are supplied such that high frequency power having different frequencies are alternately supplied according to the stacking order, or the plurality of space dividing plates sequentially increase or decrease frequencies according to the stacking order. It is characterized in that the high-frequency power having.
상기 기판척 조립체는, 상기 다수의 기판척 가장자리를 일체로 지지하는 다 수의 척 지지부재와; 일측이 상기 척 지지부재에 연결되고, 타측이 상기 챔버의 외부로 연장되는 척 승강봉을 더 포함하고, 상기 기판척의 가장자리에는 적어도 하나 이상의 척 연장부가 형성되어 상기 척 지지부재와 척 연장부가 교번되어 연결되는 것을 특징으로 한다.The substrate chuck assembly includes: a plurality of chuck support members integrally supporting the plurality of substrate chuck edges; One side is further connected to the chuck support member, the other side further includes a chuck lifting rod extending to the outside of the chamber, at least one chuck extension is formed on the edge of the substrate chuck alternately the chuck support member and the chuck extension It is characterized in that the connection.
상기 공간분할 플레이트 조립체는, 상기 다수의 공간분할 플레이트 가장자리를 일체로 지지하는 다수의 플레이트 지지부재와; 일측이 상기 플레이트 지지부재에 연결되고, 타측이 상기 챔버의 외부로 연장되는 플레이트 승강봉을 더 포함하고, 상기 공간분할 플레이트의 가장자리에는 적어도 하나 이상의 플레이트 연장부가 형성되어 상기 플레이트 지지부재와 플레이트 연장부가 교번되어 조립되고, 상기 다수의 전기연결 라인은 상기 플레이트 연장부, 플레이트 지지부재 및 플레이트 승강봉에 내장되는 것을 특징으로 한다.The space division plate assembly includes: a plurality of plate support members integrally supporting the plurality of space division plate edges; One side is further connected to the plate support member, the other side further comprises a plate elevating rod extending to the outside of the chamber, At least one plate extension is formed on the edge of the partition plate, the plate support member and the plate extension Alternately assembled, the plurality of electrical connection line is characterized in that it is embedded in the plate extension, plate support member and plate lifting bar.
상기 플레이트 지지부재에 구비되어 상기 플레이트 지지부재에 대응되는 공간분할 플레이트에 구비되는 전극에 연결되는 다수의 플레이트 소켓과; 상기 플레이트 지지부재 중 상기 플레이트 승강봉과 대면되는 부위에 구비되어 상기 다수의 플레이트 소켓과 다수의 보조 연결선을 통해 연결되는 제4커넥터와; 상기 플레이트 승강봉의 일단에 구비되어 상기 제4커넥터와 접속되는 제5커넥터와; 상기 플레이트 승강봉의 타단에 구비되어 상기 제5커넥터와 다수의 연장 연결선을 통해 연결되고, 상기 고주파 발생장치와 전기적으로 접속하기 위한 제6커넥터를 포함하는 것을 특징으로 한다.A plurality of plate sockets provided on the plate support member and connected to electrodes provided on a space partitioning plate corresponding to the plate support member; A fourth connector provided at a portion of the plate supporting member facing the plate lifting rod and connected to the plurality of plate sockets through a plurality of auxiliary connecting lines; A fifth connector provided at one end of the plate lifting rod and connected to the fourth connector; And a sixth connector provided at the other end of the plate elevating rod and connected to the fifth connector through a plurality of extension connecting lines, and electrically connected to the high frequency generator.
상기 고주파 발생장치는 각각 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력을 발생 시키거나, 사용되는 고주파 종류의 개수에 대응되는 만큼 구비되어 각각 서로 다른 주파수의 고주파 전력을 발생시키는 것을 특징으로 한다.The high frequency generator generates high frequency power each having a different frequency, or is provided in correspondence with the number of types of high frequency used to generate high frequency power of different frequencies.
상기 챔버의 외부에는 상기 기판척 조립체 및 공간분할 플레이트 조립체에 각각 연결되어 승하강시키는 구동수단이 연결되는 것을 특징으로 한다.And a driving unit connected to the substrate chuck assembly and the space dividing plate assembly and moving up and down is connected to the outside of the chamber.
상기 가스공급수단은, 상기 챔버 측벽으로 반응가스를 공급하도록 연결되는 가스공급관과; 상기 가스공급관에서 분기되어 상기 챔버의 측벽 내측으로 형성되는 다수의 가스 분사공을 포함하는 것을 특징으로 한다.The gas supply means includes a gas supply pipe connected to supply a reaction gas to the chamber side wall; And a plurality of gas injection holes branched from the gas supply pipe and formed inside the side wall of the chamber.
본 발명에 따르면, 다수의 기판척에 각각 가열부재가 내장되고, 다수의 공간분할 플레이트에 각각 고주파 전력이 인가되는 전극이 내장됨에 따라 기판 각각의 반응공간이 기판척 및 공간분할 플레이트로 구획되어 매엽식과 같은 정밀한 공정 결과를 얻을 수 있기 때문에, 기판을 다량으로 정밀하게 생산할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, as the heating member is built in each of the plurality of substrate chucks, and the electrodes to which high-frequency power is applied to each of the plurality of space division plates are embedded, and the reaction space of each substrate is partitioned into the substrate chuck and the space division plate. Since the precise process result as shown in the formula can be obtained, the substrate can be produced in large quantities with high precision.
또한, 인접된 공간분할 플레이트에 인가되는 고주파 전력의 주파수를 서로 다르게 하여 고주파 전력 간 주파수의 상쇄 및 보강과 같은 간섭을 최소화하여 플라즈마의 균일한 생성을 유도함에 따라 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, by varying the frequency of the high frequency power applied to the adjacent space dividing plate to minimize the interference such as cancellation and reinforcement of the frequency between the high frequency power to induce the uniform generation of the plasma can improve the processing efficiency of the substrate It works.
