KR101178852B1 - Dual-band chip antena - Google Patents

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KR101178852B1 KR1020100067217A KR20100067217A KR101178852B1 KR 101178852 B1 KR101178852 B1 KR 101178852B1 KR 1020100067217 A KR1020100067217 A KR 1020100067217A KR 20100067217 A KR20100067217 A KR 20100067217A KR 101178852 B1 KR101178852 B1 KR 101178852B1
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박종권
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Abstract

본 발명은 이중대역 칩 안테나에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유전체 블록, 상기 유전체 블록의 세면을 감싼 형태의 제1 내지 제3 도체 패턴, 상기 유전체 블록의 상면에 형성하되, 제1 도체 패턴과 이격되어 형성하는 방사부, 상기 제3 도체 패턴의 하면에 부착하여 유전체 기판에 고정시키는 패드부, 상기 패드부에 제3 도체 패턴을 통해 전류를 공급하는 급전선, 및 상기 급전선의 양쪽으로 공간을 형성하여 임피던스 정합을 용이하게 하는 접지면;으로 구성하되, 상기 제3 도체 패턴은 유전체 블록의 하면에 형성되어 유전체 블록의 가장자리를 감싸면서 서로 연결되고, 상기 제1 도체 패턴은 유전체 블록의 상면에 형성되어 유전체 블록의 가장자리를 감싸되 일측이 연결되지 않고, 상기 제2 도체 패턴은 유전체 블록의 측면에 형성되어 상기 제1 및 제1 도체 패턴과 어느 일측을 서로 연결하는 것을 특징으로 하는 이중대역 칩 안테나에 관한 것이다.The present invention relates to a dual-band chip antenna, and more particularly, a dielectric block, first to third conductor patterns of three surfaces of the dielectric block, and formed on an upper surface of the dielectric block, spaced apart from the first conductor pattern. And a space portion formed on both sides of the radiating portion to be formed, a pad portion attached to a lower surface of the third conductor pattern and fixed to a dielectric substrate, a feed line for supplying current through the third conductor pattern to the pad portion, A ground plane that facilitates impedance matching; wherein the third conductor pattern is formed on a lower surface of the dielectric block and is connected to each other while surrounding an edge of the dielectric block, and the first conductor pattern is formed on an upper surface of the dielectric block. The second conductor pattern is formed on the side surface of the dielectric block so as to surround the edge of the dielectric block but not connected to one side thereof. It relates to a dual-band chip antenna, characterized in that for connecting together the body pattern and one side.

Description

이중대역 칩 안테나{DUAL-BAND CHIP ANTENA}Dual Band Chip Antenna {DUAL-BAND CHIP ANTENA}

본 발명은 UWB(Ultra-Wide Band) 및 WLAN 주파수 대역을 만족하는 이중대역 칩 안테나에 관한 것이다.The present invention relates to a dual band chip antenna that satisfies the Ultra-Wide Band (UWB) and WLAN frequency bands.

2002년 2월 미국 연방통신위원회(FCC: Federal Communication Commission)에서 군사용 통신 시스템 및 레이더 기술에만 제한적으로 적용 되는 UWB 무선통신 기술을 상업적 이용을 허가함으로써, 차세대 초고속 근거리 무선 전송방식의 새로운 대안으로 UWB 통신 시스템이 세계적으로 많은 주목을 받고 있다. 이러한 시대적 흐름에 따라 개인통신 관련 표준화를 담당하고 있는 IEEE 산하 802.15.3 Working Group에서 High-rate Physical layer extension for future WPAN의 Alternative PHY for IEEE 802.15.3 MAC으로 UWB를 표준화로 추진화고 있다.In February 2002, the U.S. Federal Communications Commission (FCC) licensed commercial use of UWB wireless communications technology, which is limited to military communications systems and radar technologies, to provide a new alternative to the next generation of high-speed short-range wireless transmission. The system is receiving a lot of attention worldwide. In line with this trend, the IEEE 5.35.3 Working Group, which is in charge of standardization of personal communication, is pushing UWB to standardization as an alternative PHY for IEEE 802.15.3 MAC of high-rate physical layer extension for future WPAN.

