KR101207567B1 - Quartz heater for fabricating semiconductor - Google Patents

Quartz heater for fabricating semiconductor Download PDF

Info

Publication number
KR101207567B1
KR101207567B1 KR1020120012995A KR20120012995A KR101207567B1 KR 101207567 B1 KR101207567 B1 KR 101207567B1 KR 1020120012995 A KR1020120012995 A KR 1020120012995A KR 20120012995 A KR20120012995 A KR 20120012995A KR 101207567 B1 KR101207567 B1 KR 101207567B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insertion groove
base plate
quartz
heating element
quartz heater
Prior art date
Application number
KR1020120012995A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
임익철
최흥섭
고충의
Original Assignee
(주)티티에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)티티에스 filed Critical (주)티티에스
Priority to KR1020120012995A priority Critical patent/KR101207567B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101207567B1 publication Critical patent/KR101207567B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate

Abstract

PURPOSE: A quartz heater for manufacturing a semiconductor is provided to rapidly replace a tool when an insertion hole is processed by forming a tool replacing groove in order to pull out or replace the tool for processing the insertion hole from the middle point of the insertion hole. CONSTITUTION: A base plate(10) is made of a quartz plate. The base plate includes an insertion hole(12) on one side thereof. A heating element(30) is installed inside the insertion hole which is formed on the base plate. A cover plate includes the same quartz plate as the base plate. The cover plate is bonded to the base plate while forming a vacuum in the insertion hole.

Description

반도체 제조용 석영히터{QUARTZ HEATER FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR}QUARTZ HEATER FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR

본 발명은 반도체 제조용 석영히터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 발열체를 삽입 홈에 쉽게 삽입하여 고정할 수 있고 높은 열효율을 발휘할 수 있는 반도체 제조용 석영히터에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a quartz heater for semiconductor manufacturing, and more particularly, to a quartz heater for semiconductor manufacturing which can easily insert and fix a heating element into an insertion groove and exhibit high thermal efficiency.

반도체 제조공정 중 웨이퍼 표면에 미세한 패턴 및 성막을 형성하는 공정이 수반되며, 이때 웨이퍼에 물질을 증착시키기 위하여 웨이퍼의 하부에는 웨이퍼를 일정 온도로 가열하기 위한 가열장치가 설치된다.In the semiconductor manufacturing process, a process of forming a fine pattern and a film formation on a wafer surface is involved. In this case, a heating apparatus is installed at a lower portion of the wafer to heat the wafer to a predetermined temperature in order to deposit material on the wafer.

이 가열장치는 고순도의 석영을 한 쌍의 원판(圓板)형태로 가공하고, 그 내부에 발열체를 내장한 이른바 석영히터가 많이 사용되고 있다.This heating apparatus processes a high-purity quartz into a pair of disk form, and the so-called quartz heater which has a heat generating body inside is used a lot.

석영히터는 내열성이 우수하여 열효율이 좋으며 급열과 급랭이 쉬워 반도체 제조공정 및 전기, 전자제품 제조 등을 포함하는 산업 전반에 광범위하게 사용된다.Quartz heater has excellent heat resistance, good thermal efficiency, and is easy to quench and quench, so it is widely used in all industries including semiconductor manufacturing process and electric and electronic product manufacturing.

이와 같은 반도체 제조용 석영히터는 석영원판으로 이루어진 베이스 플레이트 및 이와 대응되는 커버 플레이트의 마주보는 면 또는 일측면에 홈을 형성하고, 이 홈에 발열체를 설치한 상태로 베이스 플레이트와 커버 플레이트 사이는 진공상태로 그 외측면을 용접 또는 용융 등으로 접합하여 제조한다.Such a quartz heater for semiconductor manufacturing has a groove formed on the opposite side or one side of a base plate made of a quartz disc and a corresponding cover plate, and a vacuum is formed between the base plate and the cover plate with a heating element installed therein. The outer surface of the furnace is manufactured by welding or melting or the like.

