KR101260179B1 - A Laminated Heat Dissipating Plate and An Electronic Assembly Structure Using the Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 적층구조를 가지는 방열기판 및 이 방열기판을 사용한 전자조립구조를 제공한다. 상기 적층구조를 가지는 방열기판은 기판과, 상기 기판의 상부면에 설치되며, 적어도 제1결합층 및 제2결합층을 포함하는 적층결합판과, 상기 적층결합판의 상부면에 설치되는 절연층과, 상기 절연층의 상부면에 설치되는 도전층을 구비하여 구성된다. 상기 제1결합층은 상기 기판의 상부면에 설치되고, 상기 제2결합층은 상기 제1결합층의 상부면에 설치된다. 상기 전자조립구조는 상기 적층구조를 가지는 방열기판과 전자소자를 구비하여 구성된다. 그중에서 상기 절연층 및 상기 도전층은 상기 적층결합판 위의 수용공간을 둘러싸고, 상기 수용공간은 상기 적층결합판을 노출시킨다. 상기 전자소자는 상기 수용공간 내의 상기 적층결합판의 상부면에 설치되고, 또한 상기 도전층에 전기연결된다. 상기 전자소자는 발광다이오드인 것이 바람직하다. The present invention provides a heat dissipation substrate having a laminated structure and an electronic assembly structure using the heat dissipation substrate. The heat dissipation substrate having the laminated structure includes a substrate, a laminated bonding plate disposed on an upper surface of the substrate, and including at least a first bonding layer and a second bonding layer, and an insulating layer provided on the upper surface of the laminated bonding plate. And a conductive layer provided on the upper surface of the insulating layer. The first bonding layer is provided on an upper surface of the substrate, and the second bonding layer is provided on an upper surface of the first bonding layer. The electronic assembly structure includes a heat dissipation substrate having the laminated structure and an electronic device. Among them, the insulating layer and the conductive layer surround a receiving space on the laminated bonding plate, and the receiving space exposes the laminated bonding plate. The electronic device is installed on an upper surface of the laminated bonding plate in the accommodation space and is electrically connected to the conductive layer. The electronic device is preferably a light emitting diode.

Description

적층구조를 가지는 방열기판 및 이 방열기판을 사용한 전자조립구조{A Laminated Heat Dissipating Plate and An Electronic Assembly Structure Using the Same}A laminated heat dissipating plate and an electronic assembly structure using the same

본 발명은 전자소자에 사용되는 적층구조를 가지는 방열기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광다이오드에 사용되는 적층구조를 가지는 방열기판에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat dissipation substrate having a laminated structure used for an electronic device, and more particularly, to a heat dissipation substrate having a laminated structure used for a light emitting diode.

최근 고출력 발광다이오드(LED)기술의 발전에 따라, 그 발광효율은 이미90~120lm/W이상으로 진급되었다. 하지만, 그 전광변환효율은 오직 약15~20%밖에 되지 않는다. 다시 말하면, 입력되는 전기에네르기의 대부분은 열에네르기로 변환되고, 이러한 열에네르기가 외계환경으로 빨리 방열될 수 없다면, 발광다이오드 칩의 온도가 높아져, 그 발광강도 및 수명에 나쁜 영향을 주게 된다. 따라서 고출력LED제품의 열관리문제가 점점 중시를 받게 된다.With the recent development of high power light emitting diode (LED) technology, its luminous efficiency has already been promoted to more than 90 ~ 120lm / W. However, the all-optical conversion efficiency is only about 15-20%. In other words, most of the electrical energy input is converted into thermal energy, and if the thermal energy cannot be quickly radiated to the external environment, the temperature of the light emitting diode chip is increased, which adversely affects the light emission intensity and lifetime. Therefore, the problem of thermal management of high power LED products is getting more and more important.

LED제품에 있어서, 인쇄회로기판은 전자소자를 서로 연결하고 실장하는 기판으로서 없어서는 안될 부분이며, 그중에서 또한 방열기판을 주요재료로 한다. 일반적으로 업계에서는 항상 금속기판을 방열기판으로 하며, 도 1a에 도시된 바와 같이, 종래의 전자조립구조(90)는 알루미늄 금속기판(10), 절연층(50) 및 도전층(70)을 구비한다. 이러한 기판의 제일 큰 방열 병목점이라면, 바로 도전층(70)과 알루미늄 금속기판(10) 사이의 절연층(50)이다. 절연층(50)은 일반적으로 에폭시 수지를 주요재료로 하지만, 그 열전도계수가 너무 낮아서 별도로 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 질화 붕소 등 열전도재료를 첨가하여, 절연층(50)의 연전도계수를 향상시켜 상기 기판의 열저항을 낮추고 있다. 하지만, 절연층(50)의 열전도계수는 여전히 금속재료보다 훨씬 낮으므로, 방열문제의 주요한 병목점으로 되고 있다. 도 1 B에 도시된 바와 같이, 다른 실시예에 있어서, 종래의 전자조립구조(90)는 알루미늄 금속기판(10)과 절연층(50) 사이에 동층(33)을 설치할 필요가 있을 것이다. 하지만, 동층(33)과 알루미늄 금속기판(10)의 접착력이 좋지 않아서, 동층(33)이 알루미늄 금속기판(10)으로부터 박리되기 쉽다.     In LED products, a printed circuit board is an indispensable part that connects and mounts electronic devices, and among them, a heat radiating board is a main material. In general, in the industry, a metal substrate is always used as a heat dissipation substrate. As shown in FIG. 1A, a conventional electronic assembly structure 90 includes an aluminum metal substrate 10, an insulating layer 50, and a conductive layer 70. do. The biggest heat dissipation bottleneck of such a substrate is the insulating layer 50 between the conductive layer 70 and the aluminum metal substrate 10. The insulating layer 50 is generally made of epoxy resin, but its thermal conductivity is too low. Therefore, a thermal conductivity material such as aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, etc. is added separately to improve the conductivity of the insulating layer 50. The thermal resistance of the substrate is lowered. However, the thermal conductivity of the insulating layer 50 is still much lower than that of the metal material, making it a major bottleneck of the heat dissipation problem. As shown in FIG. 1B, in another embodiment, the conventional electronic assembly structure 90 will need to provide a copper layer 33 between the aluminum metal substrate 10 and the insulating layer 50. However, since the adhesion between the copper layer 33 and the aluminum metal substrate 10 is not good, the copper layer 33 is likely to peel off from the aluminum metal substrate 10.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 발명된 것으로, 금속층 부착력이 우수한 적층구조를 가지는 방열기판을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made in view of the above point, and an object thereof is to provide a heat dissipation substrate having a laminated structure with excellent metal layer adhesion.

또한, 두께가 얇은 전자조립구조를 제공함에 그 목적이 있다.In addition, the object is to provide a thinner electronic assembly structure.