WLAN은 무선접속장치가 설치된 곳을 중심으로 일정 거리 이내에서 PDA 또는 노트북 컴퓨터를 통해 초고속 인터넷을 이용할 수 있으며, 가정에서 가장 많이 보급된 기술로써 별도의 연결이 없이도 넓은 통달거리를 바탕으로 고속의 데이터를 주고 받을 수 있다. WLAN can use high-speed Internet through PDA or notebook computer within a certain distance from the place where wireless access device is installed, and it is the most popular technology at home, and it provides high-speed data based on wide communication distance without a separate connection. You can give and receive.

UWB 통신은 디지털 정보 신호를 1ns이하의 짧은 펄스 신호를 사용하여 중심주파수에 대해 20%이상의 점유 대역폭을 차지하는 통신을 말한다. UWB 통신의 장점은 1Gbyte이상 초고속 통신이 가능하며, 3.1GHz~10.6GHz 사이의 초광대역을 가진다. 또한, 낮은 송신전력을 사용함으로써 배터리가 기존 무선 통신 방식보다 수십 배 이상 오래 사용할 수 있고, 중간 주파수단을 사용하지 않아 송수신 장치도 소형화 할 수 있다. UWB communication refers to a communication that occupies more than 20% of the bandwidth of the center frequency by using a digital pulse signal short pulse signal of less than 1ns. The advantage of UWB communication is that it enables high speed communication of more than 1Gbyte and has an ultra wide band between 3.1GHz and 10.6GHz. In addition, by using a low transmission power, the battery can be used for several tens of times longer than the conventional wireless communication method, and the transmission and reception apparatus can be miniaturized by not using the intermediate frequency stage.

그러나, 상기와 같은 WLAN 및 UWB 주파수 대역을 만족하는 하나의 안테나를 형성하기 위해서는 안테나의 부피가 커지는 단점이 있다.However, in order to form one antenna that satisfies the WLAN and UWB frequency bands as described above, an antenna has a disadvantage in that the volume of the antenna is increased.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 WLAN 및 UWB를 각각 독립적으로 주파수 대역을 조절하며 안테나의 부피를 줄인 이중대역 칩 안테나를 제공하는 것이다. The technical problem to be solved by the present invention is to provide a dual-band chip antenna to adjust the frequency band independently of the WLAN and UWB, respectively, reducing the volume of the antenna.

또한, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 수동소자 또는 능동소자의 직렬 및 병렬 부착이 용이한 이중대역 칩 안테나를 제공하는 것이다.In addition, the technical problem to be solved by the present invention is to provide a dual-band chip antenna that is easy to attach in series and parallel to the passive element or active element.

본 발명의 한 특징에 따른 이중대역 칩 안테나는, 유전체 블록과; 상기 유전체 블록의 세면을 감싼 형태의 제1 내지 제3 도체 패턴과; 상기 유전체 블록의 상면에 형성하되, 제1 도체 패턴과 이격되어 형성하는 방사부와; 상기 제3 도체 패턴의 하면에 부착하여 유전체 기판에 고정시키는 패드부와; 상기 패드부에 제3 도체 패턴을 통해 전류를 공급하는 급전선; 및 상기 급전선의 양쪽으로 공간을 형성하여 임피던스 정합을 용이하게 하는 접지면;으로 구성하되,
상기 제3 도체 패턴은 유전체 블록의 하면에 형성되어 유전체 블록의 가장자리를 감싸면서 서로 연결되고, 상기 제1 도체 패턴은 유전체 블록의 상면에 형성되어 유전체 블록의 가장자리를 감싸되 일측이 연결되지 않고, 상기 제2 도체 패턴은 유전체 블록의 측면에 형성되어 상기 제1 및 제3 도체 패턴과 어느 일측을 서로 연결하는 것을 특징으로 한다. A dual band chip antenna according to an aspect of the present invention includes a dielectric block; First to third conductor patterns covering three surfaces of the dielectric block; A radiating part formed on an upper surface of the dielectric block and spaced apart from the first conductor pattern; A pad portion attached to a lower surface of the third conductor pattern and fixed to a dielectric substrate; A feeder supplying current to the pad part through a third conductor pattern; And a ground plane which forms spaces on both sides of the feed line to facilitate impedance matching.
The third conductor pattern is formed on the bottom surface of the dielectric block and is connected to each other while surrounding the edge of the dielectric block, the first conductor pattern is formed on the top surface of the dielectric block to surround the edge of the dielectric block, one side is not connected, The second conductor pattern may be formed on a side surface of the dielectric block to connect the first and third conductor patterns to one side thereof.

