KR101324697B1 - Board for light emitting device package, method for fabricating light emitting device package and light emitting device package by the same method - Google Patents

Board for light emitting device package, method for fabricating light emitting device package and light emitting device package by the same method Download PDF

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Abstract

Provided is a substrate for a light emitting device package, a method for fabricating a light emitting device package and a light emitting device package manufactured by the same method. The substrate for the light emitting device package includes a base film, light emitting device mounting region formed on the base film and corresponding to each light emitting device, and a dam formed on the base film, surrounding the light emitting device mounting region, and corresponding to a phosphor coating region. .

Description

발광소자 패키지용 기판, 발광소자 패키지의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 발광소자 패키지 {Board for light emitting device package, method for fabricating light emitting device package and light emitting device package by the same method}Board for light emitting device package, method of manufacturing light emitting device package and light emitting device package manufactured by the same {Board for light emitting device package, method for fabricating light emitting device package and light emitting device package by the same method}

본 발명은 발광소자 패키지용 기판, 발광소자 패키지의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 발광소자 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate for a light emitting device package, a method of manufacturing a light emitting device package, and a light emitting device package produced thereby.

최근 발광 다이오드(Light Emitting Diode; 이하 LED라 함)는 여러 제품에 광범위하게 사용되고 있는 소자이며, 그 응용 분야 또한 점차 확대되고 있다.Recently, a light emitting diode (LED) is a device that is widely used in various products, and its application field is also gradually expanding.

LED는 다른 발광소자에 비해 구동 전압이 낮으며, 소비 전력이 적은 장점을 가진다. 또한, 응답 속도가 빠르며, 소형 경량화가 용이하다는 장점도 가진다.LEDs have the advantage of lower driving voltage and lower power consumption than other light emitting devices. In addition, the response speed is fast, and there is an advantage that it is easy to compact and light weight.

LED는 정보 통신 기기의 소형화, 박형화 추세에 따라 더욱 소형화되고 있으며, 최근에는 인쇄회로기판(Printed Circuit Board)에 직접 탑재하기 위해 표면 실장 형태로 제조되고 있다.LEDs are becoming smaller and smaller according to the trend of miniaturization and thinning of information and communication devices. Recently, LEDs are manufactured in a surface-mounted form for direct mounting on a printed circuit board.

LED 패키지는 LED 패키지용 기판과 LED 칩을 포함하며, LED 칩은 플립 칩 본딩 또는 와이어 본딩 방식에 의해 LED 패키지용 기판에 실장된다.The LED package includes a substrate for an LED package and an LED chip, and the LED chip is mounted on the substrate for an LED package by flip chip bonding or wire bonding.

그러나 종래의 LED 패키지는 리드프레임 상에 LED 칩을 실장하고, 리플렉터를 형성한 후 리플렉터를 격벽으로 하여 형광체를 충진하는 방법으로 제조되었다. 이와 같은 방법에 의하면, 충진된 형광층의 리플렉터와 경계에서의 두께가, LED 칩이 실장된 영역 상의 두께보다 두껍게 형성되기 때문에, 균일한 두께의 형광층을 형성할 수 없는 문제가 있다.However, the conventional LED package is manufactured by mounting an LED chip on a lead frame, forming a reflector, and then filling the phosphor using the reflector as a partition wall. According to this method, since the thickness at the reflector and the boundary of the filled fluorescent layer is formed thicker than the thickness on the region where the LED chip is mounted, there is a problem that a fluorescent layer of uniform thickness cannot be formed.

뿐만 아니라, 상기 리플렉터를 LED 패키지마다 형성하기 때문에 가공시간도 오래 소요되고, 형광층 형성도 개별로 이루어지기 때문에 각 패키지마다의 광특성이 상이하여 균일한 광특성을 갖는 LED 패키지를 제조하기가 어려웠다.In addition, since the reflector is formed for each LED package, it takes a long time to process, and since the fluorescent layer is formed separately, it is difficult to manufacture an LED package having uniform optical characteristics because the optical characteristics of each package are different. .

공개특허공보 제10-2012-0009273호(공개일자: 2012년 02월 01일)Publication No. 10-2012-0009273 (published date: February 01, 2012)

본 발명이 해결하려는 과제는, 균일한 두께의 형광층을 형성할 수 있는 발광소자 패키지용 기판, 발광소자 패키지의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 발광소자 패키지를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate for a light emitting device package capable of forming a fluorescent layer of uniform thickness, a method of manufacturing a light emitting device package, and a light emitting device package manufactured thereby.

본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 생산성이 향상되고 광특성이 균일한 발광소자 패키지용 기판, 발광소자 패키지의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 발광소자 패키지를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate for a light emitting device package having improved productivity and uniform optical characteristics, a method of manufacturing a light emitting device package, and a light emitting device package manufactured thereby.

본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지용 기판은 베이스 필름, 베이스 필름에 형성되고, 각각이 적어도 하나의 발광소자에 대응되는 복수의 발광소자 실장영역, 및 베이스 필름 상에, 복수의 발광소자 실장영역을 둘러싸며 형성되고, 형광체 도포영역에 대응되는 댐을 포함한다.The substrate for a light emitting device package according to an embodiment of the present invention for solving the above problems is formed on the base film, the base film, a plurality of light emitting device mounting areas, each corresponding to at least one light emitting device, and the base film And a dam formed surrounding the plurality of light emitting element mounting regions and corresponding to the phosphor coating region.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법은 상기 발광소자 패키지용 기판을 준비하고, 발광소자 패키지용 기판의 복수의 발광소자 실장영역에 적어도 하나의 발광소자를 실장하고, 댐의 내측에 형광체를 도포하여 형광체층을 형성하는 것을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. And mounting the phosphor inside the dam to form the phosphor layer.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지는 상기 발광소자 패키지의 제조 방법으로 제조된다.The light emitting device package according to an embodiment of the present invention for solving the above problems is manufactured by a method of manufacturing the light emitting device package.