또한, 방열특성이 우수한 전자조립구조를 제공함에 그 목적이 있다.It is also an object of the present invention to provide an electronic assembly structure having excellent heat dissipation characteristics.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판과, 상기 기판의 상부면에 설치되며, 적어도 상기 기판의 상부면에 설치되는 제1결합층 및 상기 제1결합층의 상부면에 설치되는 제2결합층을 포함하는 적층결합판과, 상기 적층결합판의 상부면에 설치되는 절연층과, 상기 절연층의 상부면에 설치되는 도전층을 구비하여 구성된 적층구조를 가지는 방열기판을 제공한다.The present invention for achieving the above object, the first bonding layer is provided on the upper surface of the substrate, the first bonding layer is provided on at least the upper surface of the substrate and the second bonding provided on the upper surface of the first bonding layer Provided is a heat dissipation substrate having a laminated structure including a laminated bonding plate including a layer, an insulating layer provided on an upper surface of the laminated bonding plate, and a conductive layer provided on an upper surface of the insulating layer.

상기 기판은 알루미늄 또는 알루미늄 합금이나 동 또는 동합금을 포함한다. 상기 제2결합층은 동 또는 동합금으로 제조된다. 상기 적층결합판은 상기 제1결합층과 상기 제2결합층 사이에 설치되는 제3결합층을 더 구비하며, 상기 제3결합층은 금속, 금속합금 또는 세라믹을 포함한다. 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제1결합층은 아연을 포함한다. 상기 제3결합층은 니켈합금이며, 니켈 함유양은 90%~100%이고, 인 함유양은 0%~10%이다. 상기 적층결합판은 상기 절연층의 아래에 설치되는 보호층을 더 구비하며, 상기 보호층은 금속, 금속합금, 금속산화물 또는 유기화합물을 포함한다. 상기 보호층은 동산화물 또는 크롬산화물이거나, 질소, 산소, 인 또는 유황을 포함하는 유기화합물이거나, 시레인 유기화합물이거나, 니켈, 코발트, 아연, 크롬, 몰리브덴, 동, 니켈합금, 코발트합금, 아연합금, 크롬합금, 몰리브덴합금, 동합금 또는 그 혼합물이다.The substrate comprises aluminum or an aluminum alloy or copper or copper alloy. The second bonding layer is made of copper or copper alloy. The multilayer bonding plate further includes a third bonding layer provided between the first bonding layer and the second bonding layer, wherein the third bonding layer includes a metal, a metal alloy, or a ceramic. In a preferred embodiment, the first bonding layer comprises zinc. The third bonding layer is a nickel alloy, the nickel content is 90% to 100%, the phosphorus content is 0% to 10%. The multilayer bonding plate further includes a protective layer disposed under the insulating layer, and the protective layer includes a metal, a metal alloy, a metal oxide, or an organic compound. The protective layer may be copper oxide or chromium oxide, an organic compound containing nitrogen, oxygen, phosphorus or sulfur, a silane organic compound, nickel, cobalt, zinc, chromium, molybdenum, copper, nickel alloy, cobalt alloy, zinc Alloys, chromium alloys, molybdenum alloys, copper alloys or mixtures thereof.

상기 절연층의 재료는 폴리이미드수지, 폴리아미드이미드수지, 폴리에틸렌나프탈레이트수지, 에폭시수지, 아크릴산수지, 카르밤산염수지, 유기규소수지, 폴리링키시렌수지, BMI수지, 폴리에테르케톤수지, 불포화폴리에스테르수지, 폴리아미드수지, 폴리우레탄수지, 페놀 알데히드수지, 폴리에테르술폰수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 그 혼합물을 포함한다. 상기 도전층의 재료는 석, 니켈, 은, 동, 금, 팔라듐, 코발트, 크롬, 티타늄, 플라티나, 탄탈, 텅스텐과 몰리브덴으로부터 선택된다.The material of the insulating layer is polyimide resin, polyamideimide resin, polyethylene naphthalate resin, epoxy resin, acrylic acid resin, carbamate resin, organosilicon resin, polylinkystyrene resin, BMI resin, polyether ketone resin, unsaturated poly Ester resins, polyamide resins, polyurethane resins, phenol aldehyde resins, polyether sulfone resins, polyethylene terephthalates or mixtures thereof. The material of the conductive layer is selected from stone, nickel, silver, copper, gold, palladium, cobalt, chromium, titanium, platinum, tantalum, tungsten and molybdenum.

상기 적층구조를 가지는 방열기판은 상기 기판의 하부면에 설치되는 하부 절연층 및 상기 하부 절연층의 하부면에 설치되는 하부 도전층을 더 구비한다. 상기 적층구조를 가지는 방열기판은 상기 하부 절연층 및 상기 하부 도전층을 관철하는 복수개의 구멍을 더 구비한다. 상기 하부 절연층의 재료는 폴리이미드수지, 폴리아미드이미드수지, 폴리에틸렌나프탈레이트수지, 에폭시수지, 아크릴산수지, 카르밤산염수지, 유기규소수지, 폴리링키시렌수지, BMI수지, 폴리에테르케톤수지, 불포화폴리에스테르수지, 폴리아미드수지, 폴리우레탄수지, 페놀 알데히드수지, 폴리에테르술폰수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 그 혼합물을 포함한다. 상기 하부 도전층의 재료는 석, 니켈, 은, 동, 금, 팔라듐, 코발트, 크롬, 티타늄, 플라티나, 탄탈, 텅스텐과 몰리브덴으로부터 선택된다.The heat dissipation substrate having the laminated structure further includes a lower insulating layer provided on the lower surface of the substrate and a lower conductive layer provided on the lower surface of the lower insulating layer. The heat dissipation substrate having the laminated structure further includes a plurality of holes through the lower insulating layer and the lower conductive layer. The material of the lower insulating layer is polyimide resin, polyamideimide resin, polyethylene naphthalate resin, epoxy resin, acrylic acid resin, carbamate resin, organosilicon resin, polylinkystyrene resin, BMI resin, polyether ketone resin, unsaturated Polyester resins, polyamide resins, polyurethane resins, phenol aldehyde resins, polyether sulfone resins, polyethylene terephthalates or mixtures thereof. The material of the lower conductive layer is selected from stone, nickel, silver, copper, gold, palladium, cobalt, chromium, titanium, platinum, tantalum, tungsten and molybdenum.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 상기 적층구조를 가지는 방열기판 및 전자소자를 구비하여 구성된 전자조립구조를 제공한다. 그중에서 상기 절연층 및 상기 도전층은 상기 적층결합판 위의 수용공간을 둘러싸고, 상기 수용공간은 상기 적층결합판을 노출시킨다. 상기 전자소자는 상기 수용공간 내의 상기 적층결합판의 상부면에 설치되고, 또한 상기 도전층에 전기연결된다. 상기 전자소자는 발광다이오드인 것이 바람직하다.The present invention for achieving the above object, provides an electronic assembly structure comprising a heat radiation substrate and an electronic device having the laminated structure. Among them, the insulating layer and the conductive layer surround a receiving space on the laminated bonding plate, and the receiving space exposes the laminated bonding plate. The electronic device is installed on an upper surface of the laminated bonding plate in the accommodation space and is electrically connected to the conductive layer. The electronic device is preferably a light emitting diode.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 적층구조를 가지는 방열기판은 적층결합판에 의해 금속층과 기판의 부착력을 높일 수 있다. 또한 상기 방열기판을 사용한 전자조립구조에 있어서, 전자소자와 기판 사이에 절연층이 없으므로, 상기 전자조립구조의 두께를 얇게 할 수 있고, 상기 전자소자가 작동할 때 생기는 열을 직접 상기 기판에 전송하여 방열함으로써 방열효율을 높일 수 있다. As described above, the heat radiation substrate having the laminated structure according to the embodiment of the present invention can increase the adhesion between the metal layer and the substrate by the laminated bonding plate. In addition, in the electronic assembly structure using the heat dissipation substrate, since there is no insulating layer between the electronic device and the substrate, the thickness of the electronic assembly structure can be reduced, and heat generated when the electronic device is operated is directly transmitted to the substrate. Heat radiation efficiency can be increased by heat radiation.