이러한 석영히터는 발열체의 양쪽 끝단부는 베이스 플레이트 또는 커버 플레이트 외측으로 노출되어 전원을 인가할 수 있도록 단자로 이루어진 전원 인가부로 형성되고, 전원 인가부에 전원을 인가하면 발열체에서 열에너지가 발생되고, 이 열에너지는 커버 플레이트를 통하여 전달된 후, 커버 플레이트의 복사열에 의하여 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하게 된다.The quartz heater is formed of a power applying unit consisting of terminals so that both ends of the heating element are exposed to the outside of the base plate or the cover plate to apply power. When the power is applied to the power applying unit, heat energy is generated from the heating element. After being transferred through the cover plate, the wafer is heated to a predetermined temperature by radiant heat of the cover plate.

이러한 반도체 제조용 석영히터의 선행기술로서 특허등록 10-1029094호가 알려져 있다.Patent No. 10-1029094 is known as a prior art of such a quartz heater for semiconductor manufacturing.

상기 선행기술은 베이스 플레이트에 열선 삽입 홈 및 용접 홈을 형성하고 열선삽입 홈에 열선을 삽입한 후, 열선삽입 홈 내부를 진공으로 형성한 상태에서 베이스 플레이트(하판)와 커버 플레이트(상판)가 접하는 부분을 석영용접으로 서로 접합하면 커버 플레이트에서 용융되는 석영이 하판의 용접 홈 내로 스며들어 커버 플레이트와 베이스 플레이트의 접합 내구력을 향상시킬 수 있는 구조를 제시하고 있다.The prior art forms a hot wire inserting groove and a welding groove in the base plate, inserts a hot wire into the hot wire inserting groove, and then contacts the base plate (lower plate) and the cover plate (top plate) in a state in which the inside of the hot wire inserting groove is formed in a vacuum. When the parts are joined to each other by quartz welding, the molten quartz from the cover plate is introduced into the welding groove of the lower plate, thereby providing a structure that can improve the bonding durability of the cover plate and the base plate.

그러나 이와 같은 선행기술은 열선 삽입 홈의 단면이 사각형 형상으로 이루어져 여기에 열선을 삽입할 때 열선의 자체탄성에 의하여 열선이 열선 삽입 홈 외부로 솟아올라 돌출되므로 베이스 플레이트와 커버 플레이트를 접합하는데 많은 어려움이 있다.However, this prior art has a cross-section of the hot wire insertion groove has a rectangular shape, when the hot wire is inserted therein, the hot wire is raised to the outside of the hot wire insertion groove by the elasticity of the hot wire, so it is difficult to join the base plate and the cover plate There is this.

또한 그러한 이유로 석영히터를 제조할 때 열선표면이 손상되거나 오염되어 석영히터의 불량으로 이어질 수 있고, 이에 따라 생산성이 저하되는 등의 단점도 있다.For that reason, when the quartz heater is manufactured, the hot wire surface may be damaged or contaminated, which may lead to the failure of the quartz heater, thereby lowering productivity.

특히 선행기술의 열선 삽입 홈은 그 단면이 사각형으로 이루어져 열선 삽입 홈에 진공을 형성하면서 베이스 플레이트와 커버 플레이트를 접합할 때 열선 삽입 홈의 각진 코너부분에 응력이 집중되어 크랙이 발생할 수 있다.In particular, the hot wire insertion groove of the prior art has a rectangular cross-section to form a vacuum in the hot wire insertion groove while bonding the base plate and the cover plate when the stress is concentrated in the angular corner of the hot wire insertion groove may be cracked.

본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은 삽입 홈에 끼워진 발열체가 외부로 쉽게 돌출될 수 없도록 하여 제조를 쉽고 간단하게 할 수 있으면서, 삽입 홈의 바닥면에 요철을 형성하여 높은 열효율을 발휘할 수 있는 반도체 제조용 석영히터를 제공하는데 있다.The present invention has been proposed in order to solve the conventional problems as described above, the object of the present invention is that the heating element fitted into the insertion groove can not easily protrude to the outside, while making the production easy and simple, the bottom of the insertion groove The present invention provides a quartz heater for semiconductor manufacturing that can form unevenness on a surface to exhibit high thermal efficiency.

