KR101207468B1 - Organic light emitting diode device, method of manufacturing the same and organic light emitting diode display device manufactured using the method thereof - Google Patents

Organic light emitting diode device, method of manufacturing the same and organic light emitting diode display device manufactured using the method thereof Download PDF

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Abstract

일 실시예에 따른 유기발광다이오드소자는 가변 저항층을 포함하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극층을 포함한다. 상기 가변 저항층은 내부에 전도성 입자가 분산된 고분자층을 포함하며, 상기 가변 저항층의 전기적 특성은 상기 고분자층의 변형에 따라 변화한다.An organic light emitting diode device according to an embodiment includes a first electrode including a variable resistance layer, a light emitting layer disposed on the first electrode, and a second electrode layer disposed on the light emitting layer. The variable resistance layer includes a polymer layer having conductive particles dispersed therein, and electrical characteristics of the variable resistance layer change according to deformation of the polymer layer.

Description

유기발광다이오드소자, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 제조한 유기발광다이오드 표시장치{Organic light emitting diode device, method of manufacturing the same and organic light emitting diode display device manufactured using the method thereof}Organic light emitting diode device, method of manufacturing the same and organic light emitting diode display device manufactured using the method

본 출원은 대체로 유기발광다이오드소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 가변 저항을 포함하는 전극을 구비하는 유기발광다이오드소자, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 제조한 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.The present application relates generally to an organic light emitting diode device, and more particularly, to an organic light emitting diode device having an electrode including a variable resistor, a manufacturing method thereof, and an organic light emitting diode display device manufactured using the same.

차세대 표시장치로 각광받고 있는 발광다이오드 표시장치는 발광다이오드소자를 그 구성요소로 하고 있다. 상기 발광다이오드소자는 무기재료 또는 유기재료를 이용하여 형성할 수 있으며, 최근에는 유기발광다이오드소자를 응용하는 표시장치에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.BACKGROUND ART Light emitting diode display devices, which are in the spotlight as next generation display devices, have light emitting diode elements as their components. The light emitting diode device may be formed using an inorganic material or an organic material. Recently, research into a display device using an organic light emitting diode device has been actively conducted.

발광다이오드 표시장치의 구동 방식은 패시브 매트릭스 타입 또는 액티브 매티릭스 타입으로 나뉠 수 있는데, 현재 업계에 널리 적용되고 있는 액티브 매트릭스 타입의 경우, 박막트랜지스터를 이용하여 각 픽셀의 유기발광다이오드소자에 인가되는 전기 신호를 제어하여 화상을 표시한다.The driving method of the light emitting diode display device may be classified into a passive matrix type or an active matrix type. In the case of the active matrix type, which is widely applied in the industry, electricity is applied to the organic light emitting diode element of each pixel by using a thin film transistor. The signal is controlled to display an image.

유기발광다이오드 표시장치의 경우, 액정소자 표시장치 등과 같은 표시장치에 비해, 액티브 매트릭스 타입의 각 픽셀 내에서 유기발광다이오드소자를 구동하기 위해서는 비교적 큰 전류가 요구된다. 따라서, 상기 유기발광다이오드소자는 별도의 전류 공급선을 갖추고 있는데, 이렇게 비교적으로 큰 구동 전류에서 동작하는 유기발광다이오드 소자에 대하여는 장시간 구동시의 전기적 특성에 대한 신뢰성이 요구되고 있다.In the case of the organic light emitting diode display, a relatively large current is required to drive the organic light emitting diode element in each pixel of the active matrix type, as compared with a display such as a liquid crystal display. Therefore, the organic light emitting diode device has a separate current supply line. For the organic light emitting diode device operating at a relatively large driving current, reliability of electrical characteristics during long time driving is required.

본 출원이 이루고자 하는 기술적 과제는 온도와 같은 환경요인이 변화함에도 불구하고 일정한 휘도를 유지하는 유기발광다이오드소자를 제공하는 것이다.The present invention is to provide an organic light emitting diode device that maintains a constant brightness despite changes in environmental factors such as temperature.

본 출원이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기의 일정한 휘도를 유지하는 유기발광다이오드소자의 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present application is to provide a method of manufacturing an organic light emitting diode device which maintains the constant luminance.

상기의 기술적 과제를 이루기 위한 본 출원의 일 측면에 따른 유기발광다이오드소자가 개시된다. 상기 유기발광다이오드소자는 가변 저항층을 포함하는 제1 전극층, 상기 제1 전극층과 이격되어 마주보도록 배치되는 제2 전극층 및 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 사이에 개재되는 발광층을 포함한다. 상기 가변 저항층은 내부에 전도성 입자가 분산된 고분자층을 포함하며, 상기 가변 저항층의 전기적 특성은 상기 전도성 입자가 분산된 상기 고분자층의 변형에 따라 변화한다.An organic light emitting diode device according to an aspect of the present application for achieving the above technical problem is disclosed. The organic light emitting diode device includes a first electrode layer including a variable resistance layer, a second electrode layer disposed to face the first electrode layer, and a light emitting layer interposed between the first electrode layer and the second electrode layer. The variable resistance layer includes a polymer layer having conductive particles dispersed therein, and an electrical property of the variable resistance layer changes according to deformation of the polymer layer in which the conductive particles are dispersed.

상기의 기술적 과제를 이루기 위한 본 출원의 다른 측면에 따른 유기발광다이오드소자의 제조방법이 개시된다. 상기 유기발광다이오드소자의 제조방법에 있어서, 투명 기판 상에 제1 전극층을 형성한다. 상기 제1 전극층 상에 발광층을 형성한다. 상기 발광층 상에 가변 저항층을 포함하는 제2 전극층을 형성한다. 상기 가변 저항층은 내부에 전도성 입자가 분산되어 있는 고분자층을 포함하며, 상기 가변 저항층의 전기적 특성은 상기 전도성 입자가 분산되어 있는 상기 고분자층의 변형에 따라 변화한다.Disclosed is a method of manufacturing an organic light emitting diode device according to another aspect of the present application for achieving the above technical problem. In the method of manufacturing the organic light emitting diode device, a first electrode layer is formed on a transparent substrate. An emission layer is formed on the first electrode layer. A second electrode layer including a variable resistance layer is formed on the light emitting layer. The variable resistance layer includes a polymer layer having conductive particles dispersed therein, and an electrical property of the variable resistance layer changes according to deformation of the polymer layer in which the conductive particles are dispersed.

본 출원에 따르는 발광다이오드소자는 전도성 입자가 내부에 분산된 고분자층을 포함하는 가변 저항층을 구비한다. 이로써, 환경요인으로서의 온도가 증가할 때, 가변 저항층의 저항이 함께 증가함으로써 실제로 발광다이오드소자로 입력되는 전류를 일정하게 유지할 수 있다. 이와 같은 구성을 통해, 발광다이오드소자는 상기 환경요인의 변화에도 불구하고 일정한 휘도를 유지할 수 있게 된다.The light emitting diode device according to the present application includes a variable resistance layer including a polymer layer having conductive particles dispersed therein. Thus, when the temperature as the environmental factor increases, the resistance of the variable resistance layer increases together, so that the current actually input to the light emitting diode element can be kept constant. Through such a configuration, the light emitting diode device can maintain a constant luminance despite the change of the environmental factors.

도 1은 본 출원의 일 실시 예에 따른 유기발광다이오드소자를 개략적으로 설명하는 도면이다.
도 2는 본 출원의 일 실시 예에 따른 유기발광다이오드소자의 전기적 특성을 개략적으로 설명하는 그래프이다.
도 3은 본 출원의 일 실시 예에 따른 가변 저항층을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 출원의 일 실시 예에 따르는 유기발광다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 출원의 일 실시 예에 따른 유기발광다이오드소자의 제조방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다.
도 6 내지 도 8은 본 출원의 일 실시 예에 따른 가변 저항층을 형성하는 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 9는 외부 온도 및 외력 변화에 따른 전기적 저항의 변화를 측정한 그래프이다.1 is a view schematically illustrating an organic light emitting diode device according to an embodiment of the present application.
2 is a graph schematically illustrating electrical characteristics of an organic light emitting diode device according to an embodiment of the present application.
3 is a cross-sectional view schematically illustrating a variable resistance layer according to an exemplary embodiment of the present application.
4 is a schematic view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present application.
5 is a flowchart schematically showing a method of manufacturing an organic light emitting diode device according to an embodiment of the present application.
6 to 8 are schematic views illustrating a method of forming a variable resistance layer according to an exemplary embodiment of the present application.
9 is a graph measuring changes in electrical resistance according to changes in external temperature and external force.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 출원의 실시 예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 출원에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 여기서 소개되는 실시 예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 출원의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 각 장치의 구성요소를 명확하게 표현하기 위하여 상기 구성요소의 폭이나 두께 등의 크기를 다소 확대하여 나타내었다. 전체적으로 도면 설명시 관찰자 시점에서 설명하였고, 일 요소가 다른 요소 위에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 이는 상기 일 요소가 다른 요소 위에 바로 위치하거나 또는 그들 요소들 사이에 추가적인 요소가 개재될 수 있다는 의미를 모두 포함한다. 또한, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 출원의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원의 사상을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 그리고, 복수의 도면들 상의 동일 부호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭한다. Embodiments of the present application will now be described in more detail with reference to the accompanying drawings. However, the techniques disclosed in this application are not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. It should be understood, however, that the embodiments disclosed herein are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the width, thickness, and the like of the components are enlarged in order to clearly express the components of each device. When described in the drawings as a whole, at the point of view of the observer, when one element is referred to as being positioned on top of another, this means that one element may be placed directly on top of another or that additional elements may be interposed between them. Include. In addition, one of ordinary skill in the art may implement the spirit of the present application in various other forms without departing from the technical spirit of the present application. And, like numerals in the plurality of drawings refer to substantially the same element.