도 1a는 종래 기술의 전자조립구조의 단면 구조를 나타낸 도면이다.
도 1b는 종래 기술의 전자조립구조의 단면 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 적층구조를 가지는 방열기판의 단면 구조를 나타낸 도면이다.
도 3a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층구조를 가지는 방열기판의 단면 구조를 나타낸 도면이다.
도 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층구조를 가지는 방열기판의 단면 구조를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층구조를 가지는 방열기판의 단면 구조를 나타낸 도면이다.
도 5a는 본 발명의 실시예에 따른 전자조립구조의 단면 구조를 나타낸 도면이다.
도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자조립구조의 단면 구조를 나타낸 도면이다.
도 6a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자조립구조의 단면 구조를 나타낸 도면이다.
도 6b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자조립구조의 단면 구조를 나타낸 도면이다.
도 6c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자조립구조의 단면 구조를 나타낸 도면이다.
도7a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층구조를 가지는 방열기판의 단면 구조를 나타낸 도면이다.
도7b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자조립구조의 단면 구조를 나타낸 도면이다.1A is a view showing a cross-sectional structure of a conventional electronic assembly structure.
1B is a view showing a cross-sectional structure of a conventional electronic assembly structure.
2 is a view showing a cross-sectional structure of a heat radiation substrate having a laminated structure according to an embodiment of the present invention.
Figure 3a is a view showing a cross-sectional structure of a heat radiation substrate having a laminated structure according to another embodiment of the present invention.
Figure 3b is a view showing a cross-sectional structure of a heat radiation substrate having a laminated structure according to another embodiment of the present invention.
4 is a view showing a cross-sectional structure of a heat radiation substrate having a laminated structure according to another embodiment of the present invention.
5A illustrates a cross-sectional structure of an electronic assembly structure according to an embodiment of the present invention.
5B illustrates a cross-sectional structure of an electronic assembly structure according to another embodiment of the present invention.
6A illustrates a cross-sectional structure of an electronic assembly structure according to another embodiment of the present invention.
6B illustrates a cross-sectional structure of an electronic assembly structure according to a preferred embodiment of the present invention.
6c illustrates a cross-sectional structure of an electronic assembly structure according to another embodiment of the present invention.
Figure 7a is a view showing a cross-sectional structure of a heat radiation substrate having a laminated structure according to another embodiment of the present invention.
7B illustrates a cross-sectional structure of an electronic assembly structure according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조로 하여 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 목적, 작용, 효과를 포함하여 기타 다른 목적들, 특징점들, 그리고 작동상의 이점들이 바람직한 실시예의 설명에 의해 보다 명확해질 것이다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in order that the present invention may be easily understood by those skilled in the art. . Other objects, features, and operational advantages, including the object, operation, and effect of the present invention will become more apparent from the description of the preferred embodiment.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 적층구조를 가지는 방열기판(800)은 기판(100)과, 적층결합판(300)과, 절연층(500)과, 도전층(700)을 구비한다. 상기 기판(100)은 금속 또는 합금으로 제조되는 것이 가장 바람직하며, 이러한 재료는 열전도성이 우수하기 때문에, 상기 방열기판(800)의 방열효과를 향상시킬 수 있다. 알루미늄은 가볍고 가격이 낮으며, 우수한 열전도성을 가지고 있기 때문에, 본 실시예에 있어서, 상기 기판(100)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제조된다.As shown in FIG. 2, the heat dissipation substrate 800 having the laminated structure according to the embodiment of the present invention includes a substrate 100, a laminated bonding plate 300, an insulating layer 500, and a conductive layer 700. ). Most preferably, the substrate 100 is made of a metal or an alloy, and since the material has excellent thermal conductivity, the heat dissipation effect of the heat dissipation substrate 800 may be improved. Since aluminum is light, low in cost, and has excellent thermal conductivity, in this embodiment, the substrate 100 is made of aluminum or an aluminum alloy.

상기 적층결합판(300)은 상기 기판(100) 의 상부면에 설치되며, 적어도 제1결합층(310) 및 제2결합층(320)을 구비한다. 상기 제1결합층(310)은 상기 기판(100) 의 상부면에 설치되며, 아연을 함유하는 것이 바람직하나, 이것에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2결합층(320)은 상기 제1결합층(310)의 상부면에 설치되며, 동 또는 동합금으로 제조된다. 상기 제2결합층(320)과 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제조된 상기 기판(100)의 부착력은 좋지 않지만, 상기 제1결합층(310)과 상기 기판(100)의 부착력은 매우 좋다.The multilayer bonding plate 300 is installed on an upper surface of the substrate 100 and includes at least a first bonding layer 310 and a second bonding layer 320. The first bonding layer 310 is provided on the upper surface of the substrate 100, preferably containing zinc, but is not limited thereto. The second bonding layer 320 is installed on the upper surface of the first bonding layer 310, and is made of copper or copper alloy. Although the adhesion between the second bonding layer 320 and the substrate 100 made of aluminum or aluminum alloy is not good, the adhesion between the first bonding layer 310 and the substrate 100 is very good.