삭제delete

상기 특징에 따른 이중대역 칩 안테나에 있어서, 상기 방사부의 크기를 가변하여 VSWR 특성을 변화시키는 것을 특징으로 한다.In the dual band chip antenna according to the above feature, the size of the radiator is varied to change the VSWR characteristic.

상기 특징에 따른 이중대역 칩 안테나에 있어서, 상기 제1 도체 패턴은 제2 도체 패턴과 닿지 않은 어느 한 변인 스터브를 포함하며, 상기 스터브는 길이를 가변하여 VSWR 특성을 변화시키는 것을 특징으로 한다.In the dual band chip antenna according to the above feature, the first conductor pattern includes a stub which is not in contact with the second conductor pattern, and the stub varies the length to change the VSWR characteristic.

삭제delete

상기 특징에 따른 이중대역 칩 안테나에 있어서, 상기 방사부는 원형, 다각형, M자형, 및 V자형 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 한다.In the dual band chip antenna according to the above feature, the radiating portion is characterized in that formed in any one of a circular, polygonal, M-shaped, and V-shaped.

이러한 본 발명의 특징에 따르면, According to this aspect of the present invention,

본 발명은 Lower UWB 통신 시스템이 요구하는 주파수 대역폭(3.1GHz 내지 5.2GHz)와 WLAN 주파수 대역폭(2.45GHz)을 동시에 만족하는 효과가 있다. The present invention has the effect of simultaneously satisfying the frequency bandwidth (3.1 GHz to 5.2 GHz) and WLAN frequency bandwidth (2.45 GHz) required by the lower UWB communication system.

또한, 본 발명은 Lower UWB주파수 대역폭과 WLAN 주파수 대역폭을 만족하면서 소형 및 경량화하는 효과가 있다. In addition, the present invention has the effect of reducing the size and weight while satisfying the lower UWB frequency bandwidth and WLAN frequency bandwidth.

또한, 본 발명은 밀리미터 웨이브(millimeter wave)의 영역에서 비아(via)에 의한 기생효과를 줄이는 효과가 있다. 즉, 종래에 나온 UWB 칩 안테나는 비아를 이용하여 상단면과 하단면의 패치를 연결하여 커플링 현상을 이용하거나 MMIC기술을 이용하여 소형화와 멀티밴드 칩안테나 특성을 이루었지만 본발명은 비아를 사용하지 아니하여 밀리미터 웨이브 영역에서 비아에 의한 기생효과를 줄이고 제작의 번거로움을 해결하며 제작비용을 절감을 이루는 효과를 얻었다.In addition, the present invention has the effect of reducing the parasitic effect of the via (via) in the region of the millimeter wave (millimeter wave). In other words, UWB chip antennas conventionally used have a coupling effect by connecting a patch at the top and bottom surfaces using vias, or have achieved miniaturization and multiband chip antenna characteristics using MMIC technology, but the present invention uses vias. By doing so, the parasitic effect caused by vias in the millimeter wave region was solved, and the manufacturing cost was solved.

