KR101307553B1 - Organic Light Emitting Display - Google Patents

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KR101307553B1
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Abstract

본 발명은, 기판; 기판 상에 위치하는 서브 픽셀; 및 서브 픽셀을 덮도록 위치하고 유기층과 무기층이 교번하여 적층되며 적어도 하나의 흡습층이 개재된 멀티보호막을 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.The present invention provides a semiconductor device comprising: a substrate; A subpixel located on a substrate; And a multi passivation layer disposed to cover the subpixels, the organic layer and the inorganic layer alternately stacked, and the at least one moisture absorbing layer interposed therebetween.

유기전계발광표시장치, 보호막, 흡습층 Organic light emitting display, protective film, moisture absorption layer

Description

유기전계발광표시장치{Organic Light Emitting Display}[0001] The present invention relates to an organic light emitting display,

본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display.

유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 상에 위치하는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자였다.An organic light emitting display device used in an organic light emitting display device is a self-light emitting device having a light emitting layer formed between two electrodes positioned on a substrate.

또한, 유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식 등이 있다. 그리고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어져 있다.In addition, the organic light emitting display device may include a top-emission method, a bottom-emission method, or a dual-emission method according to a direction in which light is emitted. It is divided into a passive matrix and an active matrix depending on the driving method.

유기전계발광표시장치에 배치된 서브 픽셀은 스위칭용 트랜지스터, 구동용 트랜지스터, 커패시터, 애노드, 유기 발광층 및 캐소드를 포함한다. 이와 같은 구조를 갖는 서브 픽셀은 수분이나 산소에 취약하여 서브 픽셀 상에 수십 층의 다층보호막을 형성하였다.The subpixels disposed in the organic light emitting display device include a switching transistor, a driving transistor, a capacitor, an anode, an organic light emitting layer, and a cathode. The subpixels having such a structure are susceptible to moisture or oxygen to form dozens of layers of multilayer protective films on the subpixels.

한편, 종래 서브 픽셀 상에 위치하는 다층보호막은 양산성 측면에서는 다소 불리하지만, 핀홀(pin hole)의 발생을 최소화함과 아울러 침투하는 수분의 경로를 길게 하여 캐소드 및 유기 발광층으로의 침투 시간을 늘려주어 소자의 수명 연장을 기대했었다.On the other hand, the conventional multi-layered protective film located on the sub-pixel is somewhat disadvantageous in terms of mass production, while minimizing the generation of pin holes and lengthening the path of moisture to penetrate to increase the penetration time into the cathode and the organic light emitting layer The life expectancy of the device was expected.

그러나, 종래 다층보호막은 침투 시간을 다소 늘려주긴 하였으나 궁극적으로는 침투되는 수분을 막을 수는 없었다. 이로 인해, 복층 구조의 보호막은 양산성 측면과 소자의 수명 연장 측면에 있어서도 기대 이하의 결과를 나타내고 있어, 이를 해결할 수 있는 개선책이 마련되어야 할 것이다.However, although the conventional multilayer protective film slightly increased the penetration time, it could not ultimately prevent the moisture to penetrate. For this reason, the protective film of the multilayer structure also showed below-expected results in terms of mass productivity and in terms of extending the life of the device, and an improvement solution to solve this problem should be provided.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 흡습층이 포함된 멀티보호막을 적용하여 소자의 열화를 방지함과 아울러 소자의 수명을 연장할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다. 또한, 제조공정시 소자에 결함을 야기할 수 있는 파티클 발생률을 최소화함과 아울러, 소자를 유연하게 구현할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of preventing the deterioration of a device and extending the life of the device by applying a multi-protective film including a moisture absorbing layer. will be. In addition, the present invention provides an organic light emitting display device which can flexibly implement the device while minimizing the particle generation rate that can cause defects in the device during the manufacturing process.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은, 기판; 기판 상에 위치하는 서브 픽셀; 및 서브 픽셀을 덮도록 위치하고 유기층과 무기층이 교번하여 적층되며 적어도 하나의 흡습층이 개재된 멀티보호막을 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.The present invention as a problem solving means described above, the substrate; A subpixel located on a substrate; And a multi passivation layer disposed to cover the subpixels, the organic layer and the inorganic layer alternately stacked, and the at least one moisture absorbing layer interposed therebetween.

멀티보호막은, 서브 픽셀을 덮도록 흡습층, 유기층, 무기층, 흡습층, 유기층 및 무기층 순으로 적층된 것일 수 있다.The multi-protective film may be stacked in order of a moisture absorbing layer, an organic layer, an inorganic layer, a moisture absorbing layer, an organic layer, and an inorganic layer so as to cover the subpixel.

흡습층의 두께는 30Å ~ 500Å일 수 있다.The moisture absorption layer may have a thickness of 30 kPa to 500 kPa.

흡습층은, 리튬(Li), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 바륨(Ba), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 세슘(Cs)을 포함할 수 있다.The moisture absorption layer may include lithium (Li), calcium (Ca), magnesium (Mg), barium (Ba), strontium (Sr), yttrium (Y), and cesium (Cs).

무기층은, 산화 알루미늄(Al2O3), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 산화 실리콘(SiO2), 산화 실리콘 나이트라이드(SiON), 탄화 실리콘(SiC)을 포함할 수 있다.The inorganic layer may include aluminum oxide (Al 2 O 3), silicon nitride (SiN x), silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (SiON), or silicon carbide (SiC).

멀티보호막의 엣지 영역은, 무기격벽로 밀봉될 수 있다.The edge region of the multi passivation layer may be sealed with an inorganic barrier rib.

흡습층의 엣지 영역은, 무기층의 엣지 영역보다 안쪽에 위치할 수 있다.The edge region of the moisture absorbing layer may be located inward from the edge region of the inorganic layer.

흡습층 중 하나의 두께는, 다른 하나와 다를 수 있다.The thickness of one of the moisture absorbing layers may be different from the other.

유기층의 두께는, 무기층 또는 흡습층의 두께보다 더 두꺼울 수 있다.The thickness of the organic layer may be thicker than the thickness of the inorganic layer or the moisture absorbing layer.

흡습층은, 진공 챔버 내에서 마스크에 의해 증착될 수 있다.The moisture absorbing layer can be deposited by a mask in a vacuum chamber.

한편, 다른 측면에서 본 발명은, 기판; 기판 상에 위치하는 서브 픽셀; 및 서브 픽셀을 덮도록 위치하고 무기층과 무기층 사이에 적어도 하나의 흡습층이 개재된 멀티보호막을 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.On the other hand, the present invention, the substrate; A subpixel located on a substrate; And a multi passivation layer disposed to cover the subpixels and having at least one moisture absorbing layer interposed between the inorganic layer and the inorganic layer.

흡습층의 두께는, 0.05㎛ ~ 1000㎛일 수 있다.The moisture absorption layer may have a thickness of 0.05 μm to 1000 μm.

흡습층은, 폴리비닐 알코올(Polyvinyl alcohol) 또는 유기 금속(Organic metal)화합물로 형성될 수 있다.The moisture absorption layer may be formed of a polyvinyl alcohol or an organic metal compound.

유기 금속 화합물은, 화학식 M(OR1)a로 표현되는 화합물이며, M은 제2족, 제3족 또는 제4족 원소 중 어느 하나로 이루어지고, R1은 치환된 또는 치환되지 않은 1가의 사슬형 탄화수소기, 1가의 지방족 고리형 탄화수소기, 단일 고리나 여러 고리의 1가 방향족 또는 헤테로 방향족 탄화수소기 중 어느 하나로 이루어지며, a는 M이 제2족 원소인 경우 정수 2, a는 M이 제3족 원소인 경우 정수 3, a는 M이 제4족 원소인 경우 정수 4일 수 있다.The organometallic compound is a compound represented by the formula M (OR1) a, M consists of any one of Group 2, Group 3 or Group 4 elements, and R 1 is a substituted or unsubstituted monovalent chain hydrocarbon. Group, a monovalent aliphatic cyclic hydrocarbon group, a monocyclic or cyclic monovalent aromatic or heteroaromatic hydrocarbon group, wherein a is an integer of 2 when M is a group 2 element, a is a group of 3 In the case of an element, an integer 3 and a may be an integer 4 when M is a group 4 element.

무기층은, 산화 실리콘(SiO2), 실리콘 산화 질화물(SiOxNy), 실리콘 나이트라이드(SiNx),탄화 실리콘 산화물(SiOxCy), 산화 알루미늄(Al2O3), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 산화 아연(ZnOx), 알루미늄 산화 아연(Al-ZnOx) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The inorganic layer includes silicon oxide (SiO2), silicon oxynitride (SiOxNy), silicon nitride (SiNx), silicon carbide (SiOxCy), aluminum oxide (Al2O3), indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnOx), It may be made of any one of aluminum zinc oxide (Al-ZnOx).

무기층 및 흡습층은, N(2 이상의 정수)개로 형성될 수 있다.The inorganic layer and the moisture absorption layer may be formed of N (an integer of 2 or more).

멀티보호막은, 서브 픽셀을 덮도록 무기층, 흡습층, 무기층, 흡습층 및 무기층 순으로 적층될 수 있다.The multi passivation layer may be stacked in order of an inorganic layer, a moisture absorption layer, an inorganic layer, a moisture absorption layer, and an inorganic layer so as to cover the subpixel.

흡습층은, 디핑(dipping), 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 디스펜싱, 스크린 프린팅 방식 중 어느 하나로 형성될 수 있다.The moisture absorbing layer may be formed by any one of dipping, spin coating, spray coating, dispensing, and screen printing.

서브 픽셀을 밀봉하도록 기판과 이격 대향 배치된 밀봉기판을 더 포함하며, 기판과 밀봉기판은 접착부재에 의해 밀봉될 수 있다.The semiconductor device may further include a sealing substrate spaced apart from the substrate to seal the subpixel, wherein the substrate and the sealing substrate may be sealed by an adhesive member.

접착부재는, 기판과 밀봉기판의 외곽에 위치하는 제1접착부재와, 제1접착부재보다 내측에 위치하며 기판과 밀봉기판의 전면에 형성된 제2접착부재를 포함할 수 있다.The adhesive member may include a first adhesive member positioned outside the substrate and the sealing substrate, and a second adhesive member positioned inside the first adhesive member and formed on the front surface of the substrate and the sealing substrate.

