KR101209878B1 - Phosphor coating device and Phosphor coating method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 레벨의 형광체 형성에 있어서, 형광체 재료에 대한 핸들링이 용이하고 형광체의 깨짐현상을 방지하며, 비교적 간편한 제조공정으로 인해 대량생산이 가능한 형광체 도포장치 및 도포방법에 관한 것이다.
보다 더 구체적으로 본 발명은, 복수의 반도체 웨이퍼를 일정한 간격으로 이송하는 이송수단; 및 상기 반도체 웨이퍼의 적어도 어느 하나의 면에 형광체를 도포하는 도포수단;을 포함하되, 상기 도포수단은 형광체를 포함하는 감광필름이 롤(Roll) 형태로 형성된 형광체 롤을 구비하는 것을 특징으로 하는 형광체 도포장치를 제공한다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phosphor coating device and a coating method that can be easily handled to a phosphor material, prevent the phenomena of phosphors from being broken, and can be mass-produced due to a relatively simple manufacturing process.
More specifically, the present invention, the transfer means for transferring a plurality of semiconductor wafers at regular intervals; And coating means for coating phosphor on at least one surface of the semiconductor wafer, wherein the coating means includes a phosphor roll on which a photosensitive film including phosphor is formed in a roll shape. Provide a coating device.

Description

형광체 도포장치 및 형광체 도포방법 {Phosphor coating device and Phosphor coating method}Phosphor coating device and Phosphor coating method

본 발명은 웨이퍼 레벨의 형광체 형성에 있어서, 형광체 재료에 대한 핸들링이 용이하고 형광체의 깨짐현상을 방지하며, 비교적 간편한 제조공정으로 인해 대량생산이 가능한 형광체 도포장치 및 도포방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phosphor coating device and a coating method that can be easily handled to a phosphor material, prevent the phenomena of phosphors from being broken, and can be mass-produced due to a relatively simple manufacturing process.

발광다이오드(LED)는 전기적 에너지를 광으로 변환하는 고체 상태 소자이며, 일반적으로 반대로 도핑된 층들 사이에 개재된(sandwiched) 하나 이상의 반도체 재료의 활성층을 포함한다. 이 도핑 층들을 가로질러 바이어스가 인가되는 경우, 정공과 전자가 이 활성층에 주입되고 이 활성 층에서 정공과 전자는 재결합하여 광을 발생시킨다.Light emitting diodes (LEDs) are solid state devices that convert electrical energy into light and generally comprise an active layer of one or more semiconductor materials sandwiched between oppositely doped layers. When a bias is applied across these doped layers, holes and electrons are injected into this active layer where holes and electrons recombine to generate light.

종래의 LED들은 그들의 활성층으로부터 백색광을 발생시킬 수 없다. 청색 발광 LED로부터의 광은, LED를 황색 형광체(phosphor), 폴리머 또는 염료(dye)로 둘러쌈으로써 백색광으로 변환되는데, 통상적인 형광체는 세륨 도핑된 이트륨 알루미늄 석류석(garnet)(Ce:YAG)이다.Conventional LEDs cannot generate white light from their active layer. Light from blue light emitting LEDs is converted to white light by enclosing the LEDs with yellow phosphors, polymers or dyes, a typical phosphor being cerium doped yttrium aluminum garnet (Ce: YAG). .

상기 LED를 둘러싸는 형광체의 재료는 LED의 청색광 일부의 파장을 하향 변환하여, LED 광의 색을 황색으로 변화시킨다. 이 청색광의 일부는 변화되지 않고 형광체를 통과하지만, 광의 상당 부분은 황색으로 하향 변환된다. LED는 청색광과 황색광을 방출하며, 이 광들은 결합하여 백색광을 제공한다. 다른 접근 방식에서는, LED를 다색 형광체나 또는 염료로 둘러쌈으로써 보라색 또는 자외선 방출 LED로부터의 광이 백색광으로 변환된다.The material of the phosphor surrounding the LED downconverts the wavelength of a portion of the blue light of the LED, thereby changing the color of the LED light to yellow. A part of the blue light passes through the phosphor without being changed, but a substantial part of the light is converted down to yellow. The LED emits blue light and yellow light, which combine to provide white light. In another approach, light from a purple or ultraviolet emitting LED is converted to white light by surrounding the LED with a multicolored phosphor or dye.

LED를 형광체 층으로 코팅하기 위한 한 가지 종래의 방법은, 에폭시 수지 또는 실리콘 폴리머와 혼합된 형광체를 LED 위로 주입하기 위해 주사기(syringe) 또는 노즐을 이용한다. 그러나 이 방법을 이용하면, 형광체 층의 기하구조와 두께를 제어하는 것이 어려운 문제점이 발생한다. One conventional method for coating an LED with a phosphor layer uses a syringe or nozzle to inject a phosphor mixed with an epoxy resin or silicone polymer onto the LED. However, using this method, it is difficult to control the geometry and thickness of the phosphor layer.

결과적으로, 상이한 각도에서 LED로부터 방출되는 광은 상이한 양의 변환 재료를 통과할 수 있으며, 이는 시야각의 함수로서 불균일한 색온도를 갖는 LED를 만들 수 있다. 기하구조 및 두께를 제어하기 어렵기 때문에, 동일한 또는 유사한 방출 특성을 갖는 LED들을 일관되게 재생산하는 것 또한 어려울 수 있다.As a result, light emitted from the LED at different angles can pass through different amounts of conversion material, which can result in an LED having a non-uniform color temperature as a function of viewing angle. Since it is difficult to control the geometry and thickness, it may also be difficult to consistently reproduce LEDs having the same or similar emission characteristics.

LED를 코팅하기 위한 다른 종래의 방법은 스텐실 프린팅에 의한 방법을 들 수 있다. 복수의 발광 반도체 소자들이 인접한 LED들 간에 원하는 거리를 두고 기판 상에 배치된다. LED와 정렬된 개구부를 가진 스텐실이 제공되는데, 이 홀들은 LED보다 약간 더 크며 스텐실은 LED보다 두껍다. 스텐실은 기판 상에 배치되며, LED 각각은 스텐실의 각각의 개구부 내에 위치된다. Another conventional method for coating LEDs is by stencil printing. A plurality of light emitting semiconductor elements are disposed on a substrate with a desired distance between adjacent LEDs. A stencil with openings aligned with the LED is provided, which are slightly larger than the LEDs and the stencil is thicker than the LED. The stencil is disposed on the substrate, and each of the LEDs is positioned within a respective opening of the stencil.