본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.

본 발명에 따르면, 베이스 필름에 복수의 발광소자 실장영역을 형성하고, 상기 베이스 필름 상에, 상기 복수의 발광소자 실장영역을 둘러싸는 댐을 형성하고, 상기 댐의 내측에 형광체를 도포하여 형광층을 형성한 후, 복수의 발광소자 실장영역을 각 하나의 발광소자 패키지로 절단하므로, 균일한 두께의 형광층이 형성된 발광소자 패키지를 제조할 수 있다.According to the present invention, a plurality of light emitting element mounting regions are formed on a base film, a dam is formed on the base film to surround the plurality of light emitting element mounting regions, and a fluorescent material is coated on the inside of the dam to form a fluorescent layer. After the formation, the plurality of light emitting device mounting regions are cut into one light emitting device package, thereby manufacturing a light emitting device package having a fluorescent layer having a uniform thickness.

그리고, 다수의 발광소자 패키지용 기판상에 형광층을 한 번에 형성할 수 있기 때문에 발광소자 패키지의 생산성이 향상된다.In addition, since a fluorescent layer can be formed on a plurality of light emitting device package substrates at one time, productivity of the light emitting device package is improved.

또한, 균일한 두께의 형광층이 형성되므로 발광소자 패키지로부터 방출되는 광의 색 및 밝기의 균일성이 향상된다.In addition, since a fluorescent layer having a uniform thickness is formed, uniformity of color and brightness of light emitted from the light emitting device package is improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지용 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 발광소자 패키지용 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지용 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4 내지 도 8은 도 3의 발광소자 패키지용 기판의 발광소자 실장영역을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9 내지 도 11은 도 3의 발광소자 패키지용 기판을 이용하여 발광소자 패키지를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 발광소자 패키지용 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 13 내지 도 17은 도 12의 발광소자 패키지용 기판의 발광소자 실장영역을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 18 내지 도 20은 도 12의 발광소자 패키지용 기판을 이용하여 발광소자 패키지를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a plan view illustrating a method of manufacturing a substrate for a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view illustrating a method of manufacturing a substrate for a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a substrate for a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
4 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of forming a light emitting device mounting region of the substrate for a light emitting device package of FIG. 3.
9 to 11 are cross-sectional views for describing a method of manufacturing a light emitting device package using the light emitting device package substrate of FIG. 3.
12 is a cross-sectional view for describing a method of manufacturing a substrate for a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
13 to 17 are cross-sectional views illustrating a method of forming a light emitting device mounting region of the substrate for a light emitting device package of FIG. 12.
18 through 20 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package using the light emitting device package substrate of FIG. 12.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coup발광소자 to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coup발광소자 to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.When an element is referred to as being "connected to" or "coupled to" with another element, the element is directly connected to or coupled with another element or in between Includes all cases that intervene. On the other hand, when one device is referred to as "directly connected to" or "directly coup light emitting device to" with another device indicates that no other device is intervened. Like reference numerals refer to like elements throughout. "And / or" include each and every combination of one or more of the mentioned items.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and / or sections, it is needless to say that these elements, components and / or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, element or section from another element, element or section. Therefore, it goes without saying that the first element, the first element or the first section mentioned below may be the second element, the second element or the second section within the technical spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지용 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도이고, 도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 발광소자 패키지용 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a method of manufacturing a substrate for a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view for explaining a method of manufacturing a substrate for a light emitting device package according to another embodiment of the present invention Top view.

도 1 내지 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지용 기판(1)은, 베이스 필름(100)에 복수의 발광소자 실장영역(10)이 소정의 간격으로 서로 이격되어 형성되고, 베이스 필름(100) 상에 복수의 발광소자 실장영역(10)을 둘러싸는 댐(20)이 형성된다.1 to 2, in a light emitting device package substrate 1 according to an exemplary embodiment, a plurality of light emitting device mounting regions 10 are spaced apart from each other at a predetermined interval on a base film 100. The dam 20 surrounding the plurality of light emitting device mounting regions 10 is formed on the base film 100.

여기서, 각 발광소자 실장영역(10)은 적어도 하나의 발광소자가 대응되고, 댐(20)은 형광체 도포영역에 대응된다. 발광소자는 예를 들어, 발광 다이오드일 수 있다.Here, each of the light emitting device mounting regions 10 corresponds to at least one light emitting device, and the dam 20 corresponds to the phosphor coating area. The light emitting element may be, for example, a light emitting diode.

도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 발광소자 실장영역(10)은 MxM(예를 들어, 4x4)의 배열로 그룹화되거나, 도 2에 도시된 바와 같이, MxN(예를 들어, 4x2)의 배열로 그룹화될 수 있다. 댐(20)은 이와 같이 그룹화된 복수의 발광소자 실장영역(10)마다, 그룹화된 복수의 발광소자 실장영역(10)을 둘러싸서 형성된다.As shown in FIG. 1, the plurality of light emitting device mounting regions 10 are grouped in an array of MxM (eg, 4x4) or as shown in FIG. 2, or an array of MxN (eg, 4x2). Can be grouped as: The dam 20 is formed by surrounding the plurality of grouped light emitting device mounting regions 10 for each of the plurality of light emitting device mounting regions 10 grouped in this manner.

