KR101253296B1 - Plasma Processing Apparatus - Google Patents

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이영종
강찬호
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엘아이지에이디피 주식회사
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Abstract

본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 기판이 안착되는 서셉터를 구비하는 챔버, 상기 서셉터 상부에 위치하며, 외곽틀을 형성하는 외곽프레임과 복수 개의 사각틀이 형성되도록 상기 외각프레임 내측에 형성되는 내부프레임을 구비하는 리드 프레임, 상기 리드 프레임에 설치되어 공정가스를 공급하는 가스공급부 및 상기 내부프레임에 구비되며 상기 가스공급부와 연결되어 상기 챔버 내로 상기 공정가스를 분사하는 가스분사부를 포함하여, 피처리체인 기판의 전면에 공정가스를 균일하게 분사할 수 있다. 또한, 플라즈마 발생 영역의 상부에 가스분사부가 위치하여 효율적인 플라즈마 발생 및 플라즈마에 의한 기판 처리가 이루어질 수 있다. In accordance with another aspect of the present invention, a plasma processing apparatus includes a chamber having a susceptor on which a substrate is seated, an upper frame positioned on the susceptor, and an inner frame formed inside the outer frame such that an outer frame forming an outer frame and a plurality of rectangular frames are formed. A lead frame having a lead, a gas supply unit installed at the lead frame to supply a process gas, and a gas injection unit provided at the inner frame and connected to the gas supply unit to inject the process gas into the chamber. The process gas may be uniformly sprayed on the entire surface of the substrate. In addition, the gas injection unit is located above the plasma generation region, so that efficient plasma generation and substrate processing by the plasma can be performed.

Description

플라즈마 처리장치{Plasma Processing Apparatus}[0001] Plasma Processing Apparatus [0002]

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 챔버 내로 공정가스를 균일하게 공급할 수 있는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus capable of uniformly supplying a process gas into a chamber.

플라즈마는 반도체 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 여러 공정들, 예를 들어, 증착, 에칭, 박리, 세정 공정 등에 다양하게 사용되고 있다. 현재 반도체 및 디스플레이 제조 분야에서 가장 많이 이용되는 플라즈마 소스 발생 방식은 RF를 이용한 것으로 발생 방식에 따라 용량결합형 플라즈마(Capacitively coupling plasma, CCP)와 유도결합형 플라즈마(Inductively coupled plasma, ICP)로 구분된다.Plasma is used in various processes for manufacturing semiconductors and display devices, for example, deposition, etching, stripping, cleaning, and the like. Currently, the most common plasma source generation method in the semiconductor and display manufacturing field is RF, which is classified into capacitively coupled plasma (CCP) and inductively coupled plasma (ICP) according to the generation method. .

용량결합형 플라즈마(CCP)는 평행한 전극 간에 전력을 인가하여, 전극의 표면에 분포된 전하에 의해 형성된 축전 전기장에 의해 플라즈마를 발생한다. 따라서 용량결합형 플라즈마를 이용하는 장치는 일반적으로 웨이퍼나 기판이 위치하는 하부전극과 가스 주입을 위한 샤워헤드가 포함된 상부 전극을 구비한다.Capacitively coupled plasma (CCP) applies power between parallel electrodes to generate plasma by a storage electric field formed by charges distributed on the surface of the electrode. Therefore, a device using a capacitively coupled plasma generally includes a lower electrode on which a wafer or a substrate is positioned and an upper electrode including a shower head for gas injection.

유도결합형 플라즈마(ICP)는 코일 형태의 안테나에 RF 전력을 인가하여 안테나에 흐르는 전류에 의해 형성된 유도전기장에 의해 플라즈마를 발생시킨다. 따라서 유도결합형 플라즈마를 이용하는 장치는 일반적으로 코일 형태의 안테나가 플라즈마 발생공간 외부에 배치되고 석영과 같은 유전체윈도우를 통해 플라즈마 발생공간에 전기장을 유도하도록 구성된다.Inductively coupled plasma (ICP) generates a plasma by an induction electric field formed by a current flowing through the antenna by applying RF power to the coil-shaped antenna. Therefore, a device using an inductively coupled plasma is generally configured such that a coil-shaped antenna is disposed outside the plasma generating space and induces an electric field in the plasma generating space through a dielectric window such as quartz.