그 다음, 스텐실 개구부에는 소정의 조성물이 증착되어 LED를 피복하는데, 통상적인 조성물은 열 또는 광에 의해 경화될 수 있는 실리콘 폴리머의 형광체이다. 이 홀들이 충전된 후에 스텐실은 기판으로부터 제거되고 스텐실 조성물은 고체 상태로 경화된다.Next, a predetermined composition is deposited on the stencil openings to coat the LED, which is a phosphor of a silicone polymer that can be cured by heat or light. After these holes are filled, the stencil is removed from the substrate and the stencil composition cures to a solid state.

상기 주사기 방법과 마찬가지로, 스텐실 방법을 이용하는 것 또한 형광체 함유 중합체의 기하구조와 층 두께를 제어하기 어려울 수 있다. 스텐실 조성물은 스텐실 개구부를 완전히 충전하지 못할 수 있으며, 결과적으로 층은 균일하지 못할 수 있는 문제점이 발생할 수 있다. As with the above-described syringe method, it is also difficult to control the geometry and the layer thickness of the phosphor-containing polymer by using the stencil method. Stencil compositions may not fully fill the stencil openings, resulting in problems that the layers may not be uniform.

형광체 함유 조성물은 스텐실 개구부에 고착될 수도 있으며, 이는 LED 상에 남아 있는 조성물의 양을 감소시킨다. 스텐실 개구부는 또한 LED와 정렬되지 않을 수 있다. 이러한 문제들은 LED가 불균일한 색온도를 갖게 하고 LED를 동일한 또는 유사한 방출 특성을 갖고 일관되게 재생산하는 것을 어렵게 하는 것을 야기할 수 있다. The phosphor containing composition may also be adhered to the stencil opening, which reduces the amount of composition remaining on the LED. The stencil opening may also not be aligned with the LED. These problems can cause the LED to have non-uniform color temperature and make it difficult to reproduce the LED consistently with the same or similar emission characteristics.

이외에도 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 정전기 증착 (ESD, electrostatic deposition) 및 전기영동 증착(EPD,electrophoretic deposition)을 포함하여 다양한 LED 코팅 방법이 개발되어 왔다. In addition, various LED coating methods have been developed, including spin coating, spray coating, electrostatic deposition (ESD) and electrophoretic deposition (EPD).

상기 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅과 같은 공정은 통상적으로 형광체 증착 동안에 바인더 재료를 이용하지만, 다른 공정들은 형광체의 입자/파우더를 안정화시키기 위하여 그 형광체의 입자/파우더의 증착 후에 곧바로 바인더를 추가할 것을 요구한다.Processes such as spin coating or spray coating typically use binder material during phosphor deposition, but other processes require the addition of a binder immediately after deposition of the particles / powders of the phosphor to stabilize the particles / powders of the phosphor. .

이러한 접근 방식들에서, 주요 과제는 코팅 공정 후에 소자 상의 와이어 본드 패드에 접근하는 것이다. 표준 웨이퍼 제조 기술로 와이어 본드 패드에 접근하는 것은, 에폭시 또는 유리와 같은 다른 바인더 재료뿐만 아니라 통상적인 실리콘 바인딩 재료로는 어려운 일이다. 실리콘은 일부 현상제(developer)뿐만 아니라 아세톤, 및 레지스트 스트리퍼와 같은 흔히 사용되는 웨이퍼 제조 재료와 양립하지 못하는 문제점이 있다. In these approaches, the main challenge is to access the wire bond pads on the device after the coating process. Accessing wire bond pads with standard wafer fabrication techniques is difficult with conventional silicon binding materials as well as other binder materials such as epoxy or glass. Silicon has the problem of being incompatible with some developer as well as commonly used wafer fabrication materials such as acetone, and resist stripper.

이는 특정 실리콘 또는 공정 단계에 대한 옵션 및 선택을 제한할 수 있다. 또한 실리콘은 흔히 사용되는 포토레지스트의 유리 전이 온도를 넘는 고온에서 경화된다. 따라서, 형광체를 갖는 경화된 실리콘 막은 에칭하기 어렵고 염소 및 CF4 플라즈마에서는 매우 낮은 에칭 속도를 가지며, 경화된 실리콘의 습식 에칭은 통상적으로 비효율적인 문제점이 있었다. This may limit the options and choices for a particular silicon or process step. Silicones also cure at high temperatures beyond the glass transition temperatures of commonly used photoresists. Thus, cured silicon films with phosphors are difficult to etch and have very low etch rates in chlorine and CF4 plasmas, and wet etching of cured silicon is typically inefficient.

따라서, i) 형광체 재료에 구애받지 않고 웨이퍼상에 용이하게 형광체를 형성할 수 있는 방법과 ii) 형광체가 깨지지 않고 안정성을 확보할 수 있는 방법 및 iii) 비교적 간단한 제조공정으로 대량생산이 가능한 형광체 도포장치 및 도포방법이 요구되고 있다.
Therefore, i) a method for easily forming a phosphor on a wafer regardless of the phosphor material, ii) a method for securing stability without breaking the phosphor, and iii) a phosphor coating capable of mass production in a relatively simple manufacturing process. There is a need for an apparatus and a coating method.

본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로써, 형광체의 재료에 관계없이 반도체 웨이퍼상에 용이하게 형광체를 형성할 수 있는 도포장치 및 도포방법을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object thereof is to provide a coating apparatus and a coating method which can easily form a phosphor on a semiconductor wafer regardless of the material of the phosphor.

또한, 본 발명은 플렉서블한 형광체 재료를 이용하여 형광체를 형성함으로써, 반도체 웨이퍼상에 형성되는 형광체의 깨짐현상을 방지하여 형광체의 안정성을 보장하는 도포장치 및 도포방법을 제공하는데 또 다른 목적이 있다. In addition, another object of the present invention is to provide a coating apparatus and a coating method for forming a phosphor using a flexible phosphor material to prevent cracking of a phosphor formed on a semiconductor wafer to ensure stability of the phosphor.

또한, 본 발명은 간편한 제조공정 및 저렴한 제조비용으로 웨이퍼레벨 형광체의 대량생산을 가능하게 하는데 또 다른 목적이 있다. In addition, the present invention has another object to enable the mass production of wafer-level phosphor with a simple manufacturing process and low manufacturing cost.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The technical objects to be achieved by the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical subjects which are not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description of the present invention .