본 명세서에서 가변 저항층은 외부 환경으로부터 인가되는 전류 또는 전압과 같은 전원의 크기에 대응하여, 전기 저항 등과 같은 자신의 전기적 특성이 변화하는 층을 의미한다.In the present specification, the variable resistance layer refers to a layer in which its electrical characteristics such as electric resistance change in response to the magnitude of a power source such as a current or voltage applied from an external environment.

도 1은 본 출원의 일 실시 예에 따른 유기발광다이오드소자를 개략적으로 설명하는 도면이다. 도 1을 참조하면, 유기발광다이오드소자(100)는 제1 전극층(120), 발광층(140) 및 제2 전극층(160)을 포함한다. 도시된 바와 같이, 제1 전극층(120)은 외부 전원(180)의 음극에 전기적으로 연결되며, 유기발광다이오드소자(100)의 음극 전극으로 작용할 수 있다. 제2 전극층(160)은 외부 전원(180)의 양극에 전기적으로 연결되며, 유기발광다이오드소자(100)의 양극 전극으로 작용할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 다른 실시 예에 있어서, 제1 전극층(120)은 외부 전원(180)의 양극에 전기적으로 연결되며, 유기발광다이오드소자(100)의 양극 전극으로 작용할 수 있다. 제2 전극층(160)은 외부 전원(180)의 음극에 전기적으로 연결되며, 유기발광다이오드소자(100)의 음극 전극으로 작용할 수 있다.1 is a view schematically illustrating an organic light emitting diode device according to an embodiment of the present application. Referring to FIG. 1, the organic light emitting diode device 100 includes a first electrode layer 120, a light emitting layer 140, and a second electrode layer 160. As illustrated, the first electrode layer 120 may be electrically connected to the cathode of the external power source 180 and may serve as a cathode of the organic light emitting diode device 100. The second electrode layer 160 may be electrically connected to the anode of the external power source 180 and may serve as an anode of the organic light emitting diode device 100. Although not shown, in another embodiment, the first electrode layer 120 is electrically connected to the anode of the external power source 180 and may serve as the anode electrode of the organic light emitting diode device 100. The second electrode layer 160 may be electrically connected to the cathode of the external power source 180 and may serve as a cathode of the organic light emitting diode device 100.

유기발광다이오드소자(100)에서 외부 전원이 인가되면, 제1 전극층(120) 및 제2 전극층(160)이 전자 및 홀을 각각 발광층(140)으로 제공하고, 상기 전자 및 홀은 발광층(140)내에서 재결합하여 여기자(exition)를 발생시킨다. 상기 발생된 여기자는 낮은 에너지 레벨로 전이하며 에너지를 방출하는데, 이때 방출되는 상기 에너지는 빛의 형태를 띤다.When external power is applied from the organic light emitting diode device 100, the first electrode layer 120 and the second electrode layer 160 provide electrons and holes to the light emitting layer 140, respectively, and the electrons and holes are light emitting layers 140. Recombination within an excitation is generated. The generated excitons transition to low energy levels and release energy, where the energy released is in the form of light.

본 출원의 일 실시 예에 있어서, 유기발광다이오드소자(100)의 제1 전극층(120)은 가변 저항층(122)을 포함한다. 본 명세서에서, 제1 전극층(120) 또는 제2 전극층(120)이 소정의 가변 저항층을 포함한다는 의미는 상기 가변 저항층이 제1 전극층(120) 또는 제2 전극층(160)의 일부를 이루거나, 또는 상기 가변 저항층이 제1 전극층(120) 또는 제2 전극층(160)과 전기적으로 연결되는 경우를 모두 포함한다. 이로써, 상기 가변 저항층은 외부 전원으로부터 제1 전극층(120) 또는 제2 전극층(160)에 인가되는 전류 또는 전압의 크기에 영향을 미칠 수 있도록 구성된다.In one embodiment of the present application, the first electrode layer 120 of the organic light emitting diode device 100 includes a variable resistance layer 122. In the present specification, the meaning that the first electrode layer 120 or the second electrode layer 120 includes a predetermined variable resistance layer means that the variable resistance layer forms part of the first electrode layer 120 or the second electrode layer 160. Alternatively, or the case where the variable resistance layer is electrically connected to the first electrode layer 120 or the second electrode layer 160. As a result, the variable resistance layer is configured to affect the magnitude of the current or voltage applied to the first electrode layer 120 or the second electrode layer 160 from an external power source.

일 실시 예에 있어서, 제1 전극층(120)은 가변 저항층(122)과 금속 전극층(124)을 포함하는 층상 구조물일 수 있다. 가변 저항층(122)은 내부에 전도성 입자가 분산된 고분자층을 포함하도록 구성될 수 있다. 유기발광다이오드소자(100)가 발광 동작을 할 때, 가변 저항층(122)의 전기적 특성은 상기 전도성 입자가 분산된 상기 고분자층의 온도에 따라 변화할 수 있다. 일 예로서, 상기 고분자층의 온도가 증가할 때 상기 가변 저항층(122)의 저항이 증가할 수 있다. 상기 전도성 입자가 분산되어 있는 상기 고분자층의 구성 및 동작에 관하여는 이하에서 별도로 상술하기로 한다. In an embodiment, the first electrode layer 120 may be a layered structure including a variable resistance layer 122 and a metal electrode layer 124. The variable resistance layer 122 may be configured to include a polymer layer having conductive particles dispersed therein. When the organic light emitting diode device 100 emits light, electrical characteristics of the variable resistance layer 122 may vary depending on the temperature of the polymer layer in which the conductive particles are dispersed. As an example, when the temperature of the polymer layer increases, the resistance of the variable resistance layer 122 may increase. The configuration and operation of the polymer layer in which the conductive particles are dispersed will be described in detail later.

금속 전극층(124)는 외부 전원으로부터 가변 저항층(122)을 거쳐 인가받은 전압에 대응하여 발광층(140)에 전자 또는 홀을 제공한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 전극층(120)이 음극 전극으로, 제2 전극층(160)이 양극 전극으로 작용할 때, 금속 전극층(124)은 발광층(140)으로 전자를 제공할 수 있다. 일 예로서, 금속 전극층(124)은 알루미늄(Al), 마그네슘은(MgAg) 합금, 알루미늄리튬(AlLi) 합금 등을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않고 발광층(140)으로의 전자 주입 효율이 좋은 재료로서 공지의 다른 다양한 물질도 포함할 수 있다. 다른 실시 예로서, 도시되지는 않았지만, 제1 전극층(120)이 양극 전극으로, 제2 전극층(160)이 음극 전극으로 작용할 때, 금속 전극층(124)은 발광층(140)으로 홀을 제공할 수 있다. 이 경우, 금속 전극층(124)은 일 예로서, 인듐주석산화물(ITO), 바나듐산화물(VO), 몰리브덴산화물(MoO), 루테늄산화물(RuO) 등을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않고, 홀의 주입 효율이 좋은 재료로서 공지의 다른 다양한 물질도 포함할 수 있다.The metal electrode layer 124 provides electrons or holes to the light emitting layer 140 in response to a voltage applied through the variable resistance layer 122 from an external power source. As shown in FIG. 1, when the first electrode layer 120 serves as a cathode and the second electrode layer 160 serves as an anode, the metal electrode layer 124 may provide electrons to the emission layer 140. As an example, the metal electrode layer 124 may include aluminum (Al), magnesium silver (MgAg) alloy, aluminum lithium (AlLi) alloy, and the like, but is not limited thereto, and the electron injection efficiency into the emission layer 140 may be improved. Good materials can also include various other known materials. As another example, although not shown, when the first electrode layer 120 serves as an anode electrode and the second electrode layer 160 serves as a cathode electrode, the metal electrode layer 124 may provide holes to the light emitting layer 140. have. In this case, the metal electrode layer 124 may include, for example, indium tin oxide (ITO), vanadium oxide (VO), molybdenum oxide (MoO), ruthenium oxide (RuO), but is not limited thereto. Various well-known materials may also be included as a material with good injection efficiency of a hole.

제2 전극층(160)은, 도시된 바와 같이, 양극 전극으로 작용할 때, 외부 전원(180)으로부터 인가되는 전원에 대응하여 발광층(140)으로 홀을 제공할 수 있다. 양극 전극으로서 제2 전극층(160)은 발광층(140)에서 발생한 빛을 외부로 방출하는 투명 전극일 수 있다. 양극 전극으로서 금속 전극층(124)은 일 예로서, 인듐주석산화물(ITO), 바나듐산화물(VO), 몰리브덴산화물(MoO), 루테늄산화물(RuO) 등을 적용할 수 있지만, 이에 한정되지는 않고, 홀의 주입 효율이 좋은 재료로서 공지의 다양한 물질도 적용할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 다른 실시 예에 있어서, 제1 전극층(120)이 양극 전극인 경우, 제2 전극층(160)은 음극 전극으로 작용할 수 있다. 제2 전극층(160)은 일 예로서, 알루미늄(Al), 마그네슘은(MgAg) 합금, 알루미늄리튬(AlLi) 합금 등을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않고 발광층(140)으로의 전자 주입 효율이 좋은 재료로서 공지의 다른 다양한 물질도 적용할 수 있다. As shown in the drawing, when the second electrode layer 160 serves as the anode electrode, the second electrode layer 160 may provide a hole to the light emitting layer 140 in response to the power applied from the external power source 180. As the anode electrode, the second electrode layer 160 may be a transparent electrode that emits light generated in the emission layer 140 to the outside. For example, indium tin oxide (ITO), vanadium oxide (VO), molybdenum oxide (MoO), ruthenium oxide (RuO), or the like may be used as the metal electrode layer 124 as the anode electrode, but is not limited thereto. Various well-known materials can also be applied as a material of which hole injection efficiency is good. Although not shown, in another embodiment, when the first electrode layer 120 is a positive electrode, the second electrode layer 160 may serve as a negative electrode. As an example, the second electrode layer 160 may include aluminum (Al), magnesium silver (MgAg) alloy, aluminum lithium (AlLi) alloy, and the like, but is not limited thereto. As this good material, various other known materials can also be applied.