한편 플라즈마 처리공정에서 피처리체에 대한 플라즈마 처리율 및 처리 균일도는 공정가스의 공급방식과 직결된다. 공정가스가 균일하게 피처리체 위로 집중되어야 플라즈마 처리율과 처리 균일도가 향상될 수 있다.
On the other hand, the plasma treatment rate and treatment uniformity of the object to be processed in the plasma treatment process are directly connected to the supply method of the process gas. When the process gas is uniformly concentrated on the object to be processed, the plasma throughput and the process uniformity may be improved.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 피처리체인 기판의 전면에 공정가스를 균일하게 분사할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하기 위함이다.
The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of uniformly spraying the process gas on the front surface of the substrate to be processed.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 기판이 안착되는 서셉터를 구비하는 챔버, 상기 서셉터 상부에 위치하며, 외곽틀을 형성하는 외곽프레임과 복수 개의 사각틀이 형성되도록 상기 외각프레임 내측에 형성되는 내부프레임을 구비하는 리드 프레임, 상기 리드 프레임에 설치되어 공정가스를 공급하는 가스공급부 및 상기 내부프레임에 구비되며 상기 가스공급부와 연결되어 상기 챔버 내로 상기 공정가스를 분사하는 가스분사부를 포함한다.Plasma processing apparatus according to the present invention for solving the above problems is a chamber having a susceptor on which a substrate is seated, is located on the susceptor, the outer frame to form an outer frame and the outer frame so that a plurality of rectangular frame is formed A lead frame having an inner frame formed inside, a gas supply unit installed in the lead frame to supply a process gas, and a gas injection unit provided in the inner frame and connected to the gas supply unit to inject the process gas into the chamber. Include.

또한 상기 가스분사부는 상기 내부프레임 내부에 구비되는 가스유로와, 상기 가스유로와 연통되며 상기 내부프레임의 저면에 구비되는 다수 개의 분사구를 포함할 수 있다.In addition, the gas injection unit may include a gas flow passage provided in the inner frame and a plurality of injection holes communicating with the gas flow passage and provided on a bottom surface of the inner frame.

또한 가스공급부는 상기 외곽프레임의 일측에 구비되며, 상기 가스유로와 연통될 수 있다.In addition, the gas supply unit is provided on one side of the outer frame, it may be in communication with the gas passage.

또한 상기 가스공급부는 상기 외곽프레임과 상기 내부프레임이 연결되는 부분에 설치될 수 있다.The gas supply unit may be installed at a portion where the outer frame and the inner frame are connected.

또한 상기 내부프레임 내부에는 상기 가스유로가 형성된 가스배관이 구비되고, 상기 가스배관에는 상기 분사구와 연결되는 다수 개의 배출홀이 형성될 수 있다.In addition, a gas pipe in which the gas flow path is formed is provided in the inner frame, and a plurality of discharge holes connected to the injection hole may be formed in the gas pipe.

또한 상기 가스공급부는 상기 내부프레임의 상측에 구비되며, 상기 가스유로와 연통될 수 있다.In addition, the gas supply unit is provided on the upper side of the inner frame, it may be in communication with the gas flow path.

또한 상기 내부프레임은 복수 개가 교차되도록 형성되며, 상기 가스공급부는 상기 내부프레임이 교차하는 지점에 설치될 수 있다.In addition, the inner frame may be formed to cross a plurality, and the gas supply unit may be installed at a point where the inner frame crosses.