상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 본 발명의 일측면에 의하면, 형광체를 포함하는 감광필름을 이송하는 이송수단; 상기 형광체를 포함하는 감광필름을 통과시켜 상기 감광필름의 상부 또는 하부에 보호필름을 형성하는 적어도 하나 이상의 보호필름 롤; 및 상기 보호필름이 형성된 감광필름을 롤 형태로 생성하는 제 1롤;을 포함하는 형광체 롤 제조장치를 제공한다. According to an aspect of the present invention to solve the above problems of the prior art, a transport means for transporting a photosensitive film comprising a phosphor; At least one protective film roll passing through the photosensitive film including the phosphor to form a protective film on the upper or lower portion of the photosensitive film; It provides a phosphor roll manufacturing apparatus comprising a; and a first roll for producing the photosensitive film formed with the protective film in the form of a roll.

또한, 본 발명의 타측면에 의하면, 복수의 반도체 웨이퍼를 일정한 간격으로 이송하는 이송수단; 및 상기 반도체 웨이퍼의 적어도 어느 하나의 면에 형광체를 도포하는 도포수단;을 포함하되, 상기 도포수단은 형광체를 포함하는 감광필름이 롤(Roll) 형태로 형성된 형광체 롤을 구비하는 것을 특징으로 하는 형광체 도포장치를 제공한다. In addition, according to another aspect of the invention, the transfer means for transferring a plurality of semiconductor wafers at regular intervals; And coating means for coating phosphor on at least one surface of the semiconductor wafer, wherein the coating means includes a phosphor roll on which a photosensitive film including phosphor is formed in a roll shape. Provide a coating device.

본 발명에서 상기 형광체 롤은, 형광체를 내부에 포함하는 감광필름 및 상기 감광필름의 상부 및 하부에 증착되는 보호필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 도포장치를 포함한다. In the present invention, the phosphor roll includes a phosphor coating device comprising a photosensitive film including a phosphor therein and a protective film deposited on upper and lower portions of the photosensitive film.

본 발명에서 상기 감광필름은, 폴리실록산(Polysiloxane), 폴리이미드(Polyimide), 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane) 또는 아크릴계열 수지 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 형광체 도포장치를 포함한다. In the present invention, the photosensitive film includes a phosphor coating device, characterized in that formed using any one or more materials selected from polysiloxane, polyimide, polydimethylsiloxane, or acrylic resin. do.

본 발명에서 상기 보호필름은, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT) 또는 폴리에스터 계열 수지 중에서 어느 하나 이상의 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 형광체 도포장치를 포함한다. In the present invention, the protective film includes a phosphor coating device, characterized in that formed using any one or more materials from polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT) or polyester-based resin.

본 발명에서 상기 감광필름의 두께는 10um 내지 100um 인 것을 특징으로 하는 형광체 도포장치를 포함한다. The thickness of the photosensitive film in the present invention includes a phosphor coating device, characterized in that 10um to 100um.

본 발명에서 상기 보호필름의 두께는 100um 내지 500um 인 것을 특징으로 하는 형광체 도포장치를 포함한다. The thickness of the protective film in the present invention includes a phosphor coating device, characterized in that 100um to 500um.

본 발명에서 상기 도포수단은, 상기 이송수단의 상부면 또는 하부면에 위치하는 형광체 롤 및 상기 형광체 롤의 반대편에 위치하고, 형광체를 포함하는 감광필름이 반도체 웨이퍼에 증착되도록 압력을 가하는 압착롤을 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 도포장치를 포함한다. In the present invention, the coating means includes a phosphor roll located on the upper surface or the lower surface of the transfer means and a pressing roll positioned on the opposite side of the phosphor roll to pressurize the photosensitive film containing the phosphor to be deposited on the semiconductor wafer. It includes a phosphor coating device characterized in that.

본 발명에서 상기 이송수단은, 이송 컨베이어를 포함하는 컨베이어 벨트인 것을 특징으로 하는 형광체 도포장치를 포함한다. In the present invention, the conveying means comprises a phosphor coating device, characterized in that the conveyor belt including a conveying conveyor.

본 발명은 감광필름의 내부 또는 상부에 형광체를 형성하는 단계; 상기 형광체를 포함하는 감광필름을 이송수단에 의해 보호필름 롤 사이로 통과시켜 상기 감광필름의 상부 및 하부에 보호필름을 형성하는 단계; 및 상기 보호필름이 형성된 감광필름을 제 1롤로 통과시켜 형광체 롤을 형성하는 단계;를 포함하는 형광체 롤 제조방법을 제공한다. The present invention comprises the steps of forming a phosphor in or on the photosensitive film; Forming a protective film on the upper and lower portions of the photosensitive film by passing the photosensitive film including the phosphor through the protective film roll by a transfer unit; And forming a phosphor roll by passing the photosensitive film on which the protective film is formed to a first roll to form a phosphor roll.

본 발명에서 상기 형광체 형성단계는, 제 1감광필름상에 형광체를 도포하는 단계 및 상기 형광체의 상부에 제 2감광필름을 증착하는 단계인 것을 특징으로 하는 형광체 롤 제조방법을 포함한다. In the present invention, the forming of the phosphor includes a method of manufacturing a phosphor roll, which includes applying a phosphor on a first photosensitive film and depositing a second photosensitive film on the phosphor.

본 발명에서 상기 형광체 형성단계 및 보호필름 형성단계는, 보호필름 상에 형광체와 감광성수지를 배합하여 도포하는 단계, 상기 형광체가 배합된 감광성 수지를 경화하는 단계 및 상기 감광성 수지가 형성된 보호필름을 보호필름 롤 사이로 통과시켜 상기 감광성 수지의 상부에 보호필름을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 형광체 롤 제조방법을 포함한다. In the present invention, the phosphor forming step and the protective film forming step, the step of coating and applying the phosphor and the photosensitive resin on the protective film, the step of curing the photosensitive resin in which the phosphor is blended and protect the protective film formed of the photosensitive resin It includes a method for producing a phosphor roll characterized in that the step of passing through the film roll to form a protective film on top of the photosensitive resin.

본 발명은 적어도 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 형광체 롤과 압착 롤을 통과하도록 이송하여 형광체를 포함하는 감광필름 및 보호필름을 도포하는 단계, 상기 반도체 웨이퍼 상에 형성된 보호필름을 제거하는 단계 및 상기 반도체 웨이퍼 상에 형성된 형광체를 포함하는 감광필름의 소정영역을 제거하여 와이어 본딩 패드를 형성하는 단계를 포함하는 형광체 도포방법을 제공한다. The present invention comprises the steps of transferring the at least one semiconductor wafer through the phosphor roll and the compression roll to apply a photosensitive film and a protective film comprising a phosphor, removing the protective film formed on the semiconductor wafer and on the semiconductor wafer It provides a phosphor coating method comprising the step of forming a wire bonding pad by removing a predetermined region of the photosensitive film comprising a phosphor formed on.

