KR101325365B1 - Apparatus of cleaning and drying wafer and method using same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an immersed wafer drying and cleaning apparatus and a drying and cleaning method using the same. The present invention includes: a cleaning bath which receives cleaning solutions to clean a wafer, is divided into a first region in which the wafer is immersed and a second region in which the wafer is not immersed by a partition and includes a connection unit which connects the first region to the second region under the surfaces of the cleaning solutions; an IPA steam supply unit which forms an IPA liquid layer on the surfaces of the cleaning solutions of the first region by supplying IPA steam to a chamber; a wafer moving unit which moves the wafer from the first region to the outside of the cleaning solutions; and a cleaning solution moving unit which moves the cleaning solutions of the second region to the first region through the connection unit and includes a center part which becomes convex according as the quantity of the cleaning solutions is increased. Provides are the wafer drying and cleaning apparatus and the drying and cleaning method using the same, capable of maximizing a marangoni effect by increasing the contact time of the surface of the wafer with the IPA liquid layer to be sufficiently coated by discharging and drying the wafer from the inside to the outside of the cleaning solutions when the surfaces of the cleaning solutions of the first region become convex. [Reference numerals] (140) IPA steam supply unit

Description

웨이퍼의 침지식 세정 건조 장치 및 이를 이용한 웨이퍼의 세정 건조 방법 {APPARATUS OF CLEANING AND DRYING WAFER AND METHOD USING SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an immersion type cleaning and drying apparatus for a wafer,

본 발명은 반도체 패키지 제조를 위한 웨이퍼의 세정 건조에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 웨이퍼를 세정액에 잠기게 하여 수중 세정 공정을 행한 후, 세정액으로부터 웨이퍼를 꺼내면서 표면 장력의 구배 차이로 세정액이 웨이퍼의 표면에 남지 않도록 건조시키는 마란고니 효과를 보다 극대화할 수 있는 웨이퍼의 세정 건조 장치 및 이를 이용한 웨이퍼의 세정 건조 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to cleaning and drying of wafers for the manufacture of semiconductor packages. More particularly, after the wafer is submerged in a cleaning liquid and subjected to an underwater cleaning process, the cleaning liquid is separated from the surface by a gradient of surface tension while removing the wafer from the cleaning liquid. The present invention relates to a cleaning and drying apparatus for a wafer capable of maximizing the marangoni effect to be dried so as not to remain on the surface, and a cleaning and drying method for the wafer using the same.

웨이퍼의 제조 공정 중에는 입자, 금속성 불순물(metallic impurity), 자연 산화물(native oxide) 등의 이물질이 웨이퍼의 표면에 부착되는 현상이 발생된다. 이러한 이물질은 반도체 패키지를 제조하는 데 오류를 야기하는 것이어서, 각 공정별로 충분한 세정을 행하여 왔다.During the manufacturing process of the wafer, foreign substances such as particles, metallic impurities, and native oxide are adhered to the surface of the wafer. These foreign substances cause errors in manufacturing a semiconductor package, and therefore, sufficient cleaning has been performed for each process.

이를 위하여, 종래의 웨이퍼의 세정 건조 장치(1)는, 도1에 도시된 바와 같이 세정조(rinse bath, 10)에 화학 세정액을 채운 후, 웨이퍼(W)를 완전히 잠기게 담가 이물질을 제거한 다음, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 세정액을 건조시키는 공정을 행하도록 구성된다. 이를 위하여, 이소프로필알코올(isopropyl alcohol, IPA) 증기 공급부(40)로부터 IPA 증기를 세정액의 표면에 공급하여, IPA 증기가 세정액 수면에서 응축되거나 용해되어 IPA 액층(77)이 형성되도록 한 후, 세정액(66)에 잠긴 웨이퍼(W)를 바깥으로 꺼내면(98), 표면 장력이 작은 IPA 액층이 표면 장력이 큰 세정액을 밀어내어, 웨이퍼(W)의 표면에 세정액이 남지 않도록 건조시키는 방법이 사용되고 있다. (본 명세서에 첨부된 도면에는 IPA액층의 두께를 과장하여 도시되어 있음.) To this end, the conventional cleaning and drying apparatus 1 of the wafer is filled with a chemical cleaning liquid in a rinse bath 10, as shown in FIG. 1, and then submerged to completely submerge the wafer W to remove foreign substances. It is comprised so that the process of drying a washing | cleaning liquid from the surface of the wafer W may be performed. To this end, the IPA vapor is supplied to the surface of the cleaning liquid from the isopropyl alcohol (IPA) vapor supply unit 40 so that the IPA vapor is condensed or dissolved at the surface of the cleaning liquid to form the IPA liquid layer 77, and then the cleaning liquid. When the wafer W submerged in (66) is taken out (98), a method is used in which an IPA liquid layer having a small surface tension pushes out a cleaning liquid having a large surface tension, and is dried so that the cleaning liquid does not remain on the surface of the wafer W. . (In the accompanying drawings, the thickness of the IPA liquid layer is exaggerated.)

이 때, 도2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 세정액(66)의 바깥으로 배출되는 짧은 동안에, 웨이퍼(W)이 세정액(66)으로 배출됨에 따라 세정액(66)이 따라 올라가므로, 웨이퍼(W)의 표면과 접촉하는 IPA액층(77)의 두께(d1)는 잔잔한 상태에서의 두께(d2)에 비하여 훨씬 얇아져, IPA액층(77)이 웨이퍼(W)의 표면에 묻은 세정액(66)을 밀어내는 힘(55)이 약해져, 웨이퍼(W) 표면으로부터 세정액(66)을 완전히 건조하지 못하는 경우가 발생된다. At this time, as shown in FIG. 2, during the short time when the wafer W is discharged out of the cleaning liquid 66, the cleaning liquid 66 rises as the wafer W is discharged into the cleaning liquid 66. The thickness d1 of the IPA liquid layer 77 in contact with the surface of the wafer W is much thinner than the thickness d2 in the still state, so that the cleaning liquid 66 in which the IPA liquid layer 77 adheres to the surface of the wafer W is attached. ), The force 55 for pushing () is weakened, so that the cleaning liquid 66 cannot be completely dried from the wafer W surface.

따라서, 웨이퍼(W)를 세정액(66)으로부터 배출시킬 때에 IPA액층(77)에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 묻은 세정액(66)을 보다 확실하게 밀어내어 마란고니 효과를 극대화시킬 필요성이 점점 크게 대두되고 있다.
Therefore, when the wafer W is discharged from the cleaning liquid 66, the necessity of maximizing the marangoni effect by more reliably pushing out the cleaning liquid 66 adhered to the surface of the wafer W by the IPA liquid layer 77 is increased. It is emerging.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 웨이퍼를 세정액에 잠기게 하여 수중 세정 공정을 행한 후, 세정액으로부터 웨이퍼를 꺼내면서 표면 장력의 구배 차이로 세정액이 웨이퍼의 표면에 남지 않도록 건조시키는 마란고니 효과를 보다 극대화하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and after drying the wafer in a cleaning liquid and performing the underwater cleaning process, the marangoni is dried so that the cleaning liquid does not remain on the surface of the wafer due to the difference in surface tension while removing the wafer from the cleaning liquid. It aims to maximize the effect more.

이를 통해, 본 발명은 웨이퍼의 세정 이후에 그 표면에 묻은 세정액을 보다 확실히 건조시킴으로써, 수많은 웨이퍼 전체에 대하여 전부 그 다음 공정을 곧바로 행할 수 있도록 하여, 반도체 패키지의 제조 공정의 효율을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
Through this, the present invention aims to improve the efficiency of the semiconductor package manufacturing process by allowing the cleaning process on the surface of the wafer to be more reliably dried after cleaning the wafer so that the whole process can be performed immediately on all of the numerous wafers. It is done.