이하, 본 발명에 따른 배치식 기판 처리 장치의 다양한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한 정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, various embodiments of a batch type substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be embodied in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art. It is provided for complete information. Like reference numerals refer to like elements throughout.
도 1은 본 발명에 따른 배치식 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 구성도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 지지 장치의 요부를 나타내는 사시도이며, 도 3a는 본 발명에 따른 기판척 조립체를 나타내는 분해 사시도이고, 도 3b는 본 발명에 따른 공간분할 플레이트 조립체를 나타내는 분해 사시도이며, 도 4a는 본 발명에 따른 기판척 조립체를 나타내는 단면도이고, 도 4b는 본 발명에 따른 공간분할 플레이트 조립체를 나타내는 단면도이다.1 is a configuration diagram schematically showing a batch substrate processing apparatus according to the present invention, Figure 2 is a perspective view showing the main portion of the substrate support apparatus according to the present invention, Figure 3a is an exploded view showing a substrate chuck assembly according to the present invention 3B is an exploded perspective view showing a space dividing plate assembly according to the present invention, FIG. 4A is a cross-sectional view showing a substrate chuck assembly according to the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view showing a space dividing plate assembly according to the present invention. .
도면에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 배치식 기판 처리 장치는 챔버(10)와, 상기 챔버(10) 내에 상하 적층되어 기판(1)이 안착되는 다수의 기판척(20)이 조립 가능하게 구비되는 기판척 조립체(100)와, 상기 기판척(20)과 이격되어 대향 배치되고, 고주파 전력이 인가되는 전극이 각각 내장되는 다수의 공간분할 플레이트(50)가 조립 가능하게 구비되는 공간분할 플레이트 조립체(300)와, 상기 기판척 조립체(100) 및 공간분할 플레이트 조립체(300)에 각각 구비되어 상기 기판척 조립체(100) 및 공간분할 플레이트 조립체(300)의 탈착과 일체로 탈착 가능하게 구비되는 제1전기연결 라인(200) 및 제2전기연결 라인(400)과, 상기 챔버(10)에 반응가스를 공급하는 가스공급수단(17)과, 상기 챔버(10)의 외부에 구비되어 상기 전극에 고주파 전력을 제공하는 고주파 발생장치(90)를 포함한다.As shown in the drawings, the batch type substrate processing apparatus according to the present invention includes a
챔버(10)는 적어도 하나 이상의 게이트 밸브(11) 등과 같은 개폐수단을 통하여 외부와 연결되며, 클러스터 시스템 또는 인라인 시스템과 같은 다수의 챔버로 구성되는 시스템에 적용되는 챔버일 수도 있다. 또한, 챔버(10)에는 별도의 진공 배기계(미도시)가 연결되어 그 내부를 진공 상태로 조성할 수 있다. 그리고, 챔버(10)는 접지 연결되어 챔버(10)를 통하여 전류가 흐르지 않도록 구성된다.The
챔버(10)는 그 측벽으로부터 중심 방향으로 반응가스를 분사하도록 가스공급수단(17)이 구성된다. 예를 들어 챔버(10)의 측벽 내부에는 반응가스가 공급되는 가스공급관(13)이 연결되고, 가스공급관(13)에서 분기되는 다수의 가스 분사공(15)이 챔버(10)의 측벽 내측으로 형성되어 가스 분사공(15)에서 분사되는 반응가스가 챔버(10)의 중심을 향하도록 구성된다. 물론 이에 한정되지 않고, 챔버(10) 측벽의 내주연으로 가스공급관이 구비되고, 상기 가스공급관에 연결된 적어도 하나 이상의 분사기가 구비되며, 분사기의 분사방향이 챔버(10)의 측벽에서 챔버(10)의 중심을 향하도록 구성할 수 있다.The
챔버(10)의 내부에는 다수의 기판척(20)이 탈착 가능하도록 층상으로 조립된 기판척 조립체(100)와, 다수의 공간분할 플레이트(50)가 탈착 가능하도록 층상으로 조립된 공간분할 플레이트 조립체(300)가 구비되고, 서로 대응되는 기판척(20) 및 공간분할 플레이트(50)가 대향하도록 배치된다.In the interior of the
도면에 도시된 바와 같이, 기판척 조립체(100)는 다수의 상하 층상으로 구비되는 다수의 기판척(20)과, 상기 다수의 기판척(20) 가장자리를 일체로 지지하는 다수의 척 지지부재(30)와, 일측이 상기 척 지지부재(30)에 연결되고, 타측이 상기 챔버(10)의 외부로 연장되는 척 승강봉(40)을 더 포함하여 구성된다. 이때 다수의 기판척(20)은 일정한 간격으로 이격되어 서로 평행하게 배치된다. As shown in the drawing, the substrate chuck assembly 100 includes a plurality of