한편, 본 발명이 도 1 내지 도 2에 도시된 댐(20)의 형태 및 복수의 발광소자 실장영역(10)의 개수에 제한되는 것은 아니고, 베이스 필름(100) 상에 형성되는 댐(20)의 형태 및 댐(20)의 내측에 형성된 복수의 발광소자 실장영역(10)의 개수는 다양하게 변경될 수 있다.Meanwhile, the present invention is not limited to the shape of the dam 20 and the number of the plurality of light emitting device mounting regions 10 shown in FIGS. 1 to 2, but the dam 20 is formed on the base film 100. And the number of the plurality of light emitting device mounting regions 10 formed inside the dam 20 may be variously changed.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지용 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 도 3에서는 설명의 편의를 위하여, 복수의 발광소자 실장영역(10)이 3행 또는 3열의 배열로 그룹화된 것을 예로 들어 설명하기로 한다.3 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a substrate for a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. In FIG. 3, for convenience of description, the plurality of light emitting device mounting regions 10 are grouped in an array of three rows or three columns.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지용 기판(1)은, 베이스 필름(100)에 복수의 발광소자 실장영역(10)이 형성되고, 복수의 발광소자 실장영역(10)은 베이스 필름(100)을 관통하는 캐비티를 형성하여 형성된다.Referring to FIG. 3, in the light emitting device package substrate 1 according to an exemplary embodiment, a plurality of light emitting device mounting regions 10 are formed on a base film 100, and a plurality of light emitting device mounting regions ( 10) is formed by forming a cavity penetrating the base film 100.

이하에서는 도 4 내지 도 8을 참조하여 도 3의 발광소자 실장영역(10)을 형성하는 방법을 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of forming the light emitting device mounting region 10 of FIG. 3 will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 8.

도 4 내지 도 8은 도 3의 발광소자 패키지용 기판의 발광소자 실장영역을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.4 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of forming a light emitting device mounting region of the substrate for a light emitting device package of FIG. 3.

도 4에 도시된 바와 같이, 먼저 베이스 필름(100)을 준비한다. 다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 베이스 필름(100)을 관통하는 제1 캐비티(110) 및 제2 캐비티(120)를 형성한다. 다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 베이스 필름(100)의 일면에, 제1 캐비티(110) 및 제2 캐비티(120)의 일측을 폐쇄하도록 금속층(130)을 형성한다. 다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 금속층(130)을 식각하여 회로 패턴(140)을 형성한다. 다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 금속층(130)의 표면에 도금층(150)을 형성한다.As shown in FIG. 4, first, the base film 100 is prepared. Next, as shown in FIG. 5, the first cavity 110 and the second cavity 120 penetrating the base film 100 are formed. Next, as shown in FIG. 6, the metal layer 130 is formed on one surface of the base film 100 to close one side of the first cavity 110 and the second cavity 120. Next, as shown in FIG. 7, the metal layer 130 is etched to form a circuit pattern 140. Next, as shown in FIG. 8, the plating layer 150 is formed on the surface of the metal layer 130.

여기서, 상기 도금층(150)은 상기 회로 패턴(140)에서 상기 제1 캐비티(110) 및 제2 캐비티(120)의 내측에 위치하는 부분만 선택적으로 형성할 수도 있다.Here, the plating layer 150 may selectively form only a portion of the circuit pattern 140 positioned inside the first cavity 110 and the second cavity 120.

베이스 필름(100)은 대략 20~100μm의 두께를 가지는 절연성 물질로 이루어진다. 베이스 필름(100)은 폴리이미드(PI; Polyimide), 폴리에스테르(Polyester), 폴리에틸렌나프탈레이트(PolyethyleneNaphthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET:PolyethyleneTerephthalate), 에폭시(Epoxy) 등을 포함하는 고분자 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 단독 또는 이들의 혼합물일 수 있다.Base film 100 is made of an insulating material having a thickness of approximately 20 ~ 100μm. The base film 100 is selected from the group consisting of polymer resins including polyimide (PI), polyester, polyethylenenaphthalate, polyethylene terephthalate, epoxy, and the like. Selected solely or a mixture thereof.

제1 캐비티(110) 및 제2 캐비티(120)에 의해 회로 패턴(140)의 적어도 일부가 노출된다.At least a portion of the circuit pattern 140 is exposed by the first cavity 110 and the second cavity 120.

제1 캐비티(110)는 발광소자(30)가 실장되는 영역으로서, 실장되는 발광소자(30)가 제1 캐비티(110)의 외부로 노출되지 않도록, 실장되는 발광소자(30)의 표면이 베이스 필름(100)의 표면보다 아래에 위치하도록 한다. 이에 따라, 발광소자(30)로부터 방출되는 광이 직진성을 가지도록 할 수 있으며, 발광소자(30)가 제1 캐비티(110)의 외부로 노출되는 경우에는 발광소자(30)로부터 방출되는 광이 산란될 수 있다.The first cavity 110 is a region in which the light emitting device 30 is mounted, and the surface of the light emitting device 30 to be mounted is a base so that the mounted light emitting device 30 is not exposed to the outside of the first cavity 110. It is positioned below the surface of the film 100. Accordingly, the light emitted from the light emitting device 30 may have a straightness. When the light emitting device 30 is exposed to the outside of the first cavity 110, the light emitted from the light emitting device 30 may be discharged. Can be scattered.

제2 캐비티(120)는 제1 캐비티(110)에 실장되는 발광소자(30)로부터 이어진 와이어(31)가 연결되는 영역이다.The second cavity 120 is an area to which the wire 31 connected to the light emitting element 30 mounted in the first cavity 110 is connected.

금속층(130)은 베이스 필름(100)의 일면에 라미네이팅(laminating)법을 이용하여 형성할 수 있다. 이에 의하면, 금속층(130)의 일면은 전도성 접착 부재를 매개로 하여 베이스 필름(100)의 일면과 접착된다. 이와 같이, 금속층(130)을 형성할 때 라미네이팅법을 이용하면, 저렴한 물질로 이루어진 금속층(130)을 형성할 수 있어 제조 비용이 절감될 수 있다.The metal layer 130 may be formed on one surface of the base film 100 by using a laminating method. According to this, one surface of the metal layer 130 is adhered to one surface of the base film 100 via the conductive adhesive member. As such, when the lamination method is used to form the metal layer 130, the metal layer 130 made of an inexpensive material may be formed, thereby reducing manufacturing costs.