도 1은 본 발명에 따른 이중대역 칩 안테나를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 이중대역 칩 안테나의 장착 모습을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 이중대역 칩 안테나의 VSWR 특성을 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명에 따른 이중대역 칩 안테나의 스터브(Cw1) 길이 변화에 따른 VSWR 특성을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 이중대역 칩 안테나의 방사부(Cc1) 길이 변화에 따른 VSWR 특성을 나타낸 도면이다.
도 6 내지 도 10은 본 발명에 따른 이중대역 칩 안테나의 방사패턴을 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명에 따른 이중대역 칩 안테나의 Gain[dBi]를 나타낸 그래프이다.1 is a diagram illustrating a dual band chip antenna according to the present invention.
2 is a view showing the mounting state of the dual band chip antenna according to the present invention.
3 is a graph illustrating VSWR characteristics of a dual band chip antenna according to the present invention.
4 is a view showing the VSWR characteristics according to the change in the length of the stub (Cw1) of the dual band chip antenna according to the present invention.
5 is a view showing the VSWR characteristics according to the change in the length of the radiator Cc1 of the dual band chip antenna according to the present invention.
6 to 10 are diagrams illustrating a radiation pattern of a dual band chip antenna according to the present invention.
11 is a graph showing the gain [dBi] of the dual band chip antenna according to the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 이중대역 칩 안테나를 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 이중대역 칩 안테나의 장착 모습을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a dual band chip antenna according to the present invention, Figure 2 is a view showing a mounting state of the dual band chip antenna according to the present invention.

이때, 도 1의 (a)는 이중대역 칩 안테나의 상면을 나타내는 사시도이고, 도1의 (b)는 이중대역 칩 안테나의 하면을 나타낸 사시도이다.1A is a perspective view illustrating the top surface of the dual band chip antenna, and FIG. 1B is a perspective view illustrating the bottom surface of the dual band chip antenna.

또한, 도 2의 (a)는 유전체기판의 상면을 나타낸 단면도이고, 도 2의 (b)는 유전체 기판의 하면을 나타낸 단면도이다. 2A is a cross-sectional view showing the top surface of the dielectric substrate, and FIG. 2B is a cross-sectional view showing the bottom surface of the dielectric substrate.

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 이중대역 칩 안테나는 유전체 블록(200), 제1 내지 제3 도체 패턴(310, 330, 320), 방사부(360), 패드부(350), 급전선(340), 및 접지면(500)으로 구성한다. 1 and 2, a dual band chip antenna according to an embodiment of the present invention may include a dielectric block 200, first to third conductor patterns 310, 330, and 320, a radiator 360, The pad 350 includes a pad 350, a feed line 340, and a ground plane 500.

상기 유전체 블록(200)은 두께가 1mm인 CER 10기판을 사용하여 유전율은 10이며, loss tangent는 0.0023이다. The dielectric block 200 has a dielectric constant of 10 and a loss tangent of 0.0023 using a CER 10 substrate having a thickness of 1 mm.

이때, 본 발명의 실시 예에서 상기 유전체 블록(200)은 6*6mm2 의 크기를 사용하여 형성하였으나, 유전체 블록(200)의 크기는 한정하지 아니하고 당업자라면 유전체 블록 크기의 특성에 따른 변형 가능하다.At this time, in the embodiment of the present invention, the dielectric block 200 is formed using a size of 6 * 6mm 2, the size of the dielectric block 200 is not limited and those skilled in the art can be modified according to the characteristics of the dielectric block size. .

상기 제1 내지 제3 도체 패턴(310, 330, 320)은 유전체 블록(200)의 세면을 감싸는 형태로 형성한다. The first to third conductor patterns 310, 330, and 320 are formed to surround three surfaces of the dielectric block 200.

이때, 상기 제3 도체 패턴(320)은 유전체 블록(200)의 하면에 형성되어 유전체 블록(200)의 가장자리를 감싸면서 서로 연결되고, 상기 제1 도체 패턴(310)은 유전체 블록(200)의 상면에 형성되어 유전체 블록(200)의 가장자리를 감싸되 일측이 연결되지 않고, 상기 제2 도체 패턴(330)은 유전체 블록(200)의 측면에 형성되어 제1 및 제3 도체 패턴(310, 320)과 어느 일측을 서로 연결한다.In this case, the third conductor pattern 320 is formed on the bottom surface of the dielectric block 200 and is connected to each other while surrounding the edge of the dielectric block 200, the first conductor pattern 310 of the dielectric block 200 Is formed on the upper surface to surround the edge of the dielectric block 200, one side is not connected, the second conductor pattern 330 is formed on the side of the dielectric block 200, the first and third conductor patterns (310, 320) ) And which one side are connected to each other.