상기 기판척(20)은 기판(1)과 대응되는 형상으로 제조되는 것이 바람직하지만, 이에 한정되지는 않는다. 그리고, 상기 기판척(20)에는 다수의 리프트핀(21)이 상하로 관통되어 구비된다. 이때 상기 리프트핀(21)의 상단은 다른 지점보다 외경을 크게 하여 기판척(20)에 형성되는 안착공(23)을 통과하지 못하도록 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 안착공(23)은 상기 리프트핀(21)의 상단 형상과 대응되도록 형성되어 상기 리프트핀(21)의 상단이 안착공(23)에서 지지될 때 리프트핀(21)의 상단이 기판척(20)의 상면보다 상부로 돌출되어 단차지지 않도록 하는 것이 바람직하다. 예를 들어 본 실시예에서는 리프트핀(21)의 상단 및 안착공(23)의 형상을 뒤집힌 원추형으로 형성하였다.The
그리고, 상기 기판척(20)에는 가열부재(미도시)가 내장되고, 상기 가열부재를 전기적으로 연결시키는 연결선(미도시)이 내장된다. 또한, 상기 기판척(20)은 챔버(10) 외부로 접지를 시키는 것이 바람직하다. 상기 가열부재는 상기 기판척(20)을 가열할 수 있으면 어떠한 방식이 채택되어도 무방하다. 예를 들어 코일타입 또는 봉타입의 전열선이 내장되고, 상기 연결선과 연결된다.A heating member (not shown) is built in the
또한, 상기 기판척(20)의 가장자리에는 적어도 하나 이상의 지점에서 기판척(20)을 평행하게 연장하는 척 연장부(25)가 형성된다. 그래서, 상기 연결선은 상기 척 연장부(25) 쪽으로 배선되도록 연장되어 후술되는 척 소켓(31)과 연결되는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 바람직한 실시예로 상기 척 연장부(25)를 한 지 점에서 형성하여 상기 기판척(20)의 가장자리를 한 지점에서 지지하도록 하였다.In addition, a
척 지지부재(30)는 상기 기판척(20)의 가장자리를 지지하는 수단으로서, 바람직하게는 세라믹 재질로 제작되어 상기 척 연장부(25)의 상면 및 하단에 맞대어져서 조립 또는 접합 되도록 다수개 구비된다.The
본 실시예에서는 최상부에 척 지지부재(30)를 마련하고, 그 하면에 기판척(20)과 척 지지부재(30)를 교번하여 적층되도록 배치하였다. 바람직하게는 상기 척 연장부(25)와 척 지지부재(30)가 교번되어 적층된다. 그리고, 상부에 배치되는 척 지지부재(30)와 하부에 배치되는 기판척(20)은 링타입의 커플러(37)를 이용하여 조립하고, 조립 부위에는 조립 부위의 내부와 외부의 실링을 위하여 패킹부재(80)가 삽입된다. 도면의 미설명 부호인 "81"은 패킹부재가 안착되는 패킹홈으로서, 상기 척 연장부(25)에 형성된다.In this embodiment, the
그리고 본 실시예에서는 상부에 배치되는 기판척(20)과 하부에 배치되는 척 지지부재(30)는 이종 접합 및 세라믹 접합에 사용되는 브레이징(brazing) 용접으로 접합하였지만, 브레이징 용접되는 지점도 전술된 바와 같이 링타입의 커플러를 이용하여 조립하고, 조립 부위에는 패킹부재(80)를 삽입하여 실링할 수 있다.In the present embodiment, the
척 승강봉(40)은 상기 기판척(20)과 척 지지부재(30)를 일체로 지지하면서 승하강시키고, 상기 기판척(20)에 내장된 연결선을 챔버(10) 외부로 연장하는 통로 역할을 하는 수단으로서, 일측이 상기 척 지지부재(30) 중 최하부에 배치되는 척 지지부재(30)에 조립된다. 이때 상기 척 지지부재(30)와 척 승강봉(40)의 조립 부위에도 상기 패킹부재(80)가 구비되어 조립 부위를 실링시킨다. 그리고, 타측이 챔 버(10)의 외측으로 연장된다. 그래서, 상기 척 승강봉(40)의 타측에는 승하강을 위한 구동수단(미도시)과 연결되는 구동연결 플랜지(47)가 더 구비된다. 그래서 상기 구동연결 플랜지(47)가 구동수단에 의해 승하강 되면서 일체로 상기 척 승강봉(40), 척 지지부재(30) 및 기판척(20)을 승하강시킨다.The
상기 구동수단은 상기 척 승강봉(40)을 승하강시킬 수 있다면 어떠한 방식이 사용되어도 무방하고, 예를 들어 LM가이드식, 실린더식, 래크앤피니언식 등이 사용될 수 있을 것이다.For example, LM guide type, cylinder type, rack-and-pinion type or the like may be used as the driving means, as long as the driving means can move up and down the chucking-
또한, 상기 챔버(10)의 외부로 연장되는 척 승강봉(40)과 챔버(10) 사이에서 진공 기밀을 유지하기 위하여 상기 챔버(10)와 상기 구동연결 플랜지(47) 사이에는 신축가능한 벨로우즈(bellows)(48)가 구비된다.A stretchable bellows (not shown) is provided between the
그리고, 상기 기판척 조립체(100)의 조립 또는 분리를 위한 기계적인 탈착시 전기적인 연결의 탈착이 일체로 이루어질 수 있도록 다수의 전기연결 라인(200)이 구비된다.In addition, a plurality of electrical connection lines 200 are provided so that electrical connection may be made integrally when mechanical detachment for assembly or separation of the substrate chuck assembly 100 is performed.