또한, 금속층(130)은 베이스 필름(100)의 일면에 도금을 이용하여 형성할 수도 있다.In addition, the metal layer 130 may be formed on one surface of the base film 100 by using plating.

금속층(130)은 예를 들어, 금, 알루미늄, 구리 등과 같은 금속 물질로 이루어질 수 있고, 대략 1~35μm의 두께로 형성될 수 있다The metal layer 130 may be formed of, for example, a metal material such as gold, aluminum, copper, or the like, and may be formed to a thickness of about 1 μm to 35 μm.

회로 패턴(140)은 금속층(130)의 베이스 필름(100)에 접착되지 않은 타면을 식각하여 형성할 수 있다. 이에 의하면, 금속층(130)의 타면에 감광제를 도포하여 감광제 막을 코팅한다. 다음으로, 회로 패턴(140)과 동일한 패턴이 형성된 포토 마스크를 이용하여 금속층(130)의 타면을 노광시킨다. 다음으로, 현상액을 이용하여 노광된 금속층(130)의 타면을 현상한다. 다음으로, 베이스 필름(100)의 금속층(130)에 접착되지 않은 타면에 백 코팅을 수행한다. 다음으로, 포토 마스크의 패턴이 모사된 감광제 막을 이용하여 금속층(130)의 타면을 식각한다. 다음으로, 감광제 막과 백 코팅을 제거한다.The circuit pattern 140 may be formed by etching the other surface not adhered to the base film 100 of the metal layer 130. According to this, the photosensitive agent is coated on the other surface of the metal layer 130 to coat the photosensitive agent film. Next, the other surface of the metal layer 130 is exposed using a photomask having the same pattern as the circuit pattern 140. Next, the other surface of the exposed metal layer 130 is developed using a developer. Next, the back coating is performed on the other surface not adhered to the metal layer 130 of the base film 100. Next, the other surface of the metal layer 130 is etched using the photosensitive film in which the pattern of the photomask is simulated. Next, the photosensitive film and the back coating are removed.

도금층(150)은 금 또는 은 등과 같이 광반사율이 높은 금속 물질로 형성할 수 있다. 이에 따라, 발광소자(30)로부터 방출되는 광이 외부로 반사되는 반사율을 높일 수 있다.The plating layer 150 may be formed of a metal material having high light reflectance such as gold or silver. Accordingly, the reflectance of the light emitted from the light emitting element 30 to the outside can be increased.

도 9 내지 도 11은 도 3의 발광소자 패키지용 기판을 이용하여 발광소자 패키지를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.9 to 11 are cross-sectional views for describing a method of manufacturing a light emitting device package using the light emitting device package substrate of FIG. 3.

도 9를 참조하면, 도 3의 실시예에 따라 제조된 발광소자 패키지용 기판(1)을 준비하고, 발광소자 패키지용 기판(1)의 제1 캐비티(110)에 적어도 하나의 발광소자(30)를 와이어 본딩(wire bonding)하여 실장하고, 발광소자(30)로부터 이어진 와이어(31)를 제2 캐비티(120)의 바닥면에 접합시킨다.Referring to FIG. 9, a light emitting device package substrate 1 manufactured according to the embodiment of FIG. 3 is prepared, and at least one light emitting device 30 is provided in the first cavity 110 of the light emitting device package substrate 1. ) Is mounted by wire bonding, and the wire 31 connected from the light emitting element 30 is bonded to the bottom surface of the second cavity 120.

발광소자(30)는 청색, 적색, 녹색, 및 UV 파장을 발생시키는 발광 소자 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 와이어(31)는 전기가 통전되는 금속 물질이다.The light emitting device 30 may include at least one of light emitting devices generating blue, red, green, and UV wavelengths, and the wire 31 is a metal material through which electricity is supplied.

발광소자(30)를 하측 배선 상에 위치시킴으로써, 하부로의 열 방출이 신속하게 이루어지게 할 수 있으며, 발광소자 패키지의 하부에 방열 패턴을 형성하고 발광소자(30)의 동작에 의해 발생되는 열을 효과적으로 배출시켜, 발광소자 패키지의 신뢰성 및 수명을 향상시킬 수 있다.By placing the light emitting device 30 on the lower wiring, heat dissipation to the lower part can be made quickly, and heat generated by the operation of the light emitting device 30 is formed by forming a heat dissipation pattern under the light emitting device package. By discharging effectively, it is possible to improve the reliability and life of the light emitting device package.

도 10을 참조하면, 적어도 하나의 발광소자(30)를 실장한 발광소자 패키지용 기판(1)의 댐(20)의 내측에 형광체를 도포하여 형광층(40)을 형성한다.Referring to FIG. 10, a fluorescent layer 40 is formed by coating a phosphor inside the dam 20 of the light emitting device package substrate 1 on which the at least one light emitting device 30 is mounted.

형광층(40)은 발광소자(30)를 밀봉하여 외부의 환경으로부터 보호하는 기능과 발광소자(30)로부터 방출되는 광의 각도를 조정하는 기능을 동시에 수행하는 투명 수지일 수 있다. 여기서, 투명 수지는 예를 들어, 에폭시, 실리콘, 변형 실리콘, 우레탄, 옥세탄, 아크릴, 폴리카보네이트, 폴리이미드 등의 물질로 이루어질 수 있다.The fluorescent layer 40 may be a transparent resin which simultaneously seals the light emitting device 30 to protect it from the external environment and adjusts the angle of light emitted from the light emitting device 30. Here, the transparent resin may be made of a material such as epoxy, silicone, modified silicone, urethane, oxetane, acrylic, polycarbonate, polyimide, and the like.