상술한 바와 같은 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은, 웨이퍼를 세정하는 세정액을 수용하고, 상기 웨이퍼가 침지되는 제1영역과 상기 웨이퍼가 침지되지 않는 제2영역으로 구분되되, 상기 제1영역과 상기 제2영역은 상기 세정액의 수면 아래에서 연통부를 통해 서로 통하는 세정조와; 상기 챔버 내에 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol, IPA) 증기를 공급하여, 상기 제1영역의 상기 세정액 표면에 형성된 IPA액층을 형성하는 IPA 증기 공급부와; 상기 웨이퍼를 상기 제1영역에서 상기 세정액의 바깥으로 이동시키는 웨이퍼 이동부와; 상기 제2영역의 상기 세정액을 상기 연통부를 통해 상기 제1영역으로 이동시켜, 상기 제1영역의 세정액의 양이 증가하면서 중앙부가 볼록한 상태가 되게 하는 세정액 이동수단을; 포함하여 구성되어, 상기 제1영역의 세정액 수면이 볼록한 상태일 때 상기 웨이퍼를 세정액 내부로부터 외부로 배출시키면서 건조하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 건조 장치를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention includes a cleaning liquid for cleaning a wafer, and divided into a first region in which the wafer is immersed and a second region in which the wafer is not immersed. And the second region communicates with each other through a communication unit under the water surface of the cleaning liquid. An IPA vapor supply unit supplying isopropyl alcohol (IPA) vapor into the chamber to form an IPA liquid layer formed on the surface of the cleaning liquid in the first region; A wafer moving part for moving the wafer out of the cleaning liquid in the first region; Cleaning liquid moving means for moving the cleaning liquid in the second region to the first region through the communicating portion so that the amount of the cleaning liquid in the first region increases and the central portion becomes convex; And the wafer is dried while the wafer is discharged from the inside of the cleaning liquid to the outside when the surface of the cleaning liquid in the first region is convex.

이는, 세정조의 제2영역에 있는 세정액을 세정액 이동수단을 이용하여 연통부를 통해 제1영역으로 이동시킴으로써, 제1영역에서의 세정액 수위가 높아지면서 중앙부가 볼록해지는데, 이 때, 볼록해진 중앙부에서 IPA액층의 두께가 주변부에 비하여 더 두꺼워지므로, 볼록해진 제1영역의 중앙부를 통해 웨이퍼를 세정액 내부로부터 외부로 배출시킴으로써, 웨이퍼의 표면에 IPA액층을 보다 충분히 묻게 되어, 표면장력이 상대적으로 낮은 IPA액층이 표면 장력이 상대적으로 높은 세정액을 웨이퍼 표면에서 밀어내는 마란고니 효과를 극대화하기 위함이다. This is because the cleaning liquid in the second region of the cleaning tank is moved to the first region through the communicating portion by using the cleaning liquid moving means, so that the level of the cleaning liquid in the first region is increased and the central portion is convex. Since the thickness of the IPA liquid layer becomes thicker than the periphery, the wafer is discharged from the inside of the cleaning liquid to the outside through the central portion of the first convex region, so that the IPA liquid layer is more sufficiently buried on the surface of the wafer, and the surface tension is relatively low. This is to maximize the marangoni effect that the liquid layer pushes the cleaning liquid with a relatively high surface tension from the wafer surface.

이를 통해, 동일한 두께의 IPA 액층이 세정액(본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '세정액'은 '순수'를 포함하는 것으로 정의한다)에 형성된 경우라도, 세정조로부터 웨이퍼를 꺼낼 때에 웨이퍼의 표면에 세정액이 잔류하지 않고 신뢰성있게 완전 건조되도록 함으로써, 수많은 웨이퍼 전체에 대하여 전부 그 다음 공정을 곧바로 행할 수 있도록 하여, 반도체 패키지의 제조 공정의 효율을 향상시킬 수 있다. Thus, even when the IPA liquid layer of the same thickness is formed on the cleaning liquid (the 'cleaning liquid' described in the present specification and claims is defined as including 'pure water'), when the wafer is taken out from the cleaning tank, The semiconductor wafer can be reliably and completely dried so that the entire subsequent steps can be performed immediately for a large number of wafers to improve the efficiency of the semiconductor package manufacturing process.

본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 상기 세정액 이동수단은, 상기 제2영역의 상기 세정액 표면의 상측 공간을 밀폐시키고, 상기 제2영역의 상기 세정액 내에 적어도 일부가 잠기도록 위치한 팽창 가능한 풍선을 포함하여 구성되어, 상기 풍선의 팽창에 의해 상기 연통부를 통해 상기 제2영역의 세정액이 상기 제1영역으로 이동시킬 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the cleaning liquid moving means includes an inflatable balloon which seals the upper space of the surface of the cleaning liquid in the second area and is positioned so as to be at least partially submerged in the cleaning liquid in the second area And the cleaning liquid in the second area can be moved to the first area through the communication part by expansion of the balloon.

이 때, 상기 제2영역에는 상기 풍선이 상기 제1영역의 둘레에 일정 간격을 두고 다수 분포되어, 제2영역으로부터 제1영역으로 유입되는 세정액이 원주 방향에 걸쳐 균일하게 조절됨으로써, 제1영역으로 유입된 세정액의 내부 유동을 최소화하고 제1영역의 세정액이 증가하여 볼록해지는 위치를 중앙부로 정확히 조절할 수 있다. At this time, a large number of balloons are distributed in the second region at regular intervals around the first region, and the cleaning liquid flowing into the first region from the second region is uniformly controlled in the circumferential direction, The internal flow of the washing liquid introduced into the first region can be minimized and the position of the convexity of the washing liquid in the first region can be precisely adjusted to the center.

한편, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 상기 세정액 이동수단은 파스칼의 원리를 이용하여 상기 제2영역의 상기 세정액 표면을 가압하는 가압 수단일 수도 있다. 이때, 유공압 실린더 등의 가압 수단으로 제2영역의 세정액 표면을 보다 쉽게 가압할 수 있도록, 제2영역은 제1영역의 둘레를 감싸는 형태이기보다는 가압하기 쉬운 원형 단면으로 형성되는 것이 효과적이다. According to another embodiment of the present invention, the cleaning liquid moving means may be a pressing means for pressing the surface of the cleaning liquid in the second region using the Pascal principle. In this case, it is effective that the second region is formed in a circular cross section which is easy to press, rather than a region surrounding the periphery of the first region, so that the surface of the cleaning liquid in the second region can be pressed more easily by the pressing means such as a hydraulic cylinder.

한편, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 상기 세정액 이동수단은 상기 제2영역의 수중에 새로운 새정액을 공급하는 세정액 공급부로 이루어질 수도 있다.이와 같이, 제2영역에 약간의 물을 더 공급함으로써, 제2영역의 수위와 함께 제1영역의 수위가 약간 상승하면서 제1영역의 중앙부가 표면 장력에 의해 볼록해지는 효과를 구현할 수도 있다.According to another embodiment of the present invention, the cleaning liquid moving means may be a cleaning liquid supply unit for supplying fresh new semen to the second area. , The water level of the first region may rise slightly with the water level of the second region, and the central portion of the first region may be convexed by the surface tension.

상기 제1영역과 상기 제2영역은 격벽에 의해 구분되고, 상기 연통부는 상기 격벽에 2개 이상의 구멍이 상기 제1영역의 둘레에 대칭으로 분포되어 형성되는 것이 바람직하다.It is preferable that the first region and the second region are divided by a partition wall, and the communication portion is formed by distributing two or more holes in the partition wall symmetrically around the first region.

상기 제1영역의 상기 IPA 액층의 둘레면에는 소수성 코팅면이 형성된 것이 바람직하다. 이를 통해, 제1영역에 세정액이 공급되면, IPA액층의 둘레의 수위는 상승하려고 하지 않으므로, IPA액층의 중앙부가 보다 더 볼록해지는 효과를 얻을 수 있다. And a hydrophobic coating surface is formed on the circumferential surface of the IPA liquid layer in the first region. As a result, when the cleaning liquid is supplied to the first region, the water level around the IPA liquid layer does not rise, and thus the central portion of the IPA liquid layer becomes more convex.

이 때, 제1영역을 둘러싸는 면 전체에 대해 소수성 코팅면이 형성될 수도 있지만, IPA액층의 상면(수면)으로부터 상측에만 소수성 코팅면이 형성됨으로써, IPA액층이 차지하는 높이 영역에 대해서는 제1영역을 둘러싸는 면에 밀착되려고 하지만, 제1영역에 세정액이 보다 공급되면, 제1영역 가장자리의 IPA액층 수면은 오르지 않고 제1영역 중앙부의 IPA액층 수면이 오르므로, IPA액층의 두께가 중앙부에 보다 두꺼워지면서 중앙부가 보다 볼록해지는 효과를 높일 수 있다.At this time, the hydrophobic coating surface may be formed on the entire surface surrounding the first region, but since the hydrophobic coating surface is formed only from the upper surface (water surface) of the IPA liquid layer, the first region with respect to the height region occupied by the IPA liquid layer. However, if the cleaning liquid is supplied to the first area more, the surface of the IPA liquid layer at the edge of the first area does not rise, and the surface of the IPA liquid layer at the center of the first area rises, so that the thickness of the IPA liquid layer is more centered. As it thickens, the center becomes more convex.