상기 전기연결 라인(200)은 상기 다수의 척 지지부재(30)에 구비되는 다수의 척 소켓(31)과, 상기 척 지지부재(30) 중 어느 하나에 구비되어 다수의 척 소켓(31)과 보조 연결선(35)을 통해 연결되는 제1커넥터(33)와, 상기 척 승강봉(40)에 구비되어 다수의 연장 연결선(45)을 통해 연결되는 제2커넥터(41) 및 제3커넥터(43)를 포함하여 구성된다.The electrical connection line 200 includes a plurality of
상기 척 소켓(31)은 상기 기판척(20)에 구비되는 연결선을 전기적으로 연결시키기 위한 수단으로서, 상기 척 소켓(31)은 상기 가열부재에 연결되는 연결선과 전기적으로 연결된다면 어떠한 형식으로 구비되어도 무방하다. 예를 들어 본 실시예에서는 상기 보조 연결선(35)의 일단이 척 소켓(31)의 내부로 인입되어 연결되는 구조를 채택하였다.The
그리고, 상기 척 지지부재(30) 중 최하부에 배치되는 척 지지부재(30)의 하부에는 상기 제1커넥터(33)가 구비된다. 이때 상기 보조 연결선(35)은 상기 척 연장부(25) 및 척 지지부재(30)를 관통하여 내장되고, 일단이 각각의 척 소켓(31)에 인입되어 연결되며, 타단이 상기 제1커넥터(33)에 인입되어 연결된다. 따라서, 척 연장부(25) 및 척 지지부재(30)에서는 상기 보조 연결선(35)이 관통되는 관통공(30a)이 상기 척 연장부(25) 및 척 지지부재(30)의 형상 및 개수에 대응하여 형성되는 것이 바람직하다. 상기 가열부재, 연결선, 척 소켓(31), 보조 연결선(35) 및 제1커넥터(33)는 절연체로 보호되는 것이 바람직하지만, 본 실시예에서는 기판척(20) 및 척 지지부재(30)를 절연체인 세라믹으로 제조함에 따라 절연체의 추가 구성을 생략할 수 있다.The
그리고, 상기 척 승강봉(40)의 일단에는 상기 제1커넥터(33)와 접속되는 제2커넥터(41)가 구비되고, 타단에는 상기 제2커넥터(41)와 연결되어 외부와 전기적으로 접속하기 위한 제3커넥터(43)가 구비된다. 상기 제2커넥터(41)와 제3커넥터(43)는 연장 연결선(45)을 통해 연결되고, 상기 연장 연결선(45)은 척 승강봉(40)에 내장된다. 또한, 상기 연장 연결선(45)는 절연체(49)로 둘러싸여서 보호되는 것이 바람직하다.A
따라서, 기판척 조립체(100)의 전기적인 연결은 기판척(20)에 내장된 가열부 재, 연결선, 척 소켓(31), 보조 연결선(35), 제1커넥터(33), 제2커넥터(41), 연장 연결선(45), 제3커넥터(43)가 순차적으로 연결되어 외부의 전원 공급수단(미도시)과 연결된다.Therefore, the electrical connection of the substrate chuck assembly 100 is connected to the heating element, the connecting line, the
또한, 상기 기판척(20)과 척 지지부재(30)의 조립 또는 분리시에는 척 소켓(31)에서 보조 연결선(35)이 인입 또는 분리되거나, 보조 연결선(35)이 제1커넥터(33)에 인입 또는 분리되면서 기계적인 조립 및 분리와 일체로 전기적인 조립 및 분리가 가능하고, 척 지지부재(30)와 척 승강봉(40)의 조립 또는 분리시에는 제1커넥터(33)와 제2커넥터(41)가 조립 또는 분리되면서 기계적인 조립 및 분리와 일체로 전기적인 조립 및 분리가 가능하다.When the
공간분할 플레이트 조립체(300)는 상기 다수의 상하 층상으로 구비되는 다수의 공간분할 플레이트(50)와, 상기 다수의 공간분할 플레이트(50) 가장자리를 일체로 지지하는 다수의 플레이트 지지부재(60)와, 일측이 상기 플레이트 지지부재(60)에 연결되고, 타측이 상기 챔버(10)의 외부로 연장되는 플레이트 승강봉(70)을 더 포함하여 구성된다. 이때 다수의 공간분할 플레이트(50)는 일정한 간격으로 이격되어 서로 평행하게 배치된다. The space partition plate assembly 300 includes a plurality of
공간분할 플레이트(50)는 다수의 기판(1)에 대하여 각각의 반응공간을 제공할 수 있도록 층상으로 배치되는 기판척(20) 사이에 배치되어 인접되는 기판척(20)의 반응공간을 구획하는 수단으로서, 상기 기판척(20)과 대응되는 형상으로 제조되는 것이 바람직하지만 이에 한정되지는 않는다.The
상기 공간분할 플레이트(50)는 구획되는 반응공간에 플라즈마를 형성시키기 위하여 고주파 전력이 인가되는 전극(미도시)이 각각 내장되고, 상기 전극과 연결되는 연결선(미도시)이 내장된다. 이때 상기 전극과 연결되는 연결선은 후술되는 전기연결 라인(400a,400b,400c)을 통해 고주파 발생장치(90)와 각각 연결된다. 그래서, 서로 인접되는 위치에 배치되는 공간분할 플레이트(50)에 인가되는 고주파 전력의 주파수를 다르게 하여 상호 간에 주파수 간섭이 발생되지 않도록 한다.The
이때 상기 다수의 공간분할 플레이트(50)에는 적층되는 순서에 따라 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력이 교번되도록 공급될 수 있다. 예를 들어 도면에 도시된 바와 같이 세 개의 공간분할 플레이트(50)가 적층되어 구비되었다면, 상부에서 하부 방향으로 각각 13.56MHz, 12.56MHz, 13.56MHz의 고주파 전력을 공간분할 플레이트(50)에 인가시킬 수 있다.In this case, the plurality of
또한, 상기 공간분할 플레이트(50)는 적층되는 순서에 따라 순차적으로 증가 또는 감소되는 주파수를 갖는 고주파 전력이 공급될 수 있다. 예를 들어 상부에서 하부 방향으로 각각 12.56MHz, 13.56MHz, 14.56MHz 또는 그 역순의 고주파 전력을 공간분할 플레이트(50)에 인가시킬 수 있다.In addition, the
고주파 전력의 주파수는 상기에서 제시한 실시예와 같이 교번되거나 순차적으로 증가 또는 감소하는 것에 제한되는 것은 아니고, 서로 다른 주파수의 적어도 두 가지 이상의 고주파 전력을 인가한다면 어떠하여도 무방하다. The frequency of the high frequency power is not limited to alternating or sequentially increasing or decreasing as in the above-described embodiment, and may be applied as long as at least two or more high frequency powers of different frequencies are applied.