몇몇 다른 실시 예들에 있어서, 제2 전극층(160)은 가변 저항층을 추가적으로 포함할 수 있다. 상기 가변 저항층은 제1 전극층(120)의 가변 저항층(122)와 실질적으로 동일할 수 있다. 이 경우, 제2 전극층(160)은 상기 가변 저항층과 금속 전극층의 층상 구조물일 수 있다. 상기 금속 전극층은 제1 전극층(120)의 금속 전극층(124)와 실질적으로 동일할 수 있다. In some other embodiments, the second electrode layer 160 may further include a variable resistance layer. The variable resistance layer may be substantially the same as the variable resistance layer 122 of the first electrode layer 120. In this case, the second electrode layer 160 may be a layered structure of the variable resistance layer and the metal electrode layer. The metal electrode layer may be substantially the same as the metal electrode layer 124 of the first electrode layer 120.

발광층(140)은 제1 전극층(120) 및 제2 전극층(160)으로부터 각각 주입된 전자 및 홀을 재결합시켜 여기자를 형성시키고, 여기자의 전이를 통해 빛을 발생시킨다. 발광층(140)은 발광효율(예로서, 양자효율) 및 전자 또는 홀의 이동도가 우수하며, 균질의 막질을 구현할 수 있는 공지의 재료를 적용할 수 있다. 일 예로서, 발광층(140)은 저분자계 재료로서, 알루미늄 이온과 유기물의 결합체인 트리스알루미늄(Alq)를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 발광층(140)은 복수의 다중결합을 가지는 파이(π) 공역 폴리머 또는 저분자계 색소 재료를 함유한 폴리머 등 다양한 공지의 고분자계 발광재료를 포함할 수 있다.The emission layer 140 recombines electrons and holes injected from the first electrode layer 120 and the second electrode layer 160 to form excitons, and generates light through the transition of the excitons. The light emitting layer 140 is excellent in luminous efficiency (for example, quantum efficiency) and mobility of electrons or holes, and may be a known material capable of realizing a homogeneous film quality. For example, the light emitting layer 140 may include tris aluminum (Alq), which is a combination of aluminum ions and an organic material, as a low molecular weight material. As another example, the light emitting layer 140 may include various known polymer light emitting materials such as a pi (π) conjugated polymer having a plurality of multiple bonds or a polymer containing a low molecular weight pigment material.

다른 실시 예들에 의하면, 유기발광다이오드(100)은 제1 전극층(120) 또는 제2 전극층(160)과 발광층(140) 사이에, 전자 유송층, 홀 유송층, 전자 주입층 또는 홀 주입층을 부가적으로 포함할 수 있다. 상술한 상기 전자 유송층, 홀 유송층, 전자 주입층 또는 홀 주입층은 전자 또는 홀을 발광층(140)으로 주입하거나 또는 이송하는 효율을 증가하기 위한 것으로서, 다양한 공지의 재료들을 적용하여 공지의 다양한 구조로 형성할 수 있다.In example embodiments, the organic light emitting diode 100 may include an electron transport layer, a hole transport layer, an electron injection layer, or a hole injection layer between the first electrode layer 120 or the second electrode layer 160 and the light emitting layer 140. It may additionally include. The electron transport layer, the hole transport layer, the electron injection layer or the hole injection layer described above is to increase the efficiency of injecting or transporting electrons or holes into the light emitting layer 140, and various known materials may be applied by applying various known materials. It can be formed into a structure.

도 2는 본 출원의 일 실시 예에 따른 유기발광다이오드소자의 전기적 특성을 개략적으로 설명하는 그래프이다. 우선, 도 2의 I가 가리키는 전압-전류 특성 그래프는 종래의 유기발광다이오드소자가 동작할 때, 상기 종래의 유기발광다이오드소자가 가지는 전기적 특성을 보여준다. 상기 종래의 유기발광다이오드소자는 유기발광다이오드소자의 전극층이 가변 저항층을 구비하지 않는다. 본 출원의 발명자는, 일 예로서, 온도와 같은 환경요인이 변화할 때, 상기 유기발광다이오드소자 양단의 전압-전류 특성 및 발광 특성이 달라질 수 있음을 발견하였다. 여기서, 상기 유기발광다이오드소자에 영향을 주는 환경요인으로서의 온도란, 상기 유기발광다이오드소자 자체의 온도 또는 상기 유기발광다이오드소자가 배치되어 인접하고 있는 기판, 모듈, 패키지, 제품 등의 환경이 가지는 온도를 포괄하는 개념이다.2 is a graph schematically illustrating electrical characteristics of an organic light emitting diode device according to an embodiment of the present application. First, the voltage-current characteristic graph indicated by I of FIG. 2 shows electrical characteristics of the conventional organic light emitting diode device when the organic light emitting diode device operates. In the conventional organic light emitting diode device, the electrode layer of the organic light emitting diode device does not include a variable resistance layer. The inventors of the present application have found that, as an example, when environmental factors such as temperature change, voltage-current characteristics and emission characteristics of both ends of the organic light emitting diode device may vary. Here, the temperature as an environmental factor affecting the organic light emitting diode device is a temperature of the temperature of the organic light emitting diode device itself or the environment of an environment such as a substrate, a module, a package, a product in which the organic light emitting diode device is disposed and adjacent thereto. It is a concept encompassing.

일 실시 예에 있어서, 도시된 바와 같이, 상기 환경요인으로서의 상기 온도가 증가할 수록, I의 전압-전류 그래프가 I’로 이동할 수 있다. 도 2의 I의 전압-전류 그래프가 I’로 이동하는 것은, 상기 환경요인으로서의 상기 온도가 증가하게 될 때, 상기 종래의 유기발광다이오드소자를 구성하는 유기반도체물질내의 전하 이동도(carrier mobility)가 증가하거나, 전극으로부터 상기 유기반도체물질 방향으로 전하가 상대적으로 용이하게 주입되기 때문인 것으로 추정되나, 꼭 이러한 이론에 한정되어 설명되지 않을 수도 있다. I의 전압-전류 그래프가 I’로 이동함에 따라, 동일 전압에서 상대적으로 큰 전류가 상기 종래의 유기발광다이오드소자를 통해 흐를 수 있게 된다. 일 예로서, 전압 V1에서 상기 종래의 유기발광다이오드소자에 흐르는 전류값은 I1에서 I2로 증가한다. 이에 따라, 상기 종래의 유기발광다이오드소자로 주입되는 전자 및 홀의 양이 증가할 수 있으며, 상기 발광층 내에서 방출되는 빛의 양은 증가할 수 있다. 결론적으로, 상기 환경요인으로서의 온도가 변화함에 따라, 상기 종래의 유기발광다이오드소자의 휘도가 변화할 수 있다. In one embodiment, as shown, as the temperature increases as the environmental factor, the voltage-current graph of I may move to I '. Moving of the voltage-current graph of I of FIG. 2 to I 'means that the carrier mobility in the organic semiconductor material constituting the conventional organic light emitting diode element is increased when the temperature as the environmental factor increases. It is assumed that is due to the increase or relatively easy injection of electric charges from the electrode toward the organic semiconductor material, but it is not necessarily limited to this theory. As the voltage-current graph of I moves to I ', relatively large currents at the same voltage can flow through the conventional organic light emitting diode device. As an example, the current value flowing through the conventional organic light emitting diode device at the voltage V1 increases from I1 to I2. Accordingly, the amount of electrons and holes injected into the conventional organic light emitting diode device may increase, and the amount of light emitted in the light emitting layer may increase. In conclusion, as the temperature as the environmental factor changes, the luminance of the conventional organic light emitting diode device may change.

본 출원의 실시 예들에서는 적어도 하나의 전극층(120 또는 160)이 가변 저항층을 포함한다. 이로서, 유기발광다이오드소자(100)에 흐르는 전류값이 증가하는 경우, 상기 가변 저항층의 저항이 함께 증가하여 유기발광다이오드소자(100)에 흐르는 전류를 감소시킬 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 가변 저항층의 저항이 증가함에 따라, 유기발광다이오드(100)의 전기적 저항값은 일 예로서, 상기 종래의 유기발광다이오드소자의 저항선 R’ 에서 R”로 이동할 수 있다. 이에 따라, 유기발광다이오드(100)내에 흐르는 전류값은 저항선 R”을 따르도록 감소될 수 있다. 일 예로서, 상기 가변 저항층의 저항이 증가함에 따라, 전압 V1에서 I1 에서 I2 값으로 증가한 전류값은 약 I3 값으로 갖도록 감소할 수 있다. 이로서, 유기발광다이오드소자(100)로 주입되는 전자 및 홀의 양을 억제시킬 수 있어서, 유기발광다이오드소자(100)의 환경 변화에도 불구하고 유기발광다이오드소자(100)의 휘도를 균일하게 유지시킬 수 있다.In embodiments of the present application, at least one electrode layer 120 or 160 includes a variable resistance layer. Thus, when the current value flowing through the organic light emitting diode device 100 increases, the resistance of the variable resistance layer may increase together to reduce the current flowing through the organic light emitting diode device 100. As shown in FIG. 2, as the resistance of the variable resistance layer is increased, an electrical resistance value of the organic light emitting diode 100 is moved from the resistance line R ′ to R ″ of the conventional organic light emitting diode device. Can be. Accordingly, the current value flowing in the organic light emitting diode 100 can be reduced to follow the resistance line R ″. As an example, as the resistance of the variable resistance layer increases, the current value increased from I1 to I2 at the voltage V1 may decrease to have a value of about I3. As a result, the amount of electrons and holes injected into the organic light emitting diode device 100 can be suppressed, so that the luminance of the organic light emitting diode device 100 can be maintained uniformly despite the environmental change of the organic light emitting diode device 100. have.