상기 적층결합판(300)은 상기 제1결합층(310)과 상기 제2결합층(320) 사이에 설치되는 제3결합층(330)을 더 구비한다. 상기 제3결합층(330)은 금속, 금속합금 또는 세라믹을 포함한다. 금속은 석, 니켈, 은, 동, 금, 팔라듐, 코발트, 크롬, 티타늄, 플라티나, 탄탈, 텅스텐과 몰리브덴으로부터 선택된다. 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제3결합층(330)은 니켈합금이며, 니켈 함유양은 90%~100%이고, 인 함유양은 0%~10%이다. 상기 제3결합층(330)과 상기 제1결합층(310) 및 상기 제3결합층(330)과 상기 제2결합층(320)은 모두 우수한 부착력을 가지고 있다. 상기 제3결합층(330)과 상기 제1결합층(310)의 부착력 및 상기 제3결합층(330)과 상기 제2결합층(320)의 부착력은 모두 상기 제1결합층(310)과 상기 제2결합층(320)의 부착력보다 크다. 따라서 상기 제2결합층(320)은 상기 제3결합층(330)에 의해 상기 제1결합층(310)에 더욱 좋게 부착된다. The multilayer bonding plate 300 further includes a third bonding layer 330 provided between the first bonding layer 310 and the second bonding layer 320. The third bonding layer 330 includes a metal, a metal alloy or a ceramic. The metal is selected from stone, nickel, silver, copper, gold, palladium, cobalt, chromium, titanium, platinum, tantalum, tungsten and molybdenum. In a preferred embodiment, the third bonding layer 330 is a nickel alloy, the nickel content is 90% to 100%, the phosphorus content is 0% to 10%. The third bonding layer 330, the first bonding layer 310, and the third bonding layer 330 and the second bonding layer 320 all have excellent adhesion. The adhesion of the third bonding layer 330 and the first bonding layer 310 and the adhesion of the third bonding layer 330 and the second bonding layer 320 are both the first bonding layer 310 and It is greater than the adhesion of the second bonding layer 320. Therefore, the second bonding layer 320 is better attached to the first bonding layer 310 by the third bonding layer 330.

총괄적으로 말하면, 도 3a에 도시된 바와 같이, 상기 적층결합판(300)은 상기 제1결합층(310) 및 상기 제2결합층(320) 뿐만아니라, 상기 제1결합층(310)과 상기 제2결합층(320) 사이에 순서대로 적층되는 복수개의 결합층을 더 구비할 수 있다. 맨 윗단에 적층되어 있는 결합층과 상기 기판(100)의 부착력이 좋지 않더라도, 그 사이에 적층된 다른 결합층을 이용하여, 맨 윗단에 적층되어 있는 결합층을 상기 기판(100)의 상부면에 잘 부착할 수 있다. 상기 각 결합층은 서로 같거나 또는 서로 다른 재료로 제조되며, 즉 서로 같거나 또는 서로 다른 재료로 이웃한 각 결합층을 순서대로 적층할 수 있다. 상기 제조과정에 있어서, 비율, 온도, 시간 등 형성조건을 제어하여, 같은 재료로 제조된 서로 다른 결합층이 서로 다른 물리특성 및 화학특성을 갖게 할 수 있다.Generally speaking, as illustrated in FIG. 3A, the multilayer bonding plate 300 may include the first bonding layer 310 and the first bonding layer 310 and the second bonding layer 320 as well as the first bonding layer 310 and the second bonding layer 320. A plurality of bonding layers stacked in order between the second bonding layer 320 may be further provided. Although the adhesion between the bonding layer stacked on the top end and the substrate 100 is not good, the bonding layer stacked on the top end is applied to the upper surface of the substrate 100 by using another bonding layer stacked therebetween. It can be attached well. Each of the bonding layers may be made of the same or different materials, that is, the adjacent bonding layers of the same or different materials may be sequentially stacked. In the manufacturing process, the formation conditions such as ratio, temperature, time, etc. may be controlled so that different bonding layers made of the same material may have different physical and chemical properties.

상기 절연층(500)은 상기 적층결합판(300)의 상부면에 설치되어 있다. 상기 도전층(700)은 상기 절연층(500)의 상부면에 설치되어 있다. 상기 절연층(500)의 재료는 폴리이미드(polyimide)수지, 폴리아미드이미드(Polyamide-imide)수지, 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylene naphthalate)수지, 에폭시(epoxy)수지, 아크릴산(acrylic)수지, 카르밤산염(Carbamate)수지, 유기규소수지, 폴리링키시렌(Poly ring xylene)수지, BMI(Bismaleimides)수지, 폴리에테르케톤(polyether-ketone)수지, 불포화폴리에스테르(unsaturated polyester)수지, 폴리아미드(polyamide)수지, 폴리우레탄(polyurethane)수지, 페놀 알데히드(phenol aldehyde)수지, 폴리에테르술폰(polyether sulphone)수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 또는 그 혼합물이다. 상기 도전층(700)의 재료는 석, 니켈, 은, 동, 금, 팔라듐, 코발트, 크롬, 티타늄, 플라티나, 탄탈, 텅스텐과 몰리브덴으로부터 선택된다.The insulating layer 500 is provided on an upper surface of the laminated bonding plate 300. The conductive layer 700 is provided on an upper surface of the insulating layer 500. The material of the insulating layer 500 is a polyimide resin, a polyamide-imide resin, a polyethylene naphthalate resin, an epoxy resin, an acrylic resin, a carbamate Carbamate resin, organosilicon resin, poly ring xylene resin, BMI (Bismaleimides) resin, polyether-ketone resin, unsaturated polyester resin, polyamide resin , Polyurethane resins, phenol aldehyde resins, polyether sulphone resins, polyethylene terephthalate or mixtures thereof. The material of the conductive layer 700 is selected from stone, nickel, silver, copper, gold, palladium, cobalt, chromium, titanium, platinum, tantalum, tungsten and molybdenum.

도 3b에 도시된 바와 같이, 다른 실시예에 있어서, 상기 적층결합판(300)은 상기 제2결합층(320)과 상기 절연층(500) 사이에 설치되는 보호층(333)을 더 구비한다. 다시 말하면, 상기 보호층(333)은 상기 적층결합판(300)이 구비하는 복수개의 결합층에 있어서의 맨 윗단에 있는 결합층이다. 상기 보호층(333)은 금속, 금속합금, 금속산화물 또는 유기화합물을 포함한다. 본 실시예에 있어서, 상기 제2결합층(320)은 동이고, 상기 보호층(333)은 동산화물이다. 상기 보호층(333)은 그 상부면에 설치된 절연층(500) 및 그 하부면에 설치된 제2결합층(320)과 우수한 부착력을 가지고 있을 뿐만아니라, 용접 방지 등 보호효과를 가지고 있다. 다른 실시예에 있어서, 상기 제2결합층(320)은 동합금일 수 있고, 상기 보호층(333)은 다른 금속산화물(예를 들면, 크롬산화물이다), 유기화합물(예를 들면, 질소, 산소, 인 또는 유황을 포함하는 유기화합물 또는 시레인 유기화합물이다), 금속(예를 들면, 니켈, 코발트, 아연, 크롬, 몰리브덴, 동이다) 또는 그 합금 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 상기 보호층(333)은 상술한 임의의 조합으로 적층상태로 설치될 수 있다. As shown in FIG. 3B, in another embodiment, the multilayer bonding plate 300 further includes a protective layer 333 disposed between the second bonding layer 320 and the insulating layer 500. . In other words, the protective layer 333 is a bonding layer at the top of the plurality of bonding layers included in the multilayer bonding plate 300. The protective layer 333 includes a metal, a metal alloy, a metal oxide, or an organic compound. In the present embodiment, the second bonding layer 320 is copper, and the protective layer 333 is copper oxide. The protective layer 333 not only has excellent adhesion with the insulating layer 500 provided on the upper surface and the second bonding layer 320 provided on the lower surface thereof, but also has a protective effect such as welding prevention. In another embodiment, the second bonding layer 320 may be a copper alloy, and the protective layer 333 may be another metal oxide (eg, chromium oxide), an organic compound (eg, nitrogen, oxygen). , Organic compounds containing phosphorus or sulfur or silane organic compounds, metals (eg, nickel, cobalt, zinc, chromium, molybdenum, copper) or alloys thereof or mixtures thereof. The protective layer 333 may be installed in a stacked state in any combination described above.