본 발명은 상기 보호필름 제거단계 후에, 상기 반도체 웨이퍼 상에 자외선을 조사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 도포방법을 포함한다. The present invention includes a phosphor coating method further comprising the step of irradiating ultraviolet light on the semiconductor wafer after the protective film removing step.

본 발명에서 상기 자외선의 파장대역은 360nm 내지 405nm 인 것을 특징으로 하는 형광체 도포방법을 포함한다. The wavelength band of the ultraviolet ray in the present invention includes a phosphor coating method, characterized in that 360nm to 405nm.

본 발명에서 상기 와이어 본딩 패드 형성단계는, Laser 드릴, CO2 드릴 또는 Yag 드릴 중에서 선택되는 어느 하나의 드릴을 이용하여 와이어 본딩 패드를 형성하는 것을 특징으로 하는 형광체 도포방법을 포함한다.
In the present invention, the wire bonding pad forming step includes a phosphor coating method for forming a wire bonding pad by using any one of a drill selected from a laser drill, a CO2 drill, or a yag drill.

본 발명의 형광체 도포장치 및 도포방법에 의하면, 형광체의 재료의 핸들링이 용이하므로, 형광체의 재료에 관계없이 반도체 웨이퍼상에 용이하게 형광체를 형성할 수 있는 효과가 있다. According to the phosphor coating device and the coating method of the present invention, since the handling of the material of the phosphor is easy, there is an effect that the phosphor can be easily formed on the semiconductor wafer regardless of the material of the phosphor.

또한, 본 발명의 형광체 도포장치 및 도포방법에 의해 플렉서블한 형광체 재료를 이용하여 형광체를 형성함으로써, 반도체 웨이퍼상의 형광체 깨짐현상을 방지하고, 형광체의 안정성을 보장하는 효과가 있다. In addition, by forming the phosphor using the flexible phosphor material by the phosphor coating apparatus and the coating method of the present invention, there is an effect of preventing the phosphor cracking on the semiconductor wafer, and ensure the stability of the phosphor.

또한, 본 발명의 형광체 도포장치 및 도포방법에 의해 간편한 제조공정 및 저렴한 제조비용으로 웨이퍼레벨 형광체의 대량생산을 가능하게 하는 효과가 있다.
In addition, the phosphor coating apparatus and the coating method of the present invention has the effect of enabling the mass production of wafer-level phosphors with a simple manufacturing process and low manufacturing cost.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 형광체를 포함하는 감광필름의 상?하부에 보호필름이 증착된 모습을 도시한 일예시도.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 형광체 롤 제조장치의 일예시도.
도 2b 내지 도 2d는 본 발명의 일실시예에 따른 형광체를 포함하는 감광필름의 상?하부에 보호필름을 증착하는 공정을 나타낸 일예시도.
도 3a는 본 발명의 일실시예에 따른 형광체 도포장치의 일예시도.
도 3b는 본 발명의 일실시예에 따른 형광체 도포장치의 평면도.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 웨이퍼상에 와이어 본딩 패드를 형성하는 모습을 나타낸 일예시도.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 형광체 롤 제조방법의 순서도.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 형광체 도포방법의 순서도.
1 is an exemplary view illustrating a protective film deposited on upper and lower portions of a photosensitive film including a phosphor according to an embodiment of the present invention.
Figure 2a is an example of a phosphor roll manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2b to 2d is an exemplary view showing a process of depositing a protective film on the upper and lower portions of the photosensitive film including the phosphor according to an embodiment of the present invention.
Figure 3a is an exemplary view of a phosphor coating device according to an embodiment of the present invention.
Figure 3b is a plan view of the phosphor coating device according to an embodiment of the present invention.
4A to 4C are exemplary views illustrating the formation of wire bonding pads on a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a flow chart of the phosphor roll manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
6 is a flow chart of a phosphor coating method according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary terms, and the inventor should appropriately interpret the concepts of the terms appropriately It should be interpreted in accordance with the meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention based on the principle that it can be defined. Therefore, the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are merely the most preferred embodiments of the present invention and do not represent all the technical ideas of the present invention. Therefore, It is to be understood that equivalents and modifications are possible.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 형광체를 포함하는 감광필름의 상?하부에 보호필름이 증착된 모습을 도시한 일예시도이다. 1 is an exemplary view illustrating a protective film deposited on upper and lower portions of a photosensitive film including a phosphor according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 웨이퍼 레벨수준의 형광체 도포공정을 수행하기 위한 도포장치 및 도포방법을 제공하는데, 반도체 웨이퍼의 상부면 또는 하부면에, 보호필름(103)이 증착된 감광필름(102)을 압착하게 된다. 상기 형광체(101)를 포함하는 감광필름(102)은 보호필름(103)과 더불어 롤 형태로 제작되어 웨이퍼에 압착되게 된다. The present invention provides a coating apparatus and a coating method for performing a phosphor coating process of the semiconductor wafer level, the upper surface or the lower surface of the semiconductor wafer, to compress the photosensitive film 102, the protective film 103 is deposited; do. The photosensitive film 102 including the phosphor 101 is manufactured in a roll form together with the protective film 103 to be pressed onto the wafer.

도 1을 참조하면, 형광체(101)를 내부에 포함하는 감광필름(102) 및 상기 감광필름의 상부 및 하부에 증착되는 보호필름(103)을 도시하고 있다. Referring to FIG. 1, a photosensitive film 102 including a phosphor 101 and a protective film 103 deposited on upper and lower portions of the photosensitive film are illustrated.

상기 형광체(101)는 YAG:Ce, Y3Al5O12:Ce (YAG)와 같은 (Gd,Y)3(Al,Ga)5O12:Ce계 기반의 형광체 등을 포함하며, 특별히 제한되지 않고 황색, 청색, 녹색 또는 적색 등 가시광 파장대역으로 여기될 수 있는 모든 형광체 재료를 포함하여 형성할 수 있을 것이다. The phosphor 101 includes (Gd, Y) 3 (Al, Ga) 5 O 12: Ce-based phosphors such as YAG: Ce, Y3Al5O12: Ce (YAG), and the like, and is not particularly limited to yellow, blue, and green. Or any phosphor material capable of being excited in the visible light wavelength band, such as red.