또한 상기 내부프레임이 교차하는 지점에는 상기 내부프레임의 하중을 지지하는 지지대가 설치되고, 상기 가스공급부는 상기 지지대 내부를 통해 상기 공정가스를 공급할 수 있다.In addition, a support for supporting the load of the inner frame is installed at the point where the inner frame crosses, the gas supply unit may supply the process gas through the interior of the support.

또한 상기 내부프레임 내부에는 상기 가스유로가 형성된 가스배관이 구비되고, 상기 가스배관에는 상기 분사구와 연결되는 다수 개의 배출홀이 형성될 수 있다.
In addition, a gas pipe in which the gas flow path is formed is provided in the inner frame, and a plurality of discharge holes connected to the injection hole may be formed in the gas pipe.

본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는, 윈도우를 지지하는 리드 프레임에 가스분사부를 설치하여, 피처리체인 기판의 전면에 공정가스를 균일하게 분사할 수 있다. 또한, 플라즈마 발생 영역의 상부에 가스분사부가 위치하여 효율적인 플라즈마 발생 및 플라즈마에 의한 기판 처리가 이루어질 수 있다. In the plasma processing apparatus according to the present invention, a gas injection part is provided in a lead frame supporting a window, and the process gas can be uniformly sprayed on the entire surface of the substrate as the object to be processed. In addition, the gas injection unit is located above the plasma generation region, so that efficient plasma generation and substrate processing by the plasma can be performed.

이상과 같은 본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The technical effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other technical effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 리드 프레임을 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 리드 프레임에 가스배관이 설치된 상태를 도시한 부분 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 리드 프레임을 도시한 사시도이다.1 is a view showing a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a plan view illustrating a lead frame of the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
3 is a partial perspective view showing a state in which a gas pipe is installed in the lead frame of the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
5 is a perspective view illustrating a lead frame of a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예는 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면 상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, it should be understood that the present invention is not limited to the disclosed embodiments, but may be implemented in various forms, and the present embodiments are not intended to be exhaustive or to limit the scope of the invention to those skilled in the art. It is provided to let you know completely. The shape and the like of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity, and the same reference numerals denote the same elements in the drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 도시한 도면이다. 1 is a view showing a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는 챔버(110)와 챔버(110) 내부에 위치하며 기판(S)이 안착되는 서셉터(120)와 챔버(110)의 상부에 위치하는 리드(180)를 구비한다.As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention is located in the chamber 110 and the chamber 110, and the susceptor 120 and the chamber (S) on which the substrate S is seated. The lead 180 is positioned above the 110.

그리고 리드(180)는 복수 개의 사각틀이 형성된 리드 프레임(130)과, 복수 개의 사각틀 각각에 설치되는 복수 개의 윈도우(133), 그리고 윈도우(133) 상부에 설치되는 안테나(141)를 구비한다. 안테나(141)에는 13.56Mhz의 고주파를 안테나(141)로 제공하는 RF 전원공급부(142)가 연결된다.The lead 180 includes a lead frame 130 having a plurality of rectangular frames, a plurality of windows 133 installed on each of the plurality of rectangular frames, and an antenna 141 installed on the window 133. The antenna 141 is connected to an RF power supply unit 142 that provides a high frequency of 13.56 MHz to the antenna 141.

윈도우(133)는 절연체로서, 석영판, 질화실리콘(Si3N4), 탄화규소(SiC), 실리콘(Si) 등의 재료가 이용될 수도 있다.As the insulator, the window 133 may be made of a quartz plate, silicon nitride (Si 3 N 4 ), silicon carbide (SiC), silicon (Si), or the like.