도 4에 도시된 바와 같이, 다른 실시예에 있어서, 적층구조를 가지는 방열기판(800)은 하부 절연층(550) 및 하부 도전층(770)을 더 구비한다. 상기 하부 절연층(550)은 상기 기판(100)의 하부면에 설치된다. 상기 하부 도전층(770)은 상기 하부 절연층(550)의 하부면에 설치된다. 상기 하부 절연층(550)의 재료는 폴리이미드(polyimide)수지, 폴리아미드이미드(Polyamide-imide)수지, 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylene naphthalate)수지, 에폭시(epoxy)수지, 아크릴산(acrylic)수지, 카르밤산염(Carbamate)수지, 유기규소수지, 폴리링키시렌(Poly ring xylene)수지, BMI(Bismaleimides)수지, 폴리에테르케톤(polyether-ketone)수지, 불포화폴리에스테르(unsaturated polyester)수지, 폴리아미드(polyamide)수지, 폴리우레탄(polyurethane)수지, 페놀 알데히드(phenol aldehyde)수지, 폴리에테르술폰(polyether sulphone)수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 또는 그 혼합물이다. 상기 하부 도전층(770)의 재료는 석, 니켈, 은, 동, 금, 팔라듐, 코발트, 크롬, 티타늄, 플라티나, 탄탈, 텅스텐과 몰리브덴으로부터 선택된다.As shown in FIG. 4, in another embodiment, the heat dissipation substrate 800 having the laminated structure further includes a lower insulating layer 550 and a lower conductive layer 770. The lower insulating layer 550 is provided on the lower surface of the substrate 100. The lower conductive layer 770 is provided on the lower surface of the lower insulating layer 550. The material of the lower insulating layer 550 may be a polyimide resin, a polyamide-imide resin, a polyethylene naphthalate resin, an epoxy resin, an acrylic resin, or a carbam. Carbamate resin, organosilicon resin, poly ring xylene resin, BMI (Bismaleimides) resin, polyether-ketone resin, unsaturated polyester resin, polyamide Resins, polyurethane resins, phenol aldehyde resins, polyether sulphone resins, polyethylene terephthalate or mixtures thereof. The material of the lower conductive layer 770 is selected from stone, nickel, silver, copper, gold, palladium, cobalt, chromium, titanium, platinum, tantalum, tungsten and molybdenum.

도 4에 도시된 다른 실시예에 있어서, 상기 적층구조를 가지는 방열기판(800)은 상기 하부 절연층(550) 및 상기 하부 도전층(770)을 관철하는 복수개의 구멍(400)을 더 구비한다. 복수개의 상기 구멍(400)에 열전도재료(도시되지 않았음)를 채울 수 있다. 상기 구멍(400)의 위치, 수양, 크기 및 분포방식 등은 실제수요에 따라 변할 수 있다. 상기 열전도재료의 열전도계수는 10W/mK보다 큰것이 바람직하며, 상기 열전도재료는 금속, 합금, 세라믹, 금속 또는 세라믹-고분자복합재료, 열전도 실리콘수지 또는 그 혼합물을 포함한다. 그중에서 금속은 은, 동, 알루미늄, 니켈 또는 철이며, 합금은 석-납 합금, 석-납-은 합금 또는 석-은-동 합금이며, 세라믹은 산화알루미늄, 질화붕소, 질화알루미늄, 탄화규소, 카본나노튜브 또는 흑연 등이다. 상기 구멍(400)에 열전도재료를 채우는 방식은 열전도재료의 특성에 따라 다를 수 있으며, 예를 들면, 열전도 실리콘수지 열전도물이 유동상태일 때, 이를 상기 구멍(400)에 붓거나, 금속 열전도물을 전기도금방식으로 상기 구멍(400) 안에 형성하거나, 또는 기계력으로 고체상태의 금속-고분자복합재료 열전도물을 상기 구멍(400)에 눌러 넣을 수 있다. 상기 열전도물로 상기 구멍(400)을 모두 채워야 하는것이 아니며, 상기 구멍(400)의 측벽만 덮어도 된다. 다른 실시예에 있어서, 복수개의 상기 구멍(400) 안에 전자소자(도시되지 않았음)를 설치할 수 있다. In another embodiment shown in FIG. 4, the heat dissipation substrate 800 having the laminated structure further includes a plurality of holes 400 through the lower insulating layer 550 and the lower conductive layer 770. . A plurality of the holes 400 may be filled with a heat conductive material (not shown). The position, quantity, size, and distribution method of the hole 400 may vary according to actual demand. The thermal conductivity of the thermally conductive material is preferably greater than 10 W / mK, and the thermally conductive material includes a metal, an alloy, a ceramic, a metal or a ceramic-polymer composite material, a thermally conductive silicone resin, or a mixture thereof. Among them, the metals are silver, copper, aluminum, nickel or iron, and the alloys are tin-lead alloys, tin-lead-silver alloys or tin-silver-copper alloys, and ceramics are aluminum oxide, boron nitride, aluminum nitride, silicon carbide , Carbon nanotubes or graphite. The method of filling the thermally conductive material into the hole 400 may vary depending on the characteristics of the thermally conductive material. For example, when the thermally conductive silicone resin thermally conductive material is in a flow state, it is poured into the hole 400 or the metallic thermally conductive material. May be formed in the hole 400 by electroplating, or the metal-polymer composite material in a solid state may be pressed into the hole 400 by a mechanical force. It is not necessary to fill all of the holes 400 with the heat conductive material, and only the sidewalls of the holes 400 may be covered. In another embodiment, an electronic device (not shown) may be installed in the plurality of holes 400.