여기서, 상기 제1 도체 패턴(310)은 제2 도체 패턴(330)과 서로 닿지 않는 어느 한 변인 스터브(331, Cw1)를 포함하며, 상기 스터브(331)는 길이를 가변하여 VSWR 특성을 변화시킬 수 있으며, 그 특성은 도 4에 도시한 바와 같다. Here, the first conductor pattern 310 includes stubs 331 and Cw1, which are one side of the second conductor pattern 330 that do not touch each other, and the stub 331 may vary the length to change VSWR characteristics. And the characteristics thereof are as shown in FIG. 4.

상기 방사부(360)는 유전체 블록(200)의 상면에 형성하되, 제1 도체 패턴(310)과 이격되어 형성한다. The radiating part 360 is formed on the upper surface of the dielectric block 200 and is spaced apart from the first conductor pattern 310.

이때, 상기 방사부(360)는 제1 도체 패턴(310)과 일정간격 이격되어 용량성 결합을 이루며, 그 형태는 원형, 다각형, M자형, 및 V자형 등 다양한 형상을 채택하여 형성할 수 있으므로, 도 1에 도시한 형태로만 한정하지 아니한다. At this time, the radiating part 360 is capacitively coupled with a predetermined distance from the first conductor pattern 310, and the shape may be formed by adopting various shapes such as circular, polygonal, M-shaped, and V-shaped. It is not limited to the form shown in FIG.

이때, 상기 방사부(360)의 형상에 따라 주파수 대역이 조절할 수 있다. In this case, the frequency band may be adjusted according to the shape of the radiator 360.

또한, 상기 방사부(360, Cc1)의 길이 또는 폭을 가변 함에 따라 VSWR 특성이 변화 되며, 그 특성은 도 5에 도시한 바와 같다. In addition, as the length or width of the radiator 360 (Cc1) is varied, the VSWR characteristic is changed, and the characteristic is as shown in FIG.

상기 패드부(350)는 제3 도체 패턴(320)의 하면에 부착하여 유전체 기판(400)에 칩 안테나를 고정시킨다. The pad part 350 is attached to the lower surface of the third conductor pattern 320 to fix the chip antenna to the dielectric substrate 400.

이때, 상기 패드부(350)를 통해 수동소자 또는 능동소자의 직렬 및 병렬 부착이 용이하다. At this time, the pad unit 350 facilitates the serial and parallel attachment of passive elements or active elements.

상기 유전체 기판(400)은 본 발명의 실시 예에서 두께가 0.8mm인 FR4기판을 사용하며, 유전율은 4.4이며, loss tangent는 0.025이다. The dielectric substrate 400 uses an FR4 substrate having a thickness of 0.8 mm in an embodiment of the present invention. The dielectric constant is 4.4 and the loss tangent is 0.025.

또한, 유전체 기판(400)은 40*100mm2 의 크기를 사용하였다. In addition, the dielectric substrate 400 used a size of 40 * 100 mm 2 .

상기 급전선(340)은 제3 도체 패턴(320)를 통해 패드부(350)에 전류를 공급한다. 이때, 상기 급전선(340)은 제3 도체 패턴(320)과 연결되고, 상기 제3 도체 패턴(320)은 패드부(350)와 연결된다. The feed line 340 supplies a current to the pad unit 350 through the third conductor pattern 320. In this case, the feed line 340 is connected to the third conductor pattern 320, the third conductor pattern 320 is connected to the pad unit 350.