또한, 상기 기판척(20)에 마련되는 척 연장부(25)와 마찬가지로 상기 공간분할 플레이트(50)의 가장자리에는 적어도 하나 이상의 지점에서 공간분할 플레이트(50)를 평행하게 연장하는 플레이트 연장부(51)가 형성된다. 그래서, 상기 연결 선은 상기 플레이트 연장부(51) 쪽으로 배선되도록 연장되어 후술되는 플레이트 소켓(61)과 연결되는 것이 바람직하다. 상기 플레이트 연장부(51)는 상기 척 연장부(25)와 마찬가지로 한 위치에 형성하여 상기 공간분할 플레이트(50)의 가장자리를 한 지점에서 지지하도록 하였다.Like the
플레이트 지지부재(60)는 상기 공간분할 플레이트(50)의 가장자리를 지지하는 수단으로서, 상기 척 지지부재(30)와 마찬가지로 세라믹 재질로 제작되어 상기 플레이트 연장부(51)의 상면 및 하단에 맞대어져서 조립 또는 접합 되도록 다수개 구비된다. 이때 상기 플레이트 지지부재(60)에는 상기 공간분할 플레이트(50)에 구비되는 연결선에 접속되는 플레이트 소켓(61)이 구비된다. The
상기 플레이트 지지부재(60)의 형상, 배치, 조립방법 및 접합방법 등은 상기 척 지지부재(30)와 동일하게 적용되는바 중복되는 설명은 생략하기로 한다.The shape, arrangement, assembling method, joining method, etc. of the
다만, 상기 플레이트 지지부재(60) 중 최하부에 배치되는 플레이트 지지부재(60)에는 상기 공간분할 플레이트(50)와 대응되는 형상으로 그 상부에 배치되는 기판척(20)과 이격되어 대향 배치되는 보조 공간분할 플레이트(53)가 더 구비된다. 그래서 기판(1)의 로딩을 위하여 기판척(20)이 하강될 때 보조 공간분할 플레이트(53)의 상부에 위치하는 기판척(20)에 구비되는 리프트핀(21)의 하단이 보조 공간분할 플레이트(53)의 상면에 지지되도록 한다.The
플레이트 승강봉(70)은 상기 공간분할 플레이트(50)와 플레이트 지지부재(60)를 일체로 지지하면서 승하강시키고, 상기 공간분할 플레이트(50)에 내장된 연결선을 챔버(10) 외부로 연장하는 통로 역할을 하는 수단으로서, 상기 척 승강 봉(40)과 마찬가지로 일측이 상기 플레이트 지지부재(60) 중 최하부에 배치되는 플레이트 지지부재(60)에 조립되고, 타측이 챔버(10)의 외측으로 연장된다. 그리고, 상기 플레이트 승강봉(70)의 타측에는 상기 척 승강봉(40)과 마찬가지로 승하강을 위한 구동연결 플랜지(77) 및 구동수단(미도시)이 더 구비된다. 그래서 상기 구동연결 플랜지(77)가 구동수단에 의해 승하강 되면서 일체로 상기 플레이트 승강봉(70), 플레이트 지지부재(60) 및 공간분할 플레이트(50)를 승하강시킨다.The
또한, 상기 챔버(10)의 외부로 연장되는 플레이트 승강봉(70)과 챔버(10) 사이에서 진공 기밀을 유지하기 위하여 상기 챔버(10)와 상기 구동연결 플랜지(77) 사이에는 신축가능한 벨로우즈(bellows)(78)가 구비된다.A stretchable bellows (not shown) is provided between the
그리고, 상기 공간분할 플레이트 조립체(300)의 조립 또는 분리를 위한 기계적인 탈착시 전기적인 연결의 탈착이 일체로 이루어질 수 있도록 다수의 전기연결 라인(400a,400b,400c)이 구비된다.In addition, a plurality of electrical connection lines 400a, 400b, and 400c are provided so that electrical connection may be integrally performed when mechanical detachment for assembly or separation of the space dividing plate assembly 300 is performed.
상기 전기연결 라인(400a,400b,400c)은 상기 다수의 플레이트 지지부재(60)에 구비되는 다수의 플레이트 소켓(61)과, 상기 플레이트 지지부재(60) 중 어느 하나에 구비되어 다수의 플레이트 소켓(61)과 다수의 보조 연결선(65a,65b,65c)을 통해 연결되는 제4커넥터(63)와, 상기 플레이트 승강봉(70)에 구비되어 다수의 연장 연결선(75a,75b,75c)을 통해 연결되는 제5커넥터(71) 및 제6커넥터(73)를 포함하여 구성된다.The electrical connection lines 400a, 400b, and 400c may be provided in any one of the plurality of
상기 플레이트 소켓(61)은 상기 공간분할 플레이트(50)에 내장되는 전극과 연결되는 연결선을 전기적으로 연결시키기 위한 수단으로서, 상기 플레이트 소 켓(61)은 상기 전극에 연결되는 연결선과 전기적으로 연결된다면 어떠한 형식으로 구비되어도 무방하다.The
그리고, 상기 플레이트 지지부재(60) 중 최하부에 배치되는 플레이트 지지부재(60)의 하부에는 상기 다수의 플레이트 소켓(61)과 각각 보조 연결선(65a,65b,65c)으로 연결되는 제4커넥터(63)가 구비된다. 이때 상기 보조 연결선(65a,65b,65c)은 상기 플레이트 연장부(51) 및 척 지지부재(30)를 관통하여 내장되고, 일단이 상기 플레이트 소켓(61)에 인입되어 연결되며, 타단이 상기 제4커넥터(63)에 인입되어 연결된다. 따라서, 상기 플레이트 연장부(51) 및 플레이트 지지부재(60)에서는 상기 보조 연결선(65a,65b,65c)이 관통되는 관통공이 상기 플레이트 연장부(51) 및 플레이트 지지부재(60)의 형상 및 개수에 대응하여 형성되는 것이 바람직하다.In addition, a
그리고, 플레이트 승강봉(70)의 일단에는 상기 제4커넥터(63)와 접속되는 제5커넥터(71)가 구비되고, 타단에는 상기 제5커넥터(71)와 연결되어 외부와 전기적으로 접속하기 위한 제6커넥터(73)가 구비된다. 상기 제5커넥터(71)와 제6커넥터(73)는 연장 연결선(75a,75b,75c)으로 연결되고, 상기 연장 연결선(75a,75b,75c)은 플레이트 승강봉(70)에 내장된다. 그리고 상기 연장 연결선(75a,75b,75c)도 절연체(79)로 보호되는 것이 바람직하다.A
따라서, 공간분할 플레이트 조립체(300)의 전기적인 연결은 공간분할 플레이트(50)에 내장된 전극, 연결선, 플레이트 소켓(61), 보조 연결선(65a,65b,65c), 제4커넥터(63), 제5커넥터(71), 연장 연결선(75a,75b,75c), 제6커넥터(73)가 순차적 으로 연결되어 상기 고주파 발생장치(90)와 각각 연결된다.Accordingly, the electrical connection of the space dividing plate assembly 300 may include the electrodes, the connecting lines, the
또한, 상기 공간분할 플레이트(50)와 플레이트 지지부재(60)의 조립 또는 분리시에는 플레이트 소켓(61)에서 보조 연결선(65a,65b,65c)이 인입 또는 분리되거나 보조 연결선(65a,65b,65c)이 제4커넥터(63)에 인입 또는 분리되면서 기계적인 조립 및 분리와 일체로 전기적인 조립 및 분리가 가능하고, 플레이트 지지부재(60)와 플레이트 승강봉(70)의 조립 또는 분리시에는 제4커넥터(63)와 제5커넥터(71)가 조립 또는 분리되면서 기계적인 조립 및 분리와 일체로 전기적인 조립 및 분리가 가능하다.In addition, when assembling or detaching the
상기 고주파 발생장치(90)는 상기 공간분할 플레이트(50)에 구비되는 전기연결 라인(400a,400b,400c)과 연결되어 상기 전극에 고주파 전력을 인가시키는 수단으로서, 상기 전기연결 라인(400a,400b,400c)에 고주파 전원(93)이 접속되고, 상기 고주파 전원(93)과 전극 사이에 정합기(91)가 설치된다.The high frequency generator 90 is connected to the electrical connection lines 400a, 400b, and 400c provided in the
상기 고주파 발생장치(90)는 하나가 구비되어 각각 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력을 발생시키거나, 사용되는 고주파 종류의 개수에 대응되는 만큼 구비되어 각각 서로 다른 주파수의 고주파 전력을 발생시킬 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 공간분할 플레이트(50)에 원하는 주파수의 고주파 전력을 인가시킬 수 있다면 그 개수 및 방법은 어떠하여도 무방하다.The high frequency generator 90 may be provided to generate high frequency power having different frequencies, or may be provided to correspond to the number of high frequency types used to generate high frequency power of different frequencies. Of course, the present invention is not limited thereto, and any number and method may be used as long as high frequency power of a desired frequency can be applied to the
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 배치식 기판 처리 장치의 사용 상태를 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.The use state of the batch type substrate processing apparatus according to the present invention constructed as above will be described with reference to the drawings.
도 5a 내지 5c는 본 발명에 따른 배치식 기판 처리 장치의 사용상태를 나타내는 사용상태도이다.5A to 5C are use state diagrams showing use states of the batch type substrate processing apparatus according to the present invention.
도 5a에 도시된 바와 같이 먼저, 기판(1)의 로딩을 위하여 척 승강봉(40) 및 플레이트 승강봉(70)을 하강시켜 최상부에 배치되는 기판척(20)에 기판(1)을 로딩할 수 있는 지점에 위치시킨 상태에서 척 승강봉(40)을 더 하강시켜 리프트핀(21)이 공간분할 플레이트(50)의 상면에 지지되어 기판척(20) 상면으로 돌출되도록 한다. 이 상태에서 기판(1)을 로딩시켜 최상부에 배치되는 기판척(20)의 리프트핀(21) 상단에 안착시킨다. 그리고, 척 승강봉(40) 및 플레이트 승강봉(70)을 상승시켜 두번째 기판척(20)에 기판(1)을 로딩할 수 있는 지점에 위치시킨 상태에서 기판(1)을 로딩시켜 두번째 기판척(20)의 리프트핀(21) 상단에 안착시킨다. 이러한 과정을 반복하여 준비된 리프트핀(21)의 상단에 기판(1)을 모두 안착시킨다.5A, the substrate 1 is loaded on the
이어서, 도 5b에 도시된 바와 같이 플레이트 승강봉(70)은 고정시킨 상태에서 척 승강봉(40)을 상승시켜 기판척(20)에 기판(1)이 안착되도록 한 다음 척 승강봉(40)의 상승을 계속하여 공간분할 플레이트(50)와 기판(1)이 근접되도록 한다. 이때 기판(1)의 상면과 공간분할 플레이트(50)의 하면 간의 간격은 플라즈마가 바람직하게 형성될 수 있는 간격을 유지하는 것이 바람직하다.5B, the plate-up
이렇게 기판척과 공간분할 플레이트(50)의 간격이 결정되었다면 도 5c에 도시된 바와 같이 척 승강봉(40)과 플레이트 승강봉(70)을 동시에 상승시켜 챔버(10)의 측벽에 구비되어 반응가스가 분사되는 분사공(15)이 구비된 지점까지 기판척(20) 및 공간분할 플레이트(50)를 상승시킨다.5C, the chucking-up
이렇게 기판(1)이 반응위치에 위치되었다면, 챔버(10)를 밀폐시키고, 내부 분위기를 진공상태로 만든다. 이때 기판척(20)에 내장된 가열부재에 전원을 공급하여 기판척(20)을 가열한다.Thus, if the substrate 1 is placed in the reaction position, the