또한, 상기 형광층(40)은 원하는 광 색상이 유도되도록 발광소자(30)의 색상에 따라 선택적으로 색상을 가질 수 있다. 예를 들면, 백색 발광을 원할 경우 발광소자(30)의 색상이 청색인 소자이면 형광층(40)은 황색을 지니도록 하여, 이 두 가지 색상의 조합에 의해 백색광을 유도할 수 있다.In addition, the fluorescent layer 40 may have a color selectively according to the color of the light emitting device 30 to induce a desired light color. For example, when white light emission is desired, the fluorescent layer 40 is yellow when the color of the light emitting device 30 is blue, and white light can be induced by a combination of the two colors.

이에 따라, 댐(20)의 경계에 형성된 형광층(42)은 두께의 편차가 존재하지만, 발광소자 실장영역(10)이 배치된 영역 상의 형광층(41)은 균일한 두께로 형성된다.Accordingly, although the thickness of the fluorescent layer 42 formed at the boundary of the dam 20 varies, the fluorescent layer 41 on the region where the light emitting device mounting region 10 is disposed is formed to have a uniform thickness.

도 11을 참조하면, 형광층(40)이 형성된 발광소자 패키지용 기판(1)에서 도시된 화살표를 절단선으로 하여 형광층(40)이 형성된 복수의 발광소자 실장영역(10)을 각 하나의 발광소자(30) 패키지로 절단한다.Referring to FIG. 11, each of the plurality of light emitting device mounting regions 10 in which the fluorescent layer 40 is formed using the arrow shown in the light emitting device package substrate 1 on which the fluorescent layer 40 is formed is a cut line. The light emitting device 30 is cut into packages.

도 12는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 발광소자 패키지용 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 도 12에서는 설명의 편의를 위하여, 복수의 발광소자 실장영역(10)이 3행 또는 3열의 배열로 그룹화된 것을 예로 들어 설명하기로 한다.12 is a cross-sectional view for describing a method of manufacturing a substrate for a light emitting device package according to another embodiment of the present invention. In FIG. 12, for convenience of description, the plurality of light emitting device mounting regions 10 will be described with an example of being grouped in an array of 3 rows or 3 columns.

도 12를 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 발광소자 패키지용 기판(1)은, 베이스 필름(100)에 복수의 발광소자 실장영역(10)이 형성되고, 복수의 발광소자 실장영역(10)은 범프(32)를 통해 발광소자(30)가 실장되는 회로 패턴(241, 242)을 형성하여 형성된다.12, in a light emitting device package substrate 1 according to another exemplary embodiment, a plurality of light emitting device mounting regions 10 are formed on a base film 100, and a plurality of light emitting device mounting regions is provided. 10 is formed by forming circuit patterns 241 and 242 on which the light emitting device 30 is mounted via the bumps 32.

이하에서는 도 13 내지 도 17을 참조하여 도 12의 발광소자 실장영역(10)을 형성하는 방법을 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of forming the light emitting device mounting region 10 of FIG. 12 will be described in detail with reference to FIGS. 13 to 17.

도 13 내지 도 17은 도 12의 발광소자 패키지용 기판의 발광소자 실장영역을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.13 to 17 are cross-sectional views illustrating a method of forming a light emitting device mounting region of the substrate for a light emitting device package of FIG. 12.

도 13에 도시된 바와 같이, 먼저 베이스 필름(100)을 준비한다. 다음으로, 도 14에 도시된 바와 같이, 베이스 필름(100)을 관통하는 제1 관통홀(211) 및 제2 관통홀(212)을 형성한다. 다음으로, 도 15에 도시된 바와 같이, 제1 관통홀(211) 및 제2 관통홀(212)에 도전 물질을 매립하여 제1 도전층(221) 및 제2 도전층(222)을 형성한다. 다음으로, 도 16에 도시된 바와 같이, 베이스 필름(100)의 일면에 제1 금속층(231)을 형성하고, 베이스 필름(100)의 타면에 도전층들을 통해 제1 금속층(231)과 연결되는 제2 금속층(232)을 형성한다. 다음으로, 도 17에 도시된 바와 같이, 금속층들(231, 232)을 식각하여 제1 회로 패턴(241) 및 제2 회로 패턴(242)을 형성한다.As shown in FIG. 13, first, the base film 100 is prepared. Next, as shown in FIG. 14, the first through hole 211 and the second through hole 212 penetrating the base film 100 are formed. Next, as shown in FIG. 15, the first conductive layer 221 and the second conductive layer 222 are formed by filling a conductive material in the first through hole 211 and the second through hole 212. . Next, as shown in FIG. 16, the first metal layer 231 is formed on one surface of the base film 100, and is connected to the first metal layer 231 through conductive layers on the other surface of the base film 100. The second metal layer 232 is formed. Next, as shown in FIG. 17, the metal layers 231 and 232 are etched to form a first circuit pattern 241 and a second circuit pattern 242.

베이스 필름(100)은 대략 20~100μm의 두께를 가지는 절연성 물질로 이루어진다. 베이스 필름(100)은 폴리이미드(PI; Polyimide), 폴리에스테르(Polyester), 폴리에틸렌나프탈레이트(PolyethyleneNaphthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET:PolyethyleneTerephthalate), 에폭시(Epoxy) 등을 포함하는 고분자 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 단독 또는 이들의 혼합물일 수 있다.Base film 100 is made of an insulating material having a thickness of approximately 20 ~ 100μm. The base film 100 is selected from the group consisting of polymer resins including polyimide (PI), polyester, polyethylenenaphthalate, polyethylene terephthalate, epoxy, and the like. Selected solely or a mixture thereof.

베이스 필름(100)의 일면 상에는 발광소자(30)가 실장되는 이너리드 영역이 정의되고, 베이스 플림의 타면 상에는 외부 회로와 신호 전달을 위해 연결되는 아우터리드 영역이 정의된다.An inner lead area in which the light emitting device 30 is mounted is defined on one surface of the base film 100, and an outer area connected to an external circuit and a signal transmission is defined on the other surface of the base film.