본 발명이 제안하는 반도체 제조용 석영히터는 석영원판(圓板)으로 이루어지면서 일측면에 삽입 홈이 형성된 베이스 플레이트; 상기 베이스 플레이트에 형성된 삽입 홈 내부에 설치되는 발열체; 상기 베이스 플레이트와 동일한 석영원판으로 이루어지면서 상기 삽입 홈에 진공을 형성하면서 베이스 플레이트와 접합되는 커버 플레이트를 포함하고,The present invention proposes a quartz heater for semiconductor manufacturing comprising: a base plate formed of a quartz disc and having an insertion groove formed on one side thereof; A heating element installed inside the insertion groove formed in the base plate; A cover plate made of the same quartz disc as the base plate and joined to the base plate while forming a vacuum in the insertion groove;

상기 삽입 홈은 하부 쪽으로 가면서 점차적으로 넓어지는 형상으로 이루어진 반도체 제조용 석영히터를 제공한다.The insertion groove provides a quartz heater for semiconductor manufacturing, which is configured to gradually widen toward the lower side.

상기 삽입 홈은 양측이 서로 대응되는 상향경사면으로 형성된 측면부와, 이들 측면부들을 연결하는 바닥면으로 이루어지고, 상기 삽입 홈의 바닥면은 요철 면으로 형성된다.The insertion groove is formed of a side portion formed with an upwardly inclined surface corresponding to both sides and a bottom surface connecting the side portions, and the bottom surface of the insertion groove is formed as an uneven surface.

상기 측면부의 시작단과 측면부와 바닥면이 연결되는 부분은 곡면으로 이루어지고, 상기 삽입 홈의 바닥면 하부는 불투명하게 형성된다.The start end of the side portion and the portion where the side portion is connected to the bottom surface is made of a curved surface, the bottom surface of the insertion groove is formed opaque.

상기 삽입 홈에는 이 삽입 홈을 가공하기 위한 도구를 빼내거나 교체할 수 있도록 도구 교체 홈이 형성된다.The insertion groove is formed in the insertion groove so that the tool for processing the insertion groove can be removed or replaced.

본 발명에 의한 반도체 제조용 석영히터는 삽입 홈이 상부는 좁고 하부 쪽으로 가면서 점차적으로 넓어지는 형상으로 이루어져 삽입 홈에 발열체를 삽입할 때 발열체의 자체탄성에 의하여 발열체가 삽입 홈 외부로 돌출되는 것을 억제하므로 석영히터를 용이하게 제조할 수 있고, 불량률을 줄일 수 있다.The quartz heater for semiconductor manufacturing according to the present invention has a shape in which the insertion groove is gradually widened while the upper portion thereof is narrow and goes toward the lower portion, thereby preventing the heating element from protruding outside the insertion groove by the self-elasticity of the heating element when the heating element is inserted into the insertion groove. The quartz heater can be easily manufactured and the defective rate can be reduced.

또한 삽입 홈의 바닥면이 요철 면으로 이루어지면서 불투명하게 형성되어 발열체의 복사열이 하부 쪽으로 전달되는 것을 최소화할 수 있으므로 열효율 및 열전달 반응성을 높일 수 있다.In addition, the bottom surface of the insertion groove is made of an uneven surface and is opaque, so that radiant heat of the heating element can be minimized to the lower side, thereby improving thermal efficiency and heat transfer responsiveness.