이후, 도 5c에 도시된 바와 같이 챔버(10)의 측벽을 통하여 기판(1) 방향으로 반응가스를 분사하여 반응가스가 기판(1)의 상면과 공간분할 플레이트(50)의 하면 사이에 분포하도록 한다. Thereafter, as shown in FIG. 5C, the reaction gas is injected toward the substrate 1 through the sidewall of the
이렇게 반응가스가 기판(1)의 상면과 공간분할 플레이트(50)의 하면에 분포되면, 고주파 발생장치(90)를 작동시켜 공간분할 플레이트(50)에 내장된 전극에 고주파 전원을 인가한다. 이때 서로 인접되는 공간분할 플레이트에는 서로 다른 주파수의 고주파 전력을 인가시킨다. 그러면 접지된 기판척(20)과 고주파 전원이 인가된 공간분할 플레이트(50)의 구성으로 인하여, 공간분할 플레이트(50)는 캐소드의 역할을 하게 되고, 기판척(20)은 애노드의 역할을 하게 되며, 캐소드 및 애노드 사이의 반응가스에 예를 들어 12.56 ㎒, 13.56 ㎒, 14.56 ㎒ 등의 서로 다른 주파수의 고주파가 인가되어 플라즈마가 생성된다. 그래서 기판(1)의 상면과 공간분할 플레이트(50)의 하면 사이에 플라즈마가 생성된다. 이렇게 생성된 플라즈마를 이용하여 박막의 증착 또는 식각 공정을 수행하게된다.When the reaction gas is distributed on the upper surface of the substrate 1 and the lower surface of the
이렇게 서로 인접되는 공간분할 플레이트에 내장된 전극에 서로 다른 주파수의 고주파 전력을 인가시킴에 따라 주파수의 상쇄 또는 보강과 같은 간섭작용이 최소화되어 균일한 고주파 전력의 인가가 가능한고 이에 따라 균일한 플라즈사의 생성을 보장할 수 있다.By applying high frequency power of different frequencies to the electrodes embedded in the adjacent space-dividing plates, interference effects such as cancellation or reinforcement of frequencies are minimized, so that uniform high frequency power can be applied. You can guarantee the creation.
본 발명의 기술적 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been specifically described in accordance with the above preferred embodiments, it is to be noted that the above-described embodiments are intended to be illustrative and not restrictive. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention.
도 1은 본 발명에 따른 배치식 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 구성도이고,1 is a schematic view showing a batch type substrate processing apparatus according to the present invention,
도 2는 본 발명에 따른 기판 지지 장치의 요부를 나타내는 사시도이며,2 is a perspective view showing the main portion of a substrate supporting apparatus according to the present invention;
도 3a는 본 발명에 따른 기판척 조립체를 나타내는 분해 사시도이고,3A is an exploded perspective view illustrating a substrate chuck assembly according to the present invention;
도 3b는 본 발명에 따른 공간분할 플레이트 조립체를 나타내는 분해 사시도이며,Figure 3b is an exploded perspective view showing a partition plate assembly according to the present invention,
도 4a는 본 발명에 따른 기판척 조립체를 나타내는 단면도이고,4A is a cross-sectional view illustrating a substrate chuck assembly according to the present invention;
도 4b는 본 발명에 따른 공간분할 플레이트 조립체를 나타내는 단면도이며,Figure 4b is a cross-sectional view showing a partition plate assembly according to the present invention,
도 5a 내지 5c는 본 발명에 따른 배치식 기판 처리 장치의 사용상태를 나타내는 사용상태도이다.5A to 5C are use state diagrams showing use states of the batch type substrate processing apparatus according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
1: 기판 10: 챔버1: substrate 10: chamber
20: 기판척 21: 리프트핀20: substrate chuck 21: lift pin
25: 척 연장부 30: 척 지지부재25: chuck extension part 30: chuck support member
31: 척 소켓 40: 척 승강봉31: chuck socket 40: chuck lifting rod
50: 공간분할 플레이트 60: 플레이트 지지부재50: space dividing plate 60: plate support member
61: 플레이트 소켓 67: 커플러61: plate socket 67: coupler
70 : 플레이트 승강봉 80: 패킹부재70: Plate wing steel rod 80: Packing member
81: 패킹홈 90: 고주파 발생장치81: packing groove 90: high frequency generator
91: 정합기 93: 고주파 전원91: matching device 93: high frequency power supply
33,41,43,63,71,73: 커넥터33,41,43,63,71,73: connector
35,65a,65b,65c: 보조 연결선 45,75a,75b,75c: 연장 연결선35,65a, 65b, 65c:
47,77: 구동연결 플랜지 48,79: 벨로우즈47,77:
49,79: 절연체 100: 기판척 조립체49, 79: insulator 100: substrate chuck assembly
300: 공간분할 플레이트 조립체300: space dividing plate assembly
200,400a,400b,400c: 전기연결 라인200,400a, 400b, 400c: electrical connection line
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US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
KR102166491B1 (en) * | 2014-07-24 | 2020-10-15 | 주식회사 원익아이피에스 | Batch type apparatus for processing substrate |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
KR102532607B1 (en) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Substrate processing apparatus and method of operating the same |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (en) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the same |
KR20180068582A (en) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Substrate processing apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (en) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Substrate processing apparatus |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
KR102457289B1 (en) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method for depositing a thin film and manufacturing a semiconductor device |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (en) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (en) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Substrate processing apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102630301B1 (en) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method of sequential infiltration synthesis treatment of infiltrateable material and structures and devices formed using same |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
KR102597978B1 (en) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Storage device for storing wafer cassettes for use with batch furnaces |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
TW202325889A (en) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | Deposition method |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (en) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Substrate processing method and apparatus |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (en) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (en) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Substrate processing method |
TWI811348B (en) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI816783B (en) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | Methods for forming a doped metal carbide film on a substrate and related semiconductor device structures |
KR102596988B1 (en) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method of processing a substrate and a device manufactured by the same |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (en) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Substrate processing system |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