도 3은 본 출원의 일 실시 예에 따른 가변 저항층을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 3의 (a)는 유기발광다이오드소자에 적용되기 전의 가변 저항층의 단면도이며, 도 3의 (b) 및 (c)는 유기발광다이오드소자에서 동작하는 가변 저항층의 단면도이다. 도 3의 (a)를 참조하면, 가변 저항층(300)은 전도성 입자(310)가 내부에 분산된 고분자층(320)을 포함한다. 이로서, 도시된 바와 같이, 고분자층(320)은 내부에 분산되어 분포하는 전도성 입자(310)을 포함할 수 있으며, 전체로서 두께 방향(즉, T 방향) 또는 길이 방향(즉, L 방향) 등으로 전기적 전도성을 가질 수 있다. 고분자층(320)은 예로서 광경화성 수지 또는 열경화성 수지의 재질일 수 있다. 상기 광경화성 수지는 예로서 포토레지스트일 수 있다. 상기 열경화성 수지는 예로서 에폭시(epoxy), PDMS(polydimethylsiloane) 등일 수 있다. 다만, 상기의 예시는 이해를 위한 예시로서, 상기한 예시 이외에도 고분자층(320)의 재료로서 다양한 종류의 경화 가능한 수지가 사용될 수 있다. 일 실시 예로서, 내부에 전도성 입자(310)가 분산되어 있는 고분자층(320)은 상기 광경화성 수지 또는 상기 열경화성 수지에 전도성 입자(310)을 분산시킨 후 상기 광경화성 수지 또는 상기 열경화성 수지를 경화하여 얻을 수 있다.3 is a cross-sectional view schematically illustrating a variable resistance layer according to an exemplary embodiment of the present application. 3A is a cross-sectional view of a variable resistance layer before being applied to an organic light emitting diode device, and FIGS. 3B and 3C are cross-sectional views of a variable resistance layer operating in an organic light emitting diode device. Referring to FIG. 3A, the variable resistance layer 300 includes a polymer layer 320 having conductive particles 310 dispersed therein. As such, as shown, the polymer layer 320 may include conductive particles 310 dispersed and distributed therein, and as a whole, a thickness direction (ie, T direction) or a length direction (ie, L direction), or the like. It may have electrical conductivity. The polymer layer 320 may be, for example, a material of photocurable resin or thermosetting resin. The photocurable resin may be, for example, a photoresist. The thermosetting resin may be, for example, epoxy, polydimethylsiloane (PDMS), or the like. However, the above example is an example for understanding, and in addition to the above example, various kinds of curable resins may be used as the material of the polymer layer 320. In an embodiment, the polymer layer 320 having the conductive particles 310 dispersed therein may disperse the conductive particles 310 in the photocurable resin or the thermosetting resin and then cure the photocurable resin or the thermosetting resin. Can be obtained.

전도성 입자(310)은 고분자층(320) 내에 분산되어 존재하며, 예로서, 전기적 전도성을 지닌 금속 입자일 수 있다. 전도성 입자(310)는 가변 저항층(300)이 전기적 전도성을 가지도록 고분자층(320) 내부에서 전하의 이동 경로로서 작용할 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 전도성 입자(310)은 자성체 일 수 있다. 자성을 지니는 전도성 입자(310)은 예로서 전도성 상자성체, 전도성 강자성체, 전도성 반자성체 및 이들의 조합 중에서 선택되는 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 전도성 강자성체는 예로서 니켈일 수 있다. 자성을 지니는 전도성 입자(120)는 외부로부터 인가되는 자계에 의하여 고분자층(320) 내에서의 분포 및 밀도가 제어될 수 있다. 상기 자계에 의하여 전도성 입자(120)의 고분자층(320) 내에서 밀도 및 분포를 조절하는 경우, 고분자층(320) 내부에서 전하 이동도를 효율적으로 증가시킬 수 있다.The conductive particles 310 are dispersed in the polymer layer 320 and may be, for example, metal particles having electrical conductivity. The conductive particles 310 may act as a movement path of the charge in the polymer layer 320 so that the variable resistance layer 300 has electrical conductivity. According to one embodiment, the conductive particles 310 may be a magnetic material. For example, the conductive particles 310 having magnetic properties may be at least one selected from a conductive paramagnetic material, a conductive ferromagnetic material, a conductive diamagnetic material, and a combination thereof. The conductive ferromagnetic material may be nickel, for example. The conductive particles 120 having magnetic properties may be controlled in a distribution and density in the polymer layer 320 by a magnetic field applied from the outside. When the density and distribution are controlled in the polymer layer 320 of the conductive particles 120 by the magnetic field, charge mobility may be efficiently increased in the polymer layer 320.

도 3의 (b) 및 (c)를 참조하면, 환경요인으로서의 온도가 변화할 경우, 가변 저항층(300)의 전기적 저항이 변화할 수 있다. 여기서, 환경요인으로서의 온도는 가변 저항층(300) 자체의 온도 또는 가변 저항층(300)이 배치되는 기판 등의 주변 환경의 온도를 포괄하는 개념이다. 도 3의 (b)를 참조하면, 가변 저항층(300)의 양단에 외부 전원이 인가될 때 가변 저항층(300)을 통하여 전류가 흐르게 된다. 상기 환경요인으로서의 온도가 증가하면, 가변 저항층(300)의 전기적 저항은 증가할 수 있다. 구체적으로, 상기 환경요인으로서의 온도가 증가할 때, 고분자층(320)에서 발생하거나 고분자층(320)에 전달되는 열에 의해 고분자층(320)이 구조적으로 변형될 수 있다. 도시된 바와 같이, 일 예로서, 상기 열에 의해 고분자층(320)은 길이 방향(즉, L 방향) 및 두께 방향(즉, T 방향)으로 팽창할 수 있다. 또, 도 3의 (b)의 단면도에서는 도시되지는 않았지만, 상기 열에 의해 고분자층(320)은 너비 방향(즉, L 방향과 T 방향 모두에 수직인 방향)으로도 팽창할 수 있다. 이와 같은 고분자층(320)의 팽창은 고분자층(320) 내부에 존재하는 전도성 입자(310) 상호 간의 거리를 증가시켜 전도성 입자(310) 간의 접촉 면적을 감소시킬 수 있다. 이로서, 가변 저항층(300)의 길이 방향 또는 두께 방향으로 이동하는 전하에 대한 전기적 저항이 증가하여 전하의 전기 전도도가 감소할 수 있다. 이와 반대로, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 상기 환경요인으로서의 온도가 감소하게 될 때, 고분자층(320)에서 발생하거나 고분자층(320)에 전달되는 열이 감소하게 된다. 상기 열의 감소는 팽창했던 고분자층(320)의 부피를 수축시킬 수 있다. 고분자층(320)의 부피 수축은 전도성 입자(310)간의 거리 감소 및 접촉 면적의 증가를 가져올 수 있다. 전도성 입자(310)간의 상기 거리 감소 및 접촉 면적의 증가는 상기 가변 저항층(300)의 길이 방향 또는 두께 방향으로 이동하는 전하에 대한 전기적 저항이 감소하여 전하의 전기 전도도가 증가할 수 있다. 상술한 작용을 통해, 가변 저항층(300)은 환경요인으로서의 온도 변화에 응답하여 저항을 변화시킴으로써, 가변 저항층(300)을 통과하여 상기 유기발광다이오드소자에 입력되는 전류의 양을 조절할 수 있다. 이로서, 상기 유기발광다이오드소자에 입력되는 전류의 양을 환경요인의 변화와 무관하게 안정화시킬 수 있다.Referring to FIGS. 3B and 3C, when the temperature as the environmental factor changes, the electrical resistance of the variable resistance layer 300 may change. Here, the temperature as an environmental factor is a concept that encompasses the temperature of the variable resistance layer 300 itself or the temperature of the surrounding environment such as a substrate on which the variable resistance layer 300 is disposed. Referring to FIG. 3B, when external power is applied to both ends of the variable resistance layer 300, current flows through the variable resistance layer 300. When the temperature as the environmental factor increases, the electrical resistance of the variable resistance layer 300 may increase. In detail, when the temperature as the environmental factor increases, the polymer layer 320 may be structurally modified by heat generated in the polymer layer 320 or transferred to the polymer layer 320. As shown, by way of example, the polymer layer 320 may expand in the longitudinal direction (ie, L direction) and the thickness direction (ie, T direction) by the heat. Although not shown in the cross-sectional view of FIG. 3B, the polymer layer 320 may expand in the width direction (that is, the direction perpendicular to both the L direction and the T direction) by the heat. The expansion of the polymer layer 320 is The contact area between the conductive particles 310 may be reduced by increasing the distance between the conductive particles 310 present in the polymer layer 320. As a result, the electrical resistance to the charge moving in the longitudinal direction or the thickness direction of the variable resistance layer 300 may be increased to reduce the electrical conductivity of the charge. On the contrary, as shown in FIG. 3C, when the temperature as the environmental factor decreases, heat generated in the polymer layer 320 or transferred to the polymer layer 320 is reduced. The decrease in heat may shrink the volume of the expanded polymer layer 320. Volume shrinkage of the polymer layer 320 may result in a decrease in distance between the conductive particles 310 and an increase in contact area. The decrease in the distance between the conductive particles 310 and the increase in the contact area may decrease the electrical resistance to the charge moving in the longitudinal direction or the thickness direction of the variable resistance layer 300, thereby increasing the electrical conductivity of the charge. Through the above-described operation, the variable resistance layer 300 may change the resistance in response to a temperature change as an environmental factor, thereby adjusting the amount of current passing through the variable resistance layer 300 to the organic light emitting diode device. . Thus, the amount of current input to the organic light emitting diode device can be stabilized irrespective of changes in environmental factors.

도 4는 본 출원의 일 실시 예에 따르는 유기발광다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 도면이다. 구체적으로, 도 4의 (a)는 유기발광다이오드 표시장치의 픽셀을 개략적으로 도시하는 전개도이며, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)에 도시된 유기발광다이오드 표시장치의 픽셀의 동작 회로를 나타내는 도면이다.4 is a schematic view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present application. Specifically, FIG. 4A is an exploded view schematically illustrating a pixel of the organic light emitting diode display, and FIG. 4B is an operation of a pixel of the organic light emitting diode display shown in FIG. 4A. It is a figure which shows a circuit.