리드 프레임(130)은 알루미늄 합금 재질로 제조될 수 있으며, 리드 프레임(130)의 외곽틀을 형성하는 외곽프레임(131)과, 외곽프레임(131)에 의해 형성된 공간에 복수 개의 사각틀이 형성되도록 외곽프레임(131)의 내측으로 형성되는 내부프레임(132)을 구비한다. 내부프레임(132)에는 외측으로 돌출 형성된 지지단(134)이 구비되어 사각틀 내에 설치되는 윈도우(133)의 측부를 지지할 수 있다.The lead frame 130 may be made of an aluminum alloy material, and the outer frame 131 forming the outer frame of the lead frame 130 and the outer frame so that a plurality of rectangular frames are formed in the space formed by the outer frame 131. An inner frame 132 is formed inside the frame 131. The inner frame 132 may be provided with a support end 134 protruding outward to support the side of the window 133 installed in the rectangular frame.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 리드 프레임을 도시한 평면도이며, 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 리드 프레임에 가스배관이 설치된 상태를 도시한 부분 사시도이다.2 is a plan view illustrating a lead frame of a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 illustrates a state in which gas pipes are installed in the lead frame of the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. One part perspective view.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 리드 프레임(130)은 외곽을 형성하는 외곽프레임(131)과, 중앙에 정방형의 중앙 사각틀(151)을 형성하고, 중앙 사각틀(151)의 각 변에는 각 변에 인접하고 동일한 형상을 한 4개의 장방형의 주변 사각틀(152)을 형성하는 내부프레임(132)을 구비할 수 있다. 중앙 사각틀(151)과 주변 사각틀(152)은 다수 개의 사각틀로 다시 나뉘어질 수 있다.As shown in FIG. 2, the lead frame 130 according to the present exemplary embodiment has an outer frame 131 forming an outline, a central square frame 151 having a square at the center thereof, and an angle of the central square frame 151. The side may be provided with an inner frame 132 that forms four rectangular rectangular frame 152 adjacent to each side and having the same shape. The center rectangular frame 151 and the peripheral rectangular frame 152 may be divided into a plurality of rectangular frames.

한편, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 리드 프레임(130)에는 플라즈마 발생을 위한 공정가스가 공급되는 가스공급부(160)가 연결될 수 있다. 가스공급부(160)는 내부프레임(132)과 외곽프레임(131)이 만나는 부분의 외곽프레임(131) 외측에 설치될 수 있다. Meanwhile, as shown in FIGS. 1 and 2, the lead frame 130 may be connected to a gas supply unit 160 to which a process gas for plasma generation is supplied. The gas supply unit 160 may be installed outside the outer frame 131 at a portion where the inner frame 132 and the outer frame 131 meet.

도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 내부프레임(132)에는 상기 가스공급부(160)로부터 공정가스를 전달받아 챔버(110) 내로 공정가스를 분사하는 가스분사부(170)가 구비된다.As illustrated in FIGS. 1 and 3, the inner frame 132 is provided with a gas injection unit 170 receiving the process gas from the gas supply unit 160 and injecting the process gas into the chamber 110.

가스분사부(170)는 가스공급부(160)와 연결되는 가스유로(171)와 가스유로(171)에서 배출된 공정가스가 챔버(110) 내로 분사되도록 하는 분사구(172)를 포함할 수 있다.The gas injection unit 170 may include a gas passage 171 connected to the gas supply unit 160 and an injection hole 172 to inject the process gas discharged from the gas passage 171 into the chamber 110.

가스유로(171)는 내부프레임(132)의 내부에 구비되어, 가스공급부(160)를 통해 유입되는 공정가스가 내부프레임(132)을 따라 이동될 수 있도록 한다. The gas flow path 171 is provided inside the inner frame 132 to allow the process gas introduced through the gas supply unit 160 to move along the inner frame 132.

도 3에 도시된 바와 같이, 내부프레임(132)의 저면에는 상기 가스유로(171)와 연통되는 다수 개의 분사구(172)가 형성될 수 있다. 분사구(172)는 내부프레임(132)의 저면에 일정간격을 유지하며 다수 개가 형성되도록 도시되었으나, 플라즈마 분포나 기판에 대한 플라즈마 처리 선택성을 고려하여 분사구(172)의 설치 위치는 다양하게 변경될 수 있다.As shown in FIG. 3, a plurality of injection holes 172 communicating with the gas flow path 171 may be formed at the bottom of the inner frame 132. Although the plurality of injection holes 172 are illustrated to maintain a predetermined interval on the bottom surface of the inner frame 132, the installation position of the injection holes 172 may be variously changed in consideration of the plasma distribution or the plasma treatment selectivity to the substrate. have.