제1 회로 패턴(241) 및 제2 회로 패턴(242)은 베이스 필름(100)의 일면 상의 이너리드 영역을 중심으로 이격되어 배치되고, 제1 관통홀(211) 및 제2 관통홀(212)을 통하여 베이스 필름(100)의 타면 상의 아우터리드 영역으로 연장된다.The first circuit pattern 241 and the second circuit pattern 242 are spaced apart from the inner lead region on one surface of the base film 100, and the first through hole 211 and the second through hole 212 are disposed. It extends to the outer region on the other surface of the base film 100 through.

본 발명의 실시예에서 제1 관통홀(211) 및 제2 관통홀(212)의 형성 위치는 다양하게 변경될 수 있는 것이며, 이와 같은 제1 관통홀(211) 및 제2 관통홀(212)의 형성 위치에 따라, 제1 회로 패턴(241) 및 제2 회로 패턴(242)의 배치도 다양하게 변경될 수 있다.In the embodiment of the present invention, the position of forming the first through hole 211 and the second through hole 212 may be variously changed, and the first through hole 211 and the second through hole 212 may be changed. According to the formation position of, the arrangement of the first circuit pattern 241 and the second circuit pattern 242 may also be variously changed.

제1 도전층(221) 및 제2 도전층(222)을 형성하는 도전 물질은 예를 들어, 금, 알루미늄, 구리 등과 같은 금속 물질로 이루어질 수 있다. 제1 도전층(221) 및 제2 도전층(222)은 제1 회로 패턴(241) 및 제2 회로 패턴(242)이 베이스 필름(100)의 일면에서 타면으로 또는 타면에서 일면으로 연장되게 한다.The conductive material forming the first conductive layer 221 and the second conductive layer 222 may be made of a metal material such as gold, aluminum, copper, or the like. The first conductive layer 221 and the second conductive layer 222 allow the first circuit pattern 241 and the second circuit pattern 242 to extend from one surface to the other surface or from one surface to the other surface of the base film 100. .

제1 금속층(231) 및 제2 금속층(232)은 베이스 필름(100)의 일면 및 타면에 라미네이팅법을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 제1 금속층(231) 및 제2 금속층(232)은 베이스 필름(100)의 일면 및 타면에 도금을 이용하여 형성할 수도 있다.The first metal layer 231 and the second metal layer 232 may be formed on one surface and the other surface of the base film 100 by using a laminating method. In addition, the first metal layer 231 and the second metal layer 232 may be formed on one surface and the other surface of the base film 100 by using plating.

금속층(241, 242)은 예를 들어, 금, 알루미늄, 구리 등과 같은 금속 물질로 이루어질 수 있고, 대략 1~35μm의 두께로 형성될 수 있다.The metal layers 241 and 242 may be made of a metal material such as gold, aluminum, copper, or the like, and may be formed to a thickness of about 1 μm to 35 μm.

회로 패턴(241, 242)은 제1 금속층(231) 및 제2 금속층(232)을 식각하여 형성할 수 있다. 이에 의하면, 제1 금속층(231) 및 제2 금속층(232)에 감광제를 도포하여 감광제 막을 코팅한다. 다음으로, 회로 패턴(241, 242)과 동일한 패턴이 형성된 포토 마스크를 이용하여 제1 금속층(231) 및 제2 금속층(232)을 노광시킨다. 다음으로, 현상액을 이용하여 노광된 금속층(231, 232)의 타면을 현상한다. 다음으로, 포토 마스크의 패턴이 모사된 감광제 막을 이용하여 제1 금속층(231) 및 제2 금속층(232)을 식각한다. 다음으로, 감광제 막을 제거한다.The circuit patterns 241 and 242 may be formed by etching the first metal layer 231 and the second metal layer 232. According to this, the photosensitive agent is coated on the first metal layer 231 and the second metal layer 232 to coat the photosensitive agent film. Next, the first metal layer 231 and the second metal layer 232 are exposed using a photo mask having the same pattern as the circuit patterns 241 and 242. Next, the other surfaces of the exposed metal layers 231 and 232 are developed using a developer. Next, the first metal layer 231 and the second metal layer 232 are etched using the photosensitive film in which the pattern of the photo mask is simulated. Next, the photosensitive film is removed.

제1 회로 패턴(241) 및 제2 회로 패턴(242)은 서로 중첩되지 않도록 형성한다. 도 17에는 도시하지 않았지만, 제1 회로 패턴(241) 및 제2 회로 패턴(242)과 베이스 필름(100) 사이에는 하지층(미도시)이 개재될 수 있으며, 하지층은 예를 들어, 니켈, 크롬 등을 포함하는 복수의 금속 물질로 이루어질 수 있다.The first circuit pattern 241 and the second circuit pattern 242 are formed not to overlap each other. Although not shown in FIG. 17, an underlayer (not shown) may be interposed between the first circuit pattern 241 and the second circuit pattern 242 and the base film 100, and the underlayer may be, for example, nickel. It may be made of a plurality of metal materials, including chromium.

또한, 도 12의 발광소자 패키지용 기판(1)의 발광소자 실장영역(10)을 형성하는 방법은, 제1 금속층(231) 및 제2 금속층(232)을 형성하면서 제1 관통홀(211) 및 제2 관통홀(212)에 도전 물질을 매립할 수도 있다. 이에 의하면, 베이스 필름(100)의 일면 및 타면 상에 도금을 이용하여 도전 물질을 이용한 제1 금속층(231) 및 제2 금속층(232)을 형성하고, 제1 관통홀(211) 및 제2 관통홀(212)을 도전 물질로 매립하여 제1 도전층(221) 및 제2 도전층(222)을 형성할 수 있다.In the method of forming the light emitting device mounting region 10 of the light emitting device package substrate 1 of FIG. 12, the first through hole 211 is formed while the first metal layer 231 and the second metal layer 232 are formed. The conductive material may be buried in the second through hole 212. As a result, the first metal layer 231 and the second metal layer 232 using the conductive material are formed on one surface and the other surface of the base film 100, and the first through hole 211 and the second through hole are formed. The first conductive layer 221 and the second conductive layer 222 may be formed by filling the hole 212 with a conductive material.