도 4의 (a)를 참조하면, 유기발광다이오드 표시장치(400)는 음극 전극(420), 발광층(440), 구동회로(450) 및 양극 전극(460)을 포함한다. 음극 전극(420) 및 양극 전극(460)은 도 1과 관련하여 상술한 음극 전극층(120) 및 양극 전극층(160)과 실질적으로 동일하며, 음극 전극(420) 및 양극 전극(460) 중 적어도 하나는 가변 저항층 및 금속 전극층을 포함한다. 상기 가변 저항층 및 상기 금속 전극층은 도 1과 관련하여 상술한 가변저항층(122) 및 금속 전극층(124)와 실질적으로 동일하다. 발광 다이오드 표시장치(400)은 픽셀 단위(480) 내에서 구동회로(450)가 제공하는 신호에 따라, 음극 전극(420) 및 양극 전극(460) 사이에 소정의 전압을 인가하여 발광층(440)에서 빛을 방출하도록 한다. 발광층(440)은 유기박막물질로 형성될 수 있다. 유기발광다이오드 표시장치는 소정의 선택되는 픽셀 단위의 발광을 위해, N 개의 주사선(X1, X2, …, Xn, Xn+1, …XN, N은 정수), 데이터선(Y1, Y2, …, Yn, Yn+1, …, YN, N은 정수) 및 전류공급선(P1, P2, …, Pn, Pn+1, …, PN, N은 정수)을 구비할 수 있다. 소정의 픽셀 단위(480)의 발광을 위해, 구동회로(450)는 주사선(Xn), 데이터선(Yn) 및 전류공급선(Pn)을 이용할 수 있다.Referring to FIG. 4A, the organic light emitting diode display 400 includes a cathode electrode 420, a light emitting layer 440, a driving circuit 450, and an anode electrode 460. The cathode electrode 420 and the anode electrode 460 are substantially the same as the cathode electrode layer 120 and the anode electrode layer 160 described above with reference to FIG. 1, and at least one of the cathode electrode 420 and the anode electrode 460. Includes a variable resistance layer and a metal electrode layer. The variable resistance layer and the metal electrode layer are substantially the same as the variable resistance layer 122 and the metal electrode layer 124 described above with reference to FIG. 1. The LED display 400 applies a predetermined voltage between the cathode electrode 420 and the anode electrode 460 according to a signal provided by the driving circuit 450 in the pixel unit 480 to emit light. Let the light emit. The light emitting layer 440 may be formed of an organic thin film material. The organic light emitting diode display includes N scan lines (X1, X2, ..., Xn, Xn + 1, ... XN, N are integers), data lines (Y1, Y2, ..., ...) for light emission in a predetermined selected pixel unit. Yn, Yn + 1, ..., YN, N are integers) and current supply lines (P1, P2, ..., Pn, Pn + 1, ..., PN, N are integers). In order to emit light of a predetermined pixel unit 480, the driving circuit 450 may use the scan line Xn, the data line Yn, and the current supply line Pn.

도 4의 (b)를 참조하면, 픽셀 단위(480)의 구동회로(450)은 스위치소자(461), 저장 캐패시터(462) 및 전류구동소자(463)을 포함한다. 유기발광다이오드소자(465)는 도 4의 (a)의 음극 전극(420), 발광층(440) 및 양극 전극(460)을 포함한다. 스위치소자(461)의 턴온 신호에 의해 소정의 픽셀 단위(461)의 구동 신호가 저장 캐패시터(462)에 저장될 수 있다. 이후에, 발광다이오드소자(465)는 전류구동소자(463)의 턴 온 신호에 의해 전류공급선(Pn)으로부터 양극 전압을 제공받는다. 유기물질인 발광층(440)을 구비하는 유기발광다이오드소자(465)가 발광하기 위해서는 상대적으로 큰 전류가 필요하며 이를 위해 전류공급선(Pn)이 데이터선(Yn)과 별도로 배치된다. 본 출원의 일 실시 예에 따른 유기발광다이오드소자(465)의 음극 전극(420) 또는 양극 전극(460) 중 적어도 하나는 가변 저항층을 구비함으로써, 유기발광다오드소자(465)의 상기 환경요인으로서의 온도가 변화할 때 유기발광다이오드소자(465)로 입력되는 전류값을 안정화 시킬수 있다. Referring to FIG. 4B, the driving circuit 450 of the pixel unit 480 includes a switch element 461, a storage capacitor 462, and a current driver 463. The organic light emitting diode device 465 includes a cathode electrode 420, a light emitting layer 440, and an anode electrode 460 of FIG. 4A. The driving signal of a predetermined pixel unit 461 may be stored in the storage capacitor 462 by the turn-on signal of the switch element 461. Thereafter, the light emitting diode element 465 receives the anode voltage from the current supply line Pn by the turn-on signal of the current driving element 463. A relatively large current is required for the organic light emitting diode device 465 including the light emitting layer 440 that is an organic material to emit light. For this purpose, the current supply line Pn is disposed separately from the data line Yn. At least one of the cathode electrode 420 or the anode electrode 460 of the organic light emitting diode device 465 according to an embodiment of the present application is provided with a variable resistance layer, the environmental factors of the organic light emitting diode device 465 When the temperature changes, the current value input to the organic light emitting diode element 465 can be stabilized.

도 5는 본 출원의 일 실시 예에 따른 유기발광다이오드소자의 제조방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다. 도 5를 참조하면, 먼저 510 블록에서, 투명 기판 상에 제1 전극층을 형성한다. 상기 투명 기판은 유기발광다이오드소자에서 발생하는 빛을 외부로 방출하기 위한 것으로, 유리, 쿼츠(SiO2), 사파이어(Al2O3) 등의 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극층은 일 예로서, 인듐주석산화물(ITO), 바나듐산화물(VO), 몰리브덴산화물(MoO), 루테늄산화물(RuO) 등의 투광성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극층은 스퍼터링, 원자층증착법, 증발법 등의 공지의 기술로 형성할 수 있다.5 is a flowchart schematically showing a method of manufacturing an organic light emitting diode device according to an embodiment of the present application. Referring to FIG. 5, first, in 510 block, a first electrode layer is formed on a transparent substrate. The transparent substrate is for emitting light generated from the organic light emitting diode device to the outside, and may include a material such as glass, quartz (SiO 2), sapphire (Al 2 O 3), or the like. For example, the first electrode layer may include a light transmissive material such as indium tin oxide (ITO), vanadium oxide (VO), molybdenum oxide (MoO), ruthenium oxide (RuO), and the like. The first electrode layer may be formed by a known technique such as sputtering, atomic layer deposition, or evaporation.

520 블록에서, 상기 제1 전극층 상에 발광층을 형성한다. 일 실시 예에 따르면, 상기 유기발광다이오드소자의 상기 발광층은, 일 예로서, 저분자계 재료로서, 알루미늄 이온과 유기물의 결합체인 트리스알루미늄(Alq)을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 발광층은 복수의 다중결합을 가지는 파이(π) 공역 폴리머 또는 저분자계 색소 재료를 함유한 폴리머 등 다양한 공지의 고분자계 발광재료를 포함할 수 있다. 상기 발광층은 진공증착법, 프린팅법, 도포법 등으로 형성할 수 있지만, 이에 한정되지는 않고 공지의 다양한 증착법이 적용될 수 있다.In block 520, a light emitting layer is formed on the first electrode layer. According to an embodiment, the light emitting layer of the organic light emitting diode device may include, for example, tris aluminum (Alq), which is a combination of aluminum ions and an organic material as a low molecular weight material. As another example, the light emitting layer may include various known polymer light emitting materials, such as a pi (π) conjugated polymer having a plurality of multiple bonds or a polymer containing a low molecular weight pigment material. The light emitting layer may be formed by a vacuum deposition method, a printing method, a coating method, or the like, but is not limited thereto, and various known deposition methods may be applied.

530 블록에서, 상기 발광층 상에 가변 저항층을 포함하는 제2 전극층을 형성한다. 일 실시 예에 따르면, 531 블록에서 금속 전극층을 형성한다. 상기 금속 전극층은 상기 제2 전극층이 음극 전극으로 사용되는 경우, 일 예로서, 알루미늄(Al), 마그네슘은(MgAg) 합금, 알루미늄리튬(AlLi) 합금 등을 포함할 수 있다. 또는 이에 한정되지는 않고, 발광층으로의 전자 주입 효율이 좋은 재료로서 공지의 다른 다양한 물질을 포함할 수 있다. 다른 실시 예로서, 제2 전극층이 양극 전극으로 작용할 때, 금속 전극층은 일 예로서, 인듐주석산화물(ITO), 바나듐산화물(VO), 몰리브덴산화물(MoO), 루테늄산화물(RuO) 등을 포함할 수 있다. 또는 이에 한정되지는 않고, 홀의 주입 효율이 좋은 재료로서 공지의 다른 다양한 물질을 포함할 수 있다. 상기 금속 전극층은 스퍼터링, 원자층증착법, 증발법, 화학기상증착법 등의 공지의 다양한 증착법에 의해 형성될 수 있다.In block 530, a second electrode layer including a variable resistance layer is formed on the emission layer. According to one embodiment, the metal electrode layer is formed at 531 blocks. When the second electrode layer is used as a cathode electrode, the metal electrode layer may include, for example, aluminum (Al), magnesium silver (MgAg) alloy, aluminum lithium (AlLi) alloy, or the like. Alternatively, the present invention is not limited thereto and may include various other known materials as materials having good electron injection efficiency into the light emitting layer. In another embodiment, when the second electrode layer serves as an anode electrode, the metal electrode layer may include, for example, indium tin oxide (ITO), vanadium oxide (VO), molybdenum oxide (MoO), ruthenium oxide (RuO), or the like. Can be. Alternatively, the present invention is not limited thereto and may include various other known materials as materials having good hole injection efficiency. The metal electrode layer may be formed by various known deposition methods such as sputtering, atomic layer deposition, evaporation, and chemical vapor deposition.