본 발명은, 흡습층이 포함된 멀티보호막을 적용하여 소자의 열화를 방지함과 아울러 소자의 수명을 연장할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. 더 나아가, 본 발명은 소자의 수명 향상뿐만 아니라 양산성과 소자의 수명 연장이라는 두 가지 측면을 동시에 만족할 수도 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 제조공정시 소자에 결함을 야기할 수 있는 파티클 발생률을 최소화함과 아울러, 소자를 유연하게 구현할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다.The present invention has the effect of providing an organic light emitting display device which can prevent the deterioration of the device and extend the life of the device by applying a multi-protective film including a moisture absorption layer. Furthermore, the present invention has the effect of providing an organic light emitting display device which may satisfy both aspects of not only the life of the device but also the mass production and the life of the device. In addition, there is an effect of providing an organic light emitting display device which can flexibly implement the device while minimizing the particle generation rate that can cause a defect in the device during the manufacturing process.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

<제1실시예>&Lt; Embodiment 1 >

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1의 A영역의 확대도이며, 도 3은 멀티보호막의 일 예시도 이고, 도 4는 멀티보호막의 다른 예시도 이며, 도 5는 도 6의 B영역의 확대도 이다.1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged view of region A of FIG. 1, FIG. 3 is an exemplary view of a multi passivation layer, and FIG. 4 is FIG. 5 is an enlarged view of region B of FIG. 6.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 기판(110)을 포함할 수 있다. 또한, 기판(110) 상에 위치하는 서브 픽셀(150)을 포함할 수 있다. 또한, 서브 픽셀(150)을 덮도록 위치하고 유기층과 무기층이 교번하여 적층되며 적어도 하나의 흡습층이 개재된 멀티보호막(160)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention may include a substrate 110. In addition, the substrate 110 may include a sub pixel 150 positioned on the substrate 110. In addition, the multi-layer protective layer 160 may be disposed to cover the sub-pixel 150 and the organic layer and the inorganic layer are alternately stacked, and the at least one moisture absorbing layer may be interposed therebetween.

기판(110)은 소자를 형성하기 위한 재료로 기계적 강도나 치수 안정성이 우수한 것을 선택할 수 있다. 기판(110)의 재료로는, 유리판, 금속판, 세라믹판 또는 플라스틱판(폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 염화비닐 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 불소수지 등) 등을 예로 들 수 있다.The substrate 110 can be selected to have excellent mechanical strength and dimensional stability as a material for forming devices. As the material of the substrate 110, a glass plate, a metal plate, a ceramic plate or a plastic plate (polycarbonate resin, acrylic resin, vinyl chloride resin, polyethylene terephthalate resin, polyimide resin, polyester resin, epoxy resin, silicone resin, fluorine) Resin, etc.) is mentioned.

기판(110) 상에 위치하는 서브 픽셀(150)은 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 트랜지스터와, 트랜지스터 상에 위치하는 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The subpixel 150 positioned on the substrate 110 may include a transistor including a switching transistor, a driving transistor, and a capacitor, and an organic light emitting diode positioned on the transistor.

이하, 도 2를 참조하여 기판(110) 상에 위치하는 서브 픽셀(150)을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the subpixel 150 positioned on the substrate 110 will be described with reference to FIG. 2.

기판(110) 상에는 버퍼층(111)이 위치할 수 있다. 버퍼층(111)은 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터를 보호하기 위해 형성할 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용할 수 있다.The buffer layer 111 may be positioned on the substrate 110. The buffer layer 111 may be formed to protect a thin film transistor formed in a subsequent process from an impurity such as an alkali ion or the like flowing out from the substrate 110. The buffer layer 111 may use silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), or the like.

버퍼층(111) 상에는 게이트(112)가 위치할 수 있다. 게이트(112)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트(112)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 또한, 게이트(112)는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.The gate 112 may be located on the buffer layer 111. The gate 112 is selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be made of one or an alloy thereof. In addition, the gate 112 is formed of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be a multilayer made of any one or alloys thereof. In addition, the gate 112 may be a bilayer of molybdenum / aluminum-neodymium or molybdenum / aluminum.

게이트(112) 상에는 제1절연막(113)이 위치할 수 있다. 제1절연막(113)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first insulating layer 113 may be positioned on the gate 112. The first insulating layer 113 may be, but is not limited to, a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof.

제1절연막(113) 상에는 액티브층(114)이 위치할 수 있다. 액티브층(114)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 액티브층(114)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함 할 수 있으며, 소오스 영역 및 드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑될 수 있다. 또한, 액티브층(114)은 접촉 저항을 낮추기 위한 오믹 콘택층을 포함할 수도 있다.The active layer 114 may be positioned on the first insulating layer 113. The active layer 114 may include amorphous silicon or polycrystalline silicon crystallized therefrom. Although not illustrated, the active layer 114 may include a channel region, a source region, and a drain region, and the source region and the drain region may be doped with P-type or N-type impurities. In addition, the active layer 114 may include an ohmic contact layer to lower the contact resistance.

액티브층(114) 상에는 소오스(115a) 및 드레인(115b)이 위치할 수 있다. 소오스(115a) 및 드레인(115b)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 소오스(115a) 및 드레인(115b)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 소오스(115a) 및 드레인(115b)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.The source 115a and the drain 115b may be positioned on the active layer 114. The source 115a and the drain 115b may be formed of a single layer or multiple layers. When the source 115a and the drain 115b are a single layer, molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), and gold may be used. (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu) may be made of any one or an alloy thereof. In addition, when the source 115a and the drain 115b are multiple layers, the double layer of molybdenum / aluminum-neodymium and the triple layer of molybdenum / aluminum / molybdenum or molybdenum / aluminum-neodymium / molybdenum may be used.

소오스(115a) 및 드레인(115b) 상에는 제2절연막(116)이 위치할 수 있다. 제2절연막(116)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2절연막(116)은 패시베이션막일 수 있다.The second insulating layer 116 may be positioned on the source 115a and the drain 115b. The second insulating layer 116 may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto. The second insulating layer 116 may be a passivation layer.

이상은 기판(110) 상에 위치하는 트랜지스터의 일례로 바탐 게이트형 트랜지스터에 대한 설명이다. 이하에서는 트랜지스터 상에 위치하는 유기 발광다이오드에 대해 설명한다.The above is a description of the batam gate type transistor as an example of a transistor located on the substrate 110. Hereinafter, the organic light emitting diode on the transistor will be described.

제2절연막(116) 상에는 제1전극(117)이 위치할 수 있다. 제1전극(117)은 애노드로 선택될 수 있으며 투명한 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first electrode 117 may be positioned on the second insulating layer 116. The first electrode 117 may be selected as an anode and may be made of transparent indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), but is not limited thereto.

제1전극(117) 상에는 뱅크층(120)이 위치할 수 있다. 뱅크층(120)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있다. 뱅크층(120)은 제1전극(117) 상에서 개구부를 갖는다.The bank layer 120 may be positioned on the first electrode 117. The bank layer 120 may include an organic material such as benzocyclobutene (BCB) resin, acrylic resin, or polyimide resin. The bank layer 120 has an opening on the first electrode 117.

뱅크층(120)의 개구부 내에는 유기 발광층(121)이 위치할 수 있다. 유기 발광층(121)은 서브 픽셀(150)에 따라 적색, 녹색 및 청색 중 어느 하나의 색을 발광하도록 형성될 수 있다.The organic emission layer 121 may be located in the opening of the bank layer 120. The organic emission layer 121 may be formed to emit one of red, green, and blue colors according to the sub-pixel 150.

유기 발광층(121) 상에는 제2전극(122)이 위치할 수 있다. 제2전극(122)은 캐소드로 선택될 수 있으며 알루미늄(Al) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The second electrode 122 may be positioned on the organic emission layer 121. The second electrode 122 may be selected as a cathode, and aluminum (Al) may be used, but is not limited thereto.

이와 같은 서브 픽셀(150)의 상부에는 서브 픽셀(150)을 덮도록 멀티보호막(160)이 위치한다.The multi passivation layer 160 is positioned on the sub pixel 150 to cover the sub pixel 150.

이하, 도 3 및 도 4를 참조하여 멀티보호막(160)에 대해 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, the multi passivation layer 160 will be described in more detail with reference to FIGS. 3 and 4.

도 3을 참조하면, 멀티보호막(160)은 유기층(162, 165)과 무기층(163, 166)이 교번하여 적층되며 적어도 하나의 흡습층(161)이 개재된다. 흡습층(161)은 진공 챔버 내에서 마스크에 의해 증착될 수 있으나 방법은 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 3, the multi passivation layer 160 is formed by alternately stacking the organic layers 162 and 165 and the inorganic layers 163 and 166 and interposing at least one moisture absorbing layer 161. The moisture absorbing layer 161 may be deposited by a mask in the vacuum chamber, but the method is not limited thereto.

흡습층(161)의 두께(d1)는 30Å ~ 500Å일 수 있다. 흡습층(161)의 두께(d1)가 30Å 이상으로 형성되면, 흡습층(161)의 외부에 위치하는 유기층(162, 165)과 무기층(163, 166)으로 침투된 수분 등을 흡습하여 서브 픽셀이 열화되거나 수명이 저하하는 문제를 해결할 수 있다. 그리고 흡습층(161)의 두께(d1)가 500Å 이하로 형성되면, 서브 픽셀로부터 형성된 빛의 투과율이 저하하지 않는 범위 내에서 흡습층(161)의 외부에 위치하는 유기층(162, 165)과 무기층(163, 166)으로 침투된 수분 등을 더욱 효과적으로 흡습할 수 있다.The thickness d1 of the moisture absorbing layer 161 may be 30 kPa to 500 kPa. When the thickness d1 of the moisture absorbing layer 161 is formed to be 30 kPa or more, the moisture absorbed into the organic layers 162 and 165 and the inorganic layers 163 and 166 positioned outside the moisture absorbing layer 161 may be absorbed. It is possible to solve the problem of deterioration or lifetime of pixels. When the thickness d1 of the moisture absorbing layer 161 is 500 kPa or less, the organic layers 162 and 165 and the inorganic layer positioned outside the moisture absorbing layer 161 within the range in which the transmittance of light formed from the subpixels does not decrease. Moisture and the like penetrated into the layers 163 and 166 can be absorbed more effectively.

이러한 흡습층(161)은 리튬(Li), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 바륨(Ba), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 세슘(Cs)을 포함할 수 있으며, 수분을 흡습할 수 있는 재료면 가능하다.The moisture absorption layer 161 may include lithium (Li), calcium (Ca), magnesium (Mg), barium (Ba), strontium (Sr), yttrium (Y), cesium (Cs), the moisture absorption Any material that can be used is possible.