한편, 제1 금속층(231) 및 제2 금속층(232)을 형성할 때, 상기 하지층상에 포토 마스크 패턴을 먼저 형성하고 도금을 실시하면 회로 패턴(241, 242)과 도전층(221, 222)을 동시에 형성할 수 있으며, 감광제 막을 제거하여 노출된 상기 하지층을 제거함으로써, 회로 패턴(241, 242)간 절연이 되도록 형성할 수 있다.Meanwhile, when the first metal layer 231 and the second metal layer 232 are formed, the photomask pattern is first formed on the underlayer and then plated to form the circuit patterns 241 and 242 and the conductive layers 221 and 222. Can be formed at the same time, and by removing the photoresist film to remove the exposed underlying layer, it can be formed to be insulated between the circuit patterns (241, 242).

도 18 내지 도 20은 도 12의 발광소자 패키지용 기판을 이용하여 발광소자 패키지를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.18 through 20 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package using the light emitting device package substrate of FIG. 12.

도 18을 참조하면, 도 12의 실시예에 따라 제조된 발광소자 패키지용 기판(1)을 준비하고, 발광소자 패키지용 기판(1)의 회로 패턴에 적어도 하나의 발광소자(30)를 플립 칩 본딩(flip chip bonding)하여 실장하고, 발광소자(30)를 범프(32) 등의 접합부재를 통해 회로 패턴(241, 242)의 표면에 접합시킨다.Referring to FIG. 18, a light emitting device package substrate 1 prepared according to the embodiment of FIG. 12 is prepared, and at least one light emitting device 30 is flipped on a circuit pattern of the light emitting device package substrate 1. The chip is mounted by bonding, and the light emitting device 30 is bonded to the surfaces of the circuit patterns 241 and 242 through a bonding member such as the bump 32.

이에 의하면, 하나의 범프(32)를 제1 회로 패턴(241)의 일단부에 접합시키고, 다른 하나의 범프(32)를 제2 회로 패턴(242)의 일단부에 접합시킨다. 이에 따라, 발광소자(30)는 베이스 필름(100)의 일면 상에 배치된 제1 회로 패턴(241)의 일단부 및 제2 회로 패턴(242)의 일단부 상에 실장된다.According to this, one bump 32 is bonded to one end of the first circuit pattern 241, and the other bump 32 is bonded to one end of the second circuit pattern 242. Accordingly, the light emitting device 30 is mounted on one end of the first circuit pattern 241 and one end of the second circuit pattern 242 disposed on one surface of the base film 100.

발광소자(30)는 청색, 적색, 녹색, 및 UV 파장을 발생시키는 발광 소자 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 범프(32)는 전기가 통전되는 금속 물질이다.The light emitting device 30 may include at least one of a light emitting device generating blue, red, green, and UV wavelengths, and the bump 32 is a metal material through which electricity is supplied.

도 19를 참조하면, 적어도 하나의 발광소자(30)를 실장한 발광소자 패키지용 기판(1)의 댐의 내측에 형광체를 도포하여 형광층(40)을 형성한다.Referring to FIG. 19, a fluorescent layer 40 is formed by applying a phosphor to the inside of a dam of the light emitting device package substrate 1 on which the at least one light emitting device 30 is mounted.

형광층(40)은 발광소자(30)를 밀봉하여 외부의 환경으로부터 보호하는 기능과 발광소자(30)로부터 방출되는 광의 각도를 조정하는 기능을 동시에 수행하는 투명 수지일 수 있다. 여기서, 투명 수지는 예를 들어, 에폭시, 실리콘, 변형 실리콘, 우레탄, 옥세탄, 아크릴, 폴리카보네이트, 폴리이미드 등의 물질로 이루어질 수 있다.The fluorescent layer 40 may be a transparent resin which simultaneously seals the light emitting device 30 to protect it from the external environment and adjusts the angle of light emitted from the light emitting device 30. Here, the transparent resin may be made of a material such as epoxy, silicone, modified silicone, urethane, oxetane, acrylic, polycarbonate, polyimide, and the like.

또한, 상기 형광층(40)은 원하는 광 색상이 유도되도록 발광소자(30)의 색상에 따라 선택적으로 색상을 가질 수 있다. 예를 들면, 백색 발광을 원할 경우 발광소자(30)의 색상이 청색인 소자이면 형광층(40)은 황색을 지니도록 하여, 이 두가지 색상의 조합에 의해 백색광을 유도할 수 있다.In addition, the fluorescent layer 40 may have a color selectively according to the color of the light emitting device 30 to induce a desired light color. For example, if white light is desired, the fluorescent layer 40 has a yellow color when the color of the light emitting device 30 is blue, and white light can be induced by a combination of the two colors.

이에 따라, 댐의 경계에 형성된 형광층(42)은 두께의 편차가 존재하지만, 발광소자 실장영역(10)이 배치된 영역 상의 형광층(41)은 균일한 두께로 형성된다.Accordingly, although the thickness of the fluorescent layer 42 formed at the boundary of the dam exists, the fluorescent layer 41 on the region where the light emitting element mounting region 10 is disposed is formed to have a uniform thickness.

도 20을 참조하면, 형광층(40)이 형성된 발광소자 패키지용 기판(1)에서 도시된 화살표를 절단선으로 하여 형광층(40)이 형성된 발광소자 실장영역(10)을 각 하나의 발광소자 패키지로 절단한다.Referring to FIG. 20, one light emitting device includes a light emitting device mounting region 10 in which the fluorescent layer 40 is formed using the arrow shown in the light emitting device package substrate 1 on which the fluorescent layer 40 is formed as a cutting line. Cut into packages.