JP2021529254A (en) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | Periodic deposition methods for forming metal-containing materials and films and structures containing metal-containing materials |
CN112292477A (en) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | Cyclic deposition methods for forming metal-containing materials and films and structures containing metal-containing materials |
KR20200002519A (en) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method for depositing a thin film and manufacturing a semiconductor device |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (en) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method for deposition of a thin film |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (en) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | Substrate holding apparatus, system including the same, and method of using the same |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (en) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Substrate support unit and apparatuses for depositing thin film and processing the substrate including the same |
KR102605121B1 (en) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR102546322B1 (en) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (en) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Substrate support unit and substrate processing apparatus including the same |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (en) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | A method for cleaning a substrate processing apparatus |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (en) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | Method of forming device structure using selective deposition of gallium nitride, and system for the same |
TWI819180B (en) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR20200091543A (en) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Semiconductor processing device |
CN111524788B (en) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | Method for topologically selective film formation of silicon oxide |
KR102638425B1 (en) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
KR102626263B1 (en) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same |
JP2020136677A (en) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | Periodic accumulation method for filing concave part formed inside front surface of base material, and device |
JP2020133004A (en) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | Base material processing apparatus and method for processing base material |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108242A (en) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method for Selective Deposition of Silicon Nitride Layer and Structure Including Selectively-Deposited Silicon Nitride Layer |
KR20200108243A (en) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Structure Including SiOC Layer and Method of Forming Same |
JP2020167398A (en) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
KR20200116855A (en) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method of manufacturing semiconductor device |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (en) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Gas-phase reactor system and method of using same |
KR20200130118A (en) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method for Reforming Amorphous Carbon Polymer Film |
KR20200130121A (en) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Chemical source vessel with dip tube |
KR20200130652A (en) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
JP2020188255A (en) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace, and method |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (en) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
KR20200143254A (en) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method of forming an electronic structure using an reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (en) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
JP2021015791A (en) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | Plasma device and substrate processing method using coaxial waveguide |
CN112216646A (en) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | Substrate supporting assembly and substrate processing device comprising same |
KR20210010307A (en) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Substrate processing apparatus |
KR20210010816A (en) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Radical assist ignition plasma system and method |
KR20210010820A (en) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Methods of forming silicon germanium structures |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (en) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | Method of forming topologically controlled amorphous carbon polymer films |
TW202113936A (en) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
CN112309900A (en) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | Substrate processing apparatus |
CN112309899A (en) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | Substrate processing apparatus |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (en) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | Liquid level sensor for chemical source container |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (en) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | Production apparatus of mixed gas of film deposition raw material and film deposition apparatus |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (en) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method for forming a structure with a hole |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024420A (en) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (en) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