흡습층(161)이 칼슘(Ca)인 경우 칼슘(Ca)과 수분(H2O)의 반응식을 설명하면 2Ca + O2 + H2O --> Ca(OH)2 + CaO 가 된다. 이와 같은 반응식에서 흡습층(161)은 수분(H2O)과의 반응 이후 투명한 물질이 생성되므로 서브 픽셀로부터 출사된 빛의 투과율은 문제가 되지 않음을 알 수 있다.When the moisture absorption layer 161 is calcium (Ca), the reaction formula of calcium (Ca) and water (H 2 O) will be 2Ca + O 2 + H 2 O-> Ca (OH) 2 + CaO. In this scheme, since the moisture absorbing layer 161 generates a transparent material after the reaction with water (H 2 O), the transmittance of the light emitted from the sub-pixel does not matter.

흡습층(161) 상에 위치하는 유기층(162, 165)은 증착할 수 있는 재료면 가능하다. 다만, 증착 후 핀홀(pin hole) 등이 적게 나타나거나 거의 없도록 분자구조가 조밀한 것을 채택하는 것이 유리하다.The organic layers 162 and 165 positioned on the moisture absorbing layer 161 may be any material that can be deposited. However, it is advantageous to adopt a compact molecular structure so that little or no pinholes appear after deposition.

유기층(162, 165) 상에 위치하는 무기층(163, 166)은 산화 알루미늄(Al2O3), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 산화 실리콘(SiO2), 산화 실리콘 나이트라이드(SiON), 탄화 실리콘(SiC)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The inorganic layers 163 and 166 disposed on the organic layers 162 and 165 include aluminum oxide (Al 2 O 3), silicon nitride (SiN x), silicon oxide (SiO 2), silicon oxide (SiON), and silicon carbide (SiC). It may include, but is not limited to.

도 4를 참조하면, 멀티보호막(160)은 유기층(162, 165)과 무기층(163, 166)이 교번하여 적층되며 적어도 하나의 흡습층(161)이 개재됨과 아울러 엣지 영역이 무기격벽(168)로 밀봉될 수 있다.Referring to FIG. 4, the multi passivation layer 160 is formed by alternately stacking the organic layers 162 and 165 and the inorganic layers 163 and 166 and interposing at least one moisture absorbing layer 161 and an edge of the inorganic barrier rib 168. Can be sealed).

무기격벽(168)은 무기층(163, 166)에 포함된 재료와 같이 산화 알루미늄(Al2O3), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 산화 실리콘(SiO2), 산화 실리콘 나이트라이드(SiON), 탄화 실리콘(SiC)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The inorganic partition wall 168 may be formed of aluminum oxide (Al 2 O 3), silicon nitride (SiN x), silicon oxide (SiO 2), silicon oxide nitride (SiON), and silicon carbide (SiC) as the materials included in the inorganic layers 163 and 166. ), But is not limited thereto.

이와 같이 멀티보호막(160)의 엣지 영역을 무기격벽(168)로 밀봉하는 이유는 외부로부터 침투되는 수분이 상대적으로 얇게 형성된 멀티보호막(160)의 측벽을 타고 투습되는 문제를 방지하기 위함이다.The reason for sealing the edge region of the multi passivation layer 160 with the inorganic barrier rib 168 is to prevent the problem of moisture permeating through the sidewall of the multi passivation layer 160 having a relatively thin moisture penetrating from the outside.

도 3 및 도 4에 도시된 도면을 참조하면 유기층(162, 165)의 두께는 무기층(163, 166) 또는 흡습층(161)의 두께보다 더 두껍게 형성될 수 있다. 이와 같이 유기층(162, 165)의 두께를 다른 층보다 더 두껍게 하는 이유는 유기전계발광표시장치의 특징 중 하나인 유연성을 유지하지 하면서 외부로부터 침투되는 수분의 침투 경로를 지연시키기 위함이다.3 and 4, the thickness of the organic layers 162 and 165 may be thicker than the thickness of the inorganic layers 163 and 166 or the moisture absorbing layer 161. The reason for making the thickness of the organic layers 162 and 165 thicker than other layers is to delay the penetration path of moisture penetrating from the outside without maintaining flexibility, which is one of the characteristics of the organic light emitting display device.

한편, 도 5를 참조하면, 앞서 도 4를 참조하여 설명한 멀티보호막(160)을 보다 상세히 도시한다.Meanwhile, referring to FIG. 5, the multi-protective layer 160 described above with reference to FIG. 4 is illustrated in more detail.

도시된 도면을 참조하면 흡습층(161)의 엣지 영역은 무기층(163, 166)의 엣지 영역보다 안쪽에 위치함을 알 수 있다. 이와 같이 흡습층(161)의 엣지 영역을 무기층(163, 166)의 엣지 영역보다 안쪽에 형성하는 이유는 멀티보호막(160)의 상부보다 측벽 엣지 영역이 상대적으로 얇기 때문에 이를 보강하기 위함이다.Referring to the figure shown, it can be seen that the edge region of the moisture absorbing layer 161 is located inward of the edge regions of the inorganic layers 163 and 166. The reason why the edge region of the moisture absorbing layer 161 is formed inward of the edge regions of the inorganic layers 163 and 166 is to reinforce it because the sidewall edge region is relatively thinner than the upper portion of the multi passivation layer 160.

여기서, 유기층(162, 165)의 엣지 영역과 흡습층(161)의 엣지 영역의 길이가 유사한 것으로 도시하였으나, 이와 달리 유기층(162, 165)이 흡습층(161)보다 더 외측에 위치하도록 형성될 수도 있다.Here, although the lengths of the edge regions of the organic layers 162 and 165 and the edge regions of the moisture absorbing layer 161 are shown to be similar, the organic layers 162 and 165 may be formed to be located outside the moisture absorbing layer 161. It may be.

한편, 멀티보호막(160)의 엣지 영역을 밀봉하도록 형성된 무기격벽(168)은 멀티보호막(160)의 최상단에 위치하는 무기층(166)의 일부를 덮고 밀봉하도록 형성된 것을 일례로 도시하였으나, 이와 달리 무기격벽(168)은 멀티보호막(160)에 포함된 어느 하나의 층의 일부 또는 일부 이상을 덮고 밀봉할 수도 있다.Meanwhile, the inorganic partition wall 168 formed to seal the edge region of the multi passivation layer 160 is formed to cover and seal a portion of the inorganic layer 166 positioned at the top of the multi passivation layer 160. The inorganic barrier rib 168 may cover and seal a part or part or more of any one layer included in the multi passivation layer 160.

<제2실시예>&Lt; Embodiment 2 >

도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 단면도이고, 도 7은 도 6의 C영역의 확대도이며, 도 8은 멀티보호막의 일 예시도 이고, 도 9는 멀티보호막의 다른 예시도 이며, 도 10은 도 6의 D영역의 확대도 이다.FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention. FIG. 7 is an enlarged view of region C of FIG. 6, FIG. FIG. 10 is an enlarged view of region D of FIG. 6.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 기판(210)을 포함할 수 있다. 또한, 기판(210) 상에 위치하는 서브 픽셀(250)을 포함할 수 있다. 또한, 서브 픽셀(250)을 덮도록 위치하고 유기층과 무기층이 교번하여 적층되며 적어도 하나의 흡습층이 개재된 멀티보호막(260)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the organic light emitting display device according to the second embodiment of the present invention may include a substrate 210. In addition, it may include a sub pixel 250 positioned on the substrate 210. In addition, the multi-layer protective layer 260 may be disposed to cover the sub-pixel 250 and the organic layer and the inorganic layer are alternately stacked, and the at least one moisture absorbing layer may be interposed therebetween.

기판(210)은 소자를 형성하기 위한 재료로 기계적 강도나 치수 안정성이 우수한 것을 선택할 수 있다. 기판(210)의 재료로는, 유리판, 금속판, 세라믹판 또는 플라스틱판(폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 염화비닐 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 불소수지 등) 등을 예로 들 수 있다.The substrate 210 may be selected to be a material for forming an element having excellent mechanical strength or dimensional stability. As the material of the substrate 210, a glass plate, a metal plate, a ceramic plate or a plastic plate (polycarbonate resin, acrylic resin, vinyl chloride resin, polyethylene terephthalate resin, polyimide resin, polyester resin, epoxy resin, silicone resin, fluorine) Resin, etc.) is mentioned.

기판(210) 상에 위치하는 서브 픽셀(250)은 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지 스터 및 커패시터를 포함하는 트랜지스터와, 트랜지스터 상에 위치하는 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The subpixel 250 positioned on the substrate 210 may include a transistor including a switching transistor, a driving transistor, and a capacitor, and an organic light emitting diode positioned on the transistor.

이하, 도 7을 참조하여 기판(210) 상에 위치하는 서브 픽셀(250)을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the subpixel 250 positioned on the substrate 210 will be described with reference to FIG. 7.

기판(210) 상에는 버퍼층(211)이 위치할 수 있다. 버퍼층(211)은 기판(210)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터를 보호하기 위해 형성할 수 있다. 버퍼층(211)은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용할 수 있다.The buffer layer 211 may be positioned on the substrate 210. The buffer layer 211 may be formed to protect the thin film transistor formed in a subsequent process from impurities such as alkali ions flowing out of the substrate 210. The buffer layer 211 may use silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), or the like.

버퍼층(211) 상에는 액티브층(214)이 위치할 수 있다. 액티브층(214)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 액티브층(214)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 소오스 영역 및 드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑될 수 있다. 또한, 액티브층(214)은 접촉 저항을 낮추기 위한 오믹 콘택층을 포함할 수도 있다.The active layer 214 may be located on the buffer layer 211. The active layer 214 may include amorphous silicon or polycrystalline silicon crystallized therefrom. Although not illustrated, the active layer 214 may include a channel region, a source region, and a drain region, and the source region and the drain region may be doped with P-type or N-type impurities. In addition, the active layer 214 may include an ohmic contact layer to lower the contact resistance.

액티브층(214) 상에는 제1절연막(213)이 위치할 수 있다. 제1절연막(213)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first insulating layer 213 may be positioned on the active layer 214. The first insulating layer 213 may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto.

제1절연막(213) 상에는 게이트(212)가 위치할 수 있다. 게이트(212)는 몰리 브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트(212)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 또한, 게이트(212)는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.The gate 212 may be positioned on the first insulating layer 213. Gate 212 is selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu) It may be made of any one or alloys thereof. In addition, the gate 212 is in the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu). It may be a multilayer made of any one or alloys thereof. In addition, the gate 212 may be a bilayer of molybdenum / aluminum-neodymium or molybdenum / aluminum.