도 5a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 전자조립구조(900)는 상기 적층구조를 가지는 방열기판(800) 및 전자소자(200)를 구비한다. 상기 절연층(500) 및 상기 도전층(700)은 상기 적층결합판(300) 위의 수용공간(600)을 둘러싸며, 상기 수용공간(600)은 상기 적층결합판(300)을 노출시킨다. 바람직한 실시예에 있어서, 도 2에 도시된 방열기판(800)의 절연층(500) 및 도전층(700)의 특정한 구역을 물리 또는 화학방식으로 식각하여 제거함으로써 상기 수용공간(600)을 형성한다. 상기 전자소자(200)는 상기 수용공간(600) 내의 상기 적층결합판(300)의 상부면에 설치되고, 상기 도전층(700)에 전기연결되며, 도선(222)에 의해 전기연결되는것이 바람직하다. 상기 전자소자(200)는 발광다이오드인 것이 바람직하며, 즉 상기 전자조립구조(900)는 발광다이오드 조명장치에 사용되는 것이 바람직하다. 하지만, 다른 실시예에 있어서, 상기 전자조립구조(900)는 다른 전자장치에 사용될 수 있다. 구체적으로 말하면, 본 발명의 전자조립구조(900)에 있어서, 상기 전자소자(200)와 상기 기판(100) 사이에 상기 절연층(500)이 없으며, 따라서 상기 전자조립구조(900)의 두께를 얇게 할 수 있다. 또한 상기 전자소자(200)가 작동할 때 생기는 열을 직접 상기 기판(100)에 전송하여 방열함으로써 방열효율을 높일 수 있다.As shown in FIG. 5A, the electronic assembly structure 900 of the present invention includes a heat dissipation substrate 800 and an electronic device 200 having the stacked structure. The insulating layer 500 and the conductive layer 700 surround the accommodating space 600 on the laminated bonding plate 300, and the accommodating space 600 exposes the laminated bonding plate 300. In a preferred embodiment, the receiving space 600 is formed by etching and removing specific regions of the insulating layer 500 and the conductive layer 700 of the heat radiating substrate 800 shown in FIG. 2 by physical or chemical methods. . The electronic device 200 is installed on the upper surface of the laminated bonding plate 300 in the receiving space 600, is electrically connected to the conductive layer 700, it is preferably electrically connected by a conductive wire 222. Do. Preferably, the electronic device 200 is a light emitting diode, that is, the electronic assembly structure 900 is preferably used in a light emitting diode lighting apparatus. However, in other embodiments, the electronic assembly structure 900 may be used for other electronic devices. Specifically, in the electronic assembly structure 900 of the present invention, there is no insulating layer 500 between the electronic device 200 and the substrate 100, so that the thickness of the electronic assembly structure 900 is determined. I can thin it. In addition, heat dissipation efficiency may be increased by directly transferring heat generated when the electronic device 200 operates to the substrate 100 to dissipate heat.

도 5b에 도시된 바와 같이, 다른 실시예에 있어서, 상기 전자소자(200)와 상기 적층결합판(300)의 제2결합층(320) 사이, 상기 제2결합층(320)과 상기 제3결합층(330) 사이, 상기 제3결합층(330)과 상기 제1결합층(310) 사이, 상기 제1결합층(310)과 상기 기판(100) 사이는 우수한 부착력을 가지고 있다. 따라서 상기 전자소자(200)와 상기 기판(100)의 부착력이 나쁘더라도, 그 사이에 설치된 상기 제1결합층(310), 상기 제3결합층(330) 및 상기 제2결합층(320)을 이용하여 상기 전자소자(200)를 상기 기판(100)에 잘 부착할 수 있다.As shown in FIG. 5B, in another embodiment, between the electronic device 200 and the second bonding layer 320 of the multilayer bonding plate 300, the second bonding layer 320 and the third Between the bonding layer 330, between the third bonding layer 330 and the first bonding layer 310, between the first bonding layer 310 and the substrate 100 has excellent adhesion. Therefore, even if the adhesion between the electronic device 200 and the substrate 100 is bad, the first bonding layer 310, the third bonding layer 330 and the second bonding layer 320 disposed therebetween By using the electronic device 200 can be attached to the substrate 100 well.

도 6a~도 6c에 도시된 실시예에 있어서, 제조과정에서 상기 보호층(333)을 완전히 보존하거나(도 6a) 또는 그 일부분을 제거한다(도 6b). 다시 말하면, 도 6a에 도시된 바와 같이, 제조과정에서 완전히 보존된 상기 보호층(333)은 상기 절연층(500)의 아래에 설치되며 또한 상기 수용공간(600)에 노출되지만, 도 6 B에 도시된 바와 같이, 제조과정에서 일부분 제거된 상기 보호층(333)은 오직 상기 절연층(500)의 아래에만 설치된다. 또한 상기 절연층(500)을 적층방식으로 설치할 수 있다. 예를 들면, 도 6 C에 도시된 바와 같이, 상기 절연층(500)은 제1절연층(510) 및 제2절연층(520)을 구비한다. 이러한 구조로 부착효과를 높일 수 있다. 도 7 A 및 도 7 B에 도시된 바와 같이, 상기 절연층(500) 및 상기 도전층(700)을 적층방식으로 설치할 수 있다.In the embodiment shown in FIGS. 6A-6C, the protective layer 333 is completely preserved (FIG. 6A) or a portion thereof is removed during manufacturing (FIG. 6B). In other words, as shown in FIG. 6A, the protective layer 333, which is completely preserved in the manufacturing process, is installed under the insulating layer 500 and is exposed to the accommodation space 600, but is not shown in FIG. 6B. As shown, the protective layer 333 partially removed in the manufacturing process is provided only under the insulating layer 500. In addition, the insulating layer 500 may be installed in a lamination method. For example, as illustrated in FIG. 6C, the insulating layer 500 includes a first insulating layer 510 and a second insulating layer 520. This structure can increase the adhesion effect. As shown in FIGS. 7A and 7B, the insulating layer 500 and the conductive layer 700 may be installed in a lamination method.

이상, 본 발명을 바람직한 실시형태를 사용하여 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다. 그리고, 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
As mentioned above, although this invention was demonstrated using preferable embodiment, the scope of the present invention is not limited to a specific embodiment and should be interpreted by the attached Claim. Those skilled in the art should also understand that many modifications and variations are possible without departing from the scope of the present invention. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

10 --- 알루미늄 금속기판 50 --- 절연층
70 --- 도전층 90 --- 전자조립구조
100 --- 기판 200 --- 전자소자
222 --- 도선 300 --- 적층결합판
310 --- 제1결합층 320 --- 제2결합층
330 --- 제3결합층 333 --- 보호층
400 --- 구멍 500 --- 절연층
510 --- 제1절연층 520 --- 제2절연층
550 --- 하부 절연층 600 --- 수용공간
700 --- 도전층 770 --- 하부 도전층
800 --- 방열기판 900 --- 전자조립구조10 --- Aluminum metal substrate 50 --- Insulation layer
70 --- conductive layer 90 --- electronic assembly structure
100 --- Substrate 200 --- Electronic Device
222 --- Lead wire 300 --- Laminated bonding plate
310 --- first bonding layer 320 --- second bonding layer
330 --- Third bonding layer 333 --- Protective layer
400 --- hole 500 --- insulation layer
510 --- First insulation layer 520 --- Second insulation layer
550 --- Lower insulation layer 600 --- Storage area
700 --- conductive layer 770 --- lower conductive layer
800 --- Heat radiation board 900 --- Electronic assembly structure

Claims (28)