상기 감광필름(102)은, 폴리실록산(Polysiloxane), 폴리이미드(Polyimide), 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane) 또는 아크릴계열 수지 중에서 선택되는 어느 하나 의 물질을 이용하여 형성할 수 있다. The photosensitive film 102 may be formed using any one material selected from polysiloxane, polyimide, polydimethylsiloxane, or acrylic resin.

상기 형광체(101)를 포함하는 감광필름(102)은 UV대역(360nm 내지 405nm)에 반응하여 단량체의 분자들이 사슬 연결을 하여 고분자로 경화되며, 감광성 수지로 형성되기 때문에 빛의 투과성은 극대화될 수 있다. The photosensitive film 102 including the phosphor 101 is cured into a polymer by chaining molecules of monomers in response to the UV band (360 nm to 405 nm), and may be maximized since light transmittance may be maximized. have.

본 발명에서 상기 감광필름(102)의 두께는 10um 내지 100um 인 것이 바람직하다. In the present invention, the thickness of the photosensitive film 102 is preferably 10um to 100um.

상기 보호필름(103)은, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT) 또는 폴리에스터 계열 수지 중에서 어느 하나의 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 이러한 재료는 내열성, 내한성 및 내약품성의 특징을 가지고 있으므로, 형광체(101)를 포함하는 감광필름(102)을 열원, 오염원 등으로부터 안전하게 보호하여 LED 웨이퍼를 포함하는 반도체 웨이퍼의 고효율 및 고성능을 보장할 것이다. The protective film 103 may be formed using any one of polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), or a polyester-based resin. Since these materials have characteristics of heat resistance, cold resistance, and chemical resistance, the photosensitive film 102 including the phosphor 101 may be protected from heat sources, pollutants, and the like to ensure high efficiency and high performance of semiconductor wafers including LED wafers. will be.

본 발명에서 상기 보호필름(103)의 두께는 100um 내지 500um 인 것이 바람직하다.
In the present invention, the thickness of the protective film 103 is preferably 100um to 500um.

도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 형광체 롤 제조장치의 일예시도이다. Figure 2a is an example of the phosphor roll manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 웨이퍼레벨의 형광체 형성을 용이하게 하기 위해, 형광체 롤(112)을 이용하여 반도체 웨이퍼에 형광체를 압착하게 된다. 따라서, 형광체 형성공정을 수행하기 위해서는 먼저 형광체 롤(112)의 제조가 필수적이라고 할 수 있다. In the present invention, the phosphor is pressed onto the semiconductor wafer using the phosphor roll 112 to facilitate the formation of the phosphor at the wafer level. Therefore, in order to perform the phosphor forming process, it can be said that manufacturing of the phosphor roll 112 is essential.

도 2a를 참조하면, 형광체를 포함하는 감광필름(110)을 이송하는 이송수단과, 상기 형광체를 포함하는 감광필름(110)을 통과시켜 상기 감광필름의 상부 또는 하부에 보호필름을 형성하는 적어도 하나 이상의 보호필름 롤(108) 및 상기 보호필름이 형성된 감광필름(111)을 롤 형태로 생성하는 제 1롤(109)을 포함하는 형광체 롤 제조장치를 도시하고 있다. Referring to FIG. 2A, at least one transfer means for transferring the photosensitive film 110 including the phosphor and at least one protective film formed on or under the photosensitive film by passing the photosensitive film 110 including the phosphor therethrough. The phosphor roll manufacturing apparatus including the protective film roll 108 and the first roll 109 for producing the photosensitive film 111 having the protective film formed in the form of a roll is illustrated.

형광체를 포함하는 감광필름(110)을 컨베이어 벨트 등의 이송수단을 이용하여 보호필름 롤(108)을 통과시키면, 형광체를 포함하는 감광필름(110)의 상부와 하부에 보호필름이 보호필름 롤(108)의 압력에 의해 증착되게 된다. 상기 보호필름 롤(108)은 적어도 하나 이상 구비되어야 하는데, 감광필름의 상?하부면에 모두 보호필름을 증착하기 위해서는 상부 롤과 하부롤이 모두 보호필름 롤로 형성되어야 할 것이다. When the photosensitive film 110 including the phosphor is passed through the protective film roll 108 using a conveying means such as a conveyor belt, the protective film is formed on the upper and lower portions of the photosensitive film 110 including the phosphor. By the pressure of 108). At least one protective film roll 108 should be provided. In order to deposit the protective film on both the upper and lower surfaces of the photosensitive film, both the upper roll and the lower roll should be formed of a protective film roll.

또한, 발명의 필요에 따라서는 상기 보호필름 롤(108)에 소정의 열을 가해서 보호필름의 증착이 더욱 용이하도록 할 수 있을 것이다. In addition, according to the needs of the invention, a predetermined heat may be applied to the protective film roll 108 to further facilitate the deposition of the protective film.

상기 보호필름 롤(108)을 통과한 감광필름은, 보호필름이 형성된 감광필름(111)이 되며, 이를 제 1롤(109)을 이용하여 롤 형태로 말아서 형광체 롤(112)을 형성하게 된다. 상기 제 1롤(109)의 형태는 특별한 제한없이 보호필름이 형성된 감광필름(111)을 롤 형태로 생성할 수 있는 것이라면 족하다. The photosensitive film that has passed through the protective film roll 108 becomes a photosensitive film 111 having a protective film formed thereon, and is rolled using a first roll 109 to form a phosphor roll 112. The shape of the first roll 109 is sufficient as long as it can produce the photosensitive film 111, the protective film is formed in a roll form without particular limitation.

따라서, 상기 형광체 롤(112)은, 형광체를 내부에 포함하는 감광필름의 상부 및/ 또는 하부에 증착되는 보호필름을 구비하여 형성되게 된다. Therefore, the phosphor roll 112 is formed to include a protective film deposited on the upper and / or lower portion of the photosensitive film containing a phosphor therein.

도 2b 내지 도 2d는 본 발명의 일실시예에 따른 형광체를 포함하는 감광필름의 상?하부에 보호필름을 증착하는 공정을 나타낸 일예시도이다.
2B to 2D are exemplary views illustrating a process of depositing a protective film on upper and lower portions of a photosensitive film including a phosphor according to an embodiment of the present invention.