532 블록에서, 상기 금속 전극층 상에 전도성 입자가 분산된 고분자를 상기 금속 전극층 상에 제공한다. 상기 고분자는 예로서 광경화성 수지 또는 열경화성 수지일 수 있다. 상기 광경화성 수지는 예로서 포토레지스트일 수 있다. 상기 열경화성 수지는 예로서 에폭시(epoxy), PDMS(polydimethylsiloane) 등일 수 있다. 상기 전도성 입자는 예로서, 전기적 전도성을 지닌 금속 입자일 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 상기 전도성 입자는 자성체 일 수 있다. 자성을 지니는 상기 전도성 입자는 예로서 전도성 상자성체, 전도성 강자성체, 전도성 반자성체 및 이들의 조합 중에서 선택되는 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 전도성 강자성체는 예로서 니켈일 수 있다. 상기 전도성 입자는 상기 고분자 내에 고르게 분산되도록 한 다음, 코팅법 또는 프린팅법에 의하여 상기 고분자를 상기 금속 전극층 상에 제공한다.In block 532, a polymer having conductive particles dispersed on the metal electrode layer is provided on the metal electrode layer. The polymer may be, for example, a photocurable resin or a thermosetting resin. The photocurable resin may be, for example, a photoresist. The thermosetting resin may be, for example, epoxy, polydimethylsiloane (PDMS), or the like. The conductive particles may be, for example, metal particles having electrical conductivity. According to one embodiment, the conductive particles may be a magnetic body. The conductive particles having magnetic properties may be at least one selected from, for example, a conductive paramagnetic material, a conductive ferromagnetic material, a conductive diamagnetic material, and a combination thereof. The conductive ferromagnetic material may be nickel, for example. The conductive particles are evenly dispersed in the polymer, and then the polymer is provided on the metal electrode layer by a coating method or a printing method.

533 블록에서, UV광 또는 열에 의해 상기 고분자를 경화시킨다. 상기 UV광 또는 상기 열에 의해 경화시킴으로써, 상기 전도성 입자를 내부에 포함하는 고분자층으로서의 상기 가변 저항층을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 상기 UV광 또는 상기 열에 의해 상기 고분자를 경화시킬 때, 외부로부터 자계를 인가하는 공정을 추가로 진행할 수 있다. 상기 고분자에 분산된 전도성 입자가 자성체일 경우, 외부에서 인가되는 자계에 의하여 상기 전도성 입자는 상기 고분자층 내에서 규칙적으로 정렬되도록 제어하여 분포 및 밀도를 조절할 수 있다. 상기 자계에 의하여 전도성 입자의 고분자층 내에서의 밀도 및 분포를 조절하는 경우, 고분자층 내부에서 전하 이동도를 효율적으로 증가시킬 수 있다. 상기 자계에 의하여 상기 전도성 입자는 상기 고분자층 내에서 전하의 이동을 효율적으로 증가시킬 수 있다. 몇몇 실시 예들에 따르면, 상기 제1 전극층을 형성할 때, 상기 투명 기판과 상기 제1 전극층 사이에 블록 530에서 상술한 상기 가변 저항층을 부가적으로 형성할 수 있다. In block 533, the polymer is cured by UV light or heat. By hardening with the said UV light or the said heat, the said variable resistance layer as a polymer layer containing the said electroconductive particle inside can be formed. According to an embodiment, when the polymer is cured by the UV light or the heat, a process of applying a magnetic field from the outside may be further performed. When the conductive particles dispersed in the polymer is a magnetic body, the conductive particles may be regularly aligned in the polymer layer by a magnetic field applied from the outside to control distribution and density. When controlling the density and distribution in the polymer layer of the conductive particles by the magnetic field, it is possible to efficiently increase the charge mobility in the polymer layer. By the magnetic field, the conductive particles may efficiently increase charge transfer in the polymer layer. According to some embodiments, when forming the first electrode layer, the variable resistance layer described above in block 530 may be additionally formed between the transparent substrate and the first electrode layer.

결과적으로, 블록 510 내지 블록 530을 포함하는 공정을 진행함으로써, 적어도 하나의 가변 저항층을 포함하는 전극층을 구비하는 발광다이오드소자를 형성할 수 있다.As a result, a light emitting diode device having an electrode layer including at least one variable resistance layer may be formed by performing the process including blocks 510 to 530.

도 6 내지 도 8은 본 출원의 일 실시 예에 따른 가변 저항층을 형성하는 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 6을 참조하면, 금속 전극층(610) 상에 전도성 입자(620)을 포함하는 고분자(630)을 제공한다. 고분자(630)를 제공하는 공정은 도 5의 블록 532와 관련하여 상술한 공정과 실질적으로 동일하므로, 중복을 배제하기 위해 상세한 설명은 생략한다.6 to 8 are schematic views illustrating a method of forming a variable resistance layer according to an exemplary embodiment of the present application. Referring to FIG. 6, a polymer 630 including conductive particles 620 is provided on the metal electrode layer 610. Since the process of providing the polymer 630 is substantially the same as the process described above with respect to block 532 of FIG. 5, a detailed description thereof will be omitted to avoid duplication.

도 7을 참조하면, 고분자(630)에 자계를 인가하여 고분자(630) 내에 분산되어 있는 전도성 입자(620)를 정렬한다. 이 경우, 전도성 입자(620)는 자성을 가지는 입자일 수 있다. 자성을 지니는 전도성 입자(620)은 예로서 전도성 상자성체, 전도성 강자성체, 전도성 반자성체 및 이들의 조합 중에서 선택되는 적어도 어느 하나일 수 있다. 자성을 지니는 전도성 입자(620)는 외부에서 가해지는 자계에 의하여 고분자(630) 내에서 정렬될 수 있다. 일례로, 자성을 지니는 전도성 입자(620)는 상기 자계에 평행한 방향으로 정렬될 수 있다. 자성을 지니는 전도성 입자(620)의 정렬 방향, 밀도, 분포 등은 전도성 입자(620)에 가해지는 상기 자계의 세기, 방향, 상기 자계를 가하는 시간 등에 의하여 조절될 수 있다. 도시된 바와 같이, 상기 자계는 서로 다른 극성을 가지는 영구자석(730A) 및 영구자석(730B)에 의하여 제공될 수 있다. 일 실시 예로서, 상기 자계는 영구자석(730A, 730B)과 고분자(630) 사이에 개재되는 강자성체 구조물(710)을 통하여 전도성 입자(620)에 가해질 수 있다. 이 경우, 강자성체 구조물(710)의 배치, 단면적 등의 조절을 통하여 전도성 입자(620)에 가해지는 상기 자계의 방향, 면적, 밀도 등을 용이하게 조절할 수 있다. 강자성체 구조물(710)의 재료로서 다양한 강자성체 재료가 사용될 수 있다. 강자성체 구조물(480)의 재료는 예로서 철일 수 있다. 다른 실시 예로서, 도면에 도시된 바와 달리, 상기 자계는 전자석(미도시)에 의하여 전도성 입자(620)에 가해질 수 있다. 상기 전자석의 배치, 상기 전자석의 크기, 상기 전자석에 가해지는 전류 또는 전압 등을 조절하면, 전도성 입자(620)에 가해지는 상기 자계의 방향, 면적, 세기 등을 용이하게 조절할 수 있다. Referring to FIG. 7, a magnetic field is applied to the polymer 630 to align the conductive particles 620 dispersed in the polymer 630. In this case, the conductive particles 620 may be particles having magnetic properties. The conductive particles 620 having magnetism may be at least one selected from, for example, a conductive paramagnetic material, a conductive ferromagnetic material, a conductive diamagnetic material, and a combination thereof. The conductive particles 620 having magnetism may be aligned in the polymer 630 by a magnetic field applied from the outside. For example, the conductive particles 620 having magnetic properties may be aligned in a direction parallel to the magnetic field. The alignment direction, density, and distribution of the conductive particles 620 having magnetic properties may be controlled by the strength, direction, time of applying the magnetic field, and the like applied to the conductive particles 620. As shown, the magnetic field may be provided by the permanent magnet 730A and the permanent magnet 730B having different polarities. As an example, the magnetic field may be applied to the conductive particles 620 through the ferromagnetic structure 710 interposed between the permanent magnets 730A and 730B and the polymer 630. In this case, the direction, area, density, etc. of the magnetic field applied to the conductive particles 620 may be easily adjusted by adjusting the arrangement, the cross-sectional area, and the like of the ferromagnetic structure 710. Various ferromagnetic materials may be used as the material of the ferromagnetic structure 710. The material of the ferromagnetic structure 480 may be iron, for example. In another embodiment, unlike shown in the figure, the magnetic field may be applied to the conductive particles 620 by an electromagnet (not shown). By adjusting the arrangement of the electromagnets, the size of the electromagnets, the current or voltage applied to the electromagnets, the direction, area, intensity, etc. of the magnetic field applied to the conductive particles 620 can be easily adjusted.

도 8을 참조하면, 전도성 입자(620)가 배열된 고분자(630)을 경화시켜, 전도성 고분자층(810)을 형성한다. 고분자(630)는 예로서 UV광 또는 열에 의하여 경화될 수 있다. 후속 공정에서, 전도성 입자(620)가 밀집된 고분자(630) 부분을 패터닝하여 남기고, 전도성 입자(620)의 분포도가 낮은 고분자(630) 부분을 제거함으로써, 금속 전극층(610) 상에 가변 저항층을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 8, the polymer 630 in which the conductive particles 620 are arranged is cured to form the conductive polymer layer 810. The polymer 630 may be cured by, for example, UV light or heat. In a subsequent process, the variable resistance layer is formed on the metal electrode layer 610 by removing a portion of the polymer 630 having a low distribution of the conductive particles 620 by patterning the portion of the polymer 630 in which the conductive particles 620 are dense. Can be formed.