게이트(212) 상에는 제2절연막(216a)이 위치할 수 있다. 제2절연막(216a)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2절연막(216a)은 패시베이션막일 수 있다.The second insulating layer 216a may be positioned on the gate 212. The second insulating layer 216a may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto. The second insulating layer 216a may be a passivation layer.

제2절연막(216a) 상에는 액티브층(214)에 접촉하는 소오스(215a) 및 드레인(215b)이 위치할 수 있다. 소오스(215a) 및 드레인(215b)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 소오스(215a) 및 드레인(215b)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 소오스(215a) 및 드레인(215b)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.The source 215a and the drain 215b may be in contact with the active layer 214 on the second insulating layer 216a. The source 215a and the drain 215b may be formed of a single layer or multiple layers. When the source 215a and the drain 215b are a single layer, molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), and gold may be used. (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu) may be made of any one or an alloy thereof. In addition, when the source 215a and the drain 215b are multiple layers, the double layer of molybdenum / aluminum-neodymium and the triple layer of molybdenum / aluminum / molybdenum or molybdenum / aluminum-neodymium / molybdenum may be used.

소오스(215a) 및 드레인(215b) 상에는 제3절연막(216b)이 위치할 수 있다. 제3절연막(216b)은 유기막 또는 무기막일 수 있으며, 이는 평탄도를 높이는 평탄화막일 수 있다.The third insulating layer 216b may be positioned on the source 215a and the drain 215b. The third insulating layer 216b may be an organic layer or an inorganic layer, and may be a planarization layer for increasing flatness.

이상은 기판(210) 상에 위치하는 트랜지스터에 대한 설명이다. 이하에서는 트랜지스터 상에 위치하는 유기 발광다이오드에 대해 설명한다.The above is the description of the transistor located on the substrate 210. Hereinafter, the organic light emitting diode on the transistor will be described.

제3절연막(216b) 상에는 소오스(215a) 또는 드레인(215b)에 연결된 제1전극(217)이 위치할 수 있다. 제1전극(217)은 애노드로 선택될 수 있으며 투명한 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first electrode 217 connected to the source 215a or the drain 215b may be positioned on the third insulating layer 216b. The first electrode 217 may be selected as an anode and may include transparent indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), but is not limited thereto.

제1전극(217) 상에는 뱅크층(220)이 위치할 수 있다. 뱅크층(220)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있다. 뱅크층(220)은 제1전극(217) 상에서 개구부를 갖는다.The bank layer 220 may be positioned on the first electrode 217. The bank layer 220 may include an organic material such as benzocyclobutene (BCB) resin, acrylic resin, or polyimide resin. The bank layer 220 has an opening on the first electrode 217.

뱅크층(220)의 개구부 내에는 유기 발광층(221)이 위치할 수 있다. 유기 발광층(221)은 서브 픽셀(250)에 따라 적색, 녹색 및 청색 중 어느 하나의 색을 발광하도록 형성될 수 있다.The organic emission layer 221 may be located in the opening of the bank layer 220. The organic emission layer 221 may be formed to emit one of red, green, and blue colors according to the sub-pixel 250.

유기 발광층(221) 상에는 제2전극(222)이 위치할 수 있다. 제2전극(222)은 캐소드로 선택될 수 있으며 알루미늄(Al) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The second electrode 222 may be positioned on the organic emission layer 221. The second electrode 222 may be selected as a cathode, and may be aluminum, but is not limited thereto.

이와 같은 서브 픽셀(250)의 상부에는 서브 픽셀(250)을 덮도록 멀티보호막(260)이 위치한다.The multi passivation layer 260 is disposed on the sub pixel 250 to cover the sub pixel 250.

이하, 도 8 및 도 9를 참조하여 멀티보호막(260)에 대해 더욱 자세히 설명한 다.Hereinafter, the multi passivation layer 260 will be described in more detail with reference to FIGS. 8 and 9.

도 8을 참조하면, 멀티보호막(260)은 흡습층(261), 유기층(262), 무기층(263), 흡습층(264), 유기층(265) 및 무기층(266)이 순서대로 적층된다. 흡습층(261, 264)은 진공 챔버 내에서 마스크에 의해 증착될 수 있으나 방법은 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 8, in the multi-protective film 260, a moisture absorbing layer 261, an organic layer 262, an inorganic layer 263, a moisture absorbing layer 264, an organic layer 265, and an inorganic layer 266 are sequentially stacked. . The moisture absorbing layers 261 and 264 may be deposited by a mask in a vacuum chamber, but the method is not limited thereto.

흡습층(261, 264)의 두께(d1, d2)는 30Å ~ 500Å일 수 있다. 흡습층(261, 264)의 두께(d1, d2)가 30Å 이상으로 형성되면, 흡습층(261, 264)의 외부에 위치하는 유기층(262, 265)과 무기층(263, 266)으로 침투된 수분 등을 흡습하여 서브 픽셀이 열화되거나 수명이 저하하는 문제를 해결할 수 있다. 그리고 흡습층(261, 264)의 두께(d1, d2)가 500Å 이하로 형성되면, 서브 픽셀로부터 형성된 빛의 투과율이 저하하지 않는 범위 내에서 흡습층(261, 264)의 외부에 위치하는 유기층(262, 265)과 무기층(263, 266)을 통해 침투된 수분 등을 더욱 효과적으로 흡습할 수 있다.The thicknesses d1 and d2 of the moisture absorbing layers 261 and 264 may be 30 kPa to 500 kPa. When the thicknesses d1 and d2 of the moisture absorbing layers 261 and 264 are formed to be greater than or equal to 30 μs, the moisture absorbing layers 261 and 264 penetrate into the organic layers 262 and 265 and the inorganic layers 263 and 266 located outside the moisture absorbing layers 261 and 264. By absorbing moisture or the like, it is possible to solve a problem of deterioration of a subpixel or a decrease in lifespan. When the thicknesses d1 and d2 of the moisture absorbing layers 261 and 264 are formed to be 500 Å or less, the organic layers positioned outside the moisture absorbing layers 261 and 264 within a range in which the transmittance of light formed from the subpixels does not decrease ( The moisture penetrated through the 262 and 265 and the inorganic layers 263 and 266 may be more effectively absorbed.

이러한 흡습층(261, 264)은 리튬(Li), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 바륨(Ba), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 세슘(Cs)을 포함할 수 있으며, 수분을 흡습할 수 있는 재료면 가능하다.The moisture absorption layers 261 and 264 may include lithium (Li), calcium (Ca), magnesium (Mg), barium (Ba), strontium (Sr), yttrium (Y), and cesium (Cs). It is possible if the material can absorb moisture.

흡습층(261, 264)이 칼슘(Ca)인 경우 칼슘(Ca)과 수분(H2O)의 반응식을 설명하면 2Ca + O2 + H2O --> Ca(OH)2 + CaO 가 된다. 이와 같은 반응식에서 흡습층(261, 264)은 수분(H2O)과의 반응 이후 투명한 물질이 생성되므로 서브 픽셀로부터 출사된 빛의 투과율은 문제가 되지 않음을 알 수 있다.When the moisture absorbing layers 261 and 264 are calcium (Ca), the reaction formula of calcium (Ca) and water (H 2 O) will be 2Ca + O 2 + H 2 O-> Ca (OH) 2 + CaO. In this scheme, since the moisture absorbing layers 261 and 264 produce a transparent material after the reaction with the water (H 2 O), the transmittance of the light emitted from the sub-pixel does not matter.

흡습층(261, 264) 상에 위치하는 유기층(262, 265)은 증착할 수 있는 재료면 가능하다. 다만, 증착 후 핀홀(pin hole) 등이 적게 나타나거나 거의 없도록 분자구조가 조밀한 것을 채택하는 것이 유리하다.The organic layers 262 and 265 positioned on the moisture absorbing layers 261 and 264 may be any material that can be deposited. However, it is advantageous to adopt a compact molecular structure so that little or no pinholes appear after deposition.

유기층(262, 265) 상에 위치하는 무기층(263, 266)은 산화 알루미늄(Al2O3), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 산화 실리콘(SiO2), 산화 실리콘 나이트라이드(SiON), 탄화 실리콘(SiC)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The inorganic layers 263 and 266 on the organic layers 262 and 265 may include aluminum oxide (Al 2 O 3), silicon nitride (SiN x), silicon oxide (SiO 2), silicon oxide (SiON), and silicon carbide (SiC). It may include, but is not limited to.

도 9를 참조하면, 멀티보호막(260)은 흡습층(261), 유기층(262), 무기층(263), 흡습층(264), 유기층(265) 및 무기층(266)이 순서대로 적층됨과 아울러 엣지 영역이 무기격벽(268)으로 밀봉될 수 있다.Referring to FIG. 9, the multi passivation layer 260 includes a moisture absorbing layer 261, an organic layer 262, an inorganic layer 263, a moisture absorbing layer 264, an organic layer 265, and an inorganic layer 266. In addition, the edge region may be sealed by the inorganic barrier rib 268.

무기격벽(268)은 무기층(263, 266)에 포함된 재료와 같이 산화 알루미늄(Al2O3), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 산화 실리콘(SiO2), 산화 실리콘 나이트라이드(SiON), 탄화 실리콘(SiC)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The inorganic partition wall 268 is made of aluminum oxide (Al 2 O 3), silicon nitride (SiN x), silicon oxide (SiO 2), silicon oxide nitride (SiON), and silicon carbide (SiC) as the materials included in the inorganic layers 263 and 266. ), But is not limited thereto.

이와 같이 멀티보호막(260)의 엣지 영역을 무기격벽(268)으로 밀봉하는 이유는 외부로부터 침투되는 수분이 상대적으로 얇게 형성된 멀티보호막(260)의 측벽을 타고 투습되는 문제를 방지하기 위함이다.The reason for sealing the edge region of the multi passivation layer 260 with the inorganic barrier rib 268 is to prevent a problem of moisture permeating through the sidewall of the multi passivation layer 260 formed with relatively thin moisture penetrating from the outside.

도 8 및 도 9에 도시된 도면을 참조하면 유기층(262, 265)의 두께는 무기층(263, 266) 또는 흡습층(261, 264)의 두께보다 더 두껍게 형성될 수 있다. 이와 같이 유기층(262, 265)의 두께를 다른 층보다 더 두껍게 하는 이유는 유기전계발광표시장치의 특징 중 하나인 유연성을 유지하지 하면서 외부로부터 침투되는 수분의 침투 경로를 지연시키기 위함이다.8 and 9, the thicknesses of the organic layers 262 and 265 may be thicker than those of the inorganic layers 263 and 266 or the moisture absorbing layers 261 and 264. The reason for making the thickness of the organic layers 262 and 265 thicker than other layers is to delay the penetration path of moisture penetrating from the outside without maintaining flexibility, which is one of the characteristics of the organic light emitting display device.