한편, 내부프레임(132) 내측의 오염방지를 위해 가스유로(171)가 형성된 가스배관(173)을 내부프레임(132)의 내부에 구비할 수도 있다. 이 경우 가스배관(173)에는 가스배관(173) 내에서 유동하는 공정가스가 배출되도록 복수 개의 배출홀(174)이 형성될 수 있다. 가스배관(173)은 배출홀(174)이 분사구(172)와 연결되도록 형성될 수 있다.On the other hand, in order to prevent contamination of the inner frame 132, the gas pipe 173 in which the gas flow path 171 is formed may be provided inside the inner frame 132. In this case, a plurality of discharge holes 174 may be formed in the gas pipe 173 to discharge the process gas flowing in the gas pipe 173. The gas pipe 173 may be formed such that the discharge hole 174 is connected to the injection hole 172.

본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 윈도우(133)를 지지하는 내부프레임(132)에 내부공간을 형성하고, 해당 공간을 통해 공정가스를 챔버(110) 내측까지 유입시킨 후, 챔버(110) 상부에서 하방으로 분사함으로, 기판 전면적에 대한 고른 공정가스 분사를 가능하게 한다. 동시에 내부프레임(132)의 무게를 감소시켜, 리드 프레임(130)이 내부프레임(132)과 윈도우(133)의 하중에 의해 중앙부로 갈수록 쳐지는 현상을 감소시킬 수 있다.The plasma processing apparatus according to the present embodiment forms an inner space in the inner frame 132 supporting the window 133, introduces a process gas into the chamber 110 through the corresponding space, and then places the upper portion of the chamber 110. By spraying downward at, it enables even process gas injection over the entire substrate surface. At the same time, by reducing the weight of the inner frame 132, the phenomenon that the lead frame 130 is struck toward the center portion by the load of the inner frame 132 and the window 133 can be reduced.

또한 플라즈마가 발생하는 영역의 상부에 위치하는 리드 프레임(130)의 저면에서 하방으로 플라즈마 발생영역을 향해 공정가스를 분사함으로 효율적인 플라즈마 발생 및 플라즈마에 의한 기판처리를 가능하게 한다.In addition, by spraying the process gas downward from the bottom of the lead frame 130 located above the region where the plasma is generated, toward the plasma generation region, efficient plasma generation and substrate processing by the plasma are possible.

또한 본 실시예에 따라 외부프레임(31)의 측부를 통해 공정가스를 유입시키는 경우, 챔버(110)의 중앙부까지 공정가스가 원활하게 유입되어 기판(S) 전면에 대한 플라즈마 처리가 균일하게 이루어질 수 있다. 이는 대면적 기판을 처리하는 플라즈마 처리장치에서 요구되는 기판처리의 균일성 확보를 가능하게 할 수 있다.In addition, when the process gas is introduced through the side of the outer frame 31 according to the present embodiment, the process gas is smoothly introduced to the center portion of the chamber 110 can be uniformly plasma treatment on the entire surface of the substrate (S). have. This can ensure the uniformity of substrate processing required in the plasma processing apparatus for processing a large area substrate.

이하에서는 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 처리장치에 대해 설명한다. 설명의 편의를 위하여 제1실시예와 유사한 부분은 동일한 도면번호를 사용하고, 제1실시예와 공통되는 부분은 설명을 생략한다.Hereinafter, a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described. For convenience of description, parts similar to those of the first embodiment use the same reference numerals, and parts common to the first embodiment will be omitted.