또한 삽입 홈을 가공하기 위한 도구를 삽입 홈의 중간 지점에서 빼내거나 교체할 수 있도록 도구 교체 홈이 형성되어 삽입 홈을 가공할 때 도구의 교체를 빠르게 할 수 있다.In addition, a tool replacement groove is formed to remove or replace the tool for machining the insertion groove at the midpoint of the insertion groove, so that the tool can be replaced quickly when machining the insertion groove.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조용 석영히터의 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조용 석영히터를 구성하는 베이스 플레이트의 평면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조용 석영히터의 사용상태 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조용 석영히터에서 발열체가 삽입되는 삽입 홈의 확대 단면도이다.1 is a perspective view of a quartz heater for manufacturing a semiconductor according to the present invention.
2 is a plan view of a base plate constituting a quartz heater for semiconductor manufacturing according to the present invention.
3 is a cross-sectional view of a quartz heater for manufacturing a semiconductor according to the present invention.
4 is an enlarged cross-sectional view of an insertion groove into which a heating element is inserted in a quartz heater for semiconductor manufacturing according to the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조용 석영히터의 사시도 및 베이스 플레이트의 평면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조용 석영히터의 사용상태 단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조용 석영히터에서 발열체가 삽입되는 삽입 홈의 확대 단면도를 나타낸다.1 and 2 are a perspective view of a quartz heater for semiconductor manufacturing and a base plate according to the present invention, Figure 3 is a cross-sectional view of the quartz heater for semiconductor manufacturing according to the present invention, Figure 4 is a quartz for semiconductor manufacturing according to the present invention An enlarged cross-sectional view of the insertion groove into which the heating element is inserted in the heater is shown.

도시된 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 제조용 석영히터는 석영(Quartz)으로 이루어지면서 원판(圓板) 형상을 갖는 베이스 플레이트(10) 및 커버 플레이트(20)와, 이들 베이스 플레이트(10)와 커버 플레이트(20) 사이에 설치되는 발열체(30)를 포함한다.As shown, the quartz heater for semiconductor manufacturing according to the present invention includes a base plate 10 and a cover plate 20 made of quartz and have a disc shape, and the base plate 10 and the cover plate. It includes a heating element (30) provided between the (20).

상기 베이스 플레이트(10) 및 커버 플레이트(20)는 고순도의 석영을 이용하여 제작되며, 그 형상 및 크기는 웨이퍼의 전체 면을 고르게 가열할 수 있도록 웨이퍼의 형상 및 크기와 다양한 크기로 이루어진다.The base plate 10 and the cover plate 20 are made of high purity quartz, and the shape and size of the base plate 10 and the cover plate 20 are made of various shapes and sizes of the wafer so as to evenly heat the entire surface of the wafer.

베이스 플레이트(10)는 소정의 두께로 이루어지면서 일측면으로는 발열체(30)가 삽입될 수 있도록 음각으로 이루어진 삽입 홈(12)이 형성되어 발열체(30)가 베이스 플레이트(10)와 커버 플레이트(20) 사이에 위치할 수 있도록 되어있다.The base plate 10 has a predetermined thickness and is formed with an insertion groove 12 formed in an intaglio form so that the heating element 30 can be inserted into one side thereof so that the heating element 30 is formed of the base plate 10 and the cover plate ( 20) can be located between.

베이스 플레이트(10)에 형성된 삽입 홈(12)은 베이스 플레이트(10)의 한 지점에서 시작되어 소정의 곡률반경으로 베이스 플레이트(10)의 전체 면을 따라서 지그재그 형태로 연속된 후 시작단과 인접하여 끝단부가 형성된다.The insertion groove 12 formed in the base plate 10 starts at one point of the base plate 10 and continues in a zigzag form along the entire surface of the base plate 10 with a predetermined radius of curvature and then ends adjacent to the start end. The addition is formed.

이러한 베이스 플레이트(10)의 삽입 홈(12)에는 발열체(30)가 설치되며 이 발열체(30)의 끝단부는 전원을 인가할 수 있도록 베이스 플레이트(10) 외측으로 노출되는 전원인가부로 형성된다.A heating element 30 is installed in the insertion groove 12 of the base plate 10, and an end of the heating element 30 is formed as a power applying unit exposed to the outside of the base plate 10 so that power can be applied.

상기 발열체(30)는 순간고열을 발산시키기 위하여 그라파이트 또는 탄소섬유 계통의 소재를 이용하여 제조할 수 있다.The heating element 30 may be manufactured using a graphite or carbon fiber-based material in order to radiate instantaneous high heat.