이 경우, IPA 액층의 수위를 정확히 조절하는 것이 필요하므로, 상기 제1영역을 둘러싸는 면 중 어느 위치에 IPA 액층의 수위를 감지하는 수위 센서가 구비되는 것이 좋다. In this case, since it is necessary to accurately adjust the water level of the IPA liquid layer, it is preferable that a water level sensor for detecting the water level of the IPA liquid layer at any position of the surface surrounding the first area.

상기 세정액은 순수인 것을 포함한다.
The cleaning liquid includes pure water.

한편, 발명의 다른 분야에 따르면, 본 발명은, 웨이퍼가 침지되는 제1영역과, 상기 웨이퍼가 침지되지 않는 제2영역으로 구분되어 세정액이 수용되고, 상기 제1영역과 상기 제2영역은 상기 세정액의 수면 아래에서 연통부를 통해 서로 통하는 세정조의 세정액 표면에 IPA증기를 공급하여 IPA 액층을 형성하는 IPA액층 형성단계와; 상기 제1영역에 웨이퍼를 침지시키는 웨이퍼 침지단계와; 상기 제2영역 내의 세정액을 상기 연통부를 통해 상기 제1영역으로 이동시켜, 상기 제1영역 내의 세정액의 표면이 표면 장력에 의해 가운데가 볼록해지도록 하는 세정액 이동단계와; 상기 웨이퍼를 상기 세정액 내부로부터 외부로 배출시키는 것에 의해 상기 웨이퍼의 표면을 건조시키는 웨이퍼 배출단계를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법을 제공한다.On the other hand, according to another field of the invention, the present invention is divided into a first region in which the wafer is immersed, and a second region in which the wafer is not immersed, the cleaning liquid is accommodated, wherein the first region and the second region is An IPA liquid layer forming step of forming an IPA liquid layer by supplying IPA vapor to the surface of the cleaning liquid of the cleaning tank communicating with each other through the communicating portion under the surface of the cleaning liquid; A wafer immersion step of immersing the wafer in the first region; A cleaning liquid moving step of moving the cleaning liquid in the second region to the first region through the communicating portion so that the surface of the cleaning liquid in the first region becomes convex in the middle by surface tension; A wafer ejecting step of drying the surface of the wafer by ejecting the wafer from the inside of the cleaning liquid to the outside; It provides a wafer drying method comprising a.

즉, IPA액층이 세정액의 수면에 형성된 상태에서, 세정액 이동단계에 의해 제1영역에 세정액을 조금 더 공급하여 표면 장력에 의해 제1영역의 세정액이 상방으로 볼록한 상태가 될 때, 볼록해진 제1영역의 중앙부를 통해 웨이퍼를 세정액 내부로부터 외부로 배출시키는 웨이퍼 배출단계를 행함으로써, 웨이퍼의 표면에 IPA액층이 보다 오랜 시간동안 보다 많은 양이 묻으면서, IPA액층과 세정액(또는 순수)의 표면 장력 차이에 의한 마란고니 효과로 웨이퍼의 표면을 짧은 시간에 완전히 건조시킬 수 있다. That is, in the state where the IPA liquid layer is formed on the surface of the cleaning liquid, when the cleaning liquid in the first region becomes convex upward due to surface tension by supplying the cleaning liquid to the first region a little more by the cleaning liquid moving step, the first convex first By performing the wafer ejection step of ejecting the wafer from the inside of the cleaning liquid to the outside through the center portion of the region, the surface tension of the IPA liquid layer and the cleaning liquid (or pure water), while the IPA liquid layer is buried in a larger amount on the surface of the wafer for a longer time. The marangoni effect of the difference allows the surface of the wafer to dry completely in a short time.

이 때, 상기 세정액 이동단계는, 상기 제1영역을 감싸는 둘레의 제1높이 이상에는 소수성 코팅면이 형성되고, 상기 IPA액층의 상면은 상기 제1높이와 일치하는 높이까지 도달했는지를 감지한 후, 제1영역 내에 세정액을 조금더 공급하여 제1영역의 수면 중앙부가 볼록해질 때까지 행한다. 이는, 소수성 코팅면에 의해 IPA액층의 가장자리는 더이상 수면이 상승하지 않으려고 하여, 제1영역의 중앙부를 보다 볼록하게 만들기 위함이다. At this time, the cleaning liquid moving step, after detecting whether the hydrophobic coating surface is formed on the first height or more around the circumference surrounding the first region, the upper surface of the IPA liquid layer reaches a height matching the first height The cleaning liquid is further supplied into the first region until the center of the water surface of the first region is convex. This is to make the center of the first region more convex so that the edge of the IPA liquid layer no longer raises the water surface by the hydrophobic coating surface.

본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 상기 세정액 이동단계는, 상기 제2영역의 상기 세정액 표면의 상측 공간을 밀폐시키고, 상기 제2영역의 상기 세정액 내에 적어도 일부가 잠기도록 위치한 팽창 가능한 풍선을 포함하여 구성되어, 상기 풍선의 팽창에 의해 상기 연통부를 통해 상기 제2영역의 세정액이 상기 제1영역으로 이동시키도록 구성될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the cleaning liquid moving step includes an inflatable balloon positioned to seal an upper space of the surface of the cleaning liquid in the second region and to be at least partially submerged in the cleaning liquid of the second region. And, by the inflation of the balloon, the cleaning liquid of the second region may be moved to the first region through the communicating portion.

이 때, 상기 제2영역에는 상기 풍선이 상기 제1영역의 둘레에 일정 간격을 두고 다수 분포된 것이 바람직하다. At this time, it is preferable that a plurality of balloons are distributed in the second area at regular intervals around the first area.

본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 상기 세정액 이동단계는, 파스칼의 원리를 이용하여 상기 제2영역의 상기 세정액 표면을 가압하는 것에 의해 행해질 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the cleaning liquid movement step may be performed by pressing the surface of the cleaning liquid in the second region using the principle of Pascal.

본 발명의 또 다른 실시 형태에 따르면, 상기 세정액 이동단계는, 상기 제2영역의 상기 세정액 표면의 상측 공간을 밀폐시키고, 상기 제2영역에 새로운 새정액을 공급하는 것에 의해 이루어질 수도 있다.According to still another embodiment of the present invention, the cleaning liquid movement step may be performed by closing an upper space of the surface of the cleaning liquid in the second region and supplying new fresh liquid to the second region.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '세정액'이라는 용어는 웨이퍼를 세정할 수 있는 모든 형태의 액체를 포함하며, 순수(Deionized water 또는 탈이온수)를 포함한다.
The term " cleaning liquid " as used in this specification and claims includes all types of liquids capable of cleaning wafers and includes pure water (deionized water or deionized water).

상술한 바와 같이 본 발명은, 세정조의 제2영역에 있는 세정액을 세정액 이동수단을 이용하여 연통부를 통해 제1영역으로 이동시켜, 제1영역 내의 세정액과 그 위에 형성된 IPA액층의 중앙부가 볼록해지도록 유도한 상태에서, 볼록해진 제1영역의 중앙부를 통해 웨이퍼를 세정액 내부로부터 외부로 배출시킴으로써, 웨이퍼의 표면과 IPA액층이 접촉하는 시간을 보다 길게 유도하여, 표면장력이 상대적으로 낮은 IPA액층이 표면 장력이 상대적으로 높은 세정액을 웨이퍼 표면에서 밀어내는 마란고니 효과를 극대화하여, 여럿 중 일부에 대해서도 웨이퍼의 표면에 세정액이 남지 않고 완전히 웨이퍼를 건조시킬 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, the cleaning liquid in the second region of the cleaning tank is moved to the first region through the communicating portion using the cleaning liquid moving means, so that the central portion of the cleaning liquid in the first region and the IPA liquid layer formed thereon is convex. In the guided state, the wafer is discharged from the inside of the cleaning liquid to the outside through the central portion of the convex first region, thereby inducing a longer contact time between the surface of the wafer and the IPA liquid layer, thereby providing a surface with an IPA liquid layer having a relatively low surface tension. By maximizing the Marangoni effect of pushing the relatively high tension of the cleaning liquid off the wafer surface, it is possible to obtain an advantageous effect of completely drying the wafer without leaving the cleaning liquid on the surface of the wafer even for some of several.