도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 도시한 도면이고, 도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 리드 프레임을 도시한 사시도이다.4 is a view showing a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, Figure 5 is a perspective view showing a lead frame of the plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는 공정가스의 공급이 리드 프레임(130)의 측면부에 설치된 가스공급부(160)를 통해 이루어졌으나, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(200)는 공정가스의 공급이 리드 프레임(130)의 상부를 통해 이루어진다.In the plasma processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention, the process gas is supplied through the gas supply unit 160 installed at the side surface of the lead frame 130, but the plasma processing apparatus 200 according to the present embodiment is provided. ) Is the supply of the process gas through the upper portion of the lead frame (130).

도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(200)는 리드 프레임(130)의 상부에서 리드 프레임(130)의 하중을 지지하는 지지프레임(210)을 구비한다.As shown in FIG. 4, the plasma processing apparatus 200 according to the present exemplary embodiment includes a support frame 210 for supporting a load of the lead frame 130 on the lead frame 130.

지지프레임(210)은 외곽프레임(131)에서 리드 프레임(130) 상부로 연장될 수 있다. 또한 내부프레임(132)이 서로 교차하는 지점에서 내부프레임(132)의 상부로 연장되는 지지대(220)를 구비할 수 있다.The support frame 210 may extend from the outer frame 131 to the lead frame 130. In addition, the inner frame 132 may be provided with a support 220 extending to the upper portion of the inner frame 132 at the intersection with each other.

상기 지지대(220)의 일단에는 공정가스가 공급되는 가스공급부(260)가 연결된다. 그리고 지지대(220) 내부에는 가스공급부(260)로부터 유입된 공정가스가 지나는 연결관(221)이 구비될 수 있다. 상기 연결관(221)은 가스공급부(260)와 내부프레임(132) 내부에 구비된 가스유로(171)를 서로 연결한다.One end of the support 220 is connected to the gas supply unit 260 to supply the process gas. In addition, the support 220 may be provided with a connection pipe 221 through which the process gas introduced from the gas supply unit 260 passes. The connection pipe 221 connects the gas supply unit 260 and the gas flow passage 171 provided in the inner frame 132 to each other.

가스공급부(260)와 연결관(221)을 순차적으로 지난 공정가스는 내부프레임(132) 내부에 위치하는 가스유로(171)로 진입하고, 내부프레임(132)의 저면에 위치하는 분사구(172)를 통해 챔버(110) 내부에 분사되게 된다.The process gas passing through the gas supply unit 260 and the connecting pipe 221 sequentially enters the gas flow passage 171 located inside the inner frame 132, and the injection hole 172 located at the bottom of the inner frame 132. It is injected into the chamber 110 through.

본 실시예의 플라즈마 처리장치(200)는 내부프레임(132)이 서로 교차하는 지점에 내부프레임(132) 및 윈도우(133)의 하중을 지지하는 지지대(220)를 설치하고 상기 지지대(220)를 통해 공정가스를 공급함으로서, 균일한 공정가스의 공급을 가능하게 하며, 동시에 윈도우(133)를 지지하는 리드 프레임(130)의 하중을 효과적으로 지지할 수 있어 대면적 기판을 처리할 수 있는 대형 플라즈마 처리장치의 설계를 용이하게 할 수 있다.
Plasma processing apparatus 200 of the present embodiment is installed at the point where the inner frame 132 intersects the support 220 for supporting the load of the inner frame 132 and the window 133 and through the support 220 By supplying the process gas, it is possible to supply uniform process gas, and at the same time, it is possible to effectively support the load of the lead frame 130 supporting the window 133, which can process a large-area substrate Can facilitate the design.

앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
One embodiment of the invention described above and shown in the drawings should not be construed as limiting the technical idea of the present invention. The scope of protection of the present invention is limited only by the matters described in the claims, and those skilled in the art will be able to modify the technical idea of the present invention in various forms. Accordingly, such improvements and modifications will fall within the scope of the present invention as long as they are obvious to those skilled in the art.