여기서, 멀티보호막(260)에 포함된 흡습층(261, 264) 중 하나인 제1흡습층(261)의 두께(d1)와 다른 하나인 제2흡습층(264)의 두께(d2)는 다를 수 있다. 일례로, 서브 픽셀로부터 출사되는 광의 투과율을 높이기 위해 제1흡습층(261)의 두께(d1)를 제2흡습층(264)의 두께(d2)보다 얇게 형성할 수 있다. 그러나, 경우에 따라서는 제2흡습층(264)의 두께(d2)를 제1흡습층(261)의 두께(d1)보다 얇게 형성할 수 있다. Here, the thickness d2 of the first moisture absorption layer 261 which is one of the moisture absorption layers 261 and 264 included in the multi-protective film 260 is different from the thickness d2 of the second moisture absorption layer 264 which is the other moisture absorption layer 261. Can be. For example, in order to increase the transmittance of light emitted from the subpixel, the thickness d1 of the first moisture absorption layer 261 may be formed to be thinner than the thickness d2 of the second moisture absorption layer 264. However, in some cases, the thickness d2 of the second moisture absorption layer 264 may be smaller than the thickness d1 of the first moisture absorption layer 261.

한편, 도 10을 참조하면, 앞서 도 9를 참조하여 설명한 멀티보호막(260)을 보다 상세히 도시한다.Meanwhile, referring to FIG. 10, the multi-protective film 260 described above with reference to FIG. 9 is illustrated in more detail.

도시된 도면을 참조하면 흡습층(261, 264)의 엣지 영역은 무기층(263, 266)의 엣지 영역보다 안쪽에 위치함을 알 수 있다. 이와 같이 흡습층(261, 264)의 엣지 영역을 무기층(263, 266)의 엣지 영역보다 안쪽에 형성하는 이유는 멀티보호막(260)의 상부보다 측벽 엣지 영역이 상대적으로 얇기 때문에 이를 보강하기 위함이다.Referring to the drawing, it can be seen that the edge regions of the moisture absorbing layers 261 and 264 are located inward of the edge regions of the inorganic layers 263 and 266. The reason why the edge regions of the moisture absorbing layers 261 and 264 are formed inward of the edge regions of the inorganic layers 263 and 266 is to reinforce the sidewall edge region because the sidewall edge region is relatively thinner than the upper portion of the multi passivation layer 260. to be.

여기서, 유기층(262, 265)의 엣지 영역과 흡습층(261)의 엣지 영역의 길이가 유사한 것으로 도시하였으나, 이와 달리 유기층(262, 265)이 흡습층(261, 264)보다 더 외측에 위치하도록 형성될 수도 있다.Here, although the lengths of the edge regions of the organic layers 262 and 265 and the edge regions of the moisture absorbing layer 261 are similar, the organic layers 262 and 265 may be located outside the moisture absorbing layers 261 and 264. It may be formed.

한편, 멀티보호막(260)의 엣지 영역을 밀봉하도록 형성된 무기격벽(268)은 멀티보호막(260)의 최상단에 위치하는 무기층(266)의 일부를 덮고 밀봉하도록 형성 된 것을 일례로 도시하였으나, 이와 달리 무기격벽(268)은 멀티보호막(260)에 포함된 어느 하나의 층의 일부 또는 일부 이상을 덮고 밀봉할 수도 있다.Meanwhile, the inorganic barrier rib 268 formed to seal the edge region of the multi passivation layer 260 is formed to cover and seal a portion of the inorganic layer 266 positioned at the top of the multi passivation layer 260. Alternatively, the inorganic barrier rib 268 may cover and seal a part or part or more of any one layer included in the multi passivation layer 260.

<제3실시예>Third Embodiment

도 11은 본 발명의 제3실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 단면도이고, 도 12는 도 11의 E영역의 확대도이며, 도 13은 멀티보호막의 일 예시도 이며, 도 14는 멀티보호막의 다른 예시도 이다.FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a third exemplary embodiment of the present invention. FIG. 12 is an enlarged view of region E of FIG. 11, FIG. Another example of a multi passivation film is shown.

도 11을 참조하면, 본 발명의 제3실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 기판(310)을 포함할 수 있다. 또한, 기판(310) 상에 위치하는 서브 픽셀(350)을 포함할 수 있다. 또한, 서브 픽셀(350)을 덮도록 위치하고 무기층과 무기층 사이에 적어도 하나의 흡습층이 개재된 멀티보호막(360)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11, an organic light emitting display device according to a third embodiment of the present invention may include a substrate 310. In addition, the sub-pixel 350 may be disposed on the substrate 310. In addition, the multi-protection layer 360 may be disposed to cover the sub-pixel 350 and interpose at least one moisture absorption layer between the inorganic layer and the inorganic layer.

기판(310) 상에 위치하는 서브 픽셀(350)은 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 트랜지스터와, 트랜지스터 상에 위치하는 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The subpixel 350 disposed on the substrate 310 may include a transistor including a switching transistor, a driving transistor, and a capacitor, and an organic light emitting diode positioned on the transistor.

도 12에 도시된 서브 픽셀(350)은 앞서 도 2를 참조하여 설명한 바와 같은 구조로 형성될 수 있다. 이와 같은 서브 픽셀(350)의 상부에는 서브 픽셀(350)을 덮도록 멀티보호막(360)이 위치한다.The subpixel 350 illustrated in FIG. 12 may have a structure as described above with reference to FIG. 2. The multi passivation layer 360 is positioned on the sub pixel 350 to cover the sub pixel 350.

이하, 도 13 및 도 14를 참조하여 멀티보호막(360)에 대해 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, the multi passivation layer 360 will be described in more detail with reference to FIGS. 13 and 14.

도 13을 참조하면, 멀티보호막(360)은 무기층(361)과 무기층(363) 사이에 적어도 하나의 흡습층(362)이 개재된다. 흡습층(362)은 재료에 따라 디핑(dipping), 스핀 코팅(spin coating), 스프레이 코팅(spray coating), 디스펜싱(dispensing), 스크린 프린팅(screen printing) 방식 중 어느 하나로 형성될 수 있으나 방법은 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 13, at least one moisture absorption layer 362 is interposed between the inorganic layer 361 and the inorganic layer 363 in the multi passivation layer 360. The moisture absorbing layer 362 may be formed by any one of dipping, spin coating, spray coating, dispensing, and screen printing, depending on the material. It is not limited to this.

흡습층(362)의 두께(d1)는 0.05㎛ ~ 1000㎛일 수 있다. 흡습층(362)의 두께(d1)가 0.05㎛ 이상으로 형성되면, 흡습층(362)을 감싸고 있는 무기층(361, 363)으로 침투된 수분이나 산소 등을 흡습하여 서브 픽셀이 열화되거나 수명이 저하하는 문제를 해결할 수 있다. 그리고 흡습층(362)의 두께(d1)가 1000㎛ 이하로 형성되면, 서브 픽셀로부터 형성된 빛의 투과율이 저하하지 않는 범위 내에서 흡습층(362)을 감싸고 있는 무기층(361, 363)으로 침투된 수분이나 산소 등을 더욱 효과적으로 흡습할 수 있다.The thickness d1 of the moisture absorbing layer 362 may be 0.05 μm to 1000 μm. When the thickness d1 of the moisture absorbing layer 362 is formed to be 0.05 μm or more, moisture or oxygen penetrated into the inorganic layers 361 and 363 surrounding the moisture absorbing layer 362 may be absorbed to deteriorate the sub-pixel or reduce its lifespan. The problem of deterioration can be solved. When the thickness d1 of the moisture absorbing layer 362 is 1000 μm or less, it penetrates into the inorganic layers 361 and 363 surrounding the moisture absorbing layer 362 within a range in which the transmittance of light formed from the subpixels does not decrease. Moisture and oxygen can be absorbed more effectively.

이러한 흡습층(362)은 폴리비닐 알코올(Polyvinyl alcohol) 또는 유기 금속 화합물로 형성될 수 있다. 여기서, 흡습층(362)에 접착재가 포함된 경우 무기층(361) 상에 붙일 수 있고, 이와 달리, 흡습층(362)에 접착재가 포함되지 않는 경우 열을 가하여 연신하는 형태로 무기층(361) 상에 접착될 수 있다.The moisture absorbing layer 362 may be formed of polyvinyl alcohol or an organometallic compound. Here, when the adhesive layer is included in the moisture absorbing layer 362, the adhesive layer may be attached onto the inorganic layer 361. Alternatively, when the adhesive layer is not included in the moisture absorbing layer 362, the inorganic layer 361 may be stretched by applying heat. Can be adhered to).

흡습층(362)이 유기 금속(Organic metal)화합물로 형성된 경우 유기 금속 화합물은, 화학식 M(OR1)a로 표현되는 화합물이며, M은 제2족, 제3족 또는 제4족 원소 중 어느 하나로 이루어지고, R1은 치환된 또는 치환되지 않은 1가의 사슬형 탄화수소기, 1가의 지방족 고리형 탄화수소기, 단일 고리나 여러 고리의 1가 방향족 또는 헤테로 방향족 탄화수소기 중 어느 하나로 이루어지며, a는 M이 제2족 원소인 경우 정수 2, a는 M이 제3족 원소인 경우 정수 3, a는 M이 제4족 원소인 경우 정수 4일 수 있다.When the moisture absorption layer 362 is formed of an organic metal compound, the organic metal compound is a compound represented by the formula M (OR1) a, and M is any one of Group 2, Group 3 or Group 4 elements. R1 is composed of a substituted or unsubstituted monovalent chain hydrocarbon group, a monovalent aliphatic cyclic hydrocarbon group, a single ring or a plurality of monovalent aromatic or heteroaromatic hydrocarbon groups, and a is M In the case of a group 2 element, an integer 2, a may be an integer 3 when M is a group 3 element, and a may be an integer 4 when M is a group 4 element.