이를 통해, 본 발명은 웨이퍼의 세정 건조 이후에 그 표면에 세정액이 반점 형태로 남지 않게 되어, 종래에 마란고니 방식에 의하더라도 일부 웨이퍼의 표면에 세정액이 남았던 문제가 발생되지 않고, 전체 웨이퍼에 대해서 완전한 건조를 할 수 있게 되어, 웨이퍼의 건조 오류에 의해 그 다음 공정을 곧바로 행하지 못하여 공정 효율이 저하되었던 종래의 문제를 일거에 해소할 수 있다.
Through this, in the present invention, the cleaning solution does not remain in the form of spots on the surface after cleaning and drying of the wafer, and the problem that the cleaning liquid remains on the surface of some wafers does not occur even by the Marangoni method. This makes it possible to completely dry, thereby eliminating the conventional problem in that the process efficiency is lowered due to the failure of the wafer to immediately proceed to the next process.

도1은 종래의 웨이퍼 세정 건조 장치의 구성을 도시한 도면
도2는 도1의 마란고니 효과에 의한 건조 원리를 설명하기 위한 도1의 'A'부분을 측방향에서 바라본 확대도
도3은 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 세정 건조 장치의 구성을 도시한 도면
도4는 도3의 제2영역의 풍선이 팽창한 상태를 도시한 도면
도5는 도3의 마란고니 효과에 의한 건조 원리를 설명하기 위한 도4의 'B' 부분을 측방향에서 바라본 확대도
도6은 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼 세정 건조 장치의 구성을 도시한 도면
도7은 본 발명의 제3실시예에 따른 웨이퍼 세정 건조 장치의 구성을 도시한 도면1 is a diagram showing the configuration of a conventional wafer cleaning drying apparatus.
FIG. 2 is an enlarged view of the 'A' part of FIG. 1 viewed from the side to explain the drying principle by the Marangoni effect of FIG.
3 is a diagram showing the configuration of a wafer cleaning drying apparatus according to the first embodiment of the present invention.
4 is a view illustrating a state in which the balloon of the second area of FIG. 3 is inflated;
FIG. 5 is an enlarged view of the 'B' part of FIG. 4 viewed from the side to explain the drying principle by the Marangoni effect of FIG.
6 is a diagram showing the configuration of a wafer cleaning drying apparatus according to a second embodiment of the present invention.
7 is a diagram showing the configuration of a wafer cleaning drying apparatus according to a third embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 세정 건조 장치(100)에 대하여 구체적으로 설명한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해서는 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하며, 동일하거나 유사한 기능 혹은 구성에 대해서는 동일하거나 유사한 도면 부호를 부여하기로 한다.Hereinafter, a wafer cleaning and drying apparatus 100 according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention, well-known functions or constructions will be omitted for the sake of clarity of the present invention, and the same or similar function or configuration will be given the same or similar reference numerals.

도3 내지 도5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼의 세정 건조 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 세정하는 세정액(66)을 수용하여 웨이퍼의 세정이 이루어지는 세정조(110)와, 세정조(110)의 세정액(66)의 수면에 IPA 액층(77)을 형성하도록 IPA 증기를 공급하는 IPA증기 공급부(140)와, 세정조(110)의 상측을 덮어 밀폐 공간(120c)을 형성함으로써 IPA 증기 공급부(140)로부터 공급되는 IPA증기로 IPA액층(77)을 형성하는 것을 돕는 덮개(120)와, 웨이퍼(W)를 세정액(66)에 침지시켰다가 세정후 세정액(66) 내부로부터 바깥으로 배출시키는 웨이퍼 이동부(130)와, 웨이퍼(W)가 침지되었다가 배출되는 세정조(110)의 제1영역(I)과 연통되는 제2영역(II)에서 수축/팽창 제어되는 풍선(151)을 구비한 세정액이동수단(150)으로 구성된다. 3 to 5, the cleaning and drying apparatus 100 of the wafer according to the first embodiment of the present invention includes a cleaning liquid 66 for cleaning the wafer W to clean the wafer. The IPA steam supply part 140 which supplies IPA vapor so that the IPA liquid layer 77 may be formed in the water tank 110, the surface of the washing | cleaning liquid 66 of the washing tank 110, and the upper side of the washing tank 110 is sealed. By forming the space 120c, the lid 120 which helps to form the IPA liquid layer 77 with the IPA vapor supplied from the IPA vapor supply unit 140 and the wafer W are immersed in the cleaning liquid 66 and then cleaned. In the wafer moving part 130 discharged from the inside of the cleaning liquid 66 to the outside, and in the second area II communicating with the first area I of the cleaning tank 110 in which the wafer W is immersed and discharged. It consists of a cleaning liquid moving means 150 having a balloon 151 that is contracted / expanded.

상기 세정조(110)는 세정액(66)으로 채워진 제1영역(I)과 제2영역(II)으로 구획된다. 본 실시예에서는 제1영역(I)과 제2영역(II)이 격벽(122)에 의해 구분되지만, 제1영역(I)과 제2영역(II)은 서로 연통 통로만 형성된다면 서로 분리된 형태인 것도 모두 포함한다. 격벽(122)은 상단(112s)이 세정액(66)의 수면보다 높게 상방으로 연장 형성된다. 그리고, 제1영역(I)과 제2영역(II)의 사이에 세정액(66)이 왕래할 수 있는 연통부로서 세정액(66)의 수면 아래의 격벽(122)에는 다수의 구멍(114)이 서로 대칭으로 배열 형성된다. The cleaning tank 110 is divided into a first region I and a second region II filled with the cleaning liquid 66. In the present embodiment, the first region I and the second region II are separated by the partition wall 122, but the first region I and the second region II are separated from each other if only a communication passage is formed. It includes everything in form. The partition wall 122 is formed so that the upper end 112s extends higher than the surface of the cleaning liquid 66. In addition, a plurality of holes 114 are formed in the partition wall 122 below the water surface of the cleaning liquid 66 as a communication part through which the cleaning liquid 66 can pass between the first region I and the second region II. They are arranged symmetrically with each other.

세정조(110)의 제1영역(I)에서 웨이퍼(W)가 침지되어 세정된 이후에 배출되므로, 마란고니 효과를 이용하여 웨이퍼(W)의 표면에 세정액(66)이 남지 않도록 건조시키기 위하여, 세정액(66)의 수면 위에 IPA 액층(77)이 형성되어 있다. 제1영역(I)의 수면은 공기에 노출된 상태이고, 제1영역(I)을 감싸는 제2영역(II)의 수면은 차단막(154)에 의해 수면이 더이상 높아지지 않는 상태이다. Since the wafer W is immersed in the first region I of the cleaning tank 110 and then discharged after being cleaned, in order to dry the cleaning solution 66 on the surface of the wafer W using the Marangoni effect. The IPA liquid layer 77 is formed on the water surface of the cleaning liquid 66. The surface of the first region I is exposed to air, and the surface of the second region II surrounding the first region I is no longer elevated by the blocking film 154.

도면에 도시되지 않았지만, 제2영역(II)의 세정액 수면과 차단막(154)의 사이에 공기가 위치함에 따라, 세정액의 수면이 차단막(154)에 밀착하지 않는 문제를 해결하기 위하여, 차단막(154)에는 개방공이 형성되고, 이 개방공을 선택적으로 밀폐시키는 마개가 구비되어, 세정액의 수면이 제2영역(II)의 차단막(154)에 이르면, 개방공을 마개로 밀폐시키는 것에 의해, 제2영역(II)의 수면이 차단막(154)에 밀착된 상태로 조절할 수 있다. 다만, 제2영역(II)의 세정액의 수면이 차단막(154)에 밀착되어야 본 발명의 제1실시예가 구현되는 것은 아니다.
Although not shown in the drawing, in order to solve the problem that the surface of the cleaning liquid does not come into close contact with the blocking film 154 as air is positioned between the surface of the cleaning liquid and the blocking film 154 in the second region II, the blocking film 154 ) Is provided with an open hole, and a stopper for selectively closing the open hole is provided. When the surface of the cleaning liquid reaches the blocking film 154 of the second region (II), the open hole is closed with a stopper to thereby secure the second hole. The water level of the region II may be adjusted to be in close contact with the blocking film 154. However, the first embodiment of the present invention is not implemented when the surface of the cleaning liquid in the second region II is in close contact with the blocking film 154.

상기 덮개(120)는 IPA 증기공급기(140)로부터 IPA증기가 공급되면, 덮개(120)와 세정액(66)의 수면 사이의 밀폐 공간(120c)에 IPA 증기가 가득 차게되어, 세정액(66)의 표면에 응축되거나 용해되어 IPA액층(150a)으로 보다 신속하게 형성할 수 있도록 한다. 다만, 세정조(110)의 주변이 IPA액층(150a)을 형성할 수 있는 분위기가 마련된다면 덮개(120)를 사용하지 않을 수 있다.When the cover 120 is supplied with IPA steam from the IPA steam supplier 140, the cover 120 and the surface of the cleaning liquid 66 are filled with IPA steam so that the IPA steam is filled with the cleaning liquid 66. Condensation or melting on the surface allows the IPA liquid layer 150a to be formed more quickly. However, the cover 120 may not be used if an atmosphere in which the periphery of the cleaning tank 110 is formed to form the IPA liquid layer 150a is provided.