기판과,
상기 기판의 상부면에 설치되며, 적어도 상기 기판의 상부면에 설치되는 제1결합층 및 상기 제1결합층의 상부면에 설치되는 제2결합층을 포함하는 적층결합판과,
상기 적층결합판의 상부면에 설치되는 절연층과,
상기 절연층의 상부면에 설치되는 도전층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판.A substrate;
A laminated bonding plate provided on an upper surface of the substrate and including at least a first bonding layer provided on an upper surface of the substrate and a second bonding layer provided on an upper surface of the first bonding layer;
An insulating layer provided on an upper surface of the laminated bonding plate;
And a conductive layer provided on an upper surface of the insulating layer. 제1항에 있어서,
상기 제1결합층은 아연을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판.The method of claim 1,
The first bonding layer is a heat sink having a laminated structure, characterized in that containing zinc. 제1항에 있어서,
상기 기판은 알루미늄 또는 알루미늄 합금이나 동 또는 동합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판.The method of claim 1,
The substrate is a heat dissipation substrate having a laminated structure, characterized in that containing aluminum or aluminum alloy or copper or copper alloy. 제1항에 있어서,
상기 제2결합층은 동 또는 동합금으로 제조되는 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판.The method of claim 1,
The second bonding layer is a heat radiation substrate having a laminated structure, characterized in that made of copper or copper alloy. 제1항에 있어서,
상기 적층결합판은 상기 제1결합층과 상기 제2결합층 사이에 설치되는 제3결합층을 더 구비하며, 상기 제3결합층은 금속, 금속합금 또는 세라믹을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판.The method of claim 1,
The multilayer bonding plate further includes a third bonding layer disposed between the first bonding layer and the second bonding layer, wherein the third bonding layer comprises a metal, a metal alloy, or a ceramic. Heat radiation board having a. 제5항에 있어서,
상기 제3결합층은 니켈로 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판.The method of claim 5,
The third bonding layer is a heat radiation substrate having a laminated structure, characterized in that made of nickel. 제1항에 있어서,
상기 적층결합판은 상기 절연층의 아래에 설치되는 보호층을 더 구비하며, 상기 보호층은 금속, 금속합금, 금속산화물 또는 유기화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판.The method of claim 1,
The multilayer bonding plate further includes a protective layer disposed below the insulating layer, wherein the protective layer comprises a metal, a metal alloy, a metal oxide, or an organic compound. 제7항에 있어서,
상기 보호층은 동산화물 또는 크롬산화물인 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판.The method of claim 7, wherein
The protective layer has a laminated structure, characterized in that the copper oxide or chromium oxide. 제7항에 있어서,
상기 보호층은 질소, 산소, 인 또는 유황을 포함하는 유기화합물인 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판.The method of claim 7, wherein
The protective layer is a heat radiation substrate having a laminated structure, characterized in that the organic compound containing nitrogen, oxygen, phosphorus or sulfur. 제7항에 있어서,
상기 보호층은 시레인 유기화합물인 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판.The method of claim 7, wherein
The protective layer has a laminated structure, characterized in that the silane organic compound. 제7항에 있어서,
상기 보호층의 재료는 니켈, 코발트, 아연, 크롬, 몰리브덴, 동, 니켈합금, 코발트합금, 아연합금, 크롬합금, 몰리브덴합금, 동합금 또는 그 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판.The method of claim 7, wherein
The material of the protective layer is nickel, cobalt, zinc, chromium, molybdenum, copper, nickel alloys, cobalt alloys, zinc alloys, chromium alloys, molybdenum alloys, copper alloys or mixtures thereof. . 제1항에 있어서,
상기 절연층의 재료는 폴리이미드수지, 폴리아미드이미드수지, 폴리에틸렌나프탈레이트수지, 에폭시수지, 아크릴산수지, 카르밤산염수지, 유기규소수지, 폴리링키시렌수지, BMI수지, 폴리에테르케톤수지, 불포화폴리에스테르수지, 폴리아미드수지, 폴리우레탄수지, 페놀 알데히드수지, 폴리에테르술폰수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 그 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판.The method of claim 1,
The material of the insulating layer is polyimide resin, polyamideimide resin, polyethylene naphthalate resin, epoxy resin, acrylic acid resin, carbamate resin, organosilicon resin, polylinkystyrene resin, BMI resin, polyether ketone resin, unsaturated poly A heat radiation substrate having a laminated structure comprising an ester resin, a polyamide resin, a polyurethane resin, a phenol aldehyde resin, a polyether sulfone resin, a polyethylene terephthalate or a mixture thereof. 제1항에 있어서,
상기 도전층의 재료는 석, 니켈, 은, 동, 금, 팔라듐, 코발트, 크롬, 티타늄, 플라티나, 탄탈, 텅스텐과 몰리브덴으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판.The method of claim 1,
The material of the conductive layer is a heat sink having a laminated structure, characterized in that selected from stone, nickel, silver, copper, gold, palladium, cobalt, chromium, titanium, platinum, tantalum, tungsten and molybdenum. 제1항에 있어서,
상기 기판의 하부면에 설치되는 하부 절연층 및 상기 하부 절연층의 하부면에 설치되는 하부 도전층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판.The method of claim 1,
And a lower insulating layer provided on the lower surface of the substrate and a lower conductive layer provided on the lower surface of the lower insulating layer. 제14항에 있어서,
상기 하부 절연층 및 상기 하부 도전층을 관철하는 복수개의 구멍을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판. 15. The method of claim 14,
And a plurality of holes through the lower insulating layer and the lower conductive layer. 제14항에 있어서,
상기 하부 절연층의 재료는 폴리이미드수지, 폴리아미드이미드수지, 폴리에틸렌나프탈레이트수지, 에폭시수지, 아크릴산수지, 카르밤산염수지, 유기규소수지, 폴리링키시렌수지, BMI수지, 폴리에테르케톤수지, 불포화폴리에스테르수지, 폴리아미드수지, 폴리우레탄수지, 페놀 알데히드수지, 폴리에테르술폰수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 그 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판.15. The method of claim 14,
The material of the lower insulating layer is polyimide resin, polyamideimide resin, polyethylene naphthalate resin, epoxy resin, acrylic acid resin, carbamate resin, organosilicon resin, polylinkystyrene resin, BMI resin, polyether ketone resin, unsaturated A heat dissipation substrate having a laminated structure comprising a polyester resin, a polyamide resin, a polyurethane resin, a phenol aldehyde resin, a polyether sulfone resin, a polyethylene terephthalate or a mixture thereof. 청구항1에 기재된 상기 적층구조를 가지는 방열기판 및 전자소자를 구비하여 구성된 전자조립구조로서,
상기 절연층 및 상기 도전층은 상기 적층결합판 위의 수용공간을 둘러싸고, 상기 수용공간은 상기 적층결합판을 노출시키며,
상기 전자소자는 상기 수용공간 내의 상기 적층결합판의 상부면에 설치되고, 또한 상기 도전층에 전기연결되는 것을 특징으로 하는 전자조립구조.An electronic assembly structure comprising a heat dissipation substrate and an electronic device having the laminated structure according to claim 1,
The insulating layer and the conductive layer surround a receiving space on the laminated bonding plate, and the receiving space exposes the laminated bonding plate,
And the electronic device is installed on an upper surface of the laminated bonding plate in the accommodation space and is electrically connected to the conductive layer. 제17항에 있어서,
상기 적층결합판은 상기 제1결합층과 상기 제2결합층 사이에 설치되는 제3결합층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전자조립구조.18. The method of claim 17,
The multilayer bonding plate further comprises a third bonding layer provided between the first bonding layer and the second bonding layer. 제17항에 있어서,
상기 적층결합판은 상기 수용공간내에서 상기 제1결합층과 상기 제2결합층 사이에 설치되는 제3결합층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전자조립구조.18. The method of claim 17,
The laminated bonding plate further comprises a third bonding layer provided between the first bonding layer and the second bonding layer in the receiving space. 제17항에 있어서,
상기 절연층은 적층방식 또는 단층방식으로 설치되는 것을 특징으로 하는 전자조립구조.18. The method of claim 17,
The insulating layer is an electronic assembly structure, characterized in that installed in a lamination method or a single layer method. 제17항에 있어서,
상기 적층결합판은 보호층을 더 구비하며, 상기 보호층은 금속, 금속합금, 금속산화물 또는 유기화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자조립구조.18. The method of claim 17,
The laminated bonding plate further comprises a protective layer, the protective layer is an electronic assembly structure comprising a metal, a metal alloy, a metal oxide or an organic compound. 제17항에 있어서,
상기 적층결합판은 상기 절연층의 아래에 설치되는 보호층을 더 구비하며, 상기 보호층은 금속, 금속합금, 금속산화물 또는 유기화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자조립구조.18. The method of claim 17,
The multilayer bonding plate further includes a protective layer disposed below the insulating layer, wherein the protective layer includes a metal, a metal alloy, a metal oxide, or an organic compound. 제22항에 있어서,
상기 보호층은 동산화물 또는 크롬산화물인 것을 특징으로 하는 전자조립구조.The method of claim 22,
The protective layer is an electronic assembly structure, characterized in that the copper oxide or chromium oxide. 제22항에 있어서,
상기 보호층은 질소, 산소, 인 또는 유황을 포함하는 유기화합물인 것을 특징으로 하는 전자조립구조.The method of claim 22,
The protective layer is an electronic assembly structure, characterized in that the organic compound containing nitrogen, oxygen, phosphorus or sulfur. 제22항에 있어서,
상기 보호층은 시레인 유기화합물인 것을 특징으로 하는 전자조립구조.The method of claim 22,
The protective layer is an electron assembly structure, characterized in that the silane organic compound. 제22항에 있어서,
상기 보호층의 재료는 니켈, 코발트, 아연, 크롬, 몰리브덴, 동, 니켈합금, 코발트합금, 아연합금, 크롬합금, 몰리브덴합금, 동합금 또는 그 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자조립구조.The method of claim 22,
The material of the protective layer is an electronic assembly structure comprising nickel, cobalt, zinc, chromium, molybdenum, copper, nickel alloy, cobalt alloy, zinc alloy, chromium alloy, molybdenum alloy, copper alloy or mixtures thereof. 제17항에 있어서,
상기 절연층 및 상기 도전층을 적층방식으로 설치할 수 있는 것을 특징으로 하는 전자조립구조.18. The method of claim 17,
And the insulating layer and the conductive layer can be installed in a lamination method. 제5항에 있어서,
상기 제3결합층은 니켈과 인의 합금으로 형성되며, 니켈 함유양은 90% 이상 100% 미만이고, 인 함유양은 0% 초과 10% 이하인 것을 특징으로 하는 적층구조를 가지는 방열기판.The method of claim 5,
The third bonding layer is formed of an alloy of nickel and phosphorus, the nickel content is 90% or more and less than 100%, phosphorus content is more than 0% 10% or less, the heat radiation substrate having a laminated structure.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103951469B (en) * 2014-04-02 2015-06-24 西安理工大学 Preparation method of metal ceramic composite heat radiation material
CN104009147A (en) * 2014-06-12 2014-08-27 上海虔敬节能环保科技有限公司 LED multifunctional packaging structure and packaging technology thereof
CN105047790B (en) * 2015-08-14 2018-01-12 南陵旺科知识产权运营有限公司 A kind of practical high-power LED encapsulation structure
CN105489747B (en) * 2015-12-31 2017-12-26 乐健科技（珠海）有限公司 High-thermal conductive metal base plate and preparation method thereof, LED module and preparation method thereof
KR20210016231A (en) * 2019-08-02 2021-02-15 삼성디스플레이 주식회사 Panel bottom sheet and display including the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002162626A (en) 2000-11-22 2002-06-07 Sony Corp Heat radiating device of light source for liquid crystal display and its manufacturing method
JP2008010808A (en) 2006-06-26 2008-01-17 National Cheng Kung Univ Heat sink, and manufacturing method thereof