도 2b를 참조하면, 제 1감광필름(105)상에 형광체(101)를 도포하고, 상기 형광체(101)의 상부에 제 2감광필름(106)을 증착한 후, 제 1감광필름(105)의 하부면과 제 2감광필름(106)의 상부면에 보호필름(103)을 증착하여 형성되는 형광체 롤의 단면을 단계별로 도시하고 있다. Referring to FIG. 2B, the phosphor 101 is coated on the first photosensitive film 105, the second photosensitive film 106 is deposited on the phosphor 101, and the first photosensitive film 105 is then deposited. The cross-section of the phosphor roll formed by depositing the protective film 103 on the lower surface and the upper surface of the second photosensitive film 106 is shown step by step.

물론, 상기 형광체(101)의 상부에 제 2감광필름(106)을 증착한 후, 보호필름(103)은 보호필름 롤을 통과하여 형성될 것이다. 또한, 상기 제 1감광필름(105) 및 제 2감광필름(106)의 두께는 각각 5um 내지 50um 인 것이 바람직하다.
Of course, after depositing the second photosensitive film 106 on the phosphor 101, the protective film 103 will be formed through the protective film roll. In addition, the thickness of the first photosensitive film 105 and the second photosensitive film 106 is preferably 5um to 50um, respectively.

도 2c를 참조하면, 형광체와 감광성 수지의 액상 배합에 의한 형광체 롤을 형성하는 모습을 도시하고 있다. Referring to FIG. 2C, a form of the phosphor roll by the liquid phase mixing of the phosphor and the photosensitive resin is illustrated.

먼저, 보호필름(103) 상에 액상에서 형광체와 열경화 감광성 수지를 배합하여 도포한 후 소정의 열을 이용하여 사전경화하게 된다. 상기의 경화과정이 완료되면, 경화된 감광필름(107)상에 보호필름(103)을 증착하면 형광체 롤이 형성되게 된다. First, a phosphor and a thermosetting photosensitive resin are mixed and applied in a liquid phase on the protective film 103, and then precured using a predetermined heat. When the curing process is completed, the phosphor roll is formed by depositing the protective film 103 on the cured photosensitive film 107.

상이한 형광체와 열경화 감광성 수지의 경화 방법들은 열경화, 자외선(UV) 경화, 적외선(IR) 경화, 공기 경화를 포함하지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.Different methods of curing phosphors and thermoset photosensitive resins include, but are not limited to, thermosetting, ultraviolet (UV) curing, infrared (IR) curing, air curing.

물론, 도 2c의 실시예에서는 보호필름상에 먼저 형광체와 열경화 감광성 수지를 도포하고 경화한 후, 상부에 보호필름 롤이 구비되고 하부에 압착 롤이 구비되는 형광체 롤 제조장치를 통과시켜 감광필름의 상부면에만 보호필름이 증착되는 공정을 수행하여야 할 것이다.
Of course, in the embodiment of Figure 2c is first applied to the protective film and the thermosetting photosensitive resin on the protective film, and then through the phosphor roll manufacturing apparatus is provided with a protective film roll on the top and a compression roll on the lower photosensitive film The protective film is to be deposited only on the upper surface of the.

도 2d를 참조하면, 제 2감광필름 없이 제 1감광필름만을 이용하여 형성된 형광체 롤의 단면을 도시하고 있다. Referring to FIG. 2D, a cross section of the phosphor roll formed using only the first photosensitive film without the second photosensitive film is shown.

즉, 제 1감광필름(105)상에 형광체를 도포하고 경화시킨 후, 보호필름 롤을 통과시켜 상부면과 하부면에 보호필름(103)을 형성하게 된다.
That is, after the phosphor is coated on the first photosensitive film 105 and cured, the protective film 103 is formed on the upper and lower surfaces by passing the protective film roll.

도 3a는 본 발명의 일실시예에 따른 형광체 도포장치의 일예시도이다. 3A is an exemplary view of a phosphor coating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3a를 참조하면, 복수의 반도체 웨이퍼(114)를 일정한 간격으로 이송하는 이송수단, 및 상기 반도체 웨이퍼의 적어도 어느 하나의 면에 형광체를 도포하는 도포수단;을 포함하되, 상기 도포수단은 형광체를 포함하는 감광필름이 롤(Roll) 형태로 형성된 형광체 롤(112)을 구비하는 것을 특징으로 하는 형광체 도포장치를 도시하고 있다. Referring to FIG. 3A, transfer means for transferring the plurality of semiconductor wafers 114 at regular intervals, and coating means for applying a phosphor to at least one surface of the semiconductor wafer; The phosphor coating device includes a phosphor roll 112 including a photosensitive film formed in a roll shape.

상기 이송수단은, 이송 컨베이어(117)를 포함하는 컨베이어 벨트인 것이 바람직하나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. The transfer means is preferably a conveyor belt including a transfer conveyor 117, but is not necessarily limited thereto.

상기 도포수단은, 상기 이송수단의 상부면 또는 하부면에 위치하는 형광체 롤(112) 및 상기 형광체 롤의 반대편에 위치하고, 형광체를 포함하는 감광필름이 반도체 웨이퍼에 증착되도록 압력을 가하는 압착롤(113)을 포함하여 형성하는 것이 바람직하다. The coating means is a phosphor roll 112 which is located on the upper surface or the lower surface of the transfer means and the opposite side of the phosphor roll, the pressing roll 113 for applying pressure to deposit the photosensitive film containing the phosphor on the semiconductor wafer It is preferable to form, including).

도 3a에서 도시한 바와 같이, 컨베이어 벨트 등에 의해 복수의 반도체 웨이퍼(114)가 일정한 간격으로 이송되어 형광체 롤(112) 및 압착롤(113)을 통과하게 되고, 소정의 열과 압력에 의해 반도체 웨이퍼(114)의 적어도 한쪽면에 형광체를 포함하는 감광필름 및 보호필름이 증착되게 된다. As shown in FIG. 3A, a plurality of semiconductor wafers 114 are transferred at regular intervals by a conveyor belt or the like to pass through the phosphor roll 112 and the pressing roll 113, and the semiconductor wafer ( The photosensitive film and the protective film including the phosphor are deposited on at least one side of the 114).

이와 같이 반도체 웨이퍼(114)를 형광체 롤(112)과 압착롤(113) 사이를 통과시키기만 하면 웨이퍼 레벨의 형광체가 형성되므로, 제조공정이 간편하고 대량생산이 가능한 잇점이 있다.
Thus, since the wafer-level phosphor is formed only by passing the semiconductor wafer 114 between the phosphor roll 112 and the pressing roll 113, the manufacturing process is simple and mass production is advantageous.