상기 웨이퍼 이동부(130)는 웨이퍼(W)의 가장자리를 파지하거나 하측을 지지한 상태로, 하방(130d)으로 이동하여 웨이퍼(W)를 세정조(110)의 세정액(66)에 담그거나, 상방(130d')으로 이동하여 웨이퍼(W)를 세정조(110)의 세정액(66)으로부터 배출시키는 역할을 한다. 상기 웨이퍼 이동부(130)는 웨이퍼를 운반하는 데 공지된 다양한 형태의 로봇, 파지기구 등이 적용될 수 있다. The wafer moving part 130 moves downward 130d while holding the edge of the wafer W or supporting the lower side thereof to immerse the wafer W in the cleaning liquid 66 of the cleaning tank 110. It moves to the upper side 130d 'and discharges the wafer W from the cleaning liquid 66 of the cleaning tank 110. The wafer moving part 130 may be applied to various types of robots, gripping mechanisms, and the like, which are known to carry wafers.

상기 세정액 이동수단(150)은 세정조(110)의 제2영역(II)의 세정액(66) 내에위치하고 수축과 팽창이 가능한 풍선(151)과, 풍선(151)에 공기를 공급하거나 배출시키는 공기 통로(152)와, 공기 통로(152)를 통해 풍선(151)에 공기를 불어넣거나 빼는 공기 펌프(153)와, 제2영역(II)의 상측을 밀폐시키는 차단막(152)으로 이루어진다. 이때, 차단막(152)과 세정액(66)의 수면은 밀착되는 것이 작동의 민감도를 향상시키는 측면에서 유리하지만, 그 사이에 공기가 있더라도 무방하다. The cleaning liquid moving means 150 is located in the cleaning liquid 66 of the second region II of the cleaning tank 110 and is capable of contracting and expanding the air, and the air supplying or exhausting air to the balloon 151. The passage 152, an air pump 153 for blowing air in or out of the balloon 151 through the air passage 152, and a blocking film 152 sealing the upper side of the second region II. At this time, the close surface of the blocking film 152 and the cleaning liquid 66 is advantageous in terms of improving the sensitivity of the operation, but there may be air therebetween.

한편, 제1영역(I)은 세정액(66)의 수면에는 IPA 액층(77)이 형성되어 있는데, 제1영역(I)을 감싸는 둘레면에는 소수성 코팅면(76)이 형성된다. 보다 구체적으로는, IPA액층의 상면(수면)이 위치하는 제1높이(73)의 상측에는 제1영역(I)의 둘레면에 소수성 코팅면(76)이 형성된다. 즉, 제1높이(73)는 소수성 코팅면(76)의 경계가 된다. 이에 따라, 제1영역(I)에 세정액(66)이 유입(66x)되면, 제1영역(I)의 가장자리의 IPA 액층(77)이 차지하는 높이 영역(도면부호 76으로 표시된 영역보다 낮은 아랫 영역)에 대해서는 제1영역을 둘러싸는 격벽(112)의 내면(內面)에 밀착되지만, 제1영역에 세정액이 보다 공급되면, 제1영역(I)의 가장자리의 IPA 액층(77)의 윗쪽 영역의 소수성 코팅면(76)이어서 IPA 액층의 수면이 높아지지 못하고, 그 대신 제1영역(I)의 중앙부에서 IPA액층(77)의 수면이 상승하게 된다. 따라서, 제1영역(I)의 가장자리는 수위가 상승하지 못하면서 중앙부는 수위가 상승하게 되어, 제1영역(I)의 중앙부가 보다 볼록해지면서 IPA액층(77)의 두께가 중앙부에서 보다 두꺼워지는 효과를 높일 수 있다. Meanwhile, in the first region I, the IPA liquid layer 77 is formed on the surface of the cleaning liquid 66, and a hydrophobic coating surface 76 is formed on the circumferential surface surrounding the first region I. More specifically, the hydrophobic coating surface 76 is formed on the circumferential surface of the first region I above the first height 73 on which the upper surface (water surface) of the IPA liquid layer is located. That is, the first height 73 is a boundary of the hydrophobic coating surface 76. Accordingly, when the cleaning liquid 66 is introduced 66x into the first region I, the lower region lower than the region indicated by reference numeral 76 is occupied by the IPA liquid layer 77 at the edge of the first region I. ) Is in close contact with the inner surface of the partition wall 112 surrounding the first region, but if the cleaning liquid is further supplied to the first region, the upper region of the IPA liquid layer 77 at the edge of the first region I Since the surface of the hydrophobic coating 76 of the IPA liquid layer does not increase, the surface of the IPA liquid layer 77 rises in the center portion of the first region I instead. Therefore, the edge of the first region I does not rise in the water level while the water level rises, so that the center portion of the first region I becomes more convex and the thickness of the IPA liquid layer 77 becomes thicker in the center portion. The effect can be enhanced.

소수성 코팅면(76)을 이용하여 제1영역(I)의 중앙부가 보다 볼록해지도록 유도하기 위해서는, IPA 액층(77)의 수위를 정확히 조절하여 그 표면이 소수성 코팅면(76)이 시작되는 제1높이(73)로 맞추는 것이 좋다. 이 상태에서 제1영역(I)의 세정액(66) 및 IPA 액층(77)이 볼록하게 될 정도로만 제2영역(II)으로부터 세정액이 제1영역(I)으로 유입되어야 가장 볼록한 형태(중앙부에 IPA 액층을 가장 두껍게 유도한 상태)가 된다. 따라서, 제1영역(I)을 둘러싸는 면 중 IPA 액층(77)의 수위를 감지하는 수위 센서(160)가 구비된다. In order to induce the central portion of the first region I to be more convex using the hydrophobic coating surface 76, the surface of the hydrophobic coating surface 76 is started by accurately adjusting the level of the IPA liquid layer 77. It is good to set it to 1 height (73). In this state, only the cleaning liquid 66 and the IPA liquid layer 77 of the first region I are convex so that the cleaning liquid flows from the second region II into the first region I only in the most convex form (IPA Thickest liquid layer). Accordingly, the water level sensor 160 for detecting the level of the IPA liquid layer 77 among the surfaces surrounding the first region I is provided.

이와 같이, 제1영역(I)의 중앙부의 수면이 상방으로 볼록한 상태에서 웨이퍼(W)를 세정액(66)으로부터 외부로 배출시킴으로써, IPA액층의 두께를 동일하게 유지하면서도, 웨이퍼(W)가 제1영역(I)의 중앙부를 통해 배출되는 동안에 중앙부에서 보다 두꺼워진 IPA 액층(77)과 보다 오랜 시간동안 접촉하면서 낮은 표면 장력을 갖는 IPA 액층이 높은 표면 장력을 갖는 세정액(또는 순수)를 밀어내는 마란고니 효과를 극대화할 수 있다.
As described above, the wafer W is discharged from the cleaning liquid 66 to the outside in the state where the water surface of the central portion of the first region I is convex upward, thereby keeping the thickness of the IPA liquid layer the same. While being discharged through the central portion of zone 1, the thicker IPA liquid layer 77 is contacted with the thicker IPA liquid layer 77 at the central portion for a longer time and the IPA liquid layer with lower surface tension pushes the cleaning liquid (or pure water) with higher surface tension. Maximize the Marangoni effect.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 세정 건조 장치(100)를 이용한 웨이퍼 세정 건조 방법을 설명한다.Hereinafter, a wafer cleaning and drying method using the wafer cleaning and drying apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention will be described.

단계 1: 먼저, 도3에 도시된 바와 같이, 세정조(110)의 제1영역(I)과 제2영역(II)에 세정액(66)을 채우고, 제1영역(I)의 세정액 수면에 IPA 액층(77)이 형성되도록 한다. 그리고, 제2영역(II)의 세정액 수위는 차단막(154)과 밀착하거나 약간 떨어지는 정도로 조절한다. 단, 차단막(154)의 개방공은 마개로 막아, 제2영역(II)의 상측 공간을 밀폐시킨다. Step 1 : First, as shown in FIG. 3, the cleaning liquid 66 is filled into the first region I and the second region II of the cleaning tank 110, and then the surface of the cleaning liquid of the first region I The IPA liquid layer 77 is formed. The level of the cleaning liquid in the second region II is adjusted to be in close contact with the blocking film 154 or slightly dropped. However, the opening of the blocking film 154 is closed with a stopper to seal the upper space of the second region II.