한편, 흡습층(362) 형성시 유기 금속 화합물 용액을 서브 픽셀 상에 도포한 후 열 또는 자외선(UV) 중 하나 이상을 사용하여 축합제를 형성할 경우 다음의 (1) 또는 (2) 중 하나 이상의 재료를 포함할 수 있다. (1) 수분(H2O)을 흡습할 수 있는 제올라이트, 실리카, 알루미나, 알카리금속 산화물, 알카리토 금속 산화물, 니켈 아연 카드뮴 산화물, 염화물, 퍼클로레이트, 술페이트, 에폭사이드, 루이스, 탄소양이온을 형성하는 화합물, 알콕사이드 및 아실 할라이드 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. (2) 산소(O2)를 흡습할 수 있는 알카리 금속, 알카리 토금속 또는 다른 금속 (철, 주석, 구리, 망간 산화물, 구리산화물, 포스피트, 포스피니트 음이온을 지닌 염, 페놀, 2차 방향족 아민, 티오에테르 및 알데히드 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 여기서, (1) 또는 (2)에 해당하는 재료에 포함된 금속 입자는 10nm ~ 500nm의 이내의 크기를 가질 수 있다.On the other hand, when forming the condensation agent by applying the organometallic compound solution on the sub-pixel during the formation of the moisture-absorbing layer 362 and using one or more of heat or ultraviolet (UV), one of the following (1) or (2) It may contain the above materials. (1) Compounds forming zeolites, silicas, aluminas, alkali metal oxides, alkali metal oxides, nickel zinc cadmium oxides, chlorides, perchlorates, sulfates, epoxides, Lewis and carbon cations that can absorb moisture (H2O) , Alkoxide and acyl halide. (2) Alkali metals, alkaline earth metals or other metals capable of absorbing oxygen (O2) (iron, tin, copper, manganese oxides, copper oxides, phosphites, salts with phosphinite anions, phenols, secondary aromatic amines) It may include any one or more of, thioether and aldehyde, wherein the metal particles contained in the material corresponding to (1) or (2) may have a size within 10nm ~ 500nm.

흡습층(362) 형성시 유기 금속 화합물 용액을 이용할 경우 유기바인더 베이스 물질(수분 이송층)로 사용되는 재료로는 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리에테르이미드(PEI), 폴리아미드(PA), 셀룰로즈 아세테이트(CA), 셀룰로오즈 트리아세테이트(TCA), 폴리실록산, 폴리비닐 알코올(PVA), 폴리에틸렌 옥사이드(PEO), 폴리에틸렌 글리콜(PEG), 폴리프로필렌 글리콜(PPG), 폴리비닐 아세테이트(PVAC), 폴리옥시메틸렌(POM), 폴리(에틸렌 비닐 알코올) 공중합체(EVAL, EVOH), 폴리(아미드-에킬렌 옥사이드)공중합체(PA-PEO), 폴리(우레탄-에틸렌 옥사이드) 공중합체(PUR-PEO), 폴리(에킬렌-비닐 아세테이트)공중합체 (EVA, EVAC) 중 어느 하 나 이상을 포함할 수 있다. 그리고 용매로는 알코올계, 케톤류 등의 극성용매가 가능하며 방향족 탄화수소, 지방족 탄화수소, 지방족탄화수소계 유기용매 등의 비극성 용매가 사용될 수 있다.In the case of using the organometallic compound solution when forming the moisture absorption layer 362, the material used as the organic binder base material (water transfer layer) may be polyacrylate, polymethacrylate, polyetherimide (PEI), or polyamide (PA). , Cellulose acetate (CA), cellulose triacetate (TCA), polysiloxane, polyvinyl alcohol (PVA), polyethylene oxide (PEO), polyethylene glycol (PEG), polypropylene glycol (PPG), polyvinyl acetate (PVAC), poly Oxymethylene (POM), Poly (ethylene Vinyl Alcohol) Copolymer (EVAL, EVOH), Poly (amide-Ethylene Oxide) Copolymer (PA-PEO), Poly (Urethane-Ethylene Oxide) Copolymer (PUR-PEO) , Poly (ethylene-vinyl acetate) copolymers (EVA, EVAC). As the solvent, polar solvents such as alcohols and ketones are possible, and nonpolar solvents such as aromatic hydrocarbons, aliphatic hydrocarbons and aliphatic hydrocarbon-based organic solvents may be used.

위와 같이 유기 금속 화합물 용액을 사용하여 흡습층(362)을 형성할 때, 코팅된 박막은 열처리를 실시하여 축합제를 형성 가능하며 이를 통해 형성된 축합체는 스트레스 완화, 외부 가스 흡습 및 제거 기능을 갖는다.When the moisture absorption layer 362 is formed using the organometallic compound solution as described above, the coated thin film may be subjected to a heat treatment to form a condensation agent, and the condensate formed therefrom has a function of stress relaxation, external gas absorption and removal. .

무기층(361, 363)은 재료에 따라 서브 픽셀 상에 화학기상증착(CVD), 스퍼터링(sputtering), 에버포레이션(evaporation) 중 어느 하나의 방법을 이용하여 형성할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 무기층(361, 363)은 무기산화물 또는 무기질화물 등을 사용할 수 있다. 일례로, 무기층(361, 363)은 산화 실리콘(SiO2), 실리콘 산화 질화물(SiOxNy), 실리콘 나이트라이드(SiNx),탄화 실리콘 산화물(SiOxCy), 산화 알루미늄(Al2O3), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 산화 아연(ZnOx), 알루미늄 산화 아연(Al-ZnOx) 중 어느 하나로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The inorganic layers 361 and 363 may be formed using any one of chemical vapor deposition (CVD), sputtering, and evaporation on the subpixels depending on the material, but is not limited thereto. The inorganic layers 361 and 363 may use an inorganic oxide or an inorganic nitride. For example, the inorganic layers 361 and 363 may be formed of silicon oxide (SiO 2), silicon oxynitride (SiO x N y), silicon nitride (SiN x), silicon carbide oxide (SiO x Cy), aluminum oxide (Al 2 O 3), and indium tin oxide (ITO). , Zinc oxide (ZnOx), aluminum zinc oxide (Al-ZnOx) may be made of any one, but is not limited thereto.

도 14를 참조하면, 이상과 같이 형성된 유기전계발광표시장치는 서브 픽셀을 밀봉하도록 기판(310)과 이격 대향 배치된 밀봉기판(380)을 더 포함할 수 있으며, 기판(310)과 밀봉기판(380)은 접착부재(370)에 의해 밀봉될 수 있다. 접착부재(370)는 기판(310)과 밀봉기판(380)의 외곽에 위치하는 제1접착부재(371)와, 제1접착부재(371)보다 내측에 위치하며 기판(310)과 밀봉기판(380)의 전면에 형성된 제2접착부재(372)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1접착부재(371)로는 엣지 실란트를 사용할 수 있고, 제2접착부재(372)로는 투명한 전면 실란트를 사용할 수 있지만 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 14, the organic light emitting display device formed as described above may further include a sealing substrate 380 spaced apart from the substrate 310 so as to seal the subpixels, and the substrate 310 and the sealing substrate ( The 380 may be sealed by the adhesive member 370. The adhesive member 370 is positioned on the inner side of the first adhesive member 371 and the first adhesive member 371, which is located at the outer side of the substrate 310 and the sealing substrate 380, and the substrate 310 and the sealing substrate ( It may include a second adhesive member 372 formed on the front of the 380. Here, an edge sealant may be used as the first adhesive member 371, and a transparent front sealant may be used as the second adhesive member 372, but is not limited thereto.

<제4실시예><Fourth Embodiment>

도 15는 본 발명의 제4실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 단면도이고, 도 16은 도 15의 F영역의 확대도이며, 도 17은 멀티보호막의 일 예시도 이며, 도 18은 멀티보호막의 다른 예시도 이다.FIG. 15 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 16 is an enlarged view of region F of FIG. 15, FIG. 17 is an exemplary view of a multi passivation layer, and FIG. Another example of a multi passivation film is shown.

도 15를 참조하면, 본 발명의 제4실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 기판(410)을 포함할 수 있다. 또한, 기판(410) 상에 위치하는 서브 픽셀(450)을 포함할 수 있다. 또한, 서브 픽셀(450)을 덮도록 위치하고 무기층과 무기층 사이에 적어도 하나의 흡습층이 개재된 멀티보호막(460)을 포함하되, 무기층 및 흡습층은 N(2 이상의 정수)개로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 15, an organic light emitting display device according to a fourth embodiment of the present invention may include a substrate 410. In addition, the substrate 410 may include a sub-pixel 450. In addition, the multi-layer protective layer 460 is disposed to cover the sub-pixel 450 and interposed at least one moisture absorption layer between the inorganic layer and the inorganic layer, wherein the inorganic layer and the moisture absorption layer is formed of N (an integer of 2 or more). Can be.

기판(410) 상에 위치하는 서브 픽셀(450)은 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 트랜지스터와, 트랜지스터 상에 위치하는 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The subpixel 450 positioned on the substrate 410 may include a transistor including a switching transistor, a driving transistor, and a capacitor, and an organic light emitting diode positioned on the transistor.

도 16에 도시된 서브 픽셀(450)은 앞서 도 7을 참조하여 설명한 바와 같은 구조로 형성될 수 있다. 이와 같은 서브 픽셀(450)의 상부에는 서브 픽셀(450)을 덮도록 멀티보호막(460)이 위치한다.The subpixel 450 illustrated in FIG. 16 may have a structure as described above with reference to FIG. 7. The multi passivation layer 460 is disposed on the sub pixel 450 to cover the sub pixel 450.

이하, 도 17 및 도 18을 참조하여 멀티보호막(460)에 대해 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, the multi passivation layer 460 will be described in more detail with reference to FIGS. 17 and 18.

도 17을 참조하면, 멀티보호막(460)은 흡습층(462, 464)을 사이에 두고 무기층(461, 463, 465)이 교번하여 적층된다. 일례로, 멀티보호막(460)은 서브 픽셀을 덮도록 무기층(461), 흡습층(462), 무기층(463), 흡습층(464) 및 무기층(465) 순으로 적층될 수 있다.Referring to FIG. 17, an inorganic layer 461, 463, and 465 are alternately stacked with the moisture absorbing layers 462 and 464 interposed therebetween. For example, the multi passivation layer 460 may be stacked in the order of the inorganic layer 461, the moisture absorption layer 462, the inorganic layer 463, the moisture absorption layer 464, and the inorganic layer 465 to cover the subpixels.

흡습층(462, 464)은 재료에 따라 디핑(dipping), 스핀 코팅(spin coating), 스프레이 코팅(spray coating), 디스펜싱(dispensing), 스크린 프린팅(screen printing) 방식 중 어느 하나로 형성될 수 있으나 방법은 이에 한정되지 않는다.The moisture absorbing layers 462 and 464 may be formed by any one of dipping, spin coating, spray coating, dispensing, and screen printing. The method is not limited to this.