도 3b는 본 발명의 일실시예에 따른 형광체 도포장치의 평면도이다. 3B is a plan view of a phosphor coating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 웨이퍼 상에 와이어 본딩 패드를 형성하는 모습을 나타낸 일예시도이다. 4A to 4C are exemplary views illustrating the formation of wire bonding pads on a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.

도 4a는 상기 형광체 도포장치를 통과하여 형광체(101)를 포함하는 감광필름(102) 및 보호필름(103)이 반도체 웨이퍼(114)상에 형성된 모습을 도시하고 있다. 여기에서 와이어 본딩 패드(118)를 형성하기 위해서는, 상기 보호필름(103)을 제거해야 한다. FIG. 4A illustrates a photosensitive film 102 including a phosphor 101 and a protective film 103 formed on a semiconductor wafer 114 through the phosphor coating device. In order to form the wire bonding pad 118 here, the protective film 103 should be removed.

도 4b를 참조하면, 상기 보호필름(103)이 제거된 모습을 도시하고 있는데, 보호필름(103)은 Laser 드릴, CO2 드릴 또는 Yag 드릴 중에서 선택되는 어느 하나의 드릴을 이용하여 보호필름(103)의 제거가 가능할 것이다. Referring to FIG. 4B, the protective film 103 is removed. The protective film 103 is a protective film 103 using any one drill selected from a laser drill, a CO2 drill, or a yag drill. Can be removed.

상기와 같이 보호필름(103)이 제거되면, 자외선(파장대역은 360nm 내지 405nm)을 조사하게 되는데, 이로써 형광체를 포함하는 감광필름(102)은 경화되게 된다. When the protective film 103 is removed as described above, the ultraviolet light (wavelength band is 360nm to 405nm) is irradiated, whereby the photosensitive film 102 including the phosphor is cured.

도 4c를 참조하면, 형광체를 포함하는 감광필름(102)의 소정영역이 제거된 모습을 도시하고 있다. 상기 소정영역은 와이어 본딩 패드의 형성을 고려하여 제거해야 하는데, Laser 드릴, CO2 드릴 또는 Yag 드릴 중에서 선택되는 어느 하나의 드릴을 이용하여 제거가 가능할 것이다.
Referring to FIG. 4C, the predetermined region of the photosensitive film 102 including the phosphor is removed. The predetermined area should be removed in consideration of the formation of the wire bonding pad, and may be removed using any one drill selected from a laser drill, a CO 2 drill, or a yag drill.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 형광체 롤 제조방법의 순서도이다. 5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a phosphor roll according to an embodiment of the present invention.

먼저 감광필름의 내부 또는 상부에 형광체를 형성하는 단계를 거치게 된다.(s11)First, the phosphor is formed on or inside the photosensitive film. (S11)

상기 형광체 형성단계는 도 2b 내지 도 2d에 대한 설명에서 자세하게 기술하였다. The phosphor forming step is described in detail in the description of Figures 2b to 2d.

예를 들면, 상기 형광체 형성단계는, 제 1감광필름상에 형광체를 도포하는 단계 및 상기 형광체의 상부에 제 2감광필름을 증착하는 단계인 것을 특징으로 할 수 있다. For example, the forming of the phosphor may include applying a phosphor on the first photosensitive film and depositing a second photosensitive film on the phosphor.

여기서, 제 2감광필름을 증착하지 않고 제 1감광필름상에 형광체를 도포한 후 보호필름을 상하부에 증착시키는 것도 가능할 것이다. Here, it may be possible to deposit the protective film on the upper and lower sides after applying the phosphor on the first photosensitive film without depositing the second photosensitive film.

이후 상기 형광체를 포함하는 감광필름을 이송수단에 의해 보호필름 롤 사이로 통과시켜 상기 감광필름의 상부 및 하부에 보호필름을 형성하는 단계를 거치게 된다.(s12)Thereafter, the photosensitive film including the phosphor is passed between the protective film rolls by a transfer means to form a protective film on the upper and lower portions of the photosensitive film.

상기 보호필름 롤은 적당히 가열하여 보호필름을 증착하는 것도 가능하며, 발명의 필요에 따라 하나의 보호필름 롤과 압착롤을 구비하여 형광체를 포함하는 감광필름의 일면에만 보호필름을 증착하는 것도 가능할 것이다. The protective film roll may be appropriately heated to deposit the protective film, and according to the necessity of the invention, it may be possible to deposit the protective film only on one surface of the photosensitive film including the phosphor by having one protective film roll and a pressing roll. .

이후 상기 보호필름이 형성된 감광필름을 제 1롤로 통과시켜 형광체 롤을 형성하는 단계를 거치게 된다.(s13) 상기 제 1롤은 그 형태에 제한없이 감광필름 등을 롤 형태로 말아서 형성할 수 있는 것이라면 어떠한 것도 가능할 것이다. Thereafter, the protective film is formed by passing the photosensitive film formed on the first roll to form a phosphor roll. (S13) If the first roll can be formed by rolling a photosensitive film or the like in a roll without limiting its shape, Anything would be possible.

본 발명에서 상기 형광체 형성단계(s11) 및 보호필름 형성단계(s12)는, 보호필름 상에 형광체와 감광성수지를 배합하여 도포 하는 단계, 상기 형광체가 배합된 감광성 수지를 경화하는 단계 및 상기 감광성 수지가 형성된 보호필름을 보호필름 롤 사이로 통과시켜 상기 감광성 수지의 상부에 보호필름을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 형광체 롤 제조방법을 포함한다. In the present invention, the forming of the phosphor (s11) and the forming of the protective film (s12) include the steps of applying a phosphor and a photosensitive resin on a protective film, curing the photosensitive resin containing the phosphor, and the photosensitive resin. It includes a method for producing a phosphor roll, characterized in that the pass through the protective film formed between the protective film roll to form a protective film on top of the photosensitive resin.

즉, 상기한 바대로 보호필름 상에 액상배합된 감광성수지와 형광체를 도포한 후, 보호필름 롤과 압착롤 사이를 통과시켜 형광체롤을 형성하는 방법도 채용할 수 있다.
That is, as described above, after applying the photosensitive resin and the phosphor mixed in the liquid phase on the protective film, a method of forming a phosphor roll by passing between the protective film roll and the compression roll can also be employed.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 형광체 도포방법의 순서도이다. 6 is a flow chart of a phosphor coating method according to an embodiment of the present invention.