KR20210029663A (en) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Substrate processing apparatus |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (en) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | Method for forming topologically selective silicon oxide film by cyclic plasma enhanced deposition process |
TW202129060A (en) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | Substrate processing device, and substrate processing method |
TW202115273A (en) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
KR20210045930A (en) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method of Topology-Selective Film Formation of Silicon Oxide |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (en) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Apparatus and methods for selectively etching films |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (en) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (en) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
CN112951697A (en) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | Substrate processing apparatus |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (en) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | Substrate processing apparatus |
CN112885692A (en) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | Substrate processing apparatus |
JP2021090042A (en) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR20210070898A (en) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Substrate processing apparatus |
JP2021097227A (en) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | Method of forming vanadium nitride layer and structure including vanadium nitride layer |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
JP2021109175A (en) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including the same |
KR20210095050A (en) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
TW202130846A (en) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
TW202146882A (en) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Method of verifying an article, apparatus for verifying an article, and system for verifying a reaction chamber |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (en) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | System dedicated for parts cleaning |
KR20210116240A (en) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Substrate handling device with adjustable joints |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
CN113394086A (en) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | Method for producing a layer structure having a target topological profile |
KR20210124042A (en) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Thin film forming method |
TW202146689A (en) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device |
TW202145344A (en) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Apparatus and methods for selectively etching silcon oxide films |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
CN113555279A (en) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | Method of forming vanadium nitride-containing layers and structures including the same |
TW202146831A (en) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Vertical batch furnace assembly, and method for cooling vertical batch furnace |
KR20210132600A (en) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element |
KR20210134226A (en) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Solid source precursor vessel |
KR20210134869A (en) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
KR20210141379A (en) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Laser alignment fixture for a reactor system |
TW202147383A (en) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Substrate processing apparatus |
KR20210145078A (en) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
KR20210145080A (en) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide |
TW202201602A (en) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Substrate processing device |
TW202218133A (en) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Method for forming a layer provided with silicon |
TW202217953A (en) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Substrate processing method |
KR20220010438A (en) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Structures and methods for use in photolithography |
TW202204662A (en) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Method and system for depositing molybdenum layers |
TW202212623A (en) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Method of forming metal silicon oxide layer and metal silicon oxynitride layer, semiconductor structure, and system |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (en) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Method of depositing material on stepped structure |
TW202217037A (en) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Method of depositing vanadium metal, structure, device and a deposition assembly |
TW202223136A (en) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Method for forming layer on substrate, and semiconductor processing system |
KR20220076343A (en) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | an injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (en) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Transition metal deposition method, transition metal layer, and deposition assembly for depositing transition metal on substrate |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0644554B2 (en) * | 1984-03-28 | 1994-06-08 | 株式会社富士電機総合研究所 | Plasma CVD equipment |
KR100433032B1 (en) | 2000-08-04 | 2004-05-24 | 주식회사 선익시스템 | Photo-resister ashing system |
JP2006269591A (en) | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate treatment equipment |
-
2008
- 2008-02-11 KR KR1020080012254A patent/KR101362811B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0644554B2 (en) * | 1984-03-28 | 1994-06-08 | 株式会社富士電機総合研究所 | Plasma CVD equipment |
KR100433032B1 (en) | 2000-08-04 | 2004-05-24 | 주식회사 선익시스템 | Photo-resister ashing system |
JP2006269591A (en) | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate treatment equipment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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