몇몇 실시예들에 의하면, 도 7과 관련하여 설명한 자계를 인가하는 공정은 도 8과 관련하여 상술한 경화공정과 동시에 진행할 수 있다. 또다른 몇몇 실시예들에 의하면, 도 7과 관련하여 설명한 자계를 인가하는 공정을 생략할 수 있다. 즉, 도 6 및 도 8과 관련하여 상술한 바와 같이, 금속 전극층(610) 상에 전도성 입자(620)을 포함하는 고분자(630)을 제공하고, 고분자(630)를 UV 또는 열에 의해 경화시킴으로써, 전도성 고분자층(810)을 형성할 수 있다.
According to some embodiments, the process of applying the magnetic field described with reference to FIG. 7 may proceed simultaneously with the curing process described above with reference to FIG. 8. In another exemplary embodiment, the process of applying the magnetic field described with reference to FIG. 7 may be omitted. That is, as described above with reference to FIGS. 6 and 8, by providing the polymer 630 including the conductive particles 620 on the metal electrode layer 610, and curing the polymer 630 by UV or heat, The conductive polymer layer 810 may be formed.

여러 실시 예들을 통하여 상술한 바와 같이, 본 출원의 유기발광다이오드소자는 제1 전극층, 상기 제1 전극층과 이격되어 마주보는 제2 전극층, 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 사이에 개재되는 발광층을 포함한다. 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 중 적어도 하나는 가변 저항층을 포함한다. 상기 가변 저항층은 상기 발광다이오드소자로 입력되는 전류값이 증가할수록 전기적 저항을 증가시키고, 전류값이 감소하면 전기적 저항을 감소시킨다. 이를 통하여, 상기 발광다이오드소자가 과도한 입력 전류값에 의하여 열화되는 것을 미연에 방지할 수 있다.
As described above through various embodiments, the organic light emitting diode device of the present application includes a light emitting layer interposed between a first electrode layer, a second electrode layer spaced apart from the first electrode layer, and facing the first electrode layer and the second electrode layer. Include. At least one of the first electrode layer and the second electrode layer includes a variable resistance layer. The variable resistance layer increases the electrical resistance as the current value input to the light emitting diode device increases, and decreases the electrical resistance when the current value decreases. Through this, it is possible to prevent the light emitting diode device from being degraded due to excessive input current value.

이하에서는 상술한 본 출원에 개시된 기술의 구성을 보다 명확히 설명하는 실시예를 기재한다. 본 출원의 실시예들의 가변 저항층으로 적용되는 전도성 입자를 포함하는 전도성 고분자 재료의 제조 방법 및 제조된 상기 전도성 고분자 재료에 대하여, 외력 또는 열과 같은 외부 환경 변화에 따른 전기적 특성의 변화를 설명하도록 한다.
The following describes an embodiment more clearly explaining the configuration of the technology disclosed in the above-described application. A method of manufacturing a conductive polymer material including a conductive particle applied as a variable resistance layer of embodiments of the present application and the manufactured conductive polymer material, will be described in the change of electrical properties according to external environmental changes such as external force or heat. .

[실시예][Example]

전도성 고분자 재료의 제조Preparation of Conductive Polymer Materials

전도성 고분자 재료의 제조를 위하여 고분자 재료로서 PDMS는 DOW CORNING 사의 SYLGARD-184를 사용하였다. 전도성 입자의 충전제는 지름 5μm를 가지는 흑연 분말과 지름 2μm를 가지는 니켈 분말을 각각 사용하였으며, 실시예에서는 이들을 서로 비교하였다. PDMS used SYLGARD-184 manufactured by DOW CORNING as a polymer material for the production of the conductive polymer material. The fillers of the conductive particles used were graphite powder having a diameter of 5 μm and nickel powder having a diameter of 2 μm, respectively, and the examples were compared with each other.

전도성 고분자 재료의 제조 방법은 다음과 같다. 먼저 고분자 재료인 상기 SYLGARD-184의 베이스와 경화제를 10:1의 질량비로 섞는다. 상기 베이스와 상기 경화제가 섞인 고분자 재료에 상기 전도성 입자의 충전제를 혼합한다. 상기 전도성 입자의 충전제가 혼합된 재료는 진공 상태에서 기포를 모두 빼낸 뒤, 150°C 로 유지된 핫플레이트에서 10분간 가열해 완전히 경화시킨다. 상기 전도성 입자의 충전제 비율은 흑연 분말 및 니켈 분말 각각에 대하여 30 wt%로 고정하였다. 또한, 니켈 분말을 자계에 노출시켜 상기 전도성 고분자 복합재료를 제조하는 경우는 니켈 분말의 비율을 15wt%로 충전하고 전극방향의 자계 속에서 10분간 노출시킨 뒤 경화시켜 형성하였다.
The manufacturing method of a conductive polymer material is as follows. First, the base of the polymer material SYLGARD-184 and the curing agent are mixed in a mass ratio of 10: 1. The filler of the conductive particles is mixed with the polymer material in which the base and the curing agent are mixed. The material in which the filler of the conductive particles is mixed is completely cured by heating all the bubbles in a vacuum state for 10 minutes on a hot plate maintained at 150 ° C. The filler ratio of the conductive particles was fixed at 30 wt% for the graphite powder and the nickel powder, respectively. In addition, in the case where the conductive polymer composite material is manufactured by exposing the nickel powder to a magnetic field, the nickel powder is charged to 15 wt%, and formed by exposing for 10 minutes in a magnetic field in the electrode direction and then curing.

[실험예][Experimental Example]

흑연분말 30wt%, 니켈분말 15wt% 및 니켈분말 30wt%가 분산된 각각의 전도성 고분자 재료에 대하여 5mm x 3mm x 4.5mm 크기의 직육면체 형태의 시편을 제작하였다. 상기 시편의 위 아래면에 전극을 부착한 후 저항을 측정하였다.
A 5 mm x 3 mm x 4.5 mm rectangular parallelepiped specimen was prepared for each conductive polymer material in which 30 wt% graphite powder, 15 wt% nickel powder, and 30 wt% nickel powder were dispersed. Resistance was measured after attaching an electrode to the upper and lower surfaces of the specimen.

[평가][evaluation]

도 9는 온도 및 외력 변화에 따른 전기적 저항의 변화를 측정한 그래프이다. 본 실시예의 전도성 고분자 재료는 온도 변화뿐 아니라, 외력의 인가여부에 의해 전기적 저항이 변화한다. 도 9의 (a)는 자계가 인가되지 않은 니켈 분말 30wt% 가 분산된 경우 (b)는 흑연 분말 30wt%가 분산된 경우이며, (c)는 자계가 인가된 니켈 분말 15wt%가 분산된 경우를 각각 가리킨다. 도 9의 (a), (b) 및 (c) 모두에 대하여, 온도 증가에 따라 전기적 저항이 전체적으로 증가하는 경향을 보여준다. 구체적으로, 니켈 분말이 분산된 전도성 고분자 재료는 온도와 외력 변화에 따라 비저항이 일관성 있게 변화하는 것을 보여준다. 즉, 각각의 온도에서 외력으로 압축 응력이 작용하는 경우, 압력 응력이 인가되지 않았을 때 보다 전기적 저항이 낮아지는 경향을 보여 준다. 이에 반하여, 도 7의 (b)의 흑연 분말을 충전한 경우, 온도가 90℃ 일 때, 외력이 압축 응력으로 작용할 때 오히려 저항이 증가하는 것으로 관측됨으로써, 온도 변화 이외에 압력 변화에 따른 전기적 저항의 변화는 일관성 있는 모습을 보이지 못하고 있다. 도 7의 (c)를 참조하면, 니켈 분말 15wt%가 분산된 경우로서, 일정 방향의 자기장에 노출시켜 제조하였다. 이 경우, 도 7의 (a)에 비하여 니켈 분말의 함량이 절반에 해당하지만 오히려 전기적 저항과 같은 전기적 특성이 상대적으로 우수한 것을 알 수 있다.
9 is a graph measuring a change in electrical resistance according to temperature and external force changes. In the conductive polymer material of the present embodiment, the electrical resistance changes not only by temperature change but also by the application of external force. FIG. 9A illustrates a case in which 30 wt% of nickel powder having no magnetic field is dispersed, (b) shows a case where 30 wt% of graphite powder is dispersed, and (c) shows 15 wt% of nickel powder having a magnetic field applied thereto. Point to each. 9 (a), 9 (b) and 9 (c) all show the tendency of increasing the electrical resistance as the temperature increases. Specifically, the conductive polymer material in which the nickel powder is dispersed shows that the resistivity changes consistently with temperature and external force change. That is, when compressive stress is applied to the external force at each temperature, the electrical resistance tends to be lower than when no pressure stress is applied. On the contrary, when the graphite powder of FIG. 7B is filled, when the temperature is 90 ° C., the resistance increases rather than when the external force acts as a compressive stress, thereby increasing the electrical resistance according to the pressure change in addition to the temperature change. Change is not consistent. Referring to FIG. 7C, when 15 wt% of nickel powder is dispersed, the nickel powder is exposed to a magnetic field in a predetermined direction. In this case, the content of the nickel powder is equivalent to half compared to (a) of FIG. 7, but it can be seen that the electrical characteristics such as electrical resistance are relatively excellent.

상기로부터, 본 개시의 다양한 실시 예들이 예시를 위해 기술되었으며, 아울러 본 개시의 범주 및 사상으로부터 벗어나지 않고 가능한 다양한 변형 예들이 존재함을 이해할 수 있을 것이다. 그리고, 개시되고 있는 상기 다양한 실시 예들은 본 개시된 사상을 한정하기 위한 것이 아니며, 진정한 사상 및 범주는 하기의 청구항으로부터 제시될 것이다.
From the above, various embodiments of the present disclosure have been described for purposes of illustration, and it will be understood that various modifications are possible without departing from the scope and spirit of the present disclosure. And the various embodiments disclosed are not intended to limit the present disclosure, the true spirit and scope will be presented from the following claims.