이러한 발열체(30)는 삽입 홈(12)에 삽입하고 베이스 플레이트(10)의 상부에 커버 플레이트(20)를 덮은 상태에서 베이스 플레이트(10)와 커버 플레이트(20)의 외측면을 융착 또는 접합하게 되는데, 이때 발열체(30)는 자체 탄성을 갖고 있으므로 삽입 홈(12) 외부로 솟아오르거나 돌출될 수 있다.The heating element 30 is inserted into the insertion groove 12 and the outer surface of the base plate 10 and the cover plate 20 to be fused or bonded while covering the cover plate 20 on the base plate 10. In this case, since the heating element 30 has its own elasticity, the heating element 30 may rise or protrude out of the insertion groove 12.

이를 방지하기 위한 방안으로 상기 삽입 홈(12)은 하부 쪽으로 가면서 점차적으로 크기가 커져 확장되는 형상으로 이루어진다.In order to prevent this, the insertion groove 12 has a shape that gradually increases in size and expands toward the lower side.

즉, 삽입 홈(12)은 그 단면이 이등변 삼각형의 형상으로 이루어져 커버 플레이트(20)의 표면으로부터 하부 쪽으로 가면서 점차적으로 넓어지는 형태이다.That is, the insertion groove 12 has a shape of an isosceles triangle and gradually widens from the surface of the cover plate 20 toward the bottom thereof.

실질적으로 삽입 홈(12)은 양측이 서로 대응되는 상향경사면으로 이루어진 측면부(12a)와, 이들 측면부(12a)들을 수평방향으로 연결하는 바닥면(12b)으로 이루어진다.Substantially, the insertion groove 12 includes a side portion 12a formed of an upwardly inclined surface corresponding to both sides, and a bottom surface 12b connecting the side portions 12a in a horizontal direction.

그리고 측면부(12a)가 시작되는 시작단(14)과 측면부(12a)와 바닥면(12b)이 연결되는 연결부(16)는 곡면으로 이루어진다.In addition, the connecting portion 16 to which the start end 14 and the side portion 12a and the bottom surface 12b at which the side portion 12a starts is made of a curved surface.

이와 같은 구조의 삽입 홈(12)으로 인하여 발열체(30)를 삽입 홈(12)에 삽입할 경우 상향경사면으로 이루어진 측면부(12a)가 발열체(30)의 자체 탄성에 의하여 삽입 홈(12) 외측으로 돌출되는 것을 억제하여 삽입 홈(12) 외부로 쉽게 돌출되지 않도록 하여준다.When the heating element 30 is inserted into the insertion groove 12 due to the insertion groove 12 having such a structure, the side portion 12a formed of the upward inclined surface is moved toward the outside of the insertion groove 12 by the elasticity of the heating element 30 itself. By suppressing the protruding to prevent protruding easily out of the insertion groove (12).

이에 따라 석영히터의 제조를 용이하게 하여 생산성을 향상시킬 수 있으면서 불량률을 줄일 수 있다.Accordingly, it is possible to easily manufacture the quartz heater to improve productivity while reducing the defective rate.

또 삽입 홈(12)의 시작단(14)과 연결부(16)가 곡면으로 이루어지면 진공을 형성하면서 베이스 플레이트(10)와 커버 플레이트(20)를 접합할 때 삽입 홈(12)의 어느 한 지점으로 응력이 집중되지 않으므로 종래와 같이 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, when the start end 14 and the connecting portion 16 of the insertion groove 12 are curved, any point of the insertion groove 12 when joining the base plate 10 and the cover plate 20 while forming a vacuum Since stress is not concentrated, cracks can be prevented from occurring as in the prior art.

또한 상기 베이스 플레이트(10) 전체 또는 삽입 홈(12)의 바닥면 하부 쪽은 샌딩작업 등을 통하여 불투명하게 할 수 있는데, 그러면 발열체(30)에서 발생된 열에너지가 하부 쪽으로 방출되는 것을 최소화 하여 상부 쪽의 커버 플레이트(20) 쪽으로 더 방출되므로 열효율을 좋게 할 수 있다.In addition, the entire bottom of the base plate 10 or the bottom surface of the insertion groove 12 may be opaque through sanding, etc. Then, the upper side by minimizing the heat energy generated from the heating element 30 to the lower side Since the cover plate 20 is further emitted toward the thermal efficiency can be improved.