단계 2: 그리고 나서, 웨이퍼 이동부(130)에 세정하고자 하는 웨이퍼(W)를 안착시킨 후, 하방(130d)으로 이동하여 웨이퍼(W)를 세정액(66)에 침지(99)시켜 세정한다. 이 때, 제1영역(I)의 수면이 격벽(112)에 형성된 소수성 코팅면(76)의 경계(제1높이)에 도달하는 것이 좋다.
Step 2 : Then, the wafer W to be cleaned is placed on the wafer moving part 130, and then moved downward 130d to immerse the wafer W in the cleaning liquid 66 to clean it. At this time, it is preferable that the water surface of the first region I reaches the boundary (first height) of the hydrophobic coating surface 76 formed on the partition wall 112.

단계 3: 그 다음, 제2영역(II)의 세정액(66)에 잠긴 상태로 위치한 풍선(151)에 에어 펌프(153)로부터 공기를 공급(151a)하여, 도4에 도시된 바와 같이 풍선(151)이 팽창하도록 한다. 풍선(151)의 팽창에 따라 제2영역(II)의 세정액은 연통부인 구멍(114)을 통해 제1영역(I)으로 이동(66x)한다. Step 3 : Then, air is supplied 151a from the air pump 153 to the balloon 151 positioned so as to be immersed in the cleaning liquid 66 of the second region II, and as shown in FIG. Allow 151 to expand. As the balloon 151 expands, the cleaning liquid of the second region II moves (66x) to the first region (I) through the hole 114, which is a communicating portion.

제1영역(I)의 수면이 소수성 코팅면(76)이 형성된 제1높이(73)에 도달한 것으로 감지 센서(160)에 의해 감지되면, 풍선(151)의 팽창 속도는 줄어들고, 미리 정해진 양의 공기를 풍선(151)에 추가로 공급한다. 여기서, 미리 정해진 공기의 양은 가장자리 수면 높이가 변동되지 않으면서 제1영역(I)에서의 평탄한 수면을 표면 장력에 의해 볼록한 수면으로 변동시키는 데 필요한 부피이다. 미리 정해진 양의 공기를 풍선(151)에 공급하면, 풍선이 팽창되면서 제1영역(I)의 가장자리 수면은 그대로 있지만 중앙부 수면은 볼록해진다. When the water surface of the first region I is detected by the detection sensor 160 as having reached the first height 73 on which the hydrophobic coating surface 76 is formed, the expansion speed of the balloon 151 is reduced, and the predetermined amount is reduced. Air is additionally supplied to the balloon 151. Here, the predetermined amount of air is a volume required for varying the flat water surface in the first region I to the convex surface by the surface tension without changing the edge surface height. When a predetermined amount of air is supplied to the balloon 151, as the balloon is inflated, the edge surface of the first region I remains as it is, but the central surface surface is convex.

한편, 웨이퍼(W)가 세정액(66)의 정해진 깊이에 침지된 상태(단계 2)에서, IPA 액층(77)의 표면이 제1높이(73)에 도달한 상태로 셋팅될 수도 있다. 이 경우에는 IPA 액층(77)의 가장자리 수위는 그대로 유지하면서 중앙부 수위만 상승시키는 데 필요한 체적의 공기를 풍선(151)에 불어주면 되므로, 제어가 편리해지는 잇점이 있다.
On the other hand, in the state in which the wafer W is immersed in the predetermined depth of the cleaning liquid 66 (step 2), the surface of the IPA liquid layer 77 may be set in a state in which the first height 73 is reached. In this case, since the air of the volume required to raise only the central level is maintained while maintaining the edge level of the IPA liquid layer 77 as it is, the control is advantageous.

단계 4: 제1영역(I)의 수면이 볼록해지면, 웨이퍼 이동부(130)는 상방으로 이동하여 웨이퍼(W)를 세정액(66)의 바깥으로 배출(98)시킨다. 제1영역(I)의 중앙부가 볼록해짐에 따라, 도4 및 도5에 도시된 바와 같이, IPA 액층(77)은 제1영역(I)의 중앙부에서 보다 더 두껍게 유도된다. 따라서, 두꺼운 두께(d)의 IPA 액층(77)과 접촉하면서 외부로 배출되는 웨이퍼(W)는, IPA 액층(77)과 보다 오랜 시간동안 접촉하면서 배출되므로, 세정액의 표면 장력보다 낮은 표면 장력을 갖는 IPA 액층이 웨이퍼(W)의 표면에 묻어 있는 세정액을 도면부호 88로 표시된 방향으로 보다 강력히 밀어내므로, 마란고니 효과를 극대화하여 웨이퍼(W)의 표면을 확실하게 건조시킬 수 있다.
 Step 4 : When the water surface of the first region I becomes convex, the wafer moving part 130 moves upward to discharge 98 the wafer W out of the cleaning liquid 66. As the central portion of the first region I becomes convex, as shown in Figs. 4 and 5, the IPA liquid layer 77 is induced thicker than in the central portion of the first region I. Therefore, since the wafer W discharged to the outside while being in contact with the thick thickness d of the IPA liquid layer 77 is discharged while being in contact with the IPA liquid layer 77 for a longer time, the surface tension lower than the surface tension of the cleaning liquid is exerted. Since the IPA liquid layer having the same pushes the cleaning liquid buried on the surface of the wafer W more strongly in the direction indicated by the reference numeral 88, the marangoni effect can be maximized and the surface of the wafer W can be reliably dried.

이하, 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼 세정 건조 장치(200)를 상술한다. 다만, 본 발명의 제2실시예를 설명함에 있어서, 앞서 설명한 제1실시예와 동일 또는 유사한 기능 혹은 구성에 대해서는 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하며, 그 대신 동일하거나 유사한 기능 혹은 구성에 대해서는 동일하거나 유사한 도면 부호를 부여하기로 한다.Hereinafter, the wafer cleaning drying apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention will be described in detail. However, in describing the second embodiment of the present invention, the same or similar functions or configurations as those of the first embodiment described above are omitted to clarify the gist of the present invention. Instead, the same or similar functions or configurations are omitted. The same or similar reference numerals will be given.

도6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼의 세정 건조 장치(200)는 세정조(110)의 제2영역(II)의 세정액(66)을 제1영역(I)으로 이동시키는 세정액이동수단(260)에 있어서 그 구성이 차이가 있다. 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼의 세정건조장치(200)는 파스칼의 원리를 이용하여 제2영역(II)의 세정액 표면을 유공압 실린더 등의 가압 수단으로 가압하여, 제2영역(II)의 세정액을 제1영역(I)으로 이동시킨다. As shown in FIG. 6, in the cleaning and drying apparatus 200 of the wafer according to the second exemplary embodiment, the cleaning liquid 66 of the second region II of the cleaning tank 110 is disposed in the first region I. There is a difference in the structure of the cleaning liquid moving means 260 to move to. The wafer cleaning and drying apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention presses the surface of the cleaning liquid in the second region (II) by pressing means such as a pneumatic cylinder by using the principle of Pascal, and thus the second region (II). Of the cleaning liquid is moved to the first region (I).

여기서, 상기 세정액 이동수단(260)은 제2영역(II)의 세정액 수면을 모두 덮는 형태로 형성된 가압 피스톤(261)과, 가압 피스톤(261)을 하방(260d)으로 가압하는 동력원(262)으로 이루어진다. 따라서, 동력원(262)으로 가압 피스톤(261)을 하방으로 가압하면, 파스칼의 원리에 의해 제1영역(I)의 수면은 상승하여, 제1영역(I)의 중앙부가 볼록해지도록 유도된다. Here, the cleaning liquid moving means 260 is a pressure piston 261 formed to cover all the surface of the cleaning liquid in the second region (II), and a power source 262 for pressing the pressure piston 261 downward 260d. Is done. Accordingly, when the pressure piston 261 is pressed downward by the power source 262, the water surface of the first region I is raised by the principle of Pascal, and the center portion of the first region I is guided to be convex.

한편, 도면에는 제2영역(II)이 제1영역(I)의 둘레를 감싸는 것으로 도시되어 있지만, 제2영역(II)은 제1영역(I)과 연통 파이프로 연결되어, 유공압 실린더의 가압 피스톤(261)으로 제2영역(II)으로부터 제1영역(I)에 세정액을 공급하도록 구성되는 것이 바람직하다.On the other hand, although the second region II is shown as enclosing the circumference of the first region I in the drawing, the second region II is connected to the first region I by a communication pipe to pressurize the hydraulic cylinder. The piston 261 is preferably configured to supply the cleaning liquid from the second region II to the first region I.