이상 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지용 기판 및 발광소자 패키지의 제조 방법에 관하여 설명하였으나, 이에 의해 제조된 발광소자 패키지용 기판 및 발광소자 패키지는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 사항이므로 상세한 설명을 생략하기로 한다.The light emitting device package substrate and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment of the present invention have been described above. As it is obvious to those who have it, detailed description will be omitted.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, You will understand. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

100: 베이스 필름 10: 발광소자 실장영역
20: 댐 30: 발광소자
40: 형광층100: base film 10: light emitting device mounting area
20: dam 30: light emitting element
40: fluorescent layer

Claims (11)

베이스 필름;
상기 베이스 필름에 형성되고, 각각이 적어도 하나의 발광소자에 대응되는 복수의 발광소자 실장영역; 및
상기 베이스 필름 상에, 상기 복수의 발광소자 실장영역을 둘러싸며 형성되고, 형광체 도포영역에 대응되는 댐을 포함하되,
상기 댐은 발광소자 패키지에 비포함되는 발광소자 패키지용 기판.A base film;
A plurality of light emitting element mounting regions formed on the base film, each of which corresponds to at least one light emitting element; And
A dam formed on the base film surrounding the plurality of light emitting device mounting regions and corresponding to a phosphor coating region;
The dam is a light emitting device package substrate that is not included in the light emitting device package. 제1항에 있어서,
상기 베이스 필름에는 상기 베이스 필름을 관통하는 캐비티가 형성되고, 상기 캐비티 내에는 상기 적어도 하나의 발광소자가 실장될 수 있는 발광소자 패키지용 기판.The method of claim 1,
A cavity penetrating the base film is formed in the base film, and the at least one light emitting device may be mounted in the cavity. 제2항에 있어서,
상기 베이스 필름의 일면에는 회로 패턴이 형성되고, 상기 캐비티에 의해 상기 회로 패턴의 적어도 일부가 노출되는 발광소자 패키지용 기판.3. The method of claim 2,
A circuit pattern is formed on one surface of the base film, and at least part of the circuit pattern is exposed by the cavity. 제3항에 있어서,
상기 캐비티에 의해 노출되는 상기 회로 패턴의 적어도 일부에는 은도금층이 형성되는 발광소자 패키지용 기판.The method of claim 3,
And a silver plating layer is formed on at least a portion of the circuit pattern exposed by the cavity. 제2항에 있어서,
상기 적어도 하나의 발광소자의 표면이 상기 베이스 필름의 표면보다 아래에 위치하여, 상기 적어도 하나의 발광소자가 상기 캐비티의 외부로 노출되지 않는 발광소자 패키지용 기판.3. The method of claim 2,
The surface of the at least one light emitting device is located below the surface of the base film, so that the at least one light emitting device is not exposed to the outside of the cavity substrate. 제1항에 있어서,
상기 베이스 필름의 양면에는 회로 패턴이 형성되고, 상기 회로 패턴에는 범프를 통해 발광소자가 실장될 수 있는 발광소자 패키지용 기판.The method of claim 1,
A circuit pattern is formed on both sides of the base film, the light emitting device package substrate can be mounted on the circuit pattern through the bump. 제6항에 있어서,
상기 베이스 필름에는 상기 베이스 필름을 관통하는 도전층이 형성되고, 상기 도전층을 통해 상기 베이스 필름의 일면의 회로 패턴과 타면의 회로 패턴이 연결되는 발광소자 패키지용 기판.The method according to claim 6,
A conductive layer penetrating the base film is formed in the base film, and the circuit pattern on one surface of the base film and the circuit pattern on the other surface is connected through the conductive layer. 제7항에 있어서,
상기 도전층은 상기 베이스 필름을 관통하는 관통홀이 형성되고, 상기 관통홀에 도전 물질이 매립되어 형성되는 발광소자 패키지용 기판.The method of claim 7, wherein
The conductive layer is a substrate for light emitting device package is formed through the through-hole penetrating the base film, the conductive material is embedded in the through-hole. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 발광소자 패키지용 기판을 준비하고,
상기 발광소자 패키지용 기판의 복수의 발광소자 실장영역에 적어도 하나의 발광소자를 실장하고,
상기 댐의 내측에 형광체를 도포하여 형광체층을 형성하고,
상기 형광체층 및 상기 발광소자 패키지용 기판을 절단하여 상기 복수의 발광소자 실장영역을 각 하나의 발광소자 패키지로 절단하는 것을 포함하되,
상기 각 하나의 발광소자 패키지는 상기 댐을 비포함하는 발광소자 패키지의 제조 방법.Preparing a light emitting device package substrate of any one of claims 1 to 8,
Mounting at least one light emitting device on a plurality of light emitting device mounting regions of the light emitting device package substrate;
A phosphor is coated on the inside of the dam to form a phosphor layer,
Cutting the phosphor layer and the light emitting device package substrate to cut the plurality of light emitting device mounting regions into a single light emitting device package,
Wherein each one of the light emitting device packages does not include the dam. 제9항의 제조 방법으로 제조된 발광소자 패키지.The light emitting device package manufactured by the manufacturing method of claim 9. 삭제delete
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110126860A (en) * 2010-05-18 2011-11-24 엘지이노텍 주식회사 Tape type light package and manufacturing method of the same
KR20120014956A (en) * 2010-08-09 2012-02-21 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and lighing system
KR20120017257A (en) * 2010-08-18 2012-02-28 엘지이노텍 주식회사 Film type optical component package and manufacturing method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110126860A (en) * 2010-05-18 2011-11-24 엘지이노텍 주식회사 Tape type light package and manufacturing method of the same
KR20120014956A (en) * 2010-08-09 2012-02-21 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and lighing system
KR20120017257A (en) * 2010-08-18 2012-02-28 엘지이노텍 주식회사 Film type optical component package and manufacturing method thereof
KR101164963B1 (en) 2010-08-18 2012-07-12 엘지이노텍 주식회사 Film type optical component package and manufacturing method thereof

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