흡습층(462, 464)의 두께(d1, d2)는 0.05㎛ ~ 1000㎛일 수 있다. 흡습층(462, 464)의 두께(d1, d2)가 0.05㎛ 이상으로 형성되면, 흡습층(462, 464)을 감싸고 있는 무기층(461, 463, 465)으로 침투된 수분이나 산소 등을 흡습하여 서브 픽셀이 열화되거나 수명이 저하하는 문제를 해결할 수 있다. 그리고 흡습층 흡습층(462, 464)의 두께(d1, d2)가 1000㎛ 이하로 형성되면, 서브 픽셀로부터 형성된 빛의 투과율이 저하하지 않는 범위 내에서 흡습층 흡습층(462, 464)을 감싸고 있는 무기층(461, 463, 465)으로 침투된 수분이나 산소 등을 더욱 효과적으로 흡습할 수 있다.The thicknesses d1 and d2 of the moisture absorbing layers 462 and 464 may be 0.05 μm to 1000 μm. When the thicknesses d1 and d2 of the moisture absorbing layers 462 and 464 are formed to be 0.05 μm or more, moisture or oxygen permeated into the inorganic layers 461, 463 and 465 surrounding the moisture absorbing layers 462 and 464 are absorbed. This can solve the problem of deterioration of the subpixels or deterioration of the lifetime. When the thicknesses d1 and d2 of the moisture absorbing layers 462 and 464 are formed to be 1000 μm or less, the moisture absorbing layers absorbing layers 462 and 464 are wrapped within a range in which the transmittance of light formed from the subpixels does not decrease. Moisture, oxygen, or the like penetrated into the inorganic layers 461, 463, 465 can be more effectively absorbed.

이러한 흡습층(462, 464)은 폴리비닐 알코올(Polyvinyl alcohol) 또는 유기 금속 화합물로 형성될 수 있다. 여기서, 흡습층(462, 464)에 접착재가 포함된 경우 무기층(461, 464) 상에 붙일 수 있고, 이와 달리, 흡습층(462, 464)에 접착재가 포함되지 않는 경우 열을 가하여 연신하는 형태로 무기층(461, 464) 상에 접착될 수 있다.The moisture absorbing layers 462 and 464 may be formed of polyvinyl alcohol or an organometallic compound. Here, when the adhesive layers are included in the moisture absorbing layers 462 and 464, the adhesive layers may be pasted on the inorganic layers 461 and 464. Alternatively, when the adhesive layers are not included in the moisture absorbing layers 462 and 464, the stretching may be performed by applying heat. It may be adhered to the inorganic layers 461 and 464 in the form.

한편, 흡습층(462, 464) 중 하부에 위치하는 제1흡습층(462)의 두께(d1)와 상부에 위치하는 제2흡습층(464)의 두께는 같거나 다를 수 있다. 실시예의 일례로, 외부로부터 침투되는 수분이나 산소 등의 침투량을 고려했을 때 제1흡습층(462)의 두께(d1)보다 제2흡습층(464)의 두께(d2)를 더 두껍게 할 수 있다.Meanwhile, the thickness d1 of the first moisture absorption layer 462 positioned below the moisture absorption layers 462 and 464 and the thickness of the second moisture absorption layer 464 positioned above the same may be the same or different. As an example of the embodiment, the thickness d2 of the second moisture absorbing layer 464 may be thicker than the thickness d1 of the first moisture absorbing layer 462 when considering the amount of water or oxygen penetrating from the outside. .

이러한 흡습층(462, 464)이 유기 금속(Organic metal)화합물로 형성된 경우 유기 금속 화합물은, 화학식 M(OR1)a로 표현되는 화합물이며, M은 제2족, 제3족 또는 제4족 원소 중 어느 하나로 이루어지고, R1은 치환된 또는 치환되지 않은 1가의 사슬형 탄화수소기, 1가의 지방족 고리형 탄화수소기, 단일 고리나 여러 고리의 1가 방향족 또는 헤테로 방향족 탄화수소기 중 어느 하나로 이루어지며, a는 M이 제2족 원소인 경우 정수 2, a는 M이 제3족 원소인 경우 정수 3, a는 M이 제4족 원소인 경우 정수 4일 수 있다.When the moisture absorbing layers 462 and 464 are formed of an organic metal compound, the organic metal compound is a compound represented by the formula M (OR1) a, and M is a group 2, 3, or 4 element. Wherein R1 is one of a substituted or unsubstituted monovalent chain hydrocarbon group, a monovalent aliphatic cyclic hydrocarbon group, a single ring or a plurality of monovalent aromatic or heteroaromatic hydrocarbon groups, a May be an integer 2 when M is a group 2 element, a may be an integer 3 when M is a group 3 element, and a may be an integer 4 when M is a group 4 element.

한편, 흡습층(462, 464) 형성시 유기 금속 화합물 용액을 서브 픽셀 상에 도포한 후 열 또는 자외선(UV) 중 하나 이상을 사용하여 축합제를 형성할 경우 다음의 (1) 또는 (2) 중 하나 이상의 재료를 포함할 수 있다. (1) 수분(H2O)을 흡습할 수 있는 제올라이트, 실리카, 알루미나, 알카리금속 산화물, 알카리토 금속 산화물, 니켈 아연 카드뮴 산화물, 염화물, 퍼클로레이트, 술페이트, 에폭사이드, 루이스, 탄소양이온을 형성하는 화합물, 알콕사이드 및 아실 할라이드 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. (2) 산소(O2)를 흡습할 수 있는 알카리 금속, 알카리 토금속 또는 다른 금속 (철, 주석, 구리, 망간 산화물, 구리산화물, 포스피트, 포스피니트 음이온을 지닌 염, 페놀, 2차 방향족 아민, 티오에테르 및 알데히드 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 여기서, (1) 또는 (2)에 해당하는 재료에 포함된 금속 입자는 10nm ~ 500nm의 이내의 크기를 가질 수 있다.On the other hand, in the case of forming the moisture absorbing layer (462, 464) when applying the organometallic compound solution on the sub-pixel, and then forming a condensing agent using one or more of heat or ultraviolet (UV), the following (1) or (2) It may include one or more of the materials. (1) Compounds forming zeolites, silicas, aluminas, alkali metal oxides, alkali metal oxides, nickel zinc cadmium oxides, chlorides, perchlorates, sulfates, epoxides, Lewis and carbon cations that can absorb moisture (H2O) , Alkoxide and acyl halide. (2) Alkali metals, alkaline earth metals or other metals capable of absorbing oxygen (O2) (iron, tin, copper, manganese oxides, copper oxides, phosphites, salts with phosphinite anions, phenols, secondary aromatic amines) It may include any one or more of, thioether and aldehyde, wherein the metal particles contained in the material corresponding to (1) or (2) may have a size within 10nm ~ 500nm.

흡습층(462, 464) 형성시 유기 금속 화합물 용액을 이용할 경우 유기바인더 베이스 물질(수분 이송층)로 사용되는 재료로는 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리에테르이미드(PEI), 폴리아미드(PA), 셀룰로즈 아세테이트(CA), 셀룰로오즈 트리아세테이트(TCA), 폴리실록산, 폴리비닐 알코올(PVA), 폴리에틸렌 옥사이드(PEO), 폴리에틸렌 글리콜(PEG), 폴리프로필렌 글리콜(PPG), 폴리비닐 아세테이트(PVAC), 폴리옥시메틸렌(POM), 폴리(에틸렌 비닐 알코올) 공중합체(EVAL, EVOH), 폴리(아미드-에킬렌 옥사이드)공중합체(PA-PEO), 폴리(우레탄-에틸렌 옥사이드) 공중합체(PUR-PEO), 폴리(에킬렌-비닐 아세테이트)공중합체 (EVA, EVAC) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 그리고 용매로는 알코올계, 케톤류 등의 극성용매가 가능하며 방향족 탄화수소, 지방족 탄화수소, 지방족탄화수소계 유기용매 등의 비극성 용매가 사용될 수 있다.In the case of using the organometallic compound solution when forming the moisture absorbing layers 462 and 464, the material used as the organic binder base material (water transfer layer) may be polyacrylate, polymethacrylate, polyetherimide (PEI), polyamide ( PA), cellulose acetate (CA), cellulose triacetate (TCA), polysiloxane, polyvinyl alcohol (PVA), polyethylene oxide (PEO), polyethylene glycol (PEG), polypropylene glycol (PPG), polyvinyl acetate (PVAC) , Polyoxymethylene (POM), poly (ethylene vinyl alcohol) copolymers (EVAL, EVOH), poly (amide-ethylene oxide) copolymers (PA-PEO), poly (urethane-ethylene oxide) copolymers (PUR- PEO), poly (ethylene-vinyl acetate) copolymers (EVA, EVAC). As the solvent, polar solvents such as alcohols and ketones are possible, and nonpolar solvents such as aromatic hydrocarbons, aliphatic hydrocarbons and aliphatic hydrocarbon-based organic solvents may be used.

위와 같이 유기 금속 화합물 용액을 사용하여 흡습층(462, 464)을 형성할 때, 코팅된 박막은 열처리를 실시하여 축합제를 형성 가능하며 이를 통해 형성된 축합체는 스트레스 완화, 외부 가스 흡습 및 제거 기능을 갖는다.When forming the moisture absorbing layer (462, 464) using the organometallic compound solution as described above, the coated thin film can be subjected to a heat treatment to form a condensation agent, the condensate formed through the stress relief, external gas absorption and removal function Has

무기층(461, 463, 465)은 재료에 따라 서브 픽셀 상에 화학기상증착(CVD), 스퍼터링(sputtering), 에버포레이션(evaporation) 중 어느 하나의 방법을 이용하여 형성할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 무기층(461, 463, 465)은 무기산화물 또는 무기질화물 등을 사용할 수 있다. 일례로, 무기층(461, 463, 465)은 산화 실 리콘(SiO2), 실리콘 산화 질화물(SiOxNy), 실리콘 나이트라이드(SiNx),탄화 실리콘 산화물(SiOxCy), 산화 알루미늄(Al2O3), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 산화 아연(ZnOx), 알루미늄 산화 아연(Al-ZnOx) 중 어느 하나로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The inorganic layers 461, 463, and 465 may be formed using any one of chemical vapor deposition (CVD), sputtering, and evaporation, depending on the material, but are not limited thereto. Do not. The inorganic layers 461, 463, and 465 may use an inorganic oxide or an inorganic nitride. For example, the inorganic layers 461, 463, and 465 may include silicon oxide (SiO 2), silicon oxynitride (SiO x N y), silicon nitride (SiN x), silicon carbide oxide (SiO x Cy), aluminum oxide (Al 2 O 3), and indium tin oxide. (ITO), zinc oxide (ZnOx), aluminum zinc oxide (Al-ZnOx) may be made of any one, but is not limited thereto.