특히 본 발명에 제공된 석영히터의 삽입 홈(12)은 바닥면(12b)이 요철(凹凸)면으로 이루어진다. 이러한 구조로 인하여 발열체(30)의 발열 시 난반사에 의한 복사열을 극대화 할 수 있으므로 더욱 높은 열효율을 기대할 수 있다.In particular, the insertion groove 12 of the quartz heater provided in the present invention has a bottom surface 12b having an uneven surface. Due to this structure, it is possible to maximize the radiant heat due to diffuse reflection when the heat generating element 30 generates a higher thermal efficiency can be expected.

그리고 상기 삽입 홈(12)을 가공하기 위한 도구를 삽입 홈의 임의의 지점에서 빼내거나 교체할 수 있도록 삽입 홈(12)을 따라서 다수의 도구 교체 홈(18)이 형성되어 삽입 홈을 가공할 때 도구의 교체를 빠르게 할 수 있다.When a plurality of tool replacement grooves 18 are formed along the insertion groove 12 so as to remove or replace the tool for machining the insertion groove 12 at any point of the insertion groove, The tool can be replaced quickly.

즉, 삽입 홈(12)은 삽입 홈과 동일한 단면모양을 갖는 가공부를 갖는 툴을 이용하여 시작 단에서부터 끝단부까지 연속적으로 연결된 상태로 가공하게 되는데, 이렇게 삽입 홈(12)을 형성할 때 가공부의 고장이나 마모 등으로 인하여 가공부를 교체 하려면 도구 교체 홈(18)을 통하여 가공부를 삽입 홈(12)에서 쉽게 빼낼 수 있다.That is, the insertion groove 12 is processed in a continuous connection state from the start end to the end by using a tool having a machining portion having the same cross-sectional shape as the insertion groove, when forming the insertion groove 12 in this way In order to replace the processing unit due to failure or wear, the processing unit may be easily removed from the insertion groove 12 through the tool replacement groove 18.

예를 들어 이러한 도구 교체 홈(18)이 없을 경우 삽입 홈을 가공할 때 가공부의 고장이나 마모 등으로 인하여 가공부를 교체하려면 툴을 초기위치인 시작 단으로 후퇴시킨 후 가공부를 교체하고, 툴을 다시 시작 단으로부터 가공위치까지 전진시켜 삽입 홈을 가공해야 함으로 제조에 소요되는 시간이 그만큼 많이 소요될 수 있는데, 상기와 같은 도구 교체 홈(18)으로 인하여 삽입 홈 가공에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.For example, if there is no such tool change groove 18, to replace the machined part due to the failure or wear of the machined part when machining the insertion groove, the tool must be retracted to the initial position, the machined part is replaced, and the tool is replaced again. Since the insertion groove has to be processed by moving from the end to the machining position, the time required for manufacturing may be increased. However, the tool replacement groove 18 may reduce the time required for the insertion groove.

이러한 도구 교체 홈(18)은 삽입 홈(12)을 가공하기 이전에 베이스 플레이트(10)에 먼저 성형하여 마련할 수 있다.The tool replacement groove 18 may be formed by first forming the base plate 10 before processing the insertion groove 12.

상기와 같은 본 발명에 따른 반도체 제조용 석영히터를 제조하기 위하여 먼저, 베이스 플레이트(10)에 형성된 삽입 홈(12)에 발열체(30)를 삽입한다.In order to manufacture the quartz heater for semiconductor manufacturing according to the present invention as described above, first, the heating element 30 is inserted into the insertion groove 12 formed in the base plate 10.

그리고 발열체(30)의 양단부에 형성된 전원인가부는 베이스 플레이트(10)에 형성된 홀을 통하여 외부로 노출시키고 홀은 밀봉 재료를 이용하여 밀봉한다.The power supply unit formed at both ends of the heating element 30 is exposed to the outside through holes formed in the base plate 10, and the holes are sealed using a sealing material.

이러한 상태에서 베이스 플레이트(10)와 커버 플레이트(20) 사이의 홈(12)이 진공상태로 유지되도록 하면서 베이스 플레이트(10)와 커버 플레이트(20)가 접하는 부분 외측면을 접합하면 석영히터의 제조가 완료된다.In this state, while the groove 12 between the base plate 10 and the cover plate 20 is maintained in a vacuum state, when the outer surface of the portion where the base plate 10 and the cover plate 20 are joined to each other, the quartz heater is manufactured. Is completed.