먼저, 적어도 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 형광체 롤과 압착 롤을 통과하도록 이송하여 형광체를 포함하는 감광필름 및 보호필름을 도포하는 단계를 거친다.(s21) First, at least one semiconductor wafer is transferred through a phosphor roll and a compression roll to apply a photosensitive film and a protective film including the phosphor (s21).

반도체 웨이퍼가 상기 형광체 롤과 압착 롤을 통과하면, 소정의 열과 압력에 의하여 형광체를 포함하는 감광필름 및 보호필름이 반도체 웨이퍼의 일면에 증착되게 된다. When the semiconductor wafer passes through the phosphor roll and the compression roll, the photosensitive film and the protective film including the phosphor are deposited on one surface of the semiconductor wafer by a predetermined heat and pressure.

이후, 상기 반도체 웨이퍼 상에 형성된 보호필름을 제거하는 단계를 거친다.(s22) Thereafter, the protective film formed on the semiconductor wafer is removed.

상기 보호필름은 열원, 오염원으로부터 형광체 등을 보호하는 역할을 하므로, 이를 제거하고 형광체가 포함된 감광필름을 경화하는 단계로 넘어가게 된다. The protective film serves to protect the phosphors from heat sources, pollutants, etc., thus removing them and proceeding to curing the photosensitive film containing the phosphors.

이후, 상기 반도체 웨이퍼 상에 자외선을 조사하는 단계를 거치게 되는데(s23), 상기 자외선의 파장대역은 360nm 내지 405nm 인 것이 바람직하다. 상기의 자외선을 조사하게 되면, 형광체를 포함하는 감광필름은 경화되게 된다. Thereafter, the step of irradiating the ultraviolet light on the semiconductor wafer (s23), the wavelength band of the ultraviolet ray is preferably 360nm to 405nm. When the ultraviolet light is irradiated, the photosensitive film including the phosphor is cured.

상기 자외선 조사단계(s23)후, 상기 반도체 웨이퍼 상에 형성된 형광체를 포함하는 감광필름의 소정영역을 제거하여 와이어 본딩 패드를 형성하는 단계를 거치게 된다.(s24)After the ultraviolet irradiation step (s23), the step of removing the predetermined region of the photosensitive film including the phosphor formed on the semiconductor wafer to form a wire bonding pad (s24).

상기 와이어 본딩 패드 형성단계는, Laser 드릴, CO2 드릴 또는 Yag 드릴 중에서 선택되는 어느 하나의 드릴을 이용하여 와이어 본딩 패드를 형성할 수 있다. 상기 Laser 드릴의 파장대역은 9,000nm 내지 10,000nm 이고, 상기 CO2 드릴의 파장대역은 약 360nm 인 것이 바람직하다. In the wire bonding pad forming step, a wire bonding pad may be formed using any one drill selected from a laser drill, a CO 2 drill, or a yag drill. The wavelength range of the laser drill is 9,000nm to 10,000nm, the wavelength band of the CO2 drill is preferably about 360nm.

이와 같이 와이어 본딩 패드 단계까지 거치게 되면 본 발명에서 제안하는 형광체 도포방법이 완료되게 된다.
In this way, the phosphor coating method proposed in the present invention is completed when the wire bonding pad is passed through the step.

이상 본 발명의 구체적 실시형태와 관련하여 본 발명을 설명하였으나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 설명된 실시형태를 변경 또는 변형할 수 있으며, 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
Although the present invention has been described in connection with the specific embodiments of the present invention, it is to be understood that the present invention is not limited thereto. Those skilled in the art can change or modify the described embodiments without departing from the scope of the present invention, and within the equivalent scope of the technical spirit of the present invention and the claims to be described below. Various modifications and variations are possible.

101: 형광체
102: 감광필름
103: 보호필름
105: 제 1감광필름
106: 제 2감광필름
107: 형광체와 감광수지의 배합용액
108: 보호필름 롤
109: 제 1롤
110: 형광체가 포함된 감광필름
111: 보호필름이 증착된 감광필름
112: 형광체 롤
113: 압착 롤
114: 반도체 웨이퍼
115: 이송벨트
116: 웨이퍼 단위의 형광체 형성영역
117: 이송 컨베이어
118: 와이어 본딩 패드 영역
101: phosphor
102: photosensitive film
103: protective film
105: first photosensitive film
106: second photosensitive film
107: solution of phosphor and photosensitive resin
108: protective film roll
109: first roll
110: photosensitive film containing a phosphor
111: photosensitive film deposited with a protective film
112: phosphor roll
113: crimp roll
114: semiconductor wafer
115: transport belt
116: phosphor forming region in wafer units
117: conveying conveyor
118: wire bonding pad area

Claims (16)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 적어도 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 형광체 롤과 압착 롤을 통과하도록 이송하여 형광체를 포함하는 감광필름 및 보호필름을 도포하는 단계;
상기 반도체 웨이퍼 상에 형성된 보호필름을 제거하는 단계; 및
상기 반도체 웨이퍼 상에 형성된 형광체를 포함하는 감광필름의 소정영역을 제거하여 와이어 본딩 패드를 형성하는 단계;
를 포함하는 형광체 도포방법.
Transferring at least one semiconductor wafer to pass through the phosphor roll and the compression roll to apply a photosensitive film and a protective film including the phosphor;
Removing the protective film formed on the semiconductor wafer; And
Forming a wire bonding pad by removing a predetermined region of the photosensitive film including the phosphor formed on the semiconductor wafer;
Phosphor coating method comprising a.
제 13항에 있어서, 상기 보호필름 제거단계 후에,
상기 반도체 웨이퍼 상에 자외선을 조사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 도포방법.
The method of claim 13, after the protective film removing step,
And applying ultraviolet rays on the semiconductor wafer.
제 14항에 있어서, 상기 자외선의 파장대역은 360nm 내지 405nm 인 것을 특징으로 하는 형광체 도포방법. 15. The method of claim 14, wherein the wavelength range of the ultraviolet ray is 360nm to 405nm. 제 13항에 있어서, 상기 와이어 본딩 패드 형성단계는,
Laser 드릴, CO2 드릴 또는 Yag 드릴 중에서 선택되는 어느 하나의 드릴을 이용하여 와이어 본딩 패드를 형성하는 것을 특징으로 하는 형광체 도포방법.
The method of claim 13, wherein the wire bonding pad forming step,
A method of applying a phosphor, characterized in that for forming a wire bonding pad using any one of the laser drill, CO2 drill or Yag drill.
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JP2003159751A (en) * 2001-11-28 2003-06-03 Hitachi Chem Co Ltd Reflective plate manufacturing method using reflective substrate photosensitive element
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