상기 접지면(500)은 급전선(340)의 양쪽으로 공간을 형성하여 임피던스 정합을 용이하게 한다.The ground plane 500 forms a space on both sides of the feed line 340 to facilitate impedance matching.

도 3은 본 발명에 따른 이중대역 칩 안테나의 VSWR 특성을 나타낸 그래프이다.3 is a graph illustrating VSWR characteristics of a dual band chip antenna according to the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 이중대역 칩 안테나의 VSWR은 3:1지점인 return loss가 -6dB이하인 지점에서 원하는 WLAN 주파수 대역 및 Lower UWB 주파수 대역에서의 대역폭(1.98GHz)을 갖는다.As shown in FIG. 3, the VSWR of a dual band chip antenna according to an embodiment of the present invention has a bandwidth of 1.98 GHz in a desired WLAN frequency band and a lower UWB frequency band at a point where a return loss of 3: 1 is less than -6 dB. Has

도 4는 본 발명에 따른 이중대역 칩 안테나의 스터브(Cw1) 길이 변화에 따른 VSWR 특성을 나타낸 도면이다. 4 is a view showing the VSWR characteristics according to the change in the length of the stub (Cw1) of the dual band chip antenna according to the present invention.

도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예와 같이 형성된 칩 안테나의 스터브(Cw1) 길이 변화에 따른 반사손실로써, 스터브(Cw1)값의 변화에 따라 크게 변화되지는 않지만 스터브(Cw1)의 길이가 짧아질수록 높은 주파수 대역으로 이동하는 것을 알 수 있다. As shown in FIG. 4, as a reflection loss according to a change in the length of the stub Cw1 of the chip antenna formed as in the embodiment of the present invention, the change of the stub Cw1 is not greatly changed. It can be seen that the shorter the length is to move to the higher frequency band.

도 5는 본 발명에 따른 이중대역 칩 안테나의 방사부(Cc1) 길이 변화에 따른 VSWR 특성을 나타낸 도면이다. 5 is a view showing the VSWR characteristics according to the change in the length of the radiator Cc1 of the dual band chip antenna according to the present invention.

도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예와 같이 형성된 칩 안테나의 방사부(Cc1)의 폭을 늘리면 Lower UWB 주파수 범위가 넓어지고, 이와 반대로 방사부 (Cc1)의 폭을 줄이면 Lower UWB 주파수 범위가 좁아지는 것을 알 수 있어 Lower UWB 주파수 범위를 조절하고자 할 때, Cc 폭의 조절로 용이하게 주파수 대역을 변화할 수 있다. As shown in FIG. 5, when the width of the radiator Cc1 of the chip antenna formed as in the embodiment of the present invention is increased, the lower UWB frequency range is widened. On the contrary, when the width of the radiator Cc1 is reduced, the lower UWB frequency is reduced. It can be seen that the range is narrowed, so when adjusting the lower UWB frequency range, the frequency band can be easily changed by adjusting the Cc width.

도 6 내지 도 10은 본 발명에 따른 이중대역 칩 안테나의 방사패턴을 나타낸 도면이다. 6 to 10 are diagrams illustrating a radiation pattern of a dual band chip antenna according to the present invention.

도 6 내지 도 10에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 이중대역 칩 안테나의 복사 패턴은 2.45GHz, 3.2GHz, 4GHz, 및 4.7GHz의 각각 다른 방사패턴에 따라 다소 차이는 있으나, H-Plane(XZ-plane)와 E-Plane(YZ-plane)에서 무지향성(omni-directional)특성의 패턴과 유사함을 알 수 있다. 6 to 10, the radiation pattern of the dual-band chip antenna according to an embodiment of the present invention is slightly different depending on different radiation patterns of 2.45 GHz, 3.2 GHz, 4 GHz, and 4.7 GHz, H It is similar to the pattern of omni-directional characteristics in -plane (XZ-plane) and E-plane (YZ-plane).

도 11은 본 발명에 따른 이중대역 칩 안테나의 Gain[dBi]를 나타낸 그래프이다.11 is a graph showing the gain [dBi] of the dual band chip antenna according to the present invention.