이때 베이스 플레이트(10)와 커버 플레이트(20)의 접합은 글라스 파우더(Glass Power) 또는 세라믹 파우더 등을 이용하여 고온에서 용융 접합할 수 있다.In this case, the base plate 10 and the cover plate 20 may be fused at high temperature by using glass powder or ceramic powder.

이렇게 제조된 본 발명의 반도체 제조용 석영히터는 발열체(30)에 전원을 공급하기 위하여 전극이 설치된 버티컬 석영튜브(100)를 연결튜브(200)에 석영용접 등으로 서로 결합하고 진공상태에서 연결튜브(100)를 베이스 플레이트(10)에 접합하여 고정한다.The quartz heater for manufacturing a semiconductor of the present invention manufactured as described above is coupled to each other by a vertical welding the vertical quartz tube 100, the electrode is installed in the connecting tube 200, to supply power to the heating element 30, such as quartz welding and the connecting tube ( 100) is bonded to the base plate 10 and fixed.

그리고 이러한 석영히터를 반도체 등을 제조하기 위한 웨이퍼의 하부에 설치하고 발열체(30)에 전원을 인가하면 발열체(30)가 가열되면서 열이 발생하고, 그 열을 커버 플레이트(20) 및 베이스 플레이트(10)로 전달되어 복사열을 발생시켜 웨이퍼를 소정의 온도로 가열한다.When the quartz heater is installed under the wafer for manufacturing a semiconductor and the power is applied to the heating element 30, heat is generated while the heating element 30 is heated, and the heat is generated by the cover plate 20 and the base plate ( 10) to generate radiant heat to heat the wafer to a predetermined temperature.

이때 삽입 홈(12)의 하부 쪽은 불투명하게 이루어지면서 삽입 홈(12)의 바닥면(12b)은 요철(凹凸)면으로 형성되어 있으므로 발열체(30)의 열에너지가 베이스 플레이트(10)쪽으로 방출되는 것을 최소화 하면서 난반사에 의한 복사열을 커버 플레이트(20)쪽으로 발산시켜 웨이퍼에 높은 열효율을 제공한다.At this time, since the lower side of the insertion groove 12 is made opaque, the bottom surface 12b of the insertion groove 12 is formed as a concave-convex surface, so that thermal energy of the heating element 30 is released toward the base plate 10. Radiating heat due to the diffuse reflection to the cover plate 20 while minimizing this to provide a high thermal efficiency to the wafer.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예가 예시를 목적으로 설명되어 있으나 이에 제한되지는 않으며, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 내에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것도 가능하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described for the purpose of illustration, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings.

10: 베이스 플레이트 12: 삽입 홈
12a: 측면부 12b: 바닥면
14: 시작단 16: 연결부
18: 도구 교체 홈 20: 커버 플레이트
30: 발열체10: base plate 12: insertion groove
12a: side portion 12b: bottom surface
14: Start 16: Connection
18: Tool replacement groove 20: Cover plate
30: heating element

Claims (6)