100, 200: 플라즈마 처리장치 110: 챔버
120: 서셉터 130: 리드프레임
131: 외곽프레임 132: 내부프레임
133: 윈도우 141: 안테나
151: 중앙사각틀 152: 주변사각틀
160: 가스공급부 170: 가스분사부
171: 가스유로 172: 분사구
173: 가스배관 174: 배출홀
210: 지지프레임 220: 지지대
221: 연결관100, 200: plasma processing apparatus 110: chamber
120: susceptor 130: lead frame
131: outer frame 132: inner frame
133: Windows 141: antenna
151: center square frame 152: peripheral square frame
160: gas supply unit 170: gas injection unit
171: gas passage 172: nozzle
173: gas piping 174: discharge hole
210: support frame 220: support
221 connector

Claims (9)

기판이 안착되는 서셉터를 구비하는 챔버;
상기 서셉터 상부에 위치하며, 외곽틀을 형성하는 외곽프레임과, 복수 개의 사각틀이 형성되도록 상기 외곽프레임 내측에 형성되는 내부프레임을 구비하는 리드 프레임;
상기 리드 프레임에 설치되어, 공정가스를 공급하는 가스공급부; 및
상기 내부프레임에 구비되며, 상기 가스공급부와 연결되어 상기 챔버 내로 상기 공정가스를 분사하는 가스분사부를 포함하며,
상기 가스분사부는 상기 내부프레임 내부에 구비되는 가스유로와, 상기 가스유로와 연통되며 상기 내부프레임의 저면에 구비되는 다수 개의 분사구를 포함하고,
상기 내부프레임 내부에는 상기 가스유로가 형성된 가스배관이 구비되고, 상기 가스배관에는 상기 분사구와 연결되는 다수 개의 배출홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
A chamber having a susceptor on which the substrate is seated;
A lead frame positioned on the susceptor and having an outer frame forming an outer frame, and an inner frame formed inside the outer frame to form a plurality of rectangular frames;
A gas supply unit installed at the lead frame and supplying a process gas; And
It is provided in the inner frame, is connected to the gas supply unit includes a gas injection unit for injecting the process gas into the chamber,
The gas injection unit includes a gas flow passage provided in the inner frame and a plurality of injection holes communicating with the gas flow passage and provided on a bottom surface of the inner frame.
And a gas pipe in which the gas flow path is formed in the inner frame, and the gas pipe includes a plurality of discharge holes connected to the injection hole.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 가스공급부는 상기 외곽프레임의 일측에 구비되며, 상기 가스유로와 연통되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
The method of claim 1,
The gas supply unit is provided on one side of the outer frame, characterized in that in communication with the gas passage.
제3항에 있어서,
상기 가스공급부는 상기 외곽프레임과 상기 내부프레임이 연결되는 부분에 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
The method of claim 3,
The gas supply unit is a plasma processing apparatus, characterized in that installed in the portion where the outer frame and the inner frame is connected.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 가스공급부는 상기 내부프레임의 상측에 구비되며, 상기 가스유로와 연통되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
The method of claim 1,
The gas supply unit is provided on the upper side of the inner frame, the plasma processing apparatus, characterized in that in communication with the gas flow path.
제6항에 있어서,
상기 내부프레임은 복수 개가 교차되도록 형성되며, 상기 가스공급부는 상기 내부프레임이 교차하는 지점에 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
The method according to claim 6,
The inner frame is formed so that a plurality of intersecting, and the gas supply unit is installed at the point where the inner frame intersects.
제7항에 있어서,
상기 내부프레임이 교차하는 지점에는 상기 내부프레임의 하중을 지지하는 지지대가 설치되고, 상기 가스공급부는 상기 지지대 내부를 통해 상기 공정가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The method of claim 7, wherein
A support for supporting the load of the inner frame is installed at the point where the inner frame crosses, the gas supply unit is characterized in that the plasma processing apparatus for supplying the process gas through the inside of the support. 삭제delete
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