도 11에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 이중 대역 안테나의 이득 관심 대역에서 이득은 평균 이득의 보다 우수한 특성을 나타내는 것을 알 수 있다. As shown in Fig. 11, it can be seen that the gain in the gain interest band of the dual band antenna according to the present invention exhibits better characteristics of the average gain.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 관하여 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 따라서 본 발명의 권리 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 청구범위뿐만 아니라, 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of course, this is possible. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by the equivalents as well as the claims that follow.

200 : 유전체블록 310 : 제1 도체 패턴
320 : 제3 도체 패턴 330 : 제2 도체 패턴
331 : 스터브 340 : 급전선
350 : 패드부 360 : 방사부
400 : 유전체기판 500 : 접지면200: dielectric block 310: first conductor pattern
320: third conductor pattern 330: second conductor pattern
331: stub 340: feeder
350: pad portion 360: radiating portion
400: dielectric substrate 500: ground plane

Claims (4)

칩 안테나에 있어서,
유전체 블록과;
상기 유전체 블록의 세면을 감싼 형태의 제1 내지 제3 도체 패턴과;
상기 유전체 블록의 상면에 형성하되, 제1 도체 패턴과 이격되어 형성하는 방사부와;
상기 제3 도체 패턴의 하면에 부착하여 유전체 기판에 고정시키는 패드부와;
상기 패드부에 제3 도체 패턴을 통해 전류를 공급하는 급전선; 및
상기 급전선의 양쪽으로 공간을 형성하여 임피던스 정합을 용이하게 하는 접지면;으로 구성하되,
상기 제3 도체 패턴은 유전체 블록의 하면에 형성되어 유전체 블록의 가장자리를 감싸면서 서로 연결되고, 상기 제1 도체 패턴은 유전체 블록의 상면에 형성되어 유전체 블록의 가장자리를 감싸되 일측이 연결되지 않고, 상기 제2 도체 패턴은 유전체 블록의 측면에 형성되어 상기 제1 및 제3 도체 패턴과 어느 일측을 서로 연결하는 것을 특징으로 하는 이중대역 칩 안테나.In the chip antenna,
A dielectric block;
First to third conductor patterns covering three surfaces of the dielectric block;
A radiating part formed on an upper surface of the dielectric block and spaced apart from the first conductor pattern;
A pad portion attached to a lower surface of the third conductor pattern and fixed to a dielectric substrate;
A feeder supplying current to the pad part through a third conductor pattern; And
Consists of a ground plane to facilitate the impedance matching by forming a space on both sides of the feed line,
The third conductor pattern is formed on the bottom surface of the dielectric block and is connected to each other while surrounding the edge of the dielectric block, the first conductor pattern is formed on the top surface of the dielectric block to surround the edge of the dielectric block, one side is not connected, The second conductor pattern is formed on the side of the dielectric block, the dual band chip antenna, characterized in that to connect the first and third conductor patterns and either side to each other. 제1항에 있어서,
상기 방사부의 크기를 가변하여 VSWR 특성을 변화시키는 것을 특징으로 하는 이중대역 칩 안테나.The method of claim 1,
The dual band chip antenna, characterized in that for changing the size of the radiator to change the VSWR characteristics. 제1항에 있어서,
상기 제1 도체 패턴은 제2 도체 패턴과 서로 닿지 않은 어느 한 변인 스터브를 포함하며,
상기 스터브는 길이를 가변하여 VSWR 특성을 변화시키는 것을 특징으로 하는 이중대역 칩 안테나.The method of claim 1,
The first conductor pattern includes a stub that does not touch each other and the second conductor pattern,
The stub is variable in length to vary the VSWR characteristics of the dual band chip antenna. 제2항에 있어서,
상기 방사부는 원형, 다각형, M자형, 및 V자형 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 이중대역 칩 안테나.
The method of claim 2,
The radiating part is a dual band chip antenna, characterized in that formed in any one of a circular, polygonal, M-shaped, and V-shaped.
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