삭제delete 석영원판(圓板)으로 이루어지면서 일측면에 삽입 홈이 형성된 베이스 플레이트;
상기 베이스 플레이트에 형성된 삽입 홈 내부에 설치되는 발열체;
상기 베이스 플레이트와 동일한 석영원판으로 이루어지면서 상기 삽입 홈에 진공을 형성하면서 베이스 플레이트와 접합되는 커버 플레이트;
를 포함하고,
상기 삽입 홈은 하부 쪽으로 가면서 점차적으로 넓어지는 경사면으로 이루어진 측면부와, 이들 측면부들을 수평으로 연결하는 바닥면으로 이루어지고, 상기 바닥면은 요철 면으로 형성된 반도체 제조용 석영히터.A base plate made of a quartz disc and having an insertion groove formed on one side thereof;
A heating element installed inside the insertion groove formed in the base plate;
A cover plate made of the same quartz disc as the base plate and joined to the base plate while forming a vacuum in the insertion groove;
Including,
The insertion groove is a quartz heater for semiconductor manufacturing, comprising a side portion consisting of an inclined surface gradually widening toward the lower side, and a bottom surface connecting the side portions horizontally, the bottom surface is formed with an uneven surface. 삭제delete 청구항 2에 있어서,
상기 측면부의 시작단과 측면부와 바닥면이 연결되는 부분은 곡면으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 석영히터.The method according to claim 2,
A quartz heater for semiconductor manufacturing, characterized in that the start portion of the side portion and the portion where the side portion and the bottom surface are connected are made of curved surfaces. 청구항 2에 있어서,
상기 삽입 홈의 바닥면은 불투명하게 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 석영히터.The method according to claim 2,
Quartz heater for semiconductor manufacturing, characterized in that the bottom surface of the insertion groove is made opaque. 청구항 2에 있어서,
상기 삽입 홈에는 이 삽입 홈을 가공하기 위한 도구를 빼내거나 교체할 수 있도록 도구 교체 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 석영히터.The method according to claim 2,
The insertion groove is a quartz heater for semiconductor manufacturing, characterized in that the tool replacement groove is formed to remove or replace the tool for processing the insertion groove.
KR1020120012995A 2012-02-08 2012-02-08 Quartz heater for fabricating semiconductor KR101207567B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120012995A KR101207567B1 (en) 2012-02-08 2012-02-08 Quartz heater for fabricating semiconductor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120012995A KR101207567B1 (en) 2012-02-08 2012-02-08 Quartz heater for fabricating semiconductor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101207567B1 true KR101207567B1 (en) 2012-12-03

Family

ID=47906758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120012995A KR101207567B1 (en) 2012-02-08 2012-02-08 Quartz heater for fabricating semiconductor

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101207567B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230108815A (en) 2022-01-12 2023-07-19 (주)티티에스 Quartz heater

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101029094B1 (en) * 2010-11-02 2011-04-13 (주)비앤비텍 Heating plate combining method for quartz heater of semiconductor processing equipment, and fabrication method of quartz heater, and quartz heater fabricated by this method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101029094B1 (en) * 2010-11-02 2011-04-13 (주)비앤비텍 Heating plate combining method for quartz heater of semiconductor processing equipment, and fabrication method of quartz heater, and quartz heater fabricated by this method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230108815A (en) 2022-01-12 2023-07-19 (주)티티에스 Quartz heater

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100956834B1 (en) Planar heater
CN101243542B (en) Substrate support having brazed plates and resistance heater
US8014652B2 (en) Filament lamp and light-irradiation-type heat treatment device
KR101333631B1 (en) Quartz heater
KR101207567B1 (en) Quartz heater for fabricating semiconductor
KR20190103795A (en) Electrostatic chucking Heater And Manufacturing Method Thereof
KR20130128612A (en) Ceramic heater using insulating tube
CN109699131B (en) Method for manufacturing multilayer substrate
KR20190034578A (en) Ring for electrode
KR101042284B1 (en) Stack type heating stage having excellent temperature uniformity for semiconductor process
CN207884914U (en) A kind of heater supporter
US20060157472A1 (en) Metal heater
KR101334223B1 (en) Adhesive, heater and method Producing of heater using the same
KR100542583B1 (en) susceptor for supporting glass of CVD equipment
TWI745006B (en) Components for semiconductor manufacturing equipment
CN103692091B (en) Flat-plate laser stitch welding technique
KR101358348B1 (en) Semiconductor heating apparatus having screw type terminal structure
CN220172072U (en) Heat treatment device for semiconductor
KR102411024B1 (en) Workpiece holding and heating device
KR101062004B1 (en) Quartz heater for semiconductor manufacturing
CN110087354A (en) A kind of heater supporter
KR101906975B1 (en) Method for manufacturing thermoelectric conversion element, and thermoelectric conversion element
JP2007258607A (en) Electrostatic chuck
CN109382559A (en) Backboard manufacturing method and backboard
TW201531393A (en) Mould with a heating device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151124

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161021

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171208

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181115

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191202

Year of fee payment: 8