100: 유기발광다이오드소자, 120: 제1 전극층, 122: 가변 저항층, 124: 금속 전극층, 140: 발광층, 160: 제2 전극층 180: 외부 전원,
300: 가변 저항층, 310: 전도성 입자, 320: 고분자층,
400: 유기발광다이오드 표시장치, 420: 음극 전극, 440: 발광층, 450: 구동회로, 460: 양극 전극, 461: 스위치 소자, 462: 저장 캐패시터, 463: 전류구동소자, 465: 유기발광다이오드소자, 480: 강자성체 구조물,
610: 금속 전극층, 620: 전도성 입자, 630: 고분자,
710: 강자성체 구조물, 730A, 730B: 영구자석,
810: 전도성 고분자층100: organic light emitting diode device, 120: first electrode layer, 122: variable resistance layer, 124: metal electrode layer, 140: light emitting layer, 160: second electrode layer 180: external power source,
300: variable resistance layer, 310: conductive particles, 320: polymer layer,
400: organic light emitting diode display device, 420: cathode electrode, 440: light emitting layer, 450: driving circuit, 460: anode electrode, 461: switch element, 462: storage capacitor, 463: current driving element, 465: organic light emitting diode element, 480: ferromagnetic structure,
610: metal electrode layer, 620: conductive particles, 630: polymer,
710: ferromagnetic structure, 730A, 730B: permanent magnet,
810: conductive polymer layer

Claims (18)

유기발광다이오드소자에 있어서,
가변 저항층을 통해 전원에 연결되는 제1 전극층;
상기 제1 전극층과 이격되어 마주보도록 배치되는 제2 전극층; 및
상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 사이에 개재되는 발광층을 포함하되,
상기 가변 저항층은 내부에 전도성 입자가 분산된 고분자층을 포함하며, 상기 가변 저항층의 전기적 특성은 상기 전도성 입자가 분산된 상기 고분자층의 변형에 따라 변화하는 유기발광다이오드소자.In an organic light emitting diode device,
A first electrode layer connected to the power supply through the variable resistance layer;
A second electrode layer spaced apart from and facing the first electrode layer; And
It includes a light emitting layer interposed between the first electrode layer and the second electrode layer,
The variable resistance layer includes a polymer layer having conductive particles dispersed therein, and an electrical property of the variable resistance layer changes according to deformation of the polymer layer in which the conductive particles are dispersed. 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극층은 음극 전극층이며, 상기 제2 전극층은 투광성 양극 전극층인 유기발광다이오드소자.The method according to claim 1,
And the first electrode layer is a cathode electrode layer, and the second electrode layer is a light transmissive anode electrode layer. 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극층은 투광성 양극 전극층이며, 상기 제2 전극층은 음극 전극층인 유기발광다이오드소자.The method according to claim 1,
The first electrode layer is a transparent anode electrode layer, the second electrode layer is an organic light emitting diode device. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전극층은 상기 가변 저항층과 금속 전극층의 층상 구조물인 유기발광다이오드소자.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The first electrode layer is an organic light emitting diode device which is a layered structure of the variable resistance layer and the metal electrode layer. 제1 항에 있어서,
상기 고분자층에서 발생하거나 상기 고분자층에 전달되는 열에 의해 상기 고분자층의 적어도 일부분이 팽창할 때 상기 가변 저항층의 전기적 저항이 증가하는 유기발광다이오드소자.The method according to claim 1,
An organic light emitting diode device in which the electrical resistance of the variable resistance layer increases when at least a portion of the polymer layer is expanded by heat generated in the polymer layer or transferred to the polymer layer. 제1 항에 있어서,
상기 전도성 입자는 니켈을 포함하고, 상기 고분자층은 광경화성 수지 또는 열경화성 수지의 재질로 이루어지는 유기발광다이오드소자.The method according to claim 1,
The conductive particles may include nickel, and the polymer layer may be formed of a photocurable resin or a thermosetting resin. 제1 항에 있어서,
상기 전도성 입자는 전도성 상자성체, 전도성 강자성체 및 이들의 조합 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 유기발광다이오드소자.The method according to claim 1,
The conductive particle is an organic light emitting diode device comprising any one selected from a conductive paramagnetic body, a conductive ferromagnetic material and combinations thereof. 제7 항에 있어서,
상기 전도성 입자는 상기 고분자층 내에서의 배열이 자계에 의하여 제어되는 유기발광다이오드소자.The method of claim 7, wherein
The conductive particles are organic light emitting diode device in which the arrangement in the polymer layer is controlled by a magnetic field. 제1 항에 있어서,
상기 제2 전극층은 가변 저항층을 포함하는
유기발광다이오드소자.The method according to claim 1,
The second electrode layer includes a variable resistance layer
Organic light emitting diode device. 유기발광다이오드 표시장치에 있어서,
음극 전극;
상기 음극 전극과 이격되어 마주보도록 배치되는 양극 전극;
상기 음극 전극 및 상기 양극 전극 사이에 개재되는 발광층을 포함하는 픽셀 단위를 복수 개로 포함하되,
상기 음극 전극 및 상기 양극 전극 중 적어도 하나는 가변 저항층을 통해 전원에 연결되고,
상기 가변 저항층은 내부에 전도성 입자가 분산된 고분자층을 포함하며,
상기 가변 저항층의 전기적 특성은 상기 고분자층의 변형에 따라 변화하는 유기발광다이오드 표시장치. In an organic light emitting diode display device,
Cathode electrode;
An anode electrode disposed to face the cathode electrode and to face each other;
Including a plurality of pixel units including a light emitting layer interposed between the cathode electrode and the anode electrode,
At least one of the cathode electrode and the anode electrode is connected to a power source through a variable resistance layer,
The variable resistance layer includes a polymer layer having conductive particles dispersed therein,
The organic light emitting diode display of the variable resistance layer is changed according to the deformation of the polymer layer. 제10 항에 있어서,
상기 고분자층에서 발생하거나 상기 고분자층에 전달되는 열에 의해 상기 고분자층의 적어도 일부분이 팽창할 때 상기 가변 저항층의 전기적 저항이 증가하는 유기발광다이오드 표시장치.The method of claim 10,
And an electrical resistance of the variable resistance layer increases when at least a portion of the polymer layer expands due to heat generated in the polymer layer or transferred to the polymer layer. 유기발광다이오드소자의 제조방법에 있어서,
투명 기판 상에 제1 전극층을 형성하는 과정;
상기 제1 전극층 상에 발광층을 형성하는 과정; 및
상기 발광층 상에 내부에 전도성 입자가 분산되어 있는 고분자층을 포함하며, 상기 전도성 입자가 분산되어 있는 상기 고분자층의 변형에 따라 전기적 특성이 변화하는 가변 저항층을 포함하는 제2 전극층을 형성하는 과정을 포함하되,
상기 제2 전극층을 형성하는 과정은,
상기 발광층 상에 금속 전극층을 형성하는 과정;
상기 전도성 입자가 분산된 고분자를 상기 금속 전극층 상에 제공하는 과정; 및
UV광 또는 열에 의해 상기 고분자를 경화시키는 과정을 포함하는
유기발광다이오드소자의 제조방법.In the method of manufacturing an organic light emitting diode device,
Forming a first electrode layer on the transparent substrate;
Forming a light emitting layer on the first electrode layer; And
Forming a second electrode layer including a polymer layer having conductive particles dispersed therein on the light emitting layer, and including a variable resistance layer whose electrical properties change according to deformation of the polymer layer in which the conductive particles are dispersed. Including,
Forming the second electrode layer,
Forming a metal electrode layer on the light emitting layer;
Providing a polymer in which the conductive particles are dispersed on the metal electrode layer; And
Curing the polymer by UV light or heat;
Method of manufacturing an organic light emitting diode device. 제12 항에 있어서,
상기 고분자층에서 발생하거나 상기 고분자층에 전달되는 열에 의하여 상기 고분자층의 적어도 일부분이 팽창할때 상기 가변 저항층의 전기 저항이 증가하는 유기발광다이오드소자의 제조방법.The method of claim 12,
The method of manufacturing an organic light emitting diode device in which the electrical resistance of the variable resistance layer increases when at least a portion of the polymer layer is expanded by heat generated in the polymer layer or transferred to the polymer layer. 제12 항에 있어서,
상기 전도성 입자는 니켈을 포함하고, 상기 고분자층은 광경화성 수지 또는 열경화성 수지의 재질로 이루어지는 유기발광다이오드소자의 제조방법.The method of claim 12,
The conductive particles include nickel, and the polymer layer is a method of manufacturing an organic light emitting diode device made of a photocurable resin or a thermosetting resin. 삭제delete 제12 항에 있어서,
상기 전도성 입자가 분산된 고분자를 상기 금속 전극층 상에 제공하는 과정은 프린팅법 또는 코팅법의 공정을 이용하는 유기발광다이오드소자의 제조방법.The method of claim 12,
The process of providing the polymer dispersed with the conductive particles on the metal electrode layer is a method of manufacturing an organic light emitting diode device using a printing method or a coating method. 제16 항에 있어서,
상기 전도성 입자는 전도성 상자성체, 전도성 강자성체 및 이들의 조합 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 유기발광다이오드소자의 제조방법.17. The method of claim 16,
The conductive particles are a method of manufacturing an organic light emitting diode device comprising any one selected from a conductive paramagnetic material, a conductive ferromagnetic material and combinations thereof. 제17 항에 있어서,
상기 고분자를 UV광 또는 열에 의해 경화시키는 과정은 상기 고분자에 자계를 인가하는 과정을 추가적으로 포함하는 유기발광다이오드소자의 제조방법.The method of claim 17,
Curing the polymer by UV light or heat is a method of manufacturing an organic light emitting diode device further comprising the step of applying a magnetic field to the polymer.
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