이상 본 발명의 각 실시예는 흡습층이 포함된 멀티보호막을 적용하여 소자의 열화를 방지함과 아울러 소자의 수명을 연장할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. 더 나아가, 본 발명의 각 실시예는 소자의 수명 향상뿐만 아니라 양산성과 소자의 수명 연장이라는 두 가지 측면을 동시에 만족할 수도 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 각 실시예는 제조공정시 소자에 결함을 야기할 수 있는 파티클 발생률을 최소화함과 아울러, 소자를 유연하게 구현할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다.As described above, each embodiment of the present invention has an effect of providing an organic light emitting display device capable of preventing the deterioration of a device and extending the life of the device by applying a multi-protective film including a moisture absorbing layer. Furthermore, each embodiment of the present invention has the effect of providing an organic light emitting display device which may satisfy both aspects of not only the life of the device but also the mass production and the life of the device. In addition, each embodiment of the present invention to provide an organic light emitting display device that can flexibly implement the device while minimizing the particle generation rate that can cause defects in the device during the manufacturing process.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모 든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. In addition, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 단면도.1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 A영역의 확대도.FIG. 2 is an enlarged view of area A of FIG. 1. FIG.

도 3은 멀티보호막의 일 예시도.3 is an exemplary view of a multi passivation film.

도 4는 멀티보호막의 다른 예시도.4 is another exemplary view of a multi passivation film.

도 5는 도 6의 B영역의 확대도.FIG. 5 is an enlarged view of region B of FIG. 6;

도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 단면도.6 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention;

도 7은 도 6의 C영역의 확대도.FIG. 7 is an enlarged view of region C of FIG. 6;

도 8은 멀티보호막의 일 예시도.8 is an exemplary view of a multi passivation film.

도 9는 멀티보호막의 다른 예시도.9 is another exemplary view of a multi passivation film.

도 10은 도 6의 D영역의 확대도.FIG. 10 is an enlarged view of region D of FIG. 6;

도 11은 본 발명의 제3실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 단면도.11 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a third embodiment of the present invention.

도 12는 도 11의 E영역의 확대도.12 is an enlarged view of region E of FIG. 11;

도 13은 멀티보호막의 일 예시도.13 is an exemplary view of a multi passivation film.

도 14는 멀티보호막의 다른 예시도.14 is another exemplary view of a multi passivation film.

도 15는 본 발명의 제4실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 단면도.15 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a fourth embodiment of the present invention;

도 16은 도 15의 F영역의 확대도.16 is an enlarged view of region F of FIG. 15;

도 17은 멀티보호막의 일 예시도.17 is an exemplary view of a multi passivation film.

도 18은 멀티보호막의 다른 예시도.18 is another exemplary view of a multi passivation film.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

110, 210, 310, 410: 기판 112, 212,312, 412: 게이트110, 210, 310, 410: substrate 112, 212, 312, 412: gate

113, 213, 313, 413: 제1절연막 117, 217, 317, 417: 제1전극113, 213, 313, 413: first insulating layer 117, 217, 317, 417: first electrode

120, 220, 320, 420: 뱅크층 121, 221, 321, 421: 유기 발광층120, 220, 320, 420: bank layer 121, 221, 321, 421: organic light emitting layer

122, 222, 322, 422: 제2전극 150, 250, 350, 450: 서브 픽셀122, 222, 322, 422: second electrode 150, 250, 350, 450: sub pixel

160, 260, 360, 460: 멀티보호막160, 260, 360, 460: Multi Shield

Claims (20)

기판;Board; 상기 기판 상에 위치하는 서브 픽셀; 및A subpixel on the substrate; And 상기 서브 픽셀을 덮도록 위치하고 유기층과 무기층이 교번하여 적층되며 적어도 하나의 흡습층이 개재된 멀티보호막을 포함하되,It includes a multi-protective film positioned to cover the sub-pixel and the organic layer and the inorganic layer are alternately stacked and interposed at least one moisture absorption layer, 상기 멀티보호막은,The multi protective film, 상기 서브 픽셀을 덮도록 흡습층, 유기층, 무기층, 흡습층, 유기층 및 무기층 순으로 적층되고,A moisture absorbing layer, an organic layer, an inorganic layer, a moisture absorbing layer, an organic layer, and an inorganic layer are stacked in order to cover the subpixels. 상기 흡습층 중 하나의 두께는,The thickness of one of the moisture absorption layers, 다른 하나와 다른 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device, characterized in that different from one another. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 흡습층의 두께는 30Å ~ 500Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device, wherein the moisture absorption layer has a thickness of 30 kPa to 500 kPa. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 흡습층은,The moisture absorption layer, 리튬(Li), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 바륨(Ba), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 세슘(Cs)을 포함하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device including lithium (Li), calcium (Ca), magnesium (Mg), barium (Ba), strontium (Sr), yttrium (Y), and cesium (Cs). 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 무기층은,The inorganic layer, 산화 알루미늄(Al2O3), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 산화 실리콘(SiO2), 산화 실리콘 나이트라이드(SiON), 탄화 실리콘(SiC)을 포함하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device comprising aluminum oxide (Al 2 O 3), silicon nitride (SiN x), silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (SiON), and silicon carbide (SiC). 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 멀티보호막의 엣지 영역은,The edge area of the multi passivation layer, 무기격벽로 밀봉된 것을 포함하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device comprising an inorganic barrier rib. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 흡습층의 엣지 영역은,The edge region of the moisture absorption layer, 상기 무기층의 엣지 영역보다 안쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And an organic light emitting display device positioned inside the edge region of the inorganic layer. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기층의 두께는,The thickness of the organic layer, 상기 무기층 또는 상기 흡습층의 두께보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display device is thicker than the thickness of the inorganic layer or the moisture absorption layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 흡습층은,The moisture absorption layer, 진공 챔버 내에서 마스크에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device which is deposited by a mask in a vacuum chamber. 기판;Board; 상기 기판 상에 위치하는 서브 픽셀; 및A subpixel on the substrate; And 상기 서브 픽셀을 덮도록 위치하고 무기층과 무기층 사이에 적어도 하나의 흡습층이 개재된 멀티보호막을 포함하는 유기전계발광표시장치.And a multi passivation layer disposed to cover the subpixel, and having at least one moisture absorption layer interposed between the inorganic layer and the inorganic layer. 제11항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 흡습층의 두께는,The thickness of the moisture absorption layer, 0.05㎛ ~ 1000㎛인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device, characterized in that 0.05 ~ 1000㎛. 제11항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 흡습층은,The moisture absorption layer, 폴리비닐 알코올(Polyvinyl alcohol) 또는 유기 금속(Organic metal)화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device, characterized in that formed of polyvinyl alcohol or an organic metal compound. 제13항에 있어서,14. The method of claim 13, 상기 유기 금속 화합물은,The organometallic compound, 화학식 M(OR1)a로 표현되는 화합물이며,A compound represented by the formula M (OR1) a, 상기 M은 제2족, 제3족 또는 제4족 원소 중 어느 하나로 이루어지고,M consists of any one of Group 2, Group 3 or Group 4 elements, 상기 R1은 치환된 또는 치환되지 않은 1가의 사슬형 탄화수소기, 1가의 지방족 고리형 탄화수소기, 단일 고리나 여러 고리의 1가 방향족 또는 헤테로 방향족 탄화수소기 중 어느 하나로 이루어지며,R1 is composed of any one of a substituted or unsubstituted monovalent chain hydrocarbon group, a monovalent aliphatic cyclic hydrocarbon group, a monocyclic or several ring monovalent aromatic or heteroaromatic hydrocarbon group, 상기 a는 상기 M이 상기 제2족 원소인 경우 정수 2, 상기 a는 상기 M이 상기 제3족 원소인 경우 정수 3, 상기 a는 상기 M이 상기 제4족 원소인 경우 정수 4인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.A is an integer of 2 when M is the Group 2 element, a is an integer 3 when M is the Group 3 element, and a is an integer 4 when M is the Group 4 element An organic light emitting display device. 제11항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 무기층은,The inorganic layer, 산화 실리콘(SiO2), 실리콘 산화 질화물(SiOxNy), 실리콘 나이트라이드(SiNx),Silicon oxide (SiO2), silicon oxynitride (SiOxNy), silicon nitride (SiNx), 탄화 실리콘 산화물(SiOxCy), 산화 알루미늄(Al2O3), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 산화 아연(ZnOx), 알루미늄 산화 아연(Al-ZnOx) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device comprising any one of silicon carbide oxide (SiOxCy), aluminum oxide (Al2O3), indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnOx), and aluminum zinc oxide (Al-ZnOx). 제11항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 무기층 및 흡습층은,The inorganic layer and the moisture absorption layer, N(2 이상의 정수)개로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device comprising N (an integer of 2 or more). 제11항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 멀티보호막은,The multi protective film, 상기 서브 픽셀을 덮도록 무기층, 흡습층, 무기층, 흡습층 및 무기층 순으로 적층된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And an inorganic layer, a moisture absorbing layer, an inorganic layer, a moisture absorbing layer, and an inorganic layer so as to cover the subpixels. 제11항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 흡습층은,The moisture absorption layer, 디핑(dipping), 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 디스펜싱, 스크린 프린팅 방식 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device, characterized in that formed by one of dipping, spin coating, spray coating, dispensing, and screen printing. 제11항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 서브 픽셀을 밀봉하도록 상기 기판과 이격 대향 배치된 밀봉기판을 더 포함하며,A sealing substrate spaced apart from the substrate to seal the sub pixel; 상기 기판과 밀봉기판은 접착부재에 의해 밀봉된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the substrate and the sealing substrate are sealed by an adhesive member. 제19항에 있어서,20. The method of claim 19, 상기 접착부재는,Wherein the adhesive member comprises: 상기 기판과 상기 밀봉기판의 외곽에 위치하는 제1접착부재와,A first adhesive member positioned outside the substrate and the sealing substrate; 상기 제1접착부재보다 내측에 위치하며 상기 기판과 상기 밀봉기판의 전면에 형성된 제2접착부재를 포함하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device comprising: a second adhesive member positioned inside the first adhesive member and formed on an entire surface of the substrate and the sealing substrate.
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