도면에 도시되지 않았지만, 전술한 제1실시예와 마찬가지로 제1영역(I)의 둘레면에는 제1높이 이상의 영역에 소수성 코팅면이 형성되거나 소수성 재질로 격벽(112)을 형성할 수도 있다. 또는, 세정액과 IPA 액층의 자체 표면 장력에 의해서도 중앙부가 볼록해지도록 유도할 수 있다.
Although not shown in the drawings, the hydrophobic coating surface may be formed on the circumferential surface of the first region I or the hydrophobic material as the first embodiment I, or the partition wall 112 may be formed of a hydrophobic material. Alternatively, the center portion can be induced to be convex by the surface tensions of the cleaning liquid and the IPA liquid layer.

이하, 본 발명의 제3실시예에 따른 웨이퍼 세정 건조 장치(300)를 상술한다. 다만, 본 발명의 제3실시예를 설명함에 있어서, 앞서 설명한 제1실시예 및 제2실시예와 동일 또는 유사한 기능 혹은 구성에 대해서는 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하며, 그 대신 동일하거나 유사한 기능 혹은 구성에 대해서는 동일하거나 유사한 도면 부호를 부여하기로 한다.Hereinafter, the wafer cleaning drying apparatus 300 according to the third embodiment of the present invention will be described in detail. However, in describing the third embodiment of the present invention, the same or similar functions or configurations as those of the first and second embodiments described above will be omitted to clarify the gist of the present invention. Similar functions or configurations will be given the same or similar reference numerals.

도7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 웨이퍼의 세정 건조 장치(300)는 세정조(110)의 제2영역(II)의 세정액(66)을 제1영역(I)으로 이동시키는 세정액이동수단(350)에 있어서 전술한 실시예의 구성과 차이가 있다. 본 발명의 제3실시예에 따른 웨이퍼의 세정건조장치(300)는 제2영역(II)의 수중에 새로운 새정액(351)을 공급관(352)을 통해 공급하는 세정액 공급부(351)로 이루어질 수도 있다. 세정액 공급관(352)을 수중에 잠기게 함으로써, 수면의 요동을 최소화하면서 정교한 유량 조절을 용이하게 할 수 있다. 한편, 도면에 도시된 바와 같이, 제2영역(II)의 상측 공간은 제1실시예와 마찬가지로 차단막(354)이 형성될 수도 있다.As shown in FIG. 7, in the cleaning and drying apparatus 300 of the wafer according to the third embodiment of the present invention, the cleaning liquid 66 of the second region II of the cleaning tank 110 is disposed in the first region I. There is a difference in the configuration of the above-described embodiment in the cleaning liquid moving means 350 to move to. The cleaning and drying apparatus 300 for a wafer according to the third exemplary embodiment of the present invention may include a cleaning solution supply unit 351 for supplying new fresh sperm solution 351 through the supply pipe 352 in the water of the second region II. have. By submerging the cleaning liquid supply pipe 352 in water, it is possible to facilitate precise flow rate control while minimizing fluctuations in the water surface. On the other hand, as shown in the figure, a blocking film 354 may be formed in the upper space of the second region (II) as in the first embodiment.

이와 같이, 제2영역(II)에 물을 더 공급함으로써, 제2영역(II)의 수위와 함께 제1영역(I)의 수위가 약간 상승하면서 제1영역(I)의 중앙부가 표면 장력에 의해 볼록해지며, 이에 따라 IPA 액층(77)의 중앙부 두께(d)가 두꺼워진다. 따라서, 따라서, 두꺼운 두께(d)의 IPA 액층(77)과 접촉하면서 외부로 배출되는 웨이퍼(W)는, IPA 액층(77)과 보다 오랜 시간동안 접촉하면서 배출되므로, 세정액의 표면 장력보다 낮은 표면 장력을 갖는 IPA 액층이 웨이퍼(W)의 표면에 묻어 있는 세정액을 도면부호 88로 표시된 방향으로 보다 강력히 밀어내므로, 마란고니 효과를 극대화하여 웨이퍼(W)의 표면을 확실하게 건조시킬 수 있다.
In this way, by supplying more water to the second region (II), while the water level of the first region (I) increases slightly with the water level of the second region (II), the central portion of the first region (I) is affected by the surface tension. Convex, thereby thickening the central portion d of the IPA liquid layer 77. Therefore, the wafer W discharged to the outside while being in contact with the thick thickness d of the IPA liquid layer 77 is discharged while being in contact with the IPA liquid layer 77 for a longer time, so that the surface lower than the surface tension of the cleaning liquid. Since the IPA liquid layer having the tension pushes the cleaning liquid buried on the surface of the wafer W more strongly in the direction indicated by the reference numeral 88, the surface of the wafer W can be reliably dried by maximizing the Marangoni effect.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 권리범위는 상기와 같은 특정 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 본 발명의 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다. 예를 들어, 본 발명의 제1실시예에서는 소수성 코팅면이 제1영역(I)의 가장자리 둘레에 형성되어 있는 구성을 예로 들었지만, 소수성 코팅면이 없더라도 IPA 액층(77)과 세정액(66)의 표면 장력에 의하여 중앙부가 볼록해지므로, 본 발명은 소수성 코팅면이 없는 구성도 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 본 발명의 범위에 속하는 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, And can be appropriately changed within the scope of the claims. For example, in the first embodiment of the present invention, the configuration in which the hydrophobic coating surface is formed around the edge of the first region I is taken as an example, but the IPA liquid layer 77 and the cleaning liquid 66 may be Since the central portion is convex due to the surface tension, the present invention is also within the scope of the present invention by the matter described in the claims without the hydrophobic coating surface.

66: 세정액 77: IPA 액층
100, 200, 300: 웨이퍼 세정 건조 장치
110: 세정조 112: 격벽
114: 연통부 120: 덮개
130: 웨이퍼 이동부 140: IPA 증기공급부
151: 풍선 261: 가압 피스톤
352: 세정액 공급부 I: 제1영역
II: 제2영역 W: 기판66: washing liquid 77: IPA liquid layer
100, 200, 300: wafer cleaning drying apparatus
110: cleaning tank 112: partition
114: communication part 120: cover
130: wafer moving unit 140: IPA vapor supply unit
151: balloon 261: pressure piston
352: washing liquid supply unit I: first region
II: Second Area W: Substrate

Claims (19)