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6054794B2 (en) * 1979-11-01 1985-12-02 富士通株式会社 Optical semiconductor device
JPS61193843A (en) * 1985-02-22 1986-08-28 日立化成工業株式会社 Manufacture of silica steel plate base copper lined laminated board
JPH0680876B2 (en) * 1985-08-27 1994-10-12 三菱電線工業株式会社 Metal core substrate and manufacturing method thereof
JPS6248087A (en) * 1985-08-27 1987-03-02 三菱電線工業株式会社 Aluminum core substrate and manufacture thereof
JPH01204734A (en) * 1988-02-10 1989-08-17 Elna Co Ltd Manufacture of aluminum base copper plated laminated board
JP2731040B2 (en) * 1991-02-05 1998-03-25 三菱電機株式会社 Method for manufacturing semiconductor device
CN1111567A (en) * 1993-12-28 1995-11-15 日本电解株式会社 Copper clad laminate, multilayer printed circuit board and their processing method
JPH0918141A (en) * 1995-06-27 1997-01-17 Matsushita Electric Works Ltd Production of laminated plate
US6783867B2 (en) * 1996-02-05 2004-08-31 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Member for semiconductor device using an aluminum nitride substrate material, and method of manufacturing the same
US6531328B1 (en) * 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
WO2005036705A1 (en) * 2003-09-22 2005-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate for optical semiconductor
CN1707782A (en) * 2004-06-10 2005-12-14 佶鸿电子股份有限公司 Radiating substrate and producing method thereof
US7863639B2 (en) * 2006-04-12 2011-01-04 Semileds Optoelectronics Co. Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
KR101393637B1 (en) * 2006-11-23 2014-05-12 삼성디스플레이 주식회사 Display panel
JP5405731B2 (en) * 2007-10-23 2014-02-05 日立コンシューマエレクトロニクス株式会社 Light source module
JP2010010298A (en) * 2008-06-25 2010-01-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Flexible printed wiring base material and semiconductor apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002162626A (en) 2000-11-22 2002-06-07 Sony Corp Heat radiating device of light source for liquid crystal display and its manufacturing method
JP2008010808A (en) 2006-06-26 2008-01-17 National Cheng Kung Univ Heat sink, and manufacturing method thereof

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