웨이퍼를 세정하는 세정액을 수용하고, 상기 웨이퍼가 배출되는 제1영역과 상기 웨이퍼가 배출되지 않는 제2영역으로 구분되되, 상기 제1영역과 상기 제2영역은 상기 세정액의 수면 아래에서 연통부를 통해 서로 통하는 세정조와;
상기 세정조의 상기 세정액의 수면에 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol, IPA) 액층을 형성하도록 IPA 증기를 공급하는 IPA 증기 공급부와;
상기 웨이퍼를 상기 제1영역에서 상기 세정액의 바깥으로 이동시키는 웨이퍼 이동부와;
상기 제2영역의 상기 세정액을 상기 연통부를 통해 상기 제1영역으로 이동시켜, 상기 제1영역의 세정액의 양이 증가하면서 중앙부가 볼록한 상태가 되게 하는 세정액 이동수단을;
포함하여 구성되어, 상기 제1영역의 세정액 수면이 볼록한 상태일 때 상기 웨이퍼를 세정액 내부로부터 외부로 배출시키면서 건조하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 건조 장치.
A cleaning liquid for cleaning the wafer is accommodated, and is divided into a first region in which the wafer is discharged and a second region in which the wafer is not discharged, wherein the first region and the second region are connected to each other under a surface of the cleaning liquid. A washing tank communicating with each other;
An IPA steam supply unit for supplying IPA steam to form an isopropyl alcohol (IPA) liquid layer on the surface of the cleaning liquid of the cleaning tank;
A wafer moving part for moving the wafer out of the cleaning liquid in the first region;
Cleaning liquid moving means for moving the cleaning liquid in the second region to the first region through the communicating portion so that the amount of the cleaning liquid in the first region increases and the central portion becomes convex;
And drying the wafer while discharging the wafer from the inside of the cleaning liquid to the outside when the surface of the cleaning liquid in the first region is convex.
제 1항에 있어서,
상기 세정액 이동수단은, 상기 제2영역의 상기 세정액 표면의 상측 공간을 밀폐시키고, 상기 제2영역의 상기 세정액 내에 적어도 일부가 잠기도록 위치한 팽창 가능한 풍선을 포함하여 구성되어, 상기 풍선의 팽창에 의해 상기 연통부를 통해 상기 제2영역의 세정액이 상기 제1영역으로 이동하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 건조 장치.
The method of claim 1,
The cleaning liquid moving means comprises an inflatable balloon positioned to seal an upper space of the surface of the cleaning liquid of the second region and to be at least partially submerged in the cleaning liquid of the second region, thereby expanding the balloon. The cleaning and drying apparatus of the wafer, wherein the cleaning liquid in the second region moves to the first region through the communicating portion.
제 2항에 있어서,
상기 제2영역에는 상기 풍선이 상기 제1영역의 둘레에 일정 간격을 두고 다수 분포된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 건조 장치.
The method of claim 2,
The second region is a cleaning drying apparatus of the wafer, characterized in that the number of the balloon is distributed at regular intervals around the first region.
제 1항에 있어서,
상기 세정액 이동수단은 상기 제2영역의 상기 세정액 표면을 가압하는 가압 수단인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 건조 장치.
The method of claim 1,
And the cleaning liquid moving means is pressurizing means for pressing the surface of the cleaning liquid in the second region.
제 1항에 있어서,
상기 세정액 이동수단은, 상기 제2영역의 수중에 새로운 새정액을 공급하는 세정액 공급부로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 건조 장치.
The method of claim 1,
And the cleaning liquid moving means comprises a cleaning liquid supply unit for supplying new fresh liquid into the water of the second region.
제 1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1영역과 상기 제2영역은 격벽에 의해 구분되고, 상기 연통부는 상기 격벽에 2개 이상의 구멍이 상기 제1영역의 둘레에 대칭으로 분포되어 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 건조 장치.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
And the first region and the second region are divided by partition walls, and the communicating unit is formed by symmetrically distributing at least two holes in the partition walls around the first region.
제 1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1영역의 상기 IPA 액층의 둘레면에는 소수성 코팅면이 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 건조 장치.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
And a hydrophobic coating surface is formed on a circumferential surface of the IPA liquid layer in the first region.
제 7항에 있어서,
상기 제1영역을 둘러싸는 면 중에 상기 IPA액층의 상면으로부터 상측 영역에만 소수성 코팅면이 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 건조 장치.
8. The method of claim 7,
A hydrophobic coating surface is formed only in an upper region from an upper surface of the IPA liquid layer among the surfaces surrounding the first region.
제 8항에 있어서,
상기 IPA액층의 수위를 감지하는 수위 센서가 설치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 건조 장치.
The method of claim 8,
Cleaning apparatus for a wafer, characterized in that the water level sensor for detecting the water level of the IPA liquid layer is installed.
제 1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2영역은 상기 제1영역을 감싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 건조 장치.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
And the second region is formed to surround the first region.
제 1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세정액은 순수인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 건조 장치.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The cleaning liquid for wafers, characterized in that the cleaning liquid is pure water.
웨이퍼가 침지되는 제1영역과, 상기 웨이퍼가 침지되지 않는 제2영역으로 구분되어 세정액이 수용되고, 상기 제1영역과 상기 제2영역은 상기 세정액의 수면 아래에서 연통부를 통해 서로 통하는 세정조의 세정액 표면에 IPA증기를 공급하여 IPA 액층을 형성하는 IPA액층 형성단계와;
상기 제1영역에 웨이퍼를 침지시키는 웨이퍼 침지단계와;
상기 제2영역 내의 세정액을 상기 연통부를 통해 상기 제1영역으로 이동시켜, 상기 제1영역 내의 세정액의 표면이 표면 장력에 의해 가운데가 볼록해지도록 하는 세정액 이동단계와;
상기 웨이퍼를 상기 세정액 내부로부터 외부로 배출시키는 것에 의해 상기 웨이퍼의 표면을 건조시키는 웨이퍼 배출단계를;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법
The cleaning liquid is divided into a first region in which the wafer is immersed and a second region in which the wafer is not immersed, and the first liquid and the second region are in contact with each other through a communicating portion under the surface of the cleaning liquid. An IPA liquid layer forming step of supplying IPA vapor to the surface to form an IPA liquid layer;
A wafer immersion step of immersing the wafer in the first region;
A cleaning liquid moving step of moving the cleaning liquid in the second region to the first region through the communicating portion so that the surface of the cleaning liquid in the first region becomes convex in the middle by surface tension;
A wafer ejecting step of drying the surface of the wafer by ejecting the wafer from the inside of the cleaning liquid to the outside;
Wafer drying method comprising a
제 12항에 있어서, 상기 세정액 이동단계는,
상기 제1영역을 감싸는 둘레의 제1높이 이상에는 소수성 코팅면이 형성되고, 상기 IPA액층의 상면은 상기 제1높이와 일치하는 높이까지 도달했는지를 감지하는 것을 포함하는 웨이퍼 건조 방법.
The method of claim 12, wherein the cleaning liquid movement step,
And a hydrophobic coating surface is formed above the first height of the circumference surrounding the first region, and detecting whether an upper surface of the IPA liquid layer reaches a height that matches the first height.
제 12항 또는 제13항에 있어서, 상기 세정액 이동단계는,
상기 제2영역의 상기 세정액 표면의 상측 공간을 밀폐시키고, 상기 제2영역의 상기 세정액 내에 적어도 일부가 잠기도록 위치한 팽창 가능한 풍선을 포함하여 구성되어, 상기 풍선의 팽창에 의해 상기 연통부를 통해 상기 제2영역의 세정액이 상기 제1영역으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
The method of claim 12 or 13, wherein the cleaning liquid movement step,
An inflatable balloon that seals an upper space of the surface of the cleaning liquid in the second region and is positioned to be at least partially submerged in the cleaning liquid of the second region, wherein the inflatable portion extends through the communication portion by expanding the balloon; The cleaning liquid of two areas moves to the said 1st area, The wafer drying method characterized by the above-mentioned.
제 14항에 있어서,
상기 제2영역에는 상기 풍선이 상기 제1영역의 둘레에 일정 간격을 두고 다수 분포된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
The method of claim 14,
And a plurality of the balloons are distributed in the second area at regular intervals around the first area.
제 12항 또는 제13항에 있어서
상기 세정액 이동단계는, 상기 제2영역의 상기 세정액 표면을 가압하는 것에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
The method according to claim 12 or 13
And the cleaning liquid moving step is performed by pressing the surface of the cleaning liquid in the second region.
제 12항 또는 제13항에 있어서
상기 세정액 이동단계는, 상기 제2영역의 상기 세정액 표면의 상측 공간을 밀폐시키고, 상기 제2영역에 새로운 새정액을 공급하는 것에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
The method according to claim 12 or 13
The cleaning liquid movement step is performed by sealing the upper space of the surface of the cleaning liquid in the second region, and supplying a new fresh liquid to the second region.
제 12항 또는 제13항에 있어서
상기 제1영역과 상기 제2영역은 격벽에 의해 구분되고, 상기 연통부는 상기 격벽에 2개 이상의 구멍이 대칭으로 배열 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
The method according to claim 12 or 13
And the first region and the second region are divided by partition walls, and the communicating portion is formed by symmetrically arranged two or more holes in the partition walls.
제 12항 또는 제13항에 있어서
상기 세정액은 순수인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.The method according to claim 12 or 13
And the cleaning liquid is pure water.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09153475A (en) * 1995-09-27 1997-06-10 Komatsu Ltd Semiconductor cleaning/drying method and device
JPH1022258A (en) * 1996-07-04 1998-01-23 Hitachi Ltd Drying equipment
KR19990030079A (en) * 1997-09-29 1999-04-26 포만 제프리 엘 Method and apparatus for cleaning and drying semiconductor wafers
KR20030047511A (en) * 2001-12-11 2003-06-18 삼성전자주식회사 drying apparatus and drying method for enhancing Marangoni effect

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09153475A (en) * 1995-09-27 1997-06-10 Komatsu Ltd Semiconductor cleaning/drying method and device
JPH1022258A (en) * 1996-07-04 1998-01-23 Hitachi Ltd Drying equipment
KR19990030079A (en) * 1997-09-29 1999-04-26 포만 제프리 엘 Method and apparatus for cleaning and drying semiconductor wafers
KR20030047511A (en) * 2001-12-11 2003-06-18 삼성전자주식회사 drying apparatus and drying method for enhancing Marangoni effect

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102099267B1 (en) 2019-03-05 2020-05-06 주식회사 유닉 Apparatus for cleaning and drying substrate

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